JP2022174958A - Multi-layer ceramic electronic component - Google Patents

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JP2022174958A JP2021081034A JP2021081034A JP2022174958A JP 2022174958 A JP2022174958 A JP 2022174958A JP 2021081034 A JP2021081034 A JP 2021081034A JP 2021081034 A JP2021081034 A JP 2021081034A JP 2022174958 A JP2022174958 A JP 2022174958A
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浩介 大西
Kosuke Onishi
泰介 神崎
Taisuke Kanzaki
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Abstract

To provide a multi-layer ceramic electronic component that, in an external electrode having a Cu plating layer, can suppress, reduction in reliability based on pulling stress remaining in the Cu plating layer.SOLUTION: A multi-layer ceramic capacitor 10A being an example of a multi-layer ceramic electronic component according to the present invention comprises: a laminate 12 in which a plurality of ceramic layers 14 and a plurality of internal electrode layers 16 are laminated; and a pair of external electrodes 30, the external electrodes are electrically connected with the internal electrode layers 16 and formed on one/the other of both end faces of the laminate 12. The pair of external electrodes 30 each has a base electrode layer 32 having a metal component and a ceramic component, and a Cu plating layer 34 arranged on the base electrode layer 32. In the Cu plating layer 34, compression stress is applied to the Cu plating layer 34 arranged on both principal surfaces 12a, 12b and surfaces of both side faces 12c, 12d of the laminate 12. The compression stress is 50 MPa or more and 300 MPa or less.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

この発明は、積層セラミック電子部品に関する。 The present invention relates to multilayer ceramic electronic components.

従来、携帯電話機、携帯音楽プレーヤーなどの電子機器には、セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品が使用されている。近年、セラミック電子部品の小型化が進んでいる。セラミック電子部品のさらなる小型化を図るため、例えば、特許文献1には配線基板内に埋め込み可能なセラミック電子部品が開示されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, ceramic electronic components typified by ceramic capacitors have been used in electronic devices such as mobile phones and portable music players. In recent years, miniaturization of ceramic electronic components has progressed. In order to further reduce the size of ceramic electronic components, for example, Patent Document 1 discloses a ceramic electronic component that can be embedded in a wiring board.

特許文献1には、上述した積層セラミック電子部品が、セラミック素体と、セラミック素体の上に設けられたCuに拡散し得る金属と無機結合材とを有する下地電極層と、Cuめっき膜と、を有することが記載されている。また、特許文献1では、Cuめっき膜を形成した後に熱処理を実施することが記載されている。一般的に、Cuめっき膜を形成した後に熱処理を実施することにより、Cuめっき膜と下地電極層との固着力が向上したり、耐湿信頼性を確保したりすることができる。 In Patent Document 1, the above-described multilayer ceramic electronic component includes a ceramic body, a base electrode layer having a metal that can diffuse into Cu and an inorganic binder provided on the ceramic body, and a Cu plating film. , is described. Further, Patent Literature 1 describes that a heat treatment is performed after forming a Cu plating film. In general, by performing a heat treatment after forming a Cu plating film, it is possible to improve the adhesion between the Cu plating film and the base electrode layer and to ensure moisture resistance reliability.

特開2014-207254号公報JP 2014-207254 A

しかしながら、特許文献1のような下地電極層とCuめっき膜(Cuめっき層)とを有するセラミック電子部品において、Cuめっき膜を形成した後に熱処理を実施した場合、Cuめっき層のCuが粒成長し焼結するため、Cuめっき膜に対して引張り応力がかかる。ここで、Cuめっき膜中に引張り応力が加わり応力が残留している状態で、落下などの衝撃による応力や、熱サイクルによる実装基板が熱膨張収縮することで発生するたわみ応力が加わると、引張り応力が加わっているCuめっき膜にさらなる応力が加わることとなり、応力が集中しやすい下地電極層の先端部分を起点にセラミック素体にクラックが生じることが考えられる。 However, in a ceramic electronic component having a base electrode layer and a Cu plating film (Cu plating layer) as disclosed in Patent Document 1, when heat treatment is performed after forming the Cu plating film, grain growth of Cu in the Cu plating layer occurs. Since it is sintered, a tensile stress is applied to the Cu plating film. Here, in a state where tensile stress is applied to the Cu plating film and the stress remains, if stress due to impact such as dropping or bending stress generated by thermal expansion and contraction of the mounting substrate due to thermal cycles is added, tensile Further stress is applied to the Cu plating film to which the stress is applied, and it is conceivable that cracks occur in the ceramic body starting from the tip portion of the base electrode layer where the stress tends to concentrate.

それゆえに、この発明の主たる目的は、Cuめっき層を有する外部電極において、Cuめっき層において残留している引張り応力に基づく信頼性の低下を抑制しうる積層セラミック電子部品を提供することである。 Therefore, the main object of the present invention is to provide a multilayer ceramic electronic component that can suppress deterioration in reliability due to tensile stress remaining in the Cu-plated layer in external electrodes having the Cu-plated layer.

この発明に係る積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層を含み、高さ方向に相対する第1の主面および第2の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第1の側面および第2の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第1の端面および第2の端面と、を有する積層体と、複数のセラミック層上に配置され、積層体の内部に位置する第1の内部電極層と、複数のセラミック層上に配置され、積層体の内部に位置する第2の内部電極層と、第1の端面上、第1の主面の一部、第2の主面の一部、第1の側面の一部および第2の側面の一部に配置された第1の外部電極と、第2の端面上、第1の主面の一部、第2の主面の一部、第1の側面の一部および第2の側面の一部に配置された第2の外部電極と、を有する積層セラミック電子部品において、第1の外部電極および第2の外部電極は、金属成分とセラミック成分とを有する下地電極層と、下地電極層の表面に配置されたCuめっき層と、を有し、積層体の第1の主面および第2の主面上、ならびに第1の側面および第2の側面上に配置されるCuめっき層には、圧縮応力が加わっており、圧縮応力は、50MPa以上300MPa以下である、積層セラミック電子部品である。 A laminated ceramic electronic component according to the present invention includes a plurality of laminated ceramic layers, and has first and second main surfaces facing each other in a height direction and a width direction perpendicular to the height direction. A laminate having a first side surface and a second side surface, and a first end surface and a second end surface facing each other in a length direction orthogonal to the height direction and the width direction, and arranged on a plurality of ceramic layers a first internal electrode layer positioned inside the laminate; a second internal electrode layer positioned on the plurality of ceramic layers and positioned inside the laminate; a first external electrode disposed on a portion of the main surface, a portion of the second main surface, a portion of the first side surface, and a portion of the second side surface; In a multilayer ceramic electronic component having a part of the main surface, a part of the second main surface, a part of the first side surface, and a second external electrode arranged on a part of the second side surface, The first external electrode and the second external electrode have a base electrode layer having a metal component and a ceramic component, and a Cu plating layer disposed on the surface of the base electrode layer, and are the first main component of the laminate. Compressive stress is applied to the Cu plating layers arranged on the surface and the second main surface and on the first side surface and the second side surface, and the compressive stress is 50 MPa or more and 300 MPa or less. electronic components.

この発明に係る積層セラミック電子部品では、第1の外部電極および第2の外部電極が、金属成分とセラミック成分とを有する下地電極層と、下地電極層上に配置されたCuめっき層と、を有し、Cuめっき層には、50MPa以上300MPa以下の圧縮応力が加わっているので、Cuめっき層に圧縮応力が加わっている状態となる。これにより、Cuめっき層に残留している引張り応力に起因する応力が集中しやすい下地電極層の先端部分にかかる応力を緩和することが可能となり、積層体にクラックが入ることを抑制することができる。
より具体的には、積層セラミック電子部品の従来の課題として下地電極層の端部に加わっている応力の向きに対して、反対の向きとなる応力をCuめっき層によって与えることが可能となる。そのため、下地電極層の端部から積層体に加わる応力を相殺することができ、下地電極層の先端部分にかかる応力を緩和することが可能となる。その結果、積層体にクラックが入ることを抑制することができる。
In the multilayer ceramic electronic component according to the present invention, the first external electrode and the second external electrode include a base electrode layer having a metal component and a ceramic component, and a Cu plating layer disposed on the base electrode layer. Since a compressive stress of 50 MPa or more and 300 MPa or less is applied to the Cu plated layer, the Cu plated layer is in a state where the compressive stress is applied. As a result, it is possible to relax the stress applied to the tip portion of the base electrode layer, where the stress due to the tensile stress remaining in the Cu plating layer tends to concentrate, and to suppress cracks in the laminate. can.
More specifically, the Cu plating layer can provide a stress in the opposite direction to the direction of the stress applied to the end portion of the base electrode layer, which has been a problem in conventional multilayer ceramic electronic components. Therefore, the stress applied to the laminate from the end portion of the base electrode layer can be canceled, and the stress applied to the tip portion of the base electrode layer can be alleviated. As a result, cracks in the laminate can be suppressed.

この発明によれば、Cuめっき層を有する外部電極において、Cuめっき層において残留している引張り応力に基づく信頼性の低下を抑制しうる積層セラミック電子部品を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a multilayer ceramic electronic component capable of suppressing deterioration in reliability due to tensile stress remaining in the Cu-plated layer in the external electrode having the Cu-plated layer.

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。 The above object, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of the mode for carrying out the invention with reference to the drawings.

この発明の第1の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。1 is an external perspective view showing an example of a laminated ceramic capacitor as a laminated ceramic electronic component according to a first embodiment of the present invention; FIG. この発明の第1の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す正面図である。1 is a front view showing an example of a laminated ceramic capacitor as a laminated ceramic electronic component according to a first embodiment of the invention; FIG. 図1の線III-IIIにおける断面図である。Figure 2 is a cross-sectional view along line III-III of Figure 1; 図1のIV-IVにおける断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view along IV-IV in FIG. 1; (a)この発明の第1の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が2つに分割された構造を示す図1の線III-IIIにおける断面図であり、(b)この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が3つに分割された構造を示す図1の線III-IIIにおける断面図であり、(c)この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が4つに分割された構造を示す図1の線III-IIIにおける断面図である。(a) is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 1 showing a structure in which the opposing electrode portion of the internal electrode layer of the multilayer ceramic capacitor according to the first embodiment of the present invention is divided into two; ) is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 1 showing a structure in which the counter electrode portion of the internal electrode layer of the multilayer ceramic capacitor according to the present invention is divided into three; (c) the multilayer ceramic capacitor according to the present invention; FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 1 showing a structure in which a counter electrode portion of an internal electrode layer is divided into four; 積層セラミックコンデンサに作用する応力を説明する断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram explaining the stress which acts on a laminated ceramic capacitor. この発明の第2の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ(3端子型積層セラミックコンデンサ)の一例を示す外観斜視図である。FIG. 3 is an external perspective view showing an example of a laminated ceramic capacitor (three-terminal type laminated ceramic capacitor) as a laminated ceramic electronic component according to a second embodiment of the present invention; この発明の第2の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ(3端子型積層セラミックコンデンサ)の一例を示す上面図である。FIG. 5 is a top view showing an example of a laminated ceramic capacitor (three-terminal type laminated ceramic capacitor) as a laminated ceramic electronic component according to a second embodiment of the present invention; この発明の第2の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ(3端子型積層セラミックコンデンサ)の一例を示す正面図である。FIG. 5 is a front view showing an example of a laminated ceramic capacitor (three-terminal type laminated ceramic capacitor) as a laminated ceramic electronic component according to a second embodiment of the present invention; 図7の線X-Xにおける断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 7; 図7の線XI-XIにおける断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view along line XI-XI of FIG. 7; 図10の線XII-XIIにおける断面図である。11 is a cross-sectional view taken along line XII-XII of FIG. 10; FIG. 図10の線XIII-XIIIにおける断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view along line XIII-XIII of FIG. 10;

1.積層セラミックコンデンサ
(1)第1の実施の形態
この発明の第1の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。
1. Laminated Ceramic Capacitor (1) First Embodiment A laminated ceramic capacitor will be described as an example of a laminated ceramic electronic component according to a first embodiment of the present invention.

図1は、この発明の第1の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図2は、この発明の第1の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す正面図である。図3は、図1の線III-IIIにおける断面図である。図4は、図1のIV-I
Vにおける断面図である。
FIG. 1 is an external perspective view showing an example of a laminated ceramic capacitor as a laminated ceramic electronic component according to a first embodiment of the invention. FIG. 2 is a front view showing an example of a laminated ceramic capacitor as a laminated ceramic electronic component according to the first embodiment of the invention. FIG. 3 is a cross-sectional view along line III--III of FIG. FIG. 4 shows IV-I in FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view at V;

図1ないし図4に示すように、積層セラミックコンデンサ10Aは、直方体状の積層体12と、積層体12の両端部に配置される外部電極30を含む。 As shown in FIGS. 1 to 4, the multilayer ceramic capacitor 10A includes a rectangular parallelepiped laminate 12 and external electrodes 30 arranged at both ends of the laminate 12. As shown in FIGS.

積層体12は、積層された複数のセラミック層14と、セラミック層14上に積層された複数の内部電極層16とを有する。さらに、積層体12は、高さ方向xに相対する第1の主面12aおよび第2の主面12bと、高さ方向xに直交する幅方向yに相対する第1の側面12cおよび第2の側面12dと、高さ方向xおよび幅方向yに直交する長さ方向zに相対する第1の端面12eおよび第2の端面12fとを有する。この積層体12には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する3面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する2面が交わる部分のことである。また、第1の主面12aおよび第2の主面12b、第1の側面12cおよび第2の側面12d、ならびに第1の端面12eおよび第2の端面12fの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。セラミック層14と内部電極層16は、高さ方向xに積層される。 The laminate 12 has a plurality of laminated ceramic layers 14 and a plurality of internal electrode layers 16 laminated on the ceramic layers 14 . Furthermore, the laminate 12 has a first main surface 12a and a second main surface 12b facing in the height direction x, and a first side surface 12c and a second main surface 12c facing in the width direction y orthogonal to the height direction x. and a first end face 12e and a second end face 12f facing each other in a length direction z orthogonal to the height direction x and width direction y. The laminate 12 has rounded corners and ridges. A corner portion is a portion where three adjacent surfaces of the laminate intersect, and a ridge portion is a portion where two adjacent surfaces of the laminate intersect. In addition, unevenness or the like is formed on part or all of the first main surface 12a and the second main surface 12b, the first side surface 12c and the second side surface 12d, and the first end surface 12e and the second end surface 12f. may have been The ceramic layers 14 and the internal electrode layers 16 are laminated in the height direction x.

