JP2022517387A - Drive control circuit, air conditioner and controller - Google Patents

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Abstract

本願は、駆動制御回路、エアコン及びエアコンコントローラを提供する。駆動制御回路は、駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続されるインバータブリッジを含み、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、バスライン上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとをさらに含む。本願に係る技術的手段によれば、コストの高い電解コンデンサの代わりに比較的低コストのフィルムコンデンサを使用することで、駆動制御回路の耐用寿命が引き伸ばされ、バスコンデンサの発熱で制御効率が低下するという状況が緩和され、駆動制御回路の信頼性及び動作効率が向上する。【選択図】図4The present application provides a drive control circuit, an air conditioner and an air conditioner controller. The drive control circuit includes an inverter bridge used to output a drive signal and connected in series between the high voltage bus and the low voltage bus, wherein the drive control circuit drives the load. It is used to absorb the surge signal generated in the process of operating the inverter, and is used to filter and remove the surge signal on the bus line and the reactor connected between the transmission and distribution network and the load. And further includes a bus capacitor connected to the bus line on the input side of the inverter bridge. According to the technical means according to the present application, by using a relatively low cost film capacitor instead of the expensive electrolytic capacitor, the service life of the drive control circuit is extended, and the heat generated by the bus capacitor reduces the control efficiency. This situation is alleviated, and the reliability and operating efficiency of the drive control circuit are improved. [Selection diagram] FIG. 4

Description

本願は、2019年1月16日に中国特許庁に提出された、出願番号が201910041294.5であり、発明の名称が「駆動制御回路及びエアコン」である中国特許出願の優先権を主張し、その内容のすべてを援用することにより本願に取り入れる。
また、本願は、2019年1月16日に中国特許庁に提出された、出願番号が201910041279.0であり、発明の名称が「駆動制御回路、エアコンコントローラ及びエアコン」である中国特許出願の優先権を主張し、その内容のすべてを援用することにより本願に取り入れる。
また、本願は、2019年1月16日に中国特許庁に提出された、出願番号が201910041711.6であり、発明の名称が「駆動制御回路、エアコンコントローラ及びエアコン」である中国特許出願の優先権を出張し、その内容のすべてを援用することにより本願に取り入れる。
This application claims the priority of a Chinese patent application filed with the Chinese Patent Office on January 16, 2019, with an application number of 200910041294.5 and the title of the invention being "drive control circuit and air conditioner". It is incorporated into the present application by incorporating all of its contents.
Further, in this application, priority is given to the Chinese patent application submitted to the China Patent Office on January 16, 2019, in which the application number is 200910041279.0 and the title of the invention is "drive control circuit, air conditioner controller and air conditioner". Incorporate it into the present application by claiming the right and using all of its contents.
Further, in this application, priority is given to the Chinese patent application submitted to the China Patent Office on January 16, 2019, in which the application number is 200910041711.6 and the title of the invention is "drive control circuit, air conditioner controller and air conditioner". Incorporate the right into the present application by traveling on a business trip and using all of its contents.

本願は、圧縮機制御技術の分野に関し、具体的には、駆動制御回路、エアコン、駆動制御回路、コントローラ、エアコン、駆動制御回路、コントローラ及びエアコンに関する。 The present application relates to the field of compressor control technology, and specifically relates to a drive control circuit, an air conditioner, a drive control circuit, a controller, an air conditioner, a drive control circuit, a controller and an air conditioner.

一般的に、インバータエアコンコントローラでは、AC-DC-AC(交流-直流-交流)のトポロジー構造が多く用いられ、図1に示すように、主に交流電源モジュール10’と、電源フィルタモジュール12’と、整流モジュール14’と、フィルタモジュール16’と、インバータモジュール18’と、負荷20’とを含む。 Generally, in an inverter air conditioner controller, an AC-DC-AC (alternating current-direct current-AC) topology structure is often used, and as shown in FIG. 1, mainly an alternating current power supply module 10'and a power supply filter module 12' , A rectifying module 14', a filter module 16', an inverter module 18', and a load 20'.

一般的に、フィルタモジュールでは整流後の商用電源周波数信号をフィルタリングして平坦化させるため、主なフィルタ素子として大容量の電解コンデンサを使用することが多く、図2及び図3に示すように、CからCはいずれもフィルタ用電解コンデンサである。 Generally, in a filter module, a large-capacity electrolytic capacitor is often used as the main filter element in order to filter and flatten the rectified commercial power frequency signal, as shown in FIGS. 2 and 3. Both C 2 to C 7 are electrolytic capacitors for filters.

しかし、電解コンデンサを使用すると、次の問題が生じる。
1.入力交流電流のTHD(Total Harmonic Distortion、全高調波歪み)が増大する。
2.電解コンデンサの耐用寿命が短いため、電解コンデンサを使用するとコントローラの最大耐用寿命に影響がある。
3.電解コンデンサの発熱量が多いため、コントローラの効率が低下し、コントローラの熱管理の難易度が上がる。
4.電解コンデンサを多く用いるとPCB(Printed Circuit Board、プリント回路基板)における応力分布が不均一になり、コントローラ全体の重さも増加する。
However, the use of electrolytic capacitors raises the following problems.
1. 1. The THD (Total Harmonic Distortion) of the input AC current increases.
2. 2. Since the service life of the electrolytic capacitor is short, the use of the electrolytic capacitor affects the maximum service life of the controller.
3. 3. Since the amount of heat generated by the electrolytic capacitor is large, the efficiency of the controller is reduced and the difficulty of heat management of the controller is increased.
4. If a large number of electrolytic capacitors are used, the stress distribution in the PCB (Printed Circuit Board) becomes non-uniform, and the weight of the entire controller also increases.

本願は、少なくとも従来技術又は関連技術における技術的課題の1つを解決することを目的とする。 The present application aims to solve at least one of the technical problems in the prior art or the related art.

そのため、本願の第1の態様は、駆動制御回路を提供する。 Therefore, the first aspect of the present application provides a drive control circuit.

本願の第2の態様は、エアコンを提供する。 A second aspect of the present application provides an air conditioner.

本願の第3の態様は、駆動制御回路を提供する。 A third aspect of the present application provides a drive control circuit.

本願の第4の態様は、コントローラを提供する。 A fourth aspect of the present application provides a controller.

本願の第5の態様は、エアコンを提供する。 A fifth aspect of the present application provides an air conditioner.

本願の第6の態様は、駆動制御回路を提供する。 A sixth aspect of the present application provides a drive control circuit.

本願の第7の態様は、コントローラを提供する。 A seventh aspect of the present application provides a controller.

本願の第8の態様は、エアコンを提供する。 An eighth aspect of the present application provides an air conditioner.

そこで、本願の第1の態様は、駆動制御回路を提供し、駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジを含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、バスライン上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとをさらに含む。 Therefore, the first aspect of the present application is a drive control circuit that provides a drive control circuit, is used for outputting a drive signal, and includes an inverter bridge connected between the high voltage bus and the low voltage bus. Therefore, the drive control circuit is used to absorb a surge signal generated in the process in which the drive control circuit drives and operates the load, and is a reactor connected between the transmission and distribution network and the load. It further includes a bus capacitor used to filter and remove surge signals on the bus line and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge.

当該技術的手段において、駆動制御回路にリアクトルが設けられ、リアクトルは駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収して、駆動制御回路の耐サージ特性を向上させるために用いられ、リアクトル及びバスコンデンサの共振周波数は1/(2π√LC)に固定され、Lはリアクトルのインダクタンスであり、Cはバスコンデンサの容量であり、分布インダクタンス-容量パラメータにより共振周波数が固定しない状況を効果的に防ぐことができる。また、従来の電解コンデンサの代わりに容量の小さいバスコンデンサが使用され、具体的にはフィルムコンデンサがバス上のバスコンデンサとして使用され、フィルムコンデンサはインバータブリッジの入力側に並列に接続され、前記高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続されて、バス上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられる。本願に係る技術的手段を用いると、コストの高い電解コンデンサの代わりに比較的低コストのフィルムコンデンサを使用することで、製造コストが効果的に削減され、フィルムコンデンサの耐用寿命は6250時間に達しており、通常の電解コンデンサの2000時間よりはるかに大きいため、駆動制御回路の耐用寿命を効果的に引き伸ばすことができる。また、フィルムコンデンサのESR(等価直列抵抗)が小さいため、同じリップル電流の影響では、フィルムコンデンサは電解コンデンサより発熱量がはるかに小さいため、バスコンデンサの発熱で制御効率が低下するという問題を効果的に避けることができ、駆動制御回路の信頼性及び動作効率が向上される。 In the technical means, a reactor is provided in the drive control circuit, and the reactor absorbs a surge signal generated in the process of driving and operating the load by the drive control circuit to improve the surge resistance characteristic of the drive control circuit. The resonance frequency of the reactor and the bus capacitor is fixed at 1 / (2π√LC), L is the inductance of the reactor, C is the capacitance of the bus capacitor, and the resonance frequency is fixed by the distributed inductance-capacitor parameter. You can effectively prevent situations where you do not. Further, a bus capacitor having a small capacity is used instead of the conventional electrolytic capacitor, specifically, a film capacitor is used as a bus capacitor on the bus, and the film capacitor is connected in parallel to the input side of the inverter bridge, and the height is described. It is connected in series between a voltage bus and a low voltage bus and is used to filter and eliminate surge signals on the bus. By using the technical means according to the present application, the manufacturing cost is effectively reduced by using a relatively low cost film capacitor instead of the expensive electrolytic capacitor, and the service life of the film capacitor reaches 6250 hours. Since it is much larger than 2000 hours of a normal electrolytic capacitor, the useful life of the drive control circuit can be effectively extended. In addition, since the ESR (equivalent series resistance) of the film capacitor is small, the film capacitor generates much less heat than the electrolytic capacitor under the influence of the same ripple current, so the problem that the control efficiency decreases due to the heat generated by the bus capacitor is effective. This can be avoided, and the reliability and operating efficiency of the drive control circuit are improved.

好ましくは、駆動制御回路は初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに直列に接続される電流制限回路をさらに含む。 Preferably, the drive control circuit is used to limit the charging current of the bus capacitor at the time of initial energization, and further includes a current limiting circuit connected in series with the high voltage bus.

使用されたバスコンデンサの容量が小さいため、サージ電圧がある場合に、小容量のフィルムコンデンサが多くのエネルギーを吸収できないため、この場合にバス電圧がサージ吸収コンデンサの端子電圧より高くなると、電流制限回路が成立して通電時のバスコンデンサの充電電流を制限することで、バスコンデンサが過電流によって破壊されることを防ぐ。 Due to the small capacity of the bus capacitor used, the small capacity film capacitor cannot absorb much energy in the presence of surge voltage, so if the bus voltage is higher than the terminal voltage of the surge absorbing capacitor in this case, the current limit By establishing a circuit and limiting the charging current of the bus capacitor when energized, it is possible to prevent the bus capacitor from being destroyed by the overcurrent.

好ましくは、電流制限回路は、初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに直列に接続されるサーミスタと、第1抵抗性素子を接続させて電流制限を行わせるか又は第1抵抗性素子を短絡して電流制限を停止するよう制御するために用いられ、且つサーミスタの両端に並列に接続されるリレーとを含む。 Preferably, the current limiting circuit is used to limit the charging current of the bus capacitor at the time of initial energization, and the thermistor connected in series with the high voltage bus is connected to the first resistant element to limit the current. It includes a relay that is used to control the current limiting to stop the current limit by causing or short-circuiting the first resistor element and is connected in parallel to both ends of the thermistor.

高電圧バスにサージ信号が出現する場合に、サーミスタが初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限して、バスコンデンサが破壊されないことが保証されるとともに、サーミスタの抵抗値が温度に従って線形的に変化して、充電電流の上昇速度に対する制限が実現される。サーミスタの両端にリレーが並列に接続されて、スイッチング特性を備えるサーミスタが形成され、駆動制御回路の初回通電時は、リレーがオフ状態であり、第1サーミスタ及びバスコンデンサは交流給電側からのサージ信号を吸収し、初回通電後は、高電圧バス上の電流が大きくない場合に、第1リレーがオンされて、第1サーミスタの高電圧バスに対する電流制限効果が緩和される。 When a surge signal appears on a high voltage bus, the thermistor limits the charging current of the bus capacitor at the first energization to ensure that the bus capacitor is not destroyed and the resistance of the thermistor is linear with temperature. It changes to realize a limit on the rate of increase of the charging current. Relays are connected in parallel at both ends of the thermistor to form a thermistor with switching characteristics. When the drive control circuit is energized for the first time, the relay is off, and the first thermistor and bus capacitor are surged from the AC power supply side. After absorbing the signal and energizing for the first time, when the current on the high voltage bus is not large, the first relay is turned on and the current limiting effect of the first thermistor on the high voltage bus is relaxed.

本願の前記実施例に係る駆動制御回路は、さらに以下のような付加的な技術的特徴を有してもよい。 The drive control circuit according to the embodiment of the present application may further have the following additional technical features.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路はバスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサとインバータブリッジとの間に接続される第1吸収回路をさらに含む。 In any of the above technical means, the drive control circuit is further used to absorb the surge signal on the bus line and further includes a first absorption circuit connected between the bus capacitor and the inverter bridge.

当該技術的手段において、バスコンデンサとしてフィルムコンデンサが使用される場合には、回路中にサージ電圧がある場合に、フィルムコンデンサが多くのサージエネルギーを吸収できないため、第1吸収回路をバスコンデンサとインバータブリッジとの間に接続させて、バスコンデンサがインバータブリッジ側のバスライン上のサージ信号を吸収することを助けることで、バスコンデンサがサージ信号によって破壊されることを防ぐ。 In the technical means, when a film capacitor is used as a bus capacitor, if there is a surge voltage in the circuit, the film capacitor cannot absorb a lot of surge energy, so the first absorption circuit is a bus capacitor and an inverter. By connecting to the bridge and helping the bus capacitor absorb the surge signal on the bus line on the inverter bridge side, the bus capacitor is prevented from being destroyed by the surge signal.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、第1吸収回路はサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収素子と、抵抗性吸収素子のサージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、抵抗性吸収素子に直列に接続される第1スイッチング素子であって、第1スイッチング素子がオンされる場合に、抵抗性吸収素子がサージ信号を吸収し、第1スイッチング素子がオフされる場合に、抵抗性吸収素子がサージ信号の吸収を停止する前記第1スイッチング素子とを含む。 In any of the above technical means, the first absorption circuit is further used to absorb the surge signal, and the resistance absorption element connected in parallel to the bus capacitor and the surge signal of the resistance absorption element. A first switching element used to regulate the absorption process and connected in series with a resistance absorption element, the resistance absorption element absorbs the surge signal when the first switching element is turned on. The first switching element includes the first switching element in which the resistance absorbing element stops absorbing the surge signal when the first switching element is turned off.

当該技術的手段において、第1吸収回路はバスコンデンサのインバータブリッジに近い側のサージ信号を吸収するための抵抗性吸収素子を含む。具体的には、第1スイッチング素子がオンされると、抵抗性吸収素子は駆動制御回路に接続されてサージ信号を吸収し、具体的には、抵抗性吸収素子はサージ信号の電気エネルギーを熱エネルギーに変換して放出させることによって、サージ信号を解消し、容量の小さいフィルムコンデンサに取り替えることでバスコンデンサがサージ信号によって破壊されることを避ける。バス上のサージ信号が低下又は消失した後、第1スイッチング素子がオフされ、抵抗性吸収素子が駆動制御回路から遮断されることで、吸収制御回路における正常な電気信号に対する影響を避ける。 In the technical means, the first absorption circuit includes a resistance absorption element for absorbing the surge signal on the side close to the inverter bridge of the bus capacitor. Specifically, when the first switching element is turned on, the resistance absorbing element is connected to the drive control circuit to absorb the surge signal, and specifically, the resistance absorbing element heats the electric energy of the surge signal. By converting it into energy and releasing it, the surge signal is eliminated, and by replacing it with a film capacitor with a smaller capacity, the bus capacitor is prevented from being destroyed by the surge signal. After the surge signal on the bus drops or disappears, the first switching element is turned off and the resistant absorption element is cut off from the drive control circuit to avoid affecting the normal electrical signal in the absorption control circuit.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、抵抗性吸収素子はサージ信号を吸収するための第1抵抗を含み、第1抵抗は第1スイッチング素子に直列に接続され、第1抵抗の抵抗値が予め設定されたバス電圧保護閾値に対応し、且つ/又は第1抵抗の抵抗値が予め設定された第1スイッチング素子の過電流保護閾値に対応する。 In any of the above technical means, the resistant absorbing element further comprises a first resistance for absorbing the surge signal, the first resistance is connected in series with the first switching element, and the resistance value of the first resistance is Corresponds to the preset bus voltage protection threshold and / or the resistance value of the first resistor corresponds to the preset overcurrent protection threshold of the first switching element.

当該技術的手段において、抵抗性吸収素子は第1スイッチング素子に直列に接続される第1抵抗を含み、第1スイッチング素子がオンされる場合に、第1吸収回路がオンされ、サージ信号が第1抵抗によって吸収され、第1スイッチング素子がオフされる場合に、第1吸収回路がオフされ、第1抵抗は駆動制御回路における電気信号を吸収しなくなる。具体的には、第1抵抗の抵抗値及び電力は予め設定されたバス電圧保護閾値及び予め設定された第1スイッチング素子の過電流値及び吸収の電力需要に対応し、これにより抵抗性吸収素子のサージ吸収効果が保証される。なお、電圧保護閾値及び電流保護閾値は駆動回路における各コンポーネントの出荷前で較正された耐電圧値及び耐電流値に関係する。 In the technical means, the resistant absorption element includes a first resistor connected in series with the first switching element, and when the first switching element is turned on, the first absorption circuit is turned on and the surge signal is the first. When it is absorbed by one resistor and the first switching element is turned off, the first absorption circuit is turned off and the first resistor does not absorb the electric signal in the drive control circuit. Specifically, the resistance value and power of the first resistor correspond to the preset bus voltage protection threshold and the preset overcurrent value of the first switching element and the power demand for absorption, thereby the resistance absorption element. Surge absorption effect is guaranteed. The voltage protection threshold value and the current protection threshold value are related to the withstand voltage value and the withstand current value calibrated before shipment of each component in the drive circuit.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、抵抗性吸収素子は、第1抵抗に並列に接続される第1単方向導通素子を含み、第1単方向導通素子の導通方向は第1抵抗を流れる電流の方向と逆である。 In any of the above technical means, the resistance absorbing element further includes a first unidirectional conducting element connected in parallel with the first resistance, and the conduction direction of the first unidirectional conducting element flows through the first resistance. It is the opposite of the direction of the current.

当該技術的手段において、第1抵抗の両端に第1単方向導通素子が並列に接続され、具体的には、第1単方向導通素子はダイオードであり、第1抵抗の自己インダクタンス電圧放出回路を形成させて、第1抵抗において生成される自己インダクタンス電圧が第1スイッチング素子の信頼性に影響を与えることを防ぐために用いられる。 In the technical means, a first unidirectional conducting element is connected in parallel to both ends of the first resistor, specifically, the first unidirectional conducting element is a diode, and a self-inductance voltage emission circuit of the first resistor is provided. It is formed to prevent the self-inductance voltage generated in the first resistor from affecting the reliability of the first switching element.

好ましくは、第1抵抗は誘導抵抗である。 Preferably, the first resistance is an induced resistance.

好ましくは、第1単方向導通素子の導通方向は第1抵抗における電流方向と逆である。 Preferably, the conduction direction of the first unidirectional conduction element is opposite to the current direction in the first resistance.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路は、高電圧バス及び低電圧バス上のサージ信号を吸収するための第2吸収回路をさらに含み、第2吸収回路は、サージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、容量性吸収素子のサージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、且つ容量性吸収素子に直列に接続される第2単方向導通素子とを含む。 In any of the above technical means, the drive control circuit further includes a second absorption circuit for absorbing the surge signal on the high voltage bus and the low voltage bus, and the second absorption circuit absorbs the surge signal. It is used to adjust the absorption process of the surge signal of the capacitive absorption element and the capacitive absorption element connected in parallel to the bus capacitor, and is connected in series to the capacitive absorption element. Includes a second unidirectional conducting element.

当該技術的手段において、第2吸収回路は、バス上のサージ信号を吸収し、且つバスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、容量性吸収素子に直列に接続される第2単方向導通素子をさらに含む。具体的には、容量性吸収素子は容量特性を有し、容量性吸収素子は容量性吸収素子のサージ信号の吸収過程を制限することによって、容量性吸収素子が高電圧バス上のサージ信号だけを吸収するようにするために用いられ、つまり単方向導通素子を設けることによって、バスコンデンサと容量性吸収素子とが区別され、容量性吸収素子がバスコンデンサとして使用されることが避けられ、容量性吸収素子の使用頻度が低減され、第2吸収回路の耐用寿命が引き伸ばされる。 In the technical means, the second absorption circuit absorbs the surge signal on the bus and has a capacitive absorption element connected in parallel to the bus capacitor and a second unidirectional connection connected to the capacitive absorption element in series. Further includes a conducting element. Specifically, the capacitive absorption element has capacitive characteristics, and the capacitive absorption element limits the absorption process of the surge signal of the capacitive absorption element, so that the capacitive absorption element has only the surge signal on the high voltage bus. By providing a unidirectional conducting element, the bus capacitor and the capacitive absorption element can be distinguished from each other, and the capacitive absorption element can be avoided from being used as the bus capacitor. The frequency of use of the sex absorbing element is reduced, and the service life of the second absorbing circuit is extended.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、容量性吸収素子は、少なくとも1つのコンデンサ、又は直列に接続される且つ/もしくは並列に接続される複数のコンデンサを含み、第2吸収回路は、第1容量性素子におけるサージ信号を吸収するために用いられ、且つコンデンサに並列に接続される第2抵抗をさらに含む。 In any of the above technical means, the capacitive absorption element further comprises at least one capacitor, or a plurality of capacitors connected in series and / or in parallel, and the second absorption circuit is a first. It further includes a second resistor used to absorb the surge signal in the capacitive element and connected in parallel with the capacitor.

当該技術的手段において、容量性吸収素子はサージ信号を吸収するための1つ又は複数のコンデンサを含み、複数のコンデンサは互いに直列に接続され且つ/又は互いに並列に接続され、且つコンデンサに並列に接続される第2抵抗が設けられ、コンデンサに並列に接続される第2抵抗を利用してコンデンサにおけるサージ信号を吸収し、第2抵抗が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。 In the technical means, the capacitive absorber comprises one or more capacitors for absorbing the surge signal, the plurality of capacitors connected in series with each other and / or connected in parallel with each other, and in parallel with the capacitors. A second resistor to be connected is provided, and the surge signal in the capacitor is absorbed by using the second resistor connected in parallel with the capacitor, and the reliability of the drive control circuit is improved by providing the second resistor. ..

