JP2022146021A - Optical circuit manufacturing method - Google Patents

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幹寛 黒澤
Mikihiro KUROSAWA
学 小熊
Manabu Oguma
善典 日比野
Yoshinori Hibino
智之 山田
Tomoyuki Yamada
啓光 陣内
Hiromitsu Jinnai
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Abstract

To solve a problem, in manufacturing an optical circuit having a waveguide formed therein, with regard to adverse effects, etc., on environment of a sharp rise of manufacturing cost, an extended lead time period and a chip disposal, without discarding the optical circuit due to acquisition of desired characteristics, even when there is inclusion of foreign matter in the waveguide path.SOLUTION: The present disclosure is an optical circuit manufacturing method characterized by comprising, in order: an image photographing step S1 for capturing an image of an optical circuit having a waveguide formed therein; a foreign matter detection step S2 for detecting foreign matter in a path of the waveguide from the captured image of the optical circuit; and a detour path drawing step S7 for drawing, by a laser, a detour path to bypass foreign matter in the vicinity of the foreign matter.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、導波路を形成された光回路を製造する技術に関する。 TECHNICAL FIELD The present disclosure relates to techniques for manufacturing waveguide-formed optical circuits.

導波路を形成された光回路を製造する技術が、特許文献1に開示されている。ここで、特許文献1の従来技術では、アンダークラッド膜堆積、コア膜堆積、導波路形成及びオーバークラッド膜堆積の順序で、導波路を形成された光回路を製造する。一方で、特許文献1の解決手段では、フェムト秒レーザを用いて、導波路を形成された光回路を製造する。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200002 discloses a technique for manufacturing an optical circuit having a waveguide. Here, in the prior art of Patent Document 1, an optical circuit with a waveguide formed therein is manufactured in the order of undercladding film deposition, core film deposition, waveguide formation, and overcladding film deposition. On the other hand, the solution of Patent Document 1 uses a femtosecond laser to fabricate an optical circuit with a waveguide.

特開平9-311237号公報JP-A-9-311237

しかし、特許文献1の従来技術では、導波路の経路上に異物が混入したときに、導波路が形成されない又は欠損するため、所望特性が得られず光回路が廃棄され、製造原価の高騰、リードタイムの長期化及びチップ廃棄による環境への悪影響等の面で課題がある。一方で、特許文献1の解決手段では、レーザ集光点が相対移動するため、各々の導波路が柔軟にレーザ描画されることができるが、多数の導波路が効率的にレーザ描画されることは難しく、大量生産等の面で課題がある。 However, in the prior art of Patent Document 1, the waveguide is not formed or is damaged when foreign matter enters the path of the waveguide. There are problems such as long lead times and adverse effects on the environment due to chip disposal. On the other hand, in the solution of Patent Document 1, since the laser focal point moves relatively, each waveguide can be flexibly drawn by laser, but many waveguides cannot be efficiently drawn by laser. is difficult, and there are problems in terms of mass production.

そこで、前記課題を解決するために、本開示は、導波路を形成された光回路を製造するにあたり、導波路の経路上に異物が混入したときでも、所望特性を得て光回路を廃棄せず、製造原価の高騰、リードタイムの長期化及びチップ廃棄による環境への悪影響等の面で課題を解決することを目的とする。 Therefore, in order to solve the above-described problems, the present disclosure provides a method for manufacturing an optical circuit having a waveguide formed thereon, so that even when foreign matter is mixed in the path of the waveguide, the optical circuit can be discarded with desired characteristics. First, the object is to solve problems such as a rise in manufacturing cost, a long lead time, and an adverse effect on the environment due to chip disposal.

上記目的を達成するために、導波路の経路上の異物を光回路の撮影画像から検出したうえで、異物を迂回する迂回路を異物の近傍にレーザ描画することとした。 In order to achieve the above object, after detecting a foreign substance on the path of the waveguide from the photographed image of the optical circuit, a bypass path for bypassing the foreign substance is drawn in the vicinity of the foreign substance by laser drawing.

