JP2021163826A - Substrate processing device - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing device capable of easily changing the number and width of a conveyance lane.SOLUTION: A substrate processing device 100 includes a processing chamber where a substrate is processed, a plurality of guide members 118, and a conveyance lane component 200 for conveying the substrate 300 in a first direction D1. The plurality of guide members 118 are movable so as to change the number and width W1 of a substrate processing lane 119. The conveyance lane component 200 includes: a plurality of support members (first and second rails 211 and 221) capable of constituting a plurality of conveyance lanes 201 lined up along a second direction D2; pitch changing means capable of changing the pitches (pitch P1, P2) of the plurality of support members; and lane width changing means capable of collectively changing the widths W2 of the plurality of conveyance lanes 201 so as to correspond to the width of the substrate 300, by collectively moving at least part of the plurality of support members.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示は、基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus.

基板の製造工程において、基板のクリーニング、エッチング、成膜、熱処理、露光等のために、プラズマ処理装置や薄膜形成装置(例えば、CVD装置、スパッタ装置)などの基板処理装置が用いられる場合がある。例えば、プラズマ処理装置は、一般に、処理室と処理室内に設置された基板載置部とを備える。基板を基板載置部に載置した後、処理室内を密閉し、減圧下でプロセスガスを供給するとともに、基板載置部に高周波電力を印加する。これにより、処理室内にプラズマが発生し、基板はプラズマ処理される。 In the substrate manufacturing process, a substrate processing device such as a plasma processing device or a thin film forming device (for example, a CVD device or a sputtering device) may be used for cleaning, etching, film forming, heat treatment, exposure, etc. of the substrate. .. For example, a plasma processing apparatus generally includes a processing chamber and a substrate mounting portion installed in the processing chamber. After mounting the substrate on the substrate mounting portion, the processing chamber is sealed, the process gas is supplied under reduced pressure, and high-frequency power is applied to the substrate mounting portion. As a result, plasma is generated in the processing chamber, and the substrate is plasma-processed.

プラズマ処理の際、複数の基板が処理室内に収容され、同時に処理される場合がある。このとき、複数の基板を均等に処理するために、それぞれの基板を、基板載置部上の所定の位置に位置決めすることが必要である。基板の位置決めには、例えば、基板の両端部を支持する一対のガイド部材が用いられる。しかし、処理される基板の大きさは、用途等によって様々である。そこで、特許文献1は、上記のようなガイド部材を用いる場合、一対のガイド部材の一方を着脱式にして、当該ガイド部材のピッチを調整自在にすることを教示している。これにより、種々の大きさの基板を、処理室内の所定の位置に容易に位置決めすることができる。 During plasma processing, a plurality of substrates may be housed in the processing chamber and processed at the same time. At this time, in order to process the plurality of substrates evenly, it is necessary to position each substrate at a predetermined position on the substrate mounting portion. For positioning the substrate, for example, a pair of guide members that support both ends of the substrate are used. However, the size of the substrate to be processed varies depending on the application and the like. Therefore, Patent Document 1 teaches that when a guide member as described above is used, one of the pair of guide members is detachable so that the pitch of the guide member can be adjusted freely. As a result, substrates of various sizes can be easily positioned at predetermined positions in the processing chamber.

特開2006−228773号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-228773

ところで、プラズマ処理装置は、基板を処理室外から処理室内に搬送するための搬送レーンを備える場合がある。上記のように、複数の基板を同時にプラズマ処理する場合、搬送レーンは、ガイド部材に対応するように、複数が並べて設置される。各搬送レーンで搬送された基板は、処理室内のガイド部材に受け渡されて、基板載置部に載置される。 By the way, the plasma processing apparatus may include a transport lane for transporting the substrate from the outside of the processing chamber to the processing chamber. As described above, when a plurality of substrates are plasma-treated at the same time, a plurality of transfer lanes are installed side by side so as to correspond to the guide members. The substrate conveyed in each transfer lane is delivered to a guide member in the processing chamber and placed on the substrate mounting portion.

この場合、処理される基板の幅や同時に処理される基板の枚数が変わると、搬送レーンの数および幅の両方を変更する必要が生じる。そのため、搬送レーンの位置調整作業に時間と手間がかかり、生産性が低下し易い。 In this case, if the width of the substrates to be processed and the number of substrates to be processed at the same time change, it becomes necessary to change both the number and width of the transport lanes. Therefore, it takes time and effort to adjust the position of the transport lane, and the productivity tends to decrease.

このような状況において、本開示は、搬送レーンの数および幅を容易に変更できる基板処理装置を提供することを目的の1つとする。 In such a situation, one of the objects of the present disclosure is to provide a substrate processing apparatus capable of easily changing the number and width of transport lanes.

本開示の一局面は、基板処理装置に関する。当該基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板が処理される処理室と、前記処理室内に配置される複数のガイド部材と、前記処理室の外部に配置され、前記基板を第1の方向に搬送するための搬送レーン構成装置とを含み、前記処理室は、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の前記基板を配置して処理可能な基板処理領域を有し、前記複数のガイド部材は、前記基板処理領域を通り且つ前記第2の方向に沿って並ぶ複数の基板処理レーンを構成可能であり、前記複数のガイド部材の少なくとも一部は、前記基板処理レーンの数および前記基板処理レーンの幅W1を変更するように移動可能であり、前記搬送レーン構成装置は、前記処理室への前記基板の搬入および前記処理室からの前記基板の搬出のうちの少なくとも一方に用いられ、前記搬送レーン構成装置は、前記第2の方向に沿って並ぶ複数の搬送レーンを構成することが可能な複数の支持部材と、前記複数の支持部材のピッチを変更することが可能なピッチ変更手段と、前記複数の支持部材の少なくとも一部を一括して移動させることによって、前記基板の幅に対応するように前記複数の搬送レーンのそれぞれの幅W2を一括して変更することが可能なレーン幅変更手段とを含む。 One aspect of the present disclosure relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus that processes a substrate, and is a processing chamber in which the substrate is processed, a plurality of guide members arranged in the processing chamber, and arranged outside the processing chamber. The processing chamber can process by arranging a plurality of the substrates along a second direction intersecting the first direction, including a transport lane component for transporting the substrates in the first direction. The plurality of guide members having a substrate processing region can form a plurality of substrate processing lanes that pass through the substrate processing region and are lined up along the second direction, and at least a part of the plurality of guide members. Is movable so as to change the number of the substrate processing lanes and the width W1 of the substrate processing lanes, and the transport lane constituent device carries the substrate into the processing chamber and the substrate from the processing chamber. The transport lane component device is used for at least one of the transport members, and the transport lane component device includes a plurality of support members capable of forming a plurality of transport lanes arranged along the second direction, and the plurality of support members. The width W2 of each of the plurality of transport lanes so as to correspond to the width of the substrate by collectively moving at least a part of the plurality of support members and the pitch changing means capable of changing the pitch. Includes a lane width changing means that can change all at once.

本発明によれば、搬送レーンの数および幅を容易に変更できる基板処理装置が得られる。 According to the present invention, it is possible to obtain a substrate processing apparatus in which the number and width of transport lanes can be easily changed.

本開示に係る基板処理装置の一部を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of the substrate processing apparatus which concerns on this disclosure schematically. 図1に示した基板処理装置の一部およびその内部を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 and the inside thereof schematically. 図1に示した基板処理装置の配置の一例を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows typically an example of the arrangement of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図3に示した基板処理装置の一部を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows a part of the substrate processing apparatus shown in FIG. 3 schematically. 図3に示した基板処理装置の他の一部を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows typically another part of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図3に示した基板処理装置の一部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of the substrate processing apparatus shown in FIG. 3 schematically. 図1に示した基板処理装置の配置の他の一例を模式的に示す上面図である。It is a top view schematically showing another example of the arrangement of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. 図1に示した基板処理装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate processing apparatus shown in FIG.

以下、本開示の実施形態について説明する。なお、以下の説明では、本開示の実施形態について例を挙げて説明するが、本開示は以下で説明する例に限定されない。以下の説明では、具体的な数値や材料を例示する場合があるが、本開示の効果が得られる限り、他の数値や他の材料を適用してもよい。以下の説明において、公知の部材や構成の適用(または利用)の例には、公知の部材や構成をそのまま適用する場合に加えて、公知の部材や構成を本開示に適合するように修正して適用する場合も含まれる。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described. In the following description, the embodiments of the present disclosure will be described with examples, but the present disclosure is not limited to the examples described below. In the following description, specific numerical values and materials may be exemplified, but other numerical values and other materials may be applied as long as the effects of the present disclosure can be obtained. In the following description, in the example of application (or utilization) of a known member or configuration, in addition to the case where the known member or configuration is applied as it is, the known member or configuration is modified to conform to the present disclosure. It is also included when it is applied.

本開示の基板処理装置は、基板を処理する装置である。以下では、本開示の基板処理装置を、単に「処理装置」または「装置」と称する場合がある。本開示の処理装置は、基板が処理される処理室と、処理室内に配置される複数のガイド部材と、処理室の外部に配置され、基板を第1の方向に搬送するための搬送レーン構成装置とを含む。処理室、ガイド部材、および搬送レーン構成装置について、以下に説明する。 The substrate processing apparatus of the present disclosure is an apparatus for processing a substrate. Hereinafter, the substrate processing apparatus of the present disclosure may be simply referred to as a "processing apparatus" or a "device". The processing apparatus of the present disclosure includes a processing chamber in which a substrate is processed, a plurality of guide members arranged in the processing chamber, and a transport lane configuration arranged outside the processing chamber for transporting the substrate in the first direction. Includes equipment. The processing chamber, guide members, and transport lane components will be described below.

(処理室およびガイド部材)
処理室は、第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の基板を配置して処理可能な基板処理領域を有する。複数のガイド部材は、基板処理領域を通り且つ第2の方向に沿って並ぶ複数の基板処理レーンを構成可能である。複数のガイド部材の少なくとも一部は、基板処理レーンの数および基板処理レーンの幅W1を変更するように移動可能である。
(Processing room and guide members)
The processing chamber has a substrate processing region in which a plurality of substrates can be arranged and processed along a second direction intersecting the first direction. The plurality of guide members can form a plurality of substrate processing lanes that pass through the substrate processing region and are arranged along the second direction. At least a part of the plurality of guide members can be moved so as to change the number of substrate processing lanes and the width W1 of the substrate processing lanes.

基板処理領域は、配置された基板に対して所定の基板処理が行われる領域である。基板処理の例については後述する。基板処理レーンの幅W1とは、基板処理レーンで搬送可能な最大の基板の幅を意味する。ここで、基板の幅とは、ガイド部材でガイドされる対向する2つの辺(基板の2つの辺)の間の距離を意味する。すなわち、基板の幅とは、第1の方向に対して垂直な方向における基板の最大の長さを意味する。 The substrate processing area is an area in which a predetermined substrate processing is performed on the arranged substrate. An example of substrate processing will be described later. The width W1 of the substrate processing lane means the maximum width of the substrate that can be conveyed in the substrate processing lane. Here, the width of the substrate means the distance between two opposing sides (two sides of the substrate) guided by the guide member. That is, the width of the substrate means the maximum length of the substrate in the direction perpendicular to the first direction.

