JP2022148334A - Light-emitting device and light extraction layer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光デバイスおよび光取出し層に関する。 The present invention relates to light emitting devices and light extraction layers.
発光デバイスとして、透明基板、透明基板上に設けられた透明電極、透明電極と対をなす反射電極、透明電極と反射電極との間に配置される発光層を備えたデバイスがある。このような発光デバイスでは、透明電極および反射電極の一方を陽極とし、他方を陰極として発光層に電力を供給する。これにより発光層で光が生じる。発光層で生じた光は、透明電極および透明基板を透過して透明基板側から出力される。発光層で生じた光のうち反射電極側に進行した光は、反射電極で反射され、透明電極および透明基板を透過して透明基板側から出力される。このように透明基板を用いた発光デバイスでは透明基板側から光が出力されるが、発光層で生じた光のうち一部は、透明基板および透明電極内に閉じこめられる。そのため、発光デバイスの発光効率を向上させるために、特許文献1に開示されているように、光取出し層を用いることが知られている。 A light-emitting device includes a device having a transparent substrate, a transparent electrode provided on the transparent substrate, a reflective electrode paired with the transparent electrode, and a light-emitting layer disposed between the transparent electrode and the reflective electrode. In such a light-emitting device, one of the transparent electrode and the reflective electrode is used as an anode, and the other is used as a cathode to supply electric power to the light-emitting layer. This causes light to be generated in the light-emitting layer. Light generated in the light-emitting layer passes through the transparent electrode and the transparent substrate and is output from the transparent substrate side. Of the light generated in the light-emitting layer, the light traveling toward the reflective electrode is reflected by the reflective electrode, transmitted through the transparent electrode and the transparent substrate, and output from the transparent substrate. As described above, in a light-emitting device using a transparent substrate, light is output from the transparent substrate side, but part of the light generated in the light-emitting layer is confined in the transparent substrate and the transparent electrode. Therefore, it is known to use a light extraction layer as disclosed in Patent Document 1 in order to improve the luminous efficiency of the light emitting device.
特許文献1に記載の光取出し層は、母材と、母材に分散された散乱粒子を有し、光取出し層に入射した光の一部を散乱させる。これにより、発光デバイス内で生じた光を採りだしている。このように光取出し層を用いることで、発光デバイスからの光取出し効率は、光取出し層を用いない場合に比べて向上する。しかしながら、近年、更なる光取出し効率の向上が求められていた。 The light extraction layer described in Patent Document 1 has a base material and scattering particles dispersed in the base material, and scatters part of the light incident on the light extraction layer. This extracts the light generated within the light emitting device. By using the light extraction layer in this way, the light extraction efficiency from the light emitting device is improved as compared with the case where the light extraction layer is not used. However, in recent years, there has been a demand for further improvement in light extraction efficiency.
そこで、本発明は、光取出し効率の向上が可能な発光デバイスおよび光取出し層を提供することを目的とする。 Accordingly, it is an object of the present invention to provide a light-emitting device and a light-extraction layer capable of improving light-extraction efficiency.
本願発明者らは、光取出し層を用いた光取出し効率の向上を鋭気研究した。その結果、光取出し層が有する光散乱層(母材に散乱粒子が分散された層)における上記散乱粒子の上記母材中における体積濃度と厚さが一定の関係を有するとともに、光散乱層のイエローインデックスを調整することによって、光取出し効率の向上が図れることを見いだし、本発明に至った。 The inventors of the present application have made intensive research into improving light extraction efficiency using a light extraction layer. As a result, the volume concentration of the scattering particles in the base material and the thickness of the light scattering layer (the layer in which the scattering particles are dispersed in the base material) of the light extraction layer have a constant relationship, and the thickness of the light scattering layer has a constant relationship. The inventors have found that the light extraction efficiency can be improved by adjusting the yellow index, and have completed the present invention.
本発明の一側面に係る発光デバイスは、透明基板、透明電極、反射電極および発光層を備えており、上記透明電極は、上記透明基板上に配置されており、上記発光層は、上記透明電極と上記反射電極との間に配置されている、発光デバイスであって、上記発光層から放出された光の光路上に配置されており、上記発光層から放出された光を外部に取り出すための光取出し層を備え、上記光取出し層が、母材と、上記母材と異なる屈折率を有する散乱粒子とを含む光散乱層を有し、上記光散乱層の厚さをA[μm]とし、上記散乱粒子の上記母材中における体積濃度をB[vol%]とし、上記光散乱層のイエローインデックスをCとしたとき、上記Aおよび上記Bが式(I)をみたし、上記Cが式(II)を満たす。
25≦A×B≦145・・・(I)
5≦C≦25・・・(II)
A light-emitting device according to one aspect of the present invention includes a transparent substrate, a transparent electrode, a reflective electrode, and a light-emitting layer. The transparent electrode is disposed on the transparent substrate, and the light-emitting layer includes the transparent electrode. and the reflective electrode, the light-emitting device is arranged on the optical path of the light emitted from the light-emitting layer, for extracting the light emitted from the light-emitting layer to the outside A light extraction layer is provided, the light extraction layer has a light scattering layer containing a base material and scattering particles having a refractive index different from that of the base material, and the thickness of the light scattering layer is A [μm]. , where B [vol%] is the volume concentration of the scattering particles in the base material, and C is the yellow index of the light scattering layer, A and B satisfy formula (I), and C is It satisfies formula (II).
25≦A×B≦145 (I)
5≦C≦25 (II)
上記発光デバイスは、上記発光層から放出された光の光路上に光取出し層を有する。光取出し層は光散乱層を有することから、光取出し層に入射した光は、発光デバイス外に取り出されやすい。上記構成の発光デバイスでは、光散乱層が式(I)及び式(II)を満たすように構成されていることから、光取出し効率の向上が図られている。 The light emitting device has a light extraction layer on the optical path of light emitted from the light emitting layer. Since the light extraction layer has the light scattering layer, the light incident on the light extraction layer is easily extracted to the outside of the light emitting device. In the light-emitting device having the above configuration, the light-scattering layer is configured to satisfy the formulas (I) and (II), so that the light extraction efficiency is improved.
上記光取出し層が、上記透明基板と上記透明電極との間に配置されていてもよい。このような配置により、発光層で生じた光は光散乱層を通過する。その結果、光取出し層による光取り出しが確実に実施され得る。 The light extraction layer may be arranged between the transparent substrate and the transparent electrode. With such an arrangement, light generated in the light-emitting layer passes through the light-scattering layer. As a result, light extraction by the light extraction layer can be reliably performed.
上記母材の屈折率が1.6以上2.0以下であり、上記散乱粒子の屈折率が2.0以上2.4以下であってもよい。 The base material may have a refractive index of 1.6 or more and 2.0 or less, and the scattering particles may have a refractive index of 2.0 or more and 2.4 or less.
上記母材の屈折率が1.6以上2.0以下であり、上記散乱粒子の屈折率が1.3以上1.5以下であってもよい。 The base material may have a refractive index of 1.6 or more and 2.0 or less, and the scattering particles may have a refractive index of 1.3 or more and 1.5 or less.
一実施形態に係る発光デバイスは、上記光取出し層と上記透明電極との間に、上記母材の屈折率以上の屈折率を有する無機薄膜層を更に備え、上記無機薄膜層の水蒸気透過度が、1×10-1g/(m2・day)以下でもよい。 The light emitting device according to one embodiment further includes an inorganic thin film layer having a refractive index equal to or higher than the refractive index of the base material between the light extraction layer and the transparent electrode, and the inorganic thin film layer has a water vapor transmission rate of , 1×10 −1 g/(m 2 ·day) or less.
上記発光層が有機発光層であってもよい。この場合、上記発光デバイスは、有機エレクトロルミネッセンスデバイスとして機能する。 The light-emitting layer may be an organic light-emitting layer. In this case, the light emitting device functions as an organic electroluminescent device.
本発明の他の側面に係る光取出し層は、母材と、上記母材と異なる屈折率を有する散乱粒子とを有する光散乱層を備え、上記光散乱層の厚さをAとし、上記散乱粒子の上記母材中における体積濃度をBとし、上記光散乱層のイエローインデックスをCとしたとき、上記Aおよび上記Bが式(III)をみたし、上記Cが式(IV)を満たす。
光取出し層。
25≦A×B≦145・・・(III)
5≦C≦25・・・(IV)
A light extraction layer according to another aspect of the present invention includes a light scattering layer having a base material and scattering particles having a refractive index different from that of the base material. When B is the volume concentration of the particles in the base material and C is the yellow index of the light scattering layer, A and B satisfy formula (III), and C satisfies formula (IV).
light extraction layer.
