JP2022108026A

JP2022108026A - 連続処理装置

Info

Publication number: JP2022108026A
Application number: JP2021002804A
Authority: JP
Inventors: 典明谷; Noriaki Tani; 伸浅利; Shin Asari; 昭彦 ▲高▼良; Akihiko Takara; 伸人鈴木; Nobuto Suzuki
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2021-01-12
Filing date: 2021-01-12
Publication date: 2022-07-25

Abstract

【課題】コンタミネーションを防止する。【解決手段】異なる処理領域で基体に連続処理をおこなう連続処理装置であって、真空排気可能な内部に複数の処理領域が設定されたチャンバと、チャンバ内に配置されて基体を複数の処理領域に亘って移動させる移動手段と、処理領域において基体に処理をおこなう処理手段と、チャンバ内を排気する全体排気手段と、処理領域に隣接する排気領域を排気する個別排気手段と、全体排気手段、個別排気手段および処理手段を制御する制御手段と、を有し、制御手段が、処理領域における基体への処理開始前には、チャンバ内を所定の圧力まで排気するように全体排気手段を駆動制御し、処理領域における基体への処理中には、全体排気手段を処理開始前よりも排気速度を弱めるように駆動制御し、かつ、排気領域を所定の圧力まで排気するように個別排気手段を駆動制御する。【選択図】図１

Description

本発明は連続処理装置に関し、特に成膜等に用いて好適な技術に関する。

半導体デバイスや、ＦＰＤ（ｆｌａｔｐａｎｅｌｄｉｓｐｌａｙ，フラットパネルディスプレイ）の製造等においては、基板である半導体ウェーハや樹脂フィルムに、例えばＳｉ_３Ｎ_４（以下窒化シリコンあるいはＳｉＮと表示する）膜やＡｌを含む膜などの各種の膜が成膜される。

この成膜処理は例えば原料ガスと反応ガスとを交互に複数回ウェーハに供給するＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などと呼ばれている手法によって行われる。ＡＬＤを行う成膜装置としては、原料ガスが供給される雰囲気と、反応ガスが供給される雰囲気とに、移動手段によりウェーハやフィルムを通過させる構成の装置が知られている。

このような成膜装置としては、真空容器内に設けられる回転テーブルやベルト等にウェーハが載置されて回転テーブルの回転やベルトの移動手段によって、ウェーハが原料ガスの雰囲気と反応ガスの雰囲気とを移動する構成が知られている。また、このような成膜装置としては、表面にフィルムを巻回したローラを回転させる移動手段によって、フィルムが原料ガスの雰囲気と反応ガスの雰囲気とを移動する構成が知られている。

しかも、これらの原料ガスの雰囲気と反応ガスの雰囲気とを交互に繰り返して移動させることで、必要な膜厚まで成膜する必要がある。
また、これら原料ガスの雰囲気及び反応ガスの雰囲気の他に膜を改質する改質ガスが回転テーブル上に供給され、反応ガス、改質ガスが夫々供給される所定の領域で、これら反応ガス及び改質ガスをプラズマ化するプラズマ化機構が設けられる場合が有る。

このような成膜装置においては、原料ガス及び反応ガスはウェーハやフィルムなどの成膜箇所以外にも供給されるので、回転テーブルやベルトなど他のチャンバ内の表面にも成膜される。そこで、成膜が行われていないときには、クリーニングガスが真空容器内に供給され、この回転テーブルの膜を除去するクリーニングが行われる。ハロゲン元素を含むガスによる処理容器の腐食を防ぐ技術が知られている。

特開２０１９－３９９８号公報米国特許出願公開第２０１７／０３２１３２５号公報

しかし、特許文献記載の技術では、連続しておこなうガスの遮断が良好でなく、結果的に成膜特性が向上しないという問題があった。特に、成膜領域とパージ領域、あるいは、パージ領域を飛び越えた成膜領域と成膜領域とにおけるガス状態が所望の状態でない場合があり、これを改善したいという要求があった。また、チャンバ全体の圧力と処理領域の圧力を個別に制御していたため、互いに影響し合い圧力が安定しない場合があった。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．給気した成膜ガスの確実な排気を可能とすること。
２．パージガスによるパージを確実におこなうこと。
３．成膜特性の向上を図ること。
４．ガス流制御の確実性および精密性を向上すること。

本発明の連続処理装置は、
異なる処理領域で基体に連続処理をおこなう連続処理装置であって、
真空排気可能な内部に複数の前記処理領域が設定されたチャンバと、
前記チャンバ内に配置されて前記基体を複数の前記処理領域に亘って移動させる移動手段と、
前記処理領域において前記基体に処理をおこなう処理手段と、
前記チャンバ内を排気する全体排気手段と、
前記処理領域に隣接する排気領域を排気する個別排気手段と、
前記全体排気手段、前記個別排気手段および前記処理手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段が、
前記処理領域における前記基体への処理開始前には、前記チャンバ内を所定の圧力まで排気するように前記全体排気手段を駆動制御し、
前記処理領域における前記基体への処理中には、前記全体排気手段を処理開始前よりも排気速度を弱めるように駆動制御し、かつ、前記排気領域を所定の圧力まで排気するように前記個別排気手段を駆動制御する
ことにより上記課題を解決した。
本発明の連続処理装置は、
２つの前記処理手段が前記処理領域に処理ガスを給気する処理手段を有し、
それぞれの前記処理領域に前記処理手段から異なる処理ガスを給気して、これらの前記処理領域に亘って移動する前記基体上に成膜をおこなう
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記処理手段がプラズマを発生させるプラズマ処理手段である
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記処理領域から前記排気領域へのガス流における圧力状態を検出する圧力検出手段が設けられ、
前記圧力検出手段は検出結果を前記制御手段に出力する
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
隣接する前記処理領域の間にパージガスを供給するパージ領域が設けられ、
前記パージ領域には、パージガス供給手段が設けられて前記制御手段によって制御される
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記パージ領域には、前記パージ領域に隣接する排気領域を排気するパージガス排気手段が設けられて前記制御手段によって制御される
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記パージ領域には、圧力状態を検出する圧力検出手段が設けられ、
前記圧力検出手段は検出結果を前記制御手段に出力する
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記排気領域が、前記基体の移動する面において前記処理領域を囲む配置とされる
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記排気領域が、前記基体の移動する向きにおいて前記処理領域の上流排気領域と下流排気領域とを有し、
前記上流排気領域の圧力と前記下流排気領域の圧力とが異なるように設定される
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記基体が可撓性フィルムである
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記基体が平板の基板である
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記移動手段が、複数の基板を載置して回転軸を中心として回転可能な載置部と、
前記回転軸を駆動する回転手段と、
を有する
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記載置部が、前記回転軸を中心軸線とする円形テーブルとされ、前記円形テーブルの上面に前記基板が載置される
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記載置部が、前記回転軸を中心軸線とする柱状ドラムとされ、前記柱状ドラムの側面に前記基板が配置される
ことができる。
本発明の連続処理装置は、
前記載置部が、磁気浮上手段により非接触で回転駆動可能に支持される
ことができる。

本発明の連続処理装置は、
異なる処理領域で基体に連続処理をおこなう連続処理装置であって、
真空排気可能な内部に複数の前記処理領域が設定されたチャンバと、
前記チャンバ内に配置されて前記基体を複数の前記処理領域に亘って移動させる移動手段と、
前記処理領域において前記基体に処理をおこなう処理手段と、
前記チャンバ内を排気する全体排気手段と、
前記処理領域に隣接する排気領域を排気する個別排気手段と、
前記全体排気手段、前記個別排気手段および前記処理手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段が、
前記処理領域における前記基体への処理開始前には、前記チャンバ内を所定の圧力まで排気するように前記全体排気手段を駆動制御し、
前記処理領域における前記基体への処理中には、前記全体排気手段を処理開始前よりも排気速度を弱める（停止含む）ように駆動制御し、かつ、前記排気領域を所定の圧力まで排気するように前記個別排気手段を駆動制御する。
これにより、処理領域のガスが個別排気手段によって排気領域から排気されることで、処理領域のガスが隣の処理領域へと到達することを防止する。したがって、処理領域におけるコンタミネーションの発生を防止することができる。ここで、全体排気手段によってチャンバ全体を処理雰囲気とするための排気を、基体処理中に弱めることで、処理領域における排気速度を個別排気手段によって主に設定可能とすることができる。これにより、処理領域においては個別排気手段による排気を支配的として、全体排気手段が個別排気手段に干渉することを防止して、処理領域の圧力を好適に設定することが可能となる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、真空排気されるチャンバと、
前記チャンバ内に配置されて基体を移動する移動手段と、
前記基体に処理をおこなう複数の処理手段と、
を有し、
前記基体が、前記複数の処理手段にそれぞれ対抗する複数の処理領域を順次通過するように移動して、前記基体を連続処理する連続処理装置であって、
前記チャンバに接続される全体排気手段と、
前記複数の処理領域の間の少なくとも一つに排気領域が設けられ、前記排気領域を排気する個別排気手段と、
を有し、
前記処理手段による処理開始前に、少なくとも前記全体排気手段を駆動させて前記チャンバを所定の圧力まで排気し、
前記処理手段による処理中に、前記個別排気手段により前記排気領域を排気するとともに、前記処理中には、前記全体排気手段の排気速度を、処理開始前より低下するかまたは停止する、
連続処理装置である。
これにより、複数の処理手段の間である境界付近に個別排気手段で排気する排気領域を設けることで、処理領域どうしのコンタミネーションを防止することができる。ここで、基体の処理中には、チャンバ内全体を排気する全体排気手段と個別排気手段とが干渉して、処理領域の圧力を制御することが難しくなる場合がある。これを防止するために、基体の処理中には、個別排気手段による排気が支配的になるように全体排気手段の排気を制御する。なお、個別排気手段の排気速度は、基体への処理条件によって設定されることができる。

本発明の連続処理装置は、
２つの前記処理手段が前記処理領域に処理ガスを給気する処理手段を有し、
それぞれの前記処理領域に前記処理手段から異なる処理ガスを給気して、これらの前記処理領域に亘って移動する前記基体上に成膜をおこなう。
これにより、それぞれの処理手段から処理領域毎に異なる処理ガスを給気しても、排気手段によって隣の処理領域に給気されたガスが当該処理領域に侵入してしまうことを防止できる。したがって、異なる処理領域で異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理において、コンタミネーションを防止することが可能となる。特に、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；原子層堆積法）などの処理に適用した場合にコンタミネーションを防止して、膜特性の向上を図ることが可能となる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、前記複数の処理手段のうち少なくとも２つは、各々ガス供給手段を有し、
一方の前記ガス供給手段から第１処理領域に供給される第１ガスと、他方の前記ガス供給手段から第２処理領域に供給される第２ガスと、によって前記基体上に成膜がおこなわれる。
これにより、第１ガスの供給された第１処理領域と、第２ガスの供給された第２処理領域と、を順に基体が移動することで、異なるガスを順に供給することが必要な成膜処理、例えばＡＬＤによる成膜処理をおこなうことが可能となる。

本発明の連続処理装置は、
前記処理手段がプラズマを発生させるプラズマ処理手段である。
これにより、少なくとも一工程はプラズマによる基体への処理をおこなうことができる。例えば、プラズマ成膜、プラズマ改質、プラズマエッチング等の処理をおこなうことが可能となる。
また、プラズマ処理手段の設けられた処理領域以外では、他の処理をおこなうことができる。

本発明の連続処理装置は、
前記処理領域から前記排気領域へのガス流における圧力状態を検出する圧力検出手段が設けられ、
前記圧力検出手段は検出結果を前記制御手段に出力する。
これにより、処理領域から排気領域へと向かうガス流の状態を検出して、全体排気手段と個別排気手段との駆動状態を適宜制御することが可能となる。特に、処理領域におけるガス状態制御、つまり、全体排気手段と個別排気手段との排気量あるいは排気速度のバランスを取り、処理領域における圧力およびガス流の制御を確実におこなうことが可能となる。また、処理領域におけるガス流およびガス圧力の変動に対応して、全体排気手段および個別排気手段の駆動を変動させることもできる。
ここで、全体排気手段および個別排気手段の排気速度の調節は、排気ポンプの駆動による排気量の増減か、排気バルブの開度調節によっておこなうことができる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、
前記処理領域、前記排気領域の少なくとも一つに、圧力検出手段が設けられ、
前記圧力検出手段の出力により、前記処理領域に導入されるガスの流量、前記排気領域の排気速度の少なくとも一つが制御される。
これにより、処理領域の圧力を制御することが可能となる。また、処理領域の圧力を制御するために、排気領域の圧力を制御する。排気領域の圧力を制御するために、個別排気手段の排気速度を制御する。異なる処理領域で異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理において、コンタミネーションを防止することが可能となる。

本発明の連続処理装置は、
隣接する前記処理領域の間にパージガスを供給するパージ領域が設けられ、
前記パージ領域には、パージガス供給手段が設けられて前記制御手段によって制御される。
これにより、異なる処理領域で異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理において、パージガスを供給するパージ領域を設けて処理領域のガスがパージ領域を越えて他の処理領域に到達してしまうことを防止して、コンタミネーションの発生を防止することが可能となる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、
前記複数の処理領域の間の少なくとも一つに、パージガスが供給されるパージ領域を有する。
隣接する処理領域と処理領域との間にパージ領域を設けることで、パージガスを供給して処理ガスがパージ領域を越えて隣接する処理領域へ御到達することがなく、コンタミネーションを防止することができる。

本発明の連続処理装置は、
前記パージ領域には、前記パージ領域に隣接する排気領域を排気するパージガス排気手段が設けられて前記制御手段によって制御される。
これにより、排気領域を排気することで、処理ガスがパージ領域を越えて隣接する処理領域へ到達することがなく、コンタミネーションを防止することができる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、
前記複数の処理領域と前記パージ領域の間に、前記排気領域が配置される。
処理領域をパージ領域との間に排気領域を設けることで、より一層コンタミネーションを防止することができる。

本発明の連続処理装置は、
前記パージ領域には、圧力状態を検出する圧力検出手段が設けられ、
前記圧力検出手段は検出結果を前記制御手段に出力する。
これにより、パージ領域の圧力を処理領域の圧力よりも低く制御することが正確に可能となる。また、パージ領域の圧力を処理領域の圧力よりも低く制御するために、パージ領域および排気領域の圧力を制御する。パージ領域および排気領域の圧力を制御するために、パージガス排気手段および個別排気手段の排気速度を制御する。異なる処理領域で異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理において、コンタミネーションを防止することが可能となる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、
前記処理領域、前記排気領域、前記パージ領域の少なくとも一つに、圧力検出手段が設けられ、
前記圧力検出手段の出力により、前記処理領域に導入されるガスの流量、前記排気領域の排気速度、前記パージ領域に導入されるパージガスの少なくとも一つが制御される。
これにより、パージ領域の圧力、排気領域の圧力、処理領域の圧力を、基体処理条件に適合するように正確に制御することが可能となる。また、パージ領域の圧力、排気領域の圧力、処理領域の圧力を、基体処理条件に適合するように制御するために、パージ領域の圧力、排気領域の圧力、処理領域の圧力を制御する。パージ領域の圧力、排気領域の圧力、処理領域を制御するために、パージガス排気手段および個別排気手段、全体排気手段の排気速度を制御する。異なる処理領域で異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理において、コンタミネーションを防止することが可能となる。

本発明の連続処理装置は、
前記排気領域が、前記基体の移動する面において前記処理領域を囲む配置とされる。
これにより、処理領域から他の領域にガスを漏出させることなく、処理領域の全周で排気することが可能となる。したがって、新設する排気領域あるいはパージ領域を回避して他の処理領域へと不必要なガスが到達することを防止できる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、
前記排気領域は、前記処理領域を囲むように配置される。
これにより、処理領域から外縁における排気領域へと排気をおこなうことができる。
したがって、処理領域における排気状態を基体面に沿った方向において個別に制御することが可能となる。

本発明の連続処理装置は、
前記排気領域が、前記基体の移動する向きにおいて前記処理領域の上流排気領域と下流排気領域とを有し、
前記上流排気領域の圧力と前記下流排気領域の圧力とが異なるように設定される。
これにより、処理領域において上流と下流との圧力状態を異ならせて、処理領域内でガス流を形成することができる。例えば、上流排気領域の圧力が前記下流排気領域の圧力よりも高くなるように設定することで、処理領域内で上流から下流に向かうガス流を形成することができる。あるいは、上流排気領域の圧力が前記下流排気領域の圧力よりも低くなるように設定することで、処理領域内で下流から上流に向かうガス流を形成することができる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、
前記排気領域は少なくとも一つの前記処理領域の前記基体が侵入する側に配置される第1排気領域と、前記処理領域から前記基体が退出する側に配置される第２排気領域を有し、前記第２排気領域と前記第１排気領域との圧力が異なる。
これにより、上流と下流との圧力を変えることで、処理領域の中のガス流を制御することができる。さらに、上流および／または下流の排気領域に圧力検出手段を設けることもできる。

本発明の連続処理装置は、
前記基体が可撓性フィルムである。
前記基体が長尺のフィルムである。長尺のフィルムが連続して処理される。

本発明の連続処理装置は、
前記基体が平板の基板である。平板の基板が連続して処理される。
前記基体が半導体基板、透明基板、ガラス基板、樹脂基板である。

本発明の連続処理装置は、
前記移動手段が、複数の基板を載置して回転軸を中心として回転可能な載置部と、
前記回転軸を駆動する回転手段と、
を有する。
これにより、載置部の回転軸の回りに回転方向に沿って複数の処理領域が設けられて、載置部の回転によって、単一の基板を連続して異なる処理領域を通過させて処理することか、複数の基板を連続して異なる処理領域を通過させて処理することか、複数の基板を連続して異なる処理領域に順次載置して処理することができる。
このとき、複数の基板に対して、均一な特性を有する処理をおこなうことが可能となる。

本発明の連続処理装置は、
前記載置部が、前記回転軸を中心軸線とする円形テーブルとされ、前記円形テーブルの上面に前記基板が載置される。
これにより、円形テーブル（載置部）の回転軸の回りに回転方向に沿って複数の処理領域が設けられて、円形テーブル（載置部）の回転にともなって回転軸の回りを基板が回転して、単一の基板を連続して異なる処理領域を通過させて処理することか、複数の基板を連続して異なる処理領域を通過させて処理することか、複数の基板を連続して異なる処理領域に順次載置して処理することができる。
ここで、複数の処理領域、排気領域、パージ領域は、円形テーブルの上面に沿って、互いに隣接するように配置される。また、円形テーブルの上面は、回転軸と直交することができる。基板の処理面は、円形テーブルの上面に沿って載置される。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、
前記移動手段が円盤状の載置手段を有して軸を中心に回転し、
前記基板とされる前記基体が前記移動手段の上面（底面）に載置される。
これにより、回転方向に沿って処理領域と排気領域とバージ領域とを設けることで基板とされる複数枚の基体に連続処理をおこなうことができる。

本発明の連続処理装置は、
前記載置部が、前記回転軸を中心軸線とする柱状ドラムとされ、前記柱状ドラムの側面に前記基板が配置される。
これにより、柱状ドラム（載置部）の回転軸の回りに回転方向に沿って複数の処理領域が設けられて、柱状ドラム（載置部）の回転にともなって回転軸の回りを基板が回転して、単一の基板を連続して異なる処理領域を通過させて処理することか、複数の基板を連続して異なる処理領域を通過させて処理することか、複数の基板を連続して異なる処理領域に順次載置して処理することができる。
ここで、複数の処理領域、排気領域、パージ領域は、柱状ドラムの側面に対向するように柱状ドラムの周囲に沿って、互いに隣接するように配置される。また、柱状ドラムの側面は、回転軸と平行、あるいは、所定の角度を有して傾いていることができる。基板の処理面は、柱状ドラムの側面に沿って載置される。柱状ドラムの側面には、基板を載置する凹部等が設けられることができる。

言い換えると、
本発明の連続処理装置は、
前記移動手段が円柱ドラムもしくは角柱ドラムの載置手段を有し、軸を中心に回転し、前記基板は、前記移動手段の側面に配置される。
ここで、基板は、円柱ドラムまたは角柱ドラムの側面と略平行に載置される。

本発明の連続処理装置は、
前記載置部が、磁気浮上手段により非接触で回転駆動可能に支持される。
これにより、載置部がチャンバ内で非接触に駆動可能となるため、駆動部分あるいは回転中心において、接触する部分からのパーティクル発生をなくすことができる。したがって、チャンバ内、特に処理領域にパーティクルが侵入することを防止できる。

本発明によれば、複数の処理領域間において互いにガス等のコンタミネーションを抑制して基板処理の正確性と膜特性の向上とを測ることができるという効果を奏することが可能となる。特に、全体排気手段における排気と個別排気手段における排気とを所定の関係に制御する。このため基体処理時に、処理領域におけるコンタミネーションやパーティクルの飛散を抑制することができる。

本発明に係る連続処理装置の第１実施形態を示す模式側面図である。本発明に係る連続処理装置の第１実施形態における処理領域等の配置を示す模式上面図である。本発明に係る連続処理装置の第２実施形態を示す模式側面図である。本発明に係る連続処理装置の第３実施形態における排気領域等の配置を示す模式上面図である。本発明に係る連続処理装置の第４実施形態を示す模式側面図である。本発明に係る連続処理装置の第５実施形態を示す模式側面図である。本発明に係る連続処理装置の第５実施形態における排気領域等の配置を示す模式上面図である。本発明に係る連続処理装置の第６実施形態を示す模式側面図である。本発明に係る連続処理装置の第６実施形態における処理領域等の配置を示す模式上面図である。本発明に係る連続処理装置の第６実施形態における排気領域等の配置を示す模式上面図である。本発明に係る連続処理装置の第７実施形態における磁気浮上手段を示す模式図である。

以下、本発明に係る連続処理装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における連続処理装置を示す模式側面図である。図２は、本実施形態における連続処理装置の処理領域等の配置を示す模式上面図である。図において、符号１００は、連続処理装置である。

本実施形態に係る連続処理装置１００は、プラズマ処理、ＣＶＤ（例えば、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ）、エッチング（例えば、プラズマエッチング、ＡＬＥ）、などの、複数のガス雰囲気を順次通過させて基板（基体）Ｗを連続処理する装置とされる。また、本実施形態に係る連続処理装置１００は、複数の基板（基体）Ｗを連続して処理可能なものとされる。
本実施形態に係る連続処理装置１００は、図１，図２に示すように、チャンバ１０１と、搬送ベルト部（移動手段）１１０と、処理領域１２０と、パージ領域１３０と、処理領域１４０と、制御手段１０９と、を有する。

チャンバ１０１は、図１に示すように、真空状態に密閉可能であり、搬入室１０１ａと、処理室１０１ｂと、加熱搬出室１０１ｃと、を有する。これら搬入室１０１ａと処理室１０１ｂと加熱搬出室１０１ｃとは、互いに基板Ｗが移動可能に連通している。搬入室１０１ａと処理室１０１ｂとの間には、基板Ｗが移動可能な開口１０２ａを有する隔壁１０２が設けられる。処理室１０１ｂと加熱搬出室１０１ｃとの間には、基板Ｗが移動可能な開口１０３ａを有する隔壁１０５が設けられる。

搬入室１０１ａには搬入部１０３が設けられ、ロボットハンド１００ａなどの搬入手段によって外部から基板Ｗを搬入可能かつ密閉可能とされる。
加熱搬出室１０１ｃには搬出部１０４が設けられ、ロボットハンド１００ａなどの搬入手段によって外部へ基板Ｗを搬出可能かつ密閉可能とされる。

また、加熱搬出室１０１ｃには、例えばランプユニットとされる加熱部１０６が設けられて加熱可能とされる。加熱部１０６は制御手段１０９に接続される。加熱部１０６は、制御手段１０９によって制御される。

搬送ベルト部（移動手段）１１０は、図１，図２に示すように、搬入室１０１ａと処理室１０１ｂと加熱搬出室１０１ｃとに亘って基板Ｗを搬送する。搬送ベルト部１１０は、搬入室１０１ａ内で基板Ｗを搬送する搬送ベルト部１１０ａと、処理室１０１ｂ内で搬送する搬送ベルト部１１０ｂと、加熱搬出室１０１ｃ内で搬送する搬送ベルト部１１０ｃと、を有する。

搬送ベルト部１１０ａは、搬入室１０１ａに設けられる。搬送ベルト部１１０ａは、搬送ベルト１１１ａと、搬送ベルト１１１ａが巻回される駆動ローラ１１２ａと、を有する。駆動ローラ１１２ａは駆動部１１３ａによって駆動される。駆動部１１３ａは制御手段１０９に接続される。駆動部１１３ａは、制御手段１０９によって制御される。
駆動ローラ１１２ａは基板Ｗの移動方向と直交する回転軸線を有する。駆動ローラ１１２ａは、搬送ベルト１１１ａにおける基板Ｗの移動方向の両端位置に設けられる。なお、基板Ｗの移動方向の両端位置以外にも駆動ローラ１１２ａを設けることができる。

搬送ベルト部１１０ｂは、搬入室１０１ａと処理室１０１ｂと加熱搬出室１０１ｃとに亘って設けられる。搬送ベルト部１１０ｂは、基板Ｗの移動方向で搬送ベルト部１１０ａの下流位置に隣接して配置される。搬送ベルト部１１０ｂは、は、搬送ベルト１１１ｂと、搬送ベルト１１１ｂが巻回される駆動ローラ１１２ｂと、を有する。駆動ローラ１１２ｂは駆動部１１３ｂによって駆動される。駆動部１１３ｂは制御手段１０９に接続される。駆動部１１３ｂは、制御手段１０９によって制御される。

駆動ローラ１１２ｂは基板Ｗの移動方向と直交する回転軸線を有する。駆動ローラ１１２ｂは、搬送ベルト１１１ｂにおける基板Ｗの移動方向の両端位置に設けられる。なお、基板Ｗの移動方向の両端位置以外にも駆動ローラ１１２ｂを設けることができる。

搬送ベルト１１１ｂは、隔壁１０２の開口１０２ａを貫通する。搬送ベルト１１１ｂは、隔壁１０５の開口１０５ａを貫通する。
また、駆動ローラ１１２ｂは、搬入室１０１ａと加熱搬出室１０１ｃとに配置されているが、処理室１０１ｂに配置することもできる。

