JP2022057708A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】順方向電圧の上昇を抑制しつつ、より高い輝度を備えた発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、第１面と第１面の反対側に位置する第２面とを有するｎ側半導体層１８１、ｎ側半導体層の第１面に設けられたｐ側半導体層、及びｎ側半導体層とｐ側半導体層の間に位置する活性層とを含み、ｎ側半導体層の第１面は第１領域１１と第１領域の周囲に位置する第２領域１２とを有する半導体積層体と、第２面の側で第１面の第１領域と重なる位置に配置される透光部材４１と、第１面の第１領域と導通する複数の第１導通部１３１と第１面の第２領域と導通する複数の第２導通部１３２とを有するｎ電極と、ｐ側半導体層と導通するｐ電極と、を備え、透光部材は、上面視において、ｎ側半導体層の外形よりも小さく、第１導通部の総面積は、第２導通部の総面積よりも大きく、隣り合う第１導通部の間の間隔Ｇ１は隣り合う第２導通部の間の間隔Ｇ２よりも小さい。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。

レーザダイオードや発光ダイオード等の発光素子は、各種の光源、照明、信号機、大型ディスプレイなどに幅広く利用されている。近年では高出力化が進み、車両用のヘッドライトへも適用されている。半導体発光素子と蛍光体を組み合わせることで、白色光や、発光素子の発光波長と異なる色の光を取り出すことができる。このような発光装置には高い輝度が求められる。

発光素子の半導体層を、透明樹脂に蛍光体を分散させた蛍光体層で覆う構成が知られている（たとえば、特許文献１参照）。この構成では、半導体層と、半導体層の外周または側面に位置する絶縁層とが、蛍光体層で覆われており、半導体層からの光が蛍光体層を介して取り出される。

特開２０１６－１７５０号公報

車両用ヘッドライトなど、高い輝度が求められる発光装置では、低い順方向電圧を維持しつつ高い輝度を得ることを達成することがひとつの課題である。

本発明のひとつの側面では、順方向電圧の上昇を抑制しつつ、より高い輝度を備えた発光装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様では、発光装置は、
第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有するｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の前記第１面に設けられたｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記ｐ側半導体層の間に位置する活性層とを含み、前記ｎ側半導体層の前記第１面は第１領域と前記第１領域の周囲に位置する第２領域とを有する半導体積層体と、
前記第２面の側で、前記第１面の前記第１領域と重なる位置に配置される透光部材と、
前記第１面の前記第１領域と導通する複数の第１導通部と、前記第１面の前記第２領域と導通する複数の第２導通部とを有するｎ電極と、
前記ｐ側半導体層と導通するｐ電極と、
前記透光部材の側面と、前記第２面のうち前記第１面の前記第２領域と重なる領域と、を覆う光反射部材と、
を備え、
前記透光部材は、上面視において、前記ｎ側半導体層の外形よりも小さく、
前記第１導通部の総面積は、前記第２導通部の総面積よりも大きく、
隣り合う前記第１導通部の間の間隔は、隣り合う前記第２導通部の間の間隔よりも小さい。

上記の構成により、順方向電圧の上昇を抑制しつつ、より高い輝度を備えた発光装置が実現される。

実施形態の発光装置の平面模式図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面模式図である。 第１導通部と第２導通部の別の配置例を示す模式図である。 参考例１のサンプルを示す上面図である。 実施例１のサンプルを示す上面図である。 実施例２のサンプルを示す上面図である。 参考例２のサンプルを示す上面図である。 参考例３のサンプルを示す上面図である。 参考例４のサンプルを示す上面図である。 参考例５のサンプルを示す上面図である。 第１導通部と第２導通部の総面積比と、参考例１に対する各サンプルの輝度比の関係を示す図である。 第１導通部と第２導通部の総面積比と順方向電圧Ｖｆの関係を示す図である。

図１は、実施形態の発光装置１０の平面模式図、図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面模式図である。図１は、発光装置１０の光取り出し面側から上面視した図である。図２の断面図では、光取り出し面側が上になっている。

図２に示すように、発光装置１０は、支持基板２１の上に設けられた半導体積層体１８を有する。半導体積層体１８は、ｎ側半導体層１８１と、ｐ側半導体層１８３と、ｎ側半導体層１８１とｐ側半導体層１８３の間に位置する活性層１８２とを含む。ｎ側半導体層１８１は、第１面１８１ａと第２面１８１ｂを有する。第２面１８１ｂは、第１面１８１ａの反対側に位置する。第２面１８１ｂは、活性層１８２からの光が主に取り出される光取出し面である。活性層１８２からの光の発光ピーク波長は、例えば、３６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。