具体的には、本開示は、導波路を形成された光回路を画像撮影する画像撮影工程と、前記導波路の経路上の異物を前記光回路の撮影画像から検出する異物検出工程と、前記異物を迂回する迂回路を前記異物の近傍にレーザ描画する迂回路描画工程と、を順に備えることを特徴とする光回路製造方法である。 Specifically, the present disclosure includes an image capturing step of capturing an image of an optical circuit in which a waveguide is formed, a foreign matter detecting step of detecting a foreign substance on the path of the waveguide from the captured image of the optical circuit, and and a detour drawing step of laser-drawing a detour bypassing the foreign matter in the vicinity of the foreign matter.

この構成によれば、導波路の経路上に異物が混入したときでも、所望特性を得て光回路を廃棄せず、製造原価の高騰、リードタイムの長期化及びチップ廃棄による環境への悪影響等の面で課題を解決することができる。 According to this configuration, even when foreign matter is mixed in the path of the waveguide, the desired characteristics are obtained and the optical circuit is not discarded. It is possible to solve the problem in terms of

また、本開示は、前記異物検出工程は、良品画像と、不良品画像と、前記不良品画像のうちの不良のある箇所と、のうちの少なくともいずれかを教師データとして、前記異物を検出することを特徴とする光回路製造方法である。 Further, in the present disclosure, the foreign matter detection step detects the foreign matter using at least one of a non-defective product image, a defective product image, and a defective portion of the defective product image as teacher data. An optical circuit manufacturing method characterized by:

この構成によれば、上記のいずれかの教師データに基づいて(人工知能による学習処理を用いてもよい。)、導波路の経路上の異物を検出することができる。 According to this configuration, it is possible to detect a foreign object on the path of the waveguide based on any of the above teaching data (learning processing by artificial intelligence may be used).

また、本開示は、前記異物検出工程は、前記撮影画像のうちの輝度の高い箇所の大きさと、前記撮影画像のうちの輝度の高い箇所の位置と、前記撮影画像のうちの輝度の高い箇所と輝度の低い箇所との間の輝度差と、のうちの少なくともいずれかに基づいて、前記異物を検出することを特徴とする光回路製造方法である。 Further, according to the present disclosure, the foreign matter detection step includes: a size of a high-brightness portion of the captured image; a position of the high-brightness portion of the captured image; and a difference in brightness between the low-brightness portion and a low-brightness portion.

この構成によれば、上記の大きさ、位置及び輝度差のいずれかに基づいて(人工知能による学習処理を用いてもよい。)、導波路の経路上の異物を検出することができる。 According to this configuration, it is possible to detect a foreign object on the path of the waveguide based on any one of the above size, position, and luminance difference (learning processing by artificial intelligence may be used).

また、本開示は、前記異物の近傍の前記導波路の位置に基づいて、前記迂回路を前記異物の近傍にレーザ描画するスペースがあるかどうかを判定し、前記スペースがあると判定したときに、前記迂回路を前記異物の近傍にレーザ描画する位置を決定する迂回路決定工程、を前記異物検出工程と前記迂回路描画工程との間に備えることを特徴とする光回路製造方法である。 Further, according to the present disclosure, based on the position of the waveguide in the vicinity of the foreign matter, it is determined whether there is a space for laser-drawing the detour in the vicinity of the foreign matter, and when it is determined that there is the space, and a detour determination step of determining a position where the detour is drawn by laser near the foreign matter, between the foreign matter detection step and the detour drawing step.

この構成によれば、異物の近傍の導波路の位置に基づいて、迂回路のレーザ描画の可否を判定したうえで、迂回路のレーザ描画の位置を決定することができる。 According to this configuration, it is possible to determine the laser drawing position of the detour after determining whether or not the detour can be laser drawn based on the position of the waveguide near the foreign object.

このように、本開示は、導波路を形成された光回路を製造するにあたり、導波路の経路上に異物が混入したときでも、所望特性を得て光回路を廃棄せず、製造原価の高騰、リードタイムの長期化及びチップ廃棄による環境への悪影響等の面で課題を解決することができる。 In this way, in manufacturing an optical circuit in which a waveguide is formed, even if foreign matter is mixed in the path of the waveguide, the present disclosure can obtain the desired characteristics without discarding the optical circuit, thereby increasing the manufacturing cost. , long lead times, and adverse effects on the environment due to chip disposal can be solved.