積層体12は、単数もしくは複数枚のセラミック層14とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層16から構成される有効部18を有する。内部電極層16は、第1の端面12eに引き出される第1の内部電極層16aと第2の端面12fに引き出される第2の内部電極層16bを有し、有効部18では、複数枚の第1の内部電極層16aおよび第2の内部電極16bがセラミック層14を介して対向している。 The laminate 12 has an effective portion 18 composed of one or more ceramic layers 14 and a plurality of internal electrode layers 16 disposed thereon. The internal electrode layer 16 has a first internal electrode layer 16a drawn out to the first end surface 12e and a second internal electrode layer 16b drawn out to the second end surface 12f. One internal electrode layer 16a and a second internal electrode 16b face each other with the ceramic layer 14 interposed therebetween.

積層体12は、第1の主面12a側に位置し、第1の主面12aと第1の主面12a側の有効部18の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第1の主面側外層部20aを有する。
同様に、積層体12は、第2の主面12b側に位置し、第2の主面12bと第2の主面12b側の有効部18の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第2の主面側外層部20bを有する。
The laminate 12 is located on the side of the first principal surface 12a, and is located between the first principal surface 12a, the outermost surface of the effective portion 18 on the first principal surface 12a side, and a straight line on the outermost surface. It has a first main surface side outer layer portion 20 a formed from a plurality of ceramic layers 14 .
Similarly, the laminate 12 is located on the second main surface 12b side, and between the second main surface 12b and the outermost surface of the effective portion 18 on the second main surface 12b side and the straight line on the outermost surface. has a second main surface side outer layer portion 20b formed from a plurality of ceramic layers 14 located at .

積層体12は、第1の側面12c側に位置し、第1の側面12cと第1の側面12c側の有効部18の最表面との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第1の側面側外層部22aを有する。
同様に、積層体12は、第2の側面12d側に位置し、第2の側面12dと第2の側面12d側の有効部18の最表面との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第2の側面側外層部22bを有する。
The laminate 12 is located on the first side surface 12c side and is formed of a plurality of ceramic layers 14 located between the first side surface 12c and the outermost surface of the effective portion 18 on the first side surface 12c side. 1 side outer layer portion 22a.
Similarly, the laminate 12 is formed from a plurality of ceramic layers 14 located on the second side surface 12d side and located between the second side surface 12d and the outermost surface of the effective portion 18 on the second side surface 12d side. It has a second side outer layer portion 22b that is attached.

積層体12は、第1の端面12e側に位置し、第1の端面12eと第1の端面12e側の有効部18の最表面との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第1の端面側外層部24aを有する。
同様に、積層体12は、第2の端面12f側に位置し、第2の端面12fと第2の端面12f側の有効部18の最表面との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第2の端面側外層部24bを有する。
The laminate 12 is positioned on the first end face 12e side and is formed of a plurality of ceramic layers 14 positioned between the first end face 12e and the outermost surface of the effective portion 18 on the first end face 12e side. It has one end surface side outer layer portion 24a.
Similarly, the laminate 12 is formed from a plurality of ceramic layers 14 positioned on the second end face 12f side and positioned between the second end face 12f and the outermost surface of the effective portion 18 on the second end face 12f side. It has a second end surface side outer layer portion 24b that is attached.

第1の主面側外層部20aは、積層体12の第1の主面12a側に位置し、第1の主面12aと第1の主面12aに最も近い内部電極層16との間に位置する複数枚のセラミック層14の集合体である。
第2の主面側外層部20bは、積層体12の第2の主面12b側に位置し、第2の主面12bと第2の主面12bに最も近い内部電極層16との間に位置する複数枚のセラミック層14の集合体である。
The first main surface side outer layer portion 20a is located on the first main surface 12a side of the laminate 12, and is between the first main surface 12a and the internal electrode layer 16 closest to the first main surface 12a. It is an aggregate of a plurality of ceramic layers 14 positioned.
The second main surface side outer layer portion 20b is located on the second main surface 12b side of the laminate 12, and is between the second main surface 12b and the internal electrode layer 16 closest to the second main surface 12b. It is an aggregate of a plurality of ceramic layers 14 positioned.

積層体12の寸法は、特に限定されないが、長さ方向zの寸法が0.186mm以上9.59mm以下、幅方向yの寸法が0.086mm以上4.83mm以下、高さ方向xの寸法が0.036mm以上4.83mm以下であることが好ましい。 The dimensions of the laminate 12 are not particularly limited, but the dimension in the length direction z is 0.186 mm or more and 9.59 mm or less, the dimension in the width direction y is 0.086 mm or more and 4.83 mm or less, and the dimension in the height direction x is It is preferably 0.036 mm or more and 4.83 mm or less.

セラミック層14は、たとえば、セラミック材料として、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、またはCaZrO3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体12の特性に応じて、たとえば、Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。 Ceramic layer 14 can be formed of a dielectric material, for example, as a ceramic material. Dielectric ceramics containing components such as BaTiO 3 , CaTiO 3 , SrTiO 3 , or CaZrO 3 can be used as such dielectric materials. When the dielectric material described above is included as a main component, depending on the desired properties of the laminate 12, for example, a Mn compound, an Fe compound, a Cr compound, a Co compound, a Ni compound, or other secondary component having a smaller content than the main component. You may use what added the component.

なお、セラミック層14に、圧電体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は圧電部品として機能する。圧電体セラミック材料の具体例としては、たとえば、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系セラミック材料などが挙げられる。
また、セラミック層14に、半導体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は、サーミスタとして機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、セラミック層14に、磁性体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は、インダクタとして機能する。また、インダクタとして機能する場合は、内部電極層16は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
When a piezoelectric ceramic material is used for the ceramic layer 14, the laminated ceramic electronic component functions as a piezoelectric component. Specific examples of piezoelectric ceramic materials include PZT (lead zirconate titanate) ceramic materials.
Moreover, when a semiconductor ceramic material is used for the ceramic layer 14, the laminated ceramic electronic component functions as a thermistor. Specific examples of semiconductor ceramic materials include, for example, spinel-based ceramic materials.
Moreover, when a magnetic ceramic material is used for the ceramic layer 14, the laminated ceramic electronic component functions as an inductor. Moreover, when functioning as an inductor, the internal electrode layer 16 becomes a coil-shaped conductor. Specific examples of magnetic ceramic materials include, for example, ferrite ceramic materials.

焼成後のセラミック層14の厚みは、0.5μm以上10μm以下であることが好ましい。積層されるセラミック層14の枚数は、15枚以上700枚以下であることが好ましい。なお、このセラミック層14の枚数は、有効部18のセラミック層14の枚数と、第1の主面側外層部20aおよび第2の主面側外層部20bのセラミック層14の枚数との総数である。 The thickness of the ceramic layer 14 after firing is preferably 0.5 μm or more and 10 μm or less. The number of laminated ceramic layers 14 is preferably 15 or more and 700 or less. The number of ceramic layers 14 is the sum of the number of ceramic layers 14 in the effective portion 18 and the number of ceramic layers 14 in the first main surface side outer layer portion 20a and the second main surface side outer layer portion 20b. be.

積層体12は、複数の内部電極層16として、たとえば略矩形状の複数の第1の内部電極層16aおよび複数の第2の内部電極層16bを有する。複数の第1の内部電極層16aおよび複数の第2の内部電極層16bは、積層体12の高さ方向xに沿ってセラミック層14を挟んで等間隔に交互に配置されるように埋設されている。 The laminate 12 has, as the plurality of internal electrode layers 16, a plurality of substantially rectangular first internal electrode layers 16a and a plurality of second internal electrode layers 16b, for example. The plurality of first internal electrode layers 16a and the plurality of second internal electrode layers 16b are embedded so as to be alternately arranged at equal intervals along the height direction x of the laminate 12 with the ceramic layers 14 interposed therebetween. ing.

第1の内部電極層16aは、複数のセラミック層14上に配置され、積層体12の内部に位置している。第1の内部電極層16aは、第2の内部電極層16bと対向する第1の対向電極部26aと、第1の内部電極層16aの一端側に位置し、第1の対向電極部26aから積層体12の第1の端面12eまでの第1の引出電極部28aとを有する。第1の引出電極部28aは、その端部が第1の端面12eの表面に引き出され、積層体12から露出している。 The first internal electrode layers 16 a are arranged on the plurality of ceramic layers 14 and located inside the laminate 12 . The first internal electrode layer 16a is positioned on one end side of the first internal electrode layer 16a and the first counter electrode portion 26a facing the second internal electrode layer 16b, and the electrode from the first counter electrode portion 26a. and a first extraction electrode portion 28 a extending to the first end surface 12 e of the laminate 12 . The first extraction electrode portion 28 a has its end extracted to the surface of the first end surface 12 e and exposed from the laminate 12 .

第1の内部電極層16aの第1の対向電極部26aの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい(テーパー状)。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。 Although the shape of the first counter electrode portion 26a of the first internal electrode layer 16a is not particularly limited, it is preferably rectangular in plan view. However, the corners in plan view may be rounded or may be obliquely formed in plan view (tapered shape). Moreover, it may have a tapered shape in a plan view that is inclined toward either direction.

第1の内部電極層16aの第1の引出電極部28aの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい(テーパー状)。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。 Although the shape of the first extraction electrode portion 28a of the first internal electrode layer 16a is not particularly limited, it is preferably rectangular in plan view. However, the corners in plan view may be rounded or may be obliquely formed in plan view (tapered shape). Moreover, it may have a tapered shape in a plan view that is inclined toward either direction.

第1の内部電極層16aの第1の対向電極部26aの幅と、第1の内部電極層16aの第1の引出電極部28aの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方の幅が狭く形成されていてもよい。 The width of the first opposing electrode portion 26a of the first internal electrode layer 16a and the width of the first extraction electrode portion 28a of the first internal electrode layer 16a may be the same, or either One width may be formed narrower.

第2の内部電極層16bは、複数のセラミック層14上に配置され、積層体12の内部に位置している。第2の内部電極層16bは、第1の内部電極層16aと対向する第2の対向電極部26bと、第2の内部電極層16bの一端側に位置し、第2の対向電極部26bから積層体12の第2の端面12fまでの第2の引出電極部28bを有する。第2の引出電極部28bは、その端部が第2の端面12fの表面に引き出され、積層体12から露出している。 The second internal electrode layers 16 b are arranged on the plurality of ceramic layers 14 and located inside the laminate 12 . The second internal electrode layer 16b is located on a second counter electrode portion 26b facing the first internal electrode layer 16a, and on one end side of the second internal electrode layer 16b. It has a second extraction electrode portion 28b extending to the second end surface 12f of the laminate 12 . The second extraction electrode portion 28b is exposed from the laminated body 12 with its end being extracted to the surface of the second end surface 12f.

第2の内部電極層16bの第2の対向電極部26bの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい(テーパー状)。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。 Although the shape of the second counter electrode portion 26b of the second internal electrode layer 16b is not particularly limited, it is preferably rectangular in plan view. However, the corners in plan view may be rounded or may be obliquely formed in plan view (tapered shape). Moreover, it may have a tapered shape in a plan view that is inclined toward either direction.

第2の内部電極層16bの第2の引出電極部28bの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい(テーパー状)。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。 Although the shape of the second extraction electrode portion 28b of the second internal electrode layer 16b is not particularly limited, it is preferably rectangular in plan view. However, the corners in plan view may be rounded or may be obliquely formed in plan view (tapered shape). Moreover, it may have a tapered shape in a plan view that is inclined toward either direction.

第2の内部電極層16bの第2の対向電極層26bの幅と、第2の内部電極層16bの第2の引出電極部28bの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方の幅が狭く形成されていてもよい。 The width of the second counter electrode layer 26b of the second internal electrode layer 16b and the width of the second extraction electrode portion 28b of the second internal electrode layer 16b may be the same, or either One width may be formed narrower.

第1の内部電極層16aおよび第2の内部電極層16bは、たとえば、Ni、Cu、Ag、Pd、Auなどの金属や、Ag-Pd合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができる。 The first internal electrode layers 16a and the second internal electrode layers 16b are made of, for example, metals such as Ni, Cu, Ag, Pd, and Au, and alloys containing at least one of these metals, such as Ag—Pd alloys. suitable conductive material.

内部電極層16、すなわち第1の内部電極層16aおよび第2の内部電極層16bのそれぞれの厚みは、0.2μm以上2.0μm以下であることが好ましい。
また、第1の内部電極層16aおよび第2の内部電極層16bの枚数は、合わせて15枚以上200枚以下であることが好ましい。
The thickness of each of the internal electrode layers 16, that is, the first internal electrode layers 16a and the second internal electrode layers 16b is preferably 0.2 μm or more and 2.0 μm or less.
Also, the total number of first internal electrode layers 16a and second internal electrode layers 16b is preferably 15 or more and 200 or less.

積層体12の第1の端面12e側および第2の端面12f側には、図1ないし図3に示されるように、外部電極30が配置される。 External electrodes 30 are arranged on the first end surface 12e side and the second end surface 12f side of the laminate 12, as shown in FIGS.

外部電極30は、金属成分およびセラミック成分を含む下地電極層32と、下地電極層32の表面に配置されるCuめっき層34とを含む。また、外部電極30は、Cuめっき層34の表面に配置される上層めっき層36を含むことが好ましい。 The external electrode 30 includes a base electrode layer 32 containing a metal component and a ceramic component, and a Cu plating layer 34 arranged on the surface of the base electrode layer 32 . Moreover, the external electrode 30 preferably includes an upper plated layer 36 arranged on the surface of the Cu plated layer 34 .

外部電極30は、第1の外部電極30aおよび第2の外部電極30bを有する。 The external electrode 30 has a first external electrode 30a and a second external electrode 30b.

第1の外部電極30aは、第1の内部電極層16aに接続され、少なくとも第1の端面12eの表面に配置されている。また、第1の外部電極30aは、積層体12の第1の端面12eから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部にも配置される。この場合、第1の外部電極30aは、第1の内部電極層16aの第1の引出電極部28aと電気的に接続される。 The first external electrode 30a is connected to the first internal electrode layer 16a and arranged on at least the surface of the first end surface 12e. In addition, the first external electrode 30a extends from the first end surface 12e of the laminate 12 to extend from a portion of the first main surface 12a, a portion of the second main surface 12b, and a portion of the first side surface 12c. It is also arranged on a portion and a portion of the second side 12d. In this case, the first external electrode 30a is electrically connected to the first extraction electrode portion 28a of the first internal electrode layer 16a.

