JP2022160982A - On-cell touch display and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、オンセルタッチディスプレイ及びその製造方法に関する。特に、本開示は、オンセルタッチ有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイ及びその製造方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present disclosure relates to on-cell touch displays and manufacturing methods thereof. In particular, the present disclosure relates to on-cell touch organic light emitting diode (OLED) displays and methods of manufacturing the same.
近年、タッチディスプレイ装置の適用が拡大しており、多くの電気機器には、それらの電気機器を使いやすくするため、直接操作の機能を提供したり、コマンドを発行したりするためのタッチディスプレイが搭載されている。そのため、タッチディスプレイの需要が高まっている。 In recent years, the application of touch display devices has expanded, and in order to facilitate the use of these electrical devices, many electrical devices have touch displays for providing functions for direct operation and for issuing commands. is installed. Therefore, the demand for touch displays is increasing.
今日の銀ナノワイヤタッチディスプレイは、アウトセルタッチディスプレイ(out-cell touch display)である。しかしながら、アウトセル銀ナノワイヤタッチパネルの集積化においては、タッチパネルをディスプレイに接着するための積層プロセスが必要である。付加的な積層プロセスは、保護フィルム又は剥離フィルムを繰り返し除去し、接着剤を塗布するステップを含み、これは、比較的複雑で、時間がかかり、高価である。製造歩留まりに影響を与えることに加えて、モジュール化後の全体の積層厚さも比較的厚くなり、アウトセル銀ナノワイヤタッチパネルの曲げ特性に影響を与える。 Today's silver nanowire touch displays are out-cell touch displays. However, the integration of out-cell silver nanowire touch panels requires a lamination process to adhere the touch panel to the display. Additional lamination processes involve repeated removal of protective or release films and application of adhesives, which are relatively complex, time consuming and expensive. In addition to affecting the manufacturing yield, the overall lamination thickness after modularization is also relatively thick, which affects the bending properties of the out-cell silver nanowire touch panel.
しかしながら、銀ナノワイヤタッチパネルを製造するためのプロセスは、高温焼成処理を含むため、銀ナノワイヤ薄膜をオンセルタッチディスプレイ、特に有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイに適用すると、製造プロセスから発生する熱によってOLEDを損傷する可能性がある。 However, the process for producing silver nanowire touch panel involves high temperature baking treatment, so when silver nanowire thin film is applied to on-cell touch display, especially organic light emitting diode (OLED) display, the heat generated from the production process will damage the OLED. there's a possibility that.
本開示は、表示パネルと、前記表示パネル上に配置されたタッチセンサとを備える、新規なオンセルタッチパネルを提供し、前記タッチセンサは、前記表示パネル上に配置された第1の導電性薄膜と、前記第1の導電性薄膜上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第2の導電性薄膜と、前記第2の導電性薄膜上に配置された保護膜と、を備え、前記第1の導電性薄膜の不均一性値(non-uniformity value)と前記第2の導電性薄膜の不均一性値とが、それぞれ15%未満である。 The present disclosure provides a novel on-cell touch panel comprising a display panel and a touch sensor disposed on the display panel, the touch sensor being a first conductive thin film disposed on the display panel. an insulating layer disposed on the first conductive thin film; a second conductive thin film disposed on the insulating layer; a protective film disposed on the second conductive thin film; wherein the non-uniformity value of the first conductive film and the non-uniformity value of the second conductive film are each less than 15%.
一実施形態では、前記第1の導電性薄膜及び前記第2の導電性薄膜は、銀ナノワイヤからなる。 In one embodiment, the first conductive thin film and the second conductive thin film are composed of silver nanowires.
一実施形態では、前記第1の導電性薄膜の表面抵抗値及び前記第2の導電性薄膜の表面抵抗値は、それぞれ50~100Ω/sqである。 In one embodiment, the surface resistance value of the first conductive thin film and the surface resistance value of the second conductive thin film are each 50 to 100Ω/sq.
