JP2022146658A - Radiation cooling type light-shielding device - Google Patents

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Abstract

To provide a radiation cooling type light-shielding device that can suppress the temperature rise of a shading target in daytime sunlight environment.SOLUTION: Provided is a radiation cooling type light-shielding device in which a light-shielding body M having a radiation cooling layer CP is provided on the outer surface side, and the sunlight absorptivity of the inner surface of the light-shielding body M is 70% or more.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、放射冷却作用を備えた放射冷却式遮光装置に関する。 The present invention relates to a radiative cooling shading device having a radiative cooling action.

放射冷却とは、物質が周囲に赤外線などの電磁波を放射することでその温度が下がる現象のことを言う。この現象を利用すれば、たとえば、電気などのエネルギーを消費せずに冷却対象を冷やす放射冷却装置(放射冷却層)を構成することができる。 Radiative cooling is a phenomenon in which the temperature of a substance is lowered by radiating electromagnetic waves such as infrared rays to its surroundings. By utilizing this phenomenon, for example, a radiative cooling device (radiative cooling layer) that cools an object to be cooled without consuming energy such as electricity can be constructed.

放射冷却装置(放射冷却層)の従来例として、放射面から赤外光を放射する赤外放射層と、当該赤外放射層における前記放射面の存在側とは反対側に位置させる光反射層とが積層状態で設けられ、赤外放射層が、酸化マグネシウムの単結晶、多結晶、又は、焼結体等にて形成され、光反射層が、銀又は銀合金を備える形態に構成されたものがある(例えば、特許文献1参照)。 As a conventional example of a radiative cooling device (radiative cooling layer), an infrared radiation layer that emits infrared light from a radiation surface and a light reflection layer that is positioned on the opposite side of the radiation layer to the side where the radiation surface exists and are provided in a laminated state, the infrared radiation layer is formed of a single crystal, polycrystal, or sintered body of magnesium oxide, and the light reflection layer is configured to include silver or a silver alloy. There is a thing (for example, see patent document 1).

つまり、放射冷却装置(放射冷却層)は、赤外放射層が、波長8μmから14μmの帯域で大きな熱輻射エネルギーを放射し、光反射層が、赤外放射層を透過した光(紫外光、可視光、赤外光)を反射して放射面から放射させて、赤外放射層を透過した光(紫外光、可視光、赤外光)が冷却対象に投射されて、冷却対象が加温されることを回避することにより、昼間の日射環境下においても冷却対象を冷やすことができる。 That is, in the radiative cooling device (radiative cooling layer), the infrared radiation layer radiates a large amount of thermal radiation energy in a wavelength band of 8 μm to 14 μm, and the light reflection layer transmits light (ultraviolet light, Visible light, infrared light) is reflected and radiated from the radiation surface, and the light (ultraviolet light, visible light, infrared light) transmitted through the infrared radiation layer is projected onto the cooling target, heating the cooling target. By avoiding this, it is possible to cool the object to be cooled even under the sunlight environment during the daytime.

尚、光反射層は、赤外放射層を透過した光に加えて、赤外放射層から光反射層の存在側に放射される光を赤外放射層に向けて反射する作用も奏することになるが、以下の説明においては、光反射層が赤外放射層を透過した光(紫外光、可視光、赤外光)を反射することを目的として設けられるものであるとして説明する。 In addition to the light transmitted through the infrared radiation layer, the light reflection layer also has the function of reflecting the light emitted from the infrared radiation layer toward the side where the light reflection layer exists toward the infrared radiation layer. However, in the following description, it is assumed that the light reflecting layer is provided for the purpose of reflecting light (ultraviolet light, visible light, infrared light) transmitted through the infrared radiation layer.

特開2019-168174号公報JP 2019-168174 A

遮光装置、つまり、日傘、オーニング、天幕テント(屋根部分が存在し且つ側方部分が開放されたテント)、ターフ等、各種の用途に使用される遮光装置においては、昼間の日射環境下においても、当該遮光装置にて上方が覆われた遮光対象の温度上昇を抑制することが望まれるが、従来の遮光装置では、遮光対象の温度上昇を抑制できないものであり、改善が望まれている。 Light shielding devices used for various purposes such as parasols, awnings, awning tents (tents with a roof and open side portions), turf, etc. Although it is desired that the light shielding device suppresses the temperature rise of the light shielding target whose upper side is covered, the conventional light shielding device cannot suppress the temperature rise of the light shielding target.

すなわち、例えば、遮光装置としての日傘においては、当該日傘を使用する使用者(遮光対象)に対して太陽光が照射されることを回避できるものであるが、当該日傘を形成する遮光体(布等の膜材)が、太陽光の照射により高温になり、高温になった遮光体(布等の膜材)からの熱伝達によって使用者(遮光対象)が加熱される虞がある。
しかも、使用者(遮光対象)が位置する路地面やコンクリート路面等の地表面に照射した太陽光が、当該地表面にて反射して日傘を形成する遮光体(布等の膜材)の内面に照射されることが発生したとき、つまり、太陽光の照り返しが発生したときに、その照射された太陽光が日傘を形成する遮光体(布等の膜材)の内面にて反射して使用者(遮光対象)に照射されることにより、使用者(遮光対象)が加熱される虞がある。
That is, for example, in a parasol as a light shielding device, it is possible to prevent the user (light shielding target) using the parasol from being irradiated with sunlight. (membrane material such as cloth) becomes hot by irradiation with sunlight, and there is a risk that the user (light shielding target) is heated by heat transfer from the light shielding body (membrane material such as cloth) which has become hot.
In addition, the inner surface of the light shielding body (membrane material such as cloth) that forms a parasol by reflecting the sunlight irradiated to the ground surface such as the road surface or concrete road surface on which the user (light shielding target) is located. In other words, when sunlight is reflected back, the irradiated sunlight is reflected on the inner surface of the light shielding material (film material such as cloth) that forms the parasol. There is a possibility that the user (light shielding target) may be heated by being irradiated to the person (light shielding target).

つまり、従来の遮光装置では、太陽光の照射により高温になった遮光体が遮光対象を加熱してしまう虞や、太陽光の照り返しが発生したときに、太陽光が遮光体の内面にて反射されて遮光対象に照射されることにより、遮光対象を加熱してしまう虞があり、その結果、遮光対象の温度上昇を抑制できないものであり、改善が望まれるものであった。 In other words, in the conventional light shielding device, there is a risk that the light shielding body heated to a high temperature due to the irradiation of sunlight may heat the light shielding object, and when the sunlight is reflected, the sunlight is reflected on the inner surface of the light shielding body. There is a possibility that the target to be shielded may be heated by being radiated to the target to be shielded, and as a result, the temperature rise of the target to be shielded cannot be suppressed.

本発明は、かかる実状に鑑みて為されたものであって、その目的は、昼間の日射環境下において遮光対象の温度上昇を抑制できる放射冷却式遮光装置を提供する点にある。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a radiative cooling light shielding device capable of suppressing a temperature rise of a light shielding object in a daytime sunlight environment.

本発明の放射冷却式遮光装置は、外面側に放射冷却層を備える遮光体が設けられ、当該遮光体の内面の太陽光吸収率が70%以上である点にある。 The radiation-cooling light-shielding device of the present invention is characterized in that a light-shielding body having a radiation-cooling layer is provided on the outer surface side, and the sunlight absorptivity of the inner surface of the light-shielding body is 70% or more.

すなわち、遮光対象を覆うように配置される遮光体の外面側に放射冷却層が備えられるものであるから、放射冷却層の放射冷却作用により遮光体が冷却されるため、太陽光が照射されても遮光体の高温化が回避されることにより、遮光体が遮光対象を加熱することを回避できることになる。 That is, since the radiation cooling layer is provided on the outer surface side of the light shielding body arranged so as to cover the light shielding object, the light shielding body is cooled by the radiation cooling action of the radiation cooling layer. Also, by avoiding the temperature rise of the light shielding body, it is possible to avoid the light shielding body from heating the light shielding object.

また、遮光体における内面の太陽光吸収率が70%以上であるから、太陽光の照り返しが発生したときに、その太陽光が遮光体における内面に照射されても、太陽光の大部分が吸収されるため、遮光体における内面に照射された太陽光が、当該内面にて反射して遮光対象を加熱することを回避できることになる。
ちなみに、遮光体は、その内面に照射された太陽光を吸収することにより、温度が上昇するが、上述の如く、放射冷却層の放射冷却作用により遮光体が冷却されるため、遮光体の高温化が回避されることになる。
In addition, since the sunlight absorption rate of the inner surface of the light shielding body is 70% or more, most of the sunlight is absorbed even if the sunlight is reflected on the inner surface of the light shielding body when reflected sunlight occurs. Therefore, it is possible to avoid the sunlight irradiated to the inner surface of the light shielding body from being reflected by the inner surface and heating the light shielding object.
Incidentally, the temperature of the light shielding body rises as it absorbs the sunlight irradiated on its inner surface. conversion will be avoided.

このように、遮光対象を覆うように配置される遮光体が高温化することが回避され、しかも、太陽光の照り返しが遮光体における内面にて反射して遮光対象を加熱することが回避されるため、昼間の日射環境下において遮光対象の温度上昇を抑制できることになる。 In this way, the temperature of the light shielding body arranged to cover the light shielding object is avoided, and moreover, the heat of the light shielding object due to reflection of the reflected sunlight on the inner surface of the light shielding object is avoided. Therefore, it is possible to suppress the temperature rise of the light-shielded object under the sunlight environment in the daytime.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の特徴構成によれば、昼間の日射環境下において遮光対象の温度上昇を抑制できる。 In short, according to the characteristic structure of the radiative cooling type light shielding device of the present invention, it is possible to suppress the temperature rise of the light shielding object under the sunlight environment in the daytime.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記遮光体が、本体形成基材の外面に前記放射冷却層を備え、かつ、前記本体形成基材の内面に、太陽光吸収率が70%以上である太陽光吸収層を備えている形態である点にある。 A further characteristic configuration of the radiation-cooled light-shielding device of the present invention is that the light-shielding body includes the radiation-cooling layer on the outer surface of the body-forming base material, and the inner surface of the body-forming base material has a solar absorptivity. It is characterized by a form having a solar absorption layer of 70% or more.

すなわち、遮光体が、放射冷却層を外面に備える本体形成基材の内面に、太陽光吸収率が70%以上である太陽光吸収層を備える形態に構成されることになる。
このように、太陽光吸収層を、放射冷却層を外面に備える本体形成基材とは別の層として構成するものであるから、例えば、本体形成基材を、用途に適した遮光体を構成するのに好適な材料を用いて形成するようにしながら、その内面に太陽光吸収層を備えさせることにより、遮光体の内面の太陽光吸収率を70%以上にできる。
In other words, the light shielding body is configured to have a solar absorption layer having a solar absorption rate of 70% or more on the inner surface of the main body forming substrate having the radiation cooling layer on the outer surface.
In this way, since the solar absorption layer is formed as a separate layer from the main body forming substrate having the radiation cooling layer on the outer surface, for example, the main body forming substrate constitutes a light shielding body suitable for the application. By using a material suitable for light shielding and providing a solar light absorption layer on the inner surface of the light shielding member, the solar light absorption rate of the inner surface of the light shielding member can be increased to 70% or more.

尚、太陽光吸収層は、黒色や焦げ茶色等、太陽光吸収に適した色に着色されたフィルムを本体形成部材の内面に積層して形成する、本体形成部材の内面に、黒色や焦げ茶色等、太陽光吸収に適した色の塗料を塗布して形成する等、各種の形態で太陽光吸収層を本体形成部材の内面に備えさせることができる。 The solar absorption layer is formed by laminating a film colored in a color suitable for absorbing sunlight, such as black or dark brown, on the inner surface of the main body forming member. The inner surface of the body-forming member can be provided with the solar absorbing layer in various forms, such as by applying a coating of a color suitable for absorbing sunlight.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の特徴構成によれば、種々の用途に適した遮光体を良好に作成できる。 In short, according to the characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, a light shielding body suitable for various uses can be favorably produced.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記遮光体が、本体形成基材の外面に前記放射冷却層を備え、かつ、前記本体形成基材が、太陽光吸収率が70%以上である材料にて形成されている点にある。 A further characteristic configuration of the radiation-cooling light-shielding device of the present invention is that the light-shielding body includes the radiation-cooling layer on the outer surface of the body-forming substrate, and the body-forming substrate has a sunlight absorptivity of 70%. It is in that it is formed with the material which is above.

すなわち、遮光体が、放射冷却層を外面に備える本体形成基材にて形成されることになり、本体形成基材が、太陽光吸収率が70%以上である材料にて形成されることになる。
つまり、放射冷却層を外面に備える本体形成部材を、太陽光吸収率が70%以上である材料にて形成することにより、遮光体の内面の太陽光吸収率が70%以上であるように構成するものであるから、放射冷却層を外面に備える本体形成基材そのものを太陽光の吸収材料として利用するため、内面の太陽光吸収率が70%以上である遮光体の構成の簡素化を図ることができる。
That is, the light-shielding body is formed of the body-forming base material having the radiation cooling layer on its outer surface, and the body-forming base material is formed of a material having a solar absorptivity of 70% or more. Become.
That is, by forming the body-forming member having the radiative cooling layer on the outer surface thereof with a material having a solar absorptivity of 70% or more, the solar absorptance of the inner surface of the light shielding body is configured to be 70% or more. Therefore, in order to use the main body forming base material itself having the radiation cooling layer on the outer surface as a sunlight absorbing material, the structure of the light shielding body whose inner surface has a sunlight absorption rate of 70% or more is simplified. be able to.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の特徴構成によれば、遮光体の構成の簡素化を図ることができる。 In short, according to the characteristic structure of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, the structure of the light shielding body can be simplified.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記遮光体が、可撓性の膜状体に形成されている点にある。 A further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention is that the light shielding body is formed of a flexible film-like body.

すなわち、遮光体が、可撓性の膜状体に形成されているから、その遮光体を用いて、日傘、オーニング、天幕テント(屋根部分が存在し且つ側方部分が開放されたテント)、ターフ等の遮光装置を構成できる。つまり、遮光体が可撓性を備える必要がある遮光装置を適切に作成することができる。 That is, since the light-shielding body is formed of a flexible film-like body, the light-shielding body can be used for parasols, awnings, awning tents (tents with a roof portion and side portions open), A shading device such as a turf can be constructed. In other words, it is possible to appropriately produce a light shielding device in which the light shielding body needs to be flexible.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の特徴構成によれば、遮光体が可撓性を備える必要がある遮光装置を適切に作成することができる。 In short, according to the characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention, a light shielding device requiring flexibility of the light shielding body can be appropriately manufactured.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記遮光体が、遮光対象の上方を覆いかつ当該遮光対象物の側方を開放する状態で設けられている点にある。 A further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention is that the light shielding body is provided in a state of covering the upper side of the light shielding target and opening the sides of the light shielding target.

すなわち、遮光体が、遮光対象の上方を覆いかつ当該遮光対象物の側方を開放する状態で設けられているから、遮光対象の上方を覆う遮光体の内面には、太陽光の照り返しが発生したときに、その照り返しの太陽光が照射されることになるが、その照射された太陽光が遮光体にて吸収されることになる。 That is, since the light shielding body is provided in a state in which the upper side of the light shielding target is covered and the side of the light shielding target is opened, sunlight is reflected on the inner surface of the light shielding body covering the upper side of the light shielding target. Then, the reflected sunlight is irradiated, but the irradiated sunlight is absorbed by the light shielding body.

つまり、外面側に放射冷却層を備える遮光体が、遮光対象の上方を覆いかつ当該遮光対象物の側方を開放する状態で設けられていても、放射冷却層の放射冷却作用により遮光体が高温化することが回避され、しかも、太陽光の照り返しが遮光体における内面にて反射して遮光対象を加熱することが回避されるため、昼間の日射環境下において遮光対象の温度上昇を適切に抑制できることになる。 In other words, even if the light shielding body having the radiative cooling layer on the outer surface side is provided in a state in which the upper side of the light shielding target is covered and the side of the light shielding target is open, the light shielding body is cooled by the radiation cooling effect of the radiative cooling layer. It is possible to avoid a rise in temperature, and to prevent the reflection of sunlight from reflecting on the inner surface of the light shielding body and heating the light shielding object, so that the temperature of the light shielding object can be properly increased in a daytime sunlight environment. can be suppressed.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の特徴構成によれば、遮光対象の上方を覆いかつ当該遮光対象物の側方を開放する状態で遮光体が設けられている場合において、昼間の日射環境下において遮光対象の温度上昇を適切に抑制できる。 In short, according to the characteristic configuration of the radiative cooling type light shielding device of the present invention, when the light shielding body is provided in a state in which the upper side of the light shielding target is covered and the side of the light shielding target is open, the daytime sunlight environment It is possible to appropriately suppress the temperature rise of the light shielding object under the light.

本発明の放射冷却式遮光装置は、前記放射冷却層が、放射面から赤外光を放射する赤外放射層と、当該赤外放射層における前記放射面の存在側とは反対側に位置させる光反射層とを備える形態に構成され、
前記赤外放射層が、吸収した太陽光エネルギーよりも大きな熱輻射エネルギーを波長8μmから波長14μmの帯域で放つ厚みに調整された樹脂材料層であり、
前記光反射層が、銀または銀合金を備え、
前記太陽光吸収層の太陽光吸収率が70%以上である点を特徴とする。
In the radiative cooling type light shielding device of the present invention, the radiative cooling layer is positioned on the opposite side of the infrared radiation layer that emits infrared light from the radiation surface and the side of the infrared radiation layer on which the radiation surface exists. and a light reflecting layer,
The infrared radiation layer is a resin material layer having a thickness adjusted to emit thermal radiation energy larger than the absorbed solar energy in a wavelength band of 8 μm to 14 μm,
wherein the light reflective layer comprises silver or a silver alloy;
It is characterized in that the sunlight absorption rate of the sunlight absorption layer is 70% or more.

すなわち、放射冷却層における赤外放射層としての樹脂材料層の放射面から入射する太陽光は、樹脂材料層を透過した後、樹脂材料層の放射面の存在側とは反対側にある光反射層で反射され、放射面から系外へ逃がされる。
なお、本明細書の記載において、単に光と称する場合、当該光の概念には紫外光(紫外線)、可視光、赤外光を含む。これらを電磁波としての光の波長で述べると、その波長が10nmから20000nm(0.01μmから20μmの電磁波)の電磁波を含む。
That is, the sunlight incident from the radiation surface of the resin material layer serving as the infrared radiation layer in the radiation cooling layer passes through the resin material layer, and then passes through the radiation surface of the resin material layer. It is reflected by the layer and escapes out of the system from the emitting surface.
In the description of this specification, when light is simply referred to, the concept of light includes ultraviolet light (ultraviolet light), visible light, and infrared light. In terms of wavelengths of light as electromagnetic waves, these include electromagnetic waves with wavelengths of 10 nm to 20000 nm (electromagnetic waves of 0.01 μm to 20 μm).

また、放射冷却層への伝熱(入熱)は、樹脂材料層で赤外線に変換されて、放射面から系外へ逃がされる。
このように、放射冷却層は、放射冷却層へ照射される太陽光を反射し、また、放射冷却層への伝熱(例えば、大気からの伝熱や、放射冷却層が冷却する遮光体からの伝熱)を赤外光として系外へ放射することができる。
In addition, the heat transfer (heat input) to the radiative cooling layer is converted into infrared rays by the resin material layer and escaped from the radiation surface to the outside of the system.
In this way, the radiative cooling layer reflects sunlight irradiating the radiative cooling layer, and heat transfer to the radiative cooling layer (for example, heat transfer from the atmosphere or heat transfer from the light shield cooled by the radiative cooling layer). heat transfer) can be radiated out of the system as infrared light.

そして、樹脂材料層が、吸収した太陽光エネルギーよりも大きな熱輻射エネルギーを波長8μmから波長14μmの帯域で放つ厚みに調整されているから、銀または銀合金を備える光反射層にて太陽光を適切に反射させるようにしながら、昼間の日射環境においても、冷却機能を発揮することができる。 Since the thickness of the resin material layer is adjusted to emit thermal radiation energy larger than the absorbed sunlight energy in a wavelength band of 8 μm to 14 μm, sunlight is reflected by the light reflecting layer comprising silver or a silver alloy. It is possible to exhibit a cooling function even in a daytime sunlight environment while appropriately reflecting light.

従って、昼間の日射環境においても、遮光体の外面側に備えられた放射冷却層によって、遮光体を冷却することができ、その結果、昼間の日射環境においても、遮光体の温度上昇を適切に抑制できる。
もちろん、放射冷却層の存在によって、太陽光が遮光体を透過することが抑制されるから、太陽光が遮光体を透過して遮光対象に照射されることはない。
従って、昼間の日射環境においても放射冷却作用により遮光体を冷却して、遮光対象が加熱されることを適切に回避できるのである。
Therefore, even in a daytime sunlight environment, the radiation cooling layer provided on the outer surface side of the light shielding body can cool the light shielding body. can be suppressed.
Of course, the presence of the radiative cooling layer suppresses the transmission of sunlight through the light shielding body, so that the sunlight does not pass through the light shielding body and irradiate the light shielding target.
Therefore, even in a daytime sunlight environment, it is possible to appropriately avoid heating of the light-shielding object by cooling the light-shielding body by the radiative cooling effect.

ちなみに、樹脂材料層は、柔軟性の高い樹脂材料にて形成されることになるから、樹脂材料層に柔軟性を持たせることができ、しかも、光反射層は、例えば銀の薄膜として構成する等により、柔軟性を備えさせることができる。
したがって、樹脂材料層と光反射層とを備える放射冷却層に柔軟性を持たせることができ、放射冷却層を遮光体の外面側に適切に備えさせることができる。
Incidentally, since the resin material layer is formed of a highly flexible resin material, the resin material layer can be made flexible. For example, flexibility can be provided.
Therefore, the radiative cooling layer including the resin material layer and the light reflecting layer can be made flexible, and the radiative cooling layer can be appropriately provided on the outer surface side of the light shielding member.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の特徴構成によれば、使用する環境が直射日光のある日射環境のときにも遮光体の温度上昇を適切に抑制できる。 In short, according to the characteristic configuration of the radiative cooling type light shielding device of the present invention, it is possible to appropriately suppress the temperature rise of the light shielding body even when the usage environment is a solar environment with direct sunlight.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記赤外放射層と前記光反射層との間に保護層を備える形態に構成され、
前記保護層が、厚さが300nm以上で、40μm以下のポリオレフィン系樹脂、又は、厚さが17μm以上で、40μm以下のポリエチレンテレフタラート樹脂である点にある。
A further characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention is configured in a form in which a protective layer is provided between the infrared radiation layer and the light reflection layer,
The protective layer is a polyolefin resin with a thickness of 300 nm or more and 40 μm or less, or a polyethylene terephthalate resin with a thickness of 17 μm or more and 40 μm or less.

すなわち、赤外放射層としての樹脂材料層の放射面から入射する太陽光は、樹脂材料層及び保護層を透過した後、樹脂材料層の放射面の存在側とは反対側にある光反射層で反射され、放射面から系外へ逃がされる。 That is, the sunlight incident from the radiation surface of the resin material layer as the infrared radiation layer passes through the resin material layer and the protective layer, and then passes through the light reflecting layer on the side opposite to the radiation surface of the resin material layer. , and escapes from the radiation surface to the outside of the system.

また、保護層が、ポリオレフィン系樹脂にて厚さが300nm以上で、40μm以下の形態に、又は、エチレンテレフタラート樹脂にて厚さが17μm以上で、40μm以下の形態に形成されているから、昼間の日射環境においても、光反射層の銀または銀合金が変色することを抑制できるため、光反射層にて太陽光を適切に反射させるようにしながら、昼間の日射環境においても、冷却機能を的確に発揮させることができる。 In addition, the protective layer is made of polyolefin resin and has a thickness of 300 nm or more and 40 μm or less, or is made of ethylene terephthalate resin and has a thickness of 17 μm or more and 40 μm or less. Even in a daytime sunlight environment, discoloration of the silver or silver alloy of the light reflection layer can be suppressed. can be performed accurately.

つまり、保護層が存在しない場合には、樹脂材料層にて発生したラジカルが光反射層を形成する銀又は銀合金に到達することや、樹脂材料層を透過する水分が光反射層を形成する銀又は銀合金に到達することにより、光反射層の銀または銀合金が短期間で変色して、光反射機能を適切に発揮しない状態になる虞があるが、保護層の存在により、光反射層の銀または銀合金が短期間で変色することを抑制できる。 That is, in the absence of the protective layer, radicals generated in the resin material layer reach silver or silver alloy forming the light reflecting layer, and moisture passing through the resin material layer forms the light reflecting layer. By reaching the silver or silver alloy, the silver or silver alloy of the light reflecting layer may discolor in a short period of time, resulting in a state in which the light reflecting function is not properly exhibited. Short-term discoloration of silver or silver alloy in the layer can be suppressed.

保護層にて光反射層の銀または銀合金の変色を抑制することについて説明を加える。
保護層が、ポリオレフィン系樹脂にて厚さが300nm以上で、40μm以下の形態に形成される場合には、ポリオレフィン系樹脂は、波長0.3μmから0.4μmの紫外線の波長域の全域において紫外線の光吸収率が10%以下である合成樹脂であるから、保護層が紫外線の吸収により劣化し難いものとなる。
A description will be added about suppressing discoloration of the silver or silver alloy of the light reflecting layer in the protective layer.
When the protective layer is made of polyolefin resin and has a thickness of 300 nm or more and 40 μm or less, the polyolefin resin is exposed to ultraviolet rays in the entire ultraviolet wavelength range of 0.3 μm to 0.4 μm. Since the protective layer is a synthetic resin having a light absorption rate of 10% or less, the protective layer is less likely to deteriorate due to the absorption of ultraviolet rays.

そして、保護層を形成するポリオレフィン系樹脂の厚さが、300nm以上であるから、樹脂材料層にて発生したラジカルが光反射層を形成する銀又は銀合金に到達することを遮断し、また、樹脂材料層を透過する水分が光反射層を形成する銀又は銀合金に到達することを遮断する等の遮断機能を良好に発揮することになり、光反射層を形成する銀又は銀合金の変色を抑制できることになる。 Since the thickness of the polyolefin-based resin forming the protective layer is 300 nm or more, radicals generated in the resin material layer are blocked from reaching the silver or silver alloy forming the light reflecting layer, and It satisfactorily exhibits a blocking function such as blocking moisture passing through the resin material layer from reaching the silver or silver alloy forming the light reflecting layer, thereby preventing discoloration of the silver or silver alloy forming the light reflecting layer. can be suppressed.

つまり、ポリオレフィン系樹脂にて形成される保護層は、紫外線の吸収により、反射層から離れる表面側にラジカルを形成しながら劣化することになるが、厚さが300nm以上であるから、形成したラジカルが光反射層に到達することはなく、また、ラジカルを形成しながら劣化するにしても、紫外線の吸収が低いことにより劣化の進み具合は遅いものであるから、上述の遮断機能を長期に亘って発揮することになる。 In other words, the protective layer formed of polyolefin resin deteriorates while forming radicals on the surface side away from the reflective layer due to the absorption of ultraviolet rays, but since the thickness is 300 nm or more, the formed radicals does not reach the light-reflecting layer, and even if it deteriorates while forming radicals, the progress of deterioration is slow due to the low absorption of ultraviolet rays. It will be demonstrated.

保護層が、エチレンテレフタラート樹脂にて厚さが17μm以上で、40μm以下の形態に形成される場合には、エチレンテレフタラート樹脂は、ポリオレフィン系樹脂よりも、波長0.3μmから0.4μmの紫外線の波長域において紫外線の光吸収率が高い樹脂材料であるが、厚さが17μm以上であるから、樹脂材料層にて発生したラジカルが光反射層を形成する銀又は銀合金に到達することを遮断し、また、樹脂材料層を透過する水分が光反射層を形成する銀又は銀合金に到達することを遮断する等の遮断機能を長期に亘って良好に発揮することになり、保護層を形成する銀又は銀合金の変色を抑制できることになる。 When the protective layer is made of ethylene terephthalate resin and has a thickness of 17 μm or more and 40 μm or less, the ethylene terephthalate resin has a wavelength range of 0.3 μm to 0.4 μm than the polyolefin resin. Although the resin material has a high absorption rate of ultraviolet rays in the wavelength range of ultraviolet rays, since the thickness is 17 μm or more, the radicals generated in the resin material layer do not reach the silver or silver alloy forming the light reflecting layer. In addition, the protective layer satisfactorily exhibits a blocking function such as blocking moisture passing through the resin material layer from reaching the silver or silver alloy forming the light reflecting layer for a long period of time. Discoloration of the silver or silver alloy that forms the can be suppressed.