本開示の光回路製造システムの構成を示す図である。1 is a diagram showing the configuration of an optical circuit manufacturing system of the present disclosure; FIG. 本開示の光回路製造処理の工程を示す図である。FIG. 4 illustrates the steps of the optical circuit manufacturing process of the present disclosure; 本開示の異物検出工程の具体例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a specific example of a foreign object detection process of the present disclosure; 本開示の異物検出工程の具体例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a specific example of a foreign object detection process of the present disclosure; 本開示の迂回路描画工程の具体例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a specific example of a detour drawing process of the present disclosure;

添付の図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本開示の実施の例であり、本開示は以下の実施形態に制限されるものではない。 Embodiments of the present disclosure will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments described below are examples of implementing the present disclosure, and the present disclosure is not limited to the following embodiments.

本開示の光回路製造システムの構成を図1に示す。本開示の光回路製造処理の工程を図2に示す。光回路製造システムLは、画像撮影装置1、異物検出装置2及びレーザ描画装置3を備える。異物検出装置2は、異物検出部21及び迂回路決定部22を備え、工程S2~S6の異物検出プログラムをコンピュータにインストールし実現することができる。 FIG. 1 shows the configuration of the optical circuit manufacturing system of the present disclosure. The steps of the optical circuit fabrication process of the present disclosure are illustrated in FIG. An optical circuit manufacturing system L includes an image capturing device 1 , a foreign object detection device 2 and a laser drawing device 3 . The foreign matter detection device 2 includes a foreign matter detection unit 21 and a detour determination unit 22, and can be implemented by installing a foreign matter detection program for steps S2 to S6 in a computer.

最初に、導波路を形成された光回路を製造する。ここで、特許文献1の従来技術と同様に、アンダークラッド膜堆積、コア膜堆積、導波路形成及びオーバークラッド膜堆積の順序で、導波路を形成された光回路を製造してもよい。一方で、特許文献1の解決手段と同様に、フェムト秒レーザを用いて、導波路を形成された光回路を製造してもよい。 First, a waveguide-formed optical circuit is fabricated. Here, as in the prior art of Patent Document 1, an optical circuit having a waveguide formed therein may be manufactured in the order of undercladding film deposition, core film deposition, waveguide formation, and overcladding film deposition. On the other hand, similarly to the solution of Patent Document 1, femtosecond laser may be used to manufacture an optical circuit having a waveguide.

画像撮影装置1は、導波路を形成された光回路を画像撮影する(工程S1)。ここで、画像撮影装置1は、光学顕微鏡であるときに、狭い視野角を有し、光回路の画像撮影に時間を要するが、微小な異物を画像撮影することができる。一方で、画像撮影装置1は、マルチスペクトル照明連動カメラであるときに、広い視野角を有し、光回路の画像撮影に時間を要さず、微小な異物を画像撮影することができる。 The image capturing device 1 captures an image of the optical circuit in which the waveguide is formed (step S1). Here, when the image capturing device 1 is an optical microscope, it has a narrow viewing angle and takes time to capture an image of an optical circuit, but can capture an image of minute foreign matter. On the other hand, when the imaging apparatus 1 is a multi-spectral illumination linked camera, it has a wide viewing angle and can take an image of a minute foreign matter without taking time to take an image of an optical circuit.

異物検出部21は、導波路の経路上の異物を光回路の撮影画像から検出する(工程S2)。そして、異物検出部21が導波路の経路上の異物を検出したときに(工程S3でYES)、工程S4以下の処理が実行される。一方で、異物検出部21が導波路の経路上の異物を検出しないときに(工程S3でNO)、工程S4以下の処理が中止される。 The foreign matter detector 21 detects foreign matter on the path of the waveguide from the photographed image of the optical circuit (step S2). Then, when the foreign matter detector 21 detects a foreign matter on the path of the waveguide (YES in step S3), the processes from step S4 onward are executed. On the other hand, when the foreign object detection unit 21 does not detect any foreign object on the waveguide path (NO in step S3), the processes from step S4 onward are stopped.