好ましくは、第2吸収回路と第1吸収回路は両方が設けられてもよいしいずれか一方が設けられてもよく、第2吸収回路と第1吸収回路が両方設けられる場合に、第2吸収回路と第1吸収回路は互いに並列に接続される。 Preferably, both the second absorption circuit and the first absorption circuit may be provided, or one of them may be provided, and when both the second absorption circuit and the first absorption circuit are provided, the second absorption circuit is provided. The circuit and the first absorption circuit are connected in parallel with each other.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、第2吸収回路は、容量性吸収素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ容量性吸収素子に直列に接続される電流制限抵抗をさらに含む。 In any of the above technical means, the second absorption circuit is further used to limit the current flowing through the capacitive absorption element and further includes a current limiting resistance connected in series with the capacitive absorption element.

当該技術的手段において、第2吸収回路に電流制限抵抗が設けられ、電流制限抵抗は容量性吸収素子に直列に接続され、通電時に容量性吸収素子を流れる電流を制限し、容量性吸収素子の充電電流を所定の範囲に制限させて、容量性吸収素子が過電流によって破壊されることを防ぐために用いられる。 In the technical means, a current limiting resistor is provided in the second absorption circuit, and the current limiting resistor is connected in series with the capacitive absorption element to limit the current flowing through the capacitive absorption element when energized, so that the capacitive absorption element can be used. It is used to limit the charging current to a predetermined range and prevent the capacitive absorption element from being destroyed by overcurrent.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路は、リアクトルにおいて発生する発振信号を吸収するために用いられ、且つリアクトルに並列に接続される第4抵抗をさらに含む。 In any of the above technical means, the drive control circuit further comprises a fourth resistor used to absorb the oscillation signal generated in the reactor and connected in parallel with the reactor.

当該技術的手段において、リアクトルの両端に第4抵抗が並列に接続されることで、リアクトルにおいて発生する発振信号を吸収し、具体的には、第4抵抗には、抵抗値が200Ωより小さいシステム減衰が追加され、バスコンデンサがフィルムコンデンサである場合に、第4抵抗を設けるとシステムの安定性を向上させることができる。 In the technical means, a fourth resistor is connected in parallel at both ends of the reactor to absorb the oscillation signal generated in the reactor. Specifically, the fourth resistor has a resistance value smaller than 200Ω. If attenuation is added and the bus capacitor is a film capacitor, the provision of a fourth resistor can improve the stability of the system.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路は、第1スイッチング素子に接続され、且つ駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第1スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるためのサンプリング制御回路をさらに含み、給電信号は駆動制御回路の交流側の給電信号及びバスラインの給電信号を含む。 In any of the above technical means, the drive control circuit is further connected to the first switching element and collects the feed signal of the drive control circuit to control and turn on the first switching element based on the feed signal. Alternatively, a sampling control circuit for turning off is further included, and the feeding signal includes a feeding signal on the AC side of the drive control circuit and a feeding signal on the bus line.

当該技術的手段において、駆動制御回路にサンプリング回路が設けられ、サンプリング回路は回路交流側の給電信号及び/又は前記バスラインの給電信号を収集して、給電信号の電圧振幅値に基づいて第1スイッチング素子を制御してオン又はオフさせて、第1吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。 In the technical means, a sampling circuit is provided in the drive control circuit, and the sampling circuit collects the feeding signal on the AC side of the circuit and / or the feeding signal of the bus line, and the first is based on the voltage amplitude value of the feeding signal. The switching element is controlled to be turned on or off to control the surge signal absorption process of the first absorption circuit.

本願の第2の態様は、モータと、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。 A second aspect of the present application provides an air conditioner comprising a motor and the drive control circuit according to any of the technical means, wherein the signal input end of the motor is connected to the drive control circuit to control the drive. The drive signal output from the circuit is used to drive and operate the motor. Since the air conditioner includes the drive control circuit according to any one of the above embodiments, it has all the beneficial effects of the drive control circuit according to any one of the above embodiments, and the description thereof is omitted here.

本願の第3の態様は、駆動制御回路を提供し、駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジを含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサと、第1抵抗性素子及び第2スイッチング素子であって、第2スイッチング素子は第1抵抗性素子を制御してサージ信号を吸収させるように設定され、第1抵抗性素子及び第2スイッチング素子は直列に接続されてから、高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続される、第1抵抗性素子及び第2スイッチング素子と、単方向導通素子又は第3スイッチング素子と、第1容量性素子であって、単方向導通素子又は第3スイッチング素子は第1容量性素子による高電圧バス上のサージ信号の吸収を制限するように設定され、単方向導通素子又は第3スイッチング素子と第1容量性素子は直列に接続されてから、高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続される、第1容量性素子と、第2スイッチング素子に接続され、バス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第1抵抗性素子の動作を制御する制御チップとを含む。 A third aspect of the present application is a drive control circuit that provides a drive control circuit, is used for outputting a drive signal, and includes an inverter bridge connected between a high voltage bus and a low voltage bus. The drive control circuit is used to absorb the surge signal generated in the process in which the drive control circuit drives and operates the load, and the reactor connected between the transmission and distribution network and the load, and the load. A bus capacitor used to provide the starting voltage required for energization, also used to absorb surge signals, and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge, a first resistance element and a second The switching element, the second switching element is set to control the first resistance element to absorb the surge signal, and the first resistance element and the second switching element are connected in series and then have a high voltage. A first resistant element and a second switching element connected in series between a bus and a low voltage bus, a unidirectional conducting element or a third switching element, and a first capacitive element, which are unidirectional conducting. The element or the third switching element is set to limit the absorption of the surge signal on the high voltage bus by the first capacitive element, and the unidirectional conducting element or the third switching element and the first capacitive element are connected in series. Then, it is connected to the first capacitive element and the second switching element, which are connected in series between the high voltage bus and the low voltage bus, and the first resistance is based on the magnitude relationship between the bus signal and the voltage threshold. Includes a control chip that controls the operation of the element.

本願の実施例に係る駆動制御回路は、インバータブリッジと、バスコンデンサと、リアクトルとを含み、インバータブリッジは負荷の動作を駆動及び制御し、例えばモータの動作を制御し、バスコンデンサの容量が小さいため、高電圧バスにおいて形成されるサージ信号が完全に吸収されることは保証しにくく、リアクトルを設けて駆動制御回路が負荷の動作を駆動する過程で発生するサージ信号を吸収するとともに、電源入力信号に対しフィルタリングすることによって、インバータブリッジ側及び瞬間的な動作停止時のリアクトルにフライバックされるサージ信号が単方向導通素子又は第3スイッチング素子及び第1容量性素子から構成される第1吸収経路によって放出されて、サージ信号に対する制御が実現されるとともに、バス上のサージ信号が吸収されることが保証され、サージ信号を吸収するために第1抵抗性素子及び第2スイッチング素子から構成される第2吸収経路がさらに設けられ、具体的には、制御チップはバス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第1抵抗性素子がサージ信号を吸収するかどうかを制御し、第1吸収経路及び第2吸収経路が設けられることで回路中のサージ信号の吸収能力が向上され、回路の信頼性が向上され、なお、単方向導通素子は単方向導通特性を有する素子であってもよく、例えばダイオードなどである。 The drive control circuit according to the embodiment of the present application includes an inverter bridge, a bus capacitor, and a reactor, and the inverter bridge drives and controls the operation of the load, for example, controls the operation of the motor, and the capacity of the bus capacitor is small. Therefore, it is difficult to guarantee that the surge signal formed in the high-voltage bus is completely absorbed, and a reactor is provided to absorb the surge signal generated in the process in which the drive control circuit drives the operation of the load, and the power input. By filtering the signal, the surge signal fly back to the inverter bridge side and the reactor at the time of momentary stoppage is the first absorption composed of the unidirectional conduction element or the third switching element and the first capacitive element. It is emitted by the path to realize control over the surge signal, and it is guaranteed that the surge signal on the bus is absorbed, and it is composed of a first resistance element and a second switching element to absorb the surge signal. A second absorption path is further provided. Specifically, the control chip controls whether or not the first resistance element absorbs the surge signal based on the magnitude relationship between the bus signal and the voltage threshold, and the first absorption path. And by providing the second absorption path, the absorption capacity of the surge signal in the circuit is improved, the reliability of the circuit is improved, and the unidirectional conduction element may be an element having unidirectional conduction characteristics. For example, a capacitor.

前記技術的手段において、さらに、第1容量性素子におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ第1容量性素子に並列に接続される第2抵抗性素子をさらに含む。 The technical means further includes a second resistant element that is used to emit a surge signal in the first capacitive element and is connected in parallel to the first capacitive element.

当該技術的手段において、第1容量性素子が高電圧バス上のサージ信号を吸収した後、第2抵抗性素子を利用して第1容量性素子におけるサージ信号を放出させ、第2抵抗性素子が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上され、吸収コンデンサの容量需要が低減される。 In the technical means, after the first capacitive element absorbs the surge signal on the high voltage bus, the second capacitive element is used to emit the surge signal in the first capacitive element, and the second resistant element is used. The reliability of the drive control circuit is improved and the capacity demand of the absorption capacitor is reduced.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、高電圧バス上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つ第1容量性素子に直列に接続される第2容量性素子をさらに含む。 In any of the above technical means, further includes a second capacitive element used to absorb the surge signal on the high voltage bus and connected in series with the first capacitive element.

当該技術的手段において、高電圧バスの電圧が大きい場合に、第1容量性素子に第2容量性素子を直列に接続させることで、高電圧バスのサージ信号吸収能力を向上させる。 In the technical means, when the voltage of the high voltage bus is large, the surge signal absorption capacity of the high voltage bus is improved by connecting the second capacitive element in series with the first capacitive element.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、第2容量性素子におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ第2容量性素子に並列に接続される第3抵抗性素子をさらに含む。 In any of the above technical means, further includes a third resistant element used to emit a surge signal in the second capacitive element and connected in parallel to the second capacitive element.

当該技術的手段において、第2容量性素子が設けられる場合に、第3抵抗性素子を設けて第2抵抗性素子と組み合わせて使用することによって、第1容量性素子及び第2容量性素子の両端の電圧にバランスを取り、また第3抵抗性素子は第2容量性素子上のサージ信号を放出させて、駆動制御回路の信頼性を向上させるためにも用いられる。 In the technical means, when the second capacitive element is provided, the first capacitive element and the second capacitive element can be obtained by providing the third resistant element and using it in combination with the second capacitive element. The voltage across the ends is balanced, and the third resistant element is also used to emit a surge signal on the second capacitive element to improve the reliability of the drive control circuit.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、第1容量性素子及び/又は第2容量性素子に流れる電流を制限するための第4抵抗性素子をさらに含み、第4抵抗性素子、第2スイッチング素子及び第1容量性素子が直列に接続され、又は第4抵抗性素子、第2スイッチング素子、第1容量性素子及び第2容量性素子が直列に接続される。 In any of the above technical means, further includes a fourth resistant element for limiting the current flowing through the first capacitive element and / or the second capacitive element, the fourth resistant element, the second switching. The element and the first capacitive element are connected in series, or the fourth resistant element, the second switching element, the first capacitive element and the second capacitive element are connected in series.

当該技術的手段において、第1容量性素子及び/又は第2容量性素子に直列に接続される第4抵抗性素子を設け、第4抵抗性素子を利用して第1容量性素子及び/又は第2容量性素子に流れる電流を制限して、第1容量性素子及び/又は第2容量性素子及び並列に接続される抵抗性素子が過電流により破壊されることを防ぐことで、駆動制御回路の信頼性が向上される。 In the technical means, a fourth capacitive element and / or a fourth resistant element connected in series with the second capacitive element is provided, and the fourth capacitive element is used to provide the first capacitive element and / or Drive control by limiting the current flowing through the second capacitive element and preventing the first capacitive element and / or the second capacitive element and the resistor element connected in parallel from being destroyed by the overcurrent. The reliability of the circuit is improved.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、第1抵抗性素子におけるスパイク電圧信号を放出させるために用いられ、且つ第1抵抗性素子に並列に接続される第1放電素子をさらに含む。 In any of the above technical means, further includes a first discharge element used to emit a spike voltage signal in the first resistant element and connected in parallel to the first resistant element.

当該技術的手段において、第1放電素子が設けられることで、第1抵抗性素子が高電圧バス上のサージ信号を吸収した後、第1抵抗性素子に並列に接続される第1放電素子を利用して第1抵抗性素子におけるスパイク電圧信号を放出させ、第1放電素子が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。 In the technical means, by providing the first discharge element, the first discharge element connected in parallel to the first resistance element after the first resistance element absorbs the surge signal on the high voltage bus. By utilizing the spike voltage signal in the first resistance element and providing the first discharge element, the reliability of the drive control circuit is improved.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、第3スイッチング素子は制御チップに接続され、制御チップはバス信号を収集して、バス信号に基づいて第3スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるために用いられる。 In any of the above technical means, further, a third switching element is connected to a control chip, which collects a bus signal and controls the third switching element to turn on or off based on the bus signal. Used for.

当該技術的手段において、第3スイッチング素子が設けられることで第1吸収経路の制御可能性が実現され、制御チップはバス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第3スイッチング素子を制御して、第1容量性素子によるサージ信号の吸収の制御を実現する。第3スイッチング素子が設けられることで、駆動制御回路の制御可能性が向上され、サージ吸収能力が向上されていることを前提に、駆動制御回路の信頼性が向上される。 In the technical means, the controllability of the first absorption path is realized by providing the third switching element, and the control chip controls the third switching element based on the magnitude relationship between the bus signal and the voltage threshold value. The control of absorption of the surge signal by the first capacitive element is realized. By providing the third switching element, the controllability of the drive control circuit is improved, and the reliability of the drive control circuit is improved on the premise that the surge absorption capacity is improved.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、電圧閾値は第1電圧閾値と、第2電圧閾値とを含み、制御チップは具体的には、バス信号が第1電圧閾値より大きく又は等しく第2電圧閾値より小さい場合に、第2スイッチング素子を制御してオフさせ、第3スイッチング素子を制御してオンさせ、バス信号が第2電圧閾値より大きく又は等しい場合に、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を制御してオンさせ、バス信号が第1電圧閾値より小さい場合に、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を制御してオフさせるために用いられる。 In any of the above technical means, the voltage threshold further comprises a first voltage threshold and a second voltage threshold, the control chip specifically having a second voltage whose bus signal is greater than or equal to the first voltage threshold. If it is smaller than the threshold, the second switching element is controlled to be turned off, the third switching element is controlled to be turned on, and if the bus signal is larger than or equal to the second voltage threshold, the second switching element and the third switching are performed. It is used to control and turn on the element and control and turn off the second switching element and the third switching element when the bus signal is smaller than the first voltage threshold.

当該技術的手段において、バス信号(例えば高電圧バスの電圧信号)と第1電圧閾値及び第2電圧閾値とを比較し、比較結果に基づいて第1容量性素子及び第1抵抗性素子をそれぞれ制御してサージ信号を吸収させ、具体的には、高電圧バスの電圧信号が第1電圧閾値より大きく又は等しく第2電圧閾値より小さい場合に、第2スイッチング素子を制御してオフさせ、第3スイッチング素子を制御してオンさせ、第1容量性素子を利用してサージ信号を吸収し、高電圧バスの電圧信号が第2電圧閾値より大きく又は等しい場合に、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を制御してオンさせて、迅速な吸収サージを実現し、高電圧バス上の電圧が高すぎると駆動制御回路のコンポーネントが破壊されることを避け、高電圧バスの電圧信号が第1電圧閾値より小さい場合に、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を制御してオフさせて、バスコンデンサによってサージ信号を吸収することによって、第1吸収経路と第2吸収経路の両方のコンポーネントの耐用寿命が引き伸ばされる。 In the technical means, the bus signal (for example, the voltage signal of the high voltage bus) is compared with the first voltage threshold and the second voltage threshold, and the first capacitive element and the first resistant element are selected based on the comparison result, respectively. Controlled to absorb the surge signal, specifically, when the voltage signal of the high voltage bus is greater than or equal to the first voltage threshold and less than the second voltage threshold, the second switching element is controlled to turn off and the second. 3 The switching element is controlled and turned on, the surge signal is absorbed by using the first capacitive element, and when the voltage signal of the high voltage bus is larger than or equal to the second voltage threshold, the second switching element and the third are used. The switching element is controlled and turned on to achieve a rapid absorption surge, avoiding the destruction of drive control circuit components if the voltage on the high voltage bus is too high, and the voltage signal on the high voltage bus is the first. When the voltage is smaller than the voltage threshold, the second and third switching elements are controlled to be turned off and the surge signal is absorbed by the bus capacitor, so that the components of both the first absorption path and the second absorption path can be used. Life is extended.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路は交流信号を整流してバス信号として出力する整流ブリッジをさらに含み、バス信号は高電圧バス及び低電圧バスを介してバスコンデンサ、インバータブリッジ及び負荷に出力され、制御チップは交流信号に基づいて第2スイッチング素子のオン状態及び第3スイッチング素子のオン状態を制御する。 In any of the above technical means, the drive control circuit further includes a rectifying bridge that rectifies the AC signal and outputs it as a bus signal, and the bus signal is a bus capacitor or an inverter bridge via a high voltage bus and a low voltage bus. And output to the load, the control chip controls the ON state of the second switching element and the ON state of the third switching element based on the AC signal.

前記いずれかの技術的手段において、さらに、バスコンデンサはフィルムコンデンサである。 In any of the above technical means, the bus capacitor is further a film capacitor.

本願の第4の態様は、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路を含むコントローラを提供し、該コントローラは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。 A fourth aspect of the present application provides a controller comprising the drive control circuit according to any one of the above technical means, wherein the controller includes the drive control circuit according to any one of the above embodiments. It has all the beneficial effects of the drive control circuit described in the embodiment, and the description thereof is omitted here.

本願の第5の態様は、モータと、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。 A fifth aspect of the present application provides an air conditioner comprising a motor and the drive control circuit according to any of the technical means, wherein the signal input end of the motor is connected to the drive control circuit to control the drive. The drive signal output from the circuit is used to drive and operate the motor. Since the air conditioner includes the drive control circuit according to any one of the above embodiments, it has all the beneficial effects of the drive control circuit according to any one of the above embodiments, and the description thereof is omitted here.

本願の第6の態様は、駆動制御回路を提供し、負荷の動作を駆動及び制御するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジ、を含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとを含み、該駆動制御回路は、バスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収回路と、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御するために用いられ、抵抗性吸収回路に直列に接続される第4スイッチング素子であって、第4スイッチング素子がオンされる場合に、抵抗性吸収回路がサージ信号を吸収し、第4スイッチング素子がオフされる場合に、抵抗性吸収回路がサージ信号の吸収を停止する第4スイッチング素子とをさらに含む。 A sixth aspect of the present application provides a drive control circuit, which is used to drive and control the operation of a load and includes an inverter bridge connected between a high voltage bus and a low voltage bus. A circuit, the drive control circuit is used to absorb a surge signal generated in the process in which the drive control circuit drives and operates the load, and is a reactor connected between the power transmission / distribution network and the load. And a bus capacitor used to provide the starting voltage required to energize the load, also used to absorb surge signals, and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge. The control circuit is used to absorb the surge signal on the bus line, and is used to control the surge signal absorption process of the resistance absorption circuit connected in parallel with the bus capacitor and the resistance absorption circuit. A fourth switching element connected in series to the resistance absorption circuit, when the resistance absorption circuit absorbs a surge signal and the fourth switching element is turned off when the fourth switching element is turned on. Further includes a fourth switching element in which the resistance absorption circuit stops the absorption of the surge signal.

本願に係る駆動制御回路は、抵抗性吸収回路をバスコンデンサに並列に接続させることによって、バスコンデンサがバス上のサージ信号を吸収することを助けるとともに、第4スイッチング素子と抵抗性吸収回路を直列に接続させることによって、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。具体的に言えば、プロトタイプが通常動作する場合に、バス電圧の最大値はバス電圧保護閾値(実際の状況に基づいて設定できる)よりはるかに小さく、抵抗性吸収回路を入れなくてもよいため、第4スイッチング素子は機能せずに済み、サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時のモータ巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及びモータの運動エネルギーに由来し、サージ信号が来る時には、小容量のバスコンデンサ(例えばフィルムコンデンサ又は小容量電解コンデンサ)のサージ能力吸収に限界があるため、バス電圧が迅速に上昇し、バス電圧が保護閾値を超えたら、コンポーネントが破壊される恐れがあり、コンポーネント(主にスマート電力モジュールやコンデンサなどのコンポーネント)を高電圧破壊から保護するために、第4スイッチング素子がオンされ、抵抗性吸収回路がサージを吸収し始め、バス電圧が迅速に低下し、バス電圧が合理的な範囲(実際の状況に基づいて設定できる)にある時、第4スイッチング素子がオフされ、抵抗性吸収回路は本段階のサージ吸収過程を終了する。本願に係る駆動制御回路は、バスコンデンサによるサージ信号の吸収がよくないという状況を効果的に緩和して、バス電圧の安定性及び信頼性を向上させることができる。 The drive control circuit according to the present application helps the bus capacitor absorb the surge signal on the bus by connecting the resistance absorption circuit in parallel with the bus capacitor, and also connects the fourth switching element and the resistance absorption circuit in series. By connecting to, the absorption process of the surge signal of the resistance absorption circuit is controlled. Specifically, when the prototype operates normally, the maximum value of the bus voltage is much smaller than the bus voltage protection threshold (which can be set based on the actual situation), and it is not necessary to include a resistance absorption circuit. , The 4th switching element does not have to function, the surge energy is mainly derived from the power input, the motor winding when the operation is stopped due to the failure of the prototype, the inductance flyback on the AC / DC side, and the kinetic energy of the motor, and the surge signal. When the bus voltage rises rapidly and the bus voltage exceeds the protection threshold, the component is destroyed due to the limited surge capacity absorption of the small capacity bus capacitor (eg film capacitor or small capacity electrolytic capacitor). To protect the components (mainly components such as smart power modules and capacitors) from high voltage breakdown, the 4th switching element is turned on, the resistance absorption circuit begins to absorb the surge and the bus voltage rises. When it drops rapidly and the bus voltage is within a reasonable range (which can be set based on the actual situation), the fourth switching element is turned off and the resistance absorption circuit ends the surge absorption process at this stage. The drive control circuit according to the present application can effectively alleviate the situation where the surge signal is not well absorbed by the bus capacitor, and can improve the stability and reliability of the bus voltage.

前記技術的手段において、好ましくは、抵抗性吸収回路は、サージ信号を吸収するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続される第5抵抗性素子を含む。 In the technical means, preferably, the resistance absorption circuit includes a fifth resistance element used to absorb the surge signal and connected between the high voltage bus and the low voltage bus.

