JP2022520414A - 電流デバイス読み出しシステム - Google Patents
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Abstract
Description
本開示に含まれる技術的思想を以下に記載する。
(付記1)
電流デバイス読み出しシステムであって、
電流デバイスの電流状態に関連付けられた共振周波数を有するチューナブル共振器であって、所定の周波数を有するトーン信号を給電線から受信して前記電流デバイスの電流状態を決定するように構成されたチューナブル共振器と、
前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとを誘導相互接続する量子磁束パラメトロン(QFP)として構成された分離デバイスと、
を備え、前記QFPは、前記電流デバイスの電流状態の増幅を可能とする閾値を設定するべく静的磁束に基づいて調整可能であり、前記QFPは、第1の状態で前記電流デバイスと前記チューナブル共振器とを分離し、第2の状態で前記電流デバイスの増幅電流状態をチューナブル共振器に与えて前記第2の状態で前記電流デバイスの電流状態の決定を可能とするように構成されている、電流デバイス読み出しシステム。
(付記2)
前記電流デバイスは磁束量子ビットとして構成されており、第1の電流状態が前記磁束量子ビットに関連付けられた電流ループの第1の電流方向に基づく第1の磁束状態に対応し、第2の電流状態が前記磁束量子ビットに関連付けられた前記電流ループの第2の電流方向に基づく第2の磁束状態に対応する、付記1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記3)
前記QFPは、前記電流デバイスおよび前記チューナブル共振器に対してチューナブルカプラとして構成されている、付記1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記4)
前記QFPは、前記チューナブル共振器および前記電流デバイスに誘導結合されており、前記QFPは、第1のQFP状態で磁束分離をもたらし、第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を増幅して前記第2のQFP状態で前記QFPに前記電流状態を記憶するように調整可能とされており、前記トーン信号に応答して前記電流デバイスの電流状態の決定を可能とするために、前記第2の状態で前記電流デバイスの増幅電流状態が前記QFPを介して前記チューナブル共振器に誘導的に与えられる、付記3に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記5)
前記QFPは、前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間の相互インダクタンスを前記第1のQFP状態でほぼゼロとするように誘導的に調整される、付記4に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記6)
前記QFPは、前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間の相互インダクタンスを前記第1のQFP状態でほぼゼロとするように約Φ 0 /2の磁束に誘導的に調整される、付記5に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記7)
前記QFPは、前記第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を増幅して、前記第2のQFP状態で前記QFPに前記電流状態を記憶するように約Φ 0 の磁束に断熱的かつ誘導的に調整される、付記4に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記8)
前記QFPは、前記第1のQFP状態と前記第2のQFP状態との間で誘導的に調整されるように構成された複合ジョセフソン接合(CJJ)を含む、付記3に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記9)
前記QFPは、前記QFPの前記第2の状態において、前記電流デバイスの電流状態を第1の電流状態および第2の電流状態のうちの1つとして増幅することを可能とする閾値を設定するべく前記静的磁束によって調整されるインダクタをさらに含み、前記第1の電流状態は、前記チューナブル共振器の共振周波数を第1の共振周波数に設定し、前記第2の電流状態は、前記チューナブル共振器の共振周波数を第2の共振周波数に設定する、付記8に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記10)
前記静的磁束が第1の静的磁束であり、前記チューナブル共振器は、前記チューナブル共振器の共振周波数を前記電流デバイスの第1の電流状態に関連付けられたオンレゾナンス周波数に対応する第1の所定周波数に設定するべく第2の静的磁束により調整される、付記1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記11)
