JP2022018648A - Substrate processing device and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、基板処理装置及び記憶媒体に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a storage medium.
特許文献１には、粗研削ユニットと仕上研削ユニットを備える研削装置において、ウェハを保持するチャックテーブルのセルフグラインドを行うことが開示されている。このセルフグラインド方法では、例えば、粗研削ユニットにセルフグラインド専用の研削ホイールを取り付け、当該研削ホイールを使用してセルフグラインドを行っている。
本開示にかかる技術は、基板を加工処理する装置において、基板保持部のセルフグラインド後に処理される基板の平坦度を効率よく向上させる。 The technique according to the present disclosure efficiently improves the flatness of the substrate to be processed after the self-grinding of the substrate holding portion in the apparatus for processing the substrate.
本開示の一態様は、基板を加工処理する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を研削する第１の研削砥石を備えた第１の研削部と、前記第１の研削部で研削された後に前記基板保持部に保持された前記基板を研削する、前記第１の研削砥石の砥粒の粒度より小さい粒度の砥粒を含む第２の研削砥石を備えた第２の研削部と、前記基板の径方向の複数点の厚みを測定する測定部と、前記基板保持部、前記第１の研削部、前記第２の研削部及び前記測定部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記第１の研削砥石を用いて前記基板保持部のセルフグラインドを行うことと、前記セルフグラインド後の前記基板保持部で前記基板を保持することと、前記基板保持部に保持された前記基板を前記第１の研削砥石で研削することと、前記第１の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、前記測定部で測定された前記基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内であるか否かを判定することと、を実行するように、前記基板保持部、前記第１の研削部及び前記測定部を制御する。 One aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus for processing a substrate, which includes a substrate holding portion for holding the substrate and a first grinding wheel for grinding the substrate held by the substrate holding portion. A grindstone having a grain size smaller than that of the grindstone of the first grindstone that grinds the first grinding portion and the substrate held by the substrate holding portion after being ground by the first grinding portion. A second grinding unit provided with a second grinding wheel including the substrate, a measuring unit for measuring the thickness of a plurality of points in the radial direction of the substrate, a substrate holding unit, the first grinding unit, and the second grinding unit. The control unit includes a unit and a control unit that controls the measurement unit, and the control unit performs self-grinding of the substrate holding unit using the first grinding wheel and the substrate holding unit after the self-grinding. To hold the substrate, grind the substrate held by the substrate holding portion with the first grinding wheel, and to grind the substrate with the first grinding wheel in the radial direction. To measure the thickness of a plurality of points by the measuring unit and to determine whether or not the thickness of the plurality of points in the radial direction of the substrate measured by the measuring unit is within an allowable range. In addition, the substrate holding unit, the first grinding unit, and the measuring unit are controlled.
本開示によれば、基板を加工処理する装置において、基板保持部のセルフグラインド後に処理される基板の平坦度を効率よく向上させることができる。 According to the present disclosure, in an apparatus for processing a substrate, the flatness of the substrate to be processed after self-grinding of the substrate holding portion can be efficiently improved.
近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体基板（以下、単に「ウェハ」という。）に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。ウェハの裏面の研削は、例えば基板保持部でウェハの表面を保持した状態で当該基板保持部を回転させながら、ウェハの裏面に研削部の研削砥石を当接させることにより行われる。 In recent years, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor substrate (hereinafter, simply referred to as a "wafer") in which a plurality of devices such as electronic circuits are formed on the front surface is ground on the back surface of the wafer to thin the wafer. Is being done. Grinding of the back surface of the wafer is performed, for example, by bringing the grinding wheel of the grinding unit into contact with the back surface of the wafer while rotating the substrate holding portion while holding the front surface of the wafer by the substrate holding portion.
ここで、このウェハの研削処理の前には、基板保持部の上面を研削部により研削することで、当該研削部（研削砥石）と基板保持部の上面の平行度を向上させること、いわゆる「セルフグラインド」が行われる場合がある。 Here, before the grinding process of this wafer, the upper surface of the substrate holding portion is ground by the grinding portion to improve the parallelism between the grinding portion (grinding grindstone) and the upper surface of the substrate holding portion, so-called ". "Self-grinding" may be performed.
上述の特許文献１には、研削装置においてこのセルフグラインドを行うための研削方法が開示されている。具体的には、粗研削ユニット（研削部）を使用してチャックテーブル（基板保持部）にセルフグラインドを行うことで、当該粗研削ユニットの研削面とチャックテーブルの保持面とを平行に形成する。そして特許文献１に開示の研削装置においては、このようにセルフグラインドが行われたチャックテーブルによりウェハを保持し、当該保持されたウェハに対して粗研削処理、及び仕上研削処理を順次施し、ウェハを所望の厚みに形成する。
The above-mentioned
しかしながら、特許文献１に開示の研削方法では、例えば、粗研削ユニットにセルフグラインド専用の研削ホイールを取り付け、当該研削ホイールを使用してチャックテーブルのセルフグラインドを行う。研削ホイールの交換取り付けは、通常、作業員により手作業で行われるため、時間がかかる。
However, in the grinding method disclosed in
また、チャックテーブルのセルフグラインドを行った後、当該チャックテーブルを用いて研削処理されるウェハの平坦度（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を許容範囲内とする必要がある。しかしながら、特許文献１に開示の研削方法では、セルフグラインド後に処理されるウェハのＴＴＶを許容範囲内に収める方法については記載も示唆もない。また当然に、セルフグラインド後のウェハのＴＴＶの改善を効率よく行うことまでは考えられていない。したがって従来の、セルフグラインドを含む研削方法には改善の余地があった。
Further, after self-grinding the chuck table, it is necessary to keep the flatness (TTV: Total Tickness Variation) of the wafer to be ground using the chuck table within the allowable range. However, in the grinding method disclosed in
本開示にかかる技術は、基板を加工処理する装置において、基板保持部のセルフグラインド後に処理される基板の平坦度を効率よく向上させる。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置、及び基板処理方法としてのウェハの加工処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 The technique according to the present disclosure efficiently improves the flatness of the substrate to be processed after the self-grinding of the substrate holding portion in the apparatus for processing the substrate. Hereinafter, a wafer processing apparatus as a substrate processing apparatus and a wafer processing method as a substrate processing method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, the elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals, so that duplicate description will be omitted.
