JP2022502756A

JP2022502756A - メモリ、メモリのエラー復旧方法、およびメモリを含むバッテリ装置

Info

Publication number: JP2022502756A
Application number: JP2021516726A
Authority: JP
Inventors: リュー、ジェスン
Original assignee: LG Chem Ltd
Current assignee: LG Chem Ltd
Priority date: 2019-01-17
Filing date: 2020-01-17
Publication date: 2022-01-11
Anticipated expiration: 2040-01-17
Also published as: EP3842945A4; WO2020149703A1; US11429484B2; US20210349779A1; CN112805689A; KR20200089482A; JP7205982B2; EP3842945A1

Abstract

メモリは、少なくとも１つのアプリケーションを保存するアプリケーション領域と、アプリケーション領域をアップデートするためのコードを含むＦＢＬ（ＦｌａｓｈＢｏｏｔＬｏａｄｅｒ）領域と、ＦＢＬ領域の欠陥が検知された後に活性化されて、ＦＢＬ領域を削除し、ＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報をＦＢＬ領域に書き込んだ後、ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードがＦＢＬイメージの二進コード情報と一致するかを判断し、２つの二進コード情報が一致していれば、非活性化されるＢＵＭモジュールと、を含むことができる。ＦＢＬイメージおよびＢＵＭモジュールは、アプリケーション領域に位置してもよい。

Description

関連出願との相互参照

本出願は、２０１９年１月１７日付の韓国特許出願第１０−２０１９−０００６２７５号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。

本開示は、メモリ、メモリのエラー復旧方法、およびメモリを含むバッテリ装置に関する。

メモリに保存されたソフトウェアの構造は、アプリケーション領域と、フラッシュブートローダー（ＦｌａｓｈＢｏｏｔＬｏａｄｅｒ、ＦＢＬ）領域とから構成される。

アプリケーションの領域のコードが変質（ｃｏｒｒｕｐｔｉｏｎ）したり、欠陥を含むものであったりする場合、ＦＢＬ領域のコードにより、アプリケーション領域はアップデートまたは再プログラミング（ｒｅｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）される。

しかし、ＦＢＬ領域に欠陥があった場合、ＦＢＬ領域の欠陥を探しにくいだけでなく、アプリケーション領域のアップデートまたは再プログラミングが不可能である。この場合、メモリを含むシステムを分解してアップデート装置により再プログラミングするか、システム全体を取り替えなければならない問題が発生する。

ＦＢＬに問題があった場合、ＦＢＬのエラーを復旧できるメモリ、メモリの復旧方法、およびこれを含むバッテリ装置を提供しようとする。

本発明の一つの特徴によるメモリは、少なくとも１つのアプリケーションを保存するアプリケーション領域と、アプリケーション領域をアップデートするためのコードを含むＦＢＬ（ＦｌａｓｈＢｏｏｔＬｏａｄｅｒ）領域と、ＦＢＬ領域の欠陥が検知された後に活性化されて、ＦＢＬ領域を削除し、ＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報をＦＢＬ領域に書き込んだ後、ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードがＦＢＬイメージの二進コード情報と一致するかを判断し、２つの二進コード情報が一致していれば、非活性化されるＢＵＭモジュールと、を含むことができる。ＦＢＬイメージおよびＢＵＭモジュールは、アプリケーション領域に位置してもよい。

ＦＢＬ領域は、メモリを含む装置のウェイクアップに同期してブートローダーコードフラッシュ（ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒｃｏｄｅｆｌａｓｈ）の欠陥チェックを行うことができる。

ＢＵＭモジュールは、ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、計算値とＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム（ｃｈｅｃｋｓｕｍ）計算値である基準チェックサムとが一致していると判断すれば、非活性化される。

あるいは、ＢＵＭモジュールは、ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、計算値とＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していないと判断すれば、ＦＢＬ領域を削除し、ＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報をＦＢＬ領域に書き込んだ後、ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、計算値とＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致するかを判断できる。

