JP2022100229A - Temporary fixing resin composition and temporary fixing resin film sheet - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体素子又は半導体素子を封止した半導体素子封止物を加工する際に使用される仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシートに関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device or a resin composition for temporary fixing, a resin film for temporary fixing, and a resin film sheet for temporary fixing used when processing a semiconductor device encapsulation material for encapsulating a semiconductor element.
一般的な電子機器に搭載される半導体装置は、これまで半導体を金属のリードフレームに実装し封止したリードフレームパッケージ及び有機基板に実装したパッケージが主流であった。一方、電子機器の小型化・高性能化に伴い、搭載するパッケージも小型化が進み、半導体素子のバンプ面に基板と接続するバンプを直接形成するウエハレベルパッケージが増加している。更に、バンプ数の増加及び配線の微細化が進行しており、半導体素子サイズよりも大きな絶縁層に配線を引き出すファンアウトのウエハレベルパッケージ（ＦＯＷＬＰ）の需要が高まっている。 Until now, semiconductor devices mounted on general electronic devices have mainly been lead frame packages in which semiconductors are mounted and sealed on metal lead frames and packages mounted on organic substrates. On the other hand, with the miniaturization and higher performance of electronic devices, the size of packages to be mounted is also increasing, and the number of wafer level packages in which bumps directly connected to a substrate are formed on the bump surface of a semiconductor element is increasing. Further, the number of bumps is increasing and the wiring is miniaturized, and the demand for a fan-out wafer level package (FOWLP) that draws the wiring to an insulating layer larger than the semiconductor element size is increasing.
ファンアウトのウエハレベルパッケージの製造方法は多岐に亘っているが、微細配線を複数層形成する１つの方法として、支持体に貼り付けた仮固定用樹脂フィルムの上に半導体素子のバンプ面が上になるように半導体素子を実装した後に半導体素子を封止する、チップファースト／フェイスアップの製造方法がある。また、支持体に形成された接着層の上に半導体素子のバンプ面が下になるように半導体素子を実装した後に半導体素子を封止する、チップファースト／フェイスダウンの製造方法がある。 There are various manufacturing methods for fan-out wafer level packages, but as one method for forming multiple layers of fine wiring, the bump surface of the semiconductor element is on top of the temporary fixing resin film attached to the support. There is a chip-first / face-up manufacturing method in which the semiconductor element is sealed after the semiconductor element is mounted so as to be. Further, there is a chip-first / face-down manufacturing method in which a semiconductor element is mounted on an adhesive layer formed on a support so that the bump surface of the semiconductor element is on the bottom and then the semiconductor element is sealed.
図１に、チップファースト／フェイスアップの製造方法の断面を模式的に示した。
図１（ａ）は、支持体上に仮固定用樹脂組成物を形成した後の断面図である。そして、図１（ｂ）に示すように、接着性を有する仮固定層に半導体素子のバンプ面が上になるように半導体素子を搭載し、仮固定用樹脂組成物を硬化する。その後、図１（ｃ）のように、半導体素子を封止材で封止する。
FIG. 1 schematically shows a cross section of a chip-first / face-up manufacturing method.
FIG. 1A is a cross-sectional view after forming the temporary fixing resin composition on the support. Then, as shown in FIG. 1 (b), the semiconductor element is mounted on the temporary fixing layer having adhesiveness so that the bump surface of the semiconductor element faces up, and the temporary fixing resin composition is cured. Then, as shown in FIG. 1 (c), the semiconductor element is sealed with a sealing material.
その後、図１（ｄ）に示すように、封止材の研磨後、図１（ｅ）に示すように、再配線層の形成及びはんだバンプ（不図示）の形成を実施し、図１（ｆ）に示すように、半導体素子を封止した半導体素子封止物から仮固定用樹脂組成物を剥離する。 Then, as shown in FIG. 1 (d), after polishing the encapsulant, as shown in FIG. 1 (e), a rewiring layer and a solder bump (not shown) were formed, and FIG. 1 (not shown) was formed. As shown in f), the temporary fixing resin composition is peeled off from the semiconductor device encapsulation that encapsulates the semiconductor element.
図２に、チップファースト／フェイスダウンの製造方法の断面を模式的に示した。図２（ａ）は、支持体上に仮固定用樹脂組成物を形成した後の断面図である。そして、図２（ｂ）に示すように、接着性を有する仮固定用樹脂組成物層に半導体素子のバンプ面が下になるように半導体素子を搭載し、仮固定用樹脂組成物を硬化する。その後、図２（ｃ）のように、半導体素子を封止材で封止する。その後、図２（ｄ）のように、仮固定用樹脂組成物（支持体１０１と仮固定層１０２）を剥離する。
FIG. 2 schematically shows a cross section of a chip first / face down manufacturing method. FIG. 2A is a cross-sectional view after forming the temporary fixing resin composition on the support. Then, as shown in FIG. 2B, the semiconductor element is mounted on the adhesive temporary fixing resin composition layer so that the bump surface of the semiconductor element is on the bottom, and the temporary fixing resin composition is cured. .. Then, as shown in FIG. 2C, the semiconductor element is sealed with a sealing material. Then, as shown in FIG. 2D, the temporary fixing resin composition (
その後、支持体１０１上に仮固定用樹脂組成物１０２を形成し、図２（ｅ）に示すように上記半導体素子封止物を、封止面が下になるように貼り合わせ仮固定用樹脂組成物を硬化する。図２（ｆ）に示すように再配線層形成及びはんだバンプ（不図示）の形成を実施し、図２（ｇ）に示すように、封止材から仮固定用樹脂組成物を剥離する。
After that, the temporary
上記の製造工程で使用される仮固定用樹脂組成物として、特許文献１には、熱可塑性樹脂及びシリコーン変性アルキド樹脂を含む、仮固定用樹脂組成物が開示されている。
As a temporary fixing resin composition used in the above manufacturing process,
上記の製造工程で使用される仮固定用樹脂組成物に対しては、半導体素子又は半導体素子を封止した半導体素子封止物を強固に固定する接着性と、封止やＲＤＬ形成を含む高温プロセスにおける耐熱性とが求められる。その一方で、仮固定用樹脂組成物には加工後の半導体素子又は半導体素子封止物を支持体から容易に分離できる剥離性が要求されている。特に半導体素子へのダメージが生じないようになるべく弱い力で半導体素子又は半導体素子封止物と支持体とを分離でき、しかも半導体素子又は半導体素子封止物には仮固定用樹脂組成物が残らないことが求められる。 For the temporary fixing resin composition used in the above manufacturing process, the adhesiveness for firmly fixing the semiconductor element or the semiconductor element-encapsulated material encapsulating the semiconductor element, and the high temperature including encapsulation and RDL formation. Heat resistance in the process is required. On the other hand, the temporary fixing resin composition is required to have peelability so that the processed semiconductor element or the semiconductor element encapsulation can be easily separated from the support. In particular, the semiconductor element or the semiconductor element encapsulation can be separated from the support with as weak a force as possible so as not to damage the semiconductor element, and the temporary fixing resin composition remains in the semiconductor element or the semiconductor element encapsulation. Not required.
特許文献１に記載の仮固定用樹脂組成物はチップファースト／フェイスアップの製造方法には適用可能であったが、チップファースト／フェイスダウンの製造方法では、凹凸がある封止面を貼り合わせた後に仮固定用樹脂組成物を硬化する工程により、凹凸へ硬化前の仮固定用樹脂組成物が入り込むため剥離性が十分でない傾向がある。
The temporary fixing resin composition described in
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、チップファースト／フェイスアップ、チップファースト／フェイスダウンの両方の製造方法に適用可能な仮固定用樹脂組成物を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a temporary fixing resin composition applicable to both chip-first / face-up and chip-first / face-down production methods.
