JP2022088710A - Flexible electric resistance capacitor composite copper film structure and electric circuit board structure using flexible electric resistance capacitor composite copper film structure - Google Patents

Flexible electric resistance capacitor composite copper film structure and electric circuit board structure using flexible electric resistance capacitor composite copper film structure Download PDF

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Abstract

To provide a flexible electric resistance capacitor composite copper film structure that effectively achieves light weight and thinning.SOLUTION: A flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD includes, in this order, a first conductive metal layer 11, a first electric resistance layer 12, a first dielectric layer Ie1, a flexible support layer Fs, a second dielectric layer Ie2, a second electric resistance layer 22, and a second conductive metal layer 21. The first electronic circuit includes at least one thin film electrical resistance, at least one thin film inductor, and at least one thin film capacitor on the top surface of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure after being developed and etched twice, and at the same time, the second electronic circuit includes at least one thin film electric resistance, at least one thin film inductor, and at least one thin film capacitor on the bottom surface of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure.SELECTED DRAWING: Figure 3C

Description

本発明は、埋込式受動素子の複合銅膜の技術分野に係り、特に、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造及び前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を使用した電気回路基板構造に関するものである。 The present invention relates to the technical field of a composite copper film of an embedded passive element, and more particularly to a flexible electric resistance capacitor composite copper film structure and an electric circuit board structure using the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure. ..

自らプリント電気回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ，ＰＣＢ）を購入すると共に、予め設計された回路レイアウト（ｃｉｒｃｕｉｔ ｌａｙｏｕｔ）に基づいて、前記プリント電気回路基板に対して現像、エッチングと剥膜（Ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ／Ｅｔｃｈｉｎｇ／Ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ，ＤＥＳ）などのプロセスを行い、その後、前記プリント電気回路基板の表面の上に、電子回路と呼ばれるような図案化された銅箔回路を製作する経験は、電気電子工学、電気機械工学や情報工学を習得した経歴を持つエンジニアであれば、一度は必ずあるはずである。電子回路の製作が完了した後、また、次いで、電子回路の上に予め決定したチップと受動素子を配置し、例えば、アンプ、プロセッサ、レジスト、コンデンサやインダクタンスなどが挙げられる。 The printed electric circuit board (Printed circuit board, PCB) is purchased by oneself, and the printed electric circuit board is developed, etched and peeled (Developing / Etching /) based on the circuit layout (cycleout) designed in advance. The experience of performing processes such as Stripping, DES) and then producing a stylized copper foil circuit, such as an electronic circuit, on the surface of the printed electric circuit board is in electrical and electronic engineering, electromechanical engineering and If you are an engineer with a background in information engineering, you should definitely have one. After the production of the electronic circuit is completed, and then, a predetermined chip and a passive element are arranged on the electronic circuit, and examples thereof include an amplifier, a processor, a resist, a capacitor, and an inductance.

一方、知能技術の高度発展に伴って、ポータブル式電子製品の基本的な規格として軽量及び薄肉の要求が高まっている。考えれば分かるように、ポータブル式電子製品の体積サイズの更なる軽量薄肉に向けた絶え間ない進化と相まって、その内部の電子チップと受動素子を受容可能な空間もそれにつれて圧縮されてしまうことになる。よって、ポータブル式電子製品の有限な内部空間内に十分な量の電子素子と受動素子を配置できるようにすることが、電子デバイス製造メーカーと組立工場が直面している最大の難題の一つである。 On the other hand, with the advanced development of intelligent technology, there is an increasing demand for light weight and thin wall as a basic standard for portable electronic products. As you can see, coupled with the constant evolution of portable electronic products towards lighter and thinner volume sizes, the space inside them that can accept electronic chips and passives will be compressed accordingly. .. Therefore, allowing a sufficient amount of electronic and passive elements to be placed in the finite internal space of portable electronic products is one of the biggest challenges facing electronic device manufacturers and assembly plants. be.

これに鑑み、産業界の対応策としては、受動素子の寸法を持続的に縮小することが提唱されている。現在、寸法サイズが０８０５（８０×５０ｍｉｌ２）と０６０３（６０×３０ｍｉｌ２）の受動素子は、主にマザーボードとノート型パソコンの製作に使用されている一方、寸法サイズが０４０２（４０×２０ｍｉｌ２）と０２０１（２０×１０ｍｉｌ２）の受動素子では、スマートフォンとタブレット端末の中に広汎に応用されている。受動素子の寸法サイズについて微細化が継続的に進むなかで、技術上またはプロセス上に限界を必然的に迎えざるをえず、このため、「埋込式受動素子」（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｐａｓｓｉｖｅｓ）の技術は、近年再び注目を集めていることが推知される。特に、スリー・エム・イノベティブ・プロパティ・カンパニー（３Ｍ Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ Ｃｏｍｐａｎｙ）より提案された受動的電気構造（Ｐａｓｓｉｖｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｒｔｉｃｌｅ）が米国特許出願公開第２００６／０２８６６９６（Ａ１）号（特許文献１）に開示されていた。 In view of this, as a countermeasure for the industrial world, it has been proposed to continuously reduce the dimensions of passive elements. Currently, passive elements with dimensional sizes of 0805 (80 x 50 mil 2 ) and 0603 (60 x 30 mil 2 ) are mainly used in the production of motherboards and laptop computers, while dimensional sizes are 0402 (40 x 20 mil 2 ). ) And 0201 (20 × 10 mil 2 ) passive elements are widely applied in smartphones and tablet terminals. As the size and size of passive elements continue to be miniaturized, technical or process limits are inevitably reached. Therefore, the technology of "embedded passives" is used. It is presumed that it has been attracting attention again in recent years. In particular, the Passive Electrical Article proposed by 3M Innovative Properties Company is disclosed in US Patent Application Publication No. 2006/0286696 (A1) (Patent Document 1). It had been.

図１は、従来技術の受動的電気構造を示す模式的斜視図である。図１に示すように、従来技術の受動的電気構造ＰＥ´は、第１圧延銅層１１´と、電気抵抗層１２´と、絶縁層１３´と、第２圧延銅層１４´とを含む。その内、電気抵抗層１２´は、ニッケル・リン化合物（Ｎｉ－Ｐ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）であり、かつ前記絶縁層１３´は、例えば、厚み範囲が６μｍ～２０μｍであるポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）のような重合体である。その内、第１圧延銅層１１´と前記電気抵抗層１２´とで銅箔電気抵抗１´に構成されてなる。特に説明したいところは、さらに誘電体粒子を前記ポリイミド（絶縁層１３´）にドープしてもよい。そして、前記受動的電気構造ＰＥ´のプロセスは次のステップ（１）～（３）を含む。
（１）適当な厚みの第１圧延銅層１１´を用意し、電気めっき技術を利用してその表面に、電気抵抗層１２´として厚みが１μｍより小さい一層のニッケル・リン化合物（Ｎｉ－Ｐ ａｌｌｏｙ）を形成して、銅箔電気抵抗１´の製作を完了する。
（２）適当な厚みの第２圧延銅層１４´を用意し、その表面に、厚みが６～２０μｍである一層の絶縁層１３´（ＰＩ）を形成して、銅箔絶縁体１ａ´の製作を完了する。
（３）前記電気抵抗層１２´と前記絶縁層１３´を相互に貼り合わせる方式によって、係る銅箔電気抵抗１´と係る銅箔絶縁体１ａ´を結合させて、所要な受動的電気構造ＰＥ´を取得する。 FIG. 1 is a schematic perspective view showing a passive electrical structure of the prior art. As shown in FIG. 1, the passive electrical structure PE'of the prior art includes a first rolled copper layer 11', an electrical resistance layer 12', an insulating layer 13', and a second rolled copper layer 14'. .. Among them, the electric resistance layer 12'is a nickel-phosphorus compound (Ni-P compound), and the insulating layer 13'is, for example, a polyimide (Polyimide, PI) having a thickness range of 6 μm to 20 μm. It is a polymer. Among them, the first rolled copper layer 11'and the electric resistance layer 12'are formed as a copper foil electric resistance 1'. What is particularly desired to be explained is that the polyimide (insulating layer 13') may be further doped with dielectric particles. The process of the passive electrical structure PE'includes the following steps (1) to (3).
(1) A first rolled copper layer 11'with an appropriate thickness is prepared, and a layer of nickel-phosphorus compound (Ni-P) having a thickness smaller than 1 μm is used as an electric resistance layer 12'on the surface thereof by using electroplating technology. alloy) is formed, and the production of the copper foil electric resistance 1'is completed.
(2) A second rolled copper layer 14'with an appropriate thickness is prepared, and a single layer insulating layer 13'(PI) having a thickness of 6 to 20 μm is formed on the surface thereof to form a copper foil insulator 1a'. Complete the production.
(3) The required passive electric structure PE is obtained by coupling the copper foil electric resistance 1'and the copper foil insulator 1a' by a method in which the electric resistance layer 12'and the insulating layer 13' are bonded to each other. ´ is acquired.

一般として、前記第２圧延銅層１４´と前記第１圧延銅層１１´の厚みが３６μｍであり、つまり、前記受動的電気構造ＰＥ´全体の厚みが７９μｍ～９３μｍの範囲に入るようになる。しかし、特に注意すべきところは、ニッケル・リン化合物で電気めっきプロセスを介して第１圧延銅層１１´のマット面（Ｍａｔｔ ｓｉｄｅ）の上に係る電気抵抗層１２´を形成するため、その電気めっきプロセスで発生する大量の高リン電気めっき液は、反って廃水の排水と処理に新たに問題が派生する。
一方、曲げ試験機を用いて直径φ４ｍｍの丸棒で前記受動的電気構造ＰＥ´に対して曲げテストを行い、この曲げテストが完了するまでの過程において、前記受動的電気構造ＰＥ´に対して４０回を超えるような曲げを行った後、前記第１圧延銅層１１´と前記電気抵抗層１２´との間に既に剥離現象が現れ始めることを発見した。この現象の原因は、電気めっきの基材である銅層のマット面にあると考えられ、前記電気抵抗層１２´が、粗度がとても高いマット面に沿って核生成と成長していくと、前記電気抵抗層１２´の被膜の連続性が悪く、孔が多くて緻密化が進まなくなる。このことを微視的に見ると、機械性質に影響を及ぼすだけではなく、前記電気抵抗層１２´の抵抗値を極限まで低くすることもできないことは、素子設計のボトルネックとなってしまう。前記第１圧延銅層１１´とニッケル・リン化合物により作製される前記電気抵抗層１２´との間の接合性には、依然として改善する余地があることが顕現される。 Generally, the thickness of the second rolled copper layer 14'and the first rolled copper layer 11'is 36 μm, that is, the thickness of the entire passive electrical structure PE'is in the range of 79 μm to 93 μm. .. However, it is particularly noteworthy that the nickel-phosphorus compound forms an electric resistance layer 12'on the matte surface (Matt side) of the first rolled copper layer 11'through an electroplating process, so that the electricity thereof is formed. The large amount of high-phosphorus electroplating solution generated in the plating process, on the other hand, creates new problems in the drainage and treatment of waste water.
On the other hand, a bending test is performed on the passive electrical structure PE'with a round bar having a diameter of φ4 mm using a bending tester, and in the process until the bending test is completed, the passive electrical structure PE'is subjected to a bending test. It has been discovered that after bending more than 40 times, a peeling phenomenon has already begun to appear between the first rolled copper layer 11'and the electric resistance layer 12'. The cause of this phenomenon is considered to be the matte surface of the copper layer, which is the base material for electroplating. The continuity of the film of the electric resistance layer 12'is poor, and there are many holes, so that densification does not proceed. Looking at this microscopically, not only the mechanical properties are affected, but also the resistance value of the electric resistance layer 12'cannot be lowered to the utmost limit, which becomes a bottleneck in the element design. It is revealed that there is still room for improvement in the bondability between the first rolled copper layer 11'and the electric resistance layer 12'made of the nickel-phosphorus compound.

以上の説明に続き、前記銅箔電気抵抗１´を含む前記受動的電気構造ＰＥ´の上に、電子回路に必要な電気抵抗素子を製作しようとする場合には、前記受動的電気構造ＰＥ´に対して少なくとも３回のエッチングプロセスを施さなければならない。プロセスの需要に応じて、第１段階にて、不要な回路の領域にある銅箔と、その底部にある電気抵抗層１２´（ニッケル・リン化合物）をそれぞれエッチング液を用いて除去する必要がある。第２段階にて、引き続きエッチング液を用いて所定の電気抵抗領域にある銅箔を除去する。ニッケル・リン化合物の耐銅食薬液の性能が比較的に劣るので、電気抵抗素子の製品の信頼性が好ましくないことを避けるために、及び顧客からの回路寸法精度への要求を満たすために、エッチング作業を少なくとも３回経る必要がある。作業回数が多ければ多いほど、それに伴って品質と歩留り率に問題が発生してくる。それに加えて、現像・エッチング技術を用いて前記受動的電気構造ＰＥ´に電子回路を製作した後、前記電子回路の線幅／線ピッチが、通常、３０ミクロン／３０ミクロンよりも大きいのは、前記銅箔電気抵抗１´の被膜の緻密度と連続性がまだ完璧に至らないことに起因するものである。 Following the above description, when an electric resistance element necessary for an electronic circuit is to be manufactured on the passive electric structure PE'including the copper foil electric resistance 1', the passive electric structure PE' Must be subjected to at least 3 etching processes. Depending on the demand of the process, it is necessary to remove the copper foil in the area of the unnecessary circuit and the electric resistance layer 12'(nickel-phosphorus compound) at the bottom of the copper foil in the first stage by using an etching solution. be. In the second step, the copper foil in the predetermined electrical resistance region is subsequently removed using an etching solution. In order to avoid unfavorable reliability of electric resistance element products due to the relatively poor performance of nickel-phosphorus compound copper-resistant chemicals, and to meet customer demands for circuit dimensional accuracy. It is necessary to go through the etching operation at least three times. The more work you do, the more quality and yield problems you have. In addition, after making an electronic circuit in the passive electrical structure PE'using development / etching techniques, the line width / line pitch of the electronic circuit is usually larger than 30 micron / 30 micron. This is due to the fact that the density and continuity of the coating film of the copper foil electric resistance 1'is not yet perfect.

