JP2022025587A - Semiconductor device - Google Patents

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Abstract

To provide a semiconductor device that can stabilize a conductive bonding material connecting a conductive member and an electrode of a semiconductor element.SOLUTION: A semiconductor device A10 includes: a frame 10 including a main surface 101; a pad part 221 disposed apart from the frame 10 in a direction parallel to the main surface 101 of the frame 10; a semiconductor element 30 including an element main surface 301 mounted on the main surface 101 of the frame 10 and facing the same direction as the main surface 101 of the frame 10, and a main surface electrode 30S formed on the element main surface 301; a conductive member 50 for connecting the main surface electrode 30S to the pad part 221; a conductive bonding material SD21 for connecting the conductive member 50 to the main surface electrode 30S; and a supporting member 40 mounted on the main surface of the frame 10. The conductive member 50 extends from the semiconductor element 30 to the supporting member 40 and is supported by the supporting member 40.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、半導体装置に関する。 The present disclosure relates to semiconductor devices.

半導体装置の一例として、基板上に実装された半導体素子と、駆動パッドと、半導体素子と駆動パッドとを接続する帯状の導電部材と、を備える半導体装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。導電部材は、半導体素子の主面の電極にはんだ等の導電性接合材によって接合されている。 As an example of a semiconductor device, a semiconductor device including a semiconductor element mounted on a substrate, a drive pad, and a band-shaped conductive member connecting the semiconductor element and the drive pad is known (see, for example, Patent Document 1). ). The conductive member is bonded to the electrode on the main surface of the semiconductor element by a conductive bonding material such as solder.

特開２０１８－１２５３５４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-123544

ところで、上記の半導体装置では、半導体素子の電極に導電部材を接続する際に溶融したはんだによって導電部材が傾くため、導電性接合材の厚さにばらつきを生じる場合がある。このため、導電部材と電極との接続に改善の余地がある。 By the way, in the above-mentioned semiconductor device, the conductive member is tilted by the molten solder when the conductive member is connected to the electrode of the semiconductor element, so that the thickness of the conductive bonding material may vary. Therefore, there is room for improvement in the connection between the conductive member and the electrode.

本開示の目的は、半導体素子の電極と導電部材とを接続する導電性接合材の安定化を可能とした半導体装置を提供することにある。 An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device capable of stabilizing a conductive bonding material that connects an electrode of a semiconductor element and a conductive member.

本開示の一態様である半導体装置は、主面を有するフレームと、前記フレームの前記主面と平行な方向に前記フレームと離れて配置されたパッド部と、前記フレームの前記主面に実装され、前記フレームの前記主面と同じ方向を向く素子主面と、前記素子主面に形成された主面電極とを有する半導体素子と、前記主面電極を前記パッド部に接続するための導電部材と、前記主面電極に前記導電部材を接続する導電性接合材と、前記フレームの前記主面に実装された支持部材と、を備え、前記導電部材は、前記半導体素子から前記支持部材まで延びて前記支持部材により支持されている。 The semiconductor device according to one aspect of the present disclosure is mounted on a frame having a main surface, a pad portion arranged apart from the frame in a direction parallel to the main surface of the frame, and the main surface of the frame. , A semiconductor device having an element main surface facing the same direction as the main surface of the frame, a main surface electrode formed on the element main surface, and a conductive member for connecting the main surface electrode to the pad portion. A conductive joining material for connecting the conductive member to the main surface electrode, and a support member mounted on the main surface of the frame, and the conductive member extends from the semiconductor element to the support member. It is supported by the support member.

この構成によれば、支持部材によって半導体素子の主面電極に接続する導電部材が支持されるため、導電部材と主面電極とを接続する導電性接合材の厚さのばらつきを抑制する、つまり導電性接合材の安定化を図ることができる。 According to this configuration, since the conductive member connected to the main surface electrode of the semiconductor element is supported by the support member, variation in the thickness of the conductive bonding material connecting the conductive member and the main surface electrode is suppressed, that is, It is possible to stabilize the conductive bonding material.

本開示の一態様によれば、半導体素子の電極と導電部材とを接続する導電性接合材の安定化を可能とした半導体装置を提供することができる。 According to one aspect of the present disclosure, it is possible to provide a semiconductor device capable of stabilizing a conductive bonding material that connects an electrode of a semiconductor element and a conductive member.

第１実施形態の半導体装置の斜視図。The perspective view of the semiconductor device of 1st Embodiment. 第１実施形態の半導体装置の平面図。The plan view of the semiconductor device of 1st Embodiment. 第１実施形態の半導体装置の裏面図。The back view of the semiconductor device of 1st Embodiment. 図２の４－４線断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line 4-4 of FIG. 図２の５－５線断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line 5-5 of FIG. 半導体装置の製造方法の一工程の一例を示す説明図。Explanatory drawing which shows an example of one process of the manufacturing method of a semiconductor device. 半導体装置の製造方法の一工程の一例を示す説明図。Explanatory drawing which shows an example of one process of the manufacturing method of a semiconductor device. 変更例の半導体装置の平面図。Top view of the semiconductor device of the modified example. 変更例の半導体装置の平面図。Top view of the semiconductor device of the modified example. 変更例の半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device of the modification example. 変更例の半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device of the modification example. 変更例の半導体装置のｚ断面図。Z cross-sectional view of the semiconductor device of the modified example. 変更例の半導体装置の断面図。Sectional drawing of the semiconductor device of the modification example. 変更例の半導体装置の平面図。Top view of the semiconductor device of the modified example. 図１４の１５－１５線断面図。FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line 15-15. 変更例の半導体装置の平面図。Top view of the semiconductor device of the modified example. 図１６の１７－１７線断面図。FIG. 16 is a sectional view taken along line 17-17. 第２実施形態の半導体装置の斜視図。The perspective view of the semiconductor device of 2nd Embodiment. 第２実施形態の半導体装置の平面図。The plan view of the semiconductor device of 2nd Embodiment. 図１９の２０－２０線断面図。FIG. 19 is a sectional view taken along line 20-20. 変更例の半導体装置を示す平面図。The plan view which shows the semiconductor device of the modification example.

以下、実施形態及び変更例について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態及び変更例は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の各実施形態及び変更例は、種々の変更を加えることができる。また、以下の実施形態及び変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。 Hereinafter, embodiments and modification examples will be described with reference to the drawings. The embodiments and modification examples shown below exemplify configurations and methods for embodying the technical idea, and the materials, shapes, structures, arrangements, dimensions, etc. of each component are limited to the following. It's not something to do. Various changes can be made to each of the following embodiments and modification examples. In addition, the following embodiments and modifications can be implemented in combination with each other within a technically consistent range.

本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、並びに、部材Ａ及び部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。 In the present specification, the "state in which the member A is connected to the member B" means that the member A and the member B are physically directly connected, and the member A and the member B are electrically connected. This includes the case of being indirectly connected via another member that does not affect the connection state.

同様に、「部材Ｃが部材Ａと部材Ｂとの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃとが直接的に接続される場合、並びに、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃとが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。 Similarly, "a state in which the member C is provided between the member A and the member B" means that the member A and the member C, or the member B and the member C are directly connected, and the member A. This includes the case where the member C and the member C, or the member B and the member C are indirectly connected via another member that does not affect the electrical connection state.

（第１実施形態）
図１～図５を参照して、第１実施形態の半導体装置Ａ１０を説明する。
図１、図２に示すように、半導体装置Ａ１０は、フレーム１０、第１駆動リード２１、第２駆動リード２２、制御リード２３、半導体素子３０、支持部材４０、導電部材５０、ワイヤＷ１１、封止樹脂６０を備えている。本実施形態では、フレーム１０と第１駆動リード２１は、一体的に形成されている。また、本実施形態では、フレーム１０、第１駆動リード２１、第２駆動リード２２、制御リード２３は、金属製の母材を加工して形成されている。半導体素子３０は、フレーム１０に実装されている。半導体素子３０は、導電部材５０により第２駆動リードと電気的に接続され、ワイヤＷ１１により制御リード２３と電気的に接続されている。 (First Embodiment)
The semiconductor device A10 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5.
As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor device A10 includes a frame 10, a first drive lead 21, a second drive lead 22, a control lead 23, a semiconductor element 30, a support member 40, a conductive member 50, a wire W11, and a seal. It is provided with a stop resin 60. In the present embodiment, the frame 10 and the first drive lead 21 are integrally formed. Further, in the present embodiment, the frame 10, the first drive lead 21, the second drive lead 22, and the control lead 23 are formed by processing a metal base material. The semiconductor element 30 is mounted on the frame 10. The semiconductor element 30 is electrically connected to the second drive lead by the conductive member 50, and is electrically connected to the control lead 23 by the wire W11.

封止樹脂６０は、電気絶縁性の樹脂材料からなる。樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂である。樹脂材料は、例えば黒色に着色されている。封止樹脂６０は、例えばトランスファー成型によって形成されている。封止樹脂６０は、半導体素子３０、導電部材５０、ワイヤＷ１１を封止するように形成されている。また、封止樹脂６０は、フレーム１０、第１駆動リード２１、第２駆動リード２２、制御リード２３の一部を封止するように形成されている。 The sealing resin 60 is made of an electrically insulating resin material. The resin material is, for example, an epoxy resin. The resin material is colored, for example, black. The sealing resin 60 is formed, for example, by transfer molding. The sealing resin 60 is formed so as to seal the semiconductor element 30, the conductive member 50, and the wire W11. Further, the sealing resin 60 is formed so as to partially seal the frame 10, the first drive lead 21, the second drive lead 22, and the control lead 23.

図１、図２に示すように、封止樹脂６０は、略直方体状に形成されている。封止樹脂６０は、樹脂主面６０１、樹脂裏面６０２、および４つの樹脂側面６０３～６０６を有する。図３に示すように、樹脂主面６０１は、長手方向および短手方向を有する矩形状に形成されている。なお、以降の説明において、樹脂主面６０１の長手方向に沿う方向をｘ方向とし、樹脂主面６０１の短手方向に沿う方向をｙ方向とし、ｘ方向およびｙ方向の双方に直交する方向をｚ方向とする。 As shown in FIGS. 1 and 2, the sealing resin 60 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape. The sealing resin 60 has a resin main surface 601 and a resin back surface 602, and four resin side surfaces 603 to 606. As shown in FIG. 3, the resin main surface 601 is formed in a rectangular shape having a longitudinal direction and a lateral direction. In the following description, the direction along the longitudinal direction of the resin main surface 601 is defined as the x direction, the direction along the lateral direction of the resin main surface 601 is defined as the y direction, and the direction orthogonal to both the x direction and the y direction is defined. Let it be in the z direction.

図１に示すように、樹脂主面６０１および樹脂裏面６０２は、ｚ方向において互いに反対側を向く面である。樹脂主面６０１の大部分は、ｚ方向と直交する方向に沿う平面によって形成されている。樹脂裏面６０２の全体は、ｚ方向と直交する方向に沿う平面によって形成されている。 As shown in FIG. 1, the resin main surface 601 and the resin back surface 602 are surfaces facing opposite to each other in the z direction. Most of the resin main surface 601 is formed by a plane along a direction orthogonal to the z direction. The entire resin back surface 602 is formed by a plane along a direction orthogonal to the z direction.

図１に示すように、樹脂側面６０３～６０６は、ｚ方向において樹脂主面６０１および樹脂裏面６０２を繋ぐ面である。図２に示すように、樹脂側面６０３および樹脂側面６０４は、ｘ方向において互いに反対側を向く面であり、ｚ方向から視てｘ方向に沿って延びている。樹脂側面６０５および樹脂側面６０６は、ｙ方向において互いに反対側を向く面であり、ｚ方向から視てｙ方向に沿って延びている。 As shown in FIG. 1, the resin side surfaces 603 to 606 are surfaces connecting the resin main surface 601 and the resin back surface 602 in the z direction. As shown in FIG. 2, the resin side surface 603 and the resin side surface 604 are surfaces facing opposite to each other in the x direction, and extend along the x direction when viewed from the z direction. The resin side surface 605 and the resin side surface 606 are surfaces facing opposite to each other in the y direction, and extend along the y direction when viewed from the z direction.

［フレーム、リード］
フレーム１０、第１駆動リード２１、第２駆動リード２２および制御リード２３はそれぞれ、たとえばＣｕ（銅）、Ｃｕを含む合金からなる。なお、表面の一部又は全体に導電性を有するめっき層が形成されていてもよい。 [Frame, lead]
The frame 10, the first drive lead 21, the second drive lead 22, and the control lead 23 are made of, for example, Cu (copper) and an alloy containing Cu, respectively. A plating layer having conductivity may be formed on a part or the whole of the surface.

フレーム１０は、概略長方形の平板状に形成されている。フレーム１０は、主面１０１、裏面１０２、および４つの側面１０３～１０６を有している。主面１０１及び裏面１０２は、ｚ方向において互いに反対側を向く。つまり、ｚ方向は、フレーム１０の厚さ方向ともいえる。主面１０１は樹脂主面６０１と同じ側を向く。裏面１０２は樹脂裏面６０２と同じ側を向く。ｚ方向から視て、主面１０１は、ｙ方向が長手方向となりｘ方向が短手方向となる矩形状である。本実施形態では、ｚ方向から視た主面１０１の形状と裏面１０２の形状は同一である。なお、ｚ方向から視た主面１０１の形状と裏面１０２の形状は異なっていてもよい。 The frame 10 is formed in the shape of a substantially rectangular flat plate. The frame 10 has a main surface 101, a back surface 102, and four side surfaces 103 to 106. The main surface 101 and the back surface 102 face opposite to each other in the z direction. That is, the z direction can be said to be the thickness direction of the frame 10. The main surface 101 faces the same side as the resin main surface 601. The back surface 102 faces the same side as the resin back surface 602. When viewed from the z direction, the main surface 101 has a rectangular shape in which the y direction is the longitudinal direction and the x direction is the lateral direction. In the present embodiment, the shape of the main surface 101 and the shape of the back surface 102 when viewed from the z direction are the same. The shape of the main surface 101 and the shape of the back surface 102 when viewed from the z direction may be different.

図１に示すように、側面１０３～１０６は、ｚ方向において、主面１０１と裏面１０２とを繋ぐ面である。
図２に示すように、側面１０３及び側面１０４は、ｙ方向において互いに反対側を向く。側面１０３は樹脂側面６０３と同じ側を向き、側面１０４は樹脂側面６０４と同じ側を向く。側面１０５及び側面１０６はｙ方向において互いに反対側を向く。側面１０５は樹脂側面６０５と同じ側を向き、側面１０６は樹脂側面６０６と同じ側を向く。 As shown in FIG. 1, the side surfaces 103 to 106 are surfaces connecting the main surface 101 and the back surface 102 in the z direction.
As shown in FIG. 2, the side surface 103 and the side surface 104 face opposite to each other in the y direction. The side surface 103 faces the same side as the resin side surface 603, and the side surface 104 faces the same side as the resin side surface 604. The side surface 105 and the side surface 106 face opposite to each other in the y direction. The side surface 105 faces the same side as the resin side surface 605, and the side surface 106 faces the same side as the resin side surface 606.

図３、図４に示すように、フレーム１０の裏面１０２は、封止樹脂６０の樹脂裏面６０２から露出している。
第１駆動リード２１は、フレーム１０の側面１０３に接続されている。本実施形態において、第１駆動リード２１は、フレーム１０の側面１０３において、フレーム１０の側面１０３の側の端部に接続されている。第１駆動リード２１は、フレーム１０と一体に形成されている。この第１駆動リード２１とフレーム１０は、一体のリードフレームを構成する。 As shown in FIGS. 3 and 4, the back surface 102 of the frame 10 is exposed from the resin back surface 602 of the sealing resin 60.
The first drive lead 21 is connected to the side surface 103 of the frame 10. In the present embodiment, the first drive lead 21 is connected to the end of the side surface 103 of the frame 10 on the side surface 103 of the frame 10. The first drive lead 21 is integrally formed with the frame 10. The first drive lead 21 and the frame 10 form an integrated lead frame.

図１に示すように、第１駆動リード２１は、フレーム１０からｙ方向に延び、樹脂側面６０３から突出している。第１駆動リード２１は、接続部２１１、基部２１２、基板接続部２１３を有している。接続部２１１は、フレーム１０の側面１０３に接続され、側面１０３からフレーム１０の主面１０１と垂直な方向（ｚ方向）に延びている。基部２１２は、接続部２１１の先端から、フレーム１０の主面１０１と平行なｙ方向に延び、樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２１３は、基部２１２の先端からｙ方向に延びている。 As shown in FIG. 1, the first drive lead 21 extends from the frame 10 in the y direction and protrudes from the resin side surface 603. The first drive lead 21 has a connection portion 211, a base portion 212, and a substrate connection portion 213. The connecting portion 211 is connected to the side surface 103 of the frame 10 and extends from the side surface 103 in a direction (z direction) perpendicular to the main surface 101 of the frame 10. The base portion 212 extends from the tip of the connecting portion 211 in the y direction parallel to the main surface 101 of the frame 10 and protrudes from the resin side surface 603. The board connection portion 213 extends in the y direction from the tip of the base portion 212.

図１に示すように、第１駆動リード２１は、フレーム１０に対して、主面１０１よりも樹脂主面６０１寄りに配置されている。つまり、第１駆動リード２１は、フレーム１０の側面１０３からｚ方向に延びる接続部２１１と、その接続部２１１からｙ方向に延びて樹脂側面６０３から突出する基部２１２と、基部２１２の先端からｙ方向に延びる基板接続部２１３とを有している。 As shown in FIG. 1, the first drive lead 21 is arranged closer to the resin main surface 601 than the main surface 101 with respect to the frame 10. That is, the first drive lead 21 has a connection portion 211 extending in the z direction from the side surface 103 of the frame 10, a base portion 212 extending in the y direction from the connection portion 211 and protruding from the resin side surface 603, and y from the tip of the base portion 212. It has a substrate connecting portion 213 extending in the direction.

第２駆動リード２２は、パッド部２２１、基部２２２、基板接続部２２３を有している。パッド部２２１は、封止樹脂６０内に配置されている。パッド部２２１は、フレーム１０に対してｙ方向に離れて配置されている。パッド部２２１は、ｚ方向において、第１駆動リード２１の基部２１２と同じ位置に配置されている。基部２２２は、パッド部２２１からｙ方向に延び、樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２２３は、基部２２２の先端からｙ方向に延びている。 The second drive lead 22 has a pad portion 221, a base portion 222, and a substrate connecting portion 223. The pad portion 221 is arranged in the sealing resin 60. The pad portion 221 is arranged apart from the frame 10 in the y direction. The pad portion 221 is arranged at the same position as the base portion 212 of the first drive lead 21 in the z direction. The base portion 222 extends from the pad portion 221 in the y direction and protrudes from the resin side surface 603. The substrate connection portion 223 extends in the y direction from the tip of the base portion 222.

制御リード２３は、パッド部２３１、基部２３２、基板接続部２３３を有している。パッド部２３１は、封止樹脂６０内に配置されている。パッド部２３１は、フレーム１０に対してｙ方向に離れて配置されている。パッド部２３１は、ｚ方向において、第１駆動リード２１の基部２１２と同じ位置に配置されている。基部２３２は、パッド部２３１からｙ方向に延び、樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２３３は、基部２３２の先端からｙ方向に延びている。 The control lead 23 has a pad portion 231, a base portion 232, and a substrate connection portion 233. The pad portion 231 is arranged in the sealing resin 60. The pad portion 231 is arranged apart from the frame 10 in the y direction. The pad portion 231 is arranged at the same position as the base portion 212 of the first drive lead 21 in the z direction. The base portion 232 extends from the pad portion 231 in the y direction and protrudes from the resin side surface 603. The substrate connection portion 233 extends in the y direction from the tip of the base portion 232.

［半導体素子］
半導体素子３０は、フレーム１０の主面１０１に実装されている。より詳細には、図４に示すように、半導体素子３０は、導電性接合材ＳＤ１１を介してフレーム１０の主面１０１に接合されている。導電性接合材ＳＤ１１は、例えばはんだ、Ａｇ（銀）ペースト、等である。 [Semiconductor device]
The semiconductor element 30 is mounted on the main surface 101 of the frame 10. More specifically, as shown in FIG. 4, the semiconductor element 30 is bonded to the main surface 101 of the frame 10 via the conductive bonding material SD11. The conductive bonding material SD11 is, for example, solder, Ag (silver) paste, or the like.

半導体素子３０は、ｚ方向において互いに反対側を向く素子主面３０１および素子裏面３０２を有する平板状に形成されている。半導体素子３０は、素子主面３０１がフレーム１０の主面１０１と同じ側を向き、素子裏面３０２がフレーム１０の裏面１０２と同じ側を向くようにフレーム１０に配置されている。 The semiconductor element 30 is formed in a flat plate shape having an element main surface 301 and an element back surface 302 facing opposite to each other in the z direction. The semiconductor element 30 is arranged on the frame 10 so that the element main surface 301 faces the same side as the main surface 101 of the frame 10 and the element back surface 302 faces the same side as the back surface 102 of the frame 10.