本発明は、半導体素子又は半導体素子を封止した半導体素子封止物を、支持体に仮固定用樹脂組成物を介して仮固定する仮固定工程と、上記支持体に仮固定された上記半導体素子、又は上記半導体素子封止物、を加工する加工工程と、加工された上記半導体素子、又は上記半導体素子封止物、を上記支持体及び上記仮固定用樹脂組成物から分離する分離工程と、を備える半導体素子の加工に用いられる上記仮固定用樹脂組成物であって、アクリル主鎖とシリコーン側鎖からなる樹脂を含み、加熱前の弾性率が２５℃において１５～１０００ＭＰａ、１７０℃で１時間加熱された後の弾性率が２５℃において２００～１５００ＭＰａ、硬化後の仮固定用樹脂組成物と上記半導体素子又は上記半導体素子封止物との３０°剥離強度が６０～２００Ｎ／ｍである上記仮固定用樹脂組成物を提供する。 The present invention comprises a temporary fixing step of temporarily fixing a semiconductor element or a semiconductor element-encapsulated material encapsulating a semiconductor element to a support via a resin composition for temporary fixing, and the semiconductor temporarily fixed to the support. A processing step of processing the element or the semiconductor element encapsulation, and a separation step of separating the processed semiconductor element or the semiconductor element encapsulation from the support and the temporary fixing resin composition. The above-mentioned temporary fixing resin composition used for processing a semiconductor element comprising the above, comprising a resin composed of an acrylic main chain and a silicone side chain, and having an elastic coefficient before heating at 25 ° C, 15 to 1000 MPa, and 170 ° C. The elasticity after heating for 1 hour is 200 to 1500 MPa at 25 ° C., and the 30 ° peel strength between the temporarily fixed resin composition after curing and the semiconductor element or the semiconductor element encapsulation is 60 to 200 N / m. The above-mentioned temporary fixing resin composition is provided.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物によれば、十分な耐熱性を有し、半導体素子又は半導体素子封止物を支持体に十分固定することができる。上記仮固定用樹脂組成物は、アクリル主鎖とシリコーン側鎖からなる熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、加工後の半導体素子又は半導体素子封止物を、支持体から容易に分離することができるとともに加工後の半導体素子、又は半導体素子封止物から容易に剥離することができる。そのため、溶剤に浸漬させることなく、加工後の半導体素子又は半導体素子封止物を支持体、及び仮固定用樹脂組成物から、容易に分離することが可能となる。 According to the temporary fixing resin composition according to the present invention, it has sufficient heat resistance and can sufficiently fix the semiconductor element or the semiconductor element encapsulation to the support. The temporary fixing resin composition preferably contains a thermoplastic resin composed of an acrylic main chain and a silicone side chain. Thereby, the processed semiconductor element or the semiconductor element encapsulation can be easily separated from the support, and can be easily peeled off from the processed semiconductor element or the semiconductor element encapsulation. Therefore, the processed semiconductor element or the semiconductor element encapsulant can be easily separated from the support and the temporary fixing resin composition without being immersed in a solvent.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、加熱前の弾性率は２５℃において１５～１０００ＭＰａであることが好ましい。これにより、半導体素子又は半導体素子封止物の仮固定性を担保しながら、良好な剥離性を付与することができる。 In the temporary fixing resin composition according to the present invention, the elastic modulus before heating is preferably 15 to 1000 MPa at 25 ° C. This makes it possible to impart good peelability while ensuring the temporary fixing property of the semiconductor device or the semiconductor device encapsulation.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、１７０℃で１時間加熱された後の弾性率は２５℃において２００～１５００ＭＰａであることが好ましい。これにより、良好な剥離性を付与することができる。 In the temporary fixing resin composition according to the present invention, the elastic modulus after heating at 170 ° C. for 1 hour is preferably 200 to 1500 MPa at 25 ° C. Thereby, good peelability can be imparted.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物において、硬化後の仮固定用樹脂組成物と前記半導体素子又は半導体素子封止物との３０°剥離強度が６０～２００Ｎ／ｍであることが好ましい。これにより、加工時の剥離の抑制と加工後の良好な剥離性を両立させることができる。 In the temporary fixing resin composition according to the present invention, it is preferable that the 30 ° peel strength between the cured temporary fixing resin composition and the semiconductor device or the semiconductor device encapsulation is 60 to 200 N / m. As a result, it is possible to achieve both suppression of peeling during processing and good peelability after processing.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、ガラス転移温度が－５０～５０℃であり、重量平均分子量が１０万～１２０万である架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体を含み、アクリロニトリルを含まない熱可塑性樹脂を含有することが好ましい。仮固定用樹脂組成物は、アクリル主鎖とシリコーン側鎖からなる樹脂を、上記熱可塑性樹脂１００質量部に対し、０．０１～２０．００質量部含むことが好ましい。これにより、加工時の耐熱性と加工後の良好な剥離性を付与することができる。 The resin composition for temporary fixing according to the present invention contains a (meth) acrylic copolymer having a crosslinkable functional group having a glass transition temperature of −50 to 50 ° C. and a weight average molecular weight of 100,000 to 1.2 million. , It is preferable to contain a thermoplastic resin containing no acrylonitrile. The temporary fixing resin composition preferably contains a resin composed of an acrylic main chain and a silicone side chain in an amount of 0.01 to 20.00 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. This makes it possible to impart heat resistance during processing and good peelability after processing.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は硬化剤を含有することが好ましい。これにより架橋構造を形成し、加工時の耐熱性と加工後の剥離性を付与することができる。 The temporary fixing resin composition according to the present invention preferably contains a curing agent. As a result, a crosslinked structure can be formed, and heat resistance during processing and peelability after processing can be imparted.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物はシリコーン化合物を含有することが好ましい。これにより加工後の剥離性を付与することができる。 The temporary fixing resin composition according to the present invention preferably contains a silicone compound. This makes it possible to impart peelability after processing.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、無機フィラーを更に含有することが好ましい。これにより耐熱性、加工後の剥離性、低熱膨張性又は低吸湿性などの特性を付与することができる。 The temporary fixing resin composition according to the present invention preferably further contains an inorganic filler. This makes it possible to impart properties such as heat resistance, peelability after processing, low thermal expansion and low hygroscopicity.
本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、硬化促進剤を更に含有することが好ましい。これにより、仮固定用樹脂組成物の硬化性と保存安定性とを両立することが容易となる。 The temporary fixing resin composition according to the present invention preferably further contains a curing accelerator. This makes it easy to achieve both curability and storage stability of the temporary fixing resin composition.
本発明によれば、優れた貼付性及び十分な耐熱性を有し、半導体素子又は半導体素子封止物を支持体に十分固定することができ、なおかつ加工後の半導体素子又は半導体素子封止物を支持体及び仮固定用樹脂組成物から容易に分離することができるフィルム状の仮固定用樹脂組成物を提供することができる。 According to the present invention, it has excellent stickability and sufficient heat resistance, can sufficiently fix a semiconductor element or a semiconductor element encapsulation to a support, and has a processed semiconductor element or a semiconductor element encapsulation. It is possible to provide a film-shaped temporary fixing resin composition that can be easily separated from the support and the temporary fixing resin composition.
［仮固定用樹脂組成物］
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）アクリル主鎖とシリコーン側鎖からなる樹脂、（Ｃ－２）その他シリコーン化合物、（Ｄ）無機フィラー、（Ｅ）硬化促進剤、有機溶剤、及びその他の成分を含有することができる。
[Resin composition for temporary fixing]
The temporary fixing resin composition according to the present embodiment includes (A) a thermoplastic resin, (B) a curing agent, (C) a resin composed of an acrylic main chain and a silicone side chain, (C-2) other silicone compounds, and ( D) Inorganic filler, (E) Curing accelerator, organic solvent, and other components can be contained.
本実施形態で用いる（Ａ）熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限はない。 The (A) thermoplastic resin used in the present embodiment is not particularly limited as long as it is a resin having thermoplasticity or a resin having thermoplasticity at least in an uncured state and forming a crosslinked structure after heating.
熱可塑性樹脂としては、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体（以下、「反応性基含有（メタ）アクリル共重合体」という場合もある）が好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルのいずれかの意味で用いられる。 As the thermoplastic resin, a (meth) acrylic copolymer having a reactive group (hereinafter, may be referred to as “reactive group-containing (meth) acrylic copolymer”) is preferable. In addition, in this specification, (meth) acrylic is used in the meaning of either acrylic or methacrylic.
（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどが挙げられるが、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、（メタ）アクリル酸エステルから選択されるモノマーの共重合により形成されるものが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２－エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレートなどが挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic copolymer include a (meth) acrylic ester copolymer and acrylic rubber, but acrylic rubber is more preferable. The acrylic rubber is preferably formed by copolymerizing an acrylic acid ester as a main component and a monomer selected from the (meth) acrylic acid ester. Examples of the (meth) acrylic acid ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, isopropyl acrylate, butyl acrylate, isobutyl acrylate, hexyl acrylate, cyclohexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, lauryl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate and propyl. Examples thereof include methacrylate, isopropyl acrylate, butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, and lauryl methacrylate.
