JP2022156771A - Filter for capturing fine particle, and method for manufacturing filter for capturing fine particle - Google Patents

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尚洋 眞下
Naohiro Mashita
健太郎 龍腰
Kentaro Tatsukoshi
秀文 小▲高▼
Hidefumi Odaka
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Abstract

To provide a filter for capturing fine particles having such a configuration as to be manufactured using a laser processing technique.SOLUTION: A filter for capturing fine particles has a transparent body having a first surface and a second surface and a thickness of 50 μm or more, and a plurality of through holes penetrating to the second surface from the first surface of the body, wherein when a position with a depth of 10 μm from the second surface is defined as a reference depth DS, in each of the through holes, a minimum cross section dimension at the reference depth DS is represented by φP, and a minimum cross section dimension between the reference depth DS and the second surface is represented by φP, φQ≤0.6 μm and φQ/φP≤0.5, are satisfied in the filter for capturing fine particles.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、微粒子捕捉用フィルタに関する。 The present invention relates to a particulate filter.

溶液中に含まれる異物を適切に捕獲することが可能な微粒子捕捉用フィルタは、医療施設、医薬品製造工場、および高清浄度クリーンルームなど、多くの分野でニーズがある。 There is a need in many fields, such as medical facilities, pharmaceutical manufacturing plants, and high-cleanliness clean rooms, for fine particle trapping filters that can appropriately trap foreign substances contained in solutions.

国際公開第WO2010/087483号International Publication No. WO2010/087483

微粒子捕捉用フィルタの一構成例として、フィルタの溶液流路の一部に微細な貫通孔を設け、該貫通孔内に微粒子を捕捉させる方式が考えられる。 As one configuration example of a filter for capturing fine particles, a system in which minute through holes are provided in part of the solution flow path of the filter and fine particles are captured in the through holes is conceivable.

また、そのような微粒子捕捉用フィルタを量産する際に、レーザ加工技術を利用することが考えられる。レーザ加工技術では、被処理体に対して、高い寸法精度で多数の貫通孔を迅速に形成できるためである(例えば、特許文献1)。 In addition, it is conceivable to use a laser processing technique when mass-producing such a filter for trapping fine particles. This is because the laser processing technology can rapidly form a large number of through-holes with high dimensional accuracy in an object to be processed (for example, Patent Document 1).

ただし、微粒子捕捉用フィルタでは、微粒子を確実に捕捉するため、例えば0.6μm以下程度の、極めて微細な貫通孔(微細貫通孔)を形成する必要がある。しかしながら、一般に、レーザ加工技術では、厚さ50μm以上の被処理体に形成される孔の直径は、2μm程度が限界である。このため、高い精度で前述のような微粒子捕捉用の貫通孔を形成することは容易ではない。 However, in order to reliably trap fine particles, the fine particle trapping filter needs to have extremely fine through holes (fine through holes) of about 0.6 μm or less, for example. However, in general, laser processing technology limits the diameter of a hole formed in an object having a thickness of 50 μm or more to about 2 μm. For this reason, it is not easy to form the above-mentioned through-holes for trapping fine particles with high accuracy.

特に、微粒子捕捉用フィルタでは、例えば、1mm×1mmの検査領域に、1,000個以上の大量の貫通孔を形成する必要が生じ得る。しかしながら、そのような微小な検査領域に対して、レーザ加工法技術により、直径が2μm未満の貫通孔を大量に形成することは極めて難しい。 In particular, in a fine particle trapping filter, for example, it may be necessary to form a large number of 1,000 or more through-holes in an inspection area of 1 mm×1 mm. However, it is extremely difficult to form a large number of through-holes with a diameter of less than 2 μm in such a minute inspection area using a laser processing technique.

このような背景により、これまで、レーザ加工技術を用いて微粒子捕捉用フィルタを製造した例は、ほとんど認められない。しかしながら、レーザ加工技術を用いて微粒子捕捉用フィルタを製造することができれば、品質や製造コストの点で好ましいと考えられる。 Due to this background, almost no example of manufacturing a particulate filter using laser processing technology has been found so far. However, it would be preferable in terms of quality and manufacturing cost if a fine particle trapping filter could be manufactured using a laser processing technique.

本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、レーザ加工技術を利用して製造することが可能な構成を有する、微粒子捕捉用フィルタを提供することを目的とする。また、本発明では、そのような微粒子捕捉用フィルタの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a background, and an object of the present invention is to provide a fine particle trapping filter having a configuration that can be manufactured using laser processing technology. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a particulate filter.

本発明では、微粒子捕捉用フィルタであって、
第1の表面および第2の表面を有し、厚さが50μm以上である透明な本体と、
該本体の前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通する複数の貫通孔と、
を有し、
前記第2の表面からの深さが10μmの位置を基準深さDと定め、
各貫通孔において、前記基準深さDにおける最小断面寸法)をφとし、前記基準深さDと前記第2の表面との間における最小断面寸法をφとしたとき、
φ≦0.6μmであり、φ/φ≦0.5である、微粒子捕捉用フィルタが提供される。
In the present invention, a filter for trapping fine particles,
a transparent body having a first surface and a second surface and having a thickness of 50 μm or more;
a plurality of through holes penetrating from the first surface to the second surface of the body;
has
A position with a depth of 10 μm from the second surface is defined as a reference depth DS,
In each through-hole, when the minimum cross-sectional dimension at the reference depth D S ) is φ P and the minimum cross-sectional dimension between the reference depth D S and the second surface is φ Q ,
A particulate trapping filter is provided wherein φ Q ≦0.6 μm and φ QP ≦0.5.

また、本発明では、微粒子捕捉用フィルタの製造方法であって、
(I)相互に対向する第1の表面および第2の表面を有する透明な基材を準備する工程と、
(II)前記基材の前記第1の表面にレーザ光を照射し、前記基材に前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通する、複数の基材貫通孔を形成する工程と、
(III)前記基材の前記第2の表面にコーティング層を設置して、前記基材および前記コーティング層を貫通する複数の貫通孔を形成する工程と、
を有する、製造方法が提供される。
Further, in the present invention, there is provided a method for manufacturing a particulate filter, comprising:
(I) providing a transparent substrate having first and second surfaces facing each other;
(II) irradiating the first surface of the substrate with a laser beam to form a plurality of substrate through-holes penetrating the substrate from the first surface to the second surface;
(III) placing a coating layer on the second surface of the substrate to form a plurality of through-holes penetrating the substrate and the coating layer;
A manufacturing method is provided, comprising:

本発明では、レーザ加工技術を利用して製造することが可能な構成を有する、微粒子捕捉用フィルタを提供することができる。また、本発明では、そのような微粒子捕捉用フィルタの製造方法を提供することを目的とする。 INDUSTRIAL APPLICABILITY In the present invention, it is possible to provide a fine particle trapping filter having a configuration that can be manufactured using laser processing technology. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a particulate filter.

本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタを模式的に示した上面図である。1 is a top view schematically showing a particulate trapping filter according to an embodiment of the present invention; FIG. 図1に示した本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの検査領域の断面の一例を模式的に示した図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a cross section of an inspection region of the particulate trapping filter according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1; 基材内の基材貫通孔の別の断面を模式的に示した図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing another cross section of a substrate through-hole in the substrate; 本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの製造方法のフローの一例を模式的に示した図である。1 is a diagram schematically showing an example flow of a method for manufacturing a particulate filter according to an embodiment of the present invention; FIG. 本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの製造方法の一工程を模式的に示した図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing one step of a method for manufacturing a particulate trapping filter according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの製造方法の一工程を模式的に示した図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing one step of a method for manufacturing a particulate trapping filter according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの製造方法の一工程を模式的に示した図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing one step of a method for manufacturing a particulate trapping filter according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの製造方法の一工程を模式的に示した図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing one step of a method for manufacturing a particulate trapping filter according to one embodiment of the present invention; 実施例に係るサンプルに形成された貫通孔の断面の一例を示した写真である。4 is a photograph showing an example of a cross-section of a through-hole formed in a sample according to an example; 別の実施例に係るサンプルに形成された貫通孔の断面の一例を示した写真である。FIG. 11 is a photograph showing an example of a cross section of a through hole formed in a sample according to another example; FIG. さらに別の実施例に係るサンプルに形成された貫通孔の断面の一例を示した写真である。FIG. 11 is a photograph showing an example of a cross section of a through hole formed in a sample according to still another example; FIG.

以下、本発明の一実施形態について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below.