ここで、異物検出部21は、良品画像と、不良品画像と、不良品画像のうちの不良のある箇所と、のうちの少なくともいずれかを教師データとして、異物を検出する(工程S2)。そして、異物検出部21は、撮影画像のうちの輝度の高い箇所の大きさと、撮影画像のうちの輝度の高い箇所の位置と、撮影画像のうちの輝度の高い箇所と輝度の低い箇所との間の輝度差と、のうちの少なくともいずれかに基づいて、異物を検出する(工程S2)。 Here, the foreign matter detection unit 21 detects a foreign matter using at least one of a non-defective product image, a defective product image, and a defective portion of the defective product image as teaching data (step S2). Then, the foreign object detection unit 21 determines the size of the high-brightness portion of the captured image, the position of the high-brightness portion of the captured image, and the high-brightness and low-brightness portions of the captured image. A foreign object is detected based on at least one of the luminance difference between the two (step S2).

本開示の異物検出工程の具体例を図3に示す。図3では、異物検出部21は、事前に用意した良品画像と、新たに撮影した撮影画像と、を単純比較する。 A specific example of the foreign matter detection process of the present disclosure is shown in FIG. In FIG. 3, the foreign matter detection unit 21 simply compares a non-defective product image prepared in advance with a newly captured image.

図3の第1段では、光回路の良品画像PCを示す。図3の第2段では、光回路の撮影画像PLを示す。図3に示した画像では、白い箇所ほど輝度が高く、黒い箇所ほど輝度が低く、白い箇所と黒い箇所との間のコントラストが実際の画像と比べて強調されている。 In the first row of FIG. 3, a good image PC of the optical circuit is shown. In the second row of FIG. 3, a photographed image PL of the optical circuit is shown. In the image shown in FIG. 3, the whiter portions have higher brightness, the blacker portions have lower brightness, and the contrast between the white and black portions is emphasized compared to the actual image.

ここで、光回路の撮影画像PLでは、光回路の良品画像PCと同様に、光回路に形成された導波路、ダイシングラインD及び研磨マーカーGが撮影されている。光回路に形成された導波路は、細い形状を有し、光回路のチップ内に位置し、低い輝度を有する。ダイシングラインDは、太い形状を有し、光回路のチップ端に位置し、高い輝度を有する。研磨マーカーGは、大きい形状を有し、光回路のチップ端に位置し、高い輝度を有する。 Here, in the photographed image PL of the optical circuit, the waveguides, dicing lines D, and polishing markers G formed in the optical circuit are photographed in the same manner as the non-defective product image PC of the optical circuit. A waveguide formed in an optical circuit has a narrow shape, is located within the chip of the optical circuit, and has a low brightness. The dicing line D has a thick shape, is positioned at the chip edge of the optical circuit, and has high brightness. The polishing marker G has a large shape, is located at the chip edge of the optical circuit, and has high brightness.

一方で、光回路の撮影画像PLでは、光回路の良品画像PCと異なり、導波路の経路上の異物Cが撮影されている。導波路の経路上の異物Cは、小さい形状を有し、導波路の経路上に位置し、高い輝度を有する。そこで、導波路の経路上の異物Cと、光回路に形成された導波路、ダイシングラインD及び研磨マーカーGと、を識別することができる。 On the other hand, in the photographed image PL of the optical circuit, unlike the non-defective product image PC of the optical circuit, the foreign matter C on the path of the waveguide is photographed. A foreign object C on the waveguide path has a small shape, is located on the waveguide path, and has a high brightness. Therefore, it is possible to distinguish between the foreign matter C on the path of the waveguide and the waveguide, dicing line D and polishing marker G formed in the optical circuit.

なお、新たに撮影した撮影画像との比較対象として、事前に用意した1枚の良品画像でもよく、事前に用意した2枚以上の良品画像の平均画像でもよく、新たに撮影した他の撮影画像でもよい。また、図3に示した画像では、スムージング処理を実行してもよい。 As an object to be compared with the newly captured image, one good product image prepared in advance may be used, an average image of two or more good product images prepared in advance may be used, or other newly taken images may be used. It's okay. Also, the image shown in FIG. 3 may be smoothed.

本開示の異物検出工程の具体例を図4にも示す。図4では、異物検出部21は、事前に用意した良品画像と、事前に用意した不良品画像と、をAI学習する。 A specific example of the foreign matter detection process of the present disclosure is also shown in FIG. In FIG. 4, the foreign matter detection unit 21 AI-learns a non-defective product image prepared in advance and a defective product image prepared in advance.

