JP2022068709A - Polyamic acid, polyamic acid solution, polyimide, polyimide film, laminate and flexible device, as well as production method of polyimide film - Google Patents

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Abstract

To provide a polyimide which has high heat resistance (high glass transition temperature), low phase difference and high transparency, a polyamic acid used for formation of the polyimide, and the polyimide obtained therefrom.SOLUTION: A polyamic acid is a polyaddition reaction product of a diamine and a tetracarboxylic acid dianhydride, in which the diamine comprises 2, 2'-bis(trifluoromethyl)benzidine, the tetracarboxylic acid dianhydride comprises 3, 3',4, 4'-biphenyl tetracarboxylic acid dianhydride and 9, 9-bis(3, 4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride, and an amount of 9, 9-bis(3, 4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride to a total amount of the tetracarboxylic acid anhydride is 10-98 mol%. A polyimide film is obtained from the polyamic acid.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、ポリアミド酸、ポリアミド酸溶液、ポリイミド、およびポリイミド膜に関する。さらに、本発明はポリイミド膜を備える積層体およびフレキシブルデバイスに関する。 The present invention relates to polyamic acids, polyamic acid solutions, polyimides, and polyimide films. Furthermore, the present invention relates to a laminate and a flexible device provided with a polyimide film.

ディスプレイやタッチパネル等の電子デバイスにおいて、デバイスの薄型化、軽量化、およびフレキシブル化が要求されており、従来のガラス基板に代えてプラスチックフィルム基板の利用が検討されている。 Electronic devices such as displays and touch panels are required to be thinner, lighter, and more flexible, and the use of plastic film substrates in place of conventional glass substrates is being considered.

これらの電子デバイスの製造プロセスでは、基板上に、薄膜トランジスタや透明電極等の電子素子が設けられる。電子素子の形成は高温プロセスを要するため、プラスチックフィルム基板には高温プロセスに適応可能な耐熱性が要求される。また、電子デバイスの薄膜化・フレキシブル化の要求とともに有機材料の透明化・低位相差化が求められている。 In the manufacturing process of these electronic devices, electronic elements such as thin film transistors and transparent electrodes are provided on the substrate. Since the formation of electronic devices requires a high temperature process, the plastic film substrate is required to have heat resistance suitable for the high temperature process. Further, along with the demand for thin film and flexibility of electronic devices, transparency and low phase difference of organic materials are required.

透明性・耐熱性が高く、低熱膨張性を示すプラスチック材料として、剛直な構造のモノマーを用いたポリイミドが知られている(特許文献1)。特許文献2には、フルオレン構造を導入することで高透明性および低熱膨張係数のポリイミド膜が得られることが記載されている。 As a plastic material having high transparency and heat resistance and exhibiting low thermal expansion, polyimide using a monomer having a rigid structure is known (Patent Document 1). Patent Document 2 describes that a polyimide film having high transparency and a low coefficient of thermal expansion can be obtained by introducing a fluorene structure.

特開2007-046054号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-046054 特開2019-503412号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-503412

分子設計により吸収波長を短波長化して透明化を図ったポリイミドは、可視光透過率が高いものの、膜状に成形するとヘイズが大きく、ディスプレイ等の基板材料としての適性に劣る場合があった。また、一般に、ポリイミドは透明性と熱膨張係数との間にトレードオフの関係があり、透明性を高めると熱膨張係数が大きくなる傾向がある。特許文献2では、フルオレン構造の導入により、ポリイミドの透明性を維持しつつ厚み位相差を1000nmまで低下させた例が示されているが、フレキシブル電子デバイス用基板としての実用には、さらなる低熱膨張性および高耐熱性が要求される。上記実情に鑑みて、本発明は、高耐熱性(高ガラス転移温度)、低位相差および高透明性を有するポリイミド、およびポリイミドの形成に用いるポリアミド酸およびそれから得られるポリイミドの提供を目的とする。 Polyimide, which has a high visible light transmittance by shortening the absorption wavelength by molecular design to make it transparent, has a large haze when formed into a film, and may be inferior in suitability as a substrate material for displays and the like. Further, in general, polyimide has a trade-off relationship between transparency and a coefficient of thermal expansion, and the coefficient of thermal expansion tends to increase as the transparency is increased. Patent Document 2 shows an example in which the thickness phase difference is reduced to 1000 nm while maintaining the transparency of polyimide by introducing a fluorene structure. However, for practical use as a substrate for a flexible electronic device, further low thermal expansion is shown. Properties and high heat resistance are required. In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a polyimide having high heat resistance (high glass transition temperature), low phase difference and high transparency, and a polyamic acid used for forming the polyimide and a polyimide obtained from the polyimide.

本発明者らは、鋭意検討の結果、下記手段により上記課題を解決できることを見出した。 As a result of diligent studies, the present inventors have found that the above problems can be solved by the following means.

本発明のポリアミド酸は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物の重付加反応物であり、ジアミン成分として、2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジンを含み、テトラカルボン酸二無水物成分として、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、および9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物を含む。テトラカルボン酸無水物全量に対する9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物の量は、10mol%以上であり、10mol%以上98mol%以下である。 The polyamic acid of the present invention is a double addition reaction product of diamine and tetracarboxylic acid dianhydride, and contains 2,2'-bistrifluoromethylbenzidine as a diamine component and 3, as a tetracarboxylic acid dianhydride component. Includes 3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, and 9,9'-(3,4'-dicarboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride. The amount of 9,9'-(3,4'-dicarboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride with respect to the total amount of tetracarboxylic acid anhydride is 10 mol% or more and 10 mol% or more and 98 mol% or less.

テトラカルボン酸無水物成分として、さらにピロメリット酸無水物を含んでいてもよい。テトラカルボン酸無水物全量に対するピロメリット酸無水物の量は、例えば1mol%以上80mol%以下である。 As the tetracarboxylic acid anhydride component, pyromellitic acid anhydride may be further contained. The amount of pyromellitic anhydride with respect to the total amount of tetracarboxylic acid anhydride is, for example, 1 mol% or more and 80 mol% or less.

上記のポリアミド酸をイミド化することによりポリイミドが得られる。すなわちジアミンとテトラカルボン酸二無水物の重縮合反応物であるポリイミドであって、前記ジアミンが、2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジンを含み、前記テトラカルボン酸二無水物が、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、および9,9’-(3,4'-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物を含み、テトラカルボン酸無水物全量に対する9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物の量が10mol%以上98mol%以下である、ポリイミドである。 Polyimide can be obtained by imidizing the above polyamic acid. That is, it is a polyimide which is a polycondensation reaction product of diamine and tetracarboxylic acid dianhydride, wherein the diamine contains 2,2'-bistrifluoromethylbenzidine, and the tetracarboxylic acid dianhydride is 3,3'. , 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, and 9,9'-(3,4'-dicarboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride, 9,9'-based on the total amount of tetracarboxylic acid anhydride. (3,4'-Dicarboxyphenyl) A polyimide having a fluorenic acid dianhydride amount of 10 mol% or more and 98 mol% or less.

また上記ポリイミドは、テトラトラカルボン酸無水物として、さらにピロメリット酸無水物を含み、テトラカルボン酸無水物全量に対するピロメリット酸無水物の量が1mol%以上80mol%以下であってもよい。 Further, the polyimide may further contain pyromellitic acid anhydride as the tetratracarboxylic acid anhydride, and the amount of pyromellitic acid anhydride may be 1 mol% or more and 80 mol% or less with respect to the total amount of the tetracarboxylic acid anhydride.

ポリイミドはポリイミド膜として形成されてもよい。例えば、ポリアミド酸と有機溶媒とを含有するポリアミド酸溶液を基材に塗布して、基材上に膜状のポリアミド酸が設けられた積層体を形成し、積層体を加熱してポリアミド酸をイミド化することによりポリイミド膜として形成してもよい。積層体の加熱最高温度は、例えば380℃以上500℃以下であることが好ましい。この温度範囲での加熱時間は、5分以上60分以下が好ましい。また、基材からポリイミド膜を剥離する際にレーザー照射を行ってもよい。 The polyimide may be formed as a polyimide film. For example, a polyamic acid solution containing a polyamic acid and an organic solvent is applied to a base material to form a laminate in which a film-shaped polyamic acid is provided on the base material, and the laminate is heated to obtain the polyamic acid. It may be formed as a polyimide film by imidization. The maximum heating temperature of the laminate is preferably, for example, 380 ° C. or higher and 500 ° C. or lower. The heating time in this temperature range is preferably 5 minutes or more and 60 minutes or less. Further, laser irradiation may be performed when the polyimide film is peeled off from the substrate.

