JP2021515399A - 電子パワーデバイス用のケーシングおよび放熱体を形成するバスバーアセンブリ - Google Patents

Abstract

本発明によるバスバーアセンブリは、中心軸（Ｃ）の周りに、接続されてかつ電気的に接触して配置されている複数のバスバーセクタ（Ｓ１からＳ６まで）と、中心軸に対して垂直な上部塞ぎ板および下部塞ぎ板（ＢＰＤ）とを含み、バスバーセクタは各々、外側バスバー部分（Ｂ１１からＢ１６まで）と、複数の内部空間の範囲を定める少なくとも１つの内側バスバー部分（Ｂ２１からＢ２６まで、Ｂ３１からＢ３６まで）とを含み、上部塞ぎ板および下部塞ぎ板はバスバー部分の上面および下面それぞれに接触しており、バスバー部分は「プレスパック」と呼ばれるタイプの複数の電気的接触面を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、２０１８年２月２７日に出願されたフランス特許出願公開第１８５１６８９号の優先権を主張するものであり、その内容（文章、図面、および特許請求の範囲）は参照により本明細書に組み込まれる。

本発明は、一般に、パワーエレクトロニクス分野に関する。より詳細には、本発明は、限定されないが電流インバータおよび電力変換器などの電子パワーデバイス用のケーシングおよび放熱体を形成するバスバーアセンブリに関する。また、本発明は、前述のバスバーアセンブリを組み込んでいる電子パワーデバイスに関する。

電流インバータおよび電力変換器などの電子パワーデバイスが、輸送、工業、照明、加熱等の多数の活動分野において非常に広く行き渡っている。ＣＯ_２排出がより少ない再生可能エネルギー源に向かう所望のエネルギー遷移のために、パワーエレクトロニクスがさらに一層普及するようになり、増大する経済的制約および技術的制約に対応しなければならなくなるであろう。

電子パワーデバイスの分野における現在の研究開発が、特に、コストを削減すること、より高いコンパクト性のために電力密度を改善すること、信頼性を向上させること、寄生素子および電磁放射を減少させること、および消散エネルギーを熱的に伝達することに重点を置いている。

今日の炭化ケイ素（ＳｉＣ）および窒化ガリウム（ＧａＮ）および間もなくダイヤモンドなどの新しい電力半導体の可用性は、より高い電流密度、増大した転流周波数、およびより高い電圧を有する電子パワーデバイスの設計を可能にする。さらに、電子パワーデバイスにおけるこれらの新しい半導体の効果的な使用はコンパクト性の向上をもたらす。

電子パワーデバイスのコンパクト性は、特に、解放された熱を除去しかつ耐電圧を確実にする必要性により制約される。より大きな放電リスクが、異なる電位を有する構成要素間の距離の増大を課すことが多いので、電圧の増大が変換器のコンパクト性を阻止する。構成要素により許容可能な最大電力密度は、接合部温度を臨界値より下に維持するために切り替えられる電流の振幅を制限する。効果的な冷却デバイスが、デバイスの熱平衡を維持するのに不可欠である。

コンパクト性の探索と様々な設計制約を順守することとの間の最良の可能性のある妥協を達成するために、抵抗性の、誘導性の、かつ容量性の寄生素子を減少させることが不可欠である。電力バスバーにおける寄生インダクタンスがスイッチング周波数の上昇を妨げる。スイッチング周波数の上昇はコンパクト性にとって好ましいが、スイッチング損失、および構成要素により消散される電力を増大させる。潜在的に破壊的な過剰な電圧から回路を保護し、電磁放射の制御を向上させ、生成される熱を減少させ、かつスイッチング速度を上げるために、寄生インダクタンスを低減する必要がある。

電子パワーデバイスの高められたコンパクト性の探索は、熱平衡を達成しかつ信頼性を確実にするために、温度を臨界値より下に維持することができる能動素子および受動素子を必要とする。構成要素に可能な限り近接して消散エネルギーを取り出すことが望ましい。構成要素から成る熱源と熱散逸手段から成るヒートシンクとの間の熱経路は最適化されなければならない。

電子パワーデバイスに適用される様々な制約は、各々ブリッジのスイッチング経路に対応する「電力モジュール」と呼ばれる基本的な電力スイッチングモジュールを有する、スイッチングブリッジのモジュール設計をもたらした。

