JP2022077220A - Cleaning module and wafer processing device - Google Patents

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JP2022077220A JP2020187971A JP2020187971A JP2022077220A JP 2022077220 A JP2022077220 A JP 2022077220A JP 2020187971 A JP2020187971 A JP 2020187971A JP 2020187971 A JP2020187971 A JP 2020187971A JP 2022077220 A JP2022077220 A JP 2022077220A
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阿沙葵 眞継
Asao Matsugi
昭尋 谷澤
Akihiro Tanizawa
磨奈人 古澤
Manato Furusawa
英治 青山
Hideharu Aoyama
歩 斎藤
Ayumi Saito
祐介 笹谷
Yusuke Sasaya
賢一 小林
Kenichi Kobayashi
康之 宮澤
Yasuyuki Miyazawa
剛 相馬
Takeshi Soma
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Ebara Corp
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Abstract

To provide a cleaning module capable of improving cleanability of a wafer in simple structure, and a wafer processing device.SOLUTION: A cleaning module includes: a first transport mechanism 210-1 for transporting a wafer WF in a state where a polished face is turned downward, to a downstream-side wafer delivery position 418 along a transport path 405; an ultrasonic cleaning tub 440 which is disposed at a position away from the transport path 405, for cleaning the wafer WF in the state where the polished face is turned downward; a moving machine 420 for moving the wafer WF between the wafer delivery position 418 of the transport path 405 and the ultrasonic cleaning tub 440; and a second transport mechanism 210-2 for transporting the wafer WF which is moved from the ultrasonic cleaning tub 440 to the wafer delivery position 418 by the moving machine 420, further to the downstream side along the transport path 405.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本願は、洗浄モジュールおよび基板処理装置に関する。 The present application relates to a cleaning module and a substrate processing apparatus.

半導体デバイスの製造に、基板の表面を平坦化するために基板処理装置が使用されている。半導体デバイスの製造に使用される基板は、多くの場合、円板形状である。また、半導体デバイスに限らず、CCL基板(Copper Clad Laminate基板)やPCB(Printed Circuit Board)基板、フォトマスク基板、ディスプレイパネルなどの四角形の基板の表面を平坦化する際の平坦度の要求も高まっている。 In the manufacture of semiconductor devices, substrate processing equipment is used to flatten the surface of the substrate. Substrates used in the manufacture of semiconductor devices are often disk-shaped. In addition to semiconductor devices, there is an increasing demand for flatness when flattening the surface of square substrates such as CCL substrates (Copper Clad Laminate substrates), PCB (Printed Circuit Board) substrates, photomask substrates, and display panels. ing.

例えば特許文献1には、基板の被研磨面を下方に向けた状態で研磨処理を行い、研磨後に搬送路に沿って搬送される基板の両面に対して洗浄液を噴射して洗浄し、洗浄後に搬送路に沿って搬送される基板を乾燥させる基板処理装置が開示されている。しかしながら、研磨処理が行われた基板には研磨によって生じたスラリなどの残渣が付着している場合があり、洗浄液を基板の両面に噴射するだけでは残渣を十分に取り除けないおそれがある。この点、例えば特許文献2には、基板を縦向き姿勢で洗浄液に浸漬させて基板の両面に対して超音波を照射することにより基板を洗浄することが開示されている。 For example, in Patent Document 1, a polishing process is performed with the surface to be polished of the substrate facing downward, and after polishing, a cleaning liquid is sprayed onto both sides of the substrate transported along the transport path to clean the substrate, and after cleaning. A substrate processing apparatus for drying a substrate conveyed along a transport path is disclosed. However, a residue such as a slurry generated by polishing may be attached to the polished substrate, and there is a possibility that the residue cannot be sufficiently removed only by spraying the cleaning liquid on both sides of the substrate. In this regard, for example, Patent Document 2 discloses that a substrate is cleaned by immersing the substrate in a cleaning liquid in a vertical posture and irradiating both sides of the substrate with ultrasonic waves.

特開2020-9987号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2020-9987 特開2003-104544号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-104544

例えば特許文献1に開示されている従来技術では基板に付着した残渣を十分に取り除けないおそれがあるので、基板の洗浄力を向上させるために特許文献2に記載されている基板の洗浄技術を組み合わせることも考えられるが、装置全体の構造が複雑化するので好ましくない。 For example, the conventional technique disclosed in Patent Document 1 may not sufficiently remove the residue adhering to the substrate. Therefore, in order to improve the cleaning power of the substrate, the substrate cleaning technique described in Patent Document 2 is combined. This is possible, but it is not preferable because the structure of the entire device is complicated.

すなわち、基板の研磨処理は、特許文献1に記載されているように基板の被研磨面を下向きにして行われるか、または基板の被研磨面を上向きにして行われるのが一般的である。したがって、研磨処理後の基板は横向きの姿勢になっているので、その基板を特許文献2に記載されているように縦向きの姿勢で洗浄液に浸して超音波洗浄する場合には、基板の姿勢を縦向きにするための機構が必要になり、装置全体の構造が複雑化する。これに加えて、基板を縦向きの姿勢で超音波洗浄した場合には、基板の上部に付着していた残渣が超音波によって剥離されたとしても洗浄液中で下方に沈み基板の下部に再付着するおそれもある。 That is, the polishing process of the substrate is generally performed with the surface to be polished of the substrate facing down as described in Patent Document 1, or the surface to be polished of the substrate facing upward. Therefore, since the substrate after the polishing treatment is in a horizontal posture, when the substrate is immersed in a cleaning liquid in a vertical posture and ultrasonically cleaned as described in Patent Document 2, the posture of the substrate is used. A mechanism is required to make the device vertical, which complicates the structure of the entire device. In addition to this, when the substrate is ultrasonically cleaned in a vertical position, even if the residue adhering to the upper part of the substrate is peeled off by ultrasonic waves, it sinks downward in the cleaning liquid and reattaches to the lower part of the substrate. There is also a risk of doing so.

そこで、本願は、簡易な構造で基板の洗浄力を向上させることができる洗浄モジュールおよび基板処理装置を実現することを1つの目的としている。 Therefore, one object of the present application is to realize a cleaning module and a substrate processing apparatus capable of improving the cleaning power of a substrate with a simple structure.

一実施形態によれば、被研磨面を下方に向けた状態の基板を搬送路に沿って下流側の基板受け渡し位置まで搬送するための第1の搬送機構と、前記搬送路から離間した位置に配置され、被研磨面を下方に向けた状態の基板を洗浄するための洗浄槽と、前記搬送路の前記基板受け渡し位置と前記洗浄槽との間で基板を移載するための移載機と、前記移載機に
よって前記洗浄槽から前記基板受け渡し位置に移載された基板を前記搬送路に沿ってさらに下流側へ搬送するための第2の搬送機構と、を含む、洗浄モジュールが開示される。
According to one embodiment, the first transport mechanism for transporting the substrate with the surface to be polished facing downward to the substrate transfer position on the downstream side along the transport path is located at a position away from the transport path. A cleaning tank for cleaning the substrate that is arranged and with the surface to be polished facing downward, and a transfer machine for transferring the substrate between the substrate transfer position of the transport path and the cleaning tank. Disclosed is a cleaning module including a second transport mechanism for transporting a substrate transferred from the cleaning tank to the substrate transfer position further downstream along the transport path by the transfer machine. Ru.

一実施形態による基板処理装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus by one Embodiment. 一実施形態による搬送モジュールを模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the transport module by one Embodiment. 一実施形態による搬送モジュールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the transport module by one Embodiment. 一実施形態による研磨モジュールを概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the polishing module by one Embodiment. 一実施形態による洗浄モジュールを模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the cleaning module by one Embodiment. 一実施形態による洗浄モジュールを模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the cleaning module by one Embodiment. 一実施形態による移載機を模式的に示す側面図、平面図、および断面図である。It is a side view, a plan view, and a sectional view schematically showing the transfer machine by one Embodiment. 一実施形態による移載機を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the transfer machine by one Embodiment. 一実施形態によるスクラブ洗浄機構を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the scrub cleaning mechanism by one Embodiment. 一実施形態によるスクラブ洗浄機構を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the scrub cleaning mechanism by one Embodiment. 一実施形態による押圧機構を模式的に示す側面図である。It is a side view schematically showing the pressing mechanism by one Embodiment.

以下に、本発明に係る洗浄モジュールおよび基板処理装置の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。 Hereinafter, embodiments of the cleaning module and the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same or similar elements are designated by the same or similar reference numerals, and duplicate description of the same or similar elements may be omitted in the description of each embodiment. In addition, the features shown in each embodiment can be applied to other embodiments as long as they do not contradict each other.

図1は、一実施形態による基板処理装置1000の全体構成を示す平面図である。図1に示される基板処理装置1000は、ロードモジュール100、搬送モジュール200、研磨モジュール300、洗浄モジュール400、乾燥モジュール500、およびアンロードモジュール600を有する。図示の実施形態において、搬送モジュール200は、2つの搬送モジュール200A、200Bを有し、研磨モジュール300は、2つの研磨モジュール300A、300Bを有する。一実施形態において、これらの各モジュールは、独立に形成することができる。これらのモジュールを独立して形成することで、各モジュールの数を任意に組み合わせることで異なる構成の基板処理装置1000を簡易に形成することができる。また、基板処理装置1000は、制御装置900を備え、基板処理装置1000の各構成要素は制御装置900により制御される。一実施形態において、制御装置900は、入出力装置、演算装置、記憶装置などを備える一般的なコンピュータから構成することができる。 FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of the substrate processing apparatus 1000 according to the embodiment. The substrate processing apparatus 1000 shown in FIG. 1 includes a load module 100, a transfer module 200, a polishing module 300, a cleaning module 400, a drying module 500, and an unload module 600. In the illustrated embodiment, the transport module 200 has two transport modules 200A, 200B, and the polishing module 300 has two polishing modules 300A, 300B. In one embodiment, each of these modules can be formed independently. By forming these modules independently, it is possible to easily form the substrate processing apparatus 1000 having different configurations by arbitrarily combining the number of each module. Further, the board processing device 1000 includes a control device 900, and each component of the board processing device 1000 is controlled by the control device 900. In one embodiment, the control device 900 can be composed of a general computer including an input / output device, an arithmetic unit, a storage device, and the like.

<ロードモジュール>
ロードモジュール100は、研磨および洗浄などの処理が行われる前の基板WFを基板処理装置1000内へ導入するためのモジュールである。一実施形態において、ロードモジュール100は、SMEMA(Surface Mount Equipment Manufacturers Association)の機械装置インタフェース規格(IPC-SMEMA-9851)に準拠するように構成される。
<Load module>
The load module 100 is a module for introducing the substrate WF before the processing such as polishing and cleaning into the substrate processing apparatus 1000. In one embodiment, the load module 100 is configured to comply with the SMEMA (Surface Mount Equipment Manufacturers Association) mechanical device interface standard (IPC-SMEMA-9851).

図示の実施形態において、ロードモジュール100の搬送機構は、複数の搬送ローラ202(第1の搬送ローラ)と、搬送ローラ202が取り付けられる複数のローラシャフト204とを有する。図1に示される実施形態においては、各ローラシャフト204には3つの搬送ローラ202が取り付けられている。基板WFは、搬送ローラ202上に配置され、搬送ローラ202が回転することで基板WFが搬送される。ローラシャフト204上の搬送ローラ202の取り付け位置は、基板WFを安定的に搬送することができる位置であれば任意とすることができる。ただし、搬送ローラ202は基板WFに接触するので、
処理対象である基板WFに接触しても問題の無い領域に搬送ローラ202が接触するように配置すべきである。一実施形態において、ロードモジュール100の搬送ローラ202は、導電性ポリマーから構成することができる。一実施形態において、搬送ローラ202は、ローラシャフト204などを介して電気的に接地される。これは、基板WFが帯電して基板WF上の電子デバイス等を損傷することを防止するためである。また、一実施形態において、ロードモジュール100に、基板WFの帯電を防止するためにイオナイザー(図示せず)を設けてもよい。
In the illustrated embodiment, the transport mechanism of the load module 100 has a plurality of transport rollers 202 (first transport rollers) and a plurality of roller shafts 204 to which the transport rollers 202 are attached. In the embodiment shown in FIG. 1, three transfer rollers 202 are attached to each roller shaft 204. The substrate WF is arranged on the transfer roller 202, and the substrate WF is transferred by the rotation of the transfer roller 202. The mounting position of the transport roller 202 on the roller shaft 204 can be arbitrary as long as it can stably transport the substrate WF. However, since the transfer roller 202 comes into contact with the substrate WF,
The transport roller 202 should be arranged so as to come into contact with a region where there is no problem even if it comes into contact with the substrate WF to be processed. In one embodiment, the transport roller 202 of the load module 100 can be made of a conductive polymer. In one embodiment, the transport roller 202 is electrically grounded via a roller shaft 204 or the like. This is to prevent the substrate WF from being charged and damaging the electronic devices and the like on the substrate WF. Further, in one embodiment, the load module 100 may be provided with an ionizer (not shown) in order to prevent charging of the substrate WF.

