JP2022026267A - 発振器 - Google Patents
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Abstract
【課題】外部の熱が振動素子に伝わり難く、安定した周波数特性を有する発振器を提供する。【解決手段】発振器は、外側パッケージと、前記外側パッケージに収容され、断熱部材を介して前記外側パッケージに固定されている内側パッケージと、前記内側パッケージに収容されている振動素子と、温度センサーと、前記振動素子を発振させ、前記温度センサーに基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含み、前記内側パッケージに収容されている第1回路素子と、前記外側パッケージに固定され、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第2回路素子と、を有する。【選択図】図1
Description
本発明は、発振器に関する。
特許文献1には、外側パッケージと、外側パッケージに収容された内側パッケージと、内側パッケージに収容された振動素子と、外側パッケージに収容されており、内側パッケージ上に配置されている回路素子と、を有する発振器が記載されている。また、特許文献1の発振器では、回路素子に温度センサーが含まれており、温度センサーが検出する温度に基づいて出力信号の周波数を補正する。
しかしながら、特許文献1の発振器では、温度センサーを含む回路素子が振動素子を収容する内側パッケージの外側に位置しているため、温度センサーと振動素子との温度差が生じ易く、出力信号の補正を高い精度で行うことが困難となる。そのため、出力信号の周波数精度が低下するおそれがあった。
本発明の発振器は、外側パッケージと、
前記外側パッケージに収容され、断熱部材を介して前記外側パッケージに固定されている内側パッケージと、
前記内側パッケージに収容されている振動素子と、
温度センサーと、
前記振動素子を発振させ、前記温度センサーに基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含み、前記内側パッケージに収容されている第1回路素子と、
前記外側パッケージに固定され、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第2回路素子と、を有する。
前記外側パッケージに収容され、断熱部材を介して前記外側パッケージに固定されている内側パッケージと、
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温度センサーと、
前記振動素子を発振させ、前記温度センサーに基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含み、前記内側パッケージに収容されている第1回路素子と、
前記外側パッケージに固定され、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第2回路素子と、を有する。
以下、本発明の発振器の好適な実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態の発振器を示す断面図である。図2は、図1の発振器が有する内側パッケージ内を示す平面図である。図3は、図1の発振器が有する第2回路素子の回路図である。なお、説明の便宜上、図1および図2には、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を図示している。また、X軸に沿う方向をX軸方向、Y軸に沿う方向をY軸方向、Z軸に沿う方向をZ軸方向とも言う。また、発振器1の厚さ方向であるZ軸方向の矢印側を「上」とも言い、反対側を「下」とも言う。また、Z軸方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。
図1は、第1実施形態の発振器を示す断面図である。図2は、図1の発振器が有する内側パッケージ内を示す平面図である。図3は、図1の発振器が有する第2回路素子の回路図である。なお、説明の便宜上、図1および図2には、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を図示している。また、X軸に沿う方向をX軸方向、Y軸に沿う方向をY軸方向、Z軸に沿う方向をZ軸方向とも言う。また、発振器1の厚さ方向であるZ軸方向の矢印側を「上」とも言い、反対側を「下」とも言う。また、Z軸方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。
図1に示す発振器1は、外側パッケージ2と、温度補償型水晶発振器3(TCXO)と、第2回路素子4と、を有する。また、温度補償型水晶発振器3は、内側パッケージ5と、内側パッケージ5に収容された振動素子6および第1回路素子7と、を有する。