第2の方向は第1の方向と交差する方向であり、典型的には、第1の方向に対して垂直な方向である。なお、第2の方向は、通常、水平方向と平行な方向であるが、水平方向に対して傾いていてもよい。例えば、第2の方向は鉛直方向と平行であってもよい。その場合、基板は立てた状態で搬送される。第1の方向は、通常、水平方向と平行な方向であるが、水平方向に対して傾いていてもよい。 The second direction is the direction that intersects the first direction and is typically the direction that is perpendicular to the first direction. The second direction is usually a direction parallel to the horizontal direction, but may be inclined with respect to the horizontal direction. For example, the second direction may be parallel to the vertical direction. In that case, the substrate is transported in an upright state. The first direction is usually parallel to the horizontal direction, but may be tilted with respect to the horizontal direction.

ガイド部材の移動の例には、処理室内における位置の移動、処理室内から処理室外への移動、処理室外から処理室内への移動が含まれる。すなわち、少なくとも一部のガイド部材は、処理室から取り出し可能である。ガイド部材を取り外し可能に固定するための固定具を用いることによって、これらの移動を可能にできる。そのような固定具に特に限定はなく、公知の固定具を用いてもよい。 Examples of movement of the guide member include movement of the position in the treatment chamber, movement from the treatment chamber to the outside of the treatment chamber, and movement from the outside of the treatment chamber to the treatment chamber. That is, at least a part of the guide members can be taken out from the processing chamber. These movements can be made possible by using a fixture for detachably fixing the guide member. Such a fixture is not particularly limited, and a known fixture may be used.

それぞれの基板処理レーンは、基板が搬送される第1の方向に沿って延びている。複数のガイド部材は、複数の基板処理レーンを構成可能であるが、必要に応じて、1つだけの基板処理レーンを構成してもよい。基板処理レーンの数は可変であり、上限に限定はないが、例えば1〜5の範囲としてもよく、1〜4の範囲としてもよく、1〜3の範囲としてもよい。これらの範囲において、下限を2としてもよい。基板処理レーンの数を増やすことによって、処理室内において一度に処理できる基板の数を増やすことが可能である。 Each substrate processing lane extends along a first direction in which the substrate is conveyed. Although the plurality of guide members can form a plurality of substrate processing lanes, only one substrate processing lane may be formed if necessary. The number of substrate processing lanes is variable and the upper limit is not limited, but may be, for example, in the range of 1 to 5, may be in the range of 1 to 4, or may be in the range of 1 to 3. In these ranges, the lower limit may be 2. By increasing the number of substrate processing lanes, it is possible to increase the number of substrates that can be processed at one time in the processing chamber.

ガイド部材の材料および形状に特に限定はなく、公知のガイド部材の材料および形状を適用してもよい。ガイド部材の材料の例には、金属やセラミクスなどが含まれる。ガイド部材は、第1の方向に沿って延び且つ第2の方向にそって並ぶ複数の棒状の部材(例えばレール状の部材)を含んでもよい。すなわち、複数のガイド部材は、ストライプ状に配置された複数の棒状の部材であってもよい。ガイド部材の形状に特に限定はなく、基板が基板処理レーンを通るようにガイドできる形状であればよい。ガイド部材は直方体状であってもよい。あるいは、ガイド部材は、断面がL字状である棒状の部材であってもよいし、第1の方向に沿って延びる溝が形成された棒状の部材であってもよい。その場合には、切り欠きまたは溝の部分によって基板をガイドおよび支持することが可能である。 The material and shape of the guide member are not particularly limited, and a known material and shape of the guide member may be applied. Examples of materials for guide members include metals and ceramics. The guide member may include a plurality of rod-shaped members (for example, rail-shaped members) extending along the first direction and lining up along the second direction. That is, the plurality of guide members may be a plurality of rod-shaped members arranged in a stripe shape. The shape of the guide member is not particularly limited as long as it can guide the substrate through the substrate processing lane. The guide member may have a rectangular parallelepiped shape. Alternatively, the guide member may be a rod-shaped member having an L-shaped cross section, or may be a rod-shaped member having a groove extending along the first direction. In that case, the substrate can be guided and supported by a notch or groove portion.

基板処理の種類に特に限定はなく、基板のクリーニング、エッチング、成膜、熱処理、露光などであってもよい。本開示の処理装置は、処理室を減圧した状態で基板を処理する装置であってもよい。そのような装置の例には、処理室内でプラズマを発生させて基板を処理するプラズマ処理装置が含まれる。プラズマ処理装置の例には、成膜装置(CVD装置、スパッタリング装置など)、エッチング装置、プラズマクリーニング装置、基板の表面処理装置などが含まれる。 The type of substrate treatment is not particularly limited, and may be substrate cleaning, etching, film formation, heat treatment, exposure, or the like. The processing apparatus of the present disclosure may be an apparatus for processing a substrate in a state where the processing chamber is depressurized. Examples of such an apparatus include a plasma processing apparatus that generates plasma in a processing chamber to process a substrate. Examples of the plasma processing apparatus include a film forming apparatus (CVD apparatus, sputtering apparatus, etc.), an etching apparatus, a plasma cleaning apparatus, a substrate surface treatment apparatus, and the like.

処理室を減圧した状態で基板を処理する装置の場合、処理室には、処理室内を減圧するための減圧手段(例えば真空ポンプなどの減圧装置)が接続される。また、必要に応じて、処理に必要なガスを処理室に供給するためのガス流路が処理室に接続される。また、必要に応じて、本開示の処理装置は、処理を行うためのプラズマなどを発生させるための電極および電源を備えてもよい。ガイド部材を除いて、処理室を構成する構成要素および処理室に接続される構成要素に特に限定はなく、公知の装置に用いられている構成要素を適用してもよいし、それらを本開示に適合するように修正して適用してもよい。 In the case of an apparatus for processing a substrate in a state where the processing chamber is depressurized, a decompression means for depressurizing the processing chamber (for example, a decompression device such as a vacuum pump) is connected to the processing chamber. Further, if necessary, a gas flow path for supplying the gas required for the treatment to the treatment chamber is connected to the treatment chamber. Further, if necessary, the processing apparatus of the present disclosure may include electrodes and a power source for generating plasma or the like for processing. Except for the guide member, the components constituting the processing chamber and the components connected to the processing chamber are not particularly limited, and components used in known devices may be applied, and these are disclosed. It may be modified and applied so as to conform to.

本開示の基板処理装置がプラズマ処理装置である場合には、基板処理装置は、処理室内を減圧するための減圧手段と、処理室内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段(電極および電源)とをさらに含む。 When the substrate processing apparatus of the present disclosure is a plasma processing apparatus, the substrate processing apparatus includes a decompression means for depressurizing the processing chamber and a plasma generating means (electrode and power supply) for generating plasma in the processing chamber. Including further.

本開示の処理装置で処理される基板に特に限定はなく、目的に応じて選択される。基板の例には、無機材料からなる基板(半導体基板、ガラス基板、金属基板)、有機材料からなる基板(樹脂基板など)、その他の基板(複合材料からなる基板など)が含まれる。基板には各種の素子が形成されていてもよい。基板の形状は、矩形であってもよいし、それ以外の形状であってもよい。基板は、基板のみで搬送されてもよい。あるいは、処理したい対象物をキャリアに固定したものを基板として搬送してもよい。その場合、処理したい対象物が固定されたキャリアを基板とみなすことができ、キャリアの幅が基板の幅となる。 The substrate processed by the processing apparatus of the present disclosure is not particularly limited, and is selected according to the purpose. Examples of the substrate include a substrate made of an inorganic material (semiconductor substrate, a glass substrate, a metal substrate), a substrate made of an organic material (resin substrate, etc.), and other substrates (a substrate made of a composite material, etc.). Various elements may be formed on the substrate. The shape of the substrate may be rectangular or other. The substrate may be conveyed only by the substrate. Alternatively, an object to be processed fixed to a carrier may be conveyed as a substrate. In that case, a carrier to which the object to be processed is fixed can be regarded as a substrate, and the width of the carrier becomes the width of the substrate.

(搬送レーン構成装置)
搬送レーン構成装置は、処理室への基板の搬入および処理室からの基板の搬出のうちの少なくとも一方に用いられる。搬送レーン構成装置は、好ましい一例では基板の搬入および搬出の両方に用いられるが、搬入のみに用いられてもよいし、搬出のみに用いられてもよい。
(Transport lane component)
The transport lane component is used for at least one of the loading of the substrate into the processing chamber and the export of the substrate from the processing chamber. The transport lane configuration device is used for both loading and unloading of the substrate in a preferred example, but may be used only for loading or unloading.

搬送レーン構成装置は、第2の方向に沿って並ぶ複数の搬送レーンを構成することが可能な複数の支持部材と、複数の支持部材のピッチを変更することが可能なピッチ変更手段と、複数の支持部材の少なくとも一部を一括して移動させることによって、基板の幅に対応するように複数の搬送レーンのそれぞれの幅W2を一括して変更することが可能なレーン幅変更手段とを含む。搬送レーン構成装置は、複数の支持部材で支持された基板を搬送レーンに沿って移動させる搬送機構をさらに含んでもよい。 The transport lane configuration device includes a plurality of support members capable of forming a plurality of transport lanes arranged along a second direction, a plurality of pitch changing means capable of changing the pitch of the plurality of support members, and a plurality of support members. Includes a lane width changing means capable of collectively changing the width W2 of each of a plurality of transport lanes so as to correspond to the width of the substrate by moving at least a part of the support members of the above in a batch. .. The transport lane component may further include a transport mechanism that moves the substrate supported by the plurality of support members along the transport lane.

ここで、搬送レーンの幅W2とは、搬送レーンで搬送可能な最大の基板の幅を意味する。それぞれの搬送レーンは、第1の方向に沿って延びている。 Here, the width W2 of the transport lane means the maximum width of the substrate that can be transported in the transport lane. Each transport lane extends along a first direction.

なお、搬送レーン構成装置に含まれる部材は、ピッチ変更手段の少なくとも一部およびレーン幅変更手段の少なくとも一部として機能してもよい。 The members included in the transport lane constituent device may function as at least a part of the pitch changing means and at least a part of the lane width changing means.

複数の支持部材は、搬送レーンの数が基板処理レーンの数と同じとなり、搬送レーンの幅W2が基板処理レーンの幅W1と実質的に同じとなり、搬送レーンを第1の方向に沿って延ばすと基板処理レーンと重なるように、移動することができる。それによって、搬送レーンによって搬送された複数の基板をそのまま基板処理レーンに移動させることができる。基板処理レーンの幅W1および搬送レーンの幅W2は、通常、基板の幅よりもわずかに大きい。 The plurality of support members have the same number of transport lanes as the number of substrate processing lanes, the width W2 of the transport lanes is substantially the same as the width W1 of the substrate treatment lanes, and the transport lanes are extended along the first direction. And can be moved so as to overlap the substrate processing lane. As a result, the plurality of substrates conveyed by the transfer lane can be moved to the substrate processing lane as they are. The width W1 of the substrate processing lane and the width W2 of the transport lane are usually slightly larger than the width of the substrate.

