JP2022076989A - Wiring board, display panel, and method for repairing defect in wiring board - Google Patents

Wiring board, display panel, and method for repairing defect in wiring board Download PDF

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Abstract

To provide a new connection wiring structure useful for increasing the density of connection wiring.SOLUTION: A wiring board 40 comprises: a substrate 41; a pixel electrode 24; source wiring 27; an output terminal 50 of a source driver 12 for inputting a signal to the source wiring 27; first wiring 43 that is provided on the substrate 41 and connected with the source wiring 27 and the output terminal 50; and second wiring 45 that is provided on the substrate 41 and disposed along the first wiring 43, has the first wiring 43 superimposed thereon with an insulating layer 44 therebetween, and is connected with the first wiring 43 at a first contact C1 and a second contact C2 arranged separated from each other. The first wiring 43 and the second wiring 45 include, between the first contact C1 and the second contact C2, a superimposed part X0 where both are superimposed with each other and a first non-superimposed part X1 and a second non-superimposed part X2 where both are not superimposed with each other.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

ここに開示される技術は、配線基板、表示パネル、および配線基板の欠陥修理方法に関する。 The techniques disclosed herein relate to wiring boards, display panels, and methods of repairing defects in wiring boards.

スマートフォンやパソコン、テレビ等の電子機器に用いられる液晶パネル等の表示パネルには、高精細化および狭額縁化という背反する課題の両立が求められている。表示パネルの額縁領域には、表示パネルに配される表示素子とこの表示素子を駆動するドライバとを接続する多数の接続配線が配されており、接続配線の数は、表示画像の高精細化に伴って増大する。したがって、高精細化と狭額縁化を同時に実現するには、より狭い額縁領域により多くの接続配線を配する必要がある。例えば、特許文献1には、隣り合う2つの接続配線を絶縁層を介して上層と下層の二層に設けることで、これらの接続配線ピッチを最小ピッチとしてもショートを抑制できる配線パターンが開示されている。 Display panels such as liquid crystal panels used in electronic devices such as smartphones, personal computers, and televisions are required to have both high definition and narrow frame, which are contradictory issues. In the frame area of the display panel, a large number of connection wirings for connecting the display element arranged on the display panel and the driver for driving the display element are arranged, and the number of connection wirings is high-definition of the display image. It increases with. Therefore, in order to realize high definition and narrow frame at the same time, it is necessary to arrange more connection wiring in a narrower frame area. For example, Patent Document 1 discloses a wiring pattern in which short circuits can be suppressed even if the connection wiring pitches are set to the minimum pitch by providing two adjacent connection wirings in two layers, an upper layer and a lower layer, via an insulating layer. ing.

特開2007-156049号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-1506049

この配線パターンによると、上層の接続配線は、平面視において隣り合う2つの下層接続配線の間に配されており、重畳していない。したがって、接続配線をより高密度に配するとの観点からは改善の余地があった。 According to this wiring pattern, the upper layer connection wiring is arranged between two adjacent lower layer connection wirings in a plan view and is not superimposed. Therefore, there was room for improvement from the viewpoint of arranging the connection wiring at a higher density.

ここに開示される技術は、上記事情に鑑みて為されたものであって、接続配線の高密度化に有用な新しい接続配線構造を提供することを目的とする。 The technique disclosed herein has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a new connection wiring structure useful for increasing the density of connection wiring.

(1)ここに開示される技術の一実施形態は、絶縁性を有する基板と、前記基板に設けられた画素電極と、前記基板に設けられ前記画素電極に接続される画素配線と、前記画素配線に信号を入力するための信号入力部と、前記基板に設けられ前記画素配線と前記信号入力部とに接続される第1配線と、前記基板に設けられ前記第1配線に沿って配設されるとともに、絶縁層を介して前記第1配線に重畳し、離間して配される第1接点および第2接点において前記第1配線に接続される第2配線と、を備え、前記第1配線と前記第2配線とは、前記第1接点と前記第2接点との間において、互いに重畳している重畳部と、前記重畳部を挟む位置に、互いに重畳しない第1非重畳部および第2非重畳部と、を備える配線基板である。 (1) One embodiment of the technique disclosed herein is a substrate having an insulating property, a pixel electrode provided on the substrate, a pixel wiring provided on the substrate and connected to the pixel electrode, and the pixel. A signal input unit for inputting a signal to the wiring, a first wiring provided on the board and connected to the pixel wiring and the signal input unit, and an arrangement along the first wiring provided on the board. The first contact is superposed on the first wiring via an insulating layer, and the first contact and the second wiring connected to the first wiring at the second contact are provided. The wiring and the second wiring are a superimposing portion that is superposed on each other between the first contact and the second contact, and a first non-superimposing portion and a first non-superimposing portion that are not superimposing on each other at a position sandwiching the superimposing portion. 2 A wiring board including a non-superimposing portion.

(2)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(1)の構成に加え、前記第1非重畳部は、前記第1接点と前記第2接点との間において、前記第1接点に連なるように設けられているとともに、前記第2非重畳部は、前記第1接点と前記第2接点との間において、前記第2接点に連なるように設けられている、配線基板である。 (2) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to the configuration of the above (1), the first non-superimposing portion is formed between the first contact point and the second contact point. The second non-superimposing portion is a wiring board provided so as to be connected to one contact and to be connected to the second contact between the first contact and the second contact. be.

(3)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(2)の構成に加え、前記第1配線および前記第2配線はそれぞれ、他の部分よりも拡幅された拡幅部分を有するとともに、前記第1接点および前記第2接点は前記拡幅部分にそれぞれ設けられており、前記第1配線および前記第2配線は、前記拡幅部分の離間した位置から延出したのち互いに重畳することにより、前記拡幅部分に連続して前記第1非重畳部および前記第2非重畳部を備えている、配線基板である。 (3) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to the configuration of the above (2), the first wiring and the second wiring each have a widened portion wider than the other portions. At the same time, the first contact and the second contact are provided in the widened portion, respectively, and the first wiring and the second wiring are extended from the separated positions of the widened portion and then overlapped with each other. , A wiring board provided with the first non-superimposition portion and the second non-superimposition portion continuously to the widening portion.

(4)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(1)から(3)のいずれか1つの構成に加え、前記第1配線は、第一の方向に沿って延びる第1部分および第2部分と、前記第1部分および前記第2部分の間において前記第一の方向と90度未満の角度で交差する第二の方向に沿って延びる斜部と、を含み、前記第1接点は前記第1部分に設けられ、前記第2接点は前記第2部分に設けられている配線基板である。 (4) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to the configuration of any one of (1) to (3) above, the first wiring is a first extending along a first direction. A first portion comprising a portion and a second portion and an oblique portion extending along a second direction that intersects the first direction at an angle of less than 90 degrees between the first portion and the second portion. One contact is provided in the first portion, and the second contact is a wiring board provided in the second portion.

(5)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(1)から(4)のいずれか1つの構成に加え、前記第2配線は、前記第1配線よりも幅狭であって、長手方向と直交する幅方向において前記第1配線は前記第2配線の両端からはみ出すはみ出し部分を含む、配線基板である。 (5) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to the configuration of any one of (1) to (4) above, the second wiring is narrower than the first wiring. The first wiring is a wiring board including protruding portions protruding from both ends of the second wiring in the width direction orthogonal to the longitudinal direction.

(6)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(1)から(5)のいずれか1つの構成に加え、前記第2配線は、当該第2配線の長手方向に沿って90%以上の範囲に亘って前記第1配線に重畳している、配線基板である。 (6) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to the configuration of any one of (1) to (5) above, the second wiring is provided along the longitudinal direction of the second wiring. It is a wiring board that is superimposed on the first wiring over a range of 90% or more.

(7)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(1)から(6)のいずれか1つの構成に加え、ゲート層と、ソース層と、前記ゲート層および前記ソース層を絶縁するゲート絶縁層とを備える薄膜トランジスタを含み、前記第1配線は前記ソース層と同一の導電膜によって構成され、前記第2配線は前記ゲート層と同一の導電膜によって構成され、前記絶縁層は前記ゲート絶縁層と同一の絶縁膜によって構成されている、配線基板である。 (7) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to the configuration of any one of (1) to (6) above, a gate layer, a source layer, the gate layer, and the source layer are provided. The first wiring is composed of the same conductive film as the source layer, the second wiring is composed of the same conductive film as the gate layer, and the insulating layer includes a thin film transistor including a gate insulating layer for insulating. It is a wiring substrate made of the same insulating film as the gate insulating layer.

(8)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(1)から(7)のいずれか1つの構成に加え、前記第1配線および前記第2配線は、前記第1非重畳部と前記第2非重畳部との間であって、前記第1非重畳部および前記第2非重畳部とは離間した位置において、互いに重畳しない第3非重畳部を備えている、配線基板である。 (8) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to the configuration of any one of (1) to (7), the first wiring and the second wiring are the first non-superimposition. A wiring board provided with a third non-superimposition portion between the portion and the second non-superimposition portion and at a position separated from the first non-superimposition portion and the second non-superimposition portion. Is.

(9)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(8)の構成に加え、前記第1配線および前記第2配線は、前記第1非重畳部と前記第2非重畳部との間おいて、これら前記第1非重畳部および前記第2非重畳部に離間して配置される第1中間点および第2中間点と、前記第1中間点と前記第2中間点との間において、前記第1中間点と前記第2中間点とを繋ぐ方向と交差する方向に沿って蛇行する蛇行部分と、を有し、前記第1配線および前記第2配線のうちのいずれか一方は、前記蛇行部分において、略コの字状に蛇行する第1蛇行部を含み、前記第1配線および前記第2配線のうちの他方は、前記蛇行部分において、前記第1蛇行部よりも幅の広い略コの字状に蛇行する第2蛇行部を含み、前記第1蛇行部と前記第2蛇行部とは、それぞれにおいて略平行に延びる一対の平行部分のうちの一方の部分が互いに重畳して前記重畳部を構成しているとともに、前記平行部分のうちの少なくとも他方の部分が互いに重畳しないことによって前記第3非重畳部を構成している配線基板である。 (9) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to the configuration of (8), the first wiring and the second wiring include the first non-superimposition portion and the second non-superimposition portion. The first intermediate point and the second intermediate point arranged apart from the first non-superimposing portion and the second non-superimposing portion, and the first intermediate point and the second intermediate point. Between, it has a meandering portion that meanders along a direction that intersects the direction connecting the first intermediate point and the second intermediate point, and is either the first wiring or the second wiring. One includes a first meandering portion that meanders in a substantially U-shape in the meandering portion, and the other of the first wiring and the second wiring is more than the first meandering portion in the meandering portion. The first meandering portion and the second meandering portion include a second meandering portion that meanders in a wide substantially U shape, and one portion of a pair of parallel portions extending substantially in parallel with each other thereof is included in the first meandering portion and the second meandering portion. It is a wiring board that constitutes the superimposing portion by superimposing and at least the other portion of the parallel portions does not superimpose on each other to form the third non-superimposing portion.

(10)また、ここに開示される技術のある実施形態は、上記(1)から(9)のいずれか1つの構成に加え、複数の前記画素電極と、複数の前記画素配線と、複数の前記第1配線および前記第2配線と、を備え、複数の前記第1配線および前記第2配線は、少なくとも一部が長手方向に交わる方向において配列されている、配線基板である。 (10) Further, in an embodiment of the technique disclosed herein, in addition to any one of the above (1) to (9), a plurality of the pixel electrodes, a plurality of the pixel wirings, and a plurality of the pixel wirings. A wiring board comprising the first wiring and the second wiring, wherein the plurality of the first wiring and the second wiring are arranged in a direction in which at least a part thereof intersects in the longitudinal direction.

(11)また、ここに開示される技術の一実施形態は、上記(1)から(10)のいずれか1つの構成を備える配線基板と、前記配線基板に対して貼り合わせられる対向基板と、を備える表示パネルである。 (11) Further, one embodiment of the technique disclosed herein includes a wiring board having any one of the configurations (1) to (10) above, and a counter board bonded to the wiring board. It is a display panel provided with.

(12)また、ここに開示される技術の一実施形態は、上記(10)の構成の配線基板について、複数の前記第1配線の短絡試験を行い、隣り合う前記第1配線同士で短絡している短絡配線ペアを特定する工程と、特定された前記短絡配線ペアのうちの少なくとも一方の前記第1配線について、前記第1配線と前記第1配線に接続された前記第2配線とのいずれか一方を、前記第1非重畳部および前記第2非重畳部のそれぞれにおいて切断する工程と、を含む、配線基板の欠陥修理方法である。 (12) Further, in one embodiment of the technique disclosed herein, a plurality of the first wirings are short-circuited with respect to the wiring board having the configuration of the above (10), and the adjacent first wirings are short-circuited with each other. Which of the first wiring and the second wiring connected to the first wiring for at least one of the identified short-circuit wiring pairs and the step of specifying the short-circuit wiring pair. A method for repairing a defect in a wiring substrate, which comprises a step of cutting one of them at each of the first non-superimposition portion and the second non-superimposition portion.

(13)さらに、ここに開示される技術の一実施形態は、上記(8)または(9)の構成を備える上記(10)の構成の配線基板について、複数の前記第1配線の短絡試験を行い、隣り合う前記第1配線同士で短絡している短絡配線ペアを特定する工程と、特定された前記短絡配線ペアのうちの少なくとも一方の前記第1配線について、前記第1配線と前記第1配線に接続された前記第2配線とのいずれか一方を、前記第1非重畳部または前記第2非重畳部と、前記第3非重畳部とのそれぞれにおいて切断する工程と、を含む、配線基板の欠陥修理方法である。 (13) Further, in one embodiment of the technique disclosed herein, a plurality of short-circuit tests of the first wiring are performed on the wiring board having the configuration of the above (10) having the configuration of the above (8) or (9). The first wiring and the first wiring are performed with respect to the step of identifying the short-circuit wiring pair short-circuited between the adjacent first wirings and the first wiring of at least one of the identified short-circuit wiring pairs. Wiring including a step of cutting one of the second wirings connected to the wiring at each of the first non-superimposing portion or the second non-superimposing portion and the third non-superimposing portion. This is a method for repairing defects in the board.

ここに開示される技術によれば、接続配線の高密度化に有用な新しい接続配線構造を提供することができる。 According to the technique disclosed herein, it is possible to provide a new connection wiring structure useful for increasing the density of connection wiring.

一実施形態に係る液晶表示装置に備わる液晶パネルの概略的な平面図Schematic plan view of the liquid crystal panel provided in the liquid crystal display device according to the embodiment. 液晶パネルの概略的な断面図Schematic cross-sectional view of the liquid crystal panel 図1のアレイ基板の要部拡大図Enlarged view of the main part of the array board of FIG. 図3のTFTの概略的な断面図Schematic cross-sectional view of the TFT of FIG. 一実施形態における第1配線および第2配線を備える基板の概略的な背面図Schematic rear view of the substrate comprising the first wiring and the second wiring in one embodiment. 図5のA-A線断面図Cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 図5のB-B線断面図BB line sectional view of FIG. 図5のC-C線断面図Cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 他の実施形態に係る液晶表示装置に備わる液晶パネルの概略的な平面図Schematic plan view of a liquid crystal panel provided in a liquid crystal display device according to another embodiment. 図9の要部拡大図Enlarged view of the main part of FIG.

