JP2022147234A - Substrate processing device and substrate lifting device - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 246
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 120
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 62
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 51
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 22
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 26
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000352 supercritical drying Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
Description
この発明は、平板状の基板支持部材により基板を水平姿勢に支持しつつ処理を行う基板処理装置に関するものであり、特に基板支持部材に対し基板を昇降させるリフトピンの構造に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing while supporting a substrate in a horizontal position by a flat substrate support member, and more particularly to a structure of lift pins for lifting and lowering a substrate with respect to the substrate support member.
半導体基板、表示装置用ガラス基板等の各種基板の処理工程には、基板が処理チャンバに収容された状態で行われる処理が含まれる場合がある。この場合、処理の前後で、チャンバと外部との間での基板の受け渡しが必然的に生じる。このような基板の受け渡しをスムーズに行うために、基板を平板状の基板支持部材に載置した状態で処理チャンバ内に搬入するように構成された装置がある。 Processing steps for various substrates such as semiconductor substrates and glass substrates for display devices may include processing performed while the substrates are housed in a processing chamber. In this case, transfer of the substrate between the chamber and the outside necessarily occurs before and after processing. In order to transfer the substrate smoothly, there is an apparatus configured to load the substrate into the processing chamber while being placed on a flat substrate support member.
例えば、特許文献1に記載の基板処理装置は、超臨界流体を用いて基板の乾燥処理を行うための装置である。この装置では、処理チャンバの側面に設けられたスリット状の開口を介して基板の出し入れを行うために、基板が平板状の支持トレイに載置された状態でチャンバ内に搬入される。支持トレイには貫通孔が設けられており、支持トレイが処理チャンバから引き出された状態で下方から貫通孔を介してリフトピンが上昇することで基板が支持トレイから押し上げられる。この状態で、外部搬送装置との基板の受け渡しが行われる。
For example, the substrate processing apparatus described in
また、特許文献2に記載の基板処理装置は、チャンバ内で基板を熱処理するための基板処理装置である。この基板処理装置では、平板状のサセプター上に設けられた複数の支持ピンによって基板が支持されるが、処理の均一性を図るために支持ピンの「持ち替え」、つまり支持主体の切り替えが行われる。具体的には、サセプターを下降させることで、サセプターに設けられた貫通孔を通して他の複数の支持ピンを突出させて基板を支持することが可能となっている。 Also, the substrate processing apparatus described in Patent Document 2 is a substrate processing apparatus for heat-treating a substrate in a chamber. In this substrate processing apparatus, a substrate is supported by a plurality of support pins provided on a flat plate-shaped susceptor. . Specifically, by lowering the susceptor, it is possible to support the substrate by protruding a plurality of other support pins through the through holes provided in the susceptor.
特許文献1に記載の技術のように基板を処理流体で処理する装置においても、このような基板支持の切り替えを行うことができれば便宜である。例えば処理後の基板が高い清浄度を要求されるものである場合には、処理前と処理後との間で基板を支持するリフトピンで異ならせることは、処理後の基板の汚染を防止する上で効果的である。しかしながら、基板支持部材にリフトピンを挿通させるための貫通孔を設けることは、チャンバ内での処理流体の流れが乱れる原因となるため、処理品質の観点からは貫通孔はできるだけ少ないことが好ましい。 Even in an apparatus that processes a substrate with a processing fluid, such as the technology described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200310, it would be convenient if such a substrate support could be switched. For example, if a substrate after processing requires a high degree of cleanliness, different lift pins for supporting the substrate before processing and after processing can prevent contamination of the substrate after processing. is effective in However, the provision of through-holes for inserting lift pins in the substrate support member causes turbulence in the flow of the processing fluid in the chamber. Therefore, from the viewpoint of processing quality, the number of through-holes should preferably be as small as possible.
このように、基板支持の切り替えを行うためにリフトピンの本数を増やそうとすると、基板支持部材に設けられる貫通孔の数も増加し、処理品質に影響を及ぼすという問題がある。そのため、この問題を解決するための技術が求められる。 As described above, if the number of lift pins is increased in order to switch the substrate support, the number of through-holes provided in the substrate support member also increases, which poses a problem of affecting the processing quality. Therefore, a technique for solving this problem is required.
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板支持部材に設けられる貫通孔の数を増やすことなく、基板支持の切り替えを実現可能なリフトピン機構を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a lift pin mechanism capable of switching substrate support without increasing the number of through holes provided in a substrate support member.
この発明の一の態様は、上記目的を達成するため、上下方向の貫通孔が複数設けられた平板状で、上面に基板が載置されることで前記基板を水平姿勢に支持する基板支持部材と、上下方向を軸方向とする筒状に形成され、前記貫通孔の各々に対応して複数設けられた第1リフトピンと、上下方向を軸方向とする筒状または棒状に形成され、前記第1リフトピン各々の内部に挿通された複数の第2リフトピンと、前記第1リフトピンおよび前記第2リフトピンを昇降させる昇降機構とを備えている。 In order to achieve the above object, one aspect of the present invention is a substrate supporting member having a flat plate shape provided with a plurality of through holes in the vertical direction, and supporting the substrate in a horizontal position by placing the substrate on the upper surface. a first lift pin formed in a cylindrical shape having an axial direction extending in the vertical direction and provided in plurality corresponding to each of the through holes; It comprises a plurality of second lift pins inserted into each lift pin, and an elevating mechanism for elevating the first lift pins and the second lift pins.
ここで、前記昇降機構は、前記第1リフトピンの上端が前記貫通孔を介して前記上面よりも上方まで突出する一方、前記第2リフトピンの上端が前記第1リフトピンの上端よりも下方に位置する第1状態と、前記第2リフトピンの上端が前記貫通孔を介して前記上面よりも上方まで突出する一方、前記第1リフトピンの上端が前記第2リフトピンの上端よりも下方に位置する第2状態とを切り替える。 Here, in the lifting mechanism, the upper end of the first lift pin protrudes above the upper surface through the through hole, while the upper end of the second lift pin is positioned below the upper end of the first lift pin. a first state; and a second state in which the upper end of the second lift pin protrudes above the upper surface through the through hole, while the upper end of the first lift pin is positioned below the upper end of the second lift pin. switch between
このように構成された発明では、筒状の第1リフトピンの内部に第2リフトピンが設けられており、これらのうち一方が基板支持部材の上面よりも上方に突出して基板を基板支持部材から上方に離間して基板を支持する状態と、他方が基板を支持する状態とが切り替わることにより、基板支持主体の切り替えが可能である。第2リフトピンは、基板支持部材に設けられた貫通孔の各々に対応して設けられた筒状の第1リフトピンの内部に挿通されているから、第1リフトピンが昇降する際に通過するものと同じ基板支持部材の貫通孔を通過して昇降する。 In the invention configured as described above, the second lift pins are provided inside the cylindrical first lift pins, and one of them protrudes above the upper surface of the substrate support member to lift the substrate upward from the substrate support member. By switching between a state in which the substrate is supported while being spaced apart from each other and a state in which the other side supports the substrate, it is possible to switch the main body for supporting the substrate. Since the second lift pins are inserted through the cylindrical first lift pins provided corresponding to the respective through holes provided in the substrate support member, the first lift pins pass through when the first lift pins move up and down. It goes up and down through the through holes of the same substrate supporting member.