一実施形態では、前記表示パネルは、フリープラズマディスプレイパネル(PDP)、液晶表示パネル(LCD)、薄膜トランジスタ液晶表示パネル(TFT-LCD)、有機発光ダイオード表示パネル(OLED)、発光ダイオード表示パネル(LED)、電気エレクトロルミネッセンス表示パネル(ELD)、表面伝導電子放出表示パネル(SED)、及び電界放出表示パネル(FED)からなる群から選択される。 In one embodiment, the display panel is a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display panel (LCD), a thin film transistor liquid crystal display panel (TFT-LCD), an organic light emitting diode display panel (OLED), a light emitting diode display panel (LED ), electroluminescent display panels (ELD), surface conduction electron emission display panels (SED), and field emission display panels (FED).
一実施形態では、前記表示パネルは、有機発光ダイオード表示パネルである。 In one embodiment, the display panel is an organic light emitting diode display panel.
本開示は、さらに、(A)表示パネルを提供するステップ;(B)前記表示パネル上に第1の導電性材料層を形成するステップ;(C)第1の導電性薄膜を形成するために前記第1の導電性材料層をパターニングするステップ;(D)前記第1の導電性薄膜上に絶縁材料を被覆し、前記絶縁材料をパターニングして絶縁層を形成するステップ;(E)前記絶縁層上に第2の導電性材料層を形成するステップ;(F)前記第2の導電性材料層をパターニングして第2の導電性薄膜を形成するステップ;及び(G)前記第2の導電性薄膜上に、オンセルタッチディスプレイを実現するための保護膜を形成するステップ、を備え、前記ステップ(B)及び前記ステップ(G)の処理温度が100℃未満であり、前記第1の導電性薄膜の不均一性値及び前記第2の導電性薄膜の不均一性値がそれぞれ15%未満である、オンセルタッチディスプレイの製造方法を提供する。 The present disclosure further provides: (A) providing a display panel; (B) forming a first conductive material layer on said display panel; (C) to form a first conductive thin film; patterning the first conductive material layer; (D) coating an insulating material on the first conductive film and patterning the insulating material to form an insulating layer; (E) the insulating. (F) patterning said second layer of conductive material to form a second conductive film; and (G) said second conductive layer. forming a protective film for realizing an on-cell touch display on the conductive thin film, wherein the processing temperature in the step (B) and the step (G) is less than 100 ° C., and the first conductive A method for manufacturing an on-cell touch display is provided, wherein the non-uniformity value of the thin film and the non-uniformity value of the second conductive thin film are each less than 15%.
一実施形態では、前記ステップ(B)における前記第1の導電性材料層の表面抵抗値、及び前記ステップ(E)における前記第2の導電性材料層の表面抵抗値が、それぞれ50~100Ω/sqである。 In one embodiment, the surface resistance value of the first conductive material layer in step (B) and the surface resistance value of the second conductive material layer in step (E) are each 50 to 100Ω/ sq.
一実施形態では、前記ステップ(B)における前記第1の導電性材料層、及び前記ステップ(E)における前記第2の導電性材料層が、銀ナノワイヤで作製される。 In one embodiment, the first conductive material layer in step (B) and the second conductive material layer in step (E) are made of silver nanowires.
一実施形態では、前記ステップ(B)は、(B-1)前記表示パネル上に前記銀ナノワイヤを含む銀ナノワイヤ層を形成するステップと、(B-2)低温焼成処理を行うステップであって、前記低温焼成処理の焼成温度が100℃未満であり、前記低温焼成処理の焼成時間が5分以上であることを特徴とする、第1の導電性材料層の形成ステップと、を備える。 In one embodiment, the step (B) comprises (B-1) forming a silver nanowire layer containing the silver nanowires on the display panel, and (B-2) performing a low-temperature firing treatment. and a step of forming a first conductive material layer, wherein the firing temperature of the low-temperature firing treatment is less than 100° C. and the firing time of the low-temperature firing treatment is 5 minutes or longer.
一実施形態では、前記ステップ(B)が、前記ステップ(B-1)と前記ステップ(B-2)との間に、(B-1’)前記銀ナノワイヤ層上にハードコート層を形成するステップをさらに備える。 In one embodiment, the step (B) includes (B-1′) forming a hard coat layer on the silver nanowire layer between the steps (B-1) and (B-2). Further steps are provided.