本発明の一実施形態では、微粒子捕捉用フィルタであって、
第1の表面および第2の表面を有し、厚さが50μm以上である透明な本体と、
該本体の前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通する複数の貫通孔と、
を有し、
前記第2の表面からの深さが10μmの位置を基準深さDと定め、
各貫通孔において、前記基準深さDにおける最小断面寸法)をφとし、前記基準深さDと前記第2の表面との間における最小断面寸法をφとしたとき、
φ≦0.6μmであり、φ/φ≦0.5である、微粒子捕捉用フィルタが提供される。
In one embodiment of the present invention, a filter for trapping particulates,
a transparent body having a first surface and a second surface and having a thickness of 50 μm or more;
a plurality of through holes penetrating from the first surface to the second surface of the body;
has
A position with a depth of 10 μm from the second surface is defined as a reference depth DS,
In each through-hole, when the minimum cross-sectional dimension at the reference depth D S ) is φ P and the minimum cross-sectional dimension between the reference depth D S and the second surface is φ Q ,
A particulate trapping filter is provided wherein φ Q ≦0.6 μm and φ QP ≦0.5.

前述のように、レーザ加工技術では、厚さ50μm以上の被処理体に形成される孔の直径は、2μm程度が限界であり、高い精度でより微細な孔を形成することは容易ではない。特に、微小な検査領域に対して、レーザ加工法技術により、直径が2μm未満の貫通孔を大量に形成することは極めて難しい。 As described above, in laser processing technology, the diameter of a hole formed in an object having a thickness of 50 μm or more is limited to about 2 μm, and it is not easy to form finer holes with high precision. In particular, it is extremely difficult to form a large number of through-holes with a diameter of less than 2 μm in a minute inspection area by laser processing technology.

この点、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタは、上記のような構成を有する。このような構成を有する微粒子捕捉用フィルタは、後に詳しく示すように、50μm以上の厚さを有するものの、レーザ加工技術を利用して製造することができる。 In this respect, the particulate filter according to one embodiment of the present invention has the configuration as described above. As will be described in detail later, the fine particle trapping filter having such a structure has a thickness of 50 μm or more and can be manufactured using a laser processing technique.

従って、本発明の一実施形態では、高品質および低製造コストで、微粒子捕捉用フィルタを製造することができる。 Accordingly, in one embodiment of the present invention, a particulate filter can be manufactured with high quality and low manufacturing cost.

(本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタ)
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について、より詳しく説明する。
(Filter for capturing fine particles according to one embodiment of the present invention)
An embodiment of the present invention will be described in more detail below with reference to the drawings.

図1および図2には、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの一構成例を模式的に示す。図1には、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタ(以下、「第1のフィルタ」と称する)の上面図が示されている。 1 and 2 schematically show one configuration example of a fine particle trapping filter according to one embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a top view of a particulate trapping filter (hereinafter referred to as "first filter") according to one embodiment of the present invention.

図1に示すように、第1のフィルタ100は、透明な本体110を有する。本体110は、第1の表面112および第2の表面114を有する。本体110には、検査領域120が配置される。 As shown in FIG. 1, first filter 100 has a transparent body 110 . Body 110 has a first surface 112 and a second surface 114 . An inspection region 120 is arranged on the body 110 .

なお、図1に示した例では、第1のフィルタ100は、上面視、略円形の形態を有する。ただし、第1のフィルタ100の形態は、特に限られず、例えば、楕円形、三角形、四角形、または五角形以上の多角形であってもよい。 In the example shown in FIG. 1, the first filter 100 has a substantially circular shape when viewed from above. However, the shape of the first filter 100 is not particularly limited, and may be, for example, an ellipse, a triangle, a quadrangle, or a polygon with pentagons or more.

また、図1に示した例では、検査領域120は、上面視、本体110の略中央に、略正方形状に配置されている。しかしながら、これは単なる一例に過ぎない。検査領域120は、本体110の非中央部分に配置されてもよい。また、検査領域120は、非正方形状、例えば、円形状、楕円形状、矩形状、または五角形以上の多角形状に配置されてもよい。 In addition, in the example shown in FIG. 1, the inspection area 120 is arranged in a substantially square shape substantially in the center of the main body 110 when viewed from above. However, this is just one example. Inspection region 120 may be located in a non-central portion of body 110 . The inspection areas 120 may also be arranged in a non-square shape, such as a circular shape, an elliptical shape, a rectangular shape, or a polygonal shape with pentagons or more.

また、検査領域120の数は、必ずしも1箇所に限られず、検査領域120は、本体110の複数の箇所に設けられてもよい。 Also, the number of inspection areas 120 is not necessarily limited to one, and the inspection areas 120 may be provided at a plurality of locations on the main body 110 .

さらに、図1では、検査領域120が矩形状の枠により、明確に表されている。しかしながら、第1のフィルタ100において、目視では、検査領域120と非検査領域の境界が明確に識別できない場合も、しばしばあり得ることに留意する必要がある。 Furthermore, in FIG. 1, the inspection area 120 is clearly represented by a rectangular frame. However, it should be noted that in the first filter 100, it is often the case that the boundary between the inspection area 120 and the non-inspection area cannot be clearly identified visually.

図1の左側の丸枠内には、検査領域120の一部を拡大して示す。この枠内に示すように、検査領域120には、多数の貫通孔122が形成されている。 A portion of the inspection area 120 is shown enlarged in the left circular frame of FIG. As shown in this frame, a large number of through holes 122 are formed in the inspection area 120 .

検査領域120における貫通孔122の密度は、特に限られないが、例えば、100個/mm以上である。 The density of the through-holes 122 in the inspection area 120 is not particularly limited, but is, for example, 100/mm 2 or more.

貫通孔122の二次元配列の形態は、特に限られない。貫通孔122は、規則的に配列されても、ランダムに配列されてもよい。 The form of the two-dimensional array of through-holes 122 is not particularly limited. The through-holes 122 may be arranged regularly or randomly.

また、貫通孔122が規則的に配列される場合、配列の態様およびピッチなどは、特に限られない。例えば、図1に示したように、貫通孔122は、縦横に規則的に配列されてもよい。ピッチは、例えば、10μm~100μmの範囲であってもよい。 Moreover, when the through-holes 122 are arranged regularly, the manner of arrangement, the pitch, and the like are not particularly limited. For example, as shown in FIG. 1, the through holes 122 may be regularly arranged vertically and horizontally. The pitch may range, for example, from 10 μm to 100 μm.

図2には、本体110の検査領域120の断面の一例を模式的に示す。図2には、複数の貫通孔122の長手中心軸に沿った断面が示されている。 FIG. 2 schematically shows an example of a cross section of the inspection area 120 of the main body 110. As shown in FIG. FIG. 2 shows a cross section along the central longitudinal axis of the plurality of through holes 122 .

図2に示すように、本体110は、基材140と、該基材140の一方の表面に形成されたコーティング層150とを有する。本体110の第1の表面112は、基材140のコーティング層150が設置されていない側の表面に対応し、第2の表面114は、コーティング層の表面に対応する。 As shown in FIG. 2, the main body 110 has a substrate 140 and a coating layer 150 formed on one surface of the substrate 140 . The first surface 112 of the body 110 corresponds to the surface of the substrate 140 on which the coating layer 150 is not applied, and the second surface 114 corresponds to the surface of the coating layer.

図2において、破線Dは、基材140とコーティング層150の間の境界を表す。ただし、実際には、この境界Dが不明瞭な場合もしばしば生じ得る。 In FIG. 2, dashed line D i represents the boundary between substrate 140 and coating layer 150 . However, in practice, this boundary D i may often be unclear.

本体110には、多数の貫通孔122が含まれる。各貫通孔122は、本体110の第1の表面112の側に、第1の開口125を有し、第2の表面114に第2の開口127を有する。 Body 110 includes a number of through holes 122 . Each through-hole 122 has a first opening 125 on the first surface 112 side of the body 110 and a second opening 127 on the second surface 114 .

各貫通孔122は、基材140およびコーティング層150の両方を貫通することにより、形成されている。従って、貫通孔122の第1の開口125は、基材140側の開口であり、第2の開口127は、コーティング層150側の開口である。 Each through-hole 122 is formed by penetrating both the substrate 140 and the coating layer 150 . Therefore, the first opening 125 of the through-hole 122 is an opening on the substrate 140 side, and the second opening 127 is an opening on the coating layer 150 side.