図２、図５に示すように、半導体素子３０は、主面電極３０Ｓ、制御電極３０Ｇ、裏面電極３０Ｄを有している。主面電極３０Ｓ及び制御電極３０Ｇは、素子主面３０１に形成されている。裏面電極３０Ｄは、素子裏面３０２に形成されている。裏面電極３０Ｄは、素子裏面３０２の全体にわたり形成されている。裏面電極３０Ｄは、導電性接合材ＳＤ１１を介してフレーム１０と電気的に接続されている。 As shown in FIGS. 2 and 5, the semiconductor element 30 has a main surface electrode 30S, a control electrode 30G, and a back surface electrode 30D. The main surface electrode 30S and the control electrode 30G are formed on the element main surface 301. The back surface electrode 30D is formed on the back surface 302 of the element. The back surface electrode 30D is formed over the entire back surface 302 of the element. The back surface electrode 30D is electrically connected to the frame 10 via the conductive bonding material SD11.

本実施形態の半導体素子３０は、スイッチング素子であり、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。半導体素子３０は、制御電極３０Ｇに印加される制御信号に応答して主面電極３０Ｓと裏面電極３０Ｄとの間をスイッチングする。本実施形態のように半導体素子３０がＭＯＳＦＥＴである場合、主面電極３０Ｓはソース電極であり、制御電極３０Ｇはゲート電極であり、裏面電極はドレイン電極である。 The semiconductor element 30 of the present embodiment is a switching element, for example, a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). The semiconductor element 30 switches between the main surface electrode 30S and the back surface electrode 30D in response to a control signal applied to the control electrode 30G. When the semiconductor element 30 is a MOSFET as in the present embodiment, the main surface electrode 30S is a source electrode, the control electrode 30G is a gate electrode, and the back surface electrode is a drain electrode.

半導体素子３０としては、たとえばＳｉＣ（炭化シリコン）を含むＳｉＣＦＥＴが用いられている。ＳｉＣＭＯＳＦＥＴは、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。好ましくは、半導体素子３０は、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。本実施形態では、半導体素子３０は、１００ｋＨｚの周波数の駆動信号に応じて高速スイッチングを行う。 As the semiconductor element 30, for example, a SiC FET containing SiC (silicon carbide) is used. The SiC MOSFET is an element capable of high-speed switching in response to a drive signal having a frequency of 1 kHz or more and several hundred kHz or less. Preferably, the semiconductor element 30 is an element capable of high-speed switching in response to a drive signal having a frequency of 1 kHz or more and 100 kHz or less. In the present embodiment, the semiconductor element 30 performs high-speed switching according to a drive signal having a frequency of 100 kHz.

なお、半導体素子３０は、ＳｉＣＭＯＳＦＥに限られず、Ｓｉ（シリコン）を含むＭＯＳＦＥＴであってもよいし、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やサイリスタ等の他のトランジスタであってもよい。また、半導体素子３０は、トランジスタに限られず、ダイオード等の他の半導体素子であってもよい。 The semiconductor element 30 is not limited to the SiC CMOS FE, and may be a MOSFET containing Si (silicon), or may be another transistor such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) or a thyristor. Further, the semiconductor element 30 is not limited to the transistor, and may be another semiconductor element such as a diode.

［支持部材］
図１、図２、図４に示すように、支持部材４０は、フレーム１０の主面１０１に実装されている。支持部材４０は、半導体素子３０に対して、第２駆動リード２２のパッド部２２１と反対側に配置されている。支持部材４０は、例えば直方体状に形成され、第１端と、第１端と反対側の第２端とを有している。支持部材４０は、第１端と第２端とがフレーム１０の主面１０１に対して垂直な方向に並ぶように配置されている。支持部材４０の第１端は、導電性接合材ＳＤ１２によりフレーム１０と接続されている。 [Support member]
As shown in FIGS. 1, 2, and 4, the support member 40 is mounted on the main surface 101 of the frame 10. The support member 40 is arranged on the side opposite to the pad portion 221 of the second drive lead 22 with respect to the semiconductor element 30. The support member 40 is formed in a rectangular parallelepiped shape, for example, and has a first end and a second end opposite to the first end. The support member 40 is arranged so that the first end and the second end are arranged in a direction perpendicular to the main surface 101 of the frame 10. The first end of the support member 40 is connected to the frame 10 by the conductive bonding material SD12.

本実施形態において、支持部材４０は、コンデンサであり、図４に示すように、第１電極４０１と第２電極４０２とを有している。支持部材４０は、第１電極４０１をフレーム１０に向けて配置されている。支持部材４０の第１電極４０１は、フレーム１０の主面と接続されている。本実施形態において、第１電極４０１は、導電性接合材ＳＤ１２によりフレーム１０の主面１０１に接続されている。導電性接合材ＳＤ１２は、例えばはんだ、Ａｇペースト、等である。なお、支持部材４０として電極を有していないものを用いた場合、導電性接合材ＳＤ１２以外の接合材、例えば絶縁性接着材により支持部材４０をフレーム１０に接続してもよい。 In the present embodiment, the support member 40 is a capacitor and has a first electrode 401 and a second electrode 402 as shown in FIG. The support member 40 is arranged with the first electrode 401 facing the frame 10. The first electrode 401 of the support member 40 is connected to the main surface of the frame 10. In the present embodiment, the first electrode 401 is connected to the main surface 101 of the frame 10 by the conductive bonding material SD12. The conductive bonding material SD12 is, for example, solder, Ag paste, or the like. When a support member 40 having no electrode is used, the support member 40 may be connected to the frame 10 by a bonding material other than the conductive bonding material SD12, for example, an insulating adhesive.

支持部材４０の端面４０３は、支持部材４０の第２電極４０２の側の面であり、フレーム１０の主面１０１と同じ方向を向く。本実施形態において、端面４０３は、半導体素子３０の素子主面３０１と、フレーム１０の主面１０１からの距離が同じである。 The end surface 403 of the support member 40 is a surface on the side of the second electrode 402 of the support member 40, and faces the same direction as the main surface 101 of the frame 10. In the present embodiment, the end face 403 has the same distance from the element main surface 301 of the semiconductor element 30 and the main surface 101 of the frame 10.

［導電部材］
図１、図２、図４に示すように、半導体素子３０の主面電極３０Ｓは、導電部材５０を介して第２駆動リード２２に接続されている。導電部材５０は、導電性を有する板状部材である。導電部材５０は、互いに反対側を向く上面５０１及び下面５０２を有している。図２に示すように、導電部材５０は、第２駆動リード２２のパッド部２２１から半導体素子３０の主面電極３０Ｓに向けて直線状に延びている。主面電極３０Ｓは、導電性接合材ＳＤ２１により導電部材５０と電気的に接続されている。第２駆動リード２２のパッド部２２１は、導電性接合材ＳＤ２３により導電部材５０と電気的に接続されている。 [Conductive member]
As shown in FIGS. 1, 2, and 4, the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 is connected to the second drive lead 22 via the conductive member 50. The conductive member 50 is a plate-shaped member having conductivity. The conductive member 50 has an upper surface 501 and a lower surface 502 facing opposite sides. As shown in FIG. 2, the conductive member 50 extends linearly from the pad portion 221 of the second drive lead 22 toward the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30. The main surface electrode 30S is electrically connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD21. The pad portion 221 of the second drive lead 22 is electrically connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD23.

導電部材５０は、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金からなる。なお、表面の一部又は全体に導電性を有するめっき層が形成されていてもよい。導電性接合材ＳＤ２１，ＳＤ２３は、例えばはんだ、Ａｇペースト、等である。 The conductive member 50 is made of, for example, Cu or a Cu alloy. A plating layer having conductivity may be formed on a part or the whole of the surface. The conductive bonding materials SD21 and SD23 are, for example, solder, Ag paste, and the like.

本実施形態において、半導体素子３０の主面電極３０Ｓは、導電性接合材ＳＤ２１により導電部材５０と接続されている。また、半導体素子３０の裏面電極３０Ｄは、導電性接合材ＳＤ１１によりフレーム１０と接続されている。導電性接合材ＳＤ１１と導電性接合材ＳＤ２１は、互いに融点が異なる。本実施形態において、導電部材５０と半導体素子３０の主面電極３０Ｓとを接続する導電性接合材ＳＤ２１と比べ、フレーム１０と半導体素子３０の裏面電極３０Ｄとを接続する導電性接合材ＳＤ１１の融点が高い高融点接合材である。 In the present embodiment, the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 is connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD21. Further, the back surface electrode 30D of the semiconductor element 30 is connected to the frame 10 by the conductive bonding material SD11. The conductive bonding material SD11 and the conductive bonding material SD21 have different melting points from each other. In the present embodiment, the melting point of the conductive bonding material SD11 connecting the frame 10 and the back surface electrode 30D of the semiconductor element 30 is compared with the conductive bonding material SD21 connecting the conductive member 50 and the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30. Is a high melting point bonding material.

本実施形態において、導電部材５０は、第２駆動リード２２のパッド部２２１から支持部材４０まで延びている。導電部材５０の先端部分は、ｚ方向から視て、支持部材４０を覆うように配置されている。 In the present embodiment, the conductive member 50 extends from the pad portion 221 of the second drive lead 22 to the support member 40. The tip portion of the conductive member 50 is arranged so as to cover the support member 40 when viewed from the z direction.

そして、導電部材５０は、下面５０２を半導体素子３０の主面電極３０Ｓとｚ方向において互いに対向するように配置されている。その対向する部分において、導電部材５０は、導電性接合材ＳＤ２１により半導体素子３０の主面電極３０Ｓと電気的に接続されている。 The conductive member 50 is arranged so that the lower surface 502 faces the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 in the z direction. At the opposite portion, the conductive member 50 is electrically connected to the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 by the conductive bonding material SD21.

本実施形態において、支持部材４０の第２電極４０２は、導電性接合材ＳＤ２２により導電部材５０と接続されている。また、支持部材４０の第１電極４０１は、導電性接合材ＳＤ１２によりフレーム１０と接続されている。導電性接合材ＳＤ１２と導電性接合材ＳＤ２２は、互いに融点が異なる。本実施形態において、導電部材５０と支持部材４０の第２電極４０２とを接続する導電性接合材ＳＤ２２と比べ、フレーム１０と支持部材４０の第１電極４０１とを接続する導電性接合材ＳＤ１２の融点が高い高融点接合材である。 In the present embodiment, the second electrode 402 of the support member 40 is connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD22. Further, the first electrode 401 of the support member 40 is connected to the frame 10 by the conductive bonding material SD12. The conductive bonding material SD12 and the conductive bonding material SD22 have different melting points from each other. In the present embodiment, the conductive bonding material SD12 that connects the frame 10 and the first electrode 401 of the support member 40 is compared with the conductive bonding material SD22 that connects the conductive member 50 and the second electrode 402 of the support member 40. It is a high melting point bonding material with a high melting point.

図４に示すように、導電部材５０は、導電性接合材ＳＤ２２により支持部材４０の第２電極４０２に接続されている。本実施形態において、支持部材４０は、コンデンサであり、導電部材５０とフレーム１０との間に接続されている。この支持部材４０は、導電部材５０を支持する。つまり、導電部材５０は、第２駆動リード２２から半導体素子３０まで延びる接続部分５０ａと、半導体素子３０から支持部材４０まで延びる支持部分５０ｂとを有している。 As shown in FIG. 4, the conductive member 50 is connected to the second electrode 402 of the support member 40 by the conductive bonding material SD22. In the present embodiment, the support member 40 is a capacitor and is connected between the conductive member 50 and the frame 10. The support member 40 supports the conductive member 50. That is, the conductive member 50 has a connection portion 50a extending from the second drive lead 22 to the semiconductor element 30, and a support portion 50b extending from the semiconductor element 30 to the support member 40.

上述したように、導電部材５０とフレーム１０との間に接続されたスイッチング素子としての半導体素子３０は、制御信号に応答して主面電極３０Ｓと裏面電極３０Ｄとの間、つまり導電部材５０とフレーム１０との間をスイッチングする。コンデンサである支持部材４０は、半導体素子３０と並列に接続されている。この支持部材４０は、半導体素子３０のスイッチングに対するスナバ回路（スナバコンデンサ）として機能する。 As described above, the semiconductor element 30 as a switching element connected between the conductive member 50 and the frame 10 responds to the control signal between the main surface electrode 30S and the back surface electrode 30D, that is, the conductive member 50. Switching to and from the frame 10. The support member 40, which is a capacitor, is connected in parallel with the semiconductor element 30. The support member 40 functions as a snubber circuit (snubber capacitor) for switching of the semiconductor element 30.

半導体素子３０の制御電極３０Ｇは、ワイヤＷ１１を介して制御リード２３のパッド部２３１と電気的に接続されている。より詳細には、ワイヤＷ１１の第１端は、制御電極３０Ｇに接続され、ワイヤＷ１１の第２端は制御リード２３のパッド部２３１に接続されている。ワイヤＷ１１は、Ｃｕ，Ａｕ（金），Ａｌ（アルミニウム）等からなるボンディングワイヤである。 The control electrode 30G of the semiconductor element 30 is electrically connected to the pad portion 231 of the control lead 23 via the wire W11. More specifically, the first end of the wire W11 is connected to the control electrode 30G, and the second end of the wire W11 is connected to the pad portion 231 of the control lead 23. The wire W11 is a bonding wire made of Cu, Au (gold), Al (aluminum), or the like.

（半導体装置の製造方法）
図６、図７を参照して、本実施形態の半導体装置Ａ１０の製造方法について説明する。
図６に示すように、半導体装置Ａ１０の製造方法は、フレームユニット８００を準備する工程を備えている。フレームユニット８００は、フレーム１０に対応するフレーム体８１０と、第１駆動リード２１、第２駆動リード２２、制御リード２３に対応するリード体８２１，８２２，８２３と、フレーム体８１０とリード体８２１，８２２，８２３とを囲むフレーム８０１とを有するリードフレームである。フレーム体８１０とリード体８２１とは一体的に形成されている。各リード体８２１，８２２，８２３は、タイバー８０２により互いに接続されるとともにフレーム８０１に接続されている。 (Manufacturing method of semiconductor device)
A method of manufacturing the semiconductor device A10 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
As shown in FIG. 6, the manufacturing method of the semiconductor device A10 includes a step of preparing the frame unit 800. The frame unit 800 includes a frame body 810 corresponding to the frame 10, a lead body 821, 822, 823 corresponding to the first drive lead 21, a second drive lead 22, and a control lead 23, and a frame body 810 and a lead body 8211. It is a lead frame having a frame 801 that surrounds 822 and 823. The frame body 810 and the lead body 821 are integrally formed. Each lead body 821, 822, 823 is connected to each other by a tie bar 802 and is connected to a frame 801.

図６に示すように、半導体装置Ａ１０の製造方法は、半導体素子３０と支持部材４０とをフレームユニット８００に実装する工程を備えている。半導体素子３０と支持部材４０は、フレームユニット８００のフレーム体８１０に実装される。より具体的には、先ず、フレーム体８１０の主面８１０１には、導電性接合材ＳＤ１１，ＳＤ１２が塗布される。続いて、導電性接合材ＳＤ１１上に半導体素子３０が載置され、導電性接合材ＳＤ１２上に支持部材４０が載置される。そして、たとえばリフロー処理によって導電性接合材ＳＤ１１，ＳＤ１２を溶融した後、冷却して導電性接合材ＳＤ１１，ＳＤ１２を固化することにより、導電性接合材ＳＤ１１に半導体素子３０が接合されるとともに、導電性接合材ＳＤ１２に支持部材４０が接合される。これにより、半導体素子３０の裏面電極３０Ｄと支持部材４０の第１電極４０１とがフレーム体８１０と電気的に接続される。 As shown in FIG. 6, the manufacturing method of the semiconductor device A10 includes a step of mounting the semiconductor element 30 and the support member 40 on the frame unit 800. The semiconductor element 30 and the support member 40 are mounted on the frame body 810 of the frame unit 800. More specifically, first, the conductive bonding materials SD11 and SD12 are applied to the main surface 8101 of the frame body 810. Subsequently, the semiconductor element 30 is placed on the conductive bonding material SD11, and the support member 40 is placed on the conductive bonding material SD12. Then, for example, the conductive bonding materials SD11 and SD12 are melted by a reflow process and then cooled to solidify the conductive bonding materials SD11 and SD12, whereby the semiconductor element 30 is bonded to the conductive bonding material SD11 and the semiconductor element 30 is conductive. The support member 40 is bonded to the sex bonding material SD12. As a result, the back surface electrode 30D of the semiconductor element 30 and the first electrode 401 of the support member 40 are electrically connected to the frame body 810.

図７に示すように、半導体装置Ａ１０の製造方法は、導電部材５０を接続する工程を備える。
先ず、リード体８２２と、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと、支持部材４０の第２電極４０２とに導電性接合材ＳＤ２１，ＳＤ２３，ＳＤ２２が塗布される。続いて、導電性接合材ＳＤ２１，ＳＤ２３，ＳＤ２２上に導電部材５０が載置される。そして、リフロー処理によって導電性接合材ＳＤ２１，ＳＤ２３，ＳＤ２２を溶融した後、冷却して導電性接合材ＳＤ２１，ＳＤ２３，ＳＤ２２を固化することにより、導電性接合材ＳＤ２１，ＳＤ２３，ＳＤ２２に導電部材５０が接合される。これにより、導電部材５０がリード体８２２と半導体素子３０の主面電極３０Ｓと支持部材４０の第２電極４０２とに電気的に接続される。 As shown in FIG. 7, the manufacturing method of the semiconductor device A10 includes a step of connecting the conductive member 50.
First, the conductive bonding materials SD21, SD23, and SD22 are applied to the lead body 822, the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30, and the second electrode 402 of the support member 40. Subsequently, the conductive member 50 is placed on the conductive bonding materials SD21, SD23, and SD22. Then, after the conductive bonding materials SD21, SD23, and SD22 are melted by the reflow treatment, the conductive bonding materials SD21, SD23, and SD22 are cooled to solidify the conductive bonding materials SD21, SD23, and SD22. Is joined. As a result, the conductive member 50 is electrically connected to the lead body 822, the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30, and the second electrode 402 of the support member 40.

図７に示すように、半導体装置Ａ１０の製造方法は、ワイヤＷ１１を形成する工程を備えている。たとえばワイヤボンディング装置を用いて、半導体素子３０の制御電極３０Ｇとリード体８２３とを接続するようにワイヤＷ１１が形成される。 As shown in FIG. 7, the manufacturing method of the semiconductor device A10 includes a step of forming the wire W11. For example, using a wire bonding device, the wire W11 is formed so as to connect the control electrode 30G of the semiconductor element 30 and the lead body 823.

図示していないが、半導体装置Ａ１０の製造方法は、封止樹脂６０を形成する工程と、フレームユニット８００を切断する工程を備えている。例えばトランスファー成型によって、図１～図５に示す封止樹脂６０が形成される。そして、例えばプレス加工機によって、フレームユニット８００を切断することにより、各リード２１，２２，２３を形成する。これにより、半導体装置Ａ１０が個片化される。以上の工程を経て、半導体装置Ａ１０が製造される。 Although not shown, the method for manufacturing the semiconductor device A10 includes a step of forming the sealing resin 60 and a step of cutting the frame unit 800. For example, transfer molding forms the sealing resin 60 shown in FIGS. 1 to 5. Then, for example, the frame unit 800 is cut by a press processing machine to form the leads 21, 22, 23. As a result, the semiconductor device A10 is fragmented. Through the above steps, the semiconductor device A10 is manufactured.

（作用）
図１～図３に示すように、フレーム１０の主面１０１には、半導体素子３０と支持部材４０とが実装されている。支持部材４０は、半導体素子３０に対して、第２駆動リード２２と反対側に配置されている。半導体素子３０の主面電極３０Ｓは、導電性接合材ＳＤ２１により導電部材５０と接続され、第２駆動リード２２は、導電性接合材ＳＤ２３により導電部材５０と接続されている。導電部材５０は、半導体素子３０から支持部材４０まで延び、支持部材４０により支持されている。このように、支持部材４０によって導電部材５０を支持することにより、半導体素子３０の主面電極３０Ｓに接続される導電部材５０の傾きを抑制できる。したがって、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと導電部材５０とを接続する導電性接合材ＳＤ２１の厚さのばらつきを抑制できる。 (Action)
As shown in FIGS. 1 to 3, a semiconductor element 30 and a support member 40 are mounted on the main surface 101 of the frame 10. The support member 40 is arranged on the side opposite to the second drive lead 22 with respect to the semiconductor element 30. The main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 is connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD21, and the second drive lead 22 is connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD23. The conductive member 50 extends from the semiconductor element 30 to the support member 40 and is supported by the support member 40. By supporting the conductive member 50 by the support member 40 in this way, the inclination of the conductive member 50 connected to the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress variations in the thickness of the conductive bonding material SD21 that connects the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 and the conductive member 50.

半導体装置Ａ１０の使用において、半導体素子３０の発熱によって導電性接合材に熱応力が加わる。例えば、長期的にみて、導電性接合材ＳＤ２１に加わる熱応力によって、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと導電部材５０との間の導電性が低下する等の長期的な信頼性が低下するおそれがある。これに対し、本実施形態のように、導電性接合材ＳＤ２１の厚さのばらつきを抑制することで、熱応力を緩和し、長期的な信頼性を向上できる。 In the use of the semiconductor device A10, thermal stress is applied to the conductive bonding material due to heat generation of the semiconductor element 30. For example, in the long term, the thermal stress applied to the conductive bonding material SD21 may reduce the long-term reliability such as the decrease in conductivity between the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 and the conductive member 50. There is. On the other hand, as in the present embodiment, by suppressing the variation in the thickness of the conductive bonding material SD21, the thermal stress can be alleviated and the long-term reliability can be improved.

