JP2022038445A - Light shielding layer lamination type substrate - Google Patents

Light shielding layer lamination type substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2022038445A
JP2022038445A JP2020142957A JP2020142957A JP2022038445A JP 2022038445 A JP2022038445 A JP 2022038445A JP 2020142957 A JP2020142957 A JP 2020142957A JP 2020142957 A JP2020142957 A JP 2020142957A JP 2022038445 A JP2022038445 A JP 2022038445A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
shielding layer
metal
metal light
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020142957A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
弘晃 伊藤
Hiroaki Ito
雅彦 西出
Masahiko Nishide
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2020142957A priority Critical patent/JP2022038445A/en
Publication of JP2022038445A publication Critical patent/JP2022038445A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

To prevent, when dividing a mother board by irradiation with a laser beam during the manufacture of a tiling panel, the influence of heat generated in a laser beam irradiation unit to prevent a sublimate generated by the irradiation with the laser beam from attaching to surrounding wires.SOLUTION: A light shielding layer lamination type substrate comprises: a substrate 2 that has a first face 2a and a second face 2b on the opposite side of the first face 2a; a first metal light shielding layer 31 that is laminated at an end edge on one side on the first face 2a; a first insulating layer 31i that is laminated on the first metal light shielding layer 31 and a portion 2a1 on the first face 2a exposed from the first metal light shielding layer 31: a second metal light shielding layer 32 that is laminated on a portion 2a1 on the first insulating layer 31i not overlapping the first metal light shielding layer 31; and a second insulating layer 32i that is laminated on the second metal light shielding layer 32 and a portion 23a on the first insulating layer 31i overlapping the first metal light shielding layer 31.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、基板の側面同士を結合(タイリング)して複合型表示装置を作製するのに好適に用いられる遮光層積層型基板に関する。 The present disclosure relates to a light-shielding layer laminated substrate which is suitably used for manufacturing a composite display device by connecting (tiling) the side surfaces of the substrate.

従来から、表示パネルを複数枚、横に並べてタイリングし、マルチディスプレイまたはタイリングパネルとも呼ばれる一つの大型の複合型表示装置を製造する方法が知られている。複合型表示装置を構成する複数の表示パネルは、有効表示領域の外側の非表示領域となる額縁部を、極力小さくするか、なくす必要がある。また、個々の表示パネルは、発光素子を表面側に搭載するための基板と、基板の裏面側に設置される駆動部と、発光素子と駆動部を電気的に接続し、基板の側面に配置される側面配線と、を備える場合がある。この場合、基板の表面上の端縁部に、側面配線に接続される表面側の側面配線パッドが位置し、基板の裏面上の端縁部に、側面配線に接続される裏面側の側面配線パッドが位置している。 Conventionally, there has been known a method of tying a plurality of display panels side by side side by side to manufacture one large composite display device also called a multi-display or a tiling panel. In the plurality of display panels constituting the composite display device, it is necessary to make the frame portion, which is a non-display area outside the effective display area, as small as possible or eliminate it. In addition, each display panel is arranged on the side surface of the substrate by electrically connecting the substrate for mounting the light emitting element on the front surface side, the drive unit installed on the back surface side of the substrate, and the light emitting element and the drive unit. May be provided with side wiring. In this case, the side wiring pad on the front surface side connected to the side wiring is located at the edge portion on the front surface of the board, and the side wiring on the back surface side connected to the side wiring is located at the edge portion on the back surface of the board. The pad is located.

また、各表示パネルは、大面積の母基板にレーザ光を照射して個々の基板に分割する、いわゆるレーザカット法によって形成された基板を用いて作製される。レーザ光を母基板に照射すると、レーザ光の照射部、即ち切断部である基板の端縁部において発生した熱によって、基板上であって基板の端縁部付近にある絶縁層、特に有機樹脂等から成る有機質の絶縁層が昇華し、基板上に付着していた。この付着を防止することができる技術が求められている。 Further, each display panel is manufactured by using a substrate formed by a so-called laser cutting method, in which a large-area mother substrate is irradiated with laser light and divided into individual substrates. When the mother substrate is irradiated with laser light, the heat generated in the irradiated portion of the laser beam, that is, the edge portion of the substrate, which is the cutting portion, causes an insulating layer on the substrate near the edge portion of the substrate, particularly an organic resin. An organic insulating layer made of the above sublimated and adhered to the substrate. There is a demand for a technique capable of preventing this adhesion.

このような付着を防止するための従来技術は、例えば特許文献1に記載されている。この従来技術では、発光素子が素子基板と対向基板とに挟まれた構成であり、対向基板側に遮光層が設けられる。遮光層において、画素領域に設けられる遮光層と、画素領域の外周の周辺領域に設けられる遮光層とは、熱抵抗が異なるので、周辺領域の遮光層をフレキシブル基板に接続し、フレキシブル基板から熱を外部に放熱する構成が提案されている。 A conventional technique for preventing such adhesion is described in, for example, Patent Document 1. In this conventional technique, the light emitting element is sandwiched between the element substrate and the facing substrate, and a light shielding layer is provided on the facing substrate side. In the light-shielding layer, the light-shielding layer provided in the pixel area and the light-shielding layer provided in the peripheral area of the outer periphery of the pixel area have different thermal resistances. Has been proposed to dissipate heat to the outside.

また、有機層を備えた基板をレーザ光によって切断する基板の製造方法が、例えば特許文献2に記載されている。この従来技術は、一方の主面側に配置された有機層と、他方の主面側に設けられる仮想切断線とを有する基板を、レーザ光によって切断する基板の製造方法であって、有機層は仮想切断線位置から離間して配置されており、他方の主面側、あるいは有機層と他方の主面との間にレーザ遮光層を設け、他方の主面側からレーザ光を仮想切断線に向けて照射させ、レーザ遮光層によって有機層への熱ダメージを緩和させる構成である。 Further, for example, Patent Document 2 describes a method for manufacturing a substrate for cutting a substrate having an organic layer by a laser beam. This conventional technique is a method for manufacturing a substrate that cuts a substrate having an organic layer arranged on one main surface side and a virtual cutting line provided on the other main surface side by a laser beam, and is an organic layer. Is arranged away from the virtual cutting line position, a laser shading layer is provided on the other main surface side or between the organic layer and the other main surface, and the laser beam is emitted from the other main surface side. It is configured to irradiate toward the surface and reduce the heat damage to the organic layer by the laser shading layer.

特開2008-234841号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-234841 特開2019-179175号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-179175

上記特許文献1,2に記載される従来技術では、タイリングパネル作製時のレーザ光照射によって基板を切断する際の切断位置、即ち予め設定された切断線に対する切断位置のばらつきによって、正常状態では絶縁層に覆われているはずの、Mo等の金属から成る金属遮光層の端面が、露出する可能性がある。その場合、上記の側面配線を、基板の表面上の端縁部にある側面配線パッドから基板の側面を経て基板の裏面上の端縁部にある側面配線パッドにかけて形成すると、側面配線が金属遮光層の露出部に接触し、その露出部を介して異なる信号を伝送する側面配線パッド同士が電気的に短絡するおそれがある。また、金属遮光層が絶縁性の基板の全周に繋がってパターン形成されているため、治具等の外部の導電性部材等が近づいたときに、導電性部材等との間で大容量のコンデンサを形成しやすくなる。そして、金属遮光層に発生した静電気(電荷)が導電性部材等に放電される場合があり、その場合、表示装置の誤動作の原因となる静電気放電(Electro Static Discharge:ESD)が発生する。 In the prior art described in Patent Documents 1 and 2, in a normal state, the cutting position when cutting the substrate by laser irradiation at the time of manufacturing the tiling panel, that is, the variation of the cutting position with respect to the preset cutting line, causes the normal state. The end face of a metal shading layer made of a metal such as Mo, which should be covered by the insulating layer, may be exposed. In that case, when the above side wiring is formed from the side wiring pad on the edge on the front surface of the board to the side wiring pad on the edge on the back surface of the board via the side surface of the board, the side wiring is metal-shielded. The side wiring pads that come into contact with the exposed portion of the layer and transmit different signals through the exposed portion may be electrically short-circuited. Further, since the metal light-shielding layer is connected to the entire circumference of the insulating substrate to form a pattern, a large capacity is formed between the metal light-shielding layer and the conductive member when an external conductive member such as a jig approaches. It becomes easier to form a capacitor. Then, the static electricity (charge) generated in the metal light-shielding layer may be discharged to the conductive member or the like, and in that case, an electrostatic discharge (ESD) that causes a malfunction of the display device is generated.

したがって、従来から、タイリングパネル作製時のレーザ光照射による母基板の分割時に、レーザ光の照射部に発生する熱の影響を抑えて、レーザ光照射による昇華物質の周囲の配線等への付着を抑えることができる技術が求められている。また、レーザ光による切断位置のばらつきによって、側面配線が金属遮光層の露出部を介して異なる信号を伝送する側面配線パッド同士が短絡することを抑えることができる技術が求められている。また、静電気放電が発生しにくい構成の金属遮光層が求められている。 Therefore, conventionally, when the mother substrate is divided by laser light irradiation at the time of manufacturing a tyling panel, the influence of heat generated in the laser light irradiation portion is suppressed, and the sublimation substance adheres to the surrounding wiring or the like by laser light irradiation. There is a demand for technology that can suppress the problem. Further, there is a demand for a technique capable of suppressing short-circuiting of side wiring pads that transmit different signals through the exposed portion of the metal light-shielding layer due to variations in the cutting position due to the laser beam. Further, there is a demand for a metal light-shielding layer having a structure in which electrostatic discharge is unlikely to occur.

