JP2022076223A - センサ付き基板の製造方法 - Google Patents

センサ付き基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022076223A
JP2022076223A JP2020186544A JP2020186544A JP2022076223A JP 2022076223 A JP2022076223 A JP 2022076223A JP 2020186544 A JP2020186544 A JP 2020186544A JP 2020186544 A JP2020186544 A JP 2020186544A JP 2022076223 A JP2022076223 A JP 2022076223A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
substrate
temperature
magnetic force
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020186544A
Other languages
English (en)
Inventor
学 中川西
Manabu Nakakawanishi
基 山形
Motoki Yamagata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020186544A priority Critical patent/JP2022076223A/ja
Priority to US17/521,563 priority patent/US20220151078A1/en
Publication of JP2022076223A publication Critical patent/JP2022076223A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305—Affixing by adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01K7/04—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples the object to be measured not forming one of the thermoelectric materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/104—Using magnetic force, e.g. to align particles or for a temporary connection during processing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】センサ付き基板に配置するセンサの位置決めを精度よく行う。【解決手段】板状体の基板にセンサを配置したセンサ付き基板の製造方法であって、前記基板の前記センサを配置する面の反対面であって、前記センサを固定する位置に対応する前記反対面の位置から磁力により前記センサを保持する工程と、前記磁力により前記センサを保持したまま、前記センサに付けた接着剤を硬化させて前記センサを前記基板に固定する工程と、を有するセンサ付き基板の製造方法が提供される。【選択図】図４

Description

本開示は、センサ付き基板の製造方法に関する。
例えば、特許文献１は、板状体に熱電対の温度検出部を埋設するための凹部を形成し、この凹部内に熱電対の温度検出部を挿入した状態で接着材料を充填し、固化してなる板状体の温度測定装置を提案する。特許文献１では、この温度測定装置において、凹部の側面の一箇所又は複数箇所に、該凹部の上端開口部における口縁よりも外方側に突出する凹入部を形成し、板状体の凹部内に熱電対の温度検出部を挿入し、接着材料を凹部内に充填する。これにより、凹入部内へも接着材料が充填され、この凹入部内に充填して固化された接着材料が、板状体の凹部からの接着材料の抜け出しを阻止する。
特開２０００－５８４０６号公報
本開示は、センサ付き基板に配置するセンサの位置決めを精度よく行うことができるセンサ付き基板の製造方法を提供する。
本開示の一の態様によれば、板状体の基板にセンサを配置したセンサ付き基板の製造方法であって、前記基板の前記センサを配置する面の反対面であって、前記センサを固定する位置に対応する前記反対面の位置から磁力により前記センサを保持する工程と、前記磁力により前記センサを保持したまま、前記センサに付けた接着剤を硬化させて前記センサを前記基板に固定する工程と、を有するセンサ付き基板の製造方法が提供される。
一の側面によれば、センサ付き基板に配置するセンサの位置決めを精度よく行うことができる。
実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図である。 実施形態に係るセンサ付き基板の一例を示す図である。 実施形態に係るセンサ付き基板ＴＣの製造に使用する台の一例を示す図である。 図２及び図３のＡ－Ａ断面を示す図である。 実施形態に係るセンサ付き基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［基板処理装置］