搬送ベルト部１１０ｂには、基板Ｗを載置して搬送する搬送ベルト１１１ｂの下方で近接する位置にヒータ１０７が配置される。ヒータ１０７は、処理領域１２０，１４０において基板Ｗを加熱可能とされている。ヒータ１０７は、平面視して処理領域１２０，１４０を含む範囲を加熱可能に配置される。ヒータ１０７は制御手段１０９に接続される。ヒータ１０７は、制御手段１０９によって制御される。

搬送ベルト部１１０ｃは、加熱搬出室１０１ｃに設けられる。搬送ベルト部１１０ｃは、基板Ｗの移動方向で搬送ベルト部１１０ｂの下流位置に隣接して配置される。搬送ベルト部１１０ｃは、搬送ベルト１１１ｃと、搬送ベルト１１１ｃが巻回される駆動ローラ１１２ｃと、を有する。駆動ローラ１１２ｃは駆動部１１３ｃによって駆動される。駆動部１１３ｃは制御手段１０９に接続される。駆動部１１３ｃは、制御手段１０９によって制御される。

駆動ローラ１１２ｃは基板Ｗの移動方向と直交する回転軸線を有する。駆動ローラ１１２ｃは搬送ベルト１１１ｃにおける基板Ｗの移動方向の両端位置に設けられる。なお、基板Ｗの移動方向の両端位置以外にも駆動ローラ１１２ｃを設けることができる。

搬送ベルト１１１ａと搬送ベルト１１１ｂと搬送ベルト１１１ｃとは、その上面が面一となるように配置される。搬送ベルト１１１ａと搬送ベルト１１１ｂと搬送ベルト１１１ｃとは、その上面に基板Ｗを載置する。搬送ベルト１１１ａと搬送ベルト１１１ｂと搬送ベルト１１１ｃとは、連動して、搬入室１０１ａと処理室１０１ｂと加熱搬出室１０１ｃとに亘って基板Ｗを移動可能である。

搬入室１０１ａには、図１に示すように、排気ポンプＰ０１が設けられる。搬入室１０１ａは排気ポンプＰ０１によって排気される。排気ポンプＰ０１は、ゲートバルブを介して搬入室１０１ａに接続される。排気ポンプＰ０１は制御手段１０９に接続される。排気ポンプＰ０１は、制御手段１０９によって制御される。

処理室１０１ｂには、排気ポンプＰ０２が設けられる。処理室１０１ｂは排気ポンプＰ０２によって排気される。排気ポンプＰ０２は、ゲートバルブを介して処理室１０１ｂに接続される。排気ポンプＰ０２は制御手段１０９に接続される。排気ポンプＰ０２は、制御手段１０９によって制御される。

加熱搬出室１０１ｃには、図１に示すように、排気ポンプＰ０３が設けられる。加熱搬出室１０１ｃは排気ポンプＰ０３によって排気される。排気ポンプＰ０３は、ゲートバルブを介して加熱搬出室１０１ｃに接続される。排気ポンプＰ０３は制御手段１０９に接続される。排気ポンプＰ０３は、制御手段１０９によって制御される。

排気ポンプＰ０１、排気ポンプＰ０２、排気ポンプＰ０３によって、チャンバ１０１内が排気される。排気ポンプＰ０１、排気ポンプＰ０２、排気ポンプＰ０３は、全体排気手段を構成する。

処理室１０１ｂにおいて、搬送ベルト１１１ｂの上方には、処理領域１２０と、パージ領域１３０と、処理領域１４０と、が設定される。処理領域１２０と、パージ領域１３０と、処理領域１４０と、は、搬送ベルト１１１ｂに沿って基板Ｗの移動方向に沿って隣接する。

搬送ベルト１１１ｂの移動方向で、処理領域１２０の下流にはパージ領域１３０が配置される。搬送ベルト１１１ｂの移動方向で、パージ領域１３０の下流には処理領域１４０が配置される。

処理領域（第１処理領域）１２０では、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上方にガス供給手段（処理手段）Ｐ１が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ１は、給気ノズルＰ１ａと、ガス供給部Ｐ１ｂとを有する。

給気ノズルＰ１ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。

給気ノズルＰ１ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、給気ノズルＰ１ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、処理領域１２０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、平面視した処理領域１２０の輪郭を規定する。具体的には、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。
また、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、基板Ｗの処理に必要な時間と、搬送ベルト１１１ｂの移動速度との兼ね合い等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

ガス供給部Ｐ１ｂは、給気ノズルＰ１ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたガス（第１ガス）を給気ノズルＰ１ａに供給する。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段１０９に接続される。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段１０９によって制御される。

搬送ベルト１１１ｂの移動方向における処理領域１２０の上流には、図１，図２に示すように、排気領域１２２が配置される。
排気領域１２２では、搬送ベルト１１１ｂの上方に排気手段（個別排気手段）Ｖ１が配置される。排気手段Ｖ１は、排気ノズルＶ１ａと、排気部Ｖ１ｂとを有する。

排気ノズルＶ１ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。
具体的には、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）よりも低い、つまり、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面よりも離間距離を短く設定することができる。すなわち、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）が、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）よりも基板Ｗ上面から離間することができる。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、平面視した排気領域１２２の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。

また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、処理領域１２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送ベルト１１１ｂの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ１ｂは、排気ノズルＶ１ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域１２０のガスを排気ノズルＶ１ａから排気する。排気部Ｖ１ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ１ｂは、制御手段１０９に接続される。排気部Ｖ１ｂは、制御手段１０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送ベルト１１１ｂの移動方向における処理領域１２０の下流には、図１，図２に示すように、パージ領域１３０の上流に排気領域１２３が配置される。
排気領域１２３では、搬送ベルト１１１ｂの上方に排気手段（個別排気手段）Ｖ２が配置される。排気手段Ｖ２は、排気ノズルＶ２ａと、排気部Ｖ２ｂとを有する。

排気ノズルＶ２ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さに配置されてもよい。
ここで、給気ノズルＰ１ａを挟んで互いに両側となる位置に配置される排気ノズルＶ１ａと排気ノズルＶ２ａとは、それぞれの開口輪郭（開口縁部）が同じ高さに配置されることが好ましい。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、平面視した排気領域１２３の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、排気ノズルＶ１ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、処理領域１２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送ベルト１１１ｂの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ２ｂは、排気ノズルＶ２ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域１２０のガスを排気ノズルＶ２ａから排気する。排気部Ｖ２ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ２ｂは、制御手段１０９に接続される。排気部Ｖ２ｂは、制御手段１０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

排気領域１２２および排気領域１２３は、排気手段Ｖ１および排気手段Ｖ２によって処理領域１２０を排気して、処理領域１２０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

パージ領域１３０においては、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上方にパージガス供給手段Ｐ２が配置される。パージガス供給手段Ｐ２は、パージガスノズルＰ２ａと、パージガス供給部Ｐ２ｂとを有する。

パージガスノズルＰ２ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。
パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａ（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）の開口輪郭と同じ高さに配置されてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａ（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）の開口輪郭と異なる高さでもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、パージ領域１３０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、平面視したパージ領域１３０の輪郭を規定する。具体的には、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法とほぼ同じかこれよりも大きく設定される。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法とほぼ等しいかこれよりも大きく設定される。
また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、搬送ベルト１１１ｂの移動速度に関連する処理条件と、処理領域１２０と処理領域１４０とに対するガスの遮断、ずなわち、ガスが相互拡散を起こさない状態を実現するために必要なパージガスの量とから、必要な寸法が設定される。

パージガス供給部Ｐ２ｂは、パージガスノズルＰ２ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたパージガスをパージガスノズルＰ２ａに供給する。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段１０９に接続される。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段１０９によって制御される。

搬送ベルト１１１ｂの移動方向におけるパージ領域１３０の上流には、図１，図２に示すように、排気領域１２３の下流にパージ排気領域（排気領域）１３２が配置される。
パージ排気領域（排気領域）１３２では、搬送ベルト１１１ｂの上方にパージガス排気手段Ｖ５が配置される。パージガス排気手段Ｖ５は、パージ排気ノズルＶ５ａと、パージ排気部Ｖ５ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ５ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭と異なる高さでもよい。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、平面視したパージ排気領域１３２の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法とほぼ等しいかこれよりも大きく設定される。

また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、パージ排気領域１３２の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送ベルト１１１ｂの移動速度、パージガス供給量、処理領域１２０とパージ領域１３０との圧力差等の条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ５ｂは、パージ排気ノズルＶ５ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域１３０のパージガスをパージ排気ノズルＶ５ａから排気する。パージ排気部Ｖ５ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段１０９に接続される。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段１０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送ベルト１１１ｂの移動方向におけるパージ領域１３０の下流には、図１，図２に示すように、処理領域１４０の上流にパージ排気領域１３３が配置される。
パージ排気領域１３３では、搬送ベルト１１１ｂの上方にパージガス排気手段Ｖ６が配置される。パージガス排気手段Ｖ６は、パージ排気ノズルＶ６ａと、パージ排気部Ｖ６ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ６ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。
パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。
ここで、パージガスノズルＰ２ａを挟んで互いに両側となる位置に配置されるパージ排気ノズルＶ５ａとパージ排気ノズルＶ６ａとは、それぞれの開口輪郭（開口縁部）が同じ高さに配置されることが好ましい。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、平面視したパージ排気領域１３３の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、パージ排気ノズルＶ５ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、パージ排気領域１３３の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送ベルト１１１ｂの移動速度、パージガス供給量、処理領域１２０とパージ領域１３０との圧力差等の条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ６ｂは、パージ排気ノズルＶ６ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ排気領域１３３のガスをパージ排気ノズルＶ６ａから排気する。パージ排気部Ｖ６ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段１０９に接続される。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段１０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

パージ排気領域１３２およびパージ排気領域１３３は、パージガス排気手段Ｖ５およびパージガス排気手段Ｖ６によってパージ領域１３０を排気して、パージ領域１３０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

処理領域（第２処理領域）１４０においては、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上方にガス供給手段（処理手段）Ｐ３が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、給気ノズルＰ３ａと、ガス供給部Ｐ３ｂとを有する。
ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１と異なるガスを供給可能である。

給気ノズルＰ３ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）とほぼ同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

給気ノズルＰ３ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、給気ノズルＰ３ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、処理領域１４０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、平面視した処理領域１４０の輪郭を規定する。具体的には、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭とほぼ等しく設定される。
また、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、基板Ｗの処理に必要な時間と、搬送ベルト１１１ｂの移動速度との兼ね合い等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

ガス供給部Ｐ３ｂは、給気ノズルＰ３ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたガス（第２ガス）を給気ノズルＰ３ａに供給する。ガス供給部Ｐ３ｂは、制御手段１０９に接続される。ガス供給部Ｐ３ｂは、制御手段１０９によって制御される。

搬送ベルト１１１ｂの移動方向における処理領域１４０の上流には、図１，図２に示すように、パージ排気領域１３３の下流に排気領域１４２が配置される。
排気領域１４２では、搬送ベルト１１１ｂの上方に排気手段（個別排気手段）Ｖ９が配置される。排気手段Ｖ９は、排気ノズルＶ９ａと、排気部Ｖ９ｂとを有する。

排気ノズルＶ９ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、平面視した排気領域１４２の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ３ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、処理領域１４０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送ベルト１１１ｂの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ９ｂは、排気ノズルＶ９ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域１４０のガスを排気ノズルＶ９ａから排気する。排気部Ｖ９ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ９ｂは、制御手段１０９に接続される。排気部Ｖ９ｂは、制御手段１０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送ベルト１１１ｂの移動方向における処理領域１４０の下流には、図１，図２に示すように、加熱搬出室１０１ｃの上流に排気領域１４３が配置される。
排気領域１４３では、搬送ベルト１１１ｂの上方に排気手段Ｖ１０が配置される。排気手段Ｖ１０は、排気ノズルＶ１０ａと、排気部Ｖ１０ｂとを有する。

排気ノズルＶ１０ａは、図１，図２に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。
ここで、給気ノズルＰ３ａを挟んで互いに両側となる位置に配置される排気ノズルＶ９ａと排気ノズルＶ１０ａとは、それぞれの開口輪郭（開口縁部）が同じ高さに配置されることが好ましい。

排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、平面視した排気領域１４３の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、基板Ｗの寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ３ａの寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、排気ノズルＶ９ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、処理領域１４０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送ベルト１１１ｂの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ１０ｂは、排気ノズルＶ１０ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域１４０のガスを排気ノズルＶ１０ａから排気する。排気部Ｖ１０ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ１０ｂは、制御手段１０９に接続される。排気部Ｖ１０ｂは、制御手段１０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

排気領域１４２および排気領域１４３は、排気手段Ｖ９および排気手段Ｖ１０によって処理領域１４０を排気して、処理領域１４０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

本実施形態の連続処理装置１００には、図１に示すように、処理室１０１ｂに圧力検出手段Ｐ０ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ０ｃは処理室１０１ｂの圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ０ｃは制御手段１０９に接続される。圧力検出手段Ｐ０ｃは検出した圧力値を制御手段１０９に出力する。

連続処理装置１００には、処理領域１２０に圧力検出手段Ｐ１ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ１ｃは処理領域１２０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ１ｃは制御手段１０９に接続される。圧力検出手段Ｐ１ｃは検出した圧力値を制御手段１０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ１ｃは処理領域１２０の圧力を検出可能であれば、排気領域１２２，１２３に設けることもできる。

連続処理装置１００には、パージ領域１３０に圧力検出手段Ｐ２ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ２ｃはパージ領域１３０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ２ｃは制御手段１０９に接続される。圧力検出手段Ｐ２ｃは検出した圧力値を制御手段１０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ２ｃはパージ領域１３０の圧力を検出可能であれば、パージ排気領域１３２，１３３に設けることもできる。

連続処理装置１００には、処理領域１４０に圧力検出手段Ｐ３ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ３ｃは処理領域１４０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ３ｃは制御手段１０９に接続される。圧力検出手段Ｐ３ｃは検出した圧力値を制御手段１０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ３ｃは処理領域１４０の圧力を検出可能であれば、排気領域１４２，１４３に設けることもできる。

以下、本実施形態の連続処理装置１００における連続処理方法について説明する。

まず、基板Ｗの移動について説明する。
本実施形態の連続処理装置１００は、図１，図２に示すように、ロボットハンド１００ａなどの搬入手段によって外部から基板Ｗを搬入室１０１ａに搬入し、搬入部１０３を密閉する。

ロボットハンド１００ａは、搬入室１０１ａの搬送ベルト部１１０ａに載置される。搬送ベルト部１１０ａは、制御手段１０９に制御された駆動部１１３ａによって、駆動ローラ１１２ａを介して駆動される。

さらに、基板Ｗは、搬送ベルト部１１０ａから搬送ベルト部１１０ｂへと受け渡される。搬送ベルト部１１０ｂは、搬送ベルト部１１０ａと同様に、制御手段１０９に制御された駆動部１１３ｂによって、駆動ローラ１１２ｂを介して駆動される。
搬送ベルト部１１０ｂによって移動する基板Ｗは、処理室１０１ｂへと搬送される。

処理室１０１ｂにおいては、基板Ｗは、排気領域１２２、処理領域１２０、排気領域１２３、パージ排気領域１３２、パージ領域１３０、パージ排気領域１３３、排気領域１４２、処理領域１４０、排気領域１４３、を順に移動してゆく。

これら処理領域１２０、処理領域１４０を通過する間に連続処理がおこなわれる。処理領域１２０、処理領域１４０においては、基板Ｗはヒータ１０７によって温度が制御される。ヒータ１０７は、制御手段１０９によって連続処理に対応する温度状態に制御される。

さらに、連続処理の終了した基板Ｗは、搬送ベルト部１１０ｂによって、加熱搬出室１０１ｃへと搬送される。加熱搬出室１０１ｃにおいては、搬送ベルト部１１０ｂから搬送ベルト部１１０ｃへと受け渡される。

必要であれば、加熱搬出室１０１ｃにおいて、例えばランプユニットとされる加熱部１０６によって加熱される。

一連の処理が終了した基板Ｗは、開放された搬出部１０４からロボットハンド１００ａなどの搬入手段によって外部へ搬出される。

ここで、基板Ｗがチャンバ１０１に搬入された後で、一連の処理を開始する前に、全体排気手段を構成する排気ポンプＰ０１、排気ポンプＰ０２、排気ポンプＰ０３によって、チャンバ１０１内が排気されて、所定の真空状態にまで排気される。搬入室１０１ａ、処理室１０１ｂ、加熱搬出室１０１ｃは排気されて、高真空状態とされている。

ここで、例えば排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３は、圧力検出手段Ｐ０ｃの出力に基づいた制御手段１０９によって制御される。このとき、排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３は、排気バルブ等の開度によってその排気速度が制御される。
この全体排気工程として、排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３によるチャンバ１０１内の排気においては、所定の開度、例えば１００％といった開度として排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３によるチャンバ１０１内の排気がおこなわれる。

次に、排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３における排気バルブの開度として２０％以下に設定する。つまり、処理領域１２０における基板Ｗへの処理前には、制御手段１０９が、全体排気手段の排気速度を全体排気工程よりも弱めるように駆動制御する。

次に、排気手段Ｖ１および排気手段Ｖ２によって、排気領域１２２，１２３を排気する。このとき、制御手段１０９は、圧力検出手段Ｐ１ｃの出力に基づいて排気部Ｖ１ｂ，Ｖ２ｂを駆動し、排気ノズルＶ１ａ，Ｖ２ａから排気することで、排気領域１２２，１２３を排気する。排気領域１２２，１２３の排気により、これらに隣接する処理領域１２０が排気される。

ここで、ガス供給手段Ｐ１から所定の処理ガスを処理領域１２０へと供給する。このとき、制御手段１０９はガス供給部Ｐ１ｂを駆動して、給気ノズルＰ１ａから給気することで、処理領域１２０を、所定の処理ガス雰囲気とする。同時に、所定の圧力状態になるようにガス供給部Ｐ１ｂを制御する。

具体的には、ガス供給手段Ｐ１から供給される処理ガスの流量は、排気手段Ｖ１および排気手段Ｖ２によって排気される排気量に対して、所定の範囲、具体的には、±１０％以内となるように制御される。つまり、ガス供給手段Ｐ１の給気量と排気手段Ｖ１および排気手段Ｖ２の排気量とは、互いにほぼ等しく設定される。

このとき、処理領域１２０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、ガス供給手段Ｐ１から供給される処理ガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、ＡＬＤ処理によって酸化アルミニウム膜を形成する場合には、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）とすることができる。

次に、パージガス排気手段Ｖ５およびパージガス排気手段Ｖ６によって、パージ排気領域１３２，１３３を排気する。このとき、制御手段１０９は、圧力検出手段Ｐ２ｃの出力に基づいてパージ排気部Ｖ５ｂ，Ｖ６ｂを駆動し、パージ排気ノズルＶ５ａ，Ｖ６ａから排気することで、パージ排気領域１３２，１３３を排気する。パージ排気領域１３２，１３３の排気により、これらに隣接するパージ領域１３０が排気される。

ここで、パージガス供給手段Ｐ２から所定のパージガスをパージ領域１３０へと供給する。このとき、制御手段１０９はパージガス供給部Ｐ２ｂを駆動して、パージガスノズルＰ２ａから給気することで、パージ領域１３０を、所定のパージガスで充満された雰囲気とする。同時に、所定のパージガスの圧力状態になるようにパージガス供給部Ｐ２ｂを制御する。

具体的には、パージガス供給手段Ｐ２から供給されるパージガスの流量は、パージガス排気手段Ｖ５およびパージガス排気手段Ｖ６によって排気される排気量に対して、所定の範囲、具体的には、±１０％以内となるように制御される。つまり、パージガス供給手段Ｐ２の給気量とパージガス排気手段Ｖ５およびパージガス排気手段Ｖ６の排気量とは、互いにほぼ等しく設定される。

このとき、パージ領域１３０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、パージガス供給手段Ｐ２から供給されるパージガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、窒素ガス（Ｎ_２ガス）とすることができる。あるいは、パージガス供給手段Ｐ２から供給されるパージガスとして、アルゴン等の不活性ガス等を選択することもできる。

次に、排気手段Ｖ９および排気手段Ｖ１０によって、排気領域１４２，１４３を排気する。このとき、制御手段１０９は、圧力検出手段Ｐ３ｃの出力に基づいて排気部Ｖ９ｂ，Ｖ１０ｂを駆動し、排気ノズルＶ９ａ，Ｖ１０ａから排気することで、排気領域１４２，１４３を排気する。排気領域１４２，１４３の排気により、これらに隣接する処理領域１４０が排気される。

ここで、ガス供給手段Ｐ３から所定の処理ガスを処理領域１４０へと供給する。このとき、制御手段１０９はガス供給部Ｐ３ｂを駆動して、給気ノズルＰ３ａから給気することで、処理領域１４０を、所定の処理ガス雰囲気とする。同時に、所定の圧力状態になるようにガス供給部Ｐ３ｂを制御する。

具体的には、ガス供給手段Ｐ３から供給される処理ガスの流量は、排気手段Ｖ９および排気手段Ｖ１０によって排気される排気量に対して、所定の範囲、具体的には、±１０％以内となるように制御される。つまり、ガス供給手段Ｐ３の給気量と排気手段Ｖ９および排気手段Ｖ１０の排気量とは、互いにほぼ等しく設定される。

このとき、処理領域１４０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、ガス供給手段Ｐ３から供給される処理ガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、ＡＬＤ処理によって酸化アルミニウム膜を形成する場合には、ガス供給手段Ｐ１から供給されるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）に対応して、Ｈ_２Ｏガスとすることができる。

この状態で、所定の時間、処理ガス雰囲気を維持するように、基板Ｗを処理領域１２０および処理領域１４０内で移動させ、酸化アルミニウムとなる原子積層膜を単層で形成した後、加熱搬出室１０１ｃにおいて、例えばランプユニットとされる加熱部１０６によって基板Ｗを加熱して、酸化アルミニウム膜の改質をおこなう。

さらに、必要な膜厚を得るために上記の連続処理を複数回繰り返す。具体的には、上記の連続処理装置１００を複数連結して、上記の原子単層となる成膜を繰り返すことができる。この場合、一段の成膜が終了する加熱搬出室１０１ｃに、次の段の搬入室１０１ａを連結することができる。あるいは、一段の成膜が終了する加熱搬出室１０１ｃに、次の段の処理室１０１ｂを連結することができる。
ここで、単層成膜に対する連続処理工程の前には、全体排気工程と、全体排気工程よりも全体排気手段を弱める工程とをおこなう。

または、上記の連続処理装置１００を連結することなく、単層成膜に対する連続処理工程が終了した後、ガス供給手段Ｐ１，Ｐ３からの処理ガス供給、および、パージガス供給手段Ｐ２からのパージガス供給を停止して、移動手段１１０を逆方向に駆動して、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗを処理領域１２０へと戻して、次の段の成膜としての連続処理を開始することもできる。さらに、この場合には、必要回数連続処理を繰り返すことができる。

本実施形態の連続処理装置１００においては、処理領域１２０のガスが個別排気手段Ｖ１，Ｖ２によって排気領域１２２，１２３から排気されることで、処理領域１２０のガスが隣の処理領域１４０へと到達することを防止する。同時に、処理領域１４０のガスが個別排気手段Ｖ９，Ｖ１０によって排気領域１４２，１４３から排気されることで、処理領域１４０のガスが隣の処理領域１２０へと到達することを防止する。
したがって、処理領域１２０および処理領域１４０において、それぞれコンタミネーションが発生することを防止できる。

ここで、全体排気手段である排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３によってチャンバ１０１全体を処理雰囲気とする全体排気工程における排気を、全体排気工程後に弱めて基板Ｗの処理をおこなうことで、処理領域１２０，１４０における排気速度を個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０によって主として設定することが可能となる。これにより、処理領域１２０，１４０においては個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０による排気を支配的として、全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３が個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０による排気に干渉することを防止して、処理領域１２０，１４０の圧力を好適に設定することが可能となる。

また、複数のガス供給手段Ｐ１およびガス供給手段Ｐ３の間である境界付近に、それぞれ個別排気手段Ｖ２，Ｖ９で排気する排気領域１２３，１４２を設けることで、処理領域１２０、処理領域１４０間でのコンタミネーション発生を防止することができる。ここで、基板Ｗの処理工程の実施中には、個別排気手段Ｖ２，Ｖ９による排気が支配的になるように全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３の排気を制御手段１０９は制御することで、基板Ｗの処理中であってもチャンバ１０１内全体を排気する全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３と個別排気手段Ｖ２，Ｖ９とが干渉して、処理領域１２０，１４０の圧力を制御することが難しくなることを回避することができる。

また、それぞれのガス供給手段Ｐ１，Ｐ３から処理領域１２０，１４０毎に異なる処理ガスを給気しても、排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０によって隣の処理領域１２０，１４０に給気されたガスが侵入してしまうことを防止できる。したがって、異なる処理領域１２０，１４０で異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理において、コンタミネーションを防止することが可能となる。特に、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；原子層堆積法）などの処理に適用した場合にコンタミネーションを防止して、膜特性の向上を図ることが可能となる。

また、第１ガスの供給された第１処理領域１２０と、排気領域１２２，１２３と、第２ガスの供給された第２処理領域１４０と、排気領域１４２，１４３と、を順に基体が移動することで、異なるガスを順に供給することが必要な成膜処理、例えばＡＬＤによる成膜処理をおこなうことが可能となる。

圧力検出手段Ｐ０ｃ、Ｐ１ｃによって、処理領域１２０から排気領域１２２，１２３へと向かうガス流の状態を検出して、全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３と個別排気手段Ｖ１，Ｖ２との駆動状態を適宜制御することが可能となる。同様に、圧力検出手段Ｐ０ｃ、Ｐ３ｃによって、処理領域１４０から排気領域１４２，１４３へと向かうガス流の状態を検出して、全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３と個別排気手段Ｖ９，Ｖ１０との駆動状態を適宜制御することが可能となる。

処理領域１２０，１４０におけるガス状態制御、つまり、全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３と個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０との排気量あるいは排気速度のバランスを取り、処理領域１２０，１４０における圧力およびガス流の制御を確実におこなうことが可能となる。また、処理領域１２０，１４０におけるガス流およびガス圧力の変動に対応することもできる。

パージ領域１３０によって、隣接する処理領域１２０と処理領域１４０とで異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理であっても、パージガスが供給されてパージ排気領域１３２，１３３から排気されるパージ領域１３０を越えて、処理領域１２０，１４０のガスが互いに到達してしまうことを防止して、コンタミネーションの発生を防止することが可能となる。

