JP2022085225A - Current detection circuit and power supply circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電流検出回路及び電源回路に関する。 The present invention relates to a current detection circuit and a power supply circuit.
電源回路には、共振回路を備える共振型の電源回路がある(例えば、特許文献1~4参照)。
The power supply circuit includes a resonance type power supply circuit including a resonance circuit (see, for example,
共振型の電源回路では、例えば、スイッチング周波数が所定の共振周波数より低くなると、いわゆる共振外れが発生し、スイッチング素子に貫通電流が流れることがある。このため、電源回路に用いられる制御ICは、共振外れが発生しないよう、共振電流の極性が変化するタイミングに基づいて、スイッチング素子を制御する。 In a resonance type power supply circuit, for example, when the switching frequency becomes lower than a predetermined resonance frequency, so-called resonance deviation occurs, and a through current may flow through the switching element. Therefore, the control IC used in the power supply circuit controls the switching element based on the timing at which the polarity of the resonance current changes so that the resonance deviation does not occur.
一般に、共振電流の極性の変化は、共振電流が流れるシャント抵抗の電圧に基づいて検出されるが、シャント抵抗の抵抗値が小さくなると、極性の変化が正しく検出できないことがある。一方、シャント抵抗の抵抗値を大きくすると、共振電力の極性を精度よく検出できるが、シャント抵抗での消費電力が増加してしまう。 Generally, the change in the polarity of the resonance current is detected based on the voltage of the shunt resistance through which the resonance current flows, but when the resistance value of the shunt resistance becomes small, the change in the polarity may not be detected correctly. On the other hand, if the resistance value of the shunt resistance is increased, the polarity of the resonance power can be detected accurately, but the power consumption of the shunt resistance increases.
本発明は、上記のような従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、消費電力を抑制しつつ共振電流の極性を精度よく検出することができる電流検出回路を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a current detection circuit capable of accurately detecting the polarity of a resonance current while suppressing power consumption. It is in.
前述した課題を解決する本発明の電流検出回路は、インダクタと、第1コンデンサとを含む共振回路を備える電源回路の共振電流を検出する電流検出回路であって、前記第1コンデンサの一端に一端が接続された第2コンデンサと、前記第2コンデンサの他端と、前記第1コンデンサの他端と、の間に設けられた非線形回路と、を備える。 The current detection circuit of the present invention that solves the above-mentioned problems is a current detection circuit that detects the resonance current of a power supply circuit including a resonance circuit including an inductor and a first capacitor, and one end to one end of the first capacitor. It is provided with a second capacitor to which the capacitor is connected, a non-linear circuit provided between the other end of the second capacitor and the other end of the first capacitor.
前述した課題を解決する本発明の電源回路は、入力電圧から目的レベルと出力電圧を生成する電源回路であって、インダクタと、第1コンデンサとを含む共振回路と、前記共振回路の共振電流を制御する第1及び第2スイッチング素子と、前記共振電流を検出する電流検出回路と、前記共振電流に応じた検出電圧が印加される第1端子と、前記出力電圧に応じた帰還電圧が印加される第2端子と、を有し、前記第1及び第2スイッチング素子のスイッチングを制御する集積回路と、を備え、前記電流検出回路は、前記第1コンデンサの一端に一端が接続された第2コンデンサと、前記第2コンデンサの他端と、前記第1コンデンサの他端と、の間に設けられた非線形回路と、を含み前記第2コンデンサの他端からの電圧を前記検出電圧として出力する。 The power supply circuit of the present invention that solves the above-mentioned problems is a power supply circuit that generates a target level and an output voltage from an input voltage, and generates a resonance circuit including an inductor, a first capacitor, and a resonance current of the resonance circuit. The first and second switching elements to be controlled, the current detection circuit for detecting the resonance current, the first terminal to which the detection voltage corresponding to the resonance current is applied, and the feedback voltage corresponding to the output voltage are applied. The current detection circuit includes a second terminal, and an integrated circuit that controls switching of the first and second switching elements. The current detection circuit has a second terminal connected to one end of the first capacitor. A non-linear circuit provided between the capacitor, the other end of the second capacitor, and the other end of the first capacitor is included, and the voltage from the other end of the second capacitor is output as the detection voltage. ..
消費電力を抑制しつつ共振電流の極性を精度よく検出することができる電流検出回路を提供することができる。 It is possible to provide a current detection circuit capable of accurately detecting the polarity of the resonance current while suppressing power consumption.
本明細書及び添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。 The description of this specification and the accompanying drawings will clarify at least the following matters.