当該技術的手段において、抵抗性吸収回路は第5抵抗性素子を含み、第5抵抗性素子を高電圧バスと低電圧バスとの間に接続させることによって、バス上のサージ信号を吸収する。なお、第5抵抗性素子の抵抗値、電力はバス電圧保護閾値、第4スイッチング素子の過電流特性、吸収するエネルギーに関係し、好ましくは、第5抵抗性素子は直列に接続される1つ又は複数の抵抗であり、抵抗は誘導抵抗でもよいし無誘導抵抗でもよく、ここで具体的に限定されず、抵抗の型番選択により、サージ信号の迅速な吸収を実現し、バス電圧の迅速な低下を保証することができる。 In the technical means, the resistance absorption circuit includes a fifth resistance element, and the fifth resistance element is connected between the high voltage bus and the low voltage bus to absorb the surge signal on the bus. The resistance value and power of the fifth resistance element are related to the bus voltage protection threshold, the overcurrent characteristic of the fourth switching element, and the energy to be absorbed, and preferably one of the fifth resistance elements is connected in series. Alternatively, it may be a plurality of resistances, and the resistance may be an inductive resistance or a non-inductive resistance, and is not specifically limited here. By selecting the model number of the resistance, rapid absorption of the surge signal is realized and the bus voltage is rapid. The decline can be guaranteed.

前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第4スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、パワースイッチ又はリレーは、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御するために用いられる。 In any of the above technical means, preferably the fourth switching element is a power switch or relay, the power switch or relay being used to control the process of absorbing the surge signal in the resistance absorption circuit.

当該技術的手段において、第4スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、ただしこれらに限定されない。パワースイッチ又はリレーによって抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。 In the technical means, the fourth switching element is, but is not limited to, a power switch or relay. The absorption process of the surge signal in the resistance absorption circuit is controlled by a power switch or relay.

前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、抵抗性吸収回路は、第5抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ第5抵抗性素子に並列に接続される第2放電素子をさらに含む。 In any of the above technical means, preferably the resistant absorption circuit is used to discharge the spike voltage of the fifth resistant element and is connected in parallel to the fifth resistant element. Including further.

当該技術的手段において、抵抗性吸収回路は第2放電素子をさらに含み、第2放電素子を第5抵抗性素子に並列に接続させて、第5抵抗性素子のスパイク電圧の放出回路とすることによって、第4スイッチング素子がオフされる時に第5抵抗性素子がスパイク電圧を生成して、駆動制御回路に影響を及ぼし又はコンポーネントを破壊させることを防ぐ。 In the technical means, the resistance absorption circuit further includes a second discharge element, and the second discharge element is connected in parallel with the fifth resistance element to form a spike voltage emission circuit of the fifth resistance element. Prevents the fifth resistant element from generating a spike voltage when the fourth switching element is turned off, affecting the drive control circuit or destroying the component.

前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第2放電素子は単方向導通素子であり、又は第2放電素子は直列に接続される単方向導通素子及び抵抗を含み、単方向導通素子の導通方向は第5抵抗性素子を流れる電流の方向と逆である。 In any of the above technical means, preferably the second discharge element is a unidirectional conducting element, or the second discharging element comprises a unidirectional conducting element and a resistor connected in series and the conduction of the unidirectional conducting element. The direction is opposite to the direction of the current flowing through the fifth resistance element.

当該技術的手段において、単方向導通素子が単独で、又は単方向導通素子が抵抗に直列に接続されるという組み合わせにより、第5抵抗性素子のスパイク電圧に放電回路が提供される。単方向導通素子は単方向導通特性を有する素子であり、例えばダイオードなどである。好ましくは、単方向導通素子はダイオードであり、ダイオードの選択は第5抵抗性素子のインダクタンス及び抵抗値に関係する。 In the technical means, the discharge circuit is provided for the spike voltage of the fifth resistant element by the combination of the unidirectional conducting element alone or the unidirectional conducting element connected in series with the resistor. The unidirectional conduction element is an element having a unidirectional continuity characteristic, for example, a diode or the like. Preferably, the unidirectional conducting element is a diode, and the choice of diode is related to the inductance and resistance value of the fifth resistant element.

前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第2放電素子は、第5抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ第5抵抗性素子に並列に接続される第3容量性素子を含む。 In any of the above technical means, preferably the second discharge element is used to discharge the spike voltage of the fifth resistant element and is connected in parallel to the fifth resistant element with a third capacitance. Includes elements.

当該技術的手段において、第2放電素子は第3容量性素子を含み、第3容量性素子を第5抵抗性素子に並列に接続させて、第5抵抗性素子のスパイク電圧の放電回路とする。第3容量性素子の選択は第5抵抗性素子のインダクタンスに関係し、具体的には、第3容量性素子の静電容量と第5抵抗性素子のインダクタンスとに正の相関があり、つまり第5抵抗性素子のインダクタンスが小さいほど、第3容量性素子の静電容量は小さい。 In the technical means, the second discharge element includes the third capacitive element, and the third capacitive element is connected in parallel with the fifth resistant element to form a discharge circuit of the spike voltage of the fifth resistant element. .. The selection of the third capacitive element is related to the inductance of the fifth resistant element, and specifically, there is a positive correlation between the capacitance of the third capacitive element and the inductance of the fifth resistant element, that is, The smaller the inductance of the fifth resistant element, the smaller the capacitance of the third capacitive element.

前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第2放電素子は、第3容量性素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ第3容量性素子に直列に接続される第6抵抗性素子をさらに含む。 In any of the above technical means, preferably the second discharge element is used to limit the current flowing through the third capacitive element and is connected in series with the third capacitive element with a sixth resistance. Further includes elements.

当該技術的手段において、第2放電素子は第6抵抗性素子をさらに含み、第6抵抗性素子は第3容量性素子に直列に接続されて、第3容量性素子を流れる電流を制限して、第3容量性素子が過電流により破壊されることを防ぐことによって、回路の信頼性を向上させる。 In the technical means, the second discharge element further includes a sixth resistant element, the sixth resistant element is connected in series with the third capacitive element to limit the current flowing through the third capacitive element. , The reliability of the circuit is improved by preventing the third capacitive element from being destroyed by the overcurrent.

好ましくは、第3容量性素子はコンデンサであり、第6抵抗性素子は抵抗であり、つまり直列に接続されるRC共振回路を用いて第5抵抗性素子のスパイク電圧を放出させる。 Preferably, the third capacitive element is a capacitor and the sixth resistant element is a resistor, i.e., an RC resonant circuit connected in series is used to emit the spike voltage of the fifth resistant element.

なお、第2放電素子の選択は第5抵抗性素子のインダクタンス及び抵抗値に関係し、第5抵抗性素子のインダクタンスが無視できるほど小さく又はない場合に、例えば第5抵抗性素子が1つ又は直列に接続される複数の無誘導抵抗から構成される場合に、第2放電素子を使用せず、第5抵抗性素子を単独で使用して吸収素子としてもよい。 The selection of the second discharge element is related to the inductance and the resistance value of the fifth resistance element, and when the inductance of the fifth resistance element is negligibly small or not, for example, one fifth resistance element or When it is composed of a plurality of non-inductive resistors connected in series, the second discharge element may not be used and the fifth resistance element may be used alone as the absorption element.

前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第5抵抗性素子は1つ又は複数の抵抗を含み、複数の抵抗同士は直列に接続される。 In any of the above technical means, preferably, the fifth resistant element comprises one or more resistors, and the plurality of resistors are connected in series.

前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、駆動制御回路は、第4スイッチング素子に接続され、且つ駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第4スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるための制御回路をさらに含み、給電信号はバス信号及び交流信号である。 In any of the above technical means, preferably, the drive control circuit is connected to the fourth switching element and collects the feed signal of the drive control circuit to control the fourth switching element based on the feed signal. Further including a control circuit for turning on or off, the feeding signal is a bus signal and an AC signal.

当該実施例において、制御回路によって駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第4スイッチング素子を制御してオン又はオフさせて、抵抗性素子のサージ信号の吸収過程を制御する。給電信号はバス信号及び/又は交流信号である。 In the embodiment, the power supply signal of the drive control circuit is collected by the control circuit, and the fourth switching element is controlled to be turned on or off based on the power supply signal to control the absorption process of the surge signal of the resistance element. .. The feeding signal is a bus signal and / or an AC signal.

具体的には、交流信号は整流回路によって処理されてバス信号になり、バス信号、交流信号はいずれも第4スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるための判断条件とされてもよい。 Specifically, the AC signal is processed by the rectifier circuit to become a bus signal, and both the bus signal and the AC signal may be used as a determination condition for controlling the fourth switching element to turn it on or off.

前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、バスコンデンサはフィルムコンデンサである。 In any of the above technical means, the bus capacitor is preferably a film capacitor.

本願の第7の態様は、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路を含むコントローラを提供し、該エアコンコントローラは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。 A seventh aspect of the present application provides a controller comprising the drive control circuit according to any one of the above technical means, wherein the air conditioner controller includes the drive control circuit according to any one of the above embodiments. It has all the beneficial effects of the drive control circuit described in any of the embodiments and is omitted herein.

本願の第8の態様は、モータと、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、モータの信号入力端は駆動制御回路に接続され、駆動制御回路から出力される駆動信号はモータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路又はコントローラを含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路又はコントローラの全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。 Eighth aspect of the present application provides an air conditioner comprising a motor and the drive control circuit according to any of the above technical means, wherein the signal input end of the motor is connected to the drive control circuit and outputs from the drive control circuit. The drive signal generated is used to drive and operate the motor. Since the air conditioner includes the drive control circuit or controller according to any one of the above embodiments, it has all the beneficial effects of the drive control circuit or controller according to any one of the above embodiments and is described herein. Omitted.

本願の上記及び/又はほかの態様及び利点は、以下の図面を参照した実施例の説明から明確になり、容易に理解することができる。 The above and / or other aspects and advantages of the present application will be clarified and easily understood from the description of the examples with reference to the following drawings.

通常の交流-直流-交流トポロジー構造の模式図を示す。A schematic diagram of a normal AC-DC-AC topology structure is shown. 通常の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a normal drive control circuit is shown. 別の通常の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of another normal drive control circuit is shown. 本願の一実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to an embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の一実施例の駆動制御回路のトポロジー構造の模式図を示す。A schematic diagram of the topology structure of the drive control circuit according to the embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の一実施例の第1電圧閾値及び第2電圧閾値の模式図を示す。A schematic diagram of the first voltage threshold value and the second voltage threshold value of one embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown. 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。A schematic diagram of a drive control circuit according to another embodiment of the present application is shown.

本願の上述した目的、特徴及び利点に対する一層の理解のために、次に図面及び具体的な実施形態と結び付けて本願をより詳細に説明する。なお、矛盾のない限り、本願の実施例又は実施例の特徴を互いに組み合わせることができる。 For a better understanding of the above mentioned objectives, features and advantages of the present application, the present application will be described in more detail in connection with the drawings and specific embodiments. As long as there is no contradiction, the embodiments of the present application or the features of the embodiments can be combined with each other.

次の説明で本願の充分な理解のために多くの詳細が記載されているが、本願はここで説明されるのと異なる形態で実施されてもよく、本願の保護範囲は以下に開示される具体的な実施例に限定されない。 Although many details are provided in the following description for a full understanding of the present application, the present application may be implemented in a different form than described herein, and the scope of protection of the present application is disclosed below. It is not limited to a specific embodiment.

次に図4から図48を参照して本願のいくつかの実施例に記載の駆動制御回路、エアコン、駆動制御回路、コントローラ、エアコン、駆動制御回路、コントローラ及びエアコンを説明する。 Next, the drive control circuit, the air conditioner, the drive control circuit, the controller, the air conditioner, the drive control circuit, the controller, and the air conditioner described in some examples of the present application will be described with reference to FIGS. 4 to 48.

図4に示すように、本願の第1の態様の実施例は、駆動制御回路を提供し、駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジを含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルLdcと、バスライン上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとをさらに含む。 As shown in FIG. 4, an embodiment of the first aspect of the present application is used to provide a drive control circuit, output a drive signal, and is connected between a high voltage bus and a low voltage bus. A drive control circuit including an inverter bridge, the drive control circuit is used to absorb a surge signal generated in the process in which the drive control circuit drives and operates a load, and is used for a transmission / distribution network and a load. It further includes a reactor Ldc 2 connected in between and a bus capacitor used to filter and remove surge signals on the bus line and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge.

当該実施例において、駆動制御回路にリアクトルLdcが設けられ、リアクトルLdcは交流入力側及びインバータブリッジにおいて発生するサージ信号を吸収して、駆動制御回路の耐サージ特性を向上させるために用いられ、リアクトルLdc及びバスコンデンサの共振周波数は1/(2π√LC)に固定され、LはリアクトルLdcのインダクタンスであり、Cはバスコンデンサの容量であり、分布インダクタンス-容量パラメータにより共振周波数が固定しない状況を効果的に防ぐことができる。また、従来の電解コンデンサの代わりに容量の小さいバスコンデンサが使用され、具体的にはフィルムコンデンサがバス上のバスコンデンサとして使用され、フィルムコンデンサはインバータブリッジの入力側に並列に接続され、前記高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続されて、バス上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられる。本願に係る技術的手段を用いると、コストの高い電解コンデンサの代わりに比較的低コストのフィルムコンデンサを使用することで、製造コストが効果的に削減され、フィルムコンデンサの耐用寿命は6250時間に達しており、通常の電解コンデンサの2000時間よりはるかに大きいため、駆動制御回路の耐用寿命を効果的に引き伸ばすことができる。また、フィルムコンデンサのESR(等価直列抵抗)が小さいため、同じリップル電流の影響では、フィルムコンデンサは電解コンデンサより発熱量がはるかに小さいため、バスコンデンサの発熱で制御効率が低下するという問題を効果的に避けることができ、駆動制御回路の信頼性及び動作効率が向上される。 In the embodiment, the inductance Ldc 2 is provided in the drive control circuit, and the inductance Ldc 2 is used to absorb surge signals generated on the AC input side and the inverter bridge to improve the surge resistance characteristics of the drive control circuit. , The resonance frequency of the reactor Ldc 2 and the bus capacitor is fixed at 1 / (2π√LC), L is the inductance of the reactor Ldc 2 , C is the capacitance of the bus capacitor, and the resonance frequency is determined by the distributed inductance-capacitor parameter. It is possible to effectively prevent the situation where it is not fixed. Further, a bus capacitor having a small capacity is used instead of the conventional electrolytic capacitor, specifically, a film capacitor is used as a bus capacitor on the bus, and the film capacitor is connected in parallel to the input side of the inverter bridge, and the height is described. It is connected in series between a voltage bus and a low voltage bus and is used to filter and eliminate surge signals on the bus. By using the technical means according to the present application, the manufacturing cost is effectively reduced by using a relatively low cost film capacitor instead of the expensive electrolytic capacitor, and the service life of the film capacitor reaches 6250 hours. Since it is much larger than 2000 hours of a normal electrolytic capacitor, the useful life of the drive control circuit can be effectively extended. In addition, since the ESR (equivalent series resistance) of the film capacitor is small, the film capacitor generates much less heat than the electrolytic capacitor under the influence of the same ripple current, so the problem that the control efficiency decreases due to the heat generated by the bus capacitor is effective. This can be avoided, and the reliability and operating efficiency of the drive control circuit are improved.

好ましくは、バスコンデンサの容量は設定容量より小さく、具体的には、設定容量は次の算式に従って計算される。 Preferably, the capacity of the bus capacitor is smaller than the set capacity, and specifically, the set capacity is calculated according to the following formula.

dc>L/Rdc0 C dc > L S P L / R S v dc0 2

式中、Cdcは設定容量であり、Lは等価駆動制御回路の直流側の総インダクタンスであり、Pは駆動制御回路の負荷電力であり、Rは等価駆動制御回路の直流側の総抵抗であり、vdc0はバス電圧の平均値であり、例えば、7Pプロトタイプを例にすると、当該算式によりCdcが840μFより大きくあらなければならず、設定容量が840μF以上であることが確定され、実際の実施では1230μFとする。 In the equation, C dc is the set capacitance, LS is the total inductance on the DC side of the equivalent drive control circuit, PL is the load power of the drive control circuit, and RS is the DC side of the equivalent drive control circuit. It is the total resistance, and vdc0 is the average value of the bus voltage. For example, taking the 7P prototype as an example, it is determined that the C dc must be larger than 840 μF and the set capacitance is 840 μF or more by the formula. In actual implementation, it is set to 1230 μF.

好ましくは、フィルムコンデンサの仕様は単体が900Vで、30μFである。 Preferably, the specifications of the film capacitor are 900 V and 30 μF.

好ましくは、リアクトルLdcと整流ブリッジとの間には電流制限用の抵抗Rがさらに設けられ、抵抗Rとして通常の抵抗器を使用してもよい。 Preferably, a current limiting resistor R 0 is further provided between the reactor Ldc 2 and the rectifying bridge, and a normal resistor may be used as the resistor R 0 .

好ましくは、図5に示すように、駆動制御回路は初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに直列に接続される電流制限回路をさらに含む。 Preferably, as shown in FIG. 5, the drive control circuit is used to limit the charging current of the bus capacitor at the time of initial energization, and further includes a current limiting circuit connected in series with the high voltage bus.

使用されたバスコンデンサの容量が小さいため、サージ電圧がある場合に、小容量のフィルムコンデンサが多くのエネルギーを吸収できないため、この場合にバス電圧がサージ吸収コンデンサの端子電圧より高くなると、電流制限回路が成立して通電時のバスコンデンサの充電電流を制限することで、バスコンデンサが過電流によって破壊されることを防ぐ。 Due to the small capacity of the bus capacitor used, the small capacity film capacitor cannot absorb much energy in the presence of surge voltage, so if the bus voltage is higher than the terminal voltage of the surge absorbing capacitor in this case, the current limit By establishing a circuit and limiting the charging current of the bus capacitor when energized, it is possible to prevent the bus capacitor from being destroyed by the overcurrent.

好ましくは、図5に示すように、電流制限回路は、初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに直列に接続されるサーミスタと、第1抵抗性素子を接続させて電流制限を行わせるか又は第1抵抗性素子を短絡して電流制限を停止するよう制御するために用いられ、且つサーミスタの両端に並列に接続されるリレーとを含む。 Preferably, as shown in FIG. 5, the current limiting circuit is used to limit the charging current of the bus capacitor at the time of initial energization, and the thermistor connected in series with the high voltage bus and the first resistance element. Is used to control the current limiting by connecting the thermistor to stop the current limiting by short-circuiting the first resistance element, and includes a relay connected in parallel to both ends of the thermistor.

当該実施例において、高電圧バスにサージ信号が出現する場合に、サーミスタが初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限して、バスコンデンサが破壊されないことが保証されるとともに、サーミスタの抵抗値が温度に従って線形的に変化して、充電電流の上昇速度を制限する。サーミスタの両端にリレーが並列に接続されて、スイッチング特性を備えるサーミスタが形成され、駆動制御回路の初回通電時は、リレーがオフ状態であり、第1サーミスタ及びバスコンデンサは交流給電側からのサージ信号を吸収し、初回通電後は、高電圧バス上の電流が大きくない場合に、第1リレーがオンされて、第1サーミスタの高電圧バスに対する電流制限効果が緩和される。 In this embodiment, when a surge signal appears in a high-voltage bus, the thermistor limits the charging current of the bus capacitor at the time of initial energization to ensure that the bus capacitor is not destroyed and the resistance value of the thermistor is increased. It changes linearly with temperature to limit the rate of increase of the charging current. Relays are connected in parallel at both ends of the thermistor to form a thermistor with switching characteristics. When the drive control circuit is energized for the first time, the relay is off, and the first thermistor and bus capacitor are surged from the AC power supply side. After absorbing the signal and energizing for the first time, when the current on the high voltage bus is not large, the first relay is turned on and the current limiting effect of the first thermistor on the high voltage bus is relaxed.

本願の一実施例において、さらに、図6Aに示すように、駆動制御回路はバスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサとインバータブリッジとの間に接続される第1吸収回路をさらに含む。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 6A, the drive control circuit is used to absorb the surge signal on the bus line, and the first absorption connected between the bus capacitor and the inverter bridge. Further includes circuits.

当該実施例において、バスコンデンサとしてフィルムコンデンサが使用される場合には、回路中にサージ電圧がある場合に、フィルムコンデンサが多くのサージエネルギーを吸収できないため、第1吸収回路をバスコンデンサとインバータブリッジとの間に接続させて、バスコンデンサがインバータブリッジ側のバスライン上のサージ信号を吸収することを助けることで、バスコンデンサがサージ信号によって破壊されることを防ぐ。 In this embodiment, when a film capacitor is used as a bus capacitor, the film capacitor cannot absorb a large amount of surge energy when there is a surge voltage in the circuit. Therefore, the first absorption circuit is used as a bus capacitor and an inverter bridge. By connecting between and helping the bus capacitor absorb the surge signal on the bus line on the inverter bridge side, the bus capacitor is prevented from being destroyed by the surge signal.

本願の一実施例において、さらに、図6Aに示すように、第1吸収回路は、サージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収素子と、抵抗性吸収素子のサージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、抵抗性吸収素子に直列に接続される第1スイッチング素子であって、第1スイッチング素子がオンされる場合に、抵抗性吸収素子がサージ信号を吸収し、第1スイッチング素子がオフされる場合に、抵抗性吸収素子がサージ信号の吸収を停止する前記第1スイッチング素子とを含む。 Further, in one embodiment of the present application, as shown in FIG. 6A, the first absorption circuit is used to absorb a surge signal and is resistant to a resistance absorption element connected in parallel to the bus capacitor. It is a first switching element used to adjust the absorption process of the surge signal of the absorption element and is connected in series with the resistance absorption element, and when the first switching element is turned on, the resistance absorption element becomes The first switching element includes the first switching element that absorbs a surge signal and stops absorption of the surge signal when the first switching element is turned off.

当該実施例において、第1吸収回路はバスコンデンサのインバータブリッジに近い側のサージ信号を吸収するための抵抗性吸収素子を含む。具体的には、第1スイッチング素子がオンされると、抵抗性吸収素子は駆動制御回路に接続されてサージ信号を吸収し、具体的には、抵抗性吸収素子はサージ信号の電気エネルギーを熱エネルギーに変換して放出させることによって、サージ信号を解消し、容量の小さいフィルムコンデンサに取り替えることでバスコンデンサがサージ信号によって破壊されることを避ける。バス上のサージ信号が低下又は消失した後、第1スイッチング素子がオフされ、抵抗性吸収素子が駆動制御回路から遮断されることで、吸収制御回路における正常な電気信号に対する影響を避ける。 In this embodiment, the first absorption circuit includes a resistance absorption element for absorbing a surge signal on the side close to the inverter bridge of the bus capacitor. Specifically, when the first switching element is turned on, the resistance absorbing element is connected to the drive control circuit to absorb the surge signal, and specifically, the resistance absorbing element heats the electric energy of the surge signal. By converting it into energy and releasing it, the surge signal is eliminated, and by replacing it with a film capacitor with a smaller capacity, the bus capacitor is prevented from being destroyed by the surge signal. After the surge signal on the bus drops or disappears, the first switching element is turned off and the resistant absorption element is cut off from the drive control circuit to avoid affecting the normal electrical signal in the absorption control circuit.