25≦A×B≦145 (III)
5≦C≦25 (IV)
上記光取出し層は、式(III)および式(IV)を満たす光散乱層を有する。そのたため、上記光取出し層を、たとえば発光デバイスに適用した場合、効率的に光を取り出すことが可能である。 The light extraction layer has a light scattering layer that satisfies formula (III) and formula (IV). Therefore, when the light extraction layer is applied to, for example, a light emitting device, it is possible to efficiently extract light.
本発明によれば、光取出し効率の向上が可能な発光デバイスおよび光取出し層を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the light emitting device and light extraction layer which can improve light extraction efficiency can be provided.
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted. The dimensional proportions of the drawings do not necessarily match those of the description.
図1は、一実施形態に係る発光デバイスの一例である有機エレクトロルミネッセンスデバイス(有機ELデバイス)の基本構成を説明する図面である。 FIG. 1 is a diagram illustrating the basic configuration of an organic electroluminescence device (organic EL device), which is an example of a light-emitting device according to one embodiment.
有機ELデバイス10は、透明基板11と、光取出し層12と、透明電極13と、有機EL層(デバイス機能層)14と、反射電極15とを備える。透明電極13および反射電極15のうち一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。以下では、断らない限り、透明電極13が陽極として機能し、反射電極15が陰極として機能する場合の形態を説明する。
The
透明基板11は、有機ELデバイス10から出力される光(可視光を含む)に対して透明である。透明基板11は、例えばガラス基板及び石英基板などのリジッド基板であってもよいし、又は、プラスチック基板及び高分子フィルムなどの可撓性基板であってもよい。可撓性基板とは、基板に所定の力を加えても基板が剪断したり破断したりすることがなく、基板を撓めることが可能な性質を有する基板である。透明基板11の屈折率の例は、1.4以上1.8以下である。
The
透明基板11がリジッド基板である場合、透明基板11の厚さは、例えば50μm~1100μmである。透明基板11が可撓性基板である場合、透明基板11の厚さは、例えば10μm~700μmである。
When the
光取出し層12は、透明基板11上に配置される。光取出し層12は、有機ELデバイス10内で生成された光を外部に取り出すための層である。光取出し層12については後述する。
The
透明電極13には、光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜およびその積層体を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。透明電極13は、導電体(例えば金属)からなるネットワーク構造を有してもよい。透明電極13の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定され得る。透明電極13の厚さは、通常、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、さらに好ましくは30nm~500nmである。
An electrode exhibiting optical transparency is used for the
透明電極13の材料としては、例えば酸化インジウム、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛(Aluminium Zinc Oxide:略称AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(Gallium Zinc Oxide:略称GZO)、酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズ(Antimony Tin Oxide:略称ATO)、フッ素ドープ酸化スズ(Fuluorine Tin Oxide:略称FTO)や金、白金、銀、銅等が挙げられ、これらの中でもITO又はIZOが好ましい。透明電極13は、例示した材料からなる薄膜として形成され得る。透明電極13の材料には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物を用いてもよい。この場合、透明電極13は、透明導電膜として形成され得る。
Materials for the
透明電極13は、乾式成膜法によって形成され得る。乾式成膜法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法などが挙げられる。
The
有機EL層14は、透明電極13上に配置されている。有機EL層14は、透明電極13と反射電極15との間に位置する。有機EL層14の大きさ(厚さ方向からみた場合のサイズ)は、透明基板11より小さい。有機EL層14は、透明電極13及び反射電極15に印加された電力に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ELデバイス10の発光に寄与する機能層である。有機EL層14は、発光層(有機発光層)14aを有する。
The
発光層14aは、光(可視光を含む)を発する機能層である。発光層14aの厚さは、例えば1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは3nm~200nmである。
The
発光層14aは、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物、又は、その有機物とその有機物を補助するドーパント材料とから形成される。したがって、発光層14aは有機発光層である。発光層14aに含まれる有機物は、低分子化合物でもよいし、高分子化合物でもよい。
The light-emitting
主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物としては、以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等が挙げられる。 Organic substances that mainly emit at least one of fluorescence and phosphorescence include the following dye-based materials, metal complex-based materials, polymer-based materials, and the like.
色素系材料としては、例えばシクロペンダミン若しくはその誘導体、テトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、トリフェニルアミン若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、ピラゾロキノリン若しくはその誘導体、ジスチリルベンゼン若しくはその誘導体、ジスチリルアリーレン若しくはその誘導体、ピロール若しくはその誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、オリゴチオフェン若しくはその誘導体、オキサジアゾールダイマー若しくはその誘導体、ピラゾリンダイマー若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体等が挙げられる。 Examples of dye materials include cyclopentamine or its derivatives, tetraphenylbutadiene or its derivatives, triphenylamine or its derivatives, oxadiazole or its derivatives, pyrazoloquinoline or its derivatives, distyrylbenzene or its derivatives, di styrylarylene or derivatives thereof, pyrrole or derivatives thereof, thiophene ring compounds, pyridine ring compounds, perinone or derivatives thereof, perylene or derivatives thereof, oligothiophene or derivatives thereof, oxadiazole dimers or derivatives thereof, pyrazoline dimers or derivatives thereof, Examples include quinacridone or its derivatives, coumarin or its derivatives, and the like.
金属錯体系材料としては、例えばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、又はAl、Zn、Be、Pt、Ir等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体が挙げられる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等が挙げられる。 Examples of metal complex materials include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Pt, Ir, etc., as central metals, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, and quinoline. A metal complex having a structure or the like as a ligand can be mentioned. Examples of metal complexes include metal complexes that emit light from a triplet excited state such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyl zinc complexes, porphyrin zinc complex, phenanthroline europium complex, and the like.
高分子系材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、上記色素材料及び金属錯体材料の少なくとも一方を高分子化した材料等が挙げられる。 Examples of polymeric materials include polyparaphenylene vinylene or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polyparaphenylene or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polyacetylene or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, polyvinylcarbazole or derivatives thereof, Examples thereof include materials obtained by polymerizing at least one of the dye material and the metal complex material.
ドーパント材料は、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物を補助するドーパント材料としては、例えばペリレン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、スクアリウム若しくはその誘導体、ポルフィリン若しくはその誘導体、スチリル色素、テトラセン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、デカシクレン若しくはその誘導体、フェノキサゾン若しくはその誘導体等が挙げられる。 A dopant material is added, for example, to improve the luminous efficiency or change the luminous wavelength. Dopant materials mainly assisting organic substances that emit at least one of fluorescence and phosphorescence include, for example, perylene or its derivatives, coumarin or its derivatives, rubrene or its derivatives, quinacridone or its derivatives, squarium or its derivatives, porphyrin or its derivatives. , styryl dyes, tetracene or derivatives thereof, pyrazolones or derivatives thereof, decacyclene or derivatives thereof, phenoxazone or derivatives thereof, and the like.
有機EL層14は、発光層14aの他、種々の機能層を含んでもよい。陽極である透明電極13と発光層14aとの間に配置される機能層の例としては、図1に示したように、正孔注入層14b、正孔輸送層14c等が挙げられる。
The
正孔注入層14bは、透明電極(陽極)13から発光層14aへの正孔注入効率を向上させる機能を有する機能層である。正孔注入層14bは、無機層でもよいし、有機層でもよい。正孔注入層14bを構成する正孔注入材料は、低分子化合物でもよいし、高分子化合物でもよい。
The
上記正孔注入材料としては、例えば、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び酸化アルミニウムなどの金属酸化物やアモルファスカーボンが挙げられる。正孔注入材料が低分子化合物である場合、低分子化合物としては、例えば、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物などが挙げられる。アミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物などが挙げられる。 Examples of the hole injection material include metal oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, and amorphous carbon. When the hole injection material is a low-molecular-weight compound, examples of the low-molecular-weight compound include phenylamine compounds, starburst-type amine compounds, and phthalocyanine compounds. Examples include amine compounds, starburst type amine compounds, and phthalocyanine compounds.