1つの観点では、ピッチ変更手段は、基板処理レーンの数に対応するように、複数の支持部材のピッチを変更する。別の観点では、ピッチ変更手段は、基板処理レーンを構成する複数のガイド部材のピッチに対応するように、複数の支持部材のピッチを変更する。 In one aspect, the pitch changing means changes the pitch of the plurality of support members to correspond to the number of substrate processing lanes. From another aspect, the pitch changing means changes the pitches of the plurality of support members so as to correspond to the pitches of the plurality of guide members constituting the substrate processing lane.

支持部材の形状および材料に特に限定はなく、公知の基板搬送装置に用いられている支持部材を適用してもよい。支持部材の材料の例には、金属やセラミクスなどが含まれる。支持部材は、基板が搬送レーンを通るように基板を支持できる形状を有する。支持部材は、通常、第1の方向に沿って延びる棒状の部材(例えばレール)である。棒状の部材の断面形状は、L字状の断面形状であってもよい。この場合、切り欠きの部分で基板が支持される。あるいは、棒状の部材の断面形状は、U字状の凹部を有する断面形状であってもよい。その場合の棒状の部材は、基板の端面に面する面に、第1の方向に沿って延びる溝を有する。そして、溝の部分で基板が支持される。 The shape and material of the support member are not particularly limited, and the support member used in a known substrate transfer device may be applied. Examples of materials for the support member include metals, ceramics and the like. The support member has a shape capable of supporting the substrate so that the substrate passes through the transport lane. The support member is usually a rod-shaped member (for example, a rail) extending along the first direction. The cross-sectional shape of the rod-shaped member may be an L-shaped cross-sectional shape. In this case, the substrate is supported by the notch portion. Alternatively, the cross-sectional shape of the rod-shaped member may be a cross-sectional shape having a U-shaped recess. The rod-shaped member in that case has a groove extending along the first direction on the surface facing the end surface of the substrate. Then, the substrate is supported by the groove portion.

基板を移動させる搬送機構に限定はなく、公知の基板搬送装置に用いられている搬送機構を用いてもよい。なお、基板を手動で移動させることも可能である。搬送機構の一例は、基板を押す部材(例えばエンドエフェクタ)と、当該エンドエフェクタを移動させる機構(例えばロボット)とを含む。 The transfer mechanism for moving the substrate is not limited, and a transfer mechanism used in a known substrate transfer device may be used. It is also possible to move the board manually. An example of the transport mechanism includes a member that pushes the substrate (for example, an end effector) and a mechanism for moving the end effector (for example, a robot).

本開示の基板処理装置は、以下の(1)〜(3)の構成を満たしてもよい。
(1)複数の支持部材は、第2の方向に沿って交互に並ぶ複数の第1のレールと複数の第2のレールとを含む。複数の搬送レーンのそれぞれは、複数の第1のレールの1つと複数の第2のレールの1つとによって構成される。
(2)ピッチ変更手段は、複数の第1のレールのピッチP1を一括して変更する第1のピッチ変更手段と、複数の第2のレールのピッチP2を一括して変更する第2のピッチ変更手段とを含む。
(3)レーン幅変更手段は、ピッチP1を変化させずに複数の第1のレールを一括して第2の方向に沿って移動させる手段M1、および、ピッチP2を変化させずに複数の第2のレールを一括して第2の方向に沿って移動させる手段M2のうちの少なくとも一方の手段を含む。すなわち、レーン幅変更手段は、手段M1および手段M2のいずれか一方のみを含んでもよいし、それらの両方を含んでもよい。
The substrate processing apparatus of the present disclosure may satisfy the following configurations (1) to (3).
(1) The plurality of support members include a plurality of first rails and a plurality of second rails arranged alternately along a second direction. Each of the plurality of transport lanes is composed of one of a plurality of first rails and one of a plurality of second rails.
(2) The pitch changing means includes a first pitch changing means for collectively changing the pitches P1 of the plurality of first rails and a second pitch for collectively changing the pitches P2 of the plurality of second rails. Including means of change.
(3) The lane width changing means includes a means M1 for collectively moving a plurality of first rails along a second direction without changing the pitch P1, and a plurality of first rails without changing the pitch P2. It includes at least one of the means M2 for moving the two rails together along the second direction. That is, the lane width changing means may include only one of the means M1 and the means M2, or may include both of them.

第1および第2のレールはそれぞれ、第1の方向に沿って延びるレールである。複数の第1のレールは、第2の方向に沿って等間隔で並んでいる。複数の第2のレールは、第2の方向に沿って等間隔で並んでいる。複数の第1のレールの数と複数の第2のレールの数とは同じである。 The first and second rails are rails that extend along the first direction, respectively. The plurality of first rails are arranged at equal intervals along the second direction. The plurality of second rails are arranged at equal intervals along the second direction. The number of the plurality of first rails and the number of the plurality of second rails are the same.

ピッチP1は、隣接する2つの第1のレール間の間隔である。より厳密には、ピッチP1は、隣接する2つの第1のレールの、基板を支持する部分の端部間の間隔である。ピッチP2は、隣接する2つの第2のレール間の間隔である。より厳密には、ピッチP2は、隣接する2つの第2のレールの、基板を支持する部分の端部間の間隔である。ピッチP1およびピッチP2については、後述する図6において具体的に説明する。 The pitch P1 is the distance between two adjacent first rails. More precisely, the pitch P1 is the distance between the ends of two adjacent first rails that support the substrate. The pitch P2 is the distance between two adjacent second rails. More precisely, the pitch P2 is the distance between the ends of two adjacent second rails that support the substrate. The pitch P1 and the pitch P2 will be specifically described with reference to FIG. 6 described later.

本開示の基板処理装置は、以下の(4)および(5)の構成を満たしてもよい。
(4)複数のガイド部材は、基板の一端をガイドする第1のガイド部材と、当該基板の一端とは反対の他端をガイドする第2のガイド部材とを含む。
(5)第1のピッチ変更手段は、第1のガイド部材のピッチPG1に対応するようにピッチP1を一括して変更し、第2のピッチ変更手段は、第2のガイド部材のピッチPG2に対応するようにピッチP2を一括して変更する。
The substrate processing apparatus of the present disclosure may satisfy the following configurations (4) and (5).
(4) The plurality of guide members include a first guide member that guides one end of the substrate and a second guide member that guides the other end opposite to one end of the substrate.
(5) The first pitch changing means collectively changes the pitch P1 so as to correspond to the pitch PG1 of the first guide member, and the second pitch changing means changes to the pitch PG2 of the second guide member. Pitch P2 is changed all at once so as to correspond.

ピッチPG1とピッチP1とは実質的に同じとされ、ピッチPG2とピッチP2とは実質的に同じとされる。基板の幅が同じ複数の基板を処理する場合、ピッチPG1とピッチPG2とは同じであり、ピッチP1とピッチP2とは同じである。通常は基板の幅が同じ複数の基板を処理するため、通常、ピッチPG1、ピッチPG2、ピッチP1、ピッチP2はすべて実質的に同じとされる。なお、ピッチP1とピッチP2とが異なる場合(ピッチPG1とピッチPG2とが異なる場合)、幅が異なる複数の基板を同時に処理することが可能である。 Pitch PG1 and pitch P1 are substantially the same, and pitch PG2 and pitch P2 are substantially the same. When processing a plurality of substrates having the same substrate width, the pitch PG1 and the pitch PG2 are the same, and the pitch P1 and the pitch P2 are the same. Since a plurality of substrates having the same width of the substrate are usually processed, the pitch PG1, the pitch PG2, the pitch P1, and the pitch P2 are all substantially the same. When the pitch P1 and the pitch P2 are different (when the pitch PG1 and the pitch PG2 are different), it is possible to process a plurality of substrates having different widths at the same time.

本開示の基板処理装置は、以下の(6)〜(8)の構成を満たしてもよい。
(6)搬送レーン構成装置は、第1の方向と交差する方向に延びる第1のスライドレールと、第1の方向と交差する方向に延びる第2のスライドレールとを含む。
(7)複数の第1のレールは、第1のスライドレールによって第2の方向に沿ってスライド可能であり、複数の第2のレールは、第2のスライドレールによって第2の方向に沿ってスライド可能である。
(8)第1のピッチ変更手段は、ピッチP1が変化するように複数の第1のレール同士の相対距離を一括して変更するための第1のレール移動手段を含み、第2のピッチ変更手段は、ピッチP2が変化するように複数の第2のレール同士の相対距離を一括して変更するための第2のレール移動手段を含む。ここで、複数の第1のレールは等間隔のまま、ピッチP1が変更され、複数の第2のレールは等間隔のまま、ピッチP2が変更される。
The substrate processing apparatus of the present disclosure may satisfy the following configurations (6) to (8).
(6) The transport lane component includes a first slide rail extending in a direction intersecting the first direction and a second slide rail extending in a direction intersecting the first direction.
(7) The plurality of first rails can be slid along the second direction by the first slide rail, and the plurality of second rails can be slid along the second direction by the second slide rail. It is slidable.
(8) The first pitch changing means includes a first rail moving means for collectively changing the relative distance between the plurality of first rails so that the pitch P1 changes, and the second pitch changing means. The means include a second rail moving means for collectively changing the relative distance between the plurality of second rails so that the pitch P2 changes. Here, the pitch P1 is changed while the plurality of first rails are at equal intervals, and the pitch P2 is changed while the plurality of second rails are at equal intervals.

この場合、レーン構成装置は、第1のスライドレール上をスライドする第1のスライド部材と、第2のスライドレール上をスライドする第2のスライド部材とを含んでもよい。第1および第2のスライド部材に限定はなく、公知のスライド部材を適用できる。なお、スライド部材は、第1および第2のレールに一体として組み込まれていてもよい。 In this case, the lane component may include a first slide member that slides on the first slide rail and a second slide member that slides on the second slide rail. The first and second slide members are not limited, and known slide members can be applied. The slide member may be integrated into the first and second rails.

第1のスライドレール(および複数の第1のスライド部材)および第2のスライドレール(および複数の第2のスライド部材)はそれぞれ、手段M1およびM2(レーン幅変更手段)として機能しうる。 The first slide rail (and the plurality of first slide members) and the second slide rail (and the plurality of second slide members) can function as means M1 and M2 (lane width changing means), respectively.