=====本実施形態=====
<<<スイッチング電源回路10の概要>>>
図1は、本発明の一実施形態であるスイッチング電源回路10の構成を示す図である。スイッチング電源回路10は、所定の入力電圧Vinから、目的レベルの出力電圧Voutを負荷11に印加するLLC電流共振型のコンバータである。なお、本実施形態では、入力電圧Vinは、例えば400Vであり、出力電圧Voutは、例えば15Vである。
===== This embodiment =====
<<< Overview of switching
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a switching
スイッチング電源回路10は、コンデンサ20,21,32、NMOSトランジスタ22,23、トランス24、制御ブロック25、ダイオード30,31、定電圧回路33、及び発光ダイオード34を含んで構成される。
The switching
コンデンサ20は、入力電圧Vinが印加される電源ラインと、接地電圧GNDが印加されるグランドラインとの間の電圧を安定化させ、ノイズ等を除去する。コンデンサ21は、トランス24の1次コイルL1及び漏れインダクタンス(リーケージインダクタンス)と共振回路を構成する、いわゆる共振コンデンサである。なお、図1において、漏れインダクタンスは図示を省略している。また、コンデンサ20は、「第1コンデンサ」に相当する。
The capacitor 20 stabilizes the voltage between the power supply line to which the input voltage Vin is applied and the ground line to which the ground voltage GND is applied, and removes noise and the like. The
NMOSトランジスタ22は、ハイサイド側のパワートランジスタであり、NMOSトランジスタ23は、ローサイド側のパワートランジスタである。なお、NMOSトランジスタ22は、「第1スイッチング素子」に相当し、NMOSトランジスタ23は、「第2スイッチング素子」に相当する。
The
ダイオードD1は、NMOSトランジスタ22のボディダイオードであり、ダイオードD2は、NMOSトランジスタ23のボディダイオードである。そして、ダイオードD1,D2は、いわゆる還流ダイオードとして動作する。
The diode D1 is the body diode of the
なお、本実施形態では、スイッチング素子としてNMOSトランジスタ22,23が用いられているが、例えば、PMOSトランジスタ、またはバイポーラトランジスタであっても良い。なお、スイッチング素子としてバイポーラトランジスタを用いる場合、還流ダイオードとして機能する外付けのダイオードを設ければ良い。
In this embodiment, the
トランス24は、1次コイルL1、2次コイルL2,L3を備えており、1次コイルL1と、2次コイルL2,L3との間は絶縁されている。トランス24においては、1次側の1次コイルL1の両端の電圧の変化に応じて、2次側の2次コイルL2,L3に電圧が発生する。なお、1次コイルL1、2次コイルL2,L3のそれぞれは、「インダクタ」である。
The
また、1次コイルL1は、一端にNMOSトランジスタ22のソースと、NMOSトランジスタ23のドレインが接続され、他端にNMOSトランジスタ23のソースがコンデンサ21を介して接続されている。
Further, in the primary coil L1, the source of the
したがって、NMOSトランジスタ22,23のスイッチングが開始されると、2次コイルL2,L3の電圧が変化することとなる。なお、1次コイルL1と2次コイルL2,L3とは、同極性で電磁結合されている。
Therefore, when the switching of the
制御ブロック25は、NMOSトランジスタ22,23のスイッチングを制御するための回路ブロックであり、詳細は後述する。
The
ダイオード30,31は、2次コイルL2,L3の電圧を整流し、コンデンサ32は、整流された電圧を平滑化する。この結果、コンデンサ32には、平滑化された出力電圧Voutが生成される。なお、出力電圧Voutは、目的レベルの直流電圧となる。
The
定電圧回路33は、一定の直流電圧を生成する回路であり、例えば、シャントレギュレータを用いて構成される。
The
発光ダイオード34は、出力電圧Voutと、定電圧回路33の出力との差に応じた強度の光を発光する素子であり、後述するフォトトランジスタ52とともに、フォトカプラを構成する。本実施形態では、出力電圧Voutのレベルが高くなると、発光ダイオード34からの光の強度は強くなる。
The
<<<制御ブロック25>>>
制御ブロック25は、電流検出回路50、制御IC51、フォトトランジスタ52、及びコンデンサ53,54を含む。
<<<
The
<<電流検出回路50>>
電流検出回路50は、1次コイルL1及びコンデンサ21により生じる共振電流に基づいて、共振電流の電流値に応じた電圧Visと、共振電流の流れる方向(極性)を検出するための電圧Vaと、を出力する。なお、電流検出回路50の電圧Vaは、「検出電圧」に相当する。
<<
The
図2及び図3は、電流検出回路の第1実施形態である電流検出回路50a及び電流経路を示す図である。本実施形態では、NMOSトランジスタ22がオンし、NMOSトランジスタ23がオフすると、共振電流は、図2の一点鎖線で示すようにNMOSトランジスタ22から、1次コイルを介してコンデンサ21及び電流検出回路50aへと流れる。
2 and 3 are diagrams showing a
一方、NMOSトランジスタ22がオフし、NMOSトランジスタ23がオンすると、共振電流は、図3の点線で示すようにNMOSトランジスタ23、コンデンサ21及び電流検出回路50a、1次コイルを循環する。
On the other hand, when the
なお、本実施形態では、図2に示す共振電流の方向、つまり、1次コイルからコンデンサ21へ流れる電流の方向を「正の方向(または、正方向)」とする。また、図3に示す共振電流の方向、つまり、コンデンサ21から1次コイルへ流れる電流の方向を「負の方向(または、負方向)」とする。
In the present embodiment, the direction of the resonance current shown in FIG. 2, that is, the direction of the current flowing from the primary coil to the
電流検出回路50aは、図2及び図3に示すように、共振電流を分流した電流Isを検出する回路であり、コンデンサ60、ダイオード61,62、及び抵抗63を含んで構成される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
コンデンサ60は、1次コイルに生じる高い電圧から電流検出回路50aを保護しつつ、共振電流を分流する素子である。コンデンサ60の一端は、コンデンサ21の一端に接続されている。ダイオード61は、正方向の電流Isを流すよう、コンデンサ60に直列に接続された非線形素子である。ダイオード61のアノードはコンデンサ60に接続され、カソードは抵抗63に接続されている。
The
ダイオード62は、負方向の電流Isを流すよう、ダイオード61に逆並列接続された非線形素子である。ダイオード62のアノードは抵抗63に接続され、カソードはコンデンサ60に接続されている。
The
なお、「逆並列接続」とは、2つのダイオードにおいて、一方のダイオードの順方向と、他方のダイオードの順方向と、が逆向きに接続されている状態をいう。このため、2つのダイオードが逆並列接続されている際には、正及び負の方向に電流が流れることになる。 The "opposite-parallel connection" means a state in which the forward direction of one diode and the forward direction of the other diode are connected in opposite directions in the two diodes. Therefore, when the two diodes are connected in antiparallel, current flows in the positive and negative directions.