半導体素子３０はスイッチング素子であり、支持部材４０はコンデンサである。支持部材４０は、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと裏面電極３０Ｄとの間に接続されている。半導体素子３０は、制御電極３０Ｇに印加される制御信号に応答して、主面電極３０Ｓと裏面電極３０Ｄとの間をスイッチングする。したがって、半導体素子３０に対して並列に接続された支持部材４０を備えることにより、半導体素子３０のスイッチングにより発生するノイズやスパイク電圧が抑制される。 The semiconductor element 30 is a switching element, and the support member 40 is a capacitor. The support member 40 is connected between the main surface electrode 30S and the back surface electrode 30D of the semiconductor element 30. The semiconductor element 30 switches between the main surface electrode 30S and the back surface electrode 30D in response to a control signal applied to the control electrode 30G. Therefore, by providing the support member 40 connected in parallel to the semiconductor element 30, noise and spike voltage generated by switching of the semiconductor element 30 are suppressed.

半導体装置Ａ１０は、コンデンサである支持部材４０を備えている。スイッチングを行う半導体素子３０の直近にスナバコンデンサを配置することができる。そして、半導体装置Ａ１０がスナバコンデンサを含むことにより、半導体装置Ａ１０を実装する基板等において、スナバコンデンサの実装が不要となり、実装工数や実装面積を低減できる。 The semiconductor device A10 includes a support member 40 which is a capacitor. A snubber capacitor can be placed in the immediate vicinity of the semiconductor element 30 for switching. Since the semiconductor device A10 includes the snubber capacitor, it is not necessary to mount the snubber capacitor on the substrate or the like on which the semiconductor device A10 is mounted, and the mounting man-hours and the mounting area can be reduced.

以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１－１）フレーム１０の主面１０１には、半導体素子３０と支持部材４０とが実装されている。支持部材４０は、半導体素子３０に対して、第２駆動リード２２と反対側に配置されている。半導体素子３０の主面電極３０Ｓは、導電性接合材ＳＤ２１により導電部材５０と接続され、第２駆動リード２２は、導電性接合材ＳＤ２３により導電部材５０と接続されている。導電部材５０は、半導体素子３０から支持部材４０まで延び、支持部材４０により支持されている。 As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(1-1) A semiconductor element 30 and a support member 40 are mounted on the main surface 101 of the frame 10. The support member 40 is arranged on the side opposite to the second drive lead 22 with respect to the semiconductor element 30. The main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 is connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD21, and the second drive lead 22 is connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD23. The conductive member 50 extends from the semiconductor element 30 to the support member 40 and is supported by the support member 40.

この構成によれば、支持部材４０によって導電部材５０を支持することにより、半導体素子３０の主面電極３０Ｓに接続される導電部材５０の傾きを抑制できる。また、支持部材４０により導電部材５０を支持することにより、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと導電部材５０とを接続する導電性接合材ＳＤ２１の厚さのばらつきを抑制できる。したがって、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと導電部材５０とを接続する導電性接合材ＳＤ２１の厚さを安定とすることができる。これにより、半導体装置の長期信頼性を向上できる。 According to this configuration, by supporting the conductive member 50 by the support member 40, the inclination of the conductive member 50 connected to the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 can be suppressed. Further, by supporting the conductive member 50 by the support member 40, it is possible to suppress variations in the thickness of the conductive bonding material SD21 that connects the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 and the conductive member 50. Therefore, the thickness of the conductive bonding material SD21 that connects the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 and the conductive member 50 can be stabilized. This makes it possible to improve the long-term reliability of the semiconductor device.

（１－２）半導体素子３０はスイッチング素子であり、支持部材４０はコンデンサである。コンデンサである支持部材４０は、スイッチング素子である半導体素子３０の主面電極３０Ｓと裏面電極３０Ｄとの間に接続されている。スイッチング素子である半導体素子３０は、制御電極３０Ｇに印加される制御信号に応答して、主面電極３０Ｓと裏面電極３０Ｄとの間をスイッチングする。したがって、半導体素子３０に対して並列に接続された支持部材４０を備えることにより、半導体素子３０のスイッチングにより発生するノイズやスパイク電圧を抑制できる。 (1-2) The semiconductor element 30 is a switching element, and the support member 40 is a capacitor. The support member 40, which is a capacitor, is connected between the main surface electrode 30S and the back surface electrode 30D of the semiconductor element 30 which is a switching element. The semiconductor element 30, which is a switching element, switches between the main surface electrode 30S and the back surface electrode 30D in response to a control signal applied to the control electrode 30G. Therefore, by providing the support member 40 connected in parallel to the semiconductor element 30, noise and spike voltage generated by switching of the semiconductor element 30 can be suppressed.

（１－３）半導体装置Ａ１０は、コンデンサである支持部材４０を備えている。スイッチングを行う半導体素子３０の直近にスナバコンデンサを配置することができる。そして、半導体装置Ａ１０がスナバコンデンサを含むことにより、半導体装置Ａ１０を実装する基板等において、スナバコンデンサの実装が不要となり、実装工数や実装面積を低減できる。 (1-3) The semiconductor device A10 includes a support member 40 which is a capacitor. A snubber capacitor can be placed in the immediate vicinity of the semiconductor element 30 for switching. Since the semiconductor device A10 includes the snubber capacitor, it is not necessary to mount the snubber capacitor on the substrate or the like on which the semiconductor device A10 is mounted, and the mounting man-hours and the mounting area can be reduced.

（第１実施形態の変更例）
第１実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
・図８に示す半導体装置Ａ１１は、フレーム１０に複数の支持部材４０が実装されている。各支持部材４０は、コンデンサである。複数の支持部材４０は、半導体素子３０に対して第２駆動リード２２と反対側に配置された支持部材４０と、ｘ方向において、半導体素子３０の両側に配置された支持部材４０とを含む。導電部材５０は、第２駆動リード２２から半導体素子３０まで延び、半導体素子３０から各支持部材４０まで延びている。つまり、この導電部材５０は、１つの接続部分５０ａと、複数の支持部分５０ｂとを有している。 (Example of modification of the first embodiment)
The first embodiment can be modified and implemented as follows.
In the semiconductor device A11 shown in FIG. 8, a plurality of support members 40 are mounted on the frame 10. Each support member 40 is a capacitor. The plurality of support members 40 include support members 40 arranged on the opposite side of the second drive lead 22 with respect to the semiconductor element 30, and support members 40 arranged on both sides of the semiconductor element 30 in the x direction. The conductive member 50 extends from the second drive lead 22 to the semiconductor element 30, and extends from the semiconductor element 30 to each support member 40. That is, the conductive member 50 has one connecting portion 50a and a plurality of supporting portions 50b.

このように、半導体素子３０を囲むように複数の支持部材４０を配置することにより、導電部材５０を安定して支持することができ、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと導電部材５０とを接続する導電性接合材ＳＤ２１の厚さを精密に制御することができる。そして、コンデンサである複数の支持部材４０は、フレーム１０と導電部材５０とにより、半導体素子３０に対して並列に接続される。したがって、半導体素子３０に対するスナバコンデンサの容量値を、１つの支持部材４０を実装する場合よりも増加できる。 By arranging the plurality of support members 40 so as to surround the semiconductor element 30 in this way, the conductive member 50 can be stably supported, and the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 and the conductive member 50 are connected to each other. The thickness of the conductive bonding material SD21 to be formed can be precisely controlled. The plurality of support members 40, which are capacitors, are connected in parallel to the semiconductor element 30 by the frame 10 and the conductive member 50. Therefore, the capacitance value of the snubber capacitor with respect to the semiconductor element 30 can be increased as compared with the case where one support member 40 is mounted.

・図９に示す半導体装置Ａ１２は、半導体素子３０から延びる複数の支持部分５０ｂのそれぞれに、複数の支持部材４０が接続されている。さらに、半導体素子３０と第２駆動リード２２との間において、接続部分５０ａに複数の支持部材４０が接続されている。各支持部材４０は、コンデンサである。したがって、この半導体装置Ａ１２では、ｘ方向とｙ方向とにおいて、半導体素子３０を挟むように支持部材４０が配置されている。したがって、導電部材５０をより安定して支持することができ、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと導電部材５０とを接続する導電性接合材ＳＤ２１の厚さをより精密に制御することができる。そして、複数の支持部材４０により、半導体素子３０に対して並列に接続されるスナバコンデンサの容量値をより大きくすることができる。 In the semiconductor device A12 shown in FIG. 9, a plurality of support members 40 are connected to each of the plurality of support portions 50b extending from the semiconductor element 30. Further, a plurality of support members 40 are connected to the connection portion 50a between the semiconductor element 30 and the second drive lead 22. Each support member 40 is a capacitor. Therefore, in the semiconductor device A12, the support member 40 is arranged so as to sandwich the semiconductor element 30 in the x direction and the y direction. Therefore, the conductive member 50 can be supported more stably, and the thickness of the conductive bonding material SD21 connecting the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 and the conductive member 50 can be controlled more precisely. Then, the capacitance value of the snubber capacitor connected in parallel to the semiconductor element 30 can be further increased by the plurality of support members 40.

・図１０に示す半導体装置Ａ１３において、支持部材４０はコンデンサであり、この支持部材４０の容量値は、体格（サイズ）に応じて、第１実施形態の支持部材４０の容量値よりも大きい。この支持部材４０において、第２電極４０２の側の端面４０３は、半導体素子３０の素子主面３０１よりも、フレーム１０の主面１０１から離れている。導電部材５０は、支持部分５０ｂにおいて、支持部材４０に接続される部分をフレーム１０の主面１０１から離れるように屈曲して形成されている。このような半導体装置Ａ１３においても、体格の大きな支持部材４０を搭載して容量値の大きなスナバコンデンサによりノイズ等を抑制できる。そして、この支持部材４０により、半導体素子３０の主面電極３０Ｓと導電部材５０とを接続する導電性接合材ＳＤ２１の厚さを制御してばらつきを抑制できる。 In the semiconductor device A13 shown in FIG. 10, the support member 40 is a capacitor, and the capacitance value of the support member 40 is larger than the capacitance value of the support member 40 of the first embodiment according to the body shape (size). In the support member 40, the end surface 403 on the side of the second electrode 402 is farther from the main surface 101 of the frame 10 than the element main surface 301 of the semiconductor element 30. The conductive member 50 is formed by bending a portion of the support portion 50b connected to the support member 40 so as to be separated from the main surface 101 of the frame 10. Even in such a semiconductor device A13, noise and the like can be suppressed by mounting a support member 40 having a large body shape and using a snubber capacitor having a large capacitance value. The support member 40 can control the thickness of the conductive bonding material SD21 that connects the main surface electrode 30S of the semiconductor element 30 and the conductive member 50 to suppress variations.

図１１に示す半導体装置Ａ１４は、フレーム１０に凹部１０７が形成され、その凹部１０７内に支持部材４０の第１電極４０１が導電性接合材ＳＤ１２により接続されている。凹部１０７の深さを、支持部材４０の体格に応じて設定することで、支持部材４０の第２電極４０２の側の端面４０３の位置を、半導体素子３０の素子主面３０１と同じとすることができ、導電部材５０の形状を平板状とすることができ、容易に導電部材５０を形成できる。 In the semiconductor device A14 shown in FIG. 11, a recess 107 is formed in the frame 10, and the first electrode 401 of the support member 40 is connected to the recess 107 by the conductive bonding material SD12. By setting the depth of the recess 107 according to the physique of the support member 40, the position of the end surface 403 on the side of the second electrode 402 of the support member 40 is the same as the element main surface 301 of the semiconductor element 30. The shape of the conductive member 50 can be made into a flat plate, and the conductive member 50 can be easily formed.

図１２に示す半導体装置Ａ１５において、支持部材４０はコンデンサであり、第１電極４０１と第２電極４０２とをフレーム１０の主面１０１と平行な方向に並ぶように配置されている。この半導体装置Ａ１５において、支持部材４０は、第１電極４０１と第２電極４０２と０をｙ方向に並ぶように配置されている。なお、支持部材４０は、第１電極４０１と第２電極４０２とをｘ方向に並ぶように配置されてもよい。 In the semiconductor device A15 shown in FIG. 12, the support member 40 is a capacitor, and the first electrode 401 and the second electrode 402 are arranged so as to be arranged in a direction parallel to the main surface 101 of the frame 10. In the semiconductor device A15, the support member 40 is arranged so that the first electrode 401, the second electrode 402, and 0 are arranged in the y direction. The support member 40 may be arranged so that the first electrode 401 and the second electrode 402 are arranged in the x direction.

第１電極４０１は、導電性接合材ＳＤ１２によってフレーム１０の主面１０１に接続されている。第２電極４０２とフレーム１０との間には、絶縁材ＵＦが介在されている。絶縁材ＵＦは、絶縁樹脂シート、又はフレーム１０の主面１０１に塗布された絶縁樹脂、等である。そして、第２電極４０２は、導電性接合材ＳＤ２２によって導電部材５０に接続されている。この半導体装置Ａ１５の支持部材４０は、上記第１実施形態と比べて体格が大きく、容量値が高い。このように、容量値や体格によらずに支持部材４０を実装してフレーム１０と導電部材５０との間に接続することができる。そして、容量値の大きなコンデンサである支持部材４０を半導体素子３０の近傍に実装し、半導体素子３０のスイッチングにより発生するノイズや電圧を抑制できる。 The first electrode 401 is connected to the main surface 101 of the frame 10 by the conductive bonding material SD12. An insulating material UF is interposed between the second electrode 402 and the frame 10. The insulating material UF is an insulating resin sheet, an insulating resin applied to the main surface 101 of the frame 10, and the like. The second electrode 402 is connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD22. The support member 40 of the semiconductor device A15 has a larger body shape and a higher capacity value as compared with the first embodiment. In this way, the support member 40 can be mounted and connected between the frame 10 and the conductive member 50 regardless of the capacity value or the physique. Then, the support member 40, which is a capacitor having a large capacitance value, can be mounted in the vicinity of the semiconductor element 30, and noise and voltage generated by switching of the semiconductor element 30 can be suppressed.

・図１３に示す半導体装置Ａ１６は、補助フレーム１０Ｈを有している。補助フレーム１０Ｈは、ｚ方向から視て例えば長方形の板状である。補助フレーム１０Ｈは、フレーム１０と同じ厚さであり、フレーム１０に対してｙ方向にフレーム１０から離れて配置されている。補助フレーム１０Ｈは、ｚ方向において互いに反対方向を向く主面１０１及び裏面１０２ｈを有している。補助フレーム１０Ｈの裏面１０２ｈは、封止樹脂６０の樹脂裏面６０２から露出している。補助フレーム１０Ｈとフレーム１０との間には、封止樹脂６０が介在されている。これにより、フレーム１０と補助フレーム１０Ｈとは絶縁されている。 The semiconductor device A16 shown in FIG. 13 has an auxiliary frame 10H. The auxiliary frame 10H has, for example, a rectangular plate shape when viewed from the z direction. The auxiliary frame 10H has the same thickness as the frame 10, and is arranged away from the frame 10 in the y direction with respect to the frame 10. The auxiliary frame 10H has a main surface 101 and a back surface 102h facing in opposite directions in the z direction. The back surface 102h of the auxiliary frame 10H is exposed from the resin back surface 602 of the sealing resin 60. A sealing resin 60 is interposed between the auxiliary frame 10H and the frame 10. As a result, the frame 10 and the auxiliary frame 10H are insulated from each other.

支持部材４０は、フレーム１０と補助フレーム１０Ｈとの間に渡って配置されている。支持部材４０は、コンデンサであり、第１電極４０１と第２電極４０２とをフレーム１０の主面１０１と補助フレーム１０Ｈの主面１０１ｈと平行な方向に並ぶように配置されている。この半導体装置Ａ１６において、支持部材４０は、第１電極４０１と第２電極４０２とをｙ方向に並ぶように配置されている。なお、支持部材４０は、第１電極４０１と第２電極４０２とをｘ方向に並ぶように配置されてもよい。 The support member 40 is arranged between the frame 10 and the auxiliary frame 10H. The support member 40 is a capacitor, and the first electrode 401 and the second electrode 402 are arranged so as to be arranged in a direction parallel to the main surface 101 of the frame 10 and the main surface 101h of the auxiliary frame 10H. In the semiconductor device A16, the support member 40 is arranged so that the first electrode 401 and the second electrode 402 are arranged in the y direction. The support member 40 may be arranged so that the first electrode 401 and the second electrode 402 are arranged in the x direction.

第１電極４０１は、導電性接合材ＳＤ１２によってフレーム１０の主面１０１に接続されている。第２電極４０２は、導電性接合材ＳＤ１３によって補助フレーム１０Ｈの主面１０１ｈに接続されている。そして、第２電極４０２は、導電性接合材ＳＤ２２によって導電部材５０に接続されている。この半導体装置Ａ１６の支持部材４０は、上記第１実施形態と比べて体格が大きく、容量値が高い。このように、容量値や体格によらずに支持部材４０を実装してフレーム１０と導電部材５０との間に接続することができる。そして、容量値の大きなコンデンサである支持部材４０を半導体素子３０の近傍に実装し、半導体素子３０のスイッチングにより発生するノイズや電圧を抑制できる。 The first electrode 401 is connected to the main surface 101 of the frame 10 by the conductive bonding material SD12. The second electrode 402 is connected to the main surface 101h of the auxiliary frame 10H by the conductive bonding material SD13. The second electrode 402 is connected to the conductive member 50 by the conductive bonding material SD22. The support member 40 of the semiconductor device A16 has a larger body shape and a higher capacity value as compared with the first embodiment. In this way, the support member 40 can be mounted and connected between the frame 10 and the conductive member 50 regardless of the capacity value or the physique. Then, the support member 40, which is a capacitor having a large capacitance value, can be mounted in the vicinity of the semiconductor element 30, and noise and voltage generated by switching of the semiconductor element 30 can be suppressed.

・図１４、図１５に示す半導体装置Ａ１７は、フレーム１０に２つの半導体素子３０ａ，３０ｂが実装されている。２つの半導体素子３０ａ，３０ｂは、フレーム１０の主面１０１において、ｙ方向に並ぶように配置されている。半導体素子３０ａ，３０ｂは、ＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子である。支持部材４０は、半導体素子３０ａ，３０ｂに対して、第２駆動リード２２と反対側に配置されている。この半導体装置Ａ１７では、支持部材４０は、第２駆動リード２２とともに２つの半導体素子３０ａ，３０ｂを挟むように配置されている。導電部材５０は、第２駆動リード２２から、半導体素子３０ａ，３０ｂまで延びている。そして、導電部材５０は、半導体素子３０から支持部材４０まで延び、支持部材４０によって支持されている。半導体素子３０ａ，３０ｂの制御電極３０Ｇは、それぞれワイヤＷ１１ａ，Ｗ１１ｂにより制御リード２３に接続されている。 In the semiconductor device A17 shown in FIGS. 14 and 15, two semiconductor elements 30a and 30b are mounted on a frame 10. The two semiconductor elements 30a and 30b are arranged so as to be arranged in the y direction on the main surface 101 of the frame 10. The semiconductor elements 30a and 30b are switching elements such as MOSFETs. The support member 40 is arranged on the side opposite to the second drive lead 22 with respect to the semiconductor elements 30a and 30b. In the semiconductor device A17, the support member 40 is arranged so as to sandwich the two semiconductor elements 30a and 30b together with the second drive lead 22. The conductive member 50 extends from the second drive lead 22 to the semiconductor elements 30a and 30b. The conductive member 50 extends from the semiconductor element 30 to the support member 40 and is supported by the support member 40. The control electrodes 30G of the semiconductor elements 30a and 30b are connected to the control leads 23 by wires W11a and W11b, respectively.

この半導体装置Ａ１７では、スイッチング素子である２つの半導体素子３０ａ，３０ｂを備えることで、半導体装置Ａ１７が制御する電流量を多くすることができる。そして、支持部材４０によって、半導体素子３０ａ，３０ｂの主面電極３０Ｓと導電性接合材ＳＤ２１を介して接続される導電部材５０を支持することで、各半導体素子３０ａ，３０ｂに対する導電性接合材ＳＤ２１の厚さを制御することができ、長期信頼性を向上できる。さらに、半導体素子３０ａ，３０ｂの直近にスナバコンデンサである支持部材４０を配置することで、半導体素子３０ａ，３０ｂのスイッチングにより発生するノイズや電圧を抑制できる。 By including the two semiconductor elements 30a and 30b which are switching elements, the semiconductor device A17 can increase the amount of current controlled by the semiconductor device A17. Then, by supporting the conductive member 50 connected to the main surface electrodes 30S of the semiconductor elements 30a and 30b via the conductive bonding material SD21 by the support member 40, the conductive bonding material SD21 for each of the semiconductor elements 30a and 30b is supported. The thickness can be controlled and long-term reliability can be improved. Further, by arranging the support member 40 which is a snubber capacitor in the immediate vicinity of the semiconductor elements 30a and 30b, noise and voltage generated by switching of the semiconductor elements 30a and 30b can be suppressed.