一実施形態では、前記ステップ(E)が、(E-1)前記絶縁層上に前記銀ナノワイヤを含む銀ナノワイヤ層を形成するステップと、(E-2)低温焼成処理を行うステップであって、前記低温焼成処理の焼成温度が100℃未満であり、前記低温焼成処理の焼成時間が5分以上であることを特徴とする、第2の導電性材料層の形成ステップと、を備える。 In one embodiment, the step (E) includes (E-1) forming a silver nanowire layer containing the silver nanowires on the insulating layer, and (E-2) performing a low-temperature firing treatment. and a step of forming a second conductive material layer, wherein the firing temperature of the low-temperature firing treatment is less than 100° C. and the firing time of the low-temperature firing treatment is 5 minutes or longer.
一実施形態では、前記ステップ(E)が、前記ステップ(E-1)と前記ステップ(E-2)との間に、(E-1’)前記銀ナノワイヤ層上にハードコート層を形成するステップをさらに備える。 In one embodiment, the step (E) comprises (E-1′) forming a hard coat layer on the silver nanowire layer between the steps (E-1) and (E-2). Further steps are provided.
一実施形態では、前記ステップ(A)の前記表示パネルは、フリープラズマディスプレイパネル(PDP)、液晶表示パネル(LCD)、薄膜トランジスタ液晶表示パネル(TFT-LCD)、有機発光ダイオード表示パネル(OLED)、発光ダイオード表示パネル(LED)、電気エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル(ELD)、表面伝導電子放出表示パネル(SED)、及び電界放出表示パネル(FED)からなる群より選択される。 In one embodiment, the display panel of step (A) is a free plasma display panel (PDP), a liquid crystal display panel (LCD), a thin film transistor liquid crystal display panel (TFT-LCD), an organic light emitting diode display panel (OLED), selected from the group consisting of light emitting diode display panels (LED), electroluminescent display panels (ELD), surface conduction electron emission display panels (SED), and field emission display panels (FED).
一実施形態では、前記ステップ(A)の表示パネルは、有機発光ダイオード表示パネルである。 In one embodiment, the display panel of step (A) is an organic light emitting diode display panel.
本明細書における「上に(on)」という用語は、本明細書において、構成要素間の相対位置を説明するために使用されてもよいことに留意されたい。例えば、第2の要素の「上に」配置された第1の要素は、第1の要素が第2の要素と直接接触して形成される実施形態を含み、第1の要素と第2の要素との間に追加の構成要素が形成され得る実施形態も含み得る。 Note that the term "on" may be used herein to describe relative positions between components. For example, a first element that is positioned “above” a second element includes embodiments in which the first element is formed in direct contact with the second element, where the first element and the second element are separated from each other. Embodiments in which additional components may be formed between the elements may also be included.
また、本明細書における「第1」、「第2」、「第3」等の用語は、説明を容易にするために用いられてもよく、番号や順序とは関係しない。例えば、「第1の導電性薄膜」と「第2の導電性薄膜」の両方を「導電性薄膜」として実現することができる。 Also, the terms "first", "second", "third", etc. herein may be used for ease of explanation and are not related to number or order. For example, both the "first conductive thin film" and the "second conductive thin film" can be realized as "conductive thin films".
タッチセンサの技術分野において、オンセルタッチセンサを表示パネル上に直接積層することができるため、タッチセンサの光学接着剤や基板を省略することができ、より薄型で軽量なタッチディスプレイを実現することができる。本開示の低温製造プロセスによれば、製造プロセス中の温度が表示パネルの性能、特にOLEDの性能に影響を与えないため、安定性の高いタッチディスプレイを製造することができる。 In the technical field of touch sensors, since the on-cell touch sensor can be directly laminated on the display panel, the optical adhesive and substrate of the touch sensor can be omitted, and thinner and lighter touch displays can be realized. can. According to the low-temperature manufacturing process of the present disclosure, a touch display with high stability can be manufactured because the temperature during the manufacturing process does not affect the performance of the display panel, especially the performance of the OLED.