このほか、オーク・ミツイ・インコーポレイテッド（Ｏａｋ－Ｍｉｔｓｕｉ Ｉｎｃ．）より提案された抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｅｄ ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ ｆｏｒ ｒｅｓｉｓｔｏｒ ａｎｄ ｃａｐａｃｉｔｏｒ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が米国特許第７１９２６５４（Ｂ２）号（特許文献２）に開示されていた。
図２は、従来技術の抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造を示す模式的斜視図である。図２に示すように、従来技術の抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´は、第１圧延銅層２１´と、電気抵抗層２２´と、第１誘電体層２３´と、絶縁層２４´と、第２誘電体層２５´と、第２圧延銅層２６´とを含む。その内、係る絶縁層２４´は、例えば、厚み範囲が６μｍ～２０μｍであるポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）のような重合体であり、かつ前記第１圧延銅層２１´と前記電気抵抗層２２´とで銅箔電気抵抗２´に構成されてなる。そして、前記抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´のプロセスは次のステップ（１）～（３）を含む。
（１）適当な厚みの第１圧延銅層２１´を用意し、電気めっき技術を利用してその表面に、前記電気抵抗層２２´として厚みが１μｍより小さい一層のニッケル・リン化合物を形成して、銅箔電気抵抗２´の製作を完了する。
（２）適当な厚みの絶縁層（ＰＩ）２４´と、第１誘電体層２３´と、第２誘電体層２５´とを用意し、前記第１誘電体層２３´と前記第２誘電体層２５´を前記絶縁層２４´の一表面と、もう一つの表面にそれぞれ貼り付けて、誘電絶縁体２ａ´を取得する。
（３）適当な厚みの第２圧延銅層２６´を用意し、前記第２圧延銅層２６´と、前記誘電絶縁体２ａ´と、前記銅箔電気抵抗２´とを順に積層する。その内、前記銅箔電気抵抗２´の前記電気抵抗層２２´と前記誘電絶縁体２ａ´の前記第１誘電体層２３´とを相互に貼り合わせる。 In addition, U.S. Pat. No. 7,192,654 (US Pat. No. 7,192,654) has been proposed by Oak-Mitsui Inc. to form a multi-layered structure for the formation of resistors and capacitors. It was disclosed in Patent Document 2).
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a multi-layered structure for forming resistors and capacitors in the prior art. As shown in FIG. 2, the multi-layered structure MS'for forming a resistor and a capacitor according to the prior art includes a first rolled copper layer 21', an electric resistance layer 22', and a first dielectric layer 23'. It includes an insulating layer 24', a second dielectric layer 25', and a second rolled copper layer 26'. Among them, the insulating layer 24'is, for example, a polymer such as polyimide (Polyimide, PI) having a thickness range of 6 μm to 20 μm, and the first rolled copper layer 21'and the electric resistance layer 22'. It is composed of copper foil electric resistance 2'. The process of the multilayer structure MS'for forming the resistor and the capacitor includes the following steps (1) to (3).
(1) A first rolled copper layer 21'with an appropriate thickness is prepared, and a layer of nickel-phosphorus compound having a thickness smaller than 1 μm is formed on the surface of the first rolled copper layer 21' as the electric resistance layer 22' using electroplating technology. Then, the production of the copper foil electric resistance 2'is completed.
(2) An insulating layer (PI) 24'with an appropriate thickness, a first dielectric layer 23', and a second dielectric layer 25'are prepared, and the first dielectric layer 23'and the second dielectric are prepared. The body layer 25'is attached to one surface of the insulating layer 24'and the other surface, respectively, to obtain the dielectric insulator 2a'.
(3) A second rolled copper layer 26'with an appropriate thickness is prepared, and the second rolled copper layer 26', the dielectric insulator 2a', and the copper foil electric resistance 2'are laminated in this order. Among them, the electric resistance layer 22'of the copper foil electric resistance 2'and the first dielectric layer 23'of the dielectric insulator 2a' are bonded to each other.

一般として、前記第２圧延銅層２６´と前記第１圧延銅層２１´の厚みが３６μｍであり、前記第１誘電体層２３´と前記第２誘電体層２５´の厚みが８μｍであり、かつ係る絶縁層２４´の厚みが６μｍ～２０μｍである。つまり、抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´全体の厚みが９４μｍ～１０８μｍの範囲に入るようになる。 Generally, the thickness of the second rolled copper layer 26'and the first rolled copper layer 21'is 36 μm, and the thickness of the first dielectric layer 23'and the second dielectric layer 25'is 8 μm. Moreover, the thickness of the insulating layer 24'is 6 μm to 20 μm. That is, the thickness of the entire multi-layered structure MS'for forming resistors and capacitors falls within the range of 94 μm to 108 μm.

そして、特許文献１で開示された受動的電気構造ＰＥ´との共通点は、ニッケル・リン化合物で電気めっきプロセスを介して前記第１圧延銅層２１´のマット面（Ｍａｔｔ ｓｉｄｅ）の上に係る電気抵抗層２２´を形成するため、その電気めっきプロセスで発生する大量の高リン電気めっき液は、廃水の排水と処理に新たに問題が派生する点である。
一方、曲げ試験機を用いて直径φ４ｍｍの丸棒で抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´に対して曲げテストを行い、この曲げテストが完了するまでの過程において、抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造ＭＳ´に対して４０回を超えるような曲げを行った後、前記第１圧延銅層２１´と前記電気抵抗層２２´との間に既に剥離現象が現れ始めることを発見した。この現象の原因は、電気めっきの基材である銅層のマット面にあると考えられ、電気抵抗層が、粗度がとても高いマット面に沿って核生成と成長していくと、電気抵抗層の被膜の連続性が悪く、孔が多くて緻密化が進まなくなる。このことを微視的に見ると、機械性質に影響を及ぼすだけではなく、電気抵抗層の抵抗値を極限まで低くすることもできないことは、素子設計のボトルネックとなってしまう。 The common point with the passive electrical structure PE'disclosed in Patent Document 1 is that the first rolled copper layer 21'is on the matte surface (Matt side) of the first rolled copper layer 21'through an electroplating process with a nickel-phosphorus compound. In order to form the electric resistance layer 22', a large amount of high-phosphorus electroplating liquid generated in the electroplating process causes a new problem in drainage and treatment of waste water.
On the other hand, a bending test is performed on a multi-layered structure MS'for forming resistors and capacitors with a round bar having a diameter of φ4 mm using a bending tester, and in the process until this bending test is completed, the resistors and capacitors are used. After bending the multi-layered structure MS'for formation more than 40 times, a peeling phenomenon has already started to appear between the first rolled copper layer 21'and the electric resistance layer 22'. I found. The cause of this phenomenon is thought to be the matte surface of the copper layer, which is the base material for electroplating, and when the electrical resistance layer grows with nucleation along the matte surface with very high roughness, electrical resistance The continuity of the film of the layer is poor, and there are many holes, so densification does not proceed. Looking at this microscopically, not only does it affect the mechanical properties, but also the inability to reduce the resistance value of the electrical resistance layer to the utmost limit becomes a bottleneck in device design.

米国特許出願公開第２００６／０２８６６９６（Ａ１）号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2006/0286696 (A1) 米国特許第７１９２６５４（Ｂ２）号明細書U.S. Pat. No. 7,192,654 (B2)

上記の説明から分かるように、現有の抵抗器、インダクタとコンデンサを形成した多層化構造には、明らかに数多くの欠点があり、かつ全体の厚みが厚すぎ、例えば、厚みが１２ミクロン以上の銅箔導電層、厚みが１０ミクロン以上の誘電体層、厚みが１００ミクロン以上のガラス繊維強化エポキシ樹脂と緑色インクガラス繊維強化エポキシ樹脂硬板のように、厚膜設計を主にすることが多く、従って軽量薄肉化を有効に実現することができなかった。
そこで、上記に鑑み、本願の発明者は、発明を鋭意研究考案した結果、遂に本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造及び前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を使用した電気回路基板構造を研究開発して完了させた。 As can be seen from the above description, the existing multi-layered structure of resistors, inductors and capacitors has obviously many drawbacks and is too thick overall, for example copper with a thickness of 12 microns or more. In many cases, thick film design is mainly used, such as foil conductive layer, dielectric layer with a thickness of 10 microns or more, glass fiber reinforced epoxy resin with a thickness of 100 microns or more, and green ink glass fiber reinforced epoxy resin hard plate. Therefore, it was not possible to effectively reduce the weight and thickness.
Therefore, in view of the above, as a result of diligent research and devising the invention, the inventor of the present application finally has a flexible electric resistance capacitor composite copper film structure and an electric circuit board structure using the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure according to the present invention. Was researched and developed and completed.

本発明の主な目的は、第１導電金属層と、第１電気抵抗層と、第１誘電体層と、可撓性支持層と、第２誘電体層と、第２電気抵抗層と、第２導電金属層とを含むフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を提供することである。
特に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造に対して２回の現像・エッチング処理を施した後、そのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の頂部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗と、少なくとも１つの薄膜インダクタと、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む第１電子回路が製作される。そして、同時にそのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の底部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗と、少なくとも１つの薄膜インダクタと、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む第２電子回路も製作される。勿論、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の上に導通孔を製作する方式によって、前記第１電子回路を前記第２電子回路に接続させることができる。 A main object of the present invention is to provide a first conductive metal layer, a first electric resistance layer, a first dielectric layer, a flexible support layer, a second dielectric layer, and a second electric resistance layer. It is an object of the present invention to provide a flexible electric resistance capacitor composite copper film structure including a second conductive metal layer.
In particular, after the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention is developed and etched twice, at least one thin film electric resistance is placed on the top surface of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure. A first electronic circuit comprising at least one thin film inductor and at least one thin film capacitor is manufactured. At the same time, a second electronic circuit including at least one thin film electric resistance, at least one thin film inductor, and at least one thin film capacitor is manufactured on the bottom surface of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure. .. Of course, the first electronic circuit can be connected to the second electronic circuit by a method of forming a conduction hole on the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure.

本発明は、上記の主要な目的を達成するために、係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第１実施例を提供する。
このフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造は、第１導電金属層と、その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１誘電体層と、その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合される可撓性支持層と、その一表面が前記可撓性支持層の他表面に結合される接合層と、前記接合層の他表面の上に形成される第２導電金属層とを含む。 The present invention provides a first embodiment of such a flexible electrical resistance capacitor composite copper film structure in order to achieve the above-mentioned main object.
In this flexible electric resistance capacitor composite copper film structure, a first conductive metal layer and one surface thereof are bonded to one surface of the first conductive metal layer, and nickel, chromium, tungsten, a nickel metal compound, a chromium metal compound, and the like. A first electric resistance layer made of a tungsten metal compound, a nickel-based alloy, a chromium-based alloy, or a tungsten-based alloy, and a first dielectric layer in which one surface thereof is bonded to another surface of the first electric resistance layer. A flexible support layer whose one surface is bonded to the other surface of the first dielectric layer, a bonding layer whose one surface is bonded to the other surface of the flexible support layer, and the other of the bonding layer. Includes a second conductive metal layer formed on the surface.

本発明は、上記の主要な目的を達成するために、係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第２実施例を提供する。
このフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造は、第１導電金属層と、その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１誘電体層と、その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第２電気抵抗層と、前記第２電気抵抗層の他表面の上に形成される第２導電金属層とを含む。 The present invention provides a second embodiment of such a flexible electrical resistance capacitor composite copper film structure in order to achieve the above-mentioned main object.
In this flexible electric resistance capacitor composite copper film structure, a first conductive metal layer and one surface thereof are bonded to one surface of the first conductive metal layer, and nickel, chromium, tungsten, a nickel metal compound, a chromium metal compound, and the like. A first electric resistance layer made of a tungsten metal compound, a nickel-based alloy, a chromium-based alloy, or a tungsten-based alloy, and a first dielectric layer in which one surface thereof is bonded to another surface of the first electric resistance layer. One surface thereof is bonded to the other surface of the first dielectric layer, and is made of nickel, chromium, tungsten, a nickel metal compound, a chromium metal compound, a tungsten metal compound, a nickel-based alloy, a chromium-based alloy, or a tungsten-based alloy. The second electric resistance layer and the second conductive metal layer formed on the other surface of the second electric resistance layer are included.