・図１６、図１７に示す半導体装置Ａ１８は、フレーム１０に２つの半導体素子３０ａ，３０ｂが実装されている。２つの半導体素子３０ａ，３０ｂは、フレーム１０の主面１０１において、ｙ方向に並ぶように配置されている。支持部材４０は、半導体素子３０に対して、第２駆動リード２２と反対側に配置されている。この半導体装置Ａ１８では、支持部材４０は、半導体素子３０ａと半導体素子３０ｂとの間に配置されている。導電部材５０は、第２駆動リード２２から半導体素子３０まで延びている。そして、導電部材５０は、半導体素子３０から支持部材４０まで延びている。さらに、導電部材５０は、支持部材４０から半導体素子３０まで延びている。半導体素子３０ａ，３０ｂの制御電極３０Ｇは、それぞれワイヤＷ１１ａ，Ｗ１１ｂにより制御リード２３に接続されている。 In the semiconductor device A18 shown in FIGS. 16 and 17, two semiconductor elements 30a and 30b are mounted on a frame 10. The two semiconductor elements 30a and 30b are arranged so as to be arranged in the y direction on the main surface 101 of the frame 10. The support member 40 is arranged on the side opposite to the second drive lead 22 with respect to the semiconductor element 30. In the semiconductor device A18, the support member 40 is arranged between the semiconductor element 30a and the semiconductor element 30b. The conductive member 50 extends from the second drive lead 22 to the semiconductor element 30. The conductive member 50 extends from the semiconductor element 30 to the support member 40. Further, the conductive member 50 extends from the support member 40 to the semiconductor element 30. The control electrodes 30G of the semiconductor elements 30a and 30b are connected to the control leads 23 by wires W11a and W11b, respectively.

この半導体装置Ａ１８では、スイッチング素子である２つの半導体素子３０ａ，３０ｂを備えることで、半導体装置Ａ１８が制御する電流量を多くすることができる。そして、支持部材４０によって、半導体素子３０ａ，３０ｂの主面電極３０Ｓと導電性接合材ＳＤ２１を介して接続される導電部材５０を支持することで、各半導体素子３０ａ，３０ｂに対する導電性接合材ＳＤ２１の厚さを制御することができ、長期信頼性を向上できる。さらに、半導体素子３０ａと半導体素子３０ｂの直近にスナバコンデンサである支持部材４０を配置することができ、半導体素子３０ａ，３０ｂのスイッチングにより発生するノイズや電圧を抑制できる。 By including the two semiconductor elements 30a and 30b which are switching elements, the semiconductor device A18 can increase the amount of current controlled by the semiconductor device A18. Then, by supporting the conductive member 50 connected to the main surface electrodes 30S of the semiconductor elements 30a and 30b via the conductive bonding material SD21 by the support member 40, the conductive bonding material SD21 for each of the semiconductor elements 30a and 30b is supported. The thickness can be controlled and long-term reliability can be improved. Further, the support member 40, which is a snubber capacitor, can be arranged in the immediate vicinity of the semiconductor element 30a and the semiconductor element 30b, and noise and voltage generated by switching of the semiconductor elements 30a and 30b can be suppressed.

（第２実施形態）
図１８～図２０を参照して、第２実施形態の半導体装置Ａ２０を説明する。
図１８、図１９に示すように、半導体装置Ａ２０は、第１フレーム１１、第２フレーム１２、複数のリード２１～２７、第１半導体素子３１、第２半導体素子３２、封止樹脂６０を備えている。また、半導体装置Ａ２０は、第１導電部材５１、第２導電部材５２、ワイヤＷ２１～Ｗ２４を備えている。 (Second Embodiment)
The semiconductor device A20 of the second embodiment will be described with reference to FIGS. 18 to 20.
As shown in FIGS. 18 and 19, the semiconductor device A20 includes a first frame 11, a second frame 12, a plurality of leads 21 to 27, a first semiconductor element 31, a second semiconductor element 32, and a sealing resin 60. ing. Further, the semiconductor device A20 includes a first conductive member 51, a second conductive member 52, and wires W21 to W24.

［封止樹脂］
封止樹脂６０は、第１フレーム１１及び第２フレーム１２と、第１半導体素子３１及び第２半導体素子３２を覆うように形成されている。また、封止樹脂６０は、複数のリード２１～２７の一部を覆うように形成されている。 [Encapsulating resin]
The sealing resin 60 is formed so as to cover the first frame 11 and the second frame 12, and the first semiconductor element 31 and the second semiconductor element 32. Further, the sealing resin 60 is formed so as to cover a part of the plurality of leads 21 to 27.

図１８に示すように、封止樹脂６０は、扁平な直方体状に形成されている。はお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、構成面の一部又は全部は、凹凸などが形成されているもの、構成面が曲面や複数の面から構成されているものであってもよい。 As shown in FIG. 18, the sealing resin 60 is formed in a flat rectangular parallelepiped shape. In the present specification, the term "rectangular parallelepiped" includes a rectangular parallelepiped in which the corners and ridges are chamfered and a rectangular parallelepiped in which the corners and ridges are rounded. Further, a part or all of the constituent surfaces may be formed with irregularities or the like, or the constituent surfaces may be formed of a curved surface or a plurality of surfaces.

封止樹脂６０は、電気絶縁性を有する合成樹脂よりなる。一例では、封止樹脂６０は、エポキシ樹脂である。封止樹脂６０を構成する合成樹脂は、例えば黒色に着色されている。なお、図１９では、封止樹脂６０を二点鎖線にて示し、封止樹脂６０内の部材を実線で示している。以後の説明において、封止樹脂６０の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向と直交する１つの方向をｘ方向、ｚ方向及びｘ方向と直交する方向をｙ方向とする。ｘ方向は第２方向に相当し、ｙ方向は第１方向に相当する。 The sealing resin 60 is made of a synthetic resin having electrical insulation. In one example, the sealing resin 60 is an epoxy resin. The synthetic resin constituting the sealing resin 60 is colored, for example, black. In FIG. 19, the sealing resin 60 is shown by a two-dot chain line, and the members in the sealing resin 60 are shown by a solid line. In the following description, the thickness direction of the sealing resin 60 is defined as the z direction, one direction orthogonal to the z direction is defined as the x direction, and the z direction and the direction orthogonal to the x direction are defined as the y direction. The x direction corresponds to the second direction, and the y direction corresponds to the first direction.

封止樹脂６０は、樹脂主面６０１、樹脂裏面６０２、樹脂側面６０３～樹脂側面６０６を有している。樹脂主面６０１と樹脂裏面６０２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂側面６０３～樹脂側面６０６は、樹脂主面６０１及び樹脂裏面６０２と平行な方向のうちのいずれかを向いている。樹脂側面６０３と樹脂側面６０４は、ｙ方向において互いに反対側を向いている。樹脂側面６０５と樹脂側面６０６は、ｘ方向互いに反対側を向いている。 The sealing resin 60 has a resin main surface 601 and a resin back surface 602, and a resin side surface 603 to a resin side surface 606. The resin main surface 601 and the resin back surface 602 face opposite to each other in the z direction. The resin side surface 603 to the resin side surface 606 face any one of the directions parallel to the resin main surface 601 and the resin back surface 602. The resin side surface 603 and the resin side surface 604 face opposite to each other in the y direction. The resin side surface 605 and the resin side surface 606 face opposite to each other in the x direction.

図１９は、封止樹脂６０の樹脂主面６０１の側から半導体装置Ａ２０を視た図である。図１９に示すように、半導体装置Ａ２０をｚ方向から視て、封止樹脂６０の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる長方形状である。樹脂側面６０３及び樹脂側面６０４は、ｘ方向に沿う側面であり、樹脂側面６０５及び樹脂側面６０６は、ｙ方向に沿う側面である。 FIG. 19 is a view of the semiconductor device A20 as viewed from the side of the resin main surface 601 of the sealing resin 60. As shown in FIG. 19, when the semiconductor device A20 is viewed from the z direction, the shape of the sealing resin 60 is a rectangular shape in which the x direction is the long side direction and the y direction is the short side direction. The resin side surface 603 and the resin side surface 604 are side surfaces along the x direction, and the resin side surface 605 and the resin side surface 606 are side surfaces along the y direction.

［第１フレーム、第２フレーム］
第１フレーム１１と第２フレーム１２は、矩形板状に形成されている。第１フレーム１１及び第２フレーム１２は、例えばＣｕ、Ｃｕを含む合金により形成されている。なお、表面の一部又は全体にめっき層が形成されていてもよい。 [1st frame, 2nd frame]
The first frame 11 and the second frame 12 are formed in a rectangular plate shape. The first frame 11 and the second frame 12 are formed of, for example, Cu and an alloy containing Cu. A plating layer may be formed on a part or the whole of the surface.

第１フレーム１１は、第１主面１１１、第１裏面１１２、側面１１３～側面１１６を有している。第１主面１１１と第１裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。第１フレーム１１の第１主面１１１は、封止樹脂６０の樹脂主面６０１と同じ側を向いている。側面１１３～側面１１６は、ｘ方向とｙ方向のいずれかを向いている。本実施形態において、側面１１３と側面１１４は、ｙ方向において互いに反対側を向き、側面１１５と側面１１６は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。 The first frame 11 has a first main surface 111, a first back surface 112, and side surfaces 113 to 116. The first main surface 111 and the first back surface 112 face each other in the z direction. The first main surface 111 of the first frame 11 faces the same side as the resin main surface 601 of the sealing resin 60. The side surface 113 to the side surface 116 face either the x direction or the y direction. In the present embodiment, the side surface 113 and the side surface 114 face each other in the y direction, and the side surface 115 and the side surface 116 face each other in the x direction.

第２フレーム１２は、第２主面１２１、裏面１２２、側面１２３～側面１２６を有している。第２主面１２１と裏面１２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。第２フレーム１２の第２主面１２１は、封止樹脂６０の樹脂主面６０１と同じ側を向いている。側面１２３～側面１２６は、ｘ方向とｙ方向のいずれかを向いている。本実施形態において、側面１２３と側面１２４は、ｙ方向において互いに反対側を向き、側面１２５と側面１２６は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。 The second frame 12 has a second main surface 121, a back surface 122, and side surfaces 123 to 126. The second main surface 121 and the back surface 122 face each other in the z direction. The second main surface 121 of the second frame 12 faces the same side as the resin main surface 601 of the sealing resin 60. The side surface 123 to the side surface 126 face either the x direction or the y direction. In this embodiment, the side surface 123 and the side surface 124 face each other in the y direction, and the side surface 125 and the side surface 126 face each other in the x direction.

第１フレーム１１と第２フレーム１２は、ｚ方向において第１主面１１１と第２主面１２１とを同じ位置とするように配置されている。第１フレーム１１と第２フレーム１２は、同じ厚さである。第１フレーム１１と第２フレーム１２の厚さは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。第１フレーム１１と第２フレーム１２の厚さは、例えば２ｍｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。第１フレーム１１の第１裏面１１２と第２フレーム１２の裏面１２２は、ｚ方向において同じ位置となる。図２０に示すように、第１フレーム１１の第１裏面１１２と第２フレーム１２の裏面１２２は、封止樹脂６０の樹脂裏面６０２から露出している。本実施形態において、第１フレーム１１の第１裏面１１２と第２フレーム１２の裏面１２２と封止樹脂６０の樹脂裏面６０２は、面一である。 The first frame 11 and the second frame 12 are arranged so that the first main surface 111 and the second main surface 121 are at the same position in the z direction. The first frame 11 and the second frame 12 have the same thickness. The thickness of the first frame 11 and the second frame 12 is 1 mm or more and 3 mm or less. The thickness of the first frame 11 and the second frame 12 is preferably 2 mm or more and 3 mm or less, for example. The first back surface 112 of the first frame 11 and the back surface 122 of the second frame 12 are at the same position in the z direction. As shown in FIG. 20, the first back surface 112 of the first frame 11 and the back surface 122 of the second frame 12 are exposed from the resin back surface 602 of the sealing resin 60. In the present embodiment, the first back surface 112 of the first frame 11, the back surface 122 of the second frame 12, and the resin back surface 602 of the sealing resin 60 are flush with each other.

第１フレーム１１と第２フレーム１２は、ｘ方向に沿って配列されている。そして、第１フレーム１１の側面１１６と第２フレーム１２の側面１２５は、互いに対向している。第１フレーム１１と第２フレーム１２との間の間隔は、第１フレーム１１及び第２フレーム１２の厚さ以下、例えば１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。第１フレーム１１と第２フレーム１２は、ｙ方向において、それぞれの側面１１３，１２３を同じ位置とするように配置されている。 The first frame 11 and the second frame 12 are arranged along the x direction. The side surface 116 of the first frame 11 and the side surface 125 of the second frame 12 face each other. The distance between the first frame 11 and the second frame 12 is not more than the thickness of the first frame 11 and the second frame 12, for example, 1 mm or more and 3 mm or less. The first frame 11 and the second frame 12 are arranged so that their side surfaces 113 and 123 are at the same position in the y direction.

［リード］
図１８、図１９に示すように、半導体装置Ａ２０は、複数本（本実施形態では７本）のリード２１～２７を備えている。各リード２１～２７は、封止樹脂６０の樹脂側面６０３から突出している。各リード２１～２７は、ｙ方向に延びている。各リード２１～２７は、ｘ方向に沿って配列されている。ｘ方向は、第１フレーム１１と第２フレーム１２とが配列された方向である。したがって、リード２１～２７は、第１フレーム１１と第２フレーム１２の配列方向に沿って、配列されている。各リード２１～２７は、Ｃｕよりなる。本実施形態の半導体装置Ａ２０は、リードとして、第１制御リード２３、第１ソースリード２６、第１駆動リード２１、第２駆動リード２２、出力リード２５、第２ソースリード２７、第２制御リード２４を有し、封止樹脂６０の樹脂側面６０５の側から、樹脂側面６０６に向けて、この順番では配列されている。 [Lead]
As shown in FIGS. 18 and 19, the semiconductor device A20 includes a plurality of (7 in this embodiment) leads 21 to 27. Each lead 21 to 27 protrudes from the resin side surface 603 of the sealing resin 60. Each lead 21 to 27 extends in the y direction. The leads 21 to 27 are arranged along the x direction. The x direction is the direction in which the first frame 11 and the second frame 12 are arranged. Therefore, the leads 21 to 27 are arranged along the arrangement direction of the first frame 11 and the second frame 12. Each lead 21 to 27 is made of Cu. The semiconductor device A20 of the present embodiment has, as leads, a first control lead 23, a first source lead 26, a first drive lead 21, a second drive lead 22, an output lead 25, a second source lead 27, and a second control lead. 24 are arranged in this order from the side of the resin side surface 605 of the sealing resin 60 toward the resin side surface 606.

図１９に示すように、第１制御リード２３は、パッド部２３１、基部２３２、基板接続部２３３を有している。パッド部２３１は、ｙ方向において、第１フレーム１１から封止樹脂６０の樹脂側面６０３の側に離れて配置されている。基部２３２は、パッド部２３１からｙ方向に延び、封止樹脂６０の樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２３３は、基部２３２の先端からｙ方向に延びている。基部２３２は、基板接続部２３３よりもｘ方向の幅が広く形成されている。ｘ方向において、基部２３２は、基板接続部２３３よりも封止樹脂６０の樹脂側面６０５の側にむけて突出するように形成されている。 As shown in FIG. 19, the first control lead 23 has a pad portion 231, a base portion 232, and a substrate connection portion 233. The pad portion 231 is arranged away from the first frame 11 on the side of the resin side surface 603 of the sealing resin 60 in the y direction. The base portion 232 extends from the pad portion 231 in the y direction and protrudes from the resin side surface 603 of the sealing resin 60. The substrate connection portion 233 extends in the y direction from the tip of the base portion 232. The base portion 232 is formed to have a wider width in the x direction than the substrate connecting portion 233. In the x direction, the base portion 232 is formed so as to project from the substrate connecting portion 233 toward the resin side surface 605 of the sealing resin 60.

第１ソースリード２６は、パッド部２６１、基部２６２、基板接続部２６３を有している。パッド部２６１は、ｙ方向において、第１フレーム１１から封止樹脂６０の樹脂側面６０３の側に離れて配置されている。基部２６２は、パッド部２６１からｙ方向に延び、封止樹脂６０の樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２６３は、基部２６２の先端からｙ方向に延びている。本実施形態において、第１ソースリード２６の基部２６２は、基板接続部２６３と同じ幅に形成されている。 The first source lead 26 has a pad portion 261, a base portion 262, and a substrate connecting portion 263. The pad portion 261 is arranged away from the first frame 11 on the side of the resin side surface 603 of the sealing resin 60 in the y direction. The base portion 262 extends from the pad portion 261 in the y direction and protrudes from the resin side surface 603 of the sealing resin 60. The substrate connection portion 263 extends in the y direction from the tip of the base portion 262. In the present embodiment, the base portion 262 of the first source lead 26 is formed to have the same width as the substrate connecting portion 263.

第１駆動リード２１は、接続部２１１、基部２１２、基板接続部２１３を有している。接続部２１１は、第１フレーム１１に接続されている。本実施形態において、第１駆動リード２１は、第１フレーム１１と一体である。基部２１２は、接続部２１１からｙ方向に延び、封止樹脂６０の樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２１３は、基部２１２の先端からｙ方向に延びている。基部２１２は、基板接続部２１３よりもｘ方向の幅が広く形成されている。ｘ方向において、基部２１２は、基板接続部２１３よりも第１ソースリード２６の側にむけて突出するように形成されている。 The first drive lead 21 has a connection portion 211, a base portion 212, and a substrate connection portion 213. The connection portion 211 is connected to the first frame 11. In the present embodiment, the first drive lead 21 is integrated with the first frame 11. The base portion 212 extends in the y direction from the connecting portion 211 and protrudes from the resin side surface 603 of the sealing resin 60. The board connection portion 213 extends in the y direction from the tip of the base portion 212. The base portion 212 is formed to have a wider width in the x direction than the substrate connecting portion 213. In the x direction, the base portion 212 is formed so as to project toward the side of the first source lead 26 with respect to the substrate connecting portion 213.

第２駆動リード２２は、パッド部２２１、基部２２２、基板接続部２２３を有している。パッド部２２１は、ｙ方向において、第２フレーム１２から封止樹脂６０の樹脂側面６０３の側に離れて配置されている。パッド部２２１は、第２フレーム１２の側面１２３に沿って延びている。基部２２２は、パッド部２２１からｙ方向に延び、封止樹脂６０の樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２２３は、基部２２２の先端からｙ方向に延びている。基部２２２は、基板接続部２２３よりもｘ方向の幅が広く形成されている。ｘ方向において、基部２２２は、基板接続部２２３よりも出力リード２５の側にむけて突出するように形成されている。本実施形態において、第２駆動リード２２は、第１駆動リード２１と隣り合うように配置されている。 The second drive lead 22 has a pad portion 221, a base portion 222, and a substrate connecting portion 223. The pad portion 221 is arranged away from the second frame 12 on the side of the resin side surface 603 of the sealing resin 60 in the y direction. The pad portion 221 extends along the side surface 123 of the second frame 12. The base portion 222 extends from the pad portion 221 in the y direction and protrudes from the resin side surface 603 of the sealing resin 60. The substrate connection portion 223 extends in the y direction from the tip of the base portion 222. The base portion 222 is formed to have a wider width in the x direction than the substrate connecting portion 223. In the x direction, the base portion 222 is formed so as to project toward the output lead 25 with respect to the substrate connecting portion 223. In the present embodiment, the second drive lead 22 is arranged so as to be adjacent to the first drive lead 21.

出力リード２５は、接続部２５１、基部２５２、基板接続部２５３を有している。接続部２５１は、第２フレーム１２に接続されている。本実施形態において、出力リード２５は、第２フレーム１２と一体である。基部２５２は、接続部２５１からｙ方向に延び、封止樹脂６０の樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２５３は、基部２５２の先端からｙ方向に延びている。基部２５２は、基板接続部２５３よりもｘ方向の幅が広く形成されている。ｘ方向において、基部２５２は、基板接続部２５３よりも第２駆動リード２２の側にむけて突出するように形成されている。 The output lead 25 has a connection portion 251 and a base portion 252, and a substrate connection portion 253. The connection portion 251 is connected to the second frame 12. In this embodiment, the output lead 25 is integrated with the second frame 12. The base portion 252 extends in the y direction from the connecting portion 251 and protrudes from the resin side surface 603 of the sealing resin 60. The substrate connection portion 253 extends in the y direction from the tip of the base portion 252. The base portion 252 is formed to have a wider width in the x direction than the substrate connecting portion 253. In the x direction, the base portion 252 is formed so as to project toward the side of the second drive lead 22 with respect to the substrate connecting portion 253.

第２ソースリード２７は、パッド部２７１、基部２７２、基板接続部２７３を有している。パッド部２７１は、ｙ方向において、第２フレーム１２から封止樹脂６０の樹脂側面６０３の側に離れて配置されている。基部２７２は、パッド部２７１からｙ方向に延び、封止樹脂６０の樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２７３は、基部２７２の先端からｙ方向に延びている。本実施形態において、第２ソースリード２７の基部２７２は、基板接続部２７３と同じ幅に形成されている。 The second source lead 27 has a pad portion 271, a base portion 272, and a substrate connecting portion 273. The pad portion 271 is arranged away from the second frame 12 on the side of the resin side surface 603 of the sealing resin 60 in the y direction. The base portion 272 extends from the pad portion 271 in the y direction and protrudes from the resin side surface 603 of the sealing resin 60. The substrate connection portion 273 extends in the y direction from the tip of the base portion 272. In the present embodiment, the base portion 272 of the second source lead 27 is formed to have the same width as the substrate connecting portion 273.

