JP2022042429A

JP2022042429A - Evaluation method of device chip

Info

Publication number: JP2022042429A
Application number: JP2020147867A
Authority: JP
Inventors: 正和小林; Masakazu Kobayashi
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2020-09-02
Filing date: 2020-09-02
Publication date: 2022-03-14

Abstract

To provide an evaluation method for a device chip which can reduce costs while preventing wafer contamination, cracking, and damage.SOLUTION: An evaluation method of a device chip includes a tape sticking step 1001 of sticking a UV curable adhesive tape on the back side of a wafer, a holding step 1002 of holding the back side of the wafer with a chuck table, a laser processing step 1003 of irradiating the wafer with a laser beam in an ultraviolet region from the surface side along a planned division line, an inversion holding step 1004 of holding the surface side of the wafer with the chuck table, a tape curing step 1005 of irradiating a region where at least one device chip of the adhesive tape is attached with a laser beam in the ultraviolet region, and a device chip evaluation step 1006 of performing evaluation by peeling at least one device chip from the adhesive tape.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、デバイスチップの評価方法に関する。 The present invention relates to a method for evaluating a device chip.

ウエーハを分割してデバイスチップを製造する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを、ウエーハに設定されたストリートと呼ばれる分割予定ラインに沿って照射してウエーハをアブレーションさせることで分割する方法が知られている。 As a method of manufacturing a device chip by dividing a wafer, a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer is irradiated along a planned division line called a street set on the wafer to ablate the wafer. The method of dividing is known.

ウエーハを加工する際には、ハンドリング性を向上させるために粘着テープにウエーハを貼り付け、加工後に粘着テープからデバイスチップを剥離してピックアップする流れとなる。デバイスチップを剥離する際には、テープの粘着性が低い方が剥離しやすいため、粘着テープとして紫外線硬化型の粘着剤を用い、ピックアップする前に紫外線を照射して粘着性を低下することでピックアップ性を向上させている。 When processing a wafer, the wafer is attached to an adhesive tape in order to improve handleability, and after processing, the device chip is peeled off from the adhesive tape and picked up. When peeling off the device chip, it is easier to peel off if the adhesiveness of the tape is low, so use an ultraviolet curable adhesive as the adhesive tape and irradiate it with ultraviolet rays before picking up to reduce the adhesiveness. The pick-up property is improved.

ウエーハに対してレーザー加工する加工条件が適切か否かを評価したい場合には、所望のデバイスチップのみをピックアップして断面の観察などを行い、不適切と判断した場合には、加工条件の最適化を行うなどの手法が取り入れられている。 If you want to evaluate whether the processing conditions for laser machining are appropriate for the wafer, pick up only the desired device chip and observe the cross section, and if it is judged to be inappropriate, the processing conditions are optimized. Techniques such as laser beam machining have been adopted.

上述の方法を実現できる装置として、レーザー加工手段と紫外線照射手段を備えたレーザー加工装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に示されたレーザー加工装置は、アブレーションにより粘着材が変質し分割されたデバイスチップが粘着テープからピックアップしにくくなることを抑制するために、レーザービームを照射する前に、粘着テープの全面に紫外線を照射して、粘着テープの粘着材の粘着性を低下させている。 As an apparatus capable of realizing the above method, a laser processing apparatus including a laser processing means and an ultraviolet irradiation means has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In the laser processing apparatus shown in Patent Document 1, in order to prevent the adhesive material from being altered by ablation and the divided device chips from being difficult to pick up from the adhesive tape, the adhesive tape is subjected to before irradiating with a laser beam. The entire surface is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesiveness of the adhesive material of the adhesive tape.

特開２００９－２００１２７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-200127

しかしながら、特許文献１に示されたレーザー加工装置は、装置内にレーザー加工手段と紫外線照射手段とを有するので、コストがかかるという問題がある。 However, the laser processing apparatus shown in Patent Document 1 has a problem that it is costly because it has a laser processing means and an ultraviolet irradiation means in the apparatus.

また、レーザー加工装置は、装置内に紫外線照射手段を有しない場合は、別途準備された紫外線照射手段へとウエーハを移動させる必要があるため、移動中にウエーハにゴミが付着してしまうリスクや、ウエーハが割れてしまうリスクを孕んでいる。 In addition, if the laser processing device does not have an ultraviolet irradiation means in the device, it is necessary to move the wafer to a separately prepared ultraviolet irradiation means, so that there is a risk that dust will adhere to the wafer during movement. , There is a risk that the wafer will crack.

さらに、特許文献１に示されたレーザー加工装置は、加工条件が適切か否かを評価するために所望のデバイスチップのみをピックアップして確認したい場合、ウエーハが貼着された粘着テープの全面に紫外線を照射してしまうと、ピックアップの際に他のデバイスチップまで剥離してしまい、周辺のデバイスチップと接触して破損するおそれがある。 Further, in the laser processing apparatus shown in Patent Document 1, when it is desired to pick up and confirm only a desired device chip in order to evaluate whether or not the processing conditions are appropriate, the laser processing apparatus is applied to the entire surface of the adhesive tape to which the wafer is attached. If it is irradiated with ultraviolet rays, it may peel off to other device chips during pickup, and may come into contact with surrounding device chips and be damaged.

本願発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウエーハの汚染や割れ、破損を防ぎつつ、コストを抑制できるデバイスチップの評価方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above facts, and an object of the present invention is to provide a method for evaluating a device chip that can suppress costs while preventing contamination, cracking, and breakage of a wafer.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスチップの評価方法は、表面に交差する分割予定ラインが設定され、該分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハに対して、該分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射して該ウエーハをデバイスチップへと分割するレーザー加工装置を用いて、該デバイスチップを評価するデバイスチップの評価方法であって、該ウエーハの裏面側に、環状のフレームに装着され紫外線を照射することによって粘着力が低下する紫外線硬化型の粘着テープを貼着するテープ貼着ステップと、該粘着テープが貼着されたウエーハの裏面側を該粘着テープを介してチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルに保持された該ウエーハに対して紫外線領域のレーザービームを該ウエーハの表面側から該分割予定ラインに沿って照射して加工を施すレーザー加工ステップと、該レーザー加工ステップの後、該ウエーハを反転させて該ウエーハの表面側を該チャックテーブルで保持する反転保持ステップと、該反転保持ステップの後、該粘着テープのうち少なくとも１のデバイスチップが貼着された領域を含む任意の領域に対して紫外線領域の該レーザービームを照射し、該粘着テープの任意の領域を硬化させ粘着力を低下させるテープ硬化ステップと、該レーザービームの照射によって粘着力が低下した粘着テープから少なくとも１のデバイスチップを剥離して評価を行うデバイスチップ評価ステップと、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, in the evaluation method of the device chip of the present invention, a planned division line intersecting the surface is set, and the device is formed in the area partitioned by the planned division line. A method for evaluating a device chip, which evaluates the device chip by irradiating the waha with a laser beam along the planned division line and using a laser processing device that divides the waha into device chips. A tape attachment step for attaching an ultraviolet curable adhesive tape that is attached to an annular frame and whose adhesive strength is reduced by irradiating with ultraviolet rays on the back surface side of the laser, and the back surface of the wafer to which the adhesive tape is attached. A holding step in which the side is held by the chuck table via the adhesive tape, and a laser beam in the ultraviolet region is applied to the waha held on the chuck table from the surface side of the waha along the planned division line. After the laser processing step, the waha is inverted and the surface side of the waha is held by the chuck table, and the inverting holding step is followed by the adhesive tape. A tape curing step of irradiating an arbitrary region including an region to which at least one device chip is attached with the laser beam in the ultraviolet region to cure the arbitrary region of the adhesive tape and reduce the adhesive strength. It is characterized by comprising a device chip evaluation step in which at least one device chip is peeled off from an adhesive tape whose adhesive strength is reduced by irradiation with the laser beam and evaluation is performed.