図4の第1段では、光回路の良品画像PC1及び不良品画像PD1を示す。図4の第2段では、光回路の良品画像PC2及び不良品画像PD2を示す。図4の第3段では、光回路の良品画像PC3及び不良品画像PD3を示す。図4の第4段では、光回路の良品画像PC4及び不良品画像PD4を示す。図4の全段に示した画像では、白い箇所ほど輝度が高く、黒い箇所ほど輝度が低く、図4の第2段に示した画像を除いて、白い箇所と黒い箇所との間のコントラストが実際の画像と比べて強調されている。 In the first stage of FIG. 4, a good product image PC1 and a defective product image PD1 of the optical circuit are shown. The second stage of FIG. 4 shows a good product image PC2 and a defective product image PD2 of the optical circuit. The third stage of FIG. 4 shows a good product image PC3 and a defective product image PD3 of the optical circuit. The fourth stage of FIG. 4 shows a good product image PC4 and a defective product image PD4 of the optical circuit. In the images shown in the entire row of FIG. 4, the whiter portions are brighter, and the blacker portions are lower in brightness. Except for the image shown in the second row of FIG. It is emphasized compared to the actual image.

光回路の良品画像PC1として、図3の第1段に示した光回路の良品画像PCと同様な画像がAI学習されている。光回路の不良品画像PD1として、図3の第2段に示した光回路の撮影画像PLと同様な画像と、導波路の経路上の異物Cの位置と、がAI学習されている。光回路の良品画像PC2として、光回路の良品画像PC1の色調を変化させた画像がAI学習されている。光回路の不良品画像PD2として、光回路の不良品画像PD1の色調を変化させた画像と、導波路の経路上の異物Cの位置と、がAI学習されている。 As the non-defective product image PC1 of the optical circuit, an image similar to the non-defective product image PC of the optical circuit shown in the first stage of FIG. 3 is AI-learned. As the defective product image PD1 of the optical circuit, an image similar to the photographed image PL of the optical circuit shown in the second row of FIG. 3 and the position of the foreign matter C on the path of the waveguide are AI-learned. As the non-defective product image PC2 of the optical circuit, an image obtained by changing the color tone of the non-defective product image PC1 of the optical circuit is AI-learned. As the defective optical circuit image PD2, an image obtained by changing the color tone of the defective optical circuit image PD1 and the position of the foreign matter C on the path of the waveguide are AI-learned.

光回路の良品画像PC3として、光回路の良品画像PC1の上下を反転させた画像がAI学習されている。光回路の不良品画像PD3として、光回路の不良品画像PD1の上下を反転させた画像と、導波路の経路上の異物Cの位置と、がAI学習されている。光回路の良品画像PC4として、光回路の良品画像PC1の一部を切り出した画像がAI学習されている。光回路の不良品画像PD4として、光回路の不良品画像PD1の一部を切り出した画像と、導波路の経路上の異物Cの位置と、がAI学習されている。 As the non-defective product image PC3 of the optical circuit, AI learning is performed on an upside-down image of the non-defective product image PC1 of the optical circuit. As the optical circuit defective product image PD3, AI learning is performed on an upside down image of the optical circuit defective product image PD1 and the position of the foreign matter C on the path of the waveguide. As the non-defective product image PC4 of the optical circuit, an image obtained by cutting out a part of the non-defective product image PC1 of the optical circuit is AI-learned. As the defective optical circuit image PD4, an image obtained by cutting out a part of the defective optical circuit image PD1 and the position of the foreign matter C on the path of the waveguide are AI-learned.

すると、輝度の高い箇所の大きさと、輝度の高い箇所の位置と、輝度の高い箇所と輝度の低い箇所との間の輝度差と、を特徴量として抽出することができる。そして、図3の第2段に示した光回路の撮影画像PLにおいて、良品画像及び不良品画像のうちのいずれであるかを識別することができる。さらに、図3の第2段に示した光回路の撮影画像PLにおいて、導波路の経路上の異物Cの位置を抽出することができる。 Then, it is possible to extract the size of a high-brightness portion, the position of a high-brightness portion, and the brightness difference between a high-brightness portion and a low-brightness portion as feature amounts. Then, in the photographed image PL of the optical circuit shown in the second stage of FIG. 3, it is possible to identify whether it is a non-defective product image or a defective product image. Furthermore, in the photographed image PL of the optical circuit shown in the second stage of FIG. 3, the position of the foreign matter C on the path of the waveguide can be extracted.

