JP2022161299A

JP2022161299A - Wiring board and image display device

Info

Publication number: JP2022161299A
Application number: JP2021066007A
Authority: JP
Inventors: 一樹木下; Kazuki Kinoshita; 秀俊飯岡; Hidetoshi Iioka; 誠司武; Seiji Take
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2021-04-08
Filing date: 2021-04-08
Publication date: 2022-10-21

Abstract

To provide a wiring board and an image display device, capable of making temporal stability of a wiring dimension of a mesh wiring layer be excellent.SOLUTION: A wiring board 10 comprises: a board 11; and a mesh wiring layer 20 that is disposed on the board 11 and includes a plurality of wiring lines 21, 22. The board 11's transmittance of light having a wavelength equal to or longer than 380nm and equal to or shorter than 750nm is 85% or more. The wiring board 10's thermal shrinkage after heated for an hour at 120°C is equal to or higher than 0.01% and equal to or lower than 0.3%.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示の実施の形態は、配線基板及び画像表示装置に関する。 An embodiment of the present disclosure relates to a wiring board and an image display device.

現在、スマートフォン、タブレット等の携帯端末機器の高機能、小型化、薄型化及び軽量化が進んでいる。これら携帯端末機器は、複数の通信帯域を使用するため、通信帯域に応じた複数のアンテナが必要とされる。例えば、携帯端末機器には、電話用アンテナ、ＷｉＦｉ（Wireless Fidelity）用アンテナ、３Ｇ（Generation）用アンテナ、４Ｇ（Generation）用アンテナ、ＬＴＥ（Long Term Evolution）用アンテナ、Bluetooth（登録商標）用アンテナ、ＮＦＣ（Near Field Communication）用アンテナ等の複数のアンテナが搭載されている。しかしながら、携帯端末機器の小型化に伴い、アンテナの搭載スペースは限られており、アンテナ設計の自由度は狭まっている。また、限られたスペース内にアンテナを内蔵していることから、電波感度が必ずしも満足できるものではない。 Currently, mobile terminal devices such as smartphones and tablets are becoming more sophisticated, smaller, thinner and lighter. Since these mobile terminal devices use a plurality of communication bands, they require a plurality of antennas corresponding to the communication bands. For example, mobile terminal devices include telephone antennas, WiFi (Wireless Fidelity) antennas, 3G (Generation) antennas, 4G (Generation) antennas, LTE (Long Term Evolution) antennas, and Bluetooth (registered trademark) antennas. , an NFC (Near Field Communication) antenna, and the like. However, with the miniaturization of mobile terminal devices, the mounting space for antennas is limited, and the degree of freedom in antenna design is narrowing. Also, since the antenna is built in a limited space, the radio sensitivity is not always satisfactory.

このため、携帯端末機器の表示領域に搭載することができるフィルムアンテナが開発されている。このフィルムアンテナは、透明基材上にアンテナパターンが形成された透明アンテナにおいて、アンテナパターンが、不透明な導電体層の形成部としての導体部と非形成部としての多数の開口部とによるメッシュ状の導電体メッシュ層によって形成されている。 For this reason, film antennas have been developed that can be mounted in the display areas of portable terminal devices. This film antenna is a transparent antenna in which an antenna pattern is formed on a transparent base material, and the antenna pattern is formed in a mesh shape with a conductor portion as a formation portion of an opaque conductor layer and a large number of openings as non-formation portions. of conductive mesh layers.

特開２０１１－６６６１０号公報JP 2011-66610 A 特許第５６３６７３５号明細書Patent No. 5636735 特許第５６９５９４７号明細書Patent No. 5695947

本実施の形態は、メッシュ配線層の配線寸法の経時安定性を良好にすることが可能な、配線基板及び画像表示装置を提供する。 The present embodiment provides a wiring board and an image display device capable of improving the stability of the wiring dimension of the mesh wiring layer over time.

本実施の形態による配線基板は、配線基板であって、基板と、前記基板上に配置され、複数の配線を含むメッシュ配線層と、を備え、前記基板は、波長３８０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の光線の透過率が８５％以上であり、１２０℃、１時間後における前記配線基板の熱収縮率は、０．０１％以上０．３％以下である。 A wiring board according to the present embodiment is a wiring board, and includes a substrate and a mesh wiring layer disposed on the substrate and including a plurality of wirings, and the substrate emits light having a wavelength of 380 nm or more and 750 nm or less. The transmittance is 85% or more, and the thermal shrinkage of the wiring board after 1 hour at 120° C. is 0.01% or more and 0.3% or less.

本実施の形態による配線基板において、前記基板の線膨張係数と前記メッシュ配線層の線膨張係数との差が８５×１０^－６／Ｋ以下であっても良い。 In the wiring board according to this embodiment, a difference between a coefficient of linear expansion of the board and a coefficient of linear expansion of the mesh wiring layer may be 85×10 ⁻⁶ /K or less.

本実施の形態による配線基板において、前記基板の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下であっても良い。 In the wiring board according to this embodiment, the substrate may have a surface roughness Ra of 100 nm or less.

本実施の形態による配線基板において、前記基板の誘電正接が０．００２以下であっても良い。 In the wiring board according to this embodiment, the dielectric loss tangent of the board may be 0.002 or less.

本実施の形態による配線基板において、前記基板の厚みが５μｍ以上２００μｍ以下であっても良い。 In the wiring substrate according to this embodiment, the substrate may have a thickness of 5 μm or more and 200 μm or less.

本実施の形態による配線基板において、前記基板がシクロオレフィンポリマー又はポリノルボルネンポリマーを含んでも良い。 In the wiring board according to this embodiment, the substrate may contain a cycloolefin polymer or a polynorbornene polymer.

本実施の形態による配線基板において、前記基板の上にプライマー層が形成され、前記プライマー層の上に前記メッシュ配線層が形成されていても良い。 In the wiring substrate according to this embodiment, a primer layer may be formed on the substrate, and the mesh wiring layer may be formed on the primer layer.

本実施の形態による配線基板において、前記プライマー層がアクリル系樹脂又はポリエステル系樹脂を含んでも良い。 In the wiring board according to this embodiment, the primer layer may contain acrylic resin or polyester resin.

本実施の形態による画像表示装置は、自発光型表示装置と、前記自発光型表示装置上に配置された、本実施の形態による配線基板と、を備えている。 An image display device according to this embodiment includes a self-luminous display device and a wiring substrate according to this embodiment arranged on the self-luminous display device.

本開示の実施の形態によると、メッシュ配線層の配線寸法の経時安定性を良好にすることができる。 According to the embodiments of the present disclosure, it is possible to improve the stability of wiring dimensions of the mesh wiring layer over time.

図１は、一実施の形態による画像表示装置を示す平面図。1 is a plan view showing an image display device according to an embodiment; FIG. 図２は、一実施の形態による配線基板を示す拡大平面図（図１のII部拡大図）。FIG. 2 is an enlarged plan view (enlarged view of part II in FIG. 1) showing the wiring board according to the embodiment. 図３は、一実施の形態による配線基板を示す拡大平面図（図２のIII部拡大図）。3 is an enlarged plan view (enlarged view of section III in FIG. 2) showing the wiring board according to the embodiment; FIG. 図４は、一実施の形態による配線基板を示す断面図（図３のVI－VI線断面図）。4 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along the line VI-VI in FIG. 3) showing the wiring board according to the embodiment; 図５は、一実施の形態による配線基板を示す断面図（図３のＶ－Ｖ線断面図）。FIG. 5 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along the line VV in FIG. 3) showing the wiring board according to the embodiment; 図６（ａ）－（ｅ）は、一実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図。6A to 6E are cross-sectional views showing a method of manufacturing a wiring board according to an embodiment; FIG. 図７は、一実施の形態による画像表示装置を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing the image display device according to the embodiment; 図８は、第１変形例による配線基板を示す平面図。FIG. 8 is a plan view showing a wiring board according to a first modification; 図９は、第２変形例による配線基板のメッシュ配線層を示す拡大平面図。FIG. 9 is an enlarged plan view showing a mesh wiring layer of a wiring board according to a second modification;

まず、図１乃至図７により、一実施の形態について説明する。図１乃至図７は本実施の形態を示す図である。 First, an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 7. FIG. 1 to 7 are diagrams showing this embodiment.

以下に示す各図は、模式的に示したものである。そのため、各部の大きさ、形状は理解を容易にするために、適宜誇張している。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下に示す各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。また、本明細書中に記載する各部材の寸法等の数値及び材料名は、実施の形態としての一例であり、これに限定されるものではなく、適宜選択して使用することができる。本明細書において、形状や幾何学的条件を特定する用語、例えば平行や直交、垂直等の用語については、厳密に意味するところに加え、実質的に同じ状態も含むものとする。 Each figure shown below is shown typically. Therefore, the size and shape of each part are appropriately exaggerated for easy understanding. In addition, it is possible to modify and implement as appropriate without departing from the technical idea. In addition, in each figure shown below, the same code|symbol is attached|subjected to the same part and detailed description may be partially abbreviate|omitted. In addition, numerical values such as dimensions and material names of each member described in this specification are examples as an embodiment, and are not limited to these, and can be appropriately selected and used. In this specification, terms specifying shapes and geometrical conditions, such as parallel, orthogonal, and perpendicular terms, not only have strict meanings but also include substantially the same states.