前記デバイスチップの評価方法において、該テープ硬化ステップでは、該レーザー加工ステップで用いたレーザービームの出力より小さい出力で該粘着テープに対してレーザービームを照射しても良い。 In the method for evaluating the device chip, in the tape curing step, the adhesive tape may be irradiated with a laser beam with an output smaller than the output of the laser beam used in the laser processing step.

本発明は、ウエーハの汚染や割れ、破損を防ぎつつ、コストを抑制できるという効果を奏する。 The present invention has an effect that the cost can be suppressed while preventing contamination, cracking and breakage of the wafer.

図１は、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法で用いられるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of a laser processing apparatus used in the device chip evaluation method according to the first embodiment. 図２は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象のウエーハが貼着される粘着テープの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of an adhesive tape to which a wafer to be processed by the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is attached. 図３は、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing the flow of the evaluation method of the device chip according to the first embodiment. 図４は、図３に示されたデバイスチップの評価方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a tape attachment step of the device chip evaluation method shown in FIG. 図５は、図３に示されたデバイスチップの評価方法の保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。FIG. 5 is a side view schematically showing a holding step of the device chip evaluation method shown in FIG. 3 in a partial cross section. 図６は、図３に示されたデバイスチップの評価方法のレーザー加工ステップを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a laser machining step of the device chip evaluation method shown in FIG. 図７は、図３に示されたデバイスチップの評価方法の反転保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。FIG. 7 is a side view schematically showing the inversion holding step of the device chip evaluation method shown in FIG. 3 in a partial cross section. 図８は、図３に示されたデバイスチップの評価方法のテープ硬化ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。FIG. 8 is a side view schematically showing a tape curing step of the device chip evaluation method shown in FIG. 3 in a partial cross section.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. Further, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るデバイスチップの評価方法を図面に基づいて説明する。まず、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法で用いられるレーザー加工装置１の構成を説明する。図１は、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法で用いられるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象のウエーハが貼着される粘着テープの断面図である。実施形態１に係る図１に示すレーザー加工装置１は、ウエーハ２００に対してパルス状のレーザービーム２１を照射し、ウエーハ２００をレーザー加工する装置である。 [Embodiment 1]
The evaluation method of the device chip according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the configuration of the laser processing apparatus 1 used in the device chip evaluation method according to the first embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of a laser processing apparatus used in the device chip evaluation method according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of an adhesive tape to which a wafer to be processed by the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is attached. The laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 according to the first embodiment is an apparatus that irradiates the wafer 200 with a pulsed laser beam 21 to laser-process the wafer 200.

（ウエーハ）
図１に示されたレーザー加工装置１の加工対象であるウエーハ２００は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などの基板２０１を有する円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハである。ウエーハ２００は、基板２０１の表面２０２に交差する分割予定ライン２０３が複数設定され、分割予定ライン２０３によって区画された領域にデバイス２０４が形成されている。 (Wafer)
The wafer 200 to be processed by the laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 is a disc-shaped semiconductor wafer or an optical device wafer having a substrate 201 such as silicon, sapphire, or gallium arsenide. In the wafer 200, a plurality of scheduled division lines 203 intersecting the surface 202 of the substrate 201 are set, and the device 204 is formed in the region partitioned by the scheduled division lines 203.

デバイス２０４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。 The device 204 is, for example, an integrated circuit such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration), an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor).

また、実施形態１において、ウエーハ２００は、ウエーハ２００の外径よりも大径な円板状でかつ外縁部に環状のフレーム２０７が貼着された粘着テープ２０８が裏面２０５に貼着されて、フレーム２０７の開口２０９内に支持される。実施形態１では、粘着テープ２０８は、図２に示すように、粘着性を有する樹脂で構成されかつウエーハ２００の裏面２０５に貼着する糊層２０８－１と、糊層２０８－１に積層されかつ非粘着性の樹脂で構成された基材層２０８－２とを備える。糊層２０８－１は、紫外線が照射されることによって粘着力が低下する紫外線硬化型の樹脂で構成されている。粘着テープ２０８は、糊層２０８－１が紫外線硬化型の樹脂で構成されることにより、紫外線を照射することによって粘着力が低下する紫外線硬化型の粘着テープである。また、粘着テープ２０８は、透光性を有している。 Further, in the first embodiment, the wafer 200 has an adhesive tape 208 having a disk shape having a diameter larger than the outer diameter of the wafer 200 and having an annular frame 207 attached to the outer edge portion, and the adhesive tape 208 is attached to the back surface 205. It is supported in the opening 209 of the frame 207. In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the adhesive tape 208 is laminated on the glue layer 208-1 and the glue layer 208-1 which are made of an adhesive resin and are attached to the back surface 205 of the wafer 200. It also includes a substrate layer 208-2 made of a non-adhesive resin. The glue layer 208-1 is made of an ultraviolet curable resin whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays. The adhesive tape 208 is an ultraviolet curable adhesive tape whose adhesive strength is reduced by irradiating with ultraviolet rays because the glue layer 208-1 is composed of an ultraviolet curable resin. Further, the adhesive tape 208 has a translucent property.

実施形態１において、ウエーハ２００は、粘着テープ２０８によりフレーム２０７の開口２０９内に支持された状態で、レーザー加工装置１により、分割予定ライン２０３に沿って個々のデバイスチップ２０６に分割される。なお、デバイスチップ２０６は、基板２０１の一部分とデバイス２０４とを含んでいる。 In the first embodiment, the wafer 200 is divided into individual device chips 206 along the scheduled division line 203 by the laser processing device 1 while being supported by the adhesive tape 208 in the opening 209 of the frame 207. The device chip 206 includes a part of the substrate 201 and the device 204.

（レーザー加工装置）
レーザー加工装置１は、ウエーハ２００に対して、分割予定ライン２０３に沿ってレーザービーム２１を照射して、ウエーハ２００をデバイスチップ２０６へと分割する装置である。レーザー加工装置１は、図１に示すように、ウエーハ２００を保持面１１で保持するチャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０と、移動ユニット３０と、撮像ユニット４０と、制御ユニット１００とを備える。 (Laser processing equipment)
The laser processing device 1 is a device that irradiates the wafer 200 with a laser beam 21 along a scheduled division line 203 to divide the wafer 200 into a device chip 206. As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1 includes a chuck table 10 for holding a wafer 200 on a holding surface 11, a laser beam irradiation unit 20, a moving unit 30, an imaging unit 40, and a control unit 100. ..