３Ｄ設計が、パワーチップの両面冷却を有しかつ電子パワーデバイスのコンパクト性を高めるために一定の利益を有する電力モジュールに関して提案されている。

信頼性を向上させるために、詳細には熱サイクルが厳しい用途において、所謂「プレスパック」技術は、熱サイクルに因り機械的拘束に関係して劣化する溶接を排除するために使用される。「プレスパック」技術では、構成要素を定位置に接触した状態で維持する機械プレスまたはクランプ手段を使用して、電気的接触がもたらされる。また、「プレスパック」技術は、デバイスの分解およびしたがってそれらの修理を容易にするという利点を有する。

現在、前述の設計制約を満たすことにおいてより良い妥協を可能にし、かつ新規の電力半導体ＳｉＣおよびＧａＮならびに３Ｄ技術および「プレスパック」技術に適合されることを目的としている、よりコンパクトな最適化された電子パワーデバイスを製造するために、バスバーの新規のモジュール設計を提案することが有利であるように思われる。

第１の態様によれば、本発明は、中心軸の周りに、接続されてかつ電気的に接触して配置されている複数のバスバーセクタと、中心軸に対して垂直な上部塞ぎ板および下部塞ぎ板とを含む電子パワーデバイス用のケーシングおよび放熱体を形成するバスバーアセンブリに関し、バスバーセクタは各々、外側バスバー部分と、複数の内部空間の範囲を定める少なくとも１つの内側バスバー部分とを含み、上部塞ぎ板および下部塞ぎ板はバスバー部分の上面および下面それぞれに接触しており、バスバー部分は所謂「プレスパック」タイプの複数の電気的接触面を含む。

ある特性によれば、複数のバスバーセクタの外側バスバー部分は外面上に冷却フィンを含む。

別の特性によれば、複数のバスバーセクタのバスバー部分は銅および／またはアルミニウムで作製されており、プロファイルドバーを成形することおよび／または機械加工することおよび／または切削することにより製造される。

別の特性によれば、バスバーアセンブリは、接続面の隣接する外側バスバー部分間にかつ上部塞ぎ板および下部塞ぎ板と外側バスバー部分との間に配置されているシールを含む。

別の特性によれば、上部塞ぎ板および下部塞ぎ板は積層されており、各々、中心誘電体層と、該中心誘電体層の両面上に２つの導電板とを含み、該導電板はバスバー部分と電気的に接触している。

別の特性によれば、誘電体層は少なくとも１つの埋込み電子回路および／または能動もしくは受動埋込み電子部品を含む。

別の特性によれば、前記上部塞ぎ板および前記下部塞ぎ板の少なくとも１つは所謂「ＩＭＳ」タイプである。

別の特性によれば、導電板は銅および／またはアルミニウムで作製されている。

別の特性によれば、前記バスバーセクタの各々において、複数の内部空間は、外側バスバー部分の電気的接触面と第１の内側バスバー部分の電気的接触面との間に範囲を定められている第１の内部空間を含み、該第１の内部空間は電子電力回路の「プレスパック」タイプの設置を対象とする。

別の特性によれば、バスバーセクタの各々において、複数の内部空間は、第１の内側バスバー部分と中心軸との間に収容されている少なくとも１つの他の内部空間を含む。

別の特性によれば、バスバーセクタの各々において、複数の内部空間は、第１の内側バスバー部分と第２の内側バスバー部分との間に収容されている第２の内部空間と、第２の内側バスバー部分と中心軸との間に収容されている第３の内部空間とを含む。

添付図面を参照して、本発明の特定の実施形態の以下の詳細な説明を読むと、他の利点および特性がより明らかになるであろう。

本発明によるバスバーアセンブリの特定の実施形態を示す斜視図である。 本発明によるバスバーアセンブリの特定の実施形態を示す斜視図である。 図１および図２のバスバーアセンブリ内に含まれているバスバーセクタを示す簡略設計図である。 図１および図２のバスバーアセンブリ内に含まれている塞ぎ板の簡略部分断面図である。 図５Ａ〜図５Ｃは、図１および図２のバスバーアセンブリ内に含まれている塞ぎ板とバスバー部分との様々な組立てを示す簡略部分断面図である。 図５Ａ〜図５Ｃは、図１および図２のバスバーアセンブリ内に含まれている塞ぎ板とバスバー部分との様々な組立てを示す簡略部分断面図である。 図５Ａ〜図５Ｃは、図１および図２のバスバーアセンブリ内に含まれている塞ぎ板とバスバー部分との様々な組立てを示す簡略部分断面図である。