本発明の他の特徴によるメモリのアプリケーション領域と、アプリケーションがアップデートのためのコードを含むＦＢＬ（ＦｌａｓｈＢｏｏｔＬｏａｄｅｒ）領域とを含むメモリのエラー復旧方法は、ＦＢＬ領域がウェイクアップに同期してブートローダーコードフラッシュ（ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒｃｏｄｅｆｌａｓｈ）の欠陥チェックを行う段階と、欠陥チェック段階の結果、ＦＢＬ領域の欠陥を検知すれば、ＢＵＭ（ＢｏｏｔｌｏａｄｅｒＵｐｄａｔｅＭａｎａｇｅｒ）モジュールが活性化される段階と、ＢＵＭモジュールがＦＢＬ領域を削除する段階と、ＢＵＭモジュールがＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報をＦＢＬ領域に書き込む段階と、ＢＵＭモジュールが、ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードがＦＢＬイメージの二進コード情報と一致するかを判断する段階と、判断結果によりＢＵＭモジュールが活性化または非活性化される段階とを含むことができる。ＦＢＬイメージおよびＢＵＭモジュールは、アプリケーション領域に位置してもよい。

ＦＢＬ領域のブートローダーコードフラッシュの欠陥チェック段階は、ブートローダーコードフラッシュのチェックサムを用いる段階を含むことができる。

ＢＵＭモジュールが、ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードがＦＢＬイメージの二進コード情報と一致するかを判断する段階は、ＢＵＭモジュールがＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算する段階と、計算値とＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとを比較する段階とを含むことができる。

メモリのエラー復旧方法は、計算値とＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していれば、ＢＵＭモジュールは非活性化される段階をさらに含むことができる。

メモリのエラー復旧方法は、計算値とＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していなければ、ＢＵＭモジュールがＦＢＬ領域を削除する段階と、ＦＢＬイメージの二進コード情報をＦＢＬ領域に書き込む段階と、ＢＵＭモジュールが、ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードがＦＢＬイメージの二進コード情報と一致するかを判断する段階とを繰り返すことができる。

バッテリ装置は、複数のバッテリセルを含むバッテリセル組立体と、バッテリセル組立体を管理するバッテリ管理システムとを含み、バッテリ管理システムは、バッテリセル組立体に関する状態情報を収集、処理およびバッテリセル組立体を管理するために必要な多様なアプリケーションを含む前述したメモリを含むことができる。

本開示は、ＦＢＬに問題があった場合、ＦＢＬのエラーを復旧できるメモリ、メモリの復旧方法、およびこれを含むバッテリ装置を提供することができる。

一実施例によるメモリの構造を示す図である。一実施例によるＦＢＬ領域の欠陥を検知および復旧する方法を示すフローチャートである。他の実施例によるメモリの構造を示す図である。さらに他の実施例によるメモリの構造を示す図である。さらに他の実施例によるメモリの構造を示す図である。一実施例が適用されたメモリを含むバッテリ装置を示す図である。

本発明の一実施例によるメモリは、ＦＢＬ領域の状態を点検し、ＦＢＬ領域に異常を検知すれば、ブートローダーアップデートマネジャー（ＢｏｏｔｌｏａｄｅｒＵｐｄａｔｅＭａｎａｇｅｒ、ＢＵＭ）モジュールを駆動して特定領域に保存されたＦＢＬイメージでＦＢＬ領域をアップデートする。メモリは、アプリケーション領域と、ＦＢＬ領域とを含み、ブートローダーアップデートマネジャーは、アプリケーション領域に位置し、ＦＢＬイメージは、アプリケーション領域に保存される。

以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施例について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する一実施例に限定されない。そして、図面において、本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって類似の部分については類似の図面符号を付した。

