JP2022118628A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板に対するガスの供給の面間均一性を調整できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による処理装置は、略円筒形状を有する処理容器と、前記処理容器の内壁内側に沿って長手方向に延設するインジェクタであり、処理ガスが導入される複数の導入ポートと、該複数の導入ポートから導入される前記処理ガスを前記処理容器内に吐出する複数のガス孔とを有するインジェクタと、前記複数の導入ポートから前記インジェクタ内に導入される前記処理ガスの流量比を変化させる制御部と、を備える。【選択図】図１

Description

本開示は、処理装置及び処理方法に関する。
基板が搭載されるボートを収容する処理容器と、該処理容器の近傍において該処理容器の内壁に沿って鉛直方向に延設すると共に長手方向に複数のガス噴出孔を有するガス管と、を備えるガス処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、ガス管に２つのガス流入口を設け、それぞれのガス流入口から流入したガスをガス管内の流路の途中でぶつけることにより、複数のガス噴出孔を介して噴出するガスの噴出圧力を、各ガス噴出孔で均一化している。
特開２０１５－１９６８３９号公報
本開示は、基板に対するガスの供給の面間均一性を調整できる技術を提供する。
本開示の一態様による処理装置は、略円筒形状を有する処理容器と、前記処理容器の内壁内側に沿って長手方向に延設するインジェクタであり、処理ガスが導入される複数の導入ポートと、該複数の導入ポートから導入される前記処理ガスを前記処理容器内に吐出する複数のガス孔とを有するインジェクタと、前記複数の導入ポートから前記インジェクタ内に導入される前記処理ガスの流量比を変化させる制御部と、を備える。
本開示によれば、基板に対するガスの供給の面間均一性を調整できる。
実施形態の処理装置の一例を示す概略図 図１の処理装置のインジェクタの一例を示す図 図１の処理装置のインジェクタの第１変形例を示す図 図１の処理装置のインジェクタの第２変形例を示す図 図１の処理装置のインジェクタの第３変形例を示す図 図２のインジェクタ（内径：１３．５ｍｍ）を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図 図２のインジェクタ（内径：１３．５ｍｍ）を用いた場合の質量流量の解析結果を示す図 図３のインジェクタを用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図 図３のインジェクタを用いた場合の質量流量の解析結果を示す図 図２のインジェクタ（内径：５．４ｍｍ）を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図 図２のインジェクタ（内径：５．４ｍｍ）を用いた場合の質量流量の解析結果を示す図 図４のインジェクタを用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図 図４のインジェクタを用いた場合の質量流量の解析結果を示す図 Ｓｉ２Ｈ６にＮ２を添加した場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図 Ｓｉ２Ｈ６にＮ２を添加した場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図 Ｓｉ２Ｈ６の総流量を変更した場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図 ガス孔の孔径を変更した場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図（１） ガス孔の孔径を変更した場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図（２） ガス孔の孔径を変更した場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図（３）
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔処理装置〕
図１を参照し、実施形態の処理装置の一例について説明する。実施形態の処理装置は、複数の基板に同時に一括して成膜をすることのできるバッチ式の縦型の処理装置である。実施形態の処理装置は、例えば化学気相堆積（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）により、基板の上に膜を堆積させる装置である。
処理装置１０は、基板Ｗを収容する処理容器３４と、処理容器３４のＺ２側の下端の開口を塞ぐ蓋体３６とを有している。基板Ｗは、例えばシリコンウエハ等の半導体ウエハである。更に、処理装置１０は、処理容器３４内に収容可能であり、複数の基板Ｗを所定の間隔で保持するボート３８と、処理容器３４内へガスを供給するガス供給部４０と、処理容器３４内のガスを排気する排気部４１とを有している。処理容器３４の外側には、処理容器３４の内部を加熱する加熱部４２が設けられている。
処理容器３４は、Ｚ２側の下端が開放されており、Ｚ１側に天井部４４Ａを有する略円筒形状の内管４４と、Ｚ２側の下端が開放されており、内管４４の外側を覆うＺ１側に有天井を有する略円筒形状の外管４６とにより形成されている。内管４４及び外管４６は、石英等の耐熱性材料により形成されており、Ｚ１－Ｚ２方向に沿って同軸状に配置されて二重管構造となっている。
内管４４の天井部４４Ａは、例えば平坦になっている。内管４４の内側には、後述するインジェクタ７６を収容するノズル収容部４８が、Ｚ１－Ｚ２方向に沿って形成されている。内管４４の側壁の一部はＸ１方向の外側に凸となる凸部５０が形成されており、形成された凸部５０の内部をノズル収容部４８としてもよい。ノズル収容部４８に対向している内管４４の反対側となるＸ２側の側壁には、Ｚ１－Ｚ２方向に沿って所定の幅を有する矩形状の開口５２が形成されている。
開口５２は、内管４４内を排気するための排気口である。開口５２のＺ１－Ｚ２方向における長さは、ボート３８の長さと同じであるか、又は、ボート３８の長さよりも長く形成されている。即ち、開口５２のＺ１側の上端では、ボート３８の上端に対応する位置よりもＺ１側に長く形成されており、開口５２のＺ２側の下端では、ボート３８の下端に対応する位置よりもＺ２側に長く形成されている。
処理容器３４のＺ２側の下端は、例えばステンレス鋼により形成される略円筒形状のマニホールド５４によって支持されている。マニホールド５４のＺ１側の上端には、フランジ部５６が形成されており、フランジ部５６上には外管４６のＺ２側の下端が接続されている。フランジ部５６と外管４６との間には、Ｏリング等のシール部材５８が設けられており、シール部材５８を介し、フランジ部５６と外管４６とが接続されている。本実施形態においては、処理容器３４の内側の処理容器３４、マニホールド５４、蓋体３６に囲まれた領域を処理容器の内部と記載する場合がある。