また、以下の実施の形態において、「Ｘ方向」とは、基板の１つの辺に対して平行な方向である。「Ｙ方向」とは、Ｘ方向に垂直かつ基板の他の辺に対して平行な方向である。「Ｚ方向」とは、Ｘ方向及びＹ方向の両方に垂直かつ配線基板の厚み方向に平行な方向である。また、「表面」とは、Ｚ方向プラス側の面であって、基板に対して配線が設けられた面をいう。「裏面」とは、Ｚ方向マイナス側の面であって、基板に対して配線が設けられた面と反対側の面をいう。 Also, in the following embodiments, the "X direction" is a direction parallel to one side of the substrate. "Y direction" is a direction perpendicular to the X direction and parallel to the other sides of the substrate. The “Z direction” is a direction perpendicular to both the X direction and the Y direction and parallel to the thickness direction of the wiring board. Further, the “surface” refers to a surface on the positive side in the Z direction, which is the surface on which wiring is provided with respect to the substrate. The term “back surface” refers to the surface on the negative side in the Z direction, which is opposite to the surface on which the wiring is provided with respect to the substrate.

［配線基板の構成］
図１乃至図５を参照して、本実施の形態による配線基板の構成について説明する。図１乃至図５は、本実施の形態による配線基板を示す図である。 [Configuration of Wiring Board]
The configuration of the wiring board according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. 1 to 5 are diagrams showing a wiring board according to this embodiment.

図１に示すように、本実施の形態による配線基板１０は、例えば画像表示装置のディスプレイ上に配置されるものである。このような配線基板１０は、透明性を有する基板１１と、基板１１上に配置されたメッシュ配線層２０と、を備えている。また、メッシュ配線層２０には、給電部４０が電気的に接続されている。 As shown in FIG. 1, the wiring board 10 according to the present embodiment is arranged, for example, on a display of an image display device. Such a wiring board 10 includes a transparent substrate 11 and a mesh wiring layer 20 arranged on the substrate 11 . Also, a power feeding section 40 is electrically connected to the mesh wiring layer 20 .

このうち基板１１は、平面視で略長方形状であり、その長手方向がＹ方向に平行であり、その短手方向がＸ方向に平行となっている。基板１１は、透明性を有するとともに略平板状であり、その厚みは全体として略均一となっている。基板１１の長手方向（Ｙ方向）の長さＬ_１は、例えば２ｍｍ以上３００ｍｍ以下の範囲で選択することができ、好ましくは１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下の範囲で選択することができる。基板１１の短手方向（Ｘ方向）の長さＬ_２は、例えば２ｍｍ以上３００ｍｍ以下の範囲で選択することができ、好ましくは５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲で選択することができる。なお基板１１は、その角部がそれぞれ丸みを帯びていても良い。 Among them, the substrate 11 has a substantially rectangular shape in plan view, with its longitudinal direction parallel to the Y direction and its short direction parallel to the X direction. The substrate 11 is transparent, has a substantially flat plate shape, and has a substantially uniform thickness as a whole. _The length L1 of the substrate 11 in the longitudinal direction (Y direction) can be selected, for example, in the range of 2 mm or more and 300 mm or less, preferably in the range of 100 mm or more and 200 mm or less. The length L2 of the substrate 11 in the lateral direction (X direction) can be selected, for example, in the range of ₂ mm or more and 300 mm or less, preferably in the range of 50 mm or more and 100 mm or less. The substrate 11 may have rounded corners.

基板１１の材料は、可視光線領域での透明性及び電気絶縁性を有する材料である。また本実施の形態において、１２０℃、１時間後における配線基板１０の熱収縮率は、０．０１％以上０．３％以下であり、０．０５％以上０．２％以下であることが好ましい。配線基板１０の熱収縮率が上記範囲内であることにより、長時間高温環境下に置かれたときに配線基板１０が大きく熱収縮することを抑えることができる。これによりメッシュ配線層２０の配線寸法の経時安定性を高め、メッシュ配線層２０が送受信する電波の周波数帯が変化することを抑制できる。 The material of the substrate 11 is a material having transparency in the visible light region and electrical insulation. Further, in the present embodiment, the thermal shrinkage rate of wiring board 10 after 1 hour at 120° C. is 0.01% or more and 0.3% or less, and is 0.05% or more and 0.2% or less. preferable. When the wiring board 10 has a thermal shrinkage rate within the above range, it is possible to prevent the wiring board 10 from greatly thermally shrinking when placed in a high-temperature environment for a long period of time. As a result, it is possible to improve the stability of the wiring dimension of the mesh wiring layer 20 over time, and suppress the change in the frequency band of radio waves transmitted and received by the mesh wiring layer 20 .

ここで、１２０℃、１時間後における配線基板１０の熱収縮率とは、メッシュ配線層２０が形成された基板１１に対して熱をかけたときに配線基板１０がどれだけ寸法変化するかを表す数値であり、例えば下記の方法によって測定できる。まず、メッシュ配線層２０が形成された基板１１を長さ５０ｍｍ（ＭＤ）×幅４ｍｍ（ＴＤ）のサイズに切り出して試験片とする。次に、精密自動二次元座標測定機、新東Ｓプレシジョン株式会社製：ＡＭＩＣ７００にて試験片の長さＭ（ｍｍ）を計測する。尚、長さと幅はメッシュ配線層２０が形成された基板１１のサイズにより、適宜調整可能で、長さ５０ｍｍ、幅４ｍｍよりそれぞれ小さくても良い。次に、試験片の長さ方向の端部（約１ｍｍ）を金網にテープで固定し、試験片を金網から吊るした状態にする。この状態で、試験片を１２０℃に加熱されたオーブン内に１時間置いた後、試験片を金網ごと取出して、室温（２５℃）環境で自然冷却する。次に、室温まで自然冷却した試験片の長さＮ（ｍｍ）を精密自動二次元座標測定機、新東Ｓプレシジョン株式会社製：ＡＭＩＣ７００にて測定する。このとき、次式により、配線基板１０の熱収縮率を算出する。
熱収縮率（％）＝（１－（長さＮ／長さＭ））×１００ Here, the thermal contraction rate of the wiring board 10 after 1 hour at 120° C. means how much the wiring board 10 changes its dimension when the substrate 11 on which the mesh wiring layer 20 is formed is heated. It is a numerical value that represents, for example, it can be measured by the following method. First, the substrate 11 on which the mesh wiring layer 20 is formed is cut into a size of 50 mm length (MD)×4 mm width (TD) to obtain a test piece. Next, the length M (mm) of the test piece is measured with a precision automatic two-dimensional coordinate measuring machine, AMIC 700 manufactured by Shinto S-Precision Co., Ltd. The length and width can be appropriately adjusted according to the size of the substrate 11 on which the mesh wiring layer 20 is formed, and the length and width may be smaller than 50 mm and 4 mm, respectively. Next, the longitudinal ends (approximately 1 mm) of the test piece are taped to the wire mesh so that the test piece is suspended from the wire mesh. In this state, after placing the test piece in an oven heated to 120° C. for 1 hour, the test piece together with the wire mesh is taken out and allowed to cool naturally at room temperature (25° C.). Next, the length N (mm) of the test piece naturally cooled to room temperature is measured with a precision automatic two-dimensional coordinate measuring machine, AMIC 700 manufactured by Shinto S-Precision Co., Ltd. At this time, the thermal contraction rate of the wiring board 10 is calculated by the following equation.
Thermal shrinkage rate (%) = (1-(length N/length M)) x 100

また、基板１１の線膨張係数とメッシュ配線層２０の線膨張係数との差は、８５×１０^－６／Ｋ以下であっても良く、６０×１０^－６／Ｋ以下であることが好ましい。ここで線膨張係数とは、常温（例えば２５℃）～１２０℃の温度範囲における線膨張係数をいう。基板１１とメッシュ配線層２０の線膨張係数の差が上記範囲内であることにより、配線基板１０が高温環境下と低温環境下に交互に繰り返し置かれたときに、線膨張係数の相違によりメッシュ配線層２０が基板１１から剥離することを抑制できる。 Also, the difference between the coefficient of linear expansion of the substrate 11 and the coefficient of linear expansion of the mesh wiring layer 20 may be 85×10 ⁻⁶ /K or less, preferably 60×10 ⁻⁶ /K or less. Here, the coefficient of linear expansion refers to the coefficient of linear expansion in a temperature range of room temperature (eg, 25°C) to 120°C. Since the difference in coefficient of linear expansion between the substrate 11 and the mesh wiring layer 20 is within the above range, when the wiring substrate 10 is alternately and repeatedly placed in a high temperature environment and a low temperature environment, the difference in the linear expansion coefficient causes the mesh to expand. It is possible to prevent the wiring layer 20 from peeling off from the substrate 11 .

例えば、基板１１の材料がシクロオレフィンポリマーである場合、基板１１の２５℃～１２０℃における線膨張係数は、約７０×１０^－６／Ｋである。例えば、メッシュ配線層２０の材料が銅である場合、メッシュ配線層２０の２５℃～１２０℃における線膨張係数は、約１７×１０^－６／Ｋである。この場合、基板１１の線膨張係数とメッシュ配線層２０の線膨張係数との差は、約５３×１０^－６／Ｋである。 For example, when the material of the substrate 11 is cycloolefin polymer, the coefficient of linear expansion of the substrate 11 at 25° C. to 120° C. is about 70×10 ⁻⁶ /K. For example, when the material of the mesh wiring layer 20 is copper, the coefficient of linear expansion of the mesh wiring layer 20 at 25° C. to 120° C. is about 17×10 ⁻⁶ /K. In this case, the difference between the coefficient of linear expansion of the substrate 11 and the coefficient of linear expansion of the mesh wiring layer 20 is approximately 53×10 ⁻⁶ /K.

