JP2022031317A - Laser machining device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser machining device that can increase an overlap rate of spots of two first laser beams or a spot of a second laser beam on a street.
SOLUTION: The laser machining device comprises: a laser beam emitting system that emits two first laser beams for edge-cutting processing and a second laser beam for punching processing; two collecting lenses disposed along a machining-feed direction; and a connection optical system that guides the two first laser beams to the collecting lens close to a forward path-direction and guides the second laser beam to the collecting lens close to a backward path-direction, when the laser optical system is relatively moved in the forward path-direction, and guides the two first laser beams to the collecting lens close to the backward path-direction and guides the second laser beam to the collecting lens close to the forward path-direction, when the laser optical system is relatively moved in the backward path-direction. The connection optical system divides either of the two first laser beams and the second laser beam into two and then guides the either to both of the two collecting lenses.
SELECTED DRAWING: Figure 37
COPYRIGHT: (C)2022,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェーハのレーザ加工を行うレーザ加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus for laser processing a wafer.

近年の半導体デバイスの製造分野では、シリコン等の基板の表面にガラス質材料からなる低誘電率絶縁体被膜(Low-k膜)と回路を形成する機能膜とを積層した積層体により複数のデバイスを形成しているウェーハ(半導体ウェーハ)が知られている。このようなウェーハは、複数のデバイスが格子状のストリートによって格子状に区画されており、ウェーハをストリートに沿って分割することにより個々のデバイスが製造される。 In the field of semiconductor device manufacturing in recent years, a plurality of devices are formed by laminating a low-dielectric-constant insulator film (Low-k film) made of a vitreous material and a functional film forming a circuit on the surface of a substrate such as silicon. Wafers (semiconductor wafers) forming the above are known. In such a wafer, a plurality of devices are partitioned in a grid pattern by grid-like streets, and individual devices are manufactured by dividing the wafer along the streets.

ウェーハを複数のデバイス(チップ)に分割する方法として、高速回転するブレードを用いる方法、ウェーハの内部にストリートに沿ってレーザ加工領域を形成してこのレーザ加工領域が形成されることにより強度が低下したストリートに沿って外力を加える方法が知られている。しかしながら、Low-k膜が適用されたウェーハの場合、Low-k膜の素材とウェーハの素材とが異なるため、前者の方法ではブレードにより絶縁膜と基板とを同時に切削することが困難である。また、後者の方法ではストリート上にLow-k膜が存在する場合に良好な品質で個々のデバイスに分割することが困難である。 As a method of dividing a wafer into a plurality of devices (chips), a method using a blade that rotates at high speed, a laser processing region is formed inside the wafer along a street, and the strength is lowered by forming this laser processing region. It is known how to apply an external force along the street. However, in the case of a wafer to which a Low-k film is applied, since the material of the Low-k film and the material of the wafer are different, it is difficult to cut the insulating film and the substrate at the same time by the blade by the former method. Also, with the latter method, it is difficult to divide into individual devices with good quality when a Low-k film is present on the street.

そこで、特許文献1には、ウェーハのストリートに沿って2条の縁切り溝(遮断溝)を形成する縁切り加工(特許文献2参照)と、2条の縁切り溝の間に中抜き溝(分割溝)を形成する中抜き加工と、を行うレーザ加工装置が開示されている。このレーザ加工装置は、ウェーハのストリートに平行な加工送り方向に沿って、縁切り加工に対応する第1レーザ光線照射ユニットと中抜き加工に対応する第2レーザ光線照射ユニットと、を備える(特許文献1の図15参照)。そして、ウェーハに対して第1レーザ光線照射ユニット及び第2レーザ光線照射ユニットを加工送り方向の一方向側(例えば往路方向側)に相対移動させることで、同一のストリートに沿って2条の縁切り溝と中抜き溝とを同時形成(並行形成)することでLow-k膜等を除去する。 Therefore, in Patent Document 1, the edge cutting process (see Patent Document 2) for forming two edge cutting grooves (blocking grooves) along the street of the wafer and the hollow groove (dividing groove) between the two edge cutting grooves are described. ) Is formed, and a laser processing apparatus for performing the hollowing process is disclosed. This laser machining apparatus includes a first laser beam irradiation unit corresponding to edge cutting and a second laser beam irradiation unit corresponding to hollowing along a machining feed direction parallel to the street of the wafer (Patent Document). 1). Then, by relatively moving the first laser beam irradiation unit and the second laser beam irradiation unit relative to the wafer in one direction side in the machining feed direction (for example, the outward path direction side), two edges are cut along the same street. The Low-k film and the like are removed by simultaneously forming (parallel forming) the groove and the hollow groove.

特許文献3には、ウェーハのストリートに沿って第1溝(溶断部)を形成する第1溝加工と、第1溝の底部に第2溝(溶断部)を形成する第2溝加工と、を行うレーザ加工装置が開示されている。このレーザ加工装置は、ウェーハのストリートに平行な加工送り方向に沿って、第1溝加工に対応する第1レーザ光線ヘッド部と第2溝加工に対応する第2レーザ光線ヘッド部と、を備えている。そして、ウェーハに対して第1レーザ光線ヘッド部及び第2レーザ光線ヘッド部を加工送り方向の一方向側(例えば往路方向側)に相対移動させることで、同一のストリートに沿って第1溝と第2溝とが同時形成される。 Patent Document 3 describes a first groove machining for forming a first groove (fusing portion) along a street of a wafer, and a second groove machining for forming a second groove (fusing portion) at the bottom of the first groove. A laser processing apparatus for performing the above is disclosed. This laser machining apparatus includes a first laser beam head portion corresponding to the first groove machining and a second laser beam head section corresponding to the second groove machining along the machining feed direction parallel to the street of the wafer. ing. Then, by relatively moving the first laser beam head portion and the second laser beam head portion relative to the wafer in one direction side in the machining feed direction (for example, the outward path direction side), the first groove and the first groove along the same street. The second groove is formed at the same time.

特許文献4には、ウェーハを保持するチャックとウェーハに対向する位置に配置されたレーザ光学系とを相対移動させて、ダイシングストリートに沿って互いに平行な一対のトレンチ(2条の第1溝)と、一対のトレンチの間に形成される凹部であるファロウ(第2溝)と、を形成するレーザ加工装置が開示されている。特許文献4のレーザ光学系は、一対のトレンチの加工に対応するレーザビーム(2本の第1レーザ光)と、ファロウの加工に対応するレーザビーム(第2レーザ光)と、を出射するレーザ光出射系と、各レーザビームをウェーハに集光させる集光光学系と、を備える。この集光光学系は、ウェーハに対するレーザ光学系(集光光学系)の加工送り方向(往路方向、復路方向)に関係なく、トレンチの加工に対応するレーザビームをファロウの加工に対応するレーザビームよりも先行させている。 In Patent Document 4, a pair of trenches (first groove of Article 2) parallel to each other along a dicing street by relatively moving a chuck holding a wafer and a laser optical system arranged at a position facing the wafer. And a laser processing apparatus for forming a wafer (second groove) which is a recess formed between a pair of trenches are disclosed. The laser optical system of Patent Document 4 is a laser that emits a laser beam (two first laser beams) corresponding to the processing of a pair of trenches and a laser beam (second laser beam) corresponding to the processing of a fellow. It includes a light emitting system and a condensing optical system that condenses each laser beam on a wafer. This condensing optical system uses a laser beam for trench processing and a laser beam for Farrow processing regardless of the processing feed direction (outward path direction, return path direction) of the laser optical system (condensing optical system) for the wafer. It is ahead of the others.

特開2009-182019号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-182019 米国特許第5922224号明細書U.S. Pat. No. 5,922,224 特開昭58-143553号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-143553 特開2016-208035号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-20835

ところで、特許文献1に記載されているように、ストリートに沿って2条の縁切り溝と中抜き溝とを形成する場合には、2条の縁切り溝を先行して形成し、その後に中抜き溝を形成する必要がある。このため、特許文献1のレーザ加工装置では、ウェーハに対して第1レーザ光線照射ユニット及び第2レーザ光線照射ユニットを加工送り方向の一方向側(例えば往路方向側)に相対移動させた場合にのみ、同一のストリートに沿って2条の縁切り溝と中抜き溝とを同時形成することができる。このため、特許文献1のレーザ加工装置では、ウェーハに対して各光線照射ユニットを加工送り方向の他方向側(例えば復路方向側)に相対移動させる場合には、同一のストリートに沿って2条の縁切り溝と中抜き溝とを同時形成することができない。その結果、1枚のウェーハの加工に要する時間(タクトタイム)が増加してしまう。 By the way, as described in Patent Document 1, when the two edge cutting grooves and the hollow groove are formed along the street, the two edge cutting grooves are formed in advance, and then the hollow groove is formed. It is necessary to form a groove. Therefore, in the laser processing apparatus of Patent Document 1, when the first laser beam irradiation unit and the second laser beam irradiation unit are relatively moved to one direction side (for example, the outward path direction side) in the processing feed direction with respect to the wafer. Only, two edge cutting grooves and a hollow groove can be formed at the same time along the same street. Therefore, in the laser processing apparatus of Patent Document 1, when each light beam irradiation unit is relatively moved to the other direction side (for example, the return path direction side) of the processing feed direction with respect to the wafer, two rows are along the same street. It is not possible to form the edge cutting groove and the hollow groove at the same time. As a result, the time (tact time) required for processing one wafer increases.

そこで、特許文献1のレーザ加工装置においてウェーハに対して各光線照射ユニットを加工送り方向の他方向側に相対移動させる場合に、第2レーザ光線照射ユニットで縁切り加工を行い、且つ第1レーザ光線照射ユニットで中抜き加工を行うことが考えられる。しかしながら、縁切り加工に対応する光学系と中抜き加工に対応する光学系とは異なるので、各光線照射ユニットを縁切り加工及び中抜き加工の両対応にした場合には、各光線照射ユニットの光学系が非常に複雑になってしまう。 Therefore, in the laser processing apparatus of Patent Document 1, when each light beam irradiation unit is relatively moved to the other direction side in the processing feed direction with respect to the wafer, the second laser beam irradiation unit performs edge cutting processing and the first laser beam is used. It is conceivable to perform hollowing with the irradiation unit. However, since the optical system corresponding to edge cutting and the optical system corresponding to hollowing are different, when each light irradiation unit is compatible with both edge cutting and hollowing, the optical system of each light irradiation unit is supported. Becomes very complicated.

特許文献3のレーザ加工装置においても、ウェーハに対して各レーザ光線ヘッド部を加工送り方向の他方向側(例えば復路方向側)に相対移動させる場合には、同一のストリートに沿って第1溝と第2溝とを同時形成することができない。 Even in the laser processing apparatus of Patent Document 3, when each laser beam head portion is relatively moved to the other direction side (for example, the return path direction side) of the processing feed direction with respect to the wafer, the first groove is along the same street. And the second groove cannot be formed at the same time.

そして、特許文献4のレーザ加工装置では、加工送り方向(往路方向、復路方向)に関係なく、縁切り加工を中抜き加工よりも先行させられるので、上記特許文献1から特許文献3に記載のレーザ加工装置よりもタクトタイムを低減させることができる。しかしながら、特許文献4に記載のレーザ加工装置では、共通のレーザ光源から出射されるレーザ光を用いて縁切り加工及び中抜き加工を行っている。この際に、縁切り加工と中抜き加工とでは適したレーザ光の条件(波長、パルス幅、及び繰り返し周波数等)が異なる。このため、レーザ光の条件が縁切り加工及び中抜き加工のいずれか一方に適した条件から外れてしまうと、この一方の加工速度を遅くする必要があり、さらにこれに伴い他方の加工速度も遅くする必要がある。従って、特許文献4に記載のレーザ加工装置においても、ウェーハのレーザ加工に要するタクトタイムの低減には限界がある。 Further, in the laser processing apparatus of Patent Document 4, the edge cutting process can be preceded by the hollowing process regardless of the processing feed direction (outward path direction, return path direction). Therefore, the lasers described in Patent Documents 1 to 3 are described above. The tact time can be reduced as compared with the processing equipment. However, in the laser processing apparatus described in Patent Document 4, edge cutting and hollowing are performed using a laser beam emitted from a common laser light source. At this time, suitable laser light conditions (wavelength, pulse width, repetition frequency, etc.) differ between the edge cutting process and the hollowing process. Therefore, if the laser beam conditions deviate from the conditions suitable for either edge cutting or hollowing, it is necessary to slow down the processing speed of one of them, and the processing speed of the other is also slowed down accordingly. There is a need to. Therefore, even in the laser processing apparatus described in Patent Document 4, there is a limit to the reduction of the tact time required for laser processing of the wafer.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ウェーハのレーザ加工に要するタクトタイムを低減することができるレーザ加工装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a laser processing apparatus capable of reducing the tact time required for laser processing of a wafer.

本発明の目的を達成するためのレーザ加工装置は、ウェーハを保持するテーブルと、テーブルに対向する位置に配置されたレーザ光学系とをウェーハのストリートに沿った加工送り方向に相対移動させつつレーザ光学系からレーザ光をウェーハに照射することにより、ストリートに沿って互いに平行な2条の第1溝を形成する縁切り加工と、2条の第1溝の間に第2溝を形成する中抜き加工と、をストリートごとに行うレーザ加工装置において、レーザ光学系が、縁切り加工に対応する条件のレーザ光を出射する第1レーザ光源と、中抜き加工に対応する条件のレーザ光を出射する第2レーザ光源と、第1レーザ光源から出射されたレーザ光から2本の第1レーザ光を形成する第1光形成素子と、第2レーザ光源から出射されたレーザ光から第2レーザ光を形成する第2光形成素子と、第1集光レンズと、第1集光レンズを間に挟んで第1集光レンズと共に加工送り方向に沿って一列に配置された2個の第2集光レンズと、第1光形成素子から出射された2本の第1レーザ光を第1集光レンズに導き且つ第2光形成素子から出射された第2レーザ光を2個の第2集光レンズに選択的に導く接続光学系と、を備え、接続光学系が、テーブルに対してレーザ光学系が加工送り方向の往路方向側に相対移動される場合に、第2レーザ光を第1集光レンズに対して加工送り方向の復路方向側に位置する第2集光レンズに導き、且つテーブルに対してレーザ光学系が復路方向側に相対移動される場合に、第2レーザ光を第1集光レンズに対して往路方向側に位置する第2集光レンズに導く。 The laser processing apparatus for achieving the object of the present invention is a laser processing apparatus in which a table holding a wafer and a laser optical system arranged at a position facing the table are relatively moved in a processing feed direction along a street of the wafer. By irradiating the wafer with laser light from the optical system, edge cutting is performed to form two first grooves parallel to each other along the street, and hollowing out to form a second groove between the first two grooves. In a laser processing device that performs processing for each street, the laser optical system emits a first laser light source that emits laser light under conditions corresponding to edge cutting, and a first laser light that emits laser light under conditions corresponding to hollowing. Two laser light sources, a first light forming element that forms two first laser lights from the laser light emitted from the first laser light source, and a second laser light formed from the laser light emitted from the second laser light source. Two second condensing lenses arranged in a row along the processing feed direction together with the first condensing lens with the second condensing element, the first condensing lens, and the first condensing lens sandwiched between them. Then, the two first laser beams emitted from the first light forming element are guided to the first condensing lens, and the second laser light emitted from the second light forming element is directed to the two second condensing lenses. A connection optical system that selectively guides the light is provided, and the connection optical system transmits the second laser beam to the first condenser lens when the laser optical system is relatively moved toward the outward path side in the processing feed direction with respect to the table. The second laser beam is focused on the first condensing light when it is guided to the second condensing lens located on the return path side in the processing feed direction and the laser optical system is relatively moved toward the return path direction with respect to the table. It leads to the second condenser lens located on the outward path side with respect to the lens.

このレーザ加工装置によれば、ウェーハの加工速度を向上(タクトタイムを低減)させることができる。 According to this laser processing apparatus, it is possible to improve the processing speed of the wafer (reduce the tact time).

本発明の目的を達成するためのレーザ加工装置は、ウェーハを保持するテーブルと、テーブルに対向する位置に配置されたレーザ光学系とをウェーハのストリートに沿った加工送り方向に相対移動させつつレーザ光学系からレーザ光をウェーハに照射することにより、ストリートに沿って互いに平行な2条の第1溝を形成する縁切り加工と、2条の第1溝の間に第2溝を形成する中抜き加工と、をストリートごとに行うレーザ加工装置において、レーザ光学系が、縁切り加工に対応する条件のレーザ光を出射する第1レーザ光源と、中抜き加工に対応する条件のレーザ光を出射する第2レーザ光源と、第1レーザ光源から出射されたレーザ光から2本の第1レーザ光を形成する第1光形成素子と、第2レーザ光源から出射されたレーザ光から第2レーザ光を形成する第2光形成素子と、加工送り方向に沿って一列に配置された2個の第1集光レンズと、2個の第1集光レンズの間に配置された第2集光レンズと、第1光形成素子から出射された2本の第1レーザ光を2個の第1集光レンズに選択的に導き且つ第2光形成素子から出射された第2レーザ光を第2集光レンズに導く接続光学系と、を備え、接続光学系が、テーブルに対してレーザ光学系が加工送り方向の往路方向側に相対移動される場合に、2本の第1レーザ光を第2集光レンズに対して往路方向側に位置する第1集光レンズに導き、且つテーブルに対してレーザ光学系が加工送り方向の復路方向側に相対移動される場合に、2本の第1レーザ光を第2集光レンズに対して復路方向側に位置する第1集光レンズに導く。 The laser processing apparatus for achieving the object of the present invention is a laser processing apparatus in which a table holding a wafer and a laser optical system arranged at a position facing the table are relatively moved in a processing feed direction along a street of the wafer. By irradiating the wafer with laser light from the optical system, edge cutting is performed to form two first grooves parallel to each other along the street, and hollowing out to form a second groove between the first two grooves. In a laser processing device that performs processing for each street, the laser optical system emits a first laser light source that emits laser light under conditions corresponding to edge cutting, and a first laser light that emits laser light under conditions corresponding to hollowing. Two laser light sources, a first light forming element that forms two first laser lights from the laser light emitted from the first laser light source, and a second laser light formed from the laser light emitted from the second laser light source. A second light forming element, two first condensing lenses arranged in a row along the processing feed direction, and a second condensing lens arranged between the two first condensing lenses. The two first laser beams emitted from the first light forming element are selectively guided to the two first condensing lenses, and the second laser light emitted from the second light forming element is directed to the second condensing lens. When the laser optical system is relatively moved toward the outward path side in the processing feed direction with respect to the table, the connection optical system is provided with a connection optical system that leads the two first laser beams to a second focus. When the laser optical system is guided to the first condensing lens located on the outward path side with respect to the lens and the laser optical system is relatively moved to the return path direction side in the processing feed direction with respect to the table, the two first laser beams are emitted. It leads to the first condenser lens located on the return path side with respect to the second condenser lens.

このレーザ加工装置によれば、ウェーハの加工速度を向上(タクトタイムを低減)させることができる。 According to this laser processing apparatus, it is possible to improve the processing speed of the wafer (reduce the tact time).

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、テーブルに対して第1集光レンズを、テーブルに平行で且つ加工送り方向に垂直な第1垂直方向に相対移動させる第1移動機構と、テーブルに対して第2集光レンズを、第1垂直方向に相対移動させる第2移動機構と、を備える。これにより、レーザ加工時の加工送り軸の運動精度に関係なく、各加工点を最適な運動軌跡で移動(トレース)させることができる。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the first moving mechanism for moving the first condenser lens relative to the table in the first vertical direction parallel to the table and perpendicular to the processing feed direction, and the table. A second moving mechanism for relatively moving the second condenser lens in the first vertical direction is provided. As a result, each machining point can be moved (traced) with an optimum motion locus regardless of the motion accuracy of the machining feed shaft during laser machining.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、第1移動機構が、テーブルに対して第1集光レンズを、第1垂直方向とテーブルに垂直な第2垂直方向と、に相対移動可能であり、第2移動機構が、テーブルに対して第2集光レンズを、第1垂直方向と第2垂直方向とに相対移動可能である。これにより、レーザ加工時の加工送り軸の運動精度に関係なく、各加工点を最適な運動軌跡で移動(トレース)させることができる。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the first moving mechanism can move the first condenser lens relative to the table in the first vertical direction and the second vertical direction perpendicular to the table. There, the second moving mechanism can move the second condenser lens relative to the table in the first vertical direction and the second vertical direction. As a result, each machining point can be moved (traced) with an optimum motion locus regardless of the motion accuracy of the machining feed shaft during laser machining.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、テーブルに対して第1集光レンズを、テーブルに平行で且つ加工送り方向に垂直な第1垂直方向に相対移動させる第1移動機構と、テーブルに対して2個の第2集光レンズを、第1垂直方向に一体に相対移動させる第2移動機構と、を備える。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the first moving mechanism for moving the first condenser lens relative to the table in the first vertical direction parallel to the table and perpendicular to the processing feed direction, and the table. A second moving mechanism for integrally moving the two second condenser lenses in the first vertical direction is provided.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、第1移動機構が、テーブルに対して第1集光レンズを、第1垂直方向と、テーブルに垂直な第2垂直方向とに相対移動可能であり、第2移動機構が、テーブルに対して2個の第2集光レンズを一体に、第1垂直方向と第2垂直方向とに相対移動可能である。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the first moving mechanism can move the first condenser lens relative to the table in the first vertical direction and the second vertical direction perpendicular to the table. There, the second moving mechanism can move the two second condenser lenses integrally with respect to the table in the first vertical direction and the second vertical direction.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、テーブルに対して2個の第1集光レンズを、テーブルに平行で且つ加工送り方向に垂直な第1垂直方向に一体に相対移動させる第1移動機構と、テーブルに対して第2集光レンズを、第1垂直方向に相対移動させる第2移動機構と、を備える。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the first condensing lens is integrally relative to the table in the first vertical direction parallel to the table and perpendicular to the processing feed direction. It includes a moving mechanism and a second moving mechanism that moves the second condenser lens relative to the table in the first vertical direction.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、第1移動機構が、テーブルに対して2個の第1集光レンズを一体に、第1垂直方向と、テーブルに垂直な第2垂直方向とに相対移動可能であり、第2移動機構が、テーブルに対して第2集光レンズを、第1垂直方向と第2垂直方向とに相対移動可能である。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the first moving mechanism integrally combines two first condensing lenses with respect to the table in a first vertical direction and a second vertical direction perpendicular to the table. The second moving mechanism can move the second condenser lens relative to the table in the first vertical direction and the second vertical direction.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、第1移動機構が、テーブルを第1垂直方向に移動させる。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the first moving mechanism moves the table in the first vertical direction.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、第2移動機構が、テーブルを第1垂直方向に移動させる。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the second moving mechanism moves the table in the first vertical direction.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、第1移動機構が、テーブルを第1垂直方向と第2垂直方向とに移動させる。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the first moving mechanism moves the table in the first vertical direction and the second vertical direction.

本発明の他の態様に係るレーザ加工装置において、第2移動機構が、テーブルを第1垂直方向と第2垂直方向とに移動させる。 In the laser processing apparatus according to another aspect of the present invention, the second moving mechanism moves the table in the first vertical direction and the second vertical direction.

本発明は、簡単な構成でウェーハのレーザ加工に要するタクトタイムを低減することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, the tact time required for laser machining of a wafer can be reduced with a simple configuration.

第1実施形態のレーザ加工装置の概略図である。It is a schematic diagram of the laser processing apparatus of 1st Embodiment. レーザ加工装置による加工対象のウェーハの平面図である。It is a top view of the wafer to be processed by a laser processing apparatus. 奇数番目のストリートに沿ったレーザ加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating laser processing along an odd-numbered street. 偶数番目のストリートに沿ったレーザ加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the laser processing along the even-numbered street. ウェーハに対して往路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by a laser optical system which is moved relative to the wafer in the outward direction direction. ウェーハに対して復路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by a laser optical system which is moved relative to the wafer in the return direction side. 第1実施形態のレーザ加工装置によるウェーハのストリートごとのレーザ加工処理の流れを示したフローチャートである。It is a flowchart which showed the flow of the laser processing process for each street of the wafer by the laser processing apparatus of 1st Embodiment. 第1回転機構による2条の縁切り溝のY方向の間隔調整を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the space adjustment in the Y direction of 2 edge cutting grooves by the 1st rotation mechanism. 第1回転機構による2条の縁切り溝のY方向の間隔調整を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the space adjustment in the Y direction of 2 edge cutting grooves by the 1st rotation mechanism. 第2回転機構による中抜き溝のY方向の幅調整を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the width adjustment in the Y direction of the hollow groove by the 2nd rotation mechanism. 第2回転機構による中抜き溝のY方向の幅調整を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the width adjustment in the Y direction of the hollow groove by the 2nd rotation mechanism. 第3実施形態のレーザ加工装置の概略図である。It is a schematic diagram of the laser processing apparatus of 3rd Embodiment. 第4実施形態においてウェーハに対して往路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system which is moved relative to the wafer in the outward direction direction in 4th Embodiment. 第4実施形態においてウェーハに対して復路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system which is moved relative to the wafer in the return direction side with respect to the 4th Embodiment. 第4実施形態の接続切替素子の具体例1を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the specific example 1 of the connection switching element of 4th Embodiment. 第4実施形態の接続切替素子の具体例2を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the specific example 2 of the connection switching element of 4th Embodiment. 第4実施形態の接続切替素子の具体例3を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the specific example 3 of the connection switching element of 4th Embodiment. 第5実施形態においてウェーハに対して往路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system which is moved relative to the wafer in the outward direction direction in 5th Embodiment. 第5実施形態においてウェーハに対して復路方向側に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system 24 which is moved relative to the wafer in the return direction side with respect to the 5th Embodiment. 第6実施形態においてウェーハに対して往路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system which is moved relative to the wafer in the outward direction direction in 6th Embodiment. 第6実施形態においてウェーハに対して復路方向側に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system 24 which is moved relative to the wafer in the return direction side with respect to the 6th Embodiment. 第2レーザ光の強度分布がガウシアン形状となる場合の課題を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the problem in the case where the intensity distribution of the 2nd laser beam becomes a Gaussian shape. 第2レーザ光の理想的な強度分布の一例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed an example of the ideal intensity distribution of the 2nd laser beam. 第2レーザ光の実際の強度分布の一例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed an example of the actual intensity distribution of the 2nd laser beam. 符号XXVAは第2レーザ光のY方向における強度分布(E)の一例を示した説明図であり、符号XXVBは第2レーザ光のX方向における強度分布(E)の一例を示した説明図である。The reference numeral XXVA is an explanatory diagram showing an example of the intensity distribution (E) of the second laser beam in the Y direction, and the reference numeral XXVB is an explanatory diagram showing an example of the intensity distribution (E) of the second laser beam in the X direction. be. 第7実施形態の第2レーザ光L2のXY面の強度分布の一例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed an example of the intensity distribution of the XY plane of the 2nd laser beam L2 of 7th Embodiment. 第8実施形態のレーザ加工装置のレーザ光学系の概略図である。It is the schematic of the laser optical system of the laser processing apparatus of 8th Embodiment. 第8実施形態のレーザ加工装置の効果を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the effect of the laser processing apparatus of 8th Embodiment. ウェーハに対して往路方向側に相対移動される第9実施形態のレーザ加工装置のレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system of the laser processing apparatus of 9th Embodiment which is moved relative to the wafer in the outward direction direction. ウェーハに対して復路方向側に相対移動される第9実施形態のレーザ加工装置のレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system of the laser processing apparatus of 9th Embodiment which is moved relative to the wafer in the return direction side. 相対移動機構によりレーザ光学系がウェーハに対して往路方向側に相対移動される場合の接続光学系の機能を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the function of the connection optical system when the laser optical system is moved relative to the wafer in the outward direction direction by the relative movement mechanism. 相対移動機構によりレーザ光学系がウェーハに対して復路方向側に相対移動される場合の接続光学系の機能を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the function of the connection optical system when the laser optical system is moved relative to the wafer in the return direction side by the relative movement mechanism. 第9実施形態の変形例1においてウェーハに対して往路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system which is moved relative to the wafer in the outward direction direction in the modification 1 of the 9th Embodiment. 第9実施形態の変形例1においてウェーハに対して復路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system which is moved relative to the wafer in the return direction side in the modification 1 of the 9th Embodiment. 第9実施形態の変形例2においてウェーハに対して往路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system which is moved relative to the wafer in the outward direction direction in the modification 2 of the 9th Embodiment. 第9実施形態の変形例2においてウェーハに対して復路方向側に相対移動されるレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system which is moved relative to the wafer in the return direction side in the modification 2 of the 9th Embodiment. 第10実施形態のレーザ加工装置のレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system of the laser processing apparatus of tenth embodiment. ウェーハに対して往路方向側に相対移動される第11実施形態のレーザ加工装置のレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system of the laser processing apparatus of eleventh embodiment which is moved relative to the wafer in the outward direction direction. 図38中の点線円K1内の拡大図である。It is an enlarged view in the dotted line circle K1 in FIG. 38. ウェーハに対して復路方向側に相対移動される第11実施形態のレーザ加工装置のレーザ光学系による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating edge cutting processing and hollow processing by the laser optical system of the laser processing apparatus of eleventh embodiment which is moved relative to the wafer in the return direction side. 図40中の点線円K2内の拡大図である。It is an enlarged view in the dotted line circle K2 in FIG. 40. 第11実施形態の変形例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the modification of 11th Embodiment. 図43は、第3実施形態の変形例を説明するための説明図である。FIG. 43 is an explanatory diagram for explaining a modified example of the third embodiment.