<搬送モジュール>
図1に示される基板処理装置1000は、2つの搬送モジュール200A、200Bを備えている。2つの搬送モジュール200A、200Bは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して搬送モジュール200として説明する。
<Transfer module>
The substrate processing apparatus 1000 shown in FIG. 1 includes two transport modules 200A and 200B. Since the two transfer modules 200A and 200B can have the same configuration, they will be collectively referred to as the transfer module 200 below.

図2は、一実施形態による搬送モジュール200を模式的に示す側面図である。図3は、一実施形態による搬送モジュール200を模式的に示す斜視図である。なお、図3においては、図示の明瞭化のために、後述する上搬送ローラ(第2の搬送ローラ)290およびその駆動機構は省略している。図示の搬送モジュール200は、基板WFを搬送するための複数の搬送ローラ(第1の搬送ローラ)202を備えている。搬送ローラ202を回転させることで、搬送ローラ202上の基板WFを所定の方向に搬送することができる。搬送モジュール200の搬送ローラ202は、導電性ポリマーから形成されても、導電性のないポリマーから形成されてもよい。搬送ローラ202は、ローラシャフト(第1のローラシャフト)204に取り付けられており、ギア206を介して、モータ208により駆動される。一実施形態において、モータ208はサーボモータとすることができ、ギア206は、歯車式とすることができるが、マグネットギアとすることもできる。また、図示の搬送モジュール200は、搬送中の基板WFの側面を支持するガイドローラ212を備える。 FIG. 2 is a side view schematically showing the transport module 200 according to the embodiment. FIG. 3 is a perspective view schematically showing the transport module 200 according to the embodiment. In FIG. 3, for the sake of clarity in the illustration, the upper transfer roller (second transfer roller) 290 and its drive mechanism, which will be described later, are omitted. The illustrated transfer module 200 includes a plurality of transfer rollers (first transfer rollers) 202 for transporting the substrate WF. By rotating the transport roller 202, the substrate WF on the transport roller 202 can be transported in a predetermined direction. The transport roller 202 of the transport module 200 may be formed of a conductive polymer or a non-conductive polymer. The transfer roller 202 is attached to a roller shaft (first roller shaft) 204 and is driven by a motor 208 via a gear 206. In one embodiment, the motor 208 can be a servomotor and the gear 206 can be a gear type, but can also be a magnet gear. Further, the transport module 200 shown in the figure includes a guide roller 212 that supports the side surface of the substrate WF during transport.

図2、3に示されるように、搬送モジュール200はプッシャ230を有する。プッシャ230は、複数の搬送ローラ202の上にある基板WFを、複数の搬送ローラ202から離れるように持ち上げることができるように構成される。またプッシャ230は、保持している基板WFを搬送モジュール200の搬送ローラ202に受け渡すことができるように構成される。 As shown in FIGS. 2 and 3, the transport module 200 has a pusher 230. The pusher 230 is configured so that the substrate WF on the plurality of transfer rollers 202 can be lifted away from the plurality of transfer rollers 202. Further, the pusher 230 is configured so that the held substrate WF can be delivered to the transfer roller 202 of the transfer module 200.

図2に示されるように、搬送モジュール200は、ストッパ220を有する。ストッパ220は、ストッパ移動機構222に接続されており、ストッパ220は搬送ローラ202上を移動する基板WFの搬送路内に進入可能である。ストッパ220が基板WFの搬送路内に位置しているときは、搬送ローラ202上を移動する基板WFの側面がストッパ220に接触し、移動中の基板WFをストッパ220の位置で停止させることができる。また、ストッパ220が基板WFの搬送路から退避した位置にあるときは、基板WFは、搬送ローラ202上を移動することができる。ストッパ220による基板WFの停止位置は、プッシャ230が搬送ローラ202上の基板WFを受け取ることができる位置(基板受け渡し位置)である。 As shown in FIG. 2, the transport module 200 has a stopper 220. The stopper 220 is connected to the stopper moving mechanism 222, and the stopper 220 can enter the transport path of the substrate WF moving on the transport roller 202. When the stopper 220 is located in the transport path of the substrate WF, the side surface of the substrate WF moving on the transport roller 202 may come into contact with the stopper 220 to stop the moving substrate WF at the position of the stopper 220. can. Further, when the stopper 220 is in a position retracted from the transport path of the substrate WF, the substrate WF can move on the transport roller 202. The stop position of the board WF by the stopper 220 is a position (board transfer position) where the pusher 230 can receive the board WF on the transfer roller 202.

本実施形態の搬送モジュール200は、搬送ローラ202上の所定の位置における基板WFの存在の有無を検知するためのセンサ216を有する。センサ216は任意の形式のセンサとすることができ、たとえば光学式のセンサとすることができる。図2に示される実施形態においては、センサ216は搬送モジュール200に7個(216a~216g)設けられている。一実施形態において、これらのセンサ216a~216gによる基板WFの検知に応じて、搬送モジュール200の動作を制御することができる。図2に示されるように、搬送モジュール200は、搬送モジュール200内に基板WFを受け入れる
ために開閉可能な入口シャッタ218を有する。
The transfer module 200 of the present embodiment has a sensor 216 for detecting the presence / absence of the substrate WF at a predetermined position on the transfer roller 202. The sensor 216 can be any type of sensor, for example an optical sensor. In the embodiment shown in FIG. 2, seven sensors 216 (216a to 216 g) are provided in the transport module 200. In one embodiment, the operation of the transport module 200 can be controlled according to the detection of the substrate WF by these sensors 216a to 216 g. As shown in FIG. 2, the transfer module 200 has an inlet shutter 218 that can be opened and closed to receive the substrate WF in the transfer module 200.

センサ216aは、搬送モジュール200の入口側に設けられる。センサ216aによって基板WFの後ろが通過したことが確認されると、入口シャッタ218を閉じるようにすることができる。その後、センサ216aの下流側に配置されたセンサ216bにより基板WFの位置を監視しながら、搬送ローラ202で基板WFが搬送される。このときストッパ移動機構222によりストッパ220が基板WFの搬送路内に移動されている。搬送ローラ202上を搬送されてきた基板WFは、ストッパ220に接触して停止する。また、センサ216cはストッパ220の位置に配置されており、センサ216cにより基板WFを検知すると搬送ローラ202の動作を停止する。ストッパ220の位置(基板受け渡し位置)で停止した基板WFは、プッシャ230を介して、研磨モジュール300のトップリング302に受け渡される。 The sensor 216a is provided on the inlet side of the transport module 200. When the sensor 216a confirms that the back of the substrate WF has passed, the inlet shutter 218 can be closed. After that, the substrate WF is conveyed by the transfer roller 202 while monitoring the position of the substrate WF by the sensor 216b arranged on the downstream side of the sensor 216a. At this time, the stopper 220 is moved into the transport path of the substrate WF by the stopper moving mechanism 222. The substrate WF transported on the transport roller 202 comes into contact with the stopper 220 and stops. Further, the sensor 216c is arranged at the position of the stopper 220, and when the sensor 216c detects the substrate WF, the operation of the transport roller 202 is stopped. The substrate WF stopped at the position of the stopper 220 (the substrate transfer position) is transferred to the top ring 302 of the polishing module 300 via the pusher 230.

図2、3に示される搬送モジュール200は、洗浄機構を有する。図2、3に示されるように、洗浄機構は洗浄ノズル284を有する。洗浄ノズル284は、搬送ローラ202の上側に配置される上洗浄ノズル284aと、下側に配置される下洗浄ノズル284bとを有する。上洗浄ノズル284aおよび下洗浄ノズル284bは、図示しない洗浄液の供給源に接続される。上洗浄ノズル284aは、搬送ローラ202上を搬送される基板WFの上面に洗浄液を供給するように構成される。下洗浄ノズル284bは、搬送ローラ202上を搬送される基板WFの下面に洗浄液を供給するように構成される。上洗浄ノズル284aおよび下洗浄ノズル284bは、搬送ローラ202上を搬送される基板WFの幅と同程度、またはそれ以上の幅を備え、基板WFが搬送ローラ202上を搬送されることで、基板WFの全面が洗浄されるように構成される。図2、図3に示されるように、洗浄機構は、搬送モジュール200の基板受け渡し領域よりも下流側に位置している。 The transport module 200 shown in FIGS. 2 and 3 has a cleaning mechanism. As shown in FIGS. 2 and 3, the cleaning mechanism has a cleaning nozzle 284. The cleaning nozzle 284 has an upper cleaning nozzle 284a arranged on the upper side of the transport roller 202 and a lower cleaning nozzle 284b arranged on the lower side. The upper cleaning nozzle 284a and the lower cleaning nozzle 284b are connected to a source of cleaning liquid (not shown). The upper cleaning nozzle 284a is configured to supply the cleaning liquid to the upper surface of the substrate WF transported on the transport roller 202. The lower cleaning nozzle 284b is configured to supply the cleaning liquid to the lower surface of the substrate WF transported on the transport roller 202. The upper cleaning nozzle 284a and the lower cleaning nozzle 284b have a width equal to or wider than the width of the substrate WF conveyed on the transfer roller 202, and the substrate WF is conveyed on the transfer roller 202 to convey the substrate. The entire surface of the WF is configured to be cleaned. As shown in FIGS. 2 and 3, the cleaning mechanism is located downstream of the substrate transfer region of the transport module 200.

図2に示されるように、プッシャ230による基板WFの受け渡しが行われない領域において、搬送ローラ202の上には上搬送ローラ290が配置されている。上搬送ローラ290は、動力源に接続されており、回転可能に構成されている。一実施形態において、上搬送ローラ290は、搬送ローラ202と同様にギア206およびモータ208により駆動されるように構成される。 As shown in FIG. 2, in the region where the substrate WF is not delivered by the pusher 230, the upper transport roller 290 is arranged on the transport roller 202. The upper transfer roller 290 is connected to a power source and is configured to be rotatable. In one embodiment, the upper transfer roller 290 is configured to be driven by a gear 206 and a motor 208, similar to the transfer roller 202.

<研磨モジュール>
図4は一実施形態による研磨モジュール300を概略的に示す斜視図である。図1に示される基板処理装置1000は、2つの研磨モジュール300A、300Bを備えている。2つの研磨モジュール300A、300Bは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して研磨モジュール300として説明する。
<Polishing module>
FIG. 4 is a perspective view schematically showing the polishing module 300 according to the embodiment. The substrate processing apparatus 1000 shown in FIG. 1 includes two polishing modules 300A and 300B. Since the two polishing modules 300A and 300B can have the same configuration, they will be collectively referred to as the polishing module 300 below.

図4に示されるように、研磨モジュール300は、研磨テーブル350と、トップリング302と、を備える。研磨テーブル350は、テーブルシャフト351に支持される。研磨テーブル350は、図示していない駆動部によって、矢印ACで示すように、テーブルシャフト351の軸心周りに回転するようになっている。研磨テーブル350には、研磨パッド352が貼り付けられる。トップリング302は、基板WFを保持して研磨パッド352に押圧する。トップリング302は、図示していない駆動源によって回転駆動される。基板WFは、トップリング302に保持されて研磨パッド352に押圧されることによって研磨される。 As shown in FIG. 4, the polishing module 300 includes a polishing table 350 and a top ring 302. The polishing table 350 is supported by the table shaft 351. The polishing table 350 is adapted to rotate around the axis of the table shaft 351 by a drive unit (not shown), as shown by the arrow AC. A polishing pad 352 is attached to the polishing table 350. The top ring 302 holds the substrate WF and presses against the polishing pad 352. The top ring 302 is rotationally driven by a drive source (not shown). The substrate WF is polished by being held by the top ring 302 and pressed against the polishing pad 352.

