JP2022178502A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】部材の数を抑えつつ、狭額縁であり、かつ、額縁部の見栄え悪化を抑制することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】画像が表示される表示部と、上記表示部の周囲に位置する額縁部と、を有し、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板と、ゲート線及びソース線に接続されたスイッチング素子を有する第一の基板と、液晶層と、第二の基板と、第二の偏光板と、を備え、上記第一の基板は、上記額縁部において、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板と、反射率低減層と、上記ゲート線が設けられたゲート配線層及び上記ソース線が設けられたソース配線層の少なくとも一方の配線層であって、上記反射率低減層に重畳するメタル配線層と、を備え、上記反射率低減層の観察面側の反射率は、上記メタル配線層の観察面側の反射率よりも低い液晶表示装置。【選択図】 図２

Description

以下の開示は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、表示のために液晶組成物を利用する表示装置であり、その代表的な表示方式は、液晶層に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。このような液晶表示装置は、薄型、軽量及び低消費電力といった特長を活かし、幅広い分野で用いられている。

液晶表示装置は、例えば、カバーガラス（ＣＧ：Ｃｏｖｅｒ Ｇｌａｓｓ）と、第一の偏光板と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えるＴＦＴ基板と、液晶層と、カラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）を備えるＣＦ基板と、第二の偏光板と、ＣＧと、を備える。

液晶表示装置に関する技術として、例えば、特許文献１には、互いに対向配置された第１基板及び第２基板と、表示領域を囲む額縁領域に沿って環状に連続する領域をシール領域として該シール領域に配置され、上記第１基板及び第２基板を貼り合わせるシール材と、上記第１基板及び第２基板の間の上記シール材で囲まれた領域に設けられた液晶層と、上記第１基板の上記液晶層とは反対側に設けられた第１偏光板と、上記第２基板の上記液晶層とは反対側に設けられた第２偏光板と、を備え、少なくとも上記第１基板と上記第１偏光板との間において、上記額縁領域のうち少なくとも上記シール領域の一部を含む領域には、額縁遮光層が設けられて該額縁遮光層により額縁遮光領域が構成されている液晶表示装置が開示されている。

国際公開第２０１２／０１７６１７号

液晶表示装置、特にモバイル機器向けの液晶表示装置は薄くて軽く、かつ、安価であることが好ましい。そこで、カバーガラスを取り除くＣＧレスにより、これらの需要に応えようとしている。

また、デザイン性の観点からは狭額縁が求められている。液晶表示装置は、通常、観察面側にＣＦ基板を備えるが、ＣＦ基板よりも基板サイズの大きいＴＦＴ基板を観察者側に配置する反転構造により、狭額縁を実現することができる。

しかしながら、当該反転構造とすることにより、ＴＦＴ基板に設けられた配線メタルに起因して、特に額縁部の見栄えが悪化する。すなわち、配線メタルの反射率が高いため、外光反射により見栄えが悪化してしまう。

このような課題に対する解決策として、額縁部に加飾印刷を施して外光の反射を抑える方法が挙げられる。具体的には、液晶表示装置の偏光板とＣＧとの間に黒インクを設ける方法が考えられる。しかしながら、モバイル向けの液晶表示装置の場合はＣＧレスが求められている。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、部材の数を抑えつつ、狭額縁であり、かつ、額縁部の見栄え悪化を抑制することができる液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

（１）本発明の一実施形態は、画像が表示される表示部と、上記表示部の周囲に位置する額縁部と、を有し、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板と、ゲート線及びソース線に接続されたスイッチング素子を有する第一の基板と、液晶層と、第二の基板と、第二の偏光板と、を備え、上記第一の基板は、上記額縁部において、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板と、反射率低減層と、上記ゲート線が設けられたゲート配線層及び上記ソース線が設けられたソース配線層の少なくとも一方の配線層であって、上記反射率低減層に重畳するメタル配線層と、を備え、上記反射率低減層の観察面側の反射率は、上記メタル配線層の観察面側の反射率よりも低い、液晶表示装置。

（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記メタル配線層は、上記ゲート配線層及び上記ソース配線層のうち、より観察面側に配置される配線層を含む、液晶表示装置。

（３）また、本発明のある実施形態は、上記（１）又は（２）の構成に加え、上記第一の偏光板の観察面側に、カバーガラスを有していない、液晶表示装置。

（４）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）又は上記（３）の構成に加え、上記第一の基板は、端子が配置される端子辺を有し、上記第一の偏光板は、上記端子辺の端辺まで延設されている、液晶表示装置。

（５）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）又は上記（４）の構成に加え、上記反射率低減層は、有機膜及び無機膜の少なくとも一方を含む、液晶表示装置。

（６）また、本発明のある実施形態は、上記（５）の構成に加え、上記有機膜は、カーボンブラックを含む、液晶表示装置。

（７）また、本発明のある実施形態は、上記（５）の構成に加え、上記有機膜は、位相差膜である、液晶表示装置。

（８）また、本発明のある実施形態は、上記（７）の構成に加え、上記位相差膜は、遅相軸が、上記第一の偏光板の透過軸に対して４５°の角度をなす、液晶表示装置。

（９）また、本発明のある実施形態は、上記（５）の構成に加え、上記有機膜は、偏光膜である、液晶表示装置。

（１０）また、本発明のある実施形態は、上記（９）の構成に加え、上記偏光膜の透過軸は、上記第一の偏光板の透過軸に対して９０°の角度をなす、液晶表示装置。

（１１）また、本発明のある実施形態は、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）又は上記（１０）の構成に加え、上記無機膜は、合金を含む、液晶表示装置。

（１２）また、本発明のある実施形態は、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）又は上記（１０）の構成に加え、上記無機膜は、酸化物又は窒化物を含む、液晶表示装置。

（１３）また、本発明のある実施形態は、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）又は上記（１２）の構成に加え、上記無機膜は、上記メタル配線層と接する、液晶表示装置。

（１４）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）又は上記（１３）の構成に加え、上記第一の基板は、上記支持基板の背面側に、タッチパネル駆動用配線を備える、液晶表示装置。

（１５）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）又は上記（１４）の構成に加え、上記第二の基板は、カラーフィルタ層を備える、液晶表示装置。

（１６）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）、上記（１４）又は上記（１５）の構成に加え、上記第一の基板は、更に、上記額縁部において、上記反射率低減層に重畳し、かつ、上記反射率低減層の背面側に接するメタル膜を備える、液晶表示装置。

（１７）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）、上記（１４）、上記（１５）又は上記（１６）の構成に加え、上記第一の基板は、更に、上記額縁部において、上記反射率低減層に重畳し、かつ、上記反射率低減層の背面側に接するフロート電極を備え、上記額縁部において、上記反射率低減層及び上記フロート電極は、上記ソース配線層に重畳し、上記フロート電極は、上記ゲート配線層と同層に設けられ、かつ、上記ゲート配線層とは接続されていない導電層である、液晶表示装置。

（１８）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）、上記（１４）、上記（１５）、上記（１６）又は上記（１７）の構成に加え、上記第一の基板は、更に、上記額縁部において、上記反射率低減層と上記メタル配線層との間に絶縁層を備える、液晶表示装置。