本発明は、上記の主要な目的を達成するために、係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第３実施例を提供する。
このフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造は、第１導電金属層と、その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１誘電体層と、その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合される可撓性支持層と、その一表面が前記可撓性支持層の他表面に結合される第２誘電体層と、その一表面が前記第２誘電体層の他表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第２電気抵抗層と、前記第２電気抵抗層の他表面の上に形成される第２導電金属層とを含む。 The present invention provides a third embodiment of such a flexible electrical resistance capacitor composite copper film structure in order to achieve the above-mentioned main object.
In this flexible electric resistance capacitor composite copper film structure, a first conductive metal layer and one surface thereof are bonded to one surface of the first conductive metal layer, and nickel, chromium, tungsten, a nickel metal compound, a chromium metal compound, and the like. A first electric resistance layer made of a tungsten metal compound, a nickel-based alloy, a chromium-based alloy, or a tungsten-based alloy, and a first dielectric layer in which one surface thereof is bonded to another surface of the first electric resistance layer. A flexible support layer whose one surface is bonded to the other surface of the first dielectric layer, and a second dielectric layer whose one surface is bonded to the other surface of the flexible support layer. The surface is bonded to the other surface of the second dielectric layer and is made of nickel, chromium, tungsten, a nickel metal compound, a chromium metal compound, a tungsten metal compound, a nickel-based alloy, a chromium-based alloy or a tungsten-based alloy. 2 The electric resistance layer and the second conductive metal layer formed on the other surface of the second electric resistance layer are included.

本発明は、上記の主要な目的を達成するために、係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第４実施例を提供する。
このフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造は、第１導電金属層と、その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１可撓性支持層と、その一表面が前記第１可撓性支持層の他表面に結合される第１誘電体層と、その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合される第２可撓性支持層と、その一表面が前記第２可撓性支持層の他表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第２電気抵抗層と、前記第２電気抵抗層の他表面の上に形成される第２導電金属層とを含む。 The present invention provides a fourth embodiment of such a flexible electrical resistance capacitor composite copper film structure in order to achieve the above-mentioned main object.
In this flexible electric resistance capacitor composite copper film structure, a first conductive metal layer and one surface thereof are bonded to one surface of the first conductive metal layer, and nickel, chromium, tungsten, a nickel metal compound, a chromium metal compound, and the like. A first electric resistance layer made of a tungsten metal compound, a nickel-based alloy, a chromium-based alloy, or a tungsten-based alloy, and a first flexible support layer in which one surface thereof is bonded to another surface of the first electric resistance layer. A first dielectric layer whose one surface is bonded to the other surface of the first flexible support layer, and a second flexible layer whose one surface is bonded to the other surface of the first dielectric layer. The support layer and one surface thereof are bonded to the other surface of the second flexible support layer, and nickel, chromium, tungsten, nickel metal compound, chromium metal compound, tungsten metal compound, nickel-based alloy, chromium-based alloy or It includes a second electric resistance layer made of a tungsten-based alloy and a second conductive metal layer formed on the other surface of the second electric resistance layer.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、前記第１誘電体層及び／または前記第２誘電体層は、第１誘電体定数と第１損失係数を有する第１誘電体材料と、第２誘電体定数と第２損失係数を有し、誘電体定数調整剤として機能する第２誘電体材料と、高分子粘結材料とを含有し、その内、前記高分子粘結材料で前記第１誘電体材料と前記第２誘電体材料とを粘結した後、半固化型誘電体材料を得、前記半固化型誘電体材料は、タブレット焼結工程を経た後に係る第１誘電体層及び／または係る第２誘電体層に成層される。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the first dielectric layer and / or the second dielectric layer has a first dielectric constant and a first loss coefficient. It contains a first dielectric material having a second dielectric constant and a second dielectric material having a second dielectric constant and a second loss coefficient and functioning as a dielectric constant adjusting agent, and a polymer binder material, among which. After the first dielectric material and the second dielectric material are bonded with the polymer binder material, a semi-solidified dielectric material is obtained, and the semi-solidified dielectric material is subjected to a tablet sintering step. After that, it is layered on the first dielectric layer and / or the second dielectric layer.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、焼結工程を経過した後、前記第１誘電体材料の前記第１誘電体定数が９９９よりも大きく、かつそれに係る第１損失係数が０．０２９よりも小さく、かつ前記第１誘電体材料は、チタン酸バリウム、一酸化鉛（ＰｂＯ）がドープされたチタン酸バリウム、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）がドープされたチタン酸バリウム、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）がドープされたチタン酸バリウム、及び酸化カルシウム（ＣａＯ）がドープされたチタン酸バリウムのうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, after the sintering step, the first dielectric constant of the first dielectric material is larger than 999, and the first dielectric constant is larger than 999. The first loss coefficient related thereto is smaller than 0.029, and the first dielectric material is barium titanate, barium titanate doped with lead monoxide (PbO), and yttrium oxide ( Y2O3 ). It may be any one of a doped barium titanate, a barium titanate doped with magnesium oxide (MgO), and a barium titanate doped with calcium oxide (CaO).

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、焼結工程を経過した後、前記第２誘電体材料の前記第２誘電体定数が５よりも小さく、かつそれに係る第２損失係数が０．０１よりも小さく、かつ前記第２誘電体材料は、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, after the sintering step, the second dielectric constant of the second dielectric material is smaller than 5, and the second dielectric constant is smaller than 5. The second loss coefficient thereof is smaller than 0.01, and the second dielectric material is among polyvinylidene fluoride (PVDF), polytetrafluoroethylene (PTFE), and polyether ether ketone (PEEK). Any one may be used.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、前記第１誘電体層及び／または前記第２誘電体層の誘電体定数が８よりも大きく、かつその損失係数が０．０２よりも小さい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the dielectric constant of the first dielectric layer and / or the second dielectric layer is larger than 8, and the loss thereof. The coefficient is less than 0.02.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、前記高分子粘結材料は、半固化特性を持ち、かつそれはエポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリイミド（ＰＩ）、及びリン含有樹脂のうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electrical resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the polymer caking material has semi-solidification properties, which are epoxy resin, polyimide fluoride (PVDF). ), Polyimide (PI), and phosphorus-containing resin.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係るエポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、オルソクレゾールエポキシ樹脂、三官能エポキシ樹脂、四官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ｐ－キシレンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラックエポキシ樹脂、及びクレゾールフェニルノボラックエポキシ樹脂のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の組合せであってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の組合せであってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the epoxy resin (Epoxy) is a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, or a novolak epoxy. Resin, bisphenol A type novolak epoxy resin, orthocresol epoxy resin, trifunctional epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, dicyclopentadiene epoxy resin, phosphorus-containing epoxy resin, p-xylene epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl novolak epoxy resin , And any one of the cresolphenylnovolac epoxy resins, or a combination of any two of them, or a combination of any two or more of them. It is also good.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係るリン含有樹脂は、９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキシド、及びリン含有ビスフェノールＡ型フェノール樹脂のうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electrical resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the phosphorus-containing resin is 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, and phosphorus. It may be any one of the contained bisphenol A type phenol resin.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、前記第１誘電体層及び／または前記第２誘電体層は、いずれも硬化材料をさらに含有し、かつ前記硬化材料は、架橋剤、硬化促進剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤、分散剤、沈降防止剤、下地処理剤、界面活性剤、靭性改質剤、及び溶剤のうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the first dielectric layer and / or the second dielectric layer both further contain a curing material and are described above. The curing material is one of a cross-linking agent, a curing accelerator, a flame retardant, a leveling agent, a defoaming agent, a dispersant, an anti-precipitation agent, a surface treatment agent, a surfactant, a toughness modifier, and a solvent. May be.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る架橋剤は、アミン付加物であり、かつ前記アミン付加物は、ジアミノジフェニルスルホン、ヒドラジド、ジヒドラジド、ジシアンジアミド、及びアジピン酸ジヒドラジドのうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electrical resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the cross-linking agent is an amine adduct, and the amine adduct is diaminodiphenyl sulfone, hydrazide, dihydrazide, dicyandiamide, And any one of adipic acid dihydrazide.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る硬化促進剤は、イミダゾール、三フッ化ホウ素アミン錯体、塩化エチルトリフェニルホスフィン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、及びジメチルアミノピリジンのうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the curing accelerator is imidazole, boron trifluoride amine complex, ethyltriphenylphosphine chloride, 2-methylimidazole, 2-. It may be any one of phenylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, triphenylphosphine, and dimethylaminopyridine.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る難燃剤は、ビスフェノールビフェニルリン酸エステル、ポリリン酸アンモニウム、ヒドロキノン－ビス－（ジフェニルリン酸エステル）、トリス（２－カルボキシエチル）ホスフィン、トリス（イソプロピルクロリド）リン酸エステル、トリメチルリン酸エステル、ジメチル－メチルリン酸エステル、レゾルシノールビスジメチルフェニルリン酸エステル、ポリリン酸メラミン、ホスファゾ化合物、及びホスファゼン化合物のうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the flame retardant is bisphenol biphenyl phosphate ester, ammonium polyphosphate, hydroquinone-bis- (diphenyl phosphate ester), tris (diphenyl phosphate ester). One of 2-carboxyethyl) phosphine, tris (isopropylchloride) phosphate ester, trimethyl phosphate ester, dimethyl-methyl phosphate ester, resorcinol bisdimethylphenyl phosphate ester, polyphosphate melamine, phosphazo compound, and phosphazene compound. It may be one kind.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る界面活性剤は、シラン化合物、シロキサン化合物、及びアミノシラン化合物のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の重合体であってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の重合体であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the surfactant may be any one of a silane compound, a siloxane compound, and an aminosilane compound. , Or any two of them, or any two or more of them.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る靭性改質剤は、ゴム樹脂、ポリブタジエン、及びコアシェル重合体のうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the toughness modifier may be any one of a rubber resin, polybutadiene, and a core-shell polymer. ..

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る溶剤は、メチルベンゼン、ジメチルベンゼン、エチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオン酸塩、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びジエチレングリコールモノブチルエーテルのうちのいずれか１種であってもよい。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the solvent is methylbenzene, dimethylbenzene, ethylene glycol, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, acetone. , Methyl Ethyl Ketone, Methyl Isobutyl Ketone, Ethylene Glycol Monobutyl Ether, Ethylene Glycol Monoethyl Ether, Propylene Glycol Monomethyl Ether, and Diethylene Glycol Monobutyl Ether.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係るレベリング剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の二酸化ケイ素上に吸着した顔料親和性基を有する共重合体であってもよく、例えば、ＢＹＫ－３９５０Ｐ、ＢＹＫ－３９５１Ｐ、ＢＹＫ－３９５５Ｐ及びＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－２２００などが挙げられる。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the leveling agent is a copolymer having a pigment affinity group adsorbed on silicon dioxide manufactured by BYK-Chemie of Germany. There may be, for example, BYK-3950P, BYK-3951P, BYK-3955P, Disperbyk-2200 and the like.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る消泡剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製のイソパラフィンまたはパラフィン系とナフテン系の混合物であってもよく、例えば、ＢＹＫ－１７９０、ＢＹＫ－１７９４及びＢＹＫ－Ａ５３０などが挙げられる。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the defoaming agent may be isoparaffin or a mixture of paraffin-based and naphthen-based materials manufactured by BYK-Chemie of Germany. For example, BYK-1790, BYK-1794, BYK-A530 and the like can be mentioned.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る沈降防止剤と液状レオロジーコントロール剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の変性ウレア溶液であってもよく、例えば、ＢＹＫ－７４１０ＥＴが挙げられる。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the sedimentation inhibitor and the liquid rheology control agent may be a modified urea solution manufactured by BYK-Chemie of Germany, for example. , BYK-7410ET.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る湿潤分散剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の水酸基含有カルボン酸エステル、線状高分子共重合体、または高度分岐構造のポリエステルとアクリル酸の共重合体であってもよく、例えば、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１０７、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１１、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１８、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－２０１３及びＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－９０１０などが挙げられる。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the wet dispersant is a hydroxyl group-containing carboxylic acid ester, a linear polymer copolymer, or a linear polymer copolymer manufactured by BYK-Chemie of Germany. It may be a polymer of a highly branched polyester and acrylic acid, and examples thereof include Disperbyk-107, Disperbyk-111, Disperbyk-118, Disperbyk-2013 and Disperbyk-9010.

前述した本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造のいずれか１つの実施例において、係る基材濡れ剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製のフッ素不含ポリエーテル変性ジメチルシロキサン及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンであってもよく、例えば、ＢＹＫ－３４５５及びＢＹＫ－３３３などが挙げられる。 In any one embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention described above, the substrate wetting agent is a fluorine-free polyether-modified dimethylsiloxane and a polyether-modified polydimethyl manufactured by BYK-Chemie of Germany. It may be siloxane, and examples thereof include BYK-3455 and BYK-333.

前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の中において、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層は、特別に設計された誘電体材料で製作されるので、その誘電体定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ）４～６８の間にあり、かつその誘電体損失が０．０２よりも小さい。さらに進んで、フレキシブルプリント電気回路基板（ＦＰＣ）として応用される以外に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造と少なくとも１つの電気回路基板とを組み合わせてなるリジッドフレックス基板（Ｒｉｇｉｄ－ｆｌｅｘ ｂｏａｒｄ）としても応用可能となる。 In the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure, the first dielectric layer and the second dielectric layer are made of a specially designed dielectric material, and thus have a dielectric constant. It is between 4 and 68 and its dielectric loss is less than 0.02. Further, in addition to being applied as a flexible printed electric circuit board (FPC), a rigid-flex board formed by combining the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention with at least one electric circuit board. ) Can also be applied.