まず、本発明の一実施形態に係るオンセルタッチディスプレイ1000の製造方法は、以下のステップを備える。図1に示す製造フローチャート及び図2~図8に示す構成図を参照されたい。
First, a method for manufacturing an on-
ステップ(A):表示パネル1を設ける。本実施形態では、表示パネル1は、図2に示すOLEDパネルである。OLEDパネルは、基板11と、第1電極層12と、有機エレクトロルミネッセンス材料層13と、第2電極層14と、保護膜15とを備える。しかしながら、他の実施形態では、表示パネル1は、OLEDパネルに限定されず、当該技術分野で公知の他のタイプのディスプレイであってもよい。
Step (A): A
ステップ(B):図3に示すように、表示パネル1上に第1の導電性材料層21を形成する。本実施形態では、第1の導電性材料層21は、銀ナノワイヤを含む。具体的には、ステップ(B)は、表示パネル1の保護膜15上にスピンコート法により銀ナノワイヤ層(図示せず)を形成するステップ(B-1);銀ナノワイヤ層上にハードコート層(図示せず)を形成するステップ(B-1’);焼成温度100℃未満、焼成時間5分以上の低温焼成処理を行い、第1の導電性材料層21を得るステップ(B-2)を備える。他の実施形態では、ステップ(B-1’)は省略可能である。すなわち、第1の導電性材料層21は、銀ナノワイヤのみで構成される。
Step (B): Form a first
ステップ(C):第1の導電性材料層21をパターニングして第1の導電性薄膜23を形成する。具体的には、ステップ(C)は、第1の導電性材料層21上にフォトレジスト層22を形成し、次いで、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層22をパターニングして、図4に示す電極パターンを形成するステップ(C-1);パターニングされたフォトレジスト層22によって保護されていない第1の導電性材料層21の一部をエッチングによって除去するステップ(C-2);図5に示すように、パターニングされたフォトレジスト層22を除去して第1の導電性薄膜23を露出させるステップ(C-3)を備える。本実施形態では、ステップ(C-2)のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングにより行うことができる。しかしながら、他の実施形態では、パターニングされたフォトレジスト層22によって覆われていない第1の導電性材料層21の一部は、現像法又はリフトオフ法などの非エッチング法によって除去されてもよい。
Step (C): Pattern the first
ステップ(D):第1の導電性薄膜23上に絶縁材料を塗布し、絶縁材料をパターニングして絶縁層24を形成する。図6に示すように、絶縁層24は、フォトリソグラフィによって絶縁材料をパターニングすることにより形成される。
Step (D): Applying an insulating material on the first conductive
ステップ(E):絶縁層24上に第2の導電性材料層(図示せず)を形成する。ステップ(B)と同様に、ステップ(E)は、スピンコーティング法によって絶縁層24上に銀ナノワイヤ層(図示せず)を形成するステップ(E-1);銀ナノワイヤ層上にハードコート層(図示せず)を形成するステップ(E-1’);焼成温度100℃未満、焼成時間5分以上の低温焼成処理を行い、第2の導電性材料層を得るステップ(E-2)を備える。同様に、他の実施形態では、ステップ(E-1’)を省略することができる。すなわち、第2の導電性材料層は、銀ナノワイヤのみで構成される。
Step (E): Form a second conductive material layer (not shown) on the
ステップ(F):第2の導電性材料層をパターニングして第2の導電性薄膜25を形成する。ステップ(C)と同様に、ステップ(F)は、第2の導電性材料層上にフォトレジスト層を形成し、次いで、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして電極パターンを形成するステップ(F-1);第2の導電性材料層のうち、パターニングされたフォトレジスト層によって保護されていない部分をエッチングによって除去するステップ(F-2);図7に示すように、パターニングされたフォトレジスト層を除去して第2の導電性薄膜25を形成するステップ(F-3)を備える。本実施形態では、ステップ(F-2)のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングにより行うことができる。しかしながら、他の実施形態では、パターニングされたフォトレジスト層によって覆われていない第2の導電性材料層の一部は、現像法又はリフトオフ法などの非エッチング法によって除去されてもよい。
Step (F): patterning the second conductive material layer to form a second conductive
最後に、ステップ(G):第2の導電性薄膜25上に保護膜26を形成する。図8に示すように、オンセルタッチディスプレイ1000が実現される(すなわち、製造される)。
Finally, step (G): forming a
図8に示す上記の製造方法により製造されたオンセルタッチディスプレイ1000は、表示パネル1とタッチセンサ2とを備え、タッチセンサ2は表示パネル1上に配置されている。タッチセンサ2は、表示パネル1に接触する第1の導電性薄膜23と、第1の導電性薄膜23上に配置された絶縁層24と、絶縁層24上に配置された第2の導電性薄膜25と、第2の導電性薄膜25上に配置された保護膜26とを備える。
The on-
<表面抵抗値と均一性値の評価>
本評価では、実施例及び比較例の導電性薄膜を作製するために、銀ナノワイヤを基板上にスピンコートした後、焼成温度を100℃未満、焼成時間を0.5、1、2、5、10、20、30分として焼成した。次に、実施例及び比較例の銀ナノワイヤの表面抵抗値及び均一性値(uniformity value)を試験した。
<Evaluation of Surface Resistance Value and Uniformity Value>
In this evaluation, in order to prepare the conductive thin films of Examples and Comparative Examples, after the silver nanowires were spin-coated on the substrate, the firing temperature was less than 100 ° C., the firing time was 0.5, 1, 2, 5, It was baked for 10, 20 and 30 minutes. Next, the surface resistance value and uniformity value of the silver nanowires of Examples and Comparative Examples were tested.
