JP2022151346A - Adhesive paste, application method of adhesive paste and production method of semiconductor device - Google Patents

Adhesive paste, application method of adhesive paste and production method of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2022151346A
JP2022151346A JP2021054377A JP2021054377A JP2022151346A JP 2022151346 A JP2022151346 A JP 2022151346A JP 2021054377 A JP2021054377 A JP 2021054377A JP 2021054377 A JP2021054377 A JP 2021054377A JP 2022151346 A JP2022151346 A JP 2022151346A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive paste
group
adhesive
mass
organic solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021054377A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
迪 三浦
Susumu Miura
学 宮脇
Manabu Miyawaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Priority to JP2021054377A priority Critical patent/JP2022151346A/en
Priority to TW111101084A priority patent/TW202300622A/en
Priority to KR1020220027322A priority patent/KR20220134436A/en
Priority to CN202210298900.3A priority patent/CN115124973A/en
Publication of JP2022151346A publication Critical patent/JP2022151346A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08Macromolecular additives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

To provide: an adhesive paste, a hardened material of which obtained by heating at low temperatures has an excellent adhesive property and which can favorably mount a semiconductor element even after a lapse of long time after application to a material to be applied; a method for using the adhesive paste as an adhesive for a fixing material of the semiconductor element; and a production method of a semiconductor device.SOLUTION: Disclosed is an adhesive paste including a thermosetting organopolysiloxane compound (A) and an organic solvent (SL) having a boiling point of 100°C or more but less than 254°C. The mass reduction rate of the adhesive paste before and after heating at 100°C for 2 hrs, mass reduction rate 100°C2h, is 10% or more and, when the rate of the paste before and after heating at 170°C for 2 hrs is denoted as mass reduction rate170°C2h, (mass reduction rate170°C2h)-(mass reduction100°C2h) is less than 14%.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、低温で加熱して得られる硬化物が接着性に優れ、かつ、被塗布物に塗布された後長時間放置された後であっても、半導体素子を良好にマウントすることが可能な接着ペースト、この接着ペーストを半導体素子固定材用接着剤として使用する方法、及びこの接着ペーストを半導体素子固定材用接着剤として使用する半導体装置の製造方法に関する。 According to the present invention, the cured product obtained by heating at a low temperature has excellent adhesiveness, and can satisfactorily mount a semiconductor element even after being left for a long time after being applied to an object to be coated. The present invention relates to an adhesive paste, a method of using this adhesive paste as an adhesive for a semiconductor element fixing material, and a method of manufacturing a semiconductor device using this adhesive paste as an adhesive for a semiconductor element fixing material.

従来、接着ペーストは用途に応じて様々な改良がなされ、光学部品や成形体の原料、接着剤、コーティング剤等として産業上広く利用されてきている。
また、接着ペーストは、半導体素子固定材用接着剤等の半導体素子固定材用ペーストとしても注目を浴びてきている。
Conventionally, adhesive pastes have been improved in various ways according to their uses, and have been widely used industrially as raw materials for optical parts and moldings, adhesives, coating agents, and the like.
Adhesive pastes are also attracting attention as pastes for semiconductor element fixing materials such as adhesives for semiconductor element fixing materials.

半導体素子には、レーザー、発光ダイオード(LED)等の発光素子や太陽電池等の受光素子等の光半導体素子、トランジスタ、温度センサや圧力センサ等のセンサ、集積回路等がある。 Semiconductor devices include light-emitting devices such as lasers and light-emitting diodes (LEDs), optical semiconductor devices such as light-receiving devices such as solar cells, transistors, sensors such as temperature sensors and pressure sensors, and integrated circuits.

半導体素子を固定する半導体素子用接着ペーストは、通常、吐出管(ニードル)を有する塗布装置を使用して被塗布物、例えばリードフレーム等の基板に塗布される。
このような吐出管を有する塗布装置においては、例えば、吐出管が垂直に下降して被塗布物に近づき、その先端部から所定量の接着ペーストを吐出した後、吐出管が上昇して被塗布物から離れるとともに、被塗布物が横に移動する。そして、この操作を繰り返すことで、連続的に半導体素子用接着ペーストが被塗布物に塗布される。その後、塗布された接着ペースト上に、半導体素子がマウント(搭載)され、被塗布物に接着される。
2. Description of the Related Art A semiconductor element adhesive paste for fixing a semiconductor element is usually applied to an object to be applied, such as a substrate such as a lead frame, using a coating device having a discharge pipe (needle).
In a coating apparatus having such a discharge pipe, for example, the discharge pipe descends vertically to approach the object to be coated, and after discharging a predetermined amount of adhesive paste from the tip of the discharge pipe, the discharge pipe rises to the object to be coated. As the object is separated from the object, the object to be coated moves laterally. By repeating this operation, the semiconductor element adhesive paste is continuously applied to the object to be applied. After that, a semiconductor element is mounted (mounted) on the applied adhesive paste and adhered to the object to be applied.

通常、被塗布物に接着ペーストが塗布された後においては、速やかに塗布された接着ペースト上に半導体素子がマウントされ、被塗布物に接着される。
しかしながら、生産ライン等においては、何らかの理由により、半導体素子がマウントされることなく、塗布された接着ペーストがそのまま長時間放置される場合がある。
このような場合、塗布された接着ペーストが長時間放置されると、接着ペースト中の粘度が変化し、半導体素子が好ましい状態でマウントされないことがあった。
この問題を解決するべく、特許文献1には、特定のポリシルセスキオキサン化合物を、沸点が254℃以上300℃以下である高沸点の有機溶媒を含む溶媒に溶解して得られる接着剤が提案され、該接着剤は、基板上に塗布された後20分以上経過後においても、塗布直後と同様に、光素子を良好にマウントすることが可能であり、接着性にも優れることが記載されている。
Usually, after the adhesive paste is applied to the object to be applied, the semiconductor element is mounted on the applied adhesive paste immediately and adhered to the object to be applied.
However, in a production line or the like, for some reason, the applied adhesive paste may be left as it is for a long time without mounting the semiconductor element.
In such a case, if the applied adhesive paste is left for a long time, the viscosity of the adhesive paste may change and the semiconductor element may not be mounted in a preferable state.
In order to solve this problem, Patent Document 1 discloses an adhesive obtained by dissolving a specific polysilsesquioxane compound in a solvent containing a high-boiling organic solvent having a boiling point of 254° C. or more and 300° C. or less. It is proposed that the adhesive is capable of mounting an optical element well even after 20 minutes or more from being applied to a substrate, just as immediately after application, and is also excellent in adhesiveness. It is

ところで、光学部品やセンサチップは、熱による影響を受けやすいものである。したがって、接着剤を硬化する方法として、加熱硬化法を採用する場合においては、光学部品やセンサチップに対する加熱の影響を避ける観点から、接着剤を極力低温で硬化させることが好ましい。
しかしながら、特許文献1に記載の接着剤は、170℃で2時間という高温長時間の加熱処理が必要なものであり、低温(例えば、100℃で2時間)での加熱処理では、溶媒が多量に残存して、十分な接着強度を得られないという懸念があった。加えて、低温で加熱時に、接着剤における溶媒を除いた成分(有効成分)の濃度が上昇する速度が遅いため、接着剤を十分に熱硬化させにくく、十分な接着強度を有する硬化物が得られないという懸念があった。
また、溶媒として、沸点が非常に低いアセトン等を用いた場合には、接着剤を吐出後、接着剤が直ぐに乾いてしまい、半導体素子を良好にマウントすることができないという懸念がある。
By the way, optical parts and sensor chips are easily affected by heat. Therefore, when the heat curing method is used as a method for curing the adhesive, it is preferable to cure the adhesive at a low temperature as much as possible from the viewpoint of avoiding the influence of heating on the optical parts and the sensor chip.
However, the adhesive described in Patent Document 1 requires heat treatment at a high temperature of 170° C. for 2 hours and for a long time. There was a concern that it would remain on the surface and a sufficient adhesive strength could not be obtained. In addition, when the adhesive is heated at a low temperature, the rate at which the concentration of the component (active ingredient) excluding the solvent in the adhesive increases is slow, so the adhesive is difficult to sufficiently heat cure, and a cured product having sufficient adhesive strength can be obtained. I was worried that it wouldn't work.
Further, when acetone or the like having a very low boiling point is used as a solvent, there is a concern that the adhesive dries immediately after being discharged, making it impossible to satisfactorily mount the semiconductor element.

したがって、低温で加熱して得られる硬化物が接着性に優れ、かつ、被塗布物に塗布された後長時間放置された場合であっても、塗布された直後と同様に、半導体素子を接着ペースト上に良好にマウントすることが可能な接着ペーストが要望されている。 Therefore, the cured product obtained by heating at a low temperature has excellent adhesiveness, and even if it is left for a long time after being applied to the object to be coated, the semiconductor element can be adhered in the same manner as immediately after application. There is a need for an adhesive paste that can be well mounted on the paste.

特開2018-168286号公報JP 2018-168286 A

本発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであり、低温で加熱して得られる硬化物が接着性に優れ、かつ、被塗布物に塗布された後長時間経過後であっても、半導体素子を良好にマウントすることが可能な接着ペースト、この接着ペーストを半導体素子固定材用接着剤として使用する方法、及びこの接着ペーストを半導体素子固定材用接着剤として使用する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
なお、本発明において、低温とは、80℃~120℃をいう。
また、「接着性に優れる」とは、「接着強度が高い」を意味する。
The present invention has been made in view of such circumstances, and the cured product obtained by heating at a low temperature has excellent adhesiveness, and even after a long time has passed after being applied to the object, it can be used as a semiconductor. An adhesive paste capable of mounting an element well, a method of using this adhesive paste as an adhesive for a semiconductor element fixing material, and a method of manufacturing a semiconductor device using this adhesive paste as an adhesive for a semiconductor element fixing material. intended to provide
In the present invention, low temperature means 80.degree. C. to 120.degree.
Moreover, "excellent adhesiveness" means "high adhesive strength".

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物を、沸点が100℃以上254℃未満である有機溶媒を含む溶媒に溶解して得られ、質量減少率を制御した接着ペーストは、低温で加熱した際に、溶媒が効率よく揮発するため、得られる硬化物が接着性に優れ、かつ、被塗布物に塗布された後長時間経過後であっても、半導体素子を良好にマウントすることが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。 The inventors of the present invention have made intensive studies to solve the above problems. As a result, an adhesive paste obtained by dissolving a thermosetting organopolysiloxane compound in a solvent containing an organic solvent having a boiling point of 100° C. or more and less than 254° C. and having a controlled mass reduction rate was found to be obtained when heated at a low temperature. , Since the solvent evaporates efficiently, the resulting cured product has excellent adhesiveness, and it is possible to mount the semiconductor element satisfactorily even after a long time has passed since it was applied to the object to be coated. The inventors have found that and completed the present invention.

かくして本発明によれば、下記〔1〕~〔10〕の接着ペースト、〔11〕の接着ペーストの使用方法、及び、〔12〕の接着ペーストを使用する半導体装置の製造方法が提供される。 Thus, according to the present invention, the following adhesive pastes [1] to [10], a method of using the adhesive paste of [11], and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive paste of [12] are provided.

〔1〕熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)及び溶媒(S)を含有し、前記熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)が、前記溶媒(S)に溶解してなる接着ペーストであって、前記溶媒(S)が、沸点が100℃以上254℃未満である有機溶媒(SL)を含むものであり、接着ペーストを100℃で2時間加熱した後の、加熱前後における前記接着ペーストの質量減少率100℃2hが、10%以上であり、かつ、接着ペーストを170℃で2時間加熱した後の、加熱前後における前記接着ペーストの質量減少率を質量減少率170℃2hとしたときに、質量減少率170℃2h-質量減少率100℃2hが、14%未満である接着ペースト。 [1] An adhesive paste containing a thermosetting organopolysiloxane compound (A) and a solvent (S), wherein the thermosetting organopolysiloxane compound (A) is dissolved in the solvent (S) , the solvent (S) contains an organic solvent (SL) having a boiling point of 100 ° C. or higher and lower than 254 ° C., and the mass of the adhesive paste before and after heating after heating the adhesive paste at 100 ° C. for 2 hours When the rate of decrease of 100° C. for 2 hours is 10% or more, and the rate of mass decrease of the adhesive paste before and after heating after heating the adhesive paste at 170° C. for 2 hours is the rate of mass decrease of 170° C. for 2 hours, Weight loss rate 170°C 2h - Adhesive paste whose mass loss rate 100°C 2h is less than 14%.

〔2〕前記熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)が、ポリシルセスキオキサン化合物である、〔1〕に記載の接着ペースト。
〔3〕前記有機溶媒(SL)が、沸点が100℃以上200℃未満のものである、〔1〕又は〔2〕に記載の接着ペースト。
〔4〕前記有機溶媒(SL)の含有量が、接着ペーストの総質量に対して、10質量%以上50質量%以下である、〔1〕~〔3〕のいずれかに記載の接着ペースト。
〔5〕前記溶媒(S)が、沸点が254℃以上300℃以下の有機溶媒(SH)を含むものである、〔1〕~〔4〕のいずれかに記載の接着ペースト。
[2] The adhesive paste according to [1], wherein the thermosetting organopolysiloxane compound (A) is a polysilsesquioxane compound.
[3] The adhesive paste according to [1] or [2], wherein the organic solvent (SL) has a boiling point of 100°C or higher and lower than 200°C.
[4] The adhesive paste according to any one of [1] to [3], wherein the content of the organic solvent (SL) is 10% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the total mass of the adhesive paste.
[5] The adhesive paste according to any one of [1] to [4], wherein the solvent (S) contains an organic solvent (SH) having a boiling point of 254°C or higher and 300°C or lower.

〔6〕さらに、下記(B)成分を含有する、〔1〕~〔5〕のいずれかに記載の接着ペースト。
(B)成分:シランカップリング剤
〔7〕さらに、下記(C)成分を含有する、〔1〕~〔6〕のいずれかに記載の接着ペースト。
(C)成分:微粒子
〔8〕固形分濃度が、50質量%以上90質量%以下である、〔1〕~〔7〕のいずれかに記載の接着ペースト。
〔9〕貴金属触媒を実質的に含有しない、〔1〕~〔8〕のいずれかに記載の接着ペースト。
〔10〕半導体素子固定材用接着剤である、〔1〕~〔9〕のいずれかに記載の接着ペースト。
[6] The adhesive paste according to any one of [1] to [5], further comprising the following component (B).
(B) component: silane coupling agent [7] The adhesive paste according to any one of [1] to [6], further comprising the following component (C).
(C) Component: fine particles [8] The adhesive paste according to any one of [1] to [7], having a solid content concentration of 50% by mass or more and 90% by mass or less.
[9] The adhesive paste according to any one of [1] to [8], which does not substantially contain a noble metal catalyst.
[10] The adhesive paste according to any one of [1] to [9], which is an adhesive for a semiconductor element fixing material.

〔11〕〔1〕~〔10〕のいずれかに記載の接着ペーストを、半導体素子固定材用接着剤として使用する方法。
〔12〕〔1〕~〔10〕のいずれかに記載の接着ペーストを、半導体素子固定材用接着剤として使用する半導体装置の製造方法であって、下記工程(BI)及び工程(BII)を有する半導体装置の製造方法。
工程(BI):半導体素子と支持基板の一方又は両方の接着面に前記接着ペーストを塗布し、圧着する工程
工程(BII):工程(BI)で得られた圧着物の前記接着ペーストを加熱硬化させ、前記半導体素子を前記支持基板に固定する工程
[11] A method of using the adhesive paste according to any one of [1] to [10] as an adhesive for a semiconductor element fixing material.
[12] A method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive paste according to any one of [1] to [10] as an adhesive for a semiconductor element fixing material, comprising the steps (BI) and (BII) below. A method for manufacturing a semiconductor device having
Step (BI): Applying the adhesive paste to the bonding surface of one or both of the semiconductor element and the support substrate, and press-bonding Step (BII): Heating and curing the adhesive paste of the crimped product obtained in Step (BI) and fixing the semiconductor element to the support substrate

本発明によれば、低温で加熱して得られる硬化物の接着性と、被塗布物に塗布された後長時間経過後であっても、半導体素子を良好にマウントすることが可能なチップマウント性とが両立された接着ペーストが提供される。
また、本発明によれば、この接着ペーストを半導体素子固定材用接着剤として使用する方法、及びこの接着ペーストを半導体素子固定材用接着剤として使用する半導体装置の製造方法が提供される。
According to the present invention, a chip mount that can satisfactorily mount a semiconductor element even after a long time has passed since the cured product obtained by heating at a low temperature has adhesiveness and is applied to the object to be coated. Adhesive pastes are provided that are compatible with the properties.
Further, according to the present invention, there are provided a method of using this adhesive paste as an adhesive for a semiconductor element fixing material, and a method of manufacturing a semiconductor device using this adhesive paste as an adhesive for a semiconductor element fixing material.

以下、本発明を、1)接着ペースト、2)接着ペーストの使用方法、及び、接着ペーストを使用する半導体装置の製造方法、に項分けして詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail by dividing into 1) adhesive paste, 2) method of using the adhesive paste, and method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive paste.

1)接着ペースト
本発明の接着ペーストは、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)及び溶媒(S)を含有し、前記熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)が、前記溶媒(S)に溶解してなる接着ペーストであって、前記溶媒(S)が、沸点が100℃以上254℃未満である有機溶媒(SL)を含むものであり、接着ペーストを100℃で2時間加熱した後の、加熱前後における前記接着ペーストの質量減少率100℃2hが、10%以上であり、かつ、接着ペーストを170℃で2時間加熱した後の、加熱前後における前記接着ペーストの質量減少率を質量減少率170℃2hとしたときに、質量減少率170℃2h-質量減少率100℃2hが、14%未満である。
1) Adhesive Paste The adhesive paste of the present invention contains a thermosetting organopolysiloxane compound (A) and a solvent (S), and the thermosetting organopolysiloxane compound (A) is dissolved in the solvent (S). wherein the solvent (S) contains an organic solvent (SL) having a boiling point of 100° C. or more and less than 254° C., and after heating the adhesive paste at 100° C. for 2 hours, The mass reduction rate of the adhesive paste before and after heating at 100° C. for 2 hours is 10% or more, and the mass reduction rate of the adhesive paste before and after heating after heating the adhesive paste at 170° C. for 2 hours is referred to as the mass reduction rate. When the temperature is 170°C for 2 hours, the mass reduction rate of 170°C for 2h - the mass reduction rate of 100°C for 2h is less than 14%.

なお、本発明において、接着ペーストとは、粘稠な液体であって、流動性を有する状態のものをいう。
本発明の接着ペーストは、前記状態の性質を有しているため、塗布工程における作業性に優れる。
ここで、塗布工程における作業性に優れるとは、塗布工程において、接着ペーストを吐出管から吐出し、次いで吐出管を引き上げる際、糸引き量が少ないか、又はすぐに途切れて、樹脂飛びしたり、塗布後に液滴が広がることにより、周囲を汚染したりすることがないことをいう。
In the present invention, the adhesive paste refers to a viscous liquid in a fluid state.
Since the adhesive paste of the present invention has the properties described above, it is excellent in workability in the coating process.
Here, excellent workability in the coating process means that in the coating process, when the adhesive paste is discharged from the discharge pipe and then the discharge pipe is pulled up, the amount of stringing is small or is interrupted immediately, causing resin to splatter. , means that there is no contamination of the surroundings due to spread of droplets after application.