本発明によれば、部材の数を抑えつつ、狭額縁であり、かつ、額縁部の見栄え悪化を抑制することができる液晶表示装置を提供することができる。

実施形態に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図１中のＡ１－Ａ２線に沿った断面模式図である。 実施形態の変形例１に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図３の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図４中のＢ１－Ｂ２線に沿った断面模式図である。 実施形態の変形例２に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図６の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図７中のＣ１－Ｃ２線に沿った断面模式図である。 実施形態の変形例３に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図９の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図１０中のＤ１－Ｄ２線に沿った断面模式図である。 実施形態の変形例４に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図１２の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図１３中のＥ１－Ｅ２線に沿った断面模式図である。 実施形態の変形例５に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図１５の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図１６中のＦ１－Ｆ２線に沿った断面模式図である。 実施形態の変形例６に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図１８の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図１９中のＧ１－Ｇ２線に沿った断面模式図である。 比較例１－１及び比較例１－２に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図２１の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図２２中のＨ１－Ｈ２線に沿った断面模式図である。 比較例２に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図２４の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図２５中のＪ１－Ｊ２線に沿った断面模式図である。 比較例３に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図２７の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。 図２８中のＫ１－Ｋ２線に沿った断面模式図である。 額縁部にインクを印刷する際に考慮される印刷マージンエリアについて説明する平面模式図である。 インクを印刷した際に発生する段差について説明する断面模式図である。 比較例１－２の液晶表示装置断面模式図である。 比較例１－１の液晶表示装置断面模式図である。 比較形態に係る液晶表示装置の平面模式図である。 図３４中のＸ１－Ｘ２線に沿った断面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

＜用語の定義＞
本明細書中、「観察面側」とは、液晶表示装置の画面（表示面）に対してより近い側を意味し、「背面側」とは、液晶表示装置の画面（表示面）に対してより遠い側を意味する。

＜実施形態＞
図１は、実施形態に係る液晶表示装置の平面模式図である。図２は図１中のＡ１－Ａ２線に沿った断面模式図である。

図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１は、画像が表示される表示部１ＡＡと、表示部１ＡＡの周囲に設けられた額縁部１ＮＡと、を備える。また、図１及び図２に示すように、液晶表示装置１は、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板１１と、第一の接着剤層２１と、ゲート線１０１及びソース線１０２に接続された上記スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１０３を有するＴＦＴ基板１００と、液晶層３００と、カラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）を有するＣＦ基板２００と、第二の接着剤層２２と、第二の偏光板１２とを備える。ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００は、液晶層３００の厚さ分のギャップを維持した状態で、額縁部１ＮＡに設けられたシール材４００により貼り合わせられている。

ＴＦＴ基板１００は、額縁部１ＮＡにおいて、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、反射率低減層５００と、ゲート配線層１２０と、ゲート絶縁膜１３０と、ソース配線層１４０と、層間絶縁膜１５０と、を備える。

液晶表示装置１は、観察面側から背面側に向かって順に、上記第一の基板としてのＴＦＴ基板１００と、上記第二の基板としてのＣＦ基板２００とを備える。このように、ＣＦ基板２００よりも基板サイズの大きいＴＦＴ基板１００を観察面側に配置する反転構造とすることにより、ＴＦＴ基板１００の端子辺１ＮＡ２の端辺（基板端辺）１ＮＡ２２まで第一の偏光板１１が延設された構造を実現することができる。具体的には、端子辺１ＮＡ２の端辺１ＮＡ２２を含む全基板端辺１００Ｘまで偏光板を有しているフラットなデザイン（フルフラット）を実現することができ、額縁ベゼル（フレーム）の無い構成とすることができる。その結果、狭額縁を実現することができる。

ここで、上記特許文献１では、液晶表示装置の額縁部を遮光するために、基板と偏光板との間に遮光層を設置している。ＣＧレスである液晶表示装置に対して、遮光用の印刷インクを設置した比較形態の液晶表示装置について以下に説明する。

図３４は、比較形態に係る液晶表示装置の平面模式図である。図３５は、図３４中のＸ１－Ｘ２線に沿った断面模式図である。

図３４に示すように、比較形態の液晶表示装置１Ｒは、画像が表示される表示部１ＡＡと、表示部１ＡＡの周囲に設けられた額縁部１ＮＡと、を備える。また、図３４及び図３５に示すように、液晶表示装置１Ｒは、観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板１１と、第一の接着剤層２１と、ＴＦＴ基板１００Ｒと、液晶層３００と、ＣＦ基板２００と、第二の偏光板とを備える。また、ＴＦＴ基板１００Ｒは、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、ゲート配線層１２０と、ゲート絶縁膜１３０と、ソース配線層１４０と、層間絶縁膜１５０と、を備える。

比較形態の液晶表示装置１Ｒは、図３５に示すように、額縁部１ＮＡにおいて第一の接着剤層２１とＴＦＴ基板１００Ｒとの間に印刷インク５００Ｒを備える。このような態様とすることにより、ＣＧレスを実現し、かつ、外光反射に起因する額縁部１ＮＡの見栄え悪化を抑えることができる。しかしながら、印刷インク５００Ｒによる段差に起因して額縁部１ＮＡの見栄えが悪化してしまう。

一方、本実施形態のＴＦＴ基板１００は、額縁部１ＮＡにおいて、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、反射率低減層５００と、反射率低減層５００に重畳する上記メタル配線層としてのゲート配線層１２０及びソース配線層１４０と、を備え、反射率低減層５００の観察面側の反射率は、ゲート配線層１２０及びソース配線層１４０の観察面側の反射率よりも低い。このような態様とすることにより、額縁部１ＮＡにおいて、ゲート配線層１２０及びソース配線層１４０に起因する外光の反射を抑えることが可能となり、額縁部１ＮＡの見栄えの悪化を抑えることができる。また、このような態様とすることにより、カバーガラスレスを実現した際に、特許文献１のように基板と偏光板との間に遮光層を配置する必要がなくなり、額縁部１ＮＡと表示部１ＡＡとの境界に段差が生じることを抑えられるため、部材の数を抑えつつ、段差に起因する額縁部１ＮＡの見栄えの悪化を抑えることができる。

このように、本実施形態では、反射率低減層５００をインセル（ＴＦＴ基板１００が備える支持基板１１０に対して液晶層３００側）に設置することで、液晶表示装置１の薄型化、軽量化、安価を目的としてカバーガラスレスを実現した際、特許文献１のように基板と偏光板の間（アウトセル）に遮光層を設置する必要がなくなり、額縁部１ＮＡと表示部１ＡＡとの境界に段差が生じることを抑えられる。その結果、液晶表示装置１の額縁部１ＮＡの見栄えが向上し、また、アウトセルに遮光層を設置する際の位置ずれを考慮したマージンを設ける必要もないため、更なる狭額縁化を達成することが可能となる。

以下、本実施形態の液晶表示装置の詳細を説明する。

図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１は、液晶組成物を利用して画像を表示する表示装置である。液晶表示装置１は、全体として横長な方形状（矩形状）をなしており、その長辺方向がＸ軸方向と、短辺方向がＹ軸方向と、それぞれ一致している。Ｘ軸方向は画面の水平方向であり、Ｙ軸方向は画面の垂直方向である。

液晶表示装置１は、画像を表示可能な表示部（アクティブエリア）１ＡＡと、表示部１ＡＡを取り囲むとともに画像を表示不能な額縁部（ノンアクティブエリア）１ＮＡと、に区分されている。液晶表示装置１においては、その短辺方向における一方の端部側（図１に示す上側）に片寄った位置に表示部１ＡＡが配置されている。また、額縁部１ＮＡは、表示部１ＡＡを取り囲む略枠状の領域１ＮＡ１と、短辺方向の他方の端部側（図１に示す下側）に確保された、端子が配置される端子辺１ＮＡ２と、からなる。略枠状の領域１ＮＡ１は、枠状のシール材が設けられた額縁部分であり、端子辺１ＮＡ２は、後述するＴＦＴ基板１００のうちＣＦ基板２００とは重畳せずに露出する部分である。

