JP2021164010A - Electromagnetic wave absorption member and radar mechanism - Google Patents

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Abstract

To provide an electromagnetic wave absorption member capable of absorbing unnecessary electromagnetic waves.SOLUTION: An electromagnetic wave absorption member provided around a radar device using a millimeter wave or a submillimeter wave, comprises: a first region; and a second region at a position different from the first region. Both of the first region and the second region contain a metal mesh pattern, a resin layer, and a metal layer in order from the inner face side to the outer face side, positioned on the radar device side. An occupancy of the metal mesh pattern of the first region is different from an occupancy of the metal mesh pattern of the second region.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ミリ波又は準ミリ波を用いるレーダ装置の周辺又は前記レーダ装置の通信部の周辺に設けられる電磁波吸収部材に関する。また本発明は、レーダ装置及び電磁波吸収部材を備えるレーダ機構に関する。 The present invention relates to an electromagnetic wave absorbing member provided around a radar device that uses millimeter waves or quasi-millimeter waves or around a communication unit of the radar device. The present invention also relates to a radar mechanism including a radar device and an electromagnetic wave absorbing member.

車両の周囲の障害物を検出するためにレーダ装置が用いられている。レーダ装置は、例えば周波数が3GHz〜30GHzの準ミリ波を送信し、障害物によって反射されて戻ってくる反射波を検出する。例えば特許文献1は、自動車のリヤバンパとリヤエンドパネルとの間に設けられたレーダ装置を開示している。 Radar devices are used to detect obstacles around the vehicle. The radar device transmits, for example, a quasi-millimeter wave having a frequency of 3 GHz to 30 GHz, and detects a reflected wave reflected by an obstacle and returned. For example, Patent Document 1 discloses a radar device provided between a rear bumper and a rear end panel of an automobile.

レーダ装置からの送信波は、想定している障害物以外の物体によって反射されてレーダ装置に戻ってくることがある。このような想定外の反射波がレーダ装置によって検出されることを抑制するため、特許文献1のレーダ装置の周囲には、送信波の一部の送信範囲を規制するカバー部材が設けられている。カバー部材としては、電磁波を反射するタイプのもの、及び電磁波を吸収するタイプのものが提案されている。電磁波を反射するタイプのカバー部材としては、合成樹脂板の表面に金属テープを貼着したもの、合成樹脂の表面に金属の蒸着またはメッキにより金属層を形成したものなどが提案されている。電磁波を吸収するタイプのカバー部材としては、ゴム中にカーボンを混入することにより構成された電磁波吸収部材が提案されている。 The transmitted wave from the radar device may be reflected by an object other than the assumed obstacle and returned to the radar device. In order to prevent such an unexpected reflected wave from being detected by the radar device, a cover member for regulating a part of the transmission range of the transmitted wave is provided around the radar device of Patent Document 1. .. As the cover member, a type that reflects electromagnetic waves and a type that absorbs electromagnetic waves have been proposed. As a type of cover member that reflects electromagnetic waves, one in which a metal tape is attached to the surface of a synthetic resin plate, one in which a metal layer is formed by vapor deposition or plating of metal on the surface of a synthetic resin, and the like have been proposed. As a type of cover member that absorbs electromagnetic waves, an electromagnetic wave absorbing member formed by mixing carbon into rubber has been proposed.

特許第6011346号公報Japanese Patent No. 601346

電磁波を反射するタイプの部材においては、部材によって反射されたノイズがレーダ装置によって受信されて誤検出が生じる可能性がある。この点を考慮すると、電磁波を吸収する電磁波吸収部材が用いられることが好ましい。一方、特許文献1において提案されている、ゴムを用いる電磁波吸収部材においては、ノイズを効率的に吸収できないという懸念がある。 In a member of the type that reflects electromagnetic waves, noise reflected by the member may be received by the radar device to cause erroneous detection. Considering this point, it is preferable to use an electromagnetic wave absorbing member that absorbs electromagnetic waves. On the other hand, there is a concern that the electromagnetic wave absorbing member using rubber, which is proposed in Patent Document 1, cannot efficiently absorb noise.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、不要な電磁波を吸収することによってレーダ装置の誤検出を抑制できる電磁波吸収部材を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such a point, and an object of the present invention is to provide an electromagnetic wave absorbing member capable of suppressing erroneous detection of a radar device by absorbing unnecessary electromagnetic waves.

本発明は、ミリ波又は準ミリ波を用いるレーダ装置の周辺又は前記レーダ装置の通信部の周辺に設けられる電磁波吸収部材であって、
第1領域と、
前記第1領域とは異なる位置にある第2領域と、を備え、
前記第1領域及び前記第2領域はいずれも、内面側から外面側へ向かって順に、金属メッシュパターン、樹脂層及び金属層を含み、
前記第1領域の前記金属メッシュパターンの占有率は、前記第2領域の前記金属メッシュパターンの占有率と異なる、電磁波吸収部材である。
The present invention is an electromagnetic wave absorbing member provided around a radar device using millimeter waves or quasi-millimeter waves or around a communication unit of the radar device.
The first area and
A second region located at a position different from that of the first region is provided.
Both the first region and the second region include a metal mesh pattern, a resin layer, and a metal layer in this order from the inner surface side to the outer surface side.
The occupancy rate of the metal mesh pattern in the first region is different from the occupancy rate of the metal mesh pattern in the second region, and is an electromagnetic wave absorbing member.

本発明による電磁波吸収部材において、前記第1領域は、前記電磁波吸収部材の側面に位置し、前記第2領域は、前記電磁波吸収部材の背面に位置していてもよい。 In the electromagnetic wave absorbing member according to the present invention, the first region may be located on the side surface of the electromagnetic wave absorbing member, and the second region may be located on the back surface of the electromagnetic wave absorbing member.

本発明による電磁波吸収部材において、前記第2領域の前記金属メッシュパターンの占有率は、前記第1領域の前記金属メッシュパターンの占有率よりも小さくてもよい。 In the electromagnetic wave absorbing member according to the present invention, the occupancy rate of the metal mesh pattern in the second region may be smaller than the occupancy rate of the metal mesh pattern in the first region.

本発明による電磁波吸収部材において、前記第1領域及び前記第2領域の前記金属メッシュパターンは、めっき層を含んでいてもよい。 In the electromagnetic wave absorbing member according to the present invention, the metal mesh pattern of the first region and the second region may include a plating layer.

本発明による電磁波吸収部材において、前記金属メッシュパターンの表面は、凹凸部を含んでいてもよい。 In the electromagnetic wave absorbing member according to the present invention, the surface of the metal mesh pattern may include uneven portions.

本発明による電磁波吸収部材において、前記樹脂層の前記金属メッシュパターン側の表面は、プライマー層を含んでいてもよい。 In the electromagnetic wave absorbing member according to the present invention, the surface of the resin layer on the metal mesh pattern side may include a primer layer.

本発明は、ミリ波又は準ミリ波を用いるレーダ装置と、前記レーダ装置の周辺又は前記レーダ装置の通信部の周辺に位置する上記記載の電磁波吸収部材と、を備える、レーダ機構である。 The present invention is a radar mechanism including a radar device using millimeter waves or quasi-millimeter waves, and the electromagnetic wave absorbing member described above located in the vicinity of the radar device or the communication unit of the radar device.

本発明の電磁波吸収部材によれば、不要な電磁波を吸収することによってレーダ装置の誤検出を抑制できる。 According to the electromagnetic wave absorbing member of the present invention, erroneous detection of the radar device can be suppressed by absorbing unnecessary electromagnetic waves.

レーダ装置及び電磁波吸収部材を備えるレーダ機構の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the radar mechanism which includes a radar apparatus and an electromagnetic wave absorption member. 電磁波吸収部材の第1領域を内面側から見た場合の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the case where the 1st region of an electromagnetic wave absorption member is seen from the inner surface side. 電磁波吸収部材の第1領域を図2のIII−III方向から見た場合を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the case which the 1st region of the electromagnetic wave absorption member was seen from the direction III-III of FIG. 電磁波吸収部材の第2領域を内面側から見た場合の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the case where the 2nd region of an electromagnetic wave absorption member is seen from the inner surface side. 電磁波吸収部材の第2領域を図4のV−V方向から見た場合を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the case which the 2nd region of the electromagnetic wave absorption member was seen from the VV direction of FIG. 第1領域及び第2領域のシールド特性の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the shield characteristic of the 1st region and the 2nd region. 第1領域及び第2領域のシールド特性のその他の例を示すグラフである。It is a graph which shows other example of the shield property of the 1st region and the 2nd region. 電磁波吸収部材の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave absorption member. 電磁波吸収部材の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave absorption member. 電磁波吸収部材の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the electromagnetic wave absorption member. レーダ装置及び電磁波吸収部材を備えるレーダ機構の一変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one modification of the radar mechanism which includes a radar apparatus and an electromagnetic wave absorption member. 電磁波吸収部材として機能するフレームを含むレーダ装置を備えるレーダ機構を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radar mechanism which includes the radar apparatus which includes the frame which functions as an electromagnetic wave absorption member. 図12のレーダ装置20を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radar apparatus 20 of FIG. 12 enlarged. 実施例において、内側金属層の占有率と反射係数との関係を評価した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having evaluated the relationship between the occupancy rate of the inner metal layer, and the reflection coefficient in an Example.