反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーと、上記のモノマーとが含まれる単量体組成物を共重合することにより得ることができる。 The (meth) acrylic copolymer having a reactive group can be obtained by copolymerizing a (meth) acrylic monomer having a reactive group and a monomer composition containing the above-mentioned monomer.
反応性基としては、耐熱性向上の点から、エポキシ基、カルボキシル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、エピスルフィド基が好ましいが、中でも架橋性の点からグリシジル基及びカルボキシル基がより好ましい。反応性基としてエポキシ基を選択する場合、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、グリシジルアクリレート、４－ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、３，４－エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、４－ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル、３，４－エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレートが挙げられる。これらの中でも、耐熱性の観点から、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましい。 As the reactive group, an epoxy group, a carboxyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group and an episulfide group are preferable from the viewpoint of improving heat resistance, and a glycidyl group and a carboxyl group are more preferable from the viewpoint of crosslinkability. When an epoxy group is selected as the reactive group, examples of the (meth) acrylic monomer having the reactive group include glycidyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, and glycidyl methacrylate, 4 -Hydroxybutyl methacrylate glycidyl ether, 3,4-epoxide cyclohexylmethyl methacrylate can be mentioned. Among these, glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate are preferable from the viewpoint of heat resistance.
（Ａ）熱可塑性樹脂のＴｇは、－５０～５０℃であることが好ましい。（Ａ）熱可塑性樹脂のＴｇが５０℃以下であると、仮固定用樹脂組成物からフィルム状の仮固定用樹脂組成物を形成したときに、柔軟性を確保でき、貼付性の低下を抑制できる。一方、（Ａ）熱可塑性樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、仮固定用樹脂組成物からフィルム状の仮固定用樹脂組成物を形成したときに、柔軟性が高くなりすぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる。 The Tg of the (A) thermoplastic resin is preferably −50 to 50 ° C. (A) When the Tg of the thermoplastic resin is 50 ° C. or lower, flexibility can be ensured when a film-shaped temporary fixing resin composition is formed from the temporary fixing resin composition, and deterioration of adhesiveness is suppressed. can. On the other hand, when the Tg of the (A) thermoplastic resin is −50 ° C. or higher, the flexibility becomes too high when the film-shaped temporary fixing resin composition is formed from the temporary fixing resin composition. It is possible to suppress deterioration of property and peelability.
（Ａ）熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて（Ａ）熱可塑性樹脂を測定したときの中間点ガラス転移温度値である。具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。 (A) Tg of the thermoplastic resin is an intermediate point glass transition temperature value when (A) the thermoplastic resin is measured using a differential scanning calorimeter (DSC). Specifically, it is an intermediate point glass transition temperature calculated by a method based on JIS K 7121: 1987 by measuring the change in calorific value under the conditions of a heating rate of 10 ° C./min and a measurement temperature of −80 to 80 ° C.
（Ａ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、１０万以上１２０万以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であると、仮固定用樹脂組成物の耐熱性を確保しやすくなる。一方、重量平均分子量が１２０万以下であると、仮固定用樹脂組成物からフィルム状の仮固定用樹脂組成物を形成したときに、貼付性の低下を抑制できる。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。 (A) The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 100,000 or more and 1.2 million or less. When the weight average molecular weight is 100,000 or more, it becomes easy to secure the heat resistance of the temporary fixing resin composition. On the other hand, when the weight average molecular weight is 1.2 million or less, it is possible to suppress a decrease in stickability when a film-shaped temporary fixing resin composition is formed from the temporary fixing resin composition. The weight average molecular weight is a polystyrene-equivalent value using a calibration curve made of standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).
反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体がグリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートを共重合成分として含む場合、これらの配合量は合計で、共重合成分全量を基準として０．１～２０．０質量％であることが好ましく、０．５～１５．０質量％であることがより好ましく、１．０～１０．０質量％であることが更に好ましい。配合量が上記範囲内であると、仮固定用樹脂組成からフィルム状の仮固定用樹脂組成物を形成したときに、耐熱性を十分確保しつつ、柔軟性の低下を抑制することができる。 When the (meth) acrylic copolymer having a reactive group contains glycidyl acrylate and / or glycidyl methacrylate as a copolymerization component, the total amount thereof is 0.1 to 20.0 based on the total amount of the copolymerization component. It is preferably by mass, more preferably 0.5 to 15.0% by mass, and even more preferably 1.0 to 10.0% by mass. When the blending amount is within the above range, when a film-shaped temporary fixing resin composition is formed from the temporary fixing resin composition, it is possible to suppress a decrease in flexibility while sufficiently ensuring heat resistance.
上述のような反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体としては、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよい。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種類を単独で、又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。 As the (meth) acrylic copolymer having a reactive group as described above, one obtained by a polymerization method such as pearl polymerization or solution polymerization may be used. Examples of the curing accelerator include imidazoles, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo [5, 4,0] Undecene-7-tetraphenylborate and the like can be mentioned. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
（Ｂ）硬化剤としては（Ａ）熱可塑性樹脂と架橋構造を形成するものであれば特に制限はなく、フェノール樹脂等が挙げられる。 The (B) curing agent is not particularly limited as long as it forms a crosslinked structure with the (A) thermoplastic resin, and examples thereof include phenol resins.
（Ｃ）アクリル主鎖とシリコーン側鎖からなる樹脂としては、主鎖がアクリル共重合体であり、側鎖にポリシロキサン構造を有するものであれば、特に制限はない。 (C) The resin composed of the acrylic main chain and the silicone side chain is not particularly limited as long as the main chain is an acrylic copolymer and the side chain has a polysiloxane structure.
（Ｃ－２）シリコーン化合物としては、ポリシロキサン構造を有するものであれば特に制限はなく、ストレートシリコーンオイル、非反応性の変性シリコーンオイル、反応性の変性シリコーンオイル等が挙げられる。シリコーン化合物は、１種類を単独で、又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。 The (C-2) silicone compound is not particularly limited as long as it has a polysiloxane structure, and examples thereof include straight silicone oil, non-reactive modified silicone oil, and reactive modified silicone oil. The silicone compound may be used alone or in combination of two or more.
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における（Ｃ－２）シリコーン化合物の含有量は、溶解性と接着性とのバランスの観点から、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、合計で０．１～１００．０質量部が好ましく、０．１～１０．０質量部がより好ましく、０．１～５．０質量部が更に好ましい。 The content of the (C-2) silicone compound in the temporary fixing resin composition according to the present embodiment is, in total, with respect to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin from the viewpoint of the balance between solubility and adhesiveness. 0.1 to 100.0 parts by mass is preferable, 0.1 to 10.0 parts by mass is more preferable, and 0.1 to 5.0 parts by mass is further preferable.
（Ｄ）無機フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラー等が挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。例えば、金属フィラーは、仮固定用樹脂組成物にチキソ性を付与する目的で添加することができ、非金属無機フィラーは、仮固定用樹脂組成物に耐熱性、加工後の剥離性、低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加することができる。無機フィラーは、１種類を単独で、又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of the (D) inorganic filler include metal fillers such as silver powder, gold powder, and copper powder; non-metal inorganic fillers such as silica, alumina, boron nitride, titania, glass, iron oxide, and ceramics. The inorganic filler can be selected according to the desired function. For example, a metal filler can be added to the temporary fixing resin composition for the purpose of imparting thixotropic properties, and a non-metal inorganic filler can be added to the temporary fixing resin composition with heat resistance, post-processing peelability, and low thermal expansion. It can be added for the purpose of imparting property and low hygroscopicity. The inorganic filler may be used alone or in combination of two or more.
上記無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、仮固定用樹脂組成物を調製するときの有機溶剤への分散性、並びに仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定用樹脂組成物の密着性、及び耐熱性、を向上させることが容易となる。 The inorganic filler preferably has an organic group on its surface. Since the surface of the inorganic filler is modified with an organic group, the dispersibility in an organic solvent when preparing a temporary fixing resin composition and the film-like temporary fixing formed from the temporary fixing resin composition are used. It becomes easy to improve the adhesion and heat resistance of the resin composition.