本発明の接着ペーストは、接着ペーストを100℃で2時間加熱した後の、加熱前後における前記接着ペーストの質量減少率100℃2hは、10%以上、好ましくは12%以上50%未満、より好ましくは13%以上45%未満である。
質量減少率100℃2hが上記下限値以上であることにより、低温で加熱して得られる硬化物は接着性により優れるものとなる。
また、質量減少率100℃2hが上記上限値以上になると、低温で加熱して得られる硬化物の接着機能を発現する有効成分が少なくなるため、高い接着強度を発現しないおそれがあるが、上記上限値未満であることで、そのおそれを低減することができる。
なお、ここで、「有効成分」とは、接着ペースト中に含まれる溶媒(S)を除いた成分をいう。
After heating the adhesive paste at 100° C. for 2 hours, the adhesive paste of the present invention has a mass reduction rate of 100° C. for 2 hours before and after heating of 10% or more, preferably 12% or more and less than 50%, more preferably. is 13% or more and less than 45%.
When the mass reduction rate of 100° C. for 2 hours is equal to or higher than the above lower limit, the cured product obtained by heating at a low temperature has excellent adhesiveness.
In addition, when the mass reduction rate of 100° C. for 2 hours is equal to or higher than the above upper limit, the amount of the active ingredient that exhibits the adhesive function of the cured product obtained by heating at a low temperature decreases, so there is a risk that high adhesive strength will not be exhibited. By being less than the upper limit, the fear can be reduced.
Here, the term "active ingredient" refers to a component other than the solvent (S) contained in the adhesive paste.

また、本発明の接着ペーストは、接着ペーストを170℃で2時間加熱した後の、加熱前後における前記接着ペーストの質量減少率を質量減少率170℃2hとしたときに、質量減少率170℃2h-質量減少率100℃2hは14%未満、好ましくは12%未満、より好ましくは1%以上10%未満である。
質量減少率170℃2h-質量減少率100℃2hが上記上限値未満であることにより、低温で加熱した際に、高温で加熱する場合と同じように溶媒が効率よく揮発することで、低温で加熱して得られる硬化物は接着性により優れるものとなる。
質量減少率100℃2h及び質量減少率170℃2hは、実施例に記載の方法により測定することができる。
Further, the adhesive paste of the present invention has a mass reduction rate of 170 ° C. for 2 hours when the mass reduction rate of the adhesive paste before and after heating after heating the adhesive paste at 170 ° C. for 2 hours is 170° C. for 2 hours. - The mass reduction rate at 100°C for 2h is less than 14%, preferably less than 12%, more preferably 1% or more and less than 10%.
Since the mass reduction rate of 170°C for 2h - the mass reduction rate of 100°C for 2h is less than the above upper limit, when heated at a low temperature, the solvent evaporates efficiently in the same way as when heated at a high temperature, so that at a low temperature The cured product obtained by heating is superior in adhesiveness.
The mass reduction rate of 100° C. for 2 hours and the mass reduction rate of 170° C. for 2 hours can be measured by the method described in Examples.

〔熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)〕
本発明の接着ペーストは、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)(以下、「(A)成分」ということがある。)を含有する。
本発明の接着ペーストは、(A)成分を含有することにより、低温で加熱することにより接着性に優れる硬化物が得られ易くなる。
[Thermosetting organopolysiloxane compound (A)]
The adhesive paste of the present invention contains a thermosetting organopolysiloxane compound (A) (hereinafter sometimes referred to as "component (A)").
Since the adhesive paste of the present invention contains the component (A), a cured product having excellent adhesiveness can be easily obtained by heating at a low temperature.

本発明の熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)は、分子内に、炭素-ケイ素結合とシロキサン結合(-Si-O-Si-)を有する化合物である。
また、(A)成分は、熱硬化性の化合物であるため、加熱により、縮合反応が可能な官能基、及び加水分解を経て縮合反応が可能な官能基からなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基を有することが好ましい。
このような官能基としては、水酸基及びアルコキシ基からなる群から選ばれる少なくとも一種が好ましく、水酸基、炭素数1~10のアルコキシ基がより好ましい。
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)の主鎖構造に制限はなく、直鎖状、ラダー状、籠状のいずれであってもよい。
例えば、直鎖状の主鎖構造としては下記式(a-1)で表される構造が、ラダー状の主鎖構造としては下記式(a-2)で表される構造が、籠状の主鎖構造としては下記式(a-3)で表される構造が、それぞれ挙げられる。
The thermosetting organopolysiloxane compound (A) of the present invention is a compound having a carbon-silicon bond and a siloxane bond (--Si--O--Si--) in its molecule.
In addition, since component (A) is a thermosetting compound, at least one functional group selected from the group consisting of functional groups capable of condensation reaction by heating and functional groups capable of condensation reaction through hydrolysis It is preferred to have a group.
Such a functional group is preferably at least one selected from the group consisting of a hydroxyl group and an alkoxy group, more preferably a hydroxyl group and an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.
The main chain structure of the thermosetting organopolysiloxane compound (A) is not particularly limited, and may be linear, ladder-like, or cage-like.
For example, the structure represented by the following formula (a-1) is used as the linear main chain structure, and the structure represented by the following formula (a-2) is used as the ladder-like main chain structure. Examples of the main chain structure include structures represented by the following formula (a-3).

Figure 2022151346000001
Figure 2022151346000001

Figure 2022151346000002
Figure 2022151346000002

Figure 2022151346000003
Figure 2022151346000003

式(a-1)~(a-3)中、Rx、Ry、Rzは、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、有機基としては、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基が好ましい。式(a-1)の複数のRx、式(a-2)の複数のRy、及び式(a-3)の複数のRzは、それぞれ同一でも相異なっていてもよい。ただし、前記式(a-1)のRxが2つとも水素原子であることはない。 In formulas (a-1) to (a-3), Rx, Ry, and Rz each independently represent a hydrogen atom or an organic group, and the organic group includes an unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted A substituted or substituted cycloalkyl group, an unsubstituted or substituted alkenyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, or an alkylsilyl group is preferred. The plurality of Rx in formula (a-1), the plurality of Ry in formula (a-2), and the plurality of Rz in formula (a-3) may be the same or different. However, both Rx in formula (a-1) are not hydrogen atoms.

前記無置換若しくは置換基を有するアルキル基のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-へキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基等の炭素数1~10のアルキル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group of the unsubstituted or substituted alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, C1-C10 alkyl groups such as n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group and n-octyl group can be mentioned.

無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロへプチル基等の炭素数3~10のシクロアルキル基が挙げられる。 Cycloalkyl groups of unsubstituted or substituted cycloalkyl groups include, for example, cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms such as cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and cycloheptyl group.

無置換若しくは置換基を有するアルケニル基のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基等の炭素数2~10のアルケニル基が挙げられる。 Alkenyl groups of unsubstituted or substituted alkenyl groups include, for example, vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, and the like. Ten alkenyl groups are mentioned.

前記アルキル基、シクロアルキル基及びアルケニル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;(メタ)アクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。 Examples of substituents of the alkyl group, cycloalkyl group and alkenyl group include halogen atoms such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom; a hydroxyl group; a thiol group; an epoxy group; a glycidoxy group; unsubstituted or substituted aryl groups such as phenyl group, 4-methylphenyl group and 4-chlorophenyl group; and the like.

無置換又は置換基を有するアリール基のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等の炭素数6~10のアリール基が挙げられる。 The aryl group of unsubstituted or substituted aryl group includes, for example, aryl groups having 6 to 10 carbon atoms such as phenyl group, 1-naphthyl group and 2-naphthyl group.

前記アリール基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1~6のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;(メタ)アクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。 The substituents of the aryl group include halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms; alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as methyl and ethyl groups; 1 to 6 alkoxy groups; nitro group; cyano group; hydroxyl group; thiol group; epoxy group; glycidoxy group; (meth) acryloyloxy group; an aryl group having a substituent; and the like.

アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリt-ブチルシリル基、メチルジエチルシリル基、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、メチルシリル基、エチルシリル基等が挙げられる。 The alkylsilyl group includes trimethylsilyl group, triethylsilyl group, triisopropylsilyl group, tri-t-butylsilyl group, methyldiethylsilyl group, dimethylsilyl group, diethylsilyl group, methylsilyl group, ethylsilyl group and the like.

これらの中でも、Rx、Ry、Rzとしては、水素原子、無置換若しくは置換基を有する炭素数1~6のアルキル基、又はフェニル基が好ましく、無置換若しくは置換基を有する炭素数1~6のアルキル基が特に好ましい。 Among these, Rx, Ry, and Rz are preferably a hydrogen atom, an unsubstituted or substituted C 1-6 alkyl group, or a phenyl group, and an unsubstituted or substituted C 1-6 Alkyl groups are particularly preferred.

熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)は、例えば、加水分解性官能基(アルコキシ基、ハロゲン原子等)を有するシラン化合物を重縮合する、公知の製造方法により得ることができる。 The thermosetting organopolysiloxane compound (A) can be obtained, for example, by a known production method of polycondensing a silane compound having a hydrolyzable functional group (alkoxy group, halogen atom, etc.).

用いるシラン化合物は、目的とする熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)の構造に応じて適宜選択すればよい。好ましい具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等の2官能シラン化合物;
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-ブチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルジエトキシメトキシシラン等の3官能シラン化合物;
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラn-プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラn-ブトキシシラン、テトラt-ブトキシシラン、テトラs-ブトキシシラン、メトキシトリエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリメトキシエトキシシラン等の4官能シラン化合物;等が挙げられる。
The silane compound to be used may be appropriately selected according to the desired structure of the thermosetting organopolysiloxane compound (A). Preferred specific examples include bifunctional silane compounds such as dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, and diethyldiethoxysilane;
methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyldiethoxymethoxysilane, etc. a trifunctional silane compound of;
Tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra-t-butoxysilane, tetra-s-butoxysilane, methoxytriethoxysilane, dimethoxydiethoxysilane, trimethoxyethoxy tetrafunctional silane compounds such as silane; and the like.

熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)の質量平均分子量(Mw)は、通常、800以上30,000以下、好ましくは1,000以上20,000以下、より好ましくは1,200以上15,000以下、特に好ましくは3,000以上10,000以下である。質量平均分子量(Mw)が上記範囲内にある熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)を用いることにより、耐熱性及び接着性により優れる硬化物を与える接着ペーストが得られ易くなる。 The mass average molecular weight (Mw) of the thermosetting organopolysiloxane compound (A) is usually 800 or more and 30,000 or less, preferably 1,000 or more and 20,000 or less, more preferably 1,200 or more and 15,000 or less. , particularly preferably 3,000 or more and 10,000 or less. By using the thermosetting organopolysiloxane compound (A) having a mass-average molecular weight (Mw) within the above range, it becomes easier to obtain an adhesive paste that gives a cured product with superior heat resistance and adhesiveness.

熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)の分子量分布(Mw/Mn)は特に制限されないが、通常1.0以上10.0以下、好ましくは1.1以上6.0以下である。分子量分布(Mw/Mn)が上記範囲内にある熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)を用いることにより、耐熱性及び接着性により優れる硬化物を与える接着ペーストが得られ易くなる。
質量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は、例えば、テトラヒドロフラン(THF)を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)による標準ポリスチレン換算値として求めることができる。
Although the molecular weight distribution (Mw/Mn) of the thermosetting organopolysiloxane compound (A) is not particularly limited, it is usually 1.0 or more and 10.0 or less, preferably 1.1 or more and 6.0 or less. By using a thermosetting organopolysiloxane compound (A) having a molecular weight distribution (Mw/Mn) within the above range, it becomes easier to obtain an adhesive paste that gives a cured product with superior heat resistance and adhesiveness.
The mass average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) can be obtained as standard polystyrene conversion values by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran (THF) as a solvent, for example.

本発明の熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)は、3官能オルガノシラン化合加を重縮合して得られる、ポリシルセスキオキサン化合物であることが好ましい。
本発明の接着ペーストは、(A)成分として、ポリシルセスキオキサン化合物を含有することにより、低温で加熱して接着性に優れる硬化物が得られ易くなる。
The thermosetting organopolysiloxane compound (A) of the present invention is preferably a polysilsesquioxane compound obtained by polycondensation of trifunctional organosilane compounding.
Since the adhesive paste of the present invention contains a polysilsesquioxane compound as the component (A), it becomes easier to obtain a cured product having excellent adhesiveness by heating at a low temperature.

本発明のポリシルセスキオキサン化合物は、下記式(a-4)で示される繰り返し単位を有する化合物である。
本発明の接着ペーストは、(A)成分として、下記式(a-4)で示される繰り返し単位を有するポリシルセスキオキサン化合物を含有することにより、低温で加熱して接着性により優れる硬化物が得られ易くなる。
The polysilsesquioxane compound of the present invention is a compound having a repeating unit represented by the following formula (a-4).
The adhesive paste of the present invention contains, as the component (A), a polysilsesquioxane compound having a repeating unit represented by the following formula (a-4), whereby a cured product which is excellent in adhesiveness when heated at a low temperature is obtained. becomes easier to obtain.

Figure 2022151346000004
Figure 2022151346000004

式(a-4)中、Rは有機基を表す。有機基としては、無置換のアルキル基、置換基を有するアルキル基、無置換のシクロアルキル基、置換基を有するシクロアルキル基、無置換のアルケニル基、置換基を有するアルケニル基、無置換のアリール基、置換基を有するアリール基、及び、アルキルシリル基からなる群から選ばれる基が好ましく、無置換の炭素数1~10のアルキル基、置換基を有する炭素数1~10のアルキル基、無置換の炭素数6~12のアリール基、及び、置換基を有する炭素数6~12のアリール基からなる群から選ばれる基がより好ましい。 In formula (a-4), R 1 represents an organic group. Examples of organic groups include unsubstituted alkyl groups, substituted alkyl groups, unsubstituted cycloalkyl groups, substituted cycloalkyl groups, unsubstituted alkenyl groups, substituted alkenyl groups, and unsubstituted aryl groups. aryl groups having substituents, and groups selected from the group consisting of alkylsilyl groups, unsubstituted alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, substituted alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, unsubstituted A group selected from the group consisting of a substituted C6-C12 aryl group and a C6-C12 aryl group having a substituent is more preferred.

「無置換の炭素数1~10のアルキル基」としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基等が挙げられる。
で表される「無置換の炭素数1~10のアルキル基」の炭素数は、1~6が好ましく、1~3がより好ましい。
The "unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms" includes methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, n- pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and the like.
The number of carbon atoms in the “unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms” represented by R 1 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3.

で表される「置換基を有する炭素数1~10のアルキル基」の炭素数は、1~6が好ましく、1~3がより好ましい。なお、この炭素数は、置換基を除いた部分(アルキル基の部分)の炭素数を意味するものである。したがって、Rが「置換基を有する炭素数1~10のアルキル基」である場合、Rの炭素数は10を超える場合もあり得る。
「置換基を有する炭素数1~10のアルキル基」のアルキル基としては、「無置換の炭素数1~10のアルキル基」として示したものと同様のものが挙げられる。
The number of carbon atoms in the “substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms” represented by R 1 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3. The number of carbon atoms means the number of carbon atoms in the portion (alkyl group portion) excluding the substituents. Therefore, when R 1 is a “substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms”, the number of carbon atoms in R 1 may exceed 10 in some cases.
Examples of the alkyl group of the "substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms" include the same groups as the "unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms".

「置換基を有する炭素数1~10のアルキル基」の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;シアノ基;式:OGで表される基;等が挙げられる。
「置換基を有する炭素数1~10のアルキル基」の置換基の原子の数(ただし水素原子の数を除く)は、通常1~30、好ましくは1~20である。
ここで、Gは水酸基の保護基を表す。水酸基の保護基としては、特に制約はなく、水酸基の保護基として知られている公知の保護基が挙げられる。例えば、アシル系;トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基等のシリル系;メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、1-エトキシエチル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、テトラヒドロフラン-2-イル基等のアセタール系;t-ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル系;メチル基、エチル基、t-ブチル基、オクチル基、アリル基、トリフェニルメチル基、ベンジル基、p-メトキシベンジル基、フルオレニル基、トリチル基、ベンズヒドリル基等のエーテル系;等が挙げられる。
Examples of substituents of the "substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms" include halogen atoms such as fluorine, chlorine and bromine atoms; cyano groups; groups represented by the formula: OG;
The number of substituent atoms in the "substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms" (excluding the number of hydrogen atoms) is generally 1 to 30, preferably 1 to 20.
Here, G represents a hydroxyl-protecting group. The hydroxyl-protecting group is not particularly limited, and includes known protecting groups known as hydroxyl-protecting groups. For example, acyl group; silyl group such as trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, t-butyldiphenylsilyl group; methoxymethyl group, methoxyethoxymethyl group, 1-ethoxyethyl group, tetrahydropyran-2- acetal group such as yl group and tetrahydrofuran-2-yl group; alkoxycarbonyl group such as t-butoxycarbonyl group; methyl group, ethyl group, t-butyl group, octyl group, allyl group, triphenylmethyl group, benzyl group, ethers such as p-methoxybenzyl group, fluorenyl group, trityl group and benzhydryl group;

「無置換の炭素数6~12のアリール基」としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等が挙げられる。
で表される「無置換の炭素数6~12のアリール基」の炭素数は6が好ましい。
Examples of the “unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms” include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group and the like.
The number of carbon atoms in the “unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms” represented by R 1 is preferably 6.

で表される「置換基を有する炭素数6~12のアリール基」の炭素数は6が好ましい。なお、この炭素数は、置換基を除いた部分(アリール基の部分)の炭素数を意味するものである。したがって、Rが「置換基を有する炭素数6~12のアリール基」である場合、Rの炭素数は12を超える場合もあり得る。
「置換基を有する炭素数6~12のアリール基」のアリール基としては、「無置換の炭素数6~12のアリール基」として示したものと同様のものが挙げられる。
The number of carbon atoms in the “substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms” represented by R 1 is preferably 6. The number of carbon atoms means the number of carbon atoms in the portion (aryl group portion) excluding the substituents. Therefore, when R 1 is a “substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms”, the number of carbon atoms in R 1 may exceed 12 in some cases.
Examples of the aryl group of the "substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms" include the same aryl groups as the "unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms".

「置換基を有する炭素数6~12のアリール基」の置換基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソオクチル基等のアルキル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;等が挙げられる。
「置換基を有する炭素数6~12のアリール基」の置換基の原子の数(ただし水素原子の数を除く)は、通常1~30、好ましくは1~20である。
Examples of the substituents of the "substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms" include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group and t-butyl. Alkyl groups such as group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group and isooctyl group; halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom and bromine atom; alkoxy such as methoxy group and ethoxy group group; and the like.
The number of substituent atoms (excluding the number of hydrogen atoms) of the "substituted C6-C12 aryl group" is usually 1-30, preferably 1-20.