第1および第2のスライドレールが延びる方向はそれぞれ、第1の方向に対して垂直な方向であってもよいし、垂直な方向から傾いた方向であってもよい。第1のスライドレールが延びる方向と第2のスライドレールが延びる方向とは同じであってもよいし異なってもよい。搬送レール構成装置は、複数の第1のスライドレールと複数の第2のスライドレールとを含んでもよい。 The directions in which the first and second slide rails extend may be perpendicular to the first direction, or may be inclined from the vertical direction, respectively. The direction in which the first slide rail extends and the direction in which the second slide rail extends may be the same or different. The transport rail configuration device may include a plurality of first slide rails and a plurality of second slide rails.

本開示の処理装置は、以下の(9)および(10)の構成を満たしてもよい。
(9)第1のレール移動手段は、複数の第1のレールに直接または間接的に連結された第1のパンタグラフ機構を含む。
(10)第2のレール移動手段は、複数の第2のレールに直接または間接的に連結された第2のパンタグラフ機構を含む。
The processing apparatus of the present disclosure may satisfy the following configurations (9) and (10).
(9) The first rail moving means includes a first pantograph mechanism directly or indirectly connected to a plurality of first rails.
(10) The second rail moving means includes a second pantograph mechanism directly or indirectly connected to a plurality of second rails.

第1のパンタグラフ機構は、第1のスライドレール上をスライドする第1のスライド部材を介して間接的に第1のレールに連結されていてもよい。第2のパンタグラフ機構は、第2のスライドレール上をスライドする第2のスライド部材を介して間接的に第2のレールに連結されていてもよい。 The first pantograph mechanism may be indirectly connected to the first rail via a first slide member that slides on the first slide rail. The second pantograph mechanism may be indirectly connected to the second rail via a second slide member that slides on the second slide rail.

第1のパンタグラフ機構は、第1のピッチ変更手段として機能し、第2のパンタグラフ機構は、第2のピッチ変更手段として機能する。 The first pantograph mechanism functions as a first pitch changing means, and the second pantograph mechanism functions as a second pitch changing means.

第1および第2のパンタグラフ機構に特に限定はなく、公知のパンタグラフ機構を用いることができる。パンタグラフ機構は、複数のポイントQを含み、最も端の基準ポイントQ(1)と、その基準ポイントQ(1)とn番目のポイントQ(n)との間の距離が、基準ポイントQ(1)と2番目のポイントQ(2)との間の距離の(n−1)倍である関係を常に満たす。例えば、基準ポイントQ(1)と3番目のポイントQ(3)との間の距離は、基準ポイントQ(1)と2番目のポイントQ(2)との間の距離の2倍となる。それぞれのポイントとレールとを1対1で連結することによって、ピッチが変化するように複数のレール同士の相対距離を一括して変更できる。 The first and second pantograph mechanisms are not particularly limited, and known pantograph mechanisms can be used. The pantograph mechanism includes a plurality of points Q, and the distance between the most extreme reference point Q (1) and the reference point Q (1) and the nth point Q (n) is the reference point Q (1). ) And the second point Q (2) always satisfy the relationship of (n-1) times the distance. For example, the distance between the reference point Q (1) and the third point Q (3) is twice the distance between the reference point Q (1) and the second point Q (2). By connecting each point and the rail on a one-to-one basis, the relative distance between the plurality of rails can be changed at once so that the pitch changes.

(基板処理装置(X))
別の観点では、本開示は、基板処理装置(X)に関する。当該基板処理装置(X)は、基板を処理する基板処理装置であって、基板が処理される処理室と、処理室内に配置される複数のガイド部材と、処理室の外部に配置され、基板を第1の方向に搬送するための搬送レーン構成装置(X1)とを含む。基板処理領域には、第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の基板を配置可能である。複数のガイド部材は、基板処理領域を通り且つ第2の方向に沿って並ぶ複数の基板処理レーンを構成可能である。複数のガイド部材は、基板の一端をガイドする複数の第1のガイド部材と、基板の前記一端とは反対の他端をガイドする複数の第2のガイド部材とを含む。複数の第1のガイド部材と複数の第2のガイド部材とは、基板処理レーンの数および基板処理レーンの幅W1を変更するように移動可能である。
(Board processing device (X))
In another aspect, the present disclosure relates to a substrate processing apparatus (X). The substrate processing apparatus (X) is a substrate processing apparatus for processing a substrate, and is a processing chamber in which the substrate is processed, a plurality of guide members arranged in the processing chamber, and a substrate arranged outside the processing chamber. Includes a transport lane configuration device (X1) for transporting in the first direction. In the substrate processing region, a plurality of substrates can be arranged along a second direction that intersects the first direction. The plurality of guide members can form a plurality of substrate processing lanes that pass through the substrate processing region and are arranged along the second direction. The plurality of guide members include a plurality of first guide members that guide one end of the substrate, and a plurality of second guide members that guide the other end opposite to the one end of the substrate. The plurality of first guide members and the plurality of second guide members can be moved so as to change the number of substrate processing lanes and the width W1 of the substrate processing lanes.

搬送レーン構成装置(X1)は、第2の方向に沿って並ぶ複数の搬送レーンを構成することが可能な複数の第1のレールと複数の第2のレールと、第1の方向と交差する方向に延びる第1および第2のスライドレールと、第1および第2のパンタグラフ機構とを含む。複数の第1のレールと複数の第2のレールとは、第2の方向に沿って交互に配置されている。複数の搬送レーンのそれぞれは、1つの第1のレールと1つの第2のレールとによって構成される。第1のパンタグラフ機構は、第1のガイド部材のピッチPG1に対応するように複数の第1のレールのピッチP1を一括して変更する。第2のパンタグラフ機構は、第2のガイド部材のピッチPG2に対応するように複数の第2のレールのピッチP2を一括して変更する。搬送レーン構成装置(X1)は、以下の(a)および/または(b)の条件を満たす。(a)複数の第1のレールは、そのピッチP1を変更することなく第2の方向に沿って一括して移動可能である。(b)複数の第2のレールは、そのピッチP2を変更することなく第2の方向に沿って一括して移動可能である。基板処理装置(X)の構成要素については、上述した構成要素と同様であるため、重複する説明を省略する。基板処理装置(X)によれば、上述した基板処理装置について説明した効果が得られる。 The transport lane configuration device (X1) intersects the first direction with a plurality of first rails and a plurality of second rails capable of configuring a plurality of transport lanes arranged along the second direction. Includes first and second slide rails extending in the direction and first and second pantograph mechanisms. The plurality of first rails and the plurality of second rails are alternately arranged along the second direction. Each of the plurality of transport lanes is composed of one first rail and one second rail. The first pantograph mechanism collectively changes the pitch P1 of the plurality of first rails so as to correspond to the pitch PG1 of the first guide member. The second pantograph mechanism collectively changes the pitch P2 of the plurality of second rails so as to correspond to the pitch PG2 of the second guide member. The transport lane component (X1) satisfies the following conditions (a) and / or (b). (A) The plurality of first rails can be collectively moved along the second direction without changing the pitch P1. (B) The plurality of second rails can be collectively moved along the second direction without changing the pitch P2. Since the components of the substrate processing apparatus (X) are the same as those described above, redundant description will be omitted. According to the substrate processing apparatus (X), the effects described for the substrate processing apparatus described above can be obtained.

(基板搬送装置)
1つの観点では、本開示は、基板搬送装置に関する。当該基板搬送装置は、基板を搬送するための装置であって、本開示の基板処理装置に含まれる搬送レーン構成装置を含むが、搬送機構を含んでもよいし含まなくてもよい。基板搬送装置の搬送レーン構成装置の一例は、基板が搬送される第1の方向と交差する第2の方向に沿って並ぶ複数の搬送レーンを構成することが可能な複数の支持部材と、複数の支持部材のピッチを変更することが可能なピッチ変更手段と、複数の支持部材の少なくとも一部を一括して移動させることによって、基板の幅に対応するように複数の搬送レーンのそれぞれの幅W2を一括して変更することが可能なレーン幅変更手段とを含む。複数の支持部材、ピッチ変更手段、レーン幅変更手段、および搬送機構については上述したため、重複する説明を省略する。
(Board transfer device)
In one aspect, the present disclosure relates to a substrate transfer device. The substrate transfer device is a device for transporting a substrate, and includes a transfer lane component device included in the substrate processing device of the present disclosure, but may or may not include a transfer mechanism. An example of the transport lane configuration device of the substrate transport device is a plurality of support members capable of forming a plurality of transport lanes arranged along a second direction intersecting with a first direction in which the substrate is transported, and a plurality of support members. A pitch changing means capable of changing the pitch of the support members of the above, and the width of each of the plurality of transport lanes corresponding to the width of the substrate by moving at least a part of the plurality of support members at once. It includes a lane width changing means capable of changing W2 all at once. Since the plurality of support members, the pitch changing means, the lane width changing means, and the transport mechanism have been described above, redundant description will be omitted.

以下では、本開示の基板処理装置の一例について、図面を参照して具体的に説明する。以下で説明する一例の基板処理装置の構成要素には、上述した構成要素を適用できる。また、以下で説明する一例の基板処理装置の構成要素は、上述した記載に基づいて変更、追加、および削除できる。また、以下で説明する事項を、上記の実施形態に適用してもよい。 Hereinafter, an example of the substrate processing apparatus of the present disclosure will be specifically described with reference to the drawings. The above-mentioned components can be applied to the components of the substrate processing apparatus of the example described below. In addition, the components of the substrate processing apparatus of the example described below can be changed, added, and deleted based on the above description. In addition, the matters described below may be applied to the above-described embodiment.

(実施形態1)
本開示の基板処理装置の一例として、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置100の一部の斜視図を図1に模式的に示す。処理装置100の処理室の内部を模式的に示す斜視図を、図2に示す。さらに、処理室の内部および搬送レーン構成装置の構成を図3〜図7に模式的に示す。
(Embodiment 1)
As an example of the substrate processing apparatus of the present disclosure, a perspective view of a part of the plasma processing apparatus 100 that performs plasma processing is schematically shown in FIG. FIG. 2 is a perspective view schematically showing the inside of the processing chamber of the processing apparatus 100. Further, the inside of the processing chamber and the configuration of the transport lane configuration device are schematically shown in FIGS. 3 to 7.

プラズマ処理装置100は、基板が処理される処理室130と、処理室130内に取り外し可能に配置される複数のガイド部材118と、搬送レーン構成装置200とを含む。搬送レーン構成装置200は、第1の方向D1に沿って基板300を搬送する。実施形態1では、処理装置100が、処理室130に基板を搬入するための搬送レーン構成装置200と、処理室から基板を搬出するための搬送レーン構成装置200とを含む一例について説明する。 The plasma processing apparatus 100 includes a processing chamber 130 in which a substrate is processed, a plurality of guide members 118 removably arranged in the processing chamber 130, and a transport lane constituent device 200. The transport lane configuration device 200 transports the substrate 300 along the first direction D1. In the first embodiment, an example will be described in which the processing device 100 includes a transport lane configuration device 200 for loading the substrate into the processing chamber 130 and a transport lane configuration device 200 for transporting the substrate from the processing chamber.