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における（Ｄ）無機フィラーの配合量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、１００質量部以下がより好ましく、５０質量部以下が更に好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定用樹脂組成物の接着性を十分確保しつつ、剥離性、低熱膨張性、低吸湿性等、所望の機能を付与することができる。 The blending amount of the (D) inorganic filler in the temporary fixing resin composition according to the present embodiment is preferably 300 parts by mass or less, more preferably 100 parts by mass or less, and 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin. More preferably, it is by mass or less. The lower limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. By setting the content of the inorganic filler in the above range, the film-like temporary fixing resin composition formed from the temporary fixing resin composition has sufficient adhesiveness, and has peelability, low thermal expansion, and low moisture absorption. It is possible to impart desired functions such as sex.
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物には、更に有機フィラーを配合することができる。有機フィラーとしては、例えば、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの配合量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、１００質量部以下がより好ましく、５０質量部以下が更に好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。 An organic filler can be further added to the temporary fixing resin composition according to the present embodiment. Examples of the organic filler include carbon, rubber-based filler, silicone-based fine particles, polyamide fine particles, polyimide fine particles, and the like. The blending amount of the organic filler is preferably 300 parts by mass or less, more preferably 100 parts by mass or less, still more preferably 50 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin. The lower limit of the content of the organic filler is not particularly limited, but is preferably 5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin.
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含有する場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。 When the temporary fixing resin composition according to the present embodiment contains a (meth) acrylic copolymer having an epoxy group, it contains a curing accelerator that promotes curing of the epoxy group contained in the acrylic copolymer. Is preferable.
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における（Ｅ）硬化促進剤の配合量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１～５０．００質量部が好ましく、０．１～２０．０質量部がより好ましい。硬化促進剤の配合量が上記範囲内であると、十分な硬化性を得つつ、保存安定性の低下を十分小さくすることができる。 The amount of the (E) curing accelerator to be blended in the temporary fixing resin composition according to the present embodiment is preferably 0.01 to 50.00 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin, and is 0.1. ~ 20.0 parts by mass is more preferable. When the blending amount of the curing accelerator is within the above range, it is possible to obtain sufficient curing property and sufficiently reduce the decrease in storage stability.
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、必要に応じて更に有機溶剤を用いて希釈してもよい。有機溶剤は、特に限定されないが、製膜時の揮発性などを沸点から考慮して決めることができる。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、２－ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤は、製膜時にフィルムの硬化が進まない点で好ましい。また、製膜性を向上させるなどの目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、１種類を単独で、又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 The temporary fixing resin composition according to the present embodiment may be further diluted with an organic solvent, if necessary. The organic solvent is not particularly limited, but can be determined in consideration of the volatility at the time of film formation and the like from the boiling point. Specifically, for example, a solvent having a relatively low boiling point such as methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, methylethylketone, acetone, methylisobutylketone, toluene, and xylene is used during film formation. It is preferable in that the curing of the film does not proceed. Further, for the purpose of improving the film-forming property, for example, it is preferable to use a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone and cyclohexanone. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物の固形分濃度は、１０～８０質量％であることが好ましい。 The solid content concentration of the temporary fixing resin composition according to the present embodiment is preferably 10 to 80% by mass.
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）シリコーン化合物、（Ｄ）無機フィラー、（Ｅ）硬化促進剤、有機溶剤、及びその他の成分を混合、混練することによって調製することができる。混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ビーズミルなどの分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。 The temporary fixing resin composition according to the present embodiment includes (A) a thermoplastic resin, (B) a curing agent, (C) a silicone compound, (D) an inorganic filler, (E) a curing accelerator, an organic solvent, and the like. It can be prepared by mixing and kneading the components of. Mixing and kneading can be performed by appropriately combining a disperser such as a normal stirrer, a raft machine, a triple roll, and a bead mill.
［仮固定用樹脂フィルム］
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、上記本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなるものである。
[Resin film for temporary fixing]
The temporary fixing resin film according to the present embodiment is formed by forming the temporary fixing resin composition according to the present embodiment into a film.
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、例えば、仮固定用樹脂組成物を支持フィルム上に塗布してフィルム状に形成することにより、支持フィルムと仮固定用樹脂フィルムを備える仮固定用樹脂フィルムシートを容易に製造することができる。また、仮固定用樹脂組成物が有機溶剤で希釈されている場合、該樹脂組成物を支持フィルムに塗布し、有機溶剤を加熱乾燥により除去することにより、支持フィルム上に設けられた仮固定用樹脂フィルムを製造することができる。 The temporary fixing resin film according to the present embodiment is, for example, a temporary fixing resin provided with a support film and a temporary fixing resin film by applying the temporary fixing resin composition on the support film to form a film. The film sheet can be easily manufactured. When the resin composition for temporary fixing is diluted with an organic solvent, the resin composition is applied to the support film and the organic solvent is removed by heating and drying to provide the temporary fixing on the support film. A resin film can be manufactured.
支持フィルム上に設けられた仮固定用樹脂フィルムには、必要に応じて保護フィルムを貼り付けることができる。この場合、後述する支持フィルム、仮固定用樹脂フィルム、及び保護フィルム、からなる３層構造を有する仮固定用樹脂フィルムシートを得ることができる。 A protective film can be attached to the temporary fixing resin film provided on the support film, if necessary. In this case, a temporary fixing resin film sheet having a three-layer structure including a support film, a temporary fixing resin film, and a protective film, which will be described later, can be obtained.
このようにして得られた仮固定用樹脂フィルムシートは、例えばロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状のフィルムを好適なサイズに切り出して、シート状にして保存することもできる。 The temporary fixing resin film sheet thus obtained can be easily stored, for example, by winding it into a roll. Further, the roll-shaped film can be cut into a suitable size and stored in the form of a sheet.
図３（Ａ）は、本実施形態の仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩ－Ｉ線に沿った模式断面図である。 FIG. 3A is a top view showing an embodiment of the temporary fixing resin film sheet of the present embodiment, and FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along the line II of FIG. 3A. Is.
図３に示す仮固定用樹脂フィルムシート１は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた仮固定用樹脂フィルム２０と、仮固定用樹脂フィルム２０の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。
The temporary fixing
支持フィルム１０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられる。これらの中で、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドであることが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物などにより離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。
The
支持フィルム１０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３～２５０μｍであることが好ましい。３μｍ以上であれば、フィルム強度が十分であり、２５０μｍ以下であれば、十分な柔軟性が得られる。このような観点から、支持フィルム１０の厚みは、５～２００μｍであることが更に好ましく、７～１５０μｍであることが特に好ましい。
The thickness of the
本実施形態の仮固定用樹脂フィルム２０の厚みについては、特に限定されないが、乾燥後の厚みで、５～３００μｍであることが好ましい。５μｍ以上であれば、厚みが十分であるためフィルム又はフィルムの硬化物の強度が十分であり、３００μｍ以下であれば、十分な乾燥によりフィルム中の残留溶剤量を低減することが容易となり、フィルムの硬化物を加熱したときに発泡することを少なくできる。
The thickness of the temporary
厚膜のフィルムを製造する場合は、予め形成した厚み１００μｍ以下のフィルムを貼り合せてもよい。このように貼り合せたフィルムを用いることで、厚膜化フィルムを作製したときの残存溶剤を低下させることができる。 When producing a thick film, a preformed film having a thickness of 100 μm or less may be bonded. By using the film bonded in this way, it is possible to reduce the residual solvent when the thick film is produced.
保護フィルム３０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。これらの中で、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンであることが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物などにより離型処理が施されたフィルムを保護フィルムとして用いることが好ましい。
The
保護フィルム３０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜設定することができるが、１０～２５０μｍであることが好ましい。１０μｍ以上であれば、フィルム強度が十分であり、２５０μｍ以下であれば、十分な柔軟性が得られる。このような観点から、保護フィルム３０の厚みは、１５～２００μｍであることが更に好ましく、２０～１５０μｍであることが特に好ましい。
The thickness of the
［電子部品の製造方法］
本実施形態にかかわる電子部品の製造方法はチップファースト／フェイスアップとチップファースト／フェイスダウンの２種類がある。
[Manufacturing method of electronic parts]
There are two types of manufacturing methods for electronic components related to this embodiment: chip first / face up and chip first / face down.
