JP2022055206A - Radiation sensitive composition, insulation film for display device, display device, manufacturing method of insulation film for display device, and polymer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、感放射線性組成物、表示装置用絶縁膜、表示装置、表示装置用絶縁膜の形成方法、及び重合体に関する。 The present invention relates to a radiation-sensitive composition, an insulating film for a display device, a display device, a method for forming an insulating film for a display device, and a polymer.
近年開発が進められている発光素子の一つとして、陽極層、有機発光層及び陰極層を含む積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子が知られている。有機EL素子を有する表示装置として、装置前面にタッチパネルが設けられたタッチパネル付き有機EL装置が知られている(特許文献1参照)。 As one of the light emitting devices being developed in recent years, an organic electroluminescence (EL) device having a laminated structure including an anode layer, an organic light emitting layer and a cathode layer is known. As a display device having an organic EL element, an organic EL device with a touch panel provided with a touch panel on the front surface of the device is known (see Patent Document 1).
タッチパネル付き有機EL装置は、例えば、タッチパネルを、粘着層又は接着層を介して、有機EL素子が形成された基板に貼り合わせて製造されている。タッチパネルは、通常、タッチパネル用支持基板上に、センサ電極等のタッチパネル部材を設けることにより製造される。 An organic EL device with a touch panel is manufactured by, for example, attaching a touch panel to a substrate on which an organic EL element is formed via an adhesive layer or an adhesive layer. A touch panel is usually manufactured by providing a touch panel member such as a sensor electrode on a touch panel support substrate.
上述のように、タッチパネルを、粘着層又は接着層を介して、有機EL素子が形成された基板に貼り合わせる場合、タッチパネル付き有機EL装置全体の厚さが大きくなる。厚さの大きい装置の場合、屈曲させたときに破損又は機能低下が生じやすくなる。また、各種表示装置においては、薄型化自体が望まれている。そこで、有機EL素子が形成された基板上に、直接、リソグラフィ、エッチング等の手法によりタッチパネルを設けることで、タッチパネル付き有機EL装置等の表示装置全体の厚さを小さくすることができると考えられる。
しかし、多官能(メタ)アクリレート等を硬化性成分として含む材料を用いた従来の手法では、タッチパネルを形成するための絶縁膜の硬化には100℃超、好ましくは120℃超の温度での加熱が必要である。有機EL素子が形成された基板上に絶縁層を形成する場合、100℃超、特に120℃超の加熱に伴って有機発光層の劣化を招くという不都合がある。
一方、絶縁膜を従来の材料を用いて120℃以下、特に100℃以下の加熱で形成した場合には、得られた絶縁膜が、配線形成のためのエッチング薬液や酸素アッシングに耐えられず、タッチパネル構造を作製することが困難となる傾向がある。タッチパネル付き有機EL装置用の絶縁膜に限らず、その他の表示装置用絶縁膜等各種用途において、比較的低温の加熱によっても十分なエッチング薬液耐性及び酸素アッシング耐性を有する硬化膜を得ることができる感放射線性組成物の開発が望まれている。
As described above, when the touch panel is attached to the substrate on which the organic EL element is formed via the adhesive layer or the adhesive layer, the thickness of the entire organic EL device with the touch panel becomes large. In the case of a device with a large thickness, breakage or functional deterioration is likely to occur when the device is bent. Further, in various display devices, thinning itself is desired. Therefore, it is considered that the thickness of the entire display device such as an organic EL device with a touch panel can be reduced by directly providing the touch panel on the substrate on which the organic EL element is formed by a method such as lithography or etching. ..
However, in the conventional method using a material containing polyfunctional (meth) acrylate or the like as a curable component, the insulating film for forming the touch panel is cured by heating at a temperature of more than 100 ° C, preferably more than 120 ° C. is required. When the insulating layer is formed on the substrate on which the organic EL element is formed, there is a disadvantage that the organic light emitting layer is deteriorated by heating above 100 ° C., particularly above 120 ° C.
On the other hand, when the insulating film is formed by heating at 120 ° C. or lower, particularly 100 ° C. or lower using a conventional material, the obtained insulating film cannot withstand the etching chemical solution for wiring formation and oxygen ashing. It tends to be difficult to fabricate the touch panel structure. Not only in the insulating film for organic EL devices with a touch panel, but also in various applications such as insulating films for other display devices, it is possible to obtain a cured film having sufficient etching chemical resistance and oxygen ashing resistance even by heating at a relatively low temperature. The development of a radiation-sensitive composition is desired.
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、本発明の感放射線性組成物は、十分なリソグラフィ性能を有し、比較的低温の加熱によっても、十分な硬度を有するとともに、ひび割れ等のクラックが容易に生じない硬化膜を形成することができ、加熱処理後に反りが生じにくい硬化膜を形成することができる。当該感放射線性組成物から形成された硬化膜を表示装置に用いた時にアウトガスの発生が少なく、アウトガス起因の不具合を低減することができることを課題とする。
上記感放射線性組成物を用いて得られる表示装置用絶縁膜及び表示装置、上記感放射線性組成物を用いた表示装置用絶縁膜の形成方法、並びに上記感放射線性組成物の成分として好適な重合体を提供することを課題とする。
The present invention has been made based on the above circumstances, and the radiation-sensitive composition of the present invention has sufficient lithography performance, and has sufficient hardness even when heated at a relatively low temperature. It is possible to form a cured film in which cracks such as cracks do not easily occur, and it is possible to form a cured film in which warpage does not easily occur after heat treatment. It is an object of the present invention that when a cured film formed from the radiation-sensitive composition is used in a display device, outgas is less generated and defects caused by outgas can be reduced.
Suitable as an insulating film for a display device and a display device obtained by using the radiation-sensitive composition, a method for forming an insulating film for a display device using the radiation-sensitive composition, and a component of the radiation-sensitive composition. An object of the present invention is to provide a polymer.
上記課題を解決するためになされた発明は、(A)下記式(1)で示される構造部位を有する重合体、または下記式(2)で示される構造部位を有する重合体から選ばれる少なくともいずれか一方の重合体、(B)感放射線性化合物を含む感放射線性組成物である。
(式(1)中、R1、R2は炭素数1から12の炭化水素基、R3はカルボキシル基、(メタ)アクリロイル基、酸無水物構造のいずれかを有する1価の有機基、R4は炭素数1から12のアルカンジイル基、フェニル基、または脂環式炭化水素を有する2価の有機基を示す。nは2から100の整数、a、bはそれぞれ、1から12の整数を示す。
式(2)中、R5、R6は炭素数1から12の炭化水素基、R7はカルボキシル基、(メタ)アクリロイル基、酸無水物構造のいずれかを有する1価の有機基、R8は炭素数1から12のアルカンジイル基、フェニル基、または脂環式炭化水素を有する2価の有機基を示す。mは2から100の整数、c、dはそれぞれ、1から12の整数を示す。)
The invention made to solve the above problems is at least one selected from (A) a polymer having a structural moiety represented by the following formula (1) or a polymer having a structural moiety represented by the following formula (2). It is a radiation-sensitive composition containing one of the polymers, (B) a radiation-sensitive compound.
(In the formula (1), R 1 and R 2 are hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, R 3 is a carboxyl group, a (meth) acryloyl group, and a monovalent organic group having any of an acid anhydride structure. R4 represents a divalent organic group having an alcandiyl group, a phenyl group, or an alicyclic hydrocarbon having 1 to 12 carbon atoms. N is an integer of 2 to 100, and a and b are 1 to 12, respectively. Indicates an integer.
In formula (2), R 5 and R 6 are hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, R 7 is a carboxyl group, a (meth) acryloyl group, and a monovalent organic group having any of an acid anhydride structure, R. Reference numeral 8 indicates a divalent organic group having an alcandiyl group, a phenyl group, or an alicyclic hydrocarbon having 1 to 12 carbon atoms. m is an integer from 2 to 100, and c and d are integers from 1 to 12, respectively. )
上記課題を解決するためになされた別の発明は、当該感放射線性組成物から形成されている表示装置用絶縁膜である。 Another invention made to solve the above problems is an insulating film for a display device formed from the radiation-sensitive composition.
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、当該表示装置用絶縁膜を有する表示装置である。 Yet another invention made to solve the above problems is a display device having an insulating film for the display device.
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、基板上に直接又は間接に塗膜を形成する工程、上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、上記塗膜を現像する工程、及び上記塗膜を加熱する工程をこの順に備え、上記塗膜を当該感放射線性組成物により形成する表示装置用絶縁膜の形成方法である。 Yet another invention made to solve the above problems is a step of directly or indirectly forming a coating film on a substrate, a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation, and a step of developing the coating film. This is a method for forming an insulating film for a display device, which comprises a step of heating the coating film in this order, and forms the coating film with the radiation-sensitive composition.
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、下記式(3)で示される構造部位を有する重合体である。
(式(3)中、Xは炭素数1から12のアルカンジイル基を示す。nは2から100の整数を示す。)
Yet another invention made to solve the above problems is a polymer having a structural moiety represented by the following formula (3).
(In formula (3), X represents an arcandyl group having 1 to 12 carbon atoms, and n represents an integer of 2 to 100.)
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、下記式(4)で示される構造部位を有する重合体である。
(式(4)中、Xは炭素数1から12のアルカンジイル基を示す。mは2から100の整数を示す。)
Yet another invention made to solve the above problems is a polymer having a structural moiety represented by the following formula (4).
(In formula (4), X represents an alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms. M represents an integer from 2 to 100.)
本発明の感放射線性組成物は、十分なリソグラフィ性能を有し、比較的低温の加熱によっても、十分な硬度を有するとともに、ひび割れ等のクラックが容易に生じない硬化膜を形成することができ、加熱処理後に反りが生じにくい硬化膜を形成することができる。当該感放射線性組成物から形成された硬化膜を表示装置に用いた時にアウトガスの発生が少なく、アウトガス起因の不具合を低減することができる。
上記感放射線性組成物を用いて得られる表示装置用絶縁膜及び表示装置、上記感放射線性組成物を用いた表示装置用絶縁膜の形成方法、並びに上記感放射線性組成物の成分として好適な重合体を提供することができる。
The radiation-sensitive composition of the present invention has sufficient lithography performance, has sufficient hardness even when heated at a relatively low temperature, and can form a cured film in which cracks such as cracks do not easily occur. It is possible to form a cured film that is less likely to warp after heat treatment. When the cured film formed from the radiation-sensitive composition is used in a display device, outgas is less generated, and defects caused by outgas can be reduced.
Suitable as an insulating film for a display device and a display device obtained by using the radiation-sensitive composition, a method for forming an insulating film for a display device using the radiation-sensitive composition, and a component of the radiation-sensitive composition. A polymer can be provided.
<感放射線性組成物>
本発明の一実施形態に係る感放射線性組成物は、(A)重合体、(B)感放射線性化合物を含む。当該感放射線性組成物は、(C)(メタ)アクリル化合物、エポキシ化合物の少なくともいずれか一方を含むことができる。各成分等について詳説する。
<Radiation-sensitive composition>
The radiation-sensitive composition according to one embodiment of the present invention contains (A) a polymer and (B) a radiation-sensitive compound. The radiation-sensitive composition may contain at least one of (C) (meth) acrylic compound and epoxy compound. Each component will be described in detail.
当該感放射線性組成物における(A)重合体は、、下記式(1)で示される構造部位を有する重合体、または下記式(2)で示される構造部位を有する重合体から選ばれる少なくともいずれか一方の重合体である。
The polymer (A) in the radiation-sensitive composition is at least one selected from a polymer having a structural moiety represented by the following formula (1) or a polymer having a structural moiety represented by the following formula (2). It is one of the polymers.