つまり、エチレンテレフタラート樹脂にて形成される保護層は、紫外線の吸収により、反射層から離れる表面側にラジカルを形成しながら劣化することになるが、厚さが17μm以上であるから、形成したラジカルが反射層に到達することはなく、また、ラジカルを形成しながら劣化するにしても、厚さが17μm以上であるから、上述の遮断機能を長期に亘って発揮することになる。 In other words, the protective layer formed of ethylene terephthalate resin deteriorates while forming radicals on the surface side away from the reflective layer due to the absorption of ultraviolet rays. Radicals do not reach the reflective layer, and even if the reflective layer deteriorates while forming radicals, the thickness is 17 μm or more, so the above shielding function is exhibited over a long period of time.

尚、ポリオレフィン系樹脂及びエチレンテレフタラート樹脂にて保護層を形成する場合において、その厚さの上限を定める理由は、保護層が放射冷却に寄与しない断熱性を奏することを極力回避するためである。つまり、保護層は、厚さが厚くなるほど放射冷却に寄与しない断熱性を奏することになるから、反射層を保護する機能を発揮させながらも、放射冷却に寄与しない断熱性を奏することを極力回避するために、厚さの上限が定められることになる。 In the case of forming the protective layer with polyolefin resin and ethylene terephthalate resin, the reason for setting the upper limit of the thickness is to avoid as much as possible that the protective layer exhibits heat insulation properties that do not contribute to radiative cooling. . In other words, the thicker the protective layer is, the more heat insulation it does not contribute to radiation cooling. In order to do so, the upper limit of the thickness will be determined.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、光反射層の銀または銀合金が短期間で変色することを抑制しながら遮光体を良好に冷却できる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiative cooling type light shielding device of the present invention, the light shielding body can be satisfactorily cooled while suppressing discoloration of the silver or silver alloy of the light reflecting layer in a short period of time.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記放射冷却層が、接着剤又は粘着剤の接続層にて前記遮光体の外面に装着されている点にある。 A further characteristic configuration of the radiation-cooling light-shielding device of the present invention is that the radiation-cooling layer is attached to the outer surface of the light-shielding body with a connection layer of adhesive or pressure-sensitive adhesive.

すなわち、遮光体が可撓性を有する場合において、可撓性を有する遮光体の外面に対して、接着剤又は粘着剤の接続層にて放射冷却層を密着させる状態に的確に装着できる。
ちなみに、遮光体の外面は、一般的に、鏡面では無く、凹凸が存在する状態に形成されることになるが、接着剤又は粘着剤の接続層にて放射冷却層を遮光体の外面に接続させるものであるから、光反射層に対して遮光体の外面の凹凸が反映されるのを抑制して、光反射層を平坦な状態に維持することができる。
That is, when the light shielding member has flexibility, the radiative cooling layer can be attached to the outer surface of the flexible light shielding member in a state of being in close contact with the connecting layer of the adhesive or pressure-sensitive adhesive.
Incidentally, the outer surface of the light shield is generally not a mirror surface but is formed in a state in which unevenness exists. Therefore, it is possible to suppress the unevenness of the outer surface of the light-shielding body from being reflected on the light-reflecting layer, and to maintain the light-reflecting layer in a flat state.

つまり、光反射層に対して遮光体の外面の凹凸が反映されると、遮光体の外面の凹凸に起因する光の散乱により、光反射層の反射率が低下して、光が吸収されてしまう不都合を生じる状態となるが、光反射層を平坦な状態に維持することにより、光反射層の反射率の低下を抑制することができる。 That is, when the unevenness of the outer surface of the light shielding member is reflected in the light reflecting layer, light is scattered due to the unevenness of the outer surface of the light shielding member, the reflectance of the light reflecting layer decreases, and the light is absorbed. However, by maintaining the light reflecting layer in a flat state, it is possible to suppress the decrease in the reflectance of the light reflecting layer.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、可撓性を有する遮光体の外面に対して放射冷却層を密着させる状態に的確に装着できる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, the radiation cooling layer can be accurately attached to the outer surface of the light shielding body having flexibility in such a state that the radiation cooling layer is in close contact with the outer surface.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記放射冷却層における前記放射面が、凹凸状に形成されている点にある。 A further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention is that the radiation surface of the radiation cooling layer is formed in an uneven shape.

すなわち、放射面が凹凸状に形成されることにより、放射面の表面積を増加させることができ、その結果、放射冷却層を風にて冷却して、冷却機能を向上させることができる。
例えば、自然風が遮光体の存在箇所に通風される場合において、その自然風が放射面に対して通風されることにより、冷却機能を向上させることができる。
That is, the surface area of the radiation surface can be increased by forming the radiation surface in an uneven shape, and as a result, the radiation cooling layer can be cooled by wind, and the cooling function can be improved.
For example, when natural wind is blown to the location where the light blocking body exists, the cooling function can be improved by blowing the natural wind to the radiation surface.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、冷却機能を向上させることができる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, the cooling function can be improved.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記光反射層は、波長0.4μmから0.5μmの反射率が90%以上、波長0.5μmより長波の反射率が96%以上である点にある。 A further characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention is that the light reflecting layer has a reflectance of 90% or more at a wavelength of 0.4 μm to 0.5 μm and a reflectance of 96% or more at a wavelength longer than 0.5 μm. It is in the point that it is.

すなわち、太陽光スペクトルは波長0.3μmから4μmにかけて存在し、そして、波長が0.4μmから大きくなるにつれて強度が大きくなり、特に波長0.5μmから波長2.5μmにかけての強度が大きい。
光反射層が、波長0.4μmから0.5μmにかけて90%以上の反射率を示し、波長0.5μmより長波の反射率が96%以上である反射特性を備えると、光反射層が太陽光エネルギーを5%程度以下しか吸収しなくなる。
That is, the sunlight spectrum exists from 0.3 μm to 4 μm in wavelength, and the intensity increases as the wavelength increases from 0.4 μm, especially from 0.5 μm to 2.5 μm.
When the light reflective layer exhibits a reflectance of 90% or more at a wavelength of 0.4 μm to 0.5 μm and has a reflectance of 96% or more at a wavelength longer than 0.5 μm, the light reflective layer can reflect sunlight. Absorbs less than 5% of energy.

その結果、夏場の南中時に、光反射層が吸収する太陽光エネルギーを50W/m程度以下とすることができ、樹脂材料層による放射冷却を良好に行うことができる。
尚、本明細書では、太陽光について、断りのない場合、スペクトルはAM1.5Gの規格とする。
As a result, the solar energy absorbed by the light reflecting layer can be reduced to about 50 W/m 2 or less during the middle of summer, and radiative cooling by the resin material layer can be performed satisfactorily.
In this specification, unless otherwise specified, the spectrum of sunlight is based on the AM1.5G standard.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、光反射層による太陽光エネルギーの吸収を抑えて、樹脂材料層による放射冷却を良好に行うことができる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation-cooling light-shielding device of the present invention, it is possible to suppress the absorption of sunlight energy by the light reflecting layer and to perform the radiation cooling by the resin material layer satisfactorily.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層の膜厚が、
波長0.4μmから0.5μmの光吸収率の波長平均が13%以下であり、波長0.5μmから波長0.8μmの光吸収率の波長平均が4%以下であり、波長0.8μmから波長1.5μmまでの光吸収率の波長平均が1%以内であり、1.5μmから2.5μmまでの光吸収率の波長平均が40%以下となる光吸収特性を備え、且つ、
8μmから14μmの輻射率の波長平均が40%以上となる熱輻射特性を備える状態の厚みに調整されている点にある。
A further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention is that the film thickness of the resin material layer is
The average wavelength of light absorptance at a wavelength of 0.4 μm to 0.5 μm is 13% or less, the average wavelength of light absorptance at a wavelength of 0.5 μm to 0.8 μm is 4% or less, and the wavelength from 0.8 μm The wavelength average of the light absorption rate up to a wavelength of 1.5 μm is within 1%, and the light absorption characteristic is such that the wavelength average of the light absorption rate from 1.5 μm to 2.5 μm is 40% or less, and
The thickness is adjusted so as to provide thermal radiation characteristics such that the wavelength average of the emissivity from 8 μm to 14 μm is 40% or more.

尚、波長0.4μmから0.5μmの光吸収率の波長平均とは、0.4μmから0.5μmの範囲の波長毎の光吸収率の平均値を意味するものであり、波長0.5μmから波長0.8μmの光吸収率の波長平均、波長0.8μmから波長1.5μmまでの光吸収率の波長平均、及び、1.5μmから2.5μmまでの光吸収率の波長平均も同様である。また、輻射率を含む他の同様な記載も同様な平均値を意味するものであり、以下、本明細書においては同様である。 The wavelength average of light absorptance at a wavelength of 0.4 μm to 0.5 μm means the average value of light absorptance for each wavelength in the range of 0.4 μm to 0.5 μm. The same applies to the average wavelength of light absorptance from 0.8 μm to 0.8 μm, the average of light absorptance from 0.8 μm to 1.5 μm, and the average of light absorptance from 1.5 μm to 2.5 μm. is. Other similar descriptions including emissivity mean similar average values, and the same applies hereinafter in this specification.

すなわち、樹脂材料層は、厚みによって光吸収率や輻射率(光放射率)が変化する。そのため、太陽光をできるだけ吸収せず、いわゆる大気の窓の領域の波長帯域(光の波長8μmから14μmの領域)において大きな熱輻射を発するように樹脂材料層の厚みを調整する必要がある。 That is, the resin material layer changes its light absorption rate and emissivity (light emissivity) depending on its thickness. Therefore, it is necessary to adjust the thickness of the resin material layer so that it absorbs as little sunlight as possible and emits a large amount of thermal radiation in the so-called atmospheric window wavelength range (light wavelength range of 8 μm to 14 μm).

具体的には、樹脂材料層における太陽光の光吸収率(光吸収特性)の観点において、波長0.4μmから0.5μmの光吸収率の波長平均が13%以下であり、波長0.5μmから波長0.8μmの光吸収率の波長平均が4%以下であり、波長0.8μmから波長1.5μmまでの光吸収率の波長平均が1%以内であり、1.5μmから2.5μmまでの光吸収率の波長平均が40%以下とする必要がある。尚、2.5μmから4μmまでの光吸収率については、波長平均が100%以下であればよい。
このような光吸収率が分布する場合、太陽光の光吸収率は10%以下となり、エネルギーで言うと100W以下となる。
Specifically, from the viewpoint of the light absorption rate (light absorption characteristic) of sunlight in the resin material layer, the wavelength average of the light absorption rate at a wavelength of 0.4 μm to 0.5 μm is 13% or less, and the wavelength is 0.5 μm. The wavelength average of the light absorptance from the wavelength of 0.8 μm is 4% or less, the wavelength average of the light absorptance from the wavelength of 0.8 μm to the wavelength of 1.5 μm is within 1%, and from 1.5 μm to 2.5 μm The wavelength average of the light absorptance up to is required to be 40% or less. As for the light absorptance from 2.5 μm to 4 μm, the wavelength average should be 100% or less.
In the case of such a distribution of light absorptance, the light absorptance of sunlight is 10% or less, which is 100 W or less in terms of energy.

つまり、太陽光の光吸収率は樹脂材料層の膜厚を厚くすると増加する。樹脂材料層を厚膜にすると、大気の窓の輻射率はほぼ1となり、その際に宇宙に放出する熱輻射は125W/mから160W/mとなる。
上述の如く、光反射層での太陽光吸収は50W/m以下であることが好ましい。
したがって、樹脂材料層と光反射層における太陽光吸収の和が150W/m以下であり、大気の状態がよければ冷却が進む。樹脂材料層は、以上のように太陽光スペクトルのピーク値付近の吸収率が小さなものを用いるのが良い。
That is, the light absorption rate of sunlight increases as the film thickness of the resin material layer increases. When the resin material layer is made thick, the emissivity of the atmospheric window becomes approximately 1, and the thermal radiation emitted into space at that time is 125 W/m 2 to 160 W/m 2 .
As described above, the absorption of sunlight by the light reflecting layer is preferably 50 W/m 2 or less.
Therefore, the sum of sunlight absorption in the resin material layer and the light reflecting layer is 150 W/m 2 or less, and if the atmospheric conditions are favorable, cooling proceeds. As described above, it is preferable to use a resin material layer having a small absorptance near the peak value of the sunlight spectrum.

また、樹脂材料層の赤外光を放射する輻射率(熱輻射特性)の観点では、波長8μmから14μmの輻射率の波長平均が40%以上となる必要がある。
すなわち、光反射層で吸収される50W/m程度の太陽光の熱輻射を樹脂材料層から宇宙に放出させるには、それ以上の熱輻射を樹脂材料層が出す必要がある。
例えば、外気温が30℃のとき、波長8μmから14μmの大気の窓の熱輻射の最大は200W/mである(輻射率1として計算)。この値が得られるのは、高山など、空気の薄いよく乾燥した環境の快晴時である。低地などでは大気の厚みが高山よりも厚くなるので、大気の窓の波長帯域は狭くなり、透過率は低下する。ちなみに、このことを「大気の窓が狭くなる」と呼ぶ。
In addition, from the viewpoint of the emissivity of the resin material layer for emitting infrared light (thermal radiation characteristics), the average wavelength of the emissivity at wavelengths of 8 μm to 14 μm must be 40% or more.
That is, in order for the resin material layer to emit into space about 50 W/m 2 of solar thermal radiation absorbed by the light reflecting layer, the resin material layer needs to emit more thermal radiation.
For example, when the outside air temperature is 30° C., the maximum thermal radiation of an atmospheric window with a wavelength of 8 μm to 14 μm is 200 W/m 2 (calculated as an emissivity of 1). This value can be obtained in fine weather in a very dry environment with thin air, such as in high mountains. Since the atmosphere is thicker in lowlands and the like than in high mountains, the wavelength band of the window of the atmosphere becomes narrower and the transmittance decreases. By the way, this phenomenon is called "the window of the atmosphere becomes narrower".

また、実際に放射冷却式遮光装置を使用する環境は多湿であることもあり、その場合も大気の窓は狭くなる。低地で利用する際の大気の窓域で発生する熱輻射は、状態の良いときで30℃において160W/mと見積もられる(輻射率1として計算)。
また、日本ではよくあることであるが、空に靄があるときや、スモッグが存在する場合、大気の窓はさらに狭くなり、宇宙への放射は125W/m程度となる。
In addition, the environment in which the radiative cooling type shading device is actually used may be humid, and in that case the window to the atmosphere is also narrow. The thermal radiation generated in the atmospheric window region in low-lying applications is estimated to be 160 W/m 2 at 30° C. under good conditions (calculated as an emissivity of 1).
Also, when there is haze in the sky or smog, which is common in Japan, the window of the atmosphere becomes even narrower and the radiation into space is about 125 W/m 2 .

かかる事情を鑑みて、波長8μmから14μmの輻射率の波長平均は40%以上(大気の窓帯での熱輻射強度が50W/m以上)ないと中緯度帯の低地で用いることができない。
したがって、樹脂材料層の厚みを、上述した光学的規定の範囲になるように調整することにより、太陽光の光吸収による入熱よりも大気の窓における出熱の方が大きくなり、昼間の日射環境においても屋外で放射冷却できるようになる。
In view of this situation, the average wavelength of the emissivity of wavelengths 8 μm to 14 μm must be 40% or more (the thermal radiation intensity in the window zone of the atmosphere must be 50 W/m 2 or more) to be used in the lowlands of the mid-latitudes.
Therefore, by adjusting the thickness of the resin material layer so as to fall within the optically specified range described above, the heat output from the atmospheric window becomes greater than the heat input due to the absorption of sunlight, and the sunlight in the daytime becomes larger. Radiative cooling can also be performed outdoors in the environment.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、太陽光の光吸収による入熱よりも大気の窓における出熱の方が大きくなって、日射環境においても放射冷却できる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiant cooling type light shielding device of the present invention, the heat output from the atmospheric window is greater than the heat input due to light absorption of sunlight, and radiative cooling can be performed even in a solar environment.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料は、炭素-フッ素結合、シロキサン結合、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エーテル結合、エステル結合、ベンゼン環のいずれかを1つ以上有する樹脂材料から選択される点にある。 A further characteristic configuration of the radiative cooling type light shielding device of the present invention is that the resin material forming the resin material layer comprises a carbon-fluorine bond, a siloxane bond, a carbon-chlorine bond, a carbon-oxygen bond, an ether bond, an ester bond, It is selected from resin materials having one or more benzene rings.

すなわち、樹脂材料層を形成する樹脂材料として、炭素-フッ素結合(C-F)、シロキサン結合(Si-O-Si)、炭素-塩素結合(C-Cl)、炭素-酸素結合(C-O)、エーテル結合(R-COO-R)、エステル結合(C-O-C)、ベンゼン環のいずれかを1つ以上有する無色の樹脂材料を用いることができる。 That is, as the resin material forming the resin material layer, carbon-fluorine bond (CF), siloxane bond (Si-O-Si), carbon-chlorine bond (C-Cl), carbon-oxygen bond (C-O ), an ether bond (R--COO--R), an ester bond (C--O--C), or a benzene ring.

キルヒホッフの法則により、輻射率(ε)と光吸収率(A)は等しい。光吸収率(A)は吸収係数(α)から下記式1で求めることができる。
A=1-exp(-αt)・・・(式1) 尚、tは膜厚である。
つまり、樹脂材料層の厚みを厚くすると、吸収係数の大きな波長帯域で大きな熱輻射が得られる。屋外で放射冷却する場合、大気の窓の波長帯域である波長8μmから14μmにおいて吸収係数の大きな材料を用いるとよい。また、太陽光の吸収を抑制するためには、波長0.3μmから4μm、特に0.4μmから2.5μmの範囲で吸収係数を持たない、或いは小さな材料を用いるとよい。上記式1の吸収係数と光吸収率の関係式からわかるように、光吸収率(輻射率)は樹脂材料層の膜厚によって変化する。
According to Kirchhoff's law, emissivity (ε) and light absorption (A) are equal. The light absorptance (A) can be calculated from the absorption coefficient (α) by the following formula 1.
A=1−exp(−αt) (Equation 1) where t is the film thickness.
That is, when the thickness of the resin material layer is increased, a large amount of thermal radiation can be obtained in a wavelength band with a large absorption coefficient. In the case of radiative cooling outdoors, it is preferable to use a material with a large absorption coefficient in the wavelength range of 8 μm to 14 μm, which is the wavelength band of the window of the atmosphere. In order to suppress the absorption of sunlight, it is preferable to use a material that has no or a small absorption coefficient in the wavelength range of 0.3 μm to 4 μm, particularly 0.4 μm to 2.5 μm. As can be seen from the relational expression between the absorption coefficient and the light absorptance in Equation 1, the light absorptance (emissivity) varies depending on the film thickness of the resin material layer.

日射環境下での放射冷却によって周囲の大気より温度を下げるためには、樹脂材料層を形成する樹脂材料として、大気の窓の波長帯域で大きな吸収係数をもち、太陽光の波長帯域で吸収係数を殆ど持たない材料を選ぶと、樹脂材料層の膜厚の調整によって、太陽光は殆ど吸収しないが、大気の窓の熱輻射を多く出す、つまりは太陽光の入力よりも放射冷却による出力の方が大きな状態を作り出すことができる。 In order to lower the temperature from the surrounding atmosphere by radiative cooling in a solar environment, the resin material that forms the resin material layer should have a large absorption coefficient in the wavelength band of the window of the atmosphere and a absorption coefficient in the wavelength band of the sunlight. By adjusting the film thickness of the resin material layer, it absorbs little sunlight, but emits more thermal radiation from the window of the atmosphere. can create a larger state.

樹脂材料層を形成する樹脂材料の吸収スペクトルについて説明を加える。
炭素-フッ素結合(C-F)に関しては、CHFおよびCFに起因する吸収係数が大気の窓である波長8μmから14μmにかけた広帯域に大きく広がっており、特に8.6μmで吸収係数が大きい。併せて、太陽光の波長帯域に関しては、エネルギーが大きな波長0.3μmから2.5μmで目立った吸収係数がない。
The absorption spectrum of the resin material forming the resin material layer will be explained.
As for the carbon-fluorine bond (CF), the absorption coefficient due to CHF and CF 2 spreads widely over a wide wavelength range from 8 μm to 14 μm, which is the atmospheric window, and the absorption coefficient is particularly large at 8.6 μm. In addition, regarding the wavelength band of sunlight, there is no conspicuous absorption coefficient in the wavelength range from 0.3 μm to 2.5 μm where the energy is large.

C-F結合を有する樹脂材料としては、
完全フッ素化樹脂であるポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、
部分フッ素化樹脂であるポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)およびポリフッ化ビニリデン(PVDF)およびポリフッ化ビニル(PVF)、
フッ素化樹脂共重合体であるペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)、
四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP)、
エチレン・四フッ化エチレン共重合体(ETFE)、
エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)が挙げられる。
As a resin material having a CF bond,
Polytetrafluoroethylene (PTFE), which is a fully fluorinated resin,
partially fluorinated resins polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) and polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinyl fluoride (PVF),
perfluoroalkoxy fluororesin (PFA), which is a fluorinated resin copolymer;
ethylene tetrafluoride/propylene hexafluoride copolymer (FEP),
ethylene/tetrafluoroethylene copolymer (ETFE),
Ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE) may be mentioned.

ポリフッ化ビニリデン(PVDF)を代表としての基本構造部のC-C結合、C-H結合、C-F結合の結合エネルギーを求めると、4.50eV、4.46eV、5.05eVとなる。それぞれ、波長0.275μm、波長0.278μm、波長0.246μmに対応し、これら波長より短波長側の光を吸収する。
太陽光スペクトルは波長0.300μmより長波しか存在しないため、フッ素樹脂を用いた場合、太陽光の紫外線、可視光線、近赤外線をほとんど吸収しない。
尚、紫外線は波長0.400μmよりも短波長側の範囲とし、可視光線は波長0.400μmから0.800μmの範囲とし、近赤外線は波長0.800μmから3μmの範囲とし、中赤外線は波長3μmから8μmの範囲とし、遠赤外線は波長8μmよりも長波長側の範囲とする。
The bond energies of the C—C bond, C—H bond, and C—F bond of the basic structure of polyvinylidene fluoride (PVDF) as a representative are 4.50 eV, 4.46 eV, and 5.05 eV. They correspond to wavelengths of 0.275 μm, 0.278 μm, and 0.246 μm, respectively, and absorb light shorter than these wavelengths.
Since the sunlight spectrum consists only of wavelengths longer than 0.300 μm, the use of fluororesin hardly absorbs ultraviolet rays, visible rays, and near-infrared rays of sunlight.
In addition, the ultraviolet rays are in the wavelength range shorter than 0.400 μm, the visible rays are in the wavelength range of 0.400 μm to 0.800 μm, the near infrared rays are in the wavelength range of 0.800 μm to 3 μm, and the middle infrared rays are in the wavelength range of 3 μm. to 8 μm, and the far-infrared rays are in the range on the longer wavelength side than the wavelength of 8 μm.

シロキサン結合(Si-O-Si)をもつ樹脂材料としては、シリコーンゴムおよびシリコーン樹脂が挙げられる。当該樹脂は、C-Siの結合の伸縮に起因する大きな吸収係数が波長13.3μmを中心にブロードに表れ、CSiHの対象面外変角(縦揺れ)に起因する吸収係数が波長10μmを中心にブロードに表れ、CSiHの対象面内変角(はさみ)に起因する吸収係数が波長8μm付近に小さく表れる。このように、大気の窓において大きな吸収係数を持つ。紫外領域に関しては、主鎖のSi-O-Siの結合エネルギーが4.60eVであり、波長0.269μmに対応し、この波長より短波長側の光を吸収する。太陽光スペクトルは波長0.300μmより長波しか存在しないため、シロキサン結合を用いた場合、太陽光の紫外線、可視光線、近赤外線をほとんど吸収しない。 Examples of resin materials having siloxane bonds (Si--O--Si) include silicone rubbers and silicone resins. In this resin, a large absorption coefficient due to the expansion and contraction of the C-Si bond appears broadly around the wavelength of 13.3 μm, and an absorption coefficient due to the out-of-plane deformation (pitch) of CSiH 2 appears at a wavelength of 10 μm. It appears broadly at the center, and the absorption coefficient due to the in-plane deformation angle (scissors) of CSiH 2 appears small around a wavelength of 8 μm. Thus, it has a large absorption coefficient in the atmospheric window. As for the ultraviolet region, the bond energy of Si--O--Si in the main chain is 4.60 eV, which corresponds to a wavelength of 0.269 μm, and absorbs light on the shorter wavelength side than this wavelength. Since the spectrum of sunlight consists only of wavelengths longer than 0.300 μm, the use of siloxane bonds hardly absorbs ultraviolet rays, visible rays, and near-infrared rays of sunlight.

炭素-塩素結合(C-Cl)に関しては、C-Cl伸縮振動による吸収係数が波長12μmを中心に半値幅1μm以上の広帯域に現れる。
また、炭素-塩素結合(C-Cl)を持つ樹脂材料としてはポリ塩化ビニル(PVC)が挙げられるが、ポリ塩化ビニルの場合、塩素の電子吸引の影響で、主鎖に含まれるアルケンのC-Hの変角振動に由来する吸収係数が波長10μmあたりに現れる。つまり、大気の窓の波長帯域で大きな熱輻射を出すことが可能である。なお、アルケンの炭素と塩素の結合エネルギーは3.28eVであり、その波長は0.378μmに対応し、この波長より短波長側の光を吸収する。つまり、太陽光の紫外線を吸収するが、可視域については吸収をほとんど持たない。
As for the carbon-chlorine bond (C--Cl), the absorption coefficient due to the C--Cl stretching vibration appears in a wide band with a half-value width of 1 μm or more around the wavelength of 12 μm.
In addition, polyvinyl chloride (PVC) is an example of a resin material having a carbon-chlorine bond (C-Cl). In the case of polyvinyl chloride, due to the electron attraction of chlorine, the C An absorption coefficient derived from bending vibration of −H appears around a wavelength of 10 μm. That is, it is possible to emit large thermal radiation in the wavelength band of the window of the atmosphere. The binding energy of carbon and chlorine in alkene is 3.28 eV, and its wavelength corresponds to 0.378 μm, and absorbs light on the shorter wavelength side than this wavelength. In other words, it absorbs ultraviolet rays of sunlight, but has almost no absorption in the visible range.

エーテル結合(R-COO-R)、エステル結合(C-O-C)に関しては、波長7.8μmから9.9μmにかけて吸収係数を持つ。また、エステル結合、エーテル結合に含まれる炭素-酸素結合に関しては、波長8μmから10μmの波長帯域にかけて強い吸収係数が現れる。
ベンゼン環を炭化水素樹脂の側鎖に導入すると、ベンゼン環自身の振動や、ベンゼン環の影響による周りの元素の振動によって、波長8.1μmから18μmにかけて広く吸収が現れるようになる。
これらの結合をもつ樹脂としては、ポリメタクリル酸メチル樹脂、エチレンテレフタラート樹脂、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレートがある。例えばメタクリル酸メチルのC-C結合の結合エネルギーは3.93eVであり、波長0.315μmに対応し、この波長より短波長の太陽光を吸収するが、可視域については吸収をほとんど持たない。
Ether bonds (R-COO-R) and ester bonds (C-O-C) have absorption coefficients in the wavelength range from 7.8 μm to 9.9 μm. In addition, a carbon-oxygen bond contained in an ester bond or an ether bond exhibits a strong absorption coefficient over a wavelength band of 8 μm to 10 μm.
When a benzene ring is introduced into the side chain of the hydrocarbon resin, absorption appears widely over the wavelength range of 8.1 μm to 18 μm due to the vibration of the benzene ring itself and the vibration of surrounding elements under the influence of the benzene ring.
Resins having these bonds include polymethyl methacrylate resin, ethylene terephthalate resin, polytrimethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate and polybutylene naphthalate. For example, methyl methacrylate has a C—C bond energy of 3.93 eV, which corresponds to a wavelength of 0.315 μm, and absorbs sunlight shorter than this wavelength, but has almost no absorption in the visible region.

