JP2021532876A - 双極灌注式高周波アブレーション分岐プローブ - Google Patents
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Abstract
Description
或いは又はさらに、1つ又は複数の実施例において、カニューレは、導電材料から作られたカニューレ本体を含み、シャフト電極は、導電材料の露出セグメントによって形成されている。カニューレは、カニューレ本体の基端部の近くからシャフト電極まで延在するカニューレ本体の外面上の基端絶縁セグメントをさらに含むことができ、基端絶縁セグメントは、カニューレ本体の外面上に絶縁チューブ層を備える。
本開示技術の1つの態様は、長尺状内側電極アセンブリと長尺状外側電極アセンブリとを含む双極灌注式高周波アブレーションのためのシステムを提供する。いくつかの実施例において、長尺状内側電極アセンブリは、先端部と、基端部と、外面とを有する。いくつかの実施例において、内側電極アセンブリは、シースと、シース内の第1のリードと、内側電極アセンブリの先端部に位置付けられて、第1のリードに電気的に接続された3つ以上の電極タインを備える電極アレイであって、電極アレイが、シース内に含まれた第1の位置と、シースの先端部から突出する第2の位置とを有する、電極アレイと、シースの外面上に位置付けられた絶縁スリーブとを含む。いくつかの実施例において、長尺状外側電極アセンブリは、先端部と基端部とを有し、長尺状外側電極アセンブリは、導電性材料から作られたカニューレ本体を有するカニューレと、管腔を画定する内面と、外側電極アセンブリの外面上のカニューレの導電材料の露出セグメントによって形成されたシャフト電極と、カニューレ本体の基端部の近くからシャフト電極まで延在するカニューレ本体の外面上の基端絶縁セグメントとを含む。いくつかの実施例において、灌注経路は、内側電極アセンブリの外面とカニューレの内面との間に画定されており、灌注経路は、シャフト電極に画定された灌注開口を通して、さらに画定されている。いくつかの実施例において、内側電極アセンブリは、外側電極アセンブリの管腔内に位置付けられるように構成されており、システムは、電極アレイとシャフト電極との間に高周波電流フローを提供する発生装置に取り付けるために構成されている。
図2A〜2Cに示される本技術の1つの実施例は、双極開放灌注式高周波アブレーションのためのシステム200を提供する。図2Aの実施例において、システムは、電極アレイ241を有する長尺状内側電極アセンブリ212と、シャフト電極281を有する長尺状外側電極アセンブリ251とを含む。電極アレイ241は、先端電極と呼ぶこともできる。シャフト電極281は、基端電極又はカニューレ電極と呼ぶこともできる。内側電極アセンブリ212は、外側電極アセンブリ251の管腔268内に位置付けられるように構成されており、システムは、電極アレイ241とシャフト電極281との間の高周波エネルギー送達のために構成されている。
システム400は開放灌注システムを含む。食塩水などの流体は、アブレーションプローブの基端部に挿入されて、システムを通って、患者の身体に流れる。流体は、電極及び切除されている組織の両方を冷却する。灌注経路421は、内側電極アセンブリ212の外面205と外側電極アセンブリ451の外面265との間に画定されている。
灌注開口
灌注開口は、図において異なる構成で設けられており、図2A〜C及び図3A〜Cの灌注開口283、並びに図5A〜Eの灌注開口521を含む。さまざまな実施例において、灌注開口は、外側電極アセンブリの長さに沿って配置されている。いくつかの実施例は、シャフト電極の長さに沿って灌注開口を提供している。代替的な例は、シャフト電極の基端及び/又は先端に灌注開口を提供している。灌注開口は、冷却剤が出るための経路を提供する。さまざまな実施例において、灌注開口は円形である。代替的な実施例において、灌注開口は、卵形、又は、さまざまな他の形状とすることができる。灌注開口は、約0.381mm(0.015インチ)、少なくとも約0.127mm(0.005インチ)、少なくとも約0.254mm(0.010インチ)、少なくとも約0.3048mm(0.012インチ)、多くとも約0.635mm(0.025インチ)、多くとも約0.508mm(0.020インチ)、少なくとも約0.127mm(0.005インチ)及び多くとも約0.635mm(0.025インチ)、又は、少なくとも約0.254mm(0.010インチ)及び多くとも約0.508mm(0.020インチ)の直径を有することができる。
図2A〜C及び図3A〜Cの外側電極アセンブリ100は、外側電極アセンブリの先端部に、先端絶縁部分276を含み、それは、灌注流体の流れを灌注開口283を通して外に向ける役割を果たす。先端絶縁部分276は、外側電極アセンブリの先端部から延在し、内側電極アセンブリに対して密閉し、灌注流体が外側電極アセンブリの先端部から外に流れることを防止するために、その先端部の方へ次第に細くなっている。
高周波アブレーション方法
