JP2022505249A

JP2022505249A - アレイ基板、表示スクリーン及び表示装置

Info

Publication number: JP2022505249A
Application number: JP2021521211A
Authority: JP
Inventors: 劉明星; 趙瑩; 韓冰; 甘帥燕; 高峰
Original assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2019-01-31
Filing date: 2019-07-08
Publication date: 2022-01-14
Also published as: US20210134909A1; CN110767833B; CN110767833A; EP3920253A4; US11417715B2; WO2020155560A1; EP3920253A1; KR20210052554A

Abstract

本出願は、アレイ基板、表示スクリーン及び表示装置を提供する。アレイ基板は、ベースと、不透明な第１ＯＬＥＤ基板と、透明な第２ＯＬＥＤ基板とを含む。第１ＯＬＥＤ基板は、第２ＯＬＥＤ基板を少なくとも部分的に取り囲む。第２ＯＬＥＤ基板は、前記ベース上に位置する第１電極層と、前記第１電極層上に位置する発光構造層と、前記発光構造層上に位置する第２電極層とを含む。前記第１電極層は複数の第１電極を含み、前記発光構造層は複数の発光構造を含み、前記第１電極の数は発光構造の数より小さく、前記第１電極は各々が１つの前記発光構造に対応する。
【選択図】図７

Description

本出願は表示分野に関し、特にアレイ基板、表示スクリーン及び表示装置に関する。

表示端末の急速な発展に伴い、スクリーン対ボディ比に対する使用者の要求がますます高くなり、表示端末の全画面スクリーン表示が業界でますます注目されるようになっている。携帯電話、タブレットコンピュータ等のような表示端末は、フロントカメラ、イヤーピース及び赤外線検知素子等を集積する必要があるため、表示端末の表示スクリーンにノッチを設けることで、フロントカメラ、イヤホン、赤外線検知素子等を設置し得る。但し、前髪形スクリーンのような表示スクリーンのノッチ開設領域は画面を表示するために使用されることができない。或いは、スクリーン上に開孔を設ける方式によりカメラ等を設置している。しかしながら、撮影機能を具現する電子機器の場合、外界光線がスクリーン上の開孔の箇所を介してスクリーンの下に位置する感光素子に入射して、不良なイメージング効果を引き起こし得る。このように、これらの表示端末の表示スクリーンは全画面スクリーンではない。

これに基づいて、本出願は、アレイ基板、表示スクリーン及び表示装置を提供する。

本出願は、アレイ基板を提供する。前記アレイ基板は、ベースと、第１ＯＬＥＤ基板と、透明な第２ＯＬＥＤ基板とを含む。前記第１ＯＬＥＤ基板は、不透明なＯＬＥＤ基板である。第１ＯＬＥＤ基板は、第２ＯＬＥＤ基板を少なくとも部分的に取り囲み、第２ＯＬＥＤ基板は、前記ベース上に位置する第１電極層と、前記第１電極層上に位置する発光構造層と、前記発光構造層上に位置する第２電極層とを含む。前記第１電極層は複数の第１電極を含み、前記発光構造層は複数の発光構造を含み、前記第１電極の数は発光構造の数より小さく、前記第１電極は各々が１つの前記発光構造に対応する。

第１電極の数は発光構造の数より小さく、各第１電極は１つの発光構造に対応し、即ち、一部の発光構造の下の第１電極が除去されている。このように、透明な第２ＯＬＥＤ基板のピクセル密度を低減させることによって、その光透過率を向上させた。これにより、発光構造層の構造が変わらず維持され、即ち、マスクの異なる領域のマスク開口が均一に分布し、異なる領域の境界箇所にかかる応力も均一であり、透明な第２ＯＬＥＤ基板が十分な光透過率を持つように確保する前提の下で、マスクの異なる領域の境界箇所にしわが発生しないため、透明な第２ＯＬＥＤ基板と他の表示領域の境界箇所の混色のリスクを回避する。