樹脂材料層を形成する樹脂材料が、前述の輻射率、吸収率特性を有すれば、樹脂材料層としては、一種類の樹脂材料の単層膜、あるいは、複数種類の樹脂材料の多層膜、複数種類がブレンドされた樹脂材料の単層膜、複数種類がブレンドされた樹脂材料の多層膜でも構わない。なお、ブレンドには、交互共重合体、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体といった共重合体や側鎖を置換した変性品も含まれる。 If the resin material forming the resin material layer has the above-described emissivity and absorptivity characteristics, the resin material layer may be a single layer film of one type of resin material, or a multilayer film of a plurality of types of resin materials. A single layer film of a resin material in which a plurality of types are blended, or a multilayer film of a resin material in which a plurality of types are blended may be used. The blend also includes copolymers such as alternating copolymers, random copolymers, block copolymers and graft copolymers, and modified products in which side chains are substituted.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、放射冷却層が太陽光の入力よりも放射冷却による出力の方が大きな状態を作り出すことができる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, the radiation cooling layer can create a state in which the radiation cooling output is greater than the sunlight input.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料の主成分がシロキサンであり、
前記樹脂材料層の厚みが、1μm以上である点にある。
A further characteristic configuration of the radiation-cooled light-shielding device of the present invention is that the main component of the resin material forming the resin material layer is siloxane,
The thickness of the resin material layer is 1 μm or more.

すなわち、上記式1のA=1-exp(-αt)から分かるように、厚みtによって、光吸収率(輻射率)は変化する。樹脂材料の光吸収率(輻射率)が、大気の窓において大きな吸収係数を持つ厚みが必要である。
シロキサン結合(Si-O-Si)が主たる構成要素の樹脂材料の場合、1μm以上の膜厚があると、大気の窓における輻射強度が大きくなって、太陽光の入力よりも放射冷却による出力の方が大きな状態を作り出すことができる。
That is, as can be seen from A=1-exp(-αt) in Equation 1 above, the light absorption rate (emissivity) changes depending on the thickness t. The light absorptance (emissivity) of the resin material must be thick enough to have a large absorption coefficient at the atmospheric window.
In the case of a resin material whose main component is siloxane bond (Si-O-Si), if the film thickness is 1 μm or more, the radiation intensity at the window of the atmosphere increases, and the output by radiative cooling is more than the input of sunlight. can create a larger state.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、樹脂材料層を形成する樹脂材料の主成分がシロキサンである場合において、放射冷却層が太陽光の入力よりも放射冷却による出力の方が大きな状態を作り出すことができる。 In short, according to a further characteristic configuration of the radiation-cooling light-shielding device of the present invention, in the case where the main component of the resin material forming the resin material layer is siloxane, the radiation-cooling layer is cooled by radiation rather than by the input of sunlight. The output can create a larger state.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層の厚みが、10μm以上である点にある。 A further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention is that the thickness of the resin material layer is 10 μm or more.

すなわち、炭素-フッ素結合(C-F)、炭素-塩素結合(C-Cl)、炭素-酸素結合(C-O)、エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C)、ベンゼン環のいずれかが主たる構成要素の樹脂材料の場合、10μm以上の膜厚があると、大気の窓における輻射強度が大きくなって、太陽光の入力よりも放射冷却による出力の方が大きな状態を作り出すことができる。 That is, carbon-fluorine bond (C-F), carbon-chlorine bond (C-Cl), carbon-oxygen bond (C-O), ester bond (R-COO-R), ether bond (C-O-C ), in the case of a resin material whose main constituent is one of the benzene rings, if the film thickness is 10 μm or more, the radiation intensity at the window of the atmosphere increases, and the output by radiative cooling is greater than the input of sunlight. You can create big situations.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-フッ素結合(C-F)、炭素-塩素結合(C-Cl)、炭素-酸素結合(C-O)、エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C)、ベンゼン環のいずれかが主たる構成要素の樹脂材料の場合において、放射冷却層が太陽光の入力よりも放射冷却による出力の方が大きな状態を作り出すことができる。 In short, according to a further characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention, the resin material forming the resin material layer contains carbon-fluorine bonds (CF), carbon-chlorine bonds (C-Cl), carbon - In the case of a resin material whose main structural element is any of oxygen bonds (C-O), ester bonds (R-COO-R), ether bonds (C-O-C), and benzene rings, the radiative cooling layer is the sun A state can be created in which the output of radiative cooling is greater than the input of light.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層の厚みが、20mm以下である点にある。 A further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention is that the thickness of the resin material layer is 20 mm or less.

すなわち、樹脂材料層を形成する樹脂材料の大気の窓の熱輻射は材料表面から約100μm程度以内の範囲で生じる。
つまり、樹脂材料の厚みが厚くなっても放射冷却に寄与する厚みは変わらず、残りの厚みは放射冷却後の冷熱を断熱する作用を与える。理想的に太陽光を全く吸収しない樹脂材料層ができたとすると、太陽光は放射冷却式遮光装置の光反射層でのみ吸収される。
That is, the thermal radiation of the atmospheric window of the resin material forming the resin material layer occurs within a range of about 100 μm from the surface of the material.
That is, even if the thickness of the resin material increases, the thickness that contributes to radiative cooling does not change, and the remaining thickness acts to insulate cold heat after radiative cooling. Assuming that a resin material layer that does not absorb sunlight at all is ideally formed, sunlight is absorbed only by the light reflection layer of the radiative cooling light shielding device.

樹脂材料の熱伝導率はおしなべて0.2W/m・K程度であり、この熱伝導性を考慮して計算すると樹脂材料層の厚みが20mmを超えると、冷却面(光反射層における樹脂材料層の存在側とは反対側の面)の温度が上昇する。太陽光をまったく吸収しない理想的な樹脂材料が存在したとしても、樹脂材料の熱伝導率はおしなべて0.2W/m・K程度であるので、20mm以上の厚みにすると、樹脂材料層の熱輻射(放射冷却)によって、上記冷却面にて冷却する遮光体を冷却することができず、遮光体が日射を受けて加熱されてしまうため、20mm以上の膜厚にすることはできない。 The thermal conductivity of resin materials is generally about 0.2 W/m·K, and when the thickness of the resin material layer exceeds 20 mm, the cooling surface (the resin material layer in the light reflection layer temperature rises on the side opposite to the side where the Even if there is an ideal resin material that does not absorb sunlight at all, the thermal conductivity of the resin material is generally about 0.2 W/mK. (Radiative cooling) cannot cool the light shielding member cooled by the cooling surface, and the light shielding member is heated by receiving solar radiation.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、遮光体を適切に冷却することができる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, the light shielding body can be cooled appropriately.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、フッ素樹脂もしくはシリコーンゴムである点にある。 A further characteristic configuration of the radiation cooling light shielding device of the present invention is that the resin material forming the resin material layer is fluororesin or silicone rubber.

すなわち、炭素-フッ素結合(C-F)が主たる構成要素のフッ素樹脂、つまり、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリフッ化ビニル(PVF)、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEPP)は、太陽光スペクトルの紫外光域、可視光、近赤外域において殆ど光吸収性を持たない。 That is, carbon-fluorine bonds (C-F) are the main constituent fluororesins, that is, polytetrafluoroethylene (PTFE), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidene fluoride (PVDF), polyvinyl fluoride (PVF) ), perfluoroalkoxy fluororesin (PFA), and ethylene tetrafluoride/propylene hexafluoride copolymer (FEPP) have almost no light absorption in the ultraviolet, visible, and near-infrared regions of the sunlight spectrum.

また、シロキサン結合(Si-O-Si)を主鎖とし、側鎖の分子量が小さい樹脂、つまり、シリコーンゴムは、フッ素樹脂と同様に、太陽光スペクトルの紫外光域、可視光、近赤外域において殆ど光吸収性を持たない。
フッ素樹脂およびシリコーンゴムの熱伝導率は0.2W/m・Kであり、この点に鑑みると、これら樹脂は厚さ20mmまで厚くしても放射冷却機能を発揮する。
In addition, a resin having a siloxane bond (Si—O—Si) as a main chain and a side chain having a small molecular weight, that is, a silicone rubber, is similar to a fluororesin in the ultraviolet, visible, and near-infrared regions of the sunlight spectrum. has almost no light absorption in
The thermal conductivity of fluororesin and silicone rubber is 0.2 W/m·K, and in view of this point, these resins exhibit a radiative cooling function even when the thickness is increased to 20 mm.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、樹脂材料層の樹脂材料がフッ素樹脂あるいはシリコーンゴムである場合において、放射冷却層が放射冷却機能を適切に発揮させることができる。 In short, according to a further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, when the resin material of the resin material layer is fluororesin or silicone rubber, the radiation cooling layer can appropriately exhibit the radiation cooling function. can.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環のいずれかを1つ以上を有する炭化水素を主鎖とする樹脂、又は、側鎖の炭化水素の炭素数が2個以上のシリコーン樹脂であり、
前記樹脂材料層の厚みが500μm以下である点にある。
A further characteristic configuration of the radiative cooling light shielding device of the present invention is that the resin material forming the resin material layer has one of carbon-chlorine bond, carbon-oxygen bond, ester bond, ether bond, and benzene ring. or a silicone resin having a hydrocarbon side chain with 2 or more carbon atoms,
The thickness of the resin material layer is 500 μm or less.

すなわち、樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-塩素結合(C-F)、炭素-酸素結合(C-O)、エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C)、ベンゼン環のいずれかを1つ以上を有する炭化水素を主鎖とする樹脂であった場合、或いは、側鎖の炭化水素の炭素数が2個以上のシリコーン樹脂であった場合には、共有結合電子による紫外線吸収以外に、近赤外域に結合の変角や伸縮などの振動に基づく吸収が現れる。 That is, the resin material forming the resin material layer has a carbon-chlorine bond (C-F), a carbon-oxygen bond (C-O), an ester bond (R-COO-R), an ether bond (C-O-C ), in the case of a resin whose main chain is a hydrocarbon having one or more benzene rings, or in the case of a silicone resin in which the number of carbon atoms in the side chain hydrocarbon is 2 or more, In addition to the ultraviolet absorption by covalent electrons, absorption based on vibrations such as bending and stretching of bonds appears in the near-infrared region.

具体的には、CH、CH、CHの第一励起状態への遷移の基準音による吸収がそれぞれ波長1.6μmから1.7μm、波長1.65μmから1.75μm、波長1.7μmに現れる。さらに、CH、CH、CHの結合音の基準音による吸収がそれぞれ波長1.35μm、波長1.38μm、波長1.43μmに現れる。さらに、CH、CHの第二励起状態への遷移の倍音がそれぞれ波長1.24μmあたりに現れる。C-H結合の変角や伸縮の基準音は波長2μmから2.5μmにかけて広帯域に分布している。また、R-CO-Rのような構造式を有する場合、波長1.9μmあたりに大きな光吸収が存在する。 Specifically, the absorption due to the reference tone of the transition to the first excited state of CH 3 , CH 2 , and CH from 1.6 μm to 1.7 μm, from 1.65 μm to 1.75 μm, and from 1.7 μm, respectively. appear. Furthermore, absorption by reference tones of CH 3 , CH 2 and CH combination tones appears at wavelengths of 1.35 μm, 1.38 μm and 1.43 μm, respectively. Furthermore, overtones of transitions of CH 2 and CH to the second excited state appear at wavelengths around 1.24 μm. The reference tones for bending and stretching of C—H bonds are distributed over a wide band from 2 μm to 2.5 μm in wavelength. Further, when having a structural formula such as R 1 -CO 2 -R 2 , there is a large light absorption around a wavelength of 1.9 μm.

例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂、エチレンテレフタラート樹脂、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルは、近赤外域に関してCH、CH、CHに起因する同様の光吸収特性を示す。これら樹脂材料を熱伝導性の観点で規定した20mmの厚さまで厚くすると、太陽光に含まれる近赤外線を吸収して加熱される。したがって、これらの樹脂材料を用いる際は、厚さを500μm以下にする必要がある。 For example, polymethyl methacrylate resin, ethylene terephthalate resin, polytrimethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene naphthalate, and polyvinyl chloride are attributed to CH 3 , CH 2 , and CH in the near infrared region. It exhibits similar light absorption properties. When these resin materials are thickened to a thickness of 20 mm, which is defined from the viewpoint of thermal conductivity, they are heated by absorbing near-infrared rays contained in sunlight. Therefore, when using these resin materials, the thickness must be 500 μm or less.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、樹脂材料が、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環のいずれかを1つ以上を有する炭化水素を主鎖とする樹脂、又は、側鎖の炭化水素の炭素数が2個以上のシリコーン樹脂である場合において近赤外線の吸収を抑制できる。 In short, according to a further characteristic configuration of the radiative cooling light shielding device of the present invention, the resin material has one or more of carbon-chlorine bonds, carbon-oxygen bonds, ester bonds, ether bonds, and benzene rings. Near-infrared absorption can be suppressed in the case of a resin having a hydrocarbon main chain or a silicone resin having a hydrocarbon side chain with 2 or more carbon atoms.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-フッ素結合、シロキサン結合を含む樹脂と、炭化水素を主鎖とする樹脂とのブレンドであり、前記樹脂材料層の厚みが500μm以下である点にある。 A further characteristic configuration of the radiative cooling light shielding device of the present invention is that the resin material forming the resin material layer is a blend of a resin containing a carbon-fluorine bond or a siloxane bond and a resin having a hydrocarbon main chain. and the resin material layer has a thickness of 500 μm or less.

すなわち、樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-フッ素結合(C-F)或いはシロキサン結合(Si-O-Si)を主鎖とする樹脂と、炭化水素を主鎖とする樹脂とをブレンドした樹脂材料の場合、ブレンドされた炭化水素を主鎖とする樹脂の割合に応じてCH、CH、CHなどに起因する近赤外域の光吸収が現れる。炭素-フッ素結合或いはシロキサン結合が主成分の場合、炭化水素に起因する近赤外域の光吸収は小さくなるので、熱伝導性の観点での上限の20mmまで厚くすることができる。しかし、ブレンドされる炭化水素樹脂が主成分となる場合は厚さを500μm以下にする必要がある。 That is, the resin material forming the resin material layer is a blend of a resin having a carbon-fluorine bond (CF) or a siloxane bond (Si-O-Si) as a main chain and a resin having a hydrocarbon as a main chain. In the case of the blended resin material, light absorption in the near-infrared region due to CH, CH 2 , CH 3 and the like appears depending on the proportion of the blended resin having a hydrocarbon as a main chain. When carbon-fluorine bonds or siloxane bonds are the main component, light absorption in the near-infrared region due to hydrocarbons is reduced, so the thickness can be increased up to the upper limit of 20 mm from the viewpoint of thermal conductivity. However, when the blended hydrocarbon resin is the main component, the thickness must be 500 μm or less.

フッ素樹脂或いはシリコーンゴムと炭化水素のブレンドには、フッ素樹脂或いはシリコーンゴムの側鎖を炭化水素に置換したものや、フッ素モノマーおよびシリコーンモノマーと炭化水素モノマーの交互共重合体、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体も含まれる。なお、フッ素モノマーと炭化水素モノマーの交互共重合体としては、フルオロエチレン・ビニルエステル(FEVE)、フルオロオレフィンーアクリル酸エステル共重合体、エチレン・四フッ化エチレン共重合体(ETFE)、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)が挙げられる。 Blends of fluororesins or silicone rubbers and hydrocarbons include fluororesins or silicone rubbers in which the side chains are substituted with hydrocarbons, alternating copolymers of fluoromonomers, silicone monomers and hydrocarbon monomers, random copolymers, Block copolymers and graft copolymers are also included. Examples of alternating copolymers of fluorine monomers and hydrocarbon monomers include fluoroethylene-vinyl ester (FEVE), fluoroolefin-acrylic acid ester copolymer, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), ethylene- Chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE) may be mentioned.

置換する炭化水素側鎖の分子量および割合に応じてCH、CH、CHなどに起因する近赤外域の光吸収が現れる。
側鎖や共重合として導入されるモノマーが低分子であるとき、あるいは、導入されるモノマーの密度が小さいとき、炭化水素に起因する近赤外域の光吸収は小さくなるので、熱伝導性の観点での限界の20mmまで厚くすることができる。
フッ素樹脂或いはシリコーンゴムの側鎖や共重合されるモノマーとして高分子の炭化水素を導入する場合、樹脂の厚みを500μm以下にする必要がある。
Light absorption in the near-infrared region due to CH, CH 2 , CH 3 and the like appears depending on the molecular weight and proportion of the substituted hydrocarbon side chain.
When the monomer introduced as a side chain or copolymerization has a low molecular weight, or when the density of the introduced monomer is small, the absorption of light in the near-infrared region caused by hydrocarbons becomes small, so the thermal conductivity is improved. It can be thickened up to the limit of 20 mm in .
When a high molecular weight hydrocarbon is introduced as a side chain of a fluororesin or a silicone rubber or a monomer to be copolymerized, the thickness of the resin must be 500 μm or less.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、樹脂材料が炭素-フッ素結合、シロキサン結合を含む樹脂と、炭化水素を主鎖とする樹脂とのブレンドである場合において、近赤外線の吸収を抑制できる。 In short, according to a further characteristic configuration of the radiative cooling type light shielding device of the present invention, when the resin material is a blend of a resin containing a carbon-fluorine bond or a siloxane bond and a resin having a hydrocarbon main chain, Absorption of near-infrared rays can be suppressed.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、フッ素樹脂であり、
前記樹脂材料層の厚みが、300μm以下である点にある。
A further characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention is that the resin material forming the resin material layer is a fluororesin,
The thickness of the resin material layer is 300 μm or less.

すなわち、放射冷却層は実用の観点では、樹脂材料層の厚みは薄い方がよい。樹脂材料の熱伝導率は、金属やガラスなどよりも一般に低い。冷却対象物(遮光体)を効果的に冷却するには、樹脂材料層の膜厚は必要最低限であるのがよい。樹脂材料層の膜厚を厚くするほどに大気の窓の熱輻射は大きくなり、ある膜厚を超えると大気の窓における熱輻射エネルギーは飽和する。 That is, from the viewpoint of practical use, the radiative cooling layer should preferably have a thin resin material layer. The thermal conductivity of resin materials is generally lower than that of metals, glass, and the like. In order to effectively cool the object to be cooled (light-shielding body), the film thickness of the resin material layer should be the minimum necessary. As the film thickness of the resin material layer increases, the thermal radiation from the atmospheric window increases. When the film thickness exceeds a certain value, the thermal radiation energy from the atmospheric window becomes saturated.

飽和する樹脂材料層の膜厚は樹脂材料にもよるが、フッ素樹脂の場合は概ね300μmもあれば十分に飽和する。したがって、熱伝導度の観点で500μmよりも300μm以下に樹脂材料層の膜厚を抑えるのが望ましい。
ちなみに、熱輻射は飽和していないが、厚みが100μm程度であっても大気の窓領域において十分な熱輻射を得ることができる。厚さが薄い方が、熱貫流率が高まり冷却対象物の温度をより効果的に下げられるので、例えば、フッ素樹脂の場合、100μm程度以下の厚さにしてもよい。
Although the film thickness of the resin material layer to be saturated depends on the resin material, in the case of fluororesin, a thickness of approximately 300 μm is sufficient for saturation. Therefore, from the viewpoint of thermal conductivity, it is desirable to suppress the film thickness of the resin material layer to 300 μm or less rather than 500 μm.
Incidentally, although thermal radiation is not saturated, sufficient thermal radiation can be obtained in the atmospheric window region even with a thickness of about 100 μm. The thinner the thickness, the higher the heat transfer coefficient and the more effectively the temperature of the object to be cooled can be lowered.

また、フッ素樹脂の場合は、C-F結合に起因する吸収係数よりも炭素-ケイ素結合、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合に由来する吸収係数の方が大きい。当然、熱伝導度の観点で500μmよりも300μm以下に膜厚を抑えるのが望ましいが、更に膜厚を薄くして熱伝導性を上げるとさらに大きな放射冷却効果が期待できる。
ちなみに、フッ素樹脂の一例としては、ポリフッ化ビニル(PVF)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)が好適に使用できる。
In the case of a fluororesin, the absorption coefficient derived from carbon-silicon bond, carbon-chlorine bond, carbon-oxygen bond, ester bond, and ether bond is larger than the absorption coefficient derived from CF bond. Of course, from the viewpoint of thermal conductivity, it is desirable to suppress the film thickness to 300 μm or less rather than 500 μm.
Incidentally, polyvinyl fluoride (PVF) and polyvinylidene fluoride (PVDF) can be preferably used as an example of the fluororesin.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、樹脂材料がフッ素樹脂である場合において放射冷却効果を向上できる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, the radiation cooling effect can be improved when the resin material is fluororesin.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環のいずれかを一つ以上有する樹脂材料であり、
前記樹脂材料層の厚みが、50μm以下である点にある。
A further characteristic configuration of the radiative cooling light shielding device of the present invention is that the resin material forming the resin material layer has one of carbon-chlorine bond, carbon-oxygen bond, ester bond, ether bond, and benzene ring. It is a resin material having the above,
The thickness of the resin material layer is 50 μm or less.

すなわち、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環を含む樹脂材料の場合には、厚みが100μmであっても、大気の窓における熱輻射エネルギーは飽和しており、厚さ50μmでも大気の窓領域において十分な熱輻射が得られる。
樹脂材料の厚さが薄い方が、熱貫流率が高まり冷却対象物の温度をより効果的に下げられるので、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環を含む樹脂の場合、50μm以下の厚さにすると断熱性が小さくなり被冷却物を効果的に冷却することができる。
That is, in the case of a resin material containing a carbon-chlorine bond, a carbon-oxygen bond, an ester bond, an ether bond, or a benzene ring, even if the thickness is 100 μm, the thermal radiation energy at the atmospheric window is saturated. Even with a thickness of 50 μm, sufficient heat radiation is obtained in the atmospheric window region.
The thinner the resin material, the higher the heat transfer coefficient and the more effectively the temperature of the object to be cooled can be lowered. In the case of , if the thickness is 50 μm or less, the heat insulating property becomes small and the object to be cooled can be effectively cooled.

薄くする効用は断熱性を下げて冷熱を伝えやすくすること以外にもある。それは、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合を含む樹脂が呈する、近赤外域でのCH、CH、CH由来の近赤外域の光吸収の抑制である。薄くすると、これらによる太陽光吸収を小さくすることができるので、放射冷却装置の冷却能力が高まる。
以上の観点から炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環を含む樹脂の場合、50μm以下の厚さにするとより効果的に日照下において放射冷却効果を出すことができる。
The effect of making it thinner is other than lowering the heat insulation and making it easier to convey cold heat. It is the suppression of light absorption in the near-infrared region originating from CH, CH 2 and CH 3 in the near-infrared region exhibited by resins containing carbon-chlorine bonds, carbon-oxygen bonds, ester bonds and ether bonds. When thinned, the absorption of sunlight by these can be reduced, thus increasing the cooling capacity of the radiative cooling device.
From the above point of view, in the case of a resin containing a carbon-chlorine bond, a carbon-oxygen bond, an ester bond, an ether bond, or a benzene ring, a thickness of 50 μm or less can produce a more effective radiative cooling effect under sunlight. .

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環のいずれかを一つ以上有する樹脂材料において放射冷却効果を向上できる。 In short, according to a further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, radiation cooling is performed in a resin material having one or more of carbon-chlorine bonds, carbon-oxygen bonds, ester bonds, ether bonds, and benzene rings. can improve effectiveness.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-ケイ素結合を有する樹脂材料であり、
前記樹脂材料層の厚みが、10μm以下である点にある。
A further characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention is that the resin material forming the resin material layer is a resin material having a carbon-silicon bond,
The thickness of the resin material layer is 10 μm or less.

すなわち、炭素-ケイ素結合を有する樹脂材料の場合、厚さ50μmでも大気の窓領域において熱輻射が飽和しきっており、厚さ10μmでも大気の窓領域において十分な熱輻射が得られる。樹脂材料の厚さが薄い方が、熱貫流率が高まり冷却対象物の温度をより効果的に下げられるので、炭素-ケイ素結合を含む樹脂材料の場合、10μm以下の厚さにすると断熱性が小さくなり冷却物対象を効果的に冷却することができる。薄くすると、太陽光吸収を小さくすることができるので、放射冷却式遮光装置の冷却能力が高まる。 That is, in the case of a resin material having a carbon-silicon bond, even with a thickness of 50 μm, thermal radiation is saturated in the window region of the atmosphere, and even with a thickness of 10 μm, sufficient thermal radiation is obtained in the window region of the atmosphere. The thinner the resin material, the higher the heat transmission coefficient and the more effectively the temperature of the object to be cooled can be lowered. It becomes possible to effectively cool the object to be cooled. Thinning can reduce sunlight absorption, thereby increasing the cooling capacity of the radiative cooling shading device.

以上の観点から炭素-ケイ素結合を含む樹脂材料の場合、10μm以下の厚さにするとより効果的に日射環境において放射冷却効果を出すことができる。 From the above point of view, in the case of a resin material containing a carbon-silicon bond, if the thickness is 10 μm or less, the radiative cooling effect can be produced more effectively in a solar radiation environment.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、炭素-ケイ素結合を有する樹脂材料において放射冷却効果を向上できる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation cooling type light shielding device of the present invention, the radiation cooling effect can be improved in the resin material having the carbon-silicon bond.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、塩化ビニル樹脂又は塩化ビニリデン樹脂であり、
前記樹脂材料層の厚みが、100μm以下で10μm以上である点にある。
A further characteristic configuration of the radiation-cooled light-shielding device of the present invention is that the resin material forming the resin material layer is vinyl chloride resin or vinylidene chloride resin,
The thickness of the resin material layer is 100 μm or less and 10 μm or more.

すなわち、厚みが100μm以下で10μm以上である塩化ビニル樹脂(ポリ塩化ビニル)又は塩化ビニリデン樹脂(ポリ塩化ビニリデン)は、大気の窓領域において十分な熱輻射が得られるものである。
塩化ビニル樹脂又は塩化ビニリデン樹脂は、その熱輻射特性が大気の窓領域において大きな熱輻射が得られるフッ素樹脂よりもやや劣るものの、シリコーンゴム等の他の樹脂材料よりも優れ、フッ素樹脂よりもかなり安価であるから、直射日光下で周囲温度よりも温度が低下する放射冷却装置を安価に構成するのに有効である。
That is, a vinyl chloride resin (polyvinyl chloride) or a vinylidene chloride resin (polyvinylidene chloride) having a thickness of 100 μm or less and 10 μm or more provides sufficient heat radiation in the window region of the atmosphere.
Vinyl chloride resin or vinylidene chloride resin is slightly inferior to fluororesin in terms of its heat radiation characteristics, which can obtain large heat radiation in the window region of the atmosphere, but it is superior to other resin materials such as silicone rubber, and considerably better than fluororesin. Since it is inexpensive, it is effective in constructing an inexpensive radiation cooling device in which the temperature is lower than the ambient temperature under direct sunlight.

さらに、薄膜状の塩化ビニル樹脂又は塩化ビニリデン樹脂は、軟質性であるから、他物が接触しても傷がつき難いため、長期に亘って美麗な状態に維持できる。ちなみに、薄膜状のフッ素樹脂は、硬質性であるから、他物の接触により傷がつき易く、美麗な状態を維持し難いものである。
また、塩化ビニル樹脂は、難燃性であり且つ生分解され難いものであるから、屋外で使用する放射冷却装置の樹脂材料層を形成する樹脂材料として好適である。
Furthermore, since the thin film-like vinyl chloride resin or vinylidene chloride resin is soft, it is hard to be damaged even if it comes into contact with other objects, so that it can be maintained in a beautiful state for a long period of time. Incidentally, since the thin film-like fluororesin is hard, it is easily scratched by contact with other objects, and it is difficult to maintain a beautiful state.
In addition, since vinyl chloride resin is flame-retardant and hardly biodegradable, it is suitable as a resin material for forming a resin material layer of a radiant cooling device for outdoor use.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、日射環境においても周囲温度よりも温度が低下しかつ傷がつき難い放射冷却層を安価に得ることができる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiative cooling type light shielding device of the present invention, it is possible to obtain a radiative cooling layer at a low cost that is less susceptible to damage and whose temperature is lower than the ambient temperature even in a solar environment.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記光反射層が、銀または銀合金で構成され、その厚みが50nm以上である点にある。 A further characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention is that the light reflecting layer is made of silver or a silver alloy and has a thickness of 50 nm or more.

すなわち、光反射層に上述の反射率特性、つまり、波長0.4μmから0.5μmの反射率が90%以上、波長0.5μmより長波の反射率が96%以上である反射率特性を持たせるためには、光反射層における放射面側の反射材料としては、銀または銀合金である必要がある。
そして、銀または銀合金のみで前述の反射率特性を持たせた状態で太陽光を反射する場合、厚さが50nm以上必要である。
That is, the light-reflecting layer has the reflectance characteristics described above, that is, the reflectance of 90% or more at a wavelength of 0.4 μm to 0.5 μm and the reflectance of 96% or more at a wavelength longer than 0.5 μm. In order to achieve this, it is necessary that the reflective material on the emitting surface side of the light reflective layer is silver or a silver alloy.
In addition, when sunlight is reflected in a state in which only silver or a silver alloy has the reflectance characteristics described above, the thickness must be 50 nm or more.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、光反射層による太陽光エネルギーの吸収を的確に抑えて、樹脂材料層による放射冷却を良好に行うことができる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation-cooling light-shielding device of the present invention, it is possible to appropriately suppress the absorption of sunlight energy by the light reflecting layer and to perform the radiation cooling by the resin material layer satisfactorily.