抵抗63は、電流Isの電流値に応じた電圧Vsを生成するシャント抵抗である。なお、本実施形態では、ダイオード61,62の順方向電圧を電圧Vfとする。また、ダイオード61のアノード(ダイオード62のカソード)と、コンデンサ60とが接続されたノードの電圧を、電圧Vaとする。さらに、ここでは、コンデンサ60は、「第2コンデンサ」に相当し、ダイオード61は、「第1ダイオード」に相当する。ダイオード62は、「第2ダイオード」に相当し、抵抗63は、「第1抵抗」に相当する。
The
図4は、電流検出回路50aに電流Isが流れた際の電圧波形の一例を示す図である。例えば、時刻t0において、NMOSトランジスタ22がオンし、NMOSトランジスタ23がオフすると、電流検出回路50aには、図2に示す正の方向の電流Isが流れる。この結果、抵抗63には、電流Isと、抵抗63の抵抗値とに応じた正の電圧Visが発生する。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a voltage waveform when a current Is flows through the
この際、ダイオード61,62のうち、ダイオード61がオンする。このため、ダイオード61のカソードを基準とした、ダイオード61のアノードの電圧Vdは、正の電圧Vfとなる。この結果、ダイオード61のアノードと、コンデンサ60とが接続されたノードの電圧Vaは、電圧Visと、電圧Vfとの和の電圧(Vis+Vf)となる。
At this time, of the
つぎに、例えば、時刻t1において、NMOSトランジスタ22がオフし、NMOSトランジスタ23がオンすると、電流検出回路50aには、図3に示す負の方向の電流Isが流れる。この結果、抵抗63には、電流Isと、抵抗63の抵抗値とに応じた負の電圧Visが発生する。
Next, for example, at time t1, when the
この際、ダイオード61,62のうち、ダイオード62がオンする。このため、電圧Vdは、負の電圧Vfとなるため、電圧Vaは、負の電圧(-(Vis+Vf))となる。また、時刻t2において、NMOSトランジスタ22が再度オンすると、時刻t0と同様の正の電流が流れる。したがって、時刻t2以降、時刻t0~t2までの動作が繰り返されることになる。
At this time, of the
図4から明らかなように、電流Isの極性が変化するタイミング(例えば、時刻t1,t2)において、電圧Vaの変化幅は、電圧Visの変化幅より大きくなっている。したがって、電流検出回路50aは、共振電流の極性の変化を精度良く検出できる。また、詳細は後述するが、制御IC51は、電圧Visでなく、より変化幅の大きい電圧Vaに基づいて、共振電流の極性を検出する。この結果、制御IC51は、精度の高い共振電流の極性の変化に基づいて、NMOSトランジスタ22,23を制御できる。
As is clear from FIG. 4, at the timing when the polarity of the current Is changes (for example, at times t1 and t2), the change width of the voltage Va is larger than the change width of the voltage Vis. Therefore, the
<<制御IC51>>
制御IC51は、NMOSトランジスタ22,23のスイッチングを制御する集積回路であり、端子FB,A,IS,CA,HO,LOを有する。
<< Control IC51 >>
The
端子FBは、出力電圧Voutに応じた帰還電圧Vfbが印加される端子であり、フォトトランジスタ52、及びコンデンサ53が接続される。フォトトランジスタ52は、発光ダイオード34からの光の強度に応じた大きさのバイアス電流I1を、端子FBから接地へと流す。このため、フォトトランジスタ52は、シンク電流を生成するトランジスタとして動作する。また、コンデンサ53は、端子FBと、接地との間のノイズを除去するために設けられている。
The terminal FB is a terminal to which a feedback voltage Vfb corresponding to an output voltage Vout is applied, and a
端子Aは、電流検出回路50aからの電圧Vaが印加される端子であり、端子ISは、電流検出回路50aからの電圧Visが印加される端子である。
The terminal A is a terminal to which the voltage Va from the
ところで、共振電流の電流値は、スイッチング電源回路10の入力電力に応じて変化する。そして、スイッチング電源回路10の入力電力は、負荷11で消費される電力、つまり、出力電圧Voutが目的レベルの際の負荷11に流れる電流(以下、「負荷電流」とする。)に応じて変化する。このため、共振電流は、負荷電流に応じて変化することになる。
By the way, the current value of the resonance current changes according to the input power of the switching
端子CAは、スイッチング電源回路10の入力電力、つまり負荷電流の大きさに応じた電圧Vcaが印加される端子である。なお、詳細は後述するが、端子CAには、コンデンサ53が接続されている。
The terminal CA is a terminal to which the input power of the switching
端子HOは、NMOSトランジスタ22を駆動する駆動信号Vdr1が出力される端子であり、NMOSトランジスタ22のゲートが接続される。端子LOは、NMOSトランジスタ23を駆動する駆動信号Vdr2が出力される端子であり、NMOSトランジスタ23のゲートが接続される。
The terminal HO is a terminal to which the drive signal Vdr1 for driving the
なお、本実施形態において、制御IC51の端子Aは、「第1端子」に相当し、端子FBは、「第2端子」に相当する。また、制御IC51の端子ISは、「第3端子」に相当する。
<<<制御IC51の詳細>>>
==抵抗70と帰還電圧Vfbについて==
図5は、制御IC51の構成を示す図である。制御IC51は、抵抗70、負荷検出回路71、極性判別回路72、制御回路73、及び駆動回路74を含む。抵抗70は、フォトトランジスタ59からのバイアス電流I1に基づいて、帰還電圧Vfbを生成する。なお、抵抗70の一端には、所定の電源電圧Vddが印加され、他端は、端子FBに接続されている。このため、抵抗70の抵抗値を“R”とすると、端子FBに生じる帰還電圧Vfbは、式(1)で表される。
Vfb=Vdd-R×I1・・・(1)
In this embodiment, the terminal A of the
<< Details of
==
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the
Vfb = Vdd-R × I1 ... (1)
上述したように、本実施形態では、出力電圧Voutの上昇に応じて、バイアス電流I1の電流値は増加する。このため、出力電圧Voutが上昇すると、帰還電圧Vfbは低下することになる。 As described above, in the present embodiment, the current value of the bias current I1 increases as the output voltage Vout increases. Therefore, when the output voltage Vout increases, the feedback voltage Vfb decreases.