これらの中でも、Rとしては、構造の安定したポリシルセスキオキサン化合物が得られ易く、接着ペーストとしての性能がより安定する観点から、無置換の炭素数1~10のアルキル基、フッ素原子を有する炭素数1~10のアルキル基、及び無置換の炭素数6~12のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
が、無置換の炭素数1~10のアルキル基であるポリシルセスキオキサン化合物を用いることにより、耐熱性及び接着性により優れる硬化物を与える接着ペーストが得られ易くなる。
が、フッ素原子を有する炭素数1~10のアルキル基であるポリシルセスキオキサン化合物を用いることにより、屈折率が低い接着ペーストや硬化物が得られ易くなり、屈折率が低いことが要望される光半導体素子に好適に用いられ易くなる。
フッ素原子を有する炭素数1~10のアルキル基としては、組成式:C(2m-n+1)で表される基(mは1~10の整数、nは1以上、(2m+1)以下の整数である。)が挙げられる。これらの中でも、3,3,3-トリフルオロプロピル基が好ましい。
が無置換の炭素数6~12のアリール基であるポリシルセスキオキサン化合物を用いることにより、屈折率が高い接着ペーストや硬化物が得られ易くなり、屈折率が高いことが要望される光半導体素子に好適に用いられ易くなる。
Among these, R 1 is an unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorine atom, from the viewpoint of easily obtaining a polysilsesquioxane compound with a stable structure and more stable performance as an adhesive paste. and an unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms.
By using a polysilsesquioxane compound in which R 1 is an unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, it becomes easier to obtain an adhesive paste that gives a cured product with excellent heat resistance and adhesiveness.
By using a polysilsesquioxane compound in which R 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and having a fluorine atom, it becomes easier to obtain an adhesive paste or a cured product having a low refractive index. It becomes easy to be suitably used for the desired optical semiconductor device.
As the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and having a fluorine atom, a group represented by the composition formula: C m H (2m−n+1) F n (m is an integer of 1 to 10, n is 1 or more, (2m+1) are the following integers). Among these, a 3,3,3-trifluoropropyl group is preferred.
By using a polysilsesquioxane compound in which R 1 is an unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, it becomes easy to obtain an adhesive paste or a cured product having a high refractive index, and a high refractive index is desired. It becomes easy to be suitably used for the optical semiconductor element which is used.

ポリシルセスキオキサン化合物中の前記式(a-4)で示される繰り返し単位(すなわち、後述のTサイト)の含有割合は、全繰り返し単位に対して、通常、50~100mol%であり、70~100mol%であることがより好ましく、90~100mol%であることがさらに好ましく、100mol%であることが特に好ましい。
前記式(a-4)で示される繰り返し単位(Tサイト)の含有割合が、上記割合であるポリシルセスキオキサン化合物を用いることで、耐熱性、接着性及び屈折率の性能を発現し易い接着ペーストを得ることができる。
ポリシルセスキオキサン化合物中の前記式(a-4)で示される繰り返し単位(Tサイト)の含有割合は、例えば、NMRピークの帰属及び面積の積分が可能である場合には、29Si-NMR及びH-NMRを測定することにより求めることができる。
The content of the repeating unit represented by the formula (a-4) (that is, the T site described later) in the polysilsesquioxane compound is usually 50 to 100 mol% of the total repeating units, and 70 It is more preferably up to 100 mol %, still more preferably 90 to 100 mol %, and particularly preferably 100 mol %.
By using a polysilsesquioxane compound in which the content ratio of the repeating unit (T site) represented by the formula (a-4) is the above ratio, heat resistance, adhesiveness, and refractive index performance are easily expressed. An adhesive paste can be obtained.
The content ratio of the repeating unit (T site) represented by the formula (a-4) in the polysilsesquioxane compound is, for example, 29 Si- when NMR peak assignment and area integration are possible. It can be determined by measuring NMR and 1 H-NMR.

ポリシルセスキオキサン化合物は、アセトン等のケトン系溶媒;ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;ジメチルスルホキシド等の含硫黄系溶媒;テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒;酢酸エチル等のエステル系溶媒;クロロホルム等の含ハロゲン系溶媒;及びこれらの二種以上からなる混合溶媒;等の各種有機溶媒に可溶である。そのため、これらの溶媒を用いて、ポリシルセスキオキサン化合物の溶液状態での29Si-NMRを測定することができる。 Polysilsesquioxane compounds include ketone solvents such as acetone; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene; sulfur-containing solvents such as dimethylsulfoxide; ether solvents such as tetrahydrofuran; ester solvents such as ethyl acetate; soluble in various organic solvents such as halogen-containing solvents such as; and mixed solvents comprising two or more of these. Therefore, these solvents can be used to measure the 29 Si-NMR of the polysilsesquioxane compound in a solution state.

前記式(a-4)で示される繰り返し単位は、下記式(a-5)で示されるものであることが好ましい。 The repeating unit represented by the formula (a-4) is preferably represented by the following formula (a-5).

Figure 2022151346000005
Figure 2022151346000005

式(a-5)で示されるように、ポリシルセスキオキサン化合物は、一般にTサイトと総称される、ケイ素原子に酸素原子が3つ結合し、それ以外の基(R)が1つ結合してなる部分構造を有する。 As shown in formula (a-5), the polysilsesquioxane compound has three oxygen atoms bonded to a silicon atom, generally referred to as T sites, and one other group (R 1 ). It has a partial structure formed by bonding.

式(a-5)中、Rは、前記式(a-4)におけるRと同じ意味を表す。*は、Si原子、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を表し、3つの*のうち少なくとも1つはSi原子である。*の炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基等が挙げられる。複数の*同士は、すべて同一であっても相異なっていてもよい。 In formula (a-5), R 1 has the same meaning as R 1 in formula (a-4). * represents a Si atom, a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of the three * is a Si atom. Examples of alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms represented by * include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group and t-butyl group. A plurality of * may all be the same or different.

また、ポリシルセスキオキサン化合物は、熱硬化性の化合物であり、加熱により、縮合反応及び/又は加水分解を経て縮合反応が可能な化合物である。そのため、ポリシルセスキオキサン化合物が有する複数の繰り返し単位(Tサイト)の前記式(a-5)中の*のうち、少なくとも1つは、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
なお、ポリシルセスキオキサン化合物が測定用の溶媒に可溶である場合には、29Si-NMRを測定することにより、前記式(a-5)中の*における水素原子又は炭素数1~10のアルキル基の存在や、前記式(a-5)中の3つの*が全てSi原子である繰り返し単位であるかを確認することができる。
さらに、29Si-NMRのピークの帰属及び面積の積分が可能である場合には、ポリシルセスキオキサン化合物中の前記式(a-4)で示される繰り返し単位(Tサイト)の総数に対する、前記式(a-5)中の3つの*が全てSi原子である繰り返し単位の総数を概算することができる。
このポリシルセスキオキサン化合物中の前記式(a-4)で示される繰り返し単位(Tサイト)の総数に対する、前記式(a-5)中の3つの*が全てSi原子である繰り返し単位の総数は、耐熱性により優れる硬化物を与える接着ペーストが得られ易くなる観点から、30~95mol%であることが好ましく、40~90mol%であることがより好ましい。
In addition, the polysilsesquioxane compound is a thermosetting compound, and is a compound capable of undergoing condensation reaction and/or hydrolysis by heating. Therefore, at least one of * in the above formula (a-5) of the plurality of repeating units (T sites) possessed by the polysilsesquioxane compound is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. is preferred, and a hydrogen atom is more preferred.
In addition, when the polysilsesquioxane compound is soluble in the solvent for measurement, by measuring 29 Si-NMR, the hydrogen atom or the number of carbon atoms in * in the above formula (a-5) is 1 to 1 It is possible to confirm the presence of 10 alkyl groups and whether or not the three * in the above formula (a-5) are all Si atoms in the repeating unit.
Furthermore, when assignment of 29 Si-NMR peaks and integration of areas are possible, with respect to the total number of repeating units (T sites) represented by the formula (a-4) in the polysilsesquioxane compound, The total number of repeating units in which all three * in the formula (a-5) are Si atoms can be roughly calculated.
The total number of repeating units (T sites) represented by the formula (a-4) in the polysilsesquioxane compound, and the number of repeating units in which all three * in the formula (a-5) are Si atoms. The total number is preferably 30 to 95 mol %, more preferably 40 to 90 mol %, from the viewpoint of easily obtaining an adhesive paste that gives a cured product with excellent heat resistance.

ポリシルセスキオキサン化合物は、一種のRを有するもの(単独重合体)であってもよく、二種以上のRを有するもの(共重合体)であってもよい。 The polysilsesquioxane compound may have one type of R 1 (homopolymer) or may have two or more types of R 1 (copolymer).

ポリシルセスキオキサン化合物が共重合体である場合、ポリシルセスキオキサン化合物は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体等のいずれであってもよいが、製造容易性等の観点からは、ランダム共重合体が好ましい。
また、ポリシルセスキオキサン化合物の構造は、ラダー型構造、ダブルデッカー型構造、籠型構造、部分開裂籠型構造、環状型構造、ランダム型構造のいずれの構造であってもよい。
When the polysilsesquioxane compound is a copolymer, the polysilsesquioxane compound may be any of random copolymers, block copolymers, graft copolymers, alternating copolymers, and the like. , random copolymers are preferred from the viewpoint of ease of production.
Moreover, the structure of the polysilsesquioxane compound may be any one of a ladder structure, a double decker structure, a cage structure, a partially cleaved cage structure, a cyclic structure, and a random structure.

本発明において、ポリシルセスキオキサン化合物は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。 In the present invention, polysilsesquioxane compounds can be used singly or in combination of two or more.

ポリシルセスキオキサン化合物の製造方法は特に限定されない。例えば、下記式(a-6) The method for producing the polysilsesquioxane compound is not particularly limited. For example, the following formula (a-6)

Figure 2022151346000006
Figure 2022151346000006

(式中、Rは、前記式(a-4)におけるRと同じ意味を表す。Rは炭素数1~10のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、pは0~3の整数を表す。複数のR、及び複数のXは、それぞれ、互いに同一であっても、相異なっていてもよい。)
で示されるシラン化合物(1)の少なくとも一種を重縮合させることにより、ポリシルセスキオキサン化合物を製造することができる。
の炭素数1~10のアルキル基としては、前記式(a-5)中の*の炭素数1~10のアルキル基として示したものと同様のものが挙げられる。
のハロゲン原子としては、塩素原子、及び臭素原子等が挙げられる。
(In the formula, R 1 has the same meaning as R 1 in the formula (a-4), R 2 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, X 1 represents a halogen atom, p is 0 to represents an integer of 3. Multiple R 2 and multiple X 1 may be the same or different.)
A polysilsesquioxane compound can be produced by polycondensing at least one of the silane compounds (1) represented by.
Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 2 include the same groups as the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by * in the above formula (a-5).
A chlorine atom, a bromine atom, etc. are mentioned as a halogen atom of X1.

シラン化合物(1)の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン化合物類;
メチルクロロジメトキシシラン、メチルクロロジエトキシシラン、メチルジクロロメトキシシラン、メチルブロモジメトキシシラン、エチルクロロジメトキシシラン、エチルクロロジエトキシシラン、エチルジクロロメトキシシラン、エチルブロモジメトキシシラン等のアルキルハロゲノアルコキシシラン化合物類;
メチルトリクロロシラン、メチルトリブロモシラン、エチルトリクロロシラン、エチルトリブロモシラン等のアルキルトリハロゲノシラン化合物類;
Specific examples of the silane compound (1) include alkyltrialkoxysilane compounds such as methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, and ethyltripropoxysilane;
alkylhalogenoalkoxysilane compounds such as methylchlorodimethoxysilane, methylchlorodiethoxysilane, methyldichloromethoxysilane, methylbromodimethoxysilane, ethylchlorodimethoxysilane, ethylchlorodiethoxysilane, ethyldichloromethoxysilane, ethylbromodimethoxysilane;
Alkyltrihalogenosilane compounds such as methyltrichlorosilane, methyltribromosilane, ethyltrichlorosilane, ethyltribromosilane;

3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、2-シアノエチルトリメトキシシラン、2-シアノエチルトリエトキシシラン等の置換アルキルトリアルコキシシラン化合物類;
3,3,3-トリフルオロプロピルクロロジメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルクロロジエトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルジクロロメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルジクロロエトキシシラン、2-シアノエチルクロロジメトキシシラン、2-シアノエチルクロロジエトキシシラン、2-シアノエチルジクロロメトキシシラン、2-シアノエチルジクロロエトキシシラン等の置換アルキルハロゲノアルコキシシラン化合物類;
3,3,3-トリフルオロプロピルトリクロロシラン、2-シアノエチルトリクロロシラン等の置換アルキルトリハロゲノシラン化合物類;
substituted alkyltrialkoxysilane compounds such as 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane, 2-cyanoethyltrimethoxysilane, 2-cyanoethyltriethoxysilane;
3,3,3-trifluoropropylchlorodimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropylchlorodiethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyldichloromethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyldichloro substituted alkylhalogenoalkoxysilane compounds such as ethoxysilane, 2-cyanoethylchlorodimethoxysilane, 2-cyanoethylchlorodiethoxysilane, 2-cyanoethyldichloromethoxysilane, 2-cyanoethyldichloroethoxysilane;
substituted alkyltrihalogenosilane compounds such as 3,3,3-trifluoropropyltrichlorosilane, 2-cyanoethyltrichlorosilane;

フェニルトリメトキシシラン、4-メトキシフェニルトリメトキシシラン等の、置換基を有する、又は置換基を有さないフェニルトリアルコキシシラン化合物類;
フェニルクロロジメトキシシラン、フェニルジクロロメトキシシラン、4-メトキシフェニルクロロジメトキシシラン、4-メトキシフェニルジクロロメトキシシラン等の、置換基を有する、又は置換基を有さないフェニルハロゲノアルコキシシラン化合物類;
フェニルトリクロロシラン、4-メトキシフェニルトリクロロシラン等の、置換基を有する、又は置換基を有さないフェニルトリハロゲノシラン化合物類;等が挙げられる。
これらのシラン化合物(1)は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
Phenyltrialkoxysilane compounds with or without substituents, such as phenyltrimethoxysilane, 4-methoxyphenyltrimethoxysilane;
phenylhalogenoalkoxysilane compounds with or without substituents, such as phenylchlorodimethoxysilane, phenyldichloromethoxysilane, 4-methoxyphenylchlorodimethoxysilane, 4-methoxyphenyldichloromethoxysilane;
phenyltrihalogenosilane compounds with or without substituents, such as phenyltrichlorosilane and 4-methoxyphenyltrichlorosilane; and the like.
These silane compounds (1) can be used singly or in combination of two or more.

前記シラン化合物(1)を重縮合させる方法は特に限定されない。例えば、溶媒中、又は無溶媒で、シラン化合物(1)に、所定量の重縮合触媒を添加し、所定温度で撹拌する方法が挙げられる。より具体的には、(a)シラン化合物(1)に、所定量の酸触媒を添加し、所定温度で撹拌する方法、(b)シラン化合物(1)に、所定量の塩基触媒を添加し、所定温度で撹拌する方法、(c)シラン化合物(1)に、所定量の酸触媒を添加し、所定温度で撹拌した後、過剰量の塩基触媒を添加して、反応系を塩基性とし、所定温度で撹拌する方法等が挙げられる。これらの中でも、効率よく目的とするポリシルセスキオキサン化合物を得ることができることから、(a)又は(c)の方法が好ましい。 The method of polycondensing the silane compound (1) is not particularly limited. For example, a method of adding a predetermined amount of a polycondensation catalyst to the silane compound (1) in a solvent or without a solvent and stirring the mixture at a predetermined temperature can be used. More specifically, (a) a method of adding a predetermined amount of an acid catalyst to the silane compound (1) and stirring at a predetermined temperature; (b) adding a predetermined amount of a base catalyst to the silane compound (1); (c) adding a predetermined amount of an acid catalyst to the silane compound (1) and stirring at a predetermined temperature; and then adding an excess amount of a base catalyst to make the reaction system basic. , a method of stirring at a predetermined temperature, and the like. Among these, the method (a) or (c) is preferable because the desired polysilsesquioxane compound can be obtained efficiently.

用いる重縮合触媒は、酸触媒及び塩基触媒のいずれであってもよい。また、2以上の重縮合触媒を組み合わせて用いてもよいが、少なくとも酸触媒を用いることが好ましい。
酸触媒としては、リン酸、塩酸、ホウ酸、硫酸、硝酸等の無機酸;クエン酸、酢酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸等の有機酸;等が挙げられる。これらの中でも、リン酸、塩酸、ホウ酸、硫酸、クエン酸、酢酸、及びメタンスルホン酸から選ばれる少なくとも一種が好ましい。
The polycondensation catalyst to be used may be either an acid catalyst or a base catalyst. Two or more polycondensation catalysts may be used in combination, but at least an acid catalyst is preferably used.
Acid catalysts include inorganic acids such as phosphoric acid, hydrochloric acid, boric acid, sulfuric acid and nitric acid; organic acids such as citric acid, acetic acid, methanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid and p-toluenesulfonic acid; is mentioned. Among these, at least one selected from phosphoric acid, hydrochloric acid, boric acid, sulfuric acid, citric acid, acetic acid, and methanesulfonic acid is preferred.

塩基触媒としては、アンモニア水;トリメチルアミン、トリエチルアミン、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムビス(トリメチルシリル)アミド、ピリジン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、アニリン、ピコリン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、イミダゾール等の有機塩基;水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム等の有機塩水酸化物;ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムt-ブトキシド、カリウムt-ブトキシド等の金属アルコキシド;水素化ナトリウム、水素化カルシウム等の金属水素化物;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の金属水酸化物;炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム等の金属炭酸塩;炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸水素塩;等が挙げられる。 Base catalysts include aqueous ammonia; trimethylamine, triethylamine, lithium diisopropylamide, lithium bis(trimethylsilyl)amide, pyridine, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]-7-undecene, aniline, picoline, 1,4- Organic bases such as diazabicyclo[2.2.2]octane and imidazole; Organic salt hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide; sodium methoxide, sodium ethoxide, sodium t-butoxide, potassium t-butoxide Metal alkoxides such as; Metal hydrides such as sodium hydride and calcium hydride; Metal hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and calcium hydroxide; Metal carbonates such as sodium carbonate, potassium carbonate and magnesium carbonate; metal hydrogen carbonates such as sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate;

重縮合触媒の使用量は、シラン化合物(1)の総mol量に対して、通常、0.05~10mol%、好ましくは0.1~5mol%の範囲である。 The amount of the polycondensation catalyst to be used is generally in the range of 0.05-10 mol %, preferably 0.1-5 mol %, relative to the total molar amount of the silane compound (1).

重縮合時に溶媒を用いる場合、用いる溶媒は、シラン化合物(1)の種類等に応じて、適宜選択することができる。例えば、水;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル等のエステル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、s-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール等のアルコール類;等が挙げられる。これらの溶媒は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記(c)の方法を採用する場合、酸触媒の存在下、水系で重縮合反応を行った後、反応液に、有機溶媒と過剰量の塩基触媒(アンモニア水など)を添加し、塩基性条件下で、更に重縮合反応を行うようにしてもよい。 When a solvent is used during polycondensation, the solvent to be used can be appropriately selected according to the type of silane compound (1) and the like. For example, water; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate and methyl propionate; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone. alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, s-butyl alcohol and t-butyl alcohol; These solvents can be used singly or in combination of two or more. Further, when the above method (c) is employed, after the polycondensation reaction is carried out in an aqueous system in the presence of an acid catalyst, an organic solvent and an excess amount of a base catalyst (such as aqueous ammonia) are added to the reaction solution, A further polycondensation reaction may be carried out under basic conditions.

