JP2022180669A

JP2022180669A - Gas component detection device

Info

Publication number: JP2022180669A
Application number: JP2019193606A
Authority: JP
Inventors: 芳彦白石; Yoshihiko Shiraishi; 直樹長谷川; Naoki Hasegawa; 万織柴田; Mari Shibata
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2019-10-24
Filing date: 2019-10-24
Publication date: 2022-12-07
Also published as: WO2021080003A1

Abstract

To provide a gas component detection device with which safety can be improved.SOLUTION: The gas component detection device comprises: a heat flow sensor 36 for outputting a detection signal that corresponds to a heat flow rate in a gas passage; a pressure sensor for outputting a detection signal that corresponds to the pressure in the gas passage; and a control unit for calculating a change amount of heat flow rate when the heat flow rate of a mixed gas has cyclically changed in the gas passage, on the basis of the detection signal of the heat flow sensor 36, as well as calculating a change amount of press pressure when the pressure of the mixed gas has cyclically changed in the gas passage, and calculating the concentration of a specific gas in the mixed gas on the basis of a correlation between the calculated change amount of heat flow rate and change amount of pressure. The heat flow sensor 36 is constituted so as to include a sensor unit 310 for outputting a detection signal that corresponds to the heat flow rate of the mixed gas while a current is cut off.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、ガス成分検出装置に関するものである。 The present invention relates to a gas component detection device.

従来より、混合ガスに含まれる１種類のガスの濃度を検出するガス成分検出装置が提案されている。例えば、特許文献１には、混合ガスの熱流量の変化量と圧力の変化量との相関に基づいて混合ガスに含まれる１種類のガスの濃度を算出する方法が提案されている。なお、熱流量の変化量は、熱流量センサの検出結果に基づいて算出され、熱流量センサは、熱流量を検知する部分が混合ガスに晒された状態で配置されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, there has been proposed a gas component detection device that detects the concentration of one kind of gas contained in a mixed gas. For example, Patent Literature 1 proposes a method of calculating the concentration of one type of gas contained in a mixed gas based on the correlation between the amount of change in heat flow and the amount of change in pressure of the mixed gas. The amount of change in the heat flow is calculated based on the detection result of the heat flow sensor, and the heat flow sensor is arranged in a state where the portion that detects the heat flow is exposed to the mixed gas.

特開２０１７－９０３１７号公報JP 2017-90317 A

この場合、上記のように熱流量センサは、混合ガスに晒された状態で配置される。このため、熱流量センサが故障した際に火花等が発生する可能性がある場合、安全性が懸念される。 In this case, the thermal flow sensor is arranged in a state exposed to the mixed gas as described above. Therefore, if there is a possibility that sparks or the like may be generated when the heat flow sensor fails, there is a concern about safety.

本発明は上記点に鑑み、安全性を向上できるガス成分検出装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a gas component detection device capable of improving safety.

上記目的を達成するための請求項１では、ガス流路（３５ａ）内を流れる、熱伝導率の異なる少なくとも２種類のガスが混合された混合ガスのうちの特定ガスのガス濃度を検出するガス成分検出装置であって、ガス流路内の熱流量に応じた検出信号を出力する熱流量センサ（３６）と、ガス流路内の圧力に応じた検出信号を出力する圧力センサ（３７）と、混合ガスの熱流量がガス流路内で周期的に変化した際の熱流量の変化量を熱流量センサの検出信号に基づいて算出すると共に、混合ガスの圧力がガス流路内で周期的に変化した際の圧力の変化量を圧力センサの検出信号に基づいて算出し、算出した熱流量の変化量と圧力の変化量との相関に基づいて混合ガスのうちの特定ガスの濃度を算出する制御部（４０）と、を備え、熱流量センサは、電流が遮断されている状態において、混合ガスの熱流量に応じた検出信号を出力するセンサ部（３１０）を有する構成とされている。 In claim 1 for achieving the above object, a gas for detecting the gas concentration of a specific gas in a mixed gas in which at least two kinds of gases having different thermal conductivities are mixed flowing in a gas flow path (35a) is provided. A component detection device comprising a heat flow sensor (36) that outputs a detection signal corresponding to the heat flow in the gas flow path, and a pressure sensor (37) that outputs a detection signal corresponding to the pressure in the gas flow path. , the amount of change in the heat flow when the heat flow of the mixed gas changes periodically in the gas flow path is calculated based on the detection signal of the heat flow sensor, and the pressure of the mixed gas is periodically changed in the gas flow path. Calculate the amount of pressure change based on the detection signal of the pressure sensor, and calculate the concentration of the specific gas in the mixed gas based on the correlation between the calculated amount of change in heat flow and the amount of pressure change. and a control unit (40) for controlling the heat flow rate, and the heat flow sensor has a sensor unit (310) that outputs a detection signal corresponding to the heat flow rate of the mixed gas when the current is cut off. .

これによれば、熱流量センサは、電流が遮断されている状態において、熱流量に応じた検出信号を出力する構成とされている。このため、仮に熱流量センサが故障したとしても、火花等が発生することを抑制できる。したがって、安全性の向上を図ることができる。 According to this, the heat flow sensor is configured to output a detection signal corresponding to the heat flow while the current is interrupted. Therefore, even if the heat flow sensor fails, it is possible to suppress the generation of sparks or the like. Therefore, it is possible to improve safety.

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。 It should be noted that the reference numerals in parentheses attached to each component etc. indicate an example of the correspondence relationship between the component etc. and specific components etc. described in the embodiments described later.

第１実施形態における燃料電池システムの全体構成を示す図である。It is a figure showing the whole fuel cell system composition in a 1st embodiment. 第１実施形態における燃料電池セルの模式的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a fuel cell in a first embodiment; FIG. 第１実施形態における燃料電池セルの内部の構造を示す模式的な断面図である。2 is a schematic cross-sectional view showing the internal structure of the fuel cell in the first embodiment; FIG. 図１に示す気液分離器の内部構造を示す模式図である。2 is a schematic diagram showing the internal structure of the gas-liquid separator shown in FIG. 1. FIG. 第１実施形態における熱流量センサの断面図である。It is a sectional view of a heat flow sensor in a 1st embodiment. 図５に示すモールド部材の平面図である。Figure 6 is a plan view of the mold member shown in Figure 5; 図６中のVII－VIIに沿った断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view along VII-VII in FIG. 6; 水素ガスの濃度、熱流量変化率、温度の関係を示す図である。FIG. 4 is a graph showing the relationship between hydrogen gas concentration, heat flow change rate, and temperature. 第２実施形態におけるセンサ部の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the sensor part in 2nd Embodiment. 第２実施形態の変形例におけるセンサ部の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the sensor part in the modification of 2nd Embodiment. 第３実施形態におけるセンサ部の断面図である。It is a cross-sectional view of a sensor unit in the third embodiment. 第４実施形態におけるセンサ部の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor section in a fourth embodiment; 第４実施形態におけるモールド部材近傍の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of a mold member in a fourth embodiment; 第５実施形態におけるモールド部材近傍の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of a mold member in a fifth embodiment; 第６実施形態におけるモールド部材近傍の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of a mold member in the sixth embodiment;

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each of the following embodiments, portions that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、ガス成分検出装置を燃料電池システムに適用した例について説明する。なお、本実施形態の燃料電池システムは、電気自動車の一種である燃料電池車両に適用されると好適である。 (First embodiment)
A first embodiment will be described with reference to the drawings. In this embodiment, an example in which a gas component detection device is applied to a fuel cell system will be described. It should be noted that the fuel cell system of this embodiment is preferably applied to a fuel cell vehicle, which is a type of electric vehicle.

本実施形態の燃料電池システムは、図１に示されるように、燃料電池１０を備える制御システムである。燃料電池１０は、水素ガスと空気に含まれる酸素ガスの電気化学反応を利用して電気エネルギを出力するものである。本実施形態では、燃料電池１０として固体高分子型燃料電池を採用している。 The fuel cell system of this embodiment is a control system including a fuel cell 10, as shown in FIG. The fuel cell 10 uses an electrochemical reaction between hydrogen gas and oxygen gas contained in air to output electrical energy. In this embodiment, a polymer electrolyte fuel cell is adopted as the fuel cell 10 .

燃料電池１０は、発電により発生した直流電力を図示しないＤＣ－ＤＣコンバータを介して、主に車両走行用電動モータや二次電池といった電気負荷に供給する。 The fuel cell 10 supplies DC power generated by power generation to electric loads such as an electric motor for vehicle travel and a secondary battery via a DC-DC converter (not shown).

本実施形態の燃料電池１０は、最小単位となる燃料電池セル１０ａが複数積層されたスタック構造とされており、複数の燃料電池セル１０ａを電気的に直列接続した直列接続体として構成されている。 The fuel cell 10 of the present embodiment has a stack structure in which a plurality of fuel cells 10a, which are the minimum unit, are stacked, and is configured as a series connection body in which the plurality of fuel cells 10a are electrically connected in series. .

複数の燃料電池セル１０ａは、図２に示されるように、電解質膜１０１の両側を一対の触媒層１０２ａ、１０２ｂで挟んで構成される膜電極接合体１００、膜電極接合体１００の両側に配置された一対の拡散層１０３ａ、１０３ｂ、これらを挟持するセパレータ１１０で構成されている。 As shown in FIG. 2, the plurality of fuel cells 10a are arranged on both sides of the membrane electrode assembly 100, which is constructed by sandwiching an electrolyte membrane 101 between a pair of catalyst layers 102a and 102b. It is composed of a pair of diffusion layers 103a and 103b and a separator 110 sandwiching them.

電解質膜１０１は、含水性を有する炭化フッ素系や炭化水素系等の高分子材料により形成されたプロトン伝導性のイオン交換膜である。 The electrolyte membrane 101 is a proton-conducting ion-exchange membrane made of a fluorocarbon-based, hydrocarbon-based, or other polymeric material having water absorption.

一対の触媒層１０２ａ、１０２ｂは、それぞれ電極を構成するものであり、アノード電極を構成するアノード側触媒層１０２ａ、およびカソード電極を構成するカソード側触媒層１０２ｂで構成されている。各触媒層１０２ａ、１０２ｂは、図３に示されるように、触媒作用を発揮する白金粒子等の物質１０２ｃ、当該物質１０２ｃを担持する担持カーボン１０２ｄ、担持カーボン１０２ｄを被覆するアイオノマー（すなわり、電解質ポリマー）１０２ｅで構成されている。 The pair of catalyst layers 102a and 102b respectively constitute electrodes, and are composed of an anode side catalyst layer 102a constituting an anode electrode and a cathode side catalyst layer 102b constituting a cathode electrode. As shown in FIG. 3, each of the catalyst layers 102a and 102b includes a substance 102c such as platinum particles that exerts a catalytic action, a supported carbon 102d that supports the substance 102c, and an ionomer that coats the supported carbon 102d (that is, electrolyte polymer) 102e.

拡散層１０３ａ、１０３ｂは、反応ガスを各触媒層１０２ａ、１０２ｂへ拡散させるものであり、ガス透過性および電子伝導性を有する多孔質部材で構成されている。多孔質部材としては、例えば、カーボンペーパーやカーボンクロス等が用いられる。 Diffusion layers 103a and 103b are for diffusing reaction gas to catalyst layers 102a and 102b, and are made of porous members having gas permeability and electron conductivity. For example, carbon paper, carbon cloth, or the like is used as the porous member.

