JP2021521479A - Surface texturing without bead blasting - Google Patents

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Abstract

半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供するためのシステムが提供される。このシステムは、処理領域を含むエンクロージャ、処理領域に配置された支持体、光子の流れを生成するための光子光源、光子光源に動作可能に結合された光学モジュール、およびレンズを含む。光学モジュールは、光子光源から生成された光子の流れから光子のビームを生成するためのビーム変調器と、コンポーネントの表面に光子のビームを走査するためのビームスキャナとを含む。レンズは、ビームスキャナから光子のビームを受け取り、コンポーネントの表面に約345nmから約1100nmの範囲の波長の光子のビームを分配して、コンポーネント上に複数のフィーチャを形成するために使用される。【選択図】図12A system for providing a texture to the surface of a component for use in a semiconductor processing chamber is provided. The system includes an enclosure containing a processing area, a support located in the processing area, a photon light source to generate a photon flow, an optical module operably coupled to the photon light source, and a lens. The optical module includes a beam modulator for generating a photon beam from a flow of photons generated from a photon light source and a beam scanner for scanning the photon beam on the surface of a component. A lens is used to receive a beam of photons from a beam scanner and distribute a beam of photons with wavelengths in the range of about 345 nm to about 1100 nm on the surface of the component to form multiple features on the component. [Selection diagram] FIG. 12

Description

[0001]本開示の実施形態は、概して、半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面をテクスチャリングするための方法ならびにシステムおよび装置に関する。 [0001] Embodiments of the present disclosure generally relate to methods and systems and devices for texturing the surface of components for use in semiconductor processing chambers.

[0002]集積回路デバイスが、縮小された寸法で製造され続けるにつれて、これらのデバイスの製造は、汚染による歩留まりの低下を、ますます受けやすくなる。その結果、集積回路デバイス、特に物理的サイズが小さいデバイスを製造するには、以前に必要であると考えられていたよりも大幅に汚染を制御する必要がある。 As integrated circuit devices continue to be manufactured in reduced dimensions, the manufacture of these devices becomes increasingly susceptible to reduced yields due to contamination. As a result, the production of integrated circuit devices, especially those with smaller physical sizes, requires significant pollution control than previously thought to be necessary.

[0003]集積回路デバイスの汚染は、薄膜堆積、エッチング、または他の半導体製造プロセス中に基板に衝突する望ましくない浮遊粒子などの汚染源から生じる可能性がある。一般に、集積回路デバイスの製造は、物理気相堆積(PVD)スパッタリングチャンバ、化学気相堆積(CVD)チャンバ、およびプラズマエッチングチャンバを含むがこれらに限定されないチャンバの使用を含む。堆積およびエッチングプロセスの過程で、材料が、しばしば、気相からチャンバの様々な内部表面上およびチャンバ内に配置されたチャンバコンポーネントの表面上に凝結する。材料が気相から凝結すると、材料は、チャンバとコンポーネントの表面に存在する固体の塊を形成する。この凝結した異物は、表面に蓄積し、ウェハプロセスシーケンス中またはその間に表面から剥離または剥落する傾向がある。この剥離した異物は、ウェハおよびその上に形成されたデバイスに衝突して汚染する可能性がある。汚染されたデバイスは、多くの場合、廃棄する必要があるので、プロセスの製造歩留まりが低下する。 Contamination of integrated circuit devices can result from contamination sources such as thin film deposition, etching, or unwanted suspended particles that collide with the substrate during other semiconductor manufacturing processes. In general, the manufacture of integrated circuit devices includes the use of chambers including, but not limited to, physical vapor deposition (PVD) sputtering chambers, chemical vapor deposition (CVD) chambers, and plasma etching chambers. During the deposition and etching process, the material often condenses from the vapor phase onto the various internal surfaces of the chamber and on the surface of the chamber components located within the chamber. When the material condenses from the gas phase, the material forms a solid mass present on the surface of the chamber and components. This condensed foreign matter accumulates on the surface and tends to exfoliate or exfoliate from the surface during or during the wafer process sequence. This exfoliated foreign matter can collide with the wafer and the devices formed on it and contaminate it. Contaminated devices often need to be discarded, which reduces the manufacturing yield of the process.

[0004]形成された異物の剥離を防止するために、チャンバの内部表面およびチャンバ内に配置されたチャンバコンポーネントの表面は、特定の表面テクスチャを備えることができる。表面テクスチャは、これらの表面に形成される異物が、表面への付着力を強化し、剥離してウェハを汚染する可能性が低くなるように構成されている。表面テクスチャの重要なパラメータは、表面粗さである。 In order to prevent exfoliation of the formed foreign matter, the inner surface of the chamber and the surface of the chamber component disposed within the chamber can be provided with a specific surface texture. The surface texture is configured such that foreign matter formed on these surfaces enhances the adhesion to the surface and reduces the possibility of peeling and contaminating the wafer. An important parameter of surface texture is surface roughness.

[0005]一般的なテクスチャリングプロセスの1つは、ビードブラストである。ビードブラストプロセスでは、固体ブラストビードが、テクスチャリングされるべき表面に向かって推進される。テクスチャリングされるべき表面に向かって固体ブラストビードを推進することができる1つの方法は、加圧ガスによるものである。固体ブラストビードは、適切な材料、例えば、酸化アルミニウム、ガラス、シリカ、または硬質プラスチックでできている。所望の表面粗さに応じて、ブラストビードは、様々なサイズおよび形状にすることができる。 One of the common texturing processes is bead blasting. In the bead blasting process, solid blast beads are propelled towards the surface to be textured. One way a solid blast bead can be propelled towards a surface to be textured is by pressurized gas. Solid blast beads are made of suitable materials such as aluminum oxide, glass, silica, or hard plastic. Depending on the desired surface roughness, the blast beads can be of various sizes and shapes.

[0006]しかし、ビードブラストプロセスの均一性と再現性を制御するのは難しい場合がある。さらに、ビードブラストプロセス中に、テクスチャリングされている表面が、鋭くギザギザになり、固体ブラストビードの衝撃によって表面の先端が折れ、それによって汚染源が導入される可能性がある。さらに、ブラストビードは、ビードブラストプロセス中に表面内に閉じ込められたり埋め込まれたりする可能性がある。例えば、テクスチャリングされている表面が、様々な幅の小さな貫通孔を含む場合(例えば、ガス分配シャワーヘッド)、ブラストビードは、貫通孔内に閉じ込められる可能性がある。このような状況では、ブラストビードは、例えば、貫通孔がガス通路として機能するのを妨げるだけでなく、ウェハの潜在的な汚染源にもなる。 However, it can be difficult to control the uniformity and reproducibility of the bead blasting process. In addition, during the bead blasting process, the textured surface becomes sharply jagged and the impact of the solid blast bead breaks the tip of the surface, which can introduce a source of contamination. In addition, blast beads can be trapped or embedded within the surface during the bead blasting process. For example, if the textured surface contains small through-holes of various widths (eg, gas distribution showerheads), the blast beads can be trapped inside the through-holes. In such a situation, the blast bead not only prevents the through hole from functioning as a gas passage, for example, but also becomes a potential source of contamination of the wafer.

[0007]電磁ビームを使用して、チャンバ表面をテクスチャリングすることもできる。電磁ビームを使用してチャンバ表面をテクスチャリングすると、ビードブラストに関連する上記の問題のいくつかを克服できる可能性がある。しかし、電磁ビームは、散乱を防ぐために真空下で操作する必要がある。散乱は、電磁ビーム内の電子が空気または他のガス分子と相互作用するときに発生する可能性がある。したがって、電磁ビームは、真空チャンバ内で操作する必要がある。真空チャンバの必要性は、コンポーネントが真空チャンバ内に収まらなければならないので、テクスチャリングできるコンポーネントのサイズを制限する。さらに、電磁ビームの操作に関連する資本コストは、ビードブラストプロセスに関連する資本コストよりも大幅に高くなる。例えば、真空チャンバの必要性は、電磁ビームで表面をテクスチャリングすることに関連するコストを増加させる。 The surface of the chamber can also be textured using an electromagnetic beam. Texturing the chamber surface with an electromagnetic beam may overcome some of the above problems associated with bead blasting. However, the electromagnetic beam needs to be operated under vacuum to prevent scattering. Scattering can occur when the electrons in the electromagnetic beam interact with air or other gas molecules. Therefore, the electromagnetic beam needs to be operated in a vacuum chamber. The need for a vacuum chamber limits the size of the component that can be textured, as the component must fit within the vacuum chamber. In addition, the cost of capital associated with operating the electromagnetic beam is significantly higher than the cost of capital associated with the bead blasting process. For example, the need for a vacuum chamber increases the costs associated with texturing the surface with an electromagnetic beam.

[0008]したがって、電磁ビームの使用に関連する資本コストおよびサイズの制約を回避しながら、ビードブラストに関連する問題を克服する改善されたテクスチャリングプロセスが必要である。 Therefore, there is a need for an improved texturing process that overcomes the problems associated with bead blasting while avoiding the cost of capital and size constraints associated with the use of electromagnetic beams.

[0009]本開示の一実施態様は、半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供する方法に関する。この方法は、周囲空気または窒素を通してコンポーネントの表面に光子のビームを向けることと、コンポーネントの表面の第1の領域に光子のビームを走査して、第1の領域内の表面上に複数のフィーチャを形成することと、を含み、形成されるフィーチャは、くぼみ、隆起、またはそれらの組み合わせである。 One embodiment of the present disclosure relates to a method of providing a texture on the surface of a component for use in a semiconductor processing chamber. This method directs a beam of photons to the surface of the component through ambient air or nitrogen and scans the beam of photons into a first region of the surface of the component to scan multiple features on the surface within the first region. The features that are formed, including forming, are depressions, ridges, or a combination thereof.

[0010]本開示の別の実施態様は、半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供する方法に関する。この方法は、大気圧とほぼ同等の圧力を有する雰囲気中でコンポーネントの表面に光子のビームを向けることと、コンポーネントの表面の第1の領域に光子のビームを走査して、第1の領域内の表面上に複数のフィーチャを形成することと、を含み、形成されるフィーチャは、くぼみ、隆起、またはそれらの組み合わせである。 Another embodiment of the present disclosure relates to a method of providing a texture on the surface of a component for use in a semiconductor processing chamber. This method directs the photon beam to the surface of the component in an atmosphere with a pressure approximately equal to atmospheric pressure, and scans the photon beam to the first region of the component surface within the first region. The features that are formed, including the formation of multiple features on the surface of the, are indentations, ridges, or a combination thereof.

[0011]本開示の別の実施形態は、半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントである。コンポーネントは、第1の領域内の表面上の複数のフィーチャを含み、形成されるフィーチャは、くぼみ、隆起、またはそれらの組み合わせである。フィーチャは、コンポーネントの表面に光子のビームを走査することによって形成される。 Another embodiment of the present disclosure is a component for use in a semiconductor processing chamber. A component comprises a plurality of features on a surface within a first region, the features formed being indentations, ridges, or a combination thereof. Features are formed by scanning a beam of photons onto the surface of a component.