==負荷検出回路71について==
負荷検出回路71は、負荷11の消費電力に応じた電圧Vcaを出力する回路である。具体的には、負荷検出回路71は、正方向の電流Isに基づく電圧Visを、端子CAに接続されたコンデンサ54で積分し電圧Vcaとして出力する。なお、負荷検出回路71は、制御回路73(後述)からの指示に基づいて、NMOSトランジスタ22がオンしている期間の電圧Visを、正方向の電流Isに基づく電圧Visとして取得する。
== About
The
なお、上述したように、1次コイルL1の共振電流の電流値は、スイッチング電源回路10の入力電力に応じて増加する。また、スイッチング電源回路10の入力電力は、負荷11で消費される電力に応じて増加する。このため、端子CAに印加される電圧Vcaは、負荷11の消費電力の増加に応じて高くなる。なお、負荷検出回路71の電圧Vcaは、「検出結果」に相当する。
As described above, the current value of the resonance current of the primary coil L1 increases according to the input power of the switching
==極性判別回路72について==
極性判別回路72は、電圧Vaに基づいて、共振電流の極性を判別する回路である。極性判別回路72は、図6に示すように、レベルシフト回路100、及びコンパレータ101を含んで構成される。
== About the
The
レベルシフト回路100は、0V(ゼロボルト)を中心に変化する電圧Vaのレベルをシフトし、電圧Vxとして出力する回路である。なお、レベルシフト回路100は、電圧Vaの中心レベルが所定レベルとなるよう、電圧Vaをシフトする。ここで「所定レベル」は、たとえば、制御IC51の内部で生成される所定の電源電圧Vdd(例えば、5V)の半分のレベル(Vdd/2=2.5V)である。なお、レベルシフト回路100は、例えば、高電圧側に電源電圧Vddが印加され、低電圧側に電圧Vaが印加された分圧回路やバッファ回路(または、反転増幅回路)等を含んで構成される。
The
コンパレータ101は、電圧Vxに基づいて、電流Isの極性を判定する回路である。具体的には、コンパレータ101は、電圧Vxの中心レベルの電圧V1(例えば、V1=Vdd/2(=2.5V))と、電圧Vxとを比較する。そして、コンパレータ101は、電圧Vxが電圧V1より大きくなると、電流Isが正方向に流れることを示すハイレベル(以下、Hレベル)の電圧Vcを出力する。一方、コンパレータ101は、電圧Vxが電圧V1より小さくなると、電流Isが負方向に流れることを示すローレベル(以下、Lレベル)の電圧Vcを出力する。
The
図7は、極性判別回路72の動作の一例を説明するための図である。なお、ここで、時刻t10以前においては、負の方向の電流Isが電流検出回路50aに流れていることとする。時刻t10において、図2のNMOSトランジスタ22がオンし、電流Isが負の方向から正の方向に変化すると、電圧Vaも正の電圧となる。
FIG. 7 is a diagram for explaining an example of the operation of the
この結果、レベルシフト回路100からの電圧Vxのレベルも、中心レベルである電圧V1(=Vdd/2)より高くなる。したがって、コンパレータ101は、正の電流Isの流れていることを示すHレベルの電圧Vcを出力する。そして、時刻t11において、図3のNMOSトランジスタ23がオンし、電流Isが正の方向から負の方向に変化すると、電圧Vaも負の電圧となる。
As a result, the level of the voltage Vx from the
この結果、レベルシフト回路100からの電圧Vxのレベルも、中心レベルである電圧V1(=Vdd/2)より低くなる。したがって、コンパレータ101は、負の電流Isの流れていることを示すLレベルの電圧Vcを出力する。このように、極性判別回路72は、極性が反転する付近で大きく変化する電圧Vx(つまり、電圧Va)に基づいて、電流Isの極性を判別し、判別結果を示す電圧Vcを出力することができる。
As a result, the level of the voltage Vx from the
==制御回路73及び駆動回路74について==
制御回路73は、帰還電圧Vfb、電圧Vca、及び電圧Vcに基づいて、ハイサイドのNMOSトランジスタ22をスイッチングするための信号Vs1と、ローサイドのNMOSトランジスタ23をスイッチングするための信号Vs2と、を出力する。また、駆動回路74は、信号Vs1,Vs2のそれぞれ論理レベルと同じ論理レベルの駆動信号Vdr1,Vdr2を出力するバッファ回路である。
== About the
The
ここで、制御IC51は、負荷電流が大きい場合にスイッチング電源回路10を通常モードで動作させ、負荷電流が小さくなるとスイッチング電源回路10をバーストモードで動作させる。ここで、「通常モード」とは、例えば、連続的にスイッチング動作が行われ、間欠的にスイッチング動作が停止されないモードであり、「バーストモード」とは、例えば、間欠的にスイッチング動作が停止されるモードである。また、「負荷電流が大きい」とは、例えば、負荷11に流れる電流が所定値(例えば、1A)以上の場合であり、「負荷電流が小さい」とは、負荷11に流れる電流が所定値未満(いわゆる軽負荷)の場合である。
Here, the
制御回路73は、負荷電流に応じた上昇する電圧Vcaに基づいて、動作モードに応じた信号Vs1,Vs2を出力する。具体的には、制御回路73は、電圧Vcaが所定レベルより高くなると、図8の上段に示すように、Hレベルのデューティ比が50%の信号Vs1,Vs2を出力する。この結果、スイッチング電源回路10は、通常モードで動作する。なお、スイッチング電源回路10を“通常モード”で動作させるための信号Vs1,Vs2は、互いに逆相の信号になる。一方、制御回路73は、電圧Vcaが所定レベルより低くなると、図8の下段に示すように、信号Vs1,Vs2を間欠的に出力する。この結果、スイッチング電源回路10は、バーストモードで動作する。
The
また、スイッチング電源回路10は、LLC共振コンバータであるため、スイッチング電源回路10のゲイン(=Vout/Vin)と、スイッチング周波数と、の間には例えば、図9の関係が成立する。そして、本実施形態では、スイッチング周波数は、スイッチング電源回路10の所定の共振周波数より高くなるよう、設計されている。なお、スイッチング周波数が「所定の共振周波数より高くなる領域」は、図9の通常使用領域(または、誘導性負荷領域)である。
Further, since the switching
ここで、制御回路73は、帰還電圧Vfbに基づいて、出力電圧Voutが目的レベルとなるよう、信号Vs1,Vs2の周波数を変化させる。具体的には、制御回路73は、帰還電圧Vfbが出力電圧Voutとともに上昇すると、信号Vs1,Vs2の周波数を高くする。この結果、スイッチング電源回路10の出力電圧Voutは低下する。
Here, the
一方、制御回路73は、帰還電圧Vfbが出力電圧Voutとともに低下すると、信号Vs1,Vs2の周波数を低くする。この結果、スイッチング電源回路10の出力電圧Voutは上昇する。したがって、スイッチング電源回路10は、目的レベルの出力電圧Voutを生成することができる。