本実施形態にかかるウェハ処理装置１では、基板としてのウェハＷの薄化が行われる。ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハであり、表面Ｗａにはデバイスが形成されている。そしてウェハ処理装置１においてはウェハＷの裏面Ｗｂに対して研削などの処理が行われ、これにより当該ウェハＷが薄化される。
In the
図１に示すようにウェハ処理装置１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２では、例えば外部との間で複数のウェハＷを収容可能なカセットＣが搬入出される。処理ステーション３は、ウェハＷに対して所望の処理を施す各種処理部を備えている。
As shown in FIG. 1, the
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。また、カセット載置台１０のＹ軸正方向側には、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されたウェハ搬送装置２２が設けられている。
The loading /
ウェハ搬送装置２２は、ウェハＷを保持して搬送する搬送フォーク２３を有している。搬送フォーク２３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。そして、ウェハ搬送装置２２は、カセット載置台１０のカセットＣ、アライメント部５０、及び第１の洗浄部６０に対して、ウェハＷを搬送可能に構成されている。
The
処理ステーション３では、ウェハＷに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。処理ステーション３は、ウェハＷの搬送を行う搬送部３０、ウェハＷの研削処理を行う研削部４０、研削処理前のウェハＷの水平方向の向きを調節するアライメント部５０、研削処理後のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する第１の洗浄部６０、ドレスボードを保管するドレスボード保管部７０、基準基板としての基準ウェハを保管する基準ウェハ保管部８０、及び、研削処理後のウェハＷの表面Ｗａ側を洗浄する第２の洗浄部９０を有している。
At the
搬送部３０は、複数、例えば３つのアーム３１を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム３１は、それぞれが旋回自在に構成されている。先端のアーム３１には、ウェハＷを吸着保持する搬送パッド３２が取り付けられている。また、基端のアーム３１は、アーム３１を鉛直方向に昇降させる昇降機構３３に取り付けられている。そして、搬送部３０は、研削部４０の受渡位置Ａ０、アライメント部５０、第１の洗浄部６０、及び第２の洗浄部９０に対して、ウェハＷを搬送可能に構成されている。また、搬送部３０は、受渡位置Ａ０及びドレスボード保管部７０に対してドレスボードを搬送可能であり、受渡位置Ａ０及び基準ウェハ保管部８０に対して基準ウェハを搬送可能に構成されている。
The
研削部４０には回転テーブル４１が設けられている。回転テーブル４１上には、ウェハＷを吸着保持する基板保持部としてのチャック４２が４つ設けられている。チャック４２には例えばポーラスチャックが用いられ、ウェハＷの表面Ｗａを吸着保持する。チャック４２の上面、すなわちウェハＷの保持面は、側面視において中央部が端部に比べて突出した凸形状を有している。なおこの中央部の突出は微小であるが、以下の説明の図示においては、説明の明瞭化のためチャック４２の中央部の突出を大きく図示する場合がある。
The
図２に示すように、チャック４２はチャックベース４３に保持されている。チャックベース４３には、各研削部（粗研削部１００、中研削部１１０及び仕上研削部１２０）とチャック４２の相対的な傾きを調整する傾き調整機構４４が設けられている。傾き調整機構４４はチャック４２及びチャックベース４３を傾斜させることができ、これにより、加工位置Ａ１～Ａ３の各種研削部１００、１１０、１２０とチャック４２上面との相対的な傾きを調整できる。なお、傾き調整機構４４の構成は特に限定されるものではなく、研削砥石に対するチャック４２の相対的な角度（平行度）を調整することができれば、任意に選択できる。
As shown in FIG. 2, the
４つのチャック４２は、回転テーブル４１が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１～Ａ３に移動可能になっている。また、４つのチャック４２はそれぞれ、回転機構（図示せず）によって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。 The four chucks 42 can be moved to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 by rotating the rotary table 41. Further, each of the four chucks 42 is configured to be rotatable around a vertical axis by a rotation mechanism (not shown).
受渡位置Ａ０では、搬送部３０によるウェハＷの受け渡しが行われる。加工位置Ａ１には粗研削部１００が配置され、ウェハＷを粗研削する。加工位置Ａ２には中研削部１１０が配置され、ウェハＷを中研削する。加工位置Ａ３には仕上研削部１２０が配置され、ウェハＷを仕上研削する。
At the delivery position A0, the wafer W is delivered by the
第１の研削部としての粗研削部１００は、下面に環状の第１の研削砥石としての粗研削砥石を備える粗研削ホイール１０１、当該粗研削ホイール１０１を支持するマウント１０２、当該マウント１０２を介して粗研削ホイール１０１を回転させるスピンドル１０３、及び、例えばモータ（図示せず）を内蔵する駆動部１０４を有している。また粗研削部１００は、図１に示す支柱１０５に沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。
The
中研削部１１０は粗研削部１００と同様の構成を有している。すなわち中研削部１１０は、環状の中研削砥石を備える中研削ホイール１１１、マウント１１２、スピンドル１１３、駆動部１１４、及び支柱１１５を有している。中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。
The
第２の研削部としての仕上研削部１２０は粗研削部１００及び中研削部１１０と同様の構成を有している。すなわち仕上研削部１２０は、環状の第２の研削砥石としての仕上研削砥石を備える仕上研削ホイール１２１、マウント１２２、スピンドル１２３、駆動部１２４、及び支柱１２５を有している。仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。
The
また研削部４０の受渡位置Ａ０、及び加工位置Ａ１～Ａ３には、研削処理中のウェハＷの厚みを測定するための測定部が設けられている。具体的には、図１に示すように、加工位置Ａ１、Ａ２、Ａ３には接触式の厚み測定機構（以下、「接触式測定機構１３０」という。）が設けられ、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ２、Ａ３には非接触式の厚み測定機構（以下、「非接触式測定機構１４０」という。）がそれぞれ設けられている。