第２制御リード２４は、パッド部２４１、基部２４２、基板接続部２４３を有している。パッド部２４１は、ｙ方向において、第２フレーム１２から封止樹脂６０の樹脂側面６０３の側に離れて配置されている。基部２４２は、パッド部２４１からｙ方向に延び、封止樹脂６０の樹脂側面６０３から突出している。基板接続部２４３は、基部２４２の選択からｙ方向に延びている。基部２４２は、基板接続部２４３よりもｘ方向の幅が広く形成されている。ｘ方向において、基部２４２は、基板接続部２４３よりも封止樹脂６０の樹脂側面６０６の側にむけて突出するように形成されている。 The second control lead 24 has a pad portion 241 and a base portion 242, and a substrate connecting portion 243. The pad portion 241 is arranged away from the second frame 12 on the side of the resin side surface 603 of the sealing resin 60 in the y direction. The base portion 242 extends in the y direction from the pad portion 241 and protrudes from the resin side surface 603 of the sealing resin 60. The board connection portion 243 extends in the y direction from the selection of the base portion 242. The base portion 242 is formed to have a wider width in the x direction than the substrate connecting portion 243. In the x direction, the base portion 242 is formed so as to project from the substrate connecting portion 243 toward the resin side surface 606 of the sealing resin 60.

本実施形態において、リード２１～リード２７の厚さは互いに等しい。各リード２１～２７の厚さは、第１フレーム１１、第２フレーム１２の厚さ以下である。各リード２１～２７の厚さは、例えば０．６ｍｍである。なお、各リード２１～２７において、基板接続部２３３，２６３，２１３，２２３，２５３，２７３，２４３の幅は、互いに同一である。基板接続部の幅は例えば１．２ｍｍである。基板接続部は、実装基板の部品穴に挿入され、実装基板の導体配線とハンダ等により接続される（いずれも図示略）。 In this embodiment, the thicknesses of the leads 21 to 27 are equal to each other. The thickness of each lead 21 to 27 is equal to or less than the thickness of the first frame 11 and the second frame 12. The thickness of each lead 21 to 27 is, for example, 0.6 mm. In each of the leads 21 to 27, the widths of the substrate connecting portions 233,263,213,223,253,273,243 are the same as each other. The width of the board connection portion is, for example, 1.2 mm. The board connection portion is inserted into a component hole of the mounting board, and is connected to the conductor wiring of the mounting board by soldering or the like (both are not shown).

本実施形態において、第１制御リード２３と第１ソースリード２６との間隔、第２ソースリード２７と第２制御リード２４との間隔と比べ、第１ソースリード２６と第２ソースリード２７との間においてｘ方向に隣り合う２つのリードの間隔は広くなるように、各リード２１～２７が配置されている。 In the present embodiment, the distance between the first source lead 26 and the second source lead 27 is compared with the distance between the first control lead 23 and the first source lead 26 and the distance between the second source lead 27 and the second control lead 24. The leads 21 to 27 are arranged so that the distance between the two leads adjacent to each other in the x direction is wide.

［第１半導体素子、第２半導体素子］
第１半導体素子３１は、第１フレーム１１の第１主面１１１に搭載されている。第２半導体素子３２は、第２フレーム１２の第２主面１２１に搭載されている。第１半導体素子３１及び第２半導体素子３２は、炭化シリコン（ＳｉＣ）チップである。本実施形態の第１半導体素子３１及び第２半導体素子３２はＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられている。第１半導体素子３１及び第２半導体素子３２は、高速スイッチングが可能な素子である。 [1st semiconductor element, 2nd semiconductor element]
The first semiconductor element 31 is mounted on the first main surface 111 of the first frame 11. The second semiconductor element 32 is mounted on the second main surface 121 of the second frame 12. The first semiconductor element 31 and the second semiconductor element 32 are silicon carbide (SiC) chips. A SiC MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) is used for the first semiconductor element 31 and the second semiconductor element 32 of the present embodiment. The first semiconductor element 31 and the second semiconductor element 32 are elements capable of high-speed switching.

［第１半導体素子］
図１９に示すように、第１半導体素子３１は、平板状に形成されている。本実施形態において、第１半導体素子３１の形状は、ｚ方向から視てｘ方向に長い長方形状である。第１半導体素子３１は、第１素子主面３１１、第１素子裏面３１２を有している。第１素子主面３１１及び第１素子裏面３１２は、ｚ方向において互いに反対方向を向いている。第１素子主面３１１は、樹脂主面６０１と同じ方向を向く。すなわち、第１素子主面３１１は、第１フレーム１１の第１主面１１１と同じ方向を向いている。第１素子裏面３１２は、第１フレーム１１の第１主面１１１に対向している。第１半導体素子３１は、ｘ方向において、第１フレーム１１の中央よりも第２フレーム１２寄りに配置されている。また、第１半導体素子３１は、ｙ方向において、第１フレーム１１の側面１１３の側に配置されている。 [First semiconductor element]
As shown in FIG. 19, the first semiconductor element 31 is formed in a flat plate shape. In the present embodiment, the shape of the first semiconductor element 31 is a rectangular shape that is long in the x direction when viewed from the z direction. The first semiconductor element 31 has a first element main surface 311 and a first element back surface 312. The main surface 311 of the first element and the back surface 312 of the first element face each other in the z direction. The first element main surface 311 faces the same direction as the resin main surface 601. That is, the first element main surface 311 faces the same direction as the first main surface 111 of the first frame 11. The back surface 312 of the first element faces the first main surface 111 of the first frame 11. The first semiconductor element 31 is arranged closer to the second frame 12 than the center of the first frame 11 in the x direction. Further, the first semiconductor element 31 is arranged on the side surface 113 of the first frame 11 in the y direction.

第１半導体素子３１は、第１素子主面３１１の第１主面電極３１Ｓ及び第１制御電極３１Ｇと、第１素子裏面３１２の第１裏面電極３１Ｄとを有している。第１主面電極３１Ｓはソース電極である。第１制御電極３１Ｇはゲート電極である。第１裏面電極３１Ｄはドレイン電極である。第１制御電極３１Ｇは、矩形状の第１素子主面３１１の１つの角部に配置されている。第１半導体素子３１は、第１制御電極３１Ｇを第１制御リード２３のパッド部２３１に向けて配置されている。図２０に示すように、第１裏面電極３１Ｄは、導電性接合材ＳＤ１１により第１フレーム１１と電気的に接続されている。 The first semiconductor element 31 has a first main surface electrode 31S and a first control electrode 31G on the first element main surface 311 and a first back surface electrode 31D on the back surface 312 of the first element. The first main surface electrode 31S is a source electrode. The first control electrode 31G is a gate electrode. The first back surface electrode 31D is a drain electrode. The first control electrode 31G is arranged at one corner of the rectangular first element main surface 311. The first semiconductor element 31 is arranged with the first control electrode 31G facing the pad portion 231 of the first control lead 23. As shown in FIG. 20, the first back surface electrode 31D is electrically connected to the first frame 11 by the conductive bonding material SD11.

［第２半導体素子］
図１９に示すように、第２半導体素子３２は、平板状に形成されている。本実施形態において、第２半導体素子３２の形状は、ｚ方向から視てｘ方向に長い長方形状である。第２半導体素子３２は、第２素子主面３２１、第２素子裏面３２２を有している。第２素子主面３２１及び第２素子裏面３２２は、ｚ方向において互いに反対方向を向いている。第２素子主面３２１は、樹脂主面６０１に面している。すなわち、第２素子主面３２１は、第２フレーム１２の第２主面１２１と同じ方向を向いている。第２素子裏面３２２は、第２フレーム１２の第２主面１２１に対向している。 [Second semiconductor element]
As shown in FIG. 19, the second semiconductor element 32 is formed in a flat plate shape. In the present embodiment, the shape of the second semiconductor element 32 is a rectangular shape that is long in the x direction when viewed from the z direction. The second semiconductor element 32 has a second element main surface 321 and a second element back surface 322. The second element main surface 321 and the second element back surface 322 face opposite to each other in the z direction. The second element main surface 321 faces the resin main surface 601. That is, the second element main surface 321 faces the same direction as the second main surface 121 of the second frame 12. The back surface 322 of the second element faces the second main surface 121 of the second frame 12.

第２半導体素子３２は、第２素子主面３２１の第２主面電極３２Ｓ及び第２制御電極３２Ｇと、第２素子裏面３２２の第２裏面電極３２Ｄとを有している。第２主面電極３２Ｓはソース電極である。第２制御電極３２Ｇはゲート電極である。第２裏面電極３２Ｄはドレイン電極である。第２制御電極３２Ｇは、矩形状の第２素子主面３２１の１つの角部に配置されている。第２半導体素子３２は、第２制御電極３２Ｇを第２制御リード２４のパッド部２４１に向けて配置されている。図２０に示すように、第２裏面電極３２Ｄは、導電性接合材ＳＤ１４により第２フレーム１２と電気的に接続されている。 The second semiconductor element 32 has a second main surface electrode 32S and a second control electrode 32G on the main surface 321 of the second element, and a second back surface electrode 32D on the back surface 322 of the second element. The second main surface electrode 32S is a source electrode. The second control electrode 32G is a gate electrode. The second back surface electrode 32D is a drain electrode. The second control electrode 32G is arranged at one corner of the rectangular second element main surface 321. The second semiconductor element 32 is arranged with the second control electrode 32G facing the pad portion 241 of the second control lead 24. As shown in FIG. 20, the second back surface electrode 32D is electrically connected to the second frame 12 by the conductive bonding material SD14.

［支持部材］
図１９に示すように、半導体装置Ａ２０は、第１支持部材４１と第２支持部材４２とを備えている。 [Support member]
As shown in FIG. 19, the semiconductor device A20 includes a first support member 41 and a second support member 42.

第１支持部材４１は、第１フレーム１１の第１主面１１１に実装されている。第１支持部材４１は、ｘ方向に沿って、第１半導体素子３１と並んで配置されている。また、第１支持部材４１は、第１半導体素子３１に対して、第２フレーム１２と反対側に配置されている。 The first support member 41 is mounted on the first main surface 111 of the first frame 11. The first support member 41 is arranged side by side with the first semiconductor element 31 along the x direction. Further, the first support member 41 is arranged on the opposite side of the second frame 12 with respect to the first semiconductor element 31.

第１支持部材４１は、例えば直方体状に形成され、第１端と、第１端と反対側の第２端とを有している。第１支持部材４１は、第１端と第２端とが第１フレーム１１の第１主面１１１に対して垂直な方向に並ぶように配置されている。 The first support member 41 is formed in a rectangular parallelepiped shape, for example, and has a first end and a second end opposite to the first end. The first support member 41 is arranged so that the first end and the second end are arranged in a direction perpendicular to the first main surface 111 of the first frame 11.

図２０に示すように、第１支持部材４１の第１端は、導電性接合材ＳＤ１２により第１フレーム１１と接続されている。本実施形態において、第１支持部材４１は、コンデンサであり、第１電極４１１と第２電極４１２とを有している。第１支持部材４１の第１電極４１１は、第１フレーム１１の第１主面１１１と接続されている。本実施形態において、第１電極４１１は、導電性接合材ＳＤ１２により第１フレーム１１の第１主面１１１に接続されている。導電性接合材ＳＤ１２は、例えばはんだ、Ａｇペースト、等である。 As shown in FIG. 20, the first end of the first support member 41 is connected to the first frame 11 by the conductive bonding material SD12. In the present embodiment, the first support member 41 is a capacitor and has a first electrode 411 and a second electrode 412. The first electrode 411 of the first support member 41 is connected to the first main surface 111 of the first frame 11. In the present embodiment, the first electrode 411 is connected to the first main surface 111 of the first frame 11 by the conductive bonding material SD12. The conductive bonding material SD12 is, for example, solder, Ag paste, or the like.

第１支持部材４１の端面４１３は、第１支持部材４１の第２電極４１２の側の面であり、第１フレーム１１の第１主面１１１と同じ方向を向く。本実施形態において、端面４１３は、第１半導体素子３１の第１素子主面３１１と、第１フレーム１１の第１主面１１１から同じ距離に位置している。 The end surface 413 of the first support member 41 is a surface of the first support member 41 on the side of the second electrode 412, and faces the same direction as the first main surface 111 of the first frame 11. In the present embodiment, the end surface 413 is located at the same distance from the first element main surface 311 of the first semiconductor element 31 and the first main surface 111 of the first frame 11.

第２支持部材４２は、第２フレーム１２の第２主面１２１に実装されている。第２支持部材４２は、ｘ方向に沿って、第２半導体素子３２と並んで配置されている。また、第２支持部材４２は、第２半導体素子３２に対して、第１フレーム１１と反対側に配置されている。 The second support member 42 is mounted on the second main surface 121 of the second frame 12. The second support member 42 is arranged side by side with the second semiconductor element 32 along the x direction. Further, the second support member 42 is arranged on the side opposite to the first frame 11 with respect to the second semiconductor element 32.

第２支持部材４２は、例えば直方体状に形成され、第１端と、第１端と反対側の第２端とを有している。第２支持部材４２は、第１端と第２端とが第２フレーム１２の第２主面１２１に対して垂直な方向に並ぶように配置されている。 The second support member 42 is formed in a rectangular parallelepiped shape, for example, and has a first end and a second end opposite to the first end. The second support member 42 is arranged so that the first end and the second end are arranged in a direction perpendicular to the second main surface 121 of the second frame 12.

図２０に示すように、第２支持部材４２の第１端は、導電性接合材ＳＤ１５により第２フレーム１２と接続されている。本実施形態において、第２支持部材４２は、コンデンサであり、第１電極４２１と第２電極４２２とを有している。第２支持部材４２の第１電極４２１は、第２フレーム１２の主面と接続されている。本実施形態において、第１電極４２１は、導電性接合材ＳＤ１５により第２フレーム１２の第２主面１２１に接続されている。導電性接合材ＳＤ１５は、例えばはんだ、Ａｇペースト、等である。 As shown in FIG. 20, the first end of the second support member 42 is connected to the second frame 12 by the conductive bonding material SD15. In the present embodiment, the second support member 42 is a capacitor and has a first electrode 421 and a second electrode 422. The first electrode 421 of the second support member 42 is connected to the main surface of the second frame 12. In the present embodiment, the first electrode 421 is connected to the second main surface 121 of the second frame 12 by the conductive bonding material SD15. The conductive bonding material SD15 is, for example, solder, Ag paste, or the like.

第２支持部材４２の端面４２３は、第２支持部材４２の第２電極４２２の側の面であり、第２フレーム１２の第２主面１２１と同じ方向を向く。本実施形態において、端面４２３は、第２半導体素子３２の第２素子主面３２１と、第２フレーム１２の第２主面１２１から同じ距離に位置している。 The end surface 423 of the second support member 42 is a surface on the side of the second electrode 422 of the second support member 42, and faces the same direction as the second main surface 121 of the second frame 12. In the present embodiment, the end surface 423 is located at the same distance from the second element main surface 321 of the second semiconductor element 32 and the second main surface 121 of the second frame 12.

［導電部材］
図１８、図１９に示すように、半導体装置Ａ２０は、第１導電部材５１、第２導電部材５２を備えている。 [Conductive member]
As shown in FIGS. 18 and 19, the semiconductor device A20 includes a first conductive member 51 and a second conductive member 52.

第１導電部材５１は、第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓと、第２フレーム１２とを接続する。第２フレーム１２には、第２半導体素子３２の第２裏面電極３２Ｄ（ドレイン電極）が接続されている。そして、第２フレーム１２には、出力リード２５が接続されている。つまり、出力リード２５は、第１半導体素子３１のソース電極と、第２半導体素子３２のドレイン電極とが接続されている。 The first conductive member 51 connects the first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 and the second frame 12. The second back surface electrode 32D (drain electrode) of the second semiconductor element 32 is connected to the second frame 12. An output lead 25 is connected to the second frame 12. That is, the output lead 25 is connected to the source electrode of the first semiconductor element 31 and the drain electrode of the second semiconductor element 32.

第１導電部材５１は、導電性を有する板状部材である。第１導電部材５１は、板状の導電板を屈曲して形成されている。第１導電部材５１は、ｘ方向に延びる帯状である。図１９に示すように、第１導電部材５１は、ｘ方向に沿って第２フレーム１２から第１半導体素子３１に向けて直線状に延びている。図２０に示すように、第１主面電極３１Ｓは、導電性接合材ＳＤ２１により第１導電部材５１と電気的に接続されている。第２フレーム１２は、導電性接合材ＳＤ２３により第１導電部材５１と電気的に接続されている。 The first conductive member 51 is a plate-shaped member having conductivity. The first conductive member 51 is formed by bending a plate-shaped conductive plate. The first conductive member 51 has a band shape extending in the x direction. As shown in FIG. 19, the first conductive member 51 extends linearly from the second frame 12 toward the first semiconductor element 31 along the x direction. As shown in FIG. 20, the first main surface electrode 31S is electrically connected to the first conductive member 51 by the conductive bonding material SD21. The second frame 12 is electrically connected to the first conductive member 51 by the conductive bonding material SD23.

第１導電部材５１は、例えばＣｕ、Ｃｕ合金からなる。なお、表面の一部又は全体に導電性を有するめっき層が形成されていてもよい。導電性接合材ＳＤ２１，ＳＤ２３は、例えば、はんだ、Ａｇペーストである。導電性接合材ＳＤ２１，ＳＤ２３は、第１実施形態と同様に、導電性接合材ＳＤ１１と比べて融点が高い高融点接合材である。 The first conductive member 51 is made of, for example, Cu or a Cu alloy. A plating layer having conductivity may be formed on a part or the whole of the surface. The conductive bonding materials SD21 and SD23 are, for example, solder and Ag paste. The conductive bonding materials SD21 and SD23 are high melting point bonding materials having a higher melting point than the conductive bonding material SD11, as in the first embodiment.

図１９に示すように、第１導電部材５１は、第２フレーム１２から第１支持部材４１まで延びている。第１導電部材５１の先端部分は、ｚ方向から視て、第１支持部材４１を覆うように配置されている。 As shown in FIG. 19, the first conductive member 51 extends from the second frame 12 to the first support member 41. The tip portion of the first conductive member 51 is arranged so as to cover the first support member 41 when viewed from the z direction.

図２０に示すように、第１導電部材５１は、下面を第１半導体素子３１の第２主面電極３２Ｓとｚ方向において互いに対向するように配置されている。その対向する部分において、第１導電部材５１は、導電性接合材ＳＤ２１により第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓと電気的に接続されている。 As shown in FIG. 20, the first conductive member 51 is arranged so that the lower surface thereof faces the second main surface electrode 32S of the first semiconductor element 31 in the z direction. At the opposite portion, the first conductive member 51 is electrically connected to the first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 by the conductive bonding material SD21.

第１導電部材５１は、導電性接合材ＳＤ２２により第１支持部材４１の第２電極４１２に接続されている。本実施形態において、第１支持部材４１は、コンデンサであり、第１導電部材５１と第１フレーム１１との間に接続されている。この第１支持部材４１は、第１導電部材５１を支持する。第１支持部材４１の第１電極４１１は、導電性接合材ＳＤ１２により第１フレーム１１と接続されている。導電性接合材ＳＤ１２と導電性接合材ＳＤ２２は、互いに融点が異なる。本実施形態において、第１導電部材５１と第１支持部材４１の第２電極４１２とを接続する導電性接合材ＳＤ２２と比べ、第１フレーム１１と第１支持部材４１の第１電極４１１とを接続する導電性接合材ＳＤ１２の融点が高い高融点接合材である。 The first conductive member 51 is connected to the second electrode 412 of the first support member 41 by the conductive bonding material SD22. In the present embodiment, the first support member 41 is a capacitor, and is connected between the first conductive member 51 and the first frame 11. The first support member 41 supports the first conductive member 51. The first electrode 411 of the first support member 41 is connected to the first frame 11 by the conductive bonding material SD12. The conductive bonding material SD12 and the conductive bonding material SD22 have different melting points from each other. In the present embodiment, the first frame 11 and the first electrode 411 of the first support member 41 are compared with the conductive bonding material SD22 connecting the first conductive member 51 and the second electrode 412 of the first support member 41. It is a high melting point bonding material having a high melting point of the conductive bonding material SD12 to be connected.

上述したように、第１導電部材５１と第１フレーム１１との間に接続されたスイッチング素子としての第１半導体素子３１は、制御信号に応答して第１主面電極３１Ｓと第１裏面電極３１Ｄとの間、つまり第１導電部材５１と第１フレーム１１との間をスイッチングする。コンデンサである第１支持部材４１は、第１半導体素子３１と並列に接続されている。この第１支持部材４１は、第１半導体素子３１のスイッチングに対するスナバ回路（スナバコンデンサ）として機能する。 As described above, the first semiconductor element 31 as a switching element connected between the first conductive member 51 and the first frame 11 has a first main surface electrode 31S and a first back surface electrode in response to a control signal. Switching between 31D, that is, between the first conductive member 51 and the first frame 11. The first support member 41, which is a capacitor, is connected in parallel with the first semiconductor element 31. The first support member 41 functions as a snubber circuit (snubber capacitor) for switching of the first semiconductor element 31.