図4に示されるように、研磨モジュール300は、研磨パッド352に研磨液又はドレッシング液を供給するための研磨液供給ノズル354を備える。研磨液は、例えば、スラリである。ドレッシング液は、例えば、純水である。また、図4に示されるように、研磨テーブル350およびテーブルシャフト351には、研磨液を供給するための通路353
が設けられている。通路353は、研磨テーブル350の表面の開口部355に連通している。研磨テーブル350の開口部355に対応する位置において研磨パッド352は貫通孔357が形成されており、通路353を通る研磨液は、研磨テーブル350の開口部355および研磨パッド352の貫通孔357から研磨パッド352の表面に供給される。また、研磨モジュール300は、研磨パッド352のコンディショニングを行うためのドレッサ356を備える。また、研磨モジュール300は、液体、又は、液体と気体との混合流体、を研磨パッド352に向けて噴射するためのアトマイザ358を備える。アトマイザ358から噴射される液体は、例えば、純水であり、気体は、例えば、窒素ガスである。
As shown in FIG. 4, the polishing module 300 includes a polishing liquid supply nozzle 354 for supplying a polishing liquid or a dressing liquid to the polishing pad 352. The polishing liquid is, for example, a slurry. The dressing liquid is, for example, pure water. Further, as shown in FIG. 4, the polishing table 350 and the table shaft 351 have a passage 353 for supplying the polishing liquid.
Is provided. The passage 353 communicates with the opening 355 on the surface of the polishing table 350. A through hole 357 is formed in the polishing pad 352 at a position corresponding to the opening 355 of the polishing table 350, and the polishing liquid passing through the passage 353 is polished from the opening 355 of the polishing table 350 and the through hole 357 of the polishing pad 352. It is supplied to the surface of the pad 352. Further, the polishing module 300 includes a dresser 356 for conditioning the polishing pad 352. Further, the polishing module 300 includes an atomizer 358 for injecting a liquid or a mixed fluid of a liquid and a gas toward the polishing pad 352. The liquid ejected from the atomizer 358 is, for example, pure water, and the gas is, for example, nitrogen gas.

トップリング302は、トップリングシャフト304によって支持される。トップリング302は、図示していない駆動部によって、矢印ABで示すように、トップリングシャフト304の軸心周りに回転するようになっている。また、トップリングシャフト304は、図示しない駆動機構により、上下方向に移動可能である。 The top ring 302 is supported by the top ring shaft 304. The top ring 302 is configured to rotate about the axis of the top ring shaft 304 by a drive unit (not shown), as shown by an arrow AB. Further, the top ring shaft 304 can be moved in the vertical direction by a drive mechanism (not shown).

基板WFは、トップリング302の研磨パッド352と対向する面に真空吸着によって保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル354から、および/または研磨パッド352の貫通孔357から研磨パッド352の研磨面に研磨液が供給される。また、研磨時には、研磨テーブル350及びトップリング302が回転駆動される。基板WFは、トップリング302によって研磨パッド352の研磨面に押圧されることによって研磨される。 The substrate WF is held by vacuum suction on the surface of the top ring 302 facing the polishing pad 352. At the time of polishing, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 354 and / or from the through hole 357 of the polishing pad 352 to the polishing surface of the polishing pad 352. Further, at the time of polishing, the polishing table 350 and the top ring 302 are rotationally driven. The substrate WF is polished by being pressed against the polished surface of the polishing pad 352 by the top ring 302.

図4に示されるように、トップリングシャフト304は、アーム360に連結されており、アーム360は、回転軸362を中心に揺動可能である。基板WFの研磨中に、トップリング302が研磨パッド352の中心を通過するように、アーム360を固定あるいは揺動させてもよい。また、基板WFの研磨中に、基板WFが研磨パッド352の貫通孔357を覆うようにアーム360を固定または揺動させてもよい。図1に示されるように、揺動可能なアーム360により、トップリング302は、搬送モジュール200の方へ移動可能である。トップリング302が、搬送モジュール200の基板受け渡し位置に移動することで、トップリング302は、プッシャ230から基板WFを受け取ることができる。また、研磨モジュール300での基板WFの研磨後に、トップリング302からプッシャ230に基板WFを受け渡すことができる。 As shown in FIG. 4, the top ring shaft 304 is connected to the arm 360, and the arm 360 can swing about the rotation shaft 362. During polishing of the substrate WF, the arm 360 may be fixed or rocked so that the top ring 302 passes through the center of the polishing pad 352. Further, during polishing of the substrate WF, the arm 360 may be fixed or swung so that the substrate WF covers the through hole 357 of the polishing pad 352. As shown in FIG. 1, the swingable arm 360 allows the top ring 302 to move towards the transfer module 200. By moving the top ring 302 to the board delivery position of the transfer module 200, the top ring 302 can receive the board WF from the pusher 230. Further, after polishing the substrate WF with the polishing module 300, the substrate WF can be handed over from the top ring 302 to the pusher 230.

<洗浄モジュール> 本実施形態の基板処理装置1000は、搬送モジュール200の洗浄機構(上洗浄ノズル284aおよび下洗浄ノズル284b)によって洗浄しきれないスラリなどの残渣を基板WFから除去するために洗浄モジュール400を備える。図5は、一実施形態による洗浄モジュールを模式的に示す平面図である。図6は、一実施形態による洗浄モジュールを模式的に示す斜視図である。 <Cleaning Module> The substrate processing apparatus 1000 of the present embodiment is a cleaning module for removing residues such as slurry that cannot be completely cleaned by the cleaning mechanism (upper cleaning nozzle 284a and lower cleaning nozzle 284b) of the transport module 200 from the substrate WF. It is equipped with 400. FIG. 5 is a plan view schematically showing a cleaning module according to an embodiment. FIG. 6 is a perspective view schematically showing a cleaning module according to an embodiment.

図5に示すように洗浄モジュール400には、研磨モジュール300によって研磨された基板WFが被研磨面を下方に向けた状態で入口シャッタ410を介して搬入される。図6に示すように洗浄モジュール400は、被研磨面を下に向けた状態の基板WFを直線状の搬送路405に沿って下流側の基板受け渡し位置418まで搬送するための第1の搬送機構210-1を備える。洗浄モジュール400は、搬送路405と直交する方向に搬送路405から離間した位置に配置された超音波洗浄槽440を備える。超音波洗浄槽440は、被研磨面を下方に向けた状態の基板WFを洗浄するための洗浄槽である。洗浄モジュール400は、搬送路405の基板受け渡し位置418と超音波洗浄槽440との間で基板WFを移載するための移載機420を備える。また、洗浄モジュール400は、移載機420によって超音波洗浄槽440から基板受け渡し位置418に移載された基板WFを搬送路405に沿ってさらに下流側へ搬送するための第2の搬送機構210-2を備える。なお、移載機420による基板WFの受け渡しが行われない領域において、搬送ロー
ラ202の上には上搬送ローラ290が配置されるが、図示の明瞭化のために、図5、6では上搬送ローラ290およびその駆動機構は省略している。
As shown in FIG. 5, the substrate WF polished by the polishing module 300 is carried into the cleaning module 400 via the inlet shutter 410 with the surface to be polished facing downward. As shown in FIG. 6, the cleaning module 400 is a first transport mechanism for transporting the substrate WF with the surface to be polished facing down to the substrate transfer position 418 on the downstream side along the linear transport path 405. It is equipped with 210-1. The cleaning module 400 includes an ultrasonic cleaning tank 440 arranged at a position separated from the transport path 405 in a direction orthogonal to the transport path 405. The ultrasonic cleaning tank 440 is a cleaning tank for cleaning the substrate WF with the surface to be polished facing downward. The cleaning module 400 includes a transfer machine 420 for transferring the substrate WF between the substrate transfer position 418 of the transport path 405 and the ultrasonic cleaning tank 440. Further, the cleaning module 400 is a second transfer mechanism 210 for further downstream side along the transfer path 405 of the substrate WF transferred from the ultrasonic cleaning tank 440 to the substrate transfer position 418 by the transfer machine 420. It has -2. In the region where the substrate WF is not delivered by the transfer machine 420, the upper transfer roller 290 is arranged on the transfer roller 202, but for the sake of clarity in the illustration, the upper transfer is shown in FIGS. 5 and 6. The roller 290 and its drive mechanism are omitted.

図7は、一実施形態による移載機を模式的に示す側面図、平面図、および断面図である。図7(A)は、図6におけるA方向から見た側面図である。図7(B)は、図6におけるB方向から見た側面図である。図7(C)は、図7(B)におけるC方向から見た平面図である。図7(D)は、図7(B)におけるD方向から見た平面図である。図7(E)は、図7(B)におけるE-E線の断面図である。図8は、一実施形態による移載機を模式的に示す側面図である。なお、図7(C)、図7(D)、および図7(E)においては、図示の明瞭化のために、基板WFは省略している。 FIG. 7 is a side view, a plan view, and a cross-sectional view schematically showing the transfer machine according to the embodiment. FIG. 7A is a side view seen from the direction A in FIG. FIG. 7B is a side view of FIG. 6 as viewed from the B direction. 7 (C) is a plan view seen from the direction C in FIG. 7 (B). 7 (D) is a plan view seen from the D direction in FIG. 7 (B). 7 (E) is a cross-sectional view taken along the line EE in FIG. 7 (B). FIG. 8 is a side view schematically showing the transfer machine according to one embodiment. In addition, in FIG. 7 (C), FIG. 7 (D), and FIG. 7 (E), the substrate WF is omitted for the sake of clarity of illustration.

図8に示すように、洗浄モジュール400は、基板受け渡し位置418まで基板WFを搬送するように構成された第1の搬送機構210-1を含む。第1の搬送機構210-1は、基板WFの搬送路の下側において基板WFの搬送方向に沿って間隔をあけて配置された回転可能な複数のローラシャフト204を含む。また、第1の搬送機構210-1は、基板WFの搬送路の上側において基板WFの搬送方向に沿って間隔をあけて配置された回転可能な複数の上ローラシャフト291を含む。また、第1の搬送機構210-1は、基板WFの被研磨面(下面)を支持して搬送するように構成された搬送ローラ202を含む。本実施形態では、各ローラシャフト204に3つの搬送ローラ202が取り付けられている。また、第1の搬送機構210-1は、搬送ローラ202とともに基板WFを挟持して搬送するように構成された上搬送ローラ290を含む。本実施形態では、各上ローラシャフト291に3つの上搬送ローラ290が取り付けられている。基板受け渡し位置418においては、基板受け渡しのために、上ローラシャフト291および上搬送ローラ290は設けられず、ローラシャフト204および搬送ローラ202のみ設けられる。基板受け渡し位置418におけるローラシャフト204および搬送ローラ202は、基板WFを基板受け渡し位置418まで搬送するとともに、超音波洗浄された基板WFを基板受け渡し位置418からさらに下流へ搬送するので、第1の搬送機構210-1の機能と第2の搬送機構210-2の機能を兼ね備えることになる。 As shown in FIG. 8, the cleaning module 400 includes a first transport mechanism 210-1 configured to transport the substrate WF to the substrate transfer position 418. The first transfer mechanism 210-1 includes a plurality of rotatable roller shafts 204 arranged at intervals along the transfer direction of the substrate WF under the transfer path of the substrate WF. Further, the first transfer mechanism 210-1 includes a plurality of rotatable upper roller shafts 291 arranged at intervals along the transfer direction of the substrate WF on the upper side of the transfer path of the substrate WF. Further, the first transport mechanism 210-1 includes a transport roller 202 configured to support and transport the surface to be polished (lower surface) of the substrate WF. In this embodiment, three transfer rollers 202 are attached to each roller shaft 204. Further, the first transport mechanism 210-1 includes an upper transport roller 290 configured to sandwich and transport the substrate WF together with the transport roller 202. In this embodiment, three upper transfer rollers 290 are attached to each upper roller shaft 291. At the board transfer position 418, the upper roller shaft 291 and the upper transfer roller 290 are not provided for the substrate transfer, but only the roller shaft 204 and the transfer roller 202 are provided. The roller shaft 204 and the transfer roller 202 at the substrate transfer position 418 convey the substrate WF to the substrate transfer position 418 and also convey the ultrasonically cleaned substrate WF further downstream from the substrate transfer position 418, so that the first transfer is performed. The function of the mechanism 210-1 and the function of the second transfer mechanism 210-2 are combined.