図１に示すように、ｎ側半導体層１８１の第１面１８１ａは、第１領域１１と、第１領域１１の周囲に位置する第２領域１２とを有する。第１領域１１は、上面視で第２領域１２の内側に位置する。ｎ電極１３は、第１面１８１ａの第１領域１１と導通する複数の第１導通部１３１と、第１面１８１ａの第２領域１２と導通する複数の第２導通部１３２とを有する。ｎ電極１３は、第１導通部１３１及び第２導通部１３２において、ｎ側半導体層１８１と電気的に接続されている。

ｎ側半導体層１８１の上面視形状は、たとえば、矩形状である。ｎ側半導体層１８１の上面視形状が矩形状である場合、一辺の長さは、たとえば、１００μｍ以上２０００μｍ以下、好ましくは５００μｍ以上２０００μｍ以下、さらに好ましくは８００μｍ以上１５００μｍ以下とすることができる。なお、ｎ側半導体層１８１の第１面１８１ａに設けられる導通部のうち、すべての領域が第１領域１１内に位置せず、第１領域１１と第２領域１２にわたって設けられる導通部は、第１導通部１３１とする。

ｎ電極１３は、第１絶縁層３２によってｐ電極１７と電気的に絶縁されている。第１絶縁層３２は、ｎ電極１３とｐ電極１７との間に設けられている。ｎ電極１３は、第１導電層２３及び第２導電層２４と電気的に接続されている。支持基板２１は導電性を有し、支持基板２１の下面に設けた電極２２から、支持基板２１、第１導電層２３、及び第２導電層２４を介して、ｎ電極１３に電圧が印加される。支持基板２１には、例えば、導電性を有するＳｉ基板を用いることができる。第１導電層２３には、例えば、Ａｌ等を含む金属材料を用いることができる。第２導電層２４には、例えば、ＮｉＳｎやＡｕＳｎ等のはんだ材料を用いることができる。なお、第１導電層２３を設けず、第２導電層２４のみを設けてもよい。

図１に示すように、上面視において、第２領域１２の外側に、ｐ側パッド電極１６が配置されている。図２に示すように、ｐ側パッド電極１６は、ｐ電極１７、及びｐコンタクト電極１５を介して、ｐ側半導体層１８３と電気的に接続されている。ｐコンタクト電極１５は、第１絶縁層３２、及び第３絶縁層３４によって、ｎ電極１３と電気的に絶縁されている。ｐ側パッド電極１６には導電性を有するワイヤ１６１が設けられ、ワイヤ１６１を介してｐ電極１７に電圧が印加される。

ｎ側半導体層１８１の第２面１８１ｂは、凹凸形状を有することが好ましい。ｎ側半導体層１８１の第２面１８１ｂに凹凸形状を設けることで、活性層１８２からの光がｎ側半導体層１８１の第２面１８１ｂから取り出されやすくなり、発光装置１０の光取り出し効率を向上させることができるため、より高い輝度を得ることができる。第２面１８１ｂの凹凸形状と半導体積層体１８の側面は、第２絶縁層３３で覆われている。

ｎ側半導体層１８１の第２面１８１ｂの側で、第１領域１１と重なる位置に透光部材４１が配置されている。透光部材４１の上面視における形状は、たとえば、矩形状である。透光部材４１が矩形状である場合、透光部材４１の各辺は、ｎ側半導体層１８１の外形の辺に沿っていてもよい。透光部材４１は、接着層４２によって、第１領域１１に重なる位置で第２絶縁層３３に接合されていてもよい。

接着層４２は、光取り出し効率を向上させる観点から、活性層１８２からの光の発光ピーク波長に対して高い透光性を有することが好ましい。ここで、高い透光性とは、活性層１８２からの光の発光ピーク波長に対して、７０％以上、好ましくは８０％以上の透光性を有することを意味する。また、上面視において、接着層４２は、透光部材４１の外形よりも大きい外形を有し、透光部材４１の外側に位置し、透光部材４１の下面に対して傾斜する側面を有することが好ましい。これにより、第２領域１２で生じた光を接着層４２の側面により透光部材４１に向かって反射させやすくできるので、さらに光取り出し効率を向上させることができる。

