JP2022026724A - Scribe line formation method, dividing method of brittle substrate, scribe line formation device, and small substrate - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 235
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 101150081985 scrib gene Proteins 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
- B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/54—Glass
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Abstract
Description
本発明は、ガラスなどの脆性基板にレーザ光を照射してスクライブラインを形成する方法、脆性基板を分断する分断方法、レーザ光の照射によりスクライブラインを形成するスクライブライン形成装置、及び、脆性基板から切り出される小基板に関する。 The present invention relates to a method of irradiating a brittle substrate such as glass with a laser beam to form a scribe line, a method of dividing a brittle substrate, a scrib line forming apparatus for forming a scribe line by irradiation with a laser beam, and a brittle substrate. Regarding the small substrate cut out from.
ガラスなどの脆性基板から任意形状の小基板を切り出すためのスクライブラインを形成する方法として、スクライブラインを形成する加工線に沿ってレーザ光を走査させる方法が知られている。例えば、近赤外領域の波長を有するパルスレーザ光を脆性基板上にて加工線に沿って走査することで、当該加工線に沿ってスクライブラインを形成する方法が知られている(例えば、特許文献1を参照)。 As a method of forming a scribe line for cutting out a small substrate having an arbitrary shape from a brittle substrate such as glass, a method of scanning a laser beam along a processing line forming the scribe line is known. For example, a method is known in which a pulsed laser beam having a wavelength in the near infrared region is scanned along a processing line on a brittle substrate to form a scribing line along the processing line (for example, a patent). See Document 1).
レーザ光を用いてスクライブラインを形成する従来の方法では、レーザ光の照射条件が最適化されておらず、スクライブラインに沿って切り出した後の基板の品質が高くなかった。具体的には、従来の方法でスクライブラインを形成した場合には、切り出し後の基板の断面に大きな凹凸やボイド(穴)が形成されていた。また、切り出し後の基板の端面強度が十分ではなく、切り出し後の基板が破損しやすかった。
さらに、従来の方法によりスクライブラインを形成した場合、スクライブラインに沿って基板を切り出す際に基板に対して力を加える必要があったため、基板の切り出しが容易でなかった。
In the conventional method of forming a scribe line using laser light, the irradiation conditions of the laser light are not optimized, and the quality of the substrate after cutting along the scribe line is not high. Specifically, when the scribe line was formed by the conventional method, large irregularities and voids (holes) were formed in the cross section of the substrate after cutting. In addition, the end face strength of the cut-out substrate was not sufficient, and the cut-out substrate was easily damaged.
Further, when the scribe line is formed by the conventional method, it is not easy to cut out the substrate because it is necessary to apply a force to the substrate when cutting out the substrate along the scribe line.
本発明の目的は、スクライブラインを形成する加工線に沿ってレーザ光を照射して、高品質の基板を容易に切り出せるスクライブラインを形成することにある。 An object of the present invention is to irradiate a laser beam along a processing line forming a scribe line to form a scribe line that can easily cut out a high-quality substrate.
以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。
本発明の一見地に係るスクライブライン形成方法は、脆性基板(例えば、厚さ1mm以下の脆性基板)から小基板を切り出すためのスクライブラインを形成する方法である。
このスクライブライン形成方法は、脆性基板にスクライブラインを形成する加工線に沿って、所定のビーム径(例えば、0.5μm以上、10μm以下)を有する加工レーザ光を、所定の照射周期毎に所定の照射間隔にて脆性基板に照射するステップを備え、加工レーザ光の照射間隔(X(μm))と照射周期(Y(μs))とが、Y≧6.0Xとの条件を満たす。
Hereinafter, a plurality of aspects will be described as means for solving the problem. These aspects can be arbitrarily combined as needed.
The method for forming a scribe line according to a seemingly present invention is a method for forming a scribe line for cutting out a small substrate from a brittle substrate (for example, a brittle substrate having a thickness of 1 mm or less).
In this scrib line forming method, a processed laser beam having a predetermined beam diameter (for example, 0.5 μm or more and 10 μm or less) is predetermined for each predetermined irradiation cycle along the processed line for forming the scrib line on the brittle substrate. The brittle substrate is provided with a step of irradiating the brittle substrate at the irradiation interval of the above, and the irradiation interval (X (μm)) and the irradiation cycle (Y (μs)) of the processed laser light satisfy the condition of Y ≧ 6.0X.
上記のスクライブライン形成方法では、脆性基板に加工レーザ光を照射してスクライブラインを形成する際に、Y≧6.0Xとの関係を満たす加工レーザ光の照射間隔と照射周期とが選択されている。これにより、脆性基板から切り出された断面に大きな凹凸やボイドが形成されておらず、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができるスクライブラインを形成できる。 In the above scribe line forming method, when the brittle substrate is irradiated with the processed laser light to form the scribe line, the irradiation interval and the irradiation cycle of the processed laser light satisfying the relationship of Y ≧ 6.0X are selected. There is. As a result, it is possible to form a scribe line that can easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids in the cross section cut out from the brittle substrate.
照射間隔(X(μm))と照射周期(Y(μs))とは、Y≧6.0X+2.0との条件を満たしてもよい。これにより、脆性基板から切り出された断面に大きな凹凸やボイドが形成されておらず、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができるスクライブラインを形成できる。 The irradiation interval (X (μm)) and the irradiation cycle (Y (μs)) may satisfy the condition of Y ≧ 6.0X + 2.0. As a result, it is possible to form a scribe line that can easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids in the cross section cut out from the brittle substrate.
照射周期は、50μs以下の範囲にあってもよい。これにより、断面全体にわたって大きな凹凸やボイドが形成されておらず、かつ、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができる。 The irradiation cycle may be in the range of 50 μs or less. As a result, it is possible to easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids over the entire cross section.
照射間隔は、0.1μm以上の範囲であってもよい。これにより、断面全体にわたって大きな凹凸やボイドが形成されておらず、かつ、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができる。 The irradiation interval may be in the range of 0.1 μm or more. As a result, it is possible to easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids over the entire cross section.
照射間隔は、0.2μm以上の範囲であってもよい。これにより、断面全体にわたって大きな凹凸やボイドが形成されておらず、かつ、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができる。 The irradiation interval may be in the range of 0.2 μm or more. As a result, it is possible to easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids over the entire cross section.
照射間隔は、0.3μm以上の範囲であってもよい。れにより、断面全体にわたって大きな凹凸やボイドが形成されておらず、かつ、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができる。 The irradiation interval may be in the range of 0.3 μm or more. As a result, it is possible to easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids over the entire cross section.
照射間隔は特には0.4μm以上、0.6μm以下であってもよい。これにより、断面全体にわたって大きな凹凸やボイドが形成されておらず、かつ、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができる。 The irradiation interval may be 0.4 μm or more and 0.6 μm or less in particular. As a result, it is possible to easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids over the entire cross section.
照射周期は、1.2μs以上、かつ、50μs以下の範囲であってもよい。これにより、断面全体にわたって大きな凹凸やボイドが形成されておらず、かつ、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができる。 The irradiation cycle may be in the range of 1.2 μs or more and 50 μs or less. As a result, it is possible to easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids over the entire cross section.
照射周期は、1.8μs以上、かつ、40μs以下の範囲であってもよい。これにより、断面全体にわたって大きな凹凸やボイドが形成されておらず、かつ、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができる。 The irradiation cycle may be in the range of 1.8 μs or more and 40 μs or less. As a result, it is possible to easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids over the entire cross section.
照射周期は、特には10μs以上、かつ、40μs以下の範囲であってもよい。これにより、断面全体にわたって大きな凹凸やボイドが形成されておらず、かつ、大きな強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができる。 The irradiation cycle may be particularly in the range of 10 μs or more and 40 μs or less. As a result, it is possible to easily cut out a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids over the entire cross section.
ビーム径は、0.2μm以上、かつ、10μm以下の範囲にあってもよい。これにより、加工線の適切な範囲に加工レーザ光を照射して、適切なスクライブラインを形成できる。 The beam diameter may be in the range of 0.2 μm or more and 10 μm or less. This makes it possible to irradiate an appropriate range of the processing line with the processing laser beam to form an appropriate scribe line.