図１は、一実施例によるメモリの構造を示す図である。

メモリ１は、アプリケーション領域１０と、ＦＢＬ領域２０とを含む。

アプリケーション領域１０は、ＢＵＭモジュール１１およびＦＢＬイメージ１２を含む。

ＦＢＬ領域２０には、アプリケーション領域をアップデートするためのコードが入っている。アプリケーション領域１０に保存されたアプリケーションのアップデートまたは再プログラミングが必要な場合、アプリケーション領域１０のコードが変質したり、欠陥を含むものであったりした場合などに、ＦＢＬ領域２０のコードによりアプリケーション領域１０をアップデートする。ＦＢＬ領域２０は、ウェイクアップに同期してＦＢＬ領域２０をチェックして欠陥の有無を検知し、ＦＢＬ領域２０の欠陥が検知されれば、ＢＵＭモジュール１１を活性化させる。

ＢＵＭモジュール１１は活性化された後、ＦＢＬ領域２０を削除し、ＦＢＬイメージ１２の二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報をＦＢＬ領域２０に書き込んだ後、ＦＢＬ領域２０に書き込まれた二進コードがＦＢＬイメージ１２の二進コード情報と一致するかを判断する。ＢＵＭモジュール１１は、ＦＢＬ領域２０に書き込まれた二進コードとＦＢＬイメージ１２の二進コード情報とが一致していると判断すれば、非活性化される。

ＢＵＭモジュール１１が非活性化された後、アプリケーション１０が実行できる。

図２は、一実施例によるＦＢＬ領域の欠陥を検知および復旧する方法を示すフローチャートである。

図２に示されているように、まず、メモリ１を含む装置がウェイクアップされる（Ｓ１段階）。メモリを含む装置は、エンベデッド（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）システムのＩＣ−Ｃｈｉｐを含む多様な装置であり得る。例えば、バッテリ、自動車、スマートフォン、スマートウォッチなどであってもよい。

ウェイクアップ後、ＦＢＬ領域２０は、ウェイクアップに同期してブートローダーコードフラッシュ（ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒｃｏｄｅｆｌａｓｈ）の欠陥チェックを行う（Ｓ２段階）。例えば、ＦＢＬ領域２０は、ブートローダーコードフラッシュに保存された二進コードにチェックサムアルゴリズム（ｃｈｅｃｋｓｕｍａｌｇｏｒｉｔｈｍ）を適用し、チェックサムの結果によりブートローダーコードフラッシュの欠陥の有無を決定できる。

チェックサムは、保存されたコードやデータに誤りがあるかを検査するための方法で、二進コードの和が正確なコードの和と一致するかを比較して、コードフラッシュに保存されたコードに誤りがあるかを検査できる。チェックサムアルゴリズムごとにチェックサムを算出する方式が異なり、設計に応じてアルゴリズムが決定可能である。また、発明がチェックサムに限定されるものではなく、チェックサムの代わりに、ＦＢＬ領域２０は、ブートローダーコードフラッシュの欠陥の有無をチェックできる多様なエラー検出方式を使用することができる。

Ｓ２段階の結果、ＦＢＬ領域２０が欠陥を検知すれば、メモリ１は、ＢＵＭモジュール１１を活性化させる（Ｓ３段階）。ＦＢＬ領域２０がメモリ１の全体的な動作を制御するプロセッサにこれを知らせ、当該プロセッサがＢＵＭモジュール１１を活性化させるか、ＦＢＬ領域２０が直接ＢＵＭモジュール１１の活性化を起動させることができる。欠陥の検知によってＢＵＭモジュール１１が活性化される具体的な方法がこれに限定されるものではない。

ＢＵＭモジュール１１が活性化された後、ＢＵＭモジュール１１は、ＦＢＬ領域２０を削除する（Ｓ４段階）。

ＢＵＭモジュール１１は、ＦＢＬイメージ１２の二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報をＦＢＬ領域２０に書き込む（Ｓ５段階）。

ＢＵＭモジュール１１は、ＦＢＬ領域２０に書き込まれた二進コードのチェックサムを計算する（Ｓ６段階）。

ＢＵＭモジュール１１は、Ｓ６段階のチェックサム計算値がＦＢＬイメージ１２の二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムを比較して、２つのチェックサムが一致するかを判断する（Ｓ７段階）。