Further, at the delivery position A0 of the grinding
接触式測定機構１３０は、図３に示すようにチャック側のハイトゲージ１３１、ウェハ側のハイトゲージ１３２、及び算出部１３３を有している。ハイトゲージ１３１はプローブ１３４を備え、プローブ１３４の先端がチャック４２の上面、すなわちウェハＷの保持面に接触することで、当該保持面の高さ位置を測定する。ハイトゲージ１３２はプローブ１３５を備え、プローブ１３５の先端がウェハＷの加工面である裏面Ｗｂに接触し、当該裏面Ｗｂの高さ位置を測定する。算出部１３３は、ハイトゲージ１３２の測定値からハイトゲージ１３１の測定値を差し引くことで、ウェハＷの厚みを算出する。なお、接触式測定機構１３０によるウェハＷの厚み測定範囲は、例えば０μｍ～２０００μｍである。
As shown in FIG. 3, the contact
非接触式測定機構１４０は、図４に示すようにセンサ１４１と算出部１４２を有している。センサ１４１には、ウェハＷに接触せずに当該ウェハＷの厚みを測定するセンサが用いられ、例えば白色共焦点（コンフォーカル）式の光学系センサが用いられる。センサ１４１は、ウェハＷに対して所定の波長帯域を有する光を照射し、さらにウェハＷの表面Ｗａから反射した反射光と、裏面Ｗｂから反射した反射光とを受光する。算出部１４２は、センサ１４１で受光した両反射光に基づいて、ウェハＷの厚みをパルスデータとして算出する。なお、非接触式測定機構１４０によるウェハＷの厚み測定範囲は、例えば５μｍ～３００μｍである。
The
なお、接触式測定機構１３０及び非接触式測定機構１４０の構成は本実施形態には限定されず、任意の構成をとることができる。例えば、本実施形態においては非接触式測定機構１４０のセンサ１４１には白色共焦点式の光学系センサが用いられたが、非接触式測定機構１４０の構成はこれに限定されず、ウェハＷの厚みを非接触で測定するものであれば任意の測定機構を用いることができる。また、センサ１４１は、複数設けられていてもよい。また、センサ１４１から照射される光も特に限定されるものではなく、反射光としてセンサ１４１で受光できれば、パルス光であってもよく、又は連続光であってもよい。
The configuration of the contact
また、本実施形態において、接触式測定機構１３０及び非接触式測定機構１４０はそれぞれ、ウェハＷの厚みを測定する以外に、チャック４２の上面の高さを測定することも可能である。
Further, in the present embodiment, the contact
図１に示すように、以上のウェハ処理装置１には制御部１５０が設けられている。制御部１５０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置１におけるウェハＷの加工処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部１５０にインストールされたものであってもよい。
As shown in FIG. 1, the
次に、以上のように構成されたウェハ処理装置１を用いて行われるウェハＷの加工処理方法について説明する。
Next, a wafer processing method performed by using the
先ず、ウェハＷを複数収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。次に、ウェハ搬送装置２２の搬送フォーク２３によりカセットＣ内からウェハＷが取り出され、処理ステーション３のアライメント部５０に搬送される。アライメント部５０では、ウェハＷに形成されたノッチ部（図示せず）の位置を調節することで、ウェハＷの水平方向の向きが調節される（図５のステップＳ１）。
First, the cassette C containing a plurality of wafers W is placed on the cassette mounting table 10 of the loading /
水平方向の向きが調節されたウェハＷは、次に、搬送部３０によりアライメント部５０から搬送され、受渡位置Ａ０のチャック４２に受け渡され保持される（図５のステップＳ２）。続いて、回転テーブル４１を回転させて、チャック４２を加工位置Ａ１～Ａ３に順次移動させ、ウェハＷの裏面に対して各種研削処理（粗研削、中研削及び仕上研削）を施す。また、研削部４０における各種研削処理は、ウェハＷを所望の厚みに研削するため、測定部（接触式測定機構１３０及び非接触式測定機構１４０）を用いてウェハＷの厚みを測定しながら行われる。
The wafer W whose horizontal orientation is adjusted is then transported from the
加工位置Ａ１では、接触式測定機構１３０のハイトゲージ１３１のプローブ１３４をチャック４２の表面、ハイトゲージ１３２のプローブ１３５をウェハＷの裏面Ｗｂにそれぞれ接触させた状態で、粗研削部１００を用いてウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する（図５のステップＳ３）。粗研削は、粗研削ホイール１０１とチャック４２の上面を接触させた状態で、当該粗研削ホイール１０１とチャック４２を回転させながら行う。ウェハＷの厚みを測定する際には、当該ウェハＷの裏面Ｗｂに損傷を与えない非接触式測定機構１４０を用いることが好ましい。しかしながら非接触式測定機構１４０は、接触式測定機構１３０と比較してウェハＷの厚み測定範囲が狭く、研削部４０に搬入された直後のウェハＷの厚みを測定することができない。そこで加工位置Ａ１における粗研削処理においては、例えば非接触式測定機構１４０により厚み測定を行うことができる厚み（例えば５μｍ～３００μｍ）まで、ウェハＷの厚みを減少させる。
At the machining position A1, the
ウェハＷが所望の厚みまで粗研削されると、回転テーブル４１を回転させて、チャック４２（ウェハＷ）を加工位置Ａ２に移動させる。 When the wafer W is roughly ground to a desired thickness, the rotary table 41 is rotated to move the chuck 42 (wafer W) to the processing position A2.
加工位置Ａ２では、先ず、接触式測定機構１３０を用いてウェハＷの厚みを測定しながら中研削部１１０を用いてウェハＷの裏面Ｗｂを中研削し、その後、かかる中研削の途中で測定部を接触式測定機構１３０から非接触式測定機構１４０に切り替える（図５のステップＳ４）。測定部が接触式測定機構１３０から非接触式測定機構１４０に切り替えられると、その後、加工位置Ａ２における中研削処理が更に継続される。そして、ウェハＷが目標の厚みまで中研削されると終点として検知され、中研削部１１０による研削を終了する。
At the processing position A2, first, the back surface Wb of the wafer W is medium-ground using the medium-grinding
ウェハＷが所望の厚みまで中研削されると、回転テーブル４１を回転させて、チャック４２（ウェハＷ）を加工位置Ａ３に移動させる。 When the wafer W is medium-ground to a desired thickness, the rotary table 41 is rotated to move the chuck 42 (wafer W) to the processing position A3.
