JP2022097684A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
撮像素子および撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022097684A JP2022097684A JP2022078705A JP2022078705A JP2022097684A JP 2022097684 A JP2022097684 A JP 2022097684A JP 2022078705 A JP2022078705 A JP 2022078705A JP 2022078705 A JP2022078705 A JP 2022078705A JP 2022097684 A JP2022097684 A JP 2022097684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- amplification unit
- image pickup
- signal line
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title abstract description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 156
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 156
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 116
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 47
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 43
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 32
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 32
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 32
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 18
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 101100191136 Arabidopsis thaliana PCMP-A2 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100048260 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UBX2 gene Proteins 0.000 description 10
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 101100422768 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUL2 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
また、本発明の第2の態様によると、撮像装置は、第1の態様に記載の撮像素子を備える。
図1は、第1の実施の形態に係る撮像装置の構成を示すブロック図である。図1では、第1の実施の形態に係る撮像装置の一例である電子カメラ1(以下、カメラ1と称する)の構成例を示す。カメラ1は、撮像光学系(結像光学系)2、撮像素子3、制御部4、メモリ5、表示部6、及び操作部7を備える。撮像光学系2は、焦点調節レンズ(フォーカスレンズ)を含む複数のレンズ及び絞りを有し、撮像素子3に被写体像を結像する。なお、撮像光学系2は、カメラ1から着脱可能にしてもよい。
(1)撮像素子3は、入射光を光電変換して電荷を生成する第1の光電変換部11a及び第2の光電変換部11bと、第1の光電変換部11aで生成された電荷を蓄積する第1蓄積部(第1のFD14a)と、第2の光電変換部11bで生成された電荷を蓄積する第2蓄積部(第2のFD14b)と、第1の光電変換部11aにより生成された電荷に基づく信号を生成し出力する第1の出力部(第1の増幅部15a及び第1の選択部16a)と、第2の光電変換部11bにより生成された電荷に基づく信号を生成し出力する第2の出力部(第2の増幅部15b及び第2の選択部16b)と、第1の出力部と第2の出力部との間に配置された第1の接続部(結合スイッチ部18)と、第1の光電変換部11aと第2の光電変換部11bとを電気的に接続切断する第2のスイッチを備えた第2の接続部(加算スイッチ部17)とを有する画素10と、第1の出力部と接続され、第1の出力部からの信号が出力される第1の信号線(第1の垂直信号線VLa)と、を備える。本実施の形態では、第1の増幅部15aと第2の増幅部15bとを結合スイッチ部18を介して接続することによって、第2の増幅部15bのゲート容量の変動を抑制する。このため、電荷電圧の変換ゲインの変動を抑制することができる。この結果、直線性が高い加算画素信号を得ることができる。
図8を参照して、第2の実施の形態に係る撮像素子を説明する。図8は、第2の実施の形態に係る撮像素子3の画素10の構成を示す回路図である。第1の実施の形態では、図2等に示したように、画素10には加算スイッチ部17が配置されている。第2の実施の形態では、図8に示すように、画素10は加算スイッチ部17を有しない構成となる。その他の構成は、第1の実施の形態と同一である。
図9を参照して、第3の実施の形態に係る撮像素子を説明する。図9は、第3の実施の形態に係る撮像素子3の画素の構成例を示す概念図である。第1の実施の形態では、画素10毎に複数の光電変換部が配置される例について説明した。第3の実施の形態では、図9に示すように、画素10は一つの光電変換部を有する構成となる。その他の構成は、第1の実施の形態と同一である。
上述した第3の実施の形態では、画素10に加算スイッチ部17が設けられる例について説明した。しかし、図13に示すように、画素の構成を、加算スイッチ部17を有しない構成としてもよい。この場合、第1の制御モードでは、結合スイッチ部18のトランジスタM8がオフとなり、第3の実施の形態の場合と同様の動作となる。また、第2の制御モードにおいては、結合スイッチ部18のトランジスタM8がオンとなり、各画素10の各々の増幅部15が互いに電気的に接続される。これにより、各画素10の増幅部15の信号の加算平均化された加算画素信号が垂直信号線VLに出力される。このように、変形例1では、複数の画素10の各々の増幅部15を結合スイッチ部18を介して互いに接続することによって、複数の光電変換部からの信号を加算して垂直信号線に出力することができる。なお、結合スイッチ部18は、画素10毎に配置されなくてもよい。結合スイッチ部18を、複数の画素毎に配置して、複数の画素で共有する構成としてもよい。また、加算スイッチ部17を、複数の画素毎に配置して、複数の画素で共有する構成としてもよい。
