JP2022091662A - イメージセンサ - Google Patents
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 7
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000651 laser trapping Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/1462—Coatings
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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Abstract
Description
100 基板
102 カラーフィルタユニット
104 オートフォーカスセンサユニットのグループ
106 隣接センサユニット
106a、106d、106g、106j 隣接センサユニット(対角ユニット)
106b、106c、106h、106i 隣接センサユニット(x軸ユニット)
160e、106f、106k、106l 隣接センサユニット(y軸ユニット)
106-B バックサイドセンサユニット
106-F フロントサイドセンサユニット
108 周囲センサユニット
110 遮光構造
112 追加の遮光構造
114 パーティショングリッド構造
116 第1のマイクロレンズ
118 第2のマイクロレンズ
120b 入射光
120f 入射光
A-A’ 線
P 感知部
S1 第1の辺
S2 第2の辺
Claims (13)
- オートフォーカスセンサユニットのグループ、
前記オートフォーカスセンサユニットのグループに隣接し、そのグループを囲む隣接センサユニットであって、前記隣接センサユニットのそれぞれは、前記オートフォーカスセンサユニットのグループに近い第1の辺と、前記オートフォーカスセンサユニットのグループから離れた第2の辺とを有する前記隣接センサユニット、
前記オートフォーカスセンサユニットのグループと前記隣接センサユニットとの間に配置された第1の遮光構造、および
前記第1の遮光構造から横方向に延び、1つ以上の前記隣接センサユニットの前記第1の辺および前記第2の辺の少なくとも1つに配置された第1の追加の遮光構造を含むイメージセンサ。 - 前記オートフォーカスセンサユニットのグループおよび前記隣接センサユニットは、それぞれ、複数の感知部に配置されたカラーフィルタユニットを含み、前記カラーフィルタユニットに配置されたマイクロレンズ、および前記カラーフィルタユニットの間に配置され、前記第1の遮光構造の上に配置されたパーティショングリッド構造をさらに含み、前記第1の遮光構造は、前記パーティショングリッド構造に埋め込まれ、前記パーティショングリッド構造の高さは、前記第1の遮光構造の高さ以上であり、前記パーティショングリッド構造の屈折率は、約1.00から1.99の間である請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第1の追加の遮光構造は、前記オートフォーカスセンサユニットのグループの中心点を中心に対称的に配置され、前記隣接センサユニットのそれぞれの前記第1の辺に配置され、対応する前記隣接センサユニットの前記第2の辺に向かって延びる請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第1の追加の遮光構造は、前記オートフォーカスセンサユニットのグループの中心点を中心に対称的に配置され、前記隣接センサユニットのそれぞれの前記第2の辺に配置され、対応する前記隣接センサユニットの前記第1の辺に向かって延びる請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第1の追加の遮光構造は、前記オートフォーカスセンサユニットのグループの中心点を中心に対称的に配置され、前記隣接センサユニットのそれぞれの前記第1の辺と前記第2の辺に配置され、対応する前記隣接センサユニットの前記第2の辺と前記第1の辺に向かってそれぞれ延びる請求項1に記載のイメージセンサ。
- 上面からみて前記オートフォーカスセンサユニットのグループに対角線上に隣接する前記隣接センサユニットを囲む4辺を有する第2の遮光構造をさらに含み、前記第2の遮光構造は、前記オートフォーカスセンサユニットのグループに近い第1の角と、前記オートフォーカスセンサユニットのグループから離れた第2の角とを有し、前記4辺のうちの2つの辺は前記第1の角部で交差し、前記4辺のうちのもう2つの辺は前記第2の角で交差する請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第2の遮光構造から横方向に延び、上面からみて前記4辺のうちの少なくとも2辺に配置された第2の追加の遮光構造をさらに含み、前記第2の追加の遮光構造は、前記オートフォーカスセンサユニットのグループの中心点を中心に対称的に配置され、前記第1の角で交差する2つの辺に配置され、対応する前記第2の遮光構造の前記第2の角で交差するもう2つの辺に向かって延びる請求項6に記載のイメージセンサ。
- 前記第2の遮光構造から横方向に延び、上面からみて前記4辺のうちの少なくとも2辺に配置された第2の追加の遮光構造をさらに含み、前記第2の追加の遮光構造は、前記オートフォーカスセンサユニットのグループの中心点を中心に対称的に配置され、前記第2の角で交差する2つの辺に配置され、対応する前記第2の遮光構造の前記第1の角で交差する2つの辺に向かって延びる請求項6に記載のイメージセンサ。