外側パッケージ2は、第2ベース基板21を有する。第2ベース基板21は、表裏関係にある上面21aおよび下面21bを有する。また、第2ベース基板21は、上面21aに開口する第2凹部である有底の凹部211と、下面21bに開口する第3凹部である有底の凹部212と、を有する。そのため、第2ベース基板21は、H型の断面形状をなしている。また、凹部211は、複数の凹部で構成されており、上面21aに開口する凹部211aと、凹部211aの底面に開口し、凹部211aよりも開口が小さい凹部211bと、を有する。また、凹部212は、複数の凹部で構成されており、下面21bに開口する凹部212aと、凹部212aの底面に開口し、凹部212aよりも開口が小さい凹部212bと、を有する。そして、凹部211bの底面に温度補償型水晶発振器3が断熱部材8を介して固定され、凹部212bの底面に第2回路素子4が固定されている。
また、凹部211aの底面には複数の内部端子241が配置され、凹部212aの底面には複数の内部端子242が配置され、下面21bには複数の実装端子243が配置されている。これら端子241、242、243は、第2ベース基板21内に形成された図示しない内部配線を介して電気的に接続されている。各内部端子241は、ボンディングワイヤーBW3を介して内側パッケージ5と電気的に接続され、各内部端子242は、ボンディングワイヤーBW4を介して第2回路素子4と電気的に接続されている。そして、発振器1は、複数の実装端子243を介して図示しない外部装置と電気的に接続される。
また、外側パッケージ2は、第2リッド22を有する。第2リッド22は、第2ベース基板21の上面21aに接合部材23を介して接合され、凹部211の開口を塞いでいる。このように凹部211の開口を第2リッド22で塞ぐことにより、外側パッケージ2の内部に気密な第2収容空間S2が形成される。そして、第2収容空間S2に、温度補償型水晶発振器3が収容されている。
第2収容空間S2は、減圧状態、好ましくは、より真空に近い状態である。これにより、外側パッケージ2の断熱性が高まり、外部の温度の影響を受け難い発振器1となる。また、第2収容空間S2内に配置された温度補償型水晶発振器3と第2収容空間S2外に配置された第2回路素子4との間の熱交換、特に、対流による熱交換が抑制される。そのため、第2回路素子4の熱によって、第1回路素子7に含まれる温度センサー71と振動素子6とが不均一に加熱されるのを抑制することができる。つまり、第2回路素子4の熱によって振動素子6と温度センサー71との間に温度差が生じるのを抑制することができる。したがって、高い精度の発振器1が得られる。
ただし、第2収容空間S2の雰囲気は、特に限定されず、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを封入した雰囲気であってもよく、減圧状態でなく大気圧状態または加圧状態となっていてもよい。また、後述する実施形態のように、第2収容空間S2に断熱部材8が充填されていてもよい。
なお、特に限定されないが、第2ベース基板21は、アルミナ等のセラミックスで構成することができ、第2リッド22は、コバール等の金属材料で構成することができる。
図1に示すように、温度補償型水晶発振器3は、内側パッケージ5と、内側パッケージ5に収容された振動素子6および第1回路素子7と、を有する。
また、内側パッケージ5は、第1ベース基板51を有する。第1ベース基板51は、表裏関係にある上面51aおよび下面51bを有する。また、第1ベース基板51は、下面51bに開口する第1凹部である有底の凹部511を有する。また、凹部511は、複数の凹部で構成されており、下面51bに開口する凹部511aと、凹部511aの底面に開口し、凹部511aよりも開口が小さい凹部511bと、凹部511bの底面に開口し、凹部511bよりも開口が小さい凹部511cと、を有する。
そして、凹部511cの底面に第1回路素子7が固定され、凹部511aの底面に振動素子6が固定されている。このような配置によれば、振動素子6および第1回路素子7を内側パッケージ5内においてZ軸方向に重ねて配置することができる。そのため、これらを内側パッケージ5内においてコンパクトに収容することができ、温度補償型水晶発振器3の小型化を図ることができる。なお、振動素子6の配置は、これに限定されず、例えば、第1回路素子7の上面に固定されていてもよい。また、振動素子6と第1回路素子7とがX軸方向またはY軸方向に並んで配置されていてもよい。
また、凹部511aの底面には複数の内部端子541が配置され、凹部511bの底面には複数の内部端子542が配置され、上面51aには複数の外部端子543が配置されている。これら端子541、542、543は、第1ベース基板51内に形成された図示しない内部配線を介して電気的に接続されている。また、複数の外部端子543は、それぞれ、ボンディングワイヤーBW3を介して第2ベース基板21の内部端子241と電気的に接続されている。このように、内側パッケージ5の外部に臨む外部端子543を設けることにより、内側パッケージ5と外側パッケージ2との電気的な接続が容易となる。
なお、内側パッケージ5と外側パッケージ2とを電気的に接続する導電性部材は、高い熱伝導率を有するため、内側パッケージ5と外側パッケージ2との間の熱伝達経路として機能し易い。そのため、前記導電性部材として、細く長い線状のボンディングワイヤーBW3を用いることにより、内側パッケージ5と外側パッケージ2との間の熱の伝達を効果的に抑制することができる。したがって、外部の熱が内側パッケージ5に伝わり難くなる。よって、振動素子6が外部の熱の影響を受け難くなり、振動素子6の温度変化を抑制することができると共に、振動素子6と温度センサー71との温度差を小さく抑えることができる。