≪実施形態1≫
ここに開示される技術の一実施形態について、図1から図8を参照しつつ説明する。図1は、表示装置の一例としての液晶表示装置10に備えられる液晶パネル11の平面図である。なお、各図面の一部には互いに交わる(本実施形態では直交する)X軸、Y軸およびZ軸を示しており、各図面において、X軸は液晶パネル11の長辺方向に、Y軸は短辺方向に、Z軸は厚み方向(すなわち、液晶パネル11の板面の法線方向)に一致する。また、図1の紙面手前側を、液晶パネル11の表側とし、紙面奥側を裏側とする。ただし、上記方向は便宜的に定めたものに過ぎず、限定的に解釈すべきものではない。
<< Embodiment 1 >>
An embodiment of the technique disclosed herein will be described with reference to FIGS. 1 to 8. FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal panel 11 provided in a liquid crystal display device 10 as an example of a display device. A part of each drawing shows an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis that intersect each other (orthogonal in this embodiment). In each drawing, the X-axis is the Y-axis in the long side direction of the liquid crystal panel 11. Is in the short side direction, and the Z axis is in the thickness direction (that is, the normal direction of the plate surface of the liquid crystal panel 11). Further, the front side of the paper surface in FIG. 1 is the front side of the liquid crystal panel 11, and the back side of the paper surface is the back side. However, the above direction is only for convenience and should not be interpreted in a limited way.

液晶パネル11は、本技術における表示パネルの一例であり、平面形状が長方形とされ、画像を表示可能に構成されている。液晶表示装置10は、この液晶パネル11と、液晶パネル11の裏側に設けられる、液晶パネル11に照射する光を発生させる外部光源としてのバックライト装置(照明装置)と、を備える。 The liquid crystal panel 11 is an example of a display panel in the present technology, has a rectangular planar shape, and is configured to be able to display an image. The liquid crystal display device 10 includes the liquid crystal panel 11 and a backlight device (lighting device) as an external light source for generating light to irradiate the liquid crystal panel 11 provided on the back side of the liquid crystal panel 11.

液晶パネル11は、図2に示すように、概して、一対の基板20,21と、これらの基板20,21の間に介在される液晶層22と、を備えている。
液晶層22は、流動性と光学的異方性(屈折率異方性)とを有する透明な液晶材料が、一対の基板20,21の間に封入され、その周縁をシール材22Aによって封止されることにより構成されている。液晶層22は、基板20,21によって画素毎に厚み方向に電界が印加されることで、その電位差に基づいて液晶分子の配向する向きが変化される。これにより、バックライト装置からの光の透過率を画素毎(画素部PX毎)に変化させることができ、所定の階調表示を行うことができる。
As shown in FIG. 2, the liquid crystal panel 11 generally includes a pair of substrates 20, 21 and a liquid crystal layer 22 interposed between the substrates 20, 21.
In the liquid crystal layer 22, a transparent liquid crystal material having fluidity and optical anisotropy (refractive index anisotropy) is enclosed between a pair of substrates 20 and 21, and the peripheral edge thereof is sealed by a sealing material 22A. It is composed of being done. In the liquid crystal layer 22, an electric field is applied to each pixel by the substrates 20 and 21 in the thickness direction, and the orientation of the liquid crystal molecules is changed based on the potential difference. As a result, the transmittance of light from the backlight device can be changed for each pixel (for each pixel portion PX), and a predetermined gradation display can be performed.

一対の基板20,21は、液晶層22を保持するとともに、液晶層22に対して電界を印加するための要素である。一対の基板20,21のうち、表側(正面側)に配されているものがCF基板20(対向基板ともいう。)であり、裏側(背面側)に配されているものがアレイ基板21(配線基板、アクティブマトリクス基板等ともいう。)である。CF基板20およびアレイ基板21は、いずれも絶縁性と耐熱性とを備えるガラス基板を含み、互いに対向する内面側に以下に説明する各種の層が積層され、外面側には偏光板がそれぞれ貼り付けられている。CF基板20は、図1に示すように、短辺寸法がアレイ基板21の短辺寸法よりも短い。CF基板20とアレイ基板21とは、短辺方向における一方(ここでは上方)の端部が揃うように配され、短辺方向における他方(ここでは下方)の端部は、アレイ基板21がCF基板20に対して他方(ここでは下方)に突き出している。これにより、アレイ基板21は、CF基板20と対向する対向部21Aと、対向しない非対向部21Bとに区画される。さらに、液晶パネル11は、画像を表示するための表示領域A1(図1において一点鎖線で囲まれた領域)と、表示領域A1以外の部分である非表示領域A2(額縁領域ともいう)とを含む。一対の基板20,21の表示領域A1には、液晶層22が介在される。本実施形態における表示領域A1は対向部21Aの中央部分に配されており、非表示領域A2は、表示領域A1を額縁状に取り囲む外縁部分とされている。しかしながら、非表示領域A2の形状はこれに限定されない。 The pair of substrates 20, 21 are elements for holding the liquid crystal layer 22 and applying an electric field to the liquid crystal layer 22. Of the pair of boards 20 and 21, the one arranged on the front side (front side) is the CF board 20 (also referred to as the facing board), and the one arranged on the back side (back side) is the array board 21 (also referred to as the facing board). It is also called a wiring board, an active matrix board, etc.). Both the CF substrate 20 and the array substrate 21 include a glass substrate having insulation and heat resistance, and various layers described below are laminated on the inner surface side facing each other, and a polarizing plate is attached to the outer surface side, respectively. It is attached. As shown in FIG. 1, the CF substrate 20 has a short side dimension shorter than that of the array substrate 21. The CF substrate 20 and the array substrate 21 are arranged so that one end (upper here) in the short side direction is aligned, and the array substrate 21 is CF at the other end (lower here) in the short side direction. It protrudes to the other side (here, downward) with respect to the substrate 20. As a result, the array substrate 21 is divided into a facing portion 21A facing the CF board 20 and a non-facing portion 21B not facing the CF board 20. Further, the liquid crystal panel 11 has a display area A1 (a region surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 1) for displaying an image and a non-display area A2 (also referred to as a frame area) which is a portion other than the display area A1. include. A liquid crystal layer 22 is interposed in the display area A1 of the pair of substrates 20 and 21. The display area A1 in the present embodiment is arranged in the central portion of the facing portion 21A, and the non-display area A2 is an outer edge portion that surrounds the display area A1 in a frame shape. However, the shape of the non-display region A2 is not limited to this.

アレイ基板21の表側には、表示領域A1に亘って、X軸方向に沿ってゲート配線26(走査配線、第2の配線ともいう)が、Y軸方向に沿ってソース配線(データ配線等ともいう)27が、マトリクス状(行列状)に配列されている。ゲート配線26とソース配線27とにより囲まれた領域が1つの画素部PXとなる。画素部PXは、スイッチング素子としてのTFT23(薄膜トランジスタ)と画素電極24とを含む。図3には、参考のため、1つの画素部PXに配されるTFT23の等価回路と画素電極24とを拡大して表示している。本例のTFT23は、図4に示すように、ゲート電極23Aがチャネル層23Dよりもアレイ基板21に近い側に配置されたボトムゲート型のTFTであり、ゲート電極23Aの上層側に設けられたゲート絶縁層33とチャネル層23Dとを介して、ソース電極23Bおよびドレイン電極23Cが離間して設けられている。TFT23のゲート電極23Aはゲート配線26に、ソース電極23Bはソース配線27に、ドレイン電極23Cは画素電極24に、それぞれ接続されている。なお、TFT23の構成は、これに限定されるものではない。 On the front side of the array board 21, gate wiring 26 (also referred to as scanning wiring or second wiring) is provided along the X-axis direction over the display area A1, and source wiring (also referred to as data wiring or the like) is provided along the Y-axis direction. 27 are arranged in a matrix (matrix). The area surrounded by the gate wiring 26 and the source wiring 27 is one pixel portion PX. The pixel unit PX includes a TFT 23 (thin film transistor) as a switching element and a pixel electrode 24. In FIG. 3, for reference, the equivalent circuit of the TFT 23 arranged in one pixel portion PX and the pixel electrode 24 are enlarged and displayed. As shown in FIG. 4, the TFT 23 of this example is a bottom gate type TFT in which the gate electrode 23A is arranged closer to the array substrate 21 than the channel layer 23D, and is provided on the upper layer side of the gate electrode 23A. The source electrode 23B and the drain electrode 23C are provided apart from each other via the gate insulating layer 33 and the channel layer 23D. The gate electrode 23A of the TFT 23 is connected to the gate wiring 26, the source electrode 23B is connected to the source wiring 27, and the drain electrode 23C is connected to the pixel electrode 24. The configuration of the TFT 23 is not limited to this.

TFT23のゲート電極23Aは、ゲート配線26と同層に形成されている。つまり、ゲート電極23Aは、ゲート配線26と同一の材料からなる導電膜(ゲートメタル膜)により構成されている。TFT23のソース電極23Bおよびドレイン電極23Cは、ソース配線27と同層に形成されている。つまり、ソース電極およびドレイン電極は、ソース配線27と同一の材料からなる導電膜(ソースメタル膜)により構成されている。本実施形態におけるチャネル層23Dは、酸化物半導体からなる酸化物半導体膜により構成されており、TFT23は酸化物半導体TFTである。TFT23は、ゲート配線26およびソース配線27にそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、この駆動に伴って画素電極24への電位の供給を制御する。本実施形態における表示領域A1は、例えば、対角線サイズが32インチであり、ゲート配線26の設置数が「3840」、ソース配線27の設置数が「2160」である。なお、TFT23は、保護膜としてのパッシベーション膜等により覆われている。 The gate electrode 23A of the TFT 23 is formed in the same layer as the gate wiring 26. That is, the gate electrode 23A is made of a conductive film (gate metal film) made of the same material as the gate wiring 26. The source electrode 23B and the drain electrode 23C of the TFT 23 are formed in the same layer as the source wiring 27. That is, the source electrode and the drain electrode are made of a conductive film (source metal film) made of the same material as the source wiring 27. The channel layer 23D in the present embodiment is composed of an oxide semiconductor film made of an oxide semiconductor, and the TFT 23 is an oxide semiconductor TFT. The TFT 23 is driven based on various signals supplied to the gate wiring 26 and the source wiring 27, respectively, and controls the supply of electric potential to the pixel electrode 24 with the driving. The display area A1 in the present embodiment has, for example, a diagonal size of 32 inches, the number of gate wirings 26 installed is "3840", and the number of source wirings 27 installed is "2160". The TFT 23 is covered with a passivation film or the like as a protective film.

図1に示すように、アレイ基板21の非表示領域A2には、表示領域A1をX軸方向について両側から挟み込む形で、一対のゲート回路部14が、基板21上に一体的(モノリシック)に設けられている。ゲート回路部14は、ゲートドライバ(走査線駆動回路)を含んでおり、ゲートドライバが有する入力端子は後述するフレキシブル基板13などを介してコントロール基板に接続されており、ゲートドライバが有する複数の出力端子のそれぞれは各ゲート配線26に接続されている。これにより、ゲートドライバは、例えば、コントロール基板から送られる画像データ等に基づいて、各ゲート配線26にゲートクロック信号等を送信する。 As shown in FIG. 1, in the non-display area A2 of the array board 21, a pair of gate circuit units 14 are integrally (monolithically) on the board 21 so that the display area A1 is sandwiched from both sides in the X-axis direction. It is provided. The gate circuit unit 14 includes a gate driver (scanning line drive circuit), and input terminals of the gate driver are connected to a control board via a flexible board 13 or the like described later, and a plurality of outputs of the gate driver. Each of the terminals is connected to each gate wiring 26. As a result, the gate driver transmits, for example, a gate clock signal or the like to each gate wiring 26 based on image data or the like transmitted from the control board.

アレイ基板21の非対向部21Bには、その他方(ここでは下方)の端部に、フレキシブル基板13が実装(例えば、COG(Chip On Glass)実装)されている。本実施形態のフレキシブル基板13は、絶縁性および可撓性を有する合成樹脂材料(例えばポリイミド系樹脂等)からなる基材上に、多数本の配線パターンと、ソースドライバ12とを備えている。ソースドライバ12は、TFT23の信号線駆動回路を含むLSIチップからなり、アレイ基板21の長辺方向(X軸方向)の略中央に配されるように、フレキシブル基板13に対してCOF(Chip On Film)実装されている。ソースドライバ12は、入力端子と複数の出力端子を備えており、その入力端子はコントロール基板に接続され、複数の出力端子はそれぞれ、引き出し配線15(接続配線の一例)を介して各ソース配線27に接続されている。なお、ソースドライバ12の出力端子と引き出し配線15とは、異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film:ACF)を介して電気的に好適に接続することができる。ソースドライバ12は表示領域A1に比較してX軸方向の寸法が小さいことから、引き出し配線15は、フレキシブル基板13の出力端子から、表示領域A1の下端にまで延びる複数のソース配線27の各々に向けて、扇状に広がる形で引き回されている。この引き出し配線15に関しては、後に改めて説明する。ソースドライバ12は、例えば、コントロール基板から送られる画像データ等のデジタル信号を処理し、各ソース配線27にそれぞれに対応した諧調電圧信号等を送信する。 A flexible substrate 13 is mounted (for example, COG (Chip On Glass) mounting) on the other end (lower side in this case) of the non-opposing portion 21B of the array substrate 21. The flexible substrate 13 of the present embodiment includes a large number of wiring patterns and a source driver 12 on a base material made of a synthetic resin material having insulating properties and flexibility (for example, a polyimide resin or the like). The source driver 12 is composed of an LSI chip including a signal line drive circuit of the TFT 23, and is COF (Chip On) with respect to the flexible substrate 13 so as to be arranged substantially in the center of the array substrate 21 in the long side direction (X-axis direction). Film) Implemented. The source driver 12 includes an input terminal and a plurality of output terminals, the input terminal is connected to a control board, and each of the plurality of output terminals is connected to each source wiring 27 via a lead-out wiring 15 (an example of connection wiring). It is connected to the. The output terminal of the source driver 12 and the lead-out wiring 15 can be suitably electrically connected via an anisotropic conductive film (ACF). Since the source driver 12 has a smaller dimension in the X-axis direction than the display area A1, the lead-out wiring 15 is provided for each of the plurality of source wirings 27 extending from the output terminal of the flexible board 13 to the lower end of the display area A1. It is routed in a fan-shaped manner. The lead-out wiring 15 will be described later. The source driver 12, for example, processes a digital signal such as image data transmitted from a control board, and transmits a gradation voltage signal or the like corresponding to each source wiring 27.