従来技術の受動的電気構造を示す模式的斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the passive electric structure of the prior art. 従来技術の抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造を示す模式的斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the multilayer structure for forming a resistor and a capacitor of the prior art. 本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第１実施例を示す模式的斜視図である。It is a schematic perspective view which shows 1st Example of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure which concerns on this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第２実施例を示す模式的斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the 2nd Embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第３実施例を示す模式的斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the 3rd Example of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第４実施例を示す模式的斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the 4th Example of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を示す模式的製作手順図である。It is a schematic manufacturing procedure diagram which shows the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を示す模式的製作手順図である。It is a schematic manufacturing procedure diagram which shows the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を示す模式的製作手順図である。It is a schematic manufacturing procedure diagram which shows the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。It is an operation decomposition view which shows the development etching process of the electric circuit board structure provided with the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。It is an operation decomposition view which shows the development etching process of the electric circuit board structure provided with the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。It is an operation decomposition view which shows the development etching process of the electric circuit board structure provided with the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。It is an operation decomposition view which shows the development etching process of the electric circuit board structure provided with the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 特許文献１に開示された銅箔電気抵抗のサンプルの電子後方散乱回折（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂａｃｋ－ｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，ＥＢＳＤ）画像を示す図である。It is a figure which shows the electron backscatter diffraction (EBSD) image of the sample of the copper foil electric resistance disclosed in Patent Document 1. FIG. 本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の銅箔電気抵抗のサンプルのＥＢＳＤ画像を示す図である。It is a figure which shows the EBSD image of the sample of the copper foil electric resistance of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of this invention. 曲げテストの実行手順を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the execution procedure of a bending test.

本発明が提出した一種のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造及び前記フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を使用した電気回路基板構造をより明瞭に記述するために、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例を以下に詳述する。 In order to more clearly describe a kind of flexible electric resistance capacitor composite copper film structure submitted by the present invention and an electric circuit board structure using the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure, the present invention refers to the attached drawings. The preferred embodiments of the above are described in detail below.

（フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造）
図３Ａは、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第１実施例を示す模式的斜視図である。図３Ａに示すように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤは、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層ＦＳと、接合層Ａｄと、第２導電金属層２１とを含む。その内、第１導電金属層１１と第２導電金属層２１の厚みが０．４ミクロン～５０ミクロンである。かつそれらのプロセス材料は、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀複合物、銅複合物、金複合物、アルミニウム複合物のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の複合物であってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の複合物であってもよい。 (Flexible electric resistance capacitor composite copper film structure)
FIG. 3A is a schematic perspective view showing a first embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure according to the present invention. As shown in FIG. 3A, the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention includes a first conductive metal layer 11, a first electric resistance layer 12, a first dielectric layer Ie1, and a flexible support layer. The FS, the bonding layer Ad, and the second conductive metal layer 21 are included. Among them, the thickness of the first conductive metal layer 11 and the second conductive metal layer 21 is 0.4 micron to 50 micron. And those process materials are, for example, any one of silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), aluminum (Al), silver composite, copper composite, gold composite, and aluminum composite. It may be a species, or a complex of any two of them, or a complex of any two or more of them.

図３Ａに示すように、第１電気抵抗層１２は、その一表面が第１導電金属層１１の一表面に結合され、かつその厚みが２ミクロンよりも小さい。よく見られる第１導電金属層１１の材質が銅であり、かつスパッタリングプロセスを介して係る第１電気抵抗層１２が第１導電金属層１１の上に形成される。勿論、第１電気抵抗層１２のプロセス時間を短縮するために、第１電気抵抗層１２の製作が完了できるように、一部にスパッタリングを施し、一部に電気めっきを施す方式を採用してもよい。しかしながら、強調すべきことは、スパッタリングによって形成される第１電気抵抗層１２は、より高い被膜の緻密度と連続性を有するということである。本発明において、第１電気抵抗層１２のプロセス材料としては、ニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金が挙げられる。その内、第１電気抵抗層１２の模範的な材料を下記の表１にまとめて示す。 As shown in FIG. 3A, one surface of the first electric resistance layer 12 is bonded to one surface of the first conductive metal layer 11, and the thickness thereof is smaller than 2 microns. The material of the first conductive metal layer 11 that is often seen is copper, and the first electric resistance layer 12 is formed on the first conductive metal layer 11 via a sputtering process. Of course, in order to shorten the process time of the first electric resistance layer 12, a method of partially performing sputtering and partially electroplating is adopted so that the production of the first electric resistance layer 12 can be completed. May be good. However, it should be emphasized that the first electrical resistance layer 12 formed by sputtering has a higher film density and continuity. In the present invention, examples of the process material for the first electric resistance layer 12 include nickel, chromium, tungsten, nickel metal compounds, chromium metal compounds, tungsten metal compounds, nickel-based alloys, chromium-based alloys, and tungsten-based alloys. Among them, the exemplary materials of the first electric resistance layer 12 are summarized in Table 1 below.

Figure 2022088710000002
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式中、ｘ、ｙ、ｚは原子数百分率を表し、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。なおかつ、Ｍは、例えば、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはチタン（Ｔｉ）などの金属を表す。一方、Ｍとは反対に、Ｎは、例えば、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、またはケイ素（Ｓｉ）などの非金属を表す。 In the formula, x, y, and z represent percentages of atoms, and x + y + z = 1. Moreover, M represents a metal such as copper (Cu), molybdenum (Mo), vanadium (V), tungsten (W), iron (Fe), aluminum (Al), or titanium (Ti). On the other hand, as opposed to M, N represents a non-metal such as, for example, boron (B), carbon (C), nitrogen (N), oxygen (O), or silicon (Si).

より詳細に説明すると、第１誘電体層Ｉｅ１は、その一表面が第１電気抵抗層１２の他表面に結合され、かつ可撓性支持層ＦＳは、その一表面が第１誘電体層Ｉｅ１の他表面に結合される。本発明の設計によれば、第１誘電体層Ｉｅ１の厚みが０．０１ミクロン～５０ミクロンであり、かつ可撓性支持層ＦＳの厚みが５ミクロン～３５０ミクロンである。一般的に言えば、第１誘電体層Ｉｅ１は、ポリマーマトリックス（Ｐｏｌｙｍｅｒ ｍａｔｒｉｘ）と、前記ポリマーマトリックスにドープされた複数個の誘電体粒子とを含むものであってもよく、その内、前記誘電体粒子の材料は、高誘電体材料、誘電体材料、及び低誘電体材料のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の混合物であってもよい。異なる種類の誘電体粒子をただ参考として下記の表２に列記するが、第１誘電体層Ｉｅ１の材料成分はそれらに制限されるものではない。しかし、さらに説明すべきことは、係る第１誘電体層Ｉｅ１は、一層のスパッタリング層であってもよい。特に、前記スパッタリング層には、ペロブスカイト（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）構造またはスピネル（ｓｐｉｎａｌ）構造を含み、かつ微量元素を添加し、その内、前記微量元素は、ランタン系元素、オスミウム系元素、希土類元素、及びアルカリ土類元素のうちのいずれか１種であってもよい。説明に値することは、係る微量元素は、ペロブスカイト（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）構造またはスピネル（ｓｐｉｎａｌ）構造の内部のドナー（ｄｏｎｎｅｒ）とアクセプター（ａｃｃｅｐｔｅｒ）の数を調整することによって、スパッタリング層全体に低／高ｋ値（ｌｏｗ／ｈｉｇｈ ｋ）と、高Ｑ値（ｈｉｇｈ Ｑ）の誘電体特性を達することができる。 More specifically, one surface of the first dielectric layer Ie1 is bonded to the other surface of the first electric resistance layer 12, and one surface of the flexible support layer FS is the first dielectric layer Ie1. Bonded to other surfaces. According to the design of the present invention, the thickness of the first dielectric layer Ie1 is 0.01 micron to 50 micron, and the thickness of the flexible support layer FS is 5 micron to 350 micron. Generally speaking, the first dielectric layer Ie1 may include a polymer matrix and a plurality of dielectric particles doped in the polymer matrix, among which the dielectric may be contained. The material of the body particles may be any one of a high dielectric material, a dielectric material, and a low dielectric material, or may be a mixture of any two of them. The different types of dielectric particles are listed in Table 2 below for reference only, but the material components of the first dielectric layer Ie1 are not limited to them. However, it should be further explained that the first dielectric layer Ie1 may be a single layer sputtering layer. In particular, the sputtering layer contains a perovskite structure or a spinal structure, and a trace element is added, in which the trace element is a lanthanum element, an osmium element, a rare earth element, and an alkali. It may be any one of the earth elements. It is worth explaining that such trace elements are low / high k throughout the sputtering layer by adjusting the number of donors and acceptors inside the perovskite or spinal structure. A value (low / high k) and a high Q value (high Q) dielectric properties can be achieved.

Figure 2022088710000003
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一方、係る可撓性支持層ＦＳは、軟性基板であってもよい。より詳細に説明すると、軟性基板の厚みが２００ミクロン以下であれば、可撓性を確保することができる。本発明において、可撓性支持層ＦＳのプロセス材料は、ゴム樹脂、ポリブタジエン、コアシェル重合体、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種のポリマーブレンド物であってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上のポリマーブレンド物であってもよい。 On the other hand, the flexible support layer FS may be a flexible substrate. More specifically, if the thickness of the flexible substrate is 200 microns or less, flexibility can be ensured. In the present invention, the process material of the flexible support layer FS is a rubber resin, polybutadiene, a core-shell polymer, polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), polytetrafluoroethylene (PVDF), and polyetheretherketone (PEEK). ), Polytetrafluoroethylene (PTFE), epoxy resin (Epoxy), or a polymer blend of any two of them, or theirs. Any two or more kinds of polymer blends may be used.

それに加えて、接合層Ａｄは、その一表面が可撓性支持層ＦＳの他表面に結合されると共に、その厚みが２ミクロン以下である。本発明において、接合層Ａｄのプロセス材料は、ニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金のうちのいずれか１種であってもよく、模範的な材料については、上記の表１を参照することができる。一方、接合層Ａｄのプロセス材料は、例えばニッケル銅合金、ニッケルチタン合金、銅チタン合金またはクロムニッケル合金であってもよい。 In addition, the bonding layer Ad has one surface bonded to the other surface of the flexible support layer FS and its thickness is 2 microns or less. In the present invention, the process material of the bonding layer Ad is any one of nickel, chromium, tungsten, nickel metal compound, chromium metal compound, tungsten metal compound, nickel-based alloy, chromium-based alloy and tungsten-based alloy. You may also refer to Table 1 above for exemplary materials. On the other hand, the process material of the bonding layer Ad may be, for example, a nickel-copper alloy, a nickel-titanium alloy, a copper-titanium alloy, or a chromium nickel alloy.

図３Ｂは、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第２実施例を示す模式的斜視図である。図３Ｂに示すように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第２実施例は、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１とを含む。一方、図３Ｃは、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第３実施例を示す模式的斜視図である。図３Ｃに示すように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第３実施例は、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層ＦＳと、第２誘電体層Ｉｅ２と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１とを含む。図３Ｂと図３Ｃとを比較してから、第３実施例のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤは、可撓性支持層ＦＳと、第２誘電体層Ｉｅ２とをさらに含み、これら二層を、第２電気抵抗層２２と第１誘電体層Ｉｅ１との間に挟んで設置するようにしてもよいことを見出した。より詳細に説明すると、可撓性支持層ＦＳは、その一表面が第１誘電体層Ｉｅ１の他表面に結合され、かつ第２誘電体層Ｉｅ２は、その一表面が可撓性支持層ＦＳの他表面に結合されることで、第２電気抵抗層２２は、その一表面が第２誘電体層Ｉｅ２の他表面に結合される。特に強調すべきこととしては、前述の説明では、第１誘電体層Ｉｅ１の常用プロセス材料を既に紹介しており、かつ第２誘電体層Ｉｅ２の常用プロセス材料は、第１誘電体層Ｉｅ１と基本的に同様であるので、繰り返し説明を省略する。 FIG. 3B is a schematic perspective view showing a second embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure according to the present invention. As shown in FIG. 3B, a second embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention includes a first conductive metal layer 11, a first electric resistance layer 12, and a first dielectric layer Ie1. The second electric resistance layer 22 and the second conductive metal layer 21 are included. On the other hand, FIG. 3C is a schematic perspective view showing a third embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure according to the present invention. As shown in FIG. 3C, a third embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention includes a first conductive metal layer 11, a first electric resistance layer 12, and a first dielectric layer Ie1. It includes a flexible support layer FS, a second dielectric layer Ie2, a second electric resistance layer 22, and a second conductive metal layer 21. After comparing FIGS. 3B and 3C, the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the third embodiment further includes a flexible support layer FS and a second dielectric layer Ie2, and these two layers are further included. It has been found that the electric resistance layer 22 may be sandwiched between the second electric resistance layer 22 and the first dielectric layer Ie1. More specifically, one surface of the flexible support layer FS is bonded to the other surface of the first dielectric layer Ie1, and one surface of the second dielectric layer Ie2 is the flexible support layer FS. By being bonded to the other surface, one surface of the second electric resistance layer 22 is bonded to the other surface of the second dielectric layer Ie2. It should be particularly emphasized that the above description has already introduced the conventional process material of the first dielectric layer Ie1, and the conventional process material of the second dielectric layer Ie2 is the first dielectric layer Ie1. Since it is basically the same, the description will be omitted repeatedly.