第2の外部電極30bは、第2の内部電極層16bに接続され、少なくとも第2の端面12fの表面に配置されている。また、第2の外部電極30bは、第2の端面12fから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部にも配置される。この場合、第2の外部電極30bは、第2の内部電極層16bの第2の引出電極部28bと電気的に接続される。 The second external electrode 30b is connected to the second internal electrode layer 16b and arranged on at least the surface of the second end surface 12f. In addition, the second external electrode 30b extends from the second end surface 12f to extend a portion of the first main surface 12a, a portion of the second main surface 12b, a portion of the first side surface 12c and a portion of the second main surface 12b. 2 is also arranged on a part of the side surface 12d. In this case, the second external electrode 30b is electrically connected to the second extraction electrode portion 28b of the second internal electrode layer 16b.

積層体12内においては、第1の内部電極層16aの第1の対向電極部26aと第2の内部電極層16bの第2の対向電極部26bとがセラミック層14を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第1の内部電極層16aが接続された第1の外部電極30aと第2の内部電極層16bが接続された第2の外部電極30bとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。 In the laminate 12, the first counter electrode portion 26a of the first internal electrode layer 16a and the second counter electrode portion 26b of the second internal electrode layer 16b face each other with the ceramic layer 14 interposed therebetween. , a capacitance is formed. Therefore, a capacitance can be obtained between the first external electrode 30a to which the first internal electrode layer 16a is connected and the second external electrode 30b to which the second internal electrode layer 16b is connected. , the characteristics of the capacitor appear.

なお、図1に示す積層体12は、図5に示されるように、第1の内部電極層16aおよび第2の内部電極層16bに加えて、第1の端面12eおよび第2の端面12fのどちらにも引き出されない浮き内部電極層16cが設けられており、浮き内部電極層16cによって、対向電極部26cが複数に分割された構造としてもよい。たとえば、図5(a)に示される2連、図5(b)に示される3連、図5(c)に示されるような4連構造であり、4連以上の構造でもよいことは言うまでもない。このように、対向電極部26cを複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極層16a、16b、16c間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサ10Aの高耐圧化を図ることができる。 5, in addition to the first internal electrode layers 16a and the second internal electrode layers 16b, the laminate 12 shown in FIG. A floating internal electrode layer 16c that is not pulled out to either side may be provided, and the counter electrode portion 26c may be divided into a plurality of parts by the floating internal electrode layer 16c. For example, it may be a double structure as shown in FIG. 5(a), a triple structure as shown in FIG. 5(b), or a quadruple structure as shown in FIG. 5(c). stomach. By dividing the counter electrode portion 26c into a plurality of pieces in this way, a plurality of capacitor components are formed between the opposing internal electrode layers 16a, 16b, and 16c, and these capacitor components are connected in series. configuration. Therefore, the voltage applied to each capacitor component is lowered, and the multilayer ceramic capacitor 10A can be made to have a high withstand voltage.

下地電極層32は、焼付け層および薄膜層等から選ばれる少なくとも1つを含む。
以下、下地電極層32を上記の焼付け層および薄膜層とした場合の各構成について説明する。
The base electrode layer 32 includes at least one selected from a baked layer, a thin film layer, and the like.
Hereinafter, each configuration in the case where the base electrode layer 32 is the above baked layer and thin film layer will be described.

下地電極層32は、第1の下地電極層32aおよび第2の下地電極層32bを有する。 The base electrode layer 32 has a first base electrode layer 32a and a second base electrode layer 32b.

第1の下地電極層32aは、第1の内部電極層16aに接続され、第1の端面12eの表面に配置されている。また、第1の下地電極層32aは、第1の端面12eから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部にも配置される。この場合、第1の下地電極層32aは、第1の内部電極層16aの第1の引出電極部28aと電気的に接続される。 The first base electrode layer 32a is connected to the first internal electrode layer 16a and arranged on the surface of the first end surface 12e. In addition, the first base electrode layer 32a extends from the first end surface 12e to part of the first main surface 12a, part of the second main surface 12b, and part of the first side surface 12c. It is also arranged on part of the second side surface 12d. In this case, the first base electrode layer 32a is electrically connected to the first extraction electrode portion 28a of the first internal electrode layer 16a.

第2の下地電極層32bは、第2の内部電極層16bに接続され、第2の端面12fの表面に配置されている。また、第2の下地電極層32bは、第2の端面12fから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部にも配置される。この場合、第2の下地電極層32bは、第2の内部電極層16bの第2の引出電極部28bと電気的に接続される。 The second base electrode layer 32b is connected to the second internal electrode layer 16b and arranged on the surface of the second end surface 12f. In addition, the second base electrode layer 32b extends from the second end surface 12f to part of the first principal surface 12a, part of the second principal surface 12b, part of the first side surface 12c, and part of the second principal surface 12b. It is also arranged on part of the second side surface 12d. In this case, the second base electrode layer 32b is electrically connected to the second extraction electrode portion 28b of the second internal electrode layer 16b.

(焼付け層の場合)
焼付け層は、金属成分とセラミック成分とを含む。セラミック成分は、セラミック層14と同種のセラミック材料を用いてもよく、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、BaTiO3、CaTiO3、(Ba,Ca)TiO3、SrTiO3、CaZrO3等から選ばれる少なくとも1つを含む。焼付け層の金属成分としては、たとえば、Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等から選ばれる少なくとも1つを含む。なお、焼付け層の金属成分は、内部電極層16に用いる金属と合わせることが好ましい。焼付け層は、セラミック材料および金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼付けたものである。焼付け層は、内部電極層16およびセラミック層14を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成して形成する。焼付け層は、複数層であってもよい。
(For baked layer)
The baking layer contains a metal component and a ceramic component. The ceramic component may be the same type of ceramic material as the ceramic layer 14, or may be a different type of ceramic material. The ceramic component includes at least one selected from BaTiO 3 , CaTiO 3 , (Ba, Ca)TiO 3 , SrTiO 3 , CaZrO 3 and the like, for example. The metal component of the baking layer includes, for example, at least one selected from Cu, Ni, Ag, Pd, Ag—Pd alloy, Au, and the like. The metal component of the baking layer is preferably the same as the metal used for the internal electrode layers 16 . The baking layer is obtained by applying a conductive paste containing a ceramic material and a metal to the laminate and baking the paste. The baked layer is formed by simultaneously firing the laminated chip having the internal electrode layer 16 and the ceramic layer 14 and the conductive paste applied to the laminated chip. The baking layer may be multiple layers.

第1の端面12eに位置する第1の下地電極層32aの高さ方向xの中央部における第1の端面12eおよび第2の端面12fを結ぶ長さ方向zの厚みは、たとえば、3μm以上160μm以下程度であることが好ましい。
第2の端面12fに位置する第2の下地電極層32bの高さ方向xの中央部における第1の端面12eおよび第2の端面12fを結ぶ長さ方向zの厚みは、たとえば、3μm以上160μm以下程度であることが好ましい。
The thickness in the length direction z connecting the first end face 12e and the second end face 12f at the center in the height direction x of the first base electrode layer 32a located on the first end face 12e is, for example, 3 μm or more and 160 μm. It is preferable that the degree is as follows.
The thickness in the length direction z connecting the first end face 12e and the second end face 12f at the center in the height direction x of the second base electrode layer 32b located on the second end face 12f is, for example, 3 μm or more and 160 μm. It is preferable that the degree is as follows.

第1の主面12aおよび第2の主面12bの一部に位置する第1の下地電極層32aの第1の端面12eおよび第2の端面12fを結ぶ長さ方向zの中央部における第1の主面12aおよび第2の主面12bを結ぶ高さ方向xの厚みは、たとえば、3μm以上40μm以下程度であることが好ましい。
また、第1の主面12aおよび第2の主面12bの一部に位置する第2の下地電極層32bの第1の端面12eおよび第2の端面12fを結ぶ長さ方向zの中央部における第1の主面12aおよび第2の主面12bを結ぶ高さ方向xの厚みは、たとえば、3μm以上40μm以下程度であることが好ましい。
The first base electrode layer 32a located on a part of the first main surface 12a and the second main surface 12b is located at a central portion in the length direction z connecting the first end surface 12e and the second end surface 12f of the first base electrode layer 32a. It is preferable that the thickness in the height direction x connecting the main surface 12a and the second main surface 12b is, for example, about 3 μm or more and 40 μm or less.
In addition, at the central portion in the length direction z connecting the first end surface 12e and the second end surface 12f of the second base electrode layer 32b located on a part of the first main surface 12a and the second main surface 12b, It is preferable that the thickness in the height direction x connecting the first main surface 12a and the second main surface 12b is, for example, about 3 μm or more and 40 μm or less.

第1の側面12cおよび第2の側面12dの一部に位置する第1の下地電極層32aの第1の端面12eおよび第2の端面12fを結ぶ長さ方向zの中央部における第1の側面12cおよび第2の側面12dを結ぶ幅方向yの厚みは、たとえば、3μm以上40μm以下程度であることが好ましい。
また、第1の側面12cおよび第2の側面12dの一部に位置する第2の下地電極層32bの第1の端面12eおよび第2の端面12fを結ぶ長さ方向zの中央部における第1の側面12cおよび第2の側面12dを結ぶ幅方向yの厚みは、たとえば、3μm以上40μm以下程度であることが好ましい。
A first side surface at a central portion in the length direction z connecting the first end surface 12e and the second end surface 12f of the first base electrode layer 32a located on a part of the first side surface 12c and the second side surface 12d The thickness in the width direction y connecting 12c and second side surface 12d is preferably, for example, about 3 μm or more and 40 μm or less.
In addition, the first edge in the longitudinal direction z connecting the first end face 12e and the second edge face 12f of the second base electrode layer 32b located on a part of the first side face 12c and the second side face 12d. It is preferable that the thickness in the width direction y connecting the side surface 12c and the second side surface 12d is, for example, about 3 μm or more and 40 μm or less.

(薄膜層の場合)
下地電極層32を薄膜層で形成する場合、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された1μm以下の層である。
(For thin film layers)
When the base electrode layer 32 is formed of a thin film layer, the thin film layer is a layer of 1 μm or less on which metal particles are deposited by a thin film forming method such as a sputtering method or a vapor deposition method.

Cuめっき層34は、第1のCuめっき層34aおよび第2のCuめっき層34bを有する。 The Cu plating layer 34 has a first Cu plating layer 34a and a second Cu plating layer 34b.

第1のCuめっき層34aは、第1の下地電極層32aの表面を覆うように配置されている。
第2のCuめっき層34bは、第2の下地電極層32bの表面を覆うように配置されている。
The first Cu plating layer 34a is arranged to cover the surface of the first base electrode layer 32a.
The second Cu plating layer 34b is arranged to cover the surface of the second base electrode layer 32b.

第1の主面12aおよび第2の主面12b上、ならびに第1の側面12cおよび第2の側面12d上に配置されるCuめっき層34には、圧縮応力が加わっている。 A compressive stress is applied to the Cu plating layer 34 arranged on the first main surface 12a and the second main surface 12b and on the first side surface 12c and the second side surface 12d.

具体的には、積層体12の第1の主面12aおよび第2の主面12b上、ならびに第1の側面12cおよび第2の側面12d上に配置されるそれぞれの第1のCuめっき層34aには、積層体12の第1の端面12eから第2の端面12fに向かう方向に圧縮応力が加わっている。
また、積層体12の第1の主面12aおよび第2の主面12b上、ならびに第1の側面12cおよび第2の側面12d上に配置されるそれぞれの第2のCuめっき層34bには、積層体12の第2の端面12fから第1の端面12eに向かう方向に圧縮応力が加わっている。
そして、第1のCuめっき層34aおよび第2のCuめっき層34bに加わっている圧縮応力は、50MPa以上300MPa以下である。
なお、本明細書において、圧縮応力とは、両端面あるいは両側面から積層体12の中間部に向かう方向の応力をいい、引張り応力とは、積層体12の中間部から両端面あるいは両側面に向かう方向の応力をいう。
Specifically, the respective first Cu plating layers 34a arranged on the first main surface 12a and the second main surface 12b and the first side surface 12c and the second side surface 12d of the laminate 12 is applied with a compressive stress in the direction from the first end surface 12e of the laminate 12 toward the second end surface 12f.
In addition, the second Cu plating layers 34b arranged on the first main surface 12a and the second main surface 12b and the first side surface 12c and the second side surface 12d of the laminate 12 have Compressive stress is applied in the direction from the second end surface 12f of the laminate 12 toward the first end surface 12e.
The compressive stress applied to the first Cu plating layer 34a and the second Cu plating layer 34b is 50 MPa or more and 300 MPa or less.
In this specification, compressive stress refers to stress in the direction from both end surfaces or both side surfaces to the intermediate portion of the laminate 12, and tensile stress refers to stress in the direction from the intermediate portion of the laminate 12 to both end surfaces or both side surfaces. It refers to the stress in the direction to which it faces.

Cuめっき層34に加わる圧縮応力が、50MPaよりも小さくなってしまった場合、積層体12の第1の主面12aおよび第2の主面12b上、ならびに第1の側面12cおよび第2の側面12d上に配置される下地電極層32の先端部分にかかる応力を緩和する力が弱まり、積層体12にクラックが入ることを抑制できない場合がある。また、Cuめっき層34に加わる圧縮応力が、300Paよりも大きくなってしまった場合、Cuめっき層34に圧縮応力を加える際の衝撃で積層体12にクラックが発生してしまう場合がある。 When the compressive stress applied to the Cu plating layer 34 becomes smaller than 50 MPa, the first main surface 12a and the second main surface 12b of the laminate 12 and the first side surface 12c and the second side surface In some cases, the stress relieving force applied to the tip portion of the base electrode layer 32 disposed on 12d is weakened, and cracks in the laminate 12 cannot be suppressed. Moreover, when the compressive stress applied to the Cu plating layer 34 exceeds 300 Pa, cracks may occur in the laminate 12 due to the impact when the compressive stress is applied to the Cu plating layer 34 .