CF基板20の内面側には、カラーフィルタ28が、表示領域A1に亘って、X軸方向およびY軸方向について複数個ずつのマトリクス状に配列されている。カラーフィルタ28は、アレイ基板21側の一つの画素電極24と対になって、平面視で重畳する位置に配されている。本例のカラーフィルタ28、青色(B)、緑色(G)、および赤色(R)の異なる3色を呈し、これらの互いに異なる3色のカラーフィルタ28が一組となってゲート配線26(X軸方向)に沿って繰り返し並んで配されている。本例の液晶パネル11においては、カラーフィルタ28は、同色を呈するものがソース配線27(Y軸方向)に沿って配列されている。X軸方向に沿って並ぶR,G,Bの一組のカラーフィルタ28と、各カラーフィルタ28に対向する3つの画素電極24と、が一つの画素部PXを構成する。そして、この液晶パネル11においては、X軸方向に沿って隣り合うR,G,Bの一組の画素部PXによって、所定の階調のカラー表示が可能な表示画素が構成される。画素部PXにおけるY軸方向についての配列ピッチは、例えば600μm以下、典型的には約450~550μm程度(より具体的には、例えば、約510μm)とされ、X軸方向についての配列ピッチは、例えば300μm以下、典型的には約100~200μm程度(より具体的には、例えば、約170μm)とされる。 On the inner surface side of the CF substrate 20, a plurality of color filters 28 are arranged in a matrix over the display region A1 in the X-axis direction and the Y-axis direction. The color filter 28 is paired with one pixel electrode 24 on the array substrate 21 side and is arranged at a position where they are superimposed in a plan view. The color filter 28 of this example, blue (B), green (G), and red (R) exhibit three different colors, and these three different color filters 28 form a set of gate wiring 26 (X). They are repeatedly arranged side by side along the axial direction). In the liquid crystal panel 11 of this example, the color filters 28 having the same color are arranged along the source wiring 27 (Y-axis direction). A set of color filters 28 of R, G, and B arranged along the X-axis direction and three pixel electrodes 24 facing each color filter 28 constitute one pixel portion PX. Then, in the liquid crystal panel 11, a set of pixel portions PX of R, G, and B adjacent to each other along the X-axis direction constitutes display pixels capable of color display of a predetermined gradation. The arrangement pitch in the Y-axis direction in the pixel portion PX is, for example, 600 μm or less, typically about 450 to 550 μm (more specifically, for example, about 510 μm), and the arrangement pitch in the X-axis direction is For example, it is set to 300 μm or less, typically about 100 to 200 μm (more specifically, for example, about 170 μm).

CF基板20の内面側には、各色のカラーフィルタ28間を仕切るブラックマトリクス29(画素間遮光部)が設けられている。ブラックマトリクス29は、遮光性を有する材料によって構成され、平面形状が略格子状をなすことにより、画素電極24の大部分と重畳する位置に画素開口部29Aを有している。この画素開口部29Aによって画素電極24の透過光を液晶パネル11の外部(表側)へ出光させることができる。ブラックマトリクス29は、アレイ基板21側の少なくともTFT23、ゲート配線26、およびソース配線27と平面に視て重畳する配置とされる。また、対向電極の内面側には、液晶層22の厚み(セルギャップ)を保持するためのスペーサを設けるとよい。また、両基板20,21において、液晶層22に接する最内面には、液晶層22に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜がそれぞれ設けられている。 On the inner surface side of the CF substrate 20, a black matrix 29 (light-shielding portion between pixels) for partitioning between the color filters 28 of each color is provided. The black matrix 29 is made of a material having a light-shielding property, and has a pixel opening 29A at a position where it overlaps with most of the pixel electrodes 24 by forming a substantially grid-like planar shape. The pixel opening 29A allows the transmitted light of the pixel electrode 24 to be emitted to the outside (front side) of the liquid crystal panel 11. The black matrix 29 is arranged so as to be vertically superimposed on at least the TFT 23, the gate wiring 26, and the source wiring 27 on the array substrate 21 side. Further, it is preferable to provide a spacer on the inner surface side of the counter electrode to maintain the thickness (cell gap) of the liquid crystal layer 22. Further, in both the substrates 20 and 21, an alignment film for orienting the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 22 is provided on the innermost surface in contact with the liquid crystal layer 22.

<接続配線>
液晶パネル11の高精細化および狭額縁化の両立には、引き出し配線15の高密度化、すなわち、引き出し配線15のファインライン化と狭ピッチ化とが望まれる。しかしながら、引き出し配線15を細くすると、引き出し配線15の抵抗が高くなったり断線が生じ易くなったりする。そこで本技術に係る引き出し配線15は、複数の引き出し配線15を含み、その一部または全部が、絶縁層を介して平面視で同位置に配される二本の配線によって二層構造とされ、上層の配線と下層の配線とを複数箇所でコンタクトさせることで、一つの接続配線として機能するようになっている。このような二層構造を有する接続配線42を備える配線基板40について説明する。
<Connection wiring>
In order to achieve both high definition and narrow frame of the liquid crystal panel 11, it is desired to increase the density of the lead-out wiring 15, that is, to make the lead-out wiring 15 finer and narrower in pitch. However, if the lead-out wiring 15 is made thinner, the resistance of the lead-out wiring 15 becomes higher and disconnection is likely to occur. Therefore, the lead-out wiring 15 according to the present technology includes a plurality of lead-out wirings 15, and a part or all of them has a two-layer structure by two wirings arranged at the same position in a plan view via an insulating layer. By contacting the upper layer wiring and the lower layer wiring at a plurality of places, it functions as one connection wiring. A wiring board 40 including a connection wiring 42 having such a two-layer structure will be described.

すなわち、配線基板40は、図5~図8に示すように、基板41上に接続配線42を備えている。接続配線42は、第1配線43、絶縁層44、および第2配線45を含む。図5は、透明の基板41上に形成された接続配線42を、基板41の裏側から視たときの平面図であり、理解を容易にするために絶縁層44は表示せず、第1配線43と第2配線45のみが示されている。図6~図8は、配線基板40の断面図であり、基板41および接続配線42の上に、パッシベーション膜(Passivation膜:PAS膜)や層間絶縁膜等の保護膜46を付加的に備えている。ここで、配線基板40は上述の液晶パネル11のアレイ基板21に相当し、接続配線42が引き出し配線15に相当する。接続配線42は、アレイ基板21に備えられた画素電極24に接続されるソース配線27(画素配線の一例)と、ソースドライバ12の出力端子50(信号入力部の一例)と、を接続する導電層である。これらの各層は積層構造をなしており、典型的には、リソグラフィ技術(例えば、フォトリソグラフィや、放射線リソグラフィ等)によって、基板41上に、基板41に近い側の層から順次形成される。 That is, as shown in FIGS. 5 to 8, the wiring board 40 includes a connection wiring 42 on the board 41. The connection wiring 42 includes a first wiring 43, an insulating layer 44, and a second wiring 45. FIG. 5 is a plan view of the connection wiring 42 formed on the transparent substrate 41 when viewed from the back side of the substrate 41. In order to facilitate understanding, the insulating layer 44 is not displayed and the first wiring is shown. Only 43 and the second wiring 45 are shown. 6 to 8 are cross-sectional views of the wiring board 40, in which a protective film 46 such as a passivation film (PAS film) or an interlayer insulating film is additionally provided on the substrate 41 and the connection wiring 42. There is. Here, the wiring board 40 corresponds to the array board 21 of the liquid crystal panel 11 described above, and the connection wiring 42 corresponds to the lead-out wiring 15. The connection wiring 42 is a conductor that connects the source wiring 27 (an example of the pixel wiring) connected to the pixel electrode 24 provided on the array board 21 and the output terminal 50 (an example of the signal input unit) of the source driver 12. It is a layer. Each of these layers has a laminated structure, and is typically formed on the substrate 41 sequentially from the layer closer to the substrate 41 by a lithography technique (for example, photolithography, radiation lithography, etc.).

接続配線42のうちの第1配線43は、ソース配線27と、ソースドライバ12の出力端子50とに接続される(図3参照)。基板41には、複数の第1配線43が設けられ、複数の第1配線43はアレイ基板21のX軸方向に亘って互いに離間して配列されている。これに対し、ソースドライバ12はコンパクトなLSIチップである。そのため、上述したように、引き出し配線は全体として扇状に配索されており、中央側ではY軸方向に沿って略直線状に、端側では斜めに、それぞれ延在する。より詳細には、複数の第1配線43のうち、アレイ基板21のX軸方向の中央部分に配されるものについては、Y軸方向に沿って略直線状に延びている。これに対し、X軸方向における中央部分を除く部分に配される第1配線43については、ソース配線27または出力端子50との接続部近傍においてY軸方向に沿う略直線状に延びるものの、Y軸方向における中央部分においては、Y軸と交差する斜め方向に延びている。例えば図5に示すように、X軸方向における中央部分を除く部分に配される第1配線43は、Y軸方向における両端に直線部分P1を含み、この直線部分P1の間に斜め部分P2(斜部の一例)を含んでいる。 The first wiring 43 of the connection wiring 42 is connected to the source wiring 27 and the output terminal 50 of the source driver 12 (see FIG. 3). A plurality of first wirings 43 are provided on the substrate 41, and the plurality of first wirings 43 are arranged apart from each other in the X-axis direction of the array substrate 21. On the other hand, the source driver 12 is a compact LSI chip. Therefore, as described above, the lead-out wiring is arranged in a fan shape as a whole, and extends substantially linearly along the Y-axis direction on the center side and diagonally on the end side. More specifically, among the plurality of first wirings 43, those arranged in the central portion of the array substrate 21 in the X-axis direction extend substantially linearly along the Y-axis direction. On the other hand, the first wiring 43 arranged in the portion other than the central portion in the X-axis direction extends substantially linearly along the Y-axis direction in the vicinity of the connection portion with the source wiring 27 or the output terminal 50, but is Y. The central portion in the axial direction extends in an oblique direction intersecting the Y axis. For example, as shown in FIG. 5, the first wiring 43 arranged in a portion other than the central portion in the X-axis direction includes straight portions P1 at both ends in the Y-axis direction, and an oblique portion P2 (between the straight portions P1). An example of a diagonal part) is included.

ここで、一例として、第1配線43(接続配線42)の線幅は、例えば約15μm以下(典型的には約5~10μm、例えば約6μm)であり、斜め部分P2において隣り合う2本の第1配線43(接続配線42)のピッチは、例えば15μm以下(典型的には約5~10μm、例えば8μm)である。
また、線幅とは、接続配線42(第1配線43,第2配線45)の幅方向の寸法である。なお「幅方向」とは、接続配線42(第1配線43,第2配線45)の長手方向に直交する方向であり、直線部分P1においてはY軸方向に一致し、斜め部分P2については、それぞれの接続配線42(第1配線43,第2配線45)の延設方向に直交する方向である。
Here, as an example, the line width of the first wiring 43 (connection wiring 42) is, for example, about 15 μm or less (typically about 5 to 10 μm, for example, about 6 μm), and two adjacent wires in the diagonal portion P2. The pitch of the first wiring 43 (connection wiring 42) is, for example, 15 μm or less (typically, about 5 to 10 μm, for example, 8 μm).
The line width is a dimension in the width direction of the connection wiring 42 (first wiring 43, second wiring 45). The "width direction" is a direction orthogonal to the longitudinal direction of the connection wiring 42 (first wiring 43, second wiring 45), which coincides with the Y-axis direction in the straight portion P1 and the diagonal portion P2. The direction is orthogonal to the extending direction of each connection wiring 42 (first wiring 43, second wiring 45).

第2配線45は、絶縁層44を介して第1配線43に重畳して設けられている。第2配線45は、必ずしもこれに限定されるものではないが、第1配線43よりも基板41に近い側に絶縁層44を介して設けられる。本実施形態の配線基板40では、第2配線45は、基板41に直接的に(換言すれば、他の層を介さずに)設けられ、その上に、絶縁層44および第1配線43がこの順に積層されている。しかしながら、基板41と、接続配線42(第1配線43、絶縁層44、および第2配線45)との間に他の層が設けられていてもよい。また、基板41に対する第1配線43および第2配線45の配置は逆であってもよい。なお、絶縁層44は、配列される複数の接続配線42の配線領域に亘るように連続してベタ状に形成することができる。 The second wiring 45 is provided so as to be superimposed on the first wiring 43 via the insulating layer 44. The second wiring 45 is not necessarily limited to this, but is provided via the insulating layer 44 on the side closer to the substrate 41 than the first wiring 43. In the wiring board 40 of the present embodiment, the second wiring 45 is provided directly on the substrate 41 (in other words, without interposing another layer), on which the insulating layer 44 and the first wiring 43 are placed. They are stacked in this order. However, another layer may be provided between the substrate 41 and the connection wiring 42 (first wiring 43, insulating layer 44, and second wiring 45). Further, the arrangement of the first wiring 43 and the second wiring 45 with respect to the substrate 41 may be reversed. The insulating layer 44 can be continuously formed in a solid shape so as to extend over the wiring region of the plurality of connecting wirings 42 to be arranged.

第2配線45は、その殆どの部分において第1配線43に沿って配設されるとともに、第1配線43の配策経路に離間して設けられ、第1接点C1および第2接点C2において、第1配線43に接続されている。具体的には、第1配線43と第2配線45とは、第2配線45の長手方向の両端において、図5に示すように、線幅が拡幅された拡幅部分P3を含んでいる。本実施形態における拡幅部分P3は、接続配線42の直線部分P1に形成されており、隣り合う接続配線42間のピッチが小さくなりがちな斜め部分P2には形成されていない。また、隣り合うソース配線27間のピッチは、ソースドライバ12の隣り合う出力端子50間のピッチよりも広い。したがって、ソース配線27の側の直線部分P1に形成される拡幅部分P3は拡幅寸法が比較的大きく、出力端子50の側の直線部分P1に形成される拡幅部分P3は拡幅寸法が比較的小さくなるようにしている。そしてこの拡幅部分P3において第1配線43と第2配線45との間に配される絶縁層44には、図6に示すように、厚み方向に貫通するコンタクトホールH1が設けられている。このコンタクトホールH1に、第2配線45および絶縁層44よりも後工程で形成される第1配線43が入り込むことにより、コンタクトホールH1を通じて第1配線43と第2配線45とが接続される。このようにしてソース配線27側の拡幅部分P3に第1接点C1が、ソースドライバ12の出力端子50側の拡幅部分P3に第2接点C2が設けられる。なお、これに限定されるものではないが、コンタクトホールH1の幅は、拡幅部分P3ではない部分の第2配線45の線幅と同等とするとよい。 The second wiring 45 is arranged along the first wiring 43 in most of the portions thereof, and is provided apart from the arrangement path of the first wiring 43. In the first contact C1 and the second contact C2, the second wiring 45 is provided. It is connected to the first wiring 43. Specifically, the first wiring 43 and the second wiring 45 include widening portions P3 in which the line width is widened at both ends of the second wiring 45 in the longitudinal direction, as shown in FIG. The widened portion P3 in the present embodiment is formed in the straight portion P1 of the connecting wiring 42, and is not formed in the diagonal portion P2 in which the pitch between the adjacent connecting wirings 42 tends to be small. Further, the pitch between the adjacent source wirings 27 is wider than the pitch between the adjacent output terminals 50 of the source driver 12. Therefore, the widening portion P3 formed in the straight line portion P1 on the side of the source wiring 27 has a relatively large widening dimension, and the widening portion P3 formed in the straight line portion P1 on the output terminal 50 side has a relatively small widening dimension. I am doing it. As shown in FIG. 6, the insulating layer 44 arranged between the first wiring 43 and the second wiring 45 in the widened portion P3 is provided with a contact hole H1 penetrating in the thickness direction. By inserting the first wiring 43 formed in a later process from the second wiring 45 and the insulating layer 44 into the contact hole H1, the first wiring 43 and the second wiring 45 are connected through the contact hole H1. In this way, the first contact C1 is provided on the widened portion P3 on the source wiring 27 side, and the second contact C2 is provided on the widened portion P3 on the output terminal 50 side of the source driver 12. Although not limited to this, the width of the contact hole H1 may be the same as the line width of the second wiring 45 in the portion other than the widened portion P3.