加工レーザ光の照射の重複度は、30%以上、かつ、60%以下の範囲にあってもよい。これにより、脆性基板の同一箇所に過剰に加工レーザ光が照射されるのを回避して、適切なスクライブラインを形成できる。 The degree of overlap of irradiation of the processed laser light may be in the range of 30% or more and 60% or less. As a result, an appropriate scribe line can be formed by avoiding excessive irradiation of the processed laser beam on the same portion of the brittle substrate.
加工レーザ光は、20ピコ秒以下のパルス幅を有するパルス状のレーザ光であってもよい。これにより、加工レーザ光により脆性基板を適切に加工できる。 The processed laser light may be a pulsed laser light having a pulse width of 20 picoseconds or less. As a result, the brittle substrate can be appropriately processed by the processing laser light.
上記のスクライブライン形成方法において、加工レーザ光を照射するステップは、以下のステップを有してもよい。
◎レーザ装置から所定の照射周期にて出力されたレーザ光を、アキシコンレンズにより一定のリング幅を有するリングビームに変換するステップ。
◎リングビームを縮小光学系に入射させて、脆性基板上における加工レーザ光のビーム径を調整するステップ。
これにより、加工レーザ光をスクライブラインの形成に最適なものにすることができる。
In the above scribe line forming method, the step of irradiating the processed laser light may have the following steps.
◎ A step of converting a laser beam output from a laser device at a predetermined irradiation cycle into a ring beam having a constant ring width by an axicon lens.
◎ The step of adjusting the beam diameter of the processed laser light on the brittle substrate by injecting the ring beam into the reduced optical system.
This makes it possible to optimize the processed laser light for forming the scribe line.
本発明の他の見地に係る分断方法は、脆性基板から小基板を切り出すための脆性基板の分断方法である。分断方法は、以下のステップを備える。
◎上記のスクライブライン形成方法によるスクライブライン形成ステップ。
◎スクライブライン形成ステップで形成されたスクライブラインに沿って応力又は衝撃を加えて脆性基板を分断して小基板を切り出す分断ステップ。
これにより、断面に大きな凹凸やボイドが形成されておらず、大きな強度を有する高品質な小基板を脆性基板から容易に切り出すことができる。
The dividing method according to another aspect of the present invention is a method for dividing a brittle substrate for cutting out a small substrate from the brittle substrate. The division method includes the following steps.
◎ A scribe line forming step by the above scribe line forming method.
◎ A division step in which a brittle substrate is divided by applying stress or impact along the scribe line formed in the scribe line forming step to cut out a small substrate.
As a result, a high-quality small substrate having high strength without forming large irregularities or voids in the cross section can be easily cut out from the brittle substrate.
分断ステップにおいて加える応力又は衝撃は、折曲げやブレイクバー・ローラ等による押圧等による機械的な応力又は衝撃でもよく、加熱や冷却等による熱的な応力又は衝撃でもよい。 The stress or impact applied in the breaking step may be mechanical stress or impact due to bending, pressing by a break bar roller or the like, or thermal stress or impact due to heating or cooling.
本発明の他の見地に係るスクライブライン形成装置は、脆性基板から小基板を切り出すためのスクライブラインを形成する装置である。スクライブライン形成装置は、レーザシステムと、駆動部と、を備える。
レーザシステムは、所定のビーム径を有する加工レーザ光を所定の照射周期にて出力する。
駆動部は、脆性基板にスクライブラインを形成する加工線に沿って所定の照射間隔にて加工レーザ光を脆性基板に照射するために、脆性基板をレーザシステムに対して移動させる。
上記のスクライブライン形成装置によりスクライブラインを形成する際に、加工レーザ光の照射間隔(X(μm))と照射周期(Y(μs))とが、Y≧6.0Xとの条件を満たす。
The scribe line forming apparatus according to another aspect of the present invention is an apparatus for forming a scribe line for cutting out a small substrate from a brittle substrate. The scribe line forming apparatus includes a laser system and a drive unit.
The laser system outputs a processed laser beam having a predetermined beam diameter at a predetermined irradiation cycle.
The drive unit moves the brittle substrate with respect to the laser system in order to irradiate the brittle substrate with the processed laser light at predetermined irradiation intervals along the processing line forming the scribe line on the brittle substrate.
When forming a scribe line by the above scribe line forming apparatus, the irradiation interval (X (μm)) and the irradiation cycle (Y (μs)) of the processed laser light satisfy the condition of Y ≧ 6.0X.
上記のスクライブライン形成装置では、脆性基板に加工レーザ光を照射してスクライブラインを形成する際に、Y≧6.0Xとの関係を満たす加工レーザ光の照射間隔と照射周期とが選択されている。これにより、脆性基板から切り出された断面に大きな凹凸やボイドが形成されておらず、十分な端面強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができるスクライブラインを形成できる。 In the above scrib line forming apparatus, when the brittle substrate is irradiated with the processed laser light to form the scrib line, the irradiation interval and the irradiation cycle of the processed laser light satisfying the relationship of Y ≧ 6.0X are selected. There is. As a result, it is possible to form a scribe line that can easily cut out a high-quality small substrate having sufficient end face strength without forming large irregularities or voids in the cross section cut out from the brittle substrate.
スクライブライン形成装置のレーザシステムは、レーザ装置と、アキシコンレンズと、縮小光学系と、を有してもよい。
レーザ装置は、所定の照射周期にてレーザ光を出力する。
アキシコンレンズは、レーザ光を一定のリング幅を有するリングビームに変換する。
縮小光学系は、リングビームが入射される光学系であって、入射されたリングビームから脆性基板上におけるビーム径が調整された加工レーザ光を形成する。
これにより、加工レーザ光をスクライブラインの形成に最適なものにすることができる。
The laser system of the scribe line forming apparatus may include a laser apparatus, an axicon lens, and a reduction optical system.
The laser device outputs a laser beam at a predetermined irradiation cycle.
The axicon lens converts the laser beam into a ring beam with a constant ring width.
The reduced optical system is an optical system into which a ring beam is incident, and forms a processed laser beam having an adjusted beam diameter on a brittle substrate from the incident ring beam.
This makes it possible to optimize the processed laser light for forming the scribe line.
本発明のさらに他の見地に係る小基板は、ガラス、石英、又はサファイアからなる脆性基板に波長が750nm~2500nmのレーザ光を照射してスクライブラインを形成し、スクライブラインに沿って脆性基板を分断することによって得られる。
この小基板は、断面の少なくとも一部に表面粗さが0.05μm以下の鏡面状断面を有し、180MPa以上の端面強度を有する。
In the small substrate according to still another aspect of the present invention, a brittle substrate made of glass, quartz, or sapphire is irradiated with a laser beam having a wavelength of 750 nm to 2500 nm to form a scribing line, and the brittle substrate is formed along the brittle line. Obtained by dividing.
This small substrate has a mirror-like cross section having a surface roughness of 0.05 μm or less on at least a part of the cross section, and has an end face strength of 180 MPa or more.
脆性基板から切り出された断面に大きな凹凸やボイドが形成されておらず、十分な端面強度を有する高品質な小基板を容易に切り出すことができるスクライブラインをレーザ光の照射により形成できる。 A scrib line can be formed by irradiation with a laser beam, which does not form large irregularities or voids in the cross section cut out from the brittle substrate and can easily cut out a high-quality small substrate having sufficient end face strength.
1.第1実施形態
(1)スクライブライン形成装置の構成
図1を用いて、本発明の一実施形態によるスクライブライン形成装置100の全体構成を説明する。図1は、本発明の第1実施形態のスクライブライン形成装置の模式図である。
スクライブライン形成装置100は、ガラス、石英、又はサファイアなどからなる脆性基板(以下、基板Sと呼ぶ)にスクライブラインを形成するための装置である。スクライブラインは、用途等に応じた任意の形状を有する小基板を基板Sから切り出すための加工線に沿って形成される。すなわち、スクライブラインは、基板Sから上記小基板を分断するために形成される。
スクライブライン形成装置100は、レーザシステム1と、加工テーブル3と、テーブル駆動部5と、制御部7と、を備える。
1. 1. First Embodiment (1) Configuration of Scrivener Line Forming Device The overall configuration of the scribe
The scribe
The scribe
レーザシステム1は、基板Sにスクライブラインを形成するためのレーザ光(加工レーザ光L1と呼ぶ)を出力する。具体的には、レーザシステム1は、レーザ装置11と、伝送光学系13と、駆動機構15と、を有する。
レーザ装置11は、伝送光学系13に入射させるレーザ光L2を出力する。レーザ装置11は、レーザ発振器11aと、レーザ制御部11bと、を有する。レーザ発振器11aは、赤外領域の波長(750nm~2500nm)を有するパルス状のレーザ光L2を、所定の照射周期にて出力する。ここで、照射周期は、1つのレーザ光パルスを出力してから次のレーザ光パルスを出力するまでの時間である。
The
The
なお、レーザ光L2が有するパルス幅は、基板Sを適切に加熱するために、100フェムト秒以上、20ピコ秒以下に設定される。 The pulse width of the laser beam L2 is set to 100 femtoseconds or more and 20 picoseconds or less in order to appropriately heat the substrate S.