一実施形態において、洗浄モジュール400の搬送ローラ202および上搬送ローラ290は、導電性ポリマーから構成することができる。搬送ローラ202および上搬送ローラ290は、ローラシャフト204および上ローラシャフト291などを介して電気的に接地される。これは、基板WFが帯電して基板WFを損傷することを防止するためである。搬送ローラ202および上搬送ローラ290は、搬送モジュール200において説明したものと同様にギア206およびモータ208により駆動されるので、構造および駆動機構の詳細な説明を省略する。 In one embodiment, the transport roller 202 and the top transport roller 290 of the cleaning module 400 can be made of a conductive polymer. The transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 are electrically grounded via the roller shaft 204, the upper roller shaft 291 and the like. This is to prevent the substrate WF from being charged and damaging the substrate WF. Since the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 are driven by the gear 206 and the motor 208 in the same manner as those described in the transfer module 200, detailed description of the structure and the drive mechanism will be omitted.

図7および図8に示すように、移載機420は、第1の搬送機構210-1により搬送路405に沿って基板受け渡し位置418に搬送された基板WFを収容するための収容空間435を形成する収容機構430を含む。収容機構430は、基板WFの被研磨面を支持するための支持部材431と、支持部材431の上方に支持部材431と距離をあけて対向する上部部材432と、支持部材431および上部部材432を接続する柱部材433と、を含む。支持部材431、上部部材432、および柱部材433によって収容空間435が形成される。支持部材431上には基板WFの被研磨面に接触する突起434が設けられる。 As shown in FIGS. 7 and 8, the transfer machine 420 provides an accommodation space 435 for accommodating the substrate WF conveyed to the substrate transfer position 418 along the transfer path 405 by the first transfer mechanism 210-1. Includes a containment mechanism 430 to form. The accommodating mechanism 430 includes a support member 431 for supporting the surface to be polished of the substrate WF, an upper member 432 facing the support member 431 above the support member 431 at a distance, and the support member 431 and the upper member 432. Includes a column member 433 to be connected. The accommodation space 435 is formed by the support member 431, the upper member 432, and the pillar member 433. A protrusion 434 that comes into contact with the surface to be polished of the substrate WF is provided on the support member 431.

また、図8に示すように、収容機構430は、基板WFを収容空間435に搬入するための入口437と、入口437を開閉するための第1のシャッタ436と、を含む。また、収容機構430は、基板WFを収容空間435から搬出するための出口439と、出口439を開閉するための第2のシャッタ438と、を含む。収容機構430は、図8(A
)に示すように、基板WFが収容空間435に搬入されてくる際には、第2のシャッタ438を下方に移動させて出口439を閉じるとともに、第1のシャッタ436を上方で待機させて入口437を開けるように構成される。また、収容機構430は、図8(B)に示すように、基板WFが収容空間435に搬入されたら、第1のシャッタ436を下方へ移動させて入口437を閉じるように構成される。移載機420は、収容機構430を昇降させるための昇降機構428を備える。昇降機構428は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。移載機420は、図8(C)に示すように、基板WFが収容空間435に搬入され入口437が閉じられたら、昇降機構428によって収容機構430を上方へ移動させることによって基板WFを保持するように構成される。
Further, as shown in FIG. 8, the accommodating mechanism 430 includes an inlet 437 for carrying the substrate WF into the accommodating space 435 and a first shutter 436 for opening and closing the inlet 437. Further, the accommodation mechanism 430 includes an outlet 439 for carrying out the substrate WF from the accommodation space 435, and a second shutter 438 for opening and closing the outlet 439. The accommodation mechanism 430 is shown in FIG. 8 (A).
), When the substrate WF is carried into the accommodation space 435, the second shutter 438 is moved downward to close the exit 439, and the first shutter 436 is made to stand by upward to enter. It is configured to open 437. Further, as shown in FIG. 8B, the accommodation mechanism 430 is configured to move the first shutter 436 downward and close the entrance 437 when the substrate WF is carried into the accommodation space 435. The transfer machine 420 includes an elevating mechanism 428 for elevating and lowering the accommodating mechanism 430. The elevating mechanism 428 can be realized by a known mechanism such as a motor. As shown in FIG. 8C, the transfer machine 420 holds the substrate WF by moving the accommodation mechanism 430 upward by the elevating mechanism 428 when the substrate WF is carried into the accommodation space 435 and the inlet 437 is closed. It is configured to do.

図6に示すように、移載機420は、収容機構430を基板受け渡し位置418と超音波洗浄槽440との間で移動させるように、搬送路405と直交する方向に伸びる移載シャフト422に沿って収容機構430を移動させるように構成された移動機構424を含む。移動機構424は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。移載機420は、基板受け渡し位置418に搬送された基板WFを収容機構430によって保持し、移動機構424によって超音波洗浄槽440の真上まで運ぶように構成される。 As shown in FIG. 6, the transfer machine 420 is attached to a transfer shaft 422 extending in a direction orthogonal to the transfer path 405 so as to move the accommodation mechanism 430 between the substrate transfer position 418 and the ultrasonic cleaning tank 440. Includes a moving mechanism 424 configured to move the containment mechanism 430 along. The moving mechanism 424 can be realized by a known mechanism such as a motor. The transfer machine 420 is configured to hold the substrate WF transferred to the substrate transfer position 418 by the accommodating mechanism 430 and to carry it directly above the ultrasonic cleaning tank 440 by the moving mechanism 424.

移載機420は、収容機構430を傾斜させるための傾斜機構426を含む。傾斜機構426は、例えばチルト機構などの公知の機構によって実現することができる。移載機420は、超音波洗浄槽440の真上まで基板WFを運んだら、傾斜機構426によって基板WFを傾ける。なお、傾斜機構426は、基板WFを縦向きになるほど傾けるのではなく、例えば20度以下、好ましくは10度以下の範囲で基板WFを傾けることによって、基板WFの被研磨面を下方に向けた状態を維持する。移載機420は、基板WFを傾けた状態で、昇降機構428によって収容機構430を下降させることにより基板WFを超音波洗浄槽440に浸漬させる。基板WFをわずかに傾けること、また、超音波洗浄槽440への投入速度を昇降機構428により比較的緩やかな速度に制御することにより、移載機420は、基板浸漬時の洗浄液による基板への抵抗を低減して基板WFを超音波洗浄槽440に浸漬させることができる。このため、1辺の長さが500mmを超える大きさの基板でも、基板へのダメージが少ない洗浄ができる。 The transfer machine 420 includes a tilting mechanism 426 for tilting the accommodating mechanism 430. The tilt mechanism 426 can be realized by a known mechanism such as a tilt mechanism. When the transfer machine 420 carries the substrate WF directly above the ultrasonic cleaning tank 440, the transfer machine 420 tilts the substrate WF by the tilting mechanism 426. The tilting mechanism 426 does not tilt the substrate WF so as to be vertically oriented, but tilts the substrate WF in a range of, for example, 20 degrees or less, preferably 10 degrees or less, so that the surface to be polished of the substrate WF is directed downward. Maintain the state. The transfer machine 420 immerses the substrate WF in the ultrasonic cleaning tank 440 by lowering the accommodating mechanism 430 by the elevating mechanism 428 in a state where the substrate WF is tilted. By slightly tilting the substrate WF and controlling the charging speed to the ultrasonic cleaning tank 440 to a relatively gentle speed by the elevating mechanism 428, the transfer machine 420 can transfer the substrate to the substrate by the cleaning liquid at the time of immersion in the substrate. The resistance can be reduced and the substrate WF can be immersed in the ultrasonic cleaning tank 440. Therefore, even a substrate having a side length of more than 500 mm can be cleaned with less damage to the substrate.

図5に示すように、超音波洗浄槽440は、超音波洗浄槽440内に収容された洗浄液に浸漬された基板WFに対して超音波を印加するための超音波照射器442を含む。超音波洗浄槽440は、超音波照射器442から超音波を照射することによって基板WFの被研磨面および裏面に付着したスラリなどの残渣を洗浄することができる。本実施形態によれば、基板WFの姿勢を縦向きに変えるための機構が不要であるので、簡易な構造の洗浄モジュール400を実現することができる。また、本実施形態によれば、搬送モジュール200の洗浄機構(上洗浄ノズル284aおよび下洗浄ノズル284b)による洗浄に加えて、超音波洗浄槽440での洗浄も行うので、基板WFの洗浄力を向上させることができる。さらに、本実施形態によれば、超音波洗浄槽440は基板WFの姿勢が傾斜した状態で基板WFの超音波洗浄及び基板の取り出しを行うので、基板WFの姿勢が縦向きの状態で基板WFを洗浄する場合に比べて、基板WFから剥離した残渣が再び基板WFに付着するのを抑制することができる。 As shown in FIG. 5, the ultrasonic cleaning tank 440 includes an ultrasonic irradiator 442 for applying ultrasonic waves to the substrate WF immersed in the cleaning liquid contained in the ultrasonic cleaning tank 440. The ultrasonic cleaning tank 440 can clean the residue such as slurry adhering to the surface to be polished and the back surface of the substrate WF by irradiating ultrasonic waves from the ultrasonic irradiator 442. According to this embodiment, since a mechanism for changing the posture of the substrate WF in the vertical direction is not required, the cleaning module 400 having a simple structure can be realized. Further, according to the present embodiment, in addition to cleaning by the cleaning mechanism (upper cleaning nozzle 284a and lower cleaning nozzle 284b) of the transport module 200, cleaning in the ultrasonic cleaning tank 440 is also performed, so that the cleaning power of the substrate WF can be improved. Can be improved. Further, according to the present embodiment, since the ultrasonic cleaning tank 440 performs ultrasonic cleaning of the substrate WF and removal of the substrate in a state where the posture of the substrate WF is tilted, the substrate WF is in a state where the posture of the substrate WF is vertically oriented. It is possible to prevent the residue exfoliated from the substrate WF from adhering to the substrate WF again as compared with the case of cleaning.

移載機420は、超音波洗浄槽440で基板WFを洗浄している際に、傾斜機構426を用いて収容機構430をロール方向に運動させることができる。これにより、収容機構430の突起434に対して基板WFが接触する箇所をずらすことができるので、洗浄残りを防ぐことができる。また、洗浄残りを防ぐという同様の目的で、移動機構424を用いて収容機構430を移載シャフト422に沿って往復移動させることによって揺動させてもよい。 The transfer machine 420 can move the accommodating mechanism 430 in the roll direction by using the tilting mechanism 426 while cleaning the substrate WF in the ultrasonic cleaning tank 440. As a result, the portion where the substrate WF comes into contact with the protrusion 434 of the accommodating mechanism 430 can be shifted, so that it is possible to prevent the remaining cleaning. Further, for the same purpose of preventing unwashed residue, the accommodating mechanism 430 may be swung by reciprocating along the transfer shaft 422 using the moving mechanism 424.

図5に示すように、洗浄モジュール400は、搬送路405の基板受け渡し位置よりも基板搬送下流側に配置された2つのスクラブ洗浄機構450A、450Bを含む。2つのスクラブ洗浄機構450A、450Bは同様の構成とすることができるので、以下において、一括してスクラブ洗浄機構450として説明する。 As shown in FIG. 5, the cleaning module 400 includes two scrub cleaning mechanisms 450A and 450B arranged on the substrate transfer downstream side of the substrate transfer position of the transfer path 405. Since the two scrub cleaning mechanisms 450A and 450B can have the same configuration, they will be collectively referred to as the scrub cleaning mechanism 450 below.