また、内側パッケージ5は、第1リッド52を有する。第1リッド52は、第1ベース基板51の下面51bに接合部材53を介して接合され、凹部511の開口を塞いでいる。このように、凹部511の開口を第1リッド52で塞ぐことにより、内側パッケージ5の内部に気密な第1収容空間S1が形成される。そして、この第1収容空間S1に振動素子6および第1回路素子7が収容されている。
第1収容空間S1は、減圧状態、好ましくは、より真空に近い状態となっている。これにより、振動素子6のCI(クリスタルインピーダンス)値が低下し、発振特性が向上する。ただし、第1収容空間S1の雰囲気は、特に限定されず、例えば、大気圧状態、加圧状態となっていてもよい。
なお、特に限定されないが、第1ベース基板51は、アルミナ等のセラミックスで構成することができ、第1リッド52は、コバール等の金属材料で構成することができる。
このような内側パッケージ5は、第1リッド52を凹部211の底面側すなわちZ軸方向マイナス側に向けた姿勢で配置され、第1リッド52において、断熱部材8を介して凹部211の底面に固定されている。このように、内側パッケージ5と外側パッケージ2との間に断熱部材8を介在させることにより、外部の熱、特に第2回路素子4の熱が外側パッケージ2を介して内側パッケージ5に伝わり難くなる。そのため、振動素子6が外部の熱の影響を受け難くなり、外部の熱によって振動素子6と温度センサー71との間に温度差が生じるのを効果的に抑制することができる。これにより、温度センサー71によって振動素子6の温度をより精度よく検出することができ、優れた温度補償を行うことができる。
特に、内側パッケージ5を構成する部材のうち、振動素子6が固定されていない第1リッド52を外側パッケージ2に固定することにより、断熱部材8から振動素子6までの熱伝達経路を長くすることができる。そのため、外部の熱が断熱部材8を介して内側パッケージ5に伝わっても、その熱が振動素子6に伝わり難くなる。したがって、振動素子6が外部の熱の影響をさらに受け難くなり、外部の熱によって振動素子6と温度センサー71との間に温度差が生じるのをより効果的に抑制することができる。ただし、これに限定されず、第1ベース基板51が断熱部材8を介して第2ベース基板21に固定されていてもよい。
断熱部材8は、第1リッド52よりも熱伝導率が低い材料から構成されている。このような断熱部材8としては、特に限定されず、例えば、各種樹脂材料、この中でも、特に、多孔質ポリイミド等の多孔質樹脂材料を好適に用いることができ、樹脂材料の他にも、例えば、各種ガラス材料、シリカエアロゲル等の無機多孔質材料等を用いることができる。なお、断熱部材8の熱伝導率としては、特に限定されないが、1.0W/m・K以下であることが好ましい。これにより、熱伝導率の十分に低い断熱部材8となる。
また、断熱部材8は、互いに離間して配置された複数の柱状部81を有し、これら柱状部81が第1リッド52の全域に広がって島状に配置されている。これにより、内側パッケージ5を安定した姿勢で外側パッケージ2に固定することができる。また、断熱部材8と外側パッケージ2との接触面積を小さくすることができ、外部の熱が断熱部材8を介して内側パッケージ5に伝わり難くなる。ただし、これに限定されず、断熱部材8は、第1リッド52の下面の全面に広がってベタに配置されていてもよい。これにより、内側パッケージ5と外側パッケージ2との接合面積が大きくなり、接着強度が増す。そのため、発振器1の機械的強度が高まる。
なお、断熱部材8が接着力を有する場合は、第1リッド52と第2ベース基板21とを断熱部材8を介して接合すればよい。一方、断熱部材8が接着力を有しない場合は、断熱部材8と第1リッド52および断熱部材8と第2ベース基板21をそれぞれ接着剤等の接合部材を介して接合すればよい。また、断熱部材8には、シリカゲル等の熱伝導率が十分に低いギャップ材が含まれていてもよい。これにより、断熱部材8の厚みを制御することができ、断熱効果をより確実に発揮することができる。
振動素子6は、ATカット水晶振動素子である。ATカット水晶振動素子は、三次の周波数温度特性を有するため、周波数安定性に優れている。図2に示すように、振動素子6は、ATカットで切り出された矩形の水晶基板61と、水晶基板61の表面に配置された電極と、を有する。また、電極は、水晶基板61の下面に配置された第1励振電極621と、水晶基板61の上面に配置され、水晶基板61を介して第1励振電極621と対向する第2励振電極631と、を有する。また、電極は、水晶基板61の下面であって、その縁部に並んで配置された第1パッド電極622および第2パッド電極632と、第1励振電極621と第1パッド電極622とを電気的に接続する第1引出電極623と、第2励振電極631と第2パッド電極632とを電気的に接続する第2引出電極633と、を有する。
