JP2022137369A5 - - Google Patents
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Description
レーザ加工装置は、加工対象物にレーザ光を照射し、加工対象物の表面に文字等のマーキング加工を行う（たとえば、特許文献１参照）。このレーザ加工装置は、レーザ光を出射するレーザ光源と、マーキング加工を行う所望の文字等に基づいてレーザ光源から出射されるレーザ光の方向を変更して加工対象物に対して走査するガルバノミラー等の光学部品とを備える。 A laser processing device irradiates a workpiece with a laser beam to perform marking processing such as letters on the surface of the workpiece (for example, see Patent Document 1). This laser processing device consists of a laser light source that emits laser light, and a galvanometer mirror that scans the workpiece by changing the direction of the laser light emitted from the laser light source based on the desired characters, etc. to be marked. and other optical components.
本実施形態の波長変換部２４は、第１変換素子２５と第２変換素子２６とを含む。第１変換素子２５は、基本波よりも高い周波数を有する第２高調波（ＳＨＧ：Second Harmonic Generation）を生成する波長変換素子である。第１変換素子２５は、基本波と第２高調波とを含むレーザ光を生成する。第１変換素子２５は、非線形光学結晶であり、たとえば、ＬＢＯ（ＬｉＢ３Ｏ３）である。なお、第１変換素子２５は、他の非線形光学結晶を用いてもよい。第２高調波の波長は、たとえば５３２ｎｍである。 The wavelength conversion unit 24 of this embodiment includes a first conversion element 25 and a second conversion element 26. The first conversion element 25 is a wavelength conversion element that generates a second harmonic (SHG) having a higher frequency than the fundamental wave. The first conversion element 25 generates a laser beam containing a fundamental wave and a second harmonic. The first conversion element 25 is a nonlinear optical crystal, for example, LBO (LiB 3 O 3 ). Note that the first conversion element 25 may use other nonlinear optical crystals. The wavelength of the second harmonic is, for example, 532 nm.
第２変換素子２６は、第１高調波よりも高い周波数を有する第３高調波（ＴＨＧ：Third Harmonic Generation）を生成する波長変換素子である。第２変換素子２６は、基本波と第２高調波と第３高調波とを含むレーザ光を生成する。第２変換素子２６は、非線形光学結晶であり、たとえば、ＬＢＯ（ＬｉＢ３Ｏ３）である。なお、第２変換素子２６は、他の非線形光学結晶を用いてもよい。第３高調波の波長は、たとえば３５５ｎｍである。 The second conversion element 26 is a wavelength conversion element that generates a third harmonic (THG) having a higher frequency than the first harmonic. The second conversion element 26 generates a laser beam containing a fundamental wave, a second harmonic, and a third harmonic. The second conversion element 26 is a nonlinear optical crystal, for example, LBO (LiB 3 O 3 ). Note that the second conversion element 26 may use other nonlinear optical crystals. The wavelength of the third harmonic is, for example, 355 nm.
位置変更部３１ｂは、たとえば、モータ等のアクチュエータを含む。位置変更部３１ｂは、被付着部材３１ａにおいてレーザ光ＬＷが通過（入射）する箇所を変更するように構成されている。たとえば、位置変更部３１ｂは、被付着部材３１ａを回転させる、または所定方向に移動させることにより、被付着部材３１ａにおけるレーザ光ＬＷが照射される位置を変更する。 The position change unit 31b includes, for example, an actuator such as a motor. The position changing unit 31b is configured to change the location through which the laser beam LW passes (incidents) on the adhered member 31a. For example, the position changing unit 31b changes the position on the adhered member 31a that is irradiated with the laser beam LW by rotating or moving the adhered member 31a in a predetermined direction.
ビームエキスパンダ３２は、複数のレンズを含む。たとえば、ビームエキスパンダ３２は、入射側の凹レンズと出射側の凸レンズとを有する。ビームエキスパンダ３２は、入射されるレーザ光ＬＷのビーム径を所定の倍率で拡大し、レーザ光ＬＷを出射する。なお、ビームエキスパンダ３２は、入射側と出射側とに凸レンズを有する構成としてもよい。 Beam expander 32 includes multiple lenses. For example, the beam expander 32 has a concave lens on the input side and a convex lens on the output side. The beam expander 32 expands the beam diameter of the incident laser light LW by a predetermined magnification and emits the laser light LW . Note that the beam expander 32 may be configured to have convex lenses on the incident side and the output side.