さらに、本実施形態においては、反応ガスの節減が可能となり、反応生成粉の発生を防止することができるという効果を奏することができる。

なお、本実施形態においては、連続処理工程の前における全体排気工程に対して、全体排気工程よりも全体排気手段を弱める工程において、排気バルブの開度として２０％以下に設定したが、８０％～１０％程度の範囲に設定することもできる。
さらに、全体排気手段における排気設定を、完全な遮断状態とすることもできる。

また、全体排気手段を弱める工程において、個別排気手段Ｖ１～Ｖ１０等の排気速度を強くすることもできる。

以下、本発明に係る連続処理装置の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
図３は、本実施形態における連続処理装置を示す模式側面図である。本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、基体およびその移動手段に関する点である。

本実施形態に係る連続処理装置２００は、可撓性を有する長尺のフィルム（基体）Ｆを連続して処理可能なものとされる。
本実施形態に係る連続処理装置２００は、図３に示すように、チャンバ２０１と、搬送部（移動手段）２１０と、処理領域２２０と、パージ領域２３０と、処理領域２４０と、制御手段２０９と、を有する。

チャンバ２０１は、図３に示すように、真空状態に密閉可能であり、搬入室（巻き出し室）２０１ａと、処理室２０１ｂと、加熱搬出室（巻き取り室）２０１ｃと、を有する。これら搬入室２０１ａと処理室２０１ｂと加熱搬出室２０１ｃとは、互いにフィルム（基体）Ｆが移動可能に連通している。搬入室２０１ａと処理室２０１ｂとの間には、フィルムＦが移動可能な開口２０２ａを有する隔壁２０２が設けられる。処理室２０１ｂと加熱搬出室２０１ｃとの間には、フィルムＦが移動可能な開口２０５ａを有する隔壁２０５が設けられる。

また、加熱搬出室２０１ｃには、例えばランプユニットとされる加熱部２０６が設けられて加熱可能とされる。加熱部２０６は制御手段２０９に接続される。加熱部２０６は、制御手段２０９によって制御される。

搬送部（移動手段）２１０は、図３に示すように、搬入室２０１ａと処理室２０１ｂと加熱搬出室２０１ｃとに亘ってフィルムＦを搬送する。搬送部２１０は、搬入室（巻き出し室）２０１ａの送り出す送り出し部２１１と、加熱搬出室２０１ｃの巻き取り部２１２と、を有する。

送り出す送り出し部２１１は、搬入室（巻き出し室）２０１ａ内に設けられる。送り出し部２１１は、フィルムＦを巻き取られた状態から処理室２０１ｂへと送り出す。
巻き取り部２１２は、加熱搬出室２０１ｃ内に設けられる。巻き取り部２１２は、処理が終了して処理室２０１ｂから移動してきたフィルムＦを巻き取って収納する。

搬送部（移動手段）２１０は、フィルムＦの巻回された送り出し部２１１と巻き取り部２１２とによって、フィルムＦを処理室２０１ｂ内で搬送する。
送り出し部２１１と巻き取り部２１２とは駆動部２１３によって駆動される。駆動部２１３は制御手段２０９に接続される。駆動部２１３は、制御手段２０９によって制御される。
送り出し部２１１と巻き取り部２１２とは、フィルムＦの移動方向と直交する回転軸線を有するローラとされる。

搬送部（移動手段）２１０によって移動されるフィルムＦは、その上面が面一となるように配置される。搬送部（移動手段）２１０によって移動されるフィルムＦは、その上面に処理をおこなう。
送り出し部２１１と巻き取り部２１２とは、連動して、搬入室２０１ａと処理室２０１ｂと加熱搬出室２０１ｃとに亘ってフィルムＦを移動可能である。

搬送部２１０によってフィルムＦは、隔壁２０２の開口２０２ａを貫通する。搬送部２１０によってフィルムＦは、隔壁２０５の開口２０５ａを貫通する。

搬送部（移動手段）２１０には、処理室２０１ｂで搬送されるフィルムＦの下方で近接する位置にヒータ２０７が配置される。ヒータ２０７は、処理領域２２０，２４０においてフィルムＦを加熱可能とされている。ヒータ２０７は、平面視して処理領域２２０，２４０を含む範囲を加熱可能に配置される。ヒータ２０７は制御手段２０９に接続される。ヒータ２０７は、制御手段２０９によって制御される。

搬入室２０１ａには、図３に示すように、排気ポンプＰ０１が設けられる。搬入室２０１ａは排気ポンプＰ０１によって排気される。排気ポンプＰ０１は、ゲートバルブを介して搬入室２０１ａに接続される。排気ポンプＰ０１は制御手段２０９に接続される。排気ポンプＰ０１は、制御手段２０９によって制御される。

処理室２０１ｂには、排気ポンプＰ０２が設けられる。処理室２０１ｂは排気ポンプＰ０２によって排気される。排気ポンプＰ０２は、ゲートバルブを介して処理室２０１ｂに接続される。排気ポンプＰ０２は制御手段２０９に接続される。排気ポンプＰ０２は、制御手段２０９によって制御される。

加熱搬出室２０１ｃには、図３に示すように、排気ポンプＰ０３が設けられる。加熱搬出室２０１ｃは排気ポンプＰ０３によって排気される。排気ポンプＰ０３は、ゲートバルブを介して加熱搬出室２０１ｃに接続される。排気ポンプＰ０３は制御手段２０９に接続される。排気ポンプＰ０３は、制御手段２０９によって制御される。

排気ポンプＰ０１、排気ポンプＰ０２、排気ポンプＰ０３によって、チャンバ２０１内が排気される。排気ポンプＰ０１、排気ポンプＰ０２、排気ポンプＰ０３は、全体排気手段を構成する。

処理室２０１ｂにおいて、フィルムＦの上方には、処理領域２２０と、パージ領域２３０と、処理領域２４０と、が設定される。処理領域２２０と、パージ領域２３０と、処理領域２４０と、は、送り出し部２１１から巻き取り部２１２へと向かう平面状のフィルムＦに沿って、このフィルムＦの移動方向にしたがって隣接する。

送り出し部２１１から巻き取り部２１２へと向かうフィルムＦの移動方向で、処理領域２２０の下流には、図３に示すように、パージ領域２３０が配置される。フィルムＦの移動方向で、パージ領域２３０の下流には処理領域２４０が配置される。

処理領域（第１処理領域）２２０では、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上方にガス供給手段（処理手段）Ｐ１が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ１は、給気ノズルＰ１ａと、ガス供給部Ｐ１ｂとを有する。

給気ノズルＰ１ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。

給気ノズルＰ１ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、給気ノズルＰ１ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、処理領域２２０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、平面視した処理領域２２０の輪郭を規定する。具体的には、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。
また、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、フィルムＦの処理に必要な時間と、搬送されるフィルムＦの移動速度との兼ね合い等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

ガス供給部Ｐ１ｂは、給気ノズルＰ１ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたガス（第１ガス）を給気ノズルＰ１ａに供給する。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段２０９に接続される。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段２０９によって制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向における処理領域２２０の上流には、図３に示すように、排気領域２２２が配置される。
排気領域２２２では、搬送されるフィルムＦの上方に排気手段（個別排気手段）Ｖ１が配置される。排気手段Ｖ１は、排気ノズルＶ１ａと、排気部Ｖ１ｂとを有する。

排気ノズルＶ１ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、平面視した排気領域２２２の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。

また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、処理領域２２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ１ｂは、排気ノズルＶ１ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域２２０のガスを排気ノズルＶ１ａから排気する。排気部Ｖ１ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ１ｂは、制御手段２０９に接続される。排気部Ｖ１ｂは、制御手段２０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向における処理領域２２０の下流には、図３に示すように、パージ領域２３０の上流に排気領域２２３が配置される。
排気領域２２３では、搬送されるフィルムＦの上方に排気手段（個別排気手段）Ｖ２が配置される。排気手段Ｖ２は、排気ノズルＶ２ａと、排気部Ｖ２ｂとを有する。

排気ノズルＶ２ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、平面視した排気領域２２３の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、排気ノズルＶ１ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、処理領域２２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ２ｂは、排気ノズルＶ２ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域２２０のガスを排気ノズルＶ２ａから排気する。排気部Ｖ２ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ２ｂは、制御手段２０９に接続される。排気部Ｖ２ｂは、制御手段２０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

排気領域２２２および排気領域２２３は、排気手段Ｖ１および排気手段Ｖ２によって処理領域２２０を排気して、処理領域２２０に対する雰囲気圧力の設定を可能とする。

パージ領域２３０においては、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上方にパージガス供給手段Ｐ２が配置される。パージガス供給手段Ｐ２は、パージガスノズルＰ２ａと、パージガス供給部Ｐ２ｂとを有する。

パージガスノズルＰ２ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。
パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａ（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）の開口輪郭と同じ高さに配置されてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａ（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）の開口輪郭と異なる高さでもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、パージ領域２３０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、平面視したパージ領域２３０の輪郭を規定する。具体的には、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの寸法よりも大きく設定される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法とほぼ同じかこれよりも大きく設定される。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法とほぼ等しいかこれよりも大きく設定される。
また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、搬送されるフィルムＦの移動速度に関連する処理条件と、処理領域２２０と処理領域２４０とに対するガスの遮断に必要なパージガスの量とから、必要な寸法が設定される。

パージガス供給部Ｐ２ｂは、パージガスノズルＰ２ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたパージガスをパージガスノズルＰ２ａに供給する。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段２０９に接続される。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段２０９によって制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向におけるパージ領域２３０の上流には、図３に示すように、排気領域２２３の下流にパージ排気領域（排気領域）２３２が配置される。
パージ排気領域（排気領域）２３２では、搬送されるフィルムＦの上方にパージガス排気手段Ｖ５が配置される。パージガス排気手段Ｖ５は、パージ排気ノズルＶ５ａと、パージ排気部Ｖ５ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ５ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭と異なる高さでもよい。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、平面視したパージ排気領域２３２の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの寸法よりも大きく設定される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法とほぼ等しいかこれよりも大きく設定される。

また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、パージ排気領域２３２の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、パージガス供給量、処理領域２２０とパージ領域２３０との圧力差等の条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ５ｂは、パージ排気ノズルＶ５ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域２３０のパージガスをパージ排気ノズルＶ５ａから排気する。パージ排気部Ｖ５ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段２０９に接続される。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段２０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向におけるパージ領域２３０の下流には、図３に示すように、処理領域２４０の上流にパージ排気領域２３３が配置される。
パージ排気領域２３３では、搬送されるフィルムＦの上方にパージガス排気手段Ｖ６が配置される。パージガス排気手段Ｖ６は、パージ排気ノズルＶ６ａと、パージ排気部Ｖ６ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ６ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。
パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、平面視したパージ排気領域２３３の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの寸法よりも大きく設定される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、パージ排気ノズルＶ５ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、パージ排気領域２３３の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、パージガス供給量、処理領域２４０とパージ領域２３０との圧力差等の条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ６ｂは、パージ排気ノズルＶ６ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ排気領域２３３のガスをパージ排気ノズルＶ６ａから排気する。パージ排気部Ｖ６ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段２０９に接続される。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段２０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

パージ排気領域２３２およびパージ排気領域２３３は、パージガス排気手段Ｖ５およびパージガス排気手段Ｖ６によってパージ領域２３０を排気して、パージ領域２３０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

処理領域（第２処理領域）２４０においては、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上方にガス供給手段（処理手段）Ｐ３が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、給気ノズルＰ３ａと、ガス供給部Ｐ３ｂとを有する。
ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１と異なるガスを供給可能である。

給気ノズルＰ３ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）とほぼ同じ高さに配置されてもよい。また、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

給気ノズルＰ３ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、給気ノズルＰ３ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、処理領域２４０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、平面視した処理領域２４０の輪郭を規定する。具体的には、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭とほぼ等しく設定される。
また、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、フィルムＦの処理に必要な時間と、搬送されるフィルムＦの移動速度との兼ね合い等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

ガス供給部Ｐ３ｂは、給気ノズルＰ３ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたガス（第２ガス）を給気ノズルＰ３ａに供給する。ガス供給部Ｐ３ｂは、制御手段２０９に接続される。ガス供給部Ｐ３ｂは、制御手段２０９によって制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向における処理領域２４０の上流には、図３に示すように、パージ排気領域２３３の下流に排気領域２４２が配置される。
排気領域２４２では、搬送されるフィルムＦの上方に排気手段（個別排気手段）Ｖ９が配置される。排気手段Ｖ９は、排気ノズルＶ９ａと、排気部Ｖ９ｂとを有する。

排気ノズルＶ９ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、平面視した排気領域２４２の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ３ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、処理領域２４０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ９ｂは、排気ノズルＶ９ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域２４０のガスを排気ノズルＶ９ａから排気する。排気部Ｖ９ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ９ｂは、制御手段２０９に接続される。排気部Ｖ９ｂは、制御手段２０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向における処理領域２４０の下流には、図３に示すように、加熱搬出室２０１ｃの上流に排気領域２４３が配置される。
排気領域２４３では、搬送されるフィルムＦの上方に排気手段Ｖ１０が配置される。排気手段Ｖ１０は、排気ノズルＶ１０ａと、排気部Ｖ１０ｂとを有する。

排気ノズルＶ１０ａは、図３に示すように、搬送されるフィルムＦの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、平面視した排気領域２４３の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、給気ノズルＰ３ａの寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する幅方向において、排気ノズルＶ９ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、処理領域２４０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、フィルムＦの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ１０ｂは、排気ノズルＶ１０ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域２４０のガスを排気ノズルＶ１０ａから排気する。排気部Ｖ１０ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ１０ｂは、制御手段２０９に接続される。排気部Ｖ１０ｂは、制御手段２０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

排気領域２４２および排気領域２４３は、排気手段Ｖ９および排気手段Ｖ１０によって処理領域２４０を排気して、処理領域２４０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

本実施形態の連続処理装置２００には、図３に示すように、処理室２０１ｂに圧力検出手段Ｐ０ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ０ｃは処理室２０１ｂの圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ０ｃは制御手段２０９に接続される。圧力検出手段Ｐ０ｃは検出した圧力値を制御手段２０９に出力する。

連続処理装置２００には、処理領域２２０に圧力検出手段Ｐ１ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ１ｃは処理領域２２０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ１ｃは制御手段２０９に接続される。圧力検出手段Ｐ１ｃは検出した圧力値を制御手段２０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ１ｃは処理領域２２０の圧力を検出可能であれば、排気領域２２２，２２３に設けることもできる。

連続処理装置２００には、パージ領域２３０に圧力検出手段Ｐ２ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ２ｃはパージ領域２３０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ２ｃは制御手段２０９に接続される。圧力検出手段Ｐ２ｃは検出した圧力値を制御手段２０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ２ｃはパージ領域２３０の圧力を検出可能であれば、パージ排気領域２３２，２３３に設けることもできる。

連続処理装置２００には、処理領域２４０に圧力検出手段Ｐ３ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ３ｃは処理領域２４０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ３ｃは制御手段２０９に接続される。圧力検出手段Ｐ３ｃは検出した圧力値を制御手段２０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ３ｃは処理領域２４０の圧力を検出可能であれば、排気領域２４２，２４３に設けることもできる。

以下、本実施形態の連続処理装置２００における連続処理方法について説明する。

まず、フィルムＦの移動について説明する。
本実施形態の連続処理装置２００は、図３に示すように、外部から巻回されたフィルムＦを搬入室２０１ａに搬入し、送り出し部２１１としてセットする。
また、フィルムＦの先端部を、処理室２０１ｂを通して、加熱搬出室２０１ｃの巻き取り部２１２へと巻回可能にセットする。

セットの完了したフィルムＦは、送り出し部２１１と巻き取り部２１２とによって移動される。送り出し部２１１と巻き取り部２１２との駆動は、制御手段２０９によって同期して制御される。

フィルムＦは、処理室２０１ｂにおいて、排気領域２２２、処理領域２２０、排気領域２２３、パージ排気領域２３２、パージ領域２３０、パージ排気領域２３３、排気領域２４２、処理領域２４０、排気領域２４３、を順に移動してゆく。

これら処理領域２２０、処理領域２４０を通過する間にフィルムＦに連続処理がおこなわれる。処理領域２２０、処理領域２４０においては、フィルムＦはヒータ２０７によって温度が制御される。ヒータ２０７は、制御手段２０９によって連続処理に対応する温度状態に制御される。

さらに、連続処理の終了したフィルムＦは、加熱搬出室２０１ｃにおいては、巻き取り部２１２に巻き取られる。
必要であれば、加熱搬出室２０１ｃにおいて、巻き取り部２１２に巻き取られる前に、例えばランプユニットとされる加熱部２０６によって加熱される。あるいは、加熱搬出室２０１ｃにおいて、巻き取り部２１２に巻き取られる際に、フィルムＦは、例えばランプユニットとされる加熱部２０６によって加熱される。

一連の処理が終了したフィルムＦは、巻き取られた状態で外部へ搬出される。

ここで、フィルムＦがセットされてチャンバ２０１が密閉された後で、一連の処理を開始する前に、全体排気手段を構成する排気ポンプＰ０１、排気ポンプＰ０２、排気ポンプＰ０３によって、チャンバ２０１内が排気されて、所定の真空状態にまで排気される。搬入室２０１ａ、処理室２０１ｂ、加熱搬出室２０１ｃは排気されて、高真空状態とされている。

ここで、例えば排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３は、圧力検出手段Ｐ０ｃの出力に基づいた制御手段２０９によって制御される。このとき、排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３は、排気バルブ等の開度によってその排気速度が制御される。
この全体排気工程として、排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３によるチャンバ２０１内の排気においては、所定の開度、例えば１００％といった開度として排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３によるチャンバ２０１内の排気がおこなわれる。

次に、排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３における排気バルブの開度として２０％以下に設定する。つまり、処理領域２２０におけるフィルムＦへの処理前には、制御手段２０９が、全体排気手段の排気速度を全体排気工程よりも弱めるように駆動制御する。

次に、排気手段Ｖ１および排気手段Ｖ２によって、排気領域２２２，２２３を排気する。このとき、制御手段２０９は、圧力検出手段Ｐ１ｃの出力に基づいて排気部Ｖ１ｂ，Ｖ２ｂを駆動し、排気ノズルＶ１ａ，Ｖ２ａから排気することで、排気領域２２２，２２３を排気する。排気領域２２２，２２３の排気により、これらに隣接する処理領域２２０が排気される。

ここで、ガス供給手段Ｐ１から所定の処理ガスを処理領域２２０へと供給する。このとき、制御手段２０９はガス供給部Ｐ１ｂを駆動して、給気ノズルＰ１ａから給気することで、処理領域２２０を、所定の処理ガス雰囲気とする。同時に、所定の圧力状態になるようにガス供給部Ｐ１ｂを制御する。

このとき、処理領域２２０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、ガス供給手段Ｐ１から供給される処理ガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、ＡＬＤ処理によって酸化アルミニウム膜を形成する場合には、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）とすることができる。

次に、パージガス排気手段Ｖ５およびパージガス排気手段Ｖ６によって、パージ排気領域２３２，２３３を排気する。このとき、制御手段２０９は、圧力検出手段Ｐ２ｃの出力に基づいてパージ排気部Ｖ５ｂ，Ｖ６ｂを駆動し、パージ排気ノズルＶ５ａ，Ｖ６ａから排気することで、パージ排気領域２３２，２３３を排気する。パージ排気領域２３２，２３３の排気により、これらに隣接するパージ領域２３０が排気される。

ここで、パージガス供給手段Ｐ２から所定のパージガスをパージ領域２３０へと供給する。このとき、制御手段２０９はパージガス供給部Ｐ２ｂを駆動して、パージガスノズルＰ２ａから給気することで、パージ領域２３０を、所定のパージガスで充満された雰囲気とする。同時に、所定のパージガスの圧力状態になるようにパージガス供給部Ｐ２ｂを制御する。

このとき、パージ領域２３０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、パージガス供給手段Ｐ２から供給されるパージガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、窒素ガス（Ｎ_２ガス）とすることができる。あるいは、パージガス供給手段Ｐ２から供給されるパージガスとして、アルゴン等の不活性ガス等を選択することもできる。

次に、排気手段Ｖ９および排気手段Ｖ１０によって、排気領域２４２，２４３を排気する。このとき、制御手段２０９は、圧力検出手段Ｐ３ｃの出力に基づいて排気部Ｖ９ｂ，Ｖ１０ｂを駆動し、排気ノズルＶ９ａ，Ｖ１０ａから排気することで、排気領域２４２，２４３を排気する。排気領域２４２，２４３の排気により、これらに隣接する処理領域２４０が排気される。

ここで、ガス供給手段Ｐ３から所定の処理ガスを処理領域２４０へと供給する。このとき、制御手段２０９はガス供給部Ｐ３ｂを駆動して、給気ノズルＰ３ａから給気することで、処理領域２４０を、所定の処理ガス雰囲気とする。同時に、所定の圧力状態になるようにガス供給部Ｐ３ｂを制御する。

このとき、処理領域２４０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、ガス供給手段Ｐ３から供給される処理ガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、ＡＬＤ処理によって酸化アルミニウム膜を形成する場合には、ガス供給手段Ｐ１から供給されるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）に対応して、Ｈ_２Ｏガスとすることができる。

この状態で、所定の時間、処理ガス雰囲気を維持するように、フィルムＦを処理領域２２０および処理領域２４０内で移動させ、酸化アルミニウムとなる原子積層膜を単層で形成した後、加熱搬出室２０１ｃにおいて、例えばランプユニットとされる加熱部２０６によってフィルムＦを加熱して、酸化アルミニウム膜の改質をおこなう。

さらに、必要な膜厚を得るために上記の連続処理を複数回繰り返す。この場合、上記の連続処理装置２００において、送り出し部２１１と巻き取り部２１２とを入れ替えて、上記の原子単層となる成膜を繰り返すことができる。
ここで、単層成膜に対する連続処理工程の前には、全体排気工程と、全体排気工程よりも全体排気手段を弱める工程とをおこなう。

または、上記の連続処理装置２００を連結することなく、単層成膜に対する連続処理工程が終了した後、ガス供給手段Ｐ１，Ｐ３からの処理ガス供給、および、パージガス供給手段Ｐ２からのパージガス供給を停止して、移動手段２１０である送り出し部２１１と巻き取り部２１２とを逆方向に駆動して、処理領域２２０と処理領域２４０とで供給するガスを入れ替えることもできる。さらに、この場合には、必要回数連続処理を繰り返すことができる。

本実施形態の連続処理装置２００においては、処理領域２２０のガスが個別排気手段Ｖ１，Ｖ２によって排気領域２２２，２２３から排気されることで、処理領域２２０のガスが隣の処理領域２４０へと到達することを防止する。同時に、処理領域２４０のガスが個別排気手段Ｖ９，Ｖ１０によって排気領域２４２，２４３から排気されることで、処理領域２４０のガスが隣の処理領域２２０へと到達することを防止する。
したがって、処理領域２２０および処理領域２４０において、それぞれコンタミネーションが発生することを防止できる。

ここで、全体排気手段である排気ポンプＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３によってチャンバ２０１全体を処理雰囲気圧力とする全体排気工程における排気を、全体排気工程後に弱めてフィルムＦの処理をおこなうことで、処理領域２２０，２４０における排気速度を個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０によって主として設定することが可能となる。これにより、処理領域２２０，２４０においては個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０による排気を支配的として、全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３が個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０による排気に干渉することを防止して、処理領域２２０，２４０の圧力を好適に設定することが可能となる。

また、複数のガス供給手段Ｐ１およびガス供給手段Ｐ３の間である境界付近に、それぞれ個別排気手段Ｖ２，Ｖ９で排気する排気領域２２３，２４２を設けることで、処理領域２２０、処理領域２４０間でのコンタミネーション発生を防止することができる。ここで、フィルムＦの処理工程の実施中には、個別排気手段Ｖ２，Ｖ９による排気が支配的になるように全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３の排気を制御手段２０９は制御することで、フィルムＦの処理中であってもチャンバ２０１内全体を排気する全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３と個別排気手段Ｖ２，Ｖ９とが干渉して、処理領域２２０，２４０の圧力を制御することが難しくなることを回避することができる。

また、それぞれのガス供給手段Ｐ１，Ｐ３から処理領域２２０，２４０毎に異なる処理ガスを給気しても、排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０によって隣の処理領域２２０，２４０に給気されたガスが侵入してしまうことを防止できる。したがって、異なる処理領域２２０，２４０で異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理において、コンタミネーションを防止することが可能となる。特に、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；原子層堆積法）などの処理に適用した場合にコンタミネーションを防止して、膜特性の向上を図ることが可能となる。

また、第１ガスの供給された第１処理領域２２０と、排気領域２２２，２２３と、第２ガスの供給された第２処理領域２４０と、排気領域２４２，２４３と、を順に基体が移動することで、異なるガスを順に供給することが必要な成膜処理、例えばＡＬＤによる成膜処理をおこなうことが可能となる。

圧力検出手段Ｐ０ｃ、Ｐ１ｃによって、処理領域２２０から排気領域２２２，２２３へと向かうガス流の状態を検出して、全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３と個別排気手段Ｖ１，Ｖ２との駆動状態を適宜制御することが可能となる。同様に、圧力検出手段Ｐ０ｃ、Ｐ３ｃによって、処理領域２４０から排気領域２４２，２４３へと向かうガス流の状態を検出して、全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３と個別排気手段Ｖ９，Ｖ１０との駆動状態を適宜制御することが可能となる。

処理領域２２０，２４０におけるガス状態制御、つまり、全体排気手段Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３と個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０との排気量あるいは排気速度のバランスを取り、処理領域２２０，２４０における圧力およびガス流の制御を確実におこなうことが可能となる。また、処理領域２２０，２４０におけるガス流およびガス圧力の変動に対応することもできる。

パージ領域２３０によって、隣接する処理領域２２０と処理領域２４０とで異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理であっても、パージガスが供給されてパージ排気領域２３２，２３３から排気されるパージ領域２３０を越えて、処理領域２２０，２４０のガスが互いに到達してしまうことを防止して、コンタミネーションの発生を防止することが可能となる。

本実施形態においては、上述した実施形態と同等の効果を奏することができる。

以下、本発明に係る連続処理装置の第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
図４は、本実施形態の連続処理装置における排気領域等の配置を示す模式上面図である。
本実施形態において上述した第１および第２実施形態と異なるのは排気領域等に関する点であり、これ以外の対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。