図２に示すように、接着層４２は第１領域１１と第２領域１２とに連続して設けられている。第２領域１２に設けられた接着層４２の下方には、第２導通部１３２を設けず活性層１８２を含む半導体積層体１８を配置させることが好ましい。これにより、第２領域１２で生成された光を接着層４２により透光部材４１に向かって反射させやすくできるので、さらに光取り出し効率を向上させることができる。

透光部材４１は、ｎ側半導体層１８１から入射した光に対して透光性を有することのできる任意の素材で形成されている。透光部材４１は、たとえば、樹脂、ガラス、セラミックス等により形成することができる。樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、これらの混合物等を用いることができる。セラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン等を用いることができる。透光部材４１には、活性層１８２からの光の一部により励起され、活性層１８２からの光の発光ピーク波長とは異なる発光ピーク波長を発する蛍光体を含有させてもよい。

蛍光体を含有する透光部材４１としては、たとえば、樹脂又はガラスに蛍光体を含有させたもの、蛍光体を含むセラミックス等を用いることができる。蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、βサイアロン系蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体等を用いることができる。透光部材４１には、光散乱性の粒子を含有させてもよい。光散乱性の粒子として、たとえば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム等を用いることができる。

たとえば、半導体積層体１８の活性層１８２が青色光を発する場合、透光部材４１に青色光の一部により励起され黄色光を発する蛍光体を含有させることで、発光装置１０から白色光を取り出すことができる。

光反射部材４３は、上面視において、第２領域１２に重なる位置に設けられている。光反射部材４３は、透光部材４１の側面と、第２面１８１ｂのうちｎ側半導体層１８１の第２領域１２に重なる領域とを覆って設けられている。光反射部材４３は、接着層４２の表面も覆って設けられている。光反射部材４３は、半導体積層体１８から取り出される光の発光ピーク波長に対して高い反射率を有する任意の材料で形成されている。ここで、半導体積層体１８から取り出される光の発光ピーク波長に対して高い反射率を有するとは、半導体積層体１８から取り出される光の発光ピーク波長に対して７０％以上、好ましくは８０％以上の反射率を有することを意味する。透光部材４１の側面と、第２面１８１ｂのうち第２領域１２に重なる領域とを光反射部材４３で覆うことで、半導体積層体１８からの光を透光部材４１に集中させ、透光部材４１から効率的に光を出射させることができる。

光反射部材４３は、たとえば、樹脂を母材として、母材中に光反射性の粒子を含有させた材料で形成される。樹脂及び光散乱性の粒子には、上述した透光部材４１と同様のものを用いることができる。

図１に示すように、第１領域１１と重なる位置に配置される透光部材４１は、上面視において、ｎ側半導体層１８１の外形よりも小さい。ｎ側半導体層１８１の第１領域１１上に透光部材４１を配置したとき、ｎ側半導体層１８１の第２領域１２は、透光部材４１に覆われていない領域である。上述したように、透光部材４１の外形をｎ側半導体層１８１の外形よりも小さくすることで、光が取り出される面積を小さくし発光装置１０の輝度を高くすることができる。

ここで、たとえば、透光部材４１の外形をｎ側半導体層１８１の外形よりも小さくすることで輝度を高くすることはできるが、第２領域１２で生成された光が取り出されにくくなり光取り出し効率を低下させてしまう。一方で、第２領域１２での光のロスを低減するために、第２領域１２の外形の大きさを第１領域１１の外形の大きさに近づけていくと、第２導通部１３２の面積が小さくなり、順方向電圧Ｖｆが上昇する。

実施形態では、第１領域１１で隣り合う第１導通部１３１の間の間隔Ｇ１を、第２領域１２で隣り合う第２導通部１３２の間の間隔Ｇ２よりも小さくしている。これにより、第２領域１２で生成された光のロスを抑制しつつ、第１領域１１における発光強度を第２領域１２よりも高くすることができるので、活性層１８２からの光を透光部材４１から効率的に取り出すことができる。ここで、隣り合う第１導通部１３１の間の間隔Ｇ１とは、隣り合う第１導通部１３１の間の最短距離である。また隣り合う第２導通部１３２の間の間隔Ｇ２とは、隣り合う第２導通部１３２の間の最短距離である。

図１に示すように、上面視において、第２領域１２に設けられる第２導通部１３２は、透光部材４１の外周部と一定の距離ｄだけ離れている。具体的には、上面視において、第２導通部１３２と透光部材４１の外周部との間の距離ｄは、８０μｍ以上１２０μｍ以下であることが望ましい。距離ｄが８０μｍ以上であると、発光分布を維持しつつ光取り出し効率を向上させることができる。距離ｄが１２０μｍ以下であると、第２導通部１３２の総面積を大きく確保しやすく、順方向電圧Ｖｆが上昇を抑制することができる。