さらに、図３Ｄは、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の第４実施例を示す模式的斜視図である。図３Ｄに示すように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第４実施例は、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１可撓性支持層ＦＳ１と、第１誘電体層Ｉｅ１と、第２可撓性支持層ＦＳ２と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１とを含む。その内、第１電気抵抗層１２は、その一表面が第１導電金属層１１の一表面に結合され、第１可撓性支持層ＦＳ１は、その一表面が第１電気抵抗層１２の他表面に結合され、第１誘電体層Ｉｅ１は、その一表面が第１可撓性支持層ＦＳ１の他表面に結合され、第２可撓性支持層ＦＳ２は、その一表面が第１誘電体層Ｉｅ１の他表面に結合され、かつ第２電気抵抗層２２は、その一表面が第２可撓性支持層ＦＳ２の他表面に結合される。さらに、第２導電金属層２１は、第２電気抵抗層２２の他表面の上に形成される。 Further, FIG. 3D is a schematic perspective view showing a fourth embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure according to the present invention. As shown in FIG. 3D, a fourth embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention includes a first conductive metal layer 11, a first electric resistance layer 12, and a first flexible support layer FS1. , A first dielectric layer Ie1, a second flexible support layer FS2, a second electrical resistance layer 22, and a second conductive metal layer 21. Among them, one surface of the first electric resistance layer 12 is bonded to one surface of the first conductive metal layer 11, and one surface of the first flexible support layer FS1 is other than the first electric resistance layer 12. One surface of the first dielectric layer Ie1 is bonded to the other surface of the first flexible support layer FS1, and one surface of the second flexible support layer FS2 is bonded to the other surface of the first flexible support layer FS1. The second electrical resistance layer 22 is bonded to the other surface of the layer Ie1 and one surface thereof is bonded to the other surface of the second flexible support layer FS2. Further, the second conductive metal layer 21 is formed on the other surface of the second electric resistance layer 22.

特に説明したいところは、本発明の主な技術的特徴は、材料設計を利用することで、第２誘電体層Ｉｅ２及び／または第１誘電体層Ｉｅ１の誘電体定数を４～６８の範囲内に簡単に調節制御することができ、かつ同時に第２誘電体層Ｉｅ２と第１誘電体層Ｉｅ１の誘電体損失が０．０２よりも小さくなる。材料組成の面から、本発明では、第２誘電体層Ｉｅ２と第１誘電体層Ｉｅ１は、いずれも第１誘電体材料と、第２誘電体材料と、高分子粘結材料と、硬化材料とを含有する。その内、前記第１誘電体材料は、高誘電体定数と低損失係数を有する。かつ、第２誘電体材料は、誘電体定数調整剤として機能し、かつ低誘電体定数と低損失係数を有する。第１誘電体材料を選択する条件としては、焼結を経過した後、第１誘電体材料の誘電体定数が９９９よりも大きいこと（即ち、≧１０００）が必要であり、かつその損失係数が０．０２９よりも小さいこと（即ち、≦０．０３）が必要である。よって、第１誘電体材料として適用されるものは、チタン酸バリウム、一酸化鉛（ＰｂＯ）がドープされたチタン酸バリウム、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）がドープされたチタン酸バリウム、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）がドープされたチタン酸バリウム、または酸化カルシウム（ＣａＯ）がドープされたチタン酸バリウムであってもよい。その一方で、第２誘電体材料を選択する条件としては、焼結を経過した後、第２誘電体材料の誘電体定数が５よりも小さいことが必要であり、かつその損失係数が０．０１よりも小さいことが必要である。よって、第２誘電体材料として適用されるものは、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）であってもよい。 In particular, the main technical feature of the present invention is to utilize the material design to keep the dielectric constants of the second dielectric layer Ie2 and / or the first dielectric layer Ie1 within the range of 4 to 68. It can be easily adjusted and controlled, and at the same time, the dielectric loss of the second dielectric layer Ie2 and the first dielectric layer Ie1 becomes smaller than 0.02. From the viewpoint of material composition, in the present invention, the second dielectric layer Ie2 and the first dielectric layer Ie1 are each a first dielectric material, a second dielectric material, a polymer binder material, and a curing material. And contains. Among them, the first dielectric material has a high dielectric constant and a low loss coefficient. Moreover, the second dielectric material functions as a dielectric constant adjuster, and has a low dielectric constant and a low loss coefficient. As a condition for selecting the first dielectric material, it is necessary that the dielectric constant of the first dielectric material is larger than 999 (that is, ≧ 1000) after sintering, and the loss coefficient thereof is high. It needs to be less than 0.029 (ie, ≦ 0.03). Therefore, what is applied as the first dielectric material is barium titanate, barium titanate doped with lead monoxide (PbO), barium titanate doped with yttrium oxide ( Y2O 3 ) , and magnesium oxide. It may be barium titanate doped with (MgO) or barium titanate doped with calcium oxide (CaO). On the other hand, as a condition for selecting the second dielectric material, it is necessary that the dielectric constant of the second dielectric material is smaller than 5 after the sintering process, and the loss coefficient thereof is 0. It needs to be smaller than 01. Therefore, what is applied as the second dielectric material may be polyvinylidene fluoride (PVDF), polytetrafluoroethylene (PTFE), or polyetheretherketone (PEEK).

本発明において、高分子粘結材料は、半固化特性を持たなければならない。つまり、加熱加圧すると軟化する一方、冷却後に反応を起こせば固化する特性を持たなければならない。このため、係る高分子粘結材料を利用して前述の第１誘電体材料と第２誘電体材料とを粘結した後、半固化型誘電体材料を取得することができ、前記半固化型誘電体材料は、タブレット焼結工程を経た後に係る第１誘電体層Ｉｅ１と係る第２誘電体層Ｉｅ２とに成層される。本発明は、第１誘電体材料と第２誘電体材料を適切に選択するので、最終に作製される第１誘電体層Ｉｅ１と第２誘電体層Ｉｅ２の誘電体定数が８よりも大きく、かつその損失係数が０．０２よりも小さい。補足説明すると、前記高分子粘結材料は、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリイミド（ＰＩ）、及びリン含有樹脂のうちのいずれか１種であってもよい。 In the present invention, the polymer caking material must have semi-solidification properties. That is, it must have the property of softening when heated and pressurized, while solidifying when a reaction occurs after cooling. Therefore, the semi-solidified dielectric material can be obtained after the above-mentioned first dielectric material and the second dielectric material are bonded by using the polymer binder material, and the semi-solidified type can be obtained. The dielectric material is layered on the first dielectric layer Ie1 and the second dielectric layer Ie2 after the tablet sintering step. In the present invention, since the first dielectric material and the second dielectric material are appropriately selected, the dielectric constants of the first dielectric layer Ie1 and the second dielectric layer Ie2 finally produced are larger than 8. Moreover, the loss coefficient is smaller than 0.02. As a supplementary explanation, the polymer binder may be any one of epoxy resin (Epoxy), polyvinylidene fluoride (PVDF), polyimide (PI), and phosphorus-containing resin.

より詳細に説明すると、係るエポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、オルソクレゾールエポキシ樹脂、三官能エポキシ樹脂、四官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ｐ－キシレンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラックエポキシ樹脂、及びクレゾールフェニルノボラックエポキシ樹脂のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の組合せであってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の組合せであってもよい。一方、係る高分子粘結材料として適用されるリン含有樹脂は、９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキシド、及びリン含有ビスフェノールＡ型フェノール樹脂のうちのいずれか１種であってもよい。 More specifically, the epoxy resin (Epoxy) includes bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, novolak epoxy resin, bisphenol A type novolak epoxy resin, orthocresol epoxy resin, and trifunctional. One of an epoxy resin, a tetrafunctional epoxy resin, a dicyclopentadiene epoxy resin, a phosphorus-containing epoxy resin, a p-xylene epoxy resin, a naphthalene-type epoxy resin, a biphenyl novolak epoxy resin, and a cresolphenyl novolak epoxy resin. It may be a combination of any two of them, or a combination of any two or more of them. On the other hand, the phosphorus-containing resin applied as the polymer caking material is any one of 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide and phosphorus-containing bisphenol A type phenol resin. It may be one kind.

高分子粘結材料、第１誘電体材料と第２誘電体材料のほかに、第１誘電体層Ｉｅ１と第２誘電体層Ｉｅ２の材料組成は、硬化材料をさらに含有し、かつ前記硬化材料は、架橋剤、硬化促進剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤、分散剤、沈降防止剤、下地処理剤、界面活性剤、靭性改質剤、及び溶剤のうちのいずれか１種であってもよい。より詳細に説明すると、架橋剤は、アミン付加物であり、かつ前記アミン付加物は、ジアミノジフェニルスルホン、ヒドラジド、ジヒドラジド、ジシアンジアミド、及びアジピン酸ジヒドラジドのうちのいずれか１種であってもよい。一方、係る硬化促進剤は、イミダゾール、三フッ化ホウ素アミン錯体、塩化エチルトリフェニルホスフィン、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、及びジメチルアミノピリジンのうちのいずれか１種であってもよい。 In addition to the polymer binder material, the first dielectric material and the second dielectric material, the material composition of the first dielectric layer Ie1 and the second dielectric layer Ie2 further contains a curing material and the curing material. Is one of a cross-linking agent, a curing accelerator, a flame retardant, a leveling agent, a defoaming agent, a dispersant, an anti-settling agent, a surface treatment agent, a surface active agent, a toughness modifier, and a solvent. You may. More specifically, the cross-linking agent is an amine adduct, and the amine adduct may be any one of diaminodiphenyl sulfone, hydrazide, dihydrazide, dicyandiamide, and adipic acid dihydrazide. On the other hand, such curing accelerators include imidazole, boron trifluoride amine complex, ethyltriphenylphosphine chloride, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, triphenylphosphine, and dimethylaminopyridine. It may be any one of them.

以上の説明に続き、係る難燃剤は、ビスフェノールビフェニルリン酸エステル、ポリリン酸アンモニウム、ヒドロキノン－ビス－（ジフェニルリン酸エステル）、トリス（２－カルボキシエチル）ホスフィン、トリス（イソプロピルクロリド）リン酸エステル、トリメチルリン酸エステル、ジメチル－メチルリン酸エステル、レゾルシノールビスジメチルフェニルリン酸エステル、ポリリン酸メラミン、ホスファゾ化合物、及びホスファゼン化合物のうちのいずれか１種であってもよい。そして、係る界面活性剤は、シラン化合物、シロキサン化合物、及びアミノシラン化合物のうちのいずれか１種であってもよいし、またはそれらのいずれか２種の重合体であってもよいし、もしくはそれらのいずれか２種以上の重合体であってもよい。一方、係る靭性改質剤は、ゴム樹脂、ポリブタジエン、及びコアシェル重合体のうちのいずれか１種であってもよい。それに加えて、係る溶剤は、メチルベンゼン、ジメチルベンゼン、エチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオン酸塩、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びジエチレングリコールモノブチルエーテルのうちのいずれか１種であってもよい。 Following the above description, the flame-retardant agents include bisphenol biphenyl phosphate ester, ammonium polyphosphate, hydroquinone-bis- (diphenyl phosphate ester), tris (2-carboxyethyl) phosphine, tris (isopropylchloride) phosphate ester, and the like. It may be any one of a trimethyl phosphate ester, a dimethyl-methyl phosphate ester, a resorcinol bisdimethylphenyl phosphate ester, a polyphosphate melamine, a phosphazo compound, and a phosphazen compound. The surfactant may be any one of a silane compound, a siloxane compound, and an aminosilane compound, or a polymer of any two of them, or them. Any two or more of these polymers may be used. On the other hand, the toughness modifier may be any one of a rubber resin, polybutadiene, and a core-shell polymer. In addition, such solvents include methylbenzene, dimethylbenzene, ethylene glycol, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, It may be any one of propylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether.

さらに説明すると、レベリング剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の二酸化ケイ素上に吸着した顔料親和性基を有する共重合体であってもよく、例えば、ＢＹＫ－３９５０Ｐ、ＢＹＫ－３９５１Ｐ、ＢＹＫ－３９５５Ｐ及びＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－２２００などが挙げられる。そして、消泡剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製のイソパラフィンまたはパラフィン系とナフテン系の混合物であってもよく、例えば、ＢＹＫ－１７９０、ＢＹＫ－１７９４及びＢＹＫ－Ａ５３０などが挙げられる。一方、沈降防止剤と液状レオロジーコントロール剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の変性ウレア溶液であってもよく（例えば、ＢＹＫ－７４１０ＥＴ）、また湿潤分散剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製の水酸基含有カルボン酸エステル、線状高分子共重合体、または高度分岐構造のポリエステルとアクリル酸の共重合体であってもよく、例えば、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１０７、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１１、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－１１８、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ－２０１３及びＤｉｓｐｅｒｂｙｋ－９０１０などが挙げられる。それに加えて、基材濡れ剤は、ドイツＢＹＫ－Ｃｈｅｍｉｅ社製のフッ素不含ポリエーテル変性ジメチルシロキサン及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンであってもよく、例えば、ＢＹＫ－３４５５及びＢＹＫ－３３３などが挙げられる。 Further, the leveling agent may be a copolymer having a pigment affinity group adsorbed on silicon dioxide manufactured by BYK-Chemie of Germany, and may be, for example, BYK-3950P, BYK-3951P, BYK-3955P and the like. Examples include Disperbyk-2200. The defoaming agent may be an isoparaffin manufactured by BYK-Chemie of Germany or a mixture of paraffin-based and naphthen-based agents, and examples thereof include BYK-1790, BYK-1794 and BYK-A530. On the other hand, the anti-precipitation agent and the liquid rhology control agent may be a modified urea solution manufactured by BYK-Chemie of Germany (for example, BYK-7410ET), and the wet dispersant contains a hydroxyl group manufactured by BYK-Chemie of Germany. It may be a carboxylic acid ester, a linear polymer copolymer, or a polymer of highly branched polyester and acrylic acid, for example, Disperbyk-107, Disperbyk-111, Disperbyk-118, Disperbyk-2013 and Disperbyk. -9010 and the like can be mentioned. In addition, the substrate wetting agent may be fluorine-free polyether-modified dimethylsiloxane and polyether-modified polydimethylsiloxane manufactured by BYK-Chemie of Germany, and examples thereof include BYK-3455 and BYK-333. Be done.