図１８、図１９に示すように、第２導電部材５２は、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓと第２駆動リード２２とを接続する。
第２導電部材５２は、導電性を有する板状部材である。第２導電部材５２は、板状の導電板を屈曲して形成されている。 As shown in FIGS. 18 and 19, the second conductive member 52 connects the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 and the second drive lead 22.
The second conductive member 52 is a plate-shaped member having conductivity. The second conductive member 52 is formed by bending a plate-shaped conductive plate.

図１９に示すように、第２導電部材５２は、リード接続部５２１、電極接続部５２２、連結部５２３を有している。リード接続部５２１は、第２駆動リード２２のパッド部２２１と同様にｘ方向に延びている。リード接続部５２１は、導電性接合材ＳＤ２６によりパッド部２２１に接続されている。図２０に示すように、電極接続部５２２は、ハンダにより第２主面電極３２Ｓに接続されている。図１９に示すように、連結部５２３は、リード接続部５２１と電極接続部５２２とを接続する。連結部５２３は、リード接続部５２１から第２フレーム１２に向かう方向、つまりｙ方向に延びている。そして、連結部５２３は、電極接続部５２２において第１フレーム１１の側の端部に接続されている。つまり電極接続部５２２は、連結部５２３からｘ方向に延びている。 As shown in FIG. 19, the second conductive member 52 has a lead connecting portion 521, an electrode connecting portion 522, and a connecting portion 523. The lead connection portion 521 extends in the x direction like the pad portion 221 of the second drive lead 22. The lead connection portion 521 is connected to the pad portion 221 by the conductive bonding material SD26. As shown in FIG. 20, the electrode connecting portion 522 is connected to the second main surface electrode 32S by soldering. As shown in FIG. 19, the connecting portion 523 connects the lead connecting portion 521 and the electrode connecting portion 522. The connecting portion 523 extends from the lead connecting portion 521 toward the second frame 12, that is, in the y direction. Then, the connecting portion 523 is connected to the end portion on the side of the first frame 11 in the electrode connecting portion 522. That is, the electrode connecting portion 522 extends in the x direction from the connecting portion 523.

図１９に示すように、第２導電部材５２は、第２半導体素子３２から第２支持部材４２まで延びている。つまり、第２導電部材５２は、第２半導体素子３２からｘ方向に沿って第１フレーム１１とは反対方向に延びている。第２導電部材５２の先端部分は、ｚ方向から視て、第２支持部材４２を覆うように配置されている。つまり、第２導電部材５２は、電極接続部５２２から第２支持部材４２まで延びる支持部分５２ｂを有している。 As shown in FIG. 19, the second conductive member 52 extends from the second semiconductor element 32 to the second support member 42. That is, the second conductive member 52 extends from the second semiconductor element 32 in the direction opposite to that of the first frame 11 along the x direction. The tip portion of the second conductive member 52 is arranged so as to cover the second support member 42 when viewed from the z direction. That is, the second conductive member 52 has a support portion 52b extending from the electrode connecting portion 522 to the second support member 42.

図２０に示すように、第２導電部材５２は、下面を第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓとｚ方向において互いに対向するように配置されている。その対向する部分において、第２導電部材５２は、導電性接合材ＳＤ２４により第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓと電気的に接続されている。 As shown in FIG. 20, the second conductive member 52 is arranged so that the lower surface thereof faces the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 in the z direction. At the opposite portion, the second conductive member 52 is electrically connected to the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 by the conductive bonding material SD24.

第２導電部材５２は、導電性接合材ＳＤ２５により第２支持部材４２の第２電極４２２に接続されている。本実施形態において、第２支持部材４２は、コンデンサであり、第２導電部材５２と第２フレーム１２との間に接続されている。この第２支持部材４２は、第２導電部材５２を支持する。第２支持部材４２の第１電極４２１は、導電性接合材ＳＤ１５により第２フレーム１２と接続されている。導電性接合材ＳＤ１５と導電性接合材ＳＤ２５は、互いに融点が異なる。本実施形態において、第２導電部材５２と第２支持部材４２の第２電極４２２とを接続する導電性接合材ＳＤ２５と比べ、第２フレーム１２と第２支持部材４２の第１電極４２１とを接続する導電性接合材ＳＤ１５の融点が高い高融点接合材である。 The second conductive member 52 is connected to the second electrode 422 of the second support member 42 by the conductive bonding material SD25. In the present embodiment, the second support member 42 is a capacitor and is connected between the second conductive member 52 and the second frame 12. The second support member 42 supports the second conductive member 52. The first electrode 421 of the second support member 42 is connected to the second frame 12 by the conductive bonding material SD15. The conductive bonding material SD15 and the conductive bonding material SD25 have different melting points from each other. In the present embodiment, the second frame 12 and the first electrode 421 of the second support member 42 are compared with the conductive bonding material SD25 connecting the second conductive member 52 and the second electrode 422 of the second support member 42. It is a high melting point bonding material having a high melting point of the conductive bonding material SD15 to be connected.

上述したように、第２導電部材５２と第２フレーム１２との間に接続されたスイッチング素子としての第２半導体素子３２は、制御信号に応答して第２主面電極３２Ｓと第２裏面電極３２Ｄとの間、つまり第２導電部材５２と第２フレーム１２との間をスイッチングする。コンデンサである第２支持部材４２は、第２半導体素子３２と並列に接続されている。この第２支持部材４２は、第２半導体素子３２のスイッチングに対するスナバ回路（スナバコンデンサ）として機能する。 As described above, the second semiconductor element 32 as a switching element connected between the second conductive member 52 and the second frame 12 has a second main surface electrode 32S and a second back surface electrode in response to a control signal. Switching between the 32D, that is, between the second conductive member 52 and the second frame 12. The second support member 42, which is a capacitor, is connected in parallel with the second semiconductor element 32. The second support member 42 functions as a snubber circuit (snubber capacitor) for switching of the second semiconductor element 32.

第１半導体素子３１の第１制御電極３１Ｇは、ワイヤＷ２１により第１制御リード２３に接続されている。第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓは、ワイヤＷ２２により第１ソースリード２６に接続されている。第２半導体素子３２の第２制御電極３２Ｇは、ワイヤＷ２３により第２制御リード２４に接続されている。第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓは、ワイヤＷ２４により第２ソースリード２７に接続されている。ワイヤＷ２１～Ｗ２４は、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ等からなるボンディングワイヤである。 The first control electrode 31G of the first semiconductor element 31 is connected to the first control lead 23 by a wire W21. The first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 is connected to the first source lead 26 by a wire W22. The second control electrode 32G of the second semiconductor element 32 is connected to the second control lead 24 by the wire W23. The second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 is connected to the second source lead 27 by the wire W24. The wires W21 to W24 are bonding wires made of Cu, Au, Al, or the like.

（作用）
次に、本実施形態の半導体装置Ａ２０の作用を説明する。
半導体装置Ａ２０は、第１フレーム１１及び第２フレーム１２と、第１半導体素子３１及び第２半導体素子３２と、第１支持部材４１及び第２支持部材４２と、第１導電部材５１及び第２導電部材５２を有している。第１半導体素子３１及び第１支持部材４１は、第１フレーム１１に実装され、第２半導体素子３２及び第２支持部材４２は、第２フレーム１２に実装されている。 (Action)
Next, the operation of the semiconductor device A20 of the present embodiment will be described.
The semiconductor device A20 includes a first frame 11 and a second frame 12, a first semiconductor element 31 and a second semiconductor element 32, a first support member 41 and a second support member 42, and a first conductive member 51 and a second. It has a conductive member 52. The first semiconductor element 31 and the first support member 41 are mounted on the first frame 11, and the second semiconductor element 32 and the second support member 42 are mounted on the second frame 12.

第１支持部材４１は、第１半導体素子３１に対して、第２フレーム１２と反対側に配置されている。第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓは、導電性接合材ＳＤ２１により第１導電部材５１と接続され、第２フレーム１２は、導電性接合材ＳＤ２３により第１導電部材５１と接続されている。第１導電部材５１は、第１半導体素子３１から第１支持部材４１まで延び、第１支持部材４１により支持されている。このように、第１支持部材４１によって第１導電部材５１を支持することにより、第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓに接続される第１導電部材５１の傾きを抑制できる。したがって、第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓと第１導電部材５１とを接続する導電性接合材ＳＤ２１の厚さのばらつきを抑制できる。 The first support member 41 is arranged on the opposite side of the second frame 12 with respect to the first semiconductor element 31. The first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 is connected to the first conductive member 51 by the conductive bonding material SD21, and the second frame 12 is connected to the first conductive member 51 by the conductive bonding material SD23. There is. The first conductive member 51 extends from the first semiconductor element 31 to the first support member 41 and is supported by the first support member 41. By supporting the first conductive member 51 by the first support member 41 in this way, the inclination of the first conductive member 51 connected to the first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress variations in the thickness of the conductive bonding material SD21 that connects the first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 and the first conductive member 51.

第２支持部材４２は、第２半導体素子３２に対して、第１フレーム１１と反対側に配置されている。第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓは、導電性接合材ＳＤ２４により第２導電部材５２と接続されている。第２導電部材５２は、第２半導体素子３２から第２支持部材４２まで延び、第２支持部材４２により支持されている。このように、第２支持部材４２によって第２導電部材５２を支持することにより、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓに接続される第２導電部材５２の傾きを抑制できる。したがって、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓと第２導電部材５２とを接続する導電性接合材ＳＤ２４の厚さのばらつきを抑制できる。 The second support member 42 is arranged on the side opposite to the first frame 11 with respect to the second semiconductor element 32. The second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 is connected to the second conductive member 52 by the conductive bonding material SD24. The second conductive member 52 extends from the second semiconductor element 32 to the second support member 42, and is supported by the second support member 42. By supporting the second conductive member 52 by the second support member 42 in this way, the inclination of the second conductive member 52 connected to the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress variations in the thickness of the conductive bonding material SD24 that connects the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 and the second conductive member 52.

第１半導体素子３１はスイッチング素子であり、第１支持部材４１はコンデンサである。第１支持部材４１は、第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓと第１裏面電極３１Ｄとの間に接続されている。第１半導体素子３１は、第１制御電極３１Ｇに印加される制御信号に応答して、第１主面電極３１Ｓと第１裏面電極３１Ｄとの間をスイッチングする。したがって、第１半導体素子３１に対して並列に接続された第１支持部材４１を備えることにより、第１半導体素子３１のスイッチングにより発生するノイズやスパイク電圧が抑制される。 The first semiconductor element 31 is a switching element, and the first support member 41 is a capacitor. The first support member 41 is connected between the first main surface electrode 31S and the first back surface electrode 31D of the first semiconductor element 31. The first semiconductor element 31 switches between the first main surface electrode 31S and the first back surface electrode 31D in response to a control signal applied to the first control electrode 31G. Therefore, by providing the first support member 41 connected in parallel to the first semiconductor element 31, noise and spike voltage generated by switching of the first semiconductor element 31 are suppressed.

第２半導体素子３２はスイッチング素子であり、第２支持部材４２はコンデンサである。第２支持部材４２は、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓと第２裏面電極３２Ｄとの間に接続されている。第２半導体素子３２は、第２制御電極３２Ｇに印加される制御信号に応答して、第２主面電極３２Ｓと第２裏面電極３２Ｄとの間をスイッチングする。したがって、第２半導体素子３２に対して並列に接続された第２支持部材４２を備えることにより、第２半導体素子３２のスイッチングにより発生するノイズやスパイク電圧が抑制される。 The second semiconductor element 32 is a switching element, and the second support member 42 is a capacitor. The second support member 42 is connected between the second main surface electrode 32S and the second back surface electrode 32D of the second semiconductor element 32. The second semiconductor element 32 switches between the second main surface electrode 32S and the second back surface electrode 32D in response to a control signal applied to the second control electrode 32G. Therefore, by providing the second support member 42 connected in parallel to the second semiconductor element 32, noise and spike voltage generated by switching of the second semiconductor element 32 are suppressed.

半導体装置Ａ２０は、コンデンサである第１支持部材４１及び第２支持部材４２を備えている。スイッチングを行う第１半導体素子３１と第２半導体素子３２の直近にスナバコンデンサを配置することができる。そして、半導体装置Ａ２０がスナバコンデンサを含むことにより、半導体装置Ａ２０を実装する基板等において、スナバコンデンサの実装が不要となり、実装工数や実装面積を低減できる。 The semiconductor device A20 includes a first support member 41 and a second support member 42, which are capacitors. A snubber capacitor can be arranged in the immediate vicinity of the first semiconductor element 31 and the second semiconductor element 32 for switching. Since the semiconductor device A20 includes the snubber capacitor, it is not necessary to mount the snubber capacitor on the substrate or the like on which the semiconductor device A20 is mounted, and the mounting man-hours and the mounting area can be reduced.

第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓは、第１導電部材５１により第２フレーム１２に接続されている。その第２フレーム１２には第２半導体素子３２の第２裏面電極３２Ｄが接続されるとともに出力リード２５が接続されている。第１半導体素子３１の第１裏面電極３１Ｄは、第１駆動リード２１に接続され、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓは第２駆動リード２２に接続されている。したがって、本実施形態の半導体装置Ａ２０は、第１半導体素子３１と第２半導体素子３２により、インバータ回路やＤＣ－ＤＣコンバータ回路を構成できる。そして、第１駆動リード２１（ドレインリード）、第２駆動リード２２（ソースリード）、出力リード２５（出力リード）の間の導体距離が短くなり、半導体装置Ａ２０のインダクタンスを低減できる。 The first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 is connected to the second frame 12 by the first conductive member 51. The second back surface electrode 32D of the second semiconductor element 32 is connected to the second frame 12, and the output lead 25 is connected to the second frame 12. The first back surface electrode 31D of the first semiconductor element 31 is connected to the first drive lead 21, and the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 is connected to the second drive lead 22. Therefore, in the semiconductor device A20 of the present embodiment, an inverter circuit and a DC-DC converter circuit can be configured by the first semiconductor element 31 and the second semiconductor element 32. Then, the conductor distance between the first drive lead 21 (drain lead), the second drive lead 22 (source lead), and the output lead 25 (output lead) is shortened, and the inductance of the semiconductor device A20 can be reduced.

半導体装置Ａ２０は、第１半導体素子３１の第１裏面電極３１Ｄに接続された第１駆動リード２１と、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓに接続された第２駆動リード２２とが並んで配置されている。半導体装置Ａ２０を例えばインバータ回路として用いた場合、第１駆動リード２１には高電位の電圧が供給され、第２駆動リード２２には低電位の電圧が供給される。そして、第１半導体素子３１をオンし、第２半導体素子３２をオフしたとき、第１駆動リード２１から出力リード２５に向けて電流が流れる。また、第１半導体素子３１をオフし、第２半導体素子３２をオンしたとき、出力リード２５から第２駆動リード２２に向けて電流が流れる。この半導体装置Ａ２０を高速な制御信号で動作させた場合、隣り合う第１駆動リード２１と第２駆動リード２２とにおいて、半導体装置Ａ２０に対して逆方向の電流が流れる。これらの電流により生じる磁束によって相互インダクタンスが低下し、半導体装置Ａ２０における寄生インダクタンスを低減できる。 In the semiconductor device A20, the first drive lead 21 connected to the first back surface electrode 31D of the first semiconductor element 31 and the second drive lead 22 connected to the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 are provided. They are arranged side by side. When the semiconductor device A20 is used, for example, as an inverter circuit, a high potential voltage is supplied to the first drive lead 21, and a low potential voltage is supplied to the second drive lead 22. Then, when the first semiconductor element 31 is turned on and the second semiconductor element 32 is turned off, a current flows from the first drive lead 21 toward the output lead 25. Further, when the first semiconductor element 31 is turned off and the second semiconductor element 32 is turned on, a current flows from the output lead 25 toward the second drive lead 22. When the semiconductor device A20 is operated by a high-speed control signal, a current flows in the opposite direction to the semiconductor device A20 in the adjacent first drive lead 21 and second drive lead 22. The mutual inductance is reduced by the magnetic flux generated by these currents, and the parasitic inductance in the semiconductor device A20 can be reduced.

以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（２－１）第１半導体素子３１及び第１支持部材４１は、第１フレーム１１に実装されている。第１支持部材４１は、第１半導体素子３１に対して、第２フレーム１２と反対側に配置されている。第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓは、導電性接合材ＳＤ２１により第１導電部材５１と接続され、第２フレーム１２は、導電性接合材ＳＤ２３により第１導電部材５１と接続されている。第１導電部材５１は、第１半導体素子３１から第１支持部材４１まで延び、第１支持部材４１により支持されている。このように、第１支持部材４１によって第１導電部材５１を支持することにより、第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓに接続される第１導電部材５１の傾きを抑制できる。したがって、第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓと第１導電部材５１とを接続する導電性接合材ＳＤ２１の厚さのばらつきを抑制できる。そして、導電性接合材ＳＤ２１のばらつきに起因する信頼性の低下を抑制できる、つまり長期信頼性を向上できる。 As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(2-1) The first semiconductor element 31 and the first support member 41 are mounted on the first frame 11. The first support member 41 is arranged on the opposite side of the second frame 12 with respect to the first semiconductor element 31. The first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 is connected to the first conductive member 51 by the conductive bonding material SD21, and the second frame 12 is connected to the first conductive member 51 by the conductive bonding material SD23. There is. The first conductive member 51 extends from the first semiconductor element 31 to the first support member 41 and is supported by the first support member 41. By supporting the first conductive member 51 by the first support member 41 in this way, the inclination of the first conductive member 51 connected to the first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress variations in the thickness of the conductive bonding material SD21 that connects the first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 and the first conductive member 51. Then, it is possible to suppress a decrease in reliability due to variations in the conductive bonding material SD21, that is, it is possible to improve long-term reliability.

（２－２）第２半導体素子３２及び第２支持部材４２は、第２フレーム１２に実装されている。第２支持部材４２は、第２半導体素子３２に対して、第１フレーム１１と反対側に配置されている。第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓは、導電性接合材ＳＤ２４により第２導電部材５２と接続されている。第２導電部材５２は、第２半導体素子３２から第２支持部材４２まで延び、第２支持部材４２により支持されている。このように、第２支持部材４２によって第２導電部材５２を支持することにより、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓに接続される第２導電部材５２の傾きを抑制できる。したがって、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓと第２導電部材５２とを接続する導電性接合材ＳＤ２４の厚さのばらつきを抑制できる。そして、導電性接合材ＳＤ２４のばらつきに起因する信頼性の低下を抑制できる、つまり長期信頼性を向上できる。 (2-2) The second semiconductor element 32 and the second support member 42 are mounted on the second frame 12. The second support member 42 is arranged on the side opposite to the first frame 11 with respect to the second semiconductor element 32. The second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 is connected to the second conductive member 52 by the conductive bonding material SD24. The second conductive member 52 extends from the second semiconductor element 32 to the second support member 42, and is supported by the second support member 42. By supporting the second conductive member 52 by the second support member 42 in this way, the inclination of the second conductive member 52 connected to the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress variations in the thickness of the conductive bonding material SD24 that connects the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 and the second conductive member 52. Then, it is possible to suppress a decrease in reliability due to variations in the conductive bonding material SD24, that is, it is possible to improve long-term reliability.

（２－３）第１半導体素子３１はスイッチング素子であり、第１支持部材４１はコンデンサである。第１支持部材４１は、第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓと第１裏面電極３１Ｄとの間に接続されている。第１半導体素子３１は、第１制御電極３１Ｇに印加される制御信号に応答して、第１主面電極３１Ｓと第１裏面電極３１Ｄとの間をスイッチングする。したがって、第１半導体素子３１に対して並列に接続された第１支持部材４１を備えることにより、第１半導体素子３１のスイッチングにより発生するノイズやスパイク電圧が抑制される。 (2-3) The first semiconductor element 31 is a switching element, and the first support member 41 is a capacitor. The first support member 41 is connected between the first main surface electrode 31S and the first back surface electrode 31D of the first semiconductor element 31. The first semiconductor element 31 switches between the first main surface electrode 31S and the first back surface electrode 31D in response to a control signal applied to the first control electrode 31G. Therefore, by providing the first support member 41 connected in parallel to the first semiconductor element 31, noise and spike voltage generated by switching of the first semiconductor element 31 are suppressed.

（２－４）第２半導体素子３２はスイッチング素子であり、第２支持部材４２はコンデンサである。第２支持部材４２は、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓと第２裏面電極３２Ｄとの間に接続されている。第２半導体素子３２は、第２制御電極３２Ｇに印加される制御信号に応答して、第２主面電極３２Ｓと第２裏面電極３２Ｄとの間をスイッチングする。したがって、第２半導体素子３２に対して並列に接続された第２支持部材４２を備えることにより、第２半導体素子３２のスイッチングにより発生するノイズやスパイク電圧が抑制される。 (2-4) The second semiconductor element 32 is a switching element, and the second support member 42 is a capacitor. The second support member 42 is connected between the second main surface electrode 32S and the second back surface electrode 32D of the second semiconductor element 32. The second semiconductor element 32 switches between the second main surface electrode 32S and the second back surface electrode 32D in response to a control signal applied to the second control electrode 32G. Therefore, by providing the second support member 42 connected in parallel to the second semiconductor element 32, noise and spike voltage generated by switching of the second semiconductor element 32 are suppressed.