ただし、振動素子6の構成は、特に限定されない。例えば、水晶基板61の平面視形状は、矩形に限定されず、円形であってもよい。また、振動素子6として、ATカット水晶振動素子の他にも、SCカット水晶振動素子、BTカット水晶振動素子、音叉型水晶振動素子、弾性表面波共振子、その他の圧電振動素子、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)共振素子等を用いることもできる。
また、水晶基板61に替えて、例えば、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、四ホウ酸リチウム(Li2B4O7)、ランガサイト(La3Ga5SiO14)、ニオブ酸カリウム(KNbO3)、リン酸ガリウム(GaPO4)、ガリウム砒素(GaAs)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化亜鉛(ZnO、Zn2O3)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸鉛(PbPO3)、ニオブ酸ナトリウムカリウム((K,Na)NbO3)、ビスマスフェライト(BiFeO3)、ニオブ酸ナトリウム(NaNbO3)、チタン酸ビスマス(Bi4Ti3O12)、チタン酸ビスマスナトリウム(Na0.5Bi0.5TiO3)等の各種圧電基板を用いてもよいし、例えば、シリコン基板等の圧電基板以外の基板を用いてもよい。
このような振動素子6は、その一端部において一対の導電性の接合部材Bを介して凹部511aの底面に接合されている。また、一対の接合部材Bを介して第1パッド電極622および第2パッド電極632がそれぞれ内部端子541と電気的に接続されている。接合部材Bとしては、特に限定されず、例えば、金属バンプ、半田、ろう材、金属ペースト、導電性樹脂接着剤に代表される導電性接合部材を用いることができる。
第1回路素子7は、ボンディングワイヤーBW2を介して内部端子542と電気的に接続されている。また、第1回路素子7は、温度センサー71と、発振回路72と、を有する。発振回路72は、振動素子6を発振させ、温度センサー71の検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する機能を有する。つまり、発振回路72は、振動素子6と電気的に接続され、振動素子6の出力信号を増幅し、増幅した信号を振動素子6にフィードバックすることにより振動素子6を発振させる発振回路部721と、温度センサー71から出力される温度情報に基づいて、出力信号の周波数変動が振動素子6自身の周波数温度特性よりも小さくなるように温度補償する温度補償回路部722と、を有する。
発振回路72としては、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コルピッツ発振回路、ハートレー発振回路等の発振回路を用いることができる。なお、発振回路72が有する温度補償回路部722としては、例えば、発振回路部721に接続された可変容量回路の容量を調整することにより発振回路部721の発振周波数を調整するものであってもよいし、発振回路部721の出力信号の周波数をPLL回路やダイレクトデジタルシンセサイザー回路により調整するものであってもよい。
このように、温度センサー71および振動素子6を共に内側パッケージ5に収容することにより、温度センサー71を振動素子6と同じ空間でかつ振動素子6の近傍に配置することが可能となる。そのため、温度センサー71によって振動素子6の温度をより精度よく検出することができ、発振回路72による温度補償がより正確なものとなる。
なお、本実施形態では、温度センサー71がIC温度センサーで構成され、単一の集積回路である第1回路素子7に内蔵されているが、本発明は、これに限定されない。つまり、第1回路素子7は、発振回路72を内蔵する集積回路および温度センサー71であるディスクリート部品によって構成されていてもよい。この場合、温度センサー71は、例えば、サーミスタ、熱電対等によって構成することができる。また、温度センサー71の配置は、第1収容空間S1内であって、振動素子6の温度を検出することができれば、特に限定されず、例えば、第1ベース基板51や第1回路素子7の上面に配置することができる。
図1に示すように、第2回路素子4は、第2ベース基板21の凹部212内に配置され、凹部212の底面に固定されている。つまり、第2回路素子4は、第2収容空間S2の外側に位置している。また、第2回路素子4は、内側パッケージ5と離間して配置されている。これにより、第2回路素子4の熱が第2収容空間S2内にある内側パッケージ5に伝わり難くなる。そのため、振動素子6が第2回路素子4の熱の影響を受け難くなり、振動素子6の温度変化を抑制することができると共に、振動素子6と温度センサー71との温度差を小さく抑えることができる。また、温度補償型水晶発振器3と第2回路素子4とをZ軸方向に重ねて配置することができるため、発振器1のX軸方向およびY軸方向への広がりが抑えられ、発振器1の小型化を図ることができる。
このような第2回路素子4は、図3に示すように、発振回路72から出力される発振信号の周波数を制御し、温度補償型水晶発振器3が出力する発振信号に残っている周波数温度特性をさらに補正する周波数制御回路としての小数分周型のPLL回路40(位相同期回路)と、温度補正テーブル481が記憶されている記憶部48と、出力回路49と、を有する。本実施形態では、PLL回路40、記憶部48および出力回路49が1チップの回路素子として構成されているが、複数チップの回路素子によって構成されていてもよいし、一部がディスクリート部品によって構成されていてもよい。