前記QFPは複数のQFPのうちの第1のQFPであり、前記複数のQFPの各々は、前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間に連続して誘導配置される、付記1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記12)
前記QFPは複数のQFPのうちの第1のQFPであり、前記第1のQFPは、複数の電流デバイスのうちの第1の電流デバイスに誘導結合され、前記複数のQFPの各々は、前記複数の電流デバイスのうちの対応する一つを誘導相互接続する、付記1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記13)
電流デバイスの電流状態を読み出す方法であって、
チューナブル共振器と前記電流デバイスとを誘導相互接続する量子磁束パラメトロン(QFP)に第1のバイアス磁束を供給して前記QFPを第1のQFP状態に設定することにより前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとを誘導分離することであって、前記QFPは、前記電流デバイスの電流状態の増幅を可能とする閾値を設定するべく静的磁束に基づいて調整可能であり、前記電流デバイスの電流状態は、第1の電流状態および第2の電流状態のうちの1つに対応する、前記第1のバイアス磁束を供給すること、
前記QFPに第2のバイアス磁束を供給して前記QFPを第2のQFP状態に設定することにより前記電流デバイスの電流状態に関連付けられた前記チューナブル共振器の共振周波数を設定することであって、前記QFPは、前記第2のバイアス磁束に基づいて、前記第2の電流状態における前記電流デバイスの増幅電流状態を前記チューナブル共振器に与えるように構成されている、前記第2のバイアス磁束を供給すること、
所定の周波数を有するトーン信号を給電線から前記チューナブル共振器に供給すること、
前記トーン信号の供給に応答して前記給電線を監視して前記電流デバイスの電流状態を決定すること、
を備える方法。
(付記14)
前記電流デバイスは磁束量子ビットとして構成されており、前記第1の電流状態が、前記磁束量子ビットに関連付けられた電流ループの第1の電流方向に基づく第1の磁束状態に対応し、前記第2の電流状態が、前記磁束量子ビットに関連付けられた前記電流ループの第2の電流方向に基づく第2の磁束状態に対応する、付記13に記載の方法。
(付記15)
前記第1のバイアス磁束を供給することは、前記QFPに前記第1のバイアス磁束を供給して前記QFPを約Φ 0 /2の磁束に誘導的に調整することにより、前記第1のQFP状態で前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間の相互インダクタンスをほぼゼロにすることを含み、
前記第2のバイアス磁束を供給することは、前記第1のバイアス磁束を前記第2のバイアス磁束へと断熱的に増加させて前記QFPの磁束を約Φ 0 まで断熱的に増加させることにより、前記第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を増幅させて前記第2のQFP状態で当該電流状態を前記QFPに記憶することを含む、付記13に記載の方法。
(付記16)
前記QFPに前記第1のバイアス磁束および前記第2のバイアス磁束を供給することは、前記第1のQFP状態と前記第2のQFP状態との間で誘導的に調整されるように構成された複合ジョセフソン接合(CJJ)に前記第1のバイアス磁束および前記第2のバイアス磁束を供給することを含む、付記13に記載の方法。
(付記17)
電流デバイス読み出しシステムであって、
磁束量子ビットの電流状態に関連付けられた共振周波数を有するチューナブル共振器であって、所定の周波数を有するトーン信号を給電線から受信して前記磁束量子ビットの電流状態を決定するように構成された前記チューナブル共振器と、
前記チューナブル共振器と前記磁束量子ビットとを誘導相互接続する量子磁束パラメトロン(QFP)と、
を備え、前記QFPは、第1のQFP状態で前記磁束量子ビットと前記チューナブル共振器とを誘導分離し、第2のQFP状態で電流デバイスの電流状態を増幅して前記電流デバイスの電流状態の決定を可能とするように調整可能であり、前記QFPは、前記第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を第1の電流状態および第2の電流状態のうちの1つに増幅することを可能とする閾値を設定するべく静的磁束によって調整されるインダクタを含む、電流デバイス読み出しシステム。
(付記18)
前記QFPは、約Φ 0 /2の磁束に誘導的に調整されることで前記第1のQFP状態で前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間の相互インダクタンスをほぼゼロにする、付記17に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記19)
前記QFPは、約Φ 0 の磁束に断熱的に誘導的に調整されることで前記第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を増幅して前記第2のQFP状態で前記第1の電流状態および前記第2の電流状態のうちの1つを前記QFPに記憶する、付記17に記載の電流デバイス読み出しシステム。