マニホールド５４の上部となるＺ１側の内壁には、円環状の支持部６０が設けられており、支持部６０上に内管４４のＺ２側の下端が設置され、これを支持している。マニホールド５４のＺ２側の下端の開口には、蓋体３６がＯリング等のシール部材６２を介して取り付けられており、処理容器３４のＺ２側の下端の開口、即ち、マニホールド５４の開口を密閉して塞いでいる。蓋体３６は、例えばステンレス鋼により形成される。
蓋体３６の中央部には、磁性流体シール部６４を介して回転軸６６が貫通して設けられている。回転軸６６のＺ２側の下部は、ボートエレベータよりなる昇降部６８のアーム６８Ａに回転自在に支持されている。
回転軸６６のＺ１側の上端には回転プレート７０が設けられており、回転プレート７０上に石英製の保温台７２を介して基板Ｗを保持するボート３８が載置されている。従って、昇降部６８によりアーム６８Ａを昇降させることによって蓋体３６とボート３８とは一体として上下方向に動き、ボート３８を処理容器３４内に入れたり出したりすることができる。
ガス供給部４０は、マニホールド５４に設けられており、内管４４の内部に処理ガスを供給することができる。処理ガスは、例えば原料ガス、添加ガスを含む。原料ガスは、基板Ｗに膜を堆積させるためのガスであり、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）等のシリコン含有ガスであってよい。添加ガスは、原料ガスを希釈するためのガスであり、例えば窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスであってよい。ガス供給部４０は、石英製の１つのインジェクタ７６を有している。ただし、ガス供給部４０は、更に別のインジェクタを有していてもよい。
インジェクタ７６は、２つの直立部７６ａ，７６ｂを有する。２つの直立部７６ａ，７６ｂは、Ｚ１方向側の端部において互いに近づく方向に屈曲して接続され、Ｚ２方向側の端部がＬ字状にＸ１側に曲げられており、マニホールド５４を貫通し、支持されている。
インジェクタ７６の一方の直立部７６ａには、所定の間隔で複数のガス孔７６ｃが形成されており、各ガス孔７６ｃより略水平方向に処理ガスが吐出される。所定の間隔は、例えば、ボート３８に支持される基板Ｗの間隔と同じである。また、Ｚ１－Ｚ２方向における直立部７６ａの各ガス孔７６ｃの位置は、Ｚ１－Ｚ２方向において隣り合う基板Ｗ間の中間に位置しており、処理ガスを基板Ｗ間の空間部に効率的に供給することができる。ただし、各ガス孔７６ｃの所定の間隔は上記に限定されるものではない。複数の基板Ｗごとに設けられていてもよい。
また、各ガス孔７６ｃの位置は、隣り合う基板Ｗ間の中間の位置に限らず、基板Ｗと同じ高さなど任意の位置に設けてもよい。さらに、各ガス孔７６ｃの向きは、基板Ｗの中心向きや基板Ｗの外周向き、もしくは内管４４向きなど、任意の方向に設けてもよい。
外管４６の外周側には、外管４６の周囲を囲むように略円筒形状の加熱部４２が設けられている。加熱部４２により、処理容器３４内に収容される基板Ｗ及びインジェクタ７６の直立部７６ａ，７６ｂ内のガスを加熱することができる。
インジェクタ７６の一方の直立部７６ａには、処理ガス供給源ＧＳが、バルブＶ１、流量制御器Ｍ１及びバルブＶ２を介して接続されている。インジェクタ７６の他方の直立部７６ｂには、処理ガス供給源ＧＳが、バルブＶ３、流量制御器Ｍ２及びバルブＶ４を介して接続されている。すなわち、直立部７６ａ，７６ｂは、同じ処理ガス供給源ＧＳに接続されている。ただし、直立部７６ｂは、直立部７６ａと異なる処理ガス供給源に接続されていてもよい。
インジェクタ７６では、処理ガス供給源ＧＳからの処理ガスが流量制御器Ｍ１，Ｍ２による制御により、バルブＶ１～Ｖ４を介して直立部７６ａ，７６ｂに導入され、直立部７６ａに設けられた複数のガス孔７６ｃより、処理容器３４の内管４４の内部に吐出される。
マニホールド５４の上部となるＺ１側の側壁であって、支持部６０の上方には、排気口８２が設けられており、内管４４と外管４６との間の空間部８４を介して開口５２より内管４４内のガスが排気される。排気口８２には、排気部４１が接続されている。排気部４１は、排気口８２より、圧力調整弁８８、排気通路８６、真空ポンプ９０の順に設けられており、処理容器３４の内部を真空排気することができる。
本実施形態においては、内管４４の内側には、複数の基板Ｗが、基板面となるウエハ面と垂直なＺ１－Ｚ２方向に沿って設置されている。処理ガスは、インジェクタ７６の直立部７６ａに形成された複数のガス孔７６ｃより、基板Ｗ間に吐出される。吐出された処理ガスは、基板Ｗ間を通り、基板Ｗが処理されるが、処理に寄与しないガスは、Ｘ２側の開口５２より内管４４の外側に出て、内管４４と外管４６との間の空間部８４を通り、排気口８２より排気される。
処理装置１０の全体の動作は、例えばコンピュータ等の制御部９５により制御される。また、処理装置１０の全体の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体９６に記憶されていてもよい。記憶媒体９６は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。
本実施形態において、制御部９５は、基板Ｗに対して所定の処理（例えば成膜処理）を施している途中で、バルブＶ１～Ｖ４及び流量制御器Ｍ１，Ｍ２を制御して、直立部７６ａに導入する処理ガスと直立部７６ｂに導入する処理ガスの流量比を変化させる。
ところで、原料ガスであるシリコン含有ガスは、インジェクタ内に導入されると、インジェクタ内を上流から下流に向けて流れながら加熱部により加熱される。そのため、ガスの流れの上流に位置するガス孔から吐出されるシリコン含有ガスと、下流に位置するガス孔から吐出されるシリコン含有ガスとでは、インジェクタ内において加熱される時間が異なる。その結果、上流に位置するガス孔から吐出されるシリコン含有ガスと、下流に位置するガス孔から吐出されるシリコン含有ガスとの間で、流量や熱分解率が異なり、成膜されるシリコン膜の基板Ｗ間における膜特性の均一性にバラツキが生じる。
本実施形態では、インジェクタ７６が複数の導入ポートを有し、複数の導入ポートを介してインジェクタ７６内にシリコン含有ガスが導入されるので、ガス孔７６ｃに対して上流と下流の位置関係を変化させることができる。これにより、基板Ｗに向けて吐出されるシリコン含有ガスの流量や熱分解率の分布を変化させることができる。その結果、成膜されるシリコン膜の基板Ｗ間における膜特性の分布を調整できる。
〔インジェクタ〕
図２を参照し、図１の処理装置１０に設けられるインジェクタ７６の一例であるインジェクタ２００について説明する。
インジェクタ２００は、第１の直立部２１０及び第２の直立部２２０を含む。第１の直立部２１０及び第２の直立部２２０は、同じ長さを有し、上部で互いに接続されている。
