JP2022083996A - 基板処理装置及び支持ユニットの結合方法 - Google Patents

基板処理装置及び支持ユニットの結合方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、基板処理装置を提供する。【解決手段】一例で、基板処理装置は、お互いに組合されて内部に基板を処理する処理空間を有する第１ボディーと第２ボディーを有する工程チャンバと、工程チャンバを開放位置または閉鎖位置に移動させる駆動機と、処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、処理空間に流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、支持ユニットは、第１ボディーまたは第２ボディーに結合される支持ピンと、そして支持ピンに結合されて支持ピンの側方向に延長されて基板を支持するガイド部材と、を含むことができる。【選択図】図３

Description

本発明は、工程チャンバ内で基板を支持する支持ユニットを含む基板処理装置と支持ユニットを工程チャンバに結合する方法に関するものである。
一般に、半導体素子はウェハーのような基板から製造する。具体的に、半導体素子は蒸着工程、フォトリソグラフィ工程、洗浄工程、乾燥固定、蝕刻工程などを遂行して基板の上部面に微細な回路パターンを形成して製造される。
一般に、洗浄工程はケミカルを基板に供給して基板上の異物を除去するケミカル処理、純水を基板に供給して基板上に残留するケミカルを除去するリンス処理、そして基板上に残留する純水を除去する乾燥処理を含む。
基板の乾燥処理のために超臨界流体が使用される。一例によれば、基板上の純水を有機溶剤で置換した後、チャンバ内で超臨界流体を基板の上部面に供給して基板上に残っている有機溶剤を超臨界流体に溶解させて基板から除去する。有機溶剤でイソプロフィルアルコール(isopropyl alcohol：以下、ＩＰＡ)が使用される場合、超臨界流体としては臨界温度及び臨界圧力が相対的に低く、ＩＰＡがよく溶解される二酸化炭素(ＣＯ２)が使用される。
超臨界流体を利用した基板の処理は次のようである。基板がチャンバ内に搬入されれば、チャンバ内に超臨界状態の二酸化炭素が供給されてチャンバ内部を加圧し、以後超臨界流体の供給及びチャンバ内の排気を繰り返しながら超臨界流体で基板を処理する。そして、基板の処理が完了すれば、チャンバ内部を排気して減圧する。チャンバを排気した以後に、チャンバを開放して基板を除去し、チャンバを補修する過程を経る。
一般に、チャンバ内に基板を支持するために提供される支持ユニットはボルトなどによって工程チャンバに結合される。しかし、ボルトのような部品は処理空間内でパーティクルを発生させる。
また、支持ユニットの部品を交替し難いし、チャンバ内に基板を支持するために提供される支持ユニットの高さと水平を合わせ難い問題などがある。
本発明は、処理空間内にパーティクル発生を最小にする支持ユニットを含む基板処理装置及び支持ユニットを結合する方法を提供することを一目的とする。
また、本発明は部品交替することが容易な支持ユニットを含む基板処理装置及び支持ユニットを結合する方法を提供することを一目的とする。
また、本発明は水平を合わせることが容易な支持ユニットを含む基板処理装置及び支持ユニットを結合する方法を提供することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
本発明は、基板処理装置を提供する。一例で、基板処理装置は、お互いに組合されて内部に基板を処理する処理空間を有する第１ボディーと第２ボディーを有する工程チャンバと、工程チャンバを開放位置または閉鎖位置に移動させる駆動機と、処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、処理空間に流体を供給する流体供給ユニットとを、含み、支持ユニットは、第１ボディーまたは第２ボディーに結合される支持ピンと、そして支持ピンに結合されて支持ピンの側方向に延長されて基板を支持するガイド部材を含むことができる。
一例で、支持ピンは第１ボディーまたは第２ボディーに溶接結合されることができる。
一例で、ガイド部材は支持ピンに差し込み結合されることができる。
一例で、ガイド部材は、支持ユニットに置かれた基板の底面と接触する突起形状の接触部を含み、接触部は研磨が可能な材質で提供されることができる。
一例で、接触部は複数個提供されてそれぞれの接触部は、支持ユニットに置かれた基板が水平になるように研磨されることができる。
一例で、接触部は、ポリイミド(ＰＩ：Polyimide)、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ：Polyetheretherketone)、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ：Polytetrafluoroethylene)系列の樹脂またはセラミックスのうちで何れか一つに提供されることができる。
