JP2021535431A - 量子ドット色変換層における色域性能及び効率の増大 - Google Patents
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Abstract
Description
分野
[0001] 本発明は、量子ドット(QD)等のルミネッセントナノ構造体を有する蛍光体薄膜を含む表示デバイスに関する。
[0002] 量子ドット(QD)等のルミネッセントナノ構造体(NS)は、狭い線幅を有する単一のスペクトルピークで発光し、高飽和色を生み出す能力を有する蛍光体の一種を表す。NSのサイズに基づいて放射波長を調整することが可能である。NSは、表示デバイス(例えば、液晶ディスプレイ(LCD)デバイス、有機発光ダイオード(OLED)表示デバイス)のカラーダウンコンバージョン層(color down conversion layer)として使用し得るNS薄膜の製造に使用される。発光型ディスプレイでのカラーダウンコンバージョン層の使用は、光がカラーフィルタを通過する前、白色光、青色光、又は紫外線(UV)光をより赤みのある光、緑みのある光、又は両方にダウンコンバートすることによりシステム効率を改善することができる。カラーダウンコンバージョン層のこの使用は、濾波に起因した光エネルギーの損失を低減し得、又は追加の濾波の必要性さえ全体的になくし得る。
[0006] したがって、色域カバレッジが改善され、赤色光及び緑色光を生成するダウンコンバージョン層の光学効率が改善された表示デバイスが必要とされる。本明細書における実施形態は、ダウンコンバージョン層を通して漏れる残留青色光を吸収するとともに、ダウンコンバージョン層によって発せられる光と同様の有用な波長の光を発することができる染料の使用を記載する。
[0011] 本明細書に組み込まれ本明細書の一部をなす添付図面は、本実施形態を示し、説明と一緒に本実施形態の原理を説明し、関連する技術分野の当業者が本実施形態を作製し使用できるようにするよう更に機能する。
[0019] 特定の構成及び配置が考察され得るが、これが例示的な目的のみで行われることを理解されたい。本発明の趣旨及び範囲から逸脱せずに他の構成及び配置が使用可能であることを関連する技術分野の当業者は認識する。本発明が、本明細書において特に言及された用途を超えた多種多様な他の用途で利用することもできることが関連する技術分野の当業者には明らかである。本明細書に示され説明される特定の実装が例であり、その他の点では本願の範囲の限定を決して意図しないことを理解されたい。
[0049] 本開示は、表示デバイスにおける所望の輝度の達成と所望の色域の達成との間の既存のトレードオフを改善又はなくすのに役立つナノ構造体ベースの表示デバイスの種々の実施形態を提供する。これらの種々の実施形態はまた、1つ又は複数のピクセルの所望の光出力を強化しながら、表示デバイスの同じ1つ又は複数のピクセルを通る不要な光の漏れを低減又は実質的になくすことにより、ナノ構造体ベースの表示デバイスの色域カバレッジ等のディスプレイ性能を改善するのにも役立つ。本明細書における特定の実施形態はLCDデバイスに関して説明されるが、これは限定を意図せず、本明細書で考察される構成要素が任意の照明デバイスで使用可能なことを当業者は認識する。
[0050] 図2は、実施形態によるLCD表示デバイス200の分解組立断面図の概略を示す。図2の表示デバイスの図が例示目的で示され、一定の縮尺で描かれていないことがあることを当業者は認識する。LCD表示デバイス200は、実施形態によれば、バックライトユニット(BLU)202及びLCDモジュール204を含むことができる。
[0084] 図4は、上述した例のBODIPY 493/503染料の特性を有する蛍光染料層を使用した場合、緑サブピクセルの全体ピーク放出及びFWHMの僅かな変化を示す(ルミネッセントナノ構造体を透過した任意の残留青色光の99%吸収を仮定する)データのグラフを示す。緑サブピクセルのピーク放出は、ルミネッセントナノ構造体(例えば量子ドット)からのある範囲の吸収値で1nm未満変化する。同様に、放射スペクトルのFWHMは、ルミネッセントナノ構造体(例えば量子ドット)からの同じ範囲の吸収値で0.3nm未満変化する。これは、蛍光染料の包含が緑サブピクセルの予期される光学特性に悪影響を及ぼさなかったことを示す。