本実施形態においては、処理領域１２０，１４０あるいは処理領域２２０，２４０に対して、移動手段１１０の移動方向に対する側方に、排気手段Ｖ３，Ｖ４，Ｖ７，Ｖ８が設けられる。つまり、排気領域１２２，１２３，１４２，１４３，２２２，２２３，２４２，２４３に加えて、基板ＷまたはフィルムＦの移動する面において処理領域１２０，１４０，２２０，２４０を囲む配置とされる排気領域１２４，１２５，１４４，１４５，２２４，２２５，２４４，２４５を有する。

ここでは、処理領域１２０を例にして説明する。
具体的には、本実施形態における処理領域１２０には、図４に示すように、基板Ｗの移動方向の上流となる排気領域１２２および下流となる排気領域１２３に加えて、基板Ｗの移動方向の横位置となる排気領域１２４および排気領域１２５が設定される。

上面視して搬送ベルト１１１ｂの移動方向における処理領域１２０の左手位置には、図４に示すように、排気領域１２４が配置される。
排気領域１２４では、搬送ベルト１１１ｂの上方に排気手段（個別排気手段）Ｖ３が配置される。排気手段Ｖ３は、排気ノズルＶ３ａと、排気部Ｖ３ｂとを有する。

排気ノズルＶ３ａは、図４に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ３ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ３ａの開口輪郭は、平面視した排気領域１２４の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ３ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法とほぼ同じか大きく設定される。排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ３ａは、搬送ベルト１１１ｂの移動方向における両端が、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａに接することができる。
排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、搬送ベルト１１１ｂの移動方向における、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法と同じかやや小さく設定することができる。
また、排気ノズルＶ３ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、処理領域１２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送ベルト１１１ｂの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域１４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ３ｂは、排気ノズルＶ３ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域１２０のガスを排気ノズルＶ３ａから排気する。排気部Ｖ３ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ３ｂは、制御手段１０９に接続される。排気部Ｖ３ｂは、制御手段１０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

上面視して搬送ベルト１１１ｂの移動方向における処理領域１２０の右手位置には、図４に示すように、排気領域１２５が配置される。
排気領域１２５では、搬送ベルト１１１ｂの上方に排気手段（個別排気手段）Ｖ４が配置される。排気手段Ｖ４は、排気ノズルＶ４ａと、排気部Ｖ４ｂとを有する。

排気ノズルＶ４ａは、図４に示すように、搬送ベルト１１１ｂの上面に対向して開口する。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの上面と平行に配置される。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂに載置された基板Ｗ上面と離間した高さに配置される。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ４ａの開口輪郭は、平面視した排気領域１２５の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法とほぼ同じか大きく設定される。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ４ａは、搬送ベルト１１１ｂの移動方向における両端が、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａに接することができる。
排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向と直交する幅方向において、搬送ベルト１１１ｂの移動方向における、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法と同じかやや小さく設定することができる。
また、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭は、搬送ベルト１１１ｂの移動方向において、処理領域１２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送ベルト１１１ｂの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域１４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ４ｂは、排気ノズルＶ４ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域１２０のガスを排気ノズルＶ４ａから排気する。排気部Ｖ４ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ４ｂは、制御手段１０９に接続される。排気部Ｖ４ｂは、制御手段１０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

本実施形態において、処理領域１２０は、移動方向（処理方向）で上流の排気領域１２２と下流の排気領域１２３と、移動方向（処理方向）で両側位置の排気領域１２４と排気領域１２５とで囲まれている。
つまり、ガス供給部Ｐ１ｂから供給されたガスは、給気ノズルＰ１ａを介して処理領域１２０に噴出された後、これら排気領域１２２～１２５から排気される。

これにより、処理領域１２０から他の処理領域１４０にガスを漏出させることなく、処理領域１２０の全周で確実に排気することが可能となる。したがって、移動方向の横位置にある排気領域１２４，１２５あるいはパージ領域１３０を回避して他の処理領域１４０へと不必要なガスが到達することを防止できる。

なお、処理領域１４０においても、処理領域１２０における移動方向の横位置にある排気領域１２４，１２５に対応して、移動方向の横位置にある排気領域１４４，１４５を設けることができる。
また、パージ領域１３０においても、処理領域１２０における移動方向の横位置にある排気領域１２４，１２５に対応して、移動方向の横位置にあるパージ排気領域１３４，１３５を設けることができる。
さらに、第２実施形態における処理領域２２０，２４０、パージ領域２３０においても、同様に、移動方向の横位置にある排気領域２２４，２２５，２４４，２４５、および、パージ排気領域２３４，２３５を設けることができる。

さらに、本実施形態の連続処理装置１００においては、排気領域１２２に圧力検出手段Ｖ１ｃを有する。排気領域１２３に圧力検出手段Ｖ２ｃを有する。排気領域１２４に圧力検出手段Ｖ３ｃを有する。排気領域１２５に圧力検出手段Ｖ４ｃを有する。
本実施形態の連続処理装置１００においては、処理領域１２０における移動方向に対して、上流排気領域（排気領域）１２２の圧力と下流排気領域（排気領域）１２３の圧力とが異なるように設定されることができる。
このとき、上流排気領域（排気領域）１２２の圧力と下流排気領域（排気領域）１２３の圧力とを、圧力検出手段Ｖ１ｃおよび圧力検出手段Ｖ２ｃによって検出して、その出力に基づいて制御手段１０９が排気部Ｖ１ｂ、Ｖ２ｂの排気速度制御をおこなう。
これにより、処理領域１２０において上流と下流との圧力状態を異ならせて、処理領域１２０内で上流から下流に向かう、あるいは、下流から上流に向かうガス流を形成することができる。

例えば、上流排気領域（排気領域）１２２の圧力が下流排気領域（排気領域）１２３の圧力よりも高くなるように設定することができる。これにより、処理領域１２０内で基板Ｗの上面に沿って上流から下流に向かうガス流を形成することができる。
あるいは、上流排気領域（排気領域）１２２の圧力が下流排気領域（排気領域）１２３の圧力よりも低くなるように設定することで、処理領域１２０内で基板Ｗの上面に沿って下流から上流に向かうガス流を形成することができる。

また、本実施形態の連続処理装置１００においては、処理領域１２０における移動方向に対して、右排気領域（排気領域）１２５の圧力と左排気領域（排気領域）１２４の圧力とが異なるように設定されることができる。このとき、右排気領域（排気領域）１２５の圧力と左排気領域（排気領域）１２４の圧力とを、圧力検出手段Ｖ３ｃおよび圧力検出手段Ｖ４ｃによって検出して、その出力に基づいて制御手段１０９が排気部Ｖ３ｂ、Ｖ４ｂの排気量制御をおこなう。
これにより、処理領域１２０において右位置と左位置との圧力状態を異ならせて、処理領域１２０内で右から左に向かう、あるいは、左から右に向かうガス流を形成することができる。

例えば、右排気領域（排気領域）１２５の圧力が左排気領域（排気領域）１２４の圧力よりも高くなるように設定することができる。これにより、処理領域１２０内で基板Ｗの上面に沿って右から左に向かうガス流を形成することができる。
あるいは、右排気領域（排気領域）１２５の圧力が左排気領域（排気領域）１２４の圧力よりも低くなるように設定することで、処理領域１２０内で基板Ｗの上面に沿って左から右に向かうガス流を形成することができる。

さらに、本実施形態の連続処理装置１００においては、処理領域１２０における移動方向に対して、上流排気領域（排気領域）１２２の圧力と下流排気領域（排気領域）１２３の圧力と右排気領域（排気領域）１２５の圧力と左排気領域（排気領域）１２４の圧力とが適宜異なるように設定されることができる。
これにより、処理領域１２０において処置の位置の圧力状態を異ならせて、処理領域１２０内で基板Ｗ上面に沿って所定の方向に向かうガス流を形成することができる。

例えば、上流排気領域（排気領域）１２２の圧力と右排気領域（排気領域）１２５の圧力とが、下流排気領域（排気領域）１２３の圧力と左排気領域（排気領域）１２４圧力よりも高くなるように設定することができる。このとき、各排気領域１２２～１２５の圧力を、圧力検出手段Ｖ２ｃ～Ｖ４ｃによって検出して、その出力に基づいて制御手段１０９が排気部Ｖ１ｂ～Ｖ４ｂの排気量制御をおこなう。
これにより、処理領域１２０内で基板Ｗの上面に沿って右上流から左下流に向かうガス流を形成することができる。

これら上流排気領域（排気領域）１２２の圧力と下流排気領域（排気領域）１２３の圧力と右排気領域（排気領域）１２５の圧力と左排気領域（排気領域）１２４の圧力とは、いずれも、排気部Ｖ１ｂ，Ｖ２ｂ，Ｖ３ｂ，Ｖ４ｂを圧力検出手段Ｖ２ｃ～Ｖ４ｃの出力に基づいて制御手段１０９によって所定の排気速度に設定することにより制御可能である。

このように、上流、下流および左右の圧力を変えることで、処理領域１２０の中のガス流方向およびガス流強さを制御することができる。
なお、ガス流の制御は、処理領域１４０およびパージ領域１３０においても、それぞれ排気部Ｖ５ｂ～Ｖ１２ｂを設けて、これを制御手段１０９によって制御することで可能となる。
同様に、第２実施形態における処理領域２２０，２４０、パージ領域２３０においても、フィルムＦの表面に沿った外流方向の制御をおこなうことが可能となる。

本実施形態においては、基体の移動方向に対して交差する方向においても、排気をおこなうことができるため、それぞれの処理領域１２０～２４０等において、他の領域からの不必要なガス流入をより一層防止することが可能となる。特に、それぞれ、チャンバ１０１，２０１にガスを供給する給気ノズルＰ１ａ，Ｐ３ａ、パージガスノズルＰ２ａ，Ｐ４ａ等に対して、個別に領域を囲む排気領域を設けて、この領域以外にガスが漏出してしまうことを効果的に防止できる。

以下、本発明に係る連続処理装置の第４実施形態を、図面に基づいて説明する。
図５は、本実施形態における連続処理装置を示す模式側面図である。
本実施形態において上述した第２実施形態と異なるのはフィルムの移動手段および処理領域等の配置に関する点である。

本実施形態の連続処理装置３００においては、フィルム（基体）Ｆを搬送ドラムに巻回して連続処理をおこなう。
本実施形態の連続処理装置３００は、図５に示すように、チャンバ３０１と、搬送部（移動手段）３１０と、処理領域３２０と、パージ領域３３０と、処理領域３４０と、制御手段３０９と、を有する。

チャンバ３０１は、図５に示すように、真空状態に密閉可能であり、巻回室３０１ａと、処理室３０１ｂと、を有する。これら巻回室３０１ａと処理室３０１ｂとは、互いにフィルム（基体）Ｆが移動可能に連通している。巻回室３０１ａと処理室２０１ｂとの間には、フィルムＦが移動可能な開口３０２ａ，３０２ｂを有する隔壁３０２が設けられる。

また、巻回室３０１ａには、例えばランプユニットとされる加熱部３０６が設けられて処理終了後のフィルムＦを加熱可能とされる。この場合、加熱部３０６は制御手段３０９に接続される。加熱部３０６は、制御手段３０９によって制御される。

搬送部（移動手段）３１０は、図５に示すように、巻回室３０１ａから処理室３０１ｂを経てまた巻回室３０１ａに亘ってフィルムＦを搬送する。搬送部３１０は、送り出す送り出し部３１１と巻き取り部３１２とを巻回室３０１ａに有する。また、搬送部３１０は、搬送ドラム３１３を処理室３０１ｂに有する。

送り出す送り出し部３１１は、巻回室３０１ａ内に設けられる。送り出し部３１１は、フィルムＦを巻き取られた状態から処理室３０１ｂへと送り出す。
巻き取り部３１２は、巻回室３０１ａ内に設けられる。巻き取り部３１２は、処理が終了して処理室３０１ｂから移動してきたフィルムＦを巻き取って収納する。

搬送ドラム３１３は、処理室３０１ｂ内に設けられる。搬送ドラム３１３は、送り出し部３１１と巻き取り部３１２とに比べて径寸法の大きなドラムとされ、その表面にフィルムを巻き付けた状態で回転する。フィルムＦは、搬送ドラム３１３の回転にともなって曲面状を維持して搬送ドラム３１３の周方向に移動する。これによりフィルムＦに複数の処理を連続しておこなう。

送り出し部３１１と巻き取り部３１２と搬送ドラム３１３とは、フィルムＦの移動方向と直交する回転軸線を有する。

本実施形態において、搬送ドラム３１３のロールの回転軸線は、水平方向に沿って配置される。送り出し部３１１のロールの回転軸線は、水平方向に沿って配置される。巻き取り部３１２のロールの回転軸線は、水平方向に沿って配置される。
送り出し部３１１と巻き取り部３１２と搬送ドラム３１３とは、互いに平行な回転軸線を有する。

搬送部（移動手段）３１０は、送り出し部３１１による巻回されたフィルムＦの送り出しと、巻き取り部３１２によるフィルムＦの巻き取りと、表面にフィルムＦの巻回された搬送ドラム３１３の回転とによって、フィルムＦを処理室３０１ｂ内で搬送する。
送り出し部３１１と巻き取り部３１２と搬送ドラム３１３とは図示しない駆動部によって駆動される。駆動部は制御手段３０９に接続される。駆動部は、制御手段３０９によって制御される。

搬送部（移動手段）３１０によって移動されるフィルムＦは、搬送ドラム３１３の側面に沿って巻回される。搬送部（移動手段）３１０によって移動されるフィルムＦは、その表面に処理をおこなう。
搬送部３１０によってフィルムＦは、隔壁３０２の開口３０２ａを貫通する。搬送部３１０によってフィルムＦは、隔壁３０２の開口３０２ｂを貫通する。

搬送部（移動手段）３１０には、処理室３０１ｂで搬送されるフィルムＦに近接する位置にヒータ３０７が配置される。ヒータ３０７は、搬送ドラム３１３に埋め込まれる。ヒータ３０７は、処理領域３２０，３４０においてフィルムＦを加熱可能とされている。ヒータ３０７は、搬送ドラム３１３の径方向視して処理領域３２０，３４０を含む範囲を加熱可能に配置される。ヒータ３０７は制御手段３０９に接続される。ヒータ３０７は、制御手段３０９によって制御される。

処理室３０１ｂには、図５に示すように、排気ポンプＰ０１が設けられる。処理室３０１ｂは排気ポンプＰ０１によって排気される。排気ポンプＰ０１は、ゲートバルブを介して処理室３０１ｂに接続される。排気ポンプＰ０１は制御手段３０９に接続される。排気ポンプＰ０１は、制御手段３０９によって制御される。

なお、巻回室３０１ａにも、排気ポンプＰ０１と同等の排気ポンプを設けることも可能である。
排気ポンプＰ０１によって、チャンバ３０１内が排気される。排気ポンプＰ０１は、全体排気手段を構成する。

処理室３０１ｂにおいて、搬送ドラム３１３に巻回されたフィルムＦの径方向外側位置には、処理領域３２０と、パージ領域３３０と、処理領域３４０と、が設定される。処理領域３２０と、パージ領域３３０と、処理領域３４０と、は、送り出し部３１１から巻き取り部３１２へと向かう搬送ドラム３１３に巻回されたフィルムＦに沿って、フィルムＦの移動方向にしたがって隣接する。

送り出し部３１１から巻き取り部３１２へと向かう搬送ドラム３１３の周方向におけるフィルムＦの移動方向で、処理領域３２０の下流には、図５に示すように、パージ領域３３０が配置される。搬送ドラム３１３の周方向におけるフィルムＦの移動方向で、パージ領域３３０の下流には処理領域３４０が配置される。

処理領域（第１処理領域）３２０では、図５に示すように、搬送ドラム３１３の周面に沿って搬送されるフィルムＦの径方向外側位置に、搬送ドラム３１３の周方向に沿ってガス供給手段（処理手段）Ｐ１が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ１は、給気ノズルＰ１ａと、ガス供給部Ｐ１ｂとを有する。

給気ノズルＰ１ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦの外側表面に対向して開口する。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム３１３の表面に巻回されたフィルムＦと同心状に配置される。

給気ノズルＰ１ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、給気ノズルＰ１ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、処理領域３２０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿った処理領域３２０の輪郭を規定する。具体的には、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。
また、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、フィルムＦの処理に必要な時間と、搬送されるフィルムＦの移動速度との兼ね合い等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

ガス供給部Ｐ１ｂは、給気ノズルＰ１ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたガス（第１ガス）を給気ノズルＰ１ａに供給する。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段３０９に接続される。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段３０９によって制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向における処理領域３２０の上流には、図５に示すように、排気領域３２２が配置される。
排気領域３２２では、搬送されるフィルムＦの搬送ドラム３１３の径方向外側に排気手段（個別排気手段）Ｖ１が配置される。排気手段Ｖ１は、排気ノズルＶ１ａと、排気部Ｖ１ｂとを有する。

排気ノズルＶ１ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦに対して搬送ドラム３１３の径方向外側の表面に対向して開口する。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム３１３の表面に巻回されたフィルムＦと同心状に配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿った排気領域３２２の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向である搬送ドラム３１３の周方向において、処理領域３２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ１ｂは、排気ノズルＶ１ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域３２０のガスを排気ノズルＶ１ａから排気する。排気部Ｖ１ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ１ｂは、制御手段３０９に接続される。排気部Ｖ１ｂは、制御手段３０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向における処理領域３２０の下流には、図５に示すように、パージ領域３３０の上流に排気領域３２３が配置される。
排気領域３２３では、搬送されるフィルムＦの搬送ドラム３１３の径方向外側に排気手段（個別排気手段）Ｖ２が配置される。排気手段Ｖ２は、排気ノズルＶ２ａと、排気部Ｖ２ｂとを有する。

排気ノズルＶ２ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦに対して搬送ドラム３１３の径方向外側の表面に対向して開口する。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム３１３の表面に巻回されたフィルムＦと同心状に配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿った排気領域３２３の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向である搬送ドラム３１３の周方向において、処理領域３２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ２ｂは、排気ノズルＶ２ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域３２０のガスを排気ノズルＶ２ａから排気する。排気部Ｖ２ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ２ｂは、制御手段２０９に接続される。排気部Ｖ２ｂは、制御手段３０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

排気領域３２２および排気領域３２３は、排気手段Ｖ１および排気手段Ｖ２によって処理領域３２０を排気して、処理領域３２０に対する雰囲気圧力の設定を可能とする。

パージ領域３３０においては、図５に示すように、搬送されるフィルムＦの搬送ドラム３１３の径方向外側にパージガス供給手段Ｐ２が配置される。パージガス供給手段Ｐ２は、パージガスノズルＰ２ａと、パージガス供給部Ｐ２ｂとを有する。

パージガスノズルＰ２ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦに対して搬送ドラム３１３の径方向外側の表面に対向して開口する。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム３１３の表面に巻回されたフィルムＦと同心状に配置される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａ（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）の開口輪郭と同じ距離に配置されてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａ（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）の開口輪郭と異なる距離でもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、パージ領域３３０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿ったパージ領域３３０の輪郭を規定する。具体的には、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの寸法よりも大きく設定される。
パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、給気ノズルＰ１ａの寸法とほぼ同じかこれよりも大きく設定される。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向において、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法とほぼ等しいかこれよりも大きく設定される。
また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向（搬送ドラム３１３の周方向）において、搬送されるフィルムＦの移動速度に関連する処理条件と、処理領域３２０と処理領域３４０とに対するガスの遮断に必要なパージガスの量とから、必要な寸法が設定される。

パージガス供給部Ｐ２ｂは、パージガスノズルＰ２ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたパージガスをパージガスノズルＰ２ａに供給する。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段３０９に接続される。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段３０９によって制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向である搬送ドラム３１３の周方向におけるパージ領域３３０の上流には、図５に示すように、排気領域３２３の下流にパージ排気領域（排気領域）３３２が配置される。
パージ排気領域（排気領域）３３２では、搬送されるフィルムＦの搬送ドラム３１３の径方向外側にパージガス排気手段Ｖ５が配置される。パージガス排気手段Ｖ５は、パージ排気ノズルＶ５ａと、パージ排気部Ｖ５ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ５ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦの表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。
パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭と同じ距離に配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭と異なる距離でもよい。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿ったパージ排気領域３３２の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの寸法よりも大きく設定される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法とほぼ等しいかこれよりも大きく設定される。

また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、パージ排気領域３３２の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、パージガス供給量、処理領域３２０とパージ領域３３０との圧力差等の条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ５ｂは、パージ排気ノズルＶ５ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域３３０のパージガスをパージ排気ノズルＶ５ａから排気する。パージ排気部Ｖ５ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段３０９に接続される。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段３０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向である搬送ドラム３１３の周方向におけるパージ領域３３０の下流には、図５に示すように、処理領域３４０の上流にパージ排気領域３３３が配置される。
パージ排気領域３３３では、搬送されるフィルムＦの上方にパージガス排気手段Ｖ６が配置される。パージガス排気手段Ｖ６は、パージ排気ノズルＶ６ａと、パージ排気部Ｖ６ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ６ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦの表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭と同じ距離に配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭と異なる距離でもよい。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿ったパージ排気領域３３３の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの寸法よりも大きく設定される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、パージ排気ノズルＶ５ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向において、パージ排気領域３３３の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、パージガス供給量、処理領域３２０とパージ領域３３０との圧力差等の条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ６ｂは、パージ排気ノズルＶ６ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ排気領域３３３のガスをパージ排気ノズルＶ６ａから排気する。パージ排気部Ｖ６ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段３０９に接続される。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段３０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

パージ排気領域３３２およびパージ排気領域３３３は、パージガス排気手段Ｖ５およびパージガス排気手段Ｖ６によってパージ領域３３０を排気して、パージ領域３３０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

処理領域（第２処理領域）３４０では、図５に示すように、搬送ドラム３１３の周面に沿って搬送されるフィルムＦの径方向外側位置に、搬送ドラム３１３の周方向に沿ってガス供給手段（処理手段）Ｐ３が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、給気ノズルＰ３ａと、ガス供給部Ｐ３ｂとを有する。
ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１と異なるガスを供給可能である。

給気ノズルＰ３ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦの外側表面に対向して開口する。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム３１３の表面に巻回されたフィルムＦと同心状に配置される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）とほぼ同じ距離に配置されてもよい。また、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

給気ノズルＰ３ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、給気ノズルＰ３ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、処理領域３４０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿った処理領域３４０の輪郭を規定する。具体的には、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭とほぼ等しく設定される。
また、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭は、給気ノズルＰ１ａと同様に、搬送されるフィルムＦの移動方向において、フィルムＦの処理に必要な時間と、搬送されるフィルムＦの移動速度との兼ね合い等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

ガス供給部Ｐ３ｂは、給気ノズルＰ３ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたガス（第２ガス）を給気ノズルＰ３ａに供給する。ガス供給部Ｐ３ｂは、制御手段３０９に接続される。ガス供給部Ｐ３ｂは、制御手段３０９によって制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向における処理領域３４０の上流には、図５に示すように、排気領域３４２が配置される。
排気領域３４２では、搬送ドラム３１３の周方向に沿って搬送されるフィルムＦの搬送ドラム３１３の径方向外側に排気手段（個別排気手段）Ｖ９が配置される。排気手段Ｖ９は、排気ノズルＶ９ａと、排気部Ｖ９ｂとを有する。

排気ノズルＶ９ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦに対して搬送ドラム３１３の径方向外側の表面に対向して開口する。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム３１３の表面に巻回されたフィルムＦと同心状に配置される。排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿った排気領域３４２の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。
排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向において、給気ノズルＰ３ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ９ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向である搬送ドラム３１３の周方向において、処理領域３４０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ９ｂは、排気ノズルＶ９ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域２４０のガスを排気ノズルＶ９ａから排気する。排気部Ｖ９ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ９ｂは、制御手段３０９に接続される。排気部Ｖ９ｂは、制御手段３０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送されるフィルムＦの移動方向における処理領域３４０の下流には、図５に示すように、隔壁３０２の開口３０２ｂの上流に排気領域３４３が配置される。
排気領域３４３では、搬送されるフィルムＦの搬送ドラム３１３の径方向外側に排気手段（個別排気手段）Ｖ１０が配置される。排気手段Ｖ１０は、排気ノズルＶ１０ａと、排気部Ｖ１０ｂとを有する。

排気ノズルＶ１０ａは、図５に示すように、搬送されるフィルムＦに対して搬送ドラム３１３の径方向外側の表面に対向して開口する。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦの表面と平行に搬送ドラム３１３の周方向に沿って配置される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム３１３の表面に巻回されたフィルムＦと同心状に配置される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送されるフィルムＦ表面と搬送ドラム３１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ３ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送ドラム３１３の周面に沿った排気領域３４３の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、フィルムＦの幅寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向において、給気ノズルＰ３ａの寸法よりも大きく設定される。排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向において、排気ノズルＶ９ａの寸法とほぼ等しく設定される。

排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向と直交する搬送ドラム３１３の軸方向（フィルムＦの幅方向）において、給気ノズルＰ３ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ１０ａの開口輪郭は、搬送されるフィルムＦの移動方向である搬送ドラム３１３の周方向において、処理領域３４０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送されるフィルムＦの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ１０ｂは、排気ノズルＶ１０ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域３４０のガスを排気ノズルＶ１０ａから排気する。排気部Ｖ１０ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ１０ｂは、制御手段３０９に接続される。排気部Ｖ１０ｂは、制御手段３０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

排気領域３４２および排気領域３４３は、排気手段Ｖ９および排気手段Ｖ１０によって処理領域３４０を排気して、処理領域３４０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

本実施形態の連続処理装置３００には、図５に示すように、処理室３０１ｂに圧力検出手段Ｐ０ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ０ｃは処理室３０１ｂの圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ０ｃは制御手段３０９に接続される。圧力検出手段Ｐ０ｃは検出した圧力値を制御手段３０９に出力する。

連続処理装置３００には、処理領域３２０に圧力検出手段Ｐ１ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ１ｃは処理領域３２０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ１ｃは制御手段３０９に接続される。圧力検出手段Ｐ１ｃは検出した圧力値を制御手段３０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ１ｃは処理領域３２０の圧力を検出可能であれば、排気領域３２２，３２３に設けることもできる。