本発明によるバスバーアセンブリの特定の実施形態ＣＯＮＶが図１および図２に示されている。このバスバーアセンブリは、パックまたは円筒形ディスクの外観を有する。

バスバーアセンブリＣＯＮＶは、バスバーの複数のセクタＳ１からＳ６までと、上部塞ぎ板ＢＰ_Ｕおよび下部塞ぎ板ＢＰ_Ｄとを本質的に含む。本実施形態では、バスバーの６つのセクタＳ１からＳ６までが存在する。当然、本発明において、バスバーのセクタの数は６つに限定されない。この数は、本発明が実施される用途によって決まる。

バスバーのセクタＳ１からＳ６までは同様の設計を有し、中心軸Ｃの周りに円形に接続されて配置されている。この場合、バスバーの各セクタＳ１からＳ６までは６０°の角度セクタを占める。

本特定の実施形態では、バスバーのセクタＳ１からＳ６までは各々、外側バスバー部分と、第１の内側バスバー部分および第２の内側バスバー部分とから形成されている。バスバー部分は、アルミニウムまたは銅などの導電性金属から形成されている。バスバー部分はプロファイルドバーを成形することおよび／または機械加工することおよび／または切削することにより製造されることが可能であろう。

バスバーの任意のセクタＳｎを考慮に入れて、外側バスバー部分はＢ_１ｎに指定されており、第１の内側バスバー部分および第２の内側バスバー部分はそれぞれ、Ｂ_２ｎおよびＢ_３ｎに指定されている。

図２に示されている通り、外側バスバー部分Ｂ_１１からＢ_１６までは、中心軸Ｃの周りに壁を形成するように配置されており、これはディスクの形状の円形ケーシングの外側壁である。内側バスバー部分Ｂ_２１からＢ_２６までは、中心軸Ｃの周りに、外側バスバー部分Ｂ_１１からＢ_１６までにより形成されている外側壁により範囲を定められている空間内に置かれている第１の内側壁を形成するように配置されている。内側バスバー部分Ｂ_３１からＢ_３６までは、中心軸Ｃの周りに、内側バスバー部分Ｂ_２１からＢ_２６までにより形成されている第１の内側壁により範囲を定められている空間内に置かれている第２の内側壁を形成するように配置されている。

外側壁ならびに第１の内側壁および第２の内側壁それぞれを形成するバスバー部分Ｂ_１ｎ、Ｂ_２ｎおよびＢ_３ｎは、中心軸Ｃを含む接続面Ｐ_１からＰ_６までに配置されておりかつ上部塞ぎ板ＢＰ_Ｕおよび下部塞ぎ板ＢＰ_Ｄに対して垂直である長手方向対向端部により２つ１組みで接続されている。同じ側壁のバスバー部分は電気的に導通している。したがって、外側壁ならびに第１の内側壁および第２の内側壁は各々、電気バスバーを形成している。

図１および図２に認められる通り、バスバー部分Ｂ_１１からＢ_１６までは、その半円内の外側面上に形成されている複数の冷却フィンを含む。したがって、外側壁は熱放散体（ｔｈｅｒｍａｌ ｄｉｓｓｉｐａｔｏｒ）を形成している。

バスバー部分Ｂ_１ｎ、Ｂ_２ｎおよびＢ_３ｎを含むバスバーセクタＳｎ、ならびにこれらの部分間に設けられている内部空間Ｅ１、Ｅ２およびＥ３は、ここで、図３を参照して詳細に記載される。

図３においてＦ２に指定されている半円形外側面に加えて、バスバー部分Ｂ_１ｎは、詳細には実質的に平面の２つの傾斜した接続面Ｆ１と、実質的に平面の内面Ｆ３とを含む。

図３において１０に指定されている冷却フィンは、半円形外側面Ｆ２から径方向外向きに延在している。２つの接続面Ｆ１は該部分の長手方向対向端部を形成しており、対称中心軸ＡＣに対して角度αで傾斜している。