式(1)中、R1、R2は炭素数1から12の炭化水素基、R3はカルボキシル基、(メタ)アクリロイル基、酸無水物構造のいずれかを有する1価の有機基、R4は炭素数1から12のアルカンジイル基、フェニル基、または脂環式炭化水素を有する2価の有機基を示す。nは2から100の整数、a、bはそれぞれ、1から12の整数を示す。
式(2)中、R5、R6は炭素数1から12の炭化水素基、R7はカルボキシル基、(メタ)アクリロイル基、酸無水物構造のいずれかを有する1価の有機基、R8は炭素数1から12のアルカンジイル基、フェニル基、または脂環式炭化水素を有する2価の有機基を示す。mは2から100の整数、c、dはそれぞれ、1から12の整数を示す。
In formula (1), R 1 and R 2 are hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, R 3 is a carboxyl group, a (meth) acryloyl group, and a monovalent organic group having any of an acid anhydride structure, R. Reference numeral 4 indicates a divalent organic group having an alcandiyl group, a phenyl group, or an alicyclic hydrocarbon having 1 to 12 carbon atoms. n is an integer from 2 to 100, and a and b are integers from 1 to 12, respectively.
In formula (2), R 5 and R 6 are hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, R 7 is a carboxyl group, a (meth) acryloyl group, and a monovalent organic group having any of an acid anhydride structure, R. Reference numeral 8 indicates a divalent organic group having an alcandiyl group, a phenyl group, or an alicyclic hydrocarbon having 1 to 12 carbon atoms. m is an integer from 2 to 100, and c and d are integers from 1 to 12, respectively.
式(1)で示される構造部位を有する重合体の合成例を示す。
下記式(5)で示さるように、両末端アミノ変性のシリコーンオイルと両末端にイソシアネート基を有する化合物と重縮合によって合成される。アミノ基とイソシアネートの反応により、ウレア結合を有する。
次いで、式(5)で得られた化合物に酸無水物構造を有する酸クロリドをアミンに存在下反応させると酸無水物構造を有する基が導入された化合物が得られる(式(6))。
さらに、式(6)で得られた化合物に、酸の存在下で加水分解することでカルボキシル基を発現させることができる(式(7))。
As shown by the following formula (5), it is synthesized by polycondensation with a silicone oil modified with aminos at both ends and a compound having isocyanate groups at both ends. It has a urea bond due to the reaction between the amino group and isocyanate.
Then, the compound obtained by the formula (5) is reacted with an acid chloride having an acid anhydride structure in the presence of an amine to obtain a compound into which a group having an acid anhydride structure is introduced (formula (6)).
Further, the compound obtained by the formula (6) can be hydrolyzed in the presence of an acid to express a carboxyl group (formula (7)).
両末端アミノ変性のシリコーンオイルとしては、ポリシロキサンの両末端にアミノ基を導入した化合物が用いることができ、市販品を使用することができる。このような入手可能な両末端アミノ変性のシリコーンオイルとしては、PAM-E,KF-8010,X-22-161A,X-22161B,KF-8012,KF-8008,X-22-1660B-3,X-22-9409(信越化学社製)を使用することができる。 As the silicone oil modified with aminos at both ends, a compound having an amino group introduced at both ends of the polysiloxane can be used, and a commercially available product can be used. Such available silicone oils with both terminal amino modifications include PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can be used.
両末端にイソシアネート基を有する化合物としては、4,4‘-ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4-又は2,6-トリレンジイソシアネート、m-フェニレンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、4,4'-ジフェニルジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、4,4'-トルイジンジイソシアネート、4,4 '-ジフェニルエーテルジイソシアネート等などの芳香族ジイソシアネート、1,3-又は1,4-キシリレンジイソシアネート、もしくはその混合物などの芳香脂肪族ジイソシアネート、トリメチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、1,2-プロピレンジイソシアネート、1,2 -ブチレンジイソシアネート、2,3-ブチレンジイソシアネート、1,3-ブチレンジイソシアネート、2,4,4-又は、2,2,4-トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、2 ,6-ジイソシアネートメチルカプロエート等の脂肪族ジイソシアネート、1,3-シクロペンテンジイソシアネート、1,4-シクロヘキサンジイソシアネート、1 ,3-シクロヘキサンジイソシアネート、3-イソシアネートメチル- 3 ,5 ,5-トリメチルシクロヘキシルイソシアネート、4,4 '- メチレンビス( シクロヘキシルイソシアネート) 、メチル- 2,4-シクロヘキサンジイソシアネート、メチル-2,6-シクロヘキサンジイソシアネート、1,4-ビス( イソシアネートメチル)シクロヘキサン等の脂環族ジイソシアネート等を用いることができる。これらのうち特に、ヘキサメチレンジイソシアネートが反応性、入手のしやすさから好適に用いられる。 Compounds having isocyanate groups at both ends include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, 2,4- or 2,6-tolylene diisocyanate, m-phenylenedi isocyanate, p-phenylenedi isocyanate, and 4,4'-diphenyldiisocyanate. Aromatic diisocyanates such as 1,5-naphthalenediocyanate, 4,4'-toluidin diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, etc., 1,3- or 1,4-xylylene diisocyanate, or a mixture thereof. Diisocyanate, trimethylene diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, pentamethylene diisocyanate, 1,2-propylene diisocyanate, 1,2-butyrene diisocyanate, 2,3-butyrene diisocyanate, 1,3-butyrene diisocyanate, 2,4, Alius diisocyanate such as 4- or 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 2,6-diisocyanate methyl caproate, 1,3-cyclopentene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 1,3-cyclohexane diisocyanate , 3-Isocyanate Methyl-3,5,5-trimethylcyclohexamethylene diisocyanate, 4,4'-methylene bis (cyclohexamethylene diisocyanate), methyl-2,4-cyclohexane diisocyanate, methyl-2,6-cyclohexane diisocyanate, 1,4-bis (Isocyanate methyl) Alicyclic diisocyanate such as cyclohexane can be used. Of these, hexamethylene diisocyanate is preferably used because of its reactivity and availability.
酸無水物構造を有する酸クロリドとしては、無水トリメリット酸、水添無水トリメリット酸の酸クロリド等が挙げられる。
酸無水物構造を有する酸クロリドを反応させるときは必要に応じて塩基を加えることもできる。塩基としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、イミダゾール、ジアザビシクロウンデセン、ピリジン、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を挙げることができ、トリエチルアミンが好ましい。
Examples of the acid chloride having an acid anhydride structure include trimellitic anhydride, acid chloride of hydrogenated trimellitic anhydride, and the like.
When reacting an acid chloride having an acid anhydride structure, a base can be added if necessary. Examples of the base include trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, imidazole, diazabicycloundecene, pyridine, morpholine, piperazine, piperidine, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like, and triethylamine is preferable.
式(1)で示される構造部位を有する重合体の重量平均分子量が1,000~500,000の範囲であることが好ましい。 The weight average molecular weight of the polymer having the structural moiety represented by the formula (1) is preferably in the range of 1,000 to 500,000.
式(2)で示される構造部位を有する重合体の合成例を示す。
下記式(8)で示さるように、両末端アミノ変性のシリコーンオイルと両末端に(メタ)アクリロイル基を有する化合物とマイケル付加反応によって合成される。
次いで、式(8)で得られた化合物に酸無水物を反応させることでカルボキシル基を導入することができる(式(9))。
マイケル付加反応に用いられる塩基としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、イミダゾール、ジアザビシクロウンデセン、ピリジン、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を挙げることができ、トリエチルアミンが好ましい。
An example of synthesis of a polymer having a structural site represented by the formula (2) is shown.
As shown by the following formula (8), it is synthesized by a Michael addition reaction with a silicone oil modified with amino at both ends and a compound having a (meth) acryloyl group at both ends.
Then, a carboxyl group can be introduced by reacting the compound obtained by the formula (8) with an acid anhydride (formula (9)).
Examples of the base used for the Michael addition reaction include trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, imidazole, diazabicycloundecene, pyridine, morpholine, piperazine, piperidine, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like. preferable.
両末端アミノ変性のシリコーンオイルとしては、ポリシロキサンの両末端にアミノ基を導入した化合物が用いることができ、市販品を使用することができる。このような入手可能な両末端アミノ変性のシリコーンオイルとしては、PAM-E,KF-8010,X-22-161A,X-22161B,KF-8012,KF-8008,X-22-1660B-3,X-22-9409(信越化学社製)を使用することができる。 As the silicone oil modified with aminos at both ends, a compound having an amino group introduced at both ends of the polysiloxane can be used, and a commercially available product can be used. Such available silicone oils with both terminal amino modifications include PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can be used.
(メタ)アクリロイル基を有する化合物としては、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコール(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデンジメタノールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、9,9-ビス[4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル]フルオレンジアクリレート等が挙げられる。
また酸無水物としては、無水コハク酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、水添無水トリメリット酸等が挙げられる。なかでも反応性の面から無水コハク酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水フタル酸、水添無水トリメリット酸が好適である。
Examples of the compound having a (meth) acryloyl group include ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, and diethylene glycol. Di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1, 9-Nonandiol di (meth) acrylate, 1,9-nonandiol di (meth) acrylate, tricyclodendimethanol diacrylate, ethoxylated bisphenol A diacrylate, 9,9-bis [4- (2-hydroxyethoxy) Phenyl] Full orange acrylate and the like can be mentioned.
The acid anhydrides include succinic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, maleic anhydride, itaconic anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride, and trimellitic anhydride. And so on. Of these, succinic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, phthalic anhydride, and hydrogenated trimellitic anhydride are preferable from the viewpoint of reactivity.
式(2)で示される構造部位を有する重合体の重量平均分子量が1,000~500,000の範囲であることが好ましい。 The weight average molecular weight of the polymer having the structural moiety represented by the formula (2) is preferably in the range of 1,000 to 500,000.
式(1)で示される構造部位を有する重合体、または式(2)で示される構造部位を有する重合体は、それぞれ単独で用いてもよく、併用してもよい。 The polymer having the structural moiety represented by the formula (1) or the polymer having the structural moiety represented by the formula (2) may be used alone or in combination.
(B)感放射線性化合物
本発明の実施形態の感放射線性組成物含有される(B)感放射線性化合物としては、放射線に感応してラジカルを発生し重合を開始できる化合物(すなわち、(B-1)光ラジカル重合開始剤)、または、放射線に感応して酸を発生する化合物(すなわち、(B-2)光酸発生剤)を挙げることができる。本実施形態の感放射線性組成物は、(B)感放射線性化合物を含有することにより、感放射線性を有することができ、例えば、感放射線性化合物の種類によって、ポジ型の感放射線性またはネガ型の感放射線性を有することができる。
(B) Radiation-sensitive compound The (B) radiation-sensitive compound contained in the radiation-sensitive composition of the embodiment of the present invention is a compound capable of generating radicals and initiating polymerization in response to radiation (that is, (B). -1) Photoradical polymerization initiator) or a compound that generates acid in response to radiation (that is, (B-2) photoacid generator). The radiation-sensitive composition of the present embodiment can have (B) radiation-sensitive by containing (B) a radiation-sensitive compound, and for example, depending on the type of the radiation-sensitive compound, positive-type radiation-sensitive or It can have negative radiation sensitivity.
本実施形態の感放射線性組成物の(B-1)光ラジカル重合開始剤としては、O-アシルオキシム化合物、アセトフェノン化合物、ビイミダゾール化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。 Examples of the (B-1) photoradical polymerization initiator of the radiation-sensitive composition of the present embodiment include an O-acyloxime compound, an acetophenone compound, and a biimidazole compound. These compounds may be used alone or in combination of two or more.
O-アシルオキシム化合物としては、例えば、1,2-オクタンジオン1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)]、エタノン-1-〔9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)、1-(9-エチル-6-ベンゾイル-9.H.-カルバゾール-3-イル)-オクタン-1-オンオキシム-O-アセテート、1-〔9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-エタン-1-オンオキシム-O-ベンゾエート、1-〔9-n-ブチル-6-(2-エチルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-エタン-1-オンオキシム-O-ベンゾエート、エタノン-1-[9-エチル-6-(2-メチル-4-テトラヒドロフラニルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル]-1-(O-アセチルオキシム)、エタノン-1-〔9-エチル-6-(2-メチル-4-テトラヒドロピラニルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)、エタノン-1-〔9-エチル-6-(2-メチル-5-テトラヒドロフラニルベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)、エタノン-1-〔9-エチル-6-{2-メチル-4-(2,2-ジメチル-1,3-ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)等が挙げられる。 Examples of the O-acyloxime compound include 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] and ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl). Benzoyl) -9H-carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), 1- (9-ethyl-6-benzoyl-9.H.-carbazole-3-yl) -octane-1-one oxime- O-acetyl, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, 1- [9-n-butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, ethane-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Etanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydropyranylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Etanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Etanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxybenzoyl) } -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime) and the like can be mentioned.