[0012]本開示の別の実施形態は、半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供するためのシステムである。このシステムは、処理領域を含むエンクロージャ、処理領域に配置され、支持面を含む支持体、光子の流れを生成するための光子光源、光子光源から光子の流れを受け取るように光子光源に動作可能に結合された光学モジュール、およびレンズを含む。光学モジュールは、光子光源から生成された光子の流れから光子のビームを生成するためのビーム変調器と、コンポーネントの表面に光子のビームを走査するためのビームスキャナとを含む。レンズは、ビームスキャナから光子のビームを受け取り、コンポーネントの表面に約345nmから約1100nmの範囲の波長の光子のビームを分配して、コンポーネント上に複数のフィーチャを形成するために使用される。 Another embodiment of the present disclosure is a system for providing a texture on the surface of a component for use in a semiconductor processing chamber. The system is located in an enclosure that includes a processing area, a support that includes a support surface, a photon light source to generate a photon flow, and a photon light source that can operate to receive a photon flow from a photon light source. Includes combined optical modules and lenses. The optical module includes a beam modulator for generating a photon beam from a flow of photons generated from a photon light source and a beam scanner for scanning the photon beam on the surface of a component. A lens is used to receive a beam of photons from a beam scanner and distribute a beam of photons with wavelengths in the range of about 345 nm to about 1100 nm on the surface of the component to form multiple features on the component.

[0013]本開示の別の実施形態は、半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供する方法である。この方法は、光子の流れを生成すること、光子の流れをビームに成形すること、大気圧とほぼ同等の圧力の周囲空気または窒素のガス濃度を含む処理領域を通してコンポーネントの表面に向かって光子のビームを走査すること、およびコンポーネントの表面に光子のビームを分配して、表面上に複数のフィーチャを形成することを含む。 Another embodiment of the present disclosure is a method of providing a texture on the surface of a component for use in a semiconductor processing chamber. This method creates a flow of photons, shapes the flow of photons into a beam, and directs the photons toward the surface of the component through a processing area containing a gas concentration of ambient air or nitrogen at a pressure approximately equal to atmospheric pressure. It involves scanning the beam and distributing the beam of photons to the surface of the component to form multiple features on the surface.

[0014]さらに、本開示のさらに別の実施形態は、半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供するためのシステムである。このシステムは、大気圧とほぼ同等の圧力を有するクラス1環境として維持される処理領域を含むエンクロージャ、処理領域に配置され、支持面を含む支持体、光子の流れを生成するための光子光源、光子光源から光子の流れを受け取るように光子光源に動作可能に結合された光学モジュール、およびレンズを含む。光学モジュールは、光子光源から生成された光子の流れから光子のビームを生成するためのビーム変調器と、コンポーネントの表面に光子のビームを走査するためのビームスキャナとを含む。レンズは、ビームスキャナから光子のビームを受け取り、コンポーネントの表面に約345nmから約1100nmの範囲の波長の光子のビームを分配して、コンポーネント上に複数のフィーチャを形成するように、処理領域に配置される。 Yet another embodiment of the present disclosure is a system for providing a texture on the surface of a component for use in a semiconductor processing chamber. This system includes an enclosure containing a processing area maintained as a Class 1 environment with a pressure approximately equal to atmospheric pressure, a support located in the processing area, including a support surface, a photon light source for generating photon flow, Includes an optical module operably coupled to the photon light source to receive the flow of photons from the photon light source, and a lens. The optical module includes a beam modulator for generating a photon beam from a flow of photons generated from a photon light source and a beam scanner for scanning the photon beam on the surface of a component. The lens receives a beam of photons from the beam scanner and distributes a beam of photons with wavelengths in the range of about 345 nm to about 1100 nm on the surface of the component and places it in the processing area to form multiple features on the component. Will be done.

[0015]本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施態様を参照することによって行うことができ、そのいくつかを添付の図面に示す。ただし、添付の図面は、例示的な実施態様のみを示しており、したがって、その範囲を限定するものと見なされるべきではないことに、留意されたい。 A more specific description of the present disclosure briefly summarized above can be made by reference to embodiments so that the above features of the present disclosure can be understood in detail. Is shown in the attached drawing. However, it should be noted that the accompanying drawings show only exemplary embodiments and should therefore not be considered to limit their scope.

本開示によるレーザー機械および支持システムの概略図を示す。A schematic diagram of a laser machine and a support system according to the present disclosure is shown. 本開示によるレーザー機械および支持システムの代替的な概略図を示す。An alternative schematic of the laser machine and support system according to the present disclosure is shown. 本開示による、テクスチャリングされるべき領域が境界線によってマークされた、ガス分配シャワーヘッドの上面図を示す。FIG. 3 shows a top view of a gas-distributed shower head according to the present disclosure, in which the area to be textured is marked by a border. 本開示による、レーザー機械および支持システムを操作する方法のプロセスシーケンスを示す。The process sequence of the method of operating the laser machine and the support system according to the present disclosure is shown. 図5と図6は、本開示に従ってレーザー機械によって作成された、繰り返されるランダム形状の表面形態を示す。図5は、表面形態を示す斜視図を示す。5 and 6 show repetitive, random-shaped surface morphologies created by a laser machine in accordance with the present disclosure. FIG. 5 shows a perspective view showing the surface morphology. 図5と図6は、本開示に従ってレーザー機械によって作成された、繰り返されるランダム形状の表面形態を示す。図6は、表面形態を示す上面図を示す。5 and 6 show repetitive, random-shaped surface morphologies created by a laser machine in accordance with the present disclosure. FIG. 6 shows a top view showing the surface morphology. 図7と図8は、本開示に従ってレーザー機械によって作成された、繰り返される波形状の表面形態を示す。図7は、表面形態を示す斜視図を示す。7 and 8 show repetitive wavy surface morphologies created by a laser machine in accordance with the present disclosure. FIG. 7 shows a perspective view showing the surface morphology. 図7と図8は、本開示に従ってレーザー機械によって作成された、繰り返される波形状の表面形態を示す。図8は、表面形態を示す上面図と側面図を示す。7 and 8 show repetitive wavy surface morphologies created by a laser machine in accordance with the present disclosure. FIG. 8 shows a top view and a side view showing the surface morphology. 図9と図10は、本開示に従ってレーザー機械によって作成された、繰り返される正方形形状の表面形態を示す。図9は、表面形態を示す斜視図を示す。9 and 10 show repetitive square-shaped surface morphologies created by a laser machine in accordance with the present disclosure. FIG. 9 shows a perspective view showing the surface morphology. 図9と図10は、本開示に従ってレーザー機械によって作成された、繰り返される正方形形状の表面形態を示す。図10は、表面形態を示す上面図と側面図を示す。9 and 10 show repetitive square-shaped surface morphologies created by a laser machine in accordance with the present disclosure. FIG. 10 shows a top view and a side view showing the surface morphology. 本開示によるレーザー機械およびレーザーデバイスの概略図を示す。A schematic diagram of a laser machine and a laser device according to the present disclosure is shown. 本開示によるレーザー機械およびレーザーデバイスの代替的な概略図を示す。An alternative schematic of a laser machine and a laser device according to the present disclosure is shown. ビードブラストプロセスおよび本開示によるプロセスを使用してテクスチャリングされたコンポーネントの結果を比較するグラフを示す。Shown is a graph comparing the results of textured components using the bead blasting process and the process according to the present disclosure.

[0026]理解を容易にするために、図面に共通する同一の要素は、可能であれば、同一の参照番号を使用して示してある。一つの実施態様の要素および特徴は、さらなる列挙なしに他の実施態様に有益に組み込まれ得ることが、企図される。 For ease of understanding, the same elements common to the drawings are shown using the same reference numbers, if possible. It is contemplated that the elements and features of one embodiment may be beneficially incorporated into another embodiment without further enumeration.

[0027]特許または出願ファイルには、カラーで実行された図面が少なくとも1つ含まれている。カラー図面を伴うこの特許または特許出願公開のコピーは、要求と必要な料金の支払いに応じて、官庁から提供される。 The patent or application file contains at least one drawing executed in color. A copy of this patent or publication of the patent application with color drawings will be provided by the Office upon request and payment of the required fee.

[0028]本明細書に記載の実施態様は、レーザーによって生成された光子のビームを利用して、半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面上にテクスチャリングプロセスを実行する。光子のビームは、コンポーネントの表面に向けられ、表面の領域に走査されて、複数のフィーチャを形成する。表面に形成されたフィーチャには、くぼみ、隆起、および/またはそれらの組み合わせが含まれる。光子のビームは、強度を低下され、デフォーカスされ、および/または特定の移動速度で走査されて、所望の表面形態を形成することができる。 The embodiments described herein utilize a beam of photons generated by a laser to perform a texturing process on the surface of a component for use in a semiconductor processing chamber. The beam of photons is directed at the surface of the component and scanned into the area of the surface to form multiple features. Features formed on the surface include indentations, ridges, and / or combinations thereof. The photon beam can be reduced in intensity, defocused, and / or scanned at a particular rate of movement to form the desired surface morphology.

[0029]図1は、コンポーネント104の表面103をテクスチャリングするために使用され得るレーザー機械100および支持システム102の概略図を示す。コンポーネント104は、例えば、ガス分配シャワーヘッド、チャンバ壁、または静電チャックであり得る。レーザー機械100は、電源106、コントローラ108、およびレーザーデバイス116を備える。レーザーデバイス116は、光子112のビームを出力する。コントローラ108は、光子112のビームを変調および走査するための変調器および/またはスキャナを備え得る。レーザー機械は、光子112のビームをパルス化するためのパルス供給ユニットを、さらに備え得る。光子112のビームをパルス化することは、コンポーネント104の表面103に加えられる熱の量を最小化するのに役立つことができる。さらに、光子112のビームをパルス化することは、コンポーネント104の表面103の反射性の結果として生じる問題を減らすのに役立つことができる。本明細書に開示される実施形態は、約60μinから約360μinの粗さプロファイルの算術平均(Ra)を有するようにコンポーネント104の表面103をテクスチャリングするために利用され得る。 FIG. 1 shows a schematic view of a laser machine 100 and a support system 102 that can be used to texture the surface 103 of a component 104. The component 104 can be, for example, a gas distribution shower head, a chamber wall, or an electrostatic chuck. The laser machine 100 includes a power supply 106, a controller 108, and a laser device 116. The laser device 116 outputs a beam of photons 112. The controller 108 may include a modulator and / or scanner for modulating and scanning the beam of photons 112. The laser machine may further include a pulse supply unit for pulsing the beam of photons 112. Pulsating the beam of photons 112 can help minimize the amount of heat applied to the surface 103 of the component 104. In addition, pulsing the beam of photons 112 can help reduce the problems that result from the reflectivity of the surface 103 of the component 104. The embodiments disclosed herein can be used to texture the surface 103 of the component 104 to have an arithmetic mean (Ra) of a roughness profile of about 60 μin to about 360 μin.

