JP2022122942A - Processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェハを研削加工する加工装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for grinding wafers.
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)を薄膜に形成するために、ウェハの裏面を研削する裏面研削が行われている。 2. Description of the Related Art In the field of semiconductor manufacturing, back surface grinding is performed to grind the back surface of a semiconductor wafer such as a silicon wafer (hereinafter referred to as “wafer”) in order to form a thin film.
特許文献1には、ウェハを粗研削する粗研削砥石の回転軸を傾斜させる機構と、チャックの回転軸を傾斜させる機構と、を備え、粗研削後にインデックステーブルを回転させることにより、粗研削加工に続けて精研削加工を行う加工装置が開示されている。 Patent Document 1 discloses a mechanism for tilting the rotation axis of a rough grinding wheel for rough grinding of a wafer and a mechanism for tilting the rotation axis of a chuck. Disclosed is a processing apparatus for carrying out precision grinding subsequent to the above.
一般的に、砥石をウェハに適切に押し当てる場合、砥石の回転軸及びチャックの回転軸が若干傾くのが好ましいことが知られている。 It is generally known that when the grindstone is properly pressed against the wafer, it is preferable that the rotation axis of the grindstone and the rotation axis of the chuck are slightly inclined.
上述した加工装置では、粗研削砥石とウェハとの接触具合及び精研削砥石とウェハとの接触具合が異なるため、粗研削後のウェハに対して精研削砥石が適切に接触するように、先ず、精研削砥石を基準にしてチャックの傾きを調整し、その後にチャックを基準にして粗研削砥石の傾きを調整することにより、チャック間でウェハの面内平坦度(TTV)のばらつきを低減している。 In the above-described processing apparatus, the degree of contact between the rough grinding wheel and the wafer differs from that between the fine grinding wheel and the wafer. By adjusting the tilt of the chuck with respect to the fine grinding wheel and then adjusting the tilt of the rough grinding wheel with respect to the chuck, variations in wafer in-plane flatness (TTV) between chucks are reduced. there is
しかしながら、上述した加工装置では、精研削砥石とチャックとの接触具合を再現するように粗研削砥石の回転軸を傾斜させる機構を設ける必要があり、装置構成が複雑化するという問題があった。 However, in the above-described processing apparatus, it is necessary to provide a mechanism for tilting the rotating shaft of the rough grinding wheel so as to reproduce the contact state between the fine grinding wheel and the chuck, which complicates the configuration of the apparatus.
また、チャックの配置に対応させて粗研削砥石及び精研削砥石のレイアウトを変更することも考えられるが、粗研削砥石及び精研削砥石がチャックの外側にオフセットして配置されたレイアウトを変更すると、粗研削砥石及び精研削砥石の間隔が拡がって装置サイズが大型化するという問題があった。 Also, it is conceivable to change the layout of the rough grinding wheel and the fine grinding wheel according to the arrangement of the chuck. There is a problem that the space between the coarse grinding wheel and the fine grinding wheel increases, resulting in an increase in the size of the apparatus.
そこで、省スペースで設置可能で、簡便な構成でウェハの研削加工を連続して行うという解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。 Therefore, the technical problem to be solved arises that the wafer grinding process can be continuously performed with a space-saving installation and a simple configuration, and the object of the present invention is to solve this problem. .