まず、図１を参照して、本開示の実施形態に係る基板処理装置の一例について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図である。図１に示す基板処理装置１００は、例えば、真空雰囲気を形成し、処理ガスによる基板処理を実行する真空処理容器１０の内部において、被処理基板である半導体ウエハ等の基板Ｗに対して所望の成膜を行う装置である。基板処理装置は、ＰＶＤ（physical vapor deposition）装置である。
基板処理装置１００は、真空処理容器１０と、載置台２０と、冷凍装置３０と、回転装置４０と、第一昇降装置７７と、第二昇降装置７８とを有する。載置台２０は、真空処理容器１０の内部において基板Ｗを載置する。回転装置４０は、載置台２０を回転させる。第一昇降装置７７は、載置台２０を昇降させる。第二昇降装置７８は、冷凍装置３０を昇降させる。基板処理装置１００はさらに、冷凍装置３０や第一昇降装置７７等の各種装置を制御する制御装置８０を有する。なお、図示例の基板処理装置１００は、載置台２０を昇降させる第一昇降装置７７と、冷凍装置３０を昇降させる第二昇降装置７８の二つの昇降装置を備えているが、載置台２０と冷凍装置３０が共通の昇降装置によって昇降される形態であってもよい。
真空処理容器１０の内部において、下方には載置台２０があり、載置台２０の上方には、複数のターゲットホルダ１１が水平面に対して所定の傾斜角θを有した状態で固定されている。そして、各ターゲットホルダ１１の下面には、異種のターゲットＴが取り付けられている。傾斜角θは、０°、すなわち、ターゲットホルダ１１は水平に固定されてもよい。
真空処理容器１０は、真空ポンプ等の排気装置１３を作動することにより、その内部を真空に減圧されるように構成されている。真空処理容器１０には、処理ガス供給装置（図示せず）から、スパッタ成膜に必要な処理ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、ネオン（Ｎｅ）等の希ガスや窒素（Ｎ２）ガス）が供給される。
ターゲットホルダ１１には、プラズマ発生用電源（図示せず）からの交流電圧もしくは直流電圧が印加される。プラズマ発生用電源からターゲットホルダ１１及びターゲットＴに交流電圧が印加されると、真空処理容器１０の内部においてプラズマが発生し、真空処理容器１０の内部にある希ガス等がイオン化される。そして、イオン化した希ガス元素等によりターゲットＴがスパッタリングされる。スパッタリングされたターゲットＴの原子もしくは分子は、ターゲットＴに対向して載置台２０に保持されている基板Ｗの表面に堆積する。
基板Ｗに対してターゲットＴが傾斜することにより、ターゲットＴからスパッタされたスパッタ粒子が基板Ｗに入射する入射角を調整することができ、基板Ｗに成膜された磁性膜等の膜厚の面内均一性を高めることができる。真空処理容器１０の内部において各ターゲットホルダ１１が同一の傾斜角θで設置されている場合であっても、載置台２０を昇降させてターゲットＴと基板Ｗの間の距離ｔ１を変化させ、これにより、基板Ｗに対するスパッタ粒子の入射角を変化させることができる。従って、適用されるターゲットＴごとに、各ターゲットＴに好適な距離ｔ１となるように載置台２０が昇降制御されるようになっている。
ターゲットＴの数は特に限定されないが、一つの基板処理装置１００にて異種材料により形成される異種膜をシーケンシャルに成膜できる観点から、複数で異種のターゲットＴが真空処理容器１０の内部に存在することが好ましい。
冷凍装置３０は、冷凍機３１と伝熱ガス容器３５とを有し、冷凍機３１の上に伝熱ガス容器３５が積層された構成となっている。冷凍装置３０の伝熱ガス容器３５の上には、隙間９０を介して載置台２０が配設されている。冷凍機３１は、伝熱ガス容器３５を保持し、伝熱ガス容器３５の上面を、例えば、－３０℃以下で、－２００℃程度の極低温に冷却することができる。冷凍機３１には、冷却能力の観点から、ＧＭ（Gifford-McMahon）サイクルを利用する形態が好ましい。
伝熱ガス容器３５は、冷凍機３１の上に固定されておりその上部が真空処理容器１０の内部に収容されている。伝熱ガス容器３５は、熱伝導性の高い銅（Ｃｕ）等により形成されており、その外形は略円柱状を呈している。伝熱ガス容器３５は、載置台２０の中心軸ＣＬにその中心が一致するように配置されている。
伝熱ガス容器３５と冷凍機３１の内部には、冷媒供給流路５１（冷媒流路の一例）と冷媒排出流路５２（冷媒流路の一例）とが配設されている。冷媒供給流路５１は、伝熱ガス容器３５と載置台２０の間の隙間９０に伝熱ガスの冷媒を供給する。冷媒排出流路５２は、載置台２０からの伝熱により昇温した冷媒を排出する。
そして、冷媒供給流路５１と冷媒排出流路５２はそれぞれ、冷凍機３１の壁面にある接続固定部３１ａ、３１ｂに固定されている。冷媒は、冷媒供給装置（図示せず）から供給され、冷媒供給流路５１を流通し、隙間９０に供給される。載置台２０を冷却するべく隙間９０に供給される冷媒としては、高い熱伝導性を有するヘリウム（Ｈｅ）ガスが好適に用いられる。
載置台２０は、基板Ｗが載置される上方の第一プレート２１と、下方の第二プレート２２が積層した構造を有しており、いずれのプレートともに熱伝導性の高い銅（Ｃｕ）により形成されている。第一プレート２１は静電チャックを含み、静電チャックは、誘電体膜内に埋設されたチャック電極２３を有する。チャック電極２３には、配線２５を介して所定の電位が与えられるようになっている。この構成により、基板Ｗを静電チャックにより吸着し、載置台２０の上面に基板Ｗを固定することができる。なお、載置台２０は、第一プレート２１と第二プレート２２の積層体以外にも、一つのプレートによって全体が形成されている形態であってもよいし、焼結等により全体が一体に成形されている形態であってもよい。