連続処理装置３００には、パージ領域３３０に圧力検出手段Ｐ２ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ２ｃはパージ領域３３０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ２ｃは制御手段３０９に接続される。圧力検出手段Ｐ２ｃは検出した圧力値を制御手段３０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ２ｃはパージ領域３３０の圧力を検出可能であれば、パージ排気領域３３２，３３３に設けることもできる。

連続処理装置３００には、処理領域３４０に圧力検出手段Ｐ３ｃが設けられる。圧力検出手段Ｐ３ｃは処理領域３４０の圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ３ｃは制御手段３０９に接続される。圧力検出手段Ｐ３ｃは検出した圧力値を制御手段３０９に出力する。なお、圧力検出手段Ｐ３ｃは処理領域３４０の圧力を検出可能であれば、排気領域３４２，３４３に設けることもできる。

以下、本実施形態の連続処理装置３００における連続処理方法について説明する。

まず、フィルムＦの移動について説明する。
本実施形態の連続処理装置３００は、図５に示すように、外部から巻回されたフィルムＦを巻回室３０１ａに搬入し、送り出し部３１１としてセットする。
また、フィルムＦを、処理室３０１ｂの搬送ドラム３１３に巻回した後、巻回室３０１ａの巻き取り部３１２へと巻き取り可能にセットする。

セットの完了したフィルムＦは、送り出し部３１１による送り出しと、巻き取り部３１２の巻き取りと、搬送ドラム３１３の回転によって移動される。送り出し部３１１と巻き取り部３１２と搬送ドラム３１３との駆動は、制御手段３０９によって同期して制御される。

フィルムＦは、処理室３０１ｂにおいて、排気領域３２２、処理領域３２０、排気領域３２３、パージ排気領域３３２、パージ領域３３０、パージ排気領域３３３、排気領域３４２、処理領域３４０、排気領域３４３、を搬送ドラム３１３の周方向に沿って順に移動してゆく。

これら処理領域３２０、処理領域３４０を通過する間にフィルムＦに連続処理がおこなわれる。処理領域３２０、処理領域３４０においては、フィルムＦはヒータ３０７によって温度が制御される。ヒータ３０７は、制御手段３０９によって連続処理に対応する温度状態に制御される。

さらに、連続処理の終了したフィルムＦは、巻回室３０１ａにおいては、巻き取り部３１２に巻き取られる。
必要であれば、巻回室３０１ａにおいて、巻き取り部３１２に巻き取られる前に、例えばランプユニットとされる加熱部３０６によって加熱される。あるいは、巻回室３０１ａにおいて、巻き取り部３１２に巻き取られる際に、フィルムＦは、例えばランプユニットとされる加熱部３０６によって加熱される。

ここで、フィルムＦがセットされてチャンバ３０１が密閉された後で、一連の処理を開始する前に、全体排気手段を構成する排気ポンプＰ０１によって、チャンバ３０１内が排気されて、所定の真空状態にまで排気される。巻回室３０１ａ、処理室３０１ｂは排気されて、高真空状態とされている。

ここで、例えば排気ポンプＰ０１は、圧力検出手段Ｐ０ｃの出力に基づいた制御手段３０９によって制御される。このとき、排気ポンプＰ０１は、排気バルブ等の開度によってその排気速度が制御される。
この全体排気工程として、排気ポンプＰ０１によるチャンバ３０１内の排気においては、所定の開度、例えば１００％といった開度として排気ポンプＰ０１によるチャンバ３０１内の排気がおこなわれる。

次に、排気ポンプＰ０１における排気バルブの開度として２０％以下に設定する。つまり、処理領域３２０におけるフィルムＦへの処理前には、制御手段３０９が、全体排気手段の排気速度を全体排気工程よりも弱めるように駆動制御する。

次に、排気手段Ｖ１および排気手段Ｖ２によって、排気領域３２２，３２３を排気する。このとき、制御手段３０９は、圧力検出手段Ｐ１ｃの出力に基づいて排気部Ｖ１ｂ，Ｖ２ｂを駆動し、排気ノズルＶ１ａ，Ｖ２ａから排気することで、排気領域３２２，３２３を排気する。排気領域３２２，３２３の排気により、これらに隣接する処理領域３２０が排気される。

ここで、ガス供給手段Ｐ１から所定の処理ガスを処理領域３２０へと供給する。このとき、制御手段３０９はガス供給部Ｐ１ｂを駆動して、給気ノズルＰ１ａから給気することで、処理領域３２０を、所定の処理ガス雰囲気とする。同時に、所定の圧力状態になるようにガス供給部Ｐ１ｂを制御する。

このとき、処理領域３２０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、ガス供給手段Ｐ１から供給される処理ガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、ＡＬＤ処理によって酸化アルミニウム膜を形成する場合には、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）とすることができる。

次に、パージガス排気手段Ｖ５およびパージガス排気手段Ｖ６によって、パージ排気領域３３２，３３３を排気する。このとき、制御手段３０９は、圧力検出手段Ｐ２ｃの出力に基づいてパージ排気部Ｖ５ｂ，Ｖ６ｂを駆動し、パージ排気ノズルＶ５ａ，Ｖ６ａから排気することで、パージ排気領域３３２，３３３を排気する。パージ排気領域３３２，３３３の排気により、これらに隣接するパージ領域３３０が排気される。

ここで、パージガス供給手段Ｐ２から所定のパージガスをパージ領域３３０へと供給する。このとき、制御手段３０９はパージガス供給部Ｐ２ｂを駆動して、パージガスノズルＰ２ａから給気することで、パージ領域３３０を、所定のパージガスで充満された雰囲気とする。同時に、所定のパージガスの圧力状態になるようにパージガス供給部Ｐ２ｂを制御する。

このとき、パージ領域３３０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、パージガス供給手段Ｐ２から供給されるパージガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、窒素ガス（Ｎ_２ガス）とすることができる。あるいは、パージガス供給手段Ｐ２から供給されるパージガスとして、アルゴン等の不活性ガス等を選択することもできる。

次に、排気手段Ｖ９および排気手段Ｖ１０によって、排気領域３４２，３４３を排気する。このとき、制御手段３０９は、圧力検出手段Ｐ３ｃの出力に基づいて排気部Ｖ９ｂ，Ｖ１０ｂを駆動し、排気ノズルＶ９ａ，Ｖ１０ａから排気することで、排気領域３４２，３４３を排気する。排気領域３４２，３４３の排気により、これらに隣接する処理領域３４０が排気される。

ここで、ガス供給手段Ｐ３から所定の処理ガスを処理領域３４０へと供給する。このとき、制御手段３０９はガス供給部Ｐ３ｂを駆動して、給気ノズルＰ３ａから給気することで、処理領域３４０を、所定の処理ガス雰囲気とする。同時に、所定の圧力状態になるようにガス供給部Ｐ３ｂを制御する。

このとき、処理領域３４０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
なお、ガス供給手段Ｐ３から供給される処理ガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、ＡＬＤ処理によって酸化アルミニウム膜を形成する場合には、ガス供給手段Ｐ１から供給されるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）に対応して、Ｈ_２Ｏガスとすることができる。

この状態で、所定の時間、処理ガス雰囲気を維持するように、フィルムＦを処理領域３２０および処理領域３４０内で移動させ、酸化アルミニウムとなる原子積層膜を単層で形成した後、巻回室３０１ａにおいて、例えばランプユニットとされる加熱部３０６によってフィルムＦを加熱して、酸化アルミニウム膜の改質をおこなう。

さらに、必要な膜厚を得るために上記の連続処理を複数回繰り返す。この場合、上記の連続処理装置３００において、送り出し部３１１と巻き取り部３１２とを入れ替えて、上記の原子単層となる成膜を繰り返すことができる。
ここで、単層成膜に対する連続処理工程の前には、全体排気工程と、全体排気工程よりも全体排気手段を弱める工程とをおこなう。

または、上記の連続処理装置３００を連結することなく、単層成膜に対する連続処理工程が終了した後、ガス供給手段Ｐ１，Ｐ３からの処理ガス供給、および、パージガス供給手段Ｐ２からのパージガス供給を停止して、移動手段３１０である送り出し部３１１と巻き取り部３１２とを逆方向に駆動するとともに、搬送ドラム３１３の回転方向を逆向きにして、処理領域３２０と処理領域３４０とで供給するガスを入れ替えることもできる。さらに、この場合には、必要回数連続処理を繰り返すことができる。

本実施形態の連続処理装置３００においては、処理領域３２０のガスが個別排気手段Ｖ１，Ｖ２によって排気領域３２２，３２３から排気されることで、処理領域３２０のガスが隣の処理領域３４０へと到達することを防止する。同時に、処理領域３４０のガスが個別排気手段Ｖ９，Ｖ１０によって排気領域３４２，３４３から排気されることで、処理領域２４０のガスが隣の処理領域３２０へと到達することを防止する。
したがって、処理領域３２０および処理領域３４０において、それぞれコンタミネーションが発生することを防止できる。

ここで、全体排気手段である排気ポンプＰ０１によってチャンバ３０１全体を処理雰囲気圧力とする全体排気工程における排気を、全体排気工程後に弱めてフィルムＦの処理をおこなうことで、処理領域３２０，３４０における排気速度を個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０によって主として設定することが可能となる。これにより、処理領域３２０，３４０においては個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０による排気を支配的として、全体排気手段Ｐ０１が個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０による排気に干渉することを防止して、処理領域３２０，３４０の圧力を好適に設定することが可能となる。

また、複数のガス供給手段Ｐ１およびガス供給手段Ｐ３の間である境界付近に、それぞれ個別排気手段Ｖ２，Ｖ９で排気する排気領域３２３，３４２を設けることで、処理領域３２０、処理領域３４０間でのコンタミネーション発生を防止することができる。ここで、フィルムＦの処理工程の実施中には、個別排気手段Ｖ２，Ｖ９による排気が支配的になるように全体排気手段Ｐ０１の排気を制御手段３０９は制御することで、フィルムＦの処理中であってもチャンバ３０１内全体を排気する全体排気手段Ｐ０１と個別排気手段Ｖ２，Ｖ９とが干渉して、処理領域３２０，３４０の圧力を制御することが難しくなることを回避することができる。

また、それぞれのガス供給手段Ｐ１，Ｐ３から処理領域３２０，３４０毎に異なる処理ガスを給気しても、排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０によって隣の処理領域３２０，３４０に給気されたガスが侵入してしまうことを防止できる。したがって、異なる処理領域３２０，３４０で異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理において、コンタミネーションを防止することが可能となる。特に、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；原子層堆積法）などの処理に適用した場合にコンタミネーションを防止して、膜特性の向上を図ることが可能となる。

また、第１ガスの供給された第１処理領域３２０と、排気領域３２２，３２３と、第２ガスの供給された第２処理領域３４０と、排気領域３４２，３４３と、を順に基体が移動することで、異なるガスを順に供給することが必要な成膜処理、例えばＡＬＤによる成膜処理をおこなうことが可能となる。

圧力検出手段Ｐ０ｃ、Ｐ１ｃによって、処理領域３２０から排気領域３２２，３２３へと向かうガス流の状態を検出して、全体排気手段Ｐ０１と個別排気手段Ｖ１，Ｖ２との駆動状態を適宜制御することが可能となる。同様に、圧力検出手段Ｐ０ｃ、Ｐ３ｃによって、処理領域３４０から排気領域３４２，３４３へと向かうガス流の状態を検出して、全体排気手段Ｐ０１と個別排気手段Ｖ９，Ｖ１０との駆動状態を適宜制御することが可能となる。

処理領域３２０，３４０におけるガス状態制御、つまり、全体排気手段Ｐ０１と個別排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０との排気量あるいは排気速度のバランスを取り、処理領域３２０，３４０における圧力およびガス流の制御を確実におこなうことが可能となる。また、処理領域３２０，３４０におけるガス流およびガス圧力の変動に対応することもできる。

パージ領域３３０によって、隣接する処理領域３２０と処理領域３４０とで異なるガスを用いて連続的に処理をおこなう連続処理であっても、パージガスが供給されてパージ排気領域３３２，３３３から排気されるパージ領域３３０を越えて、処理領域３２０，３４０のガスが互いに到達してしまうことを防止して、コンタミネーションの発生を防止することが可能となる。

なお、本実施形態においても、上述した第３実施形態のように、処理領域３２０，３４０およびパージ領域３３０に対して、フィルムＦの移動方向に対して横位置となる排気領域、つまり、搬送ドラム３１３の軸方向両端位置に対応する排気領域およびパージ排気領域を追加して設けることもできる、
この場合、追加する排気領域およびパージ排気領域は、処理領域３２０，３４０およびパージ領域３３０を、それぞれ上下から覆うように回転軸線の直交方向に延在するように配置することができる。

以下、本発明に係る連続処理装置の第５実施形態を、図面に基づいて説明する。
図６は、本実施形態における連続処理装置を示す模式側面図である。図７は、本実施形態の連続処理装置における排気領域等の配置を示す模式上面図である。なお、図６においては、処理領域４２０、回転軸４１２および搬送ドラム（載置部）４１３、パージ領域４３０、排気領域４２４，４２５、パージ排気領域４３４，４３５他の位置関係を示すように厳密な側面とは変形して示している。
本実施形態において上述した第４実施形態と異なるのは基板（基体）および移動手段および処理領域の数に関する点である。

本実施形態の連続処理装置４００においては、複数の基板（基体）Ｗを搬送ドラム（載置部）の外周面に配置して連続処理をおこなう。
本実施形態の連続処理装置４００は、図６，図７に示すように、チャンバ４０１と、搬送ドラム部（移動手段）４１０と、処理領域４２０と、パージ領域４３０と、処理領域４４０と、パージ領域４５０と、制御手段４０９と、を有する。

本実施形態の連続処理装置４００においては、処理領域４２０と、パージ領域４３０と、処理領域４４０と、パージ領域４５０と、が二組設けられる。本実施形態の連続処理装置４００においては、基板Ｗに対する連続処理を繰り返しておこなうことができる。

チャンバ４０１は、図６に示すように、真空状態に密閉可能であり、内部で連続処理をおこなう処理室とされている。

搬送ドラム部（移動手段）４１０は、図６，図７に示すように、搬送ドラム（載置部）４１３と、搬送ドラム（載置部）４１３を回転する回転軸４１２と、回転軸４１２を駆動する駆動部４１４とを有する。

搬送ドラム（載置部）４１３は、図６，図７に示すように、処理室であるチャンバ４０１内に配置される。回転軸４１２は、チャンバ４０１の天井部４０１ａと底部４０１ｂとを回転可能に貫通する。駆動部４１４は、チャンバ４０１の外部に配置される。駆動部４１４は制御手段４０９に接続される。駆動部４１４は、制御手段４０９によって制御される。

搬送ドラム４１３は、処理室であるチャンバ４０１内に回転軸線が鉛直方向に沿って設けられる。搬送ドラム４１３は、その外周表面に複数の基板Ｗを配置した状態で回転する。平板となる基板Ｗの処理面は、搬送ドラム４１３の回転にともなって回転軸線の周りを回転する。

搬送ドラム４１３は、平板である基板Ｗを回転するために、その側面が基板Ｗに沿って、角柱とされることができる。あるいは、搬送ドラム４１３は、円柱状とされて、基板Ｗを回転軸線周りに、搬送ドラム４１３の径方向と直交する角度で固定することができる。これらの場合、搬送ドラム４１３は、側周面に基板ホルダ等を設けた柱状とすることもできる。

さらに、搬送ドラム４１３は、基板Ｗの固定を容易にするために、上方に向けて径寸法がわずかに小さくなるように、円錐台、角柱台等の概形を有することもできる。この場合、搬送ドラム４１３は、角柱台となる側面に基板載置部としての凹部を設けておくこともできる。

本実施形態においては、搬送ドラム４１３は、回転軸線周りに８側面を有する八角柱とされる。
搬送ドラム４１３が角柱とされた場合には、角度の異なる側面ごとに、複数枚の基板Ｗを固定して、複数枚の基板Ｗを同時に同一の処理可能とすることもできる。本実施形態においては、搬送ドラム４１３の一側面において縦方向に３枚の基板Ｗを配置して、これらを同一の処理工程として処理することができる。
さらに、搬送ドラム４１３が角柱とされた場合には、周方向に隣接する、あるいは、周方向に離間した角柱の側面においては、それぞれ異なる処理工程を同時におこなうことができる。

本実施形態においては、回転する搬送ドラム４１３の周方向が、基板Ｗの移動方向となる。したがって、搬送ドラム４１３は、基板Ｗの移動方向と直交する回転軸線を有する。

搬送ドラム部（移動手段）４１０には、図６，図７に示すように、処理室であるチャンバ４０１内で処理される基板Ｗに近接する位置にヒータ４０７が配置される。ヒータ４０７は、搬送ドラム４１３の側面に埋め込まれる。ヒータ４０７は、処理領域４２０，４４０において基板Ｗを加熱可能とされている。ヒータ４０７は、搬送ドラム４１３の径方向視して基板Ｗと重なる側面範囲を加熱可能に配置される。つまり、搬送ドラム４１３の側面において、基板載置部あるいは、基板ホルダ等に対応する位置に設けられる。
ヒータ４０７は制御手段４０９に接続される。ヒータ４０７は、制御手段４０９によって制御される。

処理室であるチャンバ４０１には、図６，図７に示すように、排気ポンプＰ０１が設けられる。チャンバ４０１は排気ポンプＰ０１によって排気される。排気ポンプＰ０１は、ゲートバルブを介して処理室であるチャンバ４０１に接続される。排気ポンプＰ０１は制御手段４０９に接続される。排気ポンプＰ０１は、制御手段４０９によって制御される。
排気ポンプＰ０１によって、チャンバ４０１内が排気される。排気ポンプＰ０１は、全体排気手段を構成する。

処理室であるチャンバ４０１において、搬送ドラム４１３の側面の径方向外側位置には、処理領域４２０と、パージ領域４３０と、処理領域４４０と、パージ領域４５０と、が二組配置される。処理領域４２０と、パージ領域４３０と、処理領域４４０と、パージ領域４３０とは、搬送ドラム４１３の側周面に沿って配置される。処理領域４２０と、パージ領域４３０と、処理領域４４０と、パージ領域４３０とは、搬送ドラム４１３の側周面に対向する。処理領域４２０と、パージ領域４３０と、処理領域４４０と、パージ領域４３０とは、搬送ドラム４１３の移動方向に互いに隣接して配置される。

搬送ドラム４１３の周方向における基板Ｗの移動方向で、処理領域４２０の下流には、図７に示すように、パージ領域４３０が配置される。搬送ドラム４１３の周方向における基板Ｗの移動方向で、パージ領域４３０の下流には処理領域４４０が配置される。搬送ドラム４１３の周方向における基板Ｗの移動方向で、処理領域４４０の下流にはパージ領域４５０が配置される。

さらに、搬送ドラム４１３の周方向における基板Ｗの移動方向で、パージ領域４５０の下流には、他の組となる処理領域４２０が配置される。また、搬送ドラム４１３の周方向における基板Ｗの移動方向で、処理領域４２０の上流には他の組のパージ領域４５０が配置される。
したがって、本実施形態における角柱状の搬送ドラム４１３の周方向には、４つの処理領域４２０，４４０と、４つのパージ領域４３０，４５０とが交互に配置される。

処理領域（第１処理領域）４２０では、図６，図７に示すように、搬送ドラム４１３の側面の径方向外側位置に、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ１は、給気ノズルＰ１ａと、ガス供給部Ｐ１ｂとを有する。

給気ノズルＰ１ａは、図６，図７に示すように、搬送される基板Ｗの外側表面に対向して開口する。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの移動軌跡と平行に搬送ドラム４１３の周方向に沿って配置される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の表面に固定された複数の基板Ｗの移動軌跡と同心状に配置される。

給気ノズルＰ１ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、給気ノズルＰ１ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、処理領域４２０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の側周面に沿った処理領域４２０の輪郭を規定する。具体的には、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、基板Ｗの最大幅寸法よりも大きく設定される。
また、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向において、基板Ｗの処理に必要な時間と、搬送される基板Ｗの移動速度との兼ね合い等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

ガス供給部Ｐ１ｂは、給気ノズルＰ１ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたガス（第１ガス）を給気ノズルＰ１ａに供給する。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段４０９に接続される。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段４０９によって制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向における処理領域４２０の上流には、図６，図７に示すように、排気領域４２２が配置される。
排気領域４２２では、搬送される基板Ｗの搬送ドラム４１３の径方向外側に排気手段（個別排気手段）Ｖ１が配置される。排気手段Ｖ１は、排気ノズルＶ１ａと、排気部Ｖ１ｂとを有する。

排気ノズルＶ１ａは、図６，図７に示すように、搬送される基板Ｗに対して搬送ドラム４１３の径方向外側の表面に対向して開口する。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの表面の移動軌跡と平行に搬送ドラム４１３の周方向に沿って配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側面と同心状に配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の周面に沿った排気領域４２２の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、基板Ｗの最大寸法よりも大きく設定される。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送ドラム４１３の周方向において、処理領域４２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送される基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ１ｂは、排気ノズルＶ１ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域４２０のガスを排気ノズルＶ１ａから排気する。排気部Ｖ１ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ１ｂは、制御手段４０９に接続される。排気部Ｖ１ｂは、制御手段４０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向における処理領域４２０の下流には、図６，図７に示すように、パージ領域４３０の上流に排気領域４２３が配置される。
排気領域４２３では、搬送される基板Ｗの搬送ドラム４１３の径方向外側に排気手段（個別排気手段）Ｖ２が配置される。排気手段Ｖ２は、排気ノズルＶ２ａと、排気部Ｖ２ｂとを有する。

排気ノズルＶ２ａは、図６，図７に示すように、搬送される基板Ｗに対して搬送ドラム４１３の径方向外側の表面に対向して開口する。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの表面と平行に搬送ドラム４１３の周方向に沿って配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側面と同心状に配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）および排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の周面に沿った排気領域４２３の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、基板Ｗの最大幅寸法よりも大きく設定される。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送ドラム４１３の周方向において、処理領域４２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送される基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ２ｂは、排気ノズルＶ２ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域４２０のガスを排気ノズルＶ２ａから排気する。排気部Ｖ２ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ２ｂは、制御手段２０９に接続される。排気部Ｖ２ｂは、制御手段４０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向における処理領域４２０の左手位置には、図６，図７に示すように、排気領域４２４が配置される。
排気領域４２４では、搬送される基板Ｗの搬送ドラム４１３の径方向外側に排気手段（個別排気手段）Ｖ３が配置される。排気手段Ｖ３は、排気ノズルＶ３ａと、排気部Ｖ３ｂとを有する。

排気ノズルＶ３ａは、図６，図７に示すように、搬送ドラム４１３の径方向外側の表面に対向して開口する。排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の上縁部に沿って周方向に配置される。排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側面と同心状に配置される。排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）の寸法は、搬送ドラム４１３の周方向において、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ寸法に設定される。
排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

排気ノズルＶ３ａは、搬送ドラム４１３の周方向における両端が、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａに接することができる。
排気ノズルＶ３ａの開口輪郭（開口縁部）は、基板Ｗの移動方向と直交する幅方向において、搬送ドラム４１３の周方向における、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法と同じかやや小さく設定することができる。
また、排気ノズルＶ３ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の周方向において、処理領域４２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域４４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ３ｂは、排気ノズルＶ３ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域４２０のガスを排気ノズルＶ３ａから排気する。排気部Ｖ３ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ３ｂは、制御手段４０９に接続される。排気部Ｖ３ｂは、制御手段４０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向における処理領域４２０の右手位置には、図６，図７に示すように、排気領域４２５が配置される。
排気領域４２５では、搬送される基板Ｗの搬送ドラム４１３の径方向外側に排気手段（個別排気手段）Ｖ４が配置される。排気手段Ｖ４は、排気ノズルＶ４ａと、排気部Ｖ４ｂとを有する。

排気ノズルＶ４ａは、図６，図７に示すように、搬送ドラム４１３の径方向外側の表面に対向して開口する。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の下縁部に沿って周方向に配置される。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側面と同心状に配置される。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）の寸法は、搬送ドラム４１３の周方向において、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ寸法に設定される。
排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

排気ノズルＶ４ａは、搬送ドラム４１３の周方向における両端が、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａに接することができる。
排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、基板Ｗの移動方向と直交する幅方向において、搬送ドラム４１３の周方向における、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａの寸法と同じかやや小さく設定することができる。
また、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の周方向において、処理領域４２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域４４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ４ｂは、排気ノズルＶ４ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域４２０のガスを排気ノズルＶ４ａから排気する。排気部Ｖ４ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ４ｂは、制御手段４０９に接続される。排気部Ｖ４ｂは、制御手段４０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

処理領域４２０を囲む排気領域４２２～４２５は、排気手段Ｖ１～Ｖ４によって処理領域４２０を排気して、処理領域４２０に対する雰囲気圧力の設定を可能とする。

パージ領域４３０は、図６，図７に示すように、搬送ドラム４１３の移動方向で処理領域４２０の下流に排気領域４２３を挟んで配置される。パージ領域４３０においては、搬送ドラム４１３の側面の径方向外側にパージガス供給手段Ｐ２が配置される。パージガス供給手段Ｐ２は、パージガスノズルＰ２ａと、パージガス供給部Ｐ２ｂとを有する。

パージガスノズルＰ２ａは、搬送される基板Ｗの外側表面に対向して開口する。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの移動軌跡と平行に搬送ドラム４１３の周方向に沿って配置される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の表面に固定された複数の基板Ｗの移動軌跡と同心状に配置される。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側周面と同心状に配置される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、パージ領域４３０へのパージガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の側周面に沿ったパージ領域４３０の輪郭を規定する。具体的には、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、基板Ｗの最大幅寸法よりも大きく設定される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、給気ノズルＰ１ａの寸法とほぼ同じかこれよりも大きく設定される。

また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向において、基板Ｗの処理に必要な時間と、搬送される基板Ｗの移動速度との兼ね合い等の処理条件と、処理領域４２０と処理領域４４０とに対するガスの遮断に必要なパージガスの量とから、必要な寸法が設定される。