焦点調整部３３は、レンズ部３３ａ、駆動部３３ｂを有している。レンズ部３３ａは、少なくとも２枚のレンズを含む。レンズは、レーザ光ＬＷの通過経路に沿って配置されている。また、レンズ部３３ａに含まれる少なくとも１枚のレンズは、リニアスライダ等の図示しない支持部材により、通過経路に沿って移動可能に支持されている。駆動部３３ｂは、制御部２１からの制御により、移動可能に支持されたレンズを通過経路に沿って移動させる。これにより、焦点調整部３３は、レーザ光ＬＷの焦点位置を調整する。 The focus adjustment section 33 includes a lens section 33a and a drive section 33b. The lens section 33a includes at least two lenses. The lens is arranged along the passage path of the laser beam LW. Further, at least one lens included in the lens portion 33a is supported movably along the passage path by a support member (not shown) such as a linear slider. The drive unit 33b moves the movably supported lens along the passage path under control from the control unit 21. Thereby, the focus adjustment section 33 adjusts the focal position of the laser beam LW.
集塵部３１は、被付着部材３１ａと位置変更部３１ｂとを有している。位置変更部３１ｂは、被付着部材３１ａにおいて、レーザ光ＬＷが照射される位置を変更するように構成されている。制御部２１は、たとえばレーザ加工装置１０１の稼動時間により、位置変更部３１ｂを制御して、被付着部材３１ａに対するレーザ光ＬＷの照射位置を変更する。つまり、不純物が付着する部分を変更することで、長期間に亘って不純物を被付着部材３１ａに付着させる、つまり他の光学部材への不純物の付着を長期間に亘って抑制することができる。これにより、レーザ加工装置１０１の稼動を長期化することができる。 The dust collecting section 31 includes an adhered member 31a and a position changing section 31b. The position changing unit 31b is configured to change the position on the adhered member 31a that is irradiated with the laser beam LW. The control unit 21 controls the position changing unit 31b based on, for example, the operating time of the laser processing device 101, and changes the irradiation position of the laser beam LW onto the adhered member 31a. That is, by changing the portion to which impurities adhere, it is possible to cause impurities to adhere to the adhered member 31a over a long period of time, that is, to suppress adhesion of impurities to other optical members over a long period of time. Thereby, the operation of the laser processing apparatus 101 can be extended.
（１－４）集塵部３１は、被付着部材３１ａと位置変更部３１ｂとを有している。位置変更部３１ｂは、被付着部材３１ａにおいて、レーザ光ＬＷが照射される位置を変更するように構成されている。制御部２１は、たとえばレーザ加工装置１０１の稼動時間により、位置変更部３１ｂを制御して、被付着部材３１ａに対するレーザ光ＬＷの照射位置を変更する。つまり、不純物が付着する部分を変更することで、長期間に亘って不純物を被付着部材３１ａに付着させる、つまり他の光学部材への不純物の付着を長期間に亘って抑制することができる。これにより、レーザ加工装置１０１の稼動を長期化することができる。 (1-4) The dust collecting section 31 has an adhered member 31a and a position changing section 31b. The position changing unit 31b is configured to change the position on the adhered member 31a that is irradiated with the laser beam LW. The control unit 21 controls the position changing unit 31b based on, for example, the operating time of the laser processing device 101, and changes the irradiation position of the laser beam LW onto the adhered member 31a. That is, by changing the portion to which impurities adhere, it is possible to cause impurities to adhere to the adhered member 31a over a long period of time, that is, to suppress adhesion of impurities to other optical members over a long period of time. Thereby, the operation of the laser processing apparatus 101 can be extended.
レーザ光ＬＷを集光することにより、被付着部材３１ａの表面においてレーザ光ＬＷが照射される部分におけるレーザ光ＬＷの強度は、集光前のレーザ光ＬＷの強度よりも高くなる。したがって、本実施形態のレンズ４３を用いることで、被付着部材３１ａに照射されるレーザ光ＬＷの強度をより高くすることができる。これにより、被付着部材３１ａに対する不純物がより付着し易くなる。言い換えれば、他の光学部材に対する不純物の付着をより低減できる。 By condensing the laser beam LW, the intensity of the laser beam LW at the portion of the surface of the adhered member 31a that is irradiated with the laser beam LW becomes higher than the intensity of the laser beam LW before condensing. Therefore, by using the lens 43 of this embodiment, the intensity of the laser beam LW irradiated onto the adhered member 31a can be made higher. This makes it easier for impurities to adhere to the adhered member 31a. In other words, the adhesion of impurities to other optical members can be further reduced.