上述した第1の実施の形態では、1画素に2つの光電変換部を配置する例について説明したが、画素の構成はこれに限らない。画素の構成を、1画素あたり3つ以上の光電変換部を有する構成にしてもよい。この場合には、例えば、第1の制御モードでは複数の光電変換部からの信号を個別に読み出し、第2の制御モードでは複数の光電変換部のうち2つ以上の光電変換部からの信号を加算して読み出すようにしてもよい。
上述した実施の形態および変形例では、光電変換部としてフォトダイオードを用いる例について説明した。しかし、光電変換部として光電変換膜を用いるようにしてもよい。
上述の実施の形態および変形例で説明した撮像素子3は、カメラ、スマートフォン、タブレット、PCに内蔵のカメラ、車載カメラ、無人航空機(ドローン、ラジコン機等)に搭載されるカメラ等に適用されてもよい。
日本国特許出願2017年第16285号(2017年1月31日出願)
Claims (19)
- 光電変換された電荷が転送される第1のフローティングディフュージョンと、
光電変換された電荷が転送される第2のフローティングディフュージョンと、
前記第1のフローティングディフュージョンと接続される第1の増幅部と、
前記第2のフローティングディフュージョンと接続される第2の増幅部と、
前記第1の増幅部と接続される第1の信号線と、
前記第2の増幅部と接続される第2の信号線と、
前記第1の増幅部と前記第1の信号線との間と、前記第2の増幅部と前記第2の信号線との間とを接続可能に制御される第1の接続スイッチと、
を備える撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
第1のマイクロレンズを透過した光を光電変換する第1の光電変換部と、
前記第1のマイクロレンズと異なる第2のマイクロレンズを透過した光を光電変換する第2の光電変換部とを備える撮像素子。 - 請求項2に記載の撮像素子において、
前記第1の信号線を介して前記第1の増幅部に接続される第1の電流源と、
前記第2の信号線を介して前記第2の増幅部に接続される第2の電流源と、を備え、
前記第1の接続スイッチを介して前記第1の電流源と前記第2の増幅部とが接続可能な撮像素子。 - 請求項3に記載の撮像素子において、
前記第2の電流源が電流の生成を停止するとき、前記第1の接続スイッチは前記第1の電流源と前記第2の増幅部とを接続状態にする、撮像素子。 - 請求項3または4に記載の撮像素子において、
前記第1の電流源が前記第1の増幅部に電流を供給し、前記第2の電流源が前記第2の増幅部に電流を供給するとき、前記第1の接続スイッチは切断状態にされる、撮像素子。 - 請求項3から5のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1の接続スイッチが接続状態にされるとき、前記第1の電流源が前記第1の増幅部及び前記第2の増幅部に電流を供給することにより、前記第2の増幅部が飽和領域で動作する撮像素子。 - 請求項3から6のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1の電流源が前記第1の増幅部及び前記第2の増幅部に電流を供給するとき、前記第1の接続スイッチは接続状態にされる、撮像素子。 - 請求項3から7のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1の光電変換部で光電変換された電荷が前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積され、前記第2の光電変換部で光電変換された電荷が前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積され、前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づく信号が前記第1の増幅部から前記第1の信号線に出力され、前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づく信号が前記第2の増幅部から前記第1の信号線に出力されるとき、前記第1の接続スイッチが接続状態にされ、前記第1の接続スイッチを介して前記第1の電流源から前記第2の増幅部に電流が供給される撮像素子。 - 請求項3から8のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1の光電変換部で光電変換された電荷が前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積され、前記第2の光電変換部で光電変換された電荷が前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積され、前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づく信号が前記第1の増幅部から前記第1の信号線に出力され、前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づく信号が前記第2の増幅部から前記第2の信号線に出力されるとき、前記第1の接続スイッチが切断状態にされ、前記第1の電流源から前記第1の増幅部に電流が供給され、前記第2の電流源から前記第2の増幅部に電流が供給される撮像素子。 - 請求項3から9のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1のフローティングディフュージョンと前記第2のフローティングディフュージョンとを接続可能に制御される第2の接続スイッチを有する撮像素子。 - 請求項10に記載の撮像素子において、
前記第1の光電変換部で光電変換された電荷及び前記第2の光電変換部で光電変換された電荷が前記第1のフローティングディフュージョン及び前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積され、前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷及び前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づく信号が前記第1の増幅部及び前記第2の増幅部から前記第1の信号線に出力されるとき、前記第1の接続スイッチ及び前記第2の接続スイッチが接続状態にされ、前記第1の接続スイッチを介して前記第1の電流源から前記第2の増幅部に電流が供給される、撮像素子。 - 請求項10または11に記載の撮像素子において、
