JP2022145086A - コイル部品及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】外部電極が意図しない部分に延びて形成されることを抑制すること。【解決手段】コイル部品３００は、鉄を主成分とする軟磁性合金からなる金属磁性粒子を含む磁性基体１０と、磁性基体１０に設けられるコイル導体３０と、磁性基体１０の表面に設けられ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び酸化タングステンのうちの少なくとも１つのフィラーを含有する低温焼結ガラスからなるガラス膜５０と、ガラス膜５０に接して設けられ、コイル導体３０に電気的に接続される外部電極６０と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、コイル部品及び電子機器に関する。

フェライトの代わりに磁気飽和特性に優れた軟磁性合金からなる金属磁性粒子を用いることがある。例えば、鉄、シリコン、アルミニウムを主成分とする合金粉末とホウ珪酸系ガラス又はシリカを含む耐熱性接着剤との複合体により形成された磁性体層と、導電性粉末により形成された導電体層と、を積層することでコイル部品を形成することが知られている（例えば特許文献１）。また、金属磁性粒子と熱硬化性樹脂を含有する金属磁性体ペーストにより形成された金属磁性体層と、導体ペーストにより形成された導体パターンと、を積層することでコイル部品を形成することが知られている（例えば特許文献２）。

特開平９－１４８１１８号公報 特開２００７－２７３５３号公報

軟磁性合金は、フェライトに比べて、電気抵抗が低い。このため、軟磁性合金からなる金属磁性粒子を用いて形成された磁性基体の表面に、電解めっき法を用いて外部電極を形成する場合に、外部電極が意図しない部分にまで延びて形成されてしまうことがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、外部電極が意図しない部分に延びて形成されることを抑制することを目的とする。

本発明は、鉄を主成分とする軟磁性合金からなる金属磁性粒子を含む磁性基体と、前記磁性基体に設けられるコイル導体と、前記磁性基体の表面に設けられ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び酸化タングステンのうちの少なくとも１つのフィラーを含有する低温焼結ガラスからなるガラス膜と、前記ガラス膜に接して設けられ、前記コイル導体に電気的に接続される外部電極と、を備えるコイル部品である。

上記構成において、前記外部電極は、金属膜と前記金属膜上のめっき膜とを含む構成とすることができる。

上記構成において、前記ガラス膜は、前記フィラーを１０体積％以上含有する構成とすることができる。

上記構成において、前記ガラス膜は、酸化チタンフィラー及び酸化ジルコニウムフィラーの少なくとも一方を含有するホウ珪酸ガラスからなる構成とすることができる。

上記構成において、前記ガラス膜は、前記磁性基体と前記外部電極との間に挟まれて設けられ、前記外部電極よりも大きな外形を有する構成とすることができる。

上記構成において、前記ガラス膜は、前記磁性基体の稜線に接して設けられる構成とすることができる。

上記構成において、前記ガラス膜は、前記外部電極と異なる色を有する構成とすることができる。

上記構成において、前記ガラス膜は、酸化マンガン、酸化コバルト、及びフェライトうちの少なくとも１つからなるフィラーを含有することで前記外部電極と色が異なる構成とすることができる。

本発明は、上記に記載のコイル部品と、前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える電子機器である。

本発明によれば、外部電極が意図しない部分に延びて形成されることを抑制できる。

図１（ａ）は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１のコイル部品をＡ方向から見た平面図である。 図２は、図１のコイル部品の断面図である。 図３は、図１のコイル部品の磁性基体の分解斜視図である。 図４（ａ）は、第１の比較形態に係るコイル部品の下面図であり、図４（ｂ）は、外部電極近傍の断面図である。 図５（ａ）は、第２の比較形態に係るコイル部品の外部電極近傍の断面図であり、図５（ｂ）は、めっき膜を形成する前の断面図である。 図６（ａ）は、析出物近傍の走査型電子顕微鏡像の模式図であり、図６（ｂ）から図６（ｄ）は、図６（ａ）部分の、エネルギー分散型Ｘ線分析画像の模式図である。 図７（ａ）は、第１の実施形態に係るコイル部品の走査型電子顕微鏡像の模式図であり、図７（ｂ）から図７（ｅ）は、図７（ａ）部分の、エネルギー分散型Ｘ線分析画像の模式図である。 図８（ａ）は、第１の実施形態に係るコイル部品の下面図であり、図８（ｂ）は、外部電極近傍の断面図である。 図９は、バレル研磨を行った後のコイル部品の磁性基体の稜線（辺）のＲ部に設けられた外部電極の部分の断面図である。 図１０は、第１の実施形態の変形例に係るコイル部品の外部電極を透視してガラス膜の状態を示した平面図である。 図１１（ａ）は、本願発明の第２の実施形態に係るコイル部品の斜視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のコイル部品の断面図である。 図１２（ａ）は、本願発明の第３の実施形態に係るコイル部品の斜視図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のコイル部品の断面図である。 図１３（ａ）は、本願発明の第４の実施形態に係るコイル部品の斜視図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のコイル部品の断面図である。 図１４は、本願発明の第５の実施形態に係るコイル部品の断面図である。 図１５は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品を備える電子機器の断面図である。

以下、図面を適宜参照しながら、本願発明の実施形態について説明する。但し、本願発明は図示された態様に限定される訳ではない。また、複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。

［第１の実施形態］
図１（ａ）は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品３００の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１のコイル部品３００をＡ方向から見た平面図である。図１（ｂ）では、外部電極６０を透視して図示している。図２は、図１のコイル部品３００の断面図である。図３は、図１のコイル部品３００の磁性基体１０の分解斜視図である。なお、図１（ａ）及び図２では、図の明確化のために、後述する図８とは外部電極６０の４辺それぞれの部分でのガラス膜５０の大きさが異なり、ガラス膜５０の露出部を大きく図示している。図１（ａ）、図１（ｂ）、図２、及び図３には、様々な回路で受動素子として用いられる積層インダクタが示されている。積層インダクタは、本願発明に適用可能なコイル部品の一例である。本願発明は、ＤＣ－ＤＣコンバータに用いられるパワーインダクタ又はそれ以外の様々なコイル部品に適用することができる。

本第１の実施形態におけるコイル部品３００は、図１（ａ）、図１（ｂ）、図２、及び図３に示すように、磁性基体１０と、磁性基体１０に埋設されたコイル導体３０と、ガラス膜５０と、コイル導体３０に電気的に接続された一対の外部電極６０と、を備える。コイル部品３００の「長さ」方向、「幅」方向、「高さ」方向をそれぞれ、「Ｌ軸」方向、「Ｗ軸」方向、「Ｔ軸」方向とする。Ｌ軸、Ｗ軸、Ｔ軸は、互いに直交している。コイル導体３０のコイル軸Ａは、Ｔ軸方向に沿って延びている。磁性基体１０の大きさは、特に制限を受けないが、例えば長さ寸法（Ｌ軸方向の寸法）が０．２ｍｍ～６．０ｍｍ、幅寸法（Ｗ軸方向の寸法）が０．１ｍｍ～４．５ｍｍ、高さ寸法（Ｔ軸方向の寸法）が０．１ｍｍ～４．０ｍｍである。