セパレータ１１０は、例えば、導電性を有するカーボンや金属等の基材で構成されている。各セパレータ１１０には、アノード側触媒層１０２ａに対向する部分に、水素ガスが流れる水素流路１１１が形成され、カソード側触媒層１０２ｂに対向する部分に、空気が流れる空気流路１１２が形成されている。 The separator 110 is made of, for example, a conductive base material such as carbon or metal. Each separator 110 has a hydrogen channel 111 through which hydrogen gas flows in a portion facing the anode-side catalyst layer 102a, and an air channel 112 through which air flows in a portion facing the cathode-side catalyst layer 102b. ing.

そして、各燃料電池セル１０ａでは、それぞれ、水素流路１１１内に水素ガスが供給され、空気流路１１２に空気が供給される。この場合、複数の燃料電池セル１０ａは、それぞれ、以下に示すように、水素流路１１１内の水素ガスおよび空気流路１１２内の酸素ガスの電気化学反応により、電気エネルギを出力する。 In each fuel cell 10 a , hydrogen gas is supplied to the hydrogen channel 111 and air is supplied to the air channel 112 . In this case, each of the plurality of fuel cells 10a outputs electrical energy through an electrochemical reaction between hydrogen gas in the hydrogen channel 111 and oxygen gas in the air channel 112, as described below.

（アノード側）Ｈ_２→２Ｈ＋＋２ｅ^－
（カソード側）２Ｈ^＋＋１／２Ｏ_２＋２ｅ^－→Ｈ_２Ｏ
燃料電池１０には、空気入口部および空気出口部が設けられている。空気入口部は、複数の燃料電池セル１０ａの空気流路１１２に空気を供給するガス入口部を構成している。空気出口部は、複数の燃料電池セル１０ａの空気流路１１２から生成水や不純物を空気と共に排出させるガス出口部を構成している。 (Anode side) H ₂ →2H++2e ⁻
(Cathode side) 2H ⁺ +1/2O ₂ +2e ⁻ →H ₂ O
The fuel cell 10 is provided with an air inlet and an air outlet. The air inlet section constitutes a gas inlet section that supplies air to the air flow paths 112 of the plurality of fuel cells 10a. The air outlet constitutes a gas outlet for discharging generated water and impurities together with air from the air flow paths 112 of the plurality of fuel cells 10a.

燃料電池１０には、空気入口部に空気を供給するための空気供給配管２０が接続されると共に、空気出口部から生成水や不純物を空気と共に外部へ排出するための空気排出配管２１が接続されている。 The fuel cell 10 is connected to an air supply pipe 20 for supplying air to the air inlet, and is connected to an air discharge pipe 21 for discharging generated water and impurities together with the air from the air outlet. ing.

空気供給配管２０は、その最上流部に大気中から吸入した空気を燃料電池１０に圧送するための空気ポンプ２２が設けられている。空気ポンプ２２は、空気を圧送する圧縮機構と圧縮機構を駆動する電動モータからなる電動ポンプである。 The air supply pipe 20 is provided with an air pump 22 for pressure-feeding the air sucked from the atmosphere to the fuel cell 10 at the most upstream portion thereof. The air pump 22 is an electric pump including a compression mechanism for pumping air and an electric motor for driving the compression mechanism.

そして、空気供給配管２０における空気ポンプ２２と燃料電池１０との間には、燃料電池１０に供給される空気の圧力を調整する空気調圧弁２３が設けられている。空気調圧弁２３は、空気供給配管２０のうち空気が流通する空気流路の開度を調整する弁体と、この弁体を駆動する電動アクチュエータとから構成されている。 An air pressure regulating valve 23 is provided between the air pump 22 and the fuel cell 10 in the air supply pipe 20 to adjust the pressure of the air supplied to the fuel cell 10 . The air pressure regulating valve 23 is composed of a valve body that adjusts the opening degree of the air flow path through which air flows in the air supply pipe 20, and an electric actuator that drives the valve body.

また、空気排出配管２１には、燃料電池１０内部に存する生成水や不純物等を空気と共に外部へ排出するための電磁弁２４が設けられている。電磁弁２４は、空気排出配管２１のうち空気が排出される空気排出路の開度を調整する弁体と、この弁体を駆動する電動アクチュエータとから構成されている。 Further, the air discharge pipe 21 is provided with an electromagnetic valve 24 for discharging generated water, impurities, etc. present inside the fuel cell 10 to the outside together with the air. The solenoid valve 24 is composed of a valve body for adjusting the opening degree of the air discharge passage through which air is discharged from the air discharge pipe 21, and an electric actuator for driving the valve body.

燃料電池１０には、水素入口部１２ａおよび水素出口部１２ｂが設けられている。水素入口部１２ａは、複数の燃料電池セル１０ａの水素流路１１１に水素ガスを供給するガス入口部を構成している。水素出口部１２ｂは、複数の燃料電池セル１０ａの水素流路１１１から未反応水素ガス等を排出させるガス出口部を構成している。未反応水素ガスは、燃料電池１０に供給される水素ガスのうち電気化学反応が行われた水素ガス以外の残りの水素ガスである。 The fuel cell 10 is provided with a hydrogen inlet 12a and a hydrogen outlet 12b. The hydrogen inlet portion 12a constitutes a gas inlet portion that supplies hydrogen gas to the hydrogen flow paths 111 of the plurality of fuel cells 10a. The hydrogen outlet portion 12b constitutes a gas outlet portion for discharging unreacted hydrogen gas and the like from the hydrogen flow paths 111 of the plurality of fuel cells 10a. The unreacted hydrogen gas is the remaining hydrogen gas other than the electrochemically reacted hydrogen gas among the hydrogen gases supplied to the fuel cell 10 .

燃料電池１０には、水素入口部１２ａに水素を供給するための水素供給流路を有する水素供給配管３０が接続されると共に、水素出口部１２ｂから微量な未反応水素等を外部へ排出するための水素排出流路を備える水素排出配管３１が接続されている。 A hydrogen supply pipe 30 having a hydrogen supply channel for supplying hydrogen to the hydrogen inlet portion 12a is connected to the fuel cell 10, and a small amount of unreacted hydrogen or the like is discharged to the outside from the hydrogen outlet portion 12b. A hydrogen discharge pipe 31 having a hydrogen discharge passage of .

水素供給配管３０の最上流部には、高圧水素が充填された高圧水素タンク（すなわち、供給装置）３２が設けられている。高圧水素タンク３２は、燃料電池１０に供給する水素ガスを蓄える。 A high-pressure hydrogen tank (that is, a supply device) 32 filled with high-pressure hydrogen is provided at the most upstream portion of the hydrogen supply pipe 30 . The high-pressure hydrogen tank 32 stores hydrogen gas to be supplied to the fuel cell 10 .

水素供給配管３０における高圧水素タンク３２と燃料電池１０との間には、燃料電池１０に供給される水素の圧力を調整する水素調圧弁３３がガス流量調整部として設けられている。水素調圧弁３３は、水素供給配管３０のうち水素供給流路の開度を調整する弁体と、この弁体を駆動する電動アクチュエータとから構成されている電磁弁である。 Between the high-pressure hydrogen tank 32 and the fuel cell 10 in the hydrogen supply pipe 30, a hydrogen pressure regulating valve 33 for regulating the pressure of hydrogen supplied to the fuel cell 10 is provided as a gas flow rate regulating section. The hydrogen pressure regulating valve 33 is an electromagnetic valve composed of a valve body that adjusts the opening degree of the hydrogen supply channel in the hydrogen supply pipe 30 and an electric actuator that drives the valve body.

水素排出配管３１には、微量な未反応水素等を外部へ排出するための電磁弁３４が設けられている。電磁弁３４は、水素排出配管３１のうち水素排出流路の開度を調整する弁体と、この弁体を駆動する電動アクチュエータとから構成されている。 The hydrogen discharge pipe 31 is provided with an electromagnetic valve 34 for discharging a small amount of unreacted hydrogen or the like to the outside. The solenoid valve 34 is composed of a valve body for adjusting the opening degree of the hydrogen discharge channel in the hydrogen discharge pipe 31 and an electric actuator for driving the valve body.

水素排出配管３１において電磁弁３４および燃料電池１０の間には、図４に示されるように、気液分離器３５が設けられている。以下、本実施形態の気液分離器３５の構成について説明する。 A gas-liquid separator 35 is provided between the solenoid valve 34 and the fuel cell 10 in the hydrogen discharge pipe 31, as shown in FIG. The configuration of the gas-liquid separator 35 of this embodiment will be described below.

気液分離器３５は、水素排出配管３１ａ、３１ｂの間で排ガスを流通させる排ガス流路３５ａを構成する。本実施形態の排ガスは、少なくとも水素ガス、窒素ガスを含む混合ガスである。 The gas-liquid separator 35 constitutes an exhaust gas passage 35a through which the exhaust gas flows between the hydrogen discharge pipes 31a and 31b. The exhaust gas of this embodiment is a mixed gas containing at least hydrogen gas and nitrogen gas.

ここで、水素排出配管３１のうち気液分離器３５に対して排ガスの流れ方向上流側を水素排出配管３１ａとし、水素排出配管３１のうち気液分離器３５に対して排ガスの流れ方向下流側を水素排出配管３１ｂとする。 Here, the upstream side of the gas-liquid separator 35 in the flow direction of the exhaust gas in the hydrogen discharge pipe 31 is designated as a hydrogen discharge pipe 31a, and the downstream side of the gas-liquid separator 35 in the flow direction of the exhaust gas in the hydrogen discharge pipe 31 is used. is a hydrogen discharge pipe 31b.

気液分離器３５のうち水素排出配管３１ａに接続される入口は、気液分離器３５のうち水素排出配管３１ｂに接続される出口に対して天地方向下側に配置されている。気液分離器３５のうち底部３５ｊには、排水を排出する排出口３１ｃが設けられている。 The inlet of the gas-liquid separator 35 connected to the hydrogen discharge pipe 31a is arranged below the outlet of the gas-liquid separator 35 connected to the hydrogen discharge pipe 31b in the vertical direction. A bottom portion 35j of the gas-liquid separator 35 is provided with a discharge port 31c for discharging waste water.

気液分離器３５内には、邪魔板３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅが設けられている。邪魔板３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅは、排ガス流路３５ａを蛇行させるように形成されている。 In the gas-liquid separator 35, baffle plates 35b, 35c, 35d, and 35e are provided. The baffle plates 35b, 35c, 35d, and 35e are formed so as to meander the exhaust gas flow path 35a.

具体的には、邪魔板３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅは、それぞれ、天地方向にオフセットして配置されている。邪魔板３５ｂ、３５ｄは、それぞれ、右側側壁３５ｆから突起するように形成されている。邪魔板３５ｃ、３５ｅは、それぞれ、左側側壁３５ｇから突起するように形成されている。 Specifically, the baffle plates 35b, 35c, 35d, and 35e are arranged offset in the vertical direction. The baffle plates 35b and 35d are each formed to protrude from the right side wall 35f. The baffle plates 35c and 35e are each formed to protrude from the left side wall 35g.