本開示の遮光層積層型基板は、第1面と、前記第1面とは反対側の第2面とを有する基板と、前記第1面上における一辺側の端縁部に積層される第1金属遮光層と、前記第1金属遮光層上、および前記第1面上における前記第1金属遮光層から露出する部位に、積層される第1絶縁層と、前記第1絶縁層上における前記第1金属遮光層に重ならない部位に積層される第2金属遮光層と、前記第2金属遮光層上、および前記第1絶縁層上における前記第1金属遮光層に重なる部位に、積層される第2絶縁層と、を備えている。 The light-shielding layer laminated substrate of the present disclosure is laminated on a substrate having a first surface, a second surface opposite to the first surface, and an edge portion on one side of the first surface. The first insulating layer laminated on the first metal light-shielding layer and the portion exposed from the first metal light-shielding layer on the first metal light-shielding layer and the first insulating layer. It is laminated on the second metal light-shielding layer that is laminated on the portion that does not overlap the first metal light-shielding layer, and on the portion that overlaps the first metal light-shielding layer on the second metal light-shielding layer and the first insulating layer. It is provided with a second insulating layer.

本開示の遮光層積層型基板によれば、第1金属遮光層と、その上方に第1金属遮光層に重ならない部位に位置する第2金属遮光層と、を備えることから、タイリングパネル作製時のレーザ光照射による母基板の分割時に、レーザ光の照射部に発生する熱の絶縁層への影響を効果的に抑えることができる。その結果、レーザ光照射による絶縁層の昇華物質が周囲の配線等に付着することを抑えることができる。また、レーザ光の照射部に発生する熱の影響によって、側面配線が第1金属遮光層の露出部を介して異なる側面配線パッド同士が短絡することを抑えることができる。また、金属遮光層が第1金属遮光層と第2金属遮光層とに分割されていることから、静電気放電が発生しにくい構成の金属遮光層となる。 According to the light-shielding layer laminated substrate of the present disclosure, a first metal light-shielding layer and a second metal light-shielding layer located above the light-shielding layer of the first metal light-shielding layer are provided. It is possible to effectively suppress the influence of heat generated on the irradiated portion of the laser beam on the insulating layer when the mother substrate is divided by the laser beam irradiation. As a result, it is possible to prevent the sublimation substance of the insulating layer due to laser light irradiation from adhering to the surrounding wiring or the like. Further, it is possible to prevent the side wiring pads having different side wirings from being short-circuited through the exposed portion of the first metal light-shielding layer due to the influence of heat generated in the irradiation portion of the laser beam. Further, since the metal light-shielding layer is divided into a first metal light-shielding layer and a second metal light-shielding layer, the metal light-shielding layer has a structure in which electrostatic discharge is unlikely to occur.

本開示の実施形態の遮光層積層型基板の構成を模式的に示す一部の平面図である。It is a part of the plan view schematically showing the structure of the light-shielding layer laminated substrate of the embodiment of this disclosure. 図1の遮光層積層型基板を切断面線II-IIから見た拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the light-shielding layer laminated substrate of FIG. 1 as viewed from the cut surface line II-II. 図1の遮光層積層型基板を切断面線III-IIIから見た拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the light-shielding layer laminated substrate of FIG. 1 as viewed from the cut plane line III-III. 図1に示す遮光層積層型基板の第1面側の回路構成を模式的に示すブロック回路図である。It is a block circuit diagram schematically showing the circuit configuration on the 1st surface side of the light-shielding layer laminated board shown in FIG. 1. 遮光層積層型基板の第2面側の回路構成を模式的に示すブロック回路図である。It is a block circuit diagram schematically showing the circuit structure on the 2nd surface side of a light-shielding layer laminated board.

以下、添付図面を参照して、本開示の遮光層積層型基板の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the light-shielding layer laminated substrate of the present disclosure will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は本開示の実施形態の遮光層積層型基板1の構成を模式的に示す一部の平面図であり、図2は図1の遮光層積層型基板1を切断面線II-IIから見た拡大断面図であり、図3は図1の遮光層積層型基板1を切断面線III-IIIから見た拡大断面図である。なお、図2および図3において、図解を容易にするため、基板2の第2面2b側の回路構成は省略している。本実施形態の遮光層積層型基板1は、母基板をレーザ光照射によって裏面側から切断し、複数層の金属遮光層を具備した、タイリング用の狭額縁の複数の表示装置用基板として実現される。母基板の切断用のレーザ光としては、高出力のCO2レーザまたはYAGレーザ等を採用することができる。レーザ光L(図3に示す)のビーム径は、5μm~5mm程度である。なお、符号「~」は、「乃至」を意味する。 FIG. 1 is a partial plan view schematically showing the configuration of the light-shielding layer laminated substrate 1 of the embodiment of the present disclosure, and FIG. 2 shows the light-shielding layer laminated substrate 1 of FIG. 1 from the cut surface line II-II. It is an enlarged cross-sectional view as seen, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the light-shielding layer laminated substrate 1 of FIG. 1 as seen from the cut plane line III-III. In addition, in FIG. 2 and FIG. 3, the circuit configuration on the second surface 2b side of the substrate 2 is omitted in order to facilitate the illustration. The light-shielding layer laminated substrate 1 of the present embodiment is realized as a substrate for a plurality of display devices having a narrow frame for tiling, in which a mother substrate is cut from the back surface side by laser light irradiation and a plurality of metal light-shielding layers are provided. Will be done. As the laser beam for cutting the mother substrate, a high-power CO 2 laser, a YAG laser, or the like can be adopted. The beam diameter of the laser beam L (shown in FIG. 3) is about 5 μm to 5 mm. The symbol "-" means "to".

遮光層積層型基板1は、第1面2aと、第1面2aとは反対側の第2面2bとを有する基板2と、第1面2a上における一辺側の端縁部Wに積層される第1金属遮光層31と、第1金属遮光層31上、および第1面2a上における第1金属遮光層31から露出する部位2a1に、積層される第1絶縁層31iと、第1絶縁層31i上における第1金属遮光層31に重ならない部位2a1に積層される第2金属遮光層32と、第2金属遮光層32上、および第1絶縁層31i上における第1金属遮光層31に重なる部位23aに、積層される第2絶縁層32iと、を備えている構成である。この構成により、以下の効果を奏する。第1金属遮光層31と、その上方に第1金属遮光層31に重ならない部位2a1に位置する第2金属遮光層32と、を備えることから、タイリングパネル作製時の母基板の裏面側からのレーザ光照射による母基板の分割時に、レーザ光の照射部に発生する熱の絶縁層(特に第2絶縁層32i)への影響を効果的に抑えることができる。その結果、レーザ光照射による絶縁層の昇華物質が周囲の配線等に付着することを抑えることができる。また、レーザ光による切断位置のばらつきによって、側面配線10が第1金属遮光層31の露出部を介して異なる信号を伝送する側面配線パッド同士が短絡することを抑えることができる。また、金属遮光層が第1金属遮光層31と第2金属遮光層32とに分割されていることから、静電気放電が発生しにくい構成の金属遮光層となる。 The light-shielding layer laminated substrate 1 is laminated on a substrate 2 having a first surface 2a and a second surface 2b opposite to the first surface 2a, and an edge portion W on one side on the first surface 2a. The first insulating layer 31i and the first insulating layer 31i laminated on the first metal light-shielding layer 31 and the portion 2a1 exposed from the first metal light-shielding layer 31 on the first metal light-shielding layer 31 and on the first surface 2a. On the second metal light-shielding layer 32 laminated on the portion 2a1 not overlapping the first metal light-shielding layer 31 on the layer 31i, on the second metal light-shielding layer 32, and on the first metal light-shielding layer 31 on the first insulating layer 31i. The second insulating layer 32i to be laminated is provided on the overlapping portion 23a. This configuration produces the following effects. Since the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 located at the portion 2a1 not overlapping the first metal light-shielding layer 31 are provided above the first metal light-shielding layer 31, from the back surface side of the mother substrate at the time of manufacturing the tiling panel. It is possible to effectively suppress the influence of heat generated on the irradiated portion of the laser beam on the insulating layer (particularly, the second insulating layer 32i) when the mother substrate is divided by the laser beam irradiation. As a result, it is possible to prevent the sublimation substance of the insulating layer due to laser light irradiation from adhering to the surrounding wiring or the like. Further, it is possible to prevent the side wiring 10 from short-circuiting the side wiring pads that transmit different signals through the exposed portion of the first metal light-shielding layer 31 due to the variation in the cutting position due to the laser beam. Further, since the metal light-shielding layer is divided into the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32, the metal light-shielding layer has a structure in which electrostatic discharge is unlikely to occur.

また遮光層積層型基板1は、基板2の第1面2a上にマトリックス状に配列された画素部3と、基板2の第2面2b上に位置する電源供給回路7と、基板2の第1面2a上の端縁部W付近に位置し、側面配線10に電気的に接続される複数の第1配線パッド(第1側面配線パッド)8と、基板2の第2面2b上の端縁部W付近に位置し、側面配線10に電気的に接続される複数の第2配線パッド(第2側面配線パッド)9と、複数の側面配線10と、を備えていてもよい。第1金属遮光層31および第2金属遮光層32の幅は、例えば50μm~200μm程度である。 Further, the light-shielding layer laminated substrate 1 includes pixel portions 3 arranged in a matrix on the first surface 2a of the substrate 2, a power supply circuit 7 located on the second surface 2b of the substrate 2, and a second substrate 2. A plurality of first wiring pads (first side wiring pads) 8 located near the edge portion W on the one surface 2a and electrically connected to the side wiring 10, and the end on the second surface 2b of the substrate 2. A plurality of second wiring pads (second side surface wiring pads) 9 located near the edge portion W and electrically connected to the side surface wiring 10 may be provided, and a plurality of side surface wirings 10 may be provided. The width of the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 is, for example, about 50 μm to 200 μm.