なお、AI学習すべき良品画像及び不良品画像として、図4に示した画像に加えて、類似画像ばかりをAI学習することなく、学習画像を適切な枚数及び種類分だけ水増しすることにより、類似異物ばかりを検出することなく、異物検出の精度を向上させることができる。また、図4に示した画像では、スムージング処理を実行してもよい。 In addition to the images shown in FIG. 4 as the non-defective product images and the defective product images to be AI-learned, instead of subjecting only similar images to AI learning, the learning images are padded by an appropriate number and type. The accuracy of foreign matter detection can be improved without detecting only foreign matter. Also, the image shown in FIG. 4 may be smoothed.

レーザ描画装置3は、異物を迂回する迂回路を異物の近傍にレーザ描画する(工程S7)。ここで、迂回路決定部22は、以下のように工程S4~S6を実行する。 The laser lithography device 3 laser-draws a detour path that circumvents the foreign matter near the foreign matter (step S7). Here, the detour determination unit 22 executes steps S4 to S6 as follows.

本開示の迂回路描画工程の具体例を図5に示す。図5の第1段及び第2段では、光回路の撮影画像PLを示す。図5の第3段では、光回路チップLCを示す。図5の第1段及び第2段に示した画像では、黒い箇所ほど輝度が高く、白い箇所ほど輝度が低い。 A specific example of the detour drawing process of the present disclosure is shown in FIG. The first and second stages of FIG. 5 show captured images PL of the optical circuit. In the third stage of FIG. 5, an optical circuit chip LC is shown. In the images shown in the first and second stages of FIG. 5, the darker the area, the higher the brightness, and the whiter the area, the lower the brightness.

図5の第1段では、異物検出部21は、導波路W1、W2と、ダイシングラインDと、研磨マーカーGと、導波路W1の経路上の異物Cと、を検出する(工程S2、S3)。 In the first stage of FIG. 5, the foreign matter detector 21 detects the waveguides W1 and W2, the dicing line D, the polishing marker G, and the foreign matter C on the path of the waveguide W1 (steps S2 and S3). ).

図5の第2段では、迂回路決定部22は、異物Cの近傍の導波路W1、W2の位置に基づいて、迂回路Bを異物Cの近傍にレーザ描画するスペースがあるかどうかを判定する(工程S4)。そして、迂回路決定部22が上記のスペースの存在を判定したときに(工程S5でYES)、工程S6以下の処理が実行される。一方で、迂回路決定部22が上記のスペースの不存在を判定したときに(工程S5でNO)、工程S6以下の処理が中止される。 In the second stage of FIG. 5, the detour determination unit 22 determines whether there is a space for laser-drawing the detour B near the foreign object C based on the positions of the waveguides W1 and W2 near the foreign object C. (step S4). Then, when the detour determination unit 22 determines the presence of the above space (YES in step S5), the processes from step S6 onward are executed. On the other hand, when the detour determination unit 22 determines that the space does not exist (NO in step S5), the processes from step S6 onward are stopped.

つまり、迂回路決定部22は、異物Cが経路上に位置する導波路W1の紙面上側において、他の導波路W2が位置しないことを判定し、迂回路描画スペースSBが存在することを判定する(工程S4、工程S5でYES)。一方で、迂回路決定部22は、異物Cが経路上に位置する導波路W1の紙面下側において、他の導波路W2が位置することを判定し、迂回路非描画スペースSWが存在することを判定する(工程S4、工程S5でNO)。 In other words, the detour determining unit 22 determines that another waveguide W2 is not positioned above the waveguide W1 on which the foreign object C is positioned on the paper surface, and determines that the detour drawing space SB exists. (YES in step S4 and step S5). On the other hand, the detour determination unit 22 determines that another waveguide W2 is positioned below the waveguide W1 in which the foreign object C is positioned on the path, and determines that the detour non-drawing space SW exists. is determined (NO in steps S4 and S5).

そして、迂回路決定部22は、上記のスペースがあると判定したときに(工程S5でYES)、迂回路Bを異物Cの近傍にレーザ描画する位置を決定する(工程S6)。一方で、迂回路決定部22は、上記のスペースがないと判定したときに(工程S5でNO)、迂回路Bを異物Cの近傍にレーザ描画する位置を決定する処理を中止する。 Then, when the detour determination unit 22 determines that there is the space (YES in step S5), the detour determination unit 22 determines the position where the detour B is laser-drawn near the foreign object C (step S6). On the other hand, when the detour determination unit 22 determines that there is no space (NO in step S5), the detour determination unit 22 stops the process of determining the position where the detour B is laser-drawn in the vicinity of the foreign object C. FIG.