Ｓ７段階の結果、２つのチェックサムが一致していれば、ＢＵＭモジュール１１は非活性化される（Ｓ８段階）、２つのチェックサムが一致していなければ、ＢＵＭモジュール１１の活性化状態は維持されて、Ｓ３段階から繰り返される。

Ｓ２段階でブートローダーコードフラッシュに欠陥がない場合、そしてＳ８段階のＢＵＭモジュール１１の非活性化後、ウェイクアップ後の入力された命令や定められたルーチンに応じて必要なアプリケーション１０が実行できる（Ｓ９段階）。

このように、一実施例によるメモリは、ＦＢＬ領域の誤りが検知された時、ＦＢＬ領域でない他の領域、例えば、アプリケーション領域に位置したＢＵＭモジュールおよびＦＢＬイメージによりＦＢＬ領域を消し、ＦＢＬ領域を正常にアップデートすることができる。

したがって、ＦＢＬ領域に誤りが発生した場合でも、メモリを含む全体システムに対する別途の変更なく、ＦＢＬ領域のアップデートを従来に比べて時間、費用などをはるかに低減しながら提供できる。

図１には、ＢＵＭモジュール１１およびＦＢＭイメージ１２がアプリケーション領域１０に含まれていると示されているが、発明がこれに限定されるものではない。メモリ１において、アプリケーション領域１０およびＦＢＬ領域２０以外の領域（以下、外部領域という）に、ＢＵＭモジュール１１およびＦＢＭイメージ１２の少なくとも１つが位置してもよい。

図３は、他の実施例によるメモリの構造を示す図である。

図３に示されているように、ＢＵＭモジュール１１およびＦＢＭイメージ１２が外部領域に位置してもよい。

図４は、さらに他の実施例によるメモリの構造を示す図である。

図４に示されているように、ＢＵＭモジュール１１は、アプリケーション領域１０に位置し、ＦＢＭイメージ１２は、外部領域に位置してもよい。

図５は、さらに他の実施例によるメモリの構造を示す図である。

図５に示されているように、ＦＢＭイメージ１２は、アプリケーション領域１０に位置し、ＢＵＭモジュール１１は、外部領域に位置してもよい。

図３〜図５の多様な実施例において、ＦＢＬ領域２０の状態を点検し、ＦＢＬ領域に異常を検知すれば、ＢＵＭモジュール１１を駆動してＦＢＬイメージ１２でＦＢＬ領域２０をアップデートする方法は、図１および２を参照して説明した実施例と同一である。具体的には、一実施例によるメモリは、バッテリ装置に適用可能である。

図６は、一実施例が適用されたメモリを含むバッテリ装置を示す図である。

バッテリ装置１００は、バッテリ管理システム（ＢａｔｔｅｒｙＭａｎａｇｅｍｅｎｔＳｙｓｔｅｍ、ＢＭＳ）１１０と、バッテリセル組立体１３０と、リレー１４０、１５０とを含む。

ＢＭＳ１１０は、複数のバッテリセルに関する情報を含むバッテリ装置に関する多様な情報を取り合いおよび分析して、バッテリ装置の充放電、バッテリセルバランシング、保護動作などを制御できる。ＢＭＳ１１０は、メモリ１２０を含むことができるが、発明がこれに限定されるものではなく、ＢＭＳ１１０の外部にメモリ１２０が位置し、有線または無線通信により必要な情報を互いに送受信できる。

メモリ１２０は、先に説明した実施例のいずれか１つにより実現できる。メモリ１２０に保存されたアプリケーションが行われ、ＢＭＳ１１０は、アプリケーションにより動作できる。つまり、メモリ１２０は、バッテリのモニタリングおよび管理に必要な複数のアプリケーションを保存できる。メモリ１２０で実行されるアプリケーションにより、ＢＭＳ１１０が駆動できる。例えば、メモリ１２０は、バッテリセル組立体の充電状態および寿命を推定するためのアプリケーション、バッテリセル組立体およびバッテリセルの電流、電圧、温度などの状態情報を検知するためのアプリケーションなどを含むことができる。また、メモリ１２０は、バッテリのセルバランシングを行うか、バッテリの充放電を制御するか、バッテリに対する保護動作を行うためのアプリケーションなどを含むことができる。つまり、ＢＭＳ１１０がバッテリセル組立体に関する状態情報を収集、処理およびバッテリセル組立体を管理するために必要な多様なアプリケーションがメモリ１２０に保存される。