[0030]コンポーネント104は、金属もしくは金属合金、セラミック材料、ポリマー材料、複合材料、またはそれらの組み合わせなどの材料を含み得る。一実施態様では、コンポーネント104は、鋼、ステンレス鋼、タンタル、タングステン、チタン、銅、アルミニウム、ニッケル、金、銀、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、サファイア(Al)、窒化ケイ素、イットリア、酸化イットリウム、およびそれらの組み合わせを含む群から選択される材料を含む。一実施態様では、コンポーネント104は、オーステナイト型ステンレス鋼、鉄−ニッケル−クロム合金(例えば、インコネル(Inconel)(商標)合金)、ニッケル−クロム−モリブデン−タングステン合金(例えば、ハステロイ(Hastelloy)(商標))、銅亜鉛合金、クロム銅合金(例えば、5%または10%のCrと残りのCu)などの金属合金を含む。別の実施態様では、コンポーネントは、石英を含む。コンポーネント104はまた、ポリイミド(ベスペル(Vespel)(商標))、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアリレート(Ardel(商標))などのポリマーを含み得る。さらに別の実施態様では、コンポーネント104は、金、銀、アルミニウムケイ素、ゲルマニウム、ゲルマニウムケイ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、イットリア、酸化イットリウム、非ポリマー、およびそれらの組み合わせなどの材料を含み得る。 Component 104 may include materials such as metals or metal alloys, ceramic materials, polymeric materials, composite materials, or combinations thereof. In one embodiment, the component 104 is steel, stainless steel, tantalum, tungsten, titanium, copper, aluminum, nickel, gold, silver, aluminum oxide, aluminum nitride, silicon, silicon nitride, silicon oxide, silicon carbide, sapphire (Al). 2 O 3 ), silicon nitride, itria, ittrium oxide, and materials selected from the group including combinations thereof. In one embodiment, the component 104 is an austenite stainless steel, iron-nickel-chromium alloy (eg, Inconel ™ alloy), nickel-chromium-molybdenum-tungsten alloy (eg, Hastelloy®). )), Copper-zinc alloys, chromium-copper alloys (eg, 5% or 10% Cr and remaining Cu) and other metal alloys. In another embodiment, the component comprises quartz. Component 104 may also include polymers such as polyimide (Vespel ™), polyetheretherketone (PEEK), polyarylate (Ardel ™). In yet another embodiment, the component 104 is composed of gold, silver, silicon aluminum, germanium, germanium silicon, boron nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, silicon, silicon nitride, silicon oxide, silicon carbide, itria, yttrium oxide, non-polymer. , And materials such as combinations thereof.

[0031]支持システム102を、レーザー機械100の下流に配置することができる。支持システム102は、コンポーネント104を支持するための、例えば1つ以上の実施形態における基板支持体と同様の、支持体122を備える。支持システム102およびレーザー機械100は、レーザーデバイス116によって出力された光子112のビームがコンポーネント104の表面103に向けられるように、互いに対して配置される。図1に示される本開示の一実施態様では、レーザー機械100は、レーザーデバイス116の出力の位置を調整するための作動手段124を、さらに備え得る。そのような実施態様では、支持体122は静止したままであり、作動手段124が、レーザーデバイス116の出力の位置を調整し、それにより、レーザーデバイス116によって出力された光子112のビームが表面103に走査されるようにすることができる。図2に示される本開示の代替の実施形態では、支持システム102は、支持体122を移動させるための作動手段124を備えることができる。そのような実施態様では、レーザーデバイス116の出力は、静止したままであり、作動手段124が、支持体122の位置を調整し、それにより、レーザーデバイス116によって出力された光子112のビームが表面103に走査されるようにすることができる。レーザーデバイス116または支持体122のいずれかの位置を調整するための作動手段124は、例えば、X−Yステージ、並進運動および/または回転運動が可能な伸長アームおよび/または回転シャフトを備え得る。 The support system 102 can be located downstream of the laser machine 100. The support system 102 includes a support 122 for supporting the component 104, similar to, for example, the substrate support in one or more embodiments. The support system 102 and the laser machine 100 are arranged relative to each other so that the beam of photons 112 output by the laser device 116 is directed at the surface 103 of the component 104. In one embodiment of the present disclosure shown in FIG. 1, the laser machine 100 may further include actuating means 124 for adjusting the position of the output of the laser device 116. In such an embodiment, the support 122 remains stationary and the actuating means 124 adjusts the position of the output of the laser device 116, whereby the beam of photons 112 output by the laser device 116 is exposed to the surface 103. Can be scanned into. In an alternative embodiment of the present disclosure shown in FIG. 2, the support system 102 may include actuating means 124 for moving the support 122. In such an embodiment, the output of the laser device 116 remains stationary and the actuating means 124 adjusts the position of the support 122, whereby the beam of photons 112 output by the laser device 116 is surfaced. It can be scanned by 103. The actuating means 124 for adjusting the position of either the laser device 116 or the support 122 may include, for example, an XY stage, an extension arm and / or a rotating shaft capable of translational and / or rotational movement.

[0032]コントローラ108が、レーザーデバイス116によって出力された光子112のビームに関連する様々なパラメータを制御することができるように、レーザーデバイス116に接続され得る。詳細には、コントローラ108は、レーザーデバイス116に接続されて、光子112のビームに関連する少なくとも以下のパラメータを制御することができる:波長、パルス幅、繰り返し率、移動速度、出力レベル、およびビームサイズ。光子112のビームに関連するこれらの様々なパラメータを制御することができることによって、コントローラ108は、コンポーネント104の表面103上に形成される表面形態を規定することができる。「移動速度」は、光子112のビームが移動されていてコンポーネント104が静止している実施態様と、光子112のビームが静止していてコンポーネントが移動されている実施態様とを組み入れていることを理解されたい。図2に示されるように、コントローラ108はまた、支持体122に接続された作動手段124を制御することができるように、支持システム102に接続され得る。あるいは、二次コントローラが、支持システム102に接続されて、支持体122に接続された作動手段124を制御してもよい。 A controller 108 may be connected to the laser device 116 so that it can control various parameters associated with the beam of the photon 112 output by the laser device 116. Specifically, the controller 108 can be connected to the laser device 116 to control at least the following parameters related to the beam of the photon 112: wavelength, pulse width, repetition rate, moving speed, output level, and beam. size. By being able to control these various parameters associated with the beam of the photon 112, the controller 108 can define the surface morphology formed on the surface 103 of the component 104. The "moving velocity" incorporates an embodiment in which the beam of the photon 112 is moving and the component 104 is stationary, and an embodiment in which the beam of the photon 112 is stationary and the component is moving. I want to be understood. As shown in FIG. 2, the controller 108 may also be connected to the support system 102 so that it can control the actuating means 124 connected to the support 122. Alternatively, a secondary controller may be connected to the support system 102 to control the actuating means 124 connected to the support 122.

[0033]コントローラ108は、産業環境で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサ(CPU)の1つであり得る。コンピュータは、ランダムアクセスメモリ、読み出し専用メモリ、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、またはローカルもしくはリモートの他の形式のデジタルストレージなどの適切なメモリを使用できる。従来の方法でプロセッサをサポートするために、様々なサポート回路をCPUに結合することができる。必要に応じて、ソフトウェアルーチンを、メモリに保存するか、またはリモートに配置された第2のCPUで実行することができる。ソフトウェアルーチンが実行されると、汎用コンピュータを、チャンバプロセスが実行されるように動作を制御する特定のプロセスコンピュータに変換する。あるいは、本明細書に記載の実施態様は、特定用途向け集積回路もしくは他のタイプのハードウェア実装として、ハードウェアで実行されてもよいし、またはソフトウェアもしくはハードウェアの組み合わせで実行されてもよい。 The controller 108 may be one of any form of general purpose computer processor (CPU) that can be used in an industrial environment. The computer can use suitable memory such as random access memory, read-only memory, floppy disk drives, hard disks, or other forms of local or remote digital storage. Various support circuits can be coupled to the CPU to support the processor in the conventional way. If desired, software routines can be stored in memory or run on a second CPU located remotely. When a software routine is executed, it transforms a general-purpose computer into a specific process computer that controls its operation so that a chamber process is performed. Alternatively, the embodiments described herein may be performed in hardware as a purpose-built integrated circuit or other type of hardware implementation, or may be performed in software or a combination of hardware. ..

[0034]レーザー機械100のレーザーデバイス116は、約3Wから約30Wの範囲の出力を有し得る。あるいは、レーザー機械は、約1Wから約150Wの範囲の出力を有し得る。レーザーデバイス116はまた、光子112のビームに関連するパラメータ(例えば、波長、パルス幅、パルス周波数、繰り返し率、移動速度、出力レベル、およびビームサイズ)をパルス化および変化させることができてもよい。レーザー機械100のレーザーデバイス116は、市販のレーザーであり得る。本開示に従うことができる市販のレーザー機械の例は、スペクトラ・フィジックスのQuanta−RayレーザーのIPG YLPPレーザーである。 The laser device 116 of the laser machine 100 may have an output in the range of about 3W to about 30W. Alternatively, the laser machine may have an output in the range of about 1 W to about 150 W. The laser device 116 may also be able to pulse and change the parameters associated with the beam of the photon 112 (eg, wavelength, pulse width, pulse frequency, repetition rate, moving speed, output level, and beam size). .. The laser device 116 of the laser machine 100 can be a commercially available laser. An example of a commercially available laser machine that can follow this disclosure is the IPG YLPP laser from Spectra Physics' Quanta-Ray laser.