液晶表示装置１は、観察面側から背面側に向かって順に、ＴＦＴ基板１００、液晶材料を含む液晶層３００及びＣＦ基板２００を備え、ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００が、液晶層３００の厚さ分のギャップを維持した状態でシール材により貼り合わせられている。ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００は、それぞれ、高い透光性を有する支持基板を備えており、当該支持基板上に各種の膜を既知のフォトリソグラフィ法などにより積層形成してなるものである。

ＣＦ基板２００は、支持基板と、支持基板の観察面側に設けられたＣＦ層及びブラックマトリクス層と、ＣＦ層及びブラックマトリクス層の観察面側に設けられた共通電極と、を備える。

ＣＦ基板２００は、図１に示すように、長辺寸法がＴＦＴ基板１００と同等であるものの、短辺寸法がＴＦＴ基板１００よりも小さく、ＴＦＴ基板１００に対して短辺方向についての一方（図１に示す上側）の端部を揃えた状態で貼り合わせられている。従って、ＴＦＴ基板１００のうち短辺方向についての他方（図１に示す下側）の端部は、図１に示すように、所定範囲にわたってＣＦ基板２００が重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、当該露出部分が端子辺１ＮＡ２である。

図１に示すように、ＴＦＴ基板１００は、表示部１ＡＡにおいて、支持基板１１０上に、画面の水平方向に互いに平行に延設された複数のゲート線１０１と、絶縁膜を介して各ゲート線１０１と交差する方向（画面の垂直方向）に互いに平行に延設された複数のソース線１０２と、を備える。複数のゲート線１０１及び複数のソース線１０２は、各画素を区画するように全体として格子状に形成されている。

各ゲート線１０１とソース線１０２との交点にはスイッチング素子としてのＴＦＴ１０３が配置されている。ＴＦＴ基板１００は画素電極１０４を有し、画素電極１０４は、互いに隣接する２本のゲート線１０１と互いに隣接する２本のソース線１０２とに囲まれた各領域に配置され、ＴＦＴ１０３が備える半導体層を介して対応するソース線１０２と電気的に接続されている。画素電極１０４は、対応するＴＦＴ１０３を介して供給されるデータ信号に応じた電位に設定される。

液晶表示装置１は、ＴＦＴ基板１００の額縁部１ＮＡに、ソース線１０２に電気的に接続されたソースドライバ、ゲート線１０１に電気的に接続されたゲートドライバ、及び、コントローラを備える。ゲートドライバは、コントローラによる制御に基づいて、ゲート線１０１に走査信号を順次供給する。ソースドライバは、ＴＦＴ１０３が走査信号によって電圧印加状態となるタイミングで、コントローラによる制御に基づいてソース線１０２にデータ信号を供給する。

画素電極１０４は各々、対応するＴＦＴ１０３を介して供給されるデータ信号に応じた電位に設定され、画素電極１０４と共通電極との間で電界が発生し、液晶層３００中の液晶分子の配向が制御される。そして、液晶表示装置１では、各画素において、液晶層３００に印加する電圧の大きさによって液晶分子の配向状態を変えることにより、液晶層３００での光透過率を調整して画像が表示される。

支持基板１１０及びＣＦ基板２００が備える支持基板は、透明基板であることが好ましく、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等が挙げられる。

反射率低減層５００は、額縁部１ＮＡにおいて、上記メタル配線層と重畳するように、支持基板１１０とメタル配線層との間に設けられる。反射率低減層５００は、額縁部１ＮＡ全体に設けられていてもよく、額縁部１ＮＡの一部に設けられていてもよい。また、反射率低減層５００は、額縁部１ＮＡに加えて、表示部１ＡＡに設けられていてもよい。

反射率低減層５００の観察面側の反射率は、メタル配線層の観察面側の反射率よりも低い。反射率低減層５００及びメタル配線層の反射率は、例えば、ガラス基板上に測定対象となる層を成膜し、Ｄ６５光源を用いて、ガラス基板側から光を入射した際の反射率をコニカミノルタ社製ＣＭ－２６００ｄで測定することにより求めることができる。測定波長は可視光域の３８０ｎｍ～７８０ｎｍとし、偏光板等は配置しないものとする。

反射率低減層５００の観察面側の反射率は、メタル配線層の観察面側の反射率よりも５％以上低いことが好ましく、１０％以上低いことがより好ましく、２０％以上低いことが更に好ましい。このような態様とすることにより、メタル配線層に起因する外光の反射をより抑制することが可能となる。

反射率低減層５００の観察面側の反射率は、例えば、３％以上、３０％以下である。また、メタル配線層の観察面側の反射率は、例えば、３５％以上、８５％以下である。

反射率低減層５００の透過率は、９５％以下であることが好ましく、５０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。このような反射率低減層５００を用いることにより、反射率低減層５００の観察面側での反射をより抑制することができるため、外光の反射を効果的に抑制することが可能となる。反射率低減層５００の透過率は、例えば、ガラス基板上に測定対象となる反射率低減層を成膜し、Ｄ６５光源を用いて透過率を日本分光社製Ｖ７１００で測定することにより求めることができる。測定波長は可視光域の３８０ｎｍ～７８０ｎｍとし、偏光板等は配置しないものとする。

反射率低減層５００は、有機膜及び無機膜の少なくとも一方を含み、有機膜及び無機膜は、それぞれ、単層であっても多層であってもよい。

反射率低減層５００に含まれる有機膜は、カーボンブラックを含むことが好ましい。このような態様とすることにより、外光の反射をより低減することができる。有機膜は、例えば、カーボンブラックを含有する樹脂である。

また、反射率低減層５００に含まれる有機膜は、位相差膜であることも好ましい。このような態様とすることにより、第一の偏光板１１で偏光された外光が円偏光となり、外光の反射を低減することができる。

上記位相差膜は、複屈折材料等を利用して直交する２つの偏光成分に位相差をつけて、入射偏光の状態を変える機能を有する。位相差膜は、少なくとも波長５５０ｎｍの光に対して１０ｎｍ以上の面内位相差を付与する位相差層を意味する。ちなみに、波長５５０ｎｍの光は、人間の視感度が最も高い波長の光である。

面内位相差は、Ｒｅ＝（ｎｓ－ｎｆ）×ｄで定義される。ここで、ｎｓは、位相差膜の面内方向の主屈折率ｎｘ及びｎｙのうちの大きい方を表し、ｎｆは、位相差膜の面内方向の主屈折率ｎｘ及びｎｙのうちの小さい方を表す。主屈折率は、特に断りのない限り、波長５５０ｎｍの光に対する値を指している。位相差膜の面内遅相軸（単に遅相軸ともいう。）はｎｓに対応する方向の軸を指し、面内進相軸（単に進相軸ともいう。）はｎｆに対応する方向の軸を指す。ｄは、位相差膜の厚さを表す。本明細書中、特に断りがなければ、「位相差」は、面内位相差を意味している。

上記位相差膜の面内位相差は、１０７．５ｎｍ以上、１６７．５ｎｍ以下であることが好ましく、１１７．５ｎｍ以上、１５７．５ｎｍ以下であることがより好ましく、１２７．５ｎｍ以上、１４７．５ｎｍ以下であることが更に好ましく、１３７．５ｎｍであることが特に好ましい。このような態様とすることにより、楕円偏光ではなくなるので、外光の反射をより低減することができる。

上記位相差膜は、光反応性基を有する液晶性ポリマー（以下、単に「液晶性ポリマー」ともいう。）を用いて形成された層であってもよい。また、位相差膜は、位相差膜用の配向膜上に液晶性ポリマーを配向させた層であってもよい。