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, the scale, aspect ratio, etc. are appropriately changed from those of the actual product and exaggerated for the sake of ease of understanding.

図1は、自動車に設けられているレーダ機構10の一例を示す断面図である。レーダ機構10は、例えばリヤバンパ60の内面61側に設けられている。この場合、レーダ機構10は、後方から自車両に接近してくる他車両などを障害物として検出することができる。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a radar mechanism 10 provided in an automobile. The radar mechanism 10 is provided, for example, on the inner surface 61 side of the rear bumper 60. In this case, the radar mechanism 10 can detect another vehicle approaching the own vehicle from behind as an obstacle.

レーダ機構10は、レーダ装置20と、レーダ装置20を囲うカバー部材33と、を備える。レーダ装置20は、電磁波を送信する送信機と、障害物によって反射された電磁波を受信する受信機と、を含んでいてもよい。送信機及び受信機はいずれも、アンテナを含んでいてもよい。電磁波としては、ミリ波又は準ミリ波を用いることができる。ミリ波は、1mm以上10mm以下の波長(30GHz以上300GHz以下の周波数)を有する。準ミリ波は、10mm以上100mm以下の波長(3GHz以上30GHz以下の周波数)を有する。 The radar mechanism 10 includes a radar device 20 and a cover member 33 that surrounds the radar device 20. The radar device 20 may include a transmitter that transmits electromagnetic waves and a receiver that receives electromagnetic waves reflected by obstacles. Both the transmitter and the receiver may include an antenna. As the electromagnetic wave, millimeter wave or quasi-millimeter wave can be used. Millimeter waves have a wavelength of 1 mm or more and 10 mm or less (frequency of 30 GHz or more and 300 GHz or less). The quasi-millimeter wave has a wavelength of 10 mm or more and 100 mm or less (frequency of 3 GHz or more and 30 GHz or less).

レーダ装置20は、内面21、外面22及び側面23を含んでいてもよい。外面22は、レーダ装置20の面のうち自動車の外側を向いている面であり、例えばリヤバンパ60と対向している。内面21は、外面22の反対側に位置している。側面23は、内面21から外面22に至るように広がっている。 The radar device 20 may include an inner surface 21, an outer surface 22, and a side surface 23. The outer surface 22 is a surface of the radar device 20 that faces the outside of the automobile, and faces, for example, the rear bumper 60. The inner surface 21 is located on the opposite side of the outer surface 22. The side surface 23 extends from the inner surface 21 to the outer surface 22.

図1において、符号Laは、レーダ装置20の外面22の法線方向に沿って外側に進みリヤバンパ60を透過する電磁波であり、いわゆる主ビームである。一方、レーダ装置20においては、主ビーム以外にも電磁波が発生し得る。例えば符号Lbで示すように、外面22の法線方向に対して大きく傾斜した方向に進む電磁波が発生し得る。電磁波Lbは、サイドローブとも称される。また、符号Lcで示すように、レーダ装置20の内面21側から放射される電磁波も発生し得る。電磁波Lb及び電磁波Lcは、電磁波Laとは異なる周波数を有していてもよい。例えば、電磁波Lbが第1周波数F1を有し、電磁波Lcが、第2周波数F2を有していてもよい。電磁波Lcの第2周波数F2は、電磁波Lbの第1周波数F1よりも高くてもよく、低くてもよく、同一であってもよい。 In FIG. 1, reference numeral La is an electromagnetic wave that travels outward along the normal direction of the outer surface 22 of the radar device 20 and passes through the rear bumper 60, and is a so-called main beam. On the other hand, in the radar device 20, electromagnetic waves may be generated in addition to the main beam. For example, as indicated by reference numeral Lb, an electromagnetic wave traveling in a direction largely inclined with respect to the normal direction of the outer surface 22 can be generated. The electromagnetic wave Lb is also called a side lobe. Further, as indicated by the reference numeral Lc, an electromagnetic wave radiated from the inner surface 21 side of the radar device 20 may also be generated. The electromagnetic wave Lb and the electromagnetic wave Lc may have a frequency different from that of the electromagnetic wave La. For example, the electromagnetic wave Lb may have a first frequency F1 and the electromagnetic wave Lc may have a second frequency F2. The second frequency F2 of the electromagnetic wave Lc may be higher, lower, or the same as the first frequency F1 of the electromagnetic wave Lb.

電磁波Lb及び電磁波Lcが、レーダ装置20が対象とする障害物以外の物体によって反射されてレーダ装置20に戻ってくると、誤検出が生じ得る。このような課題を考慮し、本実施の形態においては、電磁波Lb及び電磁波Lcを吸収できるようにカバー部材33を構成することを提案する。以下、カバー部材33について説明する。 When the electromagnetic wave Lb and the electromagnetic wave Lc are reflected by an object other than an obstacle targeted by the radar device 20 and returned to the radar device 20, erroneous detection may occur. In consideration of such a problem, in the present embodiment, it is proposed to configure the cover member 33 so that the electromagnetic wave Lb and the electromagnetic wave Lc can be absorbed. Hereinafter, the cover member 33 will be described.

カバー部材33は、対象とする障害物以外の物体によって反射された電磁波をレーダ装置20が検出することを抑制するためにレーダ装置20の周辺に設けられている部材である。カバー部材33は、レーダ装置20の例えば側面23を囲うように構成されている。図1に示すように、カバー部材33のうちレーダ装置20の外面22側に位置する部分は開口していてもよい。例えば、カバー部材33は、レーダ装置20の側面23を囲う側面31と、レーダ装置20の内面21側に位置する背面32と、を含んでいてもよい。 The cover member 33 is a member provided around the radar device 20 in order to suppress the radar device 20 from detecting electromagnetic waves reflected by an object other than the target obstacle. The cover member 33 is configured to surround, for example, the side surface 23 of the radar device 20. As shown in FIG. 1, the portion of the cover member 33 located on the outer surface 22 side of the radar device 20 may be open. For example, the cover member 33 may include a side surface 31 that surrounds the side surface 23 of the radar device 20, and a back surface 32 that is located on the inner surface 21 side of the radar device 20.

レーダ装置20の固定方法は任意である。例えば、レーダ装置20は、自動車の車体の一部に固定されている図示しないブラケットに取り付けられた状態で、カバー部材33の内部に位置していてもよい。この場合、カバー部材33の例えば背面32には、ブラケットを通すための貫通孔が形成されていてもよい。 The method of fixing the radar device 20 is arbitrary. For example, the radar device 20 may be located inside the cover member 33 in a state of being attached to a bracket (not shown) fixed to a part of the vehicle body of the automobile. In this case, a through hole for passing the bracket may be formed in, for example, the back surface 32 of the cover member 33.

後述する変形例で説明するように、電磁波を吸収するための部材は、レーダ装置20の内部に設けられていてもよい。本実施の形態におけるカバー部材33と、後述する変形例における、レーダ装置20の内部に設けられる部材とは、レーダ装置20に対する位置関係を除いて共通の構造を有する。以下の説明において、共通の構造に関して説明する場合は、カバー部材33のことを電磁波吸収部材30とも称する。 As will be described in a modified example described later, a member for absorbing electromagnetic waves may be provided inside the radar device 20. The cover member 33 in the present embodiment and the member provided inside the radar device 20 in the modified example described later have a common structure except for the positional relationship with the radar device 20. In the following description, when the common structure is described, the cover member 33 is also referred to as an electromagnetic wave absorbing member 30.