表1に、渦電流誘導を利用した非接触表面抵抗測定システムにより、各実施例の表面抵抗値(Rs)を試験した結果を示す。 Table 1 shows the results of testing the surface resistance value (Rs) of each example with a non-contact surface resistance measurement system using eddy current induction.
15cm×15cmのシート状のサンプル内の9点の表面抵抗(R)を試験した。各試料の不均一性(Non-U)(%)は、次式により算出した。
不均一性(%)=(Rsmax-Rsmin)/2×Rsaverage
10%未満の不均一性値を有する導電性薄膜は大きな均一性を有する。
The surface resistance (R) was tested at 9 points in a 15 cm x 15 cm sheet sample. The non-uniformity (Non-U) (%) of each sample was calculated by the following formula.
Heterogeneity (%) = (Rs max - Rs min )/2 x Rs average
A conductive film with a non-uniformity value of less than 10% has great uniformity.
表1に示す結果によれば、焼成時間0.5分、1分、5分で作製した比較例1~3の導電性薄膜の表面抵抗及び不均一性が高すぎ、不均一性が高いほど均一性が低いことを示している。しかし、実施例1~4の試験結果によれば、焼成時間を5分、10分、20分、30分とすることで、導電性薄膜の表面抵抗や不均一性が大幅に低減される。すなわち、実施例1~4の導電性薄膜は、導電性及び均一性に優れている。この結果から、100℃未満の焼成温度と少なくとも5分の焼成時間で焼成して作製した導電性薄膜は、高い均一性と低い表面抵抗を有することが安定して特徴付けられる。 According to the results shown in Table 1, the surface resistance and non-uniformity of the conductive thin films of Comparative Examples 1 to 3 produced at the baking times of 0.5 minutes, 1 minute, and 5 minutes were too high, and the higher the non-uniformity, the It shows poor homogeneity. However, according to the test results of Examples 1 to 4, the surface resistance and non-uniformity of the conductive thin film are significantly reduced by setting the baking time to 5 minutes, 10 minutes, 20 minutes, and 30 minutes. That is, the conductive thin films of Examples 1 to 4 are excellent in conductivity and uniformity. From this result, conductive thin films prepared by firing at a firing temperature of less than 100° C. and a firing time of at least 5 minutes are consistently characterized as having high uniformity and low surface resistance.