ここで、基板１１の線膨張係数及びメッシュ配線層２０の線膨張係数は、例えば下記の方法によって測定できる。まず、メッシュ配線層２０が形成された基板１１を長さ５０ｍｍ×幅５ｍｍのサイズに切り出してサンプルとする。尚、長さと幅はメッシュ配線層２０が形成された基板１１のサイズにより、適宜調整可能で、長さ５０ｍｍ、幅４ｍｍよりそれぞれ小さくても良い。次に熱機械分析装置（例えばＴＭＡ－６０（島津製作所株式会社製）によって、昇温速度を５℃／分、評価サンプルの断面積当たりの荷重が同じになるように引張り荷重を９ｇ／０．１５ｍｍ^２として、２５℃～１２０℃の範囲の線熱膨張係数を算出する。チャック間距離は、例えば１５ｍｍとして測定することができる。 Here, the coefficient of linear expansion of the substrate 11 and the coefficient of linear expansion of the mesh wiring layer 20 can be measured, for example, by the following method. First, the substrate 11 on which the mesh wiring layer 20 is formed is cut into a size of 50 mm in length×5 mm in width to obtain a sample. The length and width can be appropriately adjusted according to the size of the substrate 11 on which the mesh wiring layer 20 is formed, and the length and width may be smaller than 50 mm and 4 mm, respectively. Next, using a thermomechanical analyzer (for example, TMA-60 (manufactured by Shimadzu Corporation), the temperature rise rate is 5° C./min, and the tensile load is 9 g/0.5 so that the load per cross-sectional area of the evaluation sample is the same. Assuming 15 mm ² , the coefficient of linear thermal expansion is calculated in the range of 25° C. to 120° C. The distance between chucks can be measured as 15 mm, for example.

また、基板１１の誘電正接は、０．００２以下であっても良く、０．００１以下であることが好ましい。なお、基板１１の誘電正接の下限は特にないが、０超としても良い。基板１１の誘電正接が上記範囲であることにより、とりわけメッシュ配線層２０が送受信する電磁波（例えばミリ波）が高周波である場合に、電磁波の送受信に伴う利得（感度）の損失を小さくすることができる。なお、基板１１の誘電正接の下限は、特に限定されない。基板１１の誘電率は、特に制限はないが、２．０以上、１０．０以下であっても良い。 Also, the dielectric loss tangent of the substrate 11 may be 0.002 or less, preferably 0.001 or less. Although there is no particular lower limit for the dielectric loss tangent of the substrate 11, it may be greater than zero. When the dielectric loss tangent of the substrate 11 is within the above range, especially when the electromagnetic waves (for example, millimeter waves) transmitted and received by the mesh wiring layer 20 are of high frequency, the gain (sensitivity) loss associated with the transmission and reception of the electromagnetic waves can be reduced. can. Note that the lower limit of the dielectric loss tangent of the substrate 11 is not particularly limited. The dielectric constant of the substrate 11 is not particularly limited, but may be 2.0 or more and 10.0 or less.

基板１１の誘電正接は、ＩＥＣ６２５６２に準拠して測定することができる。具体的には、まず、メッシュ配線層２０が形成されてない部分の基板１１を切り出して試験片を準備する。または、メッシュ配線層２０が形成された基板１１を切り出し、エッチング等によりメッシュ配線層２０を除去しても良い。試験片の寸法は、幅１０ｍｍから２０ｍｍ、長さ５０ｍｍから１００ｍｍとする。次に、ＩＥＣ６２５６２に準拠し、誘電正接を測定する。基板１１の誘電率と誘電正接は、ＡＳＴＭＤ１５０に準拠して測定することもできる。 The dielectric loss tangent of the substrate 11 can be measured according to IEC62562. Specifically, first, a test piece is prepared by cutting out a portion of the substrate 11 where the mesh wiring layer 20 is not formed. Alternatively, the substrate 11 on which the mesh wiring layer 20 is formed may be cut out and the mesh wiring layer 20 may be removed by etching or the like. The dimensions of the test piece are 10 mm to 20 mm in width and 50 mm to 100 mm in length. Next, the dielectric loss tangent is measured according to IEC 62562. The dielectric constant and dielectric loss tangent of the substrate 11 can also be measured according to ASTM D150.

また、基板１１の可視光線の透過率は８５％以上であっても良く、９０％以上であることが好ましい。なお、基板１１の可視光線の透過率の上限は特にないが、例えば１００％以下としても良い。基板１１の可視光線の透過率を上記範囲とすることにより、配線基板１０の透明性を高め、画像表示装置９０のディスプレイ９１（後述）を視認しやすくすることができる。なお、可視光線とは、波長が３８０ｎｍ～７８０ｎｍの光線のことをいう。また、可視光線の透過率が８５％以上であるとは、公知の分光光度計（例えば、日本分光株式会社製の分光器：Ｖ－６７０）を用いて基板１１に対して吸光度の測定を行った際、３８０ｎｍ～７８０ｎｍの全波長領域でその透過率が８５％以上となることをいう。 Further, the visible light transmittance of the substrate 11 may be 85% or more, preferably 90% or more. There is no particular upper limit for the visible light transmittance of the substrate 11, but it may be, for example, 100% or less. By setting the visible light transmittance of the substrate 11 within the above range, the transparency of the wiring substrate 10 can be enhanced, and the display 91 (described later) of the image display device 90 can be easily viewed. Note that visible light refers to light having a wavelength of 380 nm to 780 nm. Further, when the visible light transmittance is 85% or more, the absorbance of the substrate 11 is measured using a known spectrophotometer (for example, spectrometer V-670 manufactured by JASCO Corporation). In this case, it means that the transmittance is 85% or more in the entire wavelength range from 380 nm to 780 nm.

また、基板１１の表面粗さＲａは１００ｎｍ以下であっても良く、９０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、基板１１の表面粗さＲａの下限は特にないが、例えば５ｎｍ以上としても良い。基板１１の表面粗さＲａを上記範囲とすることにより、基板１１の表面に形成されたメッシュ配線層２０の表面粗さＲａを例えば１００ｎｍ以下とすることができる。これにより、後述するように、特に高周波の電磁波において、表皮効果により主にメッシュ配線層２０の表面に電子が流れるため、電磁波の伝送損失を低減できる。表面粗さＲａは、非接触式粗さ計を用いて測定される算術平均粗さである。非接触式粗さ計としては、キーエンス社製レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２５０（制御部）を用いることができる。 Further, the surface roughness Ra of the substrate 11 may be 100 nm or less, preferably 90 nm or less. Although there is no particular lower limit for the surface roughness Ra of the substrate 11, it may be, for example, 5 nm or more. By setting the surface roughness Ra of the substrate 11 within the above range, the surface roughness Ra of the mesh wiring layer 20 formed on the surface of the substrate 11 can be set to, for example, 100 nm or less. As will be described later, especially in high-frequency electromagnetic waves, electrons mainly flow on the surface of the mesh wiring layer 20 due to the skin effect, so that the transmission loss of the electromagnetic waves can be reduced. Surface roughness Ra is an arithmetic mean roughness measured using a non-contact roughness meter. As the non-contact roughness meter, a laser microscope VK-X250 (control unit) manufactured by Keyence Corporation can be used.

本実施の形態において、基板１１の材料としては、シクロオレフィンポリマー（例えば日本ゼオン社製ＺＦ－１６）、ポリノルボルネンポリマー（住友ベークライト社製）等の有機絶縁性材料を用いることが好ましい。なお、基板１１は、単一の層によって構成された例を図示したが、これに限定されず、複数の基材又は層が積層された構造であってもよい。また、基板１１はフィルム状であっても、板状であってもよい。このため、基板１１の厚さは特に制限はなく、用途に応じて適宜選択できるが、一例として、基板１１の厚み（Ｚ方向）Ｔ_１（図４及び図５参照）は、例えば５μｍ以上２００μｍ以下の範囲とすることができる。 In the present embodiment, as the material of the substrate 11, it is preferable to use an organic insulating material such as a cycloolefin polymer (for example, ZF-16 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) or a polynorbornene polymer (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.). Although the substrate 11 is illustrated as being composed of a single layer, it is not limited to this, and may have a structure in which a plurality of base materials or layers are laminated. Further, the substrate 11 may be film-like or plate-like. Therefore, the thickness of the substrate ₁₁ is not particularly limited and can be appropriately selected according to the application. It can be in the following range.

本実施の形態において、メッシュ配線層２０は、アンテナとしての機能をもつアンテナパターン領域からなっている。図１において、メッシュ配線層２０は、基板１１上に複数（３つ）形成されており、それぞれ異なる周波数帯に対応している。すなわち、複数のメッシュ配線層２０は、その長さ（Ｙ方向の長さ）Ｌ_ａが互いに異なっており、それぞれ特定の周波数帯に対応した長さを有している。なお、対応する周波数帯が低周波であるほどメッシュ配線層２０の長さＬ_ａが長くなっている。配線基板１０が例えば画像表示装置９０のディスプレイ９１（後述する図７参照）上に配置される場合、各メッシュ配線層２０は、電話用アンテナ、ＷｉＦｉ用アンテナ、３Ｇ用アンテナ、４Ｇ用アンテナ、５Ｇ用アンテナ、ＬＴＥ用アンテナ、Bluetooth（登録商標）用アンテナ、ＮＦＣ用アンテナ等のいずれかに対応していても良い。またメッシュ配線層２０は、基板１１の全面に存在するのではなく、基板１１上の一部領域のみに存在していても良い。 In this embodiment, the mesh wiring layer 20 consists of an antenna pattern area that functions as an antenna. In FIG. 1, a plurality (three) of mesh wiring layers 20 are formed on a substrate 11 and correspond to different frequency bands. That is, the plurality of mesh wiring layers 20 have different lengths (lengths in the Y direction) La, and each have _a length corresponding to a specific frequency band. The length La of the mesh _wiring layer 20 is longer as the corresponding frequency band is lower. When the wiring board 10 is arranged on, for example, a display 91 (see FIG. 7 to be described later) of the image display device 90, each mesh wiring layer 20 includes a telephone antenna, a WiFi antenna, a 3G antenna, a 4G antenna, a 5G antenna, and a 5G antenna. antenna, LTE antenna, Bluetooth (registered trademark) antenna, NFC antenna, or the like. Also, the mesh wiring layer 20 may be present only in a partial area of the substrate 11 instead of being present all over the substrate 11 .