本出願は、上記のようなアレイ基板と前記アレイ基板を封止するための封止層とを含む表示スクリーンを更に提供する。

本出願は、表示装置を更に提供する。前記表示装置は、機器本体と、前述の表示スクリーンとを含み、前記機器本体は素子領域を有し、前記表示スクリーンは前記機器本体を覆い、前記素子領域は前記第２ＯＬＥＤ基板の下に位置し、前記素子領域には、前記第２ＯＬＥＤ基板を透過して光線収集を行う感光素子が設置される。

本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の一実施例の断面概略図である。本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の第１電極の駆動回路の一実施例の概略図である。本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の第１電極層の一実施例の俯瞰概略図である。本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の第１電極層の別の実施例の俯瞰概略図である。本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の発光構造層の一実施例の俯瞰概略図である。本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の発光構造層の別の実施例の俯瞰概略図である。本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の第１電極層及び発光構造層の一実施例の俯瞰概略図である。本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の第１電極層及び発光構造層の別の実施例の俯瞰概略図である。本出願に係るアレイ基板の第１ＯＬＥＤ基板の一実施例の断面概略図である。本出願に係る表示スクリーンの一実施例の構造概略図である。本出願に係る表示装置の一実施例の構造概略図である。

ここで、例示的な実施例を詳細に説明し、その例を添付の図面に図示することにする。以下の説明に図面が言及される時、特に示さない限り、異なる図面における同じ数字は同じ又は類似の要素を示す。以下の例示的な実施例で記述される実施形態は、本出願と一致する全ての実施形態を表すものではない。逆に、これらは、単に添付される特許請求の範囲に詳述されるような本出願の幾つかの側面と一致する装置の例である。

上記の表示端末又は電子機器は、カメラ領域に画面を表示することができない。なお、上記の表示端末の透光率は高くないが、この場合、透光率を向上させるために、本出願は、基板の感光素子に対応する表示領域をピクセル密度の比較的に低い透明表示領域として設置し、透明表示領域以外の正常表示領域のピクセル密度は変わらず維持される。さらに、ピクセル密度の低減は、透明表示領域の発光構造の数を減らすことによって達成でき、正常表示領域の発光構造の数は変わらず維持される。但し、対照的に、同一の精密マスクを使用して正常表示領域と透明表示領域の発光構造を製作する場合、マスクの正常表示領域に対応する第１領域の開口は比較的に密集し、マスクの透明表示領域に対応する第２領域の開口は比較的に分散的であり、この場合、マスクの第１領域と第２領域の境界箇所にかかる応力が不均一になりやすく、ひいてはマスクの第１領域と第２領域の境界箇所にしわが生じやすくなるため、基板の正常表示領域と透明表示領域の混色のリスクをもたらすことになる。

上記の技術的課題を解決するために、図１、図９及び図１１を参照すると、本実施例は、アレイ基板を提供する。前記アレイ基板は、ベース１と、第１ＯＬＥＤ基板２００と、第２ＯＬＥＤ基板１００とを含む。第１ＯＬＥＤ基板２００は、不透明なＯＬＥＤ基板であり、前記第２ＯＬＥＤ基板１００を少なくとも部分的に取り囲む。第２ＯＬＥＤ基板１００は、前記ベース上に位置する第１電極層２と、前記第１電極層２上に位置する発光構造層３と、前記発光構造層３上に位置する第２電極層４とを含む。前記第１電極層２は複数の第１電極を含み、前記発光構造層３は複数の発光構造を含み、前記第１電極の数は発光構造の数より小さく、前記第１電極は各々が１つの前記発光構造に対応する。

第１電極の数は発光構造の数より小さく、各第１電極は１つの発光構造に対応し、即ち、一部の発光構造の下の第１電極が除去されているため、一部の前記発光構造の下のピクセル回路が除去され、ひいては前記発光構造の一部が発光しないようにする。このように、透明ＯＬＥＤ基板のピクセル密度を低減し、即ち、第２ＯＬＥＤ基板１００のピクセル密度を低減し、したがってその光透過率を向上させて、発光構造層の構造が変わらず維持可能（不透明な他の表示領域に対して）にし、即ち、マスクの異なる領域のマスク開口が変わらず維持され且つ均一に分布し、異なる領域の境界箇所にかかる応力も均一である。したがって、透明ＯＬＥＤ基板が十分な光透過率を持つように確保する前提の下で、透明ＯＬＥＤ基板と他の表示領域（例えば、前述のような第１ＯＬＥＤ基板）の境界箇所でマスクにしわが生じて混色のリスクが存在することがない。