[0035]レーザーデバイス116の出力は、光子112のビームであるので、レーザー機械100および支持システム102は、テクスチャリングプロセスを実行するために真空環境を必要としない。したがって、レーザーデバイス116の出力は、電子ビームを使用してテクスチャリングプロセスを実行する従来の電磁ビーム生成システムとは異なる。電磁ビームシステムは、通常、電子と周囲のガス原子との相互作用および散乱のため真空環境(例えば、真空チャンバ)を必要とし、したがって、真空環境が、電子ビームの正確な制御を維持するために必要である。上記のように、真空環境の要件は、コンポーネントが真空チャンバ内に収まらなければならないので、電磁ビームシステムを使用してテクスチャリングできるコンポーネントのサイズに物理的な制約を課す。さらに、真空チャンバには特別な機器(ポンプ、センサ、シールなど)を含める必要があるので、真空環境の要件により電磁システムの複雑さが増す。結果として、電磁ビームシステムは、テクスチャリングプロセスを実行するために本開示で論じられるレーザー機械100および支持システム102を使用するときに発生するであろうコストよりも、著しく高い資本コストを有する。 Since the output of the laser device 116 is a beam of photons 112, the laser machine 100 and the support system 102 do not require a vacuum environment to perform the texturing process. Therefore, the output of the laser device 116 is different from conventional electromagnetic beam generation systems that use electron beams to perform texturing processes. Electromagnetic beam systems typically require a vacuum environment (eg, a vacuum chamber) for the interaction and scattering of electrons with surrounding gas atoms, so that the vacuum environment maintains precise control of the electron beam. is necessary. As mentioned above, the requirements of the vacuum environment impose a physical constraint on the size of the component that can be textured using the electromagnetic beam system, as the component must fit within the vacuum chamber. In addition, the vacuum chamber must include special equipment (pumps, sensors, seals, etc.), which adds to the complexity of the electromagnetic system due to the requirements of the vacuum environment. As a result, the electromagnetic beam system has a significantly higher cost of capital than would be incurred when using the laser machine 100 and support system 102 discussed in this disclosure to perform the texturing process.

[0036]したがって、レーザー機械100および支持システム102は、光子112のビームが通過する空気が約78%の窒素と約21%の酸素である周囲空気環境で使用することができる。しかしながら、状況によっては、レーザー機械100および支持システム102を、酸素が枯渇した環境内に配置することが望ましい場合がある。このような状況では、レーザー機械100および支持システム102は、周囲空気の代わりに窒素ガスが使用されるチャンバ内に配置することができる。真空が不要なため、チャンバ内の圧力を大気圧に保つことができる。「大気圧」は場所によって異なる場合があることを理解されたい。いくつかの実施形態では、処理中にコンポーネント104が配置されている領域内の圧力は、調整されていなくてもよい。 Therefore, the laser machine 100 and the support system 102 can be used in an ambient air environment in which the air through which the beam of photons 112 passes is about 78% nitrogen and about 21% oxygen. However, in some circumstances it may be desirable to place the laser machine 100 and the support system 102 in an oxygen-depleted environment. In such situations, the laser machine 100 and support system 102 can be placed in a chamber where nitrogen gas is used instead of ambient air. Since no vacuum is required, the pressure inside the chamber can be maintained at atmospheric pressure. It should be understood that "atmospheric pressure" may vary from place to place. In some embodiments, the pressure in the area where the component 104 is located may not be adjusted during the process.

[0037]図4は、レーザー機械100および支持システム102を操作する方法についての、201で始まり209で終わるプロセスシーケンス200を示している。ボックス202において、コンポーネント104が、支持体122上に配置される。ボックス204において、第1の領域126が、コンポーネント104の表面103上に画定される。図3に示すように、コンポーネント104は、複数の貫通孔135を有するガス分配シャワーヘッド133であり、第1の領域126は、第1の領域の外側境界を画定する第1の外側境界線127を有する。第1の外側境界線127は、第1の表面積を画定する。コンポーネント104の第2の表面積に対する第1の表面積の比は、少なくとも0.6であり得る。コンポーネント104の第2の表面積は、テクスチャリングされている表面103の第2の外側境界線132によって画定される。したがって、第2の表面積内に配置される第1の表面積は、第2の表面積の少なくとも60%であり得る。第1および第2の表面積のサイズは、テクスチャリングされているコンポーネント104の形状およびサイズに応じて異なることを理解されたい。あるいは、第2の表面積に対する第1の表面積の比は、0.7、0.8、および/または0.9より大きくてもよい。 FIG. 4 shows a process sequence 200 starting with 201 and ending with 209 for how to operate the laser machine 100 and the support system 102. In the box 202, the component 104 is placed on the support 122. In box 204, a first region 126 is defined on the surface 103 of component 104. As shown in FIG. 3, the component 104 is a gas distribution showerhead 133 having a plurality of through holes 135, and the first region 126 is a first outer boundary line 127 that defines the outer boundary of the first region. Has. The first outer boundary line 127 defines the first surface area. The ratio of the first surface area to the second surface area of the component 104 can be at least 0.6. The second surface area of the component 104 is defined by the second outer border 132 of the textured surface 103. Therefore, the first surface area located within the second surface area can be at least 60% of the second surface area. It should be understood that the size of the first and second surface areas will vary depending on the shape and size of the textured component 104. Alternatively, the ratio of the first surface area to the second surface area may be greater than 0.7, 0.8, and / or 0.9.

[0038]ボックス206で、レーザー機械100は、レーザーデバイス116が光子112のビームを出力するように、電源106によって電力供給される。上で論じたように、レーザー機械100のコントローラ108は、表面103上の所望のテクスチャに応じて、光子112のビームに関連するパラメータを変えることができる。一実施態様では、光子112のビームは、約345nmから約1100nmの範囲の波長を有し得る。別の実施態様では、光子のビームは、紫外線範囲(約170nmから約400nm)の波長を有し得る。さらに別の実施態様では、光子のビームは、赤外線範囲(約700nmから約1.1mm)の波長を有し得る。レーザーデバイス116によって出力された光子112のビームは、コンポーネント104の表面103の方へ第1の領域126内の位置に向けられる。光子112のビームは、コンポーネント104の表面103において、約7μmから約75μmの範囲のビーム径を有し得る。あるいは、光子112のビームは、コンポーネント104の表面103において、約2.5μmから約100μmの範囲のビーム径を有し得る。一実施態様では、光子112のビームが移動する作動距離は、約50ミリメートルから約1,000ミリメートルである。別の実施態様では、光子112のビームが移動する作動距離は、約200ミリメートルから約350ミリメートルの間である。レーザー機械100のレーザーデバイス116は、約1Wから約150Wの範囲の出力を有し得るので、光子112のビームは、約10×10−6Jから約400×10−6Jの範囲のパルス出力を有し得る。光子112のビームは、約10psから約30nsの範囲のパルス幅を有し得る。さらに、光子112のビームは、一実施形態では約10KHzから約200KHzの範囲のパルス繰り返し率を有し、より具体的には、別の実施形態では約10KHzから約3MHzの範囲のパルス繰り返し率を有し得る。コントローラ108が、レーザーデバイス116のパルス幅および/またはパルス繰り返し率を制御するために使用され得る。 In box 206, the laser machine 100 is powered by a power source 106 such that the laser device 116 outputs a beam of photons 112. As discussed above, the controller 108 of the laser machine 100 can vary the parameters associated with the beam of the photon 112, depending on the desired texture on the surface 103. In one embodiment, the beam of photon 112 may have wavelengths in the range of about 345 nm to about 1100 nm. In another embodiment, the photon beam may have wavelengths in the ultraviolet range (about 170 nm to about 400 nm). In yet another embodiment, the photon beam may have wavelengths in the infrared range (about 700 nm to about 1.1 mm). The beam of photons 112 output by the laser device 116 is directed towards the surface 103 of the component 104 at a position within the first region 126. The beam of the photon 112 may have a beam diameter in the range of about 7 μm to about 75 μm on the surface 103 of the component 104. Alternatively, the beam of photons 112 may have a beam diameter in the range of about 2.5 μm to about 100 μm on the surface 103 of the component 104. In one embodiment, the working distance traveled by the beam of photon 112 is from about 50 millimeters to about 1,000 millimeters. In another embodiment, the working distance traveled by the beam of photon 112 is between about 200 mm and about 350 mm. Since the laser device 116 of the laser machine 100 can have an output in the range of about 1 W to about 150 W, the beam of the photon 112 has a pulse output in the range of about 10 × 10-6 J to about 400 × 10-6 J. Can have. The beam of photon 112 can have a pulse width in the range of about 10 ps to about 30 ns. Further, the beam of the photon 112 has a pulse repetition rate in the range of about 10 KHz to about 200 KHz in one embodiment, and more specifically, a pulse repetition rate in the range of about 10 KHz to about 3 MHz in another embodiment. Can have. Controller 108 can be used to control the pulse width and / or pulse repetition rate of the laser device 116.

[0039]ボックス208で、光子112のビームは、表面103の第1の領域126に走査され、それによって、表面上に複数のフィーチャを形成する。光子112のビームは、例えばレーザーデバイス116からパルス出力されながら、約0.1m/秒から約30m/秒の範囲の移動速度で、表面103の第1の領域126に走査されることができる。図5〜図10に見られるように、光子112のビームが表面103の第1の領域126に走査される結果として形成されるフィーチャは、くぼみ、隆起、またはそれらの組み合わせを含む。コントローラ108は、ビームが第1の領域126に走査されているときに、光子112のビームに関連する特定のパラメータを変化させるように、プログラムすることができる。例えば、コントローラ108は、ビームが第1の領域126に走査されている間、光子112のビームをパルス化することができる。一実施態様では、コントローラ108は、約0.2nsから約100nsの範囲のパルス幅を有するようにレーザーデバイス116を制御することができる。一実施形態では、コントローラ108は、約400fsから約200nsの範囲のパルス幅を有するようにレーザーデバイス116を制御することができる。 In box 208, the beam of photons 112 is scanned into the first region 126 of the surface 103, thereby forming a plurality of features on the surface. The beam of the photon 112 can be scanned into the first region 126 of the surface 103 at a moving speed in the range of about 0.1 m / sec to about 30 m / sec, for example, while being pulsed from the laser device 116. As seen in FIGS. 5-10, the features formed as a result of the beam of photons 112 being scanned into the first region 126 of the surface 103 include indentations, ridges, or a combination thereof. Controller 108 can be programmed to change certain parameters associated with the beam of photons 112 as the beam is scanned into the first region 126. For example, the controller 108 can pulse the beam of photons 112 while the beam is being scanned into the first region 126. In one embodiment, the controller 108 can control the laser device 116 to have a pulse width in the range of about 0.2 ns to about 100 ns. In one embodiment, the controller 108 can control the laser device 116 to have a pulse width in the range of about 400 fs to about 200 ns.

[0040]このようにして、レーザー機械100を使用して、第1の領域の全体的な表面形態を形成することができる。 In this way, the laser machine 100 can be used to form the overall surface morphology of the first region.

[0041]状況に応じて、レーザー機械100を使用して、第1の領域126の3つの異なるタイプの表面形態を形成することができる。図5および図6に示されるように、第1の表面形態は、隆起およびくぼみの組み合わせを生成する、繰り返されるランダム形状である。複数の隆起は、例えば、平坦な表面および凸状の表面を有し得ることが、理解されるべきである。図5と図6では、最低のくぼみから最高の隆起までの高さにおける最大の変動は、約4,000nmから約4,500nmの範囲にある。表面形態は、繰り返されるランダム形状であるので、隆起とくぼみは、周期的な波を形成しない。 Depending on the situation, the laser machine 100 can be used to form three different types of surface morphology in the first region 126. As shown in FIGS. 5 and 6, the first surface morphology is a repeating random shape that produces a combination of ridges and depressions. It should be understood that multiple ridges can have, for example, a flat surface and a convex surface. In FIGS. 5 and 6, the maximum variation in height from the lowest depression to the highest ridge is in the range of about 4,000 nm to about 4,500 nm. Since the surface morphology is a repeating random shape, the ridges and depressions do not form periodic waves.