本実施形態において６０°の角度セクタを占めるバスバーセクタＳｎでは、この場合の角度αは３０°である。バスバーアセンブリＣＯＮＶでは、バスバーセクタＳｎの実質的に平面の接続面Ｆ１は、したがって、相当する接続面（図２のＰ１からＰ６まで参照）において、隣接するバスバーセクタＳ（ｎ＋１）およびＳ（ｎ−１）の相当する接続面Ｆ１と接触している。ここで、接続面Ｆ１を説明するために本明細書に用いられている「平面の」という用語は、厳密に解釈されるべきでないことに留意すべきである。実際、以下により詳細に記載される通り、これらの接続面Ｆ１は、通常、シールを収容するための溝部などの装置を含む。また、取外し可能な機械的取付け手段がこれらの接続面Ｆ１上に配置され得る。

実質的に平面の内面Ｆ３は、電子電力回路（図示せず）を有するクランプ接触面である。接続面Ｆ１に関して示されている通り、内面Ｆ３を説明するために本明細書に用いられている「平面の」という用語は、用途に応じて様々な装置が設けられ得ると仮定すると、厳密に解釈されるべきでない。

バスバー部分Ｂ_２ｎは、詳細には、該部分の長手方向対向端部を形成する２つの接続面Ｆ４と、第１の面Ｆ５および第２の面Ｆ６とを含む。

バスバー部分Ｂ_１ｎの面Ｆ１と同様に、２つの接続面Ｆ４は対称中心軸ＡＣに対して角度αで傾斜している。接続面Ｆ４は、隣接するバスバーセクタとの接続面（図２のＰ１からＰ６まで参照）に相当する。

第１の面Ｆ５は、前述の電子電力回路を有するクランプ接触面である。図３に示されている通り、チャネル１１がこの第１の面Ｆ５に配置されており、通常、熱伝達機能および／または耐火機能および／または電気絶縁機能を有する液体を循環させるかまたは交換することを目的としている。当然、他の実施形態では、またもしくは排他的に、液体チャネルがバスバー部分Ｂ_１ｎの内面Ｆ３に形成され得ると考えられる。ここで、耐火機能および電気絶縁機能は、放電および発火が開始されることと、したがってケーシングの連続的な可能性のある劣化とを回避することを可能にすることに留意すべきである。

面Ｆ３および面Ｆ５は、バスバー部分Ｂ_１ｎとＢ_２ｎとの間の、前述の電子電力回路の「プレスパック」タイプの組立てに適している。内部空間Ｅ１が面Ｆ３と面Ｆ５との間に配置されており、電子電力回路を受容することを目的としている。

通常、バスバー部分Ｂ_１ｎおよびＢ_２ｎは、バスバー間で連続電圧の負極性（−）および正極性（＋）になることを目的としており、該負極性（−）は接地極性に相当する。スイッチングブリッジを使用する電子パワーデバイスにおいて、電子電力回路は、通常、スイッチングブリッジの経路に対応する電力モジュールとなるであろう。６つのバスバーセクタを有する、バスバーアセンブリの、本明細書に記載されている実施形態は、例えば、６相電気モータに電力を供給する６つの経路を有するスイッチングブリッジに適するであろう。

バスバー部分Ｂ_２ｎの第２の面Ｆ６は、バスバー部分Ｂ_３ｎの実質的に平面の第１の面Ｆ７に対向して配向されている実質的な平面である。この場合、第２の面Ｆ６と第１の面Ｆ７とは略平行であり、第２の内部空間Ｅ２を画定している。

第１の面Ｆ７に加えて、バスバー部分Ｂ_３ｎは、詳細には、該部分の長手方向対向端部を形成している２つの接続面Ｆ８と、第２の面Ｆ９とを含む。

バスバー部分Ｂ_１ｎの面Ｆ１と同様に、２つの接続面Ｆ８が対称中心軸ＡＣに対して角度αで傾斜している。該接続面Ｆ８は、隣接するバスバーセクタとの接続面（図２のＰ１からＰ６まで参照）に相当する。ここで、溝部１２が、インデックスかつ／またはクランプ手段（図示せず）を収容するために接続面Ｆ８に設けられている。