レーザ制御部11bは、レーザ光L2の発生条件(照射周期、レーザ光L2の強度等)に従って、レーザ発振器11aを制御する。
The
伝送光学系13は、レーザ装置11から出力されたレーザ光L2を入射し、基板S上におけるビーム径が調整されたレーザ光L2を出力する。具体的には、伝送光学系13は、図2に示すように、アキシコンレンズ131と、縮小光学系133と、を有する。図2は、伝送光学系の構成を示す図である。
The transmission
アキシコンレンズ131は、レーザ光L2を入射し、入射したレーザ光L2を、レーザ光の伝搬方向においてリング幅wが一定であるリングビームL3に変換する。
縮小光学系133は、リングビームL3を入射し、入射したリングビームL3を縮小して、基板S上におけるビーム径が調整された加工レーザ光L1を形成する。縮小光学系133は、例えば、複数のレンズにより構成される。
The
The reduction
伝送光学系13が上記の構成を有することにより、レーザ装置11から出力されたレーザ光L2を、スクライブラインの形成に最適な加工レーザ光L1に変換できる。
Since the transmission
なお、伝送光学系13は、アキシコンレンズ131、縮小光学系133以外に、例えば、λ/4波長板、ビームエクスパンダー、プリズムなどの他の光学部材を含んでいてもよい。
In addition to the
駆動機構15は、基板S上における加工レーザ光L1のビーム径を調整するために、伝送光学系13に備わるレンズ(アキシコンレンズ131、縮小光学系133)の光軸方向(レーザ光L2の伝搬方向)における位置を変更する。
The
加工テーブル3は、基板Sを載置するテーブルである。テーブル駆動部5(駆動部の一例)は、加工テーブル3をレーザシステム1(伝送光学系13)に対して移動させる。テーブル駆動部5は、例えば、ガイドレール、モータ等を有する公知の機構である。 The processing table 3 is a table on which the substrate S is placed. The table drive unit 5 (an example of the drive unit) moves the processing table 3 with respect to the laser system 1 (transmission optical system 13). The table drive unit 5 is a known mechanism having, for example, a guide rail, a motor, and the like.
制御部7は、プロセッサ(例えば、CPU)と、記憶装置(例えば、ROM、RAM、HDD、SSDなど)と、各種インターフェース(例えば、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、通信インターフェースなど)を有するコンピュータシステムである。制御部7は、記憶部(記憶装置の記憶領域の一部又は全部に対応)に保存されたプログラムを実行することで、スクライブライン形成装置100における各種制御動作を行う。
制御部7は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
The control unit 7 has a processor (for example, a CPU), a storage device (for example, ROM, RAM, HDD, SSD, etc.), and various interfaces (for example, an A / D converter, a D / A converter, a communication interface, etc.). It is a computer system. The control unit 7 performs various control operations in the scribe
The control unit 7 may be composed of a single processor, or may be composed of a plurality of independent processors for each control.
制御部7は、例えば、レーザ制御部11bに対してレーザ光L2の出力条件の設定値を出力する。また、制御部7は、駆動機構15を制御することで、加工レーザ光L1の基板Sにおけるビーム径を調整する。
The control unit 7 outputs, for example, the set value of the output condition of the laser beam L2 to the
さらに、制御部7は、テーブル駆動部5を制御することで加工テーブル3を水平方向に移動させ、基板Sを加工レーザ光L1に対して移動させる。すなわち、制御部7は、基板Sを加工レーザ光L1に対して移動させて、加工レーザ光L1を基板S上にて走査させる。また、制御部7は、加工テーブル3の水平方向における移動速度を調整することで、基板S上における加工レーザ光L1の走査速度を制御する。 Further, the control unit 7 moves the processing table 3 in the horizontal direction by controlling the table drive unit 5, and moves the substrate S with respect to the processing laser light L1. That is, the control unit 7 moves the substrate S with respect to the processed laser light L1 and scans the processed laser light L1 on the substrate S. Further, the control unit 7 controls the scanning speed of the processed laser beam L1 on the substrate S by adjusting the moving speed of the processing table 3 in the horizontal direction.
図示しないが、制御部7には、基板Sの大きさ、形状及び位置を検出するセンサ、スクライブライン形成装置100の各部の状態を検出するためのセンサ及びスイッチ、並びに情報入力装置が接続されている。
Although not shown, the control unit 7 is connected to a sensor for detecting the size, shape and position of the substrate S, a sensor and a switch for detecting the state of each part of the scribe
(2)スクライブライン形成方法及び脆性基板の分断方法
図3を用いて、スクライブライン形成装置100によるスクライブライン形成方法を説明する。図3は、スクライブライン形成装置によるスクライブライン形成工程を示すフローチャートである。
まず、ステップS1において、スクライブラインを形成する基板Sを加工テーブル3上に載置する。
その後、ステップS2において、レーザ装置11から所定の照射周期にてレーザ光L2を発生させ、伝送光学系13から所定のビーム径を有する加工レーザ光L1を基板Sに向けて出射させる。加工レーザ光L1を出射しつつテーブル駆動部5を駆動して加工テーブル3を水平方向に移動させることで、基板S上において小基板を切り出すための加工線に沿って加工レーザ光L1を走査する。
(2) Scrib line forming method and brittle substrate dividing method A scrib line forming method by the scrib
First, in step S1, the substrate S forming the scribe line is placed on the processing table 3.
After that, in step S2, the laser beam L2 is generated from the
なお、加工レーザ光L1の基板S上におけるビーム径は、スクライブラインを形成する加工線の適切な範囲に加工レーザ光L1を照射可能な範囲に設定され、例えば、0.2μm以上、かつ、10μm以下の範囲とできる。 The beam diameter of the processed laser light L1 on the substrate S is set to a range in which the processed laser light L1 can be irradiated to an appropriate range of the processed line forming the scribe line, for example, 0.2 μm or more and 10 μm. It can be in the following range.
上記のステップS2では、加工レーザ光L1を所定の照射周期にて発生させつつ、加工レーザ光L1を基板Sに対して走査することで、図4に示すように、基板S上に所定の照射間隔Dにて加工レーザ光L1が照射される。図4は、基板上における加工レーザ光の照射状態の一例を模式的に示す図である。
なお、基板S上における加工レーザ光L1の照射間隔は、加工レーザ光L1の照射周期と加工レーザ光L1の基板に対する走査速度とにより決定される。照射間隔Dは、例えば、0.1μm以上に設定される。また、照射周期は、例えば、1.2μs以上に設定される。
In step S2 described above, the processed laser light L1 is generated at a predetermined irradiation cycle, and the processed laser light L1 is scanned against the substrate S to irradiate the substrate S with a predetermined irradiation as shown in FIG. The processed laser beam L1 is irradiated at the interval D. FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of an irradiation state of the processed laser light on the substrate.
The irradiation interval of the processed laser light L1 on the substrate S is determined by the irradiation cycle of the processed laser light L1 and the scanning speed of the processed laser light L1 with respect to the substrate. The irradiation interval D is set to, for example, 0.1 μm or more. The irradiation cycle is set to, for example, 1.2 μs or more.
基板S上に加工レーザ光L1が照射されることにより、加工レーザ光L1による加工痕MT(図4)が照射間隔Dにて基板Sに形成される。この加工痕MTに沿って亀裂が発生するか進展することでスクライブラインが形成される。 By irradiating the substrate S with the processed laser light L1, processing marks MT (FIG. 4) by the processed laser light L1 are formed on the substrate S at the irradiation interval D. A scribe line is formed by cracking or extending along the machining mark MT.