磁性基体１０は、概ね直方体の形状（略直方体形状）をしている。磁性基体１０は、６つの面によって外面が画定されている。なお、略直方体形状とは、各頂点が丸みを帯びている場合、各稜（各面の境界部）が丸みを帯びている場合、又は各面が曲面を有している場合などを含むものである。

本第１の実施形態において、コイル部品３００の上下方向を言及する場合には、図１（ａ）、図２、及び図３における上下方向を基準とする。つまり、Ｔ軸方向の正方向を上方向、負方向を下方向とする。

磁性基体１０は、鉄を主成分とする軟磁性合金からなる金属磁性粒子を含んで形成されている。本第１の実施形態では、磁性基体１０は、複数の金属磁性粒子が金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜を介して結合することで形成されているとするが、磁性基体１０は、複数の金属磁性粒子が樹脂により固められることで形成されてもよい。金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜は、軟磁性合金の酸化物である。鉄を主成分とするとは、軟磁性合金を構成する元素の合計量に対する鉄の割合が５０ｗｔ％（重量％）以上の場合であり、７０ｗｔ％以上の場合でもよく、８０ｗｔ％以上の場合でもよく、９０ｗｔ％以上の場合でもよい。

例えば、金属磁性粒子は、鉄とシリコンを含む合金粒子であってもよいし、鉄と鉄よりもイオン化傾向が大きい金属元素Ｍとを含む合金粒子であってもよい。金属元素Ｍとして、例えばクロム、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、マンガン等が挙げられる。一例として、金属磁性粒子は、鉄とシリコンと鉄よりもイオン化傾向が大きい１種類以上の金属元素Ｍ（例えばクロム及びアルミニウムの少なくとも一方）との合金粒子であってもよい。鉄の割合は８５ｗｔ％～９７ｗｔ％、シリコンの割合は１．５ｗｔ％～７ｗｔ％、金属元素Ｍの割合は１．５ｗｔ％～８ｗｔ％であってもよい。金属磁性粒子は、酸素及び／又は炭素などの意図しない不純物を含んでいてもよい。不純物の割合は１ｗｔ％以下であってもよい。また、金属磁性粒子は、コバルト、ニッケル、銅、硫黄、リン、及び／又はホウ素などを含んでいてもよい。金属磁性粒子の組成比は、例えば磁性基体１０の断面を走査型電子顕微鏡により２０００倍から２００００倍程度で撮影し、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）によるＺＡＦ法で算出することができる。

コイル導体３０は、周回部３２を有する。周回部３２は、周回パターンＣ１１～Ｃ１５とビアＶ１～Ｖ４とを有する。周回パターンＣ１１～Ｃ１５は、コイル軸Ａに直交する平面（ＬＷ平面）に沿って延びるとともに、コイル軸Ａの方向（Ｔ軸方向）において互いに離れている。周回パターンＣ１１～Ｃ１５のうちＴ軸方向で隣接する周回パターンは、ビアＶ１～Ｖ４を介して電気的に接続されている。これにより、コイル軸Ａを周回する周回部３２が形成される。

周回部３２の一端は、ビアＶ５、Ｖ６により形成される引出部３４ａにより一方の外部電極６０に電気的に接続されている。周回部３２の他端は、ビアＶ１１～Ｖ１６により形成される引出部３４ｂにより他方の外部電極６０に電気的に接続されている。

磁性基体１０は、周回部３２が設けられた磁性体層１１～１５からなる本体部２０と、本体部２０上に設けられ、１又は複数の層からなる上部カバー層１６と、本体部２０下に設けられ、１又は複数の層からなる下部カバー層１７と、を有する。周回パターンＣ１１及びビアＶ１、Ｖ１１は磁性体層１１に形成され、周回パターンＣ１２及びビアＶ２、Ｖ１２は磁性体層１２に形成され、周回パターンＣ１３及びビアＶ３、Ｖ１３は磁性体層１３に形成され、周回パターンＣ１４及びビアＶ４、Ｖ１４は磁性体層１４に形成され、周回パターンＣ１５及びビアＶ５、Ｖ１５は磁性体層１５に形成されている。ビアＶ６、Ｖ１６は下部カバー層１７に形成されている。

周回パターンＣ１１～Ｃ１５及びビアＶ１～Ｖ６、Ｖ１１～Ｖ１６は、導電性に優れた金属材料、例えば銀、パラジウム、銅、アルミニウム、又はこれらの合金により形成される。

ガラス膜５０は、磁性基体１０の表面に設けられている。本第１の実施形態では、ガラス膜５０は、磁性基体１０の外面を構成する６つの面のうちの下面に、Ｌ軸方向に分離して設けられている。ガラス膜５０は、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、及び酸化タングステン（ＷＯ_３）のうちの少なくとも一つの金属酸化物フィラーを含有する低温焼結ガラスにより形成されている。例えば、ガラス膜５０は、酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスにより形成されているとする。酸化チタンフィラーの含有量は、例えば１０ｖｏｌ％（体積パーセント）以上である。ガラス膜５０中のガラス部分と金属酸化物フィラー部分はＳＥＭ観察によって区別できる。例えば、ガラス部分は不定形状に観察される。金属酸化物フィラー部分は粒界を持つ粒子として観察される。両者はコントラストによって区別でき、又、ＥＤＳ分析によって成分分析を行うことで区別することも出来る。

外部電極６０は、ガラス膜５０に接して設けられている。外部電極６０は、平面視において、ガラス膜５０と重なるように設けられていてもよい。本第１の実施形態では、外部電極６０は、引出部３４ａまたは引出部３４ｂが磁性基体１０より露出されている部分とその周囲に設けられた開口５２ａまたは開口５２ｂの部分を除いて、ガラス膜５０の下面に設けられている。すなわち、引出部３４ａまたは引出部３４ｂが磁性基体１０より露出されている部分とその周囲に設けられた開口５２ａまたは開口５２ｂの部分を除いて、外部電極６０と磁性基体１０の間にガラス膜５０が挟まれている。平面視において、ガラス膜５０は外部電極６０よりも大きい。すなわち、平面視において、外部電極６０はガラス膜５０全てを覆っておらず、ガラス膜５０が単独で目視できる部分がある。一対の外部電極６０のうちの一方は、ガラス膜５０に設けられた開口５２ａに埋め込まれることで引出部３４ａに電気的に接続され、他方は、ガラス膜５０に設けられた開口５２ｂに埋め込まれることで引出部３４ｂに電気的に接続されている。開口５２ａまたは開口５２ｂの大きさは引出部３４ａまたは引出部３４ｂが磁性基体１０より露出されている部分より大きく、その周囲にまで設けられていることが望ましいが、引出部３４ａまたは引出部３４ｂが磁性基体１０より露出されている部分と同じ寸法に設けられていてもよい。また、開口５２ａまたは開口５２ｂの大きさが引出部３４ａまたは引出部３４ｂが磁性基体１０より露出されている部分に対して小さく、引出部３４ａまたは引出部３４ｂが磁性基体１０より露出されている部分の一部をガラス膜５０が覆っていてもよい。外部電極６０は、金属膜６２と、金属膜６２の下面に設けられためっき膜６４と、を有する。金属膜６２は、例えば銀、パラジウム、銅、又はこれらの合金により形成される。めっき膜６４は、例えばニッケルめっき膜と錫めっき膜との積層膜である。