第１導通部１３１の総面積は、第２導通部１３２の総面積よりも大きい。第１導通部１３１の総面積を第２導通部１３２の総面積よりも大きくすることで、高い輝度を維持しつつ、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。第２導通部１３２の総面積を大きくすることで、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制する効果を得ることはできるが、第２領域１２における活性層１８２の面積が減少するため輝度を低下させてしまう。そのため、第２導通部１３２の総面積は、第２領域１２の総面積に対して、例えば、５％以上１０％以下とすることが好ましい。なお、第２導通部１３２の総面積が第１導通部１３１の総面積よりも大きくならない範囲内であれば、第２導通部１３２の形状、大きさ、配置などを適切に設計可能である。

上面視で、１つの第２導通部１３２の面積は、１つの第１導通部１３１の面積よりも大きくすることが好ましい。１つの第１導通部１３１の面積を１つの第２導通部１３２の面積よりも小さくすることで、第１領域１１内に高い密度で第１導通部１３１を配置させやすくなり、第１領域１１における発光分布をより均一に近づけることができる。また、第２領域１２における第２導通部１３２の総面積を大きくしやすいため、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制する効果を比較的容易に得ることができる。第２領域１２には、第１領域１１に設けられる１つの第１導通部１３１の面積よりも大きい面積を有する第２導通部１３２が設けられる。

上面視で、１つの第１導通部１３１の面積を１つの第２導通部１３２の面積よりも小さくしつつ、第１導通部１３１の数を、第２導通部１３２の数よりも多くすることが好ましい。これにより、高い輝度を維持しつつ順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。

図１の第２導通部１３２の配置例では、第２導通部１３２は、ｎ側半導体層１８１の角部の近傍に設けられておらず、第２領域１２におけるｎ側半導体層１８１の隣り合う角部と角部の間に位置している。

図３は、第１導通部１３１と第２導通部１３２の別の配置例を示す模式図である。図１と同様に、ｎ側半導体層１８１の第１面１８１ａのうち、透光部材４１が配置される第１領域１１に複数の第１導通部１３１が配置され、第１領域１１の周囲の第２領域１２に複数の第２導通部１３２が配置されている。第２導通部１３２は、上面視でｎ側半導体層１８１の各角部にそれぞれ配置されている。

図１の配置例では、第１領域１１に第１導通部１３１が互い違いに千鳥状に配置されているが、図３の配置例では、第１導通部１３１は格子状に配置されている。第１導通部１３１の間隔Ｇ１が、第２導通部１３２の間隔Ｇ２よりも小さいという条件が満たされるなら、第１導通部１３１の配置と、第２導通部１３２の配置に特に制限はない。

上面視で、第１導通部１３１の総面積は、第２導通部１３２の総面積よりも大きいことがさらに望ましい。この条件が満たされるならば、第２導通部１３２を、ｎ側半導体層１８１の角部と、及び、隣接する角部の間の双方に配置してもよい。この場合も、第１領域１１の外周から第２導通部１３２までの距離ｄを、８０μｍ以上１２０μｍ以下とすることで、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しつつ、第２領域１２における光のロスを抑制して高い輝度を維持することができる。

＜特性の評価＞
発光装置１０の輝度を高く維持しつつ、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制するには、第１領域１１に配置される第１導通部１３１と、第２領域１２に配置される第２導通部１３２の配置関係が重要である。そこで、第１導通部１３１と第２導通部１３２の配置を異ならせた複数の発光装置をサンプルとして作製し、実施例におけるサンプルと、参考例におけるサンプルとの輝度及び順方向電圧Ｖｆを比較する評価を行った。

図４Ａ～図４Ｇは、実施例１、実施例２、及び参考例１～５のサンプルの上面図を示している。それぞれのサンプルにおいて、主に第１導通部１３１と第２導通部１３２の配置が変更されており、それ以外の各構成要素については上述した実施形態と同じである。図４Ａ～図４Ｇにおいて、第１領域１１内で円で示す各領域が第１導通部１３１であり、第２領域１２内で斜線のハッチングを付した領域が第２導通部１３２である。