各貫通孔122において、特に、基材140側の部分を「基材貫通孔132a」と称し、コーティング層150側の部分を「コーティング層貫通孔132b」と称する。 In each through-hole 122, the portion on the base material 140 side is particularly referred to as "base material through-hole 132a", and the portion on the coating layer 150 side is referred to as "coating layer through-hole 132b".

図2に示した例では、各貫通孔122において、基材貫通孔132aは、テーパー形状を有し、第1の開口125から境界Dまで、「最小断面寸法」が単調に減少する。 In the example shown in FIG. 2, in each through hole 122, the base through hole 132a has a tapered shape, and the "minimum cross-sectional dimension" monotonically decreases from the first opening 125 to the boundary Di.

ここで、「(貫通孔の)最小断面寸法」とは、貫通孔122の長手中心軸を通る断面において、対向する側壁同士の最も小さい距離を意味する。従って、貫通孔の断面が円形の場合、「最小断面寸法」は、直径を表し、楕円の場合、「最小断面寸法」は、短軸の寸法を表す。 Here, the “minimum cross-sectional dimension (of the through hole)” means the smallest distance between opposing side walls in a cross section passing through the longitudinal central axis of the through hole 122 . Therefore, if the cross-section of the through-hole is circular, the "minimum cross-sectional dimension" represents the diameter, and if it is elliptical, the "minimum cross-sectional dimension" represents the minor axis dimension.

また、正確には、第1の開口125および第2の開口127は、「貫通孔の断面」ではない。しかしながら、本願では、これらの開口125、127の寸法を表す際にも、「最小断面寸法」と言う用語を使用する。 Moreover, precisely, the first opening 125 and the second opening 127 are not "through-hole cross sections". However, the present application also uses the term "minimum cross-sectional dimension" when describing the dimensions of these openings 125,127.

図2に示した例では、基材貫通孔132aのテーパー角度θは、例えば、65゜~89゜の範囲である。ここで、基材貫通孔132aのテーパー角度θは、第1の表面112の法線と、基材貫通孔132aの側壁とのなす角で表される。 In the example shown in FIG. 2, the taper angle .theta. Here, the taper angle θ of the substrate through-hole 132a is represented by the angle between the normal line of the first surface 112 and the side wall of the substrate through-hole 132a.

再度図2を参照すると、貫通孔122のコーティング層貫通孔132bは、基材貫通孔132aに比べて、より複雑な断面形状を有する。 Referring to FIG. 2 again, coating layer through-holes 132b of through-holes 122 have a more complex cross-sectional shape than substrate through-holes 132a.

例えば、図2に示した例では、コーティング層貫通孔132bは、境界Dから第2の表面114の間(ただし、境界Dは含まない)に、最小断面寸法が最小となる狭窄部154を有する断面形状を有する。すなわち、狭窄部154の最小断面寸法をφとした場合、φは、貫通孔122の間で最も小さな最小断面寸法を示す。 For example, in the example shown in FIG. 2, the coating layer through-hole 132b extends from the boundary D i to the second surface 114 (but not including the boundary D i ) at the constriction 154 with the smallest minimum cross-sectional dimension. has a cross-sectional shape with That is, when the minimum cross-sectional dimension of the narrowed portion 154 is φ Q , φ Q represents the smallest minimum cross-sectional dimension between the through holes 122 .

ここで、各貫通孔122において、本体110の第2の表面114から深さ10μmの位置を「基準深さ」と称し、Dで表す。図2に示すように、基準深さDは、境界Dよりも本体110の第2の表面114から遠い位置にある。また、基準深さDでの貫通孔122の最小断面寸法をφPで表す。 Here, in each through-hole 122, the position at a depth of 10 μm from the second surface 114 of the main body 110 is called a “reference depth” and is denoted by DS. As shown in FIG. 2, reference depth D s is located further from second surface 114 of body 110 than boundary D i . Also, φ P represents the minimum cross-sectional dimension of the through-hole 122 at the reference depth D S .

第1のフィルタ100では、上記のように規定される最小断面寸法φおよびφを用いた場合、各貫通孔122が
φ≦0.6μm、および
φ/φ≦0.5
を満たすという特徴を有する。
In the first filter 100, when using the minimum cross-sectional dimensions φ P and φ Q defined above, each through-hole 122 satisfies φ Q ≦0.6 μm and φ QP ≦0.5.
is characterized by satisfying

特に、φ/φ≦0.4であってもよい。 In particular, φ QP ≤ 0.4.

第1のフィルタ100は、一般的なレーザ加工方法では形成することが難しかった、最小断面寸法φ≦0.6μmを満たす狭窄部154を、各貫通孔122の内部(または第2の表面114)に有する。 The first filter 100 has a narrowed portion 154 that satisfies the minimum cross-sectional dimension φ Q ≦0.6 μm, which is difficult to form by a general laser processing method. ).

従って、第1のフィルタ100は、例えば、粒径が0.6μm超程度の微細な微粒子を捕捉するフィルタとして、利用することができる。 Therefore, the first filter 100 can be used, for example, as a filter that captures fine particles with particle diameters exceeding about 0.6 μm.

また、第1のフィルタ100において、基材貫通孔132aの部分は、一般的なレーザ加工技術を用いて形成することができる。レーザ加工技術では、同等の形状の基材貫通孔132aを高精度に形成できる。このため、第1のフィルタ100は、高品質かつ低コストで製造することができる。 Also, in the first filter 100, the portion of the substrate through-hole 132a can be formed using a general laser processing technique. The laser processing technology can form the substrate through-holes 132a having the same shape with high accuracy. Therefore, the first filter 100 can be manufactured with high quality and low cost.

さらに、第1のフィルタ100では、各貫通孔122において、狭窄部154の深さ位置を、第2の表面114から境界D(ただし、境界Dの位置は除く)までのいずれかの箇所に揃えることができる。この場合、いずれの貫通孔122においても、ほぼ同等の深さ位置で微粒子を捕捉することが可能となり、微粒子の検出が容易となる。 Furthermore, in the first filter 100, the depth position of the constricted portion 154 in each through-hole 122 is any point from the second surface 114 to the boundary D i (excluding the position of the boundary D i ). can be aligned. In this case, it becomes possible to trap particles at substantially the same depth position in any of the through holes 122, which facilitates the detection of particles.

(本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの各部分)
次に、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの各部分について、より詳しく説明する。
(Each portion of the particulate trapping filter according to one embodiment of the present invention)
Next, each portion of the particulate trapping filter according to one embodiment of the present invention will be described in more detail.

なお、ここでは、明確化のため、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタとして、前述の第1のフィルタ100を例に、その各部分について説明する。従って、各部分を表す際には、図1および図2に示した参照符号を使用する。 For the sake of clarity, each part of the particulate trapping filter according to the embodiment of the present invention will be described by taking the above-described first filter 100 as an example. Accordingly, the reference numerals shown in FIGS. 1 and 2 are used when representing each part.

(本体110)
図1に示した例では、本体110は、上面視、略円形の形態を有する。ただし、本体110)の形態は、特に限られず、例えば、楕円形、三角形、四角形、または五角形以上の多角形であってもよい。
(Body 110)
In the example shown in FIG. 1, the main body 110 has a substantially circular shape when viewed from above. However, the shape of the main body 110) is not particularly limited, and may be, for example, an ellipse, a triangle, a quadrangle, or a polygon with pentagons or more.

本体110は、透明な材料で構成される。ここで、「透明」とは、波長360nm~830nmにおける平均透過率が80%以上であることを意味する。 Body 110 is constructed of a transparent material. Here, "transparent" means having an average transmittance of 80% or more at wavelengths of 360 nm to 830 nm.

従って、第1のフィルタ100を用いた場合、赤外線分光分析法、ラマン分光分析法、光学顕微鏡、および蛍光顕微鏡など、一般的な光学的手法により、微粒子を検出することができる。 Therefore, when the first filter 100 is used, particles can be detected by common optical techniques such as infrared spectroscopy, Raman spectroscopy, optical microscopy, and fluorescence microscopy.

本体110の厚さは、50μm以上であり、60μm以上であることが好ましい。なお、本体110には、特に厚さの上限はないが、本体110の厚さは、例えば、1mm以下であってもよい。 The thickness of the main body 110 is 50 μm or more, preferably 60 μm or more. There is no particular upper limit for the thickness of the main body 110, but the thickness of the main body 110 may be, for example, 1 mm or less.