以上が本実施形態における気液分離器３５の構成である。そして、このような気液分離器３５には、水素排出配管３１ａから排ガスに排水が混ざった状態で流れ込む。この場合、邪魔板３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅが気液分離器３５に配置されているため、排水は、邪魔板３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅを伝って床側に設けられた排出口３１ｃから排出される。一方、排ガスは、排ガス流路３５ａを通過して水素排出配管３１ｂに流れる。つまり、排ガスおよび排水は、邪魔板３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅによって分離され、排ガスが水素排出配管３１ｂに流れつつ、排水が排出口３１ｃから排出される。 The above is the configuration of the gas-liquid separator 35 in this embodiment. Then, exhaust gas mixed with waste water flows into the gas-liquid separator 35 from the hydrogen discharge pipe 31a. In this case, since the baffle plates 35b, 35c, 35d, and 35e are arranged in the gas-liquid separator 35, the water drains through the baffle plates 35b, 35c, 35d, and 35e from the outlet 31c provided on the floor side. Ejected. On the other hand, the exhaust gas passes through the exhaust gas channel 35a and flows to the hydrogen discharge pipe 31b. That is, the exhaust gas and the waste water are separated by the baffle plates 35b, 35c, 35d, and 35e, and the waste water is discharged from the discharge port 31c while the exhaust gas flows into the hydrogen discharge pipe 31b.

そして、気液分離器３５内には、熱流量センサ３６、圧力センサ３７、および温度センサ３８が設けられている。熱流量センサ３６、圧力センサ３７、および温度センサ３８は、気液分離器３５のうち邪魔板３５ｂと天井３５ｈとの間において、排ガスの流れ方向の最下流側に配置されている。つまり、熱流量センサ３６、圧力センサ３７、および温度センサ３８は、本実施形態では、排ガスの流れ方向に直交する右側側壁３５ｆに配置されている。 A heat flow sensor 36 , a pressure sensor 37 and a temperature sensor 38 are provided inside the gas-liquid separator 35 . The heat flow sensor 36, the pressure sensor 37, and the temperature sensor 38 are arranged in the gas-liquid separator 35 between the baffle plate 35b and the ceiling 35h on the most downstream side in the exhaust gas flow direction. That is, the heat flow sensor 36, the pressure sensor 37, and the temperature sensor 38 are arranged on the right side wall 35f orthogonal to the flow direction of the exhaust gas in this embodiment.

熱流量センサ３６は、排ガス流路３５ａ内の熱流量を検出するセンサである。ここで、本実施形態の熱流量センサ３６の構成について、図５～図７を参照しつつ具体的に説明する。本実施形態の熱流量センサ３６は、モールド部材３００、コネクタケース８００、ハウジング９００等を備えた構成とされている。 The heat flow sensor 36 is a sensor that detects the heat flow in the exhaust gas passage 35a. Here, the configuration of the heat flow sensor 36 of this embodiment will be specifically described with reference to FIGS. 5 to 7. FIG. The heat flow sensor 36 of this embodiment is configured to include a molded member 300, a connector case 800, a housing 900, and the like.

まず、モールド部材３００の構成について、説明する。モールド部材３００は、図５および図６に示されるように、センサ部３１０、回路部５００、リードフレーム６００、これらを封止するモールド樹脂７００等を有している。 First, the configuration of the mold member 300 will be described. As shown in FIGS. 5 and 6, the mold member 300 has a sensor section 310, a circuit section 500, a lead frame 600, a mold resin 700 for sealing them, and the like.

センサ部３１０は、図６および図７に示されるように、一面３２０ａおよび他面３２０ｂを有し、矩形板状とされたシリコン等の半導体基板で構成されるセンサ基板３２０を有している。そして、センサ基板３２０には、他面３２０ｂ側から凹部３２１が形成されている。本実施形態では、凹部３２１は、後述する下地膜３３０に達するように形成されている。なお、図６では、センサ基板３２０の一面３２０ａ上に配置される後述の保護膜４２０等を省略して示している。 As shown in FIGS. 6 and 7, the sensor unit 310 has a sensor substrate 320 which has one surface 320a and the other surface 320b and which is made of a rectangular semiconductor substrate such as silicon. A recess 321 is formed in the sensor substrate 320 from the side of the other surface 320b. In this embodiment, the recess 321 is formed to reach a base film 330, which will be described later. Note that FIG. 6 omits a protective film 420, which will be described later, which is arranged on one surface 320a of the sensor substrate 320, and the like.

センサ基板３２０の一面３２０ａには、下地膜３３０が形成されている。本実施形態では、下地膜３３０は、酸化膜等で構成される第１絶縁膜３３１と、窒化膜等で構成される第２絶縁膜３３２とが順に積層されて構成されている。また、上記のように、センサ基板３２０には、下地膜３３０に達するように凹部３２１が形成されている。このため、下地膜３３０のうちの凹部３２１から露出する部分は、ダイヤフラム部３４０として機能する。 A base film 330 is formed on one surface 320 a of the sensor substrate 320 . In this embodiment, the base film 330 is formed by sequentially stacking a first insulating film 331 made of an oxide film or the like and a second insulating film 332 made of a nitride film or the like. Further, as described above, the recess 321 is formed in the sensor substrate 320 so as to reach the underlying film 330 . Therefore, the portion of the base film 330 exposed from the concave portion 321 functions as the diaphragm portion 340 .

下地膜３３０上には、異なる２種の金属や半導体が接続されて構成される熱電対３５０が複数配置されている。具体的には、下地膜３３０上には、ｐ型不純物がドープされたポリシリコン等で構成される複数の第１配線層３６０が所定方向に沿って区画形成されている。より詳しくは、各第１配線層３６０は、センサ基板３２０の一面３２０ａに対する法線方向において（以下では、単に法線方向ともいう）、ダイヤフラム部３４０上に位置する部分と、ダイヤフラム部３４０上に位置する部分と異なる部分とを有するように形成されている。そして、各第１配線層３６０は、法線方向において、ダイヤフラム部３４０を中心とした略放射状に形成されている。言い換えると、各第１配線層３６０は、法線方向において、ダイヤフラム部３４０を中心として周方向に配列されている。なお、センサ基板３２０の一面３２０ａに対する法線方向においてとは、言い換えると、法線方向から視たときということである。また、法線方向においてダイヤフラム部３４０上に位置するとは、言い換えると、法線方向において凹部３２１の底面上に位置することである。 A plurality of thermocouples 350 configured by connecting two different kinds of metals or semiconductors are arranged on the base film 330 . Specifically, on the base film 330, a plurality of first wiring layers 360 made of polysilicon or the like doped with p-type impurities are partitioned along a predetermined direction. More specifically, each first wiring layer 360 has a portion located on the diaphragm portion 340 and a portion located on the diaphragm portion 340 in the normal direction to the one surface 320a of the sensor substrate 320 (hereinafter also simply referred to as the normal direction). It is formed to have a located portion and a different portion. Each first wiring layer 360 is formed in a substantially radial shape centering on the diaphragm portion 340 in the normal direction. In other words, the respective first wiring layers 360 are arranged in the circumferential direction around the diaphragm portion 340 in the normal direction. In addition, in the normal direction with respect to the one surface 320a of the sensor substrate 320, in other words, when viewed from the normal direction. Further, being positioned on the diaphragm portion 340 in the normal direction means being positioned on the bottom surface of the recess 321 in the normal direction.

また、下地膜３３０上には、第１配線層３６０を覆うように、酸化膜等で構成される第１層間絶縁膜３７０が形成されている。そして、第１層間絶縁膜３７０上には、第２配線層３８０が区画形成されている。第２配線層３８０は、ｎ型不純物がドープされたポリシリコンで構成されており、法線方向において、ダイヤフラム部３４０上に位置する部分と、ダイヤフラム部３４０上に位置する部分と異なる部分とを有する構成とされている。そして、本実施形態では、各第２配線層３８０は、それぞれ第１配線層３６０上に位置する部分を有する構成とされている。 A first interlayer insulating film 370 made of an oxide film or the like is formed on the underlying film 330 so as to cover the first wiring layer 360 . A second wiring layer 380 is formed on the first interlayer insulating film 370 . The second wiring layer 380 is made of polysilicon doped with an n-type impurity, and has a portion located on the diaphragm portion 340 and a portion different from the portion located on the diaphragm portion 340 in the normal direction. It is configured to have In this embodiment, each second wiring layer 380 is configured to have a portion located on the first wiring layer 360 .

以下では、法線方向において、第１配線層３６０のうちのダイヤフラム部３４０上に位置する部分を第１配線層３６０の一端部側とし、第１配線層３６０のうちのダイヤフラム部３４０上と異なる部分に位置する部分を第１配線層３６０の他端部側として説明する。同様に、第２配線層３８０のうちのダイヤフラム部３４０上に位置する部分を第２配線層３８０の一端部側とし、第２配線層３８０のうちのダイヤフラム部３４０上と異なる部分に位置する部分を第２配線層３８０の他端部側として説明する。 Hereinafter, in the normal direction, the portion of the first wiring layer 360 located on the diaphragm portion 340 is defined as one end portion side of the first wiring layer 360, and is different from the portion on the diaphragm portion 340 of the first wiring layer 360. The part located in the second wiring layer 360 will be described as the other end side of the first wiring layer 360 . Similarly, the portion of the second wiring layer 380 located on the diaphragm portion 340 is defined as one end portion side of the second wiring layer 380, and the portion of the second wiring layer 380 located on the diaphragm portion 340 is different. will be described as the other end side of the second wiring layer 380 .

また、第１層間絶縁膜３７０上には、第２配線層３８０を覆うように、酸化膜等で構成される第２層間絶縁膜３９０が形成されている。そして、第２層間絶縁膜３９０には、各第２配線層３８０の他端部側を露出させるコンタクトホール３９１および一端部側を露出させるコンタクトホール３９２が形成されている。また、第２層間絶縁膜３９０および第１層間絶縁膜３７０には、各第１配線層３６０の他端部側を露出させるコンタクトホール３９３が形成されている。さらに、第２層間絶縁膜３９０および第１層間絶縁膜３７０には、図７とは別断面において、各第１配線層３６０の一端部側を露出させるコンタクトホールが形成されている。 A second interlayer insulating film 390 made of an oxide film or the like is formed on the first interlayer insulating film 370 so as to cover the second wiring layer 380 . A contact hole 391 exposing the other end side of each second wiring layer 380 and a contact hole 392 exposing one end side thereof are formed in the second interlayer insulating film 390 . Further, a contact hole 393 is formed in the second interlayer insulating film 390 and the first interlayer insulating film 370 to expose the other end side of each first wiring layer 360 . Further, contact holes are formed in the second interlayer insulating film 390 and the first interlayer insulating film 370 to expose one end side of each first wiring layer 360 in a cross section different from that in FIG.

そして、第２層間絶縁膜３９０上には、第１接続配線層４０１、第２接続配線層４０２、図７とは別断面に形成される第３接続配線層が形成されている。具体的には、第１接続配線層４０１、第２接続配線層４０２、図７とは別断面に形成される第３接続配線層は、第２層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール３９１、３９２、３９３および図７とは別断面に形成されているコンタクトホールを通じ、各第１配線層３６０と各第２配線層３８０とを交互に直列に接続するように形成されている。より詳しくは、第１接続配線層４０１は、コンタクトホール３９１およびコンタクトホール３９３を通じ、第１配線層３６０の他端部側と第２配線層３８０の他端部側とを接続するように形成されている。第２接続配線層４０２は、コンタクトホール３９２を通じ、第２配線層３８０の一端部側と、当該第２配線層３８０の下方に位置する第１配線層３６０に対して周方向における一方向に位置する第１配線層３６０とを接続するように形成されている。第３接続配線層は、第１配線層３６０の一端部と、当該第１配線層３６０の上方に位置する第２配線層３８０に対して周方向における他方向に位置する第２配線層３８０とを接続するように形成されている。 On the second interlayer insulating film 390, a first connection wiring layer 401, a second connection wiring layer 402, and a third connection wiring layer having a cross section different from that of FIG. 7 are formed. Specifically, the first connection wiring layer 401, the second connection wiring layer 402, and the third connection wiring layer formed in a cross section different from that in FIG. , 393 and contact holes formed in cross sections different from those in FIG. 7, the first wiring layers 360 and the second wiring layers 380 are alternately connected in series. More specifically, the first connection wiring layer 401 is formed to connect the other end side of the first wiring layer 360 and the other end side of the second wiring layer 380 through the contact holes 391 and 393 . ing. The second connection wiring layer 402 is located in one direction in the circumferential direction with respect to one end portion of the second wiring layer 380 and the first wiring layer 360 located below the second wiring layer 380 through the contact hole 392 . It is formed so as to be connected to the first wiring layer 360 which The third connection wiring layer includes one end portion of the first wiring layer 360 and the second wiring layer 380 positioned in the other circumferential direction with respect to the second wiring layer 380 positioned above the first wiring layer 360. are formed to connect

これにより、センサ部３１０は、複数の熱電対３５０が直列に接続されることで構成されるサーモパイルが形成された状態となっている。 As a result, the sensor unit 310 is in a state in which a thermopile is formed by connecting a plurality of thermocouples 350 in series.