［製造方法］
本第１の実施形態に係るコイル部品３００の製造方法の一例を説明する。まず、上部カバー層１６となる上部積層体を形成する。上部積層体は、複数の磁性体シートを積層することにより形成される。磁性体シートは、例えば、プラスチック製のベースフィルムの表面にスラリーを塗布して乾燥させ、乾燥後のスラリーを所定のサイズに切断することで得られる。スラリーは、鉄を主成分とする軟磁性合金からなる金属磁性粒子を有機バインダー及び溶剤などと混合して作製される。有機バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂又はエポキシ樹脂などの絶縁性に優れた樹脂材料が用いられる。溶剤としては、例えばトルエンなどが用いられる。

次に、下部カバー層１７となる下部積層体を形成する。下部積層体は、上述した磁性体シートに未焼成の導体ビアが設けられた複合シートを積層することにより形成される。複合シートは、磁性体シートのビアＶ６、Ｖ１６に相当する位置に貫通孔を形成し、この貫通孔に例えばスクリーン印刷を用いて導電ペーストを埋め込むことで得られる。なお、導体ビアは、スクリーン印刷以外の方法により形成されてもよい。

次に、本体部２０となる中間積層体を形成する。中間積層体は、磁性体層１１～１５となる磁性体シートに周回パターンＣ１１～Ｃ１５となる未焼成の導体パターンとビアＶ１～Ｖ５、Ｖ１１～Ｖ１５となる未焼成の導体ビアが設けられた複合シートを積層することにより形成される。この複合シートを形成するために、まず上述した磁性体シートのビアＶ１～Ｖ５、Ｖ１１～Ｖ１５に相当する位置に貫通孔を形成する。次に、磁性体シートに例えばスクリーン印刷を用いて導電ペーストを印刷することで、磁性体シートに未焼成の導体パターンを形成する。このとき、磁性体シートに形成された貫通孔に導電ペーストが埋め込まれるようにする。これにより、磁性体シートに、周回パターンＣ１１～Ｃ１５となる未焼成の導体パターン及びビアＶ１～Ｖ５、Ｖ１１～Ｖ１５となる未焼成の導体ビアが形成される。なお、導体パターン及び導体ビアは、スクリーン印刷以外の方法により形成されてもよい。

次に、磁性基体１０の最下層となる磁性体シート（例えば、下部積層体の最下層の磁性体シート）の下面にガラス膜５０となる絶縁体パターンを形成する。絶縁体パターンは、酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラスペーストを印刷することにより形成される。次に、ガラス膜５０となる絶縁体パターンの下面に導電ペーストを塗布することで、外部電極６０の金属膜６２となる未焼成の導体パターンを形成する。ガラス膜５０となる絶縁体パターンおよび外部電極６０の金属膜６２となる未焼成の導体パターンは、磁性基体１０の最下層となる磁性体シートに形成する場合以外に、後述の圧着により本体積層体を形成した後、もしくは本体積層体を個片化してチップ積層体を形成した後、もしくは、チップ積層体を熱処理した後に形成することも出来る。この場合は磁性基体１０の最下層となる磁性体シートには、この段階でガラス膜５０となる絶縁体パターンおよび外部電極６０の金属膜６２となる未焼成の導体パターンは形成されない。

次に、下部積層体、中間積層体、及び上部積層体をＴ軸方向の負方向側から正方向側に向かってこの順序で積層する。積層体をプレス機により熱圧着することで本体積層体を形成する。本体積層体を形成する工程において、ガラス膜５０となる絶縁体パターン及び外部電極６０の金属膜６２となる導体パターンに対して積層方向に圧力が加えられる。このため、ガラス膜５０となる絶縁体パターン及び外部電極６０の金属膜６２となる導体パターンが磁性基体１０の最下層となる磁性体シートの下面に埋め込まれる場合がある。ガラス膜５０となる絶縁体パターンおよび外部電極６０の金属膜６２となる未焼成の導体パターンを圧着後に形成する場合、この段階で、絶縁体パターンおよび導体パターンの順に形成される。各パターンの形成は、適宜既存の方法を適用できる。例えばスクリーン印刷を用いてもよく、例えば転写法を用いてもよい。

次に、ダイシング機又はレーザ加工機などの切断機を用いて本体積層体を所望のサイズに個片化することでチップ積層体を形成する。ガラス膜５０となる絶縁体パターンおよび外部電極６０の金属膜６２となる未焼成の導体パターンを個片化後に形成する場合、この段階で、絶縁体パターン及び導体パターンの順に形成される。各パターンの形成は、適宜既存の方法を適用できる。例えばスクリーン印刷を用いてもよく、例えば転写法を用いてもよく、例えばディッピング法を用いても良い。次に、チップ積層体に対して焼成のための熱処理を行う。熱処理は、酸素を含む雰囲気下で所定温度にて行われる。この熱処理によって、下部積層体、中間積層体、及び上部積層体に含まれる金属磁性粒子の表面に金属磁性粒子の材料成分の酸化物からなる酸化膜が形成され、かつ、複数の金属磁性粒子が酸化膜を介して互いに結合する。このチップ積層体の端部に対して、必要に応じて、バレル研磨などの研磨処理を行う。ガラス膜５０となる絶縁体パターンおよび外部電極６０の金属膜６２となる導体パターンを熱処理後に形成する場合、この段階で、絶縁体パターン及び導体パターンの順に形成される。各パターンの形成は、適宜既存の方法を適用できる。例えばスクリーン印刷を用いてもよく、例えば転写法を用いてもよく、例えばディッピング法を用いてもよく、スパッタ等の薄膜プロセスを用いてもよい。ガラス膜５０となる絶縁体パターンおよび外部電極６０の金属膜６２となる導体パターンが形成された後、必要に応じて熱処理が行われ、ガラス膜５０と金属膜６２を得ることができる。

次に、外部電極６０の金属膜６２となる導体パターンの表面に、電解めっき法を用いてめっき膜を形成することで、金属膜６２とめっき膜６４からなる外部電極６０を形成する。これにより、コイル部品３００が得られる。