図9は、一実施形態によるスクラブ洗浄機構を模式的に示す側面図である。図10は、一実施形態によるスクラブ洗浄機構のロールスポンジの位置を模式的に示す側面図である。図9に示すように、洗浄モジュール400は第2の搬送機構210-2を備える。第2の搬送機構210-2は、第1の搬送機構210-1と同様の構成を有するので、詳細な説明を省略する。スクラブ洗浄機構450は、第2の搬送機構210-2によって搬送される基板WFの被研磨面に接触して非図示の回転機構により所定の回転数で回転する第1のロールスポンジ451-1と、ロードセル459-1を介して第1のロールスポンジ451-1を昇降させるための昇降機構453と、を含む。また、スクラブ洗浄機構450は、第2の搬送機構210-2によって搬送される基板WFの裏面に接触して非図示の回転機構により所定の回転数で回転する第2のロールスポンジ451-2と、第2のロールスポンジ451-2を保持するためのロールホルダ454と、を含む。さらに、スクラブ洗浄機構450は、ロールホルダ454に取り付けられたロードセル459-2を介して第2のロールスポンジ451-2を昇降させるための昇降機構455と、第2のロールスポンジ451-2を搬送路405と平行に伸びるシャフト452に沿って駆動するための水平駆動機構457と、を含む。第1のロールスポンジ451-1と第2のロールスポンジ451-2は、第2の搬送機構210-2を挟んで対向して配置される。昇降機構453、昇降機構455、および水平駆動機構457は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。昇降機構453および昇降機構455は、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2を基板WFに対して上下対称に昇降させてもよいし、個別に昇降させることもできる。 FIG. 9 is a side view schematically showing a scrub cleaning mechanism according to an embodiment. FIG. 10 is a side view schematically showing the position of the roll sponge of the scrub cleaning mechanism according to the embodiment. As shown in FIG. 9, the cleaning module 400 includes a second transfer mechanism 210-2. Since the second transport mechanism 210-2 has the same configuration as the first transport mechanism 210-1, detailed description thereof will be omitted. The scrub cleaning mechanism 450 has a first roll sponge 451-1 that comes into contact with the surface to be polished of the substrate WF conveyed by the second transfer mechanism 210-2 and rotates at a predetermined rotation speed by a rotation mechanism (not shown). , A lifting mechanism 453 for raising and lowering the first roll sponge 451-1 via the load cell 459-1. Further, the scrub cleaning mechanism 450 has a second roll sponge 451-2 that comes into contact with the back surface of the substrate WF conveyed by the second transfer mechanism 210-2 and rotates at a predetermined rotation speed by a rotation mechanism (not shown). , A roll holder 454 for holding the second roll sponge 451-2. Further, the scrub cleaning mechanism 450 conveys the elevating mechanism 455 for raising and lowering the second roll sponge 451-2 via the load cell 459-2 attached to the roll holder 454, and the second roll sponge 451-2. Includes a horizontal drive mechanism 457 for driving along a shaft 452 extending parallel to the road 405. The first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are arranged so as to face each other with the second transport mechanism 210-2 interposed therebetween. The elevating mechanism 453, the elevating mechanism 455, and the horizontal drive mechanism 457 can be realized by a known mechanism such as a motor. The elevating mechanism 453 and the elevating mechanism 455 may elevate the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 vertically symmetrically with respect to the substrate WF, or may elevate the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 individually.

ロードセル459-1は、昇降機構453によって第1のロールスポンジ451-1を基板WFに対して押圧する力を測定する測定器である。ロードセル459-2は、昇降機構455によって第2のロールスポンジ451-2を基板WFに対して押圧する力を測定する測定器である。第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2を個別に昇降させる場合、スクラブ洗浄機構450は、ロードセル459-1の測定値に基づいて第1のロールスポンジ451-1の基板WFに対する押圧力を閉ループ制御するように構成される。同様に第2のロールスポンジ451-2はロードセル459-2の測定値に基づいて閉ループ制御される。例えば、スクラブ洗浄機構450は、ロードセル459-1およびロードセル459-2の測定値が予め設定された指定値となるように第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2の位置制御を行うことができる。また、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2を基板WFに対して上下対称に昇降させる場合、スクラブ洗浄機構450は閉ループ制御に用いる測定値としてロードセル459-1を参照しても良いし、ロードセル459-2を参照しても良い。ただし、ロードセル459-1とロードセル459-2のどちらか一方を参照すると、基板WFが反り等によって第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2の一方に片当たりしている状況を検知できない可能性がある。例えばロードセル459-2の測定値に基づいて閉ループ制御を行った場合、基板WFが第1のロールスポンジ451-1に接触しておらず、基板WFの上面を洗浄できていなくても、スクラブ洗浄機構450はこれを検知できない。そこで、スクラブ洗浄機構450は、ロードセル459-1の測定値とロードセル459-2の測定値の平均値に基づいて第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2の位置制御を行うことができる。この場合、基板WFが片当たりすると、ロードセル459-1とロードセル459-2のどちらか一方の測定値が0となり、これらの平均値も半減す
る。するとスクラブ洗浄機構450は、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2を基板WFに接近させることで押圧力を増大させようと制御する。結果として基板WFが片当たりしている状況から復帰でき、スクラブ洗浄機構450は基板WFの上下両面を洗浄できる。また、スクラブ洗浄機構450は、ロードセル459-1およびロードセル459-2の測定値と予め設定された指定値との差が閾値を超えたら第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2の位置のフィードバック制御を行うことができる。これは、ロードセル459-1およびロードセル459-2の測定値と予め設定された指定値との差が小さいのにフィードバック制御を行うとハンチングする可能性があるためである。また、ロードセル459-1およびロードセル459-2の測定値には、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2の段差および基板WFの振動などがノイズとして乗ることも考えられるので、スクラブ洗浄機構450は、測定値の移動平均を求めて位置制御に用いることもできる。
The load cell 459-1 is a measuring instrument that measures the force of pressing the first roll sponge 451-1 against the substrate WF by the elevating mechanism 453. The load cell 459-2 is a measuring instrument that measures the force of pressing the second roll sponge 451-2 against the substrate WF by the elevating mechanism 455. When the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are individually raised and lowered, the scrub cleaning mechanism 450 uses the substrate of the first roll sponge 451-1 based on the measured value of the load cell 459-1. It is configured to control the pressing force on the WF in a closed loop. Similarly, the second roll sponge 451-2 is closed-loop controlled based on the measured value of the load cell 459-2. For example, the scrub cleaning mechanism 450 positions the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 so that the measured values of the load cell 459-1 and the load cell 459-2 become preset specified values. Can be controlled. Further, when the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are moved up and down symmetrically with respect to the substrate WF, the scrub cleaning mechanism 450 refers to the load cell 459-1 as the measured value used for the closed loop control. Alternatively, the load cell 459-2 may be referred to. However, referring to either the load cell 459-1 or the load cell 459-2, the substrate WF hits one of the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 due to warpage or the like. The situation may not be detected. For example, when the closed loop control is performed based on the measured value of the load cell 459-2, scrub cleaning is performed even if the substrate WF is not in contact with the first roll sponge 451-1 and the upper surface of the substrate WF cannot be cleaned. The mechanism 450 cannot detect this. Therefore, the scrub cleaning mechanism 450 controls the positions of the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 based on the average value of the measured value of the load cell 459-1 and the measured value of the load cell 459-2. It can be carried out. In this case, when the substrate WF hits one side, the measured value of either the load cell 459-1 or the load cell 459-2 becomes 0, and the average value thereof is also halved. Then, the scrub cleaning mechanism 450 controls to increase the pressing force by bringing the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 close to the substrate WF. As a result, it is possible to recover from the situation where the substrate WF is one-sided, and the scrub cleaning mechanism 450 can clean both the upper and lower surfaces of the substrate WF. Further, in the scrub cleaning mechanism 450, when the difference between the measured value of the load cell 459-1 and the load cell 459-2 and the preset specified value exceeds the threshold value, the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451 Feedback control of the position of -2 can be performed. This is because there is a possibility of hunting when feedback control is performed even though the difference between the measured values of the load cells 459-1 and the load cells 459-2 and the preset specified values is small. Further, it is conceivable that the measured values of the load cell 459-1 and the load cell 459-2 include the steps of the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 and the vibration of the substrate WF as noise. Therefore, the scrub cleaning mechanism 450 can also be used for position control by obtaining a moving average of measured values.

図9に示すように、スクラブ洗浄機構450は、第1のロールスポンジ451-1を用いて基板WFをロール洗浄する際に、洗浄液を基板WFの被研磨面に噴射するための複数の第1の洗浄ノズル456-1を含む。また、スクラブ洗浄機構450は、第2のロールスポンジ451-2を用いて基板WFをロール洗浄する際に、洗浄液を基板WFの裏面に噴射するための複数の第2の洗浄ノズル456-2を含む。 As shown in FIG. 9, the scrub cleaning mechanism 450 is used to spray the cleaning liquid onto the surface to be polished of the substrate WF when the substrate WF is roll-cleaned using the first roll sponge 451-1. Includes a cleaning nozzle 456-1. Further, the scrub cleaning mechanism 450 provides a plurality of second cleaning nozzles 456-2 for spraying the cleaning liquid onto the back surface of the substrate WF when the substrate WF is roll-cleaned using the second roll sponge 451-2. include.

図9に示すように、スクラブ洗浄機構450は、第1のロールスポンジ451-1に接触して第1のロールスポンジ451-1を洗浄するための第1のクリーニング機構458-1を含む。また、スクラブ洗浄機構450は、第2のロールスポンジ451-2に接触して第2のロールスポンジ451-2を洗浄するための第2のクリーニング機構458-2を含む。第1および第2のクリーニング機構458-1、458-2は、一例では、ロールスポンジと接触することによってロールスポンジに付着したゴミなどの汚れを落とすための石英板で構成することができるが、これに限定されない。 As shown in FIG. 9, the scrub cleaning mechanism 450 includes a first cleaning mechanism 458-1 for contacting the first roll sponge 451-1 to clean the first roll sponge 451-1. Further, the scrub cleaning mechanism 450 includes a second cleaning mechanism 458-2 for contacting the second roll sponge 451-2 to clean the second roll sponge 451-2. The first and second cleaning mechanisms 458-1 and 458-2, for example, can be composed of a quartz plate for removing dirt such as dust adhering to the roll sponge by contacting with the roll sponge. Not limited to this.

第1のクリーニング機構458-1と第2のクリーニング機構458-2は、第2の搬送機構210-2を挟んで対向しないように配置されている、つまり鉛直方向に重ならないように基板の搬送方向の異なる位置に配置されている。これは、第2のクリーニング機構458-2を第1のクリーニング機構458-1の直上に配置すると、第2のロールスポンジ451-2に付着していた汚れが第1のロールスポンジ451-1に落下して第1のロールスポンジ451-1を汚染するおそれがあるためである。本実施形態のように第1のクリーニング機構458-1と第2のクリーニング機構458-2を上下方向に重ならないように配置することによって、第2のロールスポンジ451-2に付着していた汚れに起因する第1のロールスポンジ451-1の汚染を防止することができる。 The first cleaning mechanism 458-1 and the second cleaning mechanism 458-2 are arranged so as not to face each other with the second transport mechanism 210-2 interposed therebetween, that is, the substrate is conveyed so as not to overlap in the vertical direction. They are located in different directions. This is because when the second cleaning mechanism 458-2 is placed directly above the first cleaning mechanism 458-1, the dirt adhering to the second roll sponge 451-2 becomes on the first roll sponge 451-1. This is because there is a risk of falling and contaminating the first roll sponge 451-1. By arranging the first cleaning mechanism 458-1 and the second cleaning mechanism 458-2 so as not to overlap in the vertical direction as in the present embodiment, dirt adhering to the second roll sponge 451-2 It is possible to prevent the contamination of the first roll sponge 451-1 due to the above.

図10に示すように、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2は、基板WFの洗浄中以外のときには、ロール洗浄位置450aに配置される。スクラブ洗浄機構450に基板WFが搬送されると、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2は、洗浄準備位置450bを経由して基板洗浄位置450cへ移動して、基板WFを洗浄する。基板WFの洗浄が終了すると、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2は、洗浄準備位置450bを経由してロール洗浄位置450aに移動する。 As shown in FIG. 10, the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are arranged at the roll cleaning position 450a except during cleaning of the substrate WF. When the substrate WF is conveyed to the scrub cleaning mechanism 450, the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 move to the substrate cleaning position 450c via the cleaning preparation position 450b and the substrate. Clean the WF. When the cleaning of the substrate WF is completed, the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 move to the roll cleaning position 450a via the cleaning preparation position 450b.