PLL回路40は、位相比較器41と、チャージポンプ42と、ローパスフィルター43と、電圧制御型発振回路44と、分周回路45と、を有する。位相比較器41は、発振回路72が出力する発振信号と分周回路45が出力するクロック信号の位相差を比較し、その比較結果をパルス電圧として出力する。チャージポンプ42は、位相比較器41が出力するパルス電圧を電流に変換し、ローパスフィルター43は、チャージポンプ42が出力する電流を平滑化および電圧変換する。
電圧制御型発振回路44は、ローパスフィルター43の出力電圧を制御電圧として、制御電圧に応じて周波数が変化する信号を出力する。なお、本実施形態の電圧制御型発振回路44は、コイル等のインダクタンス素子とコンデンサー等の容量素子とを用いて構成されるLC発振回路であるが、これに限定されず、例えば、水晶振動子等の圧電振動子を用いた発振回路を用いることもできる。分周回路45は、温度センサー71の出力信号と温度補正テーブル481とから決定する分周比で、電圧制御型発振回路44が出力するクロック信号を小数分周したクロック信号を出力する。なお、分周回路45の分周比は、温度補正テーブル481によって定められる構成に限定されない。例えば多項式演算によって定められてもよいし、機械学習された学習済みモデルに基づくニューラルネットワーク演算によって定められてもよい。
出力回路49は、PLL回路40が出力するクロック信号が入力され、その振幅が所望のレベルに調整された発振信号を生成する。出力回路49が生成する発振信号は、発振器1の実装端子243を介して発振器1の外部に出力される。
このように、温度補償型水晶発振器3が出力する発振信号に残っている周波数温度特性をPLL回路40によってさらに補正することにより、温度による周波数偏差がさらに小さい発振器1が得られる。なお、PLL回路40としては、特に限定されず、例えば、発振回路72と位相比較器41との間に発振回路72が出力する発振信号を整数の分周比で分周する整数分周型のPLL回路を備えていてもよい。また、PLL回路40は、温度補償型水晶発振器3の出力信号をさらに温度補償するものに限られない。例えば、所望の周波数信号を得るために、PLL回路40が温度補償型水晶発振器3の出力周波数を固定値で逓倍する構成であってもよい。
このような第2回路素子4と温度補償型水晶発振器3との間には断熱部材8が介在している。これにより、第2回路素子4の熱が温度補償型水晶発振器3に伝わり難くなり、第2回路素子4の熱によって振動素子6と温度センサー71との間に温度差が生じるのを効果的に抑制することができる。したがって、温度センサー71によって振動素子6の温度をより精度よく検出することができる。特に、本実施形態では、第2回路素子4がPLL回路40を有するが、このPLL回路40は、消費電力が比較的大きく発熱し易い。したがって、第2回路素子4と温度補償型水晶発振器3との間に断熱部材8を介在させることにより、上述した効果をより顕著に発揮することができる。また、第2回路素子4も温度センサー71が出力する温度情報信号に基づいて動作するため、自身の発熱の影響を受け難くなる。
なお、凹部212には、第2回路素子4の他にも図示しないディスクリート部品またはその他の電子部品が固定されていてもよい。ディスクリート部品としては、特に限定されないが、例えば、実装端子243を介して供給された電源電圧からノイズを除去し、安定した電源電圧を第1回路素子7に供給するためのバイパスコンデンサーや、温度センサー71の出力信号からノイズを除去し、より正確な出力信号をPLL回路40に供給するためのバイパスコンデンサーが挙げられる。また、この他、サーミスタ、抵抗、ダイオード等であってもよい。
以上、発振器1について説明した。このような発振器1は、前述したように、外側パッケージ2と、外側パッケージ2に収容され、断熱部材8を介して外側パッケージ2に固定されている内側パッケージ5と、内側パッケージ5に収容されている振動素子6と、温度センサー71と、振動素子6を発振させ、温度センサー71に基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路72を含み、内側パッケージ5に収容されている第1回路素子7と、外側パッケージ2に固定され、発振信号の周波数を制御する周波数制御回路としてのPLL回路40を含む第2回路素子4と、を有する。
このような構成によれば、内側パッケージ5と外側パッケージ2との間に断熱部材8が介在しているため、外部の熱、特に第2回路素子4の熱が外側パッケージ2を介して内側パッケージ5に伝わり難くなる。そのため、振動素子6が外部の熱の影響を受け難くなり、外部の熱によって振動素子6と温度センサー71との間に温度差が生じるのを効果的に抑制することができる。これにより、温度センサー71によって振動素子6の温度をより精度よく検出することができ、発振回路72によって優れた温度補償を行うことができる。また、周波数制御回路をPLL回路40とすることにより、周波数偏差が小さい発振信号を出力することができる。したがって、高精度な周波数信号を出力可能な発振器1となる。