レーザ光ＬＷを集光することにより、被付着部材３１ａの表面においてレーザ光ＬＷが照射される部分におけるレーザ光ＬＷの強度は、集光前のレーザ光ＬＷの強度よりも高くなる。したがって、本実施形態のレンズ２８を用いることで、被付着部材３１ａに照射されるレーザ光ＬＷの強度をより高くすることができる。これにより、被付着部材３１ａに対する不純物がより付着し易くなる。言い換えれば、他の光学部材に対する不純物の付着をより低減できる。 By condensing the laser beam LW, the intensity of the laser beam LW at the portion of the surface of the adhered member 31a that is irradiated with the laser beam LW becomes higher than the intensity of the laser beam LW before condensing. Therefore, by using the lens 28 of this embodiment, it is possible to further increase the intensity of the laser beam LW irradiated onto the adhered member 31a. This makes it easier for impurities to adhere to the adhered member 31a. In other words, the adhesion of impurities to other optical members can be further reduced.
（４－２）集塵部３１の被付着部材３１ａは、レーザ光源２２とビームエキスパンダ３２との間に配置されている。被付着部材３１ａは、レーザ光源２２とビームエキスパンダ３２との間において、レーザ光ＬＷの焦点位置、またはその近傍に配置されている。レーザ光ＬＷを集光することにより、被付着部材３１ａの表面においてレーザ光ＬＷが照射される部分におけるレーザ光ＬＷの強度は、集光前のレーザ光ＬＷの強度よりも高くなる。したがって、本実施形態のレンズ２８を用いることで、被付着部材３１ａに照射されるレーザ光ＬＷの強度をより高くすることができる。これにより、被付着部材３１ａに対する不純物がより付着し易くなる。言い換えれば、他の光学部材に対する不純物の付着をより低減できる。 (4-2) The adhered member 31a of the dust collecting section 31 is arranged between the laser light source 22 and the beam expander 32. The adhered member 31a is arranged between the laser light source 22 and the beam expander 32 at or near the focal position of the laser beam LW. By condensing the laser beam LW, the intensity of the laser beam LW at the portion of the surface of the adhered member 31a that is irradiated with the laser beam LW becomes higher than the intensity of the laser beam LW before condensing. Therefore, by using the lens 28 of this embodiment, it is possible to further increase the intensity of the laser beam LW irradiated onto the adhered member 31a. This makes it easier for impurities to adhere to the adhered member 31a. In other words, the adhesion of impurities to other optical members can be further reduced.
レーザ光ＬＷを集光することにより、被付着部材３１ａの表面においてレーザ光ＬＷが照射される部分におけるレーザ光ＬＷの強度は、集光前のレーザ光ＬＷの強度よりも高くなる。したがって、本実施形態のレンズ４３を用いることで、被付着部材３１ａに照射されるレーザ光ＬＷの強度をより高くすることができる。これにより、被付着部材３１ａに対する不純物がより付着し易くなる。言い換えれば、他の光学部材に対する不純物の付着をより低減できる。 By condensing the laser beam LW, the intensity of the laser beam LW at the portion of the surface of the adhered member 31a that is irradiated with the laser beam LW becomes higher than the intensity of the laser beam LW before condensing. Therefore, by using the lens 43 of this embodiment, the intensity of the laser beam LW irradiated onto the adhered member 31a can be made higher. This makes it easier for impurities to adhere to the adhered member 31a. In other words, the adhesion of impurities to other optical members can be further reduced.
ダンパ４４は、反射ミラー５３およびガルバノミラー３４Ｘ，３４Ｙにより反射された反射光ＬＲ（二点鎖線にて示す）を吸収する。この反射光ＬＲは、焦点調整部３３により、ガルバノミラー３４Ｘ，３４Ｙとダンパ４４との間で集光する。 The damper 44 absorbs reflected light LR (indicated by two-dot chain lines) reflected by the reflecting mirror 53 and the galvano mirrors 34X and 34Y. This reflected light LR is focused by the focus adjustment section 33 between the galvano mirrors 34X, 34Y and the damper 44 .