スクライブラインが基板Sに形成されると、基板Sをスクライブラインに沿って分断して小基板を切り出す。具体的には、スクライブラインに沿って基板Sに対して応力又は衝撃を加えて基板Sを分断することで、小基板を切り出すことができる。すなわち、スクライブラインに沿って小基板が基板Sから分離される。
なお、上記の分断ステップにおいては、例えば、基板Sの折り曲げ、ブレイクバー、ローラなどを用いた押圧等により基板Sに機械的な応力又は衝撃を加えてもよいし、基板Sの加熱及び/又は冷却等により熱的に基板Sに応力又は衝撃を加えてもよい。
When the scribe line is formed on the substrate S, the substrate S is divided along the scribe line to cut out a small substrate. Specifically, a small substrate can be cut out by applying stress or impact to the substrate S along the scribe line to divide the substrate S. That is, the small substrate is separated from the substrate S along the scribe line.
In the above-mentioned dividing step, mechanical stress or impact may be applied to the substrate S by bending the substrate S, pressing with a break bar, a roller, or the like, and heating and / or heating the substrate S. Stress or impact may be thermally applied to the substrate S by cooling or the like.
(3)実施例
(3-1)加工レーザ光の照射条件(実施例1、実施例2)
以下、上記のスクライブライン形成方法により基板Sにスクライブラインを形成し、基板Sから小基板を切り出す実施例を説明する。まず、スクライブラインを形成する際の加工レーザ光L1の照射条件が異なる2種類の実施例(実施例1、実施例2)を説明する。
実施例1及び2では、加工対象の基板Sとして厚さが0.15mmの無アルカリガラス基板(OA-10)を用い、加工レーザ光L1の照射条件を表1のように設定した。
(3) Example (3-1) Irradiation conditions of processed laser light (Example 1, Example 2)
Hereinafter, an embodiment in which a scribe line is formed on the substrate S by the above scribe line forming method and a small substrate is cut out from the substrate S will be described. First, two types of examples (Example 1 and Example 2) in which the irradiation conditions of the processed laser beam L1 for forming the scribe line are different will be described.
In Examples 1 and 2, a non-alkali glass substrate (OA-10) having a thickness of 0.15 mm was used as the substrate S to be processed, and the irradiation conditions of the processed laser light L1 were set as shown in Table 1.
加工レーザ光L1の照射条件の違いによる小基板の断面(すなわち、スクライブライン)の形成状態を確認するため、実施例1及び2にて切り出された小基板の断面を光学顕微鏡により観察した。実施例1の小基板の断面の光学顕微鏡像を図5Aに、実施例2の小基板の断面の光学顕微鏡像を図5Bに示す。
これらの図に示されるように、実施例1の小基板の断面には「ざらつき」が見られる一方で、実施例2の小基板の断面には「ざらつき」が見られず滑らかであった。以下、図5Aに示すようなざらついた断面を「梨地状断面」と呼び、図5Bに示すような滑らかな断面を「鏡面状断面」と呼ぶ。
In order to confirm the formation state of the cross section (that is, the scribe line) of the small substrate due to the difference in the irradiation conditions of the processed laser beam L1, the cross section of the small substrate cut out in Examples 1 and 2 was observed with an optical microscope. An optical microscope image of a cross section of the small substrate of Example 1 is shown in FIG. 5A, and an optical microscope image of a cross section of the small substrate of Example 2 is shown in FIG. 5B.
As shown in these figures, the cross section of the small substrate of Example 1 showed "roughness", while the cross section of the small substrate of Example 2 did not show "roughness" and was smooth. Hereinafter, the rough cross section as shown in FIG. 5A is referred to as a “pear-skinned cross section”, and the smooth cross section as shown in FIG. 5B is referred to as a “mirror surface cross section”.
詳細は後ほど説明するが、鏡面状断面は梨地状断面と比較して大きな凹凸及びボイドが少なく高品質であり、鏡面状断面を有する小基板の強度は、梨地状断面を有する小基板よりも大きい。
また、鏡面状断面を有する小基板は、梨地状断面を有する小基板よりも基板Sから分離しやすい。具体的には、梨地状断面を有する小基板は若干の力を加えないと基板Sから分離できない一方、鏡面状断面を有する小基板は、スクライブラインを形成後に基板Sをハンドリングするだけで分断される。
以上のように、小基板の断面を鏡面状断面とするスクライブラインを形成することで、高品質でかつ強度の大きい小基板を容易に切り出すことができる。
The details will be described later, but the mirror-like cross section has less large irregularities and voids than the satin-like cross section and is of high quality, and the strength of the small substrate having the mirror-like cross section is higher than that of the small substrate having the satin-like cross section. ..
Further, the small substrate having a mirror-like cross section is easier to separate from the substrate S than the small substrate having a satin-like cross section. Specifically, a small substrate having a satin-like cross section cannot be separated from the substrate S without applying a slight force, while a small substrate having a mirror-like cross section is divided only by handling the substrate S after forming a scribe line. Ru.
As described above, by forming the scribe line having the cross section of the small substrate as a mirror-like cross section, it is possible to easily cut out a small substrate having high quality and high strength.
(3-2)加工レーザ光の照射周期と照射間隔(実施例3)
実施例1及び2の結果から、小基板の断面が鏡面状断面であるか梨地状断面であるかは、スクライブラインを形成するときの加工レーザ光L1の照射周期が特に影響していることが分かる。
実施例3においては、小基板の断面を安定して鏡面状断面とできる加工レーザ光L1の最適条件(最適な照射周期)を検討する。実施例3においては、加工レーザ光L1の照射間隔を一定としつつ、加工レーザ光L1の照射周期を5μs~30μsの範囲で変化させた。また、実施例3においては、加工レーザ光L1の照射間隔を0.4μm~0.9μmの範囲で変化させた。その他の条件については、実施例1及び2と同じである。
(3-2) Irradiation cycle and irradiation interval of processed laser light (Example 3)
From the results of Examples 1 and 2, it can be seen that whether the cross section of the small substrate is a mirror-like cross section or a satin-like cross section is particularly influenced by the irradiation cycle of the processed laser beam L1 when forming the scribe line. I understand.
In Example 3, the optimum conditions (optimal irradiation cycle) of the processed laser beam L1 capable of stably forming a mirror-like cross section of the small substrate are examined. In Example 3, the irradiation cycle of the processed laser light L1 was changed in the range of 5 μs to 30 μs while the irradiation interval of the processed laser light L1 was kept constant. Further, in Example 3, the irradiation interval of the processed laser light L1 was changed in the range of 0.4 μm to 0.9 μm. Other conditions are the same as in Examples 1 and 2.
表2に、厚さが0.15mmの無アルカリガラス基板に照射周期と照射条件の異なる加工レーザ光L1を照射してスクライブラインを形成し切り出した小基板の断面を、光学顕微鏡観察にて評価した結果を示す。表2において、「〇」は断面のほぼ全体が鏡面状断面であったことを示し、「△」は断面の一部が鏡面状断面であったことを示し、「×」は断面のほぼ全体が梨地状断面であったことを示す。
表2に示すように、厚さが0.15mmの無アルカリガラス基板を用いた場合、照射間隔が0.4μm~0.7μmである範囲内で、照射周期を5μs~25μsの範囲内とすることで、小基板の断面の少なくとも一部に鏡面状断面を形成することができた。
より好ましくは、照射間隔が0.5μm~0.7μmである範囲内で、照射周期を13μs~25μsの範囲内とすることで、小基板の断面のほぼ全体が鏡面状断面であり、小基板を基板Sから分断しやすいスクライブラインを形成できた。
As shown in Table 2, when a non-alkali glass substrate having a thickness of 0.15 mm is used, the irradiation interval is within the range of 0.4 μm to 0.7 μm and the irradiation cycle is within the range of 5 μs to 25 μs. As a result, a mirror-like cross section could be formed on at least a part of the cross section of the small substrate.
More preferably, by setting the irradiation interval within the range of 0.5 μm to 0.7 μm and the irradiation cycle within the range of 13 μs to 25 μs, almost the entire cross section of the small substrate is a mirror-like cross section, and the small substrate is formed. Was able to form a scribe line that can be easily separated from the substrate S.