パージガス供給部Ｐ２ｂは、パージガスノズルＰ２ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたパージガスをパージガスノズルＰ２ａに供給する。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段４０９に接続される。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段４０９によって制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向である搬送ドラム４１３の周方向において、パージ領域４３０の上流には、図６，図７に示すように、パージ排気領域（排気領域）４３２が配置される。
パージ排気領域４３２では、搬送される基板Ｗの搬送ドラム４１３の径方向外側にパージガス排気手段（個別排気手段）Ｖ５が配置される。パージガス排気手段Ｖ５は、パージ排気ノズルＶ５ａと、パージ排気部Ｖ５ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ５ａは、図６，図７に示すように、搬送される基板Ｗに対して搬送ドラム４１３の径方向外側の表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの表面の移動軌跡と平行に搬送ドラム４１３の周方向に沿って配置される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側面と同心状に配置される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭と同じ距離に配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭と異なる距離でもよい。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の周面に沿ったパージ排気領域４３２の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、基板Ｗの最大寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。
また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送ドラム４１３の周方向において、パージ領域４３０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送される基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ５ｂは、パージ排気ノズルＶ５ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域４３０のパージガスをパージ排気ノズルＶ５ａから排気する。パージ排気部Ｖ５ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段４０９に接続される。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段４０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向である搬送ドラム４１３の周方向において、パージ領域４３０の下流には、図６，図７に示すように、処理領域４４０の上流にパージ排気領域（排気領域）４３３が配置される。
パージ排気領域４３３では、搬送される基板Ｗの搬送ドラム４１３の径方向外側にパージガス排気手段（個別排気手段）Ｖ６が配置される。パージガス排気手段Ｖ６は、パージ排気ノズルＶ６ａと、パージ排気部Ｖ６ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ６ａは、図６，図７に示すように、搬送される基板Ｗに対して搬送ドラム４１３の径方向外側の表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの表面の移動軌跡と平行に搬送ドラム４１３の周方向に沿って配置される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側面と同心状に配置される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭と同じ距離に配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭と異なる距離でもよい。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の周面に沿ったパージ排気領域４３３の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、基板Ｗの最大寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。
パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送ドラム４１３の軸方向（鉛直方向）において、パージ排気ノズルＶ５ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送ドラム４１３の周方向において、パージ領域４３０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送される基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ６ｂは、パージ排気ノズルＶ６ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ排気領域４３３のガスをパージ排気ノズルＶ６ａから排気する。パージ排気部Ｖ６ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段４０９に接続される。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段４０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向におけるパージ領域４３０の左手位置には、図６，図７に示すように、パージ排気領域４３４が配置される。
パージ排気領域４３４では、搬送される基板Ｗの搬送ドラム４１３の径方向外側にパージガス排気手段（個別排気手段）Ｖ７が配置される。パージガス排気手段Ｖ７は、パージ排気ノズルＶ７ａと、パージ排気部Ｖ７ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ７ａは、図６，図７に示すように、排気ノズルＶ３ａと同様、搬送ドラム４１３の径方向外側の表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の上縁部に沿って周方向に配置される。パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側面と同心状に配置される。パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）の寸法は、搬送ドラム４１３の周方向において、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ寸法に設定される。
パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

パージ排気ノズルＶ７ａは、搬送ドラム４１３の周方向における両端が、パージ排気ノズルＶ５ａおよびパージ排気ノズルＶ６ａに接することができる。
パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、基板Ｗの移動方向と直交する幅方向において、搬送ドラム４１３の周方向における、パージ排気ノズルＶ５ａおよびパージ排気ノズルＶ６ａの寸法と同じかやや小さく設定することができる。
また、パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の周方向において、パージ領域４３０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、基板Ｗの移動速度、パージガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域４２０，４４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ７ｂは、パージ排気ノズルＶ７ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域４３０のパージガスをパージ排気ノズルＶ７ａから排気する。パージ排気部Ｖ７ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ７ｂは、制御手段４０９に接続される。パージ排気部Ｖ７ｂは、制御手段４０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向におけるパージ領域４３０の右手位置には、図６，図７に示すように、パージ排気領域４３５が配置される。
パージ排気領域４３５では、搬送される基板Ｗの搬送ドラム４１３の径方向外側にパージガス排気手段（個別排気手段）Ｖ８が配置される。パージガス排気手段Ｖ８は、パージ排気ノズルＶ８ａと、パージ排気部Ｖ８ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ８ａは、図６，図７に示すように、排気ノズルＶ４ａと同様に、搬送ドラム４１３の径方向外側の表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の下縁部に沿って周方向に配置される。パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が周方向に等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送ドラム４１３の側面と同心状に配置される。パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）の寸法は、搬送ドラム４１３の周方向において、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ寸法に設定される。
パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡と搬送ドラム４１３の径方向に離間する距離が、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる距離でもよい。

パージ排気ノズルＶ８ａは、搬送ドラム４１３の周方向における両端が、パージ排気ノズルＶ５ａおよびパージ排気ノズルＶ６ａに接することができる。
パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、基板Ｗの移動方向と直交する幅方向において、搬送ドラム４１３の周方向における、パージ排気ノズルＶ５ａおよびパージ排気ノズルＶ６ａの寸法と同じかやや小さく設定することができる。
また、パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭は、搬送ドラム４１３の周方向において、パージ領域４３０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、基板Ｗの移動速度、パージガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域４２０，４４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ８ｂは、パージ排気ノズルＶ８ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域４３０のガスをパージ排気ノズルＶ８ａから排気する。パージ排気部Ｖ８ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ８ｂは、制御手段４０９に接続される。パージ排気部Ｖ８ｂは、制御手段４０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

パージ領域４３０を囲むパージ排気領域４３２～４３５は、パージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８によってパージ領域４３０を排気して、パージ領域４３０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

搬送される基板Ｗの移動方向である搬送ドラム４１３の周方向において、パージ領域４３０の下流には、図６，図７に示すように、パージ排気領域（排気領域）４３３の下流に処理領域４４０が配置される。

処理領域（第２処理領域）４４０では、図６，図７に示すように、搬送ドラム４１３の側周面の径方向外側位置に、搬送ドラム４１３の周方向に沿ってガス供給手段（処理手段）Ｐ３が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、給気ノズルＰ３ａと、ガス供給部Ｐ３ｂとを有する。
ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１と異なるガスを供給可能である。

処理領域４４０は、搬送ドラム４１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、処理領域４２０と同等の構成とされる。また、ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、給気ノズルＰ３ａと、ガス供給部Ｐ３ｂとも、搬送ドラム４１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１と、給気ノズルＰ１ａと、ガス供給部Ｐ１ｂと同等の構成とされる。

処理領域４４０には、処理領域４２０に対する排気領域４２２，４２３，４２４，４２５と同様に、搬送ドラム４１３の径方向視して、その周囲に、排気領域４４２，４４３，４４４，４４５が配置される。
排気領域４４２，４４３，４４４，４４５は、搬送ドラム４１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、排気領域４２２，４２３，４２４，４２５と同等の構成とされる。

これに伴って、排気領域４４２，４４３，４４４，４４５には、排気手段Ｖ９～Ｖ１２が設けられる。
排気手段Ｖ９～Ｖ１２は、排気ノズルＶ９ａ～Ｖ１２ａと、排気部Ｖ９ｂ～Ｖ１２ｂとを有する。排気手段Ｖ９～Ｖ１２、排気ノズルＶ９ａ～Ｖ１２ａ、排気部Ｖ９ｂ～Ｖ１２ｂは、搬送ドラム４１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、排気手段Ｖ１～Ｖ４、排気ノズルＶ１ａ～Ｖ４ａ、排気部Ｖ１ｂ～Ｖ４ｂと同等の構成とされる。

搬送される基板Ｗの移動方向である搬送ドラム４１３の周方向において、処理領域４４０の下流には、図６，図７に示すように、排気領域４４３の下流にパージ領域４５０が配置される。

パージ領域４５０は、搬送ドラム４１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、パージ領域４３０と同等の構成とされる。パージ領域４５０には、パージガス供給手段Ｐ４、パージガスノズルＰ４ａ、パージガス供給部Ｐ４ｂを有する。パージガス供給手段Ｐ４、パージガスノズルＰ４ａ、パージガス供給部Ｐ４ｂも、搬送ドラム４１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、パージガス供給手段Ｐ２、パージガスノズルＰ２ａ、パージガス供給部Ｐ２ｂと同等の構成とされる。

パージ領域４５０には、パージ領域４３０に対するパージ排気領域４３２，４３３，４３４，４３５と同様に、搬送ドラム４１３の径方向視して、その周囲に、パージ排気領域４５２，４５３，４５４，４５５が配置される。
パージ排気領域４５２，４５３，４５４，４５５は、搬送ドラム４１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、パージ排気領域４３２，４３３，４３４，４３５と同等の構成とされる。

これに伴って、パージ排気領域４５２，４５３，４５４，４５５には、パージガス排気手段Ｖ１３～Ｖ１６が設けられる。
パージガス排気手段Ｖ１３～Ｖ１６は、パージ排気ノズルＶ１３ａ～Ｖ１６ａと、パージ排気部Ｖ１３ｂ～Ｖ１６ｂとを有する。パージガス排気手段Ｖ１３～Ｖ１６、パージ排気ノズルＶ１３ａ～Ｖ１６ａ、パージ排気部Ｖ１３ｂ～Ｖ１６ｂは、搬送ドラム４１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、パージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８、パージ排気ノズルＶ５ａ～Ｖ８ａ、パージ排気部Ｖ５ｂ～Ｖ８ｂと同等の構成とされる。

本実施形態の連続処理装置４００において、図６，図７に示すように、処理室となるチャンバ４０１には、圧力検出手段Ｐ０ｃが設けられる。同様に、処理領域４２０には、圧力検出手段Ｐ１ｃが設けられる。パージ領域４３０には、圧力検出手段Ｐ２ｃが設けられる。処理領域４４０には、圧力検出手段Ｐ３ｃが設けられる。パージ領域４５０には、圧力検出手段Ｐ４ｃが設けられる。
これら圧力検出手段Ｐ０ｃ～Ｐ４ｃは配置された位置における雰囲気圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ０ｃ～Ｐ４ｃはいずれも制御手段４０９に接続される。圧力検出手段Ｐ０ｃ～Ｐ４ｃは検出したそれぞれの圧力値を制御手段４０９に出力する。

以下、本実施形態の連続処理装置４００における連続処理方法について説明する。

まず、基板Ｗの移動について説明する。
本実施形態の連続処理装置４００は、図６に示すように、外部から複数の基板Ｗをチャンバ４０１に搬入し、搬送ドラム４１３の側周面の所定位置にセットする。または、複数の基板Ｗがセットされた搬送ドラム４１３をチャンバ４０１に搬入して取り付ける。

この状態で、制御手段４０９の制御によって駆動部４１４を駆動することにより、回転軸４１２を介して搬送ドラム４１３を回転駆動する。
すると、複数の基板Ｗは、搬送ドラム４１３の回転にしたがって、排気領域４２２、処理領域４２０、排気領域４２３、パージ排気領域４３２、パージ領域４３０、パージ排気領域４３３、排気領域４４２、処理領域４４０、排気領域４４３、パージ排気領域４５２、パージ領域４５０、パージ排気領域４５３、を搬送ドラム４１３の周方向に沿って順に移動してゆく。

これら処理領域４２０、処理領域４４０を通過する間に基板Ｗに連続処理がおこなわれる。処理領域４２０、処理領域４４０においては、基板Ｗはヒータ４０７によって温度が制御される。ヒータ４０７は、制御手段４０９によって連続処理に対応する温度状態に制御される。

ここで、搬送ドラム４１３の周囲には、二組の処理領域４２０，４４０が配置されているので、搬送ドラム４１３が一回転するごとに、二組の処理領域４２０，４４０を通過することができる。
さらに、搬送ドラム４１３を回転し続けることにより、複数の基板Ｗは、これらの排気領域４２２からパージ排気領域４５３までを繰り返して通過する。

一連の処理が終了した基板Ｗは、チャンバ４０１から外部へ搬出される。

ここで、複数の基板Ｗがセットされてチャンバ４０１が密閉された後で、一連の処理を開始する前に、全体排気手段を構成する排気ポンプＰ０１によって、チャンバ４０１内が排気されて、所定の真空状態にまで排気される。

ここで、例えば排気ポンプＰ０１は、圧力検出手段Ｐ０ｃの出力に基づいた制御手段４０９によって制御される。このとき、排気ポンプＰ０１は、排気バルブ等の開度によってその排気速度が制御される。
この全体排気工程として、排気ポンプＰ０１によるチャンバ４０１内の排気においては、所定の開度、例えば１００％といった開度として排気ポンプＰ０１によるチャンバ４０１内の排気がおこなわれる。

次に、排気ポンプＰ０１における排気バルブの開度として２０％以下に設定する。つまり、処理領域４２０，４４０における複数の基板Ｗへの処理前には、制御手段４０９が、全体排気手段の排気速度を全体排気工程よりも弱めるように駆動制御する。

次に、排気手段Ｖ１～Ｖ４，Ｖ９～Ｖ１２およびパージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８，Ｖ１３～Ｖ１６によって、排気領域４２２～４４５およびパージ排気領域４３２～４５５を排気する。このとき、制御手段４０９は、圧力検出手段Ｐ１ｃ～Ｐ４ｃの出力に基づいて排気部Ｖ１ｂ～Ｖ１２ｂおよびパージ排気部Ｖ５ｂ～Ｖ１６ｂを駆動し、排気ノズルＶ１ａ～Ｖ１２ａおよびパージ排気ノズルＶ５ａ～Ｖ１６ａから排気することで、これらに隣接する処理領域４２０，４４０およびパージ領域４３０，４５０が排気される。

ここで、ガス供給手段Ｐ１，Ｐ３から所定の処理ガスを処理領域４２０，４４０へと供給する。同時に、パージガス供給手段Ｐ２，Ｐ４から所定のパージガスをパージ領域４３０，４５０へと供給する。
このとき、制御手段４０９はガス供給部Ｐ１ｂ，Ｐ３ｂおよびパージガス供給部Ｐ２ｂ，Ｐ４ｂを駆動して、処理領域４２０，４４０およびパージ領域４３０，４５０を、所定のガス雰囲気とする。同時に、これらが所定の圧力状態になるように制御する。

例えば、処理領域４２０では、ガス供給手段Ｐ１から供給される処理ガスの流量が、排気手段Ｖ１～Ｖ４によって排気される排気量に対して、所定の範囲、具体的には、±１０％以内となるように制御される。つまり、ガス供給手段Ｐ１の給気量と排気手段Ｖ１～Ｖ４の排気量とは、互いにほぼ等しく設定される。
このとき、処理領域４２０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
処理領域４４０においても同様の制御がおこなわれる。

また、パージガス供給手段Ｐ２，Ｐ４から供給されるパージガスの流量は、パージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８，Ｖ１３～Ｖ１６によって排気される排気量に対して、所定の範囲、具体的には、±１０％以内となるように制御される。つまり、パージガス供給手段Ｐ２，Ｐ４の給気量とパージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８，Ｖ１３～Ｖ１６の排気量とは、それぞれが互いにほぼ等しく設定される。

例えば、パージ領域４３０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
パージ領域４５０においても同様の制御がおこなわれる。

なお、ガス供給手段Ｐ１から供給される処理ガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、ＡＬＤ処理によって酸化アルミニウム膜を形成する場合には、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）とすることができる。

ガス供給手段Ｐ３から供給される処理ガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、ＡＬＤ処理によって酸化アルミニウム膜を形成する場合には、ガス供給手段Ｐ１から供給されるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）に対応して、Ｈ_２Ｏガスとすることができる。

また、パージガス供給手段Ｐ２，Ｐ４から供給されるパージガスとしては、処理の内容によって適宜選択することができるが、例えば、窒素ガス（Ｎ_２ガス）とすることができる。あるいは、パージガス供給手段Ｐ２，Ｐ４から供給されるパージガスとして、アルゴン等の不活性ガス等を選択することもできる。

この状態で、所定の時間、処理ガス雰囲気を維持するように、基板Ｗを処理領域４２０および処理領域４４０内で移動させ、酸化アルミニウムとなる原子積層膜を単層で形成する。さらに、酸化アルミニウム膜の改質をおこなうこともできる。この場合、チャンバ４０１に加熱手段を配置することもできる。

さらに、搬送ドラム４１３を所定回数回転して、上記の連続処理を複数回繰り返す。これにより、必要な膜厚を得ることができる。
ここで、単層成膜に対する連続処理工程を開始する前には、全体排気工程と、全体排気工程よりも全体排気手段を弱める工程とをおこなう。

以下、本発明に係る連続処理装置の第６実施形態を、図面に基づいて説明する。
図８は、本実施形態における連続処理装置を示す模式側面図である。図９は、本実施形態における連続処理装置の処理領域等の配置を示す模式上面図である。
本実施形態の連続処理装置５００においては、複数の基板（基体）Ｗを搬送テーブル（載置部）の上面に配置して連続処理をおこなう。

本実施形態の連続処理装置５００は、図８，図９に示すように、チャンバ５０１と、搬送テーブル部（移動手段）５１０と、処理領域５２０と、パージ領域５３０と、処理領域５４０と、パージ領域５５０と、制御手段５０９と、を有する。

本実施形態の連続処理装置５００においては、図８，図９に示すように、処理領域５２０と、パージ領域５３０と、処理領域５４０と、パージ領域５５０と、が二組設けられる。本実施形態の連続処理装置５００においては、基板Ｗに対する連続処理を繰り返しておこなうことができる。

チャンバ５０１は、図８に示すように、真空状態に密閉可能であり、内部で連続処理をおこなう処理室とされている。

搬送テーブル部（移動手段）５１０は、図８，図９に示すように、搬送テーブル（載置部）５１３と、搬送テーブル（載置部）５１３を回転する回転軸５１２と、回転軸５１２を駆動する駆動部５１４とを有する。

搬送テーブル（載置部）５１３は、図８，図９に示すように、処理室であるチャンバ５０１内に配置される。回転軸５１２は、チャンバ５０１の底部５０１ｂを回転可能に貫通する。駆動部５１４は、チャンバ５０１の外部に配置される。駆動部５１４は制御手段５０９に接続される。駆動部５１４は、制御手段５０９によって制御される。

搬送テーブル５１３は、処理室であるチャンバ５０１内に回転軸線が鉛直方向に沿って設けられる。搬送テーブル５１３は、回転軸線と直交する上表面に複数の基板Ｗを載置配置した状態で回転する。搬送テーブル５１３の上表面は、上面視して回転軸線を中心とする円形輪郭を有する。平板である基板Ｗの処理面は、搬送テーブル５１３の回転にともなって回転軸線の周りを回転する。

搬送テーブル５１３は、平板である基板Ｗを回転するために、その上面が基板Ｗに沿った平面とされる。あるいは、搬送テーブル５１３は、上面に傾斜を設けて、基板Ｗを回転軸線に対して傾いた状態で固定するために、基板ホルダ等を設けた円板状とすることもできる。

さらに、搬送テーブル５１３は、基板Ｗの固定を容易にするために、上面に露出して基板保持部５０８をも設けることができる。この場合、基板保持部５０８としては、静電チャック、あるいは、真空チャック等、搬送テーブル５１３に基板Ｗを固定可能な構成を採用することができる。基板保持部５０８は、基板ホルダを兼ねることもできる。

本実施形態においては、搬送テーブル５１３は、回転軸線周りに４枚の基板を保持する静電チャック、あるいは、真空チャック等の基板保持部５０８を有する。
搬送テーブル５１３では、基板保持部５０８が周方向に互いに等しい間隔を有して配置される。搬送テーブル５１３では、基板保持部５０８に保持した基板Ｗに対して、それぞれ異なる処理工程を同時におこなうことができる。

本実施形態においては、回転する搬送テーブル５１３の周方向が、基板Ｗの移動方向となる。したがって、搬送テーブル５１３は、基板Ｗの移動方向と直交する回転軸線を有する。

搬送テーブル部（移動手段）５１０には、図８に示すように、処理室であるチャンバ５０１内で処理される基板Ｗに近接する位置にヒータ５０７が配置される。ヒータ５０７は、搬送テーブル５１３の側面に埋め込まれる。ヒータ５０７は、処理領域５２０，５４０において基板Ｗを加熱可能とされている。ヒータ５０７は、搬送テーブル５１３の上面視して基板Ｗと重なる位置に配置される。つまり、搬送テーブル５１３の上面付近において、基板保持部５０８に対応する位置に埋め込まれている。
ヒータ５０７は制御手段５０９に接続される。ヒータ５０７は、制御手段５０９によって制御される。

処理室であるチャンバ５０１には、図８に示すように、排気ポンプＰ０１が設けられる。チャンバ５０１は排気ポンプＰ０１によって排気される。排気ポンプＰ０１は、ゲートバルブを介して処理室であるチャンバ５０１に接続される。排気ポンプＰ０１は制御手段５０９に接続される。排気ポンプＰ０１は、制御手段５０９によって制御される。
排気ポンプＰ０１によって、チャンバ５０１内が排気される。排気ポンプＰ０１は、全体排気手段を構成する。

処理室であるチャンバ５０１には、搬送テーブル５１３の上面において、回転軸５１２の径方向外側位置に、処理領域５２０と、パージ領域５３０と、処理領域５４０と、パージ領域５５０とが、二組配置される。処理領域５２０と、パージ領域５３０と、処理領域５４０と、パージ領域５５０とは、搬送テーブル５１３の上面に沿って配置される。処理領域５２０と、パージ領域５３０と、処理領域５４０と、パージ領域５５０とは、基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の周方向に並んで配置される。処理領域５２０と、パージ領域５３０と、処理領域５４０と、パージ領域５５０とは、搬送テーブル５１３の回転方向である基板Ｗの移動方向で互いに隣接する。

搬送テーブル５１３の回転方向である基板Ｗの移動方向で、処理領域５２０の下流には、図９に示すように、パージ領域５３０が配置される。搬送テーブル５１３の回転方向である基板Ｗの移動方向で、パージ領域５３０の下流には処理領域５４０が配置される。搬送テーブル５１３の回転方向である基板Ｗの移動方向で、処理領域５４０の下流にはパージ領域５５０が配置される。

さらに、搬送テーブル５１３の回転方向である基板Ｗの移動方向で、パージ領域５５０の下流には、他の組となる処理領域５２０が配置される。また、搬送テーブル５１３の回転方向である基板Ｗの移動方向で、処理領域５２０の上流には他の組のパージ領域５５０が配置される。
したがって、本実施形態における円形輪郭の搬送テーブル５１３上面の回転方向には、４つの処理領域５２０，５４０と、４つのパージ領域５３０，５５０とが交互に配置される。

処理領域（第１処理領域）５２０では、図８，図９に示すように、搬送テーブル５１３上面の上側位置に、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ１は、給気ノズルＰ１ａと、ガス供給部Ｐ１ｂとを有する。

給気ノズルＰ１ａは、図８，図９に示すように、搬送される基板Ｗの上面に対向して開口する。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの上面と平行なほぼ水平に配置される。
給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、円形輪郭を有する搬送テーブル５１３の表面に対して、基板Ｗの移動軌跡を含むように扇形に形成される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で搬送テーブル５１３表面と鉛直方向に離間する高さが等しく配置される。

給気ノズルＰ１ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、給気ノズルＰ１ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、処理領域５２０へのガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の上面に沿った処理領域５２０の輪郭を規定する。具体的には、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の径方向において、基板Ｗの最大幅寸法よりも大きく設定される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する方向において、基板Ｗの最大幅寸法よりも大きく設定される。
また、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向において、基板Ｗの処理に必要な時間と、搬送される基板Ｗの移動速度との兼ね合い等の処理条件から、必要な寸法が設定される。給気ノズルＰ１ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の周方向の大きさ、つまり、扇形の中心角の大きさが処理条件から設定される。

ガス供給部Ｐ１ｂは、給気ノズルＰ１ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたガス（第１ガス）を給気ノズルＰ１ａに供給する。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段５０９に接続される。ガス供給部Ｐ１ｂは、制御手段５０９によって制御される。

基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向における処理領域５２０の上流には、図８，図９に示すように、排気領域５２２が配置される。
排気領域５２２では、搬送テーブル５１３上面の上側に排気手段（個別排気手段）Ｖ１が配置される。排気手段Ｖ１は、排気ノズルＶ１ａと、排気部Ｖ１ｂとを有する。

排気ノズルＶ１ａは、図８，図９に示すように、搬送される基板Ｗ表面に対向して開口する。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの表面の移動軌跡を覆うように、搬送テーブル５１３の径方向の全長に延在して配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で搬送テーブル５１３表面に対する高さが搬送テーブル５１３の周方向および径方向でいずれも等しく配置される。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面と平行に配置される。排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面に対する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面に対する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の上面に沿った排気領域５２２の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、基板Ｗの最大寸法よりも大きく設定される。

排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。
また、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向において、処理領域５２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送される基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ１ｂは、排気ノズルＶ１ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域５２０のガスを排気ノズルＶ１ａから排気する。排気部Ｖ１ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ１ｂは、制御手段５０９に接続される。排気部Ｖ１ｂは、制御手段５０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送テーブル５１３の回転方向である基板Ｗの移動方向で、処理領域５２０の下流には、図８，図９に示すように、パージ領域５３０の上流に排気領域５２３が配置される。
排気領域５２３では、搬送テーブル５１３上面の上側に排気手段（個別排気手段）Ｖ２が配置される。排気手段Ｖ２は、排気ノズルＶ２ａと、排気部Ｖ２ｂとを有する。

排気ノズルＶ２ａは、図８，図９に示すように、搬送される基板Ｗ表面に対向して開口する。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの表面の移動軌跡を覆うように、搬送テーブル５１３の径方向の全長に延在して配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で搬送テーブル５１３表面に対する高さが搬送テーブル５１３の周方向および径方向でいずれも等しく配置される。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面と平行に配置される。排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面に対する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面に対する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の上面に沿った排気領域５２３の輪郭を規定する。具体的には、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、基板Ｗの最大寸法よりも大きく設定される。

排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法よりも大きく設定される。
排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、排気ノズルＶ１ａの寸法と等しく設定される。
また、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向において、処理領域５２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送される基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ２ｂは、排気ノズルＶ２ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域５２０のガスを排気ノズルＶ２ａから排気する。排気部Ｖ２ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ２ｂは、制御手段５０９に接続される。排気部Ｖ２ｂは、制御手段５０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

排気ノズルＶ２ａは、搬送テーブル５１３の径方向における中心端が、排気ノズルＶ１ａに接することができる。排気ノズルＶ１ａは、搬送テーブル５１３の径方向における中心端が、排気ノズルＶ２ａに接することができる。