つまり、迂回路決定部22は、異物Cが経路上に位置する導波路W1のうちの、異物Cが位置する箇所の両側において、迂回路/導波路接点P1、P2の位置を決定する。そして、迂回路決定部22は、迂回路/導波路接点P1、P2の近傍において、方向性結合器B1、B2の位置を決定する。さらに、迂回路決定部22は、迂回路/導波路接点P1、P2の中間において、異物迂回箇所B3の位置を決定する(工程S6)。 That is, the detour determination unit 22 determines the positions of the detour/waveguide contacts P1 and P2 on both sides of the location where the foreign matter C is located in the waveguide W1 on which the foreign matter C is located. Then, the detour decision unit 22 decides the positions of the directional couplers B1 and B2 in the vicinity of the detour/waveguide contacts P1 and P2. Further, the detour determination unit 22 determines the position of the foreign matter detour point B3 in the middle of the detour/waveguide contacts P1 and P2 (step S6).

ここで、方向性結合器B1、B2は、100%方向性結合器であり、方向性結合器B1、B2の結合長は、導波路W1及び迂回路Bの屈折率、幅及び高さに基づいて決定される。そして、異物迂回箇所B3は、導波路W1と非結合の箇所であり、導波路W1との間の間隔は、導波路W1及び迂回路Bの屈折率、幅及び高さに基づいて決定される。 Here, the directional couplers B1, B2 are 100% directional couplers, and the coupling length of the directional couplers B1, B2 is based on the refractive index, width and height of the waveguide W1 and the detour B. determined by The foreign matter detour point B3 is a point that is not coupled to the waveguide W1, and the distance from the waveguide W1 is determined based on the refractive index, width and height of the waveguide W1 and the detour B. .

図5の第3段では、レーザ描画装置3は、異物Cの近傍に(工程S6の位置に)、迂回路Bをレーザ描画する(工程S7)。ここで、レーザ描画装置3は、フェムト秒レーザを用いている。そして、レーザ描画装置3は、方向性結合器B1、B2及び異物迂回箇所B3をレーザ描画することにより、迂回路Bをレーザ描画する(工程S7)。 In the third stage of FIG. 5, the laser drawing device 3 laser-writes the detour B in the vicinity of the foreign object C (at the position of step S6) (step S7). Here, the laser drawing device 3 uses a femtosecond laser. Then, the laser drawing device 3 draws the detour B by laser-drawing the directional couplers B1 and B2 and the foreign matter detour B3 (step S7).

このように、導波路の経路上に異物Cが混入したときでも、所望特性を得て光回路を廃棄せず、製造原価の高騰、リードタイムの長期化及びチップ廃棄による環境への悪影響等の面で課題を解決することができる。 In this way, even when foreign matter C is mixed in the path of the waveguide, the desired characteristics are obtained and the optical circuit is not discarded. You can solve the problem on the surface.

ここで、図3及び図4に示したいずれかの教師データに基づいて(人工知能による学習処理を用いてもよい。)、導波路の経路上の異物Cを検出することができる。 Here, based on any of the teacher data shown in FIGS. 3 and 4 (learning processing by artificial intelligence may be used), foreign matter C on the path of the waveguide can be detected.

そして、図3及び図4に示した大きさ、位置及び輝度差のいずれかに基づいて(人工知能による学習処理を用いてもよい。)、導波路の経路上の異物Cを検出することができる。 Then, based on any of the size, position and luminance difference shown in FIGS. 3 and 4 (learning processing by artificial intelligence may be used), the foreign matter C on the path of the waveguide can be detected. can.

さらに、異物Cの近傍の導波路の位置に基づいて、迂回路Bのレーザ描画の可否を判定したうえで、迂回路Bのレーザ描画の位置を決定することができる。 Furthermore, based on the position of the waveguide in the vicinity of the foreign object C, it is possible to determine the laser drawing position of the detour B after determining whether or not the detour B can be laser drawn.

