JP2022140914A - Release layer-forming composition and release layer - Google Patents

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Abstract

To provide a release layer-forming composition that allows a device composed of a resin substrate or the like to be formed on a release layer, ensuring easy release at an interface between the release layer and the device composed of the resin substrate or the like.SOLUTION: A release layer-forming composition contains (A) a polymer derived from a monomer having an epoxy group (constitutional unit (a)), with the content of the constitutional unit (a) being 1-30 mol% relative to all the monomer units of 100 mol%, and the polymer having a glass transition point of 25°C or higher.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、剥離層形成用組成物及び剥離層に関する。 The present invention relates to a release layer-forming composition and a release layer.

近年、電子デバイスには薄型化及び軽量化という特性に加え、曲げることができるという機能を付与することが求められている。このことから、従来の重く脆弱で曲げることができないガラス基板にかわって、軽量なフレキシブルプラスチック基板を用いることが求められる。 In recent years, electronic devices are required to have a function of being able to be bent in addition to characteristics such as thinness and weight reduction. For this reason, it is required to use a lightweight flexible plastic substrate instead of the conventional heavy, fragile and unbendable glass substrate.

特に、新世代ディスプレイでは、軽量なフレキシブルプラスチック基板(以下、樹脂基板ともいう。)を用いたアクティブマトリクス型フルカラーTFTディスプレイパネルの開発が求められている。また、タッチパネル式ディスプレイは、ディスプレイパネルに組み合わせて使用されるタッチパネルの透明電極や樹脂基板等、フレキシブル化に対応する材料が開発されている。透明電極としては、従来使用されていたITOから、PEDOT等の曲げ加工が可能な透明導電性ポリマー、金属ナノワイヤ、及びその混合系等、別の透明電極材料が提案されている(特許文献1~4)。 In particular, for new-generation displays, there is a demand for the development of active-matrix full-color TFT display panels using lightweight flexible plastic substrates (hereinafter also referred to as resin substrates). In addition, for touch panel displays, flexible materials such as transparent electrodes and resin substrates of touch panels used in combination with display panels have been developed. As the transparent electrode, other transparent electrode materials have been proposed, such as transparent conductive polymers that can be bent such as PEDOT, metal nanowires, and mixtures thereof, in addition to the conventionally used ITO (Patent Document 1- 4).

一方、タッチパネルフィルムの基材も、ガラスからポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド、シクロオレフィン、アクリル等のプラスチックからなるシート等になり、フレキシブル性を持たせた透明フレキシブルタッチスクリーンパネルが開発されている(特許文献5~7)。 On the other hand, the base material of the touch panel film has also changed from glass to polyethylene terephthalate (PET), polyimide, cycloolefin, acrylic and other plastic sheets, etc., and transparent flexible touch screen panels with flexibility have been developed ( Patent documents 5-7).

一般的に、フレキシブルタッチスクリーンパネルは、安定して生産を行うため、ガラス基板等の支持基板上に剥離(粘着)層を作製し、その上に樹脂基板等から構成されるデバイスを作製した後、該デバイスを前記粘着層から剥離することで生産される(特許文献8)。 In general, for flexible touch screen panels, in order to ensure stable production, a peeling (adhesive) layer is prepared on a support substrate such as a glass substrate, and a device composed of a resin substrate or the like is prepared on top of that. , is produced by peeling the device from the adhesive layer (Patent Document 8).

剥離層としては、例えば、所定のポリマー及び架橋剤を含む硬化性樹脂化合物が記載されている(特許文献9~10)。これらの剥離層は支持基板上から容易に剥離できる一方、支持基板と剥離層との界面で剥離するため、剥離層がデバイス側に残存し、デバイス作製工程や透過性に悪影響を及ぼす場合がある。 As the release layer, for example, a curable resin compound containing a predetermined polymer and a cross-linking agent is described (Patent Documents 9 to 10). While these release layers can be easily peeled off from the support substrate, they are peeled off at the interface between the support substrate and the release layer, leaving the release layer on the device side, which may adversely affect the device fabrication process and transmittance. .

国際公開第2012/147235号WO2012/147235 特開2009-283410号公報JP 2009-283410 A 特表2010-507199号公報Japanese Patent Publication No. 2010-507199 特開2009-205924号公報JP 2009-205924 A 国際公開第2017/002664号WO2017/002664 国際公開第2016/160338号WO2016/160338 特開2015-166145号公報JP 2015-166145 A 特開2016-531358号公報JP 2016-531358 A 国際公開第2018/033995号WO2018/033995 国際公開第2019/159248号WO2019/159248

本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、剥離層上に樹脂基板等から構成されるデバイスを形成でき、剥離層と樹脂基板等から構成されるデバイスとの界面で容易に剥離する剥離層を与える剥離層形成用組成物を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and can form a device composed of a resin substrate or the like on a release layer, and can be easily peeled off at the interface between the release layer and the device composed of the resin substrate or the like. An object of the present invention is to provide a composition for forming a release layer that provides a release layer.

本発明者は、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、(A)エポキシ基を有するモノマー(構造単位(a))を用いて得られる重合体であり、構造単位(a)の含有量が、全モノマー単位100モル%に対して1~30モル%であり、ガラス転移点が25℃以上である重合体を含有する剥離層形成用組成物が、剥離層上に樹脂基板等から構成されるデバイスを形成でき、剥離層と樹脂基板等から構成されるデバイスとの界面で容易に剥離する剥離層を再現性よく与え得ることを見出し、本発明を完成した。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that (A) a polymer obtained by using a monomer having an epoxy group (structural unit (a)), A composition for forming a release layer containing a polymer having a content of 1 to 30 mol % with respect to 100 mol % of the total monomer units and a glass transition point of 25° C. or higher is applied to a resin substrate or the like on the release layer. The present inventors have found that a device can be formed from a device composed of a resin substrate or the like, and a release layer that can be easily peeled off at the interface between the release layer and a device composed of a resin substrate or the like can be provided with good reproducibility, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、下記の剥離層形成用組成物及び剥離層を提供する。
1. (A)エポキシ基を有するモノマー(構造単位(a))を用いて得られる重合体であり、構造単位(a)の含有量が、全モノマー単位100モル%に対して1~30モル%であり、ガラス転移点が25℃以上である重合体を含有する剥離層形成用組成物。
2. (A)重合体が、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド化合物、アクリルアミド化合物、アクリロニトリル、マレイン酸無水物、スチレン化合物及びビニル化合物からなる群から選ばれるモノマーを用いて得られる重合体である請求項1記載の剥離層形成用樹脂組成物。
3. (B)架橋剤をさらに含有する1又は2の剥離層形成用樹脂組成物。
4. (B)架橋剤が、エポキシ基を有する架橋剤である1~3のいずれかの剥離層形成用樹脂組成物。
5. (C)架橋触媒をさらに含有する1~4のいずれかの剥離層形成用樹脂組成物。
6. (C)架橋触媒が、熱酸発生剤又は光酸発生剤である5の剥離層形成用樹脂組成物。
7. (B)架橋剤の含有量が、(A)重合体100質量部に対し、1~50質量部である3~6のいずれかの剥離層形成用樹脂組成物。
8. (C)架橋触媒の含有量が、(A)重合体100質量部に対し、0.01~20質量部である5~7のいずれかの剥離層形成用樹脂組成物。
9. 1~8のいずれかの剥離層形成用樹脂組成物から得られる剥離層。
10. 9の剥離層に、波長400nmの光透過率が80%以上である樹脂基板が積層された積層体。
11. 前記樹脂基板が、エポキシ化合物を含有する熱硬化膜である10の積層体。
12. 1~8のいずれかの剥離層形成用組成物を基体に塗布し、剥離層を形成する工程、
前記剥離層上に、波長400nmの光透過率が80%以上である樹脂基板を形成する工程、及び
前記樹脂基板を、0.4N/25mm以下の剥離力で剥離する工程
を含む樹脂基板の製造方法。
That is, the present invention provides the following release layer-forming composition and release layer.
1. (A) A polymer obtained by using a monomer having an epoxy group (structural unit (a)), wherein the content of the structural unit (a) is 1 to 30 mol% relative to 100 mol% of the total monomer units. A composition for forming a release layer containing a polymer having a glass transition point of 25° C. or higher.
2. (A) The polymer is a polymer obtained using a monomer selected from the group consisting of acrylic acid ester compounds, methacrylic acid ester compounds, maleimide compounds, acrylamide compounds, acrylonitrile, maleic anhydride, styrene compounds and vinyl compounds. The resin composition for forming a release layer according to claim 1.
3. (B) 1 or 2 of the release layer-forming resin composition further containing a cross-linking agent.
4. (B) The resin composition for forming a release layer according to any one of 1 to 3, wherein the cross-linking agent is a cross-linking agent having an epoxy group.
5. (C) The release layer-forming resin composition according to any one of 1 to 4, further containing a crosslinking catalyst.
6. (C) The resin composition for forming a release layer of 5, wherein the cross-linking catalyst is a thermal acid generator or a photoacid generator.
7. (B) The resin composition for forming a release layer according to any one of 3 to 6, wherein the content of the crosslinking agent is 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (A).
8. (C) The resin composition for forming a release layer according to any one of 5 to 7, wherein the content of the crosslinking catalyst is 0.01 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer (A).
9. A release layer obtained from the release layer-forming resin composition of any one of 1 to 8.
10. A laminated body in which a resin substrate having a light transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 nm is laminated on the release layer of No. 9.
11. 10. A laminate according to 10, wherein the resin substrate is a thermosetting film containing an epoxy compound.
12. applying the composition for forming a release layer according to any one of 1 to 8 to a substrate to form a release layer;
Manufacture of a resin substrate, comprising the steps of: forming a resin substrate having a light transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 nm on the peeling layer; and peeling the resin substrate with a peeling force of 0.4 N/25 mm or less. Method.