したがって、第1リフトピンと第2リフトピンとによる支持の切り替えが可能となる一方で、第1リフトピンとこれに対応する第2リフトピンとが実質的に同じ位置で昇降するため、同じ貫通孔を介してこれらを昇降させることが可能である。このため、基板支持部材の貫通孔の数が増えることにはならない。すなわち、本発明によれば、基板支持部材に設けられる貫通孔の数を増やすことなく、支持の切り替えを実現することが可能である。 Therefore, while the support by the first lift pins and the second lift pins can be switched, the first lift pins and the corresponding second lift pins move up and down at substantially the same position, so that they can be lifted through the same through holes. It is possible to raise and lower these. Therefore, the number of through-holes in the substrate supporting member does not increase. That is, according to the present invention, it is possible to realize switching of support without increasing the number of through-holes provided in the substrate support member.
また、この発明の他の一の態様は、基板を水平姿勢に支持しながら昇降させる基板昇降装置であって、上記目的を達成するため、上下方向を軸方向とする筒状に形成された複数の第1リフトピンと、上下方向を軸方向とする筒状または棒状に形成され、前記第1リフトピン各々の内部に挿通された複数の第2リフトピンと、前記第1リフトピンおよび前記第2リフトピンを昇降させる昇降機構とを備えている。 Another aspect of the present invention is a substrate lifting device for lifting and lowering a substrate while supporting it in a horizontal position. a plurality of second lift pins formed in a cylindrical or rod shape with an axial direction extending in the vertical direction and inserted through the respective interiors of the first lift pins; and lifting and lowering the first and second lift pins. and a lifting mechanism for
ここで、前記昇降機構は、前記第1リフトピンの上端が所定の第1高さまで上昇する一方、前記第2リフトピンの上端が前記第1リフトピンの上端よりも下方に位置する第1状態と、前記第2リフトピンの上端が所定の第2高さまで上昇する一方、前記第1リフトピンの上端が前記第2リフトピンの上端よりも下方に位置する第2状態とを切り替える。 Here, the lifting mechanism includes a first state in which the upper end of the first lift pin rises to a predetermined first height while the upper end of the second lift pin is positioned below the upper end of the first lift pin; While the upper end of the second lift pin rises to a predetermined second height, the upper end of the first lift pin is switched to a second state positioned below the upper end of the second lift pin.
このように構成された発明では、上記基板処理装置と同様に、実質的に同じ位置を昇降する第1リフトピンと第2リフトピンとにより、支持の切り替えが可能である。したがって、これらが基板支持部材の貫通孔を介して昇降する場合においても、貫通孔の数を増やす必要がない。 In the invention configured in this manner, the support can be switched by the first lift pins and the second lift pins that move up and down in substantially the same position, as in the substrate processing apparatus described above. Therefore, it is not necessary to increase the number of through-holes even when these are moved up and down through the through-holes of the substrate supporting member.
上記のように、本発明によれば、筒状の第1リフトピンの内部に第2リフトピンが挿通されており、これらは実質的に同じ位置を昇降する。第1リフトピンによる支持と第2リフトピンによる支持とを切り替えることで、これらが基板支持部材の貫通孔を介して昇降する場合においても、貫通孔の数を増やす必要が生じない。 As described above, according to the present invention, the second lift pin is inserted through the interior of the first cylindrical lift pin, which lifts and lowers substantially the same position. By switching between the support by the first lift pins and the support by the second lift pins, there is no need to increase the number of through-holes even when these are moved up and down through the through-holes of the substrate support member.
図1は本発明に係る基板処理装置の一実施形態の概略構成を示す図である。この基板処理装置1は、例えば半導体基板のような各種基板の表面を超臨界流体を用いて処理するための装置である。以下の各図における方向を統一的に示すために、図1に示すようにXYZ直交座標系を設定する。ここで、XY平面は水平面であり、Z方向は鉛直方向を表す。より具体的には、(-Z)方向が鉛直下向きを表す。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of one embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. This
ここで、本実施形態における「基板」としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として半導体ウエハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。 Here, the "substrate" in this embodiment includes a semiconductor wafer, a photomask glass substrate, a liquid crystal display glass substrate, a plasma display glass substrate, a FED (Field Emission Display) substrate, an optical disk substrate, and a magnetic disk substrate. Various substrates such as a substrate and a magneto-optical disk substrate can be applied. Although a substrate processing apparatus used mainly for processing semiconductor wafers will be described below with reference to the drawings, the present invention can be similarly applied to the processing of various types of substrates exemplified above.
基板処理装置1は、処理ユニット10、移載ユニット30、供給ユニット50および制御ユニット90を備えている。処理ユニット10は、超臨界乾燥処理の実行主体となるものであり、移載ユニット30は、図示しない外部の搬送装置により搬送されてくる未処理基板を受け取って処理ユニット10に搬入し、また処理後の基板を処理ユニット10から外部の搬送装置に受け渡す。供給ユニット50は、処理に必要な化学物質および動力を処理ユニット10および移載機構30に供給する。
The
制御ユニット90は、これら装置の各部を制御して所定の処理を実現する。この目的のために、制御ユニット90には、各種の制御プログラムを実行するCPU91、処理データを一時的に記憶するメモリ92、CPU91が実行する制御プログラムを記憶するストレージ93、およびユーザや外部装置と情報交換を行うためのインターフェース94などを備えている。後述する装置の動作は、CPU91が予めストレージ93に書き込まれた制御プログラムを実行し装置各部に所定の動作を行わせることにより実現される。