電磁波吸収部材30は、第1周波数F1の電磁波Lbを吸収することができる第1領域30Aと、第2周波数F2の電磁波Lcを吸収することができる第2領域30Bと、を備えている。第2領域30Bは、第1領域30Aとは異なる位置にある。図1に示す例において、第1領域30Aは、電磁波吸収部材30の側面31に位置しており、第2領域30Bは、電磁波吸収部材30の背面32に位置している。第1領域30Aは、電磁波吸収部材30の側面31に到達した電磁波Lbを吸収することができる。第2領域30Bは、電磁波吸収部材30の背面32に到達した電磁波Lcを吸収することができる。このように、レーダ装置20から放射される不要な電磁波の進行方向及び周波数に応じて電磁波吸収部材30の吸収特性を設定することにより、不要な電磁波を効率的に除去することができる。 The electromagnetic wave absorbing member 30 includes a first region 30A capable of absorbing the electromagnetic wave Lb of the first frequency F1 and a second region 30B capable of absorbing the electromagnetic wave Lc of the second frequency F2. The second region 30B is at a different position from the first region 30A. In the example shown in FIG. 1, the first region 30A is located on the side surface 31 of the electromagnetic wave absorbing member 30, and the second region 30B is located on the back surface 32 of the electromagnetic wave absorbing member 30. The first region 30A can absorb the electromagnetic wave Lb that has reached the side surface 31 of the electromagnetic wave absorbing member 30. The second region 30B can absorb the electromagnetic wave Lc that has reached the back surface 32 of the electromagnetic wave absorbing member 30. In this way, by setting the absorption characteristics of the electromagnetic wave absorbing member 30 according to the traveling direction and frequency of the unnecessary electromagnetic waves radiated from the radar device 20, the unnecessary electromagnetic waves can be efficiently removed.

以下、第1領域30A及び第2領域30Bについて詳細に説明する。まず、第1領域30Aについて説明する。図2は、第1領域30Aを電磁波吸収部材30の内面側から見た場合の一例を示す平面図である。図3は、第1領域30Aを図2のIII−III方向から見た場合を示す断面図である。なお、電磁波吸収部材30の内面とは、電磁波吸収部材30の面のうちレーダ装置20側に位置する面である。電磁波吸収部材30の外面とは、電磁波吸収部材30の面のうち内面とは反対側に位置する面である。 Hereinafter, the first region 30A and the second region 30B will be described in detail. First, the first region 30A will be described. FIG. 2 is a plan view showing an example of the case where the first region 30A is viewed from the inner surface side of the electromagnetic wave absorbing member 30. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a case where the first region 30A is viewed from the direction III-III of FIG. The inner surface of the electromagnetic wave absorbing member 30 is a surface of the electromagnetic wave absorbing member 30 located on the radar device 20 side. The outer surface of the electromagnetic wave absorbing member 30 is a surface of the electromagnetic wave absorbing member 30 located on the opposite side of the inner surface.

図2及び図3に示すように、第1領域30Aは、レーダ装置20側に位置する内面側から外面側へ向かって順に、金属メッシュパターン40、樹脂層35及び金属層46を含んでいる。 As shown in FIGS. 2 and 3, the first region 30A includes the metal mesh pattern 40, the resin layer 35, and the metal layer 46 in this order from the inner surface side to the outer surface side located on the radar device 20 side.

樹脂層35は、絶縁性を有する樹脂材料を含む層であり、例えば樹脂基板である。樹脂層35は、レーダ装置20側に位置する内面36と、内面36の反対側に位置する外面37と、を含む。樹脂材料としては、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、i−ポリプロピレン、石油樹脂、ポリスチレン、s−ポリスチレン、クロマン・インデン樹脂、テルペン樹脂、スチレン・ジビニルベンゼン共重合体、ABS樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリルニトリル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、ポリシアノアクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル・エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン・エチレン共重合体、フッ化ビニリデン・プロピレン共重合体、1,4−トランスポリブタジエン、ポリオキシメチレン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、フェノール・ホルマリン樹脂、クレゾール・フォルマリン樹脂、レゾルシン樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、トルエン樹脂、グリプタル樹脂、変性グリプタル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、不飽和ポリエステル樹脂、アリルエステル樹脂、ポリカーボネート、6−ナイロン、6,6−ナイロン又は6,10−ナイロンなどのポリアミド、ポリベンズイミダゾール、ポリアミドイミド、ケイ素樹脂、シリコンゴム、シリコーン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリジメチルフェニレンオキサイド、ポリフェニレンオキサイドまたはポリジメチルフェニレンオキサイドとトリアリルイソシアヌルブレンド物、(ポリフェニレンオキサイドまたはポリジメチルフェニレンオキサイド、トリアリルイソシアヌル、パーオキサイド)ブレンド物、ポリキシレン、ポリフェニレンスルファイド(PPS)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリイミド(PPI、カプトン)、液晶樹脂、これら複数材料のブレンド物などを用いることができる。樹脂層35の厚みT1は、例えば1mm以上3mm以下である。 The resin layer 35 is a layer containing a resin material having an insulating property, and is, for example, a resin substrate. The resin layer 35 includes an inner surface 36 located on the radar device 20 side and an outer surface 37 located on the opposite side of the inner surface 36. Resin materials include low-density polyethylene, high-density polyethylene, i-polypropylene, petroleum resin, polystyrene, s-polystyrene, chroman-inden resin, terpene resin, styrene-divinylbenzene copolymer, ABS resin, methyl polyacrylate, and the like. Ethyl polyacrylate, polyacrylic nitrile, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, polycyanoacrylate, polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyvinyl formal, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, vinyl chloride / vinyl acetate copolymer, vinyl chloride / Ethylene copolymer, polyvinylidene fluoride, vinylidene fluoride / ethylene copolymer, vinylidene fluoride / propylene copolymer, 1,4-transpolybutadiene, polyoxymethylene, polyethylene glycol, polypropylene glycol, phenol / formarin resin, cresol -Formalin resin, resorcin resin, melamine resin, xylene resin, toluene resin, griptal resin, modified griptal resin, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate (PBT), unsaturated polyester resin, allyl ester resin, polycarbonate, 6-nylon, 6 , 6-Nylon or 6,10-Nylon and other polyamides, polybenzimidazole, polyamideimide, silicon resin, silicon rubber, silicone resin, furan resin, polyurethane resin, epoxy resin, polyphenylene oxide, polydimethylphenylene oxide, polyphenylene oxide or Polydimethylphenylene oxide and triallyl isocyanul blend, (polyphenylene oxide or polydimethylphenylene oxide, triallyl isocyanul, peroxide) blend, polyxylene, polyphenylensulfide (PPS), polysulfone (PSF), polyether sulfone (PES) ), Polyether ether ketone (PEEK), polyimide (PPI, Capton), liquid crystal resin, a blend of these plurality of materials, and the like can be used. The thickness T1 of the resin layer 35 is, for example, 1 mm or more and 3 mm or less.

第1領域30Aの金属メッシュパターン40は、図2及び図3に示すように、隙間42を空けて第1周期P1で樹脂層35の内面36に並べられた複数の内側金属層41を含む。例えば図2に示すように、金属メッシュパターン40は、平面視において四角形を有し、直交する二方向に並ぶ複数の内側金属層41を含む。第1周期P1は、第1領域30Aを構成する内側金属層41の幅W1及び隙間42の幅S1の和に等しい。 As shown in FIGS. 2 and 3, the metal mesh pattern 40 of the first region 30A includes a plurality of inner metal layers 41 arranged on the inner surface 36 of the resin layer 35 in the first cycle P1 with a gap 42. For example, as shown in FIG. 2, the metal mesh pattern 40 has a quadrangle in a plan view and includes a plurality of inner metal layers 41 arranged in two orthogonal directions. The first period P1 is equal to the sum of the width W1 of the inner metal layer 41 and the width S1 of the gap 42 constituting the first region 30A.

内側金属層41は、例えば、めっき処理によって形成されためっき層を含む。内側金属層を構成する金属材料としては、ニッケル、アルミ、クロム、鉛、金、銀、銅、スズ、亜鉛、鉄、これらの金属の合金などを用いることができる。内側金属層41の厚みT2は、好ましくは0.1μm以上であり、より好ましくは0.2μm以上である。また、内側金属層41の厚みT2は、好ましくは2μm以下であり、より好ましくは1μm以下である。 The inner metal layer 41 includes, for example, a plating layer formed by a plating treatment. As the metal material constituting the inner metal layer, nickel, aluminum, chromium, lead, gold, silver, copper, tin, zinc, iron, alloys of these metals and the like can be used. The thickness T2 of the inner metal layer 41 is preferably 0.1 μm or more, and more preferably 0.2 μm or more. The thickness T2 of the inner metal layer 41 is preferably 2 μm or less, more preferably 1 μm or less.