第１接続配線層４０１および第２接続配線層４０２上には、ＢＰＳＧ（Borophosphosilicate Glassの略）等で構成される応力緩和膜４１０が形成されている。そして、第２層間絶縁膜３９０上には、第１配線層３６０および第２配線層３８０を覆うように、保護膜４２０が形成されている。保護膜４２０は、水分の透過性の低い窒化膜等で構成される。 A stress relieving film 410 made of BPSG (abbreviation of Borophosphosilicate Glass) or the like is formed on the first connection wiring layer 401 and the second connection wiring layer 402 . A protective film 420 is formed on the second interlayer insulating film 390 so as to cover the first wiring layer 360 and the second wiring layer 380 . The protective film 420 is composed of a nitride film or the like having low moisture permeability.

また、第２接続配線層４０２の一部は、センサ基板３２０における後述するモールド樹脂７００で封止される部分まで延設されている。そして、保護膜４２０には、当該第２接続配線層４０２の一部を露出させる開口部４２１が形成されている。これにより、第２配線層３８０のうちの開口部４２１から露出する部分は、パッド部３８１として機能し、回路部５００とボンディングワイヤ６１１を介して電気的に接続される。 A portion of the second connection wiring layer 402 extends to a portion of the sensor substrate 320 that is sealed with a mold resin 700, which will be described later. An opening 421 is formed in the protective film 420 to expose a part of the second connection wiring layer 402 . As a result, the portion of the second wiring layer 380 exposed through the opening 421 functions as the pad portion 381 and is electrically connected to the circuit portion 500 via the bonding wire 611 .

以上が本実施形態におけるセンサ部３１０の構成である。このようなセンサ部３１０は、後述するように、モールド樹脂７００から露出する部分が排ガス（すなわち、混合ガス）に晒される。そして、センサ部３１０では、ダイヤフラム部３４０の熱容量が小さくなり、ダイヤフラム部３４０と異なる部分の熱容量が大きくなる。つまり、ダイヤフラム部３４０は温度変化がし易く、ダイヤフラム部３４０と異なる部分は温度変化がし難くなる。このため、熱電対３５０は、法線方向において、ダイヤフラム部３４０上に位置する部分が温接点となり、ダイヤフラム部３４０上と異なる部分に位置する部分が冷接点となる。そして、センサ部３１０は、ゼーベック効果により、温接点と冷接点との温度差（すなわち、熱流量）に応じた起電圧を検出信号として出力する。この場合、センサ部３１０は、電流が遮断されている状態において、温度差に応じた検出信号を出力する。言い換えると、センサ部３１０は、電流が流れなくても、温度差に応じた検出信号を出力する。 The above is the configuration of the sensor unit 310 in this embodiment. A portion of the sensor unit 310 exposed from the mold resin 700 is exposed to the exhaust gas (that is, the mixed gas), as will be described later. Then, in the sensor section 310, the heat capacity of the diaphragm section 340 is reduced, and the heat capacity of the portion different from the diaphragm section 340 is increased. That is, the temperature of the diaphragm part 340 is easily changed, and the temperature of the part different from the diaphragm part 340 is less likely to be changed. Therefore, in the normal direction, the thermocouple 350 has a warm junction at a portion located on the diaphragm portion 340 and a cold junction at a portion located at a different portion from the diaphragm portion 340 . Then, the sensor unit 310 outputs, as a detection signal, an electromotive force corresponding to the temperature difference (that is, heat flow) between the hot junction and the cold junction due to the Seebeck effect. In this case, the sensor unit 310 outputs a detection signal corresponding to the temperature difference while the current is interrupted. In other words, the sensor unit 310 outputs a detection signal corresponding to the temperature difference even if no current flows.

回路部５００は、センサ部３１０と電気的に接続され、センサ部３１０から出力される検出信号に対して所定の処理等を行う。例えば、回路部５００は、シリコン基板等に半導体集積回路が形成されたＩＣチップ等が用いられる。 The circuit section 500 is electrically connected to the sensor section 310 and performs predetermined processing and the like on the detection signal output from the sensor section 310 . For example, the circuit section 500 uses an IC chip or the like in which a semiconductor integrated circuit is formed on a silicon substrate or the like.

リードフレーム６００は、図示しない接着剤を介して回路部５００およびセンサ部３１０を搭載するアイランド部６０１と、外部との電気的接続を行う端子部６０２とを備えている。リードフレーム６００は、一般的な銅（Ｃｕ）や４２アロイ等の導電性に優れた金属にて構成され、エッチング加工やプレス加工等によって所定形状に加工されている。本実施形態では、アイランド部６０１は平面矩形状とされ、端子部６０２は、アイランド部６０１の周囲に配置されている。 The lead frame 600 includes an island portion 601 on which the circuit portion 500 and the sensor portion 310 are mounted via an adhesive (not shown), and a terminal portion 602 for electrical connection with the outside. The lead frame 600 is made of a metal having excellent electrical conductivity, such as general copper (Cu) or 42 alloy, and is processed into a predetermined shape by etching, pressing, or the like. In this embodiment, the island portion 601 is rectangular in plan view, and the terminal portions 602 are arranged around the island portion 601 .

なお、センサ部３１０は、上記のように平面矩形状とされたセンサ基板３２０を有している。そして、センサ部３１０は、凹部３２１が形成されている部分がアイランド部６０１から突出しつつ、センサ基板３２０の他面３２０ｂがアイランド部６０１と対向するように、当該アイランド部６０１に接合部材６１０を介して備えられている。 The sensor section 310 has the sensor substrate 320 having a planar rectangular shape as described above. The sensor part 310 is attached to the island part 601 via the bonding member 610 so that the part where the concave part 321 is formed protrudes from the island part 601 and the other surface 320 b of the sensor substrate 320 faces the island part 601 . are provided.

回路部５００とセンサ部３１０に形成されたパッド部３８１とは、ボンディングワイヤ６１１を介して電気的に接続されている。また、回路部５００と端子部６０２の一端部とは、ボンディングワイヤ６１２を介して電気的に接続されている。なお、これらボンディングワイヤ６１１、６１２は、金やアルミニウム等で構成されている。 The circuit section 500 and the pad section 381 formed in the sensor section 310 are electrically connected via bonding wires 611 . Also, the circuit section 500 and one end of the terminal section 602 are electrically connected via a bonding wire 612 . These bonding wires 611 and 612 are made of gold, aluminum, or the like.

モールド樹脂７００は、一般的なエポキシ樹脂等で構成され、金型を用いたトランスファーモールド法等によって形成されている。具体的には、モールド樹脂７００は、センサ部３１０、回路部５００、リードフレーム６００、ボンディングワイヤ６１１、６１２が封止されるように形成されている。なお、モールド樹脂７００は、センサ部３１０のうちのダイヤフラム部３４０を含むその周囲の部分が露出するように形成されている。但し、本実施形態では、モールド樹脂７００は、図６に示されるように、センサ部３１０における一面３２０ａと他面３２０ｂとの間の側面を封止するように形成されている。 The mold resin 700 is made of general epoxy resin or the like, and is formed by a transfer molding method or the like using a mold. Specifically, the mold resin 700 is formed so as to seal the sensor section 310 , the circuit section 500 , the lead frame 600 and the bonding wires 611 and 612 . The mold resin 700 is formed such that the peripheral portion of the sensor portion 310 including the diaphragm portion 340 is exposed. However, in this embodiment, the mold resin 700 is formed so as to seal the side surface between the one surface 320a and the other surface 320b of the sensor section 310, as shown in FIG.

コネクタケース８００は、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂を型成形することにより作られている。コネクタケース８００は、円柱状のボディ部８０１と、ボディ部８０１から延設されると共にボディ部８０１との連結部分においてボディ部８０１よりも径が小さくされた円柱状のコネクタ部８０２とを有している。 The connector case 800 is made by molding a resin such as PPS (polyphenylene sulfide) or PBT (polybutylene terephthalate). The connector case 800 has a columnar body portion 801 and a columnar connector portion 802 extending from the body portion 801 and having a diameter smaller than that of the body portion 801 at the portion connected to the body portion 801 . ing.

コネクタ部８０２には、ボディ部８０１との連結側の部分の外周側面に凹部８０３が形成されていると共に、ボディ部８０１側と反対側の端部に開口部８０４が形成されている。そして、ボディ部８０１には、コネクタ部８０２側と反対側の端部から当該凹部８０３内の空間と連通する貫通孔８０５が形成されている。 The connector portion 802 has a concave portion 803 formed on the outer peripheral side surface of the portion on the connection side with the body portion 801 and an opening portion 804 formed at the end portion on the side opposite to the body portion 801 side. A through-hole 805 is formed in the body portion 801 so as to communicate with the space inside the recess 803 from the end opposite to the connector portion 802 .

また、コネクタケース８００には、センサ部３１０と外部回路等とを電気的に接続するための金属棒状のターミナル８１０が複数本備えられている。これら各ターミナル８１０は、インサート成形によりコネクタケース８００と一体に成形されることによってコネクタケース８００内に保持されている。 Further, the connector case 800 is provided with a plurality of metal rod-shaped terminals 810 for electrically connecting the sensor section 310 and an external circuit or the like. Each terminal 810 is held in the connector case 800 by being molded integrally with the connector case 800 by insert molding.

具体的には、各ターミナル８１０は、一端部がコネクタケース８００における凹部８０３内にて露出し、他端部がコネクタケース８００における開口部８０４内に突出するように、コネクタケース８００に保持されている。なお、開口部８０４内に突出しているターミナル８１０の他端部は、図示しないワイヤハーネス等の外部配線部材を介して外部回路等と電気的に接続される。以上がコネクタケース８００の構成である。 Specifically, each terminal 810 is held by connector case 800 so that one end is exposed in recess 803 in connector case 800 and the other end projects into opening 804 in connector case 800 . there is The other end of terminal 810 protruding into opening 804 is electrically connected to an external circuit or the like via an external wiring member such as a wire harness (not shown). The above is the configuration of the connector case 800 .

そして、コネクタケース８００には、貫通孔８０５にモールド部材３００が圧入されている。具体的には、モールド部材３００は、端子部６０２のうちのモールド樹脂７００から露出する他端部が凹部８０３内にて露出すると共に、センサ部３１０がコネクタケース８００から突出するように、コネクタケース８００に形成された貫通孔８０５に圧入されている。 The mold member 300 is press-fitted into the through hole 805 of the connector case 800 . Specifically, the molded member 300 is arranged such that the other end portion of the terminal portion 602 exposed from the mold resin 700 is exposed in the concave portion 803 and the sensor portion 310 protrudes from the connector case 800 . It is press-fitted into a through hole 805 formed in 800 .