正孔注入材料が高分子化合物である場合、高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)のようなポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体;芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子などが挙げられる。 When the hole injection material is a polymer compound, examples of the polymer compound include polyaniline, polythiophene, polythiophene derivatives such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT), polypyrrole, polyphenylene vinylene, polythienylene vinylene, polyquinoline and poly Examples include quinoxaline and derivatives thereof; and conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain.
正孔注入層14bの厚さは、用いる材料によって最適値が異なる。正孔注入層14bの厚さは、求められる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定され得る。正孔注入層14bの厚さは、例えば1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。
The optimum thickness of the
正孔輸送層14cは、正孔注入層14b(正孔注入層14bが存在しない形態では透明電極(陽極)13)から発光層14aへの正孔注入効率を向上させる機能を有する機能層である。
The hole-transporting
正孔輸送層14cは正孔輸送材料を含む有機層である。正孔輸送材料は正孔輸送機能を有する有機化合物であれば限定されない。正孔輸送機能を有する有機化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、ポリフルオレン誘導体、芳香族アミン残基を有する高分子化合物、及びポリ(2,5-チエニレンビニレン)若しくはその誘導体が挙げられる。
正孔輸送材料の例として、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されている正孔輸送材料等も挙げられる。 Examples of hole transport materials include JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-209988, Also included are hole transport materials described in JP-A-3-37992 and JP-A-3-152184.
正孔輸送層14cの厚さは、用いる材料によって最適値が異なる。正孔輸送層14cの厚さは、求められる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定され得る。正孔輸送層14cの厚さは、例えば、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。
The optimum thickness of the
有機EL層14は、発光層14aと反射電極(陰極)15との間に、電子輸送層、電子注入層等を有してもよい。
The
電子輸送層は、電子注入層(有機EL層14が電子注入層を有しない場合は反射電極(陰極)15)から発光層14aへの電子注入効率を向上させる機能を有する機能層である。
The electron transport layer is a functional layer that has the function of improving the efficiency of electron injection from the electron injection layer (the reflective electrode (cathode) 15 if the
電子輸送層は電子輸送材料を含む有機層である。電子輸送材料には、公知の材料が用いられ得る。電子輸送材料の具体例としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8-ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などが挙げられる。 The electron-transporting layer is an organic layer containing an electron-transporting material. A known material can be used as the electron transport material. Specific examples of electron transport materials include oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinone or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, Diphenyldicyanoethylene or its derivatives, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives, polyquinoline or its derivatives, polyquinoxaline or its derivatives, polyfluorenes or its derivatives, and the like.
電子輸送層の厚さは、求められる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定され得る。電子輸送層の厚さは、例えば1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。 The thickness of the electron-transporting layer can be appropriately determined in consideration of the required properties, ease of film formation, and the like. The thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm.
電子注入層は、反射電極(陰極)15から発光層14aへの電子注入効率を向上させる機能を有する機能層である。有機EL層14が電子輸送層を有する場合、電子注入層は、電子輸送層と反射電極15との間に配置される。この場合、電子輸送層は、電子注入層から発光層14aへ電子を注入する。電子注入層は無機層でもよいし、有機層でもよい。電子注入層は、反射電極15の一部であってもよい。
The electron injection layer is a functional layer having a function of improving the electron injection efficiency from the reflective electrode (cathode) 15 to the
電子注入層を構成する材料は、発光層14aの種類に応じて最適な材料が適宜選択される。電子注入層を構成する材料の例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの1種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、又はこれらの物質の混合物などが挙げられ得る。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどが挙げられ得る。アルカリ土類金属又はアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。
As the material forming the electron injection layer, an optimum material is appropriately selected according to the type of the
この他に従来知られた電子輸送性の有機材料と、アルカリ金属の有機金属錯体を混合した層を電子注入層として利用できる。 In addition, a layer in which a conventionally known electron-transporting organic material and an organometallic complex of an alkali metal are mixed can be used as the electron injection layer.
電子注入層の厚さは、例えば1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは3nm~200nmである。 The thickness of the electron injection layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 3 nm to 200 nm.
有機EL層14が有し得る層構成の例を以下に示す。有機EL層14の層構成の説明では、陽極(透明電極13)及び陰極(反射電極15)との配置関係と各種機能層の配置関係を示すために、透明電極13および反射電極15をそれぞれ陽極及び陰極と称す。以下の配置例では、陽極および陰極も括弧書きで記載している。
(a)(陽極)/正孔注入層/発光層/(陰極)
(b)(陽極)/正孔注入層/発光層/電子注入層/(陰極)
(c)(陽極)/正孔注入層(又は正孔輸送層)/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極)
(d)(陽極)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/(陰極)
(e)(陽極)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/(陰極)
(f)(陽極)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極)
(g)(陽極)/発光層/電子輸送層(又は電子注入層)/(陰極)
(i)(陽極)/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極)
記号「/」は、記号「/」の両側の層同士が接合していることを意味している。
Examples of layer structures that the
(a) (anode)/hole injection layer/light-emitting layer/(cathode)
(b) (anode)/hole injection layer/light emitting layer/electron injection layer/(cathode)
(c) (Anode)/Hole Injection Layer (or Hole Transport Layer)/Emitting Layer/Electron Transport Layer/Electron Injection Layer/(Cathode)
(d) (anode)/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/(cathode)
(e) (Anode)/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/Emitting Layer/Electron Injection Layer/(Cathode)
(f) (Anode)/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/Emitting Layer/Electron Transport Layer/Electron Injection Layer/(Cathode)
(g) (anode)/light emitting layer/electron transport layer (or electron injection layer)/(cathode)
(i) (anode)/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/(cathode)
The symbol "/" means that the layers on both sides of the symbol "/" are joined together.
有機EL層14が有する発光層14aの数は、1つでもよいし、2つ以上でもよい。上記層構成(a)~(i)のうちのいずれか1つにおいて、陽極と陰極との間に配置された積層構造を[構造単位I]と称する。この場合、2つの発光層14aを有する有機EL層14の構成として、以下の(j)に示す層構成が挙げられる。2つの構造単位Iの層構成は互いに同じであっても、異なっていてもよい。
(j)(陽極)/[構造単位I]/電荷発生層/[構造単位I]/(陰極)
The number of light-emitting
(j) (anode)/[structural unit I]/charge generation layer/[structural unit I]/(cathode)
電荷発生層は、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデンなどを含む薄膜が挙げられる。 The charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include thin films containing vanadium oxide, ITO, molybdenum oxide, and the like.
「[構造単位I]/電荷発生層」を[構造単位II]と称すると、3つ以上の発光層14aを有する有機EL層14の構成として、以下の(k)に示す層構成が挙げられる。
(k)(陽極)/[構造単位II]x/[構造単位I]/(陰極)
記号「x」は、2以上の整数を表し、「[構造単位II]x」は、[構造単位II]がx段積層された積層構造を表す。複数の構造単位IIの層構成は同じでも、異なっていてもよい。
When "[structural unit I]/charge generation layer" is referred to as [structural unit II], the structure of the
(k) (anode)/[structural unit II]x/[structural unit I]/(cathode)
The symbol "x" represents an integer of 2 or more, and "[structural unit II]x" represents a laminated structure in which [structural unit II] is laminated in x stages. A plurality of structural units II may have the same or different layer configurations.