第1領域30Aの金属メッシュパターン40の第1周期P1は、電磁波吸収部材30によって吸収されるべき電磁波の波長よりも小さい。この場合、金属メッシュパターン40が広がる領域は、1つの連続的な層として電磁波に影響を及ぼすことができる。以下の記載において、電磁波に対する、金属メッシュパターン40が広がる領域の作用を説明する場合、「金属メッシュパターン40が広がる空間」のことを単に「金属メッシュパターン40」とも称する。第1周期P1は、例えば3mm以下であり、2mm以下であってもよく、1mm以下であってもよい。第1領域30Aの金属メッシュパターン40の内側金属層41の幅W1は、例えば2mm以下であり、1mm以下であってもよく、0.5mm以下であってもよい。第1領域30Aの金属メッシュパターン40の隙間42の幅S1は、例えば1mm以下であり、0.5mm以下であってもよく、0.2mm以下であってもよい。 The first period P1 of the metal mesh pattern 40 of the first region 30A is smaller than the wavelength of the electromagnetic wave to be absorbed by the electromagnetic wave absorbing member 30. In this case, the region where the metal mesh pattern 40 spreads can affect the electromagnetic waves as one continuous layer. In the following description, when the action of the region where the metal mesh pattern 40 spreads on the electromagnetic wave is described, the "space where the metal mesh pattern 40 spreads" is also simply referred to as "metal mesh pattern 40". The first period P1 is, for example, 3 mm or less, may be 2 mm or less, or may be 1 mm or less. The width W1 of the inner metal layer 41 of the metal mesh pattern 40 of the first region 30A is, for example, 2 mm or less, may be 1 mm or less, or may be 0.5 mm or less. The width S1 of the gap 42 of the metal mesh pattern 40 of the first region 30A is, for example, 1 mm or less, 0.5 mm or less, or 0.2 mm or less.

内側金属層41が導電性を有しているので、金属メッシュパターン40の誘電率は、樹脂層35の誘電率に比べて高い。金属メッシュパターン40は、高い誘電率を有する層として電磁波に作用することができる。金属メッシュパターン40に入射した電磁波の一部は、金属メッシュパターン40によって反射され、電磁波のその他の一部は、金属メッシュパターン40を透過して樹脂層35に入射する。電磁波の反射及び透過に関する金属メッシュパターン40の特性は、金属メッシュパターン40の誘電率に基づいて決定される。 Since the inner metal layer 41 has conductivity, the dielectric constant of the metal mesh pattern 40 is higher than the dielectric constant of the resin layer 35. The metal mesh pattern 40 can act on electromagnetic waves as a layer having a high dielectric constant. A part of the electromagnetic wave incident on the metal mesh pattern 40 is reflected by the metal mesh pattern 40, and the other part of the electromagnetic wave passes through the metal mesh pattern 40 and is incident on the resin layer 35. The characteristics of the metal mesh pattern 40 with respect to the reflection and transmission of electromagnetic waves are determined based on the dielectric constant of the metal mesh pattern 40.

金属メッシュパターン40の誘電率は、内側金属層41の材料、内側金属層41の占有率などに依存する。占有率とは、金属メッシュパターン40が広がる領域の面積に対する、複数の内側金属層41の面積の総和の比率である。占有率は、複数の内側金属層41が規則的に並んでいる領域において算出される。第1領域30Aの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E1は、例えば95%以下であり、90%以下であってもよく、80%以下であってもよく、70%以下であってもよい。 The dielectric constant of the metal mesh pattern 40 depends on the material of the inner metal layer 41, the occupancy of the inner metal layer 41, and the like. The occupancy rate is the ratio of the total area of the plurality of inner metal layers 41 to the area of the area where the metal mesh pattern 40 spreads. The occupancy rate is calculated in a region where a plurality of inner metal layers 41 are regularly arranged. The occupancy rate E1 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the first region 30A is, for example, 95% or less, 90% or less, 80% or less, 70% or less. You may.

外側金属層46は、樹脂層35の外面37側に位置する金属層である。外側金属層46は、図3において符号Lb2やLb3で示すように、金属メッシュパターン40を透過して樹脂層35に入射し外面37に到達した電磁波を反射することができる。 The outer metal layer 46 is a metal layer located on the outer surface 37 side of the resin layer 35. As indicated by reference numerals Lb2 and Lb3 in FIG. 3, the outer metal layer 46 can reflect electromagnetic waves that have passed through the metal mesh pattern 40, entered the resin layer 35, and reached the outer surface 37.

外側金属層46は、内側金属層41と同様に、めっき処理によって形成されためっき層を含んでいてもよい。若しくは、外側金属層46は、内側金属層41とは異なる方法で樹脂層35の外面37に形成された層であってもよい。外側金属層46を構成する金属材料としては、内側金属層41と同様のものを用いることができる。外側金属層46の厚みは、内側金属層41の厚みと同様であってもよい。 The outer metal layer 46 may include a plating layer formed by the plating treatment, similarly to the inner metal layer 41. Alternatively, the outer metal layer 46 may be a layer formed on the outer surface 37 of the resin layer 35 by a method different from that of the inner metal layer 41. As the metal material constituting the outer metal layer 46, the same material as the inner metal layer 41 can be used. The thickness of the outer metal layer 46 may be the same as the thickness of the inner metal layer 41.

図3を参照して、第1領域30Aの機能について説明する。図3において符号Lb1で示すように、入射角θ1で第1領域30Aに入射した電磁波Lbの一部は、金属メッシュパターン40の内側金属層41によって反射される。また、符号Lb2で示すように、入射角θ1で第1領域30Aに入射した電磁波Lbのその他の一部は、金属メッシュパターン40を透過して樹脂層35に入射し、外側金属層46によって反射された後、金属メッシュパターン40を再び透過する。電磁波Lb1の経路と電磁波Lb2の経路の差Δ1と、電磁波Lbの第1波長λ1との間に下記の関係式(1)が成立する場合、電磁波Lb1と電磁波Lb2とは互いに弱め合う。
Δ1=(1/4+m)×λ1(mは整数)・・・(1)
The function of the first region 30A will be described with reference to FIG. As shown by reference numeral Lb1 in FIG. 3, a part of the electromagnetic wave Lb incident on the first region 30A at the incident angle θ1 is reflected by the inner metal layer 41 of the metal mesh pattern 40. Further, as indicated by reference numeral Lb2, the other part of the electromagnetic wave Lb incident on the first region 30A at the incident angle θ1 passes through the metal mesh pattern 40, enters the resin layer 35, and is reflected by the outer metal layer 46. After that, the metal mesh pattern 40 is transmitted again. When the following relational expression (1) is established between the difference Δ1 between the path of the electromagnetic wave Lb1 and the path of the electromagnetic wave Lb2 and the first wavelength λ1 of the electromagnetic wave Lb, the electromagnetic wave Lb1 and the electromagnetic wave Lb2 weaken each other.
Δ1 = (1/4 + m) × λ1 (m is an integer) ... (1)

電磁波Lb1の経路と電磁波Lb2の経路の差Δ1は、入射角θ1、第1領域30Aの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E1、樹脂層35の厚み、樹脂層35の誘電率などに基づいて定まる。占有率E1を適切に設定することにより、第1領域30Aにおいて電磁波Lb1と電磁波Lb2とを互いに弱め合わせることができる。言い換えると、第1領域30Aは、第1波長λ1(第1周波数F1)を有する電磁波Lbを吸収することができる。これにより、第1波長λ1(第1周波数F1)を有する電磁波Lbに起因するレーダ装置20の誤検出が生じることを抑制することができる。 The difference Δ1 between the path of the electromagnetic wave Lb1 and the path of the electromagnetic wave Lb2 is the incident angle θ1, the occupancy rate E1 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the first region 30A, the thickness of the resin layer 35, the dielectric constant of the resin layer 35, and the like. Determined based on. By appropriately setting the occupancy rate E1, the electromagnetic wave Lb1 and the electromagnetic wave Lb2 can be weakened against each other in the first region 30A. In other words, the first region 30A can absorb the electromagnetic wave Lb having the first wavelength λ1 (first frequency F1). As a result, it is possible to suppress the occurrence of erroneous detection of the radar device 20 due to the electromagnetic wave Lb having the first wavelength λ1 (first frequency F1).