ここで、接続配線42における第1配線43と第2配線45とは、第1接点C1と第2接点C2との間において、互いに重畳している重畳部X0と、この重畳部X0を挟む位置に互いに重畳しない第1非重畳部X1および第2非重畳部X2と、を備えている。なお、重畳および非重畳とは、接続配線42の長手方向について第2配線45が第1配線43に重畳しているか、非重畳であるかによって区別される。したがって、図5等に示されるように、第1配線43が第2配線45に対して幅方向の両端にはみ出すことで形成される第1配線43のはみ出し部分については、第2配線45に対して非重畳ではあるが、ここでいう第1非重畳部X1および第2非重畳部X2のいずれにも該当しない。また、第1配線43が単層(単層構造)で配されている部分であっても、第1配線43の単層の部分に対応して第2配線45が単層となる部分が存在しない場合は、このような第1配線43はここでいう第1非重畳部X1および第2非重畳部X2のいずれにも該当しない。 Here, the first wiring 43 and the second wiring 45 in the connection wiring 42 are located between the first contact C1 and the second contact C2 so as to sandwich the superposed portion X0 and the superposed portion X0. A first non-superimposed portion X1 and a second non-superimposed portion X2 that do not superimpose on each other are provided. It should be noted that superimposition and non-superimposition are distinguished by whether the second wiring 45 is superposed on the first wiring 43 or non-superimposing in the longitudinal direction of the connection wiring 42. Therefore, as shown in FIG. 5 and the like, the protruding portion of the first wiring 43 formed by the first wiring 43 protruding from both ends in the width direction with respect to the second wiring 45 is relative to the second wiring 45. Although it is non-superimposed, it does not correspond to any of the first non-superimposed portion X1 and the second non-superimposed portion X2 referred to here. Further, even if the first wiring 43 is arranged in a single layer (single layer structure), there is a portion in which the second wiring 45 becomes a single layer corresponding to the single layer portion of the first wiring 43. If not, such a first wiring 43 does not correspond to any of the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2 referred to here.

本実施形態において斜め部分P2は、その長手方向の全長に亘って第1配線43と第2配線45とが重畳する重畳部X0を構成している。そして直線部分P1における第1接点C1よりも斜め部分P2の側と、第2接点C2よりも斜め部分P2の側とにそれぞれ、第1非重畳部X1と第2非重畳部X2とが設けられている。第1非重畳部X1および第2非重畳部X2においてはそれぞれ、第1配線43が第2配線45と重畳せずに単層の導体膜として存在する第1単層部分S1と、第2配線45が第1配線43と重畳せずに単層の導体膜として存在する第2単層部分S2とが対となって設けられている。これらの第1単層部分S1と、第2単層部分S2とは、Y軸方向に沿って延びる部分が、X軸方向について離間している。 In the present embodiment, the oblique portion P2 constitutes an overlapping portion X0 on which the first wiring 43 and the second wiring 45 overlap over the entire length in the longitudinal direction thereof. A first non-superimposing portion X1 and a second non-superimposing portion X2 are provided on the side of the diagonal portion P2 of the straight line portion P1 with respect to the first contact C1 and the side of the oblique portion P2 with respect to the second contact C2, respectively. ing. In the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2, the first single-layer portion S1 and the second wiring, respectively, in which the first wiring 43 does not overlap with the second wiring 45 and exists as a single-layer conductor film. The 45 is provided as a pair with the second single layer portion S2 which exists as a single layer conductor film without overlapping with the first wiring 43. The portions extending along the Y-axis direction of the first single-layer portion S1 and the second single-layer portion S2 are separated from each other in the X-axis direction.

また本実施形態における第1非重畳部X1は、第1接点C1と第2接点C2との間において、第1接点C1に連なるように設けられている。より詳細には、第1接点C1は、ソース配線27の側の拡幅部分P3に設けられている。第1非重畳部X1における第1単層部分S1と第2単層部分S2とは、拡幅部分P3のうちの斜め部分P2に向かう側の端部において、X軸方向について離間した位置から、斜め部分P2に向かうように延出されている。ここで、拡幅部分P3のX軸方向の寸法は、第1配線43および第2配線45の線幅よりも十分に大きい(例えば2.5倍以上、典型的には3~5倍程度)。また、ソース配線27の側の拡幅部分P3は、Y軸方向の寸法よりもX軸方向の寸法の方が大きい。そのため、第1非重畳部X1において、第1単層部分S1と第2単層部分S2とは、Y軸方向について長大化しても許容されうる。そこで、第1非重畳部X1において、第1単層部分S1と第2単層部分S2はいずれも、斜め部分P2またはその延長線に至るまで、Y軸方向に沿って直線状に延びている。 Further, the first non-superimposing portion X1 in the present embodiment is provided so as to be connected to the first contact C1 between the first contact C1 and the second contact C2. More specifically, the first contact C1 is provided in the widened portion P3 on the side of the source wiring 27. The first single layer portion S1 and the second single layer portion S2 in the first non-superimposing portion X1 are obliquely separated from each other in the X-axis direction at the end portion of the widening portion P3 on the side toward the diagonal portion P2. It is extended toward the partial P2. Here, the dimension of the widened portion P3 in the X-axis direction is sufficiently larger than the line width of the first wiring 43 and the second wiring 45 (for example, 2.5 times or more, typically about 3 to 5 times). Further, the widened portion P3 on the side of the source wiring 27 has a larger dimension in the X-axis direction than the dimension in the Y-axis direction. Therefore, in the first non-superimposing portion X1, the first single layer portion S1 and the second single layer portion S2 can be lengthened in the Y-axis direction. Therefore, in the first non-superimposing portion X1, both the first single layer portion S1 and the second single layer portion S2 extend linearly along the Y-axis direction up to the diagonal portion P2 or an extension line thereof. ..

本実施形態における第2非重畳部X2は、第1接点C1と第2接点C2との間において、第2接点C2に連なるように設けられている。より詳細には、第2接点C2は、出力端子50の側の拡幅部分P3に設けられている。第1単層部分S1と第2単層部分S2とは、拡幅部分P3の斜め部分P2の側の端部において、X軸方向について離間した位置から、斜め部分P2に向かうように延出されている。ここで、拡幅部分P3のX軸方向の寸法は、第1配線43および第2配線45の線幅よりも十分に大きい(例えば2.5倍以上、典型的には2.5~4倍程度)。また、出力端子50の側の拡幅部分P3は、X軸方向の寸法よりもY軸方向の寸法の方が大きい。そのため、第2非重畳部X2は、Y軸方向についてコンパクトに形成されていることが望ましい。そこで、第2非重畳部X2において、一方の第2単層部分S2は斜め部分P2に至るまで、Y軸方向に沿って直線状に延びている。そして他方の第1単層部分S1は、第2単層部分S2と同程度の長さだけY軸方向に沿って直線状に延びたのち、第2単層部分S2に向けて屈折されて、第1配線43が第2配線45と重畳するようになっている。このようにすることで、出力端子50の側の直線部分P1のY軸方向についての寸法を短く抑えることができる。 The second non-superimposing portion X2 in the present embodiment is provided between the first contact C1 and the second contact C2 so as to be connected to the second contact C2. More specifically, the second contact C2 is provided in the widening portion P3 on the side of the output terminal 50. The first single layer portion S1 and the second single layer portion S2 are extended toward the diagonal portion P2 from a position separated in the X-axis direction at the end portion of the widening portion P3 on the diagonal portion P2 side. There is. Here, the dimension of the widened portion P3 in the X-axis direction is sufficiently larger than the line width of the first wiring 43 and the second wiring 45 (for example, 2.5 times or more, typically about 2.5 to 4 times). ). Further, the widened portion P3 on the side of the output terminal 50 has a larger dimension in the Y-axis direction than the dimension in the X-axis direction. Therefore, it is desirable that the second non-superimposing portion X2 is compactly formed in the Y-axis direction. Therefore, in the second non-superimposing portion X2, one of the second single layer portions S2 extends linearly along the Y-axis direction up to the oblique portion P2. The other first single layer portion S1 extends linearly along the Y-axis direction by the same length as the second single layer portion S2, and then is refracted toward the second single layer portion S2. The first wiring 43 overlaps with the second wiring 45. By doing so, the dimension of the straight line portion P1 on the side of the output terminal 50 in the Y-axis direction can be kept short.

以上の接続配線42について、第2配線45は、抵抗低減効果と、冗長性確保や歩留まり改善等の観点から、少なくとも第2配線45の長手方向に沿う90%以上の部分が第1配線43と重畳しているとよい。これにより、接続配線42の抵抗を効果的に低減できるとともに、第1配線43が断線した場合などに第2配線45によって導通を確保することができる。第2配線45は、線幅に比べて長手方向に沿う寸法(長さ)が十分に長い。したがって、第2配線45は、長手方向に沿う95%以上、さらには98%以上の部分が第1配線43と重畳していてもよく、好ましくは長手方向に沿う全長(100%)が第1配線43と重畳しているとよい。また、これに限定されるものではないが、本実施形態の第2配線45は、図5~図7に示すように、幅方向の寸法(線幅)W2が第1配線43の幅方向の寸法(線幅)W1と同等か、第1配線43よりも小さいとよい。本実施形態の配線基板40では、平面視において、第1配線43は幅方向の両側において、例えば寸法tずつ第2配線45から延出しており、第2配線45は、その全周について第1配線43よりも一回り(例えば寸法t分だけ)小さい形状とされている。 Regarding the above connection wiring 42, in the second wiring 45, at least 90% or more of the portion along the longitudinal direction of the second wiring 45 is the first wiring 43 from the viewpoint of resistance reduction effect, redundancy assurance, yield improvement, and the like. It is good to overlap. As a result, the resistance of the connection wiring 42 can be effectively reduced, and the continuity can be ensured by the second wiring 45 when the first wiring 43 is disconnected. The second wiring 45 has a sufficiently long dimension (length) along the longitudinal direction as compared with the line width. Therefore, in the second wiring 45, a portion of 95% or more along the longitudinal direction, further 98% or more may be overlapped with the first wiring 43, and the total length (100%) along the longitudinal direction is preferably the first. It is preferable that the wiring 43 is superimposed. Further, although not limited to this, in the second wiring 45 of the present embodiment, as shown in FIGS. 5 to 7, the dimension (line width) W2 in the width direction is the width direction of the first wiring 43. It is preferable that the dimension (line width) is equal to or smaller than the first wiring 43. In the wiring board 40 of the present embodiment, in a plan view, the first wiring 43 extends from the second wiring 45 on both sides in the width direction, for example, by dimension t, and the second wiring 45 is the first with respect to the entire circumference thereof. The shape is one size smaller than the wiring 43 (for example, by the dimension t).

以上の第1配線43および第2配線45は、電気伝導性を有する導電膜である。第1配線43および第2配線45は、高い電気伝導性を備え得るとの観点から、例えば、銅(Cu)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、Cr(クロム)、モリブデン(Mo)、Ta(タンタル)、およびタングステン(W)等の高導電性金属の中から選択されるいずれか1種類の金属やその金属の合金(金属間化合物を含んでもよい。以下同じ。)や、2種以上を含む合金等によって構成するとよい。第1配線43および第2配線45は、1種の組成の金属材料からなる単層膜または2種以上の組成の金属材料からなる積層膜としてもよい。 The first wiring 43 and the second wiring 45 described above are conductive films having electrical conductivity. From the viewpoint that the first wiring 43 and the second wiring 45 can have high electrical conductivity, for example, copper (Cu), titanium (Ti), aluminum (Al), Cr (chromium), molybdenum (Mo), and the like. Any one metal selected from highly conductive metals such as Ta (tantal) and tungsten (W), alloys of the metals (may include intermetal compounds; the same shall apply hereinafter), and two kinds. It may be composed of an alloy or the like containing the above. The first wiring 43 and the second wiring 45 may be a single-layer film made of a metal material having one kind of composition or a laminated film made of a metal material having two or more kinds of compositions.

なお、配線基板40が接続配線42の他にTFT23を備える場合、接続配線42はTFT23と接続されることがある。このような場合、第1配線43および第2配線45のうち、基板41に近い側に配される配線(本例では第2配線45)は、TFT23のゲート電極23Aと、ソース電極23Bおよびドレイン電極23Cとのうち、より基板41に近い側に配される電極(本例ではゲート電極23A)と同じ工程で製造するとよい。また、第1配線43および第2配線45のうち、基板41に遠い側に配される配線(本例では第1配線43)は、TFT23のゲート電極23Aと、ソース電極23Bおよびドレイン電極23Cとのうち、より基板41に近い側に配される電極(本例ではソース電極23Bおよびドレイン電極23C)と同じ工程で製造するとよい。これに限定されるものではないが、第1配線の厚みはおおよそ6μm以上10μm以下(例えば約8μm)であってよく、第2配線の厚みはおおよそ6μm以上10μm以下(例えば約8μm)であってよい。 When the wiring board 40 includes the TFT 23 in addition to the connection wiring 42, the connection wiring 42 may be connected to the TFT 23. In such a case, of the first wiring 43 and the second wiring 45, the wiring arranged on the side closer to the substrate 41 (second wiring 45 in this example) is the gate electrode 23A of the TFT 23, the source electrode 23B, and the drain. It is preferable to manufacture the electrode 23C in the same process as the electrode (gate electrode 23A in this example) arranged closer to the substrate 41. Further, of the first wiring 43 and the second wiring 45, the wiring arranged on the far side of the substrate 41 (the first wiring 43 in this example) includes the gate electrode 23A of the TFT 23, the source electrode 23B, and the drain electrode 23C. Of these, it is preferable to manufacture the electrodes (source electrode 23B and drain electrode 23C in this example) arranged closer to the substrate 41 in the same process. Although not limited to this, the thickness of the first wiring may be approximately 6 μm or more and 10 μm or less (for example, about 8 μm), and the thickness of the second wiring may be approximately 6 μm or more and 10 μm or less (for example, about 8 μm). good.