本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成は、前記光反射層が、前記保護層に隣接して位置する銀または銀合金と前記保護層から離れる側に位置するアルミまたはアルミ合金の積層構造である点にある。 A further characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention is that the light reflecting layer is a laminate of silver or a silver alloy positioned adjacent to the protective layer and aluminum or an aluminum alloy positioned away from the protective layer. It is in the point that it is a structure.

すなわち、光反射層に前述の反射率特性を持たせるためには、銀または銀合金とアルミまたはアルミ合金を積層させた構造にしてもよい。なお、この場合も放射面側の反射材料は銀または銀合金である必要がある。この場合、銀の厚みは10nm以上必要であり、アルミの厚みは30nm以上必要である。 That is, in order to give the light reflection layer the reflectance characteristics described above, it may have a structure in which silver or a silver alloy and aluminum or an aluminum alloy are laminated. Also in this case, the reflecting material on the emitting surface side must be silver or a silver alloy. In this case, the thickness of silver is required to be 10 nm or more, and the thickness of aluminum is required to be 30 nm or more.

そして、アルミまたはアルミ合金は、銀または銀合金よりも安価であるから、適切な反射率特性を持たせながらも、光反射層の低廉化を図ることができる。
つまり、高価な銀または銀合金を薄くして、光反射層の低廉化を図るようにしながらも、光反射層を、銀または銀合金とアルミまたはアルミ合金との積層構造にすることにより、適切な反射率特性を持たせながらも、光反射層の低廉化を図ることができる。
Since aluminum or an aluminum alloy is cheaper than silver or a silver alloy, it is possible to reduce the cost of the light reflecting layer while providing appropriate reflectance characteristics.
In other words, while making the expensive silver or silver alloy thinner to reduce the cost of the light reflecting layer, the light reflecting layer has a laminated structure of silver or a silver alloy and aluminum or an aluminum alloy. It is possible to reduce the cost of the light reflecting layer while providing good reflectance characteristics.

要するに、本発明の放射冷却式遮光装置の更なる特徴構成によれば、適切な反射率特性を持たせながらも、光反射層の低廉化を図ることができる。 In short, according to the further characteristic configuration of the radiation-cooled light shielding device of the present invention, it is possible to reduce the cost of the light reflecting layer while providing appropriate reflectance characteristics.

放射冷却式遮光装置の基本構成を説明する図である。It is a figure explaining the basic composition of a radiation cooling type light-shielding apparatus. 樹脂材料の吸収係数と波長帯域との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the absorption coefficient of a resin material, and a wavelength band. 樹脂材料の光吸収率と波長との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the optical absorptance of a resin material, and a wavelength. シリコーンゴムの輻射率スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the emissivity spectrum of silicone rubber. PFAの輻射率スペクトルを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the emissivity spectrum of PFA; 塩化ビニル樹脂の輻射率スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the emissivity spectrum of a vinyl chloride resin. エチレンテレフタラート樹脂の輻射率スペクトルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an emissivity spectrum of ethylene terephthalate resin; オレフィン変成材料の輻射率スペクトルを示す図である。FIG. 4 shows the emissivity spectrum of an olefin modified material; 放射面の温度と光反射層の温度との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the temperature of a radiation surface, and the temperature of a light reflection layer. シリコーンゴム及びペルフルオロアルコキシフッ素樹脂の光吸収率スペクトルを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing optical absorption spectra of silicone rubber and perfluoroalkoxy fluororesin; エチレンテレフタラート樹脂の光吸収率スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the optical absorptance spectrum of ethylene terephthalate resin. 銀をベースにした光反射層の光反射率スペクトルを示す図である。FIG. 3 shows the light reflectance spectrum of a silver-based light reflective layer; フルオロエチレンビニルエーテルの輻射率スペクトルを示す図である。FIG. 2 shows an emissivity spectrum of fluoroethylene vinyl ether; 塩化ビニリデン樹脂の輻射率スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the emissivity spectrum of vinylidene chloride resin. 放射冷却層の実験結果を示す表である。4 is a table showing experimental results of a radiative cooling layer; 放射冷却式遮光装置の具体構成を示す図である。It is a figure which shows the specific structure of a radiation cooling type light-shielding apparatus. 放射冷却式遮光装置の具体構成を示す図である。It is a figure which shows the specific structure of a radiation cooling type light-shielding apparatus. 放射冷却式遮光装置の具体構成を示す図である。It is a figure which shows the specific structure of a radiation cooling type light-shielding apparatus. 放射冷却式遮光装置の具体構成を示す図である。It is a figure which shows the specific structure of a radiation cooling type light-shielding apparatus. 樹脂材料の光吸収率と波長との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the optical absorptance of a resin material, and a wavelength. ポリエチレンの光透過率と波長との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the light transmittance of polyethylene, and a wavelength. 試験用構成を説明する図である。It is a figure explaining the structure for a test. 保護層がポリエチレンの場合の試験結果を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing test results when the protective layer is polyethylene. 保護層が紫外線吸収アクリルの場合の試験結果を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing test results when the protective layer is UV-absorbing acrylic; ポリエチレンの輻射率スペクトルを示す図である。FIG. 4 shows the emissivity spectrum of polyethylene; 放射冷却式遮光装置の実験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the experimental result of a radiation cooling type light-shielding apparatus. 放射冷却式遮光装置の実験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the experimental result of a radiation cooling type light-shielding apparatus. 放射冷却層の別構成を説明する図である。It is a figure explaining another structure of a radiative cooling layer. 放射冷却層を凹凸状に形成した構成を示す図である。It is a figure which shows the structure which formed the radiative cooling layer in uneven|corrugated shape. 放射冷却層の凹凸状の具体例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a specific example of unevenness of a radiative cooling layer; 放射冷却層の凹凸状の具体例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a specific example of unevenness of a radiative cooling layer; オーニングを示す斜視図である。It is a perspective view which shows an awning. 天幕テントを示す斜視図である。1 is a perspective view showing an awning tent; FIG.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
〔放射冷却式遮光装置の基本構成〕
図1に示すように、放射冷却式遮光装置Wは、外面側に放射冷却層CPを備える遮光体Mが設けられ、当該遮光体Mの内面の太陽光吸収率が70%以上に構成されている。
具体的には、遮光体Mが、本体形成基材Eの外面に放射冷却層CPを備え、かつ、本体形成基材Eの内面に、太陽光吸収率が70%以上である太陽光吸収層Kを備える形態に構成されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[Basic configuration of radiation cooling type light shielding device]
As shown in FIG. 1, the radiation-cooling light-shielding device W is provided with a light-shielding body M having a radiation-cooling layer CP on the outer surface side, and the sunlight absorptivity of the inner surface of the light-shielding body M is set to 70% or more. there is
Specifically, the light shielding body M includes a radiation cooling layer CP on the outer surface of the main body forming substrate E, and a solar absorbing layer having a solar absorptance of 70% or more on the inner surface of the main body forming substrate E. It is configured in a form with K.

図1には、放射冷却式遮光装置Wとして日傘が例示され、日傘の骨材にて支持される遮光体Mが、可撓性の膜状体として形成されている。
つまり、遮光体Mが、織物製の本体形成基材Eの外面側に柔軟性の放射冷却層CPが装着された形態に形成されて、柔軟性を備える膜状体として形成されることにより、折り畳みできるように構成されている。
また、太陽光吸収層Kは、例えば、黒色や焦げ茶色等の太陽光吸収率が70%以上である塗料を、本体形成基材Eの内面に塗布することにより形成されている。尚、太陽光吸収層Kは、太陽光吸収率が70%以上である合成樹脂製や布製の膜材を、本体形成基材Eの内面に貼着することによっても形成できる。
FIG. 1 exemplifies a parasol as the radiation cooling type light shielding device W, and the light shielding member M supported by the aggregate of the parasol is formed as a flexible film-like member.
That is, the light shielding body M is formed in a form in which a flexible radiative cooling layer CP is attached to the outer surface side of the main body forming base material E made of fabric, and is formed as a flexible film-like body, It is configured to be foldable.
The solar absorption layer K is formed by coating the inner surface of the main body forming substrate E with a paint having a solar absorption rate of 70% or more, such as black or dark brown. The sunlight absorption layer K can also be formed by adhering a synthetic resin or cloth film material having a sunlight absorption rate of 70% or more to the inner surface of the main body forming substrate E.

放射冷却式遮光装置Wとしての日傘は、遮光体Mにて使用者(遮光対象)の上方を覆うようにする状態で使用されることになるが、遮光体Mの外面側に放射冷却層CPが備えられるものであるから、放射冷却層CPの放射冷却作用により遮光体Mが冷却されるため、太陽光が照射されても遮光体Mの高温化が回避されることにより、遮光体Mが使用者(遮光対象)を加熱することを回避することになる。 The parasol as the radiation-cooling light-shielding device W is used in a state in which the upper part of the user (light-shielding object) is covered with the light-shielding body M, and the radiation-cooling layer CP is provided, the light shielding member M is cooled by the radiative cooling action of the radiative cooling layer CP. This avoids heating the user (light-shielded object).

また、太陽光を含む光Lが地面やコンクリート路面等の地表面Gに照射することにより、太陽光が地表面Gで反射する照り返しが生じる場合があるが、遮光体Mにおける内面の太陽光吸収率が70%以上であるから、太陽光の照り返しが発生したときに、その太陽光が遮光体Mにおける内面に照射されても、太陽光の大部分が吸収されるため、遮光体Mにおける内面に照射された太陽光が、当該内面にて反射して使用者(遮光対象)を加熱することを回避することになる。
ちなみに、遮光体Mは、その内面に照射された太陽光を吸収することにより、温度が上昇するが、上述の如く、放射冷却層CPの放射冷却作用により遮光体Mが冷却されるため、遮光体Mの高温化が回避されることになる。
In addition, when the light L including sunlight irradiates the ground surface G such as the ground or a concrete road surface, reflection of the sunlight on the ground surface G may occur. Since the ratio is 70% or more, even if the sunlight is reflected on the inner surface of the light shielding member M, most of the sunlight is absorbed. This prevents the sunlight irradiated on the inner surface from reflecting on the inner surface and heating the user (light-shielded object).
Incidentally, the temperature of the light shielding body M rises as it absorbs the sunlight irradiated on its inner surface. An increase in temperature of the body M is avoided.

従って、放射冷却式遮光装置Wとしての日傘は、使用者(遮光対象)の上方を覆うように配置される遮光体Mが高温化することが回避され、しかも、太陽光の照り返しが遮光体Mの内面にて反射して使用者(遮光対象)を加熱することが回避されるため、昼間の日射環境下において使用者(遮光対象)の温度上昇を抑制できることになる。 Therefore, in the parasol as the radiative cooling type light shielding device W, the temperature of the light shielding body M arranged to cover the upper part of the user (light shielding target) is avoided, and moreover, the reflection of the sunlight is prevented from increasing to the light shielding body M Since the user (light shielding object) is prevented from being heated by being reflected on the inner surface of the light, it is possible to suppress the temperature rise of the user (light shielding object) in the daytime sunlight environment.

〔放射冷却層の詳細〕
図1に示す如く、放射冷却層CPは、放射面Hから赤外光IRを放射する赤外放射層Aと、当該赤外放射層Aにおける放射面Hの存在側とは反対側に位置させる光反射層Bと、赤外放射層Aと光反射層Bとの間の保護層Dとを積層状態に備え、且つ、フィルム状に形成されている。
つまり、放射冷却層CPが、放射冷却フィルムとして構成されている。
[Details of radiative cooling layer]
As shown in FIG. 1, the radiation cooling layer CP is positioned on the opposite side of the infrared radiation layer A, which emits infrared light IR from the radiation surface H, and the radiation surface H of the infrared radiation layer A. A light reflective layer B and a protective layer D between the infrared radiation layer A and the light reflective layer B are laminated and formed into a film.
That is, the radiative cooling layer CP is configured as a radiative cooling film.

光反射層Bは、赤外放射層A及び保護層Dを透過した太陽光等の光Lを反射するものであり、その反射特性が、波長400nm(0.4μm)から500nm(0.5μm)の反射率が90%以上、波長500nmより長波の反射率が96%以上である。
太陽光スペクトルは、図10に示す如く、波長300nmから4000nmにかけて存在し、波長400nmから大きくなるにつれ強度が大きくなり、特に波長500nmから波長1800nmにかけての強度が大きい。
The light reflecting layer B reflects light L such as sunlight that has passed through the infrared radiation layer A and the protective layer D. is 90% or more, and the reflectance of wavelengths longer than 500 nm is 96% or more.
As shown in FIG. 10, the sunlight spectrum exists from 300 nm to 4000 nm in wavelength, and the intensity increases as the wavelength increases from 400 nm.

尚、本実施形態において、光Lとは、紫外光(紫外線)、可視光、赤外光を含むものであり、これらを電磁波としての光の波長で述べると、その波長が10nmから20000nm(0.01μmから20μmの電磁波)の電磁波を含む。ちなみに、本書では、紫外光(紫外線)の波長域が、300nmから400nmの間であるとする。 In this embodiment, the light L includes ultraviolet light (ultraviolet light), visible light, and infrared light. .01 μm to 20 μm electromagnetic waves). Incidentally, in this document, it is assumed that the wavelength range of ultraviolet light (ultraviolet rays) is between 300 nm and 400 nm.

光反射層Bが、波長400nmから500nmにかけて90%以上の反射特性を示し、波長500nmより長波の反射率が96%以上の反射特性を示すことにより、放射冷却層CP(放射冷却フィルム)が光反射層Bで吸収する太陽光エネルギーを5%以下に抑えることができ、すなわち夏場の南中時に吸収する太陽光エネルギーを50W程度とすることができる。 The light reflecting layer B exhibits a reflection characteristic of 90% or more from a wavelength of 400 nm to 500 nm, and exhibits a reflection characteristic of a reflectance of 96% or more for a wavelength longer than 500 nm. The solar energy absorbed by the reflective layer B can be suppressed to 5% or less, that is, the solar energy absorbed during the mid-summer season can be reduced to about 50W.

光反射層Bは、銀あるいは銀合金で構成される、又は、保護層Dに隣接して位置する銀または銀合金と保護層Dから離れる側に位置するアルミまたはアルミ合金の積層構造として構成されて、柔軟性を備えるものであって、その詳細は後述する。 The light reflecting layer B is composed of silver or a silver alloy, or composed of a laminated structure of silver or a silver alloy positioned adjacent to the protective layer D and aluminum or an aluminum alloy positioned away from the protective layer D. and flexibility, the details of which will be described later.

赤外放射層Aは、吸収した太陽光エネルギーよりも大きな熱輻射エネルギーを波長8μmから波長14μmの帯域で放つ厚みに調整された樹脂材料層Jとして構成されるものであって、その詳細は後述する。 The infrared radiation layer A is configured as a resin material layer J having a thickness adjusted to emit thermal radiation energy greater than the absorbed solar energy in a wavelength band of 8 μm to 14 μm, the details of which will be described later. do.

従って、放射冷却層CPは、放射冷却層CPに入射した光Lのうちの一部の光を、赤外放射層Aの放射面Hにて反射し、放射冷却層CPに入射した光Lのうちで樹脂材料層J及び保護層Dを透過した光(太陽光等)を、光反射層Bにて反射して、放射面Hから外部へ逃がすように構成されている。 Therefore, the radiation cooling layer CP reflects a part of the light L incident on the radiation cooling layer CP on the radiation surface H of the infrared radiation layer A, and the light L incident on the radiation cooling layer CP is Light (sunlight, etc.) transmitted through the resin material layer J and the protective layer D is reflected by the light reflecting layer B and escaped from the radiation surface H to the outside.

そして、光反射層Bにおける樹脂材料層Jの存在側とは反対側に位置する本体形成基材Eからの放射冷却層CPへの入熱(例えば、本体形成基材Eからの熱伝導による入熱)を、樹脂材料層Jによって赤外光IRに変換して放射することにより、本体形成基材Eを冷却するように構成されている。 Then, the heat input to the radiation cooling layer CP from the main body forming substrate E located on the opposite side of the light reflecting layer B from the side on which the resin material layer J exists (for example, the heat input due to heat conduction from the main body forming substrate E). heat) is converted into infrared light IR by the resin material layer J and radiated, thereby cooling the main body forming base material E. As shown in FIG.

つまり、放射冷却層CPは、当該放射冷却層CPへ照射される光Lを反射し、また、当該放射冷却層CPへの伝熱(例えば、大気からの伝熱や本体形成基材Eからの伝熱)を赤外光IRとして外部に放射するように構成されている。
また、樹脂材料層J、保護層D及び光反射層Bが柔軟性を備えることによって、放射冷却層CP(放射冷却フィルム)が柔軟性を備えるように構成されている。
That is, the radiative cooling layer CP reflects the light L irradiated to the radiative cooling layer CP, and also transfers heat to the radiative cooling layer CP (for example, heat transfer from the atmosphere or heat transfer from the main body forming base material E). heat transfer) to the outside as infrared light IR.
In addition, the resin material layer J, the protective layer D, and the light reflecting layer B are flexible, so that the radiation cooling layer CP (radiation cooling film) is flexible.

〔樹脂材料層の概要〕
樹脂材料層Jを形成する樹脂材料は、厚みによって光吸収率や輻射率(光放射率)が変化する。そのため、太陽光をできるだけ吸収せず、いわゆる大気の窓の波長帯域(波長8μmから波長14μmの帯域)において大きな熱輻射を発するように樹脂材料層Jの厚みを調整する必要がある。
[Overview of Resin Material Layer]
The resin material forming the resin material layer J changes its light absorption rate and emissivity (light emissivity) depending on its thickness. Therefore, it is necessary to adjust the thickness of the resin material layer J so that it absorbs as little sunlight as possible and emits a large amount of thermal radiation in the so-called atmospheric window wavelength band (wavelength band from 8 μm to 14 μm).

具体的には、太陽光の光吸収率の観点で、樹脂材料層Jの厚みを、波長0.4μmから0.5μmの光吸収率の波長平均が13%以下であり、波長0.5μmから波長0.8μmの光吸収率の波長平均が4%以下であり、波長0.8μmから波長1.5μmまでの光吸収率の波長平均が1%以内であり、波長1.5μmから2.5μmまでの光吸収率の波長平均が40%以下であり、波長2.5μmから4μmまでの光吸収率の波長平均が100%以下である状態の厚みに調整する必要がある。
このような吸収率分布の場合、太陽光の光吸収率は10%以下となり、エネルギーで言うと100W以下となる。
Specifically, from the viewpoint of the light absorption rate of sunlight, the thickness of the resin material layer J is such that the average wavelength of the light absorption rate at wavelengths of 0.4 μm to 0.5 μm is 13% or less, and the wavelength is from 0.5 μm to 13%. The wavelength average of light absorption at a wavelength of 0.8 μm is 4% or less, the wavelength average of light absorption from a wavelength of 0.8 μm to a wavelength of 1.5 μm is within 1%, and a wavelength of 1.5 μm to 2.5 μm. It is necessary to adjust the thickness so that the wavelength average of light absorptance from 2.5 μm to 4 μm is 100% or less.
In the case of such an absorptance distribution, the light absorptance of sunlight is 10% or less, which is 100 W or less in terms of energy.

後述の如く、樹脂材料の光吸収率は樹脂材料の膜厚を厚くすると増加する。樹脂材料を厚膜にすると、大気の窓の輻射率はほぼ1となり、その際に宇宙に放出する熱輻射は125W/mから160W/mとなる。保護層D及び光反射層Bでの太陽光吸収は50W/m以下である。樹脂材料層J、保護層D及び光反射層Bにおける太陽光吸収の和が150W/m以下であり、大気の状態がよければ冷却が進む。樹脂材料層Jを形成する樹脂材料は、以上のように太陽光スペクトルのピーク値付近の光吸収率が小さなものを用いるのが良い。 As will be described later, the light absorption rate of the resin material increases as the film thickness of the resin material increases. When the resin material is used as a thick film, the emissivity of the atmospheric window becomes approximately 1, and the thermal radiation released into space at that time is 125 W/m 2 to 160 W/m 2 . The absorption of sunlight by the protective layer D and the light reflecting layer B is 50 W/m 2 or less. The sum of the sunlight absorption in the resin material layer J, the protective layer D, and the light reflecting layer B is 150 W/m 2 or less, and if the atmospheric conditions are good, cooling proceeds. As the resin material forming the resin material layer J, it is preferable to use a resin material having a small light absorptance near the peak value of the sunlight spectrum as described above.

また、樹脂材料層Jの厚みは、赤外放射(熱輻射)の観点では、波長8μmから14μmの輻射率の波長平均が40%以上となる状態の厚みに調整する必要がある。
保護層D及び光反射層Bで吸収される50W/m程度の太陽光の熱エネルギーを、樹脂材料層Jの熱輻射より樹脂材料層Jから宇宙に放出させるには、それ以上の熱輻射を樹脂材料層Jが出す必要がある。
例えば、外気温が30℃のとき、8μmから14μmの大気の窓の熱輻射の最大は200W/mである(輻射率1として計算)。この値が得られるのは、高山など、空気の薄いよく乾燥した環境の快晴時である。低地などでは大気の厚みが高山よりも厚くなるので、大気の窓の波長帯域は狭くなり、透過率は低下する。ちなみに、このことを「大気の窓が狭くなる」と呼ぶ。
From the viewpoint of infrared radiation (thermal radiation), the thickness of the resin material layer J must be adjusted so that the average wavelength of emissivity at wavelengths from 8 μm to 14 μm is 40% or more.
In order for the thermal energy of the sunlight of about 50 W/m 2 absorbed by the protective layer D and the light reflecting layer B to be emitted from the resin material layer J into space by the thermal radiation of the resin material layer J, the thermal radiation of more than that is required. must be provided by the resin material layer J.
For example, when the outside air temperature is 30° C., the maximum thermal radiation of an 8 μm to 14 μm atmospheric window is 200 W/m 2 (calculated as an emissivity of 1). This value can be obtained in fine weather in a very dry environment with thin air, such as in high mountains. Since the atmosphere is thicker in lowlands and the like than in high mountains, the wavelength band of the window of the atmosphere becomes narrower and the transmittance decreases. By the way, this phenomenon is called "the window of the atmosphere becomes narrower".

また、放射冷却層CP(放射冷却フィルム)を実際に使用する環境は多湿であることもあり、その場合においても大気の窓は狭くなる。低地で利用する際の大気の窓域で発生する熱輻射は、状態の良いときで30℃において160W/mと見積もられる(輻射率1として計算)。また、日本ではよくあることであるが空に靄があるときや、スモッグが存在する場合、大気の窓はさらに狭くなり、宇宙への放射は125W/m程度となる。
かかる事情を鑑みて、波長8μmから14μmの輻射率の波長平均は40%以上(大気の窓帯での熱輻射強度が50W/m)ないと中緯度帯の低地で用いることができない。
In addition, the environment in which the radiative cooling layer CP (radiative cooling film) is actually used may be humid, and even in that case the window to the atmosphere is narrow. The thermal radiation generated in the atmospheric window region in low-lying applications is estimated to be 160 W/m 2 at 30° C. under good conditions (calculated as an emissivity of 1). In addition, when there is haze in the sky or smog, which is common in Japan, the window of the atmosphere becomes narrower and the radiation to space is about 125 W/m 2 .
In view of this situation, the average wavelength of the emissivity in the wavelength range of 8 μm to 14 μm must be 40% or more (the thermal radiation intensity in the window zone of the atmosphere is 50 W/m 2 ), or it cannot be used in the lowlands of the mid-latitudes.

したがって、上記事項を鑑みた光学的規定の範囲になるように樹脂材料層Jの厚みを調整すると、太陽光の光吸収による入熱よりも大気の窓における出熱の方が大きくなり、日射環境下でも屋外で放射冷却できるようになる。 Therefore, when the thickness of the resin material layer J is adjusted so as to fall within the range of the optical regulation in view of the above matter, the heat output from the atmospheric window becomes larger than the heat input due to the absorption of sunlight, and the solar radiation environment. Radiative cooling can be done outdoors even at low temperatures.

〔樹脂材料の詳細〕
樹脂材料には、炭素-フッ素結合(C-F)、シロキサン結合(Si-O-Si)、炭素-塩素結合(C-Cl)、炭素-酸素結合(C-O)、エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C結合)、ベンゼン環を含む無色の樹脂材料を用いることができる。
それぞれの樹脂材料(炭素-酸素結合を除く)について、大気の窓の波長帯域における吸収係数を持つ波長域を図2に示す。
[Details of resin material]
Resin materials include carbon-fluorine bonds (CF), siloxane bonds (Si-O-Si), carbon-chlorine bonds (C-Cl), carbon-oxygen bonds (CO), ester bonds (R- COO--R), ether bonds (C--O--C bonds), and colorless resin materials containing benzene rings can be used.
FIG. 2 shows the wavelength regions having absorption coefficients in the atmospheric window wavelength band for each resin material (excluding carbon-oxygen bonds).

キルヒホッフの法則により、輻射率(ε)と光吸収率(A)は等しい。光吸収率は吸収係数(α)からA=1-exp(-αt)の関係式(以下、光吸収率関係式と呼ぶ)で求めることができる。尚、tは膜厚である。
つまり、樹脂材料層Jの膜厚を調整すると、吸収係数の大きな波長帯域で大きな熱輻射が得られる。屋外で放射冷却する場合、大気の窓の波長帯域である波長8μmから14μmにおいて吸収係数の大きな材料を用いるとよい。
また、太陽光の吸収を抑制するために波長0.3μmから4μm、特に0.4μmから2.5μmの範囲で吸収係数を持たない、或いは小さな材料を用いるとよい。吸収係数と吸収率の関係式からわかるように、光吸収率(輻射率)は樹脂材料の膜厚によって変化する。
According to Kirchhoff's law, emissivity (ε) and light absorption (A) are equal. The light absorptance can be obtained from the absorption coefficient (α) by the relational expression A=1-exp(-αt) (hereinafter referred to as the light absorptance relational expression). Note that t is the film thickness.
That is, by adjusting the film thickness of the resin material layer J, a large amount of thermal radiation can be obtained in a wavelength band with a large absorption coefficient. In the case of radiative cooling outdoors, it is preferable to use a material with a large absorption coefficient in the wavelength range of 8 μm to 14 μm, which is the wavelength band of the window of the atmosphere.
Also, in order to suppress the absorption of sunlight, it is preferable to use a material that has no or a small absorption coefficient in the wavelength range of 0.3 μm to 4 μm, particularly 0.4 μm to 2.5 μm. As can be seen from the relational expression between the absorption coefficient and the absorptance, the light absorptance (emissivity) varies depending on the film thickness of the resin material.

直射日光の照射がある昼間の日射環境下での放射冷却によって周囲の大気より温度を下げるためには、大気の窓の波長帯域において大きな吸収係数をもち、太陽光の波長帯域では吸収係数を殆ど持たない材料を選ぶと、膜厚の調整によって太陽光は殆ど吸収しないが、大気の窓の熱輻射を多く出す、つまりは太陽光の入力よりも放射冷却による出力の方が大きな状態を作り出すことができる。 In order to lower the temperature from the surrounding atmosphere by radiative cooling in a daytime solar environment with direct sunlight irradiation, it is necessary to have a large absorption coefficient in the window wavelength band of the atmosphere and almost no absorption coefficient in the sunlight wavelength band. If you choose a material that does not have a film thickness, it absorbs little sunlight, but emits a lot of thermal radiation from the atmospheric window. can be done.

炭素-フッ素結合(C-F)に関しては、CHFおよびCFに起因する吸収係数が大気の窓である波長8μmから14μmにかけた広帯域に大きく広がっており、特に8.6μmで吸収係数が大きい。併せて、太陽光の波長帯域に関しては、エネルギー強度が大きな0.3μmから2.5μmの波長で目立った吸収係数がない。 As for the carbon-fluorine bond (CF), the absorption coefficient due to CHF and CF 2 spreads widely over a wide wavelength range from 8 μm to 14 μm, which is the atmospheric window, and the absorption coefficient is particularly large at 8.6 μm. In addition, regarding the wavelength band of sunlight, there is no noticeable absorption coefficient at wavelengths from 0.3 μm to 2.5 μm where the energy intensity is high.