また、前述したように、第2回路素子4は、内側パッケージ5と離間して配置されている。これにより、第2回路素子4の熱が内側パッケージ5に伝わり難くなる。そのため、振動素子6が第2回路素子4の熱の影響を受け難くなり、振動素子6の温度変化を抑制することができると共に、振動素子6と温度センサー71との温度差を小さく抑えることができる。
また、前述したように、発振器1は、外側パッケージ2と内側パッケージ5とを電気的に接続する導電性ワイヤーであるボンディングワイヤーBW3を有する。内側パッケージ5と外側パッケージ2とを電気的に接続する導電性部材は、高い熱伝導率を有し、内側パッケージ5と外側パッケージ2との間の熱伝達経路として機能し易い。そのため、前記導電性部材として、細く長い線状のボンディングワイヤーBW3を用いることにより、内側パッケージ5と外側パッケージ2との間の熱の伝達を効果的に抑制することができる。そのため、外部の熱が内側パッケージ5に伝わり難くなる。よって、振動素子6が外部の熱の影響を受け難くなり、振動素子6の温度変化を抑制することができると共に、振動素子6と温度センサー71との温度差を小さく抑えることができる。
また、前述したように、内側パッケージ5は、振動素子6、温度センサー71および第1回路素子7を収容する第1凹部である凹部511を有する第1ベース基板51と、凹部511の開口を塞ぐように第1ベース基板51に接合されている第1リッド52と、を有する。そして、振動素子6は、第1ベース基板51に固定され、第1リッド52が断熱部材8を介して外側パッケージ2に固定されている。このように、内側パッケージ5のうち、振動素子6が固定されていない第1リッド52を外側パッケージ2に固定することにより、断熱部材8から振動素子6までの熱伝達経路を長くすることができる。そのため、断熱部材8を介して外側パッケージ2から内側パッケージ5に熱が伝わったとしても、その熱が振動素子6に伝わり難くなる。そのため、振動素子6が外部の熱の影響を受け難くなり、振動素子6の温度変化を抑制することができると共に、振動素子6と温度センサー71との温度差を小さく抑えることができる。
また、前述したように、内側パッケージ5は、第1ベース基板51の第1リッド52が接合されている面である下面51bと反対側の面である上面51aに配置されている外部端子543を有する。これにより、内側パッケージ5と外側パッケージ2との電気的な接続が容易となる。
また、前述したように、外側パッケージ2は、内側パッケージ5を収容する第2凹部である凹部211と、凹部211が開口する面である上面21aと反対側の面である下面21bに開口し、第2回路素子4を収容する第3凹部である凹部212と、を有する第2ベース基板21と、凹部211の開口を塞ぐように第2ベース基板21に接合されている第2リッド22と、を有する。このような構成によれば、第2回路素子4を第2収容空間S2の外側に配置することができ、第2回路素子4の熱が内側パッケージ5に伝わり難くなる。そのため、振動素子6が第2回路素子4の熱の影響をさらに受け難くなり、振動素子6の温度変化を抑制することができると共に、振動素子6と温度センサー71との温度差を小さく抑えることができる。また、内側パッケージ5と第2回路素子4とをZ軸方向に重ねて配置することができるため、発振器1のX軸方向およびY軸方向への広がりが抑えられ、発振器1の小型化を図ることができる。
また、前述したように、外側パッケージ2の内側パッケージ5が収容されている空間である第2収容空間S2は、減圧状態である。これにより、優れた断熱性を発揮することができ、発振器1の外部の熱が内側パッケージ5に伝わり難くなる。そのため、振動素子6の温度変化を抑制することができると共に、振動素子6と温度センサー71との温度差を小さく抑えることができる。
<第2実施形態>
図4は、第2実施形態の発振器を示す断面図である。
図4は、第2実施形態の発振器を示す断面図である。
本実施形態は、外側パッケージ2の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図4において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図4に示すように、本実施形態の発振器1では、第2ベース基板21は、上面21aに開口する第2凹部である凹部211を有する。そして、この凹部211を塞ぐように第2リッド22が第2ベース基板21の上面21aに接合されている。このように凹部211の開口を第2リッド22で塞ぐことにより、外側パッケージ2の内部に気密な第2収容空間S2が形成される。そして、第2収容空間S2に、温度補償型水晶発振器3および第2回路素子4が収容されている。
また、凹部211は、複数の凹部で構成されており、上面21aに開口する凹部211aと、凹部211aの底面に開口し、凹部211aよりも開口が小さい凹部211bおよび凹部211cと、を有する。また、凹部211b、211cは、X軸方向に並んで形成され、凹部211bの深さは、凹部211cの深さよりも大きい。そのため、凹部211bの底面は、凹部211cの底面よりも下側に位置している。また、第2ベース基板21の凹部211bと重なる部分の厚さは、凹部211cと重なる部分の厚さよりも小さい。