電荷発生層を設けずに、複数の発光層14aを直接的に積層させて有機EL層14を構成してもよい。
The
有機EL層14は、塗布法で形成され得る。塗布法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット印刷法、スリットコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法及びノズル印刷法等が挙げられる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビアコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法が好ましい。有機EL層14が複数の機能層を有する場合は、各機能層が塗布法で形成され得る。
The
反射電極15は、有機EL層14上に配置されている。反射電極15の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。反射電極15の厚さは、通常、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、さらに好ましくは50nm~500nmである。
A
有機EL層14からの光(具体的には、発光層14aからの光)が反射電極15で反射して透明電極13側に進むように、反射電極15の材料は、有機EL層14が有する発光層14aからの光(特に可視光)に対して反射率の高い材料が好ましい。反射電極15の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表の第13族元素を有する金属等が挙げられる。反射電極15として、導電性金属酸化物及び導電性有機物等を含む透明導電性電極を用いてもよい。反射電極15は、複数の層を有してもよい。
The material of the
反射電極15は、乾式成膜法、塗布法などで形成され得る。乾式成膜法および塗布法それぞれの例は、前述したとおりである。
The
[光取出し層]
次に、光取出し層12を説明する。光取出し層12は、発光層14aから放出された光の光路上に配置されている。図1に示した形態では、光取出し層12は、透明基板11と透明電極13の間に配置されている。光取出し層12は、母材121(または母材層)と、母材121に分散された散乱粒子122とを含む光散乱層12aを有する。光取出し層12は、図1に示したように、平坦化層12bを有してもよい。
[Light extraction layer]
Next, the
母材121の材料の例は、透明樹脂である。母材121に使用される透明樹脂の例としては、発光層から放出される光に対して透光性を有する樹脂であれば特に制限されない。熱可塑性、熱硬化性、可視光線または紫外線または赤外線等による光(電磁波)硬化性、電子線照射による電子線硬化性等の硬化性樹脂が好適に用いられる。
An example of the material of the
このような樹脂としては、例えば、ポリカーボネート(PC)、ポリスチレン(PS)、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアリレート、ポリアミド、ポリイミド、フェノール-ホルムアルデヒド樹脂(フェノール樹脂)、ポリジエチレングリコールビスアリルカーボネート、アクリロニトリル・スチレン共重合体(AS樹脂)、メチルメタクレート・スチレン共重合体(MS樹脂)、ポリ-4-メチルペンテン、ノルボルネン系ポリマー、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。また、有機高分子マトリックスと高屈無機ナノ粒子を組み合わせた有機無機ナノコンポジット等も用いることができるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。これらは、1種を単独で、または必要に応じて任意の比率で2種以上混合して用いることができる。 Examples of such resins include polycarbonate (PC), polystyrene (PS), polyether, polyester, polyarylate, polyamide, polyimide, phenol-formaldehyde resin (phenolic resin), polydiethylene glycol bisallyl carbonate, acrylonitrile-styrene co- Polymers (AS resins), methyl methacrylate/styrene copolymers (MS resins), poly-4-methylpentene, norbornene-based polymers, urethane resins, epoxy resins, oxetane resins, acrylic resins, silicone resins, and the like. In addition, an organic-inorganic nanocomposite in which an organic polymer matrix and highly refractive inorganic nanoparticles are combined can also be used, but the present invention is not necessarily limited to these. These can be used singly or as a mixture of two or more at any ratio as required.
光硬化性樹脂を構成する化合物は、1分子あたり2つ以上の重合性官能基を有していてよい。二つ以上の重合性官能基を有する化合物により光硬化性樹脂が構成されている場合、架橋密度が高く緻密なコーティング層を得ることができるため、コーティング層中の水分の透過を効果的に抑制することができ、有機ELデバイス10の保管耐久性の向上に寄与できる。2つ以上の重合性官能基を有する化合物については特に限定するものではないが、例えば上記に示したような樹脂に含まれている重合性官能基のうち1種を単独で2つ以上、または必要に応じて2種以上の重合性官能基を1分子内に有する化合物であってよい。
The compound constituting the photocurable resin may have two or more polymerizable functional groups per molecule. When the photocurable resin is composed of a compound having two or more polymerizable functional groups, it is possible to obtain a dense coating layer with a high crosslink density, effectively suppressing the permeation of moisture in the coating layer. This can contribute to improving the storage durability of the
母材121に使用される透明樹脂中には、屈折率を向上させるために、必要に応じてナノ粒子が添加されていてもよい。ナノ粒子としては、たとえば、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化ハフニウム(HfO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)などが挙げられる。ナノ粒子の粒子径の例は、0.001μm以上0.05μm以下である。
If necessary, nanoparticles may be added to the transparent resin used for the
母材121(ナノ粒子が分散された状態の母材121も含む)の屈折率の例は、1.6以上2.0以下である。母材121の屈折率は、好ましくは1.7以上である。波長589nm(D線波長)における屈折率を母材121の屈折率とし、母材121の屈折率は、多波長アッベ屈折計、プリズムカプラ、分光干渉計、分光エリプソメーター等で測定され得る。
An example of the refractive index of the base material 121 (including the
散乱粒子122は、有機ELデバイス10内で生じた光を散乱するための粒子である。散乱粒子122としては、酸化チタン(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化ハフニウム(HfO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)、酸化カルシウム(CaO)、炭酸カルシウム(CaCO3)、酸化バリウム(BaO)、炭酸バリウム(BaCO3)、チタン酸バリウム(BaTiO3)などの無機粒子、ポリメチルメタクリレートビーズ、アクリル-スチレン共重合体ビーズ、メラミン樹脂ビーズ、ポリカーボネートビーズ、ポリスチレンビーズ、架橋ポリスチレンビーズ、ポリ塩化ビニルビーズ、およびベンゾグアナミン-メラミンホルムアルデヒド縮合物ビーズ等の有機粒子が挙げられる。
The scattering
散乱粒子122の粒子径は、上記ナノ粒子の粒子径より大きい。散乱粒子122の粒子径の例は、0.1μm以上10μm以下である。
The particle diameter of the scattering
散乱粒子122で、光を散乱するために、散乱粒子122の屈折率は、母材121の屈折率と異なる。散乱粒子122の屈折率の例は、2.0以上2.4以下であってもよいし、1.3以上1.5以下でもよい。散乱粒子122の屈折率は、波長589nm(D線波長)における屈折率であり、多波長アッベ屈折計、プリズムカプラ、分光干渉計、分光エリプソメーター等によって測定され得る。また、無機粒子など、屈折率測定が難しい材料については各種データベースの値を採用することもできる。散乱粒子122の屈折率と母材121の屈折率の差としては、0.3以上とすることができる。散乱粒子122の屈折率と母材121の屈折率の差の上限の例は、0.8である。母材121に分散される散乱粒子122の粒径は異なっていてもよい。すなわち、母材121には粒径の異なる散乱粒子122が分散されていてもよい。
Since the scattering
光散乱層12aの厚さをA[μm]、母材121内における散乱粒子122の体積濃度をB[vol%]とし、光散乱層12aのイエローインデックス(YI)をCとした場合、AおよびBは、式(1)を満たし、Cは、式(2)を満たす。
25≦A×B≦145・・・(1)
5≦C≦25・・・(2)
When the thickness of the
25≦A×B≦145 (1)
5≦C≦25 (2)
上記厚さを示すA[μm]と体積濃度を示すB[vol%]の積(A×B)は、30以上120以下でもよい。YIを示すCは、6以上13以下でもよい。よって、たとえば、光散乱層12aは以下の式を満たしてもよい。
30≦A×B≦120
6≦C≦13
The product (A×B) of A [μm] indicating the thickness and B [vol %] indicating the volume concentration may be 30 or more and 120 or less. C representing YI may be 6 or more and 13 or less. Therefore, for example, the
30≦A×B≦120
6≦C≦13
光散乱層12aの厚さの例は、0.5μm以上10μm以下である。光散乱層12aの厚さは、光散乱層12aの厚さ方向に直交する平面内の面内平均厚さとし得る。光散乱層12aは膜厚計によって測定され得る。散乱粒子122の体積濃度の例は、5vol%以上80vol%以下である。
An example of the thickness of the
光散乱層12aは、塗布法により形成することができる。塗布法の例は、前述したとおりである。
The