凹部８０３内では、ターミナル８１０の一端部と端子部６０２の他端部とが溶接等によって電気的に接続されている。これにより、センサ部３１０が回路部５００、端子部６０２を介してターミナル８１０と電気的に接続され、センサ部３１０と外部回路との接続が図られる。また、凹部８０３には、ターミナル８１０の一端部と端子部６０２の他端部との溶接箇所を保護するポッティング材８２０が配置されている。 In the concave portion 803, one end of the terminal 810 and the other end of the terminal portion 602 are electrically connected by welding or the like. As a result, the sensor section 310 is electrically connected to the terminal 810 through the circuit section 500 and the terminal section 602, and connection between the sensor section 310 and the external circuit is achieved. A potting material 820 is placed in the concave portion 803 to protect the welded portion between one end of the terminal 810 and the other end of the terminal portion 602 .

さらに、コネクタケース８００には、ボディ部８０１におけるコネクタ部８０２側と反対側の端部に貫通孔８０５を囲むように環状の溝部８３０が形成されており、この溝部８３０にＯリング８３１が配置されている。 Further, in the connector case 800, an annular groove 830 is formed so as to surround the through hole 805 at the end of the body portion 801 opposite to the connector portion 802 side, and an O-ring 831 is arranged in the groove 830. ing.

また、モールド部材３００とコネクタケース８００との間には、モールド部材３００とコネクタケース８００との間の隙間を封止するように、ポッティング材８４０が配置されている。 A potting material 840 is arranged between the mold member 300 and the connector case 800 so as to seal the gap between the mold member 300 and the connector case 800 .

ハウジング９００は、例えば、ステンレス、ＳＵＳ、アルミニウム等の金属材料が切削や冷間鍛造等されて構成され、収容凹部９０１と、当該収容凹部９０１と連通する導入孔９０２が形成された延設部９０３とを有している。 The housing 900 is made of, for example, a metal material such as stainless steel, SUS, or aluminum by cutting or cold forging. and

そして、ハウジング９００には、導入孔９０２内にセンサ部３１０が位置するように、収容凹部９０１内にコネクタケース８００のボディ部８０１が挿入されている。そして、ハウジング９００は、収容凹部９０１の開口端部９０１ａがボディ部８０１にかしめられることにより、コネクタケース８００に組付けられて一体化されている。 In the housing 900 , the body portion 801 of the connector case 800 is inserted into the accommodation recess 901 so that the sensor portion 310 is positioned inside the introduction hole 902 . The housing 900 is integrated with the connector case 800 by crimping the opening end 901 a of the housing recess 901 to the body 801 .

なお、コネクタケース８００における溝部８３０に配置されたＯリング８３１は、コネクタケース８００とハウジング９００とのかしめによるかしめ圧で押し潰される。これにより、導入孔９０２内に導入される排ガスがコネクタケース８００とハウジング９００との間の隙間から漏れることが防止される。 Note that the O-ring 831 arranged in the groove portion 830 of the connector case 800 is crushed by the crimping pressure due to the crimping of the connector case 800 and the housing 900 . This prevents the exhaust gas introduced into the introduction hole 902 from leaking through the gap between the connector case 800 and the housing 900 .

延設部９０３は、本実施形態では、突出方向の先端部（すなわち、コネクタケース８００側と反対側の先端部）に底部を有する有底円筒状とされている。そして、延設部９０３には、外周側面にハウジング９００を被実装部材に固定するためのネジ部９０４が形成されていると共に、ネジ部９０４よりもコネクタケース８００側と反対側に開口部９０５が形成されている。なお、本実施形態では、気液分離器３５が被実装部材となる。これにより、開口部９０５から導入孔９０２に排ガスが導入され、センサ部３１０の面方向に沿って排ガスが流れる。 In the present embodiment, the extending portion 903 has a bottomed cylindrical shape having a bottom at the tip in the projecting direction (that is, the tip on the side opposite to the connector case 800 side). A threaded portion 904 for fixing the housing 900 to a member to be mounted is formed on the outer peripheral side of the extended portion 903 , and an opening 905 is formed on the side opposite to the connector case 800 side of the threaded portion 904 . formed. In addition, in this embodiment, the gas-liquid separator 35 is a member to be mounted. As a result, the exhaust gas is introduced from the opening 905 into the introduction hole 902 and flows along the planar direction of the sensor portion 310 .

以上が熱流量センサ３６の構成である。そして、上記のように、熱流量センサ３６は、熱流量に応じた検出信号を出力する。 The above is the configuration of the heat flow sensor 36 . Then, as described above, the heat flow sensor 36 outputs a detection signal corresponding to the heat flow.

圧力センサ３７は、気液分離器３５の排ガス流路３５ａ内の排ガスの圧力を示す圧力情報を検出信号として出力する。温度センサ３８は、気液分離器３５内の温度を検出信号として出力する。 The pressure sensor 37 outputs pressure information indicating the pressure of the exhaust gas in the exhaust gas flow path 35a of the gas-liquid separator 35 as a detection signal. The temperature sensor 38 outputs the temperature inside the gas-liquid separator 35 as a detection signal.

また、燃料電池１０には、図１に示されるように、空気調圧弁２３、水素調圧弁３３および電磁弁２４、３４、および空気ポンプ２２を制御すると共に、排ガスに含まれる特定ガスとして、１種類のガス濃度を算出する制御部４０が備えられている。なお、本実施形態の制御部４０は、排ガスに含まれる水素ガスの濃度を算出する。 Further, as shown in FIG. 1, the fuel cell 10 controls an air pressure regulating valve 23, a hydrogen pressure regulating valve 33, solenoid valves 24 and 34, and an air pump 22. A control unit 40 is provided to calculate the concentration of each type of gas. Note that the control unit 40 of this embodiment calculates the concentration of hydrogen gas contained in the exhaust gas.

制御部４０は、図示しないＣＰＵや、ＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＨＤＤ等の非遷移的実体的記憶媒体で構成される記憶部等を備えたマイクロコンピュータ等で構成される。ＣＰＵは、Central Processing Unitの略であり、ＲＯＭは、Read Only Memoryの略であり、ＲＡＭは、Random Access Memoryの略であり、ＨＤＤはHard Disk Driveの略である。そして、センサ制御部１４０は、ＣＰＵがＲＯＭ等からプログラム（すなわち、後述の各ルーチン）を読み出して実行することで各種の制御作動を実現する。なお、ＲＯＭ等には、プログラムの実行の際に用いられる各種のデータ（例えば、初期値、ルックアップテーブル、マップ等）が予め格納されており、本実施形態では、後述する検定線Ｋａ１、Ｋａ２が予め格納されている。また、ＲＯＭ等の記憶媒体は、非遷移的実体的記憶媒体である。 The control unit 40 is configured by a microcomputer or the like including a CPU (not shown) and a storage unit configured by non-transitional physical storage media such as ROM, RAM, flash memory, and HDD. CPU is an abbreviation for Central Processing Unit, ROM is an abbreviation for Read Only Memory, RAM is an abbreviation for Random Access Memory, and HDD is an abbreviation for Hard Disk Drive. The sensor control unit 140 implements various control operations by having the CPU read and execute programs (that is, each routine to be described later) from the ROM or the like. Various data (for example, initial values, lookup tables, maps, etc.) used in the execution of the program are pre-stored in the ROM or the like. is pre-stored. A storage medium such as a ROM is a non-transitional substantive storage medium.

本実施形態では、制御部４０は、入力される各検出信号に基づき、水素ガスの濃度を算出する。なお、本実施形態の制御部４０は、圧力センサ３７、および熱流量センサ３６と共に、水素ガスの濃度を算出するガス成分検出装置５０を構成する。 In this embodiment, the controller 40 calculates the concentration of hydrogen gas based on each input detection signal. Note that the control unit 40 of the present embodiment, together with the pressure sensor 37 and the heat flow sensor 36, constitutes a gas component detection device 50 that calculates the concentration of hydrogen gas.

以下、本実施形態の水素ガスの濃度の算出処理について説明する。なお、本実施形態の算出処理は、本出願人らが既に出願している特開２０１７－９０３１７号公報と同様であるため、簡単に説明する。また、以下では、排ガスを混合ガスとして称して説明する。 The process of calculating the concentration of hydrogen gas according to this embodiment will be described below. Note that the calculation process of the present embodiment is the same as that of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-90317 already filed by the present applicants, so a brief description will be given. Moreover, below, exhaust gas is called and demonstrated as mixed gas.

すなわち、制御部４０は、水素調圧弁３３を制御して、高圧水素タンク３２から燃料電池１０へ水素ガスの供給を周期的に行う。具体的には、圧力制御部として、高圧水素タンク３２を制御して高圧水素タンク３２の開弁と閉弁とを交互に繰り返す。 That is, the control unit 40 controls the hydrogen pressure regulating valve 33 to periodically supply hydrogen gas from the high-pressure hydrogen tank 32 to the fuel cell 10 . Specifically, as a pressure control unit, the high-pressure hydrogen tank 32 is controlled to alternately repeat opening and closing of the valve of the high-pressure hydrogen tank 32 .

なお、高圧水素タンク３２の開弁とは、高圧水素タンク３２から複数の燃料電池セル１０ａに水素ガスが供給される状態である。高圧水素タンク３２の閉弁とは、高圧水素タンク３２と複数の燃料電池セル１０ａとの間を閉じた状態である。 The valve opening of the high-pressure hydrogen tank 32 is a state in which hydrogen gas is supplied from the high-pressure hydrogen tank 32 to the plurality of fuel cells 10a. The closing of the high-pressure hydrogen tank 32 is a state in which the space between the high-pressure hydrogen tank 32 and the plurality of fuel cells 10a is closed.

このように水素調圧弁３３を制御することにより、高圧水素タンク３２から水素調圧弁３３を介して複数の燃料電池セル１０ａの水素流路１１１内に水素ガスが周期的に供給される。このため、複数の燃料電池セル１０ａの水素流路１１１内では、水素ガスと窒素ガスとを含む混合ガスの圧力が周期的に変化する。したがって、水素流路１１１内の混合ガスの熱流量が周期的に変化する。これにより、熱流量センサ３６の検出値、および圧力センサ３７の検出値が周期的に同期して変化する。 By controlling the hydrogen pressure regulating valve 33 in this manner, hydrogen gas is periodically supplied from the high-pressure hydrogen tank 32 through the hydrogen pressure regulating valve 33 into the hydrogen flow paths 111 of the plurality of fuel cells 10a. Therefore, the pressure of the mixed gas containing hydrogen gas and nitrogen gas changes periodically in the hydrogen flow paths 111 of the plurality of fuel cells 10a. Therefore, the heat flow rate of the mixed gas in the hydrogen channel 111 changes periodically. As a result, the detected value of the heat flow sensor 36 and the detected value of the pressure sensor 37 periodically change in synchronization with each other.

そして、制御部４０は、熱流量センサ３６の検出値に基づいて水素排出配管３１内の熱流量の変化量ａを求める。また、制御回路は、圧力センサ３７の検出値に基づいて水素排出配管３１内の圧力の変化量ｂを求める。 Then, the control unit 40 obtains the change amount a of the heat flow in the hydrogen discharge pipe 31 based on the detected value of the heat flow sensor 36 . Further, the control circuit obtains the amount b of pressure change in the hydrogen discharge pipe 31 based on the detected value of the pressure sensor 37 .