前記第1の光電変換部で光電変換された電荷が前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積され、前記第2の光電変換部で光電変換された電荷が前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積され、前記第1のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づく信号が前記第1の増幅部から前記第1の信号線に出力され、前記第2のフローティングディフュージョンに蓄積された電荷に基づく信号が前記第2の増幅部から前記第2の信号線に出力されるとき、前記第1の接続スイッチ及び前記第2の接続スイッチが切断状態にされ、前記第1の電流源から前記第1の増幅部に電流が供給され、前記第2の電流源から前記第2の増幅部に電流が供給される撮像素子。 - 請求項3から12のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1の増幅部と前記第1の信号線とに接続される第1の選択部と、
前記第2の増幅部と前記第2の信号線とに接続される第2の選択部とを備え、
前記第1の増幅部は前記第1の選択部を介して前記第1の信号線に接続され、
前記第2の増幅部は前記第2の選択部を介して前記第2の信号線に接続される撮像素子。 - 請求項13に記載の撮像素子において、
前記第1の接続スイッチは、前記第1の増幅部と前記第1の選択部の間の領域と、前記第2の増幅部と前記第2の選択部の間の領域とを接続可能である撮像素子。 - 請求項13または14に記載の撮像素子において、
前記第1の選択部が前記第1の増幅部と前記第1の信号線とを接続状態にし、前記第2の選択部が前記第2の増幅部と前記第2の信号線とを切断状態にするとき、前記第1の接続スイッチは接続状態にされ、前記第1の接続スイッチを介して前記第1の電流源から前記第2の増幅部に電流が供給される撮像素子。 - 請求項13から15のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1の選択部が前記第1の増幅部と前記第1の信号線とを接続状態にし、前記第2の選択部が前記第2の増幅部と前記第2の信号線とを接続状態にするとき、前記第1の接続スイッチは切断状態にされ、前記第1の電流源から前記第1の増幅部に電流が供給され、前記第2の電流源から前記第2の増幅部に電流が供給される撮像素子。 - 請求項2から16のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1の光電変換部と接続される第1の転送部と、
前記第2の光電変換部と接続される第2の転送部とを備え、
前記第1の光電変換部は前記第1の転送部を介して前記第1のフローティングディフュージョンと接続され、前記第2の光電変換部は前記第2の転送部を介して前記第2のフローティングディフュージョンと接続される撮像素子。 - 請求項1から17のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1のフローティングディフュージョンに接続される第1のリセット部と、
前記第2のフローティングディフュージョンに接続される第2のリセット部とを備え、
前記第1のフローティングディフュージョンは前記第1のリセット部を介して前記第1の増幅部に接続され、
前記第2のフローティングディフュージョンは前記第2のリセット部を介して前記第2の増幅部に接続される撮像素子。 - 請求項1から請求項18のいずれか一項に記載の撮像素子を備える撮像装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017016285 | 2017-01-31 | ||
JP2017016285 | 2017-01-31 | ||
JP2018565628A JP7074073B2 (ja) | 2017-01-31 | 2018-01-31 | 撮像素子および撮像装置 |
PCT/JP2018/003302 WO2018143307A1 (ja) | 2017-01-31 | 2018-01-31 | 撮像素子および撮像装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018565628A Division JP7074073B2 (ja) | 2017-01-31 | 2018-01-31 | 撮像素子および撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022097684A true JP2022097684A (ja) | 2022-06-30 |
JP7491341B2 JP7491341B2 (ja) | 2024-05-28 |
Family
ID=63039790
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018565628A Active JP7074073B2 (ja) | 2017-01-31 | 2018-01-31 | 撮像素子および撮像装置 |
JP2022078705A Active JP7491341B2 (ja) | 2017-01-31 | 2022-05-12 | 撮像素子および撮像装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018565628A Active JP7074073B2 (ja) | 2017-01-31 | 2018-01-31 | 撮像素子および撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11006056B2 (ja) |
JP (2) | JP7074073B2 (ja) |
CN (2) | CN110235435B (ja) |
WO (1) | WO2018143307A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7074072B2 (ja) | 2017-01-31 | 2022-05-24 | 株式会社ニコン | 撮像素子および電子カメラ |
JP6815890B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2021-01-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
CN118743237A (zh) * | 2022-12-27 | 2024-10-01 | 北京小米移动软件有限公司 | 拍摄装置以及读取控制方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016139859A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7173245B2 (en) * | 2001-01-04 | 2007-02-06 | The Regents Of The University Of California | Submicron thermal imaging method and enhanced resolution (super-resolved) AC-coupled imaging for thermal inspection of integrated circuits |