レーザ光Lの遮光層としての第1金属遮光層31および第2金属遮光層32の材料は、アルミニウム、クロム、モリブデン、あるいはこれら金属の合金であってもよい。また第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、それぞれ単層であってもよいが、複数層を積層した積層構造であってもよい。第1および第2金属遮光層31,32の材料が、反射率の高いアルミニウムである場合、第1および第2金属遮光層31,32のレーザ光Lの照射側に、透明な絶縁層を設けてもよい。この場合、第1および第2金属遮光層31,32によって反射率が低下することなくレーザ光Lが反射されるとともに、透明な絶縁層によって熱吸収が低減される。その結果、レーザ光Lは、基板2の第2面2b側の外部へ、熱吸収を抑えて効率的に反射される。従って、第2絶縁層32iおよび有機絶縁層24,26等への熱的ダメージを低減する効果が大きくなる。 The material of the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 as the light-shielding layer of the laser beam L may be aluminum, chromium, molybdenum, or an alloy of these metals. Further, the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may each have a single layer, but may have a laminated structure in which a plurality of layers are laminated. When the materials of the first and second metal light-shielding layers 31 and 32 are aluminum having high reflectance, a transparent insulating layer is provided on the irradiation side of the laser beam L of the first and second metal light-shielding layers 31 and 32. You may. In this case, the laser beam L is reflected by the first and second metal shading layers 31 and 32 without lowering the reflectance, and the heat absorption is reduced by the transparent insulating layer. As a result, the laser beam L is efficiently reflected to the outside of the second surface 2b side of the substrate 2 while suppressing heat absorption. Therefore, the effect of reducing thermal damage to the second insulating layer 32i, the organic insulating layers 24, 26, and the like is increased.

また、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32の材料は、より好適にはモリブデンなどであってもよい。モリブデンは、レーザ光を効率的に吸収し伝熱するため、反射光の強度を抑えることができるとともに、遮光層積層型基板1の温度上昇を抑えることができる。即ち、第1および第2金属遮光層31,32で反射された反射光の2次反射および吸収による熱的ダメージの低減効果を大きくすることができる。 Further, the material of the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be more preferably molybdenum or the like. Since molybdenum efficiently absorbs and transfers heat from the laser beam, the intensity of the reflected light can be suppressed and the temperature rise of the light-shielding layer laminated substrate 1 can be suppressed. That is, it is possible to increase the effect of reducing thermal damage due to the secondary reflection and absorption of the reflected light reflected by the first and second metal shading layers 31 and 32.

また、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、「Mo/Al/Mo」、「MoNd/AlNd/MoNd」等から成る構成であってもよい。ここで、「Mo/Al/Mo」は、Mo層上にAl層が積層され、Al層上にMo層が積層された積層構造を示す。 Further, the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be configured to be composed of "Mo / Al / Mo", "MoNd / AlNd / MoNd" and the like. Here, "Mo / Al / Mo" indicates a laminated structure in which the Al layer is laminated on the Mo layer and the Mo layer is laminated on the Al layer.

また、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32の材料は、黒色を呈する酸化クロムであってもよい。即ち、レーザ光Lを吸収して減衰する層であってもよい。 Further, the material of the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be chromium oxide exhibiting black color. That is, it may be a layer that absorbs and attenuates the laser beam L.

また遮光層積層型基板1は、図1に示すように、第1金属遮光層31は複数あり、それぞれの第1金属遮光層31は、端縁部Wに一辺(例えば、第2辺2ab)に平行な方向において互いに間隔をあけて積層されており、第2金属遮光層32は、第1絶縁層31i上における隣接する第1金属遮光層31間の部位2a1に積層されている構成であってもよい。なお、部位2a1は、上記の第1金属遮光層31に重ならない部位でもある。この場合、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32が、より細かく分割されて、それぞれより小面積とされていることから、静電気放電がより発生しにくい構成の金属遮光層となる。 Further, as shown in FIG. 1, the light-shielding layer laminated substrate 1 has a plurality of first metal light-shielding layers 31, and each of the first metal light-shielding layers 31 has one side (for example, the second side 2ab) on the edge portion W. The second metal light-shielding layer 32 is laminated on the first insulating layer 31i at the portion 2a1 between the adjacent first metal light-shielding layers 31. You may. The portion 2a1 is also a portion that does not overlap with the first metal light-shielding layer 31. In this case, since the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 are further divided into smaller areas, the metal light-shielding layer has a structure in which electrostatic discharge is less likely to occur.

第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、平面視で一連となっていてもよい。この場合、基板2の第2面2bの側から入射した光(レーザ光)が第2絶縁層32iに到達することをより抑えることができる。その結果、第2絶縁層32iがレーザ光の照射による熱の影響を受けることを、より効果的に抑えることができる。 The first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be in a series in a plan view. In this case, it is possible to further suppress the light (laser light) incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2 from reaching the second insulating layer 32i. As a result, it is possible to more effectively suppress the influence of the heat generated by the irradiation of the laser beam on the second insulating layer 32i.

第2金属遮光層32は、平面視において第1金属遮光層31に重なる重畳部位(オーバーラップ部位)LWを有していてもよい。この場合、基板2の第2面2bの側から入射した光(レーザ光)が第2絶縁層32iに到達することをさらに抑えることができる。その結果、第2絶縁層32iがレーザ光の熱の影響を受けることをさらに効果的に抑えることができる。重畳部位LWの長さは5μm~500μm程度であってもよい。 The second metal light-shielding layer 32 may have an overlapping portion (overlap portion) LW that overlaps with the first metal light-shielding layer 31 in a plan view. In this case, it is possible to further suppress the light (laser light) incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2 from reaching the second insulating layer 32i. As a result, it is possible to more effectively suppress the influence of the heat of the laser beam on the second insulating layer 32i. The length of the superimposing portion LW may be about 5 μm to 500 μm.

また重畳部位LWは、基板2の第2面2bの側から入射した光(レーザ光)が第1金属遮光層31の端で回折した回折光が、第2絶縁層32iに到達しない長さを有していてもよい。この場合も上記と同様の効果を奏する。この場合の重畳部位LWの長さは20μm~700μm程度である。 Further, the superimposed portion LW has a length such that the diffracted light (laser light) incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2 diffracted at the end of the first metal shading layer 31 does not reach the second insulating layer 32i. You may have. In this case as well, the same effect as described above is obtained. In this case, the length of the superimposed portion LW is about 20 μm to 700 μm.

第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、光反射性を有している構成であってもよい。この場合、基板2の第2面2bの側から入射した光(レーザ光)が第1金属遮光層31および第2金属遮光層32で反射されることから、第2絶縁層32iがレーザ光の熱の影響を受けることを、さらに効果的に抑えることができる。第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、例えば可視光の光反射率が高い、金属材料、合金材料等から成っていてもよい。金属材料としては、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、錫(Sn)等がある。また、合金材料としては、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金であるジュラルミン(Al-Cu合金、Al-Cu-Mg合金、Al-Zn-Mg-Cu合金)等がある。これらの材料の光反射率は、アルミニウムが90%~95%程度、銀が93%程度、金が60%~70%程度、クロムが60%~70%程度、ニッケルが60%~70%程度、白金が60%~70%程度、錫が60%~70%程度、アルミニウム合金が80%~85%程度である。従って、光反射性を有する、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32の好適な材料として、アルミニウム、銀、金、アルミニウム合金等が挙げられる。 The first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may have a structure having light reflectivity. In this case, since the light (laser light) incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2 is reflected by the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32, the second insulating layer 32i is the laser light. The influence of heat can be suppressed more effectively. The first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be made of, for example, a metal material, an alloy material, or the like having a high light reflectance of visible light. Examples of the metal material include aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), chromium (Cr), nickel (Ni), platinum (Pt), tin (Sn) and the like. Further, as the alloy material, there are duralmin (Al—Cu alloy, Al—Cu—Mg alloy, Al—Zn—Mg—Cu alloy) which is an aluminum alloy containing aluminum as a main component. The light reflectance of these materials is about 90% to 95% for aluminum, about 93% for silver, about 60% to 70% for gold, about 60% to 70% for chromium, and about 60% to 70% for nickel. Platinum is about 60% to 70%, tin is about 60% to 70%, and aluminum alloy is about 80% to 85%. Therefore, examples of suitable materials for the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 having light reflectivity include aluminum, silver, gold, and aluminum alloys.

第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、光散乱性を有している構成であってもよい。この場合、一般に、薄膜の表面、基板の表面が光学的な鏡面となる表面粗さは、算術平均粗さで使用波長の10分の1程度である。従って、人の目の感度が最も高い550nmの波長の光であれば、算術平均粗さが55nm以下の表面は光学的な鏡面となりやすい。そこで、算術平均粗さが55nm以上の表面は光散乱面となりやすいことから、光散乱性を有している、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32の各表面は、55nm~10μm程度の算術平均粗さであってもよい。好適には1μm~10μm程度、より好適には2μm~7μm程度であってよい。 The first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may have a light scattering property. In this case, in general, the surface roughness such that the surface of the thin film and the surface of the substrate are optical mirror surfaces is about 1/10 of the wavelength used in the arithmetic mean roughness. Therefore, in the case of light having a wavelength of 550 nm, which has the highest sensitivity of the human eye, a surface having an arithmetic mean roughness of 55 nm or less tends to be an optical mirror surface. Therefore, since the surface having an arithmetic average roughness of 55 nm or more tends to be a light scattering surface, the surfaces of the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32, which have light scattering properties, are 55 nm to 10 μm. It may be an arithmetic average roughness of degree. It may be preferably about 1 μm to 10 μm, and more preferably about 2 μm to 7 μm.