[第1実施形態のレーザ加工装置の全体構成]
図1は、第1実施形態のレーザ加工装置10の概略図である。図1に示すように、レーザ加工装置10は、ウェーハ12を複数のチップ14(図2参照)に分割する前の前工程として、ウェーハ12に対してレーザ加工(アブレーション溝加工)を施す。なお、図中のXYZ方向は互いに直交し、このうちX方向及びY方向は水平方向であり、Z方向は上下方向である。ここでX方向は本発明の加工送り方向に相当する。
[Overall configuration of the laser processing apparatus of the first embodiment]
FIG. 1 is a schematic view of the laser processing apparatus 10 of the first embodiment. As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 10 performs laser processing (ablation groove processing) on the wafer 12 as a pre-process before dividing the wafer 12 into a plurality of chips 14 (see FIG. 2). The XYZ directions in the figure are orthogonal to each other, of which the X direction and the Y direction are the horizontal direction, and the Z direction is the vertical direction. Here, the X direction corresponds to the processing feed direction of the present invention.

図2は、レーザ加工装置10による加工対象のウェーハ12の平面図である。図2に示すように、ウェーハ12は、シリコン等の基板の表面にLow-k膜と回路を形成する機能膜とを積層した積層体である。ウェーハ12は格子状に配列された複数のストリートC(分割予定ライン)によって複数の領域に区画されている。この区画された各領域にはチップ14を構成するデバイス16が設けられている。 FIG. 2 is a plan view of the wafer 12 to be machined by the laser machining apparatus 10. As shown in FIG. 2, the wafer 12 is a laminated body in which a Low-k film and a functional film forming a circuit are laminated on the surface of a substrate such as silicon. The wafer 12 is divided into a plurality of regions by a plurality of streets C (planned division lines) arranged in a grid pattern. A device 16 constituting the chip 14 is provided in each of the partitioned areas.

レーザ加工装置10は、図中の括弧付き数字(1)~(4)、・・・に示すように、ストリートCごとにストリートCに沿ってウェーハ12に対してレーザ加工(アブレーション溝加工)を行うことで、基板上のLow-k膜等を除去する。 The laser processing apparatus 10 performs laser processing (ablation groove processing) on the wafer 12 along the street C for each street C, as shown by the numbers (1) to (4) in parentheses in the figure. By doing so, the Low-k film or the like on the substrate is removed.

この際にレーザ加工装置10は、ウェーハ12のレーザ加工に要するタクトタイムを低減するために、ウェーハ12に対して後述のレーザ光学系24をX方向に相対移動させる際の相対移動方向をストリートCごとに交互に切り替える。 At this time, the laser processing apparatus 10 sets the relative movement direction when the laser optical system 24 described later is relatively moved in the X direction with respect to the wafer 12 in order to reduce the tact time required for laser processing of the wafer 12. Switch alternately every time.

例えば、図中の括弧付き数字(1),(3)等に示す奇数番目のストリートCに沿ってレーザ加工を行う場合には、ウェーハ12に対して後述のレーザ光学系24をX方向の一方向側である往路方向側X1(図5参照)に相対移動させる。また、図中の括弧付き数字(2),(4)等に示す偶数番目のストリートCに沿ってレーザ加工を行う場合には、ウェーハ12に対してレーザ光学系24をX方向の他方向側である復路方向側X2(図6参照)に相対移動させる。 For example, when laser processing is performed along the odd-numbered streets C shown by the numbers (1) and (3) in parentheses in the figure, the laser optical system 24 described later is set to one in the X direction with respect to the wafer 12. It is relatively moved to the outward direction side X1 (see FIG. 5) which is the direction side. Further, when laser processing is performed along the even-numbered streets C shown by the numbers (2) and (4) in parentheses in the drawing, the laser optical system 24 is placed on the other side in the X direction with respect to the wafer 12. It is relatively moved to the return direction side X2 (see FIG. 6).

図3は、奇数番目のストリートCに沿ったレーザ加工を説明するための説明図である。図4は、偶数番目のストリートCに沿ったレーザ加工を説明するための説明図である。 FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining laser machining along the odd-numbered street C. FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining laser processing along the even-numbered street C.

図3及び図4に示すように、本実施形態ではレーザ加工として縁切り加工及び中抜き加工が同時に(並行して)実行される。縁切り加工は、2本の第1レーザ光L1を用いて行うレーザ加工であって、且つストリートCに沿って互いに平行な2条の縁切り溝18(本発明の2条の第1溝に相当するアブレーション溝)を形成するレーザ加工である。中抜き加工は、2本の第1レーザ光L1よりも太径の1本の第2レーザ光L2を用いて行うレーザ加工であって、且つ縁切り加工で形成された2条の縁切り溝18の間に中抜き溝19(本発明の第2溝に相当するアブレーション溝)を形成するレーザ加工である。なお、アブレーション溝である2条の縁切り溝18及び中抜き溝19については公知技術であるので、その詳細についての説明は省略する(特許文献1参照)。 As shown in FIGS. 3 and 4, in this embodiment, edge cutting and hollowing are simultaneously (parallel) executed as laser machining. The edge cutting process is a laser process performed by using two first laser beams L1 and has two edge cutting grooves 18 parallel to each other along the street C (corresponding to the first groove of Article 2 of the present invention). Laser processing to form an ablation groove). The hollowing process is a laser process performed by using one second laser beam L2 having a diameter larger than that of the two first laser beams L1, and the edge cutting groove 18 of the two strips formed by the edge cutting process. It is a laser machining that forms a hollow groove 19 (ablation groove corresponding to the second groove of the present invention) between them. Since the two edge cutting grooves 18 and the hollow grooves 19 which are ablation grooves are known techniques, the details thereof will be omitted (see Patent Document 1).

このように本実施形態のレーザ加工装置10では、ウェーハ12に対して後述のレーザ光学系24を往路方向側X1(図5参照)に相対移動させたり或いは復路方向側X2(図6参照)に相対移動させたりする場合のいずれにおいても、縁切り加工を中抜き加工よりも先行して行う。 As described above, in the laser processing apparatus 10 of the present embodiment, the laser optical system 24 described later is moved relative to the wafer 12 to the outward direction side X1 (see FIG. 5) or to the return direction side X2 (see FIG. 6). In any case of relative movement, the edge cutting process is performed prior to the hollowing process.

図1に戻って、レーザ加工装置10は、テーブル20と、レーザ光源22と、レーザ光学系24と、顕微鏡26と、相対移動機構28と、制御装置30と、を備える。 Returning to FIG. 1, the laser processing apparatus 10 includes a table 20, a laser light source 22, a laser optical system 24, a microscope 26, a relative moving mechanism 28, and a control device 30.

テーブル20は、ウェーハ12を保持する。また、テーブル20は、制御装置30の制御の下、相対移動機構28により加工対象のストリートCに平行な加工送り方向であるX方向に移動されると共に、Z方向に平行なテーブル20の中心軸(回転軸)を中心として回転される。 The table 20 holds the wafer 12. Further, the table 20 is moved in the X direction, which is the machining feed direction parallel to the street C to be machined, by the relative movement mechanism 28 under the control of the control device 30, and the central axis of the table 20 parallel to the Z direction. It is rotated around (rotation axis).

レーザ光源22は、後述のレーザ光学系24と共に本発明のレーザ光学系を構成する。このレーザ光源22は、縁切り加工及び中抜き加工の双方に適した条件(波長、パルス幅、及び繰り返し周波数等)のレーザ光Lを常時出射する。レーザ光源22から出射されたレーザ光Lはレーザ光学系24に入射する。 The laser light source 22 constitutes the laser optical system of the present invention together with the laser optical system 24 described later. The laser light source 22 constantly emits laser light L under conditions (wavelength, pulse width, repetition frequency, etc.) suitable for both edge cutting and hollowing. The laser beam L emitted from the laser light source 22 is incident on the laser optical system 24.

レーザ光学系24(レーザユニットともいう)は、詳しくは後述するが、レーザ光源22からのレーザ光Lを2分岐して、縁切り加工用の2本の第1レーザ光L1と中抜き加工用の1本の第2レーザ光L2とを形成する。そして、レーザ光学系24は、2本の第1レーザ光L1を第1集光レンズ38からストリートCに向けて出射(照射)する。また、レーザ光学系24は、制御装置30の制御の下、第2レーザ光L2を2個の第2集光レンズ40A,40Bから選択的にストリートCに向けて出射(照射)する。 The laser optical system 24 (also referred to as a laser unit) will be described in detail later, but the laser beam L from the laser light source 22 is branched into two, and two first laser beams L1 for edge cutting and a hollowing process are used. It forms one second laser beam L2. Then, the laser optical system 24 emits (irradiates) two first laser beams L1 from the first condenser lens 38 toward the street C. Further, the laser optical system 24 selectively emits (irradiates) the second laser beam L2 from the two second condenser lenses 40A and 40B toward the street C under the control of the control device 30.

また、レーザ光学系24は、制御装置30の制御の下、相対移動機構28によりY方向及びZ方向に移動される。 Further, the laser optical system 24 is moved in the Y direction and the Z direction by the relative moving mechanism 28 under the control of the control device 30.

顕微鏡26は、レーザ光学系24に固定されており、レーザ光学系24と一体に移動する。顕微鏡26は、ウェーハ12に対する縁切り加工及び中抜き加工の前に、ウェーハ12に形成されているアライメント基準(図示は省略)を撮影する。また、顕微鏡26は、縁切り加工及び中抜き加工によりストリートCに沿って形成された2条の縁切り溝18及び中抜き溝19の撮影を行う。顕微鏡26により撮影された撮影画像(画像データ)は、制御装置30へ出力され、この制御装置30により不図示のモニタに表示される。 The microscope 26 is fixed to the laser optical system 24 and moves integrally with the laser optical system 24. The microscope 26 photographs an alignment reference (not shown) formed on the wafer 12 before edge cutting and hollowing on the wafer 12. Further, the microscope 26 photographs the two edge cutting grooves 18 and the hollow grooves 19 formed along the street C by the edge cutting process and the hollowing process. The captured image (image data) captured by the microscope 26 is output to the control device 30, and is displayed on a monitor (not shown) by the control device 30.

相対移動機構28は、不図示のXYZアクチュエータ及びモータ等から構成されており、制御装置30の制御の下、テーブル20のX方向の移動及び回転軸を中心とする回転と、レーザ光学系24のY方向及びZ方向の移動と、を行う。これにより、相対移動機構28は、テーブル20及びこのテーブル20に保持されているウェーハ12に対してレーザ光学系24を相対移動させることができる。なお、テーブル20をX方向に移動させ且つレーザ光学系24をYZ方向に移動させる代わりに、例えばレーザ光学系24をZ方向に移動させ且つテーブル20をXY方向に移動させてもよく、テーブル20(ウェーハ12)に対してレーザ光学系24を各方向(回転を含む)に相対移動可能であればその相対移動方法は特に限定はされない。 The relative movement mechanism 28 is composed of an XYZ actuator, a motor, etc. (not shown), and under the control of the control device 30, the relative movement mechanism 28 moves the table 20 in the X direction, rotates around the rotation axis, and causes the laser optical system 24 to move. The movement in the Y direction and the Z direction is performed. As a result, the relative movement mechanism 28 can move the laser optical system 24 relative to the table 20 and the wafer 12 held on the table 20. Instead of moving the table 20 in the X direction and the laser optical system 24 in the YZ direction, for example, the laser optical system 24 may be moved in the Z direction and the table 20 may be moved in the XY direction. As long as the laser optical system 24 can be moved relative to (wafer 12) in each direction (including rotation), the relative movement method is not particularly limited.

相対移動機構28を駆動することで、加工対象のストリートCの一端である加工開始位置に対するレーザ光学系24の位置合わせ(アライメント)と、ストリートCに沿ったX方向[往路方向側X1(図5参照)又は復路方向側X2(図6参照)]のレーザ光学系24の相対移動と、を繰り返し実行することができる。また、相対移動機構28を駆動して、テーブル20を90°回転させることで、ウェーハ12のY方向に沿った各ストリートCを加工送り方向であるX方向に平行にすることができる。 By driving the relative movement mechanism 28, the laser optical system 24 is aligned with the machining start position, which is one end of the street C to be machined, and the X direction along the street C [outward direction side X1 (FIG. 5). (See) or the relative movement of the laser optical system 24 on the return direction side X2 (see FIG. 6)] can be repeatedly executed. Further, by driving the relative movement mechanism 28 and rotating the table 20 by 90 °, each street C along the Y direction of the wafer 12 can be made parallel to the X direction which is the machining feed direction.

制御装置30は、例えばパーソナルコンピュータのような演算装置により構成され、各種のプロセッサ(Processor)及びメモリ等から構成された演算回路を備える。各種のプロセッサには、CPU(Central Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、及びプログラマブル論理デバイス[例えばSPLD(Simple Programmable Logic Devices)、CPLD(Complex Programmable Logic Device)、及びFPGA(Field Programmable Gate Arrays)]等が含まれる。なお、制御装置30の各種機能は、1つのプロセッサにより実現されてもよいし、同種または異種の複数のプロセッサで実現されてもよい。 The control device 30 is composed of an arithmetic unit such as a personal computer, and includes an arithmetic circuit composed of various processors (Processor), a memory, and the like. Various processors include CPU (Central Processing Unit), GPU (Graphics Processing Unit), ASIC (Application Specific Integrated Circuit), and programmable logic devices [for example, SPLD (Simple Programmable Logic Devices), CPLD (Complex Programmable Logic Device), etc. And FPGA (Field Programmable Gate Arrays)] and the like. The various functions of the control device 30 may be realized by one processor, or may be realized by a plurality of processors of the same type or different types.

制御装置30は、レーザ光源22、レーザ光学系24、顕微鏡26、及び相対移動機構28の動作を統括的に制御する。 The control device 30 comprehensively controls the operations of the laser light source 22, the laser optical system 24, the microscope 26, and the relative movement mechanism 28.

[レーザ光学系]
図5は、ウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図6は、ウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。以下、ウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動されるレーザ光学系24の加工対象である奇数番目のストリートCを適宜「往路」といい、復路方向側X2に相対移動されるレーザ光学系24の加工対象である偶数番目のストリートCを適宜「復路」という。
[Laser optical system]
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 that is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12. FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 that is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12. Hereinafter, the odd-numbered street C, which is the processing target of the laser optical system 24 that is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12, is appropriately referred to as an “outward path”, and the laser optical system that is relatively moved to the return direction side X2. The even-numbered street C, which is the object of processing of 24, is appropriately referred to as "return route".

図5及び図6に示すように、レーザ光学系24は、安全シャッタ100と、安全シャッタ駆動機構102と、分岐素子31と、第1光形成素子32と、第2光形成素子34と、接続切替素子36と、第1集光レンズ38と、2個の第2集光レンズ40A,40Bと、第1高速シャッタ47A及び第2高速シャッタ47Bと、高速シャッタ駆動機構47Cと、を備える。 As shown in FIGS. 5 and 6, the laser optical system 24 is connected to the safety shutter 100, the safety shutter drive mechanism 102, the branch element 31, the first light forming element 32, and the second light forming element 34. It includes a switching element 36, a first condensing lens 38, two second condensing lenses 40A and 40B, a first high-speed shutter 47A and a second high-speed shutter 47B, and a high-speed shutter drive mechanism 47C.

安全シャッタ駆動機構102は、制御装置30の制御の下、レーザ光源22と分岐素子31との間の光路に対して安全シャッタ100を挿脱させるアクチュエータである。安全シャッタ駆動機構102は、レーザ加工時以外では、上述の光路に対して安全シャッタ100を挿入させることで、レーザ光学系24からの2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2の出射を停止させる。また、安全シャッタ駆動機構102は、レーザ加工時には、上述の光路から安全シャッタ100を退避させることで、レーザ光学系24からの2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2の出射を可能にする。 The safety shutter drive mechanism 102 is an actuator that inserts and removes the safety shutter 100 from the optical path between the laser light source 22 and the branch element 31 under the control of the control device 30. The safety shutter drive mechanism 102 emits two first laser beams L1 and second laser beams L2 from the laser optical system 24 by inserting the safety shutter 100 into the above-mentioned optical path except during laser processing. To stop. Further, the safety shutter drive mechanism 102 can emit two first laser beams L1 and a second laser beam L2 from the laser optical system 24 by retracting the safety shutter 100 from the above-mentioned optical path during laser processing. To.

分岐素子31は、例えばハーフミラー等が用いられる。分岐素子31は、レーザ光源22から出射されたレーザ光Lを2分岐させて、2分岐したレーザ光Lの一方を第1光形成素子32へ出射すると共にレーザ光Lの他方を第2光形成素子34へ出射する。なお、本明細書における「2分岐」の分岐比は50:50に限定されるものではなく適宜変更可能である。 For the branching element 31, for example, a half mirror or the like is used. The branching element 31 branches the laser light L emitted from the laser light source 22 into two, emits one of the two-branched laser light L to the first light forming element 32, and forms the other of the laser light L as the second light. It emits light to the element 34. The branching ratio of "two branches" in the present specification is not limited to 50:50 and can be changed as appropriate.

第1光形成素子32は、例えば回折光学素子(Diffractive Optical Element:DOE)が用いられる。この第1光形成素子32は、分岐素子31より入射したレーザ光Lから縁切り加工に対応する2本の第1レーザ光L1を形成し、2本の第1レーザ光L1を第1集光レンズ38に向けて出射する。これにより、ストリートC(往路及び復路)上に第1集光レンズ38により2本の第1レーザ光L1が集光され、ストリートC上においてY方向に離間した2個のスポット(集光点又は加工点ともいう)が形成される。なお、図示は省略するが、第1光形成素子32から第1集光レンズ38に至る2本の第1レーザ光L1の光路(光路上に設けられた各種光学素子を含む)は、本発明の接続光学系の一部を構成する。 As the first light forming element 32, for example, a diffractive optical element (DOE) is used. The first light forming element 32 forms two first laser light L1 corresponding to the edge cutting process from the laser light L incident from the branching element 31, and the two first laser light L1 is the first condensing lens. It emits toward 38. As a result, the two first laser beams L1 are focused on the street C (outward and return paths) by the first condenser lens 38, and the two spots (condensing point or condensing point or) separated in the Y direction on the street C. (Also called a processing point) is formed. Although not shown, the optical path (including various optical elements provided on the optical path) of the two first laser beams L1 from the first optical forming element 32 to the first condenser lens 38 is the present invention. It constitutes a part of the connection optical system of.

第2光形成素子34は、例えば回折光学素子及びマスク等が用いられる。第2光形成素子34は、分岐素子31より入射したレーザ光Lから中抜き加工に対応する第2レーザ光L2を形成する。第2レーザ光L2は、ウェーハ12上において2条の縁切り溝18の間に矩形状(円形状等の他の形状でも可)の1個のスポット(図10及び図11参照)を形成する。このスポットのY方向の幅は、2条の縁切り溝18の間隔に合わせて調整されている。そして、第2光形成素子34は、第2レーザ光L2を接続切替素子36へ出射する。 As the second light forming element 34, for example, a diffractive optical element, a mask, or the like is used. The second light forming element 34 forms the second laser light L2 corresponding to the hollowing process from the laser light L incident from the branching element 31. The second laser beam L2 forms one rectangular spot (see FIGS. 10 and 11) on the wafer 12 between the two edge cutting grooves 18 in a rectangular shape (another shape such as a circular shape is also possible). The width of this spot in the Y direction is adjusted according to the distance between the two edge cutting grooves 18. Then, the second light forming element 34 emits the second laser beam L2 to the connection switching element 36.

接続切替素子36は、既述の分岐素子31等と共に本発明の接続光学系を構成する。この接続切替素子36としては、例えば、公知の光スイッチ或いは後述の図15から図17に示す各種光学素子(λ/2板52及び偏光ビームスプリッタ54、ハーフミラー58及びシャッタ62A,62B、ミラー66A,66B等)が用いられる。接続切替素子36は、制御装置30の制御の下、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2を第2集光レンズ40A,40Bに選択的に導く。 The connection switching element 36 constitutes the connection optical system of the present invention together with the branch element 31 and the like described above. The connection switching element 36 includes, for example, a known optical switch or various optical elements (λ / 2 plate 52 and polarization beam splitter 54, half mirror 58 and shutters 62A, 62B, mirror 66A) shown in FIGS. 15 to 17 described later. , 66B, etc.) is used. The connection switching element 36 selectively guides the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34 to the second condenser lenses 40A and 40B under the control of the control device 30.

第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40A,40Bは、X方向(加工送り方向)に沿って一列に配置されている。第1集光レンズ38は、第2集光レンズ40Aと第2集光レンズ40Bとの間に配置されている。第2集光レンズ40Aは、第1集光レンズ38に対して復路方向側X2に配置されている。第2集光レンズ40Bは、第1集光レンズ38に対して往路方向側X1に配置されている。 The first condenser lens 38 and the second condenser lenses 40A and 40B are arranged in a row along the X direction (processing feed direction). The first condensing lens 38 is arranged between the second condensing lens 40A and the second condensing lens 40B. The second condenser lens 40A is arranged on the return path side X2 with respect to the first condenser lens 38. The second condenser lens 40B is arranged on the outward direction side X1 with respect to the first condenser lens 38.

第1集光レンズ38は、第1光形成素子32から入射した2本の第1レーザ光L1をストリートC(往路及び復路)上に集光させる。第2集光レンズ40Aは、接続切替素子36から入射した第2レーザ光L2をストリートC(往路)上に集光させる。第2集光レンズ40Bは、接続切替素子36から入射した第2レーザ光L2をストリートC(復路)上に集光させる。 The first condensing lens 38 condenses the two first laser beams L1 incident from the first light forming element 32 on the street C (outward and return paths). The second condenser lens 40A concentrates the second laser beam L2 incident from the connection switching element 36 on the street C (outward route). The second condenser lens 40B concentrates the second laser beam L2 incident from the connection switching element 36 on the street C (return path).

接続切替素子36は、相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して往路方向側X1及び復路方向側X2のいずれか一方向側に相対移動させる場合に、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2を、第2集光レンズ40A,40Bのうちで第1集光レンズ38に対して往路方向側X1及び復路方向側X2の他方向側に位置するレンズに導く。 The connection switching element 36 is provided from the second light forming element 34 when the relative moving mechanism 28 moves the laser optical system 24 relative to the wafer 12 in either the outward direction side X1 or the inbound direction side X2. The emitted second laser beam L2 is guided to a lens located on the other direction side of the outward path direction side X1 and the return path direction side X2 with respect to the first condenser lens 38 among the second condenser lenses 40A and 40B.

具体的には図5に示すように、接続切替素子36は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動される場合には、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2を第2集光レンズ40Aに導く。これにより、ストリートC(往路)上に第2集光レンズ40Aにより第2レーザ光L2が集光される。その結果、レーザ光学系24の往路方向側X1への相対移動によりストリートC(往路)に沿って縁切り加工が先行して実行されることで2条の縁切り溝18が形成され、続いて中抜き加工が実行されることで2条の縁切り溝18の間に中抜き溝19が形成される。 Specifically, as shown in FIG. 5, the connection switching element 36 is a second light forming element when the laser optical system 24 is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12 by the relative moving mechanism 28. The second laser beam L2 emitted from 34 is guided to the second condenser lens 40A. As a result, the second laser beam L2 is condensed on the street C (outward route) by the second condenser lens 40A. As a result, the relative movement of the laser optical system 24 to the outward direction side X1 causes the edge cutting process to be executed in advance along the street C (outward path), so that two edge cutting grooves 18 are formed, and then hollowing out. By executing the processing, the hollow groove 19 is formed between the two edge cutting grooves 18.

また図6に示すように、接続切替素子36は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動される場合には、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2を第2集光レンズ40Bに導く。これにより、ストリートC(復路)上に第2集光レンズ40Bにより第2レーザ光L2が集光される。その結果、レーザ光学系24の復路方向側X2への相対移動によりストリートC(復路)に沿って縁切り加工が先行して実行されることで2条の縁切り溝18が形成され、続いて中抜き加工が実行されることで2条の縁切り溝18の間に中抜き溝19が形成される。 Further, as shown in FIG. 6, when the laser optical system 24 is relatively moved to the return path side X2 with respect to the wafer 12 by the relative movement mechanism 28, the connection switching element 36 is emitted from the second light forming element 34. The generated second laser beam L2 is guided to the second condenser lens 40B. As a result, the second laser beam L2 is focused on the street C (return path) by the second condenser lens 40B. As a result, the relative movement of the laser optical system 24 to the return path side X2 causes the edge cutting process to be performed in advance along the street C (return path) to form two edge cutting grooves 18, which are subsequently hollowed out. By executing the processing, the hollow groove 19 is formed between the two edge cutting grooves 18.

第1高速シャッタ47Aは、分岐素子31と第1光形成素子32との間のレーザ光Lの光路(第1光形成素子32と第1集光レンズ38との間の光路でも可)に対して挿脱自在に設けられている。第1高速シャッタ47Aは、分岐素子31と第1光形成素子32との間の光路に挿入された場合に、分岐素子31から第1光形成素子32に入射するレーザ光Lを遮断することで、第1集光レンズ38からの2本の第1レーザ光L1の出射を停止させる。 The first high-speed shutter 47A has an optical path of laser light L between the branching element 31 and the first light forming element 32 (an optical path between the first light forming element 32 and the first condensing lens 38 is also possible). It is provided so that it can be inserted and removed freely. When the first high-speed shutter 47A is inserted into the optical path between the branch element 31 and the first light forming element 32, the first high-speed shutter 47A blocks the laser beam L incident on the first light forming element 32 from the branch element 31. , The emission of the two first laser beams L1 from the first condenser lens 38 is stopped.