第1領域30Aは、電磁波Lb1と電磁波Lb2とを弱め合わせること以外にも、シールド特性に関する機能を実現し得る。例えば、図3において符号Lb3で示すように、金属メッシュパターン40を透過して樹脂層35に入射した電磁波は、内側金属層41と外側金属層46との間で繰り返し反射されることがある。この場合、電磁波Lb3は、樹脂層35を通っている間に減衰される。このように、樹脂層35も、第1領域30Aにおける電磁波の吸収特性に寄与することができる。 The first region 30A can realize a function related to the shield characteristic other than weakening the electromagnetic wave Lb1 and the electromagnetic wave Lb2. For example, as shown by reference numeral Lb3 in FIG. 3, an electromagnetic wave transmitted through the metal mesh pattern 40 and incident on the resin layer 35 may be repeatedly reflected between the inner metal layer 41 and the outer metal layer 46. In this case, the electromagnetic wave Lb3 is attenuated while passing through the resin layer 35. In this way, the resin layer 35 can also contribute to the absorption characteristics of electromagnetic waves in the first region 30A.

次に、第2領域30Bについて説明する。図4は、第2領域30Bを電磁波吸収部材30の内面側から見た場合の一例を示す平面図である。図5は、第2領域30Bを図4のV−V方向から見た場合を示す断面図である。なお、第2領域30Bのうち第1領域30Aと同様に構成され得る部分については、第1領域30Aにおいて用いた符号と同一の符号を用い、重複する説明を省略する。 Next, the second region 30B will be described. FIG. 4 is a plan view showing an example of the case where the second region 30B is viewed from the inner surface side of the electromagnetic wave absorbing member 30. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a case where the second region 30B is viewed from the VV direction of FIG. Regarding the portion of the second region 30B that can be configured in the same manner as the first region 30A, the same reference numerals as those used in the first region 30A are used, and duplicate description will be omitted.

第2領域30Bも、第1領域30Aと同様に、レーダ装置20側に位置する内面側から外面側へ向かって順に、金属メッシュパターン40、樹脂層35及び外側金属層46を含んでいる。 Similar to the first region 30A, the second region 30B also includes the metal mesh pattern 40, the resin layer 35, and the outer metal layer 46 in this order from the inner surface side to the outer surface side located on the radar device 20 side.

第2領域30Bの金属メッシュパターン40は、図4及び図5に示すように、隙間42を空けて第2周期P2で樹脂層35の内面36に並べられた複数の内側金属層41を含む。第2周期P2は、第2領域30Bを構成する内側金属層41の幅W2及び隙間42の幅S2の和に等しい。 As shown in FIGS. 4 and 5, the metal mesh pattern 40 of the second region 30B includes a plurality of inner metal layers 41 arranged on the inner surface 36 of the resin layer 35 in the second cycle P2 with a gap 42. The second period P2 is equal to the sum of the width W2 of the inner metal layer 41 and the width S2 of the gap 42 constituting the second region 30B.

図5を参照して、第2領域30Bの機能について説明する。図5において符号Lc1で示すように、入射角θ2で第2領域30Bに入射した電磁波Lcの一部は、金属メッシュパターン40の内側金属層41によって反射される。また、符号Lc2で示すように、入射角θ2で第2領域30Bに入射した電磁波Lcのその他の一部は、金属メッシュパターン40を透過して樹脂層35に入射し、外側金属層46によって反射された後、金属メッシュパターン40を再び透過する。電磁波Lc1の経路と電磁波Lc2の経路の差Δ2と、電磁波Lcの第2波長λ2との間に下記の関係式(2)が成立する場合、電磁波Lc1と電磁波Lc2とは互いに弱め合う。
Δ2=(1/4+n)×λ2(nは整数)・・・(2)
The function of the second region 30B will be described with reference to FIG. As shown by reference numeral Lc1 in FIG. 5, a part of the electromagnetic wave Lc incident on the second region 30B at the incident angle θ2 is reflected by the inner metal layer 41 of the metal mesh pattern 40. Further, as indicated by the reference numeral Lc2, the other part of the electromagnetic wave Lc incident on the second region 30B at the incident angle θ2 passes through the metal mesh pattern 40, enters the resin layer 35, and is reflected by the outer metal layer 46. After that, the metal mesh pattern 40 is transmitted again. When the following relational expression (2) is established between the difference Δ2 between the path of the electromagnetic wave Lc1 and the path of the electromagnetic wave Lc2 and the second wavelength λ2 of the electromagnetic wave Lc, the electromagnetic wave Lc1 and the electromagnetic wave Lc2 weaken each other.
Δ2 = (1/4 + n) × λ2 (n is an integer) ... (2)

電磁波Lc1の経路と電磁波Lc2の経路の差Δ2は、差Δ1と同様に、入射角θ2、第2領域30Bの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E2、樹脂層35の厚み、樹脂層35の誘電率などに基づいて定まる。占有率E2を適切に設定することにより、第2領域30Bにおいて電磁波Lc1と電磁波Lc2とを互いに弱め合わせることができる。すなわち、第1領域30Aと同様に、第2領域30Bは、第2波長λ2(第2周波数F2)を有する電磁波Lcを吸収することができる。これにより、第2波長λ2(第2周波数F2)を有する電磁波Lcに起因するレーダ装置20の誤検出が生じることを抑制することができる。 Similar to the difference Δ1, the difference Δ2 between the path of the electromagnetic wave Lc1 and the path of the electromagnetic wave Lc2 is the incident angle θ2, the occupancy rate E2 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the second region 30B, the thickness of the resin layer 35, and the resin. It is determined based on the dielectric constant of the layer 35 and the like. By appropriately setting the occupancy rate E2, the electromagnetic wave Lc1 and the electromagnetic wave Lc2 can be weakened against each other in the second region 30B. That is, similarly to the first region 30A, the second region 30B can absorb the electromagnetic wave Lc having the second wavelength λ2 (second frequency F2). As a result, it is possible to suppress the occurrence of erroneous detection of the radar device 20 due to the electromagnetic wave Lc having the second wavelength λ2 (second frequency F2).

第2領域30Bの金属メッシュパターン40の第2周期P2は、第1領域30Aの金属メッシュパターン40の第1周期P1よりも小さくてもよい。第2領域30Bの金属メッシュパターン40の第2周期P2は、例えば3mm以下であり、2mm以下であってもよく、1mm以下であってもよい。第2領域30Bの金属メッシュパターン40の内側金属層41の幅W2は、第1領域30Aの金属メッシュパターン40の内側金属層41の幅W1よりも小さくてもよい。第2領域30Bの金属メッシュパターン40の内側金属層41の幅W2は、例えば2mm以下であり、1mm以下であってもよく、0.5mm以下であってもよい。第2領域30Bの金属メッシュパターン40の隙間42の幅S2は、例えば1mm以下であり、0.5mm以下であってもよく、0.2mm以下であってもよい。 The second period P2 of the metal mesh pattern 40 of the second region 30B may be smaller than the first period P1 of the metal mesh pattern 40 of the first region 30A. The second period P2 of the metal mesh pattern 40 of the second region 30B is, for example, 3 mm or less, may be 2 mm or less, or may be 1 mm or less. The width W2 of the inner metal layer 41 of the metal mesh pattern 40 of the second region 30B may be smaller than the width W1 of the inner metal layer 41 of the metal mesh pattern 40 of the first region 30A. The width W2 of the inner metal layer 41 of the metal mesh pattern 40 of the second region 30B is, for example, 2 mm or less, may be 1 mm or less, or may be 0.5 mm or less. The width S2 of the gap 42 of the metal mesh pattern 40 in the second region 30B is, for example, 1 mm or less, 0.5 mm or less, or 0.2 mm or less.

第2領域30Bの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E2は、第1領域30Aの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E1よりも小さくてもよい。第2領域30Bの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E2は、例えば95%以下であり、90%以下であってもよく、80%以下であってもよく、70%以下であってもよい。占有率E1と占有率E2の差は、3%以上であってもよく、5%以上であってもよく、10%以上であってもよい。 The occupancy rate E2 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the second region 30B may be smaller than the occupancy rate E1 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the first region 30A. The occupancy rate E2 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the second region 30B is, for example, 95% or less, 90% or less, 80% or less, 70% or less. You may. The difference between the occupancy rate E1 and the occupancy rate E2 may be 3% or more, 5% or more, or 10% or more.