本明細書で説明される高周波アブレーションシステムのさまざまな実施例は、高周波アブレーションの方法を実行するために使用することができる。図6は、いくつかの実施例による高周波アブレーションを行うためのシステムの概略図である。方法は、先端部と、基端部と、外面とを有する長尺状内側電極アセンブリを提供することを含む。内側電極アセンブリは、図2A〜5Eのいずれの実施例の内側電極アセンブリとすることもできる。内側電極アセンブリは、シースと、内側電極アセンブリの先端部に位置付けられて、第1のリードに接続された3つ以上の電極タインを備える電極アレイとを含む。電極アレイは、シース内に含まれた第1の位置と、シースの先端部から突出する第2の位置との間で移動可能である。
本発明は、さまざまな特定の及び好ましい実施形態及び技術に関して説明されている。しかしながら、本発明の趣旨及び範囲を維持しながら多くのバリエーション及び改良を行うことができることが理解されるはずである。
Claims (15)
- 双極灌注式高周波アブレーションのためのシステムにおいて、
先端部と基端部と外面とを有する長尺状の内側電極アセンブリであって、前記内側電極アセンブリが、
シースと、
前記シース内の第1のリードと、
前記内側電極アセンブリの前記先端部に位置付けられて、前記第1のリードに電気的に接続された3つ以上の電極タインを備える電極アレイと
を備え、前記電極アレイが、前記シース内に含まれた第1の位置と、前記シースの先端部から突出する第2の位置との間で移動可能である、長尺状の内側電極アセンブリと、
先端部と基端部とを有し、先端部と基端部とを有するカニューレを備える長尺状の外側電極アセンブリであって、前記外側電極アセンブリが、
管腔を画定する内面と、
前記外側電極アセンブリの外面上の前記カニューレの前記先端部の近くのシャフト電極と、
前記外側電極アセンブリの前記基端部から前記シャフト電極への導電路と
を備える、長尺状の外側電極アセンブリと、
前記内側電極アセンブリの前記外面と前記外側電極アセンブリの外面との間に画定された灌注経路と
を備え、
前記内側電極アセンブリが、前記外側電極アセンブリの前記管腔内に位置付けられるように構成されており、
前記システムが、前記電極アレイと前記シャフト電極との間に高周波電流フローを提供する発生装置に取り付けるために構成されている、
双極灌注式高周波アブレーションのためのシステム。 - 前記内側電極アセンブリと前記外側電極アセンブリとの間の絶縁層
をさらに備え、
前記絶縁層が、
前記内側電極アセンブリの前記外面上に位置付けられた絶縁シースと、
前記外側電極アセンブリの前記内面上の絶縁コーティングと
からなる群から選択されている、
請求項1及び3〜13のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記内側電極アセンブリと前記外側電極アセンブリとの間の絶縁層
をさらに備え、
前記絶縁層が、前記内側電極アセンブリの前記外面上に位置付けられた絶縁シースを備え、
前記絶縁層の先端セグメントが、前記外側電極アセンブリの前記先端部から突出している、
請求項1〜2及び4〜13のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記灌注経路が、前記内側電極アセンブリの外面と前記外側電極アセンブリの前記内面との間に画定されており、
前記灌注経路が、前記シャフト電極に画定された灌注開口によってさらに画定されている、
請求項1〜3及び8〜13のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記外側電極アセンブリが、前記カニューレの外面に隣接する基端絶縁セグメントを備え、前記基端絶縁セグメントが、前記カニューレの前記基端部の近くから前記シャフト電極まで延在しており、
前記灌注経路が、前記カニューレの前記外面と前記基端絶縁セグメントの内面との間に画定されている、
請求項1〜3、8、及び13のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記シャフト電極が、前記カニューレの前記外面に取り付けられており、前記カニューレが、前記シャフト電極の近くで灌注開口を画定しており、
前記灌注経路が、前記カニューレの前記内面と前記内側電極アセンブリの前記外面との間に画定されている、
請求項1〜3、8、及び13のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記シャフト電極が、前記カニューレの前記外面に取り付けられており、
前記カニューレが、前記シャフト電極の近くで灌注開口を画定しており、
前記灌注経路が、前記カニューレの壁の中に、前記灌注開口を通って画定されている、
請求項1〜3、8、及び13のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記灌注経路が、前記シャフト電極に画定された、又は、前記シャフト電極の近くに画定された、灌注開口を通って画定されており、
前記灌注経路が、開放灌注のための出口経路を画定している、
請求項1〜7及び9〜14のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記カニューレが、
導電材料から作られたカニューレ本体であって、前記シャフト電極が、前記導電材料の露出セグメントによって形成されている、カニューレ本体と、