一例で、ガイド部材は、支持ピンに結合されてガイド部材の離脱を防止するリング部材によって支持ピンに固定されることができる。
一例で、支持ピンは第１ボディーに結合され、第１ボディーは第２ボディーの上部に提供されることができる。
一例で、基板の処理は処理空間内部で超臨界流体を利用して基板を乾燥させる処理であることができる。
また、基板処理装置は、一例で、工程チャンバ内に提供されて基板を支持する支持ユニットにおいて、工程チャンバに結合される支持ピンと、そして支持ピンに結合されて支持ピンの側方向に延長されて基板を支持するガイド部材を含むことができる。
一例で、支持ピンは工程チャンバに溶接結合されることができる。
一例で、ガイド部材は支持ピンに差し込み結合されることができる。
一例で、ガイド部材は、支持ユニットに置かれた基板の底面と接触する突起形状の接触部を含み、接触部は研磨が可能な材質で提供されることができる。
一例で、接触部は複数個提供されてそれぞれの接触部は支持ユニットに置かれた基板が水平になるように研磨されることができる。
一例で、接触部は、ポリイミド(ＰＩ：Polyimide)、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ：Polyetheretherketone)、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ：Polytetrafluoroethylene)系列の樹脂またはセラミックスのうちで何れか一つで提供される基板処理装置。
一例で、ガイド部材は、支持ピンに結合されてガイド部材の離脱を防止するリング部材によって支持ピンに固定されることができる。
また、本発明は支持ユニットを工程チャンバに結合する方法を提供する。一例で、第１ボディーは第２ボディーの上部に提供され、支持ピンを第１ボディーに溶接結合することができる。
一例で、第１ボディーに溶接結合された支持ピンにガイド部材を差し込み結合することができる。
一例で、ガイド部材を支持ピンに結合した以後に、ガイド部材の離脱を防止するリング部材を支持ピンに結合することができる。
一例で、ガイド部材は、支持ユニットに置かれた基板の底面と接触する突起形状の接触部を含み、接触部は研磨が可能な材質で提供され、接触部は複数個提供されてそれぞれの接触部は支持ユニットに置かれた基板が水平になるように研磨されることができる。
本発明の一実施例によれば、処理空間内にパーティクル発生を最小ですることができる利点がある。
また、本発明の一実施例によれば、支持ユニットの部品を交替することが容易な利点がある。
また、本発明は支持ユニットの水平を合わせることが容易な利点がある。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。 図１の液処理装置の一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 図１の超臨界装置の一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 図３のＡ部分の拡大図である。 本発明の一実施例によるリング部材が支持ピンに結合された姿を見せてくれる図面である。 同じく、本発明の一実施例によるリング部材が支持ピンに結合された姿を見せてくれる図面である。 本発明の一実施例による支持ユニットの結合方法の流れ図である。 本発明の一実施例による支持ユニットの結合方法を順次に示す図面である。 同じく、本発明の一実施例による支持ユニットの結合方法を順次に示す図面である。 同じく、本発明の一実施例による支持ユニットの結合方法を順次に示す図面である。 本発明の他の実施例による超臨界装置の姿を概略的に見せてくれる図面である。
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。図１を参照すれば、基板処理システムはインデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして制御機(図示せず)を含む。一実施例によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１方向９２と称して、上部から眺める時第１方向９２と垂直した方向を第２方向９４と称して、第１方向９２及び第２方向９４にすべて垂直した方向を第３方向９６と称する。
インデックスモジュール１０は基板(Ｗ)が収納された容器８０から基板(Ｗ)を処理モジュール２０に返送し、処理モジュール２０で処理が完了された基板(Ｗ)を容器８０に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向９４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート（load port)１２とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準でロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。基板(Ｗ)らが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数個が提供されることができるし、複数のロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。