・レーザ発振器２３における基本波の波長を適宜変更する。
・３つ以上の変換素子を含む波長変換部２４とする。たとえば、波長変換部２４は、第３高調波よりも高い周波数を有する第４高調波を生成する変換素子を含む。第４高調波の波長は、たとえば２６６ｎｍである。
- Change the wavelength of the fundamental wave in the laser oscillator 23 as appropriate.
- The wavelength conversion section 24 includes three or more conversion elements. For example, the wavelength converter 24 includes a conversion element that generates a fourth harmonic having a higher frequency than the third harmonic. The wavelength of the fourth harmonic is, for example, 266 nm.
・上記実施形態は、波長変換部２４を含むレーザ光源２２を用いたが、波長変換部２４を含まないレーザ光源を有するレーザ加工装置としてもよい。たとえば、レーザ発振器２３にて生成した基本波をレーザヘッド１２に供給する。ここで、加工対象物Ｗにおける焦点位置（加工位置、加工焦点）でのレーザ光の強度（レーザパワー）を上げるためには、レーザ光を集光する集光レンズ（たとえば、焦点調整部３３の各レンズ）に入射するレーザ光のビーム幅（より具体的には、コリメート光のビーム幅）を大きくするほうがよい。これは、ビーム径が大きいほど、レーザ光の強度が上がるためである。しかしながら、レーザ加工装置としては、装置自体を必要以上に大きくできない、装置自体も小型化を求められる、等の様々な要求事項がある。これにより、ビーム径の大きさに限界があり、ビーム径には制約がでてくることとなる。このため、高出力（高レーザパワー）にしようとすると、ビーム幅を変更できない部分は、レーザ光源自体のパワー（出力）を上げることになる。そして、このレーザ光源のパワー（出力）を高出力化するほど、レンズ等の光学部材の汚染、つまり光学部材に対して不純物が付着する問題がより大きくなる。したがって、例えば基本波にて加工対象物Ｗを加工するためのレーザ加工装置においても、上記各実施形態と同様に集塵部３１を備えることで、光学部材への不純物の付着を低減できる。
（付記１）
加工対象物を加工するためのレーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光を前記加工対象物に対して走査する走査部を有する光学部材と、
前記レーザ光源および前記走査部を制御する制御部と、
前記レーザ光を透過する被付着部材と、前記被付着部材における前記レーザ光の照射位置を変更する位置変更部と、を有する集塵部と、
を備え、
前記被付着部材は、前記光学部材によって伝達される前記レーザ光の通過経路上、または、反射された前記レーザ光が照射される位置に配置されている、
レーザ加工装置。
（付記２）
前記被付着部材は、前記レーザ光を透過するガラス板を有する、付記１に記載のレーザ加工装置。
（付記３）
前記被付着部材は、表面に形成された反射防止膜を有する、付記１または付記２に記載のレーザ加工装置。
（付記４）
前記反射防止膜は、多層膜により構成され、最表層の膜は酸化チタンを含む、付記３に記載のレーザ加工装置。
（付記５）
前記レーザ光源は、
基本波を生成するレーザ発振器と、
前記基本波よりも高い周波数を有する高調波を生成する波長変換部と、
を有し、
前記高調波を含む前記レーザ光を出射する、
付記１から付記４のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記６）
前記波長変換部は、
前記基本波よりも高い周波数を有する第２高調波を生成する第１変換素子と、
前記第２高調波よりも高い周波数を有する第３高調波を生成する第２変換素子と、
を含み、
前記レーザ光源は、少なくとも前記第３高調波を含む前記レーザ光を出射する、
付記５に記載のレーザ加工装置。
（付記７）
前記レーザ光源と前記走査部との間に配置され、前記レーザ光のビーム径を拡大するビームエキスパンダを備え、
前記被付着部材は、前記レーザ光源と前記ビームエキスパンダとの間に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記８）
前記レーザ光源と前記走査部との間に配置され、前記レーザ光のビーム径を拡大するビームエキスパンダを備え、
前記ビームエキスパンダは、前記レーザ光が入射する第１レンズと、前記第１レンズを透過した前記レーザ光が入射する第２レンズとを備え、
前記被付着部材は、前記第１レンズと前記第２レンズとの間に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記９）
前記レーザ光の一部を反射するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタにより反射された前記レーザ光の一部を集光する集光レンズと、
を備え、
前記被付着部材は、前記集光レンズにより集光された前記レーザ光の焦点位置に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記１０）
前記レーザ光の一部を反射するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタにより反射された前記レーザ光の一部を集光する集光レンズと、
を備え、
前記被付着部材は、前記集光レンズにより集光された前記レーザ光の焦点位置と、前記集光レンズとの間、または前記焦点位置に対して前記集光レンズとは反対側に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記１１）
前記被付着部材を透過した前記レーザ光の一部を受光する受光部を備え、
前記制御部は、前記受光部の受光量に基づいて、前記被付着部材の状態を判定する、
付記９または付記１０に記載のレーザ加工装置。
（付記１２）
前記レーザ光を反射する反射部材と、