＜フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の製作（一）＞
図３Ｂを継続的に参照すると共に、図４に示される本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の模式的製作手順図を同時に参照する。本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第２実施例の製作手順は次のステップ（１）～（４）を含む。
（１）図４の（ａ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第１金属導電層１１の一表面の上に第１電気抵抗層１２を形成して、第１電気抵抗銅膜ユニットＣＲ１を取得する。
（２）図４の（ｂ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第２金属導電層２１の一表面の上に第２電気抵抗層２２を形成して、第２電気抵抗銅膜ユニットＣＲ２を取得する。
（３）図４の（ｃ）図に示すように、半固化型の第１誘電体層Ｉｅ１を第１電気抵抗銅膜ユニットＣＲ１と第２電気抵抗銅膜ユニットＣＲ２との間に置き、それから三方に対して真空熱圧着接合工程を実行する。
（４）図４の（ｄ）図に示すように、係る真空熱圧着接合工程を完了させれば、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤを取得する。 <Manufacturing of flexible electric resistance capacitor composite copper film structure (1)>
FIG. 3B is continuously referred to, and at the same time, a schematic manufacturing procedure diagram of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention shown in FIG. 4 is referred to. The manufacturing procedure of the second embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention includes the following steps (1) to (4).
(1) As shown in FIG. 4A, the first electric resistance layer 12 is formed on one surface of the first metal conductive layer 11 via a sputtering process, and the first electric resistance copper film unit is formed. Acquire CR1.
(2) As shown in FIG. 4 (b), a second electric resistance layer 22 is formed on one surface of the second metal conductive layer 21 via a sputtering process, and a second electric resistance copper film unit is formed. Acquire CR2.
(3) As shown in FIG. 4 (c), a semi-solidified first dielectric layer Ie1 is placed between the first electric resistance copper film unit CR1 and the second electric resistance copper film unit CR2, and then Perform a vacuum thermocompression bonding step on three sides.
(4) As shown in FIG. 4 (d), when the vacuum thermocompression bonding step is completed, the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention is obtained.

＜フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の製作（二）＞
図３Ｃを継続的に参照すると共に、図５に示される本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の模式的製作手順図を同時に参照する。本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第３実施例の製作手順は次のステップ（１ａ）～（５ａ）を含む。
（１ａ）図５の（ａ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第１金属導電層１１の一表面の上に第１電気抵抗層１２を形成して、第１電気抵抗銅膜ユニットＣＲ１を取得する。
（２ａ）図５の（ｂ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第２金属導電層２１の一表面の上に第２電気抵抗層２２を形成して、第２電気抵抗銅膜ユニットＣＲ２を取得する。
（３ａ）図５の（ｃ）図に示すように、塗布工程を介して半固化型の第１誘電体層Ｉｅ１と、半固化型の第２誘電体層Ｉｅ２とをそれぞれ可撓性支持層ＦＳの両表面の上に結合して、誘電体層ユニットＣＩを取得する。
（４ａ）図５の（ｄ）図に示すように、誘電体層ユニットＣＩを第１電気抵抗銅膜ユニットＣＲ１と第２電気抵抗銅膜ユニットＣＲ２との間に置き、それから三方に対して真空熱圧着接合工程を実行する。
（５ａ）係る真空熱圧着接合工程を完了させれば、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤを取得し、その内、任意の２個の接合ユニットの間に気泡や接合の不均一が発生する事態を招来しないことになる。 <Manufacturing of flexible electric resistance capacitor composite copper film structure (2)>
FIG. 3C is continuously referred to, and at the same time, a schematic manufacturing procedure diagram of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention shown in FIG. 5 is referred to. The manufacturing procedure of the third embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention includes the following steps (1a) to (5a).
(1a) As shown in FIG. 5A, a first electric resistance layer 12 is formed on one surface of the first metal conductive layer 11 via a sputtering process, and a first electric resistance copper film unit is formed. Acquire CR1.
(2a) As shown in FIG. 5 (b), a second electric resistance layer 22 is formed on one surface of the second metal conductive layer 21 via a sputtering process, and a second electric resistance copper film unit is formed. Acquire CR2.
(3a) As shown in FIG. 5 (c), the semi-solidified type first dielectric layer Ie1 and the semi-solidified type second dielectric layer Ie2 are each provided as a flexible support layer through a coating step. It couples on both surfaces of the FS to obtain a dielectric layer unit CI.
(4a) As shown in FIG. 5D, the dielectric layer unit CI is placed between the first electric resistance copper film unit CR1 and the second electric resistance copper film unit CR2, and then vacuumed in three directions. Perform the thermocompression bonding step.
(5a) When the vacuum thermocompression bonding step is completed, the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention is obtained, and bubbles and non-uniformity of bonding are obtained between any two bonding units. Will not lead to the situation where.

＜フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の製作（三）＞
図３Ｄを継続的に参照すると共に、図６に示される本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の模式的製作手順図を同時に参照する。本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの第４実施例の製作手順は次のステップ（１ｂ）～（４ｂ）を含む。
（１ｂ）図６の（ａ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第１金属導電層１１の一表面の上に第１電気抵抗層１２を形成し、かつ第１可撓性支持層ＦＳ１を第１金属導電層１１の他表面に結合して、第１スタック構成ユニットＳＴ１を取得する。
（２ｂ）図６の（ｂ）図に示すように、スパッタリングプロセスを介して第２金属導電層２１の一表面の上に第２電気抵抗層２２を形成し、かつ第２可撓性支持層ＦＳ２を第２金属導電層２１の他表面に結合して、第２スタック構成ユニットＳＴ２を取得する。
（３ｂ）図６の（ｃ）図に示すように、半固化型の第１誘電体層Ｉｅ１を第１スタック構成ユニットＳＴ１と第２スタック構成ユニットＳＴ２との間に置き、それから三方に対して真空熱圧着接合工程を実行する。
（４ｂ）図６の（ｄ）図に示すように、係る真空熱圧着接合工程を完了させれば、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤを取得する。 <Manufacturing of flexible electric resistance capacitor composite copper film structure (3)>
FIG. 3D is continuously referred to, and at the same time, a schematic manufacturing procedure diagram of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention shown in FIG. 6 is referred to. The manufacturing procedure of the fourth embodiment of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention includes the following steps (1b) to (4b).
(1b) As shown in FIG. 6A, a first electric resistance layer 12 is formed on one surface of the first metal conductive layer 11 via a sputtering process, and a first flexible support layer is formed. The FS1 is coupled to the other surface of the first metal conductive layer 11 to acquire the first stack constituent unit ST1.
(2b) As shown in FIG. 6B, a second electric resistance layer 22 is formed on one surface of the second metal conductive layer 21 via a sputtering process, and a second flexible support layer is formed. The FS2 is coupled to the other surface of the second metal conductive layer 21 to acquire the second stack constituent unit ST2.
(3b) As shown in FIG. 6 (c), a semi-solidified first dielectric layer Ie1 is placed between the first stack constituent unit ST1 and the second stack constituent unit ST2, and then with respect to three sides. Perform a vacuum thermocompression bonding step.
(4b) As shown in FIG. 6D, when the vacuum thermocompression bonding step is completed, the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention is obtained.

＜フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の応用＞
特に説明したいところは、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤに対して現像エッチングプロセスを施した後、その頂部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗（Ｆｉｌｍ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）と、少なくとも１つの薄膜インダクタ素子（Ｆｉｌｍ ｉｎｄｕｃｔｏｒ）と、少なくとも１つの薄膜コンデンサ素子（Ｆｉｌｍ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）とを含む第１電子回路が製作される。そして、同時にそのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの底部表面の上に、少なくとも１つの薄膜電気抵抗素子と、少なくとも１つの薄膜インダクタと、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む第２電子回路も製作されるということである。次の段落において、現像エッチングプロセスを示す動作分解図を参照しながら、それと関連する原因事由について解説する。 <Application of flexible electric resistance capacitor composite copper film structure>
In particular, I would like to explain that after the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention is subjected to a development etching process, at least one thin film electric resistance (Film resistor) and at least one are placed on the top surface thereof. A first electronic circuit including one thin film inductor element and at least one thin film capacitor element is manufactured. At the same time, a second electronic circuit including at least one thin film electric resistance element, at least one thin film inductor, and at least one thin film capacitor is also manufactured on the bottom surface of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD. Is to be done. In the next paragraph, we will explain the causes related to it with reference to the operation exploded view showing the development etching process.

図７Ａ～図７Ｄは、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造を備える電気回路基板構造の現像エッチングプロセスを示す動作分解図である。図３Ｃと図７Ａを同時に参照する。現像エッチングプロセスを実行する際は、まず、第１フォトレジストＰＲ１を第１導電金属層１１と第２導電金属層２１の上に塗布し（図７Ａの（ａ）図と（ｂ）図を参照）、それから露光現像の方式を用いて第１導電金属層１１と第２導電金属層２１の上に１つの図案化された第１フォトレジストｐＰＲ１（図７Ａの（ａ´）図と（ｂ´）図を参照）を製作する。 7A-7D are operation exploded views showing a development etching process of an electric circuit board structure including the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention. Refer to FIGS. 3C and 7A at the same time. When executing the development etching process, first, the first photoresist PR1 is applied on the first conductive metal layer 11 and the second conductive metal layer 21 (see FIGS. 7A and 7A). ), Then one stylized first photoresist pPR1 on top of the first conductive metal layer 11 and the second conductive metal layer 21 using an exposure-development method (FIGS. (a) and (b') of FIG. 7A. ) Manufacture (see figure).

続いて、エッチング液を使用して同時に第１導電金属層１１と第１電気抵抗層１２との図案化された第１フォトレジストｐＰＲ１によって被覆されていない部分を除去すると同時に、そのエッチング液で第２導電金属層２１と第２電気抵抗層２２との図案化された第１フォトレジストｐＰＲ１によって被覆されていない部分（図７Ｂの（ａ）図と（ｂ）図を参照）を除去する。次いで、図７Ｂの（ａ´）図と（ｂ´）図に示すように、図案化された第１フォトレジストｐＰＲ１を取り除き、その後、第１誘電体層Ｉｅ１の上に図案化された第１導電金属層ｐ１１を取得すると同時に、第２誘電体層Ｉｅ２に図案化された第２導電金属層ｐ２１を取得する。補足説明すると、理解を補助するための図３Ｃに示すように、第１誘電体層Ｉｅ１と第２誘電体層Ｉｅ２とをそれぞれ係る可撓性支持層ＦＳの両表面に結合することが分かる。 Subsequently, an etching solution is used to simultaneously remove the portion of the first conductive metal layer 11 and the first electric resistance layer 12 that is not covered by the stylized first photoresist pPR1, and at the same time, the etching solution is used to remove the portion not covered by the first photoresist pPR1. 2 The portion of the conductive metal layer 21 and the second electrical resistance layer 22 that is not covered by the stylized first photoresist pPR1 (see FIGS. 7B and 7B) is removed. Then, as shown in FIGS. 7B (a') and (b'), the stylized first photoresist pPR1 is removed, and then the stylized first dielectric layer Ie1 is topped with the stylized first photoresist pPR1. At the same time as acquiring the conductive metal layer p11, the second conductive metal layer p21 stylized in the second dielectric layer Ie2 is acquired. As a supplementary explanation, as shown in FIG. 3C for assisting understanding, it can be seen that the first dielectric layer Ie1 and the second dielectric layer Ie2 are bonded to both surfaces of the flexible support layer FS.