本例の場合、例えば、第2配線45は、ゲート配線26やTFT23のゲート電極23Aと同じ工程で形成することにより、ゲート配線26やゲート電極23Aと同組成の導電膜であってよい。また、第1配線43は、ソース配線27やソース電極23Bおよびドレイン電極23Cと同じ工程で形成することにより、ソース配線27やソース電極23Bおよびドレイン電極23Cと同組成の導電膜であってよい。そして第1配線43および第2配線45のうち、基板41に近い側に配される配線(本例では第2配線45)は、Ta(タンタル)やW(タングステン)等の相対的に高融点の金属によって構成するとよい。また、第1配線43および第2配線45のうち、基板41から遠い側に配される配線(本例では第1配線43)は、信号劣化を避ける観点等から、Al(アルミニウム)やCr(クロム)等の相対的に低抵抗な金属によって構成するとよい。そして上記のとおり、基板41から遠い側に配される配線(本例では第1配線43)を近い側に配される配線(本例では第2配線45)よりも幅広に構成することで、接続配線42の抵抗を効率よく低減することができる。 In the case of this example, for example, the second wiring 45 may be a conductive film having the same composition as the gate wiring 26 and the gate electrode 23A by forming the second wiring 45 in the same process as the gate wiring 26 and the gate electrode 23A of the TFT 23. Further, the first wiring 43 may be a conductive film having the same composition as the source wiring 27, the source electrode 23B and the drain electrode 23C by forming the first wiring 43 in the same process as the source wiring 27, the source electrode 23B and the drain electrode 23C. Of the first wiring 43 and the second wiring 45, the wiring arranged on the side closer to the substrate 41 (second wiring 45 in this example) has a relatively high melting point such as Ta (tantalum) or W (tungsten). It is recommended to use the metal of. Further, of the first wiring 43 and the second wiring 45, the wiring arranged on the side farther from the substrate 41 (first wiring 43 in this example) is Al (aluminum) or Cr (aluminum) or Cr (from the viewpoint of avoiding signal deterioration). It may be composed of a metal having a relatively low resistance such as chromium). As described above, the wiring arranged on the side far from the substrate 41 (first wiring 43 in this example) is wider than the wiring arranged on the near side (second wiring 45 in this example). The resistance of the connection wiring 42 can be efficiently reduced.

なお、絶縁層44は、電気伝導性に乏しい(典型的には、絶縁性の)絶縁膜である。なお、保護膜46も、一般的には電気伝導性に乏しい(典型的には、絶縁性の)絶縁膜によって構成される。絶縁層44および保護膜46は、窒化ケイ素(SiNx)、酸化ケイ素(SiO)等の絶縁性無機材料やアクリル樹脂(例えばPMMA)等の絶縁性有機材料などで構成することができる。絶縁層44は、第1配線43および第2配線45の間に配される点を考慮すると、ゲート絶縁層33と同じ工程で製造するとよい。換言すると、絶縁層44は、ゲート絶縁層33と同組成の絶縁膜であってよく、絶縁性無機材料(例えば、窒化ケイ素)によって構成するとよい。一方の保護膜46は、絶縁性無機材料および絶縁性有機材料(例えば、アクリル樹脂)のいずれであってもよく、例えば、絶縁性無機材料からなる層に絶縁性有機材料からなる層が積層されていてもよい。なお、これに限定されるものではないが、絶縁層の厚みはおおよそ425nm以上575nm以下(例えば約500nm)であってよく、保護膜の厚みはおおよそ170nm以上230nm以下(例えば約200nm)であってよい。 The insulating layer 44 is an insulating film having poor electrical conductivity (typically, insulating). The protective film 46 is also generally composed of an insulating film having poor electrical conductivity (typically, insulating). The insulating layer 44 and the protective film 46 can be made of an insulating inorganic material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ) or an insulating organic material such as an acrylic resin (for example, PMMA). Considering that the insulating layer 44 is arranged between the first wiring 43 and the second wiring 45, the insulating layer 44 may be manufactured in the same process as the gate insulating layer 33. In other words, the insulating layer 44 may be an insulating film having the same composition as the gate insulating layer 33, and may be made of an insulating inorganic material (for example, silicon nitride). On the other hand, the protective film 46 may be either an insulating inorganic material or an insulating organic material (for example, acrylic resin), and for example, a layer made of an insulating organic material is laminated on a layer made of an insulating inorganic material. May be. Although not limited to this, the thickness of the insulating layer may be approximately 425 nm or more and 575 nm or less (for example, about 500 nm), and the thickness of the protective film may be approximately 170 nm or more and 230 nm or less (for example, about 200 nm). good.

なお、TFT23のチャネル層23Dは、半導体材料からなる半導体膜である。チャネル層23Dを構成する半導体としては、シリコン等のV族元素を主体とする元素半導体や、III族とV族あるいはII族とVI族の元素を組み合わせた化合物半導体、In-Ga-Zn-O(酸化インジウムガリウム亜鉛)等の酸化物半導体が挙げられる。中でも、チャネル層23Dは、高い電界効果移動度を有する等の観点から、In-Ga-Zn-O系半導体によって構成するとよい。ここで、In-Ga-Zn-O系の半導体は、In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Zn(亜鉛)を含む三元系の複合酸化物であって、アモルファスであってもよいし、結晶質であってもよい。チャネル層23Dの厚みは、所望のTFT設計によって適宜定められ、これに限定されるものではないが、一例として、おおよそ127.5nm以上172.5nm以下(例えば約150nm)程度とすることが例示される。 The channel layer 23D of the TFT 23 is a semiconductor film made of a semiconductor material. The semiconductors constituting the channel layer 23D include elemental semiconductors mainly composed of Group V elements such as silicon, compound semiconductors in which Group III and Group V or Group II and Group VI elements are combined, and In-Ga-Zn-O. Examples thereof include oxide semiconductors such as (indium gallium zinc oxide). Above all, the channel layer 23D may be composed of an In—Ga—Zn—O semiconductor from the viewpoint of having high field effect mobility and the like. Here, the In—Ga—Zn—O-based semiconductor is a ternary composite oxide containing In (indium), Ga (gallium), and Zn (zinc), and may be amorphous. It may be crystalline. The thickness of the channel layer 23D is appropriately determined by a desired TFT design, and is not limited to this, and as an example, it is exemplified that the thickness is approximately 127.5 nm or more and 172.5 nm or less (for example, about 150 nm). To.

ここで、上記の接続配線42においては、第1非重畳部X1および第2非重畳部X2を設けることなく、第1接点C1と第2接点C2との間をすべて重畳部X0とすることも考えられる。このような非重畳部X1,X2のない接続配線についても、ファインライン化すると、上層または下層の一つの配線とする場合よりも抵抗の上昇を抑制し、また、一方の層の配線が断線した場合であっても他方の配線によって断線を回避することができるという利点がある。しかしながら、一つの接続配線を上層と下層の二つの配線により構成すると、隣り合う接続配線との短絡欠陥の発生率が約2倍に増加してしまうという新たな課題が発生しうる。加えて、本発明者らの検討によると、理由は定かではないものの、上層と下層の二つの配線が重畳していると、表示パネルの製品検査において汎用されている、ロックイン方式の赤外線サーモグラフィによる欠陥個所の特定が困難になるという新たな課題が生じうることが判明した。 Here, in the connection wiring 42 described above, the overlapped portion X0 may be provided between the first contact C1 and the second contact C2 without providing the first non-superimposed portion X1 and the second non-superimposed portion X2. Conceivable. Even for the connection wiring without such non-superimposed portions X1 and X2, if the fine line is used, the increase in resistance is suppressed as compared with the case where one wiring of the upper layer or the lower layer is used, and the wiring of one layer is broken. Even in this case, there is an advantage that the disconnection can be avoided by the other wiring. However, if one connection wiring is composed of two wirings, an upper layer and a lower layer, a new problem that the occurrence rate of short-circuit defects with adjacent connection wirings may be doubled may occur. In addition, according to the study by the present inventors, although the reason is not clear, the lock-in type infrared thermography, which is widely used in the product inspection of the display panel when the two wirings of the upper layer and the lower layer are superimposed, is used. It has become clear that a new problem may arise in which it becomes difficult to identify the defective part.

ロックイン赤外線サーモグラフィとは、微細化、積層化した電子部品やユニット等のショート、リーク等に伴う欠陥箇所を特定する方法である。この解析法によると、配線にパルス信号と同期する熱負荷を印加しながら熱画像を収録し、ショートまたはリーク等の欠陥に起因する微小な発熱箇所(座標)を非破壊で検出するというものである。アレイ基板のショートまたはリーク等の欠陥は、CF基板との貼り合わせ前であればレーザリペア装置を用いたリペア技術により修正することができ、不良品率の低下と歩留まりの向上とを達成することができる。しかしながら、二層構造の配線基板については、点灯検査や電気的特性評価によって欠陥があると判断された接続配線であっても、電圧を印加したときに発熱しない。そのため、このような接続配線については、点灯検査や電気的特性評価によって接続配線にショートまたはリーク等の欠陥があると判断されても、ロックイン赤外線サーモグラフィによる欠陥個所の座標を特定することができない。したがって、欠陥の修正(リペア)は、接続配線に沿って接続配線を顕微鏡等によってくまなく観察することにより、欠陥個所を特定してから行う必要があった。このような検査は、長手方向の寸法の長い接続配線について実施すると、観察視野を何度も変更する必要があるなどして、途中で検査対象の接続配線42を見失うなど、非常に困難なものとなっていた。 Lock-in infrared thermography is a method for identifying defective parts due to short circuits, leaks, etc. of miniaturized and laminated electronic components and units. According to this analysis method, a thermal image is recorded while applying a thermal load synchronized with the pulse signal to the wiring, and minute heat generation points (coordinates) caused by defects such as short circuits or leaks are detected non-destructively. be. Defects such as short circuits or leaks on the array board can be corrected by repair technology using a laser repair device before bonding to the CF board, achieving a reduction in the defective product rate and an improvement in yield. Can be done. However, the wiring board having a two-layer structure does not generate heat when a voltage is applied, even if the connection wiring is determined to be defective by lighting inspection or electrical characteristic evaluation. Therefore, for such connection wiring, even if it is determined by lighting inspection or electrical characteristic evaluation that the connection wiring has a defect such as a short circuit or a leak, the coordinates of the defect location cannot be specified by lock-in infrared thermography. .. Therefore, it is necessary to repair the defect after identifying the defective portion by observing the connection wiring along the connection wiring with a microscope or the like. When such an inspection is performed on a connection wiring having a long length in the longitudinal direction, it is very difficult to lose sight of the connection wiring 42 to be inspected on the way because the observation field of view needs to be changed many times. It was.

<配線基板の欠陥修理方法>
これに対し、ここに開示される構成の配線基板40によると、製造された配線基板40(具体的には、例えば、アレイ基板21)について、まず、(1)複数の第1配線43(すなわち接続配線42)のリーク検査(短絡試験)を行い、複数の接続配線42のいずれかにリークが見られる場合は、隣り合う接続配線42同士で短絡している一組の接続配線42(短絡配線ペア)を特定する工程を実行する。そしてその後、(2)特定された短絡配線ペアのうちの少なくとも一方の接続配線42について、第1配線43と、この第1配線43に接続された第2配線45と、のいずれか一方を、第1非重畳部X1および第2非重畳部X2のそれぞれにおいて切断する工程を実行するようにしている。
<How to repair defects in wiring boards>
On the other hand, according to the wiring board 40 having the configuration disclosed herein, regarding the manufactured wiring board 40 (specifically, for example, the array board 21), first, (1) a plurality of first wiring 43 (that is, that is). A leak inspection (short circuit test) of the connection wiring 42) is performed, and if a leak is found in any of the plurality of connection wirings 42, a set of connection wirings 42 (short-circuit wirings) in which the adjacent connection wirings 42 are short-circuited are short-circuited. Perform the step of identifying the pair). Then, for (2) at least one connection wiring 42 of the specified short-circuit wiring pair, either the first wiring 43 or the second wiring 45 connected to the first wiring 43 is connected. The step of cutting is executed in each of the first non-superimposition portion X1 and the second non-superimposition portion X2.

より詳細には、例えば、隣り合う接続配線42において、一方の第1配線43の部分にリークがあった場合は、図8に示すように、第1非重畳部X1および第2非重畳部X2における第1単層部分S1を、例えば一点鎖線で示した位置においてカットする。単層部分S1、S2のカットは、レーザーカッタを用いるとよい。これにより、欠陥のある側の配線(つまり第1配線43)を絶縁するとともに、残りの配線(つまり第2配線45)で導通を確保することができ、接続配線42におけるショートまたはリーク等の欠陥を簡便に修正することができる。また、例えば、隣り合う接続配線42において第2配線45の部分にリークがあった場合は、第1非重畳部X1および第2非重畳部X2における第2単層部分S2をそれぞれカットすればよい。これにより、欠陥のある側の配線(つまり第2配線45)を絶縁するとともに、残りの配線(つまり第1配線43)で導通を確保することができ、接続配線42におけるショートまたはリーク等の欠陥を簡便に修正することができる。延いては、配線基板40や液晶パネル11の修正率を向上して、歩留まりを改善することができる。なお、第1配線43と第2配線45のいずれにリークがあるかは、例えば電気的特性評価によって判断することができる。電気的特性評価によって第1配線43と第2配線45のいずれにリークがあるかが判断できない場合は、リークのある可能性の高い一方の配線について単層部分S1またはS2をカットし、リークが修復されない場合はカット部分を修復(接続処理)して他方の配線について単層部分S2またはS1をカットすればよい。 More specifically, for example, when there is a leak in the portion of one of the first wirings 43 in the adjacent connection wiring 42, as shown in FIG. 8, the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2 The first single layer portion S1 in the above is cut, for example, at the position indicated by the alternate long and short dash line. A laser cutter may be used to cut the single layer portions S1 and S2. As a result, it is possible to insulate the wiring on the defective side (that is, the first wiring 43) and ensure continuity with the remaining wiring (that is, the second wiring 45), and defects such as short circuits or leaks in the connection wiring 42 can be ensured. Can be easily modified. Further, for example, when there is a leak in the portion of the second wiring 45 in the adjacent connection wiring 42, the second single layer portion S2 in the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2 may be cut, respectively. .. As a result, the wiring on the defective side (that is, the second wiring 45) can be insulated, and the remaining wiring (that is, the first wiring 43) can ensure continuity, and defects such as short circuits or leaks in the connection wiring 42 can be ensured. Can be easily modified. As a result, the correction rate of the wiring board 40 and the liquid crystal panel 11 can be improved to improve the yield. It should be noted that which of the first wiring 43 and the second wiring 45 has a leak can be determined, for example, by electrical characteristic evaluation. If it is not possible to determine whether there is a leak in the first wiring 43 or the second wiring 45 by the electrical characteristic evaluation, the single layer portion S1 or S2 is cut for one of the wirings that are likely to have a leak, and the leak occurs. If it is not repaired, the cut portion may be repaired (connection processing) and the single layer portion S2 or S1 may be cut for the other wiring.

<構成並びに作用効果>
上記実施形態に係る配線基板40は、絶縁性を有する基板41(アレイ基板21)と、基板41に設けられた画素電極24と、基板41に設けられ画素電極24に接続されるソース配線27(画素配線)と、ソース配線27に信号を入力するための出力端子50(信号入力部)と、基板41に設けられソース配線27と出力端子50とに接続される第1配線43と、基板41に設けられ第1配線43に沿って配設されるとともに、絶縁層44を介して第1配線43に重畳し、離間して配される第1接点C1および第2接点C2において第1配線43に接続される第2配線45と、を備える。
<Composition and action>
The wiring substrate 40 according to the above embodiment includes a substrate 41 (array substrate 21) having an insulating property, a pixel electrode 24 provided on the substrate 41, and a source wiring 27 (provided on the substrate 41 and connected to the pixel electrode 24). The pixel wiring), the output terminal 50 (signal input unit) for inputting a signal to the source wiring 27, the first wiring 43 provided on the board 41 and connected to the source wiring 27 and the output terminal 50, and the board 41. The first wiring 43 is provided in the first contact C1 and the second contact C2, which are arranged along the first wiring 43, overlapped with the first wiring 43 via the insulating layer 44, and are arranged apart from each other. The second wiring 45 connected to the above is provided.

このような構成において、第1配線43は第2配線45によってバイパスされており、第1配線43と第2配線45とからなる2層構造の接続配線42が構築される。このような接続配線42によると、第1配線43と第2配線45とを足し合わせた線幅を有する配線と同様に、その線抵抗が低減される。その結果、第1配線43および第2配線45をファインライン化する(例えば、線幅約15μm以下とする)場合であっても線抵抗の増大を抑制することができる。また、第1配線43と第2配線45とは絶縁層44によって絶縁されており、別の工程で形成される。そのため、ファインライン化の際に第1配線43と第2配線45のいずれか一方が断線した場合であっても、他方が連続していれば接続配線42としての機能を果たすことができる。これにより、ファインライン化を行った場合の欠陥率を低減することができる。また、第2配線45は第1配線43に対して重畳する位置に配されるため、第1配線43および第2配線45が基板に占める割合が低減されている。これにより、過度に線抵抗を高めることなく接続配線42の高密度化を図ることができる。 In such a configuration, the first wiring 43 is bypassed by the second wiring 45, and a connection wiring 42 having a two-layer structure including the first wiring 43 and the second wiring 45 is constructed. According to such a connection wiring 42, the line resistance thereof is reduced as in the wiring having a line width obtained by adding the first wiring 43 and the second wiring 45. As a result, it is possible to suppress an increase in line resistance even when the first wiring 43 and the second wiring 45 are made into fine lines (for example, the line width is about 15 μm or less). Further, the first wiring 43 and the second wiring 45 are insulated by the insulating layer 44, and are formed in another process. Therefore, even if either one of the first wiring 43 and the second wiring 45 is disconnected at the time of making a fine line, the function as the connection wiring 42 can be fulfilled if the other is continuous. As a result, it is possible to reduce the defect rate when the fine line is formed. Further, since the second wiring 45 is arranged at a position overlapping with the first wiring 43, the ratio of the first wiring 43 and the second wiring 45 to the substrate is reduced. As a result, the density of the connection wiring 42 can be increased without excessively increasing the line resistance.

また、上記構成によると、第1非重畳部X1および第2非重畳部X2は、第1接点C1および第2接点C2の拡幅部分P3を利用することにより、単純なパターンにより実現することができる。また、これにより、複雑な配線パターンによる断線等の可能性を抑制しながら、欠陥修正に適した接続配線構造を提供することができる。また、切断する第1単層部分S1または第2単層部分S2は互いに離間しているため、カットの際に他方を切断する事態を抑制することができる。このような構成によっても、ショートまたはリーク等の欠陥を簡便に修正することが可能とされる。 Further, according to the above configuration, the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2 can be realized by a simple pattern by using the widening portion P3 of the first contact C1 and the second contact C2. .. Further, this makes it possible to provide a connection wiring structure suitable for defect correction while suppressing the possibility of disconnection due to a complicated wiring pattern. Further, since the first single layer portion S1 or the second single layer portion S2 to be cut are separated from each other, it is possible to suppress the situation where the other is cut at the time of cutting. Even with such a configuration, it is possible to easily correct defects such as short circuits or leaks.

また、上記構成によると、第1配線43は、X軸(第一の方向)に沿って延びる直線部分P1,P1(第1部分および第2部分)と、これらの直線部分P1,P1の間においてX軸と90度未満の角度で交差する第二の方向に沿って延びる斜め部分P2(斜部)と、を含んでおり、第1接点C1は一方の直線部分P1に設けられ、第2接点C2は他方の直線部分P1に設けられている。そして、重畳部X0は、斜め部分P2に設けられている。斜め部分P2は、直線部分P1と比して、線幅を細くしたり、隣り合う接続配線42のピッチを小さくする必要があることから、上記の特徴を有する重畳部X0をこの斜め部分P2に配することで、ここに開示される技術の利点がより明瞭に発揮されるために好適である。 Further, according to the above configuration, the first wiring 43 is between the straight lines P1 and P1 (first and second parts) extending along the X axis (first direction) and these straight lines P1 and P1. Includes an oblique portion P2 (oblique portion) extending along a second direction intersecting the X-axis at an angle of less than 90 degrees, the first contact C1 being provided on one straight portion P1 and a second. The contact C2 is provided on the other straight portion P1. The superimposing portion X0 is provided on the diagonal portion P2. Since it is necessary to make the line width narrower and the pitch of the adjacent connection wiring 42 smaller in the diagonal portion P2 than in the straight portion P1, the superimposing portion X0 having the above characteristics is set in the diagonal portion P2. The arrangement is suitable because the advantages of the techniques disclosed herein can be more clearly demonstrated.

上記実施形態において、第1配線43は、Y軸方向(第一の方向)に沿って延びるソース配線27の側の直線部分P1(第1部分)およびソースドライバの出力端子50の側の直線部分P1(第2部分)を含み、これらの直線部分P1の間においてY軸方向と90度未満の角度で交差する第二の方向に沿って延びる斜め部分P2(斜部)とを含んでいる。そして第1接点C1はソース配線27の側の直線部分P1に設けられ、第2接点C2は出力端子50の側の直線部分P1に設けられている。複数のソース配線27をソースドライバ12の配線の出力端子50に集約する接続配線42において、隣り合う接続配線42の間のピッチは、例えば出力端子50の側の直線部分P1におけるピッチよりも、斜め部分P2におけるピッチの方が必然的に狭くなってしまう。そこでこのような構成を採用することで、第1接点C1および第2接点C2はピッチの大きい直線部分P1に配することができ、接点の面積を容易に広くと確保することができる。また、斜め部分P2の全長に亘って、第1配線43に対して第2配線45によるバイパスを設けることができる。その結果、斜め部分P2の接続配線42の線幅を従来よりも(あるいは直線部分P1よりも)細くする場合でも、接続配線42をファインライン化したことによる抵抗の上昇を抑制することができ、個々に開示される技術の利点をより効果的に発揮させることができる。 In the above embodiment, the first wiring 43 has a linear portion P1 (first portion) on the side of the source wiring 27 extending along the Y-axis direction (first direction) and a linear portion on the side of the output terminal 50 of the source driver. It includes P1 (second portion) and includes an oblique portion P2 (oblique portion) extending along a second direction that intersects the Y-axis direction at an angle of less than 90 degrees between these linear portions P1. The first contact C1 is provided in the straight line portion P1 on the side of the source wiring 27, and the second contact C2 is provided in the straight line portion P1 on the side of the output terminal 50. In the connection wiring 42 that aggregates a plurality of source wirings 27 into the output terminal 50 of the wiring of the source driver 12, the pitch between the adjacent connection wirings 42 is oblique to, for example, the pitch in the straight line portion P1 on the side of the output terminal 50. The pitch in the portion P2 is inevitably narrower. Therefore, by adopting such a configuration, the first contact C1 and the second contact C2 can be arranged in the straight line portion P1 having a large pitch, and the contact area can be easily secured to be wide. Further, a bypass by the second wiring 45 can be provided to the first wiring 43 over the entire length of the diagonal portion P2. As a result, even when the line width of the connection wiring 42 of the diagonal portion P2 is made narrower than before (or than the straight portion P1), it is possible to suppress an increase in resistance due to the fine line of the connection wiring 42. The advantages of the individually disclosed techniques can be more effectively demonstrated.

上記実施形態において、第2配線45は、第1配線43よりも幅狭であって、長手方向と直交する幅方向において第1配線43は第2配線45の両端からはみ出すはみ出し部分を含む。このような構成によると、接続配線42の全長に亘って配される第1配線43をより幅広に形成することができ、第1配線43をより低抵抗なものとすることができる。また、例えばフォトリソグラフィ技術で配線基板40を作製するとき、第1配線43を基板から離れた層として絶縁層44のコンタクトホールH1に進入させるとき、コンタクトホールH1に進入した部分と絶縁層44の表面上に配される部分との連続性を確保しやすく、第1配線43の線細りを抑制できる点において好ましい。さらに、第1配線43を第2配線45よりも低抵抗の材料で構成するときは、第1配線43の抵抗をさらに低減できる点において好ましい。 In the above embodiment, the second wiring 45 is narrower than the first wiring 43, and the first wiring 43 includes protruding portions protruding from both ends of the second wiring 45 in the width direction orthogonal to the longitudinal direction. According to such a configuration, the first wiring 43 arranged over the entire length of the connection wiring 42 can be formed wider, and the first wiring 43 can be made to have a lower resistance. Further, for example, when the wiring board 40 is manufactured by the photolithography technique, when the first wiring 43 is made to enter the contact hole H1 of the insulating layer 44 as a layer separated from the substrate, the portion having entered the contact hole H1 and the insulating layer 44 It is preferable in that it is easy to secure continuity with the portion arranged on the surface and the line thinning of the first wiring 43 can be suppressed. Further, when the first wiring 43 is made of a material having a lower resistance than that of the second wiring 45, it is preferable in that the resistance of the first wiring 43 can be further reduced.

上記実施形態において、第2配線45は、当該第2配線45の長手方向に沿って90%以上の範囲に亘って第1配線43に重畳している。このような構成によると、第2配線45による抵抗低減効果と断線防止効果が好適に発揮されるために好ましい。 In the above embodiment, the second wiring 45 is superimposed on the first wiring 43 over a range of 90% or more along the longitudinal direction of the second wiring 45. According to such a configuration, the resistance reducing effect and the disconnection preventing effect of the second wiring 45 are preferably exhibited, which is preferable.

上記実施形態において、ゲート電極23A(ゲート層)と、ソース電極23B(ソース層)と、これらゲート電極23Aおよびソース電極23Bを絶縁するゲート絶縁層33とを備えるTFT23を含み、第1配線43はソース電極23Bと同一の導電膜によって構成され、第2配線45はゲート電極23Aと同一の導電膜によって構成され、絶縁層44はゲート絶縁層33と同一の絶縁膜によって構成されている。このような構成によると、TFT23の製造に合わせて基板41上に第1配線43、第2配線45、および絶縁層44を形成できるために好適である。 In the above embodiment, the first wiring 43 includes a TFT 23 including a gate electrode 23A (gate layer), a source electrode 23B (source layer), and a gate insulating layer 33 that insulates the gate electrode 23A and the source electrode 23B. The second wiring 45 is made of the same conductive film as the gate electrode 23A, and the insulating layer 44 is made of the same insulating film as the gate insulating layer 33. According to such a configuration, the first wiring 43, the second wiring 45, and the insulating layer 44 can be formed on the substrate 41 in accordance with the manufacture of the TFT 23, which is suitable.

≪実施形態2≫
実施形態2に係る配線基板240について、図9および図10を参照して説明する。実施形態2の配線基板240は、第1非重畳部X1および第2非重畳部X2に加えて、これらの間に第3非重畳部X3を備える点において、実施形態1と相違している。それ以外の構成については、実施形態1と同様であってよく、同様の構成、作用および効果についての説明は省略する。
<< Embodiment 2 >>
The wiring board 240 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 10. The wiring board 240 of the second embodiment is different from the first embodiment in that a third non-superimposed portion X3 is provided between the first non-superimposed portion X1 and the second non-superimposed portion X2. Other configurations may be the same as those in the first embodiment, and the description of the same configurations, actions and effects will be omitted.

例えば図1に示す配線基板40について、X軸方向の中央部分に配される接続配線42と、両端側に配される接続配線42とでは、配線長さが大きく異なりうる。一例として、X軸方向についての中央位置に配される接続配線42は、接続対象である出力端子50までの直線距離が約11mm程度となるのに対し、表示領域A1においてX軸方向についての端位置に配される接続配線42は、接続対象である出力端子50までの直線距離が約328mm程度とされる。そのため、複数の配線基板40については、その配線長さによってシート抵抗にバラツキが生じ得て、中央位置に配される接続配線42よりも端位置に配される接続配線42の方がシート抵抗が高くなりうる。また、上記中央位置に配される接続配線42は、出力端子50に至るまでのX軸方向についての集約度合いが小さく、端位置に配される接続配線42と比較して、隣り合う接続配線42の間のピッチを相対的に広く確保することができる。そこで、図9に示すように、複数の接続配線242間の抵抗のばらつきを低減するために、中央部分に配される接続配線242については配線パターンを蛇行させて抵抗値を増大させることが行われてもいる。 For example, with respect to the wiring board 40 shown in FIG. 1, the wiring length may be significantly different between the connection wiring 42 arranged in the central portion in the X-axis direction and the connection wiring 42 arranged on both ends. As an example, the connection wiring 42 arranged at the center position in the X-axis direction has a linear distance of about 11 mm to the output terminal 50 to be connected, whereas the end in the display area A1 in the X-axis direction. The connection wiring 42 arranged at the position has a linear distance of about 328 mm to the output terminal 50 to be connected. Therefore, with respect to the plurality of wiring boards 40, the sheet resistance may vary depending on the wiring length, and the seat resistance of the connection wiring 42 arranged at the end position is higher than that of the connection wiring 42 arranged at the center position. Can be high. Further, the connection wiring 42 arranged at the center position has a small degree of aggregation in the X-axis direction up to the output terminal 50, and is adjacent to the connection wiring 42 as compared with the connection wiring 42 arranged at the end position. It is possible to secure a relatively wide pitch between. Therefore, as shown in FIG. 9, in order to reduce the variation in resistance between the plurality of connection wirings 242, it is possible to increase the resistance value by meandering the wiring pattern of the connection wiring 242 arranged in the central portion. I'm also sick.

そこで、本実施形態の配線基板240において、第1配線243および第2配線245は、図10に示すように、第1非重畳部X1と第2非重畳部X2との間であって、第1非重畳部X1および第2非重畳部X2とは離間した位置において、互いに重畳しない第3非重畳部X3を備えている。より具体的には、接続配線242(すなわち、第1配線243および第2配線245)は、第1非重畳部X1と第2非重畳部X2との間おいて、これら第1非重畳部X1および第2非重畳部X2に離間して配置される第1中間点M1および第2中間点M2と、これら第1中間点M1および第2中間点M2の間において、第1中間点M1および第2中間点M2を繋ぐ方向と交差する方向に沿って蛇行する蛇行部分M3と、を有している。そして、第1配線243および第2配線245のうちのいずれか一方(ここでは第1配線243)は、蛇行部分M3において、略コの字状に蛇行する第1蛇行部M31を含んでいる。また、第1配線243および第2配線245のうちの他方(ここでは第2配線245)は、蛇行部分M3において、第1蛇行部M31よりも幅の広いコの字状に蛇行する第2蛇行部M32を含んでいる。そしてこれら第1蛇行部M31と第2蛇行部M32とは、それぞれにおいて略平行に延びる一対の平行部分のうちの一方の部分が互いに重畳して重畳部X01を構成しているとともに、平行部分のうちの少なくとも他方の部分が互いに重畳しないことによって第3非重畳部X3を構成している。この第3非重畳部X3においては、第1配線243が第2配線245と重畳せずに単層の導体膜として存在する第1単層部分S1と、第2配線245が第1配線243と重畳せずに単層の導体膜として存在する第2単層部分S2とが設けられている。 Therefore, in the wiring board 240 of the present embodiment, the first wiring 243 and the second wiring 245 are located between the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2, as shown in FIG. A third non-superimposed portion X3 that does not superimpose on each other is provided at a position separated from the first non-superimposed portion X1 and the second non-superimposed portion X2. More specifically, the connection wiring 242 (that is, the first wiring 243 and the second wiring 245) has the first non-superimposition portion X1 between the first non-superimposition portion X1 and the second non-superimposition portion X2. The first intermediate point M1 and the second intermediate point M1 and the second intermediate point M1 and the second intermediate point M2 are arranged between the first intermediate point M1 and the second intermediate point M2 arranged apart from each other and the second intermediate point M1 and the second intermediate point M2. It has a meandering portion M3 that meanders along a direction intersecting with a direction connecting the two intermediate points M2. Then, one of the first wiring 243 and the second wiring 245 (here, the first wiring 243) includes a first meandering portion M31 meandering in a substantially U-shape in the meandering portion M3. Further, the other of the first wiring 243 and the second wiring 245 (here, the second wiring 245) meanders in a U shape wider than the first meandering portion M31 in the meandering portion M3. The part M32 is included. The first meandering portion M31 and the second meandering portion M32 each form a superposed portion X01 in which one portion of a pair of parallel portions extending substantially parallel to each other overlaps with each other and forms a parallel portion. The third non-superimposed portion X3 is formed by not superimposing at least the other portion thereof on each other. In the third non-superimposing portion X3, the first wiring 243 does not overlap with the second wiring 245 and exists as a single-layer conductor film, and the second wiring 245 has the first wiring 243. A second single-layer portion S2 that exists as a single-layer conductor film without being superimposed is provided.

<配線基板の欠陥修理方法>
なお、実施形態1の配線基板40によると、第1配線43および第2配線45のいずれか一方にリーク等の欠陥があった場合、接続配線42から欠陥のあった第1配線43または第2配線45を、第1非重畳部X1と第2非重畳部X2との間で切り離すことにより修正を行うことができる。しかしながら、第1配線43および第2配線45に広範囲に生じる得る欠陥を修正するために第1非重畳部X1および第2非重畳部X2を第2配線45の両末端に配置させると、修正によって絶縁される配線長さも長くなり、隣り合う接続配線42の間で抵抗が大きく異なるという問題が生じ得る。
<How to repair defects in wiring boards>
According to the wiring board 40 of the first embodiment, if either the first wiring 43 or the second wiring 45 has a defect such as a leak, the first wiring 43 or the second wiring 43 or the second wiring having a defect from the connection wiring 42 has a defect. The wiring 45 can be modified by disconnecting the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2. However, if the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2 are arranged at both ends of the second wiring 45 in order to correct a defect that may occur in a wide range in the first wiring 43 and the second wiring 45, the correction causes The length of the insulated wiring also becomes long, which may cause a problem that the resistance greatly differs between the adjacent connection wirings 42.

これに対し、上記構成の配線基板240によると、第1非重畳部X1および第2非重畳部X2との間に第3非重畳部X3が設けられており、第1非重畳部X1と第3非重畳部X3との間、あるいは、第3非重畳部X3と第2非重畳部X2との間、において、接続配線242から欠陥のあった第1配線243または第2配線245を切り離す(絶縁する)ことができる。これにより、隣り合う接続配線242の間での抵抗の差異を低減して、欠陥を修復することができる。なおこのとき、第3非重畳部X3に続く第1非重畳部X1および第2非重畳部X2の端部において、レーザリペア装置によって第1配線243と第2配線245とを導通させるとよい。 On the other hand, according to the wiring board 240 having the above configuration, the third non-superimposing portion X3 is provided between the first non-superimposing portion X1 and the second non-superimposing portion X2, and the first non-superimposing portion X1 and the first non-superimposing portion X1 are provided. 3 The defective first wiring 243 or second wiring 245 is separated from the connection wiring 242 between the non-superimposition portion X3 or between the third non-superimposition portion X3 and the second non-superimposition portion X2 ( Can be insulated). This makes it possible to reduce the difference in resistance between adjacent connection wirings 242 and repair defects. At this time, it is preferable to conduct the first wiring 243 and the second wiring 245 by a laser repair device at the ends of the first non-superimposition portion X1 and the second non-superimposition portion X2 following the third non-superimposition portion X3.

また、第3非重畳部X3は、第1非重畳部X1と第2非重畳部X2との間において、複数箇所に設けてもよい。この場合、一つの第3非重畳部X3と、この第3非重畳部X3と接続配線242の長手方向に沿って隣に配される他の第3非重畳部X3と、の間で欠陥のあった第1配線243または第2配線245を切り離す(絶縁する)ことができる。これにより、隣り合う接続配線242の間での抵抗の差異をより一層低減して、欠陥を修復することができる。なお、第1配線243と第2配線245のいずれに欠陥があるか、また、いずれの非重畳部X1,X3,X2の間に欠陥があるかは、例えば電気的特性評価(例えば、チャージ量評価)によって判断することができる。電気的特性評価によって第1配線243と第2配線245のいずれにリークがあるか、および、いずれの非重畳部X1,X3,X2の間に欠陥があるか、が判断できない場合は、リークのある可能性の高い配線を挟む位置に配される非重畳部X1,X3,X2について単層部分S1またはS2をカットし、リークが修復されない場合はカット部分を修復(接続処理)して他方の部分についての単層部分S2またはS1をカットすればよい。 Further, the third non-superimposed portion X3 may be provided at a plurality of locations between the first non-superimposed portion X1 and the second non-superimposed portion X2. In this case, there is a defect between one third non-superimposition portion X3 and the other third non-superimposition portion X3 arranged next to the third non-superimposition portion X3 along the longitudinal direction of the connection wiring 242. The existing first wiring 243 or second wiring 245 can be separated (insulated). Thereby, the difference in resistance between the adjacent connection wirings 242 can be further reduced, and the defect can be repaired. Whether there is a defect in the first wiring 243 or the second wiring 245 and whether there is a defect between the non-superimposing portions X1, X3, X2 is determined by, for example, an electrical characteristic evaluation (for example, a charge amount). It can be judged by evaluation). If it is not possible to determine from the electrical characteristic evaluation whether there is a leak in the first wiring 243 or the second wiring 245 and which non-superimposing portion X1, X3, X2 has a defect, the leak Cut the single layer part S1 or S2 for the non-superimposing parts X1, X3, X2 arranged at the positions sandwiching the wiring with high possibility, and if the leak is not repaired, repair (connect) the cut part and the other. The single layer portion S2 or S1 for the portion may be cut.

≪他の実施形態≫
ここに開示される技術は、上記の実施形態に開示されたものに限定されるものではなく、例えば、以下の態様もここに開示される技術範囲に含まれる。また、ここに開示される技術は、その本質から逸脱しない範囲において種々変更された態様で実施することができる。
<< Other Embodiments >>
The techniques disclosed herein are not limited to those disclosed in the above embodiments, and for example, the following aspects are also included in the technical scope disclosed herein. In addition, the techniques disclosed herein can be implemented in various modified embodiments without departing from their essence.

(1)上記した各実施形態では、本技術に係る二層構造の接続配線がソース引出線である場合について例示したが、接続配線は、例えばゲート引出線であってもよいし、その他の配線であってもよい。 (1) In each of the above-described embodiments, the case where the connection wiring of the two-layer structure according to the present technology is a source leader is exemplified, but the connection wiring may be, for example, a gate leader, or other wiring. May be.

(2)上記した実施形態2では、接続配線がX軸方向に沿って略コの字の形態で左右に繰り返し蛇行しつつ、Y軸方向に沿って延在する構成を示したが、蛇行部分の構成はこれに限定さない。例えば、蛇行部分の略コの字の折り返しの数は限定されず、所望の抵抗増加度合いに応じて適宜設定することができる。また、接続配線がX軸方向について左右に繰り返し蛇行しつつX軸方向およびY軸方向に交わる斜め方向に沿って延在する部分を含んでいてもよく、例えば、斜め部分P2において蛇行部分を含んでもよい。 (2) In the above-described second embodiment, the connection wiring is meandered repeatedly to the left and right in the form of a substantially U shape along the X-axis direction, and extends along the Y-axis direction. The composition of is not limited to this. For example, the number of folds of the substantially U-shape of the meandering portion is not limited, and can be appropriately set according to a desired degree of resistance increase. Further, the connection wiring may include a portion extending along an oblique direction intersecting the X-axis direction and the Y-axis direction while repeatedly meandering left and right in the X-axis direction. For example, the oblique portion P2 includes a meandering portion. But it may be.

(3)上記した実施形態では、接続配線を構成する第1配線と第2配線とは、互いに異なる組成の導体膜によって構成されていたが、接続配線を構成する第1配線と第2配線とは、ともに同じ組成の導体膜により構成されていてもよい。 (3) In the above-described embodiment, the first wiring and the second wiring constituting the connection wiring are composed of conductor films having different compositions from each other, but the first wiring and the second wiring constituting the connection wiring are used. May be composed of both conductor films having the same composition.

(4)上記した実施形態では、基板に配される全てのソース引出線について、本技術に係る二層構造の接続配線を適用する例を開示したが、本技術に係る二層構造の接続配線は、基板に配される全ての配線のいずれか1つまたは2つ以上に対して適用してもよい。また、接続配線を二層構造とする領域(換言すれば、第2配線によってバイパスする位置とその長さ)も適宜設定することができる。 (4) In the above-described embodiment, an example in which the two-layer structure connection wiring according to the present technology is applied to all the source leader wires arranged on the substrate has been disclosed, but the two-layer structure connection wiring according to the present technology has been disclosed. May be applied to any one or more of all the wiring arranged on the board. Further, a region having a two-layer structure of the connection wiring (in other words, a position to be bypassed by the second wiring and its length) can be appropriately set.

(5)上記した実施形態では、接続配線を構成する第1配線および第2配線の両方を金属からなる導体膜により構成した場合を示したが、第1配線および第2配線は、少なくとも一部または全部に半導体膜の低抵抗化領域や透明電極膜を含んでもよい。 (5) In the above-described embodiment, the case where both the first wiring and the second wiring constituting the connection wiring are composed of a conductor film made of metal is shown, but the first wiring and the second wiring are at least a part. Alternatively, the entire semiconductor film may include a low resistance region or a transparent electrode film.

(6)上記した各実施形態では、配線基板がシングルゲート構造のボトムゲート型TFTを備える場合について示したが、TFTの構成はこれに限定されない。TFTは、例えば、基板からの距離が等しい層にフロントゲート電極とバックゲート電極との2つのゲート電極を配したデュアルゲート構造のTFTであってもよいし、チャネル層の上下に二つのゲート電極を備えるダブルゲート構造のTFT等であってもよい。また、半導体膜(チャネル層)の材料には、酸化物半導体以外にも、アモルファスシリコンや低温ポリシリコンを用いることも可能である。半導体膜の材料として低温ポリシリコンを用いた場合には、TFTを、チャネル層の上層側にゲート電極が配置されるトップゲート型とするのが好ましい。 (6) In each of the above-described embodiments, the case where the wiring board includes a bottom gate type TFT having a single gate structure is shown, but the configuration of the TFT is not limited to this. The TFT may be, for example, a TFT having a dual gate structure in which two gate electrodes, a front gate electrode and a back gate electrode, are arranged on a layer having the same distance from the substrate, or two gate electrodes above and below the channel layer. It may be a TFT or the like having a double gate structure. Further, as the material of the semiconductor film (channel layer), amorphous silicon or low-temperature polysilicon can be used in addition to the oxide semiconductor. When low-temperature polysilicon is used as the material of the semiconductor film, it is preferable that the TFT is a top gate type in which the gate electrode is arranged on the upper layer side of the channel layer.

(7)上記した各実施形態では、接続配線をソース配線に対して直接接続する場合を示したが、接続配線とソース配線との間にスイッチ回路部(RGBスイッチ回路部)やESD保護回路部などが介在していても構わない。スイッチ回路部は、端子部側から供給される信号を、異なる色を呈する画素部に接続された複数のソース配線に振り分ける機能を有するものである。したがって、接続配線がスイッチ回路部に接続される構成では、端子部および接続配線の設置数をソース配線の設置数よりも少なくすることができる。 (7) In each of the above-described embodiments, the case where the connection wiring is directly connected to the source wiring is shown, but the switch circuit unit (RGB switch circuit unit) and the ESD protection circuit unit are connected between the connection wiring and the source wiring. Etc. may intervene. The switch circuit unit has a function of distributing a signal supplied from the terminal unit side to a plurality of source wirings connected to pixel units having different colors. Therefore, in a configuration in which the connection wiring is connected to the switch circuit portion, the number of terminals and connection wirings installed can be smaller than the number of source wirings installed.

(8)上記した各実施形態以外にも、アレイ基板に対するフレキシブル基板のX軸方向についての接続位置およびアレイ基板におけるX軸方向についての端子部の配置は、適宜に変更可能である。その場合、アレイ基板における接続配線の形状や配置もフレキシブル基板の実装態様に応じて適宜変更される。 (8) In addition to the above-described embodiments, the connection position of the flexible substrate with respect to the array substrate in the X-axis direction and the arrangement of the terminal portion in the X-axis direction of the array substrate can be appropriately changed. In that case, the shape and arrangement of the connection wiring on the array board are also appropriately changed according to the mounting mode of the flexible board.

(9)上記した各実施形態では、アレイ基板に対してフレキシブル基板が1つのみ実装される場合を示したが、アレイ基板に対してフレキシブル基板が複数実装される構成であってもよい。その場合も、アレイ基板における接続配線の形状や配置もフレキシブル基板の実装態様に応じて適宜変更される。 (9) In each of the above-described embodiments, the case where only one flexible board is mounted on the array board is shown, but a configuration in which a plurality of flexible boards are mounted on the array board may be used. Even in that case, the shape and arrangement of the connection wiring on the array board are also appropriately changed according to the mounting mode of the flexible board.

(10)上記した各実施形態では、ドライバがCOF実装されたフレキシブル基板がアレイ基板にCOB実装される構成について示したが、ドライバはアレイ基板に対してCOG(Chip On Glass)実装されていてもよい。その場合、ドライバは、アレイ基板においてフレキシブル基板の実装領域よりも表示領域側の位置に実装される。接続配線に接続される端子部は、ドライバの実装領域に配されることになる。 (10) In each of the above-described embodiments, the configuration in which the flexible substrate on which the driver is COF-mounted is COB-mounted on the array substrate is shown, but even if the driver is COG (Chip On Glass) mounted on the array substrate. good. In that case, the driver is mounted on the array board at a position closer to the display area than the mounting area of the flexible board. The terminal portion connected to the connection wiring will be arranged in the driver mounting area.

(11)上記した各実施形態以外にも、画素電極の具体的な構成は適宜に変更可能である。例えば、画素電極の形状は、矩形(正方形や長方形)や菱形、平行四辺形などであってよく、これらは基板上に同じ姿勢(向き)で配列されていてもよいし、異なる姿勢で配列(例えば、スタッガ配列)されていてもよい。 (11) In addition to the above-described embodiments, the specific configuration of the pixel electrodes can be appropriately changed. For example, the shape of the pixel electrode may be a rectangle (square or rectangle), a rhombus, a parallelogram, or the like, and these may be arranged in the same orientation (orientation) on the substrate, or may be arranged in different orientations (the shape may be different). For example, it may be staggered.