上記目的を達成するために、本発明に係る加工装置は、ウェハを複数の加工手段で連続して研削加工する加工装置であって、前記ウェハを吸着保持する複数のチャックと、前記複数のチャックを同心円上に配置し、前記複数のチャックを前記複数の加工手段の間で搬送するインデックステーブルと、前記複数のチャックの各回転軸をそれぞれ傾斜させる複数のチルト機構と、を備え、平面視で前記複数のチャックの各回転中心をそれぞれ通り前記複数のチルト機構の各チルト軸に対する垂線が、前記インデックステーブルの回転中心を通るように設定され、前記各加工手段の各砥石を傾斜させる機構が、設けられていない。 In order to achieve the above object, a processing apparatus according to the present invention is a processing apparatus for continuously grinding a wafer by a plurality of processing means, comprising: a plurality of chucks for sucking and holding the wafer; arranged concentrically on an index table for transporting the plurality of chucks between the plurality of processing means, and a plurality of tilt mechanisms for tilting the rotation axes of the plurality of chucks, A mechanism for tilting each grindstone of each of the processing means, wherein a perpendicular line to each tilt axis of each of the plurality of tilt mechanisms passing through each of the rotation centers of the plurality of chucks is set to pass through the rotation center of the index table, Not provided.
この構成によれば、1つの加工手段に対してチャックを適宜傾斜させて接触具合を調整すれば、他の加工手段とチャックとの接触具合を調整する手間を省くことができ、加工手段の回転軸を傾斜させる機構を設けることなく、装置サイズを維持したまま各加工手段とチャックとの接触具合を適切に調整することができる。 According to this configuration, by adjusting the degree of contact by appropriately inclining the chuck with respect to one processing means, it is possible to save the trouble of adjusting the degree of contact between the other processing means and the chuck, and to rotate the processing means. Without providing a mechanism for tilting the axis, it is possible to appropriately adjust the degree of contact between each processing means and the chuck while maintaining the size of the device.
また、本発明に係る加工装置は、前記複数の加工手段は、3台以上の前記加工手段を含み、前記複数の加工手段は、前記インデックステーブルの径方向において前記複数のチャックの外周側に配置され、前記複数の加工手段の内の隣り合う2台の前記加工手段の間の各距離は、それぞれ異なっていることが好ましい。 Further, in the processing apparatus according to the present invention, the plurality of processing means includes three or more processing means, and the plurality of processing means are arranged on the outer peripheral side of the plurality of chucks in the radial direction of the index table. Preferably, each distance between two adjacent processing means among the plurality of processing means is different.
また、本発明に係る加工装置は、前記複数の加工手段は、3台以上の前記加工手段を含み、前記複数の加工手段は、前記インデックステーブルの径方向において前記複数のチャックの内周側に配置され、前記複数の加工手段の内の隣り合う2台の前記加工手段の間の各距離は、それぞれ異なっていることが好ましい。 Further, in the processing apparatus according to the present invention, the plurality of processing means includes three or more processing means, and the plurality of processing means are arranged on the inner peripheral side of the plurality of chucks in the radial direction of the index table. It is preferable that distances between two adjacent processing means among the plurality of processing means are different from each other.
本発明は、1つの加工手段に対してチャックを適宜傾斜させて接触具合を調整すれば、他の加工手段とチャックとの接触具合を調整する手間を省くことができ、加工手段の回転軸を傾斜させる機構を設けることなく、装置サイズを維持したまま各加工手段とチャックとの接触具合を適切に調整することができる。 According to the present invention, adjusting the contact state by appropriately inclining the chuck with respect to one processing means can save the trouble of adjusting the contact state between the other processing means and the chuck, and the rotation axis of the processing means can be adjusted. The degree of contact between each processing means and the chuck can be appropriately adjusted while maintaining the size of the device without providing a tilting mechanism.
本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。 An embodiment of the present invention will be described based on the drawings. In addition, hereinafter, when referring to the number, numerical value, amount, range, etc. of the constituent elements, unless otherwise specified or clearly limited to a specific number in principle, it is limited to the specific number It does not matter if the number is greater than or less than a certain number.
また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。 In addition, when referring to the shape or positional relationship of components, etc., unless otherwise specified or in principle clearly considered otherwise, etc. include.
また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。 In addition, the drawings may exaggerate characteristic parts by enlarging them in order to make the characteristics easier to understand. In addition, in cross-sectional views, hatching of some components may be omitted in order to facilitate understanding of the cross-sectional structure of the components.