各メッシュ配線層２０は、それぞれ平面視で略長方形状である。各メッシュ配線層２０は、その長手方向がＹ方向に平行であり、その短手方向がＸ方向に平行となっている。各メッシュ配線層２０の長手方向（Ｙ方向）の長さＬ_ａは、例えば２ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲で選択することができ、各メッシュ配線層２０の短手方向（Ｘ方向）の幅Ｗ_ａは、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲で選択することができる。とりわけメッシュ配線層２０は、ミリ波用アンテナであっても良い。メッシュ配線層２０がミリ波用アンテナである場合、メッシュ配線層２０の長さＬ_ａは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下、より好ましくは１．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲で選択することができる。 Each mesh wiring layer 20 has a substantially rectangular shape in plan view. Each mesh wiring layer 20 has its longitudinal direction parallel to the Y direction and its short direction parallel to the X direction. The length L _a in the longitudinal direction (Y direction) of each mesh wiring layer 20 can be selected, for example, in a range of 2 mm or more and 100 mm or less, and the width W _a in the lateral direction (X direction) of each mesh wiring layer 20 can be selected, for example, in the range of 1 mm or more and 10 mm or less. In particular, the mesh wiring layer 20 may be a millimeter wave antenna. When the mesh wiring layer 20 is a millimeter wave antenna, the length L _a of the mesh wiring layer 20 can be selected in the range of 1 mm or more and 10 mm or less, more preferably 1.5 mm or more and 5 mm or less.

メッシュ配線層２０は、それぞれ金属線が格子形状又は網目形状に形成され、Ｘ方向及びＹ方向に繰り返しパターンを有している。すなわちメッシュ配線層２０は、Ｘ方向に延びる部分（第２方向配線２２）とＹ方向に延びる部分（第１方向配線２１）とから構成されるパターン形状を有している。 The mesh wiring layer 20 has metal wires formed in a grid shape or mesh shape, and has a pattern repeated in the X direction and the Y direction. That is, the mesh wiring layer 20 has a pattern shape composed of a portion (second direction wiring 22) extending in the X direction and a portion (first direction wiring 21) extending in the Y direction.

図２に示すように、各メッシュ配線層２０は、アンテナ（モノポールアンテナ）としての機能をもつ複数の第１方向配線（アンテナ配線）２１と、複数の第１方向配線２１を連結する複数の第２方向配線（アンテナ連結配線）２２とを含んでいる。具体的には、複数の第１方向配線２１と複数の第２方向配線２２とは、全体として一体となって、格子形状又は網目形状を形成している。各第１方向配線２１は、アンテナの周波数帯に対応する方向（長手方向、Ｙ方向）に延びており、各第２方向配線２２は、第１方向配線２１に直交する方向（幅方向、Ｘ方向）に延びている。第１方向配線２１は、所定の周波数帯に対応する長さＬ_ａ（上述したメッシュ配線層２０の長さ、図１参照）を有することにより、主としてアンテナとしての機能を発揮する。一方、第２方向配線２２は、これらの第１方向配線２１同士を連結することにより、第１方向配線２１が断線したり、第１方向配線２１と給電部４０とが電気的に接続しなくなったりする不具合を抑える役割を果たす。尚、図２では、メッシュ配線層２０がモノポールアンテナとして機能する場合の形状を示したが、このれに限らず、ダイポールアンテナ、ループアンテナ、スロットアンテナ、マイクロストリップアンテナ、パッチアンテナ等の形状とすることもできる。 As shown in FIG. 2 , each mesh wiring layer 20 includes a plurality of first directional wirings (antenna wirings) 21 functioning as antennas (monopole antennas) and a plurality of wirings connecting the plurality of first directional wirings 21 . A second direction wiring (antenna connection wiring) 22 is included. Specifically, the plurality of first direction wirings 21 and the plurality of second direction wirings 22 are integrated as a whole to form a lattice shape or a mesh shape. Each first directional wiring 21 extends in a direction (longitudinal direction, Y direction) corresponding to the frequency band of the antenna, and each second directional wiring 22 extends in a direction (width direction, X direction) orthogonal to the first directional wiring 21 . direction). The first directional wiring 21 has a length L _a corresponding to a predetermined frequency band (the length of the mesh wiring layer 20 described above, see FIG. 1), so that it mainly functions as an antenna. On the other hand, the second directional wiring 22 connects the first directional wirings 21 to each other, so that the first directional wiring 21 may be disconnected or the first directional wiring 21 and the power supply section 40 may not be electrically connected. It plays a role in suppressing troubles that occur. Although FIG. 2 shows a shape in which the mesh wiring layer 20 functions as a monopole antenna, the present invention is not limited to this, and may be a dipole antenna, a loop antenna, a slot antenna, a microstrip antenna, a patch antenna, or the like. You can also

図３に示すように、各メッシュ配線層２０においては、互いに隣接する第１方向配線２１と、互いに隣接する第２方向配線２２とに取り囲まれることにより、複数の開口部２３が形成されている。また、第１方向配線２１と第２方向配線２２とは互いに等間隔に配置されている。すなわち複数の第１方向配線２１は、互いに等間隔に配置され、そのピッチＰ_１は、例えば０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすることができる。また、複数の第２方向配線２２は、互いに等間隔に配置され、そのピッチＰ_２は、例えば０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすることができる。このように、複数の第１方向配線２１と複数の第２方向配線２２とがそれぞれ等間隔に配置されていることにより、各メッシュ配線層２０内で開口部２３の大きさにばらつきがなくなり、メッシュ配線層２０を肉眼で視認しにくくすることができる。また、第１方向配線２１のピッチＰ_１は、第２方向配線２２のピッチＰ_２と等しい。このため、各開口部２３は、それぞれ平面視略正方形状となっており、各開口部２３からは、透明性を有する基板１１が露出している。このため、各開口部２３の面積を広くすることにより、配線基板１０全体としての透明性を高めることができる。なお、各開口部２３の一辺の長さＬ_３は、例えば０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすることができる。なお、各第１方向配線２１と各第２方向配線２２とは、互いに直交しているが、これに限らず、互いに鋭角又は鈍角に交差していてもよい。また、開口部２３の形状は、全面で同一形状同一サイズとするのが好ましいが、場所によって変えるなど全面で均一としなくても良い。 As shown in FIG. 3, in each mesh wiring layer 20, a plurality of openings 23 are formed by being surrounded by first directional wirings 21 adjacent to each other and second directional wirings 22 adjacent to each other. . Also, the first directional wiring 21 and the second directional wiring 22 are arranged at regular intervals. That is, the plurality of first-direction wirings 21 are arranged at regular intervals, and the pitch P1 can be in the range of, for example, 0.01 mm or more and ₁ mm or less. Also, the plurality of _second -direction wirings 22 are arranged at regular intervals, and the pitch P2 can be in the range of, for example, 0.01 mm or more and 1 mm or less. By arranging the plurality of first directional wirings 21 and the plurality of second directional wirings 22 at equal intervals in this way, the size of the openings 23 in each mesh wiring layer 20 is uniform. The mesh wiring layer 20 can be made difficult to visually recognize with the naked eye. Also, the pitch P1 of the _first directional wirings 21 is equal to the pitch P2 of the _second directional wirings 22 . Therefore, each opening 23 has a substantially square shape in plan view, and the transparent substrate 11 is exposed from each opening 23 . Therefore, by increasing the area of each opening 23, the transparency of the wiring board 10 as a whole can be improved. The length L3 of one side of each opening 23 can be _, for example, in the range of 0.01 mm or more and 1 mm or less. Although the first direction wirings 21 and the second direction wirings 22 are orthogonal to each other, they may cross each other at an acute angle or an obtuse angle. The shape of the openings 23 is preferably the same shape and size over the entire surface, but may not be uniform over the entire surface, such as by changing the shape depending on the location.

図４に示すように、各第１方向配線２１は、その長手方向に垂直な断面（Ｘ方向断面）が略長方形形状又は略正方形形状となっている。この場合、第１方向配線２１の断面形状は、第１方向配線２１の長手方向（Ｙ方向）に沿って略均一となっている。また、図５に示すように、各第２方向配線２２の長手方向に垂直な断面（Ｙ方向断面）の形状は、略長方形形状又は略正方形形状であり、上述した第１方向配線２１の断面（Ｘ方向断面）形状と略同一である。この場合、第２方向配線２２の断面形状は、第２方向配線２２の長手方向（Ｘ方向）に沿って略均一となっている。第１方向配線２１と第２方向配線２２の断面形状は、必ずしも略長方形形状又は略正方形形状でなくても良く、例えば表面側（Ｚ方向プラス側）が裏面側（Ｚ方向マイナス側）よりも狭い略台形形状、あるいは、長手方向両側に位置する側面が湾曲した形状であっても良い。 As shown in FIG. 4, each first direction wiring 21 has a substantially rectangular or square cross section perpendicular to its longitudinal direction (X direction cross section). In this case, the cross-sectional shape of the first directional wiring 21 is substantially uniform along the longitudinal direction (Y direction) of the first directional wiring 21 . Further, as shown in FIG. 5, the shape of the cross section (Y direction cross section) perpendicular to the longitudinal direction of each second direction wiring 22 is substantially rectangular or substantially square. (X-direction cross section) It is substantially the same as the shape. In this case, the cross-sectional shape of the second directional wiring 22 is substantially uniform along the longitudinal direction (X direction) of the second directional wiring 22 . The cross-sectional shapes of the first direction wiring 21 and the second direction wiring 22 may not necessarily be substantially rectangular or substantially square. It may have a narrow trapezoidal shape or a shape with curved side surfaces located on both sides in the longitudinal direction.