容器８０としては前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod：ＦＯＵＰ)のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板(Ｗ)が置かれるハンド１２２を含んで、ハンド１２２は前進及び後退移動、第３方向９６を軸にした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数個が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２らはお互いに独立的に前進及び後退移動することができる。
処理モジュール２０はバッファーユニット２００、返送装置３００、液処理装置４００、そして超臨界装置５００を含む。バッファーユニット２００は処理モジュール２０に搬入される基板(Ｗ)と処理モジュール２０から搬出される基板(Ｗ)が一時的にとどまる空間を提供する。液処理装置４００は基板(Ｗ)上に液を供給して基板(Ｗ)を液処理する液処理工程を遂行する。超臨界装置５００は基板(Ｗ)上に残留する液を除去する乾燥工程を遂行する。返送装置３００はバッファーユニット２００、液処理装置４００、そして超臨界装置５００の間に基板(Ｗ)を返送する。
返送装置３００はその長さ方向が第１方向９２に提供されることができる。バッファーユニット２００はインデックスモジュール１０と返送装置３００の間に配置されることができる。液処理装置４００と超臨界装置５００は返送装置３００の側部に配置されることができる。液処理装置４００と返送装置３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。超臨界装置５００と返送装置３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。バッファーユニット２００は返送装置３００の一端に位置されることができる。
一例によれば、液処理装置４００らは返送装置３００の両側に配置され、超臨界装置５００らは返送装置３００の両側に配置され、液処理装置４００らは超臨界装置５００らよりバッファーユニット２００にさらに近い位置に配置されることができる。返送装置３００の一側で液処理装置４００らは第１方向９２及び第３方向９６に沿ってそれぞれＡＸＢ(Ａ、Ｂはそれぞれ１または１より大きい自然数)配列で提供されることができる。また、返送装置３００の一側で超臨界装置５００らは第１方向９２及び第３方向９６に沿ってそれぞれＣＸＤ(Ｃ、Ｄはそれぞれ１または１より大きい自然数)個が提供されることができる。前述したところとは異なり、返送装置３００の一側には液処理装置４００らだけ提供され、その他側には超臨界装置５００らだけ提供されることができる。
返送装置３００は返送ロボット３２０を有する。返送装置３００内には長さ方向が第１方向９２に提供されたガイドレール３４０が提供され、返送ロボット３２０はガイドレール３４０上で移動可能に提供されることができる。返送ロボット３２０は基板(Ｗ)が置かれるハンド３２２を含んで、ハンド３２２は前進及び後退移動、第３方向９６を軸にした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数個が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２らはお互いに独立的に前進及び後退移動することができる。
バッファーユニット２００は基板(Ｗ)が置かれるバッファー２２０を複数個具備する。バッファー２２０らは第３方向９６に沿って相互間に離隔されるように配置されることができる。バッファーユニット２００は前面(front face)と後面(rear face)が開放される。前面はインデックスモジュール１０と見合わせる面であり、後面は返送装置３００と見合わせる面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファーユニット２００に近付いて、返送ロボット３２０は後面を通じてバッファーユニット２００に近付くことができる。
図２は、図１の液処理装置４００の一実施例を概略的に見せてくれる図面である。図２を参照すれば、液処理装置４００はハウジング４１０、コップ４２０、支持ユニット４４０、液供給ユニット４６０、昇降ユニット４８０及び制御機４０を有する。制御機４０は液供給ユニット４６０、支持ユニット４４０及び昇降ユニット４８０の動作を制御する。ハウジング４１０は概して直方体形状で提供される。コップ４２０、支持ユニット４４０、そして液供給ユニット４６０はハウジング４１０内に配置される。