<線路抵抗の評価>
本評価では、第1の導電性薄膜23及び第2の導電性薄膜25の線抵抗を、本開示の製造プロセスにおける4つの期間にわたって評価し、異なる製造ステップ後に第1の導電性薄膜23又は第2の導電性薄膜25の線抵抗が影響を受けるか否かを調べた。具体的には、本製造方法のステップ(A)~ステップ(C)を第1の製造ステップ(PEP1)とした。PEP1中の第1の導電性薄膜23の5本の導電線(Tx1~Tx5)の線抵抗を測定した。ステップ(D)~ステップ(E)を本製造方法の第2の製造ステップ(PEP2)とし、PEP2における第1の導電性薄膜23の5本の導電線(Tx1~Tx5)の線抵抗を測定した。第2の導電性薄膜25を形成するステップ(F)を本製造方法の第3の製造ステップ(PEP3)とし、第1の導電性薄膜23の5本の導電線(Tx1~Tx5)とPEP3の5本の導電線(Rx1~Rx5)の線抵抗を測定した。最後に、保護膜形成ステップ(G)を本製造方法の第4の製造ステップ(PEP4)とし、第1の導電性薄膜23の5本の導電線(Tx1~Tx5)とPEP4の5本の導電線(Rx1~Rx5)の線抵抗を測定した。結果を表2に示す。
<Evaluation of line resistance>
In this evaluation, the line resistance of the first conductive
なお、表2の結果によれば、第1の導電性薄膜23及び第2の導電性薄膜25の線抵抗は、いずれのステップにおいても非常に安定していた(RI<10%)。したがって、本発明に係るオンセルタッチディスプレイの製造ステップにおいて、OLEDディスプレイ上で露光、現像、エッチング、パターニングの各ステップを効果的かつ安定的に行うことができ、オンセルタッチディスプレイ1000を実現することができる。
According to the results in Table 2, the line resistances of the first conductive
要約すると、本開示によって提供されるオンセルタッチディスプレイ1000を製造するための製造プロセスにおいて、各ステップは低温で行われなければならない。すなわち、銀ナノワイヤ、フォトレジスト、絶縁材料、及び保護膜を被覆するステップは、製造プロセスによって発生する熱によって引き起こされるOLEDへの影響を防止するために、100℃未満の温度で行われなければならない。したがって、第1の導電性薄膜23及び第2の導電性薄膜25(銀ナノワイヤによって形成される)は、優れた低い表面抵抗(10-80Ω/sq)及び高い均一性(Non-U%<10%)を示した。
In summary, in the manufacturing process for manufacturing the on-
上記の開示は、その詳細な技術的内容及び発明的特徴に関する。当業者は、その特徴から逸脱することなく、記載された開示及び示唆に基づいて様々な修正及び置換を行うことができる。そのような修正及び置換は、上記の説明において完全には開示されていないが、それらは、実質的に、添付の特許請求の範囲に包含されている。 The above disclosure relates to its detailed technical content and inventive features. Persons skilled in the art can make various modifications and substitutions based on the disclosures and suggestions described without departing from the characteristics thereof. Although such modifications and replacements have not been fully disclosed in the above description, they substantially fall within the scope of the appended claims.
Claims (12)
前記表示パネル上に配置されたタッチセンサであって、
前記表示パネル上に配置された第1の導電性薄膜と、
前記第1の導電性薄膜上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置された第2の導電性薄膜と、
前記第2の導電性薄膜上に配置された保護膜と、
を備える前記タッチセンサと、
を備え、
前記第1の導電性薄膜の不均一性値と前記第2の導電性薄膜の不均一性値とが、それぞれ15%未満である、
オンセルタッチディスプレイ。 a display panel;
A touch sensor arranged on the display panel,
a first conductive thin film disposed on the display panel;
an insulating layer disposed on the first conductive thin film;
a second conductive thin film disposed on the insulating layer;
a protective film disposed on the second conductive thin film;
the touch sensor comprising
with
the non-uniformity value of the first conductive film and the non-uniformity value of the second conductive film are each less than 15%;
On-cell touch display.
(B)前記表示パネル上に第1の導電性材料層を形成するステップ;
(C)第1の導電性薄膜を形成するために前記第1の導電性材料層をパターニングするステップ;
(D)前記第1の導電性薄膜上に絶縁材料を被覆し、前記絶縁材料をパターニングして絶縁層を形成するステップ;
(E)前記絶縁層上に第2の導電性材料層を形成するステップ;
(F)前記第2の導電性材料層をパターニングして第2の導電性薄膜を形成するステップ;及び
(G)前記第2の導電性薄膜上に、オンセルタッチディスプレイを実現するための保護膜を形成するステップ、
を備え、
前記ステップ(B)及び前記ステップ(G)の処理温度が100℃未満であり、前記第1の導電性薄膜の不均一性値及び前記第2の導電性薄膜の不均一性値がそれぞれ15%未満である、
オンセルタッチディスプレイの製造方法。 (A) providing a display panel;
(B) forming a first conductive material layer on the display panel;
(C) patterning the first conductive material layer to form a first conductive film;
(D) coating an insulating material on the first conductive thin film and patterning the insulating material to form an insulating layer;
(E) forming a second layer of conductive material over the insulating layer;
(F) patterning the second conductive material layer to form a second conductive thin film; and (G) a protective film on the second conductive thin film for realizing an on-cell touch display. forming a
with
The processing temperature in steps (B) and (G) is less than 100° C., and the non-uniformity value of the first conductive thin film and the non-uniformity value of the second conductive thin film are each 15%. is less than
A method for manufacturing an on-cell touch display.