On the other hand, the
ところで、例えば、入力電圧Vinや出力電圧Voutが変化した際に、信号Vs1,Vs2の周波数が所定の共振周波数より低くなる現象、つまり共振外れが発生することがある。例えば、NMOSトランジスタ22がオンしている期間に共振外れが発生すると、以下の現象が発生する。
By the way, for example, when the input voltage Vin or the output voltage Vout changes, a phenomenon that the frequencies of the signals Vs1 and Vs2 become lower than the predetermined resonance frequency, that is, resonance deviation may occur. For example, if resonance deviation occurs during the period when the
初めに、図10の一点鎖線に示すように、共振電流の向きが正から負に変化し、NMOSトランジスタ22に負の方向の共振電流が流れる。その後、NMOSトランジスタ22がオフし、NMOSトランジスタ23がオンすると、図10の点線に示すよう、ダイオードD1の逆回復特性により、NMOSトランジスタ23に貫通電流が流れてしまう。なお、図10では、NMOSトランジスタ23に貫通電流が流れる現象を説明したが、共振外れが発生すると、同様の現象がNMOSトランジスタ22にも発生する。
First, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 10, the direction of the resonance current changes from positive to negative, and the resonance current in the negative direction flows through the
そこで、本実施形態の制御回路73は、共振電流の極性を示す電圧Vcに基づいて、共振外れが発生しないよう、信号Vs1,Vs2がHレベルとなる期間を制御している。具体的には、制御回路73は、信号Vs1がHレベルの際に、負の共振電流が流れたことが検出されると、信号Vs1をLレベルに変化させる。
Therefore, the
また、制御回路73は、信号Vs2がHレベルの際に、正の共振電流が流れたことが検出されると、信号Vs2をLレベルに変化させる。この結果、不適切な期間にダイオードD1,D2に電流が流れることを防ぐことができるため、貫通電流の発生を抑制できる。
Further, the
<<電流検出回路50b>>
図11は、電流検出回路の第2実施形態である電流検出回路50bを示す図である。電流検出回路50bは、電流検出回路50aと同様に、共振電流を分流した電流Isを検出する回路であり、コンデンサ60、ダイオード61,62、及び抵抗63,64を含んで構成される。
<<
FIG. 11 is a diagram showing a
本明細書では、同じ符号が付された構成は同じである。したがって、ここでは、抵抗64について説明する。抵抗64は、電流Isが小さい場合に、電圧Vaを大きくするための素子であり、コンデンサ60及び抵抗63に直列接続されるとともに、ダイオード61,62に並列接続されている。なお、ここでは、抵抗63の抵抗値をR1とし、抵抗64の抵抗値をR2とする。また、抵抗値R2は、抵抗値R1より大きいこととする。なお、抵抗64は、「第2抵抗」に相当する。
As used herein, the configurations with the same reference numerals are the same. Therefore, the
ここで、例えば、図12の時刻t20~t21に示すように、抵抗64に流れる正の電流Isが小さく、抵抗64の両端の電圧Vrが、ダイオード61の電圧Vfより小さい場合、ダイオード61はオフしている。このため、電圧Vaは、抵抗63,64の合成抵抗の値(=R1+R2)と、電流Isの電流値に応じた電圧となる。
Here, for example, as shown at times t20 to t21 in FIG. 12, when the positive current Is small flowing through the
そして、例えば時刻t21~t22まで、抵抗64に流れる電流Isが大きくなると、抵抗64の両端の電圧Vrが、ダイオード61の電圧Vfより大きくなる。この結果、ダイオード61はオンするため、電圧Vaは、図2の電流検出回路50aと同様に、抵抗63の電圧Visと、ダイオードの電圧Vfとの和の電圧(Vis+Vf)となる。
Then, for example, when the current Is flowing through the
また、時刻t22~時刻t23まで、正の電流Isが減少すると、時刻t20~21と同様に、電圧Vaは、抵抗63,64の合成抵抗の値(=R1+R2)と、電流Isの電流値に応じた電圧となる。なお、時刻t23~t26において、電流検出回路50bに負の方向の電流Isが流れる際には、ダイオード61の代わりにダイオード62が時刻t24~t25にオンする。
Further, when the positive current Is decreases from time t22 to time t23, the voltage Va becomes the combined resistance value (= R1 + R2) of the
このように、電流検出回路50bは、電流Isが小さい場合であっても、直列に接続された抵抗63,64に流れる。したがって、電流Isがゼロ付近において、電圧Vaの変化を大きくすることができる。また、電流Isが大きくなると、大きい抵抗値R2の抵抗64には電流Isが流れなくなる。この結果、電流検出回路50bの消費電力を低減できる。
In this way, the
<<電流検出回路50c>>
図13は、電流検出回路の第3実施形態である電流検出回路50cを示す図である。電流検出回路50cは、電流検出回路50aと同様に、共振電流を分流した電流Isを検出する回路であり、コンデンサ60、ダイオード200,201、及び抵抗63を含んで構成される。
<<
FIG. 13 is a diagram showing a
ここで、図2と、図13とを比較すると、電流検出回路50cでは、ダイオード61,62の代わりに、ダイオード200,201が用いられている。ここで、ダイオード200,201は、ツェナーダイオードである。このような電流検出回路50cを用いる場合であっても、電流検出回路50aと同様に、電流Isがゼロ付近において、電圧Vaの変化を大きくすることができる。このため、電流検出回路50cは、高い精度で共振電流を検出できる。
Here, comparing FIG. 2 and FIG. 13, in the
<<電流検出回路50d>>
図14は、電流検出回路の第4実施形態である電流検出回路50dを示す図である。電流検出回路50dは、電流検出回路50aと同様に、共振電流を分流した電流Isを検出する回路であり、コンデンサ60、抵抗63、NMOSトランジスタ210,211を含んで構成される。