これらのうち、1,2-オクタンジオン1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)]、エタノン-1-〔9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)、エタノン-1-〔9-エチル-6-(2-メチル-4-テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル)-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)またはエタノン-1-〔9-エチル-6-{2-メチル-4-(2,2-ジメチル-1,3-ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}-9.H.-カルバゾール-3-イル〕-1-(O-アセチルオキシム)が好ましい。 Of these, 1,2-octanedione 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], etanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazole -3-yl] -1- (O-acetyloxime), etanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime) or etanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxybenzoyl) } -9. H. -Carbazole-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is preferable.
アセトフェノン化合物としては、例えば、α-アミノケトン化合物、α-ヒドロキシケトン化合物が挙げられる。 Examples of the acetophenone compound include an α-aminoketone compound and an α-hydroxyketone compound.
α-アミノケトン化合物としては、例えば、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルホリノフェニル)-ブタン-1-オン、2-ジメチルアミノ-2-(4-メチルベンジル)-1-(4-モルフォリン-4-イル-フェニル)-ブタン-1-オン、2-メチル-1-(4-メチルチオフェニル)-2-モルフォリノプロパン-1-オン等が挙げられる。 Examples of the α-aminoketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1-one and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1-(. Examples thereof include 4-morpholin-4-yl-phenyl) -butane-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one and the like.
α-ヒドロキシケトン化合物としては、例えば、1-フェニル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、1-(4-i-プロピルフェニル)-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル-(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。 Examples of the α-hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropane-1-one and 1- (4-i-propylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane-1-one. , 4- (2-Hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone and the like.
アセトフェノン化合物としては、α-アミノケトン化合物が好ましく、特に、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルホリノフェニル)-ブタン-1-オン、2-ジメチルアミノ-2-(4-メチルベンジル)-1-(4-モルフォリン-4-イル-フェニル)-ブタン-1-オン、2-メチル-1-(4-メチルチオフェニル)-2-モルフォリノプロパン-1-オンが好ましい。 As the acetophenone compound, an α-aminoketone compound is preferable, and in particular, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1-one and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) are preferable. ) -1- (4-Morphorin-4-yl-phenyl) -butane-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one are preferable.
ビイミダゾール化合物としては、例えば、2,2’-ビス(2-クロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2’-ビイミダゾール、2,2’-ビス(2,4-ジクロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2’-ビイミダゾールまたは2,2’-ビス(2,4,6-トリクロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2’-ビイミダゾールが好ましく、そのうち、2,2’-ビス(2,4-ジクロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2’-ビイミダゾールがより好ましい。 Examples of the biimidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole and 2,2'-bis (2,). 4-Dichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole or 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4', 5, 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is preferred, of which 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenyl-1,2'- Biimidazole is more preferred.
(B-1)光ラジカル重合開始剤は、上述したように、単独でまたは2種以上を混合して使用できる。(B-1)光ラジカル重合開始剤の含有割合は、[A]成分100質量部に対して、1質量部~40質量部が好ましく、5質量部~30質量部がより好ましい。(B-1)光ラジカル重合開始剤の使用割合を1質量部~40質量部とすることで、感放射線性組成物は、低露光量であっても、高い耐溶媒性、高い硬度および高い密着性を有する硬化膜を形成することができる。その結果、そうした特性に優れた本発明の実施形態の絶縁膜を提供することができる。光ラジカル重合開始剤を使用する場合、ネガ型の感放射線性組成物とすることができる。 (B-1) As described above, the photoradical polymerization initiator can be used alone or in combination of two or more. The content ratio of the (B-1) photoradical polymerization initiator is preferably 1 part by mass to 40 parts by mass, and more preferably 5 parts by mass to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component [A]. (B-1) By using 1 part by mass to 40 parts by mass of the photoradical polymerization initiator, the radiation-sensitive composition has high solvent resistance, high hardness and high hardness even at a low exposure dose. A cured film having adhesiveness can be formed. As a result, it is possible to provide an insulating film according to an embodiment of the present invention, which is excellent in such characteristics. When a photoradical polymerization initiator is used, it can be a negative type radiation-sensitive composition.
次に、本実施形態の感放射線性組成物の(B-2)光酸発生剤としては、例えば、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物等が挙げられる。尚、これらの(B-2)光酸発生剤は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。 Next, examples of the (B-2) photoacid generator of the radiation-sensitive composition of the present embodiment include an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, and a sulfonic acid. Examples thereof include ester compounds, carboxylic acid ester compounds, and quinone diazide compounds. These (B-2) photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.
オキシムスルホネート化合物の具体的な例としては、(5-プロピルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(5-オクチルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(5-p-トルエンスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、2-(オクチルスルホニルオキシイミノ)-2-(4-メトキシフェニル)アセトニトリル等を挙げることができ、これらは市販品として入手することができる。 Specific examples of the oxime sulfonate compound include (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-iriden)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2- Iliden)-(2-Methylphenyl) acetonitrile, (Camfersulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-iriden)-(2-Methylphenyl) acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimine-5H-thiophen-2- Examples thereof include iriden)-(2-methylphenyl) acetonitrile, 2- (octylsulfonyloxyimino) -2- (4-methoxyphenyl) acetonitrile, and the like, and these can be obtained as commercial products.
上述したオニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。 Examples of the above-mentioned onium salt include diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, tetrahydrothiophenium salt, benzylsulfonium salt and the like.
そして、オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロホスフェートがより好ましく、4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートがさらに好ましい。
As the onium salt, tetrahydrothiophenium salt and benzylsulfonium salt are preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoro Phosphate is more preferred, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate is even more preferred.
スルホンイミド化合物としては、例えば、N-(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(4-メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(4-フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(2-フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N-(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N-(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4-メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド等が挙げられる。 Examples of the sulfoneimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (kanfasulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, and N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyl). Oxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (kanfasulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, Examples thereof include N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (kanfasulfonyloxy) diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide and the like.
スルホン酸エステル化合物の好ましい例としては、ハロアルキルスルホン酸エステルを挙げることができ、より好ましい例として、N-ヒドロキシナフタルイミド-トリフルオロメタンスルホン酸エステルを挙げることができる。 Preferable examples of the sulfonic acid ester compound include haloalkyl sulfonic acid esters, and more preferred examples include N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethane sulfonic acid esters.
キノンジアジド化合物としては、例えば、フェノール性化合物またはアルコール性化合物(以下、「母核」ともいう)と、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドまたは1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸アミドとの縮合物を用いることができる。 Examples of the quinone diazide compound include a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter, also referred to as “matrix”) and 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide or 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid amide. Can be used.
上記の母核としては、例えば、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカンの他、上記母核以外のその他の母核等が挙げられる。 Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei other than the mother nucleus.
上記の母核の具体例としては、例えば、
トリヒドロキシベンゾフェノンとして、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン等;
テトラヒドロキシベンゾフェノンとして、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’-テトラヒドロキシ-4’-メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシ-3’-メトキシベンゾフェノン等;
ペンタヒドロキシベンゾフェノンとして、2,3,4,2’,6’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン等;
ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとして、2,4,6,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等;
(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとして、ビス(2,4-ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p-ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p-ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1-トリス(p-ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4-トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2-ビス(2,3,4-トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3-トリス(2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)-3-フェニルプロパン、4,4’-〔1-〔4-〔1-〔4-ヒドロキシフェニル〕-1-メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス(2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)-2-ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’-テトラメチル-1,1’-スピロビインデン-5,6,7,5’,6’,7’-ヘキサノール、2,2,4-トリメチル-7,2’,4’-トリヒドロキシフラバン等;
を挙げることができる。
As a specific example of the above-mentioned mother nucleus, for example,
Examples of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone;
As tetrahydroxybenzophenone, 2,2', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4 , 2'-Tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone, etc .;
Examples of the pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2', 6'-pentahydroxybenzophenone;
As hexahydroxybenzophenone, 2,4,6,3', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone and the like;
As (polyhydroxyphenyl) alkanes, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl) Etan, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-4) Hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4'-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4) -Hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5,6,7,5', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2', 4'-trihydroxyflaban, etc .;
Can be mentioned.
上記のその他の母核としては、例えば、2-メチル-2-(2,4-ジヒドロキシフェニル)-4-(4-ヒドロキシフェニル)-7-ヒドロキシクロマン、1-[1-(3-{1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル}-4,6-ジヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル]-3-(1-(3-{1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル}-4,6-ジヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル)ベンゼン、4,6-ビス{1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル}-1,3-ジヒドロキシベンゼン等が挙げられる。 Examples of the above other mother nuclei include 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman and 1- [1- (3- {1). -(4-Hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl) -1-methylethyl } -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene and the like.
これらの中で、母核としては、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1-トリス(p-ヒドロキシフェニル)エタン、4,4’-〔1-〔4-〔1-〔4-ヒドロキシフェニル〕-1-メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。 Among these, the mother nuclei are 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4'-[1- [4- [4]. 1- [4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.
また、上述した1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましく、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸クロリド、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドがより好ましく、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドがさらに好ましい。 Further, as the above-mentioned 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinone diazido sulfonic acid chloride is preferable, 1,2-naphthoquinone diazido-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazido-5-. Sulfonic acid chloride is more preferred, and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is even more preferred.
上述した1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸アミドとしては、2,3,4-トリアミノベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸アミドが好ましい。 As the above-mentioned 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amide, 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid amide is preferable.
上述したフェノール性化合物またはアルコール性化合物(母核)と、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応においては、フェノール性化合物またはアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30モル%以上85モル%以下、より好ましくは50モル%以上70モル%以下に相当する1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。尚、上記縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。 In the condensation reaction between the above-mentioned phenolic compound or alcoholic compound (mother nucleus) and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, preferably 30 mol with respect to the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound. 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halides corresponding to% or more and 85 mol% or less, more preferably 50 mol% or more and 70 mol% or less can be used. The condensation reaction can be carried out by a known method.
以上の(B-2)光酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、キノンジアジド化合物が好ましく、オキシムスルホネート化合物、キノンジアジド化合物がより好ましい。 As the above (B-2) photoacid generator, an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound and a quinone diazide compound are preferable, and an oxime sulfonate compound and a quinone diazide compound are more preferable.
(B-2)光酸発生剤を上述した化合物とすることで、それを含有する本実施形態の感放射線性組成物は、感度および溶解性を向上させることができる。光酸発生剤の中でも、特にキノンジアジド化合物を用いた時にポジ型の感放射線性組成物とすることができる。 (B-2) By using the above-mentioned compound as the photoacid generator, the radiation-sensitive composition of the present embodiment containing the compound can improve the sensitivity and solubility. Among the photoacid generators, a positive radiation-sensitive composition can be obtained, especially when a quinonediazide compound is used.
(B-2)光酸発生剤の含有量としては、(A)成分100質量部に対して、0.1質量部~50質量部が好ましく、1質量部~30質量部がより好ましい。(B-2)光酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、本実施形態の感放射線性組成物の感度を最適化し、表面硬度が高い硬化膜を形成でき、そうした特性に優れた本発明の実施形態の絶縁膜を提供することができる。 The content of the (B-2) photoacid generator is preferably 0.1 part by mass to 50 parts by mass, and more preferably 1 part by mass to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). (B-2) By setting the content of the photoacid generator in the above range, the sensitivity of the radiation-sensitive composition of the present embodiment can be optimized, and a cured film having a high surface hardness can be formed, which is excellent in such characteristics. An insulating film according to an embodiment of the present invention can be provided.