本発明の剥離層形成用組成物を用いることで、剥離層上に樹脂基板等から構成されるデバイスを形成でき、剥離層と樹脂基板等から構成されるデバイスとの界面で容易に剥離する剥離層を再現性よく得ることできる。また、フレキシブル電子デバイスの製造プロセスにおいて、基体上に形成された樹脂基板や、更にその上に設けられる回路等に損傷を与えることなく、当該回路等とともに当該樹脂基板を当該基体から分離することが可能となる。したがって、本発明の剥離層形成用組成物は、樹脂基板を備えるフレキシブル電子デバイスの製造プロセスの高速化やその歩留り向上等に寄与し得る。 By using the release layer-forming composition of the present invention, a device composed of a resin substrate or the like can be formed on the release layer, and the release can be easily performed at the interface between the release layer and the device composed of the resin substrate or the like. Layers can be obtained reproducibly. Further, in the manufacturing process of the flexible electronic device, it is possible to separate the resin substrate from the base together with the circuit etc. without damaging the resin substrate formed on the base and the circuit etc. provided thereon. It becomes possible. Therefore, the composition for forming a release layer of the present invention can contribute to speeding up the manufacturing process of flexible electronic devices having a resin substrate, improving the yield thereof, and the like.

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
[剥離層形成用組成物]
本発明の剥離層形成用組成物は、(A)エポキシ基を有するモノマー(構造単位(a))を用いて得られる重合体であり、構造単位(a)の含有量が、全モノマー単位100モル%に対して1~30モル%であり、ガラス転移点が25℃以上である重合体を含むことを特徴とする。
The present invention will be described in more detail below.
[Composition for forming release layer]
The release layer-forming composition of the present invention is a polymer obtained by using (A) a monomer having an epoxy group (structural unit (a)), and the content of the structural unit (a) is 100 total monomer units. It is characterized by containing a polymer having a glass transition point of 25° C. or higher in an amount of 1 to 30 mol % based on mol %.

[1](A)成分
本発明の剥離層形成用組成物における(A)成分は、エポキシ基を有するモノマー(構造単位(a))を用いて得られる重合体であり、構造単位(a)の含有量が、全モノマー単位100モル%に対して1~30モル%であり、ガラス転移点が25℃以上である重合体である。
[1] Component (A) The component (A) in the release layer-forming composition of the present invention is a polymer obtained using a monomer having an epoxy group (structural unit (a)). is 1 to 30 mol % with respect to 100 mol % of all monomer units, and the glass transition point is 25° C. or higher.

構造単位(a)のエポキシ基を有するモノマーは、エポキシ基を分子内に有するモノマーであれば特に制限はなく、例えば、エポキシ基を有する、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド化合物、アクリルアミド化合物、アクリロニトリル、マレイン酸無水物、スチレン化合物及びビニル化合物等が挙げられる。 The monomer having an epoxy group of the structural unit (a) is not particularly limited as long as it is a monomer having an epoxy group in the molecule. compounds, acrylonitrile, maleic anhydride, styrene compounds and vinyl compounds.

構造単位(a)のエポキシ基を有するモノマーの具体例としては、例えば、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、4-ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、α-エチルアクリル酸グリシジル、3、4-エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート、α-n-プロピルアクリル酸グリシジル、α-n-ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸-3,4-エポキシブチル、メタクリル酸-3,4-エポキシブチル、アクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、メタクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、α-エチルアクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル等が挙げられる。 Specific examples of the monomer having an epoxy group in the structural unit (a) include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 4-hydroxybutyl acrylate glycidyl ether, glycidyl α-ethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethylmethacrylate, acrylates, α-n-propyl glycidyl acrylate, α-n-butyl glycidyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, 6,7-epoxyheptyl acrylate, 6,7-epoxyheptyl methacrylate, 6,7-epoxyheptyl α-ethyl acrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether and the like.

本発明の剥離層形成用組成物における(A)成分の重合体は、エポキシ基を有しないモノマー(構造単位(b))を含有していてもよい。
構造単位(b)のモノマーとしては、前記エポキシ基を有するモノマーと共重合可能なものであって、エポキシ基に対して不活性な、すなわち、エポキシ基と反応する基を有しないものであれば特に制限はなく、例えば、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド化合物、アクリルアミド化合物、アクリロニトリル、マレイン酸無水物、スチレン化合物、ビニル化合物等が挙げられる。
The polymer of component (A) in the release layer-forming composition of the present invention may contain a monomer having no epoxy group (structural unit (b)).
As the monomer for the structural unit (b), any monomer that can be copolymerized with the epoxy group-containing monomer and that is inert to the epoxy group, that is, does not have a group that reacts with the epoxy group. There are no particular restrictions, and examples thereof include acrylic acid ester compounds, methacrylic acid ester compounds, maleimide compounds, acrylamide compounds, acrylonitrile, maleic anhydride, styrene compounds, and vinyl compounds.

アクリル酸エステル化合物の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、ナフチルアクリレート、アントリルアクリレート、アントリルメチルアクリレート、フェニルアクリレート、グリシジルアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、tert-ブチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、2-メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、2-エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、3-メトキシブチルアクリレート、2-メチル-2-アダマンチルアクリレート、2-プロピル-2-アダマンチルアクリレート、8-メチル-8-トリシクロデシルアクリレート、8-エチル-8-トリシクロデシルアクリレート等が挙げられる。 Specific examples of acrylic ester compounds include methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, benzyl acrylate, naphthyl acrylate, anthryl acrylate, anthryl methyl acrylate, phenyl acrylate, glycidyl acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl acrylate. , tert-butyl acrylate, cyclohexyl acrylate, isobornyl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxytriethylene glycol acrylate, 2-ethoxyethyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, 3-methoxybutyl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl acrylates, 2-propyl-2-adamantyl acrylate, 8-methyl-8-tricyclodecyl acrylate, 8-ethyl-8-tricyclodecyl acrylate and the like.

メタクリル酸エステル化合物の具体例としては、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、アントリルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、フェニルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタクリレート、tert-ブチルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、2-メトキシエチルメタクリレート、メトキシトリエチレングリコールメタクリレート、2-エトキシエチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、3-メトキシブチルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、アダマンチルメタクリレート、2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート、γ-ブチロラクトンメタクリレート、2-プロピル-2-アダマンチルメタクリレート、8-メチル-8-トリシクロデシルメタクリレート、8-エチル-8-トリシクロデシルメタクリレート等が挙げられる。 Specific examples of methacrylate ester compounds include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, isopropyl methacrylate, benzyl methacrylate, naphthyl methacrylate, anthryl methacrylate, anthryl methyl methacrylate, phenyl methacrylate, glycidyl methacrylate, and 2,2,2-trifluoroethyl methacrylate. , tert-butyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, isobornyl methacrylate, 2-methoxyethyl methacrylate, methoxytriethylene glycol methacrylate, 2-ethoxyethyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 3-methoxybutyl methacrylate, stearyl methacrylate, adamantyl methacrylate, 2 -methyl-2-adamantyl methacrylate, γ-butyrolactone methacrylate, 2-propyl-2-adamantyl methacrylate, 8-methyl-8-tricyclodecyl methacrylate, 8-ethyl-8-tricyclodecyl methacrylate and the like.

ビニル化合物の具体例としては、メチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ビニルナフタレン、ビニルカルバゾール、アリルグリシジルエーテル、3-エテニル-7-オキサビシクロ[4.1.0]ヘプタン、1,2-エポキシ-5-ヘキセン、1,7-オクタジエンモノエポキサイド等が挙げられる。
スチレン化合物の具体例としては、スチレン、メチルスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン等が挙げられる。
マレイミド化合物の具体例としては、マレイミド、N-メチルマレイミド、N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド等が挙げられる。
Specific examples of vinyl compounds include methyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, vinylnaphthalene, vinylcarbazole, allyl glycidyl ether, 3-ethenyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane, 1,2-epoxy-5-hexene. , 1,7-octadiene monoepoxide and the like.
Specific examples of styrene compounds include styrene, methylstyrene, chlorostyrene, bromostyrene and the like.
Specific examples of maleimide compounds include maleimide, N-methylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide and the like.

構造単位(b)のモノマーとしては、耐熱性と疎水性の観点から、脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステル化合物、マレイミド化合物であることが望ましい。脂環式炭化水素基としては、炭素数6~20の脂環式炭化水素基がより好ましく、例えば、シクロヘキシル基、t-ブチルシクロヘキシル基、イソボルニル基、ジシクロペンタニル基、ジシクロペンテニル基、アダマンチル基を挙げることができる。 From the viewpoint of heat resistance and hydrophobicity, the monomer of the structural unit (b) is preferably a (meth)acrylic acid ester compound or a maleimide compound having an alicyclic hydrocarbon group. The alicyclic hydrocarbon group is more preferably an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, such as cyclohexyl group, t-butylcyclohexyl group, isobornyl group, dicyclopentanyl group, dicyclopentenyl group, Adamantyl groups may be mentioned.

脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステル化合物の具体例としては、イソボルニルメタクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルメタクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルメタクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、アダマンチルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、t-ブチルシクロヘキシルメタクリレート等を挙げることができる。 Specific examples of (meth)acrylic acid ester compounds having an alicyclic hydrocarbon group include isobornyl methacrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentanyl methacrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl methacrylate, dicyclo Pentenyl acrylate, adamantyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, t-butylcyclohexyl methacrylate and the like can be mentioned.

得られる重合体のガラス転移温度(Tg)は、25℃以上であり、50℃以上であることが好ましく、100℃以上であることがより好ましい。重合体のガラス転移温度を25℃以上とすることで、剥離層の耐熱性が良好に向上する傾向にある。 The glass transition temperature (Tg) of the resulting polymer is 25° C. or higher, preferably 50° C. or higher, more preferably 100° C. or higher. By setting the glass transition temperature of the polymer to 25° C. or higher, the heat resistance of the release layer tends to be favorably improved.