<<
FIG. 14 is a diagram showing a
ここで、図2と、図14とを比較すると、電流検出回路50dでは、ダイオード61,62の代わりに、NMOSトランジスタ210,211のそれぞれのボディダイオードD3,D4が用いられている。また、NMOSトランジスタ210,211は、例えば、駆動回路212よりオフされている。このような電流検出回路50dを用いる場合であっても、電流検出回路50aと同様に、電流Isがゼロ付近において、電圧Vaの変化を大きくすることができる。このため、電流検出回路50dは、高い精度で共振電流を検出できる。なお、電流検出回路50dでは、駆動回路212が、NMOSトランジスタ210,211をオンすることにより、電圧Vaを、ほぼ電圧Visとすることもできる。
Here, comparing FIG. 2 and FIG. 14, in the
<<電流検出回路50d>>
図15は、電流検出回路の第5実施形態である電流検出回路50eを示す図である。電流検出回路50eは、電流検出回路50aと同様に、共振電流を分流した電流Isを検出する回路であり、コンデンサ60、ダイオード61,62,220,221、及び抵抗63を含んで構成される。
<<
FIG. 15 is a diagram showing a
ここで、図2と、図15とを比較すると、電流検出回路50eでは、ダイオード61,62のそれぞれに、ツェナーダイオードであるダイオード220,221が直列接続されている。ダイオード61,62の電圧Vfの温度特定は負であり、ダイオード220,221の順方向電圧の温度特性は正である。このため、電流検出回路50aを用いることにより、電流Isがゼロ付近において、電圧Vaの変化を大きくしつつ、温度に依存しない電圧Vaを生成できる。なお、ダイオード220は、「第1ツェナーダイオード」に相当し、ダイオード201は、「第2ツェナーダイオード」に相当する。
Here, comparing FIG. 2 and FIG. 15, in the
<<電流検出回路50f>>
図16は、電流検出回路の第6実施形態である電流検出回路50fを示す図である。電流検出回路50fは、電流検出回路50aと同様に、共振電流を分流した電流Isを検出する回路であり、コンデンサ60、抵抗63、及びダイオード230を含んで構成される。
<<
FIG. 16 is a diagram showing a
ここで、図2と、図16とを比較すると、電流検出回路50fでは、ダイオード61,62の代わりに、ツェナーダイオードであるダイオード230が用いられている。ダイオード230は、正方向の電流Isが流れた際には、順方向電圧が発生し、負方向の電流Isが流れた際には、ツェナー電圧が発生する。このため、電流検出回路50fを用いることにより、電流Isがゼロ付近において、電圧Vaの変化を大きくすることができる。
Here, comparing FIG. 2 and FIG. 16, in the
<<制御IC55について>>
図17は、制御ICの他の実施形態である制御IC55の構成を示す図である。制御IC55は、制御IC51と同様に、図1におけるNMOSトランジスタ22,23のスイッチングを制御する集積回路であり、端子FB,A,CA,HO,LOを有する。また、制御IC55は、抵抗70、負荷検出回路71、極性判別回路72、制御回路73、及び駆動回路74を含んで構成される。ここで、制御IC55の端子Aには、例えば、図2の電流検出回路50aからの電圧Vaが印加される。
<< About control IC55 >>
FIG. 17 is a diagram showing a configuration of a
図5と、図17とで、同じ符号が付された構成(例えば、端子、素子、回路)は同じである。制御IC55と、制御IC51とを比較すると、制御IC55は、端子ISがなく、負荷検出回路71には、端子Aの電圧Vaが印加されていること以外は同じである。なお、制御IC55における端子Aは、「第1端子」に相当し、端子FBは、「第2端子」に相当する。
5 and 17 have the same configuration (for example, terminals, elements, circuits) with the same reference numerals. Comparing the
そして、例えば図4で説明したように、正の電流Isが流れている際、電圧Vaは、負荷電流に応じて変化する電圧Visに、電圧Vfが加算された値となっている。したがって、制御IC55の負荷検出回路71からの電圧Vaは、負荷電流に応じた値となる。このため、制御IC55を用いる場合であっても、制御IC51と同様に、負荷の状態に基づいて、スイッチング電源回路10の動作モードを、通常モードまたはバーストモードとすることができる。
Then, for example, as described with reference to FIG. 4, when a positive current Is is flowing, the voltage Va is a value obtained by adding the voltage Vf to the voltage Vis that changes according to the load current. Therefore, the voltage Va from the
====まとめ====
以上、本実施形態のスイッチング電源回路10について説明した。電流検出回路50aは、例えば図2に示すように、非線形回路であるダイオード61,62及び抵抗63を含む。このため、電流検出回路50aは、ダイオード61,62を含まず、抵抗63のみの場合と比較すると、電流Is(つまり、共振電流)の極性を精度良く検出することができる。なお、本実施形態において、「非線形回路」とは、電流Isがゼロ付近で電圧Vaの変化を大きくするための回路であり、例えば、抵抗と、非線形素子であるダイオードと、が直列接続されている。
==== Summary ====
The switching
また、電流検出回路50aでは、コンデンサ21(第1コンデンサ)の一端と、コンデンサ60(第2コンデンサ)の一端とが接続されている。さらに、電流検出回路50aでは、コンデンサ21(第1コンデンサ)の他端と、コンデンサ60(第2コンデンサ)の他端と、の間に設けられた非線形回路は、2つのダイオード61,62と、抵抗63とを含むこととしたこれに限られない。例えば、「非線形回路」を、図16の電流検出回路50fの様に、1つのダイオード230と、抵抗63とで構成しても良い。このような場合であっても、電流検出回路50fは、共振電流の極性を精度良く検出できる。
Further, in the
また、本実施形態では、コンデンサ60と、抵抗63との間に、例えばダイオード61,62が設けられているが、例えば、コンデンサ60に抵抗63を接続し、抵抗63にダイオード61,62を接続して良い。しかしながら、このような場合、抵抗63と、コンデンサ60とが接続されたノードの電圧は、必ずダイオード61,62の影響を受ける。したがって、負荷に応じた電圧Isを測定する場合、コンデンサ60と、抵抗63との間に、ダイオード61,62を設ける方が好ましい。
Further, in the present embodiment, for example,