第２の面Ｆ９は実質的に平面であり、第１の面Ｆ７に平行であり、バスバーアセンブリＣＯＮＶの中心内部空間Ｅ３の範囲を定めている。

バスバーアセンブリＣＯＮＶによって提供される電子パワーデバイスによれば、バスバーのセクタＳ１からＳ６までの内部空間Ｅ２およびＥ３は、例えばエネルギー貯蔵手段を収容すること、ならびに／または熱伝達機能および／もしくは耐火機能および／もしくは電気絶縁機能を有する液体を循環させることもしくは交換することなど、様々な機能を実施し得ると考えられる。ここで、耐火機能ならびに電気絶縁機能は、放電および発火が開始されることと、したがってケーシングの連続的な可能性のある劣化とを回避することを可能にすることに留意すべきである。

したがって、例えば、スイッチングブリッジを使用する電子パワーデバイスでは、空間Ｅ２は容量性濾過手段を収容することに特化され得ると考えられ、空間Ｅ３は、熱伝達液体および／または耐火液体および／または電気的絶縁液体を循環させることもしくは交換することに特化され得ると考えられる。この場合、容量性濾過手段は、複数の部分Ｂ_２ｎおよび複数の部分Ｂ_３ｎにより形成されているバスバー間に接続され得ると考えられる。複数の部分Ｂ_３ｎにより形成されているバスバーは、本例などでは、面Ｆ６と面Ｆ７との間での容量性濾過手段の「プレスパック」電気的接続のために、複数の部分Ｂ_１ｎに電気的に結合され得ると考えられる。容量性濾過手段は、例えば、複数の空間Ｅ２内に分配されている複数の多層セラミックコンデンサにより形成され得ると考えられる。他の用途では、空間Ｅ２は、例えば、熱伝達液体および／または耐火液体および／または電気的絶縁液体を循環させることまたは交換することに特化され得ると考えられ、空間Ｅ３は、例えばコンデンサ、超コンデンサ、リチウムイオン電池等の形の、エネルギー貯蔵手段に特化され得ると考えられる。

バスバー部分間の電子部品の「プレスパック」組立ては、必要なクランプまたは絶縁ねじ通路を通して取り付けられているねじが短絡を回避することを確実にする弾性ファスナなどの既知の組立て技術を用いるであろう。

ここで、バスバーアセンブリＣＯＮＶの円形ディスク形状は、前記アセンブリが電気回転機械、例えばトラクションモータまたは回生ブレーキシステムと関連する可逆的機械、への組込みに完全に適していることを意味することに留意すべきである。

上部塞ぎ板ＢＰ_Ｕおよび下部塞ぎ板ＢＰ_Ｄ、ならびにバスバー部分とのそれらの配置が、ここで、図４ならびに図５Ａ、図５Ｂおよび図５Ｃを参照して、以下に記載される。

図１および図２から明らかであるように、上部塞ぎ板ＢＰ_Ｕおよび下部塞ぎ板ＢＰ_Ｄは、ケーシングを形成するために、上部および下部においてバスバーアセンブリＣＯＮＶを閉鎖する第１の機能を有する。上部塞ぎ板ＢＰ_Ｕおよび下部塞ぎ板ＢＰ_Ｄはバスバー部分の上面および下面それぞれに接触している。

図４に示されている通り、上部塞ぎ板ＢＰ_Ｕおよび下部塞ぎ板ＢＰ_Ｄは、各々が中心誘電体層ＣＣと２つの導電板ＢＰ１およびＢＰ２とを含む積層板である。該中心誘電体層ＣＣは２つの導電板ＢＰ１とＢＰ２との間に挟まれている。通常、板ＢＰ_ＵおよびＢＰ_Ｄを製造するために、ＩＭＳ（絶縁金属基板）技術が用いられ得る。

導電板ＢＰ１およびＢＰ２は、通常、アルミニウムまたは銅で作製されている。板ＢＰ１、ＢＰ２の厚さは、搬送されることが目的とされている電流密度に応じて選択される。導電板ＢＰ１およびＢＰ２は、負極性（−）および正極性（＋）になることが目的とされている第１の直流バスおよび第２の直流バスを形成している。以下の段落では、導電板ＢＰ１は形成されたケーシングの外側に配置されている板であること、および導電板ＢＰ２は形成されたケーシングの内側に配置されている板であることが考慮に入れられるべきである。