なお、前記の重合体のガラス転移温度は、下記Foxの式により算出される計算値を意味する(Bull.Am.Phys.Soc.,1(3)123(1956)参照)。下記Foxの式は、重合体がモノマーi(モノマー1、モノマー2、・・・・、及びモノマーn)の共重合体である場合の式を示す。
1/Tg=W1/Tg1+W2/Tg2+・・・・+Wn/Tgn
Tg:重合体のガラス転移温度(単位:K)
n:重合体を構成するモノマー全量に対するモノマーnの質量分率
Tgn:モノマーnの単独重合体のガラス転移温度(単位:K)
The glass transition temperature of the polymer means a calculated value calculated by the following Fox formula (see Bull. Am. Phys. Soc., 1(3) 123 (1956)). The Fox formula below shows the formula when the polymer is a copolymer of monomer i (monomer 1, monomer 2, . . . , and monomer n).
1 /Tg = W1 / Tg1 + W2/Tg2+...+ Wn / Tgn
Tg: glass transition temperature of the polymer (unit: K)
W n : mass fraction of monomer n with respect to the total amount of monomers constituting the polymer Tg n : glass transition temperature of homopolymer of monomer n (unit: K)

単独重合体のガラス転移温度(Tgn)は、各種文献に記載の値を採用することができ、例えば、「POLYMER HANDBOOK 第3版」(John Wiley &Sons,Inc.発行)に記載の値を採用できる。なお、文献に記載のないものについては、モノマーを常法により重合して得られる単独重合体の、DSC法により測定されるガラス転移温度の値を採用することができる。 For the glass transition temperature (Tg n ) of the homopolymer, values described in various literatures can be adopted. For example, the values described in "POLYMER HANDBOOK 3rd Edition" (published by John Wiley & Sons, Inc.) are adopted can. For those not described in the literature, the value of the glass transition temperature measured by the DSC method of a homopolymer obtained by polymerizing a monomer by a conventional method can be adopted.

(A)所定の繰り返し単位を含む重合体において、構成単位(a)のモノマーの含有率は、全繰り返し単位中、1~30モル%であり、2~25モル%が好ましい。架橋剤の構成単位(a)のモノマーの含有率が過小である場合には、剥離層の溶剤耐性及び耐熱性が低下し、剥離性が低下する。他方、含有率が過大である場合には、剥離層上の樹脂基板等と反応が進行し、剥離性が低下することがある。構成単位(a)及び構成単位(b)のモノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。 (A) In a polymer containing a predetermined repeating unit, the content of the monomer of the structural unit (a) is 1 to 30 mol%, preferably 2 to 25 mol%, of the total repeating units. When the monomer content of the structural unit (a) of the cross-linking agent is too small, the solvent resistance and heat resistance of the release layer are lowered, and the releasability is lowered. On the other hand, if the content is too high, the reaction with the resin substrate or the like on the release layer may proceed, resulting in a decrease in release properties. The monomers of the structural unit (a) and the structural unit (b) may be used singly or in combination of two or more.

本発明の剥離層形成用組成物に用いる重合体を得る方法は特に限定されないが、例えば、構造単位(a)のモノマー、構造単位(b)のモノマー、及び重合開始剤等を共存させた溶剤中において、50~110℃の温度下で重合反応させて得られる。その際、用いられる溶剤は、構造単位(a)のモノマー、構造単位(b)のモノマー、及び重合開始剤等を溶解するものであれば特に限定されない。具体例としては、後述する溶剤に記載する溶剤が挙げられる。 The method for obtaining the polymer used in the release layer-forming composition of the present invention is not particularly limited. It is obtained by a polymerization reaction at a temperature of 50 to 110° C. in the medium. At that time, the solvent used is not particularly limited as long as it dissolves the monomer of the structural unit (a), the monomer of the structural unit (b), the polymerization initiator, and the like. Specific examples thereof include the solvents described in the solvent to be described later.

このようにして得られる重合体は、通常、溶剤に溶解した溶液の状態であり、本発明において(A)成分の溶液としてそのまま使用することができる。 The polymer thus obtained is usually in the form of a solution dissolved in a solvent, and can be used as it is as a solution of component (A) in the present invention.

また、前記のようにして得られた重合体の溶液を、ヘキサンやジエチルエーテル、水等の撹拌下に投入して再沈殿させ、生成した沈殿物を濾過・洗浄した後、常圧又は減圧下で、常温あるいは加熱乾燥することで、重合体の粉体とすることができる。このような操作により、重合体と共存する重合開始剤や未反応モノマーを除去することができ、その結果、精製した重合体の粉体が得られる。一度の操作で充分に精製できない場合は、得られた粉体を溶剤に再溶解して、前記の操作を繰り返し行えばよい。 Alternatively, the solution of the polymer obtained as described above is added to hexane, diethyl ether, water, or the like under stirring to reprecipitate, and after filtering and washing the generated precipitate, Then, by drying at room temperature or by heating, a polymer powder can be obtained. By such an operation, the polymerization initiator and unreacted monomers coexisting with the polymer can be removed, and as a result, purified powder of the polymer can be obtained. If the purification cannot be sufficiently performed by one operation, the obtained powder may be redissolved in a solvent and the above operation may be repeated.

本発明の剥離層形成用組成物においては、(A)成分として前記重合体の粉体をそのまま用いてもよく、あるいはその粉体を、例えば後述する溶剤に再溶解して溶液の状態として用いてもよい。 In the release layer-forming composition of the present invention, the powder of the polymer may be used as the component (A) as it is, or the powder may be redissolved in a solvent described later, for example, and used in the form of a solution. may

なお、本発明の剥離層形成用組成物では、(A)成分の重合体として、単一種類の重合体を用いても、複数種の重合体の混合物を用いてもよい。 In the release layer-forming composition of the present invention, as the polymer of component (A), a single type of polymer or a mixture of a plurality of types of polymers may be used.

[2](B)成分
本発明の剥離層形成用組成物は、必要に応じて(B)成分として架橋剤を含んでいてもよい。架橋剤としては、(A)成分の重合体と反応して架橋構造を形成できる化合物、又はそれ自身が反応して架橋構造を形成できる化合物等の架橋構造の形成に寄与し得る化合物であれば特に制限はないが、本発明では、架橋剤としてエポキシ基を有する化合物を用いることが好ましい。
[2] Component (B) The release layer-forming composition of the present invention may optionally contain a cross-linking agent as component (B). The cross-linking agent is a compound that can react with the polymer of component (A) to form a cross-linked structure, or a compound that can contribute to the formation of a cross-linked structure, such as a compound that can react with itself to form a cross-linked structure. Although not particularly limited, it is preferable to use a compound having an epoxy group as a cross-linking agent in the present invention.

エポキシ基を有する架橋剤としては、エポキシ基を2個以上有する化合物が挙げられる。このような化合物は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。 The cross-linking agent having an epoxy group includes compounds having two or more epoxy groups. Such compounds may be low-molecular-weight compounds or high-molecular-weight compounds.

エポキシ基を2個以上有する低分子化合物の具体例としては、トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,2-エポキシ-4-(エポキシエチル)シクロヘキサン、グリセロールトリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、2,6-ジグリシジルフェニルグリシジルエーテル、1,1,3-トリス[p-(2,3-エポキシプロポキシ)フェニル]プロパン、1,2-シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル、4,4’-メチレンビス(N,N-ジグリシジルアニリン)、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、ビスフェノール-A-ジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、下記式(1)で表される化合物等が挙げられる。 Specific examples of low-molecular-weight compounds having two or more epoxy groups include tris(2,3-epoxypropyl)isocyanurate, 1,4-butanediol diglycidyl ether, and 1,2-epoxy-4-(epoxyethyl). Cyclohexane, glycerol triglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, 2,6-diglycidylphenyl glycidyl ether, 1,1,3-tris[p-(2,3-epoxypropoxy)phenyl]propane, 1,2-cyclohexanedicarbon acid diglycidyl ester, 4,4′-methylenebis(N,N-diglycidylaniline), 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate, trimethylolethane triglycidyl ether, bisphenol-A-di Examples include glycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, and compounds represented by the following formula (1).

Figure 2022140914000001
(式中、kは2~10の整数、mは0~4の整数を示し、R1はk価の有機基を表す)
Figure 2022140914000001
(Wherein, k is an integer of 2 to 10, m is an integer of 0 to 4, and R 1 represents a k-valent organic group)

式(1)で表される化合物の具体例としては、下記式(C1-1)及び(C1-2)で表される化合物が挙げられる。 Specific examples of the compound represented by formula (1) include compounds represented by the following formulas (C1-1) and (C1-2).