次いで、図７Ｃの（ａ）図と（ｂ）図に示すように、継続的に第２フォトレジストＰＲ２を図案化された第１導電金属層ｐ１１と第１誘電体層Ｉｅ１の上に塗布し、かつ第２フォトレジストＰＲ２は、同時に図案化された第２導電金属層ｐ２１と第２誘電体層Ｉｅ２の上に覆われる。特に説明すべきところは、図７Ｃでは第２フォトレジストＰＲ２を半透明な材質で図示していて、その目的は、図案化された第１導電金属層ｐ１１と図案化された第２導電金属層ｐ２１の後続の製造手順での変化を完全に図解するためである。図７Ｃには、特に、頂面の第２フォトレジストＰＲ２の上に第１エッチング窓Ｗ１１と第２エッチング窓Ｗ１２が開設されることを図示し、かつ第１エッチング窓Ｗ１１と第２エッチング窓Ｗ１２は、係る図案化された第１導電金属層ｐ１１に対して相対的に上方箇所に位置する。それと同時に、底面の第２フォトレジストＰＲ２の上に第３エッチング窓Ｗ２１と第４エッチング窓Ｗ２２も開設され、かつ第３エッチング窓Ｗ２１と第４エッチング窓Ｗ２２は、係る図案化された第２導電金属層ｐ２１に対して相対的に上方箇所に位置する。 Then, as shown in FIGS. 7C and 7C, the second photoresist PR2 is continuously applied on the stylized first conductive metal layer p11 and the first dielectric layer Ie1. The second photoresist PR2 is simultaneously covered on the stylized second conductive metal layer p21 and the second dielectric layer Ie2. Of particular note is that FIG. 7C illustrates the second photoresist PR2 in a translucent material, the purpose of which is the stylized first conductive metal layer p11 and the stylized second conductive metal layer. This is to fully illustrate the changes in subsequent manufacturing procedures on p21. FIG. 7C illustrates, in particular, that the first etching window W11 and the second etching window W12 are provided on the second photoresist PR2 on the top surface, and the first etching window W11 and the second etching window W12. Is located relatively above the stylized first conductive metal layer p11. At the same time, a third etching window W21 and a fourth etching window W22 are also opened on the second photoresist PR2 on the bottom surface, and the third etching window W21 and the fourth etching window W22 have such a stylized second conductivity. It is located relatively above the metal layer p21.

続いて、エッチング液を使用して第１エッチング窓Ｗ１１と第２エッチング窓Ｗ１２を通して図案化された第１導電金属層ｐ１１の第２フォトレジストＰＲ２によって被覆されていない部分を除去する。それと同時に、エッチング液を使用して第３エッチング窓Ｗ２１と第４エッチング窓Ｗ２２を通して図案化された第２導電金属層ｐ２１の第２フォトレジストＰＲ２によって被覆されていない部分をも除去する。理解を補助するための図３Ｃを対照すると、エッチング液を使用してウェットエッチングを完了した後、図７Ｃの（ａ´）図と（ｂ´）図に示すように、第１電気抵抗層１２の一部は、第１エッチング窓Ｗ１１と第２エッチング窓Ｗ１２を介して露見され、かつ第２電気抵抗層２２の一部も、第３エッチング窓Ｗ２１と第４エッチング窓Ｗ２２を介して露見されることが分かる。 Subsequently, an etching solution is used to remove the portion of the first conductive metal layer p11 stylized through the first etching window W11 and the second etching window W12 that is not covered by the second photoresist PR2. At the same time, an etching solution is used to remove the portion of the second conductive metal layer p21 stylized through the third etching window W21 and the fourth etching window W22 that is not covered by the second photoresist PR2. In contrast to FIG. 3C for aid in understanding, after the wet etching is completed using the etching solution, the first electrical resistance layer 12 as shown in FIGS. (A') and (b') of FIG. 7C. A part of is exposed through the first etching window W11 and the second etching window W12, and a part of the second electric resistance layer 22 is also exposed through the third etching window W21 and the fourth etching window W22. It turns out that

最後に、図７Ｄの（ａ）図と（ｂ）図に示すように、第２フォトレジストＰＲ２を除去した後、図案化された第１導電金属層ｐ１１と、第１薄膜電気抵抗Ｒ１と、第１薄膜インダクタＬ１と、上部金属板ＵＭとを含む第１電子回路は、第１誘電体層Ｉｅ１の上に位置する。それと同時に、図案化された第２導電金属層ｐ２１と、第２薄膜電気抵抗Ｒ２と、第２薄膜インダクタＬ２と、下部金属板ＬＭとを含む第２電子回路では、第２誘電体層Ｉｅ２の上に位置する。注意に値することは、係る上部金属板ＵＭと係る下部金属板ＬＭとの間に、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層ＦＳと、第２誘電体層Ｉｅ２と、第２電気抵抗層２２とが挟まれている。第１電気抵抗層１２、第１誘電体層Ｉｅ１、可撓性支持層ＦＳ、第２誘電体層Ｉｅ２、及び第２電気抵抗層２２をコンデンサ誘電体層とすることで、係る上部金属板ＵＭと、コンデンサ誘電体層と、係る下部金属板ＬＭとで埋込式コンデンサ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）に構成されてなることが理解される。 Finally, as shown in FIGS. 7D and 7D, after removing the second photoresist PR2, the stylized first conductive metal layer p11, the first thin film electric resistance R1, and the like. The first electronic circuit including the first thin film inductor L1 and the upper metal plate UM is located on the first dielectric layer Ie1. At the same time, in the second electronic circuit including the stylized second conductive metal layer p21, the second thin film electric resistance R2, the second thin film inductor L2, and the lower metal plate LM, the second dielectric layer Ie2 is used. Located on top. It is worth noting that between the upper metal plate UM and the lower metal plate LM, the first electrical resistance layer 12, the first dielectric layer Ie1, the flexible support layer FS, and the second dielectric The layer Ie2 and the second electric resistance layer 22 are sandwiched between the layers Ie2 and the second electric resistance layer 22. By using the first electric resistance layer 12, the first dielectric layer Ie1, the flexible support layer FS, the second dielectric layer Ie2, and the second electric resistance layer 22 as the capacitor dielectric layer, the upper metal plate UM is concerned. It is understood that the capacitor dielectric layer and the lower metal plate LM are formed into an embedded capacitor (embedded capacitor).

さらに、レーザーエッチング技術により、前記第１電子回路の第１接点ＣＰ１に第１スルーホールＴＨ１を製作することができ、かつ前記第２電子回路の第２接点ＣＰ２に第２スルーホールＴＨ２を製作することができる。二層電気回路基板の製作を熟知している電子エンジニアであれば、係る第１電子回路の主体が図案化された第１導電金属層ｐ１１であり、かつ係る第２電子回路の主体が図案化された第２導電金属層ｐ２１であることを理解できる。さらに、第１スルーホールＴＨ１と第２スルーホールＴＨ２に導電物質（例えば、ハンダ）を充填する方式によって、第１接点ＣＰ１と第２接点ＣＰ２との電気的接続が達成され、この方式によれば、前記第１電子回路と前記第２電子回路とを電気的に接続することができる。 Further, by the laser etching technique, the first through hole TH1 can be manufactured in the first contact CP1 of the first electronic circuit, and the second through hole TH2 can be manufactured in the second contact CP2 of the second electronic circuit. be able to. If you are an electronic engineer who is familiar with the production of double-layer electric circuit boards, the main body of the first electronic circuit is the stylized first conductive metal layer p11, and the main body of the second electronic circuit is stylized. It can be understood that it is the second conductive metal layer p21. Further, a method of filling the first through hole TH1 and the second through hole TH2 with a conductive material (for example, solder) achieves an electrical connection between the first contact CP1 and the second contact CP2, according to this method. , The first electronic circuit and the second electronic circuit can be electrically connected.

従って、図７Ａ～図７Ｄから分かるように、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤに対して２回の現像・エッチング処理を施した後、そのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの頂部表面の上に、少なくとも１つの第１薄膜電気抵抗Ｒ１と、少なくとも１つの第１薄膜インダクＬ１と、少なくとも１つの薄膜コンデンサとを含む第１電子回路が製作される。そして、同時にそのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの底部表面の上に、少なくとも１つの第２薄膜電気抵抗Ｒ２と、少なくとも１つの第２薄膜インダクタＬ２と、少なくとも１つの薄膜コンデンサ素子とを含む第２電子回路も製作される。勿論、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの上にスルーホール（ＴＨ１，ＴＨ２）を製作する方式によって、前記第１電子回路を前記第２電子回路に接続させることができる。 Therefore, as can be seen from FIGS. 7A to 7D, after the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention is developed and etched twice, the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD thereof. On the top surface, a first electronic circuit comprising at least one first thin film electrical resistance R1, at least one first thin film induct L1 and at least one thin film capacitor is made. At the same time, at least one second thin film electric resistance R2, at least one second thin film inductor L2, and at least one thin film capacitor element are included on the bottom surface of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD. A second electronic circuit is also manufactured. Of course, the first electronic circuit can be connected to the second electronic circuit by a method of forming through holes (TH1, TH2) on the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD.

特に、フレキシブルプリント電気回路基板（ＦＰＣ）として直接応用される以外に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤと少なくとも１つの電気回路基板とを組み合わせてなるリジッドフレックス基板（Ｒｉｇｉｄ－ｆｌｅｘ ｂｏａｒｄ）としても応用可能となる。 In particular, in addition to being directly applied as a flexible printed electric circuit board (FPC), a rigid-flex board formed by combining the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention with at least one electric circuit board. ) Can also be applied.

＜実施例＞
本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤは、確かに特許文献１に開示された受動的電気構造ＰＥ´（図１参照）の銅箔電気抵抗１´に比べてより優れた性質が顕現されることを証明するために、本願の発明者は、同時に図５に示される電気抵抗銅膜ユニット（ＣＲ１，ＣＲ２）と図１に示される銅箔電気抵抗１´のサンプルの製作を完了した。図８は、特許文献１に開示された銅箔電気抵抗のサンプルの電子後方散乱回折（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂａｃｋ－ｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，ＥＢＳＤ）画像を示す図である一方、図９は、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造の銅箔電気抵抗のサンプルのＥＢＳＤ画像を示す図である。ニッケル・リン化合物（Ｎｉ－Ｐ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）で第１圧延銅層１１´のマット面（Ｍａｔｔ ｓｉｄｅ）を電気めっきしていわゆる電気抵抗層１２´を形成するという従来技術に比べ、本発明は、スパッタリング技術によって第１導電金属層１１（例えば、銅箔）の上に合金、金属または金属化合物からなる電気抵抗膜（即ち、第１電気抵抗層１２）を形成する。なおかつ、図７から分かるように、電気めっきによって生成された薄膜が、銅箔導電体の表面に沿って核生成と成長が進行するので、被膜の不連続性と高い粗度とも、電気特性（表面電気抵抗）、機械特性（曲げ引張）や（細い）回路の歩留り率などに対してマイナスな影響を与えるおそれがある。これに反して、図９から観察されるように、スパッタリング法を使用して製作されるＮｉ０．９７Ｃｒ０．０３合金からなる電気抵抗層１２は、微視的に見ると、連続かつ緻密で、その上、表面粗度が小さいであることが顕現されており、曲げ可能な製品と細い回路の設計に適用されている。本発明の電気抵抗銅膜ユニット（ＣＲ１，ＣＲ２）の電気抵抗膜は、より高い被膜の緻密度と連続性を有することが裏付けられた。 <Example>
The flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention certainly reveals superior properties to the copper foil electric resistance 1'of the passive electric structure PE'(see FIG. 1) disclosed in Patent Document 1. To prove that this is done, the inventor of the present application has simultaneously completed the production of a sample of the electric resistance copper film unit (CR1, CR2) shown in FIG. 5 and the copper foil electric resistance 1'shown in FIG. .. FIG. 8 is a diagram showing an electron back scattering (EBSD) image of a sample of copper foil electrical resistance disclosed in Patent Document 1, while FIG. 9 is a diagram showing a flexible electrical resistance capacitor of the present invention. It is a figure which shows the EBSD image of the sample of the copper foil electric resistance of a composite copper film structure. Compared with the conventional technique of forming a so-called electric resistance layer 12'by electroplating a matte surface (Mat side) of the first rolled copper layer 11'with a nickel-phosphorus compound (Ni-P alloy), the present invention presents sputtering. An electric resistance film (that is, a first electric resistance layer 12) made of an alloy, a metal, or a metal compound is formed on a first conductive metal layer 11 (for example, a copper foil) by a technique. Moreover, as can be seen from FIG. 7, since the thin film produced by electroplating proceeds to form and grow nuclei along the surface of the copper foil conductor, both the discontinuity of the coating and the high roughness have electrical characteristics ( It may have a negative effect on surface electrical resistance), mechanical properties (bending and tension), and (thin) circuit yield rate. On the contrary, as observed from FIG. 9, the electric resistance layer 12 made of Ni 0.97 Cr 0.03 alloy manufactured by the sputtering method is continuous and dense when viewed microscopically. Moreover, it has been revealed that the surface roughness is small, and it is applied to the design of bendable products and thin circuits. It was confirmed that the electric resistance film of the electric resistance copper film unit (CR1, CR2) of the present invention has higher film density and continuity.

次いで、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤのハーフ構造に対して曲げテストを行い、係るハーフ構造とは、第１導電金属層１１、第１電気抵抗層１２、第１誘電体層Ｉｅ１、及び可撓性支持層ＦＳのみを含む構造を指す。図１０は、曲げテストの実行手順を示す模式図である。図１０の（ａ）図と（ｂ）図に示すように、計３組の異なる銅層厚のサンプルに対して曲げテストを行い、この曲げテストにおいては、曲げ試験機を使用して半径１．５ｍｍの丸棒（曲げ）で片面フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜を０度から９０度に曲げるように制御を実施する。それから、図１０の（ｂ）図と（ｃ）図に示すように、曲げ試験機を継続的に操作して半径１．５ｍｍの丸棒（曲げ）で片面フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜を９０度から１８０度に曲げて荷重０．５キログラムをかけて試験を行う。第１組の曲げ試験全体を、（ａ）図～（ｃ）図の実行手順を計５０００回繰り返し、ＪＩＳ Ｃ ５０１６－８．７に規定された測定方法に従って測定を行った。曲げ試験の実験データを図１０にまとめて示す。 Next, a bending test was performed on the half structure of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention, and the half structure includes the first conductive metal layer 11, the first electric resistance layer 12, and the first dielectric layer. Refers to a structure containing only Ie1 and a flexible support layer FS. FIG. 10 is a schematic diagram showing the execution procedure of the bending test. As shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b), a bending test is performed on a total of three sets of samples having different copper layer thicknesses, and in this bending test, a bending tester is used to have a radius of 1. Control is performed so that the single-sided flexible electric resistance capacitor composite copper film is bent from 0 degrees to 90 degrees with a .5 mm round bar (bending). Then, as shown in FIGS. 10 (b) and 10 (c), the bending tester is continuously operated to form a single-sided flexible electric resistance capacitor composite copper film with a round bar (bending) having a radius of 1.5 mm. The test is performed by bending from degree to 180 degrees and applying a load of 0.5 kg. The entire bending test of the first set was repeated 5000 times in total by repeating the execution procedure shown in FIGS. (A) to (c), and the measurement was performed according to the measurement method specified in JIS C 5016-8.7. The experimental data of the bending test are summarized in FIG.