溶媒の使用量は、シラン化合物(1)の総mol量1mol当たり、通常、0.001リットル以上10リットル以下、好ましくは0.01リットル以上0.9リットル以下である。 The amount of the solvent to be used is generally 0.001 liter or more and 10 liter or less, preferably 0.01 liter or more and 0.9 liter or less, per 1 mol of the total mol of the silane compound (1).

シラン化合物(1)を重縮合させるときの温度は、通常0℃から用いる溶媒の沸点までの温度範囲、好ましくは20℃以上100℃以下の範囲である。反応温度があまりに低いと重縮合反応の進行が不十分となる場合がある。一方、反応温度が高くなりすぎるとゲル化抑制が困難となる。反応は、通常30分から30時間で完結する。 The temperature at which the silane compound (1) is polycondensed is usually in the range of 0°C to the boiling point of the solvent used, preferably in the range of 20°C to 100°C. If the reaction temperature is too low, the polycondensation reaction may proceed insufficiently. On the other hand, if the reaction temperature is too high, it becomes difficult to suppress gelation. The reaction is usually completed in 30 minutes to 30 hours.

なお、用いるモノマーの種類によっては、高分子量化が困難な場合がある。例えば、Rがフッ素原子を有するアルキル基であるモノマーは、Rが通常のアルキル基であるモノマーよりも反応性に劣る傾向がある。このような場合、触媒量を減らし、かつ、穏やかな条件で長時間反応を行うことにより、目的の分子量のポリシルセスキオキサン化合物が得られ易くなる。 In addition, depending on the kind of monomer to be used, it may be difficult to increase the molecular weight. For example, a monomer in which R 1 is an alkyl group having a fluorine atom tends to be less reactive than a monomer in which R 1 is a normal alkyl group. In such a case, a polysilsesquioxane compound having a desired molecular weight can be easily obtained by reducing the amount of catalyst and conducting the reaction under mild conditions for a long time.

反応終了後は、酸触媒を用いた場合は、反応溶液に炭酸水素ナトリウム等のアルカリ水溶液を添加することにより、塩基触媒を用いた場合は、反応溶液に塩酸等の酸を添加することにより中和を行い、その際に生じる塩をろ別又は水洗等により除去し、目的とするポリシルセスキオキサン化合物を得ることができる。 After the completion of the reaction, when an acid catalyst is used, an aqueous alkali solution such as sodium hydrogen carbonate is added to the reaction solution, and when a base catalyst is used, an acid such as hydrochloric acid is added to the reaction solution. The resulting salt is removed by filtration or washing with water to obtain the intended polysilsesquioxane compound.

上記方法により、ポリシルセスキオキサン化合物を製造する際、シラン化合物(1)のOR又はXのうち、加水分解およびその後の縮合反応等が起こらなかった部分は、ポリシルセスキオキサン化合物中に残存する。 When the polysilsesquioxane compound is produced by the above method, the portion of OR 2 or X 1 of the silane compound (1) that has not undergone hydrolysis and subsequent condensation reaction is the polysilsesquioxane compound remain inside.

(A)成分が、例えば、シラン化合物(1)の重縮合反応により得られたポリシルセスキオキサン化合物である場合、後述のシランカップリング剤との反応を含め、硬化は縮合反応で進行するため、本発明の接着ペーストは、白金触媒等の貴金属触媒の存在下で付加反応が進行して硬化する一般的な加熱硬化型シリコーン接着剤とは異なるものである。
したがって、本発明のポリシルセスキオキサン化合物を含有する接着ペーストは、貴金属触媒を実質的に含有しない、又は貴金属触媒の含有量が少ないものである。
ここで、「貴金属触媒を実質的に含有しない、又は貴金属触媒の含有量が少ない」とは、「貴金属触媒と解釈され得る成分が意図的に添加されていないことのほか、接着ペースト中の有効成分の量に対して、貴金属触媒の含有量が触媒金属元素の質量換算で、例えば、1質量ppm未満であること」を意味する。
接着ペーストは、調合ばらつき等を考慮した安定的な製造の観点、貯蔵安定性の観点、貴金属触媒が高価なものである観点等から、貴金属触媒を実質的に含有しない、又は貴金属触媒の含有量が少ないものであることが好ましい。
When the component (A) is, for example, a polysilsesquioxane compound obtained by the polycondensation reaction of the silane compound (1), curing proceeds through a condensation reaction, including reaction with the silane coupling agent described below. Therefore, the adhesive paste of the present invention is different from general heat-curable silicone adhesives that are cured by an addition reaction in the presence of a noble metal catalyst such as a platinum catalyst.
Accordingly, the adhesive paste containing the polysilsesquioxane compound of the present invention contains substantially no noble metal catalyst or contains only a small amount of noble metal catalyst.
Here, "substantially contains no noble metal catalyst or has a low noble metal catalyst content" means that "a component that can be interpreted as a noble metal catalyst is not intentionally added, and an effective It means that the content of the noble metal catalyst is, for example, less than 1 ppm by mass in terms of the mass of the catalytic metal element with respect to the amount of the components.
The adhesive paste does not substantially contain a noble metal catalyst, or contains a noble metal catalyst, from the viewpoint of stable production in consideration of formulation variations, etc., storage stability, and the viewpoint that noble metal catalysts are expensive. is preferably less.

〔溶媒(S)〕
本発明の接着ペーストは、前記熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)を、沸点が100℃以上254℃未満である有機溶媒(SL)を含む溶媒(S)に溶解してなる。
ここで、沸点は、1013hPaにおける沸点をいう(本明細書において同じ。)
有機溶媒(SL)としては、沸点が100℃以上254℃未満であり、かつ、本発明の接着ペーストの成分を溶解又は分散し得るものであれば特に限定されない。
有機溶媒(SL)の沸点は、100℃以上254℃未満であり、100℃以上200℃未満であることが好ましく、105℃以上185℃未満であることがより好ましく、110℃以上170℃未満であることが特に好ましい。
[Solvent (S)]
The adhesive paste of the present invention is obtained by dissolving the thermosetting organopolysiloxane compound (A) in a solvent (S) containing an organic solvent (SL) having a boiling point of 100°C or higher and lower than 254°C.
Here, the boiling point refers to the boiling point at 1013 hPa (same in this specification)
The organic solvent (SL) is not particularly limited as long as it has a boiling point of 100° C. or more and less than 254° C. and can dissolve or disperse the components of the adhesive paste of the present invention.
The boiling point of the organic solvent (SL) is 100°C or higher and lower than 254°C, preferably 100°C or higher and lower than 200°C, more preferably 105°C or higher and lower than 185°C, and 110°C or higher and lower than 170°C. It is particularly preferred to have

このような有機溶媒(SL)は、沸点が254℃以上300℃以下である高沸点の有機溶媒と比較して、低温で加熱した際に、溶媒が効率よく揮発する。そのため、有機溶媒(SL)を含有させることにより、質量減少率100℃2hが10%以上であり、かつ、質量減少率170℃2h-質量減少率100℃2hが14%未満である接着ペーストが得られ易くなる。また、このような有機溶媒(SL)は、沸点が100℃未満である低沸点の有機溶媒と比較して揮発速度が比較的遅い。
したがって、有機溶媒(SL)を含有する接着ペーストは、低温で加熱した際に、多量溶媒が残存することなく効率よく揮発することで、十分な接着強度を得られ易く、加えて、低温で加熱しても接着ペーストにおける有効成分の濃度が上昇する速度が速いので硬化し易いものとなる。そのため、得られる硬化物の接着性に優れ、かつ、被塗布物に塗布された後長時間経過後であっても、半導体素子を良好にマウントすることが可能なものとなる。
Such an organic solvent (SL) evaporates efficiently when heated at a low temperature compared to a high boiling point organic solvent having a boiling point of 254° C. or more and 300° C. or less. Therefore, by containing an organic solvent (SL), an adhesive paste having a mass reduction rate of 10% or more at 100°C for 2h and a mass reduction rate of 170°C for 2h - 100°C for 2h is less than 14%. easier to obtain. In addition, such an organic solvent (SL) has a relatively slow volatilization rate compared to a low boiling point organic solvent having a boiling point of less than 100°C.
Therefore, when an adhesive paste containing an organic solvent (SL) is heated at a low temperature, a large amount of the solvent is efficiently volatilized without remaining, so that sufficient adhesive strength can be easily obtained. However, since the speed at which the concentration of the active ingredient in the adhesive paste increases is high, the adhesive paste is easily cured. Therefore, the obtained cured product has excellent adhesiveness, and the semiconductor element can be satisfactorily mounted even after a long period of time after application to the object.

有機溶媒(SL)の具体例としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(沸点247℃)、ジプロピレングリコール-n-ブチルエーテル(沸点229℃)、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(沸点209℃)、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル(沸点212℃)、ジプロピレングリコール-n-プロピルエーテル(沸点212℃)、トリプロピレングリコールジメチルエーテル(沸点215℃)、トリエチレングリコールジメチルエーテル(沸点216℃)、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点218℃)、ジエチレングリコール-n-ブチルエーテル(沸点230℃)、エチレングリコールモノフェニルエーテル(沸点245℃)、
トリプロピレングリコールメチルエーテル(沸点242℃)、プロピレングリコールフェニルエーテル(沸点243℃)、トリエチレングリコールモノメチルエーテル(沸点249℃)、ベンジルアルコール(沸点204.9℃)、フェネチルアルコール(沸点219~221℃)、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(沸点192℃)、エチレングリコールモノエチルエーテル(沸点134.8℃)、エチレングリコールモノメチルエーテル(沸点124.5℃)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点146℃)、シクロペンタノン(沸点130℃)、シクロヘキサノン(沸点157℃)、シクロヘプタノン(沸点180℃)、シクロオクタノン(沸点195~197℃)、シクロヘキサノール(沸点161℃)、シクロヘキサジエノン(沸点104~104.5℃)等が挙げられる。
これらの中でも、有機溶媒(SL)としては、有機溶媒(SL)を用いる効果をより発現することができる観点、及び、有効成分を良好に混合し易い観点から、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、シクロヘキサノンが好ましく、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、シクロヘキサノンがより好ましい。
有機溶媒(SL)は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いてもよい。
Specific examples of the organic solvent (SL) include diethylene glycol monobutyl ether acetate (boiling point 247° C.), dipropylene glycol-n-butyl ether (boiling point 229° C.), dipropylene glycol methyl ether acetate (boiling point 209° C.), and diethylene glycol butyl methyl ether. (boiling point 212°C), dipropylene glycol-n-propyl ether (boiling point 212°C), tripropylene glycol dimethyl ether (boiling point 215°C), triethylene glycol dimethyl ether (boiling point 216°C), diethylene glycol monoethyl ether acetate (boiling point 218°C) , diethylene glycol-n-butyl ether (boiling point 230° C.), ethylene glycol monophenyl ether (boiling point 245° C.),
Tripropylene glycol methyl ether (boiling point 242°C), propylene glycol phenyl ether (boiling point 243°C), triethylene glycol monomethyl ether (boiling point 249°C), benzyl alcohol (boiling point 204.9°C), phenethyl alcohol (boiling point 219-221°C) ), ethylene glycol monobutyl ether acetate (boiling point 192°C), ethylene glycol monoethyl ether (boiling point 134.8°C), ethylene glycol monomethyl ether (boiling point 124.5°C), propylene glycol monomethyl ether acetate (boiling point 146°C), cyclo Pentanone (boiling point 130°C), cyclohexanone (boiling point 157°C), cycloheptanone (boiling point 180°C), cyclooctanone (boiling point 195-197°C), cyclohexanol (boiling point 161°C), cyclohexadienone (boiling point 104- 104.5°C) and the like.
Among these, as the organic solvent (SL), diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol from the viewpoint of being able to further express the effect of using the organic solvent (SL) and from the viewpoint of easily mixing the active ingredient well. Monobutyl ether acetate and cyclohexanone are preferred, and ethylene glycol monobutyl ether acetate and cyclohexanone are more preferred.
The organic solvent (SL) may be used singly or in combination of two or more.

本発明の接着ペーストは、有機溶媒(SL)の含有量が、接着ペーストの総質量に対して、10質量%以上50質量%以下であることが好ましく、18質量%以上45質量%以下であることがより好ましく、20質量%以上40質量%以下であることが特に好ましい。
接着ペーストの総質量に対する有機溶媒(SL)の含有量を上記範囲とすることにより、接着ペーストをシリンジに充填する工程や塗布工程における作業性に優れるとともに、有機溶媒(SL)を用いる効果をより発現することができる。
ここで、接着ペーストをシリンジに充填する工程における作業性に優れるとは、適量を気泡なくシリンジ内に充填できることをいう。
The content of the organic solvent (SL) in the adhesive paste of the present invention is preferably 10% by mass or more and 50% by mass or less, and 18% by mass or more and 45% by mass or less, relative to the total mass of the adhesive paste. is more preferable, and it is particularly preferable to be 20% by mass or more and 40% by mass or less.
By setting the content of the organic solvent (SL) to the total mass of the adhesive paste within the above range, the workability in the process of filling the adhesive paste into a syringe and the coating process is excellent, and the effect of using the organic solvent (SL) is further enhanced. can be expressed.
Here, excellent workability in the step of filling the syringe with the adhesive paste means that an appropriate amount can be filled into the syringe without air bubbles.

本発明の接着ペーストは、有機溶媒(SL)以外の溶媒を含有してもよい。
有機溶媒(SL)以外の溶媒としては、沸点が254℃以上300℃以下の有機溶媒(以下、「有機溶媒(SH)」と記載することがある。)が好ましい。
有機溶媒(SH)としては、沸点が254℃以上300℃以下であり、かつ、本発明の接着ペーストの成分を溶解又は分散し得るものであれば特に制限されない。
有機溶媒(SL)と有機溶媒(SL)以外の溶媒を併用することにより、接着ペーストを加熱して硬化物を得る温度範囲をより精密に調節することができるため、熱による影響を受けやすい光学部品やセンサチップに対する加熱の影響を小さくすることができる。
The adhesive paste of the present invention may contain solvents other than the organic solvent (SL).
As a solvent other than the organic solvent (SL), an organic solvent having a boiling point of 254° C. or more and 300° C. or less (hereinafter sometimes referred to as “organic solvent (SH)”) is preferable.
The organic solvent (SH) is not particularly limited as long as it has a boiling point of 254° C. or more and 300° C. or less and can dissolve or disperse the components of the adhesive paste of the present invention.
By using the organic solvent (SL) together with a solvent other than the organic solvent (SL), the temperature range for heating the adhesive paste to obtain a cured product can be adjusted more precisely. It is possible to reduce the influence of heating on parts and sensor chips.

有機溶媒(SH)としては、具体的には、トリプロピレングリコール-n-ブチルエーテル(沸点274℃)、1,6-へキサンジオールジアクリレート(沸点260℃)、ジエチレングリコールジブチルエーテル(沸点256℃)、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル(沸点261℃)、ポリエチレングリコールジメチルエーテル(沸点264~294℃)、テトラエチレングリコールジメチルエーテル(沸点275℃)、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル(沸点290~310℃)等が挙げられる。
これらの中でも、有機溶媒(SH)としては、有機溶媒(SL)と有機溶媒(SH)を併用した効果がより得られやすい観点から、トリプロピレングリコール-n-ブチルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジアクリレートが好ましい。
Specific examples of the organic solvent (SH) include tripropylene glycol-n-butyl ether (boiling point 274° C.), 1,6-hexanediol diacrylate (boiling point 260° C.), diethylene glycol dibutyl ether (boiling point 256° C.), triethylene glycol butyl methyl ether (boiling point 261° C.), polyethylene glycol dimethyl ether (boiling point 264-294° C.), tetraethylene glycol dimethyl ether (boiling point 275° C.), polyethylene glycol monomethyl ether (boiling point 290-310° C.) and the like.
Among these, as the organic solvent (SH), tripropylene glycol-n-butyl ether, 1,6-hexanediol diol diol, from the viewpoint that the effect of using the organic solvent (SL) and the organic solvent (SH) in combination is more likely to be obtained. Acrylates are preferred.

有機溶媒(SL)と有機溶媒(SH)を併用する場合、具体的には、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(有機溶媒(SL))とトリプロピレングリコール-n-ブチルエーテル(有機溶媒(SH))の組み合わせ、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(有機溶媒(SL))とトリプロピレングリコール-n-ブチルエーテル(有機溶媒(SH))の組み合わせ、シクロヘキサノン(有機溶媒(SL))とトリプロピレングリコール-n-ブチルエーテル(有機溶媒(SH))の組み合わせ、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(有機溶媒(SL))と1,6-ヘキサンジオールジアクリレート(有機溶媒(SH))の組み合わせ、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(有機溶媒(SL))と1,6-ヘキサンジオールジアクリレート(有機溶媒(SH))の組み合わせ、シクロヘキサノン(有機溶媒(SL))と1,6-ヘキサンジオールジアクリレート(有機溶媒(SH))の組み合わせが好ましい。 When using an organic solvent (SL) and an organic solvent (SH) together, specifically, a combination of diethylene glycol monoethyl ether acetate (organic solvent (SL)) and tripropylene glycol-n-butyl ether (organic solvent (SH)) , a combination of ethylene glycol monobutyl ether acetate (organic solvent (SL)) and tripropylene glycol-n-butyl ether (organic solvent (SH)), cyclohexanone (organic solvent (SL)) and tripropylene glycol-n-butyl ether (organic solvent (SH)), combination of diethylene glycol monoethyl ether acetate (organic solvent (SL)) and 1,6-hexanediol diacrylate (organic solvent (SH)), ethylene glycol monobutyl ether acetate (organic solvent (SL)) and 1,6-hexanediol diacrylate (organic solvent (SH)), and a combination of cyclohexanone (organic solvent (SL)) and 1,6-hexanediol diacrylate (organic solvent (SH)) are preferred.

有機溶媒(SL)は、溶媒(S)全体の60質量%以上を占めることが好ましく、65質量%以上を占めることがより好ましく、70質量%以上を占めることが特に好ましい。
溶媒(S)全体の有機溶媒(SL)を上記範囲で用いることにより、有機溶媒(SL)を用いる効果をより発現することができる。
The organic solvent (SL) accounts for preferably 60% by mass or more, more preferably 65% by mass or more, and particularly preferably 70% by mass or more, of the entire solvent (S).
By using the organic solvent (SL) in the entire solvent (S) within the above range, the effect of using the organic solvent (SL) can be further exhibited.

本発明の接着ペーストは、固形分濃度が、好ましくは50質量%以上90質量%以下、より好ましくは70質量%以上90質量%以下になる量の溶媒(S)を含有することが好ましい。
固形分濃度がこの範囲内であることで、有効成分を良好に混合し易く、接着ペーストをシリンジに充填する工程や塗布工程における作業性に優れるとともに、有機溶媒(SL)を用いる効果をより発現することができる。
また、ダイボンディングを行なう際、接着ペーストとその接着対象である基板等との間に生じる空隙部(ボイド)の発生を抑制することができ、パッケージの信頼性が高くなる。
The adhesive paste of the present invention preferably contains the solvent (S) in such an amount that the solid content concentration is preferably 50% by mass or more and 90% by mass or less, more preferably 70% by mass or more and 90% by mass or less.
When the solid content concentration is within this range, it is easy to mix the active ingredient well, the workability in the process of filling the adhesive paste into the syringe and the coating process is excellent, and the effect of using the organic solvent (SL) is more expressed. can do.
In addition, when performing die bonding, it is possible to suppress the formation of voids between the adhesive paste and the substrate or the like to which it is to be adhered, thereby increasing the reliability of the package.