本体110の第1の開口125の最小断面寸法をφとしたとき、φは、5μm≦φ≦50μmであることが好ましい。 When the minimum cross-sectional dimension of the first opening 125 of the main body 110 is φ1, φ1 preferably satisfies 5 μm≦φ 1 50 μm.

また、本体110の第2の開口127の最小断面寸法をφとしたとき、φは、0.2μm≦φ≦5μmであることが好ましい。 Further, when the minimum cross-sectional dimension of the second opening 127 of the main body 110 is φ2, φ1 preferably satisfies 0.2 μm≦φ 2 5 μm.

また、狭窄部154の最小断面寸法φは、0.2μm以上であることが好ましい。 Also, the minimum cross-sectional dimension φ Q of the constricted portion 154 is preferably 0.2 μm or more.

なお、前述のように、レーザ加工技術のみでは、最小断面寸法が0.6μm以下の貫通孔を形成することは難しい。 As described above, it is difficult to form a through-hole having a minimum cross-sectional dimension of 0.6 μm or less only by laser processing technology.

しかしながら、本体110は、基材140およびコーティング層150を有する。従って、第1のフィルタ100では、本体110に、最小断面寸法φが0.6μm以下の狭窄部154を有する貫通孔122を形成できる。 However, body 110 has substrate 140 and coating layer 150 . Therefore, in the first filter 100, the main body 110 can be formed with the through hole 122 having the narrowed portion 154 with the minimum cross-sectional dimension φQ of 0.6 μm or less.

狭窄部154の第2の表面114からの深さをdとしたとき、狭窄部154は、0≦d<5μmの範囲に存在してもよい。なお、狭窄部154は、第2の表面114にあってもよいが、境界Dとは異なる位置に存在する。 The constriction 154 may exist in a range of 0≦d<5 μm, where d is the depth of the constriction 154 from the second surface 114 . Note that the constriction 154 may be on the second surface 114, but at a different location than the boundary Di.

本体110の検査領域120には、100個/mm以上の密度で貫通孔122が形成されていることが好ましい。貫通孔122の密度は、500個/mm~15,000個/mmの範囲であることがより好ましい。 Through-holes 122 are preferably formed in inspection region 120 of main body 110 at a density of 100/mm 2 or more. More preferably, the density of through-holes 122 is in the range of 500/mm 2 to 15,000/mm 2 .

(基材140)
本体110の一部を構成する基材140の種類は、特に限られない。基材140は、例えば、ガラスまたは樹脂のような透明材料で構成されてもよい。
(Base material 140)
The type of base material 140 forming part of main body 110 is not particularly limited. Substrate 140 may be composed of, for example, a transparent material such as glass or resin.

基材140の厚さは、50μm以上であることが好ましい。また、基材140の厚さは、例えば、1mm以下であってもよい。 The thickness of the base material 140 is preferably 50 μm or more. Also, the thickness of the base material 140 may be, for example, 1 mm or less.

なお、図2に示した基材貫通孔132aの断面形状は、単なる一例であり、基材貫通孔132aは、異なる断面を有してもよい。例えば、基材貫通孔132aは、図3に示すような断面形状を有してもよい。 Note that the cross-sectional shape of the substrate through-hole 132a shown in FIG. 2 is merely an example, and the substrate through-hole 132a may have a different cross section. For example, the substrate through-hole 132a may have a cross-sectional shape as shown in FIG.

図3には、基材貫通孔132aの別の断面を模式的に示す。なお、図3には、本体110のうち、基材140の部分のみが示されており、コーティング層150は示されていない。 FIG. 3 schematically shows another cross section of the substrate through-hole 132a. Note that FIG. 3 shows only the base material 140 portion of the main body 110 and does not show the coating layer 150 .

図3に示すように、この基材貫通孔132aは、基材140の内部に基材狭窄部148を有する。基材貫通孔132aは、この基材狭窄部148から、基材140のそれぞれの表面に向かって、「最小断面寸法」が増加するような形状を有する。 As shown in FIG. 3 , this substrate through-hole 132 a has a substrate constriction portion 148 inside the substrate 140 . Substrate through-hole 132 a has a shape such that the “minimum cross-sectional dimension” increases from this substrate constriction 148 toward each surface of substrate 140 .

このような断面形態を有する基材貫通孔132aは、後述するように、微細な貫通孔を有する基材140を湿式エッチング処理した際に、生じ易い。 The substrate through-hole 132a having such a cross-sectional shape is likely to be formed when the substrate 140 having fine through-holes is wet-etched, as will be described later.

このように、本発明の一実施形態において、基材貫通孔132aの断面形状は、特に限られないことに留意する必要がある。 Thus, in one embodiment of the present invention, it should be noted that the cross-sectional shape of the substrate through-hole 132a is not particularly limited.

(コーティング層150)
コーティング層150の種類は、透明である限り、特に限られない。
(Coating layer 150)
The type of coating layer 150 is not particularly limited as long as it is transparent.

コーティング層150の材料としては、透明であれば特に問われないが、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウムを主とする材料が低屈折率であり透過率を高く保てる点で好ましい。またシリカ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、フッ化マグネシウムを主とする材料が紫外域での消衰係数が小さい点で好ましい。 The material of the coating layer 150 is not particularly limited as long as it is transparent, but materials mainly composed of silica, alumina, magnesium oxide, and magnesium fluoride are preferable because they have a low refractive index and can maintain a high transmittance. In addition, materials mainly composed of silica, hafnium oxide, tantalum oxide, and magnesium fluoride are preferable because they have a small extinction coefficient in the ultraviolet region.

コーティング層150は、特に、シリカまたはフッ化マグネシウムで構成されることが、屈折率が低く、消衰係数が広い波長域で低い点で好ましい。 The coating layer 150 is preferably composed of silica or magnesium fluoride, in particular, because it has a low refractive index and a low extinction coefficient over a wide wavelength range.

コーティング層150の厚さは、特に限られないが、例えば、0.1μm~5μmの範囲であることが好ましい。 The thickness of the coating layer 150 is not particularly limited, but preferably ranges from 0.1 μm to 5 μm, for example.

なお、コーティング層の厚さは、最大10μm以下である。従って、本体110の第2の表面114から境界Dまでの深さは、第2の表面114から基準深さDまでの距離よりと等しいか、あるいはより小さい。 The thickness of the coating layer is 10 μm or less at maximum. Therefore, the depth from the second surface 114 of the body 110 to the boundary D i is equal to or less than the distance from the second surface 114 to the reference depth D s .

以上、第1のフィルタ100を例に、本発明の一実施形態について説明した。 An embodiment of the present invention has been described above using the first filter 100 as an example.

しかしながら、上記記載は、単なる一例であり、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタは、他の形態を有してもよい。 However, the above description is merely an example, and a particulate filter according to an embodiment of the invention may have other forms.

例えば、図2に示した例では、第1のフィルタ100のコーティング層貫通孔132bは、狭窄部154から第2の表面114に向かって、最小断面寸法が徐々に増加する。しかしながら、これとは異なり、コーティング層貫通孔132bは、境界Dから第2の表面114に向かって、最小断面寸法が徐々に減少する形態を有してもよい。その場合、第2の開口127の最小断面寸法がφとなる。 For example, in the example shown in FIG. 2, the coating layer through-holes 132b of the first filter 100 gradually increase in minimum cross-sectional dimension from the constriction 154 toward the second surface 114. As shown in FIG. Alternatively, however, the coating layer through-holes 132b may have a morphology that gradually decreases in minimum cross-sectional dimension from the boundary D i toward the second surface 114 . In that case, the minimum cross-sectional dimension of the second opening 127 is φQ .

また、例えば、コーティング層貫通孔132bは、その一部に、コーティング層の厚さ方向と平行に延在するストレート部分を有してもよい。 Also, for example, the coating layer through-hole 132b may partially have a straight portion extending parallel to the thickness direction of the coating layer.

すなわち、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタにおいて、基材貫通孔132aおよびコーティング層貫通孔132bは、前述の特徴を有する限り、いかなる形状を有してもよい。 That is, in the particulate filter according to one embodiment of the present invention, the substrate through-holes 132a and the coating layer through-holes 132b may have any shape as long as they have the characteristics described above.

さらに、上記記載では、透明な本体に貫通孔が形成されている場合を例に、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタについて説明した。しかしながら、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタは、貫通孔の代わりにスリットを有してもよい。 Furthermore, in the above description, the fine particle trapping filter according to one embodiment of the present invention has been described by taking as an example the case where the transparent main body is formed with the through holes. However, the particulate trapping filter according to one embodiment of the present invention may have slits instead of through holes.