載置台２０には、第一プレート２１と第二プレート２２を上下に貫通する貫通孔２６が形成されている。貫通孔２６は、載置台２０の下方にある隙間９０に連通しており、隙間９０に供給された冷媒は、貫通孔２６を介して載置台２０（静電チャック）の上面と基板Ｗの下面との間へ供給されるようになっている。このことにより、冷媒や伝熱ガス容器３５の有する冷熱を、効率よく基板Ｗに伝達することが可能になる。
一方、隙間９０から排出された冷媒は、冷媒排出流路５２を流通し、冷媒排出装置（図示せず）に排出される。なお、冷媒供給流路５１と冷媒排出流路５２が同じ流路により形成されていてもよい。
係る構成により、冷媒供給流路５１を介して隙間９０に冷媒が供給されることにより、載置台２０は極低温に冷却され得る。なお、冷媒には、冷却ガスに代えて、熱伝導性の良好な熱伝導グリースが適用されてもよい。冷媒の温度を調整することにより、載置台２０を所望の温度に調整することができる。
なお、図１の例では、冷媒供給流路５１を流通した冷媒が貫通孔２６を介して基板Ｗの下面に供給され、貫通孔２６を介して排出された冷媒が冷媒排出流路５２を流通して排出される形態を示しているが、その他の冷媒の供給及び排出形態であってもよい。例えば、貫通孔２６に対して冷媒供給流路５１や冷媒排出流路５２とは異なる独立した冷媒流路を設け、この独立した冷媒流路を介して、貫通孔２６を介した冷媒の供給や排出が行われてもよい。
載置台２０は、外筒６３により支持されている。外筒６３は、伝熱ガス容器３５の上部の外周面を覆うように配設されており、その上部が真空処理容器１０の内部に進入し、真空処理容器１０の内部において載置台２０を支持する。外筒６３は、伝熱ガス容器３５の外径よりも僅かに大きい内径を有する円筒部６１と、円筒部６１の下面において外径方向に延びるフランジ部６２とを有し、円筒部６１が載置台２０を直接支持する。円筒部６１とフランジ部６２は、例えばステンレス等の金属により形成されている。
フランジ部６２の下面には、断熱部材６４が接続されている。断熱部材６４は、フランジ部６２と同軸に延在する略円筒状を有し、フランジ部６２の下面に固定されている。断熱部材６４は、アルミナ等のセラミックスにより形成されている。断熱部材６４の下面には、磁性流体シール部６９が設けられている。
磁性流体シール部６９は、回転部６５と、内側固定部６６と、外側固定部６７と、加熱源６８とを有する。回転部６５は、断熱部材６４と同軸に延在する略円筒状を有し、断熱部材６４の下面に固定されている。言い換えると、回転部６５は、断熱部材６４を介して外筒６３に接続されている。この構成により、外筒６３の有する冷熱の回転部６５への伝熱が断熱部材６４によって遮断されることになり、磁性流体シール部６９の磁性流体の温度が低下してシール性能が悪化したり、結露が発生したりすることを抑制できる。
内側固定部６６は、伝熱ガス容器３５と回転部６５との間において、磁性流体を介して設けられている。内側固定部６６は、その内径が伝熱ガス容器３５の外径よりも大きく、その外径が回転部６５の内径よりも小さい略円筒状を有する。外側固定部６７は、回転部６５の外側において、磁性流体を介して設けられている。外側固定部６７は、その内径が回転部６５の外径よりも大きい略円筒状を有する。加熱源６８は、内側固定部６６の内部に埋め込まれており、磁性流体シール部６９の全体を加熱する。この構成により、磁性流体シール部６９の磁性流体の温度が低下してシール性能が悪化したり、結露が発生したりすることを抑制できる。これらの構成により、磁性流体シール部６９では、回転部６５が、内側固定部６６と外側固定部６７に対して気密状態で回転自在となっている。すなわち、外筒６３は、磁性流体シール部６９を介して回転自在に支持されている。
外側固定部６７の上面と真空処理容器１０の下面との間には、略円筒状のベローズ７５が設けられている。ベローズ７５は、上下方向に伸縮自在な金属製の蛇腹構造体である。ベローズ７５は、伝熱ガス容器３５の上部、外筒６３の下部、及び断熱部材６４を包囲し、減圧自在な真空処理容器１０の内部空間と真空処理容器１０の外部空間とを分離する。
磁性流体シール部６９の下方には、スリップリング７３が設けられている。スリップリング７３は、金属リングを含む回転体７１と、ブラシを含む固定体７２とを有する。回転体７１は、磁性流体シール部６９の回転部６５と同軸に延在する略円筒状を有し、回転部６５の下面に固定されている。固定体７２は、その内径が回転体７１の外径よりも僅かに大きい略円筒状を有する。スリップリング７３は、直流電源（図示せず）と電気的に接続されており、直流電源から供給される電力を、固定体７２のブラシと回転体７１の金属リングを介して、配線２５に供給する。この構成により、配線２５にねじれ等を発生させることなく、直流電源からチャック電極に電位を与えることができる。スリップリング７３を構成する回転体７１は、回転装置４０に取り付けられている。なお、スリップリングは、ブラシ構造以外の構造であってもよく、例えば、非接触給電構造や、無水銀や導電性液体を有する構造等であってもよい。
回転装置４０は、ロータ４１と、ステータ４５とを有する、ダイレクトドライブモータである。ロータ４１は、スリップリング７３の有する回転体７１と同軸に延在する略円筒状を有し、回転体７１に固定されている。ステータ４５は、その内径がロータ４１の外径よりも大きい略円筒状を有する。以上の構成により、ロータ４１が回転すると、回転体７１、回転部６５、外筒６３、及び載置台２０が、伝熱ガス容器３５に対して相対的にＸ３方向に回転する。なお、回転装置は、ダイレクトドライブモータ以外の形態であってもよく、サーボモータと伝達ベルトを備えている形態等であってもよい。