加工レーザ光L1の照射間隔が0.4μm以下である場合には、鏡面状断面の状態が不均一となる傾向があり、基板Sから小基板を分断しにくくなる傾向があった。また、照射間隔が0.7μmよりも大きい場合には、小基板の断面における梨地状断面の割合が多くなった。 When the irradiation interval of the processed laser light L1 is 0.4 μm or less, the state of the mirror-like cross section tends to be non-uniform, and it tends to be difficult to separate the small substrate from the substrate S. Further, when the irradiation interval was larger than 0.7 μm, the ratio of the satin-like cross section in the cross section of the small substrate increased.
上記のように、実施例1~3において、加工レーザ光L1の基板Sにおけるビーム径は1μmであるので、加工レーザ光L1を上記の照射間隔にて照射した場合、加工レーザ光L1の一部は重複して照射される。加工レーザ光L1の照射の重複度は、照射間隔のビーム径に対する割合(照射間隔/ビーム径)を用いて、1-照射間隔/ビーム径と表すことができる。照射間隔のビーム径に対する割合(照射間隔/ビーム径)が1より小さい場合に加工レーザ光L1の一部は重複して照射され、上記割合が小さいほど重複度は大きくなる。 As described above, in Examples 1 to 3, the beam diameter of the processed laser light L1 in the substrate S is 1 μm. Therefore, when the processed laser light L1 is irradiated at the above irradiation interval, it is a part of the processed laser light L1. Is irradiated in duplicate. The degree of overlap of irradiation of the processed laser beam L1 can be expressed as 1-irradiation interval / beam diameter by using the ratio of the irradiation interval to the beam diameter (irradiation interval / beam diameter). When the ratio of the irradiation interval to the beam diameter (irradiation interval / beam diameter) is smaller than 1, a part of the processed laser beam L1 is irradiated in an overlapping manner, and the smaller the ratio, the larger the degree of overlap.
上記実施例3における加工レーザ光L1の照射間隔の最適条件は、照射間隔のビーム径に対する割合が0.4~0.7(重複度が30%~60%)の範囲内、より好ましくは0.5~0.7(重複度が30%~50%)の範囲内、と表すこともできる。つまり、小基板の断面を鏡面状断面とするには、重複度が30%以上、かつ、60%以下の範囲となるよう、加工レーザ光L1の一部を重複させて照射する方が好ましい。 The optimum condition of the irradiation interval of the processed laser beam L1 in the above-mentioned Example 3 is that the ratio of the irradiation interval to the beam diameter is in the range of 0.4 to 0.7 (multiplicity is 30% to 60%), more preferably 0. It can also be expressed as being in the range of .5 to 0.7 (multiplicity is 30% to 50%). That is, in order to make the cross section of the small substrate a mirror-like cross section, it is preferable to irradiate a part of the processed laser beam L1 in an overlapping manner so that the degree of overlap is in the range of 30% or more and 60% or less.
(3-3)厚さが異なる基板への加工(実施例4)
実施例4では、実施例1~3で用いた基板とは厚さが異なる基板を用いた場合でも、鏡面状断面を有する小基板を切り出すことができるかを試みる。実施例4では、加工対象の基板Sとして厚さが0.5mmの無アルカリガラス基板(OA-10)を用いた。
また、加工レーザ光L1の出力を3.7W、ビーム径を1μmとし、実施例3と同様に照射周期と照射間隔とを変化させて、厚さが0.5mmの基板Sに対する加工レーザ光L1の最適な照射条件を探索した。
(3-3) Processing into substrates having different thicknesses (Example 4)
In Example 4, it is attempted whether a small substrate having a mirror-like cross section can be cut out even when a substrate having a thickness different from that of the substrates used in Examples 1 to 3 is used. In Example 4, a non-alkali glass substrate (OA-10) having a thickness of 0.5 mm was used as the substrate S to be processed.
Further, the output of the processed laser light L1 is 3.7 W, the beam diameter is 1 μm, and the irradiation cycle and the irradiation interval are changed in the same manner as in Example 3, and the processed laser light L1 for the substrate S having a thickness of 0.5 mm is obtained. We searched for the optimum irradiation conditions.
表3に、厚さが0.5mmの無アルカリガラス基板に照射周期と照射条件の異なる加工レーザ光L1を照射してスクライブラインを形成し切り出した小基板の断面を、光学顕微鏡観察にて評価した結果を示す。表3における「〇」、「△」、「×」の意味は、表2におけるこれら記号の意味と同じである。
表3に示すように、厚さが0.5mmの無アルカリガラス基板を用いた場合、照射間隔が0.4μm~0.9μm(照射間隔のビーム径に対する割合が0.4~0.9(重複度が10%~60%))の範囲内で、照射周期を15μs~50μsの範囲内とすることで、小基板の断面の少なくとも一部に鏡面状断面を形成することができた。
より好ましくは、照射間隔が0.4μm~0.6μm(照射間隔のビーム径に対する割合が0.4~0.6(重複度が40%~60%))の範囲内で、照射周期を15μs~40μsの範囲内とすることで、小基板の断面のほぼ全体が鏡面状断面であり、小基板を基板Sから分断しやすいスクライブラインを形成できた。
As shown in Table 3, when a non-alkali glass substrate having a thickness of 0.5 mm is used, the irradiation interval is 0.4 μm to 0.9 μm (the ratio of the irradiation interval to the beam diameter is 0.4 to 0.9 (). By setting the irradiation cycle within the range of 10% to 60%)) and the irradiation period within the range of 15 μs to 50 μs, it was possible to form a mirror-like cross section at least a part of the cross section of the small substrate.
More preferably, the irradiation interval is in the range of 0.4 μm to 0.6 μm (the ratio of the irradiation interval to the beam diameter is 0.4 to 0.6 (multiplicity is 40% to 60%)), and the irradiation cycle is 15 μs. Within the range of about 40 μs, almost the entire cross section of the small substrate was a mirror-like cross section, and a scribe line that easily separates the small substrate from the substrate S could be formed.
また、厚さが0.5mmの基板を用いた場合には、加工レーザ光L1のパルスエネルギーが、同じ基板にスクライブラインを形成するために従来用いていたパルスエネルギーの1/2程度であっても、鏡面状断面を有する小基板を切り出すスクライブラインを形成できた。すなわち、小基板の断面を鏡面状断面とすることは、小基板の製造に必要なエネルギーを従来よりも小さくできる点においても有利である。 Further, when a substrate having a thickness of 0.5 mm is used, the pulse energy of the processed laser beam L1 is about ½ of the pulse energy conventionally used for forming a scribe line on the same substrate. Also, it was possible to form a scribe line for cutting out a small substrate having a mirror-like cross section. That is, it is advantageous to make the cross section of the small substrate a mirror-like cross section in that the energy required for manufacturing the small substrate can be made smaller than before.
(4)データ解析
以下、上記の実施例1~4の解析結果を説明する。実施例3及び4において得られた加工レーザ光L1の照射間隔及び照射周期と鏡面状断面の形成状態との関係を、照射間隔をX軸(横軸)とし照射周期をY軸(縦軸)とするグラフ上にプロットすると、図6のようになる。図6は、加工レーザ光の照射間隔及び照射周期と鏡面状断面の形成状態との関係をグラフ上にプロットした結果を示す図である。
(4) Data analysis Hereinafter, the analysis results of Examples 1 to 4 will be described. Regarding the relationship between the irradiation interval and irradiation cycle of the processed laser light L1 obtained in Examples 3 and 4 and the formation state of the mirror-like cross section, the irradiation interval is set to the X axis (horizontal axis) and the irradiation cycle is set to the Y axis (vertical axis). When plotted on the graph, the result is as shown in FIG. FIG. 6 is a diagram showing the results of plotting the relationship between the irradiation interval and irradiation cycle of the processed laser beam and the formation state of the mirror-like cross section on a graph.
図6において、白丸は、厚さが0.15mmの基板において断面のほぼ全体が鏡面状断面となったときの照射条件(照射間隔、照射周期)を表す。白三角は、厚さが0.15mmの基板において断面の一部が鏡面状断面となったときの照射条件を表す。
ハッチングされた丸は、厚さが0.5mmの基板において断面のほぼ全体が鏡面状断面となったときの照射条件を表す。ハッチングされた三角は、厚さが0.5mmの基板において断面の一部が鏡面状断面となったときの照射条件を表す。
In FIG. 6, white circles represent irradiation conditions (irradiation interval, irradiation cycle) when almost the entire cross section of a substrate having a thickness of 0.15 mm has a mirror-like cross section. The white triangles represent the irradiation conditions when a part of the cross section of the substrate having a thickness of 0.15 mm has a mirror-like cross section.