ポリイミド膜は、ガラス転移温度が350℃以上であり、100~350℃における昇温時熱膨張係数が100ppm/K以下であることが好ましく、波長450nmの光透過率が75%以上であり、ヘイズが1.2%以下であることがより好ましい。 The polyimide film preferably has a glass transition temperature of 350 ° C. or higher, a thermal expansion coefficient of 100 ppm / K or less at a temperature of 100 to 350 ° C., a light transmittance of 75% or more at a wavelength of 450 nm, and a haze. Is more preferably 1.2% or less.

本発明の一実施形態は、基材上に上記のポリイミド膜が設けられた積層体である。本発明の一実施形態は、上記のポリイミド膜上に電子素子を備えるフレキシブルデバイスである。
One embodiment of the present invention is a laminate in which the above-mentioned polyimide film is provided on a base material. One embodiment of the present invention is a flexible device provided with an electronic element on the above-mentioned polyimide film.

本発明のポリイミド膜は、熱安定性、低位相差および高透明性に優れ、フレキシブルデバイス用基板等に好適である。 The polyimide film of the present invention is excellent in thermal stability, low phase difference and high transparency, and is suitable for a substrate for a flexible device or the like.

テトラカルボン酸二無水物とジアミンの重付加反応によりポリアミド酸が得られ、ポリアミド酸の脱水閉環反応によりポリイミドが得られる。すなわち、ポリイミドはテトラカルボン酸二無水物とジアミンの重縮合反応物である。本発明のポリアミド酸およびポリイミドは、ジアミン成分として、2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジン(以下、TFMBと称することがある)を含み、テトラカルボン酸二無水物成分として、3,3,4,4-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(以下、BPDAと称することがある)および9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物(以下、BPAFと称することがある)を含む。ポリアミド酸およびポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物成分として、さらにピロメリット酸無水物(以下、PMDAと称することがある)を含んでいてもよい。 Polyamic acid is obtained by the double addition reaction of tetracarboxylic acid dianhydride and diamine, and polyimide is obtained by the dehydration ring closure reaction of polyamic acid. That is, polyimide is a polycondensation reaction product of tetracarboxylic acid dianhydride and diamine. The polyamic acid and polyimide of the present invention contain 2,2'-bistrifluoromethylbenzidine (hereinafter, may be referred to as TFMB) as a diamine component, and 3,3,4 as a tetracarboxylic acid dianhydride component. 4-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride (hereinafter, may be referred to as BPDA) and 9,9'-(3,4'-dicarboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride (hereinafter, may be referred to as BPAF). including. The polyamic acid and the polyimide may further contain pyromellitic acid anhydride (hereinafter, may be referred to as PMDA) as a tetracarboxylic acid dianhydride component.

(テトラカルボン酸二無水物成分)
テトラカルボン酸二無水物成分としてBPDAを含有するポリイミドは、BPDAが剛直な構造を有するため、低熱膨張性を示す。ポリアミド酸およびポリイミドにおけるテトラカルボン酸二無水物成分全量100mol%に対するBPDAの割合は、10mol%以上90mol%以下が望ましく、15mol%以上80mol%以下が好ましく、20mol%以上70mol%以下がより好ましく、20mol%以上60mol%以下がさらに好ましい。
(Tetracarboxylic acid dianhydride component)
Polyimide containing BPDA as a tetracarboxylic acid dianhydride component exhibits low thermal expansion because BPDA has a rigid structure. The ratio of BPDA to 100 mol% of the total amount of the tetracarboxylic acid dianhydride component in the polyamic acid and the polyimide is preferably 10 mol% or more and 90 mol% or less, preferably 15 mol% or more and 80 mol% or less, more preferably 20 mol% or more and 70 mol% or less, and more preferably 20 mol. % Or more and 60 mol% or less are more preferable.

テトラカルボン酸二無水物成分として、BPDAに加えてPMDAを含むことにより、ポリイミドがさらに高耐熱性および低熱膨張性を示す傾向がある。ポリアミド酸およびポリイミドにおけるテトラカルボン酸二無水物成分全量100mol%に対するPMDAの割合は、1mol%以上80mol%以下が好ましく、5mol%以上60mol%以下がより好ましい。PMDAの割合が5mol%以上であればポリイミド膜が低熱膨張性を示し、60mol%以下であればポリイミド膜が高い透明性を示す傾向がある。ポリイミド膜が高い透明性を発現するためには、PMDAの割合は、BPDAの割合よりも少ないことが好ましい。 By including PMDA in addition to BPDA as the tetracarboxylic acid dianhydride component, the polyimide tends to exhibit higher heat resistance and lower thermal expansion. The ratio of PMDA to 100 mol% of the total amount of the tetracarboxylic acid dianhydride component in the polyamic acid and the polyimide is preferably 1 mol% or more and 80 mol% or less, and more preferably 5 mol% or more and 60 mol% or less. When the proportion of PMDA is 5 mol% or more, the polyimide film tends to show low thermal expansion, and when it is 60 mol% or less, the polyimide film tends to show high transparency. In order for the polyimide film to exhibit high transparency, the proportion of PMDA is preferably smaller than the proportion of BPDA.

BPDAおよびPMDAは剛直な構造を有するため、テトラカルボン酸二無水物成分としてBPDAおよびPMDAのみを含むポリアミド酸からポリイミド膜を作製すると、結晶化等に起因する白濁が生じやすい。テトラカルボン酸二無水物として、BPDA(およびPMDA)に加えてBPAFを含有することにより、白濁が抑制される傾向があり、透明性に優れるポリイミド膜が得られる。ポリアミド酸およびポリイミドにおけるテトラカルボン酸二無水物成分全量100mol%に対するBPAFの割合は、10mol%以上98mol%以下が望ましく、10mol%以上90mol%以下が好ましく、15mol%以上80mol%以下がより好ましく、15mol%以上60mol%以下が更に好ましい。BPAFの割合が10mol%以上であればポリイミドの結晶化が抑制され、これに伴ってポリイミド膜の白濁が抑制される傾向がある。結晶化が抑制されることにより、加熱時の相転移に起因する寸法変化が生じ難く、ポリイミド膜の熱膨張係数が小さくなる傾向がある。BPAFの割合が80mol%以下であれば低熱膨張特性を維持できる。 Since BPDA and PMDA have a rigid structure, when a polyimide film is prepared from a polyamic acid containing only BPDA and PMDA as a tetracarboxylic acid dianhydride component, cloudiness due to crystallization or the like is likely to occur. By containing BPAF in addition to BPDA (and PMDA) as the tetracarboxylic acid dianhydride, white turbidity tends to be suppressed, and a polyimide film having excellent transparency can be obtained. The ratio of BPAF to 100 mol% of the total amount of the tetracarboxylic acid dianhydride component in the polyamic acid and the polyimide is preferably 10 mol% or more and 98 mol% or less, preferably 10 mol% or more and 90 mol% or less, more preferably 15 mol% or more and 80 mol% or less, and 15 mol. % Or more and 60 mol% or less are more preferable. When the ratio of BPAF is 10 mol% or more, the crystallization of the polyimide is suppressed, and the white turbidity of the polyimide film tends to be suppressed accordingly. By suppressing crystallization, dimensional changes due to phase transition during heating are unlikely to occur, and the coefficient of thermal expansion of the polyimide film tends to be small. When the ratio of BPAF is 80 mol% or less, the low thermal expansion characteristic can be maintained.

高透明性と低熱膨張性とを両立させる観点から、ポリアミド酸およびポリイミドにおけるテトラカルボン酸二無水物成分全量100mol%に対するPMDAとBPDAとBPAFの合計は、90mol%以上が好ましく、92%mol以上がより好ましく、95mol%以上がさらに好ましい。 From the viewpoint of achieving both high transparency and low thermal expansion, the total amount of PMDA, BPDA and BPAF with respect to 100 mol% of the total amount of the tetracarboxylic acid dianhydride component in the polyamic acid and the polyimide is preferably 90 mol% or more, preferably 92% mol or more. More preferably, 95 mol% or more is further preferable.

