JP2021510425A - リソグラフィ方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2018年1月11日に出願された欧州出願第18151235.1号および2017年11月20日に出願された欧州出願第17202511.6号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
本発明は、リソグラフィ方法、およびまたリソグラフィ装置に関する。
放射のビームPB(例えばUV放射またはDUV放射)を調整するよう構成される照明システム(イルミネータ)ILと、
マスクMAを支持するサポート構造MTであって、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするために位置決めデバイス(図示せず)に接続されているサポート構造MTと、
基板(例えば、レジストコーティングされたウェハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェハテーブル)WTと、
マスクMTによって放射ビームPBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(たとえば、1つまたは複数のダイを含む)に結像するように構成された投影システム(たとえば、屈折投影レンズ)PLと、を備える。
圧力センサの上面は、壁の上面と面一であってもよい。圧力センサが壁の上面と面一である場合、これは滑らかな連続表面を提供し、乱流の発生を回避するのにさらに役立つ。
Claims (22)
- マスクおよび関連するペリクルを支持するように構成されたサポート構造であって、前記マスクは放射ビームの断面にパターンを与えてパターン化された放射ビームを形成することができる、サポート構造と、
前記パターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を備え、
前記サポート構造と前記投影システムとの間に壁が延在しており、前記壁は、前記パターン化された放射ビームが前記マスクおよび前記ペリクルから前記投影システムに通過することを可能にする開口を含み、前記壁には、圧力センサの2次元アレイが設けられている、リソグラフィ装置。 - 前記圧力センサの2次元アレイは、前記壁の前記開口のいずれかの側に延在する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記圧力センサは、前記壁に形成された凹部に配置される、請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記圧力センサの上面は、前記壁の上面と面一である、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記圧力センサは、3cmまでのピッチで提供される、請求項1から4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- マスクとペリクルが前記リソグラフィ装置内に存在し、前記圧力センサ間のピッチが概して前記圧力センサと前記ペリクル間の間隔に対応する、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記圧力センサのアレイから出力信号を受け取り、前記マスクおよび前記ペリクルの走査動作中に前記ペリクルによって形成される形状を計算するように構成されたプロセッサをさらに備える、請求項1から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記プロセッサは、近接場音響ホログラフィを使用して、前記ペリクルによって形成された形状を再構成するように構成されている、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ペリクルによって形成される形状によって引き起こされる歪みを補償するために、走査露光中に前記投影システムのレンズ素子に調整を適用するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項7または8に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置内のペリクルたわみを測定する方法であって、
請求項1に記載のリソグラフィ装置にマスクおよびペリクルを備えるマスクアセンブリをロードすることと、
前記マスクアセンブリの走査動作を実行し、前記圧力センサから出力される信号を受信することと、
前記圧力センサから出力された信号を使用して、走査動作中に前記ペリクルによって形成された形状を計算することと、
を備える方法。 - 走査動作中に前記ペリクルによって形成された形状を計算することは、近接場音響ホログラフィを使用して前記ペリクルによって形成された形状を再構成することを備える、請求項10に記載の方法。
- 前記ペリクルによって形成される形状を計算するときに、前記ペリクルの固有振動数を決定し、次に前記固有振動数および前記固有振動数の高調波を考慮することをさらに備える、請求項10または11に記載の方法。
- 前記圧力センサから出力された信号をフィルタリングして、前記ペリクルの運動の既知の最大周波数より高い周波数を除去することをさらに備える、請求項10から12のいずれかに記載の方法。
- 前記走査動作は、前記マスクおよび前記ペリクルを使用して実行される製造露光中に使用される走査動作に対応する一組の走査動作である、請求項10から13のいずれかに記載の方法。
- 前記一組の走査動作は、基板のエッジに位置するフィールドを露光するために使用される走査動作と、前記基板のエッジから離れて位置するフィールドを露光するために使用される走査動作とを含む、請求項14に記載の方法。
- 走査動作中に前記ペリクルによって形成される形状が計算され、前記リソグラフィ装置に適用される補正が、前記マスクおよび前記ペリクルを使用して製造露光が実行される前に計算される、請求項10から15のいずれかに記載の方法。
- 前記計算された補正は、前記マスクおよび前記ペリクルを使用した基板の製造露光中に適用される、請求項16に記載の方法。
- 前記圧力センサからの出力信号は、前記マスクおよび前記ペリクルを使用して実行される製造露光中に受信され続け、前記出力信号は、前記ペリクルによって形成される計算された形状を調整するために使用される、請求項10から17のいずれかに記載の方法。
- 前記リソグラフィ装置に適用される補正は、前記ペリクルによって形成された調整された計算された形状を考慮するように調整される、請求項18に記載の方法。
- 走査動作中に前記ペリクルによって形成される形状が計算され、前記マスクと前記ペリクルを使用して製造露光が行われている間に、前記リソグラフィ装置に適用される補正が計算される、請求項10から13のいずれかに記載の方法。
- 請求項10から20のいずれかに記載の方法をコンピュータに実行させるように構成されたコンピュータ可読命令を備えるコンピュータプログラム。
- プロセッサ可読命令を格納するメモリと、
前記メモリに格納された命令を読み取って実行するように構成されたプロセッサと、
を備えるコンピュータであって、
前記プロセッサ可読命令は、請求項10から20のいずれかに記載の方法を実行するように当該コンピュータを制御するように構成された命令を備える、コンピュータ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18151235.1 | 2018-01-11 | ||
EP18151235 | 2018-01-11 | ||
PCT/EP2018/084454 WO2019137725A1 (en) | 2018-01-11 | 2018-12-12 | Lithographic method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021510425A true JP2021510425A (ja) | 2021-04-22 |
JP7044888B2 JP7044888B2 (ja) | 2022-03-30 |
Family
ID=60954967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020538700A Active JP7044888B2 (ja) | 2018-01-11 | 2018-12-12 | リソグラフィ方法および装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7044888B2 (ja) |
CN (1) | CN111801619B (ja) |