第2高速シャッタ47Bは、分岐素子31と第2光形成素子34との間のレーザ光Lの光路(第2光形成素子34と接続切替素子36との間の光路でも可)に対して挿脱自在に設けられている。第2高速シャッタ47Bは、分岐素子31と第2光形成素子34との間の光路に挿入された場合に、分岐素子31から第2光形成素子34に入射するレーザ光Lを遮断することで、第2集光レンズ40A,40Bからの第2レーザ光L2の出射を停止させる。 The second high-speed shutter 47B is inserted into the optical path of the laser beam L between the branch element 31 and the second light forming element 34 (the optical path between the second light forming element 34 and the connection switching element 36 is also possible). It is provided freely. When the second high-speed shutter 47B is inserted into the optical path between the branch element 31 and the second light forming element 34, the second high-speed shutter 47B blocks the laser beam L incident on the second light forming element 34 from the branch element 31. , The emission of the second laser beam L2 from the second condenser lenses 40A and 40B is stopped.

高速シャッタ駆動機構47Cは、制御装置30の制御の下、第1高速シャッタ47A及び第2高速シャッタ47Bを既述の各光路に対して挿脱させるアクチュエータである。高速シャッタ駆動機構47Cは、縁切り加工時の間は第1高速シャッタ47Aをレーザ光Lの光路から退避させ且つ縁切り加工時以外では第1高速シャッタ47Aをレーザ光Lの光路に挿入する。また、高速シャッタ駆動機構47Cは、中抜き加工時の間は第2高速シャッタ47Bをレーザ光Lの光路から退避させ且つ中抜き加工時以外では第2高速シャッタ47Bをレーザ光Lの光路に挿入する。 The high-speed shutter drive mechanism 47C is an actuator that inserts and removes the first high-speed shutter 47A and the second high-speed shutter 47B for each of the above-mentioned optical paths under the control of the control device 30. The high-speed shutter drive mechanism 47C retracts the first high-speed shutter 47A from the optical path of the laser beam L during the edge cutting process, and inserts the first high-speed shutter 47A into the optical path of the laser beam L except during the edge cutting process. Further, the high-speed shutter drive mechanism 47C retracts the second high-speed shutter 47B from the optical path of the laser beam L during the hollowing process, and inserts the second high-speed shutter 47B into the optical path of the laser beam L except during the hollowing process.

図7は、上記構成の第1実施形態のレーザ加工装置10によるウェーハ12のストリートCごとのレーザ加工処理の流れ(レーザ加工装置10の制御方法)を示したフローチャートである。なお、初期状態では、第1高速シャッタ47A、第2高速シャッタ47B、及び安全シャッタ100がそれぞれレーザ光Lの光路上に挿入されているものとする。また、レーザ加工装置10の起動に合せてレーザ光源22からのレーザ光Lの出射が開始されるものとする。 FIG. 7 is a flowchart showing a flow of laser machining processing (control method of the laser machining device 10) for each street C of the wafer 12 by the laser machining device 10 of the first embodiment having the above configuration. In the initial state, it is assumed that the first high-speed shutter 47A, the second high-speed shutter 47B, and the safety shutter 100 are each inserted on the optical path of the laser beam L. Further, it is assumed that the emission of the laser beam L from the laser light source 22 is started at the start of the laser processing apparatus 10.

図7に示すように、レーザ加工対象のウェーハ12がテーブル20に保持されると、制御装置30が、最初に安全シャッタ駆動機構102を駆動して安全シャッタ100をレーザ光Lの光路上から退避させる(ステップS0)。これにより、レーザ光学系24が2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2を出射可能な状態となる。なお、この時点では、第1高速シャッタ47A及び第2高速シャッタ47Bがそれぞれレーザ光Lの光路上に挿入されているため、レーザ光学系24から2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2は出射されない。 As shown in FIG. 7, when the wafer 12 to be laser-processed is held on the table 20, the control device 30 first drives the safety shutter drive mechanism 102 to retract the safety shutter 100 from the optical path of the laser beam L. (Step S0). As a result, the laser optical system 24 is in a state where the two first laser beams L1 and the second laser beam L2 can be emitted. At this point, since the first high-speed shutter 47A and the second high-speed shutter 47B are respectively inserted in the optical path of the laser beam L, the two first laser beams L1 and the second laser beam from the laser optical system 24 are inserted. L2 is not emitted.

次いで、制御装置30が相対移動機構28を駆動して、ウェーハ12に対して顕微鏡26をウェーハ12のアライメント基準(図示は省略)を撮影可能な位置まで相対移動させた後、顕微鏡26によるアライメント基準の撮影を実行させる。そして、制御装置30は、顕微鏡26により撮影されたアライメント基準の撮影画像に基づき、ウェーハ12内の各ストリートCの位置を検出するアライメント検出を行う。次いで、制御装置30は、相対移動機構28を駆動して、レーザ光学系24の第1集光レンズ38の光軸と、第1番目のストリートC(往路)の加工開始位置との位置合わせを行う(ステップS1)。 Next, the control device 30 drives the relative movement mechanism 28 to move the microscope 26 relative to the wafer 12 to a position where the alignment reference (not shown) of the wafer 12 can be photographed, and then the alignment reference by the microscope 26. To execute the shooting of. Then, the control device 30 performs alignment detection for detecting the position of each street C in the wafer 12 based on the image taken by the alignment reference taken by the microscope 26. Next, the control device 30 drives the relative movement mechanism 28 to align the optical axis of the first condenser lens 38 of the laser optical system 24 with the processing start position of the first street C (outward path). (Step S1).

また、制御装置30は、接続切替素子36を駆動して、第2レーザ光L2を出射するレンズを第2集光レンズ40Aに切り替える(ステップS2)。なお、ステップS0からステップS3についてはその順番を適宜変更してもよく、或いはこれらの処理を並行して実行してもよい。 Further, the control device 30 drives the connection switching element 36 to switch the lens that emits the second laser beam L2 to the second condenser lens 40A (step S2). The order of steps S0 to S3 may be changed as appropriate, or these processes may be executed in parallel.

ステップS2が完了すると、制御装置30は、高速シャッタ駆動機構47Cを駆動して第1高速シャッタ47Aをレーザ光Lの光路上から退避させる(ステップS3)。これにより、分岐素子31及び第1光形成素子32を経て第1集光レンズ38から2本の第1レーザ光L1が出射され、2本の第1レーザ光L1がストリートC(往路)上の加工開始位置に集光される。 When step S2 is completed, the control device 30 drives the high-speed shutter drive mechanism 47C to retract the first high-speed shutter 47A from the optical path of the laser beam L (step S3). As a result, two first laser beams L1 are emitted from the first condenser lens 38 via the branch element 31 and the first light forming element 32, and the two first laser beams L1 are on the street C (outbound route). The light is focused on the processing start position.

次いで、制御装置30は、相対移動機構28を駆動して、ウェーハ12に対してレーザ光学系24を往路方向側X1に相対移動させる(ステップS4)。そして、第2集光レンズ40Aの光軸がストリートC(往路)の加工開始位置に到達すると、制御装置30は、高速シャッタ駆動機構47Cを駆動して第2高速シャッタ47Bをレーザ光Lの光路上から退避させる(ステップS5)。これにより、分岐素子31、第2光形成素子34、及び接続切替素子36を経て第2集光レンズ40Aから第2レーザ光L2が出射され、第2レーザ光L2が上述の加工開始位置に集光される。また、中抜き加工の開始のタイミングをずらすことで、ウェーハ12の外側がレーザ加工(中抜き加工)されることが防止される。 Next, the control device 30 drives the relative movement mechanism 28 to move the laser optical system 24 relative to the wafer 12 on the outward direction side X1 (step S4). Then, when the optical axis of the second condenser lens 40A reaches the processing start position of the street C (outward path), the control device 30 drives the high-speed shutter drive mechanism 47C to emit the second high-speed shutter 47B with the light of the laser beam L. Evacuate from the road (step S5). As a result, the second laser beam L2 is emitted from the second condenser lens 40A via the branch element 31, the second light forming element 34, and the connection switching element 36, and the second laser beam L2 is collected at the above-mentioned processing start position. Be lit. Further, by shifting the start timing of the hollowing process, it is possible to prevent the outside of the wafer 12 from being laser machined (hollowing process).

レーザ光学系24の往路方向側X1への相対移動が継続すると、図3及び図5に示したように、2本の第1レーザ光L1のスポットと第2レーザ光L2のスポットとがストリートC(往路)に沿って往路方向側X1に移動する。その結果、ストリートC(往路)に沿って、縁切り加工による2条の縁切り溝18の形成と中抜き加工による中抜き溝19の形成とが間隔を空けて同時に実行される。 When the relative movement of the laser optical system 24 to the outward direction side X1 continues, as shown in FIGS. 3 and 5, the two spots of the first laser beam L1 and the spots of the second laser beam L2 are on the street C. It moves to the outbound route side X1 along the (outbound route). As a result, along the street C (outward route), the formation of the two edge cutting grooves 18 by the edge cutting process and the formation of the hollow groove 19 by the hollowing process are simultaneously executed at intervals.

そして、制御装置30は、第1集光レンズ38から出射される2本の第1レーザ光L1のスポットがストリートC(往路)の加工終了位置に到達するタイミングに合わせて、高速シャッタ駆動機構47Cを駆動して第1高速シャッタ47Aをレーザ光Lの光路上に挿入させる(ステップS6,S7)。また、制御装置30は、第2集光レンズ40Aから出射される第2レーザ光L2のスポットが上述の加工終了位置に到達するタイミングに合わせて、高速シャッタ駆動機構47Cを駆動して第2高速シャッタ47Bをレーザ光Lの光路上に挿入させると共に相対移動機構28の駆動を停止させる(ステップS8)。これにより、第1番目のストリートC(往路)のレーザ加工が完了する。なお、ウェーハ12の外側がレーザ加工(縁切り加工)されてもよい場合には、第1高速シャッタ47Aをレーザ光Lの光路上に挿入するタイミングを、第2高速シャッタ47Bをレーザ光Lの光路上に挿入するタイミングに合わせてもよい。 Then, the control device 30 sets the high-speed shutter drive mechanism 47C at the timing when the spots of the two first laser beams L1 emitted from the first condenser lens 38 reach the processing end position of the street C (outward route). Is driven to insert the first high-speed shutter 47A into the optical path of the laser beam L (steps S6 and S7). Further, the control device 30 drives the high-speed shutter drive mechanism 47C at the timing when the spot of the second laser beam L2 emitted from the second condenser lens 40A reaches the above-mentioned processing end position to drive the second high-speed. The shutter 47B is inserted into the optical path of the laser beam L, and the driving of the relative moving mechanism 28 is stopped (step S8). As a result, the laser processing of the first street C (outward route) is completed. When the outside of the wafer 12 may be laser-processed (edge cutting), the timing of inserting the first high-speed shutter 47A into the optical path of the laser beam L is set, and the second high-speed shutter 47B is the light of the laser beam L. It may be adjusted to the timing of insertion on the road.

制御装置30は、第1番目のストリートC(往路)のレーザ加工が完了すると、相対移動機構28を駆動して、第1集光レンズ38の光軸と、第2番目のストリートC(復路)の加工開始位置との位置合わせを行う(ステップS9でYES、ステップS10)。 When the laser processing of the first street C (outward route) is completed, the control device 30 drives the relative movement mechanism 28 to drive the optical axis of the first condenser lens 38 and the second street C (return route). Is aligned with the machining start position of (YES in step S9, step S10).

また、制御装置30は、接続切替素子36を駆動して第2レーザ光L2を出射するレンズを第2集光レンズ40Bに切り替える(ステップS11)。なお、ステップS10及びステップS11についても逆の順番で実行或いは同時に実行してもよい。 Further, the control device 30 drives the connection switching element 36 to switch the lens that emits the second laser beam L2 to the second condenser lens 40B (step S11). It should be noted that steps S10 and S11 may also be executed in the reverse order or at the same time.

ステップS11が完了すると、制御装置30は、高速シャッタ駆動機構47Cを駆動して第1高速シャッタ47Aをレーザ光Lの光路上から退避させる(ステップS12)。これにより、分岐素子31及び第1光形成素子32を経て第1集光レンズ38から2本の第1レーザ光L1が出射され、2本の第1レーザ光L1がストリートC(復路)上の加工開始位置に集光される。 When step S11 is completed, the control device 30 drives the high-speed shutter drive mechanism 47C to retract the first high-speed shutter 47A from the optical path of the laser beam L (step S12). As a result, two first laser beams L1 are emitted from the first condenser lens 38 via the branch element 31 and the first light forming element 32, and the two first laser beams L1 are on the street C (return path). The light is focused on the processing start position.

次いで、制御装置30は、相対移動機構28を駆動して、ウェーハ12に対してレーザ光学系24を復路方向側X2に相対移動させる(ステップS13)。そして、第2集光レンズ40Bの光軸が通常ストリートC(復路)の加工開始位置に到達すると、制御装置30は、高速シャッタ駆動機構47Cを駆動して第2高速シャッタ47Bをレーザ光Lの光路上から退避させる(ステップS14)。これにより、分岐素子31、第2光形成素子34、及び接続切替素子36を経て第2集光レンズ40Bから第2レーザ光L2が出射され、第2レーザ光L2が上述の加工開始位置から往路方向側X1にシフトした位置に集光される。また、中抜き加工の開始のタイミングをずらすことで、ウェーハ12の外側がレーザ加工(中抜き加工)されることが防止される。 Next, the control device 30 drives the relative movement mechanism 28 to move the laser optical system 24 relative to the wafer 12 on the return direction side X2 (step S13). Then, when the optical axis of the second condenser lens 40B reaches the processing start position of the normal street C (return path), the control device 30 drives the high-speed shutter drive mechanism 47C to cause the second high-speed shutter 47B to receive the laser beam L. Evacuate from the optical path (step S14). As a result, the second laser beam L2 is emitted from the second condenser lens 40B via the branch element 31, the second light forming element 34, and the connection switching element 36, and the second laser beam L2 is an outward path from the above-mentioned processing start position. The light is focused at the position shifted to the direction side X1. Further, by shifting the start timing of the hollowing process, it is possible to prevent the outside of the wafer 12 from being laser machined (hollowing process).

レーザ光学系24の復路方向側X2への相対移動が継続すると、図4及び図6に示したように、2本の第1レーザ光L1のスポットと第2レーザ光L2のスポットとがストリートC(復路)に沿って復路方向側X2に移動する。その結果、ストリートC(復路)に沿って、縁切り加工による2条の縁切り溝18の形成と中抜き加工による中抜き溝19の形成とが間隔を空けて同時に実行される。 When the relative movement of the laser optical system 24 to the return direction side X2 continues, as shown in FIGS. 4 and 6, the two spots of the first laser beam L1 and the spots of the second laser beam L2 are on the street C. Move to X2 on the return route side along (return route). As a result, along the street C (return route), the formation of the two edge cutting grooves 18 by the edge cutting process and the formation of the hollow groove 19 by the hollowing process are simultaneously executed at intervals.

そして、制御装置30は、第1集光レンズ38から出射される2本の第1レーザ光L1のスポットがストリートC(復路)の加工終了位置に到達するタイミングに合わせて、高速シャッタ駆動機構47Cを駆動して第1高速シャッタ47Aをレーザ光Lの光路上に挿入させる(ステップS15,S16)。また、制御装置30は、第2集光レンズ40Bから出射される第2レーザ光L2のスポットが加工終了位置に到達するタイミングに合わせて、高速シャッタ駆動機構47Cを駆動して第2高速シャッタ47Bをレーザ光Lの光路上に挿入させると共に相対移動機構28の駆動を停止させる(ステップS17)。これにより、第2番目のストリートC(復路)のレーザ加工が完了する。なお、既述の通り、第1高速シャッタ47Aをレーザ光Lの光路上に挿入するタイミングを、第2高速シャッタ47Bをレーザ光Lの光路上に挿入するタイミングに合わせてもよい。 Then, the control device 30 sets the high-speed shutter drive mechanism 47C at the timing when the spots of the two first laser beams L1 emitted from the first condenser lens 38 reach the processing end position of the street C (return path). Is driven to insert the first high-speed shutter 47A into the optical path of the laser beam L (steps S15 and S16). Further, the control device 30 drives the high-speed shutter drive mechanism 47C at the timing when the spot of the second laser beam L2 emitted from the second condenser lens 40B reaches the processing end position, and the second high-speed shutter 47B. Is inserted into the optical path of the laser beam L and the drive of the relative moving mechanism 28 is stopped (step S17). As a result, the laser processing of the second street C (return route) is completed. As described above, the timing of inserting the first high-speed shutter 47A into the optical path of the laser beam L may be matched with the timing of inserting the second high-speed shutter 47B into the optical path of the laser beam L.

以下同様に、X方向に平行な全てのストリートCに沿ってレーザ加工(縁切り加工及び中抜き加工)が繰り返し実行される(ステップS9でYES、ステップS18でYES)。次いで、制御装置30は、相対移動機構28を駆動してテーブル20を90°回転させることにより、ウェーハ12上でY方向に平行な残りの各ストリートCをX方向に平行にする。そして、制御装置30は、上述の一連の処理を繰り返し実行する。これにより、格子状の各ストリートCに沿ってレーザ加工が実行される。 Similarly, laser machining (edge cutting and hollowing) is repeatedly executed along all streets C parallel to the X direction (YES in step S9, YES in step S18). Next, the control device 30 drives the relative movement mechanism 28 to rotate the table 20 by 90 °, so that each of the remaining streets C parallel to the Y direction on the wafer 12 is parallel to the X direction. Then, the control device 30 repeatedly executes the above-mentioned series of processes. As a result, laser machining is performed along each street C in a grid pattern.

格子状の全てのストリートCでのレーザ加工が完了すると(ステップS9でNO、ステップS18でNO)、ウェーハ12は後工程に送られてそこで複数のチップ14(デバイス16)に分割される。なお、本実施形態ではストリートC(往路及び復路)ごとに一方向(往路:X1方向、復路:X2方向)の1回のレーザ加工動作で2条の縁切り溝18及び中抜き溝19の形成を完了する最速条件のフローを例に挙げているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、2条の縁切り溝18及び中抜き溝19の各々の加工深さとの兼ね合いで、ストリートC(往路及び復路)ごとに縁切り加工及び中抜き加工の少なくともいずれか一方を複数回実行してもよい。 When the laser machining on all the grid-like streets C is completed (NO in step S9, NO in step S18), the wafer 12 is sent to a post-process where it is divided into a plurality of chips 14 (device 16). In this embodiment, two edge cutting grooves 18 and hollow grooves 19 are formed by one laser processing operation in one direction (outward route: X1 direction, inbound route: X2 direction) for each street C (outward route and inbound route). The flow of the fastest condition to complete is taken as an example, but the present invention is not limited to this. For example, in consideration of the processing depth of each of the two edge cutting grooves 18 and the hollowing groove 19, even if at least one of the edge cutting processing and the hollowing processing is executed a plurality of times for each street C (outward route and return route). good.

[第1実施形態の効果]
以上のように第1実施形態のレーザ加工装置10では、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向に応じて第2集光レンズ40A,40Bを選択的に用いて中抜き加工を行うことができる。これにより、往路及び復路に関係なく、同一のストリートCに沿って縁切り加工と中抜き加工とを同時に行うことができる。このため、レーザ光学系24をX方向に1往復させることで2本分のストリートC(往路および復路)のレーザ加工が完了するので、ウェーハ12のレーザ加工に要するタクトタイムが低減される。また、レーザ光学系24の相対移動方向に応じて、接続切替素子36を作動させるだけで第2集光レンズ40Aによる中抜き加工と第2集光レンズ40Bによる中抜き加工とを切り替えられるので、レーザ光学系24(光学系)の複雑化が防止される。その結果、簡単な構成でウェーハ12のレーザ加工に要するタクトタイムを低減することができる。
[Effect of the first embodiment]
As described above, in the laser processing apparatus 10 of the first embodiment, the second condenser lenses 40A and 40B can be selectively used for hollowing processing according to the relative moving direction of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12. can. As a result, the edge cutting process and the hollowing process can be performed simultaneously along the same street C regardless of the outward route and the return route. Therefore, by reciprocating the laser optical system 24 once in the X direction, the laser machining of two streets C (outward and return paths) is completed, so that the tact time required for the laser machining of the wafer 12 is reduced. Further, according to the relative movement direction of the laser optical system 24, the hollowing process by the second condenser lens 40A and the hollowing process by the second condenser lens 40B can be switched by simply operating the connection switching element 36. The complexity of the laser optical system 24 (optical system) is prevented. As a result, the tact time required for laser machining of the wafer 12 can be reduced with a simple configuration.

[第2実施形態]
次に、第2実施形態のレーザ加工装置10の説明を行う。第2実施形態のレーザ加工装置10は、2条の縁切り溝18のY方向の間隔と、中抜き溝19のY方向の幅と、を調整する機能を有している。なお、第2実施形態のレーザ加工装置10は、後述の第1回転機構44(図8及び図9参照)と第2回転機構46(図10及び図11参照)とを備える点を除けば、上記第1実施形態のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成である。このため、上記第1実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。
[Second Embodiment]
Next, the laser processing apparatus 10 of the second embodiment will be described. The laser processing apparatus 10 of the second embodiment has a function of adjusting the distance between the two edge cutting grooves 18 in the Y direction and the width of the hollow groove 19 in the Y direction. The laser processing apparatus 10 of the second embodiment is provided with a first rotation mechanism 44 (see FIGS. 8 and 9) and a second rotation mechanism 46 (see FIGS. 10 and 11), which will be described later, except that the laser processing device 10 includes the first rotation mechanism 44 (see FIGS. 8 and 9). It has basically the same configuration as the laser processing apparatus 10 of the first embodiment. Therefore, those having the same function or configuration as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

図8及び図9は、第1回転機構44による2条の縁切り溝18のY方向の間隔調整を説明するための説明図である。図8及び図9に示すように、第1回転機構44は、例えばモータ及び駆動伝達機構により構成されており、制御装置30の制御の下、第1光形成素子32をその光軸を中心とする軸周り方向に回転させる。これにより、ウェーハ12をZ方向上方側から見た場合において、第1集光レンズ38によりストリートC上に集光される2本の第1レーザ光L1のスポットを、第1集光レンズ38の光軸を中心として回転させることができる。その結果、ストリートC上に集光される2本の第1レーザ光L1のスポットのY方向の間隔を広げたり或いは狭めたりすることができるので、2条の縁切り溝18のY方向の間隔を調整することができる。 8 and 9 are explanatory views for explaining the spacing adjustment of the two edge cutting grooves 18 in the Y direction by the first rotation mechanism 44. As shown in FIGS. 8 and 9, the first rotation mechanism 44 is composed of, for example, a motor and a drive transmission mechanism, and the first light forming element 32 is centered on the optical axis under the control of the control device 30. Rotate in the direction around the axis. As a result, when the wafer 12 is viewed from above in the Z direction, the spots of the two first laser beams L1 focused on the street C by the first condenser lens 38 are spotted on the first condenser lens 38. It can be rotated around the optical axis. As a result, the distance between the spots of the two first laser beams L1 focused on the street C in the Y direction can be widened or narrowed, so that the distance between the two edge cutting grooves 18 in the Y direction can be widened or narrowed. Can be adjusted.

図10及び図11は、第2回転機構46による中抜き溝19のY方向の幅調整を説明するための説明図である。図10及び図11に示すように、第2回転機構46は、第1回転機構44と同様に例えばモータ及び駆動伝達機構により構成されており、制御装置30の制御の下、第2光形成素子34をその光軸を中心とする軸周り方向に回転させる。これにより、ウェーハ12をZ方向上方側から見た場合において、第2集光レンズ40A,40BによりストリートC上に集光される第2レーザ光L2のスポットを、第2集光レンズ40A,40Bの光軸を中心として回転させることができる。ここで、ストリートC上に形成される第2レーザ光L2のスポットは矩形状、すなわち非円形状である。このため、この矩形状のスポットを回転させることで、ストリートC上に形成される中抜き溝19のY方向の幅を広げたり或いは狭めたり等の調整を行うことができる。なお、第2レーザ光L2のスポットの形状は、非円形状であれば矩形状に限定されるものではない。 10 and 11 are explanatory views for explaining the width adjustment of the hollow groove 19 in the Y direction by the second rotation mechanism 46. As shown in FIGS. 10 and 11, the second rotation mechanism 46 is composed of, for example, a motor and a drive transmission mechanism like the first rotation mechanism 44, and is a second optical forming element under the control of the control device 30. The 34 is rotated in the direction around the axis around the optical axis. As a result, when the wafer 12 is viewed from above in the Z direction, the spots of the second laser beam L2 focused on the street C by the second condenser lenses 40A and 40B are spotted on the second condenser lenses 40A and 40B. Can be rotated around the optical axis of. Here, the spot of the second laser beam L2 formed on the street C has a rectangular shape, that is, a non-circular shape. Therefore, by rotating the rectangular spot, it is possible to make adjustments such as widening or narrowing the width of the hollow groove 19 formed on the street C in the Y direction. The shape of the spot of the second laser beam L2 is not limited to a rectangular shape as long as it is a non-circular shape.

制御装置30は、オペレータにより不図示の操作部に入力された調整指示に基づき、第1回転機構44及び第2回転機構46をそれぞれ駆動して、第1光形成素子32及び第2光形成素子34をそれぞれ回転させることで、2条の縁切り溝18の間隔及び中抜き溝19の幅を調整する。 The control device 30 drives the first rotation mechanism 44 and the second rotation mechanism 46, respectively, based on the adjustment instruction input to the operation unit (not shown) by the operator, and the first light forming element 32 and the second light forming element 32, respectively. By rotating each of the 34, the distance between the two edge cutting grooves 18 and the width of the hollow groove 19 are adjusted.

[第3実施形態]
図12は、第3実施形態のレーザ加工装置10の概略図である。上記各実施形態のレーザ加工装置10では、ウェーハ12のストリートCに沿って縁切り加工と中抜き加工を行う。この際に、上記各実施形態のレーザ加工装置10では、縁切り加工の加工点(第1集光レンズ38によりストリートC上に集光される2本の第1レーザ光L1のスポット)と、中抜き加工の2加工点(第2集光レンズ40A,40BによりストリートC上に集光される第2レーザ光L2のスポット)とを含む計3加工点を互いに独立させているため、それぞれの加工点は数十mmの間隔をもっている。このため、上記各実施形態のようにレーザ光学系24内での第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40A,40Bの位置が固定されていると、レーザ加工時の加工送り軸(X軸)の運動精度に応じて、2条の縁切り溝18の加工点及と中抜き溝19の加工点との間で、水平方向(Y方向)及び垂直方向(Z方向)にずれが生じる(最適加工点からずれる)という問題がある。
[Third Embodiment]
FIG. 12 is a schematic view of the laser processing apparatus 10 of the third embodiment. In the laser processing apparatus 10 of each of the above embodiments, edge cutting and hollowing are performed along the street C of the wafer 12. At this time, in the laser processing apparatus 10 of each of the above embodiments, the processing point of the edge cutting process (the spot of the two first laser beams L1 condensed on the street C by the first condenser lens 38) and the middle Since the total of 3 processing points including the 2 processing points of the punching process (the spot of the 2nd laser beam L2 condensed on the street C by the 2nd condensing lenses 40A and 40B) are independent of each other, each processing is performed. The points have an interval of several tens of mm. Therefore, if the positions of the first condensing lens 38 and the second condensing lenses 40A and 40B in the laser optical system 24 are fixed as in each of the above embodiments, the processing feed shaft (X) during laser processing is used. Depending on the motion accuracy of the shaft), a deviation occurs in the horizontal direction (Y direction) and the vertical direction (Z direction) between the processing point of the two edge cutting grooves 18 and the processing point of the hollow groove 19. There is a problem that it deviates from the optimum processing point).