理解を容易にするため、以下の図では、一部の部材および一部の符号の図示を省略する場合がある。例えば、図1および図2には、搬送レーン構成装置200のうちの第1のレール211と第2のレール221のみを示す。また、図2では、シール部材の図示を省略する。 In the following figures, some members and some reference numerals may be omitted for ease of understanding. For example, FIGS. 1 and 2 show only the first rail 211 and the second rail 221 of the transport lane component 200. Further, in FIG. 2, the illustration of the seal member is omitted.

処理室130は、天井部および天井部の外縁から延びる側壁を有する蓋120と、ベース110とを含む。ベース110には、排気口117が形成されている。図2〜4を参照して、処理室130は、第1の方向D1と交差する第2の方向D2(具体的には第1の方向D1に対して垂直な方向)に沿って複数の基板を載置可能な基板載置部(基板処理領域)112を有する。すなわち、基板載置部112には、第2の方向D2に沿って複数の基板300を並べて配置することが可能であり、それらの基板300を同時にプラズマ処理することが可能である。 The processing chamber 130 includes a lid 120 having a ceiling portion and a side wall extending from the outer edge of the ceiling portion, and a base 110. An exhaust port 117 is formed on the base 110. With reference to FIGS. 2-4, the processing chamber 130 has a plurality of substrates along a second direction D2 (specifically, a direction perpendicular to the first direction D1) that intersects the first direction D1. Has a substrate mounting portion (board processing area) 112 on which the above can be mounted. That is, a plurality of substrates 300 can be arranged side by side along the second direction D2 on the substrate mounting portion 112, and the substrates 300 can be plasma-processed at the same time.

ガイド部材118は、基板載置部112を通るように基板が搬送される複数の基板処理レーン119を構成する。複数の基板処理レーン119は、それぞれが第1の方向D1に沿って延び、且つ、第2の方向D2に沿って並んでいる。ガイド部材118は、基板300の一端(進行方向に対して右側の端部)をガイドする第1のガイド部材118aと、基板300の他端(進行方向に対して左側の端部)をガイドする第2のガイド部材118bとを含む。複数の第1のガイド部材118aと複数の第2のガイド部材118bとは、第2の方向に沿って交互に並んでいる。1つの基板処理レーン119は、1つの第1のガイド部材118aと1つの第2のガイド部材118bとによって構成される。 The guide member 118 constitutes a plurality of board processing lanes 119 in which the board is conveyed so as to pass through the board mounting portion 112. Each of the plurality of substrate processing lanes 119 extends along the first direction D1 and is arranged along the second direction D2. The guide member 118 guides the first guide member 118a that guides one end of the substrate 300 (the end on the right side in the traveling direction) and the other end of the substrate 300 (the end on the left side in the traveling direction). Includes a second guide member 118b. The plurality of first guide members 118a and the plurality of second guide members 118b are alternately arranged along the second direction. One substrate processing lane 119 is composed of one first guide member 118a and one second guide member 118b.

ガイド部材118は、基板処理レーン119の数および幅W1を変更するように移動可能である。例えば、ガイド部材118は、位置を変更可能な固定用の治具によって処理室130のいずれかの部材に固定されてもよい。固定用の治具に限定はなく、公知の治具を用いてもよい。例えば基板載置部112に形成されたネジ穴に、ボルトなどでガイド部材118を固定してもよい。 The guide member 118 is movable so as to change the number and width W1 of the substrate processing lanes 119. For example, the guide member 118 may be fixed to any member of the processing chamber 130 by a fixing jig whose position can be changed. The fixing jig is not limited, and a known jig may be used. For example, the guide member 118 may be fixed to the screw hole formed in the substrate mounting portion 112 with a bolt or the like.

基板300は、複数のガイド部材118によって画定される基板処理レーン119を通る。すなわち、基板載置部112において、それぞれの基板300の両端は、一対のガイド部材118によって位置決めされる。ガイド部材118aおよびガイド部材118bはそれぞれ、第1の方向D1に沿って延びる棒状の部材である。 The substrate 300 passes through a substrate processing lane 119 defined by a plurality of guide members 118. That is, in the substrate mounting portion 112, both ends of each substrate 300 are positioned by a pair of guide members 118. The guide member 118a and the guide member 118b are rod-shaped members extending along the first direction D1, respectively.

図3は、基板処理レーン119および搬送レーン201の数が3の場合の処理装置100の一例を模式的に示す。図3には、基板載置部112および排気口117を囲むように配置されたシール部材116と、基板300とを示す。なお、図3および後述する図7には、基板を搬入する側の搬送レーン構成装置200のみを示すが、基板を搬出する側の搬送レーン構成装置200も同様の構成とすることができる。図3以降の図では、理解を容易にするために、複数の第1のレール211およびそれを移動または固定する部材にドットパターンを付す場合がある。 FIG. 3 schematically shows an example of the processing apparatus 100 when the number of substrate processing lanes 119 and transfer lanes 201 is 3. FIG. 3 shows a seal member 116 arranged so as to surround the substrate mounting portion 112 and the exhaust port 117, and the substrate 300. Although FIG. 3 and FIG. 7 described later show only the transport lane configuration device 200 on the side where the substrate is carried in, the transport lane configuration device 200 on the side where the substrate is carried out may have the same configuration. In the drawings after FIG. 3, in order to facilitate understanding, a dot pattern may be attached to the plurality of first rails 211 and the members for moving or fixing the first rails 211.

図3の一例では、3つの基板処理レーン119が構成されているため、3枚の基板300を第2の方向D2に沿って並べて同時に処理することができる。なお、1つの基板処理レーン119に複数枚の基板を配置することも可能である。 In the example of FIG. 3, since the three substrate processing lanes 119 are configured, the three substrates 300 can be arranged side by side along the second direction D2 and processed at the same time. It is also possible to arrange a plurality of substrates in one substrate processing lane 119.

搬送レーン構成装置200は、複数の支持部材(複数の第1のレール211および複数の第2のレール221)、複数の第1のスライドレール212、複数の第1のスライド部材213、第1のパンタグラフ機構214、複数の第2のスライドレール222、複数の第2のスライド部材223、および第2のパンタグラフ機構224を含む。スライドレール212および222は、ステージ202に固定されている。 The transport lane configuration device 200 includes a plurality of support members (a plurality of first rails 211 and a plurality of second rails 221), a plurality of first slide rails 212, a plurality of first slide members 213, and a first. It includes a pantograph mechanism 214, a plurality of second slide rails 222, a plurality of second slide members 223, and a second pantograph mechanism 224. The slide rails 212 and 222 are fixed to the stage 202.

図3の状態における、第1のレール211、第1のスライドレール212、第1のスライド部材213、および第1のパンタグラフ機構214を図4に示す。第1のスライドレール212、第1のスライド部材213、および第1のパンタグラフ機構214は、第1のレール211を移動させる第1の構成部210(搬送レーン構成装置200の一部)として機能する。第1の構成部210は、第1のパンタグラフ機構214に連結されピッチP1を一括して変更するためのピッチ調整レバー215と、ピッチP1を固定するピッチ固定部材(締め付け部材)216とを含む。さらに、第1の構成部210は、1つの第1のスライド部材213に接続され、ステージ202に対する当該スライド部材213の位置を固定するための位置固定部材217を含む。ピッチ固定部材216は、第1のパンタグラフ機構214を構成する棒状部材がなす角度を固定することによってピッチP1を固定する。 FIG. 4 shows the first rail 211, the first slide rail 212, the first slide member 213, and the first pantograph mechanism 214 in the state of FIG. The first slide rail 212, the first slide member 213, and the first pantograph mechanism 214 function as a first component 210 (a part of the transport lane component 200) for moving the first rail 211. .. The first component 210 includes a pitch adjusting lever 215 connected to the first pantograph mechanism 214 for collectively changing the pitch P1, and a pitch fixing member (tightening member) 216 for fixing the pitch P1. Further, the first component 210 is connected to one first slide member 213 and includes a position fixing member 217 for fixing the position of the slide member 213 with respect to the stage 202. The pitch fixing member 216 fixes the pitch P1 by fixing the angle formed by the rod-shaped members constituting the first pantograph mechanism 214.

図3の状態における、第2のレール221、第2のスライドレール222、第2のスライド部材223、および第2のパンタグラフ機構224を図5に示す。第2のスライドレール222、第2のスライド部材223、および第2のパンタグラフ機構224は、第2のレール221を移動させる第2の構成部220(搬送レーン構成装置200の一部)として機能する。第2の構成部220は、第2のパンタグラフ機構224に連結されピッチP2を一括して変更するためのピッチ調整レバー225と、ピッチP2を固定するピッチ固定部材(締め付け部材)226とを含む。さらに、第2の構成部220は、1つの第2のスライド部材223に接続され、ステージ202に対する当該スライド部材223の位置を固定するための位置固定部材227を含む。ピッチ固定部材226は、第2のパンタグラフ機構224を構成する棒状部材がなす角度を固定することによってピッチP2を固定する。 The second rail 221 and the second slide rail 222, the second slide member 223, and the second pantograph mechanism 224 in the state of FIG. 3 are shown in FIG. The second slide rail 222, the second slide member 223, and the second pantograph mechanism 224 function as a second component 220 (a part of the transport lane component 200) for moving the second rail 221. .. The second component 220 includes a pitch adjusting lever 225 connected to the second pantograph mechanism 224 for collectively changing the pitch P2, and a pitch fixing member (tightening member) 226 for fixing the pitch P2. Further, the second component 220 is connected to one second slide member 223 and includes a position fixing member 227 for fixing the position of the slide member 223 with respect to the stage 202. The pitch fixing member 226 fixes the pitch P2 by fixing the angle formed by the rod-shaped members constituting the second pantograph mechanism 224.

なお、ピッチ固定部材216および226はそれぞれ、パンタグラフ機構214および224の形状を固定できる部材であればよく、図3に示す構成に限定されない。同様に、位置固定部材217および227はそれぞれ、第1および第2のレール211および221の位置を固定できる部材であればよく、図3に示す構成に限定されない。 The pitch fixing members 216 and 226 may be any members that can fix the shapes of the pantograph mechanisms 214 and 224, respectively, and are not limited to the configuration shown in FIG. Similarly, the position fixing members 217 and 227 may be any members capable of fixing the positions of the first and second rails 211 and 221 respectively, and are not limited to the configuration shown in FIG.

複数の第1のレール211および複数の第2のレール221は、交互に配置されており、複数の搬送レーン201を構成する。それぞれの搬送レーン201は、1つの第1のレール211と1つの第2のレール221とによって構成される。複数の第1のレール211は、第2の方向D2に沿って等間隔(ピッチP1)で並んでいる。複数の第2のレール221は、第2の方向D2に沿って等間隔(ピッチP2)で並んでいる。 The plurality of first rails 211 and the plurality of second rails 221 are arranged alternately to form a plurality of transport lanes 201. Each transport lane 201 is composed of one first rail 211 and one second rail 221. The plurality of first rails 211 are arranged at equal intervals (pitch P1) along the second direction D2. The plurality of second rails 221 are arranged at equal intervals (pitch P2) along the second direction D2.