平坦化層12bは、光散乱層12aが散乱粒子122を有することで生じる表面の凹凸を低減するための層である。平坦化層12bの材料は、光散乱層12aが有する母材121との間において屈折率差が生じない材料とすることができる。一実施形態において、平坦化層12bは、上記母材121と同じ材料から形成される。平坦化層12bの厚さの例は0.5μm以上10μm以下である。平坦化層12bは、塗布法により形成することができる。塗布法の例は、前述したとおりである。
The
有機ELデバイス10は、図1に示したように、光取出し層12と透明電極13との間に無機薄膜層16を有してもよい。
The
無機薄膜層16は、光取出し層12上に配置される。無機薄膜層16は、光取出し層12と透明電極13との間に位置する。無機薄膜層16は、バリア層として機能する。無機薄膜層16の水蒸気透過度の一例は、1×10-1g/(m2・day)以下である。上記水蒸気透過度は、温度40℃、湿度90%RHの条件において、カルシウム腐食法(特開2005-283561号公報に記載される方法)によって算出される値とすることができる。
An inorganic
無機薄膜層16は、母材121の屈折率以上の屈折率を有する。無機薄膜層16の屈折率の例は、1.8以上2.4以下である。無機薄膜層16の材料としては、公知のガスバリア性を有する無機材料の層を屈折率や透明性の観点から適宜利用することができる。無機材料の例は、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、金属酸炭化物、及び、これらのうちの少なくとも2種を含む混合物が挙げられる。また、上述した薄膜層を2層以上積層した多層膜を用いることもできる。さらに、パーヒドロポリシラザンのような無機ポリマー材料も用いることができる。無機薄膜層16の厚さの例は10nm以上1000nm以下である。
The inorganic
無機薄膜層16は、乾式成膜法、塗布法などで形成され得る。乾式成膜法および塗布法それぞれの例は、前述したとおりである。
The inorganic
有機ELデバイス10は、たとえば、透明基板11上に、光取出し層12、透明電極13、有機EL層14および反射電極15をこの順に形成することによって製造され得る。有機ELデバイス10が無機薄膜層16を有する場合には、光取出し層12を形成した後、透明電極13を形成する前に、無機薄膜層16を形成すればよい。
有機ELデバイス10は、有機EL層14を封止する封止部材40を備えてもよい。図2は、封止部材を備える場合の有機ELデバイスの一例を説明するための図面である。図2に示した有機ELデバイス10を有機ELデバイス10Aと称す。
The
図2に示したように、有機ELデバイス10Aは、透明基板11と、光取出し層12と、透明電極13と、有機EL層14と、反射電極15と、補助電極31と、封止部材40とを備える。図3では、省略しているが、有機ELデバイス10Aは、有機ELデバイス10の場合と同様に、光取出し層12と透明電極13との間に無機薄膜層16を備えてもよい。
As shown in FIG. 2, the
透明基板11および光取出し層12の構成および配置関係は、有機ELデバイス10の場合と同様であるため、説明を省略する。
The configuration and arrangement relationship of the
透明電極13および補助電極31は、光取出し層12上(有機ELデバイス10Aが無機薄膜層16を有する場合、無機薄膜層16上)に、離間して配置されている。透明電極13の構成は、有機ELデバイス10の場合と同様であることから、説明を省略する。
The
補助電極31は、反射電極15に電気的に接続されている。補助電極31には、外部端子が接続される。補助電極31は、図2に示したように、封止部材40の内側に配置される反射電極15に電力を供給するための電極である。
The
補助電極31の厚さおよび材料は、透明電極13の場合と同様でよい。この場合、補助電極31および透明電極13は、それらと同様の材料を用いて電極層を形成した後、当該電極層を微細加工することによって、透明電極13および補助電極31にパターニングすることで、形成され得る。補助電極31は、透明電極13の場合と異なる導電材料で構成されてもよい。補助電極31は、透明電極13を形成する際に、透明電極13から予め離間した状態で形成されてもよい。すなわち、透明電極13および補助電極31は、上記のように一つの電極層をパターニングして形成されずに、それぞれ個別に形成されてもよい。補助電極31は、透明電極13を形成する前または後に形成されてもよい。
The thickness and material of the
有機EL層14および反射電極15の構成は有機ELデバイス10の場合と同様である。有機ELデバイス10Aでは、有機EL層14は、透明電極13と補助電極31との間にも配置され得る。有機ELデバイス10Aでは、反射電極15は、有機ELデバイス10の場合と同様に有機EL層14上に形成されるとともに、補助電極31上にも形成される。これにより、反射電極15と補助電極31とが電気的に接続される。
The configurations of the
封止部材40は、外部から侵入する水分や酸素等による有機ELデバイス10の劣化を抑制するものであれば特に制限はないが、封止部材40の一例として、キャップ型(または枠型)の封止部材がある。封止部材40がキャップ型の場合を説明する。封止部材40の例は、封止ガラスである。封止部材40は、有機EL層14および反射電極15を覆う一方、透明電極13および補助電極31の一部が封止部材40の外側に位置するように、透明電極13および補助電極31に固定されている。封止部材40は、接着剤41で透明電極13および補助電極31に固定され得る。接着剤41の例としては、紫外線(UV)硬化型接着剤(UV硬化樹脂を含む接着剤)である。キャップ型の封止部材40を用いる場合には、キャップ状の封止部材40で形成される空間内に水分や酸素の吸収材量(ゲッター材)を入れることもできる。そうすることで、接着剤41を通過して封止部材40で形成される空間内に侵入した水分や酸素による有機ELデバイス10の劣化を防止することができる。
The sealing
以下の説明の便宜のため、有機ELデバイス10Aのうち封止部材40以外の部分、すなわち、光取出し層12と、無機薄膜層16、透明電極13、補助電極31、有機EL層14および反射電極15が形成された透明基板11をデバイス基板30と称す。
For the convenience of the following explanation, the parts of the
有機ELデバイス10Aは次のように製造され得る。補助電極31を前述したように形成する点以外は、有機ELデバイス10の場合と同様にしてデバイス基板30を製造する。その後、有機EL層14および反射電極15を覆うように、封止部材40を透明電極13および補助電極31に接着剤41を介して固定する。これにより、有機ELデバイス10Aが得られる。
The
有機ELデバイス10,10Aの作用効果を説明する。有機ELデバイス10Aは、基本構成としての有機ELデバイス10と同様の構成を備える。そのため、有機ELデバイス10Aは、有機ELデバイス10と同様の作用効果を有することから、断らない限り、有機ELデバイス10,10Aの作用効果を、有機ELデバイス10の場合について説明する。
Actions and effects of the
有機ELデバイス10では、透明電極13および反射電極15に電力が供給されると、有機EL層14内の発光層14aで光が生じる。発光層14aで生じた光は、透明電極13を透過して、透明基板11側から出力される。発光層14aで生じた光のうち、反射電極15側に進行した光は、反射電極15で反射された後、透明基板11側から出力される。
In the
有機ELデバイス10では、発光層14aから放出された光の光路上に光取出し層12を有する。発光層14aから放出された後、光取出し層12に入射した光は、光取出し層12が有する光散乱層12a内の散乱粒子122によって、散乱される。そのため、透明電極13、透明基板11等の内部での全反射による光閉じ込めが抑制されることから、光取出し効率が向上する。本実施形態における光散乱層12aは、式(1)を満たすとともに、式(2)に示される黄色みを帯びた層である。そのため、有機ELデバイス10の光取り効率の向上が更に図られている。
The
散乱粒子122の屈折率と、母材121の屈折率差が、例示した範囲である場合、光の散乱が生じやすい。
When the refractive index difference between the scattering
有機ELデバイス10が無機薄膜層16を有する場合、透明基板11側から有機EL層14への水分の浸入を防止できる。そのため、有機ELデバイス10の製品寿命が向上する。
When the
有機ELデバイス10Aは、封止部材40を備えており、封止部材40で有機EL層14が封止されている。そのため、有機EL層14の劣化を防止できる。これによって、有機ELデバイス10Aの製品寿命が向上する。
The
次に実験例を説明する。本発明は、以下に説明する実験例に限定されるものではない。以下、説明の便宜のため、実験例の説明では、上記実施形態で説明した要素に対応する要素には同じ符号を付す。 Next, an experimental example will be described. The present invention is not limited to the experimental examples described below. For convenience of explanation, elements corresponding to the elements described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals in the description of the experimental example.
<測定および評価方法>
実験例で用いた物理量などの測定または評価方法を説明する。
<Measurement and evaluation method>
Methods for measuring or evaluating physical quantities used in experimental examples will be described.
(屈折率の測定方法)
屈折率は、反射分光膜厚計(大塚電子社製、FE-3000)で得られる絶対反射率測定結果を光学定数解析することで求めた。
(Method for measuring refractive index)
The refractive index was determined by analyzing the optical constants of the absolute reflectance measurement results obtained with a reflection spectroscopic film thickness meter (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd., FE-3000).
(膜厚の測定方法)
膜厚測定には、触針式膜厚測定装置(KLAテンコール社製、P-16)を用いた。
(Method for measuring film thickness)
A stylus-type film thickness measuring device (P-16, manufactured by KLA-Tencor) was used for the film thickness measurement.
(全光線透過率およびヘイズの測定方法)
全光線透過率およびヘイズの測定は、ヘイズメーター(スガ試験機社製、HZ-V3)を用い、ブランクを、空気とし、光源には、C光源を用い、JISK7105に準拠し行った。
(Method for measuring total light transmittance and haze)
Total light transmittance and haze were measured using a haze meter (manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd., HZ-V3), using air as a blank and a C light source as a light source, according to JISK7105.