また、電流検出回路50aには、電流Isが双方向に流れるよう、2つのダイオード61,62が設けられているため、電流Isが正方向、負方向に流れた際の電圧Vaの波形をほぼ同じとすることができる。
Further, since the
また、図13の電流検出回路50cに示すように、ツェナーダイオードであるダイオード200,201を用いても、共振電流の極性を精度良く検出できる。
Further, as shown in the
また、図14の電流検出回路50dに示すように、NMOSトランジスタ210,211のボディダイオードであるダイオードD3,D4を用いても、共振電流の極性を精度良く検出できる。
Further, as shown in the
また、図15の電流検出回路50eに示すように、ダイオード61,62のそれぞれに直列にツェナーダイオードであるダイオード220,221を設けても良い。このような構成とすることにより、電圧Vaの温度依存性を低下させることができる。
Further, as shown in the
また、図11の電流検出回路50bに示すように、ダイオード61には抵抗64が並列接続されている。電流検出回路50bの電圧Vaは、抵抗63,64の合成抵抗の値と、電流Isの電流値とに応じた値となる。したがって、抵抗63に加え、抵抗64を設けることにより、共振電流の値が小さい場合であっても、共振電流の極性を精度良く検出できる。
Further, as shown in the
また、電流検出回路50bでは、抵抗64の抵抗値R2は、抵抗63の抵抗値R1より大きい。ただし、抵抗64の両端電圧がダイオード61,62の電圧Vfより大きくなると、ダイオード61,62はオンするため、抵抗64には電流Isは流れなくなる。したがって、電流検出回路50bは、消費電力を抑制しつつ、精度良く共振電流の極性を検出できる。
Further, in the
また、制御IC51,55は、電流検出回路50からの電圧Vaを用いることにより、共振外れの発生を抑制することができる。
Further, the
また、制御IC55は、電流検出回路50aの電圧Vaが印加される端子Aを有している。このような制御IC55を用いることにより、スイッチング電源回路10は、共振外れを防止することができる。
Further, the
また、制御IC55の端子Aには、負荷検出回路71と、極性判別回路72とが接続されている。このため、制御IC55は、端子数を削減しつつ、スイッチング電源回路10の動作モードを変化させることができる。
Further, a
また、制御IC51は、電流検出回路50aの電圧Vaが印加される端子Aと、電圧Visが印加される端子ISと、を有している。このような制御IC51を用いることにより、スイッチング電源回路10は、共振外れを防止することができる。
Further, the
また、制御IC51の端子ISには、負荷検出回路71が接続され、端子Aには、極性判別回路72が接続されている。このため、制御IC51は、共振外れを抑制しつつ、スイッチング電源回路10の動作モードを変化させることができる。
Further, a
なお、本実施形態では、極性判別回路72のコンパレータ101は、レベルシフト回路100の電圧Vxと、電圧V1とを比較することにより極性を判別したが、他の回路であっても良い。例えば、コンパレータ101の代わりに、電圧Vxと、電圧V1(2.5V)より若干大きい電圧(例えば、2.6V)とを比較する第1コンパレータと、電圧Vxと、電圧V1(2.5V)より若干小さい電圧(例えば、2.4V)とを比較する第2コンパレータと、を用いても良い。そして、第1及ぶ第2コンパレータからの出力に基づいて、共振電流の極性を判別する論理回路を設けても良い。
In the present embodiment, the
また、例えば、電流検出回路50aにおいて、ダイオード61に対し、ダイオード61の順方向に複数のダイオード直列接続し、ダイオード62に対し、ダイオード62の順方向に複数のダイオードを直列接続しても良い。このような回路を用いた場合であって、共振電流の極性を精度よく検出することができる。
Further, for example, in the
上記の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。また、本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更や改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれるのはいうまでもない。 The above embodiment is for facilitating the understanding of the present invention, and is not for limiting the interpretation of the present invention. Further, the present invention can be changed or improved without departing from the spirit thereof, and it goes without saying that the present invention includes an equivalent thereof.
10 スイッチング電源回路
11 負荷
20,21,32,53,54,60 コンデンサ
22,23,210,211 NMOSトランジスタ
24 トランス
25 制御ブロック
30,31,61,62,200,201,220,221,230,D1~D4 ダイオード
33 定電圧回路
34 発光ダイオード
50,50a~50f 電流検出回路
51,55 制御IC
52 フォトトランジスタ
63,64,70 抵抗
71 負荷検出回路
72 極性判別回路
73 制御回路
74 駆動回路
100 レベルシフト回路
101 コンパレータ
L1,L2,L3 コイル
A,IS,FB,CA,HO,LO 端子
10 Switching
52
Claims (14)
前記第1コンデンサの一端に一端が接続された第2コンデンサと、
前記第2コンデンサの他端と、前記第1コンデンサの他端と、の間に設けられた非線形回路と、
を備える電流検出回路。 A current detection circuit that detects the resonance current of a power supply circuit including a resonance circuit including an inductor and a first capacitor.
A second capacitor with one end connected to one end of the first capacitor,
A non-linear circuit provided between the other end of the second capacitor and the other end of the first capacitor,
A current detection circuit.
前記非線形回路は、第1抵抗と、前記第1抵抗に直列接続された第1ダイオードと、を含む、
電流検出回路。 The current detection circuit according to claim 1.
