JP2022500831A - 高スループットイオンビーム処理のための抽出装置及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 複数のイオンビームを抽出するためのイオン抽出光学系であって、
切り欠き領域を画定する抽出プレートであって、前記切り欠き領域が、第1の方向に沿って延在する、抽出プレート、及び
前記切り欠き領域と重なり合うように配置され、前記第1の方向に沿って、前記抽出プレートに対して摺動可能に移動することができる摺動可能なインサート
を備え、前記摺動可能なインサート及び前記切り欠き領域が、第1の開口及び第2の開口を画定する、イオン抽出光学系。 - 前記抽出プレートが、第1の材料を含み、前記摺動可能なインサートが、前記第1の材料を含む、請求項1に記載のイオン抽出光学系。
- 前記抽出プレートが、前記切り欠きの第1の縁及び前記切り欠きの第2の縁に配置された一対の凹部を備え、前記一対の凹部が、前記摺動可能なインサートを受け入れるように配置され、前記摺動可能なインサート及び前記抽出プレートが、前記イオン抽出光学系の外側の共通平面に配置される、請求項1に記載のイオン抽出光学系。
- 前記摺動可能なインサートが、前記一対の凹部に隣り合って配置された複数の細長いスロットをさらに含み、前記イオン抽出光学系が、一対の連結器をさらに含み、前記一対の連結器が、一対の前記細長いスロットのそれぞれの中に配置され、前記摺動可能なインサートを前記抽出プレートに機械的に連結する、請求項3に記載のイオン抽出光学系。
- 前記第1の開口の第1の部分と重なり合うように配置された第1のビームブロッカであって、当該第1のビームブロッカ及び前記第1の開口が、第1の抽出スリット及び第2の抽出スリットを画定する、第1のビームブロッカ、並びに
前記第2の開口の第2の部分と重なり合うように配置された第2のビームブロッカであって、当該第2のビームブロッカ及び前記第2の開口が、第3の抽出スリット及び第4の抽出スリットを画定する、第2のビームブロッカ
をさらに備えている、請求項1に記載のイオン抽出光学系。 - 弾性取り付けアセンブリをさらに備え、前記弾性取り付けアセンブリが、前記第1のビームブロッカ及び前記第2のビームブロッカを前記抽出プレートに連結する複数の弾性マウントを備えている、請求項5に記載のイオン抽出光学系。
- 前記第1のビームブロッカ及び前記第2のビームブロッカが、前記抽出プレートの第1の側に配置され、前記摺動可能なインサートが、前記第1の側とは反対側の前記抽出プレートの第2の側に配置される、請求項5に記載のイオン抽出光学系。
- 前記第1のビームブロッカ及び前記第2のビームブロッカが、前記抽出プレートの前記第1の側に面する凹面形状の断面を備えている、請求項7に記載のイオン抽出光学系。
- 前記抽出プレートが、導電性材料を含み、前記第1のビームブロッカ及び前記第2のビームブロッカが、電気絶縁体を含む、請求項5に記載のイオン抽出光学系。
- 処理装置であって、
プラズマを収容するように配置されたプラズマチャンバ、
前記プラズマチャンバの側部に沿って配置された抽出プレートであって、切り欠き領域を画定する抽出プレート、
摺動可能なインサートであって、当該摺動可能なインサートが、前記切り欠き領域と重なり合うように配置され、第1の方向に沿って延在し、前記第1の方向に沿って摺動可能に移動することができ、当該摺動可能なインサート及び前記切り欠き領域が、第1の開口及び第2の開口を画定する、摺動可能なインサート、
前記第1の開口と重なり合うように配置された第1のビームブロッカであって、前記第1のビームブロッカ及び前記第1の開口が、第1の抽出スリット及び第2の抽出スリットを画定する、第1のビームブロッカ、並びに
前記第2の開口と重なり合うように配置された第2のビームブロッカであって、当該第2のビームブロッカ及び前記第2の開口が、第3の抽出スリット及び第4の抽出スリットを画定する、第2のビームブロッカ
を備えている、処理装置。 - 前記抽出プレートが、前記切り欠きの第1の縁及び前記切り欠きの第2の縁に配置された一対の凹部を備え、前記一対の凹部が、前記摺動可能なインサートを受け入れるように配置され、前記摺動可能なインサート及び前記抽出プレートが、共通平面に配置される、請求項10に記載の処理装置。
- 前記第1の開口の第1の部分と重なり合うように配置された第1のビームブロッカであって、当該第1のビームブロッカ及び前記第1の開口が、第1の抽出スリット及び第2の抽出スリットを画定する、第1のビームブロッカ、並びに
前記第2の開口の第2の部分と重なり合うように配置された第2のビームブロッカであって、当該第2のビームブロッカ及び前記第2の開口が、第3の抽出スリット及び第4の抽出スリットを画定する、第2のビームブロッカ
をさらに備えている、請求項10に記載の処理装置。 - 前記第1のビームブロッカ及び前記第2のビームブロッカが、前記抽出プレートの第1の側に面する凹面形状の断面を備え、前記第1の側が、前記プラズマチャンバに隣接する、請求項10に記載の処理装置。
- 複数のイオンビームを抽出するためのイオン抽出光学系であって、