図1は、一方側から視た加工装置1を示す斜視図である。図2は、他方側から見た加工装置1を示す斜視図である。図3は、加工装置1の正面図である。図4は、加工装置1の平面図である。図5は、コラム3及び各種研削装置を省略した平面図である。
FIG. 1 is a perspective view showing the processing apparatus 1 viewed from one side. FIG. 2 is a perspective view showing the processing apparatus 1 seen from the other side. FIG. 3 is a front view of the processing device 1. FIG. FIG. 4 is a plan view of the processing device 1. FIG. FIG. 5 is a plan view in which the
加工装置1は、3つの砥石でウェハWを連続的に研削する。なお、加工装置1は、2つの砥石でウェハWを連続加工するものであっても、4つ以上の砥石でウェハWを連続加工するものであっても構わない。加工装置1は、ウェハWを裏面研削して薄膜に形成する。加工装置1を用いて研削加工が施されるウェハWは、シリコンウェハ、シリコンカーバイドウェハ等の高硬度・高脆性を示すものが好適であるが、これらに限定されるものではない。加工装置1は、保持手段2と、保持手段2の上方に配置されたメインユニットと、を備えている。
The processing apparatus 1 continuously grinds the wafer W with three grindstones. The processing apparatus 1 may continuously process the wafers W with two grindstones or may continuously process the wafers W with four or more grindstones. The processing apparatus 1 grinds the back surface of the wafer W to form a thin film. The wafer W to be ground using the processing apparatus 1 is preferably a silicon wafer, a silicon carbide wafer or the like having high hardness and high brittleness, but is not limited to these. The processing apparatus 1 includes
保持手段2は、図示しないモータに連結された回転軸a1回りに回転可能なインデックステーブル21と、インデックステーブル21上に載置された4つのチャック22と、を備えている。
The
チャック22は、回転軸a1を中心として円周上に90度の間隔を空けて配置されている。チャック22は、上面に埋設されたポーラス(多孔質)構造のセラミックから成る吸着体を備えている。チャック22内に形成された管路には、図示しない真空源に接続されており、チャック22上に載置されたウェハWを負圧で吸着する。チャック22は、図示しないモータに連結されており回転軸a2回りに回転可能である。
The
保持手段2は、アライメントステージS1、粗研削ステージS2、中研削ステージS3、精研削ステージS4に区画されている。
The
アライメントステージS1では、ウェハWが、図示しない搬送装置等によってチャック22上に搬送され、所定の位置に位置合わせされる。チャック22上に吸着保持されたウェハWは、粗研削ステージS2に送られる。
On the alignment stage S1, the wafer W is transferred onto the
粗研削ステージS2では、ウェハWが粗研削加工される。粗研削ステージS2におけるチャック22の回転数は、例えば310rpmに設定される。粗研削加工されたウェハWは、中研削ステージS3に送られる。
In the rough grinding stage S2, the wafer W is rough ground. The rotation speed of the
中研削ステージS3では、ウェハWが中研削加工される。中研削ステージS3におけるチャック22の回転数は、例えば320rpmに設定される。中研削加工されたウェハWは、精研削ステージS4に送られる。
In the intermediate grinding stage S3, the wafer W is intermediately ground. The rotation speed of the
精研削ステージS4では、ウェハWが精研削加工される。精研削ステージS4におけるチャック22の回転数は、例えば300rpmに設定される。精研削加工されたウェハWは、アライメントステージS1に送られ、図示しない搬送装置等によってチャック22から図示しないラック等に収容される。
In the fine grinding stage S4, the wafer W is fine ground. The rotational speed of the