本実施の形態において、第１方向配線２１の線幅Ｗ_１（Ｘ方向の長さ、図４参照）及び第２方向配線２２の線幅Ｗ_２（Ｙ方向の長さ、図５参照）は、特に限定されず、用途に応じて適宜選択できる。例えば、第１方向配線２１の線幅Ｗ_１は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲で選択することができ、０．２μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。また、第２方向配線２２の線幅Ｗ_２は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲で選択することができ、０．２μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。さらに、第１方向配線２１の高さＨ_１（Ｚ方向の長さ、図４参照）及び第２方向配線２２の高さＨ_２（Ｚ方向の長さ、図５参照）は特に限定されず、用途に応じて適宜選択することができ、例えば０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲で選択することができ、０．２μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。 In the present embodiment, the line width W ₁ (length in the X direction, see FIG. 4) of the first directional wiring 21 and the line width W ₂ (length in the Y direction, see FIG. 5) of the second directional wiring 22 are , is not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the application. For example, the line width W1 of the _first direction wiring 21 can be selected in the range of 0.1 μm to 5.0 μm, preferably 0.2 μm to 2.0 μm. Also, the line width W2 of the _second direction wiring 22 can be selected in the range of 0.1 μm to 5.0 μm, preferably 0.2 μm to 2.0 μm. Furthermore, the height H ₁ (the length in the Z direction, see FIG. 4) of the first directional wires 21 and the height H ₂ (the length in the Z direction, see FIG. 5) of the second directional wires 22 are not particularly limited. , can be appropriately selected depending on the application, for example, it can be selected in the range of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less, and preferably 0.2 μm or more and 2.0 μm or less.

また、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａは１００ｎｍ以下であっても良く、９０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａの下限は特にないが、例えば５ｎｍ以上としても良い。第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下であることにより、後述するように、特に高周波の電磁波において、表皮効果により主に第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面に電子が流れるため、当該表面が平滑なほど、つまり表面粗さＲａが小さいほど、電磁波の伝送損失を低減できる。表面粗さＲａは、非接触式粗さ計を用いて測定される算術平均粗さである。非接触式粗さ計としては、キーエンス社製レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２５０（制御部）を用いることができる。 Also, the surface roughness Ra of the first direction wiring 21 and the second direction wiring 22 may be 100 nm or less, preferably 90 nm or less. Although there is no particular lower limit for the surface roughness Ra of the first direction wiring 21 and the second direction wiring 22, it may be, for example, 5 nm or more. Since the surface roughness Ra of the first directional wiring 21 and the second directional wiring 22 is 100 nm or less, as will be described later, particularly in high-frequency electromagnetic waves, the first directional wiring 21 and the second directional wiring are mainly affected by the skin effect due to the skin effect. Since electrons flow on the surface of 22, the transmission loss of electromagnetic waves can be reduced as the surface is smoother, that is, as the surface roughness Ra is smaller. Surface roughness Ra is an arithmetic mean roughness measured using a non-contact roughness meter. As the non-contact roughness meter, a laser microscope VK-X250 (control unit) manufactured by Keyence Corporation can be used.

ここで第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａとは、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の外面の表面粗さＲａであり、具体的には、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の面のうち、基板１１の反対側を向く面の表面粗さＲａをいう。また、当該外面の全面が上記範囲を満たすことが好ましいが、これに限らず、当該外面の一部の表面粗さＲａが上記範囲を満たしても良い。 Here, the surface roughness Ra of the first directional wiring 21 and the second directional wiring 22 is the surface roughness Ra of the outer surface of the first directional wiring 21 and the second directional wiring 22, specifically, the first direction wiring 21 and the second directional wiring 22. The surface roughness Ra of the surface facing away from the substrate 11 among the surfaces of the wiring 21 and the second direction wiring 22 . Moreover, although it is preferable that the entire surface of the outer surface satisfies the above range, the surface roughness Ra of a part of the outer surface may satisfy the above range.

第１方向配線２１及び第２方向配線２２の材料は、導電性を有する金属材料であればよい。本実施の形態において第１方向配線２１及び第２方向配線２２の材料は銅であるが、これに限定されない。第１方向配線２１及び第２方向配線２２の材料は、例えば、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄、ニッケルなどの金属材料（含む合金）を用いることができる。また第１方向配線２１及び第２方向配線２２は、電解めっき法によって形成されためっき層であっても良い。 The material of the first direction wiring 21 and the second direction wiring 22 may be a metal material having conductivity. Although the material of the first direction wiring 21 and the second direction wiring 22 is copper in the present embodiment, the material is not limited to this. Metal materials (including alloys) such as gold, silver, copper, platinum, tin, aluminum, iron, and nickel can be used as materials for the first direction wiring 21 and the second direction wiring 22, for example. Also, the first directional wiring 21 and the second directional wiring 22 may be plated layers formed by electroplating.

メッシュ配線層２０の全体の開口率Ａｔは、例えば８７％以上１００％未満の範囲とすることができる。配線基板１０の全体の開口率Ａｔをこの範囲とすることにより、配線基板１０の導電性と透明性を確保することができる。なお、開口率とは、所定の領域（例えばメッシュ配線層２０の全域）の単位面積に占める、開口領域（第１方向配線２１、第２方向配線２２等の金属部分が存在せず、基板１１が露出する領域）の面積の割合（％）をいう。 The overall aperture ratio At of the mesh wiring layer 20 can be in the range of 87% or more and less than 100%, for example. By setting the overall aperture ratio At of the wiring board 10 within this range, the conductivity and transparency of the wiring board 10 can be ensured. Note that the aperture ratio is defined as the area of the substrate 11 where there are no metal portions such as the first direction wiring 21 and the second direction wiring 22, etc., in a unit area of a predetermined region (for example, the entire mesh wiring layer 20). is the area ratio (%) of the exposed area).

なお、図示しないが、基板１１の表面上であって、メッシュ配線層２０を覆うように保護層が形成されていても良い。保護層は、メッシュ配線層２０を保護するものであり、基板１１のうち少なくともメッシュ配線層２０を覆うように形成される。保護層の材料としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート等のアクリル樹脂とそれらの変性樹脂と共重合体、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニル樹脂とそれらの共重合体、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアミド、塩素化ポリオレフィン等の無色透明の絶縁性樹脂を用いることができる。 Although not shown, a protective layer may be formed on the surface of the substrate 11 so as to cover the mesh wiring layer 20 . The protective layer protects the mesh wiring layer 20 and is formed to cover at least the mesh wiring layer 20 of the substrate 11 . Materials for the protective layer include acrylic resins such as polymethyl (meth)acrylate and polyethyl (meth)acrylate, their modified resins and copolymers, and polyvinyl resins such as polyester, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate, polyvinyl acetal, and polyvinyl butyral. and copolymers thereof, polyurethane, epoxy resin, polyamide, chlorinated polyolefin, and other colorless and transparent insulating resins can be used.

再度図１を参照すると、給電部４０は、メッシュ配線層２０に電気的に接続されている。この給電部４０は、略長方形状の導電性の薄板状部材からなる。給電部４０の長手方向はＸ方向に平行であり、給電部４０の短手方向はＹ方向に平行である。また、給電部４０は、基板１１の長手方向端部（Ｙ方向マイナス側端部）に配置されている。給電部４０の材料は、例えば、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄、ニッケルなどの金属材料（含む合金）を用いることができる。この給電部４０は、配線基板１０が画像表示装置９０（図７参照）に組み込まれた際、画像表示装置９０の無線通信用回路９２と電気的に接続される。なお、給電部４０は、基板１１の表面に設けられているが、これに限らず、給電部４０の一部又は全部が基板１１の周縁よりも外側に位置していても良い。また、給電部４０を柔軟に形成することにより、給電部４０が画像表示装置９０の側面や裏面に回り込んで、側面や裏面側で電気的に接続できるようにしても良い。 Referring to FIG. 1 again, the power supply section 40 is electrically connected to the mesh wiring layer 20 . The power supply portion 40 is made of a substantially rectangular conductive thin plate-like member. The longitudinal direction of the power supply portion 40 is parallel to the X direction, and the short direction of the power supply portion 40 is parallel to the Y direction. In addition, the power supply unit 40 is arranged at the longitudinal end of the substrate 11 (Y-direction minus side end). As the material of the power supply unit 40, for example, metal materials (including alloys) such as gold, silver, copper, platinum, tin, aluminum, iron, and nickel can be used. The power supply unit 40 is electrically connected to the wireless communication circuit 92 of the image display device 90 when the wiring board 10 is incorporated in the image display device 90 (see FIG. 7). Although the power supply section 40 is provided on the surface of the substrate 11 , the power supply section 40 is not limited to this, and part or all of the power supply section 40 may be positioned outside the peripheral edge of the substrate 11 . In addition, by forming the power supply part 40 flexibly, the power supply part 40 may wrap around the side surface and the back surface of the image display device 90 so as to be electrically connected on the side surface and the back surface side.

［配線基板の製造方法］
次に、図６（ａ）－（ｆ）を参照して、本実施の形態による配線基板の製造方法について説明する。図６（ａ）－（ｆ）は、本実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図である。 [Method for manufacturing wiring board]
Next, with reference to FIGS. 6(a) to 6(f), a method for manufacturing a wiring board according to this embodiment will be described. 6A to 6F are cross-sectional views showing the method of manufacturing the wiring board according to this embodiment.

図６（ａ）に示すように、透明性を有する基板１１を準備する。 As shown in FIG. 6A, a transparent substrate 11 is prepared.