［チップファースト／フェイスアップの製造方法］
［仮固定工程］
図１の（ａ）は、支持体上に仮固定用樹脂組成物を形成した後の断面図である。
[Chip First / Face Up Manufacturing Method]
[Temporary fixing process]
FIG. 1A is a cross-sectional view after forming the temporary fixing resin composition on the support.
本実施形態の支持体の材質は特に選ばないが、シリコンウエハ、ガラスウエハ、石英ウエハなどの基板が使用可能である。 The material of the support of the present embodiment is not particularly selected, but a substrate such as a silicon wafer, a glass wafer, or a quartz wafer can be used.
仮固定用樹脂組成物を用いる場合、スピンコートなどの方法により支持体上にフィルム状の仮固定用樹脂組成物を形成することができる。仮固定用樹脂組成物が有機溶剤で希釈されている場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じて、加熱乾燥により有機溶剤を加熱乾燥により除去し、フィルム状の仮固定用樹脂組成物を形成する。 When the temporary fixing resin composition is used, a film-shaped temporary fixing resin composition can be formed on the support by a method such as spin coating. When the temporary fixing resin composition is diluted with an organic solvent, after spin coating, the organic solvent is removed by heat drying by heat drying according to the volatilization conditions of the solvent, and the film-shaped temporary fixing resin composition is formed. To form.
仮固定用樹脂フィルムを用いる場合、ロールラミネーター、真空ラミネーターなどを用いて、支持体上に仮固定用樹脂フィルムをラミネートすることによりフィルム状の仮固定用樹脂組成物を設けることができる。 When a temporary fixing resin film is used, a film-shaped temporary fixing resin composition can be provided by laminating the temporary fixing resin film on the support using a roll laminator, a vacuum laminator, or the like.
次に接着性を有する仮固定層に半導体素子のバンプ面が上になるように半導体素子を搭載する。 Next, the semiconductor element is mounted on the temporary fixing layer having adhesiveness so that the bump surface of the semiconductor element faces up.
［半導体素子］
半導体素子１０３の個数、大きさ、厚さ、材質、付着物、機能等に関しては特に限定するものではなく、あらゆる種類の半導体素子１０３を適用することができる。また、半導体素子１０３の搭載方法に関しても特に限定するものではなく、半導体後工程で広く適用されているダイボンダ等、あらゆる装置及び方法を適用することができる。半導体素子１０３を搭載する条件についても一切の限定はなく、温度、圧力、それらの印加時間等、任意に設定できる。
[Semiconductor device]
The number, size, thickness, material, deposits, functions, etc. of the
半導体素子と支持体とをフィルム状の仮固定用樹脂組成物を介して仮固定した後、１００～２００℃で５～１２０分加熱することで、フィルム状の仮固定用樹脂組成物の熱硬化を行う。 After the semiconductor element and the support are temporarily fixed via the film-shaped temporary fixing resin composition, the film-shaped temporary fixing resin composition is thermally cured by heating at 100 to 200 ° C. for 5 to 120 minutes. I do.
［加工工程］
［封止］
仮固定用樹脂組成物に搭載した半導体素子１０３を封止材１０４で封止する。封止方法については特に限定するものではなく、コンプレッションモールド方式、トランスファモールド方式、フィルムラミネート方式、ディスペンス方式等あらゆる方法を任意の封止条件で適用することができる。
[Processing process]
[Sealing]
The
［封止材の硬化］
封止物は任意の硬化条件で硬化することができる。
[Curing the encapsulant]
The encapsulant can be cured under any curing conditions.
［研磨］
封止工程で半導体素子を封止材で封止した封止材を半導体素子のバンプが露出するまで研磨する研磨工程を有する。研磨は公知の研磨装置を用いて行うことができる。
[Polishing]
It has a polishing step of polishing the sealing material in which the semiconductor element is sealed with the sealing material in the sealing step until the bumps of the semiconductor element are exposed. Polishing can be performed using a known polishing device.
［再配線層形成］
半導体素子のバンプ側の面に再配線層を形成する。再配線は、ウエハプロセス等を用いて、半導体素子（ダイ）の入出力パッドから半導体装置（パッケージ）の入出力端子へと信号を引き回す高密度な多層配線構造であり、一般的には２～３層で、配線幅／間隔が２～１０μｍ／２～１０μｍで外部接続端子となるハンダボールのピッチが０．５ｍｍピッチとなるように形成する。
[Rewiring layer formation]
A rewiring layer is formed on the bump side surface of the semiconductor element. Rewiring is a high-density multi-layer wiring structure that routes signals from the input / output pads of semiconductor elements (dies) to the input / output terminals of semiconductor devices (packages) using a wafer process or the like, and is generally 2 to 2. The three layers are formed so that the wiring width / spacing is 2 to 10 μm / 2 to 10 μm and the pitch of the solder balls serving as external connection terminals is 0.5 mm.
［分離工程］
半導体素子及び封止材を支持体及びフィルム状の仮固定用樹脂組成物から分離する。本実施形態に係る分離工程は、支持体から半導体素子又は半導体素子封止物を剥離する第一の剥離工程と、支持体からフィルム状の仮固定用樹脂組成物を剥離する第二の剥離工程と、を含む。第一の剥離工程は、加工工程で加工を施した半導体ウエハを支持体から剥離する工程、即ち、薄型化した半導体ウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前に支持体から剥離する工程である。剥離方法としては、主に半導体ウエハと支持体とを加熱（好ましくは２００～２５０℃）しながら、水平方向に沿って反対方向にスライドさせることにより両者を分離する方法、支持体の半導体ウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された半導体ウエハの研削面に保護フィルムを貼り、半導体ウエハ保護フィルムとをピール方式で支持体から剥離する方法等が挙げられるが、特に制限なく採用することができる。
[Separation process]
The semiconductor element and the encapsulant are separated from the support and the film-shaped temporary fixing resin composition. The separation step according to the present embodiment is a first peeling step of peeling the semiconductor element or the semiconductor element encapsulation from the support, and a second peeling step of peeling the film-shaped temporary fixing resin composition from the support. And, including. The first peeling step is a step of peeling the semiconductor wafer processed in the processing step from the support, that is, a step of peeling the thinned semiconductor wafer from the support after various processing and before dicing. Is. As a peeling method, a method of separating the semiconductor wafer and the support by sliding them in opposite directions along the horizontal direction while heating (preferably 200 to 250 ° C.), a semiconductor wafer of the support, or a method of separating the two. One of the supports is fixed horizontally and the other is lifted at a certain angle from the horizontal direction, and a protective film is attached to the ground surface of the ground semiconductor wafer to peel the semiconductor wafer protective film. A method of peeling from the support can be mentioned, but it can be adopted without particular limitation.
本実施形態には、これらの剥離方法すべてに適用可能であるが、図４に示されるような支持体の半導体ウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施されるが、４０～１００℃程度の半導体ウエハにダメージのない温度下で実施してもよい。機械的に分離する際は、例えばＥＶＧ社製Ｄｅ－Ｂｏｎｄｉｎｇ装置ＥＶＧ８０５ＥＺＤを用いる。 Although applicable to all of these peeling methods in this embodiment, one of the semiconductor wafers of the support or the support as shown in FIG. 4 is horizontally fixed, and the other is fixed from the horizontal direction. The angled lifting method is more suitable. These peeling methods are usually carried out at room temperature, but may be carried out at a temperature of about 40 to 100 ° C. where the semiconductor wafer is not damaged. For mechanical separation, for example, a De-Bonding device EVG805EZD manufactured by EVG is used.
第二の剥離工程では、例えば、支持体を水平に固定しておき、フィルム状の仮固定用樹脂組成物の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、フィルム状の仮固定用樹脂組成物が剥離された支持体を得ることができる。本実施形態においては、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物を用いてフィルム状の仮固定用樹脂組成物が形成されていることにより、糊残りなどの残渣が十分低減された加工済み半導体ウエハを容易に得ることができる。 In the second peeling step, for example, the support is fixed horizontally, and the end of the film-shaped temporary fixing resin composition is lifted at a certain angle from the horizontal direction, so that the film-shaped temporary fixing resin composition is used. A support from which the resin composition has been peeled off can be obtained. In the present embodiment, the film-shaped temporary fixing resin composition is formed by using the temporary fixing resin composition according to the present embodiment, so that the residue such as adhesive residue is sufficiently reduced in the processed semiconductor. Wafers can be easily obtained.