図４Ａは、参考例１におけるサンプルの上面図である。参考例１では、第１領域１１及び第２領域１２を含むｎ側半導体層１８１の第１面１８１ａの全面にわたって、同じ面積の複数の導通部がマトリクス状に配置されている。複数の導通部は、等間隔に配置され、上面視形状はそれぞれ円形状である。この参考例１で測定された輝度の値を１００％とし、後述する実施例及び参考例の輝度を評価する。

図４Ｂは、実施例１におけるサンプルａの上面図である。第１領域１１に、複数の第１導通部１３１が配置されている。第１導通部１３１の配置は、参考例１の第１領域１１と同じ配置である。第２導通部１３２は、上面視でｎ側半導体層１８１の隣り合う角部と角部の間の中央付近に配置されている。１つの第２導通部１３２の面積は、１つの第１導通部１３１の面積よりも大きい。第１導通部１３１の総面積は、第２導通部１３２の総面積よりも大きい。

図４Ｃは、実施例２におけるサンプルｂの上面図である。第１領域１１に、複数の第１導通部１３１が配置されている。第１導通部１３１の配置は、参考例１と同じ配置である。第２導通部１３２は、上面視でｎ側半導体層１８１の各角部に配置されている。１つの第２導通部１３２の面積は、１つの第１導通部１３１の面積より大きい。第１導通部１３１の総面積は、第２導通部１３２の総面積よりも大きい。

図４Ｄは、参考例２におけるサンプルｃの上面図である。第１領域１１における第１導通部１３１の密度は、参考例１よりも低くなっている。上面視における第２導通部１３２の配置及び面積は、実施例１と同じである。１つの第２導通部１３２の面積は、１つの第１導通部１３１の面積より大きい。第１導通部１３１の密度が参考例１よりも低くなったため、第１導通部１３１の総面積は第２導通部１３２の総面積よりも小さくなっている。

図４Ｅは、参考例３におけるサンプルｄの上面図である。第１領域１１における第１導通部１３１の密度は、参考例２と同様に、参考例１よりも低くなっている。上面視における第２導通部１３２の配置及び面積は、実施例２と同じである。第１導通部１３１の密度が参考例１よりも低くなったため、第１導通部１３１の総面積は、第２導通部１３２の総面積よりも小さくなっている。

図４Ｆは、参考例４におけるサンプルｅの上面図である。第１領域１１における第１導通部１３１の配置は、参考例１と同じである。第２導通部１３２は、上面視で、ｎ側半導体層１８１の各辺に沿って延伸して設けられている。１つの第２導通部１３２の面積は、実施例１における１つの第２導通部１３２の面積よりも大きい。第１導通部１３１の総面積は、第２導通部１３２の総面積よりも小さい。

図４Ｇは、参考例５におけるサンプルｆの上面図である。上面視における第１領域１１における第１導通部１３１の配置及び面積は、参考例１と同じである。１つの第２導通部１３２の面積は参考例４と同じであるが、参考例４と比較して、第１領域１１により近い位置に配置されている。具体的には、第１領域１１の外周から、８０μｍ未満の位置に、第２導通部１３２の一部が配置されている。第１導通部１３１の総面積は、第２導通部１３２の総面積よりも小さい。

図５は、サンプルａ～ｆで得られた輝度の参考例１の輝度に対する比率を示している。輝度は、単位立体角から放射される光束の観測点を通過する単位面積当たりの光束量で表される。縦軸は、各サンプルの参考例１の輝度に対する比率であり、参考例１で得られた輝度を１００％とする。横軸は、第２導通部１３２の総面積に対する第１導通部１３１の面積比である。図５において、符号を付した黒丸がそれぞれのサンプルにおける結果である。例えば、「ａ」を付した黒丸が実施例１におけるサンプルａの結果を示している。

サンプルａ～ｆの輝度比は、サンプルａが１０６．０％、サンプルｂが１０３．３％、サンプルｃが１１５．８％、サンプルｄが１０８．１％、サンプルｅが９９．９％、サンプルｆが９７．２％であった。これらの輝度比から、サンプルａ～ｄで１００％以上の輝度が得られており、参考例１よりも高い輝度が得られていることがわかる。サンプルａ～ｆは、いずれも、隣接する第１導通部１３１の間の間隔Ｇ１よりも、隣接する第２導通部１３２の間の間隔Ｇ２の方が大きくなっている。しかしながら、サンプルｅ、ｆは、１００％よりも低い輝度であった。サンプルｅ、ｆの総面積比は、サンプルａ～ｄの総面積比よりも低くなっている。サンプルｅ、ｆで輝度比がサンプルａ～ｄよりも低い結果となったのは、第２導通部１３２の面積を大きくし総面積比を低くした結果、第２領域１２における活性層の面積が減少したことが原因であると考えられる。