そして、凹部211cの底面に第2回路素子4が固定され、凹部211bの底面に温度補償型水晶発振器3が固定されている。また、平面視で、第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3は、Z軸方向に重なることなく、X軸方向に並んで配置されている。このような配置によれば、凹部211内に第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3を共に収容するため、例えば、前述した第1実施形態のように第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3を別々の凹部に収容する構成と比べて、発振器1の構成が簡単となる。また、第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3をZ軸方向に重ねることなく、X軸方向に並べて配置することができるため、外側パッケージ2の低背化を図ることができる。
以上のように、外側パッケージ2は、内側パッケージ5および第2回路素子4を収容する第2凹部である凹部211を有する第2ベース基板21と、凹部211の開口を塞ぐように第2ベース基板21に接合されている第2リッド22と、を有する。これにより、凹部211内に第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3を共に収容することができ、例えば、前述した第1実施形態のように第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3を別々の凹部に収容する構成と比べて、発振器1の構成が簡単となる。
また、前述したように、内側パッケージ5と第2回路素子4とは、平面視で並んで配置されている。これにより、第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3をZ軸方向に重ねることなく、X軸方向に並べて配置することができる。そのため、外側パッケージ2の低背化を図ることができる。
以上のような第2実施形態によっても前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
<第3実施形態>
図5は、第3実施形態の発振器を示す断面図である。
図5は、第3実施形態の発振器を示す断面図である。
本実施形態は、外側パッケージ2の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図5において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図5に示すように、本実施形態の発振器1では、第2ベース基板21は、上面21aに開口する第2凹部である凹部211を有する。そして、この凹部211を塞ぐように第2リッド22が第2ベース基板21の上面21aに接合されている。このように凹部211の開口を第2リッド22で塞ぐことにより、外側パッケージ2の内部に気密な第2収容空間S2が形成される。そして、第2収容空間S2に、温度補償型水晶発振器3および第2回路素子4が収容されている。
また、凹部211は、複数の凹部で構成されており、上面21aに開口する凹部211aと、凹部211aの底面に開口し、凹部211aよりも開口が小さい凹部211bと、凹部211bの底面に開口し、凹部211bよりも開口が小さい凹部211cと、凹部211cの底面に開口し、凹部211cよりも開口が小さい凹部211dと、を有する。
そして、凹部211bの底面に、凹部211cの開口の一部または全部を覆うようにして第2回路素子4が固定され、凹部211dの底面に温度補償型水晶発振器3が固定されている。このような配置によれば、第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3を外側パッケージ2内においてZ軸方向に重ねて配置することができる。そのため、第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3を外側パッケージ2内にコンパクトに収容することができ、発振器1の小型化を図ることができる。
以上のように、外側パッケージ2は、内側パッケージ5および第2回路素子4を収容する第2凹部である凹部211を有する第2ベース基板21と、凹部211の開口を塞ぐように第2ベース基板21に接合されている第2リッド22と、を有する。これにより、1つの凹部211内に第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3を収容することができ、例えば、前述した第1実施形態のように第2回路素子4および温度補償型水晶発振器3を別々の凹部に収容する構成と比べて、発振器1の構成が簡単となる。
また、前述したように、内側パッケージ5と第2回路素子4とは、平面視で重なって配置されている。これにより、発振器1の小型化を図ることができる。
以上のような第3実施形態によっても前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
<第4実施形態>