第1絶縁層31iは、光散乱性粒子を含む構成であってもよい。この場合、基板2の第2面2bの側から入射した光(レーザ光)が第1絶縁層31iに含まれる光散乱性粒子によって散乱され、第2絶縁層32iがレーザ光の照射による熱の影響を受けることを効果的に抑えることができる。光散乱性粒子は、例えば、金属材料、合金材料、ガラス材料、セラミック材料、金属酸化物材料等から成る。金属材料としては、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、錫(Sn)等がある。また、合金材料としては、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金であるジュラルミン(Al-Cu合金、Al-Cu-Mg合金、Al-Zn-Mg-Cu合金)等がある。ガラス材料としては、ホウケイ酸ガラス、結晶化ガラス、石英、ソーダガラス等が挙げられる。セラミック材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素等が挙げられる。金属酸化物材料としては、酸化チタン等が挙げられる。光散乱性粒子は、ガラス材料、金属酸化物材料等の透明材料から成る場合、基板2の第2面2bの側から入射したレーザ光を散乱および屈折させて、第2絶縁層32iの側へ到達しにくくすることができる。また光散乱性粒子は、金属材料、合金材料等の金属光沢色等の光反射性を有する場合、基板2の第2面2bの側から入射したレーザ光を反射および散乱させて、第2絶縁層32iの側へ到達しにくくすることができる。 The first insulating layer 31i may be configured to include light-scattering particles. In this case, the light (laser light) incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2 is scattered by the light scattering particles contained in the first insulating layer 31i, and the second insulating layer 32i is heated by the irradiation of the laser light. It can effectively suppress the influence. The light scattering particles are made of, for example, a metal material, an alloy material, a glass material, a ceramic material, a metal oxide material, and the like. Examples of the metal material include aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), chromium (Cr), nickel (Ni), platinum (Pt), tin (Sn) and the like. Further, as the alloy material, there are duralmin (Al—Cu alloy, Al—Cu—Mg alloy, Al—Zn—Mg—Cu alloy) which is an aluminum alloy containing aluminum as a main component. Examples of the glass material include borosilicate glass, crystallized glass, quartz, soda glass and the like. Examples of the ceramic material include alumina, aluminum nitride, silicon nitride and the like. Examples of the metal oxide material include titanium oxide. When the light-scattering particles are made of a transparent material such as a glass material or a metal oxide material, the light-scattering particles scatter and refract the laser light incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2 to the side of the second insulating layer 32i. It can be difficult to reach. Further, when the light-scattering particles have light reflectivity such as metallic luster color of a metal material, an alloy material, etc., the light-scattering particles reflect and scatter the laser light incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2 to provide the second insulation. It is possible to make it difficult to reach the side of the layer 32i.

光散乱性粒子の平均粒径は、55nm~10μm程度であってもよい。好適には1μm~10μm程度、より好適には2μm~7μm程度であってよい。 The average particle size of the light-scattering particles may be about 55 nm to 10 μm. It may be preferably about 1 μm to 10 μm, and more preferably about 2 μm to 7 μm.

第1絶縁層31iは、酸化珪素(SiO2)、窒化珪素(Si34)等の無機材料から成る構成であってもよい。この場合、基板2の第2面2bの側から入射したレーザ光が、第2絶縁層32iよりも先に入射する第1絶縁層31iの耐レーザ性が向上する。 The first insulating layer 31i may be made of an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (Si 3 N 4 ). In this case, the laser light incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2 improves the laser resistance of the first insulating layer 31i that is incident before the second insulating layer 32i.

第2絶縁層32iは、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機材料から成る構成であってもよい。この場合、基板2の第2面2bの側から入射したレーザ光の熱の影響を受けにくい第2絶縁層32iが、厚みの厚い平坦化層等を構成することができる。 The second insulating layer 32i may be made of an organic material such as an acrylic resin or a polycarbonate resin. In this case, the second insulating layer 32i, which is not easily affected by the heat of the laser beam incident from the side of the second surface 2b of the substrate 2, can form a thick flattening layer or the like.

また第2絶縁層32iは、黒色化樹脂いわゆるブラックマトリックス等から成る遮光層であってもよい。この場合、遮光層積層型基板1を用いて表示装置を作製した際に、遮光層が黒色の背景色となり、表示画像のコントラストを向上させる。 Further, the second insulating layer 32i may be a light-shielding layer made of a blackening resin, so-called black matrix, or the like. In this case, when the display device is manufactured using the light-shielding layer laminated substrate 1, the light-shielding layer becomes a black background color, and the contrast of the displayed image is improved.

基板2の第1面2aの端縁部Wから基板2の側面を経て第2面2bの側にかけて位置する側面配線10を備え、側面配線10は、第1金属遮光層31および/または第2金属遮光層32に重なる位置にある構成であってもよい。この場合、隣接する側面配線10同士が第1金属遮光層31の露出部および/または第2金属遮光層32の露出部を介して短絡することを抑えることができる。側面配線10は、Ag、Cu、Al、ステンレススチール等の導電性粒子、未硬化の樹脂成分、アルコール溶媒および水等を含む導電性ペーストを、基板2の第1面2aから側面および第2面2bにかけての所望の部位に塗布した後、加熱法、紫外線等の光照射によって硬化させる光硬化法、光硬化加熱法等の方法によって形成することができる。側面配線10は、メッキ法、蒸着法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法によっても形成することができる。また、基板2の第1面2aと側面と第2面2bとにおける側面配線10を形成する部位に、溝を予め形成しておいてもよい。これにより、側面配線10と成る導電性ペーストが、基板における所望の部位に配置されやすくなる。 The side wiring 10 is provided from the edge portion W of the first surface 2a of the substrate 2 to the side of the second surface 2b via the side surface of the substrate 2, and the side wiring 10 is the first metal shading layer 31 and / or the second. The configuration may be such that it overlaps with the metal light-shielding layer 32. In this case, it is possible to prevent the adjacent side wirings 10 from being short-circuited via the exposed portion of the first metal light-shielding layer 31 and / or the exposed portion of the second metal light-shielding layer 32. The side wiring 10 is formed by applying a conductive paste containing conductive particles such as Ag, Cu, Al, and stainless steel, an uncured resin component, an alcohol solvent, water, and the like from the first surface 2a to the side surface and the second surface of the substrate 2. It can be formed by a method such as a heating method, a photo-curing method of curing by light irradiation such as ultraviolet rays, a photo-curing heating method, or the like after applying to a desired portion of 2b. The side wiring 10 can also be formed by a thin film forming method such as a plating method, a vapor deposition method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Further, a groove may be formed in advance in a portion of the substrate 2 on the first surface 2a, the side surface, and the second surface 2b where the side surface wiring 10 is formed. As a result, the conductive paste serving as the side wiring 10 can be easily arranged at a desired portion on the substrate.

第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、電気的にフローティング(浮遊状態)とされている構成であってもよい。即ち、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、アノード電位部、カソード電位部等の特定の電位部に非接続の状態であってもよい。この場合、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32における、特定の電位部との接続部からその反対側の端部に発生する電位勾配によって、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32に電蝕による劣化が発生することを防ぐことができる。 The first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be electrically floating (floating state). That is, the first metal shading layer 31 and the second metal shading layer 32 may be in a non-connected state to specific potential portions such as the anode potential portion and the cathode potential portion. In this case, the first metal shading layer 31 and the second metal due to the potential gradient generated from the connection portion with the specific potential portion to the opposite end portion of the first metal shading layer 31 and the second metal shading layer 32. It is possible to prevent the light-shielding layer 32 from being deteriorated by electrolytic corrosion.

また第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、基板2の全周にわたって配置されていてもよい。例えば、基板2が矩形状である場合、全ての辺(4辺)がレーザ切断される辺であれば、全ての辺に第1金属遮光層31および第2金属遮光層32が配置されていてもよい。なお、基板2がレーザ切断される辺とレーザ切断されない辺とを有する場合、少なくともレーザ切断される辺に第1金属遮光層31および第2金属遮光層32が配置されていてもよい。 Further, the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be arranged over the entire circumference of the substrate 2. For example, when the substrate 2 has a rectangular shape, if all the sides (4 sides) are laser-cut, the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 are arranged on all the sides. May be good. When the substrate 2 has a side that is laser-cut and a side that is not laser-cut, the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be arranged at least on the laser-cut side.

基板2の第1面2a上に、発光素子61と、発光素子61を駆動制御するTFTと、発光素子61とTFTとを接続する後述のゲート信号線4およびソース信号線5等の配線層と、を備え、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32の少なくとも一方は、配線層と同じ材料から成る構成であってもよい。この場合、工程数を削減することができる。 On the first surface 2a of the substrate 2, a light emitting element 61, a TFT that drives and controls the light emitting element 61, and a wiring layer such as a gate signal line 4 and a source signal line 5 described later that connect the light emitting element 61 and the TFT are provided. , And at least one of the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 may be made of the same material as the wiring layer. In this case, the number of steps can be reduced.