本実施形態においては、第一の剥離工程で、支持体と、フィルム状の仮固定用樹脂組成物との間で分離を行ってもよい。 In the present embodiment, the support and the film-shaped temporary fixing resin composition may be separated in the first peeling step.
［チップファースト／フェイスダウンの製造方法］
前述のチップファースト／フェイスアップの製造方法と［支持体へのフィルムラミネート］～［封止材の硬化］までは同様である。ただしチップファースト／フェイスダウンの製造方法では半導体素子のバンプ面が下になるように半導体素子を搭載する。
[Chip First / Face Down Manufacturing Method]
The above-mentioned chip-first / face-up manufacturing method and [film laminating on the support] to [curing of the encapsulant] are the same. However, in the chip-first / face-down manufacturing method, the semiconductor element is mounted so that the bump surface of the semiconductor element is on the bottom.
［分離工程］
封止材の硬化後、チップファースト／フェイスアップの製造方法に記載の方法と同様の方法で封止材を支持体及びフィルム状の仮固定用樹脂組成物から分離することができる。
[Separation process]
After the encapsulant is cured, the encapsulant can be separated from the support and the film-shaped temporary fixing resin composition by the same method as described in the method for producing chip first / face-up.
［半導体素子封止物のボンディング］
チップファースト／フェイスアップの製造方法に記載の方法と同様の方法で支持体上に仮固定用樹脂組成物を形成することができる。
[Bonding of semiconductor device encapsulation]
The temporary fixing resin composition can be formed on the support by the same method as described in the chip first / face-up manufacturing method.
次に、ウエハ接合装置又は真空ラミネーター上に、フィルム状の仮固定用樹脂組成物を形成した支持体をセットし、半導体素子封止物をプレスで押圧して貼り付ける。ただしバンプ面ではない方が仮固定用樹脂組成物に接するように配置する。 Next, a support on which a film-shaped temporary fixing resin composition is formed is set on a wafer joining device or a vacuum laminator, and the semiconductor element encapsulant is pressed and attached by pressing. However, the one that is not the bump surface is arranged so as to be in contact with the temporary fixing resin composition.
ウエハ接合装置を用いる場合は、例えばズースマイクロテック株式会社製ボンディング装置ＬＦ１２を用いて、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度６０～２００℃、保持時間１００～３００秒で、半導体素子封止物と支持体５０とをフィルム状の仮固定用樹脂組成物を介して仮固定する。 When a wafer bonding device is used, for example, a bonding device LF12 manufactured by Susu Microtech Co., Ltd. is used, and the pressure is 1 hPa or less, the crimping pressure is 1 MPa, the crimping temperature is 60 to 200 ° C., and the holding time is 100 to 300 seconds. And the support 50 are temporarily fixed via a film-shaped resin composition for temporary fixing.
真空ラミネーターを用いる場合は、例えば株式会社エヌ・ピー・シー製真空ラミネーターＬＭ－５０Ｘ５０－Ｓ（商品名）、ニチゴーモートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０（商品名）を用い、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度４０～１８０℃、好ましくは６０～１５０℃、ラミネート圧力０．０１～０．５ＭＰａ、好ましくは０．１～０．５ＭＰａ、保持時間１～６００秒、好ましくは３０～３００秒で、半導体素子封止物と支持体５０とをフィルム状の仮固定用樹脂組成物を介して仮固定する。
When using a vacuum laminator, for example, use a vacuum laminator LM-50X50-S (trade name) manufactured by NPC Co., Ltd. and a vacuum laminator V130 (trade name) manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd., with an atmospheric pressure of 1 hPa or less and a crimping temperature of 40. Semiconductor element encapsulation at ~ 180 ° C., preferably 60 to 150 ° C., laminating pressure 0.01 to 0.5 MPa, preferably 0.1 to 0.5 MPa, holding
以降はチップファースト／フェイスアップの製造方法に記載の方法と同様の方法で再配線層形成、分離工程を行う。 After that, the rewiring layer formation and separation steps are performed by the same method as described in the chip first / face-up manufacturing method.
以下、実施例及び比較例によって、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
［アクリルゴムＰ－１の合成］
攪拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内に、脱イオン水２００ｇ、アクリル酸ブチル７０ｇ、メタクリル酸メチル９．５ｇ、グリシジルメタクリレート１０ｇ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ、スチレン０．５ｇ、１．８質量％ポリビニルアルコール水溶液２．０４ｇ、ラウリルパーオキサイド０．４１ｇ、及びｎ－オクチルメルカプタン０．０７ｇを配合した。続いて、６０分間Ｎ２ガスを吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して３時間重合を行った。更に、９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、アクリルゴムＰ－１を得た。アクリルゴムＰ－１をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＰ－１の重量平均分子量はポリスチレン換算で５０万であった。また、アクリルゴムＰ－１のＴｇは－２８℃であった。
[Synthesis of acrylic rubber P-1]
200 g of deionized water, 70 g of butyl acrylate, 9.5 g of methyl methacrylate in a 500 cc separable flask equipped with a stirrer, a thermometer, a nitrogen replacement device (nitrogen inflow tube), and a reflux condenser with a water receptor. , 10 g of glycidyl methacrylate, 10 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.5 g of styrene, 2.04 g of a 1.8 mass% polyvinyl alcohol aqueous solution, 0.41 g of lauryl peroxide, and 0.07 g of n-octyl mercaptan. Subsequently, after blowing N 2 gas for 60 minutes to remove the air in the system, the temperature in the system was raised to 65 ° C. and polymerization was carried out for 3 hours. Further, the temperature was raised to 90 ° C. and stirring was continued for 2 hours to complete the polymerization. The obtained transparent beads were separated by filtration, washed with deionized water, and then dried in a vacuum dryer at 50 ° C. for 6 hours to obtain acrylic rubber P-1. When the acrylic rubber P-1 was measured by GPC, the weight average molecular weight of the acrylic rubber P-1 was 500,000 in terms of polystyrene. The Tg of the acrylic rubber P-1 was −28 ° C.
なお、ＧＰＣの測定は、ＧＰＣ（東ソー株式会社製、ＳＤ－８０２２／ＤＰ－８０２０／ＲＩ－８０２０）を用い、溶離液としてテトラヒドロフランを用い、カラムとして昭和電工マテリアルズ株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ－Ａ１５０－Ｓ／ＧＬ－Ａ１６０－Ｓを使用して行った。 For GPC measurement, GPC (SD-8022 / DP-8020 / RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation) was used, tetrahydrofuran was used as the eluent, and Gelpack GL-A150-manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd. was used as the column. This was done using S / GL-A160-S.
また、アクリルゴムのＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）（株式会社リガク製、ＤＳＣ８２３０）を用いて、昇温速度１０℃／分、測定温度：－８０～８０℃の条件で測定した。なお、この場合のガラス転移温度とは、熱量変化からＪＩＳ Ｋ ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度のことである。 The Tg of acrylic rubber was measured using differential scanning calorimetry (DSC) (DSC8230, manufactured by Rigaku Co., Ltd.) under the conditions of a heating rate of 10 ° C./min and a measurement temperature of −80 to 80 ° C. The glass transition temperature in this case is the intermediate point glass transition temperature calculated from the change in calorific value by a method based on JIS K 7121: 1987.
［仮固定用樹脂組成物の調製］
表１に示す組成比（単位：質量部）にて各成分を配合して、実施例及び比較例の仮固定用樹脂組成物を調製した。
[Preparation of resin composition for temporary fixing]
Each component was blended in the composition ratio (unit: parts by mass) shown in Table 1 to prepare temporary fixing resin compositions of Examples and Comparative Examples.
表中の各成分の詳細は以下のとおりである。
ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ：ＧＰＣによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３質量％、Ｔｇ１２℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
Ｐ－１：ＧＰＣによる重量平均分子量５０万、グリシジルメタクリレート３質量％、Ｔｇ－２８℃のアクリルゴム
ＰＳＭ－４３２６：フェノール樹脂（群栄化学工業株式会社製）
ＭＥＨ－７８００Ｍ：フェノール樹脂（明和化成株式会社製）
ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ：液状エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製）
Ｎ－５００Ｐ－１０：固形エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製）
８ＢＳ－９００６：熱硬化型シリコーンアクリルポリマー（大成ファインケミカル株式会社製）
ＴＡ３１－２０９Ｅ：シリコーン変性アルキド樹脂（昭和電工マテリアルズ株式会社製）ＳＨ３７７３Ｍ：ポリエーテル変性シリコーンオイル（東レ株式会社製）
ＹＡ－０５０Ｃ－ＨＨＧ：表面処理シリカフィラ（アドマテックス株式会社製）
２ＰＺ－ＣＮ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
ＳＣ２０５０－ＳＥＪ：表面処理シリカフィラ（アドマテックス株式会社製）
The details of each component in the table are as follows.