先に説明したように、バッテリ装置１００が外部装置に電源を供給したり、外部装置から電力を受けたりするなどのためにウェイクアップすれば、メモリ１２０は、ＦＢＬ領域に誤りがあるかを検査する。その具体的な方式は、図１および図２を参照して説明した内容と同一であるので、詳しい説明は省略する。

バッテリセル組立体１３０は、電気的に連結されている複数のバッテリセルを含む。所定数のバッテリセルが直列連結されてバッテリモジュールを構成し、所定数のバッテリモジュールが直列および並列連結されて所望の電力を供給することができる。

バッテリセル組立体１３０を構成する複数のバッテリセルそれぞれは、ＢＭＳ１１０と複数の配線を介して電気的に連結されている。

リレー１４０、１５０は、リレーやｎチャネルタイプのトランジスタなどで実現可能であり、バッテリセル組立体１３０と外部装置との間に直列連結されている。リレー１４０、１５０それぞれは、ＢＭＳ１１０から供給される信号によって動作できる。

バッテリ装置１００のウェイクアップ後に、バッテリセル組立体の充電状態推定のためのバッテリの状態情報を検知するためのアプリケーションがＢＭＳ１１０で実行できる。メモリ１２０に保存されたアプリケーションの一例として、メモリ１２０でバッテリセル組立体の充電状態（ＳｔａｔｅｏｆＣｈａｒｇｅ、ＳＯＣ）を推定するためのアプリケーションについて説明する。

具体的には、メモリ１２０に保存された複数のアプリケーションのうちＳＯＣ推定アプリケーションが行われると、ＢＭＳ１１０は、アプリケーションによりＳＯＣを推定する。ＳＯＣの推定方式はアプリケーションにより決定される。

一例として、ＳＯＣ推定アプリケーションは、第１バッテリモデリング方式を利用してＳＯＣを推定でき（以下、第１ＳＯＣ）、第２バッテリモデリング方式を利用するＳＯＣを推定でき（以下、第２ＳＯＣ）、第１および第２バッテリモデリング方式は互いに異なってもよい。バッテリモデリング方式は、非線形的な特性を有するバッテリの状態を推定するために利用されるバッテリモデリング方法であって、電気回路モデル（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＣｉｒｃｕｉｔＭｏｄｅｌ）、電気化学モデル（ＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＭｏｄｅｌ）、分析的モデル（ＡｎａｌｙｔｉｃａｌＭｏｄｅｌ）および確率的モデル（ＳｔｏｃｈａｓｔｉｃＭｏｄｅｌ）などが含まれる。

具体的には、ＢＭＳ１１０は、ＳＯＣ推定アプリケーションにより、第１バッテリモデリング方式として電気回路モデルを用いて直前段階で推定されたＳＯＣおよびバッテリセル組立体の状態情報に含まれている情報に基づいて現段階の第１ＳＯＣを推定できる。第２バッテリモデリング方式として電気化学モデルが利用可能である。

電気回路モデルは、電気回路で実現された等価回路でバッテリの入力および出力特性をモデリングする方法である。電気回路モデルは、ＳＯＣ推定のための演算過程が比較的簡単で演算による所要時間が長くなく、演算のための負荷が多くかからないという利点を有する。しかし、このような電気回路モデルの場合、正確性にやや劣る問題がある。