切り欠き領域を画定する抽出プレートであって、前記切り欠き領域が、第1の方向に沿って延在する、抽出プレート、及び
前記切り欠き領域と重なり合うように配置され、前記第1の方向に沿って、前記抽出プレートに対して摺動可能に移動することができるN個の摺動可能なインサートであって、当該N個の摺動可能インサートが、前記切り欠き領域内においてN+1個の抽出開口を画定し、Nは整数である、N個の摺動可能なインサート
を備えている、イオン抽出光学系。 - 前記N+1個の抽出開口と重なり合うように配置されたN+1個のビームブロッカをさらに備え、前記N+1個のビームブロッカが、2(N+1)個の抽出スリットを画定する、請求項14に記載のイオン抽出光学系。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/138,343 | 2018-09-21 | ||
US16/138,343 US10468226B1 (en) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | Extraction apparatus and system for high throughput ion beam processing |
PCT/US2019/046123 WO2020060693A1 (en) | 2018-09-21 | 2019-08-12 | Extraction apparatus and system for high throughput ion beam processing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022500831A true JP2022500831A (ja) | 2022-01-04 |
JP7125549B2 JP7125549B2 (ja) | 2022-08-24 |
Family
ID=68391825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021514991A Active JP7125549B2 (ja) | 2018-09-21 | 2019-08-12 | 高スループットイオンビーム処理のための抽出装置及びシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10468226B1 (ja) |
JP (1) | JP7125549B2 (ja) |
KR (1) | KR102565807B1 (ja) |
CN (1) | CN112689882B (ja) |
TW (1) | TWI760637B (ja) |
WO (1) | WO2020060693A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2018
- 2018-09-21 US US16/138,343 patent/US10468226B1/en active Active
-
2019
- 2019-08-12 KR KR1020217011364A patent/KR102565807B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-12 WO PCT/US2019/046123 patent/WO2020060693A1/en active Application Filing
- 2019-08-12 JP JP2021514991A patent/JP7125549B2/ja active Active
- 2019-08-12 CN CN201980059434.XA patent/CN112689882B/zh active Active
- 2019-09-09 TW TW108132403A patent/TWI760637B/zh active
- 2019-09-23 US US16/578,847 patent/US11127556B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112689882B (zh) | 2023-11-28 |
TW202036637A (zh) | 2020-10-01 |
TWI760637B (zh) | 2022-04-11 |
KR102565807B1 (ko) | 2023-08-10 |
CN112689882A (zh) | 2021-04-20 |
US10468226B1 (en) | 2019-11-05 |
US20200098540A1 (en) | 2020-03-26 |
KR20210048567A (ko) | 2021-05-03 |
JP7125549B2 (ja) | 2022-08-24 |
US11127556B2 (en) | 2021-09-21 |
WO2020060693A1 (en) | 2020-03-26 |
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Legal Events
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