[0042]パルス周波数と走査速度を同期させることにより、繰り返される形状を実現できる。パルスレーザーと基材が互いに対して移動しているときに、レーザーは、放射を放出し、放射は、繰り返し間隔で基材表面に衝突し、繰り返される形状をもたらす。繰り返される形状の正確な形は、レーザーパルスの時間プロファイルを走査速度に合わせて調整することによって調整できる。走査速度と比較して非常に速い出力ランプ時間のレーザーパルスが使用される場合、ランプアップまたはランプダウン中に基材が遠くまで移動しないので、繰り返される形状は、実質的に長方形のプロファイルに向かう傾向がある。ランプ時間が、パルス持続時間と比較して非常に小さい場合、レーザーパルスの時間プロファイルが実質的に平坦であるので、繰り返される形状は、同様に、実質的に長方形のプロファイルに向かう傾向がある。走査速度が、パルス持続時間またはランプ時間と比較して低い場合、各レーザーパルスによって送達される光子が、基材のより小さな領域に集中するので、繰り返される形状は、同様に、実質的に長方形のプロファイルに向かう傾向がある。パルス持続時間に比べてランプ時間および/または走査速度を増やすと、形成されたフィーチャの角が、より丸くなり、またはよりテーパがつく。レーザーパルス自体もまた、波形発生器をレーザー電源に結合することによって変調することができる。このようにして、よりテーパのあるランプ速度のパルス、および正弦波の時間プロファイルのパルスさえも生成できる。そのような手段は、波形状に向かう傾向のあるフィーチャをもたらす。フィーチャピッチは、パルス周波数と走査速度の関係によって決定される。したがって、フィーチャピッチは、パルス周波数を調整することによって独立して調整することができ、パルス周波数は、パルス持続時間によって上限が制限される。 By synchronizing the pulse frequency and the scanning speed, a repetitive shape can be realized. When the pulsed laser and the substrate are moving relative to each other, the laser emits radiation, which collides with the surface of the substrate at repeating intervals, resulting in a repeating shape. The exact shape of the repeating shape can be adjusted by adjusting the time profile of the laser pulse to the scanning speed. When a laser pulse with a very fast output ramp time compared to the scan speed is used, the repeating shape tends towards a substantially rectangular profile, as the substrate does not move far during ramp-up or ramp-down. Tend. If the ramp time is very small compared to the pulse duration, then the repeated shape tends towards a substantially rectangular profile as well, since the time profile of the laser pulse is substantially flat. When the scanning speed is low compared to the pulse duration or ramp time, the photons delivered by each laser pulse are concentrated in a smaller area of the substrate, so that the repeating shape is also substantially rectangular. Tends towards the profile of. Increasing the ramp time and / or scan speed relative to the pulse duration causes the corners of the formed features to be more rounded or more tapered. The laser pulse itself can also be modulated by coupling a waveform generator to a laser power source. In this way, more tapered ramp velocity pulses, and even sinusoidal time profile pulses can be generated. Such means result in features that tend towards a wavy shape. The feature pitch is determined by the relationship between the pulse frequency and the scanning speed. Therefore, the feature pitch can be adjusted independently by adjusting the pulse frequency, and the pulse frequency is limited by the pulse duration.

[0043]図5および図6に示される繰り返されるランダム形状のRaの例は、レーザー機械100の出力が30Wであり、コンポーネント104がアルミニウムであり、ビーム径が約7μmである場合、約60μinである。Ra値は、レーザー機械100の出力および光子112のビームに関連する様々な変数に応じて異なることを理解されたい。レーザー機械100を使用して達成された、繰り返されるランダム形状は、レーザー機械100の使用が、ビードブラストプロセスに固有の問題のいくつかを回避することを除いて、ビードブラストプロセスを使用して達成できるものと同様の表面形態およびRa値を有し得る。例えば、コンポーネント104がガス分配シャワーヘッド133(図3に概略的に示されている)である場合、テーパのついた複数の貫通孔135が存在するであろう。上記のように、ビードブラストプロセスは、テクスチャリングされるべき表面に複数のビードを高速でブラストすることを含む。その結果、ビードブラストプロセスに関して、制御と精度の欠如が内在している。 An example of the repeating random shape Ra shown in FIGS. 5 and 6 is at about 60 μin when the output of the laser machine 100 is 30 W, the component 104 is aluminum and the beam diameter is about 7 μm. be. It should be understood that the Ra value will vary depending on the output of the laser machine 100 and the various variables associated with the beam of the photon 112. The repetitive random shapes achieved using the laser machine 100 are achieved using the bead blasting process, except that the use of the laser machine 100 avoids some of the problems inherent in the bead blasting process. It may have the same surface morphology and Ra value as it can. For example, if component 104 is a gas distribution showerhead 133 (schematically shown in FIG. 3), there will be multiple tapered through holes 135. As mentioned above, the bead blasting process involves fast blasting multiple beads onto the surface to be textured. As a result, there is an inherent lack of control and precision regarding the bead blasting process.

[0044]ビードブラストプロセスで使用されるビードはまた、貫通穴135内に閉じ込められるかまたは埋め込まれる可能性がある。さらに、ビードは、貫通孔135の角または縁にぶつかり、表面103をテクスチャリングするのではなく、貫通孔のプロファイルを望ましくないように変更する可能性がある。レーザー機械100を使用して、ガス分配シャワーヘッド133を、繰り返されるランダム形状の表面形態でテクスチャリングすることは、このテクスチャリングプロセスを通じて達成できるより高い精度のために、シャワーヘッド133の貫通穴135の境界プロファイルを、同じくらい大幅には変更しない。レーザー機械100は、繰り返されるランダム形状が第1の外側境界線127内で継続的に繰り返されるように、第1の領域126内の表面103をテクスチャリングすることができる。 The beads used in the bead blasting process can also be trapped or embedded within the through hole 135. In addition, the beads may hit the corners or edges of the through hole 135 and change the profile of the through hole in an undesired manner rather than texture the surface 103. Texturing the gas-distributed showerhead 133 with a repeating, random-shaped surface morphology using the laser machine 100 uses the through-hole 135 of the showerhead 133 for higher precision that can be achieved through this texturing process. Does not change the boundary profile of. The laser machine 100 can texture the surface 103 in the first region 126 so that the repeating random shape is continuously repeated within the first outer boundary line 127.

[0045]図7および図8に示されるように、第2の表面形態は、隆起およびくぼみの組み合わせを生成する、繰り返される波形状である。複数の隆起は、例えば、ほぼ凸状の表面を有し得ることが、理解されるべきである。図7と図8では、最低のくぼみから最高の隆起までの高さにおける最大の変動は、約4,000nmから約4,500nmの範囲にある。表面形態は、繰り返される波形状であるので、隆起とくぼみは、周期的なプロファイルを形成し、複数の隆起のそれぞれが、ほぼ凸状の尖った部分に来る。繰り返される波形状に関連する周期的なプロファイルは、表面のx軸および表面のy軸の両方に沿って、表面103の第1の領域126全体にわたって繰り返される。 As shown in FIGS. 7 and 8, the second surface morphology is a repeating wave shape that produces a combination of ridges and depressions. It should be understood that multiple ridges can have, for example, a nearly convex surface. In FIGS. 7 and 8, the maximum variation in height from the lowest depression to the highest ridge is in the range of about 4,000 nm to about 4,500 nm. Since the surface morphology is a repetitive wavy shape, the ridges and depressions form a periodic profile, with each of the ridges coming to a nearly convex pointed portion. The periodic profile associated with the repeating wave shape is repeated across the first region 126 of the surface 103 along both the x-axis of the surface and the y-axis of the surface.

[0046]図7および図8に示される繰り返される波形状の粗さプロファイルの算術平均(Ra)の例は、レーザー機械100の出力が30Wであり、コンポーネント104がアルミニウムであり、ビーム径が約7μmである場合、約108μinである。Ra値は、レーザー機械100の出力および光子112のビームに関連する様々な変数に応じて異なることを理解されたい。繰り返されるランダム形状とは違って、繰り返される波形状は、ビードブラストプロセスを使用して通常達成される表面形態とは異なる。レーザー機械100は、繰り返される波形状が第1の外側境界線127内で継続的に繰り返されるように、第1の領域126内の表面103をテクスチャリングすることができる。 An example of the arithmetic mean (Ra) of the repeated wave-shaped roughness profile shown in FIGS. 7 and 8 is that the laser machine 100 has an output of 30 W, the component 104 is aluminum, and the beam diameter is about. When it is 7 μm, it is about 108 μin. It should be understood that the Ra value will vary depending on the output of the laser machine 100 and the various variables associated with the beam of the photon 112. Unlike the repeating random shape, the repeating wave shape is different from the surface morphology normally achieved using the bead blasting process. The laser machine 100 can texture the surface 103 in the first region 126 so that the repeating wave shape is continuously repeated within the first outer boundary line 127.

[0047]図9および図10に示されるように、第3の表面形態は、隆起およびくぼみの組み合わせを生成する、繰り返される正方形形状である。複数の隆起は、例えば、ほぼ平坦な表面を有し得ることが、理解されるべきである。図9と図10では、最低のくぼみから最高の隆起までの高さにおける最大の変動は、約4,000nmから約4,500nmの範囲にある。表面形態は、繰り返される正方形形状であるので、隆起とくぼみは、周期的なプロファイルを形成し、複数の隆起のそれぞれが、ほぼ平坦な部分に来る。繰り返される正方形形状に関連する周期的なプロファイルは、表面のx軸および表面のy軸の両方に沿って、表面103の第1の領域126全体にわたって繰り返される。 As shown in FIGS. 9 and 10, the third surface morphology is a repeating square shape that produces a combination of ridges and depressions. It should be understood that multiple ridges can have, for example, a nearly flat surface. In FIGS. 9 and 10, the maximum variation in height from the lowest depression to the highest ridge is in the range of about 4,000 nm to about 4,500 nm. Since the surface morphology is a repeating square shape, the ridges and depressions form a periodic profile, with each of the ridges coming to a nearly flat portion. The periodic profile associated with the repeating square shape is repeated across the first region 126 of the surface 103 along both the x-axis of the surface and the y-axis of the surface.