図１は、一実施例に係る透明ＯＬＥＤ基板１００（即ち、第２ＯＬＥＤ基板）の構造概略図である。図１を参照すると、前記透明ＯＬＥＤ基板１００は、ベース１上に位置する第１電極層２と、第１電極層２上に位置する発光構造層３と、発光構造層３上に位置する第２電極層４とを含む。透明ＯＬＥＤ基板１００は、ピクセル定義層５を更に含む。第１電極層２は、ベース１上に形成される。ピクセル定義層５は、第１電極層２上に形成される。ピクセル定義層５に複数のピクセル開口５１を有し、当該ピクセル開口５１内に、第１電極層２上に位置する発光構造層３が形成されており、発光構造層３上に第２電極層４が形成される。前記第１電極層２はアノード層であり、このため、第２電極層４はカソード層であり得る。他の実施例において、前記第１電極層はカソード層であり、このため、第２電極層はアノード層であり得る。

一実施例において、ベース１は、剛性基板、例えば、ガラス基板、石英基板又はプラスチック基板等の透明基板であり得る。別の実施例において、ベース１は、例えば、フレキシブルＰＩ基板等のフレキシブル基板であり得る。

一実施例において、透明ＯＬＥＤ基板の光透過率を向上させるために、透明ＯＬＥＤ基板の各導電トレース（例えば、第１電極層２及び第２電極層４）の材料は透明材料を含み得る。第１電極層及び第２電極層の透光率は４０％より大きいことが好ましい。さらに、両者の透光率は６０％より大きいことが好ましい。よりさらに、両者の透光率は８０％以上であることが好ましい。例えば、第１電極層２及び第２電極層４の材料は、透明導電性金属酸化物又はマグネシウムと銀の混合物を含み得る。例えば、第１電極層２及び第２電極層４の材料は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、銀でドープされた酸化インジウムスズ、銀でドープされた酸化インジウム亜鉛のうち少なくとも１つを含み得る。

一実施例において、前記第２電極層４は表面電極である。選択的に、前記第２電極層４は、単層構造又は積層構造である。前記第２電極層４が単層構造である場合、前記第２電極層４は、単層金属層又は単層金属混合物層、或いは単層透明金属酸化物層である。前記第２電極層４が積層構造である場合、前記第２電極層４は、透明金属酸化物層と金属層との積層であるか、或いは、前記第２電極層は、透明金属酸化物層と金属混合物層との積層である。

一実施例において、前記第２電極層４の材料に金属をドープする時、前記第２電極層４の厚さが１００オングストローム以上であり、かつ５００オングストローム以下である場合、前記第２電極層４は全体的に連続した表面電極であり、前記第２電極層４の透明度は４０％より大きい。前記第２電極層４の材料に金属をドープする時、前記第２電極層４の厚さが１００オングストローム以上であり、かつ２００オングストローム以下である場合、前記第２電極層４は全体的に連続した表面電極であり、前記第２電極層４の透明度は４０％より大きい。前記第２電極層４の材料に金属をドープする時、前記第２電極層４の厚さが５０オングストローム以上であり、かつ２００オングストローム以下である場合、前記第２電極層４は全体的に連続した表面電極であり、前記第２電極層４の透明度は５０％より大きい。前記第２電極層４の材料に金属をドープする時、前記第２電極層４の厚さが５０オングストローム以上であり、かつ２００オングストローム以下である場合、前記第２電極層４は全体的に連続した表面電極であり、前記第２電極層４の透明度は６０％より大きい。前記第２電極層４が単層構造である場合、前記単層金属層の材料はＡｌ、Ａｇであり、前記単層金属混合物層の材料はＭｇＡｇであるか、又はＡｌがドープされた金属混合材料であり、前記透明金属酸化物はＩＴＯ又はＩＺＯである。