メインユニットは、インデックステーブル21を跨ぐように配置されたアーチ状のコラム3と、粗研削ステージS2の上方でコラム3に取り付けられた粗研削手段4と、中研削ステージS3の上方でコラム3に取り付けられた中研削手段5と、精研削ステージS4の上方でコラム3に取り付けられた精研削手段6と、を備えている。
The main unit comprises an arch-
コラム3は、正面視でコ字状に形成された基部31と、基部31の中央から前後に突設された中央柱部32、33と、を備えている。
The
基部31は、粗研削ステージS2、中研削ステージS3、精研削ステージS4を跨ぐように設けられている。これにより、平面視で、アライメントステージS1はコラム3の側方に露出している。したがって、ウェハWをチャック22に搬送したりチャック22から搬出したりする際に、搬送装置等が、コラム3に干渉されることなくチャック22にアクセスすることができる。基部31は、インデックステーブル21の外周に立設された2本の支柱31aを連結することで基部31の剛性が増大されている。
The
中央柱部32は、平面視で粗研削ステージS2を挟んで支柱31aの反対側に配置されている。また、中央柱部33は、平面視で中研削ステージS3と精研削ステージS4の間に配置されている。中央柱部32、33の下端は、インデックステーブル21の上方までに延伸されている。
The
コラム3の前面3aには、鉛直方向Vに亘って凹設された溝3bが配置されている。溝3bには、粗研削手段4が収容されている。コラム3の後面3cには、鉛直方向Vに亘って凹設された溝3d、3eが並んで配置されている。溝3dには、中研削手段5が収容されている。溝3eには、精研削手段6が収容されている。
The
粗研削手段4は、粗研削砥石41と、粗研削砥石41が下端に取り付けられた第1のスピンドル42と、第1のスピンドル42を鉛直方向Vに昇降させる第1のスピンドル送り機構43と、を備えている。
The rough grinding means 4 includes a
粗研削砥石41は、周方向に複数のカップ型砥石を下端に配置して構成されている。粗研削砥石41の番手は、例えば#2000に設定される。
The
第1のスピンドル42は、粗研削砥石41を下端に取り付けたサドル42aと、サドル42a内に設けられて粗研削砥石41を回転させる図示しないモータと、を備えている。粗研削砥石41の回転数は、例えば3000rpmに設定される。
The
第1のスピンドル送り機構43は、サドル42aと後述する後方ガイド72とを連結し、第1のスピンドル42を鉛直方向Vに送る。なお、第1のスピンドル送り機構43には、第1のスピンドル42を送る昇降手段が省略されているが、昇降手段としては、例えば、モータ駆動のボールネジ等が考えられる。
The first
中研削手段5は、中研削砥石51と、中研削砥石51が下端に取り付けられた第2のスピンドル52と、第2のスピンドル52を鉛直方向Vに昇降させる第2のスピンドル送り機構53と、を備えている。
The intermediate grinding means 5 includes a
中研削砥石51は、周方向に複数のカップ型砥石を下端に配置して構成されている。中研削砥石51の番手は、例えば#4000に設定される。
The
第2のスピンドル52は、中研削砥石51を下端に取り付けたサドル52aと、サドル52a内に設けられて中研削砥石51を回転させる図示しないモータと、を備えている。中研削砥石51の回転数は、例えば2000rpmに設定される。
The
第2のスピンドル送り機構53は、第1のスピンドル送り機構43と同様の構成であり、サドル52aと後述する後方ガイド82とを連結し、第2のスピンドル52を鉛直方向Vに送る。
The second
精研削手段6は、精研削砥石61と、精研削砥石61が下端に取り付けられた第3のスピンドル62と、第3のスピンドル62を鉛直方向Vに昇降させる第3のスピンドル送り機構63と、を備えている。
The fine grinding means 6 includes a
精研削砥石61は、周方向に複数のカップ型砥石を下端に配置して構成されている。精研削砥石61の番手は、例えば#8000に設定される。
The
第3のスピンドル62は、精研削砥石61を下端に取り付けたサドル62aと、サドル62a内に設けられて精研削砥石61を回転させる図示しないモータと、を備えている。精研削砥石61の回転数は、例えば2000rpmに設定される。
The
第3のスピンドル送り機構63は、第1のスピンドル送り機構43と同様の構成であり、サドル62aと後述する後方ガイド92とを連結し、第3のスピンドル62を鉛直方向Vに送る。
The third
加工装置1には、加工中のウェハWの厚みを計測する図示しないインプロセスゲージが設けられている。インプロセスゲージは、粗研削ステージS2、中研削ステージS3及び精研削ステージS4にそれぞれ配置されている。第1のスピンドル送り機構43、第2のスピンドル送り機構53及び第3のスピンドル送り機構63の運転は、インプロセスゲージが計測した膜厚に基づいて制御される。