また、第1のCuめっき層34aおよび第2のCuめっき層34bに加わる圧縮応力のより好ましい範囲は、80MPa以上200MPa以下である。これにより、本発明の効果がより顕著となり、積層体12にクラックが入ることを防止することができる。 A more preferable range of compressive stress applied to the first Cu plating layer 34a and the second Cu plating layer 34b is 80 MPa or more and 200 MPa or less. As a result, the effect of the present invention becomes more pronounced, and the laminate 12 can be prevented from cracking.

なお、Cuめっき層34に加わっている圧縮応力の測定方法としては、Cuめっき層34の表面からμ-XRDで、以下に記載する手順により測定することができる。
(i)まず、Cuめっき層34の表面にNiめっき層およびSnめっき層が形成されている場合には、Niめっき層およびSnめっき層を剥離する。
(ii)なお、Snめっき層を剥離する方法としては、積層セラミックコンデンサ10AをSn剥離液に浸漬しSnを剥離する。液としてはSnを溶解し下層のNiを溶解しにくいものがよい。例えば、メルストリップHN980Mを用いる。浸漬時間は10分程浸漬する。浸漬時間は製品の大きさや液濃度により変化するので都度調整する。
(iii)また、Niめっき層を剥離する方法としては、積層セラミックコンデンサ10AをNi剥離液に浸漬しNiを剥離する。液としてはNiを溶解し下層のCuめっき層34のCuを溶解しにくいものがよい。例えば、エンストリップNPを用いる。浸漬時間は120分程度浸漬する。浸漬時間は製品の大きさや液濃度により変化するので都度調整する。この時、Cuめっき層34の表面が酸化により変色する場合があるが、表層のみのため、この後行うX線による応力測定には影響しない。
(iv)そして、Snめっき層およびNiめっき層を剥離した後、積層セラミックコンデンサ10Aの第1の主面12aまたは第2の主面12b、第1の側面12cまたは第2の側面12d上に位置するCuめっき層34の長さ方向zおよび幅方向yの中央部にて、微小部応力測定装置(XRD)を用いてCuめっき層34の応力を測定することができる。
As a method for measuring the compressive stress applied to the Cu plating layer 34, it can be measured from the surface of the Cu plating layer 34 by μ-XRD according to the procedure described below.
(i) First, if a Ni-plated layer and a Sn-plated layer are formed on the surface of the Cu-plated layer 34, the Ni-plated layer and the Sn-plated layer are removed.
(ii) As a method for stripping the Sn plating layer, the multilayer ceramic capacitor 10A is immersed in a Sn stripping solution to strip Sn. As the liquid, a liquid that dissolves Sn but hardly dissolves the underlying Ni is preferred. For example, Melstrip HN980M is used. The immersion time is about 10 minutes. The immersion time varies depending on the size of the product and the concentration of the solution, so it should be adjusted each time.
(iii) As a method for stripping the Ni plating layer, the laminated ceramic capacitor 10A is immersed in a Ni stripping solution to strip the Ni. As the liquid, a liquid that dissolves Ni and hardly dissolves Cu of the underlying Cu plating layer 34 is preferable. For example, Enstrip NP is used. The immersion time is about 120 minutes. The immersion time varies depending on the size of the product and the concentration of the solution, so it should be adjusted each time. At this time, the surface of the Cu plating layer 34 may be oxidized and discolored, but since it is only the surface layer, it does not affect the X-ray stress measurement performed later.
(iv) After removing the Sn plating layer and the Ni plating layer, the The stress of the Cu plating layer 34 can be measured at the central portion of the Cu plating layer 34 in the length direction z and the width direction y using a micro-part stress measuring device (XRD).

Cuめっき層34の厚みは、2μm以上15μm以下であることが好ましい。 The thickness of the Cu plating layer 34 is preferably 2 μm or more and 15 μm or less.

上層めっき層36は、第1の上層めっき層36aおよび第2の上層めっき層36bを有する。 The upper plated layer 36 has a first upper plated layer 36a and a second upper plated layer 36b.

第1の上層めっき層36aは、第1のCuめっき層34aを覆うように配置されている。
第2の上層めっき層36bは、第2のCuめっき層34bを覆うように配置されている。
これにより、Cuめっき層34の表面に上層めっき層36が配置されることで、積層セラミックコンデンサ10Aの信頼性や、実装性を向上させることができる。
The first upper plated layer 36a is arranged to cover the first Cu plated layer 34a.
The second upper plated layer 36b is arranged to cover the second Cu plated layer 34b.
As a result, the upper plated layer 36 is arranged on the surface of the Cu plated layer 34, so that reliability and mountability of the multilayer ceramic capacitor 10A can be improved.

上層めっき層36は、たとえば、Cu、Ni、Sn、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等から選ばれる少なくとも1つを含む。 The upper plated layer 36 contains, for example, at least one selected from Cu, Ni, Sn, Ag, Pd, Ag—Pd alloy, Au, and the like.

上層めっき層36は、複数層により形成されていてもよい。好ましくは、Niめっき層とSnめっき層との2層構造である。Niめっき層は、積層セラミックコンデンサ10Aを実装する際に、下地電極層32が半田によって浸食されることを防止することができ、Snめっき層は、積層セラミックコンデンサ10Aを実装する際の半田の濡れ性を向上させ、積層セラミックコンデンサ10Aを実装基板に容易に実装させることができる。このように、上層めっき層36を複数層により形成することで、積層セラミックコンデンサ10Aの信頼性や実装性を効率的により向上させることができる。 The upper plated layer 36 may be formed of multiple layers. A two-layer structure of a Ni plating layer and a Sn plating layer is preferred. The Ni-plated layer can prevent the base electrode layer 32 from being eroded by solder when mounting the multilayer ceramic capacitor 10A, and the Sn-plated layer prevents wetting of the solder when mounting the multilayer ceramic capacitor 10A. It is possible to improve the property and easily mount the multilayer ceramic capacitor 10A on the mounting board. By forming the upper plated layer 36 with a plurality of layers in this manner, the reliability and mountability of the multilayer ceramic capacitor 10A can be efficiently improved.

上層めっき層36一層あたりの厚みは、1μm以上15μm以下であることが好ましい。 The thickness of each upper plating layer 36 is preferably 1 μm or more and 15 μm or less.

積層体12、第1の外部電極30aおよび第2の外部電極30bを含む積層セラミックコンデンサ10Aの長さ方向zの寸法をL寸法とし、積層体12、第1の外部電極30aおよび第2の外部電極30bを含む積層セラミックコンデンサ10Aの高さ方向xの寸法をT寸法とし、積層体12、第1の外部電極30aおよび第2の外部電極30bを含む積層セラミックコンデンサ10Aの幅方向yの寸法をW寸法とする。
積層セラミックコンデンサ10Aの寸法は、長さ方向zのL寸法が0.2mm以上10.0mm以下、幅方向yのW寸法が0.1mm以上5.0mm以下、高さ方向xのT寸法が0.05mm以上5.0mm以下である。また、積層セラミックコンデンサ10Aの寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。
The dimension in the length direction z of the multilayer ceramic capacitor 10A including the multilayer body 12, the first external electrode 30a and the second external electrode 30b is defined as the L dimension, and the multilayer body 12, the first external electrode 30a and the second external electrode The dimension in the height direction x of the multilayer ceramic capacitor 10A including the electrode 30b is defined as the dimension T, and the dimension in the width direction y of the multilayer ceramic capacitor 10A including the laminate 12, the first external electrode 30a and the second external electrode 30b is defined as T dimension. W dimension.
The dimensions of the multilayer ceramic capacitor 10A are such that the L dimension in the length direction z is 0.2 mm or more and 10.0 mm or less, the W dimension in the width direction y is 0.1 mm or more and 5.0 mm or less, and the T dimension in the height direction x is 0. 05 mm or more and 5.0 mm or less. Also, the dimensions of the laminated ceramic capacitor 10A can be measured with a microscope.

図1に示す積層セラミックコンデンサ10Aは、下地電極層32の表面にCuめっき層34が配置されている。このCuめっき層34は、耐湿性が高く、外部から外部電極30の内側に水分が浸入することをさらに抑制することができる。加えて、上述したようなCuめっき層34の圧縮応力を制御しCuめっき層34に圧縮応力を加えることができることから、積層体12の第1の主面12aおよび第2の主面12b上、ならびに第1の側面12cおよび第2の側面12d上に配置される下地電極層32の先端部分にかかる集中しやすい応力を緩和することが可能となる。これにより、積層体12にクラックが入ることを抑制することができる。より具体的には、図6に示すように、積層セラミックコンデンサ10Aの従来の課題として下地電極層32の端部に加わっている応力の向きに対して、反対の向きとなる応力をCuめっき層34によって与えることが可能となる。そのため、下地電極層32の端部から積層体12に加わる応力を相殺することができ、下地電極層32の先端部分にかかる応力を緩和することが可能となる。その結果、積層体12にクラックが入ることを抑制することができる。 A multilayer ceramic capacitor 10A shown in FIG. 1 has a Cu plating layer 34 disposed on the surface of a base electrode layer 32 . The Cu plating layer 34 has high moisture resistance, and can further suppress the intrusion of moisture from the outside into the inside of the external electrode 30 . In addition, since it is possible to control the compressive stress of the Cu plating layer 34 as described above and apply the compressive stress to the Cu plating layer 34, on the first main surface 12a and the second main surface 12b of the laminate 12, It is also possible to relax the stress that tends to concentrate on the tip portions of the base electrode layer 32 disposed on the first side surface 12c and the second side surface 12d. As a result, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the laminate 12 . More specifically, as shown in FIG. 6, a conventional problem with the multilayer ceramic capacitor 10A is that the stress in the direction opposite to the direction of the stress applied to the end portion of the base electrode layer 32 is applied to the Cu plating layer. 34 can be given. Therefore, the stress applied to the laminate 12 from the end portion of the base electrode layer 32 can be canceled, and the stress applied to the tip portion of the base electrode layer 32 can be relaxed. As a result, it is possible to suppress cracks in the laminate 12 .

(2)第2の実施の形態
続いて、第2の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品として積層セラミックコンデンサ(3端子型積層セラミックコンデンサ)について説明する。
(2) Second Embodiment Next, a laminated ceramic capacitor (three-terminal type laminated ceramic capacitor) will be described as a laminated ceramic electronic component according to a second embodiment.

図7は、この発明の第2の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ(3端子型積層セラミックコンデンサ)の一例を示す外観斜視図である。図8は、この発明の第2の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ(3端子型積層セラミックコンデンサ)の一例を示す上面図である。図9は、この発明の第2の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ(3端子型積層セラミックコンデンサ)の一例を示す正面図である。図10は、図7の線X-Xにおける断面図である。図11は、図7の線XI-XIにおける断面図である。図12は、図10の線XII-XIIにおける断面図である。図13は、図10の線XIII-XIIIにおける断面図である。 FIG. 7 is an external perspective view showing an example of a laminated ceramic capacitor (three-terminal type laminated ceramic capacitor) as a laminated ceramic electronic component according to a second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a top view showing an example of a laminated ceramic capacitor (three-terminal type laminated ceramic capacitor) as a laminated ceramic electronic component according to the second embodiment of the present invention. FIG. 9 is a front view showing an example of a laminated ceramic capacitor (three-terminal type laminated ceramic capacitor) as a laminated ceramic electronic component according to the second embodiment of the present invention. 10 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 7. FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI of FIG. 7. FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII of FIG. 10. FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view along line XIII-XIII of FIG.

図7に示すように、積層セラミックコンデンサ10Bは、たとえば、直方体状の積層体12と、外部電極30とを含む。 As shown in FIG. 7, a laminated ceramic capacitor 10B includes, for example, a rectangular parallelepiped laminate 12 and external electrodes 30. As shown in FIG.

積層体12は、積層された複数のセラミック層14と、セラミック層14上に積層された複数の内部電極層116とを有する。セラミック層14と内部電極層116は、高さ方向xに積層される。 The laminate 12 has a plurality of laminated ceramic layers 14 and a plurality of internal electrode layers 116 laminated on the ceramic layers 14 . The ceramic layers 14 and the internal electrode layers 116 are laminated in the height direction x.

積層体12は、高さ方向xに相対する第1の主面12aおよび第2の主面12bと、高さ方向xに直交する幅方向yに相対する第1の側面12cおよび第2の側面12dと、高さ方向xおよび幅方向yに直交する長さ方向zに相対する第1の端面12eおよび第2の端面12fとを有する。この積層体12には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する3面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する2面が交わる部分のことである。また、第1の主面12aおよび第2の主面12b、第1の側面12cおよび第2の側面12d、ならびに第1の端面12eおよび第2の端面12fの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。 The laminate 12 has a first main surface 12a and a second main surface 12b facing in the height direction x, and a first side surface 12c and a second side surface facing in the width direction y orthogonal to the height direction x. 12d, and a first end face 12e and a second end face 12f facing each other in a length direction z orthogonal to the height direction x and width direction y. The laminate 12 has rounded corners and ridges. A corner portion is a portion where three adjacent surfaces of the laminate intersect, and a ridge portion is a portion where two adjacent surfaces of the laminate intersect. In addition, unevenness or the like is formed on part or all of the first main surface 12a and the second main surface 12b, the first side surface 12c and the second side surface 12d, and the first end surface 12e and the second end surface 12f. may have been

積層体12は、単数もしくは複数枚のセラミック層14とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層116から構成される有効部18を有する。内部電極層116は、第1の端面12eおよび第2の端面12fに引き出される第1の内部電極層116aと第2の側面12cおよび第2の側面12dに引き出される第2の内部電極層116bを有し、有効部18では、複数枚の第1の内部電極層116aおよび第2の内部電極116bがセラミック層14を介して対向している。 The laminate 12 has an effective portion 18 composed of one or more ceramic layers 14 and a plurality of internal electrode layers 116 disposed thereon. The internal electrode layer 116 includes a first internal electrode layer 116a drawn out to the first end surface 12e and the second end surface 12f and a second internal electrode layer 116b drawn out to the second side surface 12c and the second side surface 12d. In the effective portion 18, a plurality of first internal electrode layers 116a and a plurality of second internal electrode layers 116b face each other with the ceramic layers 14 interposed therebetween.