前記第１電極層２は、複数の第１電極２０を含み（図３乃至図８に示す如く）、第１電極２０の駆動回路は２Ｔ１Ｃ駆動回路であって、２つのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）及び１つのキャパシタとを含み、データラインは第１電極にデータ電圧信号を提供する。ＯＬＥＤ基板の７Ｔ１Ｃ（７つのＴＦＴ及び１つのキャパシタ）駆動回路に比べより簡単であり、駆動回路の複雑度を低減し、透明ＯＬＥＤ基板の光透過率をより一層向上させるのに有利である。

別の実施例において、前記第１電極の駆動回路は、１つのＴＦＴを含む。図２と結び付けて、前記透明ＯＬＥＤ基板は、スキャンラインＳｃａｎと、データラインＤａｔａとを含み、前記データラインＤａｔａは、前記ＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、前記第１電極（図２では、ＯＬＥＤによって表される）は、前記ＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続され、前記スキャンラインＳｃａｎは、前記ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続される。前記スキャンラインＳｃａｎは、前記駆動回路のオン及びオフを制御するために用いられる。前記データラインＤａｔａは、前記駆動回路がオンにされる時、前記第１電極に駆動電流信号を提供して、前記発光構造層が発光するように制御する。駆動回路の中のスイッチング素子を２つ又は１つに減らして、パネル構造の複雑度を簡素化し、パネル構造間隙による回折の度合いを低減する基礎の上で、スキャンラインの負荷電流及びデータラインの負荷電流を大幅に低下させ、アノード、カソード、スキャンライン、データライン等の導電性ライン材料の抵抗に対する要求を下げ、透明材料を使用してアノード、カソード、スキャンライン、データライン等の導電性ラインを製作可能にして、パネル性能を確保するとともに、表示パネルの透過率を向上させる。別の実施例において、前記データラインＤａｔａは、前記ＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続され、前記第１電極（図２では、ＯＬＥＤによって表される）は、前記ＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、前記スキャンラインＳｃａｎは、前記ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続される。

図３及び図４と結び付けて、第１電極層２aの第１電極２０ａは円形又はひょうたん形であるが、第１電極２０ａは、例えば、四角形、楕円形、ダンベル形、又は波形等の他の形状であっても良い。図３に概略的に示す第１電極２０ａは円形である。幾つかの実施例において、四角形は、直角四角形又は角丸四角形を含み得る。一実施例において、同じ行又は同じ列の第１電極２０ａは同じ色の発光構造に対応し、同じ行又は同じ列の第１電極２０ａは同じデータ信号を受信する。１つのデータ信号で行全体又は列全体の第１電極２０ａを駆動することができ、したがって駆動回路の構造を簡素化する。同じ行又は同じ列の各第１電極２０ａの間は接続ライン（不図示）によって接続され得る。接続ラインは、他の膜層又は非表示領域を通るように配線され得る。

図４に概略的に示す第１電極層２ｂの第１電極２０ｂは、ひょうたん形であり且つ第１方向に沿って延在し、第１方向は透明ＯＬＥＤ基板の行方向又は列方向である（行方向はスキャンラインＳｃａｎ方向であり、列方向はデータラインＤａｔａ方向である）。図４において、第１方向は、アレイ基板の列方向である。本実施例において、第１電極２０ｂは、同じ列の複数の第１サブ電極２０１ｂが順次連結されて形成され、各第１サブ電極２０１ｂは１つの発光構造に対応する。第１電極２０ｂは、１つの駆動回路を介して同じデータ線に接続され、したがって駆動回路の数を減らし、駆動回路の構造を簡素化する。本実施例において、第２電極層４は、表面電極である。

図５を参酌すると、前記発光構造層３ａは複数の発光構造３０aを含むが、図５に示す発光構造３０ａは円形である。前記発光構造層３ａは、ｎ種類の色の発光構造を含み、例えば、ｎは３である。発光構造層３ａは、赤色の第１発光構造３１aと、緑色の第２発光構造３２ａと、青色の第３発光構造３３ａとを含む。図６における発光構造３０ｂは四角形である。他の実施例において、前記発光構造は、楕円形又はダンベル形等の形状を有する。幾つかの実施例において、図５及び図６に示す如く、同じ行又は同じ列の発光構造の色は同じである。