ファラデー箱が、外側バスバー部分Ｂ_１ｎおよび導電板ＢＰ１を同じ電位、通常は負極性（−）のグランド電位にすることにより製造される。本発明によるバスバーアセンブリで形成されているケーシングは、このように、電磁両立性（ＥＭＣ）に有利な電磁遮蔽を作り出すことを可能にする。

中心誘電体層ＣＣは、通常、ＦＲ−４などのガラス繊維で補強されているエポキシ樹脂から形成されている。非補強ポリイミドばかりでなく、有機繊維により補強されている樹脂も使用され得ると考えられる。ある用途では、回路または能動電子部品もしくは受動電子部品、例えば制御回路、が、既知の技術を用いて、中心誘電体層ＣＣ内に埋め込まれ得ると考えられる。

ここで、本発明はＳｉＰ（システムインパッケージ）用途に完全に適していることに留意すべきである。

外側バスバー部分Ｂ_１ｎと上部塞ぎ板ＢＰ_Ｕまたは下部塞ぎ板ＢＰ_Ｄとの間の封止組立ての例が図５Ａに示されている。図５Ａは、外側バスバー部分Ｂ_１ｎの接続面Ｆ１上のこの組立てを示す。

この組立てでは、塞ぎ板ＢＰ_Ｕ、ＢＰ_Ｄの導電板ＢＰ１は外側バスバー部分Ｂ_１ｎと電気伝導状態にある。外側バスバー部分Ｂ_１ｎと導電板ＢＰ１との間の機械的取付けは、例えば軸ＦＸ１のねじ（図示せず）により確実にされる。

図５Ａに示されている通り、シール２０および２１、例えばＶｉｔｏｎ（登録商標）シール、が、この接続面Ｆ１において２つの隣接した外側バスバー部分Ｂ_１ｎ間のかつ外側バスバー部分Ｂ_１ｎと塞ぎ板ＢＰ_Ｕ、ＢＰ_Ｄとの間のシールを確実にするために設けられている。シール２０は、接続面Ｆ１の全高に沿って延在している溝部内に入れられており、前記面における封止を確実にする。シール２１は、塞ぎ板ＢＰ_Ｕ、ＢＰ_Ｄ内に収容されている肩状部内に、より正確にはこの肩状部と外側バスバー部分Ｂ_１ｎの面Ｆ３内に収容されている溝部との間に、配置されている。この場合、シール２１は、また、導電板ＢＰ１と外側バスバー部分Ｂ_１ｎとの間の電気的絶縁のために、それらの間の間隔を確実にする。

フィン１０間に配置されている、取外し可能なストラップ手段（図５Ａの矢印ＣＥ参照）がバスバーアセンブリＣＯＮＶを機械的に組み立てるのに使用され得ることに留意すべきである。

バスバー部分Ｂ_２ｎまたはＢ_３ｎと塞ぎ板ＢＰ_ＵまたはＢＰ_Ｄとの間の組立ての第１の例が、図５Ｂに示されている。図５Ｂの組立て例は、導電板ＢＰ２および内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎが同じ電位に設定されることを目的としている事象に対応する。図５Ｂに示されている通り、内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎの端部は、この場合、導電板ＢＰ２に収容されている固定溝部内に入れられているインデックスタブ１２を含む。熱伝達液体および／または耐火液体および／または電気的絶縁液体の通過または交換のためのチャネル１３が、本明細書では、内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎ内に認められる。内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎと塞ぎ板ＢＰ_Ｕ、ＢＰ_Ｄとの間の機械的接続は、例えば絶縁されたねじ通路を通る軸ＦＸ２のねじ（図示せず）により、確実にされる。