積層体12は、第1の主面12a側に位置し、第1の主面12aと第1の主面12a側の有効部18の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第1の主面側外層部20aを有する。
同様に、積層体12は、第2の主面12b側に位置し、第2の主面12bと第2の主面12b側の有効部18の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第2の主面側外層部20bを有する。
The laminate 12 is located on the side of the first principal surface 12a, and is located between the first principal surface 12a, the outermost surface of the effective portion 18 on the first principal surface 12a side, and a straight line on the outermost surface. It has a first main surface side outer layer portion 20 a formed from a plurality of ceramic layers 14 .
Similarly, the laminate 12 is located on the second main surface 12b side, and between the second main surface 12b and the outermost surface of the effective portion 18 on the second main surface 12b side and the straight line on the outermost surface. has a second main surface side outer layer portion 20b formed from a plurality of ceramic layers 14 located at .

また、積層体12は、第1の側面12c側に位置し、第1の側面12cと第1の側面12c側の有効部18の最表面との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第1の側面側外層部22aを有する。
同様に、積層体12は、第2の側面12d側に位置し、第2の側面12dと第2の側面12d側の有効部18の最表面との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第2の側面側外層部22bを有する。
Moreover, the laminate 12 is located on the side of the first side surface 12c and is formed of a plurality of ceramic layers 14 located between the first side surface 12c and the outermost surface of the effective portion 18 on the side of the first side surface 12c. It has a first side outer layer portion 22a.
Similarly, the laminate 12 is formed from a plurality of ceramic layers 14 located on the second side surface 12d side and located between the second side surface 12d and the outermost surface of the effective portion 18 on the second side surface 12d side. It has a second side outer layer portion 22b that is attached.

さらに、積層体12は、第1の端面側12e側に位置し、第1の端面12eと第1の端面12e側の有効部18の最表面との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第1の端面側外層部24aを有する。
同様に、積層体12は、第2の端面12f側に位置し、第2の端面12fと第2の端面12f側の有効部18の最表面との間に位置する複数のセラミック層14から形成される第2の端面側外層部24bを有する。
Furthermore, the laminated body 12 is formed from a plurality of ceramic layers 14 positioned on the first end face side 12e side and positioned between the first end face 12e and the outermost surface of the effective portion 18 on the first end face 12e side. It has a first end face side outer layer portion 24a that is
Similarly, the laminate 12 is formed from a plurality of ceramic layers 14 positioned on the second end face 12f side and positioned between the second end face 12f and the outermost surface of the effective portion 18 on the second end face 12f side. It has a second end surface side outer layer portion 24b that is attached.

第1の主面側外層部20aは、第1の主面12a側に位置する。第1の主面側外層部20aは、第1の主面12aと第1の主面12aに最も近い内部電極層116との間に位置する複数のセラミック層14の集合体である。
第2の主面側外層部20bは、第2の主面12b側に位置する。第2の主面側外層部20bは、第2の主面12bと第2の主面12bに最も近い内部電極層116との間に位置する複数のセラミック層14の集合体である。
The first main surface side outer layer portion 20a is located on the first main surface 12a side. The first main surface side outer layer portion 20a is an assembly of a plurality of ceramic layers 14 positioned between the first main surface 12a and the internal electrode layers 116 closest to the first main surface 12a.
The second main surface side outer layer portion 20b is located on the second main surface 12b side. The second main surface side outer layer portion 20b is an assembly of a plurality of ceramic layers 14 positioned between the second main surface 12b and the internal electrode layers 116 closest to the second main surface 12b.

積層体12の寸法は、特に限定されないが、長さ方向zの寸法が0.186mm以上9.59mm以下、幅方向yの寸法が0.086mm以上4.59mm以下、高さ方向xの寸法が0.036mm以上4.83mm以下であることが好ましい。 The dimensions of the laminate 12 are not particularly limited, but the dimension in the length direction z is 0.186 mm or more and 9.59 mm or less, the dimension in the width direction y is 0.086 mm or more and 4.59 mm or less, and the dimension in the height direction x is It is preferably 0.036 mm or more and 4.83 mm or less.

セラミック層14の材料は、積層セラミックコンデンサ10Aと共通であるので、その説明を省略する。
また、焼成後のセラミック層14の高さ方向xの平均厚みも、積層セラミックコンデンサ10Aと共通であるので、その説明を省略する。
The material of the ceramic layer 14 is the same as that of the multilayer ceramic capacitor 10A, so the explanation thereof is omitted.
Also, the average thickness of the ceramic layers 14 after firing in the height direction x is the same as that of the multilayer ceramic capacitor 10A, so the description thereof will be omitted.

積層体12は、複数の内部電極層116として、複数の第1内部電極層116aおよび複数の第2内部電極層116bを有する。複数の第1の内部電極層116aおよび複数の第2の内部電極層116bは、積層体12の高さ方向xに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。 The laminate 12 has, as the plurality of internal electrode layers 116, a plurality of first internal electrode layers 116a and a plurality of second internal electrode layers 116b. The plurality of first internal electrode layers 116a and the plurality of second internal electrode layers 116b are buried so as to be alternately arranged at regular intervals along the height direction x of the laminate 12 .

図12に示すように、第1の内部電極層116aは、第2の内部電極層116bと対向する第1の対向電極部126a、第1の対向電極部126aから積層体12の第1の端面12eの表面に引き出される一方の第1の引出電極部128a1および第1の対向電極部126aから積層体12の第2の端面12fの表面に引き出される他方の第1の引出電極部128a2を備える。具体的には、一方の第1の引出電極部128a1は、積層体12の第1の端面12eの表面に露出し、他方の第1の引出電極部128a2は、積層体12の第2の端面12fの表面に露出している。したがって、第1の内部電極層116aは、積層体12の第1の側面12cおよび第2の側面12dの表面には露出していない。 As shown in FIG. 12, the first internal electrode layer 116a is formed by a first counter electrode portion 126a facing the second internal electrode layer 116b, and a first end face of the laminate 12 from the first counter electrode portion 126a. One first lead-out electrode portion 128a 1 led out to the surface of 12e and the other first lead-out electrode portion 128a 2 led out to the surface of the second end face 12f of the laminate 12 from the first counter electrode portion 126a. Prepare. Specifically, one first extraction electrode portion 128 a 1 is exposed on the surface of the first end surface 12 e of the laminate 12 , and the other first extraction electrode portion 128 a 2 is exposed on the second surface of the laminate 12 . is exposed on the surface of the end face 12f. Therefore, the first internal electrode layer 116a is not exposed on the surfaces of the first side surface 12c and the second side surface 12d of the laminate 12. As shown in FIG.

図13に示すように、第2の内部電極層116bは、略十字形状であり、第1の内部電極層116aと対向する第2の対向電極部126b、第2の対向電極部126bから積層体12の第1の側面12cの表面に引き出される一方の第2の引出電極部128b1および第2の対向電極部126bから積層体12の第2の側面12dの表面に引き出される他方の第2の引出電極部128b2を備える。具体的には、一方の第2の引出電極部128b1は、積層体12の第1の側面12cの表面に露出し、他方の第2の引出電極部128b2は、積層体12の第2の側面12dの表面に露出している。したがって、第2の内部電極層116bは、積層体12の第1の端面12eの表面および第2の端面12fの表面には露出していない。 As shown in FIG. 13, the second internal electrode layer 116b has a substantially cross shape, a second counter electrode portion 126b facing the first internal electrode layer 116a, and a laminate from the second counter electrode portion 126b. One second extraction electrode portion 128 b 1 is extracted to the surface of the first side surface 12 c of the laminate 12 , and the other second extraction electrode portion 128 b 1 is extracted to the surface of the second side surface 12 d of the laminate 12 from the second counter electrode portion 126 b. A lead electrode portion 128b 2 is provided. Specifically, one second extraction electrode portion 128 b 1 is exposed on the surface of the first side surface 12 c of the laminate 12 , and the other second extraction electrode portion 128 b 2 is exposed on the surface of the second extraction electrode 128 b 2 of the laminate 12 . is exposed on the surface of the side surface 12d. Therefore, the second internal electrode layer 116b is not exposed on the surface of the first end surface 12e and the surface of the second end surface 12f of the laminate 12. As shown in FIG.

なお、第2の内部電極層116bにおける第2の対向電極部126bの4つの角部は、面取りされていないが、面取りをした形状としてもよい。これにより、第1の内部電極層116aの第1の対向電極部126aの角と重なることを抑制することが可能となり、電界集中を抑制することができる。その結果、電界集中により発生しうるセラミックコンデンサの絶縁破壊を抑制することができる。 Although the four corners of the second counter electrode portion 126b in the second internal electrode layer 116b are not chamfered, they may be chamfered. This makes it possible to prevent the corners of the first internal electrode layers 116a from overlapping with the corners of the first opposing electrode portions 126a, thereby suppressing electric field concentration. As a result, it is possible to suppress dielectric breakdown of the ceramic capacitor that may occur due to electric field concentration.

内部電極層116の材料は、内部電極層16の材料と共通であるので、その説明を省略する。また、内部電極層116の厚みや積層する枚数も内部電極層16と共通であるので、その説明を省略する。 Since the material of the internal electrode layer 116 is the same as the material of the internal electrode layer 16, the description thereof is omitted. Also, the thickness and the number of layers of the internal electrode layers 116 are the same as those of the internal electrode layers 16, so the description thereof will be omitted.

積層体12の第1の端面12e側および第2の端面12f側、ならびに第1の側面12c側および第2の側面12d側には、外部電極30が配置される。 External electrodes 30 are arranged on the first end surface 12e side, the second end surface 12f side, and the first side surface 12c side and the second side surface 12d side of the laminate 12 .

外部電極30は、金属成分およびセラミック成分を含む下地電極層32と、下地電極層32の表面に配置されるCuめっき層34とを含む。また、外部電極30は、Cuめっき層34の表面に配置される上層めっき層36を含むことが好ましい。 The external electrode 30 includes a base electrode layer 32 containing a metal component and a ceramic component, and a Cu plating layer 34 arranged on the surface of the base electrode layer 32 . Moreover, the external electrode 30 preferably includes an upper plated layer 36 arranged on the surface of the Cu plated layer 34 .

外部電極30は、第1の外部電極30a、第2の外部電極30b、第3の外部電極30cおよび第4の外部電極30dを有する。 The external electrode 30 has a first external electrode 30a, a second external electrode 30b, a third external electrode 30c and a fourth external electrode 30d.

第1の外部電極30aは、第1の内部電極層116aに接続され、第1の端面12eの表面に配置されている。また、第1の外部電極30aは、積層体12の第1の端面12eから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部にも配置される。この場合、第1の外部電極30aは、第1の内部電極層116aの一方の第1の引出電極部128a1と電気的に接続される。 The first external electrode 30a is connected to the first internal electrode layer 116a and arranged on the surface of the first end surface 12e. In addition, the first external electrode 30a extends from the first end surface 12e of the laminate 12 to extend from a portion of the first main surface 12a, a portion of the second main surface 12b, and a portion of the first side surface 12c. It is also arranged on a portion and a portion of the second side 12d. In this case, the first external electrode 30a is electrically connected to one of the first extraction electrode portions 128a 1 of the first internal electrode layer 116a.

第2の外部電極30bは、第1の内部電極層116aに接続され、第2の端面12fの表面に配置されている。また、第2の外部電極30bは、積層体12の第1の端面12fから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部にも配置される。この場合、第2の外部電極30bは、第1の内部電極層116aの他方の第1の引出電極部128a2と電気的に接続される。 The second external electrode 30b is connected to the first internal electrode layer 116a and arranged on the surface of the second end surface 12f. In addition, the second external electrode 30b extends from the first end surface 12f of the laminate 12 to extend from a portion of the first main surface 12a, a portion of the second main surface 12b, and a portion of the first side surface 12c. It is also arranged on a portion and a portion of the second side 12d. In this case, the second external electrode 30b is electrically connected to the other first extraction electrode portion 128a 2 of the first internal electrode layer 116a.

第3の外部電極30cは、第2の内部電極層116bに接続され、第1の側面12cの表面に配置されている。また、第3の外部電極30cは、積層体12の第1の側面12cから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部にも配置される。この場合、第3の外部電極30cは、第2の内部電極層116bの一方の第2の引出電極部128b1と電気的に接続される。 The third external electrode 30c is connected to the second internal electrode layer 116b and arranged on the surface of the first side surface 12c. In addition, the third external electrode 30c extends from the first side surface 12c of the laminate 12 and is arranged on part of the first principal surface 12a and part of the second principal surface 12b. In this case, the third external electrode 30c is electrically connected to one second extraction electrode portion 128b 1 of the second internal electrode layer 116b.

第4の外部電極30dは、第2の内部電極層116bに接続され、第2の側面12dの表面に配置されている。また、第4の外部電極30dは、積層体12の第1の側面12dから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部にも配置される。この場合、第4の外部電極30dは、第2の内部電極層116bの他方の第2の引出電極部128b2と電気的に接続される。 The fourth external electrode 30d is connected to the second internal electrode layer 116b and arranged on the surface of the second side surface 12d. Further, the fourth external electrode 30d extends from the first side surface 12d of the laminate 12 and is arranged on part of the first principal surface 12a and part of the second principal surface 12b. In this case, the fourth external electrode 30d is electrically connected to the other second extraction electrode portion 128b 2 of the second internal electrode layer 116b.

積層体12内においては、第1の内部電極層116aの第1の対向電極部126aと第2の内部電極層116bの第2の対向電極部126bとがセラミック層14を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第1の内部電極層116aが接続された第1の外部電極30aおよび第2の外部電極30bと第2の内部電極層116bが接続された第3の外部電極30cおよび第4の外部電極30dとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。 In the laminate 12, the first counter electrode portion 126a of the first internal electrode layer 116a and the second counter electrode portion 126b of the second internal electrode layer 116b face each other with the ceramic layer 14 interposed therebetween. , a capacitance is formed. Therefore, the first external electrode 30a and the second external electrode 30b to which the first internal electrode layer 116a is connected and the third external electrode 30c and the fourth external electrode to which the second internal electrode layer 116b is connected 30d, the capacitance can be obtained and the characteristics of the capacitor are developed.

下地電極層32は、第1の下地電極層32a、第2の下地電極層32b、第3の下地電極層32cおよび第4の下地電極層32dを有する。 The underlying electrode layer 32 has a first underlying electrode layer 32a, a second underlying electrode layer 32b, a third underlying electrode layer 32c, and a fourth underlying electrode layer 32d.