前記反射部材を前記レーザ光が照射される第１位置と、前記レーザ光が照射されない第２位置とに切換えて配置する位置切換部と、
を備え、
前記被付着部材は、前記第１位置に配置された前記反射部材により反射された前記レーザ光の経路上に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記１３）
波長板と、
前記波長板を透過した前記レーザ光が入射する偏光ビームスプリッタと、
前記波長板を回転する駆動部と、
を備え、
前記駆動部は、前記レーザ光が前記偏光ビームスプリッタにより反射される第１位置と、前記レーザ光が前記偏光ビームスプリッタを透過する第２位置とに切換えて配置するものであり、
前記被付着部材は、前記偏光ビームスプリッタにより反射された前記レーザ光の経路上に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記１４）
前記レーザ光源と前記走査部との間に配置され、前記レーザ光の焦点位置を制御する焦点調整部と、
前記焦点調整部と前記走査部との間に配置され、前記レーザ光を反射するシャッタと、
前記シャッタにより反射された前記レーザ光を吸収するダンパと、
を備え、
前記被付着部材は、前記シャッタと前記ダンパとの間であって、前記焦点調整部により調整された前記レーザ光の焦点位置に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記１５）
前記レーザ光源と前記走査部との間に配置され、前記レーザ光の焦点位置を調整する焦点調整部と、
前記レーザ光を前記加工対象物に向けて出射する開口を閉塞する保護ガラスよりも前記加工対象物の側に取着され、前記保護ガラスを透過した前記レーザ光を反射する反射板と、
前記反射板により反射された後、前記制御部により所定角度に制御された前記走査部により反射された前記レーザ光の経路上に配置され、前記レーザ光を吸収するダンパと、
を備え、
前記被付着部材は、前記反射板と前記ダンパとの間であって、前記焦点調整部により調整された前記レーザ光の焦点位置に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
（付記１６）
前記レーザ光源は、集光された後に前記光学部材に入射されるように前記レーザ光を出射するように構成され、
前記被付着部材は、前記レーザ光が集光される位置に配置されている、
付記１から付記６のいずれか１つに記載のレーザ加工装置。
- Although the above embodiment uses the laser light source 22 that includes the wavelength converter 24, the laser processing apparatus may have a laser light source that does not include the wavelength converter 24. For example, a fundamental wave generated by the laser oscillator 23 is supplied to the laser head 12. Here, in order to increase the intensity (laser power) of the laser beam at the focal position (processing position, processing focus) on the workpiece W, it is necessary to It is better to increase the beam width of the laser light (more specifically, the beam width of the collimated light) that enters each lens. This is because the intensity of the laser beam increases as the beam diameter increases. However, there are various requirements for laser processing equipment, such as the fact that the equipment itself cannot be made larger than necessary, and that the equipment itself must be made smaller. As a result, there is a limit to the size of the beam diameter, and the beam diameter is restricted. Therefore, when trying to increase the output (high laser power), the power (output) of the laser light source itself must be increased in areas where the beam width cannot be changed. The higher the power (output) of this laser light source is, the more the problem of contamination of optical members such as lenses, that is, the adhesion of impurities to optical members becomes more serious. Therefore, for example, even in a laser processing apparatus for processing a workpiece W using a fundamental wave, by providing the dust collecting section 31 as in each of the above embodiments, it is possible to reduce the adhesion of impurities to the optical member.