レール211および221の断面図を図6に示す。実施形態1では、断面がL字状のレール211および221を用いている。この場合、切り欠き部Cにおいて、基板300を支持する。ピッチP1は、厳密には、隣接する2つの第1のレール211の、基板300を支持する部分(切り欠き部C)の端部間の間隔である。ピッチP2は、厳密には、隣接する2つの第2のレール221の、基板300を支持する部分(切り欠き部C)の端部間の間隔である。すべてのP1は同じであり、すべてのP2は同じである。また、幅が同じ複数の基板を同時に処理する場合、ピッチP1とピッチP2とは同じとされる。 A cross-sectional view of the rails 211 and 221 is shown in FIG. In the first embodiment, rails 211 and 221 having an L-shaped cross section are used. In this case, the substrate 300 is supported in the notch portion C. Strictly speaking, the pitch P1 is the distance between the ends of the portions (notches C) supporting the substrate 300 of the two adjacent first rails 211. Strictly speaking, the pitch P2 is the distance between the ends of the portions (notches C) supporting the substrate 300 of the two adjacent second rails 221. All P1s are the same and all P2s are the same. Further, when processing a plurality of substrates having the same width at the same time, the pitch P1 and the pitch P2 are the same.

パンタグラフ機構214および224はそれぞれ、菱形を構成する4つの棒状部材と、それらの棒状部材を回転可能に連結する連結部材とによって構成されている。なお、4つのレールに対応する場合には、連結された2つの菱形を構成する6つの棒状部材を用いればよい。同様に、パンタグラフ機構を構成する棒状部材の数を増やすことによって、対応可能なレールの数を増やすことができる。 Each of the pantograph mechanisms 214 and 224 is composed of four rod-shaped members forming a rhombus and a connecting member for rotatably connecting the rod-shaped members. When corresponding to four rails, six rod-shaped members forming two connected rhombuses may be used. Similarly, by increasing the number of rod-shaped members constituting the pantograph mechanism, the number of rails that can be handled can be increased.

パンタグラフ機構は、図示した形態に限定されない。例えば、他の一例のパンタグラフ機構を形成する場合、まず、同じ長さの棒状部材をそれぞれの中心で回転可能に連結してX字状の部材を得る。そして、複数のX字状の部材の2つの端部(棒状部材の端部)同士を連結することによって、菱形を構成する。このとき、連結点において棒状部材が回転可能なように、複数のX字状の部材を連結する。このようにすることによって、他の一例のパンタグラフ機構が得られる。 The pantograph mechanism is not limited to the illustrated form. For example, when forming the pantograph mechanism of another example, first, rod-shaped members having the same length are rotatably connected at the centers of the rod-shaped members to obtain an X-shaped member. Then, the rhombus is formed by connecting the two ends (ends of the rod-shaped members) of the plurality of X-shaped members. At this time, a plurality of X-shaped members are connected so that the rod-shaped member can rotate at the connecting point. By doing so, another pantograph mechanism can be obtained.

基板300は、搬送機構(図示せず)によって、搬送レーン201を第1の方向に搬送される。搬送機構は、例えば、ベース110に隣接して配置されており、第1の方向D1に沿って移動可能なエンドエフェクタと、エンドエフェクタを移動させる機構とを含む。処理される基板300は、エンドエフェクタによって押されて処理室130内に搬入される。処理が終わった基板300は、同様の搬送機構によって処理室130から搬出することができる。 The substrate 300 is conveyed in the first direction in the transfer lane 201 by a transfer mechanism (not shown). The transport mechanism is, for example, arranged adjacent to the base 110 and includes an end effector that can move along the first direction D1 and a mechanism that moves the end effector. The substrate 300 to be processed is pushed by the end effector and carried into the processing chamber 130. The processed substrate 300 can be carried out from the processing chamber 130 by the same transfer mechanism.

第1および第2のスライドレール212および222はそれぞれ、第1の方向D1と交差する方向(実施形態1では第2の方向D2)に延びている。第1および第2のスライドレール212および222は、ステージ202に固定されている。第1のスライド部材213は、第1のレール211と連結されており、且つ、第1のスライドレール212上をスライドする。第2のスライド部材223は、第2のレール221と連結されており、且つ、第2のスライドレール222上をスライドする。これらの構成によって、第1および第2のレール211および221は、第2の方向に沿って自由に移動できる。 The first and second slide rails 212 and 222 each extend in a direction intersecting the first direction D1 (second direction D2 in the first embodiment). The first and second slide rails 212 and 222 are fixed to the stage 202. The first slide member 213 is connected to the first rail 211 and slides on the first slide rail 212. The second slide member 223 is connected to the second rail 221 and slides on the second slide rail 222. With these configurations, the first and second rails 211 and 221 can move freely along the second direction.

第1のパンタグラフ機構214は、第1のスライド部材213に連結されている。第1のパンタグラフ機構214によって、隣接する2つの第1のレール211の間隔をすべて同じにしたままで、ピッチP1を変更することが可能である。第2のパンタグラフ機構224は、第2のスライド部材223に連結されている。第2のパンタグラフ機構224によって、隣接する2つの第2のレール221の間隔をすべて同じにしたままで、ピッチP2を変更することが可能である。 The first pantograph mechanism 214 is connected to the first slide member 213. The first pantograph mechanism 214 makes it possible to change the pitch P1 while keeping the distance between the two adjacent first rails 211 all the same. The second pantograph mechanism 224 is connected to the second slide member 223. The second pantograph mechanism 224 makes it possible to change the pitch P2 while keeping the distance between the two adjacent second rails 221 all the same.

基板300の幅が大きくなると、第2の方向D2に沿って基板載置部112に並べることができる基板の数が少なくなる。そのような場合には、必要に応じて基板処理レーン119の数を減らすことが必要になる。図7を参照して、基板処理レーン119の数を2にする場合について説明する。 As the width of the substrate 300 increases, the number of substrates that can be arranged on the substrate mounting portion 112 along the second direction D2 decreases. In such a case, it is necessary to reduce the number of substrate processing lanes 119 as necessary. A case where the number of substrate processing lanes 119 is set to 2 will be described with reference to FIG. 7.

図7に示すように、ガイド部材118aおよび118bを移動させることによって、基板処理レーン119の数が2になっている。なお、図7に示す一例では、図3に示した状態よりも、処理室130内に配置されるガイド部材118aおよび118bの数が減っている。 As shown in FIG. 7, the number of substrate processing lanes 119 is set to 2 by moving the guide members 118a and 118b. In the example shown in FIG. 7, the number of guide members 118a and 118b arranged in the processing chamber 130 is smaller than that in the state shown in FIG.

搬送レーン構成装置200は、基板処理レーン119の数および基板の幅(あるいは基板処理レーンの幅W1)に対応するように、図3の状態から図7の状態に、支持部材のピッチ(ピッチP1およびP2)と搬送レーン201の幅W2とを変更する。 The transport lane configuration device 200 changes the pitch of the support member (pitch P1) from the state of FIG. 3 to the state of FIG. 7 so as to correspond to the number of board processing lanes 119 and the width of the board (or the width W1 of the board processing lane). And P2) and the width W2 of the transport lane 201 are changed.

具体的には、第1のレール211のピッチP1と第2のレール221のピッチP2とをそれぞれ、ガイド部材118aのピッチPG1とガイド部材118bのピッチPG2と実質的に同じとなるように変更する。また、第2のレール221を一括して移動させることによって、搬送レーンの幅W2を変更する。 Specifically, the pitch P1 of the first rail 211 and the pitch P2 of the second rail 221 are changed so as to be substantially the same as the pitch PG1 of the guide member 118a and the pitch PG2 of the guide member 118b, respectively. .. Further, the width W2 of the transport lane is changed by moving the second rail 221 all at once.

図3の状態から図7の状態への変更は、例えば、以下のようにして行う。まず、ピッチ固定部材216による固定を解除した後にピッチ調整レバー215を移動することによって、第1のレール211のピッチP1を一括して変更する。そして、ピッチ固定部材216によってピッチP1を固定する。また、ピッチ固定部材226による固定を解除した後にピッチ調整レバー225を移動することによって、第2のレール221のピッチP2を一括して変更する。そして、ピッチ固定部材226によってピッチP2を固定する。さらに、位置固定部材227による固定を解除した後に、第2のレール221、第2のスライド部材223、第2のパンタグラフ機構224を一体として移動させる。これによって、ピッチP2を変更することなく、基板300の幅に対応するように複数の搬送レーン201のそれぞれの幅W2を一括して変更できる。その後、位置固定部材227によって、第2のスライド部材223の位置を固定する。 The change from the state of FIG. 3 to the state of FIG. 7 is performed, for example, as follows. First, the pitch P1 of the first rail 211 is collectively changed by moving the pitch adjusting lever 215 after releasing the fixing by the pitch fixing member 216. Then, the pitch P1 is fixed by the pitch fixing member 216. Further, the pitch P2 of the second rail 221 is collectively changed by moving the pitch adjusting lever 225 after releasing the fixing by the pitch fixing member 226. Then, the pitch P2 is fixed by the pitch fixing member 226. Further, after the fixing by the position fixing member 227 is released, the second rail 221 and the second slide member 223 and the second pantograph mechanism 224 are moved together. As a result, the width W2 of each of the plurality of transport lanes 201 can be changed collectively so as to correspond to the width of the substrate 300 without changing the pitch P2. After that, the position of the second slide member 223 is fixed by the position fixing member 227.

1つの観点では、第1および第2のパンタグラフ機構214および224(およびピッチ調整レバー215および225)は、複数の支持部材(第1および第2のレール211および221)のピッチ(ピッチP1およびP2)を変更することが可能なピッチ変更手段として機能する。 In one aspect, the first and second pantograph mechanisms 214 and 224 (and the pitch adjusting levers 215 and 225) have pitches (pitches P1 and P2) of a plurality of support members (first and second rails 211 and 221). ) Functions as a pitch changing means capable of changing.

1つの観点では、第1のスライドレール212、第1のスライド部材213、および第1のパンタグラフ機構214(およびピッチ固定部材216)は、レーン幅変更手段として機能する。同様に、第2のスライドレール222、第2のスライド部材223、および第2のパンタグラフ機構224(およびピッチ固定部材226)は、レーン幅変更手段として機能する。 From one aspect, the first slide rail 212, the first slide member 213, and the first pantograph mechanism 214 (and the pitch fixing member 216) function as lane width changing means. Similarly, the second slide rail 222, the second slide member 223, and the second pantograph mechanism 224 (and the pitch fixing member 226) function as lane width changing means.

1つの観点では、第1のパンタグラフ機構214は、ピッチP1が変化するように、複数の第1のレール211を一括して移動させるための第1のレール移動手段として機能する。第2のパンタグラフ機構224は、ピッチP2が変化するように、複数の第2のレール221を一括して移動させるための第2のレール移動手段として機能する。 From one aspect, the first pantograph mechanism 214 functions as a first rail moving means for collectively moving the plurality of first rails 211 so that the pitch P1 changes. The second pantograph mechanism 224 functions as a second rail moving means for collectively moving the plurality of second rails 221 so that the pitch P2 changes.