The
処理ユニット10は、台座11の上に処理チャンバ12が取り付けられた構造を有している。処理チャンバ12は、いくつかの金属ブロックの組み合わせにより構成され、その内部が空洞となって処理空間SPを構成している。処理対象の基板Sは処理空間SP内に搬入されて処理を受ける。処理チャンバ12の(-Y)側側面には、X方向に細長く延びるスリット状の開口121が形成されており、開口121を介して処理空間SPと外部空間とが連通している。
The
処理チャンバ12の(-Y)側側面には、開口121を閉塞するように蓋部材13が設けられている。蓋部材13の(+Y)側側面には平板状の支持トレイ15が水平姿勢で取り付けられており、支持トレイ15の上面は基板Sを載置可能な支持面となっている。蓋部材13は図示を省略する支持機構により、Y方向に水平移動自在に支持されている。
A
蓋部材13は、供給ユニット50に設けられた進退機構53により、処理チャンバ12に対して進退移動可能となっている。具体的には、進退機構53は、例えばリニアモータ、直動ガイド、ボールねじ機構、ソレノイド、エアシリンダ等の直動機構を有しており、このような直動機構が蓋部材13をY方向に移動させる。進退機構53は制御ユニット90からの制御指令に応じて動作する。
The
蓋部材13が(-Y)方向に移動することにより、支持トレイ15が処理空間SPから開口121を介して外部へ引き出されると、支持トレイ15へのアクセスが可能となる。すなわち、支持トレイ15への基板Sの載置、および支持トレイ15に載置されている基板Sの取り出しが可能となる。一方、蓋部材13が(+Y)方向に移動することにより、支持トレイ15は処理空間SP内へ収容される。支持トレイ15に基板Sが載置されている場合、基板Sは支持トレイ15とともに処理空間SPに搬入される。
When the
蓋部材13が(+Y)方向に移動し開口121を塞ぐことにより、処理空間SPが密閉される。なお、図示を省略しているが、蓋部材13の(+Y)側側面と処理チャンバ12の(-Y)側側面との間にはシール部材が設けられ、処理空間SPの気密状態が保持される。また、図示しないロック機構により、蓋部材13は処理チャンバ12に対して固定される。このようにして処理空間SPの気密状態が確保された状態で、処理空間SP内で基板Sに対する処理が実行される。
The processing space SP is hermetically sealed by the
この実施形態では、供給ユニット50に設けられた流体供給部57から、超臨界処理に利用可能な物質の流体、例えば二酸化炭素を気体または液体の状態で処理ユニット10に供給する。二酸化炭素は比較的低温、低圧で超臨界状態となり、また基板処理に多用される有機溶剤をよく溶かす性質を有するという点で、超臨界乾燥処理に好適な化学物質である。
In this embodiment, a fluid of a substance that can be used for supercritical processing, such as carbon dioxide, is supplied to the
流体は処理空間SPに充填され、処理空間SP内が適当な温度および圧力に到達すると、流体は超臨界状態となる。こうして基板Sが処理チャンバ12内で超臨界流体により処理される。供給ユニット50には流体回収部55が設けられており、処理後の流体は流体回収部55により回収される。流体供給部57および流体回収部55は制御ユニット90により制御されている。
The fluid is filled in the processing space SP, and when the inside of the processing space SP reaches an appropriate temperature and pressure, the fluid becomes supercritical. The substrate S is thus processed in the
移載ユニット30は、外部の搬送装置と支持トレイ15との間における基板Sの受け渡しを担う。この目的のために、移載ユニット30は、本体31と、昇降部材33,34と、ベース部材35,36と、それぞれが複数設けられた2種類のリフトピン37,38とを備えている。昇降部材33,34はそれぞれZ方向に延びる柱状の部材であり、本体31によりZ方向に移動自在に支持されている。
The
昇降部材33の上部には略水平の上面を有するベース部材35が取り付けられており、ベース部材35の上面から上向きに、複数のリフトピン37が立設されている。後述するように、リフトピン37の各々は、その上端部が基板Sの下面に当接することで基板Sを下方から水平姿勢に支持する。基板Sを安定的に支持するために、上端部の高さが互いに等しい3以上のリフトピン37が設けられることが望ましい。
A
また、昇降部材34の上部には略水平の上面を有するベース部材36が取り付けられており、ベース部材36の上面から上向きに、複数のリフトピン38が立設されている。リフトピン38の各々は、その上端部が基板Sの下面に当接することで基板Sを下方から水平姿勢に支持する。基板Sを安定的に支持するために、上端部の高さが互いに等しい3以上のリフトピン38が設けられることが望ましい。
A
リフトピン37とリフトピン38とは個別に昇降可能となっている。そのため、詳しくは後述するが、この実施形態では、リフトピン37が支持トレイ15よりも上昇して基板Sを支持する支持態様と、リフトピン38が支持トレイ15よりも上昇して基板Sを支持する支持態様とを切り替え可能となっている。
The lift pins 37 and the lift pins 38 can be raised and lowered individually. Therefore, although details will be described later, in this embodiment, there is a support mode in which the lift pins 37 rise above the
昇降部材33,34は、供給ユニット50に設けられた昇降制御部51により制御されて昇降移動可能となっている。具体的には、移載ユニット30の本体31には例えばリニアモータ、直動ガイド、ボールねじ機構、ソレノイド、エアシリンダ等の直動機構が設けられており、このような直動機構が昇降制御部51に制御されて昇降部材33,34をZ方向に移動させる。昇降制御部51は制御ユニット90からの制御指令に応じて動作する。
The elevating
昇降部材33の昇降によりベース部材35が上下動し、これと一体的に複数のリフトピン37が上下動する。これにより、次に説明するように、移載ユニット30と支持トレイ15との間での基板Sの受け渡しが実現される。移載ユニット30のより詳細な構造については後で説明する。
As the elevating
図2は基板の受け渡しの様子を模式的に示す図である。また、図3は受け渡しに関与する各部の形状および位置関係を示す図である。より具体的には、図3は基板Sの受け渡しに関与する構成を示す斜視図である。なお、図3では各部の構造を明示するため、部材間のZ方向の距離を実際より拡大している。これらの図に示すように、基板Sの受け渡しは、支持トレイ15が処理チャンバ12から引き出された状態で実行される。このために、移載ユニット30は、引き出された状態の支持トレイ15の下方に当たる位置に配置されている。
FIG. 2 is a diagram schematically showing how substrates are transferred. Also, FIG. 3 is a diagram showing the shape and positional relationship of each part involved in delivery. More specifically, FIG. 3 is a perspective view showing a configuration involved in transferring the substrate S. FIG. In addition, in FIG. 3, in order to clarify the structure of each part, the distance in the Z direction between the members is enlarged more than the actual one. As shown in these figures, the transfer of the substrate S is performed with the
この実施形態では、リフトピン37により基板Sを支持する支持態様とリフトピン38により基板Sを支持する支持態様とを実現可能である。ここでは、動作を理解しやすくするために、リフトピン37により基板Sを支持する態様を例示して説明するが、リフトピン38による支持も、原理的には同様である。なお、2種類のリフトピンを区別する必要がある場合には、リフトピン37を「第1リフトピン」、リフトピン38を「第2リフトピン」と称することがある。 In this embodiment, a support mode in which the substrate S is supported by the lift pins 37 and a support mode in which the substrate S is supported by the lift pins 38 can be realized. Here, in order to facilitate understanding of the operation, a mode in which the substrate S is supported by the lift pins 37 will be described as an example, but support by the lift pins 38 is the same in principle. When it is necessary to distinguish between the two types of lift pins, the lift pins 37 may be called "first lift pins" and the lift pins 38 may be called "second lift pins".