加工位置Ａ３では、非接触式測定機構１４０によりウェハＷの厚みを測定しながら、仕上研削部１２０を用いてウェハＷの裏面Ｗｂを仕上研削する（図５のステップＳ５）。加工位置Ａ３では、粗研削部１００及び中研削部１１０においてウェハＷの厚みが十分に減少されているため、適切に非接触式測定機構１４０による厚み測定を行うことができる。
At the processing position A3, the back surface Wb of the wafer W is finish-ground using the
ウェハＷの仕上研削処理が完了すると、次に、回転テーブル４１を回転させてチャック４２を受渡位置Ａ０に移動させる。受渡位置Ａ０では、ウェハＷを回転させながら非接触式測定機構１４０によりウェハＷの中央部付近と、周縁部付近を含む複数点の厚みが測定され、これにより当該ウェハＷの平坦度（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が算出される（図５のステップＳ６）。以下の説明においては、ステップＳ６におけるウェハＷの厚み測定とＴＴＶの算出を総称して、ＴＴＶの測定という場合がある。
When the finish grinding process of the wafer W is completed, the rotary table 41 is then rotated to move the
なお、ステップＳ６におけるウェハＷのＴＴＶの測定は、加工位置Ａ３において非接触式測定機構１４０を用いて行ってもよい。
The measurement of the TTV of the wafer W in step S6 may be performed by using the
続いてウェハＷは、搬送部３０により受渡位置Ａ０から第２の洗浄部９０に搬送され、搬送パッド３２に保持された状態でウェハＷの表面Ｗａ側が洗浄される（図５のステップＳ７）。
Subsequently, the wafer W is transported from the delivery position A0 to the
次にウェハＷは、搬送部３０により第２の洗浄部９０から第１の洗浄部６０に搬送され、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの表面Ｗａ側及び裏面Ｗｂが洗浄される（図５のステップＳ７）。
Next, the wafer W is transported from the
その後、すべての処理が施されたウェハＷは、ウェハ搬送装置２２の搬送フォーク２３によってカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、ウェハ処理装置１における一連のウェハＷの加工処理が終了する。
After that, the wafer W to which all the processing has been performed is transferred to the cassette C of the cassette mounting table 10 by the
ここで、ステップＳ６で測定されたウェハＷの複数点の厚み、すなわちＴＴＶが許容範囲から外れている場合、当該ウェハＷのＴＴＶに基づいて、例えば加工位置Ａ３の傾き調整機構４４がフィードバック制御される。具体的には、傾き調整機構４４によってチャック４２の傾きを調整して、当該チャック４２の上面と仕上研削部１２０との平行度を調整する。以下の説明においては、このチャック４２の上面と仕上研削部１２０との平行度の調整を、チルト補正という。なお、チルト補正は他の加工位置Ａ１、Ａ２において行われてもよく、かかる場合、チャック４２の上面と粗研削部１００、中研削部１１０との平行度の調整が行われる。
Here, when the thickness of the plurality of points of the wafer W measured in step S6, that is, the TTV is out of the permissible range, for example, the
しかしながら、上述したチルト補正を行っても、種々の要因によりウェハＷのＴＴＶが改善されない場合がある。そこでかかる場合、チャック４２のセルフグラインドを行う。セルフグラインドは、チャック４２と研削部１００、１１０、１２０との平行度が低下した場合に、当該低下した平行度を正常化し、研削部４０における研削精度を向上させるための処理である。
However, even if the tilt correction described above is performed, the TTV of the wafer W may not be improved due to various factors. If this happens, self-grind the
次に、ウェハ処理装置１におけるチャック４２のセルフグラインド（一連のセルフグラインド処理）の方法について説明する。
Next, a method of self-grinding (a series of self-grinding) of the
先ず、ステップＳ６で測定されたウェハＷのＴＴＶが悪化した場合、制御部１５０からウェハ処理装置１の各部に対して、チャック４２のセルフグラインドを行うための要求信号が出力される（図６のステップＴ１）。
First, when the TTV of the wafer W measured in step S6 deteriorates, a request signal for self-grinding the
ステップＴ１では、ステップＳ６でウェハＷのＴＴＶを測定した結果、ウェハＷの厚み（ＴＴＶ）が局所的に許容範囲から外れており、すなわち局所的に厚みが不均一になる場合に、上記セルフグラインドの要求信号が出力される。例えば、チャック４２の上面において研削屑やパーティクル等が局所的に堆積した場合、ウェハＷの研削面の裏面Ｗｂと各研削部１００、１１０、１２０との平行度が低下し、研削ホイール１０１、１１１、１２１がウェハＷに適切に接触せず、ウェハＷのＴＴＶが局所的に悪化する。かかる場合に、チャック４２のセルフグラインドを行う。
In step T1, when the TTV of the wafer W is measured in step S6 and the thickness (TTV) of the wafer W is locally out of the permissible range, that is, the thickness is locally uneven, the self-grinding is performed. Request signal is output. For example, when grinding debris, particles, etc. are locally deposited on the upper surface of the
また回転テーブル４１には４つのチャック４２が設けられているが、少なくとも１つのチャック４２で保持されたウェハＷのＴＴＶが局所的に許容範囲から外れている場合に、すべてのチャック４２に対してセルフグラインドを行う。ここで、接触式測定機構１３０には測定可能な範囲が存在し、また非接触式測定機構１４０は各チャック４２に対してポジション（基準位置）を有していない。このように接触式測定機構１３０と非接触式測定機構１４０には、チャック４２に対する高さ制限があるため、４つすべてのチャック４２にセルフグラインドを行うのが好ましい。但し、装置状態によっては任意のチャック４２を指定してセルフグラインドを行ってもよい。例えば、何らかの不具合で使用不可のチャック４２があれば、それを除外した３つのチャック４２に対してセルフグラインドを行う。
Further, although the rotary table 41 is provided with four
次に、加工位置Ａ１において、チャック４２のセルフグラインドを行う（図６のステップＴ２）。チャック４２のセルフグラインドは、セルフグラインド専用の研削ホイールに交換せずに、ウェハ研削用の粗研削ホイール１０１を用いて行う。そして粗研削部１００の粗研削ホイール１０１とチャック４２の上面を接触させた状態で、当該粗研削ホイール１０１とチャック４２をそれぞれ回転させて、チャック４２の上面を研削する。なお、このセルフグラインドにおけるチャック４２の回転速度は、ステップＳ３～Ｓ５のウェハＷの研削におけるチャック４２の回転速度より遅い。セルフグラインドにおけるチャック４２の回転速度が速い場合、粗研削ホイール１０１がチャック４２を研削する幅が大きくなり、チャック４２に段差ができやすくなる。そのため、チャック４２の回転速度を遅くして粗研削ホイール１０１が研削する幅を小さくすることで、チャック４２の段差が小さくなり、ウェハＷへの段差の転写を少なくすることができる。
Next, self-grinding of the
そして、一のチャック４２のセルフグラインドが完了すると、回転テーブル４１を回転させて、隣接する次のチャック４２を加工位置Ａ１に移動させ、当該チャック４２に対してセルフグラインドを行う。このように４つのチャック４２に対してセルフグラインドを連続して行う。