(Additional note 1)
a laser light source that emits laser light for processing a workpiece;
an optical member having a scanning section that scans the workpiece with the laser beam;
a control unit that controls the laser light source and the scanning unit;
a dust collection unit including a member to be attached that transmits the laser beam; and a position changing unit that changes the irradiation position of the laser beam on the member to be attached;
Equipped with
The adhered member is disposed on a passage path of the laser beam transmitted by the optical member or at a position where the reflected laser beam is irradiated.
Laser processing equipment.
(Additional note 2)
The laser processing apparatus according to supplementary note 1, wherein the adhered member has a glass plate that transmits the laser beam.
(Additional note 3)
The laser processing apparatus according to Supplementary Note 1 or 2, wherein the adhered member has an antireflection film formed on a surface thereof.
(Additional note 4)
The laser processing apparatus according to appendix 3, wherein the antireflection film is composed of a multilayer film, and the outermost layer contains titanium oxide.
(Appendix 5)
The laser light source is
a laser oscillator that generates a fundamental wave;
a wavelength conversion unit that generates harmonics having a higher frequency than the fundamental wave;
has
emitting the laser beam including the harmonics;
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 4.
(Appendix 6)
The wavelength conversion section is
a first conversion element that generates a second harmonic having a higher frequency than the fundamental wave;
a second conversion element that generates a third harmonic having a higher frequency than the second harmonic;
including;
the laser light source emits the laser light including at least the third harmonic;
The laser processing device according to appendix 5.
(Appendix 7)
a beam expander disposed between the laser light source and the scanning unit to expand the beam diameter of the laser light;
The adhered member is disposed between the laser light source and the beam expander,
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
(Appendix 8)
a beam expander disposed between the laser light source and the scanning unit to expand the beam diameter of the laser light;
The beam expander includes a first lens into which the laser beam is incident, and a second lens into which the laser beam that has passed through the first lens is incident,
The adhered member is arranged between the first lens and the second lens,
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
(Appendix 9)
a beam splitter that reflects a portion of the laser beam;
a condensing lens that condenses a portion of the laser beam reflected by the beam splitter;
Equipped with
The adhered member is disposed at a focal position of the laser beam focused by the condenser lens,
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
(Appendix 10)
a beam splitter that reflects a portion of the laser beam;
a condensing lens that condenses a portion of the laser beam reflected by the beam splitter;
Equipped with
The adhered member is disposed between a focal position of the laser beam focused by the condensing lens and the condensing lens, or on a side opposite to the condensing lens with respect to the focal position. There is,
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
(Appendix 11)
comprising a light receiving section that receives a portion of the laser beam that has passed through the adhered member;
The control unit determines the state of the adhered member based on the amount of light received by the light receiving unit.
The laser processing device according to appendix 9 or appendix 10.
(Appendix 12)
a reflective member that reflects the laser beam;
a position switching unit that switches and arranges the reflective member between a first position where the laser beam is irradiated and a second position where the laser beam is not irradiated;
Equipped with
The adhered member is disposed on a path of the laser beam reflected by the reflection member disposed at the first position.
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
(Appendix 13)
a wave plate,
a polarizing beam splitter into which the laser light transmitted through the wavelength plate is incident;
a drive unit that rotates the wavelength plate;
Equipped with
The driving unit is arranged to be switched between a first position where the laser beam is reflected by the polarizing beam splitter and a second position where the laser beam is transmitted through the polarizing beam splitter,
The adhered member is disposed on a path of the laser beam reflected by the polarizing beam splitter.
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
(Appendix 14)
a focus adjustment section that is disposed between the laser light source and the scanning section and controls the focal position of the laser light;
a shutter disposed between the focus adjustment section and the scanning section and reflecting the laser beam;
a damper that absorbs the laser beam reflected by the shutter;
Equipped with
The adhered member is disposed between the shutter and the damper at a focal position of the laser beam adjusted by the focus adjustment section.
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
(Appendix 15)
a focus adjustment section that is arranged between the laser light source and the scanning section and adjusts the focal position of the laser light;
a reflecting plate that is attached closer to the workpiece than a protective glass that closes an opening for emitting the laser light toward the workpiece, and reflects the laser light that has passed through the protective glass;
a damper that absorbs the laser light and is disposed on the path of the laser light reflected by the scanning unit that is controlled at a predetermined angle by the control unit after being reflected by the reflection plate;
Equipped with
The adhered member is disposed between the reflection plate and the damper at a focal position of the laser beam adjusted by the focus adjustment section.