第1の下地電極層32aは、第1の内部電極層116aに接続され、第1の端面12eの表面に配置されている。また、第1の下地電極層32aは、第1の端面12eから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部にも配置される。この場合、第1の下地電極層32aは、第1の内部電極層116aの一方の第1の引出電極部128a1と電気的に接続される。
第2の下地電極層32bは、第1の内部電極層116aに接続され、第2の端面12fの表面に配置されている。また、第2の下地電極層32bは、第2の端面12fから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部、ならびに第1の側面12cの一部および第2の側面12dの一部にも配置される。この場合、第2の下地電極層32bは、第1の内部電極層116aの他方の第1の引出電極部128a2と電気的に接続される。
The first base electrode layer 32a is connected to the first internal electrode layer 116a and arranged on the surface of the first end surface 12e. In addition, the first base electrode layer 32a extends from the first end surface 12e to part of the first main surface 12a, part of the second main surface 12b, and part of the first side surface 12c. It is also arranged on part of the second side surface 12d. In this case, the first base electrode layer 32a is electrically connected to one of the first extraction electrode portions 128a 1 of the first internal electrode layer 116a.
The second base electrode layer 32b is connected to the first internal electrode layer 116a and arranged on the surface of the second end surface 12f. In addition, the second base electrode layer 32b extends from the second end surface 12f to part of the first principal surface 12a, part of the second principal surface 12b, part of the first side surface 12c, and part of the second principal surface 12b. It is also arranged on part of the second side surface 12d. In this case, the second base electrode layer 32b is electrically connected to the other first extraction electrode portion 128a 2 of the first internal electrode layer 116a.

第3の下地電極層32cは、第2の内部電極層116bに接続され、第1の側面12cの表面に配置されている。また、第3の下地電極層32cは、第1の側面12cから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部にも配置される。この場合、第3の下地電極層32cは、第2の内部電極層116bの一方の第2の引出電極部128b1と電気的に接続される。
第4の下地電極層32dは、第2の内部電極層116bに接続され、第2の側面12dの表面に配置されている。また、第4の下地電極層32dは、第2の側面12dから延伸して第1の主面12aの一部および第2の主面12bの一部にも配置される。この場合、第4の下地電極層32dは、第2の内部電極層116bの他方の第2の引出電極部128b2と電気的に接続される。
The third base electrode layer 32c is connected to the second internal electrode layer 116b and arranged on the surface of the first side surface 12c. In addition, the third base electrode layer 32c extends from the first side surface 12c and is also arranged on a portion of the first main surface 12a and a portion of the second main surface 12b. In this case, the third base electrode layer 32c is electrically connected to one of the second lead electrode portions 128b 1 of the second internal electrode layer 116b.
The fourth base electrode layer 32d is connected to the second internal electrode layer 116b and arranged on the surface of the second side surface 12d. Further, the fourth base electrode layer 32d extends from the second side surface 12d and is also arranged on a portion of the first principal surface 12a and a portion of the second principal surface 12b. In this case, the fourth base electrode layer 32d is electrically connected to the other second extraction electrode portion 128b 2 of the second internal electrode layer 116b.

Cuめっき層34は、第1のCuめっき層34a、第2のCuめっき層34b、第3のCuめっき層34cおよび第4のCuめっき層34dを有する。 The Cu plating layer 34 has a first Cu plating layer 34a, a second Cu plating layer 34b, a third Cu plating layer 34c and a fourth Cu plating layer 34d.

第1のCuめっき層34aは、第1の下地電極層32aの表面を覆うように配置されている。
第2のCuめっき層34bは、第2の下地電極層32bの表面を覆うように配置されている。
第3のCuめっき層34cは、第3の下地電極層32cの表面を覆うように配置されている。
第4のCuめっき層34dは、第4の下地電極層32dの表面を覆うように配置されている。
The first Cu plating layer 34a is arranged to cover the surface of the first base electrode layer 32a.
The second Cu plating layer 34b is arranged to cover the surface of the second base electrode layer 32b.
The third Cu plating layer 34c is arranged to cover the surface of the third base electrode layer 32c.
The fourth Cu plating layer 34d is arranged to cover the surface of the fourth base electrode layer 32d.

第1の主面12aおよび第2の主面12b上、ならびに第1の側面12cおよび第2の側面12d上に配置されるCuめっき層34には、圧縮応力が加わっている。 A compressive stress is applied to the Cu plating layer 34 arranged on the first main surface 12a and the second main surface 12b and on the first side surface 12c and the second side surface 12d.

具体的には、積層体12の第1の主面12aおよび第2の主面12b上、ならびに第1の側面12cおよび第2の側面12d上に配置されるそれぞれの第1のCuめっき層34aには、積層体12の第1の端面12eから第2の端面12fに向かう方向に圧縮応力が加わっている。
また、積層体12の第1の主面12aおよび第2の主面12b上、ならびに第1の側面12cおよび第2の側面12d上に配置されるそれぞれの第2のCuめっき層34bには、積層体12の第2の端面12fから第1の端面12eに向かう方向に圧縮応力が加わっている。
そして、第1のCuめっき層34aおよび第2のCuめっき層34bに加わっている圧縮応力は、50MPa以上300MPa以下であり、より好ましい範囲としては、80MPa以上200MPa以下である。
Specifically, the respective first Cu plating layers 34a arranged on the first main surface 12a and the second main surface 12b and the first side surface 12c and the second side surface 12d of the laminate 12 is applied with a compressive stress in the direction from the first end surface 12e of the laminate 12 toward the second end surface 12f.
In addition, the second Cu plating layers 34b arranged on the first main surface 12a and the second main surface 12b and the first side surface 12c and the second side surface 12d of the laminate 12 have Compressive stress is applied in the direction from the second end surface 12f of the laminate 12 toward the first end surface 12e.
The compressive stress applied to the first Cu plating layer 34a and the second Cu plating layer 34b is 50 MPa or more and 300 MPa or less, more preferably 80 MPa or more and 200 MPa or less.

さらに、積層体12の第1の主面12aおよび第2の主面12b上に配置されるそれぞれの第3のCuめっき層34cには、積層体12の第1の側面12cから第2の側面12dに向かう方向に圧縮応力が加わっている。
また、積層体12の第1の主面12aおよび第2の主面12b上に配置されるそれぞれの第4のCuめっき層34dには、積層体12の第2の側面12dから第1の側面12cに向かう方向に圧縮応力が加わっている。
そして、第3のCuめっき層34cおよび第4のCuめっき層34dに加わっている圧縮応力は、50MPa以上300MPa以下であり、より好ましい範囲としては、80MPa以上200MPa以下である。
Further, each of the third Cu plating layers 34c arranged on the first main surface 12a and the second main surface 12b of the laminate 12 has the first side surface 12c to the second side surface of the laminate 12. A compressive stress is applied in the direction toward 12d.
Further, each of the fourth Cu plating layers 34d arranged on the first main surface 12a and the second main surface 12b of the laminate 12 has the second side surface 12d to the first side surface of the laminate 12. A compressive stress is applied in the direction toward 12c.
The compressive stress applied to the third Cu plating layer 34c and the fourth Cu plating layer 34d is 50 MPa or more and 300 MPa or less, more preferably 80 MPa or more and 200 MPa or less.

上層めっき層36は、第1の上層めっき層36a、第2の上層めっき層36b、第3の上層めっき層36cおよび第4の上層めっき層36dを含む。 The upper plating layer 36 includes a first upper plating layer 36a, a second upper plating layer 36b, a third upper plating layer 36c and a fourth upper plating layer 36d.

第1の上層めっき層36aは、第1のCuめっき層34aの表面を覆うように配置される。
第2の上層めっき層36bは、第2のCuめっき層34bの表面を覆うように配置される。
第3の上層めっき層36cは、第3のCuめっき層34cの表面を覆うように配置される。
第4の上層めっき層36dは、第4のCuめっき層34dの表面を覆うように配置される。
The first upper plated layer 36a is arranged to cover the surface of the first Cu plated layer 34a.
The second upper plated layer 36b is arranged to cover the surface of the second Cu plated layer 34b.
The third upper plated layer 36c is arranged to cover the surface of the third Cu plated layer 34c.
The fourth upper plated layer 36d is arranged to cover the surface of the fourth Cu plated layer 34d.

上層めっき層36は、複数層により形成されていてもよい。好ましくは、Niめっき層とSnめっき層との2層構造である。Niめっき層は、積層セラミックコンデンサ10Bを実装する際に、下地電極層32が半田によって浸食されることを防止することができ、Snめっき層は、積層セラミックコンデンサ10Bを実装する際の半田の濡れ性を向上させ、積層セラミックコンデンサ10Bを実装基板に容易に実装させることができる。このように、上層めっき層36を複数層により形成することで、積層セラミックコンデンサ10Bの信頼性や実装性を効率的により向上させることができる。 The upper plated layer 36 may be formed of multiple layers. A two-layer structure of a Ni plating layer and a Sn plating layer is preferred. The Ni-plated layer can prevent the base electrode layer 32 from being eroded by solder when mounting the multilayer ceramic capacitor 10B, and the Sn-plated layer prevents solder wetting when mounting the multilayer ceramic capacitor 10B. Therefore, the multilayer ceramic capacitor 10B can be easily mounted on the mounting board. Thus, by forming the upper plated layer 36 with a plurality of layers, the reliability and mountability of the multilayer ceramic capacitor 10B can be efficiently improved.

なお、積層セラミックコンデンサ10Bにおける下地電極層の材料や構造等は、積層セラミックコンデンサ10Aと共通であるので、その説明を省略する。
また、積層セラミックコンデンサ10BにおけるCuめっき層の材料や構造等は、積層セラミックコンデンサ10Aと共通であるので、その説明を省略する。
さらに、積層セラミックコンデンサ10Bにおける上層めっき層の材料や構造等は、積層セラミックコンデンサ10Aと共通であるので、その説明を省略する。
The material, structure, etc. of the underlying electrode layers in the multilayer ceramic capacitor 10B are the same as those in the multilayer ceramic capacitor 10A, and thus description thereof will be omitted.
Further, since the material, structure, etc. of the Cu plating layer in the multilayer ceramic capacitor 10B are common to those in the multilayer ceramic capacitor 10A, the description thereof will be omitted.
Furthermore, the material, structure, etc. of the upper plated layer in the multilayer ceramic capacitor 10B are the same as those in the multilayer ceramic capacitor 10A, so the description thereof will be omitted.

積層体12、第1の外部電極30aないし第4の外部電極30dを含む積層セラミックコンデンサ10Bの長さ方向zの寸法をL寸法とし、積層体12、第1の外部電極30aないし第4の外部電極30dを含む積層セラミックコンデンサ10Bの高さ方向xの寸法をT寸法とし、積層体12、第1の外部電極30aないし第4の外部電極30dを含む積層セラミックコンデンサ10Bの幅方向yの寸法をW寸法とする。
積層セラミックコンデンサ10Bの寸法は、特に限定されないが、長さ方向zのL寸法が0.2mm以上10.0mm以下、幅方向yのW寸法が0.1mm以上5.0mm以下、高さ方向xのT寸法が0.05mm以上5.0mm以下である。なお、積層セラミックコンデンサ10Bの寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。
The dimension in the length direction z of the multilayer ceramic capacitor 10B including the multilayer body 12 and the first external electrodes 30a to the fourth external electrodes 30d is defined as L dimension, and the multilayer body 12 and the first external electrodes 30a to the fourth external electrodes The dimension in the height direction x of the multilayer ceramic capacitor 10B including the electrode 30d is defined as the dimension T, and the dimension in the width direction y of the multilayer ceramic capacitor 10B including the laminate 12 and the first external electrode 30a to the fourth external electrode 30d is defined as T. W dimension.
The dimensions of the multilayer ceramic capacitor 10B are not particularly limited, but the L dimension in the length direction z is 0.2 mm or more and 10.0 mm or less, the W dimension in the width direction y is 0.1 mm or more and 5.0 mm or less, and the height direction x The T dimension of is 0.05 mm or more and 5.0 mm or less. The dimensions of the laminated ceramic capacitor 10B can be measured with a microscope.

図7に示す積層セラミックコンデンサ10Bは、上述の積層セラミックコンデンサ10Aと同様の効果を奏する。 A multilayer ceramic capacitor 10B shown in FIG. 7 has the same effects as the multilayer ceramic capacitor 10A described above.

3.積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。例として、積層セラミックコンデンサ10Aの製造方法について説明する。
3. Method for Manufacturing Multilayer Ceramic Capacitor Next, a method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor will be described. As an example, a method for manufacturing the laminated ceramic capacitor 10A will be described.

まず、セラミック層用の誘電体シートおよび内部電極層用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極層用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってよい。 First, a dielectric sheet for ceramic layers and a conductive paste for internal electrode layers are prepared. The conductive paste for dielectric sheets and internal electrode layers contains a binder and a solvent. Binders and solvents may be known in the art.

そして、誘電体シート上に、内部電極層用の導電性ペーストが、たとえば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第1の内部電極層のパターンが形成された誘電体シート、および第2の内部電極層のパターンが形成された誘電体シートが準備される。 Then, a conductive paste for internal electrode layers is printed in a predetermined pattern on the dielectric sheet by, for example, screen printing or gravure printing. As a result, a dielectric sheet on which the pattern of the first internal electrode layer is formed and a dielectric sheet on which the pattern of the second internal electrode layer is formed are prepared.

続いて、内部電極層のパターンが印刷されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第2の主面側の第2の主面側外層部となる部分が形成される。そして、第2の主面側外層部となる部分の上に第1の内部電極層のパターンが印刷された誘電体シート、および第2の内部電極層のパターンが印刷された誘電体シートを本発明の構造となるように順次積層されることにより、有効部となる部分が形成される。この有効部となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されてない外層用の誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第1の主面側の第1の主面側外層部となる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。 Subsequently, a predetermined number of outer layer dielectric sheets on which the patterns of the internal electrode layers are not printed are laminated to form a portion to be the second main surface side outer layer portion on the second main surface side. . Then, the dielectric sheet printed with the pattern of the first internal electrode layer and the dielectric sheet printed with the pattern of the second internal electrode layer on the portion to be the outer layer portion on the second main surface side are provided. By successively laminating layers so as to form the structure of the invention, a portion that becomes an effective portion is formed. A predetermined number of outer layer dielectric sheets on which the patterns of the internal electrode layers are not printed are laminated on the portion to be the effective portion, thereby forming a first main surface side outer layer portion on the first main surface side. is formed. Thereby, a laminated sheet is produced.

次に、積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。 Next, a laminated block is produced by pressing the laminated sheet in the lamination direction by means such as isostatic pressing.