Then, when the self-grinding of one
ステップＴ２では、図７に示すように、接触式測定機構１３０のハイトゲージ１３１のプローブ１３４をチャック４２の表面に接触させる。そして、接触式測定機構１３０によりチャック４２の上面の高さ位置を測定しながら、粗研削ホイール１０１を用いてチャック４２の上面を研削する。チャック４２が所望の高さ位置まで研削されると、粗研削部１００によるセルフグラインドを終了する。
In step T2, as shown in FIG. 7, the
なお、ステップＴ２におけるチャック４２の上面の高さ位置の測定は、非接触式測定機構を用いて行ってもよい。かかる場合、加工位置Ａ１に例えば非接触式測定機構１４０が設けられる。
The height position of the upper surface of the
また、ステップＴ２では加工位置Ａ１において、セルフグラインドを行う前に、接触式測定機構１３０によりチャック４２の高さ位置を測定しておく。そして、この測定されたチャック４２の高さ位置に基づいて、セルフグラインドにおけるチャック４２の研削量を設定する。
Further, in step T2, the height position of the
なお、この研削量の設定の際に行うチャック４２の高さ位置の測定は、非接触式測定機構を用いて行ってもよい。かかる場合、加工位置Ａ１に例えば非接触式測定機構１４０が設けられる。
The height position of the
チャック４２のセルフグラインド終了後、次に、加工位置Ａ１において、粗研削ホイール１０１の粗研削砥石のドレスを行う（図６のステップＴ３）。ステップＴ２では粗研削ホイール１０１を用いてチャック４２をセルフグラインドするため、セルフグラインド後の粗研削ホイール１０１の表面状態はウェハＷを粗研削できる状態ではない。そこで、ステップＴ２において粗研削ホイール１０１をドレスすることで、粗研削ホイール１０１の表面状態を、ウェハＷを研削するのに適した状態にする。
After the self-grinding of the
ステップＴ３では、先ず、搬送部３０によりドレスボード保管部７０に保管されたドレスボードが取り出され、受渡位置Ａ０のチャック４２に受け渡される。続いて、回転テーブル４１を回転させて、チャック４２を加工位置Ａ１に移動させる。そして、図８に示すようにドレスボードＤを用いて、粗研削ホイール１０１をドレスする。
In step T3, first, the dress board stored in the dress board storage unit 70 is taken out by the
研削ホイール１０１のドレスが完了すると、次に、回転テーブル４１を回転させてチャック４２を受渡位置Ａ０に移動させる。続いてドレスボードＤは、搬送部３０により受渡位置Ａ０からドレスボード保管部７０に搬送される。
When the dressing of the
次に、処理ステーション３における装置調整を行う（図６のステップＴ４）。具体的にステップＴ４では、各研削ホイール１０１、１１１、１２１の高さ調整（セットアップ）、非接触式測定機構１４０のセンサ１４１の基準高さ調整、及び非接触式測定機構１４０による基準ウェハＷｇの厚み確認を行う。
Next, the apparatus is adjusted in the processing station 3 (step T4 in FIG. 6). Specifically, in step T4, the height adjustment (setup) of each
ここで、ステップＴ２においてセルフグラインドを行うと、チャック４２の厚みが小さくなるため、各研削ホイール１０１、１１１、１２１とチャック４２の上面との間の距離の再調整が必要となる。また、粗研削部１００においては、ステップＴ３で粗研削ホイール１０１のドレスを行うので、やはり粗研削ホイール１０１とチャック４２の上面との間の距離の再調整が必要となる。そこで、各研削ホイール１０１、１１１、１２１のセットアップを行う。
Here, if self-grinding is performed in step T2, the thickness of the
各研削ホイール１０１、１１１、１２１のセットアップでは、先ず、接触式測定機構１３０のハイトゲージ１３１でチャック４２の上面の高さ位置を測定する。そして、この測定されたチャック４２の上面の高さ位置に基づいて、各研削ホイール１０１、１１１、１２１とチャック４２の上面との間が所望の距離になるように、各研削ホイール１０１、１１１、１２１を調整する。
In the setup of each
なお、この各研削ホイール１０１、１１１、１２１のセットアップの際に行うチャック４２の高さ位置の測定は、非接触式測定機構を用いて行ってもよい。かかる場合、加工位置Ａ１に例えば非接触式測定機構１４０が設けられて、加工位置Ａ１では当該非接触式測定機構１４０が用いられる。加工装置Ａ２、Ａ３では、ウェハＷの厚み測定用に設けられた非接触式測定機構１４０が用いられる。
The height position of the
また、ステップＴ２においてセルフグラインドを行うと、チャック４２の厚みが小さくなるため、非接触式測定機構１４０のセンサ１４１とチャック４２の上面との距離の再調整が必要となる。そこで本実施形態では、予め厚みが分かっている基準ウェハＷｇを用いて、センサ１４１の基準高さ調整を行う。さらに本実施形態では、非接触式測定機構１４０により測定される基準ウェハＷｇの厚みの確認まで行う。
Further, when self-grinding is performed in step T2, the thickness of the
センサ１４１の基準高さ調整は、基準ウェハ保管部８０に保管された基準ウェハＷｇを用いて行う。非接触式測定機構１４０を用いて、チャック４２に保持された基準ウェハＷｇの厚みを測定する。なお、この基準ウェハＷｇの厚み測定は、図４に示したウェハＷを基準ウェハＷｇに置き換えた方法と同様である。基準ウェハＷｇの厚みが予め分かっているので、そのセンサ１４１の基準高さを調整する（原点合わせを行う）ことができる。
The reference height adjustment of the
さらに、基準高さが調整されたセンサ１４１を用いて、基準ウェハＷｇの厚みを測定して確認する。このようにセンサ１４１の基準高さ調整と基準ウェハＷｇの厚み確認を行って、非接触式測定機構１４０の調整が行われる。
Further, the thickness of the reference wafer Wg is measured and confirmed by using the
ステップＴ４では以上の装置調整が行われるが、以下に具体的なフローについて説明する。ステップＴ４では、先ず、搬送部３０により基準ウェハ保管部８０に保管された基準ウェハＷｇが取り出され、受渡位置Ａ０のチャック４２に受け渡される。受渡位置Ａ０では、非接触式測定機構１４０におけるセンサ１４１の基準高さ調整と基準ウェハＷｇの厚み確認が行われる。
The above device adjustment is performed in step T4, and a specific flow will be described below. In step T4, first, the reference wafer Wg stored in the reference wafer storage unit 80 is taken out by the
次に、回転テーブル４１を回転させて、基準ウェハＷｇを保持したチャック４２を加工位置Ａ１に移動させる。加工位置Ａ１では、粗研削ホイール１０１のセットアップが行われる。
Next, the rotary table 41 is rotated to move the
次に、回転テーブル４１を回転させて、基準ウェハＷｇを保持したチャック４２を加工位置Ａ２に移動させる。加工位置Ａ２では、中研削ホイール１１１のセットアップ、及び非接触式測定機構１４０におけるセンサ１４１の基準高さ調整と基準ウェハＷｇの厚み確認が行われる。
Next, the rotary table 41 is rotated to move the
次に、回転テーブル４１を回転させて、基準ウェハＷｇを保持したチャック４２を加工位置Ａ３に移動させる。加工位置Ａ３では、仕上研削ホイール１２１のセットアップ、及び非接触式測定機構１４０におけるセンサ１４１の基準高さ調整と基準ウェハＷｇの厚み確認が行われる。
Next, the rotary table 41 is rotated to move the
処理ステーション３における装置調整が完了すると、次に、回転テーブル４１を回転させてチャック４２を受渡位置Ａ０に移動させる。続いて基準ウェハＷｇは、搬送部３０により受渡位置Ａ０から基準ウェハ保管部８０に搬送される。
When the device adjustment in the