(本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの製造方法)
次に、図4~図8を参照して、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの製造方法の例について説明する。
(Manufacturing method of particulate trapping filter according to one embodiment of the present invention)
Next, with reference to FIGS. 4 to 8, an example of a method for manufacturing a particulate trapping filter according to an embodiment of the present invention will be described.

図4には、本発明の一実施形態による微粒子捕捉用フィルタの製造方法(以下、「第1の方法」と称する)のフローを模式的に示す。 FIG. 4 schematically shows a flow of a method for manufacturing a particulate filter according to one embodiment of the present invention (hereinafter referred to as "first method").

図4に示すように、第1の方法は、
(1)相互に対向する第1の表面および第2の表面を有する透明な基材を準備する工程(工程S110)と、
(2)前記基材の前記第1の表面にレーザ光を照射し、前記基材に前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通する、複数の基材貫通孔を形成する工程(工程S120)と、
(3)前記基材の前記第2の表面にコーティング層を設置して、前記基材および前記コーティング層を貫通する複数の貫通孔を形成する工程(工程S130)と、
を有する。
As shown in FIG. 4, the first method consists of:
(1) providing a transparent substrate having first and second surfaces facing each other (step S110);
(2) A step of irradiating the first surface of the substrate with a laser beam to form a plurality of substrate through-holes penetrating the substrate from the first surface to the second surface (step S120) and
(3) placing a coating layer on the second surface of the base material to form a plurality of through-holes penetrating the base material and the coating layer (step S130);
have

以下、図5~図8も参照して、各工程について説明する。なお、ここでは、微粒子捕捉用フィルタとして、前述の図1および図2に示した第1のフィルタを例に、その製造方法について説明する。従って、微粒子捕捉用フィルタの各部分を参照する際には、図1および図2に示した参照符号を使用する。 Each step will be described below with reference to FIGS. 5 to 8 as well. Here, as a filter for trapping fine particles, the first filter shown in FIGS. 1 and 2 will be described as an example of the manufacturing method thereof. Therefore, the reference numerals shown in FIGS. 1 and 2 are used when referring to each portion of the particulate filter.

(工程S110)
まず、透明な基材140が準備される。
(Step S110)
First, a transparent substrate 140 is prepared.

図5には、基材140の斜視図を示す。基材140は、第1の表面142および第2の表面144を有する。 FIG. 5 shows a perspective view of substrate 140 . Substrate 140 has a first surface 142 and a second surface 144 .

なお、図5に示した例では、第1の表面142および第2の表面144は、略円形の形状を有する。しかしながら、第1の表面142および第2の表面144の形状は、特に限られない。第1の表面142および第2の表面144は、例えば、楕円形、三角形、矩形、または五角形以上の多角形等の形状を有してもよい。 Note that in the example shown in FIG. 5, the first surface 142 and the second surface 144 have substantially circular shapes. However, the shapes of first surface 142 and second surface 144 are not particularly limited. The first surface 142 and the second surface 144 may have shapes such as, for example, ellipses, triangles, rectangles, or polygons with pentagons or more.

基材140は、透明である限り、いかなる材料で構成されてもよい。基材140は、例えば、ガラスまたは樹脂で構成されてもよい。 Substrate 140 may be composed of any material as long as it is transparent. The substrate 140 may be made of glass or resin, for example.

基材140の厚さは、50μm以上であることが好ましい。 The thickness of the base material 140 is preferably 50 μm or more.

なお、次の工程S120の前に、基材140の第1の表面142に、吸収材が設置されてもよい。吸収材を設置した場合、基材140に照射されるレーザ光のエネルギーをより効率的に吸収することができる。従って、次の工程S120において、より低いエネルギーで高品質にレーザ加工を実施することが可能となる。 Note that an absorbent may be placed on the first surface 142 of the substrate 140 before the next step S120. When the absorbing material is installed, the energy of the laser beam with which the base material 140 is irradiated can be absorbed more efficiently. Therefore, in the next step S120, laser processing can be performed with lower energy and high quality.

ただし、吸収材220の設置は任意である。 However, installation of the absorbing material 220 is optional.

図6には、基材140の第1の表面142に吸収材220が設置された状態を模式的に示す。 FIG. 6 schematically shows a state in which the absorbent material 220 is placed on the first surface 142 of the base material 140 .

吸収層220は、利用されるパルスレーザの少なくとも一部のエネルギーを吸収する機能を有する限り、その材料は特に限られない。吸収層110は、例えば合成樹脂インクやカーボンブラック等を含む顔料であってもよい。 The material of the absorption layer 220 is not particularly limited as long as it has a function of absorbing at least part of the energy of the pulse laser used. The absorbing layer 110 may be, for example, a synthetic resin ink or a pigment containing carbon black.

(工程S120)
次に、基材140の第1の表面142の側からレーザ光が照射され、基材貫通孔132aが形成される。
(Step S120)
Next, a laser beam is irradiated from the first surface 142 side of the substrate 140 to form the substrate through-holes 132a.

レーザ光の種類は、特に限られないが、UVレーザが好ましい。 Although the type of laser light is not particularly limited, UV laser is preferable.

レーザ光は、例えば、短パルスレーザであってもよい。 The laser light may be, for example, a short pulse laser.

図7には、基材貫通孔132aが形成された基材140の断面を模式的に示す。なお、図7において、吸収材220は省略されている。 FIG. 7 schematically shows a cross section of the base material 140 in which the base material through-holes 132a are formed. Note that the absorbent 220 is omitted in FIG.

レーザ光の照射により、基材140には、第1の表面142から第2の表面144まで延在する、複数の基材貫通孔132aが形成される。 A plurality of substrate through-holes 132 a extending from the first surface 142 to the second surface 144 are formed in the substrate 140 by the laser beam irradiation.

図7に示すように、レーザ光照射により形成された基材貫通孔132aは、断面が第1の表面142から第2の表面144に向かってテーパー化された形状を有する傾向がある。 As shown in FIG. 7, the substrate through-hole 132a formed by laser beam irradiation tends to have a shape in which the cross section is tapered from the first surface 142 toward the second surface 144. As shown in FIG.

テーパー角度θは、例えば、65゜~89゜の範囲である。 The taper angle θ 1 ranges, for example, from 65° to 89°.

各基材貫通孔132aは、基材140の第1の表面142に第1の開口226aを有し、第2の表面144に第2の開口226bを有する。 Each substrate through-hole 132 a has a first opening 226 a in the first surface 142 of the substrate 140 and a second opening 226 b in the second surface 144 .

第1の開口226aの最小断面寸法は、例えば、4μm~30μmの範囲であり、4μm~15μmの範囲であることが好ましい。 The minimum cross-sectional dimension of the first opening 226a is, for example, in the range of 4 μm to 30 μm, preferably in the range of 4 μm to 15 μm.

また、第2の開口226bの最小断面寸法は、例えば、2μm~10μmの範囲であり、2μm~5μmの範囲であることが好ましい。 Also, the minimum cross-sectional dimension of the second opening 226b is, for example, in the range of 2 μm to 10 μm, preferably in the range of 2 μm to 5 μm.

形成される基材貫通孔132aの数は、特に限られない。微粒子捕捉用フィルタに利用される場合、基材貫通孔132aの密度は、例えば、100個/mm以上であり、500個/mm~15,000個/mmの範囲であることが好ましい。 The number of substrate through-holes 132a to be formed is not particularly limited. When used in a filter for capturing fine particles, the density of the substrate through-holes 132a is, for example, 100/mm 2 or more, preferably in the range of 500/mm 2 to 15,000/mm 2 . .

基材貫通孔132aの形成後に、基材140を湿式エッチング処理してもよい。 The substrate 140 may be wet-etched after the substrate through-holes 132a are formed.

湿式エッチングを行うことにより、吸収材220およびレーザ加工の際に生じたデブリ等を除去できる。 By performing wet etching, the absorbent 220 and debris generated during laser processing can be removed.

例えば、基材140がガラスの場合、湿式エッチング処理は、フッ酸溶液中で実施されてもよい。 For example, if the substrate 140 is glass, the wet etching process may be performed in a hydrofluoric acid solution.