次に、スクラブ洗浄機構450における基板WFの洗浄力を強化するための押圧機構について説明する。図10に示すように、スクラブ洗浄機構450が配置された領域において、第2の搬送機構210-2は、上搬送ローラ290を基板WFの搬送路の方向へ押圧するように構成された複数の押圧機構211を含む。これは、本実施形態のスクラブ洗浄
機構450では、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2による洗浄によって基板WFに外力が作用し、基板搬送に支障をきたすという課題に対応するためである。具体的には、基板WFは回転する第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2を押し付けられることで洗浄される。洗浄時はローラシャフト204および上ローラシャフト291を回転駆動することによって、基板WFと接触している搬送ローラ202および上搬送ローラ290から基板WFにトラクション(粘着摩擦による駆動力)がかかり、基板WFは搬送される。このように基板WFを洗浄しながら搬送することによって基板全面の洗浄が行われる。
Next, a pressing mechanism for strengthening the cleaning power of the substrate WF in the scrub cleaning mechanism 450 will be described. As shown in FIG. 10, in the region where the scrub cleaning mechanism 450 is arranged, the second transfer mechanism 210-2 is configured to press the upper transfer roller 290 toward the transfer path of the substrate WF. The pressing mechanism 211 is included. This is due to the problem that in the scrub cleaning mechanism 450 of the present embodiment, an external force acts on the substrate WF by cleaning with the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2, which hinders the transfer of the substrate. This is to correspond. Specifically, the substrate WF is washed by pressing the rotating first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2. During cleaning, by rotationally driving the roller shaft 204 and the upper roller shaft 291, traction (driving force due to adhesive friction) is applied to the substrate WF from the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 that are in contact with the substrate WF, and the substrate WF. Is transported. By transporting the substrate WF while cleaning it in this way, the entire surface of the substrate is cleaned.

洗浄時、基板WFと搬送ローラ202および上搬送ローラ290はグリップ状態にあり、基板WFは搬送ローラ202および上搬送ローラ290に対して滑ることなく、基板WFを挟んで互いに矢印ADで示すように逆方向に回転する搬送ローラ202および上搬送ローラ290の外周速度に沿って搬送路405の矢印AEで示す搬送方向に搬送される。一方で第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2は基板WFに対して時計回りまたは反時計回りに回転しつつスリップしており、これにより第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2が基板WFの表面をこすり、基板WFを洗浄している。つまり基板WFと第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2の最大摩擦力より、基板WFと搬送ローラ202および上搬送ローラ290の最大摩擦力の方が大きいために、基板WFに対して搬送ローラ202および上搬送ローラ290はグリップし、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2はスリップしており、洗浄時はこの関係が常に成り立っている必要がある。 At the time of cleaning, the substrate WF, the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 are in the grip state, and the substrate WF does not slip with respect to the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290, and the substrate WF is sandwiched between them as indicated by arrows AD. It is conveyed in the transfer direction indicated by the arrow AE of the transfer path 405 along the outer peripheral speeds of the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 that rotate in the opposite direction. On the other hand, the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 slip while rotating clockwise or counterclockwise with respect to the substrate WF, whereby the first roll sponge 451-1 And a second roll sponge 451-2 rubs the surface of the substrate WF to clean the substrate WF. That is, the maximum frictional force between the substrate WF and the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 is larger than the maximum frictional force between the substrate WF and the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2. The transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 grip the WF, and the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are slipping, and this relationship must always hold during cleaning. There is.

ここで洗浄性能を改善するために、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2をより強く基板WFに押圧した場合を想定する。この時、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2と基板WFの最大摩擦力も大きくなり、搬送ローラ202および上搬送ローラ290と基板WFの最大摩擦力を上回ったとする。すると基板WFは第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2に対してグリップし、搬送ローラ202および上搬送ローラ290が基板WFに対してスリップすることになる。すると、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2は基板WFの表面をこすらないため、洗浄性能は極端に低下する。 Here, in order to improve the cleaning performance, it is assumed that the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are pressed more strongly against the substrate WF. At this time, it is assumed that the maximum frictional force between the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 and the substrate WF also increases and exceeds the maximum frictional force between the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 and the substrate WF. Then, the substrate WF grips the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2, and the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 slip with respect to the substrate WF. Then, since the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 do not rub the surface of the substrate WF, the cleaning performance is extremely deteriorated.

第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2が基板WFに対してグリップ状態にある時、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2が搬送ローラ202および上搬送ローラ290より速く回転していれば基板WFは先送りされる。逆に第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2が搬送ローラ202および上搬送ローラ290と逆回転していれば、基板WFは押し戻されてしまい、基板WFは搬出されない。どちらにせよ第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2が基板WFの表面をこすらないため、洗浄性能はほとんど発揮されない。 When the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are in the gripped state with respect to the substrate WF, the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are transferred by the transfer roller 202. And if it rotates faster than the upper transfer roller 290, the substrate WF is postponed. On the contrary, if the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 rotate in the reverse direction to the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290, the substrate WF is pushed back and the substrate WF is not carried out. In any case, since the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 do not rub the surface of the substrate WF, the cleaning performance is hardly exhibited.

この問題を回避する最も簡単な手段としては、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2の基板WFに対する押圧力を抑えて、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2と基板WFの最大摩擦力を抑制する、というものがある。しかしこの方法では第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2の洗浄性能が限られるため、基板WFの汚染度合によっては基板を十分に洗浄できない可能性がある。 The simplest way to avoid this problem is to suppress the pressing force of the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 against the substrate WF to suppress the pressing force of the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2. There is a thing to suppress the maximum frictional force between the roll sponge 451-2 and the substrate WF. However, since the cleaning performance of the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 is limited by this method, it may not be possible to sufficiently clean the substrate depending on the degree of contamination of the substrate WF.

上記の問題を解決するため、上搬送ローラ290を基板WFに対して押圧し、荷重をか
けることにより、基板WFと搬送ローラ202および上搬送ローラ290との最大摩擦を増大させることができる。これにより第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2を基板WFに強く押圧しても、搬送ローラ202および上搬送ローラ290を基板WFにグリップさせ、基板WFを搬送しながら洗浄することが可能になる。なお、本実施形態では、上搬送ローラ290を基板WFに対して強く押圧する例を示すが、搬送ローラ202を基板WFに対して強く押圧してもよいし、上搬送ローラ290および搬送ローラ202の両方を基板WFに対して強く押圧してもよい。
In order to solve the above problem, the maximum friction between the substrate WF and the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 can be increased by pressing the upper transfer roller 290 against the substrate WF and applying a load. As a result, even if the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451-2 are strongly pressed against the substrate WF, the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290 are gripped by the substrate WF, and the substrate WF is conveyed. It becomes possible to wash. In this embodiment, an example in which the upper transfer roller 290 is strongly pressed against the substrate WF is shown, but the transfer roller 202 may be strongly pressed against the substrate WF, and the upper transfer roller 290 and the transfer roller 202 may be pressed strongly. You may press both of them strongly against the substrate WF.

図11は、一実施形態による押圧機構を模式的に示す側面図である。図11(A)は、押圧機構の側面図を示しており、図11(B)は、図11(A)におけるB-B線の断面図を示している。上搬送ローラ290の押圧方法に関して、上ローラシャフト291および上搬送ローラ290は回転しているため直接外力を作用させることは難しい。そこで図11に示すように、上ローラシャフト291の両端にある軸受205を保持するベアリングホルダ207に対して荷重をかければ良い。押圧の対象としているのは上搬送ローラ290なので、ベアリングホルダ207さらに上ローラシャフト291を介して上搬送ローラ290を下方向に押圧すれば、上搬送ローラ290を基板WFに押圧することができる。 FIG. 11 is a side view schematically showing the pressing mechanism according to the embodiment. 11 (A) shows a side view of the pressing mechanism, and FIG. 11 (B) shows a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 11 (A). Regarding the pressing method of the upper transfer roller 290, since the upper roller shaft 291 and the upper transfer roller 290 are rotating, it is difficult to directly apply an external force. Therefore, as shown in FIG. 11, a load may be applied to the bearing holder 207 holding the bearing 205 at both ends of the upper roller shaft 291. Since the target of pressing is the upper transfer roller 290, the upper transfer roller 290 can be pressed against the substrate WF by pressing the upper transfer roller 290 downward through the bearing holder 207 and the upper roller shaft 291.

上搬送ローラ290を基板WFに押圧するタイミングについて説明する。基板WFに既に接している上搬送ローラ290は基板WFへの押圧を行っても問題ないが、基板WFにまだ接触していない上搬送ローラ290に荷重をかけてしまうと、基板WFが上搬送ローラ290と搬送ローラ202との間に入っていけなくなってしまう。つまり搬送される基板WFの位置に応じて、複数ある上搬送ローラ290に順次荷重をかけていく必要がある。 The timing of pressing the upper transfer roller 290 against the substrate WF will be described. The upper transfer roller 290 that is already in contact with the substrate WF may be pressed against the substrate WF, but if a load is applied to the upper transfer roller 290 that is not yet in contact with the substrate WF, the substrate WF is transferred upward. It becomes impossible to enter between the roller 290 and the transport roller 202. That is, it is necessary to sequentially apply a load to a plurality of upper transport rollers 290 according to the position of the substrate WF to be transported.

このように複数の上搬送ローラ290毎に荷重をかけるタイミングが異なるため、一括してすべての上搬送ローラ290を押圧することはできず、個別に押圧する構造が必要である。また、基板WFの搬送位置に合わせて押圧状態を切り替える必要があるため、上搬送ローラ290の押圧機構はバネ等を用いて常に予圧をかける方法は適さない。 Since the timing of applying the load is different for each of the plurality of upper transfer rollers 290, it is not possible to press all the upper transfer rollers 290 at once, and a structure for individually pressing is required. Further, since it is necessary to switch the pressing state according to the conveying position of the substrate WF, the method of constantly applying preload to the pressing mechanism of the upper conveying roller 290 by using a spring or the like is not suitable.

以上を踏まえた上で、上搬送ローラ290の押圧機構として、電力でモータやソレノイドを駆動したり、あるいは空気圧で押し付けたり、といった方法が考えられる。複数の上搬送ローラ290を個別に押し付ける必要があるため、モータやソレノイド、エアシリンダを使用する場合は、全ての上搬送ローラ290に対してこれらの機構を設置する必要がある。上搬送ローラ290の周辺スペースに余裕が無い場合は、ダイヤフラムを用いたシリンダを使用すると、押圧機構をコンパクトに収めることができる。そこで、本実施形態では、ダイヤフラムシリンダを用いた押圧機構211を採用している。図11(B)に示すように、押圧機構211は、ベアリングホルダ207を押圧するためのピストン217と、ピストン217を保持しつつ摺動させて昇降可能なシリンダ215と、圧力をピストン217に伝えるためのダイヤフラム214と、を備える。シリンダ215には、ダイヤフラム214に圧縮流体を供給するための穴213が形成されている。穴213には継手などを介して圧縮した気体や作動油、水などの流体を供給して圧力をかけ、この圧力を受けたダイヤフラム214はピストン217をベアリングホルダ207に押圧する。押圧機構211は複数の上搬送ローラ290のそれぞれに設けられる。各押圧機構211は、基板WFが搬送ローラ202と上搬送ローラ290との間に搬送されたら基板WFを押圧するように構成される。 Based on the above, as a pressing mechanism for the upper transfer roller 290, a method such as driving a motor or a solenoid by electric power or pressing by pneumatic pressure can be considered. Since it is necessary to individually press a plurality of upper transfer rollers 290, when a motor, a solenoid, or an air cylinder is used, it is necessary to install these mechanisms on all the upper transfer rollers 290. If there is not enough space around the upper transfer roller 290, a cylinder using a diaphragm can be used to compactly accommodate the pressing mechanism. Therefore, in the present embodiment, the pressing mechanism 211 using the diaphragm cylinder is adopted. As shown in FIG. 11B, the pressing mechanism 211 transmits the piston 217 for pressing the bearing holder 207, the cylinder 215 that can slide and move up and down while holding the piston 217, and the pressure to the piston 217. The diaphragm 214 for the purpose is provided. The cylinder 215 is formed with a hole 213 for supplying the compressed fluid to the diaphragm 214. A fluid such as compressed gas, hydraulic oil, or water is supplied to the hole 213 through a joint or the like to apply pressure, and the diaphragm 214 receiving the pressure presses the piston 217 against the bearing holder 207. The pressing mechanism 211 is provided on each of the plurality of upper transport rollers 290. Each pressing mechanism 211 is configured to press the substrate WF when the substrate WF is conveyed between the transfer roller 202 and the upper transfer roller 290.