ポリアミド酸およびポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物成分としてPMDA、BPDAおよびBPAF以外の成分を含んでいてもよい。他のテトラカルボン酸二無水物としては、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物、9,9’-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]フルオレン二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-スルホニルジフタル酸二無水物、パラテルフェニル-3,4,3’,4’-テトラカルボン酸二無水物、メタテルフェニル-3,3’,4,4’-テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、(1S,2R,4S,5R)-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物(シス、シス、シス-1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物)、(1S,2S,4R,5R)-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、(1R,2S,4S,5R)-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクタン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、5-(ジオキソテトラヒドロフリル-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、4-(2,5-ジオキソテトラヒドロフラン-3-イル)-テトラリン-1,2-ジカルボン酸無水物、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ-3,3’,4,4’-テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,3-ジメチル-1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,4-ジメチル-1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、等が挙げられる。 The polyamic acid and the polyimide may contain a component other than PMDA, BPDA and BPAF as a tetracarboxylic acid dianhydride component. Other tetracarboxylic acid dianhydrides include 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 3,3. ', 4,4'-Diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1, 2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic acid anhydride, 9,9'-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride, 3 , 3', 4,4'-biphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic acid dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-sulfonyldiphthalic acid dianhydride, paratelphenyl-3,4,3', 4'-tetracarboxylic acid dianhydride, metaterphenyl-3,3', 4,4'-tetracarboxylic Acid dianhydride, 3,3', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydride, (1S, 2R, 4S, 5R) -cyclohexanetetracarboxylic acid dianhydride (cis, cis, cis-1,2) , 4,5-Cyclohexanetetracarboxylic acid dianhydride), (1S, 2S, 4R, 5R) -cyclohexanetetracarboxylic acid dianhydride, (1R, 2S, 4S, 5R) -cyclohexanetetracarboxylic acid dianhydride, Bicyclo [2.2.2] Octane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, Bicyclo [2.2.2] Oct-7-en-2,3,5,6-tetracarboxylic acid Dianhydride, 5- (dioxotetrahydrofuryl-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, 4- (2,5-dioxotetratetra-3-yl) -tetraline-1,2 -Dicarboxylic acid anhydride, tetrahydrofuran-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, bicyclo-3,3', 4,4'-tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4- Cyclopentanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,4 -Dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride, etc. may be mentioned.

(ジアミン成分)
ジアミン成分としてTFMBを含有するポリイミド膜は、高透明性および低線膨張係数を示す傾向がある。高い透明性と低熱膨張性とを両立させる観点から、ポリアミド酸およびポリイミドにおけるジアミン成分全量100mol%に対するTFMBの量は、90mol%以上が好ましく、95mol%以上がより好ましく、99mol%以上がさらに好ましい。
(Diamine component)
Polyimide films containing TFMB as a diamine component tend to exhibit high transparency and a low coefficient of linear expansion. From the viewpoint of achieving both high transparency and low thermal expansion, the amount of TFMB with respect to 100 mol% of the total amount of diamine components in polyamic acid and polyimide is preferably 90 mol% or more, more preferably 95 mol% or more, still more preferably 99 mol% or more.

ポリアミド酸およびポリイミドは、ジアミン成分としてTFMB以外の成分を含んでいてもよい。TFMB以外のジアミンとしては、4,4’-ジアミノベンズアニリド、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、9,9’-(4-アミノフェニル)フルオレン、9,9’-(4-アミノ-3-メチルフェニル)フルオレン、1,4’-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン、4,4’-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’-メチレンビス(シクロへキサンアミン)、3,3-ジアミノー4,4-ジヒドロキシジフェニルスルホン、2,2-ビス(3-アミノ4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、等が挙げられる。 The polyamic acid and the polyimide may contain a component other than TFMB as a diamine component. Diamines other than TFMB include 4,4'-diaminobenzanilide, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone. , 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 9,9'-(4-aminophenyl) fluorene, 9,9'-(4-amino-3-methylphenyl) fluorene, 1,4'-bis (4-amino) Phenoxy) benzene, 2,2'-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-methylenebis (cyclohexaneamine), 3,3-diamino- Examples thereof include 4,4-dihydroxydiphenyl sulfone, 2,2-bis (3-amino4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, and the like.

ジアミン成分として、シリコーンジアミン等の屈曲性ジアミンを含むと、ポリイミド膜の線膨張係数が大きくなる傾向がある。そのため、ポリアミド酸およびポリイミドにおけるジアミン成分全量100mol%に対する屈曲性ジアミンの量は、5mol%以下が好ましく、1mol%以下がさらに好ましく、0.5mol%以下が特に好ましい。熱膨張係数低減の観点においては、屈曲性ジアミンを含まないことが好ましい。 When a flexible diamine such as silicone diamine is contained as the diamine component, the coefficient of linear expansion of the polyimide film tends to increase. Therefore, the amount of the flexible diamine with respect to the total amount of the diamine component in the polyamic acid and the polyimide is preferably 5 mol% or less, more preferably 1 mol% or less, and particularly preferably 0.5 mol% or less. From the viewpoint of reducing the coefficient of thermal expansion, it is preferable that the flexible diamine is not contained.

(ポリアミド酸およびポリアミド酸溶液)
本発明のポリアミド酸は、公知の一般的な方法により合成できる。例えば、有機溶媒中でジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを反応させることにより、ポリアミド酸溶液が得られる。ポリアミド酸の重合に使用する有機溶媒は、モノマー成分としてのテトラカルボン酸二無水物およびジアミンを溶解し、かつ重付加により生成するポリアミド酸を溶解するものが好ましい。有機溶媒としては、テトラメチル尿素、N,N-ジメチルエチルウレア等のウレア系溶媒;ジメチルスルホキシド、ジフェニルスルホン、テトラメチルスルホン等のスルホン系溶媒;N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N’-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒;γ-ブチロラクトン等のエステル系溶媒;クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化アルキル系溶媒;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒;フェノール、クレゾール等のフェノール系溶媒;シクロペンタノン等のケトン系溶媒;テトラヒドロフラン、1,3-ジオキソラン、1,4-ジオキサン、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、p-クレゾールメチルエーテル等のエーテル系溶媒が挙げられる。通常、これらの溶媒は単独で用いるが、必要に応じて2種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。ポリアミド酸の溶解性および反応性を高めるために、有機溶媒は、アミド系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒およびエーテル系溶媒からなる群から選択されることが好ましく、特にN,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N’-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン等のアミド系溶媒が好ましい。
(Polyamic acid and polyamic acid solution)
The polyamic acid of the present invention can be synthesized by a known general method. For example, a polyamic acid solution can be obtained by reacting a diamine with a tetracarboxylic acid dianhydride in an organic solvent. The organic solvent used for the polymerization of the polyamic acid is preferably one that dissolves tetracarboxylic acid dianhydride and diamine as monomer components and dissolves the polyamic acid produced by double addition. Examples of the organic solvent include urea-based solvents such as tetramethylurea and N, N-dimethylethylurea; sulfonate-based solvents such as dimethylsulfoxide, diphenylsulfone and tetramethylsulfone; , N, N'-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexamethylphosphate triamide and other amide solvents; ester solvents such as γ-butyrolactone; chloroformated alkyl solvents such as chloroform and methylene chloride; benzene , Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene; Phenolic solvents such as phenol and cresol; Ketone solvents such as cyclopentanone; tetrahydrofuran, 1,3-dioxolane, 1,4-dioxane, dimethyl ether, diethyl ether, p- Examples thereof include ether solvents such as cresol methyl ether. Usually, these solvents are used alone, but if necessary, two or more kinds may be used in combination as appropriate. In order to enhance the solubility and reactivity of polyamic acid, the organic solvent is preferably selected from the group consisting of amide-based solvents, ketone-based solvents, ester-based solvents and ether-based solvents, and particularly N, N-dimethylacetamide. , N, N-Dimethylformamide, N, N'-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone and other amide solvents are preferred.

ジアミン成分全量のモル数と、テトラカルボン酸二無水物成分全量のモル数との比を調整することにより、ポリアミド酸の分子量を調整できる。ポリアミド酸の合成に用いるモノマー成分には、ジアミンおよびテトラカルボン酸二無水物以外が含まれていてもよい。例えば、分子量の調整等を目的として、一官能のアミンや一官能の酸無水物を用いてもよい。 The molecular weight of the polyamic acid can be adjusted by adjusting the ratio of the number of moles of the total amount of the diamine component to the number of moles of the total amount of the tetracarboxylic acid dianhydride component. The monomer component used for the synthesis of polyamic acid may contain other than diamine and tetracarboxylic acid dianhydride. For example, a monofunctional amine or a monofunctional acid anhydride may be used for the purpose of adjusting the molecular weight.

ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との重付加によるポリアミド酸の合成は、アルゴン、窒素等の不活性雰囲気中で実施することが好ましい。不活性雰囲気中で、有機溶媒中にジアミンおよびテトラカルボン酸二無水物を溶解させ、混合することにより、重合が進行する。ジアミンおよびテトラカルボン酸二無水物の添加順序は特に限定されない。例えば、ジアミンを有機溶媒中に溶解またはスラリー状に分散させて、ジアミン溶液とし、テトラカルボン酸二無水物をジアミン溶液中に添加すればよい。テトラカルボン酸二無水物は、固体の状態で添加してもよく、有機溶媒に溶解、またはスラリー状に分散させた状態で添加してもよい。 The synthesis of polyamic acid by double addition of diamine and tetracarboxylic acid dianhydride is preferably carried out in an inert atmosphere such as argon or nitrogen. Polymerization proceeds by dissolving and mixing diamine and tetracarboxylic acid dianhydride in an organic solvent in an inert atmosphere. The order of addition of diamine and tetracarboxylic acid dianhydride is not particularly limited. For example, diamine may be dissolved in an organic solvent or dispersed in a slurry to form a diamine solution, and tetracarboxylic acid dianhydride may be added to the diamine solution. The tetracarboxylic acid dianhydride may be added in a solid state, or may be added in a state of being dissolved in an organic solvent or dispersed in a slurry.

反応の温度条件は特に限定されない。解重合によるポリアミド酸の分子量低下を抑制する観点から、反応温度は80℃以下が好ましい。重合反応を適度に進行させる観点から、反応温度は0~50℃がより好ましい。反応時間は10分~30時間の範囲で任意に設定すればよい。 The temperature conditions of the reaction are not particularly limited. The reaction temperature is preferably 80 ° C. or lower from the viewpoint of suppressing a decrease in the molecular weight of the polyamic acid due to depolymerization. From the viewpoint of appropriately advancing the polymerization reaction, the reaction temperature is more preferably 0 to 50 ° C. The reaction time may be arbitrarily set in the range of 10 minutes to 30 hours.

有機溶媒中でジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを反応させることにより、ポリアミド酸溶液が得られる。ポリアミド酸溶液に溶媒を添加して、ポリアミド酸の濃度(溶液の固形分濃度)を調整してもよい。ポリアミド酸溶液には、ポリアミド酸の脱水閉環によるイミド化の促進や、イミド化の抑制による溶液保管性(ポットライフ)向上等を目的とした添加剤が含まれていてもよい。 A polyamic acid solution is obtained by reacting a diamine with a tetracarboxylic acid dianhydride in an organic solvent. A solvent may be added to the polyamic acid solution to adjust the concentration of polyamic acid (solid content concentration of the solution). The polyamic acid solution may contain additives for the purpose of promoting imidization by dehydrating and closing the ring of polyamic acid, improving solution storage (pot life) by suppressing imidization, and the like.

ポリアミド酸およびポリイミドに加工特性や各種機能性を付与するために、様々な有機または無機の低分子または高分子化合物を配合してもよい。例えば、ポリアミド酸溶液は、染料、界面活性剤、レベリング剤、可塑剤、微粒子、増感剤、シランカップリング剤等を含んでいてもよい。微粒子は、有機微粒子および無機微粒子のいずれでもよく、多孔質や中空構造であってもよい。 Various organic or inorganic small molecule or high molecular weight compounds may be blended in order to impart processing properties and various functionalities to the polyamic acid and the polyimide. For example, the polyamic acid solution may contain a dye, a surfactant, a leveling agent, a plasticizer, fine particles, a sensitizer, a silane coupling agent, and the like. The fine particles may be either organic fine particles or inorganic fine particles, and may have a porous or hollow structure.

ポリアミド酸溶液にシランカップリング剤を配合することにより、ポリアミド酸の塗膜および脱水閉環により生成するポリイミド膜と基材との密着性が向上する傾向がある。シランカップリング剤の配合量は、ポリアミド酸100重量部に対して1.0重量部以下が好ましく、0.5重量部以下がより好ましく、0.1重量部以下がさらに好ましい。基材との密着性向上等を目的として、シランカップリング剤を配合する場合の配合量は、ポリアミド酸100重量部に対して0.01重量部以上であってもよい。シランカップリング剤は、ポリアミド酸溶液に添加してもよく、ポリアミド酸の重合反応前または重合反応中の溶液に添加してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤を用いることにより、ポリアミド酸の末端にシランカップリング剤に由来する構造を導入できる。ポリアミド酸の重合系にアミノ基を有するシランカップリング剤を添加する場合は、ポリアミド酸の分子量を高く保つために、ポリアミド酸(テトラカルボン酸二無水物とジアミンの合計)100重量部に対するシランカップリング剤の配合割合を1.0重量部以下とすることが好ましい。 By blending the silane coupling agent with the polyamic acid solution, the adhesion between the polyimide film formed by the polyamic acid coating film and the dehydration ring closure and the substrate tends to be improved. The blending amount of the silane coupling agent is preferably 1.0 part by weight or less, more preferably 0.5 part by weight or less, still more preferably 0.1 part by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid. When the silane coupling agent is blended for the purpose of improving the adhesion to the substrate, the blending amount may be 0.01 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid. The silane coupling agent may be added to the polyamic acid solution, or may be added to the solution before or during the polymerization reaction of the polyamic acid. For example, by using a silane coupling agent having an amino group, a structure derived from the silane coupling agent can be introduced at the end of the polyamic acid. When a silane coupling agent having an amino group is added to the polyamic acid polymerization system, in order to keep the molecular weight of the polyamic acid high, the silane cup with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid (total of tetracarboxylic acid dianhydride and diamine) The blending ratio of the ring agent is preferably 1.0 part by weight or less.

(ポリイミドおよびポリイミド膜)
上記のポリアミド酸およびポリアミド酸溶液は、そのまま、製品や部材を作製するための材料として用いてもよく、バインダー樹脂や添加剤等を配合して、樹脂組成物を調製してもよい。耐熱性および機械特性に優れることから、ポリアミド酸を脱水閉環によりイミド化し、ポリイミドとして実用することが好ましい。脱水閉環は、共沸溶媒を用いた共沸法、熱的手法または化学的手法により行われる。溶液の状態でイミド化を行う場合は、イミド化剤および/または脱水触媒をポリアミド酸溶液に添加して、化学的イミド化を行うことが好ましい。ポリアミド酸溶液から溶媒を除去して膜状のポリアミド酸を形成し、膜状のポリアミド酸をイミド化する場合は、熱イミド化が好ましい。例えば、ガラス、シリコンウエハー、銅板やアルミ板等の金属板、PET(ポリエチレンテレフタレート)等のフィルム基材に、ポリアミド酸溶液を塗布して塗膜を形成した後、熱処理を行えばよい。
(Polyimide and polyimide film)
The above-mentioned polyamic acid and polyamic acid solution may be used as they are as a material for producing a product or a member, or a binder resin, an additive or the like may be blended to prepare a resin composition. Since it is excellent in heat resistance and mechanical properties, it is preferable to imidize the polyamic acid by dehydration ring closure and put it into practical use as a polyimide. Dehydration ring closure is performed by an azeotropic method using an azeotropic solvent, a thermal method, or a chemical method. When imidization is performed in the state of a solution, it is preferable to add an imidizing agent and / or a dehydration catalyst to the polyamic acid solution to perform chemical imidization. Thermal imidization is preferred when the solvent is removed from the polyamic acid solution to form a film-like polyamic acid and the film-like polyamic acid is imidized. For example, a polyamic acid solution may be applied to a glass, a silicon wafer, a metal plate such as a copper plate or an aluminum plate, or a film substrate such as PET (polyethylene terephthalate) to form a coating film, and then heat treatment may be performed.

ポリアミド酸溶液の基材への塗布は、グラビアコート法、スピンコート法、シルクスクリーン法、ディップコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ダイコート法等の公知の方法により行い得る。イミド化の際の加熱温度および加熱時間は、適宜決定すればよい。加熱温度は、例えば80℃~500℃の範囲内である。 The polyamic acid solution can be applied to the substrate by a known method such as a gravure coating method, a spin coating method, a silk screen method, a dip coating method, a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, and a die coating method. The heating temperature and heating time for imidization may be appropriately determined. The heating temperature is, for example, in the range of 80 ° C. to 500 ° C.