図6は、第1領域及30A及び第2領域30Bのシールド特性の一例を示すグラフである。図6において、横軸は、第1領域30A又は第2領域30Bに入射する電磁波の周波数を示し、縦軸は、第1領域30A又は第2領域30Bによって反射される電磁波の反射係数を示す。 FIG. 6 is a graph showing an example of the shield characteristics of the first region and 30A and the second region 30B. In FIG. 6, the horizontal axis represents the frequency of the electromagnetic wave incident on the first region 30A or the second region 30B, and the vertical axis represents the reflection coefficient of the electromagnetic wave reflected by the first region 30A or the second region 30B.

図6に示すように、第1領域及30Aは、上述の関係式(1)に基づいて定まる所定の周波数において負のピークを示す。第2領域30Bは、上述の関係式(2)に基づいて定まる所定の周波数において負のピークを示す。第1領域30A及び第2領域30Bのそれぞれにおいて金属メッシュパターン40の占有率を適切に設定することにより、第1領域30Aの負のピークを第1周波数F1に位置付け、第2領域30Bの負のピークを第2周波数F2に位置付けることができる。これにより、第1領域30A及び第2領域30Bがそれぞれ、電磁波Lb及び電磁波Lcを効率的に吸収できるので、レーダ装置20の誤検出が生じることを抑制することができる。 As shown in FIG. 6, the first region and 30A show a negative peak at a predetermined frequency determined based on the above relational expression (1). The second region 30B shows a negative peak at a predetermined frequency determined based on the above relational expression (2). By appropriately setting the occupancy of the metal mesh pattern 40 in each of the first region 30A and the second region 30B, the negative peak of the first region 30A is positioned at the first frequency F1, and the negative peak of the second region 30B is negative. The peak can be positioned at the second frequency F2. As a result, the first region 30A and the second region 30B can efficiently absorb the electromagnetic wave Lb and the electromagnetic wave Lc, respectively, so that it is possible to suppress the occurrence of erroneous detection of the radar device 20.

図7は、第1領域及30A及び第2領域30Bのシールド特性のその他の例を示すグラフである。図7に示すように、第1領域30Aの負のピークが位置する第1周波数F1と、第2領域30Bの負のピークが位置する第2周波数F2とが、一致又はほぼ一致していてもよい。 FIG. 7 is a graph showing other examples of the shield characteristics of the first region and 30A and the second region 30B. As shown in FIG. 7, even if the first frequency F1 in which the negative peak of the first region 30A is located and the second frequency F2 in which the negative peak of the second region 30B is located are coincident or substantially coincident with each other. good.

図3及び図5に示すように、第1領域30Aに入射する電磁波Lbの入射角θ1は、第2領域30Bに入射する電磁波Lcの入射角θ2と異なる。このため、仮に、第1領域30Aの金属メッシュパターン40の占有率E1と第2領域30Bの金属メッシュパターン40の占有率E2とが同一である場合、第1領域30Aの負のピークの位置は、第2領域30Bの負のピークの位置と異なる。本実施の形態によれば、占有率E1と占有率E2の差を適切に設定することにより、図7に示すように、第1領域30Aの負のピークの位置と第2領域30Bの負のピークの位置とを一致又はほぼ一致させることができる。 As shown in FIGS. 3 and 5, the incident angle θ1 of the electromagnetic wave Lb incident on the first region 30A is different from the incident angle θ2 of the electromagnetic wave Lc incident on the second region 30B. Therefore, if the occupancy rate E1 of the metal mesh pattern 40 in the first region 30A and the occupancy rate E2 of the metal mesh pattern 40 in the second region 30B are the same, the position of the negative peak in the first region 30A is , Different from the position of the negative peak in the second region 30B. According to the present embodiment, by appropriately setting the difference between the occupancy rate E1 and the occupancy rate E2, as shown in FIG. 7, the position of the negative peak in the first region 30A and the negative peak position in the second region 30B are negative. The position of the peak can be matched or almost matched.

次に、上述の電磁波吸収部材30の製造方法の一例について説明する。 Next, an example of the method for manufacturing the electromagnetic wave absorbing member 30 described above will be described.

まず、図8に示すように、樹脂層35を準備する。例えば、樹脂層35を構成する樹脂基板を準備する。 First, as shown in FIG. 8, the resin layer 35 is prepared. For example, a resin substrate constituting the resin layer 35 is prepared.

図8に示すように、樹脂層35の内面36は凹凸部38を含んでいてもよい。凹凸部38は、例えば、対応する凹凸部を含む金型を用いて樹脂材料を成型することによって樹脂層35の内面36に形成され得る。 As shown in FIG. 8, the inner surface 36 of the resin layer 35 may include the uneven portion 38. The uneven portion 38 can be formed on the inner surface 36 of the resin layer 35, for example, by molding a resin material using a mold containing the corresponding uneven portion.

続いて、図9に示すように、樹脂層35の内面36にプライマー処理を施し、内面36にプライマー層39を形成してもよい。図9に示すように、樹脂層35の外面37にもプライマー層39を形成してもよい。プライマー処理は、分子接合処理を含んでいてもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 9, the inner surface 36 of the resin layer 35 may be subjected to a primer treatment to form the primer layer 39 on the inner surface 36. As shown in FIG. 9, the primer layer 39 may also be formed on the outer surface 37 of the resin layer 35. The primer treatment may include a molecular bonding treatment.

分子接合処理は、樹脂層35の内面36に分子接合剤を供給する供給工程と、内面36の分子接合剤を乾燥させる乾燥工程と、を含んでいる。供給工程においては、塗布、浸漬、噴霧などによって分子接合剤を内面36に供給することができる。乾燥工程においては、例えば樹脂層35を加熱することによって分子接合剤を乾燥させることができる。 The molecular bonding treatment includes a supply step of supplying the molecular bonding agent to the inner surface 36 of the resin layer 35 and a drying step of drying the molecular bonding agent on the inner surface 36. In the supply step, the molecular bonding agent can be supplied to the inner surface 36 by coating, dipping, spraying or the like. In the drying step, the molecular bonding agent can be dried, for example, by heating the resin layer 35.

続いて、図10に示すように、樹脂層35の内面36側に内側金属層41を形成する。例えば、めっき処理によって内側金属層41を形成してもよい。内側金属層41と同時に樹脂層35の外面37側に外側金属層46を形成してもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 10, an inner metal layer 41 is formed on the inner surface 36 side of the resin layer 35. For example, the inner metal layer 41 may be formed by plating. The outer metal layer 46 may be formed on the outer surface 37 side of the resin layer 35 at the same time as the inner metal layer 41.

図10に示すように、内側金属層41には、内面36の凹凸部38に対応した凹凸部43が現れていてもよい。このような凹凸部43は、プライマー層39の厚み及び内側金属層41の厚みを、凹凸部38に追従可能な程度に小さくすることによって生じ得る。 As shown in FIG. 10, the uneven portion 43 corresponding to the uneven portion 38 of the inner surface 36 may appear on the inner metal layer 41. Such a concavo-convex portion 43 can be formed by reducing the thickness of the primer layer 39 and the thickness of the inner metal layer 41 to such an extent that it can follow the concavo-convex portion 38.

内側金属層41が凹凸部43を含むことにより、内側金属層41が平坦な場合に比べて内側金属層41の表面積を増加させることができる。これにより、内側金属層41が平坦な場合に比べて、内側金属層41のシールド特性を高くすることができる。 Since the inner metal layer 41 includes the uneven portion 43, the surface area of the inner metal layer 41 can be increased as compared with the case where the inner metal layer 41 is flat. As a result, the shielding characteristics of the inner metal layer 41 can be improved as compared with the case where the inner metal layer 41 is flat.

内側金属層41の凹凸部43の特徴は、JIS B 0601:2001に規定される算術平均粗さRa及び最大高さRzによって表され得る。
内側金属層41の算術平均粗さRaは、好ましくは0.5μm以上であり、より好ましくは1μm以上である。また、内側金属層41の算術平均粗さRaは、好ましくは10μm以下であり、より好ましくは7μm以下である。
内側金属層41の最大高さRzは、好ましくは10μm以上であり、より好ましくは15μm以上である。また、内側金属層41の内面36の最大高さRzは、好ましくは100μm以下であり、より好ましくは70μm以下である。
算術平均粗さRa、及び最大高さRzを測定するための測定器としては、キーエンス製レーザーマイクロスコープ VKX100/110を用いることができる。
The characteristics of the uneven portion 43 of the inner metal layer 41 can be represented by the arithmetic mean roughness Ra and the maximum height Rz defined in JIS B 0601: 2001.
The arithmetic mean roughness Ra of the inner metal layer 41 is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1 μm or more. The arithmetic average roughness Ra of the inner metal layer 41 is preferably 10 μm or less, and more preferably 7 μm or less.
The maximum height Rz of the inner metal layer 41 is preferably 10 μm or more, and more preferably 15 μm or more. The maximum height Rz of the inner surface 36 of the inner metal layer 41 is preferably 100 μm or less, more preferably 70 μm or less.
As a measuring instrument for measuring the arithmetic mean roughness Ra and the maximum height Rz, a KEYENCE laser microscope VKX100 / 110 can be used.