[0048]図9および図10に示される繰り返される正方形形状の粗さプロファイルの算術平均(Ra)の例は、レーザー機械100の出力が30Wであり、コンポーネント104がアルミニウムであり、ビーム径が約25μmである場合、約357μinである。Ra値は、レーザー機械100の出力および光子112のビームに関連する様々な変数に応じて異なることを理解されたい。繰り返される正方形形状は、コンポーネント104が静電チャックである場合に、特に適用可能であり得る。図9に最もよく見られるように、繰り返される正方形形状内の隆起およびくぼみは、複数の通路をもたらす。複数の通路により、例えば、ウェハ処理中に静電チャックの上に位置するシリコンウェハの下にある通路をガスが通過することが可能になる。 An example of the arithmetic mean (Ra) of the repeating square roughness profile shown in FIGS. 9 and 10 is that the laser machine 100 has an output of 30 W, the component 104 is aluminum, and the beam diameter is about. When it is 25 μm, it is about 357 μin. It should be understood that the Ra value will vary depending on the output of the laser machine 100 and the various variables associated with the beam of the photon 112. The repeating square shape may be particularly applicable when the component 104 is an electrostatic chuck. As most often seen in FIG. 9, the repeated ridges and depressions in the square shape provide multiple passages. The plurality of passages allows the gas to pass through, for example, a passage under the silicon wafer located above the electrostatic chuck during wafer processing.

[0049]後続の研磨プロセスが、テクスチャリングプロセスの後に実行されて、隆起の上面を平坦化するのを促進し、それにより、ウェハ処理中の静電チャックへのシリコンウェハの付着を促進することができる。研磨プロセス中に平坦化されなかったコンポーネント104の部分は、表面粗さを保持し、それによって、ウェハ処理中に複数の通路内に凝縮した異物の剥離の防止に役立つ。レーザー機械100は、繰り返される正方形形状が第1の外側境界線127内で継続的に繰り返されるように、第1の領域126内の表面103をテクスチャリングすることができる。 Subsequent polishing processes are performed after the texturing process to facilitate flattening of the top surface of the ridge, thereby facilitating the adhesion of the silicon wafer to the electrostatic chuck during wafer processing. Can be done. The portion of component 104 that was not flattened during the polishing process retains surface roughness, which helps prevent delamination of foreign matter that has condensed into multiple passages during wafer processing. The laser machine 100 can texture the surface 103 in the first region 126 so that the repeating square shape is continuously repeated within the first outer boundary line 127.

[0050]レーザー機械100の使用に関連する別の利点は、テクスチャリングされているコンポーネント104の表面103が、プロセスのボックス202の前に精密な前洗浄プロセスを受ける必要がないことである。代わりに、必要なのは、コンポーネント104の表面103を脱脂するための大まかな前洗浄プロセスだけである。これは、電子ビームの反応性が高いため、精密な前洗浄プロセスが一般に必要とされる電磁ビームシステムとは異なる。 Another advantage associated with the use of the laser machine 100 is that the surface 103 of the textured component 104 does not need to undergo a precise pre-cleaning process prior to the process box 202. Instead, all that is needed is a rough pre-cleaning process to degreas the surface 103 of the component 104. This is different from electromagnetic beam systems, which generally require a precise pre-cleaning process due to the high reactivity of the electron beam.

[0051]コンポーネント104の表面103をテクスチャリングするためのレーザー機械100の使用に関連するさらに別の利点は、ボックス202の後、電磁ビームシステムが使用されている場合のように、真空チャンバ内の圧力をポンプダウンする追加のステップがないことである。上で論じたように、電磁ビームシステムは、真空環境内で操作され、それにより、環境の圧力をポンプダウンする必要がある。レーザー機械100および支持システム102は、酸素が枯渇した環境を作り出す目的のチャンバ内に配置されてもよいが、環境圧力をポンプダウンする必要はない。このポンプダウンステップが排除されるので、レーザー機械100でコンポーネント104の表面103をテクスチャリングするのに必要な時間は、電子ビームでコンポーネントの表面をテクスチャリングするのに必要な時間よりも短い。これは、電磁ビームシステムを使用してコンポーネントの表面をテクスチャリングするのと比較して、レーザー機械100を使用してコンポーネントの表面をテクスチャリングすることに関連するスループットを向上させるのに役立つ。レーザー機械100に関連するスループットはまた、電子ビームが複数のフィーチャを形成するために表面に走査されることができる移動速度が、光子112のビームが表面に走査されることができる移動速度よりも著しく遅いので、電磁ビームシステムを使用することに関連するスループットよりも大きい。例えば、電子ビームの移動速度は、表面をテクスチャリングしているとき、約0.02M/秒から約0.03M/秒の範囲にある。上で論じたように、光子112のビームの移動速度は、表面をテクスチャリングしているとき、約0.1M/秒から約300M/秒の範囲を有する。 Yet another advantage associated with the use of the laser machine 100 to texture the surface 103 of the component 104 is in the vacuum chamber, as in the case where an electromagnetic beam system is used after the box 202. There is no additional step to pump down the pressure. As discussed above, the electromagnetic beam system is operated in a vacuum environment, which requires pumping down the pressure of the environment. The laser machine 100 and the support system 102 may be placed in a chamber intended to create an oxygen-depleted environment, but the environmental pressure need not be pumped down. Since this pump downstep is eliminated, the time required to texture the surface 103 of the component 104 with the laser machine 100 is less than the time required to texture the surface of the component with the electron beam. This helps to improve the throughput associated with texturing the surface of the component using the laser machine 100 as compared to texturing the surface of the component using an electromagnetic beam system. The throughput associated with the laser machine 100 is also such that the moving speed at which the electron beam can be scanned onto the surface to form multiple features is greater than the moving speed at which the beam of photon 112 can be scanned onto the surface. It is significantly slower than the throughput associated with using an electromagnetic beam system. For example, the moving speed of the electron beam is in the range of about 0.02 M / sec to about 0.03 M / sec when the surface is textured. As discussed above, the moving speed of the beam of photons 112 ranges from about 0.1 M / s to about 300 M / s when textured on the surface.

[0052]レーザーデバイス116によって出力された光子112のビームを利用してコンポーネント104の表面103をテクスチャリングすることに関連する別の利点は、例えば、ビードブラストまたは電子ビームを使用するよりも、クリーンなプロセスを作り出せることである。光子112のビームの波長に応じて、光子のビームが向けられる表面103の材料は、表面を改変するために、主に光の放射または熱エネルギーを受け取ることができる。光の放射は、光子のビームが向けられる位置でコンポーネント104の表面103を溶かし、それにより、溶けた材料またはスラグを生成し、これらは、再固化されると、くぼみまたは隆起のいずれかを形成する。溶けた材料に関連する運動エネルギーを最小限に抑えることができるので、溶けた材料が、残った表面103から叩き出されて他の場所に再堆積する可能性が低くなる。これにより、他の方法であれば発生した可能性のある再堆積の量が減少する。逆に、電磁ビームシステムを使用する場合、テクスチャリングされているコンポーネントには、多くの場合、電子が埋め込まれており、これらは電子ビームと相互作用して、かなりのエネルギーを生成し、その結果、溶けた材料の少なくとも一部が、残った表面から叩き出され、それにより、再堆積の可能性を増大させる。その結果、光子112のビームで表面をテクスチャリングすることは、電子ビームで表面をテクスチャリングするよりもクリーンなプロセスをもたらすことができる。 Another advantage associated with texturing the surface 103 of component 104 using the beam of photons 112 output by the laser device 116 is that it is cleaner than using, for example, bead blasting or electron beams. It is possible to create a new process. Depending on the wavelength of the beam of the photon 112, the material of the surface 103 to which the beam of photons is directed can mainly receive radiation or thermal energy of light to modify the surface. The emission of light melts the surface 103 of the component 104 at the position where the beam of photons is directed, thereby producing a melted material or slag, which, when resolidified, forms either a depression or a ridge. do. Since the kinetic energy associated with the melted material can be minimized, the melted material is less likely to be knocked out of the remaining surface 103 and redeposited elsewhere. This reduces the amount of redeposition that could otherwise have occurred. Conversely, when using an electromagnetic beam system, the textured components often have electrons embedded in them that interact with the electron beam to generate significant energy, resulting in significant energy. At least a portion of the melted material is knocked out of the remaining surface, thereby increasing the likelihood of redeposition. As a result, texturing the surface with a beam of photons 112 can result in a cleaner process than texturing the surface with an electron beam.

[0053]レーザーデバイス116によってコンポーネント104の表面103に送達される光子112のビームは、コンポーネント104の著しいまたは大きな歪み(例えば、溶融、反り、亀裂など)を引き起こすことを意図していないことに留意されたい。コンポーネント104の著しいまたは大きな歪みは、テクスチャリングプロセスの適用により、コンポーネント104がその意図された目的のために使用することができない状態として、一般に定義することができる。 Note that the beam of photons 112 delivered by the laser device 116 to the surface 103 of component 104 is not intended to cause significant or large distortion of component 104 (eg, melting, warping, cracking, etc.). I want to be. Significant or large distortion of component 104 can generally be defined as a condition in which component 104 cannot be used for its intended purpose by applying a texturing process.

[0054]図11および図12は、コンポーネント104の表面103をテクスチャリングするために使用され得るレーザー機械100の概略図を示す。詳細には、図11および図12は、レーザー機械100および/またはレーザーデバイス116の異なる配置、部品、および要素を示している。図11に示されるように、レーザー機械100は、コンポーネント104に対して垂直方向を有してもよく、または図12に示されるように、レーザーデバイス116は、コンポーネント104に対して水平方向を有してもよい。上で論じたように、コンポーネント104は、半導体処理チャンバ内で使用される。コンポーネント104は、例えば、ガス分配シャワーヘッド、シールド、チャンバライナー、カバーリング、クランプリング、基板支持ペデスタル、および/または静電チャックであり得る。したがって、レーザー機械100でテクスチャリングされた後、コンポーネント104は、半導体処理チャンバのコンポーネントとして使用され、そこで、ウェハなどの半導体が、半導体処理チャンバ内で処理される。 11 and 12 show a schematic representation of a laser machine 100 that can be used to texture the surface 103 of the component 104. In detail, FIGS. 11 and 12 show different arrangements, parts, and elements of the laser machine 100 and / or the laser device 116. As shown in FIG. 11, the laser machine 100 may have a direction perpendicular to the component 104, or as shown in FIG. 12, the laser device 116 has a horizontal direction with respect to the component 104. You may. As discussed above, component 104 is used within the semiconductor processing chamber. The component 104 can be, for example, a gas distribution shower head, a shield, a chamber liner, a covering, a clamp ring, a substrate support pedestal, and / or an electrostatic chuck. Therefore, after texturing with the laser machine 100, the component 104 is used as a component of the semiconductor processing chamber, where semiconductors such as wafers are processed in the semiconductor processing chamber.