本開示の光回路製造方法は、導波路を形成された光回路を製造するにあたり、導波路の経路上に異物が混入したときでも、所望特性を得て光回路を廃棄せず、製造原価の高騰、リードタイムの長期化及びチップ廃棄による環境への悪影響等の面で課題を解決することができる。 The method for manufacturing an optical circuit according to the present disclosure achieves desired characteristics and does not discard the optical circuit even when foreign matter is mixed in the path of the waveguide when manufacturing an optical circuit in which a waveguide is formed, thereby reducing the manufacturing cost. It is possible to solve problems in terms of adverse effects on the environment due to soaring prices, lengthening of lead time, and disposal of chips.

L:光回路製造システム
1:画像撮影装置
2:異物検出装置
3:レーザ描画装置
21:異物検出部
22:迂回路決定部
PC:良品画像
PL:撮影画像
D:ダイシングライン
G:研磨マーカー
C:異物
PC1、PC2、PC3、PC4:良品画像
PD1、PD2、PD3、PD4:不良品画像
W1、W2:導波路
SB:迂回路描画スペース
SW:迂回路非描画スペース
P1、P2:迂回路/導波路接点
LC:光回路チップ
B:迂回路
B1、B2:方向性結合器
B3:異物迂回箇所
L: optical circuit manufacturing system 1: imaging device 2: foreign matter detection device 3: laser drawing device 21: foreign matter detection unit 22: detour determination unit PC: non-defective product image PL: photographed image D: dicing line G: polishing marker C: Foreign matter PC1, PC2, PC3, PC4: Non-defective product images PD1, PD2, PD3, PD4: Defective product images W1, W2: Waveguide SB: Detour drawing space SW: Detour non-drawing space P1, P2: Detour/waveguide Contact LC: Optical circuit chip B: Detours B1, B2: Directional coupler B3: Foreign matter detour location

Claims (4)

導波路を形成された光回路を画像撮影する画像撮影工程と、
前記導波路の経路上の異物を前記光回路の撮影画像から検出する異物検出工程と、
前記異物を迂回する迂回路を前記異物の近傍にレーザ描画する迂回路描画工程と、
を順に備えることを特徴とする光回路製造方法。
an image capturing step of capturing an image of the optical circuit in which the waveguide is formed;
a foreign matter detection step of detecting a foreign matter on the path of the waveguide from the photographed image of the optical circuit;
a detour drawing step of laser-drawing a detour that bypasses the foreign matter in the vicinity of the foreign matter;
A method for manufacturing an optical circuit, comprising:
前記異物検出工程は、良品画像と、不良品画像と、前記不良品画像のうちの不良のある箇所と、のうちの少なくともいずれかを教師データとして、前記異物を検出する
ことを特徴とする、請求項1に記載の光回路製造方法。
In the foreign matter detection step, at least one of a non-defective product image, a defective product image, and a defective part in the defective product image is used as teacher data to detect the foreign substance. The optical circuit manufacturing method according to claim 1 .
前記異物検出工程は、前記撮影画像のうちの輝度の高い箇所の大きさと、前記撮影画像のうちの輝度の高い箇所の位置と、前記撮影画像のうちの輝度の高い箇所と輝度の低い箇所との間の輝度差と、のうちの少なくともいずれかに基づいて、前記異物を検出する
ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の光回路製造方法。
The foreign object detection step includes detecting the size of a high-brightness portion of the captured image, the position of the high-brightness portion of the captured image, and the high-brightness and low-brightness portions of the captured image. 3. The optical circuit manufacturing method according to claim 1, wherein the foreign matter is detected based on at least one of a luminance difference between and.
前記異物の近傍の前記導波路の位置に基づいて、前記迂回路を前記異物の近傍にレーザ描画するスペースがあるかどうかを判定し、前記スペースがあると判定したときに、前記迂回路を前記異物の近傍にレーザ描画する位置を決定する迂回路決定工程、
を前記異物検出工程と前記迂回路描画工程との間に備える
ことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の光回路製造方法。
Based on the position of the waveguide in the vicinity of the foreign matter, it is determined whether there is a space for laser drawing the detour in the vicinity of the foreign matter, and when it is determined that there is the space, the detour is written as the above. a detour determination step of determining a position to be laser-drawn near the foreign object;
is provided between the foreign matter detection step and the detour drawing step.
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