炭素-フッ素結合(C-F)を有する樹脂材料としては、
完全フッ素化樹脂であるポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、
部分フッ素化樹脂であるポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)およびポリフッ化ビニリデン(PVDF)およびポリフッ化ビニル(PVF)、
フッ素化樹脂共重合体であるペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)、
四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP)、
エチレン・四フッ化エチレン共重合体(ETFE)、
エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)が挙げられる。
As a resin material having a carbon-fluorine bond (CF),
Polytetrafluoroethylene (PTFE), which is a fully fluorinated resin,
partially fluorinated resins polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) and polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinyl fluoride (PVF),
perfluoroalkoxy fluororesin (PFA), which is a fluorinated resin copolymer;
ethylene tetrafluoride/propylene hexafluoride copolymer (FEP),
ethylene/tetrafluoroethylene copolymer (ETFE),
Ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE) may be mentioned.

シロキサン結合(Si-O-Si)をもつ樹脂材料としては、シリコーンゴムおよびシリコーン樹脂が挙げられる。
当該樹脂は、C-Siの結合の伸縮に起因する大きな吸収係数が波長13.3μを中心にブロードに表れ、CSiHの対象面外変角(縦揺れ)に起因する吸収係数が波長10μmを中心にブロードに表れ、CSiHの対象面内変角(はさみ)に起因する吸収係数が波長8μm付近に小さく表れる。
Examples of resin materials having siloxane bonds (Si--O--Si) include silicone rubbers and silicone resins.
In this resin, a large absorption coefficient due to expansion and contraction of the C-Si bond appears broadly around the wavelength of 13.3 μm, and an absorption coefficient due to the out-of-plane deformation (pitch) of CSiH 2 appears at a wavelength of 10 μm. It appears broadly at the center, and the absorption coefficient due to the in-plane deformation angle (scissors) of CSiH 2 appears small around a wavelength of 8 μm.

炭素-塩素結合(C-Cl)に関しては、C-Cl伸縮振動による吸収係数が波長12μmを中心に半値幅1μm以上の広帯域に現れる。
また、樹脂材料としては塩化ビニル樹脂(PVC)、塩化ビニリデン樹脂(PVDC)が挙げられるが、塩化ビニル樹脂の場合、塩素の電子吸引の影響で、主鎖に含まれるアルケンのC-Hの変角振動に由来する吸収係数が波長10μmあたりに現れる。
As for the carbon-chlorine bond (C--Cl), the absorption coefficient due to the C--Cl stretching vibration appears in a wide band with a half-value width of 1 μm or more around the wavelength of 12 μm.
Examples of resin materials include vinyl chloride resin (PVC) and vinylidene chloride resin (PVDC). In the case of vinyl chloride resin, due to the electron attraction of chlorine, the CH of the alkene contained in the main chain changes. An absorption coefficient derived from angular vibration appears around a wavelength of 10 μm.

エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C結合)に関しては、波長7.8μmから9.9μmにかけて吸収係数を持つ。また、エステル結合、エーテル結合に含まれる炭素-酸素結合に関しては、波長8μmから10μmの波長帯域にかけて強い吸収係数が現れる。
ベンゼン環を炭化水素樹脂の側鎖に導入すると、ベンゼン環自身の振動や、ベンゼン環の影響による周りの元素の振動によって、波長8.1μmから18μmにかけて広く吸収が現れるようになる。
An ester bond (R--COO--R) and an ether bond (C--O--C bond) have absorption coefficients from 7.8 μm to 9.9 μm. In addition, a carbon-oxygen bond contained in an ester bond or an ether bond exhibits a strong absorption coefficient over a wavelength band of 8 μm to 10 μm.
When a benzene ring is introduced into the side chain of the hydrocarbon resin, absorption appears widely over the wavelength range of 8.1 μm to 18 μm due to the vibration of the benzene ring itself and the vibration of surrounding elements under the influence of the benzene ring.

これらの結合をもつ樹脂としては、メタクリル酸メチル樹脂、エチレンテレフタラート樹脂、トリメチレンテレフタレート樹脂、ブチレンテレフタレート樹脂、エチレンナフタレート樹脂、ブチレンナフタレート樹脂がある。 Resins having these bonds include methyl methacrylate resin, ethylene terephthalate resin, trimethylene terephthalate resin, butylene terephthalate resin, ethylene naphthalate resin, and butylene naphthalate resin.

〔光吸収の考察〕
上記した結合および官能基を持つ樹脂材料の紫外-可視領域における光吸収、つまり、太陽光吸収について考察する。紫外線から可視光の吸収の起源は結合に寄与する電子の遷移である。この波長域の吸収は、結合エネルギーを計算するとわかる。
先ずは、炭素-フッ素結合(C-F)をもった樹脂材料の紫外から可視域に吸収係数が生じる波長について考える。ポリフッ化ビニリデン(PVDF)を代表としての基本構造部のC-C結合、C-H結合、C-F結合の結合エネルギーを求めると、4.50eV、4.46eV、5.05eVとなる。それぞれ、波長0.275μm、波長0.278μm、波長0.246μmに対応し、これら波長の光を吸収する。
[Consideration of light absorption]
Consider the light absorption in the ultraviolet-visible region of the resin material having the above-described bonds and functional groups, that is, sunlight absorption. The origin of the absorption of ultraviolet to visible light is electron transitions that contribute to bonding. Absorption in this wavelength range can be found by calculating the binding energy.
First, let us consider the wavelength at which the resin material having a carbon-fluorine bond (CF) has an absorption coefficient in the ultraviolet to visible range. The bond energies of the C—C bond, C—H bond, and C—F bond of the basic structure of polyvinylidene fluoride (PVDF) as a representative are 4.50 eV, 4.46 eV, and 5.05 eV. They correspond to wavelengths of 0.275 μm, 0.278 μm, and 0.246 μm, respectively, and absorb light of these wavelengths.

太陽光スペクトルは波長0.300μmより長波しか存在しないため、フッ素樹脂を用いた場合、太陽光の紫外線、可視光線、近赤外線をほとんど吸収しない。なお、紫外線の定義は波長0.400μmよりも短波長側、可視光線の定義は波長0.400μmから0.800μm、近赤外線は波長0.800μmから3μmの範囲とし、中赤外線は3μmから8μmの範囲とし、遠赤外線は波長8μmよりも長波とする。 Since the sunlight spectrum consists only of wavelengths longer than 0.300 μm, the use of fluororesin hardly absorbs ultraviolet rays, visible rays, and near-infrared rays of sunlight. The definition of ultraviolet rays is on the side of wavelengths shorter than 0.400 μm, the definition of visible rays is from 0.400 μm to 0.800 μm, the near infrared rays are from 0.800 μm to 3 μm, and the mid-infrared rays are from 3 μm to 8 μm. The far-infrared rays have a wavelength longer than 8 μm.

厚さ50μmのPFA(ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂)の紫外から可視域の吸収率スペクトルを図3に示すが、殆ど吸収率を持っていないことがわかる。なお、0.4μmよりも短波長側で若干の吸収率スペクトルの増加がみられるが、この増加は測定に用いたサンプルの散乱の影響が表れているだけであり、実際には吸収率は増大していない。 FIG. 3 shows the absorptance spectrum of PFA (perfluoroalkoxy fluororesin) with a thickness of 50 μm in the ultraviolet to visible region. Although there is a slight increase in the absorptivity spectrum on the shorter wavelength side than 0.4 μm, this increase is only due to the scattering of the sample used for measurement, and the absorptance actually increases. not.

シロキサン結合(Si-O-Si)の紫外領域に関しては、主鎖のSi-O-Siの結合エネルギーが4.60eVであり、波長269nmに対応する。太陽光スペクトルは波長0.300μmより長波しか存在しないため、シロキサン結合が大多数の場合、太陽光の紫外線、可視光線、近赤外線をほとんど吸収しない。 As for the siloxane bond (Si--O--Si) in the ultraviolet region, the bond energy of Si--O--Si in the main chain is 4.60 eV, corresponding to a wavelength of 269 nm. Since the sunlight spectrum consists only of wavelengths longer than 0.300 μm, the majority of siloxane bonds do not absorb ultraviolet rays, visible rays, and near-infrared rays of sunlight.

厚さ100μmのシリコーンゴムの紫外から可視域の吸収率スペクトルを図3に示すが、殆ど吸収率を持っていないことがわかる。なお、波長0.4μmよりも短波長側で若干の吸収率スペクトルの増加がみられるが、この増加は測定に用いたサンプルの散乱の影響が表れているだけであり、実際には吸収率は増大していない。 FIG. 3 shows the absorptance spectrum of silicone rubber having a thickness of 100 μm in the ultraviolet to visible region, and it can be seen that the absorptivity is almost non-existent. Although there is a slight increase in the absorptance spectrum on the shorter wavelength side than the wavelength of 0.4 μm, this increase is only due to the effect of scattering of the sample used for measurement, and in fact the absorptance is not increased.

炭素-塩素結合(C-Cl)に関して、アルケンの炭素と塩素の結合エネルギーは3.28eVであり、その波長は0.378μmであるので、太陽光の内紫外線を多く吸収するが、可視域については吸収をほとんど持たない。
厚さ100μmの塩化ビニル樹脂の紫外から可視域の吸収率スペクトルを図3に示すが、波長0.38μmよりも短波長側で光吸収が大きくなる。
厚さ100μmの塩化ビニリデン樹脂の紫外から可視域の吸収率スペクトルを図3に示すが、波長0.4μmよりも短波長側で若干の吸収率スペクトルの増加がみられる。
Regarding the carbon-chlorine bond (C-Cl), the bond energy between carbon and chlorine in alkene is 3.28 eV and its wavelength is 0.378 μm, so it absorbs a lot of ultraviolet rays in sunlight, but in the visible region has little absorption.
FIG. 3 shows the absorption spectrum of the vinyl chloride resin with a thickness of 100 μm in the ultraviolet to visible region.
FIG. 3 shows the absorption spectrum of the vinylidene chloride resin having a thickness of 100 μm in the ultraviolet to visible region.

エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C結合)、ベンゼン環をもつ樹脂としては、メタクリル酸メチル樹脂、エチレンテレフタラート樹脂、トリメチレンテレフタレート樹脂、ブチレンテレフタレート樹脂、エチレンナフタレート樹脂、ブチレンナフタレート樹脂がある。例えばアクリルのC-C結合の結合エネルギーは3.93eVであり、波長0.315μmより短波長の太陽光を吸収するが、可視域については吸収をほとんど持たない。 Examples of resins having ester bonds (R-COO-R), ether bonds (C-O-C bonds), and benzene rings include methyl methacrylate resin, ethylene terephthalate resin, trimethylene terephthalate resin, butylene terephthalate resin, ethylene sodium There are phthalate resin and butylene naphthalate resin. For example, acrylic has a C—C bond energy of 3.93 eV and absorbs sunlight with a wavelength shorter than 0.315 μm, but has almost no absorption in the visible region.

これら結合および官能基を持つ樹脂材料の一例として、厚さ5mmのメタクリル酸メチル樹脂の紫外から可視域の吸収率スペクトルを図3に示す。尚、例示するメタクリル酸メチル樹脂は、一般的に市販されているものであって、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が混入している。
5mmと厚板であるために、吸収係数の小さな波長も大きくなり、波長0.315よりも長波の0.38μmよりも短波側で光吸収が大きくなる。
As an example of a resin material having these bonds and functional groups, FIG. 3 shows an absorption spectrum of a methyl methacrylate resin having a thickness of 5 mm in the ultraviolet to visible region. The exemplified methyl methacrylate resin is generally commercially available and contains a benzotriazole-based ultraviolet absorber.
Since the plate is 5 mm thick, the wavelength with a small absorption coefficient also increases, and light absorption increases on the short wavelength side of 0.38 μm, which is longer than the wavelength of 0.315.

これら結合および官能基を持つ樹脂材の一例として厚さ40μmのエチレンテレフタラート樹脂の紫外から可視域の吸収率スペクトルを図3に示す。
図示のように、波長0.315μmに近づくほどに吸収率が大きくなり、波長0.315μmで急激に吸収率が大きくなる。なお、エチレンテレフタラート樹脂も、厚みを増していくと、波長0.315μmより少し長波側において、C-C結合由来の吸収端による吸収率が大きくなり、市販されているメタクリル酸メチル樹脂と同様に紫外線における吸収率が増大する。
FIG. 3 shows an absorption spectrum of a 40 μm-thick ethylene terephthalate resin in the ultraviolet to visible range as an example of a resin material having these bonds and functional groups.
As shown in the figure, the absorptance increases as the wavelength approaches 0.315 μm, and abruptly increases at the wavelength of 0.315 μm. In addition, as the thickness of ethylene terephthalate resin increases, the absorption rate due to the absorption edge derived from the C—C bond increases on the longer wavelength side than the wavelength of 0.315 μm, similar to the commercially available methyl methacrylate resin. , the absorption rate in ultraviolet rays increases.

樹脂材料層Jは、前述の輻射率(光放射率)、光吸収率の特性を有する樹脂材料を用いるものであれば、一種類の樹脂材料の単層膜、複数種類の樹脂材料の多層膜、複数種類の樹脂材料がブレンドされた樹脂材料の単層膜、複数種類の樹脂材料がブレンドされた樹脂材料の多層膜でも構わない。
なお、ブレンドには、交互共重合体、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体といった共重合体や側鎖を置換した変性品も含まれる。
If the resin material layer J uses a resin material having the aforementioned characteristics of emissivity (light emissivity) and light absorptance, it may be a single layer film of one kind of resin material or a multilayer film of a plurality of kinds of resin materials. A single layer film of a resin material in which a plurality of types of resin materials are blended, or a multilayer film of a resin material in which a plurality of types of resin materials are blended may be used.
The blend also includes copolymers such as alternating copolymers, random copolymers, block copolymers and graft copolymers, and modified products in which side chains are substituted.

〔シリコーンゴムの輻射率〕
図4に、シロキサン結合をもつシリコーンゴムの大気の窓における輻射率スペクトルを示す。
シリコーンゴムからは、C-Siの結合の伸縮に起因する大きな吸収係数が波長13.3μを中心にブロードに表れ、CSiHの対象面外変角(縦揺れ)に起因する吸収係数が波長10μmを中心にブロードに表れ、CSiHの対象面内変角(はさみ)に起因する吸収係数が波長8μm付近に小さく表れる。
この影響で、厚さ1μmの輻射率の波長平均は、波長8μmから14μmにおいて80%であり、波長平均40%以上という規定の中に入る。図示の通り、膜厚が厚くなると大気の窓領域における輻射率は増大する。
[Emissivity of silicone rubber]
FIG. 4 shows the emissivity spectrum in the atmospheric window of silicone rubber having siloxane bonds.
From the silicone rubber, a large absorption coefficient due to the expansion and contraction of the C—Si bond appears broadly around a wavelength of 13.3 μm, and an absorption coefficient due to the out-of-plane deformation angle (pitch) of CSiH 2 appears at a wavelength of 10 μm. , and the absorption coefficient due to the in-plane deformation angle (scissors) of CSiH 2 appears small around the wavelength of 8 μm.
Due to this influence, the wavelength average of the emissivity for a thickness of 1 μm is 80% at wavelengths from 8 μm to 14 μm, which falls within the definition of the wavelength average of 40% or more. As shown, as the film thickness increases, the emissivity in the atmospheric window region increases.

ちなみに、図4には、無機材料である厚み1μmの石英が銀上に存在するときの放射スペクトルを併せて示す。石英は厚み1μmのとき、波長8μmから14μmの間で狭帯域な輻射ピークしか持たない。
この熱輻射を波長8μmから14μmの波長域で波長平均をすると、波長8μmから14μmの輻射率は32%となり、放射冷却性能を示すことが難しい。
Incidentally, FIG. 4 also shows an emission spectrum when quartz, which is an inorganic material, with a thickness of 1 μm exists on silver. When quartz has a thickness of 1 μm, it has only a narrow-band radiation peak between wavelengths of 8 μm and 14 μm.
If the wavelength of this thermal radiation is averaged over the wavelength range of 8 μm to 14 μm, the emissivity in the wavelength range of 8 μm to 14 μm is 32%, making it difficult to exhibit radiative cooling performance.

樹脂材料層Jを用いた本発明の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)は、光反射層Bとして無機材料を用いる従来技術よりも薄い赤外放射層Aでも放射冷却性能が得られる。つまり、無機材料である石英やテンパックスガラスにて赤外放射層Aを形成する場合には、赤外放射層Aが膜厚1μmでは放射冷却性能が得られないが、樹脂材料層Jを用いた本発明の放射冷却層CPでは、樹脂材料層Jが膜厚1μmでも放射冷却性能を示す。 The radiative cooling layer CP (radiative cooling film) of the present invention using the resin material layer J can obtain radiative cooling performance even with a thinner infrared radiation layer A than the conventional technology using an inorganic material as the light reflecting layer B. In other words, when the infrared radiation layer A is made of inorganic materials such as quartz or Tempax glass, the radiation cooling performance cannot be obtained if the thickness of the infrared radiation layer A is 1 μm, but the resin material layer J is used. In the radiative cooling layer CP of the present invention, the radiative cooling performance is exhibited even when the resin material layer J has a thickness of 1 μm.

〔PFAの輻射率〕
図5に、炭素-フッ素結合を持つ樹脂の代表例として、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)の大気の窓における輻射率を示す。CHFおよびCFに起因する吸収係数が大気の窓である波長8μmから14μmにかけた広帯域に大きく広がっており、特に8.6μmで吸収係数が大きい。
この影響で、厚さ10μmの輻射率の波長平均は、波長8μmから14μmにおいて45%であり、波長平均40%以上という規定の中に入る。図示の通り、膜厚が厚くなると大気の窓領域における輻射率は増大する。
[Emissivity of PFA]
FIG. 5 shows the emissivity at the atmospheric window of perfluoroalkoxy fluororesin (PFA), which is a typical example of a resin having a carbon-fluorine bond. The absorption coefficient due to CHF and CF 2 spreads over a wide band from 8 μm to 14 μm, which is the atmospheric window, and the absorption coefficient is particularly large at 8.6 μm.
Due to this effect, the wavelength average of the emissivity of the 10 μm thick film is 45% at wavelengths from 8 μm to 14 μm, which falls within the definition of the wavelength average of 40% or more. As shown, as the film thickness increases, the emissivity in the atmospheric window region increases.

〔塩化ビニル樹脂及び塩化ビニリデン樹脂の輻射率〕
図6に、炭素-塩素結合をもつ樹脂の代表例として、塩化ビニル樹脂(PVC)の大気の窓における輻射率を示す。また、図14に、塩化ビニリデン樹脂(PVDC)の大気の窓における輻射率を示す。
炭素-塩素結合に関しては、C-Cl伸縮振動による吸収係数が波長12μmを中心に半値幅1μm以上の広帯域に現れる。
また、塩化ビニル樹脂の場合、塩素の電子吸引の影響で、主鎖に含まれるアルケンのC-Hの変角振動に由来する吸収係数が波長10μmあたりに現れる。塩化ビニリデン樹脂についても同様である。
これらの影響で、厚さ10μmの輻射率の波長平均は、波長8μmから14μmにおいて43%であり、波長平均40%以上という規定の中に入る。図示の通り、膜厚が厚くなると大気の窓領域における輻射率は増大する。
[Emissivity of vinyl chloride resin and vinylidene chloride resin]
FIG. 6 shows the emissivity of a vinyl chloride resin (PVC) as a representative example of a resin having a carbon-chlorine bond at an atmospheric window. Also, FIG. 14 shows the emissivity of a vinylidene chloride resin (PVDC) at an atmospheric window.
As for the carbon-chlorine bond, the absorption coefficient due to the C--Cl stretching vibration appears in a wide band with a half width of 1 μm or more around the wavelength of 12 μm.
In the case of vinyl chloride resin, due to the influence of electron attraction of chlorine, an absorption coefficient derived from bending vibration of C—H of alkene contained in the main chain appears around a wavelength of 10 μm. The same applies to vinylidene chloride resin.
Due to these effects, the wavelength average of the emissivity at a thickness of 10 μm is 43% at wavelengths from 8 μm to 14 μm, which falls within the definition of the wavelength average of 40% or more. As shown, as the film thickness increases, the emissivity in the atmospheric window region increases.

〔エチレンテレフタラート樹脂〕
図7に、エステル結合やベンゼン環を持つ樹脂の代表例として、エチレンテレフタラート樹脂の大気の窓における輻射率を示す。
エステル結合に関しては、波長7.8μmから9.9μmにかけて吸収係数を持つ。また、エステル結合に含まれる炭素-酸素結合に関しては、波長8μmから10μmの波長帯域にかけて強い吸収係数が現れる。ベンゼン環を炭化水素樹脂の側鎖に導入すると、ベンゼン環自身の振動や、ベンゼン環の影響による周りの元素の振動によって、波長8.1μmから18μmにかけて広く吸収が現れる。
これらの影響で、厚さ10μmの輻射率の波長平均は、波長8μmから14μmにおいて71%であり、波長平均40%以上という規定の中に入る。図示の通り、膜厚が厚くなると大気の窓領域における輻射率は増大する。
[Ethylene terephthalate resin]
FIG. 7 shows the emissivity at the atmospheric window of ethylene terephthalate resin, which is a typical example of resins having an ester bond or a benzene ring.
The ester bond has an absorption coefficient from 7.8 μm to 9.9 μm. In addition, the carbon-oxygen bond included in the ester bond exhibits a strong absorption coefficient in the wavelength band from 8 μm to 10 μm. When a benzene ring is introduced into the side chain of the hydrocarbon resin, absorption appears widely over a wavelength range of 8.1 μm to 18 μm due to the vibration of the benzene ring itself and the vibration of surrounding elements under the influence of the benzene ring.
Due to these influences, the wavelength average of the emissivity at a thickness of 10 μm is 71% at wavelengths from 8 μm to 14 μm, which falls within the definition of the wavelength average of 40% or more. As shown, as the film thickness increases, the emissivity in the atmospheric window region increases.

〔オレフィン変成材料の輻射率〕
図8には、炭素-フッ素結合(C-F)、炭素-塩素結合(C-Cl)、エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C結合)、ベンゼン環を含まない、主成分がオレフィンである、オレフィン変性材料の輻射率スペクトルを示す。サンプルは、蒸着した銀上にオレフィン樹脂をバーコーターで塗布し乾燥させることによって作製した。
図示の通り、大気の窓領域での輻射率は小さく、この影響で、厚さ10μmの輻射率の波長平均は、波長8μmから14μmにおいて27%であり、波長平均40%以上という規定の中に入らない。
[Emissivity of olefin modified material]
FIG. 8 includes carbon-fluorine bonds (C-F), carbon-chlorine bonds (C-Cl), ester bonds (R-COO-R), ether bonds (C-O-C bonds), and benzene rings. Figure 2 shows the emissivity spectrum of an olefin-modified material, which is not a component and whose main component is an olefin. A sample was prepared by applying an olefin resin on vapor-deposited silver with a bar coater and drying it.
As shown in the figure, the emissivity in the window region of the atmosphere is small, and due to this effect, the average wavelength emissivity of the 10 μm-thick emissivity is 27% at wavelengths from 8 μm to 14 μm, which is within the stipulation that the average wavelength is 40% or more. not enter.

図示の輻射率はバーコーターとして塗布するために変性されたオレフィン樹脂のものであり、純粋なオレフィン樹脂の場合には、更に、大気の窓領域における輻射率は小さい。
このように、炭素-フッ素結合(C-F)、炭素-塩素結合(C-Cl)、エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C結合)、ベンゼン環を含まないと放射冷却できない。
The emissivity shown is for an olefin resin modified for application as a bar coater, and for pure olefin resin, the emissivity in the atmospheric window region is also low.
Thus, carbon-fluorine bond (C-F), carbon-chlorine bond (C-Cl), ester bond (R-COO-R), ether bond (C-O-C bond), benzene ring and cannot be radiatively cooled.

〔光反射層および樹脂材料層の表面の温度〕
樹脂材料層Jの大気の窓の熱輻射は樹脂材料の表面近傍で発生する。
図4より、シリコーンゴムの場合は10μmより厚いと大気の窓領域における熱輻射は増大しない。つまり、シリコーンゴムの場合、大気の窓における熱輻射の大部分は表面から深さ約10μm以内の部分で生じており、より深い部分の輻射は外に出てこない。
[Surface Temperature of Light Reflecting Layer and Resin Material Layer]
Thermal radiation of the atmospheric window of the resin material layer J occurs near the surface of the resin material.
From FIG. 4, in the case of silicone rubber, if it is thicker than 10 μm, the thermal radiation in the atmospheric window region does not increase. In other words, in the case of silicone rubber, most of the thermal radiation in the atmospheric window is generated within a depth of about 10 μm from the surface, and the deeper radiation does not come out.

図5より、フッ素樹脂の場合は100μmより厚くなっても大気の窓領域における熱輻射の増大は殆どなくなる。つまり、フッ素樹脂場合、大気の窓における熱輻射は表面から深さ約100μm以内の部分で生じており、より深い部分の輻射は外に出てこない。
図6より、塩化ビニル樹脂の場合は100μmより厚くなっても大気の窓領域における熱輻射の増大は殆どなくなる。つまり、塩化ビニル樹脂場合、大気の窓における熱輻射は表面から深さ約100μm以内の部分で生じており、より深い部分の輻射は外に出てこない。
図14より、塩化ビニリデン樹脂は、塩化ビニル樹脂と同様であることが分かる。
As can be seen from FIG. 5, in the case of the fluororesin, even if the thickness exceeds 100 μm, there is almost no increase in heat radiation in the atmospheric window region. In other words, in the case of fluororesin, heat radiation in the atmospheric window occurs within a depth of about 100 μm from the surface, and radiation from deeper portions does not come out.
As can be seen from FIG. 6, in the case of vinyl chloride resin, even if the thickness exceeds 100 μm, there is almost no increase in heat radiation in the atmospheric window region. In other words, in the case of vinyl chloride resin, thermal radiation at the atmospheric window occurs within a depth of about 100 μm from the surface, and radiation from deeper portions does not come out.
From FIG. 14, it can be seen that vinylidene chloride resin is similar to vinyl chloride resin.

図7より、エチレンテレフタラート樹脂の場合は125μmより厚くなっても大気の窓領域における熱輻射の増大は殆どなくなる。つまり、エチレンテレフタラート樹脂場合、大気の窓における熱輻射は表面から深さ約100μmの部分で生じており、より深い部分の輻射は外に出てこない。 As can be seen from FIG. 7, in the case of ethylene terephthalate resin, even if the thickness exceeds 125 μm, there is almost no increase in heat radiation in the atmospheric window region. In other words, in the case of ethylene terephthalate resin, heat radiation in the atmospheric window is generated at a depth of about 100 μm from the surface, and radiation at deeper portions does not come out.

以上のように、樹脂材料表面から発生する大気の窓領域の熱輻射は、表面からの深さが概ね100μm以内の部分で生じており、それ以上に樹脂の厚みが増していくと、熱輻射に寄与しない樹脂材料によって、放射冷却層CPの放射冷却した冷熱が断熱される。
理想的に太陽光を全く吸収しない樹脂材料層Jを光反射層Bの上に作製することを考える。この場合、太陽光は放射冷却層CPの光反射層Bでのみ吸収される。
樹脂材料の熱伝導率はおしなべて0.2W/m/K程度であり、この熱伝導性を考慮して計算すると、樹脂材料層Jの厚みが20mmを超えると、冷却面(光反射層Bにおける樹脂材料層Jの存在側とは反対側の面)の温度が上昇する。
As described above, the thermal radiation in the atmospheric window region generated from the surface of the resin material occurs at a depth of approximately 100 μm or less from the surface. The cold heat radiatively cooled in the radiative cooling layer CP is insulated by the resin material that does not contribute to .
Consider forming on the light reflecting layer B a resin material layer J that ideally does not absorb sunlight at all. In this case, sunlight is absorbed only by the light reflecting layer B of the radiative cooling layer CP.
The thermal conductivity of resin materials is generally about 0.2 W/m/K, and when calculating considering this thermal conductivity, if the thickness of the resin material layer J exceeds 20 mm, the cooling surface (in the light reflecting layer B The temperature of the surface opposite to the side where the resin material layer J exists) rises.

太陽光をまったく吸収しない理想的な樹脂材料が存在したとしても、樹脂材料の熱伝導率はおしなべて0.2W/m/K程度であるので、図9のように20mmを超えると光反射層Bが日射を受けて加熱されてしまい、光反射層側に設置された本体形成基材Eは加熱される。つまり、放射冷却層CPの樹脂材料の厚みは20mm以下にする必要がある。 Even if there is an ideal resin material that does not absorb sunlight at all, the thermal conductivity of resin materials is generally about 0.2 W/m/K. is heated by receiving solar radiation, and the main body forming base material E placed on the light reflecting layer side is heated. That is, the thickness of the resin material of the radiative cooling layer CP must be 20 mm or less.