[0055]上で論じたように、レーザーデバイス116が、光子のビームを出力するために使用される。図11および図12のレーザーデバイス116は、それぞれが互いに動作可能に結合された、光子光源などの光源142、光学モジュール144、およびレンズ146を含むように示されている。しかしながら、他の実施形態では、レーザーデバイス116が、光源142、光学モジュール144、およびレンズ146を含むものとして示されているが、本開示は、そのように限定されない。例えば、1つ以上の他の実施形態では、図1および図2に示される電源106および/またはコントローラ108が、本開示の範囲から逸脱することなく、追加的または代替的に、光源142、光学モジュール144、および/またはレンズ146を含むことができる。 As discussed above, the laser device 116 is used to output a beam of photons. The laser devices 116 of FIGS. 11 and 12 are shown to include a light source 142 such as a photon light source, an optical module 144, and a lens 146, each operably coupled to each other. However, in other embodiments, the laser device 116 is shown to include a light source 142, an optical module 144, and a lens 146, but the present disclosure is not so limited. For example, in one or more other embodiments, the power supply 106 and / or controller 108 shown in FIGS. 1 and 2 additionally or alternatively, without departing from the scope of the present disclosure, the light source 142, optics. Module 144 and / or lens 146 can be included.

[0056]光源142は、光の源、詳細には、この実施形態では、光子の流れを生成するために使用される。光源142に動作可能に結合された光学モジュール144は、光源142からの光子の流れを受け取り、光源142からの光子の流れを成形し、方向付け、またはその他の方法で変調する。光学モジュール144は、ビーム変調器と、ビームスキャナとを含み、ビームスキャナは、ビーム変調器の下流(光源142に対して)に配置されている。ビーム変調器は、光源142から光子の流れを受け取り、光子の流れから光子のビームを生成する。例えば、ビーム変調器は、光源142からの光子の流れを成形することによって、単一の焦点を有する光子のビームを生成するために、使用され得る。ビームスキャナは、ビーム変調器から光子のビームを受け取って、コンポーネント104の表面103に光子のビームを走査するために使用される。このように、ビームスキャナは、電気機械式アクチュエータの使用などを通じて、光子のビームの方向を移動させ、偏向させ、およびその他の方法で制御するために使用される。 The light source 142 is used to generate a source of light, more specifically, in this embodiment, a flow of photons. The optical module 144 operably coupled to the light source 142 receives the photon flow from the light source 142 and shapes, directs, or otherwise modulates the photon flow from the light source 142. The optical module 144 includes a beam modulator and a beam scanner, which is located downstream of the beam modulator (relative to the light source 142). The beam modulator receives a photon stream from the light source 142 and produces a photon beam from the photon stream. For example, a beam modulator can be used to generate a beam of photons with a single focal point by shaping the flow of photons from the light source 142. A beam scanner is used to receive a beam of photons from a beam modulator and scan the beam of photons onto the surface 103 of component 104. As such, beam scanners are used to direct, deflect, and otherwise control the beam of photons, such as through the use of electromechanical actuators.

[0057]レンズ146は、光学モジュール144から、より具体的にはビームスキャナから光子のビームを受け取って、光子のビームをコンポーネント104の表面103に分配するために使用される。光学モジュール144のビーム変調器が、光子の流れをフォーカスして、光子の単一焦点ビームなどの光子のビームにするために、使用されるので、レンズ146は、光子のビームをデフォーカスして、所定の面積または領域全体に均等に分配するために、使用される。例えば、レンズ146を使用して、光子のビームを約355mmの面積全体に分配することができる。コンポーネント104の表面103全体に分配された光子のビームは、コンポーネント104の表面103上のくぼみおよび/または隆起などの、1つ以上のテクスチャリングされたフィーチャをコンポーネント104の表面103上に形成するために使用される。 [0057] Lens 146 is used to receive a beam of photons from the optical module 144, more specifically from a beam scanner, and distribute the beam of photons to the surface 103 of component 104. The lens 146 defocuses the photon beam because the beam modulator of the optical module 144 is used to focus the photon flow into a photon beam, such as a photon single focus beam. , Used to evenly distribute over a given area or area. For example, a lens 146 can be used to distribute a beam of photons over an area of about 355 mm 2. A beam of photons distributed across the surface 103 of the component 104 to form one or more textured features on the surface 103 of the component 104, such as depressions and / or ridges on the surface 103 of the component 104. Used for.

[0058]レーザーデバイス116は、レーザーデバイス116から放出され、コンポーネント104の表面103に走査される光子のビームの出力、速度、周波数、方向、分配、および/またはパルスを制御するために使用される。例えば、光源142および/または光学モジュール144を使用して、光子のビームがコンポーネント104の表面103に走査されている間、光子のビームをパルス化することができる。さらに、光学モジュール144のビームスキャナを使用して、光子のビームを方向付け、または1つ以上の所定のパターンでコンポーネント104の表面103に走査することができる。一実施形態では、ビームスキャナを使用して、ラインバイラインパターン、スズメパターン、および/またはランダムパターンを使用して光子のビームを走査することができる。スズメパターンは、コンポーネント104の表面103の中央または中心領域に対してアウトツーインまたはインツーアウトパターンで、光子のビームを走査し、したがって、ラインバイラインパターンとは対照的に、放射状パターンで動作することを含む。 The laser device 116 is used to control the output, velocity, frequency, direction, distribution, and / or pulse of a beam of photons emitted from the laser device 116 and scanned onto the surface 103 of the component 104. .. For example, the light source 142 and / or the optical module 144 can be used to pulse the photon beam while it is being scanned onto the surface 103 of the component 104. In addition, the beam scanner of the optical module 144 can be used to direct the beam of photons or scan the surface 103 of the component 104 in one or more predetermined patterns. In one embodiment, a beam scanner can be used to scan a beam of photons using line-by-line patterns, sparrow patterns, and / or random patterns. The sparrow pattern scans the beam of photons in an out-to-in or in-to-out pattern with respect to the central or central region of the surface 103 of the component 104 and therefore operates in a radial pattern as opposed to a line-by-line pattern. Including that.

[0059]レーザーデバイス116はまた、レンズ146からコンポーネント104の表面103に向かって垂直または水平に光子のビームを分配および走査するために使用される。支持面190を含む支持体122が、レーザー機械100と共に使用されているのが示されており、レンズ146と支持体122との間にコンポーネント104が配置されている。光子のビームがコンポーネント104の表面103に向かって垂直に分配される図11に示される配置では、支持面190は、支持体122上でコンポーネント104を支持するために使用され、したがって、コンポーネント104は、支持体122の支持面190上に配置されている。光子のビームがコンポーネント104の表面103に向かって水平に分配される図12に示される配置では、支持体122の支持面190は、コンポーネント104の後ろの障壁として使用される。図12に示される水平配置の利点は、材料が溶けたときなどに、重力を使用して材料をコンポーネント104の表面103から引き離すことができることである。これにより、材料が表面に再堆積または形成されることができる場合よりも、プロセスをクリーンにすることができる。 The laser device 116 is also used to distribute and scan a beam of photons vertically or horizontally from the lens 146 towards the surface 103 of the component 104. The support 122, including the support surface 190, has been shown to be used with the laser machine 100, with the component 104 disposed between the lens 146 and the support 122. In the arrangement shown in FIG. 11, where the beam of photons is distributed perpendicularly to the surface 103 of the component 104, the support surface 190 is used to support the component 104 on the support 122, thus the component 104 , Is arranged on the support surface 190 of the support 122. In the arrangement shown in FIG. 12, where the beam of photons is distributed horizontally towards the surface 103 of the component 104, the support surface 190 of the support 122 is used as a barrier behind the component 104. The advantage of the horizontal arrangement shown in FIG. 12 is that gravity can be used to pull the material away from the surface 103 of the component 104, such as when the material melts. This allows the process to be cleaner than if the material could be redeposited or formed on the surface.

[0060]さらに図11および図12を参照すると、レーザー機械100と共に使用するためのクリーンエンクロージャ150またはクリーンコンパートメントが含まれている。クリーンエンクロージャ150は、一般に、支持体122が配置される処理領域151を含む。例えば、コンポーネント104は、テクスチャリングプロセス中、クリーンエンクロージャ150内に配置され、クリーンエンクロージャ150の処理領域151は、ISO14644−1からの分類パラメータによるクラス1環境として処理領域を維持することができる濾過システムを含む。さらに、支持体122およびレンズ146などのレーザーデバイス116の少なくとも一部が、クリーンエンクロージャ150内に配置される。レーザー機械100は、与圧されていない(例えば、大気圧)環境内で使用されるので、クリーンエンクロージャ150内の圧力は、大気圧とほぼ同等もしくはおおよそ大気圧とすることができ、または圧力が調整されていなくてもよい。クリーンエンクロージャ150は、酸素、水、および/または他のプロセス汚染物質を除去するために、代替的および/または追加的に、不活性ガス(例えば、N)でパージされ得る。さらに、コンベヤを使用して、コンポーネント104をクリーンエンクロージャ150内そして支持体122上に導入することができ、および/またはコンベヤを使用して、コンポーネント104を支持体122から取り除き、クリーンエンクロージャ150から出すことができる。例えば、支持体122は、そのような実施形態ではコンベヤを含み得る。あるいは、別個のロボットアームまたは同様の機構を使用して、コンベヤからコンポーネント104を取り外すこと、および/またはコンベヤ上にコンポーネント104を配置することを容易にすることができる。 Further referring to FIGS. 11 and 12, a clean enclosure 150 or clean compartment for use with the laser machine 100 is included. The clean enclosure 150 generally includes a processing area 151 in which the support 122 is located. For example, the component 104 is placed in the clean enclosure 150 during the texturing process, and the processing area 151 of the clean enclosure 150 can maintain the processing area as a class 1 environment according to the classification parameters from ISO 14644-1. including. In addition, at least a portion of the laser device 116, such as the support 122 and the lens 146, is located within the clean enclosure 150. Since the laser machine 100 is used in an unpressurized (eg, atmospheric pressure) environment, the pressure in the clean enclosure 150 can be approximately equal to or approximately atmospheric pressure, or the pressure is high. It does not have to be adjusted. Clean enclosure 150, oxygen, water, and / or to remove other process contaminants, alternatively and / or additionally, an inert gas (e.g., N 2) may be purged with. In addition, a conveyor can be used to introduce the component 104 into the clean enclosure 150 and onto the support 122, and / or a conveyor can be used to remove the component 104 from the support 122 and out of the clean enclosure 150. be able to. For example, the support 122 may include a conveyor in such an embodiment. Alternatively, a separate robot arm or similar mechanism can be used to facilitate the removal of the component 104 from the conveyor and / or the placement of the component 104 on the conveyor.