The processing apparatus 1 is provided with an in-process gauge (not shown) for measuring the thickness of the wafer W being processed. The in-process gauges are arranged on the rough grinding stage S2, the intermediate grinding stage S3, and the fine grinding stage S4, respectively. The operations of the first
具体的には、粗研削ステージS2に設けられたインプロセスゲージが計測したウェハWの厚みが所望の値に達すると、第1のスピンドル送り機構43が駆動してサドル42aを上昇させることで、ウェハWと粗研削砥石41とが離間する。同様にして、中研削ステージS3に設けられたインプロセスゲージが計測したウェハWの厚みが所望の値に達すると、ウェハWと中研削砥石51とが離間し、精研削ステージS4に設けられたインプロセスゲージが計測したウェハWの厚みが所望の値に達すると、ウェハWと精研削砥石61とが離間する。
Specifically, when the thickness of the wafer W measured by the in-process gauge provided on the rough grinding stage S2 reaches a desired value, the first
加工装置1には、第1のスピンドル42を鉛直方向Vに摺動可能に支持する第1のガイド7と、第2のスピンドル52を鉛直方向Vに摺動可能に支持する第2のガイド8と、第3のスピンドル62を鉛直方向Vに摺動可能に支持する第3のガイド9と、が設けられている。
The processing apparatus 1 includes a
第1のガイド7は、基部31及び中央柱部32の前面にそれぞれ1つずつ配置された前方ガイド71と、溝3bに配置された1つの後方ガイド72と、で構成される。前方ガイド71及び後方ガイド72は、例えば、リニアガイドである。前方ガイド71のスライダ71aには、サドル42aが直接取り付けられている。また、後方ガイド72には、第1のスピンドル送り機構43を介してサドル42aが取り付けられている。
The
前方ガイド71及び後方ガイド72は、鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。これにより、前方ガイド71及び後方ガイド72は、サドル42aを鉛直方向Vに沿って移動するように規制する。
The
第2のガイド8は、基部31の後面及び中央柱部33にそれぞれ1つずつ配置された前方ガイド81と、溝3dに配置された1つの後方ガイド82と、で構成される。前方ガイド81及び後方ガイド82は、例えば、リニアガイドである。前方ガイド81のスライダ81aには、サドル52aが直接取り付けられている。また、後方ガイド82には、第2のスピンドル送り機構53を介してサドル52aが取り付けられている。
The
前方ガイド81と後方ガイド82とは、鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。これにより、前方ガイド81及び後方ガイド82は、サドル52aを鉛直方向Vに沿って移動するように規制する。
The
第3のガイド9は、基部31の後面及び中央柱部33にそれぞれ1つずつ配置された前方ガイド91と、溝3eに配置された1つの後方ガイド92と、で構成される。前方ガイド91及び後方ガイド92は、例えば、リニアガイドである。前方ガイド91のスライダ91aには、サドル62aが直接取り付けられている。また、後方ガイド92には、第3のスピンドル送り機構63を介してサドル62aが取り付けられている。
The
前方ガイド91及び後方ガイド92は、鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。これにより、前方ガイド91及び後方ガイド92は、サドル62aを鉛直方向Vに沿って移動するように規制する。
The
加工装置1の動作は、図示しない制御ユニットによって制御される。制御ユニットは、加工装置1を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御ユニットは、例えば、CPU、メモリ等により構成される。なお、制御ユニットの機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。 Operations of the processing apparatus 1 are controlled by a control unit (not shown). The control unit controls each of the constituent elements that constitute the processing apparatus 1 . The control unit is composed of, for example, a CPU, a memory, and the like. The functions of the control unit may be realized by controlling using software, or may be realized by operating using hardware.