なお、図9は、真夏の西日本の良く晴れた日の南中を想定して計算した放射冷却層(放射冷却フィルム)CPの放射面Hの表面温度と光反射層Bの温度のプロットである。太陽光はAM1.5とし、1000W/mのエネルギー密度としている。外気温は30℃であり、放射エネルギーは温度によって変わるが30℃において100Wである。樹脂材料層で太陽光の吸収はないものとしての計算である。無風状態を仮定し、対流熱伝達率は5W/m/Kとしている。 FIG. 9 is a plot of the surface temperature of the radiation surface H of the radiation cooling layer (radiation cooling film) CP and the temperature of the light reflecting layer B calculated assuming Nanchu on a sunny day in western Japan in midsummer. . The sunlight is AM1.5 and has an energy density of 1000 W/m 2 . The outside air temperature is 30°C, and the radiant energy is 100W at 30°C although it varies depending on the temperature. The calculation is based on the assumption that the resin material layer does not absorb sunlight. A windless condition is assumed, and the convective heat transfer coefficient is assumed to be 5 W/m 2 /K.

〔シリコーンゴム等の光吸収率について〕
図10に、側鎖がCHであるシリコーンゴムの厚さが100μmのときの太陽光スペクトルに対する光吸収率、及び、厚さ100μmのペルフルオロアルコキシフッ素樹脂の太陽光スペクトルに対する光吸収率スペクトルを示す。先に述べた通り、両樹脂ともに紫外域においては光吸収率を殆ど持たないことがわかる。
[About light absorption rate of silicone rubber, etc.]
FIG. 10 shows the light absorptance of the silicone rubber with a CH3 side chain and a thickness of 100 μm for the sunlight spectrum, and the light absorptance spectrum of the perfluoroalkoxy fluororesin with a thickness of 100 μm for the sunlight spectrum. . As described above, it can be seen that both resins have almost no light absorptance in the ultraviolet region.

シリコーンゴムに関して、近赤外域においては、光吸収率が波長2.35μmより長波側の域で増加する。但し、この波長域における太陽光スペクトルの強度は弱いため、波長2.35μmより長波側の光吸収率が100%となっても吸収される太陽光エネルギーは20W/mである。 Regarding silicone rubber, in the near-infrared region, the light absorptance increases in the region longer than the wavelength of 2.35 μm. However, since the intensity of the sunlight spectrum in this wavelength range is weak, the amount of sunlight energy absorbed is 20 W/m 2 even if the light absorption rate on the longer wavelength side than the wavelength of 2.35 μm is 100%.

ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂に関しては、波長0.3μmから2.5μmの波長範囲では光吸収率を殆ど持たず、波長2.5μmより長波長側で光吸収を持つ。但し、当該樹脂の膜厚を厚くし、波長2.5μmより長波長側の光吸収率が100%になったとしても、吸収される太陽光エネルギーは7W程度である。 The perfluoroalkoxy fluororesin has almost no light absorptance in the wavelength range from 0.3 μm to 2.5 μm, but absorbs light at wavelengths longer than 2.5 μm. However, even if the film thickness of the resin is increased and the light absorptivity on the longer wavelength side than the wavelength of 2.5 μm becomes 100%, the absorbed sunlight energy is about 7W.

尚、樹脂材料層Jの厚さ(膜厚)を厚くしていくと、大気の窓領域の輻射率はほぼ1となる。つまり、厚膜の場合、低地で利用する際の大気の窓域で宇宙に放射する熱輻射は、30℃において160W/mから125W/m程度となる。光反射層Bにおける光吸収は、上述の規定の如く、50W/m程度であり、光反射層Bの光吸収とシリコーンゴム又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂を厚膜にした際の太陽光吸収を足しても宇宙に放射する熱輻射より小さい。
以上より、シリコーンゴム及びペルフルオロアルコキシフッ素樹脂の最大の膜厚は、熱伝導性の観点から20mmとなる。
Incidentally, when the thickness (film thickness) of the resin material layer J is increased, the emissivity of the window region of the atmosphere becomes approximately 1. That is, in the case of a thick film, the thermal radiation radiated into space in the window area of the atmosphere when used in lowlands is about 160 W/m 2 to 125 W/m 2 at 30°C. The light absorption in the light reflecting layer B is about 50 W/m 2 as defined above, and the light absorption of the light reflecting layer B and the solar light absorption when the silicone rubber or perfluoroalkoxy fluororesin is made into a thick film are added. is smaller than the thermal radiation that radiates into space.
From the above, the maximum film thickness of silicone rubber and perfluoroalkoxy fluororesin is 20 mm from the viewpoint of thermal conductivity.

〔炭化水素系樹脂の光吸収について〕
樹脂材料層Jを形成する樹脂材料が、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環を1つ以上有する炭化水素を主鎖とする樹脂であった場合、或いは、シリコーン樹脂であり側鎖の炭化水素の炭素数が2個以上の場合、先述の共有結合電子による紫外線吸収以外に、近赤外域に結合の変角や伸縮などの振動に基づく吸収が観測される。
[About light absorption of hydrocarbon resin]
When the resin material forming the resin material layer J is a resin whose main chain is a hydrocarbon having at least one carbon-chlorine bond, carbon-oxygen bond, ester bond, ether bond, or benzene ring, or silicone In the case of a resin having two or more carbon atoms in the side chain hydrocarbon, in addition to the above-described ultraviolet absorption due to covalent electrons, absorption based on vibrations such as bond bending and stretching is observed in the near-infrared region.

具体的には、CH、CH、CHの第一励起状態への遷移の基準音による吸収がそれぞれ波長1.6μmから1.7μm、波長1.65μmから1.75μm、波長1.7μmに現れる。さらに、CH、CH、CHの結合音の基準音による吸収がそれぞれ波長1.35μm、波長1.38μm、波長1.43μmに現れる。さらに、CH、CHの第二励起状態への遷移の倍音がそれぞれ波長1.24μmあたりに現れる。C-H結合の変角や伸縮の基準音は波長2μmから2.5μmにかけて広帯域に分布している。 Specifically, the absorption due to the reference tone of the transition to the first excited state of CH 3 , CH 2 , and CH from 1.6 μm to 1.7 μm, from 1.65 μm to 1.75 μm, and from 1.7 μm, respectively. appear. Furthermore, absorption by reference tones of CH 3 , CH 2 and CH combination tones appears at wavelengths of 1.35 μm, 1.38 μm and 1.43 μm, respectively. Furthermore, overtones of transitions of CH 2 and CH to the second excited state appear at wavelengths around 1.24 μm. The reference tones for bending and stretching of C—H bonds are distributed over a wide band from 2 μm to 2.5 μm in wavelength.

また、エステル結合(R-COO-R)、エーテル結合(C-O-C)を有する場合、波長1.9μmあたりに大きな光吸収が存在する。
これらに起因する光吸収率は、上述の光吸収率関係式より、樹脂材料の膜厚が薄いと小さくなり目立たなくなるが、膜厚が厚いと大きくなる。
Further, when having an ester bond (R--COO--R) or an ether bond (C--O--C), there is a large light absorption around a wavelength of 1.9 μm.
According to the above-mentioned optical absorption rate relational expression, the light absorption rate resulting from these factors becomes small and inconspicuous when the film thickness of the resin material is thin, but increases when the film thickness is large.

図11には、エステル結合とベンゼン環を持つエチレンテレフタラート樹脂の膜厚を変化させた場合における光吸収率と太陽光のスペクトルとの関係を記す。
図示の如く、膜厚が25μm、125μm、500μmと大きくなるごとに、それぞれの振動に起因する波長1.5μmよりも長波域の光吸収が増加する。
また、長波長側だけでなく、紫外線領域から可視領域にかけての光吸収も増加する。これは、化学結合に起因する光の吸収端に広がりがあることに起因している。
FIG. 11 shows the relationship between the light absorptance and the sunlight spectrum when the film thickness of the ethylene terephthalate resin having an ester bond and a benzene ring is changed.
As shown in the figure, as the film thickness increases to 25 μm, 125 μm, and 500 μm, the absorption of light in the wavelength region longer than 1.5 μm caused by each vibration increases.
In addition, the absorption of light not only on the long wavelength side but also on the ultraviolet region to the visible region increases. This is due to the broadening of the light absorption edge caused by the chemical bond.

膜厚が薄い時は最も大きな吸収係数を持つ波長で光吸収率が大きくなるが、膜厚が厚くなると、上述の光吸収率関係式より、広がりを持った吸収端の弱い吸収係数が吸収率となり出現する。このことにより、膜厚が厚くなると紫外線領域から可視領域にかけての光吸収が増加する。
厚さが25μmのときの太陽光スペクトルの吸収は15W/m、厚さが125μmのとき太陽光スペクトルの吸収は41W/m、厚さが500μmの時の太陽光スペクトルの吸収は88W/mである。
When the film is thin, the light absorptance increases at the wavelength with the largest absorption coefficient. It will appear. As a result, as the film thickness increases, light absorption from the ultraviolet region to the visible region increases.
At a thickness of 25 μm the absorption of the solar spectrum is 15 W/m 2 , at a thickness of 125 μm the absorption of the solar spectrum is 41 W/m 2 and at a thickness of 500 μm the absorption of the solar spectrum is 88 W/m 2 . m2 .

光反射層Bの光吸収は、上述の規定により50W/mであるから、膜厚が500μmである場合、エチレンテレフタラート樹脂の太陽光吸収と光反射層Bの太陽光吸収の和が138W/mとなる。日本の低地の夏場における、大気の窓の波長帯域の赤外放射の最大値は先述の通り30℃において大気の状態の良い日で160W程度、通常は125W程度である。
以上より、エチレンテレフタラート樹脂の膜厚が500μm以上では、放射冷却性能を発揮しなくなる。
Since the light absorption of the light reflecting layer B is 50 W/m 2 according to the above definition, when the film thickness is 500 μm, the sum of the sunlight absorption of the ethylene terephthalate resin and the sunlight absorption of the light reflecting layer B is 138 W. / m2 . The maximum value of infrared radiation in the wavelength band of the window of the atmosphere in the summertime in the lowlands of Japan is about 160 W at 30° C. on a day with good atmospheric conditions, and usually about 125 W, as described above.
From the above, when the film thickness of the ethylene terephthalate resin is 500 μm or more, the radiative cooling performance is not exhibited.

1.5μmから4μmの波長帯域の吸収スペクトルの起源は、官能基でなく主鎖の炭化水素の振動であり、炭化水素系樹脂であればエチレンテレフタラート樹脂と同様の挙動を示す。また、炭化水素系樹脂は紫外域に化学結合に起因する光吸収を有しており、紫外から可視についてもエチレンテレフタラート樹脂と同様の挙動を示す。
つまり、炭化水素樹脂であれば波長0.3μmから4μmまでエチレンテレフタラート樹脂と同様の挙動をとる。以上から、炭化水素系の樹脂の膜厚は500μmよりも薄い必要がある。
The origin of the absorption spectrum in the wavelength band from 1.5 μm to 4 μm is not the functional group but the vibration of the main chain hydrocarbon, and the hydrocarbon resin exhibits behavior similar to that of ethylene terephthalate resin. In addition, hydrocarbon-based resins have light absorption in the ultraviolet region due to chemical bonding, and exhibit the same behavior as ethylene terephthalate resins in the ultraviolet to visible range.
That is, the hydrocarbon resin behaves similarly to the ethylene terephthalate resin at wavelengths from 0.3 μm to 4 μm. From the above, the film thickness of the hydrocarbon-based resin must be thinner than 500 μm.

〔ブレンド樹脂の光吸収について〕
樹脂材料が、炭素-フッ素結合或いはシロキサン結合を主鎖とする樹脂と、炭化水素を主鎖とする樹脂とをブレンドした樹脂材料である場合には、ブレンドされた炭化水素を主鎖とする樹脂の割合に応じてCH、CH、CHなどに起因する近赤外域の光吸収が現れる。
炭素-フッ素結合或いはシロキサン結合が主成分の場合、炭化水素に起因する近赤外域の光吸収は小さくなるので、熱伝導性の観点での上限の20mmまで厚くすることができる。しかし、ブレンドされる炭化水素樹脂が主成分となる場合は厚さを500μm以下にする必要がある。
[About light absorption of blended resin]
When the resin material is a blend of a resin having a carbon-fluorine bond or a siloxane bond as a main chain and a resin having a hydrocarbon as a main chain, the blended resin having a hydrocarbon as a main chain. Light absorption in the near-infrared region due to CH, CH 2 , CH 3 and the like appears depending on the ratio of .
When carbon-fluorine bonds or siloxane bonds are the main component, light absorption in the near-infrared region due to hydrocarbons is reduced, so the thickness can be increased up to the upper limit of 20 mm from the viewpoint of thermal conductivity. However, when the blended hydrocarbon resin is the main component, the thickness must be 500 μm or less.

フッ素樹脂或いはシリコーンゴムと炭化水素とのブレンドには、フッ素樹脂或いはシリコーンゴムの側鎖を炭化水素に置換したものや、フッ素モノマーおよびシリコーンモノマーと炭化水素モノマーの交互共重合体、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体も含まれる。なお、フッ素モノマーと炭化水素モノマーの交互共重合体としては、フルオロエチレン・ビニルエステル(FEVE)、フルオロオレフィン-アクリル酸エステル共重合体、エチレン・四フッ化エチレン共重合体(ETFE)、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)が挙げられる。 Blends of fluororesins or silicone rubbers with hydrocarbons include fluororesins or silicone rubbers whose side chains are substituted with hydrocarbons, alternating copolymers of fluoromonomers, silicone monomers and hydrocarbon monomers, and random copolymers. , block copolymers, and graft copolymers. Examples of alternating copolymers of fluorine monomers and hydrocarbon monomers include fluoroethylene-vinyl ester (FEVE), fluoroolefin-acrylic acid ester copolymer, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), ethylene- Chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE) may be mentioned.

置換する炭化水素側鎖の分子量および割合に応じてCH、CH、CHなどに起因する近赤外域の光吸収が現れる。側鎖や共重合として導入されるモノマーが低分子であるとき、あるいは、導入されるモノマーの密度が小さいときには、炭化水素に起因する近赤外域の光吸収は小さくなるので、熱伝導性の観点での限界の20mmまで厚くすることができる。
フッ素樹脂或いはシリコーンゴムの側鎖や共重合されるモノマーとして高分子の炭化水素を導入する場合、樹脂の厚みを500μm以下にする必要がある。
Light absorption in the near-infrared region due to CH, CH 2 , CH 3 and the like appears depending on the molecular weight and proportion of the substituted hydrocarbon side chain. When the monomer introduced as a side chain or copolymerization has a low molecular weight, or when the density of the monomer introduced is low, light absorption in the near-infrared region caused by hydrocarbons becomes small, so from the viewpoint of thermal conductivity. It can be thickened up to the limit of 20 mm in .
When a high molecular weight hydrocarbon is introduced as a side chain of a fluororesin or a silicone rubber or a monomer to be copolymerized, the thickness of the resin must be 500 μm or less.

〔樹脂材料層の厚みについて〕
放射冷却層CPの実用の観点では、樹脂材料層Jの厚みは薄い方がよい。樹脂材料の熱伝導率は、金属やガラスなどよりも一般に低い。本体形成基材Eを効果的に冷却するには、樹脂材料層Jの膜厚は必要最低限であるのがよい。樹脂材料層Jの膜厚を厚くするほどに大気の窓の熱輻射は大きくなり、ある膜厚を超えると大気の窓における熱輻射エネルギーは飽和する。
[Regarding the thickness of the resin material layer]
From the viewpoint of practical use of the radiative cooling layer CP, the thickness of the resin material layer J should preferably be thin. The thermal conductivity of resin materials is generally lower than that of metals, glass, and the like. In order to effectively cool the main body forming substrate E, the film thickness of the resin material layer J should be the minimum necessary. As the film thickness of the resin material layer J increases, the thermal radiation from the atmospheric window increases. When the film thickness exceeds a certain value, the thermal radiation energy from the atmospheric window becomes saturated.

飽和する膜厚は樹脂材料にもよるが、フッ素樹脂の場合は概ね300μmもあれば十分に飽和する。したがって、熱伝導度の観点で500μmよりも300μm以下に膜厚を抑えるのが望ましい。さらに、熱輻射は飽和していないが、厚みが100μm程度であっても大気の窓領域において十分な熱輻射を得ることができる。厚さが薄い方が、熱貫流率が高まり本体形成基材Eの温度をより効果的に下げられるので、フッ素樹脂の場合、100μm程度以下の厚さにするのがよい。 Although the saturated film thickness depends on the resin material, in the case of fluororesin, a film thickness of approximately 300 μm is sufficient for saturation. Therefore, from the viewpoint of thermal conductivity, it is desirable to suppress the film thickness to 300 μm or less rather than 500 μm. Furthermore, although thermal radiation is not saturated, sufficient thermal radiation can be obtained in the atmospheric window region even with a thickness of about 100 μm. The thinner the thickness, the higher the heat transmission coefficient and the more effectively lowering the temperature of the main body forming substrate E. Therefore, in the case of fluororesin, the thickness is preferably about 100 μm or less.

C-F結合に起因する吸収係数よりも炭素-ケイ素結合、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合に由来する吸収係数の方が大きい。当然、熱伝導度の観点で500μmよりも300μm以下に膜厚を抑えるのが望ましいが、更に膜厚を薄くして熱伝導性を上げるとさらに大きな放射冷却効果が期待できる。
炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環を含む樹脂の場合、厚みが100μmであっても飽和しており、厚さ50μmでも大気の窓領域において十分な熱輻射が得られる。樹脂材料の厚さが薄い方が、熱貫流率が高まり本体形成基材Eの温度をより効果的に下げられるので、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環を含む樹脂の場合、50μm以下の厚さにすると断熱性が小さくなり本体形成基材Eを効果的に冷却することができる。炭素-塩素結合の場合には、100μm以下の厚さであれば、本体形成基材Eを効果的に冷却することができる。
The absorption coefficient derived from carbon-silicon bond, carbon-chlorine bond, carbon-oxygen bond, ester bond and ether bond is larger than the absorption coefficient derived from CF bond. Of course, from the viewpoint of thermal conductivity, it is desirable to suppress the film thickness to 300 μm or less rather than 500 μm.
Resins containing carbon-chlorine bonds, carbon-oxygen bonds, ester bonds, ether bonds, and benzene rings are saturated even with a thickness of 100 μm, and even with a thickness of 50 μm, sufficient heat radiation occurs in the window region of the atmosphere. can get. The thinner the resin material, the higher the heat transmission coefficient and the more effectively lowering the temperature of the main body forming substrate E. In the case of the containing resin, if the thickness is 50 μm or less, the heat insulating property becomes small and the main body forming substrate E can be effectively cooled. In the case of carbon-chlorine bonds, the body-forming substrate E can be effectively cooled if the thickness is 100 μm or less.

薄くする効用は断熱性を下げて冷熱を伝えやすくすること以外にもある。それは、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合を含む樹脂が呈する、近赤外域でのCH、CH、CH由来の近赤外域の光吸収の抑制である。薄くすると、これらによる太陽光吸収を小さくすることができるので、放射冷却層CPの冷却能力が高まることになる。
以上の観点から、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環を含む樹脂の場合、50μm以下の厚さにするとより効果的に日照下において放射冷却効果を出すことができる。
The effect of making it thinner is other than lowering the heat insulation and making it easier to convey cold heat. It is the suppression of light absorption in the near-infrared region originating from CH, CH 2 and CH 3 in the near-infrared region exhibited by resins containing carbon-chlorine bonds, carbon-oxygen bonds, ester bonds and ether bonds. When the thickness is reduced, the absorption of sunlight by these can be reduced, so the cooling capacity of the radiative cooling layer CP is increased.
From the above point of view, in the case of resins containing carbon-chlorine bonds, carbon-oxygen bonds, ester bonds, ether bonds, and benzene rings, a thickness of 50 μm or less can produce a more effective radiative cooling effect under sunlight. can.

炭素-ケイ素結合の場合、厚さ50μmでも大気の窓領域において熱輻射が飽和しきっており、厚さ10μmでも大気の窓領域において十分な熱輻射が得られる。樹脂材料層Jの厚さが薄い方が、熱貫流率が高まり本体形成基材Eの温度をより効果的に下げられるので、炭素-ケイ素結合を含む樹脂の場合、10μm以下の厚さにすると断熱性が小さくなり本体形成基材Eを効果的に冷却することができる。薄くすると、太陽光吸収を小さくすることができるので、放射冷却層CPの冷却能力が高まる。
以上の観点から、炭素-ケイ素結合を含む樹脂の場合、10μm以下の厚さにするとより効果的に日照下において放射冷却効果を出すことができる。
In the case of the carbon-silicon bond, even with a thickness of 50 μm, thermal radiation is saturated in the window region of the atmosphere, and even with a thickness of 10 μm, sufficient thermal radiation can be obtained in the window region of the atmosphere. The thinner the resin material layer J, the higher the heat transmission coefficient and the more effectively lowering the temperature of the main body forming substrate E. Therefore, in the case of a resin containing a carbon-silicon bond, the thickness should be 10 μm or less. The heat insulating property is reduced, and the main body forming base material E can be effectively cooled. When the thickness is reduced, the absorption of sunlight can be reduced, thereby increasing the cooling capacity of the radiative cooling layer CP.
From the above point of view, in the case of a resin containing a carbon-silicon bond, if the thickness is 10 μm or less, the radiative cooling effect can be more effectively obtained under sunlight.

〔光反射層の詳細〕
光反射層Bに上述の反射率特性を持たせるためには、放射面Hの存在側(樹脂材料層Jの存在側)の反射材料は銀または銀合金である必要がある。
図12に示す通り、銀をベースとして光反射層Bを構成すれば、光反射層Bに求められる反射率が得られる。
[Details of light reflecting layer]
In order to give the light reflecting layer B the reflectance characteristics described above, the reflecting material on the side where the radiation surface H exists (the side where the resin material layer J exists) must be silver or a silver alloy.
As shown in FIG. 12, when the light reflecting layer B is composed of silver as a base, the required reflectance of the light reflecting layer B can be obtained.

銀または銀合金のみで太陽光を前記の反射率特性を持たせた状態で反射する場合、厚さが50nm以上必要である。
但し、光反射層Bに柔軟性を備えさせるためには、厚さを100μm以下にする必要がある。これ以上厚いと曲げにくくなる。
ちなみに、「銀合金」としては、銀に、銅、パラジウム、金、亜鉛、スズ、マグネシウム、ニッケル、チタンのいずれかを、例えば、0.4質量%から4.5質量%程度添加した合金を用いることができる。具体例としては、銀に銅とパラジウムを添加して作成した銀合金である「APC-TR(フルヤ金属製)」を用いることができる。
In the case of reflecting sunlight with the reflectance characteristics described above, the thickness must be 50 nm or more only with silver or a silver alloy.
However, in order to make the light reflecting layer B flexible, the thickness must be 100 μm or less. If it is thicker than this, it will be difficult to bend.
Incidentally, the "silver alloy" is an alloy obtained by adding any of copper, palladium, gold, zinc, tin, magnesium, nickel, and titanium to silver, for example, about 0.4% to 4.5% by mass. can be used. As a specific example, it is possible to use "APC-TR (manufactured by Furuya Metal Co., Ltd.)" which is a silver alloy prepared by adding copper and palladium to silver.

光反射層Bに上述の反射率特性を持たせるためには、保護層Dに隣接して位置する銀または銀合金と保護層Dから離れる側に位置するアルミまたはアルミ合金とを積層させた構造にしてもよい。尚、この場合においても、放射面Hの存在側(樹脂材料層Jの存在側)の反射材料は銀または銀合金である必要がある。
銀(銀合金)とアルミ(アルミ合金)の2層で構成する場合、銀の厚みは10nm以上必要であり、アルミの厚みは30nm以上必要である。
但し、光反射層Bに柔軟性を備えさせるためには、銀の厚さとアルミの厚さとの合計を100μm以下にする必要がある。これ以上厚いと曲げにくくなる。
In order to give the light reflecting layer B the reflectance characteristics described above, a structure in which silver or a silver alloy located adjacent to the protective layer D and aluminum or an aluminum alloy located on the side away from the protective layer D are laminated. can be Also in this case, the reflective material on the side where the radiation surface H exists (the side where the resin material layer J exists) must be silver or a silver alloy.
When composed of two layers of silver (silver alloy) and aluminum (aluminum alloy), the thickness of silver is required to be 10 nm or more, and the thickness of aluminum is required to be 30 nm or more.
However, in order to provide flexibility to the light reflecting layer B, the total thickness of silver and aluminum must be 100 μm or less. If it is thicker than this, it will be difficult to bend.

ちなみに、「アルミ合金」としては、アルミに、銅、マンガン、ケイ素、マグネシウム、亜鉛、機械構造用炭素鋼、イットリウム、ランタン、ガドリニウム、テルビウムを添加した合金を用いることができる。 Incidentally, as the "aluminum alloy", an alloy obtained by adding copper, manganese, silicon, magnesium, zinc, carbon steel for machine structural use, yttrium, lanthanum, gadolinium, and terbium to aluminum can be used.

銀および銀合金は雨や湿度に弱くそれらから保護をする必要があり、また、その変色を抑制する必要がある。そのために、図16から図19に示す如く、銀や銀合金に隣接させる形態で、銀を保護する保護層Dが必要である。
保護層Dの詳細は、後述する。
Silver and silver alloys are vulnerable to rain and humidity and need to be protected from them and their discoloration must be suppressed. Therefore, as shown in FIGS. 16 to 19, a protective layer D for protecting silver is required in a form adjacent to silver or a silver alloy.
Details of the protective layer D will be described later.

〔実験結果について〕
ガラス基板上に銀を300nmの厚さで形成し、その上に、シロキサン結合を有するシリコーンゴム、炭素-フッ素結合を有するフルオロエチレンビニルエーテル、オレフィン変性体(オレフィン変成材料)、塩化ビニル樹脂をバーコーターで膜厚制御しつつ塗布し、放射冷却性能を測定した。
放射冷却性能の評価は外気温35℃の6月下旬の屋外の南中後3時間で実施し、基板を断熱性高く保持したうえで、基板裏面の温度(℃)を測定した。但し、塩化ビニル樹脂については、外気温が29℃のときに実施した。冶具に設置後5分後の温度が外気温より低いか、或いは高いかで放射冷却効果があるか否かを評価した。
放射冷却試験の結果を、図15に示す。
[About the experimental results]
A silver layer with a thickness of 300 nm is formed on a glass substrate, and silicone rubber having a siloxane bond, fluoroethylene vinyl ether having a carbon-fluorine bond, olefin-modified material (olefin-modified material), and vinyl chloride resin are coated on the silver with a bar coater. was applied while controlling the film thickness, and the radiative cooling performance was measured.
Evaluation of radiative cooling performance was carried out in late June, when the outside air temperature was 35° C., three hours after the south middle of the day. However, the vinyl chloride resin was tested when the outside air temperature was 29°C. Whether or not the temperature 5 minutes after installation in the jig was lower or higher than the outside air temperature was evaluated as to whether or not there was a radiative cooling effect.
The results of the radiative cooling test are shown in FIG.

ちなみに、フルオロエチレンビニルエーテルの大気の窓領域の輻射率は、図13に示す通りである。尚、シリコーンゴムの輻射率は、図4に示す通りであり、オレフィン変性体(オレフィン変成材料)の輻射率は、図8に示す通りであり、塩化ビニル樹脂の輻射率は、図6に示す通りである。 Incidentally, the emissivity of the window region of the atmosphere of fluoroethylene vinyl ether is as shown in FIG. The emissivity of silicone rubber is as shown in FIG. 4, the emissivity of olefin-modified material (olefin-modified material) is as shown in FIG. 8, and the emissivity of vinyl chloride resin is shown in FIG. Street.

シロキサン結合を有するシリコーンゴムの場合、理論から予想された通り1μm以上の厚みで放射冷却能力を発揮することがわかった。
炭素-フッ素結合を有するフルオロエチレンビニルエーテルは、理論で予測される10μmよりも薄い5μmの膜厚で放射冷却能力を発揮することがわかった。この原因は、炭素-フッ素結合による大気の窓の光吸収のみならず、ビニルエーテルのエーテル結合による光吸収が加わり、それぞれ単独のときよりも大気の窓の光吸収率が増えたためである。
オレフィン変性体(オレフィン変成材料)は、大気の窓領域の熱輻射が殆どでないため放射冷却能力を持たない。
In the case of silicone rubber having a siloxane bond, it was found that a thickness of 1 μm or more exhibited the radiative cooling ability, as expected from theory.
Fluoroethylene vinyl ether with carbon-fluorine bonds was found to exhibit radiative cooling ability at a film thickness of 5 μm, which is thinner than 10 μm predicted by theory. The reason for this is that not only the light absorption of the atmospheric window by the carbon-fluorine bond but also the light absorption by the ether bond of vinyl ether is added, and the light absorption rate of the atmospheric window is increased more than when each of them is alone.
Olefin modified bodies (olefin-modified materials) do not have radiative cooling capacity because there is little thermal radiation in the window region of the atmosphere.