上記液晶性ポリマーとしては、例えば、液晶性高分子のメソゲン成分として多用されているビフェニル基、ターフェニル基、ナフタレン基、フェニルベンゾエート基、アゾベンゼン基、これらの誘導体等のメソゲン基と、シンナモイル基、カルコン基、シンナミリデン基、β－（２－フェニル）アクリロイル基、桂皮酸基、これらの誘導体等の光反応性基とを、併せ有する構造の側鎖を有し、アクリレート、メタクリレート、マレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、シロキサン等の構造を主鎖に有するポリマーを挙げることができる。

上記位相差膜は、遅相軸が、第一の偏光板１１の透過軸に対して４５°の角度をなすことが好ましい。このような態様とすることにより、楕円偏光ではなくなるので、外光の反射をより低減することができる。

また、反射率低減層５００に含まれる有機膜は、偏光膜であることも好ましい。このような態様とすることにより、第一の偏光板１１で偏光された外光を吸収できるため、外光反射を低減することができる。

上記偏光膜は、光を偏光する機能を有する。偏光膜としては、吸収異方性を有する色素を塗布配向した膜が挙げられる。吸収異方性を有する色素としては、二色性色素が挙げられる。

吸収異方性を有する色素を塗布配向した膜としては、液晶性を有する二色性色素を含む組成物を塗布して得られるフィルム、又は、二色性色素と重合性液晶化合物とを含む組成物を塗布して得られるフィルム等が挙げられる。硬膜として得られる点から二色性色素と重合性液晶化合物を含む組成物を塗布し、重合性液晶化合物が配向した状態で重合体を形成した膜が好ましく、高い偏光性能が得られる点で、重合性液晶化合物がスメクチック液晶相を有し、かつ、スメクチック液晶相状態で重合体を形成した膜がより好ましい。

上記偏光膜は、透過軸が、第一の偏光板１１の透過軸に対して９０°の角度をなすことが好ましい。このような態様とすることにより、上記偏光膜と第一の偏光板１１とがクロスニコルに配置されるため、良好な黒表示状態を実現することができる。

反射率低減層５００に含まれる無機膜は、合金を含む膜であることが好ましい。このような態様とすることにより、有機膜よりも薄くしても反射率低減効果が得られる。合金の具体例としては、ＣｕＭｏを含有する合金、ＣｕＩｎを含有する合金、ＴｉＩｎを含有する合金等が挙げられる。

また、反射率低減層５００に含まれる無機膜は、酸化物又は窒化物を含む膜であることも好ましい。このような態様とすることにより、メタル配線層（配線メタル）の電気特性への影響を抑えることができる。上記酸化物の具体例としては、ＳｉＯ_２等が挙げられ、上記窒化物の例としては、ＳｉＮｘ、ＴｉＮ、ＭｏＮ等が挙げられる。

反射率低減層５００は、ゲート配線層１２０の観察面側に接していても接していなくてもよいが、反射率低減層５００が無機膜である場合、反射率低減層５００はゲート配線層１２０の観察面側に接することが好ましい。このような態様とすることにより、反射率低減層５００とゲート配線層１２０とで光学干渉を起こすことが可能となり、外光の反射をより抑え、額縁部１ＮＡの見栄えの悪化をより抑えることができる。

ゲート配線層１２０は、ゲート線１０１が設けられる配線層であり、反射率低減層５００の背面側に配置される。ソース配線層１４０は、ソース線１０２が設けられる配線層であり、ゲート絶縁膜１３０の背面側に配置される。

ゲート配線層１２０及びソース配線層１４０は、例えば、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属、又は、それらの合金の、単層又は複数層である。ゲート線１０１、ソース線１０２及びＴＦＴ１０３を構成する各種配線及び電極は、スパッタリング法等により、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属、又は、それらの合金を、単層又は複数層で成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法等でパターニングを行うことで形成することができる。これら各種配線及び電極は、同じ層に形成されるものについては、それぞれ同じ材料を用いることで製造が効率化される。

上記メタル配線層は、ゲート配線層１２０及びソース配線層１４０のうち、より観察面側に配置される配線層を含むことが好ましい。このような態様とすることにより、額縁部１ＮＡにおいて外光の反射をより効果的に抑え、額縁部１ＮＡの見栄えの悪化をより効果的に抑制することができる。

ゲート絶縁膜１３０は、例えば、無機絶縁膜である。無機絶縁膜としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の無機膜（比誘電率ε＝５～７）や、それらの積層膜を用いることができる。

層間絶縁膜１５０は、例えば、無機絶縁膜である。無機絶縁膜としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の無機膜（比誘電率ε＝５～７）や、それらの積層膜を用いることができる。

ＴＦＴ基板１００は、支持基板１１０の背面側に、タッチパネル駆動用配線１００ＴＰを備える。このような態様とすることにより、液晶表示装置の厚さを抑えつつ、タッチパネル機能を付与することができる。タッチパネル駆動用配線１００ＴＰは、例えば、表示部１ＡＡにおいて、絶縁層を介してソース線１０２と重畳する。

液晶表示装置１は、自己容量方式のインセル型のタッチパネルを備えており、表示部１ＡＡには、複数のタッチパネル電極と、複数のタッチパネル駆動用配線１００ＴＰとが配置されている。複数のタッチパネル電極は、タイル状（マトリクス状）に設けられている。各タッチパネル駆動用配線１００ＴＰは、複数のタッチパネル電極のいずれか１つに接続されている。また、タッチパネル駆動用配線１００ＴＰは、上記ソースドライバに接続されている。

タッチパネル電極は、後述する共通電極を分割した電極であり、各画素に表示用の信号である表示信号が書き込まれる書き込み期間の間は共通電極として画素基準電位（共通電圧）に設定され、表示信号が書き込まれない（ゲートスキャンが行われない）センシング期間はタッチパネル電極として機能する。各タッチパネル電極には、一本のタッチパネル駆動用配線１００ＴＰが接続されており、センシング期間中は、センシング用の信号が、ソースドライバからタッチパネル駆動用配線１００ＴＰを経由してタッチパネル電極へ入力される。センシング用の信号としては、例えば、各タッチパネル電極における静電容量の変化を検出するために印加されるパルス信号であるタッチ信号が挙げられる。

ＣＦ基板２００が備えるＣＦ層は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタから構成され、各画素に、赤色カラーフィルタを備える絵素、緑色カラーフィルタを備える絵素及び青色カラーフィルタを備える絵素の３つの絵素がストライプ状に設けられ、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタを透過する色光の量を制御しつつ混色させることで各画素において所望の色が得られる。

ＣＦ基板２００が備えるブラックマトリクス層は、カラーフィルタ層に設けられた各色カラーフィルタを区画するように格子状に配置された遮光性を有する部材である。

共通電極は、画素の境界に関わらず、ほぼ一面に形成された電極である。共通電極に対しては一定値に保たれた共通信号が供給され、共通電極は一定の電位に保たれる。なお、本実形態では共通電極をＣＦ基板２００に設けるが、共通電極は、ＴＦＴ基板１００に設けてもよい。共通電極がＴＦＴ基板１００に設けられる場合、共通電極は、画素電極１０４と同一層に設けられてもよいし、絶縁膜を介して画素電極１０４の観察面側又は背面側に設けられてもよい。

画素電極１０４及び共通電極の材料としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が挙げられる。

液晶層３００は、液晶材料を含んでおり、液晶層３００に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶材料中の液晶分子の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。液晶分子は、下記式Ｌで定義される誘電率異方性（Δε）が正の値を有するものであってもよく、負の値を有するものであってもよい。正の誘電率異方性を有する液晶分子はポジ型液晶ともいい、負の誘電率異方性を有する液晶分子はネガ型液晶ともいう。なお、液晶分子の長軸方向が遅相軸の方向となる。また、液晶分子は、電圧が印加されていない状態（電圧無印加状態）で、ホモジニアス配向するものであり、電圧無印加状態における液晶分子の長軸の方向は、液晶分子の初期配向の方向ともいう。
Δε＝（液晶分子の長軸方向の誘電率）－（液晶分子の短軸方向の誘電率） （式Ｌ）