このように、加工装置1は、アライメントステージS1のチャック22に吸着保持されたウェハWを同一のチャック22に載置した状態で、粗研削ステージS2、中研削ステージS3、精研削ステージS4の順に連続して送る。また、ウェハWを吸着保持するチャック22は、ベルトコンベヤ等の他のウェハ保持装置に比べて、高剛性に形成可能である。これにより、研削加工のスループットが向上すると共に、ウェハWを高品位に研削加工することができる。
In this manner, the processing apparatus 1 performs the coarse grinding stage S2, the intermediate grinding stage S3, and the fine grinding stage S4 in this order while the wafer W suction-held by the
また、コラム3がインデックステーブル21より広径で高剛性に形成可能なため、ウェハWの研削加工中に生じた垂直抗力に起因する粗研削手段4、中研削手段5及び精研削手段6の共振及び軸倒れが抑制され、ウェハWを高品位で研削加工することができる。
In addition, since the
次に、保持手段2のチルト機構について説明する。保持手段2は、図4、5に示すように、チャック22の周囲に配置された2つの可動支持部24及び1つの固定支持部25を備えている。可動支持部24は、チャック22に対してインデックステーブル21の径方向の外周側に配置されている。固定支持部25は、チャック22に対してインデックステーブル21の径方向の内周側に配置されている。
Next, the tilt mechanism of the holding means 2 will be explained. The holding means 2 comprises two
図6に示すように、可動支持部24は、スライドブロック24aと、固定ブロック24bと、調整ネジ24cと、を備えている差動ネジ機構である。
As shown in FIG. 6, the
スライドブロック24aは、インデックステーブル21に接合されている。スライドブロック24aは、中心にネジ部が穿設されており、スライドブロック24aのネジ部のピッチは、例えば1.25mmに設定されている。
The
固定ブロック24bは、チャック22を載置するチルトテーブル26に接合されている。固定ブロック24bは、中心にネジ部が穿設されており、固定ブロック24bのネジ部のピッチは、ネジ部24dより小さく、例えば1.00mmに設定されている。
The fixed
調整ネジ24cは、スライドブロック24aのネジ部及び固定ブロック24bのネジ部に螺入されている。調整ネジ24cは、図示しない駆動モータによって正転又は逆転する。調整ネジ24cが1回転すると、スライドブロック24aと固定ブロック24bとのピッチ差(0.25mm)だけチャック22が昇降する。
The
固定支持部25は、チルトテーブル26をインデックステーブル21に締結するボルトである。
The fixed
このようにして、可動支持部24がチルトテーブル26を昇降させると共に固定支持部25がチルトテーブル26を鉛直方向Vに固定するため、2つの可動支持部24の各伸縮量に応じて、チャック22の回転軸a2を傾斜させることができる。なお、チルト機構の構成は、上述した差動ネジ機構とボルトを用いたものに限定されるものではなく、如何なる構成であっても構わない。
In this manner, the
次に、チャック22のレイアウトについて図面に基づいて説明する。
Next, the layout of the
図7(a)に示すように、従来の加工装置100では、粗研削砥石101、中研削砥石102及び精研削砥石103は、チャック104の外側にオフセットして配置されている。また、チャック104を傾斜させるチルト機構を作動させると、チャック104が、チャック104の回転中心105を通って図示しない2つの可動支持部と平行なチルト軸106を基準として、チルト軸106の内側が高くチルト軸106の外側が低くなるように傾斜する。また、平面から視てチャック104のチルト軸106に対する垂線107は、インデックステーブル108の回転中心109を通らないように配置されている。
As shown in FIG. 7A, in the
そして、粗研削砥石101及び精研削砥石103の加工領域110の両端は、チルト軸106上に配置されているものの、中研削砥石102の加工領域110は、チルト軸106と回転中心105において交わる。すなわち、ウェハWと粗研削砥石101及び精研削砥石103との接触具合並びにウェハWと中研削砥石102との接触具合が異なるため、精研削砥石103とチャック104との接触具合を再現するように、粗研削砥石101及び中研削砥石102をチャック104に対して傾斜させる必要がある。
Both ends of the
また、図7(b)に示すように、粗研削砥石101、中研削砥石102及び精研削砥石103がチャック104に対しても同様に接触するように、粗研削砥石101、中研削砥石102及び精研削砥石103を回転対称となるように配置することも考えられる。