本実施形態のような構造であれば、エアシリンダやモータを用いる場合と比較して押圧機構の構造を小さくできる。また各ダイヤフラムシリンダにはチューブだけ接続しておき、供給する圧縮流体を電磁弁などで制御するだけで、ピストン217の押し付け状態と開
放状態とを簡単に切り替えることができる。このようにして、複数の上搬送ローラ290を搬送される基板WFに対して順次押し付けることで両者の最大摩擦力を増大させることによって、第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2を基板WFに強く押し当てて洗浄したとしても、上搬送ローラ290を基板WFにグリップさせて基板WFを意図したとおりに搬送することができ、かつ第1のロールスポンジ451-1および第2のロールスポンジ451-2による高い洗浄性能を発揮することができる。
With a structure like this embodiment, the structure of the pressing mechanism can be made smaller than when an air cylinder or a motor is used. Further, by connecting only a tube to each diaphragm cylinder and controlling the compressed fluid to be supplied by a solenoid valve or the like, the piston 217 can be easily switched between the pressed state and the open state. In this way, the first roll sponge 451-1 and the second roll sponge 451 are increased by sequentially pressing the plurality of upper transfer rollers 290 against the transferred substrate WF to increase the maximum frictional force between the two. Even if -2 is strongly pressed against the substrate WF for cleaning, the upper transfer roller 290 can be gripped by the substrate WF to convey the substrate WF as intended, and the first roll sponge 451-1 and the first roll sponge 451-1 and the first. High cleaning performance can be exhibited by the roll sponge 451-2 of 2.

図1および図9に示すように、洗浄モジュール400は、搬送路405のスクラブ洗浄機構450よりも基板搬送下流側に配置されたリンス洗浄機構460を含む。リンス洗浄機構460は、スクラブ洗浄機構450によって洗浄された基板WFの被研磨面にリンス液(例えば純水)を供給するための第1のリンス液供給ノズル462-1と、基板WFの裏面にリンス液を供給するための第2のリンス液供給ノズル462-2と、を含む。基板WFはリンス洗浄機構460によってリンス液で洗浄される。リンス洗浄機構460によって洗浄された基板WFは図5に示す出口シャッタ470を介して洗浄モジュール400から搬出される。なお、本実施形態では、超音波洗浄槽440による超音波洗浄、およびスクラブ洗浄機構450によるロール洗浄の両方を基板WFに対して行った後にリンス洗浄機構460によるリンス洗浄を行う例を示したが、これに限定されない。洗浄モジュール400は、基板WFの材質、基板WFに付着した汚れの種類、または基板WFの大きさなどに応じて、超音波洗浄のみを行った後にリンス洗浄を行ってもよいし、ロール洗浄のみを行った後にリンス洗浄を行うこともできる。また、超音波洗浄槽440およびスクラブ洗浄機構450は、薬液を供給するシステムを含んでいてもよい。これにより、物理的洗浄方法と化学的洗浄方法の両方を使用できる洗浄モジュール400を実現することができる。さらに、洗浄モジュール400は、複数の超音波洗浄槽440を含んでいてもよい。これにより、使用できる洗浄液の種類を増やすことができるので基板に付着した種々の残渣に対応でき、また、洗浄モジュール400のスループットを向上させることができる。 As shown in FIGS. 1 and 9, the cleaning module 400 includes a rinse cleaning mechanism 460 arranged on the substrate transfer downstream side of the scrub cleaning mechanism 450 of the transfer path 405. The rinse cleaning mechanism 460 is provided on the back surface of the substrate WF and the first rinse liquid supply nozzle 462-1 for supplying the rinse liquid (for example, pure water) to the surface to be polished of the substrate WF cleaned by the scrub cleaning mechanism 450. It includes a second rinse liquid supply nozzle 462-2 for supplying the rinse liquid. The substrate WF is cleaned with a rinsing solution by the rinsing cleaning mechanism 460. The substrate WF cleaned by the rinse cleaning mechanism 460 is carried out from the cleaning module 400 via the outlet shutter 470 shown in FIG. In this embodiment, an example is shown in which both ultrasonic cleaning by the ultrasonic cleaning tank 440 and roll cleaning by the scrub cleaning mechanism 450 are performed on the substrate WF, and then rinse cleaning is performed by the rinse cleaning mechanism 460. , Not limited to this. Depending on the material of the substrate WF, the type of dirt adhering to the substrate WF, the size of the substrate WF, and the like, the cleaning module 400 may perform only ultrasonic cleaning and then rinse cleaning, or only roll cleaning. It is also possible to perform a rinse wash after performing the above. Further, the ultrasonic cleaning tank 440 and the scrub cleaning mechanism 450 may include a system for supplying a chemical solution. This makes it possible to realize a cleaning module 400 that can use both a physical cleaning method and a chemical cleaning method. Further, the cleaning module 400 may include a plurality of ultrasonic cleaning tanks 440. As a result, the types of cleaning liquids that can be used can be increased, so that various residues adhering to the substrate can be dealt with, and the throughput of the cleaning module 400 can be improved.

<乾燥モジュール>
図1に示す乾燥モジュール500は、基板WFを乾燥させるための装置である。図1に示される基板処理装置1000においては、乾燥モジュール500は、研磨モジュール300で研磨された後に、搬送モジュール200の洗浄部で洗浄された基板WFを乾燥させる。図1に示されるように、乾燥モジュール500は、洗浄モジュール400の下流に配置される。
<Drying module>
The drying module 500 shown in FIG. 1 is a device for drying the substrate WF. In the substrate processing apparatus 1000 shown in FIG. 1, the drying module 500 dries the substrate WF cleaned by the cleaning portion of the transport module 200 after being polished by the polishing module 300. As shown in FIG. 1, the drying module 500 is arranged downstream of the cleaning module 400.

乾燥モジュール500は、搬送ローラ202上を搬送される基板WFに向けて気体を噴射するためのノズル530を有する。気体は、たとえば圧縮された空気または窒素とすることができる。搬送される基板WF上の水滴を乾燥モジュール500によって吹き飛ばすことで、基板WFを乾燥させることができる。 The drying module 500 has a nozzle 530 for injecting gas toward the substrate WF transported on the transport roller 202. The gas can be, for example, compressed air or nitrogen. The substrate WF can be dried by blowing off the water droplets on the conveyed substrate WF with the drying module 500.

<アンロードモジュール>
図1に示すアンロードモジュール600は、研磨および洗浄などの処理が行われた後の基板WFを基板処理装置1000の外へ搬出するためのモジュールである。図1に示される基板処理装置1000においては、アンロードモジュール600は、乾燥モジュール500で乾燥された後の基板を受け入れる。図1に示されるように、アンロードモジュール600は、乾燥モジュール500の下流に配置される。一実施形態において、アンロードモジュール600は、SMEMA(Surface Mount Equipment Manufacturers Association)の機械装置インタフェース規格(IPC-SMEMA-9851)に準拠するように構成される。
<Unload module>
The unload module 600 shown in FIG. 1 is a module for carrying out the substrate WF after processing such as polishing and cleaning to the outside of the substrate processing apparatus 1000. In the substrate processing apparatus 1000 shown in FIG. 1, the unload module 600 receives the substrate after being dried by the drying module 500. As shown in FIG. 1, the unload module 600 is arranged downstream of the drying module 500. In one embodiment, the unload module 600 is configured to comply with the SMEMA (Surface Mount Equipment Manufacturers Association) mechanical device interface standard (IPC-SMEMA-9851).

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態
は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
Although some embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments of the present invention are for facilitating the understanding of the present invention and do not limit the present invention. The present invention can be modified and improved without departing from the spirit thereof, and it goes without saying that the present invention includes an equivalent thereof. In addition, any combination or omission of the claims and the components described in the specification is possible within the range in which at least a part of the above-mentioned problems can be solved, or in the range in which at least a part of the effect is exhibited. Is.

本願は、一実施形態として、被研磨面を下方に向けた状態の基板を搬送路に沿って下流側の基板受け渡し位置まで搬送するための第1の搬送機構と、前記搬送路から離間した位置に配置され、被研磨面を下方に向けた状態の基板を洗浄するための洗浄槽と、前記搬送路の前記基板受け渡し位置と前記洗浄槽との間で基板を移載するための移載機と、前記移載機によって前記洗浄槽から前記基板受け渡し位置に移載された基板を前記搬送路に沿ってさらに下流側へ搬送するための第2の搬送機構と、を含む、洗浄モジュールを開示する。 In one embodiment, the present application includes a first transport mechanism for transporting a substrate with the surface to be polished facing downward to a substrate transfer position on the downstream side along a transport path, and a position separated from the transport path. A cleaning tank for cleaning the substrate with the surface to be polished facing downward, and a transfer machine for transferring the substrate between the substrate transfer position of the transport path and the cleaning tank. Disclosed is a cleaning module including a second transfer mechanism for transporting a substrate transferred from the cleaning tank to the substrate transfer position further downstream along the transfer path by the transfer machine. do.

本願は、一実施形態として、前記移載機は、前記搬送路に沿って前記基板受け渡し位置に搬送された基板を収容するための収容空間を形成する収容機構を含み、前記収容機構は、前記基板を前記収容空間に搬入するための入口と、前記入口を開閉するための第1のシャッタと、前記基板を前記収容空間から搬出するための出口と、前記出口を開閉するための第2のシャッタと、を含む、洗浄モジュールを開示する。 In the present application, as one embodiment, the transfer machine includes a storage mechanism for forming a storage space for storing a substrate transported to the substrate delivery position along the transfer path, and the storage mechanism is the same. An inlet for carrying the board into the accommodation space, a first shutter for opening and closing the entrance, an outlet for carrying the substrate out of the accommodation space, and a second for opening and closing the outlet. Disclosed is a cleaning module, including a shutter.

本願は、一実施形態として、前記移載機は、前記収容機構を昇降させるための昇降機構と、前記収容機構を前記基板受け渡し位置と前記洗浄槽との間で移動させるための移動機構と、前記収容機構を傾斜させるための傾斜機構と、を含む、洗浄モジュールを開示する。 In the present application, as an embodiment, the transfer machine includes an elevating mechanism for raising and lowering the accommodating mechanism, and a moving mechanism for moving the accommodating mechanism between the substrate transfer position and the cleaning tank. Disclosed is a cleaning module comprising a tilting mechanism for tilting the accommodating mechanism.

本願は、一実施形態として、前記洗浄槽は、前記洗浄槽内に収容された洗浄液に浸漬された基板に対して超音波を印加するための超音波照射器を含む、洗浄モジュールを開示する。 The present application discloses, as an embodiment, a cleaning module in which the cleaning tank includes an ultrasonic irradiator for applying ultrasonic waves to a substrate immersed in a cleaning liquid contained in the cleaning tank.

本願は、一実施形態として、前記搬送路の前記基板受け渡し位置よりも基板搬送下流側に配置され、前記第2の搬送機構によって搬送される基板の被研磨面に接触して回転する第1のロールスポンジ、および前記基板の裏面に接触して回転する第2のロールスポンジ、を含むスクラブ洗浄機構をさらに含む、洗浄モジュールを開示する。 The present application is, as an embodiment, a first aspect in which the substrate is arranged on the downstream side of the substrate transfer position of the transfer path and rotates in contact with the surface to be polished of the substrate conveyed by the second transfer mechanism. Disclosed is a cleaning module further comprising a scrub cleaning mechanism comprising a roll sponge and a second roll sponge that rotates in contact with the back surface of the substrate.

本願は、一実施形態として、前記スクラブ洗浄機構は、前記第1のロールスポンジに接触して前記第1のロールスポンジを洗浄するための第1のクリーニング機構、および前記第2のロールスポンジに接触して前記第2のロールスポンジを洗浄するための第2のクリーニング機構、をさらに含む、洗浄モジュールを開示する。 In one embodiment, the scrub cleaning mechanism contacts a first cleaning mechanism for contacting the first roll sponge to clean the first roll sponge, and the second roll sponge. Disclose a cleaning module, further comprising a second cleaning mechanism for cleaning the second roll sponge.