[0086] 図6は、実施形態によるバリア層塗膜ルミネッセントナノ構造体(NS)600の断面構造を示す。量子ドットはNS600の一例である。幾つかの実施形態では、NS600の群がルミネッセントナノ構造体236の層に含まれることができる。バリア層塗膜NS600はNS601及びバリア層606を含む。NS601はコア602及びシェル604を含む。コア602は、より高いエネルギー吸収時に光を発する半導体材料を含む。コア602の半導体材料の例には、リン化インジウム(InP)、セレン化カドミウム(CdSe)、硫化亜鉛(ZnS)、硫化鉛(PbS)、ヒ化インジウム(InAs)、リン化ガリウムインジウム(InGaP)、セレン化亜鉛カドミウム(CdZnSe)、セレン化亜鉛(ZnSe)、及びテルル化カドミウム(CdTe)がある。直接的なバンドギャップを示す任意の他のII−VI族、III−V族、第3級、又は第4級の半導体構造は同様に使用可能である。実施形態では、コア602は、幾つかの例を提供するために、金属、合金等の1つ又は複数のドーパントを含むこともできる。金属ドーパントの例には、限定ではなく、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、クロム(Cr)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、又はこれらの組合せがあり得る。コア602における1つ又は複数のドーパントの存在は、ドープされないNSと比較してNS601の構造的安定性及び光学的安定性及びQYを改善することができる。
[0099] 図7は、実施形態によるNS薄膜700の断面図を示す。幾つかの実施形態では、ルミネッセントナノ構造体236の層はNS薄膜700と同様であることができる。
[0108] 本明細書に記載されるのは、ルミネッセントナノ構造体(NS)を有する種々の組成物である。吸収特性、放出特性、及び屈折率特性を含め、ルミネッセントナノ構造体の種々の特性は、種々の用途に適合され調整し得る。
Claims (23)
- 表示デバイスであって、
電磁(EM)スペクトルの第1の波長領域の一次光を発するように構成された光源を備えたバックライトユニットと、
ピクセルを含む液晶ディスプレイ(LCD)モジュールと、
を備え、
前記ピクセルはサブピクセルを有し、
前記サブピクセルは、
ルミネッセントナノ構造体の層であって、前記一次光を吸収し、前記第1の波長領域と異なる前記EMスペクトルの第2の波長領域の第2の光を発するように構成されたルミネッセントナノ構造の層と、
前記ルミネッセントナノ構造体の層を透過した前記一次光を吸収し、前記EMスペクトルの前記第2の波長領域の第3の光を発するように構成された蛍光材料の層と、
を備える、表示デバイス。 - 前記LCDは、
第2のサブピクセル
を更に備え、前記第2のサブピクセルは、
前記第1の波長領域及び前記第2の波長領域と異なる前記EMスペクトルの第3の波長領域の第4の光を発するように構成されたルミネッセントナノ構造体の第2の層と、
前記ルミネッセントナノ構造体の第2の層を透過した前記一次光を吸収し、前記EMスペクトルの前記第3の波長領域の第5の光を発するように構成された蛍光材料の第2の層と、
を備える、請求項1に記載の表示デバイス。 - 前記ルミネッセントナノ構造体の層は量子ドット(QD)の層を含む、請求項1又は2に記載の表示デバイス。
- 前記ルミネッセントナノ構造体の層は可視緑色光を発するように構成される、請求項1〜3の何れか1項に記載の表示デバイス。
- 前記ルミネッセントナノ構造体の層は可視赤色光を発するように構成される、請求項1〜3の何れか1項に記載の表示デバイス。
- 前記蛍光材料の層は染料を含む、請求項1〜5の何れか1項に記載の表示デバイス。