内側バスバー部分Ｂ_２ｎまたはＢ_３ｎと塞ぎ板ＢＰ_ＵまたはＢＰ_Ｄとの間の組立ての第２の例が、図５Ｃに示されている。図５Ｃの組立て例は、導電板ＢＰ１と内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎとが同じ電位に設定されることを目的としている場合に対応している。図５Ｃに示されている通り、内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎの端部は、板ＢＰ_Ｕ、ＢＰ_Ｄ内に収容されている溝部１５内に入れられており、これは機械的インデックスおよび導電板ＢＰ１との電気的接触を可能にする。導電板ＢＰ２および誘電体層ＣＣの材料は溝部１５から引き出されており、内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎの端部は導電板ＢＰ１とのみ電気的に接触している。電気絶縁体１４が、導電板ＢＰ２との絶縁のために、溝部１５内に設けられている。熱伝達液体および／または耐火液体および／または電気的絶縁液体の通過または交換のためのチャネル１６が内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎ内に認められる。内側バスバー部分Ｂ_２ｎ、Ｂ_３ｎと塞ぎ板ＢＰ_Ｕ、ＢＰ_Ｄとの間の機械的取付けは、例えば軸ＦＸ３のねじ（図示せず）により、確実にされる。

本発明は、例として本明細書に記載されている特定の実施形態に限定されない。本発明の用途による当業者が、添付の特許請求の範囲内に入る様々な変更形態および変形形態を提供し得ると考えられる。

Claims (11)

1. 電子パワーデバイス用のケーシングおよび放熱体を形成するバスバーアセンブリであって、中心軸（Ｃ）の周りに、接続されてかつ電気的に接触して配置されている複数のバスバーセクタ（Ｓ１からＳ６まで）と、前記中心軸（Ｃ）に対して垂直な上部塞ぎ板および下部塞ぎ板とを含み、前記バスバーセクタは各々、外側バスバー部分、および複数の内部空間の範囲を定める少なくとも１つの内側バスバー部分を含み、前記上部塞ぎ板および前記下部塞ぎ板は前記バスバー部分の上面および下面それぞれに接触しており、前記バスバー部分は「プレスパック」タイプの複数の電気的接触面を含む、バスバーアセンブリ。
2. 前記複数のバスバーセクタ（Ｓ１からＳ６まで）の前記外側バスバー部分は外面上に冷却フィンを含むことを特徴とする、請求項１に記載のバスバーアセンブリ。
3. 前記複数のバスバーセクタ（Ｓ１からＳ６まで）の前記バスバー部分は銅および／またはアルミニウムで作製されており、プロファイルドバーを成形することおよび／または機械加工することおよび／または切削することにより製造されることを特徴とする、請求項１または２に記載のバスバーアセンブリ。
4. 前記接続面の隣接する外側バスバー部分間にかつ前記上部塞ぎ板および前記下部塞ぎ板と前記外側バスバー部分との間に配置されているシールを含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のバスバーアセンブリ。
5. 前記上部塞ぎ板および前記下部塞ぎ板は積層されており、各々、中心誘電体層（ＣＣ）と、前記中心誘電体層の両面に２つの導電板（ＢＰ１、ＢＰ２）とを含み、前記導電板は前記バスバー部分と電気的に接触していることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載のバスバーアセンブリ。
6. 前記中心誘電体層（ＣＣ）は少なくとも１つの埋込み電子回路および／または能動もしくは受動埋め込み電子部品を含むことを特徴とする、請求項５に記載のバスバーアセンブリ。
7. 前記上部塞ぎ板および前記下部塞ぎ板のうちの少なくとも１つは「ＩＭＳ」タイプであることを特徴とする、請求項５または６に記載のバスバーアセンブリ。
8. 前記導電板は銅および／またはアルミニウムで作製されていることを特徴とする、請求項５から７のいずれか一項に記載のバスバーアセンブリ。
9. 前記バスバーセクタの各々において、前記複数の内部空間は、前記外側バスバー部分の電気的接触面と第１の内側バスバー部分の電気的接触面との間で範囲を定められている第１の内部空間（Ｅ１）を含み、前記第１の内部空間（Ｅ１）は電子電力回路の「プレスパック」タイプの設置を対象とすることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載のバスバーアセンブリ。
10. 前記バスバーセクタの各々において、前記複数の内部空間は、前記第１の内側バスバー部分と前記中心軸（Ｃ）との間に収容される少なくとも１つの他の内部空間を含むことを特徴とする、請求項９に記載のバスバーアセンブリ。
11. 前記バスバーセクタの各々において、前記複数の内部空間は、前記第１の内側バスバー部分と第２の内側バスバー部分との間に収容される第２の内部空間と、前記第２の内側バスバー部分と前記中心軸との間に収容される第３の内部空間とを含むことを特徴とする、請求項９に記載のバスバーアセンブリ。

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