HTR-860P-3CSP: GPC weight average molecular weight 800,000, glycidyl methacrylate 3% by mass, Tg 12 ° C acrylic rubber (manufactured by Nagase ChemteX Corporation)
P-1: Weight average molecular weight by GPC 500,000, glycidyl methacrylate 3% by mass, Tg-28 ° C acrylic rubber PSM-4326: Phenol resin (manufactured by Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd.)
MEH-7800M: Phenol resin (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.)
EXA-830CRP: Liquid epoxy resin (manufactured by DIC Corporation)
N-500P-10: Solid epoxy resin (manufactured by DIC Corporation)
8BS-9006: Thermosetting silicone acrylic polymer (manufactured by Taisei Fine Chemical Co., Ltd.)
TA31-209E: Silicone modified alkyd resin (manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd.) SH3773M: Polyether modified silicone oil (manufactured by Toray Industries, Inc.)
YA-050C-HHG: Surface-treated silica filler (manufactured by Admatex Co., Ltd.)
2PZ-CN: Imidazole-based curing accelerator (manufactured by Shikoku Chemicals Corporation)
SC2050-SEJ: Surface-treated silica filler (manufactured by Admatex Co., Ltd.)
次に、得られた仮固定用樹脂組成物に、更にシクロヘキサノンを加えて撹拌混合した。
各成分が均一になるまで撹拌を行い、仮固定用樹脂組成物のワニスを調製した。調製したワニスを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、支持フィルムである、厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布した。塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の２段階で加熱乾燥した。その後、仮固定用樹脂組成物層上に上記ＰＥＴフィルムを保護フィルムとしてさらに貼り合わせ、支持フィルム及び保護フィルムが付いた、厚さ３０μｍの仮固定用樹脂フィルム（仮固定材）を得た。調整した実施例１～２、比較例１～４の仮固定用樹脂フィルムを用いて以下の半導体装置の作製プロセス１、２を行い、その評価結果を表２にまとめた。
Next, cyclohexanone was further added to the obtained temporary fixing resin composition, and the mixture was stirred and mixed.
The varnish of the resin composition for temporary fixing was prepared by stirring until each component became uniform. The prepared varnish was filtered through a 100 mesh filter and vacuum defoamed. The varnish after vacuum defoaming was applied onto a support film, a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 38 μm and having undergone a mold release treatment. The applied varnish was heated and dried in two steps at 90 ° C. for 5 minutes and then at 140 ° C. for 5 minutes. Then, the PET film was further bonded as a protective film on the temporary fixing resin composition layer to obtain a temporary fixing resin film (temporary fixing material) having a thickness of 30 μm and having a support film and a protective film. The following semiconductor
［各種物性の評価］
得られた仮固定用樹脂フィルムについて、各種物性の評価を行った。評価結果を表２に示す。
[Evaluation of various physical properties]
Various physical properties of the obtained temporary fixing resin film were evaluated. The evaluation results are shown in Table 2.
［熱硬化前の２５℃弾性率］
仮固定用樹脂フィルムの光硬化後の２５℃弾性率を、下記の方法により評価した。仮固定用樹脂フィルムの保護フィルムと支持フィルムを剥離し、仮固定用樹脂フィルム同士を８枚重ね合わせラミネートし、厚さ２４０μｍのフィルムを用意した。その後、幅４ｍｍ、長さ３０ｍｍに切り出してサンプルを得た。これを株式会社ユービーエム製動的粘弾性装置Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で測定し、２５℃での測定値を硬化後弾性率として記録した。
[25 ° C elastic modulus before thermosetting]
The elastic modulus at 25 ° C. after photocuring of the resin film for temporary fixing was evaluated by the following method. The protective film and the support film of the temporary fixing resin film were peeled off, and eight temporary fixing resin films were laminated and laminated to prepare a film having a thickness of 240 μm. Then, it was cut into a width of 4 mm and a length of 30 mm to obtain a sample. This was set in the dynamic viscoelastic device Rheogel-E4000 manufactured by UBM Co., Ltd., a tensile load was applied, the measurement was performed at a frequency of 10 Hz and a heating rate of 3 ° C / min, and the measured value at 25 ° C was the elastic modulus after curing. Recorded as.
［熱硬化後の２５℃弾性率］
仮固定用樹脂フィルムの保護フィルムと支持フィルムを剥離し、仮固定用樹脂フィルム同士を８枚重ね合わせラミネートし、厚さ２４０μｍのフィルムを用意した。その後、ヤマト科学株式会社製送風定温乾燥機を用いて１７０℃で１時間加熱し硬化した。熱硬化後、幅４ｍｍ、長さ３０ｍｍに切り出してサンプルを得た。これを株式会社ユービーエム製動的粘弾性装置Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で測定し、２５℃での測定値を硬化後弾性率として記録した。
[25 ° C elastic modulus after thermosetting]
The protective film and the support film of the temporary fixing resin film were peeled off, and eight temporary fixing resin films were laminated and laminated to prepare a film having a thickness of 240 μm. Then, it was heated at 170 ° C. for 1 hour using a blower constant temperature dryer manufactured by Yamato Kagaku Co., Ltd. and cured. After thermosetting, it was cut into a width of 4 mm and a length of 30 mm to obtain a sample. This was set in the dynamic viscoelastic device Rheogel-E4000 manufactured by UBM Co., Ltd., a tensile load was applied, the measurement was performed at a frequency of 10 Hz and a heating rate of 3 ° C / min, and the measured value at 25 ° C was the elastic modulus after curing. Recorded as.
［３０°剥離強度］
仮固定用樹脂フィルムの保護フィルムを剥離し、ポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックス２５ＳＧＡ）の内側面を接着層にアズワン株式会社製ホットプレートＨＩ－１０００を用いて６０℃でラミネートした。次に、支持フィルムを剥離し、縦４ｃｍ×横３ｃｍに切り出したシリコンダミーウエハにアズワン株式会社製ホットプレートＨＩ－１０００を用いて６０℃でラミネートした。次に株式会社エヌ・ピー・シー製の真空ラミネーターＬＭ－５０Ｘ５０－Ｓを用いて、圧着温度６０℃、ラミネート圧力１ｈＰａ、保持時間１２０秒で再度ラミネートを行い、仮固定用樹脂フィルム付きシリコンダミーウエハを得た。その後、ヤマト科学株式会社製送風定温乾燥機を用いて１７０℃で１時間加熱し硬化した。硬化した仮固定用樹脂フィルムを２ｃｍ幅に切りだし、協和界面化学株式会社製角度自在タイプ粘着・皮膜剥離解析装置ＶＰＡ－２を用いて剥離角度３０°、試験速度５０ｍｍ／ｍｍ、ステージ温度室温で剥離強度を２回測定し、平均値を記録した。
[30 ° peel strength]
The protective film of the temporary fixing resin film was peeled off, and the inner surface of the polyimide film (UPIREX 25SGA manufactured by Ube Kosan Co., Ltd.) was laminated on the adhesive layer at 60 ° C. using a hot plate HI-1000 manufactured by AS ONE Corporation. Next, the support film was peeled off, and the silicon dummy wafer cut out to a length of 4 cm and a width of 3 cm was laminated at 60 ° C. using a hot plate HI-1000 manufactured by AS ONE Corporation. Next, using a vacuum laminator LM-50X50-S manufactured by NPC Co., Ltd., laminating was performed again at a crimping temperature of 60 ° C., a laminating pressure of 1 hPa, and a holding time of 120 seconds, and a silicon dummy wafer with a resin film for temporary fixing was used. Got Then, it was heated at 170 ° C. for 1 hour using a blower constant temperature dryer manufactured by Yamato Kagaku Co., Ltd. and cured. The cured resin film for temporary fixing is cut into a width of 2 cm, and the peeling angle is 30 °, the test speed is 50 mm / mm, and the stage temperature is room temperature, using the angleable type adhesive / film peeling analyzer VPA-2 manufactured by Kyowa Surface Chemistry Co., Ltd. The peel strength was measured twice and the average value was recorded.