〔その他の成分〕
本発明の接着ペーストは、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)及び溶媒(S)を含有するものであるが、以下に示す成分を含有していてもよい。
[Other ingredients]
The adhesive paste of the present invention contains a thermosetting organopolysiloxane compound (A) and a solvent (S), and may contain the following components.

(1)シランカップリング剤(B)
本発明の接着ペーストは、(B)成分として、シランカップリング剤を含有していてもよい。
シランカップリング剤としては、分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤(B1)(以下、「(B1)成分」ということがある。)や分子内に酸無水物構造を有するシランカップリング剤(B2)(以下、「(B2)成分」ということがある。)が挙げられる。
(1) Silane coupling agent (B)
The adhesive paste of the present invention may contain a silane coupling agent as the component (B).
As the silane coupling agent, a silane coupling agent (B1) having a nitrogen atom in the molecule (hereinafter sometimes referred to as "component (B1)") or a silane coupling agent having an acid anhydride structure in the molecule. (B2) (hereinafter sometimes referred to as "(B2) component").

シランカップリング剤(B1)を含有する接着ペーストは、塗布工程における作業性に優れ、かつ、加熱時に、(A)成分と共に縮合反応することによる硬化性に優れ、低温で加熱した場合の接着性、耐熱性及び硬化物の割れ抑制性により優れる硬化物を与える。
ここで、硬化物の割れ抑制性により優れるとは、接着ペーストを加熱して硬化物を得る際に、温度変化に伴う硬化物の割れが発生しないことをいう。
The adhesive paste containing the silane coupling agent (B1) has excellent workability in the coating process, and has excellent curability due to the condensation reaction with the component (A) when heated, and has excellent adhesiveness when heated at a low temperature. , to give a cured product that is more excellent in heat resistance and crack suppression properties of the cured product.
Here, the phrase “excellent crack suppression of the cured product” means that when the adhesive paste is heated to obtain a cured product, cracking of the cured product does not occur due to temperature changes.

シランカップリング剤(B1)としては、分子内に窒素原子を有するシランカップリング剤であれば特に制限はない。例えば、下記式(b-1)で表されるトリアルコキシシラン化合物、式(b-2)で表されるジアルコキシアルキルシラン化合物又はジアルコキシアリールシラン化合物等が挙げられる。 The silane coupling agent (B1) is not particularly limited as long as it is a silane coupling agent having a nitrogen atom in its molecule. Examples thereof include trialkoxysilane compounds represented by the following formula (b-1), and dialkoxyalkylsilane compounds and dialkoxyarylsilane compounds represented by the following formula (b-2).

Figure 2022151346000007
Figure 2022151346000007

上記式中、Rは、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、t-ブトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基を表す。複数のR同士は同一であっても相異なっていてもよい。
は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基等の炭素数1~6のアルキル基;又は、フェニル基、4-クロロフェニル基、4-メチルフェニル基、1-ナフチル基等の、置換基を有する、又は置換基を有さないアリール基;を表す。
In the above formula, R a represents an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy and t-butoxy. A plurality of R a may be the same or different.
R b is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group; or a phenyl group, 4-chlorophenyl group, 4- An aryl group with or without a substituent such as a methylphenyl group and a 1-naphthyl group;

は、窒素原子を有する、炭素数1~10の有機基を表す。また、Rは、さらに他のケイ素原子を含む基と結合していてもよい。
の炭素数1~10の有機基の具体例としては、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピル基、3-アミノプロピル基、N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)アミノプロピル基、3-ウレイドプロピル基、N-フェニル-アミノプロピル基等が挙げられる。
R c represents an organic group having 1 to 10 carbon atoms and having a nitrogen atom. In addition, R c may be further bonded to another silicon atom-containing group.
Specific examples of the organic group having 1 to 10 carbon atoms for R c include N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyl group, 3-aminopropyl group, N-(1,3-dimethyl-butylidene)amino propyl group, 3-ureidopropyl group, N-phenyl-aminopropyl group and the like.

上記式(b-1)又は(b-2)で表される化合物のうち、Rが、他のケイ素原子を含む基と結合した有機基である場合の化合物としては、イソシアヌレート骨格を介して他のケイ素原子と結合してイソシアヌレート系シランカップリング剤を構成するものや、ウレア骨格を介して他のケイ素原子と結合してウレア系シランカップリング剤を構成するものが挙げられる。 Among the compounds represented by the above formula (b-1) or (b-2), the compound in which R c is an organic group bonded to another silicon atom-containing group includes an isocyanurate skeleton. Examples include those that form an isocyanurate-based silane coupling agent by bonding with other silicon atoms, and those that form a urea-based silane coupling agent by bonding with other silicon atoms via a urea skeleton.

これらの中でも、シランカップリング剤(B1)としては、接着強度がより高い硬化物が得られ易いことから、イソシアヌレート系シランカップリング剤、及びウレア系シランカップリング剤が好ましく、さらに、分子内に、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を4以上有するものが好ましい。
ケイ素原子に結合したアルコキシ基を4以上有するとは、同一のケイ素原子に結合したアルコキシ基と、異なるケイ素原子に結合したアルコキシ基との総合計数が4以上という意味である。
Among these, the silane coupling agent (B1) is preferably an isocyanurate-based silane coupling agent and a urea-based silane coupling agent, since a cured product having higher adhesive strength can be easily obtained. In addition, those having 4 or more silicon-bonded alkoxy groups are preferred.
Having 4 or more silicon-bonded alkoxy groups means that the total number of alkoxy groups bonded to the same silicon atom and alkoxy groups bonded to different silicon atoms is 4 or more.

ケイ素原子に結合したアルコキシ基を4以上有するイソシアヌレート系シランカップリング剤としては、下記式(b-3)で表される化合物が、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を4以上有するウレア系シランカップリング剤としては、下記式(b-4)で表される化合物が挙げられる。 As the isocyanurate-based silane coupling agent having 4 or more silicon-bonded alkoxy groups, a compound represented by the following formula (b-3) is a urea-based silane cup having 4 or more silicon-bonded alkoxy groups. Ring agents include compounds represented by the following formula (b-4).

Figure 2022151346000008
Figure 2022151346000008

式中、Rは、前記式(b-1)及び(b-2)におけるRと同じ意味を表す。t1~t5はそれぞれ独立して、1~10の整数を表し、1~6の整数が好ましく、3が特に好ましい。 In the formula, R a has the same meaning as R a in the formulas (b-1) and (b-2). Each of t1 to t5 independently represents an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 6, and particularly preferably 3.

式(b-3)で表される化合物の具体例としては、1,3,5-N-トリス(3-トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-トリエトキシシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-トリi-プロポキシシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-トリブトキシシリルプロピル)イソシアヌレート等の1,3,5-N-トリス〔(トリ(炭素数1~6)アルコキシ)シリル(炭素数1~10)アルキル〕イソシアヌレート;
1,3,5-N-トリス(3-ジメトキシメチルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジメトキシエチルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジメトキシi-プロピルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジメトキシn-プロピルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジメトキシフェニルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジエトキシメチルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジエトキシエチルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジエトキシi-プロピルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジエトキシn-プロピルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジエトキシフェニルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジi-プロポキシメチルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジi-プロポキシエチルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジi-プロポキシi-プロピルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジi-プロポキシn-プロピルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジi-プロポキシフェニルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジブトキシメチルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジブトキシエチルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジブトキシi-プロピルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジブトキシn-プロピルシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-ジブトキシフェニルシリルプロピル)イソシアヌレート等の1,3,5-N-トリス〔(ジ(炭素数1~6)アルコキシ)シリル(炭素数1~10)アルキル〕イソシアヌレート;等が挙げられる。
Specific examples of the compound represented by formula (b-3) include 1,3,5-N-tris(3-trimethoxysilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-tri ethoxysilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-tri-i-propoxysilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-tributoxysilylpropyl) isocyanurate, etc. 1,3,5-N-tris[(tri(C1-C6)alkoxy)silyl(C1-C10)alkyl]isocyanurate;
1,3,5-N-tris (3-dimethoxymethylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris (3-dimethoxyethylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris ( 3-dimethoxy i-propylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-dimethoxy n-propylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-dimethoxyphenylsilylpropyl) ) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-diethoxymethylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-diethoxyethylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3, 5-N-tris (3-diethoxy i-propylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris (3-diethoxy n-propylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris ( 3-diethoxyphenylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-di i-propoxymethylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-di i-propoxy ethylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-di-i-propoxy i-propylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-di-i-propoxy n- propylsilylpropyl)isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-di-i-propoxyphenylsilylpropyl)isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-dibutoxymethylsilylpropyl)isocyanurate , 1,3,5-N-tris(3-dibutoxyethylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-dibutoxy i-propylsilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5- 1,3,5-N-tris [(di (C1-6)alkoxy)silyl(C1-10)alkyl]isocyanurate; and the like.

式(b-4)で表される化合物の具体例としては、N,N’-ビス(3-トリメトキシシリルプロピル)ウレア、N,N’-ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)ウレア、N,N’-ビス(3-トリプロポキシシリルプロピル)ウレア、N,N’-ビス(3-トリブトキシシリルプロピル)ウレア、N,N’-ビス(2-トリメトキシシリルエチル)ウレア等のN,N’-ビス〔(トリ(炭素数1~6)アルコキシシリル)(炭素数1~10)アルキル〕ウレア;
N,N’-ビス(3-ジメトキシメチルシリルプロピル)ウレア、N,N’-ビス(3-ジメトキシエチルシリルプロピル)ウレア、N,N’-ビス(3-ジエトキシメチルシリルプロピル)ウレア等のN,N’-ビス〔(ジ(炭素数1~6)アルコキシ(炭素数1~6)アルキルシリル(炭素数1~10)アルキル)ウレア;
N,N’-ビス(3-ジメトキシフェニルシリルプロピル)ウレア、N,N’-ビス(3-ジエトキシフェニルシリルプロピル)ウレア等のN,N’-ビス〔(ジ(炭素数1~6)アルコキシ(炭素数6~20)アリールシリル(炭素数1~10)アルキル)ウレア;等が挙げられる。
シランカップリング剤(B1)は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
Specific examples of the compound represented by formula (b-4) include N,N'-bis(3-trimethoxysilylpropyl)urea, N,N'-bis(3-triethoxysilylpropyl)urea, N , N'-bis(3-tripropoxysilylpropyl)urea, N,N'-bis(3-tributoxysilylpropyl)urea, N,N'-bis(2-trimethoxysilylethyl)urea, etc. N'-bis[(tri(C1-C6)alkoxysilyl)(C1-C10)alkyl]urea;
N,N'-bis(3-dimethoxymethylsilylpropyl)urea, N,N'-bis(3-dimethoxyethylsilylpropyl)urea, N,N'-bis(3-diethoxymethylsilylpropyl)urea, etc. N,N'-bis[(di(C1-C6)alkoxy(C1-C6)alkylsilyl(C1-C10)alkyl)urea;
N,N'-bis(3-dimethoxyphenylsilylpropyl)urea, N,N'-bis[(di(C1-6) such as N,N'-bis(3-diethoxyphenylsilylpropyl)urea alkoxy (6 to 20 carbon atoms) arylsilyl (1 to 10 carbon atoms) alkyl) urea;
The silane coupling agents (B1) can be used singly or in combination of two or more.

これらの中でも、シランカップリング剤(B1)としては、1,3,5-N-トリス(3-トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート、1,3,5-N-トリス(3-トリエトキシシリルプロピル)イソシアヌレート(以下、前記2つを「イソシアヌレート化合物」という。)、N,N’-ビス(3-トリメトキシシリルプロピル)ウレア、N,N’-ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)ウレア(以下、前記2つを「ウレア化合物」という。)、及び、上記イソシアヌレート化合物とウレア化合物との組み合わせを用いるのが好ましい。 Among these, the silane coupling agent (B1) includes 1,3,5-N-tris(3-trimethoxysilylpropyl) isocyanurate, 1,3,5-N-tris(3-triethoxysilylpropyl) ) isocyanurate (the above two are hereinafter referred to as “isocyanurate compounds”), N,N′-bis(3-trimethoxysilylpropyl)urea, N,N′-bis(3-triethoxysilylpropyl)urea (The above two are hereinafter referred to as "urea compounds"), and a combination of the isocyanurate compound and the urea compound is preferably used.

上記イソシアヌレート化合物とウレア化合物とを組み合わせて用いる場合、両者の使用割合は、(イソシアヌレート化合物)と(ウレア化合物)の質量比で、100:1~100:200であるのが好ましく、100:10~100:110がより好ましい。このような割合で、イソシアヌレート化合物とウレア化合物とを組み合わせて用いることにより、接着強度がより高く、耐熱性により優れる硬化物を与える接着ペーストを得ることができる。 When the isocyanurate compound and the urea compound are used in combination, the ratio of the two to be used is preferably 100:1 to 100:200 in mass ratio of (isocyanurate compound) to (urea compound), and 100: 10 to 100:110 is more preferred. By using the isocyanurate compound and the urea compound in combination in such a ratio, it is possible to obtain an adhesive paste that gives a cured product having higher adhesive strength and superior heat resistance.

本発明の接着ペーストがシランカップリング剤(B1)〔(B1)成分〕を含有する場合、(B1)成分の含有量は特に限定されないが、その量は、(A)成分と(B1)成分の質量比〔(A)成分:(B1)成分〕で、好ましくは100:0.1~100:90、より好ましくは100:0.5~100:70、より好ましくは100:1~100:55、より好ましくは100:3~100:45、さらに好ましくは100:5~100:35となる量である。
(B1)成分を上記範囲で用いることにより、(B1)成分を加える効果をより発現することができる。
When the adhesive paste of the present invention contains a silane coupling agent (B1) [component (B1)], the content of component (B1) is not particularly limited, but the amount is The mass ratio [(A) component:(B1) component] is preferably 100:0.1 to 100:90, more preferably 100:0.5 to 100:70, more preferably 100:1 to 100: 55, more preferably 100:3 to 100:45, more preferably 100:5 to 100:35.
By using the component (B1) within the above range, the effect of adding the component (B1) can be further exhibited.

シランカップリング剤(B2)を含有する接着ペーストは、塗布工程における作業性に優れ、かつ、低温で加熱した場合の接着性及び耐熱性により優れる硬化物を与える。 The adhesive paste containing the silane coupling agent (B2) is excellent in workability in the coating step and gives a cured product with excellent adhesiveness and heat resistance when heated at a low temperature.

シランカップリング剤(B2)としては、2-(トリメトキシシリル)エチル無水コハク酸、2-(トリエトキシシリル)エチル無水コハク酸、3-(トリメトキシシリル)プロピル無水コハク酸、3-(トリエトキシシリル)プロピル無水コハク酸等の、トリ(炭素数1~6)アルコキシシリル(炭素数2~8)アルキル無水コハク酸;
2-(ジメトキシメチルシリル)エチル無水コハク酸等の、ジ(炭素数1~6)アルコキシメチルシリル(炭素数2~8)アルキル無水コハク酸;
2-(メトキシジメチルシリル)エチル無水コハク酸等の、(炭素数1~6)アルコキシジメチルシリル(炭素数2~8)アルキル無水コハク酸;
Silane coupling agents (B2) include 2-(trimethoxysilyl)ethyl succinic anhydride, 2-(triethoxysilyl)ethyl succinic anhydride, 3-(trimethoxysilyl)propyl succinic anhydride, 3-(tri tri(1-6C)alkoxysilyl(2-8C)alkyl succinic anhydrides, such as ethoxysilyl)propyl succinic anhydride;
di(C1-C6)alkoxymethylsilyl(C2-C8)alkyl succinic anhydrides such as 2-(dimethoxymethylsilyl)ethyl succinic anhydride;
(1-6 carbon atoms) alkoxydimethylsilyl (2-8 carbon atoms) alkyl succinic anhydrides, such as 2-(methoxydimethylsilyl)ethyl succinic anhydride;

2-(トリクロロシリル)エチル無水コハク酸、2-(トリブロモシリル)エチル無水コハク酸等の、トリハロゲノシリル(炭素数2~8)アルキル無水コハク酸;
2-(ジクロロメチルシリル)エチル無水コハク酸等の、ジハロゲノメチルシリル(炭素数2~8)アルキル無水コハク酸;
2-(クロロジメチルシリル)エチル無水コハク酸等の、ハロゲノジメチルシリル(炭素数2~8)アルキル無水コハク酸;等が挙げられる。
シランカップリング剤(B2)は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
trihalogenosilyl (2-8 carbon atoms) alkyl succinic anhydrides such as 2-(trichlorosilyl)ethyl succinic anhydride and 2-(tribromosilyl)ethyl succinic anhydride;
dihalogenomethylsilyl (2-8 carbon atoms) alkyl succinic anhydride, such as 2-(dichloromethylsilyl)ethyl succinic anhydride;
2-(chlorodimethylsilyl)ethyl succinic anhydride, halogenodimethylsilyl (2-8 carbon atoms) alkyl succinic anhydride;
Silane coupling agents (B2) can be used singly or in combination of two or more.

これらの中でも、シランカップリング剤(B2)としては、トリ(炭素数1~6)アルコキシシリル(炭素数2~8)アルキル無水コハク酸が好ましく、3-(トリメトキシシリル)プロピル無水コハク酸又は3-(トリエトキシシリル)プロピル無水コハク酸が特に好ましい。 Among them, the silane coupling agent (B2) is preferably tri(C 1-6) alkoxysilyl (C 2-8) alkyl succinic anhydride, 3-(trimethoxysilyl) propyl succinic anhydride or 3-(Triethoxysilyl)propyl succinic anhydride is particularly preferred.

本発明の接着ペーストがシランカップリング剤(B2)〔(B2)成分〕を含有する場合、(B2)成分の含有量は特に限定されないが、その量は、(A)成分と(B2)成分の質量比〔(A)成分:(B2)成分〕で、好ましくは100:0.01~100:40、より好ましくは100:0.01~100:30、より好ましくは100:0.1~100:10である。
(B2)成分を上記範囲で用いることにより、(B2)成分を加える効果をより発現することができる。
When the adhesive paste of the present invention contains a silane coupling agent (B2) [component (B2)], the content of component (B2) is not particularly limited, but the amount is The mass ratio [(A) component: (B2) component] is preferably 100:0.01 to 100:40, more preferably 100:0.01 to 100:30, more preferably 100:0.1 to 100:10.
By using the component (B2) within the above range, the effect of adding the component (B2) can be further exhibited.

(2)微粒子(C)
本発明の接着ペーストは、(C)成分として、微粒子を含有していてもよい。
微粒子としては、平均一次粒子径が5nm以上40nm以下の微粒子(C1)(以下、「(C1)成分」ということがある。)や平均一次粒子径が0.04μm超8μm以下の微粒子(C2)(以下、「(C2)成分」ということがある。)が挙げられる。
(2) Microparticles (C)
The adhesive paste of the present invention may contain fine particles as the component (C).
The fine particles include fine particles (C1) having an average primary particle diameter of 5 nm or more and 40 nm or less (hereinafter sometimes referred to as "component (C1)") or fine particles (C2) having an average primary particle diameter of more than 0.04 μm and not more than 8 μm. (hereinafter sometimes referred to as "(C2) component").