すなわち、時点Ｔ１のときの熱流量センサ３６の検出値をＲ（ｔ１）とする共に圧力センサ３７の検出値をＡ（ｔ１）とする。また、時点Ｔ２のときの熱流量センサ３６の検出値をＲ（ｔ２）とすると共に圧力センサ３７の検出値をＡ（ｔ２）とする。但し、時点Ｔ２は、時点Ｔ１以降の時点である。この場合、変化量ａ、および変化量ｂは、次の数式１、数式２で算出される。 That is, let R(t1) be the detected value of the heat flow sensor 36 and A(t1) be the detected value of the pressure sensor 37 at time T1. Further, let R(t2) be the detected value of the heat flow sensor 36 and A(t2) be the detected value of the pressure sensor 37 at time T2. However, time T2 is a time after time T1. In this case, the amount of change a and the amount of change b are calculated by Equations 1 and 2 below.

（数１）
ａ＝｜Ｒ（ｔ２）－Ｒ（ｔ１）｜
（数２）
ｂ＝｜Ａ（ｔ２）－Ａ（ｔ１）｜
なお、熱流量センサ３６および圧力センサ３７は、上記のように、複数の燃料電池セル１０ａの水素流路１１１のガス流れ方向の下流側に配置されている。このため、熱流量の変化量ａは、水素流路１１１内の熱流量の変化量とほぼ同一となり、圧力の変化量ｂは、水素流路１１１内の圧力の変化量とほぼ同一となる。 (Number 1)
a=|R(t2)−R(t1)|
(Number 2)
b=|A(t2)−A(t1)|
As described above, the heat flow sensor 36 and the pressure sensor 37 are arranged downstream in the gas flow direction of the hydrogen flow paths 111 of the plurality of fuel cells 10a. Therefore, the amount of change a in the heat flow is substantially the same as the amount of change in the heat flow in the hydrogen channel 111 , and the amount of change b in the pressure is substantially the same as the amount of change in the pressure in the hydrogen channel 111 .

そして、制御部４０は、変化量ｂに対する変化量ａの割合（すなわち、「ａ／ｂ」）を算出する。つまり、変化量ａと変化量ｂとの相関を示す熱流量変化率を算出する。 Then, the control unit 40 calculates the ratio of the amount of change a to the amount of change b (that is, "a/b"). In other words, the heat flow change rate indicating the correlation between the amount of change a and the amount of change b is calculated.

ここで、水素ガスの熱伝導率は、窒素ガスの熱伝導率に比べて高い。このため、熱流量変化率は、図８に示されるように、水素ガスの濃度が高くなるほど大きくなる。また、水素ガスの熱伝導率、および窒素ガスの熱伝導率は、温度によって変わる。このため、熱流量変化率は、混合ガスの温度によっても変化する。なお、図８中の検定線Ｋａ１および検定線Ｋａ２は、予め実験によって導出したものであり、ＲＡＭ等に記憶されている。 Here, the thermal conductivity of hydrogen gas is higher than that of nitrogen gas. Therefore, as shown in FIG. 8, the heat flow change rate increases as the hydrogen gas concentration increases. Also, the thermal conductivity of hydrogen gas and the thermal conductivity of nitrogen gas vary with temperature. Therefore, the heat flow change rate also changes depending on the temperature of the mixed gas. Note that the test line Ka1 and the test line Ka2 in FIG. 8 are derived in advance by experiments and are stored in the RAM or the like.

例えば、検定線Ｋａ１、Ｋａ２は、混合ガスにおける水素ガスの混合比率を変化させると共に温度を変化させ、熱流量センサ３６、圧力センサ３７、および温度センサ３８の検出結果に基づき、各温度の混合比率毎に熱流量変化率ａ／ｂを求めることによって導出される。なお、図８では、２５℃の検定線Ｋａ１および６０℃の検定線Ｋａ２を例に挙げて示しているが、実際には、さらに細分化された各温度についての検定線が導出されてＲＯＭ等に記憶される。 For example, the calibration lines Ka1 and Ka2 change the mixing ratio of hydrogen gas in the mixed gas and change the temperature, and based on the detection results of the heat flow sensor 36, the pressure sensor 37, and the temperature sensor 38, the mixing ratio of each temperature It is derived by obtaining the heat flow change rate a/b for each time. In FIG. 8, the calibration line Ka1 at 25° C. and the calibration line Ka2 at 60° C. are shown as examples. stored in

そして、制御部４０は、温度センサ３８の検出結果から対応する検定線を選択し、算出した熱流量変化率と検定線とを比較して水素ガスの濃度を算出する。 Then, the control unit 40 selects the corresponding calibration line from the detection result of the temperature sensor 38, compares the calculated heat flow change rate with the calibration line, and calculates the hydrogen gas concentration.

以上説明したように、本実施形態では、熱流量センサ３６、圧力センサ３７、温度センサ３８の検出結果に基づいて水素ガスの濃度が算出される。したがって、簡素な構造のガス成分検出装置５０を構成できる。 As described above, in this embodiment, the hydrogen gas concentration is calculated based on the detection results of the heat flow sensor 36, the pressure sensor 37, and the temperature sensor 38. FIG. Therefore, the gas component detection device 50 having a simple structure can be configured.

また、本実施形態では、熱流量センサ３６は、電流が遮断されている状態において、熱流量に応じた検出信号（すなわち、起電圧）を出力する構成とされている。このため、仮に熱流量センサ３６が故障したとしても、火花等が発生することを抑制できる。したがって、安全性の向上を図ることができる。 Further, in the present embodiment, the heat flow sensor 36 is configured to output a detection signal (that is, an electromotive voltage) corresponding to the heat flow while the current is interrupted. Therefore, even if the heat flow sensor 36 fails, it is possible to suppress the generation of sparks or the like. Therefore, it is possible to improve safety.

さらに、本実施形態では、熱流量センサ３６におけるセンサ部３１０は、ダイヤフラム部３４０を有し、熱容量が大きくなる部分と小さくなる部分とが構成されている。そして、センサ部３１０は、法線方向において、ダイヤフラム部３４０上に位置する部分と、ダイヤフラム部３４０上と異なる部分に位置する部分とを有する熱電対３５０を有している。このため、熱電対３５０における温接点と冷接点との間で温度差を構成し易くなり、感度の向上を図ることができる。 Furthermore, in the present embodiment, the sensor portion 310 in the heat flow sensor 36 has a diaphragm portion 340, and is composed of a portion with a large heat capacity and a portion with a small heat capacity. The sensor unit 310 has a thermocouple 350 having a portion located on the diaphragm portion 340 and a portion located on a different portion from the diaphragm portion 340 in the normal direction. Therefore, it becomes easier to form a temperature difference between the hot junction and the cold junction of the thermocouple 350, and the sensitivity can be improved.

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、センサ部３１０の構成を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Second embodiment)
A second embodiment will be described. In this embodiment, the configuration of the sensor section 310 is changed from that of the first embodiment. Others are the same as those of the first embodiment, so description thereof is omitted here.

本実施形態のセンサ部３１０は、図９に示されるように、センサ基板３２０の一面３２０ａ側に、保護部材４３０が配置されて構成されている。なお、図９では、センサ基板３２０の一面３２０ａ上に形成される熱電対３５０等の構成を省略して示している。 As shown in FIG. 9, the sensor section 310 of the present embodiment is constructed by arranging a protective member 430 on the one surface 320a side of the sensor substrate 320. As shown in FIG. Note that FIG. 9 omits the configuration of the thermocouple 350 and the like formed on one surface 320a of the sensor substrate 320. As shown in FIG.

保護部材４３０は、一面４４０ａおよび他面４４０ｂを有し、シリコン等の半導体基板で構成される保護基板４４０を有しており、他面４４０ｂがセンサ基板３２０の一面３２ａと対向するように、センサ基板３２０の一面３２０ａ側に配置されている。そして、保護基板４４０には、他面４４０ｂのうちのダイヤフラム部３４０と対向する部分に凹部４４１が形成されていると共に、凹部４４１の底面に、凹部４４１内の空間と外部とを連通させる貫通孔４４２が形成されている。本実施形態では、貫通孔４４２は、凹部４４１の底面がメッシュ状となるように、複数形成されている。 The protection member 430 has one surface 440a and the other surface 440b, and has a protection substrate 440 made of a semiconductor substrate such as silicon. It is arranged on the one surface 320 a side of the substrate 320 . In the protective substrate 440, a recess 441 is formed in a portion of the other surface 440b that faces the diaphragm portion 340, and a through hole that communicates the space in the recess 441 with the outside is formed in the bottom surface of the recess 441. 442 are formed. In this embodiment, a plurality of through holes 442 are formed so that the bottom surface of recess 441 has a mesh shape.

なお、特に図示しないが、センサ基板３２０に保護部材４３０を配置することにより、パッド部３８１が露出しない構成となる。このため、例えば、保護部材４３０には、保護部材４３０とセンサ部３１０との積層方向に貫通してパッド部３８１を露出させる貫通孔が形成されると共に当該貫通孔にパッド部と電気的に接続される配線部が形成される。そして、センサ部３１０は、この配線部が回路部５００と接続される。 Although not shown, the pad portion 381 is not exposed by arranging the protective member 430 on the sensor substrate 320 . For this reason, for example, the protective member 430 is formed with a through hole penetrating in the stacking direction of the protective member 430 and the sensor section 310 to expose the pad section 381, and the through hole is electrically connected to the pad section. are formed. The wiring portion of the sensor portion 310 is connected to the circuit portion 500 .

これによれば、センサ部３１０は、センサ基板３２０に保護部材４３０が配置された構成とされているため、全体の強度が高くなる。したがって、センサ部３１０が破壊されることを抑制できる。 According to this, since the sensor section 310 is configured such that the protection member 430 is arranged on the sensor substrate 320, the strength of the whole is increased. Therefore, it is possible to suppress the destruction of the sensor unit 310 .

また、本実施形態では、保護部材４３０に貫通孔４４２が形成されており、ダイヤフラム部３４０上に位置する部分は、貫通孔４４２を通過した混合ガスに晒される。この際、上記のように、混合ガスは、センサ基板３２０の面方向に沿って流れるため、貫通孔４４２を通過する際に混合ガスの流れ方向が変化する。したがって、混合ガスの流速の影響を低減できるため、検出精度を向上できる。 Further, in the present embodiment, a through hole 442 is formed in the protective member 430 , and the portion positioned above the diaphragm portion 340 is exposed to the mixed gas passing through the through hole 442 . At this time, as described above, the mixed gas flows along the surface direction of the sensor substrate 320 , so the flow direction of the mixed gas changes when passing through the through holes 442 . Therefore, the influence of the flow velocity of the mixed gas can be reduced, so detection accuracy can be improved.

（第２実施形態の変形例）
第２実施形態の変形例について説明する。図１０に示されるように、保護基板４４０に凹部４４１が形成されておらず、貫通孔４４２は、ダイヤフラム部３４０上に位置する部分を全体的に開口するように形成されていてもよい。なお、図１０では、センサ基板３２０の一面３２０ａ上に形成される熱電対３５０等の構成を省略して示している。 (Modification of Second Embodiment)
A modification of the second embodiment will be described. As shown in FIG. 10 , the recess 441 may not be formed in the protective substrate 440 , and the through hole 442 may be formed so as to entirely open the portion located above the diaphragm portion 340 . Note that FIG. 10 omits the configuration of the thermocouple 350 and the like formed on one surface 320a of the sensor substrate 320. As shown in FIG.