そこで、第3実施形態のレーザ加工装置10は、縁切り加工の加工点と中抜き加工の2加工点とのY方向及びZ方向の位置を個別に調整する機能を有する。第3実施形態のレーザ加工装置10は、3つのミラー37,39A,39Bと、3つの移動機構48,49A,49Bとを備える点を除けば、上記各実施形態のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成である。このため、上記各実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。 Therefore, the laser machining apparatus 10 of the third embodiment has a function of individually adjusting the positions in the Y direction and the Z direction of the machining point of edge cutting and the two machining points of hollowing. The laser processing device 10 of the third embodiment is basically the same as the laser processing device 10 of each of the above-described embodiments, except that it includes three mirrors 37, 39A, 39B and three moving mechanisms 48, 49A, 49B. It has the same configuration. Therefore, those having the same function or configuration as each of the above embodiments are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

ミラー37(第1反射素子)は、第1集光レンズ38のZ方向上方に配置されており、レーザ光源22から分岐素子31及び第1光形成素子32を介して入射した2本の第1レーザ光L1を第1集光レンズ38に向けて反射する。 The mirror 37 (first reflecting element) is arranged above the first condensing lens 38 in the Z direction, and two first lenses incident from the laser light source 22 via the branching element 31 and the first light forming element 32. The laser beam L1 is reflected toward the first condensing lens 38.

ミラー39A,39Bは、本発明の第2反射素子に相当する。ミラー39Aは、第2集光レンズ40AのZ方向上方に配置されており、レーザ光源22から接続切替素子36等を介して入射した第2レーザ光L2を第2集光レンズ40Aに向けて反射する。また、ミラー39Bは、第2集光レンズ40BのZ方向上方に配置されており、レーザ光源22から接続切替素子36等を介して入射した第2レーザ光L2を第2集光レンズ40Bに向けて反射する。 The mirrors 39A and 39B correspond to the second reflecting element of the present invention. The mirror 39A is arranged above the second condenser lens 40A in the Z direction, and reflects the second laser beam L2 incident from the laser light source 22 via the connection switching element 36 or the like toward the second condenser lens 40A. do. Further, the mirror 39B is arranged above the second condensing lens 40B in the Z direction, and directs the second laser beam L2 incident from the laser light source 22 via the connection switching element 36 or the like toward the second condensing lens 40B. Reflects.

移動機構48は本発明の第1移動機構に相当し、移動機構49A,49Bは本発明の第2移動機構に相当する。移動機構48,49A、49Bとしては例えば公知の直動アクチュエータが用いられる。移動機構48は、制御装置30の制御の下、ミラー37及び第1集光レンズ38を一体にY方向(本発明の第1垂直方向に相当)に移動させると共に、第1集光レンズ38をZ方向(本発明の第2垂直方向に相当)に移動させる。移動機構49Aは、制御装置30の制御の下、ミラー39A及び第2集光レンズ40Aを一体にY方向に移動させると共に、第2集光レンズ40AをZ方向に移動させる。また、移動機構49Bは、制御装置30の制御の下、ミラー39B及び第2集光レンズ40Bを一体にY方向に移動させると共に、第2集光レンズ40BをZ方向に移動させる。 The moving mechanism 48 corresponds to the first moving mechanism of the present invention, and the moving mechanisms 49A and 49B correspond to the second moving mechanism of the present invention. As the moving mechanisms 48, 49A, 49B, for example, known linear actuators are used. Under the control of the control device 30, the moving mechanism 48 integrally moves the mirror 37 and the first condenser lens 38 in the Y direction (corresponding to the first vertical direction of the present invention), and moves the first condenser lens 38. Move in the Z direction (corresponding to the second vertical direction of the present invention). Under the control of the control device 30, the moving mechanism 49A integrally moves the mirror 39A and the second condenser lens 40A in the Y direction, and moves the second condenser lens 40A in the Z direction. Further, the moving mechanism 49B integrally moves the mirror 39B and the second condenser lens 40B in the Y direction and moves the second condenser lens 40B in the Z direction under the control of the control device 30.

なお、移動機構48,49A、49Bにより第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40A,40BをそれぞれY方向に移動させる代わりに、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40A,40Bをチルトさせてもよい。 Instead of moving the first condenser lens 38 and the second condenser lenses 40A and 40B in the Y direction by the moving mechanisms 48, 49A and 49B, respectively, the first condenser lens 38 and the second condenser lenses 40A and 40B are used. May be tilted.

このように第3実施形態では、ミラー37と第1集光レンズ38、ミラー39Aと第2集光レンズ40A、及びミラー39Bと第2集光レンズ40Bをそれぞれ個別にY方向及びZ方向に移動させることができる。その結果、ストリートC上に形成される2本の第1レーザ光L1のスポットと第2集光レンズ40A,40Bごとの第2レーザ光L2のスポットとのY方向及びZ方向の位置を個別に調整することができる。これにより、例えばレーザ加工装置10の製造メーカにおいて各スポットのY方向位置及びZ方向位置を調整(平行度を調整)することができる。 As described above, in the third embodiment, the mirror 37 and the first condenser lens 38, the mirror 39A and the second condenser lens 40A, and the mirror 39B and the second condenser lens 40B are individually moved in the Y direction and the Z direction, respectively. Can be made to. As a result, the positions of the two spots of the first laser beam L1 formed on the street C and the spots of the second laser beam L2 for each of the second condenser lenses 40A and 40B are individually positioned in the Y direction and the Z direction. Can be adjusted. Thereby, for example, the manufacturer of the laser processing apparatus 10 can adjust the Y-direction position and the Z-direction position of each spot (adjust the parallelism).

また、ウェーハ12のレーザ加工中において顕微鏡26により撮影されたストリートC、2条の縁切り溝18(2本の第1レーザ光L1のスポット)及び中抜き溝19(第2レーザ光L2のスポット)の撮影画像に基づき、縁切り加工の加工点(スポット)をストリートCに対してトレースさせ且つ中抜き加工の加工点(スポット)を2条の縁切り溝18の中央に対してトレースさせることができる。また、上述の撮影画像に基づき、ウェーハ12(ストリートC)の表面に対する2本の第1レーザ光L1のスポットと、第2レーザ光L2のスポットと、のZ方向のずれ量(集光位置のずれ量)を調整することができる。 Further, the street C and the two edge cutting grooves 18 (spots of the two first laser beams L1) and the hollow grooves 19 (spots of the second laser beam L2) photographed by the microscope 26 during the laser processing of the wafer 12 are taken. Based on the photographed image of, the processing point (spot) of the edge cutting process can be traced to the street C, and the processing point (spot) of the hollowing process can be traced to the center of the two edge cutting grooves 18. Further, based on the above-mentioned captured image, the amount of deviation (of the condensing position) between the two spots of the first laser beam L1 and the spots of the second laser beam L2 with respect to the surface of the wafer 12 (street C) in the Z direction. The amount of deviation) can be adjusted.

なお、この場合に、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40A,40Bの個々のレンズごとに、加工溝(2条の縁切り溝18、中抜き溝19)及びスポットを同時撮影可能なカメラを設けてよい。 In this case, the processed grooves (two edge cutting grooves 18, hollow grooves 19) and spots can be simultaneously photographed for each of the first condensing lens 38 and the second condensing lenses 40A and 40B. A camera may be provided.

以上のように第3実施形態では、縁切り加工の加工点と中抜き加工の2加工点とを含む3加工点のY方向及びZ方向の位置を個別に調整可能であるので、レーザ加工時の加工送り軸(X軸)の運動精度に関係なく、各加工点を最適な運動軌跡で移動(トレース)させることができる。 As described above, in the third embodiment, the positions of the three processing points including the processing point of the edge cutting process and the two processing points of the hollowing process can be individually adjusted in the Y direction and the Z direction. It is possible to move (trace) each machining point with an optimum motion locus regardless of the motion accuracy of the machining feed axis (X axis).

上記第3実施形態では、縁切り加工の加工点と中抜き加工の2加工点とを含む3加工点のY方向及びZ方向の位置を個別に調整可能にしているが、Y方向及びZ方向のいずれか一方のみを調整可能にしてもよい。 In the third embodiment, the positions of the three processing points including the processing point of edge cutting and the two processing points of hollowing are individually adjustable in the Y direction and the Z direction, but in the Y direction and the Z direction. Only one of them may be adjustable.

上記第3実施形態では、縁切り加工の加工点と中抜き加工の2加工点とを含む3加工点のY方向及びZ方向の位置を移動機構48,49A,49Bで個別に調整可能にしているが、縁切り加工の加工点の位置を移動機構48により調整し、且つ中抜き加工の2加工点の位置を相対移動機構28により調整してもよい。すなわち、相対移動機構28によりテーブル20をY方向及びZ方向の少なくとも一方に移動させることで、中抜き加工の2加工点の位置を調整してもよい。 In the third embodiment, the positions of the three processing points including the processing point of edge cutting and the two processing points of hollowing are individually adjustable by the moving mechanisms 48, 49A, and 49B. However, the position of the processing point of the edge cutting process may be adjusted by the moving mechanism 48, and the position of the two processing points of the hollowing process may be adjusted by the relative moving mechanism 28. That is, the positions of the two machining points of the hollowing process may be adjusted by moving the table 20 in at least one of the Y direction and the Z direction by the relative moving mechanism 28.

また逆に、縁切り加工の加工点の位置を相対移動機構28によるテーブル20の移動により調整し、且つ中抜き加工の2加工点の位置を移動機構49A,49Bにより調整してもよい。 Conversely, the positions of the processing points for edge cutting may be adjusted by moving the table 20 by the relative moving mechanism 28, and the positions of the two processing points for hollowing may be adjusted by the moving mechanisms 49A and 49B.

図43は、第3実施形態の変形例を説明するための説明図である。なお、図43中の第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22Bについては第4実施形態で説明する。上記第3実施形態では、中抜き加工の2加工点のY方向及びZ方向の位置を移動機構49A,49Bで個別に調整可能にしている。これに対して、図43の符号1000A,1000Bに示すように、中抜き加工の2加工点に対応する第2集光レンズ40A,40B及びミラー39A,39B等を同一のフレーム(図示は省略)上に設置し、一つの移動機構49により中抜き加工の2加工点の位置を一体にY方向及びZ方向の少なくとも一方に調整可能にしてもよい。中抜き加工の2加工点は同時に加工を行わないので、中抜き加工の2加工点の位置を一体に移動させても問題はない。 FIG. 43 is an explanatory diagram for explaining a modified example of the third embodiment. The first laser light source 22A and the second laser light source 22B in FIG. 43 will be described in the fourth embodiment. In the third embodiment, the positions of the two machining points of the hollowing process in the Y direction and the Z direction can be individually adjusted by the moving mechanisms 49A and 49B. On the other hand, as shown by reference numerals 1000A and 1000B in FIG. 43, the second condenser lenses 40A and 40B and the mirrors 39A and 39B corresponding to the two processing points of the hollowing process are framed in the same frame (not shown). It may be installed above and the positions of the two machining points for hollowing may be integrally adjustable in at least one of the Y direction and the Z direction by one moving mechanism 49. Since the two processing points of the hollowing process are not processed at the same time, there is no problem even if the positions of the two processing points of the hollowing process are moved integrally.

さらに、図43において、縁切り加工の加工点の位置調整を相対移動機構28によるテーブル20の移動により行ってもよい。さらにまた、中抜き加工の2加工点の位置調整を相対移動機構28によるテーブル20の移動により行ってもよい。 Further, in FIG. 43, the position of the processing point of the edge cutting process may be adjusted by moving the table 20 by the relative movement mechanism 28. Furthermore, the position adjustment of the two processing points of the hollowing process may be performed by moving the table 20 by the relative moving mechanism 28.

[第4実施形態]
次に、第4実施形態のレーザ加工装置10の説明を行う。上記各実施形態のレーザ加工装置10では、共通のレーザ光源22から出射されるレーザ光Lから縁切り加工用の2本の第1レーザ光L1と中抜き加工用の第2レーザ光L2とを形成しているが、縁切り加工と中抜き加工とでは適したレーザ光Lの条件(波長、パルス幅、及び繰り返し周波数等)が異なる。このため、レーザ光Lの条件が縁切り加工及び中抜き加工のいずれか一方に適した条件から外れてしまうと、この一方の加工速度を遅くする必要があり、さらにこれに伴い他方の加工速度も遅くする必要がある。
[Fourth Embodiment]
Next, the laser processing apparatus 10 of the fourth embodiment will be described. In the laser processing apparatus 10 of each of the above embodiments, two first laser light L1 for edge cutting and a second laser light L2 for hollowing are formed from the laser light L emitted from the common laser light source 22. However, the conditions (wavelength, pulse width, repetition frequency, etc.) of the suitable laser beam L are different between the edge cutting process and the hollowing process. Therefore, if the conditions of the laser beam L deviate from the conditions suitable for either edge cutting or hollowing, it is necessary to slow down the processing speed of one of them, and the processing speed of the other is also increased accordingly. Need to be late.

すなわち1つのレーザ光源22で、縁切り溝加工と中抜き溝加工とを行う場合、レーザ光条件によっては縁切り溝加工の速度は向上できても、中抜き溝加工の速度が向上できず、速度向上できない中抜き溝加工の速度で加工する必要がある。また、レーザ光条件によってはその逆となる場合がある。従って、それぞれにおいて低速度となる側の速度が加工における上限速度となってしまう。このようにウェーハ12のストリートCに沿って2条の縁切り溝18(遮断溝)を形成する縁切り加工と、2条の縁切り溝18の間に中抜き溝19(分割溝)を形成する溝加工では、加工速度と加工仕上がりにそれぞれ適したレーザ光条件が有るので、1つのレーザ光源22でその双方の条件を満たすことは困難である。 That is, when performing edge cutting groove processing and hollow groove processing with one laser light source 22, the speed of edge cutting groove processing can be improved depending on the laser light conditions, but the speed of hollow groove processing cannot be improved, and the speed is improved. It is necessary to process at a speed of hollow groove processing that cannot be performed. The opposite may be true depending on the laser light conditions. Therefore, the speed on the lower side in each case becomes the upper limit speed in machining. In this way, the edge cutting process for forming the two edge cutting grooves 18 (blocking groove) along the street C of the wafer 12 and the groove processing for forming the hollow groove 19 (divided groove) between the two edge cutting grooves 18 Then, since there are laser light conditions suitable for the processing speed and the processing finish, it is difficult to satisfy both conditions with one laser light source 22.

このため、第4実施形態では第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2ごとに異なる光源を用いる。 Therefore, in the fourth embodiment, a different light source is used for each of the first laser beam L1 and the second laser beam L2.

図13は、第4実施形態においてウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図14は、第4実施形態においてウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。 FIG. 13 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12 in the fourth embodiment. FIG. 14 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12 in the fourth embodiment.

図13及び図14に示すように、第4実施形態のレーザ加工装置10は、レーザ光源22及び分岐素子31の代わりに、第1レーザ光源22Aと第2レーザ光源22Bと第1安全シャッタ100Aと第2安全シャッタ100Bと安全シャッタ駆動機構102Aとを備える点を除けば上記各実施形態のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成である。このため、上記各実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。 As shown in FIGS. 13 and 14, in the laser processing apparatus 10 of the fourth embodiment, instead of the laser light source 22 and the branching element 31, the first laser light source 22A, the second laser light source 22B, and the first safety shutter 100A are used. The configuration is basically the same as that of the laser processing apparatus 10 of each of the above-described embodiments, except that the second safety shutter 100B and the safety shutter drive mechanism 102A are provided. Therefore, those having the same function or configuration as each of the above embodiments are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

第1レーザ光源22Aは、縁切り加工に適した条件(波長、パルス幅、及び繰り返し周波数等)のレーザ光LAを第1光形成素子32へ常時出射する。これにより、上記各実施形態と同様に、第1光形成素子32による2本の第1レーザ光L1の形成と、第1集光レンズ38によるストリートC上への2本の第1レーザ光L1の集光と、が行われる。 The first laser light source 22A constantly emits laser light LA under conditions suitable for edge cutting (wavelength, pulse width, repetition frequency, etc.) to the first light forming element 32. As a result, as in each of the above embodiments, the formation of the two first laser beams L1 by the first light forming element 32 and the two first laser beams L1 on the street C by the first condenser lens 38. Condensing and condensing is performed.

第2レーザ光源22Bは、中抜き加工に適した条件(波長、パルス幅、及び繰り返し周波数等)のレーザ光LBを第2光形成素子34へ常時出射する。これにより、上記各実施形態と同様に、第2光形成素子34による第2レーザ光L2の形成と、接続切替素子36による第2集光レンズ40A,40Bの切替と、第2集光レンズ40AによるストリートC(往路)上への第2レーザ光L2の集光と、第2集光レンズ40BによるストリートC(復路)上への第2レーザ光L2の集光と、が行われる。 The second laser light source 22B constantly emits the laser light LB under the conditions suitable for the hollowing process (wavelength, pulse width, repetition frequency, etc.) to the second light forming element 34. As a result, as in each of the above embodiments, the second light forming element 34 forms the second laser beam L2, the connection switching element 36 switches between the second condensing lenses 40A and 40B, and the second condensing lens 40A. The second laser beam L2 is focused on the street C (outbound route) by the second condenser lens 40B, and the second laser beam L2 is focused on the street C (return route) by the second condenser lens 40B.

第1安全シャッタ100Aは、第1レーザ光源22Aと第1光形成素子32との間のレーザ光LAの光路上に挿脱自在に設けられている。また、第2安全シャッタ100Bは、第2レーザ光源22Bと第2光形成素子34との間のレーザ光LBの光路上に挿脱自在に設けられている。 The first safety shutter 100A is removably provided on the optical path of the laser beam LA between the first laser light source 22A and the first light forming element 32. Further, the second safety shutter 100B is provided removably on the optical path of the laser beam LB between the second laser light source 22B and the second light forming element 34.

安全シャッタ駆動機構102Aは、制御装置30の制御の下、レーザ光LAの光路に対して第1安全シャッタ100Aを挿脱させると共に、レーザ光LBの光路に対して第2安全シャッタ100Bを挿脱させるアクチュエータである。安全シャッタ駆動機構102Aは、縁切り加工時以外では、レーザ光LAの光路に対して第1安全シャッタ100Aを挿入させることで、レーザ光学系24からの2本の第1レーザ光L1の出射を停止させる。また、安全シャッタ駆動機構102Aは、縁切り加工時にはレーザ光LAの光路から第1安全シャッタ100Aを退避させることで、レーザ光学系24から2本の第1レーザ光L1を出射させる。 Under the control of the control device 30, the safety shutter drive mechanism 102A inserts and removes the first safety shutter 100A from the optical path of the laser beam LA, and inserts and removes the second safety shutter 100B from the optical path of the laser beam LB. It is an actuator to make it. The safety shutter drive mechanism 102A stops the emission of the two first laser beams L1 from the laser optical system 24 by inserting the first safety shutter 100A into the optical path of the laser beam LA except during edge cutting. Let me. Further, the safety shutter drive mechanism 102A retracts the first safety shutter 100A from the optical path of the laser beam LA at the time of edge cutting, so that two first laser beams L1 are emitted from the laser optical system 24.

また同様に、安全シャッタ駆動機構102Aは、中抜き加工時以外では、レーザ光LBの光路に対して第2安全シャッタ100Bを挿入させることで、レーザ光学系24からの第2レーザ光L2の出射を停止させる。さらに、安全シャッタ駆動機構102Aは、中抜き加工時にはレーザ光LBの光路から第2安全シャッタ100Bを退避させることで、レーザ光学系24から第2レーザ光L2を出射させる。 Similarly, the safety shutter drive mechanism 102A emits the second laser beam L2 from the laser optical system 24 by inserting the second safety shutter 100B into the optical path of the laser beam LB except during the hollowing process. To stop. Further, the safety shutter drive mechanism 102A retracts the second safety shutter 100B from the optical path of the laser beam LB at the time of hollowing, so that the second laser beam L2 is emitted from the laser optical system 24.

第4実施形態のレーザ加工装置10によるストリートCごとのレーザ加工処理の流れは、既述の図7に示した第1実施形態のレーザ加工処理の流れと基本的に同じである。ただし、第4実施形態のステップS0においては、制御装置30が安全シャッタ駆動機構102Aを制御して第1安全シャッタ100Aをレーザ光LAの光路から退避させると共に第2安全シャッタ100Bをレーザ光LBの光路から退避させる。 The flow of the laser processing for each street C by the laser processing apparatus 10 of the fourth embodiment is basically the same as the flow of the laser processing of the first embodiment shown in FIG. 7 described above. However, in step S0 of the fourth embodiment, the control device 30 controls the safety shutter drive mechanism 102A to retract the first safety shutter 100A from the optical path of the laser light LA and to move the second safety shutter 100B to the laser light LB. Evacuate from the optical path.

以上のように第4実施形態では、縁切り加工に対応した第1レーザ光源22Aと中抜き加工に対応した第2レーザ光源22Bとを別個に設けることで、縁切り加工及び中抜き加工のそれぞれの加工速度の低下が防止される。その結果、上述のタクトタイムをより低減させることができる。また、縁切り加工及び中抜き加工の各々の加工品質を最適化することができる。 As described above, in the fourth embodiment, the first laser light source 22A corresponding to the edge cutting process and the second laser light source 22B corresponding to the center cutting process are separately provided, so that the edge cutting process and the center cutting process are performed respectively. The slowdown is prevented. As a result, the above-mentioned takt time can be further reduced. In addition, the processing qualities of the edge cutting process and the hollowing process can be optimized.

さらに、縁切り加工と中抜き加工とにおいて、異なる波長のレーザ光LA,LBを用いて、その波長での加工条件を最適化することで、加工速度を向上させることができる。その結果、第1実施形態のような単一のレーザ光源22を用いるレーザ加工装置10よりも第4実施形態の第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22Bを用いるレーザ加工装置10の方がより速い速度での加工が可能となる。 Further, in the edge cutting process and the hollowing process, the processing speed can be improved by optimizing the processing conditions at the wavelengths by using the laser beams LA and LB having different wavelengths. As a result, the laser machining apparatus 10 using the first laser light source 22A and the second laser light source 22B of the fourth embodiment is more than the laser machining apparatus 10 using a single laser light source 22 as in the first embodiment. Machining at high speed is possible.

なお、第4実施形態においても上記第3実施形態と同様に、縁切り加工の加工点と中抜き加工の2加工点とのY方向及びZ方向の位置を個別に調整することで上記第3実施形態と同様の効果が得られる。さらに、縁切り加工の加工点と中抜き加工の2加工点とを含む3加工点のY方向及びZ方向の位置を個別に調整可能にするだけでなく、Y方向及びZ方向のいずれか一方のみを調整可能にしてもよい。 In the fourth embodiment as well, as in the third embodiment, the third embodiment is performed by individually adjusting the positions in the Y direction and the Z direction of the processing point of the edge cutting process and the two processing points of the hollowing process. The same effect as the morphology can be obtained. Further, not only the positions of the three processing points including the processing point of edge cutting and the two processing points of hollowing can be individually adjusted in the Y direction and the Z direction, but also only one of the Y direction and the Z direction can be adjusted. May be adjustable.

[第4実施形態の接続切替素子の具体例]
次に、第4実施形態の接続切替素子36の具体例1~3について説明を行う。なお、接続切替素子36以外の構成については第4実施形態(第1実施形態から第3実施形態)のレーザ加工装置10と基本的に同じである。このため、上記各実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。また、これら具体例1~3については、上記第1実施形態から第3実施形態の接続切替素子36にも適用可能である。
[Specific example of connection switching element of the fourth embodiment]
Next, specific examples 1 to 3 of the connection switching element 36 of the fourth embodiment will be described. The configuration other than the connection switching element 36 is basically the same as that of the laser processing apparatus 10 of the fourth embodiment (first to third embodiment). Therefore, those having the same function or configuration as each of the above embodiments are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Further, these specific examples 1 to 3 can also be applied to the connection switching element 36 of the first to third embodiments.

<接続切替素子36の具体例1>
図15は、第4実施形態の接続切替素子36の具体例1を説明するための説明図である。図15に示すように、具体例1の接続切替素子36は、λ/2板52と板回転機構53と偏光ビームスプリッタ54とを備える。
<Specific example 1 of the connection switching element 36>
FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining a specific example 1 of the connection switching element 36 of the fourth embodiment. As shown in FIG. 15, the connection switching element 36 of the first embodiment includes a λ / 2 plate 52, a plate rotation mechanism 53, and a polarization beam splitter 54.

λ/2板52は、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2(直線偏光)の偏光方向を回転させた後、この第2レーザ光L2を偏光ビームスプリッタ54に向けて出射する。 The λ / 2 plate 52 rotates the polarization direction of the second laser beam L2 (linearly polarized light) emitted from the second light forming element 34, and then emits the second laser beam L2 toward the polarizing beam splitter 54. do.

板回転機構53は、制御装置30の制御の下、λ/2板52をその光軸を中心として回転させることで、第2レーザ光L2の偏光方向を調整する。これにより、板回転機構53は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動される場合には、第2レーザ光L2がS偏光となるように、λ/2板52の回転角度を調整する。また、板回転機構53は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動される場合には、第2レーザ光L2がP偏光となるように、λ/2板52の回転角度を調整する。 The plate rotation mechanism 53 adjusts the polarization direction of the second laser beam L2 by rotating the λ / 2 plate 52 about its optical axis under the control of the control device 30. As a result, in the plate rotation mechanism 53, when the laser optical system 24 is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12 by the relative movement mechanism 28, the second laser beam L2 is S-polarized. Adjust the rotation angle of the λ / 2 plate 52. Further, the plate rotation mechanism 53 is λ so that when the laser optical system 24 is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12 by the relative movement mechanism 28, the second laser beam L2 is P-polarized. / 2 Adjust the rotation angle of the plate 52.

偏光ビームスプリッタ54は、S偏光を第2集光レンズ40Aに向けて反射し、P偏光をそのまま透過して第2集光レンズ40Bに向けて出射する。これにより、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向(往路方向側X1又は復路方向側X2)に応じて第2集光レンズ40A,40Bを選択的に用いて中抜き加工を行うことができる。 The polarization beam splitter 54 reflects the S polarization toward the second condenser lens 40A, transmits the P polarization as it is, and emits the S polarization toward the second condenser lens 40B. Thereby, the second condenser lenses 40A and 40B can be selectively used for the hollowing process according to the relative movement direction (outward direction side X1 or inbound direction side X2) of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12. ..

<接続切替素子36の具体例2>
図16は、第4実施形態の接続切替素子36の具体例2を説明するための説明図である。図16に示すように、具体例2の接続切替素子36は、ハーフミラー58とミラー60とシャッタ62A,62Bとシャッタ駆動機構64とを備える。
<Specific example 2 of the connection switching element 36>
FIG. 16 is an explanatory diagram for explaining a specific example 2 of the connection switching element 36 of the fourth embodiment. As shown in FIG. 16, the connection switching element 36 of the second embodiment includes a half mirror 58, a mirror 60, shutters 62A and 62B, and a shutter drive mechanism 64.