（２－５）半導体装置Ａ２０は、コンデンサである第１支持部材４１及び第２支持部材４２を備えている。スイッチングを行う第１半導体素子３１と第２半導体素子３２の直近にスナバコンデンサを配置することができる。そして、半導体装置Ａ２０がスナバコンデンサを含むことにより、半導体装置Ａ２０を実装する基板等において、スナバコンデンサの実装が不要となり、実装工数や実装面積を低減できる。 (2-5) The semiconductor device A20 includes a first support member 41 and a second support member 42, which are capacitors. A snubber capacitor can be arranged in the immediate vicinity of the first semiconductor element 31 and the second semiconductor element 32 for switching. Since the semiconductor device A20 includes the snubber capacitor, it is not necessary to mount the snubber capacitor on the substrate or the like on which the semiconductor device A20 is mounted, and the mounting man-hours and the mounting area can be reduced.

（２－６）第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓは、第１導電部材５１により第２フレーム１２に接続されている。その第２フレーム１２には第２半導体素子３２の第２裏面電極３２Ｄが接続されるとともに出力リード２５が接続されている。第１半導体素子３１の第１裏面電極３１Ｄは、第１駆動リード２１に接続され、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓは第２駆動リード２２に接続されている。したがって、本実施形態の半導体装置Ａ２０は、第１半導体素子３１と第２半導体素子３２により、インバータ回路やＤＣ－ＤＣコンバータ回路を構成できる。そして、第１駆動リード２１（ドレインリード）、第２駆動リード２２（ソースリード）、出力リード２５（出力リード）の間の導体距離が短くなり、半導体装置Ａ２０のインダクタンスを低減できる。 (2-6) The first main surface electrode 31S of the first semiconductor element 31 is connected to the second frame 12 by the first conductive member 51. The second back surface electrode 32D of the second semiconductor element 32 is connected to the second frame 12, and the output lead 25 is connected to the second frame 12. The first back surface electrode 31D of the first semiconductor element 31 is connected to the first drive lead 21, and the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32 is connected to the second drive lead 22. Therefore, in the semiconductor device A20 of the present embodiment, an inverter circuit and a DC-DC converter circuit can be configured by the first semiconductor element 31 and the second semiconductor element 32. Then, the conductor distance between the first drive lead 21 (drain lead), the second drive lead 22 (source lead), and the output lead 25 (output lead) is shortened, and the inductance of the semiconductor device A20 can be reduced.

（２－７）半導体装置Ａ２０は、第１半導体素子３１の第１裏面電極３１Ｄに接続された第１駆動リード２１と、第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓに接続された第２駆動リード２２とが並んで配置されている。半導体装置Ａ２０を例えばインバータ回路として用いた場合、第１駆動リード２１には高電位の電圧が供給され、第２駆動リード２２には低電位の電圧が供給される。そして、第１半導体素子３１をオンし、第２半導体素子３２をオフしたとき、第１駆動リード２１から出力リード２５に向けて電流が流れる。また、第１半導体素子３１をオフし、第２半導体素子３２をオンしたとき、出力リード２５から第２駆動リード２２に向けて電流が流れる。この半導体装置Ａ２０を高速な制御信号で動作させた場合、隣り合う第１駆動リード２１と第２駆動リード２２とにおいて、半導体装置Ａ２０に対して逆方向の電流が流れる。これらの電流により生じる磁束によって相互インダクタンスが低下し、半導体装置Ａ２０における寄生インダクタンスを低減できる。 (2-7) The semiconductor device A20 has a first drive lead 21 connected to the first back surface electrode 31D of the first semiconductor element 31 and a second driven lead 21 connected to the second main surface electrode 32S of the second semiconductor element 32. The drive leads 22 are arranged side by side. When the semiconductor device A20 is used, for example, as an inverter circuit, a high potential voltage is supplied to the first drive lead 21, and a low potential voltage is supplied to the second drive lead 22. Then, when the first semiconductor element 31 is turned on and the second semiconductor element 32 is turned off, a current flows from the first drive lead 21 toward the output lead 25. Further, when the first semiconductor element 31 is turned off and the second semiconductor element 32 is turned on, a current flows from the output lead 25 toward the second drive lead 22. When the semiconductor device A20 is operated by a high-speed control signal, a current flows in the opposite direction to the semiconductor device A20 in the adjacent first drive lead 21 and second drive lead 22. The mutual inductance is reduced by the magnetic flux generated by these currents, and the parasitic inductance in the semiconductor device A20 can be reduced.

（第２実施形態の変更例）
第２実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
・リードの配置を適宜変更してもよい。例えば、出力リード２５を第１駆動リード２１と第２駆動リード２２との間に配置してもよい。また、出力リード２５、第１駆動リード２１、第２駆動リード２２の少なくとも１つを封止樹脂６０の樹脂側面６０４から突出するように配置してもよい。 (Example of modification of the second embodiment)
The second embodiment can be modified and implemented as follows.
-The lead arrangement may be changed as appropriate. For example, the output lead 25 may be arranged between the first drive lead 21 and the second drive lead 22. Further, at least one of the output lead 25, the first drive lead 21, and the second drive lead 22 may be arranged so as to protrude from the resin side surface 604 of the sealing resin 60.

（その他の変更例）
本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
・上記各実施形態では、金属製のフレームに半導体素子を実装した半導体装置であったが、半導体装置の構成はこれに限られない。 (Other changes)
This embodiment can be modified and implemented as follows.
-In each of the above embodiments, the semiconductor device is a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a metal frame, but the configuration of the semiconductor device is not limited to this.

一例では、図２１に示すように、変更例の半導体装置Ａ３０は、上記各実施形態の半導体装置と比較して、フレームの構成が主に異なる。より詳細には、変更例の半導体装置Ａ３０の基板７０は、フレームの一例であり、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板と呼ばれる構造体である。なお、基板７０として、ＤＢＣに代えて、ＤＢＡ（Direct Bonded Aluminum）基板と呼ばれる構造体を用いてもよい。基板７０は、絶縁基板７１、主面金属層７２および裏面金属層（図示略）を有している。 In one example, as shown in FIG. 21, the semiconductor device A30 of the modified example has a frame configuration mainly different from that of the semiconductor device of each of the above embodiments. More specifically, the substrate 70 of the semiconductor device A30 of the modified example is an example of a frame, and is, for example, a structure called a DBC (Direct Bonded Copper) substrate. As the substrate 70, a structure called a DBA (Direct Bonded Aluminum) substrate may be used instead of the DBC. The substrate 70 has an insulating substrate 71, a main surface metal layer 72, and a back surface metal layer (not shown).

絶縁基板７１は、電気絶縁性を有している。絶縁基板７１の構成材料は、たとえばセラミックスである。なお、絶縁基板７１は、絶縁樹脂シートが用いられてもよい。絶縁基板７１は、ｚ方向において互いに反対側を向く基板主面７１１および基板裏面（図示略）を有している。ｚ方向から視た絶縁基板７１の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。 The insulating substrate 71 has electrical insulation. The constituent material of the insulating substrate 71 is, for example, ceramics. An insulating resin sheet may be used for the insulating substrate 71. The insulating substrate 71 has a substrate main surface 711 and a substrate back surface (not shown) facing opposite sides in the z direction. The shape of the insulating substrate 71 viewed from the z direction is a rectangular shape in which the x direction is the long side direction and the y direction is the short side direction.

基板主面７１１には主面金属層７２が形成されており、基板裏面には裏面金属層が形成されている。主面金属層７２および裏面金属層の構成材料はたとえばＣｕであり、たとえばエッチングによってパターニングされている。 A main surface metal layer 72 is formed on the substrate main surface 711, and a back surface metal layer is formed on the back surface of the substrate. The constituent materials of the main surface metal layer 72 and the back surface metal layer are, for example, Cu, which are patterned by, for example, etching.

主面金属層７２は、複数のパターン電極７２Ａ～７２Ｇを有している。パターン電極７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃは、ｙ方向において互いに離れてして配列されている。
パターン電極７２Ａ～７２Ｃは、複数の半導体素子３０の駆動電流が流れる大電流用の電極を構成している。パターン電極７２Ａは、複数（図示された例においては３個）の第１半導体素子３１と複数の第１支持部材４１が搭載される電極である。パターン電極７２Ｂは、複数（図示された例においては３個）の第２半導体素子３２と複数の第２支持部材４２が搭載される電極である。つまり、第１半導体素子３１、第２半導体素子３２、第１支持部材４１、及び第２支持部材４２は、基板７０の基板主面７１１に実装されているともいえる。 The main surface metal layer 72 has a plurality of pattern electrodes 72A to 72G. The pattern electrodes 72A, 72B, and 72C are arranged apart from each other in the y direction.
The pattern electrodes 72A to 72C constitute electrodes for a large current through which the drive currents of the plurality of semiconductor elements 30 flow. The pattern electrode 72A is an electrode on which a plurality of (three in the illustrated example) first semiconductor elements 31 and a plurality of first support members 41 are mounted. The pattern electrode 72B is an electrode on which a plurality of (three in the illustrated example) second semiconductor elements 32 and a plurality of second support members 42 are mounted. That is, it can be said that the first semiconductor element 31, the second semiconductor element 32, the first support member 41, and the second support member 42 are mounted on the substrate main surface 711 of the substrate 70.

パターン電極７２Ｂは、第１半導体素子３１に接続された第１導電部材５１が接続される電極である。パターン電極７２Ｃは、第２半導体素子３２に接続された第２導電部材５２が接続される電極である。つまり、パターン電極７２Ｂおよびパターン電極７２Ｃはそれぞれ、パッド部に相当する。 The pattern electrode 72B is an electrode to which the first conductive member 51 connected to the first semiconductor element 31 is connected. The pattern electrode 72C is an electrode to which the second conductive member 52 connected to the second semiconductor element 32 is connected. That is, the pattern electrode 72B and the pattern electrode 72C each correspond to a pad portion.

パターン電極７２Ａには、複数の第１半導体素子３１が導電性接合材ＳＤ１１によって接続されている。複数の第１半導体素子３１は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離れてして配列されている。第１半導体素子３１は、第１裏面電極３１Ｄ（図２１では図示略）が導電性接合材ＳＤ１１に接続されるようにパターン電極７２Ａに搭載されている。複数の第１半導体素子３１の第１主面電極３１Ｓには、第１導電部材５１が個別に接続されている。第１導電部材５１は、パターン電極７２Ｂに接続されている。つまり、パターン電極７２Ａに搭載された複数の第１半導体素子３１は互いに並列接続されている。パターン電極７２Ａには、第１駆動リードに相当するＰ端子（図示略）が接続されている。Ｐ端子の一部は、封止樹脂６０（図２１では図示略）から露出している。 A plurality of first semiconductor elements 31 are connected to the pattern electrode 72A by the conductive bonding material SD11. The plurality of first semiconductor elements 31 are arranged so as to be aligned with each other in the y direction and separated from each other in the x direction. The first semiconductor element 31 is mounted on the pattern electrode 72A so that the first back surface electrode 31D (not shown in FIG. 21) is connected to the conductive bonding material SD11. The first conductive member 51 is individually connected to the first main surface electrode 31S of the plurality of first semiconductor elements 31. The first conductive member 51 is connected to the pattern electrode 72B. That is, the plurality of first semiconductor elements 31 mounted on the pattern electrode 72A are connected in parallel to each other. A P terminal (not shown) corresponding to the first drive lead is connected to the pattern electrode 72A. A part of the P terminal is exposed from the sealing resin 60 (not shown in FIG. 21).

パターン電極７２Ａには、複数の第１支持部材４１が導電性接合材ＳＤ１２によって接続されている。第１支持部材４１は、例えばコンデンサである。第１支持部材４１は、第１半導体素子３１に対して、パターン電極７２Ｂの反対側に配置されている。第１導電部材５１は、パターン電極７２Ｂから第１半導体素子３１に向けて延びている。さらに、第１導電部材５１は、第１半導体素子３１から第１支持部材４１まで延びている。第１導電部材５１は、導電性接合材ＳＤ２２によって第１支持部材４１と接続されている。第１支持部材４１は、第１半導体素子３１に対して並列に接続されている。 A plurality of first support members 41 are connected to the pattern electrode 72A by the conductive bonding material SD12. The first support member 41 is, for example, a capacitor. The first support member 41 is arranged on the opposite side of the pattern electrode 72B with respect to the first semiconductor element 31. The first conductive member 51 extends from the pattern electrode 72B toward the first semiconductor element 31. Further, the first conductive member 51 extends from the first semiconductor element 31 to the first support member 41. The first conductive member 51 is connected to the first support member 41 by the conductive bonding material SD22. The first support member 41 is connected in parallel to the first semiconductor element 31.

パターン電極７２Ｂは、ｙ方向においてパターン電極７２Ａとパターン電極７２Ｃとの間に配置されている。パターン電極７２Ｂには、出力リードに相当する出力端子（図示略）が接続されている。出力端子の一部は封止樹脂６０から露出している。 The pattern electrode 72B is arranged between the pattern electrode 72A and the pattern electrode 72C in the y direction. An output terminal (not shown) corresponding to an output lead is connected to the pattern electrode 72B. A part of the output terminal is exposed from the sealing resin 60.

パターン電極７２Ｂには、複数の第２半導体素子３２が導電性接合材Ｓ１４◇によって接続されている。複数の第２半導体素子３２は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離れてして配列されている。複数の第２半導体素子３２はそれぞれ、ｙ方向においてパターン電極７２Ｂのうちパターン電極７２Ｃの近くの部分に配置されている。第２半導体素子３２は、第２裏面電極３２Ｄ（図２１では図示略）が導電性接合材ＳＤ１４によって接続されるようにパターン電極７２Ｂに搭載されている。複数の第２半導体素子３２の第２主面電極３２Ｓには、第２導電部材５２が個別に接続されている。第２導電部材５２は、パターン電極７２Ｃに接続されている。つまり、パターン電極７２Ｂに搭載された複数の第２半導体素子３２は互いに並列接続されている。パターン電極７２Ｃには、第２駆動リードに相当するＮ端子（図示略）が接続されている。Ｎ端子の一部は、封止樹脂６０から露出している。 A plurality of second semiconductor elements 32 are connected to the pattern electrode 72B by the conductive bonding material S14 ◇. The plurality of second semiconductor elements 32 are arranged so as to be aligned with each other in the y direction and separated from each other in the x direction. Each of the plurality of second semiconductor elements 32 is arranged in a portion of the pattern electrode 72B near the pattern electrode 72C in the y direction. The second semiconductor element 32 is mounted on the pattern electrode 72B so that the second back surface electrode 32D (not shown in FIG. 21) is connected by the conductive bonding material SD14. The second conductive member 52 is individually connected to the second main surface electrode 32S of the plurality of second semiconductor elements 32. The second conductive member 52 is connected to the pattern electrode 72C. That is, the plurality of second semiconductor elements 32 mounted on the pattern electrode 72B are connected in parallel to each other. An N terminal (not shown) corresponding to the second drive lead is connected to the pattern electrode 72C. A part of the N terminal is exposed from the sealing resin 60.

パターン電極７２Ｂには、複数の第２支持部材４２が導電性接合材ＳＤ１５によって接続されている。第２支持部材４２は、例えばコンデンサである。第２支持部材４２は、第２半導体素子３２に対して、パターン電極７２Ｂの反対側に配置されている。第２導電部材５２は、パターン電極７２Ｂから第２半導体素子３２に向けて延びている。さらに、第２導電部材５２は、第２半導体素子３２から第２支持部材４２まで延びている。第２導電部材５２は、導電性接合材ＳＤ２５によって第２支持部材４２と接続されている。第２支持部材４２は、第２半導体素子３２に対して並列に接続されている。 A plurality of second support members 42 are connected to the pattern electrode 72B by the conductive bonding material SD15. The second support member 42 is, for example, a capacitor. The second support member 42 is arranged on the opposite side of the pattern electrode 72B with respect to the second semiconductor element 32. The second conductive member 52 extends from the pattern electrode 72B toward the second semiconductor element 32. Further, the second conductive member 52 extends from the second semiconductor element 32 to the second support member 42. The second conductive member 52 is connected to the second support member 42 by the conductive bonding material SD25. The second support member 42 is connected in parallel to the second semiconductor element 32.

パターン電極７２Ｄ，７２Ｅは、パターン電極７２Ａと絶縁基板７１の端部との間に配置されている。パターン電極７２Ｄ，７２Ｅは、パターン電極７２Ａに沿ってｘ方向に延びるように形成されている。パターン電極７２Ｄは、各第１半導体素子３１の第１主面電極３１ＳとワイヤＷ３１により電気的に接続されている。パターン電極７２Ｅは、各第１半導体素子３１の第１制御電極３１ＧとワイヤＷ３２により電気的に接続されている。パターン電極７２Ｄには、制御リードに相当する端子（図示略）が接続され、パターン電極７２Ｅには、ソースリードに対応する端子（図示略）が接続されている。 The pattern electrodes 72D and 72E are arranged between the pattern electrodes 72A and the end of the insulating substrate 71. The pattern electrodes 72D and 72E are formed so as to extend in the x direction along the pattern electrodes 72A. The pattern electrode 72D is electrically connected to the first main surface electrode 31S of each first semiconductor element 31 by a wire W31. The pattern electrode 72E is electrically connected to the first control electrode 31G of each first semiconductor element 31 by a wire W32. A terminal corresponding to the control lead (not shown) is connected to the pattern electrode 72D, and a terminal corresponding to the source lead (not shown) is connected to the pattern electrode 72E.

パターン電極７２Ｆ，７２Ｇは、パターン電極７２Ｃと絶縁基板７１の端部との間に配置されている。パターン電極７２Ｆ，７２Ｇは、パターン電極７２Ｃに沿ってｘ方向に延びるように形成されている。パターン電極７２Ｆは、各第２半導体素子３２の第２主面電極３２ＳとワイヤＷ３３により電気的に接続されている。パターン電極７２Ｇは、各第２半導体素子３２の第２制御電極３２ＧとワイヤＷ３４により電気的に接続されている。パターン電極７２Ｇには、制御リードに相当する端子（図示略）が接続され、パターン電極７２Ｆには、ソースリードに対応する端子（図示略）が接続されている。 The pattern electrodes 72F and 72G are arranged between the pattern electrode 72C and the end portion of the insulating substrate 71. The pattern electrodes 72F and 72G are formed so as to extend in the x direction along the pattern electrodes 72C. The pattern electrode 72F is electrically connected to the second main surface electrode 32S of each second semiconductor element 32 by a wire W33. The pattern electrode 72G is electrically connected to the second control electrode 32G of each second semiconductor element 32 by a wire W34. A terminal corresponding to a control lead (not shown) is connected to the pattern electrode 72G, and a terminal corresponding to the source lead (not shown) is connected to the pattern electrode 72F.

図２１では図示していないが、封止樹脂６０は、複数の第１半導体素子３１及び第２半導体素子３２、複数の第１支持部材４１及び第２支持部材４２、複数の第１導電部材５１及び第２導電部材５２、複数のワイヤＷ３１～Ｗ３４を封止している。封止樹脂６０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。 Although not shown in FIG. 21, the sealing resin 60 includes a plurality of first semiconductor elements 31 and a second semiconductor element 32, a plurality of first support members 41 and a second support member 42, and a plurality of first conductive members 51. The second conductive member 52 and the plurality of wires W31 to W34 are sealed. The sealing resin 60 is made of, for example, a black epoxy resin.

（付記）
上記各実施の形態から把握できる技術的思想を以下に記載する。
（付記１）
主面を有するフレームと、
前記フレームの前記主面と平行な方向に前記フレームと離れて配置されたパッド部と、
前記フレームの前記主面に実装され、前記フレームの前記主面と同じ方向を向く素子主面と、前記素子主面に形成された主面電極とを有する半導体素子と、
前記主面電極を前記パッド部に接続するための導電部材と、
前記主面電極に前記導電部材を接続する導電性接合材と、
前記フレームの前記主面に実装された支持部材と、
を備え、
前記半導体素子は、スイッチング素子であり、前記主面電極と反対側を向き前記フレームと接続された裏面電極を有し、
前記導電部材は、前記半導体素子から前記支持部材まで延びて前記支持部材により支持され、
前記支持部材はコンデンサであり、第１電極と第２電極とを有し、前記第１電極は前記フレームと接続され、前記第２電極は前記導電部材と接続されている、
半導体装置。 (Additional note)
The technical ideas that can be grasped from each of the above embodiments are described below.
(Appendix 1)
A frame with a main surface and
A pad portion arranged apart from the frame in a direction parallel to the main surface of the frame, and a pad portion.
A semiconductor device mounted on the main surface of the frame and having an element main surface facing the same direction as the main surface of the frame and a main surface electrode formed on the element main surface.
A conductive member for connecting the main surface electrode to the pad portion, and
A conductive bonding material for connecting the conductive member to the main surface electrode,
A support member mounted on the main surface of the frame and
Equipped with
The semiconductor element is a switching element and has a back surface electrode facing the opposite side of the main surface electrode and connected to the frame.
The conductive member extends from the semiconductor element to the support member and is supported by the support member.
The support member is a capacitor, has a first electrode and a second electrode, the first electrode is connected to the frame, and the second electrode is connected to the conductive member.
Semiconductor device.