図７は、本出願に係る透明ＯＬＥＤ基板の第１電極層及び発光構造層の一実施例の俯瞰概略図である。前記第１電極層は複数の第１電極２０ｃを含み、前記第１電極２０ｃは角丸四角形であり、前記発光構造層は複数の発光構造を含み、発光構造も角丸四角形であり、前記第１電極２０ｃの数は発光構造３０ｃの数より小さい。第１電極２０ｃは、各々が１つの前記発光構造３０ｃに対応する。発光構造３０ｃの数が比較的に大きいため、一部の発光構造の下には第１電極２０ｃが設置されず、この部分の発光構造に対応する領域は光透過率がより高く、透明ＯＬＥＤ基板が作動する時、この部分の発光構造は発光しない。

引き続き図７を参照すると、前記発光構造層はアレイ状に配列される複数のピクセルユニットＣを含み、各ピクセルユニットＣは、緑色、赤色、青色の３種類の色の発光構造を含み、その中で、少なくとも２つの同じ色の発光構造を含む。少なくとも２つの同じ色の発光構造において、一部の発光構造の下に第１電極２０ｃが設置され、他の部分の発光構造の下には第１電極２０ｃが設置されない。このように、透明ＯＬＥＤ基板の正常的な表示効果に影響が及ばない前提の下で、透明ＯＬＥＤ基板の光透過率を向上させる。図７に示す如く、各ピクセルユニットＣは、順に緑色、緑色、赤色、青色（Ｒ、Ｇ、Ｂは、発光構造の色のみを表示し、図面における文字は、第１電極と発光構造の重ね合い領域にのみ表示される）の４種類の色に対応する第１発光構造３１ｃと、第２発光構造３２ｃと、第３発光構造３３ｃと、第４発光構造３４ｃとを含み、即ち、各ピクセルユニットＣは、３種類の色の発光構造を含む。緑色を呈する第２発光構造３２ｃの下には第１電極２０ｃが設置されず、即ち、１つのピクセルユニットＣにおける２つの緑色発光構造のうち１つの発光構造は発光し、もう１つの緑色発光構造は発光せず、透明ＯＬＥＤ基板の正常的な表示効果に影響が及ばない前提の下で、透明ＯＬＥＤ基板の光透過率を向上させる。他の実施例において、他の色の発光構造の下に第１電極２０ｃを設置しないことを選択し得る。例えば、青色を呈する第２発光構造の下に第１電極２０ｃを設置しないか、或いは、赤色を呈する第２発光構造の下に第１電極２０ｃを設置しない。

図７において、第１方向である列方向上で、前記第１発光構造３１ｃは実際に発光しない第２発光構造３２ｃと互い違いに配列され、したがって透明ＯＬＥＤ基板が第１方向上で均一に表示を行うように確保する。例えば、同じ列に位置する第１発光構造３１ｃは実際に発光しない第２発光構造３２ｃと離隔して設置される。発光構造層全体において、ピクセルユニットはアレイ状に配列されるため、複数のピクセルユニットＣにおける実際に発光しない第２発光構造３２ｃもアレイ状に配列され、したがって透明ＯＬＥＤ基板全体の表示の均一性を向上させるのに有利である。