本発明のポリイミドは、透明性および熱寸法安定性に優れるため、ガラス代替用途の透明基板として使用可能であり、TFT基板材料、透明電極基板材料、印刷物、カラーフィルター、フレキシブルディスプレイ部材、反射防止膜、ホログラム、建築材料、構造物等への利用が期待される。特に、本発明のポリイミド膜は、熱寸法安定性に優れるため、TFT基板や電極基板等の電子デバイス透明基板として好適に用いられる。電子デバイスとしては、液晶表示装置、有機ELおよび電子ペーパー等の画像表示装置、タッチパネル、太陽電池等が挙げられる。これらの用途において、ポリイミド膜の厚みは、1~200μm程度であり、5~100μm程度が好ましい。 Since the polyimide of the present invention is excellent in transparency and thermal dimensional stability, it can be used as a transparent substrate for glass replacement, and is used as a TFT substrate material, a transparent electrode substrate material, printed matter, a color filter, a flexible display member, and an antireflection film. , Holograms, building materials, structures, etc. are expected to be used. In particular, since the polyimide film of the present invention is excellent in thermal dimensional stability, it is suitably used as a transparent substrate for electronic devices such as a TFT substrate and an electrode substrate. Examples of the electronic device include a liquid crystal display device, an image display device such as an organic EL and electronic paper, a touch panel, a solar cell, and the like. In these applications, the thickness of the polyimide film is about 1 to 200 μm, preferably about 5 to 100 μm.

電子デバイスの製造プロセスでは、基板上に、薄膜トランジスタや透明電極等の電子素子が設けられる。フィルム基板上への素子の形成プロセスは、バッチタイプとロール・トゥ・ロールタイプに分けられる。ロール・トゥ・ロールプロセスでは、長尺のフィルム基板を搬送しながら、フィルム基板上に電子素子が順次設けられる。バッチプロセスでは、無アルカリガラス等の剛性基材上にフィルム基板を形成して積層体を形成し、積層体のフィルム基板上に電子素子を設けた後、フィルム基板から基材を剥離する。本発明のポリイミド膜はいずれのプロセスにも適用可能である。バッチプロセスは、現行のガラス基板用の設備を利用することができるため、コスト面で優位である。以下では、ガラス基材上にポリイミド膜が設けられた積層体を経由するポリイミド膜の製造方法の一例について説明する。 In the process of manufacturing an electronic device, an electronic element such as a thin film transistor or a transparent electrode is provided on a substrate. The process of forming an element on a film substrate is divided into a batch type and a roll-to-roll type. In the roll-to-roll process, electronic devices are sequentially provided on the film substrate while conveying the long film substrate. In the batch process, a film substrate is formed on a rigid substrate such as non-alkali glass to form a laminate, an electronic element is provided on the film substrate of the laminate, and then the substrate is peeled off from the film substrate. The polyimide film of the present invention can be applied to any process. The batch process has a cost advantage because it can utilize the existing equipment for glass substrates. Hereinafter, an example of a method for manufacturing a polyimide film via a laminate in which a polyimide film is provided on a glass substrate will be described.

まず、基材にポリアミド酸溶液を塗布してポリアミド酸溶液の塗膜を形成し、基材と塗膜との積層体を40~200℃の温度で3~120分加熱することにより溶媒を乾燥してポリアミド酸膜を得る。例えば、50℃にて30分、続いて100℃にて30分のように、2段階以上の設定温度で乾燥を行ってもよい。この基材とポリアミド酸膜との積層体を加熱することにより、ポリアミド酸の脱水閉環によるイミド化を行う。イミド化のための加熱は、例えば温度200~500℃で行われ、加熱時間は例えば3分~300分である。イミド化のための加熱は、低温から徐々に高温にして、最高温度まで昇温することが好ましい。昇温速度は2~10℃/分が好ましく、4~10℃/分がより好ましい。加熱最高温度は380~500℃が好ましく、400~480℃がより好ましい。加熱最高温度が380℃以上であれば、十分にイミド化が進行し、高温プロセスに適応可能なポリイミドフィルムが得られる。加熱最高温度が500℃以下であれば、ポリイミドの熱劣化や着色を抑制できる。最高温度での加熱時間は、例えば、5分以上であり、380℃以上の温度での加熱時間は、5~60分が好ましい。加熱最高温度に到達するまでに任意の温度で任意の時間保持してもよい。 First, a polyamic acid solution is applied to a substrate to form a coating film of the polyamic acid solution, and the laminate of the substrate and the coating film is heated at a temperature of 40 to 200 ° C. for 3 to 120 minutes to dry the solvent. To obtain a polyamic acid film. For example, drying may be performed at a set temperature of two or more steps, such as at 50 ° C. for 30 minutes and then at 100 ° C. for 30 minutes. By heating the laminate of this base material and the polyamic acid film, imidization by dehydration ring closure of the polyamic acid is performed. The heating for imidization is carried out, for example, at a temperature of 200 to 500 ° C., and the heating time is, for example, 3 minutes to 300 minutes. It is preferable that the heating for imidization is gradually increased from a low temperature to a high temperature and then raised to the maximum temperature. The heating rate is preferably 2 to 10 ° C./min, more preferably 4 to 10 ° C./min. The maximum heating temperature is preferably 380 to 500 ° C, more preferably 400 to 480 ° C. When the maximum heating temperature is 380 ° C. or higher, imidization proceeds sufficiently, and a polyimide film suitable for a high temperature process can be obtained. When the maximum heating temperature is 500 ° C. or lower, thermal deterioration and coloring of the polyimide can be suppressed. The heating time at the maximum temperature is, for example, 5 minutes or more, and the heating time at a temperature of 380 ° C. or higher is preferably 5 to 60 minutes. It may be held at an arbitrary temperature for an arbitrary time until the maximum heating temperature is reached.

イミド化は、空気下、減圧下、または窒素等の不活性ガス中のいずれで行ってもよい。透明性の高いポリイミド膜を得るためには、減圧下、または窒素等の不活性ガス中での加熱が好ましい。加熱装置としては、熱風オーブン、赤外オーブン、真空オーブン、イナートオーブン、ホットプレート等の公知の装置が用いられる。加熱時間の短縮や特性発現のために、イミド化剤や脱水触媒を添加したポリアミド酸溶液を上記のような方法で加熱してイミド化してもよい。 The imidization may be carried out under air, under reduced pressure, or in an inert gas such as nitrogen. In order to obtain a highly transparent polyimide film, heating under reduced pressure or in an inert gas such as nitrogen is preferable. As the heating device, a known device such as a hot air oven, an infrared oven, a vacuum oven, an inert oven, or a hot plate is used. In order to shorten the heating time and develop the characteristics, the polyamic acid solution to which the imidizing agent and the dehydration catalyst are added may be heated and imidized by the above method.

バッチタイプのデバイス作製プロセスにおいては、基材と基材上に形成したポリイミド膜との界面に応力が残留すると、基材とポリイミド膜との積層体に反りが生じ、積層体上への素子の形成プロセスに支障をきたす場合がある。そのため、基材とポリイミド膜との積層体の界面の応力(内部応力)は小さいことが好ましい。具体的には、内部応力は、-30MPa以上70MPa以下が好ましく、-20MPa以上65MPa以下がより好ましい。内部応力は、ガラス板上にポリイミド膜を形成し、ポリイミド膜の形成前後のガラス板の反り(曲率半径)の変化に基づいて算出される。 In the batch type device manufacturing process, when stress remains at the interface between the base material and the polyimide film formed on the base material, the laminate of the base material and the polyimide film is warped, and the element on the laminate is subjected to warp. It may interfere with the formation process. Therefore, it is preferable that the stress (internal stress) at the interface between the base material and the polyimide film is small. Specifically, the internal stress is preferably −30 MPa or more and 70 MPa or less, and more preferably −20 MPa or more and 65 MPa or less. The internal stress is calculated based on the change in the warp (radius of curvature) of the glass plate before and after forming the polyimide film on the glass plate.

バッチプロセスにより基板上に電子素子を形成する場合は、ガラス等の基材上にポリイミド膜が設けられた積層体上に素子を形成した後、ポリイミド膜から基材を剥離することが好ましい。基材から剥離後のポリイミド膜上に素子を形成してもよい。 When an electronic element is formed on a substrate by a batch process, it is preferable to form the element on a laminate in which a polyimide film is provided on a substrate such as glass, and then peel the substrate from the polyimide film. The device may be formed on the polyimide film after peeling from the base material.