(C)(メタ)アクリル化合物、エポキシ化合物について
本発明の感放射線性組成物は、(C)(メタ)アクリル化合物、エポキシ化合物の少なくともいずれか一方を含むことができる。
(メタ)アクリル化合物としては、2官能(メタ)アクリル酸エステルや、3官能以上の(メタ)アクリル酸エステル等の多官能(メタ)アクリル酸エステルを使用することができる。
2官能(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えばエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート、1,9-ノナンジオールジアクリレート、1,9-ノナンジオールジメタクリレート等が挙げられる。
(C) (Meta) Acrylic Compound and Epoxy Compound The radiation-sensitive composition of the present invention may contain at least one of the (C) (meth) acrylic compound and the epoxy compound.
As the (meth) acrylic compound, a polyfunctional (meth) acrylic acid ester such as a bifunctional (meth) acrylic acid ester or a trifunctional or higher functional (meth) acrylic acid ester can be used.
Examples of the bifunctional (meth) acrylic acid ester include ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol diacrylate, propylene glycol dimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, and tetra. Examples thereof include ethylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1,9-nonanediol diacrylate, and 1,9-nonanediol dimethacrylate.
3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリ(2-アクリロイルオキシエチル)フォスフェート、トリ(2-メタクリロイルオキシエチル)フォスフェート、コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、コハク酸変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレートの他、直鎖アルキレン基及び脂環式構造を有し、かつ2個以上のイソシアネート基を有する化合物と、分子内に1個以上のヒドロキシ基とを有し、かつ3個、4個又は5個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物とを反応させて得られる多官能ウレタンアクリレート系化合物等が挙げられる。 Examples of the trifunctional or higher functional (meth) acrylic acid ester include trimethylol propanetriacrylate, trimethylolpropanetrimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, and dipentaerythritol penta. Acrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, ethylene oxide-modified dipentaerythritol hexaacrylate, tri (2-acryloyloxy) In addition to ethyl) phosphate, tri (2-methacryloyloxyethyl) phosphate, succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate, and succinic acid-modified dipentaerythritol pentaacrylate, it has a linear alkylene group and an alicyclic structure, and 2 It is obtained by reacting a compound having one or more isocyanate groups with a compound having one or more hydroxy groups in the molecule and having three, four or five (meth) acryloyloxy groups. Examples thereof include polyfunctional urethane acrylate compounds.
当該感放射線性組成物おける多官能アクリレートの含有量としては特に限定されないが、[A]成分100質量部に対する下限としては、20質量部が好ましく、30質量部がより好ましい。一方、この上限としては、150質量部が好ましく、100質量部がより好ましい。当該感放射線性組成物おける多官能アクリレートの含有量を上記範囲とすることにより、得られる硬化膜の諸特性をより効果的に高めることなどができる。 The content of the polyfunctional acrylate in the radiation-sensitive composition is not particularly limited, but the lower limit with respect to 100 parts by mass of the component [A] is preferably 20 parts by mass, more preferably 30 parts by mass. On the other hand, as the upper limit, 150 parts by mass is preferable, and 100 parts by mass is more preferable. By setting the content of the polyfunctional acrylate in the radiation-sensitive composition within the above range, various properties of the obtained cured film can be more effectively enhanced.
エポキシ化合物には、オキセタニル基を有する化合物も含む。
高分子量のエポキシ樹脂や低分子量のエポキシ化合物もいずれも用いることができる。例えば、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールA型エポキシ樹脂およびビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、そのアルキレンオキシド変性物、およびこれらの水素化物;3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ビフェノール型エポキシ樹脂および4,4'-ビフェノール型エポキシ樹脂等のビフェニル型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;3,4,3’,4’-ジエポキシビシクロヘキサン、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル(3,4-エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレート等の脂環式エポキシ樹脂;トリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート、トリス(α-メチルグリシジル)イソシアヌレートに代表される1,3,5-トリアジン核誘導体エポキシ樹脂等のトリアジン誘導体エポキシ樹脂;ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂が挙げられる。
Epoxy compounds also include compounds having an oxetanyl group.
Both high molecular weight epoxy resins and low molecular weight epoxy compounds can be used. For example, bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, alkylene oxide modified products thereof, and hydrides thereof; 3, 3', 5 , 5'-Tetramethyl-4,4'-biphenol type epoxy resin and 4,4'-biphenol type epoxy resin and other biphenyl type epoxy resins; , Novolak type epoxy resin such as dicyclopentadiene novolac type epoxy resin, biphenyl novolak type epoxy resin; 3,4,3', 4'-diepoxybicyclohexane, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (3,4-epoxy) Alicyclic epoxy resin such as cyclohexanecarboxylate; 1,3,5-triazine nucleus derivative represented by tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate and tris (α-methylglycidyl) isocyanurate Triazine such as epoxy resin Derivative epoxy resins; examples include naphthalenediol type epoxy resin, trisphenylol methane type epoxy resin, tetrakisphenylol ethane type epoxy resin, and urethane modified epoxy resin.
低分子量のエポキシ化合物としては、3’,4’-エポキシシクロヘキシルメチル 3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性3’,4’-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル-5,5-スピロ-3,4-エポキシ)シクロヘキサン-メタ-ジオキサン、ビス(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ビス(3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル)アジペート、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシル-3’,4’-エポキシ-6’-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサン)、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)エーテル、エチレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル等の化合物が挙げられる。 Examples of low molecular weight epoxy compounds include 3', 4'-epoxycyclohexylmethyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, ε-caprolactone-modified 3', 4'-epoxycyclohexanemethyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 2-. (3,4-Epoxycyclohexyl-5,5-spiro-3,4-epoxy) Cyclohexane-meth-dioxane, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl) Methyl) adipate, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl-3', 4'-epoxy-6'-methylcyclohexanecarboxylate, methylenebis (3,4-epoxycyclohexane), dicyclopentadiene diepoxiside, ethylene glycol Examples thereof include compounds such as di (3,4-epoxycyclohexylmethyl) ether, ethylenebis (3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), pentaerythritol tetraglycidyl ether, and trimethylolpropane triglycidyl ether.
オキセタニル基を有する化合物としては、1分子当り2個以上のオキセタニル基を有する化合物が挙げられる。具体的には、3-エチル-3-{[(3-エチルオキセタン-3-イル)メトキシ]メチル}オキセタン、3,7-ビス(3-オキセタニル)-5-オキサ-ノナン、1,4-ビス[(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、1,2-ビス[(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチル]エタン、1,3-ビス[(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチル]プロパン、ビス[1-エチル(3-オキセタニル)]メチルエーテル、ビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、エチレングリコールビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、トリエチレングリコールビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、テトラエチレングリコールビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、1,3-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)プロパン、1,4-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)ブタン、1,6-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)ヘキサン、1,4-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル)ベンゼン、1,3-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル)ベンゼン、1,2-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル)ベンゼン、4,4’-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル)ビフェニル、2,2’-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル)ビフェニル、3-〔(3-エチルオキセタン-3-イル)メトキシ〕プロピルトリアルコキシシランの加水分解縮合物、3-エチルオキセタン-3-イルメタノールとシランテトラオール重縮合物の縮合反応生成物等が挙げられる。 Examples of the compound having an oxetanyl group include a compound having two or more oxetanyl groups per molecule. Specifically, 3-ethyl-3-{[(3-ethyloxetane-3-yl) methoxy] methyl} oxetane, 3,7-bis (3-oxetanyl) -5-oxa-nonane, 1,4- Bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,2-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ethane, 1,3-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methyl] Methoxy) methyl] propane, bis [1-ethyl (3-oxetanyl)] methyl ether, bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, ethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, triethylene Glycolbis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, tetraethylene glycolbis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 1,3-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) propane, 1,4 -Bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) butane, 1,6-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) hexane, 1,4-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxymethyl) benzene, 1 , 3-Bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxymethyl) benzene, 1,2-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxymethyl) benzene, 4,4'-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) Methyl) biphenyl, 2,2'-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxymethyl) biphenyl, 3-[(3-ethyloxetane-3-yl) methoxy] hydrolysis condensate of propyltrialkoxysilane, 3- Examples thereof include a condensation reaction product of ethyloxetane-3-ylmethanol and a silanetetraol polycondensate.
本発明の感放射線性組成物に用いる有機溶媒は特に限定されるものではなく、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒等が挙げられる。有機溶媒は、単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、1-ブタノール、2-ブタノール、イソブチルアルコール、t-ブチルアルコール、1-ヘキサノール、1-オクタノール、1-ノナノール、1-ドデカノール、1-メトキシ-2-プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルキルアルコール;
ベンジルアルコール等の芳香族アルコールなどが挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば
ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、 エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル;
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル;
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル;
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル;
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテルなどが挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば
酢酸エチル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸アミル、乳酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等のカルボン酸エステル;
プロピレングリコールジアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒などが挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。
これらの中でも、エーテル系溶媒及びエステル系溶媒が好ましく、エステル系溶媒がより好ましく、多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒がさらに好ましい。また、エーテル系溶媒及びエステル系溶媒の中では、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及び3-メトキシプロピオン酸メチルが好ましい。
The organic solvent used in the radiation-sensitive composition of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include an alcohol solvent, an ether solvent, an ester solvent, a ketone solvent, and an amide solvent. The organic solvent may be used alone or in combination of two or more.
Examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, 1-butanol, 2-butanol, isobutyl alcohol, t-butyl alcohol, 1-hexanol, 1-octanol, 1-nonanol, 1-dodecanol, 1-methoxy-. Alcohols such as 2-propanol and diacetone alcohol;
Examples include aromatic alcohols such as benzyl alcohol.
Examples of the ether solvent include ethylene glycol monoalkyl ethers such as diethylene glycol methyl ethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether;
Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether;
Diethylene glycol monoalkyl ethers such as diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;
Diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether;
Examples thereof include dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether.
Examples of the ester solvent include carboxylic acid esters such as ethyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, amyl acetate, ethyl lactate, methyl 3-methoxypropionate, and ethyl 3-ethoxypropionate;
Polyhydric alcohol carboxylate solvent such as propylene glycol diacetate;
Examples thereof include polyhydric alcohol partially ether carboxylate-based solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate.
Examples of the ketone solvent include acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, diisobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone and the like.
Among these, an ether solvent and an ester solvent are preferable, an ester solvent is more preferable, and a polyhydric alcohol partially ether carboxylate solvent is further preferable. Among the ether-based solvent and the ester-based solvent, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and methyl 3-methoxypropionate are preferable.
当該感放射線性組成物における有機溶媒の含有量は特に限定されないが、固形分濃度が以下の範囲内となるように調製されることが好ましい。当該感放射線性組成物における固形分濃度の下限としては、5質量%が好ましく、10質量%がより好ましく、20質量%がさらに好ましい。一方、この固形分濃度の上限としては、60質量%が好ましく、50質量%がより好ましく、40質量%がさらに好ましい。 The content of the organic solvent in the radiation-sensitive composition is not particularly limited, but it is preferably prepared so that the solid content concentration is within the following range. The lower limit of the solid content concentration in the radiation-sensitive composition is preferably 5% by mass, more preferably 10% by mass, still more preferably 20% by mass. On the other hand, the upper limit of the solid content concentration is preferably 60% by mass, more preferably 50% by mass, and even more preferably 40% by mass.