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、温度センサ３８の配置場所を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Third Embodiment)
A third embodiment will be described. In this embodiment, the location of the temperature sensor 38 is changed from that of the first embodiment. Others are the same as those of the first embodiment, so description thereof is omitted here.

本実施形態では、図１１に示されるように、温度センサ３８は、センサ基板３２０上に配置されている。具体的には、温度センサ３８は、センサ基板３２０のうちのモールド樹脂７００で封止される部分に形成されており、本実施形態では、下地膜３３０上に形成されている。そして、温度センサ３８は、図１１とは別断面において、回路部５００とボンディングワイヤ等を介して電気的に接続されている。 In this embodiment, the temperature sensor 38 is arranged on the sensor substrate 320, as shown in FIG. Specifically, the temperature sensor 38 is formed on a portion of the sensor substrate 320 that is sealed with the mold resin 700, and is formed on the base film 330 in this embodiment. The temperature sensor 38 is electrically connected to the circuit section 500 via a bonding wire or the like in a cross section different from that of FIG.

また、本実施形態の温度センサ３８は、温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗体で構成されており、通電された状態で抵抗値が変化すると電圧が変化する構成とされている。そして、温度センサ３８は、電圧の変化に基づいた温度を検出信号として出力する。 Further, the temperature sensor 38 of the present embodiment is composed of a temperature sensitive resistor whose resistance value changes according to the temperature, and is configured such that the voltage changes when the resistance value changes in the energized state. Then, the temperature sensor 38 outputs the temperature based on the change in voltage as a detection signal.

これによれば、温度センサ３８がセンサ基板３２０に形成されているため、部品点数の削減を図ることができる。つまり、熱流量センサ３６と温度センサ３８とを一体化することにより、部品点数の削減を図ることができる。 According to this, since the temperature sensor 38 is formed on the sensor substrate 320, the number of parts can be reduced. That is, by integrating the heat flow sensor 36 and the temperature sensor 38, the number of parts can be reduced.

さらに、温度センサ３８は、モールド樹脂７００で封止される部分に配置されている。このため、温度センサ３８が通電された状態で検出信号を出力する構成とされ、仮に故障等が発生したとしても、混合ガス内に火花が発生することが抑制される。したがって、温度センサ３８として採用可能な構成を広くしつつ、安全性の向上をさらに図ることができる。 Furthermore, the temperature sensor 38 is arranged in a portion sealed with the mold resin 700 . Therefore, the temperature sensor 38 is configured to output a detection signal in a state of being energized, and even if a failure or the like occurs, generation of sparks in the mixed gas is suppressed. Therefore, it is possible to further improve safety while widening the configuration that can be employed as the temperature sensor 38 .

なお、本実施形態では、温度センサ３８を下地膜３３０上に形成する例について説明したが、温度センサ３８は、例えば、第１層間絶縁膜３７０上に形成されていてもよい。つまり、温度センサ３８の配置場所は、モールド樹脂７００で封止される部分であれば、詳細な場所については適宜変更である。 In this embodiment, an example in which the temperature sensor 38 is formed on the base film 330 has been described, but the temperature sensor 38 may be formed on the first interlayer insulating film 370, for example. In other words, the detailed location of the temperature sensor 38 can be changed as appropriate as long as it is a portion sealed with the mold resin 700 .

（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、熱流量センサ３６におけるモールド部材３００の構成を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Fourth embodiment)
A fourth embodiment will be described. In this embodiment, the configuration of the mold member 300 in the heat flow sensor 36 is changed from the first embodiment. Others are the same as those of the first embodiment, so description thereof is omitted here.

まず、本実施形態のセンサ部３１０の構成について説明する。センサ部３１０は、図１２に示されるように、絶縁基材４５０、表面保護部材４５１、裏面保護部材４５２が一体化され、この一体化されたものの内部で第１、第２層間接続部材４６１、４６２が交互に直列に接続された構造とされている。 First, the configuration of the sensor unit 310 of this embodiment will be described. As shown in FIG. 12, the sensor unit 310 is formed by integrating an insulating base material 450, a surface protection member 451, and a back surface protection member 452, and inside the integrated body, first and second interlayer connection members 461, 462 are alternately connected in series.

具体的には、絶縁基材４５０、表面保護部材４５１、裏面保護部材４５２は、フィルム状であって、熱可塑性樹脂等の可撓性を有する樹脂材料で構成されている。 Specifically, the insulating base material 450, the surface protection member 451, and the back surface protection member 452 are film-shaped and are made of a flexible resin material such as a thermoplastic resin.

そして、絶縁基材４５０には、厚さ方向に貫通するビアホールが形成され、当該ビアホール内に、互いに異なる金属や半導体等の熱電材料で構成された第１、第２層間接続部材４６１、４６２が埋め込まれている。また、絶縁基材４５０のうちの表面保護部材４５１側の面には、表面導体パターン４７１が形成されている。絶縁基材４５０のうちの裏面保護部材４５２側の面には、裏面導体パターン４７２が形成されている。そして、各第１、第２層間接続部材４６１、４６２は、表面導体パターン４７１および裏面導体パターン４７２によって直列に接続されることにより、複数の熱電対３５０が直列に接続された状態となっている。なお、第１、第２層間接続部材４６１、４６２としては、例えば、固相焼結されたＢｉ－Ｓｂ－Ｔｅ合金とＢｉ－Ｔｅとの組み合わせや、Ｃｕとコンスタンタンとの組み合わせ等が採用される。 Via holes are formed through the insulating base material 450 in the thickness direction, and first and second interlayer connection members 461 and 462 made of different thermoelectric materials such as metals and semiconductors are formed in the via holes. Embedded. A surface conductor pattern 471 is formed on the surface of the insulating base material 450 on the surface protection member 451 side. A back conductor pattern 472 is formed on the surface of the insulating base material 450 on the side of the back protection member 452 . The first and second interlayer connection members 461 and 462 are connected in series by the surface conductor pattern 471 and the back surface conductor pattern 472, so that the plurality of thermocouples 350 are connected in series. . As the first and second interlayer connection members 461 and 462, for example, a combination of solid phase sintered Bi—Sb—Te alloy and Bi—Te, a combination of Cu and constantan, or the like is adopted. .

このようなセンサ部３１０は、熱流量による当該センサ部３１０の表面３１０ａと裏面３１０ｂとの間の温度差に基づいた起電圧を出力する。つまり、このようなセンサ部３１０においても、通電されることなく、温度差に応じた検出信号を出力する。 Such a sensor section 310 outputs an electromotive force based on the temperature difference between the surface 310a and the back surface 310b of the sensor section 310 due to heat flow. That is, even in such a sensor section 310, a detection signal corresponding to the temperature difference is output without being energized.

以上が本実施形態におけるセンサ部３１０の構成である。そして、センサ部３１０は、図１３に示されるように、裏面３１０ｂがアイランド部６０１と対向するように、アイランド部６０１上に配置されている。但し、本実施形態では、センサ部３１０は、全体がアイランド部６０１上に配置されている。 The above is the configuration of the sensor unit 310 in this embodiment. 13, the sensor section 310 is arranged on the island section 601 so that the rear surface 310b faces the island section 601. As shown in FIG. However, in this embodiment, the sensor section 310 is entirely arranged on the island section 601 .

また、アイランド部６０１には、当該アイランド部６０１を挟んでセンサ部３１０と反対側に、熱伝導率の高い材料で構成されたヒートシンク４８０が銀ペースト等の図示しない接合部材を介して配置されている。例えば、ヒートシンク４８０は、銅、モリブデン、タングステン、アルミナを主材料とした放熱性系セラミックスや多孔質セラミックス、炭化珪素を主材料したセラミック等で構成される。 In addition, a heat sink 480 made of a material with high thermal conductivity is disposed on the opposite side of the island portion 601 from the sensor portion 310 with the island portion 601 interposed therebetween via a bonding member (not shown) such as silver paste. there is For example, the heat sink 480 is made of heat-dissipating ceramics or porous ceramics whose main materials are copper, molybdenum, tungsten, or alumina, ceramics whose main material is silicon carbide, or the like.

さらに、本実施形態では、ヒートシンク４８０を覆うように、断熱材４９０が配置されている。 Furthermore, in this embodiment, a heat insulating material 490 is arranged so as to cover the heat sink 480 .

モールド樹脂７００は、センサ部３１０およびヒートシンク４８０を封止するように形成されていると共に、センサ部３１０の表面３１０ａを露出させる貫通孔７０１が形成されている。そして、貫通孔７０１およびセンサ部３１０のうちの貫通孔７０１から露出する部分には、保護膜７１０が形成されている。保護膜７１０は、撥水性の材料によって構成されており、例えば、フッ素界面活性剤等によって構成される。 Mold resin 700 is formed so as to seal sensor section 310 and heat sink 480 , and through hole 701 is formed to expose surface 310 a of sensor section 310 . A protective film 710 is formed on a portion of the through hole 701 and the sensor portion 310 exposed from the through hole 701 . The protective film 710 is made of a water-repellent material, such as a fluorosurfactant.

以上説明したように、センサ部３１０は、表面３１０ａと裏面３１０ｂとの間の温度差に応じた起電圧を発生する構成とされていてもよい。この場合、本実施形態では、アイランド部６０１を挟んでセンサ部３１０と反対側にヒートシンク４８０が配置されているため、センサ部３１０の裏面３１０ｂの温度が混合ガスによって変動することを抑制できる。したがって、センサ部３１０における表面３１０ａと裏面３１０ｂとの間の温度差を大きくし易く、感度の向上を図ることができる。 As described above, the sensor section 310 may be configured to generate an electromotive force corresponding to the temperature difference between the front surface 310a and the rear surface 310b. In this case, in this embodiment, since the heat sink 480 is arranged on the opposite side of the sensor section 310 with the island section 601 interposed therebetween, it is possible to prevent the temperature of the back surface 310b of the sensor section 310 from fluctuating due to the mixed gas. Therefore, the temperature difference between the front surface 310a and the rear surface 310b of the sensor section 310 can be easily increased, and the sensitivity can be improved.

さらに、本実施形態では、ヒートシンク４８０を覆うように断熱材４９０が配置されている。このため、断熱材４９０により、ヒートシンク４８０の温度が混合ガスによって変動することを抑制できる。したがって、さらにセンサ部３１０の裏面３１０ｂの温度が混合ガスによって変動することを抑制できる。 Furthermore, in this embodiment, a heat insulating material 490 is arranged so as to cover the heat sink 480 . Therefore, the heat insulating material 490 can prevent the temperature of the heat sink 480 from fluctuating due to the mixed gas. Therefore, it is possible to further suppress the temperature of the back surface 310b of the sensor section 310 from fluctuating due to the mixed gas.

（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対し、熱流量センサ３６におけるモールド部材３００の構成を変更したものである。その他に関しては、第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Fifth embodiment)
A fifth embodiment will be described. In this embodiment, the structure of the mold member 300 in the heat flow sensor 36 is changed from that of the fourth embodiment. Others are the same as those of the fourth embodiment, so description thereof is omitted here.