(光散乱層のYIの測定)
光散乱層のYIは、分光測色計(コニカミノルタ社製、CM-3600A)を用い、ブランクを空気として、光散乱層側から光を入射させ、ASTM D1925(C光源)に準拠し測定した。
(Measurement of YI of light scattering layer)
The YI of the light scattering layer was measured using a spectrophotometer (CM-3600A, manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.), using air as a blank, allowing light to enter from the light scattering layer side, and measuring according to ASTM D1925 (C light source). .
(ガスバリア性の評価方法)
バリア性を有する積層フィルムのガスバリア性は、水蒸気透過度(Water Vapor Transmission Rate:WVTR)により評価した。水蒸気透過度は、温度40℃、湿度90%RHの条件において、カルシウム腐食法(特開2005-283561号公報に記載される方法)によって算出した。すなわち、積層フィルムに対して、乾燥処理後、金属カルシウムを蒸着し、さらにその上から金属アルミニウムを蒸着し、最後に封止用樹脂を用いてガラスを貼り合せることで封止したサンプルを、温度40℃、湿度90%RHの条件での積層フィルム側の腐食点の経時変化による増加を画像解析で調べて水蒸気透過度を算出した。
(Method for evaluating gas barrier properties)
The gas barrier properties of laminated films having barrier properties were evaluated by water vapor transmission rate (WVTR). The water vapor transmission rate was calculated by the calcium corrosion method (method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-283561) under conditions of a temperature of 40° C. and a humidity of 90% RH. That is, after the laminated film is dried, metallic calcium is vapor-deposited, then metallic aluminum is vapor-deposited thereon, and finally, glass is bonded using a sealing resin to bond the sample. The increase in corrosion points on the laminated film side due to changes over time under the conditions of 40° C. and 90% RH was examined by image analysis to calculate the water vapor transmission rate.
なお、このような水蒸気透過度の算出に際しては、腐食点をマイクロスコープで撮影し、その画像をパーソナルコンピューターに取り込んで、腐食点の画像を2値化し、腐食面積を算出して求めることにより、水蒸気透過度を算出した。この水蒸気透過度の値が小さいほど、ガスバリア性に優れている。 In addition, when calculating such a water vapor transmission rate, the corrosion point is photographed with a microscope, the image is taken into a personal computer, the image of the corrosion point is binarized, and the corrosion area is calculated and obtained. Water vapor permeability was calculated. The smaller the water vapor transmission rate, the better the gas barrier properties.
(シート抵抗の測定方法)
シート抵抗の測定は、四端子四探針方法(三菱化学アナリテック社製、ロレスタ―GP)で測定した。
(Method for measuring sheet resistance)
Sheet resistance was measured by a four-terminal, four-probe method (Mitsubishi Chemical Analytic Tech Loresta GP).
<有機ELデバイスの製造>
次に、実験例で使用した有機ELデバイスの製造方法を説明する。実験例では、図3に示したように、封止部材40を有する有機ELデバイス10Aを製造した。実験例では、図3に示した図表に示したように、光散乱層12aに含まれる散乱粒子122の体積濃度、光散乱層12aの厚さおよび光散乱層12aのYIが異なる18個の有機ELデバイス10Aを製造した。図3中の[A]、[B]および[C]は体積濃度、厚さおよびYIを示すものであり、式(1)および式(2)に対応させて記載されている。図3に示したように、式(1)及び式(2)を満たすケースを、実施例1~11と称し、それ以外を比較例1~7と称す。実施例1の場合を例にして製造方法を具体的に説明する。
<Manufacture of organic EL device>
Next, a method for manufacturing the organic EL device used in the experimental examples will be described. In the experimental example, an
(1)実施例1
(光取出し層の準備)
平均一次粒子径が15nmの酸化チタン(TiO2)を、分散溶媒中に分散剤を添加した状態で分散処理し、酸化チタンナノ粒子分散液を得た後で、屈折率が1.5の光硬化性樹脂モノマー溶液中に酸化チタンナノ粒子分散液を混合添加後、分散処理することで、母材分散溶液を得た。
(1) Example 1
(Preparation of light extraction layer)
Titanium oxide (TiO 2 ) having an average primary particle size of 15 nm is subjected to dispersion treatment in a state in which a dispersant is added to a dispersion solvent to obtain a titanium oxide nanoparticle dispersion liquid, and then photocuring having a refractive index of 1.5. A base material dispersion solution was obtained by mixing and adding the titanium oxide nanoparticle dispersion into the organic resin monomer solution, followed by dispersion treatment.
得られた、母材分散溶液をガラス基板(コーニング社製、EagleXG)上にスピンコート法でSlope1秒、回転数1000rpm、保持時間30秒の条件でコーティングした後、ホットプレート上で90℃、2分の乾燥を行った。乾燥後の、コーティング層に、UV照射装置(ウシオ電機社製、SP-9)を用いて、照度30mW/cm2、積算光量800mJ/cm2の条件で硬化処理を行い、母材コーティング層を得た。得られた母材コーティング層の波長589nmにおける屈折率は、1.88、厚みは、1.0μm、全光線透過率Ttは84%、ヘイズは0.7%であった。 The obtained base material dispersion solution was coated on a glass substrate (EagleXG manufactured by Corning) by a spin coating method under the conditions of a slope of 1 second, a number of revolutions of 1000 rpm, and a holding time of 30 seconds. dried for a minute. After drying, the coating layer was subjected to a curing treatment using a UV irradiation device (SP-9, manufactured by Ushio Inc.) under the conditions of an illuminance of 30 mW/cm 2 and an integrated light intensity of 800 mJ/cm 2 to remove the base material coating layer. Obtained. The obtained base material coating layer had a refractive index of 1.88 at a wavelength of 589 nm, a thickness of 1.0 μm, a total light transmittance Tt of 84%, and a haze of 0.7%.
散乱粒子122として、屈折率1.43、平均粒径0.5μmの酸化ケイ素(SiO2、日本触媒社製、KE-P50)を使用した。上記酸化ケイ素に分散媒としてPGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)を加え、分散処理し、酸化ケイ素粒子分散液を得た。その後、体積濃度が、図3に示した実施例1で設定している割合になるように母材分散溶液と酸化ケイ素粒子分散液とを混合し、光散乱層形成用塗布液を得た。
As the scattering
(透明基板の準備)
透明基板11として、厚さ0.7mmのガラス基板(コーニング社製、EagleXG)を、ブラシスクラブ洗浄、2流体洗浄、純水リンス洗浄後、エアーナイフで乾燥し、さらにUVオゾン洗浄装置((株)テクノビジョン製、商品名:UV-312)を用いて10分間の表面改質処理を実施したものを用いた。
(Preparation of transparent substrate)
As the
(光散乱層の形成)
次いで、スピンコーターのコーターヘッド上に設置したガラス基板上に光散乱層形成用塗布液を滴下し、スピンコーティングした後、ホットプレート上で90℃、2分の乾燥を行った。スピンコーターの回転数を変更することで、光散乱層の厚さが実施例1で設定している厚さとなるように調整した。乾燥後の、コーティング層に、UV照射装置(ウシオ電機社製、SP-9)を用いて、照度30mW/cm2、積算光量800mJ/cm2の条件で硬化処理を行った後で、ホットプレート上で200℃、10分の脱ガス処理を行い、光散乱層付き基板を得た。得られた光散乱層付き基板に対してYIの測定を行った。測定結果を、実施例1の光散乱層12aのYIとした。また、得られた光散乱層12aの厚さを前述した触針式膜厚測定装置で測定した。実施例1の光散乱層12aの厚さ(A)およびYI(C)は図3に示したとおりであった。
(Formation of light scattering layer)
Then, the coating solution for forming a light scattering layer was dropped onto a glass substrate placed on the coater head of a spin coater, spin-coated, and then dried on a hot plate at 90° C. for 2 minutes. The thickness of the light scattering layer was adjusted to the thickness set in Example 1 by changing the number of rotations of the spin coater. After drying, the coating layer was cured using a UV irradiation device (SP-9, manufactured by Ushio Inc.) under conditions of illuminance of 30 mW/cm 2 and integrated light intensity of 800 mJ/cm 2 , followed by a hot plate. A degassing treatment was performed at 200° C. for 10 minutes to obtain a substrate with a light scattering layer. YI was measured for the obtained substrate with a light scattering layer. The measurement result was taken as the YI of the
<平坦化層の形成>