(その他の成分)
当該感放射線性組成物は、上述した(A)重合体、(B)感放射線性化合物、(C)(メタ)アクリル化合物、エポキシ化合物、有機溶媒以外の他の成分をさらに含有することができる。 このような他の成分としては、硬化剤、硬化促進剤、密着助剤、酸化防止剤、界面活性剤等を挙げることができる。但し、当該感放射線性組成物に占める(A)重合体、(B)感放射線性化合物、(C)(メタ)アクリル化合物、エポキシ化合物、有機溶媒以外の他の成分の含有割合としては、10質量%以下が好ましいことがあり、1質量%以下がより好ましいこともある。
(Other ingredients)
The radiation-sensitive composition may further contain components other than the above-mentioned (A) polymer, (B) radiation-sensitive compound, (C) (meth) acrylic compound, epoxy compound, and organic solvent. .. Examples of such other components include curing agents, curing accelerators, adhesion aids, antioxidants, surfactants and the like. However, the content ratio of the components other than the (A) polymer, (B) radiation-sensitive compound, (C) (meth) acrylic compound, epoxy compound, and organic solvent in the radiation-sensitive composition is 10. It may be preferably mass% or less, and may be more preferably 1 mass% or less.
(硬化温度)
当該感放射線性組成物は、上述のように、比較的低温の加熱によっても十分なエッチング薬液耐性及び酸素アッシング耐性を有する硬化膜を得ることができる。当該感放射線性組成物は、例えば60℃以上120℃以下の温度範囲の加熱により硬化可能な組成物であることが好ましく、60℃以上100℃以下の温度範囲の加熱により硬化可能な組成物であることがより好ましい。
(Curing temperature)
As described above, the radiation-sensitive composition can obtain a cured film having sufficient resistance to etching chemicals and oxygen ashing even by heating at a relatively low temperature. The radiation-sensitive composition is preferably a composition that can be cured by heating in a temperature range of 60 ° C. or higher and 120 ° C. or lower, and is a composition that can be cured by heating in a temperature range of 60 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. It is more preferable to have.
(感放射線性組成物の調製方法)
当該感放射線性組成物は、各成分を所定の割合で混合し、(C)有機溶媒に溶解させることにより調製できる。調製した組成物は、例えば孔径0.2μm程度のフィルタ等でろ過することが好ましい。
(Method for preparing radiation-sensitive composition)
The radiation-sensitive composition can be prepared by mixing each component in a predetermined ratio and dissolving it in (C) an organic solvent. The prepared composition is preferably filtered with, for example, a filter having a pore size of about 0.2 μm.
<表示装置用絶縁膜>
本発明の一実施形態に係る表示装置用絶縁膜は、当該感放射線性組成物から形成されている硬化膜である。当該表示装置用絶縁膜は、パターニングされた膜であってよい。当該表示装置用絶縁膜は、比較的低温の加熱によっても十分なエッチング薬液耐性及び酸素アッシング耐性を有する硬化膜を得ることができる感放射線性組成物から形成されているため、歩留まりが高く、耐久性等にも優れる。
<Insulating film for display devices>
The insulating film for a display device according to an embodiment of the present invention is a cured film formed from the radiation-sensitive composition. The insulating film for the display device may be a patterned film. Since the insulating film for the display device is formed of a radiation-sensitive composition capable of obtaining a cured film having sufficient etching chemical resistance and oxygen ashing resistance even by heating at a relatively low temperature, the yield is high and the durability is high. It is also excellent in sex.
当該表示装置用絶縁膜は、層間絶縁膜として好適であり、その他、平坦化膜、スペーサー、保護膜等に用いられてもよい。当該表示装置用絶縁膜は、液晶表示素子を備える表示装置(液晶表示装置)、有機EL素子を備える表示装置(有機EL装置)、電子ペーパー等の表示装置に用いることができる。また、後述するように、当該表示装置用絶縁膜は、タッチパネル付き有機EL装置等、タッチパネル付き表示装置におけるタッチパネルの層間絶縁膜として好適である。 The insulating film for the display device is suitable as an interlayer insulating film, and may also be used as a flattening film, a spacer, a protective film, or the like. The insulating film for a display device can be used for a display device (liquid crystal display device) including a liquid crystal display element, a display device (organic EL device) including an organic EL element, and a display device such as electronic paper. Further, as will be described later, the insulating film for the display device is suitable as an interlayer insulating film for a touch panel in a display device with a touch panel such as an organic EL device with a touch panel.
当該表示装置用絶縁膜は、比較的厚い場合も、クラックの発生が生じ難い。従って、当該表示装置用絶縁膜は、厚膜化が可能である。当該表示装置用絶縁膜の平均厚さの下限としては、例えば0.1μmであってよいが、0.5μmが好ましく、1μmがより好ましく、2μmがさらに好ましいこともある。一方、この平均厚さの上限としては、例えば10μmであり、6μmであってもよく、4μmであってもよい。 Even when the insulating film for the display device is relatively thick, cracks are unlikely to occur. Therefore, the insulating film for the display device can be made thicker. The lower limit of the average thickness of the insulating film for the display device may be, for example, 0.1 μm, preferably 0.5 μm, more preferably 1 μm, and even more preferably 2 μm. On the other hand, the upper limit of this average thickness is, for example, 10 μm, 6 μm, or 4 μm.
<表示装置>
本発明の一実施形態に係る表示装置は、当該表示装置用絶縁膜を有する。当該表示装置としては、液晶表示装置、有機EL装置、電子ペーパー等が挙げられる。これらの中でも、本発明の一実施形態に係る表示装置は、有機EL装置であることが好ましい。
<Display device>
The display device according to the embodiment of the present invention has an insulating film for the display device. Examples of the display device include a liquid crystal display device, an organic EL device, an electronic paper, and the like. Among these, the display device according to the embodiment of the present invention is preferably an organic EL device.
有機EL装置は、有機EL素子を備える。有機EL素子は、通常、陽極層、有機発光層及び陰極層を含む積層構造を有する。当該有機EL装置は、有機EL素子を有する基板に積層されたタッチパネルを有することが好ましい。このタッチパネルにおける少なくとも一部の絶縁膜に、本発明の一実施形態に係る表示装置用絶縁膜が用いられていることが好ましい。特に、有機EL素子を有する基板に、粘着層や接着層を介することなく積層されるタッチパネルの絶縁膜に、本発明の一実施形態に係る表示装置用絶縁膜が用いられていることが好ましい。このようにすることで、有機EL素子が形成された基板に、タッチパネルを直接積層することができるため、タッチパネル付き有機EL装置の薄型化を可能とする。また、当該感放射線性組成物は、比較的低温の加熱によっても十分なエッチング薬液耐性及び酸素アッシング耐性を有する硬化膜を得ることができるため、製造工程での有機EL素子の劣化を抑制することができ、歩留まりを高めることなどができる。また、このように、当該感放射線性組成物を用いて比較的低温の加熱で絶縁膜を形成することで製造工程での有機EL素子の劣化を抑制することができるため、タッチパネル付き有機EL装置以外の、有機EL素子を備える各種有機EL装置における絶縁膜の形成に、当該感放射線性組成物は特に好適に用いることができる。 The organic EL device includes an organic EL element. The organic EL element usually has a laminated structure including an anode layer, an organic light emitting layer, and a cathode layer. The organic EL device preferably has a touch panel laminated on a substrate having an organic EL element. It is preferable that the insulating film for a display device according to the embodiment of the present invention is used for at least a part of the insulating film in the touch panel. In particular, it is preferable that the insulating film for a display device according to one embodiment of the present invention is used as the insulating film of the touch panel laminated on the substrate having the organic EL element without the intervention of the adhesive layer or the adhesive layer. By doing so, the touch panel can be directly laminated on the substrate on which the organic EL element is formed, so that the organic EL device with the touch panel can be made thinner. Further, since the radiation-sensitive composition can obtain a cured film having sufficient etching chemical solution resistance and oxygen ashing resistance even by heating at a relatively low temperature, deterioration of the organic EL element in the manufacturing process can be suppressed. It is possible to increase the yield. Further, as described above, by forming the insulating film by heating at a relatively low temperature using the radiation-sensitive composition, deterioration of the organic EL element in the manufacturing process can be suppressed, so that the organic EL device with a touch panel can be suppressed. The radiation-sensitive composition can be particularly preferably used for forming an insulating film in various organic EL devices including organic EL devices other than the above.
図1にタッチパネル付き有機EL装置の一形態を示す。図1のタッチパネル付き有機EL装置10は、有機EL表示基板20とタッチパネル30とを備える。有機EL表示基板20は、支持基板21、陽極層22、有機発光層23、陰極層24、接着層25及び封止基板26がこの順で積層された構造を有する。なお、少なくとも陽極層22、有機発光層23及び陰極層24が有機EL素子を構成する。有機発光層23としては、例えば、陽極層22側から、正孔注入層、正孔輸送層、有機EL発光層、電子輸送層及び電子注入層がこの順で積層した構造のものを採用することができる。
FIG. 1 shows a form of an organic EL device with a touch panel. The
タッチパネル30は、第1センサ電極31、層間絶縁膜33及び第2センサ電極32がこの順で積層された、静電容量方式のものである。タッチパネル30は、第1センサ電極31、第1センサ電極31に向かい合って配置される第2センサ電極32、層間絶縁膜33、及び最表面に配置される透明基板34を有する。本実施形態において、第1センサ電極31は、有機EL表示基板20の封止基板26上に直接形成されている。層間絶縁膜33は、第1センサ電極31と第2センサ電極32とを絶縁する透明な絶縁膜であり、当該感放射線性組成物から形成されている。なお、タッチパネルは、このような静電容量方式のものに限定されるものではない。
The
<表示装置用絶縁膜の形成方法>
本発明の一実施形態に係る表示装置用絶縁膜の形成方法は、基板上に直接又は間接に塗膜を形成する工程(以下、「塗膜形成工程」ともいう。)、上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射(露光)する工程(以下、「放射線照射工程」ともいう。)、上記塗膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう。)、及び上記塗膜を加熱する工程(以下、「加熱工程」ともいう。)をこの順に備え、上記塗膜を本発明の一実施形態に係る感放射線性組成物により形成する。当該形成方法は、任意工程として、放射線照射工程と現像工程との間に、上記塗膜を加熱する工程(以下、「PEB工程」ともいう。)を備えていてもよい。
<Method of forming an insulating film for display devices>
The method for forming an insulating film for a display device according to an embodiment of the present invention is a step of directly or indirectly forming a coating film on a substrate (hereinafter, also referred to as a “coating film forming step”), or at least the above-mentioned coating film. A step of partially irradiating (exposing) radiation (hereinafter, also referred to as “radiation irradiation step”), a step of developing the coating film (hereinafter, also referred to as “development step”), and heating of the coating film. The steps (hereinafter, also referred to as “heating step”) are provided in this order, and the coating film is formed by the radiation-sensitive composition according to the embodiment of the present invention. The forming method may include, as an optional step, a step of heating the coating film (hereinafter, also referred to as “PEB step”) between the irradiation step and the developing step.
当該形成方法によれば、上述した当該感放射線性組成物を用いているため、良好な形状にパターニング可能であり、比較的低温の加熱によっても十分なエッチング薬液耐性及び酸素アッシング耐性を有する絶縁膜を得ることができる。また、塗膜を形成する基板が有機EL素子を含むものであっても、加熱工程を比較的低温で行うことで、有機EL素子の劣化を抑制することが可能となる。以下、各工程について説明する。 According to the forming method, since the above-mentioned radiation-sensitive composition is used, the insulating film can be patterned into a good shape and has sufficient etching chemical resistance and oxygen ashing resistance even when heated at a relatively low temperature. Can be obtained. Further, even if the substrate on which the coating film is formed contains an organic EL element, deterioration of the organic EL element can be suppressed by performing the heating step at a relatively low temperature. Hereinafter, each step will be described.
(塗膜形成工程)
本工程では、基板上に直接又は他の層を介して当該感放射線性組成物を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することにより有機溶媒等を除去して、塗膜を形成する。上記基板の材質としては、例えばガラス、石英、シリコン、樹脂等が挙げられる。上記樹脂の具体例としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの付加重合体、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。
(Coating film forming process)
In this step, after the radiation-sensitive composition is applied directly on the substrate or via another layer, the coated surface is preferably heated (prebaked) to remove the organic solvent and the like to form a coating film. do. Examples of the material of the substrate include glass, quartz, silicon, resin and the like. Specific examples of the resin include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, an addition polymer of a cyclic olefin, a ring-opening polymer of a cyclic olefin, and a hydrogenated product thereof. Be done.