基材からポリイミド膜を剥離する方法は特に限定されない。例えば、手で引き剥がしてもよく、駆動ロール、ロボット等の剥離装置を用いてもよい。基材とポリイミド膜との密着性を低下させることにより剥離を行ってもよい。例えば、剥離層を設けた基材上にポリイミド膜を形成してもよい。多数の溝を有する基板上に酸化シリコン膜を形成し、エッチング液を浸潤させることにより剥離を促進してもよい。レーザー光の照射より剥離を行ってもよい。 The method of peeling the polyimide film from the substrate is not particularly limited. For example, it may be peeled off by hand, or a peeling device such as a drive roll or a robot may be used. Peeling may be performed by reducing the adhesion between the substrate and the polyimide film. For example, a polyimide film may be formed on a substrate provided with a release layer. A silicon oxide film may be formed on a substrate having a large number of grooves and infiltrated with an etching solution to promote peeling. Peeling may be performed by irradiation with laser light.

レーザー照射により基材とポリイミドを剥離する場合は、ポリイミド膜にレーザー光を吸収させる必要があるため、ポリイミド膜のカットオフ波長(透過率が0.1%以下となる波長)は、剥離に使用するレーザー光の波長よりも長波長であることが求められる。例えば、波長308nmのXeClエキシマレーザーを用いる場合は、ポリイミド膜のカットオフ波長は310nm以上が好ましく、320nm以上がより好ましい。波長355nmの固体UVレーザーを用いる場合は、ポリイミド膜のカットオフ波長は360nm以上が好ましく、365nm以上がより好ましい。 When the base material and the polyimide are peeled off by laser irradiation, it is necessary for the polyimide film to absorb the laser light, so the cutoff wavelength of the polyimide film (wavelength with a transmittance of 0.1% or less) is used for the peeling. It is required to have a longer wavelength than the wavelength of the laser light to be used. For example, when a XeCl excimer laser having a wavelength of 308 nm is used, the cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 310 nm or more, more preferably 320 nm or more. When a solid UV laser having a wavelength of 355 nm is used, the cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 360 nm or more, more preferably 365 nm or more.

一般的にポリイミドは短波長側の光を吸収しやすく、カットオフ波長が長波長側に移動すると可視光の吸収に起因して膜が黄色に着色する場合がある。本発明のポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物成分におけるPMDAの比率を高めると、カットオフ波長が長波長側に移動する傾向がある。カットオフ波長が可視光領域に及ばない範囲で、テトラカルボン酸二無水物成分としてPMDAを含めることにより、透明性および熱寸法安定性に加えて、UVレーザーによる剥離プロセスに適した紫外線吸収特性を持たせることができる。ポリイミド膜のカットオフ波長は390nm以下が好ましく、385nm以下がより好ましく、380nm以下がさらに好ましい。 Generally, polyimide easily absorbs light on the short wavelength side, and when the cutoff wavelength moves to the long wavelength side, the film may be colored yellow due to absorption of visible light. In the polyimide of the present invention, the cutoff wavelength tends to shift to the long wavelength side when the ratio of PMDA in the tetracarboxylic acid dianhydride component is increased. By including PMDA as a tetracarboxylic acid dianhydride component in the range where the cutoff wavelength does not reach the visible light region, in addition to transparency and thermal dimensional stability, UV absorption characteristics suitable for the peeling process by UV laser are obtained. You can have it. The cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 390 nm or less, more preferably 385 nm or less, and even more preferably 380 nm or less.

透明フレキシブル基板用途において、ポリイミド膜は可視光の全波長領域で透過率が高いことが要求される。透明フレキシブル基板用のポリイミド膜は、波長450nmにおける光透過率が75%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましい。本発明のポリイミドは、膜厚が10μmのフィルムを形成した際の光透過率が上記範囲であることが好ましい。 In transparent flexible substrate applications, the polyimide film is required to have high transmittance in the entire wavelength region of visible light. The polyimide film for a transparent flexible substrate preferably has a light transmittance of 75% or more, and more preferably 80% or more at a wavelength of 450 nm. The polyimide of the present invention preferably has a light transmittance in the above range when a film having a film thickness of 10 μm is formed.

ポリイミド膜の透明性は、例えば、JIS K7105-1981に従った全光線透過率およびヘイズによって評価することもできる。ポリイミド膜の全光線透過率は、80%以上が好ましく、85%以上がより好ましい。また、450nmの光透過率が75%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましい。ポリイミド膜のヘイズは、1.2%以下が好ましく、1.0%以下がより好ましく、0.8%以下がさらに好ましい。本発明のポリイミドは、膜厚が10μmのフィルムを形成した際の全光線透過率およびヘイズが上記範囲であることが好ましい。前述のように、テトラカルボン酸に無水物成分としてBPAFを含むことにより、ポリイミド膜のヘイズが低減する傾向がある。 The transparency of the polyimide film can also be evaluated, for example, by the total light transmittance and haze according to JIS K7105-1981. The total light transmittance of the polyimide film is preferably 80% or more, more preferably 85% or more. Further, the light transmittance at 450 nm is preferably 75% or more, more preferably 80% or more. The haze of the polyimide film is preferably 1.2% or less, more preferably 1.0% or less, still more preferably 0.8% or less. The polyimide of the present invention preferably has a total light transmittance and haze within the above ranges when a film having a film thickness of 10 μm is formed. As described above, by including BPAF as an anhydride component in the tetracarboxylic acid, the haze of the polyimide film tends to be reduced.

高温プロセスに適用するために、ポリイミド膜は、ガラス転移温度が高いことが好ましい。具体的には、ポリイミド膜のガラス転移温度は380℃以上が好ましく、400℃以上がより好ましい。ポリイミド膜のガラス転移温度は、動的粘弾性測定による損失正接が最大となる温度であり、後述の実施例に記載の方法により測定される。ポリイミド膜は、昇温時の熱膨張係数(CTE)が小さいことが好ましい。ポリイミド膜のCTEは、-50~100ppm/Kが好ましく、-30~90ppm/Kがさらに好ましく、-20~80ppm/Kが特に好ましい。CTEは、60ppm/K以下、50ppm/K以下、40ppm/K以下または30ppm/K以下であってもよく、-10ppm/K以上または0ppm/K以上であってもよい。CTEは、ポリイミド膜を昇温速度10℃/分で加熱した際の、100~350℃の範囲での単位温度あたりの試料の歪み量であり、熱機械分析(TMA)により、後述の実施例に記載の方法により測定される。 For application to high temperature processes, the polyimide membrane preferably has a high glass transition temperature. Specifically, the glass transition temperature of the polyimide film is preferably 380 ° C. or higher, more preferably 400 ° C. or higher. The glass transition temperature of the polyimide film is the temperature at which the loss tangent is maximized by the dynamic viscoelasticity measurement, and is measured by the method described in Examples described later. The polyimide film preferably has a small coefficient of thermal expansion (CTE) when the temperature rises. The CTE of the polyimide film is preferably −50 to 100 ppm / K, more preferably −30 to 90 ppm / K, and particularly preferably −20 to 80 ppm / K. The CTE may be 60 ppm / K or less, 50 ppm / K or less, 40 ppm / K or less, or 30 ppm / K or less, and may be -10 ppm / K or more or 0 ppm / K or more. CTE is the amount of strain of the sample per unit temperature in the range of 100 to 350 ° C. when the polyimide film is heated at a heating rate of 10 ° C./min, and is an example described later by thermomechanical analysis (TMA). It is measured by the method described in.

厚み方向位相差は低い方が好ましい。ポリイミドは、膜厚が10μmのフィルムの550nmにおける厚み方向位相差(Rth)は500nm以下が好ましく、300nm以下がさらに好ましく、200nm以下が特に好ましい。 It is preferable that the phase difference in the thickness direction is low. The polyimide has a thickness direction retardation (Rth) of a film having a film thickness of 10 μm at 550 nm, preferably 500 nm or less, more preferably 300 nm or less, and particularly preferably 200 nm or less.

[評価方法]
材料特性値等は以下の評価法により測定した。
[Evaluation methods]
Material property values and the like were measured by the following evaluation methods.

<内部応力(Internal stress)>
あらかじめ反り量を計測したコーニング製の無アルカリガラス(厚み0.7mm、100mm×100mm)上に、実施例および比較例と同様の方法でポリイミド膜を形成し、ガラス上に厚み10μmのポリイミド膜を備える積層体を得た。積層体をデシケーター内で10分間静置した後、薄膜応力測定装置(テンコール製)「FLX-2320-S」)にセットし、25℃の窒素雰囲気下で積層体の反り量を測定した。反り量の値から25℃におけるガラス基板とポリイミド膜の間に生じた応力を算出した。
<Internal stress>
A polyimide film was formed on Corning's non-alkali glass (thickness 0.7 mm, 100 mm × 100 mm) in which the amount of warpage was measured in the same manner as in Examples and Comparative Examples, and a polyimide film having a thickness of 10 μm was formed on the glass. Obtained a laminate to be provided. After allowing the laminate to stand in a desiccator for 10 minutes, it was set in a thin film stress measuring device (manufactured by Tencol) "FLX-2320-S"), and the amount of warpage of the laminate was measured under a nitrogen atmosphere at 25 ° C. The stress generated between the glass substrate and the polyimide film at 25 ° C. was calculated from the value of the amount of warpage.