ハーフミラー58は、第2光形成素子34から出射される第2レーザ光L2の光路上で且つ第2集光レンズ40Aに対向する位置に配置されている。このハーフミラー58は、第2光形成素子34から入射した第2レーザ光L2を2分岐し、2分岐した第2レーザ光L2の一方を第2集光レンズ40Aに向けて反射すると共に第2レーザ光L2の他方を透過してミラー60に向けて出射する。 The half mirror 58 is arranged on the optical path of the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34 and at a position facing the second condenser lens 40A. The half mirror 58 bifurcates the second laser beam L2 incident from the second light forming element 34, reflects one of the bifurcated second laser beam L2 toward the second condenser lens 40A, and second. It passes through the other side of the laser beam L2 and emits light toward the mirror 60.

ミラー60は、ハーフミラー58を透過した第2レーザ光L2の光路上で且つ第2集光レンズ40Bに対向する位置に配置されている。このミラー60は、ハーフミラー58を透過した第2レーザ光L2を第2集光レンズ40Bに向けて反射する。 The mirror 60 is arranged on the optical path of the second laser beam L2 transmitted through the half mirror 58 and at a position facing the second condenser lens 40B. The mirror 60 reflects the second laser beam L2 transmitted through the half mirror 58 toward the second condenser lens 40B.

シャッタ62Aは、ハーフミラー58と第2集光レンズ40Aとの間の第2レーザ光L2の光路上に挿脱自在に設けられている。これにより、シャッタ62Aが第2レーザ光L2の光路上に挿入されている場合には、ハーフミラー58により反射された第2レーザ光L2がシャッタ62Aにより遮断される。また、シャッタ62Aが第2レーザ光L2の光路上から退避している場合には、ハーフミラー58により反射された第2レーザ光L2が第2集光レンズ40Aに入射する。 The shutter 62A is removably provided on the optical path of the second laser beam L2 between the half mirror 58 and the second condenser lens 40A. As a result, when the shutter 62A is inserted into the optical path of the second laser beam L2, the second laser beam L2 reflected by the half mirror 58 is blocked by the shutter 62A. Further, when the shutter 62A is retracted from the optical path of the second laser beam L2, the second laser beam L2 reflected by the half mirror 58 is incident on the second condenser lens 40A.

シャッタ62Bは、ミラー60と第2集光レンズ40Bとの間の第2レーザ光L2の光路上に挿脱自在に設けられている。これにより、シャッタ62Bが第2レーザ光L2の光路上に挿入されている場合には、ミラー60により反射された第2レーザ光L2がシャッタ62Bにより遮断される。また、シャッタ62Bが第2レーザ光L2の光路上から退避している場合には、ミラー60により反射された第2レーザ光L2が第2集光レンズ40Bに入射する。 The shutter 62B is removably provided on the optical path of the second laser beam L2 between the mirror 60 and the second condenser lens 40B. As a result, when the shutter 62B is inserted in the optical path of the second laser beam L2, the second laser beam L2 reflected by the mirror 60 is blocked by the shutter 62B. When the shutter 62B is retracted from the optical path of the second laser beam L2, the second laser beam L2 reflected by the mirror 60 is incident on the second condenser lens 40B.

シャッタ駆動機構64は、制御装置30の制御の下、第2レーザ光L2の光路上におけるシャッタ62A,62Bの挿脱(開閉)を行う公知のアクチュエータである。シャッタ駆動機構64は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動される場合には、シャッタ62Aを第2レーザ光L2の光路上から退避させると共にシャッタ62Bを第2レーザ光L2の光路上に挿入する。 The shutter drive mechanism 64 is a known actuator that inserts / removes (opens / closes) the shutters 62A and 62B on the optical path of the second laser beam L2 under the control of the control device 30. When the laser optical system 24 is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12, the shutter drive mechanism 64 retracts the shutter 62A from the optical path of the second laser beam L2 and the shutter. 62B is inserted into the optical path of the second laser beam L2.

また逆に、シャッタ駆動機構64は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動される場合には、シャッタ62Aを第2レーザ光L2の光路上に挿入すると共にシャッタ62Bを第2レーザ光L2の光路上から退避させる。これにより、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向(往路方向側X1又は復路方向側X2)に応じて2個の第2集光レンズ40A,40Bを選択的に用
いて中抜き加工を行うことができる。
On the contrary, when the laser optical system 24 is relatively moved to the return path side X2 with respect to the wafer 12, the shutter drive mechanism 64 moves the shutter 62A onto the optical path of the second laser beam L2. At the same time as inserting the shutter 62B, the shutter 62B is retracted from the optical path of the second laser beam L2. As a result, the hollowing process is performed by selectively using the two second condensing lenses 40A and 40B according to the relative movement direction (outward direction side X1 or inbound direction side X2) of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12. be able to.

<接続切替素子36の具体例3>
図17は、第4実施形態の接続切替素子36の具体例3を説明するための説明図である。図17に示すように、具体例3の接続切替素子36は、ミラー66Aとミラー66Bとミラー駆動機構68とを備える。
<Specific example 3 of the connection switching element 36>
FIG. 17 is an explanatory diagram for explaining a specific example 3 of the connection switching element 36 of the fourth embodiment. As shown in FIG. 17, the connection switching element 36 of the third embodiment includes a mirror 66A, a mirror 66B, and a mirror drive mechanism 68.

ミラー66Aは、第2光形成素子34から出射される第2レーザ光L2の光路上で且つ第2集光レンズ40Aに対向する位置に挿脱自在に設けられている。ミラー66Aは、第2レーザ光L2の光路上に挿入されている場合には、第2光形成素子34から入射した第2レーザ光L2を第2集光レンズ40Aに向けて反射する。また、ミラー66Aが第2レーザ光L2の光路上から退避している場合には、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2はミラー66Bに入射する。 The mirror 66A is removably provided on the optical path of the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34 and at a position facing the second condenser lens 40A. When the mirror 66A is inserted in the optical path of the second laser beam L2, the mirror 66A reflects the second laser beam L2 incident from the second light forming element 34 toward the second condenser lens 40A. When the mirror 66A is retracted from the optical path of the second laser beam L2, the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34 is incident on the mirror 66B.

ミラー66Bは、第2光形成素子34から出射される第2レーザ光L2の光路上で且つ第2集光レンズ40Bに対向する位置に設けられている。このミラー66Bは、第2光形成素子34から入射した第2レーザ光L2を第2集光レンズ40Bに向けて反射する。 The mirror 66B is provided on the optical path of the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34 and at a position facing the second condenser lens 40B. The mirror 66B reflects the second laser beam L2 incident from the second light forming element 34 toward the second condenser lens 40B.

ミラー駆動機構68は、制御装置30の制御の下、第2レーザ光L2の光路上におけるミラー66Aの挿脱を行う公知のアクチュエータである。ミラー駆動機構68は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動される場合には、ミラー66Aを第2レーザ光L2の光路上に挿入する。これにより、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2の全てがミラー66Aにより第2集光レンズ40Aに向けて反射される。 The mirror drive mechanism 68 is a known actuator that inserts and removes the mirror 66A on the optical path of the second laser beam L2 under the control of the control device 30. When the laser optical system 24 is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12, the mirror drive mechanism 68 inserts the mirror 66A into the optical path of the second laser beam L2. As a result, all of the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34 is reflected by the mirror 66A toward the second condenser lens 40A.

また逆に、ミラー駆動機構68は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動される場合には、ミラー66Aを第2レーザ光L2の光路上から退避させる。これにより、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2の全てがミラー66Bにより第2集光レンズ40Bに向けて反射される。その結果、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向(往路方向側X1又は復路方向側X2)に応じて2個の第2集光レンズ40A,40Bを選択的に用いて中抜き加工を行うことができる。 On the contrary, when the laser optical system 24 is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12, the mirror drive mechanism 68 moves the mirror 66A from the optical path of the second laser beam L2. Evacuate. As a result, all of the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34 is reflected by the mirror 66B toward the second condenser lens 40B. As a result, the hollowing process is performed by selectively using the two second condensing lenses 40A and 40B according to the relative movement direction of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12 (outward direction side X1 or inbound direction side X2). be able to.

[第5実施形態]
次に、第5実施形態のレーザ加工装置10について説明を行う。上記第4実施形態のレーザ加工装置10には2種類の第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22Bが設けられているが、第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22Bのいずれか一方に不具合が生じた場合にウェーハ12のレーザ加工ができなくなってしまう。そこで、第5実施形態のレーザ加工装置10は、第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22Bのいずれか一方に不具合が生じた場合でもウェーハ12のレーザ加工を継続可能な機能を有する。
[Fifth Embodiment]
Next, the laser processing apparatus 10 of the fifth embodiment will be described. The laser processing apparatus 10 of the fourth embodiment is provided with two types of first laser light source 22A and second laser light source 22B, but one of the first laser light source 22A and the second laser light source 22B is defective. If this occurs, laser processing of the wafer 12 cannot be performed. Therefore, the laser processing apparatus 10 of the fifth embodiment has a function of being able to continue laser processing of the wafer 12 even if a defect occurs in either the first laser light source 22A or the second laser light source 22B.

図18は、第5実施形態においてウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図19は、第5実施形態においてウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。なお、図18及び図19では、第2レーザ光源22Bに不具合があった場合を示している。 FIG. 18 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12 in the fifth embodiment. FIG. 19 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12 in the fifth embodiment. It should be noted that FIGS. 18 and 19 show a case where the second laser light source 22B has a defect.

図18及び図19に示すように、第5実施形態のレーザ加工装置10は、バイパス光学系72,74を備える点を除けば上記第4実施形態(具体例1~3を含む)のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成である。このため、上記第4実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。 As shown in FIGS. 18 and 19, the laser processing apparatus 10 of the fifth embodiment is laser-processed according to the fourth embodiment (including specific examples 1 to 3) except that the bypass optical systems 72 and 74 are provided. It has basically the same configuration as the device 10. Therefore, those having the same function or configuration as the fourth embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

バイパス光学系72は、1又は複数の光学素子により構成されており、第1レーザ光源22Aと第1光形成素子32との間のレーザ光LAの光路上に設けられている。このバイパス光学系72は、制御装置30の制御の下、第2レーザ光源22Bに不具合が生じていない場合には第1レーザ光源22Aから出射されたレーザ光LAを全て第1光形成素子32に向けて出射する。なお、第2レーザ光源22Bの不具合の有無は、第2レーザ光源22Bの動作及びレーザ光LBの光量等を監視することで判定可能である。 The bypass optical system 72 is composed of one or a plurality of optical elements, and is provided on the optical path of the laser light LA between the first laser light source 22A and the first light forming element 32. In this bypass optical system 72, under the control of the control device 30, if there is no problem with the second laser light source 22B, all the laser light LA emitted from the first laser light source 22A is sent to the first light forming element 32. It emits toward. The presence or absence of a defect in the second laser light source 22B can be determined by monitoring the operation of the second laser light source 22B, the amount of light of the laser light LB, and the like.

一方、バイパス光学系72は、制御装置30の制御の下、第2レーザ光源22Bに不具合が生じている場合には第1レーザ光源22Aから出射されたレーザ光LAを2分岐して、2分岐したレーザ光LAの一方を第1光形成素子32に向けて出射すると共に、レーザ光LAの他方を第2光形成素子34に向けて出射する。これにより、第2光形成素子34にてレーザ光LAから第2レーザ光L2が形成される。この第2レーザ光L2は、接続切替素子36を経て、上記第4実施形態と同様にレーザ光学系24の相対移動方向に応じて第2集光レンズ40A,40Bから選択的に出射される。 On the other hand, under the control of the control device 30, the bypass optical system 72 branches the laser light LA emitted from the first laser light source 22A into two branches when the second laser light source 22B has a problem. One of the laser light LA is emitted toward the first light forming element 32, and the other of the laser light LA is emitted toward the second light forming element 34. As a result, the second laser beam L2 is formed from the laser beam LA by the second light forming element 34. The second laser beam L2 is selectively emitted from the second condenser lenses 40A and 40B via the connection switching element 36 according to the relative moving direction of the laser optical system 24 as in the fourth embodiment.

バイパス光学系74は、バイパス光学系72と同様に1又は複数の光学素子により構成されており、第2レーザ光源22Bと第2光形成素子34との間のレーザ光LBの光路上に設けられている。このバイパス光学系74は、制御装置30の制御の下、第1レーザ光源22Aに不具合が生じていない場合には第2レーザ光源22Bから出射されたレーザ光LBを全て第2光形成素子34に向けて出射する。なお、第1レーザ光源22Aの不具合の有無についても、第1レーザ光源22Aの動作及びレーザ光LAの光量等を監視することで判定可能である。 The bypass optical system 74 is composed of one or a plurality of optical elements like the bypass optical system 72, and is provided on the optical path of the laser beam LB between the second laser light source 22B and the second light forming element 34. ing. In this bypass optical system 74, under the control of the control device 30, if there is no problem with the first laser light source 22A, all the laser light LB emitted from the second laser light source 22B is sent to the second light forming element 34. It emits toward. The presence or absence of a defect in the first laser light source 22A can also be determined by monitoring the operation of the first laser light source 22A, the amount of light of the laser light LA, and the like.

一方、バイパス光学系74は、制御装置30の制御の下、第1レーザ光源22Aに不具合が生じている場合には第2レーザ光源22Bから出射されたレーザ光LBを2分岐して、2分岐したレーザ光LBの一方を第2光形成素子34に向けて出射すると共に、レーザ光LBの他方を第1光形成素子32に向けて出射する。これにより、第1光形成素子32にてレーザ光LBから2本の第1レーザ光L1が形成される。この2本の第1レーザ光L1は上記第4実施形態と同様に第1集光レンズ38から出射される。 On the other hand, under the control of the control device 30, the bypass optical system 74 branches the laser light LB emitted from the second laser light source 22B into two branches when the first laser light source 22A has a problem. One of the laser light LB is emitted toward the second light forming element 34, and the other of the laser light LB is emitted toward the first light forming element 32. As a result, two first laser beams L1 are formed from the laser beam LB at the first light forming element 32. The two first laser beams L1 are emitted from the first condenser lens 38 in the same manner as in the fourth embodiment.

以上のように第5実施形態のレーザ加工装置10では、バイパス光学系72,74を設けることにより、第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22Bのいずれか一方に不具合が生じた場合でもウェーハ12のレーザ加工を継続することができる。その結果、レーザ加工装置10のダウンタイムを減らすことができる。 As described above, in the laser processing apparatus 10 of the fifth embodiment, by providing the bypass optical systems 72 and 74, even if a defect occurs in either the first laser light source 22A or the second laser light source 22B, the wafer 12 Laser processing can be continued. As a result, the downtime of the laser processing apparatus 10 can be reduced.

[第6実施形態]
次に、第6実施形態のレーザ加工装置10について説明を行う。上記各実施形態のレーザ加工装置10は、縁切り加工用の1個の第1集光レンズ38と、この第1集光レンズ38を間に挟んだ中抜き加工用の第2集光レンズ40A,40Bとを備えているが、第1集光レンズ38と第2集光レンズ40A,40Bとを入れ替えてもよい。
[Sixth Embodiment]
Next, the laser processing apparatus 10 of the sixth embodiment will be described. The laser processing apparatus 10 of each of the above embodiments includes a first condensing lens 38 for edge cutting and a second condensing lens 40A for hollowing with the first condensing lens 38 sandwiched between the first condensing lens 38. Although 40B is provided, the first condensing lens 38 and the second condensing lenses 40A and 40B may be interchanged.

図20は、第6実施形態においてウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図21は、第6実施形態においてウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。 FIG. 20 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12 in the sixth embodiment. FIG. 21 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12 in the sixth embodiment.

図20及び図21に示すように、第6実施形態のレーザ加工装置10では、第1集光レンズ38の代わりに中抜き加工用の1個の第2集光レンズ40が設けられ、第2集光レンズ40A,40Bの代わりに縁切り加工用の2個の第1集光レンズ38A,38Bが設けられ、さらに第1光形成素子32及び第2光形成素子34の配置が入れ替わっている。なお、他の構成については、上記第1実施形態から第3実施形態のレーザ加工装置10と基本的に同じであるので、ここでは具体的な説明は省略する。 As shown in FIGS. 20 and 21, in the laser processing apparatus 10 of the sixth embodiment, one second condenser lens 40 for hollowing is provided in place of the first condenser lens 38, and the second condenser lens 40 is provided. Instead of the condenser lenses 40A and 40B, two first condenser lenses 38A and 38B for edge cutting are provided, and the arrangements of the first light forming element 32 and the second light forming element 34 are interchanged. Since the other configurations are basically the same as those of the laser processing apparatus 10 of the first to third embodiments, specific description thereof will be omitted here.

第1集光レンズ38A,38B及び第2集光レンズ40は、X方向(加工送り方向)に沿って一列に配置されている。第2集光レンズ40は、2個の第1集光レンズ38A,38Bの間に配置されている。第1集光レンズ38Aは、第2集光レンズ40に対して往路方向側X1に配置されている。第1集光レンズ38Bは、第2集光レンズ40に対して復路方向側X2に配置されている。 The first condenser lenses 38A and 38B and the second condenser lens 40 are arranged in a row along the X direction (processing feed direction). The second condenser lens 40 is arranged between the two first condenser lenses 38A and 38B. The first condensing lens 38A is arranged on the outward direction side X1 with respect to the second condensing lens 40. The first condensing lens 38B is arranged on the return path side X2 with respect to the second condensing lens 40.

第1集光レンズ38Aは、第1光形成素子32を経て接続切替素子36から入力された2本の第1レーザ光L1をストリートC(往路)上に集光させる。第1集光レンズ38Bは、第1光形成素子32を経て接続切替素子36から入力された2本の第1レーザ光L1をストリートC(復路)上に集光させる。第2集光レンズ40は、第2光形成素子34から入力された第2レーザ光L2をストリートC(往路及び復路)上に集光させる。 The first condensing lens 38A condenses two first laser beams L1 input from the connection switching element 36 via the first light forming element 32 onto the street C (outward route). The first condensing lens 38B condenses two first laser beams L1 input from the connection switching element 36 via the first light forming element 32 onto the street C (return path). The second condensing lens 40 condenses the second laser beam L2 input from the second light forming element 34 on the street C (outward and return paths).

第6実施形態の接続切替素子36は、相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して往路方向側X1及び復路方向側X2のいずれか一方向側に相対移動させる場合に、第1光形成素子32から出射した2本の第1レーザ光L1を、2個の第1集光レンズ38A,38Bのうちで第2集光レンズ40に対して上記一方向側に位置するレンズに導く。 The connection switching element 36 of the sixth embodiment is the first when the relative moving mechanism 28 moves the laser optical system 24 relative to the wafer 12 in either the outward direction side X1 or the inbound direction side X2. The two first laser beams L1 emitted from the light forming element 32 are guided to the lens located on the one-way side of the second condensing lens 40 among the two first condensing lenses 38A and 38B. ..

具体的には図20に示すように、接続切替素子36は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動される場合には、制御装置30の制御の下、第1光形成素子32から出射した2本の第1レーザ光L1を第1集光レンズ38Aに導く。これにより、ストリートC(往路)上に第1集光レンズ38Aにより2本の第1レーザ光L1が集光される。また、第2集光レンズ40により第2レーザ光L2が集光される。その結果、レーザ光学系24の往路方向側X1への相対移動によりストリートC(往路)に沿って縁切り加工と中抜き加工とが実行される。 Specifically, as shown in FIG. 20, the connection switching element 36 controls the control device 30 when the laser optical system 24 is relatively moved to the outward path direction X1 with respect to the wafer 12 by the relative movement mechanism 28. Below, the two first laser beams L1 emitted from the first optical forming element 32 are guided to the first condenser lens 38A. As a result, the two first laser beams L1 are focused on the street C (outward route) by the first condenser lens 38A. Further, the second laser beam L2 is condensed by the second condenser lens 40. As a result, the edge cutting process and the hollowing process are executed along the street C (outward path) by the relative movement of the laser optical system 24 to the outward path direction side X1.

図21に示すように、接続切替素子36は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動される場合には、制御装置30の制御の下、第1光形成素子32から出射した2本の第1レーザ光L1を第1集光レンズ38Bに導く。これにより、ストリートC(復路)上に第1集光レンズ38Bにより2本の第1レーザ光L1が集光される。また、第2集光レンズ40により第2レーザ光L2が集光される。その結果、レーザ光学系24の復路方向側X2への相対移動によりストリートC(復路)に沿って縁切り加工と中抜き加工とが実行される。 As shown in FIG. 21, when the laser optical system 24 is relatively moved to the return path side X2 with respect to the wafer 12 by the relative movement mechanism 28, the connection switching element 36 is controlled by the control device 30. The two first laser beams L1 emitted from the one optical forming element 32 are guided to the first condenser lens 38B. As a result, the two first laser beams L1 are focused on the street C (return path) by the first condenser lens 38B. Further, the second laser beam L2 is condensed by the second condenser lens 40. As a result, the edge cutting process and the hollowing process are executed along the street C (return path) by the relative movement of the laser optical system 24 to the return path side X2.

なお、上記第4実施形態(具体例1~3を含む)及び第5実施形態についても、第6実施形態と同様に、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40A,40Bの配置を入れ替えると共に、第1光形成素子32及び第2光形成素子34の配置を入れ替えてもよい。 As for the fourth embodiment (including specific examples 1 to 3) and the fifth embodiment, the arrangement of the first condensing lens 38 and the second condensing lenses 40A and 40B is the same as in the sixth embodiment. At the same time, the arrangement of the first light forming element 32 and the second light forming element 34 may be changed.

また、縁切り加工の2加工点の位置調整を相対移動機構28によるテーブル20の移動により行ったり、中抜き加工の加工点の位置調整を相対移動機構28によるテーブル20の移動により行ったりしてもよい。さらに、既述の図43に示した実施形態の変形例として、縁切り加工の2加工点に対応する第1集光レンズ38A,38B等を同一のフレーム(図示は省略)上に設置し、一つの移動機構48により縁切り加工の2加工点の位置を一体にY方向及びZ方向の少なくとも一方に調整可能にしてもよい。 Further, even if the position adjustment of the two machining points of edge cutting is performed by moving the table 20 by the relative moving mechanism 28, or the position of the machining point of the hollowing machining is adjusted by moving the table 20 by the relative moving mechanism 28. good. Further, as a modification of the embodiment shown in FIG. 43 described above, the first condenser lenses 38A, 38B and the like corresponding to the two processing points of the edge cutting process are installed on the same frame (not shown). The positions of the two processing points for edge cutting may be integrally adjustable in at least one of the Y direction and the Z direction by the two moving mechanisms 48.

[第7実施形態]
図22は、第2レーザ光L2の強度分布(E)がガウシアン形状となる場合の課題を説明するための説明図である。図23は、第2レーザ光L2の理想的な強度分布(E)の一例を示した説明図である。図24は、第2レーザ光L2の実際の強度分布(E)の一例を示した説明図である。
[7th Embodiment]
FIG. 22 is an explanatory diagram for explaining a problem when the intensity distribution (E) of the second laser beam L2 has a Gaussian shape. FIG. 23 is an explanatory diagram showing an example of the ideal intensity distribution (E) of the second laser beam L2. FIG. 24 is an explanatory diagram showing an example of the actual intensity distribution (E) of the second laser beam L2.

図22の符号XXIIAに示すように、レーザ光源22から出射されるレーザ光Lの強度分布はガウシアン形状となる。このため、ガウシアン形状の第2レーザ光L2で中抜き加工を実行すると、符号XXIIBに示すように中抜き溝19(2条の縁切り溝18は図示を省略)の断面形状もガウシアン形状となる。この場合には、レーザ加工後に高速回転するブレード110によりウェーハ12を中抜き溝19(ストリートC)に沿って切断する切断工程において、中抜き溝19に対するブレード110の位置関係によってはブレード110に偏摩耗が発生するおそれがある。このため、中抜き溝19の底を平坦(略平坦を含む)に形成することが求められている。 As shown by the reference numeral XXIIA in FIG. 22, the intensity distribution of the laser beam L emitted from the laser light source 22 has a Gaussian shape. Therefore, when the hollowing process is executed by the second laser beam L2 having a Gaussian shape, the cross-sectional shape of the hollow groove 19 (the edge cutting groove 18 of the two rows is not shown) also becomes a Gaussian shape as shown by the reference numeral XXIIB. In this case, in the cutting step of cutting the wafer 12 along the hollow groove 19 (street C) by the blade 110 that rotates at high speed after laser machining, the blade 110 is biased to the blade 110 depending on the positional relationship of the blade 110 with respect to the hollow groove 19. Wear may occur. Therefore, it is required to form the bottom of the hollow groove 19 flat (including substantially flat).

図23に示すように、中抜き溝19の底を平坦に形成するためには、例えばDOE及び屈折型ビームシェイパを用いて第2レーザ光L2の強度分布を等方的なトップハット形状に形成する方法が考えられる。しかしながら、上述のDOE及び屈折型ビームシェイパ等の光学素子は理想的な真円(断面形状)のレーザ光L(ビーム)を前提として作られているが、現実のレーザ光Lの断面形状は真円ではなく、レーザ光源22等の個体差に起因した楕円(拡がり角に異方性が有る状態)となる。この場合には、図24に示すように、第2レーザ光L2の強度分布(E)がトップハット形状とは異なる形状になるため、中抜き溝19の底を平坦に形成することが困難になる。 As shown in FIG. 23, in order to form the bottom of the hollow groove 19 flat, for example, a DOE and a refraction type beam shaper are used to form the intensity distribution of the second laser beam L2 into an isotropic top hat shape. The method can be considered. However, although the optical elements such as the DOE and the refraction type beam shaper described above are made on the premise of an ideal perfect circle (cross-sectional shape) of the laser beam L (beam), the actual cross-sectional shape of the laser beam L is a perfect circle. Instead, it becomes an elliptical shape (a state in which the spread angle has anisotropy) due to individual differences in the laser light source 22 and the like. In this case, as shown in FIG. 24, since the intensity distribution (E) of the second laser beam L2 has a shape different from the top hat shape, it is difficult to form the bottom of the hollow groove 19 flat. Become.

また、上述のようにレーザ光Lの拡がり角に異方性が有る場合は非点収差が生じており、XY方向のそれぞれでトップハット形状になるZ位置が異なる。さらに図23に示したような強度分布(E)を有する第2レーザ光L2を用いて中抜き加工を実行する場合には、中抜き溝19の断面形状が、第2レーザ光L2のスポットを加工送り方向(X方向)の重なり率に応じて積算した形状となる。その結果、第2レーザ光L2のスポット単体の形状から中抜き溝19の断面形状を推測することは困難である。 Further, as described above, when the spread angle of the laser beam L has anisotropy, astigmatism occurs, and the Z position of the top hat shape is different in each of the XY directions. Further, when the hollowing process is performed using the second laser beam L2 having the intensity distribution (E) as shown in FIG. 23, the cross-sectional shape of the hollowing groove 19 makes the spot of the second laser beam L2. The shape is integrated according to the overlap ratio in the machining feed direction (X direction). As a result, it is difficult to infer the cross-sectional shape of the hollow groove 19 from the shape of the spot alone of the second laser beam L2.