コップ４２０は上部が開放された処理空間を有して、基板(Ｗ)は処理空間内で液処理される。支持ユニット４４０は処理空間内で基板(Ｗ)を支持する。液供給ユニット４６０は支持ユニット４４０に支持された基板(Ｗ)上に液を供給する。液は複数種類で提供され、基板(Ｗ)上に順次に供給されることができる。昇降ユニット４８０はコップ４２０と支持ユニット４４０との間の相対高さを調節する。
一例によれば、コップ４２０は複数の回収筒４２２、４２４、４２６を有する。回収筒ら４２２、４２４、４２６はそれぞれ基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。それぞれの回収筒４２２、４２４、４２６は支持ユニット４４０を囲むリング形状で提供される。液処理工程進行時基板(Ｗ)の回転によって飛散される前処理液は各回収筒４２２、４２４、４２６の流入口４２２a、４２４a、４２６aを通じて回収空間に流入される。一例によれば、コップ４２０は第１回収筒４２２、第２回収筒４２４、そして第３回収筒４２６を有する。第１回収筒４２２は支持ユニット４４０を囲むように配置され、第２回収筒４２４は第１回収筒４２２を囲むように配置され、第３回収筒４２６は第２回収筒４２４を囲むように配置される。第２回収筒４２４で液を流入する第２流入口４２４aは第１回収筒４２２で液を流入する第１流入口４２２aより上部に位置され、第３回収筒４２６で液を流入する第３流入口４２６aは第２流入口４２４aより上部に位置されることができる。
支持ユニット４４０は支持板４４２と駆動軸４４４を有する。支持板４４２の上面は概して円形で提供されて基板(Ｗ)より大きい直径を有することができる。支持板４４２の中央部には基板(Ｗ)の後面を支持する支持ピン４４２aが提供され、支持ピン４４２aは基板(Ｗ)が支持板４４２から一定距離離隔されるようにその上端が支持板４４２から突き出されるように提供される。支持板４４２の縁部にはチャックピン４４２bが提供される。
チャックピン４４２bは支持板４４２から上部に突き出されるように提供され、基板(Ｗ)が回転される時基板(Ｗ)が支持ユニット４４０から離脱されないように基板(Ｗ)の側部を支持する。駆動軸４４４は駆動部材４４６によって駆動され、基板(Ｗ)の底面中央と連結され、支持板４４２をその中心軸を基準で回転させる。
一例によれば、液供給ユニット４６０は第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６を有する。第１ノズル４６２は第１液を基板(Ｗ)上に供給する。第１液は基板(Ｗ)上に残存する膜や異物を除去する液であることがある。第２ノズル４６４は第２液を基板(Ｗ)上に供給する。第２液は第３液によく溶解される液であることがある。例えば、第２液は第１液に比べて第３液にさらによく溶解される液であることがある。第２液は基板(Ｗ)上に供給された第１液を中和させる液であることがある。また、第２液は第１液を中和させると共にに第１液に比べて第３液によく溶解される液であることがある。
一例によれば、第２液は水であることがある。第３ノズル４６６は第３液を基板(Ｗ)上に供給する。第３液は超臨界装置５００で使用される超臨界流体によく溶解される液であることがある。例えば、第３液は第２液に比べて超臨界装置５００で使用される超臨界流体によく溶解される液であることがある。一例によれば、第３液は有機溶剤であることがある。有機溶剤はイソプロフィルアルコール(ＩＰＡ)であることがある。一例によれば、超臨界流体は二酸化炭素であることがある。
第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６はお互いに相異なアーム４６１に支持され、これらアーム４６１らは独立的に移動されることができる。選択的に第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６は等しいアームに装着されると共に移動されることができる。
昇降ユニット４８０はコップ４２０を上下方向に移動させる。コップ４２０の上下移動によってコップ４２０と基板(Ｗ)の間の相対高さが変更される。これによって基板(Ｗ)に供給される液の種類によって前処理液を回収する回収筒４２２、４２４、４２６が変更されるので、液らを分離回収することができる。前述したところとは異なり、コップ４２０は固定設置され、昇降ユニット４８０は支持ユニット４４０を上下方向に移動させることができる。
図３乃至図４は、それぞれ図１の超臨界装置５００の一実施例を概略的に見せてくれる図面である。一実施例によれば、超臨界装置５００は超臨界流体を利用して基板(Ｗ)上の液を除去する。一実施例によれば、基板(Ｗ)上の液はイソプロフィルアルコール(ＩＰＡ）である。超臨界装置５００は超臨界流体を基板上に供給して基板(Ｗ)上のＩＰＡを超臨界流体に溶解させて基板(Ｗ)からＩＰＡを除去する。
超臨界装置５００は工程チャンバ５２０、流体供給ライン５４０、支持ユニット５８０、駆動部材５９０そして排気ユニット５５０を含む。