なお、湿式エッチング処理を実施した場合、しばしば、基材貫通孔132aの形状が変化し得る。例えば、基材貫通孔132aの第1の開口226aは、4.1μm~30.1μmの範囲に変化し得る。また、第2の開口226bの最小断面寸法は、例えば、2.1μm~10.1μmの範囲に変化し得る。 It should be noted that the shape of the substrate through-hole 132a may often change when the wet etching process is performed. For example, the first opening 226a of the substrate through-hole 132a can vary from 4.1 μm to 30.1 μm. Also, the minimum cross-sectional dimension of the second opening 226b can vary, for example, from 2.1 μm to 10.1 μm.

また、基材貫通孔132aの断面の形状も、大きく分けて2通りの態様で変化し得る。 Further, the shape of the cross section of the substrate through-hole 132a can be roughly divided into two modes.

第1の態様では、テーパー角度θが維持されたまま、基材貫通孔132aの断面寸法が拡張される。 In the first mode, the cross-sectional dimension of the substrate through-hole 132a is expanded while the taper angle θ1 is maintained.

第2の態様では、前述の図3に示したような断面形状が得られる。すなわち、基材貫通孔132aは、第1の表面142と第2の表面144との間に、基材狭窄部148を有するような形状となる。 In the second mode, a cross-sectional shape as shown in FIG. 3 is obtained. In other words, the substrate through-hole 132 a is shaped to have a substrate constricted portion 148 between the first surface 142 and the second surface 144 .

図3に示したような断面形態は、基材140の厚さが厚い場合、ならびに/または第1の開口226aおよび第2の開口226bの寸法が小さい場合に生じ易い。 A cross-sectional configuration such as that shown in FIG. 3 is likely to occur when the substrate 140 is thick and/or when the dimensions of the first opening 226a and the second opening 226b are small.

すなわち、第1の開口226aおよび第2の開口226bの寸法が小さい場合、エッチング溶液が基材貫通孔132aの内部に十分に浸透することが難しくなる。その場合、基材貫通孔132aの両表面142、144に近い部分が選択的にエッチングされ、図3に示したような基材狭窄部148を有する基材貫通孔132aが形成される。 That is, when the dimensions of the first opening 226a and the second opening 226b are small, it becomes difficult for the etching solution to sufficiently permeate the inside of the substrate through-hole 132a. In that case, portions near both surfaces 142 and 144 of the substrate through-hole 132a are selectively etched to form the substrate through-hole 132a having the substrate constricted portion 148 as shown in FIG.

基材140の厚さが厚い場合も、同様である。 The same is true when the base material 140 is thick.

このように、湿式エッチング処理の前後で、基材貫通孔132aの形状が変化し得る。しかしながら、本願では、湿式エッチング処理後の基材貫通孔132aを、そのまま「基材貫通孔132a」と称する。 Thus, the shape of the substrate through-hole 132a can change before and after the wet etching process. However, in the present application, the substrate through-holes 132a after the wet etching process are referred to as "substrate through-holes 132a" as they are.

また、湿式エッチングにより、基材140の第1の表面142および第2の表面144がエッチングされると、それぞれ別の表面(新生面)が露出される。 Moreover, when the first surface 142 and the second surface 144 of the substrate 140 are etched by wet etching, different surfaces (new surfaces) are exposed.

しかしながら、基材140の第1の表面142および第2の表面144のエッチング量は僅かである。従って、ここでは、湿式エッチング処理以降も、基材140のそれぞれの露出表面を、そのまま、「第1の表面142」および「第2の表面144」と称することにする。 However, the amount of etching of first surface 142 and second surface 144 of substrate 140 is minor. Therefore, after the wet etching process, the respective exposed surfaces of substrate 140 are still referred to herein as "first surface 142" and "second surface 144."

(工程S130)
次に、基材140の第2の表面144に、コーティング層が設置される。
(Step S130)
A coating layer is then applied to the second surface 144 of the substrate 140 .

この工程は、基材貫通孔132aの先端の寸法および形状を調整するために実施される。 This step is performed to adjust the size and shape of the tip of the substrate through-hole 132a.

コーティング層の設置方法は、特に限られない。 A method for installing the coating layer is not particularly limited.

コーティング層は、例えば、スパッタ法または蒸着法等により、基材140の第2の表面144上に設置されてもよい。 The coating layer may be deposited on the second surface 144 of the substrate 140 by, for example, sputtering or vapor deposition.

スパッタ法または蒸着法では、基材貫通孔132aが閉塞される可能性を有意に低減でき、基材貫通孔132aと連通されたコーティング層貫通孔132bを有するコーティング層を適切に形成することができる。 The sputtering method or vapor deposition method can significantly reduce the possibility that the substrate through-holes 132a are blocked, and can appropriately form a coating layer having the coating layer through-holes 132b communicating with the substrate through-holes 132a. .

前述のように、コーティング層の種類は、特に限られない。コーティング層は、例えば、シリカ、アルミナ、MgO、MgF、またはTa等で構成されてもよい。 As described above, the type of coating layer is not particularly limited. The coating layer may be composed of, for example, silica, alumina, MgO, MgF, Ta2O5 , or the like.

コーティング層の厚さは、最大でも10μm以下であり、例えば、0.1μm~5μmの範囲である。 The thickness of the coating layer is at most 10 μm or less, for example in the range of 0.1 μm to 5 μm.

図8には、基材140の第2の表面144に、コーティング層150を設置した後の状態を模式的に示す。なお、図8において、破線L1は、基材140とコーティング層150の境界、すなわちDを表す。ただし、境界Dは、しばしば、光学顕微鏡および電子顕微鏡では認識することは難しい場合がある。 FIG. 8 schematically shows a state after the coating layer 150 is applied to the second surface 144 of the base material 140 . In FIG. 8, dashed line L1 represents the boundary between substrate 140 and coating layer 150, that is, Di. However, the boundary D i can often be difficult to discern under optical and electron microscopy.

図8に示すように、コーティング層150は、各基材貫通孔132aに対応するコーティング層貫通孔132bを有するように形成される。換言すれば、コーティング層150のコーティング層貫通孔132bは、基材140内に形成された基材貫通孔132aを、コーティング層150の表面152まで延在させるように形成される。 As shown in FIG. 8, the coating layer 150 is formed to have a coating layer through-hole 132b corresponding to each substrate through-hole 132a. In other words, the coating layer through-holes 132 b of the coating layer 150 are formed to extend the substrate through-holes 132 a formed in the substrate 140 to the surface 152 of the coating layer 150 .

これにより、基材140の第1の表面142からコーティング層150の表面152まで貫通する、貫通孔122を形成することができる。 Thereby, a through-hole 122 can be formed that penetrates from the first surface 142 of the substrate 140 to the surface 152 of the coating layer 150 .

貫通孔122は、コーティング層150の表面152の側に第3の開口240cを有する。 The through hole 122 has a third opening 240c on the surface 152 side of the coating layer 150 .

第3の開口240cの最小断面寸法φは、0.2μm~5μmの範囲である。 The minimum cross-sectional dimension φ 2 of the third opening 240c ranges from 0.2 μm to 5 μm.

このように、第1の方法では、基材140の第1の表面142から、コーティング層150の表面152にわたる複数の貫通孔122を形成することができる。 Thus, the first method may form a plurality of through-holes 122 extending from the first surface 142 of the substrate 140 to the surface 152 of the coating layer 150 .

これらの貫通孔122は、前述のように規定される最小断面寸法φおよびφを用いた場合、
φ≦0.6μm、および
φ/φ≦0.5
を満たす。
These through-holes 122, using the minimum cross-sectional dimensions φ P and φ Q defined above, are:
φ Q ≤ 0.6 µm, and φ QP ≤ 0.5
meet.

ここで、φは、基準深さDsの位置(図8には示されていない)での貫通孔122の最小断面寸法である。 Here, φ P is the minimum cross-sectional dimension of the through-hole 122 at the reference depth Ds (not shown in FIG. 8).

また、貫通孔122において、最小断面寸法φが得られる位置は、第3の開口240c部分であってもよい。この場合、φ=φである。 Further, the position where the minimum cross-sectional dimension φQ is obtained in the through-hole 122 may be the third opening 240c portion. In this case, φ 2Q.

第1の方法では、一般的なレーザ加工方法では形成することが難しかった、最小断面寸法φ≦0.6μmを満たす狭窄部154を、各貫通孔122の内部(またはコーティング層150の表面152)に形成することができる。 In the first method, a narrowed portion 154 that satisfies the minimum cross-sectional dimension φ Q ≦0.6 μm, which is difficult to form by a general laser processing method, is formed inside each through-hole 122 (or on the surface 152 of the coating layer 150). ).