さらに、上記厚さおよびYIを測定した光散乱層付き基板の場合と同様の条件で準備した光散乱層付き基板に、母材分散溶液をスピンコート法でSlope1秒、回転数1000rpm、保持時間30秒の条件でコーティングし後、ホットプレート上で90℃、2分の乾燥を行った。乾燥後の、コーティング層(図1の平坦化層12bに相当)に、UV照射装置(ウシオ電機社製、SP-9)を用いて、照度30mW/cm2、積算光量800mJ/cm2の条件で硬化処理を行い、平坦化処理を行った。加えて、ホットプレート上で200℃、10分の脱ガス処理を行った。これにより、光散乱層12aと、光散乱層12a上に積層された平坦化層12bとを有する光取出し層12が形成され、その結果、光取出し層付き基板を得た。
<Formation of planarization layer>
Furthermore, the base material dispersion solution was spin-coated on the substrate with the light scattering layer prepared under the same conditions as the substrate with the light scattering layer whose thickness and YI were measured, with a slope of 1 second, a rotation speed of 1000 rpm, and a holding time of 30. After coating for 2 seconds, drying was performed on a hot plate at 90°C for 2 minutes. After drying, the coating layer (corresponding to the
(無機バリア層(無機薄膜層)の形成)
光取出し層付き基板の平坦化層12b上にプラズマCVD装置を用いて、無機バリア層(図1の無機薄膜層16に相当)を形成した。具体的には、プラズマCVD装置の放電チャンバー内に光取出し層付き基板を搬入後、1×10-3Pa以下になるまで真空引きを行った。次いで、放電チャンバー内にSiH4およびN2、NH3ガスを導入し、1.0Paになるよう調圧制御した状態で、誘導コイルに13.56kHzの高周波電力を投入することで、誘電体窓を通して、チャンバー内にプラズマを発生させ、酸窒化ケイ素膜層を形成した。波長200nm、波長589nmにおける酸窒化ケイ素膜層の屈折率は、1.87だった。よって、得られた酸窒化ケイ素膜層(無機バリア層)は、高屈バリア層であった。同時にチャンバー内に投入していたCOPフィルム(日本ゼオン社製、ゼオノアフィルムZF16、50μm厚)上に形成された酸窒化ケイ素膜付き積層フィルムの水蒸気透過度を測定したところ、5×10-3g/(m2・day)だった。酸窒化ケイ素膜付き積層フィルムの水蒸気透過度は、前述したガスバリア性の評価方法で説明した方法で測定した。
(Formation of inorganic barrier layer (inorganic thin film layer))
An inorganic barrier layer (corresponding to the inorganic
(透明電極および補助電極の形成)
次いで、光取出し層付き基板の無機バリア層上に、メタルシャドウマスクを用いて、スパッタリング法にて厚さ45nmとなるようにITO(In2O3-SnO2)膜を、透明電極13および補助電極31を形成するようにパターン成膜した。得られたITOのシート抵抗は、39Ω/□であった。得られた透明電極付き基板を、有機溶媒、アルカリ洗剤及び超純水でこの順に超音波洗浄した後、有機溶媒で10分間煮沸し、乾燥させた。次いで、UVオゾン洗浄装置((株)テクノビジョン製、商品名:UV-312)を用いて、ITO薄膜が形成されている面の表面改質処理を10分間行った。
(Formation of transparent electrode and auxiliary electrode)
Next, an ITO (In 2 O 3 —SnO 2 ) film was formed on the inorganic barrier layer of the substrate with the light extraction layer by sputtering using a metal shadow mask so as to have a thickness of 45 nm. A film was patterned to form an
(有機EL層の形成)
<正孔注入層>
電荷輸送性を有する有機材料と電子受容性材料とを組み合わせた正孔注入材料を、スピコート法によって透明電極付き基板上に塗布することにより、厚さ35nmの塗膜を形成した。大気中において、上記塗膜をホットプレート上で乾燥させて正孔注入層14bを形成した。ホットプレートを利用した乾燥では、まず80℃で4分間乾燥させた後、更に230℃で15分間乾燥させた。
(Formation of organic EL layer)
<Hole injection layer>
A coating film having a thickness of 35 nm was formed by applying a hole injection material, which is a combination of an organic material having a charge-transporting property and an electron-accepting material, onto a substrate with a transparent electrode by a spin coating method. The coating film was dried on a hot plate in the atmosphere to form the
<正孔輸送層>
高分子材料である正孔輸送材料とキシレンとを混合し、固形物(正孔輸送材料)濃度が0.7質量%の正孔輸送層形成用組成物を得た。得られた正孔輸送層形成用組成物を、スピンコート法により正孔注入層14b上に塗布し、厚さ20nmの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気(不活性雰囲気)下において、ホットプレートを利用して、200℃で30分間加熱することで溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却し、正孔輸送層14cを得た。
<Hole transport layer>
A hole-transporting material, which is a polymer material, and xylene were mixed to obtain a composition for forming a hole-transporting layer having a solid matter (hole-transporting material) concentration of 0.7% by mass. The obtained composition for forming a hole transport layer was applied onto the
<発光層>
発光性共役系高分子材料とキシレンとを混合し、発光性共役系高分子材料の濃度が1.3%の発光層形成用組成物を得た。発光性共役系高分子材料として緑色発光性共役系高分子材料を使用した。得られた発光層形成用組成物を、スピンコート法により正孔輸送層14c上に塗布し、厚さ60nmの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気(不活性雰囲気)下において、ホットプレートを利用して、180℃で10分間加熱することで溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却し、発光層14aを得た。
<Light emitting layer>
The light-emitting conjugated polymer material and xylene were mixed to obtain a composition for forming a light-emitting layer in which the concentration of the light-emitting conjugated polymer material was 1.3%. A green light-emitting conjugated polymer material was used as the light-emitting conjugated polymer material. The obtained composition for forming a light emitting layer was applied onto the
(反射電極)
発光層14aを形成した後、金属専用の蒸着チャンバー内で反射電極15を形成した。具体的には、発光層14a上に、真空蒸着法によりフッ化ナトリウム(NaF)を厚さが3nmとなるように蒸着した後、アルミニウム(Al)を、厚さが100nmとなるように蒸着し、反射電極15を形成した。これにより、デバイス基板30を得た。
(reflective electrode)
After forming the light-emitting
(封止)
上記デバイス基板30を、大気に暴露させることなく蒸着室から封止処理室に搬送し、窒素雰囲気(不活性雰囲気)下において、UV硬化樹脂を周囲に塗布した封止ガラス(封止部材40)と、蒸着室から搬送されたデバイス基板30とを貼り合わせてUV光を照射することでUV硬化樹脂を硬化し、デバイス基板30をガラスによって封止した。これにより有機ELデバイス10Aが製造された。
(sealing)
The
(2)実施例2~11および比較例1~7の有機ELデバイスの製造
光散乱層12aにおける散乱粒子122の体積濃度(B)および光散乱層12aの厚さ(A)を図3に示した図表のように変更(調整)した点以外は、実施例1の場合と同様にして、実施例2~11および比較例1~7の有機ELデバイス10Aを製造した。製造過程において実施例1の場合と同様にして測定した光散乱層12aのYIは、図3に示したとおりであった。図3に示した光散乱層12aの厚さ(A)は、実施例1の場合と同様にして測定された測定値である。
(2) Production of organic EL devices of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 7 The volume concentration (B) of the scattering
<有機ELデバイスの評価>
(1)実施例1の有機ELデバイスの評価
光取出し層を有しない点以外は、実施例1の有機ELデバイス10Aと同じ構成の参照用デバイスを製造した。
<Evaluation of organic EL device>
(1) Evaluation of Organic EL Device of Example 1 A reference device having the same configuration as the
全光束測定装置を用いて、電流密度2.5mA/cm2の条件で有機ELデバイス10Aの全光束測定を行い、光取出し効率として外部量子効率(EQE:External Quantum Efficiency)を算出した。更に、参照用デバイスについても同様にしてEQEを算出した。その後、有機ELデバイス10AのEQEを参照用デバイスのEQEで除することで、EQE向上倍率を得た。算出結果は、図3に示したとおりであった。
Using a total luminous flux measurement device, the total luminous flux of the
(2)実施例2~11および比較例1~7の有機ELデバイスの評価
光取出し層を有しない点以外は、実施例2~11および比較例1~7それぞれの有機ELデバイス10Aと同じ構成の参照用デバイスを製造した。
(2) Evaluation of the organic EL devices of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 7 The same configuration as the
実施例2~11および比較例1~7それぞれの有機ELデバイス10Aを用いるとともに、実施例2~11および比較例1~7それぞれの参照用デバイスを用いた点以外は、実施例1の場合と同様にして、実施例2~11および比較例1~7の場合それぞれにおいてEQE向上倍率を得た。算出結果は、図3に示したとおりでであった。
Example 1 except that the
図3に示した結果より、式(1)および式(2)を満たす光散乱層12aを有する実施例1~11では、式(1)および式(2)の少なくとも一方を満たさない比較例1~7より高いEQE向上倍率を実現できていた。すなわち、式(1)を満たすとともに、式(2)で規定されるように黄色みを帯びた光散乱層12aを採用することによって、光取出し効率の向上が図れることが、理解され得る。
From the results shown in FIG. 3, in Examples 1 to 11 having the
本発明は、上記実施形態及び実験例に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示される範囲が含まれること、および、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The present invention is not limited to the above embodiments and experimental examples, but includes the scope indicated by the claims, and all changes within the meaning and scope equivalent to the claims intended to be included.