［第１の比較形態］
第１の比較形態に係るコイル部品は、磁性基体の下面にガラス膜が設けられていない点で、第１の実施形態に係るコイル部品３００と異なる。第１の比較形態に係るコイル部品のその他の構成は、第１の実施形態に係るコイル部品３００と同じである。また、第１の比較形態に係るコイル部品は、ガラス膜を形成しない点以外は、第１の実施形態で説明した製造方法と同じ方法により形成される。

図４（ａ）は、第１の比較形態に係るコイル部品１０００の下面図であり、図４（ｂ）は、外部電極１６０近傍の断面図である。図４（ａ）は、コイル部品１０００の下面を光学顕微鏡で観察した顕微鏡画像を模式的に表した図であり、図４（ｂ）は、コイル部品１０００の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したＳＥＭ像を模式的に表した図である。観察したコイル部品１０００は、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系の軟磁性合金からなる金属磁性粒子が金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜を介して結合することで磁性基体１１０が形成されている。コイル導体１３０は銀で形成され、外部電極１６０は銀からなる金属膜１６２と、電解めっき法により形成されたニッケルめっき膜１６６と錫めっき膜１６８からなるめっき膜１６４と、で形成されている。

図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、第１の比較形態に係るコイル部品１０００では、めっき膜１６４が金属膜１６２よりも外側に延びて形成された。特に、磁性基体１１０を構成する稜線近傍（辺近傍）においてめっき膜１６４は大きく延びて形成された。

このように、めっき膜１６４が金属膜１６２よりも外側に延びて形成されたのは、以下の理由によるものと考えられる。磁性基体１１０は、鉄を主成分とする軟磁性合金からなる金属磁性粒子が金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜を介して結合することで形成されている。磁性基体１１０の表面は、製造プロセス（例えばバレル研磨や異物除去処理など）により物理的な衝撃を受けるため、金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜がダメージを受けることが考えられる。金属磁性粒子である軟磁性合金はその表面に生成している酸化膜に比べて電気抵抗が低いことから、金属磁性粒子の表面の酸化膜がダメージを受けることで、磁性基体１１０の表面における電気抵抗が低くなることが考えられる。特に、磁性基体１１０の稜線近傍（辺近傍）や頂点近傍（角近傍）は、製造プロセスによる物理的な衝撃を受け易いと考えられるため、この部分のみ局部的に電気抵抗が低くなり易いと考えられる。このようなことから、電解めっき法によりめっき膜１６４を形成するときに、めっき膜１６４が金属膜１６２よりも外側に延びて形成されたものと考えられ、特に金属膜１６２のうちで、磁性基体１１０の稜線近傍（辺近傍）や頂点近傍（角近傍）に形成されている部分で、めっき膜１６４が金属膜１６２よりも外側に延びて形成されたと考えられる。

電子機器の小型化に伴い、コイル部品の小型化も進んでいるため、一対の外部電極１６０どうしの間隔が狭くなってきている。このため、外部電極１６０が意図しない部分にまで延びて形成されると、一対の外部電極１６０の間の耐圧が不十分になり、コイル部品１０００に不具合が生じる恐れがある。このような場合、特に本発明を実施することで、そのような不具合を防止することができる。

［第２の比較形態］
外部電極１６０が意図しない部分にまで延びて形成されることを抑制するために、磁性基体１１０と外部電極１６０の間に絶縁性のガラス膜を設けることが考えられる。そこで、第２の比較形態に係るコイル部品では、磁性基体１１０と外部電極１６０を構成する金属膜１６２との間にホウ珪酸ガラス（酸化チタンフィラーを含有せず）からなるガラス膜を設けた。第２の比較形態に係るコイル部品は、ガラス膜の材質が異なる点以外は、第１の実施形態と同じ構成をしている。また、第２の比較形態に係るコイル部品は、ガラス膜の材質を異ならせる以外は、第１の実施形態で説明した製造方法と同じ方法により形成される。

図５（ａ）は、第２の比較形態に係るコイル部品１１００の外部電極１６０近傍の断面図であり、図５（ｂ）は、めっき膜１６４を形成する前の断面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）は、コイル部品１１００の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したＳＥＭ像を模式的に表した図である。観察したコイル部品１１００は、第１の比較形態と同様、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系の軟磁性合金からなる金属磁性粒子が金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜を介して結合することで磁性基体１１０が形成されている。コイル導体１３０は銀で形成され、外部電極１６０は銀からなる金属膜１６２と、電解めっき法により形成されたニッケルめっき膜１６６と錫めっき膜１６８からなるめっき膜１６４と、で形成されている。ガラス膜１５０は、酸化チタンフィラーを含有しないホウ珪酸ガラスで形成されている。

図５（ａ）に示すように、磁性基体１１０の表面にガラス膜１５０を形成した場合でも、めっき膜１６４は金属膜１６２よりも外側に延びて形成された。また、ガラス膜１５０近傍の磁性基体１１０の領域１８０は、磁性基体１１０の他の領域と比べて、変質していることが観察された。また、ガラス膜１５０とニッケルめっき膜１６６との間、及び、磁性基体１１０とニッケルめっき膜１６６との間などに、析出物１９０が形成されていることが観察された。図５（ｂ）に示すように、変質した領域１８０及び析出物１９０は、めっき膜１６４を形成する前でも観察された。

次に、析出物１９０をエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）により評価した。図６（ａ）は、析出物１９０近傍を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したＳＥＭ像の模式図、図６（ｂ）から図６（ｄ）は、図６（ａ）の部分の、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）画像の模式図である。図６（ｂ）、図６（ｃ）、図６（ｄ）は、それぞれ鉄、シリコン、酸素のＫ線をマッピングしている。ハッチング領域は該当する元素が多く含まれる領域であり、ハッチングが濃い領域は薄い領域に比べて該当する元素の含有量が多いことを示している（後述の図７（ｂ）から図７（ｅ）も同じ）。

図６（ａ）に示すように、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）を行った画像は、磁性基体１１０の表面にガラス膜１５０が形成され、ガラス膜１５０の表面に析出物１９０が形成されている。図６（ｂ）から図６（ｄ）に示すように、析出物１９０には、鉄とシリコンと酸素が分布していることが確認された。析出物１９０に鉄とシリコンと酸素が含まれているのは以下の理由によるものと考えられる。すなわち、磁性基体１１０を形成する熱処理においてガラス膜１５０が軟化して磁性基体１１０内に拡散し（これにより変質した領域１８０が形成されたものと考えられる）、これによりガラス膜１５０に鉄が取り込まれ、その結果、鉄とシリコンと酸素を含む析出物１９０が形成されたと考えられる。析出物１９０に鉄とシリコンと酸素が含まれていることから、析出物１９０には鉄の酸化物とシリコンの酸化物が含まれていると推測される。鉄の酸化物にはヘマタイト（Ｆｅ_２Ｏ_３）とマグネタイト（Ｆｅ_３Ｏ_４）があるが、析出物１９０の酸素の量が多いことから、鉄の酸化物としてマグネタイトを多く含んでいることが考えられる。マグネタイトの電気抵抗率は、ガラス膜１５０における二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）の電気抵抗率に比べて低い。したがって、ガラス膜１５０の下面に析出物１９０が析出されることで電気抵抗が低くなったと推測される。