本願の一実施例において、さらに、図6Aに示すように、抵抗性吸収素子はサージ信号を吸収するための第1抵抗を含み、第1抵抗は第1スイッチング素子に直列に接続され、第1抵抗の抵抗値が予め設定されたバス電圧保護閾値に対応し、且つ/又は第1抵抗の抵抗値が予め設定された第1スイッチング素子の過電流保護閾値に対応する。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 6A, the resistant absorbing element includes a first resistance for absorbing a surge signal, the first resistance is connected in series with the first switching element, and the first is The resistance value of the resistor corresponds to a preset bus voltage protection threshold and / or the resistance value of the first resistor corresponds to a preset overcurrent protection threshold of the first switching element.

当該実施例において、抵抗性吸収素子は第1スイッチング素子に直列に接続される第1抵抗を含み、第1スイッチング素子がオンされる場合に、第1吸収回路がオンされ、サージ信号が第1抵抗によって吸収され、第1スイッチング素子がオフされる場合に、第1吸収回路がオフされ、第1抵抗は駆動制御回路における電気信号を吸収しなくなる。具体的には、第1抵抗の抵抗値は予め設定されたバス電圧保護閾値及び予め設定された第1スイッチング素子の過電流保護閾値に対応し、これにより抵抗性吸収素子のサージ吸収効果が保証される。なお、電圧保護閾値及び電流保護閾値は駆動回路における各コンポーネントの出荷前で較正された耐電圧値及び耐電流値に関係する。 In this embodiment, the resistant absorption element includes a first resistor connected in series with the first switching element, and when the first switching element is turned on, the first absorption circuit is turned on and the surge signal is first. When absorbed by a resistor and the first switching element is turned off, the first absorption circuit is turned off and the first resistor no longer absorbs the electrical signal in the drive control circuit. Specifically, the resistance value of the first resistor corresponds to a preset bus voltage protection threshold value and a preset overcurrent protection threshold value of the first switching element, thereby guaranteeing the surge absorption effect of the resistance absorbing element. Will be done. The voltage protection threshold value and the current protection threshold value are related to the withstand voltage value and the withstand current value calibrated before shipment of each component in the drive circuit.

さらに、図6Aに示すように、第1抵抗が非無誘導抵抗である場合に、抵抗性吸収素子は第1抵抗に逆並列に接続されるダイオードをさらに含んで、誘導電圧放出回路を形成させる。 Further, as shown in FIG. 6A, when the first resistance is a non-inductive resistance, the resistance absorbing element further includes a diode connected in antiparallel to the first resistance to form an induced voltage emission circuit. ..

さらに、図6Bに示すように、第1抵抗が非無誘導抵抗である場合に、抵抗性吸収素子はコンデンサCと、抵抗Rとをさらに含み、C及びRが直列に接続されていて、第1抵抗の両端に並列に接続されることによって、誘導電圧放出回路が形成される。 Further, as shown in FIG. 6B, when the first resistance is a non-inductive resistance, the resistance absorbing element further includes a capacitor C 1 and a resistance R 1 , and C 1 and R 1 are connected in series. By connecting in parallel to both ends of the first resistor, an induced voltage discharge circuit is formed.

本願の一実施例において、さらに、図6Aに示すように、抵抗性吸収素子は第1抵抗に並列に接続される第1単方向導通素子を含み、第1単方向導通素子の導通方向は第1抵抗を流れる電流の方向と逆である。 Further, in one embodiment of the present application, as shown in FIG. 6A, the resistance absorbing element includes a first unidirectional conducting element connected in parallel with the first resistance, and the conduction direction of the first unidirectional conducting element is the first. It is opposite to the direction of the current flowing through one resistance.

当該実施例において、第1抵抗の両端に第1単方向導通素子が並列に接続され、具体的には、第1単方向導通素子はダイオードであり、第1抵抗の自己インダクタンス電圧放出回路を形成させて、第1抵抗において生成される自己インダクタンス電圧が第1スイッチング素子の信頼性に影響を与えることを防ぐために用いられる。 In the embodiment, the first unidirectional conduction element is connected in parallel at both ends of the first resistor, specifically, the first unidirectional conduction element is a diode, and a self-inductance voltage emission circuit of the first resistor is formed. It is used to prevent the self-inductance voltage generated in the first resistor from affecting the reliability of the first switching element.

好ましくは、第1抵抗は誘導抵抗である。 Preferably, the first resistance is an induced resistance.

好ましくは、第1単方向導通素子の導通方向は第1抵抗における電流方向と逆である。 Preferably, the conduction direction of the first unidirectional conduction element is opposite to the current direction in the first resistance.

本願の一実施例において、さらに、図7に示すように、駆動制御回路は高電圧バス及び低電圧バス上のサージ信号を吸収するための第2吸収回路をさらに含み、第2吸収回路は、サージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、容量性吸収素子のサージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、且つ容量性吸収素子に直列に接続される第2単方向導通素子とを含む。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 7, the drive control circuit further includes a second absorption circuit for absorbing surge signals on the high voltage bus and the low voltage bus, the second absorption circuit. A capacitive absorption element used to absorb a surge signal and connected in parallel to a bus capacitor, and a capacitive absorption element used to adjust the surge signal absorption process of the capacitive absorption element, and in series with the capacitive absorption element. Includes a second unidirectional conducting element connected to.

当該実施例において、第2吸収回路は、バス上のサージ信号を吸収し、且つバスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、容量性吸収素子に直列に接続される第2単方向導通素子をさらに含む。具体的には、容量性吸収素子は容量特性を有し、容量性吸収素子は容量性吸収素子のサージ信号の吸収過程を制限することによって、容量性吸収素子が高電圧バス上のサージ信号だけを吸収するようにするために用いられ、つまり単方向導通素子を設けることによって、バスコンデンサと容量性吸収素子とが区別され、容量性吸収素子がバスコンデンサとして使用されることが避けられ、容量性吸収素子の使用頻度が低減され、第2吸収回路の耐用寿命が引き伸ばされる。 In the embodiment, the second absorption circuit absorbs the surge signal on the bus and has a capacitive absorption element connected in parallel to the bus capacitor and a second unidirectional conduction connected in series to the capacitive absorption element. Further includes elements. Specifically, the capacitive absorption element has capacitive characteristics, and the capacitive absorption element limits the absorption process of the surge signal of the capacitive absorption element, so that the capacitive absorption element has only the surge signal on the high voltage bus. By providing a unidirectional conducting element, the bus capacitor and the capacitive absorption element can be distinguished from each other, and the capacitive absorption element can be avoided from being used as the bus capacitor. The frequency of use of the sex absorbing element is reduced, and the service life of the second absorbing circuit is extended.

本願の一実施例において、さらに、図7に示すように、容量性吸収素子は少なくとも1つのコンデンサ、又は直列に接続される且つ/もしくは並列に接続される複数のコンデンサを含み、第2吸収回路は第1容量性素子におけるサージ信号を吸収するために用いられ、且つコンデンサに並列に接続される第2抵抗をさらに含む。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 7, the capacitive absorption element includes at least one capacitor, or a plurality of capacitors connected in series and / or in parallel, and is a second absorption circuit. Is used to absorb the surge signal in the first capacitive element and further includes a second resistor connected in parallel with the capacitor.

当該実施例において、容量性吸収素子はサージ信号を吸収するための1つ又は複数のコンデンサを含み、複数のコンデンサは互いに直列に接続され且つ/又は互いに並列に接続され、且つコンデンサに並列に接続される第2抵抗が設けられ、コンデンサに並列に接続される第2抵抗を利用してコンデンサにおけるサージ信号を吸収し、第2抵抗が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。 In this embodiment, the capacitive absorber comprises one or more capacitors for absorbing the surge signal, the plurality of capacitors connected in series with each other and / or connected in parallel with each other, and connected in parallel with the capacitors. A second resistor is provided, and the second resistor connected in parallel to the capacitor is used to absorb the surge signal in the capacitor, and the second resistor is provided to improve the reliability of the drive control circuit.

好ましくは、第2吸収回路と第1吸収回路は両方が設けられてもよいしいずれか一方が設けられてもよく、第2吸収回路と第1吸収回路が両方設けられる場合に、第2吸収回路と第1吸収回路は互いに並列に接続される。 Preferably, both the second absorption circuit and the first absorption circuit may be provided, or one of them may be provided, and when both the second absorption circuit and the first absorption circuit are provided, the second absorption circuit is provided. The circuit and the first absorption circuit are connected in parallel with each other.

本願の一実施例において、さらに、図7に示すように、第2吸収回路は容量性吸収素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ容量性吸収素子に直列に接続される電流制限抵抗をさらに含む。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 7, the second absorption circuit is used to limit the current flowing through the capacitive absorption element, and is a current limiting resistance connected in series with the capacitive absorption element. Including further.

当該実施例において、第2吸収回路に電流制限抵抗が設けられ、電流制限抵抗は容量性吸収素子に直列に接続され、通電時に容量性吸収素子を流れる電流を制限し、容量性吸収素子の充電電流を所定の範囲に制限させて、容量性吸収素子が過電流によって破壊されることを防ぐために用いられる。 In the embodiment, a current limiting resistor is provided in the second absorption circuit, and the current limiting resistor is connected in series with the capacitive absorbing element to limit the current flowing through the capacitive absorbing element when energized to charge the capacitive absorbing element. It is used to limit the current to a predetermined range and prevent the capacitive absorption element from being destroyed by overcurrent.

本願の一実施例において、さらに、駆動制御回路はリアクトルLdcにおいて発生する発振信号を吸収するために用いられ、且つリアクトルLdcに並列に接続される第4抵抗をさらに含む。 In one embodiment of the present application, the drive control circuit is further used to absorb the oscillation signal generated in the reactor Ldc 2 and further includes a fourth resistor connected in parallel to the reactor Ldc 2 .

当該実施例において、リアクトルLdcの両端に第4抵抗が並列に接続されることで、リアクトルLdcにおいて発生する発振信号を吸収し、具体的には、第4抵抗には、抵抗値が200Ωより小さいシステム減衰が追加され、バスコンデンサがフィルムコンデンサである場合に、第4抵抗を設けるとシステムの安定性を向上させることができる。 In the embodiment, the fourth resistor is connected in parallel to both ends of the reactor Ldc 2 to absorb the oscillation signal generated in the reactor Ldc 2. Specifically, the resistance value of the fourth resistor is 200Ω. Smaller system attenuation is added, and if the bus capacitor is a film capacitor, a fourth resistor can improve the stability of the system.

本願の一実施例において、さらに、図8に示すように、電流制限回路は3つ又は2つ設けられてもよく、具体的にはPTC、PTC及びPTCであってもよいし、PTC、PTC及びPTCのうちの任意の2つが設けられ、例えばPTC及びPTCであってもよく、それぞれ交流入力ソース側の三相又は任意の二相の入力ラインに位置し、具体的にはフィルタ回路と整流ブリッジとの間に位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。 Further, in one embodiment of the present application, as shown in FIG. 8, three or two current limiting circuits may be provided, and specifically, PTC 1 , PTC 2 and PTC 3 may be provided. Any two of PTC 1 , PTC 2 and PTC 3 may be provided, for example PTC 1 and PTC 2 , respectively, located on the three-phase or arbitrary two-phase input line on the AC input source side, respectively. Specifically, it is located between the filter circuit and the rectifying bridge, and when the relay is turned off for the first time, the thermistor is connected to the circuit and limits the charging current of the bus capacitor.

本願の一実施例において、さらに、図9に示すように、電流制限回路は3つ設けられ、具体的にはPTC、PTC及びPTCであり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、具体的にはフィルタ回路と整流ブリッジとの間に位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また、駆動制御回路に第1吸収回路が設けられる。 Further, in one embodiment of the present application, as shown in FIG. 9, three current limiting circuits are provided, specifically PTC 1 , PTC 2 and PTC 3 , respectively, in a three-phase bus on the AC input source side. It is located, specifically between the filter circuit and the rectifying bridge, and at the first energization, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay and limits the charging current of the bus capacitor. Further, the drive control circuit is provided with a first absorption circuit.

本願の一実施例において、さらに、図10及び図11に示すように、電流制限回路は3つ設けられ、具体的にはPTC、PTC及びPTCであり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、具体的にはフィルタ回路と整流ブリッジとの間に位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路には第1吸収回路及び第2吸収回路の両方が設けられ、図10に示すように、第1吸収回路はバスコンデンサCとインバータブリッジとの間に位置し、第2吸収回路は整流ブリッジとリアクトルLdcとの間に位置し、あるいは図11に示すように、第1吸収回路はバスコンデンサCとインバータブリッジとの間に位置し、第2吸収回路はリアクトルLdcとバスコンデンサCとの間に位置する。 In one embodiment of the present application, as shown in FIGS. 10 and 11, three current limiting circuits are provided, specifically PTC 1 , PTC 2 , and PTC 3 , respectively, which are three on the AC input source side. Located on the phase bus, specifically between the filter circuit and the rectifying bridge, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay at the first energization, limiting the charging current of the bus capacitor. .. Further, both the first absorption circuit and the second absorption circuit are provided in the drive control circuit, and as shown in FIG. 10, the first absorption circuit is located between the bus capacitor C and the inverter bridge, and the second absorption circuit is provided. Is located between the rectifying bridge and the reactor Ldc 2 , or as shown in FIG. 11, the first absorption circuit is located between the bus capacitor C and the inverter bridge, and the second absorption circuit is the reactor Ldc 2 and the bus. It is located between the capacitor C and the capacitor C.

図11の解決案を例にすると、システムが通常動作する場合に、第2吸収回路の容量性吸収素子上の電圧は直流バス電圧の最大値に維持され、この場合に抵抗性吸収素子に対応する第1スイッチング素子がオフされ、サージエネルギーが主に電源入力、システムの故障による動作停止時の圧縮機巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及び圧縮機の運動エネルギーに由来するため、サージ電圧がある場合に、小容量のフィルムコンデンサが多くのエネルギーを吸収できないため、バス電圧がサージ吸収コンデンサの端子電圧より高い時、容量性吸収素子が機能し、残りのエネルギーがフィルムコンデンサ及びサージ吸収コンデンサモジュールに流入し、サージエネルギーが吸収されるのに伴い、直流バス電圧が徐々に上昇し(サージ吸収コンデンサが大きいほど直流バス電圧の上昇が遅い)、直流バス電圧が特定の設定値より高い時(例えば720Vと設定され、実際には調整可能である)、抵抗性吸収素子が入れられ、第1スイッチング素子がパルス幅変調(PWM)方式又は確定の方式でオンされ始め、サージ電圧が出現する時にバス電圧が可能な限り安定的であることが保証される。 Taking the solution of FIG. 11 as an example, when the system operates normally, the voltage on the capacitive absorption element of the second absorption circuit is maintained at the maximum value of the DC bus voltage, and in this case, it corresponds to the resistance absorption element. The surge voltage is turned off because the surge energy is mainly derived from the power input, the compressor winding when the operation is stopped due to a system failure, the inductance flyback on the AC / DC side, and the kinetic energy of the compressor. When the bus voltage is higher than the terminal voltage of the surge absorption capacitor, the capacitive absorption element works and the remaining energy is the film capacitor and surge absorption capacitor because the small capacity film capacitor cannot absorb much energy. When the DC bus voltage gradually rises as it flows into the module and the surge energy is absorbed (the larger the surge absorption capacitor, the slower the DC bus voltage rises), and the DC bus voltage is higher than a specific set value. (For example, it is set to 720V and is actually adjustable), a resistance absorbing element is inserted, the first switching element begins to be turned on by pulse width modulation (PWM) method or definite method, and a surge voltage appears. Sometimes the bus voltage is guaranteed to be as stable as possible.

本願の一実施例において、さらに、図12に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路は第2吸収回路を含み、第2吸収回路における容量性吸収素子によってサージ信号を吸収する。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 12, a current limiting circuit is provided in the high voltage bus, and at the first energization, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay, and the bus capacitor is connected. Limit the charging current. Further, the drive control circuit includes a second absorption circuit, and the surge signal is absorbed by the capacitive absorption element in the second absorption circuit.

本願の一実施例において、さらに、図13及び図14に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路には第1吸収回路及び第2吸収回路の両方が設けられ、図13に示すように、第1吸収回路はバスコンデンサCとインバータブリッジとの間に位置し、第2吸収回路は電流制限回路とリアクトルLdcとの間に位置し、あるいは図14に示すように、第1吸収回路はバスコンデンサCとインバータブリッジとの間に位置し、第2吸収回路はリアクトルLdcとバスコンデンサCとの間に位置する。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIGS. 13 and 14, a current limiting circuit is provided in the high voltage bus, and at the first energization, the relay is turned off so that the thermistor is connected to the circuit. Limit the charging current of the bus capacitor. Further, both the first absorption circuit and the second absorption circuit are provided in the drive control circuit, and as shown in FIG. 13, the first absorption circuit is located between the bus capacitor C and the inverter bridge, and the second absorption circuit is provided. Is located between the current limiting circuit and the reactor Ldc 2 , or as shown in FIG. 14, the first absorption circuit is located between the bus capacitor C and the inverter bridge, and the second absorption circuit is the reactor Ldc 2 . It is located between the bus capacitor C and the bus capacitor C.

本願の一実施例において、さらに、図15に示すように、電流制限回路は3つ設けられ、具体的にはPTC、PTC及びPTCであり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第2吸収回路が設けられ、第2吸収回路には導通素子が設けられ、導通素子は具体的には第1スイッチング素子であり、システムでサージ信号が弱い場合に、第1スイッチング素子がオフされ、バスコンデンサによってサージ信号を吸収し、システムでサージ信号が強い場合に、第1スイッチング素子がオンされ、第2吸収回路が高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されて、サージ信号の吸収を助ける。 Further, in one embodiment of the present application, as shown in FIG. 15, three current limiting circuits are provided, specifically PTC 1 , PTC 2 and PTC 3 , respectively, in a three-phase bus on the AC input source side. Positioned, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay at the first energization, limiting the charging current of the bus capacitor. Further, a second absorption circuit is provided in the drive control circuit, a conduction element is provided in the second absorption circuit, and the conduction element is specifically the first switching element. When the surge signal is weak in the system, the first When the switching element is turned off and the bus capacitor absorbs the surge signal and the surge signal is strong in the system, the first switching element is turned on and the second absorption circuit is connected between the high voltage bus and the low voltage bus. It helps to absorb the surge signal.

本願の一実施例において、さらに、図16に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第2吸収回路が設けられ、第2吸収回路には導通素子が設けられ、導通素子は具体的には第1スイッチング素子であり、システムでサージ信号が弱い場合に、第1スイッチング素子がオフされ、バスコンデンサによってサージ信号を吸収し、システムでサージ信号が強い場合に、第1スイッチング素子がオンされ、第2吸収回路が高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されて、サージ信号の吸収を助ける。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 16, a current limiting circuit is provided in the high voltage bus, and at the first energization, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay, and the bus capacitor is connected. Limit the charging current. Further, a second absorption circuit is provided in the drive control circuit, a conduction element is provided in the second absorption circuit, and the conduction element is specifically the first switching element. When the surge signal is weak in the system, the first When the switching element is turned off and the bus capacitor absorbs the surge signal and the surge signal is strong in the system, the first switching element is turned on and the second absorption circuit is connected between the high voltage bus and the low voltage bus. It helps to absorb the surge signal.

本願の一実施例において、さらに、図17に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第1吸収回路と、第2吸収回路とが設けられ、第1吸収回路、第2吸収回路はそれぞれバスコンデンサの両側に位置し、第2吸収回路に導通素子が設けられ、具体的には第1スイッチング素子であり、また第1吸収回路にも第1スイッチング素子が設けられ、システムでサージ信号が弱い場合に、第1吸収回路及び第2吸収回路の第1スイッチング素子がオフされ、バスコンデンサによってサージ信号を吸収し、システムでサージ信号が強い場合に、対応する第1スイッチング素子をしてオンさせることによって、第1吸収回路及び/又は第2吸収回路を高電圧バスと低電圧バスとの間に接続させて、サージ信号の吸収を助ける。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 17, a current limiting circuit is provided in the high voltage bus, and at the first energization, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay, and the bus capacitor is connected. Limit the charging current. Further, the drive control circuit is provided with a first absorption circuit and a second absorption circuit, the first absorption circuit and the second absorption circuit are located on both sides of the bus capacitor, respectively, and the second absorption circuit is provided with a conduction element. Specifically, it is the first switching element, and the first absorption circuit is also provided with the first switching element, and when the surge signal is weak in the system, the first switching element of the first absorption circuit and the second absorption circuit is used. When turned off, the bus capacitor absorbs the surge signal, and when the surge signal is strong in the system, the corresponding first switching element is turned on to make the first absorption circuit and / or the second absorption circuit a high voltage bus. It is connected between the and the low voltage bus to help absorb the surge signal.

本願の一実施例において、さらに、図18に示すように、電流制限回路は3つ設けられ、具体的にはPTC、PTC及びPTCであり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第1吸収回路と、第2吸収回路とが設けられ、第1吸収回路、第2吸収回路はそれぞれバスコンデンサの両側に位置し、第2吸収回路に導通素子が設けられ、具体的には第1スイッチング素子であり、また第1吸収回路にも第1スイッチング素子が設けられ、システムでサージ信号が弱い場合に、第1吸収回路及び第2吸収回路の第1スイッチング素子がオフされ、バスコンデンサによってサージ信号を吸収し、システムでサージ信号が強い場合に、対応する第1スイッチング素子をしてオンさせることによって、第1吸収回路及び/又は第2吸収回路を高電圧バスと低電圧バスとの間に接続させて、サージ信号の吸収を助ける。 Further, in one embodiment of the present application, as shown in FIG. 18, three current limiting circuits are provided, specifically, PTC 1 , PTC 2 and PTC 3 , respectively, in a three-phase bus on the AC input source side. Positioned, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay at the first energization, limiting the charging current of the bus capacitor. Further, the drive control circuit is provided with a first absorption circuit and a second absorption circuit, the first absorption circuit and the second absorption circuit are located on both sides of the bus capacitor, respectively, and the second absorption circuit is provided with a conduction element. Specifically, it is the first switching element, and the first absorption circuit is also provided with the first switching element, and when the surge signal is weak in the system, the first switching element of the first absorption circuit and the second absorption circuit is used. When turned off, the bus capacitor absorbs the surge signal, and when the surge signal is strong in the system, the corresponding first switching element is turned on to make the first absorption circuit and / or the second absorption circuit a high voltage bus. It is connected between the and the low voltage bus to help absorb the surge signal.