上記基板は、有機EL素子等を含むものであってよい。また、上記基板は、塗布面に電極、配線等が設けられているものであってよい。このような基板としては、上述した図1中の有機EL表示基板20において、第1センサ電極31が形成されたものを例示することができる。
The substrate may include an organic EL element or the like. Further, the substrate may be provided with electrodes, wiring, etc. on the coated surface. As such a substrate, the organic
当該感放射線性組成物の塗布方法としては特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、特にスピンコート法及びスリットダイ塗布法が好ましい。プレベークの条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、例えば60℃以上120℃以下、より好ましくは100℃以下の温度で1分以上10分以下の加熱時間とすればよい。 The method for applying the radiation-sensitive composition is not particularly limited, and for example, an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a rotary coating method (spin coating method), a slit die coating method, or a bar coating method should be adopted. Can be done. Among these coating methods, the spin coating method and the slit die coating method are particularly preferable. The prebaking conditions vary depending on the type of each component, the mixing ratio, and the like, but for example, the heating time may be 1 minute or more and 10 minutes or less at a temperature of 60 ° C. or higher and 120 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower.
(放射線照射工程)
本工程では、塗膜形成工程で形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する。通常、塗膜の一部に放射線を照射する際には、所定のパターンを有するフォトマスクを介して照射する。上記放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。これらの放射線の中でも、波長が190nm以上450nm以下の範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。
(Irradiation process)
In this step, at least a part of the coating film formed in the coating film forming step is irradiated with radiation. Usually, when irradiating a part of the coating film with radiation, it is irradiated through a photomask having a predetermined pattern. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like can be used. Among these radiations, radiation having a wavelength in the range of 190 nm or more and 450 nm or less is preferable, and radiation containing ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm is more preferable.
本工程における露光量の下限としては、放射線の波長365nmにおける強度を照度計(OAI Optical Associates Inc.社の「OAI model356」)により測定した値として、10mJ/cm2が好ましく、50mJ/cm2がより好ましい。また、上記露光量の上限としては、上記照度計により測定した値として、2,000mJ/cm2が好ましく、1,000mJ/cm2がより好ましい。 As the lower limit of the exposure amount in this step, 10 mJ / cm 2 is preferable, and 50 mJ / cm 2 is preferable as a value measured by an illuminance meter (“OAI model 356” of OAI Optical Associates Inc.) at a wavelength of 365 nm of radiation. More preferred. The upper limit of the exposure amount is preferably 2,000 mJ / cm 2 and more preferably 1,000 mJ / cm 2 as a value measured by the illuminance meter.
(PEB工程)
PEB工程を設ける場合、PEB条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、例えば60℃以上120℃以下、より好ましくは100℃以下の温度で1分以上10分以下の加熱時間とすればよい。
(PEB process)
When the PEB step is provided, the PEB conditions vary depending on the type of each component, the mixing ratio, etc., but for example, the heating time is 1 minute or more and 10 minutes or less at a temperature of 60 ° C. or higher and 120 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower. And it is sufficient.
(現像工程)
本工程では、放射線照射後の塗膜を現像液で現像することにより所定のパターンを形成する。上記現像液としてはアルカリ現像液が好ましい。アルカリ現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液などが挙げられる。また、アルカリ現像液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加してもよい。
(Development process)
In this step, a predetermined pattern is formed by developing the coating film after irradiation with a developing solution. An alkaline developer is preferable as the developer. The alkaline developer is alkaline in which at least one alkaline compound such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, tetramethylammonium hydroxide, or tetraethylammonium hydroxide is dissolved. Examples include aqueous solution. Further, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant may be added to the alkaline developer in an appropriate amount.
現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、スプレー法等の適宜の方法を採用することができる。現像時間は、感放射線性用組成物の組成によって異なるが、例えば10秒以上180秒以下である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒以上90秒以下の処理時間で行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。 As the developing method, for example, an appropriate method such as a liquid filling method, a dipping method, a rocking dipping method, and a spraying method can be adopted. The development time varies depending on the composition of the radiation-sensitive composition, but is, for example, 10 seconds or more and 180 seconds or less. A desired pattern can be formed by, for example, washing with running water for a treatment time of 30 seconds or more and 90 seconds or less after such a development treatment, and then air-drying with compressed air or compressed nitrogen, for example.
(加熱工程)
本工程では、現像してパターニングされた塗膜を、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いて加熱(ポストベーク)することにより、所望のパターンを有する表示装置用絶縁膜を得る。なお、現像工程と加熱工程との間に、塗膜に対して紫外線等放射線の照射を施してもよい。このときの露光量としては、例えば100mJ/cm2以上2,000mJ/cm2以下とすることができる。加熱温度の下限としては、60℃が好ましく、80℃であってもよい。加熱温度を上記下限以上とすることで、十分に硬化された絶縁膜を得ることができる。一方、上記加熱温度の上限としては、120℃が好ましく、100℃がより好ましい。上記加熱温度を上記下限以上とすることにより、例えば基板に備わる有機EL素子の劣化を抑制しつつ、十分に硬化された絶縁膜を得ることができる。また、加熱温度を上記上限以下とすることにより、急激な膜収縮等の過度の応力発生を抑制できるため、クラックの発生を抑制できる。このように、加熱工程においては、加熱を60℃以上120℃以下の温度範囲で行うことが好ましい。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレート上で加熱する場合には5分以上30分以下、オーブン中で加熱する場合には10分以上90分以下とすればよい。なお、加熱は、空気中で行っても、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法を用いることも可能である。
(Heating process)
In this step, the developed and patterned coating film is heated (post-baked) using a heating device such as a hot plate or an oven to obtain an insulating film for a display device having a desired pattern. The coating film may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays between the developing step and the heating step. The exposure amount at this time can be, for example, 100 mJ / cm 2 or more and 2,000 mJ / cm 2 or less. The lower limit of the heating temperature is preferably 60 ° C, and may be 80 ° C. By setting the heating temperature to the above lower limit or higher, a sufficiently cured insulating film can be obtained. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 120 ° C, more preferably 100 ° C. By setting the heating temperature to the above lower limit or higher, it is possible to obtain a sufficiently cured insulating film while suppressing deterioration of the organic EL element provided on the substrate, for example. Further, by setting the heating temperature to the above upper limit or less, it is possible to suppress the generation of excessive stress such as sudden film shrinkage, so that the generation of cracks can be suppressed. As described above, in the heating step, it is preferable to perform heating in a temperature range of 60 ° C. or higher and 120 ° C. or lower. The heating time varies depending on the type of heating device, but may be, for example, 5 minutes or more and 30 minutes or less when heating on a hot plate, and 10 minutes or more and 90 minutes or less when heating in an oven. The heating may be performed in the air or in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon. It is also possible to use a step baking method in which two or more heating steps are performed.
(その他の工程)
当該表示装置用絶縁膜を有するタッチパネル等を製造する場合、表示装置用絶縁膜を形成した後、更なる電極、配線等(例えば、図1のタッチパネル30における第2センサ電極32)を形成するためなどの他の工程が行われる。このような工程としては、電極形成工程、配線形成工程、エッチング工程、アッシング工程等が挙げられる。電極や配線の形成には、印刷や蒸着等の公知の方法を採用することができる。エッチングは、例えばアミン系溶液等の公知のエッチング薬液を用いて行うことができる。アッシングは、酸素アッシング等の公知のアッシング方法により行うことができる。なお、タッチパネル等を製造する際、絶縁膜の形成や、電極、配線等の形成などは、それぞれ複数回行われてもよい。
(Other processes)
In the case of manufacturing a touch panel or the like having the insulating film for the display device, in order to form further electrodes, wiring and the like (for example, the
<重合体>
下記式(3)で示される構造部位を有する重合体である。
式(3)中、Xは炭素数1から12のアルカンジイル基を示す。nは2から100の整数を示す。炭素数1から12のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキサメチレン基が特に好ましい。
また、下記式(4)で示される構造部位を有する重合体である。
式(4)中、Xは炭素数1から12のアルカンジイル基を示す。mは2から100の整数を示す。炭素数1から12のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキサメチレン基が特に好ましい。
上記重合体は、本発明の感放射線性組成物に好適に用いられる。
<Polymer>
It is a polymer having a structural part represented by the following formula (3).
In formula (3), X represents an alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms. n represents an integer from 2 to 100. As the alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group and a hexamethylene group are particularly preferable.
Further, it is a polymer having a structural portion represented by the following formula (4).
In formula (4), X represents an alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms. m represents an integer from 2 to 100. As the alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group and a hexamethylene group are particularly preferable.
The polymer is suitably used for the radiation-sensitive composition of the present invention.
当該重合体は、表示装置用絶縁膜を形成するための感放射線性組成物の成分として好適に用いることができる。当該重合体は、上述した本発明の一実施形態に係る感放射線性組成物における(A)重合体の好適な一形態である。 The polymer can be suitably used as a component of a radiation-sensitive composition for forming an insulating film for a display device. The polymer is a preferred form of the polymer (A) in the radiation-sensitive composition according to the embodiment of the present invention described above.
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
<重量平均分子量(Mw)の測定>
以下に示す重合体の合成例において、得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は、下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりを測定した。
装置:昭和電工社の「GPC-101」
カラム:昭和電工社の「GPC-KF-801」、「GPC-KF-802」、「GPC-KF-803」及び「GPC-KF-804」を連結したもの
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
<Measurement of weight average molecular weight (Mw)>
In the polymer synthesis examples shown below, the weight average molecular weight (Mw) of the obtained polymer was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.
Equipment: Showa Denko's "GPC-101"
Column: Showa Denko's "GPC-KF-801", "GPC-KF-802", "GPC-KF-803" and "GPC-KF-804" connected mobile phase: tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C.
Flow velocity: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0 mass%
Sample injection amount: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene
以下に(A)重合体の合成例を示す。(A)重合体は以下の合成例に限定されるものではない。合成例で使用した化合物の製品名を以下に示す。
PAM-E:信越シリコーン製シリコーンジアミン、官能基当量=130g/mol
KF8010:信越シリコーン製シリコーンジアミン、官能基当量=430g/mol
A-BPEF:新中村化学製2官能フルオレンアクリレート
A-BPE-2:新中村化学製2官能ビスフェノールAアクリレート
An example of synthesizing the polymer (A) is shown below. (A) The polymer is not limited to the following synthetic examples. The product names of the compounds used in the synthesis examples are shown below.
PAM-E: Silicone diamine made by Shinetsu Silicone, functional group equivalent = 130 g / mol
KF8010: Silicone diamine made by Shinetsu Silicone, functional group equivalent = 430 g / mol
A-BPEF: Bifunctional fluorene acrylate manufactured by Shin-Nakamura Chemical A-BPE-2: Bifunctional bisphenol A acrylate manufactured by Shin-Nakamura Chemical
(合成例1)
滴下ロート、温度計および窒素導入管を備えた100mL三口フラスコに両末端アミノ変性のシリコーンオイルとしてKF8010(信越シリコーン製シリコーンジアミン、官能基当量=430g/mol)を8.77g(10.2mmol)、テトラヒドロフランを35.1g仕込み水冷した。次に、滴下ロートに両末端にイソシアネート基を有する化合物としてヘキサメチレンジイソシアネートを1.68g(10.0mmol)、1-メチル-2-ピロリドン6.72gを仕込み、内温が40℃以下になるようにゆっくり滴下し、そのまま室温で8時間攪拌した。
次に滴下ロートに無水トリメリット酸クロリド4.21g(20.0mmol)、1-メチル-2-ピロリドン16.8gを仕込み。氷冷しながら内温が30℃以下になるようにゆっくり滴下し、そのまま室温で8時間攪拌を行った。反応終了後、500mLの水に注いで再沈殿させて上澄みの除去を2回繰り返した。続いて沈殿を1-メチル-2-ピロリドン140gに溶かし、固形分濃度20%になるまで濃縮した。得られた重合体(A-1)とした。GPCで測定した(A-1)の重量平均分子量は8,000であった。
8.77 g (10.2 mmol) of KF8010 (silicone diamine made by Shinetsu Silicone, functional group equivalent = 430 g / mol) as silicone oil with amino-modified ends in a 100 mL three-necked flask equipped with a dropping funnel, a thermometer and a nitrogen introduction tube. 35.1 g of tetrahydrofuran was charged and cooled with water. Next, 1.68 g (10.0 mmol) of hexamethylene diisocyanate and 6.72 g of 1-methyl-2-pyrrolidone were added to the dropping funnel as compounds having isocyanate groups at both ends so that the internal temperature was 40 ° C. or lower. Was slowly added dropwise to the mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 8 hours.