次に、基板１１上に、複数の第１方向配線２１と、複数の第１方向配線２１を連結する複数の第２方向配線２２とを含むメッシュ配線層２０を形成する。 Next, a mesh wiring layer 20 including a plurality of first directional wirings 21 and a plurality of second directional wirings 22 connecting the plurality of first directional wirings 21 is formed on the substrate 11 .

この際、まず、図６（ｂ）に示すように、基板１１の表面の略全域に金属箔５１を積層する。本実施の形態において金属箔５１の厚さは、０．１μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。本実施の形態において金属箔５１は、銅を含んでいてもよい。 At this time, first, as shown in FIG. 6B, a metal foil 51 is laminated over substantially the entire surface of the substrate 11 . In the present embodiment, metal foil 51 may have a thickness of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less. In the present embodiment, metal foil 51 may contain copper.

次に、図６（ｃ）に示すように、金属箔５１の表面の略全域に光硬化性絶縁レジスト５２を供給する。この光硬化性絶縁レジスト５２としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ系樹脂等の有機樹脂を挙げることができる。 Next, as shown in FIG. 6(c), a photocurable insulating resist 52 is supplied over substantially the entire surface of the metal foil 51. Next, as shown in FIG. Examples of the photocurable insulating resist 52 include organic resins such as acrylic resins and epoxy resins.

続いて、図６（ｄ）に示すように、絶縁層５４をフォトリソグラフィ法により形成する。この場合、フォトリソグラフィ法により光硬化性絶縁レジスト５２をパターニングし、絶縁層５４（レジストパターン）を形成する。この際、第１方向配線２１及び第２方向配線２２に対応する金属箔５１が露出するように、絶縁層５４を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 6D, an insulating layer 54 is formed by photolithography. In this case, the photocurable insulating resist 52 is patterned by photolithography to form an insulating layer 54 (resist pattern). At this time, the insulating layer 54 is formed so that the metal foil 51 corresponding to the first directional wiring 21 and the second directional wiring 22 is exposed.

次に、図６（ｅ）に示すように、基板１１の表面上の、絶縁層５４に覆われていない部分に位置する金属箔５１を除去する。この際、塩化第二鉄、塩化第二銅、硫酸・塩酸等の強酸、過硫酸塩、過酸化水素またはこれらの水溶液、または以上の組合せ等を用いたウェット処理を行うことによって、基板１１の表面が露出するように金属箔５１をエッチングする。 Next, as shown in FIG. 6E, the metal foil 51 located on the surface of the substrate 11 not covered with the insulating layer 54 is removed. At this time, wet treatment is performed using ferric chloride, cupric chloride, strong acids such as sulfuric acid and hydrochloric acid, persulfate, hydrogen peroxide, aqueous solutions thereof, or a combination of the above. The metal foil 51 is etched so that the surface is exposed.

続いて、図６（ｆ）に示すように、絶縁層５４を除去する。この場合、過マンガン酸塩溶液やＮ－メチル－２－ピロリドン、酸又はアルカリ溶液等を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、金属箔５１上の絶縁層５４を除去する。 Subsequently, as shown in FIG. 6(f), the insulating layer 54 is removed. In this case, the insulating layer 54 on the metal foil 51 is removed by wet treatment using a permanganate solution, N-methyl-2-pyrrolidone, an acid or alkaline solution, or the like, or dry treatment using oxygen plasma. Remove.

このようにして、基板１１と、基板１１上に設けられたメッシュ配線層２０とを有する配線基板１０が得られる。この場合、メッシュ配線層２０は、第１方向配線２１及び第２方向配線２２を含む。このとき、導電体５５の一部によって、給電部４０が形成されても良い。あるいは、平板状の給電部４０を別途準備し、この給電部４０をメッシュ配線層２０に電気的に接続しても良い。 Thus, the wiring substrate 10 having the substrate 11 and the mesh wiring layer 20 provided on the substrate 11 is obtained. In this case, the mesh wiring layer 20 includes first direction wirings 21 and second direction wirings 22 . At this time, part of the conductor 55 may form the power feeding portion 40 . Alternatively, a plate-shaped power supply portion 40 may be separately prepared and electrically connected to the mesh wiring layer 20 .

［本実施の形態の作用］
次に、このような構成からなる配線基板の作用について述べる。 [Action of the present embodiment]
Next, the operation of the wiring board having such a configuration will be described.

図７に示すように、配線基板１０は、ディスプレイ（自発光型表示装置）９１を有する画像表示装置９０に組み込まれる。配線基板１０は、ディスプレイ９１上に直接又は間接的に配置される。このような画像表示装置９０としては、例えばスマートフォン、タブレット等の携帯端末機器を挙げることができる。配線基板１０のメッシュ配線層２０は、給電部４０を介して画像表示装置９０の無線通信用回路９２に電気的に接続される。このようにして、メッシュ配線層２０を介して、所定の周波数の電波を送受信することができ、画像表示装置９０を用いて通信を行うことができる。本実施の形態において、このような、ディスプレイ９１と、ディスプレイ９１上に配置された配線基板１０とを備えた画像表示装置９０も提供する。 As shown in FIG. 7, the wiring board 10 is incorporated into an image display device 90 having a display (self-luminous display device) 91. As shown in FIG. The wiring board 10 is arranged directly or indirectly on the display 91 . Examples of such an image display device 90 include mobile terminal devices such as smartphones and tablets. The mesh wiring layer 20 of the wiring board 10 is electrically connected to the wireless communication circuit 92 of the image display device 90 via the power supply section 40 . In this manner, radio waves of a predetermined frequency can be transmitted and received via the mesh wiring layer 20, and communication can be performed using the image display device 90. FIG. In the present embodiment, an image display device 90 including such a display 91 and a wiring board 10 arranged on the display 91 is also provided.

ところで、このような画像表示装置９０は、例えば夏場の車内のダッシュボード等、長時間にわたり高温環境下に置かれることが考えられる。仮に、配線基板１０が大きく熱収縮する材料からなる場合、このような高温環境下に置かれたとき、メッシュ配線層２０も基板１１が熱収縮することに伴って収縮するおそれがある。このようにメッシュ配線層２０が収縮すると、メッシュ配線層２０が送受信する電波の周波数帯も変化してしまう。あるいは、配線基板１０が熱収縮した際、他の要因と合わせてメッシュ配線層２０が送受信する電波の周波数帯が変化することも考えられる。 By the way, it is conceivable that such an image display device 90 is placed in a high-temperature environment for a long time, such as on a dashboard in a car in summer. If the wiring substrate 10 is made of a material that shrinks significantly, the mesh wiring layer 20 may shrink as the substrate 11 thermally shrinks when placed in such a high-temperature environment. When the mesh wiring layer 20 shrinks in this way, the frequency band of radio waves transmitted and received by the mesh wiring layer 20 also changes. Alternatively, when the wiring board 10 is thermally shrunk, it is conceivable that the frequency band of radio waves transmitted and received by the mesh wiring layer 20 changes along with other factors.

これに対して本実施の形態によれば、１２０℃、１時間後における、配線基板１０の熱収縮率は、０．０１％以上０．３％以下となっている。これにより、長時間高温環境下に置かれたときに配線基板１０が大きく熱収縮することを抑制できる。また、配線基板１０が熱収縮することに伴ってメッシュ配線層２０が収縮することを抑え、メッシュ配線層２０の配線寸法の経時安定性を良好にすることができる。この結果、メッシュ配線層２０が送受信する電波の周波数帯が変化することを抑制できる。 In contrast, according to the present embodiment, the thermal contraction rate of wiring board 10 after 1 hour at 120° C. is 0.01% or more and 0.3% or less. As a result, it is possible to prevent the wiring board 10 from greatly thermally shrinking when placed in a high-temperature environment for a long period of time. In addition, shrinkage of the mesh wiring layer 20 due to thermal shrinkage of the wiring board 10 can be suppressed, and the stability of wiring dimensions of the mesh wiring layer 20 over time can be improved. As a result, it is possible to suppress a change in the frequency band of radio waves transmitted and received by the mesh wiring layer 20 .

また本実施の形態においては、基板１１の線膨張係数とメッシュ配線層２０の線膨張係数との差が８５×１０^－６／Ｋ以下となっていても良い。これにより、配線基板１０が高温環境下と低温環境下に交互に繰り返し置かれたときに、基板１１の線膨張係数とメッシュ配線層２０の線膨張係数との相違により応力が発生することを抑え、メッシュ配線層２０が基板１１から剥離することを抑制することができる。 Further, in the present embodiment, the difference between the coefficient of linear expansion of substrate 11 and the coefficient of linear expansion of mesh wiring layer 20 may be 85×10 ⁻⁶ /K or less. As a result, when the wiring board 10 is alternately placed in a high-temperature environment and a low-temperature environment, the generation of stress due to the difference between the coefficient of linear expansion of the substrate 11 and the coefficient of linear expansion of the mesh wiring layer 20 can be suppressed. , the separation of the mesh wiring layer 20 from the substrate 11 can be suppressed.

また本実施の形態においては、基板１１の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下となっていても良い。基板１１の表面に形成されたメッシュ配線層２０の表面形状は、基板１１の表面形状に追従して形成される。このため、基板１１の表面粗さＲａを上記範囲に抑えることにより、メッシュ配線層２０の表面粗さＲａも低く抑えられる。このようにメッシュ配線層２０の表面粗さＲａを抑えることにより、電波の送受信時に生じる伝送損失を低減できる。 Further, in the present embodiment, the surface roughness Ra of substrate 11 may be 100 nm or less. The surface shape of the mesh wiring layer 20 formed on the surface of the substrate 11 is formed so as to follow the surface shape of the substrate 11 . Therefore, by suppressing the surface roughness Ra of the substrate 11 within the above range, the surface roughness Ra of the mesh wiring layer 20 can also be suppressed low. By suppressing the surface roughness Ra of the mesh wiring layer 20 in this way, it is possible to reduce the transmission loss that occurs during the transmission and reception of radio waves.