また、冷凍機３１と伝熱ガス容器３５の周囲には、真空断熱二重構造を有する断熱体７４が設けられている。図示例では、断熱体７４は、冷凍機３１とロータ４１との間、及び伝熱ガス容器３５の下部とロータ４１との間に設けられている。この構成により、冷凍機３１と伝熱ガス容器３５の冷熱がロータ４１に伝熱されることを抑制できる。
また、冷凍機３１は、第二昇降装置７８に対して昇降自在に取り付けられている第一支持台７０Ａの上面に固定されている。一方、回転装置４０や断熱体７４は、第一昇降装置７７に対して昇降自在に取り付けられている第二支持台７０Ｂの上面に固定されている。そして、第一支持台７０Ａの上面と第二支持台７０Ｂの下面の間には、冷凍機３１を包囲する略円筒状のベローズ７６が設けられている。ベローズ７６もベローズ７５と同様に、上下方向に伸縮自在な金属製の蛇腹構造体である。
また、冷凍機３１と伝熱ガス容器３５の周囲には、冷媒供給流路５１を流通する冷却ガス（例えば第一冷却ガス）とは異なる冷却ガス（例えば、第二冷却ガス）を供給する第二冷却ガス供給部（図示せず）が設けられてもよい。この第二冷却ガス供給部は、伝熱ガス容器３５と外筒６３との間の空間に第二冷却ガスを供給する。この第二冷却ガスは、冷媒供給流路５１を流通する第一冷却ガスと熱伝導率が異なるガスであり、好ましくは熱伝導率が相対的に低いガスである。これにより、第二冷却ガスの温度を、冷媒供給流路５１を流通する第一冷却ガスの温度よりも相対的に高くすることができる。このことにより、隙間９０から側方の空間に漏れ出す第一冷却ガスが磁性流体シール部６９に侵入することを防止できる。言い換えると、第二冷却ガスは、隙間９０から漏れ出す第一冷却ガスに対するカウンターフローとして機能する。この構成により、磁性流体シール部６９の磁性流体の温度が低下してシール性能が悪化したり、結露が発生したりすることを抑制できる。また、カウンターフローとしての機能を高めるという観点から、第二冷却ガス供給部から供給される第二冷却ガスの供給圧力は、冷媒供給流路５１を流通する第一冷却ガスの供給圧力と略同一、もしくは僅かに高い圧力であることが好ましい。なお、第二冷却ガスとしては、アルゴンガスやネオン等の低沸点ガスを用いることができる。
伝熱ガス容器３５の上部には、隙間９０等の温度を検出するための温度センサ８２と、隙間９０等の圧力を検出する圧力センサ８３が設けられている。温度センサ８２としては、例えばシリコンダイオード温度センサや、白金抵抗温度センサ等の低温用温度センサを用いることができる。温度センサ８２と圧力センサ８３にて計測された計測データは、制御装置８０に随時送信されるようになっている。
また、基板処理装置１００の構成要素のうち、冷凍装置３０は第二昇降装置７８により昇降自在に構成されており、冷凍装置３０と真空処理容器１０以外の他の構成要素は、第一昇降装置７７により昇降自在に構成されている。
第二昇降装置７８にて冷凍装置３０を昇降することにより、載置台２０と伝熱ガス容器３５の間の隙間９０が変化することを解消できる。具体的には、伝熱ガス容器３５は、その冷熱によって数ｍｍ程度収縮し、この熱収縮により、隙間９０の高さ（もしくは幅）が変化し得る。成膜処理に際し、所定の高さにて固定されている載置台２０に対して、伝熱ガス容器３５が熱収縮して隙間９０が変化する際に、第二昇降装置７８にて冷凍装置３０を精緻に昇降制御する。この制御により、隙間９０の変化を解消し、初期の隙間９０を維持しながら成膜処理を継続することが可能になる。
一方、第一昇降装置７７にて、例えば載置台２０が真空処理容器１０の内部で昇降することにより、ターゲットＴと基板Ｗとの間の距離ｔ１を調整することができる。この距離ｔ１の調整は、適用されるターゲットＴの種類に応じて適宜変更される。載置台２０を昇降させて距離ｔ１を調整する際には、制御装置８０により、第一昇降装置７７と第二昇降装置７８の同期制御が実行される。この制御装置８０による第一昇降装置７７と第二昇降装置７８の同期制御により、載置台２０と冷凍装置３０が初期の隙間９０を維持した状態で、双方の昇降を制御することができる。
制御装置８０は、コンピュータにより構成される。制御装置８０は、接続バスにより相互に接続されているＣＰＵ（Central Processing Unit）、主記憶装置、補助記憶装置、入出力インターフェイス、及び通信インターフェイスを備えている。主記憶装置と補助記憶装置は、コンピュータが読み取り可能な記録媒体である。
ＣＰＵは、制御装置８０の全体の制御を行う。ＣＰＵは、例えば、補助記憶装置に記憶されたプログラムを主記憶装置の作業領域にて実行可能に展開し、プログラムの実行を通じて周辺機器の制御を行うことにより、所定の目的に合致した機能を提供する。主記憶装置は、ＣＰＵが実行するコンピュータプログラムや、ＣＰＵが処理するデータ等を記憶する。主記憶装置は、例えば、フラッシュメモリ、ＲＡＭ（Random Access Memory）やＲＯＭ（Read Only Memory）を含む。補助記憶装置は、各種のプログラム及び各種のデータを読み書き自在に記録媒体に格納する。補助記憶装置は、不揮発性半導体メモリを含むシリコンディスク、ハードディスクドライブ（Hard Disk Drive：ＨＤＤ）装置、ソリッドステートドライブ装置等である。また、補助記憶装置は、着脱可能な記録媒体として、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤ、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ、ＳＤ（Secure Digital）メモリカード等であってもよい。通信インターフェイスは、制御装置８０に接続するネットワークとのインターフェイスである。入出力インターフェイスは、制御装置８０と接続する機器との間でデータの入出力を行うインターフェイスであり、キーボード、タッチパネルが例示される。制御装置８０は、入出力インターフェイスを介し、入力デバイスを操作する操作者からの操作指示等を受け付ける。