CN101883221B (zh) * | 2010-06-29 | 2011-10-05 | 天津大学 | 在cmos图像传感器中实现tdi的电路及方法 |
JP5744599B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-07-08 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、および撮像装置 |
US9661243B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-05-23 | Forza Silicon Corporation | CMOS image sensor with column-wise selective charge-domain binning |
KR20230107410A (ko) | 2013-11-18 | 2023-07-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 |
JP6413401B2 (ja) * | 2014-07-03 | 2018-10-31 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
JP6368128B2 (ja) | 2014-04-10 | 2018-08-01 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2015211257A (ja) | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP5897752B1 (ja) * | 2015-05-14 | 2016-03-30 | ブリルニクスジャパン株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、電子機器 |
US9686486B2 (en) * | 2015-05-27 | 2017-06-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Multi-resolution pixel architecture with shared floating diffusion nodes |
-
2018
- 2018-01-31 CN CN201880009276.2A patent/CN110235435B/zh active Active
- 2018-01-31 US US16/475,651 patent/US11006056B2/en active Active
- 2018-01-31 CN CN202110924413.9A patent/CN113676680A/zh active Pending
- 2018-01-31 WO PCT/JP2018/003302 patent/WO2018143307A1/ja active Application Filing
- 2018-01-31 JP JP2018565628A patent/JP7074073B2/ja active Active
-
2022
- 2022-05-12 JP JP2022078705A patent/JP7491341B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016139859A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200244899A1 (en) | 2020-07-30 |
CN110235435A (zh) | 2019-09-13 |
JPWO2018143307A1 (ja) | 2019-11-14 |
CN113676680A (zh) | 2021-11-19 |
JP7074073B2 (ja) | 2022-05-24 |
CN110235435B (zh) | 2021-08-31 |
US11006056B2 (en) | 2021-05-11 |
WO2018143307A1 (ja) | 2018-08-09 |
JP7491341B2 (ja) | 2024-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7074072B2 (ja) | 撮像素子および電子カメラ | |
JP2022097684A (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP2017169143A (ja) | 撮像素子およびその駆動方法、および撮像装置 | |
JP7160081B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP2007166486A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP7167974B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
US10623642B2 (en) | Image capturing apparatus and control method thereof with change, in exposure period for generating frame, of conversion efficiency | |
WO2020203799A1 (ja) | 撮像素子、及び、撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230418 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230725 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20231107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240129 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240429 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7491341 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |