JP2022084620A - Conductive particle, conductive material and connection structure - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive particle that can reduce connection resistance when electrically connecting between electrodes, and can improve connection reliability between electrodes at high temperature.
SOLUTION: A conductive particle has a base particle, a first conductive layer, and a gold layer containing gold, the first conductive layer being disposed on the surface of the base particle, the gold layer being disposed on the external surface of the first conductive layer, and the gold layer having a crystallite size of more than 15 nm to 300 nm or less.
SELECTED DRAWING: Figure 1
COPYRIGHT: (C)2022,JPO&INPIT

Description

本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。 The present invention relates to conductive particles having base particles and a conductive layer arranged on the surface of the base particles. The present invention also relates to a conductive material and a connection structure using the above conductive particles.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in the binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。 In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material may be used, for example, for connection between a flexible printed substrate and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), or connection between a semiconductor chip and a flexible printed substrate (COF (COF). It is used for Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), and connection between a flexible printed substrate and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)).

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1には、ニッケル層と、該ニッケル層上に形成されており、かつ平均膜厚が300Å以下である金層とを備える導電性粒子が開示されている。この導電性粒子では、金層は最外層である。また、この導電性粒子では、X線光電子分光分析による導電性粒子の表面におけるニッケル及び金の元素組成比(Ni/Au)が0.4以下である。特許文献1の実施例では、ニッケルとリンとを含むニッケル層を形成しており、厚みが15nm以上、28nm以下の金層を形成している。 As an example of the conductive particles, Patent Document 1 below discloses conductive particles including a nickel layer and a gold layer formed on the nickel layer and having an average film thickness of 300 Å or less. ing. In these conductive particles, the gold layer is the outermost layer. Further, in these conductive particles, the elemental composition ratio (Ni / Au) of nickel and gold on the surface of the conductive particles by X-ray photoelectron spectroscopy is 0.4 or less. In the embodiment of Patent Document 1, a nickel layer containing nickel and phosphorus is formed, and a gold layer having a thickness of 15 nm or more and 28 nm or less is formed.

下記の特許文献2の実施例には、架橋ポリスチレン粒子の表面に、ニッケルめっき層が形成されており、ニッケルめっき層の外表面上に金めっき層が形成されている導電性粒子が開示されている。特許文献2の実施例では、ニッケルとリンとを含むニッケル層を形成しており、厚み20nmの金層を形成している。 The following Examples of Patent Document 2 disclose conductive particles in which a nickel-plated layer is formed on the surface of crosslinked polystyrene particles and a gold-plated layer is formed on the outer surface of the nickel-plated layer. There is. In the embodiment of Patent Document 2, a nickel layer containing nickel and phosphorus is formed, and a gold layer having a thickness of 20 nm is formed.

下記の特許文献3には、コア粒子と、Niめっき層と、貴金属めっき層と、防錆膜とを備える導電性粒子が開示されている。上記Niめっき層は、上記コア粒子を被覆し、Niを含む。上記貴金属めっき層は、上記Niめっき層の少なくとも一部を被覆し、Au及びPdのうちの少なくともいずれかを含む。上記防錆膜は、上記Niめっき層及び上記貴金属めっき層のうち少なくともいずれかを被覆しており、有機化合物を含む。 Patent Document 3 below discloses conductive particles including core particles, a Ni plating layer, a noble metal plating layer, and a rust preventive film. The Ni plating layer covers the core particles and contains Ni. The noble metal plating layer covers at least a part of the Ni plating layer and contains at least one of Au and Pd. The rust preventive film covers at least one of the Ni plating layer and the noble metal plating layer, and contains an organic compound.

特開2009-102731号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-102731 特開2009-280790号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-280790 特開2013-20721号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-20721

特許文献1~3に記載のような従来の導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続して接続構造体を得た場合に、接続抵抗が高くなることがある。さらに、高温下に晒された導電性粒子を用いたり、導電性粒子を用いた接続構造体が高温下に晒されたりすると、接続抵抗が高くなりやすいという問題がある。 When conventional conductive particles as described in Patent Documents 1 to 3 are used to electrically connect the electrodes to obtain a connection structure, the connection resistance may increase. Further, when the conductive particles exposed to a high temperature are used or the connection structure using the conductive particles is exposed to a high temperature, there is a problem that the connection resistance tends to be high.

本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができ、かつ高温下での電極間の接続信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。 An object of the present invention is to provide conductive particles that can reduce the connection resistance when the electrodes are electrically connected and can improve the connection reliability between the electrodes at a high temperature. be. Another object of the present invention is to provide a conductive material and a connecting structure using the above conductive particles.

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、第一の導電層と、金を含む金層とを備え、前記第一の導電層が、前記基材粒子の表面上に配置されており、前記金層が、前記第一の導電層の外表面上に配置されており、前記金層における結晶子サイズが15nmを超え、300nm以下である、導電性粒子が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, the substrate particles, the first conductive layer, and the gold layer containing gold are provided, and the first conductive layer is arranged on the surface of the substrate particles. The gold layer is arranged on the outer surface of the first conductive layer, and conductive particles having a crystallite size of more than 15 nm and not more than 300 nm in the gold layer are provided.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第一の導電層がニッケル、銅、タングステン又はモリブデンを含む。 In certain aspects of the conductive particles according to the invention, the first conductive layer comprises nickel, copper, tungsten or molybdenum.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第一の導電層がニッケルを含むニッケル層である。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the first conductive layer is a nickel layer containing nickel.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第一の導電層がニッケルとリンとを含むニッケル層である。 In a particular aspect of the conductive particles according to the present invention, the first conductive layer is a nickel layer containing nickel and phosphorus.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層の厚みが好ましくは30nm以下であり、他の特定の局面では、前記金層の厚みが15nm未満である。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the thickness of the gold layer is preferably 30 nm or less, and in other specific aspects, the thickness of the gold layer is less than 15 nm.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層の外表面が防錆処理されている。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the gold layer is rust-proofed.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層の外表面が、炭素数6~22のアルキル基を有する化合物により防錆処理されている。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the gold layer is rust-proofed with a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層の外表面が、リンを含まない化合物により防錆処理されている。 In a particular aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the gold layer is rust-proofed with a phosphorus-free compound.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記ニッケル層がニッケルとリンとを含み、前記ニッケル層の厚み方向において、リンが、前記基材粒子側よりも前記金層側の方で多く存在するように偏在している。 In a particular aspect of the conductive particles according to the present invention, the nickel layer contains nickel and phosphorus, and in the thickness direction of the nickel layer, phosphorus is on the gold layer side rather than the base particle side. It is unevenly distributed so that there are many.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記金層の外表面に複数の突起を有する。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the gold layer.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記金層の内部又は内側において、複数の前記突起を形成するように、前記金層の外表面を隆起させている複数の芯物質を備える。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles raise the outer surface of the gold layer so as to form a plurality of the protrusions inside or inside the gold layer. It has multiple core materials.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記芯物質の材料のモース硬度が5以上である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the Mohs hardness of the material of the core material is 5 or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層の外表面の全表面積100%中、前記突起がある部分の表面積が30%以上である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the surface area of the portion having the protrusions is 30% or more in the total surface area of the outer surface of the gold layer of 100%.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記金層の外表面上に配置された絶縁物質を備える。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles include an insulating material disposed on the outer surface of the gold layer.

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material containing the above-mentioned conductive particles and a binder resin.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the above. It is provided with a connecting portion connecting the second connection target member, and the connecting portion is formed of the above-mentioned conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin. Provided is a connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、第一の導電層と、金を含む金層とを備えており、上記第一の導電層が、上記基材粒子の表面上に配置されており、上記金層が、上記第一の導電層の外表面上に配置されており、上記金層における結晶子サイズが15nmを超え、300nm以下であるので、本発明に係る導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができ、かつ高温下での電極間の接続信頼性を高めることができる。 The conductive particles according to the present invention include base particles, a first conductive layer, and a gold layer containing gold, and the first conductive layer is arranged on the surface of the base particles. Since the gold layer is arranged on the outer surface of the first conductive layer and the crystallite size in the gold layer exceeds 15 nm and is 300 nm or less, the conductive particles according to the present invention can be used. When the electrodes are electrically connected to each other, the connection resistance can be lowered and the connection reliability between the electrodes can be improved at a high temperature.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。 Hereinafter, the details of the present invention will be described.

(導電性粒子)
本発明者らは、高温下に晒された導電性粒子を用いたり、導電性粒子を用いた接続構造体が高温下に晒されたりすると、接続抵抗が高くなりやすいという問題について検討した結果、導電層の表層になる貴金属層において、内層のニッケル等の金属物質が析出することが主な原因であることを見出した。そして上記の金属物質の析出を抑制する手段として、当業者であれば、外層の貴金属を緻密な状態で被覆しようとするところ、敢えて比較的大きな結晶子サイズを採用することで、上記問題が解決することを見出した。
(Conductive particles)
As a result of investigating the problem that the connection resistance tends to increase when the conductive particles exposed to high temperature are used or the connection structure using the conductive particles is exposed to high temperature. It has been found that the main cause is the precipitation of metallic substances such as nickel in the inner layer of the noble metal layer which is the surface layer of the conductive layer. As a means for suppressing the precipitation of the above-mentioned metallic substance, those skilled in the art try to cover the noble metal of the outer layer in a dense state, but by daringly adopting a relatively large crystallite size, the above-mentioned problem can be solved. I found out to do.

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、第一の導電層と、金を含む金層(第二の導電層)とを備える。上記第一の導電層は、上記基材粒子の表面上に配置されている。上記金層は、上記第一の導電層の外表面上に配置されている。 The conductive particles according to the present invention include base particles, a first conductive layer, and a gold layer containing gold (second conductive layer). The first conductive layer is arranged on the surface of the base particles. The gold layer is arranged on the outer surface of the first conductive layer.

本発明に係る導電性粒子では、上記金層が結晶構造を有し上記金層における結晶子サイズは15nmを超え、300nm以下である。 In the conductive particles according to the present invention, the gold layer has a crystal structure, and the crystallite size in the gold layer exceeds 15 nm and is 300 nm or less.

本発明に係る導電性粒子における上述した構成の採用により、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができる。さらに、高温下での接続信頼性を高めることができる。さらに、接続抵抗のばらつきを低減し、接続信頼性を高めることができる。 By adopting the above-described configuration in the conductive particles according to the present invention, it is possible to reduce the connection resistance when the electrodes are electrically connected by using the conductive particles according to the present invention. Further, the connection reliability at high temperature can be improved. Further, it is possible to reduce the variation in connection resistance and improve the connection reliability.

また、内側の導電層がニッケルを含む場合に、ニッケルは腐食しやすいので、ニッケルが析出すると、電極間の接続抵抗が高くなりやすい。本発明では、第一の導電層がニッケルを含む場合に、接続抵抗の上昇を充分に抑えることができる。 Further, when the inner conductive layer contains nickel, nickel is easily corroded. Therefore, when nickel is deposited, the connection resistance between the electrodes tends to be high. In the present invention, when the first conductive layer contains nickel, an increase in connection resistance can be sufficiently suppressed.

本発明では、高温下などに長期間保管された導電性粒子を用いて、接続構造体を作製したときに、接続抵抗の上昇を抑えることができる。また、接続構造体が高温下などで長期間保管された場合でも、接続抵抗の上昇を抑えることができる。例えば、90℃以上の高温下でも、接続抵抗が上昇し難い。 In the present invention, it is possible to suppress an increase in connection resistance when a connection structure is produced by using conductive particles that have been stored for a long period of time at a high temperature or the like. Further, even when the connection structure is stored for a long period of time under high temperature or the like, an increase in connection resistance can be suppressed. For example, the connection resistance is unlikely to increase even at a high temperature of 90 ° C. or higher.

本発明に係る導電性粒子は、上記金層における結晶子サイズが比較的大きいことにより、金層における結晶間隙が狭くなり、結果として第一の導電層における金属が外側の金層に析出することが抑制されると推定される。 In the conductive particles according to the present invention, since the crystallite size in the gold layer is relatively large, the crystal gap in the gold layer is narrowed, and as a result, the metal in the first conductive layer is deposited on the outer gold layer. Is presumed to be suppressed.

上記結晶子サイズは、X線回折装置を用いて測定可能である。上記X線回折装置としては、理学電機社製「RINT2500VHF」等が挙げられる。 The crystallite size can be measured using an X-ray diffractometer. Examples of the X-ray diffractometer include "RINT2500VHF" manufactured by Rigaku Denki Co., Ltd.

また、上記結晶子サイズは、下記式(1)により表される。 The crystallite size is represented by the following formula (1).

結晶子サイズ(nm)=K・λ/(β・cosθ) …式(1)
K:Scherrer定数
λ:使用X線管球の波長
β:結晶子の大きさによる回折線の拡がり
θ:回折角 2θ/θ
Crystalline size (nm) = K · λ / (β · cosθ)… Equation (1)
K: Scherrer constant λ: Wavelength of X-ray tube used β: Diffraction line spread due to crystallite size θ: Diffraction angle 2 θ / θ

上記金層における結晶子サイズを上記下限を超え及び上記上限以下にする方法としては、めっき液中の金濃度を制御する方法、めっき液の温度を制御する方法、めっき液中に金属系結晶調整剤を添加する方法、並びにめっき液中に還元剤を添加する方法が挙げられる。これらの方法によって、結晶子サイズを上記下限を超え及び上記上限以下にすることが達成できる。特に還元剤を添加する方法が、金層における結晶子サイズの粗大化に効果がある。 As a method for increasing the crystallite size in the gold layer above the above lower limit and below the above upper limit, a method for controlling the gold concentration in the plating solution, a method for controlling the temperature of the plating solution, and a method for adjusting metal crystals in the plating solution. Examples thereof include a method of adding an agent and a method of adding a reducing agent in the plating solution. By these methods, it can be achieved that the crystallite size exceeds the above lower limit and becomes equal to or less than the above upper limit. In particular, the method of adding a reducing agent is effective in coarsening the crystallite size in the gold layer.

上記の還元剤としては、ホルマリン、ギ酸、シュウ酸、ヒドラジン一水和物、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。上記還元剤は、ジメチルアミンボランであることが好ましい。 Examples of the above-mentioned reducing agent include formarin, formic acid, oxalic acid, hydrazine monohydrate, sodium hypophosphite, dimethylamine borane, sodium borohydride, potassium borohydride and the like. The reducing agent is preferably dimethylamine borane.

上記金層の厚みは30nm以下であることが好ましく、15nm未満であることが好ましい。 The thickness of the gold layer is preferably 30 nm or less, and preferably less than 15 nm.

金層の厚みが30nmを超える場合に、電極間の接続抵抗及び高温下での電極間の接続信頼性がさほど問題にならなくても、金層の厚みが30nm以下である場合には、電極間の接続抵抗及び高温下での電極間の接続信頼性が大きな問題となることがある。さらに、金層の厚みが15nm以上である場合に、電極間の接続抵抗及び高温下での電極間の接続信頼性がさほど問題にならなくても、金層の厚みが15nm未満である場合には、電極間の接続抵抗及び高温下での電極間の接続信頼性が大きな問題となることがある。本発明では、金層の厚みが30nm以下であっても、更に金層の厚みが15nm未満であっても、上記金層の結晶子サイズが上記下限を超え及び上記上限以下であるので、電極間の接続抵抗を低くすることができ、更に高温下での電極間の接続信頼性を高めることができる。 When the thickness of the gold layer exceeds 30 nm, the connection resistance between the electrodes and the connection reliability between the electrodes at high temperature do not matter so much, but when the thickness of the gold layer is 30 nm or less, the electrodes Connection resistance between electrodes and connection reliability between electrodes at high temperatures can be major issues. Further, when the thickness of the gold layer is 15 nm or more, the connection resistance between the electrodes and the connection reliability between the electrodes at a high temperature do not matter so much, but the thickness of the gold layer is less than 15 nm. The connection resistance between the electrodes and the connection reliability between the electrodes at high temperature may be a big problem. In the present invention, even if the thickness of the gold layer is 30 nm or less, or even if the thickness of the gold layer is less than 15 nm, the crystallite size of the gold layer exceeds the lower limit and is equal to or less than the upper limit. The connection resistance between the electrodes can be lowered, and the connection reliability between the electrodes can be further improved at a high temperature.

本発明に係る導電性粒子では、上記金層の外表面が防錆処理されていることが好ましい。上記金層の外表面が防錆処理されている場合には、高温下などに長期間保管された導電性粒子を用いて、接続構造体を作製したときに、接続抵抗の上昇を抑えることができる。また、接続構造体が高温下などで長期間保管された場合でも、接続抵抗の上昇を抑えることができる。特に、上記金層の外表面が防錆処理されている場合には、上記金層の厚みが薄くかつ上記金層の内側に第一の導電層(ニッケル層など)があったとしても、接続抵抗の上昇を抑えることができる。また、上記金層の厚みがかなり薄いと、上記導電性粒子では、ピンホール等の存在によって、第一の導電層(ニッケル層など)が部分的に露出することがある。ニッケル層が部分的に露出していたとしても、上記金層の外表面が防錆処理されていると、接続抵抗の上昇を抑えることができる。 In the conductive particles according to the present invention, it is preferable that the outer surface of the gold layer is rust-proofed. When the outer surface of the gold layer is rust-proofed, it is possible to suppress an increase in connection resistance when a connection structure is manufactured using conductive particles that have been stored for a long period of time at high temperatures. can. Further, even when the connection structure is stored for a long period of time under high temperature or the like, an increase in connection resistance can be suppressed. In particular, when the outer surface of the gold layer is rust-proofed, even if the thickness of the gold layer is thin and the first conductive layer (nickel layer or the like) is inside the gold layer, the connection is made. The increase in resistance can be suppressed. Further, if the thickness of the gold layer is considerably thin, the first conductive layer (nickel layer or the like) may be partially exposed due to the presence of pinholes or the like in the conductive particles. Even if the nickel layer is partially exposed, if the outer surface of the gold layer is rust-proofed, an increase in connection resistance can be suppressed.

上記導電性粒子は、例えば、上記基材粒子の表面上に上記第一の導電層(ニッケル層など)を配置する工程と、上記第一の導電層(ニッケル層など)の外表面上に上記金層を配置する工程とを経て得ることができる。また、上記防錆膜を備える導電性粒子は、上記金層の外表面を防錆処理する工程を経て得ることができる。 The conductive particles can be obtained, for example, by arranging the first conductive layer (nickel layer or the like) on the surface of the base particle and the outer surface of the first conductive layer (nickel layer or the like). It can be obtained through the process of arranging the gold layer. Further, the conductive particles provided with the rust-preventive film can be obtained through a step of rust-preventing the outer surface of the gold layer.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。なお、参照した図面では、大きさ及び厚みなどは、図示の便宜上、実際の大きさ及び厚みから適宜変更している。 Hereinafter, the present invention will be clarified by explaining specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings. In the referenced drawings, the size, thickness, and the like are appropriately changed from the actual size and thickness for convenience of illustration.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図1に示すように、導電性粒子1は、基材粒子2と、ニッケル層3(第一の導電層)と、金層4とを備える。ニッケル層3は、ニッケルを含む。金層4は、金を含む。金層4における結晶子サイズは、上記下限を超え及び上記上限以下である。ニッケル層3と金層4とは導電層である。金層4は、導電層における最外層である。導電性粒子1では、多層の導電層が形成されている。本実施形態及び後述する実施形態では、ニッケル層3を採用しているが、ニッケル層3のかわりに、ニッケル以外の金属を含む第一の導電層を採用してもよい。 As shown in FIG. 1, the conductive particle 1 includes a base particle 2, a nickel layer 3 (first conductive layer), and a gold layer 4. The nickel layer 3 contains nickel. The gold layer 4 contains gold. The crystallite size in the gold layer 4 exceeds the above lower limit and is equal to or less than the above upper limit. The nickel layer 3 and the gold layer 4 are conductive layers. The gold layer 4 is the outermost layer of the conductive layer. In the conductive particles 1, a multi-layered conductive layer is formed. Although the nickel layer 3 is adopted in this embodiment and the embodiment described later, a first conductive layer containing a metal other than nickel may be adopted instead of the nickel layer 3.

ニッケル層3は、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と金層4との間に、ニッケル層3が配置されている。金層4は、ニッケル層3の外表面上に配置されている。導電性粒子1は、基材粒子2の表面がニッケル層3及び金層4により被覆された被覆粒子である。 The nickel layer 3 is arranged on the surface of the base particle 2. A nickel layer 3 is arranged between the base particle 2 and the gold layer 4. The gold layer 4 is arranged on the outer surface of the nickel layer 3. The conductive particles 1 are coated particles in which the surface of the base particles 2 is coated with the nickel layer 3 and the gold layer 4.

図示しないが、金層4の外表面は防錆処理されている。従って、導電性粒子1は、金層4の外表面に、防錆膜を備える。 Although not shown, the outer surface of the gold layer 4 is rust-proofed. Therefore, the conductive particles 1 are provided with a rust preventive film on the outer surface of the gold layer 4.

導電性粒子1は、芯物質を有さない。導電性粒子1は、導電性の表面に突起を有さない。導電性粒子1は球状である。ニッケル層3及び金層4は表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子1は、絶縁物質を有さない。但し、導電性粒子1は、金層4の表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。 The conductive particles 1 do not have a core substance. The conductive particles 1 have no protrusions on the conductive surface. The conductive particles 1 are spherical. The nickel layer 3 and the gold layer 4 have no protrusions on the surface. As described above, the conductive particles according to the present invention may not have conductive protrusions and may be spherical. Further, the conductive particles 1 do not have an insulating substance. However, the conductive particles 1 may have an insulating substance arranged on the surface of the gold layer 4.

また、ニッケル層3は、導電性粒子1では、基材粒子2の表面上に直接積層されている。基材粒子2とニッケル層3との間に他の導電層が配置されていてもよい。基材粒子2の表面上に、他の導電層を介して、ニッケル層3が配置されていてもよい。 Further, in the case of the conductive particles 1, the nickel layer 3 is directly laminated on the surface of the base particles 2. Another conductive layer may be arranged between the base particle 2 and the nickel layer 3. The nickel layer 3 may be arranged on the surface of the base particle 2 via another conductive layer.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.

図2に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、ニッケル層22と、金層23と、芯物質24と、絶縁物質25とを備える。ニッケル層22は、ニッケルを含む。金層23における結晶子サイズは、上記下限以上及び上記上限以下である。ニッケル層22は、基材粒子2の表面上に配置されている。金層23は、ニッケル層22の外表面上に配置されている。 The conductive particles 21 shown in FIG. 2 include base particles 2, a nickel layer 22, a gold layer 23, a core substance 24, and an insulating substance 25. The nickel layer 22 contains nickel. The crystallite size in the gold layer 23 is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit. The nickel layer 22 is arranged on the surface of the base particle 2. The gold layer 23 is arranged on the outer surface of the nickel layer 22.

図示しないが、金層23の外表面は防錆処理されている。従って、導電性粒子21は、金層23の外表面に、防錆膜を備える。 Although not shown, the outer surface of the gold layer 23 is rust-proofed. Therefore, the conductive particles 21 are provided with a rust preventive film on the outer surface of the gold layer 23.

導電性粒子21は、導電性の表面に突起21aを有する。突起21aは複数である。ニッケル層22及び金層23は外表面に、複数の突起22a,23aを有する。複数の芯物質24が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質24はニッケル層22及び金層23内に埋め込まれている。芯物質24は、突起21a,22a,23aの内側に配置されている。ニッケル層22及び金層23は、複数の芯物質24を被覆している。複数の芯物質24によりニッケル層22及び金層23の外表面が隆起されており、突起21a,22a,23aが形成されている。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の表面に突起を有していてもよい。本発明に係る導電性粒子は、導電層の外表面に突起を有していてもよい。また、本発明に係る導電性粒子は、第一の導電層(ニッケル層など)の外表面に突起を有さず、かつ金層の外表面に突起を有していてもよい。本発明に係る導電性粒子は、金層の内部又は内側において、複数の突起を形成するように、金層の外表面を隆起させている複数の芯物質を備えていてもよい。上記芯物質は、第一の導電層の内側に位置していてもよく、第一の導電層の外側に位置していてもよい。 The conductive particles 21 have protrusions 21a on the conductive surface. There are a plurality of protrusions 21a. The nickel layer 22 and the gold layer 23 have a plurality of protrusions 22a and 23a on the outer surface. A plurality of core substances 24 are arranged on the surface of the base particle 2. The plurality of core materials 24 are embedded in the nickel layer 22 and the gold layer 23. The core material 24 is arranged inside the protrusions 21a, 22a, 23a. The nickel layer 22 and the gold layer 23 cover a plurality of core substances 24. The outer surfaces of the nickel layer 22 and the gold layer 23 are raised by the plurality of core materials 24, and protrusions 21a, 22a, and 23a are formed. As described above, the conductive particles according to the present invention may have protrusions on the conductive surface. The conductive particles according to the present invention may have protrusions on the outer surface of the conductive layer. Further, the conductive particles according to the present invention may not have protrusions on the outer surface of the first conductive layer (nickel layer or the like) and may have protrusions on the outer surface of the gold layer. The conductive particles according to the present invention may include a plurality of core substances in which the outer surface of the gold layer is raised so as to form a plurality of protrusions inside or inside the gold layer. The core material may be located inside the first conductive layer or may be located outside the first conductive layer.

導電性粒子21は、金層23の外表面上に配置された絶縁物質25を有する。金層23の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁物質25により被覆されている。絶縁物質25は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、金層の外表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。 The conductive particles 21 have an insulating material 25 disposed on the outer surface of the gold layer 23. At least a part of the outer surface of the gold layer 23 is covered with the insulating material 25. The insulating substance 25 is formed of an insulating material and is an insulating particle. As described above, the conductive particles according to the present invention may have an insulating substance arranged on the outer surface of the gold layer.

以下、基材粒子及び導電層の詳細を説明する。 Hereinafter, the details of the base particles and the conductive layer will be described.

[基材粒子]
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。
[Base particles]
Examples of the base particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The base particles are preferably base particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particles may be core-shell particles.

上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。 The base particles are more preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and may be resin particles or organic-inorganic hybrid particles. The use of these preferred substrate particles provides more suitable conductive particles for electrical connection between the electrodes.

上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。 When connecting the electrodes using the conductive particles, the conductive particles are placed between the electrodes and then crimped to compress the conductive particles. When the base particle is a resin particle or an organic-inorganic hybrid particle, the conductive particle is easily deformed at the time of crimping, and the contact area between the conductive particle and the electrode becomes large. Therefore, the connection resistance between the electrodes becomes even lower.

上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。 Various organic substances are preferably used as the resin for forming the resin particles. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene and polybutadiene; acrylic resins such as polymethylmethacrylate and polymethylacrylate; poly. Alkylene terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene. Polymers obtained by polymerizing one or more of various polymerizable monomers having an oxide, a polyacetal, a polyimide, a polyamideimide, a polyether ether ketone, a polyether sulfone, and an ethylenically unsaturated group can be used. Can be mentioned. Since resin particles having arbitrary physical characteristics at the time of compression suitable for a conductive material can be designed and synthesized, and the hardness of the base material particles can be easily controlled within a suitable range, the resin for forming the resin particles. Is preferably a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenically unsaturated groups.

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the resin particles are obtained by polymerizing a monomer having an ethylenically unsaturated group, the monomer having an ethylenically unsaturated group includes a non-crosslinkable monomer and a crosslinkable simpler. It can be mentioned as a monomer.

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; and methyl ( Meta) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) Alkyl (meth) acrylates such as meth) acrylates and isobornyl (meth) acrylates; oxygen atoms such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylates, glycerol (meth) acrylates, polyoxyethylene (meth) acrylates and glycidyl (meth) acrylates. Contains (meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; acid vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, vinyl stearate, etc. Class: unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene, and butadiene; halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, and chlorstyrene. Can be mentioned.

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ-(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, tetramethylolmethanetri (meth) acrylate, tetramethylolmethanedi (meth) acrylate, trimethylolpropanetri (meth) acrylate, and dipenta. Elythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylates such as acrylates, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylates, 1,4-butanediol di (meth) acrylates; triallyl (iso) cyanurate, triallyltrimethylate, divinylbenzene, Examples thereof include silane-containing monomers such as diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, and vinyltrimethoxysilane.

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。 The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, a method of swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles, and the like.

上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。 When the base material particles are inorganic particles other than metal particles or organic-inorganic hybrid particles, examples of the inorganic substances for forming the base material particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. .. It is preferable that the inorganic substance is not a metal. The particles formed of the silica are not particularly limited, but for example, after hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, firing is performed as necessary. Examples include particles obtained by doing so. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。 The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell arranged on the surface of the core. It is preferable that the core is an organic core. It is preferable that the shell is an inorganic shell. From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance between the electrodes, the base particle is preferably an organic-inorganic hybrid particle having an organic core and an inorganic shell arranged on the surface of the organic core.

上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。 Examples of the material for forming the organic core include the resin for forming the resin particles described above.

上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。 Examples of the material for forming the above-mentioned inorganic shell include the above-mentioned inorganic substances for forming the base particles. The material for forming the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed by forming a metal alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method on the surface of the core and then firing the shell-like material. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed of silane alkoxide.

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。 When the base material particles are metal particles, examples of the metal for forming the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, it is preferable that the base particles are not metal particles.

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは2μm以上、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電層の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。 The particle size of the base particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, still more preferably 2 μm or more, preferably 5 μm or less, and more preferably 3 μm or less. When the particle size of the base particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, small conductive particles can be obtained even if the distance between the electrodes is small and the thickness of the conductive layer is increased.

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。 The particle size of the base material particles indicates the diameter when the base material particles are spherical, and indicates the maximum diameter when the base material particles are not spherical.

[導電層]
上記導電性粒子は、上記導電層として、第一の導電層を有する。上記第一の導電層における金属としては、ニッケル、パラジウム、銅、タングステン、モリブデン、コバルト、白金、ルテニウム、イリジウム、クロム及びチタン等が挙げられる。後述の金層により析出が効果的に抑えられる点、後述の金層が均一に析出し第一の導電層を被覆しうる点、後述の金層と第一の導電層との密着性が高い点、第一の導電層の硬度に優れる点から、第一の導電層がニッケル、銅、タングステン又はモリブデンを含むことが好ましく、上記第一の導電層がニッケルを含むニッケル層であることが好ましい。第一の導電層は、ニッケルと、銅、タングステン又はモリブデンとを含むことが好ましい。
[Conductive layer]
The conductive particles have a first conductive layer as the conductive layer. Examples of the metal in the first conductive layer include nickel, palladium, copper, tungsten, molybdenum, cobalt, platinum, ruthenium, iridium, chromium and titanium. The point that precipitation is effectively suppressed by the gold layer described later, the point that the gold layer described later can be uniformly precipitated to cover the first conductive layer, and the adhesion between the gold layer described later and the first conductive layer is high. From the viewpoint of excellent hardness of the first conductive layer, it is preferable that the first conductive layer contains nickel, copper, tungsten or molybdenum, and the first conductive layer is preferably a nickel layer containing nickel. .. The first conductive layer preferably contains nickel and copper, tungsten or molybdenum.

上記ニッケル層には、金属として、ニッケルのみを用いた場合だけでなく、ニッケルと他の金属とを用いた場合も含まれる。上記ニッケル層は、ニッケル合金層であってもよい。 The nickel layer includes not only the case where only nickel is used as the metal but also the case where nickel and other metals are used. The nickel layer may be a nickel alloy layer.

電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記ニッケル層はリン又はボロンを含むことが好ましく、銅、タングステン又はモリブデンを含むことが好ましい。この場合に、ニッケル層には、リン及びボロンのうちの1種又は2種以上用いることができ、銅、タングステン及びモリブデンのうちの1種又は2種以上用いることができる。導電層及び突起が効果的に硬くなるので、上記ニッケル層はタングステン又はモリブデンを含むことが好ましく、タングステンを含むことがより好ましい。導電層及び突起が硬くなると、酸化被膜が効果的に排除されやすくなる。 From the viewpoint of further lowering the connection resistance between the electrodes, the nickel layer preferably contains phosphorus or boron, and preferably contains copper, tungsten or molybdenum. In this case, one or more of phosphorus and boron can be used for the nickel layer, and one or more of copper, tungsten and molybdenum can be used. Since the conductive layer and the protrusions are effectively hardened, the nickel layer preferably contains tungsten or molybdenum, and more preferably contains tungsten. The harder the conductive layer and protrusions, the easier it is for the oxide film to be effectively removed.

上記ニッケル層におけるニッケル以外の金属としては、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、パラジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及び錫ドープ酸化インジウム(ITO)等が挙げられる。これらの金属は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Metals other than nickel in the nickel layer include silver, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, palladium, chromium, titanium, antimony, bismuth, tarium, germanium, cadmium, silicon, and tungsten. , Molybdenum and tin-doped indium oxide (ITO) and the like. Only one kind of these metals may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

上記ニッケル層はニッケルを主金属として含むことが好ましい。上記ニッケル層全体100重量%中、ニッケルの含有量は50重量%以上であることが好ましい。上記ニッケル層全体100重量%中、ニッケルの含有量は好ましくは65重量%以上、より好ましくは80重量%以上、更に好ましくは90重量%以上である。ニッケルの含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。 The nickel layer preferably contains nickel as the main metal. The nickel content is preferably 50% by weight or more in 100% by weight of the entire nickel layer. The nickel content is preferably 65% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, and further preferably 90% by weight or more in 100% by weight of the entire nickel layer. When the nickel content is at least the above lower limit, the connection resistance between the electrodes becomes even lower.

電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記ニッケル層はリンを含むことが好ましい。上記ニッケル層全体100重量%中、リンの含有量は好ましくは0重量%を超え、より好ましくは0.1重量%以上、更に好ましくは2重量%以上、好ましくは20重量%以下、より好ましくは15重量%以下である。リンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗がより一層低くなる。 From the viewpoint of further lowering the connection resistance between the electrodes, the nickel layer preferably contains phosphorus. The phosphorus content in 100% by weight of the entire nickel layer preferably exceeds 0% by weight, more preferably 0.1% by weight or more, further preferably 2% by weight or more, preferably 20% by weight or less, and more preferably. It is 15% by weight or less. When the phosphorus content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance becomes even lower.

電極間の接続抵抗をより一層低くし、かつ高温下での電極間の接続信頼性をより一層高めるために、上記ニッケル層全体100重量%中、リンの含有量は5重量%未満であることがより好ましい。電極間の低い接続抵抗と、高温下での電極間の高い接続信頼性との双方を効果的に発現させる観点からは、上記ニッケル層全体100重量%中、リンの含有量は0重量%を超え、より好ましくは0.1重量%以上、更に好ましくは2重量%以上である。リンの含有量が上記下限以上であると、接続抵抗がより一層低くなる。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記ニッケル層全体100重量%中、リンの含有量は好ましくは4.9重量%以下、より好ましくは4重量%以下、更に好ましくは3重量%以下である。 In order to further reduce the connection resistance between the electrodes and further enhance the connection reliability between the electrodes at high temperature, the phosphorus content in 100% by weight of the entire nickel layer should be less than 5% by weight. Is more preferable. From the viewpoint of effectively exhibiting both low connection resistance between electrodes and high connection reliability between electrodes at high temperature, the phosphorus content is 0% by weight in 100% by weight of the entire nickel layer. It exceeds, more preferably 0.1% by weight or more, still more preferably 2% by weight or more. When the phosphorus content is at least the above lower limit, the connection resistance becomes even lower. From the viewpoint of further lowering the connection resistance, the phosphorus content is preferably 4.9% by weight or less, more preferably 4% by weight or less, still more preferably 3% by weight or less in 100% by weight of the entire nickel layer. be.

上記ニッケル層の厚み方向において、基材粒子側(内側)のリンの含有量よりも金層側(外側)のリンの含有量の方が多いように、リンの含有量が異なることが好ましく、リンの含有量が勾配を有することが好ましい。上記ニッケル層の厚み方向において、リンが、上記基材粒子側よりも上記金層側の方で多く存在するように偏在していることが好ましい。このような濃度差及び濃度勾配の存在により、接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。 It is preferable that the phosphorus content is different so that the phosphorus content on the gold layer side (outside) is higher than the phosphorus content on the substrate particle side (inside) in the thickness direction of the nickel layer. It is preferable that the phosphorus content has a gradient. In the thickness direction of the nickel layer, it is preferable that phosphorus is unevenly distributed so as to be present in a larger amount on the gold layer side than on the base particle side. The presence of such concentration differences and concentration gradients further enhances the reliability of the connection resistance.

上記ニッケル層の厚み方向において、リンが、上記基材粒子側の厚み1/2の領域よりも上記金層側の厚み1/2の領域の方で多く存在するように偏在していることが好ましい。 In the thickness direction of the nickel layer, phosphorus is unevenly distributed so as to be present in a region having a thickness of 1/2 on the gold layer side rather than a region having a thickness of 1/2 on the substrate particle side. preferable.

上記基材粒子側の厚み1/2の領域全体におけるリンの含有量と、上記金層側の厚み1/2の領域全体におけるリンの含有量との差の絶対値は、好ましくは2重量%以上、より好ましくは5重量%以上、更に好ましくは10重量%以上、好ましくは19重量%以下である。リンの含有量の差の絶対値が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。 The absolute value of the difference between the phosphorus content in the entire region having a thickness of 1/2 on the substrate particle side and the phosphorus content in the entire region having a thickness of 1/2 on the gold layer side is preferably 2% by weight. As mentioned above, it is more preferably 5% by weight or more, further preferably 10% by weight or more, and preferably 19% by weight or less. When the absolute value of the difference in phosphorus content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the reliability of the connection resistance is further improved.

上記ニッケル層全体100重量%中、ボロンの含有量は好ましくは0重量%を超え、より好ましくは0.1重量%以上、更に好ましくは1重量%以上、好ましくは20重量%以下、より好ましくは15重量%以下、更に好ましくは10重量%以下、特に好ましくは5重量%以下である。ボロンの含有量が上記下限及び上記上限以下であると、ニッケル層の抵抗がより一層低くなり、上記ニッケル層が接続抵抗の低減に寄与する。 In 100% by weight of the entire nickel layer, the content of boron preferably exceeds 0% by weight, more preferably 0.1% by weight or more, further preferably 1% by weight or more, preferably 20% by weight or less, and more preferably. It is 15% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, and particularly preferably 5% by weight or less. When the boron content is not less than the above lower limit and the above upper limit, the resistance of the nickel layer becomes even lower, and the nickel layer contributes to the reduction of the connection resistance.

上記ニッケル層100重量%中、銅の含有量、タングステンの含有量及びモリブデンの含有量は好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは5重量%以上、好ましくは20重量%以下、より好ましくは10重量%以下である。銅の含有量、タングステンの含有量及びモリブデンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。 In 100% by weight of the nickel layer, the copper content, the tungsten content and the molybdenum content are preferably 0.1% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, preferably 20% by weight or less, and more preferably. It is 10% by weight or less. When the copper content, the tungsten content and the molybdenum content are at least the above lower limit and at least the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered.

上記第一の導電層(ニッケル層など)の厚みは、好ましくは30nm以上、より好ましくは60nm以上、好ましくは200nm以下、より好ましくは100nm以下である。上記第一の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極の表面の酸化被膜がより一層効果的に除去され、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。上記第一の導電層の厚みは、導電性粒子におけるニッケル層の平均厚みを示す。 The thickness of the first conductive layer (nickel layer or the like) is preferably 30 nm or more, more preferably 60 nm or more, preferably 200 nm or less, and more preferably 100 nm or less. When the thickness of the first conductive layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the oxide film on the surface of the electrode is removed more effectively, and the connection resistance between the electrodes is further lowered. The thickness of the first conductive layer indicates the average thickness of the nickel layer in the conductive particles.

上記導電性粒子は、上記導電層として、上記金層を有する。上記金層には、金属として、金のみを用いた場合だけでなく、金と他の金属とを用いた場合も含まれる。上記金層は、金合金層であってもよい。上記導電性粒子では、導電層の最外層として、金層を備えることが好ましい。上記導電層の最表面に金層が配置されていることが好ましい。 The conductive particles have the gold layer as the conductive layer. The gold layer includes not only the case where only gold is used as the metal but also the case where gold and another metal are used. The gold layer may be a gold alloy layer. In the above conductive particles, it is preferable to provide a gold layer as the outermost layer of the conductive layer. It is preferable that the gold layer is arranged on the outermost surface of the conductive layer.

上記金層における金以外の金属としては、例えば、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及び錫ドープ酸化インジウム(ITO)等が挙げられる。これらの金属は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of metals other than gold in the gold layer include silver, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, palladium, chromium, titanium, antimony, bismuth, tarium, germanium, and cadmium. , Silicon, tungsten, molybdenum, tin-doped indium oxide (ITO) and the like. Only one kind of these metals may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

上記金層は金を主金属として含むことが好ましい。上記金層全体100重量%中、金の含有量は50重量%以上であることが好ましい。上記金層全体100重量%中、金の含有量は好ましくは90重量%以上、より好ましくは95重量%以上、更に好ましくは99.9重量%以上である。金の含有量が上記下限以上であると、電極と導電性粒子とがより一層適度に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。 The gold layer preferably contains gold as the main metal. The gold content is preferably 50% by weight or more in 100% by weight of the entire gold layer. The gold content is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight or more, and further preferably 99.9% by weight or more in 100% by weight of the entire gold layer. When the gold content is at least the above lower limit, the electrodes and the conductive particles come into contact with each other more appropriately, and the connection resistance between the electrodes becomes even lower.

上記金層の厚みは、好ましくは60nm以下、より好ましくは30nm以下、より一層好ましくは15nm未満、更に好ましくは10nm以下、特に好ましくは10nm未満、好ましくは3nm以上、より好ましくは5nm以上である。上記金層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗の上昇が効果的に抑えられる。本発明に係る導電性粒子では、上記金層の厚みが薄くても、上記金層が緻密であるために、電極間の接続抵抗を低くすることができ、電極間の接続抵抗のばらつきを抑えることができる。また、上記金層の厚みがかなり薄く連続膜でなくてもよく、上記金層の外表面が防錆処理されている場合には、上記金層の厚みが薄くかつ上記金層の内側にニッケル層があるにもかかわらず、接続抵抗の上昇を効果的に抑えることができる。 The thickness of the gold layer is preferably 60 nm or less, more preferably 30 nm or less, still more preferably less than 15 nm, still more preferably 10 nm or less, particularly preferably less than 10 nm, preferably 3 nm or more, and more preferably 5 nm or more. When the thickness of the gold layer is equal to or greater than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, an increase in connection resistance is effectively suppressed. In the conductive particles according to the present invention, even if the thickness of the gold layer is thin, the gold layer is dense, so that the connection resistance between the electrodes can be lowered and the variation in the connection resistance between the electrodes can be suppressed. be able to. Further, the thickness of the gold layer does not have to be a continuous film, and when the outer surface of the gold layer is rust-proofed, the thickness of the gold layer is thin and nickel is inside the gold layer. Despite the presence of layers, the increase in connection resistance can be effectively suppressed.

上記導電層を形成する方法は特に限定されない。上記導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、上記導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。 The method for forming the conductive layer is not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive layer include a method by electroplating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, and a method of coating a metal powder or a paste containing a metal powder and a binder on the surface of particles. Can be mentioned. Among them, the method by electroless plating is preferable because the formation of the conductive layer is easy. Examples of the method by physical vapor deposition include vacuum deposition, ion plating, and ion sputtering.

上記導電層におけるニッケル、及びリンの含有量を制御する方法としては、例えば、無電解ニッケルめっきにより導電層を形成する際に、ニッケルめっき液のpHを制御する方法、無電解ニッケルめっきにより導電層を形成する際に、リン含有還元剤の濃度を調整する方法、並びにニッケルめっき液中のニッケル濃度を調整する方法等が挙げられる。 As a method of controlling the content of nickel and phosphorus in the conductive layer, for example, a method of controlling the pH of the nickel plating solution when forming the conductive layer by electroless nickel plating, or a method of controlling the conductive layer by electroless nickel plating. A method of adjusting the concentration of the phosphorus-containing reducing agent, a method of adjusting the nickel concentration in the nickel plating solution, and the like can be mentioned.

無電解めっきにより形成する方法では、一般的に、触媒化工程と、無電解めっき工程とが行われる。以下、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、ニッケルとリンとを含む合金めっき層を形成する方法の一例を説明する。 In the method of forming by electroless plating, a catalytic step and an electroless plating step are generally performed. Hereinafter, an example of a method of forming an alloy plating layer containing nickel and phosphorus on the surface of resin particles by electroless plating will be described.

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。 In the above-mentioned catalystization step, a catalyst serving as a starting point for forming a plating layer by electroless plating is formed on the surface of resin particles.

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が好適に用いられる。 As a method for forming the catalyst on the surface of the resin particles, for example, the resin particles are added to a solution containing palladium chloride and tin chloride, and then the surface of the resin particles is activated with an acid solution or an alkaline solution. A method of precipitating palladium on the surface of the resin particles, and after adding the resin particles to a solution containing palladium sulfate and aminopyridine, the surface of the resin particles is activated by a solution containing a reducing agent to obtain the resin particles. Examples thereof include a method of precipitating palladium on the surface. As the reducing agent, a phosphorus-containing reducing agent is preferably used.

上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物及び上記リン含有還元剤を含むニッケルめっき浴が好適に用いられる。ニッケルめっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、ニッケルを析出させることができ、ニッケルとリンとを含む導電層を形成できる。 In the electroless plating step, a nickel plating bath containing a nickel-containing compound and the phosphorus-containing reducing agent is preferably used. By immersing the resin particles in the nickel plating bath, nickel can be deposited on the surface of the resin particles on which the catalyst is formed, and a conductive layer containing nickel and phosphorus can be formed.

上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル及び塩化ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、ニッケル塩であることが好ましい。上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。また、ボロン含有還元剤を用いてもよい。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。 Examples of the nickel-containing compound include nickel sulfate and nickel chloride. The nickel-containing compound is preferably a nickel salt. Examples of the phosphorus-containing reducing agent include sodium hypophosphite and the like. Moreover, you may use a boron-containing reducing agent. Examples of the boron-containing reducing agent include dimethylamine borane, sodium borohydride, potassium borohydride and the like.

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上である。上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは100μm以下、より好ましくは20μm以下、更に好ましくは5μm以下、特に好ましくは3μm以下である。上記導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。 The particle size of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more. The particle size of the conductive particles is preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, still more preferably 5 μm or less, and particularly preferably 3 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is equal to or greater than the above lower limit and equal to or less than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes sufficiently large when the electrodes are connected using the conductive particles, and the conductivity is increased. Aggregated conductive particles are less likely to be formed when forming the layer. In addition, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive layer does not easily peel off from the surface of the substrate particles.

上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には、直径を示し、導電性粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。 The particle size of the conductive particles indicates the diameter when the conductive particles are spherical, and indicates the maximum diameter when the conductive particles are not spherical.

本発明に係る導電性粒子は、導電性の表面に突起を有することが好ましい。上記第一の導電層(ニッケル層など)は、外表面に突起を有することが好ましい。上記金層は、外表面に突起を有することが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電性の突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁物質を有する場合、又は導電性粒子が樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁物質又は樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。 The conductive particles according to the present invention preferably have protrusions on the conductive surface. The first conductive layer (nickel layer or the like) preferably has protrusions on the outer surface. The gold layer preferably has protrusions on the outer surface. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. By using the conductive particles having the conductive protrusions, the oxide film is effectively removed by the protrusions by arranging the conductive particles between the electrodes and then crimping them. Therefore, the electrodes and the conductive particles can be brought into contact with each other more reliably, and the connection resistance between the electrodes can be further reduced. Further, when the conductive particles have an insulating substance on the surface, or when the conductive particles are dispersed in the resin and used as a conductive material, the protrusions of the conductive particles provide insulation between the conductive particles and the electrode. Substances or resins can be effectively eliminated. Therefore, the continuity reliability between the electrodes can be improved.

上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子1個当たりの上記導電層の外表面の突起は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数は、好ましくは1000個以下、より好ましくは800個以下である。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。 It is preferable that the number of the protrusions is plurality. The number of protrusions on the outer surface of the conductive layer per one conductive particle is preferably 3 or more, and more preferably 5 or more. The upper limit of the number of the protrusions is not particularly limited. The number of the protrusions is preferably 1000 or less, more preferably 800 or less. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle size of the conductive particles and the like.

複数の上記突起の平均高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。上記突起の平均高さは、以下の方法で算出できる。本発明の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、観察された導電性粒子の周縁部の突起全ての高さを測定する。突起が形成されていない面を基準表面として凸部の高さを測定し、平均値を算出することにより求められる。 The average height of the plurality of protrusions is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. When the average height of the protrusions is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered. The average height of the protrusions can be calculated by the following method. The 50 conductive particles of the present invention are observed with an electron microscope or an optical microscope, and the heights of all the protrusions on the peripheral edge of the observed conductive particles are measured. It is obtained by measuring the height of the convex portion with the surface on which the protrusion is not formed as a reference surface and calculating the average value.

接続抵抗を効果的に低くし、高温高湿下での電極間の接続信頼性を効果的に高める観点からは、上記金層の外表面の全表面積100%中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは10%以上、より好ましくは20%以上、更に好ましくは30%以上である。上記金層の外表面の全表面積100%中、上記突起がある部分の表面積の占める割合の上限は特に限定されないが、通常100%以下、好ましくは99%以下である。 From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance and effectively increasing the connection reliability between the electrodes under high temperature and high humidity, the surface area of the portion having the protrusions in the total surface area of the outer surface of the gold layer is 100%. Is preferably 10% or more, more preferably 20% or more, still more preferably 30% or more. The upper limit of the ratio of the surface area of the portion having the protrusions to the total surface area of the outer surface of the gold layer is not particularly limited, but is usually 100% or less, preferably 99% or less.

上記突起がある部分の表面積の比率は、以下の方法で算出できる。本発明の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、正投影面において突起として現れている部分の面積の比率を測定し、平均値を算出することにより求められる。 The ratio of the surface area of the portion having the protrusion can be calculated by the following method. It is obtained by observing 50 conductive particles of the present invention with an electron microscope or an optical microscope, measuring the ratio of the area of the portion appearing as a protrusion on the normal projection surface, and calculating the average value.

[芯物質]
上記芯物質が上記導電層(第一の導電層及び金層)中に埋め込まれていることによって、第一の導電層及び金層が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電層の外表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよく、芯物質を用いないことが好ましい。上記導電性粒子は、上記導電層の内部及び内側に、上記導電部の外表面を隆起させるための芯物質を有さないことが好ましい。上記導電層が、上記導電層の内部及び内側に、上記導電層の外表面を隆起させるための芯物質を含まないことが好ましい。
[Core substance]
By embedding the core material in the conductive layer (first conductive layer and gold layer), it is easy to make the first conductive layer and the gold layer have a plurality of protrusions on the outer surface. be. However, in order to form protrusions on the outer surface of the conductive particles and the conductive layer, it is not always necessary to use the core material, and it is preferable not to use the core material. It is preferable that the conductive particles do not have a core substance for raising the outer surface of the conductive portion inside and inside the conductive layer. It is preferable that the conductive layer does not contain a core substance for raising the outer surface of the conductive layer inside and inside the conductive layer.

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電層を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電層を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電層を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第1の導電層(ニッケル層等)を形成した後、該第1の導電層上に芯物質を配置し、次に第2の導電層(金層等)を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電層(ニッケル層又は金層等)を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。 As a method of forming the above-mentioned protrusions, a method of forming a conductive layer by electroless plating after adhering a core substance to the surface of the base particles, and a method of forming a conductive layer by electroless plating on the surface of the base particles. After that, a method of adhering a core substance and further forming a conductive layer by electroless plating can be mentioned. As another method for forming the protrusions, a first conductive layer (nickel layer or the like) is formed on the surface of the substrate particles, a core substance is placed on the first conductive layer, and then a core substance is arranged. Examples thereof include a method of forming a second conductive layer (gold layer, etc.) and a method of adding a core substance in the middle of forming a conductive layer (nickel layer, gold layer, etc.) on the surface of the base particle. ..

上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。 As a method of arranging the core substance on the surface of the base particles, for example, the core substance is added to the dispersion liquid of the base particles, and the core substance is placed on the surface of the base particles, for example, van der Waals force. A method of accumulating and adhering the core material, and a method of adding the core substance to the container containing the base particle and adhering the core substance to the surface of the base particle by mechanical action such as rotation of the container can be mentioned. .. Among them, since it is easy to control the amount of the core substance to be adhered, a method of accumulating the core substance on the surface of the base particles in the dispersion liquid and adhering the core substance is preferable.

上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。 Examples of the substance constituting the core substance include a conductive substance and a non-conductive substance. Examples of the conductive substance include metals, metal oxides, conductive non-metals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene and the like. Examples of the non-conductive substance include silica, alumina, barium titanate, and zirconia. Among them, metal is preferable because the conductivity can be increased and the connection resistance can be effectively lowered. The core material is preferably metal particles.

上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫-鉛合金、錫-銅合金、錫-銀合金、錫-鉛-銀合金及び炭化タングステン等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属を含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。 Examples of the metal include metals such as gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and tin-lead. Examples thereof include alloys composed of two or more kinds of metals such as alloys, tin-copper alloys, tin-silver alloys, tin-lead-silver alloys and tungsten carbide. Of these, nickel, copper, silver or gold is preferred. The metal for forming the core substance may be the same as or different from the metal for forming the conductive layer. The metal for forming the core substance preferably contains a metal for forming the conductive layer. The metal for forming the core substance preferably contains nickel. The metal for forming the core substance preferably contains nickel.

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム(モース硬度4.5)、ニッケル(モース硬度5)、シリカ(二酸化珪素、モース硬度6~7)、酸化チタン(モース硬度7)、ジルコニア(モース硬度8~9)、アルミナ(モース硬度9)、炭化タングステン(モース硬度9)及びダイヤモンド(モース硬度10)等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは5以上、より好ましくは6以上、更に好ましくは7以上、特に好ましくは7.5以上である。 Specific examples of the material of the core material include barium titanate (Mohs hardness 4.5), nickel (Mohs hardness 5), silica (silicon dioxide, Mohs hardness 6-7), titanium oxide (Mohs hardness 7), and zirconia. (Mohs hardness 8-9), alumina (Mohs hardness 9), tungsten carbide (Mohs hardness 9), diamond (Mohs hardness 10) and the like can be mentioned. The inorganic particles are preferably nickel, silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, more preferably silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, and titanium oxide or zirconia. , Alumina, Tungsten Carbide or Diamond is more preferred, and Zirconia, Alumina, Tungsten Carbide or Diamond is particularly preferred. The Mohs hardness of the material of the core material is preferably 5 or more, more preferably 6 or more, still more preferably 7 or more, and particularly preferably 7.5 or more.

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。 The shape of the core substance is not particularly limited. The shape of the core material is preferably lumpy. Examples of the core material include particulate lumps, agglomerates in which a plurality of fine particles are aggregated, and amorphous lumps.

上記芯物質の平均径(平均粒子径)は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。 The average diameter (average particle size) of the core material is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. When the average diameter of the core material is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered.

上記芯物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。 The "average diameter (average particle diameter)" of the core material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is obtained by observing 50 arbitrary core materials with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

[絶縁物質]
本発明に係る導電性粒子は、上記導電層(上記金層)の外表面上に配置された絶縁物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電層の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。
[Insulation material]
The conductive particles according to the present invention preferably include an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive layer (the gold layer). In this case, if conductive particles are used for the connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles come into contact with each other, an insulating substance exists between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between the electrodes adjacent to each other in the lateral direction instead of between the upper and lower electrodes. By pressurizing the conductive particles with the two electrodes at the time of connection between the electrodes, the insulating substance between the conductive layer of the conductive particles and the electrodes can be easily removed. When the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive layer, the insulating substance between the conductive layer of the conductive particles and the electrodes can be easily removed.

電極間の圧着時に上記絶縁物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。 The insulating material is preferably insulating particles because the insulating material can be more easily removed during crimping between the electrodes.

上記絶縁物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。 Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating material include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, and heat curing. Examples include sex resins and water-soluble resins.

上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン-酢酸ビニル共重合体及びエチレン-アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート及びポリブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン-アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン-ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン-ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。 Examples of the polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer and the like. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, melamine resin and the like. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, methyl cellulose and the like. Of these, a water-soluble resin is preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.

上記導電層の表面上に絶縁物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁物質が脱離し難いことから、上記導電層の表面に、化学結合を介して上記絶縁物質を配置する方法が好ましい。 Examples of the method of arranging the insulating substance on the surface of the conductive layer include a chemical method and a physical or mechanical method. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, an emulsion polymerization method and the like. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic adhesion method, spraying method, dipping and vacuum deposition. Among them, since the insulating substance is difficult to be detached, the method of arranging the insulating substance on the surface of the conductive layer via a chemical bond is preferable.

上記導電層(上記金層)の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電層の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電層の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していてもよい。 The outer surface of the conductive layer (the gold layer) and the surface of the insulating particles may each be coated with a compound having a reactive functional group. The outer surface of the conductive layer and the surface of the insulating particles may not be directly chemically bonded, or may be indirectly chemically bonded by a compound having a reactive functional group. After introducing a carboxyl group on the outer surface of the conductive layer, the carboxyl group may be chemically bonded to a functional group on the surface of the insulating particles via a polyelectrolyte such as polyethyleneimine.

上記絶縁物質の平均径(平均粒子径)は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁物質の平均径(平均粒子径)は好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.5μm以下である。絶縁物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電層同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。 The average diameter (average particle diameter) of the insulating substance can be appropriately selected depending on the particle diameter of the conductive particles, the use of the conductive particles, and the like. The average diameter (average particle size) of the insulating substance is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 1 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less. When the average diameter of the insulating substance is at least the above lower limit, it becomes difficult for the conductive layers of the plurality of conductive particles to come into contact with each other when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the average diameter of the insulating particles is not more than the above upper limit, it is not necessary to make the pressure too high in order to eliminate the insulating substance between the electrodes and the conductive particles when connecting the electrodes, and the temperature becomes high. There is no need to heat it.

上記絶縁物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。絶縁物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。 The "average diameter (average particle diameter)" of the insulating material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating substance is determined by using a particle size distribution measuring device or the like.

[防錆処理]
導電性粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗を低くするために、上記金層の外表面は防錆処理されている。
[Rust prevention treatment]
The outer surface of the gold layer is rust-proofed in order to suppress corrosion of the conductive particles and reduce the connection resistance between the electrodes.

導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金層の外表面は、炭素数6~22のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。上記金層の表面は、リンを含まない化合物により防錆処理されていてもよく、炭素数6~22のアルキル基を有しかつリンを含まない化合物により防錆処理されていてもよい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金層の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、金層の外表面に、防錆膜を形成できる。 From the viewpoint of further enhancing conduction reliability, it is preferable that the outer surface of the gold layer is rust-proofed with a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. The surface of the gold layer may be rust-proofed with a phosphorus-free compound, or may be rust-proofed with a phosphorus-free compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. From the viewpoint of further enhancing conduction reliability, it is preferable that the outer surface of the gold layer is rust-proofed with an alkylphosphoric acid compound or an alkylthiol. By the rust preventive treatment, a rust preventive film can be formed on the outer surface of the gold layer.

上記防錆膜は、炭素数6~22のアルキル基を有する化合物(以下、化合物Aともいう)により形成されていることが好ましい。上記金層の外表面は、上記化合物Aにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が6以上であると、導電層全体で錆がより一層生じ難くなり、特にニッケル層に錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が22以下であると、導電性粒子の導電性が高くなる。導電性粒子の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Aにおける上記アルキル基の炭素数は16以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。 The rust preventive film is preferably formed of a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms (hereinafter, also referred to as compound A). The outer surface of the gold layer is preferably surface-treated with the compound A. When the number of carbon atoms of the alkyl group is 6 or more, rust is less likely to occur in the entire conductive layer, and in particular, rust is less likely to occur in the nickel layer. When the number of carbon atoms of the alkyl group is 22 or less, the conductivity of the conductive particles becomes high. From the viewpoint of further increasing the conductivity of the conductive particles, the number of carbon atoms of the alkyl group in the compound A is preferably 16 or less. The alkyl group may have a linear structure or a branched structure. The alkyl group preferably has a linear structure.

上記化合物Aは、炭素数6~22のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Aは、炭素数6~22のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩、炭素数6~22のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩、炭素数6~22のアルキル基を有するアルコキシシラン、炭素数6~22のアルキル基を有するアルキルチオール、及び炭素数6~22のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。すなわち、上記炭素数6~22のアルキル基を有する化合物Aは、リン酸エステル又はその塩、亜リン酸エステル又はその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール及びジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。これらの好ましい化合物Aの使用により、導電層に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Aは、上記リン酸エステルもしくはその塩、亜リン酸エステルもしくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステルもしくはその塩、又は、亜リン酸エステルもしくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Aは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The compound A is not particularly limited as long as it has an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. The compound A has a phosphoric acid ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof, a subphosphate ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof, and an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. It is preferably at least one selected from the group consisting of alkoxysilanes, alkylthiols having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms, and dialkyl disulfides having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. That is, the compound A having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms is at least one selected from the group consisting of a phosphate ester or a salt thereof, a phosphite ester or a salt thereof, an alkoxysilane, an alkylthiol and a dialkyldisulfide. Is preferable. By using these preferable compounds A, rust can be made less likely to occur in the conductive layer. From the viewpoint of making rust less likely to occur, the compound A is preferably a phosphoric acid ester or a salt thereof, a subphosphate ester or a salt thereof, or an alkylthiol, and the phosphoric acid ester or a salt thereof. Alternatively, it is more preferably a phosphite ester or a salt thereof. As the compound A, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記化合物Aは、ニッケル層の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましく、金層の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記化合物Aは、上記絶縁物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、金層と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記金層及び上記絶縁物質の双方と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、金層に錆がより一層生じ難くなり、かつ導電性粒子の表面から絶縁物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。 The compound A preferably has a reactive functional group that can react with the outer surface of the nickel layer, and preferably has a reactive functional group that can react with the outer surface of the gold layer. The compound A preferably has a reactive functional group capable of reacting with the insulating substance. The rust preventive film is preferably chemically bonded to the gold layer. The rust preventive film is preferably chemically bonded to the insulating substance. It is more preferable that the rust preventive film is chemically bonded to both the gold layer and the insulating substance. Due to the presence of the reactive functional groups and the chemical bonds, the rust-preventive film is less likely to peel off, and as a result, rust is less likely to occur on the gold layer, and the insulating substance is removed from the surface of the conductive particles. It becomes more difficult to detach unintentionally.

上記炭素数6~22のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。 Examples of the phosphoric acid ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof include a phosphoric acid hexyl ester, a phosphoric acid heptyl ester, a phosphoric acid monooctyl ester, a phosphoric acid monononyl ester, and a phosphoric acid monodecyl ester. Phosphoric acid monoundecyl ester, phosphoric acid monododecyl ester, phosphoric acid monotridecyl ester, phosphoric acid monotetradecyl ester, phosphoric acid monopentadecyl ester, phosphoric acid monohexyl ester monosodium salt, phosphoric acid monoheptyl ester monosodium Salt, monooctyl phosphate monosodium salt, mononoyl phosphate monosodium salt, monodecyl phosphate monosodium salt, monoundecyl ester monosodium phosphate, monododecyl phosphate monosodium salt, phosphoric acid Examples thereof include monotridecyl ester monosodium salt, phosphoric acid monotetradecyl ester monosodium salt and phosphoric acid monopentadecyl ester monosodium salt. The potassium salt of the above-mentioned phosphoric acid ester may be used.

上記炭素数6~22のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。 Examples of the phosphite ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof include succinic acid hexyl ester, sulphate heptyl ester, sulphate monooctyl ester, sulphate monononyl ester, and subsylum. Phosphoric acid monodecyl ester, phosphite monoundecyl ester, sulphate monododecyl ester, sulphate monotridecyl ester, sulphate monotetradecyl ester, sulphate monopentadecyl ester, sulphate monohexyl Ester monosodium salt, phosphite monoheptyl ester monosodium salt, phosphite monooctyl ester monosodium salt, phosphite monononyl ester monosodium salt, phosphite monodecyl ester monosodium salt, phosphite monoun Decyl ester monosodium salt, phosphite monododecyl ester monosodium salt, phosphite monotridecyl ester monosodium salt, phosphite monotetradecyl ester monosodium salt, phosphite monopentadecyl ester monosodium salt, etc. Can be mentioned. The potassium salt of the above phosphite ester may be used.

上記炭素数6~22のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the alkoxysilane having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, and nonyltri. Methoxysilane, nonyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, decyltriethoxysilane, undecyltrimethoxysilane, undecyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, tridecyltrimethoxysilane, tridecyltriethoxysilane Examples thereof include silane, tetradecyltrimethoxysilane, tetradecyltriethoxysilane, pentadecyltrimethoxysilane and pentadecyltriethoxysilane.

上記炭素数6~22のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。 Examples of the alkyl thiol having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include hexyl thiol, heptyl thiol, octyl thiol, nonyl thiol, decyl thiol, undecyl thiol, dodecyl thiol, tridecyl thiol, tetradecyl thiol and pentadecyl. Examples thereof include thiols and hexadecylthiols. The alkyl thiol preferably has a thiol group at the end of the alkyl chain.

上記炭素数6~22のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。 Examples of the dialkyl disulfide having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include dihexyl disulfide, diheptyl disulfide, dioctyl disulfide, dinonyl disulfide, didecyl disulfide, diundecyl disulfide, didodecyl disulfide, ditridecyl disulfide and ditetra. Examples thereof include decyl disulfide, dipenta decyl disulfide and dihexa decyl disulfide.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the above-mentioned conductive particles and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in the binder resin and used, and preferably dispersed in the binder resin and used as the conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection between electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material.

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。 The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used.

上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, elastomers and the like. Only one kind of the binder resin may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体、スチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン-ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル-スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, styrene resin and the like. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin and the like. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated additive of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogen additives for styrene block copolymers and the like can be mentioned. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material includes, for example, a filler, a bulking agent, a softening agent, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and a photostabilizing agent. It may contain various additives such as an agent, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant.

本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。 The conductive material according to the present invention can be used as a conductive paste, a conductive film, or the like. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film containing no conductive particles may be laminated on the conductive film containing the conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。 The content of the binder resin in 100% by weight of the conductive material is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, preferably 99% by weight. It is 99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further improved.

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 The content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 40% by weight or less, and more preferably 20% by weight or less. More preferably, it is 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further increased.

(接続構造体)
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting the members to be connected using the conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。 The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first and second connection target members, and the connection portion has the above-mentioned conductivity. It is preferably a connection structure formed of particles or a conductive material containing the above-mentioned conductive particles and a binder resin. When conductive particles are used, the connection portion itself is the conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.

図3に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に断面図で示す。 FIG. 3 schematically shows a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention in a cross-sectional view.

図3に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図3では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子21等を用いてもよい。 The connection structure 51 shown in FIG. 3 has a first connection target member 52, a second connection target member 53, and a connection portion 54 connecting the first and second connection target members 52 and 53. Be prepared. The connecting portion 54 is formed by curing a conductive material containing the conductive particles 1. In FIG. 3, the conductive particles 1 are shown schematically for convenience of illustration. Conductive particles 21 and the like may be used instead of the conductive particles 1.

第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。 The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52a on the surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on the surface (lower surface). The first electrode 52a and the second electrode 53a are electrically connected by one or more conductive particles 1. Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1.

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は9.8×10~4.9×10Pa程度である。上記加熱の温度は、120~220℃程度である。 The method for manufacturing the connection structure is not particularly limited. As an example of a method for manufacturing a connection structure, the conductive material is arranged between a first connection target member and a second connection target member, and after obtaining a laminate, the laminate is heated and pressurized. The method and the like can be mentioned. The pressurizing pressure is about 9.8 × 10 4 to 4.9 × 10 6 Pa. The heating temperature is about 120 to 220 ° C.

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。 Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors and diodes, and electronic components such as printed circuit boards, flexible printed circuit boards, glass epoxy boards and circuit boards such as glass substrates. The connection target member is preferably an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in electronic components.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrodes provided on the connection target member include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, silver electrodes, molybdenum electrodes, and tungsten electrodes. When the connection target member is a flexible printed substrate, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.

導電性粒子を得るために、下記の基材粒子を用意した。 The following base particles were prepared in order to obtain conductive particles.

基材粒子A:樹脂粒子;粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP-203」) Base particle A: Resin particles; Divinylbenzene copolymer resin particles having a particle diameter of 3.0 μm (“Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.)

基材粒子B:樹脂粒子;粒子径が3.0μmである樹脂粒子、ジビニルベンゼンとPTMGA(共栄社化学社製)とを重量比率3:7で重合して作製 Base particle B: Resin particles; Resin particles having a particle diameter of 3.0 μm, made by polymerizing divinylbenzene and PTMGA (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) at a weight ratio of 3: 7.

基材粒子C:
粒子径が2.5μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP-2025」)の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いてシリカシェル(厚み250nm)により被覆した粒子径が3.0μmのコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子C)を得た。
Base particle C:
The surface of divinylbenzene copolymer resin particles (“Micropearl SP-2025” manufactured by Sekisui Chemical Industry Co., Ltd.) having a particle size of 2.5 μm was coated with a silica shell (thickness 250 nm) using a condensation reaction by a sol-gel reaction. A core-shell type organic-inorganic hybrid particle (base particle C) having a particle diameter of 3.0 μm was obtained.

基材粒子D:
撹拌機及び温度計が取り付けられた500mLの反応容器内に、0.13重量%のアンモニア水溶液300gを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン4.1gと、ビニルトリメトキシシラン19.2gと、シリコーンアルコキシオリゴマー(信越化学工業社製「X-41-1053」)0.7gとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、25重量%アンモニア水溶液2.4mLを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧10-17atm、350℃で2時間焼成して、粒子径が3.0μmの有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子D)を得た。
Base particle D:
300 g of a 0.13 wt% ammonia aqueous solution was placed in a 500 mL reaction vessel equipped with a stirrer and a thermometer. Next, in the aqueous ammonia solution in the reaction vessel, 4.1 g of methyltrimethoxysilane, 19.2 g of vinyltrimethoxysilane, and 0.7 g of silicone alkoxy oligomer (“X-41-1053” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). The mixture with was added slowly. After advancing the hydrolysis and condensation reaction with stirring, 2.4 mL of 25 wt% ammonia aqueous solution was added, and then the particles were isolated from the ammonia aqueous solution, and the obtained particles were subjected to an oxygen partial pressure of 10-17 atm. , 350 ° C. for 2 hours to obtain organic-inorganic hybrid particles (base particle D) having a particle size of 3.0 μm.

基材粒子E:基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が2.5μmである基材粒子E Base particle E: Base particle E having a particle size of 2.5 μm, which differs from the base particle A only in particle size.

基材粒子F:基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が10.0μmである基材粒子F Base particle F: Base particle F having a particle size of 10.0 μm, which differs from the base particle A only in particle size.

防錆処理をするために、以下の防錆剤(化合物)を用いた。 The following rust preventives (compounds) were used for rust preventive treatment.

防錆剤A:2-エチルヘキシルアジッドホスフェイト Rust inhibitor A: 2-ethylhexyl azid phosphate

防錆剤B:ラウリルアジッドホスフェイト Rust inhibitor B: Lauryl azid phosphate

防錆剤C:ステアリアジッドホスフェイト Rust inhibitor C: Steariazid phosphate

(実施例1)
(1)ニッケル層の作製
パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記基材粒子A10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Aを取り出した。次いで、基材粒子Aをジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、基材粒子Aの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Aを十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、懸濁液を得た。
(Example 1)
(1) Preparation of Nickel Layer 10 parts by weight of the base particle A is dispersed in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, and then the solution is filtered. The base particle A was taken out. Next, the base particle A was added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the base particle A. The surface-activated substrate particles A were thoroughly washed with water, and then added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a suspension.

また、硫酸ニッケル0.25mol/L、次亜リン酸ナトリウム0.25mol/L、及びクエン酸ナトリウム0.15mol/Lを含むニッケルめっき液(pH9.0)を用意した。 Further, a nickel plating solution (pH 9.0) containing nickel sulfate 0.25 mol / L, sodium hypophosphite 0.25 mol / L, and sodium citrate 0.15 mol / L was prepared.

得られた懸濁液を70℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Aの表面にニッケル-リン合金導電層(厚み102nm)が配置された粒子を得た。 While stirring the obtained suspension at 70 ° C., the above nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Then, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water, and dried to obtain particles in which the nickel-phosphorus alloy conductive layer (thickness 102 nm) was arranged on the surface of the substrate particles A.

(2)金層の形成
基材粒子Aの表面にニッケル-リン合金導電層(厚み102nm)が配置された粒子を十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、懸濁液(1)を得た。
(2) Formation of gold layer After thoroughly washing the particles in which the nickel-phosphorus alloy conductive layer (thickness 102 nm) is arranged on the surface of the base particle A with water, the particles are added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to suspend the particles. A turbid liquid (1) was obtained.

また、シアン化金カリウム0.01mol/L、クエン酸ナトリウム0.20mol/L、エチレンジアミン四酢酸0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.5mol/Lを含む金めっき液(pH9.0)2Lを用意した。 2 L of gold plating solution (pH 9.0) containing 0.01 mol / L of potassium gold cyanide, 0.20 mol / L of sodium citrate, 0.08 mol / L of ethylenediaminetetraacetic acid, and 0.5 mol / L of sodium hydroxide. I prepared.

また、ジメチルアミンボラン0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.1mol/Lを含む還元剤溶液(pH9.0)1.5Lを用意した。 Further, 1.5 L of a reducing agent solution (pH 9.0) containing 0.08 mol / L of dimethylamine borane and 0.1 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

得られた懸濁液(1)を55℃にて攪拌しながら、上記金めっき液0.5Lを懸濁液に徐々に滴下し、置換金めっきを行った。 While stirring the obtained suspension (1) at 55 ° C., 0.5 L of the above gold plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform replacement gold plating.

次に、上記金めっき液1.5Lと上記還元剤溶液1.5Lとを同時に懸濁液に徐々に滴下し、還元金めっきを行った。 Next, 1.5 L of the gold plating solution and 1.5 L of the reducing agent solution were gradually added dropwise to the suspension at the same time to perform reduction gold plating.

その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、上記ニッケル-リン合金導電層の外表面上に金層(厚み14nm)が配置された粒子を得た。 Then, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water, and dried to obtain particles in which a gold layer (thickness 14 nm) was arranged on the outer surface of the nickel-phosphorus alloy conductive layer.

(3)防錆処理
上記防錆剤Aを用いて、粒子を分散させることにより、上記金層の外表面が防錆処理された導電性粒子を得た。
(3) Rust-preventive treatment By dispersing the particles using the rust-preventive agent A, conductive particles having the outer surface of the gold layer treated with rust-preventive treatment were obtained.

(実施例2)
シアン化金カリウム0.01mol/L、クエン酸ナトリウム0.20mol/L、エチレンジアミン四酢酸0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.5mol/Lを含む金めっき液(pH9.0)2Lを用意した。
(Example 2)
Prepare 2 L of gold plating solution (pH 9.0) containing 0.01 mol / L of potassium gold cyanide, 0.20 mol / L of sodium citrate, 0.08 mol / L of ethylenediaminetetraacetic acid, and 0.5 mol / L of sodium hydroxide. did.

また、ジメチルアミンボラン0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.1mol/Lを含む還元剤溶液(pH9.0)0.5Lを用意した。 Further, 0.5 L of a reducing agent solution (pH 9.0) containing 0.08 mol / L of dimethylamine borane and 0.1 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

実施例1で得られた懸濁液(1)を45℃にて攪拌しながら、上記金めっき液1.5Lを懸濁液に徐々に滴下し、置換金めっきを行った。 While stirring the suspension (1) obtained in Example 1 at 45 ° C., 1.5 L of the above gold plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform replacement gold plating.

次に、上記金めっき液0.5Lと還元剤溶液0.5Lとを同時に懸濁液に徐々に滴下し、還元金めっきを行った。 Next, 0.5 L of the gold plating solution and 0.5 L of the reducing agent solution were gradually added dropwise to the suspension at the same time to perform reduction gold plating.

その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、上記ニッケル-リン合金導電層の外表面上に金層(厚み14nm)が配置された粒子を得た。 Then, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water, and dried to obtain particles in which a gold layer (thickness 14 nm) was arranged on the outer surface of the nickel-phosphorus alloy conductive layer.

上記の変更をしたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the above changes were made.

(実施例3)
防錆処理を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 3)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the rust preventive treatment was not performed.

(実施例4)
シアン化金カリウム0.013mol/L、クエン酸ナトリウム0.20mol/L、エチレンジアミン四酢酸0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.5mol/Lを含む金めっき液(pH9.0)2Lを用意した。
(Example 4)
Prepare 2 L of gold plating solution (pH 9.0) containing 0.013 mol / L of potassium gold cyanide, 0.20 mol / L of sodium citrate, 0.08 mol / L of ethylenediaminetetraacetic acid, and 0.5 mol / L of sodium hydroxide. did.

また、ジメチルアミンボラン0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.1mol/Lを含む還元剤溶液(pH9.0)1.5Lを用意した。 Further, 1.5 L of a reducing agent solution (pH 9.0) containing 0.08 mol / L of dimethylamine borane and 0.1 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

実施例1で得られた懸濁液(1)を55℃にて攪拌しながら、上記金めっき液0.5Lを懸濁液に徐々に滴下し、置換金めっきを行った。 While stirring the suspension (1) obtained in Example 1 at 55 ° C., 0.5 L of the above gold plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform replacement gold plating.

次に、上記金めっき液1.5Lと還元剤溶液1.5Lとを同時に懸濁液に徐々に滴下し、還元金めっきを行った。 Next, 1.5 L of the gold plating solution and 1.5 L of the reducing agent solution were gradually added dropwise to the suspension at the same time to perform reduction gold plating.

その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、上記ニッケル-リン合金導電層の外表面上に金層(厚み22nm)が配置された粒子を得た。 Then, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water, and dried to obtain particles in which a gold layer (thickness 22 nm) was arranged on the outer surface of the nickel-phosphorus alloy conductive layer.

上記の金めっき条件に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the gold plating conditions were changed to the above.

(実施例5)
シアン化金カリウム0.02mol/L、クエン酸ナトリウム0.20mol/L、エチレンジアミン四酢酸0.10mol/L、及び水酸化ナトリウム0.5mol/Lを含む金めっき液(pH9.0)2Lを用意した。
(Example 5)
Prepare 2 L of gold plating solution (pH 9.0) containing 0.02 mol / L of potassium gold cyanide, 0.20 mol / L of sodium citrate, 0.10 mol / L of ethylenediaminetetraacetic acid, and 0.5 mol / L of sodium hydroxide. did.

また、ジメチルアミンボラン0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.1mol/Lを含む還元剤溶液(pH9.0)1.5Lを用意した。 Further, 1.5 L of a reducing agent solution (pH 9.0) containing 0.08 mol / L of dimethylamine borane and 0.1 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

実施例1で得られた懸濁液(1)を55℃にて攪拌しながら、上記金めっき液0.5Lを懸濁液に徐々に滴下し、置換金めっきを行った。 While stirring the suspension (1) obtained in Example 1 at 55 ° C., 0.5 L of the above gold plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform replacement gold plating.

次に、上記金めっき液1.5Lと還元剤溶液1.5Lとを同時に懸濁液に徐々に滴下し、還元金めっきを行った。 Next, 1.5 L of the gold plating solution and 1.5 L of the reducing agent solution were gradually added dropwise to the suspension at the same time to perform reduction gold plating.

その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、上記ニッケル-リン合金導電層の外表面上に金層(厚み29nm)が配置された粒子を得た。 Then, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water, and dried to obtain particles in which a gold layer (thickness 29 nm) was arranged on the outer surface of the nickel-phosphorus alloy conductive layer.

上記の金めっき条件に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the gold plating conditions were changed to the above.

(実施例6)
防錆剤Bを用いて、粒子を分散させることにより、金層の外表面が防錆処理されたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 6)
By dispersing the particles using the rust preventive agent B, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the outer surface of the gold layer was rust-proofed.

(実施例7)
防錆剤Cを用いて、粒子を分散させることにより、金層の外表面が防錆処理されたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 7)
By dispersing the particles using the rust preventive agent C, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the outer surface of the gold layer was rust-proofed.

(実施例8)
上記基材粒子Aをエッチングし、水洗した。次に、パラジウム触媒を8重量%含むパラジウム触媒化液100mL中に上記基材粒子Aを添加し、攪拌した。その後、ろ過し、洗浄した。pH6の0.5重量%ジメチルアミンボラン液に上記基材粒子Aを添加し、パラジウムが付着された基材粒子Aを得た。
(Example 8)
The base particle A was etched and washed with water. Next, the substrate particles A were added to 100 mL of a palladium-catalyzed solution containing 8% by weight of a palladium catalyst, and the mixture was stirred. Then it was filtered and washed. The base particle A was added to a 0.5 wt% dimethylamine borane solution having a pH of 6, to obtain a base particle A to which palladium was attached.

パラジウムが付着された基材粒子Aをイオン交換水300mL中で3分間攪拌し、分散させ、分散液を得た。次に、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径100nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Aを得た。 The base particle A to which palladium was attached was stirred in 300 mL of ion-exchanged water for 3 minutes and dispersed to obtain a dispersion liquid. Next, 1 g of a metallic nickel particle slurry (average particle diameter 100 nm) was added to the dispersion liquid over 3 minutes to obtain base particle A to which a core substance was attached.

芯物質が付着された基材粒子Aを用いたこと以外は実施例1と同様にして、ニッケル層及び金層を形成し、導電性粒子を得た。 A nickel layer and a gold layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base particle A to which the core substance was attached was used, and conductive particles were obtained.

(実施例9)
次亜リン酸ナトリウムを含む前期無電解ニッケルめっき液を用意した。さらに、次亜リン酸ナトリウムを含む後期無電解ニッケルめっき液を用意した。
(Example 9)
An electroless nickel plating solution containing sodium hypophosphite was prepared. Further, a late electroless nickel plating solution containing sodium hypophosphite was prepared.

また、次亜リン酸ナトリウム2.18mol/L及び水酸化ナトリウム0.05mol/Lを含む突起形成用めっき液を用意した。 Further, a plating solution for forming protrusions containing 2.18 mol / L of sodium hypophosphite and 0.05 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

上記基材粒子Aと、上記前期無電解ニッケルめっき液とを用いて、無電解めっき処理した。次に、その後、導電層に突起を形成するために、突起形成用めっき液を徐々に滴下し、突起を形成した。めっき液中に発生したNi突起核を超音波撹拌により分散しながらニッケルめっきを行った。上記後期無電解ニッケルめっき液を用いて、無電解めっき処理することにより、樹脂粒子の表面上にニッケル層(ニッケル-リン合金導電層、厚み102nm)と析出突起とが形成された粒子を得た。その後、実施例1と同様にして金層を形成して、導電性粒子を得た。 The electroless plating treatment was performed using the base particle A and the electroless nickel plating solution of the previous term. Next, in order to form protrusions on the conductive layer, a plating solution for forming protrusions was gradually dropped to form protrusions. Nickel plating was performed while dispersing the Ni protrusion nuclei generated in the plating solution by ultrasonic stirring. By electroless plating using the above-mentioned late electroless nickel plating solution, particles having a nickel layer (nickel-phosphorus alloy conductive layer, thickness 102 nm) and precipitation protrusions formed on the surface of the resin particles were obtained. .. Then, a gold layer was formed in the same manner as in Example 1 to obtain conductive particles.

(実施例10)
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N-トリメチル-N-2-メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’-アゾビス(2-アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるようにイオン交換水に秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。
(Example 10)
100 mmol of methyl methacrylate and N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloyloxyethyl in a 1000 mL separable flask equipped with a 4-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, cooling tube and temperature probe. A monomer composition containing 1 mmol of ammonium chloride and 1 mmol of 2,2'-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed in ion-exchanged water so that the solid content was 5% by weight, and then at 200 rpm. The mixture was stirred and polymerized at 70 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, freeze-drying was performed to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface, an average particle size of 220 nm and a CV value of 10%.

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。 The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles.

実施例8で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。3μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。 10 g of the conductive particles obtained in Example 8 were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtering with a 3 μm mesh filter, the mixture was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles to which insulating particles were attached.

走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積(即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は30%であった。 When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. When the covering area of the insulating particles (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) was calculated for an area of 2.5 μm from the center of the conductive particles by image analysis, the covering ratio was 30%.

(実施例11)
ジメチルアミンボランを含む前期無電解ニッケルめっき液を用意した。さらに、ジメチルアミンボランを含む後期無電解ニッケルめっき液を用意した。
(Example 11)
An electroless nickel plating solution containing dimethylamine borane was prepared. Further, a late electroless nickel plating solution containing dimethylamine borane was prepared.

また、ジメチルアミンボラン2.0mol/L及び水酸化ナトリウム0.05mol/Lを含む突起形成用めっき液を用意した。 In addition, a projection-forming plating solution containing 2.0 mol / L of dimethylamine borane and 0.05 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

上記基材粒子Aと、上記前期無電解ニッケルめっき液とを用いて、無電解めっき処理した。次に、その後、導電層に突起を形成するために、突起形成用めっき液を徐々に滴下し、突起を形成した。めっき液中に発生したNi突起核を超音波撹拌により分散しながらニッケルめっきを行った。上記後期無電解ニッケルめっき液を用いて、無電解めっき処理することにより、樹脂粒子の表面上にニッケル層(ニッケル-ボロン合金導電層、厚み102nm)と析出突起とが形成された粒子を得た。その後、実施例1と同様にして金層を形成して、導電性粒子を得た。 The electroless plating treatment was performed using the base particle A and the electroless nickel plating solution of the previous term. Next, in order to form protrusions on the conductive layer, a plating solution for forming protrusions was gradually dropped to form protrusions. Nickel plating was performed while dispersing the Ni protrusion nuclei generated in the plating solution by ultrasonic stirring. By electroless plating using the above-mentioned late electroless nickel plating solution, particles having a nickel layer (nickel-boron alloy conductive layer, thickness 102 nm) and precipitation protrusions formed on the surface of the resin particles were obtained. .. Then, a gold layer was formed in the same manner as in Example 1 to obtain conductive particles.

(実施例12)
次亜リン酸ナトリウムとタングステン酸ナトリウムとを含む前期無電解ニッケルめっき液を用意した。さらに、次亜リン酸ナトリウムとタングステン酸ナトリウムとを含む後期無電解ニッケルめっき液を用意した。
(Example 12)
An electroless nickel plating solution containing sodium hypophosphite and sodium tungstate was prepared. Further, a late electroless nickel plating solution containing sodium hypophosphite and sodium tungstate was prepared.

また、次亜リン酸ナトリウム2.18mol/L及び水酸化ナトリウム0.05mol/Lを含む突起形成用めっき液を用意した。 Further, a plating solution for forming protrusions containing 2.18 mol / L of sodium hypophosphite and 0.05 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

上記基材粒子Aと、上記前期無電解ニッケルめっき液とを用いて、無電解めっき処理した。次に、その後、導電層に突起を形成するために、突起形成用めっき液を徐々に滴下し、突起を形成した。めっき液中に発生したNi突起核を超音波撹拌により分散しながらニッケルめっきを行った。上記後期無電解ニッケルめっき液を用いて、無電解めっき処理することにより、樹脂粒子の表面上にニッケル層(ニッケル-タングステン-リン合金導電層、厚み102nm)と析出突起とが形成された粒子を得た。その後、実施例1と同様にして金層を形成して、導電性粒子を得た。 The electroless plating treatment was performed using the base particle A and the electroless nickel plating solution of the previous term. Next, in order to form protrusions on the conductive layer, a plating solution for forming protrusions was gradually dropped to form protrusions. Nickel plating was performed while dispersing the Ni protrusion nuclei generated in the plating solution by ultrasonic stirring. By electroless plating using the above-mentioned late electroless nickel plating solution, particles having a nickel layer (nickel-tungsten-phosphorus alloy conductive layer, thickness 102 nm) and precipitation protrusions formed on the surface of the resin particles are formed. Obtained. Then, a gold layer was formed in the same manner as in Example 1 to obtain conductive particles.

(実施例13)
ジメチルアミンボランとタングステン酸ナトリウムとを含む前期無電解ニッケルめっき液を用意した。さらに、ジメチルアミンボランとタングステン酸ナトリウムとを含む後期無電解ニッケルめっき液を用意した。
(Example 13)
An electroless nickel plating solution containing dimethylamine borane and sodium tungstate was prepared. Further, a late electroless nickel plating solution containing dimethylamine borane and sodium tungstate was prepared.

また、ジメチルアミンボラン2.0mol/L及び水酸化ナトリウム0.05mol/Lを含む突起形成用めっき液を用意した。 In addition, a projection-forming plating solution containing 2.0 mol / L of dimethylamine borane and 0.05 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

上記基材粒子Aと、上記前期無電解ニッケルめっき液とを用いて、無電解めっき処理した。次に、その後、導電層に突起を形成するために、突起形成用めっき液を徐々に滴下し、突起を形成した。めっき液中に発生したNi突起核を超音波撹拌により分散しながらニッケルめっきを行った。上記後期無電解ニッケルめっき液を用いて、無電解めっき処理することにより、樹脂粒子の表面上にニッケル層(ニッケル-タングステン-ボロン合金導電層、厚み102nm)と析出突起とが形成された粒子を得た。その後、実施例1と同様にして金層を形成して、導電性粒子を得た。 The electroless plating treatment was performed using the base particle A and the electroless nickel plating solution of the previous term. Next, in order to form protrusions on the conductive layer, a plating solution for forming protrusions was gradually dropped to form protrusions. Nickel plating was performed while dispersing the Ni protrusion nuclei generated in the plating solution by ultrasonic stirring. By electroless plating using the above-mentioned late electroless nickel plating solution, particles having a nickel layer (nickel-tungsten-boron alloy conductive layer, thickness 102 nm) and precipitation protrusions formed on the surface of the resin particles are formed. Obtained. Then, a gold layer was formed in the same manner as in Example 1 to obtain conductive particles.

(実施例14)
基材粒子Aを、基材粒子Bに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 14)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particle A was changed to the base particle B.

(実施例15)
基材粒子Aを、基材粒子Cに変更したこと以外は実施例1と同様にして、ニッケル層(ニッケル-リン合金導電層)及び金層を形成して、導電性粒子を得た。
(Example 15)
A nickel layer (nickel-phosphorus alloy conductive layer) and a gold layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base particle A was changed to the base particle C to obtain conductive particles.

(実施例16)
基材粒子Aを、基材粒子Dに変更したこと以外は実施例1と同様にして、ニッケル層(ニッケル-リン合金導電層)及び金層を形成して、導電性粒子を得た。
(Example 16)
A nickel layer (nickel-phosphorus alloy conductive layer) and a gold layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base particle A was changed to the base particle D to obtain conductive particles.

(実施例17)
基材粒子Aを、基材粒子Eに変更したこと以外は実施例1と同様にして、ニッケル層(ニッケル-リン合金導電層)及び金層を形成して、導電性粒子を得た。
(Example 17)
A nickel layer (nickel-phosphorus alloy conductive layer) and a gold layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base particle A was changed to the base particle E to obtain conductive particles.

(実施例18)
基材粒子Aを、基材粒子Fに変更したこと以外は実施例1と同様にして、ニッケル層(ニッケル-リン合金導電層)及び金層を形成して、導電性粒子を得た。
(Example 18)
A nickel layer (nickel-phosphorus alloy conductive layer) and a gold layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base particle A was changed to the base particle F to obtain conductive particles.

(実施例19)
(1)ニッケル層の形成
パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記基材粒子A10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Aを取り出した。次いで、基材粒子Aをジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、基材粒子Aの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Aを十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、懸濁液を得た。
(Example 19)
(1) Formation of Nickel Layer 10 parts by weight of the base particle A is dispersed in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, and then the solution is filtered. The base particle A was taken out. Next, the base particle A was added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the base particle A. The surface-activated substrate particles A were thoroughly washed with water, and then added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a suspension.

また、硫酸ニッケル0.25mol/L、次亜リン酸ナトリウム0.25mol/L、クエン酸ナトリウム0.15mol/L及びタングステン酸ナトリウム0.12mol/Lを含むニッケルめっき液(pH7.0)を用意した。 Further, a nickel plating solution (pH 7.0) containing nickel sulfate 0.25 mol / L, sodium hypophosphite 0.25 mol / L, sodium citrate 0.15 mol / L and sodium tungstate 0.12 mol / L was prepared. did.

得られた懸濁液を60℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。続いて、硫酸ニッケル0.25mol/L、次亜リン酸ナトリウム0.25mol/L、クエン酸ナトリウム0.15mol/L及びタングステン酸ナトリウム0.12mol/Lを含むニッケルめっき液(pH10.0)を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Aの表面にニッケル-タングステン-リン合金導電層(厚み102nm)が配置された粒子を得た。 While stirring the obtained suspension at 60 ° C., the above nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Subsequently, a nickel plating solution (pH 10.0) containing nickel sulfate 0.25 mol / L, sodium hypophosphite 0.25 mol / L, sodium citrate 0.15 mol / L and sodium tungstate 0.12 mol / L was applied. It was gradually added dropwise to the suspension and electroless nickel plating was performed. Then, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water, and dried to obtain particles in which a nickel-tungsten-phosphorus alloy conductive layer (thickness 102 nm) was arranged on the surface of the base particle A. ..

得られた粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、金層を形成し、導電性粒子を得た。 A gold layer was formed in the same manner as in Example 1 except that the obtained particles were used, and conductive particles were obtained.

(比較例1)
シアン化金カリウム0.01mol/L、クエン酸ナトリウム0.20mol/L、エチレンジアミン四酢酸0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.5mol/Lを含む金めっき液(pH9.0)2Lを用意した。
(Comparative Example 1)
Prepare 2 L of gold plating solution (pH 9.0) containing 0.01 mol / L of potassium gold cyanide, 0.20 mol / L of sodium citrate, 0.08 mol / L of ethylenediaminetetraacetic acid, and 0.5 mol / L of sodium hydroxide. did.

得られた懸濁液を45℃にて攪拌しながら、上記金めっき液2.0Lを懸濁液に徐々に滴下し、置換金めっきを行った。 While stirring the obtained suspension at 45 ° C., 2.0 L of the above gold plating solution was gradually added dropwise to the suspension for substitution gold plating.

その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、上記ニッケル-リン合金導電層の外表面上に金層(厚み14nm)が配置された粒子を得た。 Then, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water, and dried to obtain particles in which a gold layer (thickness 14 nm) was arranged on the outer surface of the nickel-phosphorus alloy conductive layer.

上記の金めっき条件にて、金層を形成したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that a gold layer was formed under the above gold plating conditions.

(比較例2)
シアン化金カリウム0.01mol/L、クエン酸ナトリウム0.20mol/L、エチレンジアミン四酢酸0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.5mol/Lを含む金めっき液(pH9.0)2Lを用意した。
(Comparative Example 2)
Prepare 2 L of gold plating solution (pH 9.0) containing 0.01 mol / L of potassium gold cyanide, 0.20 mol / L of sodium citrate, 0.08 mol / L of ethylenediaminetetraacetic acid, and 0.5 mol / L of sodium hydroxide. did.

また、ジメチルアミンボラン0.08mol/L、及び水酸化ナトリウム0.1mol/Lを含む還元剤溶液(pH9.0)1.9Lを用意した。 Further, 1.9 L of a reducing agent solution (pH 9.0) containing 0.08 mol / L of dimethylamine borane and 0.1 mol / L of sodium hydroxide was prepared.

実施例1で得られた懸濁液(1)を60℃にて攪拌しながら、上記金めっき液0.1Lを懸濁液に徐々に滴下し、置換金めっきを行った。 While stirring the suspension (1) obtained in Example 1 at 60 ° C., 0.1 L of the above gold plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform replacement gold plating.

次に、上記金めっき液1.9Lと還元剤溶液1.9Lとを同時に懸濁液に徐々に滴下し、還元金めっきを行った。 Next, 1.9 L of the gold plating solution and 1.9 L of the reducing agent solution were gradually added dropwise to the suspension at the same time to perform reduction gold plating.

その後、懸濁液を濾過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、上記ニッケル-リン合金導電層の外表面上に金層(厚み14nm)が配置された粒子を得た。 Then, the suspension was filtered to take out the particles, washed with water, and dried to obtain particles in which a gold layer (thickness 14 nm) was arranged on the outer surface of the nickel-phosphorus alloy conductive layer.

上記の変更をしたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the above changes were made.

(評価)
(1)結晶子サイズ(結晶の大きさ)
X線回折装置(理学電機社製「RINT2500VHF」)を用いて、回折角に依存する装置固有の回折線の自然幅を関数近似によって算出し、得られた回折線の拡がりが「格子歪が全くない」と仮定できる時は、その拡がりを表す半価幅もしくは積分幅をScherrerの式に代入して、結晶子の大きさを算出した。
(evaluation)
(1) Crystallite size (crystal size)
Using an X-ray diffractometer (“RINT2500VHF” manufactured by Rigaku Denki Co., Ltd.), the natural width of the diffraction line peculiar to the device depending on the diffraction angle was calculated by function approximation, and the spread of the obtained diffraction line was “no lattice distortion at all”. When it can be assumed that there is no such thing, the half-value width or the integrated width representing the spread is substituted into the Scherrer equation to calculate the crystallite size.

結晶子サイズ(nm)=K・λ/(β・cosθ)
K:Scherrer定数
λ:使用X線管球の波長
β:結晶子の大きさによる回折線の拡がり
θ:回折角 2θ/θ
Crystallite size (nm) = K · λ / (β · cosθ)
K: Scherrer constant λ: Wavelength of X-ray tube used β: Diffraction line spread due to crystallite size θ: Diffraction angle 2 θ / θ

結晶子サイズ(結晶の大きさ)を下記の基準で判定した。 The crystallite size (crystal size) was determined according to the following criteria.

[結晶子サイズ(結晶の大きさ)の判定基準]
A:結晶の大きさが100nmを超え、300nm以下
B:結晶大きさが15nmを超え、100nm以下
C:結晶大きさが15nm以下
[Criteria for determining crystallite size (crystal size)]
A: Crystal size exceeds 100 nm, 300 nm or less B: Crystal size exceeds 15 nm, 100 nm or less C: Crystal size exceeds 15 nm

(2)ニッケル層(導電層)100重量%中のニッケル、リン及びボロンの含有量
集束イオンビームを用いて、得られた導電性粒子の薄膜切片を作製した。透過型電子顕微鏡FE-TEM(日本電子社製「JEM-2010FEF」)を用いて、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)により、導電層におけるニッケル、リン及びボロンの各含有量を測定した。ニッケル層全体における含有量を求めた。
(2) Content of Nickel, Phosphorus and Boron in 100% by Weight of Nickel Layer (Conductive Layer) A thin film section of the obtained conductive particles was prepared using a focused ion beam. The contents of nickel, phosphorus and boron in the conductive layer were measured by an energy dispersive X-ray analyzer (EDS) using a transmission electron microscope FE-TEM (“JEM-2010FEF” manufactured by JEOL Ltd.). The content in the entire nickel layer was determined.

(3)初期の接続抵抗
得られた導電性粒子を含有量が10重量%となるように、三井化学社製「ストラクトボンドXN-5A」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。
(3) Initial connection resistance The obtained conductive particles are added to "Stract Bond XN-5A" manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. so that the content is 10% by weight, and dispersed to form an anisotropic conductive paste. Made.

L/Sが20μm/20μmであるITO電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、L/Sが20μm/20μmである金電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。 A transparent glass substrate having an ITO electrode pattern having an L / S of 20 μm / 20 μm on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having a gold electrode pattern having an L / S of 20 μm / 20 μm on the lower surface was prepared.

上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ30μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が185℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、1MPaの圧力をかけて異方性導電ペースト層を185℃で硬化させて、接続構造体を得た。 An anisotropic conductive paste immediately after production was applied onto the transparent glass substrate so as to have a thickness of 30 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the semiconductor chips were laminated on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. After that, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., the pressurized heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 1 MPa is applied to form the anisotropic conductive paste layer. It was cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.

得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗を、4端子法により測定した。2つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。 The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained connection structure was measured by the 4-terminal method. The average value of the two connection resistances was calculated. From the relationship of voltage = current × resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. The initial connection resistance was determined according to the following criteria.

[初期の接続抵抗の判定基準]
○○:接続抵抗が2.0Ω以下
○:接続抵抗が2.0Ωを超え、3.0Ω以下
△:接続抵抗が3.0Ωを超え、5.0Ω以下
×:接続抵抗が5.0Ωを超える
[Criteria for initial connection resistance]
○ ○: Connection resistance is 2.0Ω or less ○: Connection resistance is more than 2.0Ω, 3.0Ω or less △: Connection resistance is more than 3.0Ω, 5.0Ω or less ×: Connection resistance is more than 5.0Ω

(4)信頼性試験後の接続抵抗(導通信頼性)
上記(3)初期の接続抵抗の評価で得られた接続構造体を、95℃の条件で放置した。放置開始から150時間後に、上記(3)初期の接続抵抗の評価と同様に電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。信頼性試験後の接続抵抗を下記の基準で判定した。
(4) Connection resistance after reliability test (conduction reliability)
The connection structure obtained in the above (3) initial evaluation of connection resistance was left under the condition of 95 ° C. After 150 hours from the start of leaving, the connection resistance between the electrodes was measured by the 4-terminal method in the same manner as in the evaluation of the initial connection resistance in (3) above. The connection resistance after the reliability test was judged according to the following criteria.

[信頼性試験後の接続抵抗の判定基準]
○○:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が125%未満
○:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が125%以上、150%未満
△:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が150%以上、200%未満
×:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が200%以上
[Criteria for connecting resistance after reliability test]
○ ○: The average value of the connection resistance (after leaving) is less than 125% compared to the average value of the connection resistance (before leaving) ○: The average value of the connection resistance (after leaving) compared to the average value of the connection resistance (before leaving) Values are 125% or more and less than 150% Δ: Average value of connection resistance (after leaving) is 150% or more and less than 200% compared to the average value of connection resistance (before leaving) ×: Average of connection resistance (before leaving) Compared to the value, the average value of connection resistance (after leaving) is 200% or more.

結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.

Figure 2022084620000002
Figure 2022084620000002

なお、上記(4)信頼性試験後の接続抵抗の評価では、得られた接続構造体を95℃の条件で放置した。接続構造体を得る前の導電性粒子を95℃の条件で放置した後に、接続構造体を得た場合にも、接続抵抗の上昇傾向について、上記(4)信頼性試験後の接続抵抗の評価結果と同様の傾向が見られた。 In the evaluation of the connection resistance after the above (4) reliability test, the obtained connection structure was left under the condition of 95 ° C. Even when the connection structure is obtained after the conductive particles are left at 95 ° C. before the connection structure is obtained, the tendency of the connection resistance to increase is evaluated in (4) Evaluation of the connection resistance after the reliability test. Similar trends were seen in the results.

1…導電性粒子
2…基材粒子
3…ニッケル層(第一の導電層)
4…金層
21…導電性粒子
21a…突起
22…ニッケル層(第一の導電層)
22a…突起
23…金層
23a…突起
24…芯物質
25…絶縁物質
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
1 ... Conductive particles 2 ... Base particles 3 ... Nickel layer (first conductive layer)
4 ... Gold layer 21 ... Conductive particles 21a ... Protrusions 22 ... Nickel layer (first conductive layer)
22a ... Protrusion 23 ... Gold layer 23a ... Protrusion 24 ... Core material 25 ... Insulation material 51 ... Connection structure 52 ... First connection target member 52a ... First electrode 53 ... Second connection target member 53a ... Second Electrode 54 ... Connection

Claims (17)

基材粒子と、第一の導電層と、金を含む金層とを備え、
前記第一の導電層が、前記基材粒子の表面上に配置されており、
前記金層が、前記第一の導電層の外表面上に配置されており、
前記金層における結晶子サイズが15nmを超え、300nm以下である、導電性粒子。
A base particle, a first conductive layer, and a gold layer containing gold are provided.
The first conductive layer is arranged on the surface of the base particles, and the first conductive layer is arranged on the surface of the base particles.
The gold layer is arranged on the outer surface of the first conductive layer.
Conductive particles having a crystallite size of more than 15 nm and not more than 300 nm in the gold layer.
前記第一の導電層がニッケル、銅、タングステン又はモリブデンを含む、請求項1に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein the first conductive layer contains nickel, copper, tungsten or molybdenum. 前記第一の導電層がニッケルを含むニッケル層である、請求項1又は2に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to claim 1 or 2, wherein the first conductive layer is a nickel layer containing nickel. 前記第一の導電層がニッケルとリンとを含むニッケル層である、請求項3に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to claim 3, wherein the first conductive layer is a nickel layer containing nickel and phosphorus. 前記金層の厚みが30nm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 4, wherein the thickness of the gold layer is 30 nm or less. 前記金層の厚みが15nm未満である、請求項5に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to claim 5, wherein the thickness of the gold layer is less than 15 nm. 前記金層の外表面が防錆処理されている、請求項1~6のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 6, wherein the outer surface of the gold layer is rust-proofed. 前記金層の外表面が、炭素数6~22のアルキル基を有する化合物により防錆処理されている、請求項7に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to claim 7, wherein the outer surface of the gold layer is rust-proofed with a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. 前記金層の外表面が、リンを含まない化合物により防錆処理されている、請求項7又は8に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to claim 7 or 8, wherein the outer surface of the gold layer is rust-proofed with a phosphorus-free compound. 前記ニッケル層がニッケルとリンとを含み、
前記ニッケル層の厚み方向において、リンが、前記基材粒子側よりも前記金層側の方で多く存在するように偏在している、請求項1~9のいずれか1項に記載の導電性粒子。
The nickel layer contains nickel and phosphorus and contains
The conductivity according to any one of claims 1 to 9, wherein phosphorus is unevenly distributed on the gold layer side rather than on the base particle side in the thickness direction of the nickel layer. particle.
前記金層の外表面に複数の突起を有する、請求項1~10のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 10, which has a plurality of protrusions on the outer surface of the gold layer. 前記金層の内部又は内側において、複数の前記突起を形成するように、前記金層の外表面を隆起させている複数の芯物質を備える、請求項11に記載の導電性粒子。 11. The conductive particle according to claim 11, further comprising a plurality of core substances that raise the outer surface of the gold layer so as to form the plurality of protrusions inside or inside the gold layer. 前記芯物質の材料のモース硬度が5以上である、請求項12に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to claim 12, wherein the material of the core substance has a Mohs hardness of 5 or more. 前記金層の外表面の全表面積100%中、前記突起がある部分の表面積が30%以上である、請求項11~13のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 11 to 13, wherein the surface area of the portion having the protrusion is 30% or more in the total surface area of the outer surface of the gold layer of 100%. 前記金層の外表面上に配置された絶縁物質を備える、請求項1~14のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 14, comprising an insulating material arranged on the outer surface of the gold layer. 請求項1~15のいずれか1項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。 A conductive material containing the conductive particles according to any one of claims 1 to 15 and a binder resin. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、 前記接続部が、請求項1~15のいずれか1項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection target member having a first electrode on its surface,
A second connection target member having a second electrode on the surface,
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is provided, and the connection portion is formed of the conductive particles according to any one of claims 1 to 15. Or is formed of a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
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