制御装置８０は、各種の周辺機器の動作を制御する。この周辺機器には、冷媒供給装置２０１、冷凍装置３０、回転装置４０、第一昇降装置７７、第二昇降装置７８等が含まれる。
制御装置８０は、第二昇降装置７８を昇降制御することにより、隙間９０の高さを初期状態に維持する。これにより、基板Ｗを所望温度に制御しながら、成膜処理を継続することが可能になる。また、制御装置８０は、第一昇降装置７７と第二昇降装置７８を同期制御する。この同期制御により、初期の隙間９０を維持しながら、載置台２０（及び冷凍装置３０の上部）を真空処理容器１０の内部にて昇降させ、適用されるターゲットＴに好適なターゲットＴと基板Ｗの間の距離ｔ１の調整を行う。
［極低温環境下における温度測定］
係る構成の基板処理装置１００において、載置台２０の温度を測定するために板状体のセンサ付き基板が使用される。例えば、センサ付き基板は、基板処理時に載置台２０が極低温（－２００℃近傍又はそれ以下）に制御できているかを確認するために使用する基板Ｗの各位置の温度を示す温度プロファイルを作成する際に使用される。温度プロファイルは、基板Ｗの処理時に載置台２０の温度（基板Ｗの温度）制御に使用する。センサ付き基板は、基板処理装置１００のメンテナンス時、基板処理装置１００の組み立て時、基板処理装置１００の評価時等に使用され、載置台２０上にセンサ付き基板を載置し、載置台２０の温度（すなわち、載置台２０上の基板Ｗの温度）を測定する。
－２００℃近傍又はそれ以下の極低温環境下での温度測定のバラツキ因子の一つに、センサ付き基板に配置する複数の温度センサの固定位置のバラツキに起因した温度測定のバラツキがある場合が考えられる。また、温度センサに接続される配線部分で入熱管理ができていないために、温度測定にバラツキがある場合が考えられる。
そこで、センサ付き基板に配置する温度センサの位置決めを精度よく行うことができるセンサ付き基板の製造方法を提供する。また、温度センサに接続される配線部分で入熱管理ができるセンサ付き基板の製造方法を提供する。これにより、極低温環境下での温度測定のバラツキをなくし、温度測定を精度よく行うことができる。以下、板状体のセンサ付き基板の構成の一例について説明した後、センサ付き基板の製造方法について説明する。
[板状体のセンサ付き基板]
図２及び図３を参照しながら、板状体のセンサ付き基板ＴＣの構成の一例について説明する。図２は、実施形態に係るセンサ付き基板ＴＣの一例を示す図である。図３は、実施形態に係るセンサ付き基板ＴＣの製造時にセンサ付き基板ＴＣを載置する台Ｓの一例を示す図である。
本開示の実施形態に係るセンサ付き基板ＴＣ（以下、「基板ＴＣ」ともいう。）は、板状体であり、円形のベース１を有する。ベース１は、基板Ｗと同様に搬送装置のアームに保持して搬送できるように円形または角形が好ましい。ベース１は、シリコン、ＡｌＴｉＣ（アルチック）、ガラス等の磁力を貫通し得る材質で構成される。
基板ＴＣは、ベース１の表面１ａに載置台２０の温度を測定するための複数の温度センサ２ａ～２ｍを有する。以下、温度センサ２ａ～２ｍを総称して「温度センサ２」ともいう。複数の温度センサ２ａ～２ｍは円形のベース１の中心を通る縦軸ＶＬ及び横軸ＨＬ上に等間隔に１３個配置されている。
温度センサ２は、磁性材料から形成されている。温度センサ２は、－２００℃の近傍（例えば－１５０℃～－２２０℃）又はそれ以下の温度を測定可能なセンサとして、合金磁石の一種である白金コバルト（白金抵抗体：Ｐｔ－Ｃｏ）を使用することができる。温度センサ２は、－２００℃近傍の温度を測定可能なセンサとして、ニッケル（Ｎｉ）系合金を含むアルメル（Ｋ型熱電対）、金鉄系（ＡＦ型熱電対）等の磁力に吸着する素材により構成されたセンサを使用することができる。温度センサ２は載置台２０の温度を測定する。温度センサ２は、温度を測定するための抵抗値を出力し得る部品により構成され得る。
温度センサ２の設置位置は、板状体のベース１への表面又はベース１に溝形状を設け、その溝部であってもよい。各温度センサ２は、各温度センサ２の上から接着剤３を付け、接着剤３を硬化させることにより、ベース１に固定する。接着剤３は、耐熱・絶縁性に優れ、真空中で使用可能なセラミックス又は極低温対応のエポキシ系を成分構成とする樹脂などの絶縁材料を使用可能である。
各温度センサ２にはリード線５が接続されている。リード線５には、磁性反応を示すニッケル系材質又は白金（Ｐｔ）にニッケル処理が施されたクラッド材が使用されている。リード線５は、磁性材料から形成されている。リード線５は、各温度センサ２が測定した温度情報を示す温度測定信号を、ハーメチック接続端子６を介して制御装置８０に送信する。ハーメチック接続端子６は、導通端子を介してリード線５と制御装置８０との電気的接続を行う。ハーメチック接続端子６は、真空処理容器１０内の気密性を保持する機能を有してもよい。
リード線５には、サーマルアンカーとして固定する位置に接着剤を付けて硬化させ、リード線５をベース１に固定するサーマルアンカー固定点４ａ～４ｇが形成されている。