Next, 4.21 g (20.0 mmol) of trimellitic anhydride chloride and 16.8 g of 1-methyl-2-pyrrolidone were charged in the dropping funnel. The mixture was slowly added dropwise while cooling with ice so that the internal temperature was 30 ° C. or lower, and the mixture was stirred at room temperature for 8 hours. After completion of the reaction, the mixture was poured into 500 mL of water and reprecipitated, and the removal of the supernatant was repeated twice. The precipitate was then dissolved in 140 g of 1-methyl-2-pyrrolidone and concentrated to a solid content concentration of 20%. The obtained polymer (A-1) was used. The weight average molecular weight of (A-1) measured by GPC was 8,000.
(合成例2)
温度計および窒素導入管を備えた100mL三口フラスコにPAM-E(信越シリコーン製シリコーンジアミン、官能基当量=130g/mol)を2.6g(10.mmol)、1-メチル-2-ピロリドンを5.2g仕込み水冷した。次に、滴下ロートに9,9-ビス[4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル]フルオレンジアクリレート(A-BPEF、新中村化学製2官能フルオレンアクリレート)を5.47g(10.0mmol)、1-メチル-2-ピロリドン10.9gを仕込み、内温が40℃以下になるようにゆっくり滴下し、そのまま室温で3時間攪拌した。次に、こはく酸無水物2.0g(20.0mmol)、1-メチル-2-ピロリドン4.0gを仕込み、内温が30℃以下になるようにゆっくり滴下し、100℃で4時間攪拌を行った。反応終了後、1-メチル-2-ピロリドンを加えて固形分濃度20%になるように調整した。得られた重合体(A-2)とした。GPCで測定した(A-2)の重量平均分子量は3,900であった。
2.6 g (10. mmol) of PAM-E (Shinetsu Silicone Silicone Diamine, functional group equivalent = 130 g / mol) and 5 of 1-methyl-2-pyrrolidone in a 100 mL three-necked flask equipped with a thermometer and a nitrogen introduction tube. .2g was charged and cooled with water. Next, 5.47 g (10.0 mmol) of 9,9-bis [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] full orange acrylate (A-BPEF, bifunctional fluorene acrylate manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) was added to the dropping funnel. 10.9 g of -methyl-2-pyrrolidone was charged, slowly added dropwise so that the internal temperature was 40 ° C. or lower, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. Next, 2.0 g (20.0 mmol) of succinic acid anhydride and 4.0 g of 1-methyl-2-pyrrolidone were charged, slowly added dropwise so that the internal temperature was 30 ° C. or lower, and stirred at 100 ° C. for 4 hours. gone. After completion of the reaction, 1-methyl-2-pyrrolidone was added to adjust the solid content concentration to 20%. The obtained polymer (A-2) was used. The weight average molecular weight of (A-2) measured by GPC was 3,900.
(合成例3~7)
表1の組成の通り、合成例1と同様の手法で合成を行った。結果を表1に示す。
重合体(A-1)および(A-4)の1H-NMRの測定結果を示す。1H-NMR(400MHz)は、溶媒にDMSO-d6を用い、JEOL社製装置を用いて測定した。
(A-1):7.6~8.2ppm付近に芳香環、0.2~3.8ppm付近にアルキレン、0ppm付近にSi-CH3由来のプロトンのピークを確認した。
(A-4):6.7~7.9ppm付近に芳香環、1.2~4.5ppm付近にアルキレン、0ppm付近にSi-CH3由来のプロトンのピークを確認した。
表中「-」は、使用しなかったことを示す。
(Synthesis Examples 3 to 7)
As shown in the composition of Table 1, synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1. The results are shown in Table 1.
The measurement result of 1 1 H-NMR of the polymer (A-1) and (A-4) is shown. 1 1 H-NMR (400 MHz) was measured using DMSO-d 6 as a solvent and an apparatus manufactured by JEOL.
(A-1): An aromatic ring was confirmed around 7.6 to 8.2 ppm, an alkylene was confirmed around 0.2 to 3.8 ppm, and a peak of a proton derived from Si-CH 3 was confirmed near 0 ppm.
(A-4): An aromatic ring was confirmed around 6.7 to 7.9 ppm, an alkylene was confirmed around 1.2 to 4.5 ppm, and a peak of a proton derived from Si-CH 3 was confirmed around 0 ppm.
"-" In the table indicates that it was not used.
(比較合成例1)
3つ口フラスコに重合溶剤としてγ-ブチロラクトン(γ-BL)390gを加えた後、ジアミン化合物として2,2’-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン120gを重合溶剤中に加えた。ジアミン化合物を重合溶剤に溶解させた後、酸二無水物として4,4’-オキシジフタル酸二無水物71gを加えた。その後、60℃で1時間反応させた後、末端封止剤としての無水マレイン酸19gを加えた。60℃で更に1時間反応させた後、昇温して180℃で4時間反応させることで、重合体(A-8)を含む固形分濃度が35質量%のγ-BL溶液を約600g得た。得られた重合体(A-8)のMwは8000であった。
(Comparative synthesis example 1)
After adding 390 g of γ-butyrolactone (γ-BL) as a polymerization solvent to a three-necked flask, 120 g of 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane as a diamine compound was added to the polymerization solvent. added. After dissolving the diamine compound in the polymerization solvent, 71 g of 4,4'-oxydiphthalic acid dianhydride was added as an acid dianhydride. Then, after reacting at 60 degreeC for 1 hour, 19 g of maleic anhydride as an end-sealing agent was added. After further reacting at 60 ° C. for another 1 hour, the temperature was raised and the reaction was carried out at 180 ° C. for 4 hours to obtain about 600 g of a γ-BL solution containing the polymer (A-8) and having a solid content concentration of 35% by mass. rice field. The Mw of the obtained polymer (A-8) was 8000.
(比較合成例2)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス-(2,4-ジメチルバレロニトリル)5.2質量部及びジエチレングリコールメチルエチルエーテル160質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸10質量部、グリシジルメタクリレート15質量部、シクロヘキシルマレイミド15質量部、4-イソプロペニルフェノール10質量部、メチルメタクリレート25質量部、及びα-メチルスチレンダイマー0.5質量部を仕込んで窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することによって重合体(A-9)を含むアクリル系重合体溶液を得た。重合体(A-9)のMwは11,000であった。
(Comparative synthesis example 2)
A flask equipped with a cooling tube and a stirrer was charged with 5.2 parts by mass of 2,2'-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile) and 160 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether. Subsequently, 10 parts by mass of methacrylic acid, 15 parts by mass of glycidyl methacrylate, 15 parts by mass of cyclohexylmaleimide, 10 parts by mass of 4-isopropenylphenol, 25 parts by mass of methylmethacrylate, and 0.5 parts by mass of α-methylstyrene dimer were charged and nitrogen was charged. After the replacement, gentle stirring was started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain an acrylic polymer solution containing the polymer (A-9). The Mw of the polymer (A-9) was 11,000.
(比較合成例3)
反応容器にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)125質量部を仕込み80℃まで昇温した。この反応容器にメタクリル酸12質量部、ベンジルメタクリレート45質量部、N-フェニルマレイミド20質量部、スチレン5質量部、2-ヒドロキシメタクリレート18質量部と、重合開始剤として2,2’-アゾビス-(2,4-ジメチルバレロニトリル)5質量部及びPGMEAを25質量部混合して得られる溶液を各々2時間かけて反応溶液に滴下した。滴下後80℃で2時間加熱し、100℃で1時間加熱した。重合体(A-10)を含むアクリル系重合体溶液を得た。重合体(A-10)のMwは12,000であった。
(Comparative synthesis example 3)
125 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was charged in the reaction vessel, and the temperature was raised to 80 ° C. In this reaction vessel, 12 parts by mass of methacrylic acid, 45 parts by mass of benzyl methacrylate, 20 parts by mass of N-phenylmaleimide, 5 parts by mass of styrene, 18 parts by mass of 2-hydroxymethacrylate, and 2,2'-azobis- as a polymerization initiator ( A solution obtained by mixing 5 parts by mass of 2,4-dimethylvaleronitrile) and 25 parts by mass of PGMEA was added dropwise to the reaction solution over 2 hours each. After the dropping, the mixture was heated at 80 ° C. for 2 hours and at 100 ° C. for 1 hour. An acrylic polymer solution containing the polymer (A-10) was obtained. The Mw of the polymer (A-10) was 12,000.
以下の手順で組成物の調整及び評価を行った。結果を表2に示す。
(感放射線性組成物の調整)
表2に示す組成で(A)~(G)の成分を配合、調整した。使用化合物は以下の通り。
(B)感放射線性化合物
B-1:4,4‘-[1-[4-[1[(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール(1.0モル)と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリド(3.0モル)との縮合物
B-2:1,1,1-トリ(p-ヒドロキシフェニル)エタン(1.0モル)と1,2―ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリド(3.0モル)との縮合物
B-3:光ラジカル重合開始剤 NCI-930(ADEKA社製)
(C)(メタ)アクリレート化合物、エポキシ化合物
C-1:ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル
C-2:トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、商品名「デナコールEX-321L」(ナガセケムテックス(株)社製)
C-3:ジペンタエリスリトールアクリレート、商品名「A-DPH」(新中村化学工業(株)製)
C-4:ペンタエリスリトールテトラアクリレート、商品名「A-TMMT」(新中村化学工業(株)製)
C-5:トリメチロールプロパントリアクリレート、商品名「アロニックスM-309」(東亞合成(株)製)
The composition was adjusted and evaluated by the following procedure. The results are shown in Table 2.
(Adjustment of radiation-sensitive composition)
The components (A) to (G) were blended and adjusted with the compositions shown in Table 2. The compounds used are as follows.
(B) Radical compound B-1: 4,4'-[1- [4- [1 [(4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1 , 2-Naftquinone diazide-5-Sulfonic acid chloride (3.0 mol) condensate B-2: 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane (1.0 mol) and 1,2- Condensate with naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride (3.0 mol) B-3: Photoradical polymerization initiator NCI-930 (manufactured by ADEKA)
(C) (Meta) acrylate compound, epoxy compound C-1: pentaerythritol tetraglycidyl ether C-2: trimethylolpropane triglycidyl ether, trade name "Denacol EX-321L" (manufactured by Nagase ChemteX Corporation)
C-3: Dipentaerythritol acrylate, trade name "A-DPH" (manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)
C-4: Pentaerythritol tetraacrylate, trade name "A-TMMT" (manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)
C-5: Trimethylolpropane triacrylate, trade name "Aronix M-309" (manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
(アウトガスの評価)
硬化膜のアウトガスはP&T GC-MSにて測定した。Siウェハ上に各組成物をスピンコートしプレベーク100℃2分間行った。アライナー(SussMicrotec社製、型式「MA-100」)を用い、高圧水銀灯からの紫外線(波長365nm)の露光量300mJ/cm2になるように塗膜の全面に照射した。その後、実施例10,11、比較例3に関しては2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃、60秒間液盛り法にて現像を行い超純水で60秒間流水洗浄を行い乾燥させた。
次いで、250℃で30分間加熱した。その後、一定の面積に切り出した基板片をガラスチューブ内に封入し、250℃15分加熱し、発生ガスをGC-MS装置により分析した。発生したガスの総量を計測し、以下の基準で評価を行った。
◎:発生したガスが硬化膜重量に対し200ppm未満
〇:発生したガスが硬化膜重量に対し200ppm以上1000ppm未満
×:発生したガスが硬化膜重量に対し1000ppm以上
◎:発生したガスが硬化膜重量に対し200ppm未満
〇:発生したガスが硬化膜重量に対し200ppm以上1000ppm未満
×:発生したガスが硬化膜重量に対し1000ppm以上
(Evaluation of outgas)
The outgas of the cured film was measured by P & T GC-MS. Each composition was spin-coated on a Si wafer and prebaked at 100 ° C. for 2 minutes. Using an aligner (manufactured by Suss Microtec, model "MA-100"), the entire surface of the coating film was irradiated so that the exposure amount of ultraviolet rays (wavelength 365 nm) from a high-pressure mercury lamp was 300 mJ / cm 2 . After that, for Examples 10 and 11 and Comparative Example 3, development was carried out in a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. for 60 seconds by a liquid filling method, and washing with ultrapure water for 60 seconds was performed. It was dried.