図2(a)ないし図2(d)を参照し、基板Sの受け渡しにおける各部の動作について説明する。装置の初期状態は図1に示されている。この状態から、外部から搬入される基板Sを受け取るとき、図2(a)に示すように、蓋部材13が(-Y)側に移動して支持トレイ15が処理チャンバ12から引き出される。このときの支持トレイ15の位置を、以下では「引き出し位置」と称する。また、昇降部材33が上昇することで第1リフトピン37が支持トレイ15の上面(支持面)151より突出した状態となる。
2(a) to 2(d), the operation of each part in transferring the substrate S will be described. The initial state of the device is shown in FIG. From this state, when receiving the substrate S loaded from the outside, the
図3に示すように、支持トレイ15のうち水平方向における第1リフトピン37の配設位置に対応する位置には、上下方向に貫通する貫通孔152が設けられている。昇降部材33の上昇によってベース部材35が上昇するとき、第1リフトピン37は貫通孔152を通して支持面151よりも上方に突出する。
As shown in FIG. 3, a through
図3において符号151aは、支持トレイ15の上面151に設けられた、基板Sを収容するための窪部を表している。窪部151aの平面サイズは基板Sの外形より少し大きく、かつその深さは基板Sの厚さと同等またはこれより少し小さい。外部から搬入される基板Sは、窪部151aに嵌まり込むことにより、支持トレイ15上に安定的に支持される。なお、支持トレイ15に窪部151aが設けられることは必須の要件ではない。
図2(a)に示すように、基板Sは外部の搬送装置に設けられたハンドHにより保持された状態で搬送されてくる。第1リフトピン37が貫通孔152を通って上昇し、ハンドHの上面よりも上方まで突出することで、基板SはハンドHから第1リフトピン37に受け渡される。ハンドHと第1リフトピン37とは互いに干渉しないように形状および配置が定められる。この状態で、ハンドHは側方へ退避することができる。図2(b)に示すように、昇降部材33が下降することで、第1リフトピン37により支持される基板Sが下降する。
As shown in FIG. 2(a), the substrate S is conveyed while being held by a hand H provided on an external conveying device. The substrate S is transferred from the hand H to the first lift pins 37 by the first lift pins 37 rising through the through
最終的には図2(c)に示すように、基板Sの下面が支持面151に当接し、第1リフトピン37が支持面151よりも下方まで下降することで、基板Sは第1リフトピン37から支持トレイ15へ受け渡される。このようにして、外部搬送装置から支持トレイ15へ基板Sが受け渡される。その後、図2(d)に示すように、蓋部材13が(+Y)方向へ移動することで、支持トレイ15とともに基板Sが処理チャンバ12の処理空間SPに収容される。
Finally, as shown in FIG. 2C, the lower surface of the substrate S contacts the
処理後の基板Sの搬出は、上記とは逆の動きとなる。またこのとき、第1リフトピン37ではなく、第2リフトピン38により基板Sが支持される。具体的には、処理後の基板Sが支持トレイ15とともに処理チャンバ12から引き出された後、昇降部材34が上昇することで、第2リフトピン38が貫通孔152を通って上昇し、基板Sを支持トレイ15から持ち上げる。そして、外部から進入してくるハンドHに第2リフトピン38から基板Sを受け渡すことで、基板SはハンドHにより保持されることとなる。ハンドHが基板Sを外部へ搬出することで、基板Sは基板処理装置1から払い出される。
Carrying-out of the substrate S after processing is a movement opposite to that described above. Also, at this time, the substrate S is supported by the second lift pins 38 instead of the first lift pins 37 . Specifically, after the substrate S after processing is pulled out of the
処理チャンバ12に搬入される基板Sはその上面が液体または固体に覆われている場合がある。例えば基板Sの表面に微細パターンが形成されている場合、基板Sに残留付着している液体の表面張力によってパターンの倒壊が生じるおそれがある。また、不完全な乾燥によって基板Sの表面にウォーターマークが残留する場合がある。また、基板S表面が外気に触れることで酸化等の変質を生じる場合がある。このような問題を未然に回避するために、基板Sの表面を液体または固体の表面層で覆った状態で搬送することがある。
The upper surface of the substrate S loaded into the
したがって、上記した基板Sの受け渡しプロセスのうち、外部から搬入された基板Sが移載ユニット30を介して処理チャンバ12に収容されるプロセスは、基板Sの上面が表面層で覆われた状態で実行されることがある。例えば表面に微細パターンが形成された半導体基板に対しては、基板に対する腐食性が低く比較的低い表面張力を有する液体、例えばIPA(イソプロピルアルコール)やアセトン等により液膜を形成した状態で搬送が実行される。一方、処理チャンバ12から基板Sが搬出されるプロセスにおいては、基板Sは乾燥した状態となっている。
Therefore, among the transfer processes of the substrate S described above, the process in which the substrate S loaded from the outside is housed in the
このように、処理の前後で基板Sの状態が変化しており、特に処理後の基板Sは高い清浄度を有している。また、搬入時に基板Sに付着していた液体や固体、パーティクル等がリフトピン37に付着すると、これらが処理後の基板Sの汚染源となり得る。このことから、搬入時に未処理の基板Sを受け取るリフトピンと、搬出時に処理後の基板Sを押し上げるリフトピンとは区別しておくことが望ましい。以下、これを可能とする本実施形態のリフトピンの構造につき、より詳しく説明する。 As described above, the state of the substrate S changes before and after processing, and the substrate S after processing has particularly high cleanliness. Also, if liquids, solids, particles, or the like adhered to the substrate S at the time of loading adhere to the lift pins 37, these may become sources of contamination of the substrate S after processing. For this reason, it is desirable to distinguish between lift pins that receive unprocessed substrates S during loading and lift pins that push up processed substrates S during unloading. The structure of the lift pins of this embodiment, which enables this, will be described in more detail below.
図4はリフトピンの構造を示す図である。より具体的には、図4(a)はリフトピン37,38の先端部の構造を示す斜視図、図4(b)はその断面図である。第1リフトピン37は、上下方向(Z方向)を軸方向とする筒型形状を有する部材であり、この例では円筒形であるが断面形状は任意である。一方、第2リフトピン38は、第1リフトピン37の内部に、第1リフトピン37の内壁とは微小なギャップを隔てて挿通された、上下方向を軸方向とする丸棒状の部材である。なお第1リフトピン37と同様に筒状の部材であってもよく、また断面形状も任意である。
FIG. 4 is a diagram showing the structure of lift pins. More specifically, FIG. 4(a) is a perspective view showing the structure of the tips of the lift pins 37 and 38, and FIG. 4(b) is a sectional view thereof. The
第1リフトピン37はベース部材35により、また第2リフトピン38はベース部材36によりそれぞれ支持されており、図に破線矢印および点線矢印で示すように、両者は個別に昇降可能となっている、また、図7(b)に示すように、第1リフトピン37と第2リフトピン38との間のギャップ空間Gには、負圧を発生する排気部39が接続されている。このため、矢印A1,A2に示すように、ギャップ空間Gには下向きの気流が形成される。外部からギャップ空間Gに入り込んだパーティクルや、第1リフトピン37と第2リフトピン38との接触により生じた微粉等の汚染物質は、この気流によって下方へ運ばれ、基板Sに付着することが防止される。
The
図5はリフトピンの動作を示す図である。この実施形態では、第1リフトピン37と第2リフトピン38とが個別に昇降することにより、以下の3つの状態:
(1)第1状態:図5(a)
第1リフトピン37の上端が支持トレイ15の貫通孔152を通って上面151よりも上方まで突出し基板Sの下面に当接することで、基板Sを支持トレイ15から離間させて支持する一方、第2リフトピン38は、その上端が第1リフトピン37の上端よりも下方に位置して第1リフトピン37の内部に収容された状態;
(2)第2状態:図5(b)
第2リフトピン38の上端が支持トレイ15の貫通孔152を通って上面151よりも上方まで突出し基板Sの下面に当接することで、基板Sを支持トレイ15から離間させて支持する一方、第1リフトピン37は、その上端が第2リフトピン38の上端よりも下方に位置した状態;
(3)第3状態:図5(c)
第1リフトピン37、第2リフトピン38とも、その上端が支持トレイ15の上面151よりも下方にあって基板Sには当接せず、したがって支持トレイ15が基板Sを支持した状態
を実現可能であり、これらの状態の間で適宜切り替えを行うことができる。