チャックテーブル１０は、ウエーハ２００を保持面１１で保持する。保持面１１は、ポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。チャックテーブル１０は、保持面１１上に載置されたウエーハ２００を吸引保持する。実施形態１では、保持面１１は、水平方向と平行な平面である。チャックテーブル１０の周囲には、ウエーハ２００を開口２０９内に支持するフレーム２０７を挟持するクランプ部１２が複数配置されている。 The chuck table 10 holds the wafer 200 on the holding surface 11. The holding surface 11 has a disk shape formed of porous ceramic or the like, and is connected to a vacuum suction source (not shown) via a vacuum suction path (not shown). The chuck table 10 sucks and holds the wafer 200 placed on the holding surface 11. In the first embodiment, the holding surface 11 is a plane parallel to the horizontal direction. A plurality of clamp portions 12 for sandwiching the frame 207 that supports the wafer 200 in the opening 209 are arranged around the chuck table 10.

また、チャックテーブル１０は、移動ユニット３０の回転移動ユニット３４により保持面１１に対して直交しかつ鉛直方向と平行なＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。チャックテーブル１０は、回転移動ユニット３４とともに、移動ユニット３０のＸ軸移動ユニット３１により水平方向と平行なＸ軸方向に移動されかつＹ軸移動ユニット３２により水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動される。チャックテーブル１０は、移動ユニット３０によりレーザービーム照射ユニット２０の下方の加工領域と、レーザービーム照射ユニット２０の下方から離れてウエーハ２００が搬入、搬出される搬入出領域とに亘って移動される。 Further, the chuck table 10 is rotated by the rotational movement unit 34 of the moving unit 30 about an axial center orthogonal to the holding surface 11 and parallel to the Z-axis direction parallel to the vertical direction. The chuck table 10 is moved in the X-axis direction parallel to the horizontal direction by the X-axis moving unit 31 of the moving unit 30 together with the rotary moving unit 34, and is parallel to the horizontal direction and orthogonal to the X-axis direction by the Y-axis moving unit 32. It is moved in the Y-axis direction. The chuck table 10 is moved by the moving unit 30 over a processing region below the laser beam irradiation unit 20 and a loading / unloading region where the wafer 200 is carried in and out away from below the laser beam irradiation unit 20.

レーザービーム照射ユニット２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ２００に対してパルス状のレーザービーム２１を照射するユニットである。実施形態１では、レーザービーム照射ユニット２０は、ウエーハ２００に対して吸収性を有する波長（実施形態１では、３５５ｎｍ）のパルス状のレーザービーム２１を照射して、ウエーハ２００にアブレーション加工を施すレーザービーム照射手段である。即ち、レーザービーム照射ユニット２０は、波長が紫外線領域のレーザービーム２１をウエーハ２００に照射する。 The laser beam irradiation unit 20 is a unit that irradiates the wafer 200 held on the chuck table 10 with a pulsed laser beam 21. In the first embodiment, the laser beam irradiation unit 20 irradiates a pulsed laser beam 21 having a wavelength (355 nm in the first embodiment) having absorption with respect to the wafer 200 to ablate the wafer 200. It is a beam irradiation means. That is, the laser beam irradiation unit 20 irradiates the wafer 200 with the laser beam 21 having a wavelength in the ultraviolet region.

実施形態１では、レーザービーム照射ユニット２０の一部は、図１に示すように、装置本体２から立設した立設壁３に設けられた移動ユニット３０のＺ軸移動ユニット３３によりＺ軸方向に移動される昇降部材４に支持されている。レーザービーム照射ユニット２０は、ウエーハ２００を加工するためのパルス状のレーザービーム２１を発振するレーザー発振器と、チャックテーブル１０の保持面１１に保持されたウエーハ２００にレーザー発振器から発振されたレーザービーム２１を集光する集光レンズ２２と、レーザー発振器と集光レンズ２２との間のレーザービーム２１の光路上に設けられかつレーザー発振器が発振したレーザービーム２１を集光レンズ２２まで導く少なくとも一つの光学部品とを含む。 In the first embodiment, as shown in FIG. 1, a part of the laser beam irradiation unit 20 is in the Z-axis direction by the Z-axis moving unit 33 of the moving unit 30 provided on the erection wall 3 erected from the apparatus main body 2. It is supported by the elevating member 4 that is moved to. The laser beam irradiation unit 20 includes a laser oscillator that oscillates a pulsed laser beam 21 for processing the waha 200, and a laser beam 21 oscillated from the laser oscillator to the waha 200 held on the holding surface 11 of the chuck table 10. At least one optic that guides the laser beam 21 provided on the optical path of the laser beam 21 between the laser oscillator and the condensing lens 22 and oscillated by the laser oscillator to the condensing lens 22. Including parts.

集光レンズ２２は、チャックテーブル１０の保持面１１とＺ軸方向に対向する位置に配置され、レーザー発振器から発振されたレーザービーム２１を透過して、レーザービーム２１を集光点２１－１（図６に示す）に集光させる。 The condensing lens 22 is arranged at a position facing the holding surface 11 of the chuck table 10 in the Z-axis direction, passes through the laser beam 21 oscillated from the laser oscillator, and transmits the laser beam 21 to the condensing point 21-1 (condensing point 21-1). (Shown in FIG. 6).

移動ユニット３０は、レーザービーム照射ユニット２０とチャックテーブル１０とをＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＺ軸方向と平行な軸心回りに相対的に移動させるものである。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、保持面１１と平行な方向である。移動ユニット３０は、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させる加工送りユニットであるＸ軸移動ユニット３１と、チャックテーブル１０をＹ軸方向に移動させる割り出し送りユニットであるＹ軸移動ユニット３２と、レーザービーム照射ユニット２０に含まれる集光レンズ２２をＺ軸方向に移動させるＺ軸移動ユニット３３と、チャックテーブル１０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット３４とを備える。 The moving unit 30 relatively moves the laser beam irradiation unit 20 and the chuck table 10 around an axis parallel to the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the Z-axis direction. The X-axis direction and the Y-axis direction are parallel to the holding surface 11. The moving unit 30 includes an X-axis moving unit 31 which is a machining feed unit that moves the chuck table 10 in the X-axis direction, a Y-axis moving unit 32 which is an indexing feed unit that moves the chuck table 10 in the Y-axis direction, and a laser. It includes a Z-axis moving unit 33 that moves the condenser lens 22 included in the beam irradiation unit 20 in the Z-axis direction, and a rotational moving unit 34 that rotates the chuck table 10 around an axis parallel to the Z-axis direction.

Ｙ軸移動ユニット３２は、チャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０とを相対的に割り出し送りするユニットである。実施形態１では、Ｙ軸移動ユニット３２は、レーザー加工装置１の装置本体２上に設置されている。Ｙ軸移動ユニット３２は、Ｘ軸移動ユニット３１を支持した移動プレート１５をＹ軸方向に移動自在に支持している。 The Y-axis moving unit 32 is a unit that relatively indexes and feeds the chuck table 10 and the laser beam irradiation unit 20. In the first embodiment, the Y-axis moving unit 32 is installed on the apparatus main body 2 of the laser processing apparatus 1. The Y-axis moving unit 32 supports the moving plate 15 that supports the X-axis moving unit 31 so as to be movable in the Y-axis direction.