ＴＦＴ基板１００と液晶層３００との間、及び、ＣＦ基板２００と液晶層３００との間には、それぞれ、液晶層３００に含まれる液晶分子の配向を制御する機能を有する配向膜が配置されてもよい。

ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００の液晶層３００とは反対側の面には、それぞれ第一の偏光板１１及び第二の偏光板１２が貼り付けられている。第一の偏光板１１及び第二の偏光板１２は、直線偏光板であることが好ましい。

本実施形態の液晶表示装置１は、ＴＦＴ基板１００と第一の偏光板１１との間に位相差フィルムを含まない液晶表示装置であり、円偏光モードではなく、直線偏光モードである。

第一の偏光板１１及び第二の偏光板１２は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムにヨウ素錯体（又は染料）等の異方性材料を、染色及び吸着させてから延伸配向させた偏光子（吸収型偏光板）等を用いることができる。なお、通常は、機械強度や耐湿熱性を確保するために、ＰＶＡフィルムの両側にトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム等の保護フィルムをラミネートして実用に供される。

第一の偏光板１１の吸収軸と第二の偏光板１２の吸収軸とは、直交することが好ましい。このような構成によれば、第一の偏光板１１と第二の偏光板１２とがクロスニコルに配置されるため、電圧無印加時に、良好な黒表示状態を実現することができる。

本明細書中、２つの軸（方向）が直交するとは、両者のなす角度（絶対値）が９０±３°の範囲内であることを指し、好ましくは９０±１°の範囲内であり、より好ましくは９０±０．５°の範囲内であり、特に好ましくは９０°（完全に直交）である。また、本明細書中、２つの軸（方向）が平行であるとは、両者のなす角度（絶対値）が０±３°の範囲内であることを指し、好ましくは０±１°の範囲内であり、より好ましくは０±０．５°の範囲内であり、特に好ましくは０°（完全に平行）である。

本実施形態の液晶表示装置１は、上述の部材の他、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム等の複数の部材により構成されるものであり、部材によっては、他の部材に組み込まれていてもよい。既に説明した部材以外の部材については特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。

（実施形態の変形例１）
本変形例では、反射率低減層の具体的な配置の一例を説明する。図３は、実施形態の変形例１に係る液晶表示装置の平面模式図である。図４は、図３の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図５は、図４中のＢ１－Ｂ２線に沿った断面模式図である。図５は、ＴＦＴ基板１００周辺の断面を示す。

図３～図５に示すように、本変形例のＴＦＴ基板１００は、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、反射率低減層５００及び反射率低減層５００に重畳するメタル膜１１１を含む積層膜５１１１と、絶縁層１１２と、ゲート配線層１２０と、ゲート絶縁膜１３０と、ソース配線層１４０と、層間絶縁膜１５０と、を備える。

本変形例のＴＦＴ基板１００は、図５に示すように、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、反射率低減層５００及び反射率低減層５００に重畳するメタル膜１１１を含む積層膜５１１１と、積層膜５１１１に重畳する上記メタル配線層としてのゲート配線層１２０及びソース配線層１４０と、を備える。上記実施形態では、メタル配線層での外光の反射を反射率低減層５００により抑制したが、本変形例では、積層膜５１１１により外光の反射を光学干渉により効果的に抑制することができるため、額縁部１ＮＡの見栄えの悪化を効果的に抑えることができる。メタル膜１１１の具体例としては、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏの少なくとも一種の金属を含む膜等が挙げられる。

本変形例のＴＦＴ基板１００は、図３～図５に示すように、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、ゲート配線層１２０に重畳する領域及びソース配線層１４０に重畳する領域に積層膜５１１１を備える。このような態様とすることにより、額縁部全面に反射率低減層５００を備えた積層膜５１１１を設けることができる。

絶縁層１１２は、透明絶縁層であることが好ましい。絶縁層１１２は、例えば、無機絶縁膜である。無機絶縁膜としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の無機膜（比誘電率ε＝５～７）や、それらの積層膜を用いることができる。

（実施形態の変形例２）
本変形例では、反射率低減層の具体的な配置の一例を説明する。図６は、実施形態の変形例２に係る液晶表示装置の平面模式図である。図７は、図６の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図８は、図７中のＣ１－Ｃ２線に沿った断面模式図である。

上記変形例１では、ＴＦＴ基板１００は、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡの両領域において、ゲート配線層１２０と重畳する領域及びソース配線層１４０と重畳する領域に、反射率低減層５００及びメタル膜１１１の積層膜５１１１を備えるが、本変形例では、図６～図８に示すように、額縁部１ＮＡにおいて、ゲート配線層１２０と重畳する領域及びソース配線層１４０と重畳する領域に積層膜５１１１を備える一方、表示部１ＡＡには積層膜５１１１を備えない。このような態様とすることにより、表示部１ＡＡの構造をよりシンプルなものとすることが可能となり、歩留まりを向上させることができる。

（実施形態の変形例３）
本変形例では、反射率低減層の具体的な配置の一例を説明する。図９は、実施形態の変形例３に係る液晶表示装置の平面模式図である。図１０は、図９の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図１１は、図１０中のＤ１－Ｄ２線に沿った断面模式図である。

図９～図１１に示すように、本変形例のＴＦＴ基板１００は、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、反射率低減層５００と、フロート電極１２１と、ゲート絶縁膜１３０と、ソース配線層１４０と、層間絶縁膜１５０と、を備える。

本変形例のＴＦＴ基板１００は、図１１に示すように、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、反射率低減層５００及び反射率低減層５００に重畳するフロート電極１２１を含む積層膜５１２１と、積層膜５１２１に重畳する上記メタル配線層としてのソース配線層１４０と、を備える。上記実施形態では、メタル配線層での外光の反射を反射率低減層５００により抑制したが、本変形例では、積層膜５１２１により外光の反射を光学干渉により効果的に抑制することができるため、額縁部１ＮＡの見栄えの悪化を効果的に抑えることができる。フロート電極１２１の具体例としては、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏの少なくとも一種の金属を含む膜等が挙げられる。

フロート電極１２１は、ゲート配線層１２０と同層に設けられ、かつ、ゲート配線層１２０とは接続されていない導電層である。

本変形例のＴＦＴ基板１００は、図９～図１１に示すように、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、ソース配線層１４０に重畳する領域に積層膜５１２１を備える。このような態様とすることにより、変形例１及び２よりも層数を少なくすることが可能となり、安価な構成を実現することができる。

上記変形例１では、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、メタル配線層としてのゲート配線層１２０及びソース配線層１４０の両者が積層膜５１１１と重畳するが、本変形例では、ゲート配線層１２０は積層膜５１２１と重畳せず、ソース配線層１４０が積層膜５１２１と重畳する。メタル配線層での外光の反射は、反射率低減層５００単層よりも、反射率低減層５００を含む積層膜５１１１、５１２１により効果的に抑制することができるため、変形例３に比べて、変形例１の方が額縁部１ＮＡの見栄えの悪化をより効果的に抑えることができる。

（実施形態の変形例４）
本変形例では、反射率低減層の具体的な配置の一例を説明する。図１２は、実施形態の変形例４に係る液晶表示装置の平面模式図である。図１３は、図１２の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図１４は、図１３中のＥ１－Ｅ２線に沿った断面模式図である。

上記変形例３では、ＴＦＴ基板１００は、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、ソース配線層１４０に重畳する領域に積層膜５１２１を備えるが、本変形例では、図１２～図１４に示すように、額縁部１ＮＡにおいてソース配線層１４０に重畳する領域に積層膜５１２１を備える一方、表示部１ＡＡには積層膜５１２１を備えない。このような態様とすることにより、ゲート線１０１間でのリーク不良のリスクを低減できる。