そこで、第7実施形態のレーザ加工装置10では、第2レーザ光L2の強度分布(E)が安定したトップハット形状となり且つ中抜き溝19の断面形状が推測し易くなるように、第2光形成素子34により第2レーザ光L2の強度分布(E)を調整している。なお、第7実施形態のレーザ加工装置10は、第2光形成素子34の機能が異なる点を除けば上記各実施形態のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成である。このため、上記各実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。 Therefore, in the laser processing apparatus 10 of the seventh embodiment, the second light so that the intensity distribution (E) of the second laser light L2 becomes a stable top hat shape and the cross-sectional shape of the hollow groove 19 can be easily estimated. The intensity distribution (E) of the second laser beam L2 is adjusted by the forming element 34. The laser processing device 10 of the seventh embodiment has basically the same configuration as the laser processing device 10 of each of the above-described embodiments, except that the functions of the second light forming element 34 are different. Therefore, those having the same function or configuration as each of the above embodiments are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

図25の符号XXVAは第7実施形態の第2レーザ光L2のY方向における強度分布(E)の一例を示した説明図であり、符号XXVBは第7実施形態の第2レーザ光L2のX方向における強度分布(E)の一例を示した説明図である。図26は、第7実施形態の第2レーザ光L2のXY面の強度分布の一例を示した説明図である。 The reference numeral XXVA of FIG. 25 is an explanatory diagram showing an example of the intensity distribution (E) of the second laser beam L2 of the seventh embodiment in the Y direction, and the reference numeral XXVB is the X of the second laser beam L2 of the seventh embodiment. It is explanatory drawing which showed an example of the intensity distribution (E) in a direction. FIG. 26 is an explanatory diagram showing an example of the intensity distribution of the XY plane of the second laser beam L2 of the seventh embodiment.

図25及び図26に示すように、第7実施形態の第2光形成素子34が形成する第2レーザ光L2は、第1方向(例えば加工送り方向に対して垂直なY方向)においてトップハット形状の強度分布を有し且つ第2方向(加工送り方向に平行なX方向)においてガウシアン形状の強度分布を有する。このような第2光形成素子34としては、例えばDOE及び屈折型ビームシェイパ等の光学素子(複数種類の光学素子を組み合わせても可)が用いられる。 As shown in FIGS. 25 and 26, the second laser beam L2 formed by the second light forming element 34 of the seventh embodiment is a top hat in the first direction (for example, the Y direction perpendicular to the machining feed direction). It has a shape intensity distribution and a Gaussian-shaped intensity distribution in the second direction (X direction parallel to the machining feed direction). As such a second light forming element 34, for example, an optical element such as a DOE and a refraction type beam shaper (a combination of a plurality of types of optical elements is also possible) is used.

このように、一方向(ここではY方向)においてのみトップハット形状の強度分布を有する第2レーザ光L2の形成は、図23に示したような複数方向でトップハット形状の強度分布を有する第2レーザ光L2の形成と比較して、第2レーザ光L2をトップハット形状に形成する調整の難易度が下がる。その結果、第2レーザ光L2を安定したトップハット形状に形成可能になるため、中抜き溝19の底を平坦に形成することができる。 As described above, the formation of the second laser beam L2 having the intensity distribution of the top hat shape only in one direction (here, the Y direction) has the intensity distribution of the top hat shape in a plurality of directions as shown in FIG. 23. Compared with the formation of the two laser beams L2, the difficulty of adjusting the formation of the second laser beam L2 into a top hat shape is lowered. As a result, the second laser beam L2 can be formed into a stable top hat shape, so that the bottom of the hollow groove 19 can be formed flat.

また、第2レーザ光L2のX方向(加工送り方向)の強度分布をガウシアン形状に形成することで、第2レーザ光L2のスポットのY方向のプロファイル形状(すなわち逆トップハット形状)を中抜き溝19の加工形状に直接的に反映することができる。その結果、第2レーザ光L2のスポット単体の形状から中抜き溝19の加工形状を容易に推測することができる。 Further, by forming the intensity distribution of the second laser beam L2 in the X direction (machining feed direction) into a Gaussian shape, the profile shape (that is, the inverted top hat shape) of the spot of the second laser beam L2 in the Y direction is hollowed out. It can be directly reflected in the processed shape of the groove 19. As a result, the machined shape of the hollow groove 19 can be easily inferred from the shape of the spot alone of the second laser beam L2.

なお、図25及び図26では第1方向がY方向であり且つ第2方向がX方向であるが、上記第2実施形態(図10及び図11参照)の第2回転機構46により第2光形成素子34を回転させることで、第1方向及び第2方向をXY面内(水平面内)で任意の方向とすることができる。すなわち、テーブル20に平行(第2光形成素子34から出射される第2レーザ光L2の進行方向に垂直)で且つ互いに直交する方向を第1方向及び第2方向とした場合に、第2光形成素子34は、第1方向においてトップハット形状の強度分布を有し且つ第2方向においてガウシアン形状の強度分布を有する第2レーザ光L2を形成する。 In FIGS. 25 and 26, the first direction is the Y direction and the second direction is the X direction, but the second light is provided by the second rotation mechanism 46 of the second embodiment (see FIGS. 10 and 11). By rotating the forming element 34, the first direction and the second direction can be set to any direction in the XY plane (in the horizontal plane). That is, when the directions parallel to the table 20 (vertical to the traveling direction of the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34) and orthogonal to each other are the first direction and the second direction, the second light The forming element 34 forms a second laser beam L2 having a top hat-shaped intensity distribution in the first direction and a Gaussian-shaped intensity distribution in the second direction.

また、第7実施形態では、第2光形成素子34が一方向においてのみトップハット形状の強度分布を有する第2レーザ光L2を形成しているが、第1光形成素子32についても一方向においてのみトップハット形状の強度分布を有する2本の第1レーザ光L1を形成してもよい。さらに縁切り加工及び中抜き加工以外のウェーハ12の各種レーザ加工に第7実施形態の発明を適用することができる。 Further, in the seventh embodiment, the second light forming element 34 forms the second laser beam L2 having the intensity distribution of the top hat shape only in one direction, but the first light forming element 32 also forms the second laser light L2 in one direction. Only two first laser beams L1 having a top hat-shaped intensity distribution may be formed. Further, the invention of the seventh embodiment can be applied to various laser machining of the wafer 12 other than edge cutting and hollowing.

[第8実施形態]
図27は、第8実施形態のレーザ加工装置10のレーザ光学系24の概略図である。上記各実施形態では第1集光レンズ38,38A,38Bのいずれかを用いて縁切り加工を行い且つ第2集光レンズ40,40A,40Bのいずれかを用いて中抜き加工を行っている。これに対して、図27に示すように第8実施形態のレーザ加工装置10では、第1集光レンズ群120を用いて縁切り加工を行い且つ第2集光レンズ群122A,122Bのいずれかを用いて中抜き加工を行う。
[Eighth Embodiment]
FIG. 27 is a schematic view of the laser optical system 24 of the laser processing apparatus 10 of the eighth embodiment. In each of the above embodiments, the edge cutting process is performed using any of the first condensing lenses 38, 38A, and 38B, and the hollowing process is performed using any of the second condensing lenses 40, 40A, 40B. On the other hand, as shown in FIG. 27, in the laser processing apparatus 10 of the eighth embodiment, the edge cutting process is performed using the first condenser lens group 120, and either of the second condenser lens groups 122A and 122B is used. Use to perform hollowing.

第8実施形態のレーザ加工装置10は、第1集光レンズ群120及び第2集光レンズ群122A,122Bを備える点を除けば、上記各実施形態(ここでは第6実施形態を除く)のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成である。このため、上記各実施形態と機能又は構成上同一のものについては同一符号を付してその説明は省略する。なお、第1集光レンズ群120及び第2集光レンズ群122A,122Bは、既述の接続切替素子36などと共に集光光学系を構成する。 The laser processing apparatus 10 of the eighth embodiment has the above-mentioned embodiments (excluding the sixth embodiment) except that the laser processing apparatus 10 includes the first condenser lens group 120 and the second condenser lens groups 122A and 122B. It has basically the same configuration as the laser processing apparatus 10. Therefore, those having the same function or configuration as each of the above embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The first condensing lens group 120 and the second condensing lens groups 122A and 122B together with the connection switching element 36 and the like described above constitute a condensing optical system.

第1集光レンズ群120は、上記各実施形態の第1集光レンズ38の代わりに設けられている。この第1集光レンズ群120は、分岐素子124と3個の第1集光レンズ38とを備える。 The first condensing lens group 120 is provided in place of the first condensing lens 38 of each of the above embodiments. The first condensing lens group 120 includes a branching element 124 and three first condensing lenses 38.

分岐素子124は、第1光形成素子32から入射した2本の第1レーザ光L1を3分岐させて3個の第1集光レンズ38に向けてそれぞれ出射する。3個の第1集光レンズ38は、X方向(加工送り方向)に沿って一列に配置されており、分岐素子124から入射した2本の第1レーザ光L1をそれぞれストリートC(往路及び復路)上に同時に集光させ
る。
The branching element 124 branches the two first laser beams L1 incident from the first light forming element 32 into three branches and emits the two first laser beams L1 toward the three first condensing lenses 38, respectively. The three first condensing lenses 38 are arranged in a row along the X direction (processing feed direction), and the two first laser beams L1 incident from the branch element 124 are directed to the street C (outward path and return path, respectively). ) Condensate on the top at the same time.

第2集光レンズ群122Aは、上記各実施形態の第2集光レンズ40Aの代わりに設けられている。この第2集光レンズ群120Aは、分岐素子126Aと3個の第2集光レンズ40Aとを備える。 The second condenser lens group 122A is provided in place of the second condenser lens 40A of each of the above embodiments. The second condensing lens group 120A includes a branching element 126A and three second condensing lenses 40A.

分岐素子126Aは、第2光形成素子34から入射した第2レーザ光L2を3分岐させて3個の第2集光レンズ40Aに向けてそれぞれ出射する。3個の第2集光レンズ40Aは、X方向(加工送り方向)に沿って一列に配置されており、分岐素子126Aから入射した第2レーザ光L2をそれぞれストリートC(往路)上に同時に集光させる。 The branching element 126A branches the second laser beam L2 incident from the second light forming element 34 into three branches and emits the second laser beam L2 toward the three second condensing lenses 40A. The three second condenser lenses 40A are arranged in a row along the X direction (processing feed direction), and the second laser beam L2 incident from the branch element 126A is simultaneously collected on the street C (outward route). Let it shine.

第2集光レンズ群122Bは、上記各実施形態の第2集光レンズ40Bの代わりに設けられている。この第2集光レンズ群120Bは、分岐素子126Bと3個の第2集光レンズ40Bとを備える。 The second condenser lens group 122B is provided in place of the second condenser lens 40B of each of the above embodiments. The second condensing lens group 120B includes a branching element 126B and three second condensing lenses 40B.

分岐素子126Bは、第2光形成素子34から入射した第2レーザ光L2を3分岐させて3個の第2集光レンズ40Bに向けてそれぞれ出射する。3個の第2集光レンズ40Bは、X方向(加工送り方向)に沿って一列に配置されており、分岐素子126Bから入射した第2レーザ光L2をそれぞれストリートC(復路)上に同時に集光させる。 The branching element 126B branches the second laser beam L2 incident from the second light forming element 34 into three branches and emits the second laser beam L2 toward the three second condensing lenses 40B. The three second condenser lenses 40B are arranged in a row along the X direction (processing feed direction), and the second laser beam L2 incident from the branch element 126B is simultaneously collected on the street C (return path). Let it shine.

図28は、第8実施形態のレーザ加工装置10の効果を説明するための説明図である。なお、図28の符号XXVIIIAは、上記各実施形態のレーザ加工装置10による縁切り加工時及び中抜き加工時にストリートC上に集光される各レーザ光(2本の第1レーザ光L1、第2レーザ光L2)のスポットSPの移動を示している。また、図28の符号XXVIIIBは、第8実施形態のレーザ加工装置10による縁切り加工時及び中抜き加工時にストリートC上に集光される各レーザ光のスポットSP1~SP3の移動を示している。 FIG. 28 is an explanatory diagram for explaining the effect of the laser processing apparatus 10 of the eighth embodiment. Reference numeral XXVIIIA in FIG. 28 indicates each laser beam (two first laser beams L1, second) focused on the street C during edge cutting and hollowing by the laser machining apparatus 10 of each of the above embodiments. It shows the movement of the spot SP of the laser beam L2). Further, reference numeral XXVIIIB in FIG. 28 indicates the movement of the spots SP1 to SP3 of each laser beam focused on the street C during edge cutting and hollowing by the laser processing apparatus 10 of the eighth embodiment.

図28の符号XXVIIIAに示すように、縁切り加工時及び中抜き加工時のレーザ光学系24の往路方向側X1又は復路方向側X2への相対移動により、レーザ光学系24によってストリートC(往路及び復路)に形成される2本の第1レーザ光L1のスポットSP及び第2レーザ光L2のスポットSPがストリートCに沿って移動する。この際にレーザ光学系24の相対移動の移動速度を上げると、加工送り方向に沿ったスポットSP同士の間隔が拡がるため、加工溝(2条の縁切り溝18及び中抜き溝19)の底面に凹凸が生じてしまう。このため、上記各実施形態では、加工送り方向において互いに隣り合うスポットSP同士が一部オーバーラップするように、レーザ光学系24の相対移動の移動速度を制限する必要がある。 As shown by reference numeral XXVIIIA in FIG. 28, the laser optical system 24 causes street C (outward and inbound) due to the relative movement of the laser optical system 24 to the outward direction side X1 or the inbound direction X2 during edge cutting and hollowing. ), The spot SP of the two first laser beams L1 and the spot SP of the second laser beam L2 move along the street C. At this time, if the moving speed of the relative movement of the laser optical system 24 is increased, the distance between the spots SP along the machining feed direction is increased, so that the bottom surface of the machining groove (two edge cutting groove 18 and the hollow groove 19) is formed. Unevenness will occur. Therefore, in each of the above embodiments, it is necessary to limit the relative movement speed of the laser optical system 24 so that the spots SP adjacent to each other in the processing feed direction partially overlap each other.

これに対して第8実施形態のレーザ加工装置10では、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40A,40Bをそれぞれ加工送り方向に沿って複数配置することで、図28の符号XXVIIIBに示すように2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2をそれぞれ同時に複数箇所でストリートC(往路及び復路)上に集光させることができる。このため、第8実施形態では、レーザ光学系24の往路方向側X1又は復路方向側X2への相対移動により、ストリートC(往路及び復路)上に形成される2本の第1レーザ光L1の3箇所のスポットSP1,SP2,SP3及び第2レーザ光L2の3箇所のスポットSP1,SP2,SP3がストリートCに沿って移動する。 On the other hand, in the laser processing apparatus 10 of the eighth embodiment, a plurality of first condensing lenses 38 and second condensing lenses 40A and 40B are arranged along the processing feed direction, so that the reference numeral XXVIIIB in FIG. 28 can be obtained. As shown, the two first laser beams L1 and the second laser beam L2 can be focused on the street C (outward and return paths) at a plurality of points at the same time. Therefore, in the eighth embodiment, the two first laser beams L1 formed on the street C (outward and return) due to the relative movement of the laser optical system 24 to the outward direction side X1 or the return direction side X2. The three spots SP1, SP2, SP3 and the three spots SP1, SP2, SP3 of the second laser beam L2 move along the street C.

このように第8実施形態では、レーザ加工ごとのスポット数を増加させることで、レーザ光学系24の相対移動の移動速度を上げた場合であっても、加工送り方向において互いに隣り合うスポットSP1,SP2,SP3同士を一部オーバーラップさせられる。これにより、安定した形状の加工溝を形成することができる。その結果、第8実施形態では、上記各実施形態よりもウェーハ12のレーザ加工に要するタクトタイムを低減させることができる。 As described above, in the eighth embodiment, by increasing the number of spots for each laser machining, even when the moving speed of the relative movement of the laser optical system 24 is increased, the spots SP1 that are adjacent to each other in the machining feed direction SP2 and SP3 can be partially overlapped with each other. This makes it possible to form a machined groove having a stable shape. As a result, in the eighth embodiment, the tact time required for laser machining of the wafer 12 can be reduced as compared with each of the above embodiments.

なお、第8実施形態では、第1集光レンズ38、第2集光レンズ40A、及び第2集光レンズ40Bをそれぞれ加工送り方向に沿って3個配置しているが、その配置数が2個又は4個以上であってもよい。また、上記第6実施形態(図21及び図22参照)と同様に、第1集光レンズ群120と第2集光レンズ群122A,122Bとを入れ替えてもよい。 In the eighth embodiment, the first condensing lens 38, the second condensing lens 40A, and the second condensing lens 40B are arranged three along the processing feed direction, but the number of arrangements is two. It may be 4 or more. Further, the first condenser lens group 120 and the second condenser lens groups 122A and 122B may be interchanged in the same manner as in the sixth embodiment (see FIGS. 21 and 22).

[第9実施形態]
図29は、ウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動される第9実施形態のレーザ加工装置10のレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図30は、ウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動される第9実施形態のレーザ加工装置10のレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。
[9th Embodiment]
FIG. 29 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 of the laser processing apparatus 10 of the ninth embodiment, which is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12. FIG. 30 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 of the laser processing apparatus 10 of the ninth embodiment, which is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12.

上記各実施形態では、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向に応じて3種類の第1集光レンズ38(38A,38B)及び第2集光レンズ40A,40B(40)選択的に用いてレーザ加工を行っている。これに対して、図29及び図30に示すように第9実施形態では、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40を用いてレーザ加工を行う。そして、第9実施形態では、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向に応じて、第1集光レンズ38による縁切り加工及び第2集光レンズ40による中抜き加工と、第2集光レンズ40による縁切り加工及び第1集光レンズ38による中抜き加工と、を切り替える。 In each of the above embodiments, three types of first condenser lenses 38 (38A, 38B) and second condenser lenses 40A, 40B (40) are selectively used according to the relative movement direction of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12. Laser processing is performed. On the other hand, as shown in FIGS. 29 and 30, in the ninth embodiment, laser processing is performed using the first condenser lens 38 and the second condenser lens 40. Then, in the ninth embodiment, the edge cutting process by the first condenser lens 38, the hollowing process by the second condenser lens 40, and the second condenser lens are performed according to the relative movement direction of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12. The edge cutting process by 40 and the hollowing process by the first condenser lens 38 are switched.

第9実施形態のレーザ光学系24は、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40A,40Bの代わりに第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40を備え、且つ接続切替素子36の代わりに接続光学系200を備える点を除けば、上記第1実施形態のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成である。このため、上記第1実施形態と機能又は構成上同一のものについては同一符号を付してその説明は省略する。 The laser optical system 24 of the ninth embodiment includes a first condenser lens 38 and a second condenser lens 40 in place of the first condenser lens 38 and the second condenser lenses 40A and 40B, and has a connection switching element 36. The configuration is basically the same as that of the laser processing apparatus 10 of the first embodiment, except that the connection optical system 200 is provided instead of the above. Therefore, those having the same function or configuration as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40は、X方向(加工送り方向)に沿って一列に配置されている。第1集光レンズ38は、第2集光レンズ40に対して往路方向側X1に配置されている。第1集光レンズ38は、後述の接続光学系200から入射される2本の第1レーザ光L1又は第2レーザ光L2をストリートC上に集光させる。また、第2集光レンズ40は、接続光学系200から入射される2本の第1レーザ光L1又は第2レーザ光L2をストリートC上に集光させる。 The first condenser lens 38 and the second condenser lens 40 are arranged in a row along the X direction (processing feed direction). The first condensing lens 38 is arranged on the outward direction side X1 with respect to the second condensing lens 40. The first condensing lens 38 condenses the two first laser beams L1 or the second laser beam L2 incident from the connection optical system 200 described later on the street C. Further, the second condensing lens 40 condenses the two first laser beams L1 or the second laser beam L2 incident from the connecting optical system 200 on the street C.

接続光学系200は、相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動させる場合に、第1光形成素子32から出射された2本の第1レーザ光L1を第1集光レンズ38に導き且つ第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2を第2集光レンズ40に導く(図29参照)。また逆に接続光学系200は、相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動させる場合に、第1光形成素子32から出射された2本の第1レーザ光L1を第2集光レンズ40に導き且つ第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2を第1集光レンズ38に導く(図30参照)。 In the connection optical system 200, two first laser beams L1 emitted from the first light forming element 32 when the relative movement mechanism 28 moves the laser optical system 24 relative to the wafer 12 on the outward direction side X1. Is guided to the first condensing lens 38 and the second laser beam L2 emitted from the second light forming element 34 is guided to the second condensing lens 40 (see FIG. 29). On the contrary, in the connection optical system 200, when the relative movement mechanism 28 moves the laser optical system 24 relative to the wafer 12 on the return path side X2, the two first light forming elements 32 are emitted. The laser light L1 is guided to the second condensing lens 40, and the second laser light L2 emitted from the second light forming element 34 is guided to the first condensing lens 38 (see FIG. 30).

図31は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動される場合の接続光学系200の機能を説明するための説明図である。図32は、相対移動機構28によりレーザ光学系24がウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動される場合の接続光学系200の機能を説明するための説明図である。 FIG. 31 is an explanatory diagram for explaining the function of the connection optical system 200 when the laser optical system 24 is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12 by the relative movement mechanism 28. FIG. 32 is an explanatory diagram for explaining the function of the connection optical system 200 when the laser optical system 24 is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12 by the relative movement mechanism 28.

なお、図31及び図32中において、符号PP1は2本の第1レーザ光L1がP偏光であることを示し、符号SP1は2本の第1レーザ光L1がS偏光であることを示し、符号PP2は第2レーザ光L2がP偏光であることを示し、符号SP2は第2レーザ光L2がS偏光であることを示す。また、本実施形態では第1光形成素子32から出射される2本の第1レーザ光L1と、第2光形成素子34から出射される第2レーザ光L2とがそれぞれP偏光であるものとして説明を行う。 In FIGS. 31 and 32, the reference numeral PP1 indicates that the two first laser beams L1 are P-polarized, and the reference numeral SP1 indicates that the two first laser beams L1 are S-polarized. The reference numeral PP2 indicates that the second laser beam L2 is P-polarized, and the reference numeral SP2 indicates that the second laser beam L2 is S-polarized. Further, in the present embodiment, it is assumed that the two first laser beams L1 emitted from the first light forming element 32 and the second laser light L2 emitted from the second light forming element 34 are P-polarized, respectively. Give an explanation.

図31及び図32に示すように、接続光学系200は、偏光ビームスプリッタ202、λ/2板204、偏光ビームスプリッタ206、λ/2板208、偏光ビームスプリッタ210,212、λ/2板214、及びミラー220,222を備える。 As shown in FIGS. 31 and 32, the connection optical system 200 includes a polarization beam splitter 202, a λ / 2 plate 204, a polarization beam splitter 206, a λ / 2 plate 208, and a polarization beam splitter 210, 212, λ / 2 plate 214. , And mirrors 220, 222.

偏光ビームスプリッタ202、λ/2板204、及び偏光ビームスプリッタ206は、第1光形成素子32から第1集光レンズ38に至る光路上に沿って配置されている。λ/2板208、偏光ビームスプリッタ210,212、及びλ/2板214は、第2光形成素子34から第2集光レンズ40に至る光路上に沿って配置されている。ミラー220は、偏光ビームスプリッタ202と偏光ビームスプリッタ210との間の光路上に配置されている。ミラー222は、偏光ビームスプリッタ206と偏光ビームスプリッタ212との間の光路上に配置されている。 The polarization beam splitter 202, the λ / 2 plate 204, and the polarization beam splitter 206 are arranged along the optical path from the first light forming element 32 to the first condenser lens 38. The λ / 2 plate 208, the polarization beam splitter 210, 212, and the λ / 2 plate 214 are arranged along the optical path from the second light forming element 34 to the second condensing lens 40. The mirror 220 is arranged on the optical path between the polarizing beam splitter 202 and the polarizing beam splitter 210. The mirror 222 is arranged on the optical path between the polarizing beam splitter 206 and the polarizing beam splitter 212.

各偏光ビームスプリッタ202,206,210,212は、P偏光を透過し且つS偏光を反射する。 Each of the polarization beam splitters 202, 206, 210, 212 transmits P-polarization and reflects S-polarization.

λ/2板204,208,214は、P偏光及びS偏光をその偏光状態を変更することなく透過させる基準状態と、この基準状態から光学軸が45度回転した回転状態と、に切り替え可能である。λ/2板204,208,214は、回転状態である場合には入射したP偏光をS偏光に変換し且つ入射したS偏光をP偏光に変換する。 The λ / 2 plates 204, 208, 214 can be switched between a reference state in which P-polarization and S-polarization are transmitted without changing the polarization state, and a rotation state in which the optical axis is rotated by 45 degrees from this reference state. be. When the λ / 2 plates 204, 208, 214 are in a rotating state, the incident P-polarization is converted into S-polarization and the incident S-polarization is converted into P-polarization.

ミラー220は、偏光ビームスプリッタ210により反射されたS偏光を偏光ビームスプリッタ202に導く。また、ミラー222は、偏光ビームスプリッタ206により反射されたS偏光を偏光ビームスプリッタ212に導く。なお、X方向において偏光ビームスプリッタ202,210が対向配置されている場合にはミラー220は省略可能であり、X方向において偏光ビームスプリッタ206,212が対向配置されている場合にはミラー222は省略可能である。 The mirror 220 guides the S polarization reflected by the polarization beam splitter 210 to the polarization beam splitter 202. Further, the mirror 222 guides the S polarization reflected by the polarization beam splitter 206 to the polarization beam splitter 212. The mirror 220 can be omitted when the polarizing beam splitters 202 and 210 are arranged to face each other in the X direction, and the mirror 222 is omitted when the polarizing beam splitters 206 and 212 are arranged to face each other in the X direction. It is possible.

図31に示すように、第9実施形態の制御装置30(図1参照)は、ストリートC(往路)のレーザ加工を行う場合、すなわち相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動させる場合に、λ/2板204,208,214をそれぞれ基準状態に設定する。 As shown in FIG. 31, in the control device 30 (see FIG. 1) of the ninth embodiment, when laser processing of the street C (outward route) is performed, that is, the relative moving mechanism 28 transfers the laser optical system 24 to the wafer 12. When moving relative to the outward direction side X1, the λ / 2 plates 204, 208, and 214 are set to the reference states, respectively.

第1光形成素子32から出射された2本の第1レーザ光L1(P偏光)は、偏光ビームスプリッタ202、λ/2板204、及び偏光ビームスプリッタ206を順番に透過して第1集光レンズ38に導かれる。その結果、第1集光レンズ38によりストリートC(往路)上に2本の第1レーザ光L1が集光される。 The two first laser beams L1 (P-polarized) emitted from the first light forming element 32 pass through the polarizing beam splitter 202, the λ / 2 plate 204, and the polarizing beam splitter 206 in order, and are first focused. It is guided to the lens 38. As a result, the two first laser beams L1 are focused on the street C (outward route) by the first condenser lens 38.

第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2(P偏光)は、λ/2板208、偏光ビームスプリッタ210,212、及びλ/2板214を順番に透過して第2集光レンズ40に導かれる。その結果、第2集光レンズ40によりストリートC(往路)上に第2レーザ光L2が集光される。 The second laser beam L2 (P-polarized light) emitted from the second light forming element 34 passes through the λ / 2 plate 208, the polarization beam splitters 210, 212, and the λ / 2 plate 214 in order, and is second focused. It is guided to the lens 40. As a result, the second laser beam L2 is focused on the street C (outward route) by the second condenser lens 40.