なお、ステップＴ４では、以上のように受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ２、Ａ３において、非接触式測定機構１４０におけるセンサ１４１の基準高さ調整と基準ウェハＷｇの厚み確認が行われる。ここで、センサ１４１の基準高さ調整は予め基準ウェハＷｇの厚みが分かっていれば、当該基準ウェハＷｇの厚みは特に限定されない。一方、基準ウェハＷｇの厚み確認を行う際には、基準ウェハＷｇの厚みは、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ２、Ａ３における非接触式測定機構１４０が測定可能な厚み範囲に設定されている必要がある。すなわち、基準ウェハＷｇの厚みは、中研削後の目標厚みと仕上研削後の目標厚みからの許容範囲内、例えば仕上研削後の目標厚みに設定される。
In step T4, as described above, at the delivery position A0 and the processing positions A2 and A3, the reference height of the
次に、検査用基板としての検査用ウェハＷｔに対して加工処理を行う（図６のステップＴ５）。具体的には、検査用ウェハＷｔに対して、上述したステップＳ１～Ｓ６の加工処理を行う。 Next, a processing process is performed on the inspection wafer Wt as the inspection substrate (step T5 in FIG. 6). Specifically, the inspection wafer Wt is subjected to the processing of steps S1 to S6 described above.
ステップＴ５では、先ず、検査用ウェハＷｔを複数収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。このカセットＣの搬送タイミングは、ステップＴ１においてチャック４２のセルフグラインドを行うための要求信号が出力された後、任意のタイミングである。
In step T5, first, the cassette C containing a plurality of inspection wafers Wt is placed on the cassette mounting table 10 of the loading /
次に、ウェハ処理装置１内では、ステップＳ１における検査用ウェハＷｔのアライメント、ステップＳ２におけるチャック４２による検査用ウェハＷｔの保持、ステップＳ３における検査用ウェハＷｔの粗研削、ステップＳ４における検査用ウェハＷｔの中研削、ステップＳ５における検査用ウェハＷｔの仕上研削、ステップＳ６における検査用ウェハＷｔのＴＴＶの測定が順次行われる。その後、すべての処理が施された検査用ウェハＷｔは、カセット載置台１０のカセットＣに搬送される。
Next, in the
次に、ステップＴ５で測定された検査用ウェハＷｔのＴＴＶが許容範囲内か否かを判定する（図６のステップＴ６）。検査用ウェハＷｔのＴＴＶが許容範囲から外れている場合には、ステップＴ２に戻って、次の検査用ウェハＷｔに対してステップＴ２～Ｔ５を行う。そして、ステップＴ６において検査用ウェハＷｔのＴＴＶが許容範囲内に収まるまで、ステップＴ２～Ｔ５を繰り返し行う。 Next, it is determined whether or not the TTV of the inspection wafer Wt measured in step T5 is within the allowable range (step T6 in FIG. 6). If the TTV of the inspection wafer Wt is out of the allowable range, the process returns to step T2, and steps T2 to T5 are performed on the next inspection wafer Wt. Then, in step T6, steps T2 to T5 are repeated until the TTV of the inspection wafer Wt is within the permissible range.
一方、ステップＴ６において検査用ウェハＷｔのＴＴＶが許容範囲内に収まると、次に、製品用基板としての製品用ウェハＷに対して加工処理を行う（図６のステップＴ７）。具体的には、製品用ウェハＷに対して、上述したステップＳ１～Ｓ６の加工処理を行う。 On the other hand, when the TTV of the inspection wafer Wt is within the permissible range in step T6, the product wafer W as the product substrate is next processed (step T7 in FIG. 6). Specifically, the product wafer W is subjected to the processing of steps S1 to S6 described above.
以上の実施形態によれば、ステップＴ２におけるチャック４２のセルフグラインド、ステップＴ３における粗研削ホイール１０１のドレス、ステップＴ４における装置調整、ステップＴ５における検査用ウェハＷｔの加工処理を連続して自動で行っている。したがって、一連のセルフグラインド処理を短時間で効率よく行うことができる。
According to the above embodiment, self-grinding of the
ここで従来、上述したようにチャックのセルフグラインドを行う際には、粗研削ユニットにセルフグラインド専用の研削ホイールを用いており、当該研削ホイールの交換取り付を作業員が手作業で行うため、時間がかかっていた。この点、ステップＴ２におけるチャック４２のセルフグラインドを、研削ホイールの交換を行うことなく粗研削ホイール１０１を用いて行っている。このため、チャック４２のセルフグラインドが容易になり、一連のセルフグラインド処理をさらに短時間で行うことができる。
Here, conventionally, when self-grinding the chuck as described above, a grinding wheel dedicated to self-grinding is used for the rough grinding unit, and the worker manually replaces and installs the grinding wheel. It was taking time. In this respect, the self-grinding of the
また本実施形態では、ステップＴ６において検査用ウェハＷｔのＴＴＶが許容範囲か否かを判定し、許容範囲から外れる場合は、検査用ウェハＷｔのＴＴＶが許容範囲内に収まるまでステップＴ２～Ｔ５を繰り返し行っている。そして、検査用ウェハＷｔのＴＴＶが許容範囲内に収まると、ステップＴ７において製品用ウェハＷの加工処理を行う。したがって、本実施形態によれば、加工処理後のウェハＷのＴＴＶを確実に許容範囲内にすることができ、ウェハＷのＴＴＶを向上させることができる。しかも、ステップＴ６～Ｔ７もステップＴ２～Ｔ４から連続して自動で行うので、一連のセルフグラインド処理をさらに短時間で効率よく行うことができる。 Further, in the present embodiment, it is determined in step T6 whether or not the TTV of the inspection wafer Wt is within the permissible range, and if it is out of the permissible range, steps T2 to T5 are performed until the TTV of the inspection wafer Wt is within the permissible range. I'm doing it repeatedly. Then, when the TTV of the inspection wafer Wt is within the allowable range, the product wafer W is processed in step T7. Therefore, according to the present embodiment, the TTV of the wafer W after the processing can be surely within the allowable range, and the TTV of the wafer W can be improved. Moreover, since steps T6 to T7 are also automatically performed continuously from steps T2 to T4, a series of self-grinding processes can be efficiently performed in a shorter time.