ところで近年、第５世代通信すなわち５Ｇ（Generation）用の携帯端末機器の開発が進められている。配線基板１０のメッシュ配線層２０が例えば５Ｇ用のアンテナ（特にミリ波用アンテナ）として用いられる場合、メッシュ配線層２０が送受信する電波（ミリ波）は、例えば４Ｇ用のアンテナが送受信する電波と比べて高周波である。一般に、交流電流を配線に流したとき、周波数が高くなるほど、配線の中心部分には電流が流れにくくなり、配線の表面を電流が流れるようになる。このように、配線に交流電流を流したときに表面にのみ電流が流れる現象のことを表皮効果という。また、表皮深さとは、最も電流が流れやすい配線の表面の電流に対して、１／ｅ（約０．３７）倍に減衰する、配線の表面からの深さのことをいう。この表皮深さδは、一般に下記の式によって求めることができる。 By the way, in recent years, the development of mobile terminal equipment for fifth-generation communication, ie, 5G (Generation), is underway. When the mesh wiring layer 20 of the wiring board 10 is used as, for example, a 5G antenna (especially a millimeter wave antenna), radio waves (millimeter waves) transmitted and received by the mesh wiring layer 20 are, for example, radio waves transmitted and received by a 4G antenna. high frequency in comparison. In general, when an alternating current is passed through wiring, the higher the frequency, the more difficult it is for the current to flow in the central portion of the wiring, and the more current flows along the surface of the wiring. The skin effect is a phenomenon in which current flows only on the surface of a wire when an alternating current is passed through it. Further, the skin depth is the depth from the surface of the wiring at which the current at the surface of the wiring through which the current flows most easily is attenuated by 1/e (approximately 0.37) times. This skin depth δ can generally be obtained by the following formula.

なお、上記式中、ωは角周波数（＝２πｆ）、μは透磁率（真空中では４π×１０^－７［Ｈ／ｍ］）、σは配線を構成する導体の導電率（銅の場合は５．８×１０^７［Ｓ／ｍ］）を意味する。銅の配線の表皮深さδは、周波数が０．８ＧＨｚの場合、δ＝約２．３μｍであり、周波数が２．４ＧＨｚの場合、δ＝約１．３μｍであり、周波数が４．４ＧＨｚの場合、δ＝約１．０μｍであり、周波数が６ＧＨｚの場合、δ＝約０．８５μｍである。また、５Ｇ用のアンテナが送受信する電波（ミリ波）は、例えば４Ｇ用のアンテナが送受信する電波と比べて高周波（２８ＧＨｚ～３９ＧＨｚ）であり、例えば電流の周波数が２８ＧＨｚ～３９ＧＨｚである場合、δ＝約０．３μｍ～約０．４μｍとなる。 In the above formula, ω is the angular frequency (=2πf), μ is the magnetic permeability (4π×10 ⁻⁷ [H/m] in a vacuum), and σ is the electrical conductivity of the conductor that makes up the wiring (in the case of copper, 5.8×10 ⁷ [S/m]). The skin depth .delta. In this case, δ=about 1.0 μm, and at a frequency of 6 GHz, δ=about 0.85 μm. In addition, the radio waves (millimeter waves) transmitted and received by the 5G antenna are higher frequency (28 GHz to 39 GHz) than the radio waves transmitted and received by the 4G antenna, for example. = about 0.3 μm to about 0.4 μm.

このため、メッシュ配線層２０の表面が平滑なほど、つまり表面粗さＲａが小さいほど、配線の表皮抵抗が増加することが抑えられ、電波の送受信時に生じる伝送損失を低減することができる。これに対して、比較例として配線の表面粗さＲａが大きい場合、配線の表皮抵抗が増加し、電波の送受信時に伝送損失が生じるおそれがある。このため、上述したように、メッシュ配線層２０の表面粗さＲａを抑えることにより、電波の送受信時に生じる伝送損失を低減できる。 Therefore, the smoother the surface of the mesh wiring layer 20, that is, the smaller the surface roughness Ra, the less the increase in the skin resistance of the wiring, and the less the transmission loss that occurs during the transmission and reception of radio waves. On the other hand, as a comparative example, when the surface roughness Ra of the wiring is large, the skin resistance of the wiring increases, which may cause transmission loss during transmission and reception of radio waves. Therefore, as described above, by suppressing the surface roughness Ra of the mesh wiring layer 20, it is possible to reduce the transmission loss that occurs during the transmission and reception of radio waves.

また、本実施の形態においては、基板１１の誘電正接が０．００２以下であっても良い。これにより、とりわけメッシュ配線層２０が送受信する電波（ミリ波）が高周波である場合に、電波の送受信時に生じる誘電損失を小さくできる。 Further, in the present embodiment, the dielectric loss tangent of the substrate 11 may be 0.002 or less. As a result, especially when the radio waves (millimeter waves) transmitted and received by the mesh wiring layer 20 are of high frequency, the dielectric loss that occurs during the transmission and reception of the radio waves can be reduced.

また、本実施の形態においては、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の線幅が０．１μｍ以上５．０μｍ以下であっても良い。これにより、第１方向配線２１及び第２方向配線２２を肉眼で見づらくすることができ、ディスプレイ９１の視認性を低下しないようにすることができる。 Further, in the present embodiment, the line width of the first direction wiring 21 and the second direction wiring 22 may be 0.1 μm or more and 5.0 μm or less. As a result, the first directional wiring 21 and the second directional wiring 22 can be made difficult to see with the naked eye, and the visibility of the display 91 can be prevented from deteriorating.

また、本実施の形態においては、基板１１の厚みＴ_１が５μｍ以上２００μｍ以下であっても良い。これにより、配線基板１０の強度を保持し、メッシュ配線層２０が変形しないようにすることができる。また、画像表示装置９０の全体の厚みが厚くなりすぎないようにすることができる。 Further, in the present embodiment, the thickness T1 of the substrate 11 may be ₅ μm or more and 200 μm or less. Thereby, the strength of the wiring substrate 10 can be maintained and the mesh wiring layer 20 can be prevented from being deformed. In addition, it is possible to prevent the overall thickness of the image display device 90 from becoming too thick.

また、本実施の形態においては、メッシュ配線層２０は、アンテナとしての機能をもっても良い。この場合、アンテナとしてのメッシュ配線層２０を画像表示装置９０の表面側に配置することができる。このため、アンテナを画像表示装置９０に内蔵させる場合と比べて通信性能を向上させることができる。また、アンテナとしてのメッシュ配線層２０を画像表示装置９０の面内に複数配置することができるので、通信性能をより向上させることができる。 Moreover, in the present embodiment, the mesh wiring layer 20 may function as an antenna. In this case, the mesh wiring layer 20 as an antenna can be arranged on the surface side of the image display device 90 . Therefore, communication performance can be improved as compared with the case where the antenna is built in the image display device 90 . Further, since a plurality of mesh wiring layers 20 as antennas can be arranged in the plane of the image display device 90, communication performance can be further improved.

なお本実施の形態において、メッシュ配線層２０がアンテナとしての機能をもつ場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。メッシュ配線層２０は、例えばホバリング（使用者がディスプレイに直接触れなくても操作可能となる機能）、指紋認証、ヒーター、ノイズカット（シールド）等の機能を果たしても良い。このような場合においても、メッシュ配線層２０中を電流が流れやすくすることができる。 In this embodiment, the case where the mesh wiring layer 20 functions as an antenna has been described as an example, but the present invention is not limited to this. The mesh wiring layer 20 may perform functions such as hovering (a function that allows the user to operate without directly touching the display), fingerprint authentication, heater, and noise cut (shield). Even in such a case, the current can easily flow through the mesh wiring layer 20 .

［実施例］
次に、本実施の形態における具体的実施例について説明する。 [Example]
Next, a specific example of this embodiment will be described.

実施例１及び比較例１の配線基板をそれぞれ以下の通り準備した。 Wiring substrates of Example 1 and Comparative Example 1 were prepared as follows.

（実施例１）
シクロオレフィンポリマー（日本ゼオン社製、ＺＦ－１６）製の基板を準備した。この基板上に銅のメッシュパターンを、硫酸銅を主成分とするめっき液を用いて電解めっき法により作製した。これにより、基板と、メッシュ配線層とを備えた配線基板を得た。基板の厚みは、１００μｍとし、メッシュ配線層の厚みは、１μｍとした。実施例１の配線基板について、１２０℃、１時間後における熱収縮率を測定したところ、０．０５％であった。 (Example 1)
A substrate made of cycloolefin polymer (ZF-16, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was prepared. A copper mesh pattern was formed on this substrate by electroplating using a plating solution containing copper sulfate as a main component. Thus, a wiring substrate including a substrate and a mesh wiring layer was obtained. The thickness of the substrate was 100 μm, and the thickness of the mesh wiring layer was 1 μm. The thermal shrinkage rate of the wiring board of Example 1 after 1 hour at 120° C. was measured and found to be 0.05%.