FIG. 5 is a diagram showing the operation of lift pins. In this embodiment, the independent lifting and lowering of the
(1) First state: Fig. 5(a)
The upper ends of the first lift pins 37 pass through the through
(2) Second state: FIG. 5(b)
The upper ends of the second lift pins 38 pass through the through
(3) Third state: FIG. 5(c)
The upper ends of the first lift pins 37 and the second lift pins 38 are located below the
図5(a)に示す第1状態では、第1リフトピン37が支持トレイ15よりも上方に大きく突出することで、基板Sと支持トレイ15との間に外部搬送装置の基板搬入用ハンドを進入させるためのスペースS1を形成する。一方、図5(b)に示す第2状態では、第2リフトピン38が支持トレイ15よりも上方に大きく突出することで、基板Sと支持トレイ15との間に外部搬送装置の基板搬出用ハンドを進入させるためのスペースS2を形成する。
In the first state shown in FIG. 5( a ), the first lift pins 37 protrude significantly above the
このように、対をなす2種類のリフトピン37,38は、いずれも同一の貫通孔152を通って昇降する。このため、支持トレイ15には、より大径である第1リフトピン37を挿通可能な内径を有する貫通孔152を、第1リフトピン37の本数に応じた数だけ設けておけばよいこととなる。
In this way, the paired two types of lift pins 37 and 38 both pass through the same through
支持トレイ15に基板Sを載置した状態で処理チャンバ12に収容し、該チャンバ内で処理流体による処理を行う基板処理装置1では、貫通孔152を介した処理流体の上下方向の流動が処理品質に影響を与えるおそれがある。具体的には例えば、処理流体により基板Sから除去された汚染物質が、基板Sの周囲で発生する処理流体の乱流によって基板Sの近傍に滞留し基板Sに再付着することがあり得る。
In the
このため、リフトピンを通過させるために支持トレイ15に設けられる貫通孔152については、できるだけ小径で、かつ必要最小限の数に留められることが好ましい。本実施形態のリフトピン37,38は、このような要求に応えることのできるものである。特に第1リフトピン37が円筒形状、第2リフトピン38が円柱または円筒形状である同軸構造とすることにより、リフトピンの強度を確保しつつその水平断面積を最小にすることが可能である。これにより、貫通孔152の開口サイズを最小にすることができる。
For this reason, it is preferable that the through
なお、第1状態において第1リフトピン37が到達する最高位置Z1と、第2状態において第2リフトピン38が到達する最高位置Z2とは、基板Sと支持トレイ15との間に必要十分なスペースが形成される限りにおいて、これらが同じであってもよく、また異なっていてもよい。また、第1状態における第2リフトピン38の位置と、第2状態における第1リフトピン37の位置とについては、図示されたものに限定されない。
The highest position Z1 reached by the first lift pins 37 in the first state and the highest position Z2 reached by the second lift pins 38 in the second state are such that there is a necessary and sufficient space between the substrate S and the
このようなリフトピンの使い分けと同様の理由から、基板Sの受け渡しに用いられる外部搬送装置のハンドについても、搬入時と搬出時とで区別されることが望ましい。前工程からの受け入れと、後工程への払い出しとにおいて基板Sの搬送経路が異なることも考えられるから、搬入用の搬送装置と搬出用の搬出装置とが異なっていてもよい。このように搬入時と搬出時とでハンドまたは搬送装置を区別することで、処理後の基板Sの汚染を防止することができるだけでなく、搬入のための動作と搬出のための動作とを並行して実行することが可能となるので、多数基板処理時のスループットの向上も見込める。 For the same reason as the proper use of the lift pins, it is desirable that the hands of the external transfer device used for transferring the substrate S are also distinguished between the hands during loading and unloading. Since it is conceivable that the transport path of the substrate S is different between receiving from the previous process and discharging to the post-process, the transport device for carrying in and the carrying out device for carrying out may be different. By distinguishing the hand or the transport device between loading and unloading in this manner, it is possible not only to prevent contamination of the substrate S after processing, but also to perform the loading operation and the unloading operation in parallel. Therefore, it is possible to expect an improvement in throughput when processing a large number of substrates.
第3状態では、第1リフトピン37および第2リフトピン38の上端が少なくとも支持トレイ15の上面151より下方まで下降すれば、基板Sに当接することは回避される。しかしながら、図5(c)に示すように、上端位置Z3が支持トレイ15の下面よりも下方となるようにすれば、支持トレイ15の水平移動が許容されるようになる点においてより好ましい。例えば図に点線矢印で示すように、基板Sを処理チャンバ12に収容するために支持トレイ15はY方向に移動する。この場合にも、リフトピン37,38が支持トレイ15に干渉することは回避される。
In the third state, if the upper ends of the first lift pins 37 and the second lift pins 38 are lowered at least below the
次に、2種類のリフトピン37,38を個別に昇降させて上記各状態を実現させるための機構について、より詳しく説明する。このような動作を実現可能な機構としては、例えば以下のような2つの態様が適用可能である。なお、以下の説明では、これまでの原理説明との間で構造の対応関係を明確にするために、上記説明と実質的に同じ構成については同一符号を付すものとする。 Next, the mechanism for individually raising and lowering the two types of lift pins 37 and 38 to realize the above states will be described in more detail. For example, the following two aspects are applicable as a mechanism capable of realizing such an operation. In the following description, in order to clarify the structural correspondence with the previous description of the principle, the same reference numerals are given to the substantially same configurations as in the above description.
図6はリフトピンを昇降させる機構の第1の態様を示す図である。この態様の移載ユニット30aは、図1に記載の移載ユニット30に対応するものである。
FIG. 6 is a diagram showing a first mode of the mechanism for raising and lowering the lift pins. The
図6(a)に示すように、移載ユニット30の第1の態様30aでは、平板状のベース部材35の下方に、平板状のベース部材36が配置されている。ベース部材36の中央には貫通孔が設けられ、この貫通孔に、ベース部材35を支持する昇降部材33が挿通されている。昇降部材33は、本体31に設けられた第1直動機構311により昇降駆動される。一方、ベース部材36を支持する昇降部材34,34は、本体31に第2直動機構312,312により昇降駆動される。したがって、ベース部材35とベース部材36とは互いに独立して昇降可能である。
As shown in FIG. 6( a ), in the
ベース部材35の周縁部付近には複数の貫通孔が設けられ、この貫通孔のそれぞれに第1リフトピン37が取り付けられている。したがって、複数の第1リフトピン37は、ベース部材35の昇降に伴って一体的に昇降する。第1リフトピン37の上端は同じ高さに設定されているので、基板Sの下面に当接することで、基板Sを水平姿勢で支持することができる。
A plurality of through holes are provided in the vicinity of the periphery of the
一方、ベース部材36の上面には複数の第2リフトピン38が固定されており、第2リフトピン38の各々は、対応する第1リフトピン37の内部に挿通されている。したがって、複数の第2リフトピン38は、ベース部材36の昇降に伴って一体的に昇降する。第2リフトピン38の上端は同じ高さに設定されているので、基板Sの下面に当接することで、基板Sを水平姿勢で支持することができる。
On the other hand, a plurality of second lift pins 38 are fixed to the upper surface of the