Ｘ軸移動ユニット３１は、チャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０とを相対的に加工送りするユニットである。Ｘ軸移動ユニット３１は、移動プレート１５上に設置されている。Ｘ軸移動ユニット３１は、チャックテーブル１０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット３４を支持した第２移動プレート１６をＸ軸方向に移動自在に支持している。Ｚ軸移動ユニット３３は、立設壁３に設置され、昇降部材４をＺ軸方向に移動自在に支持している。 The X-axis moving unit 31 is a unit that relatively processes and feeds the chuck table 10 and the laser beam irradiation unit 20. The X-axis moving unit 31 is installed on the moving plate 15. The X-axis moving unit 31 movably supports a second moving plate 16 that supports a rotational moving unit 34 that rotates the chuck table 10 around an axis parallel to the Z-axis direction. The Z-axis moving unit 33 is installed on the upright wall 3 and supports the elevating member 4 so as to be movable in the Z-axis direction.

Ｘ軸移動ユニット３１、Ｙ軸移動ユニット３２及びＺ軸移動ユニット３３は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のパルスモータ、移動プレート１５，１６をＸ軸方向又はＹ軸方向に移動自在に支持するとともに、昇降部材４をＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。 The X-axis moving unit 31, the Y-axis moving unit 32, and the Z-axis moving unit 33 include a well-known ball screw rotatably provided around the axis, a well-known pulse motor that rotates the ball screw around the axis, and a moving plate. It is provided with a well-known guide rail that movably supports 15 and 16 in the X-axis direction or the Y-axis direction and supports the elevating member 4 movably in the Z-axis direction.

また、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０のＸ軸方向の位置を検出するための図示しないＸ軸方向位置検出ユニットと、チャックテーブル１０のＹ軸方向の位置を検出するための図示しないＹ軸方向位置検出ユニットと、レーザービーム照射ユニット２０に含まれる集光レンズ２２のＺ軸方向の位置を検出するＺ軸方向位置検出ユニットとを備える。各位置検出ユニットは、検出結果を制御ユニット１００に出力する。 Further, the laser processing apparatus 1 includes an X-axis direction position detection unit (not shown) for detecting the position of the chuck table 10 in the X-axis direction, and a Y-axis (not shown) for detecting the position of the chuck table 10 in the Y-axis direction. It includes a direction position detection unit and a Z-axis direction position detection unit that detects the position of the condenser lens 22 included in the laser beam irradiation unit 20 in the Z-axis direction. Each position detection unit outputs the detection result to the control unit 100.

撮像ユニット４０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ２００を撮像するものである。撮像ユニット４０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ２００を撮像するＣＣＤ（Charge Coupled Device）撮像素子又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）撮像素子等の撮像素子を備える。実施形態１では、撮像ユニット４０は、レーザービーム照射ユニット２０の筐体の先端に取り付けられて、レーザービーム照射ユニット２０の集光レンズ２２とＸ軸方向に並ぶ位置に配置されている。撮像ユニット４０は、ウエーハ２００を撮像して、ウエーハ２００とレーザービーム照射ユニット２０との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を得て、得た画像を制御ユニット１００に出力する。 The image pickup unit 40 takes an image of the wafer 200 held on the chuck table 10. The image pickup unit 40 includes an image pickup device such as a CCD (Charge Coupled Device) image pickup device or a CMOS (Complementary MOS) image pickup device that captures an image of the weight 200 held on the chuck table 10. In the first embodiment, the image pickup unit 40 is attached to the tip of the housing of the laser beam irradiation unit 20 and is arranged at a position aligned with the condenser lens 22 of the laser beam irradiation unit 20 in the X-axis direction. The image pickup unit 40 takes an image of the wafer 200, obtains an image for performing alignment for aligning the wafer 200 and the laser beam irradiation unit 20, and outputs the obtained image to the control unit 100.

制御ユニット１００は、レーザー加工装置１の上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウエーハ２００に対する加工動作をレーザー加工装置１に実施させるものである。なお、制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット１００の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１の上述した構成要素に出力して、制御ユニット１００の機能を実現する。 The control unit 100 controls each of the above-mentioned components of the laser processing device 1 to cause the laser processing device 1 to perform a processing operation on the wafer 200. The control unit 100 is an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and input / output. It is a computer having an interface device. The arithmetic processing unit of the control unit 100 performs arithmetic processing according to a computer program stored in the storage device, and transmits a control signal for controlling the laser processing apparatus 1 to the laser processing apparatus 1 via an input / output interface apparatus. The function of the control unit 100 is realized by outputting to the above-mentioned components.

また、制御ユニット１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニット１１０と、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットとが接続されている。入力ユニットは、表示ユニット１１０に設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。 Further, the control unit 100 is connected to a display unit 110 composed of a liquid crystal display device or the like for displaying a processing operation state, an image, or the like, and an input unit (not shown) used when an operator registers processing content information or the like. ing. The input unit is composed of at least one of a touch panel provided on the display unit 110 and an external input device such as a keyboard.

（デバイスチップの評価方法）
次に、デバイスチップの評価方法を説明する。デバイスチップの評価方法は、前述したレーザー加工装置１を用いて、ウエーハ２００から分割されたデバイスチップ２０６を評価する評価方法である。図３は、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法の流れを示すフローチャートである。デバイスチップの評価方法は、図３に示すように、テープ貼着ステップ１００１と、保持ステップ１００２と、レーザー加工ステップ１００３と、反転保持ステップ１００４と、テープ硬化ステップ１００５と、デバイスチップ評価ステップ１００６と、を備える。以下、デバイスチップの評価方法の各ステップを説明する。 (Device chip evaluation method)
Next, an evaluation method of the device chip will be described. The device chip evaluation method is an evaluation method for evaluating the device chip 206 divided from the wafer 200 by using the laser processing apparatus 1 described above. FIG. 3 is a flowchart showing the flow of the evaluation method of the device chip according to the first embodiment. As shown in FIG. 3, the device chip evaluation method includes a tape sticking step 1001, a holding step 1002, a laser processing step 1003, an inversion holding step 1004, a tape curing step 1005, and a device chip evaluation step 1006. , Equipped with. Hereinafter, each step of the device chip evaluation method will be described.

（テープ貼着ステップ）
図４は、図３に示されたデバイスチップの評価方法のテープ貼着ステップを示す斜視図である。テープ貼着ステップ１００１は、ウエーハ２００の裏面２０５側に、環状のフレーム２０７に装着され紫外線を照射することによって粘着力が低下する紫外線硬化型の粘着テープ２０８を貼着するステップである。実施形態１において、テープ貼着ステップ１００１では、図４に示すように、外縁部に環状のフレーム２０７が貼着された粘着テープ２０８の糊層２０８－１の中央にウエーハ２００の裏面２０５を対向させた後、粘着テープ２０８の糊層２０８－１の中央にウエーハ２００の裏面２０５を貼着する。 (Tape application step)
FIG. 4 is a perspective view showing a tape attachment step of the device chip evaluation method shown in FIG. The tape sticking step 1001 is a step of sticking an ultraviolet curable adhesive tape 208 attached to the annular frame 207 to the back surface 205 side of the wafer 200 and whose adhesive strength is reduced by irradiating with ultraviolet rays. In the first embodiment, in the tape attaching step 1001, as shown in FIG. 4, the back surface 205 of the wafer 200 faces the center of the glue layer 208-1 of the adhesive tape 208 to which the annular frame 207 is attached to the outer edge portion. After that, the back surface 205 of the wafer 200 is attached to the center of the glue layer 208-1 of the adhesive tape 208.