第１の直立部２１０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第１の直立部２１０は、上部が第２の直立部２２０の側に屈曲して第２の直立部２２０に接続される接続部２１１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート２１２を形成する。第１の直立部２１０は、下部から上部まで同じ内径を有する。
第１の直立部２１０は、長手方向に沿って間隔をあけて形成された複数のガス孔２１３を含む。複数のガス孔２１３は、処理容器３４の中心側に配向する。これにより、複数のガス孔２１３は、第１の直立部２１０の導入ポート２１２及び後述する第２の直立部２２０の導入ポート２２２から導入される処理ガスを処理容器３４の中心に向けて略水平方向に吐出する。ただし、複数のガス孔２１３は、処理容器３４の中心側とは異なる方向、例えば処理容器３４の内壁側に配向していてもよい。
第２の直立部２２０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第２の直立部２２０は、第１の直立部２１０に対して処理容器３４の周方向に隣接した位置に設けられている。ただし、第２の直立部２２０は、第１の直立部２１０に対して処理容器３４の径方向に隣接した位置に設けられていてもよい。第２の直立部２２０は、上部が第１の直立部２１０の側に屈曲して第１の直立部２１０に接続される接続部２２１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート２２２を形成する。
第２の直立部２２０は、下部から上部まで同じ内径を有する。第２の直立部２２０の内径は、第１の直立部２１０の内径と同じである。
係るインジェクタ２００では、導入ポート２１２，２２２からインジェクタ２００内に導入する処理ガスの流量比を変化させることで、上下方向における処理ガスの流量及び熱分解率の分布を調整できる。これにより、基板Ｗに対するガスの供給の面間均一性を調整できる。
例えば、導入ポート２２２から第２の直立部２２０内に導入する処理ガスに対する導入ポート２１２から第１の直立部２１０内に導入する処理ガスの流量比を小さくすることで、流速の遅い位置を第１の直立部２１０の上部から下部へシフトさせることができる。また、流速の遅い位置では処理ガスの滞留時間（レジデンスタイム）が長くなるため、処理ガスの熱分解が促進される。その結果、熱分解率の高い位置を第１の直立部２１０の上部から下部へシフトさせることができる。
図３を参照し、図１の処理装置１０に設けられるインジェクタ７６の第１変形例であるインジェクタ３００について説明する。インジェクタ３００は、第１の直立部３１０と第２の直立部３２０の内径とが異なる点で、インジェクタ２００と異なる。
インジェクタ３００は、第１の直立部３１０及び第２の直立部３２０を含む。第１の直立部３１０及び第２の直立部３２０は、同じ長さを有し、上部で互いに接続されている。
第１の直立部３１０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第１の直立部３１０は、上部が第２の直立部３２０の側に屈曲して第２の直立部３２０に接続される接続部３１１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート３１２を形成する。第１の直立部３１０は、接続部３１１において内径が小さくなっている。
第１の直立部３１０は、長手方向に沿って間隔をあけて形成された複数のガス孔３１３を含む。複数のガス孔３１３は、処理容器３４の中心側に配向する。これにより、複数のガス孔３１３は、第１の直立部３１０の導入ポート３１２及び後述する第２の直立部３２０の導入ポート３２２から導入される処理ガスを処理容器３４の中心に向けて略水平方向に吐出する。ただし、複数のガス孔３１３は、処理容器３４の中心側とは異なる方向、例えば処理容器３４の内壁側に配向していてもよい。
第２の直立部３２０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第２の直立部３２０は、第１の直立部３１０に対して処理容器３４の周方向に隣接した位置に設けられている。ただし、第２の直立部３２０は、第１の直立部３１０に対して処理容器３４の径方向に隣接した位置に設けられていてもよい。第２の直立部３２０は、上部が第１の直立部３１０の側に屈曲して第１の直立部３１０に接続される接続部３２１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート３２２を形成する。
第２の直立部３２０は、下部から上部まで同じ内径を有する。第２の直立部３２０の内径は、第１の直立部３１０の接続部３１１の内径と同じである。言い換えると、第２の直立部３２０の内径は、第１の直立部３１０における複数のガス孔３１３が形成されている部分の内径よりも小さい。
係るインジェクタ３００では、導入ポート３１２，３２２からインジェクタ３００内に導入する処理ガスの流量比を変化させることで、上下方向における処理ガスの流量及び熱分解率の分布を調整できる。これにより、基板Ｗに対するガスの供給の面間均一性を調整できる。
例えば、導入ポート３２２から第２の直立部３２０内に導入する処理ガスに対する導入ポート３１２から第１の直立部３１０内に導入する処理ガスの流量比を小さくすることで、流速の遅い位置を第１の直立部３１０の上部から下部へシフトさせることができる。また、流速の遅い位置では処理ガスの滞留時間が長くなるため、処理ガスの熱分解が促進される。その結果、熱分解率の高い位置を第１の直立部３１０の上部から下部へシフトさせることができる。
図４を参照し、図１の処理装置１０に設けられるインジェクタ７６の第２変形例であるインジェクタ４００について説明する。インジェクタ４００は、第１の直立部４１０と第２の直立部４２０の両方に複数のガス孔４１３，４２３が設けられている点で、インジェクタ２００と異なる。
インジェクタ４００は、第１の直立部４１０及び第２の直立部４２０を含む。第１の直立部４１０及び第２の直立部４２０は、同じ長さを有し、上部で互いに接続されている。
第１の直立部４１０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第１の直立部４１０は、上部が第２の直立部４２０の側に屈曲して第２の直立部４２０に接続される接続部４１１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート４１２を形成する。第１の直立部４１０は、下部から上部まで同じ内径を有する。
第１の直立部４１０は、長手方向に沿って間隔をあけて形成された複数のガス孔４１３を含む。複数のガス孔４１３は、処理容器３４の中心側に配向する。これにより、複数のガス孔４１３は、第１の直立部４１０の導入ポート４１２及び後述する第２の直立部４２０の導入ポート４２２から導入される処理ガスを処理容器３４の中心に向けて略水平方向に吐出する。ただし、複数のガス孔４１３は、処理容器３４の中心側とは異なる方向、例えば処理容器３４の内壁側に配向していてもよい。