(付記20)
前記QFPが、前記第1のQFP状態と前記第2のQFP状態との間で誘導的に調整されるように構成された複合ジョセフソン接合(CJJ)を含む、付記17に記載の電流デバイス読み出しシステム。
Claims (20)
- 電流デバイス読み出しシステムであって、
電流デバイスの電流状態に関連付けられた共振周波数を有するチューナブル共振器であって、所定の周波数を有するトーン信号を給電線から受信して前記電流デバイスの電流状態を決定するように構成されたチューナブル共振器と、
前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとを誘導相互接続する量子磁束パラメトロン(QFP)として構成された分離デバイスと、
を備え、前記QFPは、前記電流デバイスの電流状態の増幅を可能とする閾値を設定するべく静的磁束に基づいて調整可能であり、前記QFPは、第1の状態で前記電流デバイスと前記チューナブル共振器とを分離し、第2の状態で前記電流デバイスの増幅電流状態をチューナブル共振器に与えて前記第2の状態で前記電流デバイスの電流状態の決定を可能とするように構成されている、電流デバイス読み出しシステム。 - 前記電流デバイスは磁束量子ビットとして構成されており、第1の電流状態が前記磁束量子ビットに関連付けられた電流ループの第1の電流方向に基づく第1の磁束状態に対応し、第2の電流状態が前記磁束量子ビットに関連付けられた前記電流ループの第2の電流方向に基づく第2の磁束状態に対応する、請求項1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは、前記電流デバイスおよび前記チューナブル共振器に対してチューナブルカプラとして構成されている、請求項1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは、前記チューナブル共振器および前記電流デバイスに誘導結合されており、前記QFPは、第1のQFP状態で磁束分離をもたらし、第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を増幅して前記第2のQFP状態で前記QFPに前記電流状態を記憶するように調整可能とされており、前記トーン信号に応答して前記電流デバイスの電流状態の決定を可能とするために、前記第2の状態で前記電流デバイスの増幅電流状態が前記QFPを介して前記チューナブル共振器に誘導的に与えられる、請求項3に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは、前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間の相互インダクタンスを前記第1のQFP状態でほぼゼロとするように誘導的に調整される、請求項4に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは、前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間の相互インダクタンスを前記第1のQFP状態でほぼゼロとするように約Φ0/2の磁束に誘導的に調整される、請求項5に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは、前記第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を増幅して、前記第2のQFP状態で前記QFPに前記電流状態を記憶するように約Φ0の磁束に断熱的かつ誘導的に調整される、請求項4に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは、前記第1のQFP状態と前記第2のQFP状態との間で誘導的に調整されるように構成された複合ジョセフソン接合(CJJ)を含む、請求項3に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは、前記QFPの前記第2の状態において、前記電流デバイスの電流状態を第1の電流状態および第2の電流状態のうちの1つとして増幅することを可能とする閾値を設定するべく前記静的磁束によって調整されるインダクタをさらに含み、前記第1の電流状態は、前記チューナブル共振器の共振周波数を第1の共振周波数に設定し、前記第2の電流状態は、前記チューナブル共振器の共振周波数を第2の共振周波数に設定する、請求項8に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記静的磁束が第1の静的磁束であり、前記チューナブル共振器は、前記チューナブル共振器の共振周波数を前記電流デバイスの第1の電流状態に関連付けられたオンレゾナンス周波数に対応する第1の所定周波数に設定するべく第2の静的磁束により調整される、請求項1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは複数のQFPのうちの第1のQFPであり、前記複数のQFPの各々は、前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間に連続して誘導配置される、請求項1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは複数のQFPのうちの第1のQFPであり、前記第1のQFPは、複数の電流デバイスのうちの第1の電流デバイスに誘導結合され、前記複数のQFPの各々は、前記複数の電流デバイスのうちの対応する一つを誘導相互接続する、請求項1に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 電流デバイスの電流状態を読み出す方法であって、