そして、積層ブロックを所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みをつけてもよい。 Then, the laminated chip is cut out by cutting the laminated block into a predetermined size. At this time, the corners and ridges of the laminated chip may be rounded by barrel polishing or the like.

次に、積層チップの両端面に下地電極層となる導電性ペーストが塗布される。本実施の形態においては、下地電極層は、焼付け層である。導電性ペーストは、金属成分と、セラミック成分、溶剤、分散剤などを含む。積層チップに対する導電性ペーストの塗布の方法としては、たとえば、ディップ法やスクリーン印刷法などの方法が用いられる。金属成分としては、たとえば、Niを用い、セラミック成分としては、BaTiO3を用いることができる。その後、焼付け処理が行われ、下地電極層が形成される。 Next, a conductive paste, which will serve as base electrode layers, is applied to both end faces of the laminated chip. In this embodiment, the base electrode layer is a baked layer. The conductive paste includes metal components, ceramic components, solvents, dispersants, and the like. As a method of applying the conductive paste to the laminated chip, for example, a method such as a dipping method or a screen printing method is used. For example, Ni can be used as the metal component, and BaTiO 3 can be used as the ceramic component. After that, a baking process is performed to form a base electrode layer.

なお、下地電極層を薄膜層で形成する場合は、スパッタ法または蒸着法の薄膜形成法により下地電極層を形成することができる。薄膜層で形成された下地電極層は金属粒子が堆積された1μm以下の層とする。 When the base electrode layer is formed of a thin film layer, the base electrode layer can be formed by a thin film formation method such as a sputtering method or a vapor deposition method. The base electrode layer formed of a thin film layer is a layer of 1 μm or less in which metal particles are deposited.

続いて、内部電極層およびセラミック層を有する焼成前の積層チップと焼成前の積層チップに塗布した下地電極層用の導電性ペーストとを同時に焼付けて(焼成して)、下地電極層が形成された積層体を形成する。この時の焼付け処理の温度(焼成温度)は、900℃以上1400℃以下であることが好ましい。焼付け層は、複数層であってもよい。 Subsequently, the unfired laminated chip having the internal electrode layer and the ceramic layer and the conductive paste for the base electrode layer applied to the unfired laminated chip are simultaneously baked (fired) to form the base electrode layer. to form a laminated body. At this time, the baking temperature (firing temperature) is preferably 900° C. or higher and 1400° C. or lower. The baking layer may be multiple layers.

次に、Cuめっき層が形成される。Cuめっき層は下地電極層の表面にめっきにより形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。但し、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。 Next, a Cu plating layer is formed. The Cu plating layer is formed by plating on the surface of the base electrode layer. Either electroplating or electroless plating may be employed for the plating treatment. However, electroless plating requires pretreatment with a catalyst or the like in order to improve the plating deposition rate, which has the disadvantage of complicating the process. Therefore, it is usually preferable to adopt electrolytic plating.

次に、Cuめっき層の形成後に熱処理を行う。熱処理の温度は、250℃以上800℃以下であることが好ましい。Cuめっき層に対して熱処理を行うことで、Cuめっき層の内部および、Cuめっき層と下地電極層(Niコファイア)との界面、さらに、Niコファイア膜中のCuめっき液残渣の水分が蒸発して外部に飛散し耐湿信頼性を向上することができる。また、下地電極層のNiコファイア電極とCuめっき層との固着力を高めることができる。 Next, heat treatment is performed after forming the Cu plating layer. The heat treatment temperature is preferably 250° C. or higher and 800° C. or lower. By heat-treating the Cu plating layer, the inside of the Cu plating layer, the interface between the Cu plating layer and the underlying electrode layer (Ni co-fire), and further, the water in the Cu plating solution residue in the Ni co-fire film evaporates. It scatters to the outside and can improve humidity resistance reliability. In addition, the adhesion between the Ni co-fired electrode of the underlying electrode layer and the Cu plating layer can be enhanced.

ここで、バレルまたは粉体のブラスト処理など機械的な衝撃をCuめっき層に加えることにより、Cuめっき層に対するショットピーニング効果により、Cuめっき層に圧縮応力を加えることが可能となり、その応力を50MPa以上300MPa以下とすることができる。この時、Cuめっき層の圧縮応力の値は、バレルの玉石または粉体ブラスト処理の粉末をCuめっき層の表面に衝突させ塑性変形により圧縮応力を付与して制御する。具体的には、衝突させる玉石や分体の大きさ、衝突させる衝撃力、時間などを制御することで制御することができる。 Here, by applying a mechanical impact such as barrel or powder blasting to the Cu plating layer, it is possible to apply a compressive stress to the Cu plating layer due to the shot peening effect on the Cu plating layer, and the stress is reduced to 50 MPa. It can be set to 300 MPa or less. At this time, the value of the compressive stress of the Cu plating layer is controlled by making the surface of the Cu plating layer collide with cobblestones of the barrel or the powder of the powder blast treatment, and applying the compressive stress by plastic deformation. Specifically, it can be controlled by controlling the size of the colliding boulder or split body, the impact force for colliding, time, and the like.

次に、Cuめっき層の表面に上層めっき層を形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。また、必要に応じて、下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極を同様に形成してもよい。図1に示す積層セラミックコンデンサ10Aでは、Cuめっき層を覆うようにNiめっき層を形成し、Niめっき層を覆うようにSnめっき層が形成されている。Niめっき層およびSnめっき層は、たとえばバレルめっき法により、順次形成される。 Next, an upper plated layer is formed on the surface of the Cu plated layer. Either electroplating or electroless plating can be used for plating, but electroless plating requires pretreatment with a catalyst or the like in order to increase the rate of plating deposition, which complicates the process. There is a disadvantage. Therefore, it is usually preferable to adopt electrolytic plating. As the plating method, barrel plating is preferably used. Also, if necessary, an upper layer plating electrode may be formed in the same manner on the surface of the lower layer plating electrode. In the multilayer ceramic capacitor 10A shown in FIG. 1, the Ni plating layer is formed so as to cover the Cu plating layer, and the Sn plating layer is formed so as to cover the Ni plating layer. The Ni plating layer and the Sn plating layer are sequentially formed by, for example, barrel plating.

上述のようにして、本実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ10Aが製造される。 As described above, the multilayer ceramic capacitor 10A according to the present embodiment is manufactured.

4.実験例
上述した製造方法にしたがって、試料である積層セラミックコンデンサを作製し、Cuめっき層における応力の測定、および積層体内へのクラックの有無の確認により評価を行った。
4. Experimental Example A multilayer ceramic capacitor as a sample was produced according to the manufacturing method described above, and evaluated by measuring the stress in the Cu plating layer and confirming the presence or absence of cracks in the laminate.

(a)実施例の試料の仕様
実施例として、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを準備した。準備された実施例1ないし実施例8の試料は、表1に示すように、Cuめっき層に加える応力の大きさを変化させた。
(a) Specification of Sample of Example As an example, a laminated ceramic capacitor having the following specifications was prepared. For the prepared samples of Examples 1 to 8, as shown in Table 1, the magnitude of stress applied to the Cu plating layer was varied.

・積層セラミックコンデンサの寸法(設計値):L×W×T=2.0mm×1.2mm×0.65mm
・コンデンサのタイプ:3端子コンデンサ(図7参照)
・セラミック層の主成分の材料:BaTiO3
・容量:22μF
・定格電圧:4V
・セラミック層の層厚み:0.65μm
・内部電極層の材料:Ni

・外部電極層の仕様
下地電極層の仕様
・下地電極層:金属成分とセラミック成分を含む焼付け層
・金属成分:Ni
・下地電極層の厚み
・第1の端面および第2の端面に位置する焼付け層の高さ方向xの中央部における長さ方向zの厚み:11μm
・第1の主面および第2の主面に位置する焼付け層の長さ方向zの中央部における第1の主面および第2の主面を結ぶ高さ方向xの厚み(e寸中央部部分の下地電極層の厚み):3μm
・第1の側面および第2の側面に位置する焼付け層の長さ方向zの中央部における第1の側面および第2の側面を結ぶ幅方向yの厚み(e寸中央部部分の下地電極層の厚み):3μm

・Cuめっき層の仕様
・圧縮応力:表1を参照
・厚み:6μm
下層めっき層の仕様

・上層めっき層の仕様
・上層めっき層の構造:Niめっき層とSnめっき層の2層構造
・Niめっき層の厚み:4μm
・Snめっき層の厚み:4μm
・Dimensions of laminated ceramic capacitor (design value): L×W×T=2.0 mm×1.2 mm×0.65 mm
・Capacitor type: 3-terminal capacitor (see Figure 7)
・Material of the main component of the ceramic layer: BaTiO 3
・Capacity: 22μF
・Rated voltage: 4V
・Layer thickness of ceramic layer: 0.65 μm
・Internal electrode layer material: Ni

・Specifications of the external electrode layer Specifications of the base electrode layer ・Base electrode layer: Baked layer containing metal and ceramic components ・Metal component: Ni
・Thickness of base electrode layer ・Thickness in length direction z at the central portion in height direction x of the baking layer located on the first end surface and the second end surface: 11 μm
・Thickness in the height direction x connecting the first main surface and the second main surface at the central portion in the length direction z of the baking layer located on the first main surface and the second main surface (e dimension central portion Partial base electrode layer thickness): 3 μm
The thickness in the width direction y connecting the first side and the second side at the center in the length direction z of the baking layers located on the first side and the second side (the base electrode layer in the center part of the e dimension thickness): 3 μm

・Specification of Cu plating layer ・Compressive stress: See Table 1 ・Thickness: 6 μm
Specifications of lower plating layer

・Specifications of upper plating layer ・Structure of upper plating layer: Two-layer structure of Ni plating layer and Sn plating layer ・Thickness of Ni plating layer: 4 μm
・ Thickness of Sn plating layer: 4 μm

(b)比較例の試料の仕様
比較例1として、厚み6μmのCuめっき層に対して、30MPaの引張り応力を加えた以外は、実施例と同じ仕様とした。
比較例2として、厚み6μmのCuめっき層に対して、5MPaの圧縮応力を加えた以外は、実施例と同じ仕様とした。
比較例3として、厚み6μmのCuめっき層に対して、400MPaの圧縮応力を加えた以外は、実施例と同じ仕様とした。
(b) Specifications of Samples of Comparative Examples As Comparative Example 1, specifications were the same as those of Examples except that a tensile stress of 30 MPa was applied to a Cu plating layer having a thickness of 6 μm.
As Comparative Example 2, the specifications were the same as those of the Example except that a compressive stress of 5 MPa was applied to a Cu plating layer having a thickness of 6 μm.
As Comparative Example 3, the specifications were the same as those of the Example except that a compressive stress of 400 MPa was applied to a Cu plating layer having a thickness of 6 μm.

(c)測定および試験方法
(クラック試験およびクラックの有無の確認方法)
クラックの有無の確認方法は、まず、試料である積層セラミックコンデンサを、半田ペーストを用いて、厚さが0.8mmのガラスエポキシ基板(単層)の実装基板に実装した。その後、試料である積層セラミックコンデンサの実装されていない基板の裏面から幅20mmの押し棒で基板を曲げ、機械的ストレスをかけた。この時の保持時間は20秒とし、曲げ量を1.5mm,2.0mm,3.0mmと変化させた。なお、今回の試験では通常の条件よりも厳しい条件とした。基板曲げを行った後、基板から積層セラミックコンデンサを外し、断面研磨を行いクラックの有無を観察する。断面研磨は、積層セラミックコンデンサの積層体の側面に対して平行な面方向に沿って積層体の幅方向yの寸法Wの1/2W寸法となる位置まで積層セラミックコンデンサのLT面が露出するように研磨を行った。観察倍率は×100とした。そして、第1の主面および第2の主面上に位置する外部電極の先端付近を起点として、積層体の内部方向に伸長するクラックが有った場合は、クラック有りと判定した。各実施例および各比較例における試料数は20個とした。
(c) Measurement and test method (crack test and confirmation method for the presence or absence of cracks)
As a method for confirming the presence or absence of cracks, first, a multilayer ceramic capacitor as a sample was mounted on a mounting substrate of a glass epoxy substrate (single layer) having a thickness of 0.8 mm using solder paste. After that, the back surface of the substrate on which the sample multilayer ceramic capacitor was not mounted was bent with a push rod having a width of 20 mm to apply mechanical stress. The holding time at this time was 20 seconds, and the amount of bending was changed to 1.5 mm, 2.0 mm, and 3.0 mm. In this test, the conditions were stricter than the normal conditions. After bending the substrate, the multilayer ceramic capacitor is removed from the substrate, the cross section is polished, and the presence or absence of cracks is observed. Cross-sectional polishing is performed so that the LT surface of the multilayer ceramic capacitor is exposed to a position that is 1/2 W of the dimension W in the width direction y of the multilayer along the plane direction parallel to the side surface of the multilayer ceramic capacitor. was polished. The observation magnification was x100. Then, when there was a crack extending inward of the laminate starting from the vicinity of the tip of the external electrode located on the first main surface and the second main surface, it was determined that there was a crack. The number of samples in each example and each comparative example was 20.