（保持ステップ）
図５は、図３に示されたデバイスチップの評価方法の保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。保持ステップ１００２は、粘着テープ２０８が貼着されたウエーハ２００の裏面２０５側を粘着テープ２０８を介してチャックテーブル１０で保持するステップである。実施形態１において、保持ステップ１００２では、レーザー加工装置１は、オペレータが入力ユニット等を操作して入力した加工条件を制御ユニット１００が受け付け、粘着テープ２０８を介して搬入出領域に位置付けられたチャックテーブル１０の保持面１１にウエーハ２００が載置される。 (Holding step)
FIG. 5 is a side view schematically showing a holding step of the device chip evaluation method shown in FIG. 3 in a partial cross section. The holding step 1002 is a step of holding the back surface 205 side of the wafer 200 to which the adhesive tape 208 is attached by the chuck table 10 via the adhesive tape 208. In the first embodiment, in the holding step 1002, the laser machining apparatus 1 receives the machining conditions input by the operator by operating the input unit or the like by the control unit 100, and the chuck is positioned in the carry-in / out region via the adhesive tape 208. The wafer 200 is placed on the holding surface 11 of the table 10.

なお、加工条件は、レーザー加工ステップ１００３のレーザービーム２１の出力、繰り返し周波数、加工送り速度であるチャックテーブル１０のＸ軸方向の移動速度、レーザービーム２１のウエーハ２００の表面２０２におけるスポット径を含む。また、加工条件は、デバイスチップ評価ステップ１００６の評価対象のデバイスチップ２０６の位置、テープ硬化ステップ１００５のレーザービーム２１の出力、繰り返し周波数、加工送り速度であるチャックテーブル１０のＸ軸方向の移動速度、レーザービーム２１の粘着テープ２０８の基材層２０８－２の表面におけるスポット径を含む。 The machining conditions include the output of the laser beam 21 in the laser machining step 1003, the repetition frequency, the moving speed of the chuck table 10 in the X-axis direction, which is the machining feed rate, and the spot diameter on the surface 202 of the wafer 200 of the laser beam 21. .. The machining conditions include the position of the device chip 206 to be evaluated in the device chip evaluation step 1006, the output of the laser beam 21 in the tape curing step 1005, the repetition frequency, and the moving speed of the chuck table 10 in the X-axis direction, which is the machining feed rate. , Includes a spot diameter on the surface of the substrate layer 208-2 of the adhesive tape 208 of the laser beam 21.

なお、実施形態１では、テープ硬化ステップ１００５のレーザービーム２１の出力は、レーザー加工ステップ１００３のレーザービーム２１の出力よりも低いことが望ましく、テープ硬化ステップ１００５のレーザービーム２１の粘着テープ２０８の基材層２０８－２の表面におけるスポット径は、レーザー加工ステップ１００３のレーザービーム２１のウエーハ２００の表面２０２におけるスポット径よりも大きいのが望ましい。このように、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法は、テープ硬化ステップ１００５においてレーザービーム２１が粘着テープ２０８の基材層２０８－２の表面の単位面積当たりに付与するエネルギー（即ち、エネルギー密度）は、レーザー加工ステップ１００３においてレーザービーム２１がウエーハ２００の表面２０２の単位面積当たりに付与するエネルギーよりも低いことが望ましい。 In the first embodiment, it is desirable that the output of the laser beam 21 of the tape curing step 1005 is lower than the output of the laser beam 21 of the laser processing step 1003, and the base of the adhesive tape 208 of the laser beam 21 of the tape curing step 1005. It is desirable that the spot diameter on the surface of the material layer 208-2 is larger than the spot diameter on the surface 202 of the wafer 200 of the laser beam 21 in the laser processing step 1003. As described above, in the device chip evaluation method according to the first embodiment, the energy applied per unit area of the surface of the base material layer 208-2 of the adhesive tape 208 by the laser beam 21 in the tape curing step 1005 (that is, the energy density). ) Is preferably lower than the energy given by the laser beam 21 per unit area of the surface 202 of the wafer 200 in the laser processing step 1003.

実施形態１では、例えば、レーザー加工ステップ１００３のレーザービーム２１の出力は、２．０Ｗであり、繰り返し周波数は、６００ｋＨｚであり、加工送り速度であるチャックテーブル１０のＸ軸方向の移動速度は、２００ｍｍ／ｓであり、レーザービーム２１のウエーハ２００の表面２０２におけるスポット径は、０．０１０ｍｍである。また、実施形態１では、例えば、テープ硬化ステップ１００５のレーザービーム２１の出力は、０．５Ｗであり、繰り返し周波数は、６００ｋＨｚであり、加工送り速度であるチャックテーブル１０のＸ軸方向の移動速度は、２００ｍｍ／ｓであり、レーザービーム２１の粘着テープ２０８の基材層２０８－２の表面におけるスポット径は、２．０ｍｍである。 In the first embodiment, for example, the output of the laser beam 21 in the laser machining step 1003 is 2.0 W, the repetition frequency is 600 kHz, and the moving speed of the chuck table 10 which is the machining feed rate in the X-axis direction is 1. It is 200 mm / s, and the spot diameter of the laser beam 21 on the surface 202 of the wafer 200 is 0.010 mm. Further, in the first embodiment, for example, the output of the laser beam 21 in the tape curing step 1005 is 0.5 W, the repetition frequency is 600 kHz, and the moving speed of the chuck table 10 in the X-axis direction, which is the machining feed rate. Is 200 mm / s, and the spot diameter on the surface of the base material layer 208-2 of the adhesive tape 208 of the laser beam 21 is 2.0 mm.

実施形態１において、保持ステップ１００２では、レーザー加工装置１は、制御ユニット１００が入力ユニットからオペレータの加工動作開始指示を受け付けると、加工動作を開始し、図５に示すように、ウエーハ２００を粘着テープ２０８を介して、チャックテーブル１０の保持面１１に吸引保持し、クランプ部１２でフレーム２０７をクランプする。なお、図５は、クランプ部１２を省略している。 In the first embodiment, in the holding step 1002, when the control unit 100 receives the operator's machining operation start instruction from the input unit, the laser machining apparatus 1 starts the machining operation and adheres the wafer 200 as shown in FIG. It is sucked and held on the holding surface 11 of the chuck table 10 via the tape 208, and the frame 207 is clamped by the clamping portion 12. Note that FIG. 5 omits the clamp portion 12.

（レーザー加工ステップ）
図６は、図３に示されたデバイスチップの評価方法のレーザー加工ステップを示す斜視図である。レーザー加工ステップ１００３は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ２００に対して紫外線領域のレーザービーム２１をウエーハ２００の表面２０２側から分割予定ライン２０３に沿って照射してレーザー加工を施すステップである。 (Laser processing step)
FIG. 6 is a perspective view showing a laser machining step of the device chip evaluation method shown in FIG. The laser processing step 1003 is a step of irradiating the wafer 200 held on the chuck table 10 with a laser beam 21 in the ultraviolet region from the surface 202 side of the wafer 200 along the scheduled division line 203 to perform laser processing.

実施形態１において、レーザー加工ステップ１００３では、レーザー加工装置１は、移動ユニット３０がチャックテーブル１０を加工領域に向かって移動して、撮像ユニット４０がウエーハ２００を撮影する。レーザー加工ステップ１００３では、レーザー加工装置１が、撮像ユニット４０が撮像して得た画像に基づいて、アライメントを遂行する。 In the first embodiment, in the laser machining step 1003, in the laser machining device 1, the moving unit 30 moves the chuck table 10 toward the machining region, and the imaging unit 40 takes an image of the wafer 200. In the laser processing step 1003, the laser processing apparatus 1 performs alignment based on the image obtained by the image pickup unit 40.