The hatched circles represent the irradiation conditions when almost the entire cross section of the substrate having a thickness of 0.5 mm has a mirror-like cross section. The hatched triangles represent irradiation conditions when a part of the cross section of a substrate having a thickness of 0.5 mm has a mirror-like cross section.
図6に示されるように、小基板の断面の少なくとも一部に鏡面状断面を形成できる照射周期は所定の下限値以上の範囲にあり、この下限値は照射間隔が増加するに従って増加する傾向が見られる。
具体的には、小基板の断面の少なくとも一部に鏡面状断面を形成できる照射周期は、照射間隔をX(μm)、照射周期をY(μs)とした図6のグラフにおいて、Y=6.0*Xとの直線より上に存在することが好ましく、Y=6.0*X+2.0との直線より上に存在することがより好ましい。
As shown in FIG. 6, the irradiation cycle capable of forming a mirror-like cross section in at least a part of the cross section of the small substrate is in the range of a predetermined lower limit or more, and this lower limit tends to increase as the irradiation interval increases. Can be seen.
Specifically, the irradiation cycle in which a mirror-like cross section can be formed on at least a part of the cross section of the small substrate is Y = 6 in the graph of FIG. 6 in which the irradiation interval is X (μm) and the irradiation cycle is Y (μs). It is preferably present above the straight line with 0.0 * X, and more preferably above the straight line with Y = 6.0 * X + 2.0.
すなわち、小基板の断面の少なくとも一部に鏡面状断面を形成できる照射周期と照射間隔との関係は、照射周期をY(μs)、照射間隔をX(μm)とした場合、Y≧6.0*Xを満たすことが好ましく、Y≧6.0*X+2.0を満たすことがより好ましい。 That is, the relationship between the irradiation cycle and the irradiation interval in which a mirror-like cross section can be formed on at least a part of the cross section of the small substrate is as follows, when the irradiation cycle is Y (μs) and the irradiation interval is X (μm), Y ≧ 6. It is preferable to satisfy 0 * X, and it is more preferable to satisfy Y ≧ 6.0 * X + 2.0.
また、小基板の断面のほぼ全体が安定的に鏡面状断面となる照射間隔(X(μm))と照射周期(Y(μs))との組み合わせ、すなわち、図6のグラフにおいて丸印のプロットは、Y=20.0*X+3.0との直線より上により集中的に存在している。
すなわち、小基板の断面のほぼ全体が安定的に鏡面状断面となる照射周期と照射間隔との関係は、照射周期をY(μs)、照射間隔をX(μm)とした場合、Y≧20.0*X+3.0を満たすことが特に好ましい。
Further, the combination of the irradiation interval (X (μm)) and the irradiation period (Y (μs)) in which almost the entire cross section of the small substrate becomes a stable mirror-like cross section, that is, the plot of circles in the graph of FIG. Is more concentrated above the straight line with Y = 20.0 * X + 3.0.
That is, the relationship between the irradiation cycle and the irradiation interval, in which almost the entire cross section of the small substrate is stably mirrored, is Y ≧ 20 when the irradiation cycle is Y (μs) and the irradiation interval is X (μm). It is particularly preferable to satisfy 0.0 * X + 3.0.
一方、小基板の断面の少なくとも一部に鏡面状断面を形成できる照射周期の上限は、50μsであった。すなわち、小基板の断面の少なくとも一部に鏡面状断面を形成できる照射周期は、照射間隔をX(μm)、照射周期をY(μs)とした図6のグラフにおいて、Y=50.0との直線より下に存在する。言い換えると、照射周期は、50.0μs以下であることが好ましい。 On the other hand, the upper limit of the irradiation cycle capable of forming a mirror-like cross section in at least a part of the cross section of the small substrate was 50 μs. That is, the irradiation cycle in which a mirror-like cross section can be formed on at least a part of the cross section of the small substrate is Y = 50.0 in the graph of FIG. 6 in which the irradiation interval is X (μm) and the irradiation cycle is Y (μs). It exists below the straight line of. In other words, the irradiation cycle is preferably 50.0 μs or less.
また、小基板の断面のほぼ全体が安定的に鏡面状断面となる照射間隔(X(μm))と照射周期(Y(μs))との組み合わせ、すなわち、図6のグラフにおいて丸印のプロットは、Y=-10.0*X+45.0との直線より下に集中的に存在し、Y=-10.0*X+32.0との直線より下により集中的に存在している。
すなわち、小基板の断面のほぼ全体が安定的に鏡面状断面となる照射周期と照射間隔との関係は、照射周期をY(μs)、照射間隔をX(μm)とした場合、Y≦-10.0*X+45.0を満たすことがより好ましく、Y≦-10.0*X+32.0を満たすことが特に好ましい。
Further, the combination of the irradiation interval (X (μm)) and the irradiation period (Y (μs)) in which almost the entire cross section of the small substrate becomes a stable mirror-like cross section, that is, the plot marked with a circle in the graph of FIG. Is concentrated below the straight line with Y = -10.0 * X + 45.0 and more concentrated below the straight line with Y = -10.0 * X + 32.0.
That is, the relationship between the irradiation cycle and the irradiation interval, in which almost the entire cross section of the small substrate is stably mirrored, is Y ≦ − when the irradiation cycle is Y (μs) and the irradiation interval is X (μm). It is more preferable to satisfy 10.0 * X + 45.0, and it is particularly preferable to satisfy Y ≦ -10.0 * X + 32.0.
以上まとめると、小基板の断面に鏡面状断面を形成できる照射周期と照射間隔との関係は、照射周期をY(μs)、照射間隔をX(μm)とした場合、6.0*X≦Y≦50を満たすことが好ましく、6.0*X+2.0≦Y≦50を満たすことがより好ましく、20.0*X+3.0≦Y≦-10.0*X+45.0を満たすことがさらに好ましく、20.0*X+3.0≦Y≦-10.0*X+32.0を満たすことが特に好ましい。 Summarizing the above, the relationship between the irradiation cycle and the irradiation interval that can form a mirror-like cross section on the cross section of the small substrate is 6.0 * X ≦ when the irradiation cycle is Y (μs) and the irradiation interval is X (μm). It is preferable to satisfy Y ≦ 50, more preferably to satisfy 6.0 * X + 2.0 ≦ Y ≦ 50, and further to satisfy 20.0 * X + 3.0 ≦ Y ≦ -10.0 * X + 45.0. It is preferable to satisfy 20.0 * X + 3.0 ≦ Y ≦ -10.0 * X + 32.0.
図6のグラフから、断面の少なくとも一部に鏡面状断面が形成される照射条件のプロットは、照射間隔が0.1μm以上、かつ、1.0μm以下の範囲内にあることが分かる。特には、0.4μm以上、かつ、0.6μm以下の範囲に集中している。
このことから、鏡面状断面を有する小基板を切り出すための加工レーザ光L1の照射間隔は、0.1μm以上であることが好ましく、0.2μm以上であることがより好ましく、0.3μm以上であることがさらに好ましく、0.4μm以上、かつ、0.6μm以下の範囲内であることが特に好ましいことが分かる。
From the graph of FIG. 6, it can be seen that the plot of the irradiation conditions in which the mirror-like cross section is formed in at least a part of the cross section has an irradiation interval of 0.1 μm or more and 1.0 μm or less. In particular, it is concentrated in the range of 0.4 μm or more and 0.6 μm or less.
From this, the irradiation interval of the processed laser beam L1 for cutting out a small substrate having a mirror-like cross section is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.2 μm or more, and more preferably 0.3 μm or more. It can be seen that it is more preferably present, and it is particularly preferable that it is in the range of 0.4 μm or more and 0.6 μm or less.