<ポリイミド膜の光透過率およびYI>
日本分光製紫外可視近赤外分光光度計(V-650)を用いて、ポリイミド膜の200~800nmにおける光透過率を測定した。透過率をXYZ表色系で表し、JIS K7373に記載の方法によってYIを算出した。
<Light transmittance and YI of polyimide film>
The light transmittance of the polyimide film at 200 to 800 nm was measured using an ultraviolet-visible-near-infrared spectrophotometer (V-650) manufactured by JASCO Corporation. The transmittance was represented by the XYZ color system, and YI was calculated by the method described in JIS K7373.

<ポリイミド膜のヘイズ>
日本電色工業製積分球式ヘイズメーター300Aを用い、JIS K7105-1981記載の方法により測定した。
<Haze of polyimide film>
It was measured by the method described in JIS K7105-1981 using an integrating sphere type haze meter 300A manufactured by Nippon Denshoku Kogyo.

<ポリイミドの複屈折>
シンテック社製位相差計:OPTIPROにて、測定波長550nmにおける厚み方向位相差(Rth)の値を測定した。
<Double refraction of polyimide>
A phase difference meter manufactured by Shintec Co., Ltd .: The value of the thickness direction phase difference (Rth) at a measurement wavelength of 550 nm was measured by OPTIPRO.

<ポリイミド膜のガラス転移温度(Tg)>
Tgの測定は、日立ハイテクサイエンス社製TMA/SS7100を用いて(サンプルサイズ 幅3mm、長さ10mm、膜厚を測定し、フィルムの断面積を算出)、荷重98.0mNとし、10℃/minで10℃から450℃まで昇温させた。昇温過程における試料の歪の変化量の変曲点をガラス転移温度とした。
<Glass transition temperature (Tg) of polyimide film>
Tg was measured using TMA / SS7100 manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd. (sample size width 3 mm, length 10 mm, film thickness measured, film cross-sectional area calculated), load 98.0 mN, and 10 ° C / min. The temperature was raised from 10 ° C to 450 ° C. The inflection point of the amount of change in the strain of the sample in the temperature raising process was defined as the glass transition temperature.

<ポリイミド膜の熱膨張係数(CTE)>
線熱膨張係数の測定は、日立ハイテクサイエンス社製TMA/SS7100を用いて(サンプルサイズ 幅3mm、長さ10mm、膜厚を測定し、フィルムの断面積を算出)、荷重29.4mNとし、10℃/minで10℃から400℃まで一旦昇温させた後、40℃/minで降温させたときの、降温時の100~350℃における単位温度あたりの試料の歪の変化量から線膨張係数を求めた。
<The coefficient of thermal expansion (CTE) of the polyimide film>
The coefficient of linear thermal expansion was measured using TMA / SS7100 manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd. (sample size width 3 mm, length 10 mm, film thickness measured, film cross-sectional area calculated), load 29.4 mN, 10 The coefficient of linear expansion is based on the amount of change in the strain of the sample per unit temperature at 100 to 350 ° C. when the temperature is once raised from 10 ° C to 400 ° C at ° C / min and then lowered at 40 ° C / min. Asked.

[ポリアミド酸の合成]
下記の製造例1~4により、ポリアミド酸溶液1~4を得た。各製造例において用いた試薬の略称は以下の通りである。
NMP:1-メチル-2-ピロリドン
BPDA:3,3'-4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPAF:9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物
TFMB:2,2-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン
[Synthesis of polyamic acid]
Polyamic acid solutions 1 to 4 were obtained according to the following Production Examples 1 to 4. The abbreviations of the reagents used in each production example are as follows.
NMP: 1-methyl-2-pyrrolidone BPDA: 3,3'-4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride PMDA: pyromellitic acid dianhydride BPAF: 9,9'-(3,4'-di) Carboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride TFMB: 2,2-bis (trifluoromethyl) benzidine

(実施例1)
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機および窒素導入管を装着した1Lのガラス製セパラブルフラスコに、N-メチル-2-ピロリドン(以下、NMPと称する)425.00g、およびTFMB39.0gを仕込み、撹拌して溶解させた後、溶液を撹拌しながら、BPDA13.6g、PMDA11.2g、およびBPAF11.2gを順に加えて24時間撹拌し、ポリアミド酸溶液を得た。この反応溶液におけるジアミン成分およびテトラカルボン酸二無水物成分の仕込み濃度は、反応溶液全量に対して15.0重量%であった。
(Example 1)
425.00 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) and 39.0 g of TFMB were charged in a 1 L glass separable flask equipped with a stirrer equipped with a stainless stir bar and a nitrogen introduction tube. After stirring and dissolving, while stirring the solution, 13.6 g of BPDA, 11.2 g of PMDA, and 11.2 g of BPAF were added in this order and stirred for 24 hours to obtain a polyamic acid solution. The concentration of the diamine component and the tetracarboxylic acid dianhydride component in this reaction solution was 15.0% by weight based on the total amount of the reaction solution.

(実施例2)
ジアミンの仕込み量をTFMB38.9gに変更し、酸二無水物の仕込み量をBPDA14.4g、PMDA10.6g、およびBPAF11.1gに変更して、実施例1と同様にして重合を行い、ポリアミド酸溶液を得た。
(Example 2)
The amount of diamine charged was changed to 38.9 g of TFMB, and the amount of acid dianhydride charged was changed to 14.4 g of BPDA, 10.6 g of PMDA, and 11.1 g of BPAF. A solution was obtained.

(実施例3)
ジアミンの仕込み量をTFMB38.0gに変更し、酸二無水物の仕込み量をBPDA20.9g、PMDA5.2g、およびBPAF10.9gに変更して、実施例1と同様にして重合を行い、ポリアミド酸溶液を得た。
(Example 3)
The amount of diamine charged was changed to 38.0 g of TFMB, the amount of acid dianhydride charged was changed to 20.9 g of BPDA, 5.2 g of PMDA, and 10.9 g of BPAF, and polymerization was carried out in the same manner as in Example 1 to carry out polymerization and polyamic acid. A solution was obtained.

(実施例4)
ジアミンの仕込み量をTFMB39.9gに変更し、酸二無水物の仕込み量をBPDA7.4g、PMDA16.3g、およびBPAF11.4gに変更して、実施例1と同様にして重合を行い、ポリアミド酸溶液を得た。
(Example 4)
The amount of diamine charged was changed to 39.9 g of TFMB, and the amount of acid dianhydride charged was changed to 7.4 g of BPDA, 16.3 g of PMDA, and 11.4 g of BPAF. A solution was obtained.

(比較例1)
ジアミンの仕込み量をTFMB37.1gに変更し、酸二無水物の仕込み量をBPDA27.3gおよびBPAF10.6gに変更して、実施例1と同様にして重合を行い、ポリアミド酸溶液を得た。
(Comparative Example 1)
The amount of diamine charged was changed to 37.1 g of TFMB, the amount of acid dianhydride charged was changed to 27.3 g of BPDA and 10.6 g of BPAF, and polymerization was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a polyamic acid solution.

(比較例2)
ジアミンの仕込み量をTFMB41.0gに変更し、酸二無水物の仕込み量をPMDA22.3gおよびBPAF11.7gに変更して、実施例1と同様にして重合を行い、ポリアミド酸溶液を得た。
(Comparative Example 2)
The amount of diamine charged was changed to 41.0 g of TFMB, the amount of acid dianhydride charged was changed to 22.3 g of PMDA and 11.7 g of BPAF, and polymerization was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a polyamic acid solution.