本実施形態では、図１４に示されるように、リードフレーム６００におけるアイランド部６０１は、センサ部３１０が配置される部分の厚みが他の部分の厚みより十分に厚くされた厚肉部６０１ａを有する構成とされている。そして、リードフレーム６００を挟んでセンサ部３１０と反対側には、上記第３実施形態におけるヒートシンク４８０が配置されていない。つまり、本実施形態では、リードフレーム６００のうちの厚肉部６０１ａがヒートシンクとしての機能を発揮する。 In this embodiment, as shown in FIG. 14, the island portion 601 of the lead frame 600 has a thick portion 601a in which the portion where the sensor portion 310 is arranged is sufficiently thicker than the other portions. It is configured. The heat sink 480 in the third embodiment is not arranged on the side opposite to the sensor section 310 with the lead frame 600 interposed therebetween. That is, in this embodiment, the thick portion 601a of the lead frame 600 functions as a heat sink.

これによれば、リードフレーム６００のうちの厚肉部６０１ａがヒートシンクとしての機能を発揮するため、別体のヒートシンク４８０を備える必要がない。このため、部品点数の削減を図ることができる。 According to this, since the thick portion 601a of the lead frame 600 functions as a heat sink, there is no need to provide a separate heat sink 480. FIG. Therefore, the number of parts can be reduced.

（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対し、熱流量センサ３６におけるモールド部材３００にメッキ膜を配置したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Sixth embodiment)
A sixth embodiment will be described. In the present embodiment, a plated film is arranged on the mold member 300 of the heat flow sensor 36 in contrast to the fourth embodiment. Others are the same as those of the first embodiment, so description thereof is omitted here.

まず、上記のように熱流量センサ３６は、混合ガスにおける熱流量を検出するのに用いられる。この場合、モールド部材３００のうちのコネクタケース８００から突出する部分、つまり、ハウジング９００の延設部９０３内に位置する部分は、混合ガスに晒される。このためモールド部材３００では、混合ガスに含まれる水素ガスがモールド樹脂７００を透過してリードフレーム６００やボンディングワイヤ６１１、６１２等に達することによる水素脆化等が懸念される。 First, as described above, the heat flow sensor 36 is used to detect the heat flow in the mixed gas. In this case, the portion of the mold member 300 protruding from the connector case 800, that is, the portion located within the extended portion 903 of the housing 900 is exposed to the mixed gas. Therefore, in the mold member 300, hydrogen gas contained in the mixed gas permeates the mold resin 700 and reaches the lead frame 600, the bonding wires 611 and 612, and the like, which may cause hydrogen embrittlement.

したがって、本実施形態では、図１５に示されるように、モールド部材３００のうちのコネクタケース８００から露出する部分には、モールド樹脂７００よりも水素ガスの透過性が低いメッキ膜７２０が配置されている。なお、メッキ膜７２０は、例えば、銅メッキ膜やニッケルメッキ膜等で構成される。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 15, a plated film 720 having a lower permeability to hydrogen gas than the mold resin 700 is arranged on the portion of the mold member 300 exposed from the connector case 800 . there is The plated film 720 is composed of, for example, a copper plated film, a nickel plated film, or the like.

これによれば、モールド部材３００のうちのコネクタケース８００から露出する部分にメッキ膜７２０が配置されているため、メッキ膜７２０によって水素ガスがモールド部材３００の内部に侵入することを抑制できる。したがって、水素脆化等が発生することを抑制できる。 According to this, since the plating film 720 is arranged on the part of the molding member 300 exposed from the connector case 800 , the plating film 720 can suppress hydrogen gas from entering the inside of the molding member 300 . Therefore, it is possible to suppress the occurrence of hydrogen embrittlement or the like.

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。 (Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately modified within the scope of the claims.

例えば、上記各実施形態では、ガス成分検出装置５０を燃料電池１０に適用した例について説明したが、燃料電池１０以外の各種装置にガス成分検出装置５０を適用してもよい。 For example, in each of the above embodiments, an example in which the gas component detection device 50 is applied to the fuel cell 10 has been described, but the gas component detection device 50 may be applied to various devices other than the fuel cell 10 .

また、上記各実施形態では、混合ガスに含まれる水素ガスの濃度を算出する例について説明したが、窒素ガスの濃度を算出するようにしてもよい。 Further, in each of the above embodiments, an example of calculating the concentration of hydrogen gas contained in the mixed gas has been described, but the concentration of nitrogen gas may be calculated.

そして、上記各実施形態において、混合ガスは、水素ガスおよび窒素ガスを含むものに限定されるものではなく、熱伝導率が異なる少なくとも２種類のガスを含む構成されていればよい。 In each of the above embodiments, the mixed gas is not limited to containing hydrogen gas and nitrogen gas, and may contain at least two types of gases having different thermal conductivities.

さらに、上記各実施形態において、熱流量センサ３６、圧力センサ３７、温度センサ３８は、気液分離器３５内に配置されておらず、例えば、気液分離器３５と電磁弁３４との間の水素排出配管３１に備えられていてもよい。この場合は、水素排出配管３１がガス流路を構成する。つまり、熱流量センサ３６、圧力センサ３７、温度センサ３８の配置場所は、適宜変更可能である。また、燃料電池システムは、気液分離器３５を備えない構成とされていてもよい。 Furthermore, in each of the above-described embodiments, the heat flow sensor 36, the pressure sensor 37, and the temperature sensor 38 are not arranged inside the gas-liquid separator 35. It may be provided in the hydrogen discharge pipe 31 . In this case, the hydrogen discharge pipe 31 constitutes the gas flow path. In other words, the placement locations of the heat flow sensor 36, the pressure sensor 37, and the temperature sensor 38 can be changed as appropriate. Also, the fuel cell system may be configured without the gas-liquid separator 35 .

そして、上記各実施形態において、混合ガスの湿度を検出する湿度センサを備えるようにし、制御部４０は、湿度センサの検出結果を加味して水素ガスの濃度を算出するようにしてもよい。この場合、湿度センサによって混合ガスに含まれる水蒸気の比率を導出できるため、水蒸気を除いた水素ガスの濃度を算出することにより、検出精度の向上を図ることができる。 In each of the above-described embodiments, a humidity sensor that detects the humidity of the mixed gas may be provided, and the control unit 40 may calculate the concentration of hydrogen gas in consideration of the detection result of the humidity sensor. In this case, since the ratio of water vapor contained in the mixed gas can be derived by the humidity sensor, detection accuracy can be improved by calculating the concentration of hydrogen gas excluding water vapor.

また、上記各実施形態において、ダイヤフラム部３４０は、センサ基板３２０の他面３２０ｂから凹部３２１が形成されることで構成されるものに限定されない。例えば、ダイヤフラム部３４０は、センサ基板３２０の一面３２０ａ側から内部に空洞部が形成されるように凹部が形成されることにより、当該凹部を略閉塞する部分で構成されてもよい。 Further, in each of the above-described embodiments, the diaphragm part 340 is not limited to one configured by forming the recess 321 from the other surface 320 b of the sensor substrate 320 . For example, the diaphragm part 340 may be configured with a portion that substantially closes the recess by forming a recess such that a cavity is formed inside from the one surface 320a side of the sensor substrate 320 .

また、上記第４実施形態において、断熱材４９０は、配置されていなくもよい。このような構成としても、ヒートシンク４８０が配置されていることにより、感度の向上を図ることができる。同様に、上記第５、第６実施形態においても、断熱材４９０は配置されていなくてもよい。 Also, in the above-described fourth embodiment, the heat insulating material 490 may not be arranged. Even with such a configuration, the sensitivity can be improved by disposing the heat sink 480 . Similarly, in the above fifth and sixth embodiments, the heat insulating material 490 may not be arranged.

そして、上記各実施形態を適宜組み合わせることもできる。例えば、上記第２実施形態を第３～第６実施形態に組み合わせ、保護部材４３０を配置するようにしてもよい。また、上記第３実施形態を上記第４～第６実施形態に組み合わせ、温度センサ３８と熱流量センサ３６とを一体化するようにしてもよい。さらに、上記第５実施形態を第６実施形態に組み合わせ、アイランド部６０１に厚肉部６０１ａを備えるようにしてもよい。そして、上記各実施形態を組み合わせたもの同士をさらに組み合わせるようにしてもよい。 Further, each of the above embodiments can be combined as appropriate. For example, the second embodiment may be combined with the third to sixth embodiments, and the protective member 430 may be arranged. Further, the third embodiment may be combined with the fourth to sixth embodiments, and the temperature sensor 38 and the heat flow sensor 36 may be integrated. Further, the fifth embodiment may be combined with the sixth embodiment to provide the island portion 601 with the thick portion 601a. Further, combinations of the above embodiments may be further combined.

本開示に記載の制御部及びその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ以上の専用ハードウエア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。もしくは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリと一つ以上のハードウエア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。 The controller and techniques described in this disclosure may be implemented by a dedicated computer provided by configuring a processor and memory programmed to perform one or more functions embodied by the computer program. may be Alternatively, the controls and techniques described in this disclosure may be implemented by a dedicated computer provided by configuring the processor with one or more dedicated hardware logic circuits. Alternatively, the control units and techniques described in this disclosure can be implemented by a combination of a processor and memory programmed to perform one or more functions and a processor configured by one or more hardware logic circuits. It may also be implemented by one or more dedicated computers configured. The computer program may also be stored as computer-executable instructions on a computer-readable non-transitional tangible recording medium.

３５ａガス流路
３６熱流量センサ
３７圧力センサ
４０制御部 35a gas flow path 36 heat flow sensor 37 pressure sensor 40 controller

Claims

A gas component detection device for detecting a gas concentration of a specific gas in a mixed gas in which at least two types of gases having different thermal conductivities are mixed and flowing in a gas flow path (35a),
a heat flow sensor (36) that outputs a detection signal corresponding to the heat flow in the gas flow path;
a pressure sensor (37) that outputs a detection signal corresponding to the pressure in the gas flow path;
A change amount of the heat flow when the heat flow of the mixed gas periodically changes in the gas flow path is calculated based on the detection signal of the heat flow sensor, and the pressure of the mixed gas is changed to the gas flow. calculating the amount of change in the pressure when it periodically changes in the passage based on the detection signal of the pressure sensor; A control unit (40) that calculates the concentration of the gas,
The gas component detection device, wherein the heat flow sensor has a sensor section (310) that outputs a detection signal corresponding to the heat flow of the mixed gas in a state where the electric current is interrupted.

The sensor part has one surface (320a) and the other surface (320b) opposite to the one surface, and is arranged on one surface of the sensor substrate (320) and a sensor substrate (320) in which a recess (321) is formed, A plurality of first wiring layers (360) each having an end located on the bottom surface of the recess and an end located on a portion different from the bottom surface of the recess in the normal direction to one surface of the sensor substrate; 2 wiring layers (380),
the plurality of first wiring layers and the plurality of second wiring layers are made of different materials and alternately connected in series;
2. The gas component detection device according to claim 1, wherein said detection signal is an electromotive force corresponding to the heat flow of said mixed gas.

The sensor part has one surface (440a) and the other surface (440b) on the opposite side of the one surface, and the protection substrate ( 440), comprising a protective member (430) having
3. The gas component detection device according to claim 2, wherein a through hole (442) is formed in said protection member to expose a portion of said sensor portion that serves as a bottom surface of said recess from said protection member.

A temperature sensor (38) that detects the temperature in the gas flow path,
4. The controller according to any one of claims 1 to 3, wherein the controller calculates the concentration of the specific gas based on the temperature detected by the temperature sensor in addition to the correlation between the amount of change in the heat flow and the amount of change in the pressure. 1. The gas component detection device according to one.

A part of the sensor part is sealed with a mold resin (700),
5. The gas component detection device according to claim 4, wherein the temperature sensor is formed in the sensor section and sealed with the mold resin.