チューナブル共振器と前記電流デバイスとを誘導相互接続する量子磁束パラメトロン(QFP)に第1のバイアス磁束を供給して前記QFPを第1のQFP状態に設定することにより前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとを誘導分離することであって、前記QFPは、前記電流デバイスの電流状態の増幅を可能とする閾値を設定するべく静的磁束に基づいて調整可能であり、前記電流デバイスの電流状態は、第1の電流状態および第2の電流状態のうちの1つに対応する、前記第1のバイアス磁束を供給すること、
前記QFPに第2のバイアス磁束を供給して前記QFPを第2のQFP状態に設定することにより前記電流デバイスの電流状態に関連付けられた前記チューナブル共振器の共振周波数を設定することであって、前記QFPは、前記第2のバイアス磁束に基づいて、前記第2の電流状態における前記電流デバイスの増幅電流状態を前記チューナブル共振器に与えるように構成されている、前記第2のバイアス磁束を供給すること、
所定の周波数を有するトーン信号を給電線から前記チューナブル共振器に供給すること、
前記トーン信号の供給に応答して前記給電線を監視して前記電流デバイスの電流状態を決定すること、
を備える方法。 - 前記電流デバイスは磁束量子ビットとして構成されており、前記第1の電流状態が、前記磁束量子ビットに関連付けられた電流ループの第1の電流方向に基づく第1の磁束状態に対応し、前記第2の電流状態が、前記磁束量子ビットに関連付けられた前記電流ループの第2の電流方向に基づく第2の磁束状態に対応する、請求項13に記載の方法。
- 前記第1のバイアス磁束を供給することは、前記QFPに前記第1のバイアス磁束を供給して前記QFPを約Φ0/2の磁束に誘導的に調整することにより、前記第1のQFP状態で前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間の相互インダクタンスをほぼゼロにすることを含み、
前記第2のバイアス磁束を供給することは、前記第1のバイアス磁束を前記第2のバイアス磁束へと断熱的に増加させて前記QFPの磁束を約Φ0まで断熱的に増加させることにより、前記第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を増幅させて前記第2のQFP状態で当該電流状態を前記QFPに記憶することを含む、請求項13に記載の方法。 - 前記QFPに前記第1のバイアス磁束および前記第2のバイアス磁束を供給することは、前記第1のQFP状態と前記第2のQFP状態との間で誘導的に調整されるように構成された複合ジョセフソン接合(CJJ)に前記第1のバイアス磁束および前記第2のバイアス磁束を供給することを含む、請求項13に記載の方法。
- 電流デバイス読み出しシステムであって、
磁束量子ビットの電流状態に関連付けられた共振周波数を有するチューナブル共振器であって、所定の周波数を有するトーン信号を給電線から受信して前記磁束量子ビットの電流状態を決定するように構成された前記チューナブル共振器と、
前記チューナブル共振器と前記磁束量子ビットとを誘導相互接続する量子磁束パラメトロン(QFP)と、
を備え、前記QFPは、第1のQFP状態で前記磁束量子ビットと前記チューナブル共振器とを誘導分離し、第2のQFP状態で電流デバイスの電流状態を増幅して前記電流デバイスの電流状態の決定を可能とするように調整可能であり、前記QFPは、前記第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を第1の電流状態および第2の電流状態のうちの1つに増幅することを可能とする閾値を設定するべく静的磁束によって調整されるインダクタを含む、電流デバイス読み出しシステム。 - 前記QFPは、約Φ0/2の磁束に誘導的に調整されることで前記第1のQFP状態で前記チューナブル共振器と前記電流デバイスとの間の相互インダクタンスをほぼゼロにする、請求項17に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPは、約Φ0の磁束に断熱的に誘導的に調整されることで前記第2のQFP状態で前記電流デバイスの電流状態を増幅して前記第2のQFP状態で前記第1の電流状態および前記第2の電流状態のうちの1つを前記QFPに記憶する、請求項17に記載の電流デバイス読み出しシステム。
- 前記QFPが、前記第1のQFP状態と前記第2のQFP状態との間で誘導的に調整されるように構成された複合ジョセフソン接合(CJJ)を含む、請求項17に記載の電流デバイス読み出しシステム。
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