搬送される基板Ｗの移動方向における処理領域５２０の右手位置には、図８，図９に示すように、排気領域５２５が配置される。
処理領域５２０の弧状輪郭に対し、搬送テーブル５１３の径方向外側位置には、周方向の全長に沿って排気領域５２５が延在する。
排気領域５２５では、搬送される基板Ｗの搬送テーブル５１３上面の上側に排気手段（個別排気手段）Ｖ４が配置される。排気手段Ｖ４は、排気ノズルＶ４ａと、排気部Ｖ４ｂとを有する。

排気ノズルＶ４ａは、図８，図９に示すように、搬送テーブル５１３上面に対向して開口する。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３上面の周縁輪郭に沿って周方向に配置される。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で搬送テーブル５１３上面との高さが等しく配置される。

排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の円形輪郭と同心状に配置される。排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の周方向における弧状の長さ寸法が、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ弧状の長さ寸法に設定される。
排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３上面と離間する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さとなるように配置されてもよい。また、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３上面と離間する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

排気ノズルＶ４ａは、搬送テーブル５１３の周方向における両端が、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａに接することができる。
排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の径方向の寸法が、排気ノズルＶ１ａおよび排気ノズルＶ２ａにおける搬送テーブル５１３の周方向の寸法と同じかやや小さく設定することができる。

また、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の回転方向において、処理領域５２０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域５４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

排気部Ｖ４ｂは、排気ノズルＶ４ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧で処理領域５２０のガスを排気ノズルＶ４ａから排気する。排気部Ｖ４ｂは、真空ポンプとされる。排気部Ｖ４ｂは、制御手段５０９に接続される。排気部Ｖ４ｂは、制御手段５０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

処理領域５２０を囲む排気領域５２２，５２３，５２５は、排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ４によって処理領域５２０を排気して、処理領域５２０に対する雰囲気圧力の設定を可能とする。

パージ領域５３０は、図８，図９に示すように、搬送テーブル５１３の回転方向で処理領域５２０の下流に排気領域５２３を挟んで配置される。パージ領域５３０においては、搬送テーブル５１３上面の上側にパージガス供給手段Ｐ２が配置される。パージガス供給手段Ｐ２は、パージガスノズルＰ２ａと、パージガス供給部Ｐ２ｂとを有する。

パージガスノズルＰ２ａは、搬送される基板Ｗの表面に対向して開口する。パージガスノズルＰ２ａは、搬送テーブル５１３の上面に対向して開口する。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面と平行に搬送テーブル５１３の径方向に沿って延在する配置とされる。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の径方向で中心から外縁に至る配置とされる。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で搬送テーブル５１３の上面に対する高さが等しく配置される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面に対する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ距離に配置されてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面に対する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）、排気ノズルＶ４ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口は、単一または複数の開口部を有する枠状とされてもよい。また、パージガスノズルＰ２ａの開口は、多数の細かい噴出孔が設けられた板体とされてもよい。さらに、パージ領域５３０へのパージガス供給を均等にするための機構を有していてもよい。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の上面に沿ったパージ領域５３０の輪郭を規定する。具体的には、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、基板Ｗの最大幅寸法よりも大きく設定される。パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の径方向において、給気ノズルＰ１ａの寸法とほぼ同じかこれよりも大きく設定される。

パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、排気ノズルＶ１ａの寸法とほぼ等しく設定される。
パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、排気ノズルＶ２ａの寸法とほぼ等しく設定される。

また、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向において、基板Ｗの処理に必要な時間と、搬送される基板Ｗの移動速度との兼ね合い等の処理条件と、処理領域５２０と処理領域５４０とに対するガスの遮断に必要なパージガスの量とから、必要な寸法が設定される。

パージガス供給部Ｐ２ｂは、パージガスノズルＰ２ａに接続され、所定の流量・圧力で貯留されたパージガスをパージガスノズルＰ２ａに供給する。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段５０９に接続される。パージガス供給部Ｐ２ｂは、制御手段５０９によって制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向において、パージ領域５３０の上流には、図８，図９に示すように、パージ排気領域（排気領域）５３２が配置される。
パージ排気領域５３２では、搬送テーブル５１３上面の上側にパージガス排気手段（個別排気手段）Ｖ５が配置される。パージガス排気手段Ｖ５は、パージ排気ノズルＶ５ａと、パージ排気部Ｖ５ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ５ａは、図８，図９に示すように、搬送される基板Ｗ表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ５ａは、搬送テーブル５１３の上面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの表面の移動軌跡と平行に搬送テーブル５１３の上面に沿って配置される。パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で搬送テーブル５１３上面から離間する高さが等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面からの高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さ寸法として配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面からの高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の上面に沿ったパージ排気領域５３２の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、基板Ｗの最大寸法よりも大きく設定される。

パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。
また、パージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向において、パージ領域５３０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送される基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ５ｂは、パージ排気ノズルＶ５ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域５３０のパージガスをパージ排気ノズルＶ５ａから排気する。パージ排気部Ｖ５ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段５０９に接続される。パージ排気部Ｖ５ｂは、制御手段５０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向において、パージ領域４３０の下流には、図８，図９に示すように、処理領域５４０の上流にパージ排気領域（排気領域）５３３が配置される。
パージ排気領域５３３では、搬送される基板Ｗの搬送テーブル５１３の上面の上側にパージガス排気手段（個別排気手段）Ｖ６が配置される。パージガス排気手段Ｖ６は、パージ排気ノズルＶ６ａと、パージ排気部Ｖ６ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ６ａは、図８，図９に示すように、搬送される基板Ｗ表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ６ａは、搬送テーブル５１３の上面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗの表面の移動軌跡と平行に搬送テーブル５１３の表面に沿って配置される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で搬送テーブル５１３の上面と離間する高さが等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面と離間する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面と離間する高さが、給気ノズルＰ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ１ａの開口輪郭（開口縁部）と排気ノズルＶ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の上面に沿ったパージ排気領域５３３の輪郭を規定する。具体的には、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、基板Ｗの最大寸法よりも大きく設定される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の径方向において、搬送テーブル５１３の中心位置から周縁部まで延在する。

パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向と直交する搬送テーブル５１３の径方向において、パージガスノズルＰ２ａの寸法よりも大きく設定される。パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の径方向において、パージ排気ノズルＶ５ａの寸法とほぼ等しく設定される。
また、パージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭は、搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の周方向において、パージ領域５３０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、搬送される基板Ｗの移動速度、ガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件から、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ６ｂは、パージ排気ノズルＶ６ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ排気領域５３３のガスをパージ排気ノズルＶ６ａから排気する。パージ排気部Ｖ６ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段５０９に接続される。パージ排気部Ｖ６ｂは、制御手段５０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向におけるパージ領域５３０の左手位置には、図８，図９に示すように、パージ排気領域５３４が配置される。搬送テーブル５１３の径方向におけるパージ領域５３０の回転中心に近接する位置には、パージ排気領域５３４が配置される。搬送テーブル５１３の径方向において搬送される基板Ｗよりも内側には、パージ排気領域５３４が配置される。
パージ排気領域５３４では、搬送テーブル５１３の上面よりも上側には、パージガス排気手段（個別排気手段）Ｖ７が配置される。パージガス排気手段Ｖ７は、パージ排気ノズルＶ７ａと、パージ排気部Ｖ７ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ７ａは、図８，図９に示すように、排気ノズルＶ３ａと同様、搬送テーブル５１３の上面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の回転軸５１２に近接して配置される。パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送される基板Ｗ表面の移動軌跡における搬送テーブル５１３の径方向内側端部に離間する位置に配置される。パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で搬送テーブル５１３の上面と離間する高さが等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の中心と同心状に周方向に配置される。パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）の寸法は、搬送テーブル５１３の周方向において、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ寸法に設定される。
パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面と離間する高さが、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の上面と離間する高さが、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

パージ排気ノズルＶ７ａは、搬送テーブル５１３の回転方向における両端が、パージ排気ノズルＶ５ａおよびパージ排気ノズルＶ６ａに接することができる。
パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）は、基板Ｗの移動方向と直交する方向における寸法が、搬送テーブル５１３の周方向におけるパージ排気ノズルＶ５ａおよびパージ排気ノズルＶ６ａの寸法と同じかやや小さく設定することができる。
また、パージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の周方向において、パージ領域５３０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、基板Ｗの移動速度、パージガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域５２０，５４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ７ｂは、パージ排気ノズルＶ７ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域５３０のパージガスをパージ排気ノズルＶ７ａから排気する。パージ排気部Ｖ７ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ７ｂは、制御手段５０９に接続される。パージ排気部Ｖ７ｂは、制御手段５０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

搬送される基板Ｗの移動方向におけるパージ領域５３０の右手位置には、図８，図９に示すように、パージ排気領域５３５が配置される。搬送テーブル５１３の径方向におけるパージ領域５３０の外縁に近接する位置には、パージ排気領域５３５が配置される。搬送テーブル５１３の径方向において搬送される基板Ｗよりも外側位置には、パージ排気領域５３５が配置される。
パージ排気領域５３５では、搬送される基板Ｗの搬送テーブル５１３上面の上側にパージガス排気手段（個別排気手段）Ｖ８が配置される。パージガス排気手段Ｖ８は、パージ排気ノズルＶ８ａと、パージ排気部Ｖ８ｂとを有する。

パージ排気ノズルＶ８ａは、図８，図９に示すように、排気ノズルＶ４ａと同様に、搬送テーブル５１３の表面に対向して開口する。パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の外縁部に沿って周方向に配置される。パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、その全周で、搬送される基板Ｗ表面および搬送テーブル５１３の表面から離間する高さが等しく配置される。

パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３の中心と同心状に配置される。パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）の寸法は、搬送テーブル５１３の周方向において、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ寸法に設定される。
パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３表面から離間する高さが、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）と同じ高さに配置されてもよい。また、パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、搬送テーブル５１３表面から離間する高さが、パージガスノズルＰ２ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ５ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ６ａの開口輪郭（開口縁部）とパージ排気ノズルＶ７ａの開口輪郭（開口縁部）と異なる高さでもよい。

パージ排気ノズルＶ８ａは、搬送テーブル５１３の周方向における両端が、パージ排気ノズルＶ５ａおよびパージ排気ノズルＶ６ａに接することができる。
パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭（開口縁部）は、基板Ｗの移動方向と直交する方向における寸法が、搬送テーブル５１３の周方向におけるパージ排気ノズルＶ５ａおよびパージ排気ノズルＶ６ａの寸法と同じかやや小さく設定することができる。
また、パージ排気ノズルＶ８ａの開口輪郭は、搬送テーブル５１３の回転方向において、パージ領域５３０の排気に必要な大きさ・形状であればよく、基板Ｗの移動速度、パージガス供給量、圧力雰囲気等の処理条件、および、処理領域５２０，５４０との距離などから、必要な寸法が設定される。

パージ排気部Ｖ８ｂは、パージ排気ノズルＶ８ａに接続され、所定の排気速度・排気量・排気圧でパージ領域５３０のガスをパージ排気ノズルＶ８ａから排気する。パージ排気部Ｖ８ｂは、真空ポンプとされる。パージ排気部Ｖ８ｂは、制御手段５０９に接続される。パージ排気部Ｖ８ｂは、制御手段５０９によって排気速度・排気量・排気圧を制御される。ここで、排気速度・排気量・排気圧の制御は、ポンプの駆動状態や、排気弁の弁開度等を調整して制御される。

パージ領域５３０を囲むパージ排気領域５３２～５３５は、パージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８によってパージ領域５３０を排気して、パージ領域５３０に対して雰囲気圧力の設定可能とする。

搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向において、パージ領域５３０の下流には、図８，図９に示すように、パージ排気領域（排気領域）５３３の下流に処理領域５４０が配置される。

処理領域（第２処理領域）５４０では、図８，図９に示すように、搬送テーブル５１３上面の上側にガス供給手段（処理手段）Ｐ３が配置される。ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、給気ノズルＰ３ａと、ガス供給部Ｐ３ｂとを有する。
ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１と異なるガスを供給可能である。

処理領域５４０は、搬送テーブル５１３に対する回転方向位置が異なるが、処理領域５２０と同等の構成とされる。また、ガス供給手段（処理手段）Ｐ３は、給気ノズルＰ３ａと、ガス供給部Ｐ３ｂとも、搬送テーブル５１３に対する回転方向位置が異なるが、ガス供給手段（処理手段）Ｐ１と、給気ノズルＰ１ａと、ガス供給部Ｐ１ｂと同等の構成とされる。

処理領域５４０には、処理領域５２０に対する排気領域５２２，５２３，５２５と同様に、搬送テーブル５１３の上面の上側に、排気領域５４２，５４３，５４５が配置される。
排気領域５４２，５４３，５４５は、搬送テーブル５１３に対する回転方向位置が異なるが、排気領域５２２，５２３，５２５と同等の構成とされる。

これに伴って、排気領域５４２，５４３，５４５には、排気手段Ｖ９～Ｖ１２が設けられる。
排気手段Ｖ９，Ｖ１０，Ｖ１２は、排気ノズルＶ９ａ，Ｖ１０ａ，Ｖ１２ａと、排気部Ｖ９ｂ，Ｖ１０ｂ，Ｖ１２ｂとを有する。排気手段Ｖ９，Ｖ１０，Ｖ１２、排気ノズルＶ９ａ，Ｖ１０ａ，Ｖ１２ａ、排気部Ｖ９ｂ，Ｖ１０ｂ，Ｖ１２ｂは、搬送テーブル５１３の側周面に対する周方向位置が異なるが、排気手段Ｖ１，Ｖ２，Ｖ４、排気ノズルＶ１ａ，Ｖ２ａ，Ｖ４ａ、排気部Ｖ１ｂ，Ｖ２ｂ，Ｖ４ｂと同等の構成とされる。

搬送される基板Ｗの移動方向である搬送テーブル５１３の回転方向において、処理領域５４０の下流には、図８，図９に示すように、排気領域５４３の下流にパージ領域５５０が配置される。

パージ領域５５０は、搬送テーブル５１３に対する回転方向位置が異なるが、パージ領域５３０と同等の構成とされる。パージ領域５５０には、パージガス供給手段Ｐ４、パージガスノズルＰ４ａ、パージガス供給部Ｐ４ｂを有する。パージガス供給手段Ｐ４、パージガスノズルＰ４ａ、パージガス供給部Ｐ４ｂも、搬送テーブル５１３に対する回転方向位置が異なるが、パージガス供給手段Ｐ２、パージガスノズルＰ２ａ、パージガス供給部Ｐ２ｂと同等の構成とされる。

パージ領域５５０には、パージ領域５３０に対するパージ排気領域５３２，５３３，５３４，５３５と同様に、搬送テーブル５１３上面の上側に、パージ排気領域５５２，５５３，５５４，５５５が配置される。
パージ排気領域５５２，５５３，５５４，５５５は、搬送テーブル５１３に対する回転方向位置が異なるが、パージ排気領域５３２，５３３，５３４，５３５と同等の構成とされる。

これに伴って、パージ排気領域５５２，５５３，５５４，５５５には、パージガス排気手段Ｖ１３～Ｖ１６が設けられる。
パージガス排気手段Ｖ１３～Ｖ１６は、パージ排気ノズルＶ１３ａ～Ｖ１６ａと、パージ排気部Ｖ１３ｂ～Ｖ１６ｂとを有する。パージガス排気手段Ｖ１３～Ｖ１６、パージ排気ノズルＶ１３ａ～Ｖ１６ａ、パージ排気部Ｖ１３ｂ～Ｖ１６ｂは、搬送テーブル５１３に対する回転方向位置が異なるが、パージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８、パージ排気ノズルＶ５ａ～Ｖ８ａ、パージ排気部Ｖ５ｂ～Ｖ８ｂと同等の構成とされる。

本実施形態の連続処理装置５００において、図８，図９に示すように、処理室となるチャンバ５０１には、圧力検出手段Ｐ０ｃが設けられる。同様に、処理領域５２０には、圧力検出手段Ｐ１ｃが設けられる。パージ領域５３０には、圧力検出手段Ｐ２ｃが設けられる。処理領域５４０には、圧力検出手段Ｐ３ｃが設けられる。パージ領域５５０には、圧力検出手段Ｐ４ｃが設けられる。
これら圧力検出手段Ｐ０ｃ～Ｐ４ｃは配置された位置における雰囲気圧力を検出する。圧力検出手段Ｐ０ｃ～Ｐ４ｃはいずれも制御手段５０９に接続される。圧力検出手段Ｐ０ｃ～Ｐ４ｃは検出したそれぞれの圧力値を制御手段５０９に出力する。

本実施形態の連続処理装置５００においては、例えば、ＡＬＤによって、ウェーハ（基板）Ｗの表面にＳｉＮ膜等を成膜する処理をおこない、この処理に並行して、ＳｉＮ膜の改質をおこなう処理をおこなうことができる。また、成膜処理しないときに、成膜処理時において基板Ｗが載置される搬送テーブル５１３に成膜されたＳｉＮ膜を除去するクリーニングをおこなうことができる。

チャンバ５０１は扁平な概ね円形の真空容器（処理容器）である。チャンバ（真空容器）５０１は側壁および底部を構成する容器本体と、上部材とにより構成されている。回転テーブル（搬送テーブル）５１３は、真空容器であるチャンバ５０１内に水平に設けられる。回転テーブル（搬送テーブル）５１３は、円形輪郭である。支持部（回転軸）５１２は、回転テーブル５１３の裏面中央部を支持する。回転機構（駆動部）５１４は、成膜処理中において支持部５１２を介して回転テーブル５１３を、その周方向に平面視反時計回りに回転させる。なお、図中のＸは回転テーブル５１３の回転軸（回転中心）を表している。

回転テーブル５１３の上面には、回転テーブル５１３の周方向（回転方向）に沿って複数の円形の凹部が設けられており、各凹部に基板Ｗが収納される。つまり、回転テーブル５１３の回転によって公転するように、各基板Ｗは回転テーブル５１３に載置される。また、ヒータ５０７は、真空容器５０１の底部において同心円状に複数設けられ、回転テーブル５１３に載置されたウェーハＷを加熱する。

真空容器５０１には、側壁に開口したウェーハＷの搬送口が設けられ、ゲートバルブによって開閉自在に構成される。真空容器５０１内における搬送口に臨む領域であって、回転テーブル５１３の下方側にはウェーハＷの下面を保持する３本の昇降ピンが設けられ、また各凹部の底部には、前記３本の昇降ピンが通る孔部が形成されている。回転テーブル５１３は、ウェーハＷを搬入、搬出するときには、凹部の孔部と昇降ピンとが上下で重なる位置に順次停止し、基板搬送機構と昇降ピンとの協働作用により、ウェーハＷは搬送口を介して、真空容器５０１の外部と凹部内との間で受け渡される。

回転テーブル５１３上には、ガス給排気ユニットＰ１～Ｐ４，Ｖ１～Ｖ１６と、プラズマ形成ユニットと、が、回転テーブル５１３の回転方向下流側に向かい、当該回転方向に沿ってこの順に設けられている。ガス給排気ユニットは、ＳｉＮ膜を形成するための原料ガスであるＤＣＳ（ジクロロシラン）ガスをウェーハＷに供給するユニットである。

プラズマ形成ユニットは、回転テーブル５１３上に供給されたプラズマ形成用ガスをプラズマ化するユニットである。プラズマ形成ユニットは、処理領域５２０，５４０において、プラズマ処理をおこなう際に用いられる。プラズマ処理をおこなう場合には、上述した処理領域５２０，５４０の構成に加えて、後述する構成を備えることができる。

例えば、プラズマ形成ユニットにおいては、ウェーハＷに吸着されたＤＣＳガスを窒化してＳｉＮ膜を形成するためのプラズマ処理をおこなう。プラズマ形成ユニットは、ＳｉＮ膜を改質するためのプラズマ処理を行う。プラズマ形成ユニットは、クリーニングを行うためのプラズマ処理をおこなう。

ガス給排気ユニットＰ１～Ｐ４，Ｖ１～Ｖ１６について説明する。
ガス給排気ユニットＰ１～Ｐ４，Ｖ１～Ｖ１６は、平面視、回転テーブル５１３の中央側から周縁側に向かうにつれて回転テーブル５１３の周方向に広がる扇状に形成されており、ガス給排気ユニットＰ１～Ｐ４，Ｖ１～Ｖ１６の下面は、回転テーブル５１３の上面に近接すると共に対向している。

ガス給排気ユニットＰ１～Ｐ４，Ｖ１～Ｖ１６は例えばアルミニウムにより構成され、その下面には、複数のガス吐出口からなる吐出部Ｐ１ａ，Ｐ３ａ、排気口Ｖ１ａ～Ｖ１６ａ及びパージガス吐出口Ｐ２ａ，Ｐ４ａが開口している。ガス吐出口は、ガス給排気ユニットＰ１～Ｐ４，Ｖ１～Ｖ１６の下面の周縁部よりも内側の扇状領域に多数配列されている。このガス吐出口は、成膜処理時における回転テーブル５１３の回転中にＤＣＳガスを下方にシャワー状に吐出して、ウェーハＷの表面全体に供給する。

この扇状領域においては、回転テーブル５１３の中央側から回転テーブル５１３の周縁側に向けて、３つの区域が設定されていてもよい。それぞれの区域に設けられるガス吐出口は夫々に独立してＤＣＳガスを供給できるように、ガス給排気ユニットには互いに区画されたガス流路が設けられている。各ガス流路の下流端は、各々ガス吐出口として構成されている。

それぞれのガス流路の上流側は、各々配管を介してＤＣＳガスの供給源Ｐ１ｂ，Ｐ３ｂに接続されており、各配管にはバルブ及びマスフローコントローラにより構成されるガス供給機器が介設されている。ガス供給機器によって、ＤＣＳガス供給源Ｐ１ｂ，Ｐ３ｂから供給されるＤＣＳガスの各ガス流路における下流側への給断及び流量が制御される。なお、後述するガス供給機器以外の各ガス供給機器も、このガス供給機器と同様に構成され、下流側へのガスの給断及び流量を制御する。

上記の排気口Ｖ１ａ～Ｖ４ａ及びパージガス吐出口について説明する。排気口Ｖ１ａ～Ｖ４ａ及びパージガス吐出口は、扇状領域Ｐ１ａを囲むと共に回転テーブル５１３の上面に対向するように、ガス給排気ユニットの下面の周縁部に環状に開口しており、パージガス吐出口が排気口Ｖ１ａ～Ｖ４ａの外側に位置している。回転テーブル５１３上における排気口の内側の領域は、ウェーハＷの表面へのＤＣＳの吸着が行われる原料ガス供給領域である吸着領域（処理領域）５２０を構成する。パージガス吐出口は、回転テーブル５１３上にパージガスとして例えばＡｒ（アルゴン）ガスを吐出する。

成膜処理中において、ガス吐出口Ｐ１ａからの原料ガスの吐出と排気口Ｖ１ａ～Ｖ４ａからの排気、および、パージガス吐出口Ｐ２ａからのパージガスの吐出と排気口Ｖ５ａ～Ｖ８ａからの排気が行われる。それによって、回転テーブル５１３へ向けて吐出された原料ガス及びパージガスは、回転テーブル５１３の上面を排気口Ｖ１ａ～Ｖ８ａへと向かい、当該排気口から排気される。

パージガスの吐出及び排気が行われることにより、吸着領域５２０の雰囲気は外部の雰囲気から分離され、吸着領域５２０に限定的に原料ガスを供給することができる。吸着領域５２０に供給されるＤＣＳガスと、後述するように吸着領域５２０の外部に供給されるガス及びガスの活性種と、が混合されることを抑えることができる。このようにガス給排気ユニットは、原料ガスを回転テーブル５１３に供給する原料ガス供給部と、吸着領域５２０の雰囲気と吸着領域の外側の雰囲気とを分離する分離機構とを構成する。

ガス給排気ユニットには、それぞれ互いに区画されたガス流路が設けられる。原料ガスの流路に対しても同様のガス流路が各々区画されて設けられている。ガス流路の上流端は排気口Ｖ１ａ、ガス流路の下流端は排気装置Ｖ１ｂに夫々接続されている。排気装置Ｖ１ｂ～Ｖ１６ｂによって、各排気口Ｖ１ａ～Ｖ１６ａから排気を行うことができる。
また、ガス流路の下流端はパージガス吐出口、ガス流路の上流端はＡｒガスの供給源に夫々接続されている。ガス流路とＡｒガス供給源とを接続する配管には、ガス供給機器が介設されている。

プラズマ形成ユニットは、プラズマ形成用のガスを回転テーブル５１３上に供給すると共に、このガスにマイクロ波を供給して、回転テーブル５１３上にプラズマを発生させる。プラズマ形成ユニットは、上記のマイクロ波を供給するためのアンテナを備えており、当該アンテナは、誘電体板と金属製の導波管とを含む。プラズマ形成ユニットは、いずれかの処理領域５２０，５４０に重なるように配置できる。この場合、上面視して給気ノズルＰ１ａ，Ｐ３ａに対応する範囲にアンテナを配置することができる。

誘電体板は、平面視して回転テーブル５１３の中央側から周縁側に向かうにつれて広がる概ね扇状に形成されている。真空容器５０１の上部材にはこの誘電体板の形状に対応するように、概ね扇状の貫通口が設けられており、貫通口の下端部の内周面は貫通口の中心部側へと若干突出して、支持部を形成している。誘電体板は貫通口を上側から塞ぎ、回転テーブル５１３に対向するように設けられており、誘電体板の周縁部は支持部に支持されている。つまり、誘電体板は真空容器の天板を構成することができる。

導波管は誘電体板上に設けられており、上部材上に延在する内部空間を備える。導波管には、その下部側を構成するスロット板が設けられる。スロット板は、誘電体板に接するように設けられ、複数のスロット孔を有している。導波管の回転テーブル５１３の中央側の端部は塞がれている。導波管の回転テーブル５１３の周縁部側の端部には、マイクロ波発生器が接続されている。

マイクロ波発生器は、例えば、約２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管に供給する。このマイクロ波は、スロット板のスロット孔を通過して誘電体板に至り、後述するガスインジェクター及びノズルから誘電体板の下方に吐出されたガスに供給され、当該誘電体板の下方にプラズマを形成することができる。このように誘電体板の下方の概ね扇状の領域はプラズマ発生領域をなす。

プラズマ形成ユニットの支持部においては、回転テーブル５１３の中心部側にノズルが設けられている。ノズルは、回転テーブル５１３の周方向に沿って例えば２本設けられている。各ノズルは回転テーブル５１３の周縁部側に水平に後述のＮＦ_３ガスを吐出するように構成されている。