Figure 2022140914000002
Figure 2022140914000002

エポキシ基を2個以上含有する化合物の市販品としては、エポリードGT-401、エポリードGT-403,エポリードGT-301、エポリードGT-302、セロキサイド2021、セロキサイド3000(以上、ダイセル化学工業(株)製)などのシクロヘキセン構造を有するエポキシ化合物、エピコート1001、エピコート1002、エピコート1003、エピコート1004、エピコート1007、エピコート1009、エピコート1010、エピコート828(以上、三菱ケミカル(株)製)などのビスフェノールA型エポキシ化合物、エピコート807(三菱ケミカル(株)製)などのビスフェノールF型エポキシ化合物、エピコート152、エピコート154(以上、三菱ケミカル(株)製)、EPPN201、EPPN202(以上、日本化薬(株)製)などのフェノールノボラック型エポキシ化合物、ECON-102、ECON-103S、ECON-104S、ECON-1020、ECON-1025、ECON-1027(以上、日本化薬(株)製)、エピコート180S75(三菱ケミカル(株)製)などのクレゾールノボラック型エポキシ化合物、デナコールEX-252(ナガセケムテックス(株)製)、CY175、CY177、CY179、アラルダイトCY-182、アラルダイトCY-192、アラルダイトCY-184(以上、CIBA-GEIGY A.G製)、エピクロン200、エピクロン400(以上、DIC(株)製)エピコート871、エピコート872(以上、三菱ケミカル(株)製)ED-5661、ED-5662(以上、セラニーズコーティング(株)製)などの脂環式エポキシ化合物、デナコールEX-611、デナコールEX-612、デナコールEX-614、デナコールEX-622、デナコールEX-411、デナコールEX-512、デナコールEX-522、デナコールEX-421、デナコールEX-313、デナコールEX-314、デナコールEX-312(以上、ナガセケムテックス(株)製)などの脂肪族ポリグリシジルエーテル化合物が挙げられる。 Commercially available compounds containing two or more epoxy groups include Epolead GT-401, Epolead GT-403, Epolead GT-301, Epolead GT-302, Celoxide 2021 and Celoxide 3000 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.). Epikote 1001, Epikote 1002, Epikote 1003, Epikote 1004, Epikote 1007, Epikote 1009, Epikote 1010, Epikote 828 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) and other bisphenol A type epoxy compounds , bisphenol F type epoxy compounds such as Epicoat 807 (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), Epicoat 152, Epicoat 154 (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), EPPN201, EPPN202 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), etc. ECON-102, ECON-103S, ECON-104S, ECON-1020, ECON-1025, ECON-1027 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Epicoat 180S75 (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) ), Denacol EX-252 (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.), CY175, CY177, CY179, Araldite CY-182, Araldite CY-192, Araldite CY-184 (above, CIBA-GEIGY AG), Epiclon 200, Epiclon 400 (manufactured by DIC Corporation) Epicort 871, Epicort 872 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) ED-5661, ED-5662 (manufactured by Celanese Coating Co., Ltd.) ), Denacol EX-611, Denacol EX-612, Denacol EX-614, Denacol EX-622, Denacol EX-411, Denacol EX-512, Denacol EX-522, Denacol EX-421 , Denacol EX-313, Denacol EX-314, and Denacol EX-312 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation).

エポキシ基を2個以上有する化合物のうち、架橋反応性、耐熱性、耐溶剤性、耐長時間焼成耐性等の観点から、シクロヘキセンオキサイド構造を2個以上有する化合物が好ましく、上記式(1)で表される化合物が好ましく、式(C1-1)で表される化合物、式(C1-2)で表される化合物、エポリードGT-401、同GT-403、同GT-301、同GT-302、セロキサイド2021及びセロキサイド3000がより好ましい。 Among the compounds having two or more epoxy groups, compounds having two or more cyclohexene oxide structures are preferable from the viewpoint of cross-linking reactivity, heat resistance, solvent resistance, long-term baking resistance, etc., and the above formula (1) Compounds represented by formula (C1-1), compounds represented by formula (C1-2), Epolead GT-401, GT-403, GT-301, GT-302 , Celoxide 2021 and Celoxide 3000 are more preferred.

これら架橋剤は、自己縮合による架橋反応を起こすことができる。また、(A)成分の重合体中のエポキシ基と架橋反応を起こすことができる。そして、このような架橋反応によって、形成される剥離層は強固になり、有機溶剤に対する耐性、耐熱性、耐長時間焼成耐性が高い剥離層となる。 These cross-linking agents can cause a cross-linking reaction by self-condensation. In addition, it can cause a cross-linking reaction with epoxy groups in the polymer of component (A). By such a cross-linking reaction, the formed release layer is strengthened and becomes a release layer having high resistance to organic solvents, heat resistance, and long-term baking resistance.

(B)成分を用いる場合、その含有量は、(A)成分の重合体100質量部に対し、1~50質量部が好ましく、2~40質量部がより好ましく、3~30質量部が更に好ましい。(B)成分の含有量が前記範囲であれば、高耐熱性と適度な剥離性を有する剥離層樹脂組成物が得られる。架橋剤の含有量が過小である場合には、剥離層の溶剤耐性及び耐熱性が低下し、剥離性が低下する。他方、含有量が過大である場合には、剥離層上の樹脂基板等との架橋反応が進行し、剥離性が低下することがある。(B)架橋剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。 When component (B) is used, its content is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 2 to 40 parts by mass, more preferably 3 to 30 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the polymer of component (A). preferable. When the content of component (B) is within the above range, a release layer resin composition having high heat resistance and appropriate release properties can be obtained. When the content of the cross-linking agent is too small, the solvent resistance and heat resistance of the release layer are lowered, and the releasability is lowered. On the other hand, if the content is excessively high, the cross-linking reaction with the resin substrate or the like on the release layer may proceed and the release property may deteriorate. (B) The crosslinking agent may be used singly or in combination of two or more.

[3](C)成分
本発明の剥離層形成用組成物は、(C)成分として架橋触媒を含んでもよい。前記架橋触媒としては、熱酸発生剤又は光酸発生剤が好ましい。
[3] (C) Component The release layer-forming composition of the present invention may contain a crosslinking catalyst as the (C) component. As the cross-linking catalyst, a thermal acid generator or a photoacid generator is preferable.

熱酸発生剤は、加熱によって酸が発生し、酸の作用によってエポキシ基をカチオン重合させる触媒である。
熱酸発生剤としては、熱により酸を発生することができれば特に制限はなく、例えば、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩などのオニウム塩等が挙げられる。
The thermal acid generator is a catalyst that generates an acid by heating and cationic polymerization of epoxy groups by the action of the acid.
The thermal acid generator is not particularly limited as long as it can generate an acid by heat, and examples thereof include onium salts such as sulfonium salts, benzothiazolium salts, ammonium salts and phosphonium salts.

熱酸発生剤の具体例としては、ベンジル(4-ヒドロキシフェニル)メチルスルホニウム、(4-アセトキシフェニル)ジメチルスルホニウム、(4-ヒドロキシフェニル)ジメチルスルホニウム、(2-メチルベンジル)(4-ヒドロキシフェニル)メチルスルホニウム、(1-ナフチルメチル)(4-ヒドロキシフェニル)メチルスルホニウムおよびベンジル(4-アセトキシフェニル)メチルスルホニウムから選ばれるカチオンと、トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ヘキサフルオロアンチモネート、p-トルエンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートからなる群より選ばれるアニオンの塩等が挙げられる。 Specific examples of thermal acid generators include benzyl(4-hydroxyphenyl)methylsulfonium, (4-acetoxyphenyl)dimethylsulfonium, (4-hydroxyphenyl)dimethylsulfonium, (2-methylbenzyl)(4-hydroxyphenyl) a cation selected from methylsulfonium, (1-naphthylmethyl)(4-hydroxyphenyl)methylsulfonium and benzyl(4-acetoxyphenyl)methylsulfonium, and tris(pentafluoroethyl)trifluorophosphate, hexafluorophosphate, tetrafluoroborate , tetrakis(pentafluorophenyl)borate, hexafluoroantimonate, p-toluenesulfonate, dodecylbenzenesulfonate, trifluoromethanesulfonate, and perfluorobutanesulfonate.

熱酸発生剤としては、市販品を用いることができ、具体例としては、TA-60、TA-60B、TA-100、TA-120、TA-160(以上、サンアプロ(株)製)、K-PURE〔登録商標〕TAG-2678、同TAG-2681、同TAG-2689、同TAG-2690、同TAG-2700、同CXC-1612、同CXC-1614、同CXC-1615、同CXC-1616、同CXC-1733、同CXC-1738、同CXC-1742、同CXC-1802、同CXC-1821(以上、King Industries Inc.製)、サンエイドSI-45、同SI-45L、同SI-60、同SI-60L、同SI-80、同SI-80L、同SI-100、同SI-100L、同SI-110、同SI-110L、同SI-150、同SI-150L、同SI-180、同SI-180L、同SI-B2、同SI-B2A、同SI-B3、同SI-B3A、同SI-B4、同SI-B5、同SI-200、同SI-210、同SI-220、同SI-300、同SI-360(以上、三新化学工業(株)製)等が挙げられる。 Commercially available products can be used as the thermal acid generator, and specific examples include TA-60, TA-60B, TA-100, TA-120, TA-160 (manufactured by San-Apro Co., Ltd.), K -PURE (registered trademark) TAG-2678, TAG-2681, TAG-2689, TAG-2690, TAG-2700, CXC-1612, CXC-1614, CXC-1615, CXC-1616, The same CXC-1733, the same CXC-1738, the same CXC-1742, the same CXC-1802, the same CXC-1821 (manufactured by King Industries Inc.), the same San-Aid SI-45, the same SI-45L, the same SI-60, the same SI-60L, SI-80, SI-80L, SI-100, SI-100L, SI-110, SI-110L, SI-150, SI-150L, SI-180, SI-180L, SI-B2, SI-B2A, SI-B3, SI-B3A, SI-B4, SI-B5, SI-200, SI-210, SI-220, SI-300, SI-360 (manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) and the like.

光酸発生剤は、光の照射によって酸が発生し、酸の作用によってエポキシ基をカチオン重合させる触媒である。
光酸発生剤としては、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ホスホニウム塩、ジスルホン系化合物、イミドスルホネート化合物、ハロゲン含有トリアジン化合物、アセトフェノン誘導体化合物、及び、シアノ基含有オキシムスルホネート化合物等が挙げられる。
The photoacid generator is a catalyst that generates an acid when irradiated with light and causes cationic polymerization of epoxy groups by the action of the acid.
Examples of photoacid generators include sulfonium salt compounds, iodonium salt compounds, phosphonium salts, disulfone compounds, imidosulfonate compounds, halogen-containing triazine compounds, acetophenone derivative compounds, and cyano group-containing oxime sulfonate compounds.

光酸発生剤の具体例としては、2-ブテニルジメチルスルホニウム、2-ブテニルテトラメチレンスルホニウム、3-メチル-2-ブテニルジメチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルホニウム、α-ナフチルメチルテトラメチレンスルホニウム、シンナミルジメチルスルホニウム、シンナミルテトラメチレンスルホニウム、ビフェニルメチルジメチルスルホニウム、ビフェニルメチルテトラメチレンスルホニウム、フェニルメチルジメチルスルホニウム、フェニルメチルテトラメチレンスルホニウム、フルオレニルメチルジメチルスルホニウム、フルオレニルメチルテトラメチレンスルホニウム、ビス[4-(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィド、ジフェニル-4-(フェニルチオ)フェニルスルホニウム、トリフェニルスルホニウム、ビス[4-(ジ(4-(2-ヒドロキシエトキシ))フェニルスルホニオ)フェニル]スルフィド、ベンジル(4-ヒドロキシフェニル)メチルスルホニウム、ジベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム及び4-アセトキシフェニルベンジルスルホニウム等から選ばれるカチオンと、トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ヘキサフルオロアンチモネート、p-トルエンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート及びパーフルオロブタンスルホネートからなる群より選ばれるアニオンの塩であるスルホニウム塩;ジフェニルヨードニウムクロライド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムメシレート、ジフェニルヨードニウムトシレート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムメシレート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムトシレート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムクロリド、ビス(p-クロロフェニル)ヨードニウムクロライド、ビス(p-クロロフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート等のヨードニウム塩;トリフェニルホスホニウムクロリド、トリフェニルホスホニウムブロミド、トリ(p-メトキシフェニル)ホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ(p-メトキシフェニル)ホスホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ(p-エトキシフェニル)ホスホニウムテトラフルオロボレート等のホスホニウム塩;ジ(フェニルスルホン)等のジスルホン化合物;N-(メチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(メチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(メチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N-(メチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-(メチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-(メチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド等のイミドスルホネート化合物;それらのイミドスルホネート化合物のメチルスルホニルオキシをプロピルスルホニルオキシ、ブチルスルホニルオキシ、カンファスルホニルオキシ、p-トルエンスルホニルオキシ、2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ、4-フルオロフェニルスルホニルオキシ及びトリフルオロメチルスルホニルオキシ基から選ばれる基に置き換えた化合物等が挙げられる。 Specific examples of photoacid generators include 2-butenyldimethylsulfonium, 2-butenyltetramethylenesulfonium, 3-methyl-2-butenyldimethylsulfonium, 4-hydroxyphenylcinnamylmethylsulfonium, α-naphthylmethyltetra methylenesulfonium, cinnamyldimethylsulfonium, cinnamyltetramethylenesulfonium, biphenylmethyldimethylsulfonium, biphenylmethyltetramethylenesulfonium, phenylmethyldimethylsulfonium, phenylmethyltetramethylenesulfonium, fluorenylmethyldimethylsulfonium, fluorenylmethyltetramethylenesulfonium , bis[4-(diphenylsulfonio)phenyl]sulfide, diphenyl-4-(phenylthio)phenylsulfonium, triphenylsulfonium, bis[4-(di(4-(2-hydroxyethoxy))phenylsulfonio)phenyl] a cation selected from sulfide, benzyl(4-hydroxyphenyl)methylsulfonium, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium, 4-acetoxyphenylbenzylsulfonium and the like, and tris(pentafluoroethyl)trifluorophosphate, hexafluorophosphate, tetrafluoroborate , tetrakis(pentafluorophenyl)borate, hexafluoroantimonate, p-toluenesulfonate, dodecylbenzenesulfonate, trifluoromethanesulfonate and perfluorobutanesulfonate sulfonium salts which are salts of anions; diphenyliodonium chloride, diphenyl Iodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium mesylate, diphenyliodonium tosylate, diphenyliodonium bromide, diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, bis(p-tert-butylphenyl)iodonium hexa Fluorophosphate, bis(p-tert-butylphenyl)iodonium mesylate, bis(p-tert-butylphenyl)iodonium tosylate, bis(p-tert-butylphenyl)iodonium trifluoromethanesulfonate, bis(p-tert-butyl Phenyl)iodonium tetrafluorobore iodonium salts such as bis(p-tert-butylphenyl)iodonium chloride, bis(p-chlorophenyl)iodonium chloride, bis(p-chlorophenyl)iodonium tetrafluoroborate; triphenylphosphonium chloride, triphenylphosphonium bromide, tri( Phosphonium salts such as p-methoxyphenyl)phosphonium tetrafluoroborate, tri(p-methoxyphenyl)phosphonium hexafluorophosphonate, tri(p-ethoxyphenyl)phosphonium tetrafluoroborate; disulfone compounds such as di(phenylsulfone); N- (methylsulfonyloxy)succinimide, N-(methylsulfonyloxy)phthalimide, N-(methylsulfonyloxy)diphenylmaleimide, N-(methylsulfonyloxy)bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3 -dicarboximide, N-(methylsulfonyloxy)bicyclo[2.2.1]heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboximide, N-(methylsulfonyloxy)naphthyldicarboximide, etc. Sulfonate compounds; the methylsulfonyloxy of their imidosulfonate compounds to propylsulfonyloxy, butylsulfonyloxy, camphorsulfonyloxy, p-toluenesulfonyloxy, 2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy, 4-fluorophenylsulfonyloxy and trifluoromethyl Examples thereof include compounds substituted with a group selected from sulfonyloxy groups.

光酸発生剤としては、市販品を用いることができ、具体例としては、サンエイドSI-45L、サンエイドSI-60L、サンエイドSI-80L、サンエイドSI-100L、サンエイドSI-110L、サンエイドSI-150L(以上、三新化学工業(株)製)、アデカオプトマーSP-150、アデカオプトマーSP-170、アデカオプトマーSP-171(以上、(株)ADEKA製)、UVE-1014(ゼネラルエレクトロニクス社製)、CD-1012(サートマー社製)等が挙げられる。 Commercially available products can be used as the photoacid generator, and specific examples include San-Aid SI-45L, San-Aid SI-60L, San-Aid SI-80L, San-Aid SI-100L, San-Aid SI-110L, San-Aid SI-150L ( Above, manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), Adeka Optomer SP-150, Adeka Optomer SP-170, Adeka Optomer SP-171 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.), UVE-1014 (manufactured by General Electronics Co., Ltd.) ), CD-1012 (manufactured by Sartomer) and the like.

(C)成分を用いる場合、その含有量は、(A)成分の重合体100質量部に対し、0.01~20質量部が好ましく、0.1~20質量部がより好ましく、0.1~10質量部がより一層好ましい。(C)成分の含有量が前記範囲であれば、高耐熱性と適度な剥離性とを有する剥離層樹脂組成物が得られる。なお、(C)架橋触媒は、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。 When component (C) is used, its content is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 100 parts by mass of the polymer of component (A). ~10 parts by mass is even more preferred. When the content of component (C) is within the above range, a release layer resin composition having high heat resistance and appropriate release properties can be obtained. In addition, (C) crosslinking catalyst may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

[4]その他の添加剤
本発明の剥離層形成用組成物は、必要に応じて界面活性剤を含んでもよい。界面活性剤を添加することで、基板に対する前記剥離層形成用組成物の塗布性を向上させることができる。前記界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の公知の界面活性剤を用いることができる。
[4] Other Additives The composition for forming a release layer of the present invention may contain a surfactant, if necessary. By adding a surfactant, it is possible to improve the coatability of the release layer forming composition on the substrate. As the surfactant, known surfactants such as nonionic surfactants, fluorine-based surfactants, and silicone-based surfactants can be used.

ノニオン系界面活性剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類;ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類;ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類;ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等が挙げられる。 Specific examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; Ethers, polyoxyethylene alkylaryl ethers such as polyoxyethylene nonylphenyl ether; polyoxyethylene/polyoxypropylene block copolymers; sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan Sorbitan fatty acid esters such as trioleate and sorbitan tristearate; polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan trioleate polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as stearate;

フッ素系界面活性剤の具体例としては、エフトップ(登録商標)EF301、EF303、EF352(三菱マテリアル電子化成(株)製)、メガファック(登録商標)F171、F173、F554、F559、F563、R-30、R-40、R-40-LM、DS-21(DIC(株)製)、フロラードFC430、FC431(スリーエム社製)、アサヒガード(登録商標)AG710、サーフロン(登録商標)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(AGC(株)製)等が挙げられる。 Specific examples of fluorosurfactants include Ftop (registered trademark) EF301, EF303, EF352 (manufactured by Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.), Megafac (registered trademark) F171, F173, F554, F559, F563, R -30, R-40, R-40-LM, DS-21 (manufactured by DIC Corporation), Florard FC430, FC431 (manufactured by 3M), Asahiguard (registered trademark) AG710, Surflon (registered trademark) S-382 , SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by AGC Co., Ltd.) and the like.

シリコーン系界面活性剤の具体例としては、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)等が挙げられる。 Specific examples of silicone-based surfactants include organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

これらの界面活性剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。界面活性剤を用いる場合、その使用量は、(A)重合体100質量部に対し、0.0001~1質量部が好ましく、0.001~0.5質量部がより好ましい。 These surfactants may be used singly or in combination of two or more. When a surfactant is used, the amount used is preferably 0.0001 to 1 part by mass, more preferably 0.001 to 0.5 part by mass, per 100 parts by mass of the polymer (A).

また、本発明の実施形態の剥離層形成用組成物は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の添加剤として、シランカップリング剤、レオロジー調整剤、顔料、染料、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤等を含有することができる。 In addition, the composition for forming a release layer of the embodiment of the present invention may contain other additives such as silane coupling agents, rheology modifiers, pigments, dyes, storage stabilizers, antiseptics, as long as they do not impair the effects of the present invention. Foaming agents, antioxidants and the like can be included.

[5]溶剤
本発明の剥離層形成用組成物は、溶剤を含んでいてもよい。
溶剤としては、(A)成分、必要に応じて用いられる(B)成分、(C)成分及びその他の添加剤の溶解能を有するものであれば、その種類及び構造等は特に限定されるものでないが、本発明では、炭素数3~20のグリコールエーテル系溶剤、炭素数3~20のエステル系溶剤、炭素数3~20のケトン系溶剤、アミド系溶剤が好ましい。
[5] Solvent The release layer-forming composition of the present invention may contain a solvent.
The type and structure of the solvent are particularly limited as long as it has the ability to dissolve the component (A), the components (B) and (C) that are used as necessary, and other additives. However, in the present invention, glycol ether solvents with 3 to 20 carbon atoms, ester solvents with 3 to 20 carbon atoms, ketone solvents with 3 to 20 carbon atoms, and amide solvents are preferred.

グリコールエーテル系溶剤の具体例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル等が挙げられる。
エステル系溶剤の具体例としては、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、2-ヒドロシキイソ酪酸メチル、2-ヒドロシキイソ酪酸エチル等が挙げられる。
ケトン系溶剤の具体例としては、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ベンゾフェノン等が挙げられる。
アミド系溶剤の具体例としては、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、3-メトキシ-N,N-ジメチルプロパンアミド等が挙げられる。
なお、溶剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
Specific examples of glycol ether solvents include propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monoethyl ether, and propylene glycol monopropyl ether.
Specific examples of ester solvents include ethyl lactate, γ-butyrolactone, methyl 2-hydroxyisobutyrate, and ethyl 2-hydroxyisobutyrate.
Specific examples of ketone-based solvents include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, and benzophenone.
Specific examples of amide solvents include N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide and the like.
In addition, a solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

溶剤の含有量は、本発明の剥離層形成用組成物中の固形分濃度が、0.1~40質量%となる量が好ましく、0.5~20質量%となる量がより好ましく、0.5~10質量%となる量がより一層好ましい。なお、固形分とは、剥離層形成用組成物の全成分のうち、溶剤以外のものの総称である。 The content of the solvent is preferably such that the solid concentration in the release layer-forming composition of the present invention becomes 0.1 to 40% by mass, more preferably 0.5 to 20% by mass. An amount of 0.5 to 10% by weight is even more preferred. The solid content is a general term for all components of the release layer-forming composition other than the solvent.

本発明の剥離層形成用組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、例えば、溶剤に溶解した(A)成分の溶液に、所望により(B)成分、(C)成分、及び/又はその他の添加剤等を所定の割合で混合し、均一な溶液とする方法や、前記調製方法の適当な段階において、必要に応じてその他添加剤を更に添加して混合する方法が挙げられる。
なお、調製された剥離層形成用組成物の溶液は、孔径が0.2μm程度のフィルター等を用いて濾過した後、使用することが好ましい。
The method for preparing the release layer-forming composition of the present invention is not particularly limited. Alternatively, a method of mixing other additives in a predetermined ratio to form a uniform solution, or a method of adding and mixing other additives as necessary in an appropriate stage of the preparation method.
The prepared solution of the composition for forming a release layer is preferably used after being filtered using a filter having a pore size of about 0.2 μm.

本発明の剥離層形成用組成物の粘度は、作製する剥離層の厚み等を勘案して適宜設定するものではあるが、特に0.01~5μm程度の厚さの膜を再現性よく得ることを目的とする場合、通常、25℃で1~5,000mPa・s程度が好ましく、1~2,000mPa・s程度がより好ましい。 The viscosity of the release layer-forming composition of the present invention is appropriately set in consideration of the thickness of the release layer to be produced, etc. In particular, it is desirable to obtain a film having a thickness of about 0.01 to 5 μm with good reproducibility. , the viscosity at 25° C. is preferably about 1 to 5,000 mPa·s, more preferably about 1 to 2,000 mPa·s.

ここで、粘度は、市販の液体の粘度測定用粘度計を使用して、例えば、JIS K7117-2に記載の手順を参照して、組成物の温度25℃の条件にて測定することができる。好ましくは、粘度計としては、円錐平板型(コーンプレート型)回転粘度計を使用し、好ましくは同型の粘度計で標準コーンロータとして1°34’×R24を使用して、組成物の温度25℃の条件にて測定することができる。このような回転粘度計としては、例えば、東機産業(株)製TVE-25Lが挙げられる。 Here, the viscosity can be measured using a commercially available viscometer for measuring the viscosity of a liquid, for example, with reference to the procedure described in JIS K7117-2, under the conditions of a composition temperature of 25°C. . Preferably, as a viscometer, a cone-plate type (cone-plate type) rotational viscometer is used, preferably with a viscometer of the same type using a standard cone rotor of 1 ° 34' × R24, and the temperature of the composition is 25 It can be measured under the conditions of °C. Examples of such a rotational viscometer include TVE-25L manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.

[剥離層]
本発明の剥離層形成用組成物を、基体上に塗布した後、100~250℃で焼成する工程を含む焼成法にて、剥離層を得ることができる。
この場合、焼成時間は、温度によって異なるため一概に規定できないが、通常1分間~5時間である。また、焼成工程は、最高温度が前記範囲となる限り、それ以下の温度で焼成する工程を含んでもよい。
[Release layer]
A release layer can be obtained by a baking method including a step of applying the release layer-forming composition of the present invention onto a substrate and then baking the composition at 100 to 250°C.
In this case, the sintering time varies depending on the temperature and cannot be generally specified, but is usually 1 minute to 5 hours. Moreover, the firing step may include a step of firing at a temperature lower than the maximum temperature, as long as the maximum temperature falls within the above range.

本発明における加熱態様の好ましい一例としては、50~150℃で1分間~1時間加熱した後に、そのまま加熱温度を上昇させて100~250℃で5分間~4時間加熱する態様が挙げられる。特に、加熱態様のより好ましい一例としては、50~150℃で1分間~1時間加熱し、150~250℃で5分間~2時間加熱する態様が挙げられる。更に、加熱態様のより好ましい他の一例としては、50~150℃で1分間~30分間加熱した後に、200~250℃で5分間~1時間加熱する態様が挙げられる。 A preferred example of the heating mode in the present invention includes heating at 50 to 150° C. for 1 minute to 1 hour and then increasing the heating temperature to 100 to 250° C. for 5 minutes to 4 hours. In particular, a more preferable heating mode is heating at 50 to 150° C. for 1 minute to 1 hour and heating at 150 to 250° C. for 5 minutes to 2 hours. Furthermore, another more preferable example of the heating mode includes heating at 50 to 150° C. for 1 minute to 30 minutes and then heating at 200 to 250° C. for 5 minutes to 1 hour.

本発明の剥離層を基体上に形成する場合、剥離層は基体の一部表面に形成されていてもよいし、全面に形成されていてもよい。基体の一部表面に剥離層を形成する態様としては、基体表面のうち所定の範囲にのみ剥離層を形成する態様、基体表面全面にドットパターン、ラインアンドスペースパターン等のパターン状に剥離層を形成する態様等がある。
なお、本発明において、基体とは、その表面に本発明の剥離層形成用組成物が塗られるものであって、フレキシブル電子デバイス等の製造に用いられるものを意味する。
When the release layer of the present invention is formed on a substrate, the release layer may be formed on a part of the surface of the substrate, or may be formed on the entire surface. Examples of forming the release layer on a part of the surface of the substrate include forming the release layer only on a predetermined area of the surface of the substrate, and forming the release layer on the entire surface of the substrate in a pattern such as a dot pattern or a line and space pattern. There is an aspect of forming.
In the present invention, the term "substrate" means a substrate whose surface is coated with the release layer-forming composition of the present invention, and which is used in the production of flexible electronic devices and the like.

基体(基材)としては、例えば、ガラス、金属(シリコンウエハ等)、スレート等が挙げられるが、特に、本発明に係る剥離層形成用組成物から得られる剥離層がそれに対する十分な密着性を有することから、ガラスが好ましい。なお、基体表面は、単一の材料で構成されていてもよく、2以上の材料で構成されていてもよい。2以上の材料で基体表面が構成される態様としては、基体表面のうち、ある範囲はある材料で構成され、その余の表面はその他の材料で構成されている態様、基体表面全体にドットパターン、ラインアンドスペースパターン等のパターン状にある材料がその他の材料中に存在する態様等がある。 Examples of the substrate (substrate) include glass, metal (silicon wafer, etc.), slate, and the like. Glass is preferred because it has The substrate surface may be composed of a single material, or may be composed of two or more materials. Examples of embodiments in which the surface of the substrate is composed of two or more materials include an embodiment in which a certain area of the surface of the substrate is composed of a certain material and the rest of the surface is composed of another material; , a patterned material such as a line-and-space pattern exists in another material.

塗布方法は、特に限定されないが、例えば、キャストコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、インクジェット法、印刷法(凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等)等が挙げられる。 The coating method is not particularly limited. screen printing, etc.).

加熱に用いる器具としては、例えば、ホットプレート、オーブン等が挙げられる。加熱雰囲気は、空気下であっても不活性ガス下であってもよく、また、常圧下であっても減圧下であってもよい。 Equipment used for heating includes, for example, a hot plate and an oven. The heating atmosphere may be under air or under an inert gas, and may be under normal pressure or under reduced pressure.

剥離層の厚さは、通常0.01~50μm程度、生産性の観点から、好ましくは0.01~20μm程度、より好ましくは0.01~5μm程度であり、加熱前の塗膜の厚さを調整して所望の厚さを実現する。 The thickness of the release layer is usually about 0.01 to 50 μm, preferably about 0.01 to 20 μm, more preferably about 0.01 to 5 μm from the viewpoint of productivity. to achieve the desired thickness.

本発明の剥離層は、その上に設けられた樹脂基板と良好な剥離性を有する。このため、本発明の剥離層は、フレキシブル電子デバイスの製造プロセスにおいて、当該デバイスの樹脂基板に損傷を与えることなく、当該樹脂基板を、その樹脂基板上に形成された回路等とともに、基体から剥離させるために好適に用いることができる。 The release layer of the present invention has good releasability from the resin substrate provided thereon. Therefore, the release layer of the present invention can be used to separate the resin substrate of the device from the substrate together with the circuit or the like formed on the resin substrate without damaging the resin substrate of the device in the manufacturing process of the flexible electronic device. It can be suitably used to allow

本発明の剥離層を用いたフレキシブル電子デバイスの製造方法の一例について説明する。まず、本発明の剥離層形成用組成物を用いて、前述の方法によって、ガラス基体上に剥離層を形成する。この剥離層の上に、樹脂基板を形成するための樹脂基板形成用溶液を塗布し、得られた塗膜を焼成することで、本発明の剥離層を介して、ガラス基体に固定された樹脂基板を形成する。 An example of a method for manufacturing a flexible electronic device using the release layer of the present invention will be described. First, using the composition for forming a release layer of the present invention, a release layer is formed on a glass substrate by the method described above. A resin substrate-forming solution for forming a resin substrate is applied onto the release layer, and the resulting coating film is baked to obtain a resin fixed to the glass substrate through the release layer of the present invention. forming a substrate;

塗膜の焼成温度は、樹脂の種類等に応じて適宜設定されるものであるが、本発明では、この焼成時の最高温度を200~250℃とすることが好ましく、210~250℃とすることがより好ましく、220~240℃とすることがより一層好ましい。樹脂基板作製の際の焼成時の最高温度をこの範囲とすることで、剥離層と樹脂基板との剥離性をより向上させることができる。この場合も、最高温度が前記範囲となる限り、それ以下の温度で焼成する工程を含んでもよい。 The baking temperature of the coating film is appropriately set according to the type of resin, etc., but in the present invention, the maximum temperature during baking is preferably 200 to 250 ° C., and 210 to 250 ° C. is more preferable, and 220 to 240° C. is even more preferable. By setting the maximum baking temperature in this range for the production of the resin substrate, it is possible to further improve the releasability between the release layer and the resin substrate. Also in this case, as long as the maximum temperature falls within the above range, a step of firing at a temperature lower than that may be included.

樹脂基板は剥離層を全て覆うようにして、剥離層の面積と比較して大きい面積で、樹脂基板を形成することが好ましい。樹脂基板としては、エポキシ化合物を含有する熱硬化膜からなる樹脂基板、アクリルポリマーからなる樹脂基板、シクロオレフィンポリマーからなる樹脂基板等が挙げられる。当該樹脂基板の形成方法は、常法に従えばよい。また、樹脂基板としては、波長400nmの光透過率が80%以上であるものが好ましい。 It is preferable that the resin substrate is formed so as to cover the entire peeling layer so that the resin substrate has an area larger than that of the peeling layer. Examples of the resin substrate include a resin substrate made of a thermosetting film containing an epoxy compound, a resin substrate made of an acrylic polymer, a resin substrate made of a cycloolefin polymer, and the like. A method for forming the resin substrate may follow a conventional method. Moreover, it is preferable that the resin substrate has a light transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 nm.

次に、本発明の剥離層を介して基体に固定された当該樹脂基板の上に、必要に応じて所望の回路を形成し、その後、例えば剥離層に沿って樹脂基板をカットし、この回路とともに樹脂基板を剥離層から剥離して、樹脂基板と基体とを分離する。この際、基体の一部を剥離層とともにカットしてもよい。
本発明の剥離層を用いれば、樹脂基板を剥離層から0.4N/25mm以下の剥離力で剥離することができる。
Next, on the resin substrate fixed to the substrate via the release layer of the present invention, a desired circuit is formed as necessary, and then, for example, the resin substrate is cut along the release layer to form the circuit. At the same time, the resin substrate is separated from the release layer to separate the resin substrate and the base. At this time, part of the substrate may be cut together with the release layer.
By using the release layer of the present invention, the resin substrate can be separated from the release layer with a release force of 0.4 N/25 mm or less.

以下、合成例、調製例、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は、下記実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Synthesis Examples, Preparation Examples, Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

以下の実施例で用いる略記号の意味は、次のとおりである。 Abbreviations used in the following examples have the following meanings.

〔ポリマー原料〕
ADMA:メタクリル酸2-アダマンチル
DCPMA:メタクリル酸ジシクロペンタニル
GMA:メタクリル酸グリシジル
4HBAGE:4-ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル
MA:アクリル酸メチル
PhMI:N-フェニルマレイミド
St:スチレン
AIBN:アゾビスイソブチロニトリル
〔溶媒〕
CHN:シクロヘキサノン
〔(B)成分〕
GT-401:ブタンテトラカルボン酸 テトラ(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)修飾ε-カプロラクトン[エポリードGT-401(ダイセル(株)製)]
〔(C)成分〕
SI-B3A:テトラキスペンタフルオロフェニルスルホニウムボレート塩[サンエイドSI-B3A(三新化学工業(株)製)]
[Polymer raw material]
ADMA: 2-adamantyl methacrylate DCPMA: dicyclopentanyl methacrylate GMA: glycidyl methacrylate 4HBAGE: 4-hydroxybutyl acrylate glycidyl ether MA: methyl acrylate PhMI: N-phenylmaleimide St: styrene AIBN: azobisisobutyro Nitrile [solvent]
CHN: cyclohexanone [(B) component]
GT-401: butanetetracarboxylic acid tetra(3,4-epoxycyclohexylmethyl)-modified ε-caprolactone [Epolead GT-401 (manufactured by Daicel Corporation)]
[(C) component]
SI-B3A: tetrakis pentafluorophenylsulfonium borate salt [San-Aid SI-B3A (manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.)]

〔重合体の分子量の測定〕
重合例におけるアクリル共重合体の分子量は、(株)Shodex社製常温ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)装置(GPC-101)、Shodex社製カラム(KD-803、KD-805)を用い以下のようにして測定した。
なお、下記の数平均分子量(以下、Mnと称す。)及び重量平均分子量(以下、Mwと称す。)は、ポリスチレン換算値にて表した。
カラム温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフラン
流速:1.0mL/分
検量線作成用標準サンプル:昭和電工(株)製 標準ポリスチレン(分子量約197,000、55,100、12,800、3,950、1,260、580)。
[Measurement of molecular weight of polymer]
The molecular weights of the acrylic copolymers in the polymerization examples are as follows using Shodex Co., Ltd. room temperature gel permeation chromatography (GPC) apparatus (GPC-101) and Shodex columns (KD-803, KD-805). and measured.
The number average molecular weight (hereinafter referred to as Mn) and weight average molecular weight (hereinafter referred to as Mw) below are expressed in terms of polystyrene.
Column temperature: 40°C
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL/min. Standard sample for creating a calibration curve: Standard polystyrene manufactured by Showa Denko Co., Ltd. ).

(1)(A)成分の合成
[合成例1]
非架橋性モノマーとしてADMA5.00g(22.70mmol)、架橋モノマーとしてGMA0.17g(1.19mmol)、重合触媒としてAIBN0.12g(0.72mmol)をCHN50.0gに溶解し、加熱還流下にて20時間反応させることによりアクリル共重合体溶液を得た。アクリル共重合体溶液をヘキサン 500.0gに徐々に滴下して固体を析出させ、ろ過及び減圧乾燥することでアクリル重合体(PA-1)を得た。得られたアクリル共重合体のMwは18,000であった。
(1) Synthesis of component (A) [Synthesis Example 1]
5.00 g (22.70 mmol) of ADMA as a non-crosslinking monomer, 0.17 g (1.19 mmol) of GMA as a crosslinking monomer, and 0.12 g (0.72 mmol) of AIBN as a polymerization catalyst were dissolved in 50.0 g of CHN and heated under reflux. An acrylic copolymer solution was obtained by reacting for 20 hours. The acrylic copolymer solution was gradually added dropwise to 500.0 g of hexane to precipitate a solid, filtered and dried under reduced pressure to obtain an acrylic polymer (PA-1). Mw of the obtained acrylic copolymer was 18,000.

[合成例2~8]
原料化合物の種類、配合量を下記表1のとおりとした以外は、合成例1と同様に操作し、重合体(PA-2)~(PA-8)を得た。得られた重合体のMw及びTgを表1に示す。
[Synthesis Examples 2 to 8]
Polymers (PA-2) to (PA-8) were obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that the types and amounts of the raw material compounds were as shown in Table 1 below. Table 1 shows the Mw and Tg of the obtained polymer.

Figure 2022140914000003
Figure 2022140914000003

(2)樹脂基板形成用組成物の調製
[調製例1]
溶媒として四塩化炭素100gを入れたナスフラスコに、ゼオノア(登録商標)1020R(日本ゼオン(株)製シクロオレフィンポリマー)10g及びエポリード(登録商標)GT401((株)ダイセル製)3gを添加した。この溶液を、窒素雰囲気下、24時間攪拌して溶解し、樹脂基板形成用組成物F1を調製した。
(2) Preparation of resin substrate-forming composition [Preparation Example 1]
10 g of Zeonor (registered trademark) 1020R (a cycloolefin polymer manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) and 3 g of Epolead (registered trademark) GT401 (manufactured by Daicel Corporation) were added to an eggplant flask containing 100 g of carbon tetrachloride as a solvent. This solution was dissolved by stirring for 24 hours in a nitrogen atmosphere to prepare a resin substrate-forming composition F1.

(3)剥離層形成用組成物の調製
[実施例1-1]
(A)成分として前記合成例1で得た重合体(PA-1)を100質量部、(C)成分としてSI-B3Aを1質量部混合し、これにCHNを加え、固形分濃度が5.0質量%の剥離層形成組成物(A-1)を調製した。
(3) Preparation of release layer forming composition [Example 1-1]
100 parts by mass of the polymer (PA-1) obtained in Synthesis Example 1 as the component (A) and 1 part by mass of SI-B3A as the component (C) were mixed, and CHN was added thereto to obtain a solid content concentration of 5. A release layer-forming composition (A-1) of 0% by mass was prepared.