第２の直立部４２０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第２の直立部４２０は、第１の直立部４１０に対して処理容器３４の周方向に隣接した位置に設けられている。ただし、第２の直立部４２０は、第１の直立部４１０に対して処理容器３４の径方向に隣接した位置に設けられていてもよい。第２の直立部４２０は、上部が第１の直立部４１０の側に屈曲して第１の直立部４１０に接続される接続部４２１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート４２２を形成する。
第２の直立部４２０は、下部から上部まで同じ内径を有する。第２の直立部４２０の内径は、第１の直立部４１０の内径と同じである。ただし、第２の直立部４２０の内径は、第１の直立部４１０の内径と異なっていてもよい。
第２の直立部４２０は、長手方向に沿って間隔をあけて形成された複数のガス孔４２３を含む。複数のガス孔４２３は、複数のガス孔４１３と同じ側、すなわち、処理容器３４の中心側に配向する。これにより、複数のガス孔４２３は、第１の直立部４１０の導入ポート４１２及び第２の直立部４２０の導入ポート４２２から導入される処理ガスを処理容器３４の中心に向けて略水平方向に吐出する。ただし、複数のガス孔４２３は、処理容器３４の中心側とは異なる方向、例えば処理容器３４の内壁側に配向していてもよい。また、複数のガス孔４２３は、複数のガス孔４１３と異なる方向に配向していてもよい。複数のガス孔４２３の各々は、上下方向において隣接する２つのガス孔４１３の中間位置に設けられている。ただし、複数のガス孔４２３は、上下方向において複数のガス孔４１３と同じ位置に設けられていてもよい。
係るインジェクタ４００では、導入ポート４１２，４２２からインジェクタ４００内に導入する処理ガスの流量比を変化させることで、上下方向における処理ガスの流量及び熱分解率の分布を調整できる。これにより、基板Ｗに対するガスの供給の面間均一性を調整できる。
図５を参照し、図１の処理装置１０に設けられるインジェクタ７６の第３変形例であるインジェクタ５００について説明する。インジェクタ５００は、第１の直立部５１０の途中に接続される第３の直立部５３０を含む点で、インジェクタ２００と異なる。
インジェクタ５００は、第１の直立部５１０、第２の直立部５２０及び第３の直立部５３０を含む。第１の直立部５１０及び第２の直立部５２０は、同じ長さを有し、上部で互いに接続されている。第３の直立部５３０は、第１の直立部５１０よりも短い長さを有し、上部が第１の直立部５１０の途中に接続されている。
第１の直立部５１０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第１の直立部５１０は、上部が第２の直立部５２０の側に屈曲して第２の直立部５２０に接続される接続部５１１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート５１２を形成する。第１の直立部５１０は、下部から上部まで同じ内径を有する。
第１の直立部５１０は、長手方向に沿って間隔をあけて形成された複数のガス孔５１３を含む。複数のガス孔５１３は、処理容器３４の中心側に配向する。これにより、複数のガス孔５１３は、第１の直立部５１０の導入ポート５１２、後述する第２の直立部５２０の導入ポート５２２及び後述する第３の直立部５３０の導入ポート５３２から導入される処理ガスを処理容器３４の中心に向けて略水平方向に吐出する。ただし、複数のガス孔５１３は、処理容器３４の中心側とは異なる方向、例えば処理容器３４の内壁側に配向していてもよい。
第２の直立部５２０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第２の直立部５２０は、第１の直立部５１０に対して処理容器３４の周方向に隣接した位置に設けられている。ただし、第２の直立部５２０は、第１の直立部５１０に対して処理容器３４の径方向に隣接した位置に設けられていてもよい。第２の直立部５２０は、上部が第１の直立部５１０の側に屈曲して第１の直立部５１０に接続される接続部５２１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート５２２を形成する。
第２の直立部５２０は、下部から上部まで同じ内径を有する。第２の直立部５２０の内径は、第１の直立部５１０の内径と同じである。ただし、第２の直立部５２０の内径は、第１の直立部５１０の内径と異なっていてもよい。
第３の直立部５３０は、処理容器３４の内壁内側に沿って延設する。第３の直立部５３０は、第１の直立部５１０に対して処理容器３４の周方向において第２の直立部５２０とは異なる側に隣接した位置に設けられている。言い換えると、処理容器３４の周方向に沿って、第３の直立部５３０、第１の直立部５１０お及び第２の直立部５２０がこの順に設けられている。ただし、第３の直立部５３０は、第１の直立部５１０に対して処理容器３４の径方向に隣接した位置に設けられていてもよい。
第３の直立部５３０は、上部が第１の直立部５１０の側に屈曲して第１の直立部５１０に接続される接続部５３１を形成し、下部が開口して処理ガスが導入される導入ポート５３２を形成する。第３の直立部５３０は、第１の直立部５１０の上下方向における中間位置に接続されている。ただし、第３の直立部５３０は、第１の直立部５１０の上下方向における中間位置よりも上方側（接続部５１１側）に接続されていてもよく、第１の直立部５１０の上下方向における中間位置よりも下方側（導入ポート５１２側）に接続されていてもよい。
第３の直立部５３０は、下部から上部まで同じ内径を有する。第３の直立部５３０の内径は、第１の直立部５１０の内径と同じである。ただし、第３の直立部５３０の内径は、第１の直立部５１０の内径と異なっていてもよい。
係るインジェクタ５００では、導入ポート５１２，５２２，５３２からインジェクタ５００内に導入する処理ガスの流量比を変化させることで、上下方向における処理ガスの流量及び熱分解率の分布を調整できる。これにより、基板Ｗに対するガスの供給の面間均一性を調整できる。
例えば、導入ポート５２２から第２の直立部５２０内に導入する処理ガスに対する導入ポート５１２から第１の直立部５１０内に導入する処理ガスの流量比を小さくすることで、流速の遅い位置を第１の直立部５１０の上部から下部へシフトさせることができる。また、流速の遅い位置では処理ガスの滞留時間が長くなるため、処理ガスの熱分解が促進される。その結果、熱分解率の高い位置を第１の直立部５１０の上部から下部へシフトさせることができる。
〔解析結果〕
図６～図１９を参照し、実施形態のインジェクタ７６の効果を確認するために行った数値流体力学（ＣＦＤ：Computational Fluid Dynamics）による解析（以下「ＣＦＤ解析」という。）の結果について説明する。
ＣＦＤ解析では、複数の導入ポートからインジェクタ内に導入する原料ガス（Ｓｉ２Ｈ６）の流量比を変化させた場合に、反応活性種（ＳｉＨ２）のモル分率及び原料ガスの質量流量がどのように変化するかを解析した。なお、反応活性種（ＳｉＨ２）のモル分率を解析の対象としたのは、基板Ｗ上に堆積する膜の膜厚は、原料ガス（Ｓｉ２Ｈ６）が熱分解して生成される反応活性種（Ｓｉ２Ｈ６）の濃度に起因することを考慮したことによる。