工程チャンバ５２０は超臨界工程が遂行される処理空間５０２を提供する。一例で、工程チャンバ５２０は円筒形状で提供されることができる。または、これとは異なり直方体形状で提供されることができる。工程チャンバ５２０は第１ボディー５２２と第２ボディー５２４を有する。第１ボディー５２２と第２ボディー５２４はお互いに組合されて上述した処理空間５０２を提供する。一例で、第１ボディー５２２は上部から眺める時、円形の形状で提供される。同じく、第２ボディー５２４は上部から眺める時、円形の形状で提供される。一例で、第１ボディー５２２は第２ボディー５２４の上部に提供される。選択的に、第１ボディー５２２と第２ボディー５２４は等しい高さに提供されることができるし、第１ボディー５２２と第２ボディー５２４は左右に開閉されることができる。
第１ボディー５２２が第２ボディー５２４から離隔されれば、処理空間５０２が開放され、この時基板(Ｗ)が搬入または搬出される。駆動部材５９０は工程チャンバ５２０が開放位置または閉鎖位置に移動されるように第１ボディー５２２及び第２ボディー５２４のうちで何れか一つを昇下降させる。一例で、駆動部材５９０はシリンダーに提供されることができる。ここで、開放位置は第１ボディー５２２及び第２ボディー５２４がお互いに離隔される位置であり、閉鎖位置はお互いに向い合う第１ボディー５２２及び第２ボディー５２４の密着面がお互いに密着される位置である。すなわち、開放位置で処理空間５０２は外部から開放され、閉鎖位置で処理空間５０２が閉まられる。一例で、駆動部材５９０は第１ボディー５２２または第２ボディー５２４のうちで何れか一つを昇降または下降させる。
一例で、第１ボディー５２２には第１供給ライン５４２が連結される第１吐出ホール５２５が形成されることができる。第１吐出ホール５２５を通じて処理空間５０２に流体が供給されることができる。一例で、第２ボディー５２４には第２供給ライン５６２が連結される第２吐出ホール５２６と、排気ライン５５２が連結される排気ホール５２７が形成されることができる。選択的に、工程チャンバ５２０には第１吐出ホール５２５と第２吐出ホール５２６のうちで何れか一つだけが提供されることができる。一例で、工程チャンバ５２０の壁内部にはヒーター５７０が提供される。ヒーター５７０は工程チャンバ５２０の内部空間内に供給された流体が超臨界状態を維持するように工程チャンバ５２０の処理空間５０２を加熱する。処理空間５０２の内部は超臨界流体による雰囲気が形成される。
支持ユニット５８０は工程チャンバ５２０の処理空間５０２内で基板(Ｗ)を支持する。工程チャンバ５２０の処理空間５０２に搬入された基板(Ｗ)は支持ユニット５８０に置かれる。一例によれば、基板(Ｗ)はパターン面が上部に向けるように支持ユニット５８０によって支持される。一例で、支持ユニット５８０は第２吐出ホール５２６より上部で基板(Ｗ)を支持する。一例で、支持ユニット５８０は第１ボディー５２２に結合されることができる。選択的に、支持ユニット５８０は第２ボディー５２４に結合されることができる。
また、第２ボディー５２４には排気ユニット５５０が結合される。工程チャンバ５２０の処理空間５０２内の超臨界流体は排気ユニット５５０を通じて工程チャンバ５２０の外部に排気される。排気ユニット５５０は、排気ライン５５２そして排気バルブ５５２１を含む。排気バルブ５５２１は、排気ライン５５２に設置されて処理空間５０２の排気如何と排気流量を調節する。
工程進行時には第１ボディー５２２と第２ボディー５２４が密着されて処理空間５０２が外部から密閉される。一例で、第１ボディー５２２と第２ボディー５２４は金属材質で提供される。例えば、第１ボディー５２２と第２ボディー５２４はステンレスで提供されることができる。
以下、図４乃至図６を参照して本発明の支持ユニット５８０に対して詳細に敍述する。図４は図３のＡ部分の拡大図である。図４を参照すれば、支持ユニット５８０は、支持ピン５８２、ガイド部材５８４そして、リング部材５８６を含む。
支持ピン５８２は工程チャンバ５２０に結合される。一例で、支持ピン５８２は第１ボディー５２２に結合される。選択的に支持ピン５８２は第２ボディー５２４に結合されることができる。一例で、第１ボディー５２２は第２ボディー５２４の上部に置かれて、支持ピン５８２は第１ボディー５２２に溶接結合される。これに、支持ピン５８２を工程チャンバ５２０に結合するためにボルトのような別途の構造物を要しない。支持ピン５８２はボディー部５８２３と溝部５８２１を有する。一例で、ボディー部５８２３にガイド部材５８４が結合され、溝部５８２１にリング部材５８６が結合される。
ガイド部材５８４は基板(Ｗ)を支持する。ガイド部材５８４は支持ピン５８２に結合されて支持ピン５８２の側方向に延長される。一例で、ガイド部材５８４は支持ピン５８２に差し込み結合される。例えば、ガイド部材５８４に形成された中空の直径は、支持ピン５８２の直径と同じであるか、または少し大きいように提供される。
ガイド部材５８４は、支持ピン５８２に結合されてガイド部材５８４の離脱を防止するリング部材５８６によって支持ピン５８２に固定される。図５乃至図６は、それぞれ本発明の一実施例によるリング部材５８６が支持ピン５８２に結合された姿を見せてくれる図面である。図５を参照すれば、リング部材５８６はＥリングで提供されることがある。選択的に、リング部材５８６は図６に示されたようにＣリングで提供されることがある。一例で、リング部材５８６は支持ピン５８２の溝部５８２１に結合される。これに、リング部材５８６はガイド部材５８４が支持ピン５８２から垂れ下がることを防止する。