〔放射冷却式遮光装置の具体構成〕
放射冷却層CPは、樹脂材料層J及び保護層Dを形成する樹脂材料が柔軟であるから、光反射層Bを薄膜にすると、光反射層Bにも柔軟性を備えさせることができ、その結果、放射冷却層CPを、柔軟性を備えるフィルム(放射冷却フィルム)とすることができる。
[Specific Configuration of Radiation Cooling Type Shading Device]
Since the resin material forming the resin material layer J and the protective layer D of the radiative cooling layer CP is flexible, if the light reflecting layer B is made thin, the light reflecting layer B can also be made flexible. As a result, the radiative cooling layer CP can be a flexible film (radiative cooling film).

そして、図16から図19に示すように、フィルム状の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)を、接着剤又は粘着剤の接続層Sにて本体形成基材Eの外面に装着することにより、本体形成基材Eを冷却することができる。また、本体形成基材Eの内面に、太陽光救出率が70%以上である太陽光吸収層K備えさせる。
接続層Sに用いる接着剤又は粘着剤としては、ウレタン系接着剤(粘着剤)、アクリル系接着剤(粘着剤)、EVA(エチレン酢酸ビニル)系接着剤(粘着剤)等がある。
Then, as shown in FIGS. 16 to 19, by attaching a film-like radiative cooling layer CP (radiative cooling film) to the outer surface of the main body forming base material E with a connection layer S of adhesive or adhesive, The body-forming substrate E can be cooled. Further, the inner surface of the main body forming base material E is provided with a solar absorption layer K having a solar light rescue rate of 70% or more.
Examples of adhesives or adhesives used for the connection layer S include urethane-based adhesives (adhesives), acrylic adhesives (adhesives), EVA (ethylene vinyl acetate)-based adhesives (adhesives), and the like.

放射冷却層CPをフィルム状に作製するには、種々の形態が考えられる。例えば、フィルム状に作製された光反射層Bに保護層D及び樹脂材料層Jを塗布して作ることが考えられる。あるいは、フィルム状に作製された光反射層Bに保護層D及び樹脂材料層Jを貼り付けて作ることが考えられる。或いは、フィルム状に作製された樹脂材料層Jの上に、保護層Dを塗布あるいは貼り付けて作成し、保護層Dの上に、蒸着・スパッタリング・イオンプレーティング・銀鏡反応などによって光反射層Bを作製することが考えられる。 Various forms are conceivable for producing the radiative cooling layer CP in the form of a film. For example, it is conceivable to apply the protective layer D and the resin material layer J to the light reflecting layer B made in the form of a film. Alternatively, it is conceivable that the protective layer D and the resin material layer J are adhered to the light reflecting layer B which is made in the form of a film. Alternatively, the protective layer D is coated or attached on the resin material layer J formed in a film form, and a light reflecting layer is formed on the protective layer D by vapor deposition, sputtering, ion plating, silver mirror reaction, or the like. It is conceivable to produce B.

具体的に説明すると、図16の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)は、光反射層Bを、銀又は銀合金の一層として形成する場合や、銀(銀合金)とアルミ(アルミ合金)の2層で構成する場合において、当該光反射層Bの上側に、保護層Dを形成し、保護層Dの上部に、樹脂材料層Jを形成したものであり、かつ、光反射層Bの下側にも、下側保護層Dsを形成する。 Specifically, the radiative cooling layer CP (radiative cooling film) in FIG. In the case of a two-layer structure, a protective layer D is formed above the light reflecting layer B, and a resin material layer J is formed above the protective layer D, and below the light reflecting layer B. A lower protective layer Ds is also formed on the side.

図16の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)の作成方法としては、フィルム状の樹脂材料層Jの上に、保護層D、光反射層B、下側保護層Dsを順次塗布して、一体的に成形する方法を採用することができる。 As a method for producing the radiative cooling layer CP (radiative cooling film) shown in FIG. It is possible to employ a method of forming the

図17の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)は、光反射層Bを、アルミ(アルミ合金)として機能するアルミ箔にて形成されたアルミ層B1と、銀又は銀合金からなる銀層B2とから構成し、当該光反射層Bの上側に、保護層Dを形成し、保護層Dの上部に、樹脂材料層Jを形成したものである。 In the radiation cooling layer CP (radiation cooling film) of FIG. 17, the light reflecting layer B is composed of an aluminum layer B1 formed of an aluminum foil functioning as aluminum (aluminum alloy) and a silver layer B2 made of silver or a silver alloy. A protective layer D is formed on the light reflecting layer B, and a resin material layer J is formed on the protective layer D.

図17の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)の作成方法としては、アルミ箔にて構成されるアルミ層B1の上に、銀層B2、保護層D、樹脂材料層Jを順次塗布して、一体的に成形する方法を採用することができる。
尚、別の作成方法として、樹脂材料層Jをフィルム状に形成して、当該フィルム状の樹脂材料層Jの上に、保護層D、銀層B2を順次塗布し、アルミ層B1を銀層B2に貼り付ける方法を採用することができる。
As a method for producing the radiative cooling layer CP (radiative cooling film) shown in FIG. A method of integrally molding can be adopted.
As another production method, the resin material layer J is formed into a film, the protective layer D and the silver layer B2 are sequentially applied on the film-shaped resin material layer J, and the aluminum layer B1 is coated with the silver layer. A method of attaching to B2 can be adopted.

図18の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)は、光反射層Bを、銀又は銀合金の一層として形成する場合や、銀(銀合金)とアルミ(アルミ合金)の2層で構成する場合において、当該光反射層Bの上側に、保護層Dを形成し、保護層Dの上部に、樹脂材料層Jを形成し、光反射層Bの下側に、PET等のフィルム層Fを形成したものである。 The radiation cooling layer CP (radiation cooling film) in FIG. 18 is used when the light reflection layer B is formed as a single layer of silver or a silver alloy, or when it is composed of two layers of silver (silver alloy) and aluminum (aluminum alloy). A protective layer D is formed on the upper side of the light reflecting layer B, a resin material layer J is formed on the protective layer D, and a film layer F such as PET is formed on the lower side of the light reflecting layer B. It is what I did.

図18の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)の作成方法としては、PET(エチレンテレフタラート樹脂)等にてフィルム状に形成されたフィルム層F(基材に相当)の上に、光反射層B、保護層Dを順次塗布して、一体的に成形し、保護層Dに対して、別途形成したフィルム状の樹脂材料層Jをのり層Nにて接着する方法を採用することができる。
のり層Nにて使用する接着剤(粘着剤)は、例えば、ウレタン系接着剤(粘着剤)、アクリル系接着剤(粘着剤)、EVA(エチレン酢酸ビニル)系接着剤(粘着剤)等があり、太陽光に対して高い透明性を持つものが望ましい。
As a method for producing the radiative cooling layer CP (radiative cooling film) in FIG. B and protective layer D are successively applied and molded integrally, and a separately formed film-like resin material layer J is adhered to protective layer D with glue layer N.
Examples of adhesives (adhesives) used in the glue layer N include urethane adhesives (adhesives), acrylic adhesives (adhesives), EVA (ethylene vinyl acetate) adhesives (adhesives), and the like. It is desirable to have high transparency to sunlight.

図19の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)は、光反射層Bを、アルミ(アルミ合金)として機能するアルミ層B1と、銀又は銀合金(代替銀)からなる銀層B2とから構成し、アルミ層B1を、PET(エチレンテレフタラート樹脂)等にてフィルム状に形成されたフィルム層F(基材に相当)の上部に形成し、銀層B2の上側に、保護層Dを形成し、保護層Dの上側に、樹脂材料層Jを形成したものである。 The radiation cooling layer CP (radiation cooling film) of FIG. 19 comprises a light reflection layer B composed of an aluminum layer B1 functioning as aluminum (aluminum alloy) and a silver layer B2 made of silver or a silver alloy (alternative silver). , The aluminum layer B1 is formed on the upper part of the film layer F (corresponding to the base material) formed in the form of a film of PET (ethylene terephthalate resin) or the like, and the protective layer D is formed on the upper side of the silver layer B2. , a resin material layer J is formed on the upper side of the protective layer D.

図19の放射冷却層CP(放射冷却フィルム)の作成方法としては、フィルム層Fの上に、アルミ層B1を塗布して、フィルム層Fとアルミ層B1とを一体的に成形し、別途、フィルム状の樹脂材料層Jの上に、保護層D、銀層B2を塗布して、樹脂材料層J、保護層D、銀層B2を一体形成し、アルミ層B1と銀層B2とをのり層Nにて接着する方法を採用することができる。
のり層Nにて使用する接着剤(粘着剤)は、例えば、ウレタン系接着剤(粘着剤)、アクリル系接着剤(粘着剤)、EVA(エチレン酢酸ビニル)系接着剤(粘着剤)等があり、太陽光に対して高い透明性を持つものが望ましい。
As a method for producing the radiative cooling layer CP (radiative cooling film) in FIG. A protective layer D and a silver layer B2 are applied on the film-shaped resin material layer J to integrally form the resin material layer J, the protective layer D and the silver layer B2, and the aluminum layer B1 and the silver layer B2 are glued together. A method of adhering in the layer N can be adopted.
Examples of adhesives (adhesives) used in the glue layer N include urethane adhesives (adhesives), acrylic adhesives (adhesives), EVA (ethylene vinyl acetate) adhesives (adhesives), and the like. It is desirable to have high transparency to sunlight.

〔保護層の詳細〕
保護層Dは、厚さが300nm以上で、40μm以下のポリオレフィン系樹脂、又は、厚さが17μm以上で、40μm以下のポリエチレンテレフタラートである。
ポリオレフィン系樹脂としては、ポリエチレン及びポリプロピレンがある。
[Details of protective layer]
The protective layer D is made of polyolefin resin with a thickness of 300 nm or more and 40 μm or less, or polyethylene terephthalate with a thickness of 17 μm or more and 40 μm or less.
Polyolefin resins include polyethylene and polypropylene.

図20に、ポリエチレン、塩化ビニリデン樹脂、エチレンテレフタラート樹脂、塩化ビニル樹脂の紫外線の吸収率を示す。
また、図21に、保護層Dを形成する合成樹脂として好適なポリエチレンの光透過率を示す。
FIG. 20 shows the ultraviolet absorption rate of polyethylene, vinylidene chloride resin, ethylene terephthalate resin, and vinyl chloride resin.
21 shows the light transmittance of polyethylene, which is suitable as a synthetic resin for forming the protective layer D. As shown in FIG.

放射冷却層CP(放射冷却フィルム)は、夜間のみならず、日射環境下にても放射冷却作用を発揮するものであるから、光反射層Bが光反射機能を発揮する状態を維持するには、保護層Dにて光反射層Bを保護することにより、日射環境下で光反射層Bの銀が変色しないようにする必要がある。 The radiative cooling layer CP (radiative cooling film) exerts a radiative cooling effect not only at night but also in a solar environment. By protecting the light reflecting layer B with the protective layer D, it is necessary to prevent the silver of the light reflecting layer B from discoloring under the sunlight environment.

保護層Dが、ポリオレフィン系樹脂にて厚さが300nm以上で、40μm以下の形態に形成される場合には、ポリオレフィン系樹脂は、波長0.3μmから0.4μmの紫外線の波長域の全域において紫外線の光吸収率が10%以下である合成樹脂であるから、保護層Dが紫外線の吸収により劣化し難いものとなる。 When the protective layer D is formed of polyolefin resin in a form having a thickness of 300 nm or more and 40 μm or less, the polyolefin resin has a wavelength of 0.3 μm to 0.4 μm in the entire ultraviolet wavelength range. Since the protective layer D is made of a synthetic resin having an ultraviolet light absorption rate of 10% or less, it is difficult for the protective layer D to deteriorate due to the absorption of ultraviolet rays.

そして、保護層Dを形成するポリオレフィン系樹脂の厚さが、300nm以上であるから、樹脂材料層Jにて発生したラジカルが光反射層を形成する銀又は銀合金に到達することを遮断し、また、樹脂材料層Jを透過する水分が光反射層Bを形成する銀又は銀合金に到達することを遮断する等の遮断機能を良好に発揮することになり、光反射層Bを形成する銀又は銀合金の変色を抑制できることになる。 Since the thickness of the polyolefin resin forming the protective layer D is 300 nm or more, the radicals generated in the resin material layer J are blocked from reaching the silver or silver alloy forming the light reflecting layer, In addition, the silver or silver alloy forming the light reflecting layer B exhibits a good shielding function such as blocking moisture passing through the resin material layer J from reaching the silver or silver alloy forming the light reflecting layer B. Alternatively, discoloration of the silver alloy can be suppressed.

ちなみに、ポリオレフィン系樹脂にて形成される保護層Dは、紫外線の吸収により、光反射層Bから離れる表面側にラジカルを形成しながら劣化することになるが、厚さが300nm以上であるから、形成したラジカルが光反射層Bに到達することはなく、また、ラジカルを形成しながら劣化するにしても、紫外線の吸収が低いことにより劣化の進み具合は遅いものであるから、上述の遮断機能を長期に亘って発揮することになる。 Incidentally, the protective layer D formed of polyolefin resin deteriorates while forming radicals on the surface side away from the light reflecting layer B due to the absorption of ultraviolet rays. The formed radicals do not reach the light reflecting layer B, and even if it deteriorates while forming radicals, the progress of deterioration is slow due to the low absorption of ultraviolet rays. will be exhibited for a long period of time.

保護層Dが、エチレンテレフタラート樹脂にて厚さが17μm以上で、40μm以下の形態に形成される場合には、エチレンテレフタラート樹脂は、ポリオレフィン系樹脂よりも、波長0.3μmから0.4μmの紫外線の波長域において紫外線の光吸収率が高い樹脂材料であるが、厚さが17μm以上であるから、樹脂材料層Jにて発生したラジカルが光反射層Bを形成する銀又は銀合金に到達することを遮断し、また、樹脂材料層Jを透過する水分が光反射層を形成する銀又は銀合金に到達することを遮断する等の遮断機能を長期に亘って良好に発揮することになり、光反射層Bを形成する銀又は銀合金の変色を抑制できることになる。 When the protective layer D is made of ethylene terephthalate resin and has a thickness of 17 μm or more and 40 μm or less, the ethylene terephthalate resin has a wavelength of 0.3 μm to 0.4 μm, which is higher than that of the polyolefin resin. However, since the resin material layer J has a thickness of 17 μm or more, the radicals generated in the resin material layer J are transferred to the silver or silver alloy forming the light reflecting layer B. It is possible to satisfactorily exhibit a blocking function over a long period of time, such as blocking moisture from reaching the resin material layer J and blocking moisture passing through the resin material layer J from reaching silver or a silver alloy forming the light reflecting layer. As a result, discoloration of silver or silver alloy forming the light reflecting layer B can be suppressed.

つまり、エチレンテレフタラート樹脂にて形成される保護層Dは、紫外線の吸収により、光反射層Bから離れる表面側にラジカルを形成しながら劣化することになるが、厚さが17μm以上であるから、形成したラジカルが光反射層Bに到達することはなく、また、ラジカルを形成しながら劣化するにしても、厚さが17μm以上であるから、上述の遮断機能を長期に亘って発揮することになる。 That is, the protective layer D formed of ethylene terephthalate resin deteriorates while forming radicals on the surface side away from the light reflecting layer B due to the absorption of ultraviolet rays, but the thickness is 17 μm or more. The formed radicals do not reach the light-reflecting layer B, and even if it deteriorates while forming radicals, the thickness is 17 μm or more, so the above-mentioned shielding function can be exhibited over a long period of time. become.

説明を加えると、エチレンテレフタラート樹脂(PET)の劣化は紫外線によってエチレングリコールとテレフタル酸のエステル結合が開裂しラジカルが形成されることに起因する。この劣化は、エチレンテレフタラート樹脂(PET)における紫外線が照射される面の表面から順に進行する。 To explain, the deterioration of ethylene terephthalate resin (PET) is caused by the cleavage of the ester bond between ethylene glycol and terephthalic acid by ultraviolet rays to form radicals. This deterioration progresses sequentially from the surface of the ethylene terephthalate resin (PET) irradiated with ultraviolet rays.

例えば、大阪における強さの紫外線がエチレンテレフタラート樹脂(PET)に照射されると、1日あたり、照射される面より順に約9nmのエチレンテレフタラート樹脂(PET)のエステル結合が開裂していく。エチレンテレフタラート樹脂(PET)は十分に重合しているので、開裂した表面のエチレンテレフタラート樹脂(PET)が光反射層Bの銀(銀合金)を攻撃することはないが、エチレンテレフタラート樹脂(PET)の開裂端が光反射層B銀(銀合金)まで到達すると、銀(銀合金)が変色する。 For example, when ethylene terephthalate resin (PET) is irradiated with ultraviolet rays of the intensity in Osaka, the ester bonds of ethylene terephthalate resin (PET) of about 9 nm are cleaved in order from the irradiated surface per day. . Since the ethylene terephthalate resin (PET) is sufficiently polymerized, the cleaved surface ethylene terephthalate resin (PET) does not attack the silver (silver alloy) of the light reflecting layer B, but the ethylene terephthalate resin When the cleaved end of (PET) reaches the silver (silver alloy) of the light reflecting layer B, the silver (silver alloy) is discolored.

従って、屋外で使用するうえで、保護層Dを1年以上耐久させるためには、9nm/日と365日とを積算して、約3μmの厚さが必要となる。保護層Dのエチレンテレフタラート樹脂(PET)を3年以上耐久させるためには、厚さが10μm以上必要である。5年以上耐久させるためには、厚さが17μm以上必要である。 Therefore, in order to endure the protective layer D for one year or more in outdoor use, a thickness of about 3 μm is required by adding up 9 nm/day and 365 days. In order to make the ethylene terephthalate resin (PET) of the protective layer D durable for 3 years or more, the thickness must be 10 μm or more. A thickness of 17 μm or more is required for durability of 5 years or more.

尚、ポリオレフィン系樹脂及びエチレンテレフタラート樹脂にて保護層Dを形成する場合において、その厚さの上限を定める理由は、保護層Dが放射冷却に寄与しない断熱性を奏することを回避するためである。つまり、保護層Dは、厚さが厚くなるほど放射冷却に寄与しない断熱性を奏することになるから、光反射層Bを保護する機能を発揮させながらも、放射冷却に寄与しない断熱性を奏することを回避するために、厚さの上限が定められることになる。 When the protective layer D is formed of polyolefin resin and ethylene terephthalate resin, the reason for setting the upper limit of the thickness is to prevent the protective layer D from exhibiting heat insulation that does not contribute to radiative cooling. be. In other words, the thicker the protective layer D, the more the protective layer D exhibits a heat insulating property that does not contribute to radiative cooling. In order to avoid the

つまり、保護層Dが厚くなると、光反射層Bの銀(銀合金)の着色を防ぐうえでのデメリットは生じないが、放射冷却するうえでの問題が発生する。つまり、厚くすると放射冷却材料の断熱性を上げることになる。
例えば、保護層Dを形成する合成樹脂として優れている主成分がポリエチレンの樹脂は、図25に示すように、大気の窓における輻射率が小さいため、厚く形成しても放射冷却に寄与しない。それどころか、厚くすると放射冷却材料の断熱性を上げることになる。次に、厚くなると主鎖の振動に由来する近赤外域の吸収が増加し、太陽光吸収が増える効果が増加する。
これら要因により、保護層Dが厚いことは、放射冷却にとって不利である。このような観点から、ポリオレフィン系樹脂にて形成される保護層Dの厚さは、5μm以下であることが好ましく、さらには、1μmであることが一層好ましい。
In other words, if the protective layer D becomes thicker, there is no demerit in preventing the silver (silver alloy) of the light reflecting layer B from being colored, but there is a problem in radiative cooling. In other words, increasing the thickness increases the thermal insulation of the radiative cooling material.
For example, a resin whose main component is polyethylene, which is excellent as a synthetic resin for forming the protective layer D, does not contribute to radiative cooling even if it is formed thick because the emissivity of the window to the atmosphere is small, as shown in FIG. On the contrary, increasing the thickness increases the thermal insulation of the radiative cooling material. Next, as the thickness increases, absorption in the near-infrared region derived from vibration of the main chain increases, and the effect of increasing sunlight absorption increases.
Due to these factors, a thick protective layer D is disadvantageous for radiative cooling. From this point of view, the thickness of the protective layer D formed of polyolefin resin is preferably 5 μm or less, more preferably 1 μm.

ところで、図18に示すように、樹脂材料層Jと保護層Dとの間にのり層Nが位置する場合には、のり層Nからもラジカルが発生することになるが、保護層Dを形成するポリオレフィン系樹脂の厚さが300nm以上であり、保護層Dを形成するエチレンテレフタラート樹脂の厚さが17μm以上であれば、のり層Nにて発生したラジカルが光反射層Bの到達することを、長期に亘って抑制できる。 By the way, as shown in FIG. 18, when the glue layer N is positioned between the resin material layer J and the protective layer D, radicals are also generated from the glue layer N, but the protective layer D is formed. When the thickness of the polyolefin-based resin used to form the protective layer D is 300 nm or more and the thickness of the ethylene terephthalate resin forming the protective layer D is 17 μm or more, the radicals generated in the glue layer N reach the light reflecting layer B. can be suppressed over the long term.

〔保護層の考察〕
保護層Dによる銀の着色のされ方の違いを検討するために、図22に示すような、赤外放射層Aとしての樹脂材料層Jを備えない保護層Dを露出させたサンプルを作製し、模擬太陽光が照射された後の銀の着色を調べた。
つまり、保護層Dとして、紫外線を吸収する一般的なアクリル系樹脂(例えば、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が混入するメタクリル酸メチル樹脂)とポリエチレンとの二種類を、バーコーターで、光反射層Bとして銀を備えるフィルム層F(基材に相当)上に塗布したサンプルを形成し、保護層Dとしての機能を検討した。塗布した保護層Dの厚みは、それぞれ10μmと1μmである。
尚、フィルム層F(基材に相当)は、PET(エチレンテレフタラート樹脂)等にてフィルム状に形成されたものである。
[Consideration of protective layer]
In order to examine the difference in how silver is colored by the protective layer D, a sample was prepared in which the protective layer D was exposed without the resin material layer J as the infrared radiation layer A, as shown in FIG. , investigated the coloration of silver after irradiation with simulated sunlight.
That is, as the protective layer D, two types of general acrylic resin that absorbs ultraviolet rays (for example, methyl methacrylate resin mixed with a benzotriazole-based ultraviolet absorber) and polyethylene are coated with a bar coater. A sample was formed by coating on a film layer F (corresponding to a base material) comprising silver as a protective layer D, and its function as a protective layer D was examined. The thicknesses of the applied protective layers D are 10 μm and 1 μm, respectively.
The film layer F (corresponding to the base material) is formed in a film shape from PET (ethylene terephthalate resin) or the like.

図24に示すように、保護層Dが紫外線を良く吸収するアクリル系樹脂の場合、保護層Dが紫外線で分解されラジカルを形成し、直ぐに銀が黄化して、放射冷却層CPとして機能しなくなる(太陽光を吸収し、一般の材料のように日射が当たると温度上昇する)。
尚、図中の600hの線は、JIS規格5600-7-7の条件でキセノンウエザー試験(紫外光エネルギーは60W/m)を600h(時間)行った後の反射率スペクトルである。また、0hの線は、キセノンウエザー試験を行う前の反射率スペクトルである。
As shown in FIG. 24, when the protective layer D is made of an acrylic resin that absorbs ultraviolet rays well, the protective layer D is decomposed by ultraviolet rays to form radicals, and the silver soon turns yellow and ceases to function as the radiative cooling layer CP. (It absorbs sunlight and heats up when exposed to sunlight like other materials).
The 600h line in the figure is the reflectance spectrum after a xenon weather test (ultraviolet light energy of 60W/m 2 ) was performed for 600h (hours) under the conditions of JIS standard 5600-7-7. The 0h line is the reflectance spectrum before the xenon weather test.

図23に示すように、保護層Dが紫外線の光吸収率が低いポリエチレンの場合には、近赤外域から可視域での反射率の低下がみられないことがわかる。つまり、主成分がポリエチレンの樹脂(ポリオレフィン系樹脂)は、地上に届く太陽光が持つ紫外線を殆ど吸収しないため、太陽光が当たってもラジカルを形成し難いので、日射が当たっても、光反射層Bとしての銀の着色が発生しない。
尚、図中の600hの線は、JIS規格5600-7-7の条件でキセノンウエザー試験(紫外光エネルギーは60W/m)を600h(時間)行った後の反射率スペクトルである。また、0hの線は、キセノンウエザー試験を行う前の反射率スペクトルである。
As shown in FIG. 23, when the protective layer D is made of polyethylene having a low ultraviolet light absorption rate, the reflectance does not decrease in the near-infrared region to the visible region. In other words, polyethylene resin (polyolefin resin), whose main component is polyethylene, hardly absorbs the ultraviolet rays of the sunlight that reaches the ground. Silver coloring as layer B does not occur.
The 600h line in the figure is the reflectance spectrum after a xenon weather test (ultraviolet light energy of 60W/m 2 ) was performed for 600h (hours) under the conditions of JIS standard 5600-7-7. The 0h line is the reflectance spectrum before the xenon weather test.

なお、この波長帯域の反射率スペクトルが波打つ理由は、ポリエチレン層のファブリペロー共振である。キセノンウエザー試験の熱などによってポリエチレン層の厚みが変化したことによる原因で、この共振位置が0hの線と600hの線とで多少変わっていることがわかるが、銀の黄化に由来する紫外-可視域における大きな反射率の低下は観測されない。 The reason why the reflectance spectrum in this wavelength band is wavy is the Fabry-Perot resonance of the polyethylene layer. It can be seen that this resonance position is slightly different between the 0h line and the 600h line due to the change in the thickness of the polyethylene layer due to the heat of the xenon weather test, etc. No significant drop in reflectance in the visible range is observed.

尚、フッ素樹脂系も紫外線吸収の観点からは保護層Dを形成する材料に適用できるが、実際に保護層Dとして形成すると、形成段階で着色し、劣化するため、保護層Dを形成する材料としては用いることができない。
また、シリコーンも紫外線吸収の観点からは保護層Dを形成する材料に適用できるが、銀(銀合金)との密着性が極めて悪く、保護層Dを形成する材料としては用いることができない。
From the viewpoint of UV absorption, the fluororesin system can also be used as a material for forming the protective layer D. However, when it is actually formed as the protective layer D, it is colored and deteriorated during the formation stage. cannot be used as
In addition, silicone can also be used as a material for forming the protective layer D from the viewpoint of ultraviolet absorption, but it cannot be used as a material for forming the protective layer D because it has extremely poor adhesion to silver (silver alloy).

〔放射冷却式遮光装置の実験結果〕
放射冷却式遮光装置Wとしての日傘に関する試験を実施した。試験に使用する日傘として、下記のA~Dの4種類を用いて、8月29日から31日までの間で、膜温度と体感温度とを測定した。
A:外布が黒色で内布が銀色の傘。
B:外布が銀色で内布が黒色の傘。
C:外側が放射冷却層CPで内側が黒色(太陽光吸収率が70%以上)の傘(放射冷却式遮光装置W)。
D:外側が放射冷却層CPで内側が銀色(太陽光吸収率が70%未満)の傘。
これら4種類の傘を芝生上の2mの高さに間隔を1.5mあけて並べた。
[Experimental results of radiation cooling type light shielding device]
A test on a parasol as a radiative cooling type shading device W was conducted. Using the following four types of parasols A to D as parasols used in the test, the membrane temperature and sensible temperature were measured from August 29th to 31st.
A: An umbrella with a black outer cloth and a silver inner cloth.
B: Umbrella with a silver outer cloth and a black inner cloth.
C: An umbrella (radiative cooling light shielding device W) having a radiative cooling layer CP on the outside and a black inside (sunlight absorptance of 70% or more).
D: Umbrella with radiative cooling layer CP on the outside and silver on the inside (solar absorption less than 70%).
These four types of umbrellas were arranged at a height of 2 m on the lawn with an interval of 1.5 m.