図4は図1に示す遮光層積層型基板の第1面2a側の回路構成を模式的に示すブロック回路図であり、図5は遮光層積層型基板の第2面2b側の回路構成を模式的に示すブロック回路図である。基板2は、例えば、透明または不透明なガラス基板、プラスチック基板、セラミック基板等である。基板2は、第1面2a、第1面2aとは反対側の第2面2b、および第1面2aと第2面2bとを接続する第3面(以下、側面ともいう)2cを有している。基板2は、その形状が、三角形板状、矩形板状、台形板状、円形板状、楕円形板状、六角形板状等であってもよく、その他の形状であってもよい。基板2の形状が、三角形板状、矩形板状、六角形板状等の形状である場合には、複数の遮光層積層型基板1をタイリングして、複合型かつ大型の表示装置(以下、マルチディスプレイともいう)を作製することが容易になる。本実施形態では、例えば図1,2に示すように、基板2は、矩形板状の形状を有しており、第1面2aは、第1辺2aa、および第1辺2aaに連なる第2辺2abを有している。 FIG. 4 is a block circuit diagram schematically showing a circuit configuration on the first surface 2a side of the light-shielding layer laminated board shown in FIG. 1, and FIG. 5 shows a circuit configuration on the second surface 2b side of the light-shielding layer laminated board. It is a block circuit diagram schematically shown. The substrate 2 is, for example, a transparent or opaque glass substrate, a plastic substrate, a ceramic substrate, or the like. The substrate 2 has a first surface 2a, a second surface 2b opposite to the first surface 2a, and a third surface (hereinafter, also referred to as a side surface) 2c connecting the first surface 2a and the second surface 2b. is doing. The shape of the substrate 2 may be a triangular plate shape, a rectangular plate shape, a trapezoidal plate shape, a circular plate shape, an elliptical plate shape, a hexagonal plate shape, or the like, or may have other shapes. When the shape of the substrate 2 is a triangular plate shape, a rectangular plate shape, a hexagonal plate shape, or the like, a plurality of light-shielding layer laminated substrates 1 are tiling to form a composite and large-sized display device (hereinafter,). , Also called multi-display) becomes easy to manufacture. In the present embodiment, for example, as shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 2 has a rectangular plate-like shape, and the first surface 2a is a second side connected to the first side 2aa and the first side 2aa. It has an edge of 2ab.

画素部3は、基板2の第1面2a上に、複数のものが所定のピッチでマトリックス状に配置されている。複数の画素部3は、複数のゲート信号線4と複数のソース信号線5との交差部に対応して配置され、各画素部3は発光素子6を有している。複数のゲート信号線4は、所定方向(図1における左右方向であり、例えば行方向)に沿って配置されている。複数のソース信号線5は、所定方向と交差する方向(例えば列方向)に複数のゲート信号線4と交差して配置されている。 A plurality of pixel portions 3 are arranged in a matrix on the first surface 2a of the substrate 2 at a predetermined pitch. The plurality of pixel units 3 are arranged corresponding to the intersections of the plurality of gate signal lines 4 and the plurality of source signal lines 5, and each pixel unit 3 has a light emitting element 6. The plurality of gate signal lines 4 are arranged along a predetermined direction (the left-right direction in FIG. 1, for example, the row direction). The plurality of source signal lines 5 are arranged so as to intersect the plurality of gate signal lines 4 in a direction intersecting a predetermined direction (for example, a column direction).

複数の画素部3の各々は、発光素子6および電極パッド62を有している。発光素子6は、例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体レーザ素子等の自発光型の素子である。本実施形態では、発光素子6として、LED素子を用いる。発光素子6は、マイクロLED素子であってもよい。発光素子6がマイクロLED素子である場合、発光素子6は、第1面2a上に配置された状態で、一辺の長さが1μm程度以上100μm程度以下あるいは3μm程度以上10μm程度以下である矩形状の平面視形状を有していてもよい。 Each of the plurality of pixel portions 3 has a light emitting element 6 and an electrode pad 62. The light emitting element 6 is a self-luminous element such as a light emitting diode (LED) element, an organic electroluminescence element, or a semiconductor laser element. In this embodiment, an LED element is used as the light emitting element 6. The light emitting element 6 may be a micro LED element. When the light emitting element 6 is a micro LED element, the light emitting element 6 has a rectangular shape having a side length of about 1 μm or more and about 100 μm or less or about 3 μm or more and about 10 μm or less in a state of being arranged on the first surface 2a. It may have a plan view shape of.

発光素子6は、アノード端子およびカソード端子を有し、電極パッド62は、アノードパッド62aおよびカソードパッド62bを有している。発光素子6のアノード端子およびカソード端子は、例えば、導電性接着剤、はんだ等の導電性接合材を介して、アノードパッド62aおよびカソードパッド62bにそれぞれ電気的に接続されている。 The light emitting element 6 has an anode terminal and a cathode terminal, and the electrode pad 62 has an anode pad 62a and a cathode pad 62b. The anode terminal and the cathode terminal of the light emitting element 6 are electrically connected to the anode pad 62a and the cathode pad 62b, respectively, via a conductive bonding material such as a conductive adhesive or solder.

各画素部3は、複数の発光素子6、複数のアノードパッド62a、およびカソードパッド62bを有していてもよい。複数のアノードパッド62aには、複数の発光素子6の複数のアノード端子がそれぞれ電気的に接続され、複数のカソードパッド62bには、複数の発光素子6の複数のカソード端子が電気的に接続される。複数の発光素子6は、赤色光を発光する発光素子61R、緑色光を発光する発光素子61G、および青色光を発光する発光素子61Bであってもよい。この場合、各画素部3は、カラーの階調表示が可能になる。各画素部3は、赤色光を発光する発光素子61Rの代わりに、橙色光、赤橙色光、赤紫色光、または紫色光を発光する発光素子を有していてもよい。また、各画素部3は、緑色光を発光する発光素子61Gの代わりに、黄緑色光を発光する発光素子を有していてもよい。 Each pixel unit 3 may have a plurality of light emitting elements 6, a plurality of anode pads 62a, and a plurality of cathode pads 62b. The plurality of anode terminals of the plurality of light emitting elements 6 are electrically connected to the plurality of anode pads 62a, and the plurality of cathode terminals of the plurality of light emitting elements 6 are electrically connected to the plurality of cathode pads 62b. To. The plurality of light emitting elements 6 may be a light emitting element 61R that emits red light, a light emitting element 61G that emits green light, and a light emitting element 61B that emits blue light. In this case, each pixel unit 3 can display color gradation. Each pixel unit 3 may have a light emitting element that emits orange light, red-orange light, magenta light, or purple light instead of the light emitting element 61R that emits red light. Further, each pixel unit 3 may have a light emitting element that emits yellowish green light instead of the light emitting element 61G that emits green light.

電源供給部としての電源供給回路7は、例えば図5に示すように、第2面2b上に配置されている。電源供給回路7は、複数の画素部3に供給される第1電源電圧VDDおよび第2電源電圧VSSを生成する。電源供給回路7は、第1電源電圧VDDを出力するVDD端子と、第2電源電圧VSSを出力するVSS端子とを有している。第1電源電圧VDDは、例えば10V~15V程度のアノード電圧である。第2電源電圧VSSは、第1電源電圧VDDよりも低電圧であり、例えば0V~3V程度のカソード電圧である。電源供給回路7は、例えば、フレキシブル回路基板(Flexible Circuit Board:FPC)によって構成されていてもよい。電源供給部は、電源電圧制御用のIC,LSI等の半導体素子を備えた回路モジュールであってもよい。さらに電源供給部は、電源供給回路7と、発光素子6の発光、非発光、発光強度等を制御する制御信号を生成するための、ICチップによって構成された発光制御素子と、を有していてもよい。 The power supply circuit 7 as the power supply unit is arranged on the second surface 2b, for example, as shown in FIG. The power supply circuit 7 generates the first power supply voltage VDD and the second power supply voltage VSS supplied to the plurality of pixel units 3. The power supply circuit 7 has a VDD terminal that outputs the first power supply voltage VDD and a VSS terminal that outputs the second power supply voltage VSS. The first power supply voltage VDD is, for example, an anode voltage of about 10V to 15V. The second power supply voltage VSS is lower than the first power supply voltage VDD, and is, for example, a cathode voltage of about 0V to 3V. The power supply circuit 7 may be configured by, for example, a flexible circuit board (FPC). The power supply unit may be a circuit module including a semiconductor element such as an IC or LSI for controlling the power supply voltage. Further, the power supply unit has a power supply circuit 7 and a light emission control element configured by an IC chip for generating a control signal for controlling light emission, non-light emission, light emission intensity, etc. of the light emission element 6. You may.

また、駆動回路部13が第2面2b上に配置されている。駆動回路部13は、第2面2b上に配置された第2ソース信号線17(図3、図5に示す)を介して第1面2a上に配置されたソース信号線5に電気的に接続されている。駆動回路部13と電源供給回路7は、それらの動作の同期をとるために電気的に接続されていてもよい。 Further, the drive circuit unit 13 is arranged on the second surface 2b. The drive circuit unit 13 electrically connects to the source signal line 5 arranged on the first surface 2a via the second source signal line 17 (shown in FIGS. 3 and 5) arranged on the second surface 2b. It is connected. The drive circuit unit 13 and the power supply circuit 7 may be electrically connected in order to synchronize their operations.

複数の第1配線パッド8は、例えば図4に示すように、第1面2a上における第1辺2aa側の端縁部Wに配置されている。端縁部Wは、第1辺2aaに沿った辺縁部であり、第1面2a上における第1辺2aaから第1面2aの中央側に向かって10μm~500μm程度の幅を有する部位であるが、この幅の値に限らない。複数の第1配線パッド8は、複数の第1パッド81と複数の第2パッド82とを有している。第1パッド81は、複数の画素部3に第1電源電圧VDDを供給するための配線パッドであり、第2パッド82は、複数の画素部3に第2電源電圧VSSを供給するための配線パッドである。第1配線パッド8は、1辺の長さが50μm~500μm程度、好適には70μm~300μm程度の矩形状であるが、1辺の長さはこれらの値に限らず、形状も5角形状等の多角形状、台形状、円形状、楕円形状等の種々の形状であってもよい。以下、配線パッドについて同様の構成を採り得る。 As shown in FIG. 4, for example, the plurality of first wiring pads 8 are arranged at the edge portion W on the first side 2aa side on the first surface 2a. The edge portion W is an edge portion along the first side 2aa, and is a portion having a width of about 10 μm to 500 μm from the first side 2aa on the first surface 2a toward the center side of the first surface 2a. There is, but it is not limited to the value of this width. The plurality of first wiring pads 8 have a plurality of first pads 81 and a plurality of second pads 82. The first pad 81 is a wiring pad for supplying the first power supply voltage VDD to the plurality of pixel portions 3, and the second pad 82 is a wiring for supplying the second power supply voltage VSS to the plurality of pixel portions 3. It is a pad. The first wiring pad 8 has a rectangular shape with a side length of about 50 μm to 500 μm, preferably about 70 μm to 300 μm, but the length of one side is not limited to these values, and the shape is also a pentagonal shape. It may have various shapes such as a polygonal shape such as a trapezoidal shape, a circular shape, and an elliptical shape. Hereinafter, the same configuration can be adopted for the wiring pad.