実施形態１において、レーザー加工ステップ１００３では、レーザー加工装置１は、加工条件に基づいて、移動ユニット３０がレーザービーム照射ユニット２０とウエーハ２００とを分割予定ライン２０３に沿って相対的に移動させながら、レーザービーム照射ユニット２０がパルス状のレーザービーム２１を分割予定ライン２０３に照射する。 In the first embodiment, in the laser processing step 1003, in the laser processing apparatus 1, the moving unit 30 relatively moves the laser beam irradiation unit 20 and the waha 200 along the scheduled division line 203 based on the processing conditions. , The laser beam irradiation unit 20 irradiates the pulsed laser beam 21 on the scheduled division line 203.

実施形態１において、レーザー加工ステップ１００３では、レーザー加工装置１は、レーザービーム２１の集光点２１－１をウエーハ２００の各分割予定ライン２０３の表面２０２に設定して、レーザービーム２１を照射し、図６に示すように、ウエーハ２００の各分割予定ライン２０３にアブレーション加工を施して、各分割予定ライン２０３にレーザー加工溝２１０を形成する。レーザー加工溝２１０は、ウエーハ２００を貫通した溝であり、ウエーハ２００を個々のデバイスチップ２０６に分割する溝である。 In the first embodiment, in the laser processing step 1003, the laser processing apparatus 1 sets the focusing point 21-1 of the laser beam 21 on the surface 202 of each scheduled division line 203 of the waha 200 and irradiates the laser beam 21. As shown in FIG. 6, each scheduled division line 203 of the weight 200 is subjected to ablation processing to form a laser machined groove 210 in each scheduled division line 203. The laser-machined groove 210 is a groove that penetrates the wafer 200 and divides the wafer 200 into individual device chips 206.

実施形態１において、レーザー加工ステップ１００３では、レーザー加工装置１は、ウエーハ２００の全ての分割予定ライン２０３にレーザー加工溝２１０を形成し、ウエーハ２００を個々のデバイスチップ２０６に分割すると、レーザービーム２１の照射を停止する。実施形態１において、レーザー加工ステップ１００３では、レーザー加工装置１は、移動ユニット３０がチャックテーブル１０を搬入出領域に向かって移動し、チャックテーブル１０を搬入出領域に停止し、チャックテーブル１０がウエーハ２００の吸引保持を停止するとともに、クランプ部１２がフレーム２０７のクランプを解除する。 In the first embodiment, in the laser processing step 1003, the laser processing apparatus 1 forms a laser processing groove 210 in all scheduled division lines 203 of the wafer 200, and when the wafer 200 is divided into individual device chips 206, the laser beam 21 is formed. Stop the irradiation of. In the first embodiment, in the laser machining step 1003, in the laser machining device 1, the moving unit 30 moves the chuck table 10 toward the loading / unloading region, stops the chuck table 10 in the loading / unloading region, and the chuck table 10 moves to the wafer. The suction holding of the 200 is stopped, and the clamp portion 12 releases the clamp of the frame 207.

（反転保持ステップ）
図７は、図３に示されたデバイスチップの評価方法の反転保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。反転保持ステップ１００４は、レーザー加工ステップ１００３の後、ウエーハ２００を反転させてウエーハ２００の表面２０２側をチャックテーブル１０で保持するステップである。実施形態１において、反転保持ステップ１００４では、レーザー加工装置１は、搬入出領域に位置付けられたチャックテーブル１０の保持面１１からウエーハ２００が取り外された後、保持面１１に保護シート２１１が載置され、保護シート２１１上にウエーハ２００の表面２０２が載置される。 (Inverted holding step)
FIG. 7 is a side view schematically showing the inversion holding step of the device chip evaluation method shown in FIG. 3 in a partial cross section. The inversion holding step 1004 is a step in which the wafer 200 is inverted and the surface 202 side of the wafer 200 is held by the chuck table 10 after the laser processing step 1003. In the first embodiment, in the inversion holding step 1004, the laser processing apparatus 1 places the protective sheet 211 on the holding surface 11 after the wafer 200 is removed from the holding surface 11 of the chuck table 10 positioned in the carry-in / out area. Then, the surface 202 of the wafer 200 is placed on the protective sheet 211.

実施形態１において、反転保持ステップ１００４では、レーザー加工装置１は、制御ユニット１００が入力ユニットからオペレータの加工動作再開指示を受け付けると、加工動作を再開し、図７に示すように、ウエーハ２００を保護シート２１１を介して、チャックテーブル１０の保持面１１に吸引保持し、クランプ部１２でフレーム２０７をクランプする。なお、図７は、クランプ部１２を省略している。 In the first embodiment, in the inversion holding step 1004, when the control unit 100 receives the operator's machining operation restart instruction from the input unit, the laser machining apparatus 1 restarts the machining operation, and as shown in FIG. 7, the wafer 200 is used. It is sucked and held on the holding surface 11 of the chuck table 10 via the protective sheet 211, and the frame 207 is clamped by the clamping portion 12. Note that FIG. 7 omits the clamp portion 12.

なお、保護シート２１１は、通気性を有する材料で構成され、ウエーハ２００の外径よりも大径な円板状に形成されている。保護シート２１１は、ウエーハ２００の表面２０２全体上に重ねられて、ウエーハ２００の表面２０２側を保護する。 The protective sheet 211 is made of a breathable material and is formed in a disk shape having a diameter larger than the outer diameter of the wafer 200. The protective sheet 211 is superposed on the entire surface 202 of the wafer 200 to protect the surface 202 side of the wafer 200.

（テープ硬化ステップ）
図８は、図３に示されたデバイスチップの評価方法のテープ硬化ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。テープ硬化ステップ１００５は、反転保持ステップ１００４の後、粘着テープ２０８のうち少なくとも１のデバイスチップ２０６が貼着された領域を含む任意の領域に対して紫外線領域のレーザービーム２１を照射し、粘着テープ２０８の任意の領域を硬化させ粘着力を低下させるステップである。 (Tape curing step)
FIG. 8 is a side view schematically showing a tape curing step of the device chip evaluation method shown in FIG. 3 in a partial cross section. In the tape curing step 1005, after the inversion holding step 1004, an arbitrary region including the region to which at least one device chip 206 of the adhesive tape 208 is attached is irradiated with the laser beam 21 in the ultraviolet region, and the adhesive tape is taped. It is a step of curing an arbitrary region of 208 to reduce the adhesive strength.

実施形態１において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザー加工装置１は、移動ユニット３０がチャックテーブル１０を加工領域に向かって移動して、撮像ユニット４０がウエーハ２００を撮影する。なお、粘着テープ２０８が透光性を有しているために、撮像ユニット４０が撮像して得た画像には、個々に分割されたデバイスチップ２０６が撮像されている。テープ硬化ステップ１００５では、レーザー加工装置１が、撮像ユニット４０が撮像して得た画像に基づいて、加工条件で設定された評価対象のデバイスチップ２０６の位置を特定する。 In the first embodiment, in the tape curing step 1005, in the laser processing apparatus 1, the moving unit 30 moves the chuck table 10 toward the processing region, and the imaging unit 40 photographs the wafer 200. Since the adhesive tape 208 has translucency, the individually divided device chip 206 is imaged in the image obtained by the image pickup unit 40. In the tape curing step 1005, the laser processing device 1 identifies the position of the device chip 206 to be evaluated set under the processing conditions based on the image obtained by the image pickup unit 40.