（解析Ａ）
まず、図２のインジェクタ２００を用いて、導入ポート２１２，２２２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量比を変化させたときのＳｉＨ２のモル分率及びＳｉ２Ｈ６の質量流量を解析した。本解析では、インジェクタ２００の内径を１３．５ｍｍ、ガス孔３１３の孔径を０．５ｍｍ、ガス孔３１３の個数を６１個、Ｓｉ２Ｈ６の総流量を５００ｓｃｃｍに設定した。また、導入ポート２１２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｘと導入ポート２２２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｙとの流量比Ｘ／Ｙを以下の通り変化させた。
Ｘ／Ｙ＝450/50,420/80,400/100,300/200,250/250,200/300,100/400,80/420,50/450（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
図６は、図２のインジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図である。図６において、横軸はガス孔２１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉＨ２のモル分率（Mole Fraction of SiH2）を示す。ガス孔２１３の位置は、第１の直立部２１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。
図６に示されるように、流量比Ｘ／Ｙを変化させると、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置がシフトしていることが分かる。具体的には、流量比Ｘ／Ｙを小さくするほど、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置がインジェクタ２００の上部（ＴＯＰ）から下部（ＢＴＭ）へシフトしていることが分かる。
また、図６に示されるように、流量比Ｘ／Ｙが大きい場合、ピーク位置よりも上方側（ＴＯＰ側）の位置におけるＳｉＨ２のモル分率が、ピーク位置よりも下方側（ＢＴＭ側）の位置におけるＳｉＨ２のモル分率よりも高くなっていることが分かる。すなわち、流量比Ｘ／Ｙが大きい場合、ＳｉＨ２のモル分率の波形が対称性を持たないことが分かる。
図７は、図２のインジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）を用いた場合の質量流量の解析結果を示す図である。図７において、横軸はガス孔２１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉ２Ｈ６の質量流量（Mass Flow Rate）［arb.unit］を示す。ガス孔２１３の位置は、第１の直立部２１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。Ｓｉ２Ｈ６の質量流量については、異なる複数の流量比Ｘ／Ｙ間での結果が重ならないようにするために任意単位で示している。
図７に示されるように、流量比Ｘ／Ｙを変化させてもＳｉ２Ｈ６の質量流量はほとんど変化することなく、インジェクタ２００の上下方向の全ての位置において略一定であることが分かる。
以上に説明した図６及び図７の結果から、インジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）を用いることで、上下方向におけるＳｉ２Ｈ６の質量流量分布を略一定にし、かつＳｉ２Ｈ６の熱分解率のピーク位置を上下方向でシフトさせることができることが示された。
（解析Ｂ）
次に、図３のインジェクタ３００を用いて、導入ポート３１２，３２２からインジェクタ３００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量比を変化させたときのＳｉＨ２のモル分率及びＳｉ２Ｈ６の質量流量を解析した。本解析では、第１の直立部３１０の内径を１３．５ｍｍ、第２の直立部３２０の内径を５．４ｍｍ、ガス孔３１３の孔径を０．５ｍｍ、ガス孔３１３の個数を６１個、Ｓｉ２Ｈ６の総流量を５００ｓｃｃｍに設定した。また、導入ポート３１２からインジェクタ３００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｘと導入ポート３２２からインジェクタ３００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｙとの流量比Ｘ／Ｙを以下の通り変化させた。
Ｘ／Ｙ＝490/10,420/80,250/250,80/420,10/490（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
図８は、図３のインジェクタ３００を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図である。図８において、横軸はガス孔３１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉＨ２のモル分率（Mole Fraction of SiH2）を示す。ガス孔３１３の位置は、第１の直立部３１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。なお、図８では、比較のために図２のインジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果もあわせて示す。図８において、インジェクタ３００の結果を実線で示し、インジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）の結果を破線で示す。
図８に示されるように、流量比Ｘ／Ｙを変化させると、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置がシフトしていることが分かる。具体的には、流量比Ｘ／Ｙを小さくするほど、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置がインジェクタ３００の上部（ＴＯＰ）から下部（ＢＴＭ）へシフトしていることが分かる。
また、図８に示されるように、インジェクタ３００を用いた場合、インジェクタ２００を用いた場合と比較して、ピーク位置よりも上方側（ＴＯＰ側）の位置におけるＳｉＨ２のモル分率が小さくなり、ＳｉＨ２のモル分率の波形が対称性を持つことが分かる。