WO (1) | WO2019137725A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI722716B (zh) * | 2019-12-13 | 2021-03-21 | 南臺學校財團法人南臺科技大學 | 光罩之保護膜的全域動態檢測方法及全域動態檢測系統 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04130711A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Nikon Corp | 投影光学装置、露光方法、および回路製造方法 |
US20020057422A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-16 | Kiyoshi Arakawa | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method using the apparatus, and semiconductor manufacturing factory |
JP2002280284A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスク収納装置、フォトマスクフレーム、フォトマスクユニット、投影露光装置、投影露光方法及び半導体装置製造方法 |
US20040194556A1 (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-07 | Intel Corporation | Characterizing in-situ deformation of hard pellicle during fabrication and mounting with a sensor array |
JP2006060037A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2013536573A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
WO2016169727A1 (en) * | 2015-04-23 | 2016-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic projection method |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0183827B1 (en) * | 1984-06-21 | 1991-08-28 | AT&T Corp. | Deep-uv lithography |
EP0293823B1 (en) * | 1984-06-21 | 1995-04-19 | AT&T Corp. | Deep-UV lithography |
US5453814A (en) * | 1994-04-13 | 1995-09-26 | Nikon Precision Inc. | Illumination source and method for microlithography |
US6493374B1 (en) * | 1999-09-03 | 2002-12-10 | Cymer, Inc. | Smart laser with fast deformable grating |
US7230673B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, reticle exchange unit and device manufacturing method |
WO2009130243A2 (en) | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Stichting Voor De Technische Wetenschappen | Acoustic holography |
WO2011069964A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Sorama Holding B.V. | Acoustic transducer assembly |
EP2413115A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-01 | Technische Universiteit Eindhoven | Generating a control signal based on acoustic data |
US20140160452A1 (en) * | 2011-08-16 | 2014-06-12 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
NL2017356A (en) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | Asml Netherlands Bv | Scanning Measurement System |
-
2018
- 2018-12-12 WO PCT/EP2018/084454 patent/WO2019137725A1/en active Application Filing
- 2018-12-12 CN CN201880086167.0A patent/CN111801619B/zh active Active
- 2018-12-12 JP JP2020538700A patent/JP7044888B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04130711A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Nikon Corp | 投影光学装置、露光方法、および回路製造方法 |
US20020057422A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-16 | Kiyoshi Arakawa | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method using the apparatus, and semiconductor manufacturing factory |
JP2002151400A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Canon Inc | 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場 |
JP2002280284A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスク収納装置、フォトマスクフレーム、フォトマスクユニット、投影露光装置、投影露光方法及び半導体装置製造方法 |
US20040194556A1 (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-07 | Intel Corporation | Characterizing in-situ deformation of hard pellicle during fabrication and mounting with a sensor array |
JP2006060037A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2013536573A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US20130335722A1 (en) * | 2010-07-30 | 2013-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2016169727A1 (en) * | 2015-04-23 | 2016-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic projection method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7044888B2 (ja) | 2022-03-30 |
WO2019137725A1 (en) | 2019-07-18 |
CN111801619A (zh) | 2020-10-20 |
CN111801619B (zh) | 2023-09-29 |
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