(12)上記した各実施形態では、カラーフィルタがR,G,Bの3色である場合について例示したが、カラーフィルタは、3色以外の、例えば4色(例えばR,G,Bに加えてWhite)等であって良い。この場合、画素電極における短手寸法に対する長手寸法の比率は適宜設定することができる。 (12) In each of the above-described embodiments, the case where the color filter has three colors of R, G, and B is illustrated, but the color filter includes, for example, four colors (for example, R, G, and B) other than the three colors. White) or the like. In this case, the ratio of the longitudinal dimension to the lateral dimension in the pixel electrode can be appropriately set.

(13)上記した各実施形態以外にも、液晶パネルの具体的な画面サイズや解像度、表示モード、画素電極の構成、接続配線、ソース配線、およびゲート配線等の具体的な配索経路や、線幅、ピッチ等は適宜に変更可能である。また、第2配線が第1配線と重畳する長さの割合についても適宜に変更可能である。 (13) In addition to the above-described embodiments, specific wiring routes such as specific screen size and resolution of the liquid crystal panel, display mode, pixel electrode configuration, connection wiring, source wiring, and gate wiring, and The line width, pitch, etc. can be changed as appropriate. Further, the ratio of the length of the second wiring overlapping with the first wiring can be appropriately changed.

(14)上記した実施形態の配線基板の欠陥修理方法は、二層構造の接続配線を形成したのち、いずれのタイミングで実施してもよい。例えば、レーザリペア装置による欠陥修理を容易に実施できる配線基板とCF基板との貼り合わせ前に実施することができる。また、二層構造の接続配線を形成したのちの、点灯検査時等に併せて実施するとよい。 (14) The defect repair method of the wiring board of the above-described embodiment may be carried out at any timing after forming the connection wiring having a two-layer structure. For example, it can be carried out before bonding the wiring board and the CF board, which can easily carry out defect repair by the laser repair device. In addition, after forming the connection wiring of the two-layer structure, it is preferable to carry out at the time of lighting inspection or the like.

(15)上記実施形態では、表示パネルとして液晶パネルを用いた液晶表示装置を例示したが、表示パネルは、PDP(プラズマディスプレイパネル)、有機EL(Electro-Luminescence)パネル、EPD(マイクロカプセル型電気泳動方式のディスプレイパネル)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)表示パネル等の他の種類の表示パネルであってよく、タッチセンサ付きの表示パネルであってもよい。表示装置についても同様である。また、有機ELパネルを備える表示装置については、バックライトを省略してもよい。 (15) In the above embodiment, a liquid crystal display device using a liquid crystal panel as a display panel is exemplified, but the display panel includes a PDP (plasma display panel), an organic EL (Electro-Luminescence) panel, and an EPD (microcapsule type electricity). It may be another type of display panel such as a migration type display panel), a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) display panel, or a display panel with a touch sensor. The same applies to the display device. Further, the backlight may be omitted for the display device provided with the organic EL panel.

11…液晶パネル、12…ソースドライバ、13…フレキシブル基板、14…ゲート回路部、15…引き出し配線、20…CF基板、21…アレイ基板、22…液晶層、23…TFT、23A…ゲート電極、23B…ソース電極、23C…ドレイン電極、23D…チャネル層、24…画素電極、27…ソース配線、33…ゲート絶縁層、40,240…配線基板、41…基板、42,242…接続配線、43,243…第1配線、44…絶縁層、45,245…第2配線、50…出力端子、C1…第1接点、C2…第2接点、M1…第1中間点、M2…第2中間点、M31…第1蛇行部、M32…第2蛇行部、M3…蛇行部分、P1…直線部分、P2…斜め部分、P3…拡幅部分、X0,X01…重畳部、X1…第1非重畳部、X2…第2非重畳部、X3…第3非重畳部 11 ... Liquid crystal panel, 12 ... Source driver, 13 ... Flexible board, 14 ... Gate circuit section, 15 ... Lead wiring, 20 ... CF board, 21 ... Array board, 22 ... Liquid crystal layer, 23 ... TFT, 23A ... Gate electrode, 23B ... source electrode, 23C ... drain electrode, 23D ... channel layer, 24 ... pixel electrode, 27 ... source wiring, 33 ... gate insulating layer, 40, 240 ... wiring board, 41 ... board, 42, 242 ... connection wiring, 43. , 243 ... 1st wiring, 44 ... Insulation layer, 45,245 ... 2nd wiring, 50 ... Output terminal, C1 ... 1st contact, C2 ... 2nd contact, M1 ... 1st intermediate point, M2 ... 2nd intermediate point , M31 ... 1st meandering part, M32 ... 2nd meandering part, M3 ... meandering part, P1 ... straight part, P2 ... diagonal part, P3 ... widening part, X0, X01 ... superimposing part, X1 ... first non-superimposing part, X2 ... 2nd non-superimposing part, X3 ... 3rd non-superimposing part

Claims (13)

絶縁性を有する基板と、
前記基板に設けられた画素電極と、
前記基板に設けられ前記画素電極に接続される画素配線と、
前記画素配線に信号を入力するための信号入力部と、
前記基板に設けられ前記画素配線と前記信号入力部とに接続される第1配線と、
前記基板に設けられ前記第1配線に沿って配設されるとともに、絶縁層を介して前記第1配線に重畳し、離間して配される第1接点および第2接点において前記第1配線に接続される第2配線と、
を備え、
前記第1配線と前記第2配線とは、前記第1接点と前記第2接点との間において、
互いに重畳している重畳部と、
前記重畳部を挟む位置に、互いに重畳しない第1非重畳部および第2非重畳部と、
を備える配線基板。
Insulating substrate and
Pixel electrodes provided on the substrate and
Pixel wiring provided on the substrate and connected to the pixel electrodes,
A signal input unit for inputting a signal to the pixel wiring,
A first wiring provided on the substrate and connected to the pixel wiring and the signal input unit,
The first contact and the second contact, which are provided on the substrate and are arranged along the first wiring, are superimposed on the first wiring via an insulating layer, and are arranged apart from each other, are attached to the first wiring. The second wiring to be connected and
Equipped with
The first wiring and the second wiring are formed between the first contact and the second contact.
The overlapping part that overlaps with each other,
At the positions sandwiching the superposed portion, a first non-superimposed portion and a second non-superimposed portion that do not superimpose on each other,
Wiring board.
前記第1非重畳部は、前記第1接点と前記第2接点との間において、前記第1接点に連なるように設けられているとともに、
前記第2非重畳部は、前記第1接点と前記第2接点との間において、前記第2接点に連なるように設けられている、請求項1に記載の配線基板。
The first non-superimposing portion is provided between the first contact point and the second contact point so as to be connected to the first contact point.
The wiring board according to claim 1, wherein the second non-superimposing portion is provided between the first contact and the second contact so as to be connected to the second contact.
前記第1配線および前記第2配線はそれぞれ、他の部分よりも拡幅された拡幅部分を有するとともに、前記第1接点および前記第2接点は前記拡幅部分にそれぞれ設けられており、
前記第1配線および前記第2配線は、前記拡幅部分の離間した位置から延出したのち互いに重畳することにより、前記拡幅部分に連続して前記第1非重畳部および前記第2非重畳部を備えている、請求項2に記載の配線基板。
The first wiring and the second wiring each have a widened portion wider than the other portions, and the first contact and the second contact are provided in the widened portion, respectively.
The first wiring and the second wiring extend from the separated positions of the widened portion and then overlap each other so that the first non-superimposed portion and the second non-superimposed portion are continuously connected to the widened portion. The wiring board according to claim 2.
前記第1配線は、
第一の方向に沿って延びる第1部分および第2部分と、
前記第1部分および前記第2部分の間において前記第一の方向と90度未満の角度で交差する第二の方向に沿って延びる斜部と、を含み、
前記第1接点は前記第1部分に設けられ、前記第2接点は前記第2部分に設けられている、請求項1または2に記載の配線基板。
The first wiring is
The first and second parts extending along the first direction,
Includes an oblique portion extending along a second direction that intersects the first direction at an angle of less than 90 degrees between the first part and the second part.
The wiring board according to claim 1 or 2, wherein the first contact is provided in the first portion, and the second contact is provided in the second portion.
前記第2配線は、前記第1配線よりも幅狭であって、長手方向と直交する幅方向において前記第1配線は前記第2配線の両端からはみ出すはみ出し部分を含む、請求項1または2に記載の配線基板。 The second wiring is narrower than the first wiring, and the first wiring includes a protruding portion protruding from both ends of the second wiring in a width direction orthogonal to the longitudinal direction, according to claim 1 or 2. The wiring board described. 前記第2配線は、当該第2配線の長手方向に沿って90%以上の範囲に亘って前記第1配線に重畳している、請求項1または2に記載の配線基板。 The wiring board according to claim 1 or 2, wherein the second wiring is superimposed on the first wiring over a range of 90% or more along the longitudinal direction of the second wiring. ゲート層と、ソース層と、前記ゲート層および前記ソース層を絶縁するゲート絶縁層とを備える薄膜トランジスタを含み、
前記第1配線は前記ソース層と同一の導電膜によって構成され、
前記第2配線は前記ゲート層と同一の導電膜によって構成され、
前記絶縁層は前記ゲート絶縁層と同一の絶縁膜によって構成されている、請求項1または2に記載の配線基板。
A thin film transistor including a gate layer, a source layer, and a gate insulating layer that insulates the gate layer and the source layer.
The first wiring is composed of the same conductive film as the source layer, and is composed of the same conductive film.
The second wiring is composed of the same conductive film as the gate layer, and is composed of the same conductive film.
The wiring board according to claim 1 or 2, wherein the insulating layer is formed of the same insulating film as the gate insulating layer.
前記第1配線および前記第2配線は、前記第1非重畳部と前記第2非重畳部との間であって、前記第1非重畳部および前記第2非重畳部とは離間した位置において、互いに重畳しない第3非重畳部を備えている、請求項1または2に記載の配線基板。 The first wiring and the second wiring are located between the first non-superimposing portion and the second non-superimposing portion, at positions separated from the first non-superimposing portion and the second non-superimposing portion. The wiring board according to claim 1 or 2, further comprising a third non-superimposing portion that does not superimpose on each other. 前記第1配線および前記第2配線は、
前記第1非重畳部と前記第2非重畳部との間おいて、これら前記第1非重畳部および前記第2非重畳部に離間して配置される第1中間点および第2中間点と、
前記第1中間点と前記第2中間点との間において、前記第1中間点と前記第2中間点とを繋ぐ方向と交差する方向に沿って蛇行する蛇行部分と、
を有し、
前記第1配線および前記第2配線のうちのいずれか一方は、前記蛇行部分において、略コの字状に蛇行する第1蛇行部を含み、
前記第1配線および前記第2配線のうちの他方は、前記蛇行部分において、前記第1蛇行部よりも幅の広い略コの字状に蛇行する第2蛇行部を含み、
前記第1蛇行部と前記第2蛇行部とは、
それぞれにおいて略平行に延びる一対の平行部分のうちの一方の部分が互いに重畳して前記重畳部を構成しているとともに、
前記平行部分のうちの少なくとも他方の部分が互いに重畳しないことによって前記第3非重畳部を構成している、請求項8に記載の配線基板。
The first wiring and the second wiring are
Between the first non-superimposing portion and the second non-superimposing portion, with the first intermediate point and the second intermediate point arranged apart from the first non-superimposing portion and the second non-superimposing portion. ,
A meandering portion between the first intermediate point and the second intermediate point, which meanders along a direction intersecting the direction connecting the first intermediate point and the second intermediate point.
Have,
One of the first wiring and the second wiring includes a first meandering portion that meanders in a substantially U-shape in the meandering portion.
The other of the first wiring and the second wiring includes a second meandering portion in the meandering portion, which meanders in a substantially U shape wider than the first meandering portion.
The first meandering portion and the second meandering portion are
One of the pair of parallel portions extending substantially in parallel with each other overlaps with each other to form the superimposed portion.
The wiring board according to claim 8, wherein at least the other portion of the parallel portions does not overlap with each other to form the third non-superimposition portion.
複数の前記画素電極と、複数の前記画素配線と、複数の前記第1配線および前記第2配線と、を備え、
複数の前記第1配線および前記第2配線は、少なくとも一部が長手方向に交わる方向において配列されている、請求項1、2、3、9のいずれか1項に記載の配線基板。
A plurality of the pixel electrodes, a plurality of the pixel wirings, and a plurality of the first wirings and the second wirings are provided.
The wiring board according to any one of claims 1, 2, 3, and 9, wherein the plurality of the first wiring and the second wiring are arranged in a direction in which at least a part thereof intersects in the longitudinal direction.
請求項1、2、3、9、10のいずれか1項に記載の配線基板と、
前記配線基板に対して貼り合わせられる対向基板と、を備える表示パネル。
The wiring board according to any one of claims 1, 2, 3, 9, and 10.
A display panel comprising an opposed board attached to the wiring board.
請求項10に記載の配線基板について、複数の前記第1配線の短絡試験を行い、隣り合う前記第1配線同士で短絡している短絡配線ペアを特定する工程と、
特定された前記短絡配線ペアのうちの少なくとも一方の前記第1配線について、前記第1配線と前記第1配線に接続された前記第2配線とのいずれか一方を、前記第1非重畳部および前記第2非重畳部のそれぞれにおいて切断する工程と、
を含む、配線基板の欠陥修理方法。
A step of performing a short-circuit test of a plurality of the first wirings of the wiring board according to claim 10 to identify a short-circuit wiring pair short-circuited between the adjacent first wirings.
For the first wiring of at least one of the specified short-circuit wiring pairs, one of the first wiring and the second wiring connected to the first wiring is provided with the first non-superimposing portion and the first non-superimposing portion. The step of cutting at each of the second non-superimposing portions and
How to repair defects in wiring boards, including.
請求項8に記載の配線基板であって、複数の前記画素電極と、複数の前記画素配線と、複数の前記第1配線および前記第2配線と、を備え、複数の前記第1配線および前記第2配線は、少なくとも一部が長手方向に交わる方向において配列されている配線基板について、複数の前記第1配線の短絡試験を行い、隣り合う前記第1配線同士で短絡している短絡配線ペアを特定する工程と、
特定された前記短絡配線ペアのうちの少なくとも一方の前記第1配線について、前記第1配線と前記第1配線に接続された前記第2配線とのいずれか一方を、前記第1非重畳部または前記第2非重畳部と、前記第3非重畳部とのそれぞれにおいて切断する工程と、
を含む、配線基板の欠陥修理方法。
The wiring board according to claim 8, further comprising the plurality of the pixel electrodes, the plurality of the pixel wirings, the plurality of the first wiring and the second wiring, and the plurality of the first wiring and the said. The second wiring is a short-circuit wiring pair in which a plurality of the first wirings are short-circuited on a wiring board arranged in a direction in which at least a part thereof intersects in the longitudinal direction, and the first wirings adjacent to each other are short-circuited. And the process of identifying
For the first wiring of at least one of the specified short-circuit wiring pairs, either one of the first wiring and the second wiring connected to the first wiring may be the first non-superimposing portion or the first non-superimposing portion. The step of cutting at each of the second non-superimposing portion and the third non-superimposing portion,
How to repair defects in wiring boards, including.
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