図９は、図３のインジェクタ３００を用いた場合の質量流量の解析結果を示す図である。図９において、横軸はガス孔３１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉ２Ｈ６の質量流量（Mass Flow Rate）［arb.unit］を示す。ガス孔３１３の位置は、第１の直立部３１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。
図９に示されるように、流量比Ｘ／Ｙを変化させてもＳｉ２Ｈ６の質量流量はほとんど変化することなく、インジェクタ３００の上下方向の全ての位置において略一定であることが分かる。
以上に説明した図８及び図９の結果から、インジェクタ３００を用いることで、上下方向におけるＳｉ２Ｈ６の質量流量分布を略一定にし、かつＳｉ２Ｈ６の熱分解率のピーク位置を上下方向でシフトさせることができることが示された。
また、ガス孔３１３が設けられていない側の直立部（第２の直立部３２０）の内径を、ガス孔３１３が設けられている側の直立部（第１の直立部３１０）の内径よりも小さくすることで、ＳｉＨ２のモル分率の波形に対称性を持たせることができることが示された。
（解析Ｃ）
次に、図２のインジェクタ２００を用いて、導入ポート２１２，２２２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量比を変化させたときのＳｉＨ２のモル分率及びＳｉ２Ｈ６の質量流量を解析した。本解析では、インジェクタ２００の内径を５．４ｍｍ、ガス孔３１３の孔径を０．５ｍｍ、ガス孔３１３の個数を６１個、Ｓｉ２Ｈ６の総流量を５００ｓｃｃｍに設定した。また、導入ポート２１２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｘと導入ポート２２２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｙとの流量比Ｘ／Ｙを以下の通り変化させた。
Ｘ／Ｙ＝490/10,400/100,300/200,250/250,200/300,100/400,10/490（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
図１０は、図２のインジェクタ２００（内径：５．４ｍｍ）を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図である。図１０において、横軸はガス孔２１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉＨ２のモル分率（Mole Fraction of SiH2）を示す。ガス孔２１３の位置は、第１の直立部３１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。なお、図１０では、比較のために図２のインジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果もあわせて示す。図１０において、インジェクタ２００（内径：５．４ｍｍ）の結果を実線で示し、インジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）の結果を破線で示す。
図１０に示されるように、流量比Ｘ／Ｙを変化させると、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置がシフトしていることが分かる。具体的には、流量比Ｘ／Ｙを小さくするほど、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置がインジェクタ２００の上部（ＴＯＰ）から下部（ＢＴＭ）へシフトしていることが分かる。
また、図１０に示されるように、インジェクタ２００（内径：５．４ｍｍ）を用いた場合、インジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）を用いた場合と比較して、全体的にＳｉＨ２のモル分率が小さくなっていることが分かる。すなわち、インジェクタ２００（内径：５．４ｍｍ）を用いた場合、インジェクタ２００（内径：１３．５ｍｍ）を用いた場合と比較して、Ｓｉ２Ｈ６の熱分解率が低く抑えられていることが分かる。
図１１は、図２のインジェクタ２００（内径：５．４ｍｍ）を用いた場合の質量流量の解析結果を示す図である。図１１において、横軸はガス孔２１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉ２Ｈ６の質量流量（Mass Flow Rate）［ｓｃｃｍ］を示す。ガス孔２１３の位置は、第１の直立部２１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。
図１１に示されるように、流量比Ｘ／Ｙを変化させると、Ｓｉ２Ｈ６の質量流量の分布が大きく変化していることが分かる。具体的には、流量比Ｘ／Ｙが１より大きい場合、インジェクタ２００の上部（ＴＯＰ）から下部（ＢＴＭ）に向かうにつれてＳｉ２Ｈ６の質量流量が大きくなる分布を示す。一方、流量比Ｘ／Ｙが１より小さい場合、インジェクタ２００の上部（ＴＯＰ）から下部（ＢＴＭ）に向かうにつれてＳｉ２Ｈ６の質量流量が小さくなる分布を示す。また、流量比Ｘ／Ｙが１の場合、上下方向における中心に設けられるガス孔２１３の位置におけるＳｉ２Ｈ６の質量流量が極小となる凹型の分布を示す。
以上に説明した図１０及び図１１の結果から、インジェクタ２００の内径を小さくすることで、Ｓｉ２Ｈ６の熱分解率を低めに抑え、流量比Ｘ／Ｙを変化させたときの上下方向におけるＳｉ２Ｈ６の質量流量分布の変化率を大きくできることが示された。
（解析Ｄ）
次に、図４のインジェクタ４００を用いて、導入ポート４１２，４２２からインジェクタ４００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量比を変化させたときのＳｉＨ２のモル分率及びＳｉ２Ｈ６の質量流量を解析した。本解析では、インジェクタ４００の内径を５．４ｍｍ、ガス孔４１３の孔径を０．５ｍｍ、Ｓｉ２Ｈ６の総流量を５００ｓｃｃｍに設定した。また、第１の直立部４１０に設けられるガス孔４１３の個数を３１個、第２の直立部４２０に設けられるガス孔４２３の個数を３０個に設定した。また、導入ポート４１２からインジェクタ４００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｘと導入ポート４２２からインジェクタ４００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｙとの流量比Ｘ／Ｙを以下の通り変化させた。
Ｘ／Ｙ＝490/10,250/250,10/490（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