(B-1)前記表示パネル上に前記銀ナノワイヤを含む銀ナノワイヤ層を形成するステップと、
(B-2)低温焼成処理を行うステップであって、前記低温焼成処理の焼成温度が100℃未満であり、前記低温焼成処理の焼成時間が5分以上であることを特徴とする、第1の導電性材料層の形成ステップと、
を備える、請求項7に記載の製造方法。 The step (B) is
(B-1) forming a silver nanowire layer containing the silver nanowires on the display panel;
(B-2) In the step of performing a low-temperature firing treatment, the firing temperature of the low-temperature firing treatment is less than 100 ° C., and the firing time of the low-temperature firing treatment is 5 minutes or more. forming a conductive material layer of
8. The manufacturing method of claim 7, comprising:
(B-1’)前記銀ナノワイヤ層上にハードコート層を形成するステップ
を備える、請求項8に記載の製造方法。 In the step (B), between the step (B-1) and the step (B-2),
9. The manufacturing method according to claim 8, further comprising: (B-1') forming a hard coat layer on the silver nanowire layer.
(E-1)前記絶縁層上に前記銀ナノワイヤを含む銀ナノワイヤ層を形成するステップと、
(E-2)低温焼成処理を行うステップであって、前記低温焼成処理の焼成温度が100℃未満であり、前記低温焼成処理の焼成時間が5分以上であることを特徴とする、第2の導電性材料層の形成ステップと、
を備える、請求項7~9の何れか一項に記載の製造方法。 The step (E) is
(E-1) forming a silver nanowire layer containing the silver nanowires on the insulating layer;
(E-2) In a step of performing a low-temperature firing treatment, the firing temperature of the low-temperature firing treatment is less than 100 ° C., and the firing time of the low-temperature firing treatment is 5 minutes or more. forming a conductive material layer of
The manufacturing method according to any one of claims 7 to 9, comprising
(E-1’)前記銀ナノワイヤ層上にハードコート層を形成するステップ
を備える、請求項10に記載の製造方法。 wherein the step (E) comprises, between the step (E-1) and the step (E-2),
(E-1′) The manufacturing method according to claim 10, comprising the step of forming a hard coat layer on the silver nanowire layer.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110374781.0A CN115185393A (en) | 2021-04-07 | 2021-04-07 | Display device with embedded touch sensor and preparation method thereof |
CN202110374781.0 | 2021-04-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022160982A true JP2022160982A (en) | 2022-10-20 |
JP7268097B2 JP7268097B2 (en) | 2023-05-02 |
Family
ID=83512429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021131705A Active JP7268097B2 (en) | 2021-04-07 | 2021-08-12 | Manufacturing method of on-cell touch display |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7268097B2 (en) |
KR (1) | KR20220139208A (en) |
CN (1) | CN115185393A (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015068654A1 (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-14 | 昭和電工株式会社 | Conductive pattern formation method, production method for on-cell-type touch panel using same, transfer film used in same, and on-cell-type touch panel |
JP2016058319A (en) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | デクセリアルズ株式会社 | Electrode and method for producing the same, and touch panel and organic el substrate including electrode |
JP2016134197A (en) * | 2015-01-15 | 2016-07-25 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of transparent conductive substrate and manufacturing method of electronic device |
-
2021
- 2021-04-07 CN CN202110374781.0A patent/CN115185393A/en active Pending
- 2021-08-03 KR KR1020210102051A patent/KR20220139208A/en not_active Application Discontinuation
- 2021-08-12 JP JP2021131705A patent/JP7268097B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115185393A (en) | 2022-10-14 |
KR20220139208A (en) | 2022-10-14 |
JP7268097B2 (en) | 2023-05-02 |
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