微粒子(C1)を含有する接着ペーストは、塗布工程における作業性に優れ、かつ、低温で加熱した場合の接着性及び耐熱性により優れる硬化物を与える。
この効果がより得られ易いことから、微粒子(C1)の平均一次粒子径は、好ましくは5nm以上30nm以下、より好ましくは5nm以上20nm以下である。
微粒子(C1)の平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡を用いて微粒子の形状を観察することにより求められる。
The adhesive paste containing fine particles (C1) is excellent in workability in the coating step, and gives a cured product with excellent adhesiveness and heat resistance when heated at a low temperature.
Since this effect can be obtained more easily, the average primary particle size of the fine particles (C1) is preferably 5 nm or more and 30 nm or less, more preferably 5 nm or more and 20 nm or less.
The average primary particle size of fine particles (C1) is obtained by observing the shape of fine particles using a transmission electron microscope.

微粒子(C1)の比表面積は、好ましくは10m/g以上500m/g以下、より好ましくは20m/g以上300m/g以下である。比表面積が上記範囲内であることで、塗布工程における作業性により優れる接着ペーストが得られ易くなる。
比表面積は、BET多点法により求めることができる。
The specific surface area of the fine particles (C1) is preferably 10 m 2 /g or more and 500 m 2 /g or less, more preferably 20 m 2 /g or more and 300 m 2 /g or less. When the specific surface area is within the above range, it becomes easier to obtain an adhesive paste with better workability in the coating process.
The specific surface area can be determined by the BET multipoint method.

微粒子(C1)の形状は、球状、鎖状、針状、板状、片状、棒状、繊維状等のいずれであってもよいが、球状であるのが好ましい。ここで、球状とは、真球状の他、回転楕円体、卵形、金平糖状、まゆ状等球体に近似できる多面体形状を含む略球状を意味する。 The shape of the fine particles (C1) may be spherical, chain-like, needle-like, plate-like, flake-like, rod-like, fiber-like, and the like, but is preferably spherical. The term "spherical" as used herein means a true sphere, as well as a substantially spherical shape including spheroids, oval shapes, confetti-like shapes, polyhedral shapes that can be approximated to spheres such as cocoon-like spheres.

微粒子(C1)の構成成分としては、特に制限はなく、金属;金属酸化物;鉱物;金属炭酸塩;金属硫酸塩;金属水酸化物;金属珪酸塩;無機成分;有機成分;シリコーン;等が挙げられる。
また、用いる微粒子(C1)は表面が修飾されたものであってもよい。
The constituent components of fine particles (C1) are not particularly limited, and include metals, metal oxides, minerals, metal carbonates, metal sulfates, metal hydroxides, metal silicates, inorganic components, organic components, silicone, and the like. mentioned.
Further, the fine particles (C1) to be used may have a modified surface.

金属とは、周期表における、1族(Hを除く)、2~11族、12族(Hgを除く)、13族(Bを除く)、14族(C及びSiを除く)、15族(N、P、As及びSbを除く)、又は16族(O、S、Se、Te及びPoを除く)に属する元素をいう。 Metals are group 1 (excluding H), groups 2 to 11, group 12 (excluding Hg), group 13 (excluding B), group 14 (excluding C and Si), group 15 (excluding C and Si) in the periodic table. N, P, As and Sb) or Group 16 elements (excluding O, S, Se, Te and Po).

金属酸化物としては、例えば、酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛、及びこれらの複合酸化物等が挙げられる。金属酸化物の微粒子には、これらの金属酸化物からなるゾル粒子も含まれる。 Examples of metal oxides include titanium oxide, alumina, boehmite, chromium oxide, nickel oxide, copper oxide, zirconium oxide, indium oxide, zinc oxide, and composite oxides thereof. The fine particles of metal oxides also include sol particles composed of these metal oxides.

鉱物としては、スメクタイト、ベントナイト等が挙げられる。
スメクタイトとしては、例えば、モンモリロナイト、バイデライト、ヘクトライト、サポナイト、スチブンサイト、ノントロナイト、ソーコナイト等が挙げられる。
Minerals include smectite, bentonite, and the like.
Examples of smectites include montmorillonite, beidellite, hectorite, saponite, stevensite, nontronite, and sauconite.

金属炭酸塩としては、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等が、金属硫酸塩としては、硫酸カルシウム、硫酸バリウム等が、金属水酸化物としては、水酸化アルミニウム等が、金属珪酸塩としては、珪酸アルミニウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム等が挙げられる。
また、無機成分としては、シリカ等が挙げられる。シリカとしては、乾式シリカ、湿式シリカ、表面修飾シリカ(表面が修飾されたシリカ)等が挙げられる。
有機成分としては、アクリル系重合体等が挙げられる。
Examples of metal carbonates include calcium carbonate, magnesium carbonate, etc. Examples of metal sulfates include calcium sulfate, barium sulfate, etc. Examples of metal hydroxides include aluminum hydroxide, etc. Examples of metal silicates include aluminum silicate, Examples include calcium silicate and magnesium silicate.
Moreover, silica etc. are mentioned as an inorganic component. Examples of silica include dry silica, wet silica, surface-modified silica (surface-modified silica), and the like.
Organic components include acrylic polymers and the like.

シリコーンとは、シロキサン結合による主骨格を持つ、人工高分子化合物を意味する。例えば、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン等が挙げられる。 Silicone means an artificial polymer compound having a main skeleton formed by siloxane bonds. Examples include dimethylpolysiloxane, diphenylpolysiloxane, and methylphenylpolysiloxane.

微粒子(C1)は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、本発明においては、透明性に優れる接着ペーストが得られ易いことから、シリカ、金属酸化物、鉱物が好ましく、シリカがより好ましい。
Fine particles (C1) can be used singly or in combination of two or more.
Among these, in the present invention, silica, metal oxides, and minerals are preferable, and silica is more preferable, because an adhesive paste having excellent transparency can be easily obtained.

シリカの中でも、接着ペーストとして混合が比較的容易である観点、及び塗布工程における作業性により優れる接着ペーストが得られ易いことから、表面修飾シリカが好ましく、疎水性の表面修飾シリカがより好ましい。
疎水性の表面修飾シリカとしては、表面に、トリメチルシリル基等のトリ炭素数1~20のトリアルキルシリル基;ジメチルシリル基等のジ炭素数1~20のアルキルシリル基;オクチルシリル基等の炭素数1~20のアルキルシリル基;を結合させたシリカ;シリコーンオイルで表面を処理したシリカ;等が挙げられる。
疎水性の表面修飾シリカは、例えば、シリカ粒子に、トリ炭素数1~20のトリアルキルシリル基、ジ炭素数1~20のアルキルシリル基、炭素数1~20のアルキルシリル基等を有するシランカップリング剤を用いて表面修飾することにより、あるいは、シリカ粒子をシリコーンオイルで処理することにより得ることができる。
Among silica, surface-modified silica is preferable, and hydrophobic surface-modified silica is more preferable, from the viewpoint that it is relatively easy to mix as an adhesive paste and that an adhesive paste having excellent workability in the coating process can be easily obtained.
Hydrophobic surface-modified silica includes, on the surface, a trialkylsilyl group having 1 to 20 tricarbon atoms such as a trimethylsilyl group; an alkylsilyl group having 1 to 20 dicarbon atoms such as a dimethylsilyl group; Silica bound with alkylsilyl groups of number 1 to 20; Silica surface-treated with silicone oil; and the like.
Hydrophobic surface-modified silica is, for example, a silica particle having a trialkylsilyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkylsilyl group having 1 to 20 dicarbon atoms, an alkylsilyl group having 1 to 20 carbon atoms, or the like. It can be obtained by surface modification using a coupling agent, or by treating silica particles with silicone oil.

本発明の接着ペーストが微粒子(C1)〔(C1)成分〕を含有する場合、(C1)成分の含有量は特に限定されないが、その量は、(A)成分と(C1)成分の質量比〔(A)成分:(C1)成分〕で、好ましくは100:0.1~100:90、より好ましくは100:0.2~100:60、より好ましくは100:0.3~100:50、より好ましくは100:0.5~100:40、より好ましくは100:0.8~100:30となる量である。
(C1)成分を上記範囲で用いることにより、(C1)成分を加える効果をより発現することができる。
When the adhesive paste of the present invention contains fine particles (C1) [component (C1)], the content of component (C1) is not particularly limited, but the amount is determined by the mass ratio of component (A) to component (C1). [Component (A): Component (C1)], preferably 100:0.1 to 100:90, more preferably 100:0.2 to 100:60, more preferably 100:0.3 to 100:50 , more preferably 100:0.5 to 100:40, more preferably 100:0.8 to 100:30.
By using the component (C1) within the above range, the effect of adding the component (C1) can be further exhibited.

微粒子(C2)を含有する接着ペーストは、低温で加熱した場合の接着性及び耐熱性により優れる硬化物を与える。
この効果がより得られ易いことから、微粒子(C2)の平均一次粒子径は、好ましくは0.06μm超7μm以下、より好ましくは0.3μm超6μm以下、さらに好ましくは1μm超4μm以下である。
An adhesive paste containing the fine particles (C2) gives a cured product with excellent adhesiveness and heat resistance when heated at a low temperature.
Since this effect is more likely to be obtained, the average primary particle size of the fine particles (C2) is preferably more than 0.06 μm and 7 μm or less, more preferably more than 0.3 μm and 6 μm or less, still more preferably more than 1 μm and 4 μm or less.

微粒子(C2)の平均一次粒子径は、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置(例えば、株式会社堀場製作所製、製品名「LA-920」)等を用いて、レーザー散乱法による粒度分布の測定を行うことにより求められる。 The average primary particle diameter of the fine particles (C2) is measured by a laser scattering method using a laser diffraction/scattering particle size distribution analyzer (for example, product name “LA-920” manufactured by Horiba, Ltd.). is obtained by doing

微粒子(C2)の形状は、微粒子(C1)の形状として例示したものと同様のものが挙げられるが、球状であるのが好ましい。
また、微粒子(C2)の構成成分としては、微粒子(C1)の構成成分として例示したものと同様のものが挙げられる。
微粒子(C2)は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、接着ペーストとして混合が比較的容易である観点、並びに、接着性及び耐熱性に優れる硬化物が得られ易いことから、シリコーンで表面が被覆された金属酸化物、シリカ及びシリコーンからなる群から選ばれる少なくとも一種の微粒子が好ましく、シリカ、シリコーンがより好ましい。
The shape of the fine particles (C2) may be the same as those exemplified as the shape of the fine particles (C1), but a spherical shape is preferred.
Further, as the constituent component of the fine particles (C2), the same components as those exemplified as the constituent components of the fine particles (C1) can be mentioned.
Fine particles (C2) can be used singly or in combination of two or more.
Among these, from the viewpoint that it is relatively easy to mix as an adhesive paste, and from the fact that it is easy to obtain a cured product with excellent adhesiveness and heat resistance, it consists of a metal oxide, silica, and silicone whose surface is coated with silicone. At least one fine particle selected from the group is preferable, and silica and silicone are more preferable.

本発明の接着ペーストが微粒子(C2)〔(C2)成分〕を含有する場合、(C2)成分の含有量は特に限定されないが、その量は、(A)成分と(C2)成分の質量比〔(A)成分:(C2)成分〕で、好ましくは100:0.1~100:40、より好ましくは100:0.2~100:30、より好ましくは100:0.3~100:20、さらに好ましくは100:0.5~100:15、特に好ましくは100:0.8~100:12となる量である。
(C2)成分を上記範囲で用いることにより、(C2)成分を加える効果をより発現することができる。
When the adhesive paste of the present invention contains fine particles (C2) [component (C2)], the content of component (C2) is not particularly limited, but the amount is determined by the mass ratio of component (A) to component (C2). [Component (A): Component (C2)], preferably 100:0.1 to 100:40, more preferably 100:0.2 to 100:30, more preferably 100:0.3 to 100:20 , more preferably 100:0.5 to 100:15, and particularly preferably 100:0.8 to 100:12.
By using the component (C2) within the above range, the effect of adding the component (C2) can be further exhibited.

(3)その他の添加成分
本発明の接着ペーストは、本発明の目的を阻害しない範囲で、上記(A)~(C)成分以外の他の成分〔(D)成分〕を含有してもよい。
(D)成分としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤等が挙げられる。
(3) Other additive components The adhesive paste of the present invention may contain other components [(D) component] other than the above components (A) to (C) within a range that does not hinder the object of the present invention. .
Component (D) includes antioxidants, ultraviolet absorbers, light stabilizers, and the like.

酸化防止剤は、加熱時の酸化劣化を防止するために添加される。酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤等が挙げられる。 Antioxidants are added to prevent oxidative deterioration during heating. Antioxidants include phosphorus antioxidants, phenolic antioxidants, sulfur antioxidants, and the like.

リン系酸化防止剤としては、ホスファイト類、オキサホスファフェナントレンオキサイド類等が挙げられる。
フェノール系酸化防止剤としては、モノフェノール類、ビスフェノール類、高分子型フェノール類等が挙げられる。
硫黄系酸化防止剤としては、ジラウリル-3,3’-チオジプロピオネート、ジミリスチル-3,3’-チオジプロピオネート、ジステアリル-3,3’-チオジプロピオネート等が挙げられる。
Phosphorus antioxidants include phosphites, oxaphosphaphenanthrene oxides and the like.
Phenolic antioxidants include monophenols, bisphenols, polymeric phenols, and the like.
Examples of sulfur-based antioxidants include dilauryl-3,3'-thiodipropionate, dimyristyl-3,3'-thiodipropionate, and distearyl-3,3'-thiodipropionate.

これらの酸化防止剤は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。酸化防止剤の使用量は、(A)成分に対して、通常、10質量%以下である。 These antioxidants can be used singly or in combination of two or more. The amount of antioxidant to be used is generally 10% by mass or less relative to the component (A).

紫外線吸収剤は、得られる接着ペーストの耐光性を向上させる目的で添加される。
紫外線吸収剤としては、サリチル酸類、ベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、ヒンダードアミン類等が挙げられる。
これらの紫外線吸収剤は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
紫外線吸収剤の使用量は、(A)成分に対して、通常、10質量%以下である。
A UV absorber is added for the purpose of improving the light resistance of the resulting adhesive paste.
Examples of ultraviolet absorbers include salicylic acids, benzophenones, benzotriazoles, hindered amines and the like.
These ultraviolet absorbers can be used singly or in combination of two or more.
The amount of the ultraviolet absorber to be used is generally 10% by mass or less relative to the component (A).

光安定剤は、得られる接着ペーストの耐光性を向上させる目的で添加される。
光安定剤としては、例えば、ポリ[{6-(1,1,3,3,-テトラメチルブチル)アミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル}{(2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジン)イミノ}ヘキサメチレン{(2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジン)イミノ}]等のヒンダードアミン類等が挙げられる。
これらの光安定剤は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
(D)成分の総使用量は、(A)成分に対して、通常、20質量%以下である。
A light stabilizer is added for the purpose of improving the light resistance of the resulting adhesive paste.
Light stabilizers include, for example, poly[{6-(1,1,3,3,-tetramethylbutyl)amino-1,3,5-triazine-2,4-diyl}{(2,2,6 ,6-tetramethyl-4-piperidine)imino}hexamethylene {(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidine)imino}] and other hindered amines.
These light stabilizers can be used singly or in combination of two or more.
The total amount of component (D) used is generally 20% by mass or less relative to component (A).

本発明の接着ペーストは、例えば、下記工程(AI)及び工程(AII)を有する製造方法により製造することができる。
工程(AI):上記式(a-6)で示される化合物の少なくとも一種を、重縮合触媒の存在下に重縮合させて、ポリシルセスキオキサン化合物を得る工程
工程(AII):工程(AI)で得られたポリシルセスキオキサン化合物を、沸点が100℃以上254℃未満である有機溶媒(SL)を含む溶媒(S)に溶解させ、ポリシルセスキオキサン化合物を含有する溶液を得る工程
The adhesive paste of the present invention can be produced, for example, by a production method comprising the following steps (AI) and (AII).
Step (AI): Polycondensation of at least one compound represented by the above formula (a-6) in the presence of a polycondensation catalyst to obtain a polysilsesquioxane compound Step (AII): Step (AI) ) is dissolved in a solvent (S) containing an organic solvent (SL) having a boiling point of 100° C. or more and less than 254° C. to obtain a solution containing the polysilsesquioxane compound. process

工程(AI)の上記式(a-6)で示される化合物の少なくとも一種を、重縮合触媒の存在下に重縮合させて、ポリシルセスキオキサン化合物を得る方法としては、1)接着ペーストの項で例示したものと同様の方法が挙げられる。また、工程(AII)で用いる有機溶媒(SL)、溶媒(S)は、1)接着ペーストの項で有機溶媒(SL)、溶媒(S)として例示したのと同様のものが挙げられる。 As a method of obtaining a polysilsesquioxane compound by polycondensing at least one compound represented by the above formula (a-6) in the step (AI) in the presence of a polycondensation catalyst, 1) adhesive paste The same methods as those exemplified in the section can be mentioned. The organic solvent (SL) and solvent (S) used in step (AII) are the same as those exemplified as the organic solvent (SL) and solvent (S) in the section of 1) Adhesive paste.

工程(AII)において、ポリシルセスキオキサン化合物を、有機溶媒(SL)を含む溶媒(S)に溶解する方法としては、例えば、ポリシルセスキオキサン化合物、所望により前記(B)成分~(D)成分を、溶媒(S)と混合、脱泡し、溶解する方法が挙げられる。
混合方法、脱泡方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができる。
混合する順番は特に限定されない。
上記工程(AI)及び工程(AII)を有する製造方法によれば、本発明の接着ペーストを、効率よく簡便に製造することができる。
In the step (AII), the method of dissolving the polysilsesquioxane compound in the solvent (S) containing the organic solvent (SL) includes, for example, the polysilsesquioxane compound, optionally the component (B) A method of mixing, defoaming, and dissolving component D) with a solvent (S) can be mentioned.
A mixing method and a defoaming method are not particularly limited, and known methods can be used.
The order of mixing is not particularly limited.
According to the production method including the steps (AI) and (AII), the adhesive paste of the present invention can be produced efficiently and simply.

本発明は、接着ペーストを加熱して溶媒(S)を揮発させ、硬化することにより、硬化物を得ることができる。
硬化させるときの加熱温度は、通常80℃~180℃であり、好ましくは80℃~120℃である。また、硬化させるときの加熱時間は、通常30分~10時間、好ましくは30分~5時間、より好ましくは30分~3時間である。
In the present invention, a cured product can be obtained by heating the adhesive paste to volatilize the solvent (S) and cure the adhesive paste.
The heating temperature for curing is usually 80°C to 180°C, preferably 80°C to 120°C. The heating time for curing is usually 30 minutes to 10 hours, preferably 30 minutes to 5 hours, more preferably 30 minutes to 3 hours.