Then, it was heated at 250 ° C. for 30 minutes. Then, the substrate piece cut out to a certain area was sealed in a glass tube, heated at 250 ° C. for 15 minutes, and the generated gas was analyzed by a GC-MS apparatus. The total amount of gas generated was measured and evaluated according to the following criteria.
◎: The generated gas is less than 200 ppm with respect to the weight of the cured film 〇: The generated gas is 200 ppm or more and less than 1000 ppm with respect to the weight of the cured film ×: The generated gas is 1000 ppm or more with respect to the weight of the cured film ◎: The generated gas is the weight of the cured film 〇: The generated gas is 200 ppm or more and less than 1000 ppm with respect to the weight of the cured film ×: The generated gas is 1000 ppm or more with respect to the weight of the cured film
(クラック耐性の評価)
厚み125μmのカプトンフィルム上にスピンコートした後プレベーク100℃2分にて膜を形成した。アライナー(SussMicrotec社製、型式「MA-100」)を用い、高圧水銀灯からの紫外線を波長365nmにおける露光量300mJ/cm2になるように塗膜の全面に照射した。その後実施例10,11、比較例3に関しては2.38%質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃、60秒間液盛り法にて現像を行い超純水で60秒間流水洗浄を行い乾燥させた。
続いて、前記フィルムを空気下、窒素下にて、250℃30分ポストベークを行い膜厚2.5μmの硬化膜を作製した。本硬化膜付フィルムを曲率半径350μmになるよう心材に固定し、折り曲げ後の膜の状態をSEMにて観察した。
◎:心材無でもクラック 無
〇:曲率半径350μmの心材でクラック 無
×:曲率半径350μmの心材でクラック あり
(Evaluation of crack resistance)
A film was formed by spin-coating on a Kapton film having a thickness of 125 μm and then prebaking at 100 ° C. for 2 minutes. Using an aligner (manufactured by Suss Microtec, model "MA-100"), the entire surface of the coating film was irradiated with ultraviolet rays from a high-pressure mercury lamp so that the exposure amount was 300 mJ / cm 2 at a wavelength of 365 nm. After that, for Examples 10 and 11 and Comparative Example 3, development was carried out in a 2.38% by mass tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. for 60 seconds by a liquid filling method, and washing with ultrapure water was carried out with running water for 60 seconds. It was dried.
Subsequently, the film was post-baked at 250 ° C. for 30 minutes under air and nitrogen to prepare a cured film having a film thickness of 2.5 μm. The film with the cured film was fixed to the core material so as to have a radius of curvature of 350 μm, and the state of the film after bending was observed by SEM.
◎: No cracks even without a core material 〇: No cracks with a core material with a radius of curvature of 350 μm ×: Cracks with a core material with a radius of curvature of 350 μm
(解像度の評価)
シリコン基板上に、調製した各感放射線性樹脂組成物をスピンコートにて塗布した後、
100℃にて2分間ホットプレート上でプレベークすることにより膜厚2.5μmの塗膜を形成した。
得られた塗膜に対し露光機(アライナー SussMicrotec社製、型式「MA-100」)を用いて、365nm波長で露光量300mJ/cm2により、1辺が2μmの正方形パターンが6μm間隔で配置されているマスクを介して、露光を行った。その後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃、60秒間液盛り法にて現像を行った。
次いで超純水で60秒間流水洗浄を行い乾燥させてシリコン基板上にパターンを形成した。こうして得られた一辺が2μmの正方形パターンを走査電子顕微鏡((株)日立製作所製S-4200)を用いて1500倍の倍率で断面形状を観察した。以下に示す評価基準で解像度の評価を行った。
〇:パターン開口部が残差なく形成されている
×:パターン開口部に残差がある
(Evaluation of resolution)
After applying each of the prepared radiation-sensitive resin compositions on a silicon substrate by spin coating,
A coating film having a film thickness of 2.5 μm was formed by prebaking on a hot plate at 100 ° C. for 2 minutes.
On the obtained coating film, a square pattern with a side of 2 μm is arranged at intervals of 6 μm with an exposure amount of 300 mJ / cm 2 at a wavelength of 365 nm using an exposure machine (manufactured by Aligner SusS Microtec, model “MA-100”). The exposure was performed through the mask. Then, development was carried out in a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds by a liquid filling method.
Then, it was washed with running water for 60 seconds with ultrapure water and dried to form a pattern on a silicon substrate. The cross-sectional shape of the square pattern having a side of 2 μm thus obtained was observed at a magnification of 1500 times using a scanning electron microscope (S-4200 manufactured by Hitachi, Ltd.). The resolution was evaluated according to the evaluation criteria shown below.
〇: The pattern opening is formed without a residual. ×: There is a residual in the pattern opening.
(反りの評価)
離型材付き基板上に各組成物を塗布し、その後ホットプレートを用いて100℃2分間加熱し、厚さ10μmの均一な塗膜を作製した。次いで、アライナー(SussMicrotec社製、型式「MA-100」)を用い、高圧水銀灯からの紫外線を波長365nmにおける露光量300mJ/cm2になるように塗膜の全面に照射した。その後実施例10,11,比較例3に関しては2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃、60秒間液盛り法にて現像を行い超純水で60秒間流水洗浄を行い乾燥させた。
次いでオーブンを用いて250℃で30分間加熱した。
加熱処理した後の塗膜を5cm角に切り出し、端部の膜の剥がれの高さを測定した。
以下の評価基準で評価した。
〇:端部の膜の剥がれの高さが10mm以下である場合
×:端部の膜の剥がれの高さが10mm以上である場合
(Evaluation of warpage)
Each composition was applied onto a substrate with a release material, and then heated at 100 ° C. for 2 minutes using a hot plate to prepare a uniform coating film having a thickness of 10 μm. Next, using an aligner (manufactured by Suss Microtec, model "MA-100"), the entire surface of the coating film was irradiated with ultraviolet rays from a high-pressure mercury lamp so that the exposure amount was 300 mJ / cm 2 at a wavelength of 365 nm. After that, for Examples 10 and 11, Comparative Example 3 was developed with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. for 60 seconds by a liquid filling method, washed with ultrapure water for 60 seconds, and dried. I let you.
It was then heated in an oven at 250 ° C. for 30 minutes.
The coating film after the heat treatment was cut into 5 cm squares, and the height of peeling of the film at the end was measured.
It was evaluated according to the following evaluation criteria.
〇: When the height of the peeling of the film at the end is 10 mm or less ×: When the height of the peeling of the film at the end is 10 mm or more
表2に示されるように、実施例1~11は、アウトガスの発生が少なく、クラック耐性も良好であり、解像度も優れる。さらに、反りの評価においても良好な結果が示された。 As shown in Table 2, Examples 1 to 11 generate less outgas, have good crack resistance, and have excellent resolution. Furthermore, good results were shown in the evaluation of warpage.
本発明の感放射線性は、表示装置の絶縁膜等の形成材料として好適に用いることができる。 The radiation-sensitive property of the present invention can be suitably used as a material for forming an insulating film or the like of a display device.
10 タッチパネル付き有機EL装置
20 有機EL表示基板
21 支持基板
22 陽極層
23 有機発光層
24 陰極層
25 接着層
26 封止基板
30 タッチパネル
31 第1センサ電極
32 第2センサ電極
33 層間絶縁膜
34 透明基板
10 Organic EL device with
Claims (14)
(B)感放射線性化合物
を含む感放射線性組成物。
(式(1)中、R1、R2は炭素数1から12の炭化水素基、R3はカルボキシル基、(メタ)アクリロイル基、酸無水物構造のいずれかを有する1価の有機基、R4は炭素数1から12のアルカンジイル基、フェニル基、または脂環式炭化水素を有する2価の有機基を示す。nは2から100の整数、a、bはそれぞれ、1から12の整数を示す。
式(2)中、R5、R6は炭素数1から12の炭化水素基、R7はカルボキシル基、(メタ)アクリロイル基、酸無水物構造のいずれかを有する1価の有機基、R8は炭素数1から12のアルカンジイル基、フェニル基、または脂環式炭化水素を有する2価の有機基を示す。mは2から100の整数、c、dはそれぞれ、1から12の整数を示す。) (A) At least one polymer selected from a polymer having a structural moiety represented by the following formula (1) or a polymer having a structural moiety represented by the following formula (2).
(B) A radiation-sensitive composition containing a radiation-sensitive compound.
(In the formula (1), R 1 and R 2 are hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, R 3 is a carboxyl group, a (meth) acryloyl group, and a monovalent organic group having any of an acid anhydride structure. R4 represents a divalent organic group having an alcandiyl group, a phenyl group, or an alicyclic hydrocarbon having 1 to 12 carbon atoms. N is an integer of 2 to 100, and a and b are 1 to 12, respectively. Indicates an integer.
In formula (2), R 5 and R 6 are hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, R 7 is a carboxyl group, a (meth) acryloyl group, and a monovalent organic group having any of an acid anhydride structure, R. Reference numeral 8 indicates a divalent organic group having an alcandiyl group, a phenyl group, or an alicyclic hydrocarbon having 1 to 12 carbon atoms. m is an integer from 2 to 100, and c and d are integers from 1 to 12, respectively. )
(式中、Raは水素原子またはメチル基を示し、Rbは炭素数2から12の2価の環を巻いていてもよい炭化水素基もしくは炭素数6から10の芳香環を示す。*は結合位を示す。) In the polymer having the structural moiety represented by the formula (1) or the polymer having the structural moiety represented by the formula ( 2 ), R3 is selected from the groups represented by the following formulas (1a) to (1c). The radiation-sensitive composition according to claim 1, wherein R 7 is a group represented by the following formulas (2a) to (2b).
(In the formula, Ra represents a hydrogen atom or a methyl group, and R b represents a hydrocarbon group having a divalent ring having 2 to 12 carbon atoms or an aromatic ring having 6 to 10 carbon atoms *. Indicates the bond position.)
上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
上記塗膜を現像する工程、及び
上記塗膜を加熱する工程
をこの順に備え、上記塗膜を請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性組成物により形成する表示装置用絶縁膜の形成方法。 The process of forming a coating film directly or indirectly on a substrate,
The step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
A display device comprising the steps of developing the coating film and heating the coating film in this order, and forming the coating film with the radiation-sensitive composition according to any one of claims 1 to 5. How to form an insulating film.
(式(3)中、Xは炭素数1から12のアルカンジイル基を示す。nは2から100の整数を示す。) A polymer having a structural site represented by the following formula (3).
(In formula (3), X represents an alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms, and n represents an integer from 2 to 100.)
(式(4)中、Xは炭素数1から12のアルカンジイル基を示す。mは2から100の整数を示す。) A polymer having a structural site represented by the following formula (4).
(In formula (4), X represents an alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms. M represents an integer from 2 to 100.)
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