本願の一実施例において、さらに、図19に示すように、電流制限回路は3つ設けられ、具体的にはPTC、PTC及びPTCであり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第1吸収回路と、第2吸収回路とが設けられ、第1吸収回路、第2吸収回路はそれぞれバスコンデンサの両側に位置し、第2吸収回路に導通素子が設けられ、具体的にはダイオードであり、これによりバス上のサージ信号はダイオードを介して第2吸収回路に入り、第2吸収回路上の容量性吸収素子の放電電流がダイオードによってオフされるため、バス上の電気信号に影響がなくて済む。また、リアクトルLdcに第4抵抗Rが並列に接続され、それはリアクトルLdcとバスコンデンサとの間の発振信号を低減させて、リアクトルLdcとバスコンデンサとの間のLC発振効果によるシステムの変動を防ぐことによって、システムの安定性を向上させるために用いられる。 Further, in one embodiment of the present application, as shown in FIG. 19, three current limiting circuits are provided, specifically PTC 1 , PTC 2 and PTC 3 , respectively, in a three-phase bus on the AC input source side. Positioned, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay at the first energization, limiting the charging current of the bus capacitor. Further, the drive control circuit is provided with a first absorption circuit and a second absorption circuit, the first absorption circuit and the second absorption circuit are located on both sides of the bus capacitor, respectively, and the second absorption circuit is provided with a conduction element. Specifically, it is a diode, so that the surge signal on the bus enters the second absorption circuit via the diode, and the discharge current of the capacitive absorption element on the second absorption circuit is turned off by the diode, so that it is on the bus. There is no need to affect the electrical signal of. Also, a fourth resistor R4 is connected in parallel to the reactor Ldc 2 which reduces the oscillation signal between the reactor Ldc 2 and the bus capacitor and is a system due to the LC oscillation effect between the reactor Ldc 2 and the bus capacitor. It is used to improve the stability of the system by preventing fluctuations in the system.

本願の一実施例において、さらに、図20に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第1吸収回路と、第2吸収回路とが設けられ、第1吸収回路、第2吸収回路はそれぞれバスコンデンサの両側に位置し、第2吸収回路に導通素子が設けられ、具体的にはダイオードであり、これによりバス上のサージ信号はダイオードを介して第2吸収回路に入り、第2吸収回路上の容量性吸収素子の放電電流がダイオードによってオフされるため、バス上の電気信号に影響がなくて済む。また、リアクトルLdcに第4抵抗Rが並列に接続され、それはリアクトルLdcとバスコンデンサとの間の発振信号を低減させて、リアクトルLdcとバスコンデンサとの間のLC発振効果によるシステムの変動を防ぐことによって、システムの安定性を向上させるために用いられる。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIG. 20, a current limiting circuit is provided in the high voltage bus, and at the first energization, the thermistor is connected to the circuit by turning off the relay, and the bus capacitor is connected. Limit the charging current. Further, the drive control circuit is provided with a first absorption circuit and a second absorption circuit, the first absorption circuit and the second absorption circuit are located on both sides of the bus capacitor, respectively, and the second absorption circuit is provided with a conduction element. Specifically, it is a diode, so that the surge signal on the bus enters the second absorption circuit via the diode, and the discharge current of the capacitive absorption element on the second absorption circuit is turned off by the diode, so that it is on the bus. There is no need to affect the electrical signal of. Also, a fourth resistor R4 is connected in parallel to the reactor Ldc 2 , which reduces the oscillation signal between the reactor Ldc 2 and the bus capacitor, and is a system due to the LC oscillation effect between the reactor Ldc 2 and the bus capacitor. It is used to improve the stability of the system by preventing fluctuations in the system.

本願の一実施例において、さらに、図21、図22、図23、図24、図25及び図26に示すように、駆動制御回路は第3吸収回路を含み、第3吸収回路は電流制限素子と、容量性吸収素子と、単方向導通素子とを含み、電流制限素子にはサーミスタPTC又は電流制限抵抗R、及びサーミスタPTC又は電流制限抵抗Rの両端に並列に接続される第1スイッチング素子が使用されてもよい。具体的には、サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時の圧縮機巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及び圧縮機の運動エネルギーに由来し、サージ電圧がある場合に、小容量のフィルムコンデンサが多くのエネルギーを吸収できないため、バス電圧が第3吸収回路における容量性吸収素子(具体的にはコンデンサC及びCを含む)の端子電圧より高い時、第3吸収回路が機能し、残りのエネルギーがバスコンデンサ及び第3吸収回路に流入し、この時に第1スイッチング素子がオンされ、サーミスタPTC又は電流制限抵抗Rが短絡され、サージエネルギーは迅速に吸収されてしまい、給電電源がオフされ又は直流バス電圧が確定値(好ましくは200Vと設定する)より低い場合に、第1スイッチング素子に電流が流れていないと判断され、したがって第1スイッチング素子を制御してオフさせ(交流リレーを第1スイッチング素子として使用する場合にのみ第1スイッチング素子に電流が流れるかどうかを判断する必要があり、通常のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)又は直流リレーは随時オフされてもよい)、つまり通電する時は、サーミスタPTC又は電流制限抵抗Rが容量性吸収素子の回路に直列に接続されて、電流制限の目的を果たし、この後は第1スイッチング素子をオンしてサーミスタPTC又は電流制限抵抗Rを短絡させて、サージエネルギーの迅速な吸収という目的を果たす。 In one embodiment of the present application, further, as shown in FIGS. 21, 22, 23, 24, 25 and 26, the drive control circuit includes a third absorption circuit, and the third absorption circuit is a current limiting element. A first switching element connected in parallel to both ends of the thermistor PTC or current limiting resistor R and the thermistor PTC or current limiting resistor R is included in the current limiting element, including a capacitive absorption element and a unidirectional conduction element. May be used. Specifically, the surge energy is mainly derived from the power input, the compressor winding when the operation is stopped due to the failure of the prototype, the inductance flyback on the AC / DC side, and the kinetic energy of the compressor, and when there is a surge voltage, Since a small-capacity film capacitor cannot absorb a large amount of energy, the third absorption occurs when the bus voltage is higher than the terminal voltage of the capacitive absorption element (specifically, the capacitors C 2 and C 3 ) in the third absorption circuit. The circuit functions and the remaining energy flows into the bus capacitor and the third absorption circuit, at which time the first switching element is turned on, the thermista PTC or current limiting resistor R is shorted, and the surge energy is quickly absorbed. , When the power supply is turned off or the DC bus voltage is lower than the definite value (preferably set to 200V), it is determined that no current is flowing through the first switching element, and therefore the first switching element is controlled and turned off. (It is necessary to determine whether or not a current flows through the first switching element only when the AC relay is used as the first switching element, and a normal IGBT (Insulated Gate Voltage Transistor) or DC relay is used. (May be turned off at any time), that is, when energized, the thermista PTC or current limiting resistor R is connected in series to the circuit of the capacitive absorber to serve the purpose of current limiting, after which the first switching element is turned on. Turn on to short-circuit the thermista PTC or current limiting resistor R to serve the purpose of rapid absorption of surge energy.

さらに、図21に示すように、電流制限素子は単方向導通素子と容量性吸収素子との間に位置し、あるいは図22に示すように、電流制限素子は高電圧バスと単方向導通素子との間に位置し、あるいは図23に示すように、電流制限素子は容量性吸収素子と低電圧バスとの間に位置する。 Further, as shown in FIG. 21, the current limiting element is located between the unidirectional conducting element and the capacitive absorption element, or as shown in FIG. 22, the current limiting element is a high voltage bus and a unidirectional conducting element. The current limiting element is located between the capacitive absorption element and the low voltage bus, as shown in FIG. 23.

さらに、図24、図25及び図26に示すように、電流制限抵抗R(サーミスタPTC又は電流制限抵抗R)は2つの抵抗R及びRを直列に接続させて実現してもよく、2つの抵抗RとRの抵抗値の和はRの抵抗値に等しい。なお、第1スイッチング素子は抵抗Rの両端に並列に接続され、システムに通電する時、抵抗R及びRが同時に第3電流制限回路に直列に接続されて電流制限を行い、通電後のサージ吸収段階で、スイッチング素子がオンされて抵抗Rが短絡され、この時に抵抗Rが単独で電流制限を行う。 Further, as shown in FIGS. 24, 25 and 26, the current limiting resistance R 1 (thermistor PTC or current limiting resistance R) may be realized by connecting two resistances R 4 and R 5 in series. The sum of the resistance values of the two resistances R 4 and R 5 is equal to the resistance value of R 1 . The first switching element is connected in parallel to both ends of the resistor R4 , and when the system is energized, the resistors R4 and R5 are simultaneously connected in series to the third current limiting circuit to limit the current, and after energization. At the surge absorption stage, the switching element is turned on and the resistance R 4 is short-circuited. At this time, the resistance R 5 independently limits the current.

本願の一実施例において、さらに、図27に示すように、駆動制御回路で第1吸収回路及び第3吸収回路の両方が設けられ、なお、電流制限素子と、容量性吸収素子と、単方向導通素子とが含まれ、電流制限素子は電流制限抵抗R及びRを含み、Rは単方向導通素子と容量性吸収素子との間に位置し、Rは容量性吸収素子と低電圧バスとの間に位置し、第1スイッチング素子は抵抗Rの両端に並列に接続され、システムに通電する時、抵抗R及びRが同時に第3電流制限回路に直列に接続されて電流制限を行い、通電後のサージ吸収段階で、スイッチング素子がオンされて抵抗Rが短絡され、この時に抵抗Rが単独で電流制限を行う。 Further, in one embodiment of the present application, as shown in FIG. 27, both the first absorption circuit and the third absorption circuit are provided in the drive control circuit, and the current limiting element, the capacitive absorption element, and the unidirectional are provided. A conducting element is included, the current limiting element includes current limiting resistors R 4 and R 5 , R 5 is located between the unidirectional conducting element and the capacitive absorption element, and R 4 is the capacitive absorption element and low. Located between the voltage bus, the first switching element is connected in parallel across the resistor R4 , and when the system is energized, the resistors R4 and R5 are simultaneously connected in series with the third current limiting circuit. The current is limited, and at the surge absorption stage after energization, the switching element is turned on and the resistor R4 is short-circuited. At this time, the resistor R5 independently limits the current.

本願の一実施例において、さらに、図28及び図29に示すように、駆動制御回路に第4吸収回路が設けられる。第4吸収回路は容量性吸収素子と、抵抗性吸収素子と、電流制限素子とを含み、容量性吸収素子は電流制限素子に直列に接続され、容量性吸収素子は導通素子と、吸収コンデンサと、電流制限抵抗Rと、放電抵抗とを含み、吸収コンデンサは2つが設けられ、それぞれがC及びCであり、R、RはそれぞれC、Cの両端に並列に接続されて、C及びCを放電させるために用いられ、導通素子は具体的には単方向導通素子又は第1スイッチング素子であり、抵抗性吸収素子は吸収抵抗と、吸収抵抗の両端に並列に接続されるフライバック回路と、第1スイッチング素子と、電流測定素子とを含み、フライバック回路としては逆並列に接続されるダイオードを使用することが好ましく、給電電源がオフされ又は直流バス電圧が確定値より低い場合に、電流測定素子が第1スイッチング素子に電流が流れていないと判断したなら、第1スイッチング素子を制御してオフさせる。 In one embodiment of the present application, the drive control circuit is further provided with a fourth absorption circuit, as shown in FIGS. 28 and 29. The fourth absorption circuit includes a capacitive absorption element, a resistance absorption element, and a current limiting element, the capacitive absorption element is connected in series with the current limiting element, and the capacitive absorption element includes a conduction element and an absorption capacitor. , The current limiting resistor R 1 and the discharge resistor are included, and two absorption capacitors are provided, which are C 2 and C 3 , respectively, and R 2 and R 3 are connected in parallel to both ends of C 2 and C 3 , respectively. The conduction element is specifically a unidirectional conduction element or a first switching element, and the resistance absorption element is parallel to the absorption resistance and both ends of the absorption resistance. It is preferable to use a diode connected to the flyback circuit including a flyback circuit, a first switching element, and a current measuring element, which are connected in antiparallel to the flyback circuit. If is lower than the definite value and the current measuring element determines that no current is flowing through the first switching element, the first switching element is controlled to be turned off.

さらに、図28に示すように、抵抗性素子の入力端は導通素子と電流制限抵抗Rとの間に接続され、抵抗性素子の出力端は低電圧バスに接続される。 Further, as shown in FIG. 28, the input end of the resistance element is connected between the conduction element and the current limiting resistor R1 , and the output end of the resistance element is connected to the low voltage bus.

さらに、図29に示すように、抵抗性素子の入力端は電流制限抵抗Rと吸収コンデンサCとの間に接続され、抵抗性素子の出力端は低電圧バスに接続される。 Further, as shown in FIG. 29, the input end of the resistance element is connected between the current limiting resistor R 1 and the absorption capacitor C 2 , and the output end of the resistance element is connected to the low voltage bus.

図4から図29に対応する前記実施例で、Lacとは実際の交流側インダクタンスモデル及び入力電力線のインダクタンスを指し、インダクタンス及び抵抗を含み、従来のモデルで使用される交流側インダクタンスは25mH、500mΩであり、入力電力線のインダクタンスは10mHより小さく又は等しく(数値拡大)、抵抗値は0.5Ωより大きく又は等しく(実際に使用する導線の抵抗は約1.2Ωである)、Ldcとは実際の直流側インダクタンスモデルを指し、インダクタンス及び抵抗を含み、Ldcのインダクタンスは4.5mH、120mΩであり、Rは減衰抵抗であり、減衰抵抗RはLdcでインダクタンスを4.5mHと設定した場合に設けられず、容量が6KWのプロトタイプにはLdcが設けられないことから、Rが設けられなくてもよく、なお、Lac又はLdcはEMC高調波が求められるために存在するもので、EMC高調波が求められるエリアでは、プロトタイプにLac又はLdcが存在してもよいし、LacとLdcが共存してもよい。高調波が求められないエリアでは、LacもLdcも存在せず、高周波高調波に対処するために(これを無視する場合に、Ldcインダクタを使用しなくてもよい)、トポロジー回路のLdcの位置にインダクタンスの小さいLdcを使用し、且つ小さいLdcに小さい減衰抵抗Rを並列に接続させてシステムの安定性を向上させてもよい。 In the above embodiment corresponding to FIGS. 4 to 29, Lac refers to the actual AC side inductance model and the inductance of the input power line, and includes the inductance and the resistance, and the AC side inductance used in the conventional model is 25 mH, 500 mΩ. The inductance of the input power line is less than or equal to 10 mH (numerical expansion), the resistance value is greater than or equal to 0.5Ω (the resistance of the lead wire actually used is about 1.2Ω), and Ldc is the actual. Refers to the DC side inductance model, including inductance and resistance, when the inductance of Ldc is 4.5 mH, 120 mΩ, R 4 is the attenuation resistance, and the attenuation resistance R 4 is Ldc and the inductance is set to 4.5 mH. Since Ldc is not provided in the prototype which is not provided and has a capacitance of 6KW, R4 may not be provided, and Lac or Ldc exists because the EMC harmonic is required, and the EMC harmonic is required. In the area where waves are required, Lac or Ldc may be present in the prototype, or Lac and Ldc may coexist. In areas where harmonics are not required, neither Lac nor Ldc exist, and the position of Ldc in the topology circuit to deal with high frequency harmonics (if this is ignored, the Ldc inductor does not have to be used). Ldc 2 having a small inductance may be used, and a small attenuation resistor R 4 may be connected in parallel to the small Ldc 2 to improve the stability of the system.

本願の一実施例において、さらに、駆動制御回路は駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第1スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるためのサンプリング制御回路(図示せず)をさらに含み、給電信号は駆動制御回路の交流側の給電信号及びバスラインの給電信号を含む。 In one embodiment of the present application, the drive control circuit further collects a feed signal of the drive control circuit and controls a first switching element based on the feed signal to turn it on or off (not shown). ), And the power supply signal includes the power supply signal on the AC side of the drive control circuit and the power supply signal on the bus line.

当該実施例において、図30に示すように、駆動制御回路にサンプリング制御回路20が設けられ、サンプリング制御回路20は回路交流側の給電信号及び/又は前記バスラインの給電信号を収集して、給電信号の電圧振幅値に基づいて第1スイッチング素子を制御してオン又はオフさせて、第1吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。 In the embodiment, as shown in FIG. 30, a sampling control circuit 20 is provided in the drive control circuit, and the sampling control circuit 20 collects a power supply signal on the circuit AC side and / or a power supply signal of the bus line to supply power. The first switching element is controlled to be turned on or off based on the voltage amplitude value of the signal to control the surge signal absorption process of the first absorption circuit.

好ましくは、交流側の給電信号は具体的には交流電源モジュール10とフィルタ回路12との間の電気信号である。 Preferably, the power supply signal on the AC side is specifically an electric signal between the AC power supply module 10 and the filter circuit 12.

好ましくは、交流側の給電信号は具体的にはフィルタ回路12と整流ブリッジ14との間の電気信号である。 Preferably, the feeding signal on the AC side is specifically an electrical signal between the filter circuit 12 and the rectifying bridge 14.

好ましくは、バスラインの給電信号は整流ブリッジ14と吸収回路16との間の電気信号を含み、具体的には整流ブリッジ14とリアクトルLdcとの間の電気信号である。 Preferably, the bus line feed signal includes an electrical signal between the rectifying bridge 14 and the absorption circuit 16, specifically an electrical signal between the rectifying bridge 14 and the reactor Ldc 2 .

好ましくは、バスラインの給電信号は吸収回路16とインバータブリッジ18との間の電気信号を含む。 Preferably, the bus line feed signal includes an electrical signal between the absorption circuit 16 and the inverter bridge 18.

本願の第2の態様の実施例は、モータと、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。 An embodiment of the second aspect of the present application provides an air conditioner comprising a motor and the drive control circuit according to any one of the above embodiments, wherein the signal input end of the motor is connected to the drive control circuit. The drive signal output from the drive control circuit is used to drive and operate the motor. Since the air conditioner includes the drive control circuit according to any one of the above embodiments, it has all the beneficial effects of the drive control circuit according to any one of the above embodiments, and the description thereof is omitted here.

図32及び図33に示すように、本願の第3の態様の実施例は、駆動制御回路を提供し、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルLdcと、負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサCと、第1抵抗性素子R及び第2スイッチング素子であって、第2スイッチング素子は第1抵抗性素子Rを制御してサージ信号を吸収させるように設定され、第1抵抗性素子R及び第2スイッチング素子が直列に接続されていて高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続される前記第1抵抗性素子及び第2スイッチング素子と、単方向導通素子又は第3スイッチング素子と、第1容量性素子Cであって、単方向導通素子又は第3スイッチング素子は第1容量性素子Cによる高電圧バス上のサージ信号の吸収を制限するように設定され、単方向導通素子又は第3スイッチング素子が第1容量性素子Cに直列に接続されていて高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続される前記第1容量性素子Cと、第2スイッチング素子に接続され、高電圧バスの電圧信号と設定電圧の大小関係に基づいて第1抵抗性素子Rの動作を制御する制御チップ(図示せず)とを含む。 As shown in FIGS. 32 and 33, an embodiment of the third aspect of the present application provides a drive control circuit, which is a surge generated in the process of the drive control circuit driving and operating a load. It is used to absorb the signal and is used to provide the reactor Ldc connected between the transmission and distribution network and the load and the starting voltage required to energize the load, and also to absorb the surge signal. The bus capacitor C 1 used and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge, the first resistance element R 1 and the second switching element, and the second switching element is the first resistance element R 1 . The first resistance element R1 and the second switching element are connected in series and are connected in series between the high voltage bus and the low voltage bus. The first resistance element and the second switching element, the unidirectional conducting element or the third switching element, the first capacitive element C 2 , and the unidirectional conducting element or the third switching element is the first capacitive element C. It is set to limit the absorption of surge signals on the high voltage bus by 2 , and a unidirectional conducting element or a third switching element is connected in series with the first capacitive element C 2 to form a high voltage bus and a low voltage bus. The first capacitive element C 2 connected in series between the first capacitive element C 2 and the first resistant element R 1 connected to the second switching element based on the magnitude relationship between the voltage signal of the high voltage bus and the set voltage. Includes a control chip (not shown) that controls operation.

具体的には、単方向導通素子Dと第1容量性素子Cが直列に接続される場合に、駆動制御回路はインバータブリッジと、バスコンデンサCと、リアクトルLdcと、単方向導通素子Dとを含み、インバータブリッジは負荷の動作を駆動及び制御し、例えばモータの動作を制御し、バスコンデンサCの容量が小さいため、高電圧バスにおいて形成されるサージ信号が完全に吸収されることは保証しにくく、リアクトルLdcを設けることによって駆動制御回路が負荷の動作を駆動する過程で発生するサージ信号を吸収して、インバータブリッジ側からのサージ信号を遮断することによって、インバータブリッジ側からのサージ信号は単方向導通素子D及び第1容量性素子Cから構成される第1吸収経路によって放出されて、サージ信号に対する制御が実現されるとともに、バス上のサージ信号が完全に吸収されることが保証され、サージ信号を吸収するために第1抵抗性素子R及び第2スイッチング素子から構成される第2吸収経路がさらに設けられ、具体的には、制御チップはバス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第1抵抗性素子Rがサージ信号を吸収するかどうかを制御し、第1吸収経路及び第2吸収経路が設けられることで回路中のサージ信号の吸収能力が向上され、回路の信頼性が向上され、具体的には、単方向導通素子Dの陽極は高電圧バスに接続され、単方向導通素子Dの陰極は第1容量性素子Cを介して低電圧バスに接続され、なお、単方向導通素子Dは単方向導通特性を有する素子であってもよく、例えばダイオードなどであり、電圧閾値は高電圧バスの電圧に関係する。 Specifically, when the unidirectional conducting element D 1 and the first capacitive element C 2 are connected in series, the drive control circuit includes an inverter bridge, a bus capacitor C 1 , a reactor Ldc, and a unidirectional conducting element. Including D 1 , the inverter bridge drives and controls the operation of the load, for example the operation of the motor, and because the capacity of the bus capacitor C 1 is small, the surge signal formed in the high voltage bus is completely absorbed. It is difficult to guarantee that, and by providing the reactor Ldc, the drive control circuit absorbs the surge signal generated in the process of driving the operation of the load, and by blocking the surge signal from the inverter bridge side, the inverter bridge side The surge signal from is emitted by the first absorption path composed of the unidirectional conduction element D 1 and the first capacitive element C 2 , the control for the surge signal is realized, and the surge signal on the bus is completely eliminated. It is guaranteed to be absorbed, and a second absorption path composed of a first resistance element R1 and a second switching element is further provided to absorb the surge signal. Specifically, the control chip is a bus signal. It controls whether the first resistance element R 1 absorbs the surge signal based on the magnitude relationship between the voltage threshold and the voltage threshold, and the first absorption path and the second absorption path are provided to absorb the surge signal in the circuit. The reliability of the circuit is improved. Specifically, the anode of the unidirectional conducting element D 1 is connected to the high voltage bus, and the cathode of the unidirectional conducting element D 1 is the first capacitive element C 2 . The unidirectional conduction element D 1 may be an element having a unidirectional conduction characteristic, for example, a diode, and the voltage threshold is related to the voltage of the high voltage bus.

具体的には、図31に示すように、駆動制御回路において第1抵抗性素子R及び第2スイッチング素子がサーミスタPTC11と、サーミスタPTC12と、サーミスタPTC13とを含む場合の回路模式図であり、各サーミスタに1つのリレースイッチが並列に接続される。 Specifically, as shown in FIG. 31, a schematic circuit diagram of a drive control circuit in which the first resistance element R 1 and the second switching element include a thermistor PTC 11 , a thermistor PTC 12 , and a thermistor PTC 13 . One relay switch is connected in parallel to each thermistor.