実施形態１において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザー加工装置１は、加工条件に基づいて、移動ユニット３０がレーザービーム照射ユニット２０とウエーハ２００とを分割予定ライン２０３に沿って相対的に移動させながら、レーザービーム照射ユニット２０が評価対象のデバイスチップ２０６を含みかつ評価対象のデバイスチップ２０６の周囲の粘着テープ２０８にパルス状のレーザービーム２１を照射する。このように、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法は、レーザー加工ステップ１００３とテープ硬化ステップ１００５とにおいて、同一のレーザービーム照射ユニット２０から同じ波長のレーザービーム２１をウエーハ２００又は粘着テープ２０８に照射する。実施形態１において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザー加工装置１は、加工条件に基づいて、粘着テープ２０８にレーザービーム２１を照射するので、レーザー加工ステップ１００３で用いたレーザービーム２１の出力より小さい出力で粘着テープ２０８に対してレーザービームを照射する。 In the first embodiment, in the tape curing step 1005, in the laser processing apparatus 1, the moving unit 30 relatively moves the laser beam irradiation unit 20 and the waha 200 along the scheduled division line 203 based on the processing conditions. , The laser beam irradiation unit 20 includes the device chip 206 to be evaluated and irradiates the adhesive tape 208 around the device chip 206 to be evaluated with the pulsed laser beam 21. As described above, in the device chip evaluation method according to the first embodiment, in the laser processing step 1003 and the tape curing step 1005, the laser beam 21 having the same wavelength is transferred from the same laser beam irradiation unit 20 to the wafer 200 or the adhesive tape 208. Irradiate. In the first embodiment, in the tape curing step 1005, the laser processing apparatus 1 irradiates the adhesive tape 208 with the laser beam 21 based on the processing conditions, so that the output is smaller than the output of the laser beam 21 used in the laser processing step 1003. The adhesive tape 208 is irradiated with a laser beam.

また、実施形態１において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザー加工装置１は、図８に示すように、集光点２１－１を粘着テープ２０８の基材層２０８－２の表面よりも集光レンズ２２寄りに設定して、即ち所謂デフォーカスして、パルス状のレーザービーム２１を評価対象のデバイスチップ２０６を含みかつ評価対象のデバイスチップ２０６の周囲の粘着テープ２０８に照射する。すると、レーザービーム２１が照射された領域の糊層２０８－１が硬化して、粘着力が低下する。 Further, in the first embodiment, in the tape curing step 1005, as shown in FIG. 8, the laser processing apparatus 1 sets the light collecting point 21-1 as a light collecting lens rather than the surface of the base material layer 208-2 of the adhesive tape 208. It is set closer to 22, that is, so-called defocusing, and the pulsed laser beam 21 is applied to the adhesive tape 208 including the device chip 206 to be evaluated and around the device chip 206 to be evaluated. Then, the glue layer 208-1 in the region irradiated with the laser beam 21 is cured, and the adhesive strength is lowered.

また、実施形態１において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザー加工装置１が照射したレーザービーム２１の粘着テープ２０８の基材層２０８－２の表面におけるスポットの形状は、レーザー加工ステップ１００３で照射されたレーザービーム２１のウエーハ２００の表面におけるスポットの形状と相似形である。しかしながら、本発明では、レーザービーム照射ユニット２０がスポットの形状を整形するマスクを有して、マスクを用いて、テープ硬化ステップ１００５で照射するレーザービーム２１の粘着テープ２０８の基材層２０８－２の表面におけるスポットの形状をデバイスチップ２０６の平面形状と同等の形状に整形して、レーザー加工ステップ１００３で照射されたレーザービーム２１のウエーハ２００の表面におけるスポットの形状と異なる形状としても良い。 Further, in the first embodiment, in the tape curing step 1005, the shape of the spot on the surface of the base material layer 208-2 of the adhesive tape 208 of the laser beam 21 irradiated by the laser processing apparatus 1 was irradiated in the laser processing step 1003. The shape is similar to the shape of the spot on the surface of the waha 200 of the laser beam 21. However, in the present invention, the laser beam irradiation unit 20 has a mask for shaping the shape of the spot, and the base layer 208-2 of the adhesive tape 208 of the laser beam 21 irradiated with the mask in the tape curing step 1005. The shape of the spot on the surface of the device chip 206 may be shaped to be the same as the planar shape of the device chip 206, and the shape may be different from the shape of the spot on the surface of the waha 200 of the laser beam 21 irradiated in the laser processing step 1003.

また、実施形態１において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザービーム照射ユニット２０が評価対象のデバイスチップ２０６を含みかつ評価対象のデバイスチップ２０６の周囲の粘着テープ２０８にレーザービーム２１を照射するが、本発明では、粘着テープ２０８の評価対象のデバイスチップ２０６が貼着された領域のみにレーザービーム２１を照射しても良い。要するに、本発明において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザービーム照射ユニット２０が粘着テープ２０８の全面にレーザービーム２１を照射することなく、粘着テープ２０８のうち少なくとも評価対象の１のデバイスチップ２０６が貼着された領域にレーザービーム２１を照射すればよい。 Further, in the first embodiment, in the tape curing step 1005, the laser beam irradiation unit 20 includes the device chip 206 to be evaluated and irradiates the adhesive tape 208 around the device chip 206 to be evaluated with the laser beam 21. In the present invention, the laser beam 21 may be applied only to the region to which the device chip 206 to be evaluated of the adhesive tape 208 is attached. In short, in the present invention, in the tape curing step 1005, at least one device chip 206 of the adhesive tape 208 to be evaluated is attached without the laser beam irradiation unit 20 irradiating the entire surface of the adhesive tape 208 with the laser beam 21. The laser beam 21 may be applied to the affected area.

実施形態１において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザー加工装置１は、粘着テープ２０８の前述した領域にレーザービーム２１を照射すると、レーザービーム２１の照射を停止する。実施形態１において、テープ硬化ステップ１００５では、レーザー加工装置１は、移動ユニット３０がチャックテーブル１０を搬入出領域に向かって移動し、チャックテーブル１０を搬入出領域に停止し、チャックテーブル１０がウエーハ２００の吸引保持を停止するとともに、クランプ部１２がフレーム２０７のクランプを解除する。 In the first embodiment, in the tape curing step 1005, when the laser processing device 1 irradiates the above-mentioned region of the adhesive tape 208 with the laser beam 21, the irradiation of the laser beam 21 is stopped. In the first embodiment, in the tape curing step 1005, in the laser processing apparatus 1, the moving unit 30 moves the chuck table 10 toward the loading / unloading region, stops the chuck table 10 in the loading / unloading region, and the chuck table 10 moves to the wafer. The suction holding of the 200 is stopped, and the clamp portion 12 releases the clamp of the frame 207.