図８を参照すると、別の実施例において、発光構造層は、アレイ状に配列された複数の第１ピクセルユニットＤと、第２ピクセルユニットＥとを含み、各第１ピクセルユニットＤは、ｎ種類の色の発光構造を含むが、本実施例において、ｎは３に等しく、それぞれ赤色、緑色、青色である。各第１ピクセルユニットＤは、赤色の発光構造３１ｄと、緑色の発光構造３２ｄと、青色の発光構造３３ｄとを含み、赤色の発光構造３１ｄ、緑色の発光構造３２ｄ及び青色の発光構造３３ｄの各々は、それぞれ１つの第１電極２０ｄに対応する。各第２ピクセルユニットＥは、ｎ種類の色の発光構造を含むが、本実施例において、ｎは３に等しく、ｎ種類の色の発光構造は、例えば、赤色、緑色、青色の３種類の色の発光構造である。各第２ピクセルユニットは、赤色の発光構造３１ｅと、緑色の発光構造３２ｅと、青色の発光構造３３ｅとを含み、前記赤色の発光構造３１ｅ、緑色の発光構造３２ｅ及び青色の発光構造３３ｅの下にいずれも第１電極２０ｄが設置されない。即ち、透明ＯＬＥＤ基板に通電された後、第１ピクセルユニットＤは発光し、第２ピクセルユニットＥは発光せず、透明ＯＬＥＤ基板の表示効果に影響が及ばない前提の下で、透明ＯＬＥＤ基板の光透過率を向上させる。

図８において、第１方向である列方向上で、前記第１ピクセルユニットＤは、実際に発光しない第２ピクセルユニットＥと互い違いに配列され、したがって透明ＯＬＥＤ基板が第１方向上で均一に表示を行うように確保する。発光構造層全体において、第２ピクセルユニットＥがアレイ状に配列され、したがって透明ＯＬＥＤ基板全体の表示の均一性を向上させるのに有利である。

本出願に係るアレイ基板は、第１ＯＬＥＤ基板２００（図９に示す如く）と、第２ＯＬＥＤ基板１００（図１に示す如く）とを含み、前記第１ＯＬＥＤ基板２００は、第２ＯＬＥＤ基板１００を（後述する図１１に示す如く）少なくとも部分的に取り囲み、アレイ基板上の第１ＯＬＥＤ基板２００に対応する領域の形状は矩形又は円形であり得る。アレイ基板上の第２ＯＬＥＤ基板１００に対応する領域の形状は円形、矩形、水滴形、前髪形等であり得る。前記第２ＯＬＥＤ基板は前述の任意の実施例に係る透明ＯＬＥＤ基板１００である。

図９と結び付けて、前記第１ＯＬＥＤ基板２００は、ベース１上に形成された第３電極層７と、第３電極層７上に形成された発光材料層８と、発光材料層８上に形成された第４電極層９とを含む。前記第３電極層７は複数の第３電極を含み、前記発光材料層８は複数の発光材料を含み、前記第３電極は前記発光材料に１対１に対応する。一実施例において、第１ＯＬＥＤ基板の発光材料層８と第２ＯＬＥＤ基板の発光構造層３とは、同じマスクを使用して同じ工程において形成される。発光構造層３の隣接する発光構造と発光材料層８の隣接する発光材料のサイズ及び間隔はいずれも同じに設置され得るため、第１ＯＬＥＤ基板に対応するマスク領域と第２ＯＬＥＤ基板に対応するマスク領域とは、同じマスク開口を使用し得る。開口サイズ及び開口間隔がいずれも同じであるため、マスクの２つの領域の境界領域にかかる応力が均一であるようにして、第１ＯＬＥＤ基板と第２ＯＬＥＤ基板の境界領域にしわが生じるのを回避するとともに、第２ＯＬＥＤ基板の発光構造層３が含む一部の発光構造の下に第１電極を設置しないことで、第２ＯＬＥＤ基板が正常的に表示を行う前提の下で十分に大きい光透過率を持つように確保する。

本出願は、表示スクリーンを更に提供する。図１１に示す如く、前記表示スクリーンは、前述のようなアレイ基板と、アレイ基板を封止する封止層２０１とを含む。前記第１ＯＬＥＤ基板２００に対応する領域は不透明な表示領域であり、第２ＯＬＥＤ基板１００に対応する領域は透明表示領域である。選択的に、透明表示領域はＰＭＯＬＥＤスクリーンであり、不透明な表示領域はＡＭＯＬＥＤスクリーンである。前記ＰＭＯＬＥＤスクリーンの下にカメラ、センサー等の感光素子が設置され得る。感光素子は透明ＰＭＯＬＥＤスクリーンを通じて外界光線を収集し得る。前記表示スクリーンは表示機能を具現するとともに、感光素子の機能を確保する。