図１２は、図４のインジェクタ４００を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図である。図１２において、横軸はガス孔４１３，４２３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉＨ２のモル分率（Mole Fraction of SiH2）を示す。ガス孔４１３，４２３の位置は、第１の直立部４１０及び第２の直立部４２０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。例えば、「１」で表される位置は第１の直立部４１０の一番上に設けられたガス孔４１３の位置を示し、「２」で表される位置は第２の直立部４２０の一番上に設けられたガス孔４２３の位置を示す。
図１２に示されるように、全体的にＳｉＨ２のモル分率が小さくなっていることが分かる。すなわち、全体的にＳｉ２Ｈ６の熱分解率が低く抑えられていることが分かる。これは、インジェクタ４００の内径が５．４ｍｍと小さいことによるものと考えられる。
図１３は、図４のインジェクタ４００を用いた場合の質量流量の解析結果を示す図である。図１３において、横軸はガス孔４１３，４２３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉ２Ｈ６の質量流量（Mass Flow Rate）［arb.unit］を示す。ガス孔４１３，４２３の位置は、第１の直立部４１０及び第２の直立部４２０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。例えば、「１」で表される位置は第１の直立部４１０の一番上に設けられたガス孔４１３の位置を示し、「２」で表される位置は第２の直立部４２０の一番上に設けられたガス孔４２３の位置を示す。
図１３に示されるように、流量比Ｘ／Ｙを変化させると、Ｓｉ２Ｈ６の質量流量の分布が大きく変化していることが分かる。
以上に説明した図１２及び図１３の結果から、インジェクタ４００を用いることで、流量比Ｘ／Ｙを変化させたときの上下方向におけるＳｉ２Ｈ６の質量流量分布を変化させることができることが示された。
（解析Ｅ）
次に、図３のインジェクタ３００を用いて、導入ポート３１２，３２２からインジェクタ３００内に導入するＳｉ２Ｈ６にＮ２を添加したときのＳｉＨ２のモル分率を解析した。本解析では、第１の直立部３１０の内径を１３．５ｍｍ、第２の直立部３２０の内径を５．４ｍｍ、ガス孔３１３の孔径を０．５ｍｍ、ガス孔３１３の個数を６１個、Ｓｉ２Ｈ６の総流量を５００ｓｃｃｍに設定した。また、導入ポート３１２からインジェクタ３００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｘと導入ポート３２２からインジェクタ３００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｙとの流量比Ｘ／Ｙを以下の通り設定した。
Ｘ／Ｙ＝490/10,10/490（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
また、流量Ｘと流量ＹのうちＳｉ２Ｈ６の流量が少ない方の導入ポート３１２，３２２から添加ガスとしてＮ２を供給した。Ｎ２の添加量は、以下の通りである。
Ｎ２＝0.0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
図１４は、図３のインジェクタ３００を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図である。図１４には、流量比Ｘ／Ｙを490/10に設定し、導入ポート３２２からＮ２を供給した場合の結果を示す。図１４において、横軸はガス孔３１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉＨ２のモル分率（Mole Fraction of SiH2）を示す。ガス孔３１３の位置は、第１の直立部３１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。
図１４に示されるように、Ｎ２の添加量を変更すると、ＳｉＨ２のモル分率のピーク高さが変化していることが分かる。具体的には、Ｎ２の添加量を増やすほど、ＳｉＨ２のモル分率のピーク高さが小さくなっていることが分かる。
図１５は、図３のインジェクタ３００を用いた場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図である。図１５には、流量比Ｘ／Ｙを10/490に設定し、導入ポート３１２からＮ２を供給した場合の結果を示す。図１５において、横軸はガス孔３１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉＨ２のモル分率（Mole Fraction of SiH2）を示す。ガス孔３１３の位置は、第１の直立部３１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。
図１５に示されるように、Ｎ２の添加量を変更すると、ＳｉＨ２のモル分率のピーク高さが変化していることが分かる。具体的には、Ｎ２の添加量を増やすほど、ＳｉＨ２のモル分率のピーク高さが小さくなっていることが分かる。
以上に説明した図１４及び図１５の結果から、流量Ｘと流量Ｙとの差が大きい場合、Ｓｉ２Ｈ６の流量が少ない方の導入ポート３１２，３２２からインジェクタ３００内にＮ２を導入することで、Ｓｉ２Ｈ６のモル分率のピーク高さを抑制できることが示された。すなわち、流量Ｘと流量Ｙとの差が大きい場合、Ｓｉ２Ｈ６の流量が少ない方の導入ポート３１２，３２２からインジェクタ３００内にＮ２を導入することで、ピーク位置においてＳｉ２Ｈ６の熱分解率が極端に高くなることを抑制できることが示された。
（解析Ｆ）
次に、図２のインジェクタ２００を用いて、導入ポート２１２，２２２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の総流量を変化させたときのＳｉＨ２のモル分率を解析した。本解析では、インジェクタ２００の内径を５．４ｍｍ、ガス孔２１３の孔径を０．５ｍｍ、ガス孔２１３の個数を６１個、Ｓｉ２Ｈ６の総流量を７００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍに設定した。また、導入ポート２１２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｘと導入ポート２２２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｙとの流量比Ｘ／Ｙを以下の通り設定した。
Ｘ／Ｙ＝630/70,350/350,70/630（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
Ｘ／Ｙ＝270/30,150/150,30/270（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
Ｘ／Ｙ＝90/10,50/50,10/90（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
