JP2022163688A - 持続的保持アーキテクチャ及びクリーンアップ回路を備えた動的メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】DRAMは、DRAMチップで利用される信号ONEに対応する電圧レベルを生成する第1供給電圧源と、アクセストランジスタ及び保持キャパシタを含むDRAMセルとを有する。第1電圧レベルは、信号ONEに対応する電圧レベルよりも高く、第1電圧レベルは、第1維持電圧生成部によって生成される。第1維持電圧生成部は、DRAMセルのアクセストランジスタのターンオフ期間中にDRAMセルの保持キャパシタへ電気的に結合される。クリーンアップ回路は、等化期間中にBL/BLBの電圧と目標基準電圧との間の差を小さくするために設けられる。
【選択図】図15C
Description
(外1)
(“BLB”又は“相補ビットライン”)はVrefに事前充電される。このプリチャージフェーズで、センス増幅器回路20は非アクティブである。
(外2)
の電圧を下げる。SAN信号がオンする(つまり、図1Aに示されるようにVSS又は接地に接続される)と、より導通した下側NFetは、SAN信号が、下側の
(外3)
の電圧をVefから接地へ下げることを可能にする。同様に、SAP信号(図1Aに示されるようにVCCSA又はVccに接続される)は、ビットラインを、VCCSA又はVccに対応する“1”のデジタル値を表す完全にリストアされた電圧値に駆動する。SAM信号及びSAP信号は、このようにして、共同で、双安定センス増幅器回路を、各々の最大又は最小電圧レールに駆動させるよう強いる。
(外4)
が各々の最大(VCCSA又はVcc)及び最小(VSS又は接地)電圧値に駆動された後、過駆動されたワードラインはアクティブなままであり、完全に駆動されたビットライン電圧は、このとき、アクセストランジスタ11を通じて保持キャパシタ12の電荷をリストアする。リストアフェーズ中、従来のDRAMは、電荷を保持キャパシタ12にリストアするために、図1Gに示されるように信号“1”に対応する電圧VCCSA又はVccを利用することが知られているので、保持キャパシタ12に保持されている電圧は、図1Gに示されるように信号“1”に対応する電圧と同じ又は略同じになる。
VCCSA:ビットラインセンス増幅器電圧
VHSA:第3維持電圧源
LSLP:選択されたビットラインのセンス増幅器高電圧
LSLN:選択されたビットラインのセンス増幅器低電圧
Vpl:プレート電圧
SN:保持ノード
WL:ワードライン
BL:ビットライン
Vsg1,2:P1,P2のソース-ゲート間電圧
Vgs3,4:N3,N4のゲート-ソース間電圧
Vsg5,6:P5,P6のソース-ゲート間電圧
Vgs7,8:N7,N8のゲート-ソース間電圧
(外5)
(以降、ビットラインバー又は「BLB」)の両方に基準電圧Vrefを置くようアクティブになる。基準電圧Vrefの目標値(又は目標ビットライン等化電圧VBL)は、1/2×VCCSA又は1/2×Vccにセットされる。しかし、この状況で、リフレッシュフェーズ中のビットライン上の電圧とビットラインバー上の電圧との間の中間にあるビットライン等化電圧VBLは、目標基準電圧1/2×VCCSAよりも高い1/2×VCCSAhになる。
12 保持キャパシタ
20 センス増幅器
21 電圧等化回路
141 クリーンアップ回路
142 スイッチ回路
143 コンパレータ回路
BL ビットライン
BLB 相補ビットライン
Clean_Pulse クリーンアップパルス
EQBL 等化期間
WL ワードライン
Claims (23)
- DRAMチップであって、
当該DRAMチップで利用される信号ONEの電圧レベルよりも高い第1電圧レベルを生成する第1維持電圧生成部と、
アクセストランジスタ及び保持キャパシタを有するDRAMセルと、
ビットライン及び相補ビットラインへ結合されたセンス増幅器であり、前記ビットラインは、前記アクセストランジスタを通じて前記保持キャパシタへ結合される、前記センス増幅器と、
前記ビットライン及び前記相補ビットラインへ結合された等化回路であり、等化期間中に前記ビットライン及び前記相補ビットラインを前もってセットされた基準電圧に結合する前記等化回路と、
前記センス増幅器又は前記等化回路へ結合されたクリーンアップ回路と
を有し、
前記第1維持電圧生成部は、前記アクセストランジスタのターンオフ期間中に前記ビットラインへ電気的に結合され、前記クリーンアップ回路は、前記等化期間中に前記ビットラインの電圧と目標基準電圧との間の差を小さくするようアクティブにされる、
DRAMチップ。 - 前記アクセストランジスタのゲート端子へ結合されたワードラインを更に有し、
前記ワードラインは、第1期間及び該第1期間の後にある第2期間に前記アクセストランジスタをオンするよう選択され、前記第1維持電圧生成部は、前記第2期間中に前記ビットラインへ電気的に結合される、