続いて、内側金属層41を部分的に加工する加工工程を実施する。これにより、内側金属層41に上述の隙間42を形成することができる。加工工程は、例えば、内側金属層41にレーザー光を照射して内側金属層41を部分的に除去する工程を含む。 Subsequently, a processing step of partially processing the inner metal layer 41 is carried out. As a result, the above-mentioned gap 42 can be formed in the inner metal layer 41. The processing step includes, for example, a step of irradiating the inner metal layer 41 with a laser beam to partially remove the inner metal layer 41.

第1領域30Aに対応する領域においては、例えば電磁波吸収部材30の側面31においては、内側金属層41の幅がW1になるように内側金属層41を加工する。第2領域30Bに対応する領域においては、例えば電磁波吸収部材30の背面32においては、内側金属層41の幅がW2になるように内側金属層41を加工する。このようにして、第1領域30A及び第2領域30Bを備える電磁波吸収部材30を得ることができる。 In the region corresponding to the first region 30A, for example, on the side surface 31 of the electromagnetic wave absorbing member 30, the inner metal layer 41 is processed so that the width of the inner metal layer 41 is W1. In the region corresponding to the second region 30B, for example, on the back surface 32 of the electromagnetic wave absorbing member 30, the inner metal layer 41 is processed so that the width of the inner metal layer 41 is W2. In this way, the electromagnetic wave absorbing member 30 including the first region 30A and the second region 30B can be obtained.

本実施の形態によれば、レーダ装置20から放出される不要な電磁波の進行方向及び周波数に応じて電磁波吸収部材30に第1領域30A及び第2領域30Bを設けることにより、不要な電磁波を効率的に除去することができる。これにより、レーダ装置20において誤検出が生じることを抑制することができる。 According to the present embodiment, the unnecessary electromagnetic waves are made efficient by providing the first region 30A and the second region 30B in the electromagnetic wave absorbing member 30 according to the traveling direction and frequency of the unnecessary electromagnetic waves emitted from the radar device 20. Can be removed as a target. As a result, it is possible to suppress the occurrence of erroneous detection in the radar device 20.

また、本実施の形態によれば、めっき処理によって金属メッシュパターン40を形成することにより、金属メッシュパターン40が形成される電磁波吸収部材30の内面の形状の自由度を高めることができる。このため、例えば、電磁波吸収部材30の樹脂層35として、樹脂材料の成型品を用いることができる。 Further, according to the present embodiment, by forming the metal mesh pattern 40 by the plating treatment, the degree of freedom in the shape of the inner surface of the electromagnetic wave absorbing member 30 on which the metal mesh pattern 40 is formed can be increased. Therefore, for example, a molded product of a resin material can be used as the resin layer 35 of the electromagnetic wave absorbing member 30.

また、本実施の形態によれば、樹脂層35の内面36にプライマー処理を施すことや、樹脂層35の内面36に凹凸部38を設けることにより、金属メッシュパターン40を構成する内側金属層41の厚みを小さくすることができる。これにより、電磁波吸収部材30のコストを低減することができる。また、金属メッシュパターン40の内側金属層41に凹凸部43を設けることができるので、金属メッシュパターン40のシールド特性を高めることができる。 Further, according to the present embodiment, the inner metal layer 41 constituting the metal mesh pattern 40 is formed by applying a primer treatment to the inner surface 36 of the resin layer 35 and providing the uneven portion 38 on the inner surface 36 of the resin layer 35. The thickness of the metal can be reduced. Thereby, the cost of the electromagnetic wave absorbing member 30 can be reduced. Further, since the uneven portion 43 can be provided on the inner metal layer 41 of the metal mesh pattern 40, the shielding characteristics of the metal mesh pattern 40 can be improved.

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。 It is possible to make various changes to the above-described embodiment. Hereinafter, a modified example will be described with reference to the drawings as necessary. In the following description and the drawings used in the following description, the same codes as those used for the corresponding parts in the above-described embodiment will be used for the parts that can be configured in the same manner as in the above-described embodiment. Duplicate explanations will be omitted. Further, when it is clear that the action and effect obtained in the above-described embodiment can be obtained in the modified example, the description thereof may be omitted.

(第1の変形例)
上述の実施の形態においては、占有率E1の金属メッシュパターン40を有する第1領域30Aが側面31に位置し、占有率E1とは異なる占有率E2の金属メッシュパターン40を有する第2領域30Bが背面32に位置する例を示した。しかしながら、第1領域30A及び第2領域30Bの配置は任意であり、レーダ装置20から放出される不要な電磁波の進行方向及び周波数に応じて適宜定められ得る。例えば図11に示すように、第2領域30Bは、電磁波吸収部材30の側面31のうち第1領域30Aとは異なる位置にあってもよい。
(First modification)
In the above-described embodiment, the first region 30A having the metal mesh pattern 40 having the occupancy rate E1 is located on the side surface 31, and the second region 30B having the metal mesh pattern 40 having the occupancy rate E2 different from the occupancy rate E1 is located. An example located on the back surface 32 is shown. However, the arrangement of the first region 30A and the second region 30B is arbitrary and can be appropriately determined according to the traveling direction and frequency of the unnecessary electromagnetic wave emitted from the radar device 20. For example, as shown in FIG. 11, the second region 30B may be located at a position different from that of the first region 30A on the side surface 31 of the electromagnetic wave absorbing member 30.

(第2の変形例)
上述の実施の形態においては、レーダ装置20の周辺に設けられるカバー部材33が電磁波吸収部材30として機能する例を示した。本変形例においては、レーダ装置20の通信部24の周辺に設けられるフレーム28が、電磁波吸収部材30として機能する例を説明する。
(Second modification)
In the above-described embodiment, an example is shown in which the cover member 33 provided around the radar device 20 functions as the electromagnetic wave absorbing member 30. In this modification, an example in which the frame 28 provided around the communication unit 24 of the radar device 20 functions as the electromagnetic wave absorbing member 30 will be described.

図12は、レーダ機構10の一例を示す断面図である。レーダ装置20は、通信部24と、通信部24の周辺に設けられるフレーム28と、を備える。通信部24は、送信機又は受信機の少なくともいずれかを含む。フレーム28は、通信部24を保持していてもよい。レーダ装置20は、通信部24及びフレーム28を覆うケース29を備えていてもよい。 FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of the radar mechanism 10. The radar device 20 includes a communication unit 24 and a frame 28 provided around the communication unit 24. The communication unit 24 includes at least one of a transmitter and a receiver. The frame 28 may hold the communication unit 24. The radar device 20 may include a case 29 that covers the communication unit 24 and the frame 28.

図13は、図12のレーダ装置20を拡大して示す断面図である。フレーム28は、通信部24の側面を囲う側面26と、レーダ装置20の内面21側に位置する背面27と、を含んでいてもよい。 FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view showing the radar device 20 of FIG. The frame 28 may include a side surface 26 that surrounds the side surface of the communication unit 24, and a back surface 27 that is located on the inner surface 21 side of the radar device 20.

図13に示すように、フレーム28は、第1領域30A及び第2領域30Bを備えている。第1領域30Aは、上述の実施の形態の場合と同様に、第1周波数F1の電磁波Lbを吸収することができるよう構成されている。第2領域30Bは、上述の実施の形態の場合と同様に、第2周波数F2の電磁波Lcを吸収することができるよう構成されている。すなわち、フレーム28は、上述の実施の形態のカバー部材33と同様に、電磁波吸収部材30として機能することができる。図13に示すように、第1領域30Aが側面26に位置し、第2領域30Bが背面27に位置していてもよい。 As shown in FIG. 13, the frame 28 includes a first region 30A and a second region 30B. The first region 30A is configured to be able to absorb the electromagnetic wave Lb of the first frequency F1 as in the case of the above-described embodiment. The second region 30B is configured to be able to absorb the electromagnetic wave Lc of the second frequency F2, as in the case of the above-described embodiment. That is, the frame 28 can function as the electromagnetic wave absorbing member 30 in the same manner as the cover member 33 of the above-described embodiment. As shown in FIG. 13, the first region 30A may be located on the side surface 26 and the second region 30B may be located on the back surface 27.