プラズマ形成ユニットの支持部における回転テーブル５１３の周縁部側には、ノズルが回転テーブル５１３の周方向に沿って例えば３本設けられている。
各ノズルは回転テーブル５１３の中心部側に水平にＮＦ_３ガスを吐出する。ノズルには、クリーニングガスであるＮＦ_３ガスの供給源が接続される。ＮＦ_３ガス供給源とノズルとを接続する配管にはガス供給機器が介設されている。
この例ではプラズマ発生領域は、クリーニング領域に相当する。

回転テーブル５１３の回転方向に離間して配置されるプラズマ形成ユニットはいずれも上記のプラズマ形成ユニットと同様に構成されている。従って、回転テーブル５１３の回転方向に異なる位置に、プラズマ発生領域が各々設けられている。
そして、プラズマ形成ユニットから供給されるマイクロ波によって、それぞれのプラズマ発生領域に個別にプラズマが形成される。つまり、プラズマ形成ユニットのうちの１つは、当該プラズマ形成ユニットに対応する１つのプラズマ発生領域のみにプラズマを形成し、他の２つのプラズマ発生領域にはプラズマを形成しない。従って、プラズマ形成ユニットは、回転テーブル５１３上の一部の領域に各々限定的にプラズマを形成する。

回転テーブル５１３の回転方向に見て、プラズマ発生領域の下流側の端部には夫々ガスインジェクターが設けられている。
ガスインジェクターは、例えば先端側が閉じられた細長い管状体として構成される。ガスインジェクターは、真空容器５０１の側壁から中央部領域に向かって水平に伸びる。
ガスインジェクターは、回転テーブル５１３上のウェーハＷの通過領域と交差するように中心点対称に設けられている。ガスインジェクターには、その長さ方向に沿ってガスの吐出口が多数、横方向に開口している。回転テーブル５１３の回転方向に見て、ガスインジェクターはプラズマ発生領域の上流側に向けてプラズマ発生領域にガスを吐出する。

一方のガスインジェクターに接続される配管は、その上流側はガス供給機器を介してＨ_２（水素）ガス供給源に接続されている。また、他方のガスインジェクターに接続される配管は、上流側がガス供給機器を介してＮＨ_３ガス供給源に接続されている。また、ガス供給機器の下流側においてＮＨ_３ガス供給側の配管にはＨ_２ガス供給側から分岐した配管の下流端が接続されている。

他方のガスインジェクターからはＨ_２ガスが吐出され、このＨ_２ガスはＳｉＮ膜の改質用のガスである。一方のガスインジェクターからはＮＨ３ガス及びＨ_２ガスが吐出される。このＨ_２は上記のように改質用のガスであり、ＮＨ_３ガスはウェーハＷに吸着されたＤＣＳを窒化するための反応ガスである。
一方のガスインジェクターと他方のガスインジェクターとは、互いに回転テーブル５１３の中心に対して対称に配置されている。

隣接するプラズマ発生領域とプラズマ発生領域との間には分離領域が設けられていてもよい。この分離領域の天井面は、各々のプラズマ発生領域の天井面よりも低く設定されている。分離領域は、平面視して回転テーブル５１３の中央側から周縁側に向かうにつれて回転テーブル５１３の周方向に広がる扇状に形成されている。分離領域は、その下面が回転テーブル５１３の上面に対向すると共に近接し、分離領域と回転テーブル５１３との間のコンダクタンスが抑えられている。この分離領域は、当該分離領域に対して回転テーブル５１３の回転方向下流側に供給されるＮＨ_３ガスが、分離領域に対して回転方向上流側に供給されるＨ_２ガスと混合されて希釈されることを抑制するために設けられる。

回転テーブル５１３の外側であって、当該回転テーブル５１３の回転方向に見て、プラズマ発生領域の上流側端部、隣接するプラズマ発生領域の下流側端部及びその横のプラズマ発生領域の上流側端部の各々に臨む位置には、第１の排気口、第２の排気口及び第３の排気口が夫々開口している。排気装置は真空ポンプなどにより構成され、排気管を介して第１の排気口、第２の排気口及び第３の排気口に接続されている。排気管に設けられる圧力調整部により各排気口による排気量が調整されることによって、真空容器５０１内の真空度が調整される。

連続処理装置５００には、制御手段５０９が設けられる。制御手段５０９は連続処理装置５００の各部に制御信号を送信して各部の動作を制御し、後述の処理が実行されるようにステップ群が組まれている。具体的には、回転機構５１４による回転テーブル５１３の回転数、各ガス供給機器による各ガスの流量及び給断、排気手段Ｐ０１、排気部Ｖ１ｂ～Ｖ１６ｂによる排気量、マイクロ波発生器からのアンテナへのマイクロ波の給断、ヒータ５０７への給電などが制御される。ヒータ５０７への給電の制御は、ウェーハＷの温度制御である。排気手段Ｐ０１による排気量の制御は、真空容器５０１内の圧力制御である。

以下、本実施形態の連続処理装置５００における連続処理方法について説明する。

まず、基板Ｗの移動について説明する。
本実施形態の連続処理装置５００は、図８，図９に示すように、外部から複数の基板Ｗをチャンバ５０１に搬入し、搬送テーブル５１３の上面の所定位置にセットする。このとき、基板Ｗは、基板保持部５０８によって固定および平面化される。
または、複数の基板Ｗがセットされた搬送テーブル５１３をチャンバ５０１に搬入して取り付けてもよい。

この状態で、制御手段５０９の制御によって駆動部５１４を駆動することにより、回転軸５１２を介して搬送テーブル５１３を回転駆動する。
すると、複数の基板Ｗは、搬送テーブル５１３の回転にしたがって、排気領域５２２、処理領域５２０、排気領域５２３、パージ排気領域５３２、パージ領域５３０、パージ排気領域５３３、排気領域５４２、処理領域５４０、排気領域５４３、パージ排気領域５５２、パージ領域５５０、パージ排気領域５５３、を搬送テーブル５１３の周方向に沿って順に移動してゆく。

これら処理領域５２０、処理領域５４０を通過する間に基板Ｗに連続処理がおこなわれる。処理領域５２０、処理領域５４０においては、基板Ｗはヒータ５０７によって温度が制御される。ヒータ５０７は、制御手段４０９によって連続処理に対応する温度状態に制御される。

ここで、搬送テーブル５１３の上側には、二組の処理領域５２０，５４０が配置されているので、搬送テーブル５１３が一回転するごとに、二組の処理領域５２０，５４０を通過することができる。つまり、搬送テーブル５１３の一回転でＡＬＤによる成膜を二層分おこなうことができる。
さらに、搬送テーブル５１３を回転し続けることにより、複数の基板Ｗは、これらの排気領域５２２からパージ排気領域５５３までを繰り返して通過する。

一連の処理が終了した基板Ｗは、チャンバ５０１から外部へ搬出される。

ここで、複数の基板Ｗがセットされてチャンバ５０１が密閉された後で、一連の処理を開始する前に、全体排気手段を構成する排気ポンプＰ０１によって、チャンバ５０１内が排気されて、所定の真空状態にまで排気される。

ここで、例えば排気ポンプＰ０１は、圧力検出手段Ｐ０ｃの出力に基づいた制御手段５０９によって制御される。このとき、排気ポンプＰ０１は、排気バルブ等の開度によってその排気速度が制御される。
この全体排気工程として、排気ポンプＰ０１によるチャンバ５０１内の排気においては、所定の開度、例えば１００％といった開度として排気ポンプＰ０１によるチャンバ５０１内の排気がおこなわれる。

次に、排気ポンプＰ０１における排気バルブの開度として２０％以下に設定する。つまり、処理領域５２０，５４０における複数の基板Ｗへの処理前には、制御手段５０９が、全体排気手段の排気速度を全体排気工程よりも弱めるように駆動制御する。

次に、排気手段Ｖ１～Ｖ４，Ｖ９～Ｖ１２およびパージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８，Ｖ１３～Ｖ１６によって、排気領域５２２～５４５およびパージ排気領域５３２～５５５を排気する。このとき、制御手段５０９は、圧力検出手段Ｐ１ｃ～Ｐ４ｃの出力に基づいて排気部Ｖ１ｂ～Ｖ１２ｂおよびパージ排気部Ｖ５ｂ～Ｖ１６ｂを駆動し、排気ノズルＶ１ａ～Ｖ１２ａおよびパージ排気ノズルＶ５ａ～Ｖ１６ａから排気することで、これら互いに隣接する処理領域５２０，５４０およびパージ領域５３０，５５０が排気される。

ここで、ガス供給手段Ｐ１，Ｐ３から所定の処理ガスを処理領域５２０，５４０へと供給する。同時に、パージガス供給手段Ｐ２，Ｐ４から所定のパージガスをパージ領域５３０，５５０へと供給する。
このとき、制御手段５０９はガス供給部Ｐ１ｂ，Ｐ３ｂおよびパージガス供給部Ｐ２ｂ，Ｐ４ｂを駆動して、処理領域５２０，５４０およびパージ領域５３０，５５０を、所定のガス雰囲気とする。同時に、これらが所定の圧力状態になるように制御する。

例えば、処理領域５２０では、ガス供給手段Ｐ１から供給される処理ガスの流量が、排気手段Ｖ１～Ｖ４によって排気される排気量に対して、所定の範囲、具体的には、±１０％以内となるように制御される。つまり、ガス供給手段Ｐ１の給気量と排気手段Ｖ１～Ｖ４の排気量とは、互いにほぼ等しく設定される。
このとき、処理領域５２０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
処理領域５４０においても同様の制御がおこなわれる。

例えば、パージ領域５３０における圧力変動は所定の範囲以内、具体的には、±１０％以下となるように設定される。
パージ領域５５０においても同様の制御がおこなわれる。

この状態で、所定の時間、処理ガス雰囲気を維持するように、基板Ｗを処理領域５２０および処理領域５４０内で移動させ、酸化アルミニウムとなる原子積層膜を単層で形成する。さらに、酸化アルミニウム膜の改質をおこなうこともできる。この場合、チャンバ５０１に加熱手段を配置することもできる。

さらに、搬送テーブル５１３を所定回数回転して、上記の連続処理を複数回繰り返す。これにより、必要な膜厚を得ることができる。
ここで、単層成膜に対する連続処理工程を開始する前には、全体排気工程と、全体排気工程よりも全体排気手段を弱める工程とをおこなう。

さらに連続処理装置５００による他の処理について説明する。

基板搬送機構によって複数枚のウェーハＷが、回転テーブル５１３の基板保持部５０８である各凹部に昇降ピンの昇降により受け渡される。次いで真空容器５０１の搬送口に設けられるゲートバルブを閉じて、当該真空容器５０１内を気密にする。凹部に載置されたウェーハＷは、ヒータ５０７によって例えば５００℃以上、より具体的には５５０℃に加熱される。そして、第１～第３の排気口からの排気によって、真空容器５０１内が所定の圧力の真空雰囲気にされると共に、回転テーブル５１３が例えば反時計回りに所定の回転数で回転する。

他方のガスインジェクターからＨ_２ガスがプラズマ発生領域に供給され、一方のガスインジェクターからＮＨ_３ガス及びＨ_２ガスがプラズマ発生領域に供給される。このように各ガスが供給される一方で、プラズマ形成ユニットのマイクロ波発生器からプラズマ発生領域に夫々マイクロ波が供給される。このマイクロ波によって他方のプラズマ発生領域にＨ_２ガスのプラズマが形成されるとともに、一方のプラズマ発生領域にＨ_２ガス及びＮＨ_３ガスのプラズマが形成される。また、ガス給排気ユニットにおいてはガス吐出口からＤＣＳガス、パージガス吐出口からＡｒガスが夫々吐出されると共に、排気口から排気が行われる。

回転テーブル５１３の回転によって、ウェーハＷが吸着領域に位置するとＤＣＳガスが当該ウェーハＷの表面に供給されて吸着される。ウェーハＷの回転初期においては、ＤＣＳが吸着された部位はＮＨ_３と反応していないので、そのままプラズマ発生領域を通過する。さらに回転テーブル５１３が回転して、ウェーハＷがプラズマ発生領域に至ると、ウェーハＷ上に吸着されているＤＣＳとＮＨ_３とが反応して反応生成物であるＳｉＮが生成されると共に、当該プラズマ発生領域に供給されているＨ_２ガスがプラズマ化して生成された水素の活性種によりウェーハＷ上に残っているＣｌ（塩素）が取り除かれる。
プラズマ発生領域を通過したウェーハＷ上の部位には、再度吸着領域にてＤＣＳが吸着され、更にプラズマ発生領域にてウェーハＷ上の分子団からＣｌが取り除かれる。

回転テーブル５１３の回転が続けられ、ウェーハＷが吸着領域、プラズマ発生領域を順に、繰り返し複数回通過することで、ウェーハＷの表面にＳｉＮが堆積して当該ＳｉＮ膜の膜厚が増大すると共に、当該ＳｉＮ膜の改質が進行する。このＳｉＮ膜の改質では、膜の表面に含まれるＤＣＳガスに由来するＣｌ（塩素）がＨ_２ガスの活性種の作用によって膜から脱離すると共に、この脱離した部位にＮＨ_３が吸着され、膜を構成するＳｉが窒化されて、より純粋な（緻密な）窒化膜が形成される。なお、回転テーブル５１３の表面（上面）においても、吸着領域でＤＣＳガスが吸着され、プラズマに曝されることで、ウェーハＷの表面と同様にＳｉＮ膜が成膜される。

ＳｉＮ膜の膜厚が所望の大きさとなると、ガス給排気ユニットにおける各ガスの吐出及び排気が停止する。その一方で、ガスインジェクターからの各ガスの吐出が停止すると共に、プラズマ発生領域へのマイクロ波の供給が停止し、プラズマの形成が停止する。然る後、ゲートバルブが開放され、ウェーハＷは真空容器５０１の外部へ搬出される。

プラズマ発生領域で行う処理としては窒化に限られない。例えばガスノズルからはＮＨ_３ガスの代わりに、Ｏ_２（酸素）ガスなどの酸化ガスを吐出し、当該酸化ガスをプラズマ化することでＳｉＯ_２（酸化シリコン）膜を成膜してもよい。

本実施形態においては、搬送テーブル５１３の回転軸５１２の回りに回転方向に沿って複数の処理領域５２０，５４０が設けられて、搬送テーブル５１３の回転によって、単一の基板Ｗを連続して異なる処理領域５２０，５４０を通過させて処理することか、複数の基板Ｗを連続して異なる処理領域５２０，５４０を通過させて処理することができる。
このとき、複数の基板に対して、均一な特性を有する処理をおこなうことが可能となる。

本実施形態においては、搬送テーブル（載置部）５１３の回転軸５１２の回りに、互いにコンタミネーションを起こさないようにパージ領域５３０，５５０によって遮断された処理領域５２０，５４０を基板Ｗが通過して処理をおこなうことができる。また、処理領域５２０の周囲を排気領域５２３～５２５で囲むこと、また、パージ領域５３０の周りをパージ排気領域５３２～５３５で囲むことで、各領域における雰囲気ガス及びパージガスが混ざらないようにすることができる。
さらに、第３実施形態と同様に、排気手段Ｖ１～Ｖ４，Ｖ９～Ｖ１２およびパージガス排気手段Ｖ５～Ｖ８，Ｖ１３～Ｖ１６によってそれぞれ排気速度を異なるように設定することで、搬送テーブル５１３の上面に沿った雰囲気ガスのガス流を設定することが可能となる。しかも、各処理領域５２０，５４０で異なるガス流状態を設定することも可能となる。

図１０は、本実施形態における連続処理装置の処理領域等の配置の他の例を示す模式上面図である。
なお、本実施形態においては、図１０に示すように、処理領域５２０に対する給気ノズルＰ１ａと排気ノズルＶ１ａ～Ｖ４ａを構成することが可能である。
ここで、排気部Ｖ１ｂ～Ｖ４ｂと接続される配管Ｖ１ｄ～Ｖ４ｄは、いずれも排気領域５２３～５２５の中央位置に設けることができる。さらに、ガス供給手段Ｐ１，Ｐ４を有する一段の成膜を、搬送テーブル５１３の一回転で３回以上おこなう場合、あるいは、プラズマ処理等をおこなう処理手段をさらに設ける場合には、図１０に示すように、扇形の中心角を鋭角に設定することもできる。

以下、本発明に係る連続処理装置の第７実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１１は、本実施形態における連続処理装置の磁気浮上手段を示す模式図である。
本実施形態において上述した第６実施形態と異なるのは磁気浮上手段に関する点であり、これ以外の対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。

本実施形態においては、回転軸５１２が磁気浮上手段を構成する。また、駆動部５１４が磁気浮上手段を構成する。
具体的には、図１１に示すように、回転軸５１２は、搬送テーブル５１３の中心で上下方向に突出する凸部５１２ａ，５１２ｂを有する。
凸部５１２ａ，５１２ｂは、それぞれ、軸受け５１２ｃ，５１２ｄに嵌め込まれている。軸受け５１２ｃ，５１２ｄは、それぞれ、チャンバ５０１の天井部５０１ａおよび底部５０１ｂに固定されている（図８参照）。
凸部５１２ａ，５１２ｂは、いずれも円柱状とされ、対応する軸受け５１２ｃ，５１２ｄには、円筒状の凹部が形成されて非接触に嵌め込まれている。

凸部５１２ａには、外側周位置に、側磁石５１２ｅが周設される。凸部５１２ａに対応する軸受け５１２ｃの内周位置に側磁石５１２ｆが周設される。
側磁石５１２ｅと側磁石５１２ｆとは、互いに同じ極性を有しており、互いに反発する。

凸部５１２ａには、上面位置に、面磁石５１２ｇが設けられる。凸部５１２ａに対応する軸受け５１２ｃの上面位置に面磁石５１２ｈが設けられる。
面磁石５１２ｇと面磁石５１２ｈとは、互いに同じ極性を有しており、互いに反発する。

凸部５１２ｂには、外側周位置に、側磁石５１２ｊが周設される。凸部５１２ｂに対応する軸受け５１２ｄの内周位置に側磁石５１２ｋが周設される。
側磁石５１２ｊと側磁石５１２ｊとは、互いに同じ極性を有しており、互いに反発する。

凸部５１２ｂには、下面位置に、面磁石５１２ｍが設けられる。凸部５１２ｂに対応する軸受け５１２ｄの底面位置に面磁石５１２ｎが設けられる。
面磁石５１２ｍと面磁石５１２ｎとは、互いに同じ極性を有しており、互いに反発する。

回転軸５１２は、これらの磁石の反発により、凸部５１２ａと軸受け５１２ｃ、および、凸部５１２ｂと軸受け５１２ｄとが、磁気浮上している。凸部５１２ａと軸受け５１２ｃ、および、凸部５１２ｂと軸受け５１２ｄとが、互いに接触しない。
したがって、回転軸５１２においては、搬送テーブル５１３を非接触で回転可能に支持することができる。これにより、チャンバ５０１内でのパーティクル発生を防止することができる。

本実施形態においては、駆動部５１４として、搬送テーブル５１３の周縁部に磁気駆動手段を有する。
具体的には、搬送テーブル５１３の側周面に、駆動磁石５１４ｍが周設される。また、チャンバ５０１の側壁部５０１ｃには、搬送テーブル５１３の側周面と対向する位置に、駆動磁石５１４ｎが周設される。
駆動磁石５１４ｍ，５１４ｎは、両方または一方が電磁石とされて、磁気駆動可能に構成されている。これにより、搬送テーブル５１３は、非接触状態を維持して、所定の回転状態で回転駆動することができる。これにより、チャンバ５０１内でのパーティクル発生を防止することができる。

本実施形態においては、第６実施形態における搬送テーブル５１３に対して磁気浮上による非接触な支持部の構成を提示したが、第５実施形態や、それ以外の実施形態においても適用することが可能である。

さらに、本発明においては、上述した各実施形態において、それぞれの構成を任意に組み合わせて実施することもできる。

１００，２００，３００，４００，５００…連続処理装置
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１…チャンバ
１０７，２０７，３０７，４０７，５０７…ヒータ
１０９，２０９，３０９，４０９，５０９…制御手段
１１０，２１０，３１０，４１０，５１０…移動手段
１１１ｂ…搬送ベルト
１２０，１４０，２２０，２４０，３２０，３４０，４２０，４４０，５２０，５４０…処理領域
１２２～１２５，２２２～２２５，３２２～３２５，４２２～４２５，５２２～５２５…排気領域
１３０，２３０，３３０，４３０，５３０…パージ領域
１３２～１３５，２３２～２３５，３３２～３３５，４３２～４３５，５３２～５３５…パージ排気領域
１４０，２４０，３４０，４４０，５４０…処理領域
１４２～１４５，２４２～２４５，３４２～３４５，４４２～４４５，５４２～５４５…排気領域
１５０，２５０，３５０，４５０，５５０…パージ領域
１５２～１５５，２５２～２５５，３５２～３５５，４５２～４５５，５５２～５５５…パージ排気領域
３１３…搬送ドラム
４１３…搬送ドラム（載置部）
５１３…搬送テーブル
５１２…回転軸
５１２ａ，５１２ｂ…凸部
５１２ｅ，５１２ｆ…側磁石
５１２ｇ，５１２ｈ…面磁石
５１２ｊ，５１２ｋ…側磁石
５１２ｍ，５１２ｎ…面磁石
５１４…回転機構（駆動部）
５１４ｍ，５１４ｎ…駆動磁石
Ｆ…フィルム（基体）
Ｐ０１，Ｐ０２，Ｐ０３…排気ポンプ（全体排気手段）
Ｐ１，Ｐ３…ガス供給手段（処理手段）
Ｐ１ａ，Ｐ３ａ…給気ノズル
Ｐ１ｂ，Ｐ３ｂ…ガス供給部
Ｐ１ｃ，Ｐ２ｃ，Ｐ３ｃ…圧力検出手段
Ｐ２，Ｐ４…パージガス供給手段
Ｐ２ａ，Ｐ４ａ…パージガスノズル
Ｐ２ｂ，Ｐ４ｂ…パージガス供給部
Ｖ１～Ｖ４，Ｖ９～Ｖ１２…排気手段（個別排気手段）
Ｖ１ａ～Ｖ４ａ，Ｖ９ａ～Ｖ１２ａ…排気ノズル
Ｖ１ｂ～Ｖ４，Ｖ９ｂ～Ｖ１２ｂ…排気部
Ｖ１ｃ～Ｖｃ，…圧力検出手段
Ｖ５～Ｖ８，Ｖ１３～Ｖ１６…パージガス排気手段
Ｖ５ａ～Ｖ８ａ，Ｖ１３ａ～Ｖ１６ａ…パージ排気ノズル
Ｖ５ｂ～Ｖ８ｂ，Ｖ１３ｂ～Ｖ１６ｂ…パージ排気部
Ｗ…基板（基体）

Claims

異なる処理領域で基体に連続処理をおこなう連続処理装置であって、
真空排気可能な内部に複数の前記処理領域が設定されたチャンバと、
前記チャンバ内に配置されて前記基体を複数の前記処理領域に亘って移動させる移動手段と、
前記処理領域において前記基体に処理をおこなう処理手段と、
前記チャンバ内を排気する全体排気手段と、
前記処理領域に隣接する排気領域を排気する個別排気手段と、
前記全体排気手段、前記個別排気手段および前記処理手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段が、
前記処理領域における前記基体への処理開始前には、前記チャンバ内を所定の圧力まで排気するように前記全体排気手段を駆動制御し、
前記処理領域における前記基体への処理中には、前記全体排気手段を処理開始前よりも排気速度を弱めるように駆動制御し、かつ、前記排気領域を所定の圧力まで排気するように前記個別排気手段を駆動制御する
ことを特徴とする連続処理装置。
２つの前記処理手段が前記処理領域に処理ガスを給気する処理手段を有し、
それぞれの前記処理領域に前記処理手段から異なる処理ガスを給気して、これらの前記処理領域に亘って移動する前記基体上に成膜をおこなう
ことを特徴とする請求項１記載の連続処理装置。
前記処理手段がプラズマを発生させるプラズマ処理手段である
ことを特徴とする請求項１または２記載の連続処理装置。
前記処理領域から前記排気領域へのガス流における圧力状態を検出する圧力検出手段が設けられ、
前記圧力検出手段は検出結果を前記制御手段に出力する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の連続処理装置。
隣接する前記処理領域の間にパージガスを供給するパージ領域が設けられ、
前記パージ領域には、パージガス供給手段が設けられて前記制御手段によって制御される
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の連続処理装置。
前記パージ領域には、前記パージ領域に隣接する排気領域を排気するパージガス排気手段が設けられて前記制御手段によって制御される
ことを特徴とする請求項５記載の連続処理装置。
前記パージ領域には、圧力状態を検出する圧力検出手段が設けられ、
前記圧力検出手段は検出結果を前記制御手段に出力する
ことを特徴とする請求項５または６記載の連続処理装置。
前記排気領域が、前記基体の移動する面において前記処理領域を囲む配置とされる
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか記載の連続処理装置。
前記排気領域が、前記基体の移動する向きにおいて前記処理領域の上流排気領域と下流排気領域とを有し、
前記上流排気領域の圧力と前記下流排気領域の圧力とが異なるように設定される
ことを特徴とする請求項８記載の連続処理装置。
前記基体が可撓性フィルムである
ことを特徴とする請求項１から９のいずれか記載の連続処理装置。
前記基体が平板の基板である
ことを特徴とする請求項１から９のいずれか記載の連続処理装置。
前記移動手段が、複数の基板を載置して回転軸を中心として回転可能な載置部と、
前記回転軸を駆動する回転手段と、
を有する
ことを特徴とする請求項１から１１のいずれか記載の連続処理装置。
前記載置部が、前記回転軸を中心軸線とする円形テーブルとされ、前記円形テーブルの上面に前記基板が載置される
ことを特徴とする請求項１２記載の連続処理装置。
前記載置部が、前記回転軸を中心軸線とする柱状ドラムとされ、前記柱状ドラムの側面に前記基板が配置される
ことを特徴とする請求項１２記載の連続処理装置。
前記載置部が、磁気浮上手段により非接触で回転駆動可能に支持される
ことを特徴とする請求項１２から１４のいずれか記載の連続処理装置。