[0061]図13は、ビードブラストプロセス302を使用してテクスチャリングされたコンポーネント、本明細書に記載の実施形態によるレーザープロセス304を使用してテクスチャリングされたコンポーネント、および半導体処理チャンバ内で使用されるコンポーネントに一般的に必要とされる仕様306の平均的な元素の結果を比較するグラフ表示を示す。x軸は、各コンポーネントでテストされた様々な元素(微量金属など)を提供し、y軸は、原子/cmの単位でコンポーネントの表面にある元素の量を提供する。示されるように、レーザープロセス304を使用してテクスチャリングされたコンポーネントは、一般に、仕様306によって要求されるものよりも少ない元素または微量金属を有し、また、一般に、ビードブラストプロセス302を使用してテクスチャリングされたものよりも少ない元素または微量金属を有した。例えば、ビードブラストプロセス302で使用されるビードは、一般にナトリウム(Na)を含むので、ビードブラストプロセス302とは対照的に、レーザープロセス304を使用してテクスチャリングされたコンポーネントは、ナトリウムの量が著しく減少した。レーザープロセス304を使用してテクスチャリングされたコンポーネントは、一般に、より多くの量のマグネシウム(Mg)を有する可能性があるが、これらのコンポーネントは、その後、希酸および高純度水(例えば、高温脱イオン水)を使用して洗浄され、過剰なマグネシウムを除去することができる。したがって、レーザープロセス304を使用してテクスチャリングされたコンポーネントは、ビードブラストプロセス302を使用してテクスチャリングされたコンポーネント(歩留まりが約50%であると予想される)と比較して、その後の半導体処理中に、約95%などのより高い歩留まりをもたらした。 FIG. 13 shows a component textured using the bead blast process 302, a component textured using the laser process 304 according to the embodiments described herein, and used in a semiconductor processing chamber. Shown is a graphical representation comparing the results of the average elements of specification 306 commonly required for the components to be made. The x-axis provides the various elements tested on each component (such as trace metals) and the y-axis provides the amount of elements on the surface of the component in units of atoms / cm 2. As shown, components textured using the laser process 304 generally have less elements or trace metals than those required by specification 306 and generally use the bead blast process 302. Had less elements or trace metals than those textured. For example, the beads used in the bead blasting process 302 generally contain sodium (Na), so in contrast to the bead blasting process 302, the components textured using the laser process 304 have a higher amount of sodium. It decreased significantly. Components textured using the laser process 304 may generally have a higher amount of magnesium (Mg), but these components are then then diluted acid and high purity water (eg, high temperature). It can be washed with deionized water) to remove excess magnesium. Therefore, a component textured using the laser process 304 will be compared to a component textured using the bead blast process 302 (yield is expected to be about 50%) and subsequent semiconductors. During the process, it resulted in higher yields such as about 95%.

[0062]上記は、本開示の実施態様に向けられているが、本開示の他のおよびさらなる実施態様が、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく考案されてもよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
Although the above is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the basic scope of the present disclosure. The scope is determined by the following claims.

Claims (15)

半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供するためのシステムであって、
処理領域を含むエンクロージャ、
前記処理領域に配置され、支持面を備える支持体、
光子の流れを生成するための光子光源、
前記光子光源から光子の前記流れを受け取るように前記光子光源に動作可能に結合された光学モジュールであって、
前記光子光源から生成された光子の前記流れから光子のビームを生成するためのビーム変調器、および
前記コンポーネントの前記表面に光子の前記ビームを走査するためのビームスキャナ、
を備える光学モジュール、ならびに
前記ビームスキャナから光子の前記ビームを受け取り、約345nmから約1100nmの範囲の波長の光子の前記ビームを前記コンポーネントの前記表面に分配して、前記コンポーネント上に複数のフィーチャを形成するためのレンズ、
を備えるシステム。
A system for providing texture to the surface of components for use in semiconductor processing chambers.
Enclosure containing processing area,
A support arranged in the processing area and having a support surface,
Photon light source for generating photon flow,
An optical module operably coupled to the photon light source so as to receive the flow of photons from the photon light source.
A beam modulator for generating a beam of photons from the flow of photons generated from the photon light source, and a beam scanner for scanning the beam of photons on the surface of the component.
The beam of photons is received from the beam scanner and the beam of photons having a wavelength in the range of about 345 nm to about 1100 nm is distributed to the surface of the component to generate a plurality of features on the component. Lens to form,
System with.
前記レンズが、光子の前記ビームを水平に前記コンポーネントの前記表面に向かって分配するように構成されている、請求項1に記載のシステム。 The system of claim 1, wherein the lens is configured to horizontally distribute the beam of photons towards the surface of the component. 前記レンズが、光子の前記ビームを垂直に前記コンポーネントの前記表面に向かって分配するように構成されている、請求項1に記載のシステム。 The system of claim 1, wherein the lens is configured to vertically distribute the beam of photons towards the surface of the component. 前記コンポーネントが、前記レンズと前記支持体の間に配置され、前記処理領域が、クラス1環境として維持され、前記支持体の前記支持面と前記レンズが、前記クラス1環境内に配置され、前記処理領域が、大気圧とほぼ同等の圧力を備え、前記システムが、前記コンポーネントを前記クラス1環境内に導入し、または前記コンポーネントを前記クラス1環境から取り除くためのコンベヤを、さらに備える、請求項1に記載のシステム。 The component is placed between the lens and the support, the processing area is maintained as a class 1 environment, and the support surface of the support and the lens are placed in the class 1 environment. Claim that the processing area has a pressure approximately equal to atmospheric pressure, and the system further comprises a conveyor for introducing the component into the class 1 environment or removing the component from the class 1 environment. The system according to 1. 前記ビームスキャナが、ラインバイラインパターンまたはスズメパターンを使用して、前記コンポーネントの前記表面に光子の前記ビームを走査するように構成されている、請求項1に記載のシステム。 The system of claim 1, wherein the beam scanner is configured to scan the beam of photons onto the surface of the component using a line-by-line pattern or a sparrow pattern. 前記光学モジュールが、前記コンポーネントの前記表面に光子の前記ビームを走査している間、光子の前記ビームをパルス化するように構成されている、請求項1に記載のシステム。 The system of claim 1, wherein the optical module is configured to pulse the beam of photons while scanning the beam of photons on the surface of the component. 光子の前記ビームが、
約7μmから約100μmの範囲のビーム径、
約10psから約30nsの範囲のパルス幅、および
約10KHzから約200KHzの範囲のパルス繰り返し率、
を備える、請求項6に記載のシステム。
The beam of photons
Beam diameter in the range of about 7 μm to about 100 μm,
Pulse widths in the range of about 10 ps to about 30 ns, and pulse repetition rates in the range of about 10 KHz to about 200 KHz,
The system according to claim 6.
形成される前記フィーチャが、くぼみ、隆起、またはそれらの組み合わせを含む、請求項1に記載のシステム。 The system of claim 1, wherein the features formed include indentations, ridges, or a combination thereof. 半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供する方法であって、
光子の流れを生成すること、
光子の前記流れをビームに成形すること、
大気圧とほぼ同等の圧力を有する周囲空気または窒素のガス濃度を含む処理領域を通して、前記コンポーネントの前記表面に向かって光子の前記ビームを走査すること、および
前記コンポーネントの前記表面に光子の前記ビームを分配して、前記表面上に複数のフィーチャを形成すること、
を含む方法。
A method of providing a texture to the surface of a component for use in a semiconductor processing chamber.
Generating a flow of photons,
Forming the flow of photons into a beam,
Scanning the beam of photons toward the surface of the component through a processing area containing a gas concentration of ambient air or nitrogen having a pressure approximately equal to atmospheric pressure, and the beam of photon on the surface of the component. To form multiple features on the surface,
How to include.
前記半導体処理チャンバを前記コンポーネントとともに組み立てること、および前記半導体処理チャンバ内で半導体を処理すること、をさらに含む、請求項9に記載の方法。 9. The method of claim 9, further comprising assembling the semiconductor processing chamber with the components and processing semiconductors within the semiconductor processing chamber. クラス1環境として維持されたエンクロージャ内に前記コンポーネントを配置することを、さらに含み、前記配置することが、コンベヤを使用して前記コンポーネントを前記クラス1環境内に運ぶことを含む、請求項9に記載の方法。 9. The provision further comprises placing the component in an enclosure maintained as a Class 1 environment, the placement comprising transporting the component into the Class 1 environment using a conveyor. The method described. 分配することが、光子の前記ビームを水平に前記コンポーネントの前記表面に向かって分配することを含む、請求項9に記載の方法。 9. The method of claim 9, wherein the distribution comprises distributing the beam of photons horizontally towards the surface of the component. 前記コンポーネントの前記表面に光子の前記ビームを走査している間、光子の前記ビームをパルス化することを、さらに含み、光子の前記ビームが、約345nmから約1100nmの範囲の波長を含み、形成される前記フィーチャが、くぼみ、隆起、またはそれらの組み合わせを含む、請求項9に記載の方法。 Further comprising pulsing the beam of photons while scanning the beam of photons on the surface of the component, the beam of photons comprising wavelengths in the range of about 345 nm to about 1100 nm and formed. 9. The method of claim 9, wherein the features to be made include indentations, ridges, or a combination thereof. 半導体処理チャンバで使用するためのコンポーネントの表面にテクスチャを提供するためのシステムであって、
大気圧とほぼ同等の圧力を有するクラス1環境として維持された処理領域を含むエンクロージャ、
前記処理領域に配置され、支持面を備える支持体、
光子の流れを生成するための光子光源、
前記光子光源から光子の前記流れを受け取るように前記光子光源に動作可能に結合された光学モジュールであって、
前記光子光源から生成された光子の前記流れから光子のビームを生成するためのビーム変調器、および
前記コンポーネントの前記表面に光子の前記ビームを走査するためのビームスキャナ、
を備える光学モジュール、ならびに
前記ビームスキャナから光子の前記ビームを受け取り、前記コンポーネントの前記表面に約345nmから約1100nmの範囲の波長の光子の前記ビームを分配して、前記コンポーネント上に複数のフィーチャを形成するように、前記処理領域に配置されたレンズ、
を備えるシステム。
A system for providing texture to the surface of components for use in semiconductor processing chambers.
An enclosure containing a processing area maintained as a Class 1 environment with a pressure approximately equal to atmospheric pressure,
A support arranged in the processing area and having a support surface,
Photon light source for generating photon flow,
An optical module operably coupled to the photon light source so as to receive the flow of photons from the photon light source.
A beam modulator for generating a beam of photons from the flow of photons generated from the photon light source, and a beam scanner for scanning the beam of photons on the surface of the component.
The beam of photons is received from the beam scanner, and the beam of photons having a wavelength in the range of about 345 nm to about 1100 nm is distributed to the surface of the component to generate a plurality of features on the component. Lenses arranged in the processing area to form,
System with.
前記レンズが、光子の前記ビームを水平に前記コンポーネントの前記表面に向かって分配するように構成されている、請求項14に記載のシステム。
14. The system of claim 14, wherein the lens is configured to horizontally distribute the beam of photons towards the surface of the component.
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