本願の一実施例において、図32及び図33に示すように、駆動制御回路は第1容量性素子Cにおけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ第1容量性素子Cに並列に接続される第2抵抗性素子Rをさらに含む。 In one embodiment of the present application, as shown in FIGS. 32 and 33, the drive control circuit is used to emit a surge signal in the first capacitive element C 2 and in parallel with the first capacitive element C 2 . Further includes a second resistance element R2 to be connected.

当該実施例において、第1容量性素子Cが高電圧バス上のサージ信号を吸収した後、第2抵抗性素子Rを利用して第1容量性素子Cにおけるサージ信号を放出させ、第2抵抗性素子Rが設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。 In the embodiment, after the first capacitive element C 2 absorbs the surge signal on the high voltage bus, the second capacitive element R 2 is used to emit the surge signal in the first capacitive element C 2 . The reliability of the drive control circuit is improved by providing the second resistance element R 2 .

本願の一実施例において、図32及び図33に示すように、高電圧バス上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つ第1容量性素子Cに直列に接続される第2容量性素子Cをさらに含む。 In one embodiment of the present application, as shown in FIGS. 32 and 33, the second capacitive element used to absorb the surge signal on the high voltage bus and connected in series with the first capacitive element C2 . The element C 3 is further included.

当該実施例において、高電圧バスの電圧が大きい場合に、第1容量性素子Cに第2容量性素子Cを直列に接続させることによって、高電圧バスのサージ信号吸収能力を向上させる。 In the embodiment, when the voltage of the high voltage bus is large, the surge signal absorption capacity of the high voltage bus is improved by connecting the second capacitive element C 3 in series to the first capacitive element C 2 .

本願の一実施例において、図32及び図33に示すように、第2容量性素子Cにおけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ第2容量性素子Cに並列に接続される第3抵抗性素子Rをさらに含む。 In one embodiment of the present application, as shown in FIGS. 32 and 33, a second capacitive element C3 is used to emit a surge signal and is connected in parallel to the second capacitive element C3. 3 The resistance element R 3 is further included.

当該実施例において、第2容量性素子Cが設けられる場合に、第3抵抗性素子Rを設けて第2抵抗性素子Rと組み合わせて使用することによって、第1容量性素子C及び第2容量性素子Cの両端の電圧にバランスを取り、また第3抵抗性素子Rは第2容量性素子C上のサージ信号を放出させて、駆動制御回路の信頼性を向上させるためにも用いられる。 In the embodiment, when the second capacitive element C 3 is provided, the first capacitive element C 2 is provided by providing the third resistant element R 3 and using it in combination with the second capacitive element R 2 . And the voltage across the second capacitive element C 3 is balanced, and the third resistant element R 3 emits a surge signal on the second capacitive element C 3 to improve the reliability of the drive control circuit. It is also used to make it.

本願の一実施例において、図32及び図33に示すように、第1容量性素子C及び/又は第2容量性素子Cに流れる電流を制限するための第4抵抗性素子Rをさらに含み、第4抵抗性素子R、第2スイッチング素子及び第1容量性素子Cが直列に接続され、又は第4抵抗性素子R、第2スイッチング素子、第1容量性素子C及び第2容量性素子Cが直列に接続される。 In one embodiment of the present application, as shown in FIGS. 32 and 33, a fourth resistant element R4 for limiting the current flowing through the first capacitive element C 2 and / or the second capacitive element C 3 is provided. Further included, the fourth resistant element R 4 , the second switching element and the first capacitive element C 2 are connected in series, or the fourth resistant element R 4 , the second switching element, the first capacitive element C 2 And the second capacitive element C 3 are connected in series.

当該実施例において、第1容量性素子C及び/又は第2容量性素子Cに直列に接続される第4抵抗性素子Rを設け、第4抵抗性素子Rを利用して第1容量性素子C及び/又は第2容量性素子Cに流れる電流を制限して、第1容量性素子及び/又は第2容量性素子及び並列に接続される抵抗性素子が過電流により破壊されることを防ぐことで、駆動制御回路の信頼性が向上される。 In the embodiment, a fourth resistant element R 4 connected in series with the first capacitive element C 2 and / or the second capacitive element C 3 is provided, and the fourth resistant element R 4 is used. By limiting the current flowing through the 1-capacitive element C 2 and / or the 2nd capacitive element C 3 , the first capacitive element and / or the second capacitive element and the resistance element connected in parallel are caused by an overcurrent. By preventing it from being destroyed, the reliability of the drive control circuit is improved.

本願の一実施例において、図32及び図33に示すように、第1抵抗性素子Rにおけるスパイク電圧信号を放出させるために用いられ、且つ第1抵抗性素子Rに並列に接続される第1放電素子をさらに含む。 In one embodiment of the present application, as shown in FIGS. 32 and 33, it is used to emit a spike voltage signal in the first resistance element R1 and is connected in parallel to the first resistance element R1. It further includes a first discharge element.

当該実施例において、第1放電素子が設けられることで、第1抵抗性素子Rが高電圧バス上のサージ信号を吸収した後、第1抵抗性素子Rに並列に接続される第1放電素子を利用して第1抵抗性素子Rにおいて発生するスパイク電圧信号を放出させ、第1放電素子が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。 In the embodiment, the first discharge element is provided so that the first resistance element R 1 absorbs the surge signal on the high voltage bus and then is connected in parallel to the first resistance element R 1 . The reliability of the drive control circuit is improved by using the discharge element to emit the spike voltage signal generated in the first resistance element R 1 and providing the first discharge element.

さらに、図34に示すように、第1放電素子はダイオードである。 Further, as shown in FIG. 34, the first discharge element is a diode.

本願の一実施例において、図35に示すように、第3スイッチング素子は制御チップに接続され、制御チップはバス信号を収集して、バス信号に基づいて第3スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるために用いられる。 In one embodiment of the present application, as shown in FIG. 35, a third switching element is connected to a control chip, which collects a bus signal and controls the third switching element to turn on or on based on the bus signal. Used to turn it off.

当該技術的手段において、第3スイッチング素子が設けられることで第1吸収経路の制御可能性が実現され、制御チップはバス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第3スイッチング素子を制御して、第1容量性素子Cによるサージ信号の吸収の制御を実現する。第3スイッチング素子が設けられることで、駆動制御回路の制御可能性が向上され、サージ吸収能力が向上されていることを前提に、駆動制御回路の信頼性が向上される。 In the technical means, the controllability of the first absorption path is realized by providing the third switching element, and the control chip controls the third switching element based on the magnitude relationship between the bus signal and the voltage threshold value. The control of absorption of the surge signal by the first capacitive element C 2 is realized. By providing the third switching element, the controllability of the drive control circuit is improved, and the reliability of the drive control circuit is improved on the premise that the surge absorption capacity is improved.

図29、図30、図31、図32、図33、図34及び図35を参照し、このうち、図35は図33のサージ吸収回路の設置位置の一実施例であり、図28及び図29は図35で実施可能な接続関係である。電流測定素子が過電流信号を収集したかどうかに基づいて第2スイッチング素子を制御してオン又はオフさせる。 29, 30, FIG. 31, FIG. 32, FIG. 33, FIG. 34, and FIG. 35, of which FIG. 35 is an embodiment of the installation position of the surge absorption circuit of FIG. 29 is a connection relationship that can be implemented in FIG. 35. The second switching element is controlled to turn on or off based on whether the current measuring element has collected an overcurrent signal.

本願の一実施例で、図33及び図37に示すように、設定電圧は第1電圧閾値Vと、第2電圧閾値Vとを含み、制御チップは具体的には、高電圧バスの電圧信号が第1電圧閾値Vより大きく又は等しく第2電圧閾値Vより小さい場合に、第2スイッチング素子を制御してオフさせ、第3スイッチング素子を制御してオンさせ、高電圧バスの電圧信号が第2電圧閾値Vより大きく又は等しい場合に、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を制御してオンさせ、高電圧バスの電圧信号が第1電圧閾値Vより小さい場合に、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を制御してオフさせるために用いられる。 In one embodiment of the present application, as shown in FIGS. 33 and 37, the set voltage includes a first voltage threshold V 2 and a second voltage threshold V 1 , and the control chip is specifically of a high voltage bus. When the voltage signal is greater than or equal to the first voltage threshold V 2 or equally smaller than the second voltage threshold V 1 , the second switching element is controlled to turn off, the third switching element is controlled to turn on, and the high voltage bus is used. When the voltage signal is greater than or equal to the second voltage threshold V 1 , the second switching element and the third switching element are controlled and turned on, and when the voltage signal of the high voltage bus is smaller than the first voltage threshold V 2 . It is used to control and turn off the second switching element and the third switching element.

当該技術的手段において、高電圧バスの電圧信号と第1電圧閾値V及び第2電圧閾値Vとを比較し、比較結果に基づいて第1容量性素子C及び第1抵抗性素子Rをそれぞれ制御してサージ信号を吸収させ、具体的には、高電圧バスの電圧信号が第1電圧閾値Vより大きく又は等しく第2電圧閾値Vより小さい場合に、第2スイッチング素子を制御してオフさせ、第3スイッチング素子を制御してオンさせ、第1容量性素子Cを利用してサージ信号を吸収し、高電圧バスの電圧信号が第2電圧閾値Vより大きく又は等しい場合に、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を制御してオンさせて、迅速な吸収サージを実現し、高電圧バス上の電圧が高すぎると駆動制御回路のコンポーネントが破壊されることを避け、高電圧バスの電圧信号が第1電圧閾値Vより小さい場合に、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を制御してオフさせて、バスコンデンサによってサージ信号を吸収することによって、第1吸収経路と第2吸収経路の両方のコンポーネントの耐用寿命が引き伸ばされ、第1電圧閾値V及び第2電圧閾値VはバスコンデンサC及び駆動制御回路のサージ吸収能力に関係する。 In the technical means, the voltage signal of the high voltage bus is compared with the first voltage threshold V 2 and the second voltage threshold V 1 , and the first capacitive element C 2 and the first resistant element R are compared based on the comparison result. 1 is controlled to absorb the surge signal. Specifically, when the voltage signal of the high voltage bus is larger than or equal to the first voltage threshold V 2 and smaller than the second voltage threshold V 1 , the second switching element is used. Controlled to turn off, controlled to turn on the third switching element, use the first capacitive element C2 to absorb the surge signal, and the voltage signal of the high voltage bus is greater than or greater than the second voltage threshold V1. Equally, the second and third switching elements are controlled and turned on to achieve a rapid absorption surge, and if the voltage on the high voltage bus is too high, the components of the drive control circuit will be destroyed. By avoiding, when the voltage signal of the high voltage bus is smaller than the first voltage threshold V 2 , the second switching element and the third switching element are controlled and turned off, and the surge signal is absorbed by the bus capacitor. The service life of both the absorption path and the second absorption path components is extended, and the first voltage threshold V 2 and the second voltage threshold V 1 relate to the surge absorption capacity of the bus capacitor C 1 and the drive control circuit.

本願の一実施例において、駆動制御回路は交流信号を整流してバス信号として出力する整流ブリッジをさらに含み、バス信号は高電圧バス及び低電圧バスを介してバスコンデンサ、インバータブリッジ及び負荷に出力され、制御チップは交流信号に基づいて第2スイッチング素子のオン状態及び第3スイッチング素子のオン状態を制御する。 In one embodiment of the present application, the drive control circuit further includes a rectifying bridge that rectifies an AC signal and outputs it as a bus signal, and the bus signal is output to a bus capacitor, an inverter bridge, and a load via a high voltage bus and a low voltage bus. Then, the control chip controls the ON state of the second switching element and the ON state of the third switching element based on the AC signal.

具体的には、制御チップは交流信号と電圧閾値の対応関係に基づいて第2スイッチング素子のオン状態及び第3スイッチング素子のオン状態を制御し、電圧閾値はバス信号の電圧閾値に対応して設定される。 Specifically, the control chip controls the on state of the second switching element and the on state of the third switching element based on the correspondence between the AC signal and the voltage threshold, and the voltage threshold corresponds to the voltage threshold of the bus signal. Set.

図33及び図37に示すように、駆動制御回路の初回通電時は、スイッチング素子がオフされ、入力電力はリアクトルLac、フィルタ回路、整流ブリッジ、リアクトルLdcを介してバスコンデンサCを充電し、また単方向導通素子Dを介して第1容量性素子C及び第2容量性素子Cを充電し、第1抵抗性素子Rは抵抗値は設定されたバス電圧保護閾値、第2スイッチング素子の過電流特性に関係し、なお、第4抵抗性素子R及び第1容量性素子Cの選択は第1抵抗性素子Rのインダクタンスに関係し、第1抵抗性素子Rが無誘導抵抗である場合に、第4抵抗性素子R、第1容量性素子C及び第1放電素子は使用しなくてもよい。第1放電素子にはダイオードが選択されてもよく、つまり逆並列に接続されるダイオードにより放電を行い、逆並列に接続されるダイオードの選択は第1抵抗性素子Rのインダクタンス及び抵抗値に関係する。 As shown in FIGS. 33 and 37, when the drive control circuit is energized for the first time, the switching element is turned off, and the input power charges the bus capacitor C1 via the inductance Lac, the filter circuit, the rectifying bridge, and the inductance Ldc. Further, the first capacitive element C 2 and the second capacitive element C 3 are charged via the unidirectional conducting element D 1 , and the first resistant element R 1 has a set bus voltage protection threshold and a second resistance value. It is related to the overcurrent characteristic of the switching element, and the selection of the fourth resistant element R 4 and the first capacitive element C 2 is related to the inductance of the first resistant element R 1 , and the selection of the first resistant element R 1 When is a non-inductive resistance, the fourth resistance element R 4 , the first capacitive element C 2 , and the first discharge element may not be used. A diode may be selected for the first discharge element, that is, discharge is performed by a diode connected in antiparallel, and the selection of the diode connected in antiparallel is the inductance and resistance value of the first resistance element R1. Involved.

導通素子Dがダイオードである場合に、プロトタイプが通常動作する時、第1容量性素子C及び第2容量性素子C上の電圧は直流バス電圧の最大値に維持され、第1抵抗性素子R上の第2スイッチング素子がオフされ、サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時の圧縮機巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及び圧縮機の運動エネルギーに由来し、サージ信号がある場合に、小容量のバスコンデンサCが多くのエネルギーを吸収できないため、バス電圧がサージ第1容量性素子C及び第2容量性素子Cの端子電圧より高い時、第1容量性素子C及び第2容量性素子Cが機能し、残りのエネルギーがバスコンデンサC、第1容量性素子C及び第2容量性素子Cに流入し、サージエネルギーが吸収されるのに伴い、高電圧バス電圧が徐々に上昇し(第1容量性素子C及び第2容量性素子Cの容量が大きいほど、高電圧バスの電圧上昇が遅い)、高電圧バス電圧が特定の設定値(例えば図37でVは720Vと設定する)より高い時、第1抵抗性素子Rが入れられ、スイッチング素子がパルス幅変調方式又は確定の方式でオンされ始め、高電圧バスに電圧が出現する時にバス電圧が可能な限り安定的であることが保証される。サージエネルギーが吸収されるのに伴い、バス電圧が低下し始め、特定の設定値(例えば図37でVは700Vと設定する)より低い時、スイッチング素子がオフされる。 When the conducting element D 1 is a diode, when the prototype operates normally, the voltage on the first capacitive element C 2 and the second capacitive element C 3 is maintained at the maximum value of the DC bus voltage, and the first resistance. The second switching element on the sex element R1 is turned off, and the surge energy is mainly derived from the power input, the compressor winding when the operation is stopped due to the failure of the prototype, the inductance flyback on the AC / DC side, and the kinetic energy of the compressor. However, when there is a surge signal, the bus voltage is higher than the terminal voltage of the surge first capacitive element C 2 and the second capacitive element C 3 because the small capacity bus capacitor C 1 cannot absorb a lot of energy. , The first capacitive element C 2 and the second capacitive element C 3 function, and the remaining energy flows into the bus capacitor C 1 , the first capacitive element C 2 and the second capacitive element C 3 , and the surge energy. The high voltage bus voltage gradually rises as the voltage rises (the larger the capacitance of the first capacitive element C 2 and the second capacitive element C3, the slower the voltage rise of the high voltage bus). When the voltage bus voltage is higher than a certain set value (eg V 1 is set to 720V in FIG. 37), the first resistant element R 1 is inserted and the switching element is turned on by pulse width modulation or determination. Initially, the bus voltage is guaranteed to be as stable as possible when voltage appears on the high voltage bus. As the surge energy is absorbed, the bus voltage begins to drop and the switching element is turned off when it is below a certain set value (eg, V 2 is set to 700 V in FIG. 37).

導通素子Dがスイッチング素子である場合に、プロトタイプに通電する時に、2つのスイッチング素子がいずれもオフされ、通常動作時はバスコンデンサCが動作し、(第1容量性素子C及び第2容量性素子Cの)サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時の圧縮機巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及び圧縮機の運動エネルギーに由来し、サージ電圧がある場合に、小容量のバスコンデンサC(フィルムコンデンサ)が多くのエネルギーを吸収できないため、高電圧バスの電圧が特定の確定値(例えば680V)より高い時、第1容量性素子C及び第2容量性素子Cのスイッチング素子がオンされ、この場合にサージエネルギーのほぼ全てが第1容量性素子C及び第2容量性素子Cに入って吸収され、そしてバス電圧はまず低下してから、徐々に上昇する可能性があり、高電圧バスの電圧が特定の設定値(例えば図37でVは720Vと設定する)より高いまで上昇する時、第1抵抗性素子Rが入れられ、スイッチング素子がパルス幅変調方式又は確定の方式でオンされ始め、サージ電圧が出現する時にバス電圧が可能な限り安定的であることが保証される。サージエネルギーが吸収されるのに伴い、バス電圧が低下し始め、特定の設定値(例えば図37でVは700Vと設定する)より低い時、スイッチング素子がオフされる。 When the conducting element D 1 is a switching element, both of the two switching elements are turned off when the prototype is energized, and the bus capacitor C 1 operates during normal operation (first capacitive element C 2 and first). The surge energy (of the 2 capacitive element C3) is mainly derived from the power input, the compressor winding when the operation is stopped due to the failure of the prototype, the inductance flyback on the AC / DC side, and the kinetic energy of the compressor, and there is a surge voltage. In some cases, the small capacitance bus capacitor C 1 (film capacitor) cannot absorb much energy, so when the voltage of the high voltage bus is higher than a certain fixed value (eg 680V), the first capacitive element C 2 and the first The switching element of the two capacitive elements C 3 is turned on, in which case almost all of the surge energy enters and is absorbed by the first capacitive element C 2 and the second capacitive element C 3 , and the bus voltage first drops. Then, when the voltage of the high voltage bus rises above a certain set value (for example, V 1 is set to 720 V in FIG. 37), the first resistance element R 1 may rise gradually. It is plugged in and the switching element begins to be turned on in a pulse width modulation or deterministic manner, ensuring that the bus voltage is as stable as possible when a surge voltage appears. As the surge energy is absorbed, the bus voltage begins to drop and the switching element is turned off when it is below a certain set value (eg, V 2 is set to 700 V in FIG. 37).

なお、Lacとは実際の交流側インダクタンスモデル及び入力電力線のインダクタンスを指し、インダクタンス及び抵抗を含む。本願の一実施例において、図36に示すように、リアクトルLdcに第5抵抗性素子Rを並列に接続させて、システムの減衰抵抗とすることにより、システムの安定性を向上させる。 In addition, Lac refers to the actual AC side inductance model and the inductance of the input power line, and includes the inductance and the resistance. In one embodiment of the present application, as shown in FIG. 36, the fifth resistance element R5 is connected in parallel to the reactor Ldc to obtain the damping resistance of the system, thereby improving the stability of the system.

なお、Lac又はLdcはEMC(Electro Magnetic Compatibility即ち電磁両立性で、電磁環境における動作要件を満たすデバイス又はシステムの、環境内のいかなるデバイスにも耐えられない電磁干渉を起こさない能力を指す)高調波が求められるために存在するもので、高調波が求められるエリアでは、プロトタイプにLac又はLdcが存在する可能性があり、さらにはLacとLdcが共存する可能性もある。高調波が求められないエリアでは、LacもLdcも存在せず、高周波高調波に対処するために(これを無視する場合に、Ldcインダクタを使用しなくてもよい)、トポロジー回路のLdcの位置に小さい方のLdcを使用し、当該小さいLdcに小さい減衰抵抗を並列に接続させたのはシステムの安定性を向上させるためである。 In addition, Lac or Ldc is EMC (Electromagnetic Compatibility, that is, the ability of a device or system that meets the operating requirements in an electromagnetic environment to not cause electromagnetic interference that cannot be tolerated by any device in the environment) harmonics. In the area where harmonics are required, Lac or Ldc may be present in the prototype, and Lac and Ldc may coexist. In areas where harmonics are not required, neither Lac nor Ldc exist, and the position of the Ldc in the topology circuit to deal with high frequency harmonics (if this is ignored, the Ldc inductor does not have to be used). The smaller Ldc 2 is used and a small attenuation resistor is connected in parallel to the smaller Ldc 2 in order to improve the stability of the system.

PTCとはPositive Temperature Coefficientの略記で、正温度係数を意味し、正温度係数の非常に大きい半導体材料又はコンポーネントを広く指している。一般にPTCとは正温度係数サーミスタを指す。 PTC is an abbreviation for Positive Temperature Cooperative, which means a positive temperature coefficient and broadly refers to a semiconductor material or component having a very large positive temperature coefficient. Generally, PTC refers to a positive temperature coefficient thermistor.

導通素子Dと第2スイッチング素子を組み合わせて使用することにより、バス電圧が設定最高電圧(例えば720V)より低いことが実現され、駆動制御回路の安定性が向上され、また導通素子D及び第2スイッチング素子の属する経路におけるコンポーネントの容量及び抵抗値が低減されて、コストが削減される。 By using the conducting element D 1 and the second switching element in combination, the bus voltage is realized to be lower than the set maximum voltage (for example, 720V), the stability of the drive control circuit is improved, and the conducting element D 1 and the conduction element D 1 and the second switching element are used in combination. The capacitance and resistance value of the component in the path to which the second switching element belongs are reduced, and the cost is reduced.

本願の第4の態様の実施例は、前記いずれかの駆動制御回路を含むコントローラを提供し、該コントローラは、前記いずれかの実施例の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。 The embodiment of the fourth aspect of the present application provides a controller including the drive control circuit of any one of the above, and since the controller includes the drive control circuit of any of the above embodiments, the embodiment of any of the above. It has all the beneficial effects of the drive control circuit and is omitted here.

本願の第5態様の実施例は、モータと、前記いずれかの技術的手段の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、モータの信号入力端は駆動制御回路に接続され、駆動制御回路から出力される駆動信号はモータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。 An embodiment of a fifth aspect of the present application provides an air conditioner comprising a motor and a drive control circuit of any of the above technical means, the signal input end of the motor being connected to the drive control circuit and output from the drive control circuit. The drive signal generated is used to drive and operate the motor. Since the air conditioner includes the drive control circuit of any one of the above embodiments, it has all the beneficial effects of the drive control circuit of any of the above embodiments, and the description thereof is omitted here.