図6は、第4実施形態の発振器を示す断面図である。
図6は、第4実施形態の発振器を示す断面図である。
本実施形態は、断熱部材8の配置が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図6において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図6に示すように、本実施形態の発振器1では、断熱部材8は、外側パッケージ2の内側パッケージ5が収容されている空間である第2収容空間S2に充填されている。つまり、断熱部材8は、第2収容空間S2内に実質的に隙間なく配置されている。そして、内側パッケージ5は、断熱部材8によってその全周を覆われている。これにより、内側パッケージ5を外側パッケージ2により強固に固定することができ、発振器1の機械的強度が高まる。
以上のような第4実施形態によっても前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
以上、本発明の発振器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
1…発振器、2…外側パッケージ、3…温度補償型水晶発振器、4…第2回路素子、5…内側パッケージ、6…振動素子、7…第1回路素子、8…断熱部材、21…第2ベース基板、21a…上面、21b…下面、22…第2リッド、23…接合部材、40…PLL回路、41…位相比較器、42…チャージポンプ、43…ローパスフィルター、44…電圧制御型発振回路、45…分周回路、48…記憶部、49…出力回路、51…第1ベース基板、51a…上面、51b…下面、52…第1リッド、53…接合部材、61…水晶基板、71…温度センサー、72…発振回路、81…柱状部、211、211a、211b、211c、211d…凹部、212、212a、212b…凹部、241、242…内部端子、243…実装端子、481…温度補正テーブル、511、511a、511b、511c…凹部、541、542…内部端子、543…外部端子、621…第1励振電極、622…第1パッド電極、623…第1引出電極、631…第2励振電極、632…第2パッド電極、633…第2引出電極、721…発振回路部、722…温度補償回路部、B…接合部材、BW2、BW3、BW4…ボンディングワイヤー、S1…第1収容空間、S2…第2収容空間
Claims (11)
- 外側パッケージと、
前記外側パッケージに収容され、断熱部材を介して前記外側パッケージに固定されている内側パッケージと、
前記内側パッケージに収容されている振動素子と、
温度センサーと、
前記振動素子を発振させ、前記温度センサーに基づいて温度補償された発振信号を生成する発振回路を含み、前記内側パッケージに収容されている第1回路素子と、
前記外側パッケージに固定され、前記発振信号の周波数を制御する周波数制御回路を含む第2回路素子と、を有することを特徴とする発振器。 - 前記内側パッケージと前記第2回路素子とは離間して配置されている請求項1に記載の発振器。
- 前記外側パッケージと前記内側パッケージとを電気的に接続する導電性ワイヤーを有する請求項1または2に記載の発振器。
- 前記内側パッケージは、
前記振動素子、前記温度センサーおよび前記第1回路素子を収容する第1凹部を有する第1ベース基板と、
前記第1凹部の開口を塞ぐように前記第1ベース基板に接合されている第1リッドと、を有し、
前記振動素子は、前記第1ベース基板に固定され、
前記第1リッドが前記断熱部材を介して前記外側パッケージに固定されている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記内側パッケージは、前記第1ベース基板の前記第1リッドが接合されている面と反対側の面に配置されている外部端子を有する請求項4に記載の発振器。
- 前記外側パッケージは、
前記内側パッケージを収容する第2凹部と、前記第2凹部が開口する面と反対側の面に開口し、前記第2回路素子を収容する第3凹部と、を有する第2ベース基板と、
前記第2凹部の開口を塞ぐように前記第2ベース基板に接合されている第2リッドと、を有する請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記外側パッケージは、
前記内側パッケージおよび前記第2回路素子を収容する第2凹部を有する第2ベース基板と、
前記第2凹部の開口を塞ぐように前記第2ベース基板に接合されている第2リッドと、を有する請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記内側パッケージと前記第2回路素子とは、平面視で並んで配置されている請求項7に記載の発振器。
- 前記内側パッケージと前記第2回路素子とは、平面視で重なって配置されている請求項7に記載の発振器。
- 前記外側パッケージの前記内側パッケージが収容されている空間は、減圧状態である請求項1ないし9のいずれか1項に記載の発振器。
- 前記断熱部材は、前記外側パッケージの前記内側パッケージが収容されている空間に充填されている請求項1ないし10のいずれか1項に記載の発振器。
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