また本実施形態では、ステップＴ１において、ウェハＷのＴＴＶが局所的に許容範囲から外れた場合に、チャック４２のセルフグラインドを行うための要求信号が出力される。すなわち、チルト補正を行ってもウェハＷのＴＴＶが悪化する場合にのみ、一連のセルフグラインド処理を行うことができる。その結果、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
Further, in the present embodiment, when the TTV of the wafer W is locally out of the permissible range in step T1, a request signal for self-grinding the
なお、以上の実施形態において、ドレスボードＤと基準ウェハＷｇはそれぞれ、ステップＴ３、Ｔ４において、カセット載置台１０からウェハ処理装置１内に搬入してもよい。かかる場合、ドレスボードＤ、基準ウェハＷｇ、検査用ウェハＷｔはそれぞれ、制御部１５０からの指示、例えばドレスボードＤ、基準ウェハＷｇ、検査用ウェハＷｔのいずれかをウェハ処理装置１に搬入するという指示によって、作業員がカセット載置台１０に搬入してもよい。このようにウェハ処理装置１からの指示に従って、セルフグラインド時に、ドレスボードＤ、基準ウェハＷｇ、検査用ウェハＷｔのいずれかを作業員が搬入するような場合も、本開示における「自動」に含まれる。すなわち、セルフグラインドを開始する際、当該セルフグラインドが必要であるとウェハ処理装置１が判断すれば、その後の作業を作業員に要求し、作業員がセルフグラインドを開始する場合も、本開示における「自動」に含まれる。
In the above embodiment, the dress board D and the reference wafer Wg may be carried into the
また、以上の実施形態においてはチャック４２のセルフグラインドを粗研削部１００において行ったが、当該セルフグラインドは中研削部１１０において行われてもよい。かかる場合、中研削部１１０が本開示における第１の研削部に相当し、中研削ホイール１１１の中研削砥石が第１の研削砥石に相当する。
Further, in the above embodiment, the self-grinding of the
また、以上の実施形態においては研削部４０が３軸構成（粗研削部１００、中研削部１１０、仕上研削部１２０）である場合を例に説明を行ったが、研削部４０の構成はこれに限定されるものではない。例えば研削部は、粗研削部１００と仕上研削部１２０のみが設けられた２軸構成であってもよい。
Further, in the above embodiment, the case where the grinding
また、以上の実施形態においては、基板としてのウェハＷが表面Ｗａにデバイスを有する単ウェハである場合を例に説明を行ったが、ウェハＷの構成も上記実施形態に限定されるものではない。具体的には、表面にデバイスが形成された第１のウェハと、第２のウェハとが相互に接合された重合ウェハにおいて、第１のウェハを薄化する場合においても、本開示に係る技術を適用することができる。 Further, in the above embodiment, the case where the wafer W as a substrate is a single wafer having a device on the surface Wa has been described as an example, but the configuration of the wafer W is not limited to the above embodiment. .. Specifically, in a polymerized wafer in which a first wafer having a device formed on its surface and a second wafer are joined to each other, even when the first wafer is thinned, the technique according to the present disclosure. Can be applied.
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 The embodiments disclosed this time should be considered to be exemplary and not restrictive in all respects. The above embodiments may be omitted, replaced or modified in various forms without departing from the scope of the appended claims and their gist.
１ ウェハ処理装置
４２ チャック
１００ 粗研削部
１０１ 粗研削ホイール
１１０ 中研削部
１１１ 中研削ホイール
１２０ 仕上研削部
１２１ 仕上研削ホイール
１３０ 接触式測定機構
１４０ 非接触式測定機構
１５０ 制御部
Ｗ ウェハ
1
Claims (20)
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を研削する第１の研削砥石を備えた第１の研削部と、
前記第１の研削部で研削された後に前記基板保持部に保持された前記基板を研削する、前記第１の研削砥石の砥粒の粒度より小さい粒度の砥粒を含む第２の研削砥石を備えた第２の研削部と、
前記基板の径方向の複数点の厚みを測定する測定部と、
前記基板保持部、前記第１の研削部、前記第２の研削部及び前記測定部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記第１の研削砥石を用いて前記基板保持部のセルフグラインドを行うことと、
前記セルフグラインド後の前記基板保持部で前記基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記基板を前記第１の研削砥石で研削することと、
前記第１の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、
前記測定部で測定された前記基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内であるか否かを判定することと、を実行するように、前記基板保持部、前記第１の研削部及び前記測定部を制御する、基板処理装置。 It is a board processing device that processes the board.
A substrate holding portion that holds the substrate and
A first grinding unit provided with a first grinding wheel for grinding the substrate held by the substrate holding portion, and a first grinding unit.
A second grinding wheel containing abrasive grains having a particle size smaller than the grain size of the abrasive grains of the first grinding wheel, which grinds the substrate held by the substrate holding portion after being ground by the first grinding portion. The second grinding part provided and
A measuring unit that measures the thickness of a plurality of points in the radial direction of the substrate, and a measuring unit.
A substrate holding unit, a first grinding unit, a second grinding unit, and a control unit for controlling the measuring unit are provided.