上記各実施形態と同様に、レーザ光学系24の往路方向側X1への相対移動によりストリートC(往路)に沿って縁切り加工が先行して実行され、続いて中抜き加工が実行される。なお、ストリートC(往路)のレーザ加工時の2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2の出射及び出射停止のタイミングは上記第1実施形態と同様であるので、ここでは具体的な説明は省略する(後述の第10実施形態及び第11実施形態も同様)。 Similar to each of the above embodiments, the edge cutting process is executed in advance along the street C (outward path) due to the relative movement of the laser optical system 24 to the outward path direction side X1, and then the hollowing process is executed. Since the timing of emission and emission stop of the two first laser beams L1 and the second laser beam L2 during the laser processing of the street C (outbound route) is the same as that of the first embodiment, the specific timing is described here. The description will be omitted (the same applies to the tenth embodiment and the eleventh embodiment described later).

図32に示すように第9実施形態の制御装置30は、ストリートC(復路)のレーザ加工を行う場合、すなわち相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動させる場合に、λ/2板204,208,214をそれぞれ回転状態に設定する。 As shown in FIG. 32, in the control device 30 of the ninth embodiment, when laser processing of the street C (return path) is performed, that is, the relative movement mechanism 28 makes the laser optical system 24 relative to the wafer 12 on the return path direction side X2. When moving, the λ / 2 plates 204, 208, and 214 are set to the rotational state, respectively.

第1光形成素子32から出射された2本の第1レーザ光L1(P偏光)は、偏光ビームスプリッタ202を透過した後、λ/2板204によりS偏光に変換される。S偏光に変換された2本の第1レーザ光L1は、偏光ビームスプリッタ206によりミラー222に向けて反射され、さらにミラー222により反射されて偏光ビームスプリッタ212に入射する。偏光ビームスプリッタ212に入射した2本の第1レーザ光L1(S偏光)は、偏光ビームスプリッタ212によりλ/2板214に向けて反射され、このλ/2板214によりP偏光に変換された後、第2集光レンズ40に導かれる。その結果、第2集光レンズ40によりストリートC(復路)上に2本の第1レーザ光L1が集光される。 The two first laser beams L1 (P-polarized light) emitted from the first light forming element 32 are transmitted through the polarizing beam splitter 202 and then converted into S-polarized light by the λ / 2 plate 204. The two first laser beams L1 converted to S polarization are reflected by the polarizing beam splitter 206 toward the mirror 222, further reflected by the mirror 222, and incident on the polarizing beam splitter 212. The two first laser beams L1 (S-polarized light) incident on the polarizing beam splitter 212 were reflected by the polarizing beam splitter 212 toward the λ / 2 plate 214, and converted into P polarization by the λ / 2 plate 214. Later, it is guided to the second condenser lens 40. As a result, the two first laser beams L1 are focused on the street C (return path) by the second condenser lens 40.

第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2(P偏光)は、λ/2板208にてS偏光に変換された後、偏光ビームスプリッタ210によりミラー220に向けて反射され、さらにミラー220により反射されて偏光ビームスプリッタ202に入射する。偏光ビームスプリッタ202に入射した第2レーザ光L2(S偏光)は、偏光ビームスプリッタ202によりλ/2板204に向けて反射され、このλ/2板204によりP偏光に変換された後、偏光ビームスプリッタ206を透過して第1集光レンズ38に導かれる。その結果、第1集光レンズ38によりストリートC(復路)上に第2レーザ光L2が集光される。 The second laser beam L2 (P-polarized) emitted from the second photoforming element 34 is converted into S-polarized light by the λ / 2 plate 208, then reflected by the polarizing beam splitter 210 toward the mirror 220, and further. It is reflected by the mirror 220 and incident on the polarization beam splitter 202. The second laser beam L2 (S polarization) incident on the polarization beam splitter 202 is reflected by the polarization beam splitter 202 toward the λ / 2 plate 204, converted into P polarization by the λ / 2 plate 204, and then polarized. It passes through the beam splitter 206 and is guided to the first condenser lens 38. As a result, the second laser beam L2 is focused on the street C (return path) by the first condenser lens 38.

上記各実施形態と同様に、レーザ光学系24の復路方向側X2への相対移動によりストリートC(復路)に沿って縁切り加工が先行して実行され、続いて中抜き加工が実行される。なお、ストリートC(復路)のレーザ加工時の2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2の出射及び出射停止のタイミングは上記第1実施形態と同様であるので、ここでは具体的な説明は省略する(後述の第10実施形態及び第11実施形態も同様)。 Similar to each of the above embodiments, the edge cutting process is executed in advance along the street C (return path) due to the relative movement of the laser optical system 24 to the return path side X2, and then the hollowing process is executed. The timing of emission and stop of emission of the two first laser beams L1 and the second laser beam L2 at the time of laser processing on the street C (return path) is the same as that of the first embodiment. The description will be omitted (the same applies to the tenth embodiment and the eleventh embodiment described later).

なお、第9実施形態では、ストリートC(復路)の縁切り加工を行う2本の第1レーザ光L1の偏光状態をストリートC(往路)の縁切り加工時と同様のP偏光に揃えるためにλ/2板214を設けているが、P偏光に揃える必要がなければλ/2板214を省略してもよい。 In the ninth embodiment, λ / in order to align the polarization states of the two first laser beams L1 that perform the edge cutting process of the street C (return path) with the same P polarization as that at the time of the edge cutting process of the street C (outward path). Although the two plates 214 are provided, the λ / 2 plate 214 may be omitted if it is not necessary to align the P polarization.

以上のように第9実施形態では、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向に応じて、第1集光レンズ38を用いた縁切り加工及び第2集光レンズ40を用いた中抜き加工と、第2集光レンズ40を用いた縁切り加工及び第1集光レンズ38を用いた中抜き加工とを切り替えることができる。その結果、上記各実施形態と同様の効果が得られる。 As described above, in the ninth embodiment, the edge cutting process using the first condenser lens 38 and the hollowing process using the second condenser lens 40 are performed according to the relative movement direction of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12. It is possible to switch between the edge cutting process using the second condensing lens 40 and the hollowing process using the first condensing lens 38. As a result, the same effect as that of each of the above embodiments can be obtained.

[第9実施形態の変形例]
<変形例1>
図33は、第9実施形態の変形例1においてウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図34は、第9実施形態の変形例1においてウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。
[Variation example of the ninth embodiment]
<Modification 1>
FIG. 33 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12 in the first modification of the ninth embodiment. FIG. 34 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12 in the first modification of the ninth embodiment.

上記第9実施形態では、レーザ光源22から出射されるレーザ光Lから縁切り加工用の2本の第1レーザ光L1と中抜き加工用の第2レーザ光L2とを形成している。これに対して、図33及び図34に示すように、第9実施形態の変形例1では、上記第4実施形態(図13及び図14参照)と同様に、縁切り加工に対応した第1レーザ光源22Aと中抜き加工に対応した第2レーザ光源22Bとを別個に設けている。なお、上記第4実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。 In the ninth embodiment, two first laser beams L1 for edge cutting and a second laser beam L2 for hollowing are formed from the laser beam L emitted from the laser light source 22. On the other hand, as shown in FIGS. 33 and 34, in the modified example 1 of the ninth embodiment, the first laser corresponding to the edge cutting process is supported as in the fourth embodiment (see FIGS. 13 and 14). The light source 22A and the second laser light source 22B corresponding to the hollowing process are separately provided. Those having the same function or configuration as the fourth embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

このように第9実施形態の変形例1においても縁切り加工に対応した第1レーザ光源22Aと中抜き加工に対応した第2レーザ光源22Bとを別個に設けることで、上記第4実施形態と同様に、縁切り加工及び中抜き加工のそれぞれの加工速度の低下が防止されるので、タクトタイムをより低減させることができる。 As described above, in the first modification of the ninth embodiment, the first laser light source 22A corresponding to the edge cutting process and the second laser light source 22B corresponding to the hollowing process are separately provided, as in the fourth embodiment. In addition, since the reductions in the processing speeds of the edge cutting process and the hollowing process are prevented, the tact time can be further reduced.

<変形例2>
図35は、第9実施形態の変形例2においてウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図36は、第9実施形態の変形例2においてウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動されるレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。
<Modification 2>
FIG. 35 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12 in the second modification of the ninth embodiment. FIG. 36 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 which is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12 in the second modification of the ninth embodiment.

図35及び図36に示すように、第9実施形態の変形例2では、上記変形例1において第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22Bのいずれか一方に不具合が生じた場合でもウェーハ12のレーザ加工を継続可能な機能を有する。具体的には、第9実施形態の変形例2には、上記第5実施形態(図18及び図19参照)と同様に、バイパス光学系72,74が設けられている。なお、上記第5実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。 As shown in FIGS. 35 and 36, in the second modification of the ninth embodiment, even if one of the first laser light source 22A and the second laser light source 22B has a defect in the first modification, the wafer 12 is provided with a defect. It has a function to continue laser processing. Specifically, the second modification of the ninth embodiment is provided with bypass optical systems 72 and 74, as in the fifth embodiment (see FIGS. 18 and 19). Those having the same function or configuration as the fifth embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

このように第9実施形態の変形例2ではバイパス光学系72,74を設けることで、上記第4実施形態と同様に、第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22Bのいずれか一方に不具合が生じた場合でもウェーハ12のレーザ加工を継続することができる。 As described above, in the second modification of the ninth embodiment, by providing the bypass optical systems 72 and 74, one of the first laser light source 22A and the second laser light source 22B has a defect as in the fourth embodiment. Even if it occurs, the laser processing of the wafer 12 can be continued.

<その他>
上記第9実施形態においても上記第2実施形態(図8~図11参照)と同様に、第1回転機構44により2条の縁切り溝18の幅を調整したり、第2回転機構46により第2レーザ光L2の幅を調整したりしてもよい。
<Others>
Also in the ninth embodiment, similarly to the second embodiment (see FIGS. 8 to 11), the width of the edge cutting groove 18 of the two articles is adjusted by the first rotation mechanism 44, and the second rotation mechanism 46 is used to adjust the width of the edge cutting groove 18. 2 The width of the laser beam L2 may be adjusted.

また、上記第9実施形態においても上記第3実施形態(図12参照)と同様に、ミラー37,39B及び移動機構48,49B等を用いて、2本の第1レーザ光L1のスポット及び第2レーザ光L2のスポットのY方向位置を調整可能にしてもよい。 Further, also in the ninth embodiment, as in the third embodiment (see FIG. 12), the spots of the two first laser beams L1 and the second laser beam L1 are used by using the mirrors 37, 39B, the moving mechanisms 48, 49B and the like. 2 The position of the spot of the laser beam L2 in the Y direction may be adjustable.

さらに、上記第9実施形態(変形例1、2を含む)に対して上記第7実施形態及び第8実施形態の構成を適宜組み合わせてもよい。 Further, the configurations of the 7th embodiment and the 8th embodiment may be appropriately combined with the 9th embodiment (including the first and second modifications).

[第10実施形態]
図37は、第10実施形態のレーザ加工装置10のレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。上記第9実施形態では、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向に応じて第1集光レンズ38を用いた縁切り加工及び第2集光レンズ40を用いた中抜き加工と、第2集光レンズ40を用いた縁切り加工及び第1集光レンズ38を用いた中抜き加工とを切り替えている。これに対して、第10実施形態では、上記第9実施形態と同様に縁切り加工を行うと共に、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40の双方を用いた中抜き加工を行う。
[10th Embodiment]
FIG. 37 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 of the laser processing apparatus 10 of the tenth embodiment. In the ninth embodiment, the edge cutting process using the first condenser lens 38, the hollowing process using the second condenser lens 40, and the second collection are performed according to the relative movement direction of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12. The edge cutting process using the optical lens 40 and the hollowing process using the first condensing lens 38 are switched. On the other hand, in the tenth embodiment, the edge cutting process is performed in the same manner as in the ninth embodiment, and the hollowing process is performed using both the first condenser lens 38 and the second condenser lens 40.

第10実施形態のレーザ光学系24は、λ/2板208の機能が一部異なる点を除けば、第9実施形態のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成であるので、上記第9実施形態と機能又は構成上同一のものについては同一符号を付してその説明は省略する。 Since the laser optical system 24 of the tenth embodiment has basically the same configuration as the laser processing apparatus 10 of the ninth embodiment except that the functions of the λ / 2 plate 208 are partially different, the ninth embodiment is described above. Those having the same form and function or configuration are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

第10実施形態のλ/2板208は、既述の制御装置30によって基準角度状態から22.5度回転した半回転状態に設定される。λ/2板208は、半回転状態では、第2光形成素子34から第2レーザ光L2(P偏光)が入射された場合に、第2レーザ光L2の偏光方向を45度回転させる。 The λ / 2 plate 208 of the tenth embodiment is set to a half-rotation state rotated by 22.5 degrees from the reference angle state by the above-mentioned control device 30. In the half-rotation state, the λ / 2 plate 208 rotates the polarization direction of the second laser beam L2 by 45 degrees when the second laser beam L2 (P-polarized light) is incident from the second light forming element 34.

第10実施形態の偏光ビームスプリッタ210は、半回転状態のλ/2板208を通過した第2レーザ光L2のうち、P偏光成分を透過して偏光ビームスプリッタ212に向けて出射すると共に、S偏光成分をミラー220に向けて反射する。これにより、偏光ビームスプリッタ210により第2レーザ光L2が2分割される。偏光ビームスプリッタ210を透過した第2レーザ光L2(P偏光)は、偏光ビームスプリッタ212及びλ/2板214を透過して第2集光レンズ40に導かれる。 The polarization beam splitter 210 of the tenth embodiment transmits the P polarization component of the second laser beam L2 that has passed through the λ / 2 plate 208 in the half-rotation state and emits the light toward the polarization beam splitter 212, and S. The polarization component is reflected toward the mirror 220. As a result, the second laser beam L2 is split into two by the polarization beam splitter 210. The second laser beam L2 (P-polarized light) transmitted through the polarizing beam splitter 210 is transmitted through the polarizing beam splitter 212 and the λ / 2 plate 214 and guided to the second condenser lens 40.

一方、偏光ビームスプリッタ210により反射された第2レーザ光L2(S偏光)は、ミラー220により反射されて偏光ビームスプリッタ202に入射する。そして、第2レーザ光L2(S偏光)は、偏光ビームスプリッタ202によりλ/2板204に向けて反射され、このλ/2板204によりP偏光に変換された後、偏光ビームスプリッタ206を透過して第1集光レンズ38に導かれる。その結果、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40の双方によりストリートC(復路)上に第2レーザ光L2が集光される。 On the other hand, the second laser beam L2 (S-polarized light) reflected by the polarizing beam splitter 210 is reflected by the mirror 220 and incident on the polarizing beam splitter 202. Then, the second laser beam L2 (S polarization) is reflected toward the λ / 2 plate 204 by the polarization beam splitter 202, converted into P polarization by the λ / 2 plate 204, and then transmitted through the polarization beam splitter 206. Then, it is guided to the first condenser lens 38. As a result, the second laser beam L2 is focused on the street C (return path) by both the first condenser lens 38 and the second condenser lens 40.

レーザ光学系24の復路方向側X2への相対移動によりストリートC(復路)に沿って第2集光レンズ40により縁切り加工及び中抜き加工が先行して実行されることで2条の縁切り溝18及び中抜き溝19が先行形成され、続いて第1集光レンズ38により中抜き加工が実行されることで先の中抜き溝19上に再び中抜き溝19が形成される。これにより、加工送り方向において互いに隣り合う第2レーザ光L2のスポットのオーバーラップ率を向上させることができる。 Due to the relative movement of the laser optical system 24 to the return path side X2, the edge cutting process and the hollowing process are executed in advance by the second condenser lens 40 along the street C (return path), so that the edge cutting groove 18 of the two rows is performed. The hollow groove 19 is formed in advance, and then the hollow groove 19 is formed again on the previous hollow groove 19 by performing the hollow processing by the first condenser lens 38. This makes it possible to improve the overlap rate of the spots of the second laser beam L2 adjacent to each other in the processing feed direction.

なお、レーザ光学系24を往路方向側X1に相対移動させる場合には、偏光ビームスプリッタ202にて反射された第2レーザ光L2(S偏光)を、偏光ビームスプリッタ206に入射するまでの間にP偏光に変換する必要がある。この場合には、例えば、偏光ビームスプリッタ202と偏光ビームスプリッタ206との間の第2レーザ光L2の光路上のみにλ/2板(回転状態)を一時的に配置する。これにより、レーザ光学系24の往路方向側X1への相対移動によりストリートC(往路)に沿って第1集光レンズ38により縁切り加工及び中抜き加工が先行して実行され、続いて第2集光レンズ40により中抜き加工が実行される。 When the laser optical system 24 is relatively moved to the outward direction side X1, the second laser beam L2 (S-polarized light) reflected by the polarizing beam splitter 202 is incident on the polarizing beam splitter 206. It is necessary to convert to P polarization. In this case, for example, the λ / 2 plate (rotational state) is temporarily arranged only on the optical path of the second laser beam L2 between the polarizing beam splitter 202 and the polarizing beam splitter 206. As a result, due to the relative movement of the laser optical system 24 toward X1 on the outward path direction, edge cutting and hollowing are performed in advance by the first condenser lens 38 along the street C (outward path), followed by the second collection. Hollowing is performed by the optical lens 40.

以上のように第10実施形態では、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向に応じて、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40のいずれか一方による縁切り加工及び中抜き加工と、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40の他方による中抜き加工と、を含む疑似的な3点同時加工を実行することができる。その結果、ストリートC上での第2レーザ光L2のスポットのオーバーラップ率を向上させることができる。 As described above, in the tenth embodiment, the edge cutting process and the hollowing process by either the first condenser lens 38 or the second condenser lens 40 are performed according to the relative movement direction of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12. , Pseudo three-point simultaneous processing including hollowing processing by the other of the first condensing lens 38 and the second condensing lens 40 can be performed. As a result, the overlap rate of the spots of the second laser beam L2 on the street C can be improved.

なお、ストリートC上での2本の第1レーザ光L1のスポットのオーバーラップ率を向上させる場合には、λ/2板208を半回転状態に設定する代わりに、λ/2板204を半回転状態に設定する。これにより、λ/2板204が偏光ビームスプリッタ202から入射した2本の第1レーザ光L1(P偏光)をP偏光とS偏光とに2分割して偏光ビームスプリッタ206に向けて出射する。その結果、2本の第1レーザ光L1のP偏光が第1集光レンズ38に導かれ、且つS偏光が偏光ビームスプリッタ212(第2集光レンズ40)に導かれる。 In order to improve the overlap rate of the spots of the two first laser beams L1 on the street C, instead of setting the λ / 2 plate 208 to the half rotation state, the λ / 2 plate 204 is half. Set to the rotating state. As a result, the λ / 2 plate 204 divides the two first laser beams L1 (P-polarized light) incident from the polarizing beam splitter 202 into two, P-polarized and S-polarized, and emits them toward the polarized beam splitter 206. As a result, the P polarization of the two first laser beams L1 is guided to the first condenser lens 38, and the S polarization is guided to the polarization beam splitter 212 (second condenser lens 40).

従って、ウェーハ12に対するレーザ光学系24の相対移動方向に応じて、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40のいずれか一方による縁切り加工と、第1集光レンズ38及び第2集光レンズ40の他方による縁切り加工及中抜き加工と、を含む疑似的な3点同時加工を実行することができる。その結果、ストリートC上での2本の第1レーザ光L1のスポットのオーバーラップ率を向上させることができる。 Therefore, depending on the relative movement direction of the laser optical system 24 with respect to the wafer 12, the edge cutting process by either the first condensing lens 38 or the second condensing lens 40 and the first condensing lens 38 and the second condensing lens 40 are performed. It is possible to perform pseudo three-point simultaneous processing including edge cutting processing and hollow processing by the other side of the lens 40. As a result, the overlap rate of the spots of the two first laser beams L1 on the street C can be improved.

<変形例>
上記第10実施形態においても、上記第9実施形態(変形例1、2を含む)と同様に、上記第2実施形態から第8実施形態の構成を適宜組み合わせてもよい。
<Modification example>
Also in the tenth embodiment, the configurations of the second to eighth embodiments may be appropriately combined in the same manner as in the ninth embodiment (including the first and second modifications).

[第11実施形態]
図38は、ウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動される第11実施形態のレーザ加工装置10のレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図39は、図38中の点線円K1内の拡大図である。図40は、ウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動される第11実施形態のレーザ加工装置10のレーザ光学系24による縁切り加工及び中抜き加工を説明するための説明図である。図41は、図40中の点線円K2内の拡大図である。
[11th Embodiment]
FIG. 38 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 of the laser processing apparatus 10 of the eleventh embodiment, which is relatively moved to the outward direction side X1 with respect to the wafer 12. FIG. 39 is an enlarged view of the dotted circle K1 in FIG. 38. FIG. 40 is an explanatory diagram for explaining edge cutting and hollowing by the laser optical system 24 of the laser processing apparatus 10 of the eleventh embodiment, which is relatively moved to the return direction side X2 with respect to the wafer 12. FIG. 41 is an enlarged view of the dotted circle K2 in FIG. 40.

上記各実施形態では、ウェーハ12に対してレーザ光学系24を往路方向側X1と復路方向側X2とに相対移動させながら複数の各種レンズを用いて縁切り加工及び中抜き加工を実行している。これに対して第11実施形態では、ウェーハ12に対してレーザ光学系24を往路方向側X1と復路方向側X2とに相対移動させながら1個の第1集光レンズ38のみを用いて縁切り加工及び中抜き加工を実行する。 In each of the above embodiments, edge cutting and hollowing are performed using a plurality of various lenses while the laser optical system 24 is relatively moved to the outward direction side X1 and the inbound direction side X2 with respect to the wafer 12. On the other hand, in the eleventh embodiment, the laser optical system 24 is moved relative to the outward path side X1 and the return path direction side X2 with respect to the wafer 12, and the edge cutting process is performed using only one first condensing lens 38. And perform hollowing.

図38から図41に示すように、第11実施形態のレーザ光学系24は、第1集光レンズ38及び接続光学系200Aを備えると共に、第1光形成素子32が2本の第1レーザ光L1(S偏光)を生成し且つ第2光形成素子34が第2レーザ光L2(P偏光)を生成する点を除けば、上記各実施形態のレーザ加工装置10と基本的に同じ構成である。このため、上記各実施形態と機能又は構成上同一のものについては同一符号を付してその説明は省略する。 As shown in FIGS. 38 to 41, the laser optical system 24 of the eleventh embodiment includes a first condensing lens 38 and a connection optical system 200A, and the first light forming element 32 has two first laser beams. The configuration is basically the same as that of the laser processing apparatus 10 of each of the above-described embodiments, except that L1 (S-polarized light) is generated and the second light forming element 34 generates the second laser light L2 (P-polarized light). .. Therefore, those having the same function or configuration as each of the above embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

第11実施形態の第1集光レンズ38は、後述の接続光学系200Aから入射される2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2をストリートC上に集光させる。なお、図39及び図41中の符号OPは第1集光レンズ38の光軸を示し、符号SPAは2本の第1レーザ光L1のスポットを示し、符号SPBは第2レーザ光L2のスポットを示す。 The first condensing lens 38 of the eleventh embodiment condenses the two first laser beams L1 and the second laser beam L2 incident from the connection optical system 200A described later on the street C. The reference numeral OP in FIGS. 39 and 41 indicates the optical axis of the first condensing lens 38, the reference numeral SPA indicates the spots of the two first laser beams L1, and the reference numeral SPB indicates the spot of the second laser beam L2. Is shown.

接続光学系200Aは、第1光形成素子32から出射された2本の第1レーザ光L1と、第2光形成素子34から出射された第2レーザ光L2とを第1集光レンズ38に導く。この際に接続光学系200Aは、相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動させる場合には、2本の第1レーザ光L1のスポットSPAを第2レーザ光L2のスポットSPBに対して往路方向側X1に相対的にシフトさせる。また逆に接続光学系200Aは、相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動させる場合には、2本の第1レーザ光L1のスポットSPAを第2レーザ光L2のスポットSPBに対して復路方向側X2に相対的にシフトさせる。 In the connection optical system 200A, the two first laser beams L1 emitted from the first light forming element 32 and the second laser light L2 emitted from the second light forming element 34 are combined with the first condenser lens 38. Guide. At this time, in the connection optical system 200A, when the relative movement mechanism 28 moves the laser optical system 24 relative to the wafer 12 on the outward direction side X1, the spot SPA of the two first laser beams L1 is second. The spot SPB of the laser beam L2 is shifted relative to the outward direction side X1. On the contrary, in the connection optical system 200A, when the relative movement mechanism 28 moves the laser optical system 24 relative to the wafer 12 on the return direction side X2, the spot SPA of the two first laser beams L1 is second. The spot SPB of the laser beam L2 is shifted relative to the return direction side X2.

接続光学系200Aは、シフト素子230と、ミラー232と、偏光ビームスプリッタ234と、を備える。 The connection optical system 200A includes a shift element 230, a mirror 232, and a polarization beam splitter 234.

シフト素子230及びミラー232は、第1光形成素子32から偏光ビームスプリッタ234に至る光路上に配置されている。 The shift element 230 and the mirror 232 are arranged on the optical path from the first light forming element 32 to the polarizing beam splitter 234.

シフト素子230は、例えば複数のプリズム(シフトプリズム)或いは複数のミラー等により構成されており、第1光形成素子32から入射した2本の第1レーザ光L1をX方向にシフトした後、この2本の第1レーザ光L1をZ方向下方側に位置するミラー232に向けて出射する。このシフト素子230をZ軸周りに回転させることで、2本の第1レーザ光L1のシフト方向を任意に調整することができる。シフト素子230は、Z軸の軸周り方向において、第1角度位置にセットされた場合に2本の第1レーザ光L1を往路方向側X1にシフトさせ、第1角度位置から180度回転した第2角度位置にセットされた場合に2本の第1レーザ光L1を復路方向側X2にシフトさせる。 The shift element 230 is composed of, for example, a plurality of prisms (shift prisms) or a plurality of mirrors, and after shifting the two first laser beams L1 incident from the first light forming element 32 in the X direction, the shift element 230 is formed. The two first laser beams L1 are emitted toward the mirror 232 located on the lower side in the Z direction. By rotating the shift element 230 around the Z axis, the shift directions of the two first laser beams L1 can be arbitrarily adjusted. When the shift element 230 is set at the first angle position in the Z-axis axial direction, the shift element 230 shifts the two first laser beams L1 to the outward direction side X1 and rotates 180 degrees from the first angle position. When set at two angle positions, the two first laser beams L1 are shifted to the return direction side X2.

ミラー232は、シフト素子230から入射した2本の第1レーザ光L1を偏光ビームスプリッタ234に導く。 The mirror 232 guides the two first laser beams L1 incident from the shift element 230 to the polarizing beam splitter 234.

偏光ビームスプリッタ234は、第2光形成素子34から第1集光レンズ38に至る光路上に配置されている。この偏光ビームスプリッタ234は、ミラー232から入射した2本の第1レーザ光L1(S偏光)を第1集光レンズ38に向けて反射すると共に、第2光形成素子34から入射した第2レーザ光L2(P偏光)を透過して第1集光レンズ38へ出射する。これにより、第1集光レンズ38によりストリートC上に2本の第1レーザ光L1及び第2レーザ光L2が集光される。 The polarization beam splitter 234 is arranged on the optical path from the second light forming element 34 to the first condensing lens 38. The polarized beam splitter 234 reflects the two first laser beams L1 (S-polarized light) incident from the mirror 232 toward the first condenser lens 38, and the second laser incident from the second light forming element 34. Light L2 (P-polarized light) is transmitted and emitted to the first condenser lens 38. As a result, the two first laser beams L1 and the second laser beam L2 are focused on the street C by the first condenser lens 38.