たとえば、透明電極13が陰極であり、反射電極15が陽極でもよい。
For example, the
有機ELデバイスが封止部材を備える場合、封止部材は、キャップ型(或いは枠型)に限らず、シート状の封止部材でもよい。たとえば、シート状の封止部材は、水分バリア機能を有する封止層と、接着層を有し得る。封止層の例としては、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属を積層させたフィルム等が挙げられる。接着層は、封止層(または封止部材)を透明基板(または透明電極)に貼合するための層であり、有機ELデバイスにおいて使用され得る公知の接着剤(粘着剤の概念を含む)で形成され得る。 When the organic EL device is provided with a sealing member, the sealing member is not limited to a cap type (or frame type), and may be a sheet-like sealing member. For example, a sheet-like sealing member can have a sealing layer having a moisture barrier function and an adhesive layer. Examples of the sealing layer include a metal foil, a barrier film in which a barrier function layer is formed on the surface or the back surface of a transparent plastic film, or both surfaces thereof, flexible thin glass, or a metal having a barrier property on a plastic film. Examples include laminated films. The adhesive layer is a layer for bonding the sealing layer (or sealing member) to the transparent substrate (or transparent electrode), and is a known adhesive (including the concept of adhesive) that can be used in organic EL devices. can be formed with
光取出し層は、屈折率を有機EL層と同等以上に高めることで、有機EL層の発光層で生じた光を光取出し層に全反射等のロスを少なくして取り込むことにより、光取り出し効率を高めている。そのため、たとえば、透明基板等の屈折率を有機EL層と同等以上にするなどによって、光取り出し層が、透明電極と反対側に配置されている場合でも同等の効果を示すことができる。 By raising the refractive index of the light extraction layer to the same or higher than that of the organic EL layer, the light generated in the light emitting layer of the organic EL layer is taken into the light extraction layer with less loss such as total reflection, resulting in light extraction efficiency. is increasing. Therefore, for example, by making the refractive index of the transparent substrate or the like equal to or higher than that of the organic EL layer, the same effect can be exhibited even when the light extraction layer is arranged on the side opposite to the transparent electrode.
本発明は、有機ELデバイス以外の発光デバイスにも適用可能である。たとえば、発光層は無機材料から形成されていてもよい。 The present invention can also be applied to light-emitting devices other than organic EL devices. For example, the light-emitting layer may be made of an inorganic material.
透明基板の光取出し層が配置される面と反対の面側に、光取り出しフィルムが貼合されていてもよい。光取り出しフィルムとしては、散乱粒子がコーティングされているものや、マイクロレンズ等の表面賦形により光取り出し効率を改善するものがあるが、光取出し層との組み合わせにおいて、光取り出し効率が最大となる光取り出しフィルムを適宜選定すればよい。光取り出しフィルムにより、透明基板と空気界面の屈折率差により生じる全反射のロスを低減することができる。 A light-outcoupling film may be attached to the side of the transparent substrate opposite to the side on which the light-outcoupling layer is arranged. Light extraction films include those coated with scattering particles and those that improve the light extraction efficiency by surface shaping such as microlenses, but the light extraction efficiency is maximized in combination with the light extraction layer. An appropriate light extraction film may be selected. The light extraction film can reduce total reflection loss caused by the refractive index difference between the transparent substrate and the air interface.
上記実施形態及び種々の変形例は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わされてもよい。 The above embodiments and various modifications may be combined as appropriate without departing from the scope of the present invention.
10,10A…有機ELデバイス(発光デバイス)、11…透明基板、12…光取出し層、12a…光散乱層、13…透明電極、14…有機EL層、14a…発光層(有機発光層)、15…反射電極、16…無機薄膜層、40…封止部材、121…母材、122…散乱粒子。
10, 10A... Organic EL device (light emitting device), 11... Transparent substrate, 12... Light extraction layer, 12a... Light scattering layer, 13... Transparent electrode, 14... Organic EL layer, 14a... Light emitting layer (organic light emitting layer), DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記発光層から放出された光の光路上に配置されており、前記発光層から放出された光を外部に取り出すための光取出し層を備え、
前記光取出し層が、母材と、前記母材と異なる屈折率を有する散乱粒子とを含む光散乱層を有し、
前記光散乱層の厚さをA[μm]とし、前記散乱粒子の前記母材中における体積濃度をB[vol%]とし、前記光散乱層のイエローインデックスをCとしたとき、前記Aおよび前記Bが式(I)をみたし、前記Cが式(II)を満たす、
発光デバイス。
25≦A×B≦145・・・(I)
5≦C≦25・・・(II) It comprises a transparent substrate, a transparent electrode, a reflective electrode, and a luminescent layer, the transparent electrode being disposed on the transparent substrate, and the luminescent layer being disposed between the transparent electrode and the reflective electrode. a light emitting device comprising:
A light extraction layer disposed on the optical path of the light emitted from the light emitting layer and for extracting the light emitted from the light emitting layer to the outside,
The light extraction layer has a light scattering layer containing a base material and scattering particles having a refractive index different from that of the base material,
Let A [μm] be the thickness of the light scattering layer, B [vol %] be the volume concentration of the scattering particles in the base material, and C be the yellow index of the light scattering layer. B satisfies formula (I) and said C satisfies formula (II);
luminous device.
25≦A×B≦145 (I)
5≦C≦25 (II)
請求項1に記載の発光デバイス。 wherein the light extraction layer is disposed between the transparent substrate and the transparent electrode;
11. The light emitting device of claim 1.
前記散乱粒子の屈折率が2.0以上2.4以下である、
請求項2に記載の発光デバイス。 The base material has a refractive index of 1.6 or more and 2.0 or less,
The scattering particles have a refractive index of 2.0 or more and 2.4 or less.
3. A light emitting device according to claim 2.
前記散乱粒子の屈折率が1.3以上1.5以下である、
請求項2に記載の発光デバイス。 The base material has a refractive index of 1.6 or more and 2.0 or less,
The scattering particles have a refractive index of 1.3 or more and 1.5 or less.
3. A light emitting device according to claim 2.
前記無機薄膜層の水蒸気透過度が、1×10-1g/(m2・day)以下である、
請求項1~4の何れか一項に記載の発光デバイス。 further comprising an inorganic thin film layer having a refractive index equal to or higher than the refractive index of the base material between the light extraction layer and the transparent electrode;
The inorganic thin film layer has a water vapor permeability of 1×10 −1 g/(m 2 day) or less.
A light-emitting device according to any one of claims 1-4.
請求項1~5の何れか一項に記載の発光デバイス。 wherein the light-emitting layer is an organic light-emitting layer;
A light-emitting device according to any one of claims 1-5.
前記光散乱層の厚さをAとし、前記散乱粒子の前記母材中における体積濃度をBとし、前記光散乱層のイエローインデックスをCとしたとき、前記Aおよび前記Bが式(III)をみたし、前記Cが式(IV)を満たす、
光取出し層。
25≦A×B≦145・・・(III)
5≦C≦25・・・(IV) A light scattering layer having a base material and scattering particles having a refractive index different from that of the base material,
When A is the thickness of the light scattering layer, B is the volume concentration of the scattering particles in the base material, and C is the yellow index of the light scattering layer, A and B satisfy formula (III). if said C satisfies formula (IV),
light extraction layer.
25≦A×B≦145 (III)
5≦C≦25 (IV)
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