図１６～図１８は、Ｓｉ２Ｈ６の総流量を変更した場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図である。図１６、図１７及び図１８には、それぞれＳｉ２Ｈ６の総流量が７００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍ及び１００ｓｃｃｍの場合の結果を示す。図１６～図１８において、横軸はガス孔２１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉＨ２のモル分率（Mole Fraction of SiH2）を示す。ガス孔２１３の位置は、第１の直立部２１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。
図１６～図１８に示されるように、Ｓｉ２Ｈ６の総流量が７００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍのいずれの場合であっても、流量比Ｘ／Ｙを変化させると、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置が同じ傾向を有してシフトしていることが分かる。具体的には、流量比Ｘ／Ｙを小さくするほど、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置がインジェクタ２００の上部（ＴＯＰ）から下部（ＢＴＭ）へシフトしていることが分かる。
以上に説明した図１６～図１８の結果から、総流量に対するロバスト性を有していることが示された。
（解析Ｇ）
次に、図２のインジェクタ２００を用いて、ガス孔２１３の孔径を変化させたときのＳｉＨ２のモル分率を解析した。本解析では、インジェクタ２００の内径を５．４ｍｍ、ガス孔２１３の孔径を０．７ｍｍ、０．５ｍｍ、ガス孔２１３の個数を６１個、Ｓｉ２Ｈ６の総流量を５００ｓｃｃｍに設定した。また、導入ポート２１２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｘと導入ポート２２２からインジェクタ２００内に導入するＳｉ２Ｈ６の流量Ｙとの流量比Ｘ／Ｙを以下の通り設定した。
Ｘ／Ｙ＝450/50,250/250,50/450（ただし、いずれの数値も単位はｓｃｃｍである。）
図１９は、ガス孔の孔径を変更した場合のＳｉＨ２のモル分率の解析結果を示す図である。図１９において、横軸はガス孔２１３の位置（Position）を示し、縦軸はＳｉＨ２のモル分率（Mole Fraction of SiH2）を示す。ガス孔２１３の位置は、第１の直立部２１０の上方から何番目に配置されたガス孔であるかを示す。
図１９に示されるように、ガス孔の孔径が０．７ｍｍ、０．５ｍｍのいずれの場合であっても、流量比Ｘ／Ｙを変化させると、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置が同じ傾向を有してシフトしていることが分かる。具体的には、流量比Ｘ／Ｙを小さくするほど、ＳｉＨ２のモル分率のピーク位置がインジェクタ２００の上部（ＴＯＰ）から下部（ＢＴＭ）へシフトしていることが分かる。
以上に説明した図１９の結果から、ガス孔の孔径に対するロバスト性を有していることが示された。
なお、上記の実施形態において。導入ポート２１２，３１２，４１２，５１２は第１の導入ポートの一例であり、導入ポート２２２，３２２，４２２，５２２は第２の導入ポートの一例であり、導入ポート５３２は第３の導入ポートの一例である。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１０ 処理装置
３４ 処理容器
７６ インジェクタ
９５ 制御部
２００ インジェクタ
２１２，２２２ 導入ポート
２１３ ガス孔
３００ インジェクタ
３１２，３２２ 導入ポート
３１３ ガス孔
４００ インジェクタ
４１２，４２２ 導入ポート
４１３，４２３ ガス孔
５００ インジェクタ
５１２，５２２，５３２ 導入ポート
５１３ ガス孔

Claims (12)

  1. 略円筒形状を有する処理容器と、
    前記処理容器の内壁内側に沿って長手方向に延設するインジェクタであり、処理ガスが導入される複数の導入ポートと、該複数の導入ポートから導入される前記処理ガスを前記処理容器内に吐出する複数のガス孔とを有するインジェクタと、
    前記複数の導入ポートから前記インジェクタ内に導入される前記処理ガスの流量比を変化させる制御部と、
    を備える、処理装置。
  2. 前記インジェクタは、上部で互いに接続された第１の直立部及び第２の直立部を含み、
    前記複数の導入ポートは、前記第１の直立部の下部に設けられる第１の導入ポートと、前記第２の直立部の下部に設けられる第２の導入ポートとを含む、
    請求項１に記載の処理装置。
  3. 前記複数のガス孔は、前記第１の直立部及び前記第２の直立部のいずれか一方に設けられている、
    請求項２に記載の処理装置。
  4. 前記複数のガス孔は、前記第１の直立部に設けられており、
    前記第２の直立部の内径は、前記第１の直立部の内径より小さい、
    請求項２又は３に記載の処理装置。
  5. 前記インジェクタは、前記第１の直立部の途中に接続される第３の直立部を含み、
    前記複数の導入ポートは、前記第３の直立部の下部に設けられる第３の導入ポートを含む、
    請求項２乃至４のいずれか一項に記載の処理装置。
  6. 前記複数のガス孔は、前記第１の直立部及び前記第２の直立部に設けられている、
    請求項２に記載の処理装置。
  7. 前記処理容器は、複数の基板を前記長手方向に間隔を有して略水平に収容する、
    請求項１乃至６のいずれか一項に記載の処理装置。
  8. 前記複数の導入ポートは、同じ処理ガス供給源に接続されている、
    請求項１乃至７のいずれか一項に記載の処理装置。
  9. 前記処理ガスは、前記複数の基板に膜を堆積させる原料ガスを含む、
    請求項８に記載の処理装置。
  10. 前記処理ガスは、不活性ガスを含む、
    請求項８又は９に記載の処理装置。
  11. 前記制御部は、前記複数の基板に対して膜を堆積させる成膜処理の途中で前記流量比を変化させる、
    請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の処理装置。
  12. 略円筒形状を有する処理容器と、
    前記処理容器の内壁内側に沿って長手方向に延設するインジェクタであり、処理ガスが導入される複数の導入ポートと、該複数の導入ポートから導入される前記処理ガスを前記処理容器内に吐出する複数のガス孔とを有するインジェクタと、
    を備える処理装置において基板に処理を施す処理方法であって、
    前記基板に対して処理を施している途中で、前記複数の導入ポートから前記インジェクタ内に導入される前記処理ガスの流量比を変化させる、
    処理方法。
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