上記変形例２では、額縁部１ＮＡにおいて、メタル配線層としてのゲート配線層１２０及びソース配線層１４０の両者が積層膜５１１１と重畳するが、本変形例では、ゲート配線層１２０は積層膜５１２１と重畳せず、ソース配線層１４０が積層膜５１２１と重畳する。メタル配線層での外光の反射は、反射率低減層５００単層よりも、反射率低減層５００を含む積層膜５１１１、５１２１により効果的に抑制することができるため、変形例４に比べて、変形例２の方が額縁部１ＮＡの見栄えの悪化をより効果的に抑えることができる。

（実施形態の変形例５）
本変形例では、反射率低減層の具体的な配置の一例を説明する。図１５は、実施形態の変形例５に係る液晶表示装置の平面模式図である。図１６は、図１５の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図１７は、図１６中のＦ１－Ｆ２線に沿った断面模式図である。

図１５～図１７に示すように、本変形例のＴＦＴ基板１００は、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、反射率低減層５００と、絶縁層としてのオーバーコート層１１３と、ゲート配線層１２０と、ゲート絶縁膜１３０と、ソース配線層１４０と、層間絶縁膜１５０と、を備える。

本変形例のＴＦＴ基板１００は、図１７に示すように、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡにおいて、支持基板１１０と、反射率低減層５００と、オーバーコート層１１３と、反射率低減層５００に重畳する上記メタル配線としてのゲート配線層１２０及びソース配線層１４０と、を備える。このような態様とすることにより、特に反射率低減層５００が有機膜の場合において、反射率低減層５００がメタル配線層や絶縁膜と接することで生じる光学特性の変化を防ぐことができる。

オーバーコート層１１３は、例えば、有機膜（誘電率ε＝３～４）を用いることができる。オーバーコート層は、例えば、光硬化性の樹脂を塗布し、紫外線照射及び焼成を行うことにより形成される。

（実施形態の変形例６）
本変形例では、反射率低減層の具体的な配置の一例を説明する。図１８は、実施形態の変形例６に係る液晶表示装置の平面模式図である。図１９は、図１８の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図２０は、図１９中のＧ１－Ｇ２線に沿った断面模式図である。

上記変形例５では、ＴＦＴ基板１００は、額縁部１ＮＡ及び表示部１ＡＡの両領域において、ゲート配線層１２０と重畳する領域及びソース配線層１４０と重畳する領域に、反射率低減層５００を備えるが、本変形例では、図１８～図２０に示すように、額縁部１ＮＡにおいて、ゲート配線層１２０と重畳する領域及びソース配線層１４０と重畳する領域に反射率低減層５００を備える一方、表示部１ＡＡには反射率低減層５００を備えない。このような態様とすることにより、表示部１ＡＡの構造をよりシンプルなものとすることが可能となり、歩留まりを向上させることができる。

以下に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１－１－１～実施例１－１－２）
上記実施形態の変形例１に対応する実施例１－１－１～実施例１－１－２の液晶表示装置１を作製した。実施例１－１－１では、反射率低減層５００として、ＣｕＭｏを含有する合金を含む膜であり、かつ、観察面側の反射率が３０％であり、透過率が４０％である膜を用いた。実施例１－１－２では、反射率低減層５００として、観察面側の反射率が５％であり、透過率が９５％であるＳｉＮｘ膜を用いた。また、実施例１－１－１及び実施例１－１－２では、観察面側の反射率が４０％であるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用い、絶縁層１１２として透明絶縁層を用いた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００、液晶層３００及びＣＦ基板２００を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルに対して、ＴＦＴ基板１００の観察面側に第一の接着剤層２１を介して第一の偏光板１１を、ＣＦ基板２００の背面側に第二の接着剤層２２を介して第二の偏光板１２を貼り付けた。最後に、第二の偏光板１２の背面側にバックライトを設け、実施例１－１－１～実施例１－１－２の液晶表示装置１を作製した。

（実施例１－２－１～実施例１－２－２）
上記実施形態の変形例２に対応する実施例１－２－１～実施例１－２－２の液晶表示装置１を作製した。実施例１－２－１では、反射率低減層５００として、実施例１－１－１と同じＣｕＭｏを含有する合金を含む膜を用いた。実施例１－２－２では、反射率低減層５００として、実施例１－１－２と同じＳｉＮｘ膜を用いた。また、実施例１－２－１及び実施例１－２－２では、観察面側の反射率が実施例１－１－１と同じであるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用い、絶縁層１１２として透明絶縁層を用いた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００、液晶層３００及びＣＦ基板２００を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルに対して、ＴＦＴ基板１００の観察面側に第一の接着剤層２１を介して第一の偏光板１１を、ＣＦ基板２００の背面側に第二の接着剤層２２を介して第二の偏光板１２を貼り付けた。最後に、第二の偏光板１２の背面側にバックライトを設け、実施例１－２－１～実施例１－２－２の液晶表示装置１を作製した。

実施例１－２－１～実施例１－２－２の液晶表示装置は、実施例１－１－１～実施例１－１－２とは異なり、反射率低減層５００を配線部分（表示部）には設けず、額縁部のみに設けた。

（実施例２－１－１～実施例２－１－２）
上記実施形態の変形例３に対応する実施例２－１－１～実施例２－１－２の液晶表示装置１を作製した。実施例２－１－１では、反射率低減層５００として、実施例１－１－１と同じＣｕＭｏを含有する合金を含む膜を用いた。実施例２－１－２では、反射率低減層５００として、実施例１－１－２と同じＳｉＮｘ膜を用いた。また、実施例２－１－１～実施例２－１－２では、観察面側の反射率が実施例１－１－１と同じであるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用いた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００、液晶層３００及びＣＦ基板２００を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルに対して、ＴＦＴ基板１００の観察面側に第一の接着剤層２１を介して第一の偏光板１１を、ＣＦ基板２００の背面側に第二の接着剤層２２を介して第二の偏光板１２を貼り付けた。最後に、第二の偏光板１２の背面側にバックライトを設け、実施例２－１－１～実施例２－１－２の液晶表示装置１を作製した。

実施例２－１－１～実施例２－１－２では、ゲート配線層１２０（最下層メタル）のパターニングをする際、額縁部１ＮＡのゲート配線層１２０（最下層メタル）が存在していない余白領域とアクティブエリア（表示部１ＡＡ）のソース線１０２の下層にゲート配線層１２０（最下層メタル）を設置した。但し、当初のパターンにおけるゲート配線層１２０（最下層メタル）とは電気的に導通しないよう、切り離したフロート電極１２１としてのパターンを設けた。

（実施例２－２－１～実施例２－２－２）
上記実施形態の変形例４に対応する実施例２－２－１～実施例２－２－２の液晶表示装置１を作製した。実施例２－２－１では、反射率低減層５００として、実施例１－１－１と同じＣｕＭｏを含有する合金を含む膜を用いた。実施例２－２－２では、反射率低減層５００として、実施例１－１－２と同じＳｉＮｘ膜を用いた。また、実施例２－２－１～実施例２－２－２では、観察面側の反射率が実施例１－１－１と同じであるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用いた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００、液晶層３００及びＣＦ基板２００を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルに対して、ＴＦＴ基板１００の観察面側に第一の接着剤層２１を介して第一の偏光板１１を、ＣＦ基板２００の背面側に第二の接着剤層２２を介して第二の偏光板１２を貼り付けた。最後に、第二の偏光板１２の背面側にバックライトを設け、実施例２－２－１～実施例２－２－２の液晶表示装置１を作製した。