一例で、ガイド部材５８４は、支持ユニット５８０に置かれた基板(Ｗ)の底面と接触する突起形状の接触部５８８を含む。接触部５８８は研磨が可能な材質で提供される。一例で、接触部５８８は、ポリイミド(ＰＩ：Polyimide)、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ：Polyetheretherketone)、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ：Polytetrafluoroethylene)系列の樹脂またはセラミックスのうちで何れか一つで提供されることができる。一例で、接触部５８８はガイド部材５８４と一体で製造される。選択的に、接触部５８８はガイド部材５８４から分離可能になるように別途の部材で製造されてガイド部材５８４に結合される。
一例で、接触部５８８は複数個提供されてそれぞれの接触部５８８は支持ユニット５８０に置かれた基板(Ｗ)が水平になるように研磨される。一例で、接触部５８８は支持ユニット５８０に置かれた基板(Ｗ)の高さが所望の高さに置かれるように研磨される。一例で、接触部５８８は一側当ガイド部材５８４に２個が提供されて総４個が提供されることがある。接触部５８８がすべて等しい高さと形状を有するように提供されても、支持ユニット５８０上で各構成の組み立て事項などによって基板(Ｗ)が平たく置かれないこともある。これに、接触部５８８を個別的に研いて基板(Ｗ)の水平及び基板(Ｗ)が置かれる高さを調節する。
以下、図７乃至図１０を参照して本発明の支持ユニット５８０の結合方法に対して説明する。図７は本発明の一実施例による支持ユニット５８０の結合方法の流れ図である。図８に示されたように、先に第１ボディー５２２に支持ピン５８２を溶接結合する。以後に、図９に示されたように溶接結合された支持ピン５８２にガイド部材５８４を差し込み結合させる。そして、図１０に示されたようにガイド部材５８４を支持ピン５８２に結合した以後に、ガイド部材５８４の離脱を防止するリング部材５８６を支持ピン５８２に結合する。この時、基板(Ｗ)の水平と高さを確認して作業者が接触部５８８を研磨する。接触部５８８を研磨するためにガイド部材５８４または接触部５８８を再び支持ピン５８２から分離する過程を含むことができる。一例で、駆動部材５９０は第２ボディー５２４を昇下降させて工程チャンバ５２０を開閉する。これに、第１ボディー５２２はもとの場所に固定され、支持ユニット５８０には大きい動きがなくて、接触部５８８を工程開始前に研磨することで基板(Ｗ)の水平と高さを維持することができる利点がある。
前述した例では、支持ユニット５８０が第１ボディー５２２に結合されることで説明した。しかし、これとは異なり支持ユニット５８０は、図１１に示されたように第２ボディー５２４に結合されることができる。
本発明の一実施例によれば、支持ピン５８２を工程チャンバ５２０に溶接結合するので、支持ピン５８２と工程チャンバ５２０を結合するための構造物でパーティクル発生が最小化される利点がある。
本発明の一実施例によれば、支持ピン５８２とガイド部材５８４を差し込み結合するので、螺糸山のような構造物を要しなくてパーティクル発生が最小化される利点がある。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むものとして解釈されなければならない。
５００ 超臨界装置
５０２ 処理空間
５２０ 工程チャンバ
５２２ 第１ボディー
５２４ 第２ボディー
５４０ 流体供給ライン
５５０ 排気ユニット
５８０ 支持ユニット
５９０ 駆動部材

Claims (20)

  1. お互いに組合されて内部に基板を処理する処理空間を有する第１ボディーと第２ボディーを有する工程チャンバと、
    前記工程チャンバを開放位置または閉鎖位置に移動させる駆動機と、
    前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
    前記処理空間に流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、
    前記支持ユニットは、
    前記第１ボディーまたは前記第２ボディーに結合される支持ピンと、そして
    前記支持ピンに結合されて前記支持ピンの側方向に延長されて前記基板を支持するガイド部材を含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記支持ピンは前記第１ボディーまたは前記第２ボディーに溶接結合されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ガイド部材は前記支持ピンに差し込み結合されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記ガイド部材は、