そして、傘の中心付近の膜にT型熱電対を貼り付け、傘の膜温度を測定した。併せて、膜中心部から約10cm下の箇所に黒体温度計を取り付け、体感温度を測定した。
尚、黒体温度計とは、表面が黒色の球状体の内部に、当該内部の空間温度を計測する温度計を配設したものである。
Then, a T-type thermocouple was attached to the membrane near the center of the umbrella to measure the membrane temperature of the umbrella. At the same time, a blackbody thermometer was attached at a position about 10 cm below the center of the film to measure the sensible temperature.
The blackbody thermometer is a thermometer for measuring the space temperature inside a spherical body with a black surface.

図26は、8月29日から31日までの膜温度の測定結果を示し、図27は、8月29日から31日までの体感温度の測定結果を示す。
膜温度に関して、Aの傘は日中70℃近くまで昇温するのに対し、Bの傘は日中60℃程度であった。それに対して、Cの傘及びDの傘はともに35℃程度と外気温程度となった。
FIG. 26 shows the measurement results of film temperature from August 29th to 31st, and FIG. 27 shows the measurement results of sensible temperature from August 29th to 31st.
Regarding the film temperature, the temperature of the canopy of A rose to nearly 70°C during the daytime, while the temperature of the canopy of B was about 60°C during the daytime. On the other hand, both the C umbrella and the D umbrella were about 35° C., which is about the outside air temperature.

体感温度に関しては、Aの傘とBの傘がほぼ同等であり、Dの傘がAの傘やBの傘よりも少し温度が低くなり、Cの傘だけが、体感温度が顕著に下がることが分かった。
Aの傘とBの傘の体感温度は、膜温度が高温であることに起因して高温とはなるものの、外気の対流(風)の影響で膜温度よりも低下することになる。
これに対して、放射冷却層CPを備えたCの傘及びDの傘の体感温度は、外気の対流の影響と、地表面Gからの太陽光の照り返しの影響、地表面Gの熱輻射の影響を受けることにより、低温である膜温度よりも上昇する傾向となる。
Regarding the sensible temperature, umbrellas A and B are almost the same, umbrella D has a slightly lower temperature than umbrellas A and B, and only umbrella C has a significantly lower sensible temperature. I found out.
The sensible temperatures of the umbrellas A and B are high due to the high membrane temperature, but are lower than the membrane temperature due to the convection (wind) of the outside air.
On the other hand, the sensible temperatures of the umbrellas C and D equipped with the radiative cooling layer CP are the effects of the convection of the outside air, the reflection of sunlight from the ground surface G, and the thermal radiation of the ground surface G. By being affected, it tends to rise above the film temperature, which is low.

特に、Dの傘のように傘裏面(傘内面)の太陽光反射率が大きい場合、太陽光の地表面Gでの照り返しが傘の下にいる人に反射して、照らすため、体感温度がAの傘やBの傘に近づく傾向となる。
一方、Cの傘のように傘裏面(傘内面)の太陽光吸収率が大きい場合、太陽光の地面での照り返しを傘が吸収し、人に照射することを防ぐことができるため、体感温度を顕著に下げることができる。
In particular, when the sunlight reflectance of the back surface of the umbrella (the inner surface of the umbrella) is high like the umbrella of D, the reflection of the sunlight on the ground surface G reflects and illuminates the person under the umbrella, so the sensible temperature increases. It tends to approach A's umbrella and B's umbrella.
On the other hand, when the sunlight absorption rate of the back side of the umbrella (the inner surface of the umbrella) is high like the umbrella in C, the umbrella absorbs the reflection of sunlight on the ground and prevents it from irradiating people, so the sensible temperature can be significantly reduced.

実験現場における地表面Gの太陽光の反射率は20%であったが、地表面Gの太陽光の反射率は、場所によっては40%~50%であり、地球全体でいうと30%%が平均である。南中時の太陽光強度は1000W/mであるので、南中時の照り返しは、約200W/m~500W/mであり、平均で300W/mであるということである。
尚、今回の実験では、傘の裏側(内側)を黒色にするために、太陽光を90%吸収する黒色フィルムを用いたが、黒色である必要はなく、太陽光エネルギーを70%以上、望ましくは80%以上、さらに望ましくは90%以上吸収する素材を用いるのであれば同様の効果が出る。
The reflectance of sunlight on the ground surface G at the test site was 20%, but the reflectance of sunlight on the ground surface G is 40% to 50% depending on the location, and 30%% for the entire earth. is the average. Since the intensity of the sunlight during the zenith is 1000 W/m 2 , the reflected light during the zenith is about 200 W/m 2 to 500 W/m 2 , averaging 300 W/m 2 .
In this experiment, a black film that absorbs 90% of the sunlight was used to make the back side (inner side) of the umbrella black. A similar effect can be obtained if a material that absorbs 80% or more, more preferably 90% or more, is used.

〔放射冷却層の別構成〕
図28に示すように、放射冷却層CPは、フィルム層F(基材に相当)の上部にアンカー層Qを備え、当該アンカー層Qの上部に、光反射層B、保護層D、赤外放射層Aを備える形態に構成してもよい。
尚、フィルム層F(基材に相当)は、例えば、PET(エチレンテレフタラート樹脂)等にてフィルム状に形成されたものである。
[Another configuration of the radiative cooling layer]
As shown in FIG. 28, the radiative cooling layer CP includes an anchor layer Q on top of a film layer F (corresponding to a base material), and on top of the anchor layer Q, a light reflecting layer B, a protective layer D, an infrared It may be configured in a form having a radiation layer A.
In addition, the film layer F (corresponding to the base material) is formed in a film shape with PET (ethylene terephthalate resin) or the like.

アンカー層Qは、フィルム層Fと光反射層Bとの密着を強めるために導入されている。つまり、フィルム層Fに、直接、銀(Ag)を製膜しようとすると、簡単に剥がれが生じる虞がある。アンカー層Qは、アクリルやポリオレフィン、ウレタンが主成分であり、イソシアネート基を持つ化合物やメラミン樹脂が混合されているものが望ましい。太陽光に直接当たらない部分のコーティングであり、紫外線を吸収する素材であっても問題ない。
尚、フィルム層Fと光反射層Bとの密着を強める方法には、アンカー層Qを入れる以外の方法もある。例えば、フィルム層Fの製膜面にプラズマ照射して表面を荒らすと密着性は高まる。
The anchor layer Q is introduced to strengthen the adhesion between the film layer F and the light reflecting layer B. In other words, if silver (Ag) is formed directly on the film layer F, there is a risk that it will easily come off. The anchor layer Q is preferably composed mainly of acrylic, polyolefin, or urethane mixed with a compound having an isocyanate group or a melamine resin. It is a coating for parts that are not directly exposed to sunlight, and there is no problem even if it is a material that absorbs ultraviolet rays.
It should be noted that there are methods other than inserting the anchor layer Q as a method for strengthening the adhesion between the film layer F and the light reflecting layer B. FIG. For example, if the film-forming surface of the film layer F is irradiated with plasma to roughen the surface, the adhesion is enhanced.

〔接続層の考察〕
本体形成基材Eの外面に放射冷却層CPを装着する場合、接続層Sの厚さを、5μm以上で、100μm以下にすることが良い。
すなわち、本体形成基材Eの外面(表面)は鏡面でないことが多い。鏡面とは異なる本体形成基材Eの外面(材料表面)は、数μmレベル程度の傷や凹凸が無数に存在することが多い。
本体形成基材Eの外面(材料表面)に存在するμmレベルの凹凸が、放射冷却層CPの光反射層B(銀層)に転写されると、反射率が下がることになる。
したがって、放射冷却層CPに外面(材料表面)に存在する凹凸が反映されないようにする構造を導入する必要があり、このために、放射冷却層CPを、5μmから100μm程度の厚みの接続層Sにて、本体形成基材Eの外面に接合させるとよい。
[Consideration of Connection Layer]
When the radiative cooling layer CP is attached to the outer surface of the main body forming base material E, the thickness of the connection layer S is preferably 5 μm or more and 100 μm or less.
That is, the outer surface (surface) of the main body forming substrate E is often not a mirror surface. The outer surface (material surface) of the main body forming base material E, which is different from the mirror surface, often has numerous scratches and irregularities on the order of several μm.
When the unevenness of μm level existing on the outer surface (material surface) of the main body forming base material E is transferred to the light reflecting layer B (silver layer) of the radiation cooling layer CP, the reflectance is lowered.
Therefore, it is necessary to introduce a structure in which the unevenness existing on the outer surface (material surface) is not reflected in the radiative cooling layer CP. , it is preferable to join to the outer surface of the main body forming base material E.

接着剤や粘着剤にて構成される5μm以上の接続層Sが存在すると、接続層Sが本体形成基材Eの外面の凹凸を吸収し、放射冷却層CPの光反射層B(銀層)が平坦となる。
光反射層B(銀層)が平坦になると、太陽光反射率の低下(換言すると太陽光吸収率の増大)を防げることになる。
但し、接続層Sの厚みが厚くなると断熱性が向上する。断熱性が向上すると放射冷却層CPの冷熱が断熱されるため、良くない。このような観点から不必要なほどに厚い接続層Sは不要であり、100μmの厚さがあれば十分である。
When the connection layer S having a thickness of 5 μm or more made of an adhesive or pressure-sensitive adhesive is present, the connection layer S absorbs the unevenness of the outer surface of the main body forming base material E, and the light reflection layer B (silver layer) of the radiation cooling layer CP. becomes flat.
When the light reflecting layer B (silver layer) becomes flat, a decrease in sunlight reflectance (in other words, an increase in sunlight absorption) can be prevented.
However, when the thickness of the connection layer S is increased, the heat insulating property is improved. If the heat insulation is improved, the cold heat of the radiative cooling layer CP is insulated, which is not good. From this point of view, an unnecessarily thick connection layer S is not required, and a thickness of 100 μm is sufficient.

〔放射冷却層の別例示〕
図29に示すように、放射冷却層CPの放射面Hを凹凸状に形成するとよい。
つまり、例えば、放射面Hに凸部Uが存在する状態に形成してもよい。
尚、凹凸状の例としては、直方体状の凸部Uが並ぶラインアンドスペース構造(図30参照)、円錐柱の凸部Uを縦横に並べた構造(図31参照)、図示は省略するが、三角柱やピラミッド状の凸部Uがラインアンドペース状に並んだ構造、方形体状の凸部Uが縦横に並んだ構造、凸部Uをランダムに形成した構造等、各種の構成を採用できる。
ちなみに、放射面Hを凹凸状に形成する際の高低差は、100μm程度である。
[Another example of radiative cooling layer]
As shown in FIG. 29, the radiation surface H of the radiation cooling layer CP is preferably formed in an uneven shape.
That is, for example, the radiation surface H may be formed in a state in which the convex portion U exists.
Examples of the uneven shape include a line-and-space structure in which rectangular parallelepiped protrusions U are arranged (see FIG. 30), and a structure in which conical protrusions U are arranged vertically and horizontally (see FIG. 31). , a structure in which triangular prisms or pyramid-shaped protrusions U are arranged in a line-and-pace pattern, a structure in which rectangular protrusions U are arranged vertically and horizontally, a structure in which protrusions U are formed at random, etc., can be employed. .
Incidentally, the height difference when forming the radiating surface H in an uneven shape is about 100 μm.

放射面Hを凹凸状に形成した場合の利点としては、放射面Hの表面積が増加することにより、例えば、外気の対流(風)が放射面Hに対して通風されることにより、冷却機能を向上させることができる。 The advantage of forming the radiating surface H in an uneven shape is that the surface area of the radiating surface H is increased, so that, for example, the convection (wind) of the outside air is passed through the radiating surface H, thereby providing a cooling function. can be improved.

放射面Hを凹凸状に形成すると、見た目に関してもメリットがある。放射冷却層CPの放射面H(上面)が鏡面である場合よりも、放射面Hが凹凸状に形成されている場合の方が、太陽光が散乱されるので、放射冷却層CPのギラツキが低減される。
尚、放射面Hに「散乱する」という機能を付与しても、光反射層Bの銀(銀合金)における光吸収は増大しないので、放射冷却を良好に行うことができる。
Forming the radiating surface H in an uneven shape is also advantageous in terms of appearance. Sunlight is scattered more when the radiation surface H (upper surface) of the radiation cooling layer CP is uneven than when the radiation surface H (upper surface) of the radiation cooling layer CP is a mirror surface. reduced.
Even if the emitting surface H is provided with the function of "scattering", the light absorption in the silver (silver alloy) of the light reflecting layer B does not increase, so radiative cooling can be performed satisfactorily.

〔別実施形態〕
以下、別実施形態を列記する。
(1)上記実施形態では、樹脂材料層Jを形成する樹脂材料として各種のものを例示したが、好適に使用できる樹脂材料としては、塩化ビニル樹脂(PVC)、塩化ビニリデン樹脂(PVDC)、フッ化ビニル樹脂(PVF)、フッ化ビニリデン樹脂(PVDF)を挙げることができる。
[Another embodiment]
Other embodiments are listed below.
(1) In the above embodiments, various resin materials are exemplified as the resin material forming the resin material layer J. Preferred resin materials include vinyl chloride resin (PVC), vinylidene chloride resin (PVDC), and fluorine. Vinylide resin (PVF) and vinylidene fluoride resin (PVDF) can be mentioned.

(2)上記実施形態では、保護層Dを備えさせる場合を例示したが、保護層Dを省略する形態で実施してもよい。 (2) In the above embodiment, the protective layer D is provided, but the protective layer D may be omitted.

(3)上記実施形態では、本体形成基材Eの内面に、太陽光吸収率が70%以上である太陽光吸収層Kを備えている形態を例示したが、遮光体Mが、本体形成基材Eの外面に放射冷却層CPを備え、かつ、本体形成基材Eが、太陽光吸収率が70%以上である材料にて形成される形態で実施してもよい。太陽光吸収率が70%以上である材料としては、例えば、黒色の合成樹脂フィルム、黒色の織物を例示することができる。 (3) In the above-described embodiment, the inner surface of the main body forming substrate E is provided with the solar absorption layer K having a solar absorptivity of 70% or more. A configuration in which the outer surface of the material E is provided with the radiative cooling layer CP and the main body forming base material E may be formed of a material having a solar absorptivity of 70% or more may be employed. Examples of materials having a sunlight absorption rate of 70% or more include black synthetic resin films and black fabrics.

(4)上記実施形態では、日傘を放射冷却式遮光装置Wとして例示したが、放射冷却式遮光装置Wとしては、壁面1Aから張出し状に設置されるオーニング1(図32参照)、屋根部分2Aが存在し且つ側方部分が開放された天幕テント2(図33参照)を挙げることができ、その他、図示は省略するがターフ等を挙げることができる。
その他、本体形成基材Eとしての膜材が合成樹脂材料にて形成された傘に、放射冷却層CP及び太陽光吸収層Kを備えさせて、放射冷却式遮光装置Wとして構成してもよい。
尚、本体形成基材Eを形成する好適な合成樹脂材料としては、塩化ビニル樹脂、エチレンテレフタラート樹脂、アクリル樹脂、エチレン樹脂を挙げることができ、その他、フッ素樹脂、ポリカーボネイト樹脂を用いることができる。
(4) In the above embodiment, the parasol was exemplified as the radiative cooling type shading device W. As the radiative cooling type shading device W, the awning 1 (see FIG. 32) installed in an overhang form from the wall surface 1A and the roof portion 2A. There is an awning tent 2 (see FIG. 33) with open side portions, and turf, etc., although not shown, can be mentioned.
In addition, the radiative cooling light shielding device W may be configured by providing the radiative cooling layer CP and the solar light absorbing layer K on an umbrella in which the film material as the main body forming base material E is formed of a synthetic resin material. .
Suitable synthetic resin materials for forming the main body forming base material E include vinyl chloride resin, ethylene terephthalate resin, acrylic resin, and ethylene resin. In addition, fluorine resin and polycarbonate resin can be used. .

(5)上記実施形態では、樹脂材料層Jの放射面Hを露出させる形態を例示したが、放射面Hを覆うハードコートを設けるようにしてもよい。
ハードコートとしては、UV硬化アクリル系、熱硬化アクリル系、UV硬化シリコーン系、熱硬化シリコーン系、有機無機ハイブリッド系、塩化ビニルが存在し、いずれを用いてもよい。添加材として有機系帯電防止剤を用いてもよい。
UV硬化アクリル系の中でもウレタンアクリレートは特によい。
(5) In the above embodiment, the radiation surface H of the resin material layer J is exposed, but a hard coat covering the radiation surface H may be provided.
As the hard coat, there are UV curable acrylic, heat curable acrylic, UV curable silicone, heat curable silicone, organic/inorganic hybrid, and vinyl chloride, any of which may be used. An organic antistatic agent may be used as an additive.
Urethane acrylate is particularly good among UV curable acrylics.

ハードコートの成膜方法としては、グラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法などを用いることができる。
ハードコート(塗膜)の厚みは1~50μmであり、特に2~20μmが望ましい。
As a method for forming the hard coat, gravure coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and the like can be used.
The thickness of the hard coat (coating film) is 1 to 50 μm, preferably 2 to 20 μm.

また、樹脂材料層Jの樹脂材料として、塩化ビニル樹脂を用いる場合において、塩化ビニル樹脂の可塑剤の量を減らし、硬質塩化ビニル樹脂、或いは、半硬質塩化ビニル樹脂にしてもよい。この場合、放射層の塩化ビニルそのものがハードコート層となる。 Further, when vinyl chloride resin is used as the resin material of the resin material layer J, the amount of the plasticizer of the vinyl chloride resin may be reduced to use hard vinyl chloride resin or semi-rigid vinyl chloride resin. In this case, the vinyl chloride of the emitting layer itself becomes the hard coat layer.

なお、上記実施形態(別実施形態を含む、以下同じ)で開示される構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示される構成と組み合わせて適用することが可能であり、また、本明細書において開示された実施形態は例示であって、本発明の実施形態はこれに限定されず、本発明の目的を逸脱しない範囲内で適宜改変することが可能である。 It should be noted that the configurations disclosed in the above embodiments (including other embodiments, the same shall apply hereinafter) can be applied in combination with configurations disclosed in other embodiments as long as there is no contradiction. The embodiments disclosed in this specification are exemplifications, and the embodiments of the present invention are not limited thereto, and can be modified as appropriate without departing from the object of the present invention.

A 赤外放射層
B 光反射層
D 保護層
E 本体形成基材
H 放射面
J 樹脂材料層
A Infrared radiation layer B Light reflection layer D Protective layer E Main body forming substrate H Radiation surface J Resin material layer

Claims (24)

外面側に放射冷却層を備える遮光体が設けられ、当該遮光体の内面の太陽光吸収率が70%以上である放射冷却式遮光装置。 A radiation-cooling light-shielding device having a light-shielding body provided with a radiation-cooling layer on the outer surface side, wherein the sunlight absorption rate of the inner surface of the light-shielding body is 70% or more. 前記遮光体が、本体形成基材の外面に前記放射冷却層を備え、かつ、前記本体形成基材の内面に、太陽光吸収率が70%以上である太陽光吸収層を備えている形態である請求項1に記載の放射冷却式遮光装置。 The light shielding body includes the radiation cooling layer on the outer surface of the main body forming substrate, and the solar light absorbing layer having a solar absorptivity of 70% or more on the inner surface of the main body forming substrate. A radiation-cooled shading device according to claim 1. 前記遮光体が、本体形成基材の外面に前記放射冷却層を備え、かつ、前記本体形成基材が、太陽光吸収率が70%以上である材料にて形成されている形態である請求項1に記載の放射冷却式遮光装置。 The light shielding body has the radiation cooling layer on the outer surface of the main body forming base material, and the main body forming base material is formed of a material having a solar absorptivity of 70% or more. 2. The radiation-cooled light shielding device according to 1. 前記遮光体が、可撓性の膜状体に形成されている請求項1~3のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。 4. The radiation cooling type light shielding device according to any one of claims 1 to 3, wherein the light shielding body is formed of a flexible film-like body. 前記遮光体が、遮光対象の上方を覆いかつ当該遮光対象の側方を開放する状態で設けられている請求項1~4のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。 5. The radiation cooling type light shielding device according to any one of claims 1 to 4, wherein the light shielding body is provided in a state of covering the upper side of the light shielding target and opening the side of the light shielding target. 前記放射冷却層が、放射面から赤外光を放射する赤外放射層と、当該赤外放射層における前記放射面の存在側とは反対側に位置させる光反射層とを備える形態に構成され、
前記赤外放射層が、吸収した太陽光エネルギーよりも大きな熱輻射エネルギーを波長8μmから波長14μmの帯域で放つ厚みに調整された樹脂材料層であり、
前記光反射層が、銀または銀合金を備え、
前記太陽光吸収層の太陽光吸収率が70%以上である請求項2に記載の放射冷却式遮光装置。
The radiative cooling layer comprises an infrared radiation layer that emits infrared light from a radiation surface, and a light reflection layer that is positioned on the side of the infrared radiation layer opposite to the side on which the radiation surface exists. ,
The infrared radiation layer is a resin material layer having a thickness adjusted to emit thermal radiation energy larger than the absorbed solar energy in a wavelength band of 8 μm to 14 μm,
wherein the light reflective layer comprises silver or a silver alloy;
3. The radiation-cooling light shielding device according to claim 2, wherein the sunlight absorption layer has a sunlight absorption rate of 70% or more.
前記赤外放射層と前記光反射層との間に保護層を備える形態に構成され、
前記保護層が、厚さが300nm以上で、40μm以下のポリオレフィン系樹脂、又は、厚さが17μm以上で、40μm以下のポリエチレンテレフタラート樹脂である請求項6に記載の放射冷却式遮光装置。
configured to include a protective layer between the infrared emitting layer and the light reflecting layer;
7. The radiative cooling light shielding device according to claim 6, wherein the protective layer is a polyolefin resin with a thickness of 300 nm or more and 40 μm or less, or a polyethylene terephthalate resin with a thickness of 17 μm or more and 40 μm or less.
前記放射冷却層が、接着剤又は粘着剤の接続層にて前記遮光体の外面に装着されている請求項6又は7に記載の放射冷却式遮光装置。 8. A radiative cooling light shielding device according to claim 6 or 7, wherein said radiative cooling layer is attached to the outer surface of said light shielding body with a connecting layer of adhesive or pressure sensitive adhesive. 前記放射冷却層における前記放射面が、凹凸状に形成されている請求項6~8のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。 9. The radiation cooling light shielding device according to claim 6, wherein the radiation surface of the radiation cooling layer is uneven. 前記光反射層は、波長0.4μmから0.5μmの反射率が90%以上、波長0.5μmより長波の反射率が96%以上である請求項6~9のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。 10. The light reflecting layer according to any one of claims 6 to 9, wherein the light reflecting layer has a reflectance of 90% or more at a wavelength of 0.4 μm to 0.5 μm and a reflectance of 96% or more at a wavelength longer than 0.5 μm. Radiative cooling shading device. 前記樹脂材料層の膜厚が、
波長0.4μmから0.5μmの光吸収率の波長平均が13%以下であり、波長0.5μmから波長0.8μmの光吸収率の波長平均が4%以下であり、波長0.8μmから波長1.5μmまでの光吸収率の波長平均が1%以内であり、1.5μmから2.5μmまでの光吸収率の波長平均が40%以下となる光吸収特性を備え、且つ、
8μmから14μmの輻射率の波長平均が40%以上となる熱輻射特性を備える状態の厚みに調整されている請求項6~10のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。
The film thickness of the resin material layer is
The average wavelength of light absorptance at a wavelength of 0.4 μm to 0.5 μm is 13% or less, the average wavelength of light absorptance at a wavelength of 0.5 μm to 0.8 μm is 4% or less, and the wavelength from 0.8 μm The wavelength average of the light absorption rate up to a wavelength of 1.5 μm is within 1%, and the light absorption characteristic is such that the wavelength average of the light absorption rate from 1.5 μm to 2.5 μm is 40% or less, and
11. The radiative cooling light shielding device according to claim 6, wherein the thickness is adjusted so as to provide thermal radiation characteristics such that the average wavelength of emissivity from 8 μm to 14 μm is 40% or more.
前記樹脂材料層を形成する樹脂材料は、炭素-フッ素結合、シロキサン結合、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エーテル結合、エステル結合、ベンゼン環のいずれかを1つ以上有する樹脂材料から選択される請求項6~11のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。 The resin material forming the resin material layer is selected from resin materials having one or more of carbon-fluorine bond, siloxane bond, carbon-chlorine bond, carbon-oxygen bond, ether bond, ester bond, and benzene ring. The radiation cooling type light shielding device according to any one of claims 6 to 11. 前記樹脂材料層を形成する樹脂材料の主成分がシロキサンであり、
前記樹脂材料層の厚みが、1μm以上である請求項6~12のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。
A main component of a resin material forming the resin material layer is siloxane,
13. The radiation cooling type light shielding device according to claim 6, wherein the resin material layer has a thickness of 1 μm or more.
前記樹脂材料層の厚みが、10μm以上である請求項12に記載の放射冷却式遮光装置。 13. The radiation cooling light shielding device according to claim 12, wherein the resin material layer has a thickness of 10 [mu]m or more. 前記樹脂材料層の厚みが、20mm以下である請求項6~14のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。 15. The radiation cooling light shielding device according to claim 6, wherein the resin material layer has a thickness of 20 mm or less. 前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、フッ素樹脂もしくはシリコーンゴムである請求項15に記載の放射冷却式遮光装置。 16. The radiation cooling type light shielding device according to claim 15, wherein the resin material forming the resin material layer is fluororesin or silicone rubber. 前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環のいずれかを1つ以上有する炭化水素を主鎖とする樹脂材料、又は、側鎖の炭化水素の炭素数が2個以上のシリコーン樹脂であり、
前記樹脂材料層の厚みが500μm以下である請求項6~14のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。
The resin material forming the resin material layer is a resin material having a hydrocarbon main chain having one or more of carbon-chlorine bonds, carbon-oxygen bonds, ester bonds, ether bonds, and benzene rings, or a side A silicone resin in which the number of carbon atoms in the chain hydrocarbon is 2 or more,
15. The radiation cooling light shielding device according to claim 6, wherein the resin material layer has a thickness of 500 μm or less.
前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-フッ素結合、シロキサン結合を含む樹脂と、炭化水素を主鎖とする樹脂とのブレンドであり、前記樹脂材料層の厚みが500μm以下である請求項6~14のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。 The resin material forming the resin material layer is a blend of a resin containing carbon-fluorine bonds and siloxane bonds and a resin having a hydrocarbon main chain, and the thickness of the resin material layer is 500 μm or less. 15. The radiation-cooled light shielding device according to any one of 6 to 14. 前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、フッ素樹脂であり、
前記樹脂材料層の厚みが、300μm以下である請求項6~14のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。
The resin material forming the resin material layer is a fluororesin,
15. The radiation cooling light shielding device according to claim 6, wherein the resin material layer has a thickness of 300 μm or less.
前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、炭素-塩素結合、炭素-酸素結合、エステル結合、エーテル結合、ベンゼン環のいずれかを一つ以上有する樹脂材料であり、
前記樹脂材料層の厚みが、50μm以下である請求項6~14のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。
The resin material forming the resin material layer is a resin material having one or more of carbon-chlorine bonds, carbon-oxygen bonds, ester bonds, ether bonds, and benzene rings,
15. The radiation cooling light shielding device according to claim 6, wherein the resin material layer has a thickness of 50 μm or less.
前記樹脂材料が、炭素-ケイ素結合を有する樹脂材料であり、
前記樹脂材料層の厚みが、10μm以下である請求項6~14のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。
The resin material is a resin material having a carbon-silicon bond,
15. The radiation cooling light shielding device according to claim 6, wherein the resin material layer has a thickness of 10 μm or less.
前記樹脂材料層を形成する樹脂材料が、塩化ビニル樹脂又は塩化ビニリデン樹脂であり、
前記樹脂材料層の厚みが、100μm以下で10μm以上である請求項6~11のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。
The resin material forming the resin material layer is vinyl chloride resin or vinylidene chloride resin,
12. The radiation cooling light shielding device according to claim 6, wherein the resin material layer has a thickness of 100 μm or less and 10 μm or more.
前記光反射層が、銀または銀合金で構成され、その厚みが50nm以上である請求項6~22のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。 23. The radiation cooling light shielding device according to claim 6, wherein the light reflecting layer is made of silver or a silver alloy and has a thickness of 50 nm or more. 前記光反射層が、前記保護層に隣接して位置する銀または銀合金と前記保護層から離れる側に位置するアルミまたはアルミ合金の積層構造である請求項7~22のいずれか1項に記載の放射冷却式遮光装置。
23. The light reflecting layer according to any one of claims 7 to 22, wherein the light reflecting layer has a laminated structure of silver or a silver alloy positioned adjacent to the protective layer and aluminum or an aluminum alloy positioned away from the protective layer. radiation cooled shading device.
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