Further, as shown in FIG. 7(b), the
しかしながら、このような加工装置100では、粗研削砥石101、中研削砥石102及び精研削砥石103の外径を300mmに設定した場合、中研削砥石102の外周から精研削砥石103の外周までの距離Lが、約925mmとなり、図7(a)に示す加工装置100における中研削砥石102の外周から精研削砥石103の外周までの距離L(810mm)と比べて、中研削砥石102が図10の紙面左側に移動した分だけ装置サイズが大型化する。
However, in such a
一方、本実施形態に係る加工装置1では、図8に示すように、チルト機構を作動させると、チャック22が、チャック22の回転中心O1を通って2つの可動支持部24と平行なチルト軸L1を基準として、チルト軸L1の内側が高くチルト軸L1の外側が低くなるように傾斜する。すなわち、チルト軸L1は、チャック22の上面において回転中心O1と略同じ高さを示すものである。
On the other hand, in the processing apparatus 1 according to the present embodiment, as shown in FIG. 8, when the tilt mechanism is operated, the
そして、チャック22は、平面から視て回転中心O1を通りチルト軸L1に対する垂線L2がインデックステーブル21の回転中心O2を通るように配置されている。すなわち、チャック22は、回転中心O2に対して回転対称に配置されている。
The
粗研削砥石41、中研削砥石51及び精研削砥石61は、チャック22の外側にオフセットして配置されている。また、粗研削砥石41、中研削砥石51及び精研削砥石61は、平面から視て回転中心O1とチルト軸L1及びチャック22の外周の交点の一方Pとを端点とする円弧CにおいてウェハWに接触する。
The
したがって、粗研削砥石41、中研削砥石51及び精研削砥石61が、何れのチャック22に対しても同様に接触するため、粗研削砥石41、中研削砥石51又は精研削砥石61の何れか1つに対してチャック22を傾斜させて接触具合を調整すれば、他の砥石とチャック22との接触具合を調整する必要がない。すなわち、粗研削砥石41、中研削砥石51及び精研削砥石61を傾斜させる機構を設けることなく、各砥石とチャック22との接触具合を適切に調整することができる。
Therefore, since the
また、粗研削砥石41の外周から中研削砥石51の外周までの距離Lは、約864mmとなり、従来のように砥石を回転対称に配置した加工装置100と比較すると、装置を小型化することができる。
Further, the distance L from the outer circumference of the
なお、粗研削砥石41、中研削砥石51及び精研削砥石61の配置位置は、図8に示すように、各砥石がチャック22の外側にオフセットして配置されるとともに中研削砥石51及び精研削砥石61が離間したものに限定されない。
As shown in FIG. 8, the
例えば、図9(a)に示すように、各砥石がチャック22の内側に配置されるとともに中研削砥石51及び精中研削砥石61が接近したものであっても良い。このとき、中研削砥石51の外周から精研削砥石61の外周までの距離は、約558mmである。
For example, as shown in FIG. 9(a), each whetstone may be arranged inside the
また、図9(b)に示すように、各砥石がチャック22の内側に配置されるとともに粗研削砥石41及び中研削砥石51が接近したものであっても良い。このとき、中研削砥石51の外周から精研削砥石61の外周までの距離は、約735mmである。
Further, as shown in FIG. 9(b), each whetstone may be arranged inside the
さらに、図9(c)に示すように、各砥石がチャック22の外側に配置されるとともに中研削砥石51及び精研削砥石61が離間したものであっても構わない。このとき、中研削砥石51の外周から精研削砥石61の外周までの距離は、約1041mmである。
Furthermore, as shown in FIG. 9(c), each grindstone may be arranged outside the
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。 It should be noted that the present invention can be modified in various ways without departing from the spirit of the present invention, and it is a matter of course that the present invention extends to the modified ones.