請求項1に記載のDRAMチップ。 - 前記第1維持電圧生成部は、前記第2期間中に前記センス増幅器へ電気的に結合され、前記第1維持電圧生成部は、前記センス増幅器及び前記ビットラインを通じて前記DRAMセルの前記保持キャパシタへ電気的に結合される、
請求項2に記載のDRAMチップ。 - 前記第1期間は、アクセス動作期間であり、前記第2期間は、リストアフェーズ期間である、
請求項2に記載のDRAMチップ。 - キッキング電荷源が、前記アクセス動作期間中に前記ビットラインへ電気的に結合される、
請求項4に記載のDRAMチップ。 - 前記第1期間は、第1キック期間及び該第1キック期間から分離した第2キック期間を有し、キッキング電荷源が、前記第1キック期間中に前記ビットラインへ結合されるか、又は前記第1キック期間及び前記第2キック期間中に前記ビットラインへ結合される、
請求項2に記載のDRAMチップ。 - 前記キッキング電荷源の電圧レベルは、前記第1維持電圧生成部の電圧レベルよりも小さい、
請求項6に記載のDRAMチップ。 - 前記ワードラインは、リフレッシュ動作に従って前記第1期間及び前記第2期間に前記アクセストランジスタをオンするよう選択される、
請求項2に記載のDRAMチップ。 - キッキング電荷源は、前記第1期間より前であるキック期間に前記ビットラインへ電気的に結合され、前記第1維持電圧生成部は、前記第2期間の全ての間に前記ビットラインへ電気的に結合される、
請求項8に記載のDRAMチップ。 - 前記第2期間は、前記キック期間と、前記第1期間と、前記第2期間との和の少なくとも20%である、
請求項9に記載のDRAMチップ。 - 前記第2期間は、前記キック期間と、前記第1期間と、前記第2期間との和の少なくとも50%である、
請求項9に記載のDRAMチップ。 - 前記等化期間は、前記アクセストランジスタのターンオフ期間の後であり、前記クリーンアップ回路は、前記ビットラインの電圧が前記等化期間の後に前記前もってセットされた基準電圧に等しくなるように、前記等化期間中にアクティブにされる、
請求項1に記載のDRAMチップ。 - 前記クリーンアップ回路は、クリーンアップパルスによってアクティブにされ、前記クリーンアップパルスの幅は、前記等化期間の幅以下である、
請求項12に記載のDRAMチップ。 - 前記クリーンアップ回路は、クリーンアップパルスによってアクティブにされ、前記クリーンアップパルスの立ち上がりは、前記等化期間の立ち上がりと実質的に整列される、
請求項12に記載のDRAMチップ。 - 前記クリーンアップ回路は、前記センス増幅器及び所定の電圧へ結合されたスイッチ回路を有する、
請求項1に記載のDRAMチップ。 - 前記クリーンアップ回路は、前記等化回路及び所定の電圧へ結合されたスイッチ回路を有する、
請求項1に記載のDRAMチップ。 - DRAMチップであって、
アクセストランジスタ及び保持キャパシタを有するDRAMセルと、
ビットライン及び相補ビットラインへ結合されたセンス増幅器であり、前記ビットラインは、前記アクセストランジスタを通じて前記保持キャパシタへ結合される、前記センス増幅器と、
前記ビットライン及び前記相補ビットラインへ結合された等化回路であり、等化期間中に前記ビットライン及び前記相補ビットラインを前もってセットされた基準電圧へ結合する等化回路と、
前記等化期間中に前記ビットライン及び前記相補ビットラインへ電気的に結合されるクリーンアップ回路と
を有し、
前記クリーンアップ回路は、前記等化期間中に前記ビットラインの電圧と前記前もってセットされた基準電圧との間の差を小さくする、
DRAMチップ。 - 前記ビットラインの電圧は、前記等化期間の後に前記前もってセットされた基準電圧に等しい、
請求項17に記載のDRAMチップ。 - 前記クリーンアップ回路は、前記センス増幅器又は前記等化回路を通じて前記等化期間中に前記ビットライン及び前記相補ビットラインへ電気的に結合される、
請求項17に記載のDRAMチップ。 - 前記クリーンアップ回路は、前記センス増幅器及び所定の電圧へ結合されたスイッチ回路を有する、
請求項19に記載のDRAMチップ。 - 前記クリーンアップ回路は、前記等化回路及び所定の電圧へ結合されたスイッチ回路を有する、
請求項19に記載のDRAMチップ。 - 前記クリーンアップ回路は、前記等化期間中にクリーンアップパルスによってアクティブにされ、前記クリーンアップパルスの立ち上がりは、前記等化期間の立ち上がりと実質的に整列される、
請求項17に記載のDRAMチップ。 - 前記等化期間の開始時又は前記等化期間中に前記ビットラインの電圧、前記相補ビットラインの電圧、及び前記前もってセットされた基準電圧を受け、前記ビットラインの電圧と前記相補ビットラインの電圧との和の半分が前記前もってセットされた基準電圧に等しくない場合に制御信号を前記クリーンアップ回路へ送信するコンパレータ回路を更に有する、
請求項17に記載のDRAMチップ。
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