    前記支持ユニットに置かれた前記基板の底面と接触する突起形状の接触部を含み、
    前記接触部は研磨が可能な材質で提供されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記接触部は複数個提供されてそれぞれの前記接触部は前記支持ユニットに置かれた前記基板が水平になるように研磨されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記接触部は、
    ポリイミド(ＰＩ：Polyimide)、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ：Polyetheretherketone)、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ：Polytetrafluoroethylene)系列の樹脂またはセラミックスのうちで何れか一つに提供されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  7. 前記ガイド部材は、
    前記支持ピンに結合されて前記ガイド部材の離脱を防止するリング部材によって前記支持ピンに固定されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 前記支持ピンは前記第１ボディーに結合され、
    前記第１ボディーは前記第２ボディーの上部に提供されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 前記基板の処理は前記処理空間内部で超臨界流体を利用して前記基板を乾燥させる処理であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  10. 工程チャンバ内に提供されて基板を支持する支持ユニットにおいて、
    前記工程チャンバに結合される支持ピンと、そして
    前記支持ピンに結合されて前記支持ピンの側方向に延長されて前記基板を支持するガイド部材を含むことを特徴とする基板処理装置。
  11. 前記支持ピンは前記工程チャンバに溶接結合されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記ガイド部材は前記支持ピンに差し込み結合されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  13. 前記ガイド部材は、
    前記支持ユニットに置かれた前記基板の底面と接触する突起形状の接触部を含み、
    前記接触部は研磨が可能な材質で提供されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  14. 前記接触部は複数個提供されてそれぞれの前記接触部は前記支持ユニットに置かれた前記基板が水平になるように研磨されることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記接触部は、
    ポリイミド(ＰＩ：Polyimide)、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ：Polyetheretherketone)、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ：Polytetrafluoroethylene)系列の樹脂またはセラミックスのうちで何れか一つで提供されることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  16. 前記ガイド部材は、
    前記支持ピンに結合されて前記ガイド部材の離脱を防止するリング部材によって前記支持ピンに固定されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  17. 請求項１の支持ユニットを前記工程チャンバに結合する方法において、
    前記第１ボディーは前記第２ボディーの上部に提供され、
    前記支持ピンを前記第１ボディーに溶接結合することを特徴とする支持ユニットの結合方法。
  18. 前記第１ボディーに溶接結合された前記支持ピンに前記ガイド部材を差し込み結合することを特徴とする請求項１７に記載の支持ユニットの結合方法。
  19. 前記ガイド部材を前記支持ピンに結合した以後に、
    前記ガイド部材の離脱を防止するリング部材を前記支持ピンに結合することを特徴とする請求項１８に記載の支持ユニットの結合方法。
  20. 前記ガイド部材は、
    前記支持ユニットに置かれた前記基板の底面と接触する突起形状の接触部を含み、
    前記接触部は研磨が可能な材質で提供され、
    前記接触部は複数個提供されてそれぞれの前記接触部は前記支持ユニットに置かれた前記基板が水平になるように研磨されることを特徴とする請求項１７に記載の支持ユニットの結合方法。
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