サーマルアンカー固定点４ａ～４ｇの接着剤は、接着剤３と同様に耐熱・絶縁性に優れ、真空中で使用可能なセラミックス又は極低温対応のエポキシ系を成分構成とする樹脂などの絶縁材料を使用可能である。サーマルアンカー固定点４ａ～４ｆは、１本毎のリード線５をベース１に固定する。サーマルアンカー固定点４ｇは、複数本のリード線５をまとめてベース１に固定する。サーマルアンカー固定点４ａ～４ｇを総称してサーマルアンカー固定点４ともいう。
サーマルアンカーとしてリード線５自身を温度センサの近傍に這わせ、サーマルアンカー固定点４ａ～４ｇにてリード線５をベース１に固定することで、測定対象物である載置台２０とリード線５の温度をほぼ等しくすることができる。これにより、リード線５から温度センサ２への入熱を除去することができ、これにより、温度センサ２による温度測定をより高精度に行うことができる。
本開示の実施形態に係るセンサ付き基板ＴＣの温度センサ２及びリード線５は磁性材料である。この性質を使用して、図３に示すように、センサ付き基板ＴＣの製造時に、基板ＴＣを載置する台Ｓの載置面Ｓａに、マグネット７ａ～７ｍ及びマグネット８ａ～８ｇを配置する。マグネット７ａ～７ｍ及びマグネット８ａ～８ｇを総称してマグネット７，８ともいう。
マグネット７ａ～７ｍの位置は、複数の温度センサ２ａ～２ｍをベース１の表面１ａに配置すべき位置に対応する対面（載置面Ｓａ）の特定の位置であり、円形の台Ｓの中心を通る縦軸ＶＬ及び横軸ＨＬ上に等間隔に１３個配置されている。
同様に、マグネット８ａ～８ｆの位置は、リード線５をベース１に固定するサーマルアンカー固定点４ａ～４ｆを配置すべき位置に対応する対面（載置面Ｓａ）の特定の位置であり、１本のリード線５上に対応する位置に６個のマグネット８ａ～８ｆが配置される。
マグネット８ｇの位置は、複数本のリード線５を纏めてベース１に固定するサーマルアンカー固定点４ｇを配置すべき位置に対応する対面（載置面Ｓａ）の特定の位置であり、複数本のリード線５上に対応する位置に１個のマグネット８ｇが配置される。
[センサの位置決め]
温度センサ２及びサーマルアンカー固定点４の位置決めの一例について、図２及び図３のＡ－Ａ断面を示す図４を参照して説明する。センサ付き基板ＴＣのベース１の表面１ａに置かれた温度センサ２ｇは磁性体である。マグネット７ａ～７ｍ、及びマグネット８ａ～８ｇは、磁力発生体の一例である。
載置面Ｓａに配置されたマグネット７ｇの磁力ＭＦによりマグネット７ｇに温度センサ２ｇを引きつけることができる。これにより、温度センサ２ｇをマグネット７ｇの位置とＸＹ方向において同位置に位置決めでき、温度センサ２ｇはＺ方向においてマグネット７ｇの位置に垂直なベース１の表面１ａの位置に保持される。
同様にして、サーマルアンカー固定点４ｆは、マグネット８ｆの磁力ＭＦによりマグネット８ｆにマグネット８ｆ上のリード線５を引きつけることができる。これにより、リード線５をマグネット８ｆとＸＹ方向において同位置に位置決めでき、リード線５はＺ方向においてマグネット８ｆの位置に垂直なベース１の表面１ａの位置に保持される。
その他の温度センサ２及びサーマルアンカー固定点４についても、同様にして、マグネット７，８の磁力により同時に複数の温度センサ２及びサーマルアンカー固定点４を固定すべき位置に対応する載置台Ｓａの位置に位置決めできる。このようにして、マグネット７，８を使用してベース１の裏面１ｂ側から温度センサ２及びサーマルアンカー固定点４の位置決めをする。
温度センサ２及びサーマルアンカー固定点４を位置決めした状態で、温度センサ２及びサーマルアンカー固定点４の上から接着剤３を付け、付けた接着剤３を硬化させて温度センサ２及びサーマルアンカー固定点４をベース１に固定する。接着剤３の硬化には、加熱及び／又は冷却が必要な場合と不要な場合がある。
[センサ付き基板の製造方法]
次に、本開示の実施形態に係るセンサ付き基板ＴＣの製造方法について、図５を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係るセンサ付き基板ＴＣの製造方法の一例を示すフローチャートである。
センサ付き基板ＴＣの製造方法では、大気中に置かれた図３のマグネット付き台Ｓの載置面Ｓａにセンサ付き基板ＴＣを配置する。載置面Ｓａに配置されたマグネット７ａ～７ｍ及びマグネット８ａ～８ｇの磁力により、温度センサ２及びサーマルアンカー固定位置のリード線５を引きつける。これにより、温度センサ２ａ～２ｍをマグネット７ａ～７ｍの位置とＸＹ方向において同位置のベース１の表面１ａに位置決めし、リード線５をマグネット８ａ～８ｇとＸＹ方向において同位置のベース１の表面１ａに位置決めする（ステップＳ１）。
次に、温度センサ２等を位置決めした状態で、温度センサ２ａ～２ｍ上及びサーマルアンカー固定点４ａ～４ｇのリード線５上に接着剤３を付け、接着剤３を硬化させる（ステップＳ２）。これにより、温度センサ２ａ～２ｍをベース１上の特定の位置に固定する。また、サーマルアンカー固定点４ａ～４ｇにてリード線５をベース１上に固定する。
次に、固定した温度センサ２ａ～２ｍ及びサーマルアンカー固定点４ａ～４ｇの位置の少なくともいずれかが固定すべき位置からずれているかを判定する（ステップＳ３）。判定の結果、温度センサ２等に位置ずれがある場合、ずれている温度センサ２又はサーマルアンカー固定点４を固定した接着剤を剥離する（ステップＳ４）。その後、温度センサ２等をマグネットの磁力により保持して位置決めする工程（ステップＳ１）と、接着剤３を硬化させて温度センサ等をベース１に固定する工程（ステップＳ２）と、を再度行う。
ステップＳ３の判定の結果、すべての温度センサ２及びサーマルアンカー固定点４に位置ずれがない場合、センサ付き基板ＴＣが完成し（ステップＳ５）、センサ付き基板ＴＣの製造を終了する。