The control unit
Self-grinding of the substrate holding portion using the first grinding wheel and
Holding the substrate in the substrate holding portion after the self-grinding,
Grinding the substrate held by the substrate holding portion with the first grinding wheel, and
The measuring unit measures the thicknesses of a plurality of points in the radial direction of the substrate after being ground by the first grinding wheel.
The substrate holding unit, the first grinding unit, and the first grinding unit, so as to determine whether or not the thickness of the plurality of points in the radial direction of the substrate measured by the measuring unit is within the permissible range. A substrate processing device that controls the measuring unit.
前記基板保持部に保持された前記基板を前記第２の研削砥石で研削することと、
前記第２の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、を実行するように、前記第２の研削部及び前記測定部を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。 The control unit
Grinding the substrate held by the substrate holding portion with the second grinding wheel, and
The second grinding unit and the measuring unit are controlled so as to measure the thickness of a plurality of radial points of the substrate after being ground by the second grinding wheel with the measuring unit. The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記制御部は、少なくとも１つの前記基板保持部で保持された前記基板に対する前記測定部の測定結果に基づいて、前記基板の厚みが局所的に許容範囲から外れている場合に、すべての前記基板保持部に対して前記セルフグラインドを行うように、前記第１の研削部を制御する、請求項４に記載の基板処理装置。 A plurality of the board holding portions are provided.
The control unit determines all the substrates when the thickness of the substrate is locally out of the permissible range based on the measurement result of the measurement unit with respect to the substrate held by at least one substrate holding unit. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the first grinding portion is controlled so as to perform the self-grinding on the holding portion.
前記セルフグラインド後の前記基板保持部で検査用基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記検査用基板を前記第１の研削砥石で研削することと、
前記第１の研削砥石で研削された後の前記検査用基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、
前記測定部で測定された前記検査用基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内である場合に、製品用基板の加工処理を行うことと、を実行するように、前記基板保持部、前記第１の研削部及び測定部を制御する、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The control unit
Holding the inspection board in the board holding portion after the self-grinding,
Grinding the inspection board held in the board holding portion with the first grinding wheel, and
The measuring unit measures the thicknesses of a plurality of points in the radial direction of the inspection substrate after being ground by the first grinding wheel.
When the thickness of the plurality of points in the radial direction of the inspection board measured by the measuring unit is within the permissible range, the substrate holding unit, so as to perform the processing of the product substrate. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, which controls the first grinding unit and the measuring unit.
前記セルフグラインドにおける前記基板保持部の回転速度は、前記基板の研削における前記基板保持部の回転速度より遅い、請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The control unit controls the substrate holding unit and the first grinding unit so that the self-grinding unit and the first grinding wheel grind the substrate while rotating the substrate holding unit, respectively.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 11, wherein the rotation speed of the substrate holding portion in the self-grind is slower than the rotation speed of the substrate holding portion in grinding the substrate.
前記基板処理装置は、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を研削する第１の研削砥石を備えた第１の研削部と、
前記第１の研削部で研削された後に前記基板保持部に保持された前記基板を研削する、前記第１の研削砥石の砥粒の粒度より小さい粒度の砥粒を含む第２の研削砥石を備えた第２の研削部と、
前記基板の径方向の複数点の厚みを測定する測定部と、を備え、
前記基板処理方法は、
前記第１の研削砥石を用いて前記基板保持部のセルフグラインドを行うことと、
前記セルフグラインド後の前記基板保持部で前記基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記基板を前記第１の研削砥石で研削することと、
前記第１の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、
前記測定部で測定された前記基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内であるか否かを判定することと、を含む、記憶媒体。 A readable storage medium that stores a program that operates on the computer of the control unit that controls the board processing device so that the board processing method for processing the board is executed by the board processing device.
The substrate processing device is
A substrate holding portion that holds the substrate and
A first grinding unit provided with a first grinding wheel for grinding the substrate held by the substrate holding portion, and a first grinding unit.
A second grinding wheel containing abrasive grains having a particle size smaller than the grain size of the abrasive grains of the first grinding wheel, which grinds the substrate held by the substrate holding portion after being ground by the first grinding portion. The second grinding part provided and
A measuring unit for measuring the thickness of a plurality of points in the radial direction of the substrate is provided.
The substrate processing method is
Self-grinding of the substrate holding portion using the first grinding wheel and
Holding the substrate in the substrate holding portion after the self-grinding,
Grinding the substrate held by the substrate holding portion with the first grinding wheel, and
The measuring unit measures the thicknesses of a plurality of points in the radial direction of the substrate after being ground by the first grinding wheel.
A storage medium comprising determining whether or not the thickness of a plurality of radial points of the substrate measured by the measuring unit is within an allowable range.
前記基板保持部に保持された前記基板を前記第２の研削砥石で研削することと、
前記第２の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、を含む、請求項１３に記載の記憶媒体。 The substrate processing method is
Grinding the substrate held by the substrate holding portion with the second grinding wheel, and
The storage medium according to claim 13, wherein the measuring unit measures the thickness of a plurality of points in the radial direction of the substrate after being ground by the second grinding wheel.
前記基板処理方法では、少なくとも１つの前記基板保持部で保持された前記基板に対する前記測定部の測定結果に基づいて、前記基板の厚みが局所的に許容範囲から外れている場合に、すべての前記基板保持部に対して前記セルフグラインドを行う、請求項１６に記載の記憶媒体。 The substrate processing apparatus includes a plurality of the substrate holding portions, and the substrate processing apparatus includes a plurality of the substrate holding portions.
In the substrate processing method, when the thickness of the substrate is locally out of the permissible range based on the measurement result of the measuring unit with respect to the substrate held by at least one substrate holding unit, all the above. The storage medium according to claim 16, wherein the self-grinding is performed on the substrate holding portion.
前記セルフグラインド後の前記基板保持部で検査用基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記検査用基板を前記第１の研削砥石で研削することと、
前記第１の研削砥石で研削された後の前記検査用基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、
前記測定部で測定された前記検査用基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内である場合に、製品用基板の加工処理を行うことと、を含む、請求項１３～１９のいずれか一項に記載の記憶媒体。 The substrate processing method is
Holding the inspection board in the board holding portion after the self-grinding,
Grinding the inspection board held in the board holding portion with the first grinding wheel, and
The measuring unit measures the thicknesses of a plurality of points in the radial direction of the inspection substrate after being ground by the first grinding wheel.
Any of claims 13 to 19, including processing a product substrate when the thickness of a plurality of radial points of the inspection substrate measured by the measuring unit is within an allowable range. The storage medium according to paragraph 1.
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