以上のように、搬送レーン構成装置200では、隣接する2つの第1のレール211間のすべての間隔(ピッチP1)を同じにしたまま、当該間隔を一括して変更することができる。同様に、隣接する2つの第2のレール221間のすべての間隔(ピッチP2)を同じにしたまま、当該間隔を一括して変更することができる。そのため、基板処理レーン119の数(ガイド部材のピッチ)に応じてピッチP1およびピッチP2を容易に変更できる。 As described above, in the transport lane configuration device 200, the intervals can be collectively changed while keeping all the intervals (pitch P1) between the two adjacent first rails 211 the same. Similarly, all the intervals (pitch P2) between the two adjacent second rails 221 can be kept the same, and the intervals can be changed collectively. Therefore, the pitch P1 and the pitch P2 can be easily changed according to the number of substrate processing lanes 119 (pitch of the guide member).

さらに、搬送レーン構成装置200では、複数の第1のレール211同士の相対距離を固定したまま(すなわちピッチP1を変更することなく)、複数の第1のレール211を移動させることができる。また、複数の第2のレール221同士の相対距離を固定したまま(すなわちピッチP2を変更することなく)、複数の第2のレール221を移動させることができる。そのため、基板300の幅に対応するように、複数の搬送レーン201のそれぞれの幅W2を一括して容易に変更できる。なお、複数の第1のレール211および複数の第2のレール221のいずれか一方を移動させることによって基板300の幅に対応することが可能である。すなわち、搬送レーン構成装置200は、複数の第1のレール211および複数の第2のレール221のいずれか一方を移動させる機構を有すればよく、両方を移動させる機構は必須ではない。 Further, in the transport lane configuration device 200, the plurality of first rails 211 can be moved while the relative distance between the plurality of first rails 211 is fixed (that is, the pitch P1 is not changed). Further, the plurality of second rails 221 can be moved while the relative distance between the plurality of second rails 221 is fixed (that is, the pitch P2 is not changed). Therefore, the width W2 of each of the plurality of transport lanes 201 can be easily changed at once so as to correspond to the width of the substrate 300. It is possible to correspond to the width of the substrate 300 by moving any one of the plurality of first rails 211 and the plurality of second rails 221. That is, the transport lane configuration device 200 may have a mechanism for moving either one of the plurality of first rails 211 and the plurality of second rails 221. A mechanism for moving both of them is not essential.

なお、複数の第1のレール211および複数の第2のレール221の両方を一括して移動可能とすることによって、基板処理レーン119の設定の自由度が高くなる。基板載置部112における基板処理では、場所によって処理のばらつきが大きくなる場合がある。例えば、基板載置部112の周縁部において、処理が不充分となる場合がある。そのような場合に、複数の第1のレール211および複数の第2のレール221の両方を一括して移動可能とすることによって、基板載置部112の周縁部を避けて基板処理レーン119を設けることが可能である。 By making both the plurality of first rails 211 and the plurality of second rails 221 movable at once, the degree of freedom in setting the substrate processing lane 119 is increased. In the substrate processing in the substrate mounting portion 112, the processing variation may become large depending on the location. For example, the treatment may be insufficient at the peripheral edge of the substrate mounting portion 112. In such a case, by making both the plurality of first rails 211 and the plurality of second rails 221 movable at once, the substrate processing lane 119 is avoided by avoiding the peripheral edge portion of the substrate mounting portion 112. It can be provided.

搬送レーン構成装置200を含む基板処理装置は、処理される基板の幅に応じて、搬送レーンの数および幅を簡単に調整できる。また、搬送レーンの数を同じにしたままで搬送レーンの幅W2を簡単に変更できる。そのため、処理する基板の幅の変更に効率よく対応することができる。 The substrate processing apparatus including the transfer lane configuration device 200 can easily adjust the number and width of the transfer lanes according to the width of the substrate to be processed. Further, the width W2 of the transport lane can be easily changed while keeping the number of transport lanes the same. Therefore, it is possible to efficiently cope with the change in the width of the substrate to be processed.

プラズマ処理装置100について、図8を参照して、具体的に説明する。図8は、密閉空間Sが形成された状態のプラズマ処理装置100の断面を模式的に示す。 The plasma processing apparatus 100 will be specifically described with reference to FIG. FIG. 8 schematically shows a cross section of the plasma processing apparatus 100 in a state where the closed space S is formed.

プラズマ処理装置100は、ベース110および蓋120で構成される処理室130を含む。蓋120は、天井部および天井部の周囲から延出する側壁を有する箱型であり、蓋120の側壁の端面とベース110の周縁とが密着することによって、内部に箱型の密閉空間Sが形成される。 The plasma processing apparatus 100 includes a processing chamber 130 including a base 110 and a lid 120. The lid 120 is a box type having a ceiling portion and a side wall extending from the periphery of the ceiling portion, and the end surface of the side wall of the lid 120 and the peripheral edge of the base 110 are brought into close contact with each other to form a box-shaped sealed space S inside. It is formed.

ベース110は、蓋120と対向する面に配置された基板載置部112を含む。基板載置部112は、電源部400と接続されており、且つ、ベース110とは絶縁されている。プロセスガスの存在下で、電源部400から基板載置部112に高周波電力を印加することによって、密閉空間S内にプラズマが発生する。蓋120は、基板載置部112の対極としての機能を有している。電源部400は、例えば、高周波電源401と自動整合器402とによって構成されている。自動整合器402は、基板載置部112と高周波電源401との間に流れる高周波の進行波と反射波との干渉を防止する作用を有する。 The base 110 includes a substrate mounting portion 112 arranged on a surface facing the lid 120. The board mounting portion 112 is connected to the power supply portion 400 and is insulated from the base 110. By applying high-frequency power from the power supply unit 400 to the substrate mounting unit 112 in the presence of the process gas, plasma is generated in the enclosed space S. The lid 120 has a function as a counter electrode of the substrate mounting portion 112. The power supply unit 400 is composed of, for example, a high frequency power supply 401 and an automatic matching device 402. The automatic matching device 402 has an effect of preventing interference between the high frequency traveling wave and the reflected wave flowing between the substrate mounting portion 112 and the high frequency power supply 401.

密閉空間S内は、密閉空間Sと連通する排気口117(図2参照)を介して、減圧雰囲気に維持可能である。排気口117は、図示しない減圧手段に接続されている。減圧手段は、真空ポンプ、排気配管、圧力調整バルブなどで構成されている。ベース110の周縁と蓋120の側壁の端面との間にはシール部材116が設けられ、密閉空間S内の密閉性が高められる。なお、図示しないが、処理室130には、プラズマ原料となるプロセスガスを密閉空間S内に導入するためのガス供給手段が接続される。ガス供給手段は、アルゴン、酸素、窒素などのプロセスガスを供給するガスボンベ、密閉空間S内にプロセスガスを導入する配管などで構成されている。 The inside of the closed space S can be maintained in a decompressed atmosphere through an exhaust port 117 (see FIG. 2) communicating with the closed space S. The exhaust port 117 is connected to a decompression means (not shown). The depressurizing means includes a vacuum pump, an exhaust pipe, a pressure adjusting valve, and the like. A sealing member 116 is provided between the peripheral edge of the base 110 and the end surface of the side wall of the lid 120 to enhance the airtightness in the sealed space S. Although not shown, a gas supply means for introducing a process gas as a plasma raw material into the closed space S is connected to the processing chamber 130. The gas supply means includes a gas cylinder for supplying a process gas such as argon, oxygen, and nitrogen, a pipe for introducing the process gas into the closed space S, and the like.

基板300の処理室130内への搬入時および処理室130の外への搬出時には、蓋120を上昇させて、密閉空間Sを開放する。一方、基板300をプラズマ処理する際には、図8に示すように、蓋120を下降させて、蓋120の側壁の端面とベース110の周縁部とを密着させる。蓋120の昇降は、図示しない所定の駆動装置によって制御される。 When the substrate 300 is carried into the processing chamber 130 and carried out of the processing chamber 130, the lid 120 is raised to open the closed space S. On the other hand, when the substrate 300 is plasma-treated, as shown in FIG. 8, the lid 120 is lowered so that the end surface of the side wall of the lid 120 and the peripheral edge of the base 110 are brought into close contact with each other. The raising and lowering of the lid 120 is controlled by a predetermined driving device (not shown).

基板載置部112は、第1の絶縁部材114を介して、ベース110に支持されている。基板載置部112は、プラズマ処理の際に基板300に面する上部電極体112aと、第1の絶縁部材114を介してベース110に面する下部電極体112bとで構成されている。上部電極体112aおよび下部電極体112bは、いずれも導電性材料(導体)で形成されている。基板載置部112の外縁部には、上部電極体112aと下部電極体112bとの間に挟持されるように、枠状の第2の絶縁部材115が装着されている。 The substrate mounting portion 112 is supported by the base 110 via the first insulating member 114. The substrate mounting portion 112 is composed of an upper electrode body 112a facing the substrate 300 during plasma treatment and a lower electrode body 112b facing the base 110 via the first insulating member 114. Both the upper electrode body 112a and the lower electrode body 112b are made of a conductive material (conductor). A frame-shaped second insulating member 115 is mounted on the outer edge of the substrate mounting portion 112 so as to be sandwiched between the upper electrode body 112a and the lower electrode body 112b.

基板載置部112上には、複数のガイド部材118が配置されている。ガイド部材118は、処理室130内で基板300を位置決めする。また、基板300が処理室130に対して搬出入される際、基板300は、ガイド部材118にガイドされながら基板載置部112上を移動する。 A plurality of guide members 118 are arranged on the substrate mounting portion 112. The guide member 118 positions the substrate 300 in the processing chamber 130. Further, when the substrate 300 is carried in and out of the processing chamber 130, the substrate 300 moves on the substrate mounting portion 112 while being guided by the guide member 118.

以下、プラズマ処理装置100を用いて、基板300をクリーニングする方法について説明する。まず、一度に処理する基板の数および基板の幅に応じて、複数のガイド部材118の配置(基板処理レーン119の配置)と、搬入用および搬出用の搬送レーン201の配置とを調整する。 Hereinafter, a method of cleaning the substrate 300 using the plasma processing apparatus 100 will be described. First, the arrangement of the plurality of guide members 118 (arrangement of the substrate processing lanes 119) and the arrangement of the transfer lanes 201 for loading and unloading are adjusted according to the number of substrates to be processed at one time and the width of the substrates.