このように、ガラス膜１５０の下面に析出物１９０が析出されて電気抵抗が低くなったために、めっき膜１６４が金属膜１６２からガラス膜５０の下面及び磁性基体１１０の下面にまで延びて形成されたものと考えられる。

［第１の実施形態の評価］
図７（ａ）は、第１の実施形態に係るコイル部品３００の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したＳＥＭ像の模式図であり、図７（ｂ）から図７（ｅ）は、図７（ａ）の部分の、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）画像の模式図である。図７（ｂ）、図７（ｃ）、図７（ｄ）、図７（ｅ）は、それぞれ鉄、シリコン、酸素、チタンのＫ線をマッピングしている。図７（ａ）は、めっき膜６４が形成される前のＳＥＭ像の模式図であり、磁性基体１０の表面にガラス膜５０が形成され、ガラス膜５０の表面に金属膜６２が形成されている。観察したコイル部品３００は、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系の軟磁性合金からなる金属磁性粒子が金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜を介して結合することで磁性基体１０が形成されている。外部電極６０の金属膜６２は銀で形成され、ガラス膜５０は酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスで形成されている。図７（ａ）から図７（ｅ）の例では、酸化チタンフィラーの含有量は２５ｖｏｌ％である。

図７（ａ）に示すように、第１の実施形態のコイル部品３００では、磁性基体１０に変質した領域は観察されず、磁性基体１０の表面及びガラス膜５０の表面に析出物は観察されなかった。酸化チタンフィラーを含有するガラス膜５０を用いることで、磁性基体１０の変質、並びに、磁性基体１０の表面及びガラス膜５０の表面の析出物の形成が抑制されたのは以下の理由によるものと考えられる。すなわち、酸化チタンフィラーが含有されたホウ珪酸ガラスをガラス膜５０に用いることで、磁性基体１０を形成するための熱処理を行っても、ガラス膜５０が軟化し難い又は軟化してもガラス膜５０の粘度が低下し難くなると推測される。これは、酸化チタンフィラーの周囲にガラス成分が保持されているためと考えられる。このため、磁性基体１０を形成する熱処理を行っても、ガラス膜５０が磁性基体１０内に拡散することが抑制され、その結果、磁性基体１０の変質、並びに、磁性基体１０及びガラス膜５０の表面の析出物の形成が抑制されたものと推測される。

図７（ｂ）に示すように、鉄は、磁性基体１０内に分布し、ガラス膜５０にはほとんど分布していなかった。図７（ｃ）に示すように、シリコンは、磁性基体１０とガラス膜５０の両方に分布していたが、ガラス膜５０は磁性基体１０に比べて含有量が多かった。図７（ｄ）に示すように、酸素は、ガラス膜５０に多く含有され、磁性基体１０にも少し含有されていた。図７（ｅ）に示すように、チタンは、ガラス膜５０に多く含有され、磁性基体１０にはほとんど含有されていなかった。

図８（ａ）は、第１の実施形態に係るコイル部品３００の下面図であり、図８（ｂ）は、外部電極６０近傍の断面図である。図８（ａ）は、コイル部品３００の下面を光学顕微鏡で観察した顕微鏡画像を模式的に表した図であり、図８（ｂ）は、コイル部品３００の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したＳＥＭ像を模式的に表した図である。観察したコイル部品３００は、上述したように、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系の軟磁性合金からなる金属磁性粒子が金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜を介して結合することで磁性基体１０が形成されている。コイル導体３０及び外部電極６０の金属膜６２は銀で形成され、ガラス膜５０は酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスで形成されている。図８（ａ）及び図８（ｂ）の例では、酸化チタンフィラーの含有量は２５ｖｏｌ％である。外部電極６０のめっき膜６４は、電解めっき法により形成され、ニッケルめっき膜６６と錫めっき膜６８で構成されている。

図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第１の実施形態に係るコイル部品３００では、めっき膜６４が金属膜６２から外側に延びて形成されることが抑制されている。これは、酸化チタンフィラーを含有するガラス膜５０を用いることで、図７（ａ）に示したように、ガラス膜５０の表面及び磁性基体１０の表面に析出物が形成されることが抑制されたために、電気抵抗の低下が抑制されたためと考えられる。

以上のように、本第１の実施形態によれば、図１（ａ）及び図２に示すように、磁性基体１０の表面に酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラス膜５０が設けられている。外部電極６０は、ガラス膜５０に接して設けられている。ガラス膜５０が酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなることで、磁性基体１０の製造工程において熱処理を行った場合でも、ガラス膜５０の表面に析出物が形成されることが抑制されて電気抵抗が低くなることを抑制できる。よって、このようなガラス膜５０に接して外部電極６０を形成することで、外部電極６０が意図しない部分にまで延びて形成されることを抑制できる。

なお、上記第１の実施形態では、ガラス膜５０は、酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなる場合を例に示したが、この場合に限られず、Ｆｅとの反応性に乏しく、ガラス化すると高軟化点となるような金属元素としてのジルコニウムの酸化物（酸化ジルコニウム）のフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなる場合でもよい。また、同様の理由から、ガラス膜５０は、酸化タングステンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなる場合でもよい。また、ガラス膜５０は、ホウ珪酸ガラスの場合に限られず、低温焼結ガラスの場合であればよい。これらの場合でも、磁性基体１０及びガラス膜５０の表面に析出物が形成されることを抑制できる。

また、本第１の実施形態では、外部電極６０は、金属膜６２と金属膜６２上のめっき膜６４とを含んで構成されている。ガラス膜５０の表面の電気抵抗が低い場合、めっき膜６４は延びて形成され易いが、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び酸化タングステンのうちの少なくとも１つのフィラーを含有する低温焼結ガラスからなるガラス膜５０を用いることで、ガラス膜５０の表面の電気抵抗の低下が抑制され、めっき膜６４が延びて形成されることを抑制できる。