遮光層積層型基板1は、例えば図4に示すように、第1引き回し配線11aおよび第2引き回し配線11bを有している。第1引き回し配線11aおよび第2引き回し配線11bは、第1面2a上に位置している。第1引き回し配線11aおよび第2引き回し配線11bは、例えば、「Mo/Al/Mo」、「MoNd/AlNd/MoNd」等から成る。ここで、「Mo/Al/Mo」は、Mo層上にAl層が積層され、Al層上にMo層が積層された積層構造を示す。その他についても同様である。第1引き回し配線11aは、発光素子6のアノード端子と複数の第1パッド81とを接続している。第2引き回し配線11bは、発光素子6のカソード端子と複数の第2パッド82とを接続している。 As shown in FIG. 4, for example, the light-shielding layer laminated substrate 1 has a first routing wiring 11a and a second routing wiring 11b. The first routing wiring 11a and the second routing wiring 11b are located on the first surface 2a. The first routing wiring 11a and the second routing wiring 11b are composed of, for example, "Mo / Al / Mo", "MoNd / AlNd / MoNd", and the like. Here, "Mo / Al / Mo" indicates a laminated structure in which the Al layer is laminated on the Mo layer and the Mo layer is laminated on the Al layer. The same applies to others. The first routing wiring 11a connects the anode terminal of the light emitting element 6 and the plurality of first pads 81. The second routing wiring 11b connects the cathode terminal of the light emitting element 6 and the plurality of second pads 82.

複数の第2配線パッド9は、第2面2b上に位置している。複数の第2配線パッド9は、例えば図5に示すように、第1辺2aa側の端縁部に配置されていてもよい。この端縁部は、上述した端縁部Wと同様の構成を有していてもよい。複数の第2配線パッド9は、複数の第3パッド91と複数の第4パッド92とを有している。第3パッド91は、複数の画素部3に第1電源電圧VDDを供給するための配線パッドであり、第4パッド92は、複数の画素部3に第2電源電圧VSSを供給するための配線パッドである。 The plurality of second wiring pads 9 are located on the second surface 2b. As shown in FIG. 5, for example, the plurality of second wiring pads 9 may be arranged at the end edge portion on the first side 2aa side. This edge portion may have the same configuration as the edge portion W described above. The plurality of second wiring pads 9 have a plurality of third pads 91 and a plurality of fourth pads 92. The third pad 91 is a wiring pad for supplying the first power supply voltage VDD to the plurality of pixel portions 3, and the fourth pad 92 is a wiring for supplying the second power supply voltage VSS to the plurality of pixel portions 3. It is a pad.

遮光層積層型基板1は、複数の第1パッド81の個数と複数の第3パッド91の個数とが等しく、複数の第2パッド82の個数と複数の第4パッド92の個数とが等しい構成である。複数の第1パッド81と複数の第3パッド91とは、平面視において、すなわち、第1面2aに直交する方向から見たときに、それぞれ重なっていてもよい。複数の第2パッド82と複数の第4パッド92とは、平面視において、それぞれ重なっていてもよい。 The light-shielding layer laminated substrate 1 has a configuration in which the number of the plurality of first pads 81 and the number of the plurality of third pads 91 are equal, and the number of the plurality of second pads 82 and the number of the plurality of fourth pads 92 are equal. Is. The plurality of first pads 81 and the plurality of third pads 91 may overlap each other in a plan view, that is, when viewed from a direction orthogonal to the first surface 2a. The plurality of second pads 82 and the plurality of fourth pads 92 may overlap each other in a plan view.

遮光層積層型基板1は、第3引き回し配線12を有している。第3引き回し配線12は、第2面2b上に位置している。第3引き回し配線12は、例えば、「Mo/Al/Mo」、「MoNd/AlNd/MoNd」、Ag等から成る。例えば図5に示すように、第3引き回し配線12は、電源供給回路7のVDD端子と複数の第3パッド91とを接続し、電源供給回路7のVSS端子と複数の第4パッド92とを接続している。 The light-shielding layer laminated substrate 1 has a third routing wiring 12. The third routing wiring 12 is located on the second surface 2b. The third routing wiring 12 is composed of, for example, “Mo / Al / Mo”, “MoNd / AlNd / MoNd”, Ag, and the like. For example, as shown in FIG. 5, in the third routing wiring 12, the VDD terminal of the power supply circuit 7 and the plurality of third pads 91 are connected, and the VSS terminal of the power supply circuit 7 and the plurality of fourth pads 92 are connected to each other. You are connected.

複数の側面配線10は、基板2の側面である第3面2cを介して、第1面2a上から第2面2b上にかけて配置されている。本実施形態では、例えば図4,5に示すように、複数の側面配線10は、第1面2a上から、第3面2cおよび第2面2b上にかけて配置されている。複数の側面配線10は、複数の第1配線パッド8と複数の第2配線パッド9とをそれぞれ接続している。複数の側面配線10は、複数の第1パッド81と複数の第3パッド91とをそれぞれ接続し、複数の第2パッド82と複数の第4パッド92とをそれぞれ接続している。 The plurality of side wirings 10 are arranged from the top of the first surface 2a to the top of the second surface 2b via the third surface 2c which is the side surface of the substrate 2. In the present embodiment, for example, as shown in FIGS. 4 and 5, the plurality of side wirings 10 are arranged from the first surface 2a to the third surface 2c and the second surface 2b. The plurality of side wirings 10 connect the plurality of first wiring pads 8 and the plurality of second wiring pads 9, respectively. The plurality of side wirings 10 connect the plurality of first pads 81 and the plurality of third pads 91, respectively, and connect the plurality of second pads 82 and the plurality of fourth pads 92, respectively.

遮光層積層型基板1は、複数の側面配線10の代わりに、第1面2aから第2面2bにかけて貫通し、複数の第1配線パッドと複数の第2配線パッドとをそれぞれ接続する複数の貫通導体を有する構成であってもよい。また、複数の側面配線10を有するとともに複数の貫通導体を有する構成であってもよい。本実施形態の遮光層積層型基板1は、好適には少なくとも複数の側面配線10を有する構成であってよい。 The light-shielding layer laminated substrate 1 penetrates from the first surface 2a to the second surface 2b instead of the plurality of side wiring 10, and connects the plurality of first wiring pads and the plurality of second wiring pads, respectively. It may be configured to have a through conductor. Further, the configuration may have a plurality of side wirings 10 and a plurality of through conductors. The light-shielding layer laminated substrate 1 of the present embodiment may preferably have at least a plurality of side wirings 10.

遮光層積層型基板1は、第1面2a上から第2面2b上にかけて配置され、複数のゲート信号線4と電源供給回路7の制御素子とを接続するゲート配線を有している。ゲート配線は、例えば図4,5に示すように、第5配線パッド18、第6配線パッド19、第1ゲート配線20、第2ゲート配線21、および第3ゲート配線22を有している。 The light-shielding layer laminated substrate 1 is arranged from the first surface 2a to the second surface 2b, and has a gate wiring for connecting a plurality of gate signal lines 4 and a control element of the power supply circuit 7. As shown in FIGS. 4 and 5, the gate wiring includes a fifth wiring pad 18, a sixth wiring pad 19, a first gate wiring 20, a second gate wiring 21, and a third gate wiring 22.

第5配線パッド18は、例えば図4に示すように、第1面2a上における第1辺2aa側の端縁部に配置されている。第6配線パッド19は、例えば図5に示すように、第2面2b上における第1辺2aa側の端縁部に配置されている。第5配線パッド18と第6配線パッド19とは、平面視において、重なっていてもよい。第1ゲート配線20は、例えば図4に示すように、第1面2a上に配置され、複数のゲート信号線4と第5配線パッド18とを接続している。第2ゲート配線21は、例えば図5に示すように、第2面2b上に配置され、電源供給回路7の制御素子と第6配線パッド19とを接続している。第3ゲート配線22は、例えば図4,5に示すように、第1面2a上から、第3面2c上および第2面2b上にかけて配置され、第5配線パッド18と第6配線パッド19とを接続している。 As shown in FIG. 4, for example, the fifth wiring pad 18 is arranged at the end edge portion on the first surface 2a on the first side 2aa side. As shown in FIG. 5, for example, the sixth wiring pad 19 is arranged at the end edge portion on the second surface 2b on the first side 2aa side. The fifth wiring pad 18 and the sixth wiring pad 19 may overlap each other in a plan view. As shown in FIG. 4, for example, the first gate wiring 20 is arranged on the first surface 2a and connects a plurality of gate signal lines 4 and the fifth wiring pad 18. The second gate wiring 21 is arranged on the second surface 2b, for example, as shown in FIG. 5, and connects the control element of the power supply circuit 7 and the sixth wiring pad 19. As shown in FIGS. 4 and 5, for example, the third gate wiring 22 is arranged from the first surface 2a to the third surface 2c and the second surface 2b, and the fifth wiring pad 18 and the sixth wiring pad 19 are arranged. Is connected to.