図１１と結び付けて、本出願は、表示装置を更に提供する。前記表示装置は、機器本体３００と、前記機器本体を覆う前記表示スクリーンとを含む。前記表示装置は、携帯電話、タブレットＰＣ、ノートブック型コンピュータ等であり得る。携帯電話を例として、機器本体は、ケーシング、回路基板、電池、プロセッサ等の素子を含み得る。前記機器本体３００は、素子領域を更に有する。前記素子領域は、前記第２ＯＬＥＤ基板１００の下に位置し、前記素子領域には前記第２ＯＬＥＤ基板１００を透過して光線収集を行う感光素子４００が設置されており、感光素子４００は、カメラ、赤外線センサー又は他の光学センサーであり得る。第２ＯＬＥＤ基板１００の高透光性により、感光素子が十分な光線を収集するように確保することができる。

上記の説明は、本出願の好ましい実施例に過ぎず、本出願を限定するために用いられるものではない。本出願の精神及び原則内で行われる修正、均等物による置換、改良等は、いずれも本出願の保護範囲に含まれるべきである。

本出願は、表示スクリーンを更に提供する。図１０に示す如く、前記表示スクリーンは、前述のようなアレイ基板と、アレイ基板を封止する封止層２０１とを含む。前記第１ＯＬＥＤ基板２００に対応する領域は不透明な表示領域であり、第２ＯＬＥＤ基板１００に対応する領域は透明表示領域である。選択的に、透明表示領域はＰＭＯＬＥＤスクリーンであり、不透明な表示領域はＡＭＯＬＥＤスクリーンである。前記ＰＭＯＬＥＤスクリーンの下にカメラ、センサー等の感光素子が設置され得る。感光素子は透明ＰＭＯＬＥＤスクリーンを通じて外界光線を収集し得る。前記表示スクリーンは表示機能を具現するとともに、感光素子の機能を確保する。