［半導体装置（パッケージ）の作製］
［プロセス１：チップファースト／フェイスアップ］
［支持体へのフィルムラミネート］
仮固定用樹脂フィルムの保護フィルムを剥離し、大成ラミネーター株式会社製ファーストラミネーターＶＡ－４００IIIを用いて、支持体１０１であるガラスウエハに、ラミネート温度６０℃、ラミネート速度０．６ｍ／ｓ、ラミネート圧力０．２ＭＰａの条件でラミネートを行った。次に、支持フィルムを剥離し、仮固定用樹脂フィルム付きガラスウエハを得た。
[Manufacturing of semiconductor devices (packages)]
[Process 1: Chip First / Face Up]
[Film laminating on support]
The protective film of the resin film for temporary fixing is peeled off, and the first laminator VA-400III manufactured by Taisei Laminator Co., Ltd. is used on the glass wafer as the
[シリコンダミーチップの搭載]
[接着性試験]
仮固定用樹脂フィルム上に、半導体素子１０３であるシリコンダミーチップを搭載した。シリコンダミーチップは、チップサイズ縦６ｍｍ×横６ｍｍ、厚さ５００μｍであり、９６５個のチップを用いた。ダイマウンタ（富士機械株式会社製）を用い、温度９０℃、荷重２Ｎの条件でシリコンダミーチップを搭載した。ボイドなくチップを搭載できたサンプルを「〇」、ボイドが生じる又はチップを搭載できなかったサンプルを「×」と評価した。
[Mounting a silicon dummy chip]
[Adhesion test]
A silicon dummy chip, which is a
その後、仮固定用樹脂フィルムを硬化した。１７０℃で１時間硬化させた。 Then, the resin film for temporary fixing was cured. It was cured at 170 ° C. for 1 hour.
封止材１０４により封止を行った。コンプレッションモールド装置（ＴＯＷＡ株式会社製）を用い、厚み６００μｍ、１５０℃、３分間の条件で封止を行った。
その後、封止材を硬化した。１７５℃で４時間硬化した。
Sealing was performed with the sealing
Then, the encapsulant was cured. It was cured at 175 ° C. for 4 hours.
図１（ｄ）に示すように、パネルグラインダー（株式会社ディスコ製）で回転数２０００回転／分（２０００ｍｉｎ－１）、２０００番で封止材１０４をシリコンダミーチップが露出するまで研磨した。
As shown in FIG. 1 (d), the
［再配線における耐熱性試験］
図１（ｅ）に示すように、ダミーの再配線層１０５として前記の研磨面にポジ型感光性樹脂（ＡＨ－３０００、低温硬化対応ポジ型感光性絶縁材料、昭和電工マテリアルズ株式会社製）の硬化層（約２０μｍ）を設けた（再配線層形成工程）。再配線層形成後、仮固定用樹脂フィルムが剥離しなかったサンプルを「〇」、剥離したサンプルを「×」と評価した。
[Heat resistance test in rewiring]
As shown in FIG. 1 (e), as a
［剥離性試験］
その後、ズースマイクロテック株式会社製Ｄｅ－Ｂｏｎｄｉｎｇ装置ＤＢ１２Ｔにより、仮固定用樹脂フィルムと半導体素子封止物との界面で剥離した。剥離できたサンプルを「〇」、剥離できなかったサンプルを「×」と評価した。
[Peelability test]
Then, it was peeled off at the interface between the temporary fixing resin film and the semiconductor element encapsulant by the De-Bonding apparatus DB12T manufactured by Susu Microtech Co., Ltd. The sample that could be peeled off was evaluated as "○", and the sample that could not be peeled off was evaluated as "×".
［半導体装置（パッケージ）の作製］
［プロセス２：チップファースト／フェイスダウン］
プロセス１のチップファースト／フェイスアップの製造方法と、［支持体へのフィルムラミネート］～［封止材の硬化］までは同様であり、実施例１、実施例２、比較例１、比較例２についてのみプロセス２を実施した。
[Manufacturing of semiconductor devices (packages)]
[Process 2: Chip First / Face Down]
The chip-first / face-up manufacturing method of
プロセス１における封止後、ズースマイクロテック株式会社製Ｄｅ－Ｂｏｎｄｉｎｇ装置ＤＢ１２Ｔにより、仮固定用樹脂フィルムと半導体素子封止物との界面で剥離した。
After encapsulation in
［支持体へのフィルムラミネート］
チップファースト／フェイスアップの製造方法に記載の方法と同様に、仮固定用樹脂フィルム付きガラスウエハを得た。
[Film laminating on support]
A glass wafer with a resin film for temporary fixing was obtained in the same manner as in the method described in the chip-first / face-up manufacturing method.
［半導体素子封止物の搭載］
［接着性試験］
仮固定用樹脂フィルム上に得られた、半導体素子封止物を封止面が下になるようにズースマイクロテック株式会社製ボンディング装置ＬＦ１２により、ボンディングした。ボイドなく封止面をボンディングできたサンプルを「〇」、ボイドが生じる又はチップを搭載できなかったサンプルを「×」と評価した。
[Mounting of semiconductor device encapsulation]
[Adhesion test]
The semiconductor element encapsulant obtained on the temporary fixing resin film was bonded by a bonding apparatus LF12 manufactured by Susu Microtech Co., Ltd. so that the encapsulating surface was facing down. The sample in which the sealing surface could be bonded without voids was evaluated as "○", and the sample in which voids were generated or the chip could not be mounted was evaluated as "x".
［再配線における耐熱性試験］
図２（ｆ）に示すように、ダミーの再配線層１０５として前記の研磨面にポジ型感光性樹脂（ＡＨ－３０００、低温硬化対応ポジ型感光性絶縁材料、昭和電工マテリアルズ株式会社製）の硬化層（約２０μｍ）を設けた（再配線形成工程）。再配線形成後、仮固定用樹脂フィルムが剥離しなかったサンプルを「〇」、剥離したサンプルを「×」と評価した。
[Heat resistance test in rewiring]
As shown in FIG. 2 (f), a positive photosensitive resin (AH-3000, a positive photosensitive insulating material for low temperature curing, manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd.) is used as a
［剥離性試験］
その後、ズースマイクロテック株式会社製Ｄｅ－Ｂｏｎｄｉｎｇ装置ＤＢ１２Ｔにより、仮固定用樹脂フィルムと半導体素子界面で剥離した。ガラスウエハから半導体素子封止物を剥離できたサンプルを「〇」、剥離できなかったサンプルを「×」と評価した。
[Peelability test]
Then, it was peeled off at the interface between the temporary fixing resin film and the semiconductor element by the De-Bonding apparatus DB12T manufactured by Susu Microtech Co., Ltd. The sample from which the semiconductor device encapsulant could be peeled off from the glass wafer was evaluated as “◯”, and the sample that could not be peeled off was evaluated as “×”.
表２に示したように、実施例１及び実施例２の仮固定用樹脂フィルムは、優れた貼付性及び十分な耐熱性を有し、半導体素子又は半導体素子を封止した加工物を支持体に十分固定することができ、なおかつ加工後の半導体素子又は半導体素子封止物を支持体及び仮固定用樹脂組成物から容易に分離することができ、チップファースト／フェイスアップ、チップファースト／フェイスダウンの両方の製造方法に適用可能であることが確認できた。 As shown in Table 2, the temporary fixing resin films of Examples 1 and 2 have excellent stickability and sufficient heat resistance, and support a semiconductor element or a processed product in which the semiconductor element is sealed. The semiconductor device or the semiconductor device encapsulation after processing can be easily separated from the support and the resin composition for temporary fixing, and the chip first / face up and the chip first / face down can be sufficiently fixed. It was confirmed that it is applicable to both manufacturing methods.
１…仮固定用樹脂フィルムシート、１０…支持フィルム、２０…仮固定用樹脂フィルム、３０…保護フィルム、１０１…支持体、１０２…仮固定層、１０３…半導体素子、１０４…封止材、１０５…再配線層、１０７…バンプ 1 ... Temporary fixing resin film sheet, 10 ... Support film, 20 ... Temporary fixing resin film, 30 ... Protective film, 101 ... Support, 102 ... Temporary fixing layer, 103 ... Semiconductor element, 104 ... Encapsulant, 105 … Rewiring layer, 107… Bump
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