一方、照射周期について上記と同様に検討すると、断面の少なくとも一部に鏡面状断面が形成される照射条件のプロットは、照射周期が1.2μs以上、かつ、50μs以下の範囲内に存在している。また、照射周期が1.8μs以上、かつ、40μs以下の範囲内により集中して存在している。特には、照射周期が10.0μs以上、かつ、40.0μs以下の範囲内に集中して存在している。
このことから、鏡面状断面を有する小基板を切り出すための加工レーザ光L1の照射周期は、1.2μs以上、かつ、50μs以下の範囲内にあることが好ましく、1.8μs以上、かつ、40μs以下の範囲内にあることがより好ましく、10.0μs以上、かつ、40.0μs以下の範囲内にあることが特に好ましいことが分かる。
On the other hand, when the irradiation cycle is examined in the same manner as above, the plot of the irradiation condition in which the mirror-like cross section is formed in at least a part of the cross section exists within the range where the irradiation cycle is 1.2 μs or more and 50 μs or less. There is. Further, the irradiation cycle is more concentrated within the range of 1.8 μs or more and 40 μs or less. In particular, the irradiation cycle is concentrated in the range of 10.0 μs or more and 40.0 μs or less.
From this, the irradiation cycle of the processed laser beam L1 for cutting out a small substrate having a mirror-like cross section is preferably in the range of 1.2 μs or more and 50 μs or less, and is preferably 1.8 μs or more and 40 μs. It can be seen that it is more preferably within the following range, and particularly preferably within the range of 10.0 μs or more and 40.0 μs or less.
上記の実施例1~4にて示されているように、鏡面状断面が形成される照射周期及び照射間隔は所定の範囲内にある。これは、小基板の断面に鏡面状断面を形成するには、スクライブラインの形成時において、1パルス分の加工レーザ光L1の照射と、次の1パルス分の加工レーザ光L1の照射までの間の間隔を最適化する必要があることを意味している。 As shown in Examples 1 to 4 above, the irradiation cycle and the irradiation interval at which the mirror-shaped cross section is formed are within a predetermined range. In order to form a mirror-like cross section on the cross section of the small substrate, it is necessary to irradiate one pulse of the processed laser light L1 and the next one pulse of the processed laser light L1 at the time of forming the scrib line. This means that the spacing between them needs to be optimized.
(5)鏡面状断面と梨地状断面の詳細解析
(5-1)電子顕微鏡観察
以下、鏡面状断面及び梨地状断面の光学顕微鏡観察以外の方法により、鏡面状断面及び梨地状断面をより詳細に解析した結果を説明する。
まず、鏡面状断面及び梨地状断面を電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope、SEM)により観察した。以下、その観察結果を説明する。本実施形態においては、小基板のスクライブライン形成部分の近傍を電子顕微鏡観察して、スクライブライン、小基板の表面、及び、小基板の断面を含んだ電子顕微鏡像を取得した。
(5) Detailed analysis of mirror-like cross section and satin-like cross section (5-1) Electron microscope observation The mirror-like cross section and satin-like cross section are further detailed by methods other than optical microscope observation of the mirror-like cross section and satin-like cross section. The result of the analysis will be explained.
First, the mirror-like cross section and the satin-like cross section were observed with an electron microscope (Scanning Electron Microscope, SEM). The observation results will be described below. In the present embodiment, the vicinity of the scrib line forming portion of the small substrate was observed with an electron microscope to obtain an electron microscope image including the scrib line, the surface of the small substrate, and the cross section of the small substrate.
図7Aが、鏡面状断面を含む小基板の電子顕微鏡像である。図7Bが、梨地状断面を含む小基板の電子顕微鏡像である。
これらの図に示されるように、鏡面状断面は、梨地状断面と比較して、大きな凹凸が形成されておらず滑らかであることが分かる。また、鏡面状断面が形成されるときのスクライブラインは、梨地状断面が形成されるときのスクライブラインと比較して、大きな凹凸がなく滑らかであることが分かる。
FIG. 7A is an electron microscope image of a small substrate including a mirror-like cross section. FIG. 7B is an electron microscope image of a small substrate including a satin-like cross section.
As shown in these figures, it can be seen that the mirror-shaped cross section is smoother than the satin-shaped cross section without forming large irregularities. Further, it can be seen that the scribe line when the mirror-shaped cross section is formed is smooth without large unevenness as compared with the scribe line when the satin-shaped cross section is formed.
さらに、梨地状断面においては、その一部に図8に示すような「ボイド」と呼ばれる空隙が見られた。このような空隙は、鏡面状断面では見られなかった。図8は、梨地状断面に存在するボイドの電子顕微鏡像の一例を示す図である。 Further, in the satin-like cross section, a void called a "void" was observed in a part of the cross section. Such voids were not found in the mirror-like cross section. FIG. 8 is a diagram showing an example of an electron microscope image of a void existing in a satin-like cross section.
(5-2)表面粗さ(中心線平均粗さ:Ra)測定
次に、レーザ顕微鏡を用いて、梨地状断面の表面粗さと鏡面状断面の表面粗さとを具体的な数値として測定した。以下、その測定結果を説明する。
一例として、梨地状断面の表面粗さは0.1μm程度である一方で、鏡面状断面の表面粗さは0.01μm~0.05μm程度であった。すなわち、鏡面状断面の表面粗さは、梨地状断面の表面粗さの1/10~1/2程度であった。
(5-2) Measurement of surface roughness (center line average roughness: Ra) Next, using a laser microscope, the surface roughness of the satin-like cross section and the surface roughness of the mirror-like cross section were measured as specific numerical values. The measurement results will be described below.
As an example, the surface roughness of the satin-like cross section was about 0.1 μm, while the surface roughness of the mirror-like cross section was about 0.01 μm to 0.05 μm. That is, the surface roughness of the mirror-like cross section was about 1/10 to 1/2 of the surface roughness of the satin-like cross section.
(5-3)曲げ強度測定
さらに、梨地状断面を有する小基板の曲げ強度と鏡面状断面を有する小基板の曲げ強度とを測定した。以下、その測定結果を説明する。本実施形態においては、厚さが0.15mmの無アルカリガラス基板から切り出した小基板の曲げ強度(端面強度と呼ぶ)を4点曲げ試験にて測定した。
本実施形態においては、図9に示すように、一対の上部支点部材201と、一対の下部支点部材203と、を有する試験装置200において、上部支点部材201と下部支点部材203との間に小基板SSを挟み込み、一対の上部支点部材201を下部支点部材203に向けて移動させることにより、小基板SSの4点曲げ試験を行った。図9は、4点曲げ試験の実施方法の一例を示す図である。
(5-3) Measurement of bending strength Further, the bending strength of the small substrate having a satin-like cross section and the bending strength of the small substrate having a mirror-like cross section were measured. The measurement results will be described below. In this embodiment, the bending strength (referred to as end face strength) of a small substrate cut out from a non-alkali glass substrate having a thickness of 0.15 mm was measured by a four-point bending test.
In the present embodiment, as shown in FIG. 9, in the
図9に示す試験装置200において、一対の上部支点部材201の間の距離d1を10mm、一対の下部支点部材203の間の距離d2を20mm、上部支点部材201の移動速度を毎分1mmとして、小基板の4点曲げ試験を行った結果、梨地状断面を有する小基板の端面強度は100MPa~180MPaの範囲内であるのに対して、鏡面状断面を有する小基板の端面強度は180MPa以上、380MPa以下の範囲内であった。
このように、鏡面状断面を有する小基板は、梨地状断面を有する小基板と比較して、2倍程度の端面強度を有していた。
In the
As described above, the small substrate having a mirror-like cross section had about twice the end face strength as that of the small substrate having a satin-like cross section.
(5-4)試験結果のまとめ
以上の試験結果から、鏡面状断面は、梨地状断面と比較して大きな凹凸及びボイドが少なく高品質であり、かつ、小基板の強度を大きくできることが分かる。さらに、鏡面状断面が形成されるような加工レーザ光L1の照射条件を用いてスクライブラインを形成することで、小基板を基板Sから容易に切り出すことができる。
(5-4) Summary of test results From the above test results, it can be seen that the mirror-shaped cross section has less large irregularities and voids than the satin-finished cross section, and is of high quality, and the strength of the small substrate can be increased. Further, the small substrate can be easily cut out from the substrate S by forming the scribe line using the irradiation conditions of the processed laser beam L1 such that the mirror-like cross section is formed.
2.他の実施形態
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施例及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
上記の実施例では、加工対象の基板Sは、厚みが0.15mmの無アルカリガラス基板(実施例1~3)、又は、厚みが0.5mmの無アルカリガラス基板(実施例4)であった。しかし、これに限られず、上記にて説明した鏡面状断面の形成メカニズム等に基づいて加工レーザ光L1の照射条件を最適化することで、任意の厚さの他の脆性基板を加工対象とした場合でも、鏡面状断面を有する小基板を切り出すことができるスクライブラインを形成できる。
2. 2. Other Embodiments Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. In particular, the plurality of examples and modifications described in the present specification can be arbitrarily combined as needed.