Claims

ベースと、
不透明な第１ＯＬＥＤ基板と、
透明な第２ＯＬＥＤ基板とを含み、
前記第１ＯＬＥＤ基板は、前記第２ＯＬＥＤ基板を少なくとも部分的に取り囲み、
第２ＯＬＥＤ基板は、
前記ベース上に位置する第１電極層と、
前記第１電極層上に位置する発光構造層と、
前記発光構造層上に位置する第２電極層とを含み、
前記第１電極層は複数の第１電極を含み、前記発光構造層は複数の発光構造を含み、前記第１電極の数は発光構造の数より小さく、前記第１電極は各々が１つの前記発光構造に対応することを特徴とするアレイ基板。
前記発光構造層は、同じ色の第１発光構造と第２発光構造とを含み、前記第１発光構造は、第１電極に１対１に対応し、前記第２発光構造の下に第１電極が設置されないことを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
前記発光構造層は複数のピクセルユニットを含み、各前記ピクセルユニットは、前記第１発光構造と、前記第２発光構造とを含み、
前記第１発光構造と第２発光構造とは第１方向において互い違いに配列され、前記第１方向はアレイ基板の行方向又は列方向であることを特徴とする請求項２に記載のアレイ基板。
前記発光構造層は、複数の第１ピクセルユニットと、複数の第２ピクセルユニットとを含み、各第１ピクセルユニット及び各第２ピクセルユニットは、いずれもｎ種類の色の発光構造を含み、前記第１ピクセルユニットの各発光構造はそれぞれ１つの第１電極に対応し、前記第２ピクセルユニットの各発光構造の下に第１電極が設置されないことを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
前記第１ピクセルユニットと第２ピクセルユニットとは第１方向において互い違いに配列され、前記第１方向はアレイ基板の行方向又は列方向であることを特徴とする請求項４に記載のアレイ基板。
前記第２発光構造はアレイ状に配列されることを特徴とする請求項２に記載のアレイ基板。
前記第２ピクセルユニットはアレイ状に配列されることを特徴とする請求項４に記載のアレイ基板。
前記第１電極の駆動回路は、２つの薄膜トランジスタと、１つのストレージキャパシタとを含む駆動回路であり、又は
前記第１電極の駆動回路は１つの薄膜トランジスタを含み、前記第２ＯＬＥＤ基板はデータラインを含み、前記データラインは前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続され、前記第１電極は前記薄膜トランジスタのドレイン電極又はソース電極に電気的に接続され、前記データラインは、前記駆動回路がオンにされた時、前記第１電極に駆動電流を提供し、前記発光構造層が発光するように制御することを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
同じ行又は同じ列に位置する前記第１電極に対応する発光構造は同じ種類の色であり、同じ行又は同じ列に位置する前記第１電極は同じデータ信号を受信することを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
前記第１電極は円形、四角形、楕円形、ダンベル形、ひょうたん形又は波形であり、
前記発光構造は四角形、円形、楕円形又はダンベル形であることを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
前記第１ＯＬＥＤ基板は、第３電極層と、第３電極層に形成された発光材料層と、発光材料層上に形成された第４電極層とを含み、前記第３電極層は複数の第３電極を含み、前記発光材料層は複数の発光材料を含み、前記第３電極は前記発光材料に１対１に対応することを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
第１ＯＬＥＤ基板の発光材料層と第２ＯＬＥＤ基板の発光構造層とは同じマスクを使用して同じ工程において形成されることを特徴とする請求項１１に記載のアレイ基板。
第１ＯＬＥＤ基板に対応するマスク領域と第２ＯＬＥＤ基板に対応するマスク領域とは同じマスク開口を使用することを特徴とする請求項１１に記載のアレイ基板。
前記発光構造層の隣接する発光構造と前記発光材料層の隣接する発光材料のサイズ及び間隔は等しいことを特徴とする請求項１２に記載のアレイ基板。
前記第１電極層及び第２電極層の透光率は４０％より大きく、第１電極層及び第２電極層の材料は、透明導電性金属酸化物又はマグネシウムと銀の混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
前記第２電極層は表面電極であり、
前記第２電極層は単層構造又は積層構造であり、
前記第２電極層が単層構造である場合、前記第２電極層は単層金属層、又は単層金属混合物層、又は単層透明金属酸化物層であり、前記第２電極層が積層構造である場合、前記第２電極層は透明金属酸化物層と金属層との積層であるか、又は前記第２電極層は透明金属酸化物層と金属混合物層との積層であり、
前記第２電極層の材料に金属がドープされており、前記第２電極層の厚さが１００オングストローム以上であり、かつ５００オングストローム以下である場合、前記第２電極層は全体的に連続した表面電極であり、前記第２電極層の透明度は４０％より大きく、
前記第２電極層の材料に金属がドープされており、前記第２電極層の厚さが１００オングストローム以上であり、かつ２００オングストローム以下である場合、前記第２電極層は全体的に連続した表面電極であり、前記第２電極層の透明度は４０％より大きく、
前記第２電極層の材料に金属がドープされており、前記第２電極層の厚さが５０オングストローム以上であり、かつ２００オングストローム以下である場合、前記第２電極層は全体的に連続した表面電極であり、前記第２電極層の透明度は５０％より大きく、
前記第２電極層の材料に金属がドープされており、前記第２電極層の厚さが５０オングストローム以上であり、かつ２００オングストローム以下である場合、前記第２電極層は全体的に連続した表面電極であり、前記第２電極層の透明度は６０％より大きく、
前記第２電極層が単層構造である場合、前記単層金属層の材料はＡｌ、Ａｇであり、前記単層金属混合物層の材料はＭｇ、Ａｇであるか、又はＡｌがドープされた金属混合材料であり、前記透明金属酸化物は酸化インジウムスズ又は酸化インジウム亜鉛であることを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
請求項１に記載のアレイ基板と、
前記アレイ基板を封止するための封止層と
を含むことを特徴とする表示スクリーン。
素子領域を有する機器本体と、
前記機器本体を覆う請求項１７に記載の表示スクリーンとを含み、
前記素子領域は前記第２ＯＬＥＤ基板の下に位置し、前記素子領域に前記第２ＯＬＥＤ基板を透過して光線収集を行う感光素子が設置されることを特徴とする表示装置。