本願は、一実施形態として、前記第1のロールスポンジおよび前記第2のロールスポンジは、前記第2の搬送機構を挟んで対向して配置され、前記第1のクリーニング機構および前記第2のクリーニング機構は、前記第2の搬送機構を挟んで対向しないように配置される、洗浄モジュールを開示する。 In the present application, as one embodiment, the first roll sponge and the second roll sponge are arranged so as to face each other with the second transport mechanism interposed therebetween, and the first cleaning mechanism and the second cleaning mechanism are arranged. The mechanism discloses a cleaning module which is arranged so as not to face each other across the second transport mechanism.

本願は、一実施形態として、前記スクラブ洗浄機構が配置された領域において、前記第2の搬送機構は、前記搬送路に沿って配置された複数の第1のローラシャフトと、前記搬送路を挟んで前記複数の第1のローラシャフトと対向して配置された複数の第2のローラシャフトと、前記複数の第1のローラシャフトに取り付けられた複数の第1の搬送ローラと、前記複数の第2のローラシャフトに取り付けられた複数の第2の搬送ローラと、前記複数の第1の搬送ローラおよび前記複数の第2の搬送ローラの少なくとも一方を前記基板
の搬送位置に応じて個別に前記搬送路の方向へ押圧するように構成された複数の押圧機構と、を含む、洗浄モジュールを開示する。
In the present application, as an embodiment, in the region where the scrub cleaning mechanism is arranged, the second transfer mechanism sandwiches the transfer path with a plurality of first roller shafts arranged along the transfer path. A plurality of second roller shafts arranged to face the plurality of first roller shafts, a plurality of first transfer rollers attached to the plurality of first roller shafts, and the plurality of first rollers. The plurality of second transport rollers attached to the two roller shafts, and at least one of the plurality of first transport rollers and the plurality of second transport rollers are individually transported according to the transport position of the substrate. Disclosed is a cleaning module, including a plurality of pressing mechanisms configured to press in the direction of the road.

本願は、一実施形態として、前記搬送路の前記スクラブ洗浄機構よりも基板搬送下流側に配置され、前記スクラブ洗浄機構によって洗浄された基板の被研磨面および裏面にリンス液を供給するためのリンス洗浄機構、をさらに含む、洗浄モジュールを開示する。 The present application is, as an embodiment, a rinse for supplying a rinse liquid to the surface to be polished and the back surface of a substrate which is arranged on the downstream side of the scrub cleaning mechanism of the transport path and cleaned by the scrub cleaning mechanism. Disclosed is a cleaning module, further comprising a cleaning mechanism.

本願は、一実施形態として、基板を研磨するように構成された研磨モジュールと、前記研磨モジュールによって研磨された基板を洗浄するように構成された上記のいずれか1つに記載の洗浄モジュールと、前記洗浄モジュールによって洗浄された基板を乾燥させるように構成された乾燥モジュールと、を含む、基板処理装置を開示する。 The present application comprises, as an embodiment, a polishing module configured to polish a substrate, and a cleaning module according to any one of the above, configured to clean a substrate polished by the polishing module. Disclosed is a substrate processing apparatus comprising a drying module configured to dry a substrate cleaned by the cleaning module.

202 搬送ローラ
204 ローラシャフト
210-1 第1の搬送機構
210-2 第2の搬送機構
211 押圧機構
290 上搬送ローラ
291 上ローラシャフト
400 洗浄モジュール
405 搬送路
420 移載機
422 移載シャフト
424 移動機構
426 傾斜機構
428 昇降機構
430 収容機構
435 収容空間
436 第1のシャッタ
437 入口
438 第2のシャッタ
439 出口
440 超音波洗浄槽
442 超音波照射器
450 スクラブ洗浄機構
451-1 第1のロールスポンジ
451-2 第2のロールスポンジ
458-1 第1のクリーニング機構
458-2 第2のクリーニング機構
460 リンス洗浄機構
500 乾燥モジュール
1000 基板処理装置
WF 基板
202 Transfer roller 204 Roller shaft 210-1 First transfer mechanism 210-2 Second transfer mechanism 211 Pressing mechanism 290 Upper transfer roller 291 Upper roller shaft 400 Cleaning module 405 Transfer path 420 Transfer machine 422 Transfer shaft 424 Movement mechanism 426 Tilt mechanism 428 Elevating mechanism 430 Accommodation mechanism 435 Accommodation space 436 First shutter 437 Entrance 438 Second shutter 439 Exit 440 Ultrasonic cleaning tank 442 Ultrasonic cleaner 450 Scrub cleaning mechanism 451-1 First roll sponge 451- 2 Second roll sponge 458-1 First cleaning mechanism 458-2 Second cleaning mechanism 460 Rinse cleaning mechanism 500 Drying module 1000 Substrate processing device WF Substrate

Claims (10)

被研磨面を下方に向けた状態の基板を搬送路に沿って下流側の基板受け渡し位置まで搬送するための第1の搬送機構と、
前記搬送路から離間した位置に配置され、被研磨面を下方に向けた状態の基板を洗浄するための洗浄槽と、
前記搬送路の前記基板受け渡し位置と前記洗浄槽との間で基板を移載するための移載機と、
前記移載機によって前記洗浄槽から前記基板受け渡し位置に移載された基板を前記搬送路に沿ってさらに下流側へ搬送するための第2の搬送機構と、
を含む、洗浄モジュール。
A first transport mechanism for transporting the substrate with the surface to be polished facing downward to the substrate transfer position on the downstream side along the transport path, and
A cleaning tank arranged at a position away from the transport path and for cleaning the substrate with the surface to be polished facing downward, and a cleaning tank.
A transfer machine for transferring a substrate between the substrate transfer position of the transport path and the cleaning tank, and a transfer machine.
A second transfer mechanism for transporting the substrate transferred from the cleaning tank to the substrate transfer position further downstream along the transfer path by the transfer machine.
Including cleaning module.
前記移載機は、前記搬送路に沿って前記基板受け渡し位置に搬送された基板を収容するための収容空間を形成する収容機構を含み、
前記収容機構は、前記基板を前記収容空間に搬入するための入口と、前記入口を開閉するための第1のシャッタと、前記基板を前記収容空間から搬出するための出口と、前記出口を開閉するための第2のシャッタと、を含む、
請求項1に記載の洗浄モジュール。
The transfer machine includes a storage mechanism that forms a storage space for housing a substrate conveyed to the substrate transfer position along the transfer path.
The accommodation mechanism opens and closes an inlet for carrying the substrate into the accommodation space, a first shutter for opening and closing the entrance, an outlet for carrying the substrate out of the accommodation space, and the outlet. A second shutter for, including,
The cleaning module according to claim 1.
前記移載機は、前記収容機構を昇降させるための昇降機構と、前記収容機構を前記基板受け渡し位置と前記洗浄槽との間で移動させるための移動機構と、前記収容機構を傾斜させるための傾斜機構と、を含む、
請求項2に記載の洗浄モジュール。
The transfer machine has an elevating mechanism for raising and lowering the accommodation mechanism, a moving mechanism for moving the accommodation mechanism between the substrate transfer position and the cleaning tank, and an inclination of the accommodation mechanism. Including tilting mechanism,
The cleaning module according to claim 2.
前記洗浄槽は、前記洗浄槽内に収容された洗浄液に浸漬された基板に対して超音波を印加するための超音波照射器を含む、
請求項1から3のいずれか一項に記載の洗浄モジュール。
The cleaning tank includes an ultrasonic irradiator for applying ultrasonic waves to a substrate immersed in a cleaning liquid contained in the cleaning tank.
The cleaning module according to any one of claims 1 to 3.
前記搬送路の前記基板受け渡し位置よりも基板搬送下流側に配置され、前記第2の搬送機構によって搬送される基板の被研磨面に接触して回転する第1のロールスポンジ、および前記基板の裏面に接触して回転する第2のロールスポンジ、を含むスクラブ洗浄機構をさらに含む、
請求項1から4のいずれか一項に記載の洗浄モジュール。
A first roll sponge that is arranged on the downstream side of the substrate transfer from the substrate transfer position of the transfer path and rotates in contact with the surface to be polished of the substrate conveyed by the second transfer mechanism, and the back surface of the substrate. Further includes a scrub cleaning mechanism, including a second roll sponge, which rotates in contact with.
The cleaning module according to any one of claims 1 to 4.
前記スクラブ洗浄機構は、前記第1のロールスポンジに接触して前記第1のロールスポンジを洗浄するための第1のクリーニング機構、および前記第2のロールスポンジに接触して前記第2のロールスポンジを洗浄するための第2のクリーニング機構、をさらに含む、
請求項5に記載の洗浄モジュール。
The scrub cleaning mechanism is a first cleaning mechanism for contacting the first roll sponge to clean the first roll sponge, and the second roll sponge in contact with the second roll sponge. Further includes a second cleaning mechanism for cleaning,
The cleaning module according to claim 5.
前記第1のロールスポンジおよび前記第2のロールスポンジは、前記第2の搬送機構を挟んで対向して配置され、
前記第1のクリーニング機構および前記第2のクリーニング機構は、前記第2の搬送機構を挟んで対向しないように配置される、
請求項6に記載の洗浄モジュール。
The first roll sponge and the second roll sponge are arranged so as to face each other with the second transport mechanism interposed therebetween.
The first cleaning mechanism and the second cleaning mechanism are arranged so as not to face each other with the second transport mechanism interposed therebetween.
The cleaning module according to claim 6.
前記スクラブ洗浄機構が配置された領域において、前記第2の搬送機構は、前記搬送路に沿って配置された複数の第1のローラシャフトと、前記搬送路を挟んで前記複数の第1のローラシャフトと対向して配置された複数の第2のローラシャフトと、前記複数の第1のローラシャフトに取り付けられた複数の第1の搬送ローラと、前記複数の第2のローラ
シャフトに取り付けられた複数の第2の搬送ローラと、前記複数の第1の搬送ローラおよび前記複数の第2の搬送ローラの少なくとも一方を前記基板の搬送位置に応じて個別に前記搬送路の方向へ押圧するように構成された複数の押圧機構と、を含む、
請求項5から7のいずれか一項に記載の洗浄モジュール。
In the region where the scrub cleaning mechanism is arranged, the second transfer mechanism includes a plurality of first roller shafts arranged along the transfer path and the plurality of first rollers sandwiching the transfer path. A plurality of second roller shafts arranged to face the shaft, a plurality of first transport rollers attached to the plurality of first roller shafts, and a plurality of second roller shafts attached to the plurality of second roller shafts. A plurality of second transport rollers, and at least one of the plurality of first transport rollers and the plurality of second transport rollers are individually pressed in the direction of the transport path according to the transport position of the substrate. Consists of multiple pressing mechanisms, including,
The cleaning module according to any one of claims 5 to 7.
前記搬送路の前記スクラブ洗浄機構よりも基板搬送下流側に配置され、前記スクラブ洗浄機構によって洗浄された基板の被研磨面および裏面にリンス液を供給するためのリンス洗浄機構、をさらに含む、
請求項5から8のいずれか一項に記載の洗浄モジュール。
Further including a rinsing cleaning mechanism, which is arranged on the downstream side of the substrate transport with respect to the scrub cleaning mechanism of the transport path and for supplying the rinse liquid to the surface to be polished and the back surface of the substrate cleaned by the scrub cleaning mechanism.
The cleaning module according to any one of claims 5 to 8.
基板を研磨するように構成された研磨モジュールと、
前記研磨モジュールによって研磨された基板を洗浄するように構成された請求項1から8のいずれか一項に記載の洗浄モジュールと、
前記洗浄モジュールによって洗浄された基板を乾燥させるように構成された乾燥モジュールと、
を含む、基板処理装置。
A polishing module configured to polish the substrate, and
The cleaning module according to any one of claims 1 to 8, which is configured to clean the substrate polished by the polishing module.
A drying module configured to dry the substrate cleaned by the cleaning module, and a drying module.
Including substrate processing equipment.
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