本変形例によれば、電磁波吸収部材30をレーダ装置20の内部に設けることにより、不要な電磁波をレーダ装置20の内部において効率的に除去することができる。また、第1領域30Aの金属メッシュパターン40の占有率E1及び第2領域30Bの金属メッシュパターン40の占有率E2を適切に設定することにより、第1領域30A及び第2領域30Bが吸収する電磁波の周波数及び入射角を調整することができる。 According to this modification, by providing the electromagnetic wave absorbing member 30 inside the radar device 20, unnecessary electromagnetic waves can be efficiently removed inside the radar device 20. Further, by appropriately setting the occupancy rate E1 of the metal mesh pattern 40 of the first region 30A and the occupancy rate E2 of the metal mesh pattern 40 of the second region 30B, the electromagnetic waves absorbed by the first region 30A and the second region 30B are absorbed. Frequency and angle of incidence can be adjusted.

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the description of the following Examples as long as the gist of the present invention is not exceeded.

(実施例1)
第1領域30Aの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E1が72%になるように電磁波吸収部材30を構成した。内側金属層41の幅W1は0.2mmであり、隙間42の幅S1は0.07mmであった。樹脂層35の厚みは2.3mmであった。続いて、第1領域30Aの反射係数を測定した。結果を図14に示す。負のピークは約104GHzに位置していた。
(Example 1)
The electromagnetic wave absorbing member 30 is configured so that the occupancy rate E1 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the first region 30A is 72%. The width W1 of the inner metal layer 41 was 0.2 mm, and the width S1 of the gap 42 was 0.07 mm. The thickness of the resin layer 35 was 2.3 mm. Subsequently, the reflectance coefficient of the first region 30A was measured. The results are shown in FIG. The negative peak was located at about 104 GHz.

(実施例2)
第1領域30Aの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E1が85%になるように電磁波吸収部材30を構成した。内側金属層41の幅W1は0.4mmであり、隙間42の幅S1は0.07mmであった。樹脂層35の厚みは2.3mmであった。続いて、第1領域30Aの反射係数を測定した。結果を図14に示す。負のピークは約99GHzに位置していた。
(Example 2)
The electromagnetic wave absorbing member 30 is configured so that the occupancy rate E1 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the first region 30A is 85%. The width W1 of the inner metal layer 41 was 0.4 mm, and the width S1 of the gap 42 was 0.07 mm. The thickness of the resin layer 35 was 2.3 mm. Subsequently, the reflectance coefficient of the first region 30A was measured. The results are shown in FIG. The negative peak was located at about 99 GHz.

(実施例3)
第1領域30Aの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E1が89%になるように電磁波吸収部材30を構成した。内側金属層41の幅W1は0.6mmであり、隙間42の幅S1は0.07mmであった。樹脂層35の厚みは2.3mmであった。続いて、第1領域30Aの反射係数を測定した。結果を図14に示す。負のピークは約96GHzに位置していた。
(Example 3)
The electromagnetic wave absorbing member 30 is configured so that the occupancy rate E1 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the first region 30A is 89%. The width W1 of the inner metal layer 41 was 0.6 mm, and the width S1 of the gap 42 was 0.07 mm. The thickness of the resin layer 35 was 2.3 mm. Subsequently, the reflectance coefficient of the first region 30A was measured. The results are shown in FIG. The negative peak was located at about 96 GHz.

(実施例4)
第1領域30Aの金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率E1が94%になるように電磁波吸収部材30を構成した。内側金属層41の幅W1は1.2mmであり、隙間42の幅S1は0.07mmであった。樹脂層35の厚みは2.3mmであった。続いて、第1領域30Aの反射係数を測定した。結果を図14に示す。明確な負のピークは観察できなかった。
(Example 4)
The electromagnetic wave absorbing member 30 is configured so that the occupancy rate E1 of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40 of the first region 30A is 94%. The width W1 of the inner metal layer 41 was 1.2 mm, and the width S1 of the gap 42 was 0.07 mm. The thickness of the resin layer 35 was 2.3 mm. Subsequently, the reflectance coefficient of the first region 30A was measured. The results are shown in FIG. No clear negative peak could be observed.

図14に示すように、金属メッシュパターン40における内側金属層41の占有率を変更することにより、負のピークの位置及び高さを調整することができる。 As shown in FIG. 14, the position and height of the negative peak can be adjusted by changing the occupancy of the inner metal layer 41 in the metal mesh pattern 40.

10 レーダ機構
20 レーダ装置
21 内面
22 外面
23 側面
24 通信部
26 側面
27 背面
28 フレーム
29 ケース
30 電磁波吸収部材
30A 第1領域
30B 第2領域
31 側面
32 背面
33 カバー部材
35 樹脂層
36 内面
37 外面
40 金属メッシュパターン
41 内側金属層
42 隙間
46 外側金属層
60 リヤバンパ
61 内面
La 第1電磁波
Lb 第2電磁波
Lc 第3電磁波
10 Radar mechanism 20 Radar device 21 Inner surface 22 Outer surface 23 Side surface 24 Communication unit 26 Side surface 27 Back surface 28 Frame 29 Case 30 Electromagnetic wave absorbing member 30A First area 30B Second area 31 Side surface 32 Back surface 33 Cover member 35 Resin layer 36 Inner surface 37 Outer surface 40 Metal mesh pattern 41 Inner metal layer 42 Gap 46 Outer metal layer 60 Rear bumper 61 Inner surface La 1st electromagnetic wave Lb 2nd electromagnetic wave Lc 3rd electromagnetic wave

Claims (7)

ミリ波又は準ミリ波を用いるレーダ装置の周辺又は前記レーダ装置の通信部の周辺に設けられる電磁波吸収部材であって、
第1領域と、
前記第1領域とは異なる位置にある第2領域と、を備え、
前記第1領域及び前記第2領域はいずれも、内面側から外面側へ向かって順に、金属メッシュパターン、樹脂層及び金属層を含み、
前記第1領域の前記金属メッシュパターンの占有率は、前記金属メッシュパターンの占有率と異なる、電磁波吸収部材。
An electromagnetic wave absorbing member provided around a radar device that uses millimeter waves or quasi-millimeter waves or around a communication unit of the radar device.
The first area and
A second region located at a position different from that of the first region is provided.
Both the first region and the second region include a metal mesh pattern, a resin layer, and a metal layer in this order from the inner surface side to the outer surface side.
An electromagnetic wave absorbing member in which the occupancy rate of the metal mesh pattern in the first region is different from the occupancy rate of the metal mesh pattern.
前記第1領域は、前記電磁波吸収部材の側面に位置し、
前記第2領域は、前記電磁波吸収部材の背面に位置する、請求項1に記載の電磁波吸収部材。
The first region is located on the side surface of the electromagnetic wave absorbing member.
The electromagnetic wave absorbing member according to claim 1, wherein the second region is located on the back surface of the electromagnetic wave absorbing member.
前記第2領域の前記金属メッシュパターンの占有率は、前記第1領域の前記金属メッシュパターンの占有率よりも小さい、請求項2に記載の電磁波吸収部材。 The electromagnetic wave absorbing member according to claim 2, wherein the occupancy rate of the metal mesh pattern in the second region is smaller than the occupancy rate of the metal mesh pattern in the first region. 前記第1領域及び前記第2領域の前記金属メッシュパターンは、めっき層を含む、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電磁波吸収部材。 The electromagnetic wave absorbing member according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal mesh pattern of the first region and the second region includes a plating layer. 前記金属メッシュパターンの表面は、凹凸部を含む、請求項4に記載の電磁波吸収部材。 The electromagnetic wave absorbing member according to claim 4, wherein the surface of the metal mesh pattern includes an uneven portion. 前記樹脂層の前記金属メッシュパターン側の表面は、プライマー層を含む、請求項4又は5に記載の電磁波吸収部材。 The electromagnetic wave absorbing member according to claim 4 or 5, wherein the surface of the resin layer on the metal mesh pattern side includes a primer layer. ミリ波又は準ミリ波を用いるレーダ装置と、
前記レーダ装置を囲う請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電磁波吸収部材と、を備える、レーダ機構。
Radar devices that use millimeter or quasi-millimeter waves,
A radar mechanism comprising the electromagnetic wave absorbing member according to any one of claims 1 to 6 surrounding the radar device.
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