（デバイスチップ評価ステップ）
デバイスチップ評価ステップ１００６は、レーザービーム２１の照射によって粘着力が低下した粘着テープ２０８から少なくとも１のデバイスチップを剥離して評価を行うステップである。実施形態１において、デバイスチップ評価ステップ１００６では、搬入出領域に位置付けられたチャックテーブル１０の保持面１１からウエーハ２００が取り外し、ウエーハ２００の評価対象のデバイスチップ２０６を粘着テープ２０８から剥離して、評価対象のデバイスチップ２０６を種々の測定装置で測定して、デバイスチップ２０６の評価を行う。 (Device chip evaluation step)
The device chip evaluation step 1006 is a step of peeling at least one device chip from the adhesive tape 208 whose adhesive strength has been reduced by the irradiation of the laser beam 21 for evaluation. In the first embodiment, in the device chip evaluation step 1006, the waha 200 is removed from the holding surface 11 of the chuck table 10 positioned in the carry-in / out area, and the device chip 206 to be evaluated of the waha 200 is peeled off from the adhesive tape 208. The device chip 206 to be evaluated is measured by various measuring devices to evaluate the device chip 206.

なお、デバイスチップ評価ステップ１００６では、例えば、測定装置である撮像ユニット４０によりデバイスチップ２０６の外側面を観察する。また、顕微鏡によりデバイスチップ２０６の外側面を観察する際には、評価対象のデバイスチップ２０６を粘着テープ２０８の粘着力が低下していない領域に貼着して、デバイスチップ２０６を粘着テープ２０８から立てた状態で行っても良い。 In the device chip evaluation step 1006, for example, the outer surface of the device chip 206 is observed by the image pickup unit 40 which is a measuring device. When observing the outer surface of the device chip 206 with a microscope, the device chip 206 to be evaluated is attached to a region where the adhesive strength of the adhesive tape 208 is not reduced, and the device chip 206 is attached to the adhesive tape 208 from the adhesive tape 208. You may go in an upright position.

以上説明したように、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法は、粘着テープ２０８の糊層２０８－１を硬化するための紫外線の照射を加工用のレーザービームを用いて行うので、レーザー加工装置１のコストを抑制することができる。また、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法は、レーザー加工ステップ１００３とテープ硬化ステップ１００５とをレーザー加工装置１を用いて行うことができるので、ウエーハ２００の移動に伴う汚染や割れのリスクを低減可能となる。 As described above, in the device chip evaluation method according to the first embodiment, since the irradiation of ultraviolet rays for curing the glue layer 208-1 of the adhesive tape 208 is performed using a laser beam for processing, a laser processing apparatus. The cost of 1 can be suppressed. Further, in the device chip evaluation method according to the first embodiment, since the laser processing step 1003 and the tape curing step 1005 can be performed by using the laser processing apparatus 1, there is a risk of contamination or cracking due to the movement of the wafer 200. It can be reduced.

また、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法は、テープ硬化ステップ１００５において粘着テープ２０８の一部分の領域にレーザービーム２１を照射して、評価対象のデバイスチップ２０６が貼着された領域のみの粘着性を低下させられるため、周辺のデバイスチップ２０６の剥離を抑制し破損リスクを回避することができるという効果を奏する。 Further, in the device chip evaluation method according to the first embodiment, the laser beam 21 is irradiated to a part of the adhesive tape 208 in the tape curing step 1005, and only the region to which the device chip 206 to be evaluated is attached is adhered. Since the property can be reduced, it is possible to suppress the peeling of the peripheral device chip 206 and avoid the risk of breakage.

その結果、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法は、ウエーハ２００の汚染や割れ、破損を防ぎつつ、レーザー加工装置１のコストを抑制できるという効果を奏する。 As a result, the device chip evaluation method according to the first embodiment has an effect that the cost of the laser processing apparatus 1 can be suppressed while preventing contamination, cracking, and breakage of the wafer 200.

また、実施形態１に係るデバイスチップの評価方法は、テープ硬化ステップ１００５において粘着テープ２０８の一部分の領域にレーザービーム２１を照射して、評価対象のデバイスチップ２０６が貼着された領域のみの粘着性を低下させられるため、評価対象のデバイスチップ２０６を、粘着テープ２０８の粘着性が低下していない領域に貼着することができる。このために、デバイスチップの評価方法は、デバイスチップ評価ステップ１００６において、評価対象のデバイスチップ２０６を粘着テープ２０８に貼着して、粘着テープ２０８から立てて、撮像ユニット４０で評価対象のデバイスチップ２０６の外側面を観察することが可能となる。 Further, in the device chip evaluation method according to the first embodiment, the laser beam 21 is irradiated to a part of the adhesive tape 208 in the tape curing step 1005, and the adhesive is adhered only to the region to which the device chip 206 to be evaluated is attached. Since the property can be reduced, the device chip 206 to be evaluated can be attached to the region where the adhesiveness of the adhesive tape 208 is not reduced. Therefore, in the device chip evaluation method, in the device chip evaluation step 1006, the device chip 206 to be evaluated is attached to the adhesive tape 208, stands up from the adhesive tape 208, and is evaluated by the image pickup unit 40. It becomes possible to observe the outer surface of 206.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be variously modified and carried out within a range that does not deviate from the gist of the present invention.

１レーザー加工装置
１０チャックテーブル
２０レーザービーム照射ユニット
２１レーザービーム
２１－１集光点
２００ウエーハ
２０２表面
２０３分割予定ライン
２０４デバイス
２０５裏面
２０６デバイスチップ
２０７フレーム
２０８粘着テープ
１００１テープ貼着ステップ
１００２保持ステップ
１００３レーザー加工ステップ
１００４反転保持ステップ
１００５テープ硬化ステップ
１００６デバイスチップ評価ステップ 1 Laser processing equipment 10 Chuck table 20 Laser beam irradiation unit 21 Laser beam 21-1 Condensing point 200 Waha 202 Front side 203 Split schedule line 204 Device 205 Back side 206 Device chip 207 Frame 208 Adhesive tape 1001 Tape sticking step 1002 Holding step 1003 Laser processing step 1004 Inversion holding step 1005 Tape curing step 1006 Device chip evaluation step

Claims

A wafer having a planned division line intersecting the surface and a device formed in the area partitioned by the planned division line is irradiated with a laser beam along the planned division line to transfer the wafer to the device chip. It is a method of evaluating a device chip that evaluates the device chip by using a laser processing device that divides the device chip into the above.
A tape sticking step of sticking an ultraviolet curable adhesive tape attached to an annular frame to the back side of the wafer and whose adhesive strength is reduced by irradiating with ultraviolet rays, and a tape sticking step.
A holding step of holding the back side of the wafer to which the adhesive tape is attached on a chuck table via the adhesive tape, and a holding step.
A laser processing step of irradiating the wafer held on the chuck table with a laser beam in an ultraviolet region from the surface side of the wafer along the planned division line to perform processing.
After the laser machining step, an inversion holding step of inverting the wafer and holding the surface side of the wafer on the chuck table,
After the inversion holding step, the laser beam in the ultraviolet region is applied to any region including the region to which at least one device chip of the adhesive tape is attached, and the arbitrary region of the adhesive tape is cured. A tape curing step that reduces the adhesive strength and
A device chip evaluation step in which at least one device chip is peeled off from an adhesive tape whose adhesive strength has been reduced by irradiation with the laser beam and evaluation is performed.
How to evaluate device chips, including.

In the tape curing step,
The method for evaluating a device chip according to claim 1, wherein the adhesive tape is irradiated with a laser beam with an output smaller than the output of the laser beam used in the laser processing step.