本開示に係るセンサ付き基板ＴＣの製造方法では、完成したセンサ付き基板ＴＣには、－２００℃以下の温度を測定する温度センサ２として白金コバルト（Ｐｔ－Ｃｏ）が使用され、－２００℃近傍ではＮｉ系合金を含むアルメル（Ｋ型熱電対）や金鉄系（ＡＦ型熱電対）が使用される。白金コバルト、Ｋ型熱電対、ＡＦ型熱電対が磁性材料であることを利用して、ベース１の裏側からマグネット７の磁力により温度センサ２等を引きつけて、温度センサ２をマグネットの位置に対応するベース１上の位置に位置決めする。これにより、ベース１上に配置される複数の温度センサ２の位置のバラツキをなくし、センサ付き基板ＴＣに配置する温度センサ２の位置決めを精度よく行うことができる。これにより、－２００℃近傍又はそれ以下の極低温環境下での温度の測定精度を高めることができる。
また、同様の方法によりサーマルアンカー固定点４ａ～４ｇの位置のバラツキをなくし、センサ付き基板ＴＣ上のサーマルアンカー固定点４ａ～４ｇの位置決めを精度よく行うことができる。これにより、温度センサ２に接続される配線部分での入熱管理ができ、温度測定のバラツキを抑え、温度の測定精度をより高めることができる。
なお、完成したセンサ付き基板ＴＣを用いて載置台２０の温度を測定するときは、載置台２０の静電チャックに基板ＴＣを吸着した後、基板ＴＣに配置された複数の温度センサにより、各温度センサが配置された各位置の載置台２０の温度を測定する。
［変形例］
磁力を貫通しない板状体をベース１に用いる場合については、ベース１に磁力を帯びる磁性膜を処理して使用してもよい。この場合、ベース１に部分的に付ける接着ベース材等を併用してもよい。この場合、磁力を帯びる磁性膜に温度センサ２等を引きつけて保持することで、マグネットを不要とすることができる。
センサ付き基板ＴＣに取り付けるセンサとしては、温度測定用のセンサに限らず、圧力センサ、振動系のセンサなど、基板ＴＣへ取り付け可能なすべてのセンサに適用できる。
基板ＴＣにリード線のない、ワイヤレスセンサへの適用も可能である。
センサの設置は、ベース１への表面に制限することなく、表面１ａ及び裏面１ｂのいずれでもよい。センサの配置された面の反対の面にマグネットを配置してセンサの位置決めを行う。
温度センサ２は、磁性を有する薄膜測温抵抗体素子であってもよい。薄膜測温抵抗体素子は温度応答性が良いため、－２００℃近傍（例えば－１５０℃～－２２０℃）の温度の測定精度を高めることができる。
温度センサ２により出力される抵抗値（この場合、白金コバルトでは抵抗値から温度を導く）等のセンサ情報は、リード線を介してハーメチック接続端子ないしは補償導線により、制御装置８０に伝送される。しかし、リード線による接続では温度変動を伴う場合があるため、抵抗値のアナログ値をリード線の替わりにワイヤレスで伝送する構成でもよい。
以上に説明したように、本実施形態のセンサ付き基板の製造方法によれば、センサ付き基板に配置するセンサの位置決めを精度よく行うことができる。
今回開示された実施形態に係るセンサ付き基板の製造方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の基板処理装置は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
また、基板処理装置は、成膜装置に限らず、基板に所定の処理（例えば、エッチング処理等）を施す処理装置であればよい。また、プラズマ処理装置でもよいし、ノンプラズマ処理装置でもよい。
１ ベース
２、２ａ～２ｍ 温度センサ
３ 接着剤
４、４ａ～４ｇ サーマルアンカー固定点
５ リード線
６ ハーメチック接続端子
７ａ～７ｍ マグネット
８ａ～８ｇ マグネット
１０ 真空処理容器
１１ ターゲットホルダ
１３ 排気装置
２０ 載置台
３０ 冷凍装置
３１ 冷凍機
３５ 伝熱ガス容器
４０ 回転装置
５１ 冷媒供給流路
５２ 冷媒排出流路
６９ 磁性流体シール部
７５、７６ ベローズ
７７ 第一昇降装置
７８ 第二昇降装置
８０ 制御装置
１００ 基板処理装置
Ｓ 台
ＴＣ センサ付き基板
Ｗ 基板

Claims (9)

  1. 板状体の基板にセンサを配置したセンサ付き基板の製造方法であって、
    前記基板の前記センサを配置する面の反対面の、前記センサを固定する位置に対応する位置から磁力により前記センサを保持する工程と、
    前記磁力により前記センサを保持したまま、前記センサに付けた接着剤を硬化させて前記センサを前記基板に固定する工程と、
    を有するセンサ付き基板の製造方法。
  2. 前記センサを保持する工程は、
    前記センサを固定する位置に対応する前記反対面の位置に配置された磁力発生体の磁力により前記センサを保持する、
    請求項１に記載のセンサ付き基板の製造方法。
  3. 前記センサを保持する工程は、
    複数の前記センサを固定する複数の位置に対応する前記反対面の複数の位置に配置された複数の前記磁力発生体の磁力により前記基板の上の複数の前記センサを同時に保持する、
    請求項２に記載のセンサ付き基板の製造方法。
  4. 前記基板に固定した前記センサの位置が固定すべき位置からずれた場合、前記センサを固定した接着剤を剥離した後、前記センサを保持する工程と、前記センサを前記基板に固定する工程と、を再度行う、
    請求項１～３のいずれか一項に記載のセンサ付き基板の製造方法。
  5. 前記センサは、磁性材料から形成されている、
    請求項１～４のいずれか一項に記載のセンサ付き基板の製造方法。