また、本第１の実施形態では、ガラス膜５０は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び酸化タングステンのうちの少なくとも１つのフィラーを１０ｖｏｌ％（体積％）以上含有している。これにより、外部電極６０が意図しない部分まで延びて形成されることを効果的に抑制できる。外部電極６０が意図しない部分まで延びて形成されることを抑制する点から、フィラーの含有量は１５ｖｏｌ％以上の場合が好ましく、２０ｖｏｌ％以上の場合がより好ましく、２５ｖｏｌ％以上の場合が更に好ましい。一方、ガラス膜５０を形成するためのガラスペーストの製造の点から、フィラーの含有量が多すぎると、ガラスペーストの粘度が上昇し、分散性が悪くなる。このため、フィラーの含有量は６０ｖｏｌ％以下としないと工業的にガラスペーストを製作するのは困難であり、５０ｖｏｌ％以下の場合が好ましく、さらに、印刷のしやすさを考慮した粘度特性とすることを考えて４０ｖｏｌ％以下とした場合が更に好ましい。ガラス膜５０中のガラス部分とフィラー部分はＳＥＭ観察によって区別できる。例えば、ガラス部分は不定形状に観察される。フィラー部分は粒界を持つ粒子として観察される。両者はコントラストによって区別でき、又、ＥＤＳ分析によって成分分析を行うことで区別することも出来る。ガラス膜５０中のフィラーの含有量は、ガラス膜５０を平面視してＳＥＭにて２０００倍から２００００倍に拡大観察した時の、フィラーの面積とその他のガラス部分の面積より算出できる。フィラー部分とその他のガラス部分は、コントラストで区別でき、例えば２値化もしくは多値化技術を用いて各々の面積を算出できる。また、コントラストで区別が難しい場合でも、ＥＤＳ分析によって、マッピングを行うことで、その部分の元素組成を求めて、フィラー部分とその他のガラス部分を特定し各々の面積を算出できる。

また、本第１の実施形態では、ガラス膜５０は、磁性基体１０の稜線（辺）に接して設けられている。磁性基体１０の稜線（辺）及び頂点（角）は、製造プロセス（例えばバレル研磨や異物除去処理など）により物理的な衝撃を受けるため、金属磁性粒子の表面に形成された酸化膜がダメージを受けることによって電気抵抗が低くなり易く、外部電極６０が延びて形成され易い。したがって、磁性基体１０の稜線（辺）に接してガラス膜５０が設けられることで、外部電極６０が意図しない部分まで延びて形成されることを効果的に抑制できる。

また、本第１の実施形態では、ガラス膜５０は、引出部３４ａまたは引出部３４ｂが磁性基体１０より露出されている部分とその周囲に設けられた開口５２ａまたは開口５２ｂの部分とを除いて、磁性基体１０と外部電極６０の間に挟まれて設けられ、外部電極６０よりも大きな外形を有する。すなわち、平面視において、外部電極６０はガラス膜５０全てを覆っておらず、ガラス膜５０が単独で目視できる部分がある。これにより、外部電極６０が意図しない部分まで延びて形成されることを効果的に抑制できる。

また、上記第１の実施形態において、ガラス膜５０は外部電極６０と異なる色である場合が好ましい。これにより、外部電極６０が意図しない部分に延びて形成されているか否かの判断を画像認識により行うことができる。言い換えると、画像認識においてガラス膜５０が設けられた領域を外部電極６０が延びて形成された領域であると誤認識することを抑制できる。ガラス膜５０は、酸化マンガン、酸化コバルト、及びフェライトのうちの少なくとも１つのフィラーを含有することで、外部電極６０と異なる色となっている場合でもよい。これにより、ガラス膜５０を外部電極６０と異なる色にすることを容易に実現できる。

なお、上記第１の実施形態において、コイル部品３００の製造工程で、熱処理後のチップ積層体に対してバレル研磨を行う場合が好ましい。バレル研磨を行うことで、図９に示すように、磁性基体１０の稜線（辺）が面取りされ、ガラス膜５０が露出し易くなる。磁性基体１０の稜線（辺）はめっき膜６４が延びて形成され易い箇所であるが、この箇所にガラス膜５０が露出することで、めっき膜６４の延びが抑制され、外部電極６０が意図しない部分に形成されることを抑制できる。

［第１の実施形態の変形例］
図１０は、第１の実施形態の変形例に係るコイル部品３１０の平面図である。図１０では、外部電極６０を透視して図示している。第１の実施形態の変形例に係るコイル部品３１０では、図１０に示すように、ガラス膜５０は、磁性基体１０の稜線（辺）に沿って延びたコの字形状をしている。磁性基体１０の稜線（辺）はめっき膜が延びて形成され易い箇所である。ガラス膜５０がこのような形状をしている場合でも、めっき膜が延びて形成され易い箇所で、実際にめっき膜が伸びることが抑制され、外部電極６０が意図しない部分に形成されることを抑制できる。

［第２の実施形態］
図１１（ａ）は、本願発明の第２の実施形態に係るコイル部品４００の斜視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のコイル部品４００の断面図である。第２の実施形態に係るコイル部品４００では、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、磁性基体１０の下面のうち引出部３４ａまたは引出部３４ｂが磁性基体１０より露出されている部分とその周囲に設けられた開口５２ａまたは開口５２ｂの部分とを除いた領域の全てにガラス膜５０が設けられている。その他の構成は、第１の実施形態に係るコイル部品３００と同じであるため説明を省略する。

本第２の実施形態においても、磁性基体１０の表面に酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、及び酸化タングステン（ＷＯ_３）のうちの少なくとも一つの金属酸化物フィラーを含有する低温焼結ガラスにより形成されたガラス膜５０が設けられている。例えば、酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラス膜５０が設けられ、外部電極６０はガラス膜５０に接して設けられている。よって、第１の実施形態と同様に、外部電極６０が意図しない部分にまで延びて形成されることを抑制できる。

また、本第２の実施形態では、ガラス膜５０は磁性基体１０の下面全体に設けられているため、外部電極６０が意図しない部分に形成されることを更に抑制できる。更に、ガラス膜５０が磁性基体１０の下面全体に設けられているということは、外部電極６０どうしの間にガラス膜５０が存在することになり、外部電極６０どうしの短絡を抑制することができる。

［第３の実施形態］
図１２（ａ）は、本願発明の第３の実施形態に係るコイル部品５００の斜視図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のコイル部品５００の断面図である。第３の実施形態に係るコイル部品５００では、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、ガラス膜５０は、磁性基体１０の下面から端面（ＷＴ面）にかけて延びている。外部電極６０も同様に、磁性基体１０の下面から端面にかけて延びている。引出部３４ａ及び３４ｂは、Ｌ軸方向に延びて形成され、磁性基体１０の端面において外部電極６０に接続されている。ガラス膜５０および外部電極６０を磁性基体１０の端面（ＷＴ面）に形成するためには、個片化以降の工程で形成することが望ましいことから、ガラス膜５０となる絶縁体パターンおよび外部電極６０の金属膜６２となる未焼成の導体パターンの形成は、個片化後、もしくは熱処理後の段階で、順に各々形成される。その他の構成は、第１の実施形態に係るコイル部品３００と同じであるため説明を省略する。