図１０の曲げテストの実験データから容易に発見できるように、半径１．５ｍｍの曲げで本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤのハーフ構造に対して５０００回の曲げを行っても、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤのハーフ構造の中の第１電気抵抗層１２に対して計測された電気抵抗値が実質的に変化しないままである。曲げ試験機を利用して半径１．５ｍｍの丸棒でフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤのハーフ構造に対して曲げテストを行い、この曲げテストが完了するまでの過程において、５０００回を超えるような曲げ回数を行った結果、無導電性及び層間剥離と銅断線現象が現れ始めることを発見し、銅厚が薄ければ薄いほど、耐屈曲性がより良くなる。
従って、スパッタリング技術によって第１導電金属層１１（例えば、銅箔）の上に合金、金属または金属化合物からなる電気抵抗膜（即ち、第１電気抵抗層１２）が形成され、それと銅箔の間にかなり良い接合性を有することが測定結果から示されている。これゆえ、電気抵抗銅膜ユニット（ＣＲ１，ＣＲ２）の信頼性と可屈曲性を向上させることができる。 As can be easily found from the experimental data of the bending test of FIG. 10, even if the half structure of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention is bent 5000 times by bending with a radius of 1.5 mm, The measured electrical resistance value for the first electrical resistance layer 12 in the half structure of the flexible electrical resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention remains substantially unchanged. Using a bending tester, a bending test is performed on the half structure of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD with a round bar with a radius of 1.5 mm, and in the process until this bending test is completed, it exceeds 5000 times. As a result of performing such bending times, it was discovered that non-conductivity, delamination and copper disconnection phenomenon began to appear, and the thinner the copper thickness, the better the bending resistance.
Therefore, an electric resistance film made of an alloy, a metal or a metal compound (that is, the first electric resistance layer 12) is formed on the first conductive metal layer 11 (for example, a copper foil) by a sputtering technique, and between the first electric resistance layer 11 and the copper foil. It is shown from the measurement results that it has a fairly good bondability. Therefore, the reliability and flexibility of the electrically resistant copper film unit (CR1, CR2) can be improved.

こうして、上記の詳細な説明から、本発明に係るフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの全ての実施例及びその構造組成は、完全かつ明瞭に開示されており、本発明が下記の利点を有することが分かる。 Thus, from the above detailed description, all examples of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD according to the present invention and the structural composition thereof are completely and clearly disclosed, and the present invention has the following advantages. You can see that.

（１）本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤは、第１導電金属層１１と、第１電気抵抗層１２と、第１誘電体層Ｉｅ１と、可撓性支持層ＦＳと、第２誘電体層Ｉｅ２と、第２電気抵抗層２２と、第２導電金属層２１とを含む。特に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤに対して２回の現像・エッチング処理を施した後、そのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの頂部表面の上に、少なくとも１つの第１薄膜電気抵抗Ｒ１と、少なくとも１つの第１薄膜インダクＬ１と、少なくとも１つの薄膜コンデンサ素子とを含む第１電子回路が製作される。そして、同時にそのフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの底部表面の上に、少なくとも１つの第２薄膜電気抵抗Ｒ２と、少なくとも１つの第２薄膜インダクタＬ２と、少なくとも１つの薄膜コンデンサ素子とを含む第２電子回路も製作される。勿論、フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造ＰＳＤの上にスルーホール（ＴＨ１，ＴＨ２）を製作する方式によって、前記第１電子回路を前記第２電子回路に接続させることができる。 (1) The flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention includes a first conductive metal layer 11, a first electric resistance layer 12, a first dielectric layer Ie1, a flexible support layer FS, and a first layer. It includes a two-dielectric layer Ie2, a second electric resistance layer 22, and a second conductive metal layer 21. In particular, after the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD of the present invention is developed and etched twice, at least one first surface is placed on the top surface of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD. A first electronic circuit including one thin film electrical resistance R1, at least one first thin film inductive L1, and at least one thin film capacitor element is manufactured. At the same time, at least one second thin film electric resistance R2, at least one second thin film inductor L2, and at least one thin film capacitor element are included on the bottom surface of the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD. A second electronic circuit is also manufactured. Of course, the first electronic circuit can be connected to the second electronic circuit by a method of forming through holes (TH1, TH2) on the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure PSD.

（２）特に、フレキシブルプリント電気回路基板（ＦＰＣ）として直接応用される以外に、本発明のフレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造と少なくとも１つの電気回路基板とを組み合わせてなるリジッドフレックス基板（Ｒｉｇｉｄ－ｆｌｅｘ ｂｏａｒｄ）としても応用可能となる。 (2) In particular, in addition to being directly applied as a flexible printed electric circuit board (FPC), a rigid-flex board (Rigid-) formed by combining the flexible electric resistance capacitor composite copper film structure of the present invention with at least one electric circuit board. It can also be applied as a flex board).

（３）強調すべきことは、スパッタリングによって形成される電気抵抗層１２は、より高い被膜の緻密度と連続性を有するので、その表面抵抗の最小値は、５オーム／□より低いか、またそれと等しい。それと同時に、スパッタリング技術を利用して製作される合金、金属または金属化合物からなる電気抵抗膜（電気抵抗層１２）は、工業廃水の発生を効果的に減少させることもできるということである。 (3) It should be emphasized that the electric resistance layer 12 formed by sputtering has a higher film density and continuity, so that the minimum value of the surface resistance is lower than 5 ohms / □, and also. Equal to that. At the same time, the electric resistance film (electric resistance layer 12) made of an alloy, metal or metal compound manufactured by utilizing the sputtering technique can effectively reduce the generation of industrial wastewater.

（４）スパッタリングにより作製される電気抵抗層１２は、優れた被膜の緻密度と連続性を有し、現像・エッチング技術を用いて埋込式受動素子構造ＰＳＤに電子回路を製作した後、前記電子回路の線幅／線ピッチが１０ミクロン／１０ミクロンよりも小さくなるように制御することができる。かつ、曲げテストを行った結果、埋込式フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜は、素晴らしい可屈曲性を有することが顕現される。 (4) The electric resistance layer 12 manufactured by sputtering has excellent film density and continuity, and after manufacturing an electronic circuit in an embedded passive element structure PSD using development / etching techniques, the above-mentioned The line width / line pitch of the electronic circuit can be controlled to be smaller than 10 microns / 10 microns. Moreover, as a result of a bending test, it is revealed that the embedded flexible electric resistance capacitor composite copper film has excellent flexibility.

（５）２回のエッチングプロセスに１回の孔あけ・孔めっきプロセスを加えるだけで埋込式ＲＬＣ電気回路を完成できるため、プロセスが簡易である。 (5) The embedded RLC electric circuit can be completed only by adding one drilling / drilling process to the two etching processes, so that the process is simple.

（６）本発明が開発された誘電体層の誘電体定数と誘電体損失係数が優れており、材料成分と設計は、独特性と新規性を有する。誘電体定数の値は、これまでの業界最高水準（ｋ＞３０）を上回ることができるため、未来の電気回路の微小化設計使用に役立てることが可能となる。 (6) The dielectric constant and the dielectric loss coefficient of the dielectric layer for which the present invention has been developed are excellent, and the material composition and design have uniqueness and novelty. Since the value of the dielectric constant can exceed the industry's highest level (k> 30) so far, it will be useful for future miniaturization design use of electric circuits.

ＰＳＤ フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造
１１ 第１導電金属層
１２ 第１電気抵抗層
Ｉｅ１ 第１誘電体層
Ｉｅ２ 第２誘電体層
ＦＳ 可撓性支持層
ＦＳ１ 第１可撓性支持層
ＦＳ２ 第２可撓性支持層
Ａｄ 接合層
２１ 第２導電金属層
２２ 第２電気抵抗層
ＣＲ１ 第１電気抵抗銅膜ユニット
ＣＲ２ 第２電気抵抗銅膜ユニット
ＣＩ 誘電体層ユニット
ＳＴ１ 第１スタック構成ユニット
ＳＴ２ 第２スタック構成ユニット
ＰＲ１ 第１フォトレジスト
ｐＰＲ１ 図案化された第１フォトレジスト
ＰＲ２ 第２フォトレジスト
ｐ１１ 図案化された第１導電金属層
ｐ２１ 図案化された第２導電金属層
Ｗ１１ 第１エッチング窓
Ｗ１２ 第２エッチング窓
Ｗ２１ 第３エッチング窓
Ｗ２２ 第４エッチング窓
Ｒ１ 第１薄膜電気抵抗
Ｒ２ 第２薄膜電気抵抗
Ｌ１ 第１薄膜インダクタ
Ｌ２ 第２薄膜インダクタ
ＵＭ 上部金属板
ＬＭ 下部金属板
ＴＨ１ 第１スルーホール
ＴＨ２ 第２スルーホール
ＣＰ１ 第１接点
ＣＰ２ 第２接点
ＰＥ´ 受動的電気構造
１１´ 第１圧延銅層
１２´ 電気抵抗層
１３´ 絶縁層
１４´ 第２圧延銅層
１´ 銅箔電気抵抗
１ａ´ 銅箔絶縁体
ＭＳ´ 抵抗器及びコンデンサ形成のための多層化構造
２１´ 第１圧延銅層
２２´ 電気抵抗層
２３´ 第１誘電体層
２４´ 絶縁層
２５´ 第２誘電体層
２６´ 第２圧延銅層
２´ 銅箔電気抵抗
２ａ´ 誘電絶縁体 PSD Flexible Electric Resistance Capsule Composite Copper Film Structure 11 1st Conductive Metal Layer 12 1st Electrical Resistance Layer Ie1 1st Dielectric Layer Ie2 2nd Dielectric Layer FS Flexible Support Layer FS1 1st Flexible Support Layer FS2 2nd Flexible support layer Ad Bonding layer 21 Second conductive metal layer 22 Second electric resistance layer CR1 First electric resistance copper film unit CR2 Second electric resistance copper film unit CI Dielectric layer unit ST1 First stack configuration unit ST2 Second Stack configuration unit PR1 1st photoresist pPR1 Designated 1st photoresist PR2 2nd photoresist p11 Designed 1st conductive metal layer p21 Designated 2nd conductive metal layer W11 1st etching window W12 2nd Etching window W21 3rd etching window W22 4th etching window R1 1st thin film electric resistance R2 2nd thin film electric resistance L1 1st thin film inductor L2 2nd thin film inductor UM Upper metal plate LM Lower metal plate TH1 1st through hole TH2 2nd Through hole CP1 1st contact CP2 2nd contact PE'Passive electric structure 11' 1st rolled copper layer 12'Electrical resistance layer 13'Insulation layer 14' 2nd rolled copper layer 1'Copper foil electric resistance 1a' Copper foil insulation Body MS'Multilayer structure for forming resistors and capacitors 21'First rolled copper layer 22'Electrical resistance layer 23'First dielectric layer 24'Insulating layer 25' Second dielectric layer 26'Second rolled copper Layer 2'Copper foil electrical resistance 2a'Dielectric insulator

Claims (1)

第１導電金属層と、
その一表面が前記第１導電金属層の一表面に結合され、かつニッケル、クロム、タングステン、ニッケル金属化合物、クロム金属化合物、タングステン金属化合物、ニッケル基合金、クロム基合金またはタングステン基合金から作製される第１電気抵抗層と、
その一表面が前記第１電気抵抗層の他表面に結合される第１誘電体層と、
その一表面が前記第１誘電体層の他表面に結合される可撓性支持層と、
その一表面が前記可撓性支持層の他表面に結合される接合層と、
前記接合層の他表面の上に形成される第２導電金属層と，を含むことを特徴とする、
フレキシブル電気抵抗コンデンサ複合銅膜構造。 The first conductive metal layer and
One surface thereof is bonded to one surface of the first conductive metal layer and is made of nickel, chromium, tungsten, a nickel metal compound, a chromium metal compound, a tungsten metal compound, a nickel-based alloy, a chromium-based alloy or a tungsten-based alloy. First electrical resistance layer and
A first dielectric layer whose one surface is bonded to the other surface of the first electric resistance layer,
A flexible support layer whose one surface is bonded to the other surface of the first dielectric layer,
A bonding layer whose one surface is bonded to the other surface of the flexible support layer,
It is characterized by including a second conductive metal layer formed on the other surface of the bonding layer.
Flexible electric resistance capacitor Composite copper film structure.
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