このような構成によれば、ベース部材35,36が互いに独立して昇降することにより、図6(a)に示す、第1リフトピン37が第2リフトピン38よりも上方に突出した状態と、図6(b)に示す、第2リフトピン38が第1リフトピン37よりも上方に突出した状態とを切り替えることができる。
According to such a configuration, the
図7はリフトピンを昇降させる機構の第2の態様を示す図である。この態様の移載ユニット30bは、ベース部材35の支持構造が図1のものとは一部異なっている。図7(a)に示すように、移載ユニット30の第2の態様30bでは、平板状のベース部材35の下方に、平板状のベース部材36が配置されている。ベース部材35の下部には昇降部材33が取り付けられ、昇降部材33は、第1直動機構313を介してベース部材36に取り付けられている。
FIG. 7 is a diagram showing a second aspect of the mechanism for raising and lowering the lift pins. In the
ベース部材35の周縁部付近には複数の貫通孔が設けられ、この貫通孔のそれぞれに第1リフトピン37が取り付けられている。したがって、複数の第1リフトピン37は、ベース部材35の昇降に伴って一体的に昇降する。第1リフトピン37の上端は同じ高さに設定されているので、基板Sの下面に当接することで、基板Sを水平姿勢で支持することができる。
A plurality of through holes are provided in the vicinity of the periphery of the
一方、ベース部材36の上面には複数の第2リフトピン38が固定されており、第2リフトピン38の各々は、対応する第1リフトピン37の内部に挿通されている。したがって、複数の第2リフトピン38は、ベース部材36の昇降に伴って一体的に昇降する。第2リフトピン38の上端は同じ高さに設定されているので、基板Sの下面に当接することで、基板Sを水平姿勢で支持することができる。ベース部材36の下部には昇降部材34が連結され、昇降部材34は、第2直動機構314により昇降駆動される。
On the other hand, a plurality of second lift pins 38 are fixed to the upper surface of the
第2直動機構314の作動により昇降部材34が昇降すると、ベース部材35とベース部材36とが一体的に昇降する。これに伴い、第1リフトピン37と第2リフトピン38とが一体的に昇降する。一方、第1直動機構313の作動により昇降部材33が昇降すると、ベース部材36に対してベース部材35が昇降する。これに伴い、第1リフトピン37が第2リフトピン38に対して昇降する。これにより、図7(a)に示す、第1リフトピン37が第2リフトピン38よりも上方に突出した状態と、図7(b)に示す、第2リフトピン38が第1リフトピン37よりも上方に突出した状態とを切り替えることができる。
When the elevating
このように、本実施形態のリフトピンの昇降動作を実行するための機構としては、第1リフトピン37と段2リフトピン38とをそれぞれ独立して昇降させる機構や、第リフトピン37と第2リフトピン38とを相対的に昇降させる機構とこれらを一体的に昇降させる機構とを組み合わせたものなどが考えられる。
As described above, the mechanism for executing the lifting operation of the lift pins of the present embodiment includes a mechanism for independently lifting and lowering the
支持トレイに設けられる貫通孔の数を最小限に抑えるという観点からは、例えば2種類のリフトピンを近接配置し、これらの双方が挿通可能な貫通孔を支持トレイに設けることも考えられる。しかしながら、貫通孔の穴径が大きくなることも、貫通孔の数が増えることと同様の問題を生じ得る。上記実施形態のような同軸形状は、穴径を小さく抑えられる点においても有利である。 From the viewpoint of minimizing the number of through-holes provided in the support tray, for example, two types of lift pins may be arranged close to each other and a through-hole through which both of them can be inserted may be provided in the support tray. However, increasing the diameter of the through-holes can also cause the same problem as increasing the number of through-holes. The coaxial shape as in the above embodiment is also advantageous in that the hole diameter can be kept small.
また、例えば半円柱形状の2つのリフトピンを、平面部同士を対向させるように配置することも考えられる。しかしながら、この場合には、各リフトピンの水平断面積が小さくなることで剛性が低下するという問題が生じ得る。これに対し、上記実施形態のような円柱と円筒との組み合わせ、または円筒同士の組み合わせでは、小さい断面積でリフトピンの剛性を最大化することが可能である。 It is also conceivable to dispose two semi-cylindrical lift pins so that their plane portions face each other. However, in this case, a problem may arise in that the rigidity is reduced due to the reduction in the horizontal cross-sectional area of each lift pin. On the other hand, in the combination of a column and a cylinder or the combination of cylinders as in the above embodiment, it is possible to maximize the rigidity of the lift pin with a small cross-sectional area.
さらに、リフトピン間の間隙空間に下向きの気流を形成し、汚染源となるパーティクル等を確実に除去することができるという点でも、上記のような筒型の一方リフトピンの内部に他方リフトピンを挿通した構造が有効である。 Furthermore, in terms of forming a downward air flow in the gap space between the lift pins and reliably removing particles and the like that are sources of contamination, the structure in which the other lift pin is inserted into the cylindrical lift pin as described above. is valid.
以上説明したように、上記実施形態の基板処理装置1においては、移載ユニット30が本発明の「基板昇降装置」に相当している。そして、移載ユニット30においては、昇降部材33およびベース部材35が本発明の「第1支持部」に、昇降部材34およびベース部材36が本発明の「第2支持部」に、第1直動機構311,313が本発明の「第1昇降部」に、第2直動機構312,314が本発明の「第2昇降部」として機能しており、これらが一体として本発明の「昇降機構」を構成する。また、排気部39が本発明の「気流生成部」として機能している。
As described above, in the
また、上記実施形態では、支持トレイ15が本発明の「基板支持部材」として機能している。さらに、図5(a)~図5(c)に示される高さZ1、Z2、Z3が、それぞれ本発明の「第1高さ」、「第2高さ」、「第3高さ」に相当している。
Further, in the above embodiment, the
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態の処理チャンバ12は内部の処理空間SPで超臨界乾燥処理を実行するものである。しかしながら、本発明の技術思想はこれ以外の基板処理に対しても適用可能なものである。特に、処理対象の基板を支持トレイのような平板状の基板支持部材に載置して処理チャンバ内に搬入し、処理を行う装置全般に対して、本発明は有効である。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the
また、上記実施形態では、支持トレイ15への基板Sの搬入時に第1リフトピン37が、搬出時に第2リフトピン38が使用されるが、これらは逆であってもよい。また、このように搬入時と搬出時とでリフトピンの使い分けを行う以外に、例えば、第1リフトピン37で基板Sを支持した状態と、第2リフトピン38で基板Sを支持した状態との間で、直接切り替えを行うことも可能である。
Further, in the above embodiment, the first lift pins 37 are used when the substrate S is loaded into the
また、上記実施形態では。筒状の第1リフトピン37の内部空洞に第2リフトピン38が挿通され、両者は接触していない。しかしながら、一方のリフトピンと他方のリフトピンとが部分的にかつ摺動自在に係合した構造であってもよい。このようにすると、一方のリフトピンを他方のリフトピンで補助的に支持することができるので、リフトピンをより細いものとすることが可能である。したがって支持トレイに設ける貫通孔の径を小さくすることが可能となる。
Also, in the above embodiment. A
この場合には、摺動により発生する微粉が汚染源となるのを防止するため、2つのリフトピンは、基板に当接する上端部分から下方へ離れた位置で係合することが好ましい。また、両リフトピンの間に下向きの気流を発生させる手段が併用されることがさらに好ましい。 In this case, it is preferable that the two lift pins engage at a position spaced downward from the upper end portion that abuts on the substrate in order to prevent fine powder generated by sliding from becoming a source of contamination. Further, it is more preferable to use means for generating a downward airflow between both lift pins.
また、上記実施形態における基板Sの受け渡しでは、外部の搬送装置が基板SをY方向に搬送する。このため、リフトピン37,38は蓋部材13の上端部よりも上方で基板Sを支持する必要がある。これに代えて、例えば基板がX方向に搬送される構成とすれば、基板Sが蓋部材13の上方を通る必要がなくなり、リフトピン37,38はより低い位置で基板Sを支持することができれば足りる。例えば基板Sの搬入時と搬出時とで、搬送装置のハンドの進入方向を異ならせてもよい。
Further, in the delivery of the substrate S in the above embodiment, an external transport device transports the substrate S in the Y direction. Therefore, the lift pins 37 and 38 need to support the substrate S above the upper end of the
また、上記実施形態では、支持トレイ15が蓋部材13の側面に取り付けられておりこれらが一体的に移動するが、これに限定されない。例えば、蓋部材とは独立して支持トレイが移動可能な構成であってもよい。この場合、蓋部材は処理チャンバの開口に対して開閉自在に取り付けられる扉状の部材であってもよい。
In addition, in the above-described embodiment, the
また、上記実施形態では、基板支持部材たる支持トレイ15の上面が基板Sの下面に直接当接することにより基板Sが支持されるが、例えば基板支持部材の上面に突起部が設けられ、この突起部の上端が基板の下面に当接することで基板を支持する構造であってもよい。
In the above-described embodiment, the substrate S is supported by directly contacting the upper surface of the
また、上記実施形態の処理で使用される各種の化学物質は一部の例を示したものであり、上記した本発明の技術思想に合致するものであれば、これに代えて種々のものを使用することが可能である。 Further, the various chemical substances used in the treatment of the above embodiment are only examples, and various substances may be used in place of them as long as they conform to the technical concept of the present invention described above. It is possible to use
以上、具体的な実施形態を例示して説明してきたように、本発明に係る基板処理装置および基板昇降装置において、昇降機構は、複数の第1リフトピンを一体的に支持する第1支持部と、第1支持部を昇降させる第1昇降部と、複数の第2リフトピンを一体的に支持する第2支持部と、第2支持部を第1支持部とは独立して昇降させる第2昇降部とを備えるものとすることができる。 As described above by exemplifying specific embodiments, in the substrate processing apparatus and the substrate lifting device according to the present invention, the lifting mechanism includes the first support portion that integrally supports the plurality of first lift pins. a first elevating part for elevating the first supporting part; a second elevating part for integrally supporting the plurality of second lift pins; and a second elevating part for elevating the second supporting part independently of the first supporting part. It can be provided with a part.
また例えば、昇降機構は、複数の第1リフトピンを一体的に支持する第1支持部と、複数の第2リフトピンを一体的に支持する第2支持部と、第1支持部と第2支持部とを相対的に昇降させる第1昇降部と、第1支持部および第2支持部を一体的に昇降させる第2昇降部とを備える構成であってもよい。 Further, for example, the lifting mechanism includes a first support portion that integrally supports the plurality of first lift pins, a second support portion that integrally supports the plurality of second lift pins, the first support portion and the second support portion. and a second elevating unit for integrally elevating the first support unit and the second support unit.
これらのいずれの構成によっても、第1リフトピンと第2リフトピンとを個別に昇降させて、本発明の第1ないし第3状態を実現することが可能である。 With any of these configurations, the first to third states of the present invention can be achieved by individually raising and lowering the first lift pins and the second lift pins.
また例えば、第1リフトピンと第2リフトピンとの間隙空間に下向きの気流を生成する気流生成部がさらに設けられてもよい。このような構成によれば、第1リフトピンと第2リフトピンとが接触した状態で相対移動することによって生じ得る微粉を下向きに排出して、基板の汚染源となるのを未然に防止することができる。 Further, for example, an airflow generating portion that generates a downward airflow in the gap space between the first lift pin and the second lift pin may be further provided. With such a configuration, it is possible to discharge downward fine powder that may be generated by the relative movement of the first lift pin and the second lift pin while they are in contact with each other, thereby preventing the substrate from becoming a source of contamination. .
また例えば、昇降機構は、第1状態と、第2状態とに加えてさらに、第1リフトピンおよび第2リフトピンの上端がいずれも上面よりも下方に位置する第3状態を実現する構成とすることができる。第3状態では、第1および第2リフトピンとの間で切り替えを行う、請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
第3状態では、第1リフトピンおよび第2リフトピンの上端がいずれも基板支持部材の下面よりも下方に位置していてもよい。このような構成によれば、第1リフトピンおよび第2リフトピンが干渉することなく、基板支持部材を水平移動させることで基板を搬送することが可能となる。
In addition to the first state and the second state, for example, the lifting mechanism may be configured to realize a third state in which the upper ends of the first lift pins and the second lift pins are both positioned below the upper surface. can be done. 5. The substrate processing apparatus of any one of
In the third state, both the upper ends of the first lift pins and the second lift pins may be located below the lower surface of the substrate support member. According to such a configuration, the substrate can be transported by horizontally moving the substrate support member without interference between the first lift pins and the second lift pins.
例えば、基板支持部材とチャンバとを水平方向に相対移動させて、基板支持部材をチャンバに対し進退移動させる進退機構を備える装置において上記構成を採用することで、基板支持部材に支持された基板のチャンバへの搬入およびチャンバからの搬出の際に、リフトピンが干渉することが回避される。 For example, by adopting the above configuration in an apparatus having an advance/retreat mechanism for moving the substrate support member and the chamber relative to each other in the horizontal direction, the substrate supported by the substrate support member can be moved. Interference of the lift pins during loading into and out of the chamber is avoided.
この場合、チャンバから引き出された基板支持部材の貫通孔の位置に対応して、第1リフトピンおよび第2リフトピンを配置することができる。すなわち、第1リフトピンおよび第2リフトピンは、基板支持部材とともにチャンバ外へ引き出された基板に対してアクセスするような位置に配置することができる。このような構成によれば、基板支持部材と外部の搬送装置との間における基板の受け渡しを良好に行うことができる。 In this case, the first lift pins and the second lift pins can be arranged corresponding to the positions of the through holes of the substrate support member pulled out from the chamber. That is, the first lift pins and the second lift pins can be arranged at positions that allow access to the substrate pulled out of the chamber together with the substrate support member. According to such a configuration, it is possible to transfer the substrate between the substrate support member and the external transport device in a favorable manner.
また例えば、本発明に係る基板処理装置は、チャンバ内で基板を処理流体により処理するものであってよい。このような処理を行う装置では、リフトピンを通過させるために基板支持部材に設けられた貫通孔を通って処理流体が流通することで乱流が生じ、これが処理品質に影響を及ぼすことがある。貫通孔の数および径を最小限に抑えることで、このような処理品質への影響についても小さくすることが可能である。 Further, for example, the substrate processing apparatus according to the present invention may process a substrate with a processing fluid in a chamber. In an apparatus that performs such processing, the flow of processing fluid through through-holes provided in the substrate support member for passage of the lift pins causes turbulence, which can affect processing quality. By minimizing the number and diameter of through-holes, it is possible to reduce such effects on processing quality.
この発明は、基板を平板状の支持部材によって水平姿勢に支持した状態でチャンバに収容し処理を行う技術全般に適用可能である。特に、チャンバ内で処理流体を用いて行う基板処理、例えば超臨界乾燥処理に好適である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to general techniques in which a substrate is accommodated in a chamber and processed while being horizontally supported by a flat support member. In particular, it is suitable for substrate processing using a processing fluid in a chamber, such as supercritical drying processing.
1 基板処理装置
15 支持トレイ(基板支持部材)
30 移載ユニット(基板昇降装置)
33 昇降部材(第1支持部、昇降機構)
34 昇降部材(第2支持部、昇降機構)
35 ベース部材(第1支持部、昇降機構)
36 ベース部材(第2支持部、昇降機構)
37 第1リフトピン
38 第2リフトピン
39 排気部(気流生成部)
53 進退機構
311,313 第1直動機構(第1昇降部、昇降機構)
312,314 第2直動機構(第2昇降部、昇降機構)
S 基板
Z1 第1高さ
Z2 第2高さ
Z3 第3高さ
1
30 transfer unit (substrate lifting device)
33 Lifting member (first support part, lifting mechanism)
34 Elevating member (second support part, elevating mechanism)
35 base member (first support, lifting mechanism)
36 base member (second support, lifting mechanism)
37
53
312, 314 Second linear motion mechanism (second elevating unit, elevating mechanism)
S Substrate Z1 First height Z2 Second height Z3 Third height
Claims (13)
上下方向を軸方向とする筒状に形成され、前記貫通孔の各々に対応して複数設けられた第1リフトピンと、
上下方向を軸方向とする筒状または棒状に形成され、前記第1リフトピン各々の内部に挿通された複数の第2リフトピンと、
前記第1リフトピンおよび前記第2リフトピンを昇降させる昇降機構と
を備え、前記昇降機構は、
前記第1リフトピンの上端が前記貫通孔を介して前記上面よりも上方まで突出する一方、前記第2リフトピンの上端が前記第1リフトピンの上端よりも下方に位置する第1状態と、
前記第2リフトピンの上端が前記貫通孔を介して前記上面よりも上方まで突出する一方、前記第1リフトピンの上端が前記第2リフトピンの上端よりも下方に位置する第2状態と
を切り替える、基板処理装置。 a substrate supporting member having a flat plate shape provided with a plurality of vertical through-holes, and supporting the substrate in a horizontal position in the chamber by placing the substrate on the upper surface thereof;
a plurality of first lift pins formed in a cylindrical shape having an axial direction extending in the vertical direction and provided in plurality corresponding to each of the through holes;
a plurality of second lift pins formed in a cylindrical or rod shape with an axial direction extending in the vertical direction and inserted through each of the first lift pins;
an elevating mechanism for elevating the first lift pin and the second lift pin, the elevating mechanism comprising:
a first state in which the upper end of the first lift pin protrudes above the upper surface through the through hole, while the upper end of the second lift pin is positioned below the upper end of the first lift pin;
a second state in which upper ends of the second lift pins protrude above the upper surface through the through holes and upper ends of the first lift pins are positioned below upper ends of the second lift pins; processing equipment.
複数の前記第1リフトピンを一体的に支持する第1支持部と、
前記第1支持部を昇降させる第1昇降部と、
複数の前記第2リフトピンを一体的に支持する第2支持部と、
前記第2支持部を前記第1支持部とは独立して昇降させる第2昇降部と
を備える、請求項1に記載の基板処理装置。 The lifting mechanism is
a first support that integrally supports the plurality of first lift pins;
a first elevating section that elevates the first support section;
a second support portion that integrally supports the plurality of second lift pins;
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second elevating section that elevates said second support section independently of said first support section.
複数の前記第1リフトピンを一体的に支持する第1支持部と、
複数の前記第2リフトピンを一体的に支持する第2支持部と、
前記第1支持部と前記第2支持部とを相対的に昇降させる第1昇降部と、
前記第1支持部および第2支持部を一体的に昇降させる第2昇降部と
を備える、請求項1に記載の基板処理装置。 The lifting mechanism is
a first support that integrally supports the plurality of first lift pins;
a second support portion that integrally supports the plurality of second lift pins;
a first elevating section that relatively elevates the first support section and the second support section;
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second elevating section that integrally elevates the first supporting section and the second supporting section.
上下方向を軸方向とする筒状に形成された複数の第1リフトピンと、
上下方向を軸方向とする筒状または棒状に形成され、前記第1リフトピン各々の内部に挿通された複数の第2リフトピンと、
前記第1リフトピンおよび前記第2リフトピンを昇降させる昇降機構と
を備え、前記昇降機構は、
前記第1リフトピンの上端が所定の第1高さまで上昇する一方、前記第2リフトピンの上端が前記第1リフトピンの上端よりも下方に位置する第1状態と、
前記第2リフトピンの上端が所定の第2高さまで上昇する一方、前記第1リフトピンの上端が前記第2リフトピンの上端よりも下方に位置する第2状態と
を切り替える、基板昇降装置。 A substrate lifting device that lifts and lowers a substrate while supporting it in a horizontal posture,
a plurality of first lift pins formed in a cylindrical shape with an axial direction extending in the vertical direction;
a plurality of second lift pins formed in a cylindrical or rod shape with an axial direction extending in the vertical direction and inserted through each of the first lift pins;
an elevating mechanism for elevating the first lift pin and the second lift pin, the elevating mechanism comprising:
a first state in which the upper end of the first lift pin rises to a predetermined first height while the upper end of the second lift pin is positioned below the upper end of the first lift pin;
A substrate lifting device that switches between a second state in which the upper ends of the second lift pins rise to a predetermined second height, and the upper ends of the first lift pins are positioned below the upper ends of the second lift pins.
複数の前記第1リフトピンを一体的に支持する第1支持部と、
前記第1支持部を昇降させる第1昇降部と、
複数の前記第2リフトピンを一体的に支持する第2支持部と、
前記第2支持部を前記第1支持部とは独立して昇降させる第2昇降部と
を備える、請求項10に記載の基板昇降装置。 The lifting mechanism is
a first support that integrally supports the plurality of first lift pins;
a first elevating section that elevates the first support section;
a second support portion that integrally supports the plurality of second lift pins;
11. The substrate lifting apparatus according to claim 10, further comprising a second elevating section that elevates the second supporting section independently of the first supporting section.
複数の前記第1リフトピンを一体的に支持する第1支持部と、
複数の前記第2リフトピンを一体的に支持する第2支持部と、
前記第1支持部と前記第2支持部とを相対的に昇降させる第1昇降部と、
前記第1支持部および第2支持部を一体的に昇降させる第2昇降部と
を備える、請求項11に記載の基板昇降装置。 The lifting mechanism is
a first support that integrally supports the plurality of first lift pins;
a second support portion that integrally supports the plurality of second lift pins;
a first elevating section that relatively elevates the first support section and the second support section;
12. The substrate lifting apparatus according to claim 11, further comprising a second elevating section that integrally elevates the first supporting section and the second supporting section.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021048399A JP2022147234A (en) | 2021-03-23 | 2021-03-23 | Substrate processing device and substrate lifting device |
PCT/JP2022/011884 WO2022202529A1 (en) | 2021-03-23 | 2022-03-16 | Substrate processing device and substrate lifting/lowering device |
TW111110241A TWI807703B (en) | 2021-03-23 | 2022-03-21 | Substrate processing apparatus and substrate lifting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021048399A JP2022147234A (en) | 2021-03-23 | 2021-03-23 | Substrate processing device and substrate lifting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022147234A true JP2022147234A (en) | 2022-10-06 |
Family
ID=83397199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021048399A Pending JP2022147234A (en) | 2021-03-23 | 2021-03-23 | Substrate processing device and substrate lifting device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022147234A (en) |
TW (1) | TWI807703B (en) |
WO (1) | WO2022202529A1 (en) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4244555B2 (en) * | 2002-02-25 | 2009-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Support mechanism for workpiece |
JP2004026365A (en) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Working platform |
JP3989384B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2013055093A (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Creative Technology:Kk | Adhesive chuck device and adhesion holding method of work-piece |
JP7190977B2 (en) * | 2019-06-28 | 2022-12-16 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
-
2021
- 2021-03-23 JP JP2021048399A patent/JP2022147234A/en active Pending
-
2022
- 2022-03-16 WO PCT/JP2022/011884 patent/WO2022202529A1/en active Application Filing
- 2022-03-21 TW TW111110241A patent/TWI807703B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202245130A (en) | 2022-11-16 |
WO2022202529A1 (en) | 2022-09-29 |
TWI807703B (en) | 2023-07-01 |
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