図６は、サンプルａ～ｆの順方向電圧Ｖｆを示している。横軸は、第２導通部１３２の総面積に対する第１導通部１３１の面積比である。参考例１の順方向電圧Ｖｆは、３．２０Ｖである。参考例１では、より多くの導通部が配置され、ｎ側半導体層１８１とのコンタクト面積が確保されたため、順方向電圧Ｖｆの上昇が抑制されていると考えられる。参考例１と同等の順方向電圧Ｖｆが得られているのは、サンプルａとサンプルｂのみである。サンプルｃとサンプルｄは、参考例１よりも順方向電圧Ｖｆが高くなっている。これは、第１導通部１３１の数、または総面積が少なく、ｎ側半導体層１８１とのコンタクト面積を十分に確保できていないためであると考えられる。また、サンプルｅとサンプルｆも、サンプルｃとサンプルｄほどではないが、順方向電圧Ｖｆが高くなっている。

図５をみると、サンプルａ～ｄにおいて、参考例１よりも高い輝度が得られている。しかし、図５及び図６に示す結果から、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しつつ、高い輝度が得られているサンプルは、サンプルａとサンプルｂであることがわかる。サンプルｃとサンプルｄは、参考例１よりも高い輝度が得られているものの、順方向電圧Ｖｆが参考例１よりも高くなっている。

図５及び図６の評価結果に基づくと、第２導通部１３２の総面積に対する第１導通部１３１の総面積の比率が１．００以上であること、換言すると、第１導通部１３１の総面積が、第２導通部１３２の総面積よりも大きいことが望ましいことがわかる。実施例に係るサンプルａまたはサンプルｂの構成とすることで、より高い輝度を得ることができ、かつ、ｎ側半導体層１８１とのコンタクト面積が確保されやすくできるため順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。

実施形態の発光装置１０は、車載光源、照明用光源、各種インジケータ用光源、ディスプレイ光源、バックライト用光源、センサ光源、信号機など、種々の光源に使用可能であり、高い光出力が求められる用途に特に有用である。

１０ 発光装置
１１ 第１領域
１２ 第２領域
１３ ｎ電極
１３１ 第１導通部
１３２ 第２導通部
１５ ｐコンタクト電極
１６ ｐ側パッド電極
１７ ｐ電極
１８ 半導体積層体
１８１ ｎ側半導体層
１８１ａ 第１面
１８１ｂ 第２面
１８２ 活性層
１８３ ｐ側半導体層
４１ 透光部材
４３ 光反射部材
ｄ 第２導通部と第１領域の外周との間の距離
Ｇ１ 第１導通部の間の間隔
Ｇ２ 第２導通部の間の間隔

Claims (7)

1. 第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有するｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の前記第１面に設けられたｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記ｐ側半導体層の間に位置する活性層とを含み、前記ｎ側半導体層の前記第１面は第１領域と前記第１領域の周囲に位置する第２領域とを有する半導体積層体と、
   前記第２面の側で、前記第１面の前記第１領域と重なる位置に配置される透光部材と、
   前記第１面の前記第１領域と導通する複数の第１導通部と、前記第１面の前記第２領域と導通する複数の第２導通部とを有するｎ電極と、
   前記ｐ側半導体層と導通するｐ電極と、
   前記透光部材の側面と、前記第２面のうち前記第１面の前記第２領域と重なる領域とを覆う光反射部材と、
   を備え、
   前記透光部材は、上面視において、前記ｎ側半導体層の外形よりも小さく、
   前記第１導通部の総面積は、前記第２導通部の総面積よりも大きく、
   隣り合う前記第１導通部の間の間隔は、隣り合う前記第２導通部の間の間隔よりも小さい、
   発光装置。
2. 前記第２導通部は、前記ｎ側半導体層の角部に位置する、
   請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２導通部は、前記ｎ側半導体層の隣り合う角部と角部の間に位置する、
   請求項１又は２に記載の発光装置。
4. １つの前記第２導通部の面積は、１つの前記第１導通部の面積よりも大きい、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記第１導通部の数は、前記第２導通部の数より多い請求項４に記載の発光装置。
6. 上面視において、前記第２導通部と前記透光部材の外周部との間の距離は、８０μｍ以上１２０μｍ以下である、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記ｎ側半導体層の前記第２面は凹凸形状を有する、
   請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。

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