実施例２－２－１～実施例２－２－２では、ゲート配線層１２０（最下層メタル）のパターニングをする際、額縁部１ＮＡのゲート配線層１２０（最下層メタル）が存在していない余白領域にゲート配線層１２０（最下層メタル）を設置した。但し、当初のパターンにおけるゲート配線層１２０（最下層メタル）とは電気的に導通しないよう、切り離したフロート電極１２１としてのパターンを設けた。

（実施例３－１－１～実施例３－１－３）
上記実施形態の変形例５に対応する実施例３－１－１～実施例３－１－３の液晶表示装置１を作製した。実施例３－１－１では、反射率低減層５００として、カーボンブラックを含有する有機膜（ＣＢ含有樹脂膜）を用いた。実施例３－１－２では、反射率低減層５００として透過する光に位相差を発現させる液晶性を有する有機膜（位相差膜）を用いた。実施例３－１－３では、反射率低減層５００として透過する光に偏光性を発現させる液晶性を有する有機膜（偏光膜）を用いた。実施例３－１－１で用いた反射率低減層５００の観察面側の反射率は５％であり、透過率は１０％であった。実施例３－１－２で用いた反射率低減層５００の観察面側の反射率は５％であり、透過率は９０％であった。実施例３－１－３で用いた反射率低減層５００の観察面側の反射率は５％であり、透過率は４０％であった。

更に、実施例３－１－１～実施例３－１－３には、反射率低減層５００を覆うオーバーコート層１１３を形成した。また、実施例３－１－１～実施例３－１－３では、観察面側の反射率が実施例１－１－１と同じであるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用いた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００、液晶層３００及びＣＦ基板２００を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルに対して、ＴＦＴ基板１００の観察面側に第一の接着剤層２１を介して第一の偏光板１１を、ＣＦ基板２００の背面側に第二の接着剤層２２を介して第二の偏光板１２を貼り付けた。最後に、第二の偏光板１２の背面側にバックライトを設け、実施例３－１－１～実施例３－１－３の液晶表示装置１を作製した。

（実施例３－２－１～実施例３－２－３）
上記実施形態の変形例６に対応する実施例３－２－１～実施例３－２－３の液晶表示装置１を作製した。実施例３－２－１では、反射率低減層５００として、実施例３－１－１と同じＣＢ含有樹脂膜を用いた。実施例３－２－２では、反射率低減層５００として、実施例３－１－２と同じ位相差膜を用いた。実施例３－２－３では、反射率低減層５００として、実施例３－１－３と同じ偏光膜を用いた。更に、実施例３－２－１～実施例３－２－３には、反射率低減層５００を覆うオーバーコート層１１３を形成した。また、実施例３－２－１～実施例３－２－３では、観察面側の反射率が実施例１－１－１と同じであるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用いた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００、液晶層３００及びＣＦ基板２００を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルに対して、ＴＦＴ基板１００の観察面側に第一の接着剤層２１を介して第一の偏光板１１を、ＣＦ基板２００の背面側に第二の接着剤層２２を介して第二の偏光板１２を貼り付けた。最後に、第二の偏光板１２の背面側にバックライトを設け、実施例３－２－１～実施例３－２－３の液晶表示装置１を作製した。

実施例３－２－１～実施例３－２－３の液晶表示装置は、実施例３－１－１～実施例３－１－３とは異なり、反射率低減層５００をアクティブエリア（表示部）には設けず、額縁部のみに設けた。

（比較例１－１～比較例１－２）
図２１は、比較例１－１及び比較例１－２に係る液晶表示装置の平面模式図である。図２２は、図２１の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図２３は、図２２中のＨ１－Ｈ２線に沿った断面模式図である。

図２１～図２３に示す比較例１－１及び比較例１－２の液晶表示装置１Ｒを作製した。比較例１－１及び比較例１－２の液晶表示装置１Ｒが備えるＴＦＴ基板１００Ｒは、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、ゲート配線層１２０と、ゲート絶縁膜１３０と、ソース配線層１４０と、層間絶縁膜１５０とを有していた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００Ｒ及びＣＦ基板を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００Ｒ、液晶層及びＣＦ基板を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルに対して、ＴＦＴ基板１００Ｒの観察面側に第一の接着剤層２１を介して第一の偏光板１１を、ＣＦ基板の背面側に第二の接着剤層を介して第二の偏光板を貼り付けた。更に、第一の偏光板１１の観察面側に、額縁部１ＮＡにおいて黒インクである印刷インク５００Ｒが加飾印刷されたカバーガラス６００を、第三の接着剤層２３を介して貼り付けた。最後に、第二の偏光板の背面側にバックライトを設け、比較例１－１～比較例１－２の液晶表示装置１Ｒを作製した。印刷インク５００Ｒは、観察面側の反射率が５％であり、透過率が０．１％であった。また、比較例１－１～比較例１－２では、観察面側の反射率が実施例１－１－１と同じであるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用いた。

比較例１－１では、第三の接着剤層２３の厚みを１００μｍ（高コスト品）とし、比較例１－２では、第三の接着剤層２３の厚みを２５μｍ（汎用品）とした。

（比較例２）
図２４は、比較例２に係る液晶表示装置の平面模式図である。図２５は、図２４の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図２６は、図２５中のＪ１－Ｊ２線に沿った断面模式図である。

図２４～図２６に示す比較例２の液晶表示装置１Ｒを作製した。比較例２の液晶表示装置１Ｒが備えるＴＦＴ基板１００Ｒは、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、ゲート配線層１２０と、ゲート絶縁膜１３０と、ソース配線層１４０と、層間絶縁膜１５０とを有していた。比較例２では、観察面側の反射率が実施例１－１－１と同じであるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用いた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００Ｒ及びＣＦ基板を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００Ｒ、液晶層及びＣＦ基板を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルのＴＦＴ基板１００Ｒの観察面側の額縁部１ＮＡに印刷インク５００Ｒを印刷し、第一の接着剤層２１を介してＴＦＴ基板１００Ｒの観察面側に第一の偏光板１１を貼り付けた。また、ＣＦ基板の背面側に第二の接着剤層を介して第二の偏光板を貼り付けた。最後に、第二の偏光板の背面側にバックライトを設け、比較例２の液晶表示装置１Ｒを作製した。

（比較例３）
図２７は、比較例３に係る液晶表示装置の平面模式図である。図２８は、図２７の破線で囲まれた領域を観察面側から見た拡大平面模式図である。図２９は、図２８中のＫ１－Ｋ２線に沿った断面模式図である。

図２７～図２９に示す比較例３の液晶表示装置１Ｒを作製した。比較例３の液晶表示装置１Ｒが備えるＴＦＴ基板１００Ｒは、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板１１０と、ゲート配線層１２０と、ゲート絶縁膜１３０と、ソース配線層１４０と、層間絶縁膜１５０とを有していた。比較例３では、観察面側の反射率が実施例１－１－１と同じであるゲート配線層１２０及びソース配線層１４０を用いた。

その他は、通常の液晶表示装置と同様の構成を有するＴＦＴ基板１００Ｒ及びＣＦ基板を作製し、両基板間に液晶材料を挟持させて貼り合わせ、ＴＦＴ基板１００Ｒ、液晶層及びＣＦ基板を備える液晶パネルを作製した。当該液晶パネルに対して、ＴＦＴ基板１００Ｒの観察面側に第一の接着剤層２１を介して第一の偏光板１１を、ＣＦ基板の背面側に第二の接着剤層を介して第二の偏光板を貼り付けた。最後に、第二の偏光板の背面側にバックライトを設け、比較例３の液晶表示装置１Ｒを作製した。