The non-linear circuit includes a first resistor and a first diode connected in series with the first resistor.
Current detection circuit.
前記第1ダイオードは、前記第1抵抗と、前記第2コンデンサとの間に設けられる、
電流検出回路。 The current detection circuit according to claim 2.
The first diode is provided between the first resistor and the second capacitor.
Current detection circuit.
前記非線形回路は、前記第1ダイオードに逆並列接続された第2ダイオードを更に含む、
電流検出回路。 The current detection circuit according to claim 2 or 3.
The nonlinear circuit further includes a second diode connected in antiparallel to the first diode.
Current detection circuit.
前記第1及び第2ダイオードは、ツェナーダイオードである、
電流検出回路。 The current detection circuit according to claim 4.
The first and second diodes are Zener diodes.
Current detection circuit.
前記第1及び第2ダイオードは、MOSトランジスタのボディダイオードである、
電流検出回路。 The current detection circuit according to claim 4.
The first and second diodes are body diodes of MOS transistors.
Current detection circuit.
前記非線形回路は、前記第1ダイオードに直列接続された第1ツェナーダイオードと、前記第2ダイオードに直列接続された第2ツェナーダイオードと、を更に含む、
電流検出回路。 The current detection circuit according to claim 4.
The nonlinear circuit further includes a first Zener diode connected in series with the first diode and a second Zener diode connected in series with the second diode.
Current detection circuit.
前記非線形回路は、前記第1ダイオードに並列接続された第2抵抗を更に含む、
電流検出回路。 The current detection circuit according to any one of claims 2 to 6.
The nonlinear circuit further includes a second resistor connected in parallel to the first diode.
Current detection circuit.
前記第2抵抗の抵抗値は、前記第1抵抗の抵抗値より大きい、
電流検出回路。 The current detection circuit according to claim 8.
The resistance value of the second resistance is larger than the resistance value of the first resistance.
Current detection circuit.
インダクタと、第1コンデンサとを含む共振回路と、
前記共振回路の共振電流を制御する第1及び第2スイッチング素子と、
前記共振電流を検出する電流検出回路と、
前記共振電流に応じた検出電圧が印加される第1端子と、前記出力電圧に応じた帰還電圧が印加される第2端子と、を有し、前記第1及び第2スイッチング素子のスイッチングを制御する集積回路と、
を備え、
前記電流検出回路は、
前記第1コンデンサの一端に一端が接続された第2コンデンサと、
前記第2コンデンサの他端と、前記第1コンデンサの他端と、の間に設けられた非線形回路と、を含み
前記第2コンデンサの他端からの電圧を前記検出電圧として出力する、
電源回路。 A power supply circuit that generates the target level and output voltage from the input voltage.
A resonant circuit including an inductor and a first capacitor,
The first and second switching elements that control the resonance current of the resonance circuit, and
The current detection circuit that detects the resonance current and
It has a first terminal to which a detection voltage corresponding to the resonance current is applied and a second terminal to which a feedback voltage corresponding to the output voltage is applied, and controls switching of the first and second switching elements. Integrated circuit and
Equipped with
The current detection circuit
A second capacitor with one end connected to one end of the first capacitor,
A non-linear circuit provided between the other end of the second capacitor and the other end of the first capacitor is included, and the voltage from the other end of the second capacitor is output as the detection voltage.
Power circuit.
前記非線形回路は、第1抵抗と、前記第1抵抗に直列接続された第1ダイオードと、を含み、
前記第1端子には、前記第1ダイオードからの電圧が前記検出電圧として印加される、
電源回路。 The power supply circuit according to claim 10.
The nonlinear circuit includes a first resistor and a first diode connected in series with the first resistor.
A voltage from the first diode is applied to the first terminal as the detection voltage.
Power circuit.
前記集積回路は、
前記第1端子に接続され、前記電源回路の負荷の電流を検出する負荷検出回路と、
前記第1端子に接続され、前記共振電流の極性を判別する極性判別回路と、
前記帰還電圧と、前記負荷検出回路の検出結果と、前記極性判別回路の判別結果と、に基づいて前記第1及び第2スイッチング素子を制御する信号を出力する制御回路と、を含む
電源回路。 The power supply circuit according to claim 11.
The integrated circuit is
A load detection circuit connected to the first terminal and detecting the load current of the power supply circuit, and a load detection circuit.
A polarity discrimination circuit connected to the first terminal and discriminating the polarity of the resonance current,
A power supply circuit including a control circuit that outputs a signal for controlling the first and second switching elements based on the feedback voltage, the detection result of the load detection circuit, and the discrimination result of the polarity discriminating circuit.
前記非線形回路は、第1抵抗と、前記第1抵抗に直列接続された第1ダイオードと、を含み、
前記集積回路は、前記第1抵抗からの電圧が印加される第3端子を更に有し、
前記第1端子には、前記第1ダイオードからの電圧が前記検出電圧として印加される、
電源回路。 The power supply circuit according to claim 10.
The nonlinear circuit includes a first resistor and a first diode connected in series with the first resistor.
The integrated circuit further has a third terminal to which the voltage from the first resistance is applied.
A voltage from the first diode is applied to the first terminal as the detection voltage.
Power circuit.
前記集積回路は、
前記第3端子に接続され、前記電源回路の負荷の電流を検出する負荷検出回路と、
前記第1端子に接続され、前記共振電流の極性を判別する極性判別回路と、
前記帰還電圧と、前記負荷検出回路の検出結果と、前記極性判別回路の判別結果と、に基づいて前記第1及び第2スイッチング素子を制御する信号を出力する制御回路と、を含む
電源回路。 The power supply circuit according to claim 13.
The integrated circuit is
A load detection circuit connected to the third terminal and detecting the load current of the power supply circuit, and a load detection circuit.
A polarity discrimination circuit connected to the first terminal and discriminating the polarity of the resonance current,
A power supply circuit including a control circuit that outputs a signal for controlling the first and second switching elements based on the feedback voltage, the detection result of the load detection circuit, and the discrimination result of the polarity discriminating circuit.
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