(応力の測定方法)
Cuめっき層における圧縮応力の測定方法は、以下に記載の方法により行った。
まず、Cuめっき層の表面に形成されているNiめっき層およびSnめっき層を剥離した。
Snめっき層を剥離する方法としては、積層セラミックコンデンサをSn剥離液に浸漬しSnを剥離した。液としてはSnを溶解し下層のNiを溶解しにくいものがよく、メルストリップHN980Mを用いた。浸漬時間は10分程浸漬した。浸漬時間は製品の大きさや液濃度により変化するので都度調整した。
また、Niめっき層を剥離する方法としては、積層セラミックコンデンサをNi剥離液に浸漬しNiを剥離した。液としてはNiを溶解し下層のCuを溶解しにくいものがよく、エンストリップNPを用いた。浸漬時間は120分程度浸漬した。浸漬時間は製品の大きさや液濃度により変化するので都度調整した。この時、Cuめっき層の表面が酸化により変色する場合があるが、表層のみのためこの後行うX線による応力測定には影響しない。
そして、Snめっき層およびNiめっき層を剥離した後、積層セラミックコンデンサの第1の主面または第2の主面、第1の側面または第2の側面上に位置するCuめっき層の長さ方向zおよび幅方向yの中央部にて、微小部応力測定装置(XRD)を用いてCuめっき層の応力を測定した。
(Method for measuring stress)
The compressive stress in the Cu plating layer was measured by the method described below.
First, the Ni plating layer and the Sn plating layer formed on the surface of the Cu plating layer were peeled off.
As a method for stripping the Sn plating layer, the laminated ceramic capacitor was immersed in a Sn stripping solution to strip Sn. As the liquid, a liquid that dissolves Sn but hardly dissolves the underlying Ni was used, and Melstrip HN980M was used. The immersion time was about 10 minutes. Since the immersion time varies depending on the size of the product and the liquid concentration, it was adjusted each time.
As a method for removing the Ni plating layer, the laminated ceramic capacitor was immersed in a Ni removing solution to remove the Ni. As the liquid, a liquid that dissolves Ni but hardly dissolves the underlying Cu was used, and ENSTRIP NP was used. The immersion time was about 120 minutes. Since the immersion time varies depending on the size of the product and the liquid concentration, it was adjusted each time. At this time, the surface of the Cu plating layer may be discolored due to oxidation, but since it is only the surface layer, it does not affect the stress measurement by X-rays performed later.
Then, after peeling off the Sn plating layer and the Ni plating layer, the length direction of the Cu plating layer located on the first main surface or the second main surface, the first side surface or the second side surface of the multilayer ceramic capacitor The stress of the Cu plating layer was measured using a micro stress measuring device (XRD) at the central portion in the z and width direction y.

(d)結果
表1は、実施例1ないし実施例6、ならびに比較例1ないし比較例3の各試料に対する圧縮応力の測定結果、および基板の曲げ量の変化による積層体の内部へのクラックの有無の試験結果を示す。
(d) Results Table 1 shows the measurement results of compressive stress for each sample of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3, and cracks inside the laminate due to changes in the amount of bending of the substrate. The test results of presence/absence are shown.

Figure 2022174958000002
Figure 2022174958000002

表1によれば、実施例1ないし実施例6の試料では、Cuめっき層に加わっている圧縮応力が、50MPa以上300MPaの範囲内であるので、試料の実装基板に対する曲げ量が2mmの場合、20個の試料に対して、いずれもクラックが生じることなく、良好な結果が得られた。
さらに、実施例2ないし実施例5の試料では、Cuめっき層に加わっている圧縮応力が、80MPa以上200MPa以下の範囲内であるので、試料の実装基板に対する曲げ量が3mmの場合、20個の試料に対して、いずれもクラックが生じることなく、より良好な結果が得られた。
According to Table 1, in the samples of Examples 1 to 6, the compressive stress applied to the Cu plating layer was in the range of 50 MPa to 300 MPa. Good results were obtained with no cracks in any of the 20 samples.
Furthermore, in the samples of Examples 2 to 5, the compressive stress applied to the Cu plating layer was within the range of 80 MPa or more and 200 MPa or less. Better results were obtained for all samples without cracks.

一方、比較例1の試料では、Cuめっき層に対して30MPaの引張り応力が加わっているので、試料の実装基板に対する曲げ量が2mmの場合20個中1個、第1の主面および第2の主面上に位置する外部電極の先端付近を起点として、積層体の内部方向に伸長するクラックが生じ、また、試料の実装基板に対する曲げ量が3mmの場合20個中5個、第1の主面および第2の主面上に位置する外部電極の先端付近を起点として、積層体の内部方向に伸長するクラックが生じた。 On the other hand, in the sample of Comparative Example 1, a tensile stress of 30 MPa was applied to the Cu plating layer. Starting from near the tip of the external electrode located on the main surface of the laminate, a crack extending toward the inside of the laminate is generated. Cracks extending toward the inside of the laminate were generated starting from the vicinity of the tips of the external electrodes located on the main surface and the second main surface.

また、比較例2の試料では、Cuめっき層に対して5MPaの圧縮応力しか加わっていないので、試料の実装基板に対する曲げ量が2mmの場合20個中1個、第1の主面および第2の主面上に位置する外部電極の先端付近を起点として、積層体の内部方向に伸長するクラックが生じ、また、試料の実装基板に対する曲げ量が3mmの場合20個中3個、第1の主面および第2の主面上に位置する外部電極の先端付近を起点として、積層体の内部方向に伸長するクラックが生じた。 In addition, in the sample of Comparative Example 2, only a compressive stress of 5 MPa was applied to the Cu plating layer. Starting from near the tip of the external electrode located on the main surface of the laminate, a crack extending toward the inside of the laminate occurs. Cracks extending toward the inside of the laminate were generated starting from the vicinity of the tips of the external electrodes located on the main surface and the second main surface.

さらに、比較例3の試料では、Cuめっき層に対して400MPaもの圧縮応力が加わっているので、試料の実装基板に対する曲げ量が1mmの場合20個中2個、第1の主面および第2の主面上に位置する外部電極の先端付近を起点として、積層体の内部方向に伸長するクラックが生じ、また、試料の実装基板に対する曲げ量が2mmの場合20個中5個、第1の主面および第2の主面上に位置する外部電極の先端付近を起点として、積層体の内部方向に伸長するクラックが生じた。 Furthermore, in the sample of Comparative Example 3, a compressive stress of 400 MPa was applied to the Cu plating layer. Starting from near the tip of the external electrode located on the main surface of the laminate, a crack extending toward the inside of the laminate is generated. Cracks extending toward the inside of the laminate were generated starting from the vicinity of the tips of the external electrodes located on the main surface and the second main surface.

以上の結果から、本発明では、上記の構成とすることにより、Cuめっき層に圧縮応力が加わっており、この圧縮応力を50MPa以上300MPa以下とすることにより、応力が集中しやすい下地電極層の先端部分にかかる応力を緩和することが可能となり、積層体にクラックが入ることを抑制することができることが示唆された。
より具体的には、積層セラミックコンデンサの従来の課題として下地電極層の端部に加わっている応力の向きに対して、反対の向きとなる応力をCuめっき層によって与えることが可能となるところ、上述した範囲の所定の大きさの圧縮応力により、下地電極層の端部から積層体に加わる応力を相殺することができ、下地電極層の先端部分にかかる応力を緩和することが可能となる。その結果、積層体にクラックが入ることを抑制しうることが示唆された。
From the above results, in the present invention, compressive stress is applied to the Cu plating layer due to the above configuration. It was suggested that it becomes possible to relax the stress applied to the tip part, and it is possible to suppress the occurrence of cracks in the laminate.
More specifically, the conventional problem with multilayer ceramic capacitors is that the Cu plating layer can provide a stress in the opposite direction to the direction of the stress applied to the ends of the base electrode layer. The compressive stress of a predetermined magnitude within the above-described range can cancel the stress applied to the laminate from the ends of the underlying electrode layers, and can relax the stress applied to the tip portions of the underlying electrode layers. As a result, it was suggested that cracks in the laminate can be suppressed.

なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
As described above, the embodiments of the present invention are disclosed in the above description, but the present invention is not limited thereto.
That is, without departing from the scope of the technical idea and purpose of the present invention, various modifications can be made to the above-described embodiments in terms of mechanism, shape, material, quantity, position, arrangement, etc. and they are included in the present invention.

10A、10B 積層セラミックコンデンサ
12 積層体
12a 第1の主面
12b 第2の主面
12c 第1の側面
12d 第2の側面
12e 第1の端面
12f 第2の端面
14 セラミック層
16、116 内部電極層
16a、116a 第1の内部電極層
16b、116b 第2の内部電極層
18 有効部
20a 第1の主面側外層部
20b 第2の主面側外層部
22a 第1の側面側外層部
22b 第2の側面側外層部
24a 第1の端面側外層部
24b 第2の端面側外層部
26a、126a 第1の対向電極部
26b、126b 第2の対向電極部
28a、128a1、128a2 第1の引出電極部
28b、128b1、128b2 第2の引出電極部
30 外部電極
30a 第1の外部電極
30b 第2の外部電極
30c 第3の外部電極
30d 第4の外部電極
32 下地電極層
32a 第1の下地電極層
32b 第2の下地電極層
32c 第3の下地電極層
32d 第4の下地電極層
34 Cuめっき層
34a 第1のCuめっき層
34b 第2のCuめっき層
34c 第3のCuめっき層
34d 第4のCuめっき層
36 上層めっき層
36a 第1の上層めっき層
36b 第2の上層めっき層
36c 第3の上層めっき層
36d 第4の上層めっき層
x 高さ方向
y 幅方向
z 長さ方向
10A, 10B laminated ceramic capacitor 12 laminated body 12a first main surface 12b second main surface 12c first side surface 12d second side surface 12e first end surface 12f second end surface 14 ceramic layer 16, 116 internal electrode layer 16a, 116a first internal electrode layer 16b, 116b second internal electrode layer 18 effective portion 20a first main surface side outer layer portion 20b second main surface side outer layer portion 22a first side outer layer portion 22b second second side surface side outer layer portion 24a first end surface side outer layer portion 24b second end surface side outer layer portion 26a, 126a first counter electrode portion 26b, 126b second counter electrode portion 28a, 128a 1 , 128a 2 first drawer Electrode portions 28b, 128b 1 , 128b 2 Second extraction electrode portion 30 External electrode 30a First external electrode 30b Second external electrode 30c Third external electrode 30d Fourth external electrode 32 Underlying electrode layer 32a Base electrode layer 32b Second base electrode layer 32c Third base electrode layer 32d Fourth base electrode layer 34 Cu plating layer 34a First Cu plating layer 34b Second Cu plating layer 34c Third Cu plating layer 34d Fourth Cu plating layer 36 Upper plating layer 36a First upper plating layer 36b Second upper plating layer 36c Third upper plating layer 36d Fourth upper plating layer x height direction y width direction z length direction

Claims (7)

積層された複数のセラミック層を含み、高さ方向に相対する第1の主面および第2の主面と、前記高さ方向に直交する幅方向に相対する第1の側面および第2の側面と、前記高さ方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第1の端面および第2の端面と、を有する積層体と、
前記複数のセラミック層上に配置され、前記積層体の内部に位置する第1の内部電極層と、
前記複数のセラミック層上に配置され、前記積層体の内部に位置する第2の内部電極層と、
前記第1の端面上、前記第1の主面の一部、前記第2の主面の一部、前記第1の側面の一部および前記第2の側面の一部に配置された第1の外部電極と、
前記第2の端面上、前記第1の主面の一部、前記第2の主面の一部、前記第1の側面の一部および前記第2の側面の一部に配置された第2の外部電極と、
を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
前記第1の外部電極および前記第2の外部電極は、金属成分とセラミック成分とを有する下地電極層と、前記下地電極層の表面に配置されたCuめっき層と、を有し、
前記積層体の前記第1の主面および前記第2の主面上、ならびに前記第1の側面および前記第2の側面上に配置される前記Cuめっき層には、圧縮応力が加わっており、前記圧縮応力は、50MPa以上300MPa以下である、積層セラミック電子部品。
A first main surface and a second main surface facing each other in a height direction, and a first side surface and a second side surface facing each other in a width direction orthogonal to the height direction, including a plurality of laminated ceramic layers. and a first end surface and a second end surface facing each other in a length direction orthogonal to the height direction and the width direction;
a first internal electrode layer disposed on the plurality of ceramic layers and positioned inside the laminate;
a second internal electrode layer disposed on the plurality of ceramic layers and positioned inside the laminate;
a first main surface disposed on the first end surface, a portion of the first main surface, a portion of the second main surface, a portion of the first side surface, and a portion of the second side surface; an external electrode of
A second surface disposed on the second end surface, a portion of the first main surface, a portion of the second main surface, a portion of the first side surface and a portion of the second side surface. an external electrode of
In a multilayer ceramic capacitor having
The first external electrode and the second external electrode each have a base electrode layer having a metal component and a ceramic component, and a Cu plating layer disposed on the surface of the base electrode layer,
Compressive stress is applied to the Cu plating layers arranged on the first main surface and the second main surface and on the first side surface and the second side surface of the laminate, The laminated ceramic electronic component, wherein the compressive stress is 50 MPa or more and 300 MPa or less.
前記第1の内部電極層は、第2の内部電極層と対向する第1の対向部と、第1の対向部から第1の端面に引き出される第1の引き出し部を有し、前記第2の内部電極層は、第1の内部電極層と対向する第2の対向部と、第2の対向部から第2の端面に引き出される第2の引き出し部を有している、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。 The first internal electrode layer has a first facing portion facing the second internal electrode layer, and a first lead portion drawn out from the first facing portion to a first end surface. The internal electrode layer of claim 1 has a second facing portion facing the first internal electrode layer and a second lead-out portion drawn out from the second facing portion to the second end surface. A laminated ceramic electronic component as described. 前記圧縮応力は、80MPa以上200MPa以下である、請求項1または請求項2に記載の積層セラミック電子部品。 3. The multilayer ceramic electronic component according to claim 1, wherein said compressive stress is 80 MPa or more and 200 MPa or less. 前記Cuめっき層の表面には上層めっき層が配置される、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。 4. The multilayer ceramic electronic component according to claim 1, wherein an upper plated layer is arranged on the surface of said Cu plated layer. 前記上層めっき層は、Cu、Ni、Sn、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Auから選ばれる少なくとも1つを含む、請求項4に記載の積層セラミック電子部品。 5. The laminated ceramic electronic component according to claim 4, wherein said upper plated layer contains at least one selected from Cu, Ni, Sn, Ag, Pd, Ag--Pd alloy, and Au. 前記上層めっき層は、複数層により配置されている、請求項4または請求項5に記載の積層セラミック電子部品。 6. The multilayer ceramic electronic component according to claim 4, wherein said upper plated layer is arranged in a plurality of layers. 前記第1の内部電極層は、複数のセラミック層上に配置され、第1の端面および第2の端面に引き出されており、
前記第2の内部電極層は、複数のセラミック層上に配置され、第1の側面および第2の側面に引き出されており、
前記第1の側面に露出される第2の内部電極に接続される第3の外部電極と、前記第2の側面に露出される第2の内部電極に接続される第4の外部電極をさらに有する、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
The first internal electrode layers are arranged on a plurality of ceramic layers and are drawn out to a first end face and a second end face,
The second internal electrode layers are arranged on a plurality of ceramic layers and are drawn out to the first side surface and the second side surface,
a third external electrode connected to the second internal electrode exposed on the first side surface; and a fourth external electrode connected to the second internal electrode exposed on the second side surface. 7. The multilayer ceramic electronic component according to claim 1, comprising:
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