（実施例及び比較例の評価）
実施例１－１－１～１－１－２、実施例１－２－１～１－２－２、実施例２－１－１～２－１－２、実施例２－２－１～実施例２－２－２、実施例３－１－１～実施例３－１－３、実施例３－２－１～実施例３－２－３、比較例１－１～比較例１－２、比較例２及び比較例３の液晶表示装置について、コニカミノルタ社製ＣＭ－２６００ｄを用いて、額縁部での反射率を求めた。額縁部での反射率の測定は、液晶表示装置（モジュール）の状態で行った。すなわち、第一の偏光板１１及び第二の偏光板１２を貼り付けた状態で測定し、印刷インクを設けた液晶表示装置については印刷インクを設けたままで測定し、カバーガラスを設けた液晶表示装置についてはカバーガラスを設けたままで反射率を測定した。

表１に示すように、額縁部１ＮＡに印刷インク５００Ｒを印刷していない比較例３の液晶表示装置１Ｒは、額縁部１ＮＡの反射率が高かった。

これに対して、実施例では、額縁部１ＮＡに反射率低減層５００を設けることにより反射率を抑えることができた。

図３０は、額縁部にインクを印刷する際に考慮される印刷マージンエリアについて説明する平面模式図である。額縁部１ＮＡに印刷インク５００Ｒを印刷した比較例１－１～比較例１－２及び比較例２は、額縁部１ＮＡに印刷インク５００Ｒを印刷したため、額縁部１ＮＡの反射率を抑えることができた。しかしながら、印刷インク５００Ｒを印刷するためには、印刷位置を合わせる際の位置ずれを考慮して、図３０に示すように、表示部１ＡＡと額縁部１ＮＡとの間に印刷マージンエリア１ＰＡを設ける必要があった。そのため、狭額縁とすることが困難であった。

これに対して、実施例では、印刷インク５００Ｒの印刷が不要であったため、印刷マージンエリア１ＰＡを設ける必要が無く、狭額縁を実現することができた。

図３１は、インクを印刷した際に発生する段差について説明する断面模式図である。比較例２の液晶表示装置１Ｒは、偏光板１１とＴＦＴ基板１００Ｒとの間に第一の接着剤層２１を介して印刷インク５００Ｒを印刷し、カバーガラス６００を設けなかった。そのため、図３１に示すように印刷インク５００Ｒによる段差に起因して額縁部１ＮＡの見栄えが悪化した。

これに対して、実施例では、外光の反射を抑制する反射率低減層５００がインセルに設けられているため、比較例２のような段差の発生を抑えることが可能となり、段差に起因する額縁部１ＮＡの見栄えが悪化を抑制することができた。

図３２は、比較例１－２の液晶表示装置断面模式図である。図３３は、比較例１－１の液晶表示装置断面模式図である。比較例１－１及び比較例１－２の液晶表示装置１Ｒは、ともにカバーガラス６００が設けられているため、額縁部１ＮＡと表示部１ＡＡとの境界に段差は発生しなかった。

しかしながら、比較例１－２において第一の偏光板１１を接着する際に使用した２５μｍの厚みの第三の接着剤層２３では、カバーガラス６００に印刷された印刷インク５００Ｒの厚みを吸収することができず、図３２に示すように気泡が生じた。

一方、比較例１－１では、第三の接着剤層２３の厚みを１００μｍにすることで、図３３に示すように印刷インク５００Ｒの厚みを吸収することができ、気泡の発生を抑えることができた。しかしながら、第三の接着剤層２３の厚みが２５μｍである比較例１－２よりもコストが高くなった。

比較例１－１及び比較例１－２は共に、カバーガラス６００を備えており部材の数を抑えることができず、また、第三の接着剤層２３がより厚い比較例１－１では更にコストが高くなった。

これに対して、実施例では、カバーガラス６００を設けておらず、部材の数を抑えることができた。

１、１Ｒ：液晶表示装置
１ＡＡ：表示部（アクティブエリア）
１ＡＡＳ、１ＮＡＸ：領域
１ＮＡ：額縁部
１ＮＡ１：略枠状の領域
１ＮＡ２：端子辺
１ＮＡ２２：端辺（基板端辺）
１ＰＡ：印刷マージンエリア
１１：第一の偏光板
１２：第二の偏光板
２１：第一の接着剤層
２２：第二の接着剤層
２３：第三の接着剤層
１００、１００Ｒ：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板
１００ＴＰ：タッチパネル駆動用配線
１００Ｘ：基板端辺
１０１：ゲート線
１０２：ソース線
１０３：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１０４：画素電極
１１０：支持基板
１１１：メタル膜
１１２：絶縁層
１１３：オーバーコート層
１２０：ゲート配線層
１２１：フロート電極
１３０：ゲート絶縁膜
１４０：ソース配線層
１５０：層間絶縁膜
２００：カラーフィルタ（ＣＦ）基板
３００：液晶層
４００：シール材
５００：反射率低減層
５００Ｒ：印刷インク
６００：カバーガラス
５１１１、５１２１：積層膜

Claims (18)

1. 画像が表示される表示部と、前記表示部の周囲に位置する額縁部と、を有し、
   観察面側から背面側に向かって順に、第一の偏光板と、ゲート線及びソース線に接続されたスイッチング素子を有する第一の基板と、液晶層と、第二の基板と、第二の偏光板と、を備え、
   前記第一の基板は、前記額縁部において、観察面側から背面側に向かって順に、支持基板と、反射率低減層と、前記ゲート線が設けられたゲート配線層及び前記ソース線が設けられたソース配線層の少なくとも一方の配線層であって、前記反射率低減層に重畳するメタル配線層と、を備え、
   前記反射率低減層の観察面側の反射率は、前記メタル配線層の観察面側の反射率よりも低いことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記メタル配線層は、前記ゲート配線層及び前記ソース配線層のうち、より観察面側に配置される配線層を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第一の偏光板の観察面側に、カバーガラスを有していないことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第一の基板は、端子が配置される端子辺を有し、
   前記第一の偏光板は、前記端子辺の端辺まで延設されていることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記反射率低減層は、有機膜及び無機膜の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記有機膜は、カーボンブラックを含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記有機膜は、位相差膜であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
8. 前記位相差膜は、遅相軸が、前記第一の偏光板の透過軸に対して４５°の角度をなすことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記有機膜は、偏光膜であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
10. 前記偏光膜の透過軸は、前記第一の偏光板の透過軸に対して９０°の角度をなすことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記無機膜は、合金を含むことを特徴とする請求項５～１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 前記無機膜は、酸化物又は窒化物を含むことを特徴とする請求項５～１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
13. 前記無機膜は、前記メタル配線層と接することを特徴とする請求項５～１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
14. 前記第一の基板は、前記支持基板の背面側に、タッチパネル駆動用配線を備えることを特徴とする請求項１～１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
15. 前記第二の基板は、カラーフィルタ層を備えることを特徴とする請求項１～１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
16. 前記第一の基板は、更に、前記額縁部において、前記反射率低減層に重畳し、かつ、前記反射率低減層の背面側に接するメタル膜を備えることを特徴とする請求項１～１５のいずれかに記載の液晶表示装置。
17. 前記第一の基板は、更に、前記額縁部において、前記反射率低減層に重畳し、かつ、前記反射率低減層の背面側に接するフロート電極を備え、
    前記額縁部において、前記反射率低減層及び前記フロート電極は、前記ソース配線層に重畳し、
    前記フロート電極は、前記ゲート配線層と同層に設けられ、かつ、前記ゲート配線層とは接続されていない導電層であることを特徴とする請求項１～１６のいずれかに記載の液晶表示装置。
18. 前記第一の基板は、更に、前記額縁部において、前記反射率低減層と前記メタル配線層との間に絶縁層を備えることを特徴とする請求項１～１７のいずれかに記載の液晶表示装置。

Images