1 ・・・加工装置
2 ・・・保持手段
21 ・・・インデックステーブル
22 ・・・チャック
24 ・・・可動支持部
25 ・・・固定支持部
26 ・・・チルトテーブル
3 ・・・コラム
41 ・・・粗研削砥石
51 ・・・中研削砥石
61 ・・・精研削砥石
7 ・・・第1のガイド
8 ・・・第2のガイド
9 ・・・第3のガイド
L1 ・・・チルト軸
L2 ・・・垂線
O1 ・・・(チャックの)回転中心
O2 ・・・(インデックステーブルの)回転中心
W ・・・ウェハ
a1 ・・・(インデックステーブルの)回転軸
a2 ・・・(チャックの)回転軸
REFERENCE SIGNS LIST 1
Claims (3)
前記ウェハを吸着保持する複数のチャックと、
前記複数のチャックを同心円上に配置し、前記複数のチャックを前記複数の加工手段の間で搬送するインデックステーブルと、
前記複数のチャックの各回転軸をそれぞれ傾斜させる複数のチルト機構と、
を備え、
平面視で前記複数のチャックの各回転中心をそれぞれ通り前記複数のチルト機構の各チルト軸に対する各垂線が、前記インデックステーブルの回転中心を通るように設定され、
前記各加工手段の各砥石を傾斜させる機構が、設けられていないことを特徴とする加工装置。 A processing apparatus for continuously grinding a wafer by a plurality of processing means,
a plurality of chucks for sucking and holding the wafer;
an index table for arranging the plurality of chucks concentrically and transporting the plurality of chucks between the plurality of processing means;
a plurality of tilting mechanisms for tilting respective rotation axes of the plurality of chucks;
with
each perpendicular line to each tilt axis of each of the plurality of tilt mechanisms passing through each rotation center of each of the plurality of chucks in plan view is set to pass through each rotation center of the index table;
A processing apparatus, wherein a mechanism for tilting each grinding wheel of each processing means is not provided.
前記複数の加工手段は、前記インデックステーブルの径方向において前記複数のチャックの外周側に配置され、
前記複数の加工手段の内の隣り合う2台の前記加工手段の間の各距離は、それぞれ異なっていることを特徴とする請求項1記載の加工装置。 The plurality of processing means includes three or more processing means,
The plurality of processing means are arranged on the outer peripheral side of the plurality of chucks in the radial direction of the index table,
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein distances between two adjacent processing units among said plurality of processing units are different from each other.
前記複数の加工手段は、前記インデックステーブルの径方向において前記複数のチャックの内周側に配置され、
前記複数の加工手段の内の隣り合う2台の前記加工手段の間の各距離は、それぞれ異なっていることを特徴とする請求項1記載の加工装置。 The plurality of processing means includes three or more processing means,
The plurality of processing means are arranged on the inner peripheral side of the plurality of chucks in the radial direction of the index table,
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein distances between two adjacent processing units among said plurality of processing units are different from each other.
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