- 前記蛍光材料の層は、前記ルミネッセントナノ構造体の層に直接配置される、請求項1〜6の何れか1項に記載の表示デバイス。
- 前記蛍光材料の層は10μm未満の厚さを有する、請求項1〜7の何れか1項に記載の表示デバイス。
- 前記LCDは、前記EMスペクトルの前記第1の波長領域の第6の光を発するように構成された第3のサブピクセルを更に備え、前記第6の光は可視青色光である、請求項1〜8の何れか1項に記載の表示デバイス。
- ルミネッセントデバイスであって、
電磁(EM)スペクトルの第1の波長領域の一次光を発するように構成された光源と、
前記一次光を吸収し、前記第1の波長領域と異なる前記EMスペクトルの第2の波長領域の第2の光を発するように構成されたルミネッセントナノ構造を含む第1の薄膜と、
前記第1の薄膜に配置され、前記第1の薄膜を透過した前記一次光を吸収し、前記EMスペクトルの前記第2の波長領域の第3の光を発するように構成された蛍光材料を含む第2の薄膜と、
を備えるルミネッセントデバイス。 - 前記ルミネッセントナノ構造体の層は量子ドット(QD)の層を含む、請求項10に記載のルミネッセントデバイス。
- 前記一次光を吸収し、前記第1の波長領域及び前記第2の波長領域と異なる前記EMスペクトルの第3の波長領域の第4の光を発するように構成されたルミネッセントナノ構造体を含む第3の薄膜と、
前記第3の薄膜に配置され、前記第3の薄膜を透過した前記一次光を吸収し、前記EMスペクトルの前記第3の波長領域の第5の光を発するように構成された蛍光材料を含む第4の薄膜と、
を更に備える請求項10又は11に記載のルミネッセントデバイス。 - 前記ルミネッセントナノ構造体を含む第1の薄膜は、可視緑色光を発するように構成される、請求項10〜12の何れか1項に記載のルミネッセントデバイス。
- 前記ルミネッセントナノ構造体を含む第1の薄膜は、可視赤色光を発するように構成される、請求項10〜12の何れか1項に記載のルミネッセントデバイス。
- 前記第2の薄膜における前記蛍光材料は染料を含む、請求項10〜14の何れか1項に記載のルミネッセントデバイス。
- 前記第2の薄膜は10μm未満の厚さを有する、請求項10〜15の何れか1項に記載のルミネッセントデバイス。
- ピクセルのアレイを含む表示デバイスであって、前記ピクセルのアレイのピクセルはサブピクセルを含み、
前記サブピクセルは、
ルミネッセントナノ構造体の層であって、電磁(EM)スペクトルの第1の波長領域の一次光を吸収し、前記第1の波長領域と異なる前記EMスペクトルの第2の波長領域の第2の光を発するように構成されたルミネッセントナノ構造の層と、
前記ルミネッセントナノ構造体の層を透過した前記一次光を吸収し、前記EMスペクトルの前記第2の波長領域の第3の光を発するように構成された蛍光材料の層と、
を備える、表示デバイス。 - 第2のサブピクセル
を更に備え、前記第2のサブピクセルは、
前記第1の波長領域及び前記第2の波長領域と異なる前記EMスペクトルの第3の波長領域の第4の光を発するように構成されたルミネッセントナノ構造体の第2の層と、
前記ルミネッセントナノ構造体の第2の層を透過した前記一次光を吸収し、前記EMスペクトルの前記第3の波長領域の第5の光を発するように構成された蛍光材料の第2の層と、
を備える、請求項17に記載の表示デバイス。 - 前記ルミネッセントナノ構造体の層は量子ドット(QD)の層を含む、請求項17又は18に記載の表示デバイス。
- 前記ルミネッセントナノ構造体は可視緑色光を発するように構成される、請求項17〜19の何れか1項に記載の表示デバイス。
- 前記ルミネッセントナノ構造体は可視赤色光を発するように構成される、請求項17〜19の何れか1項に記載の表示デバイス。
- 前記蛍光材料の層は染料を含む、請求項17〜21の何れか1項に記載の表示デバイス。
- 前記蛍光材料の層は10μm未満の厚さを有する、請求項17〜22の何れか1項に記載の表示デバイス。
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