In the above embodiment, the substrate S to be processed is a non-alkali glass substrate (Examples 1 to 3) having a thickness of 0.15 mm or a non-alkali glass substrate (Example 4) having a thickness of 0.5 mm. rice field. However, the processing is not limited to this, and other brittle substrates of arbitrary thickness can be processed by optimizing the irradiation conditions of the processed laser beam L1 based on the mechanism for forming the mirror-like cross section described above. Even in this case, it is possible to form a scribe line capable of cutting out a small substrate having a mirror-like cross section.
本発明は、ガラスなどの脆性基板にレーザ光を照射してスクライブラインを形成する方法及び装置に広く適用できる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely applied to a method and an apparatus for forming a scribe line by irradiating a brittle substrate such as glass with a laser beam.
100 スクライブライン形成装置
1 レーザシステム
11 レーザ装置
11a レーザ発振器
11b レーザ制御部
13 伝送光学系
131 アキシコンレンズ
133 縮小光学系
15 駆動機構
3 加工テーブル
5 テーブル駆動部
7 制御部
200 試験装置
201 上部支点部材
203 下部支点部材
L1 加工レーザ光
L2 レーザ光
L3 リングビーム
P プラズマ
S 基板
SS 小基板
100
Claims (19)
前記脆性基板に前記スクライブラインを形成する加工線に沿って、所定のビーム径を有する加工レーザ光を、所定の照射周期毎に所定の照射間隔にて前記脆性基板に照射するステップと、を備え、
前記照射間隔(X(μm))と前記照射周期(Y(μs))とが、Y≧6.0Xとの条件を満たす、
スクライブライン形成方法。 A scribe line forming method for forming a scribe line for cutting out a small substrate from a brittle substrate.
The brittle substrate is provided with a step of irradiating the brittle substrate with a processed laser beam having a predetermined beam diameter at a predetermined irradiation interval at a predetermined irradiation cycle along a processing line forming the scribe line on the brittle substrate. ,
The irradiation interval (X (μm)) and the irradiation cycle (Y (μs)) satisfy the condition of Y ≧ 6.0X.
How to form a scribe line.
レーザ装置から前記所定の照射周期にて出力されたレーザ光を、アキシコンレンズにより一定のリング幅を有するリングビームに変換するステップと、
前記リングビームを縮小光学系に入射させて、前記脆性基板上における前記加工レーザ光のビーム径を調整するステップと、
を有する、請求項1~11のいずれかに記載のスクライブライン形成方法。 The step of irradiating the processed laser light is
A step of converting a laser beam output from a laser device at a predetermined irradiation cycle into a ring beam having a constant ring width by an axicon lens, and a step of converting the laser beam into a ring beam having a constant ring width.
A step of injecting the ring beam into the reduced optical system to adjust the beam diameter of the processed laser beam on the brittle substrate, and a step of adjusting the beam diameter.
The method for forming a scribe line according to any one of claims 1 to 11.
前記脆性基板にスクライブラインを形成する加工線に沿って、所定のビーム径を有する加工レーザ光を、所定の照射周期毎に所定の照射間隔にて前記脆性基板に照射し、前記照射間隔(X(μm))と前記照射周期(Y(μs))とが、Y≧6.0Xとの条件を満たす、スクライブライン形成ステップと、
前記スクライブライン形成ステップで形成されたスクライブラインに沿って応力又は衝撃を加えて前記脆性基板を分断して前記小基板を切り出す分断ステップと、を備える、
脆性基板の分断方法。 It is a method for dividing a brittle substrate to cut out a small substrate from the brittle substrate.
A processing laser beam having a predetermined beam diameter is irradiated to the brittle substrate at a predetermined irradiation interval at a predetermined irradiation cycle along a processing line forming a scribe line on the brittle substrate, and the irradiation interval (X). (Μm)) and the scribe line forming step in which the irradiation cycle (Y (μs)) satisfies the condition of Y ≧ 6.0X.
A division step of applying stress or impact along the scribe line formed in the scribe line forming step to divide the brittle substrate and cutting out the small substrate is provided.
A method for dividing a brittle substrate.
所定のビーム径を有する加工レーザ光を所定の照射周期にて出力するレーザシステムと、
前記脆性基板に前記スクライブラインを形成する加工線に沿って所定の照射間隔にて前記加工レーザ光を前記脆性基板に照射するために、前記脆性基板を前記レーザシステムに対して移動させる駆動部と、を備え、
前記照射間隔(X(μm))と前記照射周期(Y(μs))とが、Y≧6.0Xとの条件を満たす、
スクライブライン形成装置。 A scribe line forming device for forming a scribe line for cutting out a small substrate from a brittle substrate.
A laser system that outputs processed laser light with a predetermined beam diameter at a predetermined irradiation cycle, and
With a driving unit that moves the brittle substrate with respect to the laser system in order to irradiate the brittle substrate with the processed laser light at a predetermined irradiation interval along the processing line forming the scribe line on the brittle substrate. , Equipped with
The irradiation interval (X (μm)) and the irradiation cycle (Y (μs)) satisfy the condition of Y ≧ 6.0X.
Scrivener forming device.
前記所定の照射周期にてレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記レーザ光を一定のリング幅を有するリングビームに変換するアキシコンレンズと、
前記リングビームが入射され、入射された前記リングビームから前記脆性基板上におけるビーム径が調整された前記加工レーザ光を形成する縮小光学系と、
を有する、請求項14~17のいずれかに記載のスクライブライン形成装置。 The laser system is
A laser device that outputs laser light in the predetermined irradiation cycle, and
An axicon lens that converts the laser beam into a ring beam having a constant ring width, and
A reduction optical system in which the ring beam is incident and the processed laser beam having an adjusted beam diameter on the brittle substrate is formed from the incident ring beam.
The scribe line forming apparatus according to any one of claims 14 to 17.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (2)
Country | Link |
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JP (1) | JP2022026724A (en) |
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008062263A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Imra America Inc | Transparent material processing with ultrashort pulse laser |
JP2009040665A (en) * | 2007-08-12 | 2009-02-26 | Lemi Ltd | Full body cutting method of brittle material |
JP2009220142A (en) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Sony Corp | Laser beam machining apparatus and laser beam machining method |
JP2010201479A (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Apparatus and method of laser beam machining |
JP2010274328A (en) * | 2009-04-30 | 2010-12-09 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Laser beam machining method and laser beam machining device |
WO2013027645A1 (en) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | 旭硝子株式会社 | Glass substrate cutting method and optical glass for solid-state image capturing device |
JP2017171530A (en) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 株式会社アライドレーザー | Cross section edge non-processing mirror surface cutting method |
JP2019059653A (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 日本電気硝子株式会社 | Production method of glass substrate |
JP2019533631A (en) * | 2016-10-24 | 2019-11-21 | コーニング インコーポレイテッド | Substrate processing station for laser-based processing of sheet glass substrates |
-
2020
- 2020-07-31 JP JP2020130323A patent/JP2022026724A/en active Pending
-
2021
- 2021-07-21 CN CN202110826461.4A patent/CN114074229A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008062263A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Imra America Inc | Transparent material processing with ultrashort pulse laser |
JP2009040665A (en) * | 2007-08-12 | 2009-02-26 | Lemi Ltd | Full body cutting method of brittle material |
JP2009220142A (en) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Sony Corp | Laser beam machining apparatus and laser beam machining method |
JP2010201479A (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Apparatus and method of laser beam machining |
JP2010274328A (en) * | 2009-04-30 | 2010-12-09 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Laser beam machining method and laser beam machining device |
WO2013027645A1 (en) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | 旭硝子株式会社 | Glass substrate cutting method and optical glass for solid-state image capturing device |
JP2017171530A (en) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 株式会社アライドレーザー | Cross section edge non-processing mirror surface cutting method |
JP2019533631A (en) * | 2016-10-24 | 2019-11-21 | コーニング インコーポレイテッド | Substrate processing station for laser-based processing of sheet glass substrates |
JP2019059653A (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 日本電気硝子株式会社 | Production method of glass substrate |
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