これに対し、電気化学モデルは、バッテリの内部で発生する化学的作用に基づいてバッテリの特性をモデリングする方法である。このような電気化学モデルの代表例として、ＤＦＮ（Ｄｏｙｌｅ−Ｆｕｌｌｅｒ−Ｎｅｗｍａｎ）モデルが挙げられる。ＤＦＮモデルは、多孔性の電極内に存在するリチウムイオン濃度の時空間的な変化、電位、インターカレーションキネティック、固体相と電解液相との間の電流密度などをモデリングすることができる。このような電気化学モデルは、正確性が非常に高いという利点を有する。

ＢＭＳ１１０は、ＳＯＣ推定アプリケーションによりＤＦＮモデルのような電気化学モデルを用いてバッテリセル組立体の状態情報に基づいた正確度の高いＳＯＣ推定値（第２ＳＯＣ）を得ることができる。そして、ＢＭＳ１１０は、ＳＯＣ推定アプリケーションによりこのように高い正確度を有するＳＯＣ推定結果（第２ＳＯＣ）を入力パラメータに反映することによって、ＳＯＣ（第１ＳＯＣ）推定の正確度を高めることができる。

例えば、ＢＭＳ１１０は、ＳＯＣ推定アプリケーションにより第２ＳＯＣ値を直前段階の第１ＳＯＣとして認識し、受信されたバッテリセル組立体の状態情報および直前段階の第１ＳＯＣを第１バッテリモデリング方式に適用して現段階の第１ＳＯＣを推定できる。すると、第１ＳＯＣ値が周期的に補正されて、第１ＳＯＣ推定の誤差が大きくなるのを周期的に防止でき、これによってＳＯＣ推定の正確性を向上させることができる。

以上、本発明の一実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。

図１には、ＢＵＭモジュール１１およびＦＢＬイメージ１２がアプリケーション領域１０に含まれていると示されているが、発明がこれに限定されるものではない。メモリ１において、アプリケーション領域１０およびＦＢＬ領域２０以外の領域（以下、外部領域という）に、ＢＵＭモジュール１１およびＦＢＬイメージ１２の少なくとも１つが位置してもよい。