第1配線パッド8および第2配線パッド9は、導電性材料から成っている。第1配線パッド8および第2配線パッド9は、単一の金属層から成っていてもよく、複数の金属層が積層されて成っていてもよい。第1配線パッド8および第2配線パッド9は、例えば、Al、「Al/Ti」、「Ti/Al/Ti」、Mo、「Mo/Al/Mo」、「MoNd/AlNd/MoNd」、Cu、Cr、Ni、Ag等から成っていてもよい。 The first wiring pad 8 and the second wiring pad 9 are made of a conductive material. The first wiring pad 8 and the second wiring pad 9 may be made of a single metal layer, or may be made by laminating a plurality of metal layers. The first wiring pad 8 and the second wiring pad 9 are, for example, Al, "Al / Ti", "Ti / Al / Ti", Mo, "Mo / Al / Mo", "MoNd / AlNd / MoNd", Cu. , Cr, Ni, Ag and the like.

図3に示すように、第1配線パッド8は2層の導体層8a,8bを積層して成る。導体層8aはAl、「Al/Ti」、「Ti/Al/Ti」、Mo、「Mo/Al/Mo」、「MoNd/AlNd/MoNd」、Cu、Cr、Ni、Ag等から構成されていてもよく、導体層8a上の導体層8bはITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等から成る透明導電層から構成されていてもよい。また、第1配線パッド8における第1面2aの内方側の端部に絶縁層25,26が配置されていてもよい。これにより、第1配線パッド8が第1面2aの内方側に配置された配線導体等と短絡することを抑制できる。絶縁層25,26は、例えばSiO2、Si34、アクリル樹脂等のポリマー材料等から成る。第2配線パッド9の表面は、ITO、IZO等から成る透明導電層によって被覆されていてもよい。 As shown in FIG. 3, the first wiring pad 8 is formed by laminating two conductor layers 8a and 8b. The conductor layer 8a is composed of Al, "Al / Ti", "Ti / Al / Ti", Mo, "Mo / Al / Mo", "MoNd / AlNd / MoNd", Cu, Cr, Ni, Ag and the like. The conductor layer 8b on the conductor layer 8a may be composed of a transparent conductive layer made of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), or the like. Further, the insulating layers 25 and 26 may be arranged at the inner end of the first surface 2a of the first wiring pad 8. As a result, it is possible to prevent the first wiring pad 8 from being short-circuited with the wiring conductor or the like arranged on the inner side of the first surface 2a. The insulating layers 25 and 26 are made of a polymer material such as SiO 2 , Si 3 N 4 , acrylic resin or the like. The surface of the second wiring pad 9 may be covered with a transparent conductive layer made of ITO, IZO, or the like.

各画素部3は、基板2上に、発光素子6のそれぞれに発光信号を入力するためのスイッチ素子としての第1の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)と、発光制御信号のレベル(電圧)に応じた、正電圧(アノード電圧:10V~15V程度)と負電圧(カソード電圧:0V~3V程度)の電位差(発光信号)によって発光素子6を電流駆動するための駆動素子としての第2の薄膜トランジスタと、を含む。 Each pixel unit 3 has a first thin film (Thin Film Transistor: TFT) as a switch element for inputting a light emitting signal to each of the light emitting elements 6 on the substrate 2, and a level (voltage) of the light emitting control signal. A second thin film as a driving element for driving the light emitting element 6 with a current by a potential difference (emission signal) between a positive voltage (anode voltage: about 10V to 15V) and a negative voltage (cathode voltage: about 0V to 3V). And, including.

第1および第2のTFTは、例えば、アモルファスシリコン(a-Si)、低温多結晶シリコン(Low-Temperature Poly Silicon:LTPS)等から成る半導体膜を有し、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子を有する構成である。また第1および第2のTFTは、双方ともnチャネル型TFTである構成、双方ともpチャネル型TFTである構成、一方がnチャネル型TFTで他方がpチャネル型TFTである構成を採用できる。そして、ゲート電極に所定電位の電圧(2.5V~3.5V程度)を印加することにより、ソース電極とドレイン電極の間の半導体膜(チャンネル)に電流を流す、スイッチング素子(ゲートトランスファ素子)として機能する。基板2がガラス基板から成り、駆動素子は、LTPSから成る半導体膜を有するTFTを用いて構成された駆動回路である場合、基板2上にTFTをCVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法によって直接的に形成することができる。 The first and second TFTs have a semiconductor film made of, for example, amorphous silicon (a-Si), low-Temperature Poly Silicon (LTPS), etc., and are used for a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. It has a configuration having three terminals. Further, as the first and second TFTs, a configuration in which both are n-channel TFTs, a configuration in which both are p-channel TFTs, and a configuration in which one is an n-channel TFT and the other is a p-channel TFT can be adopted. Then, by applying a voltage (about 2.5V to 3.5V) of a predetermined potential to the gate electrode, a current flows through the semiconductor film (channel) between the source electrode and the drain electrode, a switching element (gate transfer element). Functions as. When the substrate 2 is a drive circuit composed of a glass substrate and the drive element is a drive circuit configured by using a TFT having a semiconductor film made of LTPS, the TFT is formed on the substrate 2 by a thin film forming method such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Can be formed directly by.

本実施形態によれば、複数の遮光層積層型基板1をタイリングして複合型表示装置を作製する場合、それぞれの遮光層積層型基板1の表面側と裏面側を、Ag等から成る側面配線10によって電気的に接続する。従来のように、基板2の側面配線10の形成部位に、レーザ光を遮光する単層の金属遮光層を配置した場合、隣接する側面配線10同士が金属遮光層を介して短絡するおそれがあったが、本実施形態では、金属遮光層が、積層方向において異なる位置にある、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32に分離されていることから、隣接する側面配線10同士が第1金属遮光層31を介して短絡することを防ぐことができる。また本実施形態では、平面視において、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32が一連となるように、重畳部位LWを有している場合、基板2の第2面2bの側からレーザ光を照射しても、第2絶縁層32i等がレーザ光の熱の影響を受けることを効果的に抑えることができる。また、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32が電気的にフローティング(浮遊状態)とされている場合、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32に電蝕による劣化が生じることを防ぐことができる。また、金属遮光層が第1金属遮光層31と第2金属遮光層32とに分割されていることから、静電気放電が発生しにくい構成の金属遮光層となる。 According to the present embodiment, when a plurality of light-shielding layer laminated substrates 1 are tiling to produce a composite display device, the front surface side and the back surface side of each light-shielding layer laminated substrate 1 are side surfaces made of Ag or the like. It is electrically connected by wiring 10. When a single metal light-shielding layer that blocks laser light is arranged at the formation portion of the side wiring 10 of the substrate 2 as in the conventional case, there is a possibility that adjacent side wiring 10s may be short-circuited via the metal light-shielding layer. However, in the present embodiment, since the metal light-shielding layer is separated into the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 at different positions in the stacking direction, the adjacent side wirings 10 are second to each other. 1 It is possible to prevent short-circuiting via the metal light-shielding layer 31. Further, in the present embodiment, when the overlapping portion LW is provided so that the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 are in a series in a plan view, from the side of the second surface 2b of the substrate 2. Even if the laser beam is irradiated, the second insulating layer 32i and the like can be effectively suppressed from being affected by the heat of the laser beam. Further, when the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 are electrically floating (floating state), the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 are deteriorated by electrolytic corrosion. You can prevent that. Further, since the metal light-shielding layer is divided into the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32, the metal light-shielding layer has a structure in which electrostatic discharge is unlikely to occur.

また、図2に示すように、第1金属遮光層31および第2金属遮光層32は、第2絶縁層32iのみならず厚みが厚い平坦化層等としての有機層である絶縁層(有機絶縁層)24,26よりもレーザ光Lに近い側に位置するので、第2絶縁層32iのみならず有機絶縁層24,26に対するレーザ光Lの熱の影響も抑えることができる。即ち、有機絶縁層24,26がレーザ光Lの熱によって昇華し、その後固化して第1面2a上の配線等に異物として付着することを抑えることができる。 Further, as shown in FIG. 2, the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 are not only the second insulating layer 32i but also an insulating layer (organic insulation) which is an organic layer as a thick flattening layer or the like. Since the layer) is located closer to the laser beam L than the layers 24 and 26, the influence of the heat of the laser beam L on not only the second insulating layer 32i but also the organic insulating layers 24 and 26 can be suppressed. That is, it is possible to prevent the organic insulating layers 24 and 26 from sublimating due to the heat of the laser beam L and then solidifying and adhering to the wiring or the like on the first surface 2a as foreign matter.

第1金属遮光層31および第2金属遮光層32のそれぞれの厚みは、50nm~1μm程度であるが、第1金属遮光層31の厚みを第2金属遮光層32の厚みよりも厚くしてもよい。この場合、レーザ光Lに近い側の第1金属遮光層31がレーザ光の熱を効率的に吸収し、第2金属遮光層32がレーザ光の熱の影響を受けにくくすることができる。第1金属遮光層31の厚みが、第2金属遮光層32の厚みの1倍を超え5倍以下程度としてもよいが、この値に限らない。5倍を超えると、遮光層積層型基板1の薄型化を阻害する傾向がある。 The thickness of each of the first metal light-shielding layer 31 and the second metal light-shielding layer 32 is about 50 nm to 1 μm, but even if the thickness of the first metal light-shielding layer 31 is made thicker than the thickness of the second metal light-shielding layer 32. good. In this case, the first metal light-shielding layer 31 on the side closer to the laser light L can efficiently absorb the heat of the laser light, and the second metal light-shielding layer 32 can be less affected by the heat of the laser light. The thickness of the first metal light-shielding layer 31 may be more than 1 times and 5 times or less the thickness of the second metal light-shielding layer 32, but is not limited to this value. If it exceeds 5 times, it tends to hinder the thinning of the light-shielding layer laminated substrate 1.