続いて、複数の基板300を第1および第2のレール211および221で支持する。この基板300の端面を、処理室130の方向に向かって搬送レーン構成装置のエンドエフェクタで押す。このとき、処理室130は開放された状態であり、処理室130内に進入した基板300は、搬送レーン201から、一対のガイド部材118の間に収められる。基板300は、ガイド部材118にガイドされながら、基板載置部112まで搬送され、基板載置部112に載置される。 Subsequently, the plurality of substrates 300 are supported by the first and second rails 211 and 221. The end face of the substrate 300 is pushed toward the processing chamber 130 by the end effector of the transport lane configuration device. At this time, the processing chamber 130 is in an open state, and the substrate 300 that has entered the processing chamber 130 is housed between the transport lane 201 and the pair of guide members 118. The substrate 300 is conveyed to the substrate mounting portion 112 while being guided by the guide member 118, and is mounted on the substrate mounting portion 112.

次に、蓋120を下降させて処理室130内を密閉し、密閉空間Sを形成する。その後、密閉空間S内の空気を、減圧手段を用いて排気する。そして、所定の減圧状態に至った時点で、ベース110に接続されたガス供給手段から密閉空間S内にアルゴンなどのプロセスガスが導入される。密閉空間S内が所定の圧力に達した時点で、電源部400によって、基板載置部112と蓋120との間に、高周波電力が印加される。これにより、密閉空間S内のプロセスガスがプラズマ化される。その結果、基板300の表面は、プラズマに暴露され、基板300の表面が洗浄される。 Next, the lid 120 is lowered to seal the inside of the processing chamber 130 to form a closed space S. After that, the air in the closed space S is exhausted by using the decompression means. Then, when a predetermined depressurized state is reached, a process gas such as argon is introduced into the closed space S from the gas supply means connected to the base 110. When the pressure inside the closed space S reaches a predetermined pressure, high-frequency power is applied between the substrate mounting portion 112 and the lid 120 by the power supply unit 400. As a result, the process gas in the closed space S is turned into plasma. As a result, the surface of the substrate 300 is exposed to plasma and the surface of the substrate 300 is cleaned.

プラズマによる基板300の洗浄が終了すると、密閉空間S内が大気に開放され、減圧状態が解除される。次に、蓋120を上昇させる。次いで、基板300の端面をエンドエフェクタで押すことによって、搬出用の搬送レーン201に基板300を移動させる。このようにして、基板300を処理室130の外に搬出する。 When the cleaning of the substrate 300 with plasma is completed, the inside of the closed space S is opened to the atmosphere, and the decompression state is released. Next, the lid 120 is raised. Next, by pushing the end face of the substrate 300 with an end effector, the substrate 300 is moved to the transport lane 201 for carrying out. In this way, the substrate 300 is carried out of the processing chamber 130.

なお、基板300の搬入および搬出にあたり、搬送レーン201が基板載置部112に近づくように搬送レーン構成装置の少なくとも一部を移動させてもよい。 When loading and unloading the substrate 300, at least a part of the transport lane component may be moved so that the transport lane 201 approaches the board mounting portion 112.

上記実施形態では、プラズマ処理装置100を用いて基板300をプラズマによりクリーニングする場合を説明したが、基板300に対して他の処理(例えば、エッチング、成膜、熱処理、露光等)、検査、評価等を行う場合も、上記方法に準じて行われる。 In the above embodiment, the case where the substrate 300 is cleaned by plasma using the plasma processing apparatus 100 has been described, but other processing (for example, etching, film formation, heat treatment, exposure, etc.), inspection, and evaluation of the substrate 300 have been described. Etc. are also performed according to the above method.

本開示は、基板処理装置に利用できる。 The present disclosure can be used for substrate processing equipment.

100 プラズマ処理装置(基板処理装置)
112 基板載置部(基板処理領域)
118 ガイド部材
118a 第1のガイド部材
118b 第2のガイド部材
119 基板処理レーン
130 処理室
200 搬送レーン構成装置
201 搬送レーン
211 第1のレール(支持部材)
221 第2のレール(支持部材)
D1 第1の方向
D2 第2の方向
W1 基板処理レーンの幅
W2 搬送レーンの幅
P1、P2 ピッチ
100 Plasma processing equipment (board processing equipment)
112 Board mounting part (board processing area)
118 Guide member 118a First guide member 118b Second guide member 119 Board processing lane 130 Processing chamber 200 Transport lane component 201 Transport lane 211 First rail (support member)
221 Second rail (support member)
D1 First direction D2 Second direction W1 Width of substrate processing lane W2 Width of transport lane P1, P2 Pitch

Claims (7)

基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板が処理される処理室と、前記処理室内に配置される複数のガイド部材と、前記処理室の外部に配置され、前記基板を第1の方向に搬送するための搬送レーン構成装置とを含み、
前記処理室は、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の前記基板を配置して処理可能な基板処理領域を有し、
前記複数のガイド部材は、前記基板処理領域を通り且つ前記第2の方向に沿って並ぶ複数の基板処理レーンを構成可能であり、
前記複数のガイド部材の少なくとも一部は、前記基板処理レーンの数および前記基板処理レーンの幅W1を変更するように移動可能であり、
前記搬送レーン構成装置は、前記処理室への前記基板の搬入および前記処理室からの前記基板の搬出のうちの少なくとも一方に用いられ、
前記搬送レーン構成装置は、
前記第2の方向に沿って並ぶ複数の搬送レーンを構成することが可能な複数の支持部材と、
前記複数の支持部材のピッチを変更することが可能なピッチ変更手段と、
前記複数の支持部材の少なくとも一部を一括して移動させることによって、前記基板の幅に対応するように前記複数の搬送レーンのそれぞれの幅W2を一括して変更することが可能なレーン幅変更手段とを含む、基板処理装置。
It is a substrate processing device that processes substrates.
A processing chamber in which the substrate is processed, a plurality of guide members arranged in the processing chamber, and a transfer lane component device arranged outside the processing chamber for transporting the substrate in the first direction. Including
The processing chamber has a substrate processing region in which a plurality of the substrates can be arranged and processed along a second direction intersecting with the first direction.
The plurality of guide members can form a plurality of substrate processing lanes that pass through the substrate processing region and are lined up along the second direction.
At least a part of the plurality of guide members can be moved so as to change the number of the substrate processing lanes and the width W1 of the substrate processing lanes.
The transfer lane component device is used for at least one of carrying in the substrate into the processing chamber and carrying out the substrate from the processing chamber.
The transport lane component device
A plurality of support members capable of forming a plurality of transport lanes arranged along the second direction, and a plurality of support members.
A pitch changing means capable of changing the pitch of the plurality of support members, and
By moving at least a part of the plurality of support members at once, the width W2 of each of the plurality of transport lanes can be changed at once so as to correspond to the width of the substrate. Substrate processing equipment, including means.
前記複数の支持部材は、前記第2の方向に沿って交互に並ぶ複数の第1のレールと複数の第2のレールとを含み、
前記複数の搬送レーンのそれぞれは、前記複数の第1のレールの1つと前記複数の第2のレールの1つとによって構成され、
前記ピッチ変更手段は、前記複数の第1のレールのピッチP1を一括して変更する第1のピッチ変更手段と、前記複数の第2のレールのピッチP2を一括して変更する第2のピッチ変更手段とを含み、
前記レーン幅変更手段は、前記ピッチP1を変化させずに前記複数の第1のレールを一括して前記第2の方向に沿って移動させる手段M1、および、前記ピッチP2を変化させずに前記複数の第2のレールを一括して前記第2の方向に沿って移動させる手段M2のうちの少なくとも一方の手段を含む、請求項1に記載の基板処理装置。
The plurality of support members include a plurality of first rails and a plurality of second rails that are alternately arranged along the second direction.
Each of the plurality of transport lanes is composed of one of the plurality of first rails and one of the plurality of second rails.
The pitch changing means includes a first pitch changing means for collectively changing the pitches P1 of the plurality of first rails and a second pitch for collectively changing the pitches P2 of the plurality of second rails. Including means of change
The lane width changing means includes a means M1 for collectively moving the plurality of first rails along the second direction without changing the pitch P1, and the pitch P2 without changing the pitch P2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising at least one of the means M2 for moving the plurality of second rails together along the second direction.
前記複数のガイド部材は、前記基板の一端をガイドする第1のガイド部材と、前記基板の前記一端とは反対の他端をガイドする第2のガイド部材とを含み、
前記第1のピッチ変更手段は、前記第1のガイド部材のピッチPG1に対応するように前記ピッチP1を一括して変更し、
前記第2のピッチ変更手段は、前記第2のガイド部材のピッチPG2に対応するように前記ピッチP2を一括して変更する、請求項2に記載の基板処理装置。
The plurality of guide members include a first guide member that guides one end of the substrate and a second guide member that guides the other end of the substrate opposite to the one end.
The first pitch changing means collectively changes the pitch P1 so as to correspond to the pitch PG1 of the first guide member.
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second pitch changing means collectively changes the pitch P2 so as to correspond to the pitch PG2 of the second guide member.
前記搬送レーン構成装置は、前記第1の方向と交差する方向に延びる第1のスライドレールと、前記第1の方向と交差する方向に延びる第2のスライドレールとを含み、
前記複数の第1のレールは、前記第1のスライドレールによって前記第2の方向に沿ってスライド可能であり、
前記複数の第2のレールは、前記第2のスライドレールによって前記第2の方向に沿ってスライド可能であり、
前記第1のピッチ変更手段は、前記ピッチP1が変化するように前記複数の第1のレール同士の相対距離を一括して変更するための第1のレール移動手段を含み、
前記第2のピッチ変更手段は、前記ピッチP2が変化するように前記複数の第2のレール同士の相対距離を一括して変更するための第2のレール移動手段を含む、請求項2または3に記載の基板処理装置。
The transport lane component includes a first slide rail extending in a direction intersecting the first direction and a second slide rail extending in a direction intersecting the first direction.
The plurality of first rails can be slid along the second direction by the first slide rail.
The plurality of second rails can be slid along the second direction by the second slide rail.
The first pitch changing means includes a first rail moving means for collectively changing the relative distance between the plurality of first rails so that the pitch P1 changes.
Claim 2 or 3, wherein the second pitch changing means includes a second rail moving means for collectively changing the relative distance between the plurality of second rails so that the pitch P2 changes. The substrate processing apparatus according to.
前記第1のレール移動手段は、前記複数の第1のレールに直接または間接的に連結された第1のパンタグラフ機構を含み、
前記第2のレール移動手段は、前記複数の第2のレールに直接または間接的に連結された第2のパンタグラフ機構を含む、請求項4に記載の基板処理装置。
The first rail moving means includes a first pantograph mechanism directly or indirectly connected to the plurality of first rails.
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the second rail moving means includes a second pantograph mechanism directly or indirectly connected to the plurality of second rails.
前記搬送レーン構成装置は、前記複数の支持部材で支持された前記基板を前記搬送レーンに沿って移動させる搬送機構を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The substrate processing device according to any one of claims 1 to 5, wherein the transfer lane constituent device includes a transfer mechanism for moving the substrate supported by the plurality of support members along the transfer lane. 前記処理室内を減圧するための減圧手段と、前記処理室内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段とをさらに含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a depressurizing means for depressurizing the processing chamber and a plasma generating means for generating plasma in the processing chamber.
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