図３に示されているように、ＢＵＭモジュール１１およびＦＢＬイメージ１２が外部領域に位置してもよい。

図４に示されているように、ＢＵＭモジュール１１は、アプリケーション領域１０に位置し、ＦＢＬイメージ１２は、外部領域に位置してもよい。

図５に示されているように、ＦＢＬイメージ１２は、アプリケーション領域１０に位置し、ＢＵＭモジュール１１は、外部領域に位置してもよい。

Claims

少なくとも１つのアプリケーションを保存するアプリケーション領域と、
前記アプリケーション領域をアップデートするためのコードを含むＦＢＬ（ＦｌａｓｈＢｏｏｔＬｏａｄｅｒ）領域と、
前記ＦＢＬ領域の欠陥が検知された後に活性化されて、前記ＦＢＬ領域を削除し、ＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報を前記ＦＢＬ領域に書き込んだ後、前記ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードが前記ＦＢＬイメージの二進コード情報と一致している場合、非活性化されるＢＵＭモジュールと、を含み、
前記ＦＢＬイメージおよび前記ＢＵＭモジュールは、前記アプリケーション領域に位置する、メモリ。
前記ＦＢＬ領域は、前記メモリを含む装置のウェイクアップに同期してブートローダーコードフラッシュ（ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒｃｏｄｅｆｌａｓｈ）の欠陥チェックを行う、請求項１に記載のメモリ。
前記ＢＵＭモジュールは、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していると判断すれば、非活性化される、請求項１または２に記載のメモリ。
前記ＢＵＭモジュールは、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していないと判断すれば、
前記ＦＢＬ領域を削除し、前記ＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報を前記ＦＢＬ領域に書き込んだ後、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致するかを判断する、請求項１から３のいずれか一項に記載のメモリ。
アプリケーション領域と、前記アプリケーション領域がアップデートのためのコードを含むＦＢＬ（ＦｌａｓｈＢｏｏｔＬｏａｄｅｒ）領域と、を有するメモリのエラー復旧方法において、
前記ＦＢＬ領域がウェイクアップに同期してブートローダーコードフラッシュ（ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒｃｏｄｅｆｌａｓｈ）の欠陥チェックを行う段階と、
前記欠陥チェックの結果、前記ＦＢＬ領域の欠陥を検知すれば、ＢＵＭ（ＢｏｏｔｌｏａｄｅｒＵｐｄａｔｅＭａｎａｇｅｒ）モジュールが活性化される段階と、
前記ＢＵＭモジュールが前記ＦＢＬ領域を削除する段階と、
前記ＢＵＭモジュールがＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報を前記ＦＢＬ領域に書き込む段階と、
前記ＢＵＭモジュールが、前記ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードが前記ＦＢＬイメージの二進コード情報と一致するかを判断する段階と、
前記判断により前記ＢＵＭモジュールが活性化または非活性化される段階と、を含み、
前記ＦＢＬイメージおよび前記ＢＵＭモジュールは、前記アプリケーション領域に位置する、メモリのエラー復旧方法。
前記ＦＢＬ領域のブートローダーコードフラッシュの欠陥チェック段階は、
前記ブートローダーコードフラッシュのチェックサムを用いる段階を含む、請求項５に記載のメモリのエラー復旧方法。
前記ＢＵＭモジュールが、前記ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードが前記ＦＢＬイメージの二進コード情報と一致するかを判断する段階は、
前記ＢＵＭモジュールが前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算する段階と、
前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとを比較する段階と、を含む、請求項５または６に記載のメモリのエラー復旧方法。
前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していれば、前記ＢＵＭモジュールは非活性化される段階をさらに含む、請求項６または７に記載のメモリのエラー復旧方法。
前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していなければ、
前記ＢＵＭモジュールが前記ＦＢＬ領域を削除する段階と、前記ＦＢＬイメージの二進コード情報を前記ＦＢＬ領域に書き込む段階と、前記ＢＵＭモジュールが、前記ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードが前記ＦＢＬイメージの二進コード情報と一致するかを判断する段階とを繰り返す、請求項６から８のいずれか一項に記載のメモリのエラー復旧方法。
複数のバッテリセルを有するバッテリセル組立体と、
前記バッテリセル組立体を管理するバッテリ管理システムと、を備え、
前記バッテリ管理システムは、前記バッテリセル組立体に関する状態情報を収集、処理および前記バッテリセル組立体を管理するために必要な多様なアプリケーションを含むメモリを有し、
前記メモリは、
少なくとも１つのアプリケーションを保存するアプリケーション領域と、
前記アプリケーション領域をアップデートするためのコードを含むＦＢＬ（ＦｌａｓｈＢｏｏｔＬｏａｄｅｒ）領域と、
前記ＦＢＬ領域の欠陥が検知された後に活性化されて、前記ＦＢＬ領域を削除し、ＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報を前記ＦＢＬ領域に書き込んだ後、前記ＦＢＬ領域に書き込まれた二進コードが前記ＦＢＬイメージの二進コード情報と一致している場合、非活性化されるＢＵＭモジュールと、を含み、
前記ＦＢＬイメージおよび前記ＢＵＭモジュールは、前記アプリケーション領域に位置する、バッテリ装置。
前記ＦＢＬ領域は、前記メモリを含む装置のウェイクアップに同期してブートローダーコードフラッシュ（ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒｃｏｄｅｆｌａｓｈ）の欠陥チェックを行う、請求項１０に記載のバッテリ装置。
前記ＢＵＭモジュールは、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していると判断すれば、非活性化される、請求項１０または１１に記載のバッテリ装置。
前記ＢＵＭモジュールは、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致していないと判断すれば、
前記ＦＢＬ領域を削除し、前記ＦＢＬイメージの二進（ｂｉｎａｒｙ）コード情報を前記ＦＢＬ領域に書き込んだ後、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサムを計算し、前記ＦＢＬ領域に書き込んだ二進コードのチェックサム計算値と前記ＦＢＬイメージの二進コードに対するチェックサム計算値である基準チェックサムとが一致するかを判断する、請求項１０から１２のいずれか一項に記載のバッテリ装置。