図38に示すように、本願の第6の態様の実施例は、負荷の動作を駆動及び制御するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジを含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとを含み、該駆動制御回路は、バスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収回路と、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御するために用いられ、抵抗性吸収回路に直列に接続される第4スイッチング素子であって、第4スイッチング素子がオンされる場合に、抵抗性吸収回路がサージ信号を吸収し、第4スイッチング素子がオフされる場合に、抵抗性吸収回路がサージ信号の吸収を停止する前記第4スイッチング素子とをさらに含む。 As shown in FIG. 38, an embodiment of the sixth aspect of the present application includes an inverter bridge used to drive and control the operation of a load and connected between a high voltage bus and a low voltage bus. A drive control circuit, which is used to absorb surge signals generated in the process of the drive control circuit driving and operating the load, and is connected between the transmission and distribution network and the load. Includes a reactor and a bus capacitor used to provide the starting voltage required to energize the load, also used to absorb surge signals, and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge. The drive control circuit is used to absorb the surge signal on the bus line, and is used to control the absorption process of the surge signal of the resistance absorption circuit and the resistance absorption circuit connected in parallel to the bus capacitor. It is a fourth switching element used and connected in series with a resistance absorption circuit, and when the fourth switching element is turned on, the resistance absorption circuit absorbs the surge signal and the fourth switching element is turned off. In this case, the resistance absorption circuit further includes the fourth switching element that stops the absorption of the surge signal.

本願の実施例に係る駆動制御回路は、抵抗性吸収回路をバスコンデンサに並列に接続させることによって、バスコンデンサがバス上のサージ信号を吸収することを助けるとともに、第4スイッチング素子と抵抗性吸収回路を直列に接続させることによって、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。具体的に言えば、プロトタイプが通常動作する場合に、バス電圧の最大値はバス電圧保護閾値(実際の状況に基づいて設定できる)よりはるかに小さく、抵抗性吸収回路を入れなくてもよいため、第4スイッチング素子は機能せずに済み、サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時のモータ巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及びモータの運動エネルギーに由来し、サージ信号が来る時には、小容量のバスコンデンサ(例えばフィルムコンデンサ又は小容量電解コンデンサ)のサージ能力吸収に限界があるため、バス電圧が迅速に上昇し、バス電圧が保護閾値を超えたら、コンポーネントが破壊される恐れがあり、コンポーネント(主にスマート電力モジュールやコンデンサなどのコンポーネント)を高電圧破壊から保護するために、第4スイッチング素子がオンされ、抵抗性吸収回路がサージを吸収し始め、バス電圧が迅速に低下し、バス電圧が合理的な範囲(実際の状況に基づいて設定できる)にある時、第4スイッチング素子がオフされ、抵抗性吸収回路は本段階のサージ吸収過程を終了する。本願に係る駆動制御回路は、バスコンデンサによるサージ信号の吸収がよくないという状況を効果的に緩和して、バス電圧の安定性及び信頼性を向上させることができる。 The drive control circuit according to the embodiment of the present application helps the bus capacitor absorb the surge signal on the bus by connecting the resistance absorption circuit in parallel with the bus capacitor, and also absorbs the resistance with the fourth switching element. By connecting the circuits in series, the absorption process of the surge signal of the resistance absorption circuit is controlled. Specifically, when the prototype operates normally, the maximum value of the bus voltage is much smaller than the bus voltage protection threshold (which can be set based on the actual situation), and it is not necessary to include a resistance absorption circuit. , The 4th switching element does not have to function, the surge energy is mainly derived from the power input, the motor winding when the operation is stopped due to the failure of the prototype, the inductance flyback on the AC / DC side, and the kinetic energy of the motor, and the surge signal. When the bus voltage rises rapidly and the bus voltage exceeds the protection threshold, the component is destroyed due to the limited surge capacity absorption of the small capacity bus capacitor (eg film capacitor or small capacity electrolytic capacitor). To protect the components (mainly components such as smart power modules and capacitors) from high voltage breakdown, the 4th switching element is turned on, the resistance absorption circuit begins to absorb the surge and the bus voltage rises. When it drops rapidly and the bus voltage is within a reasonable range (which can be set based on the actual situation), the fourth switching element is turned off and the resistance absorption circuit ends the surge absorption process at this stage. The drive control circuit according to the present application can effectively alleviate the situation where the surge signal is not well absorbed by the bus capacitor, and can improve the stability and reliability of the bus voltage.

本願の第1実施例において、好ましくは、抵抗性吸収回路はサージ信号を吸収するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続される第5抵抗性素子を含む。 In the first embodiment of the present application, the resistance absorption circuit is preferably used to absorb the surge signal and includes a fifth resistance element connected between the high voltage bus and the low voltage bus.

当該実施例において、抵抗性吸収回路は第5抵抗性素子を含み、第5抵抗性素子を高電圧バスと低電圧バスとの間に接続させることによって、バス上のサージ信号を吸収する。なお、第5抵抗性素子の抵抗値、電力はバス電圧保護閾値、第4スイッチング素子の過電流特性、吸収するエネルギーに関係し、好ましくは、第5抵抗性素子は直列に接続される1つ又は複数の抵抗であり、抵抗は誘導抵抗でもよいし無誘導抵抗でもよく、ここで具体的に限定されず、抵抗の型番選択により、サージ信号の迅速な吸収を実現し、バス電圧の迅速な低下を保証することができる。 In this embodiment, the resistance absorption circuit includes a fifth resistance element, and the fifth resistance element is connected between the high voltage bus and the low voltage bus to absorb the surge signal on the bus. The resistance value and power of the fifth resistance element are related to the bus voltage protection threshold, the overcurrent characteristic of the fourth switching element, and the energy to be absorbed, and preferably one of the fifth resistance elements is connected in series. Alternatively, it may be a plurality of resistances, and the resistance may be an inductive resistance or a non-inductive resistance, and is not specifically limited here. By selecting the model number of the resistance, rapid absorption of the surge signal is realized and the bus voltage is rapid. The decline can be guaranteed.

本願の一実施例において、第4スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、パワースイッチ又はリレーは、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御するために用いられる。 In one embodiment of the present application, the fourth switching element is a power switch or relay, and the power switch or relay is used to control the absorption process of the surge signal of the resistance absorption circuit.

本願の別の実施例において、第4スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、具体的には、図39、図40、図41、図43、図44、図47及び図48に示すように、第4スイッチング素子はパワースイッチである。 In another embodiment of the present application, the fourth switching element is a power switch or relay, specifically, as shown in FIGS. 39, 40, 41, 43, 44, 47 and 48. The fourth switching element is a power switch.

本願の一実施例において、好ましくは、抵抗性吸収回路は第5抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ第5抵抗性素子に並列に接続される第2放電素子をさらに含む。 In one embodiment of the present application, the resistant absorption circuit is preferably used to discharge the spike voltage of the fifth resistant element and further includes a second discharge element connected in parallel to the fifth resistant element. ..

当該実施例において、抵抗性吸収回路は第2放電素子をさらに含み、第2放電素子を第5抵抗性素子に並列に接続させて、第5抵抗性素子のスパイク電圧の放出回路とすることによって、第4スイッチング素子がオフされる時に第5抵抗性素子がスパイク電圧を生成して、駆動制御回路に影響を及ぼし又はコンポーネントを破壊させることを防ぐ。 In this embodiment, the resistance absorption circuit further includes a second discharge element, and the second discharge element is connected in parallel to the fifth resistance element to form a spike voltage emission circuit of the fifth resistance element. , The fifth resistant element generates a spike voltage when the fourth switching element is turned off, preventing it from affecting the drive control circuit or destroying the component.

本願の別の実施例において、好ましくは、第2放電素子は単方向導通素子である。具体的には、図39に示すように、第2放電素子は第5抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるためのダイオードであり、ダイオードの導通方向は第5抵抗性素子を流れる電流の方向と逆である。 In another embodiment of the present application, the second discharge element is preferably a unidirectional conducting element. Specifically, as shown in FIG. 39, the second discharge element is a diode for discharging the spike voltage of the fifth resistance element, and the conduction direction of the diode is the direction of the current flowing through the fifth resistance element. The opposite is true.

当該実施例において、逆並列に接続されるダイオードにより、第5抵抗性素子のスパイク電圧に放電回路が提供される。ダイオードの選択は第5抵抗性素子のインダクタンス及び抵抗値に関係する。 In this embodiment, a diode connected in antiparallel provides a discharge circuit for the spike voltage of the fifth resistant element. The choice of diode is related to the inductance and resistance value of the fifth resistant element.

本願の別の実施例において、第2放電素子は単方向導通素子と抵抗を直列に接続させて組み合わせたものである。単方向導通素子は単方向導通特性を有する素子であり、例えば、ダイオードである。 In another embodiment of the present application, the second discharge element is a combination of a unidirectional conduction element and a resistor connected in series. The unidirectional conduction element is an element having a unidirectional conduction characteristic, and is, for example, a diode.

本願の別の実施例において、図40に示すように、好ましくは、第2放電素子は第5抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ第5抵抗性素子に並列に接続される第3容量性素子を含む。 In another embodiment of the present application, as shown in FIG. 40, preferably the second discharge element is used to discharge the spike voltage of the fifth resistant element and is connected in parallel to the fifth resistant element. Includes a third capacitive element.

当該実施例において、第2放電素子は第3容量性素子を含み、第3容量性素子を第5抵抗性素子に並列に接続させて、第5抵抗性素子のスパイク電圧の放電回路とする。第3容量性素子の選択は第5抵抗性素子のインダクタンスに関係し、具体的には、第3容量性素子の静電容量と第5抵抗性素子のインダクタンスとに正の相関があり、第5抵抗性素子のインダクタンスが小さいほど、第3容量性素子の静電容量は小さい。 In the embodiment, the second discharge element includes a third capacitive element, and the third capacitive element is connected in parallel to the fifth resistant element to form a discharge circuit having a spike voltage of the fifth resistant element. The selection of the third capacitive element is related to the inductance of the fifth resistant element, and specifically, there is a positive correlation between the capacitance of the third capacitive element and the inductance of the fifth resistant element. 5 The smaller the inductance of the resistant element, the smaller the capacitance of the third capacitive element.

本願の別の実施例において、図41に示すように、好ましくは、第2放電素子は第3容量性素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ第3容量性素子に直列に接続される第6抵抗性素子をさらに含む。 In another embodiment of the present application, as shown in FIG. 41, preferably the second discharge device is used to limit the current flowing through the third capacitive element and is connected in series with the third capacitive element. The sixth resistance element is further included.

当該実施例において、第2放電素子は第6抵抗性素子をさらに含み、第6抵抗性素子は第3容量性素子に直列に接続されて、第3容量性素子を流れる電流を制限する。好ましくは、第3容量性素子はコンデンサであり、第6抵抗性素子は抵抗であり、つまり直列に接続されるRC共振回路を用いて第5抵抗性素子のスパイク電圧を放出させる。 In this embodiment, the second discharge element further includes a sixth resistant element, the sixth resistant element is connected in series with the third capacitive element to limit the current flowing through the third capacitive element. Preferably, the third capacitive element is a capacitor and the sixth resistant element is a resistor, i.e., an RC resonant circuit connected in series is used to emit the spike voltage of the fifth resistant element.

なお、第2放電素子の選択は第5抵抗性素子のインダクタンス及び抵抗値に関係し、第5抵抗性素子のインダクタンスが無視できるほど小さく又はない場合に、例えば第5抵抗性素子が1つ又は直列に接続される複数の無誘導抵抗から構成される場合に、第2放電素子を使用せず、第5抵抗性素子を単独で使用して吸収素子としてもよい。 The selection of the second discharge element is related to the inductance and the resistance value of the fifth resistance element, and when the inductance of the fifth resistance element is negligibly small or not, for example, one fifth resistance element or When it is composed of a plurality of non-inductive resistors connected in series, the second discharge element may not be used and the fifth resistance element may be used alone as the absorption element.

本願の別の実施例において、好ましくは、第5抵抗性素子は1つ又は複数の抵抗を含み、複数の抵抗同士は直列に接続される。 In another embodiment of the present application, preferably, the fifth resistant element comprises one or more resistances, and the plurality of resistances are connected in series.

本願の別の実施例において、図40、図42、図43及び図44に示すように、好ましくは、駆動制御回路は抵抗性吸収回路上の電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに接続されるサーミスタをさらに含む。 In another embodiment of the present application, as shown in FIGS. 40, 42, 43 and 44, preferably the drive control circuit is used to limit the current on the resistant absorption circuit and the high voltage bus. Also includes thermistors connected to.

サーミスタは高電圧バスに接続され、主に通電の瞬間に、吸収抵抗上の臨時的な回路を制限するように機能し、充電が完了すると短絡される。なお、抵抗値が正温度係数のコンポーネントでさえあれば、いずれもサーミスタとして使用できる。 The thermistor is connected to a high voltage bus and acts primarily at the moment of energization to limit extraneous circuits on absorption resistance and is shorted when charging is complete. As long as the resistance value is a component with a positive temperature coefficient, any of them can be used as a thermistor.

本願の別の実施例において、図40、図42、図43及び図44に示すように、好ましくは、駆動制御回路はサーミスタの高電圧バス上のサージ信号の吸収過程を制限するために用いられ、且つサーミスタに並列に接続されるリレーをさらに含む。 In another embodiment of the present application, preferably, as shown in FIGS. 40, 42, 43 and 44, the drive control circuit is used to limit the process of absorbing surge signals on the thermistor's high voltage bus. Also included are relays connected in parallel to the thermistor.

当該実施例において、駆動制御回路は、サーミスタに並列に接続され、且つサーミスタによる抵抗性吸収回路上の電流の制限過程を制御するためのリレーをさらに含む。 In this embodiment, the drive control circuit further includes a relay connected in parallel to the thermistor and for controlling the current limiting process on the resistance absorption circuit by the thermistor.

本願の別の実施例において、図46、図47及び図48に示すように、好ましくは、駆動制御回路は電源入力端のサージ信号を吸収するための複数のサーミスタをさらに含み、具体的には、サーミスタの数量は3つで、PTC、PTC、PTCと表記され、三者がそれぞれ交流三相の3線の各ラインに設けられる。 In another embodiment of the present application, preferably, as shown in FIGS. 46, 47 and 48, the drive control circuit further comprises a plurality of thermistors for absorbing surge signals at the power input ends, specifically. The number of thermistors is three, which are described as PTC 1 , PTC 2 , and PTC 3 , and each of the three is provided in each of the three AC three-phase lines.

好ましくは、駆動制御回路は複数のリレーをさらに含み、リレーの数量はサーミスタと一対一で対応し、具体的には、リレーの数量は3つで、三者がPTC、PTC、PTCにそれぞれ並列に接続されて、サーミスタのサージ信号の吸収過程を制御するために用いられる。 Preferably, the drive control circuit further includes a plurality of relays, the number of relays corresponds one-to-one with the thermistor, specifically, the number of relays is three, and the three are PTC 1 , PTC 2 , PTC 3 . They are connected in parallel to each of the thermistors and are used to control the absorption process of the surge signal of the thermistor.

また、第4スイッチング素子及び抵抗性吸収回路の位置は変更してもよく、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を使用していることを考慮して位置が固定するが、第4スイッチング素子としてリレーなどを使用する場合には、第5抵抗性素子と位置が入れ替わってもよい。 Further, the positions of the fourth switching element and the resistance absorption circuit may be changed, and the positions are fixed in consideration of the fact that an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is used, but the position is fixed. When a relay or the like is used as the switching element, the position may be exchanged with the fifth resistance element.

本願の一実施例において、好ましくは、駆動制御回路は、第4スイッチング素子に接続される制御回路(図示せず)を含み、該制御回路は、駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第4スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるために用いられ、給電信号はバス信号及び交流信号である。 In one embodiment of the present application, preferably, the drive control circuit includes a control circuit (not shown) connected to a fourth switching element, and the control circuit collects a power supply signal of the drive control circuit to supply power. It is used to control the fourth switching element to be turned on or off based on the signal, and the feeding signal is a bus signal and an AC signal.

当該実施例において、制御回路によって駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第4スイッチング素子を制御してオン又はオフさせて、抵抗性素子のサージ信号の吸収過程を制御する。給電信号はバス信号及び/又は交流信号である。具体的には、交流信号は整流ブリッジによって処理されてバス信号になり、バス信号、交流信号はいずれも第4スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるための判断条件とされてもよい。 In the embodiment, the power supply signal of the drive control circuit is collected by the control circuit, and the fourth switching element is controlled to be turned on or off based on the power supply signal to control the absorption process of the surge signal of the resistance element. .. The feeding signal is a bus signal and / or an AC signal. Specifically, the AC signal is processed by the rectifying bridge to become a bus signal, and both the bus signal and the AC signal may be used as a determination condition for controlling the fourth switching element to turn it on or off.

なお、バス信号は整流ブリッジ以降かつリアクトル以前の電圧及び/又はリアクトル以降かつインバータブリッジ以前の電圧を収集して取得されてもよく、交流信号は交流入力電圧のピーク値及び/又は整流ブリッジ以前の電圧である。 The bus signal may be acquired by collecting the voltage after the rectifying bridge and before the reactor and / or the voltage after the reactor and before the inverter bridge, and the AC signal is the peak value of the AC input voltage and / or before the rectifying bridge. It is a voltage.

なお、制御回路と第4スイッチング素子との間に電力増幅回路(図示せず)が直列に接続され、電力増幅回路によって制御回路から出力される制御信号を増幅させることで、制御回路は第4スイッチング素子を駆動できる。 A power amplification circuit (not shown) is connected in series between the control circuit and the fourth switching element, and the control signal output from the control circuit is amplified by the power amplification circuit, so that the control circuit becomes the fourth. Can drive switching elements.

前記いずれかの実施例で、好ましくは、バスコンデンサはフィルムコンデンサである。 In any of the above embodiments, the bus capacitor is preferably a film capacitor.

本願の一層の説明のために、図38、図39、図40、図41、図42、図43、図44、図45、図46、図47及び図48に示すように、6KWプロトタイプの実際の動作からパラメータを設定する。 For further explanation of the present application, the actual 6KW prototype is shown in FIGS. 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47 and 48. Set the parameters from the operation of.

リアクトルLacとは実際の交流側インダクタンスモデル及び入力電力線のインダクタンスを指し、インダクタンス及び抵抗量を含み、従来のモデルで使用される交流側インダクタンスは25mH、500mΩで、入力電力線のインダクタンスは10mHより小さく又は等しく(数値拡大)、抵抗は0.5Ωより大きく又は等しい(実際に使用する導線の抵抗は約1.2Ωである)。 Reactor Lac refers to the actual AC side inductance model and the inductance of the input power line, including the inductance and resistance, the AC side inductance used in the conventional model is 25 mH, 500 mΩ, and the inductance of the input power line is less than 10 mH or Equal (magnified numerically), the resistance is greater than or equal to 0.5Ω (the resistance of the conductor actually used is about 1.2Ω).

リアクトルとは実際の直流側インダクタンスモデルを指し、インダクタンス及び抵抗を含み、4.5mH、120mΩである。 The reactor refers to an actual DC side inductance model, which includes inductance and resistance, and is 4.5 mH and 120 mΩ.

はシステム減衰抵抗であり(200Ωより小さく又は等しく、16KWプロトタイプにおいて68Ωのものを使用し、実際には使用しなくてもよい)、減衰抵抗Rはリアクトルを4.5mHと設定した場合に追加されず、6KWプロトタイプにおいてリアクトルがなくてもよく、またRがなくてもよい。 R4 is the system attenuation resistance (less than or equal to 200Ω, 68Ω in the 16KW prototype is used and does not have to be used in practice), and the attenuation resistance R4 is when the reactor is set to 4.5mH. It may not be added to the 6KW prototype and may not have a reactor and may not have an R4 .

なお、Lac又はリアクトルはEMC高調波が求められるために存在するもので、高調波が求められるエリアでは、プロトタイプにLac又はリアクトルが存在する可能性があり、さらにはLacとリアクトルが共存する可能性もある。高調波が求められないエリアでは、Lacもリアクトルも存在せず、高周波高調波に対処するために(これを無視する場合に、リアクトル又はインダクタを使用しなくてもよい)、トポロジー回路のリアクトルの位置に小さい方のリアクトルLdcを使用し、コスト面の考慮で、インダクタンスの小さい方が好ましく、例えば2mHより小さく、該小さい方のLdcに小さい減衰抵抗を並列に接続させたのはシステムの安定性を向上させるためである。 In addition, Lac or reactor exists because EMC harmonics are required, and in the area where harmonics are required, there is a possibility that Lac or reactor exists in the prototype, and further, there is a possibility that Lac and reactor coexist. There is also. In areas where harmonics are not required, there are no Lac or reactors, and in order to deal with high frequency harmonics (if this is ignored, no reactor or inductor may be used), the reactor of the topology circuit. The smaller reactor Ldc is used at the position, and the smaller inductance is preferable from the viewpoint of cost. For example, it is smaller than 2 mH, and it is the stability of the system that a small damping resistance is connected in parallel to the smaller Ldc. This is to improve.

動作説明:プロトタイプに通電する時に、入力電圧は整流ブリッジによって整流されたと同時にバスコンデンサを充電し、この場合に入力電圧が正常な設定範囲内(150Vから264V)にあり、294Vを超えていない場合に(ハードウェア保護電圧閾値は800Vと、ソフトウェア保護閾値は720Vと設定され、対応する交流入力の有効値は720÷1.414÷1.732=294V)、プロトタイプが正常に動作し、第1抵抗性吸収素子の第4スイッチング素子はオンされない。 Operation description: When the prototype is energized, the input voltage is rectified by the rectifying bridge and at the same time the bus capacitor is charged. In this case, the input voltage is within the normal setting range (150V to 264V) and does not exceed 294V. (The hardware protection voltage threshold is set to 800V, the software protection threshold is set to 720V, and the valid value of the corresponding AC input is 720 ÷ 1.414 ÷ 1.732 = 294V), the prototype operates normally, and the first The fourth switching element of the resistance absorbing element is not turned on.

プロトタイプが通常動作する時、バスコンデンサ上の電圧は交流入力電力の周波数の6倍となる周波数で変動し、通常動作時にバス電圧の最大値が264×1.414×1.732=646Vで、設定した保護閾値よりはるかに小さいため、第4スイッチング素子は機能しない。 When the prototype operates normally, the voltage on the bus capacitor fluctuates at a frequency that is 6 times the frequency of the AC input power, and the maximum value of the bus voltage during normal operation is 264 x 1.414 x 1.732 = 646V. The fourth switching element does not work because it is much smaller than the set protection threshold.

サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時のモータ巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及びモータの運動エネルギーに由来し、サージが来る時には、バスコンデンサ(フィルムコンデンサ又は小容量電解コンデンサ)のサージ吸収能力に限界があるため、バス電圧が迅速に上昇する。 The surge energy is mainly derived from the power input, the motor winding when the operation is stopped due to the failure of the prototype, the inductance flyback on the AC / DC side, and the kinetic energy of the motor. Since the surge absorption capacity of the capacitor) is limited, the bus voltage rises rapidly.