  6. 前記センサに接続された前記基板の上のリード線をサーマルアンカーとして固定する位置に対応する前記反対面の位置から磁力により前記リード線を保持する工程と、
    前記磁力により前記リード線を保持したまま、前記リード線に付けた接着剤を硬化させて前記リード線を前記基板に固定する工程と、を有する、
    請求項１～５のいずれか一項に記載のセンサ付き基板の製造方法。
  7. 前記リード線を保持する工程は、
    複数の前記リード線を固定する複数の位置に対応する前記反対面の複数の位置に配置された複数の磁力発生体の磁力により前記基板の上の複数の前記リード線を同時に保持する、
    請求項６に記載のセンサ付き基板の製造方法。
  8. 前記リード線を保持する工程は、
    複数の前記リード線をまとめて固定する位置に対応する前記反対面の位置に配置された前記磁力発生体の磁力により前記基板の上の複数の前記リード線をまとめて保持する、
    請求項７に記載のセンサ付き基板の製造方法。
  9. 前記リード線は、磁性材料から形成されている、
    請求項６～８のいずれか一項に記載のセンサ付き基板の製造方法。
JP2020186544A 2020-11-09 2020-11-09 センサ付き基板の製造方法 Pending JP2022076223A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020186544A JP2022076223A (ja) 2020-11-09 2020-11-09 センサ付き基板の製造方法
US17/521,563 US20220151078A1 (en) 2020-11-09 2021-11-08 Method for manufacturing substrate with sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020186544A JP2022076223A (ja) 2020-11-09 2020-11-09 センサ付き基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022076223A true JP2022076223A (ja) 2022-05-19

Family

ID=81453982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020186544A Pending JP2022076223A (ja) 2020-11-09 2020-11-09 センサ付き基板の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220151078A1 (ja)
JP (1) JP2022076223A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
US20220151078A1 (en) 2022-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1073096B1 (en) Semiconductor workpiece processing apparatus
US11417504B2 (en) Stage device and processing apparatus
JP5395633B2 (ja) 基板処理装置の基板載置台
US11867458B2 (en) Temperature sensor, temperature measuring device, and temperature measuring method
TWI813710B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US10847399B2 (en) Movable structure and film forming apparatus
JP2019135749A (ja) プラズマ処理装置
US20230209661A1 (en) Metrology device, system and method
US11425791B2 (en) Mounting table, and method of manufacturing the mounting table
KR102297910B1 (ko) 온도 측정 기구, 온도 측정 방법, 및 스테이지 장치
JP2022076223A (ja) センサ付き基板の製造方法
US11251027B2 (en) Stage device and processing apparatus
US20230249306A1 (en) Method and apparatus for processing substrate
KR102622837B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20220220606A1 (en) Method and device for substrate processing
JP7374026B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の製造方法
JP2017022295A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230711

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240425