本第３の実施形態においても、磁性基体１０の表面に酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、及び酸化タングステン（ＷＯ_３）のうちの少なくとも一つの金属酸化物フィラーを含有する低温焼結ガラスにより形成されたガラス膜５０が設けられている。例えば、酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラス膜５０が設けられ、外部電極６０はガラス膜５０に接して設けられている。よって、第１の実施形態と同様に、外部電極６０が意図しない部分にまで延びて形成されることを抑制できる。外部電極６０が、磁性基体１０の下面から端面にかけて延びていることにより、回路基板へのコイル部品の実装時に端面（ＷＴ面）を半田フリットによって固定できる。このため、高い実装強度を実現することができる。

［第４の実施形態］
図１３（ａ）は、本願発明の第４の実施形態に係るコイル部品６００の斜視図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のコイル部品６００の断面図である。第４の実施形態に係るコイル部品６００では、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、ガラス膜５０は磁性基体１０の下面から端面（ＷＴ面）及び側面（ＬＴ面）を経由して上面まで延びている。外部電極６０も同様に、磁性基体１０の下面から端面及び側面を経由して上面まで延びている。引出部３４ａ及び３４ｂは、Ｌ軸方向に延びて形成され、磁性基体１０の端面において外部電極６０に接続されている。ガラス膜５０および外部電極６０を磁性基体１０の端面（ＷＴ面）、側面（ＬＴ面）、及び上面に形成するためには、個片化以降の工程で形成することが望ましいことから、ガラス膜５０となる絶縁体パターンおよび外部電極６０の金属膜６２となる未焼成の導体パターンの形成は、個片化後、もしくは熱処理後の段階で、順に各々形成される。その他の構成は、第１の実施形態に係るコイル部品３００と同じであるため説明を省略する。

本第４の実施形態においても、磁性基体１０の表面に酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、及び酸化タングステン（ＷＯ_３）のうちの少なくとも一つの金属酸化物フィラーを含有する低温焼結ガラスにより形成されたガラス膜５０が設けられている。例えば、酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラス膜５０が設けられ、外部電極６０はガラス膜５０に接して設けられている。よって、第１の実施形態と同様に、外部電極６０が意図しない部分にまで延びて形成されることを抑制できる。外部電極６０が、磁性基体１０の下面から端面（ＷＴ面）及び側面（ＬＴ面）を経由して上面まで延びていることにより、回路基板へのコイル部品の実装時に端面（ＷＴ面）及び側面（ＬＴ面）を半田フリットによって固定できる。このため、高い実装強度を実現することができる。また、上面と下面のどちらかを基板への実装面とすることができるので、実装時の上下整列が不要とできる。

［第５の実施形態］
上記第１の実施形態から第４の実施形態では、積層型のコイル部品の場合を例に示したが、第５の実施形態では、巻線型のコイル部品の場合の例を示す。図１４は、本願発明の第５の実施形態に係るコイル部品７００の断面図である。第５の実施形態に係るコイル部品７００は、図１４に示すように、磁性基体１０は、軸部７０と、軸部７０の両端に設けられた一対の鍔部７２と、を有する。コイル導体３０は、絶縁被膜付きの導線７４が軸部７０の周りに巻回されることで形成されている。一対の鍔部７２それぞれにガラス膜５０が設けられ、ガラス膜５０上に外部電極６０が設けられている。一方の鍔部７２に設けられた外部電極６０はコイル導体３０の一端に電気的に接続され、他方の鍔部７２に設けられた外部電極６０はコイル導体３０の他端に電気的に接続されている。なお、図１４では、一対の鍔部７２それぞれにガラス膜５０と外部電極６０が設けられている場合を例に示したが、一対の鍔部７２のうちの一方の鍔部にガラス膜５０と２つの外部電極６０が設けられている場合でもよい。

本第５の実施形態においても、磁性基体１０の表面に酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、及び酸化タングステン（ＷＯ_３）のうちの少なくとも一つの金属酸化物フィラーを含有する低温焼結ガラスにより形成されたガラス膜５０が設けられている。例えば、酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラス膜５０が設けられ、外部電極６０はガラス膜５０に接して設けられている。よって、第１の実施形態と同様に、外部電極６０が意図しない部分にまで延びて形成されることを抑制できる。

図１５は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品３００を備える電子機器８００の断面図である。電子機器８００は、図１５に示すように、コイル部品３００が回路基板９０に実装されている。コイル部品３００は、外部電極６０がはんだ９２によって回路基板９０のランド電極９４に接合されることで、回路基板９０に実装されている。コイル部品３００は外部電極６０が意図しない部分に形成されることが抑制されるため、コイル部品３００に近接して他の電子部品を実装する場合でも、他の電子部品に悪影響を与えることを抑制できる。電子機器８００としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、及びゲームコンソールなどが挙げられる。なお、回路基板９０に実装されるコイル部品は、第２の実施形態から第５の実施形態に係るコイル部品４００～７００の場合でもよい。

以下、本願発明を実施例及び比較例によって具体的に説明するが、本願発明はこれらの実施例に記載された態様に限定される訳ではない。以下の実施例及び比較例のコイル部品では、長さ寸法（Ｌ軸方向の寸法）を２．０ｍｍ、幅寸法（Ｗ軸方向の寸法）を１．６ｍｍ、高さ寸法（Ｔ軸方向の寸法）を０．６５ｍｍとした。また、実施例及び比較例のコイル部品は、上記第１の実施形態及び第１の比較形態に係るコイル部品のように、ガラス膜がＬ軸方向に２つに分離して設けられている態様とした。各々のガラス膜のＬ軸方向の寸法を０．５ｍｍ、Ｗ軸方向の寸法を１．６ｍｍ、Ｔ軸方向の寸法（厚み）を２０μｍとした。各々の外部電極を構成する金属膜のＬ軸方向の寸法を０．４ｍｍ、Ｗ軸方向の寸法を１．５２ｍｍ、Ｔ軸方向の寸法（厚み）を２０μｍとし、磁性基体の稜線（辺）側はガラス膜の縁に対して各４０μｍ±２０μｍの間隔をあけ、各々の外部電極が対向する側については、ガラス膜の縁に対して１００μｍ±２０μｍの間隔をあけた。外部電極を構成するめっき膜のＴ軸方向の寸法（厚み）をＮｉめっき１μｍ、Ｓｎめっき３μｍとした

［実施例１］
実施例１のコイル部品は以下の方法により作製した。原料粒子として組成比がシリコン：３．５ｗｔ％、クロム：１．５ｗｔ％、残部を鉄および不可避不純物とする合金粉を用い、この合金粉とトルエン（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダー）とを含むスラリーを調整した。このスラリーをドクターブレード法によりベースフィルムの表面に塗布し、熱風乾燥機で乾燥させ、乾燥後のスラリーを所定サイズに切断して磁性体シートを作製した。必要に応じて磁性体シートの所定位置にレーザを用いて貫通孔を形成し、その後、磁性体シートの表面に銀粉とブチルカルビトール（溶剤）とエチルセルロース（バインダー）とを含む導電ペーストを印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて、導体パターン及びビアの前駆体を有する磁性体シートを作製した。