従って、第1の方法で製造されたフィルタは、例えば、粒径が0.6μm超程度の微細な微粒子を捕捉するフィルタとして、利用することができる。 Therefore, the filter manufactured by the first method can be used, for example, as a filter that captures fine particles with particle diameters exceeding about 0.6 μm.

また、第1の方法では、基材貫通孔132aの部分は、一般的なレーザ加工技術を用いて形成することができる。このため、第1の方法では、高品質かつ低コストで微粒子捕捉用フィルタを製造することができる。 Also, in the first method, the portion of the substrate through-hole 132a can be formed using a general laser processing technique. Therefore, according to the first method, a fine particle trapping filter can be manufactured with high quality and low cost.

さらに、第1の方法では、各貫通孔122において、狭窄部154の深さ位置を、コーティング層150の表面152から境界D(ただし、境界Dの位置は除く)までのいずれかの箇所に揃えることができる。この場合、いずれの貫通孔122においても、ほぼ同等の深さ位置で微粒子を捕捉することが可能となり、微粒子の検出が容易となる。 Furthermore, in the first method, in each through-hole 122, the depth position of the narrowed portion 154 is set to any point from the surface 152 of the coating layer 150 to the boundary D i (excluding the position of the boundary D i ). can be aligned. In this case, it becomes possible to trap particles at substantially the same depth position in any of the through holes 122, which facilitates the detection of particles.

次に、本発明の実施例について説明する。なお、以下の記載において、例1~例3は、実施例であり、例11は、比較例である。 Next, examples of the present invention will be described. In the following description, Examples 1 to 3 are working examples, and Example 11 is a comparative example.

(例1)
以下の方法により、評価用サンプルを作製した。
(Example 1)
An evaluation sample was produced by the following method.

まず、相互に対向する第1の表面および第2の表面を有する基材を準備した。基材は、厚さ200μmのガラス基板とした。 First, a substrate having a first surface and a second surface facing each other was prepared. A glass substrate having a thickness of 200 μm was used as the base material.

次に、この基材の第1の表面の側にレーザ光を照射して、複数の貫通孔(基材貫通孔)を形成した。レーザ光には、パルス波のレーザを使用した。 Next, a plurality of through-holes (substrate through-holes) were formed by irradiating the first surface side of the substrate with a laser beam. A pulse wave laser was used as the laser light.

次に、スパッタリング法により、基材の第2の表面にコーティング層を成膜した。コーティング層は、厚さが3.1μmのシリカ層とした。成膜後に、基材からコーティング層まで貫通する貫通孔が得られた。 Next, a coating layer was formed on the second surface of the substrate by a sputtering method. The coating layer was a silica layer with a thickness of 3.1 μm. After deposition, through-holes were obtained that penetrated from the substrate to the coating layer.

これにより、評価用サンプル(以下、「サンプル1」と称する)が作製された。 Thus, an evaluation sample (hereinafter referred to as "sample 1") was produced.

サンプル1の貫通孔において、基材の側の第1の開口の最小断面寸法φ、およびコーティングの側の第2の開口の最小断面寸法φを測定した。その結果、φ=8.0μm、φ=3.4μmであった。 In the through-holes of Sample 1, the minimum cross-sectional dimension φ 1 of the first opening on the side of the substrate and the minimum cross-sectional dimension φ 2 of the second opening on the side of the coating were measured. As a result, φ 1 =8.0 μm and φ 2 =3.4 μm.

(例2)
例1と同様の方法により、評価用サンプルを作製した。ただし、この例2では、コーティング層の厚さは、4.3μmとした。
(Example 2)
A sample for evaluation was prepared in the same manner as in Example 1. However, in Example 2, the thickness of the coating layer was set to 4.3 μm.

作製された評価用サンプルを「サンプル2」と称する。 The produced evaluation sample is called "Sample 2".

サンプル2の貫通孔において、基材の側の第1の開口の最小断面寸法φ、およびコーティングの側の第2の開口の最小断面寸法φを測定した。その結果、φ=8.0μm、φ=2.7μmであった。 In the through-holes of Sample 2, the minimum cross-sectional dimension φ 1 of the first opening on the side of the substrate and the minimum cross-sectional dimension φ 2 of the second opening on the side of the coating were measured. As a result, φ 1 =8.0 μm and φ 2 =2.7 μm.

(例3)
例1と同様の方法により、評価用サンプルを作製した。ただし、この例3では、コーティング層の厚さは、4.9μmとした。
(Example 3)
A sample for evaluation was prepared in the same manner as in Example 1. However, in Example 3, the thickness of the coating layer was set to 4.9 μm.

作製された評価用サンプルを「サンプル3」と称する。 The produced evaluation sample is called "Sample 3".

サンプル3の貫通孔において、基材の側の第1の開口の最小断面寸法φ、およびコーティングの側の第2の開口の最小断面寸法φを測定した。その結果、φ=8.0μm、φ=2.8μmであった。 In the through-holes of sample 3, the minimum cross-sectional dimension φ 1 of the first opening on the side of the substrate and the minimum cross-sectional dimension φ 2 of the second opening on the side of the coating were measured. As a result, φ 1 =8.0 μm and φ 2 =2.8 μm.

(例11)
例1と同様の方法により、ガラス基板に基材貫通孔を形成し、これを評価用サンプルとして使用した。すなわち、例11では、シリカ層のコーティングを実施しなかった。
(Example 11)
A substrate through-hole was formed in a glass substrate by the same method as in Example 1, and this was used as an evaluation sample. That is, in Example 11, no silica layer coating was performed.

得られた評価用サンプルを「サンプル11」と称する。 The obtained sample for evaluation is called "Sample 11".

サンプル11の貫通孔において、基材の側の第1の開口の最小断面寸法φ、およびコーティングの側の第2の開口の最小断面寸法φを測定した。その結果、φ=8.0μm、φ=2.0μmであった。 In the through-holes of sample 11, the minimum cross-sectional dimension φ 1 of the first opening on the side of the substrate and the minimum cross-sectional dimension φ 2 of the second opening on the side of the coating were measured. As a result, φ 1 =8.0 μm and φ 2 =2.0 μm.

以下の表1には、各サンプルの作製条件をまとめて示した。 Table 1 below summarizes the manufacturing conditions for each sample.

Figure 2022156771000002

(断面評価)
作製された各サンプルを、いくつかの貫通孔の長手中心軸を通る断面で切断し、評価用試料を作製した。また、評価用試料を用いて、以下の寸法を測定した:
基準深さD(コーティング層の表面から10μmの位置)における貫通孔の最小断面寸法φ、および
貫通孔の狭窄部における最小断面寸法φ
Figure 2022156771000002

(Cross section evaluation)
Each of the prepared samples was cut along a cross section passing through the longitudinal central axes of several through holes to prepare samples for evaluation. Also, the following dimensions were measured using the evaluation sample:
The minimum cross-sectional dimension φ P of the through-hole at the reference depth D S (10 μm from the surface of the coating layer), and the minimum cross-sectional dimension φ Q at the narrowed portion of the through-hole.

ここで、狭窄部は、貫通孔の最小断面寸法が最も小さくなる深さ位置として定められる。 Here, the narrowed portion is defined as the depth position where the minimum cross-sectional dimension of the through hole is the smallest.

なお、サンプル11を除き、狭窄部の位置は、コーティング層の内部であった。一方、サンプル11では、狭窄部は、基材の第2の表面であった。 Except for sample 11, the position of the constriction was inside the coating layer. On the other hand, in sample 11, the constriction was the second surface of the substrate.

図9~図11には、それぞれ、サンプル1~サンプル3におけるコーティング層側の貫通孔の断面の一例を示す。 9 to 11 show examples of cross sections of the through-holes on the coating layer side in samples 1 to 3, respectively.

なお、図9~図11において、一部が白っぽく見えるのは、光の反射によるものであり、そのような部分は、必ずしも貫通孔の輪郭線に対応していないことに留意する必要がある。特に、コーティング層内の狭窄部近傍には、白く尖って見える領域があるが、これは、貫通孔の先端ではない。いずれの図においても、貫通孔は、コーティング層の表面に開口を有する。 9 to 11, it is due to the reflection of light that some parts look whitish, and it should be noted that such parts do not necessarily correspond to the contour lines of the through holes. In particular, there is a sharp white region near the narrowed portion in the coating layer, but this is not the tip of the through hole. In both figures, the through holes have openings on the surface of the coating layer.