[ポリイミド膜の作製]
上記の実施例および比較例で得られたポリアミド酸溶液のそれぞれに、NMPを加えてポリアミド酸濃度が10.0重量%となるように希釈した。スピンコーターを用いて、150mm×150mmの正方形の無アルカリガラス板(コーニング製 イーグルXG、厚さ0.7mm)上に、乾燥後の厚みが10μmになるようにポリアミド酸溶液を塗布し、熱風オーブン内で80℃にて30分乾燥してポリアミド酸膜を形成した。窒素雰囲気下で20℃から350℃まで5℃/分で昇温した後、350℃で30分間保持し、さらに420℃まで5℃/分で昇温した後、420℃で30分間加熱してイミド化を行い、厚みが10μmのポリイミド膜とガラスとの積層体を得た。得られた積層体のガラス基材からポリイミド膜を剥離して、特性の評価を行った。
[Preparation of polyimide film]
NMP was added to each of the polyamic acid solutions obtained in the above Examples and Comparative Examples to dilute the polyamic acid concentration to 10.0% by weight. Using a spin coater, apply a polyamic acid solution on a 150 mm x 150 mm square non-alkali glass plate (Corning Eagle XG, thickness 0.7 mm) so that the thickness after drying is 10 μm, and use a hot air oven. It was dried at 80 ° C. for 30 minutes to form a polyamic acid film. After raising the temperature from 20 ° C to 350 ° C at 5 ° C / min under a nitrogen atmosphere, the temperature is maintained at 350 ° C for 30 minutes, the temperature is further raised to 420 ° C at 5 ° C / min, and then the temperature is heated at 420 ° C for 30 minutes. Imidization was performed to obtain a laminate of a polyimide film having a thickness of 10 μm and glass. The polyimide film was peeled off from the glass substrate of the obtained laminate, and the characteristics were evaluated.

Figure 2022068709000001
Figure 2022068709000001

テトラカルボン酸二無水物成分としてPMDAを含まない比較例1のポリイミド膜は、ガラス転移温度が低く、CTEが大きく熱寸法安定性が劣っていた。 The polyimide film of Comparative Example 1 containing no PMDA as a tetracarboxylic acid dianhydride component had a low glass transition temperature, a large CTE, and poor thermal dimensional stability.

テトラカルボン酸二無水物成分としてBPDAを含まない比較例2のポリイミド膜は、YIが高く透明性が劣っており、Rthが大きく劣っていた。 The polyimide film of Comparative Example 2 containing no BPDA as a tetracarboxylic acid dianhydride component had a high YI and was inferior in transparency, and was significantly inferior in Rth.

実施例1、実施例3および実施例4では、テトラカルボン酸二無水物のPMDAの比率が高いほど、Rthが大きくなる傾向がみられた。一方、PMDAを含まない比較例1では、実施例1、3に比べてCTEの大幅な増加およびTgの低下がみられた。これらの結果から、テトラカルボン酸二無水物として、BPDAとPMDAに加えて、BPAFを含めることにより、ポリマーの分子内および/または分子間の相互作用に変化が生じ、高透明性および熱寸法安定性を発揮すると考えられる。 In Examples 1, 3 and 4, the higher the proportion of PMDA of the tetracarboxylic acid dianhydride, the higher the Rth tended to be. On the other hand, in Comparative Example 1 containing no PMDA, a significant increase in CTE and a decrease in Tg were observed as compared with Examples 1 and 3. From these results, the inclusion of BPAF in addition to BPDA and PMDA as a tetracarboxylic acid dianhydride causes changes in the intramolecular and / or intramolecular interactions of the polymer, resulting in high transparency and thermal dimensional stability. It is thought that it exerts its sexuality.

Claims (14)

ジアミンとテトラカルボン酸二無水物の重付加反応物であるポリアミド酸であって、
前記ジアミンが、2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジンを含み、
前記テトラカルボン酸二無水物が、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、および9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物を含み、
テトラカルボン酸無水物全量に対する9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物の量が10mol%以上98mol%以下である、ポリアミド酸。
Polyamic acid, which is a double addition reaction product of diamine and tetracarboxylic acid dianhydride.
The diamine contains 2,2'-bistrifluoromethylbenzidine.
The tetracarboxylic acid dianhydride contains 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, and 9,9'-(3,4'-dicarboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride. ,
A polyamic acid in which the amount of 9,9'-(3,4'-dicarboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride is 10 mol% or more and 98 mol% or less with respect to the total amount of tetracarboxylic acid anhydride.
前記テトラカルボン酸無水物は、さらにピロメリット酸無水物を含み、
テトラカルボン酸無水物全量に対するピロメリット酸無水物の量が1mol%以上80mol%以下である、請求項1に記載のポリアミド酸。
The tetracarboxylic acid anhydride further contains pyromellitic acid anhydride and contains.
The polyamic acid according to claim 1, wherein the amount of pyromellitic acid anhydride is 1 mol% or more and 80 mol% or less with respect to the total amount of tetracarboxylic acid anhydride.
請求項1または2に記載のポリアミド酸と有機溶媒とを含有する、ポリアミド酸溶液。 A polyamic acid solution containing the polyamic acid according to claim 1 or 2 and an organic solvent. ジアミンとテトラカルボン酸二無水物の重縮合反応物であるポリイミドであって、
前記ジアミンが、2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジンを含み、
前記テトラカルボン酸二無水物が、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、および9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物を含み、
テトラカルボン酸無水物全量に対する9,9’-(3,4’-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物の量が10mol%以上98mol%以下である、ポリイミド。
Polyimide, which is a polycondensation reaction product of diamine and tetracarboxylic acid dianhydride.
The diamine contains 2,2'-bistrifluoromethylbenzidine.
The tetracarboxylic acid dianhydride contains 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, and 9,9'-(3,4'-dicarboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride. ,
A polyimide in which the amount of 9,9'-(3,4'-dicarboxyphenyl) fluorenic acid dianhydride is 10 mol% or more and 98 mol% or less with respect to the total amount of tetracarboxylic acid anhydride.
前記テトラカルボン酸無水物は、さらにピロメリット酸無水物を含み、
テトラカルボン酸無水物全量に対するピロメリット酸無水物の量が1mol%以上80mol%以下である、請求項4に記載のポリイミド。
The tetracarboxylic acid anhydride further contains pyromellitic acid anhydride and contains.
The polyimide according to claim 4, wherein the amount of pyromellitic acid anhydride is 1 mol% or more and 80 mol% or less with respect to the total amount of tetracarboxylic acid anhydride.
請求項4または5に記載のポリイミドを含むポリイミド膜。 A polyimide film containing the polyimide according to claim 4 or 5. ガラス転移温度が350℃以上であり、100~350℃における昇温時熱膨張係数が100ppm/K以下である、請求項6に記載のポリイミド膜。 The polyimide film according to claim 6, wherein the glass transition temperature is 350 ° C. or higher, and the coefficient of thermal expansion at temperature rise of 100 to 350 ° C. is 100 ppm / K or lower. 波長450nmの光透過率が75%以上であり、ヘイズが1.2%以下である、請求項6または7に記載のポリイミド膜。 The polyimide film according to claim 6 or 7, wherein the light transmittance at a wavelength of 450 nm is 75% or more and the haze is 1.2% or less. 基材上に請求項6~8のいずれか1項に記載のポリイミド膜が設けられた積層体。 A laminate in which the polyimide film according to any one of claims 6 to 8 is provided on a substrate. 請求項6~9のいずれか1項に記載のポリイミド膜上に電子素子を備えるフレキシブルデバイス。 A flexible device including an electronic element on the polyimide film according to any one of claims 6 to 9. 請求項3に記載のポリアミド酸溶液を基材に塗布して、基材上に膜状のポリアミド酸が設けられた積層体を形成し、前記積層体を加熱してポリアミド酸をイミド化するポリイミド膜の製造方法。 A polyimide in which the polyamic acid solution according to claim 3 is applied to a substrate to form a laminate in which a film-shaped polyamic acid is provided on the substrate, and the laminate is heated to imidize the polyamic acid. Method of manufacturing the membrane. 前記積層体を、加熱最高温度として、380℃以上500℃以下の温度範囲で、5分以上60分以下加熱することを特徴とする請求項11に記載のポリイミド膜の製造方法。 The method for producing a polyimide film according to claim 11, wherein the laminate is heated for 5 minutes or more and 60 minutes or less in a temperature range of 380 ° C. or higher and 500 ° C. or lower as the maximum heating temperature. 請求項11または12に記載の製造方法によりポリイミド膜を形成し、前記基材と前記ポリイミド膜を剥離することを特徴とするポリイミド膜の製造方法。 A method for producing a polyimide film, which comprises forming a polyimide film by the production method according to claim 11 or 12 and peeling the base material from the polyimide film. レーザー照射により、前記基材とポリイミド膜との剥離が行われる、請求項13に記載のポリイミド膜の製造方法。 The method for producing a polyimide film according to claim 13, wherein the substrate and the polyimide film are peeled off by laser irradiation.
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