磁性基体の最下層となる磁性体シートの下面に酸化チタンフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラスペーストを印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて、ガラス膜の前駆体である絶縁体パターンを形成した。次いで、絶縁体パターン上に、銀粉とブチルカルビトール（溶剤）とエチルセルロース（バインダー）とを含む導電ペーストを印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて、外部電極を構成する金属膜の前駆体である導体パターンを形成した。

これら磁性体シートを所定の順序で積層した後、所定の圧力で圧着した。圧着した圧着体をチップ単位に切断し、脱バインダー処理等を行った後、酸素を含む雰囲気下で８００℃、１時間の熱処理を行った。熱処理後のガラス膜に含まれる酸化チタンフィラーの含有量を１０ｖｏｌ％とした。次いで、外部電極を構成する金属膜の前駆体である導体パターンの表面に、電解めっき法を用いて、ニッケルめっき膜と錫めっき膜からなるめっき膜を形成することで、金属膜とめっき膜からなる外部電極を形成した。

［実施例２］
熱処理後のガラス膜に含まれる酸化チタンフィラーの含有量を１２ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［実施例３］
熱処理後のガラス膜に含まれる酸化チタンフィラーの含有量を１５ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［実施例４］
熱処理後のガラス膜に含まれる酸化チタンフィラーの含有量を２０ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［実施例５］
熱処理後のガラス膜に含まれる酸化チタンフィラーの含有量を２５ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［実施例６］
熱処理後のガラス膜に含まれる酸化チタンフィラーの含有量を４０ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［実施例７］
熱処理後のガラス膜に含まれる酸化チタンフィラーの含有量を５０ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［実施例８］
熱処理後のガラス膜に含まれる酸化チタンフィラーの含有量を６０ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［実施例９］
酸化ジルコニウムフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラスペーストを用いてガラス膜を形成し、熱処理後のガラス膜に含まれる酸化ジルコニウムフィラーの含有量を２５ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［実施例１０］
酸化ジルコニウムフィラーを含有するホウ珪酸ガラスからなるガラスペーストを用いてガラス膜を形成し、熱処理後のガラス膜に含まれる酸化ジルコニウムフィラーの含有量を５０ｖｏｌ％とした点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

［比較例］
ガラス膜の前駆体である絶縁体パターンを酸化チタンフィラー及び酸化ジルコニウムフィラーを含有しないホウ珪酸ガラスからなるガラスペーストを用いて形成した点以外は、実施例１と同じ方法にてコイル部品を作製した。

実施例１から実施例１０及び比較例のコイル部品の外部電極近傍の磁性基体断面に対してエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）を行い、外部電極を構成する金属膜（銀膜）の先端と、めっき膜に含まれる錫めっき膜の先端と、の間の距離を測定した。そして、金属膜と錫めっき膜との間の距離が２０μｍ以上である場合、めっき伸びが発生しているとした。このような評価を、実施例１から実施例５及び比較例のコイル部品それぞれ２０個行い、めっき伸びが発生しているコイル部品の割合を求めた。

得られた結果を表１に示す。

表１のように、酸化チタンフィラー及び酸化ジルコニウムフィラーを含有しないガラス膜を用いた比較例では、１００％の割合（２０個のコイル部品の全て）でめっき伸びが発生した。一方、酸化チタンフィラーを１０ｖｏｌ％含有するガラス膜を用いた実施例１では、めっき伸びが発生したコイル部品の割合は３０％に減少し、酸化チタンフィラーを１２ｖｏｌ％含有するガラス膜を用いた実施例２では、めっき伸びが発生したコイル部品の割合は１５％に減少した。更に、酸化チタンフィラーを１５ｖｏｌ％、２０ｖｏｌ％、２５ｖｏｌ％、４０ｖｏｌ％、５０ｖｏｌ％、又は６０ｖｏｌ％含有するガラス膜を用いた実施例３から実施例８、及び、酸化ジルコニウムフィラーを２５ｖｏｌ％又は５０ｖｏｌ％含有するガラス膜を用いた実施例９、実施例１０では、２０個のコイル部品全てでめっき伸びは発生しなかった。

このように、酸化チタンフィラー又は酸化ジルコニウムフィラーを含有するガラス膜を用いることで、めっき伸びの発生が抑えられ、外部電極が意図しない部分にまで伸びて形成されることを抑制できることが確認された。また、酸化チタンフィラー及び酸化ジルコニウムフィラーの含有量は、１０ｖｏｌ％以上が好ましく、１２ｖｏｌ％以上がより好ましく、１５ｖｏｌ％以上が更に好ましいことが確認された。

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 磁性基体
１１～１５ 磁性体層
１６ 上部カバー層
１７ 下部カバー層
２０ 本体部
３０ コイル導体
３２ 周回部
３４ａ、３４ｂ 引出部
５０ ガラス膜
５２ａ、５２ｂ 開口
６０ 外部電極
６２ 金属膜
６４ めっき膜
７０ 軸部
７２ 鍔部
７４ 導線
９０ 回路基板
９２ はんだ
９４ ランド電極
１１０ 磁性基体
１３０ コイル導体
１５０ ガラス膜
１６０ 外部電極
１６２ 金属膜
１６４ めっき膜
１６６ ニッケルめっき膜
１６８ 錫めっき膜
１８０ 領域
１９０ 析出物
３００、３１０、４００、５００、６００、７００、１０００、１１００ コイル部品
８００ 電子機器

Claims (9)

1. 鉄を主成分とする軟磁性合金からなる金属磁性粒子を含む磁性基体と、
   前記磁性基体に設けられるコイル導体と、
   前記磁性基体の表面に設けられ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び酸化タングステンのうちの少なくとも１つのフィラーを含有する低温焼結ガラスからなるガラス膜と、
   前記ガラス膜に接して設けられ、前記コイル導体に電気的に接続される外部電極と、を備えるコイル部品。
2. 前記外部電極は、金属膜と前記金属膜上のめっき膜とを含む、請求項１に記載のコイル部品。
3. 前記ガラス膜は、前記フィラーを１０体積％以上含有する、請求項１または２に記載のコイル部品。
4. 前記ガラス膜は、酸化チタンフィラー及び酸化ジルコニウムフィラーの少なくとも一方を含有するホウ珪酸ガラスからなる、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。
5. 前記ガラス膜は、前記磁性基体と前記外部電極との間に挟まれて設けられ、前記外部電極よりも大きな外形を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のコイル部品。
6. 前記ガラス膜は、前記磁性基体の稜線に接して設けられる、請求項１から５のいずれか一項に記載のコイル部品。
7. 前記ガラス膜は、前記外部電極と異なる色を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のコイル部品。
8. 前記ガラス膜は、酸化マンガン、酸化コバルト、及びフェライトうちの少なくとも１つからなるフィラーを含有することで前記外部電極と色が異なる、請求項７に記載のコイル部品。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載のコイル部品と、
   前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える電子機器。
   

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