前記カニューレ本体の基端部の近くから前記シャフト電極まで延在する前記カニューレ本体の外面上の基端絶縁セグメントであって、前記基端絶縁セグメントが、前記カニューレ本体の外面上に絶縁チューブ層を備える、基端絶縁セグメントと
を備える、
請求項1〜4及び8のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記基端絶縁セグメントの前記絶縁チューブ層が、
ポリイミドチューブと、
前記チューブの壁の中に編まれた繊維を有するポリイミドチューブと、
ポリエチレンテレフタレート(PET)と、
ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)と、
ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)と
からなる群から選択されている、
請求項9に記載のシステム。 - 前記カニューレ本体の外面上に絶縁層を備える前記カニューレ本体の先端部の先端絶縁セグメント
をさらに備える、
請求項9又は10に記載のシステム。 - 前記先端絶縁セグメントの前記絶縁層が、
熱収縮材料と、
ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)と、
ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)と、
フルオロポリマーと、
フッ素化エチレンプロピレン(FEP)と、
ポリエチレンテレフタレート(PET)と、
これらの材料の組合せと
からなる群から選択されている、
請求項11に記載のシステム。 - 前記カニューレが、
絶縁材料から作られたカニューレ本体であって、前記シャフト電極が前記カニューレ本体の外面に取り付けられている、カニューレ本体と、
前記カニューレの前記基端部から、前記カニューレ本体の壁の中の前記シャフト電極までの導電路を提供する第2のリードと
を備える、
請求項1〜3及び7〜8のいずれか一項に記載のシステム。 - 双極灌注式高周波アブレーションのためのシステムにおいて、
先端部と基端部と外面とを有する長尺状の内側電極アセンブリであって、前記内側電極アセンブリが、
シースと、
前記シース内の第1のリードと、
前記内側電極アセンブリの前記先端部に位置付けられて、前記第1のリードに電気的に接続された3つ以上の電極タインを備える電極アレイであって、前記電極アレイが、前記シース内に含まれた第1の位置と、前記シースの先端部から突出する第2の位置とを有する、電極アレイと、
前記シースの外面上に位置付けられた絶縁スリーブと
を備える、長尺状の内側電極アセンブリと、
先端部と基端部とを有して、
導電材料から作られたカニューレ本体を有するカニューレと、
管腔を画定する内面と、
外側電極アセンブリの外面上の前記カニューレの前記導電材料の露出セグメントによって形成されたシャフト電極と、
前記カニューレ本体の前記基端部の近くから前記シャフト電極まで延在する前記カニューレ本体の外面上の基端絶縁セグメントと
を備える、長尺状の外側電極アセンブリと、
前記内側電極アセンブリの前記外面と前記カニューレの内面との間に画定された灌注経路であって、前記灌注経路が、前記シャフト電極に画定された灌注開口を通して、さらに画定されている、灌注経路と
を備え、
前記内側電極アセンブリが、前記外側電極アセンブリの前記管腔内に位置付けられるように構成されており、
前記システムが、前記電極アレイと前記シャフト電極との間に高周波電流フローを提供する発生装置に取り付けるために構成されている、
双極灌注式高周波アブレーションのためのシステム。 - 先端部と、基端部と、外面とを有する長尺状の内側電極アセンブリを提供することであって、前記内側電極アセンブリが、
シースと、
前記内側電極アセンブリの前記先端部に位置付けられて、第1のリードに電気的に接続された3つ以上の電極タインを備える電極アレイと
を備え、
前記電極アレイが、前記シース内に含まれた第1の位置と、前記シースの先端部から突出する第2の位置との間で移動可能である、長尺状の内側電極アセンブリを提供することと、
先端部と基端部とを有して、先端部と基端部とを有するカニューレを備える長尺状の外側電極アセンブリを提供することであって、前記カニューレが、
管腔を画定する内面と、
前記外側電極アセンブリの外面上の前記カニューレの前記先端部の近くのシャフト電極と、
前記カニューレの前記基端部から前記シャフト電極への導電路と
を備える、長尺状の外側電極アセンブリを提供することと、
前記外側電極アセンブリの前記カニューレ内に前記内側電極アセンブリを位置付けることと、
前記内側電極アセンブリの前記外面と前記外側電極アセンブリの前記外面との間に画定された灌注経路に灌注源を取り付けることと、
前記灌注経路を通る流体流れを提供することと、
前記内側電極アセンブリ及び前記外側電極アセンブリを発生装置に取り付けて、前記電極アレイと前記シャフト電極との間に高周波電流フローを提供することと
を含む、
高周波アブレーション方法。
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