以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。 Although the embodiments of the present disclosure have been described in detail above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various changes, improvements, etc. may be made without departing from the gist of the present disclosure. It is possible. Needless to say, all or part of each of the above embodiments can be combined as appropriate and within a consistent range.

本開示の遮光層積層型基板は、LED表示装置、有機EL表示装置等の発光表示装置および液晶表示の表示装置として構成し得る。また本開示の遮光層積層型基板は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、複合型かつ大型の表示装置(マルチディスプレイ)、自動車経路誘導システム(カーナビゲーションシステム)、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。 The light-shielding layer laminated substrate of the present disclosure can be configured as a light emitting display device such as an LED display device and an organic EL display device, and a liquid crystal display display device. Further, the light-shielding layer laminated substrate of the present disclosure can be applied to various electronic devices. The electronic devices include a complex and large display device (multi-display), an automobile route guidance system (car navigation system), a ship route guidance system, an aircraft route guidance system, a smartphone terminal, a mobile phone, a tablet terminal, and a personal digital assistant. (PDAs), video cameras, digital still cameras, electronic notebooks, electronic books, electronic dictionaries, personal computers, copying machines, game equipment terminals, televisions, product display tags, price display tags, industrial programmable display devices, Car audio, digital audio players, facsimiles, printers, automated cash deposit and payment machines (ATMs), vending machines, head-mounted displays (HMDs), digital display watches, smart watches, etc.

1 遮光層積層型基板
2 基板
2a 第1面
2b 第2面
2c 第3面(側面)
2aa 第1辺
2ab 第2辺
3 画素部
4 ゲート信号線
5 ソース信号線
6 発光素子
61R 赤色発光素子
61G 緑色発光素子
61B 青色発光素子
62 電極パッド
7 電源供給回路
8 第1配線パッド
81 第1パッド
82 第2パッド
9 第2配線パッド
91 第3パッド
92 第4パッド
10 側面配線
11a 第1引き回し配線
11b 第2引き回し配線
12 第3引き回し配線
18 第5配線パッド
19 第6配線パッド
20 第1ゲート配線
21 第2ゲート配線
22 第3ゲート配線
24,25,26 絶縁層
31 第1金属遮光層
31i 第1絶縁層
32 第2金属遮光層
32i 第2絶縁層
1 Light-shielding layer laminated board 2 Board 2a 1st surface 2b 2nd surface 2c 3rd surface (side surface)
2aa 1st side 2ab 2nd side 3 pixel part 4 gate signal line 5 source signal line 6 light emitting element 61R red light emitting element 61G green light emitting element 61B blue light emitting element 62 electrode pad 7 power supply circuit 8 first wiring pad 81 first pad 82 2nd pad 9 2nd wiring pad 91 3rd pad 92 4th pad 10 Side wiring 11a 1st wiring wiring 11b 2nd wiring wiring 12 3rd wiring wiring 18 5th wiring pad 19 6th wiring pad 20 1st gate wiring 21 2nd gate wiring 22 3rd gate wiring 24, 25, 26 Insulation layer 31 1st metal light-shielding layer 31i 1st insulation layer 32 2nd metal light-shielding layer 32i 2nd insulation layer

Claims (13)

第1面と、前記第1面とは反対側の第2面とを有する基板と、
前記第1面上における一辺側の端縁部に積層される第1金属遮光層と、
前記第1金属遮光層上、および前記第1面上における前記第1金属遮光層から露出する部位に、積層される第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上における前記第1金属遮光層に重ならない部位に積層される第2金属遮光層と、
前記第2金属遮光層上、および前記第1絶縁層上における前記第1金属遮光層に重なる部位に、積層される第2絶縁層と、を備えている遮光層積層型基板。
A substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface,
The first metal light-shielding layer laminated on the edge portion on one side of the first surface,
A first insulating layer laminated on the first metal light-shielding layer and on a portion of the first surface exposed from the first metal light-shielding layer.
A second metal shading layer laminated on a portion of the first insulating layer that does not overlap with the first metal shading layer,
A light-shielding layer laminated substrate comprising a second insulating layer laminated on the second metal light-shielding layer and on a portion of the first insulating layer overlapping the first metal light-shielding layer.
前記第1金属遮光層は複数あり、それぞれの前記第1金属遮光層は、前記端縁部に前記一辺に平行な方向において互いに間隔をあけて積層されており、
前記第2金属遮光層は、前記第1絶縁層上における隣接する前記第1金属遮光層間の部位に積層されている請求項1に記載の遮光層積層型基板。
There are a plurality of the first metal light-shielding layers, and each of the first metal light-shielding layers is laminated on the edge portion at intervals in a direction parallel to the one side.
The light-shielding layer laminated substrate according to claim 1, wherein the second metal light-shielding layer is laminated on a portion of the adjacent first metal light-shielding layer on the first insulating layer.
前記第1金属遮光層および前記第2金属遮光層は、平面視で一連となっている請求項1または2に記載の遮光層積層型基板。 The light-shielding layer laminated substrate according to claim 1 or 2, wherein the first metal light-shielding layer and the second metal light-shielding layer are a series in a plan view. 前記第2金属遮光層は、前記第1金属遮光層に重なる重畳部位を有している請求項1~3のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。 The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the second metal light-shielding layer has an overlapping portion overlapping with the first metal light-shielding layer. 前記重畳部位は、前記第2面の側から入射した光が前記第1金属遮光層の端で回折した回折光が、前記第2絶縁層に到達しない長さを有している請求項4に記載の遮光層積層型基板。 The superimposing portion has a length such that the diffracted light diffracted by the light incident from the side of the second surface at the end of the first metal light-shielding layer does not reach the second insulating layer. The light-shielding layer laminated substrate according to the above. 前記第1金属遮光層および前記第2金属遮光層は、光反射性を有している請求項1~5のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。 The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein the first metal light-shielding layer and the second metal light-shielding layer have light reflectivity. 前記第1金属遮光層および前記第2金属遮光層は、光散乱性を有している請求項1~5のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。 The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein the first metal light-shielding layer and the second metal light-shielding layer have light scattering properties. 前記第1絶縁層は、光散乱性粒子を含む請求項1~7のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。 The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 7, wherein the first insulating layer contains light-scattering particles. 前記第1絶縁層は、無機材料から成る請求項1~8のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。 The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 8, wherein the first insulating layer is made of an inorganic material. 前記第2絶縁層は、有機材料から成る請求項1~9のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。 The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 9, wherein the second insulating layer is made of an organic material. 前記第1面の前記端縁部から前記基板の側面を経て前記第2面の側かけて位置する側面配線を備え、
前記側面配線は、前記第1金属遮光層および/または前記第2金属遮光層に重なる位置にある請求項1~10のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。
It is provided with side wiring located from the edge portion of the first surface to the side of the second surface via the side surface of the substrate.
The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 10, wherein the side wiring is located at a position overlapping the first metal light-shielding layer and / or the second metal light-shielding layer.
前記第1金属遮光層および前記第2金属遮光層は、電気的にフローティングとされている請求項1~11のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。 The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 11, wherein the first metal light-shielding layer and the second metal light-shielding layer are electrically floating. 前記第1面上に、発光素子と、前記発光素子を駆動制御する薄膜トランジスタと、前記発光素子と前記薄膜トランジスタとを接続する配線層と、を備え、
前記第1金属遮光層および前記第2金属遮光層の少なくとも一方は、前記配線層と同じ材料から成る請求項1~12のいずれか1項に記載の遮光層積層型基板。
A light emitting element, a thin film transistor for driving and controlling the light emitting element, and a wiring layer for connecting the light emitting element and the thin film transistor are provided on the first surface.
The light-shielding layer laminated substrate according to any one of claims 1 to 12, wherein at least one of the first metal light-shielding layer and the second metal light-shielding layer is made of the same material as the wiring layer.
JP2020142957A 2020-08-26 2020-08-26 Light shielding layer lamination type substrate Pending JP2022038445A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020142957A JP2022038445A (en) 2020-08-26 2020-08-26 Light shielding layer lamination type substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020142957A JP2022038445A (en) 2020-08-26 2020-08-26 Light shielding layer lamination type substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022038445A true JP2022038445A (en) 2022-03-10

Family

ID=80498930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020142957A Pending JP2022038445A (en) 2020-08-26 2020-08-26 Light shielding layer lamination type substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2022038445A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024114172A1 (en) * 2022-11-30 2024-06-06 成都辰显光电有限公司 Display panel

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024114172A1 (en) * 2022-11-30 2024-06-06 成都辰显光电有限公司 Display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7034235B2 (en) Display device, glass substrate and glass substrate manufacturing method
CN106992197B (en) Flexible display and method of manufacturing the same
CN108022951A (en) Organic light-emitting display device
KR102380057B1 (en) Display device
WO2020250667A1 (en) Light-emitting substrate and display device
JP6798952B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device, light emitting device and semiconductor device
JP7449280B2 (en) Micro LED element substrate and display device
JP7325547B2 (en) Display device and display device manufacturing method
JP2022038445A (en) Light shielding layer lamination type substrate
CN115605935A (en) Display device and composite display device
WO2022124161A1 (en) Display device and composite-type display device
JP6920242B2 (en) Substrate and manufacturing method of substrate
KR102047856B1 (en) Bottom emission type organic light emitting display device and manufacturing method of the same
WO2023038096A1 (en) Display device and multidisplay
JP7466701B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
WO2023008243A1 (en) Pixel structure and display device
WO2023063164A1 (en) Display device
KR20230095439A (en) Display panel
KR20230098960A (en) Display panel
KR20230095438A (en) Display panel
KR20230102326A (en) A display panel and a produting method thereof
JP2024086630A (en) Light-emitting display device
CN114520236A (en) Light emitting device
KR20210060718A (en) Display device and method of manufacturing display device
KR20210075248A (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230417

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240306

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240702