本発明の接着ペーストを硬化して得られる硬化物は、接着性に優れる。
本発明の接着ペーストを硬化して得られる硬化物が、接着性に優れることは、例えば、次のようにして確認することができる。すなわち、一辺の長さが1mmの正方形(面積が1mm)のシリコンチップのミラー面に、本発明の接着ペーストを塗布し、塗布面を銀メッキ銅板の上に載せ圧着(圧着後の接着ペーストの厚さ:約2μm)し、100℃で2時間加熱処理して硬化させる。これを、23℃のボンドテスターの測定ステージ上に30秒間放置し、被着体から100μmの高さの位置より、スピード200μm/sで接着面に対し水平方向(せん断方向)に応力をかけ、試験片と被着体との接着強度(N/mm□)を測定する。
A cured product obtained by curing the adhesive paste of the present invention has excellent adhesiveness.
For example, it can be confirmed as follows that the cured product obtained by curing the adhesive paste of the present invention has excellent adhesiveness. That is, the adhesive paste of the present invention is applied to the mirror surface of a square silicon chip with a side length of 1 mm (area is 1 mm 2 ), and the coated surface is placed on a silver-plated copper plate and crimped (adhesive paste after crimping). thickness: about 2 μm) and cured by heat treatment at 100° C. for 2 hours. This is left on the measurement stage of a bond tester at 23 ° C. for 30 seconds, and stress is applied in the horizontal direction (shear direction) to the adhesive surface at a speed of 200 μm / s from a position 100 μm above the adherend, The adhesive strength (N/mm□) between the test piece and the adherend is measured.

本発明の接着ペーストを硬化して得られる硬化物の接着強度は、23℃において7N/mm□以上であることが好ましく、10N/mm□以上であることがより好ましく、14N/mm□以上であることがさらに好ましく、15N/mm□以上であることが特に好ましい。
本明細書において、「1mm□」とは、「1mm square」、すなわち、1mm×1mm(1辺が1mmの正方形)を意味する。
The adhesive strength of the cured product obtained by curing the adhesive paste of the present invention is preferably 7 N/mm square or more at 23° C., more preferably 10 N/mm square or more, and 14 N/mm square or more. 15 N/mm square or more is particularly preferable.
In this specification, "1 mm square" means "1 mm square", that is, 1 mm x 1 mm (square with 1 mm side).

上記特性を有することから、本発明の接着ペーストは、半導体素子固定材用接着剤として好適に使用することができる。 Due to the properties described above, the adhesive paste of the present invention can be suitably used as an adhesive for a semiconductor element fixing material.

2)接着ペーストの使用方法、及び、接着ペーストを使用する半導体装置の製造方法
本発明の接着ペーストを光素子固定材用接着剤として使用する半導体装置を製造する方法は、下記工程(BI)及び工程(BII)を有する方法である。
工程(BI):半導体素子と支持基板の一方又は両方の接着面に接着ペーストを塗布し、圧着する工程
工程(BII):工程(BI)で得られた圧着物の前記接着ペーストを加熱硬化させ、前記半導体素子を前記支持基板に固定する工程
2) Method of using the adhesive paste and method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive paste The method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive paste of the present invention as an adhesive for optical element fixing material includes the following steps (BI) and It is a method having a step (BII).
Step (BI): Applying an adhesive paste to the bonding surface of one or both of the semiconductor element and the support substrate and press-bonding Step (BII): Heating and curing the adhesive paste of the pressure-bonded product obtained in Step (BI) and fixing the semiconductor element to the support substrate.

半導体素子としては、レーザー、発光ダイオード(LED)等の発光素子や太陽電池等の受光素子等の光半導体素子、トランジスタ、温度センサや圧力センサ等のセンサ、集積回路等が挙げられる。これらの中でも、本発明の接着ペーストを用いることによる効果がより好適に発揮され易い観点から、光半導体素子が好ましい。 Examples of semiconductor elements include light-emitting elements such as lasers and light-emitting diodes (LEDs), optical semiconductor elements such as light-receiving elements such as solar cells, transistors, sensors such as temperature sensors and pressure sensors, and integrated circuits. Among these, an optical semiconductor element is preferable from the viewpoint that the effect of using the adhesive paste of the present invention is likely to be exhibited more preferably.

半導体素子を接着するための支持基板の材料としては、ソーダライムガラス、耐熱性硬質ガラス等のガラス類;セラミックス;サファイア;鉄、銅、アルミニウム、金、銀、白金、クロム、チタン及びこれらの金属の合金、ステンレス(SUS302、SUS304、SUS304L、SUS309等)等の金属類;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、エチレン-酢酸ビニル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリメチルペンテン、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ノルボルネン系樹脂、シクロオレフィン樹脂、ガラスエポキシ樹脂等の合成樹脂;等が挙げられる。 Materials for supporting substrates for bonding semiconductor elements include glasses such as soda lime glass and heat-resistant hard glass; ceramics; sapphire; iron, copper, aluminum, gold, silver, platinum, chromium, titanium and these metals. alloys, metals such as stainless steel (SUS302, SUS304, SUS304L, SUS309, etc.); polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, polystyrene, polycarbonate, polymethylpentene, polysulfone, polyether Synthetic resins such as ether ketone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyimide, polyamide, acrylic resin, norbornene resin, cycloolefin resin, and glass epoxy resin;

本発明の接着ペーストは、シリンジに充填されていることが好ましい。
接着ペーストがシリンジに充填されていることにより、塗布工程における作業性に優れる。
シリンジの材料は、合成樹脂、金属、ガラスのいずれであってもよいが、合成樹脂であるのが好ましい。
シリンジの容量としては、特に制限はなく、充填する又は塗布する接着ペーストの量に合わせ、適宜決定すればよい。
また、シリンジとしては、市販品を用いることもできる。市販品としては、例えば、SS-01Tシリーズ(TERUMO社製)、PSYシリーズ(武蔵エンジニアリング社製)等が挙げられる。
The adhesive paste of the present invention is preferably filled in a syringe.
Since the syringe is filled with the adhesive paste, workability in the coating process is excellent.
The material of the syringe may be synthetic resin, metal or glass, but synthetic resin is preferred.
The capacity of the syringe is not particularly limited, and may be appropriately determined according to the amount of adhesive paste to be filled or applied.
Moreover, as a syringe, a commercial item can also be used. Commercially available products include, for example, SS-01T series (manufactured by TERUMO) and PSY series (manufactured by Musashi Engineering).

本発明の半導体装置の製造方法においては、接着ペーストが充填されたシリンジが垂直に下降して支持基板に近づき、シリンジの先端部から所定量の接着ペーストを吐出した後、シリンジが上昇して支持基板から離れるとともに、支持基板が横に移動する。そして、この操作を繰り返すことで、連続的に接着ペーストが支持基板に塗布される。その後、塗布された接着ペースト上に、半導体素子をマウントし、支持基板に圧着される。 In the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention, the syringe filled with the adhesive paste descends vertically to approach the support substrate, and after discharging a predetermined amount of the adhesive paste from the tip of the syringe, the syringe rises to support the support substrate. As the substrate is separated, the support substrate moves laterally. By repeating this operation, the adhesive paste is continuously applied to the support substrate. After that, a semiconductor element is mounted on the applied adhesive paste and pressure-bonded to the support substrate.

接着ペーストの塗布量は、特に限定されず、硬化させることにより、接着の対象とする半導体素子と支持基板を強固に接着することができる量であればよい。通常、接着ペーストの塗膜の厚みが0.5μm以上5μm以下、好ましくは1μm以上3μm以下となる量である。 The amount of the adhesive paste to be applied is not particularly limited, and may be any amount that allows the semiconductor element to be adhered and the support substrate to be firmly adhered by curing. Usually, the amount is such that the thickness of the coating film of the adhesive paste is 0.5 μm or more and 5 μm or less, preferably 1 μm or more and 3 μm or less.

次いで、得られた圧着物の接着ペーストを加熱硬化させることにより、半導体素子は支持基板に固定される。
加熱温度及び加熱時間は、1)接着ペーストの項で説明した通りである。
Then, the semiconductor element is fixed to the supporting substrate by heating and curing the adhesive paste of the obtained press-fit.
The heating temperature and heating time are as described in the section 1) Adhesive paste.

本発明の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置は、半導体素子が接着ペースト上に良好にマウントされたものであり、半導体素子が高い接着強度で固定されたものとなる。 In the semiconductor device obtained by the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, the semiconductor element is satisfactorily mounted on the adhesive paste, and the semiconductor element is fixed with high adhesive strength.

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例になんら限定されるものではない。
各例中の部及び%は、特に断りのない限り、質量基準である。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples. However, the present invention is by no means limited to the following examples.
Parts and % in each example are based on mass unless otherwise specified.

〔平均分子量測定〕
製造例で得た熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)の質量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は、標準ポリスチレン換算値とし、以下の装置及び条件にて測定した。
装置名:HLC-8220GPC、東ソー株式会社製
カラム:TSKgelGMHXL、TSKgelGMHXL、及び、TSKgel2000HXLを順次連結したもの
溶媒:テトラヒドロフラン
注入量:80μl
測定温度:40℃
流速:1ml/分
検出器:示差屈折計
[Average molecular weight measurement]
The mass-average molecular weight (Mw) and number-average molecular weight (Mn) of the thermosetting organopolysiloxane compound (A) obtained in Production Examples were converted to standard polystyrene values and measured using the following equipment and conditions.
Apparatus name: HLC-8220GPC, manufactured by Tosoh Corporation Column: TSKgelGMHXL, TSKgelGMHXL, and TSKgel2000HXL sequentially connected Solvent: Tetrahydrofuran Injection volume: 80 μl
Measurement temperature: 40°C
Flow rate: 1 ml/min Detector: Differential refractometer

〔IRスペクトルの測定〕
製造例で得た熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)のIRスペクトルは、フーリエ変換赤外分光光度計(パーキンエルマー社製、Spectrum100)を使用して測定した。
[Measurement of IR spectrum]
The IR spectrum of the thermosetting organopolysiloxane compound (A) obtained in Production Example was measured using a Fourier transform infrared spectrophotometer (Spectrum 100, manufactured by PerkinElmer).

(製造例1)
300mlのナス型フラスコに、メチルトリエトキシシラン(信越化学工業社製)71.37g(400mmol)を仕込んだ後、蒸留水21.6mlに35%塩酸0.10g(シラン化合物の合計量に対して0.25mol%)を溶解した水溶液を撹拌しながら加え、全容を30℃にて2時間、次いで70℃に昇温して5時間撹拌したのち、反応液を室温(23℃)まで戻し、酢酸プロピルを140g加えた。
ここに、28%アンモニア水0.12g(シラン化合物の合計量に対して0.5mol%)を、全容を撹拌しながら加え、70℃に昇温して3時間さらに撹拌した。
反応液に精製水を加え、分液し、水層のpHが7.0になるまでこの操作を繰り返した。
有機層をエバポレーターで濃縮し、濃縮物を真空乾燥することにより、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A1)を55.7g得た。
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A1)の質量平均分子量(Mw)は7,800、分子量分布(Mw/Mn)は4.52であった。
また、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A1)のIRスペクトルデータを以下に示す。
Si-CH:1272cm-1,1409cm-1,Si-O:1132cm-1
(Production example 1)
After charging 71.37 g (400 mmol) of methyltriethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) in a 300 ml eggplant-shaped flask, 0.10 g of 35% hydrochloric acid (with respect to the total amount of silane compounds) was added to 21.6 ml of distilled water. 0.25 mol%) was added with stirring, the whole volume was stirred at 30°C for 2 hours, then heated to 70°C and stirred for 5 hours. 140 g of propyl was added.
0.12 g of 28% aqueous ammonia (0.5 mol % with respect to the total amount of the silane compound) was added thereto while stirring the entire volume, the temperature was raised to 70° C., and the mixture was further stirred for 3 hours.
Purified water was added to the reaction solution, the phases were separated, and this operation was repeated until the pH of the aqueous layer reached 7.0.
The organic layer was concentrated by an evaporator, and the concentrate was vacuum-dried to obtain 55.7 g of thermosetting organopolysiloxane compound (A1).
The thermosetting organopolysiloxane compound (A1) had a mass average molecular weight (Mw) of 7,800 and a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 4.52.
IR spectrum data of the thermosetting organopolysiloxane compound (A1) are shown below.
Si—CH 3 : 1272 cm −1 , 1409 cm −1 , Si—O: 1132 cm −1

(製造例2)
300mLのナス型フラスコに、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製)17.0g(77.7mmol)、及び、メチルトリエトキシシラン32.33g(181.3mmol)を仕込んだ後、蒸留水14.0mlに35%塩酸0.0675g(HClの量が0.65mmol,シラン化合物の合計量に対して0.25mol%)を溶解した水溶液を撹拌しながら加え、全容を30℃にて2時間、次いで70℃に昇温して20時間撹拌した。
内容物の撹拌を継続しながら、そこに、28%アンモニア水0.0394g(NHの量が0.65mmol)と酢酸プロピル46.1gの混合溶液を加えて反応液のpHを6.9にし、そのまま70℃で40分間撹拌した。
反応液を室温まで放冷した後、そこに、酢酸プロピル50g及び水100gを加えて分液処理を行い、反応生成物を含む有機層を得た。この有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥処理を行った。
硫酸マグネシウムを濾別除去した後、有機層をエバポレーターで濃縮し、濃縮物を真空乾燥することにより、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A2)を22.3g得た。
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A2)の質量平均分子量(Mw)は5,500、分子量分布(Mw/Mn)は3.40であった。
また、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A2)のIRスペクトルデータを以下に示す。
Si-CH:1272cm-1,1409cm-1,Si-O:1132cm-1,C-F:1213cm-1
(Production example 2)
In a 300 mL eggplant-shaped flask, 17.0 g (77.7 mmol) of 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 32.33 g (181.3 mmol) of methyltriethoxysilane were added. After the preparation, an aqueous solution of 0.0675 g of 35% hydrochloric acid (0.65 mmol of HCl, 0.25 mol % with respect to the total amount of silane compounds) dissolved in 14.0 ml of distilled water was added with stirring, and the whole volume was added. The mixture was stirred at 30° C. for 2 hours, then heated to 70° C. and stirred for 20 hours.
While continuing to stir the contents, a mixed solution of 0.0394 g of 28% aqueous ammonia (the amount of NH3 is 0.65 mmol) and 46.1 g of propyl acetate was added to adjust the pH of the reaction solution to 6.9. , and stirred at 70° C. for 40 minutes.
After allowing the reaction solution to cool to room temperature, 50 g of propyl acetate and 100 g of water were added thereto for liquid separation treatment to obtain an organic layer containing a reaction product. Drying treatment was performed by adding magnesium sulfate to this organic layer.
After removing the magnesium sulfate by filtration, the organic layer was concentrated with an evaporator and the concentrate was vacuum-dried to obtain 22.3 g of a thermosetting organopolysiloxane compound (A2).
The thermosetting organopolysiloxane compound (A2) had a mass average molecular weight (Mw) of 5,500 and a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 3.40.
IR spectrum data of the thermosetting organopolysiloxane compound (A2) are shown below.
Si—CH 3 : 1272 cm −1 , 1409 cm −1 , Si—O: 1132 cm −1 , CF: 1213 cm −1

(製造例3)
300mlのナス型フラスコに、フェニルトリメトキシシラン(信越化学工業社製)28.91g(145.8mmol)を仕込んだ後、蒸留水7.874mlに35%塩酸0.0376g(シラン化合物の合計量に対して0.25mol%)を溶解した水溶液を撹拌しながら加え、全容を30℃にて2時間、次いで70℃に昇温して5時間撹拌したのち、反応液を室温(23℃)まで戻し、酢酸プロピル50g及び水100gを加えて分液処理を行い、反応生成物を含む有機層を得た。この有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥処理を行った。
硫酸マグネシウムを濾別除去した後、有機層をエバポレーターで濃縮し、濃縮物を真空乾燥することにより、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A3)を17.0g得た。
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A3)の質量平均分子量(Mw)は1,100、分子量分布(Mw/Mn)は1.2であった。
また、熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A3)のIRスペクトルデータを以下に示す。
Si-C:698cm-1,Si-O:1132cm-1
(Production example 3)
After charging 28.91 g (145.8 mmol) of phenyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) in a 300 ml eggplant-shaped flask, 0.0376 g of 35% hydrochloric acid (total amount of silane compound) was added to 7.874 ml of distilled water. 0.25 mol%) was added with stirring, and the total volume was stirred at 30°C for 2 hours, then heated to 70°C and stirred for 5 hours, and then the reaction solution was returned to room temperature (23°C). , 50 g of propyl acetate and 100 g of water were added to perform liquid separation treatment to obtain an organic layer containing a reaction product. Drying treatment was performed by adding magnesium sulfate to this organic layer.
After removing the magnesium sulfate by filtration, the organic layer was concentrated by an evaporator and the concentrate was vacuum-dried to obtain 17.0 g of a thermosetting organopolysiloxane compound (A3).
The thermosetting organopolysiloxane compound (A3) had a mass average molecular weight (Mw) of 1,100 and a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 1.2.
IR spectrum data of the thermosetting organopolysiloxane compound (A3) are shown below.
Si—C 6 H 5 : 698 cm −1 , Si—O: 1132 cm −1

実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。
〔(A)成分〕
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A1):製造例1で得られたオルガノポリシロキサン化合物
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A2):製造例2で得られたオルガノポリシロキサン化合物
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A3):製造例3で得られたオルガノポリシロキサン化合物
The compounds used in Examples and Comparative Examples are shown below.
[(A) component]
Thermosetting organopolysiloxane compound (A1): Organopolysiloxane compound obtained in Production Example 1 Thermosetting organopolysiloxane compound (A2): Organopolysiloxane compound obtained in Production Example 2 Thermosetting organopolysiloxane Compound (A3): Organopolysiloxane compound obtained in Production Example 3

〔溶媒(S)〕
(1)有機溶媒(SL)
ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(EDGAC):東京化成工業社製(沸点218℃)
エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(BMGAC):東京化成工業社製(沸点192℃)
シクロヘキサノン:東京化成工業社製(沸点157℃)
(2)有機溶媒(SH)
トリプロピレングリコール-n-ブチルエーテル(TPnB):ダウ・ケミカル社製(沸点274℃)
(3)その他
アセトン:東京化成工業社製(沸点56℃)
[Solvent (S)]
(1) organic solvent (SL)
Diethylene glycol monoethyl ether acetate (EDGAC): manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. (boiling point 218°C)
Ethylene glycol monobutyl ether acetate (BMGAC): manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. (boiling point 192°C)
Cyclohexanone: manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. (boiling point 157° C.)
(2) organic solvent (SH)
Tripropylene glycol-n-butyl ether (TPnB): manufactured by Dow Chemical Company (boiling point 274° C.)
(3) Other acetone: manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. (boiling point 56°C)

〔(B)成分〕
シランカップリング剤(B1):1,3,5-N-トリス〔3-(トリメトキシシリル)プロピル〕イソシアヌレート(信越化学工業社製、製品名「KBM-9659」)
シランカップリング剤(B2):3-(トリメトキシシリル)プロピルコハク酸無水物(信越化学工業社製、製品名「X-12-967C」)
〔(C)成分〕
微粒子(C1):シリカ微粒子(日本アエロジル社製、製品名「AEROSIL RX300」、平均一次粒子径:7nm、比表面積:210m/g)
微粒子(C2):シリコーン微粒子(日興リカ社製、製品名「MSP-SN08」、平均一次粒子径:0.8μm、形状:球状)
[(B) Component]
Silane coupling agent (B1): 1,3,5-N-tris[3-(trimethoxysilyl)propyl]isocyanurate (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product name “KBM-9659”)
Silane coupling agent (B2): 3-(trimethoxysilyl)propylsuccinic anhydride (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product name “X-12-967C”)
[(C) component]
Fine particles (C1): silica fine particles (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., product name “AEROSIL RX300”, average primary particle size: 7 nm, specific surface area: 210 m 2 /g)
Microparticles (C2): Silicone microparticles (manufactured by Nikko Rica, product name “MSP-SN08”, average primary particle size: 0.8 μm, shape: spherical)

(実施例1)
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A1)100部に、EDGAC(SL)28部、シランカップリング剤(B1)10部、シランカップリング剤(B2)3部を加えて、全容を十分に混合、脱泡することにより、固形分濃度80%の接着ペースト1を得た。
(Example 1)
28 parts of EDGAC (SL), 10 parts of silane coupling agent (B1), and 3 parts of silane coupling agent (B2) are added to 100 parts of thermosetting organopolysiloxane compound (A1), and the entire volume is thoroughly mixed, By defoaming, an adhesive paste 1 having a solid concentration of 80% was obtained.