- 前記第2の遮光構造から横方向に延び、上面からみて前記4辺のうちの少なくとも2辺に配置された第2の追加の遮光構造をさらに含み、前記第2の追加の遮光構造は、前記オートフォーカスセンサユニットのグループの中心点を中心に対称的に配置され、前記第2の遮光構造の4辺に配置され、対応する前記第2の遮光構造内で内側に向かって延びる請求項6に記載のイメージセンサ。
- 前記第2の遮光構造から横方向に延び、上面からみて前記4辺のうちの少なくとも2辺に配置された第2の追加の遮光構造をさらに含み、前記隣接センサユニットのそれぞれの前記第1の追加の遮光構造および前記第2の追加の遮光構造は、上面から見て長方形、楕円形、円弧形状、またはU字形状である請求項6に記載のイメージセンサ。
- オートフォーカスセンサユニットのグループ、
前記オートフォーカスセンサユニットのグループに隣接し、そのグループを囲む隣接センサユニットであって、前記隣接センサユニットのそれぞれは、前記オートフォーカスセンサユニットのグループに近い第1の辺と、前記オートフォーカスセンサユニットのグループから離れた第2の辺とを有する前記隣接センサユニット、および
前記オートフォーカスセンサユニットのグループと前記隣接センサユニットとの間に配置され、前記隣接センサユニットの前記第1の辺および前記第2の辺の少なくとも1つに複数の第1の拡大部分を含み、前記複数の第1の拡大部分は、前記オートフォーカスセンサユニットのグループの中心点を中心に対称的に配置される第1の遮光構造を含むイメージセンサ。 - 前記オートフォーカスセンサユニットのグループおよび前記隣接センサユニットは、それぞれ、複数の感知部に配置されたカラーフィルタユニットを含み、前記カラーフィルタユニットに配置されたマイクロレンズをさらに含み、前記第1の遮光構造は、金属または不透明な金属酸化物を含み、前記隣接センサユニットのそれぞれの前記複数の第1の拡大部分は、前記隣接センサユニットのそれぞれの総面積の0%~50%の間をカバーする請求項11に記載のイメージセンサ。
- 前記マイクロレンズは、第1のマイクロレンズおよび複数の第2のマイクロレンズをさらに含み、前記第1のマイクロレンズは、前記オートフォーカスセンサユニットのグループの前記カラーフィルタユニットに配置され、前記複数の第2のマイクロレンズは、前記隣接センサユニットの前記カラーフィルタユニットに配置され、前記第1のマイクロレンズの高さは、前記複数の第2のマイクロレンズの高さ以上である請求項12に記載のイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/116,700 | 2020-12-09 | ||
US17/116,700 US12027548B2 (en) | 2020-12-09 | Image sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022091662A true JP2022091662A (ja) | 2022-06-21 |
JP7266631B2 JP7266631B2 (ja) | 2023-04-28 |
Family
ID=81849457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021071681A Active JP7266631B2 (ja) | 2020-12-09 | 2021-04-21 | イメージセンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7266631B2 (ja) |
KR (1) | KR102606183B1 (ja) |
CN (1) | CN114613791A (ja) |
TW (1) | TWI766574B (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2021-01-21 KR KR1020210008671A patent/KR102606183B1/ko active IP Right Grant
- 2021-02-05 TW TW110104432A patent/TWI766574B/zh active
- 2021-03-15 CN CN202110274622.3A patent/CN114613791A/zh active Pending
- 2021-04-21 JP JP2021071681A patent/JP7266631B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7266631B2 (ja) | 2023-04-28 |
CN114613791A (zh) | 2022-06-10 |
TWI766574B (zh) | 2022-06-01 |
US20220181370A1 (en) | 2022-06-09 |
KR102606183B1 (ko) | 2023-11-24 |
TW202224204A (zh) | 2022-06-16 |
KR20220081863A (ko) | 2022-06-16 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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