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
(Appendix 16)
The laser light source is configured to emit the laser light so that the laser light is focused and then incident on the optical member,
The adhered member is arranged at a position where the laser beam is focused,
The laser processing device according to any one of Supplementary notes 1 to 6.
Claims (16)
前記レーザ光を前記加工対象物に対して走査する走査部を有する光学部材と、
前記レーザ光源および前記走査部を制御する制御部と、
前記レーザ光を透過する被付着部材と、前記被付着部材における前記レーザ光の照射位置を変更する位置変更部と、を有する集塵部と、
を備え、
前記被付着部材は、前記光学部材によって伝達される前記レーザ光の通過経路上、または、反射された前記レーザ光が照射される位置に配置されている、
レーザ加工装置。 a laser light source that emits laser light for processing a workpiece;
an optical member having a scanning section that scans the workpiece with the laser beam;
a control unit that controls the laser light source and the scanning unit;
a dust collection unit including a member to be attached that transmits the laser beam; and a position changing unit that changes the irradiation position of the laser beam on the member to be attached;
Equipped with
The adhered member is disposed on a passage path of the laser beam transmitted by the optical member or at a position where the reflected laser beam is irradiated.
Laser processing equipment.
基本波を生成するレーザ発振器と、
前記基本波よりも高い周波数を有する高調波を生成する波長変換部と、
を有し、
前記高調波を含む前記レーザ光を出射する、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 The laser light source is
a laser oscillator that generates a fundamental wave;
a wavelength conversion unit that generates harmonics having a higher frequency than the fundamental wave;
has
emitting the laser beam including the harmonics;
The laser processing device according to claim 1 .
前記基本波よりも高い周波数を有する第２高調波を生成する第１変換素子と、
前記第２高調波よりも高い周波数を有する第３高調波を生成する第２変換素子と、
を含み、
前記レーザ光源は、少なくとも前記第３高調波を含む前記レーザ光を出射する、
請求項５に記載のレーザ加工装置。 The wavelength conversion section is
a first conversion element that generates a second harmonic having a higher frequency than the fundamental wave;
a second conversion element that generates a third harmonic having a higher frequency than the second harmonic;
including;
the laser light source emits the laser light including at least the third harmonic;
The laser processing device according to claim 5.
前記被付着部材は、前記レーザ光源と前記ビームエキスパンダとの間に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 a beam expander disposed between the laser light source and the scanning unit to expand the beam diameter of the laser light;
The adhered member is disposed between the laser light source and the beam expander,
The laser processing device according to claim 1 .
前記ビームエキスパンダは、前記レーザ光が入射する第１レンズと、前記第１レンズを透過した前記レーザ光が入射する第２レンズとを備え、
前記被付着部材は、前記第１レンズと前記第２レンズとの間に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 a beam expander disposed between the laser light source and the scanning unit to expand the beam diameter of the laser light;
The beam expander includes a first lens into which the laser beam is incident, and a second lens into which the laser beam that has passed through the first lens is incident,
The adhered member is arranged between the first lens and the second lens,
The laser processing device according to claim 1 .
前記ビームスプリッタにより反射された前記レーザ光の一部を集光する集光レンズと、
を備え、
前記被付着部材は、前記集光レンズにより集光された前記レーザ光の焦点位置に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 a beam splitter that reflects a portion of the laser beam;
a condensing lens that condenses a portion of the laser beam reflected by the beam splitter;
Equipped with
The adhered member is disposed at a focal position of the laser beam focused by the condenser lens,
The laser processing device according to claim 1 .
前記ビームスプリッタにより反射された前記レーザ光の一部を集光する集光レンズと、
を備え、
前記被付着部材は、前記集光レンズにより集光された前記レーザ光の焦点位置と、前記集光レンズとの間、または前記焦点位置に対して前記集光レンズとは反対側に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 a beam splitter that reflects a portion of the laser beam;
a condensing lens that condenses a portion of the laser beam reflected by the beam splitter;
Equipped with
The adhered member is disposed between a focal position of the laser beam focused by the condensing lens and the condensing lens, or on a side opposite to the condensing lens with respect to the focal position. There is,
The laser processing device according to claim 1 .
前記制御部は、前記受光部の受光量に基づいて、前記被付着部材の状態を判定する、
請求項９または請求項１０に記載のレーザ加工装置。 comprising a light receiving section that receives a portion of the laser beam that has passed through the adhered member;
The control unit determines the state of the adhered member based on the amount of light received by the light receiving unit.
A laser processing apparatus according to claim 9 or 10.
前記反射部材を前記レーザ光が照射される第１位置と、前記レーザ光が照射されない第２位置とに切換えて配置する位置切換部と、
を備え、
前記被付着部材は、前記第１位置に配置された前記反射部材により反射された前記レーザ光の経路上に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 a reflective member that reflects the laser beam;
a position switching unit that switches and arranges the reflective member between a first position where the laser beam is irradiated and a second position where the laser beam is not irradiated;
Equipped with
The adhered member is disposed on a path of the laser beam reflected by the reflection member disposed at the first position.
The laser processing device according to claim 1 .
前記波長板を透過した前記レーザ光が入射する偏光ビームスプリッタと、
前記波長板を回転する駆動部と、
を備え、
前記駆動部は、前記レーザ光が前記偏光ビームスプリッタにより反射される第１位置と、前記レーザ光が前記偏光ビームスプリッタを透過する第２位置とに切換えて配置するものであり、
前記被付着部材は、前記偏光ビームスプリッタにより反射された前記レーザ光の経路上に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 a wave plate,
a polarizing beam splitter into which the laser light transmitted through the wavelength plate is incident;
a drive unit that rotates the wavelength plate;
Equipped with
The driving unit is arranged to be switched between a first position where the laser beam is reflected by the polarizing beam splitter and a second position where the laser beam is transmitted through the polarizing beam splitter,
The adhered member is disposed on a path of the laser beam reflected by the polarizing beam splitter.
The laser processing device according to claim 1 .
前記焦点調整部と前記走査部との間に配置され、前記レーザ光を反射するシャッタと、
前記シャッタにより反射された前記レーザ光を吸収するダンパと、
を備え、
前記被付着部材は、前記シャッタと前記ダンパとの間であって、前記焦点調整部により調整された前記レーザ光の焦点位置に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 a focus adjustment section that is disposed between the laser light source and the scanning section and controls the focal position of the laser light;
a shutter disposed between the focus adjustment section and the scanning section and reflecting the laser beam;
a damper that absorbs the laser beam reflected by the shutter;
Equipped with
The adhered member is disposed between the shutter and the damper at a focal position of the laser beam adjusted by the focus adjustment section.
The laser processing device according to claim 1 .
前記レーザ光を前記加工対象物に向けて出射する開口を閉塞する保護ガラスよりも前記加工対象物の側に取着され、前記保護ガラスを透過した前記レーザ光を反射する反射板と、
前記反射板により反射された後、前記制御部により所定角度に制御された前記走査部により反射された前記レーザ光の経路上に配置され、前記レーザ光を吸収するダンパと、
を備え、
前記被付着部材は、前記反射板と前記ダンパとの間であって、前記焦点調整部により調整された前記レーザ光の焦点位置に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 a focus adjustment section that is arranged between the laser light source and the scanning section and adjusts the focal position of the laser light;
a reflecting plate that is attached closer to the workpiece than a protective glass that closes an opening for emitting the laser light toward the workpiece, and reflects the laser light that has passed through the protective glass;
a damper that absorbs the laser light and is disposed on the path of the laser light reflected by the scanning unit that is controlled at a predetermined angle by the control unit after being reflected by the reflection plate;
Equipped with
The adhered member is disposed between the reflection plate and the damper at a focal position of the laser beam adjusted by the focus adjustment section.
The laser processing device according to claim 1 .
前記被付着部材は、前記レーザ光が集光される位置に配置されている、
請求項１に記載のレーザ加工装置。 The laser light source is configured to emit the laser light so that the laser light is focused and then incident on the optical member,
the adhered member is arranged at a position where the laser beam is focused;
The laser processing device according to claim 1 .
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021036865A JP2022137369A (en) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | Laser machining device |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021036865A JP2022137369A (en) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | Laser machining device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022137369A JP2022137369A (en) | 2022-09-22 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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- 2021-03-09 JP JP2021036865A patent/JP2022137369A/en active Pending
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2022
- 2022-01-20 WO PCT/JP2022/001974 patent/WO2022190661A1/en active Application Filing
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