直流バス電圧が設定閾値電圧Vより高い時(ここで720Vと設定され、実際には調整可能である)、コンポーネント(主にスマート電力モジュールやコンデンサなどのコンポーネント)を高電圧破壊から保護するために、第4スイッチング素子はデューティ比方式又はパルス波方式でオンされる。同時に、モータは迅速に周波数を低減させ、又は直接動作を停止してもよく、モータはゼロベクトル動作停止機能を利用する(モータ自体のインダクタンス又は逆起電力定数が小さい場合に、直接動作を停止してもよい)。 To protect components (mainly components such as smart power modules and capacitors) from high voltage breakdown when the DC bus voltage is higher than the set threshold voltage V 2 (here set to 720V and actually adjustable). In addition, the fourth switching element is turned on by the duty ratio method or the pulse wave method. At the same time, the motor may quickly reduce the frequency or stop the direct operation, and the motor utilizes the zero vector operation stop function (when the inductance of the motor itself or the counter electromotive force constant is small, the direct operation is stopped. May be).

直流バス電圧が設定閾値電圧Vより低い場合に(ここで700Vと設定され、実際には調整可能である)、第4スイッチング素子がオフされ、本段階のサージ吸収過程が完了する。 When the DC bus voltage is lower than the set threshold voltage V1 (here it is set to 700V and is actually adjustable), the fourth switching element is turned off and the surge absorption process at this stage is completed.

本願の第7の態様の実施例は、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むコントローラを提供し、該コントローラは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての技術的効果を有し、ここで説明が省略される。 The embodiment of the seventh aspect of the present application provides a controller including the drive control circuit according to any one of the above embodiments, because the controller includes the drive control circuit according to any one of the above embodiments. It has all the technical effects of the drive control circuit described in any one of the above embodiments, and description thereof is omitted here.

本願の第8態様の実施例は、モータと、前記いずれかの実施例の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、モータの信号入力端は駆動制御回路に接続され、駆動制御回路から出力される駆動信号はモータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例の駆動制御回路又はコントローラを含むため、前記いずれかの実施例の駆動制御回路又はコントローラの全ての技術的効果を有し、ここで説明が省略される。 An eighth embodiment of the present application provides an air conditioner comprising a motor and a drive control circuit according to any one of the above embodiments, the signal input end of the motor being connected to the drive control circuit and being output from the drive control circuit. The drive signal is used to drive and operate the motor. Since the air conditioner includes the drive control circuit or controller according to any one of the above embodiments, it has all the technical effects of the drive control circuit or controller according to any one of the above embodiments, and the description thereof is omitted here.

本願の説明で、用語「複数」とは2つ又は2つ以上を指し、明確な限定のある場合を除き、用語「上」、「下」などで指示した方位又は位置関係は図面に記載の方位又は位置関係に基づくもので、本願の説明の簡素化のためにこれらが用いられるだけで、対象となる装置又は素子が特定の方位にあり、特定の方位で構造又は操作されなければならないことを示すものでもこれを示唆するものでもなく、したがって本願に対する限定と理解されない。用語「接続」、「取り付ける」、「固定」などは広義で理解されるべきであり、例えば、「接続」とは固定して接続されることであってもよいし、取り外し可能に接続されることであってもよいし、又は一体的に接続されることであってもよく、直接的に接続されることであってもよいし、中間の介在物を介して間接的に接続されることであってもよい。当業者であれば、状況に応じて前記用語の本願での意味を具体的に理解することができる。 In the description of the present application, the term "plurality" refers to two or more, and unless there is a clear limitation, the orientation or positional relationship indicated by the terms "upper", "lower", etc. is described in the drawings. It is based on orientation or positional relationship, and only these are used for the sake of simplification of the description of the present application, and the device or element of interest must be in a particular orientation and be constructed or operated in a particular orientation. Neither indicates nor suggests this, and is therefore not understood as a limitation to the present application. The terms "connection", "attachment", "fixing", etc. should be understood in a broad sense, for example, "connection" may mean fixed connection or detachable connection. It may be connected, it may be connected integrally, it may be directly connected, or it may be indirectly connected via an intermediate inclusion. May be. A person skilled in the art can specifically understand the meaning of the term in the present application depending on the situation.

本願の説明で、用語「一実施例」、「いくつかの実施例」、「具体例」などが用いられる場合には、当該実施例又は例で説明される特定の特徴、構造、材料又は利点が本願の少なくとも一実施例又は例に含まれることが意図される。本願で、前記用語に関する例示的な記述は必ずしも同じ実施例又は例が対象になるとは限らない。しかも、説明される特定の特徴、構造、材料又は利点は任意の1つ又は複数の実施例又は例で適切な形態で組み合わせられてもよい。 In the description of the present application, when the terms "one example", "some examples", "specific examples", etc. are used, the specific features, structures, materials or advantages described in the examples or examples. Is intended to be included in at least one example or example of the present application. In the present application, the exemplary description of the term does not necessarily cover the same embodiment or example. Moreover, the particular features, structures, materials or advantages described may be combined in any one or more embodiments or examples in a suitable manner.

上述したのが本願の好ましい実施例に過ぎず、本願を限定するためのものではなく、当業者にとっては、本願には様々な変更や変化が行われてもよい。本願の趣旨を逸脱せず補正や、同等な置き換え、改善などが行われる場合、そのいずれも本願の保護範囲に含まれる。 The above is merely a preferred embodiment of the present application and is not intended to limit the present application, and for those skilled in the art, various changes and changes may be made to the present application. If corrections, equivalent replacements, improvements, etc. are made without departing from the spirit of the present application, all of them are included in the scope of protection of the present application.

Claims (32)

駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジ、を含む駆動制御回路であって、

前記駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と前記負荷との間に接続されるリアクトルと、
バスライン上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられ、且つ前記インバータブリッジの入力側の前記バスラインに接続されるバスコンデンサと、を含む、駆動制御回路。
A drive control circuit used to output a drive signal and including an inverter bridge connected between a high voltage bus and a low voltage bus.

A reactor that is used to absorb surge signals generated in the process of driving and operating the load by the drive control circuit and is connected between the transmission and distribution network and the load.
A drive control circuit including a bus capacitor used to filter and remove a surge signal on a bus line and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge.
前記バスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサと前記インバータブリッジとの間に接続される第1吸収回路をさらに含む、請求項1に記載の駆動制御回路。 The drive control circuit according to claim 1, further comprising a first absorption circuit used for absorbing a surge signal on the bus line and connected between the bus capacitor and the inverter bridge. 前記第1吸収回路は、
前記サージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収素子と、
前記抵抗性吸収素子の前記サージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、前記抵抗性吸収素子に直列に接続される第1スイッチング素子であって、前記第1スイッチング素子がオンされる場合に、前記抵抗性吸収素子が前記サージ信号を吸収し、前記第1スイッチング素子がオフされる場合に、前記抵抗性吸収素子が前記サージ信号の吸収を停止する前記第1スイッチング素子とを含む、請求項2に記載の駆動制御回路。
The first absorption circuit is
A resistance absorbing element used to absorb the surge signal and connected in parallel to the bus capacitor.
When the first switching element is used to adjust the absorption process of the surge signal of the resistance absorbing element and is connected in series with the resistance absorbing element, and the first switching element is turned on. The said resistance absorbing element includes the first switching element which stops the absorption of the surge signal when the resistance absorbing element absorbs the surge signal and the first switching element is turned off. Item 2. The drive control circuit according to Item 2.
前記抵抗性吸収素子は、
前記サージ信号を吸収するための第1抵抗を含み、前記第1抵抗は前記第1スイッチング素子に直列に接続され、前記第1抵抗の抵抗値が予め設定されたバス電圧保護閾値に対応し、且つ/又は、
前記第1抵抗の抵抗値が予め設定された前記第1スイッチング素子の過電流保護閾値に対応する、請求項3に記載の駆動制御回路。
The resistance absorbing element is
A first resistor for absorbing the surge signal is included, the first resistor is connected in series with the first switching element, and the resistance value of the first resistor corresponds to a preset bus voltage protection threshold. And / or
The drive control circuit according to claim 3, wherein the resistance value of the first resistor corresponds to an overcurrent protection threshold value of the first switching element.
前記抵抗性吸収素子は、前記第1抵抗に並列に接続される第1単方向導通素子を含み、
前記第1単方向導通素子の導通方向は前記第1抵抗を流れる電流の方向と逆である、請求項4に記載の駆動制御回路。
The resistance absorbing element includes a first unidirectional conducting element connected in parallel with the first resistance.
The drive control circuit according to claim 4, wherein the conduction direction of the first unidirectional conduction element is opposite to the direction of the current flowing through the first resistance.
前記高電圧バス及び前記低電圧バス上のサージ信号を吸収するための第2吸収回路をさらに含み、
前記第2吸収回路は、
前記サージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、
前記容量性吸収素子の前記サージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、且つ前記容量性吸収素子に直列に接続される第2単方向導通素子とを含む、請求項1に記載の駆動制御回路。
Further included is a second absorption circuit for absorbing surge signals on the high voltage bus and the low voltage bus.
The second absorption circuit is
Capacitive absorption elements used to absorb the surge signal and connected in parallel to the bus capacitor
The drive control according to claim 1, further comprising a second unidirectional conduction element used for adjusting the absorption process of the surge signal of the capacitive absorption element and connected in series with the capacitive absorption element. circuit.
前記容量性吸収素子は、
少なくとも1つのコンデンサ、又は直列に接続される且つ/もしくは並列に接続される複数の前記コンデンサを含み、
前記第2吸収回路は、
前記コンデンサにおけるサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記コンデンサに並列に接続される第2抵抗をさらに含む、請求項6に記載の駆動制御回路。
The capacitive absorption element is
Includes at least one capacitor, or a plurality of the capacitors connected in series and / or in parallel.
The second absorption circuit is
The drive control circuit of claim 6, further comprising a second resistor used to absorb the surge signal in the capacitor and connected in parallel to the capacitor.
前記第2吸収回路は、
前記容量性吸収素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ前記容量性吸収素子に直列に接続される電流制限抵抗をさらに含む、請求項7に記載の駆動制御回路。
The second absorption circuit is
The drive control circuit according to claim 7, further comprising a current limiting resistor used to limit the current flowing through the capacitive absorbing element and connected in series with the capacitive absorbing element.
前記リアクトルにおいて発生する発振信号を吸収するために用いられ、且つ前記リアクトルに並列に接続される第4抵抗をさらに含む、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の駆動制御回路。 The drive control circuit according to any one of claims 1 to 8, further comprising a fourth resistor used to absorb an oscillation signal generated in the reactor and connected in parallel to the reactor. 前記第1スイッチング素子に接続されるサンプリング制御回路であって、前記駆動制御回路の給電信号を収集して、前記給電信号に基づいて前記第1スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるためのサンプリング制御回路をさらに含み、
前記給電信号は前記駆動制御回路の交流側の給電信号及び前記バスラインの給電信号を含む、請求項3に記載の駆動制御回路。
A sampling control circuit connected to the first switching element, which collects a feed signal of the drive control circuit and controls the first switching element based on the feed signal to turn it on or off. Including more control circuits,
The drive control circuit according to claim 3, wherein the power supply signal includes a power supply signal on the AC side of the drive control circuit and a power supply signal of the bus line.
モータと、
請求項1ないし10のいずれか一項に記載の駆動制御回路とを含み、
前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる、エアコン。
With the motor
The drive control circuit according to any one of claims 1 to 10 is included.
An air conditioner in which a signal input end of the motor is connected to the drive control circuit, and a drive signal output from the drive control circuit is used to drive and operate the motor.
負荷の動作を駆動及び制御するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジ、を含む駆動制御回路であって、
前記駆動制御回路が前記負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と前記負荷との間に接続されるリアクトルと、
前記負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、前記サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つ前記インバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサと、
第1抵抗性素子及び第2スイッチング素子であって、前記第2スイッチング素子は前記第1抵抗性素子を制御して前記サージ信号を吸収させるように設定され、前記第1抵抗性素子及び前記第2スイッチング素子は直列に接続されてから、前記高電圧バスと前記低電圧バスとの間に直列に接続される、第1抵抗性素子及び第2スイッチング素子と、
単方向導通素子又は第3スイッチング素子と、
第1容量性素子であって、前記単方向導通素子又は前記第3スイッチング素子は前記第1容量性素子による前記高電圧バス上のサージ信号の吸収を制限するように設定され、前記単方向導通素子又は前記第3スイッチング素子と前記第1容量性素子は、直列に接続されてから、前記高電圧バスと前記低電圧バスとの間に直列に接続される、第1容量性素子と、
前記第2スイッチング素子に接続され、前記バス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて前記第1抵抗性素子の動作を制御する制御チップとを含む、駆動制御回路。
A drive control circuit used to drive and control the operation of a load and including an inverter bridge connected between a high voltage bus and a low voltage bus.
A reactor that is used by the drive control circuit to absorb surge signals generated in the process of driving and operating the load, and is connected between the transmission and distribution network and the load.
A bus capacitor used to provide the starting voltage required to energize the load, also used to absorb the surge signal, and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge.
A first resistant element and a second switching element, the second switching element is set to control the first resistant element to absorb the surge signal, and the first resistant element and the first. The two switching elements are connected in series, and then the first resistance element and the second switching element connected in series between the high voltage bus and the low voltage bus.
With a unidirectional conduction element or a third switching element,
The first capacitive element, the unidirectional conducting element or the third switching element, is set to limit the absorption of surge signals on the high voltage bus by the first capacitive element, and the unidirectional conducting element. An element or a first capacitive element in which the third switching element and the first capacitive element are connected in series and then connected in series between the high voltage bus and the low voltage bus.
A drive control circuit including a control chip connected to the second switching element and controlling the operation of the first resistance element based on the magnitude relationship between the bus signal and the voltage threshold value.
前記第1容量性素子におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ前記第1容量性素子に並列に接続される第2抵抗性素子をさらに含む、請求項12に記載の駆動制御回路。 12. The drive control circuit according to claim 12, further comprising a second resistant element used to emit a surge signal in the first capacitive element and connected in parallel to the first capacitive element. 前記高電圧バス上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記第1容量性素子に直列に接続される第2容量性素子をさらに含む、請求項13に記載の駆動制御回路。 13. The drive control circuit of claim 13, further comprising a second capacitive element used to absorb the surge signal on the high voltage bus and connected in series with the first capacitive element. 前記第2容量性素子におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ前記第2容量性素子に並列に接続される第3抵抗性素子をさらに含む、請求項14に記載の駆動制御回路。 The drive control circuit according to claim 14, further comprising a third resistant element used to emit a surge signal in the second capacitive element and connected in parallel to the second capacitive element. 前記第1容量性素子及び/又は前記第2容量性素子に流れる電流を制限するための第4抵抗性素子をさらに含み、
前記第4抵抗性素子、前記第2スイッチング素子及び前記第1容量性素子が直列に接続され、又は前記第4抵抗性素子、前記第2スイッチング素子、第1容量性素子及び前記第2容量性素子が直列に接続される、請求項15に記載の駆動制御回路。
Further including a fourth resistant element for limiting the current flowing through the first capacitive element and / or the second capacitive element.
The fourth resistant element, the second switching element and the first capacitive element are connected in series, or the fourth resistant element, the second switching element, the first capacitive element and the second capacitive element. The drive control circuit according to claim 15, wherein the elements are connected in series.
前記第1抵抗性素子におけるスパイク電圧信号を放出させるために用いられ、且つ前記第1抵抗性素子に並列に接続される第1放電素子をさらに含む、請求項12に記載の駆動制御回路。 12. The drive control circuit according to claim 12, further comprising a first discharge element used to emit a spike voltage signal in the first resistance element and connected in parallel to the first resistance element. 前記第3スイッチング素子は制御チップに接続され、前記制御チップはバス信号を収集して、前記バス信号に基づいて前記第3スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるために用いられる、請求項12に記載の駆動制御回路。 The third switching element is connected to a control chip, and the control chip is used to collect a bus signal and control the third switching element to be turned on or off based on the bus signal. The drive control circuit described in. 前記電圧閾値は第1電圧閾値と、第2電圧閾値とを含み、
前記制御チップは、具体的には、前記バス信号が第1電圧閾値より大きく又は等しく前記第2電圧閾値より小さい場合に、前記第2スイッチング素子を制御してオフさせ、前記第3スイッチング素子を制御してオンさせ、
前記バス信号が前記第2電圧閾値より大きく又は等しい場合に、前記第2スイッチング素子及び前記第3スイッチング素子を制御してオンさせ、
前記バス信号が第1設定電圧より小さい場合に、前記第2スイッチング素子及び前記第3スイッチング素子を制御してオフさせるために用いられる、請求項18に記載の駆動制御回路。
The voltage threshold includes a first voltage threshold and a second voltage threshold.
Specifically, when the bus signal is larger than or equal to the first voltage threshold value and smaller than the second voltage threshold value, the control chip controls and turns off the second switching element to turn off the third switching element. Control and turn it on
When the bus signal is greater than or equal to the second voltage threshold, the second switching element and the third switching element are controlled and turned on.
The drive control circuit according to claim 18, which is used to control and turn off the second switching element and the third switching element when the bus signal is smaller than the first set voltage.
交流信号を整流して前記バス信号として出力する整流ブリッジをさらに含み、前記バス信号は、前記高電圧バス及び前記低電圧バスを介して前記バスコンデンサ、前記インバータブリッジ及び前記負荷に出力され、
前記制御チップは、前記交流信号に基づいて前記第2スイッチング素子のオン状態及び第3スイッチング素子のオン状態を制御する、請求項19に記載の駆動制御回路。
Further including a rectifying bridge that rectifies an AC signal and outputs it as the bus signal, the bus signal is output to the bus capacitor, the inverter bridge, and the load via the high voltage bus and the low voltage bus.
The drive control circuit according to claim 19, wherein the control chip controls an on state of the second switching element and an on state of the third switching element based on the AC signal.
請求項12ないし20のいずれか一項に記載の駆動制御回路を含む、コントローラ。 A controller comprising the drive control circuit according to any one of claims 12 to 20. モータと、
請求項12ないし20のいずれか一項に記載の駆動制御回路とを含み、
前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる、エアコン。
With the motor
The drive control circuit according to any one of claims 12 to 20 is included.
An air conditioner in which a signal input end of the motor is connected to the drive control circuit, and a drive signal output from the drive control circuit is used to drive and operate the motor.
負荷の動作を駆動及び制御するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジ、を含む駆動制御回路であって、
前記駆動制御回路が前記負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と前記負荷との間に接続されるリアクトルと、
前記負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、前記サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つ前記インバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとを含み、
前記バスラインにおけるサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収回路と、
前記抵抗性吸収回路の前記サージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、前記抵抗性吸収回路に直列に接続される第4スイッチング素子であって、前記第4スイッチング素子がオンされる場合に、前記抵抗性吸収回路が前記サージ信号を吸収し、前記第4スイッチング素子がオフされる場合に、前記抵抗性吸収回路が前記サージ信号の吸収を停止する第4スイッチング素子と、を含む、駆動制御回路。
A drive control circuit used to drive and control the operation of a load and including an inverter bridge connected between a high voltage bus and a low voltage bus.
A reactor that is used by the drive control circuit to absorb surge signals generated in the process of driving and operating the load, and is connected between the transmission and distribution network and the load.
A bus capacitor used to provide the starting voltage required to energize the load, also used to absorb the surge signal, and connected to the bus line on the input side of the inverter bridge.
A resistance absorption circuit used to absorb the surge signal in the bus line and connected in parallel to the bus capacitor.
A fourth switching element used to adjust the absorption process of the surge signal in the resistance absorption circuit and connected in series with the resistance absorption circuit, when the fourth switching element is turned on. , A fourth switching element, wherein the resistance absorption circuit stops absorbing the surge signal when the resistance absorption circuit absorbs the surge signal and the fourth switching element is turned off. Control circuit.
前記抵抗性吸収回路は、
前記サージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記高電圧バスと前記低電圧バスとの間に接続される第5抵抗性素子を含む、請求項23に記載の駆動制御回路。
The resistance absorption circuit is
23. The drive control circuit of claim 23, comprising a fifth resistant element used to absorb the surge signal and connected between the high voltage bus and the low voltage bus.
前記第4スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、
前記パワースイッチ又は前記リレーは、前記抵抗性吸収回路の前記サージ信号の吸収過程を調整するために用いられる、請求項24に記載の駆動制御回路。
The fourth switching element is a power switch or a relay.
The drive control circuit according to claim 24, wherein the power switch or the relay is used for adjusting the absorption process of the surge signal of the resistance absorption circuit.
前記抵抗性吸収回路は、
前記第5抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ前記第5抵抗性素子に並列に接続される第2放電素子をさらに含む、請求項24に記載の駆動制御回路。
The resistance absorption circuit is
24. The drive control circuit of claim 24, further comprising a second discharge element used to discharge the spike voltage of the fifth resistant element and connected in parallel to the fifth resistant element.
前記第2放電素子は単方向導通素子であり、又は前記第2放電素子は直列に接続される単方向導通素子及び抵抗を含み、
前記単方向導通素子の導通方向は前記第5抵抗性素子を流れる電流の方向と逆である、請求項26に記載の駆動制御回路。
The second discharge element is a unidirectional conduction element, or the second discharge element includes a unidirectional conduction element and a resistor connected in series.
The drive control circuit according to claim 26, wherein the conduction direction of the unidirectional conduction element is opposite to the direction of the current flowing through the fifth resistance element.
前記第2放電素子は、
前記スパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ前記第5抵抗性素子に並列に接続される第3容量性素子を含む、請求項26に記載の駆動制御回路。
The second discharge element is
26. The drive control circuit of claim 26, comprising a third capacitive element used to discharge the spike voltage and connected in parallel to the fifth resistant element.
前記第2放電素子は、
前記第3容量性素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ前記第3容量性素子に直列に接続される第6抵抗性素子をさらに含む、請求項28に記載の駆動制御回路。
The second discharge element is
28. The drive control circuit of claim 28, further comprising a sixth resistant element used to limit the current flowing through the third capacitive element and connected in series with the third capacitive element.
前記第5抵抗性素子は、
1つ又は複数の抵抗を含み、前記複数の抵抗同士は直列に接続される、請求項24ないし29のいずれか一項に記載の駆動制御回路。
The fifth resistance element is
The drive control circuit according to any one of claims 24 to 29, wherein the drive control circuit includes one or a plurality of resistances, and the plurality of resistances are connected in series.
請求項23ないし30のいずれか一項に記載の駆動制御回路を含む、コントローラ。 A controller comprising the drive control circuit according to any one of claims 23 to 30. モータと、
請求項23ないし30のいずれか一項に記載の駆動制御回路とを含み、
前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる、エアコン。
With the motor
The drive control circuit according to any one of claims 23 to 30 is included.
An air conditioner in which a signal input end of the motor is connected to the drive control circuit, and a drive signal output from the drive control circuit is used to drive and operate the motor.
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