具体的には、メッシュ配線層が形成された基板を長さ５０ｍｍ（ＭＤ）×幅４ｍｍ（ＴＤ）のサイズに切り出して試験片とした。次に、精密自動二次元座標測定機（新東Ｓプレシジョン株式会社製：ＡＭＩＣ７００）にて試験片の長さＭ（ｍｍ）を計測した。次に、試験片の長さ方向の端部（約１ｍｍ）を金網にテープで固定し、試験片を金網から吊るした状態にした。この状態で、１２０℃に加熱されたオーブン内に１時間置いた後、試験片を金網ごと取出して、室温（２５℃）環境で自然冷却した。次に、室温まで自然冷却した試験片の長さＮ（ｍｍ）を精密自動二次元座標測定機（新東Ｓプレシジョン株式会社製：ＡＭＩＣ７００）にて測定した。このとき、（１－（長さＮ／長さＭ））×１００という式により、配線基板の熱収縮率を算出した。 Specifically, a substrate having a mesh wiring layer formed thereon was cut into a size of 50 mm in length (MD)×4 mm in width (TD) to obtain a test piece. Next, the length M (mm) of the test piece was measured with a precision automatic two-dimensional coordinate measuring machine (manufactured by Shinto S Precision Co., Ltd.: AMIC 700). Next, the longitudinal end (about 1 mm) of the test piece was taped to the wire mesh, and the test piece was suspended from the wire mesh. In this state, after being placed in an oven heated to 120° C. for 1 hour, the test piece was taken out together with the wire mesh and allowed to cool naturally at room temperature (25° C.). Next, the length N (mm) of the test piece naturally cooled to room temperature was measured with a precision automatic two-dimensional coordinate measuring machine (manufactured by Shinto S Precision Co., Ltd.: AMIC 700). At this time, the thermal contraction rate of the wiring board was calculated by the formula (1−(length N/length M))×100.

（比較例１）
ポリエチレンテレフタレート製（東レ株式会社製、ルミラーＴ６０、基板厚み１００μｍ）の基板を用いたこと、以外は実施例１と同様にして、比較例１の配線基板を作製した。比較例１の配線基板について、上記と同様に１２０℃、１時間後における熱収縮率を測定したところ、０．５％であった。 (Comparative example 1)
A wiring board of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene terephthalate substrate (Lumirror T60, manufactured by Toray Industries, Inc., substrate thickness: 100 μm) was used. Regarding the wiring board of Comparative Example 1, the thermal shrinkage rate after 1 hour at 120° C. was measured in the same manner as described above, and it was 0.5%.

次に、実施例１及び比較例１の配線基板について、それぞれメッシュ配線層の配線寸法の変化を測定した。具体的には、熱収縮率測定時における１２０℃加熱前後でのメッシュ配線層の配線寸法を、精密自動二次元座標測定機（新東Ｓプレシジョン株式会社製：ＡＭＩＣ７００）を用いて測定した。その際における１２０℃加熱後のメッシュ配線層の寸法から１２０℃加熱前のメッシュ配線層の寸法を差引いた値を、配線寸法の変化とした。この結果を表１に示す。 Next, for the wiring substrates of Example 1 and Comparative Example 1, changes in wiring dimensions of the mesh wiring layer were measured. Specifically, the wiring dimensions of the mesh wiring layer before and after heating at 120° C. during the thermal shrinkage measurement were measured using a precision automatic two-dimensional coordinate measuring machine (manufactured by Shinto S-Precision Co., Ltd.: AMIC 700). The value obtained by subtracting the dimension of the mesh wiring layer before heating at 120° C. from the dimension of the mesh wiring layer after heating at 120° C. at that time was defined as the change in wiring dimension. The results are shown in Table 1.

このように実施例１の配線基板は、比較例１の配線基板よりもメッシュ配線層の配線寸法の変化が小さかった。このため、実施例１の配線基板は、比較例１の配線基板と比較して、送受信する電波の周波数帯の変化を抑制できると考えられる。 As described above, the wiring board of Example 1 had a smaller change in the wiring dimension of the mesh wiring layer than the wiring board of Comparative Example 1. FIG. For this reason, the wiring board of Example 1 is considered to be able to suppress changes in the frequency band of transmitted/received radio waves compared to the wiring board of Comparative Example 1. FIG.

［変形例］
次に、配線基板の変形例について説明する。 [Modification]
Next, a modification of the wiring board will be described.

（第１変形例）
図８は、配線基板の第１変形例を示している。図８に示す変形例は、基板１１とメッシュ配線層２０との間にプライマー層１５が配置されている点が異なるものであり、他の構成は上述した図１乃至図７に示す実施の形態と略同一である。図８において、図１乃至図７に示す形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 (First modification)
FIG. 8 shows a first modification of the wiring board. The modification shown in FIG. 8 is different in that the primer layer 15 is arranged between the substrate 11 and the mesh wiring layer 20, and the other configuration is the embodiment shown in FIGS. 1 to 7 described above. is approximately the same as In FIG. 8, the same parts as those shown in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

図８に示す配線基板１０において、基板１１の上にプライマー層１５が形成され、プライマー層１５の上にメッシュ配線層２０が形成されている。プライマー層１５は、メッシュ配線層２０と基板１１との密着性を向上させる役割を果たす。この場合、プライマー層１５は、基板１１の表面の略全域に設けられている。なお、プライマー層１５は、基板１１の表面のうちメッシュ配線層２０が設けられる領域のみに設けられていてもよい。 In the wiring substrate 10 shown in FIG. 8, the primer layer 15 is formed on the substrate 11, and the mesh wiring layer 20 is formed on the primer layer 15. As shown in FIG. The primer layer 15 serves to improve adhesion between the mesh wiring layer 20 and the substrate 11 . In this case, the primer layer 15 is provided over substantially the entire surface of the substrate 11 . In addition, the primer layer 15 may be provided only in a region of the surface of the substrate 11 where the mesh wiring layer 20 is provided.

プライマー層１５は、高分子材料を含んでいても良い。これにより、メッシュ配線層２０と基板１１との密着性を効果的に向上させることができる。この場合、プライマー層１５の材料としては、無色透明の高分子材料を用いることができる。またプライマー層１５は、アクリル系樹脂又はポリエステル系樹脂を含んでいることが好ましい。これにより、メッシュ配線層２０との密着性をより効果的に向上させることができる。 The primer layer 15 may contain polymeric material. Thereby, the adhesion between the mesh wiring layer 20 and the substrate 11 can be effectively improved. In this case, as the material of the primer layer 15, a colorless and transparent polymeric material can be used. Further, the primer layer 15 preferably contains acrylic resin or polyester resin. Thereby, the adhesion with the mesh wiring layer 20 can be improved more effectively.

プライマー層１５の厚みは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。プライマー層１５の厚みが上記範囲であることにより、メッシュ配線層２０と基板１１との密着性を向上させるとともに、配線基板１０の透明性を確保することができる。 The thickness of the primer layer 15 is preferably 0.05 μm or more and 0.5 μm or less. By setting the thickness of the primer layer 15 within the above range, the adhesion between the mesh wiring layer 20 and the substrate 11 can be improved, and the transparency of the wiring substrate 10 can be ensured.

（第２変形例）
図９は、配線基板の第２変形例を示している。図９に示す変形例は、メッシュ配線層２０の平面形状が異なるものであり、他の構成は上述した図１乃至図７に示す実施の形態と略同一である。図９において、図１乃至図７に示す形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 (Second modification)
FIG. 9 shows a second modification of the wiring board. The modification shown in FIG. 9 is different in the planar shape of the mesh wiring layer 20, and the rest of the configuration is substantially the same as the embodiment shown in FIGS. 1 to 7 described above. In FIG. 9, the same parts as those shown in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

図９は、一変形例によるメッシュ配線層２０を示す拡大平面図である。図９において、第１方向配線２１と第２方向配線２２とは、斜め（非直角）に交わっており、各開口部２３は、平面視で菱形状に形成されている。第１方向配線２１及び第２方向配線２２は、それぞれＸ方向及びＹ方向のいずれにも平行でないが、第１方向配線２１及び第２方向配線２２のうちのいずれか一方がＸ方向又はＹ方向に平行であっても良い。 FIG. 9 is an enlarged plan view showing a mesh wiring layer 20 according to one modification. In FIG. 9, the first directional wiring 21 and the second directional wiring 22 intersect obliquely (non-perpendicularly), and each opening 23 is formed in a diamond shape in plan view. The first directional wiring 21 and the second directional wiring 22 are parallel to neither the X direction nor the Y direction, respectively, but either the first directional wiring 21 or the second directional wiring 22 is parallel to the X direction or the Y direction. may be parallel to

上記実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。 It is also possible to appropriately combine a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments and modifications as necessary. Alternatively, some components may be deleted from all the components shown in the above embodiments and modifications.

１０配線基板
１１基板
２０メッシュ配線層
２１第１方向配線
２２第２方向配線
２３開口部
４０給電部
９０画像表示装置
９１ディスプレイ
９２無線通信用回路 REFERENCE SIGNS LIST 10 wiring board 11 substrate 20 mesh wiring layer 21 first direction wiring 22 second direction wiring 23 opening 40 power feeder 90 image display device 91 display 92 wireless communication circuit

Claims

A wiring board,
a substrate;
a mesh wiring layer disposed on the substrate and including a plurality of wirings,
The substrate has a transmittance of 85% or more for light with a wavelength of 380 nm or more and 750 nm or less,
The wiring board, wherein the wiring board has a thermal contraction rate of 0.01% or more and 0.3% or less after 1 hour at 120°C.

2. The wiring board according to claim 1, wherein a difference between a coefficient of linear expansion of said substrate and a coefficient of linear expansion of said mesh wiring layer is 85×10 ⁻⁶ /K or less.

3. The wiring substrate according to claim 1, wherein the substrate has a surface roughness Ra of 100 nm or less.

4. The wiring board according to claim 1, wherein the board has a dielectric loss tangent of 0.002 or less.

The wiring substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate has a thickness of 5 µm or more and 200 µm or less.

6. The wiring substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein said substrate comprises a cycloolefin polymer or a polynorbornene polymer.

7. The wiring board according to claim 1, wherein a primer layer is formed on said substrate, and said mesh wiring layer is formed on said primer layer.

The wiring board according to any one of claims 1 to 7, wherein the primer layer contains acrylic resin or polyester resin.

a self-luminous display device;
9. An image display device, comprising: the wiring substrate according to claim 1, arranged on the self-luminous display device.