(実施例2~13、比較例1~4)
化合物(各成分)の種類及び配合割合を、下記表1に示すものに変更した以外は、実施例1と同様にして接着ペースト2~13及び1r~4rを得た。
なお、実施例9及び10において、微粒子(C1)及び微粒子(C2)は、シクロヘキサノン(SL)、シランカップリング剤(B1)及びシランカップリング剤(B2)を添加する前に加えた。
(Examples 2 to 13, Comparative Examples 1 to 4)
Adhesive pastes 2 to 13 and 1r to 4r were obtained in the same manner as in Example 1, except that the types and blending ratios of the compounds (each component) were changed to those shown in Table 1 below.
In Examples 9 and 10, fine particles (C1) and fine particles (C2) were added before adding cyclohexanone (SL), silane coupling agent (B1) and silane coupling agent (B2).

実施例及び比較例で得られた接着ペースト1~13及び1r~4rを用いて、それぞれ以下の試験を行った。結果を表2に示す。 The following tests were performed using the adhesive pastes 1 to 13 and 1r to 4r obtained in Examples and Comparative Examples. Table 2 shows the results.

〔質量減少率の測定〕
実施例及び比較例で得た接着ペースト15mgを示差熱・熱重量同時測定装置(島津製作所社製、製品名「DTG-60」)に投入し、測定開始温度40℃、昇温速度10℃/分にて100℃で2時間加熱し、加熱前後における前記接着ペーストの質量を測定し、加熱前後における質量減少率100℃2h(%)[{〔(加熱前の接着ペーストの質量)-(100℃で2時間加熱した後の接着ペーストの質量)〕/(加熱前の接着ペーストの質量)}×100]を算出した。
また、加熱条件を170℃で2時間に変更した以外は、質量減少率100℃2h(%)の測定方法と同様にして、加熱前後における接着ペーストの質量減少率170℃2h(%)[{〔(加熱前の接着ペーストの質量)-(170℃で2時間加熱した後の接着ペーストの質量)〕/(加熱前の接着ペーストの質量)}×100]を算出した。
さらに、測定した質量減少率より、質量減少率170℃2h-質量減少率100℃2h(%)を算出した。
[Measurement of mass reduction rate]
15 mg of the adhesive paste obtained in Examples and Comparative Examples was put into a differential thermal/thermogravimetric simultaneous measurement device (manufactured by Shimadzu Corporation, product name “DTG-60”), and the measurement start temperature was 40 ° C. and the temperature increase rate was 10 ° C./ minutes at 100 ° C. for 2 hours, the mass of the adhesive paste before and after heating is measured, and the mass reduction rate before and after heating is 100 ° C. 2 h (%) [{[(mass of adhesive paste before heating) - (100 The mass of the adhesive paste after heating at ° C. for 2 hours)]/(the mass of the adhesive paste before heating)}×100] was calculated.
In addition, except that the heating conditions were changed to 170 ° C. for 2 hours, the mass loss rate of the adhesive paste before and after heating was 170 ° C. 2 h ( %) [{ [(mass of adhesive paste before heating)−(mass of adhesive paste after heating at 170° C. for 2 hours)]/(mass of adhesive paste before heating)}×100] was calculated.
Further, from the measured mass loss rate, mass loss rate 170°C 2h - mass loss rate 100°C 2h (%) was calculated.

〔チップマウント性評価〕
実施例及び比較例で得た接着ペーストを、無電解銀メッキ銅板(銀メッキ表面の平均粗さRa:0.025μm)上に直径が0.5mmになるように吐出し、標準環境下(温度:23℃±1℃、相対湿度:50±5%)に静置した。5分後、一辺の長さが1mmの正方形(面積が1mm)のシリコンチップをマウントし、チップの傾きを観察し、傾きなくチップをマウントできる場合を「良」、チップが傾く等の不具合が生じた場合を「不良」と評価した。
[Chip mountability evaluation]
The adhesive pastes obtained in Examples and Comparative Examples were discharged onto an electroless silver-plated copper plate (average roughness Ra of the silver-plated surface: 0.025 μm) so that the diameter was 0.5 mm, and tested under a standard environment (temperature : 23°C ± 1°C, relative humidity: 50 ± 5%). After 5 minutes, a square silicon chip with a side length of 1 mm (area of 1 mm 2 ) was mounted, and the tilt of the chip was observed. was evaluated as "bad".

〔接着強度評価〕
一辺の長さが1mmの正方形(面積が1mm)のシリコンチップのミラー面に、実施例及び比較例で得た接着ペーストを塗布し、標準環境下(温度:23℃±1℃、相対湿度:50±5%)に静置した。5分後、塗布面を被着体〔無電解銀メッキ銅板(銀メッキ表面の平均粗さRa:0.025μm)〕の上に載せ、圧着後の接着ペーストの厚さが約2μmになるように圧着した。その後、100℃で2時間加熱処理して硬化させて試験片付被着体を得た。この試験片付被着体を、23℃のボンドテスター(デイジ社製、シリーズ4000)の測定ステージ上に30秒間放置し、被着体から100μmの高さの位置より、スピード200μm/sで接着面に対し水平方向(せん断方向)に応力をかけ、23℃における、試験片と被着体との接着強度(N/mm□)を測定した。
[Adhesion strength evaluation]
The adhesive paste obtained in Examples and Comparative Examples was applied to the mirror surface of a square silicon chip with a side length of 1 mm (area of 1 mm 2 ), and under standard environment (temperature: 23 ° C. ± 1 ° C., relative humidity) : 50±5%). After 5 minutes, the coated surface was placed on an adherend [electroless silver-plated copper plate (average roughness Ra of silver-plated surface: 0.025 μm)], and the thickness of the adhesive paste after pressure bonding was about 2 μm. crimped to. After that, it was cured by heat treatment at 100° C. for 2 hours to obtain an adherend with a test piece. The adherend with this test piece is left on the measurement stage of a bond tester (manufactured by Daisy, series 4000) for 30 seconds at 23 ° C., and adhered at a speed of 200 µm / s from a position 100 µm above the adherend. A stress was applied in the horizontal direction (shear direction) to the surface, and the adhesive strength (N/mm□) between the test piece and the adherend was measured at 23°C.

Figure 2022151346000009
Figure 2022151346000009

Figure 2022151346000010
Figure 2022151346000010

表1及び2から以下のことが分かる。
実施例1~13の接着ペースト1~13は、接着ペーストを硬化して得られる硬化物の接着強度に優れ、かつチップマウント性にも優れる。
特に、有機溶媒(SL)として、より沸点の低い溶媒を含有させた方が、接着ペーストを硬化して得られる硬化物の接着強度により優れる(実施例1~3)。
溶媒(S)として、有機溶媒(SL)と有機溶媒(SH)の混合溶媒を用いた場合であっても、硬化物の接着強度に優れ、かつチップマウント性にも優れる接着ペーストを得ることができる(実施例4~6)。
固形分濃度が高い接着ペーストの方が、接着ペーストを硬化して得られる硬化物の接着強度に優れる(実施例4と7、実施例3と8)。
微粒子(C)を添加した接着ペーストは、微粒子(C)を添加しない接着ペーストと比較して、(A)成分及び(B)成分の含有割合が相対的に少ないにもかかわらず、良好な接着強度を有する硬化物を与える(実施例9及び10)。
熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)の種類(ポリシルセスキオキサン化合物側鎖の種類)を変更した場合であっても、接着ペーストを硬化して得られる硬化物の接着強度に優れる(実施例11~13)。
Tables 1 and 2 reveal the following.
The adhesive pastes 1 to 13 of Examples 1 to 13 are excellent in adhesive strength of cured products obtained by curing the adhesive pastes, and are also excellent in chip mountability.
In particular, when a solvent with a lower boiling point is contained as the organic solvent (SL), the adhesive strength of the cured product obtained by curing the adhesive paste is superior (Examples 1 to 3).
Even when a mixed solvent of an organic solvent (SL) and an organic solvent (SH) is used as the solvent (S), it is possible to obtain an adhesive paste having excellent adhesive strength of the cured product and excellent chip mountability. Yes (Examples 4-6).
An adhesive paste having a high solid content concentration is superior in adhesive strength of a cured product obtained by curing the adhesive paste (Examples 4 and 7, Examples 3 and 8).
The adhesive paste to which the fine particles (C) are added has good adhesion even though the content of the components (A) and (B) is relatively small compared to the adhesive paste to which the fine particles (C) are not added. Gives cured products with strength (Examples 9 and 10).
Even when the type of the thermosetting organopolysiloxane compound (A) (type of polysilsesquioxane compound side chain) is changed, the adhesive strength of the cured product obtained by curing the adhesive paste is excellent (implementation Examples 11-13).

一方、比較例1の接着ペースト1rは、溶媒(S)として、高沸点の有機溶媒(SH)のみを含有するものであるため、質量減少率100℃2hが小さく、溶媒が多量に残存し、接着ペーストを十分に硬化させることができず、十分な接着強度を発現しない。
比較例2の接着ペースト2rは、溶媒(S)として、沸点が非常に低い有機溶媒のみを含有するものであるため、接着ペースト塗布後直ぐに乾いてしまい、チップマウント性に劣る。
比較例3の接着ペースト3rは、有機溶媒(SL)の含有量が、接着ペーストの総質量及び溶媒(S)全体に対して少ないため、質量減少率100℃2hが小さく、接着ペーストを十分に硬化させることができず、十分な接着強度を発現しない。
比較例4の接着ペースト4rは、質量減少率100℃2hを満たしているにもかかわらず、溶媒(S)中の有機溶媒(SH)の含有割合が大きいため、100℃の加熱では、硬化物中に有機溶媒(SH)が比較的多量に残存し、接着ペーストを十分に硬化させることができず、十分な接着強度を発現しない。
On the other hand, since the adhesive paste 1r of Comparative Example 1 contains only a high boiling point organic solvent (SH) as the solvent (S), the mass reduction rate at 100° C. for 2 hours is small, and a large amount of solvent remains. The adhesive paste cannot be cured sufficiently, and sufficient adhesive strength is not exhibited.
Since the adhesive paste 2r of Comparative Example 2 contains only an organic solvent having a very low boiling point as the solvent (S), the adhesive paste dries immediately after application, resulting in poor chip mountability.
In the adhesive paste 3r of Comparative Example 3, the content of the organic solvent (SL) is small relative to the total mass of the adhesive paste and the entire solvent (S), so the mass reduction rate at 100 ° C. 2h is small, and the adhesive paste is sufficiently It cannot be cured and does not develop sufficient adhesive strength.
Although the adhesive paste 4r of Comparative Example 4 satisfies the mass reduction rate of 100° C. for 2 hours, the content of the organic solvent (SH) in the solvent (S) is large. A relatively large amount of organic solvent (SH) remains in the adhesive paste, and the adhesive paste cannot be sufficiently cured, resulting in insufficient adhesive strength.

Claims (12)

熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)及び溶媒(S)を含有し、前記熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)が、前記溶媒(S)に溶解してなる接着ペーストであって、
前記溶媒(S)が、沸点が100℃以上254℃未満である有機溶媒(SL)を含むものであり、
接着ペーストを100℃で2時間加熱した後の、加熱前後における前記接着ペーストの質量減少率100℃2hが、10%以上であり、かつ、
接着ペーストを170℃で2時間加熱した後の、加熱前後における前記接着ペーストの質量減少率を質量減少率170℃2hとしたときに、質量減少率170℃2h-質量減少率100℃2hが、14%未満である接着ペースト。
An adhesive paste containing a thermosetting organopolysiloxane compound (A) and a solvent (S), wherein the thermosetting organopolysiloxane compound (A) is dissolved in the solvent (S),
The solvent (S) contains an organic solvent (SL) having a boiling point of 100° C. or more and less than 254° C.,
After heating the adhesive paste at 100° C. for 2 hours, the mass reduction rate 100° C. for 2 hours of the adhesive paste before and after heating is 10% or more, and
After heating the adhesive paste at 170 ° C. for 2 hours, when the mass loss rate of the adhesive paste before and after heating is 170 ° C. 2 h , the mass loss rate 170 ° C. 2 h - mass loss rate 100 ° C. 2 h is Adhesive pastes that are less than 14%.
前記熱硬化性オルガノポリシロキサン化合物(A)が、ポリシルセスキオキサン化合物である、請求項1に記載の接着ペースト。 The adhesive paste according to claim 1, wherein the thermosetting organopolysiloxane compound (A) is a polysilsesquioxane compound. 前記有機溶媒(SL)が、沸点が100℃以上200℃未満のものである、請求項1又は2に記載の接着ペースト。 The adhesive paste according to claim 1 or 2, wherein the organic solvent (SL) has a boiling point of 100°C or higher and lower than 200°C. 前記有機溶媒(SL)の含有量が、接着ペーストの総質量に対して、10質量%以上50質量%以下である、請求項1~3のいずれかに記載の接着ペースト。 The adhesive paste according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the organic solvent (SL) is 10% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the total mass of the adhesive paste. 前記溶媒(S)が、沸点が254℃以上300℃以下の有機溶媒(SH)を含むものである、請求項1~4のいずれかに記載の接着ペースト。 The adhesive paste according to any one of claims 1 to 4, wherein the solvent (S) contains an organic solvent (SH) having a boiling point of 254°C or higher and 300°C or lower. さらに、下記(B)成分を含有する、請求項1~5のいずれかに記載の接着ペースト。
(B)成分:シランカップリング剤
The adhesive paste according to any one of claims 1 to 5, further comprising the following component (B).
(B) component: silane coupling agent
さらに、下記(C)成分を含有する、請求項1~6のいずれかに記載の接着ペースト。
(C)成分:微粒子
The adhesive paste according to any one of claims 1 to 6, further comprising the following component (C).
(C) component: fine particles
固形分濃度が、50質量%以上90質量%以下である、請求項1~7のいずれかに記載の接着ペースト。 The adhesive paste according to any one of claims 1 to 7, which has a solid content concentration of 50% by mass or more and 90% by mass or less. 貴金属触媒を実質的に含有しない、請求項1~8のいずれかに記載の接着ペースト。 The adhesive paste according to any one of claims 1 to 8, which is substantially free of noble metal catalysts. 半導体素子固定材用接着剤である、請求項1~9のいずれかに記載の接着ペースト。 The adhesive paste according to any one of claims 1 to 9, which is an adhesive for a semiconductor element fixing material. 請求項1~10のいずれかに記載の接着ペーストを、半導体素子固定材用接着剤として使用する方法。 A method of using the adhesive paste according to any one of claims 1 to 10 as an adhesive for a semiconductor element fixing material. 請求項1~10のいずれかに記載の接着ペーストを、半導体素子固定材用接着剤として使用する半導体装置の製造方法であって、下記工程(BI)及び工程(BII)を有する半導体装置の製造方法。
工程(BI):半導体素子と支持基板の一方又は両方の接着面に前記接着ペーストを塗布し、圧着する工程
工程(BII):工程(BI)で得られた圧着物の前記接着ペーストを加熱硬化させ、前記半導体素子を前記支持基板に固定する工程
A method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive paste according to any one of claims 1 to 10 as an adhesive for a semiconductor element fixing material, comprising the following steps (BI) and (BII). Method.
Step (BI): Applying the adhesive paste to the bonding surface of one or both of the semiconductor element and the support substrate, and press-bonding Step (BII): Heating and curing the adhesive paste of the crimped product obtained in Step (BI) and fixing the semiconductor element to the support substrate
JP2021054377A 2021-03-26 2021-03-26 Adhesive paste, application method of adhesive paste and production method of semiconductor device Pending JP2022151346A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021054377A JP2022151346A (en) 2021-03-26 2021-03-26 Adhesive paste, application method of adhesive paste and production method of semiconductor device
TW111101084A TW202300622A (en) 2021-03-26 2022-01-11 Adhesive paste, method for using adhesive paste, and method for manufacturing semiconductor device
KR1020220027322A KR20220134436A (en) 2021-03-26 2022-03-03 Adhesive paste, method of using adhesive paste and method of producing semiconductor device
CN202210298900.3A CN115124973A (en) 2021-03-26 2022-03-25 Adhesive paste, method for using adhesive paste, and method for manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021054377A JP2022151346A (en) 2021-03-26 2021-03-26 Adhesive paste, application method of adhesive paste and production method of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022151346A true JP2022151346A (en) 2022-10-07

Family

ID=83377011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021054377A Pending JP2022151346A (en) 2021-03-26 2021-03-26 Adhesive paste, application method of adhesive paste and production method of semiconductor device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022151346A (en)
KR (1) KR20220134436A (en)
CN (1) CN115124973A (en)
TW (1) TW202300622A (en)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6990033B2 (en) 2017-03-30 2022-02-15 リンテック株式会社 Adhesives for optical devices and their manufacturing methods

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220134436A (en) 2022-10-05
CN115124973A (en) 2022-09-30
TW202300622A (en) 2023-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102399634B1 (en) Curable composition, method for producing curable composition, cured object, method for using curable composition, and optical device
CN106661328B (en) Curable composition, method for producing curable composition, cured product, method for using curable composition, and optical device
CN106574117B (en) Curable composition, method for producing curable composition, cured product, method for using curable composition, and optical device
JP6990033B2 (en) Adhesives for optical devices and their manufacturing methods
JP6821600B2 (en) Curable composition, method for producing curable composition, cured product, and method for using curable composition
JP6840901B2 (en) Curable composition, cured product, and how to use the curable composition
JP2022151346A (en) Adhesive paste, application method of adhesive paste and production method of semiconductor device
WO2022202846A1 (en) Adhesive paste, method for using adhesive paste, and method for manufacturing semiconductor device
WO2022202844A1 (en) Adhesive paste, method for using adhesive paste, and method for manufacturing semiconductor device
JP2024092134A (en) Adhesive paste and method for manufacturing semiconductor device
JP6830563B2 (en) Curable Polysilsesquioxane Compounds, Curable Compositions, Curables, and How to Use Curable Compositions
JP6840900B2 (en) Curable composition, cured product, and how to use the curable composition
JP2024004932A (en) Adhesive paste, method for using adhesive paste and method for producing light-emitting device
WO2022209064A1 (en) Adhesive paste, method for using adhesive paste, and method for producing semiconductor device
JP2023139659A (en) Adhesive paste, method for using adhesive paste, and method for manufacturing semiconductor device
KR102682505B1 (en) Curable composition, method of producing the curable composition, cured product, and method of using the curable composition

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231228