（付記２）
前記支持部材は、前記第１電極と前記第２電極とを前記主面に垂直な方向に並ぶように配置されている、
付記１に記載の半導体装置。 (Appendix 2)
The support member is arranged so that the first electrode and the second electrode are arranged in a direction perpendicular to the main surface.
The semiconductor device according to Appendix 1.

（付記３）
前記第２電極は前記半導体素子の前記主面電極よりも前記フレームの前記主面から離れて配置され、
前記導電部材は、前記半導体素子の前記主面電極に接続される部分よりも前記支持部材の前記第２電極に接続される部分が前記フレームの前記主面から遠くなるように屈曲して形成されている、
付記２に記載の半導体装置。 (Appendix 3)
The second electrode is arranged farther from the main surface of the frame than the main surface electrode of the semiconductor element.
The conductive member is formed by bending a portion of the support member connected to the second electrode of the support member so as to be farther from the main surface of the frame than a portion of the semiconductor element connected to the main surface electrode. ing,
The semiconductor device according to Appendix 2.

（付記４）
前記支持部材は、前記第１電極と前記第２電極とを前記主面に平行な方向に並ぶように配置され、
前記第２電極と前記フレームの前記主面との間に絶縁材が介在されている、
付記１に記載の半導体装置。 (Appendix 4)
The support member is arranged so that the first electrode and the second electrode are arranged in a direction parallel to the main surface.
An insulating material is interposed between the second electrode and the main surface of the frame.
The semiconductor device according to Appendix 1.

（付記５）
前記フレームから離れて配置された補助フレームを有し、
前記支持部材は、前記第１電極と前記第２電極とを前記主面に平行な方向に並ぶように配置され、
前記支持部材の前記第１電極は前記フレームと接合材により接続され、
前記支持部材の前記第２電極は前記補助フレームと接合材により接続されている、
付記１に記載の半導体装置。 (Appendix 5)
It has an auxiliary frame located away from the frame and
The support member is arranged so that the first electrode and the second electrode are arranged in a direction parallel to the main surface.
The first electrode of the support member is connected to the frame by a bonding material, and is connected to the frame.
The second electrode of the support member is connected to the auxiliary frame by a bonding material.
The semiconductor device according to Appendix 1.

（付記６）
主面を有するフレームと、
前記フレームの前記主面と平行な方向に前記フレームと離れて配置されたパッド部と、
前記フレームの前記主面に実装され、前記フレームの前記主面と同じ方向を向く素子主面と、前記素子主面に形成された主面電極とを有する半導体素子と、
前記主面電極を前記パッド部に接続するための導電部材と、
前記主面電極に前記導電部材を接続する導電性接合材と、
前記フレームの前記主面に実装された支持部材と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
を備え、
前記導電部材は、前記半導体素子から前記支持部材まで延びて前記支持部材により支持されている、
半導体装置。 (Appendix 6)
A frame with a main surface and
A pad portion arranged apart from the frame in a direction parallel to the main surface of the frame, and a pad portion.
A semiconductor device mounted on the main surface of the frame and having an element main surface facing the same direction as the main surface of the frame and a main surface electrode formed on the element main surface.
A conductive member for connecting the main surface electrode to the pad portion, and
A conductive bonding material for connecting the conductive member to the main surface electrode,
A support member mounted on the main surface of the frame and
A sealing resin that seals the semiconductor element and
Equipped with
The conductive member extends from the semiconductor element to the support member and is supported by the support member.
Semiconductor device.

（付記７）
前記封止樹脂の１つの側面から突出する第１リード及び第２リードを備え、
前記第１リードは、前記フレームと一体に形成され、
前記第２リードには、前記パッド部が一体に設けられている、
付記６に記載の半導体装置。 (Appendix 7)
A first lead and a second lead projecting from one side surface of the sealing resin are provided.
The first lead is formed integrally with the frame and is formed.
The pad portion is integrally provided on the second lead.
The semiconductor device according to Appendix 6.

（付記８）
前記半導体素子は、前記素子主面に形成された制御電極を有し、
前記封止樹脂の前記側面から突出する第３リードと、
前記第３リードと前記制御電極とを接続するワイヤと、
を備えた付記７に記載の半導体装置。 (Appendix 8)
The semiconductor device has a control electrode formed on the main surface of the device and has a control electrode.
A third lead protruding from the side surface of the sealing resin,
A wire connecting the third lead and the control electrode,
7. The semiconductor device according to Appendix 7.

（付記９）
第１主面を有する第１フレームと、
前記第１主面と平行な第１方向に前記第１フレームから離れて配置され、前記第１主面と同じ方向を向く第２主面を有する第２フレームと、
前記第１主面に実装され、前記第１主面と同じ方向を向く第１素子主面と、前記第１素子主面の第１主面電極を有する第１半導体素子と、
前記第２主面に実装され、前記第２主面と同じ方向を向く第２素子主面と、前記第２素子主面の第２主面電極を有する第２半導体素子と、
前記第１半導体素子の前記第１主面電極と前記第２フレームとを接続する第１導電部材と、
前記第１フレーム及び前記第２フレームと離れて配置されたパッド部と、
前記パッド部と前記第２半導体素子の前記第２主面電極とを接続する第２導電部材と、
前記第１フレームの前記第１主面に実装された第１支持部材と、
前記第２フレームの前記第２主面に実装された第２支持部材と、
前記第１主面及び前記第２主面と平行な方向のうちの前記第１方向と交差する第２方向を向く樹脂側面を有し、前記第１半導体素子、前記第２半導体素子、前記第１導電部材、及び前記第２導電部材を封止する封止樹脂と、
を備え、
前記第１導電部材は、前記第１半導体素子から前記第１支持部材まで延びて前記第１支持部材により支持され、
前記第２導電部材は、前記第２半導体素子から前記第２支持部材まで延びて前記第２支持部材により支持されている、
半導体装置。 (Appendix 9)
The first frame having the first main surface and
A second frame, which is arranged away from the first frame in the first direction parallel to the first main surface and has a second main surface facing the same direction as the first main surface.
A first semiconductor device mounted on the first main surface and facing the same direction as the first main surface, and a first semiconductor device having a first main surface electrode on the first main surface of the first element.
A second element main surface mounted on the second main surface and facing the same direction as the second main surface, and a second semiconductor element having a second main surface electrode on the second element main surface.
A first conductive member connecting the first main surface electrode of the first semiconductor element and the second frame, and a first conductive member.
A pad portion arranged apart from the first frame and the second frame,
A second conductive member that connects the pad portion and the second main surface electrode of the second semiconductor element, and
The first support member mounted on the first main surface of the first frame and
A second support member mounted on the second main surface of the second frame, and
The first semiconductor element, the second semiconductor element, and the first semiconductor device having a resin side surface facing the second direction intersecting the first direction among the directions parallel to the first main surface and the second main surface. A sealing resin that seals 1 conductive member and the 2nd conductive member,
Equipped with
The first conductive member extends from the first semiconductor element to the first support member and is supported by the first support member.
The second conductive member extends from the second semiconductor element to the second support member and is supported by the second support member.
Semiconductor device.

（付記１０）
前記第１方向に配列され、前記樹脂側面から突出し、前記第２方向に延びる第１駆動リード及び第２駆動リードを含む複数のリードを備え、
前記第１駆動リードは前記第１フレームと一体に形成され、
前記第２駆動リードは前記パッド部と一体に形成されている、
付記９に記載の半導体装置。 (Appendix 10)
A plurality of leads, including a first drive lead and a second drive lead, which are arranged in the first direction, project from the side surface of the resin, and extend in the second direction.
The first drive lead is formed integrally with the first frame.
The second drive lead is integrally formed with the pad portion.
The semiconductor device according to Appendix 9.

（付記１１）
複数の前記リードは、前記第２フレームに接続された出力リードを含み、
前記第２駆動リードは前記第１駆動リードと前記出力リードとの間に配置され、
前記第１駆動リードと前記第２駆動リードは、隣り合うように配置されている、
付記１０に記載の半導体装置。 (Appendix 11)
The plurality of leads include an output lead connected to the second frame.
The second drive lead is arranged between the first drive lead and the output lead.
The first drive lead and the second drive lead are arranged so as to be adjacent to each other.
The semiconductor device according to Appendix 10.

（付記１２）
複数の前記リードは第１制御リードと第２制御リードとを含み、
前記第１半導体素子は、前記第１素子主面に第１制御電極を有し、
前記第２半導体素子は、前記第２素子主面に第２制御電極を有し、
前記第１制御電極は、第１ワイヤにより前記第１制御リードに接続され、
前記第２制御電極は、第２ワイヤにより前記第２制御リードに接続されている、
付記１０又は付記１１に記載の半導体装置。 (Appendix 12)
The plurality of said leads include a first control lead and a second control lead.
The first semiconductor element has a first control electrode on the main surface of the first element.
The second semiconductor element has a second control electrode on the main surface of the second element.
The first control electrode is connected to the first control lead by a first wire.
The second control electrode is connected to the second control lead by a second wire.
The semiconductor device according to Appendix 10 or Appendix 11.

（付記１３）
複数の前記リードは第１ソースリードと第２ソースリードとを含み、
前記第１半導体素子の前記第１主面電極は、第３ワイヤにより前記第１ソースリードに接続され、
前記第２半導体素子の前記第２主面電極は、第４ワイヤにより前記第２ソースリードに接続されている、
付記１０から付記１２のいずれか一項に記載の半導体装置。 (Appendix 13)
The plurality of said leads include a first source read and a second source read.
The first main surface electrode of the first semiconductor element is connected to the first source lead by a third wire.
The second main surface electrode of the second semiconductor element is connected to the second source lead by a fourth wire.
The semiconductor device according to any one of Supplementary note 10 to Supplementary note 12.

Ａ１０～Ａ１８，Ａ２０，Ａ３０ 半導体装置
１０ フレーム
１０１ 主面
１０Ｈ 補助フレーム
１０１ｈ 主面
１１ 第１フレーム
１１１ 第１主面
１２ 第２フレーム
１２１ 第２主面
２１ 第１駆動リード
２２ 第２駆動リード
２３ 第１制御リード
２４ 第２制御リード
２５ 出力リード
２６ 第１ソースリード
２７ 第２ソースリード
３０，３０ａ，３０ｂ 半導体素子
３０１ 素子主面
３０Ｄ 裏面電極
３０Ｇ 制御電極
３０Ｓ 主面電極
３１ 第１半導体素子
３１１ 第１素子主面
３１Ｇ 第１制御電極
３１Ｓ 第１主面電極
３２ 第２半導体素子
３２１ 第２素子主面
３２Ｇ 第２制御電極
３２Ｓ 第２主面電極
４０ 支持部材
４０１ 第１電極
４０２ 第２電極
４１ 第１支持部材
４１１ 第１電極
４１２ 第２電極
４２ 第２支持部材
４２１ 第１電極
４２２ 第２電極
５０ 導電部材
５１ 第１導電部材
５２ 第２導電部材
６０ 封止樹脂
２２１ パッド部
２３１ パッド部
２４１ パッド部
２６１ パッド部
２７１ パッド部
ＳＤ１１～ＳＤ１５ 導電性接合材
ＳＤ２１～ＳＤ２６ 導電性接合材
Ｗ１１ ワイヤ
Ｗ１１ａ ワイヤ
Ｗ１１ｂ ワイヤ
Ｗ２１～Ｗ２４ ワイヤ
Ｗ３１～Ｗ３４ ワイヤ A10 to A18, A20, A30 Semiconductor device 10 frame 101 Main surface 10H Auxiliary frame 101h Main surface 11 1st frame 111 1st main surface 12 2nd frame 121 2nd main surface 21 1st drive lead 22 2nd drive lead 23rd 1 Control lead 24 2nd control lead 25 Output lead 26 1st source lead 27 2nd source lead 30, 30a, 30b Semiconductor element 301 Element main surface 30D Back surface electrode 30G Control electrode 30S Main surface electrode 31 1st semiconductor element 311 1st Element main surface 31G 1st control electrode 31S 1st main surface electrode 32 2nd semiconductor element 321 2nd element main surface 32G 2nd control electrode 32S 2nd main surface electrode 40 Support member 401 1st electrode 402 2nd electrode 41 1st Support member 411 1st electrode 412 2nd electrode 42 2nd support member 421 1st electrode 422 2nd electrode 50 Conductive member 51 1st conductive member 52 2nd conductive member 60 Encapsulating resin 221 Pad part 231 Pad part 241 Pad part 261 Pad part 271 Pad part SD11 to SD15 Conductive bonding material SD21 to SD26 Conductive bonding material W11 Wire W11a Wire W11b Wire W21 to W24 Wire W31 to W34 Wire

Claims (13)

主面を有するフレームと、
前記フレームの前記主面と平行な方向に前記フレームと離れて配置されたパッド部と、
前記フレームの前記主面に実装され、前記フレームの前記主面と同じ方向を向く素子主面と、前記素子主面に形成された主面電極とを有する半導体素子と、
前記主面電極を前記パッド部に接続するための導電部材と、
前記主面電極に前記導電部材を接続する導電性接合材と、
前記フレームの前記主面に実装された支持部材と、
を備え、
前記導電部材は、前記半導体素子から前記支持部材まで延びて前記支持部材により支持されている、
半導体装置。 A frame with a main surface and
A pad portion arranged apart from the frame in a direction parallel to the main surface of the frame, and a pad portion.
A semiconductor device mounted on the main surface of the frame and having an element main surface facing the same direction as the main surface of the frame and a main surface electrode formed on the element main surface.
A conductive member for connecting the main surface electrode to the pad portion, and
A conductive bonding material for connecting the conductive member to the main surface electrode,
A support member mounted on the main surface of the frame and
Equipped with
The conductive member extends from the semiconductor element to the support member and is supported by the support member.
Semiconductor device. 前記半導体素子は、スイッチング素子であり、前記主面電極と反対側を向き前記フレームと接続された裏面電極を有し、
前記支持部材はコンデンサであり、第１電極と第２電極とを有し、前記第１電極は前記フレームと接続され、前記第２電極は前記導電部材と接続されている、
請求項１に記載の半導体装置。 The semiconductor element is a switching element and has a back surface electrode facing the opposite side of the main surface electrode and connected to the frame.
The support member is a capacitor, has a first electrode and a second electrode, the first electrode is connected to the frame, and the second electrode is connected to the conductive member.
The semiconductor device according to claim 1. 前記支持部材は、前記半導体素子に対して前記パッド部と反対側に配置され、
前記導電部材は、前記パッド部から前記支持部材まで直線状に延びるように形成されている、
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。 The support member is arranged on the side opposite to the pad portion with respect to the semiconductor element.
The conductive member is formed so as to extend linearly from the pad portion to the support member.
The semiconductor device according to claim 1 or 2. 前記フレームには複数の前記支持部材が実装され、
前記導電部材は、複数の前記支持部材により支持されている、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。 A plurality of the support members are mounted on the frame.
The conductive member is supported by a plurality of the support members.
The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3. 複数の前記支持部材は、前記半導体素子を囲むように配置され、
前記導電部材は、前記半導体素子から前記支持部材に向けて延びるように形成されている、
請求項４に記載の半導体装置。 The plurality of support members are arranged so as to surround the semiconductor element, and the support members are arranged so as to surround the semiconductor element.
The conductive member is formed so as to extend from the semiconductor element toward the support member.
The semiconductor device according to claim 4. 前記導電部材は、前記パッド部から前記半導体素子まで延びる接続部分と、前記半導体素子から前記支持部材まで延びる複数の支持部分を有し、
複数の前記支持部分は、複数の前記支持部材により支持されている、
請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。 The conductive member has a connection portion extending from the pad portion to the semiconductor element, and a plurality of support portions extending from the semiconductor element to the support member.
The plurality of support portions are supported by the plurality of support members.
The semiconductor device according to claim 4 or 5. 複数の前記支持部材のうちの少なくとも１つは、前記パッド部と前記半導体素子との間に配置されている、請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to any one of claims 4 to 6, wherein at least one of the plurality of support members is arranged between the pad portion and the semiconductor element. 前記フレームには複数の前記半導体素子が実装され、
前記導電部材は、複数の前記半導体素子の前記主面電極と前記導電性接合材により接続され、
前記支持部材は、前記パッド部と複数の前記半導体素子を挟むように配置されている、
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置。 A plurality of the semiconductor elements are mounted on the frame.
The conductive member is connected to the main surface electrodes of the plurality of semiconductor elements by the conductive bonding material.
The support member is arranged so as to sandwich the pad portion and the plurality of semiconductor elements.
The semiconductor device according to any one of claims 1 to 7. 前記フレームには複数の前記半導体素子が実装され、
前記導電部材は、複数の前記半導体素子の前記主面電極と前記導電性接合材により接続され、
前記支持部材は、隣り合う２つの前記半導体素子の間に配置されている、
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置。 A plurality of the semiconductor elements are mounted on the frame.
The conductive member is connected to the main surface electrodes of the plurality of semiconductor elements by the conductive bonding material.
The support member is arranged between two adjacent semiconductor elements.
The semiconductor device according to any one of claims 1 to 7. 第１主面を有する第１フレームと、
前記第１主面と平行な第１方向に前記第１フレームから離れて配置され、前記第１主面と同じ方向を向く第２主面を有する第２フレームと、
前記第１主面に実装され、前記第１主面と同じ方向を向く第１素子主面と、前記第１素子主面の第１主面電極を有する第１半導体素子と、
前記第２主面に実装され、前記第２主面と同じ方向を向く第２素子主面と、前記第２素子主面の第２主面電極を有する第２半導体素子と、
前記第１半導体素子の前記第１主面電極と前記第２フレームとを接続する第１導電部材と、
前記第１フレーム及び前記第２フレームと離れて配置されたパッド部と、
前記パッド部と前記第２半導体素子の前記第２主面電極とを接続する第２導電部材と、
前記第１フレームの前記第１主面に実装された第１支持部材と、
前記第２フレームの前記第２主面に実装された第２支持部材と、
を備え、
前記第１導電部材は、前記第１半導体素子から前記第１支持部材まで延びて前記第１支持部材により支持され、
前記第２導電部材は、前記第２半導体素子から前記第２支持部材まで延びて前記第２支持部材により支持されている、
半導体装置。 The first frame having the first main surface and
A second frame, which is arranged away from the first frame in the first direction parallel to the first main surface and has a second main surface facing the same direction as the first main surface.
A first semiconductor device mounted on the first main surface and facing the same direction as the first main surface, and a first semiconductor device having a first main surface electrode on the first main surface of the first element.
A second element main surface mounted on the second main surface and facing the same direction as the second main surface, and a second semiconductor element having a second main surface electrode on the second element main surface.
A first conductive member connecting the first main surface electrode of the first semiconductor element and the second frame, and a first conductive member.
A pad portion arranged apart from the first frame and the second frame,
A second conductive member that connects the pad portion and the second main surface electrode of the second semiconductor element, and
The first support member mounted on the first main surface of the first frame and
A second support member mounted on the second main surface of the second frame, and
Equipped with
The first conductive member extends from the first semiconductor element to the first support member and is supported by the first support member.
The second conductive member extends from the second semiconductor element to the second support member and is supported by the second support member.
Semiconductor device. 前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子は、スイッチング素子であり、
前記第１半導体素子は、前記第１主面電極と反対側を向き前記第１フレームと接続された第１裏面電極を有し、
前記第２半導体素子は、前記第２主面電極と反対側を向き前記第２フレームと接続された第２裏面電極を有し、
前記第１支持部材及び前記第２支持部材は、スナバコンデンサであり、
前記第１支持部材の第１電極は前記第１フレームと接続され、前記第１支持部材の第２電極は前記第１導電部材と接続されている、
前記第２支持部材の第１電極は前記第２フレームと接続され、前記第２支持部材の第２電極は前記第２導電部材と接続されている、
請求項１０に記載の半導体装置。 The first semiconductor element and the second semiconductor element are switching elements, and are
The first semiconductor element has a first back surface electrode facing the opposite side of the first main surface electrode and connected to the first frame.
The second semiconductor element has a second back surface electrode facing the opposite side of the second main surface electrode and connected to the second frame.
The first support member and the second support member are snubber capacitors.
The first electrode of the first support member is connected to the first frame, and the second electrode of the first support member is connected to the first conductive member.
The first electrode of the second support member is connected to the second frame, and the second electrode of the second support member is connected to the second conductive member.
The semiconductor device according to claim 10. 前記第１導電部材は、前記第２フレームから前記第１支持部材まで直線状に延びるように形成されている、請求項１０又は請求項１１に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 10 or 11, wherein the first conductive member is formed so as to extend linearly from the second frame to the first support member. 前記第２導電部材は、前記パッド部に接続されたリード接続部と、前記リード接続部から前記第２フレームに向かう方向に延びる連結部と、前記連結部から前記第１方向に延びて前記第２半導体素子の前記第２主面電極に接続された電極接続部と、前記電極接続部から前記第１方向に延びて前記第２支持部材と接続された支持部分と、を有する、請求項１０から請求項１２のいずれか一項に記載の半導体装置。 The second conductive member includes a lead connecting portion connected to the pad portion, a connecting portion extending from the lead connecting portion toward the second frame, and the second conductive member extending from the connecting portion in the first direction. 10. Claim 10 having an electrode connection portion connected to the second main surface electrode of the semiconductor element, and a support portion extending from the electrode connection portion in the first direction and connected to the second support member. The semiconductor device according to any one of claims 12.
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