[実施例1-2~1-7、比較例1-1~1-3]
各成分の種類と量を、それぞれ表2に記載のとおりとしたほかは、実施例1-1と同様に実施し、剥離層形成組成物(A-2)~(A-10)をそれぞれ調製した。
[Examples 1-2 to 1-7, Comparative Examples 1-1 to 1-3]
Exfoliation layer-forming compositions (A-2) to (A-10) were prepared in the same manner as in Example 1-1, except that the types and amounts of each component were as shown in Table 2. did.

Figure 2022140914000004
Figure 2022140914000004

(3)剥離層及び樹脂基板の作製
[実施例2-1]
スピンコータ(条件:回転数2,000rpmで約30秒)を用いて、剥離層形成用組成物(A-1)を、基体としてのガラス基板(コーニング社製イーグルXG、100mm×100mm×0.7mm、以下同様)の上に塗布した。得られた塗膜を、ホットプレートを用いて100℃で2分間加熱し、次いでホットプレートを用いて230℃で10分間加熱し、ガラス基板上に厚さ約0.1μmの剥離層を形成し、剥離層付きガラス基板を得た。
その後、スピンコータ(条件:回転数200rpmで約15秒)を用いて、前記ガラス基板上の剥離層(樹脂薄膜)の上に樹脂基板形成用組成物F1を塗布した。得られた塗膜を、ホットプレートを用いて80℃で2分間加熱し、その後、ホットプレートを用いて230℃で30分間加熱し、剥離層上に厚さ約3μmの樹脂基板を形成し、樹脂基板・剥離層付きガラス基板を得た。
(3) Production of release layer and resin substrate [Example 2-1]
Using a spin coater (conditions: 2,000 rpm for about 30 seconds), the release layer forming composition (A-1) was coated on a glass substrate (Corning Eagle XG, 100 mm × 100 mm × 0.7 mm) as a substrate. , hereinafter the same). The resulting coating film was heated at 100° C. for 2 minutes using a hot plate and then heated at 230° C. for 10 minutes using a hot plate to form a release layer having a thickness of about 0.1 μm on the glass substrate. , a glass substrate with a release layer was obtained.
After that, using a spin coater (conditions: 200 rpm for about 15 seconds), the resin substrate-forming composition F1 was applied onto the release layer (resin thin film) on the glass substrate. The resulting coating film is heated using a hot plate at 80° C. for 2 minutes, and then heated at 230° C. for 30 minutes using a hot plate to form a resin substrate having a thickness of about 3 μm on the release layer, A glass substrate with a resin substrate and a release layer was obtained.

[実施例2-2~2-7、比較例2-1~2-3]
剥離層形成組成物として(A-2)~(A-10)を用いた以外は、実施例2-1と同様に操作し、実施例2-2~2-7、比較例2-1~2-3の樹脂基板・剥離層付きガラス基板を得た。
[Examples 2-2 to 2-7, Comparative Examples 2-1 to 2-3]
Except for using (A-2) to (A-10) as the release layer forming composition, the same operations as in Example 2-1 were carried out, Examples 2-2 to 2-7, Comparative Examples 2-1 to A glass substrate with a resin substrate and a peeling layer of 2-3 was obtained.

〔剥離力の評価〕
前記で得られた樹脂基板・剥離層付きガラス基板を、カッターを用いて25mm×50mmの短冊状に切り込みを入れた。更に、セロテープ(登録商標)(ニチバン(株)製CT-24)を貼った後、オートグラフAGS-X500N((株)島津製作所製)を用いて、剥離角度90°、剥離速度300mm/minで剥離し、剥離力を測定した。なお、剥離できないものは、剥離不可とした。評価結果は「剥離力」とし、結果を表3にまとめて示す。
[Evaluation of Peeling Force]
The obtained resin substrate/glass substrate with a peeling layer was cut into strips of 25 mm×50 mm using a cutter. Furthermore, after applying Cellotape (registered trademark) (CT-24 manufactured by Nichiban Co., Ltd.), Autograph AGS-X500N (manufactured by Shimadzu Corporation) was used at a peeling angle of 90 ° and a peeling speed of 300 mm / min. It was peeled off and the peel force was measured. In addition, what could not be peeled was made into non-peelable. The evaluation result is "peeling force", and the results are summarized in Table 3.

〔剥離界面の評価〕
剥離力の評価後のガラス基板上に残存する剥離層を、触針式膜厚計で膜厚を測定した。剥離層形成時の膜厚と比較を行い、剥離界面を判別した。評価結果は「剥離界面」とし、残膜率(残膜率(%)=剥離後の剥離層膜厚/剥離層形成時の剥離層膜厚×100)が90%以上の場合は剥離層/樹脂界面、10%以上90%未満の場合は剥離層の凝集破壊、10%未満の場合はガラス基板/剥離層界面とした。評価結果を表3にまとめて示す。
[Evaluation of peeling interface]
The film thickness of the peeling layer remaining on the glass substrate after evaluation of the peeling force was measured with a stylus type film thickness meter. The film thickness at the time of forming the peeling layer was compared to determine the peeling interface. The evaluation result is the "peeling interface", and if the residual film rate (remaining film rate (%) = peeling layer thickness after peeling / peeling layer thickness at the time of peeling layer formation × 100) is 90% or more, the peeling layer / The resin interface, the cohesive failure of the peeling layer when it is 10% or more and less than 90%, and the glass substrate/peeling layer interface when it is less than 10%. The evaluation results are summarized in Table 3.

Figure 2022140914000005
Figure 2022140914000005

表3に示した結果より、実施例の剥離層は、低い剥離力を示し、剥離性に優れていることが確認された。また、実施例の剥離層は、剥離層と樹脂基板の界面で剥離することが確認された。一方、比較例の膜は、剥離層として機能しないことがわかる。 From the results shown in Table 3, it was confirmed that the peeling layers of Examples exhibit low peeling force and are excellent in peelability. Moreover, it was confirmed that the release layer of the example was released at the interface between the release layer and the resin substrate. On the other hand, it can be seen that the film of the comparative example does not function as a release layer.

Claims (12)

(A)エポキシ基を有するモノマー(構造単位(a))を用いて得られる重合体であり、構造単位(a)の含有量が、全モノマー単位100モル%に対して1~30モル%であり、ガラス転移点が25℃以上である重合体を含有する剥離層形成用組成物。 (A) A polymer obtained by using a monomer having an epoxy group (structural unit (a)), wherein the content of the structural unit (a) is 1 to 30 mol% relative to 100 mol% of the total monomer units. A composition for forming a release layer containing a polymer having a glass transition point of 25° C. or higher. (A)重合体が、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド化合物、アクリルアミド化合物、アクリロニトリル、マレイン酸無水物、スチレン化合物及びビニル化合物からなる群から選ばれるモノマーを用いて得られる重合体である請求項1記載の剥離層形成用樹脂組成物。 (A) The polymer is a polymer obtained using a monomer selected from the group consisting of acrylic acid ester compounds, methacrylic acid ester compounds, maleimide compounds, acrylamide compounds, acrylonitrile, maleic anhydride, styrene compounds and vinyl compounds. The resin composition for forming a release layer according to claim 1. (B)架橋剤をさらに含有する請求項1又は2記載の剥離層形成用樹脂組成物。 3. The release layer-forming resin composition according to claim 1, further comprising (B) a cross-linking agent. (B)架橋剤が、エポキシ基を有する架橋剤である請求項1~3のいずれか1項記載の剥離層形成用樹脂組成物。 4. The resin composition for forming a release layer according to any one of claims 1 to 3, wherein (B) the cross-linking agent is a cross-linking agent having an epoxy group. (C)架橋触媒をさらに含有する請求項1~4のいずれか1項記載の剥離層形成用樹脂組成物。 5. The release layer-forming resin composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising (C) a crosslinking catalyst. (C)架橋触媒が、熱酸発生剤又は光酸発生剤である請求項5記載の剥離層形成用樹脂組成物。 6. The resin composition for forming a release layer according to claim 5, wherein (C) the crosslinking catalyst is a thermal acid generator or a photoacid generator. (B)架橋剤の含有量が、(A)重合体100質量部に対し、1~50質量部である請求項3~6のいずれか1項記載の剥離層形成用樹脂組成物。 The release layer-forming resin composition according to any one of claims 3 to 6, wherein the content of (B) the cross-linking agent is 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (A). (C)架橋触媒の含有量が、(A)重合体100質量部に対し、0.01~20質量部である請求項5~7のいずれか1項記載の剥離層形成用樹脂組成物。 The release layer-forming resin composition according to any one of claims 5 to 7, wherein the content of (C) the crosslinking catalyst is 0.01 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer (A). 請求項1~8のいずれか1項記載の剥離層形成用樹脂組成物から得られる剥離層。 A release layer obtained from the release layer-forming resin composition according to any one of claims 1 to 8. 請求項9記載の剥離層に、波長400nmの光透過率が80%以上である樹脂基板が積層された積層体。 A laminate comprising a release layer according to claim 9 and a resin substrate having a light transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 nm. 前記樹脂基板が、エポキシ化合物を含有する熱硬化膜である請求項10記載の積層体。 11. The laminate according to claim 10, wherein the resin substrate is a thermosetting film containing an epoxy compound. 請求項1~8のいずれか1項記載の剥離層形成用組成物を基体に塗布し、剥離層を形成する工程、
前記剥離層上に、波長400nmの光透過率が80%以上である樹脂基板を形成する工程、及び
前記樹脂基板を、0.4N/25mm以下の剥離力で剥離する工程
を含む樹脂基板の製造方法。
a step of applying the composition for forming a release layer according to any one of claims 1 to 8 to a substrate to form a release layer;
Manufacture of a resin substrate, comprising the steps of: forming a resin substrate having a light transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 nm on the peeling layer; and peeling the resin substrate with a peeling force of 0.4 N/25 mm or less. Method.
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