図38及び図39に示すように、第11実施形態の制御装置30は、ストリートC(往路)のレーザ加工を行う場合、すなわち相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して往路方向側X1に相対移動させる場合に、シフト素子230を第1角度位置にセットする。これにより、ストリートC(往路)上において、2本の第1レーザ光L1のスポットSPAが第2レーザ光L2のスポットSPBに対して往路方向側X1にシフトされる。その結果、上記各実施形態と同様に、レーザ光学系24の往路方向側X1への相対移動によりストリートC(往路)に沿って縁切り加工が先行して実行され、続いて中抜き加工が実行される。 As shown in FIGS. 38 and 39, in the control device 30 of the eleventh embodiment, when laser processing of the street C (outward path) is performed, that is, the relative moving mechanism 28 moves the laser optical system 24 with respect to the wafer 12 in the outward path direction. When moving relative to the side X1, the shift element 230 is set at the first angle position. As a result, on the street C (outward route), the spot SPAs of the two first laser beams L1 are shifted to the outward route direction X1 with respect to the spot SPB of the second laser beam L2. As a result, as in each of the above embodiments, the edge cutting process is executed in advance along the street C (outward path) due to the relative movement of the laser optical system 24 to the outward path direction side X1, and then the hollowing process is executed. Ru.

図40及び図41に示すように、第11実施形態の制御装置30は、ストリートC(復路)のレーザ加工を行う場合、すなわち相対移動機構28がレーザ光学系24をウェーハ12に対して復路方向側X2に相対移動させる場合に、シフト素子230を第2角度位置にセットする。これにより、ストリートC(復路)上において、2本の第1レーザ光L1のスポットSPAが第2レーザ光L2のスポットSPBに対して復路方向側X2にシフトされる。その結果、上記各実施形態と同様に、レーザ光学系24の復路方向側X2への相対移動によりストリートC(復路)に沿って縁切り加工が先行して実行され、続いて中抜き加工が実行される。 As shown in FIGS. 40 and 41, in the control device 30 of the eleventh embodiment, when laser processing of the street C (return path) is performed, that is, the relative movement mechanism 28 moves the laser optical system 24 with respect to the wafer 12 in the return path direction. When moving relative to the side X2, the shift element 230 is set at the second angle position. As a result, on the street C (return path), the spot SPAs of the two first laser beams L1 are shifted to the return path direction X2 with respect to the spot SPB of the second laser beam L2. As a result, as in each of the above embodiments, the edge cutting process is executed in advance along the street C (return path) due to the relative movement of the laser optical system 24 to the return path side X2, and then the hollowing process is executed. Ru.

以上のように第11実施形態では、シフト素子230により2本の第1レーザ光L1を第2レーザ光L2に対して加工送り方向側に相対的にシフトさせることで、1個の第1集光レンズ38によりストリートC(往路及び復路)の縁切り加工及び中抜き加工を実行することができる。その結果、上記各実施形態と同様の効果が得られる。 As described above, in the eleventh embodiment, the shift element 230 shifts the two first laser beams L1 relative to the second laser beam L2 in the processing feed direction side, whereby one first collection is obtained. The optical lens 38 can perform edge cutting and hollowing of street C (outward and inbound). As a result, the same effect as that of each of the above embodiments can be obtained.

<変形例>
上記第11実施形態では、シフト素子230により2本の第1レーザ光L1(スポットSPA)をシフトさせているが、第2レーザ光L2(スポットSPB)を加工送り方向とは反対方向側にシフトさせてもよい。
<Modification example>
In the eleventh embodiment, the two first laser beams L1 (spot SPA) are shifted by the shift element 230, but the second laser beam L2 (spot SPB) is shifted to the side opposite to the processing feed direction. You may let me.

図42は、第11実施形態の変形例を説明するための説明図である。図42の符号XLIIA及び符号XLIIBに示すように、第11実施形態においても、上記第2実施形態(図8~図11参照)と同様に、第1回転機構44により2条の縁切り溝18の幅を調整したり、第2回転機構46により第2レーザ光L2の幅を調整したりしてもよい。 FIG. 42 is an explanatory diagram for explaining a modified example of the eleventh embodiment. As shown by the reference numerals XLIIA and the reference numeral XLIIB in FIG. 42, in the eleventh embodiment as well as in the second embodiment (see FIGS. 8 to 11), the first rotation mechanism 44 allows the two edge cutting grooves 18 to be formed. The width may be adjusted, or the width of the second laser beam L2 may be adjusted by the second rotation mechanism 46.

また、上記第11実施形態においても、上記第4実施形態、第5実施形態、第7実施形態、及び第8実施形態の構成を適宜組み合わせてもよい。 Further, also in the eleventh embodiment, the configurations of the fourth embodiment, the fifth embodiment, the seventh embodiment, and the eighth embodiment may be appropriately combined.

[その他]
上記各実施形態では、各安全シャッタ100,100A,100Bを光路上に挿脱させることで縁切り加工及び中抜き加工のオフオンを切り替えているが、レーザ光源22(第1レーザ光源22A及び第2レーザ光源22B)をオンオフさせることで縁切り加工及び中抜き加工のオンオフを切り替えてもよい。
[others]
In each of the above embodiments, the safety shutters 100, 100A, and 100B are inserted and removed on the optical path to switch off / on of the edge cutting process and the hollowing process, but the laser light source 22 (first laser light source 22A and second laser) is switched. By turning the light source 22B) on and off, the edge cutting process and the hollowing process may be switched on and off.

[付記]
上記に詳述した実施形態についての記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す発明を含む多様な技術思想の開示を含んでいる。
[Additional Notes]
As can be seen from the description of the embodiments detailed above, the present specification includes disclosure of various technical ideas including the inventions shown below.

(付記項1)
ウェーハを保持するテーブルと、前記テーブルに対向する位置に配置されたレーザ光学系とを前記ウェーハのストリートに沿った加工送り方向に相対移動させつつレーザ光学系からレーザ光を前記ウェーハに照射することにより、前記ストリートに沿って互いに平行な2条の第1溝を形成する縁切り加工と、前記2条の第1溝の間に第2溝を形成する中抜き加工と、を前記ストリートごとに行うレーザ加工装置において、
前記レーザ光学系が、
前記縁切り加工に対応する2本の第1レーザ光と、前記中抜き加工に対応する第2レーザ光と、を出射するレーザ光出射系と、
前記2本の第1レーザ光及び前記第2レーザ光を加工対象の前記ストリートに集光させる集光光学系と、
を備え、
前記集光光学系が、前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記加工送り方向の往路方向側に相対移動される場合には、前記2本の第1レーザ光を前記第2レーザ光に対して前記往路方向側に相対的にシフトした位置で前記ストリートに集光させ、且つ前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記加工送り方向の復路方向側に相対移動される場合には、前記2本の第1レーザ光を前記第2レーザ光に対して前記復路方向側に相対的にシフトした位置で前記ストリートに集光させるレーザ加工装置。
(Appendix 1)
To irradiate the wafer with laser light from the laser optical system while relatively moving the table holding the wafer and the laser optical system arranged at a position facing the table in the machining feed direction along the street of the wafer. The edge cutting process for forming the first groove of the two rows parallel to each other along the street and the hollowing process for forming the second groove between the first grooves of the two rows are performed for each street. In laser processing equipment
The laser optical system
A laser light emitting system that emits two first laser beams corresponding to the edge cutting process and a second laser beam corresponding to the hollowing process.
A condensing optical system that concentrates the two first laser beams and the second laser beam on the street to be processed, and
Equipped with
When the condensing optical system moves relative to the table in the outward path direction of the processing feed direction, the two first laser beams are directed to the second laser beam. When the laser optical system is focused on the street at a position relatively shifted toward the outward path direction and the laser optical system is relatively moved toward the return path direction in the processing feed direction with respect to the table, the above 2). A laser processing device that focuses the first laser beam of a book on the street at a position relatively shifted toward the return path side with respect to the second laser beam.

(付記項2)
前記集光光学系が、
前記2本の第1レーザ光を前記ウェーハに集光させる第1集光レンズと、
前記第1集光レンズを間に挟んで前記第1集光レンズと共に前記加工送り方向に沿って一列に配置された2個の第2集光レンズであって、第2集光レンズごとに前記第2レーザ光を前記ウェーハに集光させる2個の第2集光レンズと、
前記レーザ光出射系から出射された前記2本の第1レーザ光を前記第1集光レンズに導き且つ前記レーザ光出射系から出射された前記第2レーザ光を2個の前記第2集光レンズに選択的に導く接続光学系と、
を備え、
前記接続光学系が、前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記往路方向側に相対移動される場合に、前記第2レーザ光を前記第1集光レンズに対して前記復路方向側に位置する前記第2集光レンズに導き、且つ前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記復路方向側に相対移動される場合に、前記第2レーザ光を前記第1集光レンズに対して前記往路方向側に位置する前記第2集光レンズに導く付記項1に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 2)
The condensing optical system
A first condensing lens that condenses the two first laser beams on the wafer, and
Two second condensing lenses arranged in a row along with the first condensing lens with the first condensing lens sandwiched between them, and the second condensing lens is described for each second condensing lens. Two second condensing lenses that condense the second laser beam on the wafer, and
The two first laser beams emitted from the laser light emitting system are guided to the first focusing lens, and the second laser light emitted from the laser light emitting system is directed to the two second focusing lenses. The connection optical system that selectively guides the lens,
Equipped with
When the laser optical system is relatively moved toward the outward path side with respect to the table, the connecting optical system positions the second laser beam on the return path direction side with respect to the first condenser lens. When the laser optical system is guided to the second condenser lens and the laser optical system is relatively moved toward the return path side with respect to the table, the second laser beam is directed to the outward path direction with respect to the first condenser lens. The laser processing apparatus according to Supplementary Item 1, which leads to the second condenser lens located on the side.

(付記項3)
前記集光光学系が、
前記加工送り方向に沿って一列に配置された2個の第1集光レンズであって、第1集光レンズごとに前記2本の第1レーザ光を前記ウェーハに集光させる2個の第1集光レンズと、
2個の前記第1集光レンズの間に配置された第2集光レンズであって、前記第2レーザ光を前記ウェーハに集光させる第2集光レンズと、
前記レーザ光出射系から出射された前記2本の第1レーザ光を2個の前記第1集光レンズに選択的に導き且つ前記レーザ光出射系から出射された前記第2レーザ光を前記第2集光レンズに導く接続光学系と、
を備え、
前記接続光学系が、前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記往路方向側に相対移動される場合に、前記2本の第1レーザ光を前記第2集光レンズに対して前記往路方向側に位置する前記第1集光レンズに導き、且つ前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記復路方向側に相対移動される場合に、前記2本の第1レーザ光を前記第2集光レンズに対して前記復路方向側に位置する前記第1集光レンズに導く付記項1に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 3)
The condensing optical system
Two first condensing lenses arranged in a row along the processing feed direction, and two first condensing lenses for condensing the two first laser beams on the wafer for each first condensing lens. 1 condenser lens and
A second condenser lens arranged between the two first condenser lenses, the second condenser lens that concentrates the second laser beam on the wafer, and the second condenser lens.
The two first laser beams emitted from the laser beam emitting system are selectively guided to the two first focusing lenses, and the second laser beam emitted from the laser beam emitting system is referred to as the first laser beam. 2 The connection optical system that leads to the condenser lens and
Equipped with
When the connecting optical system moves the laser optical system relative to the table in the outward path direction, the two first laser beams are directed to the outward path direction side with respect to the second condenser lens. When the laser optical system is moved relative to the table in the return path direction, the two first laser beams are transferred to the second condenser lens. The laser processing apparatus according to Supplementary Item 1, which leads to the first condensing lens located on the return path side.

(付記項4)
前記集光光学系が、
前記加工送り方向に沿って一列に配置された2個の集光レンズと、
前記レーザ光出射系から出射された前記2本の第1レーザ光及び前記第2レーザ光を前記集光レンズに導く接続光学系と、
を備え、
前記接続光学系が、前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記往路方向側に相対移動される場合に、前記2本の第1レーザ光を前記往路方向側の前記集光レンズに導き且つ前記第2レーザ光を前記復路方向側の前記集光レンズに導き、前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記復路方向側に相対移動される場合に、前記2本の第1レーザ光を前記復路方向側の前記集光レンズに導き且つ前記第2レーザ光を前記往路方向側の前記集光レンズに導く付記項1に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 4)
The condensing optical system
Two condenser lenses arranged in a row along the processing feed direction, and
A connecting optical system that guides the two first laser beams and the second laser beam emitted from the laser beam emitting system to the condenser lens.
Equipped with
When the connecting optical system moves the laser optical system relative to the outward path side with respect to the table, the two first laser beams are guided to the condenser lens on the outward path direction side and said. When the second laser beam is guided to the condenser lens on the return path direction and the laser optical system is relatively moved toward the return path direction with respect to the table, the two first laser beams are transferred to the return path. The laser processing apparatus according to Appendix 1, which guides the condensing lens on the direction side and guides the second laser beam to the condensing lens on the outward direction side.

(付記項5)
前記接続光学系が、前記2本の第1レーザ光及び前記第2レーザ光のいずれか一方を2分割して、前記一方を2個の前記集光レンズの双方に導く付記項4に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 5)
Item 4. The appendix 4 wherein the connecting optical system divides one of the two first laser beams and the second laser beam into two and guides the one to both of the two condenser lenses. Laser processing equipment.

(付記項6)
前記集光光学系が、
集光レンズと、
前記レーザ光出射系から出射された前記2本の第1レーザ光及び前記第2レーザ光を前記集光レンズに導く接続光学系と、
を備え、
前記接続光学系が、前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記往路方向側に相対移動される場合に、前記2本の第1レーザ光に対して前記第2レーザ光を前記復路方向側に相対的にシフトさせ、且つ前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記復路方向側に相対移動される場合に、前記2本の第1レーザ光に対して前記第2レーザ光を前記往路方向側に相対的にシフトさせるシフト素子を備える付記項1に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 6)
The condensing optical system
Condensing lens and
A connecting optical system that guides the two first laser beams and the second laser beam emitted from the laser beam emitting system to the condenser lens.
Equipped with
When the connecting optical system moves the laser optical system relative to the table in the outward path direction, the second laser beam is directed to the return path side with respect to the two first laser beams. When the laser optical system is relatively shifted and the laser optical system is relatively moved toward the return path side with respect to the table, the second laser beam is directed to the outward path direction side with respect to the two first laser beams. Item 2. The laser processing apparatus according to Item 1, further comprising a shift element that shifts relative to.

(付記項7)
前記第1集光レンズを、前記テーブルに平行で且つ前記加工送り方向に垂直な垂直方向に移動させる第1移動機構と、
前記第2集光レンズを、前記垂直方向に移動させる第2移動機構と、
を備える付記項2又は3に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 7)
A first moving mechanism that moves the first condenser lens in a vertical direction parallel to the table and perpendicular to the processing feed direction.
A second moving mechanism that moves the second condenser lens in the vertical direction,
2. The laser processing apparatus according to Supplementary Item 2 or 3.

(付記項8)
前記集光レンズを、前記テーブルに平行で且つ前記加工送り方向に垂直な垂直方向に移動させる移動機構を備える付記項4又は5に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 8)
The laser processing apparatus according to annex 4 or 5, further comprising a moving mechanism for moving the condenser lens in a vertical direction parallel to the table and perpendicular to the processing feed direction.

(付記項9)
前記レーザ光出射系が、
レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を2分岐させる分岐素子と、
前記分岐素子により2分岐された前記レーザ光の一方から前記2本の第1レーザ光を形成する第1光形成素子と、
前記分岐素子により2分岐された前記レーザ光の他方から前記第2レーザ光を形成する第2光形成素子と、
を備える付記項1から8のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 9)
The laser light emitting system
A laser light source that emits laser light and
A branching element that bifurcates the laser beam emitted from the laser light source, and
A first light forming element that forms the two first laser beams from one of the laser beams branched into two by the branching element.
A second light forming element that forms the second laser beam from the other side of the laser beam branched into two by the branching element.
The laser processing apparatus according to any one of Supplementary Items 1 to 8.

(付記項10)
前記レーザ光出射系が、
前記縁切り加工に対応する条件のレーザ光を出射する第1レーザ光源と、
前記中抜き加工に対応する条件のレーザ光を出射する第2レーザ光源と、
前記第1レーザ光源から出射された前記レーザ光から前記2本の第1レーザ光を形成する第1光形成素子と、
前記第2レーザ光源から出射された前記レーザ光から前記第2レーザ光を形成する第2光形成素子と、
を備える付記項1から8のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 10)
The laser light emitting system
A first laser light source that emits a laser beam under the conditions corresponding to the edge cutting process,
A second laser light source that emits a laser beam under the conditions corresponding to the hollowing process, and
A first light forming element that forms the two first laser beams from the laser light emitted from the first laser light source.
A second light forming element that forms the second laser beam from the laser beam emitted from the second laser light source, and
The laser processing apparatus according to any one of Supplementary Items 1 to 8.

(付記項11)
前記第1レーザ光源に不具合が生じた場合に前記第2レーザ光源から出射された前記レーザ光を2分岐して前記第1光形成素子及び前記第2光形成素子に出射し、且つ前記第2レーザ光源に不具合が生じた場合に前記第1レーザ光源から出射された前記レーザ光を2分岐して前記第1光形成素子及び前記第2光形成素子に出射するバイパス光学系を備える付記項10に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 11)
When a problem occurs in the first laser light source, the laser light emitted from the second laser light source is branched into two and emitted to the first light forming element and the second light forming element, and the second one. Appendix 10 comprising a bypass optical system that branches the laser light emitted from the first laser light source into two and emits the laser light to the first light forming element and the second light forming element when a defect occurs in the laser light source. The laser processing apparatus described in.

(付記項12)
前記第1光形成素子を、前記第1光形成素子の光軸を中心とする軸周り方向に回転させる第1回転機構を備える付記項9から11のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 12)
The laser processing apparatus according to any one of Items 9 to 11, further comprising a first rotation mechanism for rotating the first light forming element in a direction around an axis about the optical axis of the first light forming element.

(付記項13)
前記第2光形成素子が、前記ウェーハに非円形状のスポットを形成する前記第2レーザ光を形成し、
前記第2光形成素子を、前記第2光形成素子の光軸を中心とする軸周り方向に回転させる第2回転機構と、
を備える付記項9から12のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 13)
The second light forming element forms the second laser beam that forms a non-circular spot on the wafer.
A second rotation mechanism that rotates the second light forming element in a direction around the axis centered on the optical axis of the second light forming element.
The laser processing apparatus according to any one of Supplementary Items 9 to 12.

(付記項14)
前記テーブルに平行で且つ互いに直交する方向を第1方向及び第2方向とした場合に、前記第2光形成素子が、前記第1方向においてトップハット形状の強度分布を有し且つ前記第2方向においてガウシアン形状の強度分布を有する前記第2レーザ光を形成する付記項9から13のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 14)
When the directions parallel to the table and orthogonal to each other are the first direction and the second direction, the second light forming element has a top hat-shaped intensity distribution in the first direction and the second direction. The laser processing apparatus according to any one of Supplementary Items 9 to 13, which forms the second laser beam having a Gaussian-shaped intensity distribution in the above.

(付記項15)
前記集光光学系が、
前記2本の第1レーザ光を前記ウェーハに集光させる第1集光レンズが前記加工送り方向に沿って複数配置されている第1集光レンズ群と、
前記第1集光レンズ群を間に挟んで前記第1集光レンズ群と共に前記加工送り方向に沿って一列に配置された2組の第2集光レンズ群であって、第2集光レンズ群ごとに前記第2レーザ光を前記ウェーハに集光させる第2集光レンズが前記加工送り方向に沿って複数配置されている第2集光レンズ群と、
前記レーザ光出射系から出射された前記2本の第1レーザ光を前記第1集光レンズ群に導き且つ前記レーザ光出射系から出射された前記第2レーザ光を2組の前記第2集光レンズ群に選択的に導く接続光学系と、
を備え、
前記接続光学系が、前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記往路方向側に相対移動される場合に、前記第2レーザ光を前記第1集光レンズ群に対して前記復路方向側に位置する前記第2集光レンズ群に導き、且つ前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記復路方向側に相対移動される場合に、前記第2レーザ光を前記第1集光レンズ群に対して前記往路方向側に位置する前記第2集光レンズ群に導く付記項1に記載のレーザ加工装置。
(Appendix 15)
The condensing optical system
A group of first condensing lenses in which a plurality of first condensing lenses for condensing the two first laser beams on the wafer are arranged along the processing feed direction.
Two sets of second condensing lenses arranged in a row along with the first condensing lens group with the first condensing lens group sandwiched between them, the second condensing lens. A second condenser lens group in which a plurality of second condenser lenses for condensing the second laser beam on the wafer are arranged along the processing feed direction for each group.
The two first laser beams emitted from the laser light emitting system are guided to the first condenser lens group, and the second laser light emitted from the laser light emitting system is combined with two sets of the second collection. A connection optical system that selectively guides the optical lens group,
Equipped with
When the laser optical system is relatively moved toward the outward path side with respect to the table, the connecting optical system positions the second laser beam on the return path direction side with respect to the first condenser lens group. When the laser optical system is relatively moved toward the return path side with respect to the table, the second laser beam is directed to the first condenser lens group. Item 2. The laser processing apparatus according to Supplementary Item 1, which leads to the second condenser lens group located on the outward path direction side.

10 レーザ加工装置
12 ウェーハ
14 チップ
16 デバイス
18 縁切り溝
19 中抜き溝
20 テーブル
22 レーザ光源
22A 第1レーザ光源
22B 第2レーザ光源
24 レーザ光学系
26 顕微鏡
28 相対移動機構
30 制御装置
31 分岐素子
32 第1光形成素子
34 第2光形成素子
36 接続切替素子
37 ミラー
38,38A,38B 第1集光レンズ
39A,39B ミラー
40,40A,40B 第2集光レンズ
44 第1回転機構
46 第2回転機構
47A 第1高速シャッタ
47B 第2高速シャッタ
47C 高速シャッタ駆動機構
48,49A,49B 移動機構
52 λ/2板
53 板回転機構
54 偏光ビームスプリッタ
58 ハーフミラー
60 ミラー
62A,62B シャッタ
64 シャッタ駆動機構
66A,66B ミラー
68 ミラー駆動機構
72,74 バイパス光学系
100 安全シャッタ
100A 第1安全シャッタ
100B 第2安全シャッタ
102,102A 安全シャッタ駆動機構
110 ブレード
120 第1集光レンズ群
120A,120B,122A,122B 第2集光レンズ群
124,126A,126B 分岐素子
200,200A 接続光学系
202 偏光ビームスプリッタ
204 2板
206 偏光ビームスプリッタ
208 λ/2板
210,212 偏光ビームスプリッタ
214 λ/2板
220,222 ミラー
230 シフト素子
232 ミラー
234 偏光ビームスプリッタ
C ストリート
L レーザ光
L1 第1レーザ光
L2 第2レーザ光
LA,LB レーザ光
SP,SP1,SP2,SP3,SPA,SPB スポット
X1 往路方向側
X2 復路方向側
10 Laser processing equipment 12 Wafer 14 Chip 16 Device 18 Edge cutting groove 19 Drilling groove 20 Table 22 Laser light source 22A First laser light source 22B Second laser light source 24 Laser optical system 26 Microscope 28 Relative movement mechanism 30 Control device 31 Branch element 32 No. 1 Optical forming element 34 2nd optical forming element 36 Connection switching element 37 Mirror 38, 38A, 38B 1st condensing lens 39A, 39B Mirror 40, 40A, 40B 2nd condensing lens 44 1st rotation mechanism 46 2nd rotation mechanism 47A 1st high-speed shutter 47B 2nd high-speed shutter 47C High-speed shutter drive mechanism 48, 49A, 49B Movement mechanism 52 λ / 2 plate 53 Plate rotation mechanism 54 Polarization beam splitter 58 Half mirror 60 Mirror 62A, 62B Shutter 64 Shutter drive mechanism 66A, 66B Mirror 68 Mirror drive mechanism 72,74 Bypass optical system 100 Safety shutter 100A First safety shutter 100B Second safety shutter 102,102A Safety shutter drive mechanism 110 Blade 120 First condenser lens group 120A, 120B, 122A, 122B Second Condensing lens group 124,126A, 126B Branching element 200,200A Connecting optical system 202 Splitting beam splitter 204 2 plates 206 Splitting beam splitter 208 λ / 2 plates 210, 212 Polarizing beam splitter 214 λ / 2 plates 220, 222 Mirror 230 shift Element 232 Mirror 234 Polarization beam splitter C Street L Laser light L1 First laser light L2 Second laser light LA, LB Laser light SP, SP1, SP2, SP3, SPA, SPB Spot X1 Outward route side X2 Inbound route side

Claims (1)

ウェーハを保持するテーブルと、前記テーブルに対向する位置に配置されたレーザ光学系とを前記ウェーハのストリートに沿った加工送り方向に相対移動させつつレーザ光学系からレーザ光を前記ウェーハに照射することにより、前記ストリートに沿って互いに平行な2条の第1溝を形成する縁切り加工と、前記2条の第1溝の間に第2溝を形成する中抜き加工と、を前記ストリートごとに行うレーザ加工装置において、
前記レーザ光学系が、
前記縁切り加工に対応する2本の第1レーザ光と、前記中抜き加工に対応する第2レーザ光と、を出射するレーザ光出射系と、
前記加工送り方向に沿って一列に配置された2個の集光レンズと、
前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記加工送り方向の往路方向側に相対移動される場合に、前記2本の第1レーザ光を前記往路方向側の前記集光レンズに導き且つ前記第2レーザ光を前記加工送り方向の復路方向側の前記集光レンズに導き、前記テーブルに対して前記レーザ光学系が前記復路方向側に相対移動される場合に、前記2本の第1レーザ光を前記復路方向側の前記集光レンズに導き且つ前記第2レーザ光を前記往路方向側の前記集光レンズに導く接続光学系と、
を備え、
さらに前記接続光学系が、前記2本の第1レーザ光及び前記第2レーザ光のいずれか一方を2分割して、前記一方を2個の前記集光レンズの双方に導くレーザ加工装置。
To irradiate the wafer with laser light from the laser optical system while relatively moving the table holding the wafer and the laser optical system arranged at a position facing the table in the machining feed direction along the street of the wafer. The edge cutting process for forming the first groove of the two rows parallel to each other along the street and the hollowing process for forming the second groove between the first grooves of the two rows are performed for each street. In laser processing equipment
The laser optical system
A laser light emitting system that emits two first laser beams corresponding to the edge cutting process and a second laser beam corresponding to the hollowing process.
Two condenser lenses arranged in a row along the processing feed direction, and
When the laser optical system is relatively moved toward the outward path side in the processing feed direction with respect to the table, the two first laser beams are guided to the condenser lens on the outward path direction side and the second laser beam is directed to the condenser lens. When the laser beam is guided to the condenser lens on the return path side in the processing feed direction and the laser optical system is relatively moved toward the return path direction with respect to the table, the two first laser beams are emitted. A connecting optical system that guides the second laser beam to the condenser lens on the return direction side and guides the second laser beam to the condenser lens on the outward path direction side.
Equipped with
Further, the connecting optical system divides one of the two first laser beams and the second laser beam into two, and guides the one to both of the two condenser lenses.
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