以下の表2には、各評価用試料において得られた各寸法をまとめて示す。 Table 2 below summarizes the dimensions obtained for each evaluation sample.

Figure 2022156771000003

測定の結果から、サンプル1~サンプル3では、コーティング層内に、最小断面寸法φが0.6μm以下の狭窄部が形成されていることがわかった。
Figure 2022156771000003

From the measurement results, it was found that in samples 1 to 3, a narrowed portion with a minimum cross-sectional dimension φ Q of 0.6 μm or less was formed in the coating layer.

また、サンプル1~サンプル3では、比φ/φが0.5以下であることがわかった。 It was also found that the ratio φ QP of samples 1 to 3 was 0.5 or less.

100 第1のフィルタ
110 本体
112 本体の第1の表面
114 本体の第2の表面
120 検査領域
122 貫通孔
125 第1の開口
127 第2の開口
132a 基材貫通孔
132b コーティング層貫通孔
140 基材
142 基材の第1の表面
144 基材の第2の表面
148 基材狭窄部
150 コーティング層
152 コーティング層の表面
154 狭窄部
220 吸収材
226a 第1の開口
226b 第2の開口
240c 第3の開口
100 first filter 110 body 112 first surface of body 114 second surface of body 120 inspection region 122 through hole 125 first opening 127 second opening 132a substrate through hole 132b coating layer through hole 140 substrate 142 First surface of substrate 144 Second surface of substrate 148 Substrate constriction 150 Coating layer 152 Coating layer surface 154 Constriction 220 Absorber 226a First opening 226b Second opening 240c Third opening

Claims (18)

微粒子捕捉用フィルタであって、
第1の表面および第2の表面を有し、厚さが50μm以上である透明な本体と、
該本体の前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通する複数の貫通孔と、
を有し、
前記第2の表面からの深さが10μmの位置を基準深さDと定め、
各貫通孔において、前記基準深さDにおける最小断面寸法をφとし、前記基準深さDと前記第2の表面との間における最小断面寸法をφとしたとき、
φ≦0.6μmであり、φ/φ≦0.5である、微粒子捕捉用フィルタ。
A filter for capturing fine particles,
a transparent body having a first surface and a second surface and having a thickness of 50 μm or more;
a plurality of through holes penetrating from the first surface to the second surface of the body;
has
A position with a depth of 10 μm from the second surface is defined as a reference depth DS,
In each through-hole, when the minimum cross-sectional dimension at the reference depth D S is φ P and the minimum cross-sectional dimension between the reference depth D S and the second surface is φ Q ,
A filter for trapping fine particles, wherein φ Q ≤ 0.6 μm and φ QP ≤ 0.5.
前記φは、0.2μm以上である、請求項1に記載の微粒子捕捉用フィルタ。 2. The particulate filter according to claim 1, wherein φQ is 0.2 μm or more. 各貫通孔において、前記第1の表面における最小断面寸法をφとしたとき、5μm≦φ≦50μmである、請求項1または2に記載の微粒子捕捉用フィルタ。 3. The fine particle trapping filter according to claim 1, wherein, in each through-hole, 5 μm≦φ 1 ≦50 μm, where φ 1 is the minimum cross-sectional dimension of the first surface. 各貫通孔において、前記第2の表面における最小断面寸法をφとしたとき、
0.2μm≦φ≦5μmである、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の微粒子捕捉用フィルタ。
In each through-hole, when the minimum cross-sectional dimension on the second surface is φ2,
4. The particulate filter according to claim 1, wherein 0.2 μm≦φ 2 ≦5 μm.
前記貫通孔は、前記第1の表面から前記基準深さDまで、最小断面寸法が単調に減少する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の微粒子捕捉用フィルタ。 5. The particulate trapping filter according to any one of claims 1 to 4, wherein said through-hole monotonically decreases in minimum cross-sectional dimension from said first surface to said reference depth DS. 前記最小断面寸法φが得られる位置は、前記第2の表面からの深さが、0以上、5μm未満の範囲にある、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の微粒子捕捉用フィルタ。 The particulate trapping filter according to any one of claims 1 to 5, wherein the position where the minimum cross-sectional dimension φQ is obtained has a depth from the second surface of 0 or more and less than 5 µm. . 当該微粒子捕捉用フィルタは、検査領域を有し、
該検査領域には、100個/mm以上の前記貫通孔が設置されている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の微粒子捕捉用フィルタ。
The particulate trapping filter has an inspection area,
The particulate trapping filter according to any one of claims 1 to 6, wherein 100/ mm2 or more of said through-holes are provided in said inspection area.
前記本体は、基材およびコーティング層を有し、
前記第2の表面は、前記コーティング層の表面である、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の微粒子捕捉用フィルタ。
the body has a substrate and a coating layer;
The particulate filter according to any one of claims 1 to 7, wherein the second surface is the surface of the coating layer.
前記基材は、ガラスまたは樹脂で構成される、請求項8に記載の微粒子捕捉用フィルタ。 9. The particulate filter according to claim 8, wherein said base material is made of glass or resin. 前記コーティング層は、厚さが1μm~5μmの範囲である、請求項8または9に記載の微粒子捕捉用フィルタ。 10. The particulate filter according to claim 8, wherein said coating layer has a thickness ranging from 1 μm to 5 μm. 微粒子捕捉用フィルタの製造方法であって、
(I)相互に対向する第1の表面および第2の表面を有する透明な基材を準備する工程と、
(II)前記基材の前記第1の表面にレーザ光を照射し、前記基材に前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通する、複数の基材貫通孔を形成する工程と、
(III)前記基材の前記第2の表面にコーティング層を設置して、前記基材および前記コーティング層を貫通する複数の貫通孔を形成する工程と、
を有する、製造方法。
A method for manufacturing a filter for capturing fine particles,
(I) providing a transparent substrate having first and second surfaces facing each other;
(II) irradiating the first surface of the substrate with a laser beam to form a plurality of substrate through-holes penetrating the substrate from the first surface to the second surface;
(III) placing a coating layer on the second surface of the substrate to form a plurality of through-holes penetrating the substrate and the coating layer;
A manufacturing method.
前記(II)の工程の前に、
前記基材の前記第1の表面に、吸収層を設置する工程
を有する、請求項11に記載の製造方法。
Before the step (II),
12. The manufacturing method according to claim 11, comprising the step of providing an absorbent layer on said first surface of said substrate.
前記(II)の工程後に、
前記基材を湿式エッチング処理する工程
を有する、請求項11または12に記載の製造方法。
After the step (II),
13. The manufacturing method according to claim 11 or 12, comprising the step of wet etching the base material.
前記基材貫通孔は、100個/mm以上の密度で配置される、請求項11乃至13のいずれか一項に記載の製造方法。 The manufacturing method according to any one of claims 11 to 13, wherein the substrate through-holes are arranged at a density of 100/ mm2 or more. 前記コーティング層の表面からの深さが10μmの位置を基準深さDと定め、
各貫通孔において、前記基準深さDにおける最小断面寸法をφとし、前記コーティング層の前記表面における最小断面寸法をφとし、前記基準深さDと前記コーティング層の前記表面との間における最小断面寸法をφとしたとき、
φ≦0.6μmであり、φ/φ≦0.5である、請求項11乃至14のいずれか一項に記載の製造方法。
The position at which the depth from the surface of the coating layer is 10 μm is defined as a reference depth DS ,
In each through-hole, the minimum cross - sectional dimension at the reference depth DS is φP , the minimum cross - sectional dimension at the surface of the coating layer is φ2, and the distance between the reference depth DS and the surface of the coating layer is When φ Q is the minimum cross-sectional dimension between
15. The manufacturing method according to any one of claims 11 to 14, wherein φ Q ≤ 0.6 µm and φ QP ≤ 0.5.
前記基材は、厚さが50μm以上である、請求項11乃至15のいずれか一項に記載の製造方法。 The manufacturing method according to any one of claims 11 to 15, wherein the base material has a thickness of 50 µm or more. 前記基材は、ガラスまたは樹脂で構成される、請求項11乃至16のいずれか一項に記載の製造方法。 17. The manufacturing method according to any one of claims 11 to 16, wherein the base material is made of glass or resin. 前記コーティング層の厚さは、1μm~5μmの範囲である、請求項11乃至17のいずれか一項に記載の製造方法。 The manufacturing method according to any one of claims 11 to 17, wherein the coating layer has a thickness in the range of 1 µm to 5 µm.
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